KR20210066829A - 증착 챔버에 대한 기판 지지부 설계들 - Google Patents

증착 챔버에 대한 기판 지지부 설계들 Download PDF

Info

Publication number
KR20210066829A
KR20210066829A KR1020217010331A KR20217010331A KR20210066829A KR 20210066829 A KR20210066829 A KR 20210066829A KR 1020217010331 A KR1020217010331 A KR 1020217010331A KR 20217010331 A KR20217010331 A KR 20217010331A KR 20210066829 A KR20210066829 A KR 20210066829A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate support
substrate
support
support arm
foil
Prior art date
Application number
KR1020217010331A
Other languages
English (en)
Inventor
카우시크 라오
고빈다 라즈
아누바브 스리바스타바
산토쉬 쿠마르 필라파
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20210066829A publication Critical patent/KR20210066829A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2007—Holding mechanisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating

Abstract

본 개시내용은 일반적으로 기판 수용면을 갖는 본체를 포함하는 기판 지지부에 관한 것이며, 본체는 유전체 재료를 포함한다. 본체는 또한 기판 수용면 아래에서 본체에 매립된 제1 포일을 포함한다. 본체는 또한 제1 포일 아래에서 본체에 매립된 전기 전도성 메시를 포함한다. 본체는 또한 본체의 바닥면에 형성되어 메시와 전기적으로 통하는 중앙 탭 구조를 포함한다.

Description

증착 챔버에 대한 기판 지지부 설계들
[0001] 본 개시내용은 일반적으로 증착 챔버에서 기판을 지지하기 위한 기판 지지부, 이를테면 서셉터 또는 정전 척킹 디바이스에 대한 장치 및 방법들에 관한 것이다.
[0002] 집적 회로들은 단일 칩 상에 수백만 개의 컴포넌트들(예컨대, 트랜지스터들, 커패시터들, 저항기들 등)을 포함할 수 있는 복잡한 디바이스들로 발전했다. 칩 설계들의 발전은 더 빠른 회로뿐만 아니라 더 높은 회로 밀도를 필요로 하며, 더 높은 회로 밀도에 대한 요구는 집적 회로 컴포넌트들의 치수들의 축소를 요한다. 예를 들어, ULSI(ultra-large-scale integrated) 회로 디바이스들은, 실리콘(Si) 기판과 같은 반도체 기판 상에 형성되며, 디바이스 내에서 다양한 기능들을 수행하도록 협력하는 백만 개가 넘는 전자 디바이스들(예컨대, 트랜지스터들)을 포함할 수 있다.
[0003] 통상적으로 이러한 디바이스들을 형성하기 위해 증착 또는 에칭 챔버 내의 기판 지지부 상에 기판을 유지하는 데 정전 척 또는 ESC가 이용된다. 기판 상에 막들의 균일한 증착을 제공하는 기판의 온도 균일성은 기판 지지부의 온도에 영향을 받는다. 통상적으로, ESC는 접지 전위에 결합된다. 그러나 접지로부터의 전자기 에너지가 온도 모니터링 디바이스 동작에 부정적인 영향을 미칠 수 있다. 추가로, 챔버 세정 프로세스들은 통상적으로 ESC 하드웨어를 부식시키는 가스들을 이용하며, 이는 ESC의 사용 가능 수명을 단축시킬 수 있다.
[0004] 필요한 것은 앞서 논의한 문제들 중 하나 이상을 완화할 수 있는 방법 및 장치이다.
[0005] 본 개시내용은 일반적으로 기판 수용면을 갖는 본체를 포함하는 기판 지지부에 관한 것이며, 본체는 유전체 재료를 포함한다. 본체는 또한 기판 수용면 아래에서 본체에 매립된 제1 포일을 포함한다. 본체는 또한 제1 포일 아래에서 본체에 매립된 전기 전도성 메시를 포함한다. 본체는 또한 본체의 바닥면에 형성되어 메시와 전기적으로 통하는 중앙 탭 구조를 포함한다.
[0006] 다른 실시예에서, 기판 수용면을 갖는 본체 ― 본체는 유전체 재료를 포함함 ―, 기판 수용면 아래에서 본체에 매립된 제1 포일, 제1 포일 아래에서 본체에 매립된 전기 전도성 메시, 메시와 본체의 바닥면 사이에서 본체에 매립된 제2 포일, 및 바닥면에 형성되어 메시와 전기적으로 통하는 중앙 탭 구조를 포함하는 기판 지지부가 제공된다.
[0007] 다른 실시예에서, 기판 수용면을 갖는 복합체를 포함하는 기판 지지부가 제공되며, 복합체는 유전체 재료로 이루어지고, 복합체는 기판 수용면 아래에서 복합체에 매립된 제1 포일, 제1 포일 아래에서 복합체에 매립된 전기 전도성 메시, 복합체의 바닥면에 형성되어 메시와 전기적으로 통하는 중앙 탭 구조, 복합체의 중심으로부터 연장하여 복합체를 캔틸레버 방식으로 지지하는 지지 암, 복합체에 결합되며 지지 암 내에서 평행한 관계로 수용되는 접지 케이블과 온도 센서, 및 접지 케이블과 온도 센서를 분리하는 유전체 부재를 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나 본 개시내용은 다른 동등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문에, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들만을 예시하는 것이며 따라서 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 한다.
[0009] 도 1a는 일 실시예에 따른 증착 챔버의 개략적인 단면도이다.
[0010] 도 1b는 도 1a의 1B-1B 라인들에 따른 증착 챔버의 평면도(top plan view)이다.
[0011] 도 2a는 기판 지지부의 일 실시예를 예시하는 등각도이다.
[0012] 도 2b는 도 2a의 기판 지지부의 분해도이다.
[0013] 도 3a는 기판 지지부의 다른 실시예를 예시하는 등각도이다.
[0014] 도 3b는 도 3a의 기판 지지부의 분해도이다.
[0015] 도 4a는 기판 지지부의 다른 실시예의 등각 단면도이다.
[0016] 도 4b는 도 4a에 도시된 본체의 일부의 확대 단면이다.
[0017] 도 5a는 기판 지지부의 다른 실시예의 등각 단면도이다.
[0018] 도 5b는 도 5a에 도시된 본체의 일부의 확대 단면을 도시한다.
[0019] 도 6a는 본체 및 지지 암의 계면 부분의 분해된 부분 단면도이다.
[0020] 도 6b는 이격 부재와 케이블 가이드의 확대 등각도이다.
[0021] 도 6c는 이격 부재와 케이블 가이드의 확대 등각도이다.
[0022] 도 6d는 온도 센서 케이블로부터 접지 케이블을 전기적으로 격리하는 다른 실시예를 도시한다.
[0023] 도 6e는 도 6d의 유전체 부재들 중 하나의 측면도이다.
[0024] 도 7a는 지지 암의 계면 부분을 도시하는 기판 지지부의 등각 저면도이다.
[0025] 도 7b는 지지 암의 계면 부분의 확대도이다.
[0026] 도 7c는 도 7b에 도시된 도면에서 180도 회전되는 유전체 커버의 등각도이다.
[0027] 도 8a는 지지 암의 일 실시예의 등각도이다.
[0028] 도 8b는 도 8a의 8B-8B 라인들에 따른 지지 암의 단면도이다.
[0029] 도 9a는 기판 지지부의 다른 실시예의 등각도이다.
[0030] 도 9b는 중심 조정 피처들을 도시하는, 도 9a의 기판 지지부의 다른 등각도이다.
[0031] 도 9c는 도 9b의 9C-9C 라인들에 따른 중심 조정 피처들 중 하나의 단면도이다.
[0032] 도 10a는 도 9a의 기판 지지부의 등각 저면도이다.
[0033] 도 10b는 도 10a의 기판 지지부의 본체의 바닥면의 확대도이다.
[0034] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트(element)들을 가리키는 데, 가능한 경우, 동일한 참조 부호들이 사용되었다. 한 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있다는 것이 고려된다.
[0035] 도 1a는 증착 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 도 1b는 도 1a의 1B-1B 라인들에 따른 증착 챔버(100)의 평면도이다. 증착 챔버(100)는 기판 지지부(110)를 수용하는 본체(105)를 포함한다. 샤워헤드 또는 천공된 페이스 플레이트(115)는 기판 지지부(110) 위에 포지셔닝된다. 기판 지지부(110)는 또한 처리 중에 기판 지지부(110) 상에 기판을 고정하기 위한 정전 척, 진공 척 또는 다른 척킹 디바이스를 지지할 수 있다. 천공된 페이스 플레이트(115)는 가스 소스(120)로부터의 가스들을 분배하며, 이는 기판 지지부(110)에 의해 지지되는 (도시되지 않은) 기판 상에 막들을 형성한다. 기판 지지부(110)뿐만 아니라 그 위에 포지셔닝된 기판은 기판 지지부(110) 아래에 배치된 램프 헤드(125)에 의해 가열된다. 램프 헤드(125)는 복수의 램프들(130)을 포함한다. 램프 헤드(125)는 기판 지지부(110)를 약 400℃ 내지 약 480℃의 온도로 가열하도록 구성된다. 램프 헤드(125)는 광학적으로 투명한 플레이트(135)에 의해 챔버 용적으로부터 분리된다.
[0036] 기판 지지부(110)는 기판 지지부(110) 상으로의 그리고 기판 지지부(110)로부터의 기판의 이송을 가능하게 하는 데 이용되는 후프(hoop) 구조(140)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인다. 기판 지지부(110)는 후프 구조(140)에 대해 Z 방향으로 기판 지지부(110)를 상승 및 하강시키도록 구성된 모터(145)에 결합된다. 예를 들어, 기판 지지부(110)로부터 기판을 제거하기 위해, 기판이 후프 구조(140)에 매달려 있는 동안 기판 지지부(110)가 하강된다. 그 후, 로봇 블레이드가 (도 1b에 도시된) 이송 포트(150)로 들어가 후프 구조(140)로부터 기판을 제거한다.
[0037] 천공된 페이스 플레이트(115)는 무선 주파수 전원과 같은 전원(155)에 결합된다. 천공된 페이스 플레이트(115)는 알루미늄과 같은 전도성 금속 재료이고, 전원(155)은 천공된 페이스 플레이트(115)에 에너지를 공급하여, 접지되는 기판 지지부(110)와 천공된 페이스 플레이트(115) 사이에 플라즈마를 생성한다. 플라즈마를 형성하기 위한 천공된 페이스 플레이트(115)에 대한 에너지 공급은 통상적으로 증착 챔버(100)를 세정하기 위해 염소, 불소 또는 다른 세정 가스들과 같은 세정 가스들이 라디칼 종으로 분해되는 세정 프로세스 중에 이용된다. 증착 챔버(100)의 내부를 둘러싸는 펌핑 채널(160)을 통해 증착 챔버(100)로부터 과잉 가스들이 제거된다. 종료점 검출 디바이스(165)가 증착 챔버(100)에 결합된다. 종료점 검출 디바이스(165)는 창(170)을 통해 증착 챔버(100)의 내부를 보는 광학 디바이스이다.
[0038] 도 1b를 참조하면, 기판 지지부(110)는 캔틸레버식이며 지지 암(175)에 결합된다. 지지 암(175)은 또한, 접지 케이블과 같은 전기 리드들뿐만 아니라 온도 센서 리드들을 포함하며, 이 둘 다 아래에서 보다 상세히 설명될 것이다.
[0039] 도 2a는 기판 지지부(200)의 일 실시예를 예시하는 등각도이다. 도 2b는 도 2a의 기판 지지부(200)의 분해도이다. 기판 지지부(200)는 도 1a 및 도 1b의 증착 챔버(100)에서 기판 지지부(110)로서 이용될 수 있다.
[0040] 도 3a는 기판 지지부(300)의 다른 실시예를 예시하는 등각도이다. 도 3b는 도 3a의 기판 지지부(300)의 분해도이다. 기판 지지부(300)는 도 1a 및 도 1b의 증착 챔버(100)에서 기판 지지부(110)로서 이용될 수 있다.
[0041] 기판 지지부(200)와 기판 지지부(300) 둘 다 적어도 하나를 제외하고 공통 컴포넌트들을 공유한다. 기판 지지부(300)는 기판 지지부(200)에는 없는 백킹 플레이트(305)를 포함한다. 백킹 플레이트(305)는 알루미늄 산화물 재료이다.
[0042] 기판 지지부(200)와 기판 지지부(300) 둘 다의 공통 컴포넌트들은 복수의 융기 피처들 또는 돌출부들(204)을 갖는 기판 수용면(202), 지지 암(175), 지지 암(175)에 결합된 중공 샤프트(205), 접지 케이블(210) 및 유전체 커버 플레이트(215)를 포함한다. 각각의 기판 지지부(200) 및 기판 지지부(300)의 본체(235)에 온도 센서(230)를 수용 및/또는 안내하기 위해 이격 부재(220) 및 케이블 가이드(225)가 이용된다. 다양한 컴포넌트들을 서로 그리고/또는 본체(235)에 고정하기 위해 패스너들(240)이 사용된다. 지지 암(175)의 계면 부분(250)에 유전체 커버(245)가 포지셔닝된다. 이러한 컴포넌트들 다수가 아래에 더 상세히 설명될 것이다.
[0043] 도 4a는 기판 지지부(400)의 다른 실시예의 등각 단면도이다. 기판 지지부(400)는 도 2a 및 도 2b의 기판 지지부(200) 또는 도 3a 및 도 3b의 기판 지지부(300)의 본체(235)일 수 있는 본체(235)를 포함한다. 기판 수용면(202)은 (도시되지 않은) 기판이 지지되는 복수의 돌출부들(204)을 갖는 것으로 도시된다. 추가로, 중앙 탭(405)이 본체(235)의 바닥면(410)으로부터 연장되는 것으로 도시된다. 중앙 탭(405)은 (도 2b 및 도 3b에 도시된) 접지 케이블(210)을 본체(235)에 연결하는 데 이용된다.
[0044] 도 4b는 도 4a에 도시된 본체(235)의 일부의 확대 단면을 도시한다. 본체(235)는 알루미늄 질화물(AlN)과 같은 세라믹 재료이다. 본체(235)는 본체(235)의 상부 표면(420)으로부터 리세스되는 기판 포켓(415)을 포함한다. 기판 포켓(415) 아래의 일정 거리(425)에 얇은 시트 또는 포일(430)이 포지셔닝된다. 포일(430)은 흑연 재료이다. 일 실시예에서, 거리(425)는 약 0.01인치 내지 약 0.03인치이다. 포일(430)의 두께(435)는 일 실시예에서 약 0.01인치 내지 약 0.03인치이다. 몰리브덴(Mo)과 같은 열 및/또는 전기 전도성 재료로 만들어진 메시(440)가 포일(430) 아래에 포지셔닝된다.
[0045] 메시(440)는 실질적으로 유전체 재료(예컨대, 세라믹)인 본체(235)에 매립되며, 본체(235) 내에서 전극으로서 기능한다. 기판 포켓(415)과 메시(440) 사이에 포지셔닝된 포일(430)은 본체(235) 내에서 그리고/또는 본체(235)에 걸쳐 온도 분포를 향상시키는 역할을 한다. 향상된 온도 균일성은 기판 수용면(202) 상에 포지셔닝된 기판의 온도 균일성을 증가시킨다.
[0046] 도 5a는 기판 지지부(500)의 다른 실시예의 등각 단면도이다. 기판 지지부(500)는 도 2a 및 도 2b의 기판 지지부(200) 또는 도 3a 및 도 3b의 기판 지지부(300)의 본체(235)일 수 있는 본체(235)를 포함한다. 기판 수용면(202)은 (도시되지 않은) 기판이 지지되는 복수의 돌출부들(204)을 갖는 것으로 도시된다. 추가로, 중앙 탭(405)이 본체(235)의 바닥면(410)으로부터 연장되는 것으로 도시된다. 중앙 탭(405)은 (도 2b 및 도 3b에 도시된) 접지 케이블(210)을 본체(235)에 연결하는 데 이용된다.
[0047] 도 5b는 도 5a에 도시된 본체(235)의 일부의 확대 단면도를 도시한다. 본체(235)는 알루미늄 질화물(AlN)과 같은 세라믹 재료이다. 본체(235)는 본체(235)의 상부 표면(420)으로부터 리세스되는 기판 포켓(415)을 포함한다. 기판 포켓(415) 아래의 일정 거리(425)에 제1 얇은 시트 또는 포일(505)이 포지셔닝된다. 제1 포일(505)은 흑연 재료이다. 포일(505)의 거리(425) 및/또는 두께(435)는 특정 프로세스들에 따라 가변적이다. 몰리브덴(Mo)과 같은 열 전도성 재료로 만들어진 메시(440)가 제1 포일(505) 아래에 포지셔닝된다. 제2 얇은 시트 또는 포일(510)이 메시(440) 아래에 포지셔닝된다. 제2 포일(510)은 지르코늄 산화물(ZrO2)과 같은 지르코늄 함유 재료이다. 제2 포일(510)의 두께(515)뿐만 아니라 본체(235)의 바닥면(410)으로부터의 제2 포일(510)의 거리(520)는 특정 프로세스들에 따라 가변적이다.
[0048] 메시(440)는 실질적으로 유전체 재료(예컨대, 세라믹)인 본체(235)에 매립되며, 본체(235) 내에서 전극으로서 기능한다. 기판 포켓(415)과 메시(440) 사이에 포지셔닝된 제1 포일(505)은 본체(235) 내에서 그리고/또는 본체(235)에 걸쳐 온도 분포를 향상시키는 역할을 한다. 향상된 온도 균일성은 기판 수용면(202) 상에 포지셔닝된 기판의 온도 균일성을 증가시킨다. 제2 포일(510)은 본체(235)의 바닥면(410)에서 열 장벽으로서 작용한다. 제2 포일(510)은 또한 기판 지지부(500)의 본체(235)의 수명을 증가시킬 수 있다.
[0049] 도 6a는 본체(235) 및 지지 암(175)의 계면 부분(250)의 분해된 부분 단면도이다. 도 6a에 도시된 도면은 본 명세서에서 설명된 것과 같은 기판 지지부(200), 기판 지지부(300) 또는 기판 지지부(400) 중 임의의 기판 지지부일 수 있다. 접지 케이블(210) 및 온도 센서(230)의 포지션들을 보여주기 위해 지지 암(175)의 계면 부분(250)의 일부분들은 팬텀 화법으로 도시된다.
[0050] 구체적으로, 온도 센서(230)는 (도 2a - 도 3b에 도시된) 온도 센서(230)의 센서 헤드(605)와 중공 샤프트(205) 사이에서 지지 암(175) 상에 또는 지지 암(175) 내에 이어지는 온도 센서 케이블(600)을 포함한다. 그러나 온도 센서 케이블(600)은 중공 샤프트(205)와 중앙 탭(405) 사이에서 지지 암(175) 내에 또는 지지 암(175)을 따라 또한 이어지는 접지 케이블(210)과 근접하게 배치된다. 온도 센서 케이블(600)과 접지 케이블(210) 간의 이러한 근접 관계는 온도 센서 케이블(600)에 잡음(예컨대, 전자기 간섭)을 도입한다. 잡음은 적절한 동작 및/또는 온도 센서(230)로부터 수신되는 신호들을 간섭할 수 있다. 그러나 이격 부재(220)와 케이블 가이드(225)는 접지 케이블(210) 및 온도 센서 케이블(600)로부터의 잡음의 도입을 최소화 또는 제거하는 데 이용된다.
[0051] 도 6b 및 도 6c는 각각 이격 부재(220)와 케이블 가이드(225)의 확대된 등각도들이다. 이격 부재(220)와 케이블 가이드(225) 둘 다 세라믹 재료, 예를 들어 알루미늄 산화물(AlO2)과 같은 유전체 재료로 만들어진다. 이격 부재(220)는 케이블 가이드(225)와 접하는(interface) 세장형 부재이다. 케이블 가이드(225)는 내부에 형성된 홈(610)을 포함한다. 홈(610)은 만곡부(615)의 내부 반경을 가로지른다. 홈(610)은 온도 센서 케이블(600) 및 센서 헤드(605)를 위한 가이드 역할을 한다. 홈(610)은 지지 암(175)의 (수평) 배향으로부터 센서 헤드(605)가 본체(235)와 접하도록 온도 센서 케이블(600)의 방향을 약 90도로 맞춘다.
[0052] 이격 부재(220)와 케이블 가이드(225) 둘 다 전기 전도성 코팅(620)을 포함한다. 예를 들어, 접지 케이블(210)과 온도 센서 케이블(600) 중 하나 또는 둘 다에 근접한 이격 부재(220)와 케이블 가이드(225)의 표면들은 코팅(620)을 포함한다. 코팅(620)은 금(Au), 은(Ag), 실리콘(Si), 니켈(Ni) 또는 다른 전도성 물질일 수 있다. 코팅(620)은 이격 부재(220) 및/또는 케이블 가이드(225)의 접지를 개선하는 데 이용된다.
[0053] 도 6d는 온도 센서 케이블(600)로부터 접지 케이블(210)을 전기적으로 격리하는 다른 실시예를 도시한다. 이 실시예에서, 도 6a 및 도 6c의 케이블 가이드(225)는 복수의 유전체 부재들(625)에 이용된다. 복수의 유전체 부재들(625)은 도 6a 및 도 6b에 도시된 이격 부재(220)를 대체하는 데 사용될 수 있다. 유전체 부재들(625) 각각은 도 6e에 도시된 바와 같이 실질적으로 링 형상이다. 유전체 부재들(625) 각각은 온도 센서 케이블(600)을 수용하도록 크기가 정해진 중앙 개구(630)를 포함한다. 유전체 부재들(625) 각각은 세라믹 재료 또는 석영 재료로 만들어질 수 있다.
[0054] 도 7a는 지지 암(175)의 계면 부분(250)을 보여주는 기판 지지부(700)의 등각 저면도이다. 도 7a의 기판 지지부(700)는 본 명세서에서 설명된 것과 같은 기판 지지부(200), 기판 지지부(300) 또는 기판 지지부(400) 중 임의의 기판 지지부일 수 있다.
[0055] 도 7b는 지지 암(175)의 계면 부분(250)의 확대도이다. 유전체 커버(245)와 지지 암(175)의 계면 부분(250)의 연결을 보여주기 위해 계면 부분(250)의 일부분들은 팬텀 화법으로 도시된다.
[0056] 도 7c는 도 7b에 도시된 도면에서 180도 회전되는 유전체 커버(245)의 등각도이다. 유전체 커버(245)는 내부에 하나 이상의 리세스들(710)이 형성된 본체(705)를 포함한다. 본체(705)는 또한 중앙 개구(715)를 포함한다. 중앙 개구(715)는 반경 방향으로 배향된 홈(725)에서 끝나는 만곡부(720)를 포함한다. 중앙 개구(715), 만곡부(720) 및 반경 방향으로 배향된 홈(725)은 접지 케이블(210)을 위한 가이드로서 이용된다. 유전체 커버(245)는 석영 재료로 만들어진다. 유전체 커버(245)는 불소 및/또는 염소 라디칼들과 같은 세정 가스들의 진입이 접지 케이블(210)과 중앙 탭(405)의 연결부에 도달하는 것을 방지하기 위해 지지 암(175)의 계면 부분(250)을 밀폐한다. 통상적으로, 접지 케이블(210)은 납땜 조인트에 의해 중앙 탭(405)에 결합되고, 세정 가스들은 이 납땜 조인트를 관통하는 경향이 있으며, 또한 접지 케이블(210)이 연결되는 (도 4b 및 도 5b에 도시된) 메시(440)의 질을 떨어뜨릴 수 있다. 그러나 유전체 커버(245)는 기판 지지부(700)의 수명을 증가시키는 지지 암(175)의 계면 부분(250)에 라디칼들이 들어가는 것을 방지한다.
[0057] 도 8a는 지지 암(175)의 일 실시예의 등각도이다. 도 8b는 8B-8B 라인들에 따른 지지 암(175)의 단면도이다. 지지 암(175)은 채널(810)의 길이(805)를 따라 형성된 홈(800)을 포함한다. 홈(800)은 또한 적어도 부분적으로는 장착 부분(815)의 표면 내로 연장된다. 장착 부분(815)은 지지 암(175)의 계면 부분(250) 반대편에 있는 지지 암(175) 측에 있다. 도 8b에서, 접지 케이블(210), 유전체 커버 플레이트(215), 이격 부재(220) 및 온도 센서(230)는 팬텀 화법으로 도시된다.
[0058] 도 8b에 도시된 바와 같이, 홈(800)은 메이저 홈(820A) 및 마이너 홈(820B)을 포함한다. 마이너 홈(820B)은 메이저 홈(820A)을 두 갈래로 나눈다. 지지 암(175)은 또한 채널(810)의 제1 또는 내부 표면(825)을 포함한다. 채널(810)의 양쪽 측면들에는 내부 표면(825)에 제2 또는 리세스된 표면(832)이 형성된다. 메이저 홈(820A)은 (도 2b, 도 3b 및 도 6b에도 또한 도시된) 접지 케이블(210)을 수용하도록 크기가 정해진다. 리세스된 표면들(832)은 (도 2b, 도 3b 및 도 6b에도 또한 도시된) 유전체 커버 플레이트(215)를 수용하도록 크기가 정해진다.
[0059] 홈(800)의 적어도 일부는 코팅(830)을 포함한다. 예를 들어, 코팅(830)은 메이저 홈(820A) 상에 제공된다. 코팅(830)은 금(Au), 은(Ag), 실리콘(Si), 니켈(Ni) 또는 다른 전도성 물질일 수 있다. 코팅(830)은 접지 케이블(210)의 접지 성능을 개선하는 데 이용된다.
[0060] 도 9a는 기판 지지부(900)의 다른 실시예의 등각도이다. 기판 지지부(900)는 도 1a 및 도 1b의 증착 챔버(100)에서 기판 지지부(110)로서 이용될 수 있다. 기판 지지부(900)는 본체(235)의 하부 표면 상에 메시(440)를 포함한다. 메시(440)는 본체(235)의 접지를 돕는 기능을 한다. 기판 지지부(900)는 또한 본체(235)의 주변을 중심으로 포지셔닝된 복수의 중심 조정 피처들(905)을 포함한다. 인서트(insert)(906), 아일릿(eyelet)(907) 및 플러그(908)로서 도시된 연결 부재들이 도 9a에 또한 도시된다. 인서트(906)는 기판 수용면(202) 반대편 본체(235) 측에 형성된 (도시되지 않은) 개구에 결합된다. 마찬가지로, 아일릿(907)은 도 5a에 도시된 중앙 탭(405)과 같은 기판 수용면(202) 반대편 본체(235) 측에 형성된 (도시되지 않은) 개구에 결합된다. 플러그(908)는 또한 기판 수용면(202) 반대편 본체(235) 측에 형성된 (도시되지 않은) 개구에 결합된다. 인서트(906), 아일릿(907) 및 플러그(908)를 위한 개구들의 세부사항들은 도 10b에서 설명된다.
[0061] 기판 지지부(900)의 본체(235)에 대한 기본 재료들은 흑연, 알루미늄 질화물(AlN), 실리콘 탄화물(SiC), 마그네슘 불화물 또는 다른 적절한 재료들을 포함한다. 위의 기본 재료들 중 임의의 재료가 SiC(예컨대, SiC 코팅된 흑연), 실리콘(예컨대, 실리콘 코팅된 흑연), 실리콘 이산화물(예컨대, 실리콘 이산화물 코팅된 흑연 또는 실리콘 이산화물 코팅된 SiC), 란타늄 산화물 코팅, 또는 이들의 조합들로 코팅될 수 있다.
[0062] 도 9b는 중심 조정 피처들(905)을 보다 명확하게 보여주는 기판 지지부(900)의 다른 등각도이다. 복수의 개구들(910)이 본체(235)를 통해 형성된 것으로 도시된다. 개구들(910) 각각은 (도시되지 않은) 로봇 블레이드와 기판 지지부(900)의 기판 수용면(202) 간의 기판들의 이송을 가능하게 하는 (도시되지 않은) 리프트 핀을 수용하도록 크기가 정해진다. 중심 조정 피처들(905)은 기판이 기판 수용면(202)으로 이송될 때 기판을 기판 수용면(202)에 대해 중심에 오도록 조정하는 데 이용된다.
[0063] 중심 조정 피처들(905)은, 갭(915)을 제외하면 일반적으로 대칭 방식으로 본체(235) 상에 포지셔닝된다. 갭(915)은 (도시되지 않은) 로봇 블레이드가 인접한 중심 조정 피처들(905) 사이를 통과할 수 있게 하는 데 이용된다.
[0064] 도 9c는 도 9b의 9C-9C 라인들에 따른 중심 조정 피처들(905) 중 하나의 단면도이다. 중심 조정 피처(905)는 본체(235)의 바닥면(925) 및 돌출 부분(935)의 상부 표면(930)으로부터 측정된 높이(920)를 포함한다. 돌출 부분(935)은 상부 표면(930)을 기판 수용면(202)에 연결하는 각진 표면(940)을 포함한다. 각진 표면(940)은 기판의 중심 조정을 가능하게 하는 가이드 역할을 한다.
[0065] 중심 조정 피처(905)의 높이(920)는 약 1㎜ 내지 약 2.3㎜일 수 있다. 도 9b에 도시된 중심 조정 피처들(905) 각각의 높이(920)는 변할 수 있다. 예를 들어, 중심 조정 피처들(905) 중 하나의 높이(920)는 인접한 중심 조정 피처들(905)의 높이(920)보다 클 수 있다. 도 9b에 도시된 예에서, 피처들(945)로서 도시된 중심 조정 피처들(905) 중 2개는 나머지 중심 조정 피처들(905)의 높이들보다 낮은 높이를 갖는다. 중심 조정 피처들(905)의 고르지 않은 높이들은 평평한 기판들뿐만 아니라 약간 구부러진 기판들(예컨대, 휜 기판들)의 중심 조정을 가능하게 한다.
[0066] 도 10a는 도 9a의 기판 지지부(900)의 등각 저면도이다. 메시(440)는 도 10a에 도시되지 않는다. 도 10b는 기판 지지부(900)의 본체(235)의 바닥면(1000)의 확대도이다.
[0067] 아일릿(907)이 중앙 탭(405)에 결합된 것으로 도시된다. 아일릿(907)은 중앙 탭(405)에 나사 결합될 수 있다. 아일릿(907)은 니켈과 같은 전기 전도성 재료로 만들어진다. 아일릿(907)은 또한, 금(Au) 또는 은(Ag)으로 코팅되어, (도시되지 않은) 접지 케이블(210)과 본체(235) 간의 전도성을 증가시킬 수 있다.
[0068] 인서트(906)가 개구(1005)에 배치된 것으로 도시된다. 인서트(906)는 (도시되지 않은) 지지 암(175)에 대한 장착 계면으로서 이용되는 중앙 개구(1015)를 갖는다. 바닥면(1000)은 또한 (도시되지 않은) 온도 센서(230)를 위한 테이퍼형 개구(1010)를 포함한다. 아일릿(907)은 또한 (도시되지 않은) 접지 케이블(210)을 수용하도록 크기가 정해진 중앙 개구(1020)를 포함한다. 접지 케이블(210)은 나사산 연결부(1025)를 통해 아일릿(907)에 부착된다.
[0069] 본 개시내용의 실시예들은 플라즈마 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부를 위한 방법들 및 장치를 포함한다. 기판 지지부는 그 위에 균일한 온도 분포를 가능하게 한다. 기판 지지부는 또한 전기장들의 간섭을 최소화하며, 이는 기판 지지부의 온도 모니터링을 극대화한다.

Claims (15)

  1. 기판 수용면을 갖는 본체 ― 상기 본체는 유전체 재료를 포함함 ―;
    상기 기판 수용면 아래에서 상기 본체에 매립된 제1 포일;
    상기 제1 포일 아래에서 상기 본체에 매립된 전기 전도성 메시; 및
    상기 본체의 바닥면에 형성되어 상기 메시와 전기적으로 통하는 중앙 탭 구조를 포함하는,
    기판 지지부.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 메시와 상기 바닥면 사이에서 상기 본체에 매립된 제2 포일을 더 포함하는,
    기판 지지부.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 본체는 캔틸레버 방식으로 지지 암에 결합되는,
    기판 지지부.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 지지 암은 중공 샤프트 및 상기 중앙 탭 구조에 결합된 접지 케이블을 포함하는,
    기판 지지부.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 지지 암은 상기 본체와 상기 중공 샤프트 사이에 결합된 온도 센서를 포함하는,
    기판 지지부.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 지지 암은 상기 온도 센서와 상기 접지 케이블 사이에 포지셔닝된 이격 부재를 포함하는,
    기판 지지부.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 이격 부재는 유전체 재료를 포함하는 세장형 부재를 포함하는,
    기판 지지부.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 이격 부재는 복수의 유전체 부재들을 포함하는,
    기판 지지부.
  9. 제3 항에 있어서,
    상기 지지 암과 상기 본체 사이에 포지셔닝된 케이블 가이드를 더 포함하는,
    기판 지지부.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 본체는 복수의 중심 조정 피처들을 포함하는,
    기판 지지부.
  11. 기판 수용면을 갖는 본체 ― 상기 본체는 유전체 재료를 포함함 ―;
    상기 기판 수용면 아래에서 상기 본체에 매립된 제1 포일;
    상기 제1 포일 아래에서 상기 본체에 매립된 전기 전도성 메시;
    상기 메시와 상기 본체의 바닥면 사이에서 상기 본체에 매립된 제2 포일; 및
    상기 바닥면에 형성되어 상기 메시와 전기적으로 통하는 중앙 탭 구조를 포함하는,
    기판 지지부.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 본체는 캔틸레버 방식으로 지지 암에 결합되는,
    기판 지지부.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 지지 암은 중공 샤프트 및 상기 중앙 탭 구조에 결합된 접지 케이블을 포함하는,
    기판 지지부.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 지지 암은 상기 본체와 상기 중공 샤프트 사이에 결합된 온도 센서를 포함하는,
    기판 지지부.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 지지 암은 상기 온도 센서와 상기 접지 케이블 사이에 포지셔닝된 이격 부재를 포함하는,
    기판 지지부.
KR1020217010331A 2018-10-24 2019-07-03 증착 챔버에 대한 기판 지지부 설계들 KR20210066829A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IN201841040138 2018-10-24
IN201841040138 2018-10-24
PCT/US2019/040459 WO2020086122A1 (en) 2018-10-24 2019-07-03 Substrate support designs for a deposition chamber

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210066829A true KR20210066829A (ko) 2021-06-07

Family

ID=70330470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217010331A KR20210066829A (ko) 2018-10-24 2019-07-03 증착 챔버에 대한 기판 지지부 설계들

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210375658A1 (ko)
KR (1) KR20210066829A (ko)
CN (2) CN210443540U (ko)
TW (3) TWI731389B (ko)
WO (1) WO2020086122A1 (ko)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5522937A (en) * 1994-05-03 1996-06-04 Applied Materials, Inc. Welded susceptor assembly
US6067222A (en) * 1998-11-25 2000-05-23 Applied Materials, Inc. Substrate support apparatus and method for fabricating same
US7697260B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
US20050274324A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-15 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and mounting unit thereof
TWI345285B (en) * 2006-10-06 2011-07-11 Ngk Insulators Ltd Substrate supporting member
JP5657262B2 (ja) * 2009-03-27 2015-01-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5396353B2 (ja) * 2009-09-17 2014-01-22 日本碍子株式会社 静電チャック及びその製法
US9698074B2 (en) * 2013-09-16 2017-07-04 Applied Materials, Inc. Heated substrate support with temperature profile control

Also Published As

Publication number Publication date
TW202141683A (zh) 2021-11-01
TWI774463B (zh) 2022-08-11
WO2020086122A1 (en) 2020-04-30
TWI731389B (zh) 2021-06-21
US20210375658A1 (en) 2021-12-02
CN111092043A (zh) 2020-05-01
CN210443540U (zh) 2020-05-01
TW202018855A (zh) 2020-05-16
TW202247343A (zh) 2022-12-01
TWI817623B (zh) 2023-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7149068B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US20230019718A1 (en) Substrate support pedestal
KR100469047B1 (ko) 처리장치, 상부전극유니트와 그 사용방법 및 전극유니트와 그 제조방법
KR100893956B1 (ko) 반도체 처리용 포커스링 및 플라즈마 처리 장치
KR100803253B1 (ko) 결합 전극을 구비한 플라즈마 챔버 지지 부재
JP4102873B2 (ja) プラズマ処理装置用電極板及びプラズマ処理装置
KR102139682B1 (ko) 얇은 기판 취급을 위한 정전 캐리어
KR20220163508A (ko) 극도의 균일성의 가열식 기판 지지 조립체
KR20040015763A (ko) 고온 정전기 척
CN106068548B (zh) 用于对半导体晶圆进行等离子体切片的方法和设备
KR20050057423A (ko) 기판상에의 중합체 증착을 감소시키기 위한 장치를 구비한플라즈마 장치 및 중합체 증착을 감소시키는 방법
CN112655069B (zh) 等离子处理装置以及等离子处理方法
US10676817B2 (en) Flip edge shadow frame
US9437400B2 (en) Insulated dielectric window assembly of an inductively coupled plasma processing apparatus
CN107154335A (zh) 通用处理套件
US8181597B2 (en) Plasma generating apparatus having antenna with impedance controller
US20200286717A1 (en) Electrostatic chuck for high bias radio frequency (rf) power application in a plasma processing chamber
CN110690096A (zh) 静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法
JP2002299425A (ja) プラズマ処理装置
JP6470313B2 (ja) 基板をプラズマ処理するための方法及び装置
KR20210066829A (ko) 증착 챔버에 대한 기판 지지부 설계들
KR102650167B1 (ko) 정전 척 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치
KR100773723B1 (ko) 플라즈마 처리장치
JP2006225702A (ja) 基板ホルダ、および光導波路のための膜を堆積する方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal