KR20210089820A - 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 외부 물체로부터 반사된 광을 수신하는 지문 센서층, 지문 센서층 상에 배치되는 기판, 기판 상에 배치되고, 차광부 및 차광부를 일 방향으로 관통하는 투광부를 포함하는 광학 패턴층, 차광부 상에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 제1 투광층, 제1 투광층 상에 배치되고, 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 갖는 제2 투광층, 및 제2 투광층 상에 배치된 발광 소자층을 포함한다.

Description

표시 장치 및 그의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 지문 인식 센서를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 및 스마트 텔레비전과 같이 다양한 전자기기에 적용되고 있다. 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display Device), 유기발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 평판 표시 장치일 수 있다.
유기 발광 표시 장치는 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 발생하는 유기 발광 소자(OLED)를 이용하여 영상을 표시한다. 유기 발광 표시 장치는 빠른 응답속도를 가지면서, 휘도 및 시야각이 크고 동시에 낮은 소비 전력으로 구동되는 장점이 있다.
최근에는 표시 장치에서 가장 넓은 면적을 차지하는 디스플레이 패널에 지문 인식을 위한 센서를 통합하여 일체화하는 기술에 관하여 연구와 개발이 진행되고 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는 광 투과율이 향상되어 지문 인식 성능이 개선된 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 외부 물체로부터 반사된 광을 수신하는 지문 센서층, 상기 지문 센서층 상에 배치되는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 차광부 및 상기 차광부를 일 방향으로 관통하는 투광부를 포함하는 광학 패턴층, 상기 차광부 상에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 제1 투광층, 상기 제1 투광층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 갖는 제2 투광층, 및 상기 제2 투광층 상에 배치된 발광 소자층을 포함한다.
상기 제1 투광층은 상기 투광부에 중첩하는 개구를 포함하고, 상기 제2 투광층은 상기 제1 투광층의 상기 개구 및 상기 투광부를 채울 수 있다.
상기 제1 굴절률은 상기 제2 굴절률보다 클 수 있다.
상기 제1 투광층은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 실리콘 옥사이드(SiOx), 티타늄옥사이드(TiOx), 또는 알루미늄옥사이드(AlOx) 중 적어도 하나를 포함하는 무기 물질층 및 무기 입자를 포함하는 유기 물질층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 투광층은 투명한 유기 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 투광층 및 상기 제2 투광층의 굴절률비는 0.9775 이하일 수 있다.
상기 차광부는 유기 차광 재료 또는 금속 차광 재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제2 투광층 및 상기 발광 소자층 사이에 배치되고 경사면을 갖는 렌즈층을 더 포함하되, 상기 렌즈층의 상기 경사면은 상기 차광부와 상기 일 방향으로 중첩하고, 상기 외부 물체로부터 반사된 광 중 상기 경사면에 입사된 광은 상기 투광부 측으로 굴절될 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 기판 및 상기 광학 패턴층 사이에 배치되고 제1 경사면을 갖는 제1 렌즈층을 더 포함하되, 상기 지문 센서층은 복수의 수광 소자들을 포함하고, 상기 제1 경사면은 상기 복수의 수광 소자들 사이의 영역과 상기 일 방향으로 중첩하며, 상기 투광부를 투과한 광 중 상기 제1 경사면에 입사된 광은 상기 복수의 수광 소자들 중 적어도 하나 측으로 굴절될 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제2 투광층 및 상기 발광 소자층 사이에 배치되고 제2 경사면을 갖는 제2 렌즈층을 더 포함하되, 상기 제2 렌즈층의 상기 제2 경사면은 상기 차광부와 상기 일 방향으로 중첩하고, 상기 외부 물체로부터 반사된 광 중 상기 제2 경사면에 입사된 광은 상기 투광부 측으로 굴절될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 외부 물체로부터 반사된 광을 수신하는 지문 센서층, 상기 지문 센서층 상에 배치되는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 차광부 및 상기 차광부를 일 방향으로 관통하는 투광부를 포함하는 광학 패턴층, 상기 광학 패턴층 상에 배치된 발광 소자층, 상기 광학 패턴층과 상기 발광 소자층의 사이 및 상기 광학 패턴층과 상기 기판의 사이 중 하나에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 제1 렌즈층, 및 상기 제1 렌즈층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 작은 제2 굴절률을 갖는 평탄화층을 포함하되, 상기 제1 렌즈층은 제1 경사면을 포함한다.
상기 제1 렌즈층은 상면과 상기 상면에 평행한 하면을 포함하고, 상기 제1 경사면은 상기 상면 및 상기 하면 사이에 위치하며, 상기 제1 경사면과 상기 하면이 이루는 각도는 예각일 수 있다.
상기 제1 렌즈층은 상기 광학 패턴층의 상부에 배치되고, 상기 제1 렌즈층의 상기 제1 경사면은 상기 차광부와 상기 일 방향으로 중첩하며, 상기 외부 물체로부터 반사된 광 중 상기 제1 렌즈층의 상기 제1 경사면에 입사된 광은 상기 투광부 측으로 굴절될 수 있다.
상기 제1 렌즈층은 상기 광학 패턴층의 하부에 배치되고, 상기 지문 센서층은 복수의 수광 소자들을 포함하되, 상기 제1 렌즈층의 상기 제1 경사면은 상기 복수의 수광 소자들 사이의 영역과 상기 일 방향으로 중첩하고, 상기 투광부를 투과한 광 중 상기 제1 경사면에 입사된 광은 상기 복수의 수광 소자들 중 적어도 하나 측으로 굴절될 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 광학 패턴층과 상기 발광 소자층의 사이에 배치되고, 제2 경사면을 포함하는 제2 렌즈층을 더 포함하되, 상기 제2 렌즈층의 상기 제2 경사면은 상기 차광부와 상기 일 방향으로 중첩하고, 상기 외부 물체로부터 반사된 광 중 상기 제2 경사면에 입사된 광은 상기 투광부 측으로 굴절될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 광학 패턴층, 제1 투광층, 및 제2 투광층을 제공하는 단계, 상기 제2 투광층 상에 표시 패널을 제공하는 단계, 및 상기 기판의 하부에 지문 센서층을 제공하는 단계를 포함하되, 상기 광학 패턴층, 상기 제1 투광층, 및 상기 제2 투광층을 제공하는 단계는, 상기 기판 상에 차광 물질층을 형성하는 단계, 상기 차광 물질층 상에 상기 제1 투광층을 형성하는 단계, 상기 제1 투광층을 마스크로 이용하고, 상기 차광 물질층을 식각하여 차광부 및 투광부를 형성하는 단계, 및 상기 기판 상에 상기 투광부가 채워지고 상기 제1 투광층이 커버되도록 상기 제2 투광층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 투광층의 굴절률은 상기 제2 투광층의 굴절률보다 클 수 있다.
상기 제1 투광층은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 실리콘 옥사이드(SiOx), 티타늄옥사이드(TiOx), 또는 알루미늄옥사이드(AlOx) 중 적어도 하나를 포함하는 무기 물질층 및 무기 입자를 포함하는 유기 물질층 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 투광층은 투명한 유기 물질을 포함할 수 있다.
상기 차광부는 유기 차광 재료 또는 금속 차광 재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 그의 제조 방법에 의하면, 광학 패턴층의 상부에 굴절 패턴층을 형성하여 동일한 컷 오프 각도를 유지하면서 수광 소자로의 광 투과율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 지문 인식 센서를 포함하는 표시 장치의 지문 인식 성능이 개선될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 그의 제조 방법에 의하면, 광학 패턴층의 상부 또는 하부에 렌즈층을 갖는 굴절 패턴층을 형성하여 수광 소자의 수광 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 지문 인식 센서를 포함하는 표시 장치의 지문 인식 성능이 더욱 개선될 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 반사된 광의 경로를 나타내는 사시도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 지문 화소와 센서 화소를 설명하는 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 광학 패턴층의 일 예를 나타내는 평면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 광학 패턴층의 다른 예를 나타내는 평면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소들과 라인들의 연결 관계를 나타내는 도면이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 지문 센서들과 라인들의 연결 관계를 나타내는 도면이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치의 스위칭 트랜지스터와 지문 센서를 나타내는 회로도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치의 지문 센서층을 나타내는 단면도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치를 상세히 나타내는 단면도이다.
도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 일 실시예에 따른 표시 장치의 광학 패턴층 및 굴절 패턴층을 상세히 나타내는 단면도이다.
도 14는 도 13에 도시된 구조의 변형예이다.
도 15는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 다른 실시예에 따른 표시 장치의 광학 패턴층 및 굴절 패턴층을 상세히 나타내는 단면도이다.
도 16은 도 15에 도시된 구조의 변형예이다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 특히 또 다른 실시예에 따른 광학 패턴층 및 굴절 패턴층을 상세히 나타내는 단면도이다.
도 18 내지 도 21은 다양한 실시예들에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
도 22 내지 도 25는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 공정 단계별 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호를 사용한다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
본 명세서에서, “상부”, “탑”, “상면”은 표시 장치(10)를 기준으로 상부 방향, 즉 Z축 방향을 가리키고, “하부”, “바텀”, “하면”은 표시 장치(10)를 기준으로 하부 방향, 즉 Z축 방향의 반대 방향을 가리킨다. 또한, “좌”, “우”, “상”, “하”는 표시 장치(10)를 평면에서 바라보았을 때의 방향을 가리킨다. 예를 들어, “좌”는 X축 방향의 반대 방향, “우”는 X축 방향, “상”은 Y축 방향, “하”는 Y축 방향의 반대 방향을 가리킨다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 동영상이나 정지 영상을 표시하는 장치로서, 모바일 폰(Mobile Phone), 스마트 폰(Smart Phone), 태블릿 PC(Tablet PC), 및 스마트 워치(Smart Watch), 워치 폰(Watch Phone), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기뿐만 아니라, 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷(Internet of Things, IOT) 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다.
표시 장치(10)는 제1 영역(DR1) 및 제2 영역(DR2)을 포함할 수 있다. 제1 영역(DR1)은 평탄하게 형성될 수 있고, 제2 영역(DR2)은 제1 영역(DR1)의 좌측 및 우측으로부터 연장될 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(DR2)은 평탄하게 형성되거나 곡면으로 형성될 수 있다. 제2 영역(DR2)이 평탄하게 형성되는 경우, 제1 영역(DR1)과 제2 영역(DR2)이 이루는 각도는 둔각일 수 있다. 제2 영역(DR2)이 곡면으로 형성되는 경우, 제2 영역(DR2)은 일정한 곡률을 갖거나 변화하는 곡률을 가질 수 있다.
제2 영역(DR2)은 제1 영역(DR1)의 좌측 및 우측 각각에서 연장될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제2 영역(DR2)은 제1 영역(DR1)의 좌우측 중 어느 한 측에서만 연장될 수 있다. 다른 예를 들어, 제2 영역(DR2)은 제1 영역(DR1)의 좌우측뿐만 아니라 상측 및 하측 중 적어도 어느 하나에서 연장될 수 있다.
표시 장치(10)는 영상을 표시하는 표시 패널(100)을 포함한다. 표시 패널(100)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 화상을 표시하는 영역으로서, 복수의 서브 화소(SP)를 포함할 수 있다. 그리고, 표시 영역(DA)은 외부 환경을 검출하기 위한 검출 부재로 사용될 수 있다. 예를 들어, 표시 영역(DA)은 사용자의 지문 인식을 위한 지문 인식 영역에 해당할 수 있다. 따라서, 표시 영역(DA)은 복수의 서브 화소(SP) 및 복수의 지문 센서(FPS)를 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 화상을 표시하는 동시에, 사용자의 지문을 인식하는 영역으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP)가 배열된 표시 패널과 복수의 지문 센서(FPS)가 배열된 지문 센서층은 제3 방향(Z축 방향)으로 중첩할 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 표시 패널(100)에서 표시 영역(DA)을 제외한 나머지 영역으로 정의될 수 있다. 예를 들어, 비표시 영역(NDA)은 스캔 라인들에 스캔 신호들을 인가하기 위한 스캔 구동부, 데이터 라인들과 표시 구동부를 연결하는 팬 아웃 라인들, 및 회로 보드와 접속되는 패드들을 포함할 수 있다.
예를 들어, 비표시 영역(NDA)은 불투명하게 형성될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 사용자에게 보여줄 수 있는 패턴이 형성된 데코층으로 형성될 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(10)는 제1 기판(SUB1), 광학 패턴층(CML), 굴절 패턴층(PTL), 표시 패널(100), 커버 윈도우(CW), 및 지문 센서층(FPSL)을 포함할 수 있다.
제1 기판(SUB1)은 베이스 기판일 수 있고, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(SUB1)은 폴리에테르술폰(PolyEtherSulphone, PES), 폴리아크릴레이트(PolyACrylate, PAC), 폴리아릴레이트(PolyARylate, PAR), 폴리에테르이미드(PolyEtherImide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PolyEthylene Napthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PolyEthylene Terepthalate, PET), 폴리페닐렌 설파이드(PolyPhenylene Sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(PolyARylate, PAR), 폴리이미드(PolyImide, PI), 폴리카보네이트(PolyCarbonate, PC), 셀룰로오스 트리아세테이트(Cellulose TriAcetate, CTA), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(Cellulose Acetate Propionate, CAP) 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 제1 기판(SUB1)은 벤딩(Bending), 폴딩(Folding), 롤링(Rolling) 등이 가능한 플렉서블(Flexible) 기판일 수 있다. 제1 기판(SUB1)이 플렉서블 기판인 경우, 폴리이미드(PI)로 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
광학 패턴층(CML)은 제1 기판(SUB1) 상에 배치될 수 있다. 광학 패턴층(CML)은 사용자의 손가락(F)의 융선(FR)에서 반사된 광과 골(FV)에서 반사된 광을 구분하여 별개의 수광 소자에 제공하는 역할을 할 수 있다. 이를 위해, 광학 패턴층(CML)은 차광부(BA)와 차광부(BA)를 일 방향으로 관통하는 복수의 투광부(TA)를 포함할 수 있다.
차광부(BA)는 유기 차광 재료 및 금속 차광 재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 차광 재료는 카본 블랙(carbon black; CB) 및 티탄 블랙(titan black; TiBK) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 금속 차광 재료는 크롬, 크롬 산화물 및 크롬 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수의 투광부(TA)는 발광 소자층(EML)에서 방출된 제1 광(L1)이 사용자의 신체에 반사되어, 지문 센서층(FPSL)으로 진행하는 제2 광(L2)의 광학적 통로일 수 있다.
복수의 투광부(TA)는 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)의 복수의 박막 트랜지스터와 중첩하지 않을 수 있고, 차광부(BA)는 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)의 복수의 박막 트랜지스터와 중첩할 수 있다. 예를 들어, 복수의 투광부(TA)는 제1 방향(X축 방향) 및 제2 방향(Y축 방향)을 따라 배열될 수 있다. 복수의 투광부(TA) 각각의 크기는 제2 광(L2)의 경로에 따라 결정될 수 있다.
차광부(BA) 및 투광부(TA)에 대한 상세한 설명은 도 3 내지 도 6을 참조하여 후술하기로 한다.
굴절 패턴층(PTL)은 광학 패턴층(CML) 상에 배치될 수 있다.
굴절 패턴층(PTL)은 지문 센서층(FPSL)으로 진행하는 제2 광(L2)의 적어도 일부를 굴절시켜 제2 광(L2)의 경로를 조절하는 층일 수 있다. 굴절 패턴층(PTL)은 고굴절률 물질을 포함하는 제1 투광층 및 저굴절률 물질을 포함하는 제2 투광층을 포함할 수 있다.
굴절 패턴층(PTL)은 소정의 각도 이상으로 입사되는 제2 광(L2)을 굴절시켜 차광부(BA) 측으로 진행하도록 할 수 있다. 즉, 굴절 패턴층(PTL)은 소정의 각도 이상으로 입사되는 제2 광(L2)이 투광부(TA)로 진행하는 것을 차단할 수 있다. 굴절 패턴층(PTL)이 포함하는 투광층들의 높이 및 굴절률비 등에 따라 투광부(TA)로의 진행이 차단되는 소정의 각도가 변동될 수 있다. 굴절 패턴층(PTL)에 대한 상세한 설명은 도 13을 참조하여 후술하기로 한다.
표시 패널(100)은 굴절 패턴층(PTL) 상에 배치될 수 있다.
표시 패널(100)은 백 플레인(BP), 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1), 발광 소자층(EML), 제1 박막 봉지층(TFEL1), 및 터치 센서층(TSL)을 포함할 수 있다.
백 플레인(BP)은 굴절 패턴층(PTL)(또는, 광학 패턴층(CML))의 상부에 배치되어 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)을 지지할 수 있다. 예를 들어, 백 플레인(BP)은 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 백 플레인(BP)은 벤딩(Bending), 폴딩(Folding), 롤링(Rolling) 등이 가능한 플렉서블(Flexible) 기판일 수 있다. 백 플레인(BP)이 플렉서블 기판인 경우, 폴리이미드(PI)로 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)은 백 플레인(BP) 상에 배치될 수 있다. 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)은 복수의 서브 화소(SP) 각각을 구동시키는 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
서브 화소(SP)의 적어도 하나의 박막 트랜지스터는 반도체층, 게이트 전극, 드레인 전극, 및 소스 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)은 서브 화소(SP)의 적어도 하나의 박막 트랜지스터와 접속된 스캔 라인들, 데이터 라인들, 전원 라인들, 스캔 제어 라인들, 및 패드들과 데이터 라인들을 연결하는 라우팅 라인들을 더 포함할 수 있다.
발광 소자층(EML)은 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자층(EML)은 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)의 적어도 하나의 박막 트랜지스터와 접속된 발광 소자를 포함할 수 있다.
발광 소자는 제1 전극, 발광층, 및 제2 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층은 유기 물질로 이루어진 유기 발광층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 발광층이 유기 발광층에 해당하는 경우, 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)의 박막 트랜지스터가 발광 소자의 제1 전극에 소정의 전압을 인가하고, 발광 소자의 제2 전극이 공통 전압 또는 캐소드 전압을 수신하면, 정공과 전자 각각이 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기 발광층으로 이동할 수 있고, 정공과 전자가 유기 발광층에서 서로 결합하여 광을 방출할 수 있다.
발광 소자층(EML)은 복수의 서브 화소(SP)를 정의하는 화소 정의막을 포함할 수 있다. 발광 소자의 제1 전극과 발광층은 화소 정의막에 의하여 서로 이격되고 절연될 수 있다.
제1 박막 봉지층(TFEL1)은 발광 소자층(EML) 상에 배치되어, 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)과 발광 소자층(EML)을 덮을 수 있다.
제1 박막 봉지층(TFEL1)은 발광 소자층(EML)에 산소 또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 이를 위해, 제1 박막 봉지층(TFEL1)은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 박막 봉지층(TFEL1)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 실리콘 옥사이드(SiOx), 티타늄옥사이드(TiOx), 또는 알루미늄옥사이드(AlOx)와 같은 무기 재료를 포함하는 무기막을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 박막 봉지층(TFEL1)은 먼지와 같은 이물질로부터 발광 소자층(EML)을 보호할 수 있다. 이를 위해, 제1 박막 봉지층(TFEL1)은 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 박막 봉지층(TFEL1)은 아크릴 수지(Acryl Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드 수지(Polyamide Resin), 또는 폴리이미드 수지(Polyimide Resin)와 같은 유기막을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
터치 센서층(TSL)은 제1 박막 봉지층(TFEL1)의 상부에 배치될 수 있다. 터치 센서층(TSL)은 제1 박막 봉지층(TFEL1)의 상부에 바로 배치됨으로써, 터치 센서층(TSL)을 포함하는 별도의 터치 패널이 제1 박막 봉지층(TFEL1) 상에 부착되는 경우보다 표시 장치(10)의 두께를 줄일 수 있다.
터치 센서층(TSL)은 사용자의 터치를 감지하기 위한 터치 전극들, 및 패드들과 터치 전극들을 연결하는 터치 전극 라인들을 포함할 수 있다. 터치 센서층(TSL)의 터치 전극들은 표시 패널(100)의 표시 영역(DA)과 중첩하는 터치 감지 영역에 배치될 수 있다.
표시 패널(100) 상에는 커버 윈도우(CW)가 배치될 수 있다.
커버 윈도우(CW)는 표시 패널(100)의 터치 센서층(TSL) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 커버 윈도우(CW)는 투명 접착 부재에 의해 터치 센서층(TSL) 상에 부착될 수 있다. 커버 윈도우(CW)는 사용자의 손가락(F)에 직접 접촉될 수 있다.
지문 센서층(FPSL)은 제1 기판(SUB1)의 하부에 배치될 수 있다. 제1 기판(SUB1)의 상면(또는 일면)은 광학 패턴층(CML)과 마주할 수 있고, 제1 기판(SUB1)의 하면(또는 타면)은 지문 센서층(FPSL)과 마주할 수 있다.
지문 센서층(FPSL)의 상면(또는 일면)은 접착 부재(OCA)에 의해 제1 기판(SUB1)의 하면(또는 타면)에 부착될 수 있다. 접착 부재(OCA)는 광학용 투명 접착 부재(Optical Clear Adhesive)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
지문 센서층(FPSL)은 도 1에 도시된 복수의 지문 센서(FPS)를 포함할 수 있다.
복수의 지문 센서(FPS)는 광학적 방식의 지문 센서일 수 있다. 예를 들어, 복수의 지문 센서(FPS)는 포토 다이오드(Photo Diode), CMOS 이미지 센서, CCD 카메라, 포토 트랜지스터(Photo Transistor) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수의 지문 센서(FPS)는 손가락(F)의 융선(FR)과 융선(FR) 사이의 골(FV)에 의해 반사된 광을 센싱하여 지문을 인식할 수 있다.
예를 들어, 사용자의 손가락(F)이 커버 윈도우(CW) 상에 접촉되면, 발광 소자층(EML)에서 출력된 제1 광(L1)은 손가락(F)의 융선(FR) 또는 골(FV)에 의하여 반사되고, 반사된 제2 광(L2)은 굴절 패턴층(PTL) 및 광학 패턴층(CML)의 투광부(TA)를 통과하여 제1 기판(SUB1)의 하부에 배치된 지문 센서층(FPSL)에 도달할 수 있다. 지문 센서층(FPSL)의 지문 센서들(FPS)은 손가락(F)의 융선(FR)에서 반사된 제2 광(L2)과 손가락(F)의 골(FV)에서 반사된 제2 광(L2)을 구분하여, 사용자 지문의 패턴을 인식할 수 있다. 따라서, 광학 패턴층(CML)의 투광부(TA)는 사용자의 손가락(F)에 의해 반사된 제2 광(L2)의 통로가 될 수 있다.
표시 장치(10)는 지문 센서층(FPSL)을 표시 패널(100)의 하부에 배치하여 공정을 간소화할 수 있고, 지문 센서들(FPS)이 제1 광(L1)이 출력되는 경로(예를 들어, 발광 소자층(EML)의 상면)에 배치되지 않으므로 해상도의 저하를 방지할 수 있다.
지문 센서층(FPSL)은 제2 기판(SUB2), 버퍼층(410), 제2 박막 트랜지스터층(TFTL2), 수광 소자층(PDL), 및 제2 박막 봉지층(TFEL2)을 포함할 수 있다.
제2 기판(SUB2)은 베이스 기판일 수 있고, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(SUB2)은 벤딩(Bending), 폴딩(Folding), 롤링(Rolling) 등이 가능한 플렉서블(Flexible) 기판일 수 있다. 제2 기판(SUB2)이 플렉서블 기판인 경우, 폴리이미드(PI)로 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
버퍼층(410)은 제2 기판(SUB2) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(410)은 공기 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 무기막으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(410)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 실리콘 옥사이드(SiOx), 티타늄옥사이드(TiOx), 또는 알루미늄옥사이드(AlOx)와 같은 무기 재료를 포함하는 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예에 따라, 버퍼층(410)은 생략될 수도 있다.
제2 박막 트랜지스터층(TFTL2)은 제2 기판(SUB2) 또는 버퍼층(410) 상에 배치될 수 있다. 제2 박막 트랜지스터층(TFTL2)의 하면은 버퍼층(410)의 상면과 마주할 수 있다.
제2 박막 트랜지스터층(TFTL2)은 복수의 지문 센서(FPS) 각각을 구동시키는 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 지문 센서(FPS)의 적어도 하나의 박막 트랜지스터는 반도체층, 게이트 전극, 드레인 전극, 및 소스 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 박막 트랜지스터층(TFTL2)은 지문 센서(FPS)의 적어도 하나의 박막 트랜지스터와 접속된 스캔 라인들, 리드 아웃 라인들, 및 공통 전압 라인들을 더 포함할 수 있다.
수광 소자층(PDL)은 제2 박막 트랜지스터층(TFTL2) 상에 배치될 수 있다. 수광 소자층(PDL)의 하면은 제2 박막 트랜지스터층(TFTL2)의 상면과 마주할 수 있다.
수광 소자층(PDL)은 제2 박막 트랜지스터층(TFTL2)의 적어도 하나의 박막 트랜지스터와 접속된 수광 소자를 포함할 수 있다. 수광 소자는 제1 전극, 수광층, 및 제2 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 수광층은 유기 물질로 이루어진 유기 수광층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 수광층이 유기 수광층에 해당하는 경우, 유기 수광층은 제2 광(L2)을 수신하여 정공과 전자를 결합할 수 있고, 제2 광(L2)의 에너지를 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 전기적 신호(전류 또는 전압)로 변환할 수 있다.
수광 소자층(PDL)은 복수의 지문 센서(FPS)를 정의하는 센서 정의막을 포함할 수 있다. 수광 소자의 제1 전극과 수광층은 센서 정의막에 의하여 서로 이격되고 절연될 수 있다.
제2 박막 봉지층(TFEL2)은 수광 소자층(PDL) 상에 배치될 수 있다. 제2 박막 봉지층(TFEL2)의 하면은 수광 소자층(PDL)의 상면과 마주할 수 있다.
제2 박막 봉지층(TFEL2)은 수광 소자층(PDL)의 상면을 덮을 수 있고, 수광 소자층(PDL)에 산소 또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제2 박막 봉지층(TFEL2)은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 제2 박막 봉지층(TFEL2)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 실리콘 옥사이드(SiOx), 티타늄옥사이드(TiOx), 또는 알루미늄옥사이드(AlOx)와 같은 무기 재료를 포함하는 무기막을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 박막 봉지층(TFEL2)은 먼지와 같은 이물질로부터 수광 소자층(PDL)을 보호할 수 있다. 예를 들어, 제2 박막 봉지층(TFEL2)은 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 제2 박막 봉지층(TFEL2)은 아크릴 수지(Acryl Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드 수지(Polyamide Resin), 또는 폴리이미드 수지(Polyimide Resin)와 같은 유기막을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도 2에서는 지문 센서층(FPSL)의 제2 박막 봉지층(TFEL2)이 제3 방향(Z축 방향)을 향하도록 배치된 경우를 예시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 지문 센서층(FPSL)은 제2 기판(SUB2)이 제3 방향(Z축 방향)을 향하도록 배치될 수도 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치에서, 반사된 광의 경로를 나타내는 사시도이다. 도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 지문 화소와 센서 화소를 설명하는 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 커버 윈도우(CW)는 복수의 지문 화소(FPP)와, 복수의 지문 화소(FPP) 각각을 둘러싸는 샘플링 영역(SPR)을 포함할 수 있다. 지문 센서층(FPSL)은 복수의 지문 센서(FPS)와, 복수의 지문 센서(FPS) 각각을 둘러싸는 센싱 영역(SSR)을 포함할 수 있다.
커버 윈도우(CW) 상의 하나의 지문 화소(FPP)는 지문 센서층(FPSL)의 적어도 하나의 지문 센서(FPS)에 대응될 수 있다. 예를 들어, 하나의 지문 화소(FPP)는 20개 내지 30개의 지문 센서들(FPS)에 대응될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 커버 윈도우(CW) 상의 샘플링 영역(SPR)은 지문 센서층(FPSL)의 센싱 영역(SSR)에 대응될 수 있다.
복수의 지문 화소(FPP) 각각은 광학 패턴층(CML)의 하나의 투광부(TA)에 대응될 수 있다. 예를 들어, 사용자의 손가락(F)이 커버 윈도우(CW) 상에 접촉되면, 복수의 샘플링 영역(SPR) 각각은 표시 패널(100)에서 출력된 제1 광(L1)을 반사할 수 있고, 복수의 샘플링 영역(SPR) 각각에서 반사된 제2 광(L2)은 광학 패턴층(CML)의 투광부(TA)를 통과하여 지문 센서층(FPSL)의 센싱 영역(SSR)에 도달할 수 있다.
광학 패턴층(CML)의 복수의 투광부(TA)는 사용자의 손가락(F)에 의해 반사된 제2 광(L2)의 통로가 될 수 있다. 따라서, 복수의 지문 센서(FPS)는 커버 윈도우(CW) 상의 샘플링 영역(SPR)에 접촉된 손가락(F)의 융선(FR)과, 융선(FR) 사이의 골(FV)에 의해 반사된 제2 광(L2)을 센싱할 수 있다.
표시 장치(10)는 지문 거리(OD)와 센서 거리(ID)의 비율을 조정하여, 사용자의 손가락(F)에 반사된 광을 지문 센서(FPS)를 통해 센싱할 수 있다. 여기서, 지문 거리(OD)는 사용자의 손가락(F)이 직접 접촉되는 커버 윈도우(CW)의 표면과 광학 패턴층(CML)의 투광부(TA)의 중심점 사이의 거리에 해당할 수 있다. 센서 거리(ID)는 광학 패턴층(CML)의 투광부(TA)의 중심점과 지문 센서층(FPSL)의 지문 센서(FPS) 사이의 거리에 해당할 수 있다. 예를 들어, 커버 윈도우(CW) 상의 지문 화소(FPP)의 일단에서 반사된 광은 투광부(TA)의 중심점을 통과하여 지문 센서(FPS)의 타단에 도달할 수 있다. 그리고, 커버 윈도우(CW) 상의 지문 화소(FPP)의 타단에서 반사된 광은 투광부(TA)의 중심점을 통과하여 지문 센서(FPS)의 일단에 도달할 수 있다. 따라서, 지문 화소(FPP)에 직접 접촉되는 지문의 형상과 지문 센서(FPS)에 맺히는 상은 180도의 차이를 가질 수 있다.
투광부(TA)는 사용자의 손가락(F)의 융선(FR)에서 반사된 광과 골(FV)에서 반사된 광을 구분하여 별개의 지문 센서(FPS)에 제공하기 위해, 소정의 종횡비를 갖도록 형성될 수 있다. 이 때, 투광부(TA)의 종횡비는 투광부(TA)의 높이(Wb)를 투광부(TA)의 선폭(Wa)으로 나눈 값일 수 있다. 투광부(TA)의 선폭(Wa)은 투광부(TA)의 제1 방향(X축 방향) 또는 제2 방향(Y축 방향)의 길이를 의미할 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 광학 패턴층의 일 예를 나타내는 평면도이다.
도 5를 참조하면, 광학 패턴층(CML)은 복수의 투광부(TA)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 투광부(TA)의 평면 형상은 원에 해당할 수 있다. 복수의 투광부(TA) 각각의 선폭(또는 지름)(Wa)은 1um 내지 10um 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수의 투광부(TA)는 제1 방향(X축 방향)으로 제1 피치(P1)를 갖도록 배열될 수 있다. 예를 들어, 제1 피치(P1)는 센서 거리(ID)의 1.3배 이상 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수의 투광부(TA)는 제2 방향(Y축 방향)으로 제2 피치(P2)를 갖도록 배열될 수 있다. 예를 들어, 제2 피치(P2)는 제1 피치(P1)와 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 예로, 제2 피치(P2)는 제1 피치(P1)와 서로 다를 수 있다.
예를 들어, 복수의 투광부(TA)는 제1 방향(X축 방향) 및 제2 방향(Y축 방향)을 따라 나란하게 배열될 수 있다. 다른 예를 들어, 복수의 투광부(TA)는 제1 피치(P1) 및 제2 피치(P2)를 따라 배열되면서, 제1 방향(X축 방향) 및 제2 방향(Y축 방향)을 제외한 방향으로 정렬될 수도 있다.
예를 들어, 제1 피치(P1) 또는 제2 피치(P2)는 제1 박막 봉지층(TFEL1)의 두께에 비례할 수 있다. 제1 박막 봉지층(TFEL1)의 두께가 증가하면 지문 거리(OD)가 증가할 수 있고, 지문 화소(FPP)와 샘플링 영역(SPR)의 면적도 증가할 수 있다. 따라서, 복수의 투광부(TA)의 제1 피치(P1) 또는 제2 피치(P2)는 지문 거리(OD)와 센서 거리(ID)의 비율을 조정하기 위하여, 제1 박막 봉지층(TFEL1)의 두께에 비례할 수 있다.
예를 들어, 제1 피치(P1) 또는 제2 피치(P2)는 발광 소자층(EML)의 발광 소자들 사이의 거리 또는 서브 화소들(SP) 사이의 거리에 비례할 수 있다. 발광 소자들 사이의 거리가 증가하면 손가락(F)에 반사된 제2 광들(L2) 사이의 거리도 증가할 수 있다. 따라서, 제1 피치(P1) 또는 제2 피치(P2)는 복수의 투광부(TA)가 제2 광(L2)의 통로 역할을 수행하기 위하여, 발광 소자들 사이의 거리 또는 서브 화소들(SP) 사이의 거리에 비례할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 광학 패턴층의 다른 예를 나타내는 평면도이다. 도 6의 투광부(TA)는 도 5의 투광부(TA)와 형상을 달리하는 것으로서, 전술한 구성과 동일한 구성은 간략히 설명하거나 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 복수의 투광부(TA)의 평면 형상은 사각형에 해당할 수 있다. 복수의 투광부(TA) 각각은 제1 방향(X축 방향)에서 제1 길이(Wa1)를 가질 수 있고, 제2 방향(Y축 방향)에서 제2 길이(Wa2)를 가질 수 있다. 예를 들어, 복수의 투광부(TA) 각각의 제1 길이(Wa1)는 1um 내지 10um일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 투광부(TA) 각각의 제2 길이(Wa2)는 제1 길이(Wa1)와 동일할 수 있다. 다른 예로, 복수의 투광부(TA) 각각의 제2 길이(Wa2)는 제1 길이(Wa1)와 서로 다를 수 있다.
한편, 복수의 투광부(TA)의 형상은 도 5 및 도 6에 도시된 원 형상 및 사각 형상에 제한되지 않는다. 예를 들어, 복수의 투광부(TA)는 타원 형상, 다각 형상 등 다양한 형상으로 이루어질 수 있다. 또한, 복수의 투광부(TA)는 광학 패턴층(CML) 내에서 서로 다른 형상을 가질 수 있다.
상술한 실시예에 따르면, 표시 장치(10)는 지문 거리(OD)와 센서 거리(ID)의 비율을 조정하고, 광학 패턴층(CML)의 투광부(TA)의 배열 및 형상을 조정함으로써, 지문 센서(FPS)의 감도를 향상시킬 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소들과 라인들의 연결 관계를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 표시 패널(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 복수의 서브 화소(SP), 서브 화소들(SP)에 접속되는 전압 공급 라인들(VL), 스캔 라인들(SL), 발광 제어 라인들(EL), 및 데이터 라인들(DL)을 포함할 수 있다.
서브 화소들(SP) 각각은 적어도 하나의 스캔 라인(SL), 적어도 하나의 데이터 라인(DL), 적어도 하나의 발광 제어 라인(EL), 및 적어도 하나의 전압 공급 라인(VL)과 접속될 수 있다. 도 7에서, 서브 화소들(SP) 각각은 2개의 스캔 라인(SL), 1개의 데이터 라인(DL), 1개의 발광 제어 라인(EL), 및 1개의 전압 공급 라인(VL)에 접속될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 서브 화소들(SP) 각각은 3 이상의 스캔 라인들(SL)에 접속될 수도 있다.
서브 화소들(SP) 각각은 구동 트랜지스터, 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터, 발광 소자, 및 커패시터를 포함할 수 있다.
구동 트랜지스터는 게이트 전극에 인가된 데이터 전압에 따라 발광 소자에 구동 전류를 공급함으로써 발광할 수 있다. 예를 들어, 구동 트랜지스터와 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)일 수 있다.
발광 소자는 구동 트랜지스터의 구동 전류의 크기에 따라 소정의 휘도를 갖는 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자는 제1 전극, 유기 발광층, 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)일 수 있다. 커패시터는 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가된 데이터 전압을 일정하게 유지할 수 있다.
서브 화소들(SP)은 전압 공급 라인들(VL)을 통해 구동 전압(VDD)을 공급받을 수 있다. 여기에서, 구동 전압(VDD)은 서브 화소들(SP)의 발광 소자를 구동하기 위한 고전위 전압일 수 있다.
복수의 전압 공급 라인(VL)은 제1 방향(X축 방향)으로 서로 이격될 수 있고, 제2 방향(Y축 방향)으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 복수의 전압 공급 라인(VL) 각각은 표시 영역(DA)에 배치된 서브 화소들(SP)의 열을 따라 배치될 수 있다. 복수의 전압 공급 라인(VL) 각각은 동일한 열에 배치된 서브 화소들(SP)과 접속될 수 있고, 서브 화소들(SP)에 구동 전압(VDD)을 공급할 수 있다.
스캔 라인들(SL)과 발광 제어 라인들(EL)은 제1 방향(X축 방향)으로 연장될 수 있고, 제1 방향(X축 방향)과 교차하는 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 이격될 수 있다. 스캔 라인들(SL)과 발광 제어 라인들(EL)은 서로 나란하게 형성될 수 있다.
데이터 라인들(DL)은 제1 방향(X축 방향)으로 서로 이격될 수 있고, 제2 방향(Y축 방향)으로 연장될 수 있다. 데이터 라인들(DL)은 전압 공급 라인(VL)과 나란하게 형성될 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 스캔 라인들(SL)에 스캔 신호들을 인가하기 위한 스캔 구동부(300), 데이터 라인들(DL)과 표시 구동부(200)를 연결하는 팬 아웃 라인들(FL), 및 회로 보드와 접속되는 패드들(DP)을 포함할 수 있다. 패드들(DP)은 표시 구동부(200)보다 표시 패널(100)의 일측 가장자리에 인접하게 배치될 수 있다.
표시 구동부(200)는 패드들(DP)에 접속되어 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호들을 입력 받을 수 있다. 표시 구동부(200)는 디지털 비디오 데이터를 아날로그 정극성/부극성 데이터 전압들로 변환하여 팬 아웃 라인(FL)들을 통해 데이터 라인들(DL)에 공급할 수 있다.
표시 구동부(200)는 스캔 제어 신호를 생성하여 스캔 제어 라인들(SCL)을 통해 스캔 구동부(300)에 공급할 수 있다.
스캔 구동부(300)는 비표시 영역(NDA)의 일측에 배치될 수 있다. 스캔 구동부(300)는 스캔 제어 신호에 따라 스캔 신호들을 생성하기 위한 복수의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 스캔 구동부(300)는 스캔 제어 신호를 기초로 스캔 신호들을 서브 화소들(SP)에 공급하여, 데이터 전압들이 공급될 서브 화소들(SP)을 선택할 수 있다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 지문 센서들과 라인들의 연결 관계를 나타내는 도면이다. 도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치의 스위칭 트랜지스터와 지문 센서를 나타내는 회로도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 지문 센서층(FPSL)은 지문 인식 영역(FPA) 및 비지문 인식 영역(NFPA)을 포함할 수 있다.
지문 인식 영역(FPA)은 복수의 지문 센서(FPS), 지문 센서들(FPS)에 접속되는 복수의 스캔 라인(SCL), 복수의 리드 아웃 라인(ROL), 및 복수의 공통 전압 라인(VCL)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 지문 센서(FPS) 각각의 이격 거리는 5um 내지 50um일 수 있고, 커버 윈도우(CW) 상의 하나의 지문 화소는 지문 센서층(FPSL)의 20 내지 30개의 지문 센서들(FPS)에 대응될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수의 지문 센서(FPS) 각각은 스캔 라인들(SCL)을 통해 스캔 구동부(SCU)에 접속될 수 있고, 스캔 구동부(SCU)로부터 스캔 신호를 수신할 수 있다. 스캔 라인들(SCL)은 제1 방향(X축 방향)으로 연장될 수 있고, 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 이격될 수 있다. 스캔 구동부(SCU)는 스캔 신호를 복수의 지문 센서(FPS) 각각에 공급함으로써, 리드 아웃 신호의 변화를 센싱할 지문 센서들(FPS)을 선택할 수 있다.
복수의 지문 센서(FPS) 각각은 리드 아웃 라인들(ROL)을 통해 센서 구동부(500)에 접속될 수 있고, 센서 구동부(500)에 리드 아웃 신호를 공급할 수 있다. 리드 아웃 라인들(ROL)은 제1 방향(X축 방향)으로 서로 이격될 수 있고, 제2 방향(Y축 방향)으로 연장될 수 있다.
비지문 인식 영역(NFPA)은 지문 인식 영역(FPA)의 외측에 배치될 수 있다. 비지문 인식 영역(NFPA)은 지문 인식 영역(FPA)을 제외한 나머지 영역으로 정의될 수 있다. 예를 들어, 스캔 구동부(SCU)는 비지문 인식 영역(NFPA)의 일측에 배치되어, 지문 인식 영역(FPA)까지 연장된 스캔 라인들(SCL)과 접속될 수 있다.
센서 구동부(500)는 비지문 인식 영역(NFPA)의 일측과 수직한 타측에 배치되어, 지문 인식 영역(NFPA)까지 연장된 리드 아웃 라인(ROL)과 접속될 수 있다. 센서 구동부(500)는 복수의 지문 센서(FPS)에 센싱 구동 전압을 공급할 수 있고, 사용자의 손가락(F) 터치에 의한 리드 아웃 신호를 수신하여 사용자 지문의 패턴을 인식할 수 있다.
예를 들어, 사용자의 손가락(F)이 커버 윈도우(CW) 상에 접촉된 경우, 스캔 신호를 수신한 지문 센서(FPS)의 리드 아웃 신호는 변경될 수 있다. 손가락(F)의 융선(FR)에 의하여 반사된 광을 수신한 지문 센서(FPS)의 리드 아웃 신호는 손가락(F)의 골(FV)에 의하여 반사된 광을 수신한 지문 센서(FPS)의 리드 아웃 신호와 서로 다를 수 있다. 센서 구동부(500)는 이러한 리드 아웃 신호의 차이를 구분하여 지문 센서(FPS)에 대응되는 커버 윈도우(CW)의 지문 화소에 손가락(F)의 융선(FR)이 접촉되었는지 또는 골(FV)이 접촉되었는지 판단할 수 있다. 따라서, 센서 구동부(500)는 리드 아웃 신호를 기초로 사용자 지문의 패턴을 인식할 수 있다.
비지문 인식 영역(NFPA)은 지문 센서층(FPSL)의 일측 가장자리에 배치된 지문 인식 패드들(FP)을 더 포함할 수 있다. 지문 인식 패드들(FP)은 센서 구동부(500)와 접속되어, 외부의 집적 회로로부터 인가되는 신호를 센서 구동부(500)에 공급할 수 있다.
도 9에서, 지문 센서(FPS)는 스위칭 트랜지스터(ST) 및 수광 소자(PD)를 포함할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(ST)는 게이트 전극에 인가되는 스캔 신호를 기초로 센싱 구동 전압을 수광 소자(PD)에 공급할 수 있다. 예를 들어, 스위칭 트랜지스터(ST)의 게이트 전극은 스캔 라인(SCL)에 접속되고, 제1 전극은 리드 아웃 라인(ROL)에 접속되며, 제2 전극은 수광 소자(PD)의 제1 전극에 접속될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(ST)의 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있다. 스위칭 트랜지스터(ST)의 소스-게이트 전압이 스위칭 트랜지스터(ST)의 문턱 전압을 초과하면, 구동 전류가 스위칭 트랜지스터(ST)의 채널을 통해 흐를 수 있다.
수광 소자(PD)는 사용자의 손가락(F)에서 반사된 제2 광(L2)을 기초로 사용자 지문의 패턴을 인식할 수 있다. 수광 소자(PD)의 제1 전극은 스위칭 트랜지스터(ST)의 제2 전극과 접속되고, 제2 전극은 공통 전압 라인(VCL)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 복수의 수광 소자(PD)의 제2 전극은 공통 전극으로 형성되어 공통 전압 라인(VCL)과 접속될 수 있다. 공통 전압 라인(VCL)은 수광 소자(PD)의 제2 전극에 저전위 전압을 공급할 수 있다.
예를 들어, 수광 소자(PD)는 커버 윈도우(CW) 상에 사용자의 신체 접촉이 없는 경우 광을 수신하지 않을 수 있다. 수광 소자(PD)는 광을 수신하지 않으면 제1 전극으로 입력된 구동 전류를 제2 전극으로 출력할 수 있다.
수광 소자(PD)는 커버 윈도우(CW) 상에 사용자의 손가락(F)이 접촉되면, 손가락(F)의 융선(FR) 또는 골(FV)에 의하여 반사된 제2 광(L2)을 수신할 수 있다. 발광 소자층(EML)에서 출력된 제1 광(L1)은 손가락(F)의 융선(FR) 또는 골(FV)에 의하여 반사되고, 반사된 제2 광(L2)은 지문 센서층(FPSL)의 수광 소자(PD)에 도달할 수 있다. 수광 소자(PD)는 제2 광(L2)의 에너지를 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 전기적 신호(전류 또는 전압)로 변환할 수 있고, 변환된 전기적 신호는 리드 아웃 신호로서 센서 구동부(500)에 공급될 수 있다. 예를 들어, 수광 소자(PD)의 제1 전극과 제2 전극에 역방향 바이어스(Reverse bias)가 형성되는 경우, 제2 광(L2)의 광량에 비례하여 구동 전류와 역방향의 전류가 흐를 수 있다. 따라서, 수광 소자(PD)가 제2 광(L2)을 수신하면 수광 소자(PD)에서 출력된 역방향의 전류는 스위칭 트랜지스터(ST)에 흐를 수 있고, 리드 아웃 신호로서 센서 구동부(500)에 인가될 수 있다.
센서 구동부(500)는 지문 센서(FPS)로부터 수신된 리드 아웃 신호가 손가락(F)의 융선(FR)에 대응되는지, 또는 손가락(F)의 골(FV)에 대응되는지 구분함으로써, 사용자 지문의 패턴을 인식할 수 있다.
예를 들어, 수광 소자(PD)는 포토 트랜지스터(Photo Transistor) 또는 포토 다이오드(Photo Diode)로 구현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 수광 소자(PD)는 광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광 센서에 해당할 수 있고, 광의 세기에 따라 흐르는 전류가 변화하는 광기전력 효과를 이용할 수 있다.
도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 10을 참조하면, 표시 장치(10)는 표시 패널(100), 표시 구동부(200), 지문 센서층(FPSL), 및 센서 구동부(500)를 포함할 수 있다.
표시 구동부(200)는 영상 구동 신호를 표시 패널(100)에 공급하여, 표시 패널(100)의 영상 표시 동작을 제어할 수 있다. 표시 구동부(200)는 외부로부터 공급된 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 기초로 영상 구동 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 표시 구동부(200)는 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 호스트(미도시)로부터 공급받을 수 있고, 타이밍 신호는 수직 동기 신호(Vertical Synchronization Signal), 수평 동기 신호(Horizontal Synchronization Signal), 클럭 신호(Clock Signal) 등을 포함할 수 있다. 또한, 영상 구동 신호는 스캔 신호, 발광 제어 신호, 및 데이터 신호 등을 포함할 수 있다.
센서 구동부(500)는 지문 센서층(FPSL)의 복수의 지문 센서(FPS)의 동작을 제어하여 사용자의 지문을 인식할 수 있다. 예를 들어, 센서 구동부(500)는 복수의 지문 센서(FPS)에 센싱 구동 전압을 공급할 수 있고, 손가락(F)의 터치에 의한 리드 아웃 신호를 수신할 수 있다. 지문 센서(FPS)는 손가락(F)의 융선(FR) 및 골(FV) 각각에서 반사된 광의 에너지를 기초로, 서로 다른 리드 아웃 신호를 센서 구동부(500)에 공급할 수 있다. 센서 구동부(500)는 커버 윈도우(CW)의 복수의 지문 화소 각각에 대응되는 리드 아웃 신호를 기초로 사용자의 지문을 인식할 수 있다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치의 지문 센서층을 나타내는 단면도이다.
도 11을 참조하면, 지문 센서층(FPSL)은 제2 기판(SUB2), 버퍼층(410), 제2 박막 트랜지스터층(TFTL2), 수광 소자층, 및 제2 박막 봉지층(TFEL2)을 포함할 수 있다.
제2 기판(SUB2)은 베이스 기판일 수 있고, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(SUB2)은 벤딩(Bending), 폴딩(Folding), 롤링(Rolling) 등이 가능한 플렉서블(Flexible) 기판일 수 있다. 제2 기판(SUB2)이 플렉서블 기판인 경우, 폴리이미드(PI)로 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
버퍼층(410)은 제1 버퍼층(411) 및 제2 버퍼층(412)을 포함할 수 있다. 제1 버퍼층(411)은 제2 기판(SUB2) 상에 마련될 수 있다. 제1 버퍼층(411)은 공기 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 무기막으로 이루어질 수 있다. 제1 버퍼층(411)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 실리콘 옥사이드(SiOx), 티타늄옥사이드(TiOx), 또는 알루미늄옥사이드(AlOx)와 같은 무기 재료를 포함하는 무기막들 중 적어도 하나의 무기막으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 버퍼층(412)은 제1 버퍼층(411) 상에 배치되고, 제1 버퍼층(411) 상에 패터닝된 차광 패턴(420)을 덮을 수 있다. 제2 버퍼층(412)은 공기 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 무기막으로 이루어질 수 있다.
차광 패턴(420)은 스위칭 트랜지스터(ST)와 중첩하도록 제1 및 제2 버퍼층(411, 412) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 차광 패턴(420)은 제1 버퍼층(411) 상에 광 흡수 물질 또는 광 차단 물질을 증착한 후 노광 패터닝을 수행하여 형성될 수 있다. 차광 패턴(420)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 및 은(Ag) 등의 금속 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 박막 트랜지스터층(TFTL2)은 버퍼층(410) 상에 마련될 수 있다. 제2 박막 트랜지스터층(TFTL2)은 복수의 지문 센서(FPS) 각각을 구동시키는 스위칭 트랜지스터(ST)를 포함할 수 있다. 제2 박막 트랜지스터층(TFTL2)은 게이트 절연막(440), 층간 절연막(450), 보호층(460), 및 평탄화층(470)을 더 포함할 수 있다. 지문 센서(FPS)의 스위칭 트랜지스터(ST)는 반도체층(431), 게이트 전극(432), 소스 전극(433), 및 드레인 전극(434)을 포함할 수 있다.
반도체층(431)은 버퍼층(410) 상에 마련될 수 있다. 반도체층(431)은 게이트 전극(432), 소스 전극(433), 및 드레인 전극(434)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 반도체층(431)은 소스 전극(433) 및 드레인 전극(434)과 직접 접촉될 수 있고, 게이트 절연막(440)을 사이에 두고 게이트 전극(432)과 마주할 수 있다.
게이트 전극(432)은 게이트 절연막(440) 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(432)은 게이트 절연막(440)을 사이에 두고, 반도체층(431)과 중첩할 수 있다.
소스 전극(433) 및 드레인 전극(434)은 층간 절연막(450) 상에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 소스 전극(433)은 게이트 절연막(440) 및 층간 절연막(450)에 마련된 제1 컨택홀을 통해 반도체층(431)의 일면과 접촉할 수 있다. 드레인 전극(434)은 게이트 절연막(440) 및 층간 절연막(450)에 마련된 제2 컨택홀을 통해 반도체층(431)의 타면과 접촉할 수 있다. 드레인 전극(434)은 보호층(460)의 제3 컨택홀을 통해 수광 소자(PD)의 제1 전극(481)과 직접 접촉될 수 있다.
게이트 절연막(440)은 반도체층(431) 상에 마련될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(440)은 반도체층(431) 및 버퍼층(410) 상에 배치될 수 있고, 반도체층(431)과 게이트 전극(432)을 절연시킬 수 있다. 게이트 절연막(440)은 소스 전극(433)이 관통하는 제1 컨택홀 및 드레인 전극(434)이 관통하는 제2 컨택홀을 포함할 수 있다.
층간 절연막(450)은 게이트 전극(432) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(450)은 소스 전극(433)이 관통하는 제1 컨택홀 및 드레인 전극(434)이 관통하는 제2 컨택홀을 포함할 수 있다. 여기에서, 층간 절연막(450)의 제1 컨택홀 및 제2 컨택홀 각각은 게이트 절연막(440)의 제1 컨택홀 또는 제2 컨택홀과 연결될 수 있다.
보호층(460)은 스위칭 트랜지스터(ST) 상에 마련되어, 스위칭 트랜지스터(ST)를 보호할 수 있다. 예를 들어, 보호층(460)은 수광 소자(PD)의 제1 전극(481)이 관통하는 제3 컨택홀을 포함할 수 있다.
평탄화층(470)은 보호층(460) 상에 마련되어, 스위칭 트랜지스터(ST)의 상면을 평탄화시킬 수 있다. 평탄화층(470)은 수광 소자(PD)의 제1 전극(481)이 관통하는 제3 컨택홀을 포함할 수 있다. 여기에서, 보호층(460)의 제3 컨택홀과 평탄화층(470)의 제3 컨택홀은 수광 소자(PD)의 제1 전극(481)을 관통시키기 위하여 서로 연결될 수 있다.
수광 소자층(도 2의 PDL)은 제2 박막 트랜지스터층(TFTL2) 상에 마련될 수 있다. 수광 소자층(PDL)은 제2 박막 트랜지스터층(TFTL2)의 스위칭 트랜지스터(ST)와 접속된 수광 소자(PD) 및 수광 소자(PD)를 둘러싸는 센서 정의막(490)을 포함할 수 있다.
수광 소자(PD)는 제1 전극(481), 수광층(482), 및 제2 전극(483)을 포함할 수 있다.
제1 전극(481)은 평탄화층(470) 상에 마련될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(481)은 센서 정의막(490)에 의해 정의되는 수광 소자층(PDL)의 개구 영역과 중첩하게 배치될 수 있다. 그리고, 제1 전극(481)은 평탄화층(470)과 보호층(460)에 마련된 제3 컨택홀을 통해 스위칭 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(434)에 접촉될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(481)은 투명 도전 물질로 이루어짐으로써 손가락(F)에 의하여 반사된 제2 광(L2)을 투과시킬 수 있고, 수광 소자(PD)의 양극(Anode)의 역할을 할 수 있다.
수광층(482)은 제1 전극(481) 상에 마련될 수 있다. 수광층(482)은 정공 주입층, 정공 수송층, 수광층, 전자 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 수광층(482)은 유기 물질로 이루어진 유기 수광층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 수광층(482)이 유기 수광층에 해당하는 경우, 유기 수광층은 제2 광(L2)을 수신하여 정공과 전자를 결합할 수 있고, 제2 광(L2)의 에너지를 제1 전극(481)과 제2 전극(483) 사이에 형성되는 전기적 신호(전류 또는 전압)로 변환할 수 있다.
제2 전극(483)은 수광층(482) 상에 마련될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(483)은 지문 센서(FPS) 별로 구분되지 않고 전체 지문 센서(FPS)에 공통되는 전극 형태로 구현될 수 있다. 구동 전압이 제1 전극(481)에 인가되고 공통 전압이 제2 전극(483)에 인가되면, 정공과 전자는 수광층(482)으로 이동하여 서로 결합할 수 있다. 제2 전극(483)은 수광 소자(PD)의 음극(Cathode)의 역할을 할 수 있다.
수광 소자층(PDL)의 센서 정의막(490)은 평탄화층(470) 상에 마련될 수 있다. 센서 정의막(490)은 서로 인접한 제1 전극(481) 사이에 마련되어, 복수의 제1 전극(481)을 구획할 수 있다. 센서 정의막(490)은 서로 인접한 제1 전극(481)과 수광층(482)을 전기적으로 절연함으로써, 수광 소자층(PDL)의 개구 영역을 정의할 수 있다.
제2 박막 봉지층(TFEL2)은 수광 소자층(PDL) 상에 마련될 수 있다. 제2 박막 봉지층(TFEL2)은 수광 소자층(PDL)을 덮을 수 있고, 수광 소자층(PDL)에 산소 또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제2 박막 봉지층(TFEL2)은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 제2 박막 봉지층(TFEL2)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 실리콘 옥사이드(SiOx), 티타늄옥사이드(TiOx), 또는 알루미늄옥사이드(AlOx)와 같은 무기 재료를 포함하는 무기막을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 박막 봉지층(TFEL2)은 먼지와 같은 이물질로부터 수광 소자층(PDL)을 보호할 수 있다. 예를 들어, 제2 박막 봉지층(TFEL2)은 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 제2 박막 봉지층(TFEL2)은 아크릴 수지(Acryl Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드 수지(Polyamide Resin), 또는 폴리이미드 수지(Polyimide Resin)와 같은 유기막을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치를 상세히 나타내는 단면도이다. 도 12는 도 2의 표시 장치의 일부 구성을 상세히 나타낸 단면도로서, 전술한 구성과 동일한 구성은 간략히 설명하거나 생략하기로 한다.
도 2 및 도 12를 참조하면, 표시 장치(10)는 제1 기판(SUB1), 광학 패턴층(CML), 굴절 패턴층(PTL), 표시 패널, 커버 윈도우(CW), 및 지문 센서층(FPSL)을 포함할 수 있다. 표시 패널(도 2의 100)은 백 플레인(BP), 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1), 발광 소자층(EML), 제1 박막 봉지층(TFEL1), 및 터치 센서층(TSL)을 포함할 수 있다. 터치 센서층(FPSL)은 제2 기판(SUB2), 버퍼층(410), 제2 박막 트랜지스터층(TFTL2), 수광 소자층(도 2의 PDL), 및 제2 박막 봉지층(TFEL2)을 포함할 수 있다.
광학 패턴층(CML)은 복수의 투광부(TA)를 포함할 수 있다. 복수의 투광부(TA)는 발광 소자층(EML)에서 방출된 제1 광(L1)이 사용자의 신체에 반사되어, 지문 센서층(FPSL)으로 진행하는 제2 광(L2)의 광학적 통로일 수 있다.
굴절 패턴층(PTL)은 지문 센서층(FPSL)으로 진행하는 제2 광(L2)의 적어도 일부를 굴절시켜 제2 광(L2)의 경로를 조절하는 층일 수 있다. 굴절 패턴층(PTL)은 고굴절률 물질을 포함하는 제1 투광층 및 저굴절률 물질을 포함하는 제2 투광층을 포함할 수 있다.
광학 패턴층(CML) 및 굴절 패턴층(PTL)에 대한 상세한 설명은 도 13 및 도 22 내지 도 25를 참조하여 후술하기로 한다.
제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)은 백 플레인(BP) 상에 배치될 수 있다. 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)은 복수의 서브 화소(SP) 각각을 구동시키는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(110)를 포함할 수 있다.
제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)은 게이트 절연막(120), 층간 절연막(130), 보호층(140), 및 평탄화층(150)을 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 박막 트랜지스터(110)는 반도체층(111), 게이트 전극(112), 소스 전극(113), 및 드레인 전극(114)을 포함할 수 있다.
반도체층(111)은 백 플레인(BP) 상에 마련될 수 있다. 반도체층(111)은 게이트 전극(112), 소스 전극(113), 및 드레인 전극(114)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 반도체층(111)은 소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)과 직접 접촉될 수 있고, 게이트 절연막(120)을 사이에 두고 게이트 전극(112)과 마주할 수 있다.
게이트 전극(112)은 게이트 절연막(120)의 상부에 배치될 수 있다. 게이트 전극(112)은 게이트 절연막(120)을 사이에 두고, 반도체층(111)과 중첩할 수 있다.
소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)은 층간 절연막(130) 상에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 소스 전극(113)은 게이트 절연막(120) 및 층간 절연막(130)에 마련된 컨택홀을 통해 반도체층(111)의 일면과 접촉할 수 있다. 드레인 전극(114)은 게이트 절연막(120) 및 층간 절연막(130)에 마련된 컨택홀을 통해 반도체층(111)의 타면과 접촉할 수 있다. 드레인 전극(114)은 보호층(140)의 컨택홀을 통해 발광 소자(160)의 제1 전극(161)과 직접 접촉될 수 있다.
게이트 절연막(120)은 반도체층(111) 상에 마련될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(120)은 반도체층(111) 및 백 플레인(BP)의 상부에 배치될 수 있고, 반도체층(111)과 게이트 전극(112)을 절연시킬 수 있다. 게이트 절연막(120)은 소스 전극(113)이 관통하는 컨택홀 및 드레인 전극(114)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
층간 절연막(130)은 게이트 전극(112) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(130)은 소스 전극(113)이 관통하는 컨택홀 및 드레인 전극(114)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 여기에서, 층간 절연막(130)의 컨택홀은 게이트 절연막(120)의 컨택홀과 연결될 수 있다.
보호층(140)은 박막 트랜지스터(110) 상에 마련되어, 박막 트랜지스터(110)를 보호할 수 있다. 예를 들어, 보호층(140)은 발광 소자(160)의 제1 전극(161)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
평탄화층(150)은 보호층(140) 상에 마련되어, 박막 트랜지스터(110)의 상면을 평탄화시킬 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(150)은 발광 소자(160)의 제1 전극(161)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 여기에서, 보호층(140)의 컨택홀과 평탄화층(150)의 컨택홀은 발광 소자(160)의 제1 전극(161)을 관통시키기 위하여 서로 연결될 수 있다.
발광 소자층(EML)은 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1) 상에 마련될 수 있다. 발광 소자층(EML)은 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)의 박막 트랜지스터(110)와 접속된 발광 소자(160)를 포함할 수 있다.
발광 소자(160)는 제1 전극(161), 발광층(162), 및 제2 전극(163)을 포함할 수 있다.
제1 전극(161)은 평탄화층(150) 상에 마련될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(161)은 화소 정의막(170)에 의해 정의되는 발광 소자층(EML)의 개구 영역과 중첩하게 배치될 수 있다. 제1 전극(161)은 평탄화층(150)과 보호층(140)에 마련된 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(110)의 드레인 전극(114)에 접촉될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(161)은 발광 소자(160)의 양극(Anode)의 역할을 할 수 있다.
발광층(162)은 제1 전극(161) 상에 마련될 수 있다. 발광층(162)은 정공 주입층, 정공 수송층, 수광층, 전자 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(162)은 유기 물질로 이루어진 유기 발광층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 발광층(162)이 유기 발광층에 해당하는 경우, 제1 박막 트랜지스터층(TFTL1)의 박막 트랜지스터(110)가 발광 소자(160)의 제1 전극(161)에 소정의 전압을 인가하고, 발광 소자(160)의 제2 전극(163)이 공통 전압 또는 캐소드 전압을 수신하면, 정공과 전자 각각이 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기 발광층(162)으로 이동할 수 있고, 정공과 전자가 유기 발광층(162)에서 서로 결합하여 광을 방출할 수 있다.
제2 전극(163)은 발광층(162) 상에 마련될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(163)은 서브 화소(SP) 별로 구분되지 않고 전체 서브 화소(SP)에 공통되는 전극 형태로 구현될 수 있다.
발광 소자층(EML)은 복수의 서브 화소(SP)를 정의하는 화소 정의막(170)을 포함할 수 있다. 발광 소자(160)의 제1 전극(161)과 발광층(162)은 화소 정의막(170)에 의하여 서로 이격되고 절연될 수 있다.
이외 제1 박막 봉지층(TFEL1), 터치 센서층(TSL), 커버 윈도우(CW), 및 지문 센서층(FPSL)은 도 2 및 도 11을 참조하여 설명한 바 있으므로, 중복되는 내용은 생략한다.
도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 일 실시예에 따른 표시 장치의 광학 패턴층 및 굴절 패턴층을 상세히 나타내는 단면도이다. 도 14는 도 13에 도시된 구조의 변형예이다. 이하에서는 설명의 편의상 지문 센서층(FPSL)의 구성들 중 제2 기판(SUB2)과 제2 기판(SUB2) 상에 배치되는 복수의 수광 소자(PD) 및 센서 정의막(490)만을 간략히 도시하였으나, 지문 센서층(FPSL)을 구성하기 위한 다른 구성들이 더 포함될 수 있음은 물론이다.
도 13을 참조하면, 제1 기판(SUB1) 상에는 광학 패턴층(CML) 및 굴절 패턴층(PTL)이 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이, 광학 패턴층(CML)은 차광부(BA) 및 차광부(BA)를 일 방향(예컨대, 두께 방향)으로 관통하는 복수의 투광부(TA)를 포함할 수 있다. 광학 패턴층(CML)에 입사된 광들 중 일부의 광은 투광부(TA)를 투과하여 수광 소자(PD) 측으로 진행할 수 있으나, 다른 일부의 광은 차광부(BA)에 의해 차단될 수 있다.
구체적으로, 광학 패턴층(CML)은 차광부(BA) 및 투광부(TA)를 포함하여 소정의 각도 이내의 각도로 입사된 광만 투과시키고, 이 외의 광은 차단시킬 수 있다. 여기서, 광학 패턴층(CML)에 의해 정해지는 소정의 각도는 컷 오프 각도(cut off angle)(θc) 또는 차단 각도로 정의될 수 있다. 수광 소자(PD)들은 광학 패턴층(CML)에 의해 사용자의 손가락의 융선에서 반사된 광과 골에서 반사된 광을 구분하여 제공받을 수 있다.
광학 패턴층(CML)의 컷 오프 각도(θc)는 투광부(TA)의 선폭(Wa) 및 높이(Wb)의 비율, 즉, 투광부(TA)의 종횡비에 의해 결정될 수 있다. 한편, 투광부(TA)의 선폭(Wa) 및 차광부(BA)의 폭(Wc)의 합은 일정할 수 있다. 즉, 투광부(TA) 간의 거리는 일정할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
굴절 패턴층(PTL)은 광학 패턴층(CML) 상에 배치될 수 있다. 굴절 패턴층(PTL)은 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 투광층(HRL) 및 제2 투광층(LRL)을 포함할 수 있다.
구체적으로, 제1 투광층(HRL)의 굴절률은 제2 투광층(LRL)의 굴절률보다 클 수 있다. 일 실시예로, 제1 투광층(HRL) 및 제2 투광층(LRL)의 굴절률비는 0.9775 이하일 수 있다. 여기서, 굴절률비는 제2 투광층(LRL)의 굴절률을 제1 투광층(HRL)의 굴절률로 나눈 값일 수 있다.
제1 투광층(HRL)은 광학 패턴층(CML)의 차광부(BA)와 중첩하여 배치될 수 있다. 실시예에 따라, 제1 투광층(HRL)은 차광부(BA)와 완전히 중첩할 수 있으며, 이 경우, 제1 투광층(HRL)의 평면상 형상은 차광부(BA)의 평면상 형상과 실질적으로 동일할 수 있다.
제1 투광층(HRL)은 복수의 개구(OP)를 포함할 수 있다. 제1 투광층(HRL)이 포함하는 개구(OP)는 광학 패턴층(CML)의 투광부(TA)에 대응하는 위치에 형성될 수 있다.
제1 투광층(HRL)은 고굴절률 물질을 포함하는 고굴절률층일 수 있다. 예를 들어, 제1 투광층(HRL)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 실리콘 옥사이드(SiOx), 티타늄옥사이드(TiOx), 또는 알루미늄옥사이드(AlOx)와 같은 무기 재료를 포함하는 무기막으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 무기 재료로 이루어진 무기 입자들을 포함하는 유기막으로 형성할 수도 있다.
제2 투광층(LRL)은 제1 투광층(HRL) 상에 형성될 수 있으며, 광학 패턴층(CML)의 투광부(TA)를 채우도록 형성될 수 있다. 즉, 광학 패턴층(CML)의 차광부(BA) 사이의 공간에는 제2 투광층(LRL)이 채워질 수 있다. 또한, 제2 투광층(LRL)은 제1 투광층(HRL)을 전체적으로 커버할 수 있다. 제2 투광층(LRL)은 제1 투광층(HRL)의 개구(OP)를 채우도록 형성될 수 있다.
제2 투광층(LRL)의 상면은 대체적으로 평탄할 수 있다. 즉, 제2 투광층(LRL)은 하부에 배치된 구성들의 단차를 보상하는 평탄화층 역할을 수행할 수 있다. 이를 통해, 제2 투광층(LRL)의 상면으로 입사된 광들이 고르게 광학 패턴층(CML) 측으로 진행할 수 있다.
제2 투광층(LRL)은 저굴절률 물질을 포함하는 저굴절률층일 수 있다. 상술한 바와 같이, 제2 투광층(LRL)의 굴절률은 제1 투광층(HRL)의 굴절률보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제2 투광층(LRL)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)과 같은 투명 유기 재료를 포함하는 유기막으로 형성될 수 있다.
제2 투광층(LRL)의 배치 및 형상은 상술한 바에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 14에 도시된 바와 같이, 제2 투광층(LRL_1)은 투광부(TA)를 채우지 않을 수 있다. 이 경우, 투광부(TA)를 채우는 물질은 제2 투광층(LRL_1)을 구성하는 물질과 서로 상이할 수 있다. 일 예로, 투광부(TA)에는 제2 투광층(LRL_1)과 굴절률이 상이한 투명 유기 재료가 채워질 수 있다. 다른 예로, 투광부(TA)에는 적어도 일부의 공기층이 형성될 수도 있다.
상술한 실시예에서, 광학 패턴층(CML)의 컷 오프 각도(θc)는 투광부(TA)의 종횡비에 의해 결정될 수 있다. 투광부(TA)의 선폭(Wa)이 감소하고 투광부(TA)의 높이(Wb)가 증가할수록, 투광부(TA)의 종횡비는 증가할 수 있고, 광학 패턴층(CML)의 컷 오프 각도(θc)는 감소할 수 있다. 이에 따라, 광학 패턴층(CML)은 손가락의 융선에서 반사된 광과 골에서 반사된 광을 더욱 세밀하게 구분하여 수광 소자(PD)들에 제공할 수 있다. 즉, 표시 장치(10)의 지문 검출 능력이 향상될 수 있다.
그러나, 투광부(TA)의 종횡비가 증가할수록 광학 패턴층(CML)의 차광부(BA)에 의해 차단되는 광들이 증가하고, 광학 패턴층(CML)의 광 투과율이 감소할 수 있다. 광학 패턴층(CML)의 광 투과율이 감소할 경우, 수광 소자(PD)에 제공되는 광량이 충분하지 않을 수 있으며, 광학 패턴층(CML)의 신호대잡음비(Signal to Noise Ratio; SNR)가 악화될 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 광학 패턴층(CML) 상에 배치된 굴절 패턴층(PTL)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 굴절 패턴층(PTL)에는 제1 반사광(L2a) 및 제2 반사광(L2b)이 입사될 수 있다.
제1 반사광(L2a)은 차광부(BA)의 일 측면(BAS)을 기준으로 제1 각(θa)으로 입사되는 광일 수 있다. 여기서 제1 반사광(L2a)은 컷 오프 각도(θc) 이내의 각도로 입사되는 광일 수 있으며, 제1 반사광(L2a)은 굴절 패턴층(PTL)(또는, 제1 투광층(HRL))에 의해 굴절되지 않을 수 있다. 제1 반사광(L2a)은 굴절 패턴층(PTL) 및 광학 패턴층(CML)을 투과하여 하부에 배치된 수광 소자(PD)에 입사될 수 있다.
반면, 제2 반사광(L2b)은 차광부(BA)의 일 측면(BAS)을 기준으로 제2 각(θb)으로 입사되는 광일 수 있다. 여기서 제2 반사광(L2b)은 컷 오프 각도(θc) 이상의 각도로 입사되는 광일 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 투광층(HRL)의 굴절률은 제2 투광층(LRL)의 굴절률보다 클 수 있다. 이에 따라, 제2 투광층(LRL)에서 제1 투광층(HRL) 측으로 진행한 제2 반사광(L2b)은 굴절될 수 있다. 따라서, 제2 반사광(L2b)은 굴절되어 굴절광(L2b')으로서 차광부(BA) 측으로 굴절될 수 있고, 굴절광(L2b')은 차광부(BA)에 의해 차단 또는 흡수되어 수광 소자(PD) 측으로 제공되지 않을 수 있다.
즉, 굴절 패턴층(PTL)은 제1 투광층(HRL) 및 제2 투광층(LRL)의 굴절률 차이를 통해 입사되는 광을 굴절시킬 수 있으며, 이에 따라 광학 패턴층(CML)의 컷 오프 각도(θc)가 조절될 수 있다.
본 실시예와 같이, 광학 패턴층(CML)의 상부에 굴절 패턴층(PTL)이 배치되는 경우, 광학 패턴층(CML)의 광 투과율을 향상시키기 위해 투광부(TA)의 선폭(Wa)을 증가시키더라도, 광학 패턴층(CML)의 컷 오프 각도(θc)는 소정의 수준으로 유지될 수 있다. 예를 들어, 투광부(TA)의 선폭(Wa)을 증가할수록 제1 투광층(HRL)의 높이(Wh)도 증가할 수 있다. 즉, 투광부(TA)의 선폭(Wa)을 증가시켜 광학 패턴층(CML)의 광 투과율을 향상시키되, 제1 투광층(HRL)의 높이(Wh)를 조절하여 광학 패턴층(CML)의 컷 오프 각도(θc)를 필요한 수준으로 조절할 수 있다.
투광부(TA)의 선폭(Wa)이 증가하여 광학 패턴층(CML)의 투과율이 향상될 경우, 수광 소자(PD)를 포함하는 지문 센서의 신호대잡음비(Signal to Noise Ratio; SNR)가 개선될 수 있으며, 표시 장치(10)의 지문 검출 능력이 향상될 수 있다.
또한, 제1 투광층(HRL)의 높이(Wh)를 조절하여, 광학 패턴층(CML)의 컷 오프 각도(θc)를 조절할 수 있으므로, 광학 패턴층(CML)은 손가락의 융선에서 반사된 광과 골에서 반사된 광을 더욱 세밀하게 구분하여 수광 소자(PD)들에 제공할 수 있다. 즉, 표시 장치(10)의 지문 검출 능력이 향상될 수 있다.
이하, 다른 실시예에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 번호로서 지칭하며, 중복 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.
도 15는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 다른 실시예에 따른 표시 장치의 광학 패턴층 및 굴절 패턴층을 상세히 나타내는 단면도이다. 도 16은 도 15에 도시된 구조의 변형예이다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 표시 장치(10_2)는 광학 패턴층(CML)의 상부에 배치되는 굴절 패턴층(PTL_2)을 포함할 수 있다. 굴절 패턴층(PTL_2)은 외부 물체로부터 반사된 광의 경로를 제어하는 렌즈 패턴층일 수 있다.
굴절 패턴층(PTL_2)은 제1 투광층(HRL_2)(또는, 렌즈층) 및 제2 투광층(LRL)(또는, 보호층)을 포함할 수 있다.
제1 투광층(HRL_2)은 상면(HRLa), 상면(HRLa)에 대향하는 하면(HRLb) 및 상면(HRLa)과 하면(HRLb) 사이에 위치하는 경사면(HRLc_2)을 포함할 수 있다. 제1 투광층(HRL_2)의 상면(HRLa)과 하면(HRLb)은 대체적으로 평행할 수 있고, 제1 투광층(HRL_2)의 하면(HRLb)은 광학 패턴층(CML)과 접촉할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 투광층(HRL_2)과 광학 패턴층(CML)의 사이에는 굴절 패턴층(PTL_2)을 지지하기 위한 별도의 지지 부재가 더 배치될 수도 있다.
제1 투광층(HRL_2)의 상면(HRLa)은 하면(HRLb)의 면적(또는 너비)보다 작을 수 있다. 제1 투광층(HRL_2)의 상면(HRLa)과 하면(HRLb)의 사이에는 경사면(HRLc_2)이 위치할 수 있다. 제1 투광층(HRL_2)의 경사면(HRLc_2)은 하면(HRLb)과 경사각(θc)을 이룰 수 있고, 경사각(θc)은 예각일 수 있다. 제1 투광층(HRL_2)의 경사면(HRLc_2)의 적어도 일부는 차광부(BA)와 일 방향(예컨대, 두께 방향)으로 중첩할 수 있다.
제2 투광층(LRL)은 제1 투광층(HRL_2)을 커버하도록 배치될 수 있다. 제2 투광층(LRL)의 상면은 대체적으로 평탄할 수 있다. 즉, 제2 투광층(LRL)은 평탄화층 역할을 수행할 수 있다.
제1 투광층(HRL_2)과 제2 투광층(LRL)의 굴절률은 서로 상이할 수 있다. 구체적으로, 제1 투광층(HRL_2)의 굴절률은 제2 투광층(LRL)의 굴절률보다 클 수 있다. 이에 따라, 제2 투광층(LRL)에서 제1 투광층(HRL_2) 측으로 진행한 광은 굴절될 수 있다.
굴절 패턴층(PTL_2)은 광학 패턴층(CML)의 광 투과율을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 굴절 패턴층(PTL_2)에는 제1 반사광(L2c) 및 제2 반사광(L2d)이 입사될 수 있다. 제1 반사광(L2c)은 제1 투광층(HRL_2)의 상면(HRLa) 및 하면(HRLb)을 투과하여 투광부(TA)를 통해 수광 소자(PD) 측으로 입사될 수 있다.
반면, 제2 반사광(L2d)은 제1 투광층(HRL_2)의 경사면(HRLc_2)에 입사될 수 있다. 여기서 제2 반사광(L2d)은 차광부(BA) 측으로 진행하는 광일 수 있다. 제2 반사광(L2d)은 제2 투광층(LRL)에서 제1 투광층(HRL_2) 측으로 진행하는 과정에서 경사면(HRLc_2)에 의해 굴절될 수 있으며 투광부(TA) 측으로 진행할 수 있다.
즉, 본 실시예에 따른 굴절 패턴층(PTL_2)은 외부 물체로부터 반사된 광 중 차광부(BA) 측으로 진행하는 광의 경로를 조절할 수 있고, 차광부(BA) 측으로 진행하는 광을 투광부(TA) 측으로 진행하도록 굴절시킬 수 있다. 이에 따라, 광학 패턴층(CML)의 광 투과율이 향상되고, 수광 소자(PD)에 입사되는 광량이 증가할 수 있으며, 표시 장치(10_2)의 지문 인식 성능이 향상될 수 있다.
한편, 제1 투광층(HRL_2)의 형상은 상술한 바에 한정되지 않으며 다양할 수 있다.
예를 들어, 도 16에 도시된 바와 같이, 표시 장치(10_3)는 광학 패턴층(CML) 상에 배치된 굴절 패턴층(PTL_3)을 포함할 수 있다. 굴절 패턴층(PTL_3)은 서로 이격 배치된 복수의 제1 투광층(HRL_3)들을 포함할 수 있다.
제1 투광층(HRL_3)은 경사면(HRLc_3)을 포함할 수 있다. 제1 투광층(HRL_3)의 경사면(HRLc_3)은 하면(HRLb)과 경사각(θd)을 이룰 수 있고, 경사각(θd)은 예각일 수 있다. 제1 투광층(HRL_3)의 경사면(HRLc_3)의 적어도 일부는 차광부(BA)와 일 방향(예컨대, 두께 방향)으로 중첩할 수 있다.
제1 투광층(HRL_3) 상에는 제2 투광층(LRL)이 배치될 수 있다. 제2 투광층(LRL)은 제1 투광층(HRL_3)을 커버하도록 배치될 수 있으며, 실시예에 따라, 제2 투광층(LRL)은 투광부(TA)의 적어도 일부를 채울 수 있다.
굴절 패턴층(PTL_3)에는 제1 반사광(L2e) 및 제2 반사광(L2f)이 입사될 수 있다. 제1 반사광(L2c)은 제1 투광층(HRL_3)의 상면(HRLa) 및 하면(HRLb)을 투과하여 투광부(TA)를 통해 수광 소자(PD) 측으로 입사될 수 있다. 반면, 제2 반사광(L2f)은 제1 투광층(HRL_3)의 경사면(HRLc_3)에 입사될 수 있다. 여기서 제2 반사광(L2f)은 차광부(BA) 측으로 진행하는 광일 수 있다. 제2 반사광(L2f)은 제2 투광층(LRL)에서 제1 투광층(HRL_3) 측으로 진행하는 과정에서 경사면(HRLc_3)에 의해 굴절될 수 있으며 투광부(TA) 측으로 진행할 수 있다.
도 15를 통해 설명한 바와 같이, 굴절 패턴층(PTL_3)을 통해, 광학 패턴층(CML)의 광 투과율이 향상되고, 수광 소자(PD)에 입사되는 광량이 증가할 수 있으며, 표시 장치(10_3)의 지문 인식 성능이 향상될 수 있다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 특히 또 다른 실시예에 따른 광학 패턴층 및 굴절 패턴층을 상세히 나타내는 단면도이다.
도 17을 참조하면, 표시 장치(10_4)는 광학 패턴층(CML)의 하부에 배치되는 굴절 패턴층(PTL_4)을 포함할 수 있다. 굴절 패턴층(PTL_4)은 광학 패턴층(CML)을 투과한 광의 경로를 제어하는 렌즈 패턴층일 수 있다.
굴절 패턴층(PTL_4)은 제1 투광층(HRL_4)(또는, 렌즈층) 및 제2 투광층(LRL)(또는, 보호층)을 포함할 수 있다.
제1 투광층(HRL_4)은 상면(HRLa), 상면(HRLa)에 대향하는 하면(HRLb) 및 상면(HRLa)과 하면(HRLb) 사이에 위치하는 경사면(HRLc_4)을 포함할 수 있다. 제1 투광층(HRL_4)의 상면(HRLa)과 하면(HRLb)은 대체적으로 평행할 수 있고, 제1 투광층(HRL_4)의 하면(HRLb)은 제1 기판(SUB1)과 접촉할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 투광층(HRL_4)과 제1 기판(SUB1)의 사이에는 굴절 패턴층(PTL_4)을 지지하기 위한 별도의 지지 부재가 더 배치될 수도 있다.
제1 투광층(HRL_4)의 상면(HRLa)과 하면(HRLb)의 사이에는 경사면(HRLc_4)이 위치할 수 있다. 제1 투광층(HRL_4)의 경사면(HRLc_4)은 하면(HRLb)과 경사각(θe)을 이룰 수 있고, 경사각(θe)은 예각일 수 있다.
제1 투광층(HRL_4)의 하부에는 복수의 수광 소자(PD)들이 위치할 수 있다. 제1 투광층(HRL_4)의 경사면(HRLc_4)의 적어도 일부는 복수의 수광 소자(PD)들 사이의 영역과 일 방향(예컨대, 두께 방향)으로 중첩할 수 있다.
한편, 수광 소자(PD)들 간의 거리(Wd)가 증가할수록 굴절 패턴층(PTL_4)과 수광 소자(PD)와의 거리(Wt)가 멀어질 수 있다.
제2 투광층(LRL)은 제1 투광층(HRL_4)을 커버하도록 배치될 수 있다. 제2 투광층(LRL)의 상면은 대체적으로 평탄할 수 있다. 즉, 제2 투광층(LRL)은 평탄화층 역할을 수행할 수 있고, 광학 패턴층(CML)이 배치될 공간을 마련할 수 있다.
제1 투광층(HRL_4)과 제2 투광층(LRL)의 굴절률은 서로 상이할 수 있다. 구체적으로, 제1 투광층(HRL_4)의 굴절률은 제2 투광층(LRL)의 굴절률보다 클 수 있다. 이에 따라, 제2 투광층(LRL)에서 제1 투광층(HRL_4) 측으로 진행한 광은 굴절될 수 있다.
굴절 패턴층(PTL_4)은 수광 소자(PD)들의 수광 효율을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 굴절 패턴층(PTL_4)에는 광학 패턴층(CML)을 투과한 제1 반사광(L2g) 및 제2 반사광(L2h)이 입사될 수 있다. 제1 반사광(L2g)은 제1 투광층(HRL_4)의 상면(HRLa) 및 하면(HRLb)을 투과하여 수광 소자(PD) 측으로 입사될 수 있다.
반면, 제2 반사광(L2h)은 제1 투광층(HRL_4)의 경사면(HRLc_4)에 입사될 수 있다. 여기서 제2 반사광(L2h)은 수광 소자(PD)들 사이의 영역 측으로 진행하는 광일 수 있다. 제2 반사광(L2h)은 제2 투광층(LRL)에서 제1 투광층(HRL_4) 측으로 진행하는 과정에서 경사면(HRLc_4)에 의해 굴절될 수 있으며 수광 소자(PD) 측으로 진행할 수 있다.
즉, 본 실시예에 따른 굴절 패턴층(PTL_4)은 광학 패턴층(CML)을 투과한 광 중 수광 소자(PD)들 사이의 영역 측으로 진행하는 광의 경로를 조절하여 수광 소자(PD) 측으로 진행하도록 굴절시킬 수 있다. 이에 따라, 수광 소자(PD)들의 수광 효율이 향상되고, 수광 소자(PD)에 입사되는 광량이 증가할 수 있으며, 표시 장치(10_4)의 지문 인식 성능이 향상될 수 있다.
도 18 내지 도 21은 다양한 실시예들에 따른 표시 장치의 단면도들이다. 앞서 설명한 도 13, 도 15, 및 도 17의 실시예들에 따른 굴절 패턴층들은 서로 복합적으로 구성될 수 있다. 이하 도 18 내지 도 21에서는 이러한 복합 구조에 대해 설명하되, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
일 예로, 도 18에 도시된 바와 같이, 표시 장치(10_5)는 광학 패턴층(CML) 상에 배치된 굴절 패턴층(PTL_5)을 포함할 수 있다. 굴절 패턴층(PTL_5)은 제1 굴절 패턴층(PTL1_5) 및 제1 굴절 패턴층(PTL1_5) 상에 배치된 제2 굴절 패턴층(PTL2_5)을 포함할 수 있다.
제1 굴절 패턴층(PTL1_5)은 도 13에서 설명한 굴절 패턴층(PTL)과 실질적으로 동일하고, 제2 굴절 패턴층(PTL2_5)은 도 15에서 설명한 굴절 패턴층(PTL_2)과 실질적으로 동일하므로 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 18의 실시예에 따른 표시 장치(10_5)에 있어서, 제2 굴절 패턴층(PTL2_5)은 외부 물체로부터 반사된 광 중 차광부(BA) 측으로 진행하는 광의 경로를 조절할 수 있고, 차광부(BA) 측으로 진행하는 광을 투광부(TA) 측으로 진행하도록 굴절시킬 수 있다. 이에 따라, 광학 패턴층(CML)의 광 투과율이 향상되고, 표시 장치(10_5)의 지문 인식 성능이 향상될 수 있다. 또한, 제1 굴절 패턴층(PTL1_5)을 통해 광학 패턴층(CML)의 컷 오프 각도를 조절할 수 있으므로, 표시 장치(10_5)의 지문 검출 능력이 향상될 수 있다.
다른 예로, 도 19에 도시된 바와 같이, 표시 장치(10_6)는 광학 패턴층(CML)의 상부 및 하부에 배치된 굴절 패턴층(PTL_6)을 포함할 수 있다. 굴절 패턴층(PTL_6)은 광학 패턴층(CML)의 상부에 배치된 제1 굴절 패턴층(PTL1_6) 및 광학 패턴층(CML)의 하부에 배치된 제2 굴절 패턴층(PTL2_6)을 포함할 수 있다.
제1 굴절 패턴층(PTL1_6)은 도 13에서 설명한 굴절 패턴층(PTL)과 실질적으로 동일하고, 제2 굴절 패턴층(PTL2_6)은 도 17에서 설명한 굴절 패턴층(PTL_4)과 실질적으로 동일하므로 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 19의 실시예에 따른 표시 장치(10_6)에 있어서, 제2 굴절 패턴층(PTL2_6)은 광학 패턴층(CML)을 투과한 광 중 수광 소자(PD)들 사이의 영역 측으로 진행하는 광의 경로를 조절하여 수광 소자(PD) 측으로 진행하도록 굴절시킬 수 있다. 이에 따라, 수광 소자(PD)들의 수광 효율이 향상되고, 표시 장치(10_6)의 지문 인식 성능이 향상될 수 있다. 또한, 제1 굴절 패턴층(PTL1_6)을 통해 광학 패턴층(CML)의 컷 오프 각도를 조절할 수 있으므로, 표시 장치(10_6)의 지문 검출 능력이 향상될 수 있다.
또 다른 예로, 도 20에 도시된 바와 같이, 표시 장치(10_7)는 광학 패턴층(CML)의 상부 및 하부에 배치된 굴절 패턴층(PTL_7)을 포함할 수 있다. 굴절 패턴층(PTL_7)은 광학 패턴층(CML)의 상부에 배치된 제1 굴절 패턴층(PTL1_7)과 제2 굴절 패턴층(PTL2_7) 및 광학 패턴층(CML)의 하부에 배치된 제3 굴절 패턴층(PTL3_7)을 포함할 수 있다.
제1 굴절 패턴층(PTL1_7)은 도 13에서 설명한 굴절 패턴층(PTL)과 실질적으로 동일하고, 제2 굴절 패턴층(PTL2_7)은 도 15에서 설명한 굴절 패턴층(PTL_2)과 실질적으로 동일하며, 제3 굴절 패턴층(PTL3_7)은 도 17에서 설명한 굴절 패턴층(PTL_4)과 실질적으로 동일하므로 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 20의 실시예에 따른 제2 굴절 패턴층(PTL2_7)은 외부 물체로부터 반사된 광 중 차광부(BA) 측으로 진행하는 광의 경로를 조절할 수 있고, 차광부(BA) 측으로 진행하는 광을 투광부(TA) 측으로 진행하도록 굴절시킬 수 있다. 이에 따라, 광학 패턴층(CML)의 광 투과율이 향상되고, 표시 장치(10_7)의 지문 인식 성능이 향상될 수 있다. 또한, 제3 굴절 패턴층(PTL3_7)은 광학 패턴층(CML)을 투과한 광 중 수광 소자(PD)들 사이의 영역 측으로 진행하는 광의 경로를 조절하여 수광 소자(PD) 측으로 진행하도록 굴절시킬 수 있다. 이에 따라, 수광 소자(PD)들의 수광 효율이 향상되고, 표시 장치(10_7)의 지문 인식 성능이 더욱 향상될 수 있다. 또한, 제1 굴절 패턴층(PTL1_7)을 통해 광학 패턴층(CML)의 컷 오프 각도를 조절할 수 있으므로, 표시 장치(10_7)의 지문 검출 능력이 향상될 수 있다.
또 다른 예로, 도 21에 도시된 바와 같이, 표시 장치(10_8)는 광학 패턴층(CML)의 상부 및 하부에 배치된 굴절 패턴층(PTL_8)을 포함할 수 있다. 굴절 패턴층(PTL_8)은 광학 패턴층(CML)의 상부에 배치된 제2 굴절 패턴층(PTL2_8) 및 광학 패턴층(CML)의 하부에 배치된 제3 굴절 패턴층(PTL3_8)을 포함할 수 있다.
제2 굴절 패턴층(PTL2_8)은 도 15에서 설명한 굴절 패턴층(PTL_2)과 실질적으로 동일하고, 제3 굴절 패턴층(PTL3_8)은 도 17에서 설명한 굴절 패턴층(PTL_4)과 실질적으로 동일하므로 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
본 실시예에 따른 표시 장치(10_8)는 앞서 설명한 도 20의 실시예와 비교하여 제1 굴절 패턴층(도 20의 PTL1_7)을 포함하지 않는 점에서 차이가 있으며 이 외의 구성들은 실질적으로 동일한 바, 구체적인 설명은 생략한다.
도 22 내지 도 25는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 공정 단계별 단면도들이다. 도 22 내지 도 25는 도 1 내지 도 13의 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들로서, 도 1 내지 도 13과 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호로 나타내고 자세한 부호는 생략한다.
우선, 도 22를 참조하면, 제1 기판(SUB1) 상에 차광 물질층(BML)을 형성한다.
차광 물질층(BML)은 유기 차광 재료 및 금속 차광 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 차광 재료는 카본 블랙(carbon black; CB) 및 티탄 블랙(titan black; TiBK) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 금속 차광 재료는 크롬, 크롬 산화물 및 크롬 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 차광 물질층(BML)을 형성하는 단계는 상기 차광 재료를 포함하는 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)을 이용하여, 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅에 의해 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 도 23 및 도 24를 참조하면, 차광 물질층(BML) 상에 제1 투광층(HRL)을 형성하고, 차광 물질층(BML)을 식각하여 차광부(BA) 및 투광부(TA)를 형성한다. 이 때, 제1 투광층(HRL)은 차광 물질층(BML)을 식각하기 위한 하드 마스크(HM)로서 이용될 수 있다. 즉, 제1 투광층(HRL)은 투광부(TA)를 정의하는 위치에 형성될 수 있다.
예를 들어, 제1 투광층(HRL)을 형성하는 단계는 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD)에 의해 수행될 수 있다. 제1 투광층(HRL)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 실리콘 옥사이드(SiOx), 티타늄옥사이드(TiOx), 또는 알루미늄옥사이드(AlOx)와 같은 무기 재료를 포함하는 무기막으로 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 무기 입자들을 포함하는 유기막으로 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 25를 참조하면, 제1 투광층(HRL) 상에 제2 투광층(LRL)을 형성한다. 제2 투광층(LRL)은 광학 패턴층(CML)의 투광부(TA)가 채워지고, 제1 투광층(HRL)이 커버되도록 형성될 수 있다. 제2 투광층(LRL)은 투광부(TA)를 완전히 채우며 제1 기판(SUB1)과 접촉할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제2 투광층(LRL)과 제1 기판(SUB1)의 사이에는 적어도 일부의 공기층이 형성될 수도 있다.
제2 투광층(LRL)의 상면은 대체적으로 평탄할 수 있다. 즉, 제2 투광층(LRL)은 하부에 배치된 구성들의 단차를 보상하는 평탄화층 역할을 수행할 수 있다. 이를 통해, 제2 투광층(LRL)의 상면으로 입사된 광들이 고르게 광학 패턴층(CML) 측으로 진행할 수 있다.
예를 들어, 제2 투광층(LRL)을 형성하는 단계는 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)과 같은 투명한 유기 물질을 이용하여, 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅에 의해 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 기판(SUB1) 하부에 지문 센서층(FPSL)을 형성하고, 광학 패턴층(CML) 상에 표시 패널(100)을 형성하여 표시 장치를 완성한다. 이 때, 지문 센서층(FPSL)은 상술한 바와 같이, 광학 패턴층(CML) 및 굴절 패턴층(PTL)이 형성된 후 별도 공정을 통해 부착될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 광학 패턴층(CML) 및 굴절 패턴층(PTL)은 지문 센서층(FPSL) 상에 직접 형성될 수도 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의하면, 고굴절률 물질을 포함하는 제1 투광층(HRL)을 하드 마스크(HM)로 이용하여, 차광 물질층(BML)을 식각할 수 있고, 별도의 하드 마스크(HM) 제거 공정이 필요하지 않으므로, 표시 장치의 제조 공정이 간소화될 수 있다. 이에 따라, 굴절 패턴층(PTL)을 포함하는 표시 장치의 제조 시간 및 제조 비용이 감소할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 표시 장치 100: 표시 패널
200: 표시 구동부 300: 스캔 구동부
500: 센서 구동부 SUB1: 제1 기판
CML: 광학 패턴층 BA: 차광부
TA: 투광부 PTL: 굴절 패턴층
HRL: 제1 투광층 LRL: 제2 투광층
FPSL: 지문 센서층 PDL: 수광 소자층
SUB2: 제2 기판 EML: 발광 소자층

Claims (20)

  1. 외부 물체로부터 반사된 광을 수신하는 지문 센서층;
    상기 지문 센서층 상에 배치되는 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 차광부 및 상기 차광부를 일 방향으로 관통하는 투광부를 포함하는 광학 패턴층;
    상기 차광부 상에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 제1 투광층;
    상기 제1 투광층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 갖는 제2 투광층; 및
    상기 제2 투광층 상에 배치된 발광 소자층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 투광층은 상기 투광부에 중첩하는 개구를 포함하고,
    상기 제2 투광층은 상기 제1 투광층의 상기 개구 및 상기 투광부를 채우는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 굴절률은 상기 제2 굴절률보다 큰 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 투광층은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 실리콘 옥사이드(SiOx), 티타늄옥사이드(TiOx), 또는 알루미늄옥사이드(AlOx) 중 적어도 하나를 포함하는 무기 물질층 및 무기 입자를 포함하는 유기 물질층 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 투광층은 투명한 유기 물질을 포함하는 표시 장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    하기 수학식으로 표현되는 상기 제1 투광층 및 상기 제2 투광층의 굴절률비는 0.9775 이하인 표시 장치.
    굴절률비 = 제2 투광층의 제2 굴절률/제1 투광층의 제1 굴절률
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 차광부는 유기 차광 재료 또는 금속 차광 재료 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 투광층 및 상기 발광 소자층 사이에 배치되고 경사면을 갖는 렌즈층을 더 포함하되,
    상기 렌즈층의 상기 경사면은 상기 차광부와 상기 일 방향으로 중첩하고,
    상기 외부 물체로부터 반사된 광 중 상기 경사면에 입사된 광은 상기 투광부 측으로 굴절되는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 광학 패턴층 사이에 배치되고 제1 경사면을 갖는 제1 렌즈층을 더 포함하되,
    상기 지문 센서층은 복수의 수광 소자들을 포함하고,
    상기 제1 경사면은 상기 복수의 수광 소자들 사이의 영역과 상기 일 방향으로 중첩하며,
    상기 투광부를 투과한 광 중 상기 제1 경사면에 입사된 광은 상기 복수의 수광 소자들 중 적어도 하나 측으로 굴절되는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 투광층 및 상기 발광 소자층 사이에 배치되고 제2 경사면을 갖는 제2 렌즈층을 더 포함하되,
    상기 제2 렌즈층의 상기 제2 경사면은 상기 차광부와 상기 일 방향으로 중첩하고,
    상기 외부 물체로부터 반사된 광 중 상기 제2 경사면에 입사된 광은 상기 투광부 측으로 굴절되는 표시 장치.
  11. 외부 물체로부터 반사된 광을 수신하는 지문 센서층;
    상기 지문 센서층 상에 배치되는 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 차광부 및 상기 차광부를 일 방향으로 관통하는 투광부를 포함하는 광학 패턴층;
    상기 광학 패턴층 상에 배치된 발광 소자층;
    상기 광학 패턴층과 상기 발광 소자층의 사이 및 상기 광학 패턴층과 상기 기판의 사이 중 하나에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 제1 렌즈층; 및
    상기 제1 렌즈층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 작은 제2 굴절률을 갖는 평탄화층을 포함하되,
    상기 제1 렌즈층은 제1 경사면을 포함하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 렌즈층은 상면과 상기 상면에 평행한 하면을 포함하고,
    상기 제1 경사면은 상기 상면 및 상기 하면 사이에 위치하며, 상기 제1 경사면과 상기 하면이 이루는 각도는 예각인 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 렌즈층은 상기 광학 패턴층의 상부에 배치되고,
    상기 제1 렌즈층의 상기 제1 경사면은 상기 차광부와 상기 일 방향으로 중첩하며,
    상기 외부 물체로부터 반사된 광 중 상기 제1 렌즈층의 상기 제1 경사면에 입사된 광은 상기 투광부 측으로 굴절되는 표시 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 렌즈층은 상기 광학 패턴층의 하부에 배치되고,
    상기 지문 센서층은 복수의 수광 소자들을 포함하되,
    상기 제1 렌즈층의 상기 제1 경사면은 상기 복수의 수광 소자들 사이의 영역과 상기 일 방향으로 중첩하고,
    상기 투광부를 투과한 광 중 상기 제1 경사면에 입사된 광은 상기 복수의 수광 소자들 중 적어도 하나 측으로 굴절되는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 광학 패턴층과 상기 발광 소자층의 사이에 배치되고, 제2 경사면을 포함하는 제2 렌즈층을 더 포함하되,
    상기 제2 렌즈층의 상기 제2 경사면은 상기 차광부와 상기 일 방향으로 중첩하고,
    상기 외부 물체로부터 반사된 광 중 상기 제2 경사면에 입사된 광은 상기 투광부 측으로 굴절되는 표시 장치.
  16. 기판 상에 광학 패턴층, 제1 투광층, 및 제2 투광층을 제공하는 단계;
    상기 제2 투광층 상에 표시 패널을 제공하는 단계; 및
    상기 기판의 하부에 지문 센서층을 제공하는 단계를 포함하되,
    상기 광학 패턴층, 상기 제1 투광층, 및 상기 제2 투광층을 제공하는 단계는,
    상기 기판 상에 차광 물질층을 형성하는 단계;
    상기 차광 물질층 상에 상기 제1 투광층을 형성하는 단계;
    상기 제1 투광층을 마스크로 이용하고, 상기 차광 물질층을 식각하여 차광부 및 투광부를 형성하는 단계; 및
    상기 기판 상에 상기 투광부가 채워지고 상기 제1 투광층이 커버되도록 상기 제2 투광층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 투광층의 굴절률은 상기 제2 투광층의 굴절률보다 큰 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 투광층은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 실리콘 옥사이드(SiOx), 티타늄옥사이드(TiOx), 또는 알루미늄옥사이드(AlOx) 중 적어도 하나를 포함하는 무기 물질층 및 무기 입자를 포함하는 유기 물질층 중 하나를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 투광층은 투명한 유기 물질을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 차광부는 유기 차광 재료 또는 금속 차광 재료 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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