KR20210097046A - 전자 디바이스를 패키징하기 위한 유리 웨이퍼를 제조하는 방법, 및 이 방법에 따라 제조된 전자 부품 - Google Patents

전자 디바이스를 패키징하기 위한 유리 웨이퍼를 제조하는 방법, 및 이 방법에 따라 제조된 전자 부품 Download PDF

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프랑크 긴델
크리스티안 라코브란트
가즈히토 미야와키
로베르트 헤틀러
다카히사 우치다
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쇼오트 아게
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 어셈블리에서 전자 디바이스(3)를 패키징하기 위한 패턴화된 유리 웨이퍼(10)를 제조하는 방법을 제공하고, 이 방법은 몰드(6)의 2개의 몰드 반부(7, 8) 사이에 유리 시트(9)를 배치하는 단계, 및 유리 시트(9)가 연화될 때까지 유리 시트를 가열하고, 동시에 유리 시트가 재성형되어 패턴화된 유리 웨이퍼(10)를 형성하도록 몰드 반부(7, 8)를 서로에 대하여 가압하는 단계를 포함하며, 여기서 제1 몰드 반부(7)는 돌출부(5)의 배열을 갖고, 제2 몰드 반부(8)는 오목부(4)의 배열을 가지며, 유리 시트(9)를 재성형하기 위한 몰드(6)의 몰드 반부(7, 8)는 오목부(4) 및 돌출부(5)가 서로 마주보는 방식으로 정렬 및 성형되어 있고, 돌출부(5)는 재성형 동안 유리 시트(9) 내로 공동(15)을 도입하며, 공동(15) 반대측의 유리 시트(9)의 유리는 재성형 동안 제2 몰드 반부(8)의 오목부(4) 내로 유동하고, 오목부(4)는 유리가 오목부(4)와 적어도 부분적으로 접촉하지 않도록 그리고 각각의 오목부(4)에서 볼록하게 성형된 유리 표면(14)을 형성하도록 충분히 깊게 되어 있다.

Description

전자 디바이스를 패키징하기 위한 유리 웨이퍼를 제조하는 방법, 및 이 방법에 따라 제조된 전자 부품{METHOD FOR PRODUCING GLASS WAFERS FOR PACKAGING ELECTRONIC DEVICES, AND ELECTRONIC COMPONENT PRODUCED ACCORDING TO THE METHOD}
본 발명은 일반적으로 캡슐화 전자 부품, 특히 캡슐화 광전자 부품의 제조에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 광전자 디바이스용 밀폐 패키지(hermetic package)를 위한 웨이퍼 기반 제조 개념을 제공한다.
캡슐화를 포함하는 광전자 부품의 처리는 종래 기술로부터 자체 공지되어 있다. 그 부품의 효율적인 제조 공정에 있어서, 웨이퍼에서 제조가 각각의 패키지에 대한 개별 제조 공정에 대한 대안으로서 선호되고 있다. 이러한 방식으로, 패키징 단계 및 본딩 단계는 병렬로 수행될 수 있으며, 비용 효율적일 수 있다.
US 10,347,806 B2에는 UV LED 디바이스가 컵 형상 오목부를 지닌 패턴화 기재 내에 배치되는 방법이 개시되어 있다. 그 기재는 집적된 렌즈를 갖는 용융 실리카 유리 웨이퍼에 애노드 본딩에 의해 본딩된다. 이로써, 그 UV-LED 모듈은 컵 형상 오목부에 의해 한정된 공동에서 그 위에 배치된 용융 실리카 유리 웨이퍼에 의해 캡슐화된다. 이어서, 그 캡슐화 UV-LED는 분리될 수 있다. 그러나, 이러한 방법을 이용하면, LED 디바이스는 작은 컵 형상 오목부 내로 도입되고 거기에서 납땜되어야 한다.
WO 2015/082477 A1에는 하우징된 방사선 방출 부품을 웨이퍼 레벨에서 제조하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법에 따르면, 유리로 제조된 패턴화 캡 기재를 얻기 위해서 몰드 기재가 사용된다. 이를 위해, 컵 기재 및 몰드 기재는, 컵 기재의 유리 재료가 변형되거나, 성형되거나, 또는 몰드 기재의 도상 영역들 사이의 오목부 내로 유동하도록, 열 처리된다. 이어서, 그 컵 기재는 제거되어 패턴화 컵 기재를 얻게 된다. 따라서, 몰드 기재는 유리 유동 공정에 의해 컵 기재를 성형하는 데 사용된다. 이러한 방식으로, 윈도우 부품은 컵 기재 내로 집적될 수 있고, 이어서 민감한 방사선 공급원을 밀폐적으로 밀봉하는 데 사용될 수 있다. 그 제거는 몰드 기재의 반도체 재료의 기계적 분리, 선택적 에칭 또는 에칭 제거에 의해 달성된다. 양자의 공정에서, 몰드 기재가 손실되므로, 그 기재는 각각의 컵 기재에 대하여 다시 제조되어야 한다.
그러므로, 본 발명은 웨이퍼 레벨에서 광전자 부품의 제조를 단순화하는 목적을 기초로 한다. 이를 위해, 본 발명은 패턴화 유리 웨이퍼를 제조하는 방법을 제공하며, 이 방법에서 유리 시트는 몰드의 2개의 몰드 반부 사이에 배치되고 유리 시트가 연화될 때까지 가열되며, 동시에 몰드 반부는 서로에 대하여 가압되고, 여기서 유리 시트 및 몰드 반부의 유형 및 설계에 따라 좌우되긴 하지만, 작용하는 중량 힘은 그러한 목적에 충분할 수 있으므로, 유리 시트는 성형 또는 재성형되어 패턴화 유리 웨이퍼를 형성하게 되고, 제1 몰드 반부는 적어도 하나의 돌출부, 바람직하게는 돌출부의 배열을 가지며, 제2 몰드 반부는 적어도 하나의 오목부, 바람직하게는 오목부의 배열을 갖고, 유리 시트를 재성형하기 위한 몰드의 몰드 반부는 오목부와 돌출부가 서로 마주보는 방식으로 정렬되어 성형하고, 돌출부는 재성형 동안 유리 시트 내로 공동을 도입하며, 공동 반대측의 유리 시트의 유리는 재성형 동안 제2 몰드 반부의 오목부 내로 유동하게 되고, 오목부는 유리가 그 오목부와 적어도 부분적으로 접촉하지 않고 각각의 오목부에서 볼록하게 성형된 유리 표면을 형성하도록 충분히 깊게 되어 있다. 그 재성형은 구체적으로 몰드 반부를 함께 가압함으로써 달성된다. 가압 압력은 또한 정상부에 놓인 몰드 반부 및 유리 시트의 중량에 의해서만 오로지 가해질 수 있다. 유리가 몰드 반부와 접촉하지 않게 되기 때문에, 볼록한 유리 표면은 자유롭게 성형된다. 이러써, 그 표면 프로파일은 관련된 재료의 표면 장력 및 환경 조건에 의해 주로 결정된다. 이러한 방식으로 제조된 웨이퍼는 특히 웨이퍼 어셈블리에서 전자 디바이스를 패키징하는 데 사용될 수 있다. 웨이퍼 내로 스탬핑된 공동은, 그 디바이스가 돌출되거나 돌출부를 형성한다고 할지라도, 상응하는 기재 웨이퍼 상에 배치된 전자 디바이스, 특히 광전자 디바이스를 수용할 수 있다.
또한, 본 개시내용은 패턴화 유리 웨이퍼에 의해 캡슐화된 전자 부품, 바람직하게는 광전자 부품의 제조에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 기재 웨이퍼에 다수의 전자 디바이스가 구비되어 있는 캡슐화 전자 부품, 특히 광전자 부품을 제조하는 방법을 제공한다. 전자 디바이스가 구비된 기재 웨이퍼는 공동을 갖는 패턴화 유리 웨이퍼의 측면에 본딩되므로, 전자 디바이스는 공동 내에 밀폐적으로 동봉된다. 이러한 방식으로 제조된 웨이퍼 어셈블리는, 예를 들면 소잉(sawing), 레이저, 또는 스크라이브-앤-브레이크 공정(scribe-and-break process)에 의해 분리되므로, 개별 전자 부품은 기재 웨이퍼로부터 분리되고 전자 디바이스를 포함하는 기재, 및 패턴화 유리 웨이퍼로부터 분리되고 공동 내에 그 디바이스를 밀폐적으로 밀봉하는 유리 커버를 포함하는 것으로서 얻어지게 된다.
이하, 본 발명은 도면을 참조하여 보다 상세히 설명된다.
도 1 내지 6은 캡슐화 전자 부품, 특히 광전자 부품을 제조하는 방법 단계를 도시한 것이다.
도 7 내지 9는 양면 볼록 렌즈를 제조하기 위한, 방법의 변형에 따른 방법 단계를 도시한 것이다.
도 10 및 11은 도 7 내지 9에 따른 변형의 변경에 따른 방법 단계를 도시한 것이다.
도 12는 패턴화 유리 웨이퍼의 사진을 도시한 것이다.
도 13은 유리 커버의 단면도를 도시한 것이다.
도 14는 도 13에 도시된 유리 커버의 볼록 유리 표면 및 공동의 윤곽 프로파일의 그래프이다.
패턴화 유리 웨이퍼를 제조하는 방법 단계는 도 1 내지 3을 참조하여 설명된다. 도 4 내지 6은 캡슐화 전자 부품이 얻어질 때까지 유리 웨이퍼를 사용하는 추가 처리를 도시한 것이다. 도 1에 예시되어 있는 바와 같이, 패턴화 유리 웨이퍼(10)를 제조하는 방법은 유리 시트(9)를 제공하는 것 및 그 유리 시트를 몰드(6)의 2개의 몰드 반부(7, 8) 사이에 배치하는 것을 기초로 한다. 몰드는 가압에 의해 유리를 원하는 형상으로 만들도록 의도된다. 유리 시트는 유리 시트(9)가 연화될 때까지 몰드 반부(7, 8)와 함께 가열된다. 몰드 반부(7, 8)는 그 연화된 유리가 인가된 압력 하에 유동하기 시작하도록 서로에 대하여 가압된다. 예시되어 있는 바와 같이, 제1 반부(7)는 적어도 하나의 돌출부(5), 특히 돌출부(5)의 배열을 가지며, 제2 반부(8)는 적어도 하나의 오목부(4), 바람직하게는 오목부(4)의 배열을 갖는다. 도시된 예에서와 같이, 하나 이상의 돌출부(5)의 측부(52)는 성형된 유리 웨이퍼의 후속적인 제거를 용이하게 하기 위해서 경사질 수 있다. 유리의 재성형 또는 성형 공정은, 예를 들어 이형제 잔류물에 의한 오염, 흐릿함 또는 인상된 거칠기에 의한, 특히 패턴화 웨이퍼의 추후 광학적 유효한 표면의 손상을 가하지 않도록 하기 위해서, 이형제 없이 수행되는 것이 바람직하다. 이로써, 기계적 또는 화학적 후가공 또는 후처리가 유리하게 생략될 수 있다. 따라서, 볼록 유리 표면(14, 51)의 표면은 유리 시트의 초기 거칠기에 상응하거나, 또는 심지어 가열 연마된 표면이라고 언급할 수 있을 정도로 열역학적 성형 공정에 의해 개선되는 것이 바람직하다.
오목부(4)는 또한, 도시된 예에서와 같이, 원칙적으로 개구를 관통할 수도 있다. 예시되어 있는 바와는 대조적으로, 오목부의 벽은 유리 시트(9)의 표면에 대하여 또는 몰드 반부(8)의 몰드 표면에 대하여 전적으로 수직으로 이어질 필요가 없다. 오히려, 오목부(4)는 좁아지거나 넓어질 수 있다. 임의로, 그러와 같이 성형된 유리 웨이퍼의 렌즈 기하구조가 그러한 방식으로 영향을 받을 수 있다. 반부(8)의 오목부(4)와 몰드 반부(7)의 돌출부(5)는 서로 마주보고 있다. 인가된 압력의 충격 하에, 유리는 돌출부(5)에 대하여 굴복하기 시작한다. 이로써, 유리는 또한 각각의 반대측의 오목부(4) 내로 적어도 부분적으로 유동하게 된다. 결과로서, 표면 장력의 영향 하에서, 유리는 볼록 유리 표면(14)을 형성한다. 오목부는 유리가 볼록 유리 표면(14)의 정점에서 몰드 반부(8)와 접촉하지 않도록 충분히 깊게 되어 있다. 동시에, 몰드 반부(7)의 돌출부(5)는 볼록 유리 표면(14)의 반대측에 있는 유리 시트(9)의 측면 상에 공동(15)을 형성한다. 도 2는 완전 재성형된 유리 시트(9)를 지닌 몰드를 도시한 것이다. 가압 공정은 유리 시트(9)가 도 3에 예시되어 있는 패턴화 유리 웨이퍼(10)로 재성형되도록 한다. 특정 예시적인 실시양태에 국한되지 않은 하나의 실시양태에 따르면, 웨이퍼는 4 인치 내지 6 인치, 특히 10 cm 초과의 직경을 갖는다. 웨이퍼는 원형일 필요가 없다. 비원형 웨이퍼, 예컨대 사각형 웨이퍼 또는 보다 일반적으로 다각형 웨이퍼의 경우, 상기 치수는 가장 큰 횡단 치수, 즉 사각형 웨이퍼의 경우 대각선 길이에 적용된다. 오목부(4) 및 또한 상승부(5)는 원형 형상에 국한되지 않는다. 다각형, 직사각형, 특히 정사각형 또는 비원형 형상이 또한 고려 가능하다. 또한, 오목부(4) 및 상승부(5)는, 유리 시트의 원하는 패턴에 따라 상이한 형상을 가질 수 있으며, 이들 패턴은 또한 하나의 웨이퍼 상에서 혼성될 수도 있다.
볼록 유리 표면(14)은 공동(15)으로부터 방출되거나, 또는 공동(15) 내로 투과되는 광을 집속하는 데 유용한 렌즈(19)를 한정한다. 이제 그와 같이 얻어지는 패턴화 유리 웨이퍼는 웨이퍼 레벨에서 전자 디바이스를 캡슐화하는 데 사용될 수 있다. 이를 위해, 기재 웨이퍼(16)에는 다수의 전자 디바이스(3)가 구비되거나, 또는 그와 같이 구비된 기재 웨이퍼(16)가 제공된다. 이제 이 웨이퍼는 공동(15)을 갖는 패턴화 유리 웨이퍼(10)의 측면(101)에 본딩되도록 의도된다. 도 4는 기재 웨이퍼(16)가 본딩되어 있는 유리 웨이퍼(10)를 도시한 것이다. 기재 웨이퍼(16)용으로 고려될 수 있는 재료는 실리콘 또는 다른 반도체 뿐만 아니라 세라믹을 포함한다. 웨이퍼용 세라믹 재료는 특히 산화물, 예컨대 Al2O3, 또는 그외 질화물일 수 있다. 여기서는 질화물 세라믹 웨이퍼, 특히 알루미늄 질화물 웨이퍼 또는 질화알루미늄을 함유하는 적어도 세라믹 웨이퍼가 특히 바람직하다.
몰드 반부에 적합하거나, 또는 적어도 유리 접촉 표면에 적합한 재료로는 카본 또는 흑연, Invar, Kovar, 크롬-니켈 강, 및 귀금속이 포함된다. 또한, 유리 접촉 표면은 코팅되는 것도 가능하다. 적합한 코팅으로는, 예를 들어 유리를 성형하기에 보다 용이하도록 하기 위해서, 질화붕소 또는 흑연을 포함한다. 보다 일반적으로, 몰드 반부의 유리 접촉 표면은 광학적 유효한 영역에서 원하는 표면 마감을 달성하도록 하도록 설계되는 것이 바람직하다.
바람직한 실시양태에 따르면, 전자 디바이스는 발광 다이오드(33)이다. 특히, 청색 또는 자색 광 방출하는 발광 다이오드(UV LED)가 고려된다.
바람직한 실시양태에 따르면, 기재 웨이퍼(16)는 땜납(21)을 사용하여 패턴화 유리 웨이퍼(10)에 본딩되거나 납땜된다. 그 땜납은 유리 땜납 또는 금속 땜납일 수 있다. 금-주석 땜납이 금속 땜납으로서 특히 적합하다. 또다른 실시양태에 따르면, 밀폐 본드를 달성하기 위한 납땜을 용이하게 하기 위해서, 2개의 웨이퍼(10, 16) 중 적어도 하나에는 땜납(21)을 위한 접착층으로서 패턴화 금속 코팅(23)이 제공되는 것이 제시된다. 예시된 예에서, 기재 웨이퍼(16)와 패턴화 유리 웨이퍼(10)는 둘다 금속 코팅(23)에 의해 코팅된다. 유리에 잘 접착되고 또한 기재 웨이퍼(16)의 세라믹 재료에도 잘 접착되는 금속은 특히 텡스텐 및 크롬을 포함한다. 그 금속 코팅(23)은 다층을 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 상이한 금속들을 조합함으로써, 한편으로는 금속 코팅과 각각의 기재, 즉 유리 웨이퍼(10) 및 기재 웨이퍼(16) 사이에 우수한 접착이 달성될 수 있고, 또 다른 한편으로는 땜 납(21)의 우수한 접착이 달성될 수 있다.
웨이퍼(10, 16) 사이의 밀폐적인 밀봉 본드는 다음과 같은 방식으로 그리고 다음과 같은 단계로 달성될 수 있다:
(a) 본드는 금속 땜납을 사용하는 납땜 공정에 의해 생성될 수 있다. 예시된 예에서와 같이, 기재 웨이퍼(16) 및/또는 캡 또는 유리 웨이퍼(10)에는 웨이퍼 레벨에서 납땜 가능한 표면 또는 땜납 코팅이 이미 제공되어 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 땜납 프리폼이 유리 웨이퍼(10)와 기재 웨이퍼(16) 사이에 배치될 수 있고 온도의 영향 하에 납땜될 수 있다. 2개의 웨이퍼(16, 10)로 구성되는 전체 스택을 가열하는 것에 대한 대안으로서 또는 그 가열에 대한 부가로서, 금속 땝납이 레이저 공정에 의해 국소 가열될 수 있다. 특정 실시양태에 따르면, 그러한 레이저 공정은 초단 펄스화 레이저를 사용하는 납땜을 포함할 수 있다.
(b) 본드는 유리 땝납을 사용하는 납땜 공정에 의해 생성될 수 있다. 금속 땜납과 유사하게, 유리 땜납은 프리폼으로서 2개의 웨이퍼 사이에 배치된다. 유리 땜납은 온도 공정에 의해 용융하게 되거나, 또는 또한 레이저를 사용하는 국소 가열에 의해서도 용융하게 된다. 금속 땜납을 사용한 실시양태에서와 같이, 2가지 가열 기법은 조합될 수 있다. 임의로, 기재 웨이퍼 또는 유리 웨이퍼가 낮은 용융 유리, 즉 다시 땜납 코팅에 의해 예비 코팅되고, 이어서 후자가 용융하게 된다.
접합할 때, 특히 국소 가열, 예를 들면 레이저를 사용하는 국소 가열을 통해 웨이퍼들을 직접 본딩할 때, 기재 웨이퍼(16)와 패턴화 유리 웨이퍼(10)를 중간 땜납 층 없이 서로 본딩하는 것도 고려할 수 있다. 이는 패턴화 금속 코팅(23)과 함께 또는 그 위에서 용융함으로써 달성될 수 있고/있거나, 심지어는 그러한 코팅을 사용하는 일 없이 하나 또는 양자의 웨이퍼(10, 16)의 재료를 국소 용융함으로써 달성될 수 있다. 초단 펄스화 레이저에 의한 용융이 그러한 목적에 특히 적합하다. 그러한 무땜납 본딩의 경우에, 즉 추가 땜납의 개입이 없는 경우에, 본드가 특히 기재 웨이퍼(16)의 용융 상 및/또는 패턴화 유리 웨이퍼(10) 자체에 의해 생성되거나 생성될 수 있도록, 기재 웨이퍼와 유리 웨이퍼와의 직접 국소 융합이 고리형 또는 원주형 방식으로 달성된다. 용어 "고리형"은 일반적인 용어로 이해되어야 하고 일반적으로 내부 영역 둘레로 연장되는 패턴을 의미하며, 원형 형상 이외에도, 어떤 임의적인 형상, 예컨대 다각형 형상을 가질 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 이러한 실시양태에서, 폐쇄된 고리형 융합 접합을 이용하고, 특히 땜납 또는 추가 층, 예컨대 금속 층을 이용하지 않으면, 그 융합 접합에 의해 동봉된 영역의 밀폐 밀봉이 달성된다. 레이저를 사용하여 그러한 융합 접합을 달성하기 위해서, 레이저는 하나 또는 양자의 웨이퍼의 재료를 용융시키도록 2개의 웨이퍼의 인접 표면 상에 집속될 수 있다. 애노드 본딩과 비교시, 땜납 또는 중간 층을 사용하는 방법 및 상기 기술된 웨이퍼의 직접적인 국소 융합의 이점은 본딩하고자 하는 표면이 연마되거나 평평할 필요가 없지만, 잔류의 거칠기 또는 파형을 나타낼 수 있다는 점이다.
도 5는 기재 웨이퍼(16) 및 이에 본딩된 패턴화 유리 웨이퍼(10)를 포함하는 웨이퍼 어셈블리(17)를 도시한 것이다. 기재 웨이퍼(16) 상에 그리고 유리 웨이퍼(10) 상에 2개의 땜납 층은 납땜에 의해 함께 융합되어 기재 웨이퍼(16)와 공동(15)을 갖는 유리 웨이퍼(10)의 측면(101) 사이에 단단한 본드를 형성한다. 일단 웨이퍼(10, 16)가 정렬되어 본딩된 후, 캡슐화하고자 하는 디바이스, 예컨대 발광 다이오드(33)는 공동(15)에 의해 한정된 밀폐적으로 밀봉된 중공 스페이스(30) 내에 배치된다.
특히, 질화물 세라믹으로 제조된 기재 웨이퍼(16)의 경우, 특히 알루미늄 질화물 웨이퍼를 사용하는 경우, 다른 재료에 대한 불량한 접착이 문제가 된다. 그러므로, 알루미늄 질화물이 사용된다면, 그것은 납땜하고자 하는 영역에서 금속화 또는 금속 층에 의해 미리 코팅되는 것이 특히 유리하다. 이러한 패턴화 금속 코팅(23)은 진공 증착 방법, 특히 스퍼터 증착 또는 기상 증착을 이용하여 증착될 수 있다. 그러한 금속화는 또한 금속 땜납 뿐만 아니라 유리 땜납을 사용할 때 납땜을 단순화하기 위해서 다른 웨이퍼 재료에도 유리할 수 있다. 하나의 실시양태에 따르면, 다층 금속 코팅(23)의 경우, 제1 층이 진공 증착 기법을 이용하여 증착된다. 이어서, 추가 층이 또한 진공 증착 기법을 이용하여 적용될 수 있다. 그러나, 또한 그러한 추가 층이 제1 층 상에 전기도금에 의해 성장되는 것도 특히 가능하다. 이는 보다 큰 전체 층 두께를 단순한 방식으로 얻는 것을 허용한다. 전기도금된 층에 매우 적합한 재료는 예를 들면 니켈이다. 이로써, 하나의 예에 따르면, 패턴화 금속 코팅(23)은 제1 층, 예를 들면 크롬 또는 텅스텐으로 제조된 층 또는 크롬 또는 텅스텐을 함유하는 합금으로 제조된 층 위에 적용되는 전기도금된 층, 예를 들면 니켈로 제조된 층을 포함할 수 있다.
또다른 대안적 또는 부가적 실시양태에 따르면, 패턴화 금속 코팅(23)은 최종 금 층을 포함하는 다층 코팅으로서 실시된다. 예를 들어, 상기 기술되고 텅스텐 또는 크롬 층 및 이 층 상에 전기도금에 의해 성장된 니켈 층을 포함하는 실시양태는 최종 금 층에 의해 보충될 수 있다. 금은 금-주석 땝남의 형태로 땜납(21)에 대한 매우 우수한 접착을 제공한다. 그러한 금 층의 층 두께는 매우 얇게 유지될 수 있으며, 1 ㎛ 미만, 예를 들면 0.1 ㎛인 것이 바람직하다. 보다 일반적으로, 본원에 기술된 특정 예 또는 실시양태에 국한되는 일 없이, 하나의 양태에 따르면, 패턴화 금속 코팅(23)의 전체 층 두께는 0.1 마이크로미터 내지 20 마이크로미터의 범위에 있는 것으로 제시되어 있다.
본딩에 이어서, 웨이퍼 어셈블리(17)는, 도 6에 예시되어 있는 바와 같이, 개별 전자 부품(1)이 얻어지도록 분리될 수 있으며, 그 개별 전자 부품(1)은 기재 웨이퍼(16)로부터 분리되고 전자 디바이스(3)를 포함하는 기재(16), 및 패턴화 유리 웨이퍼(10)로부터 분리되고 공동(15) 내에 디바이스(3)를 밀폐적으로 밀봉하는 유리 커버(102)를 포함한다.
특히 바람직한 실시양태에 따르면, 세라믹 기재 웨이퍼(16)가 사용된다. 기재 웨이퍼(16)는 일반적으로 적어도 20　W/(m·K), 바람직하게는 적어도 50　W/(m·K), 보다 바람직하게는 적어도 75　W/(m·K), 가장 바람직하게는 적어도 100　W/(m·K)의 열전도도를 갖는 것이 바람직하다. 기재 웨이퍼(16)는 특히 질화물 세라믹 웨이퍼일 수 있다. 이러한 목적에 특히 바람직한 재료는 알루미늄 질화물 웨이퍼이다. 질화물 세라믹, 특히 알루미늄 질화물은 높은 열전도도를 갖는 것을 특징으로 한다. 순수 알루미늄 질화물은 180 　W/(m·K)의 열전도도를 갖는다. 실시에서, AIN 세라믹의 열전도도는 보다 낮을 수 있다. 하나의 실시양태에서, 기재 웨이퍼의 열 전도도는 그것이 제조되는 재료와는 상관 없이 적어도 150　W/(m·K), 특히 적어도 170　W/(m·K)이다.
디바이스(3)에 있어서 높은 열 전도성 기재를 사용하는 것은 그 디바이스(3)가 냉각되어야 하는 경우 또는 그 디바이스(3)가 작동 동안 다수의 열을 생성하는 경우에 특히 유리하다. 이는 기재 웨이퍼(16)에 청색 광, 특히 UV 광을 방출하는 발광 다이오드가 구비되어 있는 때의 경우에 그리고 그러한 방식으로 제조된 광전자 부품으로서 상응하는 캡슐화 발광 다이오드인 경우에 해당한다.
본 개시내용에 따른 것으로서 광학 투명 윈도우, 특히 UV A/B 및 C 범위에 있는 것을 갖는 광전자 패키지는 세라믹과 용융 실리카 유리의 재료 조합을 이용하여 자체 우수하게 실시될 수 있다. 용융 실리카 유리는 높은 UV 투명도를 특징으로 한다. 세라믹, 예컨대 Al2O3 또는 AlN는 기재 또는 서브마운트 재료로서 사용될 수 있으며, 용융 실리카 유리는 광학 투명 윈도우 또는 렌즈로서 사용될 수 있다. 용융 실리카 유리 이외에도, 실리케이트 유리가 또한 일반적으로 고려될 수도 있다. 양자의 구성요소, 기재 재료와 광학 윈도우는 본딩 공정에 의해 서로 접합되어야 한다. 밀폐적 밀봉 본드의 경우, 금속 땜납을 사용하는 납땜 공정이 일차적으로 고려된다. 용융 실리카 유리는 5.5·10-7K-1의 선형 열 팽창 계수(CTE)를 갖는다. 알루미늄 질화물의 팽창 계수는 약 4.5·10-6K-1이고, 이것은 거의 10배 더 크다. 심지어 Al2O3은 약 8·10-6K-1의 선형 열 팽창 계수를 갖는다. 작동 동안 또는 제조 동안 전체 패키지 상에 열적 하중이 일어나는 경우, 이는 열역학적 응력을 야기하고 가능하게는 패키지의 파손 또는 부품들 간의 본드의 파손을 야기한다. 이러한 문제점은 웨이퍼 어셈블리에서 제조에 특히 유의미하게 된다. 상기 언급된 바와 같이, 패턴화 유리 웨이퍼(10)는 10 cm 초과의 직경, 예를 들면 4 인치 내지 6 인치의 범위에 있는 직경을 갖는 것이 바람직하다. 이어서, 상응하게는, 웨이퍼 어셈블리(17)는 동일 치수를 갖는 것이 바람직하다.
120℃ 초과, 또한 200℃ 초과, 또는 심지어는 260℃ 초과를 포함하는 전형적인 제조 공정에서, 열 팽창은 그러한 크기가 웨이퍼를 가로 질러 균열 및 결함을 야기하고 밀폐 본드를 위험에 처하도록 하기에 이미 충분히 높다.
게다가, 이는 또한 개별 패키지 모듈 또는 추후 작동 동안 패키징된 전자 또는 광전자 부품(1)의 경우에도 일어난다. 특히, 패키지가 50℃ 초과 또는 80℃ 초과의 주위 온도에서 작동될 때, 선형 열 팽창 계수에서의 불일치는 밀폐 본드에서의 파손을 야기할 수 있다. 그러므로, 밀폐적으로 기밀한 것 및/또는 오토클레이브 처리한 것 둘 다 가능하며 웨이퍼 레벨에서 장입 또는 조립될 수 있는 높은 열 전도성 세라믹으로 제조된 기재를 포함하는 패키지를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 고온에서 작동될 수 있는 패키지도 추구된다. 본 개시내용의 한 양태에 따르면, 그러한 목적을 위해 재료 조합 및 적당한 본딩 기법이 선형 열 팽창 계수의 관점에서 최고로 가능하게 일치되는 재료와 함께 그리고 광학적 투명한, 특히 UV A/B 및 C 범위에서 광학적 투명한 부품과 함께 제공된다. 용융 실리카 유리와 세라믹, 특히 질화물 세라믹 또는 Al2O3 간의 열적 불일치의 문제점은 높은 붕산 함량을 갖는 보로실리케이트 유리에 의해 해결될 수 있다. 보다 일반적으로, 이러한 목적을 위해, 본 발명의 하나의 실시양태에 따르면, 기재 웨이퍼(16) 또는 기재(160) 및 유리 웨이퍼(10) 또는 유리 커버(102)의 선형 열 팽창 계수는 절대값 5·10-7K-1 미만으로 차이가 나는 것으로 고려된다. 게다가, 동시에 높은 UV 투과도를 달성하기 위해서, 높은 이산화규소 함량이 또한 유리하다. 보다 일반적으로, 본 발명의 한 실시양태는 패턴화 유리 웨이퍼(10)가 조합된 B2O3와 SiO2의 총 함량을 78 중량% 이상, 바람직하게는 83 중량% 이상으로 갖는 보로실리케이트 유리로부터 제조된다는 것을 고려한다. 높은 UV 투과도의 경우, 게다가 SiO2의 함량(중량%)이 B2O3의 함량(중량%)보다 2.5 내지 5의 범위, 바람직하게는 2.8 내지 4.5의 범위에 있는 계수만큼 더 크다면, 그것은 또한 바람직할 것이다. 하나의 예시적인 실시양태에 따르면, 유리 캔이 이러한 방식으로 얻어질 수 있으며, 4.1·10-6K-1의 선형 열 팽창 계수를 갖는다.
그러므로, 하나의 특정 실시양태에 따르면, 특정한 예시 실시양태에 국한되는 일 없이, 캡슐화 전자 부품, 특히 광전자 부품(1)이 제공되는데, 그 부품은 질화물 세라믹, 바람직하게는 알루미늄 질화물 세라믹으로 제조된 기재(160); 그 기재 상에 배치된 전자 디바이스(3), 바람직하게는 UV LED(33); 디바이스(3)가 배치되는 중공 스페이스(30)를 한정하도록 공동(15)을 갖는, 기재(160)에 납땜된 유리 커버(22)로서, 여기서 유리 커버(102)가 렌즈(19)를 한정하는 외향 볼록 유리 표면(14)을 갖고, 볼록 유리 표면이 자유, 즉 비접촉 형상 표면을 갖는 것인 유리 커버(102)를 포함하고, 하기 특색 중 적어도 하나가 구현된다:
- 유리 커버(102)의 선형 열 팽창 계수와 기재(160)의 선형 열 팽창 계수가 절대값 5·10-7 K-1 미만으로 차이가 난다는 점;
- 유리 커버(102)의 유리가 B2O3과 SiO2의 총 함량을 79 중량% 이상, 바람직하게는 83 중량% 이상으로 갖는 보로실리케이트 유리인 점;
- SiO2 함량(중량%)이 B2O3 함량(중량%)보다 2.5 내지 5의 범위, 바람직하게는 2.8 내지 4.5의 범위에 있는 계수만큼 차이가 난다는 점.
유리 표면이 비접촉 방식으로 성형되기 때문에, 따라서 그 유리 표면은 가열 연마된 표면(fire-polished surface)을 갖는다.
그러나, 기재(160)의 재료에 따라 좌우되지만, 또다른 실리케이트 유리, 또는 특히 낮은 팽창 기재 재료, 용융 실리카 유리가 보로실리케이트 유리 대신에 사용될 수 있다.
도 7 내지 9는 양면 볼록 렌즈를 지닌 패턴화 유리 웨이퍼를 제조하는 것을 허용하는 방법의 변형을 도시한 것이다. 그 방법은 원칙적으로 제1 몰드 반부(7)에서 돌출부(5)가 중앙 오목부(50)를 가지므로, 그 돌출부가 환형 형상을 갖는다는 사실에 기초한다. 재성형 동안, 특히 가압 동안, 오목부(50) 내로 유동하는 유리는 다시 적어도 부분적으로 접촉하지 않고 오목부에서 볼록 유리 표면(51)을 형성하며, 그것은 제2 몰드 반부(8)의 오목부(4)에서 볼록 유리 표면(14)과 조합으로 양면 볼록 렌즈를 한정한다. 예시되어 있는 바와는 대조적으로, 오목부(50)의 벽은 유리 시트(9)의 표면에 또는 몰드 반부(7)의 몰드 표면에 대하여 전적으로 수직으로 이어질 필요가 없다. 오히려, 오목부(4)는 좁아지거나 넓어질 수 있다.
도 7은 본 실시양태에 따른 2개의 몰드 반부(7, 8) 뿐만 아니라 그 사이에 정렬된 유리 시트(9)를 지닌 몰드(6)를 도시한 것이다. 도 8은 가압에 의해 유리 시트(9)로부터 제조된 바와 같은 패턴화 유리 웨이퍼를 사용하는 가압 공정의 종료 후의 몰드 반부(7, 8)를 도시한 것이다. 유리가 유입되는 결과로서, 볼록 유리 표면(14, 51)이 몰드 반부(7, 8)의 각각 오목부(4, 50)에서 형성된다. 도 9는 몰드 반부(7, 8)가 제거된 후 패턴화 유리 웨이퍼(10)를 도시한 것이다. 앞서 기술된 예시적인 실시양태에서와 같이, 돌출부(5)는 유리 웨이퍼(10) 내로 공동(15)을 도입한다. 그러나, 본 실시양태에서, 볼록 유리 표면(51)은 공동(15) 내로 돌출한다. 그러나, 유리 표면(51)의 정점은 전자 디바이스(3)가 수용되도록 하기 위해서 공동의 표면으로부터 충분히 멀리 이격되는 것이 바람직하다. 2개의 볼록 유리 표면(14, 51)은 방출 광 또는 입사 광을 공동(15) 내로 집속하기에 적당한 고 굴절력을 갖는 양면 볼록 렌즈(19)를 함께 한정한다.
도 10 및 11은 도 7 내지 9에 따른 방법의 변경을 도시한 것이다. 일반적으로, 도 7 내지 9의 실시양태에 국한되는 일 없이, 그 방법의 변경은 다단계 성형 공정에 의한 패턴화 유리 웨이퍼(10)를 성형하는 데 있다. 유리 시트(9)는 볼록 유리 표면(14) 및 공동(15)의 최종 성형 전에 예비 스탬핑 공정으로 처리된다. 예를 들면, 그 예비 스탬핑은 최종 성형 공정에 대하여 의도된 몰드 반부(7, 8)과는 상이한 몰드 반부를 지닌 몰드(6)에서 실시한다. 도 10은 몰드 반부(7 및 80)를 포함하는, 그러한 목적을 위한 몰드를 도시한 것이다. 도 1의 예에서와 같이, 몰드 반부(7)는 돌출부(5)를 갖는다. 그러나, 다른 몰드 반부(80)는 평평하다. 이러한 몰드는 유리 시트(9)에서 공동 형태의 예비 스탬핑된 피처(18)를 생성하는 데 사용될 수 있다. 그러나, 이러한 공동은 후속 성형 공정에서 패턴화 유리 웨이퍼(10) 내로 형성되는 공동(15)만큼 깊지 않는 것이 바람직하다. 도 11은 도 10에 따른 몰드를 사용하여 예비 스탬핑되고 몰드(6)에서 정렬된 유리 시트(9)를 도시한 것이며, 그것은 도 7의 예에서와 같이 유리 웨이퍼(10)에서 양면 볼록 렌즈(19)를 생성하는 데 사용된다.
도 12는 패턴화 유리 웨이퍼(10) 의 사진을 도시한 것이다. 그 사진으로부터 볼 수 있는 바와 같이, 유리 웨이퍼(10)는 웨이퍼 어셈블리 상에서 다수의 광전자 부품의 병렬 제조를 위해 설계될 수 있다. 그 예시된 예는 850개 초과의 볼록 유리 표면(14) 또는 렌즈(19)를 포함한다.
도 13은 소잉에 의해 패턴화 유리 웨이퍼(10)로부터 분리되어 있는 유리 커버(102)의 단면도를 도시한 것이다. 놀랍게도, 볼록 유리 표면(14)은 거의 완전한 구상이지만, 그 표면은 몰드 반부(8)의 오목부에서 자유롭게 성형되며, 즉 접촉하는 몰드 표면이 없다.
공동의 측벽(150)은 몰드 반부(7)의 돌출부(5)의 비스듬히 성형된 측부(52)에 상응하여 비스듬히 연장된다. 공동(15)은 볼록 유리 표면(14)의 반대측에 있는 광 투과 표면(151)에 의해 폐쇄된다. 그 광 투과 표면(151)은 예시된 예에서와 같이 평평하도록 설계될 수 있다. 이로써 유리 커버는 평면 볼록 렌즈의 광학적 효과를 갖는다.
표면(150 및 151)은 성형 도구에 의해 야기되는 바와 같이 에칭 공정의 일부 파형 및/또는 거칠기 및/또는 트레이스를 나타낼 수 있다. 그러한 피처는 전형적으로 자유롭게 형성되는, 즉 몰드 없이 형성되는 볼록 유리 표면(14) 상에 존재하지 않는다.
상기 단면도는 거기에서 가시적인 윤곽으로부터 공동(15) 및 렌즈(19)의 부피를 계산하는데 사용될 수 있다. 하나의 실시양태에 따르면, 렌즈(19)의 부피는 반대측에 있는 공동(15)의 부피보다 작거나 동일하다. 몰드 반부(7)의 돌출부(5)가 가압될 때 유리가 몰드 반부(8)의 반대측 오목부 내로만 굴복할 수 있다면, 본 발명에 기술된 방법은 그 부피들을 매우 유사하게 또는 심지어는 동일하게 할 수 있을 것이다. 그러므로, 추가의 대안적 또는 부가적인 실시양태에 따르면, 렌즈 및 공동의 부피는 10% 미만, 바람직하게는 5% 미만으로 차이가 난다. 도 14는 렌즈(19)를 한정하는 볼록 렌즈 표면(14)을 지니고 공동을 지닌 유리 부품(102)의 2개 측면의 윤곽 프로파일을 도시한 것이다. 그 부피들이 적분에 의해 2개의 곡선으로부터, 양쪽 곡선에 있어서 동일 기준선을 얻기 위해서 렌즈 표면(14)의 곡선으로부터 공제된 오프셋(30)을 사용하여 계산된다면, 결과로 얻어지는 렌즈 부피, V(렌즈) 대 공동 부피, V(공동)의 비율은 V(렌즈)/V(공동) = 0.96이다. 그러므로, 그 부피들은 5% 미만으로 차이가 나는데, 여기서 공동 부피는 렌즈의 부피보도 약간 더 크다.
1: 광전자 부품
3: 전자 디바이스
4: 오목부
5: (7) 상의 돌출부
6: 몰드
7, 8: 몰드 반부
9: 유리 시트
10: 패턴화 유리 웨이퍼
14, 51: 볼록 유리 표면
15: (10) 내의 공동
16: 기재 웨이퍼
17: 웨이퍼 어셈블리
18: 예비 스탬핑된 피처
19: 렌즈
21: 땜납
23: 금속화
30: 중공 스페이스
33: LED
50: (5) 내의 오목부
52: (5)의 측부
80: 평평한 몰드 반부
100, 101: (10)의 측면
102: 유리 커버
150: (15)의 측벽
151: (15)의 광 투과 표면
160: 디바이스(3)용 기재

Claims (13)

  1. 웨이퍼 어셈블리에서 전자 디바이스(3)를 패키징하기 위한 패턴화 유리 웨이퍼(10)를 제조하는 방법으로서, 몰드(6)의 2개의 몰드 반부(7, 8) 사이에 유리 시트(9)를 배치하는 단계, 및 유리 시트(9)가 연화될 때까지 그 유리 시트를 가열하고, 동시에 유리 시트가 재성형되어 패턴화 유리 웨이퍼(10)를 형성하도록 몰드 반부(7, 8)를 서로에 대하여 가압하는 단계를 포함하며, 여기서 제1 몰드 반부(7)는 돌출부(5)의 배열을 갖고, 제2 몰드 반부(8)는 오목부(4)의 배열을 가지며, 유리 시트(9)를 재성형하기 위한 몰드(6)의 몰드 반부(7, 8)는 오목부(4) 및 돌출부(5)가 서로 마주보는 방식으로 정렬되어 성형하고, 돌출부(5)는 재성형 동안 유리 시트(9) 내로 공동(15)을 도입하며, 공동(15) 반대측의 유리 시트(9)의 유리는 재성형 동안 제2 몰드 반부(8)의 오목부(4) 내로 유동하고, 상기 오목부(4)는 유리가 그 오목부와 적어도 부분적으로 접촉하지 않고 각각의 오목부(4)에서 볼록하게 성형된 유리 표면(14)을 형성하도록 충분히 깊은 것인 방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1 몰드 반부(7)에서 돌출부(5)는 그 돌출부가 환형 형상을 갖도록 중앙 오목부(50)를 갖고, 재성형 동안 오목부(50) 내로 유동하는 유리는 그 오목부와 적어도 부분적으로 접촉하지 않고 오목부 내에 볼록 유리 표면(51)을 형성하며, 이 볼록 유리 표면은 제2 몰드 반부(8)의 오목부(4)에서 성형된 볼록 유리 표면(14)과 조합으로 양면 볼록 렌즈(19)를 한정하는 것인 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 패턴화 유리 웨이퍼(10)는 예비 스탬핑된 피처(18)가 볼록 유리 표면(14) 및 공동(15)의 최종 성형 전에 유리 시트(9) 내로 제공되는 다단계 스탬핑 공정에 의해 성형되는 것인 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 패턴화 유리 웨이퍼(10)는 용융 실리카 유리 또는 실리케이트 유리로부터 제조되는 것인 방법.
  5. 제4항에 있어서, 패턴화 유리 웨이퍼는 하기 특색들:
    - B2O3과 SiO2의 총 함량이 79 중량% 이상인 점;
    - SiO2의 함량(중량%)이 B2O3의 함량(중량%)보다 2.5 내지 5의 범위에 있는 계수만큼 더 크다는 점
    중 적어도 하나를 갖는 보로실리케이트로부터 제조되는 것인 방법.
  6. 캡슐화 전자 부품, 특히 광전자 부품(1)을 제조하는 방법으로서, 기재 웨이퍼(16)에 다수의 전자 디바이스(3)를 구비하는 단계, 및 전자 디바이스(3)가 구비된 기재 웨이퍼(16)를 공동(15)을 갖는 패턴화 유리 웨이퍼(10)의 측면(101)에 본딩하여 공동(15) 내에 전자 디바이스(3)를 밀폐적으로 밀봉하도록 하는 단계, 및 그렇게 제조된 웨이퍼 어셈블리(17)를 분리하여, 기재 웨이퍼(16)로부터 분리되고 전자 디바이스(3)를 포함하는 기재(160), 및 패턴화 유리 웨이퍼(10)로부터 분리되고 공동(15) 내에 디바이스(3)를 밀폐적으로 밀봉하는 유리 커버(102)를 포함하는 개별 전자 부품(1)을 얻도록 하는 단계를 포함하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 기재 웨이퍼(16)는 땜납(21), 특히 유리 땜납 또는 금속 땜납, 바람직하게는 금-주석 땜납을 사용하거나, 또는 기재 웨이퍼에 대한 유리 웨이퍼의 직접 국소 환형 융합에 의해 패턴화 유리 웨이퍼(10)에 본딩되는 것인 방법.
  8. 제7항에 있어서, 2개의 웨이퍼(10, 16) 중 적어도 하나에는 땜납(21)을 위한 접착 층으로서 패턴화 금속 코팅(23)이, 바람직하게는 0.1 마이크로미터 내지 20 마이크로미터의 범위에 있는 전체 층 두께로, 제공되는 것인 방법.
  9. 제8항에 있어서, 다층 패턴화 금속 코팅(23)이 적용되는 것인 방법.
  10. 제9항에 있어서, 하기 특색들:
    - 금속 코팅(23)이 텡스텐 또는 크롬으로 제조되거나 텅스텐 또는 크롬을 포함하는 합금으로 제조된 하부 층을 포함한다는 점;
    - 금속 코팅(23)이 전기도금에 의해 성장된 층, 특히 니켈 층을 포함한다는 점;
    - 금속 코팅(23)이 최종 금 층을 포함한다는 점
    중 적어도 하나를 포함하는 방법.
  11. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 특색들:
    - 유리 웨이퍼(10) 및 기재 웨이퍼(16) 중 적어도 하나에는 땜납 코팅이 제공된다는 점;
    - 유리 웨이퍼(10)와 기재 웨이퍼(16) 사이에 땜납 프리폼이 배치되어 열 충격 하에 납땜된다는 점;
    - 납땜에서는 기재 웨이퍼(16) 및 유리 웨이퍼(10)를 포함하는 전체 스택이 가열된다는 점;
    - 납땜에서는 땜납(21)이 레이저 공정을 이용하여 국소 가열된다는 점
    중 적어도 하나를 포함하는 방법.
  12. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 특색들:
    - 기재 웨이퍼(16)로는 질화물 세라믹 웨이퍼, 특히 알루미늄 질화물 웨이퍼가 사용된다는 점;
    - 사용된 기재 웨이퍼(16)가 적어도 20　W/(m·K), 바람직하게는 적어도 100 W/(m·K)의 열전도도를 갖는다는 점;
    - 기재 웨이퍼(16)에는 자외선 방출 발광 다이오드(33)가 구비된다는 점;
    - 납땜하고자 하는 영역에서, 기재 웨이퍼(16)에는 금속 코팅(23)이 기상 증착 또는 스퍼터 증착에 의해 제공된다는 점
    중 적어도 하나를 포함하는 방법.
  13. 캡슐화 전자 부품(1), 특히 광전자 부품으로서, 질화물 세라믹, 바람직하게는 알루미늄 질화물 세라믹으로 제조된 기재(160); 이 기재 상에 배치된 전자 디바이스(3), 바람직하게는 UV LED(33); 디바이스(3)가 배치되는 중공 스페이스(30)를 한정하도록 공동(15)을 갖는, 기재(160)에 납땜된 유리 커버(102)로서, 유리 커버(102)가 렌즈(19)를 한정하는 외향 볼록 유리 표면(14)을 가지며, 볼록 유리 표면이 가열 연마된 표면인 유리 커버(102)를 포함하고; 하기 특색들:
    - 렌즈(19)의 부피가 공동(15)의 부피보다 작거나 동일하다는 점;
    - 렌즈의 부피와 공동의 부피가 10% 미만, 바람직하게는 5% 미만으로 차이가 난다는 점;
    - 유리 커버(102)의 선형 열 팽창 계수와 기재(160)의 선형 열 팽창 계수가 절대값 5·10-7 K-1 미만으로 차이가 난다는 점;
    - 유리 커버(102)의 유리가 B2O3과 SiO2의 전체 함량을 79 중량% 이상, 바람직하게는 83 중량% 이상으로 갖는 보로실리케이트 유리인 점;
    - 유리 커버(102)의 유리에서 SiO2의 함량(중량%)이 B2O3의 함량(중량%)보다 2.5 내지 5의 범위, 바람직하게는 2.8 내지 4.5의 범위에 있는 계수만큼 더 크다는 점
    중 적어도 하나를 포함하는 캡슐화 전자 부품(1).
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