KR20210034398A - 조명 모듈, 조명 장치 및 램프 - Google Patents

조명 모듈, 조명 장치 및 램프 Download PDF

Info

Publication number
KR20210034398A
KR20210034398A KR1020190116308A KR20190116308A KR20210034398A KR 20210034398 A KR20210034398 A KR 20210034398A KR 1020190116308 A KR1020190116308 A KR 1020190116308A KR 20190116308 A KR20190116308 A KR 20190116308A KR 20210034398 A KR20210034398 A KR 20210034398A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
disposed
resin layer
reflective member
Prior art date
Application number
KR1020190116308A
Other languages
English (en)
Inventor
엄동일
이정주
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020190116308A priority Critical patent/KR20210034398A/ko
Priority to CN202080066159.7A priority patent/CN114423987B/zh
Priority to EP20865364.2A priority patent/EP4033141A4/en
Priority to JP2022515839A priority patent/JP2022548839A/ja
Priority to US17/761,650 priority patent/US11796154B2/en
Priority to PCT/KR2020/012467 priority patent/WO2021054709A1/ko
Publication of KR20210034398A publication Critical patent/KR20210034398A/ko
Priority to US18/371,134 priority patent/US20240011622A1/en

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F21S2/005—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction of modular construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
    • F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/04—Optical design
    • F21V7/05—Optical design plane
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
    • F21V7/28—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by coatings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/40—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters with provision for controlling spectral properties, e.g. colour, or intensity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

발명의 실시 예에 개시된 조명 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 복수개의 발광 소자; 상기 기판 상에 배치되는 제1 반사부재; 상기 제1 반사부재 상에 배치되는 레진층; 상기 레진층 상에 배치되는 제2 반사부재; 및 상기 발광 소자의 발광면과 대향하는 상기 레진층의 일면에 배치되는 파장 변환층을 포함하고, 상기 레진층 높이 대비 상기 발광면에서 상기 일면까지의 거리는 5배 내지 10배 일 수 있다.

Description

조명 모듈, 조명 장치 및 램프{LIGHTING MODULE, LIGHTING APPARATUS AND LAMP}
발명의 실시 예는 복수의 발광소자를 갖는 조명 모듈에 관한 것이다.
발명의 실시 예는 서로 다른 평면 상에서 면광을 발광하는 조명 모듈에 관한 것이다.
발명의 실시 예는 조명 모듈을 갖는 조명 장치, 라이트 유닛, 표시장치, 차량용 램프에 관한 것이다.
조명 응용은 차량용 조명(light)뿐만 아니라 디스플레이 및 간판용 백라이트를 포함한다. 발광소자 예컨대, 발광 다이오드(LED)는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성 등의 장점이 있다. 이러한 발광소자는 각종 표시 장치, 실내등 또는 실외등과 같은 각종 조명장치에 적용되고 있다. 최근에는 차량용 광원으로서, 발광소자를 채용하는 램프가 제안되고 있다. 백열등과 비교하면, 발광소자는 소비 전력이 작다는 점에서 유리하다. 그러나, 발광소자로부터 출사되는 광의 출사각이 작기 때문에, 발광소자를 차량용 램프로 사용할 경우에는, 발광소자를 이용한 램프의 발광 면적을 증가시켜 주기 위한 요구가 있다. 발광소자는 사이즈가 작기 때문에 램프의 디자인 자유도를 높여줄 수 있고 반 영구적인 수명으로 인해 경제성도 있다.
발명의 실시 예는 복수의 발광소자로부터 방출된 광을 라인 형태로 출사하는 조명모듈 또는 조명장치를 제공한다.
발명의 실시 예는 라인 폭 또는 라인 높이를 갖는 제1발광 면을 갖는 조명모듈 또는 조명장치를 제공한다.
발명의 실시 예는 레진층의 적어도 한 측면에 출사면, 및 상기 레진층의 일면 및 타면 중 적어도 하나에 출사면을 갖는 조명 모듈 또는 조명 장치를 제공한다.
발명의 실시 예는 라인 높이를 갖는 레진층의 적어도 한 측면과 상면 또는/및 하면에 파장변환수단을 갖는 층을 포함하는 조명모듈 또는 조명장치를 제공한다.
발명의 실시 예는 레진층의 적어도 한 측면에 파장변환수단 또는/및 잉크입자를 갖는 층(들)을 포함하는 조명모듈 또는 조명장치를 제공한다.
발명의 실시 예는 복수의 발광소자가 배치된 레진층의 상면 또는/및 하면에 반사부재가 배치되고, 상기 레진층의 일 측면, 상면 또는/및 하면에 불순물을 갖는 층이 배치된 조명 모듈 또는 조명 장치를 제공한다.
발명의 실시 예는 라인 형태의 측면 광 또는 면광을 조사하는 조명 모듈 및 이를 갖는 조명 장치를 제공한다.
발명의 실시 예는 조명 모듈을 갖는 라이트 유닛, 액정표시장치, 차량용 램프를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 조명 장치에 의하면, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 복수개의 발광 소자; 상기 기판 상에 배치되는 제1 반사부재; 상기 제1 반사부재 상에 배치되는 레진층; 상기 레진층 상에 배치되는 제2 반사부재; 및 상기 발광 소자의 발광면과 대향하는 상기 레진층의 일면에 배치되는 파장 변환층을 포함하고, 상기 레진층의 높이 대비 상기 발광면에서 상기 일면까지의 거리는 5배 내지 10배 일 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 조명 장치에 의하면, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 복수개의 발광 소자; 상기 기판 상에 배치되는 제1 반사부재; 상기 제1 반사부재 상에 배치되는 레진층; 상기 레진층의 제1 영역 상에 배치되는 제2 반사부재; 상기 레진층의 제2 영역 상에 배치되는 제1 패턴층; 및 상기 발광 소자의 발광면과 대향하는 상기 레진층의 일면에 배치되는 파장 변환층을 포함하고, 상기 제1 패턴층은 다각형, 원형 또는 라인 형상 중 적어도 하나를 포함 할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 조명 장치에 의하면, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 복수개의 발광 소자; 상기 기판 상에 배치되는 제1 반사부재; 상기 제1 반사부재 상에 배치되는 레진층; 상기 레진층 상의 제1 영역 상에 배치되는 제2 반사부재; 상기 발광 소자의 발광면과 대향하는 상기 레진층의 일면에 배치되는 파장 변환층; 및 상기 제1 반사부재의 일 영역 상에 배치되는 제2 패턴층을 포함하고, 상기 제2 패턴층은 다각형, 원형 또는 라인 형상 중 적어도 하나를 포함 할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 조명 장치에 의하면, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 복수개의 발광 소자; 상기 기판 상에 배치되는 제1 반사부재; 상기 제1 반사부재 상에 배치되는 레진층; 상기 레진층 상의 제1 영역 상에 배치되는 제2 반사부재; 상기 발광 소자의 발광면과 대향하는 상기 레진층의 일면에 배치되는 파장 변환층; 및 상기 제1 반사부재의 일 영역과 상기 레진층 상의 일 영역 중 적어도 하나의 일 영역에 배치되는 패턴층을 포함하고, 상기 발광 소자에서 출사되어 상기 패턴층을 통과한 빛의 형상은 다각형 또는 원형 형상 중 적어도 하나를 포함 할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 얇은 조명 모듈에서의 적어도 한 측면을 통해 방출되는 광의 광도를 개선할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 레진층의 적어도 한 측면을 통해 파장 변환된 광을 제공할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 레진층의 적어도 한 측면, 일면 또는/및 타면을 통해 파장 변환된 광을 제공할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 레진층의 출사면과 상기 출사면에 인접한 상면을 통해 파장 변환된 광 또는/및 발광소자로부터 방출된 광을 추출할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 얇은 두께의 조명 모듈이 라인광 형태로 제공되므로, 디자인 자유도가 증가될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 면광의 광 균일도를 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 조명 모듈 및 이를 갖는 조명 장치의 광학적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 조명 모듈을 갖는 차량용 조명 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예는 조명 모듈을 갖는 라이트 유닛, 각 종 표시장치, 조명 장치, 또는 차량용 램프에 적용될 수 있다.
도 1은 발명의 제1실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 조명 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 조명 장치의 A-A측 단면도이다.
도 4는 도 2의 조명 장치의 B-B측 단면도이다.
도 5는 도 3의 조명 장치의 출사부의 제1변형 예이다.
도 6은 도 3의 조명 장치의 출사부의 제2변형 예이다.
도 7은 도 2의 조명 장치의 다른 예이다.
도 8 내지 도 13은 도 7의 조명 장치의 측 단면도의 변형 예들이다.
도 14는 제2실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸 평면도이다.
도 15 내지 도 20은 도 14의 조명 장치의 측 단면도의 변형 예들이다.
도 21 내지 도 25는 도 1, 도 7 또는 도 14의 조명 장치의 측 단면도의 다른 예들이다.
도 26은 발명의 실시 예에 따른 조명 장치의 발광소자의 다른 예이다.
도 27은 도 1, 7, 및 14의 조명 장치의 일면 또는/및 타면에 형광체가 형성된 층이 제3 및 제4면으로 연장된 예이다.
도 28은 도 1, 7, 및 14의 조명 장치의 일면 또는/및 타면에 패턴을 갖는 층을 나타낸 평면도이다.
도 29 및 도 30은 발명의 제3실시 예에 따른 조명 장치의 평면도의 예이다.
도 31은 발명의 실시 예에 따른 차량 램프용 조명 장치의 평면도의 예이다.
도 32는 발명의 실시 예의 조명장치에 적용된 발광소자의 정면도의 예이다.
도 33은 도 32의 발광소자가 회로기판에 배치된 조명 장치의 예이다.
도 34는 발명의 실시 예에 따른 조명 장치 또는 조명 장치를 갖는 램프가 적용된 차량의 평면도이다.
도 35는 도 34의 조명 장치 또는 조명 모듈을 갖는 램프를 나타낸 도면이다.
도 36은 도 28의 조명모듈 또는 조명장치에서 광 분포를 나타낸 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 각 용어의 의미는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 할 것이다. 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
본 발명에 따른 조명장치는 조명이 필요로 하는 다양한 램프장치, 이를테면 차량용 램프, 가정용 조명장치, 산업용 조명장치에 적용이 가능하다. 예컨대 차량용 램프에 적용되는 경우, 헤드 램프, 차폭등, 사이드 미러등, 안개등, 테일등(Tail lamp), 제동등, 주간 주행등, 차량 실내 조명, 도어 스카프(door scar), 리어 콤비네이션 램프, 백업 램프 등에 적용 가능하다. 본 발명의 조명장치는 실내, 실외의 광고장치, 표시 장치, 및 각 종 전동차 분야에도 적용 가능하며, 이외에도 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 조명관련 분야나 광고관련 분야 등에 적용 가능하다고 할 것이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
<조명모듈 또는 조명장치>
도 1은 발명의 제1실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1의 조명 장치의 평면도이고, 도 3은 도 2의 조명 장치의 A-A측 단면도이며, 도 4는 도 2의 조명 장치의 B-B측 단면도이고, 도 5는 도 3의 조명 장치의 제1출사면의 제1변형 예이고, 도 6은 도 3의 조명 장치의 제1출사면의 제2변형 예이며, 도 7은 도 2의 조명 장치의 다른 예이고, 도 8 내지 도 13은 도 7의 조명 장치의 측 단면도의 변형 예들이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 발명의 실시 예에 따른 조명 모듈 또는 장치(200)는 기판(210), 레진층(220), 파장변환층(250) 및 복수의 발광소자(100)를 포함할 수 있다. 상기 조명 장치(200)는 상기 레진층(220) 또는 파장변환층(250) 중 적어도 하나 또는 모두의 위에 제2반사부재(240)가 배치될 수 있다. 상기 조명모듈(200)은 상기 레진층(220) 또는 파장변환층(250) 중 적어도 하나 또는 모두의 아래에 제1반사부재(230)를 포함할 수 있다. 상기 제1반사부재(230)는 상기 기판(210)보다 위에 배치되고, 레진층(220)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2반사부재(230,240)는 입사되는 광을 반사시켜 줄 수 있다.
상기 발광소자(100)로부터 방출된 광은 레진층(220)의 측면들 중 적어도 한 측면을 통해서 또는 파장변환층(250)을 통해 면 형태로 발광될 수 있다. 상기 조명 모듈(200)은 복수의 발광소자(100)의 둘레에 라인 형태의 측면(들), 출사면 또는 투명한 면이 배치될 수 있다. 상기 조명 모듈(200)은 복수의 발광소자(100)의 발광 면과 대면하는 일면에 일정 높이 또는 두께를 갖는 출사면이 제공될 수 있다. 상기 레진층(220)은 적어도 한 측면과 일면(또는 상면)이 노출 될 수 있고 상기 파장변환층(250)은 적어도 한 측면과 일면(또는 상면) 또는/및 타면(또는 하면)이 노출될 수 있다.
상기 조명 모듈 또는 장치(200)는 서로 반대측에 배치된 제1면(S1)과 제2면(S2), 및 서로 반대측에 배치된 제3면(S3)과 제4면(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2면(S1,S2)은 제1방향으로 긴 길이를 갖고 연장될 수 있으며, 상기 제3 및 제4면(S3,S4)은 제2방향으로 긴 길이를 갖고 연장될 수 있다. 상기 제1 및 제2방향은 서로 직교하거나 서로 예각 또는 둔각으로 교차될 수 있다. 제3방향은 수직 방향 또는 두께 방향이며 상기 제1 및 제2방향과 직교하는 방향일 수 있다. 조명 모듈(200)에서 제1면(S1)과 제2면(S2)의 적어도 일부는 서로 대면하거나 어긋나게 배치될 수 있다. 상기 제3면(S3)과 제4면(S4)의 적어도 일부는 서로 대면하거나 어긋나게 배치될 수 있다. 상기 제3면 및 제4면(S3,S4)은 상기 제1면(S1)과 제2면(S2)과 다른 측면일 수 있다. 상기 제1 및 제2면(S1,S2) 사이의 최소 거리는 상기 제3 및 제4면(S3,S4) 사이의 최소 거리보다 작을 수 있다.
상기 제1면(S1)과 상기 제2면(S2)은 한 방향 또는 제1방향(X)으로 긴 길이를 가질 수 있으며, 바 형상 또는 라인 형상으로 길게 연장될 수 있다. 상기 제1면(S1)은 발광소자(100)의 발광면(111)과 대향되는 면이거거나 레진층(220) 또는 파장변환층(250)의 측면들 중에서 광도가 가장 높은 광들이 출사되는 면일 수 있다. 상기 제1면(S1)은 상기 발광면(111)과 대면하는 제1출사면일 수 있다. 여기서, 상기 발광소자(100)는 단일 방향의 측면이 발광면(111)로 설명하였으나, 소자 또는 광원의 종류에 따라 2면 이상 또는 4면 이상으로 발광할 수 있다.
상기 조명 모듈 또는 장치(200)에서 복수의 발광소자(100)는 제1방향으로 배열되거나, 상기 제2면(S2)에 인접한 영역을 따라 배열될 수 있다. 상기 복수의 발광소자(100)는 1행으로 배열될 수 있다. 상기 1행으로 배열된 발광소자(100)들을 연결한 가상의 선은 직선이거나 곡선을 포함할 수 있다. 다른 예로서 상기 복수의 발광소자는 2행으로 배치될 수 있으며, 상기 제1행 및 제2행의 발광소자들은 상기 제1면(S1)과 상기 제2면(S2) 사이에서 열 방향(예: Y 방향)으로 서로 중첩되지 않게 배치될 수 있다.
상기 제1방향(X)으로 배열된 복수의 발광소자(100)는 상기 제1면(S1) 또는 제1출사면과 각각 대면할 수 있다. 상기 복수의 발광소자(100)의 각 발광면(111)은 상기 제1출사면 또는 제1면(S1)과 대면할 수 있다. 상기 발광소자(100)로부터 방출된 광은 제1면(S1)을 통해 방출되며, 일부 광은 상기 제2면(S2), 제3면(S3) 및/또는 제4면(S4)을 통해 방출될 수 있다.
도 2 내지 도 5와 같이, 상기 조명 모듈(200)은 제1방향(X)의 제1길이(X1)가 상기 제2방향(Y)의 제2길이(Y1)보다 길 수 있다. 상기 제1길이(X1)는 상기 발광소자(100)의 배치 개수에 따라 달라질 수 있으며, 예컨대 30mm 이상일 수 있다. 상기 제2방향의 제2길이(Y1)은 13mm 이상 또는 16mm 이상 또는 20mm 이하 일 수 있다. 상기 조명 모듈(200)의 제2길이(Y1)는 발광소자(100)의 출사 광이 확산되는 영역과 발광소자(100)의 후방을 보호하는 영역을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 인접한 두 발광소자(100) 사이의 최소 간격이 G1인 경우, 제1길이(X1)는 상기 간격(G1)의 2배보다 크고, 상기 제2길이(Y1)은 상기 간격(G1)의 2배 이하일 수 있다. 상기 간격(G1)은 10mm 이상 예컨대, 10mm 내지 15mm의 범위일 수 있다.
도 2 및 도 3과 같이, 상기 발광소자(100)의 발광 면(또는 일면)과 제1면(S1) 사이의 거리(D1)와 상기 발광소자(100)의 타면와 제2면(S2) 사이의 거리(D5)는 서로 다를 수 있으며, 예컨대 D1>D5의 관계를 가질 수 있다.
상기 발광소자(100)와 상기 제2면(S2) 사이의 거리(D5)는 3mm 이상일 수 있으며, 예컨대 3mm 내지 20mm의 범위일 수 있다. 상기 발광소자(100)와 상기 제2면(S2) 사이의 거리(D5)가 상기 범위보다 작으면 습기가 침투되거나 회로 패턴을 형성할 수 있는 영역이 작아질 수 있고 상기 범위보다 크면 조명 모듈(200)의 사이즈가 커질 수 있다.
상기 조명 모듈(200)에서 제1면(S1), 제2면(S2), 제3면(S3) 및 제4면(S4)은 제3방향(Z)으로 수직한 평면으로 제공되거나, 적어도 하나는 곡면 또는 경사진 면을 포함할 수 있다. 상기 제1면(S1), 제2면(S2), 제3면(S3) 및 제4면(S4)은 상기 제3방향(Z)으로 동일한 두께 또는 동일한 높이를 가질 수 있다. 예컨대, 제1출사면인 제1면(S1)은 수직한 평면이거나, 볼록한 곡면을 포함할 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 제2면(S2), 제3면(S3) 및 제4면(S4)을 포함할 수 있고, 상기 파장변환층(250)은 상기 제1면(S1), 제3면(S3) 및 제4면(S4)를 포함할 수 있다.
상기 레진층(220)의 외측에 파장변환층(250)이 배치 될 수 있다. 상기 제1 내지 제4면(S1,S2,S3,S4)은 상기 레진층(220) 또는 파장변환층(250)의 최 외면일 수 있다. 상기 파장변환층(250)은 제1면(S1)의 측면에 배치되거나, 제3면(S3) 또는/및 제4면(S4)의 일부 또는 측면 전체에 배치될 수 있다. 상기 파장변환층(250)이 상기 레진층(220)의 외면에 접촉된 경우, 상기 파장변환층(250)과 상기 레진층(220) 사이의 경계면(Sa)은 상기 파장변환층(250)이 형성된 영역을 따라 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 경계 면(Sa)은 제1면(S1)을 배치하거나, 제1면(S1), 제3 및 제4면(S3,S4)의 일부를 따라 배치될 수 있다. 즉, 상기 파장변환층(250)은 상기 레진층(220)의 제1,3,4면과 대응되는 면에 배치될 수 있다.
상기 레진층(220)은 상기 기판(210) 상에 배치된 소자 예컨대, 하나 또는 복수의 발광소자(100)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 발광소자(100)들을 밀봉할 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 발광소자(100)들에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 발광소자(100)는 제1방향으로 적어도 3개 또는 그 이상이 배열될 수 있으며, 상기 레진층(220) 내에 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광소자(100)는 기판(210)과 상기 제2반사부재(240) 사이에 배치될 수 있다. 상기 레진층(220)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 재질일 수 있다. 상기 레진층(220)은 다른 재질로서, 유리 재질을 포함할 수 있다. 상기 레진층(220)은 불순물을 갖지 않는 층이거나, 확산제와 같은 불순물을 포함할 수 있다. 상기 제1반사부재(230)는 상기 레진층(220)과 상기 기판(210) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1반사부재(230)는 형성하지 않을 수 있으며, 상기 기판(210)의 상면에 반사성 재질을 형성할 수 있다.
상기 기판(210)은 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board)을 포함하며, 예를 들어, 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, 또는 FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(210)은 연성 또는 비연성 재질의 기판일 수 있다. 상기 기판(210)은 상부에 회로 패턴이 배치될 수 있다. 상기 기판(210)의 회로 패턴은 상기 발광소자(100)와 대응되는 영역에 복수의 패드를 구비할 수 있다. 상기 복수의 발광소자(100)는 상기 기판(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 복수의 발광소자(100)는 하부에 본딩부가 배치되며, 상기 본딩부는 상기 기판(210)의 패드와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 복수의 발광소자(100)는 상기 기판(210)의 회로패턴에 의해 직렬로 연결될 수 있다. 다른 예로서, 상기 복수의 발광소자(100)는 상기 기판(210)의 회로패턴에 의해 병렬로 연결되거나, 2개 이상이 직렬로 연결된 그룹이 병렬로 연결될 수 있다.
상기 기판(210)의 영역 중에서 상기 발광소자(100)를 기준으로 후방 영역은 광이 출사되는 영역의 반대측 영역으로서, 상기 발광소자(100)를 연결하기 위한 회로 패턴들이 배치될 수 있다. 상기 후방 영역은 상기 발광소자(100)들의 개수, 또는 상기 발광소자(100)들의 연결 방식에 따라 폭이 달라질 수 있다. 상기 후방 영역의 폭은 상기 발광소자(100)와 상기 제2면(S2) 사이의 거리(D5)로서, 3mm 이상으로 제공될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(100)의 후방으로부터 습기 침투를 억제하고 복수의 발광소자(100)를 연결하기 위한 회로 패턴을 형성할 수 있다.
상기 발광소자(100)는 발광 칩을 갖는 소자 또는 LED 칩이 패키징된 패키지를 포함할 수 있다. 상기 발광 칩은 청색, 적색, 녹색, 자외선(UV) 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. 상기 발광소자(100)는 백색, 청색, 적색, 녹색 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. 상기 발광소자(100)는 측 방향으로 광을 방출하며 바닥부가 상기 기판(210) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 발광소자(100)는 사이드 뷰(side view) 타입의 패키지이거나, 일 측면이 발광 면(111)을 갖는 패키지일 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광소자(100)는 LED 칩일 수 있으며, 상기 LED 칩의 일면이 개방되고 다른 면은 반사 부재가 배치될 수 있다. 또는 기판(210) 상에 LED 칩이 배치되고, 상기 LED 칩의 상면 및 측면들을 통해 광을 방출할 수 있다.
상기 발광소자(100)의 발광면(111)은 상기 기판(210)에 인접한 면 예컨대, 상기 기판(210)의 상면에 인접한 측면에 배치될 수 있다. 상기 발광면(111)은 상기 발광소자(100)의 바닥과 상면 사이의 측면에 배치되며, 상기 제2방향(Y)으로 광을 방출하게 된다. 상기 발광소자(100)의 발광면(111)은 상기 제1반사부재(230)에 인접하며 상기 기판(210)의 상면 및 상기 제1반사부재(230)의 상면에 대해 수직한 면일 수 있다. 상기 발광소자(100)의 높이는 1mm 내지 2mm의 범위일 수 있으며, 예컨대 1.2mm 내지 1.8mm의 범위일 수 있다.
도 2 및 도 4와 같이, 상기 발광소자(100)들 간의 피치(G1)는 10mm 이상 예컨대, 10mm 내지 15mm의 범위일 수 있다. 또한 최 외곽의 발광소자(100)와 레진층(220)의 제3 또는 제4측면(S3,S4) 사이의 거리(G2)는 상기 피치(G1)보다 작을 수 있으며, 10mm 이하일 수 있다. 여기서, 상기 거리(D1)는 상기 피치(G1)의 90% 이상 예컨대, 90% 내지 120%의 범위일 수 있으며, 상기 피치(G1)는 상기 거리(D1)에 따라 달라질 수 있다.
상기 발광소자(100)의 제1방향(X)의 길이는 상기 발광소자(100)의 높이보다 클 수 있으며, 예컨대 상기 발광소자(100)의 높이의 1.5배 이상일 수 있다. 이러한 발광소자(100)는 낮은 높이와 제1방향(X)으로 긴 길이를 갖게 되므로, 상기 발광소자(100)의 중심을 기준으로 좌-우 방향인 제1방향(X)으로의 광 출사각을 넓게 제공할 수 있다. 여기서, 상기 발광소자(100)의 제1방향(X)으로의 광 출사각은 상-하 방향인 제3방향(Z)으로의 광 출사각보다 클 수 있다. 상기 발광소자(100)의 제2방향(Y)의 광 출사각은 110도 내지 160도의 범위를 가질 수 있다. 여기서, 도 3와 같이, 상기 기판(210)의 두께(Za)는 상기 발광소자(100)의 높이보다 작을 수 있다. 상기 발광소자(100)의 높이는 상기 기판(210)의 두께(Za)의 2배 이상일 수 있으며, 예컨대 2배 내지 4배의 범위일 수 있다. 상기 기판(210)의 두께(Za)가 얇게 제공되므로, 조명 모듈(200)은 연성 플레이트로 제공될 수 있다.
상기 레진층(220)은 상기 기판(210) 상에서 상기 발광소자(100)를 덮을 수 있다. 상기 제2반사부재(240)는 상기 레진층(220)의 상면을 덮을 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 발광소자(100)의 상면과 측면들에 접촉될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 제1반사부재(230)의 상면에 접촉될 수 있다. 상기 레진층(220)의 일부는 상기 제1반사부재(230)의 홀(232)를 통해 상기 기판(210)에 접촉될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 발광소자(100)의 발광면(111)에 접촉될 수 있다. 상기 레진층(220)의 제1면(S1), 제2면(S2), 제3면(S3) 및 제4면(S4)는 상기 제1 및 제2반사부재(230,240) 사이의 측면일 수 있다.
상기 레진층(220)의 상면 면적은 상기 기판(210)의 상면 면적, 상기 제1반사부재(230)의 상면 면적 또는 상기 제2반사부재(240)의 하면 면적과 동일할 수 있다. 제1방향으로 상기 레진층(220)의 길이는 상기 기판(210)의 길이, 상기 제1반사부재(230)의 길이 또는/및 상기 제2반사부재(240)의 길이와 동일할 수 있다. 제2방향으로 상기 레진층(220)의 최대 너비(Y1)는, 상기 기판(210)의 최대 너비, 상기 제1반사부재(230)의 최대 너비 또는/및 상기 제2반사부재(240)의 최대 너비와 동일할 수 있다.
다른 예로서, 상기 레진층(220)의 상면 면적은 상기 기판(210)의 상면 면적보다 작을 수 있다. 이러한 구조에서 상기 기판(210)의 상면 에지는 상기 레진층(220)의 하면 에지보다 더 외측으로 돌출될 수 있다.
상기 레진층(220)은 제1 및 제2반사부재(230,240) 사이에 배치될 수 있다. 상기 레진층(220)의 일부는 기판(210)과 제2반사부재(240) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1반사부재(230)의 상면과 상기 제2반사부재(240)의 하면은 상기 레진층(220)의 하면과 상면에서 서로 대면할 수 있다. 상기 제1반사부재(230)의 상면과 상기 제2반사부재(240)의 하면은 서로 동일 면적을 가질 수 있다. 이에 따라 상기 레진층(220)은 발광소자(100)로부터 방출된 광과 제 1 및 제2반사부재(230,240)으로 반사된 광을 확산시켜 측 방향으로 가이드할 수 있다.
상기 레진층(220)은 상기 발광소자(100)의 높이보다 두꺼운 두께(Zb) 또는 높이로 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 레진층(220)은 상기 발광소자(100)의 상부를 보호하며 습기 침투를 억제할 수 있다. 상기 발광소자(100)는 하부에 기판(210)이 배치되고 상부에 레진층(220)이 배치되므로, 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 따라서, 상기 레진층(220)의 상면과 상기 발광소자(100) 사이의 간격은 0.5mm 이하 예컨대, 0.2mm 내지 0.5mm 범위로 배치될 수 있다.
상기 레진층(220)의 두께(Zb)는 상기 제1 및 제2반사부재(230,240) 사이의 거리이며, 상기 제1 및 제2반사부재(230,240) 사이의 거리(예: Zb)는 상기 제1면(S1)과 상기 제2면(S2) 사이의 거리보다 작을 수 있다. 예컨대, 상기 제1면(S1)과 상기 제2면(S2) 사이의 거리는 최대 거리 또는 최소 거리를 포함할 수 있다. 이러한 제1 및 제2반사부재(230,240) 사이의 거리를 조명 모듈(200)의 제2방향의 폭(Y1) 또는 최소 폭보다 작게 배치함으로써, 라인 형태의 면광을 제공하며 광도 개선 및 핫 스팟을 방지할 수 있다. 또한 제3방향으로 연성이 가능한 조명 모듈을 제공할 수 있다.
상기 레진층(220)의 두께(Zb)는 상기 발광소자(100)의 두께의 2배 이하일 수 있으며, 예컨대 1배 초과 내지 2배 이하일 수 있다. 상기 레진층(220)의 두께(Zb)는 예컨대 1.5mm 내지 1.9mm의 범위 또는 1.5mm 내지 1.6mm의 범위일 수 있다. 상기 레진층(220)의 두께(Zb)는 상기 조명 모듈(200)의 두께(Z1)의 0.8배 이하일 수 있으며, 예컨대, 상기 조명 모듈(200)의 두께(Z1)의 0.4배 내지 0.8배의 범위일 수 있다. 상기 레진층(220)이 상기 조명 모듈(200)의 두께(Z1)와 1.2mm 이하의 차이로 배치되므로, 조명 모듈(200)에서의 광 효율의 저하를 방지할 수 있고 연성 특성을 강화시켜 줄 수 있다.
상기 레진층(220)은 실리콘, 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 에폭시, 또는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 레진층(220)은 UV(ultra violet) 경화성 수지 또는 열 경화성 수지 재료를 포함할 수 있으며, 예컨대 PC, OPS, PMMA, PVC 등을 선택적으로 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 레진층(220)의 주재료는 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 주원료로 하는 수지 재료를 이용할 수 있다. 이를테면, 합성올리고머인 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 폴리아크릴인 폴리머 타입과 혼합된 것을 사용할 수 있다. 물론, 여기에 저비점 희석형 반응성 모노머인 IBOA(isobornyl acrylate), HPA(Hydroxylpropyl acrylate, 2-HEA(2-hydroxyethyl acrylate) 등이 혼합된 모노머를 더 포함할 수 있으며, 첨가제로서 광개시제(이를 테면, 1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone 등) 또는 산화방지제 등을 혼합할 수 있다.
상기 레진층(220) 내에는 비드(bead, 미도시)를 포함할 수 있으며, 상기 비드는 입사되는 광을 확산 및 반사시켜 주어, 광량을 증가시켜 줄 수 있다. 상기 레진층(220)은 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 다른 레진층에 첨가된 형광체의 함량보다 낮을 수 있으며, 황색, 녹색, 청색, 또는 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1반사부재(230)는 상기 발광소자(100)로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 제1반사부재(230)는 상기 기판(210)의 상면에 형성될 수 있다. 상기 제1반사부재(230)는 상기 기판(210)의 상부 층으로 형성되거나 별도의 층으로 형성될 수 있다. 상기 제1반사부재(230)은 상기 기판(210)의 상면에 접착제로 접착될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 제1반사부재(230)의 상면에 접착될 수 있다.
상기 제1반사부재(230)는 상기 발광소자(100)의 하면과 대응되는 영역에 복수의 홀(232)을 구비하며, 상기 홀(232)을 통해 상기 발광소자(100)가 상기 기판(210)에 연결될 수 있다. 상기 레진층(220)의 일부는 상기 홀(232)를 통해 상기 기판(210)에 접촉될 수 있다. 상기 홀(232)은 상기 발광소자(100)가 상기 기판(210)에 본딩되는 영역일 수 있다.
상기 제1반사부재(230)는 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 상기 제1반사부재(230)는 광을 반사하는 물질 예컨대, 금속 또는 비 금속 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1반사부재(230)가 금속인 경우 스테인레스, 알루미늄(Al), 은(Ag)과 같은 금속 층을 포함할 수 있으며, 비 금속 물질인 경우 백색 수지 재질이거나. 레진 내에 금속 산화물 또는/및 에어들이 채워진 재질이거나, 플라스틱 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1반사부재(230)는 백색 수지 재질이거나 폴리에스테르(PET) 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1반사부재(230)는 저반사 필름, 고반사 필름, 난반사 필름, 또는 정반사 필름 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1반사부재(230)는 예컨대, 입사된 광을 제1면(S1)으로 반사시켜 주기 위한 정반사 필름으로 제공될 수 있다.
상기 제1반사부재(230)의 일단은 상기 제1면(S1)과 같은 평면에 배치될 수 있다. 상기 제1반사부재(230)의 타단은 상기 제2면(S2)와 같은 평면에 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1반사부재(230)의 일단과 타단은 상기 제1면(S1)과 제2면(S2)으로부터 이격되며, 상기 레진층(220)과 접촉될 수 있다. 즉, 제1반사부재(230)의 외측은 레진층(220)으로 커버하여, 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 상기 제1반사부재(230)의 두께(Zc)는 상기 기판(210)의 두께(Za)보다 작을 수 있다. 상기 제1반사부재(230)의 두께(Zc)는 상기 기판(210)의 두께(Za)의 0.3배 이상으로 배치되어, 입사되는 광의 투과 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 제1반사부재(230)의 두께(Zc)는 0.1mm 내지 0.3mm의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 광 투과 손실이 발생될 수 있고 상기 범위보다 두꺼운 경우 조명 모듈(200)의 두께(Z1)가 증가할 수 있다.
상기 제2반사부재(240)의 두께(Zd)는 상기 기판(210)의 두께(Za)보다 작을 수 있다. 상기 제2반사부재(240)의 두께(Zd)는 상기 기판(210)의 두께(Za)의 0.3배 이상으로 배치되어, 입사되는 광의 투과 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 제2반사부재(240)의 두께(Zd)는 0.1mm 내지 0.3mm의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 광 투과 손실이 발생될 수 있고 상기 범위보다 두꺼운 경우 조명 모듈(200)의 두께(Z1)가 증가할 수 있다.
상기 제2반사부재(240)는 상기 레진층(220)의 상면 전 영역에 배치되어, 광의 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 제2반사부재(240)는 상기 제1반사부재(230)와 동일한 재질일 수 있다. 상기 제2반사부재(240)는 광을 반사하고 광의 투과 손실을 줄이기 위해, 상기 제1반사부재(230)의 재질보다 광 반사율이 높은 재질이거나 더 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 상기 제2반사부재(240)는 상기 제1반사부재(230)와 동일한 두께이거나 더 두꺼운 두께일 수 있다. 예컨대, 상기 제1,2반사부재(230,240)는 동일한 재질 및 동일한 두께로 제공될 수 있다.
상기 제2반사부재(240)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 상기 제2반사부재(240)은 광을 반사하는 물질 예컨대, 금속 또는 비 금속 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2반사부재(240)이 금속인 경우 스테인레스, 알루미늄(Al), 은(Ag)과 같은 금속 층을 포함할 수 있으며, 비 금속 물질인 경우 백색 수지 재질이거나, 레진 내에 금속 산화물 또는/및 에어들이 채워진 재질이거나, 플라스틱 재질을 포함할 수 있다. 상기 제2반사부재(240)은 백색 수지 재질이거나 폴리에스테르(PET) 재질을 포함할 수 있다. 상기 제2반사부재(240)은 저반사 필름, 고반사 필름, 난반사 필름, 또는 정반사 필름 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2반사부재(240)은 예컨대, 입사된 광이 제1면(S1) 방향으로 진행하도록 정반사 필름으로 제공될 수 있다.
여기서, 상기 제1면(S1)은 요철 구조와 같은 광 추출 구조가 배치될 수 있다. 이에 따라 레진층(220)을 통해 방출된 광의 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제1면(S1)에서 상기 발광소자(100)와 수평 방향으로 중첩된 제1 중첩 영역과, 상기 발광소자들 사이의 영역과 수평 방향으로 중첩된 제2 중첩 영역은 같은 평면에 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제2 중첩 영역은 상기 제1 중첩 영역보다 제2면 방향으로 오목하거나, 상기 제1 중첩 영역이 상기 제2 중첩 영역보다 볼록하게 돌출될 수 있다. 상기 제1면(S1)은 헤이즈(Haze) 면으로 처리될 수 있어, 광을 확산시켜 줄 수 있다. 상기 헤이즈 면은 상기 레진층(220)의 다른 면보다 러프한 면으로 처리되어, 출사되는 광을 확산시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 조명 모듈(200)은 제3방향의 두께(Z1)를 라인 형태로 제공하여, 연성을 가지며 라인 형태의 면 광원을 제공할 수 있다. 상기 조명 모듈(200)의 두께(Z1)는 3mm 이하일 수 있다. 즉, 상기 조명 모듈(200)은 적어도 한 측면으로 3mm 이하의 라인 형태의 면광을 방출할 수 있다. 다른 예로서, 상기 조명 모듈(200)은 2mm보다 크고 6mm 이하로 배치될 수 있으며, 이 경우 조명 모듈(200)의 두께는 증가되지만, 레진층(220)의 두께를 더 두껍게 제공하여 라인 폭을 증가시키고 배광 영역을 증가시켜 줄 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 조명 모듈(200)에서 각 구성요소의 두께를 보면, 기판(210)의 두께는 Za이고, 레진층(220)의 두께는 Zb이며, 제1반사부재(230)의 두께는 Zc이고 제2반사부재(240)의 두께는 Zd인 경우, Zb>Za>Zd≥Zc의 관계를 가질 수 있다. 상기 기판(210)의 하면에서 상기 제2반사부재(240)의 상면 사이의 간격은 조명 모듈(200)의 두께(Z1)이다. 상기 두께(Zb)는 Z1의 0.4 내지 0.8의 비율이며, 상기 두께(Za)는 Z1의 0.14 내지 0.18의 비율이며, 상기 두께 Zd 또는 Zc는 Z1의 0.08 내지 0.12의 비율을 가질 수 있다. 상기 Zb는 Za의 3.5 내지 4의 비율을 가질 수 있다. 상기 Zb는 Zc 또는 Zd의 5.8 내지 6.4의 비율을 가질 수 있다. 이러한 레진층(220)의 두께(Zb)를 기판(210)의 두께(Za)보다 두껍게 배치하여, 발광소자(100)를 보호하고 광을 확산시켜 가이드할 수 있으며 연성 특성을 강화시켜 줄 수 있다. 또한 레진층(220)의 두께(Zb) 또는 높이를 갖는 라인 형태의 제1출사면이 제공되므로, 라인 출사면을 제공할 수 있다.
상기 발광소자(100)의 발광면(111)에서 상기 제1면(S1) 사이의 거리(D1)는 상기 레진층(220)의 두께(Zb) 또는 높이의 5배 이상 예컨대, 5배 내지 10배의 범위일 수 있다. 상기 거리(D1)는 10mm 이상 예컨대, 10mm 내지 내지 15mm의 범위일 수 있다. 상기 발광소자(100)의 발광면(111)에서 제1출사면 또는 제1면까지의 거리(D1)가 상기 레진층(220)의 두게(Zb)의 5배 미만인 경우, 면 광원 분포가 균일하지 않을 수 있으며, 10배를 초과할 경우 모듈 사이즈가 증가에 비해 면 광원의 분포의 개선 효율이 미미할 수 있다.
파장변환층(250)은 상기 레진층(220)의 출사측 외면에 배치될 수 있다. 상기 파장변환층(250)의 출사면은 제1면(S1)이 배치될 수 있다. 상기 파장변환층(250)은 상기 복수의 발광소자(100)의 발광면(111)과 대면할 수 있다. 상기 파장변환층(250)의 수직 방향의 두께는 상기 레진층(220)의 두께(Zb)와 같거나 클 수 있다. 상기 파장변환층(250)의 수직 방향의 두께는 상기 레진층(220)의 두께(Zb)와 제1,2반사부재(230,240)의 두께(Za,Zd) 중 어느 하나의 합으로 제공될 수 있다. 즉, 상기 파장변환층(250)의 수직 방향의 두께는 기판(210)의 상면과 제2반사부재(240) 사이의 거리 이하이거나, 상기 레진층(220)의 상면과 하면 사이의 거리 이상일 수 있다. 상기 파장변환층(250)의 내면은 상기 레진층(220)에 접촉되며, 하부면은 상기 기판(210) 및 상기 제1반사부재(230) 중 적어도 하나 또는 모두에 접촉될 수 있다. 상기 파장변환층(250)의 상면은 제2반사부재(240)에 접촉될 수 있다. 이에 따라 상기 파장변환층(250)은 상기 레진층(220)의 외면(즉, Sa)을 커버하며 외부에서 침투하는 습기를 차단할 수 있다. 여기서, 상기 파장변환층(250)의 외면 또는 제1면(S1)은 상기 기판(210) 또는/및 제2반사부재(240)의 측면과 같은 평면일 수 있다.
상기 파장변환층(250)은 수평한 제2방향(Y)으로 폭(D3)이 0.7mm 이하 예컨대, 0.3mm 내지 0.7mm의 범위 또는 0.3mm 내지 0.5mm의 범위로 제공될 수 있다. 상기 폭(D3)는 제2방향의 레진층(220)의 길이(Y1)보다 작을 수 있으며, 예컨대 D2의 1/30 이하일 수 있다.
상기 파장변환층(250)은 내부에 파장변환수단을 포함할 수 있다. 상기 파장변환수단은 형광체 또는/및 양자점을 포함할 수 있다. 상기 형광체 또는 양자점은 예컨대, 앰버(Amber), 엘로우(yellow), 그린, 레드, 또는 블루 광 중 적어도 하나 또는 둘 이상을 발광할 수 있다. 상기 파장변환층(250)에 첨가된 파장변환수단의 함량은 파장변환층(250) 무게의 13wt% 이상 또는 13wt 내지 60wt%의 범위로 첨가될 수 있다. 상기 파장변환층(250)에서 형광체의 함량은 방출되는 광도 및 파장 변환 효율에 따라 변경될 수 있다. 상기 파장변환층(250)을 통해 방출된 광은 상기 발광소자(100)로부터 방출된 제1광과, 상기 파장변환층(250) 내에서 파장 변환된 제2광이 혼합될 수 있다. 상기 제1광과 제2광의 혼합된 광은 적색 또는 백색일 수 있다.
상기 파장변환층(250)은 확산제 또는/및 잉크 입자를 포함할 수 있다. 상기 잉크 입자는 금속잉크, UV 잉크, 또는 경화잉크 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 잉크입자의 사이즈는 상기 형광체의 사이즈보다 작을 수 있다. 상기 잉크입자의 표면 컬러는 녹색, 적색, 황색, 또는 청색 중 어느 하나일 수 있다. 상기 잉크 입자의 종류는 PVC(Poly vinyl chloride) 잉크, PC (Polycarbonate) 잉크, ABS(acrylonitrile butadiene styrene copolymer) 잉크, UV 레진 잉크, 에폭시 잉크, 실리콘 잉크, PP(polypropylene) 잉크, 수성잉크, 플라스틱 잉크, PMMA (poly methyl methacrylate) 잉크, PS (Polystyrene) 잉크 중에서 선택적으로 적용될 수 있다. 여기서, 상기 잉크입자의 너비 또는 직경은 5㎛ 이하 예컨대, 0.05㎛ 내지 1㎛의 범위일 수 있다. 상기 잉크입자 중 적어도 하나는 광의 파장보다 작을 수 있다. 상기 잉크입자의 재질은 적색, 녹색, 황색, 청색 중 적어도 하나의 컬러를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 형광체는 적색 파장을 발광하며, 상기 잉크입자는 적색을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 파장변환층(250) 내에 잉크 입자와 파장변환수단이 함께 첨가된 경우, 상기 잉크 입자는 입사되는 광의 투과율을 낮추어 줄 수 있고, 전원 오프모드에서 외부 컬러를 잉크 컬러와 같은 컬러로 제공할 수 있다. 상기 파장변환층(250)에서 파장 변환수단의 함량은 상기 잉크 입자에 의해 20wt% 이하로 낮추어 줄 수 있다.
조명 모듈의 제조 공정을 보면, 예컨대 상기 기판(210) 상에 발광소자(100)를 탑재하고 제1반사부재(230)를 부착하게 된다. 이후 파장변환층(250)은 상기 기판(210) 상에 레진층(220)을 형성한 다음 형성될 수 있다. 상기 레진층(220) 및 파장변환층(250)을 형성한 다음 제2반사부재(240)을 부착시켜 줄 수 있다. 다른 예로서, 레진층(220)을 형성한 다음 제2반사부재(240)를 부착하고, 이후에 레진층(220)의 일 측면에 파장변환층(250)을 형성할 수 있다.
도 5를 참조하면, 모듈 또는 레진층은 상기 기판(210) 상에 레진층(220), 파장변환층(250) 및 유색 잉크층(252)을 포함할 수 있다. 상기 파장변환층(250)은 파장변환수단을 포함할 수 있으며, 상기 유색 잉크층(252)는 잉크 입자를 포함할 수 있다. 상기 잉크 입자는 광의 파장을 변환하지 않고, 광의 투과율을 낮추어 줄 수 있다. 또한, 유색 잉크층(252)는 상기 발광소자(100)의 발광면(111)에서 발생하는 핫스팟이 외부에서 시인 될 수 있으므로, 광의 투과율을 낮추어 핫스팟을 저지 및 제거 할 수 있다. 상기 유색 잉크층(252)은 전원 오프시, 외부 컬러를 잉크 컬러로 제공하고, 전원 온시 상기 파장변환수단에 의해 파장변환된 광과 상기 발광소자(100)로부터 방출된 광을 투과시켜 줄 수 있다. 상기 유색 잉크층(252)은 상기 복수의 발광소자(100)의 발광면(111)과 대면할 수 있다. 상기 유색 잉크층(252)은 외측에 제1면(S1)이 배치될 수 있으며, 내면에 파장변환층(250)의 외면이 접촉될 수 있다. 상기 유색 잉크층(252)은 제1면(S1)에 배치되거나, 제1면(S1)과 제3 및 제4면(S3,S4)의 일부 또는 전체 상에 배치될 수 있다. 도 2 및 도 5와 같이, 최 외측에 배치된 파장변환층(250) 또는 유색 잉크층(252)은 발광 면적을 더 넓혀줄 수 있다.
수직한 제3방향(Z)으로 상기 유색 잉크층(252)의 높이 또는 두께는 상기 파장변환층(250)의 높이 또는 두께와 동일할 수 있다. 수직 방향(Z)으로 상기 유색 잉크층(250)의 높이 또는 두께는 상기 레진층(220)의 높이 또는 두께와 같거나 클 수 있다. 수평한 제2방향(Y)으로 상기 유색 잉크층(252)의 폭은 상기 파장변환층(250)의 폭보다 작을 수 있다. 상기 유색 잉크층(252)의 내면은 상기 파장변환층(250)에 접촉되며, 하부면은 상기 기판(210) 및 상기 제1반사부재(230) 중 적어도 하나 또는 모두에 접촉될 수 있다. 상기 유색 잉크층(252)의 상면은 제2반사부재(240)에 접촉될 수 있다. 이에 따라 상기 유색 잉크층(252)은 상기 파장변환층(220)의 외면을 커버하며, 전원 온 또는 오프 모드에서 발광된 광의 컬러와 비 발광된 표면 컬러의 차이를 줄여줄 수 있다.
여기서, 상기 유색 잉크층(252)의 외면 또는 제1면(S1)은 상기 기판(210) 또는/및 제2반사부재(240)의 측면과 같은 평면일 수 있다. 도 3 및 도 6과 같이, 발광소자(100)의 출사측에 파장변환층(250)이 배치된 경우, 상기 파장변환층(250)의 외면 즉, 제1면(S1)은 상기 기판(210) 또는/및 제2반사부재(240)의 측면과 같은 평면일 수 있다. 도 6과 같이, 상기 파장변환층(250)은 제1 및 제2반사부재(230,240) 사이에 배치되거나, 제1 및 제2반사부재(230,240)에 접촉될 수 있다.
여기서, 상기 제2반사부재(240)는 레진층(220)의 일부를 노출시켜 줄 수 있다. 상기 제2반사부재(240)는 레진층(220)의 상면 일부를 노출시켜 줄 수 있다. 도 7 및 도 8과 같이, 파장변환층(250)의 상면은 상기 제2반사부재(240)의 외측에 배치되거나, 상기 제2반사부재(240)로부터 노출될 수 있다. 상기 파장변환층(250)의 내면은 레진층(220)의 외면에 접촉될 수 있다. 상기 파장변환층(250)의 상부는 상기 제2반사부재(240)의 측면에 접촉될 수 있으며, 상기 제2반사부재(240)의 상면과 같은 높이거나 제2반사부재(240)의 상면보다 낮을 수 있다. 즉, 파장변환층(250)은 발광 면적을 더 넓혀줄 수 있다.
도 9과 같이, 레진층(220)은 기판(210)의 상면 둘레에 접촉될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 제1반사부재(230)의 측면에 접촉될 수 있다. 파장변환층(250)은 출사측에서 상기 기판(210)의 측면, 레진층(220)의 측면, 제2반사부재(240)의 측면 중 적어도 하나에 접촉될 수 있다. 상기 파장변환층(250)은 상기 기판(210) 또는/및 제2반사부재(240)의 측면 외측에 배치되어, 조명 모듈(200)의 출사측 영역을 커버할 수 있다. 상기 파장변환층(250)은 수직한 높이 또는 두께는 상기 조명 모듈(200)의 두께와 동일할 수 있다. 상기 파장변환층(250)은 조명 모듈(200)의 어느 한 측면에 접촉되어, 습기 침투를 억제하고, 제2반사부재(240)가 들뜨는 문제를 억제할 수 있다. 도 8 및 도 9에 개시된, 상기 파장변환층(250)은 상기에 개시된 파장변환수단을 포함하거나, 파장변환수단 및 잉크입자를 포함할 수 있다.
도 10과 같이, 레진층(220)은 기판(210)의 상면 둘레에 접촉될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 제1반사부재(230)의 측면에 접촉될 수 있다. 파장변환층(250)은 출사측에서 상기 기판(210)의 측면, 레진층(220)의 측면, 제2반사부재(240)의 측면 중 적어도 하나에 접촉될 수 있다. 상기 파장변환층(250)은 상기 기판(210) 또는/및 제2반사부재(240)의 측면을 커버할 수 있다. 상기 유색 잉크층(252)은 상기 파장변환층(250)의 외측에 배치되어, 조명 모듈(200)의 출사측 영역을 커버할 수 있다. 상기 파장변환층(250) 및 유색 잉크층(252)은 수직한 높이 또는 두께는 상기 조명 모듈(200)의 두께와 동일할 수 있다.
도 11과 같이, 유색 잉크층(252)은 상기 파장변환층(250)의 외면에 배치되고, 하면 및 상면으로 연장된 연장부(Ia,Ib)를 포함할 수 있다. 상기 유색 잉크층(252)의 제1연장부(Ia)는 파장변환층(250)의 하면으로 연장되고 기판(210)에 접촉될 수 있다. 상기 유색 잉크층(252)의 제2연장부(Ib)는 파장변환층(250)의 상면으로 연장되고 제1반사부재(240)에 접촉될 수 있다.
도 12와 같이, 유색 잉크층(252)은 상기 파장변환층(250)의 외면에 배치되고, 기판(210)의 측면 또는/및 제2반사부재(240)의 측면으로 연장되고 접촉될 수 있다. 여기서, 파장변환층(250)은 기판(210)과 제2반사부재(240) 사이에 배치되고, 유색 잉크층(252)의 수직한 높이보다 작을 수 있다. 도 10 내지 도 12에 도시된, 상기 파장변환층(250)은 상기에 개시된 파장변환수단을 포함할 수 있으며, 상기 유색 잉크층(252)은 상기에 개시된 잉크입자를 포함할 수 있다.
도 13과 같이, 파장변환층(250)의 내부는 기판(210)과 제2반사부재(240) 사이에 배치되거나, 발광소자(100) 방향으로 돌출되며, 상부(Pb)는 제2반사부재(240)의 외측에 배치고, 하부(Pa)는 기판(210)의 외측에 배치될 수 있다. 이러한 파장변환층(250)은 레진층(220)의 외면, 제2반사부재(240)의 하면 에지 및 측면, 기판(210)의 하면 에지 및 측면에 접촉될 수 있다.
상기에 개시된 파장변환층(250) 또는/및 유색 잉크층(252)의 재질은 투명한 재질을 포함하며, 상기에 개시된 레진층(220)의 재질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 파장변환층(250) 또는/및 유색 잉크층(252)의 재질은 상기 레진층(220)과 동일하거나, 적어도 하나가 다를 수 있다. 상기에 개시된 조명 모듈(들)에서 상기 제2반사부재(240)는 다른 기구물이 배치되거나, 하우징이 배치된 경우, 제거될 수 있다. 상기 제2반사부재(240)는 차광 층 또는 차광 플레이트로 형성될 수 있다.
여기서, 발명의 실시 예는 레진층(220)에서 광의 출사 방향 또는 수평 방향에 파장변환층(250)이 배치되거나 파장변환층(250) 및 유색 잉크층(252)이 배치된 예로 설명하였다. 다른 예로서, 상기 레진층(220)에는 수직 방향으로 레진 재질의 층이 적어도 하나 또는 복수로 적층될 수 있다. 상기 하나 또는 복수의 층은 단일 층이거나, 소정 형상의 패턴을 갖는 패턴층일 수 있다. 상기 단일 층 또는 패턴층은 레진층(220)의 일면 또는/타면에 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 단일층 또는 패턴층은 레진층(220)의 상면 일부 또는/및 하면 일부에 배치될 수 있다. 이러한 구조는 제2실시 예에서 상세하게 설명하기로 한다.
도 14는 제2실시 예에 따른 조명 모듈을 나타낸 평면도이며, 도 15 내지 도 20은 도 14의 조명 모듈의 측 단면도의 변형 예들이고, 도 21 내지 도 25는 도 1, 도 7 또는 도 14의 조명 모듈의 측 단면도의 다른 예들이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 조명모듈은 기판(210), 레진층(220), 파장변환층(250), 발광소자(100) 및 적어도 하나의 반사부재(230,240) 및 제1 패턴층(255)을 포함할 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)은 투명한 레진 재질을 포함하며, 상기 레진 재질은 레진층(220)의 재질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)은 내부에 파장변환수단을 포함할 수 있다. 또는 상기 제1 패턴층(255)은 내부에 잉크입자와 파장변환수단을 포함할 수 있다.
상기 제1 패턴층(255)은 제1방향(X)으로 상기 레진층(220)의 길이와 같거나 더 길게 배치될 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)은 제2방향(Y)으로 상기 레진층(220)의 길이보다 작은 길이(D6)을 가질 수 있으며, 예컨대, 상기 발광소자(100)와 상기 제1면(S1) 사이의 거리(D1)와 같거나 작을 수 있다. 제2방향으로 상기 제1 패턴층(255)의 길이(D6)는 2mm 이상 예컨대, 2mm 내지 10mm의 범위일 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)에 파장변환수단이 첨가된 경우, 상기 파장변환층(220)에 첨가된 파장변환수단의 함량보다 작을 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)과 상기 파장변환층(220)에 파장변환수단이 첨가된 경우, 예컨대 동일한 컬러의 파장을 발광하는 형광체 또는/및 양자점이거나, 서로 다른 컬러의 파장을 발광하는 재질일 수 있다.
상기 제1 패턴층(255)은 레진층(220)을 통해 제1면(S1) 방향으로 진행하는 일부 광을 투과시키고, 파장변환된 광으로 출사할 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)은 상기 레진층(220)의 제1 영역 상에 배치 될 수 있고, 따라서 제2 반사부재(240)은 상기 레진층(220)의 제2 영역 상에 배치 될 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)은 상기 레진층(220), 상기 제1반사부재(230) 및 기판(210)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 하지만, 상기 제1 패턴층(255)는 상기 발광소자(100)과 수직방향으로 중첩되지 않을 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)은 레진층(220)의 상면에 접촉될 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)은 상기 제2반사부재(240)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)은 상기 파장변환층(250)의 상면에 접촉되거나 파장변환층(250)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)의 두께는 상기 제2반사부재(240)의 두께와 같거나 얇을 수 있다. 상기 제1면(S1)을 통해 방출된 광이 메인 광인 경우, 상기 제1 패턴층(255)을 통해 방출된 광은 서브 광일 수 있다.
여기서, 상기 제2반사부재(240)는 상기 발광소자(100)의 상면을 커버하는 길이로 연장될 수 있으며, 상기 제2반사부재(240)의 일단과 상기 발광면(111)에 수직한 직선부터의 거리(D8)는 3mm 이상 예컨대, 3mm 내지 6mm의 범위로 제공될 수 있다. 이러한 제2반사부재(240)의 전단부가 상기 발광소자(100)의 상부를 커버하게 되므로, 발광소자(100)에 인접한 주변 영역 상에서 핫 스팟이 발생되는 영역을 줄여줄 수 있다. 도 14 및 도 15에서, 제2방향(Y)으로 상기 제1 패턴층(255)의 길이(D6)는 상기 거리(D8)의 1배 내지 2배의 범위일 수 있으며, 예컨대 5mm 이상이거나 5mm 내지 10mm의 범위일 수 있다. 이러한 제1 패턴층(255)이 상기 발광 면(111)에 수직한 직선부터 상기 거리(D8)만큼 이격됨으로써, 입사되는 면광을 도광시켜 방출할 수 있으며, 핫 스팟이 억제될 수 있다. 여기서, 상기 레진층(220)의 상면에서 제2반사부재(240)가 배치된 제1영역의 면적은 상기 제1패턴층(255)가 배치된 제2영역의 면적보다 크거나 작으며, 예컨대 상기 제2영역의 면적은 상기 제1영역의 면적 대비 0.6배 내지 1.3배의 범위일 수 있다.
도 16은 도 15의 구조에서 파장변환층(250)의 외면에 유색 잉크층(252)가 더 배치된 구조이다. 상기 제1 패턴층(255)은 상기 레진층(220)의 상면에 배치 또는 접촉되거나, 파장변환층(250) 및/또는 유색 잉크층(252)의 상면 상에 더 배치될 수 있다.
도 17과 같이, 상기 제1 패턴층(255)은 일정한 형상 또는 비정형 형상을 갖는 패턴으로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1패턴층(255)은 다각형, 원형 또는 라인 형상 중 적어도 하나를 포함하거나, 복수의 패턴이 서로 연결된 형상을 포함하거나, 라인들이 교차된 형상이거나 다각형 또는 원형의 패턴이 라인으로 연결되거나, 연속적 또는 불연속인 라인 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 제1패턴층(255)은 벌집구조, 메쉬 형상이거나, 격자 형상, 복수의 라인 형상, 복수의 다각형 형상, 복수의 타원 형상, 복수의 원 형상 등을 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 제1패턴층(255)은 제1형상을 갖는 패턴, 및 상기 제1형상 내에 제2형상을 갖는 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2형상은 서로 다른 형성이거나 서로 동일한 형상일 수 있으며, 연속적으로 연결된 폐 루프(Closed loop) 형상이거나 불연속인 연결을 갖는 오프 루프(Open Loop) 형상일 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)은 내부에 복수의 홀(OP1)를 포함할 수 있다. 상기 홀(OP1)을 통해 상기 레진층(220)의 상면이 노출될 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)은 제2반사부재(240)의 두께보다 얇은 두께로 제공될 수 있다. 이러한 패턴 형상의 제1 패턴층(255)에 의하여 상기 제1 패턴층(255)을 통해 방출된 서브 광의 형상은 상기 패턴 형상에 맞게 다양한 형상을 가지며, 상기 제1면(S1)을 통해 방출된 메인 광, 즉 파장변환층(250)을 통해 방출된 광의 형상은 라인 타입 일 수 있다.
상기 제1패턴층(255)은 상기 제2반사부재(240)와 수직 방향으로 중첩되지 않을 수 있다. 상기 레진층(220)의 상면에서 제1패턴층(255)이 형성된 제2영역은 상기 제2반사부재(240)가 형성된 제1영역과 수직 방향으로 중첩되지 않을 수 있다. 상기 제1패턴층(255)은 상기 제1반사부재(230)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다.
도 17 및 도 18과 같이, 제1 패턴층(255)은 파장변환층(250) 또는 유색 잉크층(252) 상에 배치되거나, 배치되지 않을 수 있다. 이러한 제1 패턴층(255)의 패턴은 프린트 방식으로 형성함으로써, 선택적으로 다수의 레진층 상에 형성할 수 있다. 도 17에서 제2반사부재(240)의 제2방향(Y) 길이(D10)는 상기 제1 패턴층(255)의 길이(D6)와 크거나 작을 수 있다. 여기서, 상기 레진층(220)의 상면에서 상기 제1 패턴층(255)의 길이(D6)는 상기 제2반사부재(240)의 제2 방향의 길이(D10)의 0.6 배지 1.3배의 범위일 수 있다. 즉, 제2반사부재(240) 하부에 배치된 레진층(220) 내에서 도광된 광이 제1 패턴층(255) 및 파장변환층(250)을 통해 방출될 수 있다.
도 19 및 도 20과 같이, 파장변환층(250)은 제1 패턴층(255)의 최 외측으로 커버할 수 있다. 이는 제1 패턴층(255)이 패턴으로 형성된 경우, 분리될 수 있어, 상기 제1 패턴층(255)의 외측은 파장변환층(250)의 내면과 접촉될 수 있다.
도 21과 같이, 제1반사부재(230) 상에 제2패턴층(257)이 배치될 수 있다. 상기 제2패턴층(257)은 레진층(220)의 재질 중에서 선택적으로 제공될 수 있고, 형광체 또는/및 양자점 중 적어도 하나를 갖는 파장변환수단을 포함할 수 있다. 제2방향으로 상기 제2 패턴층(257)의 길이는 상기 제1 패턴층(255)의 길이보다 길게 배치될 수 있다. 상기 제2 패턴층(257)은 상기 제1반사부재(230) 상에서 상기 발광면(111)과 파장변환층(250) 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 패턴층(257)은 상기 발광소자(100)들 사이의 영역에 더 배치될 수 있다. 상기 제2패턴층(257)이 형성되는 면적은 상기 제1패턴층(255)이 형성되는 면적보다 클 수 있다. 상기 제2 패턴층(257)은 일정한 형상 또는 비정형 형상을 갖는 패턴으로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 패턴층(257)은 다각형, 원형 또는 라인 형상 중 적어도 하나를 포함하거나, 복수의 패턴이 서로 연결된 형상을 포함하거나, 상기 다각형 또는 원형의 패턴이 라인으로 연결되거나, 연속적 또는 불연속인 라인 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 제2 패턴층(257)은 벌집구조, 메쉬 형상이거나, 격자 형상, 복수의 라인 형상, 복수의 다각형 형상, 복수의 타원 형상, 복수의 원 형상 등을 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 제2 패턴층(257)은 제1형상을 갖는 패턴, 및 상기 제1형상 내에 제2형상을 갖는 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2형상은 서로 다른 형성이거나 서로 동일한 형상일 수 있으며, 연속적으로 연결된 폐 루프(Closed loop) 형상이거나 불연속인 연결을 갖는 오프 루프(Open Loop) 형상일 수 있다. 상기 제2 패턴층(257)은 내부에 복수의 홀(OP2)를 포함할 수 있다. 상기 홀(OP2)을 통해 상기 레진층(220)의 하면이 노출될 수 있다. 상기 제2 패턴층(257)은 제1반사부재(230)의 두께보다 얇은 두께로 제공될 수 있다.
상기 제2패턴층(257)은 상기 제1패턴층(255)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2패턴층(257)은 상기 제1 및 제2반사부재(230,240)와 수직 방향으로 중첩된 영역을 포함할 수 있다.
도 17 내지 도 21과 같은 제1 패턴층(255)의 패턴 효과는 도 35과 같이, 홀을 통해 발광된 광과 패턴을 통해 방출된 광의 광도 차이를 주어, 다양한 이미지를 제공하거나, 입체 효과를 줄 수 있다. 상기 레진층(220)의 출사 측에는 파장변환층(250)이 배치되거나, 파장변환층(250)/유색 잉크층(252)의 적층 구조를 포함할 수 있으며, 상기 출사 측 주변 영역 상에는 상기 제1패턴층(255)이 배치되거나, 제1 및 제2패턴층(255,257)이 배치되어, 출사 면(들)을 다양한 면광 형태로 제공할 수 있다.
도 22 및 도 23과 같이, 제1반사부재(230) 상에 제2 패턴층(257)이 배치될 수 있다. 상기 제2 패턴층(257)은 레진층(220)의 재질 중에서 선택적으로 제공될 수 있고, 형광체 또는/및 양자점 중 적어도 하나를 갖는 파장변환수단을 포함할 수 있다. 상기 제2 패턴층(257)은 패턴으로 제공될 수 있다. 상기 제2 패턴층(257)의 패턴은 복수의 홀(OP2)를 갖고, 일정한 형상 또는 비정형 형상이 반복적으로 배치될 수 있다. 상기 제2 패턴층(257)의 패턴은 상기 제1 패턴층(255)의 패턴과 같거나 다를 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)이 형성된 영역과 상기 제2 패턴층(257)의 영역은 적어도 일부가 서로 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 이에 따라 상기 제2 패턴층(257)의 패턴과 상기 제1 패턴층(255)의 패턴은 상면에서 볼 때, 서로 다른 깊이를 갖고 제공되므로, 입체 효과를 줄 수 있다.
상기 제1 및 제2 패턴층(255,257)은 상기 레진층(220)의 상면 및 하면에 배치될 수 있다. 파장변환층(220)은 상기 제1 및 제2 패턴층(255,257)의 외측 또는 출사측에 배치되어, 메인 광을 방출시켜 줄 수 있다. 도 23과 같이, 상기 파장변환층(250)의 외측에는 유색 잉크층(252)이 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제2 패턴층(257)은 상기 제1반사부재(230) 상에 배치된 경우, 상기 레진층(220)의 하면 내부로 매립될 수 있다.
도 24와 같이, 제2반사부재(240) 없이 레진층(220)의 상면이 노출될 수 있다. 제1 패턴층(255)은 레진층(220)의 상면 전체에 패턴으로 형성될 수 있다. 레진층(220)의 하부에 제2 패턴층(257)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 25와 같이, 레진층(220)의 출사측 상면 및 하면은 노출될 수 있다. 상기 레진층(220)의 출사측 상면에 제1 패턴층(255)의 패턴이 배치되고, 출사측 하면에 제2 패턴층(257)의 패턴이 배치될 수 있다. 상기 레진층(220)의 외면에는 파장변환층(250)이 배치되거나, 파장변환층(250) 및 유색 잉크층(252)이 배치될 수 있다. 상기 제2 패턴층(257)은 상기 발광소자(100)와 수직 방향으로 중첩되지 않을 수 있다.
도 26과 같이, 발광소자(100A)는 복수의 발광면을 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 면은 상면과 다수의 측면을 포함할 수 있다. 이러한 발광소자(100A)는 플립 타입의 LED칩 또는 수직형 LED칩으로 기판(210)에 실장될 수 있다. 이러한 발광소자(100A)는 상기에 개시된 실시 예들에 선택적으로 적용될 수 있다.
도 27은 도 3 및 도 5의 구조에서, 기판(210)의 상면 면적은 레진층(220)의 하면 면적보다 더 큰 면적으로 제공될 수 있어, 그 에지가 외부로 돌출될 수 있다. 파장변환층(250) 또는 유색 잉크층(252)이 상기 레진층(220)의 제1면(S1), 제3 및 제4면(S3,S4) 전체에 각각 배치될 수 있다. 즉, 상기에 개시된 파장변환층(250) 및 유색 잉크층(252) 중 적어도 하나는 제3 및 제4면(S3,S4)에 배치된 연장부(250A,250B)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 파장변환층(250)의 폭(D3)은 연장부(250A,250B)의 폭(D7)와 같거나 클 수 있다. 여기서, 파장변환층(250) 또는/및 유색 잉크층(252)은 제2반사부재(240)의 아래에 배치된 예이다.
도 28은 도 14 내지 도 20의 구조에서 파장변환층(250) 또는/및 유색 잉크층(252)이 레진층(220)의 출사 측에 배치되고, 상부에 패턴을 갖는 제1 패턴층(255)이 배치될 수 있다. 도 36과 같이, 상기 제1 패턴층(255)의 내측 라인(La)은 수평한 직선 라인이거나 싸인 파형이거나 요철 형상일 수 있다. 상기 제1 패턴층(255)의 내측 라인(La)은 제2반사부재(240)와 접촉될 수 있다.
도 29 및 도 30은 제3실시 예로서, 조명 모듈의 출사 측에 반구형 볼록부(P1)를 배치한 예이다. 상기 조명 모듈은 복수의 반구형 볼록부(P1), 상기 볼록부(P1)들 사이에 오목한 오목부(C1)를 포함할 수 있다. 상기 반구형 볼록부(P1)의 최대 폭은 볼록부(P1)의 직경과 같을 수 있다. 이러한 구조에서 레진층(220)의 출사 측에 파장변환층(250) 또는/및 유색 잉크층(252)이 선택적으로 형성될 수 있다. 또한, 이러한 구조에서는 유색 잉크층(252)을 제외하더라도 파장변환층(250) 만으로 핫스팟이 제거된 균일한 선광원을 구현 할 수 있다. 상기 볼록부(P1) 상에는 상기에 개시된 제1 패턴층(255)이 소정 형상의 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 패턴은 발광소자(100)에 인접한 영역 또는 상부 영역까지 형성될 수 있다. 상기 볼록부(P1)는 볼록한 곡면을 제공하므로, 입사된 광을 일정 영역으로 굴절시켜 줄 수 있다.
도 31은 상기에 개시된 조명 모듈 또는 조명 장치가 차량 램프에 적용될 때의 구조의 변형 예이다. 도 31과 같이, 조명 모듈 또는 장치(201)는 수평한 직선(X0)을 기준으로, 곡선 형상으로 제공될 수 있다. 이는 차량 램프에 적용될 경우, 차량 후방(또는 전방)과 측방을 연장한 곡선형 램프 형상으로 결합될 수 있다. 상기 조명 모듈(201)은 상기 직선(X0)에서 제1면(S1)의 양 단을 연결한 가상의 직선(X2) 사이의 각도는 10도 내지 60도 범위의 각도(C2)일 수 있으며, 상기 조명 모듈(201)의 일단에 배치된 제1면(S1)에서 접선 방향으로 연장된 가상의 직선(X3)은 5도 내지 30도의 범위의 각도(C3)일 수 있다. 상기 조명 모듈 또는 장치(201) 내의 인접한 발광소자(100)들을 연결한 가상의 선은 직선, 사선 또는 곡선을 포함할 수 있다. 출사면인 제1면(S1)에는 상기 파장변환층(250)이 배치되거나, 파장 변환층/유색 잉크층(250,252)의 적층 구조로 배치될 수 있다. 또한 상기에 개시된 제1 패턴층(255) 또는/및 제2패턴층(257)이 배치될 수 있다.
또한 모듈 또는 장치의 제1면(S1)에는 도 29 및 도 30과 같은 볼록부 및 오목부를 갖는 구조를 포함할 수 있다. 또한 기판(210)의 상면 면적이 레진층(220)의 하면 면적과 같거나 클 수 있다.
여기서, 상기 발광소자(100)들을 연결한 선의 일부는 상기 조명 모듈(201)의 제1면(S1)의 일단에서 타단을 연결한 가상의 직선보다 제1면 방향에 인접하게 배치될 수 있다.
도 32는 발명의 실시 예에 따른 조명 모듈에서 발광소자가 회로기판에 배치된 모듈의 예이며, 도 33은 도 32의 다른 측에서 본 모듈의 도면이다.
도 32 및 도 33을 참조하면, 발광소자(100)는 캐비티(20)를 갖는 몸체(10), 상기 캐비티(20) 내에 복수의 리드 프레임(30,40), 및 상기 복수의 리드 프레임(30,40) 중 적어도 하나의 위에 배치된 하나 또는 복수의 발광 칩(71)을 포함한다. 이러한 발광소자(100)는 상기의 실시 예에 개시된 발광소자의 일 예이며 측면 발광형 패키지로 구현될 수 있다.
상기 발광소자(100)는 제1방향(X)의 길이(또는 장변의 길이)가 제2방향(Y)의 폭보다 3배 이상 예컨대, 4배 이상일 수 있다. 상기 제2방향(Y)의 길이는 2.5mm 이상 예컨대, 2.7mm 내지 6mm 범위 또는 2.5mm 내지 3.2mm의 범위일 수 있다. 상기 발광소자(100)는 제1방향(X)의 길이를 길게 제공함으로써, 제1방향(X)으로 상기 발광소자(100)들의 개수를 줄여줄 수 있다. 상기 발광소자(100)는 두께를 상대적으로 얇게 제공할 수 있어, 상기 발광소자(100)를 갖는 조명장치의 두께를 줄여줄 수 있다. 상기 발광소자(100)의 두께는 2mm 이하 예컨대, 1.5mm 이하 또는 0.6mm 내지 1mm의 범위일 수 있다. 상기 몸체(10)는 캐비티(20)을 구비하며 제1방향(X)의 길이가 상기 몸체(10)의 두께에 비해 3배 이상일 수 있어, 제1방향(X)의 광의 지향각을 넓혀줄 수 있다.
상기 몸체(10)에는 적어도 하나 또는 복수의 리드 프레임(30,40)이 배치된다. 상기 캐비티(20)의 바닥에는 적어도 하나 또는 복수의 리드 프레임(30,40)이 배치된다. 상기 상기 몸체(10)에는 예컨대, 제1리드 프레임(30), 및 제2리드 프레임(40)이 결합된다.
상기 몸체(10)는 절연 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 반사 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 발광 칩으로부터 방출된 파장에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질 또는 반사 재질로 정의될 수 있다. 상기 몸체(10)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 실리콘 계열, 또는 에폭시 계열, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)는 백색 계열의 수지를 포함한다. 상기 몸체(10) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(10)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몸체(10)는 열 경화성 수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.
상기 몸체(10)는 반사 물질 예컨대, 금속 산화물이 첨가된 수지 재질을 포함할 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 몸체(10)는 입사되는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 다른 예로서, 상기 몸체(10)는 투광성의 수지 물질 또는 입사 광의 파장을 변환시키는 형광체를 갖는 수지 물질로 형성될 수 있다.
상기 몸체(10)의 제1측면부(15)는 상기 캐비티(20)가 배치되는 면일 수 있으며, 광이 출사되는 면일 수 있다. 상기 몸체(10)의 제2측면부는 상기 제1측면부(15)의 반대측 면 또는 제2면일 수 있다.
상기 제1리드 프레임(30)은 상기 캐비티(20)의 바닥에 배치된 제1리드부(31), 상기 몸체(10)의 제3측면부(11)의 제1외곽 영역에 배치된 제1본딩부(32), 상기 몸체(10)의 제3측측면부(13) 상에 배치된 제1방열부(33)를 포함한다. 상기 제1본딩부(32)는 상기 몸체(10) 내에서 상기 제1리드부(31)로부터 절곡되고 상기 제3측면부(11)로 돌출되며, 상기 제1방열부(33)는 상기 제1본딩부(32)로부터 절곡될 수 있다. 상기 제3측면부(11)의 제1외곽 영역은 상기 몸체(10)의 제3측측면부(13)에 인접한 영역일 수 있다.
상기 제2리드 프레임(40)은 상기 캐비티(20)의 바닥에 배치된 제2리드부(41), 상기 몸체(10)의 제3측면부(11)의 제2외곽 영역에 배치된 제2본딩부(42), 상기 몸체(10)의 제4측측면부(14)에 배치된 제2방열부(43)를 포함한다. 상기 제2본딩부(42)는 상기 몸체(10) 내에서 상기 제2리드부(41)로부터 절곡되며, 상기 제2방열부(43)는 상기 제2본딩부(42)로부터 절곡될 수 있다. 상기 제3측면부(11)의 제2외곽 영역은 상기 몸체(10)의 제4측측면부(14)에 인접한 영역일 수 있다.
상기 제1 및 제2리드부(31,41) 사이의 간극부(17)는 상기 몸체(10)의 재질로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(20)의 바닥과 동일한 수평 면이거나 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 몸체(10) 내에는 2개 이상의 리드 프레임이 배치될 수 있으며, 예컨대 3개의 리드 프레임이 배치되고, 어느 하나는 방열 프레임이거나 정 극성의 프레임일 수 있으며, 다른 두 개는 서로 다른 부 극성일 수 있다.
여기서, 상기 발광 칩(71)은 예컨대, 제1리드 프레임(30)의 제1리드부(31) 상에 배치될 수 있으며, 제1 및 제2리드부(31,41)에 와이어(72,73)로 연결되거나, 제1리드부(31)에 접착제로 연결되고 제2리드부(41)에 와이어로 연결될 수 있다. 이러한 발광 칩(71)은 수평형 칩, 수직형 칩, 비아 구조를 갖는 칩일 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 플립 칩 방식으로 탑재될 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 자외선 내지 가시광선의 파장 범위 내에서 선택적으로 발광할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 예컨대, 자외선 또는 청색 피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 II-VI족 화합물 및 III-V족 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 예컨대, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, GaP, AlN, GaAs, AlGaAs, InP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물로 형성될 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 복수개가 직렬로 연결되거나, 복수개가 병렬로 연결될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자(100)의 캐비티(20) 내에 배치된 발광 칩(71)은 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(71)은 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다.
상기 캐비티(20)의 내 측면을 보면, 상기 캐비티(20)의 둘레에 배치된 내측면은 리드 프레임(30,40)의 상면의 수평한 직선에 대해 경사질 수 있다. 상기 캐비티(20)의 내 측면은 몸체(10)의 제1측면부(15)로부터 수직하게 단차진 영역을 구비할 수 있다. 상기 단차진 영역은 몸체(10)의 제1측면부(15)와 내측면 사이에 단차지게 배치될 수 있다. 상기 단차진 영역은 상기 캐비티(20)을 통해 방출된 광의 지향 특성을 제어할 수 있다.
상기 몸체(11)의 캐비티(20)에는 몰딩 부재(81)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(81)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지를 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(81) 또는 상기 발광 칩(71) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 칩(71)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 양자점, YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(81)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 캐비티(20) 상에 형광체를 갖는 투광성 필름이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 몸체(10)의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광소자(100)로부터 방출되는 빛의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다.
상기 몸체(10) 또는 어느 하나의 리드 프레임 상에는 수광 소자, 보호 소자 등의 반도체 소자가 탑재될 수 있으며, 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다.
도 33을 참조하면, 기판(210) 상에 적어도 하나 또는 복수개의 발광소자(100)가 배치되며, 상기 발광소자(100)의 하부 둘레에 보호층 또는/및 제1반사부재(230)이 배치된다. 상기 발광소자(100)는 실시 예에 개시된 발광소자의 일 예로서, 중심 축(Y0) 방향으로 광을 방출하며, 상기에 개시된 조명장치에 적용될 수 있다. 상기 발광소자(100)의 제1 및 제2리드부(33,43)는 상기 기판(210)의 전극 패턴(213,215)에 전도성 접착 부재(217,219)인 솔더 또는 전도성 테이프로 본딩된다.
발명의 실시 예에 따른 조명모듈은 차량 램프에 적용될 수 있다. 상기 램프는 차량용 램프의 예로서, 헤드 램프, 차폭등, 사이드 미러등, 안개등, 테일등(Tail lamp), 제동등, 주간 주행등, 차량 실내 조명, 도어 스카프(door scar), 리어 콤비네이션 램프, 또는 백업 램프에 적용 가능하다.
도 34는 실시 예에 따른 조명 모듈이 적용된 차량 램프가 적용된 차량의 평면도이며, 도 35는 실시 예에 개시된 조명 모듈 또는 조명 장치를 갖는 차량 램프를 나타낸 도면이다.
도 34 및 도 35를 참조하면, 차량(900)에서 후미등(800)은 제 1 램프 유닛(812), 제 2 램프 유닛(814), 제 3 램프 유닛(816), 및 하우징(810)을 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 램프 유닛(812)은 방향 지시등 역할을 위한 광원일 수 있으며, 제 2 램프 유닛(814)은 차폭등의 역할을 위한 광원일 수 있고, 제3램프 유닛(816)은 제동등 역할을 위한 광원일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 내지 제3램프 유닛(812,814,816) 중 적어도 하나 또는 모두는 실시 예에 개시된 조명 장치 또는 모듈을 포함할 수 있다. 상기 하우징(810)은 제 1 내지 제 3 램프 유닛(812, 814, 816)들을 수납하며, 투광성 재질로 이루어질 수 있다. 이때, 하우징(810)은 차량 몸체의 디자인에 따라 굴곡을 가질 수 있고, 제 1 내지 제 3 램프 유닛(812, 814,816)은 하우징(810)의 형상에 따라, 곡면을 갖는 수 있는 면 광원을 구현할 수 있다. 이러한 차량 램프는 상기 램프 유닛이 차량의 테일등, 제동등이나, 턴 시그널 램프에 적용될 경우, 차량의 턴 시그널 램프에 적용될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 발광소자 200: 조명 모듈
210: 기판 220: 레진층
230: 제1반사부재 240: 제2반사부재
250: 파장변환층 252: 유색 잉크층
255: 제1 패턴층 257: 제2 패턴층
S1: 제1면 S2: 제2면
S3: 제3면 S4: 제4면

Claims (27)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 복수개의 발광 소자;
    상기 기판 상에 배치되는 제1 반사부재;
    상기 제1 반사부재 상에 배치되는 레진층;
    상기 레진층 상에 배치되는 제2 반사부재; 및
    상기 발광 소자의 발광면과 대향하는 상기 레진층의 일면에 배치되는 파장 변환층을 포함하고,
    상기 레진층의 높이 대비 상기 발광면에서 상기 일면까지의 거리는 5배 내지 10배인 조명 장치.
  2. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 복수개의 발광 소자;
    상기 기판 상에 배치되는 제1 반사부재;
    상기 제1 반사부재 상에 배치되는 레진층;
    상기 레진층의 제1 영역 상에 배치되는 제2 반사부재;
    상기 레진층의 제2 영역 상에 배치되는 제1 패턴층; 및
    상기 발광 소자의 발광면과 대향하는 상기 레진층의 일면에 배치되는 파장 변환층을 포함하고,
    상기 제1 패턴층은 다각형, 원형 또는 라인 형상 중 적어도 하나를 포함하는 조명 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 패턴층의 다각형 또는 원형은 라인으로 이루어진 조명 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 패턴층은 서로 연결되는 복수개의 패턴을 포함하는 조명 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 복수개의 패턴은 벌집 구조 패턴을 포함하는 조명 장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 패턴층은 제1 형상 및 상기 제1 형상과 상이하고, 상기 제1 형상 내에 배치되는 제2 형상을 갖는 조명 장치.
  7. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 패턴층과 상기 복수개의 발광 소자는 수직 방향으로 오버랩되지 않는 조명 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 반사부재는 상기 발광 소자와 수직 방향으로 오버랩되는 조명 장치.
  9. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 영역의 면적은 상기 제1 영역의 면적보다 큰 조명 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 영역의 면적은 상기 제1 영역의 면적 대비 0.6배 내지 1.3배인 조명 장치.
  11. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 반사부재의 일 영역 상에 배치되는 제2 패턴층을 포함하고,
    상기 제1 패턴층 및 상기 제2 패턴층은 일정한 형상 또는 비정형의 패턴을 포함하는 조명 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 패턴층의 패턴의 형상과 상기 제2 패턴층의 패턴의 형상은 서로 상이한 조명 장치.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 패턴층의 패턴 일 영역은 상기 제2 패턴층의 패턴 일 영역과 수직한 방향으로 오버랩되는 조명 장치.
  14. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 복수개의 발광 소자;
    상기 기판 상에 배치되는 제1 반사부재;
    상기 제1 반사부재 상에 배치되는 레진층;
    상기 레진층 상의 제1 영역 상에 배치되는 제2 반사부재;
    상기 발광 소자의 발광면과 대향하는 상기 레진층의 일면에 배치되는 파장 변환층; 및
    상기 제1 반사부재의 일 영역 상에 배치되는 제2 패턴층을 포함하고,
    상기 제2 패턴층은 다각형, 원형 또는 라인 형상 중 적어도 하나를 포함하는 조명 장치.
  15. 제11 항 또는 제14 항에 있어서,
    상기 제2 패턴층은 상기 복수개의 발광 소자의 발광면 앞에 배치되는 조명 장치.
  16. 제11 항 또는 제14 항에 있어서,
    상기 제2 패턴층은 상기 레진층에 의해 몰딩되는 조명 장치.
  17. 제11 항 또는 제14 항에 있어서,
    상기 제1 영역은 상기 제2 패턴층과 수직한 방향으로 오버랩되지 않는 조명 장치.
  18. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 복수개의 발광 소자;
    상기 기판 상에 배치되는 제1 반사부재;
    상기 제1 반사부재 상에 배치되는 레진층;
    상기 레진층 상의 제1 영역 상에 배치되는 제2 반사부재;
    상기 발광 소자의 발광면과 대향하는 상기 레진층의 일면에 배치되는 파장 변환층; 및
    상기 제1 반사부재의 일 영역과 상기 레진층 상의 일 영역 중 적어도 하나의 일 영역에 배치되는 패턴층을 포함하고,
    상기 발광 소자에서 출사되어 상기 패턴층을 통과한 빛의 형상은 다각형 또는 원형 형상 중 적어도 하나를 포함하는 조명 장치.
  19. 제1 항, 제2 항, 제14 항 또는 제18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 파장 변환층 상에 배치되는 유색 잉크층을 포함하는 조명 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 유색 잉크층은 레드 잉크를 포함하는 조명 장치.
  21. 제1 항, 제2 항, 제14 항 또는 제18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레진층의 일면 및 상기 파장 변환층은 복수개의 볼록부 및 상기 복수개의 볼록부 사이에 형성되는 오목부를 포함하고,
    상기 복수개의 볼록부 각각은 상기 복수개의 발광 소자 각각의 위치에 대응되는 조명 장치.
  22. 제1 항, 제2 항, 제14 항 또는 제18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수개의 발광 소자는 Side View Type의 LED를 포함하고,
    상기 제1 반사부재는 상기 Side View Type의 LED가 배치되는 복수개의 홀을 포함하는 조명 장치.
  23. 제22 항에 있어서,
    상기 복수개의 발광 소자는 1열로 제1 거리만큼 이격되어 배치되는 조명 장치.
  24. 제23 항에 있어서,
    상기 발광면에서 상기 일면까지의 거리는 상기 제1 거리와 대응되는 조명 장치.
  25. 제24 항에 있어서,
    상기 제1 거리는 10mm 내지 15mm 이고,
    상기 레진층의 높이는 1.5mm 내지 1.6mm 인 조명 장치.
  26. 제1 항, 제2 항, 제14 항 또는 제18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레진층의 일면은 곡률을 포함하는 조명 장치.
  27. 제1 항, 제2 항, 제14 항 또는 제18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 소자에서 출사되어 상기 파장 변환층을 통과한 빛의 형상은 라인 형태인 조명 장치.
KR1020190116308A 2019-09-20 2019-09-20 조명 모듈, 조명 장치 및 램프 KR20210034398A (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190116308A KR20210034398A (ko) 2019-09-20 2019-09-20 조명 모듈, 조명 장치 및 램프
CN202080066159.7A CN114423987B (zh) 2019-09-20 2020-09-16 照明装置
EP20865364.2A EP4033141A4 (en) 2019-09-20 2020-09-16 LIGHTING MODULE, LIGHTING FIXTURE AND LAMP
JP2022515839A JP2022548839A (ja) 2019-09-20 2020-09-16 照明モジュール、照明装置およびランプ
US17/761,650 US11796154B2 (en) 2019-09-20 2020-09-16 Lighting module, lighting device and lamp
PCT/KR2020/012467 WO2021054709A1 (ko) 2019-09-20 2020-09-16 조명 모듈, 조명 장치 및 램프
US18/371,134 US20240011622A1 (en) 2019-09-20 2023-09-21 Lighting module, lighting device and lamp

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190116308A KR20210034398A (ko) 2019-09-20 2019-09-20 조명 모듈, 조명 장치 및 램프

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210034398A true KR20210034398A (ko) 2021-03-30

Family

ID=74883589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190116308A KR20210034398A (ko) 2019-09-20 2019-09-20 조명 모듈, 조명 장치 및 램프

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11796154B2 (ko)
EP (1) EP4033141A4 (ko)
JP (1) JP2022548839A (ko)
KR (1) KR20210034398A (ko)
CN (1) CN114423987B (ko)
WO (1) WO2021054709A1 (ko)

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7736044B2 (en) * 2006-05-26 2010-06-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Indirect lighting device for light guide illumination
KR20100093570A (ko) * 2007-11-20 2010-08-25 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 파장 변환을 갖는 측면 발광 장치
JP5066462B2 (ja) 2008-02-29 2012-11-07 スタンレー電気株式会社 車両用灯具
EP2470947B1 (en) * 2009-08-27 2016-03-30 LG Electronics Inc. Optical assembly, backlight unit and display apparatus thereof
JP5701523B2 (ja) * 2010-06-22 2015-04-15 日東電工株式会社 半導体発光装置
US8780295B2 (en) * 2011-03-28 2014-07-15 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Light cavity that improves light output uniformity
JP5745319B2 (ja) 2011-04-14 2015-07-08 日東電工株式会社 蛍光反射シート、および、発光ダイオード装置の製造方法
US8449129B2 (en) * 2011-08-02 2013-05-28 Xicato, Inc. LED-based illumination device with color converting surfaces
JP5980577B2 (ja) * 2012-05-31 2016-08-31 シチズン電子株式会社 側面照射型ｌｅｄ発光装置及び側面照射型ｌｅｄ発光装置の製造方法
KR101997257B1 (ko) * 2013-01-25 2019-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
JP5625224B2 (ja) * 2013-07-29 2014-11-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR102126176B1 (ko) * 2014-02-05 2020-06-25 삼성디스플레이 주식회사 파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
KR102177715B1 (ko) * 2014-05-14 2020-11-11 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
WO2017100996A1 (en) * 2015-12-15 2017-06-22 Materion Corporation Enhanced wavelength conversion device
KR102401826B1 (ko) * 2017-09-15 2022-05-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치
US10957825B2 (en) * 2017-09-25 2021-03-23 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module and lighting apparatus having thereof
KR102469363B1 (ko) * 2017-09-25 2022-11-23 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
KR102544722B1 (ko) * 2017-11-14 2023-06-16 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP4033141A1 (en) 2022-07-27
WO2021054709A1 (ko) 2021-03-25
CN114423987B (zh) 2024-04-16
EP4033141A4 (en) 2023-10-25
CN114423987A (zh) 2022-04-29
US20220390088A1 (en) 2022-12-08
US20240011622A1 (en) 2024-01-11
US11796154B2 (en) 2023-10-24
JP2022548839A (ja) 2022-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7460634B2 (ja) 照明モジュール、照明装置およびその製造方法
KR102660451B1 (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
EP3872391B1 (en) Lighting module and lighting device comprising same
KR20240012590A (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
US20240084981A1 (en) Lighting module, lighting device and lamp
KR20200112542A (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명장치
CN114096783B (zh) 照明装置
US20220146741A1 (en) Lighting module and lighting device comprising same
US11796154B2 (en) Lighting module, lighting device and lamp
US20240088106A1 (en) Light-emitting element package and lighting device comprising same
KR102288767B1 (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
CN116261640A (zh) 照明设备以及包括照明设备的灯
KR20200118733A (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명장치