KR20210035571A - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

Embodiments of the present invention provide an apparatus for heat-processing a substrate and a method thereof. An apparatus for processing a substrate coated with photoresist comprises: a chamber having a processing space for processing a substrate therein; a substrate support unit for supporting the substrate in the processing space; a heating member for heating the substrate supported by the substrate support unit to volatilize a solvent included in the photoresist; an exhaust unit exhausting the processing space; and a controller for controlling the exhaust unit. The exhaust unit includes an exhaust line connected to the processing space and a flow rate adjusting member for adjusting an exhaust amount of the exhaust line. The controller controls the flow rate adjusting member to change the exhaust amount during a process of heat-processing the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and method for treating substrate}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and method for treating substrate}

본 발명은 액막이 형성된 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기판을 가열 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate on which a liquid film is formed, and more particularly, to an apparatus and method for heating a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 내부에 처리 공간을 가지는 챔버에서 진행된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photographing, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, it is carried out in a chamber having a processing space therein.

일반적으로, 챔버의 처리 공간은 작업자가 원하는 분위기를 유지해야 하며, 챔버에 연결된 배기 장치에 의해 챔버의 내부 압력 분위기를 조절한다. 이때 챔버 내에는 기판을 처리하는 과정에서 발생된 공정 부산물이 함께 배기한다. 예컨대, 감광액막이 형성된 기판을 베이크 처리하는 경우에는 감광액막 내에 휘발성 물질인 용제를 포함하며, 베이크 처리되는 과정에서 휘발된다. 이렇게 휘발되는 공정 부산물은 배기 장치에 의해 배기된다. In general, the processing space of the chamber must maintain the atmosphere desired by the operator, and the pressure atmosphere inside the chamber is controlled by an exhaust device connected to the chamber. At this time, the process by-products generated in the process of processing the substrate are exhausted together in the chamber. For example, when a substrate on which a photoresist film is formed is baked, a solvent, which is a volatile material, is contained in the photosensitive film and is volatilized during the baking process. The process by-products thus volatilized are exhausted by the exhaust system.

따라서 챔버의 내부를 배기하는 배기량에 따라 기판을 처리하는 공간의 청정도가 달라진다. 그러나 이러한 배기량은 감광액막의 균일도를 결정짓는다. 처리 공간에는 기판의 전체에 균일한 기류가 흐르거나 배기되기가 어려우며, 기판의 중심과 대응되는 영역 또는 측부에 대응되는 영역에 배기 유로가 형성된다. 따라서 배기량이 커질수록 감광액막의 두께 편차가 크게 발생된다. Accordingly, the cleanliness of the space for processing the substrate varies according to the amount of exhaust exhausted from the inside of the chamber. However, this amount of displacement determines the uniformity of the photoresist film. In the processing space, it is difficult for a uniform airflow to flow or exhaust over the entire substrate, and an exhaust flow path is formed in a region corresponding to the center or a side portion of the substrate. Therefore, as the amount of exhaust increases, the thickness variation of the photoresist film is largely generated.

이 경우에는 배기량은 낮춰 감광액막의 두께 편차를 최소화할 수 있다. 그러나 배기량이 낮아지게 될 경우에는 처리 공간 내에 공정 부산물이 잔류되며, 이는 감광액막에 재부착되거나 주변 장치를 오염시킨다.In this case, the amount of exhaust can be lowered to minimize the thickness variation of the photoresist film. However, when the amount of exhaust is lowered, process by-products remain in the processing space, which reattach to the photoresist film or contaminate peripheral devices.

본 발명은 처리 공간의 배기량을 작게 함에 따라 처리 공간 내의 공정 부산물이 잔류되는 문제점을 해결할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of solving the problem of remaining process by-products in the processing space as the amount of exhaust in the processing space is reduced.

또한 본 발명은 처리 공간의 배기량을 크게 함에 따라 감광액막의 두께 편차가 커지는 문제점을 해결할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of solving the problem of increasing the thickness variation of a photoresist film as the amount of displacement of the processing space is increased.

본 발명의 실시예는 기판을 가열 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for heat treating a substrate.

감광액이 도포된 기판을 처리하는 장치는 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하여 감광액 내에 포함된 용제를 휘발시키는 가열 부재, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 처리 공간에 연결되는 배기 라인과 상기 배기 라인의 배기량을 조절하는 유량 조절 부재를 포함하되, 상기 제어기는 기판을 열 처리하는 공정 진행 중에 상기 배기량이 변경되도록 상기 유량 조절 부재를 제어한다. An apparatus for processing a substrate coated with a photoresist includes a chamber having a processing space for processing a substrate therein, a substrate supporting unit supporting the substrate in the processing space, and a solvent contained in the photosensitive solution by heating a substrate supported by the substrate supporting unit. A heating member that volatilizes, an exhaust unit that exhausts the processing space, and a controller that controls the exhaust unit, wherein the exhaust unit includes an exhaust line connected to the processing space and a flow rate control that adjusts an exhaust amount of the exhaust line. Including a member, wherein the controller controls the flow rate control member so that the amount of exhaust is changed during a process of heat treating the substrate.

상기 제어기는 상기 배기량을 제1배기량으로 조절하고, 이후에 상기 열 처리하는 공정의 진행도가 설정 시간에 도달되면 제2배기량으로 조절하되, 상기 제2배기량은 상기 제1배기량에 비해 큰 유량으로 제공될 수 있다. 상기 제어기는 상기 진행도가 상기 설정 시간에 도달되면, 상기 제1배기량을 점진적으로 상기 제2배기량으로 변경할 수 있다. The controller adjusts the exhaust amount to a first exhaust amount, and then, when the progress of the heat treatment process reaches a set time, adjusts to a second exhaust amount, but the second exhaust amount is a flow rate larger than the first exhaust amount. Can be provided. When the progression degree reaches the set time, the controller may gradually change the first exhaust amount to the second exhaust amount.

기판을 처리하는 방법으로는 감광액이 도포된 기판을 처리공간 내에 배치하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 감광액에서 용제를 휘발시키되, 상기 열처리 도중에 상기 처리공간의 단위시간당 배기량이 증가한다. As a method of treating a substrate, a substrate on which a photoresist is applied is disposed in a processing space, and the substrate is heat-treated to volatilize a solvent from the photosensitive solution. During the heat treatment, the amount of exhaust per unit time of the processing space is increased.

상기 열처리 시간이 경과됨에 따라 단위시간당 배기량이 점진적 또는 단계적으로 증가될 수 있다. As the heat treatment time elapses, the amount of exhaust per unit time may be gradually or stepwise increased.

상기 처리 공간의 배기는 상기 기판의 상부에서 이루어질 수 있다. 상기 열처리 시간의 경과는 상기 열 처리하는 공정의 전체 진행도의 40 내지 60% 를 포함할 수 있다. The processing space may be exhausted from the upper portion of the substrate. The lapse of the heat treatment time may include 40 to 60% of the total progress of the heat treatment process.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 열 처리 공정 초기에는 배기량을 크게 하고, 설정 시간 이후에는 배기량을 작게 한다. 이에 따라 공정 부산물의 발생량이 큰 공정 초기에 다량의 공정 부산물을 배기하고, 그 이후에 배기량을 작게 하여 감광액막의 두께 편차를 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the exhaust amount is increased at the beginning of the heat treatment process of the substrate, and the exhaust amount is decreased after the set time. Accordingly, a large amount of process by-products are exhausted at the beginning of a process with a large amount of process by-products, and the amount of exhaust after that is reduced, thereby minimizing the thickness variation of the photoresist film.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4은 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다
도 7은 도 6의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7이 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 9는 도 8의 기판을 처리하는 과정에서 배기량의 변화를 보여주는 그래프이다.
도 10은 도 9의 배기량 변화의 다른 실시예를 보여주는 그래프이다.
도 11은 도 3의 액 처리 챔버를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 1.
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2.
4 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 3.
5 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 3.
6 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 5
7 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 6.
8 is a flow chart showing a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 7.
9 is a graph showing a change in an amount of exhaust in the process of processing the substrate of FIG. 8.
10 is a graph showing another embodiment of a change in displacement of FIG. 9.
11 is a view schematically showing the liquid processing chamber of FIG. 3.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the industry. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 1, and FIG. 3 is a substrate processing apparatus of FIG. It is a top view. Referring to FIGS. 1 to 3, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to an embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as The second direction 14 is referred to as, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30, and stores the processed substrate W into the container 10. The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 based on the index frame 24. The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and a plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a container 10 for sealing such as a front open unified pod (FOUP) may be used. The container 10 can be placed on the load port 22 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. have.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 in which the longitudinal direction is provided in the second direction 14 may be provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and rotates the third direction 16. It may be provided to be movable along the way.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has a coating block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of coating blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 2, two coating blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The coating blocks 30a may be disposed under the developing blocks 30b. According to an example, the two coating blocks 30a perform the same process with each other, and may be provided with the same structure. In addition, the two developing blocks 30b perform the same process with each other, and may be provided with the same structure.

도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. The coating block 30a has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid onto the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 within the coating block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12. A transfer robot 3422 is provided in the transfer chamber 3400. The transfer robot 3422 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid treatment chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, a rotation about the third direction 16, and a third direction. It may be provided to be movable along (16). In the transfer chamber 3400, a guide rail 3300 whose longitudinal direction is provided in parallel with the first direction 12 may be provided, and the transfer robot 3422 may be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 4은 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. 4 is a diagram illustrating an example of a hand of the transfer robot of FIG. 3. 4, the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429. The base 3428 may have an annular ring shape in which a part of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3429 extends inwardly from the base 3428. A plurality of support protrusions 3429 are provided and support an edge region of the substrate W. According to an example, the support protrusions 3429 may be provided with four at equal intervals.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.The heat treatment chamber 3200 is provided in plural. The heat treatment chambers 3200 are arranged to be arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3200 are located on one side of the transfer chamber 3400.

도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이며, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 5 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 3, and FIG. 6 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 5. 5 and 6, the heat treatment chamber 3200 includes a housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a transfer plate 3240.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. A carry-in port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210. The entrance can be kept open. A door (not shown) may be provided to selectively open and close the entrance. The cooling unit 3220, the heating unit 3230, and the conveying plate 3240 are provided in the housing 3210. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14. According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. A cooling member 3224 is provided on the cooling plate 3222. According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(1000)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 유닛(3230)은 기판 상에 도포된 감광액막 내에 포함된 용제를 휘발시켜 감광액막을 경화시킨다. 도 6은 도 5의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 가열 유닛(1000)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 히터 유닛(1420), 배기 유닛(1500), 그리고 제어기(1800)를 포함한다. The heating unit 3230 is provided as an apparatus 1000 for heating the substrate to a temperature higher than room temperature. The heating unit 1000 heats the substrate W in an atmosphere of normal pressure or a reduced pressure lower than the normal pressure. The heating unit 3230 cures the photosensitive film by volatilizing the solvent contained in the photosensitive film applied on the substrate. 6 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 5. Referring to FIG. 6, the heating unit 1000 includes a chamber 1100, a substrate support unit 1300, a heater unit 1420, an exhaust unit 1500, and a controller 1800.

챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heating the substrate W therein. The processing space 1110 is provided as a space blocked from the outside. The chamber 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 배기홀(1124) 및 유입홀(1122)이 형성된다. 배기홀(1124)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 배기홀(1124)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 유입홀(1122)은 복수 개가 이격되도록 제공되며, 배기홀(1124)을 감싸도록 배열된다. 유입홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류를 유입한다. 일 예에 의하면, 유입홀(1122)은 4 개이고, 외부의 기류는 에어일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with an open lower part. An exhaust hole 1124 and an inlet hole 1122 are formed on the upper surface of the upper body 1120. The exhaust hole 1124 is formed in the center of the upper body 1120. The exhaust hole 1124 exhausts the atmosphere of the processing space 1110. A plurality of inlet holes 1122 are provided so as to be spaced apart, and are arranged to surround the exhaust hole 1124. The inlet holes 1124 introduce external airflow into the processing space 1110. According to an example, there are four inlet holes 1122, and the external airflow may be air.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lower body 1140 is located under the upper body 1120. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned so that their central axes coincide with each other in the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned to face the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the blocked position by the elevating member 1130, and the other is fixed in its position. In this embodiment, it will be described that the position of the lower body 1140 is fixed and the upper body 1120 is moved. The open position is a position in which the upper body 1120 and the lower body 1140 are spaced apart from each other to open the processing space 1110. The blocking position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. The sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 allows the processing space to be sealed from the outside when the upper body 1120 and the lower body 1140 contact each other. The sealing member 1160 may be provided in an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140.

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320), 리프트 핀(1340), 그리고 지지핀(1360)을 포함한다. 지지 플레이트(1320)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면으로 기능한다. 안착면에는 복수의 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)이 형성된다. 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 서로 상이한 영역에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 각각 지지 플레이트(1320)의 상면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 리프트 홀들(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 진공홀들(1326)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 진공홀들(13260)은 안착면과 기판(W) 사이에 음압을 제공하여, 기판(W)을 진공 흡착할 수 있다. 예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 리프트 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치되고, 진공홀들(1326)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. The substrate support unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110. The substrate support unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140. The substrate support unit 1300 includes a support plate 1320, a lift pin 1340, and a support pin 1360. The support plate 1320 transfers heat generated from the heater unit 1400 to the substrate W. The support plate 1320 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the support plate 1320 has a larger diameter than the substrate W. The upper surface of the support plate 1320 functions as a seating surface on which the substrate W is placed. A plurality of lift holes 1322 and vacuum holes 1326 are formed on the seating surface. The lift holes 1322 and the vacuum holes 1326 are located in different regions from each other. When viewed from the top, the lift holes 1322 and the vacuum holes 1326 are arranged to surround the center of the upper surface of the support plate 1320, respectively. Each of the lift holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. Each of the vacuum holes 1326 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The vacuum holes 13260 provide a negative pressure between the seating surface and the substrate W, so that the substrate W may be vacuum-adsorbed. For example, the lift holes 1322 and the vacuum holes 1326 may be combined with each other and arranged to have an annular ring shape. The lift holes 1322 may be positioned to be spaced apart from each other at equal intervals, and the vacuum holes 1326 may be positioned to be spaced apart from each other at equal intervals.

예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)은 각각 3 개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.For example, the lift holes 1322 and the vacuum hole 1326 may be provided in three pieces, respectively. The support plate 1320 may be made of a material including aluminum nitride (AlN).

리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 리프트 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 위치된다. 구동 부재(미도시)는 각각의 리프트 핀들(1342)을 승강 위치와 하강 위치 간에 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면과 동일하거나 이보다 낮은 위치로 정의한다. 구동 부재(미도시)는 챔버(1100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동 부재(미도시)는 실린더일 수 있다.The lift pin 1340 raises and lowers the substrate W on the support plate 1320. The lift pins 1342 are provided in plural, each of which is provided in a pin shape facing a vertical vertical direction. A lift pin 1340 is positioned in each lift hole 1322. A driving member (not shown) moves each of the lift pins 1342 between an elevating position and a lowering position. Here, the lifting position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is higher than the seating surface, and the lowering position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is equal to or lower than the seating surface. The driving member (not shown) may be located outside the chamber 1100. The driving member (not shown) may be a cylinder.

지지핀(1360)은 기판(W)이 안착면에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.The support pin 1360 prevents the substrate W from directly contacting the mounting surface. The support pin 1360 is provided in a pin shape having a longitudinal direction parallel to the lift pin 1342. A plurality of support pins 1360 are provided, each of which is fixedly installed on a seating surface. The support pins 1360 are positioned to protrude upward from the seating surface. The upper end of the support pin 1360 is provided as a contact surface that directly contacts the bottom surface of the substrate W, and the contact surface has a convex upward shape. Accordingly, the contact area between the support pin 1360 and the substrate W can be minimized.

가이드(1380)는 기판(W)이 안착면의 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 가이드한다. 가이드(1380)는 안착면을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1320)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다. 또한 가이드(1380)는 기판(W)과 안착면의 사이에 유입되는 기류를 소량 방지할 수 있다.The guide 1380 guides the substrate W so that the substrate W is placed in a proper position on the mounting surface. The guide 1380 is provided to have an annular ring shape surrounding the seating surface. The guide 1380 has a larger diameter than the substrate W. The inner surface of the guide 1380 has a shape inclined downward as it approaches the central axis of the support plate 1320. Accordingly, the substrate W over the inner surface of the guide 1380 is moved to the correct position along the inclined surface. In addition, the guide 1380 may prevent a small amount of airflow flowing between the substrate W and the seating surface.

히터 유닛(1420)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리하는 가열 부재(1420)로 제공된다. 히터 유닛(1420)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1420)은 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 히터들(1420)은 각각 지지 플레이트(1320) 내에 위치된다. 선택적으로 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320)의 저면에 위치될 수 있다. 각 히터들(1420)은 동일 평면 상에 위치된다. 일 예에 의하면, 각 히터들(1420)은 안착면의 서로 상이한 영역을 서로 다른 온도로 가열할 수 있다. 히터들(1420) 중 일부는 안착면의 중앙 영역을 제1온도로 가열하고, 히터들(1420) 중 다른 일부는 안착면의 가장자리 영역을 제2온도로 가열할 수 있다. 제2온도는 제1온도보다 높은 온도일 수 있다. 히터들(1420)은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다. The heater unit 1420 is provided as a heating member 1420 that heats the substrate W placed on the support plate 1320. The heater unit 1420 is positioned below the substrate W placed on the support plate 1320. The heater unit 1420 includes a plurality of heaters 1420. Each of the heaters 1420 is located in the support plate 1320. Optionally, the heaters 1420 may be located on the bottom surface of the support plate 1320. Each of the heaters 1420 is located on the same plane. According to an example, each of the heaters 1420 may heat different regions of the seating surface to different temperatures. Some of the heaters 1420 may heat a central region of the seating surface to a first temperature, and some of the heaters 1420 may heat an edge region of the seating surface to a second temperature. The second temperature may be higher than the first temperature. The heaters 1420 may be printed patterns or heating wires.

배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110) 내부를 강제 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기 라인(1530) 및 안내판(1520)을 포함한다. 배기 라인(1530)은 일부의 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기 라인(1530)는 상부 바디(1120)의 상벽을 관통하도록 위치된다. 일 예에 의하면, 배기 라인(1530)는 배기홀(1122)에 삽입되게 위치될 수 있다. 즉, 배기 라인(1530)의 하단은 처리 공간(1110) 내에 위치되고, 배기 라인(1530)의 상단은 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 통공(1522) 및 배기 라인(1530)를 순차적으러 거쳐 배기된다. 배기 라인(1530)에는 유량 조절 부재(1550) 및 감압 부재(1540)가 설치된다. 감압 부재(1540)는 처리 공간(1110)이 배기되도록 배기 라인(1530)을 감압한다. 유량 조절 부재(1550)는 배기 라인(1530)을 통해 처리 공간으로 전달되는 배기량을 조절한다. 일 예에 의하면, 유량 조절 부재(1550)는 밸브를 포함할 수 있다. 밸브(1550)는 처리 공간에 전달되는 배기량이 제1배기량 또는 제2배기량을 가지도록 배기 라인(1530)의 개방률을 조절할 수 있다. 제2배기량은 제1배기량에 비해 큰 유량으로 제공될 수 있다.The exhaust unit 1500 forcibly exhausts the interior of the processing space 1110. The exhaust unit 1500 includes an exhaust line 1530 and a guide plate 1520. The exhaust line 1530 has a tubular shape in which a part of the longitudinal direction faces a vertical vertical direction. The exhaust line 1530 is positioned to penetrate the upper wall of the upper body 1120. According to an example, the exhaust line 1530 may be positioned to be inserted into the exhaust hole 1122. That is, the lower end of the exhaust line 1530 is located in the processing space 1110, and the upper end of the exhaust line 1530 is located outside the processing space 1110. Accordingly, the atmosphere in the processing space 1110 is exhausted through the through hole 1522 and the exhaust line 1530 in sequence. A flow control member 1550 and a pressure reducing member 1540 are installed in the exhaust line 1530. The decompression member 1540 depressurizes the exhaust line 1530 so that the processing space 1110 is exhausted. The flow rate control member 1550 controls the amount of exhaust delivered to the processing space through the exhaust line 1530. According to an example, the flow control member 1550 may include a valve. The valve 1550 may adjust the opening rate of the exhaust line 1530 so that the amount of exhaust delivered to the processing space has a first exhaust amount or a second exhaust amount. The second exhaust amount may be provided at a larger flow rate than the first exhaust amount.

안내판(1520)은 중심에 통공(1522)을 가지는 판 형상을 가진다. 안내판(1520)은 배기 라인(1530)의 하단으로부터 연장된 원형의 판 형상을 가진다. 안내판(1520)은 통공(1522)과 배기 라인(1530)의 내부가 서로 통하도록 배기 라인(1530)에 고정 결합된다. 안내판(1520)은 지지 플레이트(1320)의 상부에서 지지 플레이트(1320)의 지지면과 마주하게 위치된다. 안내판(1520)은 하부 바디(1140)보다 높게 위치된다. 일 예에 의하면, 안내판(1520)은 상부 바디(1120)와 마주하는 높이에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 안내판(1520)은 유입홀(1124)과 중첩되게 위치되고, 상부 바디(1120)의 내측면과 이격되는 직경을 가진다. 이에 따라 안내판(1520)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 발생되며, 이 틈은 유입홀(1124)을 통해 유입된 기류가 기판(W)으로 공급되는 흐름 경로로 제공된다.The guide plate 1520 has a plate shape having a through hole 1522 in the center. The guide plate 1520 has a circular plate shape extending from the lower end of the exhaust line 1530. The guide plate 1520 is fixedly coupled to the exhaust line 1530 so that the through hole 1522 and the inside of the exhaust line 1530 communicate with each other. The guide plate 1520 is positioned above the support plate 1320 to face the support surface of the support plate 1320. The guide plate 1520 is positioned higher than the lower body 1140. According to an example, the guide plate 1520 may be positioned at a height facing the upper body 1120. When viewed from the top, the guide plate 1520 is positioned to overlap the inlet hole 1124 and has a diameter spaced apart from the inner surface of the upper body 1120. Accordingly, a gap is generated between the side end of the guide plate 1520 and the inner surface of the upper body 1120, and this gap is provided as a flow path through which the airflow introduced through the inlet hole 1124 is supplied to the substrate W.

제어기(1800)는 기판(W)을 가열 처리하는 공정 중에 배기량이 변경되도록 유량 조절 부재(1550를 제어한다. 제어기(1800)는 기판(W)의 열 처리 도중에 처리 공간의 단위 시간당 배기량이 증가되도록 유량 조절 부재(1550)를 제어한다. 제어기(1800)는 가열 처리 공정의 진행하는 중에 설정 시간을 기준으로 배기량을 조절할 수 있다. 일 예에 의하면, 제어기(1800)는 가열 처리 공정이 시작되면, 처리 공간(1110)을 제1배기량으로 조절하고, 설정 시간에 도달되면 처리 공간(1110)을 제2배기량으로 조절할 수 있다. 배기량은 단계적 또는 점진적으로 변경될 수 있다. 설정 시간은 가열 처리 공정의 전체 진행도의 40 내지 60%를 포함할 수 있다.The controller 1800 controls the flow rate control member 1550 to change the amount of exhaust during the process of heating the substrate W. The controller 1800 controls the amount of exhaust per unit time of the processing space during the heat treatment of the substrate W. Controls the flow rate control member 1550. The controller 1800 may adjust the amount of exhaust gas based on a set time during the heating treatment process, according to an example, when the heating treatment process starts, the controller 1800 starts the heat treatment process. The processing space 1110 may be adjusted to the first exhaust amount, and when the set time is reached, the processing space 1110 may be adjusted to the second exhaust amount The exhaust amount may be changed stepwise or gradually. It may include 40 to 60% of the total progress.

다음은 상술한 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. 도 8은 도 7의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다. 도 8을 참조하면, 기판 지지 유닛(1300)에 놓여진 기판(W)을 공정 온도로 가열하고, 처리 공간(1110)에는 외기가 유입된다. 기판(W)의 가열 처리 공정이 진행되면, 처리 공간(1110)은 제1배기량으로 배기된다. 처리 공간(1110)은 제1배기량에 대응되는 음압이 형성되며, 기판(W)이 가열됨에 따라 감광액막 내에 포함된 휘발성 물질인 용제는 휘발된다. 용제는 배기 라인(1550)을 통해 배기된다. 가열 처리 공정의 시간이 경과됨에 따라 처리 공간(1110)의 단위 시간당 배기량은 증가된다. 일 예에 의하면, 가열 처리 공정을 수행하는 중에 설정 시간에 도달되면, 처리 공간(1110)을 제1배기량에서 제2배기량으로 변경한다. 여기서 설정 시간은 가열 처리 공정의 전체 진행도의 40 내지 60% 일 수 있다. 배기량이 변경되는 과정은 도 9 또는 도10과 같이 달리 적용될 수 있다. 도 9를 참조하면, 처리 공간은 제1배기량에서 제2배기량으로 단계적 변경될 수 있다. 이와 달리, 도 10을 참조하면, 처리 공간은 제1배기량에서 제2배기량으로 점진적 변경될 수 있다. Next, a process of processing the substrate W using the above-described apparatus will be described. 8 is a flow chart showing a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 7. Referring to FIG. 8, the substrate W placed on the substrate support unit 1300 is heated to a process temperature, and outside air is introduced into the processing space 1110. When the heat treatment process of the substrate W proceeds, the treatment space 1110 is exhausted with the first exhaust amount. In the processing space 1110, a negative pressure corresponding to the first amount of exhaust is formed, and as the substrate W is heated, the solvent, which is a volatile material contained in the photoresist film, is volatilized. The solvent is exhausted through an exhaust line 1550. As the time of the heat treatment process elapses, the amount of exhaust per unit time of the treatment space 1110 increases. According to an example, when the set time is reached during the heat treatment process, the treatment space 1110 is changed from the first exhaust amount to the second exhaust amount. Here, the set time may be 40 to 60% of the total progress of the heat treatment process. A process in which the displacement amount is changed may be applied differently as shown in FIG. 9 or 10. Referring to FIG. 9, the processing space may be gradually changed from a first exhaust amount to a second exhaust amount. Alternatively, referring to FIG. 10, the processing space may be gradually changed from the first exhaust amount to the second exhaust amount.

처리 공간(1110)의 배기가 제2배기량으로 변경됨에 따라, 처리 공간(1110)에서 공정 부산물이 배기되는 양을 줄어든다. 그러나 제2배기량으로 배기되는 시점에는 가열 처리 공정의 초기와 달리, 공정 부산물 즉, 휘발되는 용제의 양이 급격히 줄어들어 공정 부산물의 잔류량이 줄어든다. 또한 처리 공간(1110)을 제1배기량을 조절하는 중에는 감광액막의 두께 편차가 크게 발생될 수 있으나, 처리 공간(1110)을 제2배기량으로 변경함으로써, 감광액막의 두께 편차가 커지는 것을 방지할 수 있다.As the exhaust of the processing space 1110 is changed to the second exhaust amount, the amount of process by-products exhausted from the processing space 1110 is reduced. However, at the time of exhaustion to the second exhaust amount, unlike the initial stage of the heat treatment process, the amount of process by-products, that is, the volatilized solvent, is rapidly reduced, thereby reducing the residual amount of the process by-products. In addition, while adjusting the first exhaust amount in the processing space 1110, a large variation in the thickness of the photoresist film may occur, but by changing the processing space 1110 to the second exhaust amount, it is possible to prevent a large variation in the thickness of the photoresist layer.

본 실시예는 기판(W)의 가열 처리 공정 초기에 처리 공간(1110)을 제1배기량으로 배기하고, 설정 시간 이후에 제2배기량으로 배기함으로써, 공정 부산물의 잔류량을 줄이는 동시에 감광액막의 두께 편차를 최소화할 수 있다. 또한 공정 부산물의 잔류량이 줄어들어 장치의 유지 보수 빈도를 낮출 수 있다.In this embodiment, the processing space 1110 is exhausted to the first exhaust amount at the beginning of the heat treatment process of the substrate W, and exhausted to the second exhaust amount after the set time, thereby reducing the residual amount of process by-products and reducing the thickness variation of the photoresist film. Can be minimized. In addition, the residual amount of process by-products can be reduced, reducing the maintenance frequency of the device.

다시 도 5 및 도 6을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. Referring back to FIGS. 5 and 6, the transfer plate 3240 has a generally disk shape and has a diameter corresponding to the substrate W. A notch 3244 is formed at the edge of the transfer plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand 3420 of the transfer robot 3422 and 3424 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusion 3429 formed in the hand 3420 and is formed at a position corresponding to the protrusion 3429. When the vertical position of the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed in the position where the hand 3420 and the transfer plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W between the hand 3420 and the transfer plate 3240 is changed. Delivery takes place. The transfer plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 and may be moved between the first area 3212 and the second area 3214 along the guide rail 3249 by a driver 3246. The transfer plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3242. The guide groove 3242 extends from the end of the transfer plate 3240 to the inside of the transfer plate 3240. The guide groove 3242 is provided along the second direction 14 in its longitudinal direction, and the guide grooves 3242 are positioned to be spaced apart from each other along the first direction 12. The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pin 1340 from interfering with each other when the transfer of the substrate W is made between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1220) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated while the substrate W is directly placed on the support plate 1220, and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed. It is made in the state of being in contact with. The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well performed. According to an example, the transfer plate 3240 may be made of a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. The liquid processing chamber 3600 is provided in plural. Some of the liquid treatment chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the index module 20. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as a front liquid treatment chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided at positions adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604.

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front liquid treatment chamber 3602 applies the first liquid onto the substrate W, and the rear liquid treatment chamber 3604 applies the second liquid onto the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquids. According to an embodiment, the first liquid is an antireflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the antireflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an antireflection film. In this case, the antireflection film may be applied on the substrate W on which the photoresist is applied. Optionally, the first liquid and the second liquid are of the same type, and they may both be photoresists.

도 11는 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 11을 참조하면, 액 처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 11 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 3. Referring to FIG. 11, the liquid processing chambers 3602 and 3604 have a housing 3610, a cup 3620, a support unit 3640, and a liquid supply unit 3660. The housing 3610 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped. A carrying port (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610. The entrance can be opened and closed by a door (not shown). The cup 3620, the support unit 3640, and the liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610. A fan filter unit 3670 for forming a downward airflow in the housing 3260 may be provided on an upper wall of the housing 3610. The cup 3620 has a processing space with an open top. The support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The support unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during liquid processing. The liquid supply unit 3660 supplies liquid to the substrate W supported by the support unit 3640.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 2 and 3, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The shear buffers 3802 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Other portions of the buffer chambers 3802 and 3804 are disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804. The rear buffers 3804 are provided in plural, and are positioned to be stacked with each other along the vertical direction. Each of the front buffers 3802 and the rear buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is carried in or taken out by the index robot 2200 and the transfer robot 3422. The substrate W stored in the rear buffer 3804 is carried in or taken out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid treatment chamber 3600. The heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200, the transfer chamber 3400, and the liquid treatment chamber 3600 of the coating block 30a. ) And is provided in a generally similar structure and arrangement, so it is for this. However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as a developing chamber 3600 for developing and processing a substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to an external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a transfer member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit may be provided at an upper end of the interface frame 4100 to form a downward airflow therein. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the coating block 30a, is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed by the exposure apparatus 50, is carried into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. I can. A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer process. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side and an interface buffer 4400 may be disposed on the other side based on an extension line in the length direction of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying member 4600 conveys the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the carrying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the coating block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 includes the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. Each of the first robot 4602 and the second robot 4606 includes a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along the three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hand of the index robot 2200, the first robot 4602, and the second robot 4606 may all be provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424. Optionally, the hand of the robot that directly exchanges the substrate (W) with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424, and the hands of the other robots have a different shape. Can be provided.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to an embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the coating block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the coating block 30a and the developing block 30b may be provided to directly exchange the substrate W with the transfer plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus 1 described above will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. A coating process (S20), an edge exposure process (S40), an exposure process (S60), and a developing process (S80) are sequentially performed on the substrate W.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating treatment process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an antireflective coating process (S22) in the front liquid treatment chamber 3602, a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a liquid treatment at the subsequent stage. A photoresist film application process (S24) in the chamber 3604 and a heat treatment process (S25) in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes out the substrate W from the container 10 and transfers the substrate W to the front end buffer 3802. The transfer robot 3422 transfers the substrate W stored in the front end buffer 3802 to the front end heat treatment chamber 3200. The substrate W transfers the substrate W to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240. When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220. The transfer plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 while supporting the substrate W to perform a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the top of the cooling unit 3220, and the transfer robot 3422 carries out the substrate W from the heat treatment chamber 3200 to the front end liquid treatment chamber 3602. Return.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate W in the shear liquid processing chamber 3602.

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3422 carries out the substrate W from the front end liquid processing chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200. The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 carries out the substrate W and transfers the substrate W to the subsequent liquid treatment chamber 3604.

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in a liquid processing chamber 3604 at a later stage.

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate W from the liquid processing chamber 3604 at a later stage to carry the substrate W into the heat treatment chamber 3200. The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The first robot 4602 of the interface module 40 carries out the substrate W from the rear buffer 3804 and transfers the substrate W to the auxiliary process chamber 4200.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 carries out the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 takes out the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50.

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The development treatment process (S80) is performed by sequentially performing a heat treatment process (S81) in the heat treatment chamber 3200, a development process (S82) in the liquid treatment chamber 3600, and a heat treatment process (S83) in the heat treatment chamber 3200 do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of a conveyance path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 unloads the substrate W from the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 removes the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers the substrate W to the rear buffer 3804. The transfer robot 3422 carries the substrate W out of the rear buffer 3804 and transfers the substrate W to the heat treatment chamber 3200. A heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422.

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. A developing process is performed by supplying a developer to the developing chamber 3600 on the substrate W.

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is carried out from the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 and carried into the heat treatment chamber 3200. The substrate W is sequentially subjected to a heating process and a cooling process in the heat treatment chamber 3200. When the cooling process is completed, the substrate W is carried out from the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes out the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating treatment process and a development treatment process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only a coating process, and a film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film SOH.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are also possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

1100: 챔버 1300: 기판 지지 유닛
1420: 히터 유닛 1500; 배기 유닛
1530: 배기 라인 1540: 감압 부재
1550: 유량 조절 부재 1800: 제어기1100: chamber 1300: substrate support unit
1420: heater unit 1500; Exhaust unit
1530: exhaust line 1540: decompression member
1550: flow control member 1800: controller

Claims (7)

감광액이 도포된 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하여 감광액 내에 포함된 용제를 휘발시키는 가열 부재와;
상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 배기 유닛은,
상기 처리 공간에 연결되는 배기 라인과;
상기 배기 라인의 배기량을 조절하는 유량 조절 부재를 포함하되,
상기 제어기는 기판을 열 처리하는 공정 진행 중에 상기 배기량이 변경되도록 상기 유량 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate coated with a photoresist,
A chamber having a processing space for processing a substrate therein;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
A heating member for heating the substrate supported by the substrate support unit to volatilize a solvent contained in the photosensitive solution;
An exhaust unit that exhausts the processing space;
Including a controller for controlling the exhaust unit,
The exhaust unit,
An exhaust line connected to the processing space;
Including a flow rate control member for adjusting the exhaust amount of the exhaust line,
The controller controls the flow rate control member so that the amount of exhaust is changed during a process of heat treating the substrate. 제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 배기량을 제1배기량으로 조절하고, 이후에 상기 열 처리하는 공정의 진행도가 설정 시간에 도달되면 제2배기량으로 조절하되,
상기 제2배기량은 상기 제1배기량에 비해 큰 유량으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The controller adjusts the exhaust amount to a first exhaust amount, and then, when the progress of the heat treatment process reaches a set time, adjusts to the second exhaust amount
The second exhaust amount is provided at a higher flow rate than the first exhaust amount. 제2항에 있어서,
상기 제어기는 상기 진행도가 상기 설정 시간에 도달되면, 상기 제1배기량을 점진적으로 상기 제2배기량으로 변경하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The controller gradually changes the first exhaust amount to the second exhaust amount when the progression reaches the set time. 감광액이 도포된 기판을 처리공간 내에 배치하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 감광액에서 용제를 휘발시키되,
상기 열처리 도중에 상기 처리공간의 단위시간당 배기량이 증가하는 기판 처리 방법.A substrate coated with a photoresist is disposed in a processing space, and the substrate is heat treated to volatilize a solvent from the photosensitive solution
A substrate processing method in which an amount of exhaust per unit time of the processing space is increased during the heat treatment. 제4항에 있어서,
상기 열처리 시간이 경과됨에 따라 단위시간당 배기량이 점진적 또는 단계적으로 증가되는 기판 처리 방법.The method of claim 4,
As the heat treatment time elapses, the amount of exhaust per unit time is gradually or stepwise increased. 제5항에 있어서,
상기 처리 공간의 배기는 상기 기판의 상부에서 이루어지는 기판 처리 방법.The method of claim 5,
Exhaust of the processing space is performed on the substrate. 제5항에 있어서,
상기 열처리 시간의 경과는 상기 열 처리하는 공정의 전체 진행도의 40 내지 60% 를 포함하는 기판 처리 방법.

The method of claim 5,
The lapse of the heat treatment time includes 40 to 60% of the total progress of the heat treatment process.
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