KR20210021576A - Cleaning agent composition for peeling resin mask - Google Patents
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Abstract
일 양태에 있어서, 수지 마스크 제거성이 우수한 수지 마스크 박리용 세정제 조성물의 제공.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 알칼리제 (성분 A), 유기 용제 (성분 B) 및 물 (성분 C) 을 함유하고, 성분 B 의 한센 용해도 파라미터의 좌표가, δd ＝ 18.3, δp ＝ 6.8, δh ＝ 3.7 을 중심으로 하는 반경 5.45 ㎫0.5 의 구의 범위 내이고, 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량이 69.9 질량％ 이상 99.4 질량％ 이하인, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물에 관한 것이다.In one aspect, the provision of a cleaning composition for removing a resin mask having excellent resin mask removal properties.
In one aspect, the present disclosure contains an alkali agent (component A), an organic solvent (component B), and water (component C), and the coordinates of the Hansen solubility parameter of the component B are δd = 18.3, δp = 6.8, δh It is in the range of a sphere with a radius of 5.45 MPa 0.5 centered on = 3.7, and the content of the component C at the time of use is 69.9 mass% or more and 99.4 mass% or less.
Description
본 개시는 수지 마스크 박리용 세정제 조성물, 그 세정제 조성물을 사용한 세정 방법 및 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a cleaning composition for peeling a resin mask, a cleaning method using the cleaning composition, and a method of manufacturing an electronic component.
최근, 퍼스널 컴퓨터나 각종 전자 디바이스에 있어서는, 저소비 전력화, 처리 속도의 고속화, 소형화가 진행되고, 이것들에 탑재되는 패키지 기판 등의 배선은 해마다 미세화가 진행되고 있다. 이와 같은 미세 배선 그리고 필러나 범프와 같은 접속 단자 형성에는 지금까지 메탈 마스크법이 주로 사용되어 왔지만, 범용성이 낮은 점이나 배선 등의 미세화에 대한 대응이 곤란해지는 점에서, 다른 새로운 방법으로 바뀌고 있다.In recent years, in personal computers and various electronic devices, low power consumption, high-speed processing speed, and miniaturization have progressed, and wiring such as package substrates mounted on these devices has been miniaturized year by year. The metal mask method has been mainly used so far for the formation of such fine wiring and connection terminals such as fillers and bumps. However, since the versatility is low and it is difficult to cope with miniaturization of wiring, it is changed to another new method.
새로운 방법의 하나로서, 드라이 필름 레지스트를 메탈 마스크 대신에 후막 수지 마스크로서 사용하는 방법이 알려져 있다. 이 수지 마스크는 최종적으로 박리·제거되는데, 그 때에 알칼리성의 박리용 세정제가 사용된다.As one of the new methods, a method of using a dry film resist as a thick film resin mask instead of a metal mask is known. This resin mask is finally peeled off and removed, at which time an alkaline peeling detergent is used.
이와 같은 박리용 세정제로서, 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 제 4 급 암모늄 수산화물, 특정 알킬디올아릴에테르 또는 그 유도체, 그리고 (C) 아세토페논 또는 그 유도체를 함유하는 것을 특징으로 하는, 저에칭성 포토레지스트 세정제가 기재되어 있다.As such a peeling detergent, for example, in Patent Document 1, a quaternary ammonium hydroxide, a specific alkyldiol aryl ether or a derivative thereof, and (C) acetophenone or a derivative thereof are contained, low-etching Photoresist cleaners are described.
특허문헌 2 에는, (A) 지방족 알코올계 용제 35 ∼ 80 질량％, (B) 할로겐계 탄화수소 용제, 비하이드록시화 에테르 용제에서 선택되는 유기 용제 10 ∼ 40 질량％, (C) 제 4 급 암모늄염 0.1 ∼ 25 질량％ 로 본질적으로 이루어지는 포토레지스트용 박리액이 기재되어 있다.In Patent Document 2, (A) 35 to 80% by mass of an aliphatic alcohol solvent, (B) 10 to 40% by mass of an organic solvent selected from halogen-based hydrocarbon solvents and non-hydroxylated ether solvents, and (C) quaternary ammonium salts A stripper for photoresists consisting essentially of 0.1 to 25% by mass is described.
특허문헌 3 에는, 디메틸술폭시드, 제 4 급 암모늄하이드록시드, 특정 알칸올아민, 및 알코올, 폴리하이드록시 화합물 또는 그 조합을 포함하는 제 2 용제를 함유하고, 물의 함유량이 3 질량％ 이하인 용액이 기재되어 있다.In Patent Document 3, a solution containing dimethyl sulfoxide, a quaternary ammonium hydroxide, a specific alkanolamine, and a second solvent containing an alcohol, a polyhydroxy compound, or a combination thereof, and having a water content of 3% by mass or less Is described.
특허문헌 4 에는, 마이크로 전자 디바이스의 재가공에 사용하는, 적어도 1 종의 알칼리 및/또는 알칼리 토금속염기, 적어도 1 종의 유기 용제 및 물을 함유하는 준 (準) 수계 조성물이 기재되어 있다.Patent Document 4 describes a quasi-aqueous composition containing at least one type of alkali and/or alkaline earth metal base, at least one type of organic solvent, and water used for reprocessing of a microelectronic device.
프린트 기판 등에 미세 배선을 형성하는 데에 있어서, 수지 마스크의 잔존은 물론, 미세 배선이나 범프 형성에 사용되는 땜납이나 도금액 등에 포함되는 보조제 등의 잔존을 저감시키기 위해서, 세정제 조성물에는 높은 세정성이 요구된다. 수지 마스크는, 광이나 전자선 등에 의해 현상액에 대한 용해성 등의 물성이 변화되는 레지스트를 사용하여 형성되는 것이다.In forming fine wiring on a printed circuit board, etc., in order to reduce the residual resin mask, as well as auxiliary agents contained in solders or plating solutions used for fine wiring or bump formation, the cleaning composition requires high cleaning properties. do. The resin mask is formed by using a resist whose physical properties such as solubility in a developer are changed by light or electron beam.
레지스트는, 광이나 전자선과의 반응 방법으로부터, 네거티브형과 포지티브형으로 크게 나누어져 있다. 네거티브형 레지스트는, 노광되면 현상액에 대한 용해성이 저하되는 특성을 갖고, 네거티브형 레지스트를 포함하는 층 (이하, 「네거티브형 레지스트층」이라고도 한다) 은, 노광 및 현상 처리 후에 노광부가 수지 마스크로서 사용된다. 포지티브형 레지스트는, 노광되면 현상액에 대한 용해성이 증대되는 특성을 갖고, 포지티브형 레지스트를 포함하는 층 (이하, 「포지티브형 레지스트층」이라고도 한다) 은, 노광 및 현상 처리 후에 노광부가 제거되고, 미노광부가 수지 마스크로서 사용된다. 이와 같은 특성을 갖는 수지 마스크를 사용함으로써, 금속 배선, 금속 필러나 땜납 범프와 같은 회로 기판의 미세한 접속부를 형성할 수 있다.Resists are largely divided into negative and positive types from a reaction method with light and electron beams. Negative resist has a property of lowering solubility in a developer when exposed to light, and a layer containing a negative resist (hereinafter, also referred to as ``negative resist layer'') is used as a resin mask after exposure and development treatment. do. The positive resist has a property of increasing solubility in a developer when exposed to light, and the layer containing the positive resist (hereinafter, also referred to as ``positive resist layer'') is exposed to the exposed portion after exposure and development treatment. The miner is used as a resin mask. By using a resin mask having such characteristics, it is possible to form fine connection portions of a circuit board such as metal wiring, metal fillers, and solder bumps.
그러나, 이들 접속부 형성시에 사용되는 도금 처리나 가열 처리 등에 의해 수지 마스크의 특성이 변화되어, 다음 공정인 세정 공정에 있어서 수지 마스크가 제거되기 어려운 경향이 있다. 특히, 네거티브형 레지스트는, 광이나 전자선과의 반응에 의해 경화되는 특성을 갖기 때문에, 네거티브형 레지스트를 사용하여 형성된 수지 마스크는, 접속부 형성시에 사용되는 도금 처리나 가열 처리 등에 의해 필요 이상으로 경화가 진행되어, 세정 공정에서 완전하게 제거할 수 없거나, 혹은, 제거에 걸리는 시간이 매우 길어짐으로써 기판이나 금속 표면에 데미지를 준다. 이와 같이 도금 처리 및/또는 가열 처리된 수지 마스크는 제거하기 어렵기 때문에, 세정제 조성물에는 높은 수지 마스크 제거성이 요구된다.However, the characteristics of the resin mask change due to plating treatment, heat treatment, or the like used at the time of forming these connecting portions, and there is a tendency that the resin mask is difficult to be removed in the next cleaning step. In particular, since negative resists have a property of curing by reaction with light or electron beams, resin masks formed using negative resists are cured more than necessary by plating or heat treatment used when forming a connection. Is advanced, it cannot be completely removed in the cleaning process, or the time taken for removal is very long, and damage is caused to the substrate or the metal surface. Since the resin mask subjected to the plating treatment and/or heat treatment in this way is difficult to remove, the cleaning composition is required to have high resin mask removal properties.
한편, 전자 디바이스의 소형화, 처리 속도의 고속화, 소비 전력을 저감시키기 위해서, 배선의 미세화가 진행되고 있다. 배선 폭이 좁아지면 전기 저항이 커지고, 발열하여, 전자 디바이스의 기능 저하를 초래할 우려가 있다. 배선 기판의 면적을 크게 하지 않고 전기 저항을 작게 하기 위해서, 배선의 높이를 높게 하는 대책이 취해진다. 그 때문에, 배선 형성에 사용하는 수지 마스크는 두꺼워져 배선과의 접촉 면적이 증가하고, 또한 미세화에 수반하는 배선 간격도 좁아짐으로써 수지 마스크는 제거하기 어려워진다. 특히, 미세 배선을 묘화하기 위해서는 고에너지의 저파장광이 사용되지만, 수지 마스크가 두꺼운 것에 의해, 수지 마스크 표면으로부터 기판까지의 거리가 길어져서, 노광에 의한 광중합의 반응률이 표면과 기판 접촉면에서 차이가 생기고, 표면의 반응이 과도하게 진행되고, 침투성을 강화하지 않으면 세정제 조성물이 수지 마스크 표면으로부터 침투하지 않아, 수지 마스크는 제거하기 어려워진다.On the other hand, in order to reduce the size of electronic devices, increase the processing speed, and reduce the power consumption, the miniaturization of wiring is being carried out. If the wiring width is narrowed, electrical resistance increases, heat generation, and there is a fear that the function of the electronic device may be deteriorated. In order to reduce the electrical resistance without increasing the area of the wiring board, measures to increase the height of the wiring are taken. Therefore, the resin mask used for wiring formation becomes thick, the contact area with the wiring increases, and the wiring gap accompanying miniaturization also becomes narrow, making it difficult to remove the resin mask. In particular, high-energy low-wavelength light is used to draw fine wiring, but the thickness of the resin mask increases the distance from the surface of the resin mask to the substrate, so the reaction rate of photopolymerization by exposure differs between the surface and the substrate contact surface. Occurs, the reaction of the surface proceeds excessively, and if the permeability is not enhanced, the cleaning composition does not penetrate from the resin mask surface, and the resin mask becomes difficult to remove.
그래서, 본 개시는 수지 마스크 제거성이 우수한 수지 마스크 박리용 세정제 조성물, 그 세정제 조성물을 사용한 세정 방법 및 기판의 제조 방법을 제공한다.Thus, the present disclosure provides a cleaning composition for removing a resin mask having excellent resin mask removal properties, a cleaning method using the cleaning composition, and a method for producing a substrate.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 알칼리제 (성분 A), 유기 용제 (성분 B) 및 물 (성분 C) 을 함유하고, 성분 B 의 한센 용해도 파라미터의 좌표가, δd ＝ 18.3, δp ＝ 6.8, δh ＝ 3.7 을 중심으로 하는 반경 5.45 ㎫0.5 의 구 (球) 의 범위 내이고, 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량이 69.9 질량％ 이상 99.4 질량％ 이하인, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물에 관한 것이다.In one aspect, the present disclosure contains an alkali agent (component A), an organic solvent (component B), and water (component C), and the coordinates of the Hansen solubility parameter of the component B are δd = 18.3, δp = 6.8, δh It is in the range of a sphere with a radius of 5.45 MPa 0.5 centering on = 3.7, and the content of the component C in use is 69.9% by mass or more and 99.4% by mass or less.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 본 개시의 세정제 조성물로, 수지 마스크가 부착된 피세정물로부터 수지 마스크를 박리하는 공정을 포함하는, 세정 방법에 관한 것이다.In one aspect, the present disclosure relates to a cleaning method including a step of peeling a resin mask from an object to be cleaned with a resin mask attached, with the cleaning agent composition of the present disclosure.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 본 개시의 세정제 조성물로 수지 마스크가 부착된 피세정물로부터 수지 마스크를 박리하는 공정을 포함하는, 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.In one aspect, the present disclosure relates to a method of manufacturing an electronic component, including a step of peeling a resin mask from an object to be cleaned with a resin mask attached with the cleaning agent composition of the present disclosure.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 본 개시의 세정제 조성물의, 전자 부품의 제조에 있어서의 세정제로서의 사용에 관한 것이다.In one aspect, the present disclosure relates to the use of the cleaning agent composition of the present disclosure as a cleaning agent in the manufacture of electronic parts.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 본 개시의 세정 방법 및 본 개시의 전자 부품의 제조 방법의 어느 것에 사용하기 위한 키트로서, 성분 A 를 함유하는 용액 (제 1 액) 과, 성분 B 를 함유하는 용액 (제 2 액) 을, 서로 혼합되지 않는 상태로 포함하고, 제 1 액 및 제 2 액의 적어도 일방은, 성분 C 의 일부 또는 전부를 추가로 함유하고, 제 1 액과 제 2 액은 사용시에 혼합되는 키트에 관한 것이다.In one aspect, the present disclosure is a kit for use in any of the cleaning method of the present disclosure and the method of manufacturing an electronic component of the present disclosure, comprising a solution containing component A (first liquid) and component B The solution (second liquid) is contained in a state that is not mixed with each other, at least one of the first liquid and the second liquid further contains a part or all of the component C, and the first liquid and the second liquid are used It relates to a kit to be mixed in.
본 개시에 의하면, 일 양태에 있어서, 수지 마스크 제거성이 우수한 수지 마스크 박리용 세정제 조성물을 제공할 수 있다.According to the present disclosure, in one aspect, it is possible to provide a cleaning composition for removing a resin mask having excellent resin mask removal properties.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 알칼리제 (성분 A), 유기 용제 (성분 B) 및 물 (성분 C) 을 함유하고, 성분 B 의 한센 용해도 파라미터의 좌표가, δd ＝ 18.3, δp ＝ 6.8, δh ＝ 3.7 을 중심으로 하는 반경 5.45 ㎫0.5 의 구의 범위 내로서, 성분 C 의 함유량이 69.9 질량％ 이상 99.4 질량％ 이하인, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물 (이하, 「본 개시의 세정제 조성물」이라고도 한다) 에 관한 것이다.In one aspect, the present disclosure contains an alkali agent (component A), an organic solvent (component B), and water (component C), and the coordinates of the Hansen solubility parameter of the component B are δd = 18.3, δp = 6.8, δh In the range of a sphere with a radius of 5.45 MPa 0.5 centering on = 3.7, the content of the component C is 69.9 mass% or more and 99.4 mass% or less, a cleaning composition for resin mask peeling (hereinafter, also referred to as ``cleaning agent composition of the present disclosure'') About.
본 개시에 의하면, 수지 마스크 제거성이 우수한 세정제 조성물을 제공할 수 있다. 따라서, 본 개시의 세정제 조성물은, 수지 마스크, 특히, 도금 처리 및/또는 가열 처리된 수지 마스크를 효율적으로 제거할 수 있다. 그리고, 본 개시의 세정제 조성물을 사용함으로써, 높은 수율로 고품질의 전자 부품이 얻어질 수 있다. 또한, 본 개시의 세정제 조성물을 사용함으로써, 미세한 배선 패턴을 갖는 전자 부품을 효율적으로 제조할 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to provide a cleaning composition having excellent resin mask removal properties. Accordingly, the cleaning composition of the present disclosure can efficiently remove a resin mask, particularly, a resin mask subjected to plating and/or heat treatment. And, by using the detergent composition of the present disclosure, a high-quality electronic component can be obtained with a high yield. Further, by using the detergent composition of the present disclosure, an electronic component having a fine wiring pattern can be efficiently manufactured.
본 개시의 세정제 조성물에 있어서의 효과의 작용 메커니즘의 상세는 불명확한 부분이 있지만, 이하와 같이 추정된다.The details of the mechanism of action of the effect in the detergent composition of the present disclosure are unclear, but are estimated as follows.
일반적으로, 수지 마스크의 박리는, 세정제 조성물의 성분이 수지 마스크에 침투하여, 수지 마스크가 팽윤되는 것에 의한 계면 스트레스에서 기인한다고 생각되고 있다. 본 개시의 세정제 조성물에서는, 알칼리제 (성분 A), 특정 유기 용제 (성분 B) 와 물 (성분 C) 이 수지 마스크에 침투함으로써, 수지 마스크에 배합되어 있는 알칼리 가용성 수지의 해리를 촉진하고, 나아가 전하 반발을 일으킴으로써 수지 마스크의 박리를 촉진한다고 생각된다. 이 때, 특정 유기 용제 (성분 B) 가 기판 표면과 수지 마스크의 계면, 배선과 수지 마스크의 계면에 작용함으로써, 기판-수지 간의 밀착력이 저하되고 나아가 수지 마스크의 박리를 촉진하여, 수지 마스크 제거성이 현격히 향상되는 것으로 추정된다. 또, 특정 유기 용제 (성분 B) 가 수지 마스크 중의 미반응 모노머에 작용하여, 그곳을 기점으로 수지 마스크 중에 알칼리제 (성분 A) 와 물 (성분 C) 을 침투시키고, 수지 마스크의 박리를 촉진하여, 수지 마스크 제거성이 현격히 향상되는 것으로도 추정된다. 이로써, 효율적으로 또한 높은 청정도로 기판 상에 미세한 회로 (배선 패턴) 의 형성이 가능해진다고 생각된다.In general, it is considered that the peeling of the resin mask is caused by interfacial stress due to the penetration of the components of the detergent composition into the resin mask and swelling of the resin mask. In the cleaning composition of the present disclosure, an alkali agent (component A), a specific organic solvent (component B), and water (component C) permeate the resin mask to promote dissociation of the alkali-soluble resin blended in the resin mask, and further It is thought that peeling of the resin mask is promoted by causing repulsion. At this time, the specific organic solvent (component B) acts on the interface between the surface of the substrate and the resin mask, and the interface between the wiring and the resin mask, so that the adhesion between the substrate and the resin decreases, and further promotes peeling of the resin mask, resulting in resin mask removal. It is estimated that this will improve significantly. In addition, a specific organic solvent (component B) acts on the unreacted monomer in the resin mask, from which the alkali agent (component A) and water (component C) are allowed to permeate into the resin mask, thereby promoting the peeling of the resin mask, It is also estimated that the resin mask removability is significantly improved. It is thought that this makes it possible to form a fine circuit (wiring pattern) on the substrate efficiently and with high cleanliness.
단, 본 개시는 이 메커니즘에 한정하여 해석되지 않아도 된다.However, the present disclosure is limited to this mechanism and need not be interpreted.
최근에는, 세정제 조성물에는, 높은 수지 마스크 제거성이 요구되는 한편, 에폭시 수지나 페놀 수지와 같은 유기 수지를 함유하는 기판 (이하, 「유기 수지 함유 기판」이라고도 한다) 에 대한 영향이 적은 것이 요망되고 있다. 이것은, 세정제 조성물이 기판 표면을 용해하거나, 변질시키면, 전자 부품으로서 요구되는 기판의 성능을 저하시켜, 고품질의 기판을 얻을 수 없게 되기 때문이다.In recent years, while high resin mask removability is required for cleaning composition, it is desired to have less influence on a substrate containing an organic resin such as an epoxy resin or a phenol resin (hereinafter, also referred to as ``organic resin-containing substrate''). have. This is because, when the cleaning composition dissolves or alters the surface of the substrate, the performance of the substrate required as an electronic component is deteriorated, and a high-quality substrate cannot be obtained.
이것에 대해, 본 개시의 세정제 조성물에서는, 특정 유기 용제 (성분 B) 는, 물과의 상용성이 최적이고, 대량의 물이 존재하는 경우나 성분 B 의 첨가량이 적은 경우에도 유효하게 작용하여, 알칼리제 (성분 A) 및 물 (성분 C) 의 수지 마스크에 대한 침투를 촉진할 수 있다. 그리고, 본 개시의 세정제 조성물 중의 유기물 함유량을 저감시킴으로써, 유기 수지 함유 기판에 대한 영향을 저감시킬 수 있다.On the other hand, in the detergent composition of the present disclosure, the specific organic solvent (component B) has optimal compatibility with water, and acts effectively even when a large amount of water is present or when the amount of addition of component B is small, It is possible to promote the penetration of the alkali agent (component A) and water (component C) into the resin mask. And by reducing the content of the organic substance in the cleaning composition of the present disclosure, the influence on the organic resin-containing substrate can be reduced.
또, 다양한 분야에 있어서 전자화가 진행되어 프린트 기판 등의 생산량이 증가하고, 세정제 조성물의 사용량도 증가하는 경향이 있다. 그리고, 세정제 조성물의 사용량의 증가에 수반하여, 세정제 조성물이나 린스수 등의 폐액의 배수 처리 부하나 폐액 유입에 의한 호수와 늪의 부영양화 (富榮養化) 도 증대되고 있다. 그 때문에, 배수 처리 부하가 작고, 호수와 늪의 부영양화의 원인이 되는 질소 및 인을 함유하지 않고, 수지 마스크를 효율적으로 제거할 수 있는 세정제 조성물이 강하게 요망되고 있다.In addition, there is a tendency that the amount of production of printed circuit boards and the like is increased due to the advancement of electronization in various fields, and the amount of the detergent composition used also increases. In addition, with an increase in the amount of the detergent composition used, the load for drainage treatment of waste liquids such as detergent composition and rinse water, or eutrophication of lakes and swamps due to inflow of waste liquid is also increasing. Therefore, there is a strong demand for a cleaning agent composition that has a low drainage treatment load, does not contain nitrogen and phosphorus, which cause eutrophication of lakes and swamps, and can efficiently remove a resin mask.
또한, 세정액을 효율적으로 반복 사용하기 위해서는, 제거한 수지 마스크를 세정액 중으로부터 그물 등에 의해 배제하기 쉬운, 박리에 의한 수계의 세정제 조성물이 유리하고, 유기물 함유량이 적은 세정제 조성물이 강하게 요망되고 있다. 그러나, 상기 특허문헌에 기재된 방법에서는, 높은 수지 마스크 제거성과 낮은 배수 처리 부하의 양립이 어렵다.Further, in order to efficiently and repeatedly use the cleaning liquid, an aqueous detergent composition by peeling, which is easy to remove the removed resin mask from the cleaning liquid by a net or the like, is advantageous, and a detergent composition having a small amount of organic matter is strongly desired. However, in the method described in the above patent document, it is difficult to achieve both high resin mask removal properties and low drainage treatment load.
이것에 대해, 본 개시의 세정제 조성물에서는, 상기 서술한 바와 같이, 특정 유기 용제 (성분 B) 는, 물과의 상용성이 최적이고, 대량의 물이 존재하는 경우나 성분 B 의 첨가량이 적은 경우에도 유효하게 작용하여, 알칼리제 (성분 A) 및 물 (성분 C) 의 수지 마스크에 대한 침투를 촉진할 수 있다. 그리고, 본 개시의 세정제 조성물 중의 유기물 함유량을 저감시킴으로써, 배수 처리 부하의 증대를 억제할 수 있다.In contrast, in the detergent composition of the present disclosure, as described above, the specific organic solvent (component B) has optimal compatibility with water, and when a large amount of water is present or when the amount of addition of component B is small. It also acts effectively for the alkali agent (component A) and water (component C) to promote penetration into the resin mask. And, by reducing the organic matter content in the cleaning composition of the present disclosure, an increase in the drainage treatment load can be suppressed.
본 개시에 있어서 수지 마스크란, 에칭, 도금, 가열 등의 처리로부터 물질 표면을 보호하기 위한 마스크, 즉, 보호막으로서 기능하는 마스크이다. 수지 마스크로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 노광 및 현상 공정 후의 레지스트층, 노광 및 현상의 적어도 일방의 처리가 실시된 (이하, 「노광 및/또는 현상 처리된」이라고도 한다) 레지스트층, 혹은, 경화된 레지스트층을 들 수 있다. 수지 마스크를 형성하는 수지 재료로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 필름상의 감광성 수지, 또는, 레지스트 필름을 들 수 있다. 레지스트 필름은 범용의 것을 사용할 수 있다.In the present disclosure, the resin mask is a mask for protecting the surface of a material from processing such as etching, plating, and heating, that is, a mask that functions as a protective film. As a resin mask, in one or more embodiments, a resist layer after exposure and development steps, and a resist layer subjected to at least one treatment of exposure and development (hereinafter also referred to as ``exposed and/or developed'') , Or a cured resist layer may be mentioned. As a resin material for forming a resin mask, in one or more embodiments, a film-like photosensitive resin or a resist film may be mentioned. A general purpose resist film can be used.
[성분 A : 알칼리제][Component A: Alkaline agent]
본 개시의 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 알칼리제 (성분 A) 를 포함한다. 성분 A 는, 1 종 또는 2 종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.The detergent composition of the present disclosure contains an alkali agent (component A) in one or more embodiments. Component A can be used alone or in combination of two or more.
성분 A 로는, 예를 들어, 무기 알칼리 및 유기 알칼리에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있고, 배수 처리 부하 저감의 관점에서, 무기 알칼리가 바람직하다.Examples of the component A include at least one selected from inorganic alkalis and organic alkalis, and inorganic alkalis are preferred from the viewpoint of reducing the drainage treatment load.
무기 알칼리로는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬, 수산화칼슘, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 규산나트륨 및 규산칼륨 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨 및 탄산칼륨에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합이 바람직하고, 수산화나트륨 및 수산화칼륨의 적어도 일방이 보다 바람직하고, 수산화칼륨이 더욱 바람직하다.Examples of the inorganic alkali include sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, calcium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium silicate and potassium silicate. Among these, from the viewpoint of improving the resin mask removal property, one or a combination of two or more selected from sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate and potassium carbonate is preferable, and at least one of sodium hydroxide and potassium hydroxide is more preferable, and hydroxide Potassium is more preferred.
유기 알칼리로는, 하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄 수산화물, 하기 식 (Ⅱ) 로 나타내는 아민 등을 들 수 있다.Examples of the organic alkali include quaternary ammonium hydroxide represented by the following formula (I) and amine represented by the following formula (II).
[화학식 1][Formula 1]
상기 식 (Ⅰ) 에 있어서, R1, R2, R3 및 R4 는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 하이드록시메틸기, 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기에서 선택되는 적어도 1 종이다.In the formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently at least one selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, and a hydroxypropyl group. to be.
[화학식 2][Formula 2]
상기 식 (Ⅱ) 에 있어서, R5 는, 수소 원자, 메틸기, 에틸기 또는 아미노에틸기를 나타내고, R6 은, 수소 원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 또는 에틸기에서 선택되는 적어도 1 종으로서, R7 은, 아미노에틸기, 하이드록시에틸기 또는 하이드록시프로필기에서 선택되는 적어도 1 종이거나, 혹은, 식 (Ⅱ) 에 있어서, R5 는, 메틸기, 에틸기, 아미노에틸기, 하이드록시에틸기 또는 하이드록시프로필기에서 선택되는 적어도 1 종으로서, R6 과 R7 은 서로 결합하여 식 (Ⅱ) 중의 N 원자와 함께 피롤리딘 고리 또는 피페라진 고리를 형성한다.In the above formula (II), R 5 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, or an aminoethyl group, and R 6 is at least one selected from a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group, or an ethyl group. , R 7 is at least one selected from aminoethyl, hydroxyethyl, or hydroxypropyl group, or, in formula (II), R 5 is a methyl group, ethyl group, aminoethyl group, hydroxyethyl group or hydroxy As at least one member selected from the propyl group, R 6 and R 7 are bonded to each other to form a pyrrolidine ring or a piperazine ring together with the N atom in formula (II).
식 (Ⅰ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄 수산화물로는, 예를 들어, 제 4 급 암모늄 카티온과 하이드록시드로 이루어지는 염 등을 들 수 있다. 제 4 급 암모늄 수산화물의 구체예로는, 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH), 테트라에틸암모늄하이드록시드, 테트라프로필암모늄하이드록시드, 2-하이드록시에틸트리메틸암모늄하이드록시드 (콜린), 2-하이드록시에틸트리에틸암모늄하이드록시드, 2-하이드록시에틸트리프로필암모늄하이드록시드, 2-하이드록시프로필트리메틸암모늄하이드록시드, 2-하이드록시프로필트리에틸암모늄하이드록시드, 2-하이드록시프로필트리프로필암모늄하이드록시드, 디메틸비스(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록시드, 디에틸비스(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록시드, 디프로필비스(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록시드, 트리스(2-하이드록시에틸)메틸암모늄하이드록시드, 트리스(2-하이드록시에틸)에틸암모늄하이드록시드, 트리스(2-하이드록시에틸)프로필암모늄하이드록시드, 테트라키스(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록시드, 및 테트라키스(2-하이드록시프로필)암모늄하이드록시드에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서, 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH), 2-하이드록시에틸트리메틸암모늄하이드록시드 (콜린), 디메틸비스(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록시드, 및 디에틸비스(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록시드에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH), 2-하이드록시에틸트리메틸암모늄하이드록시드 (콜린), 및 디메틸비스(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록시드에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH) 가 더욱 바람직하다.Examples of the quaternary ammonium hydroxide represented by formula (I) include salts composed of quaternary ammonium cation and hydroxide. Specific examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide (choline), 2 -Hydroxyethyltriethylammonium hydroxide, 2-hydroxyethyltripropylammonium hydroxide, 2-hydroxypropyltrimethylammonium hydroxide, 2-hydroxypropyltriethylammonium hydroxide, 2-hydroxy Propyltripropylammonium hydroxide, dimethylbis(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide, diethylbis(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide, dipropylbis(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide Seed, tris(2-hydroxyethyl)methylammonium hydroxide, tris(2-hydroxyethyl)ethylammonium hydroxide, tris(2-hydroxyethyl)propylammonium hydroxide, tetrakis(2-hydroxyl) And at least one selected from oxyethyl) ammonium hydroxide and tetrakis (2-hydroxypropyl) ammonium hydroxide. Among these, from the viewpoint of improving the resin mask removal property, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide (choline), dimethylbis(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide, And at least one selected from diethylbis(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide (choline), and dimethyl At least one member selected from bis(2-hydroxyethyl)ammonium hydroxide is more preferable, and tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is more preferable.
식 (Ⅱ) 로 나타내는 아민으로는, 예를 들어, 알칸올아민, 1 ∼ 3 급 아민 및 복소 고리 화합물 등을 들 수 있다. 아민의 구체예로는, 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, N-메틸모노에탄올아민, N-메틸이소프로판올아민, N-에틸모노에탄올아민, N-에틸이소프로판올아민, 디에탄올아민, 디이소프로판올아민, N-디메틸모노에탄올아민, N-디메틸모노이소프로판올아민, N-메틸디에탄올아민, N-메틸디이소프로판올아민, N-디에틸모노에탄올아민, N-디에틸모노이소프로판올아민, N-에틸디에탄올아민, N-에틸디이소프로판올아민, N-(β-아미노에틸)에탄올아민, N-(β-아미노에틸)이소프로판올아민, N-(β-아미노에틸)디에탄올아민, N-(β-아미노에틸)디이소프로판올아민, 1-메틸피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)피롤리딘, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 에틸렌디아민 및 디에틸렌트리아민에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서, 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 디에탄올아민, N-메틸모노에탄올아민, N-에틸모노에탄올아민, N-(β-아미노에틸)에탄올아민, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진 및 디에틸렌트리아민에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 디에탄올아민, N-메틸모노에탄올아민, 및 N-에틸모노에탄올아민에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 모노에탄올아민이 더욱 바람직하다.Examples of the amine represented by formula (II) include alkanolamines, primary to tertiary amines, and heterocyclic compounds. Specific examples of the amine include monoethanolamine, monoisopropanolamine, N-methylmonoethanolamine, N-methylisopropanolamine, N-ethylmonoethanolamine, N-ethylisopropanolamine, diethanolamine, diisopropanolamine, N -Dimethylmonoethanolamine, N-dimethylmonoisopropanolamine, N-methyldiethanolamine, N-methyldiisopropanolamine, N-diethylmonoethanolamine, N-diethylmonoisopropanolamine, N-ethyldiethanolamine, N-ethyldiisopropanolamine, N-(β-aminoethyl)ethanolamine, N-(β-aminoethyl)isopropanolamine, N-(β-aminoethyl) diethanolamine, N-(β-aminoethyl)di At least one selected from isopropanolamine, 1-methylpiperazine, 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidine, 1-(2-hydroxyethyl)piperazine, ethylenediamine, and diethylenetriamine. have. Among these, from the viewpoint of improving the resin mask removal property, monoethanolamine, monoisopropanolamine, diethanolamine, N-methyl monoethanolamine, N-ethyl monoethanolamine, N-(β-aminoethyl)ethanolamine, 1 -(2-hydroxyethyl) piperazine and at least one member selected from diethylenetriamine is preferred, and monoethanolamine, monoisopropanolamine, diethanolamine, N-methylmonoethanolamine, and N-ethylmonoethanolamine It is more preferable than at least 1 type selected from, and monoethanolamine is still more preferable.
본 개시의 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서, 0.1 질량％ 이상이 바람직하고, 0.5 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 1.0 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 1.5 질량％ 이상이 보다 더 바람직하고, 그리고, 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서, 15 질량％ 이하가 바람직하고, 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 7.5 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 5 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다. 보다 구체적으로는, 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 0.1 질량％ 이상 15 질량％ 이하가 바람직하고, 0.5 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 1.0 질량％ 이상 7.5 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 1.5 질량％ 이상 5 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다. 성분 A 가 2 종 이상의 알칼리제로 이루어지는 경우, 성분 A 의 함유량은 그것들의 합계 함유량을 말한다.The content of component A in use of the cleaning composition of the present disclosure is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, further preferably 1.0% by mass or more, from the viewpoint of improving the resin mask removal property. , More preferably 1.5% by mass or more, and 15% by mass or less is preferable, more preferably 10% by mass or less, still more preferably 7.5% by mass or less, and 5% by mass from the viewpoint of improving the resin mask removal property. % Or less is even more preferable. More specifically, the content of component A at the time of use is preferably 0.1% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or more and 10% by mass or less, and further 1.0% by mass or more and 7.5% by mass or less. It is preferable, and 1.5 mass% or more and 5 mass% or less are still more preferable. When component A consists of two or more kinds of alkali agents, the content of component A refers to their total content.
본 개시에 있어서 「세정제 조성물의 사용시에 있어서의 각 성분의 함유량」이란, 세정시, 즉, 세정제 조성물의 세정에 대한 사용을 개시하는 시점에서의 각 성분의 함유량을 말한다.In the present disclosure, "the content of each component in the use of the detergent composition" refers to the content of each component at the time of washing, that is, when the use of the detergent composition for washing is started.
[성분 B : 유기 용제][Component B: Organic solvent]
본 개시의 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 유기 용제 (성분 B) 를 포함한다. 성분 B 는, 1 종 또는 2 종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.The detergent composition of the present disclosure contains an organic solvent (component B) in one or more embodiments. Component B can be used alone or in combination of two or more.
본 개시에 있어서, 성분 B 의 한센 용해도 파라미터의 좌표는, δd ＝ 18.3, δp ＝ 6.8, δh ＝ 3.7 을 중심으로 하는 반경 5.45 ㎫0.5 의 구의 범위 내이다. 본 개시의 세정제 조성물이 2 종 이상의 유기 용제 (이하, 「혼합 유기 용제」라고도 한다) 를 포함하는 경우, 혼합 유기 용제 전체의 한센 용해도 파라미터는 상기 범위 내가 아니어도 되고, 혼합 유기 용제 중에 상기 범위 내의 한센 용해도 파라미터를 갖는 유기 용제가 적어도 1 종 포함되어 있으면, 본 개시의 효과는 발휘될 수 있다.In the present disclosure, the coordinates of the Hansen solubility parameter of component B are within the range of a sphere having a radius of 5.45 MPa 0.5 centering on δd = 18.3, δp = 6.8, and δh = 3.7. When the detergent composition of the present disclosure contains two or more types of organic solvents (hereinafter also referred to as ``mixed organic solvents''), the Hansen solubility parameter of the whole mixed organic solvent may not be within the above range, and within the above range in the mixed organic solvent. When at least one organic solvent having a Hansen solubility parameter is contained, the effect of the present disclosure can be exhibited.
여기서, 한센 용해도 파라미터 (Hansen solubility parameter) (이하, 「HSP」라고도 한다) 란, Charles M. Hansen 이 1967년에 발표한, 물질의 용해성의 예측에 사용되는 값으로서, 「분자 간의 상호 작용이 비슷한 2 개의 물질은, 서로 용해되기 쉽다」는 생각에 기초하는 파라미터이다. HSP 는 이하의 3 개의 파라미터 (단위 : ㎫0.5) 로 구성되어 있다.Here, the Hansen solubility parameter (hereinafter, also referred to as ``HSP'') is a value published in 1967 by Charles M. Hansen, which is used to predict the solubility of a substance. It is a parameter based on the idea that the two substances are easily soluble in each other. HSP consists of the following three parameters (unit: MPa 0.5 ).
δd : 분자 간의 분산력에 의한 에너지δd: energy due to dispersion force between molecules
δp : 분자 간의 쌍극자 상호 작용에 의한 에너지δp: energy due to dipole interaction between molecules
δh : 분자 간의 수소 결합에 의한 에너지δh: energy by hydrogen bonding between molecules
이들 3 개의 파라미터는 3 차원 공간 (한센 공간) 에 있어서의 좌표로 간주할 수 있고, 2 개의 물질의 HSP 를 한센 공간 내에 두었을 때, 2 점 간의 거리가 가까우면 가까울수록 서로 용해되기 쉬운 것을 나타내고 있다. 화학 공업 2010년 3월호 (화학 공업사) 등에 상세한 설명이 있으며, 퍼스널 컴퓨터용 소프트웨어 「HSPiP : Hansen Solubility Parameters in Practice」 등을 사용함으로써 각종 물질의 한센 용해도 파라미터를 얻을 수 있다. 본 개시는, 이 퍼스널 컴퓨터용 소프트웨어 「HSPiP : Hansen Solubility Parameters in Practice」를 사용하여 얻어진 한센 용해도 파라미터를 사용하고 있다. 성분 B 가 2 종 이상의 혼합 유기 용제인 경우, 혼합 유기 용매로서의 HSP 의 거리에 대해서는, 「HSPiP : Hansen Solubility Parameters in Practice」의 혼합 유기 용제의 HSP 산출 기능을 사용하여 산출할 수 있다.These three parameters can be regarded as coordinates in a three-dimensional space (Hansen space), and when the HSPs of two substances are placed in the Hansen space, the closer the distance between the two points is, the easier it is to dissolve with each other. have. Chemical Industry March 2010 (Chemical Industry Co., Ltd.) provides detailed explanations, and Hansen solubility parameters of various substances can be obtained by using personal computer software such as "HSPiP: Hansen Solubility Parameters in Practice". The present disclosure uses the Hansen solubility parameters obtained using the personal computer software "HSPiP: Hansen Solubility Parameters in Practice". When component B is a mixed organic solvent of two or more types, the distance of HSP as a mixed organic solvent can be calculated using the HSP calculation function of the mixed organic solvent of "HSPiP: Hansen Solubility Parameters in Practice".
본 개시에 있어서의 성분 B 의 HSP 의 좌표는, 하기와 같이 표현할 수도 있다. 즉, 성분 B 의 HSP 의 좌표를 (δdB, δpB, δhB) 로 했을 때, 그 성분 B 의 HSP 의 좌표 (δdB, δpB, δhB) 와 성분 좌표 X (δd ＝ 18.3, δp ＝ 6.8, δh ＝ 3.7) 의 거리 (단위 : ㎫0.5) 가 하기 식을 만족하는 것으로 할 수 있다.The coordinates of the HSP of the component B in the present disclosure can also be expressed as follows. That is, when the coordinates of the HSP of the component B are (δd B , δp B , δh B ), the coordinates of the HSP of the component B (δd B , δp B , δh B ) and the component coordinates X (δd = 18.3, δp The distance (unit: MPa 0.5 ) of =6.8, δh=3.7) can satisfy the following formula.
거리 ＝ [(δdB － 18.3)2 ＋ (δpB － 6.8)2 ＋ (δhB － 3.7)2]0.5 ≤ 5.45 ㎫0.5 Distance = [(δd B -18.3) 2 + (δp B -6.8) 2 + (δh B -3.7) 2 ] 0.5 ≤ 5.45 ㎫ 0.5
성분 B 로는, 성분 B 의 HSP 의 좌표와 성분 좌표 X 의 거리가 상기 식을 만족하는 유기 용제이면 특별히 한정되지 않아도 되고, 예를 들어, 아세토페논 (거리 : 2.44 ㎫0.5), 프로피오페논 (거리 : 0.65 ㎫0.5), p-아니스알데히드 (거리 : 5.15 ㎫0.5), o-아니스알데히드 (거리 : 2.43 ㎫0.5), p-메틸아세토페논 (거리 : 1.23 ㎫0.5), 테트라하이드로푸란 (거리 : 5.36 ㎫0.5), 디메톡시테트라하이드로푸란 (거리 : 5.42 ㎫0.5), 메톡시시클로펜탄 (거리 : 4.10 ㎫0.5), 디페닐에테르 (거리 : 3.83 ㎫0.5), 아니솔 (거리 : 4.12 ㎫0.5), 페네톨 (거리 : 2.33 ㎫0.5), 디에틸렌글리콜디에틸에테르 (거리 : 5.42 ㎫0.5), 디프로필렌글리콜디메틸에테르 (거리 : 5.44 ㎫0.5), 시클로헥사논 (거리 : 2.35 ㎫0.5), 2-옥타논 (거리 : 4.73 ㎫0.5) 및 벤즈알데히드 (거리 : 2.79 ㎫0.5) 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합을 들 수 있다. 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서는, 아세토페논, 프로피오페논, p-아니스알데히드, o-아니스알데히드, p-메틸아세토페논, 테트라하이드로푸란, 디메톡시테트라하이드로푸란, 메톡시시클로펜탄, 디페닐에테르, 아니솔, 페네톨, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 시클로헥사논, 2-옥타논 및 벤즈알데히드에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합이 바람직하고, 아세토페논, 프로피오페논, p-아니스알데히드, o-아니스알데히드, p-메틸아세토페논, 테트라하이드로푸란, 디메톡시테트라하이드로푸란, 메톡시시클로펜탄, 아니솔, 페네톨, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 시클로헥사논 및 벤즈알데히드에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합이 보다 바람직하고, 아세토페논, 프로피오페논, p-아니스알데히드, p-메틸아세토페논, 테트라하이드로푸란, 디메톡시테트라하이드로푸란, 메톡시시클로펜탄, 아니솔, 페네톨, 시클로헥사논 및 벤즈알데히드에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합이 더욱 바람직하고, 아세토페논, p-아니스알데히드, p-메틸아세토페논, 페네톨, 시클로헥사논 및 벤즈알데히드에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합이 보다 더 바람직하다. 괄호 내의 수치는, 성분 B 의 HSP 의 좌표와 성분 좌표 X 의 거리 (단위 : ㎫0.5) 를 나타낸다.Roneun component B, the distance between the coordinate and the component coordinate X of the HSP of the component B is an organic solvent that satisfies the above formula is does not have to be particularly limited, for example, acetophenone (distance: 2.44 ㎫ 0.5), propiophenone (distance : 0.65 MPa 0.5 ), p-anisaldehyde (distance: 5.15 MPa 0.5 ), o-anisaldehyde (distance: 2.43 MPa 0.5 ), p-methylacetophenone (distance: 1.23 MPa 0.5 ), tetrahydrofuran (distance: 5.36 ㎫ 0.5 ), dimethoxytetrahydrofuran (distance: 5.42 ㎫ 0.5 ), methoxycyclopentane (distance: 4.10 MPa 0.5 ), diphenyl ether (distance: 3.83 MPa 0.5 ), anisole (distance: 4.12 MPa 0.5 ), Phenitol (distance: 2.33 MPa 0.5 ), diethylene glycol diethyl ether (distance: 5.42 MPa 0.5 ), dipropylene glycol dimethyl ether (distance: 5.44 MPa 0.5 ), cyclohexanone (distance: 2.35 MPa 0.5 ), 2- One type or a combination of two or more selected from octaone (distance: 4.73 MPa 0.5 ) and benzaldehyde (distance: 2.79 MPa 0.5) can be mentioned. From the viewpoint of improving resin mask removal properties, acetophenone, propiophenone, p-anisaldehyde, o-anisaldehyde, p-methylacetophenone, tetrahydrofuran, dimethoxytetrahydrofuran, methoxycyclopentane, diphenyl ether , Anisole, phenetol, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone, 2-octanone and a combination of two or more selected from benzaldehyde is preferred, acetophenone, propiophenone , p-anisaldehyde, o-anisaldehyde, p-methylacetophenone, tetrahydrofuran, dimethoxytetrahydrofuran, methoxycyclopentane, anisole, phenethyl, diethylene glycol diethyl ether, cyclohexanone and benzaldehyde One type or a combination of two or more selected from is more preferable, and acetophenone, propiophenone, p-anisaldehyde, p-methylacetophenone, tetrahydrofuran, dimethoxytetrahydrofuran, methoxycyclopentane, anisole , One or more combinations of two or more selected from phenetol, cyclohexanone and benzaldehyde are more preferred, and 1 selected from acetophenone, p-anisaldehyde, p-methylacetophenone, phenetol, cyclohexanone and benzaldehyde The species or a combination of two or more are even more preferred. Numerical values in parentheses represent the HSP coordinates of the component B and the distance (unit: MPa 0.5 ) of the component coordinate X.
본 개시에 있어서의 성분 B 는, 인화에 의한 화재 리스크 저감 및 스태미너성의 관점에서, 비점이 높은 것이 바람직하다. 예를 들어, 성분 B 의 비점은, 160 ℃ 이상이 바람직하고, 200 ℃ 이상이 보다 바람직하다.The component B in the present disclosure preferably has a high boiling point from the viewpoint of reduction of fire risk due to ignition and stamina properties. For example, the boiling point of component B is preferably 160°C or higher, and more preferably 200°C or higher.
본 개시에 있어서, 성분 B 는, 농축성의 관점에서, 물에 대한 용해도가 높은 것이 바람직하고, 예를 들어, 성분 B 의 물 100 ㎖ 에 대한 용해도는, 0.3 g 이상이 바람직하다.In the present disclosure, the solubility of component B in water is preferably high from the viewpoint of condensability, and for example, the solubility of component B in 100 ml of water is preferably 0.3 g or more.
본 개시의 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서는, 0.5 질량％ 이상이 바람직하고, 1 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 3 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 5 질량％ 이상이 보다 더 바람직하고, 그리고, 배수 처리 부하 저감 및 유기 수지 함유 기판에 대한 영향 저감의 관점에서, 30 질량％ 이하가 바람직하고, 25 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 20 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 15 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다. 보다 구체적으로는, 사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 0.5 질량％ 이상 30 질량％ 이하가 바람직하고, 1 질량％ 이상 25 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 3 질량％ 이상 20 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 5 질량％ 이상 15 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다. 성분 B 가 2 종 이상의 조합인 경우, 성분 B 의 함유량은 그것들의 합계 함유량을 말한다.The content of component B in use of the cleaning composition of the present disclosure is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, and still more preferably 3% by mass or more, from the viewpoint of improving the resin mask removal property. , More preferably 5% by mass or more, and from the viewpoint of reducing the drainage treatment load and reducing the influence on the organic resin-containing substrate, 30% by mass or less is preferable, more preferably 25% by mass or less, and 20% by mass The following are more preferable, and 15 mass% or less is still more preferable. More specifically, the content of the component B in use is preferably 0.5% by mass or more and 30% by mass or less, more preferably 1% by mass or more and 25% by mass or less, and further 3% by mass or more and 20% by mass or less. It is preferable, and 5 mass% or more and 15 mass% or less are still more preferable. When component B is a combination of two or more types, the content of component B refers to their total content.
본 개시의 세정제 조성물에 있어서의 성분 A 와 성분 B 의 질량비 (A/B) 는, 보존 안정성 및 배수 처리 부하 저감의 관점에서, 0.05 이상이 바람직하고, 0.08 이상이 보다 바람직하고, 0.1 이상이 더욱 바람직하고, 0.15 이상이 보다 더 바람직하고, 그리고, 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서, 2 이하가 바람직하고, 1 이하가 보다 바람직하고, 0.8 이하가 더욱 바람직하고, 0.5 이하가 보다 더 바람직하다. 보다 구체적으로는, 질량비 (A/B) 는, 0.05 이상 2 이하가 바람직하고, 0.08 이상 1 이하가 보다 바람직하고, 0.1 이상 0.8 이하가 더욱 바람직하고, 0.15 이상 0.5 이하가 보다 더 바람직하다.The mass ratio (A/B) of component A and component B in the detergent composition of the present disclosure is preferably 0.05 or more, more preferably 0.08 or more, and further 0.1 or more, from the viewpoint of storage stability and drainage treatment load reduction. Preferably, 0.15 or more is more preferable, and from the viewpoint of improving the resin mask removal property, 2 or less is preferable, 1 or less is more preferable, 0.8 or less is still more preferable, and 0.5 or less is even more preferable. More specifically, as for the mass ratio (A/B), 0.05 or more and 2 or less are preferable, 0.08 or more and 1 or less are more preferable, 0.1 or more and 0.8 or less are still more preferable, and 0.15 or more and 0.5 or less are still more preferable.
[성분 C : 물][Component C: Water]
본 개시의 세정제 조성물은, 물 (성분 C) 을 포함한다. 성분 C 의 물로는, 이온 교환수, RO 수, 증류수, 순수, 초순수 등을 들 수 있다.The detergent composition of the present disclosure contains water (component C). Examples of the water of the component C include ion-exchanged water, RO water, distilled water, pure water, and ultrapure water.
본 개시의 세정제 조성물 중의 성분 C 의 함유량은, 성분 A, 성분 B 및 후술하는 임의 성분을 제외한 잔여로 할 수 있다. 구체적으로는, 본 개시의 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량은, 수지 마스크 제거성 향상, 배수 처리 부하 저감, 및 유기 수지 함유 기판에 대한 영향 저감의 관점에서, 69.9 질량％ 이상으로서, 70 질량％ 이상이 바람직하고, 75 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 80 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 그리고, 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서, 99.4 질량％ 이하로서, 95 질량％ 이하가 바람직하고, 90 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 85 질량％ 이하가 더욱 바람직하다. 보다 구체적으로는, 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량은, 69.9 질량％ 이상 99.4 질량％ 이하로서, 70 질량％ 이상 95 질량％ 이하가 바람직하고, 75 질량％ 이상 90 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 80 질량％ 이상 85 질량％ 이하가 더욱 바람직하다.The content of the component C in the detergent composition of the present disclosure can be the remainder excluding the component A, the component B, and the optional components described later. Specifically, the content of the component C in the use of the cleaning composition of the present disclosure is 69.9% by mass or more, from the viewpoint of improving the resin mask removal property, reducing the drainage treatment load, and reducing the influence on the organic resin-containing substrate, 70 mass% or more is preferable, 75 mass% or more is more preferable, 80 mass% or more is more preferable, and from the viewpoint of improving the resin mask removal property, as 99.4 mass% or less, 95 mass% or less is preferable , 90 mass% or less is more preferable, and 85 mass% or less is still more preferable. More specifically, the content of component C in use is 69.9% by mass or more and 99.4% by mass or less, preferably 70% by mass or more and 95% by mass or less, more preferably 75% by mass or more and 90% by mass or less, 80 mass% or more and 85 mass% or less are more preferable.
[임의 성분][Optional ingredient]
본 개시의 세정제 조성물은, 상기 성분 A ∼ C 이외에, 필요에 따라 임의 성분을 추가로 함유할 수 있다. 임의 성분으로는, 통상의 세정제에 사용될 수 있는 성분을 들 수 있고, 예를 들어, 성분 B 이외의 유기 용제, 계면 활성제, 킬레이트제, 증점제, 분산제, 방청제, 고분자 화합물, 가용화제, 산화 방지제, 방부제, 소포제, 항균제 등을 들 수 있다. 본 개시의 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 임의 성분의 함유량은, 0 질량％ 이상 2.0 질량％ 이하가 바람직하고, 0 질량％ 이상 1.5 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0 질량％ 이상 1.3 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 0 질량％ 이상 1.0 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다.In addition to the components A to C, the detergent composition of the present disclosure may further contain optional components as necessary. As an optional component, a component that can be used in an ordinary detergent may be mentioned, for example, organic solvents other than component B, surfactants, chelating agents, thickeners, dispersants, rust inhibitors, polymer compounds, solubilizers, antioxidants, Preservatives, antifoaming agents, antibacterial agents, and the like. The content of the optional component in use of the detergent composition of the present disclosure is preferably 0 mass% or more and 2.0 mass% or less, more preferably 0 mass% or more and 1.5 mass% or less, and 0 mass% or more and 1.3 mass% or less. It is more preferable, and 0 mass% or more and 1.0 mass% or less are still more preferable.
본 개시의 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 A, 성분 B 및 임의 성분 유래의 유기물의 총 함유량은, 배수 처리 부하 저감, 및 유기 수지 함유 기판에 대한 영향 저감의 관점에서, 40 질량％ 이하가 바람직하고, 35 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 30 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 25 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 20 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 그리고, 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서, 0.5 질량％ 이상이 바람직하고, 1 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 3 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 5 질량％ 이상이 보다 더 바람직하다. 보다 구체적으로는, 본 개시의 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 A, 성분 B 및 임의 성분 유래의 유기물의 총 함유량은, 0.5 질량％ 이상 40 질량％ 이하가 바람직하고, 1 질량％ 이상 35 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 3 질량％ 이상 30 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 5 질량％ 이상 25 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 5 질량％ 이상 20 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다.In the use of the cleaning composition of the present disclosure, the total content of the organic matter derived from the component A, the component B and the optional component is preferably 40% by mass or less from the viewpoint of reducing the drainage treatment load and reducing the influence on the organic resin-containing substrate. And 35% by mass or less is more preferable, 30% by mass or less is still more preferable, 25% by mass or less is even more preferable, 20% by mass or less is even more preferable, and from the viewpoint of improving the resin mask removal property , 0.5% by mass or more is preferable, 1% by mass or more is more preferable, 3% by mass or more is still more preferable, and 5% by mass or more is even more preferable. More specifically, the total content of organic matters derived from component A, component B, and optional components in use of the detergent composition of the present disclosure is preferably 0.5% by mass or more and 40% by mass or less, and 1% by mass or more and 35% by mass. The following are more preferable, 3 mass% or more and 30 mass% or less are still more preferable, 5 mass% or more and 25 mass% or less are still more preferable, and 5 mass% or more and 20 mass% or less are still more preferable.
본 개시의 세정제 조성물은, 배수 처리 부하를 저감시키고, 배수역의 부영양화를 억제하는 관점에서, 질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물을 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다. 본 개시에 있어서 「질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물을 실질적으로 포함하지 않는다」란, 본 개시의 세정제 조성물 중의 질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물의 합계 함유량이 0.1 질량％ 미만인 것을 말한다. 본 개시의 세정제 조성물 중의 질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물의 합계 함유량은, 배수 처리 부하를 저감시키고, 배수역의 부영양화를 억제하는 관점에서, 0.05 질량％ 이하가 바람직하고, 0.01 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0 질량％ 가 더욱 바람직하다.It is preferable that the detergent composition of the present disclosure does not substantially contain a nitrogen-containing compound and a phosphorus-containing compound from the viewpoint of reducing the drainage treatment load and suppressing eutrophication in the drainage area. In the present disclosure, "substantially free of a nitrogen-containing compound and a phosphorus-containing compound" means that the total content of the nitrogen-containing compound and the phosphorus-containing compound in the detergent composition of the present disclosure is less than 0.1% by mass. The total content of the nitrogen-containing compound and the phosphorus-containing compound in the detergent composition of the present disclosure is preferably 0.05% by mass or less, more preferably 0.01% by mass or less, from the viewpoint of reducing the drainage treatment load and suppressing eutrophication in the drainage area. And 0 mass% is more preferable.
질소 함유 화합물로는, 세정제 조성물로서 종래부터 널리 사용되고 있는 질소 함유 화합물을 들 수 있고, 예를 들어, 아민 및 그 염, 암모니아, 그리고 암모늄염에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상의 조합을 들 수 있다. 상기 아민으로는, 예를 들어, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 등의 아미노알코올을 들 수 있다. 상기 암모늄염으로는, 예를 들어, 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH) 등의 4 급 암모늄염을 들 수 있다.Examples of the nitrogen-containing compound include nitrogen-containing compounds that have been widely used conventionally as detergent compositions, and for example, at least one or a combination of two or more selected from amines and their salts, ammonia, and ammonium salts can be mentioned. . As said amine, amino alcohols, such as monoethanolamine and diethanolamine, are mentioned, for example. Examples of the ammonium salt include quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH).
인 함유 화합물로는, 세정제 조성물로서 종래부터 널리 사용되고 있는 인 함유 화합물을 들 수 있고, 예를 들어, 인산 및 그 염, 피로인산, 폴리인산, 메타인산 등의 축합 인산 및 그 염 등의 무기 인산, 그리고 유기 인산, 인산에스테르에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상의 조합을 들 수 있다.Examples of the phosphorus-containing compound include phosphorus-containing compounds that have been widely used in the past as detergent compositions. For example, phosphoric acid and its salts, condensed phosphoric acid such as pyrophosphoric acid, polyphosphoric acid and metaphosphoric acid, and inorganic phosphoric acids such as salts thereof And at least one or a combination of two or more selected from organic phosphoric acid and phosphoric acid ester.
[세정제 조성물의 제조 방법][Method of manufacturing cleaning agent composition]
본 개시의 세정제 조성물은, 상기 성분 A ∼ C 및 필요에 따라 상기 서술한 임의 성분을 공지된 방법으로 배합함으로써 제조할 수 있다. 예를 들어, 본 개시의 세정제 조성물은, 적어도 상기 성분 A ∼ C 를 배합하여 이루어지는 것으로 할 수 있다. 따라서, 본 개시는, 적어도 상기 성분 A ∼ C 를 배합하는 공정을 포함하는, 세정제 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 개시에 있어서 「배합한다」란, 성분 A ∼ C 및 필요에 따라 그 밖의 성분을 동시에 또는 임의의 순서로 혼합하는 것을 포함한다. 본 개시의 세정제 조성물의 제조 방법에 있어서, 각 성분의 바람직한 배합량은, 상기 서술한 본 개시의 세정제 조성물의 각 성분의 바람직한 함유량과 동일하게 할 수 있다.The detergent composition of the present disclosure can be produced by blending the components A to C and optionally the above-described optional components by a known method. For example, the detergent composition of the present disclosure can be made by blending at least the components A to C. Therefore, the present disclosure relates to a method for producing a cleaning composition comprising at least a step of blending the components A to C. In the present disclosure, "mixed" includes mixing components A to C and other components as necessary, simultaneously or in an arbitrary order. In the manufacturing method of the detergent composition of the present disclosure, the preferred blending amount of each component can be the same as the preferred content of each component of the detergent composition of the present disclosure described above.
본 개시의 세정제 조성물은, 분리나 석출 등을 일으켜 보관 안정성을 저해하지 않는 범위에서 성분 C 의 물의 양을 줄인 농축물로서 조제해도 된다. 세정제 조성물의 농축물은, 수송 및 저장의 관점에서, 희석 배율 3 배 이상의 농축물로 하는 것이 바람직하고, 보관 안정성의 관점에서, 희석 배율 30 배 이하의 농축물로 하는 것이 바람직하다. 세정제 조성물의 농축물은, 사용시에 성분 A ∼ C 가 상기 서술한 함유량 (즉, 세정시의 함유량) 이 되도록 물로 희석하여 사용할 수 있다. 또한 세정제 조성물의 농축물은, 사용시에 각 성분을 따로 따로 첨가하여 사용할 수도 있다. 본 개시에 있어서 농축액의 세정제 조성물의 「사용시」또는 「세정시」란, 세정제 조성물의 농축물이 희석된 상태를 말한다.The detergent composition of the present disclosure may be prepared as a concentrate obtained by reducing the amount of water of the component C within a range that does not impair storage stability by causing separation, precipitation, or the like. From the viewpoint of transport and storage, the concentrate of the cleaning composition is preferably a concentrate having a dilution ratio of 3 or more, and from a viewpoint of storage stability, a concentrate having a dilution ratio of 30 times or less. The concentrate of the detergent composition can be used after being diluted with water so that the components A to C at the time of use become the above-described content (ie, the content at the time of washing). Further, the concentrate of the detergent composition may be used by separately adding each component at the time of use. In the present disclosure, "at the time of use" or "at the time of washing" of the detergent composition of the concentrated liquid refers to a state in which the concentrate of the detergent composition is diluted.
[피세정물][To be cleaned]
본 개시의 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 수지 마스크가 부착된 피세정물의 세정에 사용될 수 있다.The cleaning agent composition of the present disclosure can be used for cleaning an object to be cleaned with a resin mask attached in one or more embodiments.
피세정물로는, 예를 들어, 전자 부품 및 그 제조 중간물을 들 수 있다. 전자 부품으로는, 예를 들어, 프린트 기판, 웨이퍼, 구리판 및 알루미늄판 등의 금속판에서 선택되는 적어도 1 개의 부품을 들 수 있다. 상기 제조 중간물은, 전자 부품의 제조 공정에 있어서의 중간 제조물로서, 수지 마스크 처리 후의 중간 제조물을 포함한다. 수지 마스크가 부착된 피세정물의 구체예로는, 예를 들어, 수지 마스크를 사용한 납땜이나 도금 처리 (구리 도금, 알루미늄 도금, 니켈 도금 등) 등의 처리를 실시하는 공정을 거침으로써, 배선이나 접속 단자 등이 기판 표면에 형성된 전자 부품 등을 들 수 있다.Examples of the object to be cleaned include electronic components and manufacturing intermediates thereof. As an electronic component, at least one component selected from metal plates, such as a printed board, a wafer, a copper plate, and an aluminum plate, is mentioned, for example. The manufacturing intermediate is an intermediate product in the manufacturing process of an electronic component, and includes an intermediate product after a resin mask treatment. As a specific example of the object to be cleaned with a resin mask attached, for example, wiring or connection by going through a process such as soldering or plating treatment (copper plating, aluminum plating, nickel plating, etc.) using a resin mask. And electronic components in which terminals and the like are formed on the surface of the substrate.
따라서, 본 개시는, 일 양태에 있어서, 본 개시의 세정제 조성물의, 전자 부품의 제조에 있어서의 세정제로서의 사용에 관한 것이다.Accordingly, in one aspect, the present disclosure relates to the use of the detergent composition of the present disclosure as a detergent in the manufacture of electronic parts.
본 개시의 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 세정 효과의 면에서, 수지 마스크, 혹은, 추가로 도금 처리 및/또는 가열 처리된 수지 마스크가 부착된 피세정물의 세정에 바람직하게 사용될 수 있다. 수지 마스크로는, 예를 들어, 네거티브형 수지 마스크여도 되고, 포지티브형 수지 마스크여도 되고, 본 개시의 효과가 발휘되기 쉬운 점에서는, 네거티브형 수지 마스크가 바람직하다. 네거티브형 수지 마스크로는, 예를 들어, 노광 및/또는 현상 처리된 네거티브형 드라이 필름 레지스트를 들 수 있다. 본 개시에 있어서 네거티브형 수지 마스크란, 네거티브형 레지스트를 사용하여 형성되는 것으로, 예를 들어, 노광 및/또는 현상 처리된 네거티브형 레지스트층을 들 수 있다. 본 개시에 있어서 포지티브형 수지 마스크란, 포지티브형 레지스트를 사용하여 형성되는 것으로, 예를 들어, 노광 및/또는 현상 처리된 포지티브형 레지스트층을 들 수 있다.The detergent composition of the present disclosure, in one or a plurality of embodiments, is preferably used for cleaning an object to be cleaned to which a resin mask or a resin mask that has been further plated and/or heat treated is attached from the viewpoint of a cleaning effect. I can. As a resin mask, a negative type resin mask may be sufficient, for example, a positive type resin mask may be sufficient, and a negative type resin mask is preferable from the point where the effect of this disclosure is easy to be exhibited. As the negative resin mask, a negative dry film resist subjected to exposure and/or development treatment is exemplified. In the present disclosure, the negative type resin mask is formed using a negative type resist, and for example, a negative type resist layer subjected to exposure and/or development treatment is exemplified. In the present disclosure, the positive type resin mask is formed using a positive type resist, and for example, a positive type resist layer subjected to exposure and/or development treatment is exemplified.
[세정 방법][How to clean]
본 개시는, 일 양태에 있어서, 본 개시의 세정제 조성물로 수지 마스크가 부착된 피세정물로부터 수지 마스크를 박리하는 공정을 포함하는, 세정 방법 (이하, 「본 개시의 세정 방법」이라고도 한다) 에 관한 것이다. 본 개시의 세정 방법에 있어서, 피세정물로부터 수지 마스크를 박리하는 공정은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 수지 마스크가 부착된 피세정물을 본 개시의 세정제 조성물에 접촉시키는 것을 포함한다. 본 개시의 세정 방법이면, 수지 마스크, 특히 도금 처리 및/또는 가열 처리된 수지 마스크를 효율적으로 제거할 수 있다.In one aspect, the present disclosure is directed to a cleaning method (hereinafter also referred to as ``cleaning method of the present disclosure'') including a step of peeling a resin mask from an object to be cleaned with a resin mask attached with the cleaning agent composition of the present disclosure. About. In the cleaning method of the present disclosure, the step of peeling the resin mask from the object to be cleaned includes, in one or more embodiments, contacting the object to be cleaned with a resin mask attached to the cleaning agent composition of the present disclosure. With the cleaning method of the present disclosure, it is possible to efficiently remove a resin mask, particularly a resin mask subjected to plating and/or heat treatment.
본 개시의 세정제 조성물을 사용하여 피세정물로부터 수지 마스크를 박리하는 방법, 또는, 피세정물에 본 개시의 세정제 조성물을 접촉시키는 방법으로는, 예를 들어, 세정제 조성물을 넣은 세정 욕조 내에 침지함으로써 접촉시키는 방법, 세정제 조성물을 스프레이상으로 사출하여 접촉시키는 방법 (샤워 방식), 침지 중에 초음파 조사하는 초음파 세정 방법 등을 들 수 있다. 본 개시의 세정제 조성물은, 희석하지 않고 그대로 세정에 사용할 수 있다. 피세정물로는, 상기 서술한 피세정물을 들 수 있다.As a method of peeling a resin mask from an object to be cleaned using the detergent composition of the present disclosure, or a method of contacting the detergent composition of the present disclosure to an object to be cleaned, for example, by immersing in a washing bath containing the detergent composition A method of contacting, a method of injecting a detergent composition into contact with a spray (shower method), and an ultrasonic cleaning method of ultrasonic irradiation during immersion. The detergent composition of the present disclosure can be used for washing as it is without being diluted. Examples of the object to be cleaned include the above-described object to be cleaned.
본 개시의 세정 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 세정제 조성물에 피세정물을 접촉시킨 후, 물로 린스하고, 건조시키는 공정을 포함할 수 있다. 본 개시의 세정 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 세정제 조성물에 피세정물을 접촉시킨 후, 물로 헹구는 공정을 포함할 수 있다.The cleaning method of the present disclosure may include, in one or more embodiments, a step of contacting a cleaning agent composition with an object to be cleaned, followed by rinsing with water and drying. The cleaning method of the present disclosure, in one or more embodiments, may include a step of rinsing with water after contacting an object to be cleaned with the cleaning composition.
본 개시의 세정 방법은, 본 개시의 세정제 조성물의 세정력이 발휘되기 쉬운 점에서, 본 개시의 세정제 조성물과 피세정물의 접촉시에 초음파를 조사하는 것이 바람직하고, 그 초음파는 비교적 고주파수인 것이 보다 바람직하다. 상기 초음파의 조사 조건은, 동일한 관점에서, 예를 들어, 26 ∼ 72 kHz, 80 ∼ 1500 W 가 바람직하고, 36 ∼ 72 kHz, 80 ∼ 1500 W 가 보다 바람직하다.In the cleaning method of the present disclosure, since the cleaning power of the cleaning composition of the present disclosure is easily exerted, it is preferable to irradiate ultrasonic waves when the detergent composition of the present disclosure and the object to be cleaned come into contact, and the ultrasonic wave is more preferably a relatively high frequency. Do. From the same point of view, the ultrasonic irradiation conditions are preferably 26 to 72 kHz and 80 to 1500 W, more preferably 36 to 72 kHz and 80 to 1500 W.
본 개시의 세정 방법에 있어서, 본 개시의 세정제 조성물의 세정력이 발휘되기 쉬운 점에서, 세정제 조성물의 온도는 40 ℃ 이상이 바람직하고, 50 ℃ 이상이 보다 바람직하고, 그리고, 유기 수지 함유 기판에 대한 영향 저감의 관점에서, 70 ℃ 이하가 바람직하고, 60 ℃ 이하가 보다 바람직하다.In the cleaning method of the present disclosure, since the cleaning power of the cleaning agent composition of the present disclosure is easily exhibited, the temperature of the cleaning agent composition is preferably 40°C or higher, more preferably 50°C or higher, and the organic resin-containing substrate. From the viewpoint of reducing the influence, 70°C or less is preferable, and 60°C or less is more preferable.
[전자 부품의 제조 방법][Method of manufacturing electronic components]
본 개시는, 일 양태에 있어서, 본 개시의 세정제 조성물로, 수지 마스크가 부착된 피세정물로부터 수지 마스크를 박리하는 공정을 포함하는, 전자 부품의 제조 방법 (이하, 「본 개시의 전자 부품의 제조 방법」이라고도 한다) 에 관한 것이다. 피세정물로는, 상기 서술한 피세정물을 들 수 있다. 본 개시의 전자 부품의 제조 방법은, 본 개시의 세정제 조성물을 사용하여 세정을 실시함으로써, 전자 부품에 부착된 수지 마스크를 효과적으로 제거할 수 있기 때문에, 신뢰성이 높은 전자 부품의 제조가 가능해진다. 또한, 본 개시의 세정 방법을 실시함으로써, 전자 부품에 부착된 수지 마스크의 제거가 용이해지기 때문에, 세정 시간을 단축화할 수 있고, 전자 부품의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.In one aspect, the present disclosure is a method for manufacturing an electronic component, including a step of peeling a resin mask from an object to be cleaned with a resin mask attached with the cleaning agent composition of the present disclosure (hereinafter referred to as ``the electronic component of the present disclosure It is also referred to as a manufacturing method"). Examples of the object to be cleaned include the above-described object to be cleaned. In the electronic component manufacturing method of the present disclosure, since the resin mask adhered to the electronic component can be effectively removed by performing cleaning using the cleaning agent composition of the present disclosure, manufacturing of a highly reliable electronic component becomes possible. Further, by implementing the cleaning method of the present disclosure, since it becomes easy to remove the resin mask attached to the electronic component, the cleaning time can be shortened and the manufacturing efficiency of the electronic component can be improved.
[키트][Kit]
본 개시는, 일 양태에 있어서, 본 개시의 세정 방법 및 본 개시의 전자 부품의 제조 방법의 어느 것에 사용하기 위한 키트 (이하, 「본 개시의 키트」라고도 한다) 에 관한 것이다. 본 개시의 키트는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 본 개시의 세정제 조성물을 제조하기 위한 키트이다.In one aspect, the present disclosure relates to a kit (hereinafter also referred to as "kit of the present disclosure") for use in any of the cleaning method of the present disclosure and the method of manufacturing an electronic component of the present disclosure. The kit of the present disclosure is a kit for producing the detergent composition of the present disclosure in one or more embodiments.
본 개시의 키트로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 성분 A 를 함유하는 용액 (제 1 액) 과, 성분 B 를 함유하는 용액 (제 2 액) 을, 서로 혼합되지 않는 상태로 포함하고, 제 1 액 및 제 2 액의 적어도 일방은, 성분 C (물) 의 일부 또는 전부를 추가로 함유하고, 제 1 액과 제 2 액은 사용시에 혼합되는, 키트 (2 액형 세정제 조성물) 를 들 수 있다. 제 1 액과 제 2 액이 혼합된 후, 필요에 따라 성분 C (물) 로 희석되어도 된다. 제 1 액 및 제 2 액의 각각에는, 필요에 따라 상기 서술한 임의 성분이 포함되어 있어도 된다. 본 개시의 키트에 의하면, 수지 마스크 제거성이 우수한 세정제 조성물이 얻어질 수 있다.In the kit of the present disclosure, in one or more embodiments, a solution containing component A (first solution) and a solution containing component B (second solution) are included in a state not mixed with each other, , At least one of the first liquid and the second liquid further contains a part or all of the component C (water), and the first liquid and the second liquid are mixed at the time of use, a kit (two-component detergent composition). I can. After the 1st liquid and the 2nd liquid are mixed, you may dilute with component C (water) as needed. Each of the first liquid and the second liquid may contain the above-described optional components as necessary. According to the kit of the present disclosure, a cleaning composition having excellent resin mask removal properties can be obtained.
본 개시의 키트로는, 그 밖의 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 입수성 및 작업성의 관점에서, 성분 A 를 30 ∼ 50 질량％ 함유하고, 성분 C 를 잔부로서 포함하는 제 1 액과, 성분 B 만으로 이루어지는 제 2 액을 갖는 키트 ; 성분 A 를 30 ∼ 50 질량％ 함유하고, 성분 C 를 잔부로서 포함하는 제 1 액과, 성분 B 를 1 ∼ 99 질량％ 함유하고, 성분 C 를 잔부로서 포함하는 제 2 액을 갖는 키트 ; 또는, 성분 A 를 30 ∼ 50 질량％ 함유하고, 성분 C 를 잔부로서 포함하는 제 1 액과, 성분 B 를 1 ∼ 99 질량％ 함유하고, 임의 성분 및 성분 C 를 잔부로서 포함하는 제 2 액을 갖는 키트 ; 를 바람직하게 들 수 있다. 이들 키트는, 성분 C 로 이루어지는 제 3 액을 추가로 가질 수 있고, 제 3 액을 사용하여, 상기 제 1 액과 상기 제 2 액의 혼합물을 임의의 농도로 희석하는 것이 보다 바람직하다.In the kit of the present disclosure, in another embodiment or a plurality of embodiments, from the viewpoint of availability and workability, the first liquid containing 30 to 50% by mass of component A, and the component C as the balance A kit having a second liquid consisting only of B; A kit comprising a first liquid containing 30 to 50 mass% of component A and containing component C as a balance, and a second liquid containing 1 to 99 mass% of component B and remaining component C; Alternatively, a first liquid containing 30 to 50 mass% of component A and containing component C as a balance, and a second liquid containing 1 to 99 mass% of component B and optional components and component C as a balance Having kit; Are preferably mentioned. These kits may further have a third liquid consisting of component C, and it is more preferable to use the third liquid to dilute the mixture of the first liquid and the second liquid to an arbitrary concentration.
본 개시는 또한 이하의 일 또는 복수의 실시형태에 관한 것이다.The present disclosure also relates to the following one or more embodiments.
＜1＞ 알칼리제 (성분 A), 유기 용제 (성분 B) 및 물 (성분 C) 을 함유하고,<1> It contains an alkali agent (component A), an organic solvent (component B), and water (component C),
성분 B 의 한센 용해도 파라미터의 좌표가, δd ＝ 18.3, δp ＝ 6.8, δh ＝ 3.7 을 중심으로 하는 반경 5.45 ㎫0.5 의 구의 범위 내이고,The coordinates of the Hansen solubility parameter of component B are within the range of a sphere with a radius of 5.45 MPa 0.5 centered on δd = 18.3, δp = 6.8, δh = 3.7,
사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량이 69.9 질량％ 이상 99.4 질량％ 이하인, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물.The cleaning composition for resin mask peeling, wherein the content of the component C in use is 69.9% by mass or more and 99.4% by mass or less.
＜2＞ 성분 A 가, 무기 알칼리인, ＜1＞ 에 기재된 세정제 조성물.The detergent composition according to <1>, in which <2> component A is an inorganic alkali.
＜3＞ 성분 A 가, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬, 수산화칼슘, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 규산나트륨 및 규산칼륨에서 선택되는 적어도 1 종의 무기 알칼리인, ＜1＞ 또는 ＜2＞ 에 기재된 세정제 조성물.<3> The detergent composition according to <1> or <2>, wherein component A is at least one inorganic alkali selected from sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, calcium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium silicate and potassium silicate. .
＜4＞ 성분 A 가, 하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄 수산화물, 및 하기 식 (Ⅱ) 로 나타내는 아민에서 선택되는 적어도 1 종의 유기 알칼리인, ＜1＞ 에 기재된 세정제 조성물.The detergent composition according to <1>, wherein <4> component A is at least one organic alkali selected from quaternary ammonium hydroxide represented by the following formula (I) and amine represented by the following formula (II).
[화학식 3][Formula 3]
상기 식 (Ⅰ) 에 있어서, R1, R2, R3 및 R4 는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 하이드록시메틸기, 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기에서 선택되는 적어도 1 종이다.In the formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently at least one selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, and a hydroxypropyl group. to be.
[화학식 4][Formula 4]
상기 식 (Ⅱ) 에 있어서, R5 는, 수소 원자, 메틸기, 에틸기 또는 아미노에틸기를 나타내고, R6 은, 수소 원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 또는 에틸기에서 선택되는 적어도 1 종으로서, R7 은, 아미노에틸기, 하이드록시에틸기 또는 하이드록시프로필기에서 선택되는 적어도 1 종이거나, 혹은, 식 (Ⅱ) 에 있어서, R5 는, 메틸기, 에틸기, 아미노에틸기, 하이드록시에틸기 또는 하이드록시프로필기에서 선택되는 적어도 1 종으로서, R6 과 R7 은 서로 결합하여 식 (Ⅱ) 중의 N 원자와 함께 피롤리딘 고리 또는 피페라진 고리를 형성한다.In the above formula (II), R 5 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, or an aminoethyl group, and R 6 is at least one selected from a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group, or an ethyl group. , R 7 is at least one selected from aminoethyl, hydroxyethyl, or hydroxypropyl group, or, in formula (II), R 5 is a methyl group, ethyl group, aminoethyl group, hydroxyethyl group or hydroxy As at least one member selected from the propyl group, R 6 and R 7 are bonded to each other to form a pyrrolidine ring or a piperazine ring together with the N atom in formula (II).
＜5＞ 성분 A 가, 테트라메틸암모늄하이드록시드인, ＜1＞ 또는 ＜4＞ 에 기재된 세정제 조성물.The detergent composition according to <1> or <4>, in which the <5> component A is tetramethylammonium hydroxide.
＜6＞ 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 0.1 질량％ 이상이 바람직하고, 0.5 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 1.0 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 1.5 질량％ 이상이 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜5＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<6> As for the content of component A in use, 0.1 mass% or more is preferable, 0.5 mass% or more is more preferable, 1.0 mass% or more is still more preferable, 1.5 mass% or more is still more preferable, <1 The detergent composition in any one of> to <5>.
＜7＞ 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 15 질량％ 이하가 바람직하고, 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 7.5 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 5 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜6＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<7> The content of the component A in use is preferably 15% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, still more preferably 7.5% by mass or less, and even more preferably 5% by mass or less, <1 The detergent composition in any one of> to <6>.
＜8＞ 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 0.1 질량％ 이상 15 질량％ 이하가 바람직하고, 0.5 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 1.0 질량％ 이상 7.5 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 1.5 질량％ 이상 5 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜7＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<8> The content of the component A in use is preferably 0.1% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or more and 10% by mass or less, and still more preferably 1.0% by mass or more and 7.5% by mass or less. , 1.5% by mass or more and 5% by mass or less are more preferable, the cleaning composition according to any one of <1> to <7>.
＜9＞ 성분 B 의 HSP 의 좌표를 (δdB, δpB, δhB) 로 했을 때, 그 성분 B 의 HSP 의 좌표 (δdB, δpB, δhB) 와 성분 좌표 X (δd ＝ 18.3, δp ＝ 6.8, δh ＝ 3.7) 의 거리 (단위 : ㎫0.5) 가 하기 식을 만족하는, ＜1＞ 내지 ＜8＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<9> When the coordinates of the HSP of the component B are (δd B , δp B , δh B ), the coordinates of the HSP of the component B (δd B , δp B , δh B ) and the component coordinates X (δd = 18.3, The cleaning composition according to any one of <1> to <8>, in which the distance (unit: MPa 0.5 ) of δp=6.8 and δh=3.7) satisfies the following formula.
거리 ＝ [(δdB － 18.3)2 ＋ (δpB － 6.8)2 ＋ (δhB － 3.7)2]0.5 ≤ 5.45 ㎫0.5 Distance = [(δd B -18.3) 2 + (δp B -6.8) 2 + (δh B -3.7) 2 ] 0.5 ≤ 5.45 ㎫ 0.5
＜10＞ 성분 B 가, 아세토페논, 프로피오페논, p-아니스알데히드, o-아니스알데히드, p-메틸아세토페논, 테트라하이드로푸란, 디메톡시테트라하이드로푸란, 메톡시시클로펜탄, 디페닐에테르, 아니솔, 페네톨, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 시클로헥사논, 2-옥타논 및 벤즈알데히드에서 선택되는 적어도 1 종인, ＜1＞ 내지 ＜9＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<10> Component B is acetophenone, propiophenone, p-anisaldehyde, o-anisaldehyde, p-methylacetophenone, tetrahydrofuran, dimethoxytetrahydrofuran, methoxycyclopentane, diphenyl ether, ani The detergent composition according to any one of <1> to <9>, which is at least one selected from sol, phenetol, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone, 2-octanone, and benzaldehyde.
＜11＞ 사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 0.5 질량％ 이상이 바람직하고, 1 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 3 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 5 질량％ 이상이 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜10＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<11> As for the content of component B in use, 0.5 mass% or more is preferable, 1 mass% or more is more preferable, 3 mass% or more is still more preferable, 5 mass% or more is still more preferable, <1 The detergent composition in any one of> to <10>.
＜12＞ 사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 30 질량％ 이하가 바람직하고, 25 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 20 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 15 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜11＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<12> As for the content of component B in use, 30 mass% or less is preferable, 25 mass% or less is more preferable, 20 mass% or less is still more preferable, 15 mass% or less is still more preferable, <1 The detergent composition in any one of> to <11>.
＜13＞ 사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 0.5 질량％ 이상 30 질량％ 이하가 바람직하고, 1 질량％ 이상 25 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 3 질량％ 이상 20 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 5 질량％ 이상 15 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜12＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<13> As for the content of component B in use, 0.5 mass% or more and 30 mass% or less are preferable, 1 mass% or more and 25 mass% or less are more preferable, 3 mass% or more and 20 mass% or less are still more preferable, , 5 mass% or more and 15 mass% or less are still more preferable, The detergent composition in any one of <1>-<12>.
＜14＞ 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량이 0.1 질량％ 이상 15 질량％ 이하이고,<14> The content of component A in use is 0.1 mass% or more and 15 mass% or less,
사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량이 0.5 질량％ 이상 30 질량％ 이하인, ＜1＞ 내지 ＜13＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.The detergent composition according to any one of <1> to <13>, wherein the content of component B in use is 0.5% by mass or more and 30% by mass or less.
＜15＞ 성분 A 와 성분 B 의 질량비 (A/B) 는, 0.05 이상이 바람직하고, 0.08 이상이 보다 바람직하고, 0.1 이상이 더욱 바람직하고, 0.15 이상이 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜14＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<15> The mass ratio (A/B) of the component A and the component B is preferably 0.05 or more, more preferably 0.08 or more, even more preferably 0.15 or more, and even more preferably 0.15 or more, <1> to <14 The detergent composition according to any one of >.
＜16＞ 성분 A 와 성분 B 의 질량비 (A/B) 는, 2 이하가 바람직하고, 1 이하가 보다 바람직하고, 0.8 이하가 더욱 바람직하고, 0.5 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜15＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<16> The mass ratio (A/B) of the component A and the component B is preferably 2 or less, more preferably 1 or less, even more preferably 0.8 or less, and even more preferably 0.5 or less, <1> to <15 The detergent composition according to any one of >.
＜17＞ 성분 A 와 성분 B 의 질량비 (A/B) 는, 0.05 이상 2 이하가 바람직하고, 0.08 이상 1 이하가 보다 바람직하고, 0.1 이상 0.8 이하가 더욱 바람직하고, 0.15 이상 0.5 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜16＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<17> As for the mass ratio (A/B) of component A and component B, 0.05 or more and 2 or less are preferable, 0.08 or more and 1 or less are more preferable, 0.1 or more and 0.8 or less are still more preferable, and 0.15 or more and 0.5 or less are still more The cleaning composition according to any one of preferred, <1> to <16>.
＜18＞ 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량은, 69.9 질량％ 이상으로서, 70 질량％ 이상이 바람직하고, 75 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 80 질량％ 이상이 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜17＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<18> Content of component C in use is 69.9 mass% or more, 70 mass% or more is preferable, 75 mass% or more is more preferable, 80 mass% or more is still more preferable, <1>-<17 The detergent composition according to any one of >.
＜19＞ 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량은, 99.4 질량％ 이하로서, 95 질량％ 이하가 바람직하고, 90 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 85 질량％ 이하가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜18＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<19> Content of component C in use is 99.4 mass% or less, 95 mass% or less is preferable, 90 mass% or less is more preferable, 85 mass% or less is still more preferable, <1>-<18 The detergent composition according to any one of >.
＜20＞ 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량은, 69.9 질량％ 이상 99.4 질량％ 이하로서, 70 질량％ 이상 95 질량％ 이하가 바람직하고, 75 질량％ 이상 90 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 80 질량％ 이상 85 질량％ 이하가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜19＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<20> The content of component C in use is 69.9 mass% or more and 99.4 mass% or less, preferably 70 mass% or more and 95 mass% or less, more preferably 75 mass% or more and 90 mass% or less, and 80 mass% The detergent composition according to any one of <1> to <19>, in which% or more and 85% by mass or less is more preferable.
＜21＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 유기물의 총 함유량은, 40 질량％ 이하가 바람직하고, 35 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 30 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 25 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 20 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜20＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<21> The total content of organic substances in use of the detergent composition is preferably 40% by mass or less, more preferably 35% by mass or less, still more preferably 30% by mass or less, and even more preferably 25% by mass or less. And, 20 mass% or less is still more preferable, The detergent composition in any one of <1>-<20>.
＜22＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 유기물의 총 함유량은, 0.5 질량％ 이상이 바람직하고, 1 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 3 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 5 질량％ 이상이 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜21＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<22> The total content of organic substances in use of the detergent composition is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, still more preferably 3% by mass or more, and even more preferably 5% by mass or more. And the cleaning agent composition in any one of <1>-<21>.
＜23＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 유기물의 총 함유량은, 0.5 질량％ 이상 40 질량％ 이하가 바람직하고, 1 질량％ 이상 35 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 3 질량％ 이상 30 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 5 질량％ 이상 25 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 5 질량％ 이상 20 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜22＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<23> The total content of organic substances in use of the detergent composition is preferably 0.5% by mass or more and 40% by mass or less, more preferably 1% by mass or more and 35% by mass or less, and 3% by mass or more and 30% by mass or less. The cleaning composition according to any one of <1> to <22>, further preferably 5% by mass or more and 25% by mass or less is even more preferable, and 5% by mass or more and 20% by mass or less is even more preferable.
＜24＞ 질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물을 실질적으로 포함하지 않는, ＜1＞ 내지 ＜23＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.The detergent composition in any one of <1>-<23> which does not contain a <24> nitrogen-containing compound and a phosphorus-containing compound substantially.
＜25＞ 세정제 조성물 중의 질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물의 합계 함유량이 0.1 질량％ 미만이며, 0.05 질량％ 이하가 바람직하고, 0.01 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0 질량％ 가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜24＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<25> The total content of the nitrogen-containing compound and the phosphorus-containing compound in the detergent composition is less than 0.1% by mass, preferably 0.05% by mass or less, more preferably 0.01% by mass or less, and still more preferably 0% by mass, <1> The cleaning composition according to any one of to <24>.
＜26＞ 수지 마스크가, 노광 및 현상의 적어도 일방의 처리가 실시된 네거티브형 드라이 필름 레지스트인, ＜1＞ 내지 ＜25＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.The detergent composition in any one of <1> to <25>, in which the <26> resin mask is a negative dry film resist subjected to at least one treatment of exposure and development.
＜27＞ ＜1＞ 내지 ＜26＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물로, 수지 마스크가 부착된 피세정물로부터 수지 마스크를 박리하는 공정을 포함하는, 세정 방법.<27> A cleaning method including a step of peeling a resin mask from an object to be cleaned with a resin mask, with the cleaning composition according to any one of <1> to <26>.
＜28＞ 피세정물이, 전자 부품의 제조 중간물인, ＜27＞ 에 기재된 세정 방법.<28> The cleaning method according to <27>, in which the object to be cleaned is an intermediate product for manufacturing an electronic component.
＜29＞ ＜1＞ 내지 ＜26＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물로 수지 마스크가 부착된 피세정물로부터 수지 마스크를 박리하는 공정을 포함하는, 전자 부품의 제조 방법.<29> An electronic component manufacturing method including a step of peeling a resin mask from an object to be cleaned with a resin mask attached with the cleaning agent composition according to any one of <1> to <26>.
＜30＞ ＜1＞ 내지 ＜26＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물의, 전자 부품의 제조에 있어서의 세정제로서의 사용.<30> Use of the cleaning agent composition according to any one of <1> to <26> as a cleaning agent in the production of electronic parts.
＜31＞ ＜27＞ 또는 ＜28＞ 에 기재된 세정 방법 및 ＜29＞ 에 기재된 전자 부품의 제조 방법의 어느 것에 사용하기 위한 키트로서,As a kit for use in any of the cleaning method described in <31> <27> or <28> and the manufacturing method of electronic parts described in <29>,
성분 A 를 함유하는 용액 (제 1 액) 과, 성분 B 를 함유하는 용액 (제 2 액) 을, 서로 혼합되지 않는 상태로 포함하고,A solution containing component A (first solution) and a solution containing component B (second solution) are contained in a state not mixed with each other,
제 1 액 및 제 2 액의 적어도 일방은, 성분 C 의 일부 또는 전부를 추가로 함유하고,At least one of the first liquid and the second liquid further contains part or all of the component C,
제 1 액과 제 2 액은 사용시에 혼합되는 키트.The first liquid and the second liquid are mixed during use.
실시예Example
이하에, 실시예에 의해 본 개시를 구체적으로 설명하지만, 본 개시는 이들 실시예에 의해 조금도 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present disclosure will be specifically described with reference to examples, but the present disclosure is not limited at all by these examples.
1. 유기 용제 (성분 B, 비성분 B) 의 물성 (HSP 의 좌표 및 거리) 에 대해1. About the physical properties (coordinates and distances of HSP) of organic solvents (component B, non-component B)
유기 용제의 HSP 의 좌표 (δd1, δp1, δh1) 는, 퍼스널 컴퓨터용 소프트웨어 「HSPiP : Hansen Solubility Parameters in Practice」를 사용하여 산출하였다. 그리고, 유기 용제의 HSP 의 좌표 (δd1, δp1, δh1) 와 성분 좌표 (δd ＝ 18.3, δp ＝ 6.8, δh ＝ 3.7) 의 거리를 하기 식에 의해 산출하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The coordinates (δd 1 , δp 1 , δh 1 ) of the organic solvent HSP were calculated using the personal computer software "HSPiP: Hansen Solubility Parameters in Practice". And the distance between the HSP coordinates (δd 1 , δp 1 , δh 1 ) and the component coordinates (δd = 18.3, δp = 6.8, δh = 3.7) of the organic solvent was calculated by the following formula. Table 1 shows the results.
거리 ＝ [(δd1 － 18.3)2 ＋ (δp1 － 6.8)2 ＋ (δh1 － 3.7)2]0.5 Distance = [(δd 1 - 18.3) 2 + (δp 1 - 6.8) 2 + (δh 1 - 3.7) 2] 0.5
2. 실시예 1 ∼ 22 및 비교예 1 ∼ 9 의 세정제 조성물의 조제2. Preparation of detergent compositions of Examples 1 to 22 and Comparative Examples 1 to 9
톨형의 200 ㎖ 유리 비커에 유효분 환산으로 수산화칼륨 (성분 A) 2.5 g, 아세토페논 (성분 B) 15.0 g 및 물 (성분 C) 82.5 g 을 배합하고, 그것을 교반하여 혼합함으로써, 실시예 1 의 세정제 조성물을 조제하였다. 그리고, 실시예 2 ∼ 22 및 비교예 1 ∼ 9 의 세정제 조성물을, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 성분 A ∼ C 이외의 성분을 포함하는 경우에는 그것들도 동시에 배합하여, 표 2 에 나타내는 유효분이 되는 조성비로 조제하였다. 각 세정제 조성물의 각 성분의 함유량 (질량％, 유효분) 을 표 2 에 나타냈다.In a tall 200 ml glass beaker, 2.5 g of potassium hydroxide (component A), 15.0 g of acetophenone (component B) and 82.5 g of water (component C) were blended in terms of active ingredients, and stirred and mixed. A cleaning composition was prepared. In addition, when the detergent compositions of Examples 2 to 22 and Comparative Examples 1 to 9 are included in the same manner as in Example 1, when components other than components A to C are included, they are also blended at the same time, and are effective as shown in Table 2. It was prepared at the composition ratio to be minutes. Table 2 shows the content (mass%, active ingredient) of each component of each detergent composition.
실시예 1 ∼ 22 및 비교예 1 ∼ 9 의 세정제 조성물의 성분으로는 하기의 것을 사용하였다.The following were used as components of the detergent compositions of Examples 1 to 22 and Comparative Examples 1 to 9.
(성분 A)(Component A)
A1 : 수산화칼륨 [칸토 화학 주식회사 제조, 특급, 고형분 48 질량％]A1: Potassium hydroxide [Kanto Chemical Co., Ltd. product, limited express, solid content 48 mass%]
A2 : 수산화나트륨 [칸토 화학 주식회사 제조, 특급, 고형분 48 질량％]A2: Sodium hydroxide [Kanto Chemical Co., Ltd. product, limited express, solid content 48 mass%]
A3 : 테트라메틸암모늄하이드록시드 [쇼와 전공 주식회사 제조, TMAH (25 ％)]A3: Tetramethylammonium hydroxide [Showa Electric Co., Ltd. make, TMAH (25%)]
(성분 B)(Component B)
B1 : 아세토페논 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 특급]B1: Acetophenone [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Limited Express]
B2 : 프로피오페논 [도쿄 화성 공업 주식회사 제조]B2: Propiophenone [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.]
B3 : p-아니스알데히드 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 특급]B3: p-anisaldehyde [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Limited Express]
B4 : o-아니스알데히드 [SIGMA-ALDRICH 사 제조]B4: o-anisaldehyde [manufactured by SIGMA-ALDRICH]
B5 : p-메틸아세토페논 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 1 급]B5: p-methylacetophenone [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Grade 1]
B6 : 테트라하이드로푸란 [후지 필름 와코 순약 주식회사, 특급]B6: Tetrahydrofuran [Fuji Film Wako Pure Chemical Co., Ltd., Limited Express]
B7 : 디메톡시테트라하이드로푸란 [도쿄 화성 공업 주식회사 제조]B7: Dimethoxytetrahydrofuran [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.]
B8 : 메톡시시클로펜탄 [도쿄 화성 공업 주식회사 제조]B8: Methoxycyclopentane [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.]
B9 : 디페닐에테르 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 특급]B9: Diphenyl ether [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Limited Express]
B10 : 아니솔 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 특급]B10: Anisol [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Limited Express]
B11 : 페네톨 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 1 급]B11: Phenitol [Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Grade 1]
B12 : 디에틸렌글리콜디에틸에테르 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 1 급]B12: Diethylene glycol diethyl ether [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Grade 1]
B13 : 디프로필렌글리콜디메틸에테르 [후지 필름 와코 케미컬 주식회사 제조]B13: Dipropylene glycol dimethyl ether [manufactured by Fujifilm Wako Chemical Co., Ltd.]
B14 : 시클로헥사논 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 1 급]B14: Cyclohexanone [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Grade 1]
B15 : 2-옥타논 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 1 급]B15: 2-octanone [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemicals, Grade 1]
B16 : 벤즈알데히드 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 특급]B16: Benzaldehyde [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Limited Express]
(비성분 B)(Non-component B)
B17 : 부틸디글리콜 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 특급]B17: Butyldiglycol [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Limited Express]
B18 : 디에틸렌글리콜디메틸에테르 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 특급]B18: Diethylene glycol dimethyl ether [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Limited Express]
B19 : 아세트산부틸 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 1 급]B19: Butyl acetate [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Grade 1]
B20 : 페닐디글리콜 [도쿄 화성 공업 주식회사 제조]B20: Phenyldiglycol [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.]
B21 : 에틸렌글리콜 [후지 필름 와코 순약 주식회사 제조, 1 급]B21: Ethylene glycol [manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Co., Ltd., Grade 1]
(성분 C)(Component C)
물 : 오르가노 주식회사 제조 순수 장치 G-10DSTSET 로 제조한 1 μS/㎝ 이하의 순수Water: Pure water of 1 μS/cm or less manufactured by G-10DSTSET, a pure water device manufactured by Organo Co., Ltd.
3. 세정제 조성물의 평가3. Evaluation of detergent composition
조제한 실시예 1 ∼ 22 및 비교예 1 ∼ 9 의 세정제 조성물의 수지 마스크 제거성을 평가하였다.The resin mask removal properties of the prepared Examples 1 to 22 and the detergent compositions of Comparative Examples 1 to 9 were evaluated.
[수지 마스크 1 의 테스트 피스의 제조][Production of Test Piece of Resin Mask 1]
다이렉트 이미징 (직접 묘화) 용 감광성 필름 (히타치 화성 주식회사 제조, 포텍 RD-1225, 두께 25 ㎛, 네거티브형 드라이 필름 레지스트) 을 유리 에폭시 다층 기판 (히타치 화성 주식회사 제조, MCL-E-679FG) 의 표면에 하기 조건에서 라미네이트하고, 선택적으로 노광 처리하여 노광부를 경화한 후 (노광 공정), 현상 처리함으로써 미노광부를 제거하고 (현상 공정), 레지스트 패턴 (패턴 형상의 네거티브형 수지 마스크) 을 갖는 기판을 얻었다. 그리고, 상기 현상 처리에서 미노광부가 제거된 영역을 구리 도금 처리함으로써, 테스트 피스 (4 ㎝ × 4.5 ㎝) 를 얻었다.A photosensitive film for direct imaging (direct drawing) (Hitachi Chemical Co., Ltd., Potec RD-1225, thickness 25 µm, negative dry film resist) on the surface of a glass epoxy multilayer substrate (MCL-E-679FG, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) After laminating under the following conditions and selectively performing exposure treatment to cure the exposed part (exposure process), the unexposed part was removed by developing treatment (development process), and a substrate having a resist pattern (pattern-shaped negative resin mask) was obtained. . Then, a test piece (4 cm x 4.5 cm) was obtained by performing a copper plating treatment on the region from which the unexposed portion was removed in the above developing treatment.
(1) 라미네이트 : 클린 롤러 (주식회사 레이온 공업 제조, RY-505Z) 및 진공 어플리케이터 (롬 ＆ 하스사 제조, VA7024/HP5) 를 사용하여 롤러 온도 50 ℃, 롤러압 1.4 Bar, 처리 시간 30 초로 실시한다.(1) Laminate: Use a clean roller (manufactured by Rayon Industries Co., Ltd., RY-505Z) and a vacuum applicator (manufactured by Rom & Haas, VA7024/HP5) at a roller temperature of 50°C, a roller pressure of 1.4 Bar, and a treatment time of 30 seconds. .
(2) 노광 : 프린트 기판용 직접 묘화 장치 (주식회사 SCREEN 그래픽 앤드 프레시전 솔루션즈 제조, Mercurex LI-9500) 를 사용하고, 노광량 15 mJ/㎠ 로 노광을 실시한다.(2) Exposure: Using a direct drawing device for printed circuit boards (manufactured by SCREEN Graphic and Precision Solutions, Inc., Mercurex LI-9500), exposure is performed at an exposure amount of 15 mJ/cm 2.
(3) 패턴 형상 : L/S ＝ 20 ㎛/20 ㎛ 의 호상 패턴(3) Pattern shape: L/S = 20 µm/20 µm arc-shaped pattern
(4) 현상 : 기판용 현상 장치 (양박 과기 주식회사 제조, LT-980366), 30 ℃ 의 1 ％ 탄산나트륨 수용액을 사용하여, 스프레이압 0.2 ㎫, 47 초간으로, 미노광부의 수지 마스크를 제거한다.(4) Development: Using a developing apparatus for substrates (manufactured by Yangbak Science & Technology Co., Ltd., LT-980366), a spray pressure of 0.2 MPa for 47 seconds at a spray pressure of 0.2 MPa using a 30° C. 1% sodium carbonate aqueous solution, the resin mask of the unexposed portion is removed.
[수지 마스크 2 의 테스트 피스의 제조][Production of Test Piece of Resin Mask 2]
감광성 필름 (히타치 화성 주식회사 제조, HP-1060, 두께 60 ㎛, 네거티브형 드라이 필름 레지스트) 을 유리 에폭시 다층 기판의 표면에 하기 조건에서 라미네이트하고, 선택적으로 노광 처리하여 노광부를 경화한 후 (노광 공정), 현상 처리함으로써 미노광부를 제거하고 (현상 공정), 레지스트 패턴 (패턴 형상의 네거티브형 수지 마스크) 을 갖는 기판을 얻었다. 그리고, 상기 현상 처리에서 미노광부가 제거된 영역을 구리 도금 처리함으로써, 테스트 피스 (4 ㎝ × 4 ㎝) 를 얻었다.A photosensitive film (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., HP-1060, thickness 60 μm, negative dry film resist) was laminated on the surface of a glass epoxy multilayer substrate under the following conditions, and selectively subjected to exposure treatment to cure the exposed portion (exposure process) By developing treatment, the unexposed part was removed (development process), and a substrate having a resist pattern (pattern-shaped negative resin mask) was obtained. Then, a test piece (4 cm x 4 cm) was obtained by performing a copper plating treatment on the region from which the unexposed portion was removed in the above developing treatment.
(1) 라미네이트 : 클린 롤러 (주식회사 레이온 공업 제조, RY-505Z) 및 진공 어플리케이터 (롬 ＆ 하스사 제조, VA7024/HP5) 를 사용하여 실시한다.(1) Lamination: This is carried out using a clean roller (manufactured by Rayon Industries, Ltd., RY-505Z) and a vacuum applicator (manufactured by Rom & Haas, VA7024/HP5).
(2) 노광 : 프린트 기판용 직접 묘화 장치 (주식회사 SCREEN 그래픽 앤드 프레시전 솔루션즈 제조, Mercurex LI-9500) 를 사용하여 노광을 실시한다.(2) Exposure: Exposure is performed using a direct drawing device for printed circuit boards (manufactured by SCREEN Graphic & Precision Solutions, Inc., Mercurex LI-9500).
(3) 패턴 형상 : L/S ＝ 20 ㎛/20 ㎛ 의 호상 패턴(3) Pattern shape: L/S = 20 µm/20 µm arc-shaped pattern
(4) 현상 : 기판용 현상 장치 (양박 과기 주식회사 제조, LT-980366), 1 ％ 탄산나트륨 수용액을 사용하여, 미노광부의 수지 마스크를 제거한다.(4) Development: A developing apparatus for substrates (manufactured by Yangbak Science & Technology Co., Ltd., LT-980366) and a 1% aqueous sodium carbonate solution were used to remove the resin mask of the unexposed portion.
[세정 시험][Cleaning test]
톨형의 200 ㎖ 유리 비커에, 각 세정제 조성물을 100 g 첨가하여 60 ℃ 로 가온하고, 회전자 [불소 수지 (PTFE), φ8 ㎜ × 25 ㎜] 를 사용하여 회전수 600 rpm 으로 교반한 상태에서, 테스트 피스를 4 분간 침지한다. 그리고, 100 ㎖ 유리 비커에 물을 100 g 첨가한 헹굼조에 침지하여 헹군 후, 자연 건조시킨다.To a tall 200 ml glass beaker, 100 g of each cleaning agent composition was added, heated to 60° C., and stirred at a rotation speed of 600 rpm using a rotor [fluorine resin (PTFE), φ8 mm×25 mm], Soak the test piece for 4 minutes. Then, it is immersed in a rinsing tank to which 100 g of water is added to a 100 ml glass beaker, rinsed, and then dried naturally.
[수지 마스크 제거성 평가 (박리율 (％))][Evaluation of Resin Mask Removability (Removal Rate (%))]
광학 현미경 「디지털 마이크로스코프 VHX-2000」(주식회사 키엔스 제조) 을 사용하여, 세정 시험을 실시한 후의 테스트 피스의 각 부위에 잔존하는 수지 마스크의 유무를 300 배로 확대하여 육안 확인하고, 박리율 (세정 시험을 실시하기 전에 수지 마스크가 존재한 총 면적을 100 으로 했을 때의 수지 마스크가 제거된 부분의 면적의 비율 (％)) 을 산출한다. 결과를 표 2 에 나타낸다.Using an optical microscope "Digital Microscope VHX-2000" (manufactured by Keyence Co., Ltd.), the presence or absence of a resin mask remaining on each part of the test piece after a cleaning test was performed, magnified by 300 times and visually checked, and peeling rate (cleaning test The ratio (%)) of the area of the area where the resin mask was removed when the total area in which the resin mask was present is 100 is calculated before performing the process. The results are shown in Table 2.
[기판에 대한 영향][Influence on the substrate]
250 ㎖ 광구 (廣口) 폴리프로필렌제 보틀에 각 세정제 조성물 100 g 을 첨가하고, 유리 에폭시 다층 기판 (2 ㎝ × 5 ㎝) 을 침지하여, 60 ℃ 에서 7 일간 보관 후, 물로 헹구고, 건조 후의 기판 표면의 상태를 육안 관찰하여, 하기 평가 기준으로 평가한 결과를 표 2 에 나타낸다.100 g of each cleaning agent composition was added to a 250 ml bottle made of polypropylene, and a glass epoxy multilayer substrate (2 cm × 5 cm) was immersed, stored at 60° C. for 7 days, rinsed with water, and dried The state of the surface was visually observed, and the results evaluated by the following evaluation criteria are shown in Table 2.
A : 시험 전과 변화 없음A: No change from before the test
B : 기판 표면이 변질됨B: The substrate surface is deteriorated
상기 표 2 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 22 의 세정제 조성물은, 성분 A 또는 성분 B 를 포함하지 않는 비교예 1 ∼ 7, 9, 성분 C 의 함유량이 소정의 범위 내가 아닌 비교예 8 에 비해, 수지 마스크 제거성이 우수한 것을 알 수 있었다. 또, 성분 C 의 함유량이 69.9 ∼ 99.4 질량％ 의 범위 내에 있는 실시예 1 ∼ 22 의 세정제 조성물은, 성분 C 의 함유량이 69.9 질량％ 미만인 비교예 8 에 비해, 유기 수지 함유 기판에 대한 영향이 저감되어 있었다. 또한, 실시예 1 ∼ 22 의 세정제 조성물은, 유기물 함유량이 40 질량％ 이하로, 배수 처리 부하가 작다고 생각되었다.As shown in Table 2 above, the detergent compositions of Examples 1 to 22 were compared with Comparative Examples 1 to 7, 9 and Comparative Example 8 in which the content of component C was not within a predetermined range, which did not contain component A or component B. It turned out that the resin mask removal property is excellent. In addition, the detergent compositions of Examples 1 to 22 in which the content of the component C is in the range of 69.9 to 99.4% by mass has less influence on the organic resin-containing substrate compared to Comparative Example 8 in which the content of the component C is less than 69.9% by mass. Had been. In addition, it was considered that the detergent composition of Examples 1 to 22 had an organic matter content of 40% by mass or less, and the drainage treatment load was small.
산업상 이용가능성Industrial availability
본 개시에 의하면, 수지 마스크 제거성이 우수한 수지 마스크 박리용 세정제 조성물을 제공할 수 있다. 따라서, 본 개시의 세정제 조성물은, 전자 부품의 제조 공정에서 사용되는 세정제 조성물로서 유용하고, 수지 마스크가 부착된 전자 부품의 세정 공정의 단축화 및 제조되는 전자 부품의 성능·신뢰성의 향상이 가능해져, 반도체 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to provide a cleaning composition for removing a resin mask having excellent resin mask removal properties. Therefore, the cleaning composition of the present disclosure is useful as a cleaning composition used in the manufacturing process of electronic components, and it is possible to shorten the cleaning process of electronic components with a resin mask and to improve the performance and reliability of the manufactured electronic components, The productivity of a semiconductor device can be improved.
Claims (11)
성분 B 의 한센 용해도 파라미터의 좌표가, δd ＝ 18.3, δp ＝ 6.8, δh ＝ 3.7 을 중심으로 하는 반경 5.45 ㎫0.5 의 구의 범위 내이고,
사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량이 69.9 질량％ 이상 99.4 질량％ 이하인, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물.It contains an alkali agent (component A), an organic solvent (component B) and water (component C),
The coordinates of the Hansen solubility parameter of component B are within the range of a sphere with a radius of 5.45 MPa 0.5 centered on δd = 18.3, δp = 6.8, δh = 3.7,
The cleaning composition for removing a resin mask, wherein the content of the component C in use is 69.9% by mass or more and 99.4% by mass or less.
사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량이 0.1 질량％ 이상 15 질량％ 이하이고,
사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량이 0.5 질량％ 이상 30 질량％ 이하인, 세정제 조성물.The method of claim 1,
The content of component A in use is 0.1 mass% or more and 15 mass% or less,
The cleaning composition in which the content of component B in use is 0.5% by mass or more and 30% by mass or less.
성분 B 가, 아세토페논, 프로피오페논, p-아니스알데히드, o-아니스알데히드, p-메틸아세토페논, 테트라하이드로푸란, 디메톡시테트라하이드로푸란, 메톡시시클로펜탄, 디페닐에테르, 아니솔, 페네톨, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 시클로헥사논, 2-옥타논 및 벤즈알데히드에서 선택되는 적어도 1 종인, 세정제 조성물.The method according to claim 1 or 2,
Component B is acetophenone, propiophenone, p-anisaldehyde, o-anisaldehyde, p-methylacetophenone, tetrahydrofuran, dimethoxytetrahydrofuran, methoxycyclopentane, diphenyl ether, anisole, fe Netol, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone, 2-octanone and at least one selected from benzaldehyde, a detergent composition.
성분 A 가, 무기 알칼리인, 세정제 조성물.The method according to any one of claims 1 to 3,
Component A is an inorganic alkali, the cleaning composition.
질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물을 실질적으로 포함하지 않는, 세정제 조성물.The method according to any one of claims 1 to 4,
A cleaning composition substantially free of a nitrogen-containing compound and a phosphorus-containing compound.
수지 마스크가, 노광 및 현상의 적어도 일방의 처리가 실시된 네거티브형 드라이 필름 레지스트인, 세정제 조성물.The method according to any one of claims 1 to 5,
The cleaning composition, wherein the resin mask is a negative dry film resist subjected to at least one of exposure and development.
피세정물이, 전자 부품의 제조 중간물인, 세정 방법.The method of claim 7,
A cleaning method wherein the object to be cleaned is an intermediate product for manufacturing an electronic component.
성분 A 를 함유하는 용액 (제 1 액) 과, 성분 B 를 함유하는 용액 (제 2 액) 을, 서로 혼합되지 않는 상태로 포함하고,
제 1 액 및 제 2 액의 적어도 일방은, 성분 C 의 일부 또는 전부를 추가로 함유하고,
제 1 액과 제 2 액은 사용시에 혼합되는 키트.As a kit for use in any of the cleaning method according to claim 7 or 8 and the electronic component manufacturing method according to claim 9,
A solution containing component A (first liquid) and a solution containing component B (second liquid) are contained in a state not mixed with each other,
At least one of the first liquid and the second liquid further contains part or all of the component C,
The first liquid and the second liquid are mixed during use.
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