KR20210068851A - 표시장치 - Google Patents

Abstract

본 출원의 예에 따른 표시장치는, 제1 서브 화소와 제2 서브 화소를 구비한 기판, 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 각각에 배치된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 유기발광층, 제1 전극의 끝단을 가리면서 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 사이에 구비된 뱅크, 및 뱅크 상에 배치된 광 경로 변경 구조물을 포함하고, 광 경로 변경 구조물은 유기발광층의 적어도 일부에 접촉되도록 구비됨으로써, 서브 화소에서 발광하는 광이 인접한 서브 화소 쪽으로 퍼지는 것을 방지하도록 광의 경로를 변경하여서 광을 발광하는 서브 화소의 광 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}

본 출원은 영상을 표시하는 표시장치에 관한 것이다.

정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP, Plasma Display Panel), 유기발광 표시장치(OLED, Organic Light Emitting Display)와 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.

표시장치들 중에서 유기발광 표시장치는 자체발광형으로서, 액정표시장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. 또한, 유기발광 표시장치는 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용이 저렴한 장점이 있다.

최근에는 이와 같은 유기발광 표시장치를 이용하여 증강현실(Augmented Reality, AR)과 가상현실(Virtual Reality, VR) 또는 동등 수준의 초고해상도를 요구하는 표시장치에 대한 수요가 증가하고 있다.

한편, 유기발광 표시장치는 유기발광층에서 발광하는 광 중 일부가 해당 화소의 중심부로 집광되지 못하고 외곽으로 퍼지기 때문에 광 효율이 저하되는 문제가 있다. 이러한 문제는 유기발광 표시장치를 포함한 헤드 장착형 디스플레이(HMD)의 경우 더 심화된다. 따라서, 광 효율을 향상시킬 수 있는 표시장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.

본 출원은 광 효율을 향상시킬 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.

본 출원의 일 예에 따른 표시장치는 제1 서브 화소와 제2 서브 화소를 구비한 기판, 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 각각에 배치된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 유기발광층, 제1 전극의 끝단을 가리면서 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 사이에 구비된 뱅크, 및 뱅크 상에 배치된 광 경로 변경 구조물을 포함하고, 광 경로 변경 구조물은 유기발광층의 적어도 일부에 접촉되도록 구비될 수 있다.

본 출원에 따른 표시장치는 뱅크 상에서 유기발광층의 적어도 일부와 접촉되는 광 경로 변경 구조물을 구비함으로써, 서브 화소에서 발광하는 광이 인접한 서브 화소 쪽으로 퍼지는 것을 방지하도록 광의 경로를 변경하여서 광을 발광하는 서브 화소의 광 효율을 향상시킬 수 있다.

위에서 언급된 본 출원의 효과 외에도, 본 출원의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 출원의 일 예에 따른 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 선 Ⅰ-Ⅰ의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 A부분의 개략적인 확대도이다.
도 4a 내지 도 4q는 본 출원의 일 예에 따른 표시장치의 개략적인 제조공정 단면도이다.
도 5는 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 6은 도 1과 도 5의 표시장치와 종래의 표시장치의 정면 휘도를 비교한 그래프이다.
도 7은 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 8a 내지 도 8g는 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 제조공정 단면도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 출원의 제4 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다.

본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 출원의 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 출원 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.

본 출원의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.

본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하에서는 본 출원에 따른 표시장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.

도 1은 본 출원의 일 예에 따른 표시장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 선 Ⅰ-Ⅰ의 개략적인 단면도이며, 도 3은 도 2의 A부분의 개략적인 확대도이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)는 기판(2), 회로 소자층(3), 제1 전극(4), 뱅크(5), 유기발광층(6), 광 경로 변경 구조물(7), 제2 전극(8), 및 봉지층(9)을 포함한다.

기판(2)은 플라스틱 필름(plastic film), 유리 기판(glass substrate), 또는 실리콘과 같은 반도체 기판일 수 있다. 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)는 하부 발광 방식이기 때문에 상기 기판(2)은 투명한 재료로 이루어질 수 있다.

상기 기판(2) 상에는 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23)가 구비된다. 일 예에 따른 제2 서브 화소(22)는 제1 서브 화소(21)의 일측에 인접하게 배치될 수 있다. 일 예에 따른 제3 서브 화소(23)는 상기 제2 서브 화소(22)의 일측에 인접하게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23)는 상기 기판(2) 상에 순차적으로 배치될 수 있다.

상기 제1 서브 화소(21)는 적색(R) 광을 방출하고, 상기 제2 서브 화소(22)는 녹색(G) 광을 방출하고, 상기 제3 서브 화소(23)는 청색(B) 광을 방출하도록 구비될 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 화이트를 포함한 다양한 색의 광을 발광할 수도 있다. 또한, 각각의 서브 화소들(21, 22, 23)의 배열 순서는 다양하게 변경될 수 있다.

회로 소자층(3)은 기판(2)의 일면 상에 마련된다.

상기 회로 소자층(3)에는 복수개의 박막 트랜지스터(31, 32, 33), 각종 신호 배선들, 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 서브 화소(21, 22, 23) 별로 구비되어 있다. 상기 신호 배선들은 게이트 라인, 데이터 라인, 전원 라인, 및 기준 라인을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 박막 트랜지스터(31, 32, 33)는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터 및 센싱 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어질 수 있다. 서브 화소들(21, 22, 23)은 게이트 라인들과 기준전압라인들과 전원공급라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의될 수 있다.

상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 게이트 라인에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 라인으로부터 공급되는 데이터 전압을 상기 구동 박막 트랜지스터에 공급하는 역할을 한다.

상기 구동 박막 트랜지스터는 상기 스위칭 박막 트랜지스터로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 전원 라인에서 공급되는 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 상기 제1 전극(4)에 공급하는 역할을 한다.

상기 센싱 박막 트랜지스터는 화질 저하의 원인이 되는 상기 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 센싱하는 역할을 하는 것으로서, 상기 게이트 라인 또는 별도의 센싱 라인에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 상기 구동 박막 트랜지스터의 전류를 상기 기준 라인으로 공급한다.

상기 커패시터는 상기 구동 박막 트랜지스터에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시키는 역할을 하는 것으로서, 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 단자 및 소스 단자에 각각 연결된다.

제1 트랜지스터(31), 제2 트랜지스터(32), 및 제3 트랜지스터(33)는 회로 소자층(3) 내에 개별 서브 화소(21, 22, 23) 별로 배치된다.

상기 제1 전극(4)은 제1 서브 화소(21)에 배치되는 제1 서브 전극(41), 제2 서브 화소(22)에 배치되는 제2 서브 전극(42), 및 제3 서브 화소(23)에 배치되는 제3 서브 전극(43)을 포함할 수 있다.

일 예에 따른 제1 트랜지스터(31)는 제1 서브 전극(41)에 연결되어서 제1 서브 화소(21)에 해당하는 색의 광을 발광시키기 위한 구동 전압을 인가할 수 있다.

일 예에 따른 제2 트랜지스터(32)는 제2 서브 전극(42)에 연결되어서 제2 서브 화소(22)에 해당하는 색의 광을 발광시키기 위한 구동 전압을 인가할 수 있다.

일 예에 따른 제3 트랜지스터(33)는 제3 서브 전극(43)에 연결되어서 제3 서브 화소(23)에 해당하는 색의 광을 발광시키기 위한 구동 전압을 인가할 수 있다.

일 예에 따른 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 각각은 각각의 트랜지스터(31, 32, 33)를 이용하여 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 유기발광층에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인해, 상기 제1 서브 화소(21), 상기 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 각각의 유기발광층은 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다.

제1 전극(4)은 상기 회로소자층(3) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(4)은 ITO와 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(4)은 애노드(anode)일 수 있다.

제1 서브 전극(41)은 제1 서브 화소(21)에 구비될 수 있다. 제1 서브 전극(41)은 회로소자층(3) 상에 배치될 수 있다. 제1 서브 전극(41)은 회로 소자층(3)의 일부에 형성된 콘택홀을 통해 제1 트랜지스터(31)의 소스 전극에 접속된다.

제2 서브 전극(42)은 제2 서브 화소(22)에 구비될 수 있다. 제2 서브 전극(42)은 회로소자층(3) 상에 배치될 수 있다. 제2 서브 전극(42)은 회로 소자층(3)의 일부에 형성된 콘택홀을 통해 제2 트랜지스터(32)의 소스 전극에 접속된다.

제3 서브 전극(43)은 제3 서브 화소(23)에 구비될 수 있다. 제3 서브 전극(43)은 회로소자승(3) 상에 배치될 수 있다. 제3 서브 전극(43)은 회로 소자층(3)의 일부에 형성된 콘택홀을 통해 제3 트랜지스터(33)의 소스 전극에 접속된다.

여기서, 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(31, 32, 33)는 N-type의 TFT일 수 있다.

만약, 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(31, 32, 33)가 P-type의 TFT로 구비되는 경우, 상기 제1 내지 제3 서브 전극(41, 42, 43) 각각은 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(31, 32, 33) 각각의 드레인 전극에 연결될 수 있다.

즉, 상기 제1 내지 제3 서브 전극(41, 42, 43) 각각은 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(31, 32, 33)의 타입에 따라 소스 전극이나 드레인 전극에 연결될 수 있다.

본 출원의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 하부 발광 방식으로 이루어지며, 상기 제1 내지 제3 서브 전극(41, 42, 43)은 투명한 도전물질로 형성되는 투명 전극으로 이루어질 수 있다. 그리고, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 하부 발광 방식이기 때문에 유기발광층(6)보다 상측에 배치된 제2 전극(8)이 반사전극으로 이루어질 수 있다. 상기 제2 전극(8)이 반사전극으로 이루어져야 유기발광층(6)에서 발광된 광 중 상측으로 광 경로가 형성된 광들을 기판(2) 쪽 즉, 하측 방향으로 반사시킬 수 있기 때문이다.

다시 도 2를 참조하면, 뱅크(5)는 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23)를 구분하기 위한 것이다. 일 예에 따른 뱅크(5)는 제1 전극(4)의 끝단을 가리도록 구비됨으로써, 상기 제1 서브 화소(21), 상기 제2 서브 화소(22), 및 상기 제3 서브 화소(23)를 구분할 수 있다. 상기 뱅크(5)는 서브 화소 즉, 발광부를 정의하는 역할을 한다. 또한, 상기 뱅크(5)가 형성된 영역은 광을 발광하지 않으므로 비발광부로 정의될 수 있다. 상기 뱅크(5)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamise resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 제1 전극(4)과 뱅크(5) 상에는 유기발광층(6)이 형성된다.

도 2를 참조하면, 뱅크(5)는 제1 뱅크(51), 및 제2 뱅크(52)를 포함할 수 있다. 상기 제1 뱅크(51)는 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이에 구비된다. 제1 뱅크(51)는 상면(511) 및 경사면을 포함할 수 있다. 상기 경사면은 제1 경사면, 및 제2 경사면을 포함할 수 있다.

제1 뱅크(51)의 상면(511)은 제1 뱅크(51)에서 상측에 위치된 면이다.

제1 뱅크(51)의 제1 경사면은 상기 상면(511)에서부터 제1 서브 전극(41)의 상면으로 연장되는 면이다. 이에 따라, 상기 제1 뱅크(51)의 제1 경사면과 상기 제1 서브 전극(41)의 상면은 소정 각도를 이룰 수 있다. 상기 소정 각도는 표시장치가 고해상도로 구현됨에 따라 뱅크의 폭이 좁아져서 50°이상 90°미만일 수 있다. 상기 뱅크의 폭은 서브 화소 간의 간격이 좁아짐에 따라 좁아질 수 있다.

제1 뱅크(51)의 제2 경사면은 상기 제1 뱅크(51)의 상면(511)에서부터 제2 서브 전극(42)의 상면으로 연장되는 면이다. 이에 따라, 상기 제1 뱅크(51)의 제2 경사면과 상기 제2 서브 전극(42)의 상면은 소정 각도를 이룰 수 있다. 상기 제1 뱅크(51)의 상기 제2 경사면과 상기 제2 서브 전극(42)의 상면이 이루는 각도는 상기 제1 뱅크(51)의 상기 제1 경사면과 상기 제1 서브 전극(41)의 상면이 이루는 각도와 동일할 수 있다.

도 2를 참조하면, 상기 제2 뱅크(52)는 제2 서브 화소(22)과 제3 서브 화소(23) 사이에 구비된다. 상기 제2 뱅크(52)는 상면(521) 및 경사면을 포함할 수 있다. 상기 경사면은 제1 경사면, 및 제2 경사면을 포함할 수 있다.

제2 뱅크(52)의 상면(521)은 제2 뱅크(52)에서 상측에 위치된 면이다.

제2 뱅크(52)의 제1 경사면은 상기 제2 뱅크(52)의 상면(521)에서부터 제2 서브 전극(42)의 상면으로 연장되는 면이다. 이에 따라, 상기 제2 뱅크(52)의 제1 경사면과 상기 제2 서브 전극(42)의 상면은 소정 각도를 이룰 수 있다. 상기 소정 각도는 표시장치가 고해상도로 구현됨에 따라 뱅크의 폭이 좁아져서 50°이상 90°미만일 수 있다.

제2 뱅크(52)의 제2 경사면은 상기 상면(521)에서부터 제3 서브 전극(43)의 상면으로 연장되는 면이다. 이에 따라, 상기 제2 뱅크(52)의 제2 경사면과 상기 제3 서브 전극(43)의 상면은 소정 각도를 이룰 수 있다. 상기 상기 제2 뱅크(52)의 제2 경사면과 상기 제3 서브 전극(43)의 상면이 이루는 각도는 상기 제2 뱅크(52)의 상기 제1 경사면과 상기 제2 서브 전극(42)의 상면이 이루는 각도와 동일할 수 있다.

유기발광층(6)은 제1 전극(4) 상에 배치된다. 상기 유기발광층(6)의 일부는 뱅크(5) 상에도 배치될 수 있다. 일 예에 따른 유기발광층(6)은 정공수송층(hole transporting layer, HTL), 발광층(light emitting layer, EML), 및 전자수송층(electron transporting layer, ETL)을 포함할 수 있다. 상기 정공수송층(HTL), 상기 발광층(EML), 및 상기 전자수송층(ETL)은 상기 제1 전극(4) 상에서 순차적으로 적층될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 유기발광층(6)은 발광층(HTL)과 전자수송층(ETL) 사이에 정공차단층(hole blocking layer, HBL)을 더 포함할 수도 있다. 상기 유기발광층(6)은 제1 전극(4)과 정공수송층(HTL) 사이에 정공주입층(hole injecting layer, HIL), 및 전자수송층(ETL) 상에 전자주입층(electron injecting layer, EIL)을 더 포함할 수도 있다.

상기 유기발광층(6)의 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)은 발광층(EML)의 발광 효율을 향상하기 위한 것으로서, 정공수송층(HTL)과 전자수송층(ETL)은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 것이고, 정공주입층(HIL)과 전자주입층(EIL)은 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 것이다.

보다 구체적으로, 정공주입층(HIL)은 양극 재료로부터 주입되는 정공의 주입에너지 장벽을 낮추어 정공주입을 용이하게 할 수 있다. 정공수송층(HTL)은 양극으로부터 주입된 정공이 손실되지 않고 발광층으로 수송시키는 역할을 수행한다.

발광층(EML)은 양극으로부터 주입된 정공과 음극으로부터 주입된 전자의 재결합을 통해 빛을 방출하는 층으로, 발광층 내의 결합에너지에 따라 적색, 청색, 녹색의 빛을 방출할 수 있으며, 복수개의 발광층을 구성하여 백색 발광층을 형성할 수도 있다. 정공차단층(HBL)은 발광층(EML)과 전자수송층(ETL) 사이에 구비되어서 발광층(EML)에서 전자와 결합하지 못한 정공의 이동을 억제하는 역할을 수행한다. 전자차단층(EBL)은 발광층(EML)과 정공수송층(HTL) 사이에 구비되어서 전자가 발광층(EML)에서 정공수송층(HTL) 쪽으로 이동하지 못하도록 전자를 발광층(EML)에 가둬두는 역할을 수행한다.

전자수송층(ETL)은 음극으로부터 주입된 전자를 발광층으로 수송하는 역할을 수행한다. 전자주입층(EIL)은 전자 주입 시 전위 장벽을 낮추어 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 역할을 수행한다.

제1 전극(4)에 고전위 전압이 인가되고 제2 전극(8)에 저전위 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공수송층과 전자수송층을 통해 발광층으로 이동되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.

본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 유기발광층(6)은 제1 유기발광층(61), 제2 유기발광층(62), 및 제3 유기발광층(63)을 포함할 수 있다. 상기 제1 유기발광층(61), 상기 제2 유기발광층(62), 및 상기 제3 유기발광층(63) 각각은 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23)에 배치될 수 있으며, 상기 제1 서브 화소(21), 상기 제2 서브 화소(22), 및 상기 제3 서브 화소(23)는 하나의 픽셀을 이룰 수 있다. 여기서 하나의 픽셀은 적색 광, 녹색 광, 청색 광이 조합되어 백색 광을 구현할 수 있는 픽셀을 의미할 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다.

상기 제1 내지 제3 유기발광층(61, 62, 63) 각각은 전술한 바와 같이 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 발광층, 정공차단층, 전자수송층, 및 전자주입층을 포함할 수 있으나, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 상기 유기발광층(6)이 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 및 전자수송층(ETL)으로 구비된 것을 예로 들어 설명한다.

상기 제1 내지 제3 유기발광층(61, 62, 63)을 구체적으로 설명하기에 앞서 제2 전극(8)과 봉지층(9)을 설명하면, 상기 제2 전극(8)은 유기발광층(6) 상에 배치된다. 상기 제2 전극(8)은 유기발광층(6) 상에 배치되므로, 유기발광층(6) 중 가장 상측에 배치된 층의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 일 예에 따른 제2 전극(8)은 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23)에 공통적으로 형성되는 공통층이다. 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)는 하부 발광 방식이므로 전술한 바와 같이 제2 전극(8)이 광을 반사시킬 수 있는 반사물질을 포함할 수 있다.

제2 전극(8) 상에는 봉지층(9)이 형성될 수 있다. 봉지층(9)은 유기발광층(6), 및 제2 전극(8)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지층(9)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.

예를 들어, 봉지층(9)은 제1 무기막, 유기막, 및 제2 무기막을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기막은 제2 전극(8)을 덮도록 형성된다. 유기막은 제1 무기막을 덮도록 형성된다. 유기막은 이물들(particles)이 제1 무기막을 뚫고 유기발광층(6), 및 제2 전극(8)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 길이로 형성되는 것이 바람직하다. 제2 무기막은 유기막을 덮도록 형성된다.

다시 도 2를 참조하면, 상기 제1 유기발광층(61)은 제1 서브 전극(41) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 유기발광층(61)은 제1 전극(4), 제1 뱅크(51), 및 제2 뱅크(52)가 형성된 후에 상기 제1 서브 전극(41) 상에 형성될 수 있다.

상기 제1 유기발광층(61)은 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 정공수송층(611), 제1 발광층(612), 및 제1 전자수송층(613)을 포함하여 구비될 수 있다. 상기 제1 정공수송층(611), 상기 제1 발광층(612), 및 상기 제1 전자수송층(613)은 제1 서브 화소(21)에서 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다. 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 제1 발광층(612)이 적색 광을 발광하도록 구비됨으로써, 컬러 필터를 생략할 수 있으므로 컬러 필터가 구비되는 경우에 비해 전체적인 공정 수를 줄이면서 두께를 줄일 수 있다.

한편, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 상기 제1 정공수송층(611)과 제1 발광층(612)은 제1 서브 화소(21)에만 구비되는 반면, 상기 제1 전자수송층(613)은 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23)에 걸쳐서 공통층으로 구비될 수 있다. 따라서, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)는 각 서브 화소(21, 22, 23) 별로 전자수송층이 구비되는 경우에 비해 공정 수를 줄일 수 있도록 구비될 수 있다.

상기 제1 유기발광층(61)의 제1 전자수송층(613)이 공통층으로 배치됨에 따라 도 2에 도시된 바와 같이 제1 전자수송층(613)은 제1 뱅크(51)와 제2 뱅크(52) 상에 각각 배치된 광 경로 변경 구조물(7)을 덮을 수 있다.

상기 제2 유기발광층(62)은 제2 정공수송층(621), 제2 발광층(622), 및 제2 전자수송층을 포함하여 구비될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 유기발광층(61)의 제1 전자수송층(613)이 공통층으로 구비되기 때문에 제2 유기발광층(62)의 제2 전자수송층은 제1 유기발광층(61)의 제1 전자수송층(613)일 수 있다. 상기 제2 정공수송층(621), 상기 제2 발광층(622), 및 상기 제2 전자수송층은 제2 서브 화소(22)에서 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다. 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 제2 발광층(622)이 녹색 광을 발광하도록 구비됨으로써, 컬러 필터를 생략할 수 있으므로 컬러 필터가 구비되는 경우에 비해 전체적인 공정 수를 줄이면서 두께를 줄일 수 있다. 한편, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 상기 제2 정공수송층(621)과 제2 발광층(622)은 제2 서브 화소(22)에만 구비될 수 있다.

상기 제3 유기발광층(63)은 제3 정공수송층(631), 제3 발광층(632), 및 제3 전자수송층을 포함하여 구비될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 유기발광층(61)의 제1 전자수송층(613)이 공통층으로 구비되기 때문에 제3 유기발광층(63)의 제3 전자수송층은 제1 유기발광층(61)의 제1 전자수송층(613)일 수 있다. 상기 제3 정공수송층(631), 상기 제3 발광층(632), 및 상기 제3 전자수송층은 제3 서브 화소(23)에서 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다. 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 제3 발광층(632)이 청색 광을 발광하도록 구비됨으로써, 컬러 필터를 생략할 수 있으므로 컬러 필터가 구비되는 경우에 비해 전체적인 공정 수를 줄이면서 두께를 줄일 수 있다. 한편, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 상기 제3 정공수송층(631)과 제3 발광층(632)은 제3 서브 화소(23)에만 구비될 수 있다.

상기 광 경로 변경 구조물(7)은 뱅크(5) 상에 배치될 수 있다. 상기 광 경로 변경 구조물(7)은 상기 유기발광층(6)에서 발광한 광을 전반사시키거나 굴절시킴으로써, 광의 경로를 변경할 수 있다. 본 출원에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)의 높이 및 유기발광층(6)의 구조에 따라 실시예가 구분될 수 있다. 이하에서는 상기 광 경로 변경 구조물(7)이 유기발광층(6)에서 발광한 광을 전반사시키는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.

도 2를 참조하면, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)이 역테이퍼 형태로 구비되고, 유기발광층(6)의 적어도 일부에 접촉됨으로써, 유기발광층(6)에서 발광한 광 중 일부를 하부 즉, 기판(2) 쪽으로 전반사시킬 수 있다. 예컨대, 광 경로 변경 구조물(7)은 측면(73)이 유기발광층(6)의 적어도 일부에 접촉됨으로써, 유기발광층(6)에서 발광한 광 중 일부를 기판(2) 쪽으로 전반사시킬 수 있다. 상기 유기발광층(6)에서 발광한 광 중 일부는 상기 유기발광층(6)에서 발광한 광 중 광 경로 변경 구조물(7)로 광 경로가 형성된 광을 의미할 수 있다. 상기 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)은 도 2를 기준으로 상면(71)과 하면(72)을 연결하는 면이며, 제1 뱅크(51)의 상면(511) 또는 제2 뱅크(52)의 상면(521)에 대해 경사지게 배치된 면을 의미할 수 있다.

도 2에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 유기발광층(6)의 정공수송층과 발광층에 접촉된 것이다. 보다 구체적으로, 도 2에 따른 표시장치(1)에서 제1 뱅크(51)의 상면(511)에 배치된 광 경로 변경 구조물(7)은 양 측면(73) 중 좌측에 배치된 좌측면이 제1 유기발광층(61)의 제1 정공수송층(611)과 제1 발광층(612)에 접촉되고, 우측에 배치된 우측면이 제2 유기발광층(62)의 제2 정공수송층(621)과 제2 발광층(622)에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 뱅크(51)의 상면(511)에 배치된 광 경로 변경 구조물(7)은 제1 서브 화소(21)에서 발광 시 제1 발광층(612)에서 발광된 적색 광을 제1 서브 화소(21)의 중심 쪽으로 전반사시킬 수 있고, 제2 서브 화소(22)에서 발광 시 제2 발광층(622)에서 발광된 녹색 광을 제2 서브 화소(22)의 중심 쪽으로 전반사시킬 수 있다.

그리고, 제2 뱅크(52)의 상면(521)에 배치된 광 경로 변경 구조물(7)은 양 측면(73) 중 좌측에 배치된 좌측면이 제2 유기발광층(62)의 제2 정공수송층(621)과 제2 발광층(622)에 접촉되고, 우측에 배치된 우측면이 제3 유기발광층(63)의 제3 정공수송층(631)과 제3 발광층(632)에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 뱅크(52)의 상면(521)에 배치된 광 경로 변경 구조물(7)은 제2 서브 화소(22)에서 발광 시 제2 발광층(622)에서 발광된 녹색 광을 제2 서브 화소(22)의 중심 쪽으로 전반사시킬 수 있고, 제3 서브 화소(23)에서 발광 시 제3 발광층(632)에서 발광된 청색 광을 제3 서브 화소(22)의 중심 쪽으로 전반사시킬 수 있다.

상기 광 경로 변경 구조물(7)은 상기 유기발광층(6)보다 더 작은 굴절률을 갖도록 구비됨으로써, 상기 유기발광층(6)에서 발광한 광 중 일부를 하부 쪽으로 전반사시킬 수 있다. 즉, 상기 광 경로 변경 구조물(7)은 유기발광층(6)의 굴절률보다 작은 저굴절 물질로 이루어질 수 있다.

예컨대, 유기발광층(6)의 굴절률이 1.8일 경우, 광 경로 변경 구조물(7)은 1.3 내지 1.6 중 어느 하나의 굴절률을 갖도록 구비될 수 있다. 상기 광 경로 변경 구조물(7)의 굴절률은 상기 광 경로 변경 구조물(7)을 이루는 물질에 따라 달라질 수 있다. 예컨대, 광 경로 변경 구조물(7)은 1.5 이하의 굴절률을 갖는 Acryl계, 1.3 내지 1.4의 굴절률을 갖는 Fluoro Carbon계, 1.4 내지 1.5dml 굴절률을 갖는 SiloXane계, 1.5 내지 1.6의 굴절률을 갖는 Cyclo Alken계 중 어느 하나 또는 적어도 2개 이상이 혼합된 물질로 구비될 수 있다.

따라서, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)이 유기발광층(6)보다 작은 굴절률을 갖도록 구비됨으로써, 도 2에 도시된 것처럼 각 서브 화소(21, 22, 23)에서 발광된 광 중 인접한 서브 화소 쪽으로 향하는 광을 발광하는 서브 화소 쪽으로 전반사시킬 수 있으므로, 발광하는 서브 화소의 광 효율을 향상시킬 수 있다.

도 2에서는 광 경로 변경 구조물(7)이 역사다리꼴 형태로 형성된 것을 예로 들었지만, 이에 한정되지 않으며 상기 유기발광층(6)에서 발광한 광 중 일부를 하부 쪽으로 전반사시킬 수 있으면 역삼각형 등 다른 형태로 구비될 수도 있다.

상기 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)은 광 경로 변경 구조물(7)에서 상대적으로 상측에 위치된 면이고, 하면(72)은 상기 상면(71)보다 하측에 위치된 면이다. 상기 하면(72)은 상기 제1 뱅크(51)의 상면(511) 또는 상기 제2 뱅크(52)의 상면(521)에 접촉할 수 있다.

본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 상기 하면(72)의 길이는 상기 상면(71)의 길이보다 짧게 구비될 수 있다. 즉, 광 경로 변경 구조물(7)은 도 2에 도시된 바와 같이, 역테이퍼 형태로 구비될 수 있다. 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)는 하부 발광 방식이기 때문에 광 경로 변경 구조물(7)이 역테이퍼 형태로 구비되어야만 기판(2)보다 상측에 배치된 유기발광층(6)에서 발광한 광을 기판(2) 쪽으로 전반사시킬 수 있기 때문이다.

한편, 상기 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)과 상기 제1 뱅크(51)의 상면(511)은 제1 각도(θ1)를 이룰 수 있고, 상기 제1 각도(θ1)가 변경됨에 따라 광의 경로가 달라질 수 있다. 마찬가지로, 상기 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)과 상기 제2 뱅크(52)의 상면(521) 역시 제1 각도(θ1)를 이룰 수 있다.

일 예에 따른 제1 각도(θ1)는 0° 이상 90° 이하일 수 있으나, 바람직하게 30° 이상 60° 이하일 수 있다. 상기 제1 각도(θ1)가 30°보다 작으면 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 너무 눕기 때문에 제1 뱅크(51)에 가려지지 않는 제1 전극(4) 즉, 발광 영역을 가릴 수 있다. 상기 제1 각도(θ1)가 60°보다 크면 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 너무 세워지기 때문에 유기발광층(6)에서 발광한 광을 발광하는 서브 화소 쪽으로 전반사시키기 어렵다. 따라서, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)는 상기 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)과 상기 제1 뱅크(51)의 상면(511)이 이루는 제1 각도(θ1)가 30° 이상 60° 이하로 구비됨으로써, 발광 영역을 가리지 않으면서 유기발광층(6)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 광 효율을 향상시킬 수 있다.

도 3을 참조하면, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 상기 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)의 폭(W1)은 제1 뱅크(51)의 상면(511)의 폭(W2)과 같거나 더 작게 구비될 수 있다.

만약, 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)의 폭(W1)이 제1 뱅크(51)의 상면(511)의 폭(W2)보다 더 크면, 광 경로 변경 구조물(7)이 제2 전극(8)에서 반사되어 기판(2) 쪽으로 향하는 광의 투과율을 저하시켜서 광 효율이 저하될 수 있기 때문이다. 또한, 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)의 폭(W1)이 제1 뱅크(51)의 상면(511)의 폭(W2)보다 더 크면, 상대적으로 유기발광층(6)의 폭이 좁아지기 때문에 광 효율이 저하될 수도 있다.

따라서, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)는 역테이퍼 형태로 구비되는 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)의 폭(W1)이 제1 뱅크(51)의 상면(511)의 폭(W2)과 같거나 더 작게 구비됨으로써, 유기발광층(6)의 폭이 좁아지는 것을 방지하면서 제2 전극(8)에서 반사되어 기판(2) 쪽으로 향하는 광의 투과율을 저하시키지 않을 수 있으므로 광 효율을 향상시킬 수 있다. 이는, 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)의 폭(W1)과 제2 뱅크(52)의 상면(521)의 폭에도 동일하게 적용될 수 있다.

다시 도 2를 참조하면, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)는 제1 유기발광층(61)의 제1 전자수송층(613)이 공통층으로 배치됨에 따라 제1 전자수송층(613)은 제1 뱅크(51)와 제2 뱅크(52) 상에 각각 배치된 광 경로 변경 구조물(7)을 덮을 수 있다. 즉, 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)은 상기 제1 전자수송층(613)의 하면에 접촉될 수 있다. 그리고, 광 경로 변경 구조물(7)의 하면(72)은 제1 뱅크(51)의 상면(511) 또는 제2 뱅크(52)의 상면(521)에 접촉될 수 있다.

또한, 상기 제1 유기발광층(61)의 제1 전자수송층(613)이 공통층으로 배치됨에 따라 제1 전자수송층(613)의 상면에 배치되는 제2 전극(8)은 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23) 간에 단절되지 않고 서로 연결될 수 있다. 따라서, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)는 상기 제2 전극(8)을 통해 공통 전압을 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23)에 안정적으로 인가할 수 있다.

도 4a 내지 도 4q는 본 출원의 일 예에 따른 표시장치의 개략적인 제조공정 단면도이다. 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)는 도 4a 내지 도 4q의 제조공정을 통해 제조될 수 있다.

먼저, 도 4a 내지 도 4e를 참조하면, 기판(2)과 회로 소자층(3) 상에 제1 전극(4), 제1 뱅크(51), 및 제2 뱅크(52)가 형성된 상태에서, 제1 정공수송층(611)과 제1 발광층(612)을 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23)에 걸쳐서 공통층으로 증착한 후 쉴드층(SL)과 PR층을 순차적으로 코팅하고, 제1 유기발광층(61) 영역 상에 마스크(M)를 위치시킨 후 나머지 영역의 PR층을 노광한다. 이에 따라, 상기 PR층에서 제1 유기발광층(61) 영역을 제외한 나머지 영역은 현상액에 식각되도록 특성이 변화될 수 있다. 상기 제1 유기발광층(61) 영역은 상기 제1 서브 전극(41)의 상면 및 상기 제1 서브 화소(21)를 정의하는 뱅크 상에만 제1 유기발광층(61)의 제1 정공수송층(611)과 제1 발광층(612)을 형성시키기 위한 영역으로, 상기 제1 서브 전극(41)의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 그리고, 상기 제1 유기발광층(61) 영역은 상기 제1 서브 화소(21)의 폭보다는 작게 구비될 수 있다. 상기 제1 유기발광층(61) 영역의 폭이 제1 서브 화소(21)의 폭보다 작기 때문에 제1 유기발광층(61) 영역과 후술할 제2 유기발광층(62) 영역 사이에 광 경로 변경 구조물(7)이 배치될 수 있는 공간이 형성될 수 있다. 상기 제1 발광층(612)은 적색(R) 광을 발광할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.

다음, 도 4f를 참조하면, 상기 제1 유기발광층(61) 영역을 제외한 나머지 영역의 PR층을 현상액을 이용하여 제거하는 1차 제거공정을 수행한다. 상기 현상액에 의해 제거되는 PR층은 현상액 속에 담궈짐으로써 부식되어 제거될 수 있다. 이 때, 제1 유기발광층(61) 영역 상에 남겨진 PR층은 현상액이 위에서부터 아래로 순차적으로 PR층을 식각함에 따라 도 4f에 도시된 바와 같이, PR층의 하면이 상면보다 크도록 양측면이 경사지게 형성될 수 있다.

다음, 도 4g를 참조하면, 드라이 에칭(Dry Etching) 공정을 이용하여 상기 제1 유기발광층(61) 영역 상의 PR층을 포함한 나머지 영역의 제1 정공수송층(611)과 제1 발광층(612)과 쉴드층(SL)을 제거하는 2차 제거공정을 수행한다. 상기 드라이 에칭 공정은 PR층을 포함한 나머지 영역의 제1 정공수송층(611)과 제1 발광층(612)과 쉴드층(SL)을 부식액(Etchant)으로 부식시키는 공정일 수 있다. 이와 같은 공정을 통해 상기 제1 서브 전극(41)의 상면 및 제1 서브 화소(21)를 정의하는 뱅크 상에만 제1 유기발광층(61)의 제1 정공수송층(611)과 제1 발광층(612), 및 쉴드층(SL)이 남고, 나머지 영역에는 제1 유기발광층(61)의 제1 정공수송층(611)과 제1 발광층(612), 및 쉴드층(SL)이 제거될 수 있다. 예컨대, 상기 나머지 영역은 상기 제1 서브 전극(41)의 상면, 제1 서브 화소(21)를 정의하는 뱅크의 측면, 및 뱅크의 상면 중 일부를 제외한 영역으로써, 제1 뱅크(51)의 상면 일부, 제1 뱅크(51)의 우측면, 제2 서브 화소(22), 제2 뱅크(52), 및 제3 서브 화소(23)가 포함된 영역일 수 있다.

한편, 도 4g의 공정에서는 도 4f와 같이, 부식액이 위에서부터 아래로 순차적으로 쉴드층(SL)과 제1 발광층(612)과 제1 정공수송층(611)을 식각함에 따라 도 4g에 도시된 바와 같이, 쉴드층(SL)과 제1 발광층(612)과 제1 정공수송층(611)의 양측면이 경사지게 형성될 수 있다.

다음, 도 4h를 참조하면, 상기 제1 서브 전극(41)의 상면과 제1 서브 화소(21)를 정의하는 뱅크 상에 순차적으로 적층된 제1 정공수송층(611)과 제1 발광층(612)과 쉴드층(SL), 및 상기 나머지 영역에 제2 정공수송층(621)과 제2 발광층(622), 쉴드층(SL), 및 PR층을 순차적으로 전면 증착한다.

다음, 도 4i에 도시된 바와 같이 제2 유기발광층(62) 영역 상에 마스크(M)를 위치시킨 후 나머지 PR층을 노광한다. 이에 따라, 상기 PR층에서 제2 유기발광층(62) 영역을 제외한 나머지 영역은 현상액에 식각되도록 특성이 변화될 수 있다. 상기 제2 유기발광층(62) 영역은 상기 제2 서브 전극(42)의 상면 및 상기 제2 서브 화소(22)를 정의하는 뱅크 상에만 제2 유기발광층(62)의 제2 정공수송층(621)과 제2 발광층(622)을 형성시키기 위한 영역으로, 상기 제2 서브 전극(42)의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 그리고, 상기 제2 유기발광층(62) 영역은 상기 제2 서브 화소(22)의 폭보다는 작게 구비될 수 있다. 상기 제2 발광층(622)은 녹색(G) 광을 발광할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.

다음, 도 4j를 참조하면, 상기 제2 유기발광층(62) 영역을 제외한 나머지 영역의 PR층을 현상액을 이용하여 제거하는 3차 제거공정을 수행한다. 상기 현상액에 의해 제거되는 PR층은 현상액 속에 담궈짐으로써 부식되어 제거될 수 있다. 이 때, 제2 유기발광층(62) 영역 상에 남겨진 PR층은 현상액이 위에서부터 아래로 순차적으로 PR층을 식각함에 따라 도 4j에 도시된 바와 같이, PR층의 하면이 상면보다 크도록 양측면이 경사지게 형성될 수 있다.

다음, 도 4k를 참조하면, 드라이 에칭(Dry Etching) 공정을 이용하여 상기 제2 유기발광층(62) 영역 상의 PR층을 포함한 나머지 영역의 제2 정공수송층(621)과 제2 발광층(622)을 제거하는 4차 제거공정을 수행한다. 상기 드라이 에칭 공정은 PR층을 포함한 나머지 영역의 제2 정공수송층(621)과 제2 발광층(622)과 쉴드층(SL)을 부식액(Etchant)으로 부식시키는 공정일 수 있다. 이와 같은 공정을 통해 상기 제2 서브 전극(42)의 상면 및 제2 서브 화소(22)를 정의하는 뱅크 상에만 제2 유기발광층(62)의 제2 정공수송층(621)과 제2 발광층(622), 및 쉴드층(SL)이 남고, 나머지 영역에는 제2 유기발광층(62)의 제2 정공수송층(621)과 제2 발광층(622), 및 쉴드층(SL)이 제거될 수 있다. 예컨대, 상기 나머지 영역은 제1 서브 화소(21), 제1 뱅크(51)의 상면 일부, 제2 뱅크(52)의 상면 일부, 제2 뱅크(52)의 우측면, 및 제3 서브 화소(23)가 포함된 영역일 수 있다.

한편, 도 4k의 공정에서는 도 4j와 같이, 부식액이 위에서부터 아래로 순차적으로 쉴드층(SL)과 제2 발광층(622)과 제2 정공수송층(621)을 식각함에 따라 도 4k에 도시된 바와 같이, 쉴드층(SL)과 제2 발광층(622)과 제2 정공수송층(621)의 양측면이 경사지게 형성될 수 있다.

그리고, 제2 유기발광층(62) 영역 상에는 PR층이 배치되어 있었기 때문에 제2 서브 화소(22)에 남겨진 쉴드층(SL)의 높이가 제1 서브 화소(21)에 배치된 쉴드층(SL)의 높이보다 높을 수 있다.

다음, 도 4l을 참조하면, 상기 제1 서브 전극(41)의 상면과 제1 서브 화소(21)를 정의하는 뱅크 상에 순차적으로 적층된 제1 정공수송층(611)과 제1 발광층(612)과 쉴드층(SL), 상기 제2 서브 전극(42)의 상면과 제2 서브 화소(22)를 정의하는 뱅크 상에 순차적으로 적층된 제2 정공수송층(621)과 제2 발광층(622)과 쉴드층(SL), 및 상기 나머지 영역에 제3 정공수송층(631)과 제3 발광층(632), 쉴드층(SL), 및 PR층을 순차적으로 전면 증착한다.

다음, 도 4m에 도시된 바와 같이 제3 유기발광층(63) 영역 상에 마스크(M)를 위치시킨 후 나머지 PR층을 노광한다. 이에 따라, 상기 PR층에서 제3 유기발광층(63) 영역을 제외한 나머지 영역은 현상액에 식각되도록 특성이 변화될 수 있다. 상기 제3 유기발광층(63) 영역은 상기 제3 서브 전극(43)의 상면 및 상기 제3 서브 화소(23)를 정의하는 뱅크 상에만 제3 유기발광층(63)의 제3 정공수송층(631)과 제3 발광층(632)을 형성시키기 위한 영역으로, 상기 제3 서브 전극(43)의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 그리고, 상기 제3 유기발광층(63) 영역은 상기 제3 서브 화소(23)의 폭보다는 작게 구비될 수 있다. 상기 제3 발광층(632)은 청색(B) 광을 발광할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.

다음, 도 4n을 참조하면, 상기 제3 유기발광층(63) 영역을 제외한 나머지 영역의 PR층을 현상액을 이용하여 제거하는 5차 제거공정을 수행한다. 상기 현상액에 의해 제거되는 PR층은 현상액 속에 담궈짐으로써 부식되어 제거될 수 있다. 이 때, 제3 유기발광층(63) 영역 상에 남겨진 PR층은 현상액이 위에서부터 아래로 순차적으로 PR층을 식각함에 따라 도 4n에 도시된 바와 같이, PR층의 하면이 상면보다 크도록 양측면이 경사지게 형성될 수 있다.

다음, 도 4o를 참조하면, 드라이 에칭(Dry Etching) 공정을 이용하여 상기 제3 유기발광층(63) 영역 상의 PR층을 포함한 나머지 영역의 제3 정공수송층(631)과 제3 발광층(632)을 제거하는 6차 제거공정을 수행한다. 상기 드라이 에칭 공정은 PR층을 포함한 나머지 영역의 제3 정공수송층(631)과 제3 발광층(632)과 쉴드층(SL)을 부식액(Etchant)으로 부식시키는 공정일 수 있다. 이와 같은 공정을 통해 상기 제3 서브 전극(43)의 상면 및 제3 서브 화소(23)를 정의하는 뱅크 상에만 제3 유기발광층(63)의 제3 정공수송층(631)과 제3 발광층(632), 및 쉴드층(SL)이 남고, 나머지 영역에는 제3 유기발광층(63)의 제3 정공수송층(631)과 제3 발광층(632), 및 쉴드층(SL)이 제거될 수 있다. 예컨대, 상기 나머지 영역은 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 제3 서브 화소(23)를 정의하는 뱅크의 상면 중 일부를 제외한 영역일 수 있다.

한편, 도 4o의 공정에서는 도 4n과 같이, 부식액이 위에서부터 아래로 순차적으로 쉴드층(SL)과 제3 발광층(632)과 제3 정공수송층(631)을 식각함에 따라 도 4o에 도시된 바와 같이, 쉴드층(SL)과 제3 발광층(632)과 제3 정공수송층(631)의 양측면이 경사지게 형성될 수 있다.

그리고, 제3 유기발광층(63) 영역 상에는 PR층이 배치되어 있었기 때문에 제3 서브 화소(23)에 남겨진 쉴드층(SL)의 높이가 제1 서브 화소(21)에 배치된 쉴드층(SL)의 높이와 제2 서브 화소(22)에 배치된 쉴드층(SL)의 높이보다 높을 수 있다. 여기서, 제2 서브 화소(22)에 배치된 쉴드층(SL)의 높이는 제1 서브 화소(21)에 배치된 쉴드층(SL)의 높이보다 더 높을 수 있다. 제1 서브 화소(21)에 배치된 쉴드층(SL)은 3번의 식각 공정을 거친 반면, 제2 서브 화소(22)에 배치된 쉴드층(SL)은 2번의 식각 공정만 거치기 때문이다.

그리고, 도시되지 않았지만 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23) 각각에 남겨진 쉴드층(SL)을 모두 제거하는 스트립 공정을 수행한다. 따라서, 도 4p에 도시된 바와 같이, 제1 발광층(612), 제2 발광층(622), 및 제3 발광층(632)이 각각 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 각각의 가장 상측에 노출될 수 있다. 그리고, 상기 뱅크(5)들 각각의 상면에는 기판(2) 쪽으로 갈수록 폭이 좁아지게 형성된 공간이 형성될 수 있다.

다음, 도 4p를 참조하면, 각 뱅크(5) 상에 형성된 공간에 주입장치(IJ)를 이용하여 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질(7')을 주입한다. 상기 주입장치(IJ)는 액체를 주입할 수 있는 장치일 수 있다. 상기 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질(7')은 Acryl계, Fluoro Carbon계, SiloXane계, Cyclo Alken계 중 어느 하나 또는 적어도 2개 이상이 혼합된 액체일 수 있다.

상기 공간에 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질(7')을 채운 후 베이킹 공정을 수행하여 광 경로 변경 구조물(7)을 형성한다. 이 때, 베이킹 공정은 열경화 공정 또는 광 경화 공정 중 어느 하나를 이용하여 수행될 수 있다. 상기 열경화 공정과 광 경화 공정은 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23) 전면에 걸쳐서 수행될 수 있다.

상기 열경화 공정은 열을 이용하여 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질(7')을 경화시키는 공정으로써, 100도 이하의 온도에서 약 10분에서 20분 정도 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질(7')을 열에 노출시킴으로써 수행될 수 있다. 100도를 초과하는 온도에서는 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질(7')의 양측에 위치된 발광층이 열에 의해 손상될 수 있기 때문에 상기 열경화 공정은 100도 이하의 온도에서 수행될 수 있다.

상기 광 경화 공정은 UV와 같은 광을 이용하여 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질(7')을 경화시키는 공정으로써, 90도 이하의 온도에서 약 2분간 프리 베이킹 한 후 200mJ에서 600mJ의 광 세기로, 6초에서 15초 정도 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질(7')을 광에 노출시킴으로써 수행될 수 있다. 이 경우에도 600mJ을 초과하는 광 세기에서는 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질(7')의 양측에 위치된 발광층이 열에 의해 손상될 수 있기 때문에 상기 광 경화 공정은 600mJ 이하의 광 세기에서 수행될 수 있다.

상기와 같은 베이킹 공정이 완료되면, 광 경로 변경 구조물(7)은 도 4q에 도시된 바와 같이, 상면(71)이 발광층의 상면과 단차 없이 동일한 높이를 가지게 될 수 있다. 그리고, 하면(72)은 각 뱅크(5)의 상면에 접촉되며, 측면(73)은 정공수송층과 발광층에 접촉될 수 있다.

다음, 도 4q를 참조하면, 동일한 높이를 갖도록 평탄하게 배치된 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)과 제1 내지 제3 발광층(612, 622, 632)의 상면을 덮도록 제1 전자수송층(613), 제2 전극(8), 및 봉지층(9)을 순차적으로 전면 증착한다. 이에 따라, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치(1)에 대한 제조 공정 중 일부가 완료될 수 있다.

도 5는 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.

도 5를 참조하면, 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)의 높이가 더 높아져서 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 제1 내지 제3 유기발광층(61, 62, 63) 각각이 갖는 제1 전자수송층(613), 제2 전자수송층(623), 및 제3 전자수송층(633)까지 더 접촉하는 것을 제외하고, 전술한 도 2에 따른 표시장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면 부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

전술한 도 2에 따른 표시장치의 경우, 제1 발광층(612), 제2 발광층(622), 및 제3 발광층(632)이 발광하는 광을 기판(2) 쪽으로 전반사시키기 위해 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 각 유기발광층(6)이 갖는 정공수송층과 발광층에만 접촉되도록 구비된다. 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 발광층에 접촉되지 않으면 발광층에서 발광한 광이 인접한 서브 화소 쪽으로 간섭될 수 있기 때문이다. 따라서, 도 2에 따른 표시장치의 경우, 제1 전자수송층(613)이 공통층으로 구비될 수 있어서 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)은 제1 전자수송층(613)의 하면과 접촉되도록 구비된다. 그리고, 광 경로 변경 구조물(7)의 하면(72)은 뱅크(5)의 상면과 접촉되도록 구비된다.

그에 반하여, 도 5의 제2 실시예에 따른 표시장치의 경우에는, 광 경로 변경 구조물(7)의 높이가 더 높아져서 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 각 유기발광층(6)이 갖는 정공수송층과 발광층과 전자수송층에 접촉되도록 구비된다. 따라서, 도 5에 따른 표시장치의 경우, 광 경로 변경 구조물(7)의 하면(72)은 뱅크(5)의 상면과 접촉되고, 상면(71)은 제2 전극(8)의 하면과 접촉되도록 구비될 수 있다.

결과적으로, 도 5의 제2 실시예에 따른 표시장치(1)의 광 경로 변경 구조물(7)은 제1 유기발광층(61)과 제2 유기발광층(62) 각각이 갖는 복수의 층 전체의 사이, 및 제2 유기발광층(62)과 제3 유기발광층(63) 각각이 갖는 복수의 층 전체의 사이에 배치되므로, 제1 유기발광층(61)과 제2 유기발광층(62)과 제3 유기발광층(63)을 완전하게 단절시키는 기능도 가질 수 있다. 따라서, 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)이 제1 내지 제3 유기발광층(61, 62, 63) 사이에 배치되도록 구비됨으로써, 제1 내지 제3 발광층(612, 622, 632)에서 발광한 광 중 제2 전극(8)에 반사된 광이 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)으로 입사되지 않고 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)을 통해서 기판(2) 쪽으로 전반사시킬 수 있으므로 도 2에 따른 표시장치에 비해 광 효율을 더 향상시킬 수 있다.

한편, 도 2에 따른 표시장치는 제1 전자수송층(613)이 공통층으로 구비되었으나, 도 5의 제2 실시예에 따른 표시장치는 제1 전자수송층(613)이 공통층으로 구비되지 않고 제1 서브 화소(21)에만 배치된다. 따라서, 제2 유기발광층(62)은 제2 발광층(622)의 상면에 제2 전자수송층(623)이 구비되고, 제3 유기발광층(63)은 제3 발광층(632)의 상면에 제3 전자수송층(633)이 구비될 수 있다.

상기 제1 전자수송층(613)은 제1 발광층(612)의 상면에 적층된 후에 제1 정공수송층(611) 및 제1 발광층(612)과 함께 패터닝됨으로써, 제1 서브 화소(21)에만 배치될 수 있다. 상기 제2 전자수송층(623)은 제2 발광층(622)의 상면에 적층된 후에 제2 정공수송층(621) 및 제2 발광층(622)과 함께 패터닝됨으로써, 제2 서브 화소(22)에만 배치될 수 있다. 상기 제3 전자수송층(633)은 제3 발광층(632)의 상면에 적층된 후에 제3 정공수송층(631) 및 제3 발광층(632)과 함께 패터닝됨으로써, 제3 서브 화소(23)에만 배치될 수 있다.

따라서, 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 제1 뱅크(51) 상에 배치된 광 경로 변경 구조물(7)은 제1 유기발광층(61)의 제1 정공수송층(611)과 제1 발광층(612)과 제1 전자수송층(613), 및 제2 유기발광층(62)의 제2 정공수송층(611)과 제2 발광층(622)과 제2 전자수송층(623) 사이에 형성된 공간에 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 용액 물질이 채워진 후 베이킹됨으로써, 측면(73) 중 좌측면이 제1 정공수송층(611)과 제1 발광층(612)과 제1 전자수송층(613)에 접촉되고, 우측면이 제2 정공수송층(611)과 제2 발광층(622)과 제2 전자수송층(623)에 접촉되는 역테이퍼 형태로 구비될 수 있다. 그리고, 상기 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)은 제2 전극(8)의 하면에 접촉되고, 하면(72)은 뱅크(5)의 상면에 접촉될 수 있다.

그리고, 제2 뱅크(52) 상에 배치된 광 경로 변경 구조물(7)은 제2 유기발광층(62)의 제2 정공수송층(621)과 제2 발광층(622)과 제2 전자수송층(623), 및 제3 유기발광층(63)의 제3 정공수송층(631)과 제3 발광층(632)과 제3 전자수송층(633) 사이에 형성된 공간에 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 용액 물질이 채워진 후 베이킹됨으로써, 측면(73) 중 좌측면이 제2 정공수송층(621)과 제2 발광층(622)과 제2 전자수송층(623)에 접촉되고, 우측면이 제3 정공수송층(631)과 제3 발광층(632)과 제3 전자수송층(633)에 접촉되는 역테이퍼 형태로 구비될 수 있다. 그리고, 상기 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)은 제2 전극(8)의 하면에 접촉되고, 하면(72)은 뱅크(5)의 상면에 접촉될 수 있다.

도 6은 도 1과 도 5의 표시장치와 종래의 표시장치의 정면 휘도를 비교한 그래프이다.

도 6을 참조하면, L은 광 경로 변경 구조물이 없는 종래의 표시장치의 정면 휘도를 나타낸 그래프이고, L1은 도 2의 일 예에 따른 표시장치의 정면 휘도를 나타낸 그래프이며, L2는 도 5의 제2 실시예에 따른 표시장치의 정면 휘도를 나타낸 그래프이다. 여기서, 가로 축은 시야각(Viewing Angle)을 나타내고, 세로 축은 휘도(Luminance Intensity)를 나타낸다.

도 6에 도시된 바와 같이, L은 시야각이 0인 정면 방향에서 휘도가 약 7.5이고, L1은 시야각이 0인 정면 방향에서 휘도가 약 9.5이며, L2는 시야각이 0인 정면 방향에서 휘도가 약 10인 것을 알 수 있다. 이는, 광 경로 변경 구조물이 없는 경우보다 광 경로 변경 구조물이 있는 경우에 측면 쪽으로 광 경로가 형성된 광을 서브 화소의 중심 쪽으로 반사시켜서 광 효율이 향상되어 정면 휘도가 높아지는 것을 의미할 수 있다. 그리고, 광 경로 변경 구조물(7)이 제1 유기발광층(61), 제2 유기발광층(62), 및 제3 유기발광층(63) 각각의 일부에만 접촉되지 않고 제1 유기발광층(61), 제2 유기발광층(62), 및 제3 유기발광층(63) 각각의 전부에 접촉될 경우에 광 효율이 더 향상되어 정면 휘도가 더 높아지는 것을 의미할 수 있다. 이는, 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)의 면적이 더 클수록 반사시키는 광량이 더 많기 때문이다.

결과적으로, 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 유기발광층(6)의 정공수송층과 발광층과 전자수송층에 접촉되기 때문에 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 유기발광층(6)의 정공수송층과 발광층에만 접촉되는 본 출원의 일 예에 따른 표시장치에 비해 광 효율이 더 향상되도록 구비될 수 있다.

도 7은 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.

도 7을 참조하면, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 유기발광층(6)이 백색 광을 발광하도록 구비되고, 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 각각에 대응하도록 컬러 필터(10)가 구비된 것을 제외하고, 전술한 도 5에 따른 표시장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면 부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

전술한 도 5에 따른 표시장치의 경우, 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 제1 내지 제3 유기발광층(61, 62, 63) 각각이 갖는 정공수송층과 발광층과 전자수송층에 접촉되도록 구비된다. 따라서, 도 5에 따른 표시장치의 경우, 제1 유기발광층(61)의 제1 정공수송층(611), 제1 발광층(612), 및 제1 전자수송층(613)이 제1 서브 화소(21)에만 배치되도록 패터닝되고, 제2 유기발광층(62)의 제2 정공수송층(621), 제2 발광층(622), 및 제2 전자수송층(623)이 제2 서브 화소(22)에만 배치되도록 패터닝되며, 제3 유기발광층(63)의 제3 정공수송층(631), 제3 발광층(632), 및 제3 전자수송층(633)이 제3 서브 화소(23)에만 배치되도록 패터닝된 후 제1 내지 제3 유기발광층(61, 62, 63) 사이에 형성된 공간에 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질을 채워서 광 경로 변경 구조물(7)이 형성된다.

즉, 도 5에 따른 표시장치는 제1 유기발광층(61), 제2 유기발광층(62), 제3 유기발광층(63)을 각각 패터닝하는 공정이 수행된 후에 광 경로 변경 구조물(7)이 형성된다.

그에 반하여, 도 7의 제3 실시예에 따른 표시장치의 경우에는, 유기발광층(6')이 백색 광을 발광하도록 2스택 구조로 구비됨과 동시에 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23)에 걸쳐서 공통층으로 구비됨으로써, 제1 유기발광층(61)과 제2 유기발광층(62)과 제3 유기발광층(63)을 구분할 필요 없이 동일한 구조를 갖는 유기발광층(6')이 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23)에 배치될 수 있다.

보다 구체적으로, 도 7의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 유기발광층(6')이 제1 전자수송층(611')과 제1 발광층(612')과 제1 전자수송층(613')을 포함하는 제1 스택(61'), 제1 스택(61')의 상면에 배치되는 전하생성층(62'), 및 전하생성층(62')의 상면에 배치되는 제2 스택(63')을 포함할 수 있다. 상기 제2 스택(63')은 제2 정공수송층(631')과 제2 발광층(632')과 제2 전자수송층(633')을 포함할 수 있다.

상기 전하 생성층(62')은 상기 제1 스택(61') 및 제2 스택(63')에 전하를 공급하는 역할을 한다. 상기 전하 생성층(62')은 상기 제1 스택(61')에 전자(electron)를 공급하기 위한 N형 전하 생성층 및 상기 제2 스택(63')에 정공(hole)을 공급하기 위한 P형 전하 생성층을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 N형 전하 생성층은 금속 물질을 도펀트로 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 제1 발광층(612')은 황녹색(YG) 광을 발광하도록 구비되고, 상기 제2 발광층(632')은 청색(B) 광을 발광하도록 구비될 수 있다. 따라서, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)의 유기발광층(6')은 황녹색(YG) 광과 청색(B) 광이 조합된 백색 광을 발광하도록 구비될 수 있다.

그러므로, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 광 경로 변경 구조물(7)은 측면(73)이 제1 전자수송층(611'), 제1 발광층(612'), 제1 전자수송층(613'), 전하생성층(62'), 제2 정공수송층(631'), 제2 발광층(632'), 및 제2 전자수송층(633')에 접촉될 수 있다. 도 2에 따른 표시장치의 경우에는 광 경로 변경 구조물(7)의 좌측면과 우측면이 서로 다른 유기발광층에 접촉되었으나, 도 7에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)의 좌측면과 우측면의 구분 없이 측면(73)이 동일한 유기발광층에 접촉될 수 있다.

한편, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 광 경로 변경 구조물(7)은 도 7에 도시된 바와 같이 복수개의 뱅크(5)의 상면에 배치되어서 전하생성층(62')을 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23) 별로 단절시킬 수 있다. 따라서, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 인접한 서브 화소 간에 측면누설전류가 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 2개의 서브 화소가 동시에 발광되어 혼색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.

다시 도 7을 참조하면, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 유기발광층(6')이 백색 광을 발광하도록 구비되기 때문에 각 서브 화소에 대응되는 색이 방출되도록 컬러 필터(10)가 구비될 수 있다. 그리고, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 하부 발광 방식이기 때문에 상기 컬러 필터(10)가 제1 전극(4)보다 아래 쪽에 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 컬러 필터(10)는 도 7에 도시된 바와 같이 회로소자층(3)에 구비될 수 있다.

상기 컬러 필터(10)는 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23) 각각에 구비되어서 각 서브 화소의 유기발광층(6')에서 발광하는 광에서 특정 색의 광만이 투과되도록 나머지 색의 광을 차단하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(10)는 제1 컬러 필터(101), 제2 컬러 필터(102), 및 제3 컬러 필터(103)를 포함할 수 있다.

제1 컬러 필터(101)는 제1 서브 화소(21)에 대응하도록 구비될 수 있다. 상기 제1 컬러 필터(101)는 적색(R) 광을 제외한 나머지 색의 광을 차단하도록 구비될 수 있다. 이 경우, 제1 컬러 필터(101)는 적색 컬러 필터로 구비될 수 있다.

제2 컬러 필터(102)는 제2 서브 화소(22)에 대응하도록 구비될 수 있다. 상기 제2 컬러 필터(102)는 녹색(G) 광을 제외한 나머지 색의 광을 차단하도록 구비될 수 있다. 이 경우, 제2 컬러 필터(102)는 녹색 컬러 필터로 구비될 수 있다.

제3 컬러 필터(103)는 제3 서브 화소(23)에 대응하도록 구비될 수 있다. 상기 제3 컬러 필터(103)는 청색(B) 광을 제외한 나머지 색의 광을 차단하도록 구비될 수 있다. 이 경우, 제3 컬러 필터(103)는 청색 컬러 필터로 구비될 수 있다.

따라서, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 유기발광층(6')이 백색 광을 발광하지만 제1 내지 제3 컬러 필터(101, 102, 103)를 통해 각 서브 화소(21, 22, 23) 별로 적색(R) 광, 녹색(G) 광, 및 청색(B) 광이 방출되도록 구비될 수 있다.

한편, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 컬러 필터(101)의 가장자리가 제1 컬러 필터(101)보다 상측에 배치된 뱅크(5)에 중첩(OA)되도록 구비될 수 있다. 예컨대, 제1 컬러 필터(101)는 제1 서브 전극(41)과 동일하거나 제1 서브 전극(41)보다 더 길게 구비됨으로써, 가장자리가 뱅크(5)에 중첩(OA)될 수 있다.

만약, 제1 컬러 필터가 제1 서브 전극보다 짧게 구비되어서 제1 컬러 필터의 가장자리가 뱅크에 중첩되지 않으면, 제1 서브 화소(21)에서 발광한 백색 광이 제1 컬러 필터를 통하지 않고 외부로 방출될 수 있다. 그렇게 되면, 적색 광이 아닌 백색 광이 일부 방출되므로 상대적으로 적색 광이 연하게 보여질 수 있다.

따라서, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 제1 컬러 필터(101)의 가장자리가 뱅크(5)에 중첩(OA)되도록 구비됨으로써, 제1 서브 화소(21)에서 발광한 백색 광이 제1 컬러 필터(101)를 모두 통과할 수 있으므로 적색 광이 연하게 보여지는 것을 방지하도록 구비될 수 있다.

전술한 바와 같은 이유로, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 제2 컬러 필터(102)의 가장자리가 뱅크(5)에 중첩되도록 구비됨으로써, 제2 서브 화소(22)에서 발광한 백색 광이 제2 컬러 필터(102)를 모두 통과할 수 있으므로 녹색 광이 연하게 보여지는 것을 방지하도록 구비될 수 있다.

그리고, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 제3 컬러 필터(103)의 가장자리가 뱅크(5)에 중첩되도록 구비됨으로써, 제3 서브 화소(23)에서 발광한 백색 광이 제3 컬러 필터(103)를 모두 통과할 수 있으므로 청색 광이 연하게 보여지는 것을 방지하도록 구비될 수 있다.

도 8a 내지 도 8g는 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 제조공정 단면도이다. 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 도 8a 내지 도 8g의 제조공정을 통해 제조될 수 있다.

먼저, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 기판(2) 상에 배치된 회로 소자층(3)에 제1 내지 제3 컬러 필터(101, 102, 103)가 서브 화소(21, 22, 23) 별로 배치되고, 회로 소자층(3) 상에 제1 전극(4), 제1 뱅크(51), 및 제2 뱅크(52)가 형성된 상태에서, 제1 전자수송층(611'), 제1 발광층(612'), 제1 전자수송층(613'), 전하생성층(62'), 제2 정공수송층(631'), 제2 발광층(632'), 제2 전자수송층(633'), 쉴드층(SL), 및 PR층을 순차적으로 전면 증착한다.

다음, 도 8c를 참조하면, 제1 서브 화소(21) 영역, 제2 서브 화소(22) 영역, 및 제3 서브 화소(23) 영역 상에 마스크(M)를 위치시킨 후 나머지 영역의 PR층을 노광한다. 이에 따라, 상기 PR층에서 제1 서브 화소(21) 영역, 제2 서브 화소(22) 영역, 및 제3 서브 화소(23) 영역을 제외한 나머지 영역은 현상액에 식각되도록 특성이 변화될 수 있다.

상기 제1 서브 화소(21) 영역은 상기 제1 서브 전극(41)의 상면 및 상기 제1 서브 화소(21)를 정의하는 뱅크 상에만 유기발광층(6')을 형성시키기 위한 영역으로, 상기 제1 서브 전극(41)의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 그리고, 상기 제1 서브 화소(21) 영역은 상기 제1 서브 화소(21)의 폭보다는 작게 구비될 수 있다. 상기 제1 서브 화소(21) 영역의 폭이 제1 서브 화소(21)의 폭보다 작기 때문에 제1 서브 화소(21) 영역과 후술할 제2 서브 화소(22) 영역 사이에 광 경로 변경 구조물(7)이 배치될 수 있는 공간이 형성될 수 있다.

상기 제2 서브 화소(22) 영역은 상기 제2 서브 전극(42)의 상면 및 상기 제2 서브 화소(22)를 정의하는 뱅크 상에만 유기발광층(6')을 형성시키기 위한 영역으로, 상기 제2 서브 전극(42)의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 그리고, 전술한 바와 같이 제2 서브 화소(22) 영역은 상기 제2 서브 화소(22)의 폭보다는 작게 구비될 수 있다.

상기 제3 유기발광층(63) 영역은 상기 제3 서브 전극(43)의 상면 및 상기 제3 서브 화소(23)를 정의하는 뱅크 상에만 유기발광층(6')을 형성시키기 위한 영역으로, 상기 제3 서브 전극(43)의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 그리고, 제3 서브 화소(23) 영역은 상기 제3 서브 화소(23)의 폭보다는 작게 구비될 수 있다. 이는, 제2 서브 화소(22) 영역과 제3 서브 화소(23) 영역 사이에 광 경로 변경 구조물(7)을 배치시키기 위함이다.

다음, 도 8d를 참조하면, 제1 서브 화소(21) 영역, 제2 서브 화소(22) 영역, 및 제3 서브 화소(23) 영역을 제외한 나머지 영역의 PR층을 현상액을 이용하여 제거하는 1차 제거공정을 수행한다. 상기 현상액에 의해 제거되는 PR층은 현상액 속에 담궈짐으로써 부식되어 제거될 수 있다. 이 때, 제1 서브 화소(21) 영역, 제2 서브 화소(22) 영역, 및 제3 서브 화소(23) 영역 상에 남겨진 PR층은 현상액이 위에서부터 아래로 순차적으로 PR층을 식각함에 따라 도 8d에 도시된 바와 같이, PR층의 하면이 상면보다 크도록 양측면이 경사지게 형성될 수 있다.

다음, 도 8e를 참조하면, 드라이 에칭(Dry Etching) 공정을 이용하여 제1 서브 화소(21) 영역, 제2 서브 화소(22) 영역, 및 제3 서브 화소(23) 영역 상의 PR층을 포함한 나머지 영역의 유기발광층(6')과 쉴드층(SL)을 제거하는 2차 제거공정을 수행한다. 상기 드라이 에칭 공정은 PR층을 포함한 나머지 영역의 유기발광층(6')과 쉴드층(SL)을 부식액(Etchant)으로 부식시키는 공정일 수 있다. 이와 같은 공정을 통해 유기발광층(6')과 쉴드층(SL)은 제1 서브 전극(41)의 상면과 제1 서브 화소(21)를 정의하는 뱅크, 제2 서브 전극(42)의 상면과 제2 서브 화소(22)를 정의하는 뱅크, 및 제3 서브 전극(43)의 상면과 제3 서브 화소(23)를 정의하는 뱅크 상에 남을 수 있다. 그리고, 나머지 영역에는 유기발광층(6')과 쉴드층(SL)이 제거될 수 있다. 여기서, 상기 나머지 영역은 복수의 뱅크(5) 각각의 상면 일부일 수 있다.

한편, 도 8e의 공정에서는 도 8d와 같이, 부식액이 위에서부터 아래로 순차적으로 쉴드층(SL)과 유기발광층(6')을 식각함에 따라 도 8e에 도시된 바와 같이, 쉴드층(SL)과 유기발광층(6')의 양측면이 경사지게 형성될 수 있다.

그리고, 도 8e의 공정에서 쉴드층(SL)은 동시에 식각되기 때문에 도 5에 따른 표시장치와 달리 쉴드층(SL)의 높이가 모두 동일하게 구비될 수 있다.

다음, 도시되지 않았지만 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23) 각각에 남겨진 쉴드층(SL)을 모두 제거하는 스트립 공정을 수행한다. 따라서, 도 8f에 도시된 바와 같이, 제2 전자수송층(632')이 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 각각의 가장 상측에 노출될 수 있다. 그리고, 상기 뱅크(5)들 각각의 상면에는 기판(2) 쪽으로 갈수록 폭이 좁아지게 형성된 공간이 형성될 수 있다.

다음, 도 8f를 참조하면, 각 뱅크(5) 상에 형성된 공간에 주입장치(IJ)를 이용하여 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질(7')을 주입한다. 상기 주입장치(IJ)는 액체를 주입할 수 있는 장치일 수 있다. 상기 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질(7')은 Acryl계, Fluoro Carbon계, SiloXane계, Cyclo Alken계 중 어느 하나 또는 적어도 2개 이상이 혼합된 액체일 수 있다.

상기 공간에 광 경로 변경 구조물(7)을 형성하는 물질(7')을 채운 후 베이킹 공정을 수행하여 광 경로 변경 구조물(7)을 형성한다. 이 때, 베이킹 공정은 전술한 바와 같이, 열경화 공정 또는 광 경화 공정 중 어느 하나를 이용하여 수행될 수 있다. 상기 열경화 공정과 광 경화 공정은 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23) 전면에 걸쳐서 수행될 수 있다.

상기와 같은 베이킹 공정이 완료되면, 광 경로 변경 구조물(7)은 도 8g에 도시된 바와 같이, 상면(71)이 제2 전자수송층(633')의 상면과 단차 없이 동일한 높이를 가지게 될 수 있다. 그리고, 하면(72)은 각 뱅크(5)의 상면에 접촉되며, 측면(73)은 제1 전자수송층(611'), 제1 발광층(612'), 제1 전자수송층(613'), 전하생성층(62'), 제2 정공수송층(631'), 제2 발광층(632'), 제2 전자수송층(633')에 접촉될 수 있다.

다음, 도 8g를 참조하면, 동일한 높이를 갖도록 평탄하게 배치된 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)과 제2 전자수송층(633')의 상면을 덮도록 제2 전극(8)과 봉지층(9)을 순차적으로 전면 증착한다. 이에 따라, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)에 대한 제조 공정 중 일부가 완료될 수 있다.

본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 유기발광층(6')이 공통층으로 구비되기 때문에 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23) 별로 제1 유기발광층(61), 제2 유기발광층(62), 및 제3 유기발광층(63)을 패터닝하는 경우에 비해 공정 수를 현저히 줄일 수 있으므로, 발광층이 부식액 또는 공기에 노출되는 횟수를 현저히 줄여서 유기발광층의 사용 수명이 더 증대되도록 구비될 수 있다.

한편, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 제1 전자수송층(611'), 제1 발광층(612'), 제1 전자수송층(613'), 전하생성층(62'), 제2 정공수송층(631'), 제2 발광층(632'), 및 제2 전자수송층(633')에 접촉된 것으로 설명하였으나, 또 다른 실시예로 상기 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)은 제1 전자수송층(611'), 제1 발광층(612'), 제1 전자수송층(613'), 전하생성층(62'), 제2 정공수송층(631'), 및 제2 발광층(632')까지만 접촉되도록 구비될 수도 있다.

즉, 본 출원의 제4 실시예에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 제2 전자수송층(633')에는 접촉되지 않도록 구비될 수 있다. 이에 따라, 광 경로 변경 구조물(7)의 하면(72)은 뱅크의 상면과 접촉되고, 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)은 제2 전자수송층(633')의 하면에 접촉될 수 있다.

따라서, 본 출원의 제4 실시예에 따른 표시장치(1)는 제2 전자수송층(633')과 제2 전극(8)이 공통층으로 구비될 수 있으므로, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치와 구조적으로 다르게 구비될 수 있다.

한편, 본 출원의 제4 실시예에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)에 의해 전하생성층(62')이 단절되기 때문에 인접한 서브 화소 간에 측면누설전류가 발생하는 것을 방지할 수 있으므로 2개의 서브 화소가 동시에 발광되어 혼색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.

그리고, 본 출원의 제4 실시예에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)에 의해 제1 발광층(612'), 및 제2 발광층(632')이 단절되기 때문에 각 서브 화소에서 발광 시 제1 발광층(612')와 제2 발광층(632')에서 발광한 광이 광 경로 변경 구조물(7)의 측면에 반사되어 발광하는 서브 화소 쪽으로만 출광되도록 할 수 있으므로, 제1 발광층(612')과 제2 발광층(632') 각각의 발광효율 즉, 발광하는 서브 화소의 전체적인 발광 효율을 향상시킬 수 있다.

종합해 보면, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치는 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 각 유기발광층(61, 62, 63)의 정공수송층과 발광층에 접촉되고, 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)은 제1 전자수송층(613)의 하면에 접촉되며, 광 경로 변경 구조물(7)의 하면(72)은 뱅크의 상면에 접촉되도록 구비될 수 있다.

따라서, 본 출원의 일 예에 따른 표시장치는 제1 발광층(612), 제2 발광층(622), 제3 발광층(623) 각각이 발광 시, 발광층에서 발광한 광 중 광 경로 변경 구조물(7)을 향하는 광은 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)을 통해 기판(2) 쪽으로 전반사될 수 있으므로, 발광 효율이 향상되도록 구비될 수 있다.

다음, 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치는 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 각 유기발광층(61, 62, 63)의 정공수송층과 발광층과 전자수송층에 접촉되고, 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)은 제2 전극(8)의 하면에 접촉되며, 광 경로 변경 구조물(7)의 하면(72)은 뱅크의 상면에 접촉되도록 구비될 수 있다.

이에 따라, 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치에 있어서, 상기 광 경로 변경 구조물(7)은 제1 유기발광층(61)과 제2 유기발광층(62)과 제3 유기발광층(63)을 완전하게 단절시킬 수 있다.

따라서, 본 출원의 제2 실시예에 따른 표시장치는 제1 내지 제3 발광층(612, 622, 632)에서 발광한 광 중 제2 전극(8)의 하면에 반사된 광이 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)으로 입사되지 않고 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)을 통해서 기판(2) 쪽으로 전반사될 수 있으므로 일 예에 따른 표시장치에 비해 광 효율을 더 향상시킬 수 있다.

다음, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치는 유기발광층(6')이 백색 광을 발광하도록 2스택 구조로 구비됨과 동시에 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23)에 걸쳐서 공통층으로 구비되고, 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 제1 전자수송층(611'), 제1 발광층(612'), 제1 전자수송층(613'), 전하생성층(62'), 제2 정공수송층(631'), 제2 발광층(632'), 및 제2 전자수송층(633')에 접촉되고, 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)은 제2 전극(8)의 하면에 접촉되며, 광 경로 변경 구조물(7)의 하면(72)은 뱅크의 상면에 접촉되도록 구비될 수 있다. 이에 따라, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치에 있어서, 상기 광 경로 변경 구조물(7)의 양쪽 측면(73)은 동일한 구조를 갖는 유기발광층에 접촉될 수 있다.

따라서, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치는 상기 광 경로 변경 구조물(7)이 각 서브 화소(21, 22, 23)에 배치된 2스택 구조의 유기발광층(6')을 완전히 단절시킬 수 있으므로, 전하생성층(62')을 각 서브 화소(21, 22, 23) 별로 단절시킬 수 있어서 인접한 서브 화소 간에 측면누설전류가 발생하는 것을 방지하도록 구비될 수 있다.

또한, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치는 각 서브 화소(21, 22, 23)에 배치된 제1 발광층과 제2 발광층에서 발광한 광 중 제2 전극(8)의 하면에 반사된 광이 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)으로 입사되지 않고 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)을 통해서 기판(2) 쪽으로 전반사될 수 있으므로 각 서브 화소의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.

다음, 본 출원의 제4 실시예에 따른 표시장치는 광 경로 변경 구조물(7)의 측면(73)이 제1 전자수송층(611'), 제1 발광층(612'), 제1 전자수송층(613'), 전하생성층(62'), 제2 정공수송층(631'), 및 제2 발광층(632')에 접촉되고, 제2 전자수송층(633')에는 접촉되지 않도록 구비될 수 있다. 이에 따라, 광 경로 변경 구조물(7)의 하면은 뱅크의 상면과 접촉되고, 광 경로 변경 구조물(7)의 상면은 제2 전자수송층(633')의 하면에 접촉될 수 있으므로, 본 출원의 제3 실시예에 따른 표시장치와 구조적으로 다르게 구비될 수 있다.

본 출원의 제4 실시예에 따른 표시장치(1)에 있어서, 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)은 제2 전자수송층(633')의 하면에 접촉되므로, 제2 전극(8)의 하면과 소정거리 이격될 수 있다. 따라서, 제1 발광층(612')과 제2 발광층(632')에서 발광한 광 중 일부는 상기 제2 전극(8)의 하면에 반사되어 상기 광 경로 변경 구조물(7)의 상면(71)을 통해 입사될 수 있다.

본 출원의 제4 실시예에 따른 표시장치(1)는 광 경로 변경 구조물(7)에 의해 전하생성층(62')이 단절되기 때문에 인접한 서브 화소 간에 측면누설전류가 발생하는 것을 방지할 수 있고, 광 경로 변경 구조물(7)에 의해 제1 발광층(612'), 및 제2 발광층(632')이 단절되기 때문에 각 서브 화소에서 발광 시 제1 발광층(612')와 제2 발광층(632')에서 발광한 광이 광 경로 변경 구조물(7)의 측면에 전반사되어 발광하는 서브 화소 쪽으로 출광되도록 할 수 있으므로, 발광하는 서브 화소의 전체적인 발광 효율을 향상시킬 수 있다.

도 9a 내지 도 9c는 본 출원의 제4 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다. 도 9a는 개략적인 사시도이고, 도 9b는 VR(Virtual Reality) 구조의 개략적인 평면도이고, 도 9c는 AR(Augmented Reality) 구조의 개략적인 단면도이다.

도 9a에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 헤드 장착형 표시 장치는 수납 케이스(11), 및 헤드 장착 밴드(13)를 포함하여 이루어진다.

상기 수납 케이스(11)는 그 내부에 표시 장치, 렌즈 어레이, 및 접안 렌즈 등의 구성을 수납하고 있다.

상기 헤드 장착 밴드(13)는 상기 수납 케이스(11)에 고정된다. 상기 헤드 장착 밴드(13)는 사용자의 머리 상면과 양 측면들을 둘러쌀 수 있도록 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 헤드 장착 밴드(13)는 사용자의 머리에 헤드 장착형 디스플레이를 고정하기 위한 것으로, 안경테 형태 또는 헬멧 형태의 구조물로 대체될 수 있다.

도 9b에서 알 수 있듯이, 본 출원에 따른 VR(Virtual Reality) 구조의 헤드 장착형 표시장치(1)는 좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b), 렌즈 어레이(12), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b) 를 포함할 수 있다.

상기 좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b), 상기 렌즈 어레이(12), 및 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)는 전술한 수납 케이스(11)에 수납된다.

좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b)는 동일한 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 2D 영상을 시청할 수 있다. 또는, 좌안용 표시 장치(2a)는 좌안 영상을 표시하고 우안용 표시 장치(2b)는 우안 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 입체 영상을 시청할 수 있다. 상기 좌안용 표시 장치(2a)와 상기 우안용 표시 장치(2b) 각각은 전술한 도 1 내지 도 7에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 예컨대, 좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b) 각각은 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display)일 수 있다.

상기 좌안용 표시 장치(2a) 및 우안용 표시 장치(2b) 각각은 복수의 서브 화소, 회로소자창(3), 제1 전극(4), 뱅크(5), 유기발광층(6), 광 경로 변경 구조물(7), 제2 전극(8), 및 봉지층(9)을 포함할 수 있으며, 각 서브 화소 영역에서 발광하는 광의 색을 다양한 방식으로 조합하여서 다양한 영상들을 표시할 수 있다. 그리고, 상기 좌안용 표시 장치(2a) 및 우안용 표시 장치(2b) 각각은 컬러 필터(10)를 더 포함할 수도 있다.

상기 렌즈 어레이(12)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 좌안용 표시 장치(2a) 각각과 이격되면서 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 좌안용 표시 장치(2a) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 상기 렌즈 어레이(12)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)의 전방 및 상기 좌안용 표시 장치(2a)의 후방에 위치할 수 있다. 또한, 상기 렌즈 어레이(12)는 상기 우안 접안 렌즈(20b)와 상기 우안용 표시 장치(2b) 각각과 이격되면서 상기 우안 접안 렌즈(20b)와 상기 우안용 표시 장치(2b) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 상기 렌즈 어레이(12)는 상기 우안 접안 렌즈(20b)의 전방 및 상기 우안용 표시 장치(2b)의 후방에 위치할 수 있다.

상기 렌즈 어레이(12)는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)일 수 있다. 렌즈 어레이(12)는 핀홀 어레이(Pin Hole Array)로 대체될 수 있다. 렌즈 어레이(12)로 인해 좌안용 표시 장치(2a) 또는 우안용 표시 장치(2b)에 표시되는 영상은 사용자에게 확대되어 보일 수 있다.

좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안(LE)이 위치하고, 우안 접안 렌즈(20b)에는 사용자의 우안(RE)이 위치할 수 있다.

도 9c에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 AR(Augmented Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(2a), 렌즈 어레이(12), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)을 포함하여 이루어진다. 도 9c에는 편의상 좌안쪽 구성만을 도시하였으며, 우안쪽 구성도 좌안쪽 구성과 동일하다.

상기 좌안용 표시 장치(2a), 렌즈 어레이(12), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)은 전술한 수납 케이스(11)에 수납된다.

상기 좌안용 표시 장치(2a)는 상기 투과창(15)을 가리지 않으면서 상기 투과 반사부(14)의 일측, 예로서 상측에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 상기 좌안용 표시 장치(2a)가 상기 투과창(15)을 통해 보이는 외부 배경을 가리지 않으면서 상기 투과 반사부(14)에 영상을 제공할 수 있다.

상기 좌안용 표시 장치(2a)는 전술한 도 1 내지 도 7에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 7에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 봉지층(9) 또는 컬러 필터층(10)이 상기 투과 반사부(14)와 마주하게 된다.

상기 렌즈 어레이(12)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 투과반사부(13) 사이에 구비될 수 있다.

상기 좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안이 위치한다.

상기 투과 반사부(14)는 상기 렌즈 어레이(12)와 상기 투과창(15) 사이에 배치된다. 상기 투과 반사부(14)는 광의 일부를 투과시키고, 광의 다른 일부를 반사시키는 반사면(14a)을 포함할 수 있다. 상기 반사면(14a)은 상기 좌안용 표시 장치(2a)에 표시된 영상이 상기 렌즈 어레이(12)로 진행하도록 형성된다. 따라서, 사용자는 상기 투과층(14)을 통해서 외부의 배경과 상기 좌안용 표시 장치(2a)에 의해 표시되는 영상을 모두 볼 수 있다. 즉, 사용자는 현실의 배경과 가상의 영상을 겹쳐 하나의 영상으로 볼수 있으므로, 증강현실(Augmented Reality, AR)이 구현될 수 있다.

상기 투과층(14)은 상기 투과 반사부(14)의 전방에 배치되어 있다.

이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

1 : 표시장치
2 : 기판 3 : 회로소자층
4 : 제1 전극 5 : 뱅크
6 : 유기발광층 7 : 광 경로 변경 구조물
8 : 제2 전극 9 : 봉지층
10 : 컬러 필터 11 : 수납 케이스
12 : 렌즈 어레이 13 : 헤드 장착 밴드

Claims (18)

1. 제1 서브 화소와 제2 서브 화소를 구비한 기판;
   상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 각각에 배치된 제1 전극;
   상기 제1 전극 상에 배치된 유기발광층;
   상기 제1 전극의 끝단을 가리면서 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이에 구비된 뱅크; 및
   상기 뱅크 상에 배치된 광 경로 변경 구조물을 포함하고,
   상기 광 경로 변경 구조물은 상기 유기발광층의 적어도 일부에 접촉된 표시장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 광 경로 변경 구조물은 역테이퍼 형태로 구비된 표시장치.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 광 경로 변경 구조물의 굴절률은 상기 유기발광층의 굴절률보다 작은 표시장치.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 유기발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고,
   상기 제1 전극은 투명 전극으로 구비되며,
   상기 제2 전극은 반사 전극으로 구비된 표시장치.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 광 경로 변경 구조물은 상면, 하면, 및 상면과 하면을 연결하는 측면을 포함하고,
   상기 하면의 길이는 상기 상면의 길이보다 짧은 표시장치.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 뱅크는 상면을 포함하고,
   상기 광 경로 변경 구조물의 상면의 폭은 상기 뱅크의 상면의 폭과 같거나 더 작은 표시장치.
7. 제 6 항에 있어서,
   상기 광 경로 변경 구조물의 측면과 상기 뱅크의 상면은 제1 각도를 이루고,
   상기 제1 각도는 30°이상 60°이하인 표시장치.
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 유기발광층은 정공수송층, 상기 정공수송층의 상면에 배치된 발광층, 및 상기 발광층의 상면에 배치된 전자수송층을 포함하고,
   상기 광 경로 변경 구조물은 측면이 상기 정공수송층과 상기 발광층에 접촉된 표시장치.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 광 경로 변경 구조물은 하면이 상기 뱅크에 접촉되며, 상면이 상기 전자수송층의 하면에 접촉된 표시장치.
10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소와 인접하게 배치된 제3 서브 화소를 포함하고,
    상기 유기발광층은 상기 제1 서브 화소에 배치된 제1 유기발광층, 상기 제2 서브 화소에 배치된 제2 유기발광층, 상기 제3 서브 화소에 배치된 제3 유기발광층을 포함하며,
    상기 제1 유기발광층은 적색 광을 방출하도록 구비되고,
    상기 제2 유기발광층은 녹색 광을 방출하도록 구비되며,
    상기 제3 유기발광층은 청색 광을 방출하도록 구비된 표시장치.
11. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기발광층은 정공수송층, 상기 정공수송층의 상면에 배치된 발광층, 및 상기 발광층의 상면에 배치된 전자수송층을 포함하고,
    상기 광 경로 변경 구조물은 측면이 상기 정공수송층과 상기 발광층과 상기 전자수송층에 접촉된 표시장치.
12. 제 11 항에 있어서,
    상기 유기발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고,
    상기 광 경로 변경 구조물은 하면이 상기 뱅크에 접촉되며, 상면이 상기 제2 전극에 접촉된 표시장치.
13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소와 인접하게 배치된 제3 서브 화소를 포함하고,
    상기 유기발광층은 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소, 및 상기 제3 서브 화소에 걸쳐서 공통층으로 구비된 표시장치.
14. 제 13 항에 있어서,
    상기 유기발광층은 제1 정공수송층, 상기 제1 정공수송층의 상면에 배치된 제1 발광층, 상기 제1 발광층의 상면에 배치된 제1 전자수송층, 상기 제1 전자수송층의 상면에 배치된 전하생성층, 상기 전하생성층의 상면에 배치된 제2 정공수송층, 상기 제2 정공수송층의 상면에 배치된 제2 발광층, 및 상기 제2 발광층의 상면에 배치된 제2 전자수송층을 포함하고,
    상기 광 경로 변경 구조물은 측면이 상기 제1 정공수송층, 상기 제1 발광층, 상기 제1 전자수송층, 상기 전하생성층, 상기 제2 정공수송층, 상기 제2 발광층, 상기 제2 전자수송층에 접촉된 표시장치.
15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1 발광층은 황녹색 광을 발광하도록 구비되며,
    상기 제2 발광층은 청색 광을 발광하도록 구비된 표시장치.
16. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소에 대응하도록 구비된 제1 컬러필터;
    상기 제2 서브 화소에 대응하도록 구비된 제2 컬러필터; 및
    상기 제3 서브 화소에 대응하도록 구비된 제3 컬러필터를 더 포함하는 표시장치.
17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 컬러필터의 가장자리는 상기 뱅크에 중첩하게 배치된 표시장치.
18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판과 이격되는 렌즈 어레이, 및 상기 기판과 상기 렌즈 어레이를 수납하는 수납 케이스를 추가로 포함하는 표시장치.

Images