KR20210111912A - Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same - Google Patents
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Abstract
Description
태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 태양전지 전극에 관한 것으로, 보다 상세하게는 접촉저항을 개선하여 변환효율이 우수하고, 접착강도가 우수한 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 태양전지 전극에 관한 것이다.It relates to a composition for forming a solar cell electrode and a solar cell electrode formed therefrom, and more particularly, to a composition for forming a solar cell electrode having excellent conversion efficiency by improving contact resistance and excellent adhesive strength, and a solar cell electrode formed therefrom it's about
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 p-n 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양전지는 p-n 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼 또는 기판 상·하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어 있다. 태양전지는 반도체 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 p-n 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다. 이러한 태양전지의 전극은 전극용 페이스트 조성물의 도포, 패터닝 및 소성에 의해, 웨이퍼 표면에 형성될 수 있다.A solar cell generates electrical energy by using the photoelectric effect of a p-n junction that converts photons of sunlight into electricity. In a solar cell, a front electrode and a rear electrode are respectively formed on the upper and lower surfaces of a semiconductor wafer or substrate on which a p-n junction is formed. In a solar cell, a photoelectric effect of a p-n junction is induced by sunlight incident on a semiconductor wafer, and electrons generated therefrom provide a current flowing to the outside through an electrode. The electrode of the solar cell may be formed on the wafer surface by applying, patterning, and firing the electrode paste composition.
최근 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 에미터(emitter)의 두께가 지속적으로 얇아짐에 따라, 태양전지의 성능을 저하시킬 수 있는 션팅(shunting) 현상을 유발시킬 수 있다. 또한, 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 태양전지의 면적을 점차 증가시키고 있는데, 이는 태양전지의 접촉저항을 높여 태양전지의 효율을 감소시킬 수 있다.In recent years, as the thickness of an emitter continues to decrease in order to increase the efficiency of a solar cell, a shunting phenomenon that may deteriorate the performance of the solar cell may be induced. In addition, in order to increase the efficiency of the solar cell, the area of the solar cell is gradually increased, which may increase the contact resistance of the solar cell and decrease the efficiency of the solar cell.
또한, 태양전지를 구성하는 셀(cell)들은 리본으로 서로 연결되어 모듈을 형성하는데, 전극과 리본의 접착력이 좋지 못한 경우에는 모듈 내구성 하락 및 직렬저항이 크고 변환효율이 저하될 우려가 있다.In addition, the cells constituting the solar cell are connected to each other by a ribbon to form a module, and when the adhesion between the electrode and the ribbon is not good, there is a fear that the durability of the module and the series resistance are large and the conversion efficiency is reduced.
본 발명의 목적은 접촉저항을 개선하여 변환효율이 우수하고, 접착강도가 우수한 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a composition for forming a solar cell electrode having excellent conversion efficiency and excellent adhesive strength by improving contact resistance.
본 발명의 다른 목적은 상기 조성물로부터 형성된 태양전지 전극을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a solar cell electrode formed from the composition.
1. 일 측면에 따르면, 태양전지 전극 형성용 조성물이 제공된다. 상기 조성물은 도전성 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하고, 1. According to one aspect, a composition for forming a solar cell electrode is provided. The composition comprises a conductive powder, a glass frit and an organic vehicle,
상기 유리 프릿은 제1 유리 프릿, 제2 유리 프릿 및 제3 유리 프릿 중 1종 이상을 포함하고, the glass frit comprises at least one of a first glass frit, a second glass frit and a third glass frit;
상기 제1 유리 프릿은 납(Pb)을 비함유한, 비스무스-텔루륨-리튬-칼슘-규소-산화물(Bi-Te-Li-Ca-Si-O)계 유리 프릿이고, 제1 유리 프릿 중 비스무스(Bi), 텔루륨(Te) 및 리튬(Li)의 합계 몰%가 40 내지 95 몰%이고, 칼슘(Ca) 및 규소(Si)의 몰비가 1 : 0.005 내지 220이고,The first glass frit is a lead (Pb)-free, bismuth-tellurium-lithium-calcium-silicon-oxide (Bi-Te-Li-Ca-Si-O)-based glass frit, and The total mole % of bismuth (Bi), tellurium (Te) and lithium (Li) is 40 to 95 mol %, and the molar ratio of calcium (Ca) and silicon (Si) is 1: 0.005 to 220,
상기 제2 유리 프릿은 텔루륨(Te)을 비함유한, 납-붕소-아연-칼슘-규소-산화물(Pb-B-Zn-Ca-Si-O)계 유리 프릿이고, 제2 유리 프릿 중 납(Pb), 붕소(B) 및 아연(Zn)의 합계 몰% 또는 납(Pb) 및 붕소(B)의 합계 몰%가 25 내지 95 몰%이고, 칼슘(Ca) 및 규소(Si)의 몰비가 1 : 0.05 내지 250이고,The second glass frit is a tellurium (Te)-free, lead-boron-zinc-calcium-silicon-oxide (Pb-B-Zn-Ca-Si-O)-based glass frit, and The total mole % of lead (Pb), boron (B) and zinc (Zn) or the total mole % of lead (Pb) and boron (B) is 25 to 95 mole %, and calcium (Ca) and silicon (Si) a molar ratio of 1: 0.05 to 250;
상기 제3 유리 프릿은 텔루륨(Te)을 비함유한, 비스무스-붕소-아연-칼슘-규소-산화물(Bi-B-Zn-Ca-Si-O)계 유리 프릿이고, 제3 유리 프릿 중 비스무스(Bi), 붕소(B) 및 아연(Zn)의 합계 몰%가 25 내지 95 몰%이고, 칼슘(Ca) 및 규소(Si)의 몰비가 1 : 0.05 내지 250일 수 있다.The third glass frit is a bismuth-boron-zinc-calcium-silicon-oxide (Bi-B-Zn-Ca-Si-O)-based glass frit that does not contain tellurium (Te), and A total mole % of bismuth (Bi), boron (B), and zinc (Zn) may be 25 to 95 mol%, and a molar ratio of calcium (Ca) and silicon (Si) may be 1:0.05 to 250.
2. 상기 1에서, 상기 제1 유리 프릿은, 2. In the above 1, the first glass frit,
비스무스(Bi) 산화물 0.1 내지 60 몰%; 0.1 to 60 mol% of bismuth (Bi) oxide;
텔루륨(Te) 산화물 15 내지 70 몰%; 15 to 70 mol% of tellurium (Te) oxide;
리튬(Li) 산화물 0.1 내지 35 몰%; 0.1 to 35 mol% of lithium (Li) oxide;
칼슘(Ca) 산화물 0.1 내지 15 몰%; 및 0.1 to 15 mol% of calcium (Ca) oxide; and
규소(Si) 산화물 0.1 내지 30 몰%; 를 포함할 수 있다.0.1 to 30 mol% of silicon (Si) oxide; may include.
3. 상기 1 또는 2에서, 상기 제2 유리 프릿은, 3. In 1 or 2 above, the second glass frit comprises:
납(Pb) 산화물 0.1 내지 80 몰%;0.1 to 80 mol% of lead (Pb) oxide;
붕소(B) 산화물 0.1 내지 40 몰%; 0.1 to 40 mol% of boron (B) oxide;
아연(Zn) 산화물 0.1 내지 60 몰%; 0.1 to 60 mol% of zinc (Zn) oxide;
칼슘(Ca) 산화물 0.1 내지 15 몰%; 및 0.1 to 15 mol% of calcium (Ca) oxide; and
규소(Si) 산화물 0.1 내지 30 몰%; 를 포함할 수 있다.0.1 to 30 mol% of silicon (Si) oxide; may include.
4. 상기 1 내지 3 중 어느 하나에서, 상기 제3 유리 프릿은, 4. The third glass frit according to any one of 1 to 3 above,
비스무스(Bi) 산화물 0.1 내지 80 몰%; 0.1 to 80 mol% of bismuth (Bi) oxide;
붕소(B) 산화물 0.1 내지 50 몰%; 0.1 to 50 mol% of boron (B) oxide;
아연(Zn) 산화물 0.1 내지 70 몰%; 0.1 to 70 mol% of zinc (Zn) oxide;
칼슘(Ca) 산화물 0.1 내지 15 몰%; 및 0.1 to 15 mol% of calcium (Ca) oxide; and
규소(Si) 산화물 0.1 내지 30 몰%; 를 포함할 수 있다.0.1 to 30 mol% of silicon (Si) oxide; may include.
5. 상기 1 내지 4 중 어느 하나에서, 상기 제1 유리 프릿은 아연(Zn), 나트륨(Na), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 은(Ag), 철(Fe), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 칼륨(K), 셀레늄(Se), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 탈륨(Tl), 탄탈륨(Ta), 세슘(Cs), 세륨(Ce) 및 붕소(B) 중 1종 이상의 원소를 더 포함하고,5. The method according to any one of 1 to 4, wherein the first glass frit is zinc (Zn), sodium (Na), phosphorus (P), germanium (Ge), gallium (Ga), silver (Ag), iron (Fe). ), tungsten (W), magnesium (Mg), molybdenum (Mo), niobium (Nb), strontium (Sr), titanium (Ti), tin (Sn), indium (In), vanadium (V), barium (Ba) ), nickel (Ni), copper (Cu), potassium (K), selenium (Se), arsenic (As), cobalt (Co), zirconium (Zr), manganese (Mn), aluminum (Al), thallium (Tl) ), tantalum (Ta), cesium (Cs), cerium (Ce) and boron (B) further comprising at least one element,
상기 제2 유리 프릿은 리튬(Li), 나트륨(Na), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 은(Ag), 철(Fe), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 칼륨(K), 비소(As), 셀레늄(Se), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 탈륨(Tl), 탄탈륨(Ta), 세슘(Cs) 및 세륨(Ce) 중 1종 이상의 원소를 더 포함하고,The second glass frit is lithium (Li), sodium (Na), phosphorus (P), germanium (Ge), gallium (Ga), silver (Ag), iron (Fe), tungsten (W), magnesium (Mg) , molybdenum (Mo), niobium (Nb), strontium (Sr), titanium (Ti), tin (Sn), indium (In), vanadium (V), barium (Ba), nickel (Ni), copper (Cu) , potassium (K), arsenic (As), selenium (Se), cobalt (Co), zirconium (Zr), manganese (Mn), aluminum (Al), thallium (Tl), tantalum (Ta), cesium (Cs) and cerium (Ce) further comprising at least one element,
상기 제3 유리 프릿은 납(Pb), 리튬(Li), 나트륨(Na), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 은(Ag), 철(Fe), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 칼륨(K), 셀레늄(Se), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 탈륨(Tl), 탄탈륨(Ta), 세슘(Cs) 및 세륨(Ce) 중 1종 이상의 원소를 더 포함할 수 있다.The third glass frit is lead (Pb), lithium (Li), sodium (Na), phosphorus (P), germanium (Ge), gallium (Ga), silver (Ag), iron (Fe), tungsten (W) , magnesium (Mg), molybdenum (Mo), niobium (Nb), strontium (Sr), titanium (Ti), tin (Sn), indium (In), vanadium (V), barium (Ba), nickel (Ni) , copper (Cu), potassium (K), selenium (Se), arsenic (As), cobalt (Co), zirconium (Zr), manganese (Mn), aluminum (Al), thallium (Tl), tantalum (Ta) , and may further include at least one element selected from among cesium (Cs) and cerium (Ce).
6. 상기 1 내지 5 중 어느 하나에서, 상기 제1 유리 프릿, 제2 유리 프릿 또는 제3 유리 프릿은 알루미늄(Al) 산화물을 0 초과 내지 5 몰%로 더 포함할 수 있다.6. In any one of 1 to 5, the first glass frit, the second glass frit, or the third glass frit may further include aluminum (Al) oxide in an amount of greater than 0 to 5 mol%.
7. 상기 1 내지 6 중 어느 하나에서, 상기 제3 유리 프릿은 납(Pb)을 비포함할 수 있다.7. In any one of 1 to 6, the third glass frit may contain lead (Pb)-free.
8. 상기 1 내지 7 중 어느 하나에서, 상기 태양전지 전극 형성용 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.8. The composition for forming a solar cell electrode according to any one of 1 to 7 above, further comprising at least one of a dispersant, a thixotropic agent, a plasticizer, a viscosity stabilizer, an antifoaming agent, a pigment, a UV stabilizer, an antioxidant, and a coupling agent can
9. 상기 1 내지 8 중 어느 하나에서, 상기 태양전지 전극 형성용 조성물은, 9. In any one of 1 to 8, the composition for forming a solar cell electrode,
상기 도전성 분말 60 내지 95 중량%; 60 to 95 wt% of the conductive powder;
상기 유리 프릿 0.1 내지 20 중량%; 및 0.1 to 20% by weight of the glass frit; and
상기 유기 비히클 1 내지 30 중량%; 를 포함할 수 있다.1 to 30% by weight of the organic vehicle; may include.
10. 다른 측면에 따르면, 태양전지 전극이 제공된다. 상기 전극은, 상기 1 내지 9 중 어느 하나의 조성물로부터 형성될 수 있다.10. According to another aspect, a solar cell electrode is provided. The electrode may be formed from the composition of any one of 1 to 9 above.
본 발명은 접촉저항을 개선하여 변환효율이 우수하고, 접착강도가 우수한 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 태양전지 전극을 제공하는 효과를 갖는다.The present invention has the effect of providing a composition for forming a solar cell electrode having excellent conversion efficiency and excellent adhesive strength by improving contact resistance, and a solar cell electrode formed therefrom.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 태양전지를 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically shows a solar cell according to an embodiment of the present invention.
본 명세서 중 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In this specification, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.
본 명세서 중 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.In this specification, terms such as include or have means that the features or components described in the specification are present, and the possibility that one or more other features or components may be added is not excluded in advance.
본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. used herein may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.
본 명세서에서 수치범위를 나타내는 "a 내지 b" 에서 "내지"는 ≥a이고 ≤b으로 정의한다.In the present specification, "to" in "a to b" representing a numerical range is defined as ≥a and ≤b.
태양전지 전극 형성용 조성물Composition for forming a solar cell electrode
일 측면에 따르면, 태양전지 전극 형성용 조성물은 도전성 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하고, 상기 유리 프릿은 소정의 제1 유리 프릿, 제2 유리 프릿 및 제3 유리 프릿 중 1종 이상을 포함할 수 있다.According to one aspect, a composition for forming a solar cell electrode includes a conductive powder, a glass frit, and an organic vehicle, wherein the glass frit includes at least one of a predetermined first glass frit, a second glass frit, and a third glass frit can do.
이하, 태양전지 전극 형성용 조성물의 각 성분들에 대해 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, each component of the composition for forming a solar cell electrode will be described in more detail.
도전성 분말conductive powder
도전성 분말은, 예를 들어 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni) 중 하나 이상의 금속 분말을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 구현예에 따르면, 도전성 분말은 은 분말을 포함할 수 있다.The conductive powder may include, for example, one or more metal powders of silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), palladium (Pd), aluminum (Al), and nickel (Ni), but is not limited thereto. it is not According to one embodiment, the conductive powder may include silver powder.
도전성 분말의 입자 형상은 특별히 한정되지 않으며, 다양한 형상의 입자들, 예를 들면 구형, 판상 또는 무정형 형상의 입자들이 사용될 수 있다.The particle shape of the conductive powder is not particularly limited, and particles of various shapes, for example, particles having a spherical, plate-like or amorphous shape may be used.
도전성 분말은 나노 크기 또는 마이크로 크기의 입경을 갖는 분말일 수 있으며, 예를 들어 수십 내지 수백 나노미터 크기의 도전성 분말, 또는 수 내지 수십 마이크로미터 크기의 도전성 분말일 수 있다. 또한, 도전성 분말로 2 이상의 서로 다른 크기를 갖는 도전성 분말을 혼합하여 사용할 수도 있다.The conductive powder may be a powder having a particle size of a nano size or a micro size, for example, a conductive powder having a size of several tens to hundreds of nanometers, or a conductive powder having a size of several to several tens of micrometers. In addition, as the conductive powder, two or more conductive powders having different sizes may be mixed and used.
도전성 분말의 평균 입경(D50)은 0.1 내지 10㎛일 수 있고, 예를 들어 0.5 내지 5㎛일 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항과 직렬 저항이 낮아질 수 있다. 상기 평균 입경(D50)은 도전성 분말을 이소프로필알코올(IPA) 중에서 25℃에서 3분 동안 초음파 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정될 수 있다.The average particle diameter (D 50 ) of the conductive powder may be 0.1 to 10 μm, for example, 0.5 to 5 μm. In the above range, the contact resistance and the series resistance may be lowered. The average particle diameter (D 50 ) may be measured using a 1064LD model manufactured by CILAS, after ultrasonically dispersing the conductive powder in isopropyl alcohol (IPA) at 25° C. for 3 minutes.
도전성 분말의 사용량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 도전성 분말은 태양전지 전극 형성용 조성물 총 중량 중 60 내지 95 중량%(예를 들면, 70 내지 90 중량%)로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 태양전지의 변환효율이 우수하며, 페이스트화가 원활히 이루어질 수 있다.The amount of the conductive powder used is not particularly limited, but, for example, the conductive powder may be included in an amount of 60 to 95% by weight (eg, 70 to 90% by weight) of the total weight of the composition for forming a solar cell electrode. In the above range, the conversion efficiency of the solar cell is excellent, and the pasting can be performed smoothly.
유리 프릿glass frit
유리 프릿은 태양전지 전극 형성용 조성물의 소성 공정 중 반사 방지막을 에칭(etching)하고, 도전성 분말을 용융시켜 에미터 영역에 도전성 분말의 결정 입자를 생성시키기 위한 것이다. 또한, 유리 프릿은 도전성 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소결 시에 연화하여 소성 온도를 보다 낮추는 효과를 유도한다.The glass frit is for generating crystal grains of the conductive powder in the emitter region by etching the antireflection film during the firing process of the composition for forming the solar cell electrode and melting the conductive powder. In addition, the glass frit improves adhesion between the conductive powder and the wafer and softens during sintering to induce the effect of lowering the sintering temperature.
유리 프릿은 제1 유리 프릿, 제2 유리 프릿 및 제3 유리 프릿 중 1종 이상을 포함할 수 있다.The glass frit may include one or more of a first glass frit, a second glass frit and a third glass frit.
제1 유리 프릿은 납(Pb)을 비함유한, 비스무스-텔루륨-리튬-칼슘-규소-산화물(Bi-Te-Li-Ca-Si-O)계 유리 프릿일 수 있으며, 제1 유리 프릿 중 비스무스(Bi), 텔루륨(Te) 및 리튬(Li)의 합계 몰%가 40 내지 95 몰%이고, 칼슘(Ca) 및 규소(Si)의 몰비가 1 : 0.005 내지 220일 수 있다. 이러한 경우, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제1 유리 프릿 중 비스무스(Bi), 텔루륨(Te) 및 리튬(Li)의 합계 몰%는 40 내지 90 몰%, 다른 예를 들면 45 내지 90 몰%, 또 다른 예를 들면 50 내지 80 몰%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제1 유리 프릿 중 칼슘(Ca) 및 규소(Si)의 몰비는 1 : 0.005 내지 150, 다른 예를 들면 1 : 0.05 내지 100, 또 다른 예를 들면 1 : 0.1 내지 15일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first glass frit may be a lead (Pb)-free, bismuth-tellurium-lithium-calcium-silicon-oxide (Bi-Te-Li-Ca-Si-O)-based glass frit, and the first glass frit The total mol% of bismuth (Bi), tellurium (Te), and lithium (Li) may be 40 to 95 mol%, and the molar ratio of calcium (Ca) and silicon (Si) may be 1:0.005 to 220. In this case, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the total mole % of bismuth (Bi), tellurium (Te) and lithium (Li) in the first glass frit is 40 to 90 mole %, another for example 45 to 90 mole %, another for example It may be 50 to 80 mol%, but is not limited thereto. For example, the molar ratio of calcium (Ca) and silicon (Si) in the first glass frit may be 1: 0.005 to 150, for example 1: 0.05 to 100, and for another example, 1: 0.1 to 15. , but is not limited thereto.
일 구현예에 따르면, 제1 유리 프릿은 비스무스(Bi) 산화물을 0.1 내지 60 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제1 유리 프릿은 비스무스(Bi) 산화물을 0.1 내지 40 몰%, 다른 예를 들면 0.1 내지 25 몰%, 또 다른 예를 들면 0.1 내지 10 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment, the first glass frit may include 0.1 to 60 mol% of bismuth (Bi) oxide. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the first glass frit may contain bismuth (Bi) oxide in an amount of 0.1 to 40 mol%, for example 0.1 to 25 mol%, for another example, 0.1 to 10 mol%, but is not limited thereto. it is not
일 구현예에 따르면, 제1 유리 프릿은 텔루륨(Te) 산화물을 15 내지 70 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제1 유리 프릿은 텔루륨(Te) 산화물을 15 내지 60 몰%, 다른 예를 들면 20 내지 60 몰%, 또 다른 예를 들면 30 내지 60 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the first glass frit may include 15 to 70 mol% of tellurium (Te) oxide. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the first glass frit may include 15 to 60 mol% of tellurium (Te) oxide, for example 20 to 60 mol%, for another example, 30 to 60 mol%, but limited thereto it's not going to be
일 구현예에 따르면, 제1 유리 프릿은 리튬(Li) 산화물을 0.1 내지 35 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제1 유리 프릿은 리튬(Li) 산화물을 2 내지 30 몰%, 다른 예를 들면 5 내지 30 몰%, 또 다른 예를 들면 8 내지 25 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment, the first glass frit may include lithium (Li) oxide in an amount of 0.1 to 35 mol%. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the first glass frit may contain lithium (Li) oxide in an amount of 2 to 30 mol%, for example, 5 to 30 mol%, and for another example, 8 to 25 mol%, but is not limited thereto. it is not
일 구현예에 따르면, 제1 유리 프릿은 칼슘(Ca) 산화물을 0.1 내지 15 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제1 유리 프릿은 칼슘(Ca) 산화물을 0.1 내지 10 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the first glass frit may contain 0.1 to 15 mol% of calcium (Ca) oxide. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the first glass frit may contain 0.1 to 10 mol% of calcium (Ca) oxide, but is not limited thereto.
일 구현예에 따르면, 제1 유리 프릿은 규소(Si) 산화물을 0.1 내지 30 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제1 유리 프릿은 규소(Si) 산화물을 0.1 내지 20 몰%, 다른 예를 들면 0.1 내지 15 몰%, 또 다른 예를 들면 0.1 내지 10 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the first glass frit may include 0.1 to 30 mol% of silicon (Si) oxide. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the first glass frit may include silicon (Si) oxide in an amount of 0.1 to 20 mol%, for example, 0.1 to 15 mol%, for another example, 0.1 to 10 mol%, but is not limited thereto. it is not
일 구현예에 따르면, 제1 유리 프릿은 아연(Zn), 나트륨(Na), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 은(Ag), 철(Fe), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 칼륨(K), 셀레늄(Se), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 탈륨(Tl), 탄탈륨(Ta), 세슘(Cs), 세륨(Ce) 및 붕소(B) 중 1종 이상의 원소를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 유리 프릿은 알루미늄(Al) 산화물을 0 초과 내지 5 몰%(예를 들면, 0.1 내지 5 몰%, 다른 예를 들면 0.1 내지 3 몰%)로 더 포함할 수 있으며, 이러한 경우, 알루미늄 산화물층을 포함한 패시베이션 층에 적용되었을 때 유리 프릿이 알루미늄 산화물층을 과도하게 식각하는 것을 방지하는 효과가 있을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the first glass frit is zinc (Zn), sodium (Na), phosphorus (P), germanium (Ge), gallium (Ga), silver (Ag), iron (Fe), tungsten (W) , magnesium (Mg), molybdenum (Mo), niobium (Nb), strontium (Sr), titanium (Ti), tin (Sn), indium (In), vanadium (V), barium (Ba), nickel (Ni) , copper (Cu), potassium (K), selenium (Se), arsenic (As), cobalt (Co), zirconium (Zr), manganese (Mn), aluminum (Al), thallium (Tl), tantalum (Ta) , cesium (Cs), cerium (Ce), and may further include at least one element of boron (B). For example, the first glass frit may further comprise greater than 0 to 5 mole % (eg, 0.1 to 5 mole %, other such as 0.1 to 3 mole %) of aluminum (Al) oxide, such In this case, when applied to the passivation layer including the aluminum oxide layer, there may be an effect of preventing the glass frit from excessively etching the aluminum oxide layer, but is not limited thereto.
제2 유리 프릿은 텔루륨(Te)을 비함유한, 납-붕소-아연-칼슘-규소-산화물(Pb-B-Zn-Ca-Si-O)계 유리 프릿일 수 있으며, 제2 유리 프릿 중 납(Pb), 붕소(B) 및 아연(Zn)의 합계 몰% 또는 납(Pb) 및 붕소(B)의 합계 몰%가 25 내지 95 몰%이고, 칼슘(Ca) 및 규소(Si)의 몰비가 1 : 0.05 내지 250일 수 있다. 이러한 경우, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제2 유리 프릿 중 납(Pb), 붕소(B) 및 아연(Zn)의 합계 몰% 또는 납(Pb) 및 붕소(B)의 합계 몰%는 25 내지 90 몰%, 다른 예를 들면 30 내지 90 몰%, 또 다른 예를 들면 40 내지 90 몰%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제2 유리 프릿 중 칼슘(Ca) 및 규소(Si)의 몰비는 1 : 0.05 내지 230, 다른 예를 들면 1 : 0.3 내지 200, 또 다른 예를 들면 1 : 1.5 내지 100일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second glass frit may be a tellurium (Te)-free, lead-boron-zinc-calcium-silicon-oxide (Pb-B-Zn-Ca-Si-O)-based glass frit, and the second glass frit The total mole % of lead (Pb), boron (B) and zinc (Zn) or the total mole % of lead (Pb) and boron (B) is 25 to 95 mol %, calcium (Ca) and silicon (Si) A molar ratio of 1: 0.05 to 250 may be. In this case, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the total mole % of lead (Pb), boron (B) and zinc (Zn) or the total mole % of lead (Pb) and boron (B) in the second glass frit is 25 to 90 mole %, another example For example, it may be 30 to 90 mol%, for another example, 40 to 90 mol%, but is not limited thereto. For example, the molar ratio of calcium (Ca) and silicon (Si) in the second glass frit may be 1: 0.05 to 230, for example 1: 0.3 to 200, and for another example, 1: 1.5 to 100. , but is not limited thereto.
일 구현예에 따르면, 제2 유리 프릿은 납(Pb) 산화물을 0.1 내지 80 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제2 유리 프릿은 납(Pb) 산화물을 5 내지 70 몰%, 다른 예를 들면 20 내지 70 몰%, 또 다른 예를 들면 40 내지 70 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the second glass frit may include lead (Pb) oxide in an amount of 0.1 to 80 mol%. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the second glass frit may include lead (Pb) oxide in an amount of 5 to 70 mol%, for example, from 20 to 70 mol%, for another example, from 40 to 70 mol%, but is not limited thereto. it is not
일 구현예에 따르면, 제2 유리 프릿은 붕소(B) 산화물을 0.1 내지 40 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제2 유리 프릿은 붕소(B) 산화물을 0.1 내지 30 몰%, 다른 예를 들면 0.1 내지 25 몰%, 또 다른 예를 들면 0.3 내지 22 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the second glass frit may include boron (B) oxide in an amount of 0.1 to 40 mol%. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the second glass frit may contain boron (B) oxide in an amount of 0.1 to 30 mol%, for example 0.1 to 25 mol%, for another example, 0.3 to 22 mol%, but is not limited thereto. it is not
일 구현예에 따르면, 제2 유리 프릿은 아연(Zn) 산화물을 0.1 내지 60 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제2 유리 프릿은 아연(Zn) 산화물을 0.5 내지 50 몰%, 다른 예를 들면 5 내지 40 몰%, 또 다른 예를 들면 10 내지 30 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the second glass frit may include 0.1 to 60 mol% of zinc (Zn) oxide. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the second glass frit may contain 0.5 to 50 mol% of zinc (Zn) oxide, for example, 5 to 40 mol%, for another example, 10 to 30 mol%, but is not limited thereto. it is not
일 구현예에 따르면, 제2 유리 프릿은 칼슘(Ca) 산화물을 0.1 내지 15 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제2 유리 프릿은 칼슘(Ca) 산화물을 0.1 내지 10 몰%, 다른 예를 들면 0.1 내지 8 몰%, 또 다른 예를 들면 0.2 내지 6 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the second glass frit may include 0.1 to 15 mol% of calcium (Ca) oxide. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the second glass frit may contain calcium (Ca) oxide in an amount of 0.1 to 10 mol%, for example, 0.1 to 8 mol%, for another example, 0.2 to 6 mol%, but is not limited thereto. it is not
일 구현예에 따르면, 제2 유리 프릿은 규소(Si) 산화물을 0.1 내지 30 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제2 유리 프릿은 규소(Si) 산화물을 0.1 내지 20 몰%, 다른 예를 들면 0.1 내지 15 몰%, 또 다른 예를 들면 1 내지 15 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the second glass frit may include 0.1 to 30 mol% of silicon (Si) oxide. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the second glass frit may include silicon (Si) oxide in an amount of 0.1 to 20 mol%, for example, 0.1 to 15 mol%, for another example, 1 to 15 mol%, but is not limited thereto. it is not
일 구현예에 따르면, 제2 유리 프릿은 리튬(Li), 나트륨(Na), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 은(Ag), 철(Fe), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 칼륨(K), 비소(As), 셀레늄(Se), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 탈륨(Tl), 탄탈륨(Ta), 세슘(Cs) 및 세륨(Ce) 1종 이상의 원소를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 유리 프릿은 알루미늄(Al) 산화물을 0 초과 내지 5 몰%( 예를 들면, 0.1 내지 5 몰%, 다른 예를 들면 0.1 내지 3 몰%)로 더 포함할 수 있으며, 이러한 경우, 알루미늄 산화물층을 포함한 패시베이션 층에 적용되었을 때 유리 프릿이 알루미늄 산화물층을 과도하게 식각하는 것을 방지하는 효과가 있을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the second glass frit is lithium (Li), sodium (Na), phosphorus (P), germanium (Ge), gallium (Ga), silver (Ag), iron (Fe), tungsten (W) , magnesium (Mg), molybdenum (Mo), niobium (Nb), strontium (Sr), titanium (Ti), tin (Sn), indium (In), vanadium (V), barium (Ba), nickel (Ni) , copper (Cu), potassium (K), arsenic (As), selenium (Se), cobalt (Co), zirconium (Zr), manganese (Mn), aluminum (Al), thallium (Tl), tantalum (Ta) , cesium (Cs) and cerium (Ce) may further include one or more elements. For example, the second glass frit may further comprise greater than 0 to 5 mole % (eg, 0.1 to 5 mole %, other such as 0.1 to 3 mole %) aluminum (Al) oxide, such In this case, when applied to the passivation layer including the aluminum oxide layer, there may be an effect of preventing the glass frit from excessively etching the aluminum oxide layer, but is not limited thereto.
제3 유리 프릿은 텔루륨(Te)을 비함유한, 비스무스-붕소-아연-칼슘-규소-산화물(Bi-B-Zn-Ca-Si-O)계 유리 프릿일 수 있으며, 제3 유리 프릿 중 비스무스(Bi), 붕소(B) 및 아연(Zn)의 합계 몰%가 25 내지 95 몰%이고, 칼슘(Ca) 및 규소(Si)의 몰비가 1 : 0.05 내지 250일 수 있다. 이러한 경우, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제3 유리 프릿 중 비스무스(Bi), 붕소(B) 및 아연(Zn)의 합계 몰%는 25 내지 90 몰%, 다른 예를 들면 30 내지 90 몰%, 또 다른 예를 들면 40 내지 90 몰%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제3 유리 프릿 중 칼슘(Ca) 및 규소(Si)의 몰비는 1 : 0.05 내지 230, 다른 예를 들면 1 : 0.3 내지 200, 또 다른 예를 들면 1 : 0.5 내지 100일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The third glass frit may be a tellurium (Te)-free, bismuth-boron-zinc-calcium-silicon-oxide (Bi-B-Zn-Ca-Si-O)-based glass frit, and the third glass frit The total mol% of bismuth (Bi), boron (B) and zinc (Zn) may be 25 to 95 mol%, and the molar ratio of calcium (Ca) and silicon (Si) may be 1:0.05 to 250. In this case, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the total mole % of bismuth (Bi), boron (B) and zinc (Zn) in the third glass frit is 25 to 90 mole %, another example 30 to 90 mole %, another example 40 to 90 mol%, but is not limited thereto. For example, the molar ratio of calcium (Ca) and silicon (Si) in the third glass frit may be from 1:0.05 to 230, for example from 1:0.3 to 200, for another example from 1:0.5 to 100. , but is not limited thereto.
일 구현예에 따르면, 제3 유리 프릿은 비스무스(Bi) 산화물을 0.1 내지 80 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제3 유리 프릿은 비스무스(Bi) 산화물을 5 내지 65 몰%, 다른 예를 들면 10 내지 50 몰%, 또 다른 예를 들면 15 내지 50 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment, the third glass frit may include 0.1 to 80 mol% of bismuth (Bi) oxide. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the third glass frit may include 5 to 65 mol% of bismuth (Bi) oxide, for example, 10 to 50 mol%, and for another example, 15 to 50 mol%, but is not limited thereto. it is not
일 구현예에 따르면, 제3 유리 프릿은 붕소(B) 산화물을 0.1 내지 50 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제3 유리 프릿은 붕소(B) 산화물을 1 내지 45 몰%, 다른 예를 들면 5 내지 45 몰%, 또 다른 예를 들면 10 내지 40 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the third glass frit may include boron (B) oxide in an amount of 0.1 to 50 mol%. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the third glass frit may contain boron (B) oxide in an amount of 1 to 45 mol%, for example 5 to 45 mol%, for another example, 10 to 40 mol%, but is not limited thereto. it is not
일 구현예에 따르면, 제3 유리 프릿은 아연(Zn) 산화물을 0.1 내지 70 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제3 유리 프릿은 아연(Zn) 산화물을 1 내지 65 몰%, 다른 예를 들면 5 내지 60 몰%, 또 다른 예를 들면 10 내지 60 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the third glass frit may include 0.1 to 70 mol% of zinc (Zn) oxide. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the third glass frit may contain zinc (Zn) oxide in an amount of 1 to 65 mol%, for example 5 to 60 mol%, for another example, 10 to 60 mol%, but is not limited thereto. it is not
일 구현예에 따르면, 제3 유리 프릿은 칼슘(Ca) 산화물을 0.1 내지 15 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제3 유리 프릿은 칼슘(Ca) 산화물을 0.1 내지 12 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the third glass frit may include 0.1 to 15 mol% of calcium (Ca) oxide. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the third glass frit may contain 0.1 to 12 mol% of calcium (Ca) oxide, but is not limited thereto.
일 구현예에 따르면, 제3 유리 프릿은 규소(Si) 산화물을 0.1 내지 30 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 접촉저항이 개선되고, 접착강도가 우수할 수 있다. 예를 들면, 제3 유리 프릿은 규소(Si) 산화물을 0.1 내지 20 몰%, 다른 예를 들면 0.1 내지 15 몰%, 또 다른 예를 들면 1 내지 15 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment, the third glass frit may include 0.1 to 30 mol% of silicon (Si) oxide. In the above range, the contact resistance may be improved and the adhesive strength may be excellent. For example, the third glass frit may include silicon (Si) oxide in an amount of 0.1 to 20 mol%, for example, 0.1 to 15 mol%, for another example, 1 to 15 mol%, but is not limited thereto. it is not
일 구현예에 따르면, 제3 유리 프릿은 납(Pb), 리튬(Li), 나트륨(Na), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 은(Ag), 철(Fe), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 칼륨(K), 셀레늄(Se), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 탈륨(Tl), 탄탈륨(Ta), 세슘(Cs) 및 세륨(Ce) 중 1종 이상의 원소를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 유리 프릿은 알루미늄(Al) 산화물을 0 초과 내지 5 몰%( 예를 들면, 0.1 내지 5 몰%, 다른 예를 들면 0.1 내지 3 몰%)로 더 포함할 수 있으며, 이러한 경우, 알루미늄 산화물층을 포함한 패시베이션 층에 적용되었을 때 유리 프릿이 알루미늄 산화물층을 과도하게 식각하는 것을 방지하는 효과가 있을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the third glass frit is lead (Pb), lithium (Li), sodium (Na), phosphorus (P), germanium (Ge), gallium (Ga), silver (Ag), iron (Fe) , tungsten (W), magnesium (Mg), molybdenum (Mo), niobium (Nb), strontium (Sr), titanium (Ti), tin (Sn), indium (In), vanadium (V), barium (Ba) , nickel (Ni), copper (Cu), potassium (K), selenium (Se), arsenic (As), cobalt (Co), zirconium (Zr), manganese (Mn), aluminum (Al), thallium (Tl) , tantalum (Ta), cesium (Cs), and cerium (Ce) may further include at least one element. For example, the third glass frit may further comprise greater than 0 to 5 mole % (eg 0.1 to 5 mole %, other such as 0.1 to 3 mole %) aluminum (Al) oxide, such In this case, when applied to the passivation layer including the aluminum oxide layer, there may be an effect of preventing the glass frit from excessively etching the aluminum oxide layer, but is not limited thereto.
일 구현예에 따르면, 제3 유리 프릿은 납(Pb) 원소를 비포함할 수 있으며, 이러한 경우, 패시베이션 층을 강하게 식각하는 효과가 있을 수 있다.According to one embodiment, the third glass frit may not include a lead (Pb) element, and in this case, there may be an effect of strongly etching the passivation layer.
유리 프릿의 형상 및 크기 등은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 유리 프릿의 형상은 구형 또는 부정형일 수 있고, 유리 프릿의 평균 입경(D50)은 0.1 내지 10㎛일 수 있다. 상기 평균 입경(D50)은 유리 프릿을 이소프로필알코올(IPA) 중에서 25℃에서 3분 동안 초음파 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정될 수 있다.The shape and size of the glass frit are not particularly limited. For example, the shape of the glass frit may be spherical or irregular, and the average particle diameter (D 50 ) of the glass frit may be 0.1 to 10 μm. The average particle diameter (D 50 ) may be measured using a 1064LD model manufactured by CILAS after ultrasonically dispersing the glass frit in isopropyl alcohol (IPA) at 25° C. for 3 minutes.
유리 프릿은 통상의 방법을 사용하여 상술한 원소 및/또는 원소 산화물로부터 제조될 수 있다. 예를 들어, 상술한 원소 및/또는 원소 산화물을 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill) 등을 사용하여 혼합한 후, 혼합된 조성물을 800 내지 1,300℃에서 용융시키고, 25℃에서 ??칭(quenching)한 다음, 얻은 결과물을 디스크 밀(disk mill), 플라네터리 밀 등에 의해 분쇄하여 얻을 수 있다.Glass frits may be prepared from the elements and/or element oxides described above using conventional methods. For example, after mixing the above-described elements and/or element oxides using a ball mill or a planetary mill, the mixed composition is melted at 800 to 1,300°C, and 25°C After quenching in the , the obtained result can be obtained by pulverizing by a disk mill, a planetary mill, or the like.
유리 프릿의 사용량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 유리 프릿은 태양전지 전극 형성용 조성물 총 중량 중 0.1 내지 20 중량%, 예를 들어 0.1 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 다양한 면저항 하에서 p-n 접합 안정성을 확보할 수 있고, 저항을 최소화시킬 수 있으며, 종국적으로 태양전지의 효율을 개선할 수 있다. The amount of the glass frit used is not particularly limited, but for example, the glass frit may be included in an amount of 0.1 to 20% by weight, for example, 0.1 to 10% by weight, based on the total weight of the composition for forming a solar cell electrode. In the above range, p-n junction stability can be secured under various sheet resistances, resistance can be minimized, and ultimately, the efficiency of the solar cell can be improved.
유기 비히클organic vehicle
유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물의 무기성분과 기계적 혼합을 통하여 조성물에 인쇄에 적합한 점도 및 유변학적 특성을 부여한다.The organic vehicle imparts viscosity and rheological properties suitable for printing to the composition through mechanical mixing with the inorganic component of the composition for forming a solar cell electrode.
유기 비히클은 통상적으로 태양전지 전극 형성용 조성물에 사용되는 유기 비히클이 사용될 수 있으며, 바인더 수지와 용매 등을 포함할 수 있다.As the organic vehicle, an organic vehicle typically used in a composition for forming a solar cell electrode may be used, and may include a binder resin and a solvent.
바인더 수지로는 아크릴레이트계 또는 셀룰로오스계 수지 등이 사용될 수 있다. 예를 들어, 바인더 수지로 에틸 셀룰로오스가 사용될 수 있다. 다른 예를 들면, 바인더 수지로 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스와 페놀 수지의 혼합물, 알키드 수지, 페놀계 수지, 아크릴산 에스테르계 수지, 크실렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 요소계 수지, 멜라민계 수지, 초산비닐계 수지, 목재 로진(rosin) 또는 알콜의 폴리메타크릴레이트 등이 사용될 수 있다.As the binder resin, an acrylate-based resin or a cellulose-based resin may be used. For example, ethyl cellulose may be used as the binder resin. In another example, as the binder resin, ethyl hydroxyethyl cellulose, nitrocellulose, a mixture of ethyl cellulose and phenol resin, alkyd resin, phenol-based resin, acrylic acid ester-based resin, xylene-based resin, polybutene-based resin, polyester-based resin , urea-based resin, melamine-based resin, vinyl acetate-based resin, wood rosin, or polymethacrylate of alcohol may be used.
용매로는, 예를 들어 헥산, 톨루엔, 에틸셀로솔브, 시클로헥사논, 부틸셀로솔브, 부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르), 디부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르), 부틸 카비톨 아세테이트(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 헥실렌 글리콜, 터핀올(terpineol), 메틸에틸케톤, 벤질알콜, 감마부티로락톤, 에틸락테이트 또는 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노이소부티레이트(예를 들면, 텍사놀) 등을 단독으로 또는 혼합하여 사용될 수 있다.Examples of the solvent include hexane, toluene, ethyl cellosolve, cyclohexanone, butyl cellosolve, butyl carbitol (diethylene glycol monobutyl ether), dibutyl carbitol (diethylene glycol dibutyl ether), butyl carbitol acetate (diethylene glycol monobutyl ether acetate), propylene glycol monomethyl ether, hexylene glycol, terpineol, methyl ethyl ketone, benzyl alcohol, gamma butyrolactone, ethyl lactate or 2,2; 4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate (eg, Texanol) and the like may be used alone or in combination.
유기 비히클의 사용량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물 총 중량 중 1 내지 30 중량%(예를 들면, 3 내지 20 중량%)로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 충분한 접착강도와 우수한 인쇄성을 확보할 수 있다.The amount of the organic vehicle used is not particularly limited, but, for example, the organic vehicle may be included in an amount of 1 to 30% by weight (eg, 3 to 20% by weight) of the total weight of the composition for forming a solar cell electrode. In the above range, sufficient adhesive strength and excellent printability can be ensured.
첨가제additive
태양전지 전극 형성용 조성물은 상술한 성분 외에도 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 더 포함할 수 있다. 이들은 태양전지 전극 형성용 조성물 총 중량 중 0.1 내지 5 중량%로 포함될 수 있으나, 필요에 따라 그 함량을 변경할 수 있다.In addition to the above components, the composition for forming a solar cell electrode contains a dispersant, a thixotropic agent, a plasticizer, a viscosity stabilizer, an antifoaming agent, a pigment, a UV stabilizer, an antioxidant, a coupling agent, etc. It may further include alone or two or more types. These may be included in 0.1 to 5 wt% of the total weight of the composition for forming a solar cell electrode, but the content may be changed as needed.
태양전지 전극 및 이를 포함하는 태양전지Solar cell electrode and solar cell including same
다른 측면에 따르면, 상기 태양전지 전극 형성용 조성물로부터 형성된 태양전지 전극 및 이를 포함하는 태양전지가 제공된다. 도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 태양전지(100)의 구조를 개략적으로 도시한 것이다.According to another aspect, a solar cell electrode formed from the composition for forming a solar cell electrode and a solar cell including the same are provided. 1 schematically shows the structure of a
도 1을 참조하면, p층(또는 n층)(11) 및 에미터로서의 n층(또는 p층)(12)을 포함하는 웨이퍼 또는 기판(10) 상에, 태양전지 전극 형성용 조성물을 인쇄하고 소성하여 후면 전극(21) 및 전면 전극(23)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 태양전지 전극 형성용 조성물을 웨이퍼의 후면에 인쇄 도포한 후, 200 내지 400℃에서 10 내지 60초 동안 건조하여 후면 전극을 위한 사전 준비 단계를 수행할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 전면에 태양전지 전극 형성용 조성물을 인쇄한 후 건조하여 전면 전극을 위한 사전 준비단계를 수행할 수 있다. 이후에, 400 내지 950℃, 예를 들면 600 내지 900℃에서 30 내지 210초 동안 소성하는 소성 과정을 수행하여 전면 전극 및 후면 전극을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 1 , on a wafer or
이하, 실시예를 들어 본 발명의 일 구현예를 따르는 태양전지 전극 형성용 조성물에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며, 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.Hereinafter, for example, a composition for forming a solar cell electrode according to an embodiment of the present invention will be described in more detail. However, this is presented as a preferred example of the present invention, and it cannot be construed as limiting the present invention in any sense.
실시예Example
실시예 1Example 1
바인더 수지로서 에틸셀룰로오스(STD4, Dow chemical社) 2 중량부를 용매인 터핀올(Nippon Terpine社) 6.5 중량부로 60℃에서 충분히 용해한 후, 평균 입경이 2.0 ㎛인 구형의 은 분말(4-8F, Dowa社) 90 중량부, 평균 입경이 1.0 ㎛인 하기 표 1의 유리 프릿 A 1.5 중량부를 투입하여 골고루 믹싱한 후, 3롤 혼련기로 혼합 분산시켜 태양 전지 전극 형성용 조성물을 제조하였다.After sufficiently dissolving 2 parts by weight of ethyl cellulose (STD4, Dow chemical) as a binder resin at 60° C. with 6.5 parts by weight of terpinol (Nippon Terpine) as a solvent, spherical silver powder (4-8F, Dowa) having an average particle diameter of 2.0 μm Company) 90 parts by weight, 1.5 parts by weight of the glass frit A of Table 1 below having an average particle diameter of 1.0 μm, mixed evenly, and mixed and dispersed with a 3-roll kneader to prepare a composition for forming a solar cell electrode.
실시예 2 내지 5 및 비교예 1 내지 7 Examples 2 to 5 and Comparative Examples 1 to 7
유리 프릿 A 대신 하기 표 1의 유리 프릿 B 내지 L을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 사용하여 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조하였다.A composition for forming a solar cell electrode was prepared in the same manner as in Example 1, except that glass frits B to L of Table 1 were used instead of glass frit A.
평가예 1: 전기적 특성Evaluation Example 1: Electrical properties
웨이퍼(보론(Boron)이 도핑(doping)된 p 타입 웨이퍼 전면에 텍스쳐링(texturing)한 후, POCl3로 n+층을 형성하고 그 위에 질화규소(SiNx:H)를 반사 방지막으로 형성시킨 mono crystalline 웨이퍼)의 후면에 알루미늄 페이스트를 인쇄한 후 300℃에서 30초 동안 건조하였다. 이후, 웨이퍼 전면에 실시예 및 비교예에서 제조한 태양전지 전극 형성용 조성물을 스크린 인쇄하고 300℃에서 30초 동안 건조시켰다. 상기 과정으로 형성된 셀을 벨트형 소성로를 사용하여 940℃에서 70초간 소성하여 태양전지 셀을 제조하였다. 이와 같이 제조된 태양전지 셀에 대하여 태양전지 효율 측정 장비(Halm, Fortix tech社)를 사용하여 직렬저항(Rs, 단위: Ω) 및 변환효율(Eff., 단위: %)를 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타냈다.After texturing the entire surface of the wafer (Boron-doped p-type wafer), an n + layer is formed with POCl 3 and silicon nitride (SiNx:H) is formed thereon as an anti-reflection film. Mono crystalline wafer ), after printing an aluminum paste on the back side, it was dried at 300 °C for 30 seconds. Thereafter, the composition for forming a solar cell electrode prepared in Examples and Comparative Examples was screen-printed on the entire surface of the wafer and dried at 300° C. for 30 seconds. The cell formed by the above process was fired at 940° C. for 70 seconds using a belt-type firing furnace to prepare a solar cell. The series resistance (Rs, unit: Ω) and conversion efficiency (Eff., unit: %) were measured for the solar cell thus manufactured using a solar cell efficiency measuring device (Halm, Fortix tech), and the result was is shown in Table 2 below.
평가예 2: 부착력(단위: N)Evaluation Example 2: Adhesion (Unit: N)
상기 제조한 태양전지 셀의 전극층 상에 플럭스(Flux)(952S, Kester社)를 도포하고, 리본(62Sn/36Pb/2Ag, 두께 0.18mm, 폭 1.5mm)을 인두를 사용하여 360℃ 온도에서 접착한 후, 테스터기(Mocel H5K-T, Tinius Olsen社)을 사용하여 리본의 끝을 180° 각도로 고정하고 50mm/min의 속도로 잡아당겨 그 값을 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타냈다.A flux (952S, Kester) was applied on the electrode layer of the solar cell prepared above, and a ribbon (62Sn/36Pb/2Ag, thickness 0.18mm, width 1.5mm) was adhered at a temperature of 360°C using an iron. After that, using a tester (Mocel H5K-T, Tinius Olsen), the end of the ribbon was fixed at an angle of 180° and pulled at a speed of 50 mm/min to measure the value, and the results are shown in Table 2 below.
상기 표 2를 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 제1 유리 프릿, 제2 유리 프릿 또는 제3 유리 프릿을 포함한 실시예 1 내지 5의 태양전지 전극 형성용 조성물로부터 형성된 태양전지는 그렇지 않은 비교예 1 내지 7에 비하여 접촉저항이 개선되어 우수한 변환효율을 보였으며, 부착력 또한 우수한 것을 알 수 있다. As can be seen from Table 2 above, the solar cells formed from the compositions for forming solar cell electrodes of Examples 1 to 5 including the first glass frit, the second glass frit, or the third glass frit of the present invention are not compared It can be seen that the contact resistance was improved compared to Examples 1 to 7, which showed excellent conversion efficiency, and the adhesion was also excellent.
이제까지 본 발명에 대하여 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.Up to now, the present invention has been looked at mainly with respect to the embodiments. Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in modified forms without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments are to be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the present invention is indicated in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the present invention.
Claims (10)
상기 유리 프릿은 제1 유리 프릿, 제2 유리 프릿 및 제3 유리 프릿 중 1종 이상을 포함하고,
상기 제1 유리 프릿은 납(Pb)을 비함유한, 비스무스-텔루륨-리튬-칼슘-규소-산화물(Bi-Te-Li-Ca-Si-O)계 유리 프릿이고, 제1 유리 프릿 중 비스무스(Bi), 텔루륨(Te) 및 리튬(Li)의 합계 몰%가 40 내지 95 몰%이고, 칼슘(Ca) 및 규소(Si)의 몰비가 1 : 0.005 내지 220이고,
상기 제2 유리 프릿은 텔루륨(Te)을 비함유한, 납-붕소-아연-칼슘-규소-산화물(Pb-B-Zn-Ca-Si-O)계 유리 프릿이고, 제2 유리 프릿 중 납(Pb), 붕소(B) 및 아연(Zn)의 합계 몰% 또는 납(Pb) 및 붕소(B)의 합계 몰%가 25 내지 95 몰%이고, 칼슘(Ca) 및 규소(Si)의 몰비가 1 : 0.05 내지 250이고,
상기 제3 유리 프릿은 텔루륨(Te)을 비함유한, 비스무스-붕소-아연-칼슘-규소-산화물(Bi-B-Zn-Ca-Si-O)계 유리 프릿이고, 제3 유리 프릿 중 비스무스(Bi), 붕소(B) 및 아연(Zn)의 합계 몰%가 25 내지 95 몰%이고, 칼슘(Ca) 및 규소(Si)의 몰비가 1 : 0.05 내지 250인, 태양전지 전극 형성용 조성물.
a conductive powder, a glass frit and an organic vehicle;
the glass frit comprises at least one of a first glass frit, a second glass frit and a third glass frit;
The first glass frit is a lead (Pb)-free, bismuth-tellurium-lithium-calcium-silicon-oxide (Bi-Te-Li-Ca-Si-O)-based glass frit, and The total mole % of bismuth (Bi), tellurium (Te) and lithium (Li) is 40 to 95 mol %, and the molar ratio of calcium (Ca) and silicon (Si) is 1: 0.005 to 220,
The second glass frit is a tellurium (Te)-free, lead-boron-zinc-calcium-silicon-oxide (Pb-B-Zn-Ca-Si-O)-based glass frit, and The total mole % of lead (Pb), boron (B) and zinc (Zn) or the total mole % of lead (Pb) and boron (B) is 25 to 95 mole %, and calcium (Ca) and silicon (Si) a molar ratio of 1: 0.05 to 250;
The third glass frit is a bismuth-boron-zinc-calcium-silicon-oxide (Bi-B-Zn-Ca-Si-O)-based glass frit that does not contain tellurium (Te), and The total mol% of bismuth (Bi), boron (B) and zinc (Zn) is 25 to 95 mol%, and the molar ratio of calcium (Ca) and silicon (Si) is 1:0.05 to 250, for solar cell electrode formation composition.
상기 제1 유리 프릿은,
비스무스(Bi) 산화물 0.1 내지 60 몰%;
텔루륨(Te) 산화물 15 내지 70 몰%;
리튬(Li) 산화물 0.1 내지 35 몰%;
칼슘(Ca) 산화물 0.1 내지 15 몰%; 및
규소(Si) 산화물 0.1 내지 30 몰%; 를 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The first glass frit,
0.1 to 60 mol% of bismuth (Bi) oxide;
15 to 70 mol% of tellurium (Te) oxide;
0.1 to 35 mol% of lithium (Li) oxide;
0.1 to 15 mol% of calcium (Ca) oxide; and
0.1 to 30 mol% of silicon (Si) oxide; A composition for forming a solar cell electrode comprising a.
상기 제2 유리 프릿은,
납(Pb) 산화물 0.1 내지 80 몰%;
붕소(B) 산화물 0.1 내지 40 몰%;
아연(Zn) 산화물 0.1 내지 60 몰%;
칼슘(Ca) 산화물 0.1 내지 15 몰%; 및
규소(Si) 산화물 0.1 내지 30 몰%; 를 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The second glass frit,
0.1 to 80 mol% of lead (Pb) oxide;
0.1 to 40 mol% of boron (B) oxide;
0.1 to 60 mol% of zinc (Zn) oxide;
0.1 to 15 mol% of calcium (Ca) oxide; and
0.1 to 30 mol% of silicon (Si) oxide; A composition for forming a solar cell electrode comprising a.
상기 제3 유리 프릿은,
비스무스(Bi) 산화물 0.1 내지 80 몰%;
붕소(B) 산화물 0.1 내지 50 몰%;
아연(Zn) 산화물 0.1 내지 70 몰%;
칼슘(Ca) 산화물 0.1 내지 15 몰%; 및
규소(Si) 산화물 0.1 내지 30 몰%; 를 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The third glass frit,
0.1 to 80 mol% of bismuth (Bi) oxide;
0.1 to 50 mol% of boron (B) oxide;
0.1 to 70 mol% of zinc (Zn) oxide;
0.1 to 15 mol% of calcium (Ca) oxide; and
0.1 to 30 mol% of silicon (Si) oxide; A composition for forming a solar cell electrode comprising a.
상기 제1 유리 프릿은 아연(Zn), 나트륨(Na), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 은(Ag), 철(Fe), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 칼륨(K), 셀레늄(Se), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 탈륨(Tl), 탄탈륨(Ta), 세슘(Cs), 세륨(Ce) 및 붕소(B) 중 1종 이상의 원소를 더 포함하고,
상기 제2 유리 프릿은 리튬(Li), 나트륨(Na), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 은(Ag), 철(Fe), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 칼륨(K), 비소(As), 셀레늄(Se), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 탈륨(Tl), 탄탈륨(Ta), 세슘(Cs) 및 세륨(Ce) 중 1종 이상의 원소를 더 포함하고,
상기 제3 유리 프릿은 납(Pb), 리튬(Li), 나트륨(Na), 인(P), 게르마늄(Ge), 갈륨(Ga), 은(Ag), 철(Fe), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 구리(Cu), 칼륨(K), 셀레늄(Se), 비소(As), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 탈륨(Tl), 탄탈륨(Ta), 세슘(Cs) 및 세륨(Ce) 중 1종 이상의 원소를 더 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The first glass frit is zinc (Zn), sodium (Na), phosphorus (P), germanium (Ge), gallium (Ga), silver (Ag), iron (Fe), tungsten (W), magnesium (Mg) , molybdenum (Mo), niobium (Nb), strontium (Sr), titanium (Ti), tin (Sn), indium (In), vanadium (V), barium (Ba), nickel (Ni), copper (Cu) , potassium (K), selenium (Se), arsenic (As), cobalt (Co), zirconium (Zr), manganese (Mn), aluminum (Al), thallium (Tl), tantalum (Ta), cesium (Cs) , further comprising at least one element of cerium (Ce) and boron (B),
The second glass frit is lithium (Li), sodium (Na), phosphorus (P), germanium (Ge), gallium (Ga), silver (Ag), iron (Fe), tungsten (W), magnesium (Mg) , molybdenum (Mo), niobium (Nb), strontium (Sr), titanium (Ti), tin (Sn), indium (In), vanadium (V), barium (Ba), nickel (Ni), copper (Cu) , potassium (K), arsenic (As), selenium (Se), cobalt (Co), zirconium (Zr), manganese (Mn), aluminum (Al), thallium (Tl), tantalum (Ta), cesium (Cs) and cerium (Ce) further comprising at least one element,
The third glass frit is lead (Pb), lithium (Li), sodium (Na), phosphorus (P), germanium (Ge), gallium (Ga), silver (Ag), iron (Fe), tungsten (W) , magnesium (Mg), molybdenum (Mo), niobium (Nb), strontium (Sr), titanium (Ti), tin (Sn), indium (In), vanadium (V), barium (Ba), nickel (Ni) , copper (Cu), potassium (K), selenium (Se), arsenic (As), cobalt (Co), zirconium (Zr), manganese (Mn), aluminum (Al), thallium (Tl), tantalum (Ta) , Cesium (Cs) and cerium (Ce), the composition for forming a solar cell electrode further comprising at least one element.
상기 제1 유리 프릿, 제2 유리 프릿 또는 제3 유리 프릿은 알루미늄(Al) 산화물을 0 초과 내지 5 몰%로 더 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The first glass frit, the second glass frit, or the third glass frit further comprises more than 0 to 5 mol% of aluminum (Al) oxide, a composition for forming a solar cell electrode.
상기 제3 유리 프릿은 납(Pb) 원소를 비포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The third glass frit does not contain a lead (Pb) element, a composition for forming a solar cell electrode.
상기 태양전지 전극 형성용 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제 중 1종 이상을 더 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The composition for forming a solar cell electrode further comprises at least one of a dispersant, a thixotropic agent, a plasticizer, a viscosity stabilizer, an antifoaming agent, a pigment, a UV stabilizer, an antioxidant, and a coupling agent.
상기 태양전지 전극 형성용 조성물은,
상기 도전성 분말 60 내지 95 중량%;
상기 유리 프릿 0.1 내지 20 중량%; 및
상기 유기 비히클 1 내지 30 중량%; 를 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The composition for forming the solar cell electrode,
60 to 95 wt% of the conductive powder;
0.1 to 20% by weight of the glass frit; and
1 to 30% by weight of the organic vehicle; A composition for forming a solar cell electrode comprising a.
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