KR20210073235A - Substrate supporting module, Apparatus for processing substrate and method of processing substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate support, which comprises: a susceptor having a plurality of pocket groove units formed with a concave upper surface to allow a substrate to be seated on an upper surface in a circular plate shape in a circumferential direction; a shaft connected to a lower portion of the susceptor to rotate and drive the susceptor; and a satellite seated on the pocket groove units, and having the substrate seated on an upper surface thereof. The susceptor includes: a lifting gas hole formed in a central portion of the pocket groove units to float the satellite, and spraying a lifting gas introduced through a first lifting gas flow path formed inside the susceptor; a motion gas hole formed at an edge of the pocket groove units to rotate and drive the satellite floating in the pocket groove units in one direction, and spraying a motion gas introduced through the first motion gas flow path formed inside the susceptor; and a flow groove unit formed in a bottom surface of the pocket groove units to flow the lifting gas sprayed from the lifting gas hole in a direction opposite to a rotation direction of the satellite. Also, the shaft includes: a second lifting gas flow path for transferring the lifting gas supplied from the outside to the first lifting gas flow path; and a second motion gas flow path for transferring the motion gas supplied from the outside to the first motion gas flow path. Accordingly, the generation of particles can be reduced.

Description

기판 지지대, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate supporting module, Apparatus for processing substrate and method of processing substrate}Substrate supporting module, Apparatus for processing substrate and method of processing substrate

본 발명은 기판 지지대, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판 상에 박막을 증착하기 위한 기판 지지대, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate support for depositing a thin film on a substrate, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method.

일반적으로, 반도체 소자나 디스플레이 소자 혹은 태양전지를 제조하기 위해서는 진공 분위기의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에서 각종 공정이 수행된다. 예컨대, 공정 챔버 내에 기판을 로딩하고 기판 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다. 이때, 기판은 공정 챔버 내에 설치된 기판 지지대에 지지되며, 기판 지지대와 대향되도록 기판 지지대의 상부에 설치되는 샤워 헤드를 통해 공정 가스를 기판으로 분사할 수 있다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, a display device, or a solar cell, various processes are performed in a substrate processing apparatus including a process chamber in a vacuum atmosphere. For example, a process such as loading a substrate into the process chamber and depositing a thin film on the substrate or etching the thin film may be performed. In this case, the substrate is supported on a substrate support installed in the process chamber, and a process gas may be sprayed to the substrate through a shower head installed on the substrate support to face the substrate support.

이때, 기판에 균일한 박막의 성장을 위해서는 기판이 안착되는 서셉터 자체가 회전할 뿐만 아니라, 서셉터에 안착된 기판도 회전하도록 하는 것이 필요할 수 있다. 즉, 기판이 반응 가스에 노출되는 동안 자전을 함으로써 박막의 성장이 실질적으로 균일하게 이루어지도록 유도할 수 있는 것이다. 이를 위한, 기판 처리 장치는, 상면에 기판을 지지할 수 있는 새틀라이트(Satellite)가 포켓홈부에 안착되며, 포켓홈부 상면에 중심축을 기준으로 반원 방향의 가스 그루브 홈을 형성하여, 분사되는 가스 유동을 통해 새틀라이트가 부유 및 회전됨으로써 기판을 회전시킬 수 있다.In this case, for uniform growth of the thin film on the substrate, it may be necessary to rotate the susceptor itself on which the substrate is seated, as well as rotate the substrate seated on the susceptor. That is, it is possible to induce the growth of the thin film to be substantially uniform by rotating the substrate while it is exposed to the reaction gas. To this end, in the substrate processing apparatus, a satellite capable of supporting the substrate on the upper surface is seated in the pocket groove portion, a gas groove is formed in the upper surface of the pocket groove portion in a semicircular direction with respect to the central axis, and the gas flow to be injected The satellite floats and rotates through this, so that the substrate can be rotated.

그러나, 이러한 종래의 기판 지지대, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은, 공정 이후에 새틀라이트가 정지할 시의 리프팅과 회전을 안정적으로 제어하기 어려운 문제점이 있다. 새틀라이트는 공정이 끝나고 회전력을 주는 가스의 공급이 차단되어도, 회전하던 관성력에 의하여 일정 시간 동안 회전이 지속적으로 이루어지며, 회전이 이루어지면서 부유된 새틀라이트가 바닥면에 안착되어, 새틀라이트가 정지되지 못한 상태에서 새틀라이트가 바닥면에 안착되기 때문에 파티클이 발생되는 문제점이 있었다.However, the conventional substrate support, substrate processing apparatus, and substrate processing method have a problem in that it is difficult to stably control the lifting and rotation when the satellite is stopped after the process. The satellite continues to rotate for a certain period of time due to the inertial force even when the process is finished and the supply of the gas that gives the rotational force is cut off. As the rotation is made, the floating satellite is seated on the floor, and the satellite stops There was a problem in that particles were generated because the satellite was seated on the floor in a state where it failed.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 기판의 처리 공정 중 기판 지지대의 포켓홈부에 안착된 새틀라이트의 리프팅과 회전 운동을 개별로 제어하여 새틀라이트의 부유 및 회전이 안정적으로 이루어지도록 하며, 새틀라이트와 포켓홈부의 바닥면 사이에 새틀라이트의 자전되는 방향에 반대방향으로 가스의 유동 압력이 가해지도록 그루브를 형성하여, 새틀라이트의 정지 시에 역회전방향의 가압으로 인하여 더욱 빨리 정지되어 파티클을 감소시킬 수 있는 기판 지지대, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is to solve various problems including the above problems. During the processing of the substrate, the lifting and rotating movements of the satellite seated in the pocket groove of the substrate support are individually controlled to prevent the floating and rotating of the satellite. To make it stable, a groove is formed between the satellite and the bottom surface of the pocket groove so that the gas flow pressure is applied in the opposite direction to the rotation direction of the satellite. An object of the present invention is to provide a substrate support, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method capable of reducing particles by stopping more quickly. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereto.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 지지대가 제공된다. 상기 기판 지지대는, 원판 형상으로 상면에 둘레 방향을 따라 기판이 안착될 수 있도록 상면이 오목하게 형성된 포켓홈부가 복수개 형성되어 있는 서셉터와, 상기 서셉터 하부에 연결되어 상기 서셉터를 회전 구동시키는 샤프트 및 상기 포켓홈부에 안착되며 상면에 상기 기판이 안착되는 새틀라이트를 포함하는 기판 지지대로서, 상기 서셉터는, 상기 새틀라이트를 부유시키기 위하여 상기 포켓홈부 중앙 부분에 형성되어 상기 서셉터 내부에 형성된 제 1 리프팅 가스 유로를 통해 유입된 리프팅 가스가 분사되는 리프팅 가스 홀; 상기 포켓홈부에서 부유된 상기 새틀라이트를 일 방향으로 회전 구동하도록 상기 포켓홈부 가장자리 부분에 형성되어 상기 서셉터 내부에 형성된 제 1 운동 가스 유로를 통해 유입된 운동 가스가 분사되는 운동 가스 홀; 및 상기 리프팅 가스 홀로부터 분사된 상기 리프팅 가스가 상기 새틀라이트 회전 방향과 반대로 유동되도록 상기 포켓홈부의 바닥면에 형성된 유동 홈부;를 포함하고, 상기 샤프트는, 외부로부터 공급되는 상기 리프팅 가스를 상기 제 1 리프팅 가스 유로로 전달하는 제 2 리프팅 가스 유로; 및 외부로부터 공급되는 상기 운동 가스를 상기 제 1 운동 가스 유로로 전달하는 제 2 운동 가스 유로;를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate support is provided. The substrate support includes a susceptor having a plurality of pocket grooves having a concave upper surface formed thereon so that a substrate can be seated on the upper surface in a circumferential direction in a disk shape, and is connected to the lower portion of the susceptor to rotate the susceptor A substrate support including a shaft and a satellite seated in the pocket groove portion and on which the substrate is seated on an upper surface, the susceptor being formed in a central portion of the pocket groove portion to float the satellite and formed inside the susceptor a lifting gas hole through which the lifting gas introduced through the first lifting gas flow path is injected; a kinetic gas hole formed at an edge of the pocket groove to rotate and drive the satellite floating in the pocket groove in one direction through which kinetic gas introduced through a first kinetic gas flow path formed inside the susceptor is injected; and a flow groove formed in the bottom surface of the pocket groove so that the lifting gas injected from the lifting gas hole flows in the opposite direction to the rotation direction of the satellite, wherein the shaft is configured to release the lifting gas supplied from the outside. a second lifting gas passage passing to the first lifting gas passage; and a second kinetic gas flow path for transferring the kinetic gas supplied from the outside to the first kinetic gas flow path.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 유동 홈부는, 상기 리프팅 가스 홀로부터 상기 포켓홈부 가장자리 방향으로 나선형으로 연장 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the flow groove portion may be formed to extend spirally from the lifting gas hole toward the edge of the pocket groove portion.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 유동 홈부는, 상기 리프팅 가스의 유동 방향으로 갈수록 단면적이 좁아져 상기 리프팅 가스의 흐름이 빨라지게 유도하여 상기 새틀라이트에 전달되는 회전력을 증가시킬 수 있도록, 바닥면이 상기 리프팅 가스의 유동 방향을 따라서 상측으로 경사지게 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the flow groove portion, the cross-sectional area becomes narrower toward the flow direction of the lifting gas to increase the rotational force transmitted to the satellite by inducing the flow of the lifting gas faster, the bottom, The surface may be inclined upward along the flow direction of the lifting gas.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 새틀라이트는, 상기 운동 가스 홀에 대응되는 하면의 가장자리를 따라 상기 운동 가스 홀로부터 분사된 상기 운동 가스에 의하여 상기 새틀라이트에 회전력을 전달하는 회전 패턴부가 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the satellite has a rotation pattern portion that transmits a rotational force to the satellite by the kinetic gas injected from the kinetic gas hole along an edge of a lower surface corresponding to the kinetic gas hole. can be

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 운동 가스 홀은 상기 포켓홈부의 바닥면에 대하여 경사지게 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the motion gas hole may be formed to be inclined with respect to the bottom surface of the pocket groove portion.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 복수의 포켓홈부 각각에 형성되어 있는 상기 리프팅 가스 홀과 연결된 각각의 제 1 리프팅 가스 유로는 단일의 상기 제 2 리프팅 가스 유로와 연결될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, each of the first lifting gas passage connected to the lifting gas hole formed in each of the plurality of pocket grooves may be connected to the single second lifting gas passage.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 제 2 리프팅 가스 유로는, 상기 복수의 포켓홈부 각각에 형성되어 있는 상기 리프팅 가스 홀과 연결된 상기 제 1 리프팅 가스 유로와 각각 연결되도록 복수개로 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second lifting gas flow path may be formed in plurality so as to be respectively connected to the first lifting gas flow path connected to the lifting gas hole formed in each of the plurality of pocket grooves.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 처리하는 장치가 제공 된다. 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 처리할 수 있는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버; 상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 처리 공간에 구비되어, 상기 공정 챔버의 중심축을 기준으로 회전 가능하게 설치되는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어, 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 가스 분사부;를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, an apparatus for processing a substrate is provided. A substrate processing apparatus of the present invention includes: a process chamber in which a processing space capable of processing a substrate is formed; a substrate support provided in the processing space of the process chamber to support the substrate and rotatably installed based on a central axis of the process chamber; and a gas injection unit provided at an upper portion of the process chamber to face the substrate support and spraying a processing gas toward the substrate support.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 처리하는 방법이 제공된다. 본 발명의 기판 처리 방법은, 상기 공정 챔버 내 상기 기판 지지대 상에 상기 기판을 로딩시키는 로딩 단계; 상기 리프팅 가스 홀로부터 상기 리프팅 가스를 분사시켜 상기 기판이 안착된 상태의 상기 새틀라이트를 상기 포켓홈부로부터 부유시키는 부유 단계; 상기 운동 가스 홀로부터 상기 운동 가스를 분사시켜 부유된 상기 새틀라이트를 회전시키는 회전 단계; 상기 운동 가스 및 상기 리프팅 가스를 분사시키고, 상기 가스 분사부를 통해서 상기 공정 챔버 내에 처리 가스를 분사하여 상기 기판을 처리하기 위한 공정을 진행하는 공정 단계; 및 상기 리프팅 가스는 분사시키고, 상기 운동 가스의 공급을 차단하여 상기 새틀라이트의 회전을 중지시키는 중지 단계; 를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a method of processing a substrate is provided. A substrate processing method of the present invention includes a loading step of loading the substrate on the substrate support in the process chamber; a floating step of injecting the lifting gas from the lifting gas hole to float the satellite in a state in which the substrate is seated from the pocket groove; a rotating step of rotating the floating satellite by injecting the kinetic gas from the kinetic gas hole; a process step of injecting the kinetic gas and the lifting gas, and injecting a process gas into the process chamber through the gas ejection unit to perform a process for treating the substrate; and a stopping step of injecting the lifting gas and stopping the rotation of the satellite by blocking the supply of the motion gas. may include.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 공정 단계에서, 상기 운동 가스의 유량이 상기 리프팅 가스의 유량 보다 더 많은 것을 특징으로 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the process step, it may be characterized in that the flow rate of the kinetic gas is greater than the flow rate of the lifting gas.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 중지 단계에서, 상기 중지 단계의 상기 리프팅 가스의 유량은 적어도 일부 구간이 상기 공정 단계의 상기 리프팅 가스의 유량보다 더 많은 것을 특징으로 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the stopping step, the flow rate of the lifting gas of the stopping step may be characterized in that at least some sections are greater than the flow rate of the lifting gas of the process step.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 중지 단계의 상기 리프팅 가스의 유량은 점차 감소하는 것을 특징으로 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the flow rate of the lifting gas of the stopping step may be characterized in that it gradually decreases.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대 및 기판 처리 장치에 따르면, 새틀라이트와 포켓홈부의 바닥면 사이에 새틀라이트의 자전되는 방향에 반대방향으로 가스의 유동 압력이 가해지도록 그루브를 형성하여, 새틀라이트의 정지시에 역회전방향의 가압으로 인하여 더욱 빨리 정지되어 파티클의 발생을 감소시킬 수 있다.According to the substrate support and substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention made as described above, a groove between the satellite and the bottom surface of the pocket groove is such that the flow pressure of the gas is applied in the opposite direction to the rotating direction of the satellite. By forming , it is possible to reduce the generation of particles by stopping the satellite more quickly due to the pressure in the reverse rotation direction when the satellite is stopped.

이에 따라, 기판의 처리 공정 중 기판 지지대의 새틀라이트의 정지가 안정적으로 빠르게 이루어지도록 하여, 기판에 박막의 성장이 불순물이 없는 상태로 보다 균일하게 이루어지도록 유도함으로써, 기판의 처리 품질을 높이고 공정 수율을 증가시키는 효과를 가지는 기판 지지대 및 기판 처리 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Accordingly, during the processing of the substrate, the satellite of the substrate support is stopped stably and quickly, so that the growth of the thin film on the substrate is more uniformly made without impurities, thereby increasing the processing quality of the substrate and the process yield It is possible to implement a substrate support and a substrate processing apparatus having the effect of increasing the Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대의 기판, 새틀라이트 및 서셉터를 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대의 서셉터에 새틀라이트 및 기판이 조립된 상태의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유동 홈부를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유동 홈부의 상면을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6의 VII-VII 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 포켓홈부에서 연장되는 제 1 운동 가스 유로를 나타내는 단면도이다.
도 9은 본 발명의 실시예에 따른 새틀라이트의 하면을 나타내는 사시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 가판 처리 방법에 따른 리프팅 가스 유량과 운동 가스 유량을 나타내는 그림이다.
도 11은 본 발명과 종래기술에 따른 기판의 회전 속도와 회전 수의 관계를 비교하는 그래프이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view schematically illustrating a substrate support of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
3 is a perspective view illustrating a substrate, a satellite, and a susceptor of a substrate support according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a state in which a satellite and a substrate are assembled to a susceptor of a substrate support according to an embodiment of the present invention.
5 is a perspective view schematically showing a flow groove according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing an upper surface of the flow groove according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross-section taken along line VII-VII of FIG. 6 .
8 is a cross-sectional view illustrating a first kinetic gas flow path extending from a pocket groove portion according to an embodiment of the present invention.
9 is a perspective view illustrating a lower surface of a satellite according to an embodiment of the present invention.
10 is a diagram illustrating a lifting gas flow rate and a motion gas flow rate according to a method for processing a stall according to an embodiment of the present invention.
11 is a graph comparing the relationship between the rotation speed and the number of rotations of the substrate according to the present invention and the prior art.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, several preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.Examples of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows It is not limited to an Example. Rather, these embodiments are provided so as to more fully and complete the present disclosure, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In addition, in the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated for convenience and clarity of description.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically illustrating ideal embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the illustrated shape can be expected, for example depending on manufacturing technology and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the inventive concept should not be construed as limited to the specific shape of the region shown in the present specification, but should include, for example, changes in shape caused by manufacturing.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판 지지대(1000)를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 3은 기판 지지대(1000)의 기판(S), 새틀라이트(300) 및 서셉터(100)를 나타내는 사시도이고, 도 4는 기판 지지대(1000)의 서셉터(100)에 새틀라이트(300) 및 기판(S)이 조립된 상태의 단면을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view schematically showing the substrate support 1000 of FIG. 1 , and FIG. 3 is a substrate ( S), a perspective view showing the satellite 300 and the susceptor 100 , and FIG. 4 is a cross-section of the satellite 300 and the substrate S assembled to the susceptor 100 of the substrate support 1000 . It is a cross-sectional view showing

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 크게 기판 지지대(1000), 공정 챔버(2000) 및 가스 분사부(3000)를 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 1 , the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may largely include a substrate support 1000 , a process chamber 2000 , and a gas injection unit 3000 .

도 1에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(2000)는, 기판(S)을 처리할 수 있는 처리 공간이 형성되는 챔버 몸체(2200)를 포함할 수 있다. 챔버 몸체(2200)는 내부에 원형 또는 사각 형상으로 형성되는 처리 공간이 형성될 수 있다. 상기 처리 공간에서는 상기 처리 공간에 설치된 기판 지지대(1000)에 지지되는 기판(S) 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다.As shown in FIG. 1 , the process chamber 2000 may include a chamber body 2200 in which a processing space capable of processing a substrate S is formed. The chamber body 2200 may have a processing space formed in a circular or rectangular shape therein. In the processing space, a process such as depositing a thin film or etching the thin film on the substrate S supported by the substrate support 1000 installed in the processing space may be performed.

또한, 챔버 몸체(2200)의 하측에는 기판 지지대(1000)를 둘러싸는 형상으로 복수의 배기 포트(E)가 설치될 수 있다. 배기 포트(E)는, 배기관을 통하여 공정 챔버(2000) 외부에 설치된 메인 진공 펌프(6000)와 연결될 수 있다. 또한, 배기 포트(E)는 공정 챔버(2000)의 처리 공간 내부의 공기를 흡입함으로써, 처리 공간 내부의 각종 처리 가스를 배기시키거나 처리 공간 내부에 진공 분위기가 형성될 수 있다.In addition, a plurality of exhaust ports (E) in a shape surrounding the substrate support 1000 may be installed on the lower side of the chamber body 2200 . The exhaust port E may be connected to the main vacuum pump 6000 installed outside the process chamber 2000 through an exhaust pipe. In addition, the exhaust port E sucks air inside the processing space of the process chamber 2000 to exhaust various processing gases in the processing space or a vacuum atmosphere may be formed in the processing space.

도시되진 않았지만, 챔버 몸체(2200)의 측면에는 기판(S)을 상기 처리 공간으로 로딩 또는 언로딩할 수 있는 통로인 게이트가 형성될 수 있다. 아울러, 상방이 개방된 챔버 몸체(2200)의 상기 처리 공간은 탑 리드(2100)에 의해 폐쇄될 수 있다.Although not shown, a gate, which is a passage for loading or unloading the substrate S into the processing space, may be formed on a side surface of the chamber body 2200 . In addition, the processing space of the upper open chamber body 2200 may be closed by the top lid 2100 .

도 1에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(1000)는, 기판(S)을 지지할 수 있도록 공정 챔버(2000)의 상기 처리 공간에 구비되어, 공정 챔버(2000)의 중심축을 기준으로 회전 가능하게 설치될 수 있다. 예컨대, 기판 지지대(1000)는, 기판(S)을 지지할 수 있는 서셉터나 테이블 등을 포함하는 기판 지지 구조체일 수 있다.As shown in FIG. 1 , the substrate support 1000 is provided in the processing space of the process chamber 2000 to support the substrate S, and is rotatably based on the central axis of the process chamber 2000 . can be installed. For example, the substrate support 1000 may be a substrate support structure including a susceptor or a table capable of supporting the substrate S.

이때, 가스 분사부(3000)는 기판 지지대(1000)와 대향되도록 공정 챔버(2000) 상부 중심부에 형성되어, 하부의 기판들을 향하여 상기 공정 가스를 분사할 수 있으며, 또한, 기판 지지대(1000)와 대향되도록 공정 챔버(2000)의 상부에 형성되어, 상기 공정 가스가 하부의 복수의 기판들(S)을 향하여 상기 공정 가스가 낙하하도록 분사할 수 있다.At this time, the gas ejection unit 3000 is formed in the upper center of the process chamber 2000 to face the substrate supporter 1000 , and can inject the process gas toward the substrates below it, and also includes the substrate supporter 1000 and It is formed in the upper portion of the process chamber 2000 to face each other, and the process gas may be sprayed so that the process gas falls toward the plurality of substrates S below it.

도시되지 않았지만, 서셉터 몸체는, 공정 온도로 가열되어 포켓홈부(110)에 안착되는 기판(S)을 가열시키는 히터를 구비하여, 포켓홈부(110)에 안착되는 기판(S)을 박막을 증착하는 공정 또는 박막을 식각하는 공정이 가능한 공정온도로 가열시킬 수 있다.Although not shown, the susceptor body is heated to a process temperature and provided with a heater for heating the substrate (S) seated in the pocket groove (110), depositing a thin film on the substrate (S) seated in the pocket groove (110) It can be heated to a process temperature that can be used for the process or the process for etching the thin film.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 지지대(1000)를 더욱 구체적으로 설명한다.The substrate support 1000 of the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(1000)는 서셉터(100), 샤프트(200) 및 새틀라이트(300)를 포함할 수 있다.1 to 3 , the substrate support 1000 may include a susceptor 100 , a shaft 200 , and a satellite 300 .

서셉터(100)는 원판 형상으로 형성되어 공정 챔버(2000)의 처리 공간에 설치되고, 적어도 하나의 기판(S)이 안착될 수 있도록 상면에 오목하게 적어도 하나의 포켓홈부(110)가 형성되고, 각각의 포켓홈부(110) 바닥면에서 하면까지 내부로 관통된 제 1 리프팅 가스 유로(130) 및 제 1 운동 가스 유로(140)가 형성될 수 있다.The susceptor 100 is formed in a disk shape and installed in the processing space of the process chamber 2000, and at least one pocket groove 110 is concavely formed on the upper surface so that at least one substrate S can be seated. , a first lifting gas flow path 130 and a first motion gas flow path 140 penetrating inward from the bottom surface to the lower surface of each pocket groove part 110 may be formed.

구체적으로, 서셉터(100)는, 복수의 기판들(S)을 한번에 처리할 수 있도록 상면에 복수의 포켓홈부(110)가 회전축을 중심으로 방사상으로 등각 배치되는 서셉터 몸체(120)와, 서셉터 몸체(120)의 상면에 형성되어 상기 복수의 기판들과 대응되는 형상으로 형성되는 복수의 포켓홈부(110)가 형성될 수 있다.Specifically, the susceptor 100 includes a susceptor body 120 in which a plurality of pocket groove portions 110 are radially and conformally disposed about a rotation axis on the upper surface so as to process a plurality of substrates S at once; A plurality of pocket grooves 110 may be formed on the upper surface of the susceptor body 120 to have a shape corresponding to the plurality of substrates.

서셉터(100)는 포켓홈부(110)의 바닥면에 형성된 리프팅 가스 홀(30) 및 운동 가스 홀(40)이 형성되고, 리프팅 가스 홀(30)에서 서셉터(100) 하면까지 내부로 관통된 제 1 리프팅 가스 유로(130) 및 제 1 운동 가스 유로(140)가 형성될 수 있다.The susceptor 100 has a lifting gas hole 30 and a motion gas hole 40 formed on the bottom surface of the pocket groove part 110, and penetrates from the lifting gas hole 30 to the lower surface of the susceptor 100 inside. The first lifting gas flow path 130 and the first motion gas flow path 140 may be formed.

리프팅 가스 홀(30)은 복수의 포켓홈부(110)의 중앙에서 소정 거리 이격된 지점에 각각 형성된다. 이때, 리프팅 가스 홀(30)은 리프팅 가스가 공급되어 새틀라이트(300)를 부유시킬 수 있도록 형성될 수 있다.The lifting gas holes 30 are respectively formed at points spaced apart from each other by a predetermined distance from the center of the plurality of pocket grooves 110 . At this time, the lifting gas hole 30 may be formed so that the lifting gas is supplied to float the satellite 300 .

예컨대, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 서셉터 몸체(120)의 상부에는 회전축을 중심으로 동일한 거리에 등각으로 6개의 포켓홈부(110)가 형성될 수 있다. 이때, 각각의 포켓홈부(110)의 중심부에서 소정거리 이격된 지점에는 리프팅 가스 홀(30)이 형성된다. 각각의 리프팅 가스 홀(30)은 서셉터(100) 내부에 형성된 제 1 리프팅 가스 유로(130)가 연결될 수 있다.For example, as shown in Figures 2 and 3, the upper portion of the susceptor body 120 may be formed with six pocket grooves 110 equiangularly at the same distance with respect to the axis of rotation. At this time, a lifting gas hole 30 is formed at a point spaced a predetermined distance from the center of each pocket groove 110 . Each of the lifting gas holes 30 may be connected to the first lifting gas flow path 130 formed inside the susceptor 100 .

제 1 리프팅 가스 유로(130)는 서셉터(100)의 하면에서 복수의 리프팅 가스 홀(30)까지 내부로 관통될 수 있다. 이때, 제 1 리프팅 가스 유로(130)는, 각각의 포켓홈부(110) 바닥면의 중심부에서 연장되는 복수의 유로가 결합되어 서셉터(100)의 하면 중심부로 연통될 수 있다.The first lifting gas flow path 130 may penetrate from the lower surface of the susceptor 100 to the plurality of lifting gas holes 30 . In this case, the first lifting gas flow path 130 may be coupled to a plurality of flow paths extending from the center of the bottom surface of each of the pocket grooves 110 to communicate with the center of the lower surface of the susceptor 100 .

즉, 제 1 리프팅 가스 유로(130)는 서셉터(100) 하부에서부터 여러 갈래로 분개되어 형성되는 유로로서, 예컨대, 리프팅 가스가 서셉터(100)의 하면에 형성된 하나의 유입구에서 유입되어, 복수의 포켓홈부(110)에 형성된 복수의 리프팅 가스 홀(30)로 각각 공급될 수 있다.That is, the first lifting gas flow path 130 is a flow path formed by being divided into several branches from the lower part of the susceptor 100 , and for example, lifting gas is introduced from one inlet formed on the lower surface of the susceptor 100 , and a plurality of Each of the plurality of lifting gas holes 30 formed in the pocket groove portion 110 of the may be supplied.

상기 리프팅 가스는 샤프트(200)를 통하여 각각의 제 1 리프팅 가스 유로(130)에 모두 유입될 수 있다. 유입된 상기 리프팅 가스는 각각의 리프팅 가스 홀(30)에서 각각의 새틀라이트(300)를 향하여 공급된다.The lifting gas may be introduced into each of the first lifting gas flow paths 130 through the shaft 200 . The introduced lifting gas is supplied from each lifting gas hole 30 toward each satellite 300 .

여기서, 상기 리프팅 가스는 새틀라이트(300)를 부유할 수 있도록 압력을 제공하는 가스로서, 질소 가스와 같은 불활성 가스를 리프팅 가스로 이용할 수 있다.Here, the lifting gas is a gas that provides pressure to float the satellite 300 , and an inert gas such as nitrogen gas may be used as the lifting gas.

복수의 운동 가스 홀(40)은 복수의 포켓홈부(110)의 일측에 형성된다. 이때, 복수의 운동 가스 홀(40)은 운동 가스가 공급되어 복수의 새틀라이트(300)를 회전시킬 수 있도록, 제 1 운동 가스 유로(140)의 적어도 일부분이 서셉터(100)에 대하여 경사지게 형성될 수 있다. 즉, 제 1 운동 가스 유로(140)는 포켓홈부(110)의 바닥면에서 분사되는 상기 운동 가스가 새틀라이트(300)의 접선방향으로 유입되어 새틀라이트(300)를 회전 시킬 수 있도록, 포켓홈부(110) 바닥면에서 서셉터(100) 내부의 소정 거리까지 새틀라이트(300)의 접선과 평행한 방향으로 경사지게 형성될 수 있다.The plurality of motion gas holes 40 are formed on one side of the plurality of pocket grooves 110 . At this time, in the plurality of motion gas holes 40 , at least a portion of the first motion gas flow path 140 is formed to be inclined with respect to the susceptor 100 so that the motion gas is supplied to rotate the plurality of satellites 300 . can be That is, the first movement gas flow path 140 is a pocket groove portion so that the movement gas injected from the bottom surface of the pocket groove portion 110 flows in a tangential direction of the satellite 300 to rotate the satellite 300 . (110) from the bottom surface to a predetermined distance inside the susceptor 100 may be formed to be inclined in a direction parallel to the tangent of the satellite 300.

예컨대, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 서셉터 몸체(120)의 상부에는 회전축을 중심으로 6개의 포켓홈부(110)가 등각으로 형성될 수 있다. 이때, 운동 가스 홀(40)은 각각의 포켓홈부(110)의 중심으로부터 일정거리 이격된 지점에 각각 형성될 수 있다. 각각의 운동 가스 홀(40)은 서셉터(100) 내부에 형성된 복수의 제 1 운동 가스 유로(140)에 각각 연결될 수 있다.For example, as shown in Figures 2 and 3, the upper portion of the susceptor body 120, six pocket grooves 110 about the rotation axis may be formed at an isometric angle. At this time, the motion gas hole 40 may be formed at a point spaced apart from the center of each pocket groove 110 by a predetermined distance, respectively. Each of the moving gas holes 40 may be respectively connected to the plurality of first moving gas passages 140 formed in the susceptor 100 .

복수의 운동 가스 홀(40)에서는 일정한 압력의 가스가 유입될 수 있다. 포켓홈부(110)의 상부에 리프팅 가스로 인하여 부유되어 있는 새틀라이트(300)가 포켓홈부(110)에서 이탈하지 않고 회전할 수 있도록, 새틀라이트(300)의 하부 주변부로 운동 가스가 유입될 수 있다. 이때, 유입되는 운동 가스의 압력으로 인하여 부유된 상태의 새틀라이트(300)가 회전될 수 있는 것이다.A gas having a constant pressure may be introduced into the plurality of motion gas holes 40 . Movement gas can be introduced into the lower periphery of the satellite 300 so that the satellite 300 suspended in the upper portion of the pocket groove 110 due to the lifting gas can rotate without departing from the pocket groove 110 . have. At this time, the satellite 300 in a suspended state may be rotated due to the pressure of the flowing kinetic gas.

제 1 운동 가스 유로(140)는 샤프트(200)의 상면에서 복수의 운동 가스 홀(40)까지 서셉터(100) 내부로 연결될 수 있다. 또한, 복수의 운동 가스 홀(40)로부터 소정 거리까지의 연장된 경사 구간(B)은 새틀라이트(300)에 대하여 접선 방향으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 운동 가스가 제 1 운동 가스 유로(140)에서 새틀라이트(300)에 접선 방향으로 유입되어, 복수의 새틀라이트(300)를 회전시킬 수 있다.The first motion gas flow path 140 may be connected to the inside of the susceptor 100 from the upper surface of the shaft 200 to the plurality of motion gas holes 40 . In addition, the inclined section B extending from the plurality of motion gas holes 40 to a predetermined distance may be formed in a tangential direction to the satellite 300 . Accordingly, the kinetic gas may flow in a tangential direction from the first kinetic gas flow path 140 to the satellite 300 to rotate the plurality of satellites 300 .

도 1에 도시된 바와 같이, 샤프트(200)는 서셉터(100)의 하부에 회전축과 일치하는 중심축을 가지도록 형성되어 서셉터(100)를 지지할 수 있으며, 구동부(M)로부터 서셉터(100)를 회전시키는 동력을 전달하여 서셉터(100)와 함께 회전될 수 있다.1, the shaft 200 is formed to have a central axis coincident with the rotation axis at the lower portion of the susceptor 100 to support the susceptor 100, and from the driving unit M to the susceptor ( It may be rotated together with the susceptor 100 by transmitting power to rotate the 100 .

샤프트(200)는 제 1 리프팅 가스 유로(130)와 연통되어 상면에서 하면까지 내부로 관통된 제 2 리프팅 가스 유로(230)가 형성되고, 제 1 운동 가스 유로(140)와 각각 연통되어 상면에서 측면까지 내부로 관통된 제 2 운동 가스 유로(240)가 형성될 수 있다.The shaft 200 communicates with the first lifting gas flow path 130 to form a second lifting gas flow path 230 penetrating inside from the upper surface to the lower surface, and communicates with the first motion gas flow path 140, respectively, from the upper surface. A second motion gas flow path 240 penetrating to the inside up to the side surface may be formed.

제 2 리프팅 가스 유로(230)는 상기 리프팅 가스를 서셉터(100)에 공급할 수 있도록 샤프트(200)의 상면에서 제 1 리프팅 가스 유로(130)와 연통되고, 샤프트(200)의 상면에서 하면까지 관통되어 형성될 수 있다.The second lifting gas flow path 230 communicates with the first lifting gas flow path 130 on the upper surface of the shaft 200 to supply the lifting gas to the susceptor 100 , and extends from the upper surface to the lower surface of the shaft 200 . It may be formed through penetration.

제 2 리프팅 가스 유로(230)는 샤프트(200) 내부의 중심부에 형성되어, 도 1에 도시된 바와 같이, 외부에 형성된 리프팅 가스 공급부(5000)에 연결될 수 있다. 즉, 제 2 리프팅 가스 유로(230)는 리프팅 가스 공급부(5000)에서 공급받은 가스를 제 1 리프팅 가스 유로(130)에 전달하는 유로이다.The second lifting gas flow path 230 may be formed in the central portion of the shaft 200 and may be connected to the lifting gas supply unit 5000 formed outside, as shown in FIG. 1 . That is, the second lifting gas flow path 230 is a flow path for transferring the gas supplied from the lifting gas supply unit 5000 to the first lifting gas flow path 130 .

각각의 제 2 운동 가스 유로(240)는, 상기 운동 가스를 서셉터(100)에 공급할 수 있도록 샤프트(200)의 상면에서 제 1 운동 가스 유로(140)와 각각 연통될 수 있다.Each of the second motion gas flow paths 240 may communicate with the first motion gas flow path 140 on the upper surface of the shaft 200 to supply the motion gas to the susceptor 100 .

제 2 운동 가스 유로(240)는 샤프트(200) 내부에 복수개로 형성될 수 있다. 복수의 제 2 운동 가스 유로(240)의 일측은 복수의 제 1 운동 가스 유로(140)에 각각 연결되고, 타측은 샤프트(200)의 측부에 연결될 수 있다. 즉, 제 2 운동 가스 유로(240)는 운동 가스 공급부(4000)에서 샤프트(200)를 통하여 공급받은 가스를 복수의 제 1 운동 가스 유로(140)에 전달하는 유로이다.A plurality of second motion gas flow paths 240 may be formed inside the shaft 200 . One side of the plurality of second motion gas flow paths 240 may be respectively connected to the plurality of first motion gas flow paths 140 , and the other side may be connected to the side of the shaft 200 . That is, the second motion gas flow path 240 is a flow path through which the gas supplied from the motion gas supply unit 4000 through the shaft 200 is transmitted to the plurality of first motion gas flow paths 140 .

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 유동 홈부(160)를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유동 홈부(160)의 상면을 나타내는 도면이고, 도 7은 도 6의 VII-VII 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.5 is a perspective view schematically showing a gas flow groove 160 according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a view showing an upper surface of the flow groove 160 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is It is a cross-sectional view schematically showing a cross section taken along line VII-VII of FIG.

도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 유동 홈부(160)는 제 1 리프팅 가스 유로(130)를 통해 공급되는 상기 리프팅 가스를 포켓홈부(110)의 중심 영역으로부터 원주 방향으로 확산시키는 홈부가 형성될 수 있다.As shown in FIGS. 5 to 7 , the flow groove 160 is formed with a groove for diffusing the lifting gas supplied through the first lifting gas flow path 130 from the central region of the pocket groove 110 in the circumferential direction. can be

또한, 유동 홈부(160)를 통해서 확산된 상기 리프팅 가스가 새틀라이트(300)의 자전 방향의 반대 방향으로 유동되어, 새틀라이트(300)를 부유 시키거나 또는 새틀라이트(300)의 자전을 정지 시킬 수 있도록 포켓홈부(110)의 상면에 형성될 수 있다.In addition, the lifting gas diffused through the flow groove 160 flows in the opposite direction to the rotation direction of the satellite 300 to float the satellite 300 or stop the rotation of the satellite 300 . It may be formed on the upper surface of the pocket groove portion 110 so that the

구체적으로, 서셉터(100)의 포켓 홈부(110)에는 리프팅 가스 패스(150), 유동 홈부(160) 및 회전 돌기가 형성될 수 있다.Specifically, a lifting gas path 150 , a flow groove 160 and a rotating protrusion may be formed in the pocket groove 110 of the susceptor 100 .

리프팅 가스 패스(150)는 포켓홈부(110)의 상기 안착면에 안착된 새틀라이트(300)를 부유시킬 수 있으며, 복수개의 유동 홈부(160)를 연결시킬 수 있도록 링 형상으로 형성되어, 리프팅 가스 홀부(30)를 통해 배출되는 상기 리프팅 가스를 확산시킬 수 있다.The lifting gas path 150 can float the satellite 300 seated on the seating surface of the pocket groove part 110 and is formed in a ring shape to connect the plurality of flow groove parts 160 to the lifting gas. The lifting gas discharged through the hole 30 may be diffused.

유동 홈부(160)는 포켓홈부(150) 상면의 중심부 일부분에서 가장자리부 일부분까지 곡선으로 연장되는 그루브가 복수개 형성되고, 상기 리프팅 가스가 새틀라이트(300)의 상기 자전 방향의 반대 방향으로 회전될 수 있도록 유동시킬 수 있다.A plurality of grooves extending in a curve from a central portion of the upper surface of the pocket groove portion 150 to a portion of the edge portion are formed in the flow groove portion 160, and the lifting gas may be rotated in the opposite direction to the rotation direction of the satellite 300. can be moved so that

따라서, 서셉터(100)의 내부에 형성된 제 1 리프팅 가스 유로(130)로 유입된 상기 리프팅 가스는, 리프팅 가스 패스(150)를 통하여 유동 홈부(160)를 지나 새틀라이트(300)가 자전하는 반대 방향 또는 자전 반대 방향의 접선 방향으로 분사됨으로써, 새틀라이트(300)의 회전에 반대되는 가스 유동압을 발생시키고, 새틀라이트(300)의 정지가 더 빨리 이루어 지도록 할 수 있다.Accordingly, the lifting gas introduced into the first lifting gas flow path 130 formed in the susceptor 100 passes through the flow groove 160 through the lifting gas path 150 and the satellite 300 rotates. By spraying in the opposite direction or the tangential direction opposite to the rotation direction, a gas flow pressure opposite to the rotation of the satellite 300 is generated, and the stop of the satellite 300 can be made faster.

또한, 유동 홈부(160)는 상기 리프팅 가스의 유동 방향으로 갈수록 단면적이 좁아져 상기 리프팅 가스의 흐름이 빨라지게 유도하고, 상기 리프팅 가스가 새틀라이트(300)의 하면을 향해 분사됨으로써, 상기 리프팅 가스의 회전력이 새틀라이트(300)에 더욱 효과적으로 전달될 수 있도록, 바닥면(BS)이 상기 리프팅 가스의 분사 방향을 따라서 상측으로 경사지게 형성될 수 있다. 이때, 유동 홈부(160)의 바닥면(BS)의 경사 각도는 0.1도 내지 0.2도가 바람직할 수 있으며, 가장 바람직하게는 0.15도로 형성될 수 있다.In addition, the flow groove 160 has a narrower cross-sectional area in the flow direction of the lifting gas to induce a faster flow of the lifting gas, and the lifting gas is sprayed toward the lower surface of the satellite 300, so that the lifting gas In order to transmit the rotational force of the satellite 300 more effectively, the bottom surface BS may be formed to be inclined upward along the injection direction of the lifting gas. In this case, the inclination angle of the bottom surface BS of the flow groove 160 may be preferably 0.1 to 0.2 degrees, and most preferably 0.15 degrees.

이때, 상기 리프팅 가스의 유동 방향은 상기 운동 가스의 유동 방향 및 새틀라이트(300)의 자전 방향과 반대 방향일 수 있다.In this case, the flow direction of the lifting gas may be opposite to the flow direction of the moving gas and the rotation direction of the satellite 300 .

즉, 상기 리프팅 가스가 저압으로 공급되면 새틀라이트(300)를 부유시키는 역할을 할 수 있으며, 또한, 상기 리프팅 가스가 고압으로 공급되면 상기 리프팅 가스가 유동 홈부(160)를 통과하여 새틀라이트(300)의 자전되는 방향에 반대방향으로 가스의 유동 압력이 형성될 수 있다. 따라서, 새틀라이트(300)의 정지시에 역회전방향의 가스 유동압으로 인하여 정지되어 파티클의 발생을 감소시킬 수 있는 것이다.That is, when the lifting gas is supplied at a low pressure, it can serve to float the satellite 300 , and when the lifting gas is supplied at a high pressure, the lifting gas passes through the flow groove 160 and the satellite 300 . ), the flow pressure of the gas may be formed in the opposite direction to the rotational direction. Therefore, when the satellite 300 is stopped, it is stopped due to the gas flow pressure in the reverse rotation direction, thereby reducing the generation of particles.

도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 새틀라이트(300)는 포켓홈부(110)에 설치되어 상면에 기판(S)이 안착되고, 제 1 리프팅 가스 유로(130)를 통해 공급되는 리프팅 가스의 압력에 의해 부유되고, 제 1 운동 가스 유로(140)를 통해 공급되는 운동 가스의 압력에 의해 회전되어, 상면에 안착된 상기 기판(S)을 자전시킬 수 있다.1 to 4 , the satellite 300 is installed in the pocket groove 110 , the substrate S is seated on the upper surface, and the lifting gas supplied through the first lifting gas flow path 130 . The substrate S may be floated by pressure and rotated by the pressure of the kinetic gas supplied through the first kinetic gas flow path 140 to rotate the substrate S seated on the upper surface.

구체적으로, 새틀라이트(300)는 서셉터(100)를 통해 공급되는 가스의 압력에 의해 부유 된 상태로 회전되어, 상면에 안착된 각각의 기판들(S)을 자전시킬 수 있도록, 포켓홈부(110)의 내부에 각각 안착되는 원판 형상으로 형성될 수 있다.Specifically, the satellite 300 is rotated in a suspended state by the pressure of the gas supplied through the susceptor 100, so as to rotate each of the substrates S seated on the upper surface, the pocket groove part ( 110) may be formed in the shape of a disk seated inside each.

새틀라이트(300)는 상면에 기판(S)이 안착되고, 서셉터(100)를 통해 공급되는 상기 유동 가스의 압력에 의해 부유된 상태로 회전되어 그 상면에 안착된 기판(S)을 자전시킬 수 있다.The satellite 300 is rotated in a state in which the substrate S is seated on the upper surface and floated by the pressure of the flowing gas supplied through the susceptor 100 to rotate the substrate S seated on the upper surface. can

이때, 포켓홈부(110)의 바닥면의 중심축으로부터 원기둥 형상의 회전 돌기(170)가 돌출되게 형성되고, 새틀라이트(300)의 하면 중심축에는 돌출된 회전 돌기(170)의 적어도 일부분을 수용할 수 있도록 회전 돌기 홈부(320)가 형성될 수 있다.At this time, the cylindrical rotating protrusion 170 is formed to protrude from the central axis of the bottom surface of the pocket groove 110 , and at least a portion of the protruding rotating protrusion 170 is accommodated on the lower central axis of the satellite 300 . The rotating protrusion groove 320 may be formed to do this.

이에 따라, 새틀라이트(300)가 회전 돌기(170)가 삽입된 회전 돌기 홈부(320)를 중심으로 회전 운동을 함으로써, 새틀라이트(300)의 회전 운동이 안정적으로 이루어질 수 있도록 가이드할 수 있다.Accordingly, by rotating the satellite 300 around the rotating protrusion groove portion 320 into which the rotating protrusion 170 is inserted, it is possible to guide the rotational movement of the satellite 300 stably.

도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 포켓홈부에서 연장되는 제 1 운동 가스 유로(140) 및 새틀라이트(300)를 나타내는 단면도이고, 도 9은 새틀라이트(300)의 하면을 나타내는 후면도이다.8 is a cross-sectional view showing the first motion gas flow path 140 and the satellite 300 extending from the pocket groove portion according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a rear view showing the lower surface of the satellite 300. .

도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 새틀라이트(300)는, 제 1 운동 가스 유로(140)에서 유입되는 운동 가스가 부딪칠 수 있도록, 새틀라이트(300)의 후면 지점의 가장자리부에 회전 패턴부(310)를 형성할 수 있다. 이때, 회전 패턴부(310)는 새틀라이트(300)의 하면에서 포켓홈부(110) 내에 형성된 운동 가스 홀(40)에 대응되어 형성될 수 있다.As shown in FIGS. 8 and 9 , the plurality of satellites 300 may collide with the kinetic gas flowing in from the first kinetic gas flow path 140 , so that the edge of the rear point of the satellite 300 is provided. A rotation pattern part 310 may be formed on the . In this case, the rotation pattern part 310 may be formed to correspond to the motion gas hole 40 formed in the pocket groove part 110 on the lower surface of the satellite 300 .

회전 패턴부(310)는, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 새틀라이트(300)의 하면의 중심축에서 소정거리 이격된 지점에서부터 바람개비 형상의 홈으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제 1 운동 가스 유로(140)를 통하여 경사 구간(B)을 지나 운동 가스 홀(40)에서 공급되는 상기 운동 가스가 홈형상의 단턱부에 부딪히는 압력으로 인하여 상부의 새틀라이트(300)가 회전될 수 있다. 여기서, 상기 홈형상의 단턱부는 회전 패턴부(310)일 수 있다.As shown in FIGS. 8 and 9 , the rotation pattern unit 310 may be formed as a pinwheel-shaped groove from a point spaced a predetermined distance from the central axis of the lower surface of the satellite 300 . Accordingly, due to the pressure that the kinetic gas supplied from the kinetic gas hole 40 passes through the inclined section B through the first kinetic gas flow path 140 and collides with the groove-shaped step portion, the upper satellite 300 . can be rotated. Here, the groove-shaped stepped portion may be a rotation pattern portion 310 .

회전 패턴부(310)는, 반드시 도 9에 국한되지 않고, 새틀라이트(300)에 필요한 회전력에 따라 폭이나 형상이 매우 다양하게 형성될 수 있다.The rotation pattern unit 310 is not necessarily limited to FIG. 9 , and may be formed in a wide variety of widths or shapes according to the rotational force required for the satellite 300 .

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 가판 처리 방법에 따른 리프팅 가스 유량과 운동 가스 유량을 나타내는 그림이다.10 is a diagram illustrating a lifting gas flow rate and a motion gas flow rate according to a method for processing a stall according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일부 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 전술한 기판 처리 장치를 이용한 것으로서, 로딩 단계, 새틀라이트(300)를 포켓홈부(110)로부터 부유시키는 부유 단계, 새틀라이트(300)를 서셉터(100) 상에서 회전시키는 회전 단계, 공정을 진행하는 공정 단계 및 새틀라이트(300)의 자전을 멈추는 중지 단계를 포함할 수 있다.The substrate processing method according to some embodiments of the present invention uses the above-described substrate processing apparatus, a loading step, a floating step of floating the satellite 300 from the pocket groove 110 , and a susceptor for the satellite 300 . It may include a rotation step of rotating on the 100, a process step of performing the process, and a stopping step of stopping the rotation of the satellite 300.

로딩 단계는, 공정 챔버(2000) 내 기판 지지대(1000) 상에 기판(S)을 로딩시키는 단계이다.The loading step is a step of loading the substrate S on the substrate support 1000 in the process chamber 2000 .

부유 단계는, 상기 리프팅 가스 홀(40)로부터 상기 리프팅 가스를 분사시켜 기판(S)이 안착된 상태의 새틀라이트(300)를 포켓홈부(110)로부터 부유시키는 단계이다.The floating step is a step of floating the satellite 300 in a state in which the substrate S is seated from the pocket groove part 110 by injecting the lifting gas from the lifting gas hole 40 .

즉, 부유 단계는, 리프팅 가스 공급부(5000)에서 공급되는 리프팅 가스를 서셉터(100)에 형성된 포켓홈부(110)로부터 분사시켜 기판(S)이 안착된 상태로 새틀라이트(300)를 포켓홈부(110)로부터 부유시키는 단계로서, 상기 운동 가스는 공급되지 않고, 상기 리프팅 가스는 일정 유량까지 증가시킨 후에 유지하면서 공급될 수 있다.That is, the floating step injects the lifting gas supplied from the lifting gas supply unit 5000 from the pocket groove portion 110 formed in the susceptor 100 to place the satellite 300 in a state in which the substrate S is seated in the pocket groove portion. As a step of floating from 110 , the kinetic gas is not supplied, and the lifting gas may be supplied while maintaining it after increasing it to a certain flow rate.

예컨대, 부유 단계는, 도 10에 도시된 시작 단계이다. 상기 시작 단계에서는, 리프팅 가스의 유량을 30 내지 50sccm으로 공급하고, 운동 가스는 차단된 상태이다. 따라서, 새틀라이트(300)는 0에서 약 0.2mm로 부유하며, 새틀라이트(300)의 회전은 이루어지지 않는다.For example, the floating stage is the starting stage shown in FIG. 10 . In the starting stage, the flow rate of the lifting gas is supplied at 30 to 50 sccm, and the motion gas is blocked. Accordingly, the satellite 300 floats from 0 to about 0.2 mm, and the satellite 300 does not rotate.

회전 단계는, 운동 가스 홀(40)로부터 상기 운동 가스를 분사시켜 부유된 새틀라이트(300)를 회전시키는 단계이다.The rotating step is a step of rotating the floating satellite 300 by injecting the motion gas from the motion gas hole 40 .

즉, 회전 단계는, 운동 가스 공급부(4000)에서 공급되는 운동 가스를 서셉터(100)에 형성된 포켓홈부(110)로부터 새틀라이트(300)로 분사시켜 기판(S)이 서셉터(100) 상에서 자전되도록 부유된 상태의 새틀라이트(300)를 서셉터(100) 상에서 회전시키는 단계이다.That is, in the rotating step, the kinetic gas supplied from the kinetic gas supply unit 4000 is sprayed from the pocket groove 110 formed in the susceptor 100 to the satellite 300 so that the substrate S is mounted on the susceptor 100 . This is a step of rotating the satellite 300 in a suspended state so as to rotate on the susceptor 100 .

회전 단계에서는, 새틀라이트(300)가 지속적으로 회전할 수 있도록, 상기 리프팅 가스 및 상기 운동 가스는 각각 일정 유량으로 공급될 수 있다.In the rotating step, the lifting gas and the exercise gas may be supplied at a constant flow rate, respectively, so that the satellite 300 may continuously rotate.

공정 단계는, 상기 운동 가스 및 상기 리프팅 가스를 분사시키고, 가스 분사부(3000)를 통해서 공정 챔버(2000) 내에 처리 가스를 분사하여 기판(S)을 처리하기 위한 공정을 진행하는 단계이다.The process step is a step of performing a process for treating the substrate S by injecting the kinetic gas and the lifting gas, and injecting the process gas into the process chamber 2000 through the gas ejection unit 3000 .

공정 단계는 상기 운동 가스의 유량이 상기 리프팅 가스의 유량 보다 더 많이 공급되어, 상기 리프팅 가스로 인하여 발생되는 상기 새틀라이트(300)의 회전력보다 상기 운동 가스로 인하여 발생되는 상기 새틀라이트(300)의 회전력이 더 클 수 있다.In the process step, the flow rate of the kinetic gas is supplied more than the flow rate of the lifting gas, so that the satellite 300 generated by the kinetic gas rather than the rotational force of the satellite 300 generated by the lifting gas. The rotational force may be greater.

즉, 공정 단계에서는, 새틀라이트(300)가 지속적으로 회전할 수 있도록, 상기 리프팅 가스 및 상기 운동 가스는 각각 일정 유량으로 공급될 수 있다.That is, in the process step, the lifting gas and the exercise gas may each be supplied at a constant flow rate so that the satellite 300 can continuously rotate.

예컨대, 회전 단계 및 공정 단계는, 도 10에 도시된 회전 단계이다. 상기 회전 단계에서는, 리프팅 가스의 유량을 30 내지 300 sccm으로 공급하고, 운동 가스는 미리 설정된 유량으로 공급될 수 있다. 따라서, 새틀라이트(300)는 약 0.2mm로 부유 상태를 지속할 수 있으며, 동시에 운동 가스의 공급으로 회전이 이루어질 수 있다.For example, the rotating step and the process step are the rotating steps shown in FIG. 10 . In the rotating step, the flow rate of the lifting gas is supplied at 30 to 300 sccm, and the movement gas may be supplied at a preset flow rate. Accordingly, the satellite 300 can sustain a floating state of about 0.2 mm, and at the same time, it can be rotated by supplying a kinetic gas.

중지 단계는, 상기 리프팅 가스는 분사시키고, 상기 운동 가스의 공급을 차단하여 새틀라이트(300)의 회전을 중지시키는 단계이다.The stopping step is a step of stopping the rotation of the satellite 300 by injecting the lifting gas and blocking the supply of the exercise gas.

즉, 중지 단계는 유동 홈부(160)를 통하여 상기 리프팅 가스가 새틀라이트(300)의 자전 방향의 반대 방향으로 공급되어, 서셉터(100) 상에서 관성에 의하여 자전되는 상태의 새틀라이트(300)의 자전을 멈추는 단계이다.That is, in the stopping step, the lifting gas is supplied in the opposite direction to the rotation direction of the satellite 300 through the flow groove 160 , and the satellite 300 is rotated by inertia on the susceptor 100 . This is the step to stop rotating.

중지 단계의 상기 리프팅 가스의 유량은 적어도 일부 구간이 상기 공정 단계의 상기 리프팅 가스의 유량보다 더 많이 공급될 수 있으며, 상기 중지 단계의 상기 리프팅 가스의 유량은 점차 감소할 수 있다.The flow rate of the lifting gas of the stopping step may be supplied more than the flow rate of the lifting gas of the process step in at least some sections, and the flow rate of the lifting gas of the stopping step may be gradually reduced.

중지 단계에서는, 새틀라이트(300)의 회전이 멈출 수 있도록, 운동 가스 공급부(4000)에서 공급되는 운동 가스를 차단하고, 리프팅 가스 공급부(5000)에서 공급되는 리프팅 가스를 일시적으로 증가시킨 후에 소정 시간 동안 점진적으로 감소시킬 수 있다.In the stopping step, the exercise gas supplied from the exercise gas supply unit 4000 is cut off so that the rotation of the satellite 300 can be stopped, and the lifting gas supplied from the lifting gas supply unit 5000 is temporarily increased for a predetermined time can be gradually reduced over time.

예컨대, 중지 단계는, 도 10에 도시된 정지 단계이다. 상기 정지 단계에서는, 리프팅 가스의 유량을 일시적으로 미리 설정된 최대치에서 0으로 감소시키면서 공급하고, 운동 가스는 차단된 상태이다. 따라서, 새틀라이트(300)는 일시적으로 증가된 리프팅 가스의 유량에 따라 약 0.3mm로 부유되나 점차 감소하여 0mm로 포켓홈부에 안착하며, 운동 가스의 공급이 이루어지지 않으나, 새틀라이트(300)의 회전은 관성에 의하여 이루어질 수 있다. 그러나, 리프팅 가스가 유동 홈부(160)를 통하여 새틀라이트(300)의 자전 방향과 반대 방향으로 유동압이 작용하여 새틀라이트(300)가 점차 정지될 수 있다.For example, the stopping step is the stopping step shown in FIG. 10 . In the stopping step, the flow rate of the lifting gas is temporarily reduced from the preset maximum value to 0 while being supplied, and the kinetic gas is in a blocked state. Therefore, the satellite 300 floats to about 0.3 mm according to the temporarily increased flow rate of the lifting gas, but gradually decreases and settles in the pocket groove to 0 mm, and the supply of kinetic gas is not made, but the satellite 300 Rotation can be achieved by inertia. However, as the lifting gas flows in the opposite direction to the rotation direction of the satellite 300 through the flow groove 160 , a flow pressure may be applied to gradually stop the satellite 300 .

도 11은 본 발명과 종래기술에 따른 기판의 회전 속도와 회전 수의 관계를 비교하는 그래프이다.11 is a graph comparing the relationship between the rotation speed and the number of rotations of the substrate according to the present invention and the prior art.

도 11에 도시된 바와 같이, 리프팅 가스 유량에 따른 정지시간은 종래기술(a)에서 12RPM일 경우 242s, 14RPM일 경우 283s, 19RPM일 경우 330s으로 나타났으나, 본 발명(b)에서 리프팅 가스 유량에 따라 300sccm일 경우(A) RPM은 약 6에서 유지되고 정지시간은 40s이며, 500sccm일 경우(B) RPM은 약 8에서 유지되고 정지시간은 55s이며, 700sccm일 경우(C) RPM은 약 9에서 유지되고 정지시간은 60s이며, 1000sccm일 경우(D) RPM은 11에서 유지되고 정지시간은 70s으로 나타난다.As shown in Figure 11, the stop time according to the lifting gas flow rate in the prior art (a) was 12RPM, 242s, 14RPM, 283s, and 19RPM, 330s, but in the present invention (b), the lifting gas flow rate In the case of 300 sccm (A), the RPM is maintained at about 6 and the stop time is 40 s, and in the case of 500 sccm (B), the RPM is maintained at about 8 and the stop time is 55 s, and at 700 sccm (C) the RPM is about 9 is maintained and the stopping time is 60s, and in the case of 1000sccm (D), the RPM is maintained at 11 and the stopping time is shown as 70s.

즉, 리프팅 가스를 종래기술로 공급하고 운동가스를 공급하여 새틀라이트를 회전시켰을 경우 보다, 리프팅 가스를 가스 유동 홈부를 통하여 새틀라이트의 회전과 반대되는 방향으로 유동압을 가하였을 경우에 훨씬 빠른 시간에 새틀라이트가 정지하는 것을 확인할 수 있다.That is, much faster time when the lifting gas is applied in the opposite direction to the rotation of the satellite through the gas flow groove than when the satellite is rotated by supplying lifting gas and motion gas in the prior art. You can see that the satellite stops at .

따라서, 리프팅 가스가 유동 홈부(160)를 통과하여 새틀라이트(300)의 자전되는 방향에 반대방향으로 가스의 유동 압력이 형성되어, 새틀라이트(300)의 정지시에 역회전방향의 가스 유동압으로 인하여 정지되어 파티클의 발생을 감소시킬 수 있는 효과를 가질 수 있는 것이다.Accordingly, when the lifting gas passes through the flow groove 160 , the gas flow pressure is formed in the opposite direction to the rotation direction of the satellite 300 , and the gas flow pressure in the reverse rotation direction when the satellite 300 is stopped Due to the stop, it is possible to have the effect of reducing the generation of particles.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, which is merely exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

S: 기판
E: 배기 포트
M : 구동부
BS : 바닥면
30 : 리프팅 가스 홀부
40 : 운동 가스 홀부
100 : 서셉터
110 : 포켓홈부
120 : 서셉터 몸체
130 : 제 1 리프팅 가스 유로
140 : 제 1 운동 가스 유로
150 : 리프팅 가스 패스
160 : 유동 홈부
200 : 샤프트
230 : 제 2 리프팅 가스 유로
240 : 제 2 운동 가스 유로
300 : 새틀라이트
310 : 회전 패턴부
1000 : 기판 지지대
2000 : 공정 챔버
2100 : 탑 리드
2200 : 챔버 몸체
3000 : 가스 분사부
4000 : 운동 가스 공급부
5000 : 리프팅 가스 공급부S: substrate
E: exhaust port
M: drive
BS: Bottom
30: lifting gas hole
40: motion gas hole
100: susceptor
110: pocket groove
120: susceptor body
130: first lifting gas flow path
140: first kinetic gas flow path
150: lifting gas pass
160: flow groove
200: shaft
230: second lifting gas flow path
240: second kinetic gas flow path
300 : satellite
310: rotation pattern unit
1000: substrate support
2000: process chamber
2100 : Top Lead
2200: chamber body
3000: gas injection unit
4000: kinetic gas supply
5000: lifting gas supply

Claims (12)

원판 형상으로 상면에 둘레 방향을 따라 기판이 안착될 수 있도록 상면이 오목하게 형성된 포켓홈부가 복수개 형성되어 있는 서셉터와, 상기 서셉터 하부에 연결되어 상기 서셉터를 회전 구동시키는 샤프트 및 상기 포켓홈부에 안착되며 상면에 상기 기판이 안착되는 새틀라이트를 포함하는 기판 지지대로서,
상기 서셉터는,
상기 새틀라이트를 부유시키기 위하여 상기 포켓홈부 중앙 부분에 형성되어 상기 서셉터 내부에 형성된 제 1 리프팅 가스 유로를 통해 유입된 리프팅 가스가 분사되는 리프팅 가스 홀;
상기 포켓홈부에서 부유된 상기 새틀라이트를 일 방향으로 회전 구동하도록 상기 포켓홈부 가장자리 부분에 형성되어 상기 서셉터 내부에 형성된 제 1 운동 가스 유로를 통해 유입된 운동 가스가 분사되는 운동 가스 홀; 및
상기 리프팅 가스 홀로부터 분사된 상기 리프팅 가스가 상기 새틀라이트 회전 방향과 반대로 유동되도록 상기 포켓홈부의 바닥면에 형성된 유동 홈부;
를 포함하고,
상기 샤프트는,
외부로부터 공급되는 상기 리프팅 가스를 상기 제 1 리프팅 가스 유로로 전달하는 제 2 리프팅 가스 유로; 및
외부로부터 공급되는 상기 운동 가스를 상기 제 1 운동 가스 유로로 전달하는 제 2 운동 가스 유로;
를 포함하는, 기판 지지대.A susceptor having a plurality of pocket grooves having a concave upper surface so that a substrate can be seated on the upper surface in a circular plate shape in a circumferential direction, a shaft connected to the lower portion of the susceptor to rotate the susceptor, and the pocket groove portion A substrate support comprising a satellite seated on and on which the substrate is seated on an upper surface,
The susceptor is
a lifting gas hole formed in the central portion of the pocket groove to float the satellite through which a lifting gas introduced through a first lifting gas passage formed inside the susceptor is injected;
a kinetic gas hole formed at an edge of the pocket groove to rotate and drive the satellite floating in the pocket groove in one direction through which kinetic gas introduced through a first kinetic gas flow path formed inside the susceptor is injected; and
a flow groove portion formed on a bottom surface of the pocket groove portion so that the lifting gas injected from the lifting gas hole flows in a direction opposite to the rotation direction of the satellite;
including,
The shaft is
a second lifting gas passage for transferring the lifting gas supplied from the outside to the first lifting gas passage; and
a second kinetic gas passage for transferring the kinetic gas supplied from the outside to the first kinetic gas passage;
Including, a substrate support. 제 1 항에 있어서,
상기 유동 홈부는,
상기 리프팅 가스 홀로부터 상기 포켓홈부 가장자리 방향으로 나선형으로 연장 형성되는, 기판 지지대.The method of claim 1,
The flow groove portion,
A substrate support that is formed to extend spirally from the lifting gas hole toward the edge of the pocket groove. 제 2 항에 있어서,
상기 유동 홈부는,
상기 리프팅 가스의 유동 방향으로 갈수록 단면적이 좁아져 상기 리프팅 가스의 흐름이 빨라지게 유도하여 상기 새틀라이트에 전달되는 회전력을 증가시킬 수 있도록, 바닥면이 상기 리프팅 가스의 유동 방향을 따라서 상측으로 경사지게 형성되는, 기판 지지대.3. The method of claim 2,
The flow groove portion,
The bottom surface is inclined upward along the flow direction of the lifting gas so that the cross-sectional area becomes narrower in the flow direction of the lifting gas to increase the rotational force transmitted to the satellite by inducing the flow of the lifting gas to be faster being a substrate support. 제 1 항에 있어서,
상기 새틀라이트는,
상기 운동 가스 홀에 대응되는 하면의 가장자리를 따라 상기 운동 가스 홀로부터 분사된 상기 운동 가스에 의하여 상기 새틀라이트에 회전력을 전달하는 회전 패턴부가 형성되는, 기판 지지대.The method of claim 1,
The satellite is
A substrate support, in which a rotation pattern portion for transmitting a rotational force to the satellite is formed along an edge of a lower surface corresponding to the motion gas hole by the motion gas injected from the motion gas hole. 제 1 항에 있어서,
상기 운동 가스 홀은 상기 포켓홈부의 바닥면에 대하여 경사지게 형성되는, 기판 지지대.The method of claim 1,
The motion gas hole is formed to be inclined with respect to the bottom surface of the pocket groove, the substrate support. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 포켓홈부 각각에 형성되어 있는 상기 리프팅 가스 홀과 연결된 각각의 제 1 리프팅 가스 유로는 단일의 상기 제 2 리프팅 가스 유로와 연결되는, 기판 지지대.The method of claim 1,
Each of the first lifting gas passage connected to the lifting gas hole formed in each of the plurality of pocket grooves is connected to the single second lifting gas passage, the substrate support. 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 리프팅 가스 유로는,
상기 복수의 포켓홈부 각각에 형성되어 있는 상기 리프팅 가스 홀과 연결된 상기 제 1 리프팅 가스 유로와 각각 연결되도록 복수개로 형성되는, 기판 지지대.The method of claim 1,
The second lifting gas flow path,
A substrate support that is formed in plurality to be connected to the first lifting gas passage connected to the lifting gas hole formed in each of the plurality of pocket grooves, respectively. 기판을 처리할 수 있는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버;
상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 공정 챔버의 상기 처리 공간에 구비되어, 상기 공정 챔버의 중심축을 기준으로 회전 가능하게 설치되는 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 기판 지지대; 및
상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부에 구비되어, 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 가스 분사부;
를 포함하는, 기판 처리 장치.a process chamber in which a processing space capable of processing a substrate is formed;
The substrate support according to any one of claims 1 to 7, which is provided in the processing space of the process chamber to support the substrate and is rotatably installed based on a central axis of the process chamber; and
a gas injection unit provided in an upper portion of the process chamber to face the substrate support and spraying a processing gas toward the substrate support;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 8 항의 기판 처리 장치를 사용하여 기판을 처리하는 방법으로서,
상기 공정 챔버 내 상기 기판 지지대 상에 상기 기판을 로딩시키는 로딩 단계;
상기 리프팅 가스 홀로부터 상기 리프팅 가스를 분사시켜 상기 기판이 안착된 상태의 상기 새틀라이트를 상기 포켓홈부로부터 부유시키는 부유 단계;
상기 운동 가스 홀로부터 상기 운동 가스를 분사시켜 부유된 상기 새틀라이트를 회전시키는 회전 단계;
상기 운동 가스 및 상기 리프팅 가스를 분사시키고, 상기 가스 분사부를 통해서 상기 공정 챔버 내에 처리 가스를 분사하여 상기 기판을 처리하기 위한 공정을 진행하는 공정 단계; 및
상기 리프팅 가스는 분사시키고, 상기 운동 가스의 공급을 차단하여 상기 새틀라이트의 회전을 중지시키는 중지 단계;
를 포함하는, 기판 처리 방법.A method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 8, comprising:
a loading step of loading the substrate on the substrate support in the process chamber;
a floating step of injecting the lifting gas from the lifting gas hole to float the satellite in a state in which the substrate is seated from the pocket groove portion;
a rotating step of rotating the floating satellite by injecting the kinetic gas from the kinetic gas hole;
a process step of injecting the kinetic gas and the lifting gas, and injecting a process gas into the process chamber through the gas injector to perform a process for treating the substrate; and
a stopping step of spraying the lifting gas and stopping the rotation of the satellite by blocking the supply of the motion gas;
A substrate processing method comprising a. 제 9 항에 있어서,
상기 공정 단계에서,
상기 운동 가스의 유량이 상기 리프팅 가스의 유량 보다 더 많은 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
In the process step,
wherein the flow rate of the kinetic gas is greater than the flow rate of the lifting gas. 제 9 항에 있어서,
상기 중지 단계에서,
상기 중지 단계의 상기 리프팅 가스의 유량은 적어도 일부 구간이 상기 공정 단계의 상기 리프팅 가스의 유량보다 더 많은 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
In the stopping step,
The method for processing a substrate, characterized in that the flow rate of the lifting gas in the stopping step is greater than the flow rate of the lifting gas in the processing step in at least some sections. 제 9 항에 있어서,
상기 중지 단계의 상기 리프팅 가스의 유량은 점차 감소하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
wherein the flow rate of the lifting gas in the stopping step is gradually decreased.
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