KR20210094507A - LED electrode assembly and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an LED electrode assembly, and more particularly, to an LED electrode assembly capable of preventing the damage and short circuit of an electrode that can occur when an LED element is aligned, and a method for manufacturing the same. The LED electrode assembly includes a plurality of first electrodes; a second electrode; a first insulating layer; a plurality of LED elements; third electrodes; and a fourth electrode.

Description

LED 전극 어셈블리 및 이의 제조 방법{LED electrode assembly and manufacturing method thereof}LED electrode assembly and manufacturing method thereof

본 발명은 전극의 손상 또는 전기적 단락을 방지할 수 있는 LED 전극 어셈블리 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an LED electrode assembly capable of preventing damage to an electrode or an electrical short circuit and a method for manufacturing the same.

LED 디스플레이 등 LED를 활용한 전자기기를 실현하기 위해서 나노기술을 기반으로 한 bottom-up 방식이 연구되고 있다. 그러나 LED 소자의 전극 배선에 있어서 전극, LED 소자, 또 다른 전극을 bottom-up 방식으로 적층시켜 3차원 결합시킬 경우 LED 소자가 서로 다른 두 전극 사이에서 3차원으로 직립하여 전극에 결합해야 하며 이는 일반적인 크기의 LED 소자라면 가능할 수도 있으나, 나노 단위 크기의 LED 소자의 경우에는 전극 위에 3차원으로 직립시켜 결합시키기 어렵고, 일부는 누워있는 형태로 존재할 수 있어서 실장불량이 발생할 수 있다.In order to realize electronic devices using LEDs, such as LED displays, bottom-up methods based on nanotechnology are being studied. However, in the case of three-dimensional bonding by stacking electrodes, LED elements, and another electrode in a bottom-up method in the electrode wiring of an LED element, the LED element must be three-dimensionally erected between two different electrodes and bonded to the electrode. It may be possible if it is an LED device of a size, but in the case of an LED device of a nano unit size, it is difficult to combine it by erecting it three-dimensionally on the electrode, and some of it may exist in a lying form, which may cause a mounting defect.

또한, LED 소자를 3차원으로 전극 위에 직립시킬 수 있다고 하더라도 서로 다른 전극에 LED 소자를 일대일로 결합시키기 어렵다는 문제점이 있고, 나아가 일대일로 결합시키더라도 단락 없이 전기적으로 연결되기는 더욱 어려운 문제점이 있다. 이러한 전기적 단락은 LED 소자의 활성층과 전극이 접촉하면 발생하며, 전원을 인가해도 발광되지 않음에 따라서 발광불량을 야기한다.In addition, even if the LED element can be erected on the electrode in three dimensions, there is a problem in that it is difficult to couple the LED element to different electrodes one-to-one, and furthermore, even if the LED element is coupled one-to-one, it is more difficult to be electrically connected without a short circuit. This electrical short occurs when the active layer of the LED element and the electrode come into contact, and as no light is emitted even when power is applied, poor light emission is caused.

위와 같은 LED 소자의 활성층이 전극에 닿을 때 발생하는 단락 문제를 해결하기 위해 LED 소자의 양끝단을 제외한 나머지 부분에 원자층 증착(Atomic layer deposition, ALD)법을 이용하여 절연피막을 코팅하는 기술이 특허문헌 1에 개시되었으며, 이러한 기술을 통해 전자기기의 발광불량을 최소화시킬 수 있었다. 그러나 LED 소자의 활성층을 절연피막으로 코팅할 경우 절연피막으로 인해 LED 소자를 빠져나가지 못하는 광이 발생함에 따라서 발광효율이 감소하는 문제점이 있다. 투명한 소재의 절연피막을 사용하면 발광효율의 감소를 최소화할 수 있으나 이를 통해서도 완전히 해소할 순 없다.In order to solve the short circuit problem that occurs when the active layer of the LED device touches the electrode as above, the technology of coating an insulating film on the rest of the LED device except for both ends using the atomic layer deposition (ALD) method. It was disclosed in Patent Document 1, and through this technique, it was possible to minimize the light emission failure of the electronic device. However, when the active layer of the LED element is coated with an insulating film, there is a problem in that the luminous efficiency is reduced as light that cannot escape the LED element is generated due to the insulating film. The use of an insulating film made of a transparent material can minimize the decrease in luminous efficiency, but it cannot be completely eliminated.

한편, LED 소자들은 두 전극의 전위차에 의해 형성된 전기장의 유도에 의해 서로 다른 두 전극 사이에 자기 정렬될 수 있으며, 두 전극의 전위차가 클수록 더 많은 LED 소자들이 정렬될 수 있다. 그러나 LED 소자를 정렬할 때, 전위차가 형성된 두 전극 사이에 위치한 용매 및 도전성 불순물을 통해 두 전극 사이에 전류가 흐르면서 전극의 손상 및 전기적 단락이 발생할 수 있기 때문에 높은 전압에서 LED 소자를 정렬하기에는 어려운 문제점이 있다.Meanwhile, LED elements may be self-aligned between two different electrodes by induction of an electric field formed by a potential difference between the two electrodes, and the larger the potential difference between the two electrodes, the more LED elements may be aligned. However, when aligning the LED device, it is difficult to align the LED device at a high voltage because current flows between the two electrodes through the solvent and conductive impurities located between the two electrodes with the potential difference formed, causing damage to the electrode and electrical short circuit. There is this.

본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로, LED 소자 정렬시 발생할 수 있는 전극의 손상 및 전기적 단락이 방지되고, 보다 향상된 휘도를 발현하는 LED 전극어셈블리 및 이의 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다. The present invention has been devised in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an LED electrode assembly that prevents damage and an electrical short circuit that may occur during alignment of LED elements, and exhibits improved luminance, and a method for manufacturing the same. .

또한, 본 발명은 본 발명에 따른 LED 전극어셈블리를 포함하는 백라이트 유닛을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a backlight unit including the LED electrode assembly according to the present invention.

또한, 본 발명은 본 발명에 따른 LED 전극어셈블리 포함하는 램프를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a lamp including the LED electrode assembly according to the present invention.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 LED 전극 어셈블리는 제1 방향으로 연장되고 서로 제2 방향으로 이격된 복수의 제1 전극들, 상기 제1 전극들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장된 제2 전극, 상기 제1 전극 및 제2 전극 상에 배치된 제1 절연층, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 배치된 복수의 LED 소자들, 상기 제1 전극들 상에 각각 배치되고 상기 LED 소자와 접촉하는 제3 전극들, 및 상기 제2 전극 상에 배치되고 상기 LED 소자와 접촉하는 제4 전극을 포함하고, 상기 LED 소자는 상기 제1 전극 중 어느 하나와 상기 제2 전극 상에 배치된 제1 LED 소자, 및 상기 제1 전극 중 다른 하나와 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 LED 소자를 포함하고, 상기 제1 LED 소자는 제1 단부가 상기 제3 전극 중 어느 하나와 접촉하고 제2 단부가 상기 제4 전극과 접촉하며, 상기 제2 LED 소자는 제3 단부가 상기 제4 전극과 접촉하고 제4 단부가 상기 제3 전극 중 다른 하나와 접촉하고, 상기 LED 소자는 외면 중 일부는 상기 제1 절연층과 접촉하고 다른 일부는 상기 제1 절연층과 접촉하지 않는다.The LED electrode assembly according to an embodiment for solving the above problems includes a plurality of first electrodes extending in a first direction and spaced apart from each other in a second direction, and a first electrode extending in the first direction between the first electrodes. A second electrode, a first insulating layer disposed on the first electrode and the second electrode, a plurality of LED elements disposed on the first electrode and the second electrode, respectively disposed on the first electrodes and the third electrodes in contact with the LED element, and a fourth electrode disposed on the second electrode and in contact with the LED element, wherein the LED element is disposed on any one of the first electrodes and the second electrode a first LED element disposed, and a second LED element disposed on the other one of the first electrodes and the second electrode, wherein the first LED element has a first end with any one of the third electrodes and a second end contacting the fourth electrode, wherein the second LED element has a third end contacting the fourth electrode and a fourth end contacting the other of the third electrodes, the LED element comprising: A portion of the outer surface is in contact with the first insulating layer and another portion is not in contact with the first insulating layer.

상기 제3 전극 및 상기 제4 전극은, 상기 LED 소자와 접촉하지 않되 상기 제1 절연층과 접촉하고, 상기 제1 방향으로 연장된 제1 부분, 및 상기 제1 부분에 연결되고 상기 LED 소자의 양 단부 및 외부면 중 적어도 일부와 접촉하는 제2 부분을 포함할 수 있다.The third electrode and the fourth electrode are not in contact with the LED element, but are in contact with the first insulating layer, a first portion extending in the first direction, and connected to the first portion of the LED element and a second portion in contact with at least a portion of both ends and the outer surface.

상기 제2 방향으로 연장된 제1 전극 라인, 및 상기 제1 전극 라인과 상기 제1 방향으로 이격되고, 상기 제2 방향으로 연장된 제2 전극 라인을 더 포함하고, 상기 복수의 제1 전극은 각각 상기 제1 전극 라인과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 제2 전극 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.A first electrode line extending in the second direction, and a second electrode line spaced apart from the first electrode line in the first direction and extending in the second direction, wherein the plurality of first electrodes include: Each may be electrically connected to the first electrode line, and the second electrode may be electrically connected to the second electrode line.

상기 LED 소자들은 각각 상기 제1 전극 라인 및 상기 제2 전극 라인 사이에 배치될 수 있다.The LED elements may be disposed between the first electrode line and the second electrode line, respectively.

상기 제3 전극 및 상기 제4 전극은 각각 서로 상기 제2 방향으로 이격되고, 상기 제1 전극 라인 및 상기 제2 전극 라인과 상기 제1 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.The third electrode and the fourth electrode may be spaced apart from each other in the second direction and spaced apart from each other in the first direction from the first electrode line and the second electrode line.

상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격은 상기 LED 소자의 길이보다 작을 수 있다.A distance between the first electrode and the second electrode may be smaller than a length of the LED element.

상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격은 상기 제3 전극과 상기 제4 전극 사이의 간격보다 클 수 있다.A gap between the first electrode and the second electrode may be greater than a gap between the third electrode and the fourth electrode.

상기 제1 LED 소자 및 상기 제2 LED 소자는 각각 양 단부가 각각 상기 제1 절연층과 직접 접촉하고, 상기 양 단부 사이에 위치하여 상기 제1 절연층과 직접 접촉하지 않는 부분을 포함할 수 있다.Each of the first LED element and the second LED element may include a portion in which both ends are in direct contact with the first insulating layer, respectively, and are positioned between the both ends and do not directly contact the first insulating layer. .

상기 LED 소자는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다.The LED device may include a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.

상기 제1 LED 소자 및 상기 제2 LED 소자는 각각 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 중 적어도 어느 하나 상에 배치된 전극층을 더 포함할 수 있다.The first LED element and the second LED element may further include an electrode layer disposed on at least one of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively.

상기 LED 소자는 일 방향으로 연장된 형상을 갖고, 상기 LED 소자의 상기 제1 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 반도체층은 상기 일 방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다.The LED device may have a shape extending in one direction, and the first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer of the LED device may be sequentially disposed along the one direction.

상기 제1 LED 소자는 상기 제1 반도체층이 상기 제4 전극과 접촉하고, 상기 제2 LED 소자는 상기 제1 반도체층이 상기 제3 전극과 접촉할 수 있다.In the first LED device, the first semiconductor layer may contact the fourth electrode, and in the second LED device, the first semiconductor layer may contact the third electrode.

상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극과 상기 제2 방향으로 이격되고 상기 제1 방향으로 연장된 제5 전극, 및 상기 제5 전극과 상기 제2 방향으로 이격되고 상기 제1 방향으로 연장된 제6 전극을 더 포함하고, 상기 제1 전극들은 각각 상기 제5 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.A fifth electrode spaced apart from the first and second electrodes in the second direction and extending in the first direction, and a fifth electrode spaced apart from the fifth electrode in the second direction and extending in the first direction It further includes 6 electrodes, wherein the first electrodes may be electrically connected to the fifth electrode, respectively.

상기 제2 전극은 상기 제6 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode may be electrically connected to the sixth electrode.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명에 의하면, LED 소자 정렬시 발생할 수 있는 전극의 손상 및 전기적 단락을 방지하여 휘도가 우수한 LED 전극어셈블리를 구현할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 LED 전극어셈블리는 각종 조명, 디스플레이 등의 전자기기를 비롯하여 산업전반에 널리 응용될 수 있다. According to the present invention, it is possible to implement an LED electrode assembly having excellent luminance by preventing electrode damage and electrical short circuit that may occur during alignment of LED elements. In addition, the LED electrode assembly according to the present invention can be widely applied to various industries including electronic devices such as lighting and displays.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 전극어셈블리에 대한 도면으로써, 도 1(a)는 LED 전극어셈블리의 사시도이고, 도 1(b)는 도 1(a)의 X-X' 경계선에 따른 수직단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 포함되는 LED 소자의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 전극어셈블리의 제조공정 중 구동전극을 형성하기 전까지의 공정 모식도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 전극어셈블리의 제조공정 중 구동전극을 형성하는 공정 모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 전극어셈블리의 제조공정 중 구동전극을 형성하는 다른 방법에 따른 공정 모식도이다.
도 6은 실시예1에 따른 LED 전극어셈블리의 광학현미경 사진이다.
도 7은 실시예2에 따른 LED 전극어셈블리의 광학현미경 사진이다.
도 8은 실시예3에 따른 LED 전극어셈블리의 광학현미경 사진이다.
도 9은 비교예1에 따른 LED 전극어셈블리의 광학현미경 사진이다.
도 10은 비교예2에 따른 LED 전극어셈블리의 광학현미경 사진이다.Figure 1 is a view of an LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention, Figure 1 (a) is a perspective view of the LED electrode assembly, Figure 1 (b) is a vertical line along the XX' boundary of Figure 1 (a). It is a cross section.
2 is a perspective view of an LED device included in an embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram of a process before forming a driving electrode during the manufacturing process of the LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic diagram of a process of forming a driving electrode during a manufacturing process of an LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic diagram of a process according to another method of forming a driving electrode during a manufacturing process of an LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention.
6 is an optical micrograph of the LED electrode assembly according to Example 1.
7 is an optical micrograph of the LED electrode assembly according to Example 2.
8 is an optical micrograph of the LED electrode assembly according to Example 3.
9 is an optical micrograph of the LED electrode assembly according to Comparative Example 1.
10 is an optical micrograph of the LED electrode assembly according to Comparative Example 2.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

LED 소자 정렬시 실장전극 사이에 위치되는 용매 또는 도전성 불순물에 의해 전위차가 형성되어 두 실장전극 사이에 전류가 흐르면서 전기적 단락 또는 전극의 손상이 발생할 수 있다. When an LED element is aligned, a potential difference is formed by a solvent or conductive impurities positioned between the mounting electrodes, and as a current flows between the two mounting electrodes, an electrical short circuit or damage to the electrodes may occur.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위해 제1 실장전극(또는, 제1 전극)과 제2 실장전극(또는, 제2 전극)의 노출된 외부면 상에 절연막을 형성시킴으로써 LED 소자를 정렬시킬 때 발생하는 용매 또는 도전성 불순물에 의한 전극의 전기적 단락 및 손상을 사전에 방지할 수 있다. 다만, 절연막이 형성된 제1 실장전극과 제2 실장전극은 LED 소자와 직접적으로 접촉할 수 없기 때문에, LED 소자와 접촉하는 제1 구동전극(또는, 제3 전극)과 제2 구동전극(또는, 제4 전극)을 형성함으로써 구동이 가능한 LED 전극 어셈블리를 제조할 수 있다.The present invention provides an insulating film on the exposed outer surfaces of the first mounting electrode (or the first electrode) and the second mounting electrode (or the second electrode) in order to solve the above problem when aligning the LED elements. Electrical short circuit and damage to the electrode due to the generated solvent or conductive impurities can be prevented in advance. However, since the first mounting electrode and the second mounting electrode on which the insulating film is formed cannot directly contact the LED element, the first driving electrode (or the third electrode) and the second driving electrode (or, By forming the fourth electrode), a drivable LED electrode assembly may be manufactured.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 전극 어셈블리에 대해 설명한다.Hereinafter, an LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1(a)를 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 LED 전극 어셈블리(100)는 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 이격된 제1실장전극(121, 또는 제1 전극) 및 제2실장전극(122, 또는 제2 전극), 상기 제1실장전극(121) 및 제2실장전극(122) 상에 형성된 절연막(130), 상기 제1실장전극(121) 상부에 일단부가 위치하고, 제2실장전극(122) 상부에 타단부가 위치하도록 정렬된 적어도 하나의 LED 소자(140), 및 상기 LED 소자(140) 각각의 일단부의 적어도 일부분과 접촉하는 제1구동전극(151, 또는 제3 전극) 및 타단부의 적어도 일부분과 접촉하는 제2구동전극(152, 또는 제4 전극)을 포함할 수 있다.1A, the LED electrode assembly 100 according to an embodiment of the present invention extends in a first direction and is spaced apart from the first mounting electrode in a second direction different from the first direction ( 121 (or the first electrode) and the second mounting electrode 122 (or the second electrode), the insulating film 130 formed on the first mounting electrode 121 and the second mounting electrode 122 , and the first mounting electrode At least one LED element 140 arranged so that one end is positioned on the upper portion 121 and the other end is positioned on the second mounting electrode 122, and at least a portion of one end of each of the LED elements 140 is in contact with It may include a first driving electrode 151 (or a third electrode) and a second driving electrode 152 (or a fourth electrode) in contact with at least a portion of the other end.

먼저, 상기 제1실장전극(121)과 상기 제2실장전극(122)은 기판(110) 상에 형성될 수 있다.First, the first mounting electrode 121 and the second mounting electrode 122 may be formed on the substrate 110 .

상기 기판(110)으로서 바람직하게는 유리기판, 수정기판, 사파이어 기판, 플라스틱 기판 및 구부릴 수 있는 유연한 폴리머 필름 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 보다 더 바람직하게는 상기 기판은 투명할 수 있다. 다만, 상기 종류에 한정되는 것은 아니며 통상의 전극이 형성될 수 있는 기판의 경우 제한 없이 사용될 수 있다.As the substrate 110, preferably, any one of a glass substrate, a quartz substrate, a sapphire substrate, a plastic substrate, and a flexible polymer film that can be bent may be used. Even more preferably, the substrate may be transparent. However, it is not limited to the above type, and a substrate on which a conventional electrode can be formed may be used without limitation.

상기 기판(110)의 면적은 제한이 없으며, 기판(110) 상에 형성될 제1실장전극(121)의 면적, 제2실장전극(122)의 면적, 상기 제1실장전극(121) 및 제2실장전극(122)에 연통되는 LED 소자(140) 사이즈 및 연통되는 LED 소자(140) 개수를 고려하여 변할 수 있다.The area of the substrate 110 is not limited, and the area of the first mounting electrode 121 to be formed on the substrate 110 , the area of the second mounting electrode 122 , the first mounting electrode 121 and the second mounting electrode 121 . The size of the LED elements 140 communicating with the second mounting electrode 122 and the number of the LED elements 140 communicating with each other may be taken into consideration.

또한, 상기 기판의 두께는 100㎛ 내지 1mm일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, the thickness of the substrate may be 100 μm to 1 mm, but is not limited thereto.

상기 제1실장전극(121)은 알루미늄, 타이타늄, 인듐, 골드 및 실버로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속물질 또는 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO:Al 및 CNT-전도성 고분자 복합체로 이루어진 군에서 선택 어느 하나 이상의 투명물질일 수 있다. 상기 전극 형성 물질이 2종 이상일 경우 바람직하게는 제1실장전극(121)은 2종 이상의 물질이 적층된 구조일 수 있다. 보다 더 바람직하게는 제1실장전극(121)은 타이타늄/골드로 2종 물질이 적층된 전극일 수 있다. 다만 제1실장전극(121)은 상기 기재에 제한되는 것은 아니다.The first mounting electrode 121 is selected from the group consisting of at least one metal material selected from the group consisting of aluminum, titanium, indium, gold and silver, or indium tin oxide (ITO), ZnO:Al and CNT-conductive polymer composite. Any one or more transparent materials may be used. When two or more kinds of the electrode forming materials are used, the first mounting electrode 121 may have a structure in which two or more kinds of materials are stacked. More preferably, the first mounting electrode 121 may be an electrode in which two types of materials are stacked with titanium/gold. However, the first mounting electrode 121 is not limited to the above description.

또한, 상기 제1실장전극(121)의 폭은 100nm 내지 50㎛, 두께는 0.1 내지 10㎛일 수 있다.In addition, the width of the first mounting electrode 121 may be 100 nm to 50 μm and a thickness of 0.1 to 10 μm.

상기 제2실장전극(122)은 알루미늄, 타이타늄, 인듐, 골드 및 실버로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속물질 또는 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO:Al 및 CNT-전도성 고분자 복합체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 투명물질일 수 있다, 바람직하게는 상기 제2실장전극(122)은 2종 이상의 물질이 적층된 구조일 수 있다. 보다 더 바람직하게는 제2실장전극(122)은 타이타늄/골드로 2종 물질이 적층된 전극일 수 있다. 다만 제2실장전극(122)은 상기 기재에 제한되는 것은 아니다.The second mounting electrode 122 is one or more metal materials selected from the group consisting of aluminum, titanium, indium, gold and silver, or indium tin oxide (ITO), ZnO:Al and CNT-selected from the group consisting of a conductive polymer composite. Any one or more transparent materials may be used. Preferably, the second mounting electrode 122 may have a structure in which two or more materials are stacked. More preferably, the second mounting electrode 122 may be an electrode in which two types of materials are stacked with titanium/gold. However, the second mounting electrode 122 is not limited to the above description.

또한, 상기 제2실장전극(122)의 폭은 100 nm 내지 50㎛, 두께는 0.1 내지 10㎛일 수 있다.In addition, the width of the second mounting electrode 122 may be 100 nm to 50 μm and a thickness of 0.1 to 10 μm.

또한, 상기 제1실장전극과 제2실장전극을 형성하는 물질은 동일 또는 상이할 수 있다.In addition, materials forming the first mounting electrode and the second mounting electrode may be the same or different.

다음으로, 상기 절연막(130)은 상기 제1실장전극(121) 및 제2실장전극(122)의 노출된 외부면 상에 형성될 수 있다.Next, the insulating layer 130 may be formed on the exposed outer surfaces of the first and second mounting electrodes 121 and 122 .

또한, 상기 절연막(130)은 LED 소자 정렬시 LED 소자의 활성층이 실장전극과 접촉할 경우 발생하는 전기적 단락을 사전에 방지할 수 있다.In addition, the insulating layer 130 may prevent in advance an electrical short that occurs when the active layer of the LED device comes into contact with the mounting electrode when the LED device is aligned.

상기 절연막(130)의 두께는 제1실장전극(121) 및 제2실장전극(122)에 인가되는 전원의 전압, LED 소자의 길이, 실장전극 간 거리 등에 따라 달라질 수 있으나, 바람직하게는 상기 절연막은 1 nm 내지 100 ㎛의 두께를 가질 수 있다.The thickness of the insulating film 130 may vary depending on the voltage of the power applied to the first and second mounting electrodes 121 and 122, the length of the LED element, the distance between the mounting electrodes, etc., but preferably the insulating film The silver may have a thickness of 1 nm to 100 μm.

만일 상기 절연막의 두께가 1nm 이하일 경우, LED 소자 정렬시 LED 소자의 활성층이 실장전극과 접촉할 경우 발생하는 전기적 단락이 발생할 우려가 있고, 100 ㎛를 초과할 경우, LED 소자를 정렬시키기 위해 인가되는 전압이 과도하게 증가되거나, LED 소자가 정렬되지 않는 등 본 발명의 목적을 달성하기에 어려울 수 있다.If the thickness of the insulating film is 1 nm or less, there is a risk of an electrical short occurring when the active layer of the LED device comes into contact with the mounting electrode during alignment of the LED device, and when it exceeds 100 μm, applied to align the LED device It may be difficult to achieve the object of the present invention, such as if the voltage is increased excessively, or the LED elements are not aligned.

더욱 바람직하게는 상기 절연막은 1nm 내지 10㎛, 가장 바람직하게는 1nm 내지 5㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 두께 범위를 만족할 경우, 상대적으로 낮은 정렬 전압에서도 전극의 손상 또는 전기적 단락을 방지할 수 있으며, 절연막에 의한 소광을 최소화하여 LED 전극어셈블리의 휘도를 더욱 더 향상시킬 수 있다.More preferably, the insulating layer may have a thickness of 1 nm to 10 μm, and most preferably 1 nm to 5 μm. When the thickness range is satisfied, damage to the electrode or electrical short can be prevented even at a relatively low alignment voltage, and extinction by the insulating film can be minimized to further improve the luminance of the LED electrode assembly.

또한, 상기 절연막(130)은 SiO2, Si3N4, SiNx, Al2O3, HfO2, Y2O3 및 TiO2로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 보다 바람직하게는 질화규소(SiNx)일 수 있다. 다만, 상기의 기재들에 한정되지 않는다. In addition, the insulating film 130 may include any one or more selected from the group consisting of SiO 2 , Si 3 N 4 , SiN x , Al 2 O 3 , HfO 2 , Y 2 O 3 and TiO 2 , and more Preferably, it may be silicon nitride (SiN x ). However, it is not limited to the above descriptions.

다음으로, 상기 LED 소자(140)들은 절연막(130)이 형성된 제1실장전극(121) 상부와 제2실장전극(122) 상부에 양단부가 각각 위치하도록 정렬될 수 있다.Next, the LED elements 140 may be arranged so that both ends are respectively positioned on the first mounting electrode 121 and the second mounting electrode 122 on which the insulating film 130 is formed.

상기 LED 소자(140)는 조명, 디스플레이 등에 적용될 수 있는 공지된 LED 소자인 경우 제한 없이 채용될 수 있다. 상기 LED 소자(140)에 대하여 도 2(a) 및 도 2(b)를 참조하여 설명하면, 상기 LED 소자(140)는 제1 도전형 반도체층(141) 및 상기 제1 도전형 반도체 층(141)상에 형성된 활성층(143), 상기 활성층상에 형성된 제2 도전형 반도체층(142)을 포함할 수 있다.The LED device 140 may be employed without limitation if it is a known LED device that can be applied to lighting, displays, and the like. When the LED device 140 is described with reference to FIGS. 2A and 2B , the LED device 140 includes a first conductivity type semiconductor layer 141 and a first conductivity type semiconductor layer ( It may include an active layer 143 formed on the 141) and a second conductivity-type semiconductor layer 142 formed on the active layer.

상기 제1 도전형 반도체층(141) 및 상기 제2 도전형 반도체층(142) 중 어느 하나의 반도체층은 n형 반도체층을 적어도 하나 포함하고, 다른 도전형 반도체층은 p형 반도체층을 적어도 하나 포함할 수 있다.One semiconductor layer of the first conductivity-type semiconductor layer 141 and the second conductivity-type semiconductor layer 142 includes at least one n-type semiconductor layer, and the other conductivity-type semiconductor layer includes at least a p-type semiconductor layer. can contain one.

상기 제1 도전형 반도체층(141)이 n형 반도체층을 포함하는 경우 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0

Figure pat00001
x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료 예컨대, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN등에서 어느 하나 이상이 선택될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.When the first conductivity-type semiconductor layer 141 includes an n-type semiconductor layer, the n-type semiconductor layer is In x Al y Ga 1-xy N (0
Figure pat00001
A semiconductor material having a composition formula of x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) may be selected from, for example, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, and the like, and the first conductivity A type dopant may be doped. The first conductivity type dopant may be Si, Ge, or Sn, but is not limited thereto.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층의 두께는 1.5 내지 5㎛일 수 있으나 이에 제한되지 않는다.In addition, the thickness of the first conductivity type semiconductor layer may be 1.5 to 5㎛, but is not limited thereto.

상기 제2 도전형 반도체층(142)이 p형 반도체층을 포함하는 경우 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0

Figure pat00002
x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 예컨대, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN등에서 어느 하나이상이 선택될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제2 도전형 도펀트는 Mg일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.When the second conductivity-type semiconductor layer 142 includes a p-type semiconductor layer, the p-type semiconductor layer is In x Al y Ga 1-xy N (0
Figure pat00002
A semiconductor material having a composition formula of x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example, any one or more may be selected from InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN, and the like, and the second conductivity A type dopant may be doped. The second conductivity type dopant may be Mg, but is not limited thereto.

또한, 상기 제2 도전형 반도체층의 두께는 0.08 내지 0.25㎛일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.In addition, the thickness of the second conductivity type semiconductor layer may be 0.08 to 0.25 μm, but is not limited thereto.

상기 활성층(143)은 제1 도전형 반도체층(141) 상부 및 제2 도전형 반도체층(142) 하부에 형성되며, 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 상기 활성층(143)은 조명, 디스플레이 등에 사용되는 통상의 LED 소자에 포함되는 활성층인 경우 제한 없이 사용될 수 있다. 이러한 활성층은 전계를 인가하였을 때, 전자-정공 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 된다. The active layer 143 is formed above the first conductivity type semiconductor layer 141 and below the second conductivity type semiconductor layer 142 , and may have a single or multiple quantum well structure. The active layer 143 may be used without limitation if it is an active layer included in a typical LED device used for lighting, display, and the like. When an electric field is applied to the active layer, light is generated by the bonding of electron-hole pairs.

또한, 상기 활성층(143)의 두께는0.05 내지 0.25㎛일 수 있으나 이에 제한되지 않는다.In addition, the thickness of the active layer 143 may be 0.05 to 0.25 μm, but is not limited thereto.

또한, 도 2b에 도시된 것과 같이, 상기 LED 소자(140)는 상기 LED 소자의 적어도 하나의 단부측에 형성된 도전성 전극층(144)을 더 포함할 수 있고, 상기 도전성 전극층은 일예로 외부면에 곡면을 포함하는 금속캡일 수 있다.In addition, as shown in FIG. 2B , the LED device 140 may further include a conductive electrode layer 144 formed on at least one end side of the LED device, and the conductive electrode layer has, for example, a curved surface on the outer surface. It may be a metal cap comprising a.

상기 금속캡은 LED 소자가 전기장 하에서 분극될 수 있는 영역의 표면적을 증가시켜 보다 많은 양전하 또는 음전하가 금속캡 표면에 하전될 수 있어 LED 소자의 정렬성을 향상시킬 수 있다.The metal cap increases the surface area of a region where the LED device can be polarized under an electric field, so that more positive or negative charges can be charged on the surface of the metal cap, thereby improving alignment of the LED device.

상기 금속캡의 소재, 형태 및 구체적인 제조방법은 본 발명의 발명자에 의한 특허문헌 2가 참조로 삽입될 수 있어서, 본 발명은 이에 대한 구체적 설명을 생략한다. The material, shape, and specific manufacturing method of the metal cap may be incorporated by reference in Patent Document 2 by the inventor of the present invention, and detailed description thereof will be omitted in the present invention.

상기 LED 소자(140)의 종횡비는 1.2 내지 100, 바람직하게는 1.2 내지 50, 보다 바람직하게는 1.5 내지 20, 보다 더 바람직하게는 1.5 내지 10 일 수 있다.The aspect ratio of the LED device 140 may be 1.2 to 100, preferably 1.2 to 50, more preferably 1.5 to 20, even more preferably 1.5 to 10.

만일 LED 소자(140)의 종횡비가 1.2 미만일 경우 전원을 실장전극(121, 122)에 인가해도 LED 소자(140)가 정렬하지 않을 우려가 있고, 100 초과일 경우 LED 소자(140)의 정렬에 필요한 전원의 전압은 낮아질 수 있으나 LED 소자(140) 자체를 제조하기 어려울 수 있다.If the aspect ratio of the LED element 140 is less than 1.2, even when power is applied to the mounting electrodes 121 and 122, the LED element 140 may not be aligned. The voltage of the power supply may be lowered, but it may be difficult to manufacture the LED device 140 itself.

다음으로, 도 1(b)을 참조하여 상기 제1구동전극(151) 및 제2구동전극(152)을 설명하면, 상기 제1구동전극(151) 및 제2구동전극(152)은, LED 소자(140)와 접촉하지 않되 절연막(130)과 접촉하고, 상기 제1 방향으로 연장된 제1부분(151a, 152a)과 상기 제1 부분(151a, 152a)에 연결되고 LED 소자(140)의 양 단부 및 외부면 중 적어도 일부와 접촉하는 제2 부분(151b, 152b)을 포함하며, LED 소자(140)는 외면 중 일부는 절연막(130)과 접촉하고 다른 일부는 절연막(130)과 접촉하지 않을 수 있다.Next, when the first driving electrode 151 and the second driving electrode 152 are described with reference to FIG. 1B , the first driving electrode 151 and the second driving electrode 152 are LEDs. Not in contact with the element 140 but in contact with the insulating film 130 , connected to the first portions 151a and 152a extending in the first direction and the first portions 151a and 152a, the LED element 140 . The LED element 140 includes second portions 151b and 152b in contact with both ends and at least a portion of the outer surface, and the outer surface of the LED element 140 is partially in contact with the insulating film 130 and the other portion is not in contact with the insulating film 130 . may not be

상기 제1구동전극(151) 및 제2구동전극(152)에 각각 접하게 되는 LED 소자(140)의 일부분은 제1 도전형 반도체층(141) 및 제2 도전형 반도체층(142)이거나 도전성 전극층(144)일 수 있다.A portion of the LED device 140 in contact with the first driving electrode 151 and the second driving electrode 152 is a first conductive semiconductor layer 141 and a second conductive semiconductor layer 142 or a conductive electrode layer. (144).

다음으로, 본 발명에 따른 LED 전극어셈블리의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a method of manufacturing the LED electrode assembly according to the present invention will be described.

본 발명의 일 실시예에 의한 LED 전극어셈블리의 제조 방법은 (1) 동일평면상에 이격되어 형성된 제1실장전극 및 제2실장전극을 포함하는 실장전극의 노출된 외부면 상에 절연막을 형성시키는 단계; (2) 절연막이 형성된 제1실장전극 및 제2실장전극 상에 LED 소자들을 포함하는 용액을 투입하고, 상기 LED 소자들이 상기 제1실장전극 상부에 일단부가 위치하고, 제2실장전극 상부에 타단부가 위치하도록 정렬시키기 위하여 상기 제1실장전극 및 제2실장전극에 전원을 인가하는 단계; 및 (3) 정렬된 LED 소자들 각각의 일단부의 적어도 일부분과 접촉하는 제1구동 전극 및 타단부의 적어도 일부분과 접촉하는 제2구동 전극을 포함하는 구동전극을 형성시키는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention comprises (1) forming an insulating film on an exposed outer surface of a mounting electrode including a first mounting electrode and a second mounting electrode formed spaced apart on the same plane. step; (2) A solution containing LED elements is put on the first and second mounting electrodes on which the insulating film is formed, and the LED elements have one end positioned on the first mounting electrode and the other end on the second mounting electrode. applying power to the first mounting electrode and the second mounting electrode in order to align them; and (3) forming a driving electrode including a first driving electrode in contact with at least a portion of one end of each of the aligned LED elements and a second driving electrode in contact with at least a portion of the other end.

또는, 일 실시예에 따른 LED 전극 어셈블리의 제조 방법은 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 이격된 제1 전극 및 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막이 형성된 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 적어도 하나의 LED 소자를 포함하는 용액을 투입하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 전원을 인가하여 상기 LED 소자가 상기 제1 전극 상부에 일단부가 위치하고, 제2 전극 상부에 타단부가 위치하도록 정렬하는 단계 및 상기 LED 소자 각각의 일단부의 적어도 일부분과 접촉하는 제3 전극 및 타단부의 적어도 일부분과 접촉하는 제4 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제3 전극 및 상기 제4 전극은, 상기 LED 소자와 접촉하지 않되 상기 절연막과 접촉하고, 상기 제1 방향으로 연장된 제1 부분; 및 상기 제1 부분에 연결되고 상기 LED 소자의 양 단부 및 외부면 중 적어도 일부와 접촉하는 제2 부분을 포함하며, 상기 LED 소자는 외면 중 일부는 상기 절연막과 접촉하고 다른 일부는 상기 절연막과 접촉하지 않을 수 있다.Alternatively, in the method of manufacturing an LED electrode assembly according to an embodiment, first and second electrodes extending in a first direction and spaced apart from each other in a second direction different from the first direction, and the first electrode and the second electrode Forming an insulating film on the electrode, putting a solution containing at least one LED element on the first electrode and the second electrode on which the insulating film is formed, and applying power to the first electrode and the second electrode Aligning the LED elements so that one end is positioned on the first electrode and the other end is positioned on the second electrode, and a third electrode in contact with at least a portion of one end of each of the LED elements and at least a portion of the other end; forming a contacting fourth electrode, wherein the third electrode and the fourth electrode include: a first portion not in contact with the LED element but in contact with the insulating film and extending in the first direction; and a second portion connected to the first portion and in contact with at least a portion of both ends and an outer surface of the LED element, wherein a portion of the outer surface of the LED element is in contact with the insulating film and the other portion is in contact with the insulating film may not

본 발명의 (1) 단계를 수행하기에 앞서, 기판 상에 제1실장전극과 제2실장전극을 형성하는 단계를 수행할 수 있다.Prior to performing step (1) of the present invention, a step of forming a first mounting electrode and a second mounting electrode on a substrate may be performed.

상기 제1실장전극과 제2실장전극은 열증착법, e-빔 증착법, 스퍼터링 증착법 및 스크린 프린팅 방법 등의 전극물질을 기판상에 형성시킬 수 있는 공지된 방법에 의하여 상기 기판 상에 형성될 수 있다. 이에 대한 구체적인 방법은 본 발명의 발명자에 의한 특허문헌 1이 참조로 삽입될 수 있어서, 본 발명은 이에 대한 구체적 설명을 생략한다.The first mounting electrode and the second mounting electrode may be formed on the substrate by a known method capable of forming an electrode material on the substrate, such as thermal evaporation, e-beam deposition, sputtering deposition, and screen printing. . For a specific method for this, Patent Document 1 by the inventor of the present invention may be incorporated as a reference, and thus, a detailed description thereof will be omitted in the present invention.

다음으로 도 3(a)를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 전극어셈블리의 제조 방법의 (1) 단계는 제1실장전극(221) 및 상기 제1실장전극(221)과 동일평면상에 이격되어 형성된 제2실장전극(222)의 노출된 외부면 상에 절연막(230)을 형성시켜 수행될 수 있다. Next, referring to FIG. 3( a ), step (1) of the method for manufacturing an LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention is performed on the same plane as the first mounting electrode 221 and the first mounting electrode 221 . This may be performed by forming the insulating layer 230 on the exposed outer surface of the second mounting electrode 222 formed to be spaced apart from each other.

또한, 상기 절연막(230)을 형성하는 방법은 플라즈마화학기상증착(PECVD), e-빔 증착법, 원자층증착법, 스퍼터링 증착법 중 어느 하나 일 수 있고 바람직하게는 플라즈마화학기상증착(PECVD)법 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the method of forming the insulating film 230 may be any one of plasma chemical vapor deposition (PECVD), e-beam deposition, atomic layer deposition, and sputtering deposition, preferably plasma chemical vapor deposition (PECVD). However, the present invention is not limited thereto.

다음으로 도 3(b)를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 전극어셈블리의 제조 방법의 (2) 단계는 상기 절연막(230)이 형성된 제1실장전극(221) 및 제2실장전극(222) 상에 LED 소자들(240)을 포함하는 용액(270)을 투입하고, 상기 LED 소자들(240)을 정렬시키기 위하여 제1실장전극(221) 및 제2실장전극(222)에 전원을 인가하여 수행될 수 있다.Next, referring to FIG. 3B , step (2) of the method for manufacturing an LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention includes the first mounting electrode 221 and the second mounting electrode on which the insulating film 230 is formed. A solution 270 including the LED elements 240 is put on the 222 , and power is supplied to the first mounting electrode 221 and the second mounting electrode 222 to align the LED elements 240 . This can be done by applying

또한, 상기 LED 소자들을 포함하는 용액(270)은 복수개의 LED 소자(240)들을 분산용매에 혼합하여 제조할 수 있다. 상기 분산용매는 잉크 또는 페이스트 상일 수 있다. 바람직하게 상기 분산용매는 아세톤, 물, 알코올 및 톨루엔으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있고, 보다 바람직하게는 아세톤일 수 있다. 다만, 분산용매의 종류는 상기의 기재에 제한되는 것은 아니며 LED 소자에 물리적, 화학적 영향을 미치지 않으면서 잘 증발할 수 있는 용매의 경우 제한 없이 사용될 수 있다.In addition, the solution 270 including the LED devices may be prepared by mixing a plurality of LED devices 240 in a dispersion solvent. The dispersion solvent may be in the form of ink or paste. Preferably, the dispersion solvent may be any one or more selected from the group consisting of acetone, water, alcohol and toluene, and more preferably acetone. However, the type of the dispersion solvent is not limited to the above description, and a solvent capable of evaporating well without physically and chemically affecting the LED device may be used without limitation.

또한, 상기 LED 소자(240)들은 분산용매 100 중량부에 대해 0.001 내지 100 중량부로 포함될 수 있다. 만일 0.001 중량부 미만으로 포함될 경우 전극에 연통되는 LED 소자의 수가 적어 LED 전극 어셈블리의 정상적 기능발휘가 어려울 수 있고, 이를 극복하기 위하여 LED를 포함하는 용액을 여러번 투입해야 되는 문제점이 있을 수 있으며, 100 중량부를 초과하는 경우 복수의 LED 소자(240)들 간에 정렬을 방해하는 문제점이 있을 수 있다.In addition, the LED elements 240 may be included in an amount of 0.001 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the dispersion solvent. If it is included in less than 0.001 parts by weight, the number of LED elements communicating with the electrode may be small, so it may be difficult to perform a normal function of the LED electrode assembly. When it exceeds the weight part, there may be a problem of preventing alignment between the plurality of LED elements 240 .

또한, 상기 제1실장전극(221) 및 제2실장전극(222)에 인가되는 전원의 전압은 0.1 내지 2000 V일 수 있다. 만일 상기 전압이 0.1 V 미만일 경우 LED 소자의 정렬성이 저하될 우려가 있으며, 2000 V를 초과할 경우 절연막이 파괴되는 등 누설 전류가 발생하여 전기적 단락 또는 전극의 손상이 발생할 우려가 있다.In addition, the voltage of the power applied to the first mounting electrode 221 and the second mounting electrode 222 may be 0.1 to 2000 V. If the voltage is less than 0.1 V, there is a fear that the alignment of the LED device is reduced, and if it exceeds 2000 V, leakage current such as destruction of the insulating film may occur, resulting in electrical short circuit or damage to the electrode.

또한, 상기 제1실장전극(221) 및 제2실장전극(222)에 인가되는 전원의 전압은 LED 소자의 길이, 실장전극 간 거리 및 절연막의 두께 등에 따라 달라질 수 있다.In addition, the voltage of the power applied to the first mounting electrode 221 and the second mounting electrode 222 may vary depending on the length of the LED element, the distance between the mounting electrodes, the thickness of the insulating film, and the like.

또한, 상기 전원의 주파수는 50 kHz 내지 1 GHz 일 수 있고, 바람직하게는 90 kHz 내지 100 MHz인 싸인파의 파형을 갖는 교류전원일 수 있다.In addition, the frequency of the power may be 50 kHz to 1 GHz, preferably, may be an AC power having a sine wave waveform of 90 kHz to 100 MHz.

도 3(c)는 제1실장전극(221) 및 제2실장전극(222)에 전원을 인가하여 LED 소자(240)들을 정렬시킨 모습을 나타낸 모식도이다. 이처럼 상기 LED 소자(240)들은 상기 제1실장전극(221) 상부에 일단부가 위치하고, 제2실장전극(222) 상부에 타단부가 위치하도록 정렬될 수 있으며, 상기 제1실장전극 및 제2실장전극 상에 형성된 절연막(230)을 통해 용매 또는 도전성 불순물에 의한 전극의 전기적 단락 및 손상을 사전에 방지할 수 있다.FIG. 3(c) is a schematic diagram illustrating a state in which the LED elements 240 are aligned by applying power to the first mounting electrode 221 and the second mounting electrode 222 . As such, the LED elements 240 may be arranged such that one end is positioned on the first mounting electrode 221 , and the other end is positioned on the second mounting electrode 222 , and the first and second mounting electrodes are mounted thereon. Through the insulating layer 230 formed on the electrode, an electrical short circuit and damage to the electrode due to a solvent or conductive impurities may be prevented in advance.

다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 전극어셈블리의 제조 방법의 (3) 단계는 상기 제1실장전극 상부와 제2실장전극 상부에 양단부가 각각 위치하도록 정렬된 LED 소자들 각각의 양단부의 적어도 일부분과 각각 접촉하는 제1구동 전극 및 제2구동 전극을 형성시켜 수행될 수 있다. Next, step (3) of the method for manufacturing an LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention is performed on both ends of each of the LED elements arranged so that both ends are respectively positioned on the upper part of the first mounting electrode and the upper part of the second mounting electrode. This may be performed by forming a first driving electrode and a second driving electrode respectively in contact with at least a portion.

절연막으로 덮여있는 제1실장전극과 제2실장전극은 전원을 인가하여 LED 소자를 정렬시킬 수 있으나 상기 LED 소자와 전기적으로 접촉할 수 없기 때문에 LED 소자를 구동시킬 수 없다. 따라서, 상기 LED 소자와 전기적으로 접촉하는 제1구동전극과 제2구동전극을 형성하여 상기 LED 소자를 구동시킬 수 있다.The first mounting electrode and the second mounting electrode covered with the insulating film may align the LED elements by applying power, but the LED elements cannot be driven because they cannot be in electrical contact with the LED elements. Accordingly, it is possible to drive the LED element by forming a first driving electrode and a second driving electrode in electrical contact with the LED element.

상기 제1구동전극 및 제2구동전극은 리프트오프(Lift-off)공정 또는 식각공정을 통해 제조될 수 있다.The first driving electrode and the second driving electrode may be manufactured through a lift-off process or an etching process.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 전극어셈블리의 제조 방법의 (3) 단계에 있어서, 리프트오프공정을 이용한 구동전극의 제조 공정을 나타낸 모식도이다.4 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a driving electrode using a lift-off process in step (3) of a method for manufacturing an LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention.

도 4(a)는 기판(310)상에 형성된 제 1 실장전극(321) 및 제 2 실장전극(322), 상기 기판(310)상에 형성된 제 1 실장전극(321) 및 제 2 실장전극(322) 상에 형성된 절연막(330), 절연막(330)이 형성된 제 1 실장전극(321) 상부와 제 2 실장전극(322) 상부에 양단부가 각각 위치하도록 정렬된 LED 소자(340)를 포함하는 LED 전극 어셈블리(300)를 나타낸다. 4(a) shows a first mounting electrode 321 and a second mounting electrode 322 formed on the substrate 310, and a first mounting electrode 321 and a second mounting electrode 321 formed on the substrate 310. An LED including an insulating film 330 formed on the 322 , an LED element 340 arranged so that both ends are respectively positioned on the first mounting electrode 321 and the second mounting electrode 322 on which the insulating film 330 is formed. The electrode assembly 300 is shown.

다음으로, 도 4(b)와 같이 상기 LED 전극 어셈블리(300)상에 광 레지스트 층(360)을 형성할 수 있다. 광 레지스트 층(360) 형성 방법으로는 스핀코팅, 스프레이코팅 및 스크린 프린팅 중 어느 하나 일 수 있고, 바람직하게는 스핀코팅일 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.Next, a photoresist layer 360 may be formed on the LED electrode assembly 300 as shown in FIG. 4B . The photoresist layer 360 forming method may be any one of spin coating, spray coating, and screen printing, preferably spin coating, but is not limited thereto.

상기 광 레지스트 층(360)은 양성 광 레지스트 및 음성 광 레지스트 중에서 선택된 어느 하나일 수 있으나, 바람직하게는 음성 광 레지스트인 것이 공정을 단순화하는데 더욱 유리하다.The photoresist layer 360 may be any one selected from a positive photoresist and a negative photoresist, but it is more advantageous to simplify the process if it is preferably a negative photoresist.

광 레지스트는 빛을 조사하면 화학 변화를 일으키는 수지를 말하며, 양성 광 레지스트(Positive photoresist)와 음성 광 레지스트(Negative photoresist)로 나눌 수 있다. 양성 포토레지스트는 빛이 닿은 부분만 고분자가 가용화하여 레지스트가 사라지는 감광성 수지를 말하며, 음성 포토레지스트는 빛이 닿은 부분만 고분자가 불용화하여 레지스트가 남는 감광성 수지를 말한다.Photoresist refers to a resin that causes a chemical change when irradiated with light, and can be divided into positive photoresist and negative photoresist. A positive photoresist refers to a photosensitive resin in which the polymer solubilizes only the portion touched by light and the resist disappears, and a negative photoresist refers to a photosensitive resin in which the polymer is insolubilized only in the portion touched by light and the resist remains.

일예로, 음성 광 레지스트를 사용하는 경우에 대해서 구체적으로 설명하면 도 4(c)와 같이 상기 광 레지스트 층(360)을 경화시킨 후 상기 광 레지스트층(360)의 상부에 제 1 실장전극(321) 및 제 2 실장전극(322)의 공간에 대응되는 마스크(370)를 형성하고 UV를 조사하여 광 레지스트층(360)의 노광된 영역을 불용화시킬 수 있다. As an example, when a negative photoresist is used in detail, the first mounting electrode 321 on the photoresist layer 360 after curing the photoresist layer 360 as shown in FIG. 4(c). ) and a mask 370 corresponding to the space of the second mounting electrode 322 may be formed and UV irradiated to insolubilize the exposed region of the photoresist layer 360 .

상기 UV 조사는 3 내지 30초 동안 조사할 수 있으며, 상기 UV를 조사한 이후 90 내지 130

Figure pat00003
에서 1 내지 2 분 동안 열처리할 수 있다. 만일 상기 UV 조사 시간이 3초 미만일 경우, 상기 노광된 영역이 모두 불용성이 되지 않는 문제가 발생할 수 있고, 30초를 초과할 경우, 광 레지스트 층(360)의 노광 영역이 제 1 실장전극(321) 및 제 2 실장전극(322) 상부까지 확장되어 구동전극(351, 352)을 형성하기 어려울 수 있다. 다만 상기 UV 조사 시간은 조사되는 UV의 광량에 따라 다르므로 이에 제한되지 않는다. The UV irradiation may be irradiated for 3 to 30 seconds, and after irradiating the UV to 90 to 130
Figure pat00003
It can be heat-treated for 1 to 2 minutes. If the UV irradiation time is less than 3 seconds, all of the exposed areas may not be insoluble. ) and the second mounting electrode 322 , it may be difficult to form the driving electrodes 351 and 352 . However, the UV irradiation time is not limited thereto because it varies depending on the amount of UV light to be irradiated.

또한, 상기 열처리 온도가 90

Figure pat00004
미만이면 노광과 관계없이 현상액에 의해 광 레지스트 층이 제거되는 문제가 발생할 수 있고, 130
Figure pat00005
를 초과하면 광 레지스트 층이 과하게 고화되거나 변성되어 현상이 어려운 문제가 발생할 수 있다. In addition, the heat treatment temperature is 90
Figure pat00004
If it is less than 130, there may be a problem that the photoresist layer is removed by the developer regardless of exposure, 130
Figure pat00005
If it exceeds, the photoresist layer may be excessively solidified or denatured, which may cause a problem of difficult development.

또한, 상기 열처리 시간이 1분 미만이면 노광과 관계없이 현상액에 의해 광 레지스트 층이 제거되는 문제가 발생할 수 있고, 2분을 초과하면 광 레지스트 층(360)이 과하게 고화되거나 변성되어 현상이 어려운 문제가 발생할 수 있다.In addition, if the heat treatment time is less than 1 minute, the photoresist layer may be removed by the developer regardless of exposure, and if it exceeds 2 minutes, the photoresist layer 360 is excessively solidified or denatured, making development difficult may occur.

다음으로, 도 4(d)와 같이 상기 광레지스트층(360)을 현상하여 리프트오프층(361)을 형성할 수 있다. 구체적으로 절연막(330)이 형성된 제1실장전극(321) 상부와 제2실장전극(322) 상부, LED 소자(340)의 양단부가 노출되도록 상기 리프트오프층(361)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 4D , the photoresist layer 360 may be developed to form a lift-off layer 361 . Specifically, the lift-off layer 361 may be formed so that the upper portion of the first mounting electrode 321 on which the insulating layer 330 is formed, the upper portion of the second mounting electrode 322 , and both ends of the LED device 340 are exposed.

현상에 사용되는 현상용액은 통상적으로 현상에 사용되는 현상용액이라면 제한없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 수산화테트라메틸암모늄(TMAH), 수산화테트라에틸암모늄, 수산화테트라프로필암모늄, 수산화테트라부틸암모늄, 수산화메틸트리에틸암모늄, 수산화트리메틸에틸암모늄, 수산화디메틸디에틸암모늄, 수산화트리메틸(2-히드록시에틸)암모늄, 수산화트리에틸(2-히드록시에틸)암모늄, 수산화디메틸디(2-히드록시에틸)암모늄, 수산화디에틸(2-히드록시에틸)암모늄, 수산화메틸트리(2-히드록시에틸)암모늄, 수산화에틸트리(2-히드록시에틸)암모늄, 수산화테트라(2-히드록시에틸)암모늄 및 수산화칼륨 (KOH) 중에서 선택된 어느 하나를 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 수산화테트라메틸암모늄(TMAH)을 사용할 수 있다.The developing solution used for development can be used without limitation, as long as it is a developing solution normally used for development, preferably tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, methyl hydroxide Triethylammonium, trimethylethylammonium hydroxide, dimethyldiethylammonium hydroxide, trimethyl(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide, triethyl(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide, dimethyldi(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide, Diethyl(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide, methyltri(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide, ethyltri(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide, tetra(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide and potassium hydroxide ( KOH) may be used, and more preferably, tetramethylammonium hydroxide (TMAH) may be used.

다음으로, LED 소자(340)들 각각의 양단부의 적어도 일부분과 각각 접촉하는 제1구동전극(351) 및 제2구동전극(352)을 형성시키기 위하여 도 4(e)와 같이 전극형성물질을 증착시켜 제1구동전극(351), 제2구동전극(352) 및 제3구동전극(353)을 형성할 수 있다. 상기 전극형성물질은 열증착법, e-빔 증착법, 스퍼터링 증착법 및 스크린 프린팅법 등의 방법 중 어느 하나의 방법으로 증착될 수 있고, 바람직하게는 열 증착법일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Next, in order to form a first driving electrode 351 and a second driving electrode 352 in contact with at least a portion of both ends of each of the LED elements 340, respectively, as shown in FIG. 4(e), an electrode forming material is deposited. Thus, the first driving electrode 351 , the second driving electrode 352 , and the third driving electrode 353 may be formed. The electrode forming material may be deposited by any one of methods such as thermal evaporation, e-beam deposition, sputtering deposition, and screen printing, preferably thermal evaporation, but is not limited thereto.

또한, 상기 제3구동전극(353)은 후술되는 리프트오프층 제거 공정을 통해 제거될 수 있다.Also, the third driving electrode 353 may be removed through a lift-off layer removal process to be described later.

상기 전극형성물질은 알루미늄, 타이타늄, 인듐, 골드 및 실버로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속물질 또는 ITO(Indium tin oxide), ZnO:Al 및 CNT(Carbon nano tube)-전도성 고분자 복합체로 이루어진 군에서 선택 어느 하나 이상의 투명물질일 수 있다. 상기 전극 형성 물질이 2종 이상일 경우 바람직하게는 제1구동전극(351) 및 제2구동전극(352)은 2종 이상의 물질이 적층된 구조일 수 있다. 보다 더 바람직하게는 제1구동전극(351) 및 제2구동전극(352)은 타이타늄/골드로 2종 물질이 적층된 전극일 수 있다. 다만 제1구동전극(351) 및 제2구동전극(352)은 상기 기재에 제한되는 것은 아니다.The electrode forming material is any one or more metal materials selected from the group consisting of aluminum, titanium, indium, gold and silver or ITO (Indium tin oxide), ZnO:Al and CNT (Carbon nano tube) - From the group consisting of a conductive polymer composite Any one or more transparent materials may be selected. When two or more kinds of the electrode forming materials are used, preferably, the first driving electrode 351 and the second driving electrode 352 may have a structure in which two or more kinds of materials are stacked. More preferably, the first driving electrode 351 and the second driving electrode 352 may be electrodes in which two types of materials are stacked with titanium/gold. However, the first driving electrode 351 and the second driving electrode 352 are not limited to the above description.

또한, 바람직하게는 상기 전극형성물질은 LED 소자와 옴 접촉(Ohmic contact)을 형성할 수 있다.Also, preferably, the electrode forming material may form an ohmic contact with the LED device.

또한, 상기 제1구동전극(351) 및 제2구동전극(352)을 형성하는 물질은 동일 또는 상이할 수 있다.In addition, materials forming the first driving electrode 351 and the second driving electrode 352 may be the same or different.

다음으로, 도 4(f)와 같이 리프트오프층(361)을 제거하여 상기 리프트오프층(361) 상에 형성된 제3구동전극(353)도 함께 제거될 수 있다. 이 결과로 LED 소자(340) 양단부의 적어도 일부분과 접촉하는 제 1 구동전극(351) 및 제 2 구동전극(352)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 4(f) , the lift-off layer 361 is removed to remove the third driving electrode 353 formed on the lift-off layer 361 as well. As a result, the first driving electrode 351 and the second driving electrode 352 contacting at least a portion of both ends of the LED element 340 may be formed.

또한, 상기 리프트오프층(361)는 광 레지스트 리무버(Photoresist remover)가 담긴 용기에 넣어서 제거할 수 있다. 구체적으로 설명하면, 55 내지 75

Figure pat00006
의 광 레지스트 리무버가 담긴 용기에 5 내지 30 분 동안 넣어서 수행할 수 있다. 만일 온도가 55
Figure pat00007
미만이면 광 레지스트 리무버의 반응성이 낮기 때문에 리프트오프층 (361)이 완전히 제거되지 않는 문제가 발생할 수 있고, 온도가 75
Figure pat00008
를 초과하면 LED 소자(340) 및 구동전극(361, 362)에 결함이 발생하는 등 본 발명의 목적을 달성하기에 어려울 수 있다. 또한, 5분 미만으로 수행할 경우 리프트오프층(361)이 완전히 제거되지 않는 문제가 발생할 수 있고, 30분을 초과할 경우 LED 소자 (340) 및 구동전극(351, 352)에 결함이 발생하는 등 본 발명의 목적을 달성하기에 어려울 수 있다.In addition, the lift-off layer 361 may be removed by putting it in a container containing a photoresist remover. Specifically, 55 to 75
Figure pat00006
It can be carried out by putting it in a container with a photoresist remover of 5 to 30 minutes. If the temperature is 55
Figure pat00007
If it is less than, a problem may occur that the lift-off layer 361 is not completely removed because the reactivity of the photoresist remover is low, and the temperature is 75
Figure pat00008
If it exceeds, it may be difficult to achieve the object of the present invention, such as a defect occurs in the LED element 340 and the driving electrodes 361 and 362. In addition, if it is performed for less than 5 minutes, a problem may occur that the lift-off layer 361 is not completely removed, and if it exceeds 30 minutes, defects occur in the LED element 340 and the driving electrodes 351 and 352. etc. may be difficult to achieve the object of the present invention.

상기 광 레지스트 리무버는 통상적으로 사용되는 광 레지스트 리무버라면 제한없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 2-(2-아미노에톡시)(2-(2-Aminoethoxy)), 에탄올(ethanol), 하이드록실아민(hydroxylamine) 및 카테콜(Catechol)을 포함하는 혼합액(EKC 265 polymer, DuPont), 아세톤, N-메틸피롤리돈(1-Methyl-2-pyrrolidone, NMP), 디메틸설폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO) 중에서 선택된 어느 하나를 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 EKC 265 polymer를 사용할 수 있다. The photoresist remover may be used without limitation as long as it is a conventional photoresist remover, preferably 2-(2-aminoethoxy)(2-(2-Aminoethoxy)), ethanol, hydroxylamine ( In a mixture containing hydroxylamine) and catechol (EKC 265 polymer, DuPont), acetone, N-methylpyrrolidone (1-Methyl-2-pyrrolidone, NMP), dimethyl sulfoxide (DMSO) Any one selected may be used, and more preferably, EKC 265 polymer may be used.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 전극어셈블리의 제조 방법의 (3) 단계에 있어서, 식각공정을 이용한 구동전극의 제조 공정을 나타낸 모식도이다.5 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a driving electrode using an etching process in step (3) of a method for manufacturing an LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 5(a)는 기판(410)상에 형성된 제1실장전극(421) 및 제2실장전극(422), 상기 기판(410)상에 형성된 제1실장전극(421) 및 제2실장전극(422) 상에 형성된 절연막(430), 절연막(430)이 형성된 제1실장전극(421) 상부와 제2실장전극(422) 상부에 양단부가 각각 위치하도록 정렬된 LED 소자(440)를 포함하는 LED 전극 어셈블리(400)를 나타낸다.First, FIG. 5A shows a first mounting electrode 421 and a second mounting electrode 422 formed on a substrate 410 , and a first mounting electrode 421 and a second mounting electrode formed on the substrate 410 . The insulating film 430 formed on the electrode 422, the insulating film 430 is formed on the first mounting electrode 421, and the second mounting electrode 422, the LED element 440 is arranged so that both ends are respectively positioned on the upper part The LED electrode assembly 400 is shown.

다음으로, 도 5(b)와 같이 전극형성물질을 상기 LED 전극 어셈블리(400) 상에 증착시켜 구동전극층(450)을 형성시킬 수 있다.Next, as shown in FIG. 5B , the driving electrode layer 450 may be formed by depositing an electrode forming material on the LED electrode assembly 400 .

상기 전극형성물질의 증착은 열증착법, e-빔 증착법, 스퍼터링 증착법 및 스크린 프린팅 방법 등의 방법 중 어느 하나의 방법으로 증착될 수 있으며 바람직하게는 열 증착 방법일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The electrode forming material may be deposited by any one of methods such as thermal deposition, e-beam deposition, sputtering deposition, and screen printing, and preferably may be thermal deposition, but is not limited thereto.

다음으로, 도 5(c)와 같이 상기 구동전극층(450) 상에 광 레지스트 층(460)을 형성할 수 있다. 광 레지스트 층(460) 형성 방법으로는 스핀코팅, 스프레이코팅 및 스크린 프린팅 중 어느 하나 일 수 있고, 바람직하게는 스핀코팅일 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.Next, as shown in FIG. 5C , a photoresist layer 460 may be formed on the driving electrode layer 450 . The photoresist layer 460 may be formed by any one of spin coating, spray coating, and screen printing, preferably spin coating, but is not limited thereto.

상기 광 레지스트 층(460)은 양성 광 레지스트 및 음성 광 레지스트 중에서 선택된 어느 하나일 수 있으나, 바람직하게는 양성 광 레지스트인 것이 공정을 단순화하는데 더욱 유리하다.The photoresist layer 460 may be any one selected from a positive photoresist and a negative photoresist, but it is more advantageous to simplify the process if the photoresist layer 460 is preferably a positive photoresist.

일예로, 양성 광 레지스트를 사용하는 경우에 대해 구체적으로 설명하면, 도 5(d)와 같이 상기 광 레지스트 층(460)을 경화시킨 후 상기 광 레지스트층(460)의 상부에 제1실장전극(421) 및 제2실장전극(422)의 공간에 대응되는 마스크(470)를 형성하여 직접 리소그래피(Direct lithography) 방법으로 UV를 조사하여 광 레지스트층(460)의 노광된 영역을 가용화 시킬 수 있다. 상기 UV 조사는 0.5 내지 30 초 동안 조사할 수 있으며, 바람직하게는 2 내지 15 초 동안 조사할 수 있다. 만일 상기 UV 조사 시간이 0.5초 미만이면 상기 노광된 영역이 모두 가용성이 되지 않아 패턴이 형성되지 않는 문제가 발생할 수 있고, 30초를 초과하면 상기 노광된 영역이 확장되어 후술되는 식각 공정에서 구동전극이 과도하게 제거되는 등 본 발명의 목적을 달성하기에 어려울 수 있다.As an example, specifically describing the case of using a positive photoresist, after curing the photoresist layer 460 as shown in FIG. 421 ) and a mask 470 corresponding to the space of the second mounting electrode 422 may be formed, and the exposed region of the photoresist layer 460 may be solubilized by direct lithography (UV) irradiation. The UV irradiation may be irradiated for 0.5 to 30 seconds, preferably for 2 to 15 seconds. If the UV irradiation time is less than 0.5 seconds, all of the exposed areas are not soluble and thus a pattern may not be formed. It may be difficult to achieve the object of the present invention, such as being excessively removed.

다음으로, 도 5(e)와 같이 광 레지스트층의 노광된 영역을 현상할 수 있다. 상기 노광된 영역을 현상하게 되면, 제1광 레지스트층(461) 및 제2광 레지스트층(462)이 제1실장전극(421) 및 제2실장전극(422)의 공간에 대응되도록 형성된다. 이처럼 광 레지스트층의 일부만 현상하는 이유는 후술되는 식각공정에서 제1실장전극(421) 및 제2실장전극(422)의 공간에 대응되는 구동전극(451,452)은 식각되지 않기 위함이고, 상기 광 레지스트층의 현상에 의해 노출된 일부 구동전극(453)만을 제거하기 위함이다.Next, the exposed region of the photoresist layer may be developed as shown in FIG. 5(e). When the exposed region is developed, the first photoresist layer 461 and the second photoresist layer 462 are formed to correspond to the spaces between the first mounting electrode 421 and the second mounting electrode 422 . The reason why only a part of the photoresist layer is developed is so that the driving electrodes 451 and 452 corresponding to the spaces of the first mounting electrode 421 and the second mounting electrode 422 are not etched in the etching process to be described later, and the photoresist layer is not etched. This is to remove only some of the driving electrodes 453 exposed by the layer development.

한편, 양성 광 레지스트층을 형성시키는 경우 현상시간은 15 내지 75초 일 수 있으며, 바람직하게는 30 내지 60 초일 수 있다. 만일 상기 현상시간이 15 초 미만이면 상기 광 레지스트층(460)이 잘 현상되지 않는 문제가 발생할 수 있고, 75 초를 초과하면 광 레지스트층(460)이 과도하게 현상되어 후술되는 식각 공정에서 구동전극이 과도하게 제거되는 등 본 발명의 목적을 달성하기에 어려울 수 있다.Meanwhile, when the positive photoresist layer is formed, the development time may be 15 to 75 seconds, preferably 30 to 60 seconds. If the developing time is less than 15 seconds, the photoresist layer 460 may not be well developed. If it exceeds 75 seconds, the photoresist layer 460 is excessively developed and the driving electrode in an etching process to be described later. It may be difficult to achieve the object of the present invention, such as being excessively removed.

다음으로, 도 5(f)와 같이 상기 광 레지스트층의 현상에 의해 노출된 일부 구동전극(453)은 식각 공정을 통해 제거될 수 있다. 상기 식각 공정을 통해 제1구동전극(451) 및 제2구동전극(452)이 제1실장전극(421) 및 제2실장전극(422)의 공간에 대응되도록 형성된다.Next, as shown in FIG. 5(f) , some of the driving electrodes 453 exposed by the development of the photoresist layer may be removed through an etching process. Through the etching process, the first driving electrode 451 and the second driving electrode 452 are formed to correspond to the spaces of the first mounting electrode 421 and the second mounting electrode 422 .

상기 식각 공정은 통상적으로 금속식각에 사용되는 방법이라면 제한없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 건식식각방법 및 습식식각방법일 수 있고, 보다 바람직하게는 건식식각방법을 사용하는 것이 일정한 방향성으로 식각하는데 더욱 유리하다. 또한 상기 건식식각은 통상적으로 건식식각에 사용되는 기체라면 제한없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 CF4 및 Cl2 중에서 선택되는 어느 하나의 기체를 사용할 수 있고, CF4 를 사용하는 경우 40 내지 120 sccm, 90 내지 110 W 및 0.040 내지 0.070 Torr의 조건으로 수행할 수 있으며, Cl2를 사용하는 경우 10 내지 30 sccm, 70 ~ 90 W 및 0.06 내지 0.1 Torr의 조건으로 수행할 수 있다.The etching process can be used without limitation as long as it is a method commonly used for metal etching, preferably a dry etching method and a wet etching method, and more preferably using a dry etching method is more preferable for etching in a certain direction. It is advantageous. In addition, the dry etching can be used without limitation as long as it is a gas typically used for dry etching, preferably any one gas selected from CF 4 and Cl 2 can be used, and when CF 4 is used, 40 to 120 sccm , 90 to 110 W and 0.040 to 0.070 Torr may be performed under conditions of 10 to 30 sccm, 70 to 90 W, and 0.06 to 0.1 Torr when Cl 2 is used.

다음으로, 도 5(g)와 같이 제1구동전극(451) 상부 및 제2구동전극(452) 상부의 광 레지스트층(461, 462)을 제거하여 구동전극이 형성된 LED 전극 어셈블리를 제조할 수 있다.Next, as shown in FIG. 5( g ), by removing the photoresist layers 461 and 462 on the upper part of the first driving electrode 451 and the upper part of the second driving electrode 452 , the LED electrode assembly in which the driving electrode is formed can be manufactured. there is.

상기 제 1 구동전극(451) 상부 및 제 2 구동전극(452) 상부의 제1광 레지스트층(461) 및 제2광 레지스트층(462)은 광 레지스트 리무버(Photoresist remover)가 담긴 용기에 넣어서 제거할 수 있다.The first photoresist layer 461 and the second photoresist layer 462 on the first driving electrode 451 and the second driving electrode 452 are removed by putting them in a container containing a photoresist remover. can do.

구체적으로 55 내지 75

Figure pat00009
의 광 레지스트 리무버가 담긴 용기에 5 내지 30 분 동안 넣어서 수행할 수 있다. 만일 온도가 55
Figure pat00010
미만이면 광 레지스트 리무버의 반응성이 낮기 때문에 광 레지스트층(461, 462)이 완전히 제거되지 않는 문제가 발생할 수 있고, 온도가 75
Figure pat00011
를 초과하면 LED 소자(440) 및 구동전극(451, 452)에 결함이 발생하는 등 본 발명의 목적을 달성하기에 어려울 수 있다. 또한, 5분 미만으로 수행할 경우 광 레지스트층(461, 462)이 완전히 제거되지 않는 문제가 발생할 수 있고, 30분을 초과할 경우 LED 소자 (440) 및 구동전극(451, 452)에 결함이 발생하는 등 본 발명의 목적을 달성하기에 어려울 수 있다.specifically 55 to 75
Figure pat00009
It can be carried out by putting it in a container with a photoresist remover of 5 to 30 minutes. If the temperature is 55
Figure pat00010
If it is less than the photoresist remover's low reactivity, there may be a problem that the photoresist layers 461 and 462 are not completely removed, and the temperature is 75
Figure pat00011
If it exceeds, it may be difficult to achieve the object of the present invention, such as a defect occurs in the LED element 440 and the driving electrodes 451 and 452. In addition, if it is performed for less than 5 minutes, a problem may occur that the photoresist layers 461 and 462 are not completely removed, and if it exceeds 30 minutes, the LED element 440 and the driving electrodes 451 and 452 are defective. It may be difficult to achieve the object of the present invention, such as occurs.

상기 광 레지스트 리무버는 통상적으로 사용되는 광 레지스트 리무버라면 제한없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 2-(2-아미노에톡시)(2-(2-Aminoethoxy)), 에탄올(ethanol), 하이드록실아민(hydroxylamine) 및 카테콜(Catechol)을 포함하는 혼합액(EKC 265 polymer, DuPont), 아세톤, N-메틸피롤리돈(1-Methyl-2-pyrrolidone, NMP), 디메틸설폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO) 중에서 선택된 어느 하나를 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 EKC 265 polymer를 사용할 수 있다. The photoresist remover may be used without limitation as long as it is a commonly used photoresist remover, preferably 2-(2-aminoethoxy)(2-(2-Aminoethoxy)), ethanol, hydroxylamine ( In a mixture containing hydroxylamine) and catechol (EKC 265 polymer, DuPont), acetone, N-methylpyrrolidone (1-Methyl-2-pyrrolidone, NMP), dimethyl sulfoxide (DMSO) Any one selected may be used, and more preferably, EKC 265 polymer may be used.

한편, 본 발명은 상술한 본 발명에 따른 LED 전극어셈블리를 포함하는 램프를 포함한다. 상기 램프는 LED 전극어셈블리를 수용 또는 지지하기 위한 지지체를 더 포함할 수 있다. 상기 지지체는 통상적으로 LED 램프에 사용되는 지지체의 경우 제한 없이 사용될 수 있으나 바람직하게는 유기수지, 세라믹, 금속 및 무기수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 소재일 수 있고 상기 소재는 투명하거나 불투명할 수 있다. 또한, 상기 지지체의 형상은 컵 형상이거나 편평한 판형일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니고, 목적에 따라 지지체의 형상을 달리 설계할 수 있어 본 발명은 지지체 형상을 특별히 한정하지 않는다. 상기 지지체가 컵의 형상일 경우 내부 부피는 LED소자가 배열된 전극 사이즈 및 밀도에 비례하여 다양하게 변화 시킬 수 있다. 또한, 상기 지지체의 두께에 따라서도 지지체 내부 부피는 변할 수 있다. 상기 지지체의 두께는 지지체의 모든 지점에서 동일하거나 또는 일부 지점에서 상이할 수도 있다. 상기 지지체의 두께는 목적에 따라 달리 설계될 수 있는바 본 발명에서 특별히 한정하지 않는다.On the other hand, the present invention includes a lamp including the LED electrode assembly according to the present invention described above. The lamp may further include a support for receiving or supporting the LED electrode assembly. The support may be used without limitation in the case of a support typically used in LED lamps, but may preferably be any one material selected from the group consisting of organic resins, ceramics, metals and inorganic resins, and the material may be transparent or opaque. there is. In addition, the shape of the support body may be a cup shape or a flat plate shape, but is not limited thereto, and the shape of the support body can be designed differently according to the purpose, so that the present invention does not specifically limit the shape of the support body. When the support is in the shape of a cup, the internal volume can be variously changed in proportion to the electrode size and density in which the LED elements are arranged. In addition, the internal volume of the support may vary depending on the thickness of the support. The thickness of the support may be the same at all points of the support or may be different at some points. The thickness of the support is not particularly limited in the present invention, as it may be designed differently depending on the purpose.

또한, 상기 램프는 지지체 내부에 구비되며 LED 소자로부터 조사된 광에 여기되는 형광체를 더 포함할 수 있다. 일예로, 상기 LED소자가 UV LED소자인 경우 UV에 의해 여기되는 상기 형광체는 청색, 황색, 녹색, 호박색 및 적색 중 어느 하나인 형광체가 바람직할 수 있고, 이때, 선택된 어느 한 색상을 발광하는 단색 LED 램프일 수 있다. 또한, 바람직하게는 UV에 의해 여기되는 상기 형광체는 청색, 황색, 녹색, 호박색 및 적색 중 어느 하나 이상일 수 있고, 보다 바람직하게는 청색/황색, 청색/녹색/적색 및 청색/녹색/호박색/적색 중 어느 한 종류의 혼합 형광체 일 수 있고 이 경우 형광체에 의해 백색광이 조사될 수 있다. 구체적인 형광체는 선택되는 LED 소자가 발광하는 광색을 고려하여 공지된 형광체를 선택하여 사용할 수 있음에 따라서 본 발명은 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.In addition, the lamp is provided inside the support and may further include a phosphor excited by light irradiated from the LED element. For example, when the LED device is a UV LED device, the phosphor excited by UV may preferably be any one of blue, yellow, green, amber, and red phosphor, and in this case, a single color emitting any selected color It may be an LED lamp. In addition, preferably, the phosphor excited by UV may be any one or more of blue, yellow, green, amber and red, and more preferably blue/yellow, blue/green/red and blue/green/amber/red. It may be any one type of mixed phosphor, and in this case, white light may be irradiated by the phosphor. As the specific phosphor can be selected and used in consideration of the light color emitted by the selected LED device, a detailed description thereof will be omitted in the present invention.

또한, 본 발명은 본 발명에 따른 LED 전극어셈블리를 포함하는 백라이트 유닛을 제공할 수 있다.In addition, the present invention may provide a backlight unit including the LED electrode assembly according to the present invention.

구체적으로 수광형 디스플레이는 백라이트 유닛, 상기 백라이트 유닛 상부에 위치하는 표시패널 및 상기 백라이트 유닛 및 표시패널을 지지 및 수납하는 지지부재를 포함할 수 있다. 이때, 백라이트 유닛은 표시패널로 광을 공급할 수 있는 적어도 1개의 LED 전극어셈블리 및 상기 LED 전극어셈블리의 하부에 배치되고, 입사되는 광을 영상이 시현되는 표시패널을 향해 반사시키는 반사부재를 더 포함하고, 상기 LED 전극어셈블리에는 LED 전극어셈블리에서 출사되는 광을 특정 일방향의 선형편광만 투과(또는 다른 방향의 선형편광은 반사)하는 광학시트를 더 구비할 수 있다. 상기 백라이트 유닛 및 수광형 디스플레이의 각 구성은 디스플레이 분야의 공지된 구성을 채용할 수 있어서 본 발명은 이에 대해 구체적 설명을 생략한다.Specifically, the light-receiving display may include a backlight unit, a display panel positioned above the backlight unit, and a support member for supporting and accommodating the backlight unit and the display panel. In this case, the backlight unit further includes at least one LED electrode assembly capable of supplying light to the display panel, and a reflective member disposed under the LED electrode assembly and reflecting incident light toward the display panel on which an image is displayed. , the LED electrode assembly may further include an optical sheet that transmits only linearly polarized light in one specific direction (or reflects linearly polarized light in another direction) of light emitted from the LED electrode assembly. Each configuration of the backlight unit and the light-receiving type display may employ a configuration known in the display field, and thus, detailed description thereof will be omitted in the present invention.

또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 전극어셈블리는 컬러-바이-블루(color-by-blue) LED 디스플레이에 응용될 수 있다.In addition, the above-described LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention may be applied to a color-by-blue LED display.

적어도 1개의 상기 LED 전극어셈블리는 서브픽셀 또는 단위픽셀을 형성할 수 있다. 상기 LED 전극어셈블리에 구비되는 LED 소자가 단색의 LED 소자, 일예로 청색의 LED 소자일 경우 상기 LED 디스플레이는 LED 전극어셈블리가 구비되는 서브픽셀 또는 단위픽셀의 상부에 형성되는 적색, 녹색의 색변환층을 더 구비할 수 있고, 이를 통해 컬러-바이-블루 LED 디스플레이를 구현할 수 있다. 상기 컬러-바이-블루 LED 디스플레이에 대한 기타 구성 등은 공지된 LED 디스플레이의 구성을 채용할 수 있음에 따라서 본 발명은 이에 대한 구체적인 설명을 생략한다.At least one LED electrode assembly may form a sub-pixel or a unit pixel. When the LED element provided in the LED electrode assembly is a monochromatic LED element, for example, a blue LED element, the LED display has red and green color conversion layers formed on the sub-pixel or unit pixel provided with the LED electrode assembly. It may further include, through which it is possible to implement a color-by-blue LED display. As for the other components of the color-by-blue LED display, a known configuration of the LED display may be employed, and thus, detailed description thereof will be omitted in the present invention.

또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 전극어셈블리는 풀-컬러 LED 디스플레이에 응용될 수 있다.In addition, the LED electrode assembly according to an embodiment of the present invention described above can be applied to a full-color LED display.

적어도 1개의 상기 LED 전극어셈블리는 서브픽셀 또는 단위픽셀을 형성할 수 있다. 일예로 상기 서브픽셀 당 적색, 녹색 및 청색을 발광하여 백색광을 구현하는 단위픽셀을 구성하도록 청색 LED 소자, 적색 LED 소자, 녹색 LED 소자 중 어느 1색의 LED 소자를 구비하는 LED 전극어셈블리를 해당 색상을 나타내도록 정의된 서브픽셀에 배치시킬 수 있고, 이를 통해 풀-컬러 LED 디스플레이를 구현할 수 있다. 상기 풀-컬러 LED 디스플레이에 대한 기타 구성 등은 공지된 LED 디스플레이의 구성을 채용할 수 있음에 따라서 본 발명은 이에 대한 구체적인 설명을 생략한다.At least one LED electrode assembly may form a sub-pixel or a unit pixel. For example, an LED electrode assembly including an LED element of any one color among a blue LED element, a red LED element, and a green LED element to constitute a unit pixel realizing white light by emitting red, green, and blue light per sub-pixel It can be placed in a sub-pixel defined to represent As other configurations of the full-color LED display, etc. may employ a configuration of a known LED display, a detailed description thereof will be omitted in the present invention.

(실시예 1)(Example 1)

석영(Quartz) 소재의 두께 500 ㎛ 기판 상에 제 1 실장전극 및 제 2 실장전극을 포함하는 실장전극을 형성하였다. 이 때, 상기 실장전극의 폭은 3 ㎛, 두께는 0.2 ㎛, 재질은 타이타늄/골드이고, 상기 제 1 실장전극과 인접한 제 2 실장전극 사이의 간격은 2.7 ㎛이다.A mounting electrode including a first mounting electrode and a second mounting electrode was formed on a quartz substrate with a thickness of 500 μm. In this case, the width of the mounting electrode is 3 μm, the thickness is 0.2 μm, the material is titanium/gold, and the interval between the first mounting electrode and the adjacent second mounting electrode is 2.7 μm.

상기 실장전극 상에 플라즈마화학기상증착방법으로 질화규소 절연막을 형성하였다. 상기 절연막의 두께는 실장전극 상부면을 기준으로 200 nm이었다.A silicon nitride insulating film was formed on the mounting electrode by a plasma chemical vapor deposition method. The thickness of the insulating film was 200 nm based on the top surface of the mounting electrode.

이후 하기 표 1과 같은 스펙을 가지는 LED 소자들을 아세톤 100 중량부에 대해 1.0 중량부로 혼합하여 LED 소자들을 포함하는 용액을 제조하였다.Thereafter, the LED devices having the specifications shown in Table 1 were mixed in an amount of 1.0 parts by weight based on 100 parts by weight of acetone to prepare a solution including the LED devices.

구분division 재질material 높이(㎛)Height (㎛) 직경(㎛)Diameter (μm) 도전성 전극층conductive electrode layer 크롬chrome 0.030.03 0.50.5 제 1 도전형 반도체층first conductivity type semiconductor layer n-GaNn-GaN 2.672.67 0.50.5 활성층active layer InGaNInGaN 0.10.1 0.50.5 제 2 도전형 반도체층second conductivity type semiconductor layer p-GaNp-GaN 0.20.2 0.50.5 LED 소자 LED element -- 3.0 3.0 0.5 0.5

상기 제조된 용액을 실장전극이 형성된 기판 상에 떨어뜨리고, 상기 실장전극에 전압 100 Vpp, 주파수 950 kHz인 전원을 1분 동안 인가하여 LED 소자들을 정렬하였다. 절연막이 형성된 실장전극 상에 정렬된 LED 소자들 각각의 일단부의 적어도 일부분과 접촉하는 제 1 구동전극 및 타단부의 적어도 일부분과 접촉하는 제 2 구동전극을 포함하는 구동전극을 형성하였다. 이 때, 상기 구동전극의 폭은 3 ㎛, 두께는 0.2 ㎛, 재질은 타이타늄/골드이고, 상기 제 1 구동전극과 인접한 제 2 구동전극 사이의 간격은 2.7 ㎛이다.(실시예 2) The prepared solution was dropped on the substrate on which the mounting electrode was formed, and a voltage of 100 V pp , a power of 950 kHz at a frequency of 950 kHz was applied to the mounting electrode for 1 minute to align the LED devices. A driving electrode including a first driving electrode in contact with at least a portion of one end of each of the LED elements and a second driving electrode in contact with at least a portion of the other end of each of the LED elements arranged on the mounting electrode on which the insulating film is formed was formed. In this case, the width of the driving electrode is 3 μm, the thickness is 0.2 μm, the material is titanium/gold, and the interval between the first driving electrode and the adjacent second driving electrode is 2.7 μm. (Example 2)

실시예1과 동일하게 실시하되, 실장전극에 전압 60 Vpp, 주파수 950 kHz인 전원을 1분 동안 인가하여 LED 소자들을 정렬하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that a voltage of 60 V pp and a frequency of 950 kHz were applied to the mounting electrode for 1 minute to align the LED elements.

(실시예 3)(Example 3)

실시예1과 동일하게 실시하되, 실장전극 상부면을 기준으로 1000nm의 두께를 갖는 절연막을 형성하였다.The same procedure as in Example 1 was performed except that an insulating film having a thickness of 1000 nm was formed based on the upper surface of the mounting electrode.

(비교예1)(Comparative Example 1)

실시예 1과 동일하게 실시하여 제조하되, 절연막을 형성시키지 않고 실장전극에 전원을 인가하여 LED 소자들을 정렬하였으며, 구동전극을 형성시키지 않고 LED 전극 어셈블리를 제조하였다.It was manufactured in the same manner as in Example 1, but without forming an insulating film, power was applied to the mounting electrode to align the LED elements, and an LED electrode assembly was manufactured without forming a driving electrode.

(비교예2)(Comparative Example 2)

실시예 2과 동일하게 실시하여 제조하되, 절연막을 형성시키지 않고 실장전극에 전원을 인가하여 LED 소자들을 정렬하였으며, 구동전극을 형성시키지 않고 LED 전극 어셈블리를 제조하였다.It was manufactured in the same manner as in Example 2, except that power was applied to the mounting electrode without forming an insulating film to align the LED elements, and an LED electrode assembly was manufactured without forming a driving electrode.

(실험예1)(Experimental Example 1)

실시예 및 비교예에서 제조된 LED 전극 어셈블리에 대하여 LED 소자의 발광 개수를 광학현미경을 통해 관찰하여 그 수를 카운팅하여 하기 표 2에 나타내었다. With respect to the LED electrode assemblies prepared in Examples and Comparative Examples, the number of emitted light of the LED element was observed through an optical microscope, and the number was counted and shown in Table 2 below.

절연막
두께(nm)insulating film
Thickness (nm) 전압(VPP)Voltage (V PP ) 주파수(kHz)Frequency (kHz) LED 소자
발광 개수LED element
number of lights 광량(%)Light intensity (%) 실시예1Example 1 200200 100100 950950 4156541565 41565/41565=10041565/41565=100 실시예2Example 2 200200 6060 950950 2815628156 28156/41565=6828156/41565=68 실시예3Example 3 10001000 100100 950950 3185031850 31850/41565=7731850/41565=77 비교예1Comparative Example 1 -- 100100 950950 55875587 5587/41565=135587/41565=13 비교예2Comparative Example 2 -- 6060 950950 51745174 5174/41565=125174/41565=12

상기 표2에서 "발광 개수"는 LED 전극 어셈블리에 전원을 인가하였을 때, 청색 발광하는 LED 소자의 개수를 의미하며, "광량(%)"은 청색 발광하는 LED 소자 개수에 대하여, 실시예1을 100으로 하였을 때 상대적인 비율을 나타낸 것이다.In Table 2, "the number of light emitting" means the number of LED elements that emit blue light when power is applied to the LED electrode assembly, and "amount of light (%)" refers to the number of LED elements that emit blue light in Example 1 It shows the relative ratio when it is set to 100.

*143먼저, 비교예1과 비교예2를 비교하면, 도 10에 나타낸 바와 같이 60Vpp의 전원을 인가한 비교예2는 전극 손상이 발생하지 않았으나, 도 9를 참조하면 100Vpp의 전원을 인가한 비교예1는 전극 손상이 발생하였다. 또한, 비교예1과 비교예2의 광량은 큰 차이가 없었고, 이를 통해 절연막을 구비하지 않은 LED 전극 어셈블리는 정렬 전압을 증가하여도 실제 발광하는 소자의 개수를 크게 늘릴 수 없음을 알 수 있다.*143 First, comparing Comparative Example 1 and Comparative Example 2, as shown in FIG. 10 , in Comparative Example 2 to which 60V pp power was applied, electrode damage did not occur, but referring to FIG. 9 , 100V pp power was applied In Comparative Example 1, electrode damage occurred. In addition, there was no significant difference in the amount of light between Comparative Example 1 and Comparative Example 2, and through this, it can be seen that the LED electrode assembly without an insulating film cannot significantly increase the number of elements that actually emit light even when the alignment voltage is increased.

다음으로, 실시예1과 비교예1을 비교하면, 도 6에 나타낸 바와 같이 절연막을 구비한 실시예1은 100Vpp의 전원을 인가하여도 전극의 손상이 발생하지 않았으며, 절연막을 구비하지 않은 비교예1보다 발광 개수가 현저히 높은 것을 알 수 있다.Next, comparing Example 1 and Comparative Example 1, as shown in FIG. 6, Example 1 having an insulating film did not cause damage to the electrode even when a power of 100V pp was applied, and the insulating film was not provided. It can be seen that the number of emitted light is significantly higher than that of Comparative Example 1.

다음으로, 실시예1과 실시예2는 동일한 두께의 절연막을 구비하였으며, 도6 및 도7에서 보여지는 바와 같이 전극의 손상이 발생하지 않았다. 또한, 상대적으로 높은 전압을 인가한 실시예1이 실시예2보다 발광 개수가 더 높게 관찰되었다.Next, Example 1 and Example 2 were provided with an insulating film of the same thickness, and as shown in FIGS. 6 and 7 , damage to the electrode did not occur. In addition, it was observed that Example 1 to which a relatively high voltage was applied had a higher number of light emission than Example 2.

다음으로, 실시예1과 실시예3은 동일한 전압의 전원을 인가하여 LED 소자를 정렬시켰으며, 도6 및 도8에서 보여지는 바와 같이 전극 손상이 발생하지 않았다. 또한, 상대적으로 두꺼운 절연막을 구비한 실시예3이 실시예1보다 발광 개수가 더 낮게 관찰되었으며, 이는 절연막의 두께가 두꺼워질수록, LED 소자를 정렬시키는 자기장의 영향이 감소하였기 때문이라고 판단된다. 도 8에 나타낸 바와 같이 실시예3에 실장된 LED 소자들 중 일부 소자들은 제1실장전극 및 제2실장전극 중 어느 하나의 상부에만 위치되고 있음을 알 수 있다. 이처럼 LED 소자의 양끝단부가 제1실장전극 및 제2실장전극의 상부에 각각 위치하지 못할 경우, 구동 전극을 형성하여도 LED 소자가 발광하지 않을 수 있다.Next, in Example 1 and Example 3, the LED elements were aligned by applying a power source of the same voltage, and electrode damage did not occur as shown in FIGS. 6 and 8 . In addition, Example 3 having a relatively thick insulating film was observed to have a lower number of light emission than Example 1, which is thought to be because the thicker the insulating film, the less the influence of the magnetic field aligning the LED device. As shown in FIG. 8 , it can be seen that some of the LED devices mounted in Example 3 are positioned only above one of the first mounting electrode and the second mounting electrode. As such, when both ends of the LED element are not positioned on the first and second mounting electrodes, respectively, the LED element may not emit light even after the driving electrode is formed.

이상에서 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 사상은 본 명세서에 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 추가 등에 의해서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상범위 내에 든다고 할 것이다.Although one embodiment of the present invention has been described above, the spirit of the present invention is not limited to the embodiments presented herein, and those skilled in the art who understand the spirit of the present invention can add components within the scope of the same spirit. , changes, deletions, additions, etc. may easily suggest other embodiments, but this will also fall within the scope of the present invention.

100: LED 전극 어셈블리
110, 210, 310, 410: 기판
121, 221, 321, 421: 제1실장전극
122, 222, 322, 422: 제2실장전극
130, 230, 430: 절연막
140, 240, 340, 440: LED 소자
141: 제1 도전형 반도체층
142: 제2 도전형 반도체층
143: 활성층
144, 145: 도전성 전극층
151, 351, 451: 제 1 구동전극
152, 352, 452: 제 2 구동전극
151a: 제 1 구동전극의 제1부분
152a: 제 2 구동전극의 제1부분
151b: 제 1 구동전극의 제2부분
152b: 제 2 구동전극의 제2부분
270: LED 소자를 포함하는 용액
350, 450, 453: 구동전극층
353: 제3구동전극층
360, 460, 461, 462, 463: 광 레지스트 층
361: 리프트오프 층
370, 470: 마스크100: LED electrode assembly
110, 210, 310, 410: substrate
121, 221, 321, 421: first mounting electrode
122, 222, 322, 422: second mounting electrode
130, 230, 430: insulating film
140, 240, 340, 440: LED element
141: first conductivity type semiconductor layer
142: second conductivity type semiconductor layer
143: active layer
144, 145: conductive electrode layer
151, 351, 451: first driving electrode
152, 352, 452: second driving electrode
151a: a first portion of the first driving electrode
152a: a first portion of the second driving electrode
151b: a second portion of the first driving electrode
152b: a second portion of the second driving electrode
270: a solution comprising an LED device
350, 450, 453: driving electrode layer
353: third driving electrode layer
360, 460, 461, 462, 463: photoresist layer
361: lift-off floor
370, 470: mask

Claims (14)

제1 방향으로 연장되고 서로 제2 방향으로 이격된 복수의 제1 전극들;
상기 제1 전극들 사이에서 상기 제1 방향으로 연장된 제2 전극;
상기 제1 전극 및 제2 전극 상에 배치된 제1 절연층;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 배치된 복수의 LED 소자들;
상기 제1 전극들 상에 각각 배치되고 상기 LED 소자와 접촉하는 제3 전극들; 및
상기 제2 전극 상에 배치되고 상기 LED 소자와 접촉하는 제4 전극을 포함하고,
상기 LED 소자는 상기 제1 전극 중 어느 하나와 상기 제2 전극 상에 배치된 제1 LED 소자, 및 상기 제1 전극 중 다른 하나와 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 LED 소자를 포함하고,
상기 제1 LED 소자는 제1 단부가 상기 제3 전극 중 어느 하나와 접촉하고 제2 단부가 상기 제4 전극과 접촉하며, 상기 제2 LED 소자는 제3 단부가 상기 제4 전극과 접촉하고 제4 단부가 상기 제3 전극 중 다른 하나와 접촉하고,
상기 LED 소자는 외면 중 일부는 상기 제1 절연층과 접촉하고 다른 일부는 상기 제1 절연층과 접촉하지 않는 LED 전극 어셈블리.a plurality of first electrodes extending in a first direction and spaced apart from each other in a second direction;
a second electrode extending in the first direction between the first electrodes;
a first insulating layer disposed on the first electrode and the second electrode;
a plurality of LED elements disposed on the first electrode and the second electrode;
third electrodes respectively disposed on the first electrodes and in contact with the LED element; and
a fourth electrode disposed on the second electrode and in contact with the LED element;
The LED element includes a first LED element disposed on any one of the first electrodes and the second electrode, and a second LED element disposed on the other one of the first electrodes and the second electrode,
The first LED element has a first end in contact with any one of the third electrodes and a second end in contact with the fourth electrode, and the second LED element has a third end in contact with the fourth electrode and a second end in contact with the fourth electrode. 4 ends contact the other one of the third electrodes,
An LED electrode assembly in which a portion of an outer surface of the LED element is in contact with the first insulating layer and the other portion is not in contact with the first insulating layer. 제1 항에 있어서,
상기 제3 전극 및 상기 제4 전극은,
상기 LED 소자와 접촉하지 않되 상기 제1 절연층과 접촉하고, 상기 제1 방향으로 연장된 제1 부분; 및
상기 제1 부분에 연결되고 상기 LED 소자의 양 단부 및 외부면 중 적어도 일부와 접촉하는 제2 부분을 포함하는 LED 전극 어셈블리.According to claim 1,
The third electrode and the fourth electrode,
a first portion not in contact with the LED element but in contact with the first insulating layer and extending in the first direction; and
and a second portion connected to the first portion and in contact with at least a portion of both ends and an outer surface of the LED element. 제1 항에 있어서,
상기 제2 방향으로 연장된 제1 전극 라인; 및
상기 제1 전극 라인과 상기 제1 방향으로 이격되고, 상기 제2 방향으로 연장된 제2 전극 라인을 더 포함하고,
상기 복수의 제1 전극은 각각 상기 제1 전극 라인과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 제2 전극 라인과 전기적으로 연결된 LED 전극 어셈블리.According to claim 1,
a first electrode line extending in the second direction; and
and a second electrode line spaced apart from the first electrode line in the first direction and extending in the second direction,
Each of the plurality of first electrodes is electrically connected to the first electrode line, and the second electrode is electrically connected to the second electrode line. 제3 항에 있어서,
상기 LED 소자들은 각각 상기 제1 전극 라인 및 상기 제2 전극 라인 사이에 배치된 LED 전극 어셈블리.4. The method of claim 3,
Each of the LED elements is an LED electrode assembly disposed between the first electrode line and the second electrode line. 제1 항에 있어서,
상기 제3 전극 및 상기 제4 전극은 각각 서로 상기 제2 방향으로 이격되고, 상기 제1 전극 라인 및 상기 제2 전극 라인과 상기 제1 방향으로 이격되어 배치된 LED 전극 어셈블리.According to claim 1,
The third electrode and the fourth electrode are spaced apart from each other in the second direction, and the first electrode line and the second electrode line are spaced apart from each other in the first direction. 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격은 상기 LED 소자의 길이보다 작은 LED 전극 어셈블리.According to claim 1,
A distance between the first electrode and the second electrode is smaller than the length of the LED element LED electrode assembly. 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격은 상기 제3 전극과 상기 제4 전극 사이의 간격보다 큰 LED 전극 어셈블리.According to claim 1,
A distance between the first electrode and the second electrode is greater than a distance between the third electrode and the fourth electrode. 제1 항에 있어서,
상기 제1 LED 소자 및 상기 제2 LED 소자는 각각 양 단부가 각각 상기 제1 절연층과 직접 접촉하고, 상기 양 단부 사이에 위치하여 상기 제1 절연층과 직접 접촉하지 않는 부분을 포함하는 LED 전극 어셈블리.According to claim 1,
The first LED element and the second LED element each have both ends in direct contact with the first insulating layer, respectively, and an LED electrode including a portion positioned between the both ends that does not directly contact the first insulating layer. assembly. 제1 항에 있어서,
상기 LED 소자는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 LED 전극 어셈블리.According to claim 1,
The LED element is an LED electrode assembly comprising a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. 제9 항에 있어서,
상기 제1 LED 소자 및 상기 제2 LED 소자는 각각 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 중 적어도 어느 하나 상에 배치된 전극층을 더 포함하는 LED 전극 어셈블리.10. The method of claim 9,
The first LED element and the second LED element further include an electrode layer disposed on at least one of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively. 제9 항에 있어서,
상기 LED 소자는 일 방향으로 연장된 형상을 갖고,
상기 LED 소자의 상기 제1 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 반도체층은 상기 일 방향을 따라 순차적으로 배치된 LED 전극 어셈블리.10. The method of claim 9,
The LED element has a shape extending in one direction,
The first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer of the LED device are sequentially disposed along the one direction LED electrode assembly. 제9 항에 있어서,
상기 제1 LED 소자는 상기 제1 반도체층이 상기 제4 전극과 접촉하고, 상기 제2 LED 소자는 상기 제1 반도체층이 상기 제3 전극과 접촉하는 LED 전극 어셈블리.10. The method of claim 9,
In the first LED element, the first semiconductor layer is in contact with the fourth electrode, and in the second LED element, the first semiconductor layer is in contact with the third electrode. 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극과 상기 제2 방향으로 이격되고 상기 제1 방향으로 연장된 제5 전극; 및
상기 제5 전극과 상기 제2 방향으로 이격되고 상기 제1 방향으로 연장된 제6 전극을 더 포함하고,
상기 제1 전극들은 각각 상기 제5 전극과 전기적으로 연결된 LED 전극 어셈블리.According to claim 1,
a fifth electrode spaced apart from the first electrodes and the second electrode in the second direction and extending in the first direction; and
Further comprising a sixth electrode spaced apart from the fifth electrode in the second direction and extending in the first direction,
Each of the first electrodes is an LED electrode assembly electrically connected to the fifth electrode. 제13 항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 제6 전극과 전기적으로 연결된 LED 전극 어셈블리.14. The method of claim 13,
The second electrode is an LED electrode assembly electrically connected to the sixth electrode.
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