KR20210073652A - Canister system for high purity precursor and monitoring system capable of comfirming residue of precursor in the canister - Google Patents

Canister system for high purity precursor and monitoring system capable of comfirming residue of precursor in the canister Download PDF

Info

Publication number
KR20210073652A
KR20210073652A KR1020190163704A KR20190163704A KR20210073652A KR 20210073652 A KR20210073652 A KR 20210073652A KR 1020190163704 A KR1020190163704 A KR 1020190163704A KR 20190163704 A KR20190163704 A KR 20190163704A KR 20210073652 A KR20210073652 A KR 20210073652A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
canister
conduit
measurement result
gas
precursor
Prior art date
Application number
KR1020190163704A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
신현국
김대현
이영종
이희준
정근태
윤성한
신은영
Original Assignee
(주)지오엘리먼트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)지오엘리먼트 filed Critical (주)지오엘리먼트
Priority to KR1020190163704A priority Critical patent/KR20210073652A/en
Publication of KR20210073652A publication Critical patent/KR20210073652A/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B11/00—Automatic controllers
    • G05B11/01—Automatic controllers electric
    • G05B11/36—Automatic controllers electric with provision for obtaining particular characteristics, e.g. proportional, integral, differential
    • G05B11/42—Automatic controllers electric with provision for obtaining particular characteristics, e.g. proportional, integral, differential for obtaining a characteristic which is both proportional and time-dependent, e.g. P. I., P. I. D.
    • G—PHYSICS
    • G08—SIGNALLING
    • G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
    • G08B21/00—Alarms responsive to a single specified undesired or abnormal condition and not otherwise provided for
    • G08B21/18—Status alarms
    • G08B21/182—Level alarms, e.g. alarms responsive to variables exceeding a threshold

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Emergency Management (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

The present invention relates to a canister system for a high-purity precursor and a monitoring system capable of confirming the residue of the precursor in the same. In accordance with an embodiment of the present invention, the canister system for the high-purity precursor is a canister (110) which is able to accommodate the high-purity precursor and which comprises: a first duct (L111) which communicates with an outlet port (111) and which is able to perform a function which is selected in a moving path of purge gas, and moving path of carrier gas and gasified gas; a second duct (L112) which communicates with an inlet port (113) and which is able to perform a function which is selected in the moving path of the high-purity precursor, moving path of the purge gas, and moving path of the carrier gas; and a first flowmeter (119) which is able to measure the flow rate of a fluid moving through the first duct (L111). The first flowmeter (119) is able to measure the mass of the fluid moving through the first duct (L111) regardless of a steam pressure of the high-purity precursor accommodated in the canister (110).

Description

고순도 프리커서용 캐니스터 시스템과 프리커스의 잔존량을 알 수 있는 모니터링 시스템{Canister system for high purity precursor and monitoring system capable of comfirming residue of precursor in the canister}Canister system for high purity precursor and monitoring system capable of comfirming residue of precursor in the canister

본 발명은 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템과 프리커스의 잔존량을 알 수 있는 모니터링 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a canister system for high-purity precursors and a monitoring system capable of knowing the residual amount of precursors.

화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition) 장치 또는 원자층 증착(ALD: Atomin Layer Deposition) 장치를 위한 고순도 프리커서 사용법에는 DLI(Direct Lqiuid Injection), Bubbler, 또는 VFC(Vapor Flow Control) 방식이 사용되며, 위 사용 방식 중 Bubbler와 VFC 방식은 프리커서 보관용기(캐니스터)를 직접 가열하여 기화된 프리커서를 반응 챔버와 같은 프로세싱 유닛으로 이송하는 방식이다.DLI (Direct Lqiuid Injection), Bubbler, or VFC (Vapor Flow Control) methods are used to use high-purity precursors for chemical vapor deposition (CVD) devices or atomic layer deposition (ALD) devices. , Among the above methods, the Bubbler and VFC methods transfer the vaporized precursor to the processing unit such as the reaction chamber by directly heating the precursor storage container (canister).

도 1은 종래 캐니스터를 직접 가열하여 증기화하는 캐니스터 시스템을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a view for explaining a conventional canister system that directly heats and vaporizes the canister.

도 1을 참조하면, 종래의 캐니스터 시스템은, 프리커서를 저장하는 캐니스터(10), 캐니스터를 감싸고 있는 히터(15), 캐니스터(10)와 흐름 소통하기 위한 관로들(L11, L13), 관로들(L11, L13)과 각각 흐름 소통하도록 결합된 밸브들(V11, V12), 및 커넥터들(C11, C12)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the conventional canister system includes a canister 10 for storing a precursor, a heater 15 surrounding the canister, and conduits L11 and L13 for flow communication with the canister 10 , conduits It may include valves (V11, V12) coupled to flow communication with the (L11, L13), respectively, and connectors (C11, C12).

이러한 캐니스터 시스템은 CVD 장치 또는 ALD 장치와 같은 프로세싱 유닛(25)과 동작적으로 연결되어 매우 안정적으로 일정한 량의 기화 가스를 반도체 증착장치에게 제공해야 한다. 이를 위해서, 캐리어 가스가 이동되는 관로(L12)에 질량 흐름 제어기(MFC: Mass Flow Control)가 설치되며, MFC는 캐니스터(10)로 주입되는 캐리어 가스의 양을 조절한다. 한편, 프로세싱 유닛으로 제공되는 기화 가스의 정확한 양을 알기 위해서는, 관로(L11)를 통해서 흐르는 혼합 가스 - 캐리어 가스와 기화 가스의 혼합 - 에서의 기화 가스의 양을 정확히 측정해야 한다. 그런데, 종래 캐니스터 시스템에서는 MFC가 캐리어 가스를 공급하는 관로(L12)에 설치되어 있어서, 기화 가스의 양을 정확하게 측정할 수 없다. MFC를 혼합 가스가 배출되는 관로(L12)에 설치하려 해도, MFC는 고온에서는 사용할 수 없고, 원리적으로도 유체의 정압 비율을 이용한 열식질량유량계이므로 기화가스의 정확한 양을 측정할 수 없다. Such a canister system must be operatively connected to a processing unit 25 such as a CVD apparatus or an ALD apparatus to provide a constant amount of vaporized gas to the semiconductor deposition apparatus in a very stable manner. To this end, a mass flow controller (MFC) is installed in the conduit L12 through which the carrier gas is moved, and the MFC controls the amount of the carrier gas injected into the canister 10 . Meanwhile, in order to know the exact amount of vaporized gas supplied to the processing unit, it is necessary to accurately measure the amount of vaporized gas in the mixed gas flowing through the conduit L11 - a mixture of the carrier gas and the vaporizing gas. However, in the conventional canister system, the MFC is installed in the conduit L12 for supplying the carrier gas, and thus the amount of the vaporized gas cannot be accurately measured. Even if the MFC is installed in the pipe L12 through which the mixed gas is discharged, the MFC cannot be used at high temperatures, and in principle, it is a thermal mass flow meter using the static pressure ratio of the fluid, so the exact amount of vaporized gas cannot be measured.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 캐니스터에서 배출되는 고온의 기화가스의 양을 정확하게 측정할 수 있는 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템이 제공된다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a canister system for a high-purity precursor capable of accurately measuring the amount of high-temperature vaporized gas discharged from the canister.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 캐니스터에 잔존하는 프리커서의 잔존량을 정확하게 측정할 수 있는 모니터링 시스템이 제공된다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a monitoring system capable of accurately measuring a residual amount of a precursor remaining in a canister.

본 발명의 일 실시예에 따르면, According to one embodiment of the present invention,

고순도 프리커서용 캐니스터 시스템으로서,A canister system for a high-purity precursor comprising:

고순도 프리커서를 수용할 수 있는 캐니스터(110)로서, 상기 고순도 프리커서를 수용 또는 분배할 수 있는 2개의 포트를 구비하는 상기 캐니스터(110); A canister (110) capable of accommodating a high-purity precursor, the canister (110) having two ports capable of accommodating or dispensing the high-purity precursor;

상기 캐니스터(110)를 가열하기 위한 히터(115);a heater 115 for heating the canister 110;

상기 2개의 포트 중 아웃렛 포트(111)와 흐름 소통되고, 퍼지 가스의 이동 경로과 캐리어 가스와 기화된 가스의 이동 경로 중에서 선택된 기능을 할 수 있는 제1관로(L111);a first conduit (L111) in flow communication with the outlet port 111 among the two ports and capable of performing a function selected from the movement path of the purge gas and the movement path of the carrier gas and the vaporized gas;

상기 2개의 포트 중 인렛 포트(113)와 흐름 소통되고, 상기 고순도 프리커서의 이동 경로, 퍼지 가스의 이동 경로, 및 캐리어 가스의 이동 경로 중에서 선택된 기능을 할 수 있는 제2관로(L112);a second conduit (L112) in flow communication with the inlet port (113) among the two ports and capable of performing a function selected from the moving path of the high-purity precursor, the moving path of the purge gas, and the moving path of the carrier gas;

상기 제1관로(L111)를 통해서 이동하는 유체의 유량을 측정할 수 있는 제1유량계(119);를 포함하며,It includes; a first flow meter 119 capable of measuring the flow rate of the fluid moving through the first conduit (L111);

상기 제1유량계(119)는 상기 캐니스터(110)에 수용된 고순도 프리커서의 증기압에 무관하게 상기 제1관로(L111)를 통해서 이동하는 유체의 질량을 측정할 수 있는 것인, 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템이 제공될 수 있다. The first flowmeter 119 is capable of measuring the mass of the fluid moving through the first conduit L111 regardless of the vapor pressure of the high-purity precursor accommodated in the canister 110, high-purity precursor canister A system may be provided.

상술한 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템은, 상기 제2관로(L112)를 통해서 이동하는 유체의 유량을 측정하고 이동하는 유체의 양을 제어할 수 있는 제2유랑계를 더 포함할 수 있다. The above-described canister system for a high-purity precursor may further include a second flow meter capable of measuring the flow rate of the fluid moving through the second conduit L112 and controlling the amount of the moving fluid.

상술한 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템은, 상기 제1유량계(119)에 의해 측정된 측정결과와 설정유량범위를 비교하여 설정유량범위를 벗어나면, 공정알람신호를 생성하는 컨트롤러(121)더 포함할 수 있다. The above-described canister system for the high-purity precursor may further include a controller 121 that compares the measurement result measured by the first flow meter 119 with the set flow range and generates a process alarm signal when out of the set flow range. can

상술한 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템은, 상기 제1유량계(119)에 의해 측정된 측정결과와 설정유량범위를 비교하여 PID 제어 신호를 생성하는 컨트롤러(121)를 더 포함할 수 있다. The above-described canister system for a high-purity precursor may further include a controller 121 for generating a PID control signal by comparing the measurement result measured by the first flowmeter 119 with a set flow rate range.

상술한 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템에서, 상기 제2유량계(117)는 상기 PID 제어 신호에 기초하여 상기 제2관로(L112)를 통해서 이동하는 유체의 양을 제어할 수 있다. In the above-described canister system for a high-purity precursor, the second flow meter 117 may control the amount of fluid moving through the second conduit L112 based on the PID control signal.

상술한 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템은, 상기 제1유량계(119)의 측정 결과 - 제1측정 결과- 와 상기 제2유량계(117)의 측정 결과 - 제2측정 결과 - 를 실시간으로 수신하고, 제1측정 결과와 제2측정 결과의 차이로부터 상기 제1관로(L111)를 통해서 이동된 유체들 중에서 기화가스의 양을 산출할 수 있는 있는 모니터링 장치(123);를 더 포함할 수 있다. The above-described canister system for the high-purity precursor receives the measurement result of the first flow meter 119 - the first measurement result- and the measurement result of the second flow meter 117 - the second measurement result - in real time, and A monitoring device 123 capable of calculating the amount of vaporized gas among the fluids moved through the first conduit L111 from the difference between the first measurement result and the second measurement result; may further include.

상술한 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템에서, 상기 모니터링 장치(123)는, 산출한 상기 기화가스의 양을 이용하여 캐니스터(10)에 잔존하는 프리커서의 양을 산출할 수 있다.In the above-described canister system for a high-purity precursor, the monitoring device 123 may calculate the amount of the precursor remaining in the canister 10 using the calculated amount of the vaporized gas.

상술한 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템에서, 상기 제1유량계(119)는 제1관로(L111)를 통해서 이동하는 유체의 총 질량에 의한 주파수를 변화를 측정함으로써 유체의 질량 유량을 측정할 수 있다.In the above-described canister system for a high-purity precursor, the first flow meter 119 may measure the mass flow rate of the fluid by measuring a change in frequency due to the total mass of the fluid moving through the first conduit L111.

상술한 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템에서, 상기 제1유량계(119)는 코리올리스 질량 유량계(Coriolis MFM)일 수 있다.In the above-described canister system for a high-purity precursor, the first flowmeter 119 may be a Coriolis MFM.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 고순도 프리커서용 캐니스터 (110)에서 기화되는 기화량을 모니터링하는 모니터링 시스템에 있어서According to another embodiment of the present invention, in the monitoring system for monitoring the vaporization amount vaporized in the canister 110 for high purity precursor

제1관로(L111)를 통해서 이동하는 유체의 유량을 측정할 수 있는 제1유량계(119);a first flow meter 119 capable of measuring the flow rate of the fluid moving through the first conduit L111;

제2관로(L112)를 통해서 이동하는 유체의 유량을 측정하고 이동하는 유체의 양을 제어할 수 있는 제2유랑계; 및a second flow meter capable of measuring the flow rate of the fluid moving through the second conduit (L112) and controlling the amount of the moving fluid; and

상기 제1유량계(119)의 측정 결과 - 제1측정 결과- 와 상기 제2유량계(117)의 측정 결과 - 제2측정 결과 - 를 실시간으로 수신하고, 제1측정 결과와 제2측정 결과의 차이로부터 상기 제1관로(L111)를 통해서 이동된 유체들 중에서 기화 가스의 양을 산출하는 모니터링 장치(123);를 포함하며, The measurement result of the first flow meter 119 - the first measurement result - and the measurement result of the second flow meter 117 - the second measurement result - are received in real time, and a difference between the first measurement result and the second measurement result is received. a monitoring device 123 for calculating the amount of vaporized gas from among the fluids moved through the first conduit (L111);

상기 제1관로(L111)는 고순도 프리커서을 수용할 수 있는 캐니스터(110)에 구비되어 상기 고순도 프리커서을 수용 또는 분배할 수 있는 2개의 포트 중 아웃렛 포트(111)와 흐름 소통하고, 상기 제2관로(L112)는 상기 2개의 포트 중 인렛 포트(113)와 흐름 소통하는 것인, 모니터링 시스템이 제공될 수 있다.The first conduit L111 is provided in the canister 110 capable of accommodating the high-purity precursor to flow communication with the outlet port 111 among the two ports capable of accommodating or distributing the high-purity precursor, and the second conduit (L112) is in flow communication with the inlet port 113 of the two ports, a monitoring system may be provided.

상술한 모니터링 시스템에서, 상기 제1관로(L111)는 퍼지 가스의 이동 경로과 캐리어 가스와 기화된 가스의 이동 경로 중에서 선택된 기능을 할 수 있고, 제2관로(L112)는 상기 고순도 프리커서의 이동 경로, 퍼지 가스의 이동 경로, 및 캐리어 가스의 이동 경로 중에서 선택된 기능을 할 수 있다. In the above-described monitoring system, the first conduit L111 may function selected from a movement path of a purge gas and a movement path of a carrier gas and a vaporized gas, and the second conduit L112 is a movement path of the high-purity precursor , a movement path of the purge gas, and a movement path of the carrier gas.

상술한 모니터링 시스템에서, 상기 제1유량계(119)는 제1관로(L111)를 통해서 이동하는 유체의 총 질량에 의한 주파수의 변화를 측정함으로써 유체의 질량 유량을 측정할 수 있다.In the above-described monitoring system, the first flow meter 119 may measure the mass flow rate of the fluid by measuring a change in frequency due to the total mass of the fluid moving through the first conduit L111.

상술한 모니터링 시스템에서, 상기 제1유량계(119)는 코리올리스 질량 유량계(Coriolis MFM)일 수 있다.In the above-described monitoring system, the first flow meter 119 may be a Coriolis mass flow meter (Coriolis MFM).

상술한 모니터링 시스템에서, 상기 모니터링 장치(123)는, 산출한 상기 기화가스의 양을 이용하여 캐니스터(10)에 잔존하는 프리커서의 양을 산출할 수 있다.In the above-described monitoring system, the monitoring device 123 may calculate the amount of the precursor remaining in the canister 10 by using the calculated amount of the vaporized gas.

상술한 모니터링 시스템에서, 상기 캐니스터(110)에 수용된 고순도 프리커서은 고체 프리커서일 수 있다.In the above-described monitoring system, the high-purity precursor accommodated in the canister 110 may be a solid precursor.

본 발명의 하나 이상의 실시예들에 따르면, 고온의 기화 가스를 정확하게 측정할 수 있게 되고, 캐니스터에 잔존하는 프리커서의 양, 특히 고체 프리커서의 양도 매우 정확하게 측정할 수 있다. According to one or more embodiments of the present invention, it is possible to accurately measure the high-temperature vaporized gas, and the amount of the precursor remaining in the canister, particularly the amount of the solid precursor, can be measured very accurately.

도 1은 종래의 캐니스터 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터 시스템에 사용될 수 있는 예시적인 코리올리스 질량 유량계(Coriolis MFM)를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법을 설명하기 위한 방법이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법을 설명하기 위한 방법이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법을 설명하기 위한 방법이다.1 is a view for explaining a conventional canister system.
2 is a view for explaining a canister system according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining an exemplary Coriolis mass flow meter (Coriolis MFM) that can be used in a canister system according to an embodiment of the present invention.
4 is a method for explaining a method of monitoring an amount of vaporized gas in a canister system according to an embodiment of the present invention.
5 is a method for explaining a method of monitoring an amount of vaporized gas in a canister system according to another embodiment of the present invention.
6 is a method for explaining a method of monitoring an amount of vaporized gas in a canister system according to another embodiment of the present invention.

이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 게재될 수도 있다는 것을 의미한다.The above objects, other objects, features and advantages of the present invention will be easily understood through the following preferred embodiments in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed subject matter may be thorough and complete, and that the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art. In this specification, when a component is referred to as being on another component, it means that it may be directly formed on the other component or a third component may be interposed therebetween.

용어의 정의Definition of Terms

본원 명세서에서, 어떤 구성요소('구성요소 A'라고 함)와 다른 구성요소('구성요소 B'라고 함)가 서로 '흐름 소통'되도록 연결(또는, '결합' 또는 '설치'라고도 함)된다는 것은, 액체 및/또는 기체가 이동할 수 있도록 구성요소 A와 구성요소 B가 연결되어 있다는 것을 의미한다. In the present specification, a component (referred to as 'component A') and another component (referred to as 'component B') are connected (or referred to as 'combination' or 'installation') so as to 'flow communication' with each other By being, it is meant that component A and component B are connected so that liquid and/or gas can move.

본원 명세서에서, 어떤 구성요소('구성요소 C'라고 함)가 관로에 설치(또는 결합) 또는 관로 상에 설치(또는 결합)된다는 것은, 구성요소 C가 관로에 흐르는 유체의 속도, 양, 및/또는 압력을 측정할 수 있도록 결합되거나 또는 구성요소 C가 관로에 흐르는 유체의 양을 조절할 수 있도록 결합되는 것을 의미한다. In the present specification, that a component (referred to as 'component C') is installed (or coupled) in a conduit or installed (or coupled) on a conduit means that the component C is the velocity, amount, and / or coupled to measure the pressure, or means to be coupled to the component C to control the amount of fluid flowing in the conduit.

본원 명세서에서, 어떤 구성요소('구성요소 D'라고 함)가 다른 구성요소('구성요소 E'라고 함)에 열적으로 결합되어 있다는 것은, 구성요소 D와 구성요소 E 사이에 열이 이동될 수 있도록 결합된 것을 의미한다.As used herein, the fact that a component (referred to as 'component D') is thermally coupled to another component (referred to as 'component E') means that heat is transferred between component D and component E. It means that they are joined to be able to

본원 명세서에서, 일 실시예에 따른 '모니터링 시스템'은 제1유량계(119), 제2유량계(117), 및 모니터링 장치(123)를 포함할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, '모니터링 시스템'은 제1유량계(119), 제2유량계(117), 컨트롤러(121), 및 모니터링 장치(123)를 포함할 수 있다. In the present specification, a 'monitoring system' according to an embodiment may include a first flow meter 119 , a second flow meter 117 , and a monitoring device 123 . According to another embodiment, the 'monitoring system' may include a first flow meter 119 , a second flow meter 117 , a controller 121 , and a monitoring device 123 .

본원 명세서에서, '공급'은 캐니스터(110)에 고순도 프리커서, 퍼지 가스, 및/또는 캐리어 가스를 주입하는 것을 의미하고, '분배'는 캐니스터(110)로부터 캐리어 가스 및/또는 기화가스를 배출하는 것을 의미한다.In this specification, 'supply' means injecting a high-purity precursor, purge gas, and/or carrier gas into the canister 110 , and 'dispensing' means discharging the carrier gas and/or vaporized gas from the canister 110 . means to do

본 발명은 반도체 산업에 사용될 수 있다.The present invention can be used in the semiconductor industry.

본 발명에서 캐니스터(110)에 저장(또는 '수용'이라고도 함)된 고순도 프리커서는 예를 들면, 반도체 및 전자재료 관련된 제조 공정에서 금속박막, 질화금속박막, 산화금속박막 등을 형성하는데 사용되는 고순도 유기금속 화합물 또는 무기금속 화합물일 수 있다. In the present invention, the high-purity precursor stored (or referred to as 'accommodated') in the canister 110 is, for example, used to form a metal thin film, a metal nitride thin film, a metal oxide thin film, etc. in a manufacturing process related to semiconductors and electronic materials. It may be a high-purity organometallic compound or an inorganic metal compound.

캐니스터(110)에 저장되는 고순도 프리커서는, 본 발명의 일 실시예에 따르면 고체 프리커서일 수 있다. 구체적인 예를 들면, 본 발명에 따른 캐니스터(110)에 의해 기화되는 고순도 프리커서는 예를 들면, 붕소(B: boron), 인(P: phosphorous), 구리(Cu:copper), 갈륨(Ga:gallium), 비소(As:arsenic), 루테늄(Ru: ruthenium), 인듐(In: indium), 안티몬(Sb:antimony), 란탄(La: lanthanum), 탄탈륨(Ta: tantalum), 이리듐(Ir: iridium), 데카보란(B10H14: decaborane), 사염화 하프늄(HfCl4: hafnium tetrachloride), 사염화 지르코늄(ZrCl4: zirconium tetrachloride), 삼염화 인듐(InCl3: indium trichloride), 금속 유기 베타-디케토네이트 착물(metal organic β-diketonate complex), 사이클로펜타디에닐 사이클로헵타트리에틸 티타늄(CpTiChT:cyclopentadienyl cycloheptatrienyl titanium), 삼염화 알루미늄(AlCl3: aluminum trichloride), 요오드화 티타늄(TixIy:titanium iodide), 사이클로옥타테트라엔 사이틀로펜타디에닐 티타늄((Cot)(Cp)Ti: cyclooctatetraene cyclopentadienyltitanium), 비스(사이클로펜타디에닐)티타늄 디아지드 [bis(cyclopentadienyl)titanium diazide], 텅스텐 카르보닐(Wx(CO)y: tungsten carbonyl)(여기서, x와 y는 자연수), 비스(사이클로펜타디에닐)루테늄(II)[Ru(Cp)2: bis(cyclopentadienyl)ruthenium (II)], 삼염화 루테늄(RuCl3: ruthenium trichloride), 및/또는 텅스텐 클로라이드(WxCly)(여기서, x와 y는 자연수)을 포함하는 물질일 수 있다.The high-purity precursor stored in the canister 110 may be a solid precursor according to an embodiment of the present invention. As a specific example, the high-purity precursor vaporized by the canister 110 according to the present invention is, for example, boron (B: boron), phosphorous (P: phosphorous), copper (Cu: copper), gallium (Ga: gallium), arsenic (As: arsenic), ruthenium (Ru: ruthenium), indium (In: indium), antimony (Sb: antimony), lanthanum (La: lanthanum), tantalum (Ta: tantalum), iridium (Ir: iridium) ), decaborane (B10H14: decaborane), hafnium tetrachloride (HfCl4), zirconium tetrachloride (ZrCl4: zirconium tetrachloride), indium trichloride (InCl3: indium trichloride), metal organic beta-diketonate complex (metal organic β- diketonate complex), cyclopentadienyl cycloheptatriethyl titanium (CpTiChT: cyclopentadienyl cycloheptatrienyl titanium), aluminum trichloride (AlCl3: aluminum trichloride), titanium iodide (TixIy: titanium iodide), cyclooctatetraene cyclopentadienyl titanium ( (Cot)(Cp)Ti: cyclooctatetraene cyclopentadienyltitanium), bis(cyclopentadienyl)titanium diazide [bis(cyclopentadienyl)titanium diazide], tungsten carbonyl (Wx(CO)y: tungsten carbonyl), where x and y is a natural number), bis(cyclopentadienyl)ruthenium(II)[Ru(Cp)2: bis(cyclopentadienyl)ruthenium(II)], ruthenium trichloride (RuCl3: ruthenium trichloride), and/or tungsten chloride (WxCly)( Here, x and y may be a material including natural numbers).

본 발명에서, 캐니스터(110)에 저장된 고순도 프리커서를 기화시키기 위해서 캐니스터(110)의 인렛(또는 '입력') 포트로 주입되는 가스를 캐리어 가스라고 부르며, 캐리어 가스는 예를 들면 아르곤(Ar), 질소(N) 또는 헬륨(He)과 같은 불활성 가스일 수 있다.In the present invention, the gas injected into the inlet (or 'input') port of the canister 110 to vaporize the high-purity precursor stored in the canister 110 is called a carrier gas, and the carrier gas is, for example, argon (Ar). , may be an inert gas such as nitrogen (N) or helium (He).

본 발명에서, 캐니스터(110)에 저장된 고순도 프리커서를 기화시키기 위해서 캐니스터(110)의 인렛(또는 '입력') 포트로 주입되는 가스를 캐리어 가스라고 부르며, 캐리어 가스는 예를 들면 아르곤(Ar), 질소(N) 또는 헬륨(He)과 같은 불활성 가스일 수 있다.In the present invention, the gas injected into the inlet (or 'input') port of the canister 110 to vaporize the high-purity precursor stored in the canister 110 is called a carrier gas, and the carrier gas is, for example, argon (Ar). , may be an inert gas such as nitrogen (N) or helium (He).

본 발명에서, 캐니스터(110)의 인렛 포트(113)나 아웃렛 포트(111)와 흐름 소통되는 관로들(L111, L112, L113)과, 관로들((L111, L112, L113) 상에 설치된 밸브의 청소 등을 위해서 주입되는 가스를 퍼지 가스라고 부른다. In the present invention, the inlet port 113 or the outlet port 111 of the canister 110 and the pipelines (L111, L112, L113) in flow communication, and the pipelines (L111, L112, L113) of the valve installed on the The gas injected for cleaning, etc. is called a purge gas.

이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하도록 한다. 아래의 특정 실시예들을 기술하는데 있어서, 여러 가지의 특정적인 내용들은 발명을 더 구체적으로 설명하고 이해를 돕기 위해 작성되었다. 하지만 본 발명을 이해할 수 있을 정도로 이 분야의 지식을 갖고 있는 독자는 이러한 여러 가지의 특정적인 내용들이 없어도 사용될 수 있다는 것을 인지할 수 있다. 어떤 경우에는, 발명을 기술하는 데 있어서 흔히 알려졌으면서 발명과 크게 관련 없는 부분들은 본 발명을 설명하는 데 있어 별 이유 없이 혼돈이 오는 것을 막기 위해 기술하지 않음을 미리 언급해 둔다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In describing the specific embodiments below, various specific contents have been prepared to more specifically describe the invention and help understanding. However, a reader having enough knowledge in this field to understand the present invention may recognize that it may be used without these various specific details. In some cases, it is mentioned in advance that in describing the invention, parts that are commonly known and not largely related to the invention are not described in order to avoid confusion for no reason in explaining the invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템을 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining a canister system for a high-purity precursor according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템(이하, '캐니스터 시스템'이라고도 함)은 캐니스터(110), 제1관로(L111), 제2관로(L112), 제1유량계(119), 밸브들(V111, V112, V113), 및 제2유량계(117)를 포함할 수 있다. 2, a canister system for a high-purity precursor according to an embodiment of the present invention (hereinafter, also referred to as a 'canister system') includes a canister 110, a first pipe line L111, a second pipe line L112, It may include a first flow meter 119 , valves V111 , V112 , and V113 , and a second flow meter 117 .

캐니스터(110)에는 고순도 프리커서를 수용 또는 분배할 수 있는 적어도 2개의 포트가 구비되어 있다. 2개의 포트는 아웃렛 포트(111)(종종, '출력 포트' 라고도 함)와 인렛 포트(113)(종종, '입력 포트' 라고도 함)를 포함할 수 있다. 아웃렛 포트(111)와 인렛 포트(113)는 각각 캐니스터(110)와 흐름 소통되도록 캐니스터(110)에 결합되어 있다. 또한, 아웃렛 포트(111)와 인렛 포트(113)는 각각 제1관로(L111) 및 제2관로(L112)와 흐름 소통되도록 결합되어 있다. The canister 110 is provided with at least two ports capable of receiving or dispensing a high-purity precursor. The two ports may include an outlet port 111 (sometimes referred to as an 'output port') and an inlet port 113 (sometimes referred to as an 'input port'). The outlet port 111 and the inlet port 113 are coupled to the canister 110 in flow communication with the canister 110 , respectively. In addition, the outlet port 111 and the inlet port 113 are coupled to flow communication with the first conduit L111 and the second conduit L112, respectively.

캐니스터(110)에는 프리커서가 저장될 수 있으며, 인렛 포트(113)를 통해서 고순도 프리커서가 캐니스터(110)로 공급 또는 유입된다. 캐니스터 시스템이 프로세싱 유닛(125)과 동작적으로 연결되고, 인렛 포트(113)로 캐리어 가스가 주입되고 캐니스터(110)의 외부에 열적으로(thermally) 결합된 히터(115)에 의해 캐니스터(110)의 내부에 저장된 프리커서가 가열되면, 프리커서가 기화된 기화가스가 캐리어 가스와 함께 아웃렛 포트(111)를 통해서 출력(또는 '배기'라고도 함)된다. 출력된 가스는 제1관로(L111) 상에 설치된 제1유량계(119)를 경유하여 프로세싱 유닛(125)으로 제공될 수 있다. A precursor may be stored in the canister 110 , and a high-purity precursor is supplied or introduced into the canister 110 through the inlet port 113 . A canister system is operatively coupled to the processing unit 125 , the carrier gas is injected into the inlet port 113 and canister 110 by a heater 115 thermally coupled to the exterior of the canister 110 . When the precursor stored in the inside is heated, the vaporized gas in which the precursor is vaporized is output (or also referred to as 'exhaust') through the outlet port 111 together with the carrier gas. The output gas may be provided to the processing unit 125 via the first flow meter 119 installed on the first conduit L111.

히터(115)는 외부로부터 전기 에너지를 받아서 열을 발생시키거나 또는 열을 함유한 매체를 받아서, 캐니스터(110)를 가열할 수 있다.The heater 115 may receive electric energy from the outside to generate heat or receive a medium containing heat to heat the canister 110 .

아웃렛 포트(111)는 캐니스터(110)에 저장된 고순도 프리커서로부터 기화된 기화가스와 캐리어 가스의 혼합 가스를 제1관로(L111)를 통해서 출력할 수 있도록 캐니스터(110)와 동작적으로 결합되어 있다. 또한, 아웃렛 포트(111)는 제1관로(L111)와 흐름 소통되도록 연결되어 있다. 따라서, 캐니스터(110)로부터 출력되는 혼합 가스 - 기화 가스와 캐리어 가스의 혼합 -는 아웃렛 포트(111)와 제1관로(L111)를 순차적으로 경유하여 이동할 수 있다.The outlet port 111 is operatively coupled to the canister 110 so that the mixed gas of the vaporized gas and the carrier gas vaporized from the high-purity precursor stored in the canister 110 can be output through the first conduit L111. . In addition, the outlet port 111 is connected to flow communication with the first conduit (L111). Accordingly, the mixed gas output from the canister 110 - a mixture of the vaporized gas and the carrier gas - may sequentially move through the outlet port 111 and the first conduit L111.

인렛 포트(113)는 캐니스터(110)로 고순도 프리커서을 공급하거나, 또는 캐니스터(110)에 저장된 고순도 프리커서을 기화시키기 위해서 캐리어 가스를 제2관로(L112)를 통해서 공급받도록 캐니스터(110)와 동작적으로 결합되어 있다. 또한, 인렛 포트(113)는 제2관로(L112)와 흐름 소통되도록 연결되어 있다. 따라서, 고순도 프리커서 또는 캐리어 가스는 제2관로(L112)와 인렛 포트(113)를 순차적으로 경유하여 캐니스터(110)로 이동할 수 있다. The inlet port 113 is operative with the canister 110 to supply the high-purity precursor to the canister 110 or to receive the carrier gas through the second conduit L112 to vaporize the high-purity precursor stored in the canister 110 . is connected with In addition, the inlet port 113 is connected to flow communication with the second conduit L112. Accordingly, the high-purity precursor or carrier gas may move to the canister 110 sequentially via the second conduit L112 and the inlet port 113 .

제1관로(L111)는 유체가 이동할 수 있는 유로를 가진 구성을 가지며, 상술한 바와 같이 아웃렛 포트(111)와 흐름 소통되도록 아웃렛 포트(111)와 동작적으로 결합되어 있다. 제1관로(L111)는 퍼지 가스의 이동 경로, 혼합 가스의 이동 경로 중에서 선택된 기능을 할 수 있다. 즉, 제1관로(L111)는 선택에 따라 퍼지 가스의 이동 경로로서의 기능과, 혼합 가스의 이동경로로서의 기능을 수행할 수 있으며, 이들 기능의 선택은 밸브들의 온/오프 상태와 어떤 가스가 제공되느냐에 따라서 정해질 수 있다. 예를 들면, 밸브(V111)와 밸브(V112)가 오프된 상태이고, 밸브(V113)가 온 된 상태에서 퍼지 가스가 제2관로(L112)로 제공되면, 제1관로(L111)는 퍼지 가스의 이동경로로서의 기능을 수행할 수 있게 된다. 한편, 밸브(V111)와 밸브(V112)가 온된 상태이고, 밸브(V113)가 오프 된 상태에서 캐리어 가스가 제2관로(L112)로 제공되면, 제1관로(L111)는 혼합 가스의 이동경로로서의 기능을 수행할 수 있게 된다.The first conduit L111 has a configuration having a flow path through which the fluid can move, and is operatively coupled to the outlet port 111 to flow communication with the outlet port 111 as described above. The first conduit L111 may perform a function selected from a movement path of the purge gas and a movement path of the mixed gas. That is, the first conduit L111 may perform a function as a movement path of the purge gas and a function as a movement path of the mixed gas according to selection, and selection of these functions depends on the on/off state of the valves and what gas is provided. It can be decided depending on whether For example, when the valve V111 and the valve V112 are in an off state and the purge gas is provided to the second pipeline L112 in an on state of the valve V113, the first pipeline L111 is a purge gas It is possible to perform a function as a movement path of On the other hand, when the valve V111 and the valve V112 are in an on state and the carrier gas is provided to the second pipeline L112 in a state in which the valve V113 is turned off, the first pipeline L111 is a movement path of the mixed gas to be able to function as

제2관로(L112)는 유체가 이동할 수 있는 유로를 가진 구성을 가지며, 상술한 바와 같이 인렛 포트(113)와 흐름 소통되도록 인렛 포트(113)와 동작적으로 결합되어 있다. 제2관로(L112)는 고순도 프리커서의 이동 경로, 퍼지 가스의 이동 경로, 및 캐리어 가스의 이동 경로 중에서 선택된 기능을 할 수 있다. 즉, 제2관로(L112)는 선택에 따라 고순도 프리커서의 이동 경로로서의 기능과, 퍼지 가스의 이동경로로서의 기능과 캐리어 가스의 이동경로로서의 기능을 수행할 수 있으며, 이들 기능의 선택은 밸브들의 온/오프 상태와 어떤 가스가 제공되느냐에 따라서 정해질 수 있다. 예를 들면, 밸브(V113)가 오프된 상태이고, 밸브(V111)와 밸브(V112)가 온 된 상태에서 고순도 프리커서이 제2관로(L112)로 제공되면, 제2관로(L112)는 고순도 프리커서의 이동경로로서의 기능을 수행할 수 있게 된다. 한편, 밸브(V111)와 밸브(V112)가 오프된 상태이고, 밸브(V113)가 온 된 상태에서 퍼지 가스가 제2관로(L112)로 제공되면, 제2관로(L112)는 퍼지 가스의 이동경로로서의 기능을 수행할 수 있게 된다. 또한, 밸브(V111)와 밸브(V112)가 온된 상태이고, 밸브(V113)가 오프 된 상태에서 캐리어 가스가 제2관로(L112)로 제공되면, 제2관로(L112)는 캐리어 가스의 이동경로로서의 기능을 수행할 수 있게 된다.The second conduit L112 has a configuration having a flow path through which the fluid can move, and is operatively coupled to the inlet port 113 so as to be in flow communication with the inlet port 113 as described above. The second conduit L112 may have a function selected from a movement path of a high-purity precursor, a movement path of a purge gas, and a movement path of a carrier gas. That is, the second conduit L112 may perform a function as a movement path of the high-purity precursor, a function as a movement path of a purge gas, and a function as a movement path of a carrier gas, depending on selection, and selection of these functions is a function of the valves It may be determined depending on the on/off state and what gas is provided. For example, when the valve V113 is in an off state and the high-purity precursor is provided to the second pipeline L112 in an on-state of the valve V111 and the valve V112, the second pipeline L112 is a high-purity free It becomes possible to perform a function as a movement path of the cursor. On the other hand, when the valve V111 and the valve V112 are off and the purge gas is provided to the second pipe line L112 while the valve V113 is on, the second pipe line L112 moves the purge gas It can function as a path. In addition, when the valve V111 and the valve V112 are in an on state and the carrier gas is provided to the second pipeline L112 in a state in which the valve V113 is turned off, the second pipeline L112 is a movement path of the carrier gas. to be able to function as

제3관로(L113)는 유체가 이동할 수 있는 유로를 가진 구성을 가지며, 제1관로(L111) 및 제2관로(L112)와 흐름 소통 가능하도록 제1관로(L111) 및 제2관로(L112)와 동작적으로 결합되어 있다. 제3관로(L113)는 예를 들면 퍼지 가스의 이동경로로서의 기능을 수행할 수 있다. The third conduit (L113) has a configuration having a flow path through which the fluid can move, and the first conduit (L111) and the second conduit (L112) to enable flow communication with the first conduit (L111) and the second conduit (L112). is operatively associated with The third conduit L113 may function as a movement path of the purge gas, for example.

제1유량계(119)는 제1관로(L111)를 통해서 이동하는 유체의 유량을 측정할 수 있도록 제1관로(L111) 상에 결합되어 있다. 여기서, 유체는 예를 들면 혼합 가스 - 캐리어 가스와 기화 가스의 혼합 - 일 수 있다. The first flow meter 119 is coupled on the first pipe line L111 to measure the flow rate of the fluid moving through the first pipe line L111. Here, the fluid may be, for example, a mixed gas - a mixture of a carrier gas and a vaporizing gas.

일 실시예에 따르면, 제1유량계(119)는 캐니스터(110)에 수용된 고순도 프리커서의 증기압과 무관하게 제1관로(L111)를 통해서 이동하는 유체의 질량을 정확하게 측정할 수 있도록 구성되어 있다. 예를 들면, 제1유량계(119)는 코리올리스 질량 유량계(Coriolis MFM)일 수 있다. According to an embodiment, the first flow meter 119 is configured to accurately measure the mass of the fluid moving through the first conduit L111 irrespective of the vapor pressure of the high-purity precursor accommodated in the canister 110 . For example, the first flow meter 119 may be a Coriolis mass flow meter (Coriolis MFM).

코리올리스 질량 유량계(Coriolis MFM)는, 혼합 가스의 총 질량에 의한 주파수 변화를 측정함으로써 혼합 가스의 질량 유량을 구할 수 있도록 구성되어 있다. 따라서, 코리올리스 질량 유량계(Coriolis MFM)는 프리커스 고온(120도 이상)에서도 혼합 가스의 질량 유량을 정확하게 측정할 수 있다.A Coriolis mass flow meter (Coriolis MFM) is comprised so that the mass flow rate of mixed gas can be calculated|required by measuring the frequency change by the total mass of mixed gas. Therefore, the Coriolis MFM can accurately measure the mass flow rate of the mixed gas even at a high temperature (120°C or higher) of the precurs.

코리올리스 질량 유량계(Coriolis MFM)는 종래 다양한 형태로 공개된 기구이다. 예를 들면, 미국공개공보 US20130319134A1(Coriolis mass flow meter)에 코리올리스 질량 유량계가 공개되어 있고, 이 문헌에 공개된 코리올리스 질량 유량계는 본원 발명과 상충되지 않는 한도 내에서 본원 명세서의 일부로서 결합된다. A Coriolis mass flow meter (Coriolis MFM) is a conventionally disclosed instrument in various forms. For example, a Coriolis mass flow meter is disclosed in US Publication No. US20130319134A1 (Coriolis mass flow meter), the Coriolis mass flow meter disclosed in this document is hereby incorporated as a part of this specification to the extent that it does not conflict with the present invention. .

다른 예를 들면, 웹 사이트(https://www.sciencedirect.com/topics/engineering/coriolis-flowmeter)에도 코리올리스 질량 유량계에 대한 기술이 공개되어 있고, 이 웹 사이트에 공개된 코리올리스 질량 유량계는 본원 발명과 상충되지 않는 한도 내에서 본원 명세서의 일부로서 결합된다.As another example, the website (https://www.sciencedirect.com/topics/engineering/coriolis-flowmeter) also discloses a technology for a Coriolis mass flowmeter, and the Coriolis mass flowmeter disclosed on this website is To the extent not in conflict with the present invention, it is incorporated as a part of this specification.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터 시스템에 사용될 수 있는 코리올리스 질량 유량계(Coriolis MFM)를 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining a Coriolis mass flow meter (Coriolis MFM) that can be used in a canister system according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 코리올리스 질량 유량계(Coriolis MFM)는, 제1관로(L111)에 삽입되는 형태로 결합될 수 있다. Referring to FIG. 3 , the present Coriolis mass flow meter (Coriolis MFM) may be coupled to the first conduit L111.

한편, 코리올리스 질량 유량계(Coriolis MFM)는, 제1관로(L111)의 방향과 90도 방향의 적어도 반구 형태의 튜브들, 주파스 측정을 위한 2개의 전자기 센서들, 온도 센서, 반구 형태의 튜브들 진동(ocillation)을 발생시키기 위한 2개의 전자기 오실레이터, 및 센서에 의해 감지된 신호들을 표준 출력 신호로 변환할 수 있는 트랜스미터를 포함할 수 있다. On the other hand, the Coriolis mass flow meter (Coriolis MFM) includes at least hemispherical tubes in the direction of the first pipe line L111 and 90 degrees in the direction, two electromagnetic sensors for frequency measurement, a temperature sensor, and a hemispherical tube. two electromagnetic oscillators for generating field oscillations, and a transmitter capable of converting signals sensed by the sensor into a standard output signal.

제2유량계(117)는 'MFC(MASS FLOW CONTOLLER)'고 불리우는 기기로서, 제2관로(L112)를 통해서 이동하는 유체의 유량을 측정하고 유량의 이동 양을 제어할 수 있도록 제2관로(L112) 상에 결합되어 있다. 여기서, 유체는 고순도 프리커서, 캐리어 가스, 또는 퍼지 가스일 수 있다. 제2유량계(117)는 예를 들면 열식질량유량계와 같이 유체의 정압 비열을 이용하여 질량 유량을 구하는 기기일 수 있다.The second flow meter 117 is a device called 'MFC (MASS FLOW CONTOLLER)', and measures the flow rate of the fluid moving through the second pipe line L112 and controls the amount of movement of the flow rate. ) is bound to the Here, the fluid may be a high-purity precursor, a carrier gas, or a purge gas. The second flow meter 117 may be, for example, a device for obtaining a mass flow rate using the static pressure specific heat of a fluid, such as a thermal mass flow meter.

밸브들은 제1관로(L111) 상에 결합된 제1밸브(V111), 제2관로(L112) 상에 결합된 제2밸브(V112), 및 제3관로(L113) 상에 결합된 제3밸브(V113)를 포함할 수 있다.The valves are a first valve (V111) coupled on the first pipe line (L111), a second valve (V112) coupled on the second pipe line (L112), and a third valve coupled on the third pipe line (L113) (V113) may be included.

제1밸브(V111)는 제1관로(L111)를 통해서 이동되는 유체의 흐름을 차단하거나 또는 허용할 수 있도록 구성되고, 제2밸브(V112)는 제2관로(L112)를 통해서 이동되는 유체의 흐름을 차단하거나 허용할 수 있도록 구성되고, 제3밸브(V113)는 제3관로(L113)를 통해서 이동되는 유체의 흐름을 차단하거나 허용할 수 있도록 구성된다. 본원 발명이 속하는 기술분야에 속하는 자(이하, '당업자')는 이들 밸브들을 1개의 몸체 또는 각각 별개의 몸체로 구성할 수 있을 것이다. The first valve (V111) is configured to block or allow the flow of the fluid moving through the first conduit (L111), and the second valve (V112) is the fluid moving through the second conduit (L112). It is configured to block or allow the flow, and the third valve (V113) is configured to block or allow the flow of the fluid moving through the third conduit (L113). Those skilled in the art to which the present invention pertains (hereinafter, 'those skilled in the art') will be able to configure these valves as one body or each separate body.

상술한 바와 같이, 상술한 3개의 밸브들 중에서, 고순도 프리커서이 캐니스터(110)로 공급되는 모드에서는 제1밸브(V111)만이 개방된 상태이고, 퍼지 가스로 관로들이나 밸브들을 세정하는 모드에서는 제3밸브(V113)만이 개방된 상태이며, 캐리어 가스를 주입하여 고순도 프리커서을 기화시키는 모드에서는 제1밸브(V111)와 제2밸브(V112)만 개방된 상태이다. As described above, among the above-described three valves, only the first valve V111 is in an open state in the mode in which the high-purity precursor is supplied to the canister 110, and in the mode in which the pipelines or valves are cleaned with the purge gas, the third Only the valve V113 is in an open state, and only the first valve V111 and the second valve V112 are opened in a mode in which the high-purity precursor is vaporized by injecting a carrier gas.

일 실시예에 따른 컨트롤러(121)는 제1유량계(119)에 의해 측정된 측정결과와 설정유량범위를 비교하여 설정유량범위를 벗어나면, 공정알람신호를 생성할 수 있다. The controller 121 according to an exemplary embodiment compares the measurement result measured by the first flowmeter 119 with the set flow rate range, and when out of the set flow rate range, it may generate a process alarm signal.

예를 들면, 설정유량범위는 혼합가스의 유량의 범위 또는 혼합가스에 포함된 기화가스의 유량의 범위로 정의될 수 있다. 한편, 혼합가스의 유량의 범위는 예를 들면 혼합가스의 질량 또는 부피로 정의될 수 있고, 기화가스의 유량의 범위는 예를 들면 기화가스의 질량 또는 부피로 정의될 수 있다.For example, the set flow rate range may be defined as a flow rate range of the mixed gas or a flow rate range of the vaporized gas included in the mixed gas. Meanwhile, the range of the flow rate of the mixed gas may be defined as, for example, the mass or volume of the mixed gas, and the range of the flow rate of the vaporized gas may be defined as, for example, the mass or volume of the vaporized gas.

공정알람신호는 관리자의 관리하에 있는 알람장치(미 도시)로 인식가능한 형태로 변환되어 제공된다. 알람장치(미 도시)는 컨트롤러(121)와 유선 및/또는 무선으로 통신 가능하게 연결되어 있고, 관리자가 인식 가능한 형태(시각이나 음성)로 표시할 수 있다. 예를 들면, 알람장치(미 도시)는 PDA와 같은 무선단말기나 또는 본 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템이 설치된 장소에 디스플레이부를 구비한 컴퓨터의 형태로 설치될 수 있다. The process alarm signal is converted into a form recognizable by an alarm device (not shown) under the management of the manager and provided. The alarm device (not shown) is communicatively connected to the controller 121 by wire and/or wirelessly, and may be displayed in a form (visual or voice) recognizable by an administrator. For example, the alarm device (not shown) may be installed in a wireless terminal such as a PDA or a computer having a display unit at a place where the present high-purity precursor canister system is installed.

설정유량범위는 당업자에 의해 적절하게 정의될 수 있을 것이다. 예를 들면, 혼합가스에 포함된 기화 가스가 과도하게 많거나 적을 경우, 공정알람신호를 생성하도록 설정하는 것이 바람직하다. The set flow rate range may be appropriately defined by those skilled in the art. For example, when the amount of vaporized gas included in the mixed gas is excessively large or small, it is preferable to set to generate a process alarm signal.

일 실시예에 따른 컨트롤러(121)는, 또한, 제1유량계(119)에 의해 측정된 측정결과와 설정유량범위를 비교하여 PID 제어 신호를 생성할 수 있다. 컨트롤러(121)에 의해 생성된 PID 제어 신호에 기초하여, 제2관로(L112)를 통해서 이동되는 유체의 양이 제어될 수 있다. The controller 121 according to an embodiment may also generate a PID control signal by comparing the measurement result measured by the first flow meter 119 with a set flow rate range. Based on the PID control signal generated by the controller 121 , the amount of fluid moved through the second conduit L112 may be controlled.

예를 들면, PID 제어 신호는 제2유량계(117)에 제공되며, 제2유량계(117)는 그러한 PID 제어 신호에 따라서 제2관로(L112)에 흐르는 유체의 양을 조절한다.For example, the PID control signal is provided to the second flow meter 117 , and the second flow meter 117 adjusts the amount of fluid flowing in the second conduit L112 according to the PID control signal.

제1유량계(119)에 의해 측정된 측정결과가 혼합 가스에 포함된 기화 가스의 양이 설정유량범위를 넘어서는 경우, 컨트롤러(121)는 제1관로(L111)를 통해서 제공되는 캐리어 가스의 양을 감소시키는 PID 제어신호를 생성할 수 있을 것이다. When the measurement result measured by the first flow meter 119 shows that the amount of vaporized gas included in the mixed gas exceeds the set flow range, the controller 121 controls the amount of the carrier gas provided through the first conduit L111. It may be possible to generate a decreasing PID control signal.

한편, 도 2에는 도시되어 있지 않지만, 컨트롤러(121)는 또한 제2유량계(117)의 측정 결과를 실시간으로 수신하도록 구성될 수 있다. 대안으로(alternatively), 제2유량계(117)의 측정 결과는 별도로 마련된 컴퓨터(미 도시)와 같은 장치나 모니터링 장치(123)에게 직접 제공될 수 있다. Meanwhile, although not shown in FIG. 2 , the controller 121 may also be configured to receive the measurement result of the second flow meter 117 in real time. Alternatively, the measurement result of the second flow meter 117 may be provided directly to a device such as a computer (not shown) provided separately or to the monitoring device 123 .

모니터링 장치(123)는 캐니스터(110)에 잔존하는 프리커서의 양을 알 수 있다. 이는, 특히 고체 프리커서가 사용되는 경우에 매우 유용하다.The monitoring device 123 may know the amount of the precursor remaining in the canister 110 . This is very useful, especially when a solid precursor is used.

모니터링 장치(123)는, 제1유량계(119)의 측정 결과 - 제1측정 결과- 와 제2유량계(117)의 측정 결과 - 제2측정 결과 - 를 실시간으로 수신하고, 제1측정 결과와 제2측정 결과의 차이로부터 기화가스의 양을 산출하며, 기화가스의 양을 이용하여 프리커서의 잔존량을 산출할 수 있다. The monitoring device 123 receives, in real time, the measurement result of the first flow meter 119 - the first measurement result - and the measurement result of the second flow meter 117 - the second measurement result - in real time, the first measurement result and the second measurement result. The amount of vaporized gas is calculated from the difference between the two measurement results, and the residual amount of the precursor can be calculated using the amount of vaporized gas.

모니터링 장치(123)는, 또한, 산출한 기화가스의 양(질량 및/또는 부피)을 시간에 따라 저장하고, 관리자가 인식가능한 형태로 표시할 수 있다. The monitoring device 123 may also store the calculated amount (mass and/or volume) of the vaporized gas over time, and display it in a form recognizable by an administrator.

모니터링 장치(123)는, 캐니스터(110)에 처음 저장된 프리커서의 양은 이미 알려져 있기 때문에, 기화 가스의 양을 알면 캐니스터(110)에 잔존하는 프리커의 양을 산출 수 있다. Since the amount of the precursor initially stored in the canister 110 is already known, the monitoring device 123 may calculate the amount of the precursor remaining in the canister 110 if the amount of vaporized gas is known.

모니터링 장치(123)는, 제1측정 결과와 제2측정 결과를 직접 또는 통신망(유선 및/또는 무선으로 구성된 통신망)을 통해서 컨트롤러(121)로부터 제공받거나 또는 별도로 마련된 컴퓨터와 같은 장치로부터 제공받을 수 있을 것이다. The monitoring device 123 may receive the first measurement result and the second measurement result from the controller 121 directly or through a communication network (wired and/or wireless communication network), or may be provided from a device such as a computer provided separately. There will be.

프로세싱 유닛(125)은 캐니스터 시스템으로부터 출력되는 기화 가스를 사용하는 장치로서, 예를 들면 화학기상증착장치(CVD)와 같은 반도체 증착장치일 수 있으나, 이에 한정되는 않는다.The processing unit 125 is a device using vaporized gas output from the canister system, and may be, for example, a semiconductor deposition device such as a chemical vapor deposition (CVD), but is not limited thereto.

커넥터들은 제1커넥터(C111)와 제2커넥터(C112)를 포함하며, 제1커넥터(C111)는 제1관로(L111)와 캐니스터(110)와 분리가능하도록 결합하기 위한 것이고, 제2커넥터(C112)는 제2관로(L112)와 캐니스터(110)를 분리가능하도록 결합하기 위한 것이다. 구체적으로, 제1커넥터(C111)는 제1관로(L111)와 캐니스터(110)의 아웃렛과 분리가능하도록 결합하기 위한 것이고 제2커넥터(C112)는 제2관로(L112)와 캐니스터(110)의 인렛과 분리가능하도록 결합하기 위한 것이다.The connectors include a first connector (C111) and a second connector (C112), the first connector (C111) is for detachably coupling the first conduit (L111) and the canister (110), and a second connector ( C112 is for detachably coupling the second conduit L112 and the canister 110 . Specifically, the first connector C111 is for detachably coupling the first conduit L111 and the outlet of the canister 110, and the second connector C112 is the second conduit L112 and the canister 110. It is intended to be detachably coupled to the inlet.

본 발명의 일 실시예에 따른 모니터링 시스템은 제1유량계(119), 제2유량계(117), 및 모니터링 장치(123)를 포함할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, '모니터링 시스템'은 제1유량계(119), 제2유량계(117), 컨트롤러(121), 및 모니터링 장치(123)를 포함할 수 있다. A monitoring system according to an embodiment of the present invention may include a first flow meter 119 , a second flow meter 117 , and a monitoring device 123 . According to another embodiment, the 'monitoring system' may include a first flow meter 119 , a second flow meter 117 , a controller 121 , and a monitoring device 123 .

본 발명의 일 실시예에 따른 모니터링 시스템은, 제1유량계(119), 제2유량계(117), 컨트롤러(121), 및/또는 모니터링 장치(123)를 포함하도록 구성되어, 도 4을 참조하여 설명할 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법들을 수행하도록 구성될 수 있다. The monitoring system according to an embodiment of the present invention is configured to include a first flow meter 119 , a second flow meter 117 , a controller 121 , and/or a monitoring device 123 , with reference to FIG. 4 . and may be configured to perform methods of monitoring an amount of vaporized gas in the described canister system.

본 발명의 다른 실시예에 따른 모니터링 시스템은, 제1유량계(119), 제2유량계(117), 컨트롤러(121), 및/또는 모니터링 장치(123)를 포함하도록 구성되어, 도 5을 참조하여 설명할 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법들을 수행하도록 구성될 수 있다. The monitoring system according to another embodiment of the present invention is configured to include a first flow meter 119 , a second flow meter 117 , a controller 121 , and/or a monitoring device 123 , with reference to FIG. 5 . and may be configured to perform methods of monitoring an amount of vaporized gas in the described canister system.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 모니터링 시스템은, 제1유량계(119), 제2유량계(117), 컨트롤러(121), 및/또는 모니터링 장치(123)를 포함하도록 구성되어, 도 6을 참조하여 설명할 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법들을 수행하도록 구성될 수 있다. A monitoring system according to another embodiment of the present invention is configured to include a first flow meter 119 , a second flow meter 117 , a controller 121 , and/or a monitoring device 123 , see FIG. 6 . and methods for monitoring an amount of vaporized gas in a canister system, which will be described below.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법의 일 실시예를 설명하기 위한 방법이다.4 is a method for explaining an embodiment of a method for monitoring an amount of vaporized gas in a canister system according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법은, 캐니스터(110)의 아웃렛 포트(111)로부터 배기되는 혼합가스의 유량을 측정하는 단계(S101), 캐니스터(110)의 인렛 포트(113)로 공급되는 캐리어 가스의 유량을 측정하는 단계(S103), 및 S101 단계에서 측정된 혼합 가스의 유량과 S103 단계에서 측정된 캐리어 가스의 유량의 차이로부터 기화 가스의 양을 산출하고, 시간에 따른 기화 가스의 양을 모니터링하는 단계(S105)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the method of monitoring the amount of vaporized gas in the canister system according to an embodiment of the present invention includes measuring the flow rate of the mixed gas exhausted from the outlet port 111 of the canister 110 ( S101), measuring the flow rate of the carrier gas supplied to the inlet port 113 of the canister 110 (S103), and the difference between the flow rate of the mixed gas measured in step S101 and the flow rate of the carrier gas measured in step S103 It may include calculating the amount of vaporized gas from the and monitoring the amount of vaporized gas over time (S105).

본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법은, 또한, S101 단계에서 측정된 혼합 가스의 유량과 설정유량범위를 비교하는 단계(S201)와 S201 단계에서 비교 결과 혼합 가스의 유량이 설정유량범위를 벗어나는 경우, 공정 알람 신호를 생성하는 단계(S203), 및 관리자에게 공정 알람 신호를 표시하는 단계(S205)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 설정유량범위는 상술한바가 있지만, 혼합가스의 유량의 범위 또는 혼합가스에 포함된 기화가스의 유량의 범위로 정의될 수 있다. In the method of monitoring the amount of vaporized gas in the canister system according to an embodiment of the present invention, the comparison result in steps S201 and S201 of comparing the flow rate of the mixed gas measured in step S101 and the set flow range range When the flow rate of the mixed gas is out of the set flow rate range, the method may further include generating a process alarm signal (S203), and displaying the process alarm signal to an administrator (S205). Here, the set flow rate range has been described above, but may be defined as a flow rate range of the mixed gas or a range of a flow rate of vaporized gas included in the mixed gas.

본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법은, 또한, S201 단계에서 비교 결과 혼합 가스의 유량이 설정유량 범위를 벗어나는 경우, 인렛 포트(113)로 제공되는 캐리어 가스의 유량을 제어하는 단계(S202)를 더 포함할 수 있다. In the method of monitoring the amount of vaporized gas in the canister system according to an embodiment of the present invention, when the flow rate of the mixed gas is out of the set flow range as a result of comparison in step S201, the carrier provided to the inlet port 113 It may further include the step (S202) of controlling the flow rate of the gas.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법을 설명하기 위한 방법이다.5 is a method for explaining a method of monitoring an amount of vaporized gas in a canister system according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법은, 캐니스터(110)의 아웃렛 포트(111)로부터 배기되는 혼합가스의 유량을 측정하는 단계(S101), 캐니스터(110)의 인렛 포트(113)로 공급되는 캐리어 가스의 유량을 측정하는 단계(S103), 및 S101 단계에서 측정된 혼합 가스의 유량과 S103 단계에서 측정된 캐리어 가스의 유량의 차이로부터 기화 가스의 양을 산출하고, 시간에 따른 기화 가스의 양을 모니터링하는 단계(S105)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the method of monitoring the amount of vaporized gas in the canister system according to an embodiment of the present invention includes measuring the flow rate of the mixed gas exhausted from the outlet port 111 of the canister 110 ( S101), measuring the flow rate of the carrier gas supplied to the inlet port 113 of the canister 110 (S103), and the difference between the flow rate of the mixed gas measured in step S101 and the flow rate of the carrier gas measured in step S103 It may include calculating the amount of vaporized gas from the and monitoring the amount of vaporized gas over time (S105).

본 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법은, 또한, S105 단계에서 산출된 기화가스의 양과 설정유량범위를 비교하고, S105 단계에서 산출된 기화가스의 양이 설정유량범위를 벗어나는 경우 공정 알람 신호를 생성하는 단계(S107), 및 관리자에게 공정 알람 신호를 표시하는 단계(S109)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 설정유량범위는 기화가스의 유량의 범위로 정의된 것일 수 있다.The method of monitoring the amount of vaporized gas in the canister system according to this embodiment also compares the amount of vaporized gas calculated in step S105 with the set flow range, and the amount of vaporized gas calculated in step S105 is within the set flow range It may further include the step of generating a process alarm signal (S107), and displaying the process alarm signal to the manager (S109) when out of the. Here, the set flow rate range may be defined as the flow rate range of the vaporized gas.

본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법은, S101 단계에서 측정된 혼합 가스의 유량과 설정유량범위를 비교하는 단계(S201)와, S201 단계에서 비교한 결과 혼합 가스의 유량이 설정유량범위를 벗어나는 경우, 인렛 포트(113)로 제공되는 캐리어 가스의 유량을 제어하는 단계(S202)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 설정유량범위는 혼합가스의 유량의 범위로 정의된 것일 수 있다.In the method of monitoring the amount of vaporized gas in the canister system according to an embodiment of the present invention, comparing the flow rate of the mixed gas measured in step S101 with the set flow range (S201) and the result of comparing in step S201 When the flow rate of the mixed gas is out of the set flow rate range, the method may further include controlling the flow rate of the carrier gas provided to the inlet port 113 ( S202 ). Here, the set flow rate range may be defined as a flow rate range of the mixed gas.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법을 설명하기 위한 방법이다.6 is a method for explaining a method of monitoring an amount of vaporized gas in a canister system according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법은, 캐니스터(110)의 아웃렛 포트(111)로부터 배기되는 혼합가스의 유량을 측정하는 단계(S101), 캐니스터(110)의 인렛 포트(113)로 공급되는 캐리어 가스의 유량을 측정하는 단계(S103), 및 S101 단계에서 측정된 혼합 가스의 유량과 S103 단계에서 측정된 캐리어 가스의 유량의 차이로부터 기화 가스의 양을 산출하고, 시간에 따른 기화 가스의 양을 모니터링하는 단계(S105)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the method of monitoring the amount of vaporized gas in the canister system according to an embodiment of the present invention includes measuring the flow rate of the mixed gas exhausted from the outlet port 111 of the canister 110 ( S101), measuring the flow rate of the carrier gas supplied to the inlet port 113 of the canister 110 (S103), and the difference between the flow rate of the mixed gas measured in step S101 and the flow rate of the carrier gas measured in step S103 It may include calculating the amount of vaporized gas from the and monitoring the amount of vaporized gas over time (S105).

본 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법은, 또한, S105 단계에서 산출된 기화가스의 양과 설정유량범위를 비교하고, S105 단계에서 산출된 기화가스의 양이 설정유량범위를 벗어나는 경우 공정 알람 신호를 생성하는 단계(S107), 및 관리자에게 공정 알람 신호를 표시하는 단계(S109)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 설정유량범위는 기화가스의 유량의 범위로 정의된 것일 수 있다.The method of monitoring the amount of vaporized gas in the canister system according to this embodiment also compares the amount of vaporized gas calculated in step S105 and the set flow range, and the amount of vaporized gas calculated in step S105 is within the set flow range The method may further include a step of generating a process alarm signal (S107) and displaying the process alarm signal to an administrator (S109) when it is out of range. Here, the set flow rate range may be defined as a flow rate range of the vaporized gas.

본 발명의 일 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 모니터링하는 방법은, S105 단계에서 산출된 기화가스의 양과 설정유량범위를 비교하는 단계(S201)와, S201 단계에서 비교한 결과 기화 가스의 유량이 설정유량범위를 벗어나는 경우, 인렛 포트(113)로 제공되는 캐리어 가스의 유량을 제어하는 단계(S202)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 설정유량범위는 기화가스의 유량의 범위로 정의된 것일 수 있다.The method of monitoring the amount of vaporized gas in the canister system according to an embodiment of the present invention includes the step of comparing the amount of vaporized gas calculated in step S105 with the set flow range (S201), and the comparison result in step S201 is vaporized When the flow rate of the gas is out of the set flow rate range, the method may further include controlling the flow rate of the carrier gas provided to the inlet port 113 ( S202 ). Here, the set flow rate range may be defined as a flow rate range of the vaporized gas.

상술한 본 발명의 다양한 실시예에 따른 캐니스터 시스템에서의 기화 가스의 양을 측정하고 모니터링하는 방법들은 예를 들면 도 2와 도 3을 참조하여 설명한 캐니스터 시스템의 실시예들에 의해 구현될 수 있다. The above-described methods for measuring and monitoring the amount of vaporized gas in the canister system according to various embodiments of the present invention may be implemented, for example, by the embodiments of the canister system described with reference to FIGS. 2 and 3 .

상기와 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되지 않는다. 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상술한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, although the present invention has been described with reference to the limited embodiments and drawings, the present invention is not limited to the above embodiments. Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will understand that various modifications and variations are possible from the above description. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the following claims as well as the claims and equivalents.

10, 110: 캐니스터
11, 111: 아웃렛 포트
13, 113: 인렛 포트
15, 115: 히터
17, 117: 제2유량계(MFC)
119: 제1유량게(MFM)
121: 컨트롤러
123: 모니터링 장치
25, 125: 프로세싱 유닛
V11, V12, V111, V112, V113: 밸브
L11, L12, L111, L112, L113: 관로
C11, C12, C111, C112: 커넥터10, 110: canister
11, 111: outlet port
13, 113: inlet port
15, 115: heater
17, 117: second flow meter (MFC)
119: first flow gauge (MFM)
121: controller
123: monitoring device
25, 125: processing unit
V11, V12, V111, V112, V113: valve
L11, L12, L111, L112, L113: pipeline
C11, C12, C111, C112: Connector

Claims (7)

고순도 프리커서용 캐니스터 시스템으로서,
고순도 프리커서을 수용할 수 있는 캐니스터(110)로서, 상기 고순도 프리커서을 수용 또는 분배할 수 있는 2개의 포트를 구비하는 상기 캐니스터(110);
상기 캐니스터(110)를 가열하기 위한 히터(115);
상기 2개의 포트 중 아웃렛 포트(111)와 흐름 소통되고, 퍼지 가스의 이동 경로과 캐리어 가스와 기화된 가스의 이동 경로 중에서 선택된 기능을 할 수 있는 제1관로(L111);
상기 2개의 포트 중 인렛 포트(113)와 흐름 소통되고, 상기 고순도 프리커서의 이동 경로, 퍼지 가스의 이동 경로, 및 캐리어 가스의 이동 경로 중에서 선택된 기능을 할 수 있는 제2관로(L112);
상기 제1관로(L111)를 통해서 이동하는 유체의 유량을 측정할 수 있는 제1유량계(119);를 포함하며,
상기 제1유량계(119)는 상기 캐니스터(110)에 수용된 고순도 프리커서의 증기압에 무관하게 상기 제1관로(L111)를 통해서 이동하는 유체의 질량을 측정할 수 있는 것인, 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템.A canister system for a high-purity precursor comprising:
A canister 110 capable of accommodating a high-purity precursor, the canister 110 having two ports capable of accommodating or dispensing the high-purity precursor;
a heater 115 for heating the canister 110;
a first conduit (L111) in flow communication with the outlet port 111 among the two ports and capable of performing a function selected from a movement path of a purge gas and a movement path of a carrier gas and vaporized gas;
a second conduit (L112) in flow communication with the inlet port (113) among the two ports and capable of performing a function selected from a movement path of the high-purity precursor, a movement path of a purge gas, and a movement path of a carrier gas;
It includes; a first flow meter 119 capable of measuring the flow rate of the fluid moving through the first conduit (L111);
The first flowmeter 119 is capable of measuring the mass of the fluid moving through the first conduit L111 regardless of the vapor pressure of the high-purity precursor accommodated in the canister 110, high-purity precursor canister system. 제1항에 있어서,
상기 제2관로(L112)를 통해서 이동하는 유체의 유량을 측정하고 이동하는 유체의 양을 제어할 수 있는 제2유랑계;를 더 포함하는 것인, 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템.According to claim 1,
A second flow meter capable of measuring the flow rate of the fluid moving through the second conduit (L112) and controlling the amount of the moving fluid; further comprising a canister system for high-purity precursors. 제1항에 있어서,
상기 제1유량계(119)에 의해 측정된 측정결과와 설정유량범위를 비교하여 설정유량범위를 벗어나면, 공정알람신호를 생성하는 컨트롤러(121);를 더 포함하는 것인, 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템.According to claim 1,
Comparing the measurement result measured by the first flow meter 119 and the set flow range, when out of the set flow range, the controller 121 generates a process alarm signal; system. 제1항에 있어서,
상기 제1유량계(119)에 의해 측정된 측정결과와 설정유량범위를 비교하여 PID 제어 신호를 생성하는 컨트롤러(121); 를 더 포함하며,
상기 제2유량계(117)는 상기 PID 제어 신호에 기초하여 상기 제2관로(L112)를 통해서 이동하는 유체의 양을 제어하는 것인, 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템.According to claim 1,
a controller 121 for generating a PID control signal by comparing the measurement result measured by the first flowmeter 119 with a set flow rate range; further comprising,
The second flow meter 117 is to control the amount of fluid moving through the second conduit (L112) based on the PID control signal, high purity precursor canister system. 제2항에 있어서,
상기 제1유량계(119)의 측정 결과 - 제1측정 결과- 와 상기 제2유량계(117)의 측정 결과 - 제2측정 결과 - 를 실시간으로 수신하고, 제1측정 결과와 제2측정 결과의 차이로부터 상기 제1관로(L111)를 통해서 이동된 유체들 중에서 기화가스의 양을 산출할 수 있는 있는 모니터링 장치(123);를 더 포함하는 것인, 고순도 프리커서용 캐니스터 시스템.3. The method of claim 2,
The measurement result of the first flow meter 119 - the first measurement result - and the measurement result of the second flow meter 117 - the second measurement result - are received in real time, and the difference between the first measurement result and the second measurement result is received. The monitoring device 123 capable of calculating the amount of vaporized gas among the fluids moved through the first conduit (L111) from the; canister system for a high-purity precursor further comprising a. 고순도 프리커서용 캐니스터 (110)에서 기화되는 기화량을 모니터링하는 모니터링 시스템에 있어서
제1관로(L111)를 통해서 이동하는 유체의 유량을 측정할 수 있는 제1유량계(119);
제2관로(L112)를 통해서 이동하는 유체의 유량을 측정하고 이동하는 유체의 양을 제어할 수 있는 제2유랑계; 및
상기 제1유량계(119)의 측정 결과 - 제1측정 결과- 와 상기 제2유량계(117)의 측정 결과 - 제2측정 결과 - 를 실시간으로 수신하고, 제1측정 결과와 제2측정 결과의 차이로부터 상기 제1관로(L111)를 통해서 이동된 유체들 중에서 기화 가스의 양을 산출하는 모니터링 장치(123);를 포함하며,
상기 제1관로(L111)는 고순도 프리커서을 수용할 수 있는 캐니스터(110)에 구비되어 상기 고순도 프리커서을 수용 또는 분배할 수 있는 2개의 포트 중 아웃렛 포트(111)와 흐름 소통하고, 상기 제2관로(L112)는 상기 2개의 포트 중 인렛 포트(113)와 흐름 소통하는 것인, 모니터링 시스템.In the monitoring system for monitoring the vaporization amount vaporized in the canister 110 for high purity precursor
a first flow meter 119 capable of measuring the flow rate of the fluid moving through the first conduit L111;
a second flow meter capable of measuring the flow rate of the fluid moving through the second conduit (L112) and controlling the amount of the moving fluid; and
The measurement result of the first flow meter 119 - the first measurement result - and the measurement result of the second flow meter 117 - the second measurement result - are received in real time, and the difference between the first measurement result and the second measurement result is received. a monitoring device 123 for calculating the amount of vaporized gas from among the fluids moved through the first conduit (L111);
The first conduit L111 is provided in the canister 110 capable of accommodating the high-purity precursor to flow communication with the outlet port 111 among the two ports capable of accommodating or distributing the high-purity precursor, and the second conduit and (L112) is in flow communication with an inlet port (113) of the two ports. 제6항에 있어서,
상기 제1관로(L111)는 퍼지 가스의 이동 경로과 캐리어 가스와 기화된 가스의 이동 경로 중에서 선택된 기능을 할 수 있고, 제2관로(L112)는 상기 고순도 프리커서의 이동 경로, 퍼지 가스의 이동 경로, 및 캐리어 가스의 이동 경로 중에서 선택된 기능을 할 수 있는 것인, 모니터링 시스템.7. The method of claim 6,
The first conduit L111 may function selected from a movement path of the purge gas and a movement path of the carrier gas and the vaporized gas, and the second conduit L112 is a movement path of the high-purity precursor and a movement path of the purge gas. , and a path of movement of the carrier gas.
KR1020190163704A 2019-12-10 2019-12-10 Canister system for high purity precursor and monitoring system capable of comfirming residue of precursor in the canister KR20210073652A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190163704A KR20210073652A (en) 2019-12-10 2019-12-10 Canister system for high purity precursor and monitoring system capable of comfirming residue of precursor in the canister

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190163704A KR20210073652A (en) 2019-12-10 2019-12-10 Canister system for high purity precursor and monitoring system capable of comfirming residue of precursor in the canister

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210073652A true KR20210073652A (en) 2021-06-21

Family

ID=76599778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190163704A KR20210073652A (en) 2019-12-10 2019-12-10 Canister system for high purity precursor and monitoring system capable of comfirming residue of precursor in the canister

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210073652A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114137825A (en) * 2021-11-29 2022-03-04 合肥井松智能科技股份有限公司 Motion control method, system and device for heavy-load double-steering-wheel AGV body
CN115307949A (en) * 2022-10-11 2022-11-08 巨野锦晨精细化工有限公司 Monitoring processing system of chemical industry equipment key parameter
KR20230097938A (en) 2021-12-24 2023-07-03 (주)지오엘리먼트 Canister with carbon coating layer for prevention of high temperature corrosion
KR20230125656A (en) 2022-02-21 2023-08-29 (주)지오엘리먼트 Canister with carbon coating layer for prevention of high temperature corrosion

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114137825A (en) * 2021-11-29 2022-03-04 合肥井松智能科技股份有限公司 Motion control method, system and device for heavy-load double-steering-wheel AGV body
CN114137825B (en) * 2021-11-29 2024-05-07 合肥井松智能科技股份有限公司 Motion control method, system and device for heavy-load double-steering-wheel AGV body
KR20230097938A (en) 2021-12-24 2023-07-03 (주)지오엘리먼트 Canister with carbon coating layer for prevention of high temperature corrosion
KR20230125656A (en) 2022-02-21 2023-08-29 (주)지오엘리먼트 Canister with carbon coating layer for prevention of high temperature corrosion
CN115307949A (en) * 2022-10-11 2022-11-08 巨野锦晨精细化工有限公司 Monitoring processing system of chemical industry equipment key parameter
CN115307949B (en) * 2022-10-11 2023-01-24 巨野锦晨精细化工有限公司 Monitoring and processing system for key parameters of chemical equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210073652A (en) Canister system for high purity precursor and monitoring system capable of comfirming residue of precursor in the canister
JP5020407B2 (en) Heated valve manifold for ampoules
JP5323678B2 (en) Chemical distribution equipment for CVD or ALD
US7775508B2 (en) Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
US20130019960A1 (en) Reactant Delivery System For ALD/CVD Processes
CN102791906B (en) Control for and method of pulsed gas delivery
US20060130744A1 (en) Pulsed mass flow delivery system and method
KR102133156B1 (en) System and method capable of measuring residual gas of canister
TWI822702B (en) Apparatus for delivering gases to a semiconductor processing system
KR102318374B1 (en) Method and apparatus for measuring level of precursor stored in canister
KR102347209B1 (en) High purity precursor vaporization system having wide operating temperature range
TW202307414A (en) Concentration sensor for precursor delivery system
KR102481022B1 (en) Vaporizer system having function of measuring level of precursor stored in canister
KR102347205B1 (en) Vaporizer system having function of measuring level of precursor stored in canister
WO2021067764A1 (en) Supply system for low volatility precursors
KR102654250B1 (en) System and method capable of measuring residual gas of canister
KR102438503B1 (en) Vaporization system for high purity precursor
KR102318377B1 (en) Method and apparatus for measuring level of precursor stored in canister
KR20220048493A (en) System and method capable of measuring residual gas of canister
KR20240092512A (en) Precursor supplying system with sub canister and mass flow controller
TW202307257A (en) Control of liquid delivery in auto-refill systems
KR20220122479A (en) Method for measuring level of precursor by using temperature change in canister having reference temperature sensor
KR20200008385A (en) System and method capable of maintaining steadily vaporization and preliminary purge
JPH1180956A (en) Supplying apparatus for raw gas and method for supplying

Legal Events

Date Code Title Description
E601 Decision to refuse application