KR20210020421A - Manufacturing method of micro device display - Google Patents

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KR20210020421A
KR20210020421A KR1020190099699A KR20190099699A KR20210020421A KR 20210020421 A KR20210020421 A KR 20210020421A KR 1020190099699 A KR1020190099699 A KR 1020190099699A KR 20190099699 A KR20190099699 A KR 20190099699A KR 20210020421 A KR20210020421 A KR 20210020421A
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pitch
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target substrate
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안범모
박승호
변성현
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(주)포인트엔지니어링
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Abstract

The present invention relates to a manufacturing method of a micro element display capable of transferring a micro element so that a pitch interval of the micro element is extended. To this end, the manufacturing method of the micro element display comprises a micro element integer multiple transfer step and a cut-in transfer step.

Description

마이크로 소자 디스플레이 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF MICRO DEVICE DISPLAY}Micro device display manufacturing method {MANUFACTURING METHOD OF MICRO DEVICE DISPLAY}

본 발명은 마이크로 소자를 구비하는 마이크로 소자 디스플레이를 제조하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a micro device display for manufacturing a micro device display having a micro device.

현재 디스플레이 시장은 아직은 LCD가 주류를 이루고 있는 가운데 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하, '마이크로 LED'라 함) 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다. LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100마이크로미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이다. In the current display market, while LCD is still mainstream, OLED is rapidly replacing LCD and emerging as mainstream. With display companies' participation in the OLED market in a rush, Micro LED (hereinafter referred to as'micro LED') displays are emerging as another next-generation display. While the core materials of LCD and OLED are liquid crystal and organic materials, respectively, micro LED displays are displays that use the LED chip itself in units of 1 to 100 micrometers (㎛) as emitting materials.

Cree사가 1999년에 "광 적출을 향상시킨 마이크로-발광 다이오드 어레이"에 관한 특허를 출원하면서(등록특허공보 등록번호 제0731673호), 마이크로 LED 라는 용어가 등장한 이래 관련 연구 논문들이 잇달아 발표되면서 연구개발이 이루어지고 있다. 마이크로 LED를 디스플레이에 응용하기 위해 해결해야 할 과제로 마이크로 LED 소자를 Flexible 소재/소자를 기반으로 하는 맞춤형 마이크로 칩 개발이 필요하고, 마이크로 미터 사이즈의 LED 칩의 전사(transfer)와 디스플레이 픽셀 전극에 정확한 실장(Mounting)을 위한 기술이 필요하다.When Cree applied for a patent for "Micro-light-emitting diode array with improved light extraction" in 1999 (Registration Patent Publication No. 0731673), research and development has been conducted since the term micro LED appeared one after another. This is being done. As a task to be solved in order to apply micro LED to a display, it is necessary to develop a customized microchip based on flexible materials/devices for micro LED devices, and to transfer the micro LED chip and display pixel electrodes accurately. Skills for mounting are required.

특히, 마이크로 LED 소자를 표시 기판에 이송하는 전사(transfer)와 관련하여, LED 크기가 1~100 마이크로미터(㎛) 단위까지 작아짐에 따라 기존의 픽앤플레이스(pick & place) 장비를 사용할 수 없고, 보다 고정밀도로 이송하는 전사 헤드기술이 필요하게 되었다. 이러한 전사 헤드 기술과 관련하여, 이하에서 살펴보는 바와 같은 몇가지의 구조들이 제안되고 있다.In particular, with regard to the transfer of micro LED devices to the display substrate, the existing pick & place equipment cannot be used as the size of the LED is reduced to 1-100 micrometers (㎛). A transfer head technology that transfers with higher precision is required. In connection with this transfer head technology, several structures as described below have been proposed.

미국의 Luxvue사는 정전헤드(electrostatic head)를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호, 이하 ‘선행발명1’이라 함).Luxvue of the United States proposed a method of transferring a micro LED using an electrostatic head (Public Patent Publication No. 2014-0112486, hereinafter referred to as “prior invention 1”).

미국의 X-Celeprint사는 전사 헤드를 탄성이 있는 고분자 물질로 적용하여 웨이퍼 상의 마이크로 LED를 원하는 기판에 이송시키는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호, 이하 ‘선행발명2’라 함). X-Celeprint of the United States has proposed a method of transferring micro LEDs on a wafer to a desired substrate by applying a transfer head with an elastic polymer material (Public Patent Publication No. 2017-0019415, hereinafter referred to as'Prior Invention 2'. box).

한국광기술원은 섬모 접착구조 헤드를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1754528호, 이하 ‘선행발명3’이라 함). The Korea Institute of Photonics and Technology proposed a method of transferring micro LEDs using a ciliated adhesive structure head (Registration Patent Publication No. 1754528, hereinafter referred to as “prior invention 3”).

한국기계연구원은 롤러에 접착제를 코팅하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1757404호, 이하 ‘선행발명4’라 함). The Korea Institute of Machinery and Materials has proposed a method of transferring micro LEDs by coating an adhesive on a roller (Registration Patent Publication No. 1757404, hereinafter referred to as'prior invention 4').

삼성디스플레이는 어레이 기판이 용액에 담겨 있는 상태에서 어레이 기판의 제1,2전극에 마이너스 전압을 인가하여 정전기 유도 현상에 의해 마이크로 LED를 어레이 기판에 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0026959호, 이하 ‘선행발명5’라 함).Samsung Display proposed a method of transferring micro LEDs to the array substrate by static electricity induction by applying negative voltages to the first and second electrodes of the array substrate while the array substrate is immersed in a solution (Patent Publication No. 10- 2017-0026959, hereinafter referred to as'prior invention 5').

엘지전자는 헤드홀더를 복수의 픽업헤드들과 기판 사이에 배치하고 복수의 픽업 헤드의 움직임에 의해 그 형상이 변형되어 복수의 픽업 헤드들에게 자유도를 제공하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0024906호, 이하 ‘선행발명6’이라 함). LG Electronics proposed a method of arranging a head holder between a plurality of pickup heads and a substrate, and providing a degree of freedom to a plurality of pickup heads by deforming their shape by the movement of the plurality of pickup heads (Patent Publication No. 10). -2017-0024906, hereinafter referred to as'prior invention 6').

위와 같은 선행 발명들은 성장 기판에서 성장된 개별화된 마이크로 LED를 표시 기판으로 전사 시, 성장 기판에 배치된 마이크로 LED간의 피치 간격과 동일한 피치 간격으로 전사하게 된다. 이 때, 성장 기판에 배치된 마이크로 LED간의 피치 간격보다 확장된 피치 간격으로 표시 기판에 마이크로 LED를 전사하기 위하여, 성장 기판에 배치된 마이크로 LED의 피치 간격을 확장시키는 방법을 DISCO ABRASIVE SYSTEMS에서 제안하였다(일본등록특허공보 제4841944호, 이하 '선행발명 7' 이라 함).In the prior inventions as described above, when individualized micro LEDs grown on the growth substrate are transferred to the display substrate, they are transferred at the same pitch interval as the pitch interval between the micro LEDs disposed on the growth substrate. At this time, DISCO ABRASIVE SYSTEMS proposed a method of extending the pitch spacing of the micro LEDs disposed on the growth substrate in order to transfer the micro LEDs to the display substrate at an extended pitch spacing than the pitch spacing between the micro LEDs disposed on the growth substrate. (Japanese Patent Publication No. 4881944, hereinafter referred to as'Prior Invention 7').

선행발명 7은 지지 테이프에 웨이퍼를 접착시키고, 브레이킹 수단에 의해 웨이퍼가 분할된 다음 지지 테이프를 신장시킴으로써 칩 간격을 확장시킬 수 있다. 그러나 이와 같은 방법은 지지 테이프의 신장력을 이용하는 방법이므로, 지지 테이프의 최대 신장력에 따라 웨이퍼상의 칩의 피치 간격을 확장하는데 한계가 있다.The prior invention 7 can extend the chip spacing by adhering the wafer to the support tape, dividing the wafer by a braking means, and then stretching the support tape. However, since this method uses the elongation force of the support tape, there is a limit to extending the pitch spacing of the chips on the wafer according to the maximum elongation force of the support tape.

또한, 웨이퍼 상에 복수개의 칩이 존재함으로써 형성되는 칩 존재영역이 커질수록 이와 대응되는 면적을 갖는 지지 테이프를 구비하는 것이 물리적으로 어려울 수 있다.In addition, as a plurality of chips are present on the wafer, the larger the chip presence area is, the physically difficult it may be to provide a support tape having an area corresponding thereto.

또한, 선행발명 7은 복수개의 칩의 피치 간격을 동일한 피치 간격으로 확장시키기 어렵다는 문제점이 있다.In addition, the prior invention 7 has a problem in that it is difficult to extend the pitch spacing of a plurality of chips to the same pitch spacing.

등록특허공보 등록번호 제0731673호Registered Patent Publication Registration No. 0731673 공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호Publication Patent Publication No. 2014-0112486 공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호Publication Patent Publication No. 2017-0019415 등록특허공보 등록번호 제1754528호Registered Patent Publication Registration No. 1754528 등록특허공보 등록번호 제1757404호Registered Patent Publication No. 1757404 공개특허공보 제10-2017-0026959호Unexamined Patent Publication No. 10-2017-0026959 공개특허공보 제10-2017-0024906호Unexamined Patent Publication No. 10-2017-0024906 일본등록특허공보 제4841944호Japanese Patent Publication No. 4881944

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 디스플레이 화소 배열 구현에 최적화된 피치 간격을 갖는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention has been conceived to solve the above-described problem, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a micro device display having a pitch interval optimized for implementing a display pixel arrangement.

본 발명에 따른 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법은, 소자 기판 상에 일정한 피치간격으로 배치된 마이크로 소자들 중에서 상기 피치 간격의 정수배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들만을 타겟기판으로 전사하는 마이크로 소자 정수배 전사단계; 및 상기 소자 기판 상의 상기 마이크로 소자들을 타겟 기판 상으로 전사하되, 상기 타겟 기판 상에서 이전에 전사된 마이크로 소자들 사이에 전사하는 컷인 전사단계를 포함하여, 상기 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격이 상기 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격에 소수배가 되도록 하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a micro device display according to the present invention, a micro device multiple transfer step of transferring only the micro devices located at an integer multiple pitch interval of the pitch interval among micro devices arranged at a constant pitch interval on the device substrate to a target substrate ; And a cut-in transfer step of transferring the micro-elements on the device substrate onto a target substrate, and transferring between the micro-elements previously transferred on the target substrate, the pitch distance between the micro-elements of the same kind in the target substrate. It is characterized in that the pitch interval between micro-elements of the same kind in the device substrate is a decimal multiple.

또한, 상기 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격이 상기 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격에

Figure pat00001
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되며, 상기 마이크로 소자 정수배 전사단계는 한 번 수행되고, 상기 컷인 전사단계는 (N-1)회 수행되는 것을 특징으로 한다.In addition, the pitch interval between microelements of the same kind on the target substrate is equal to the pitch interval between microelements of the same kind on the element substrate.
Figure pat00001
Times (where M is any one of an integer greater than 1, and N is any one of an integer greater than or equal to 2), and the microelement integer multiple transfer step is performed once, and the cut-in transfer step is performed (N-1) times. It is characterized by being.

또한, 상기 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격이 상기 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격에

Figure pat00002
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되며, 상기 M은 상기 N보다 큰 수인 것을 특징으로 한다.In addition, the pitch interval between microelements of the same kind on the target substrate is equal to the pitch interval between microelements of the same kind on the element substrate.
Figure pat00002
It is a multiple (here, M is any one of an integer greater than or equal to 1, and N is any one of an integer greater than or equal to 2), wherein M is a number greater than N.

또한, 상기 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격이 상기 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격에

Figure pat00003
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되며, 상기 M은 상기 N보다 작은 수인 것을 특징으로 한다.In addition, the pitch interval between microelements of the same kind on the target substrate is equal to the pitch interval between microelements of the same kind on the element substrate.
Figure pat00003
It is a multiple (here, M is any one of an integer greater than or equal to 1, and N is any one of an integer greater than or equal to 2), and M is a number smaller than that of N.

본 발명의 다른 특징에 따른 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법은, 소자 기판 상에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제1_y피치간격으로 배열된 마이크로 소자를 타겟 기판에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 배열되도록 전사하되, 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00004
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00005
배(여기서, P는 1이상의 정수 중 어느 하나이고, Q는 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하는 것을 특징으로 한다.In a method of manufacturing a micro device display according to another aspect of the present invention, micro devices arranged at first _x pitch intervals along the x direction on the device substrate and 1 _y pitch intervals along the y direction are removed from the target substrate along the x direction. It is transferred so that it is arranged at 2_x pitch intervals and arranged at 2_y pitch intervals along the y direction, but the 2nd_x pitch intervals are larger than the 1st_x pitch intervals.
Figure pat00004
Times (where M is any one of an integer greater than or equal to 1, and N is any one of an integer greater than or equal to 2), and the second_y pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00005
It is characterized in that it is a multiple (here, P is any one of an integer greater than or equal to 1, and Q is any one of an integer greater than or equal to 2).

또한, 상기 소자 기판 상에서 제1_x피치간격의 M배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들 및 상기 제1_y피치간격의 P배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들만을 한꺼번에 타겟기판으로 전사하는 마이크로 소자 정수배 전사단계; 및 상기 소자 기판 상에서 제1_x피치간격의 M배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들 및 상기 제1_y피치간격의 P배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들만을 타겟 기판 상으로 전사하되, 상기 타겟 기판상에 이전에 전사된 마이크로 소자들 사이에 위치하도록 전사하는 컷인 전사단계를 포함하여, 상기 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격이 상기 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격에 소수배가 되도록 하는 것을 특징으로 한다.In addition, an integer multiple of micro-elements that transfer only the micro-elements positioned at M times the pitch interval of the first_x pitch interval and the micro elements positioned at P times the pitch intervals of the first_y pitch distance on the device substrate to the target substrate at once. Transcription step; And transferring only the micro-elements positioned at M times pitch intervals of the first_x pitch interval and the micro elements positioned at P times pitch intervals of the first_y pitch intervals on the device substrate onto a target substrate, wherein the target substrate Including a cut-in transfer step of transferring so as to be located between the micro-elements previously transferred onto the target substrate, the pitch spacing between the micro-elements of the same kind in the target substrate is a fractional times the pitch spacing between the micro-elements of the same kind in the element substrate It is characterized by being able to.

또한, 상기 마이크로 소자 정수배 전사단계는 한 번 수행되고, 상기 컷인 전사단계는 ((N×Q) - 1)회 수행되는 것을 특징으로 한다.In addition, the microelement integer multiple transfer step is performed once, and the cut-in transfer step is performed ((N×Q)-1) times.

또한, 상기 소자 기판 상에서 제1_x피치간격의 M배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들의 열만을 한꺼번에 임시기판으로 전사하는 제1회차 마이크로 소자 정수배 전사단계; 및 상기 소자 기판 상에서 제1_x피치간격의 M배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들의 열만을 한꺼번에 임시 기판 상으로 전사하되, 상기 임시 기판상에 이전에 전사된 마이크로 소자들의 열 사이에 위치하도록 전사하는 제1회차 컷인 전사단계; 상기 임시 기판 상에서 제1_y피치간격의 P배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들의 행만을 한꺼번에 타겟 기판으로 전사하는 제2회차 마이크로 소자 정수배 전사단계; 및 상기 타겟 기판 상에서 제1_y피치간격의 P배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들의 행만을 타겟 기판 상으로 전사하되, 상기 타겟 기판상에 이전에 전사된 마이크로 소자들의 행 사이에 위치하도록 전사하는 제2회차 컷인 전사단계;를 포함하여 상기 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격이 상기 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격에 소수배가 되도록 하는 것을 특징으로 한다.In addition, the first micro-element integer multiple transfer step of transferring only the rows of the micro-elements positioned at M times the pitch interval of the first_x pitch interval on the device substrate to a temporary substrate at one time; And transferring only the rows of the micro-elements located at M times the pitch interval of the first_x pitch interval on the device substrate onto the temporary substrate at a time, but transferring them to be located between the rows of micro-elements previously transferred on the temporary substrate. The first cut-in transfer step; A second microelement integer multiple transfer step of transferring only the rows of the microelements located on the temporary substrate at a P-fold pitch interval of a first_y pitch interval to a target substrate at once; And transferring only the rows of the micro-elements located on the target substrate at a P-fold pitch interval of the first_y pitch interval onto the target substrate, and transferring the micro-elements to be located between the rows of the micro-elements previously transferred on the target substrate. A second cut-in transfer step; including a pitch spacing between micro-elements of the same kind on the target substrate is characterized in that the pitch spacing between micro-elements of the same kind in the element substrate is a decimal multiple.

본 발명의 다른 특징에 따른 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법은, 제1소자 기판 상에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제1_y피치간격으로 배열된 제1마이크로 소자를 타겟 기판에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 배열되도록 전사하되, 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00006
배(여기서, M은 7이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00007
배(여기서, P는 7이상의 정수 중 어느 하나이고, Q는 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하는 것을 특징으로 한다.In a method of manufacturing a micro device display according to another aspect of the present invention, a first micro device arranged at a first _x pitch interval along an x direction on a first device substrate and a first micro device arranged at a first _y pitch interval along a y direction is x It is transferred so that it is arranged at 2_x pitch intervals along the direction and 2_y pitch intervals along the y direction, but the 2nd_x pitch interval is greater than the 1_x pitch interval.
Figure pat00006
Times (where M is any one of an integer greater than 7 and N is any one of an integer greater than 2), and the second_y pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00007
It is characterized in that it is a multiple (here, P is any one of an integer of 7 or more, and Q is any of an integer of 2 or more).

또한, 전사헤드가 상기 제1소자 기판에서 x방향을 따라 상기 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 상기 제1마이크로 소자들 및 y방향을 따라 상기 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 상기 제1마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 상기 타겟 기판으로 전사하는 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계; 및 상기 전사헤드가 상기 제1소자 기판에서 x방향을 따라 상기 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 상기 제1마이크로 소자들 및 y방향을 따라 상기 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 상기 제1마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 상기 타겟 기판 상의 제1마이크로 소자 사이에 전사하는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 포함하여 제1마이크로 소자의 x, y방향의 피치간격을 확장하는 것을 특징으로 한다.In addition, the transfer head includes the first micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the first device substrate, and a pitch P times P times the first_y pitch interval along the y direction. A first micro-element multiple transfer step of adsorbing the first micro-elements positioned at intervals in a matrix form and then transferring them to the target substrate; And the first microelements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the first device substrate and a pitch P times P times the first_y pitch interval along the y direction. Including a first micro-element cut-in transfer step of adsorbing the first micro-elements positioned at intervals in a matrix form and then transferring between the first micro-elements on the target substrate previously transferred x, It is characterized by extending the pitch interval in the y direction.

또한, 상기 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 ((N x Q)- 1)회 수행하는 것을 특징으로 한다.In addition, it is characterized in that the first micro device cut-in transfer step is performed ((N x Q)-1) times.

또한, 상기 전사헤드가 상기 제2소자 기판에서 x방향을 따라 상기 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 상기 제2마이크로 소자들 및 y방향을 따라 상기 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 상기 제2마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 상기 타겟 기판으로 전사하는 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계; 및 상기 전사헤드가 상기 제2소자 기판에서 x방향을 따라 상기 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 상기 제2마이크로 소자들 및 y방향을 따라 상기 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 상기 제2마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 상기 타겟 기판 상의 제2마이크로 소자 사이에 전사하는 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계를 포함하여 제2마이크로 소자의 x, y방향의 피치간격을 확장하는 것을 특징으로 한다.In addition, the transfer head includes the second microelements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and P times the first_y pitch interval along the y direction. A second micro-element multiple transfer step of adsorbing the second micro-elements positioned at pitch intervals in a matrix form and then transferring them to the target substrate; And the second micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the second device substrate and a pitch P times P times the first_y pitch interval in the y direction. Including a second micro-element cut-in transfer step of adsorbing the second micro-elements positioned at intervals in a matrix form, and then transferring between the second micro-elements on the target substrate previously transferred x, It is characterized by extending the pitch interval in the y direction.

또한, 상기 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계를 ((N x Q)- 1)회 수행하는 것을 특징으로 한다.In addition, the second micro device cut-in transfer step is performed ((N x Q)-1) times.

또한, 전사헤드가 상기 제3소자 기판에서 x방향을 따라 상기 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 상기 제3마이크로 소자들 및 y방향을 따라 상기 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 상기 제3마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 상기 타겟 기판으로 전사하는 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계; 및 상기 전사헤드가 상기 제3소자 기판에서 x방향을 따라 상기 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 상기 제3마이크로 소자들 및 y방향을 따라 상기 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 상기 제3마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 상기 타겟 기판 상의 제3마이크로 소자 사이에 전사하는 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 포함하여 제3마이크로 소자의 x, y방향의 피치간격을 확장하는 것을 특징으로 한다.In addition, the transfer head includes the third microelements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and a pitch P times P times the first_y pitch interval along the y direction. A third micro device integer multiple transfer step of adsorbing the third micro devices positioned at intervals in a matrix form and then transferring them to the target substrate; And the third micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the third device substrate, and a pitch P times P times the first_y pitch interval in the y direction. Including a third micro-element cut-in transfer step of adsorbing the third micro-elements positioned at intervals in a matrix form and then transferring between the third micro-elements on the target substrate previously transferred x, It is characterized by extending the pitch interval in the y direction.

또한, 상기 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 ((N x Q)- 1)회 수행하는 것을 특징으로 한다.In addition, it is characterized in that the third micro device cut-in transfer step is performed ((N x Q)-1) times.

본 발명의 다른 특징에 따른 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법은, 소자 기판 상에서 일방향을 따라 제1피치 간격으로 복수개로 배열된 제1마이크로 소자를 타켓 기판에서 일방향을 따라 제2피치 간격으로 전사하되 제2피치 간격이 제1피치 간격보다

Figure pat00008
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하는것을 특징으로 한다.In a method of manufacturing a micro device display according to another aspect of the present invention, a plurality of first micro devices arranged in a first pitch interval along one direction on an element substrate are transferred from a target substrate to a second pitch interval along one direction, but the second pitch The spacing is greater than the first pitch spacing
Figure pat00008
It is characterized in that it is a multiple (here, M is any one of an integer of 1 or more, and N is any of an integer of 2 or more).

또한, 전사헤드가 상기 소자 기판에서 일방향을 따라 상기 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 상기 제1마이크로 소자를 흡착한 다음 상기 타겟 기판으로 전사하는 정수배 전사 단계; 및 상기 전사헤드가 상기 소자 기판에서 일방향을 따라 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 상기 제1마이크로 소자를 흡착한 다음 이전에 전사된 상기 타겟 기판 상의 상기 제1마이크로 소자 사이에 전사하는 컷인 전사 단계를 포함하되, 상기 피치 축소단계를 N-1회 수행하여 제1마이크로 소자의 일방향 피치간격을 확장하는 것을 특징으로 한다.Further, an integer multiple transfer step in which the transfer head adsorbs the first micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first pitch in one direction from the element substrate and then transfers them to the target substrate; And the transfer head adsorbs the first micro device positioned at a pitch interval of M times the first pitch interval along one direction in the device substrate, and then transfers between the first micro devices on the target substrate previously transferred. And a cut-in transfer step, wherein the pitch reduction step is performed N-1 times to extend a pitch interval in one direction of the first micro device.

또한, 전사헤드가 상기 소자 기판에서 일방향을 따라 상기 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 상기 제1마이크로 소자를 기준으로 일방향의 수직방향에 위치하는 상기 제1마이크로 소자 열을 흡착한 다음 상기 타겟 기판으로 전사하는 정수배 전사 단계; 및 상기 전사헤드가 상기 소자 기판에서 일방향을 따라 상기 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 상기 제1마이크로 소자를 기준으로 일방향의 수직방향에 위치하는 상기 제1마이크로 소자 열을 흡착한 다음 이전에 전사된 상기 타겟 기판 상의 상기 제1마이크로 소자 사이에 전사하는 컷인 전사 단계를 포함하되, 상기 피치 축소단계를 (N-1)회 수행하여 제1마이크로 소자의 일방향 피치간격을 확장하는 것을 특징으로 한다. In addition, the transfer head absorbs the rows of the first micro-elements positioned in a vertical direction in one direction with respect to the first micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first pitch in one direction on the element substrate. An integer multiple transfer step of transferring to the next target substrate; And the transfer head adsorbs the row of the first micro-elements positioned in a vertical direction in one direction with respect to the first micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first pitch in one direction on the element substrate. Including a cut-in transfer step of transferring between the first micro-elements on the target substrate previously transferred, wherein the pitch reduction step is performed (N-1) times to expand the pitch interval in one direction of the first micro-elements. It is characterized.

본 발명의 다른 특징에 따른 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법은, 타겟기판에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 규정되고 y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 규정된 마이크로 소자의 배열을 기준으로, 소자 기판 상에서 x방향을 따른 제1_x피치 간격이 제2_x피치 간격의

Figure pat00009
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되고, y방향을 따른 제1_y피치 간격이 제2_y 피치 간격의
Figure pat00010
배(여기서, P는 1이상의 정수 중 어느 하나이고, Q는 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되는 마이크로 소자 배열을 제공하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a micro device display according to another aspect of the present invention is based on an array of micro devices defined by a second_x pitch interval along the x direction and a second_y pitch interval along the y direction on the device substrate. The 1st_x pitch interval along the x direction is the 2nd_x pitch interval
Figure pat00009
Times (where M is any one of an integer greater than or equal to 1, and N is any one of an integer greater than or equal to 2), and the first_y pitch interval along the y direction is the second_y pitch interval
Figure pat00010
It is characterized in that it provides a micro-element array that is multiplied (here, P is any one of an integer greater than or equal to 1, and Q is any one of an integer greater than or equal to 2).

본 발명의 다른 특징에 따른 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법은, 소자 기판 상에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제1_y피치간격으로 배열된 마이크로 소자를 스케일링 기판에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 배열되도록 하고 상기 스케일링 기판 상의 마이크로 소자를 타겟 기판으로 전사하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법에 있어서, 상기 스케일링 기판에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00011
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하고, y 방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00012
배(여기서, P는 1이상의 정수 중 어느 하나이고, Q는 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하는 것을 특징으로 한다.In a method of manufacturing a micro device display according to another aspect of the present invention, micro devices arranged at first _x pitch intervals along the x direction on the device substrate and 1 _y pitch intervals along the y direction are removed from the scaling substrate along the x direction. A method for manufacturing a micro device display in which the micro devices on the scaling substrate are transferred to a target substrate by being arranged at 2_x pitch intervals and arranged at a second_y pitch interval along a y direction, wherein the pitch interval in the x direction in the scaling substrate is 1_x Than pitch interval
Figure pat00011
Times (here, M is any one of an integer greater than or equal to 1, N is any one of an integer greater than or equal to 2), and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00012
It is characterized in that it is a multiple (here, P is any one of an integer greater than or equal to 1, and Q is any one of an integer greater than or equal to 2).

또한, 상기

Figure pat00013
이 복수 개 존재할 경우 상기 N값 중에서 최소값을 기준으로 상기
Figure pat00014
을 결정하는 것을 특징으로 한다.Also, above
Figure pat00013
If there are more than one, based on the minimum value among the N values, the
Figure pat00014
It is characterized in that to determine.

또한, 상기

Figure pat00015
이 복수 개 존재할 경우 상기 Q값 중에서 최소값을 기준으로 상기
Figure pat00016
을 결정하는 것을 특징으로 한다.Also, above
Figure pat00015
If there are more than one, based on the minimum value among the Q values, the
Figure pat00016
It is characterized in that to determine.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법은 동종의 마이크로 LED간의 피치 간격이 제1기판에서 제2기판으로 소수배로 확장되도록 마이크로 LED를 전사할 수 있다. 이를 통해 대면적 디스플레이에 적합한 화소 배열을 효율적으로 구현할 수 있는 효과가 있다.As described above, in the method of manufacturing a micro device display according to the present invention, the micro LEDs may be transferred so that the pitch spacing between the micro LEDs of the same kind is extended from the first substrate to the second substrate several times. This has the effect of efficiently implementing a pixel arrangement suitable for a large-area display.

도 1은 전사헤드의 이송 대상이 되는 마이크로 LED를 도시한 도.
도 2은 도 1의 마이크로 LED를 이송하는 전사헤드를 개략적으로 도시한 도.
도 3은 마이크로 LED의 x, y방향 피치 간격을 각각 조정하는 과정을 개략적으로 도시한 도.
도 4은 본 발명에 이용되는 마이크로 LED의 피치 간격 조정값에 대한 표를 도시한 도.
도 5 내지 도 7은 피치 간격 조정 값에 따른 마이크로 LED 전사 과정을 개략적으로 도시한 도.
도 8는 x, y방향 피치 간격 조정값이 다를 경우의 마이크로 LED의 전사 과정을 개략적으로 도시한 도.
도 9는 본 발명에 따라 타겟 기판(100)에 화소 배열을 형성하는 과정을 개략적으로 도시한 도이다.
도 10 내지 도 13은 본 발명에 따른 단위 모듈의 다양한 실시 예를 도시한 도.
도 14은 마이크로 LED를 3배수 거리로 전사하는 과정을 개략적으로 도시한 도.
도 15는 피치 간격 조정값에 따른 마이크로 LED의 전사 횟수를 수식화한 표를 도시한 도.
도 16는 본 발명의 마이크로 LED가 구비된 소자 기판 및 스케일링 기판을 개략적으로 도시한 도.1 is a diagram showing a micro LED that is a transfer target of a transfer head.
2 is a diagram schematically showing a transfer head for transferring the micro LED of FIG. 1;
3 is a diagram schematically illustrating a process of adjusting pitch intervals in the x and y directions of the micro LED, respectively.
Figure 4 is a diagram showing a table for the pitch interval adjustment value of the micro LED used in the present invention.
5 to 7 are diagrams schematically illustrating a micro LED transfer process according to a pitch interval adjustment value.
8 is a diagram schematically illustrating a transfer process of micro LEDs when the x- and y-direction pitch interval adjustment values are different.
9 is a diagram schematically illustrating a process of forming a pixel array on the target substrate 100 according to the present invention.
10 to 13 are diagrams showing various embodiments of a unit module according to the present invention.
14 is a diagram schematically showing a process of transferring a micro LED to a distance of 3 times.
15 is a diagram showing a table in which the number of transfers of micro LEDs according to the pitch interval adjustment value is formulated.
16 is a schematic view showing a device substrate and a scaling substrate provided with a micro LED of the present invention.

이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following content merely illustrates the principle of the invention. Therefore, although those skilled in the art may implement the principles of the invention and invent various devices included in the concept and scope of the invention, although not clearly described or illustrated herein. In addition, it should be understood that all conditional terms and examples listed in this specification are, in principle, clearly intended only for the purpose of understanding the concept of the invention, and are not limited to the embodiments and states specifically listed as such. .

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above-described objects, features, and advantages will become more apparent through the following detailed description in connection with the accompanying drawings, and accordingly, a person of ordinary skill in the technical field to which the invention pertains will be able to easily implement the technical idea of the invention. .

본 명세서에서 기술하는 실시 예는 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 본 발명의 실시 예는 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.Embodiments described in the present specification will be described with reference to sectional views and/or perspective views that are ideal examples of the present invention. Embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include a change in form generated according to a manufacturing process.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하기에 앞서, 마이크로 소자는 마이크로 LED를 포함할 수 있다. 마이크로 LED는 성형한 수지 등으로 패키징되지 않으면서 결정 성장에 이용한 웨이퍼에서 잘라낸 상태의 것으로, 학술적으로 1~100㎛ 단위의 크기의 것을 지칭한다. 그러나 본 명세서에 기재된 마이크로 LED는 그 크기(1개의 변 길이)가 1~100㎛ 단위인 것으로 한정되는 것은 아니며 100㎛ 이상의 크기를 갖거나 1㎛ 미만의 크기를 갖는 것도 포함한다. Hereinafter, before describing a preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings, the micro device may include a micro LED. Micro LED is a state cut out of a wafer used for crystal growth without being packaged with molded resin, etc., and refers to a size of 1 to 100 μm in academic terms. However, the micro LED described in the present specification is not limited to the size (one side length) of 1 to 100 μm, and includes those having a size of 100 μm or more or less than 1 μm.

또한 이하에서 설명하는 본 발명의 바람직한 실시예의 구성들은 각 실시예들의 기술적 사상의 변경없이 적용될 수 있는 미소 소자들의 전사에도 적용될 수 있다.In addition, the configurations of the preferred embodiments of the present invention described below can be applied to transfer of microelements that can be applied without changing the technical idea of each embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법을 수행하는 전사헤드의 이송 대상이 되는 복수의 마이크로 LED(ML)를 도시한 도면이다. 마이크로 LED(ML)는 성장 기판(101) 위에서 제작되어 위치한다.1 is a view showing a plurality of micro LEDs (ML) to be transferred to a transfer head performing a method of manufacturing a micro device display according to the present invention. The micro LED (ML) is manufactured and positioned on the growth substrate 101.

성장 기판(101)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 성장 기판(101)은 사파이어, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The growth substrate 101 may be formed of a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the growth substrate 101 may be formed of at least one of sapphire, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga 2 0 3.

마이크로 LED(ML)는 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(104), 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1 컨택전극(106) 및 제2 컨택전극(107)을 포함할 수 있다.The micro LED (ML) includes a first semiconductor layer 102, a second semiconductor layer 104, an active layer 103 formed between the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104, and a first contact electrode ( 106) and a second contact electrode 107.

제1 반도체층(102), 활성층(103), 및 제2 반도체층(104)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.The first semiconductor layer 102, the active layer 103, and the second semiconductor layer 104 are metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), chemical vapor deposition (CVD), and plasma chemical vapor deposition ( PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), molecular beam growth method (MBE; Molecular Beam Epitaxy), hydride vapor phase growth method (HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) can be formed using a method such as.

제1 반도체층(102)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 102 may be implemented as, for example, a p-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example GaN, AlN, AlGaN , InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, etc. may be doped.

제2 반도체층(104)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 104 may be formed including, for example, an n-type semiconductor layer. The n-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example GaN, AlN, AlGaN , InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and the like, and n-type dopants such as Si, Ge, and Sn may be doped.

다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(102)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(104)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the first semiconductor layer 102 may include an n-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 104 may include a p-type semiconductor layer.

활성층(103)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층(103)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.The active layer 103 is a region in which electrons and holes are recombined, transitions to a low energy level as electrons and holes recombine, and may generate light having a wavelength corresponding thereto. The active layer 103 may be formed of, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). It may be formed in a single quantum well structure or a multiple quantum well structure (MQW: Multi Quantum Well). In addition, it may include a quantum wire structure or a quantum dot structure.

제1 반도체층(102)에는 제1 컨택전극(106)이 형성되고, 제2 반도체층(104)에는 제2 컨택전극(107)이 형성될 수 있다. 제1 컨택 전극(106) 및/또는 제2 컨택 전극(107)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다.A first contact electrode 106 may be formed on the first semiconductor layer 102, and a second contact electrode 107 may be formed on the second semiconductor layer 104. The first contact electrode 106 and/or the second contact electrode 107 may include one or more layers, and may be formed of a variety of conductive materials including metals, conductive oxides, and conductive polymers.

성장 기판(101) 위에 형성된 복수의 마이크로 LED(ML)를 커팅 라인을 따라 레이저 등을 이용하여 커팅하거나 에칭 공정을 통해 낱개로 분리하고, 레이저 리프트 오프 공정으로 복수의 마이크로 LED(ML)를 성장 기판(101)으로부터 분리 가능한 상태가 되도록 할 수 있다.A plurality of micro LEDs (ML) formed on the growth substrate 101 are cut along the cutting line using a laser, or separated individually through an etching process, and a plurality of micro LEDs (ML) are grown as a growth substrate through a laser lift-off process. It can be in a state that can be separated from (101).

도 1에서 ‘P’는 마이크로 LED(ML)간의 피치간격을 의미하고, ‘S’는 마이크로 LED(ML)간의 이격 거리를 의미하며, ‘W’는 마이크로 LED(ML)의 폭을 의미한다. 도 1에는 마이크로 LED(ML)의 단면 형상이 원형인 것을 예시하고 있으나, 마이크로 LED(ML)의 단면 형상은 이에 한정되지 않고 사각 단면 등과 같이 성장 기판(101)에서 제작되는 방법에 따라 원형 단면이 아닌 다른 단면 형상을 가질 수 있다.In FIG. 1,'P' denotes a pitch interval between micro LEDs (ML),'S' denotes a separation distance between micro LEDs (ML), and'W' denotes a width of micro LEDs (ML). 1 illustrates that the cross-sectional shape of the micro LED (ML) is circular, but the cross-sectional shape of the micro LED (ML) is not limited thereto, and the circular cross-section is according to the method of manufacturing the growth substrate 101 such as a square cross-section. It may have a cross-sectional shape other than that.

본 발명의 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법은 전사헤드(1)에 의해 수행될 수 있다. 도 2를 참조하여 구체적으로 설명한다.The method of manufacturing a micro device display of the present invention can be performed by the transfer head 1. It will be described in detail with reference to FIG. 2.

도 2는 본 발명의 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법에서 마이크로 LED를 흡착하여 이송하는 기능을 수행하는 전사헤드를 도시한 도이다.2 is a diagram showing a transfer head performing a function of adsorbing and transferring micro LEDs in the method of manufacturing a micro device display of the present invention.

전사헤드(1)는 흡착력을 이용하여 소자 기판(MLP)상의 마이크로 LED(ML)를 흡착한 후 타겟 기판(100)으로 전사하는 기능을 수행하는 구성이다. 여기서, 소자 기판(MLP)은 전사헤드(1)가 마이크로 LED(ML)를 흡착하는 기판으로서, 성장 기판(101) 또는 임시 기판일 수 있다.The transfer head 1 is a component that performs a function of transferring to the target substrate 100 after adsorbing the micro LEDs ML on the device substrate MLP using the adsorption force. Here, the device substrate MLP is a substrate on which the transfer head 1 adsorbs the micro LEDs ML, and may be a growth substrate 101 or a temporary substrate.

타겟 기판(100)은 소자 기판(MLP)에서 흡착한 마이크로 LED(ML)를 전사하는 기판으로서 임시 기판, 회로 기판, 목표 기판 또는 표시 기판일 수 있고, 스케일링 기판(SP)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 소자 기판(MLP), 스케일링 기판(SP) 및 타겟 기판(100)의 구성에서 수행될 경우, 스케일링 기판(SP)은 소자 기판(MLP)에서 흡착한 마이크로 LED(ML)를 소자 기판(MLP)에서의 피치 간격과 다른 피치 간격으로 전사함으로써 마이크로 LED(ML)의 피치 간격이 조정되는 기판일 수 있다. 이 경우, 확장된 피치 간격으로 전사되어 배치되는 마이크로 LED(ML)로 구성되는 단위 화소(F)가 스케일링 기판(SP)에서 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다. 여기서 타겟 기판(100)은 상기한 타겟 기판(100)의 구성 중 스케일링 기판(SP)을 제외한 적어도 어느 하나의 구성일 수 있고, 바람직하게는 회로 기판, 목표 기판 또는 표시 기판일 수 있다. 또한, 스케일링 기판(SP)에는 타겟 기판(100)에서의 화소 배열의 피치 간격과 동일한 피치 간격을 갖도록 마이크로 LED(ML)가 전사될 수 있다. 이로 인해 스케일링 기판(SP)의 단위 화소(F) 전체를 일괄적으로 흡착하여 타겟 기판(100)으로 일괄 전사하는 것이 가능할 수 있다.The target substrate 100 may be a temporary substrate, a circuit substrate, a target substrate or a display substrate as a substrate for transferring the micro LEDs ML adsorbed from the device substrate MLP, and may include a scaling substrate SP. However, when the present invention is performed in the configuration of the device substrate (MLP), the scaling substrate (SP) and the target substrate 100, the scaling substrate (SP) is a micro LED (ML) adsorbed from the device substrate (MLP). The substrate may be a substrate in which the pitch interval of the micro LEDs ML is adjusted by transferring at a pitch interval different from the pitch interval in the substrate MLP. In this case, the unit pixel F composed of the micro LEDs ML that are transferred and disposed at an extended pitch interval may be transferred from the scaling substrate SP to the target substrate 100. Here, the target substrate 100 may be at least any one of the configurations of the target substrate 100 except for the scaling substrate SP, and preferably may be a circuit board, a target substrate, or a display substrate. In addition, the micro LEDs ML may be transferred to the scaling substrate SP so as to have the same pitch interval as the pitch interval of the pixel array in the target substrate 100. Accordingly, it may be possible to collectively adsorb the entire unit pixel F of the scaling substrate SP and collectively transfer it to the target substrate 100.

전사헤드(1)의 흡착력은 진공 흡입력, 정전기력, 자기력, 반데르발스력 등을 포함한다. 따라서 본 발명의 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법을 수행하는 전사헤드(1)는 진공 흡입력, 정전기력, 자기력, 반데르발스력 등의 흡착력을 이용하여 마이크로 LED(ML)를 흡착할 수 있다. 전사헤드(1)의 구조는 상기한 진공 흡입력, 정전기력, 자기력, 반데르발스력을 발생시킬 수 있는 구조라면 그 구조에 대한 한정은 없다. 이 경우, 전사헤드(1)는 이용되는 흡착력에 따라 적합한 구조로 형성되어 마이크로 LED(ML)를 효율적으로 흡착할 수 있다.The suction force of the transfer head 1 includes vacuum suction force, electrostatic force, magnetic force, van der Waals force, and the like. Accordingly, the transfer head 1 performing the method of manufacturing a micro device display according to the present invention can adsorb the micro LED (ML) using adsorption power such as vacuum suction force, electrostatic force, magnetic force, and van der Waals force. The structure of the transfer head 1 is not limited as long as it is a structure capable of generating the vacuum suction force, electrostatic force, magnetic force, and van der Waals force described above. In this case, the transfer head 1 is formed in a suitable structure according to the used adsorption force, so that the micro LED (ML) can be efficiently adsorbed.

본 발명에서는 하나의 예로서 전사헤드(1)가 흡착력 중 진공 흡입력을 이용하는 것으로 설명한다. 전사헤드(1)가 진공 흡입력을 이용할 경우, 마이크로 LED(ML)를 흡착하는 흡착부(2), 흡착부(2)로 진공을 전달하는 진공 챔버(4)를 포함하여 구성될 수 있다.In the present invention, as an example, it will be described that the transfer head 1 uses a vacuum suction force among the suction force. When the transfer head 1 uses a vacuum suction force, it may include an adsorption unit 2 for adsorbing the micro LEDs (ML), and a vacuum chamber 4 for transferring a vacuum to the adsorption unit 2.

흡착부(2)에는 진공 챔버(4)의 진공이 전달되는 흡착홀(3)이 형성될 수 있다. 이러한 흡착홀(3)은 일정한 피치 간격(P(H)_x)으로 형성되어 흡착홀(3)과 대응되는 위치의 마이크로 LED(ML)만을 선택적으로 흡착할 수 있다. The adsorption hole 3 through which the vacuum of the vacuum chamber 4 is transmitted may be formed in the adsorption unit 2. The adsorption hole 3 is formed with a constant pitch interval P(H)_x, so that only the micro LEDs ML at a position corresponding to the adsorption hole 3 can be selectively adsorbed.

흡착홀(3)은 x, y방향 중 적어도 어느 한 방향으로는 소자 기판(MLP)에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x, y방향의 피치 간격의 4배 이상의 거리로 이격되어 형성된다. 도 2에서는 흡착홀(3)의 피치 간격이 소자 기판(MLP)의 마이크로 LED(ML)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)의 4배수의 거리로 형성되는 것으로 도시하였지만 이는 하나의 예로서 도시된 피치 간격이므로 이에 한정되지 않는다. The adsorption holes 3 are formed to be spaced apart by a distance of at least 4 times the pitch interval in the x and y directions of the micro LEDs ML disposed on the device substrate MLP in at least one of the x and y directions. In FIG. 2, it is shown that the pitch spacing of the adsorption hole 3 is formed as a distance of four times the pitch spacing (P(ML)_x) in the x direction of the micro LED(ML) of the device substrate MLP. It is not limited thereto because it is a pitch interval shown as an example.

전사헤드(1)에는 흡착홀(3)이 x, y방향 중 적어도 어느 한 방향으로는 소자 기판(MLP)에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x, y방향의 피치 간격의 4배 이상의 거리로 이격되어 형성되므로 스케일링 기판(SP) 또는 타겟 기판(100)에 마이크로 LED(ML)를 전사할 경우 마이크로 LED(ML)의 피치 간격이 소자 기판(MLP)에서의 피치 간격보다 확장된 피치 간격으로 형성되도록 전사할 수 있다.The transfer head 1 has a suction hole 3 in at least one of the x and y directions at a distance of at least four times the pitch interval in the x and y directions of the micro LEDs ML disposed on the element substrate MLP. Since it is formed apart from each other, when transferring the micro LEDs (ML) to the scaling substrate (SP) or the target substrate 100, the pitch intervals of the micro LEDs (ML) are formed at an extended pitch interval than the pitch intervals in the device substrate (MLP). It can be transferred as much as possible.

디스플레이 기판으로 전사되어 이전의 기판들(성장 기판, 캐리어 기판 등)에서 마이크로 LED(ML)들 간의 피치 간격은 디스플레이 기판에서의 피치 간격과 서로 다를 수 있다. 따라서 디스플레이 화소 배열 구현에 최적화된 피치 간격의 조정이 필요하다.The pitch interval between the micro LEDs (ML) in the previous substrates (growth substrate, carrier substrate, etc.) transferred to the display substrate may be different from the pitch interval in the display substrate. Therefore, it is necessary to adjust the pitch interval optimized for implementing the display pixel arrangement.

소자 기판(MLP)의 마이크로 소자가 타겟 기판(100)으로 전사될 경우, 타겟 기판(100)에서 마이크로 소자가 소자 기판(MLP)에서의 피치 간격보다 소수배 변경된 피치 간격으로 배치되기 위해서는 조건이 존재할 수 있다.When the micro-elements of the device substrate MLP are transferred to the target substrate 100, a condition exists in order for the micro-elements to be disposed in the target substrate 100 at a pitch spacing that is several times larger than the pitch spacing in the device substrate MLP. I can.

이하에서는 이와 같은 조건을 기본 원리로 하여 마이크로 소자 디스플레이에서 구현하려고 하는 마이크로 소자의 피치 간격으로 타겟 기판(100)에 마이크로 소자를 전사하여 화소 배열을 구현할 수 있는 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of implementing a pixel array by transferring micro-elements to the target substrate 100 at pitch intervals of micro-elements intended to be implemented in a micro-device display will be described based on these conditions as a basic principle.

소자 기판(MLP)에서의 피치 간격보다 소수배 변경된 피치 간격으로 마이크로 소자를 타겟 기판(100)으로 전사하기 위한 방법으로는, ⅰ)제1기판에서 제2기판으로 전사하면서 제1기판에서의 동종의 마이크로 LED간의 피치 간격을 열 또는 행방향으로 소수배 변경하는 방법, ⅱ)제1기판에서 제2기판으로 전사하면서 제1기판에서의 동종의 마이크로 LED간의 피치 간격을 열 및 행방향으로 소수배 변경하는 방법, ⅲ)제2기판에서 화소배열을 이루면서 제1기판에서의 동종의 마이크로 LED간의 피치 간격을 소수배로 변경하는 방법이 있다. 여기서, 제1기판은 소자 기판(MLP)을 의미하고, 제2기판은 스케일링 기판(SP)을 포함하는 타겟 기판(100)을 의미한다.As a method for transferring micro-elements to the target substrate 100 at a pitch interval that is several times changed from the pitch interval in the element substrate (MLP), i) the same kind in the first substrate while transferring from the first substrate to the second substrate. How to change the pitch spacing between the micro LEDs in the column or row direction by a decimal number, ii) The pitch spacing between the micro LEDs of the same kind on the first board is multiplied by a decimal number in the column and row directions while transferring from the first substrate to the second substrate. There is a method of changing, iii) a method of changing the pitch interval between the micro-LEDs of the same kind on the first substrate to a decimal number while forming the pixel arrangement on the second substrate. Here, the first substrate refers to a device substrate (MLP), and the second substrate refers to a target substrate 100 including a scaling substrate (SP).

본 발명은 소자 기판(MLP)상에 일정한 피치 간격으로 배치된 마이크로 소자들 중에서 피치 간격의 정수배 피치 간격에 위치하는 마이크로 소자들만을 타겟 기판(100)으로 전사하는 마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 소자 기판(MLP)상의 마이크로 소자들을 타겟 기판상으로 전사하되, 타겟 기판(100)상에서 이전에 전사된 마이크로 소자들 사이에 전사하는 컷인(CUT-IN) 전사 단계를 포함하여, 타겟 기판(100)에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치 간격에 소수배가 되도록할 수 있다.The present invention relates to a microelement integer multiple transfer step of transferring only microelements positioned at an integer multiple pitch interval of the pitch interval to the target substrate 100 among microelements arranged at regular pitch intervals on an element substrate MLP, and an element substrate ( Including a cut-in (CUT-IN) transfer step of transferring micro-elements on the MLP) onto the target substrate, but transferring between the micro-elements previously transferred on the target substrate 100, homogeneous in the target substrate 100 The pitch spacing between micro-elements of

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 수행하는 각각의 기술적 수단들을 각 방법별로 구분하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, each of the technical means for carrying out the present invention will be described separately for each method.

ⅰ)제1기판에서 제2기판으로 전사하면서 제1기판에서의 동종의 마이크로 LED간의 피치 간격을 열 또는 행방향으로 소수배 변경하는 방법Ⅰ) A method of changing the pitch spacing between the micro LEDs of the same kind on the first substrate to a decimal number in the column or row direction while transferring from the first substrate to the second substrate

본 발명은 소자 기판(MLP)상에서 일방향을 따라 제1피치 간격으로 복수개 배열된 제1마이크로 소자를 타겟 기판(100)에서 일방향을 따라 제2피치 간격으로 전사하되 제2피치 간격이 제1피치 간격보다

Figure pat00017
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 할 수 있다.In the present invention, a plurality of first micro elements arranged at a first pitch interval along one direction on an element substrate (MLP) are transferred from the target substrate 100 to a second pitch interval along one direction, but the second pitch interval is the first pitch interval. see
Figure pat00017
It may be a multiple (here, M is any one of an integer greater than or equal to 1, and N is any one of an integer greater than or equal to 2).

다시 말해, 본 발명은 제1소자 기판(MLP1)상에서 적어도 어느 한 방향을 따라 제1피치 간격으로 복수개 배열된 제1마이크로 LED(ML1)를 타겟 기판(100)에서 적어도 어느 한 방향을 따라 제2피치 간격으로 전사하되, 제2피치 간격이 제1피치 간격보다

Figure pat00018
배가 되도록 전사할 수 있다.In other words, according to the present invention, a plurality of first micro LEDs ML1 arranged at a first pitch interval along at least one direction on the first device substrate MLP1 are arranged in a second direction along at least one direction on the target substrate 100. Transfer at pitch intervals, but the second pitch interval is greater than the first pitch interval
Figure pat00018
Can be transferred to double.

이로 인해 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치 간격이 소자 기판(MLP)에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치 간격에

Figure pat00019
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되며, 마이크로 소자 정수배 전사 단계는 한번 수행되고, 컷인 전사 단계는 (N-1)회 수행될 수 있다.Therefore, the pitch spacing between micro-elements of the same kind on the target substrate is equal to the pitch spacing between micro-elements of the same kind in the element substrate (MLP).
Figure pat00019
Times (here, M is any one of an integer greater than or equal to 1, N is any one of an integer greater than or equal to 2), the micro-element integer multiple transfer step is performed once, and the cut-in transfer step can be performed (N-1) times. .

도 3을 참조하여 구체적으로 설명한다.It will be described in detail with reference to FIG. 3.

도 3은 소자 기판상에서 일방향을 따라 제1피치 간격으로 복수개 배열된 제1마이크로 LED를 타겟 기판에서 일방향을 따라 제2피치 간격으로 전사하는 과정을 개략적으로 도시한 도이다. 이 경우, 제2피치 간격은 제1피치 간격보다

Figure pat00020
배가 될 수 있다. 하나의 예로서, 도 3을 참조하는 설명에서는
Figure pat00021
이
Figure pat00022
일 수 있다. 이 경우, 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치 간격이 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치 간격에
Figure pat00023
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되며, M은 N보다 큰 수일 수 있다.3 is a diagram schematically illustrating a process of transferring a plurality of first micro LEDs arranged at a first pitch interval along one direction on a device substrate at a second pitch interval along one direction on a target substrate. In this case, the second pitch interval is greater than the first pitch interval
Figure pat00020
It can be doubled. As an example, in the description referring to FIG. 3
Figure pat00021
this
Figure pat00022
Can be In this case, the pitch spacing between microelements of the same kind on the target substrate is equal to the pitch spacing between microelements of the same kind on the element substrate.
Figure pat00023
It becomes a multiple (here, M is any one of an integer greater than or equal to 1, N is any one of an integer greater than or equal to 2), and M may be a number greater than N.

위와 같이 본 발명은 전사헤드(1)가 소자 기판에서 일방향을 따라 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 제1마이크로 소자를 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 정수배 전사 단계 및 전사헤드(1)가 소자 기판에서 일방향을 따라 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 제1마이크로 소자를 흡착한 다음 이전에 전사된 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 소자 사이에 전사하는 컷인 전사 단계를 포함하여 수행할 수 있고, 컷인 전사 단계를 (N-1)회 수행하여 제1마이크로 소자의 일방향 피치 간격을 소수배 확장할 수 있다.As described above, according to the present invention, an integer multiple transfer step in which the transfer head 1 adsorbs the first micro device positioned at a pitch interval of M times the first pitch interval along one direction from the device substrate and then transfers it to the target substrate 100, and The transfer head 1 adsorbs the first micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first pitch in one direction from the element substrate, and then transfers between the first micro-elements on the previously transferred target substrate 100. The cut-in transfer step may be performed, and the cut-in transfer step may be performed (N-1) times to extend the pitch interval in one direction of the first micro device several times.

하나의 예로서, M이 3이고, N이 2일 경우, 본 발명은 전사헤드(1)가 제1소자 기판(MLP1)에서 일방향을 따라 제1피치 간격의 3배의 피치 간격으로 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)를 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 정수배 전사 단계를 수행될 수 있다.As an example, when M is 3 and N is 2, the present invention provides a first device in which the transfer head 1 is positioned at a pitch interval of 3 times the first pitch interval along one direction in the first device substrate MLP1. An integer multiple transfer step of adsorbing the 1 micro LED ML1 and then transferring it to the target substrate 100 may be performed.

도 3(a)는 제1마이크로 LED(ML1)가 구비되는 제1소자 기판(MLP1)을 도시한 도이다. 위와 같이, M이 3이고, N이 2일 경우, 전사헤드(1)는 도 3(a)에 도시된 바와 같은 제1소자 기판(MLP1)에서 일방향을 따라 제1피치 간격의 3배의 피치 간격으로 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)를 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 정수배 전사 단계를 수행할 수 있다.3(a) is a diagram illustrating a first device substrate MLP1 on which a first micro LED ML1 is provided. As above, when M is 3 and N is 2, the transfer head 1 has a pitch of 3 times the first pitch interval along one direction in the first device substrate MLP1 as shown in FIG. 3(a). An integer multiple transfer step of adsorbing the first micro LEDs ML1 positioned at intervals and then transferring them to the target substrate 100 may be performed.

정수배 전사 단계에 의해 타겟 기판(100)에는 제1피치 간격의 3배의 피치 간격으로 제1마이크로 LED(ML1)가 전사되어 배치될 수 있게 된다. 정수배 전사 단계는 타겟 기판(100)으로 제1마이크로 LED(ML1)를 제1피치 간격의

Figure pat00024
배인 제2피치 간격으로 전사하기 위한 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정일 수 있다.By the integer multiple transfer step, the first micro LED ML1 may be transferred and disposed on the target substrate 100 at a pitch interval of 3 times the first pitch interval. In the integer multiple transfer step, the first micro LED (ML1) is transferred to the target substrate 100 at the first pitch interval.
Figure pat00024
It may be a first-time first micro LED (ML1) transfer process for transferring at double the second pitch interval.

그런 다음 전사헤드(1)는 제1소자 기판(MLP1)에서 일방향을 따라 제1피치 간격의 3배의 피치 간격으로 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)를 흡착한 다음 제1회차에 전사된 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사하는 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다. 이 경우, 컷인 전사 단계는 N-1회 수행되어 제1마이크로 LED(ML1)의 일방향 피치 간격을 확장할 수 있게 된다. 하나의 예로서, N은 2이므로, 컷인 전사 단계를 1회 수행될 수 있다. 다시 말해, 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정은 1회 수행되는 컷인 전사 단계일 수 있다. Then, the transfer head 1 adsorbs the first micro LED (ML1) positioned at a pitch interval of three times the first pitch interval along one direction from the first device substrate (MLP1), and then the target transferred to the first round. A cut-in transfer step of transferring between the first micro LEDs ML1 on the substrate 100 may be performed. In this case, the cut-in transfer step is performed N-1 times to extend the pitch interval in one direction of the first micro LED ML1. As an example, since N is 2, the cut-in transfer step may be performed once. In other words, the second first micro LED (ML1) transfer process may be a cut-in transfer step performed once.

제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정이면서 제1회차 컷인 전사 단계에 의해 타겟 기판(100)으로 제1마이크로 LED(ML1)가 전사될 경우, 도 3(b)에 도시된 타겟 기판(100)과 같이 제1마이크로 LED(ML1)의 배열이 구현될 수 있다. When the first micro LED (ML1) is transferred to the target substrate 100 by the first cut-in transfer step during the second first micro LED (ML1) transfer process, the target substrate shown in FIG. 3(b) ( As shown in 100), an arrangement of the first micro LED ML1 may be implemented.

위와 같이 도 3(a) 및 도 3(b)를 참조하는 설명에서는 하나의 예로서 제1소자 기판(MLP1)에서 제1마이크로 LED(ML1)를 M배의 피치 간격으로 흡착하는 일방향이 도 3(a)의 도면상 제1소자 기판(MLP1)의 제1마이크로 LED(ML1)의 x방향인 경우를 설명하였다.In the description with reference to FIGS. 3(a) and 3(b) as described above, as an example, one direction of adsorbing the first micro LED ML1 at M times the pitch interval from the first device substrate MLP1 is FIG. 3. In the drawing of (a), the case in the x direction of the first micro LED ML1 of the first device substrate MLP1 has been described.

제1소자 기판(MLP1)에서 제1마이크로 LED(ML1)를 M배의 피치 간격으로 흡착하는 일방향은 x, y방향 중 적어도 어느 한 방향일 수 있다.One direction of adsorbing the first micro LEDs ML1 in the first device substrate MLP1 at an M-fold pitch interval may be at least one of x and y directions.

도 3(b)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)의 마이크로 LED(ML)의 x방향 피치 간격을 확장시킬 경우, 본 발명은 전사헤드(1)가 소자 기판에서 일방향을 따라 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 제1마이크로 소자를 기준으로 일방향의 수직방향에 위치하는 제1마이크로 소자 열을 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 정수배 전사 단계 및 전사헤드(1)가 소자 기판에서 일방향을 따라 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 제1마이크로 소자를 기준으로 일방향의 수직 방향에 위치하는 제1마이크로 소자 열을 흡착한 다음 이전에 전사된 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 소자 사이에 전사하는 컷인 전사 단계를 포함하여 수행하되, 컷인 전사 단계를 (N-1)회 수행하여 제1마이크로 소자의 일방향 피치 간격을 소수배 확장시킬 수 있다.As shown in FIG. 3(b), when the x-direction pitch spacing of the micro LEDs (ML) of the target substrate 100 is extended, the present invention provides a first pitch in one direction in the device substrate. An integer multiple transfer step and transfer head (1) of adsorbing a row of first micro-elements positioned in a vertical direction in one direction based on the first micro-elements positioned at a pitch interval of M times the interval and then transferring to the target substrate 100 A first micro element positioned at a pitch interval of M times the first pitch interval along one direction on the element substrate adsorbs the first micro element row positioned in a vertical direction in one direction, and then the previously transferred target substrate ( 100) is performed including a cut-in transfer step of transferring between the first micro devices on the top 100), but the cut-in transfer step is performed (N-1) times to extend the pitch interval in one direction of the first micro device several times.

이와는 달리, 전사헤드(1)는 제1소자 기판(MLP1)에서 제1마이크로 LED(ML1) y방향의 M배의 피치 간격으로 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)를 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 정수배 전사 단계를 수행할 수 있다.In contrast, the transfer head 1 adsorbs the first micro LEDs ML1 positioned at M times pitch intervals in the y direction of the first micro LEDs ML1 on the first device substrate MLP1, and then the target substrate 100 ), it is possible to perform an integer multiple transfer step of transferring.

그런 다음, 전사헤드(1)가 제1소자 기판(MLP1)에서 y방향을 따라 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)를 흡착한 다음 정수배 전사 단계에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)사이에 전사하는 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다. 이 경우, 컷인 전사 단계는 (N-1)회 수행되어 제1마이크로 LED(ML1)의 y방향의 피치 간격을 소수배 확장할 수 있다.Then, the transfer head 1 adsorbs the first micro LED (ML1) positioned at a pitch interval of M times the first pitch interval along the y-direction on the first device substrate (MLP1), and then transfers in the integer multiple transfer step. It is possible to perform a cut-in transfer step of transferring between the first micro LEDs ML1. In this case, the cut-in transfer step is performed (N-1) times to extend the pitch interval in the y direction of the first micro LED ML1 by a few orders of magnitude.

이처럼 본 발명은 제1소자 기판(MLP1)에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)를 열 및 행방향으로 구분하여 열 및 행방향 중 적어도 한 방향의 제1마이크로 LED(ML1)만을 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 선택적으로 흡착하여 타겟 기판(100)으로 전사할 수 있다. 그런 다음 컷인 전사 단계를 통해 타겟 기판(100)의 제1마이크로 LED(ML1)의 x, y방향 중 적어도 어느 한 방향의 제1마이크로 LED(ML1)의 피치 간격을 소수배 확장시킬 수 있다.As described above, the present invention divides the first micro LED (ML1) located on the first device substrate (MLP1) into column and row directions, so that only the first micro LED (ML1) in at least one of the column and row directions has a first pitch interval. It can be selectively adsorbed at M times the pitch interval of and transferred to the target substrate 100. Then, through the cut-in transfer step, the pitch interval of the first micro LED ML1 in at least one of the x and y directions of the first micro LED ML1 of the target substrate 100 may be increased by a few times.

본 발명은 타겟 기판(100)에서 제1마이크로 LED(ML1)의 x, y방향 중 적어도 어느 한 방향의 제1마이크로 LED(ML1)의 피치 간격을 소수배 확장시킨 다음 피치 간격이 확장되지 않은 나머지 한 방향의 피치 간격을 확장시키는 과정을 수행할 수 있다. 이 경우, 타겟 기판(100)은 바람직하게는 스케일링 기판(SP)으로 구비될 수 있다.The present invention extends the pitch interval of the first micro LED (ML1) in at least one of the x and y directions of the first micro LED (ML1) on the target substrate 100 by a few times, and then the pitch interval is not expanded. A process of expanding the pitch interval in one direction may be performed. In this case, the target substrate 100 may be preferably provided as a scaling substrate SP.

본 발명은 스케일링 기판(SP)에서 제1마이크로 LED(ML1)의 x, y방향의 피치 간격이 확장된 다음 타겟 기판(100)으로 일괄적으로 전사되는 과정을 수행할 수 있다.In the present invention, after the pitch interval in the x and y directions of the first micro LED ML1 is extended from the scaling substrate SP, a process of being collectively transferred to the target substrate 100 may be performed.

하나의 예로서, M은 3이고, N은 2일 경우, 전사헤드(1)에 의해 제1스케일링 기판(SP1)의 x방향으로 제1마이크로 LED(ML1)의 정수배 전사 단계 및 컷인 전사 단계가 수행되어 제1마이크로 LED(ML1)의 x방향 피치 간격이 1.5배 확장되어 위치할 수 있다.As an example, when M is 3 and N is 2, an integer multiple transfer step and cut-in transfer step of the first micro LED ML1 in the x direction of the first scaling substrate SP1 by the transfer head 1 are performed. As a result, the pitch interval in the x direction of the first micro LED ML1 may be extended 1.5 times to be positioned.

그런 다음, 전사헤드(1)는 제1스케일링 기판(SP1)의 y방향으로 제1마이크로 LED(ML1)의 피치 간격의 3배의 피치 간격으로 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)를 흡착한 다음 제2스케일링 기판(SP2)으로 전사하는 과정을 수행할 수 있다. 이는 제1마이크로 LED(ML1)의 y방향 정수배 전사 단계일 수 있다.Then, the transfer head 1 adsorbs the first micro LED (ML1) positioned at a pitch interval three times the pitch interval of the first micro LED (ML1) in the y direction of the first scaling substrate (SP1), and then A process of transferring to the second scaling substrate SP2 may be performed. This may be an integer multiple transfer step in the y direction of the first micro LED ML1.

그런 다음, 전사헤드(1)는 제1스케일링 기판(SP1)의 y방향으로 제1마이크로 LED(ML1)의 3배의 피치 간격으로 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)를 흡착한 다음 이전에 제1마이크로 LED(ML1)의 y방향 정수배 전사 단계에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사할 수 있다. 그 결과 제2스케일링 기판(SP2)상에 제1마이크로 LED(ML1)의 x, y방향 피치 간격이 1.5배 확장되어 배치될 수 있게 된다. 이는 도 3(c)에 도시된 바와 같이 구현될 수 있다.Then, the transfer head 1 adsorbs the first micro LED (ML1) positioned at a pitch interval of three times that of the first micro LED (ML1) in the y direction of the first scaling substrate (SP1), and then It is possible to transfer between the first micro LEDs ML1 transferred in the y-direction integer multiple transfer step of the 1 micro LED ML1. As a result, the pitch spacing in the x and y directions of the first micro LED ML1 on the second scaling substrate SP2 can be extended 1.5 times to be disposed. This can be implemented as shown in Fig. 3(c).

제2스케일링 기판(SP2)에서 피치 간격이 확장된 제1마이크로 LED(ML1)는 전사헤드(1)에 의해 한꺼번에 흡착되어 타겟 기판(100)으로 일괄적으로 전사될 수 있다.The first micro LEDs ML1 whose pitch intervals are extended from the second scaling substrate SP2 may be sucked by the transfer head 1 at a time and transferred to the target substrate 100 at once.

위와 같이 본 발명은 타겟 기판(100)상의 동종의 마이크로 LED(예를 들어, 제1마이크로 LED(ML1) 내지 제3마이크로 LED(ML3))가 x방향으로 소자 기판상의 x방향을 따른 제1_x피치 간격보다

Figure pat00025
배인 제2_x피치 간격으로 배열되고, y방향으로 소자 기판상의 y방향을 따른 제1_y피치 간격보다
Figure pat00026
배인 제2_y피치 간격으로 배열되도록 위와 같이 소자 기판(MLP)상의 동종의 마이크로 LED(ML)의 열 및 행방향의 피치 간격을 각각 조정하는 단계를 수행할 수 있다.As described above, in the present invention, the same type of micro LED (for example, the first micro LED (ML1) to the third micro LED (ML3)) on the target substrate 100 is in the x direction and the first_x pitch along the x direction on the device substrate Than the interval
Figure pat00025
It is arranged at double the second_x pitch intervals, and in the y direction than the first_y pitch intervals along the y direction on the device substrate
Figure pat00026
As described above, a step of adjusting the pitch intervals in the column and row directions of the micro LEDs ML of the same kind on the device substrate MLP may be performed as described above so as to be arranged at a double second_y pitch interval.

이 경우, 본 발명은 소자 기판(MLP)상에서 제1_x피치 간격의 M배 피치 간격에 위치하는 마이크로 소자들의 열만을 한꺼번에 임시 기판으로 전사하는 제1회차 마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 소자 기판(MLP)상에서 제1_x피치 간격의 M배 피치 간격에 위치하는 마이크로 소자들의 열만을 한꺼번에 임시 기판상으로 전사하되, 임시 기판상에 이전에 전사된 마이크로 소자들의 열 사이에 위치하도록 전사하는 제1회차 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다. 여기서 임시 기판은 도 3에 도시된 스케일링 기판(SP)으로 대체될 수 있다.In this case, the present invention provides a first micro-element integer multiple transfer step in which only rows of micro-elements located at M times pitch intervals of the first_x pitch intervals on the element substrate MLP are transferred to a temporary substrate at once, and on the element substrate MLP. The first cut-in transfer step of transferring only the rows of microelements located at M times the pitch interval of the 1_x pitch interval onto a temporary substrate at a time, but transferring them to be located between the rows of microelements previously transferred onto the temporary substrate. Can be done. Here, the temporary substrate may be replaced with the scaling substrate SP shown in FIG. 3.

그런 다음 임시 기판상에서 제1_y피치 간격의 P배 피치 간격에 위치하는 마이크로 소자들의 행만을 한꺼번에 타겟 기판(100)으로 전사하는 제2회차 마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 타겟 기판(100)상에서 제1_y피치 간격의 P배 피치 간격에 위치하는 마이크로 소자들의 행만을 타겟 기판(100)상으로 전사하되, 타겟 기판(100)상에 이전에 전사된 마이크로 소자들의 행 사이에 위치하도록 전사하는 제2회차 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다. 여기서 임시 기판은 도 3에 도시된 스케일링 기판(SP)으로 대체될 수 있다.Then, the second micro-element integer multiple transfer step of transferring only the rows of micro-elements located at the P-fold pitch interval of the first_y-pitch interval on the temporary substrate to the target substrate 100 at once and the first_y-pitch interval on the target substrate 100 The second cut-in transfer step of transferring only the rows of micro-elements located at the P-fold pitch interval of, onto the target substrate 100, but transferring them so that they are positioned between the rows of the micro-elements previously transferred onto the target substrate 100 You can do it. Here, the temporary substrate may be replaced with the scaling substrate SP shown in FIG. 3.

이와 같은 단계를 수행함으로써 본 발명은 타겟 기판(100)에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치 간격이 소자 기판(MLP)에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치 간격에 소수배가 되도록 할 수 있다.By performing such a step, according to the present invention, the pitch spacing between micro-elements of the same kind in the target substrate 100 may be a decimal multiple of the pitch spacing between micro-elements of the same kind in the element substrate MLP.

다시 말해, 본 발명은 제1마이크로 LED(ML1)의 열 및 행방향의 피치 간격을 각각 조정하는 단계를 통해 타겟 기판(100)상에서 x, y방향 중 적어도 하나의 방향으로 제1마이크로 LED(ML1)의 피치 간격을 소수배 확장할 수 있다.In other words, the present invention provides the first micro LED (ML1) in at least one of the x and y directions on the target substrate 100 by adjusting the pitch intervals in the column and row directions of the first micro LED (ML1), respectively. The pitch spacing of) can be expanded by a decimal number.

이와는 달리, 본 발명은 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치 간격이 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치 간격에

Figure pat00027
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되며, M은 N보다 작은 수일 경우, 제1마이크로 LED(ML1)의 열 및 행방향의 피치 간격을 각각 조정하는 단계를 통해 타겟 기판(100)상에서 x, y방향 중 적어도 하나의 방향으로 제1마이크로 LED(ML1)의 피치 간격을 소수배 축소할 수도 있다.In contrast, in the present invention, the pitch spacing between micro-elements of the same kind in the target substrate is
Figure pat00027
It becomes a multiple (here, M is any one of an integer greater than 1, and N is any one of an integer greater than 2), and if M is a number less than N, the pitch spacing in the column and row directions of the first micro LED (ML1) is Through each adjusting step, the pitch interval of the first micro LED ML1 on the target substrate 100 in at least one of the x and y directions may be reduced by several orders of magnitude.

도 4는 M, N값에 따른 마이크로 LED의 피치 간격 조정값의 표를 도시한 도이다. 이 경우, M, N값은 후술할 P, Q값으로 대체될 수 있다. 여기서 M은 타겟 기판(100)상의 마이크로 LED(ML)의 x방향의 피치 간격이 소자 기판(MLP)상의 마이크로 LED(ML)의 x방향의 피치 간격의 몇 배인지를 의미하고, N은 타겟 기판(100)상의 상기한 x방향의 M배 피치 간격의 배열에서 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행하는 횟수(N-1)를 산출하기 위한 대입값을 의미한다. 또한, P는 타겟 기판(100)상의 y방향의 마이크로 소자의 피치 간격이 마이크로 소자 기판상의 마이크로 소자의 피치 간격의 몇 배인지를 의미하고, Q는 타겟 기판(100)상의 상기한 y방향의 P배 피치 간격의 배열에서 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행하는 횟수(Q-1)를 산출하기 위한 대입값을 의미한다.4 is a diagram showing a table of pitch interval adjustment values of micro LEDs according to M and N values. In this case, the M and N values may be replaced with P and Q values to be described later. Here, M means how many times the pitch distance in the x direction of the micro LEDs (ML) on the target substrate 100 is the pitch distance in the x direction of the micro LEDs (ML) on the device substrate (MLP), and N is the target substrate. Refers to a substitution value for calculating the number of times (N-1) to perform the micro-element cut-in transfer step in the array of the M-fold pitch intervals in the x-direction on the (100). In addition, P denotes a number of times the pitch interval of the micro-elements in the y direction on the target substrate 100 is a number of times the pitch interval of the micro-elements on the micro-element substrate, and Q denotes P in the y-direction above the target substrate 100 It means a substitution value for calculating the number of times (Q-1) to perform the micro-element cut-in transfer step in an arrangement of double pitch intervals.

도 4의 표에 도시된 바와 같이, N이 M보다 작을 경우, 타겟 기판(100)에서의 마이크로 LED(ML)의 x방향 피치 간격은

Figure pat00028
배 확장될 수 있다. 이 경우, M, N은 각각 P, Q값으로 대체될 수 있으므로 Q가 P보다 작을 경우, 타겟 기판(100)에서의 마이크로 LED(ML)의 y방향 피치 간격은
Figure pat00029
배 확장될 수 있다.As shown in the table of Figure 4, when N is less than M, the x-direction pitch interval of the micro LEDs (ML) in the target substrate 100 is
Figure pat00028
Fold can be expanded. In this case, since M and N can be replaced by P and Q values, respectively, when Q is less than P, the y-direction pitch interval of the micro LEDs ML in the target substrate 100 is
Figure pat00029
Fold can be expanded.

한편, N이 M보다 클 경우, 타겟 기판(100)에서의 마이크로 LED(ML)의 x방향 피치 간격은

Figure pat00030
배 축소될 수 있다. 또한, M, N값을 대체하는 P, Q값에서 Q가 P보다 클 경우, 타겟 기판(100)에서의 마이크로 LED(ML)의 y방향 피치 간격은
Figure pat00031
배 축소될 수 있다.On the other hand, when N is greater than M, the pitch interval in the x direction of the micro LEDs (ML) in the target substrate 100 is
Figure pat00030
It can be doubled. In addition, when Q is greater than P in P and Q values replacing M and N values, the y-direction pitch interval of the micro LEDs (ML) on the target substrate 100 is
Figure pat00031
It can be doubled.

마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행하는 조건 'N-1'은 타겟 기판(100)상의 마이크로 LED(ML)의 x방향으로만 수행되는 횟수를 구하는 조건이다. 또한, 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행하는 조건 'Q-1'은 타겟 기판(100)상의 마이크로 LED(ML)의 y방향으로만 수행되는 횟수를 구하는 조건이다.The condition'N-1' for performing the micro device cut-in transfer step is a condition for obtaining the number of times the micro LEDs (ML) on the target substrate 100 are performed only in the x direction. In addition, the condition'Q-1' for performing the micro device cut-in transfer step is a condition for obtaining the number of times the micro LEDs (ML) on the target substrate 100 are performed only in the y direction.

따라서, N, Q 중 적어도 어느 하나의 값이 1일 경우에는 1의 값에 해당하는 x, y방향 중 적어도 어느 한 방향으로는 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되지 않는다.Accordingly, when at least one of N and Q is 1, the micro-element cut-in transfer step is not performed in at least one of the x and y directions corresponding to the value of 1.

한편, N과 Q의 값이 동일할 경우에는 타겟 기판(100)의 마이크로 LED(ML)의 x방향으로 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 횟수를 산출하는 조건인 'N-1'의 조건과 타겟 기판(100)의 마이크로 LED(ML)의 y방향으로 수행되는 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 횟수를 산출하는 조건인 'Q-1'의 조건 각각을 이용하여 타겟 기판(100)의 x, y방향으로 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 적어도 몇 회 수행되는지 산출할 수 있다. 예를 들어, N, Q의 값이 3일 경우, 상기한 각각의 조건에 의해 타겟 기판(100)의 x, y방향으로 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 적어도 2회 각각 수행되는 것을 산출할 수 있다. 다시 말해, N과 Q의 값이 동일할 경우, 타겟 기판(100)의 x, y방향으로 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 최소 횟수는 동일할 수 있다.On the other hand, if the values of N and Q are the same, the condition of'N-1' and the target are the conditions for calculating the number of times the micro element cut-in transfer step is performed in the x direction of the micro LED (ML) of the target substrate 100 The x, y of the target substrate 100 using each of the conditions of'Q-1', which is a condition for calculating the number of times the micro device cut-in transfer step performed in the y direction of the micro LED (ML) of the substrate 100 is performed. It is possible to calculate at least how many times the micro-element cut-in transfer step in the direction is performed. For example, when the values of N and Q are 3, it may be calculated that the transfer step of micro-element cut-in in the x and y directions of the target substrate 100 is performed at least twice, respectively, according to the respective conditions described above. In other words, when the values of N and Q are the same, the minimum number of times the micro device cut-in transfer step is performed in the x and y directions of the target substrate 100 may be the same.

또한, N, Q의 값이 동일할 경우, 각각 'N-1', 'Q-1'의 조건을 토대로 타겟 기판(100)의 x, y방향으로의 마이크로 소자 컷인 전사 단계의 최소 수행 횟수를 산출하고, 타겟 기판(100)상의 마이크로 소자 컷인 전사 단계의 전체 수행 횟수를 산출하는 '(N×Q)-1'의 조건을 이용하여 '((N×Q)-1)-(N-1)-(Q-1)'의 조건을 토대로 최소 수행 횟수를 제외한 나머지 수행 횟수를 산출할 수 있다. 구체적으로, N, Q가 3일 경우, '((N×Q)-1)-(N-1)-(Q-1)'에 대입하면, '8-2-2'의 수식에 의해 '4'가 산출될 수 있다. 산출값 '4'의 경우, 타겟 기판(100)의 x방향으로 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 적어도 2회, y방향으로 적어도 2회 수행되고, x, y방향 중 적어도 어느 한 방향으로 추가적으로 4회 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 값을 의미할 수 있다. In addition, when the values of N and Q are the same, the minimum number of times to perform the transfer step of micro-element cut-in in the x and y directions of the target substrate 100 is determined based on the conditions of'N-1' and'Q-1', respectively. And the condition of'(N×Q)-1' to calculate the total number of times the microelement cut-in transfer step on the target substrate 100 is performed,'((N×Q)-1)-(N-1 Based on the condition of')-(Q-1)', the remaining number of executions can be calculated excluding the minimum number of executions. Specifically, when N and Q are 3, substituting in'((N×Q)-1)-(N-1)-(Q-1)', the equation of '8-2-2' 4'can be calculated. In the case of the calculated value '4', the microelement cut-in transfer step in the x direction of the target substrate 100 is performed at least two times, at least two times in the y direction, and additionally 4 times in at least one of the x and y directions. It may mean a value at which the device cut-in transfer step is performed.

한편, N과 Q의 값이 동일하지 않을 경우에는 '(N×Q)-1'의 조건에 의해 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행하는 횟수를 산출할 수 있다. 이 경우에도 N과 Q의 값이 동일한 경우와 같이 'N-1', 'Q-1'의 조건에 의해 타겟 기판(100)의 x, y방향으로의 마이크로 소자 컷인 전사 단계의 최소 수행 횟수를 산출한 다음, x, y중 적어도 어느 한 방향으로의 추가 수행 횟수를 산출할 수 있다.On the other hand, when the values of N and Q are not the same, the number of times the micro device cut-in transfer step is performed may be calculated under the condition of'(N×Q)-1'. In this case, as in the case where the values of N and Q are the same, the minimum number of times to perform the transfer step of micro-element cut-in in the x and y directions of the target substrate 100 is determined under the conditions of'N-1' and'Q-1'. After calculation, the number of additional executions in at least one of x and y directions may be calculated.

본 발명은 도 4의 표를 참조하여 M, N, P 및 Q의 값에 따라 소자 기판(MLP)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)의 x, y방향의 피치 간격 대비 타겟 기판(100)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)의 x, y방향의 피치 간격의 조정값을 산출할 수 있다.The present invention refers to the table of FIG. 4, according to the values of M, N, P, and Q, in the target substrate 100 compared to the pitch spacing in the x, y directions of the same type of micro LED (ML) in the device substrate (MLP). It is possible to calculate the adjustment value of the pitch interval in the x and y directions of the same type of micro LED (ML).

하나의 예로서, 타겟 기판(100)상의 동종의 마이크로 LED(100)의 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00032
배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00033
배가 될 경우, 도 4의 표를 통해 타겟 기판(100)상의 동종의 마이크로 LED(ML)의 x, y방향의 피치 간격이 소자 기판 대비 몇 배수로 확장되었는지 확인할 수 있다.As an example, the second_x pitch interval of the same type of micro LED 100 on the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval
Figure pat00032
Times, and the 2nd_y pitch interval is greater than the 1_y pitch interval
Figure pat00033
When the number is doubled, it can be seen how many times the pitch interval in the x and y directions of the same type of micro LED (ML) on the target substrate 100 is extended compared to the device substrate through the table of FIG. 4.

이 경우, M=5, N=2이므로, (5, 2)의 좌표에 위치하는 피치 간격 조정값을 통해 x방향의 피치 간격 조정값이 '2.5'임을 확인할 수 있다. 또한, P=7, Q=3이므로, (7, 3)의 좌표에 위치하는 피치 간격 조정값을 통해 y방향의 피치 간격 조정값이 '2.33'임을 확인할 수 있다. In this case, since M=5 and N=2, it can be confirmed that the pitch interval adjustment value in the x direction is '2.5' through the pitch interval adjustment value located at the coordinates of (5, 2). In addition, since P=7 and Q=3, it can be confirmed that the pitch interval adjustment value in the y direction is '2.33' through the pitch interval adjustment value located at the coordinates of (7, 3).

N, Q 값을 토대로 앞서 설명한 바와 같은 타겟 기판(100)상의 마이크로 LED(ML)의 x, y방향으로 마이크로 LED 소자 컷인 전사 단계가 몇 회 수행되는지 산출할 수 있다.Based on the values of N and Q, it is possible to calculate how many times the micro LED element cut-in transfer step is performed in the x and y directions of the micro LED (ML) on the target substrate 100 as described above.

구체적으로 N은 2이고, Q는 3일 경우 N과 Q의 값이 동일하지 않은 경우에 해당한다. 따라서, '(N×Q)-1'의 조건에 의해 마이크로 LED 소자 컷인 전사 단계의 수행 횟수를 산출할 수 있다. 이 경우, 마이크로 LED 소자 컷인 전사 단계는 5회 수행될 수 있다. 이 경우, 'N-1', 'Q-1'에 의해 x방향, y방향으로 적어도 몇 회의 마이크로 LED 소자 컷인 전사 단계가 수행되는지 산출할 수 있다.Specifically, when N is 2 and Q is 3, it corresponds to a case where the values of N and Q are not the same. Therefore, the number of times the micro LED element cut-in transfer step is performed can be calculated under the condition of'(N×Q)-1'. In this case, the micro LED device cut-in transfer step may be performed 5 times. In this case, it is possible to calculate at least how many times the micro LED element cut-in transfer step is performed in the x direction and y direction by'N-1' and'Q-1'.

도 4의 표를 참조하면 M, N, P 및 Q의 값은 다르나 그에 따른 피치 간격 조정값이 동일한 경우가 있다. 다시 말해, 동일한 피치 간격 조정값이 복수개 존재할 수 있다. 이 경우, N값 중 최소값을 기준으로 M, N을 결정할 수 있다. 또한, Q값 중 최소값을 기준으로 P, Q값을 결정할 수 있다.Referring to the table of FIG. 4, the values of M, N, P, and Q are different, but there are cases where the pitch interval adjustment values are the same. In other words, there may be a plurality of the same pitch interval adjustment value. In this case, M and N may be determined based on the minimum value among the N values. In addition, P and Q values may be determined based on the minimum value among the Q values.

이로 인해, 동일한 피치 간격 조정값이 복수개 존재하더라도 마이크로 소자 컷인 전사 단계의 횟수를 보다 적게 수행할 수 있는 M, N, P 및 Q의 값을 결정하여 효율적으로 마이크로 LED 전사 과정을 수행할 수 있게 된다.Accordingly, even if a plurality of the same pitch interval adjustment values exist, it is possible to efficiently perform the micro LED transfer process by determining the values of M, N, P, and Q that can perform a smaller number of micro-element cut-in transfer steps. .

구체적으로 설명하면, 마이크로 소자 디스플레이는 타겟 기판(100)에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 규정되고 y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 규정된 마이크로 소자의 배열을 기준으로, 소자 기판 상에서 x방향을 따른 제1_x피치 간격이 제2_x피치 간격의

Figure pat00034
배(여기서, M은 4이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 1이상의 정수 중 어느 하나임)가 되고, y방향을 따른 제1_y피치 간격이 제2_y피치 간격의
Figure pat00035
배(여기서, P는 4이상의 정수 중 어느 하나이고, Q는 1이상이 정수 중 어느 하나임)가 되는 마이크로 소자 배열을 제공할 수 있다.Specifically, the micro-device display is defined in the x-direction on the device substrate based on the arrangement of micro-devices defined in the target substrate 100 with a second_x pitch interval along the x direction and a second_y-pitch interval along the y direction. The 1st_x pitch interval along the 2nd_x pitch interval
Figure pat00034
Times (here, M is any one of 4 or more integers, and N is any one of 1 or more integers), and the first_y pitch interval along the y direction is the second_y pitch interval
Figure pat00035
It is possible to provide an array of microelements in which P is any one of an integer of 4 or more, and Q is any one of an integer of 1 or more.

이 때, 위와 같은 마이크로 소자 배열을 효율적으로 구현하기 위하여

Figure pat00036
이 복수개 존재할 경우, 상기 N값 중에서 최소값을 기준으로
Figure pat00037
을 결정할 수 있다. 또한,
Figure pat00038
가 복수개 존재할 경우, Q값 중에서 최소값을 기준으로
Figure pat00039
를 결정할 수 있다.At this time, in order to efficiently implement the above micro device array
Figure pat00036
If there are more than one, based on the minimum value among the N values
Figure pat00037
Can be determined. Also,
Figure pat00038
If there are more than one, based on the minimum value among the Q values
Figure pat00039
Can be determined.

하나의 예로서, 소자 기판상에서 x방향을 따른 제1_x피치 간격이 제2_x피치 간격의

Figure pat00040
배가 되고, y방향을 따른 제1_y피치 간격이 제2_y피치 간격의
Figure pat00041
배가 되는 마이크로 소자 배열을 제공할 경우, 도 4의 표를 참조하면 (5, 2)의 좌표에 따른 '2.5'의 피치 간격 조정값과 (10, 4) 및 (20, 8)의 좌표에 따른 '2.5'의 피치 간격 조정값이 동일할 수 있다. 이 경우,
Figure pat00042
이 복수개 존재하는 경우일 수 있다. As an example, on the device substrate, the first_x pitch interval along the x direction is equal to the second_x pitch interval.
Figure pat00040
Is doubled, and the first_y pitch interval along the y direction is equal to the second_y pitch interval
Figure pat00041
In the case of providing an array of microelements that are doubled, referring to the table of FIG. 4, the pitch interval adjustment value of '2.5' according to the coordinates of (5, 2) and the coordinates of (10, 4) and (20, 8) The pitch interval adjustment value of '2.5' may be the same. in this case,
Figure pat00042
It may be a case where a plurality of these are present.

또한, M은 P로 N은 Q로 대체하여 도 4을 참조할 경우, (7, 3)의 좌표에 따른 '2.33'의 피치 간격 조정값과 (14, 6)의 좌표에 따른 '2.33'의 피치 간격 조정값이 동일할 수 있다. 이 경우,

Figure pat00043
가 복수개 존재하는 경우일 수 있다.In addition, when referring to FIG. 4 by replacing M for P and N for Q, the pitch interval adjustment value of '2.33' according to the coordinates of (7, 3) and '2.33' according to the coordinates of (14, 6) The pitch interval adjustment value may be the same. in this case,
Figure pat00043
There may be a case where a plurality of is present.

본 발명에 따르면 소자 기판상에서 x방향을 따른 제1_x피치 간격이 제2_x피치 간격의

Figure pat00044
,
Figure pat00045
및
Figure pat00046
배가 될 경우 이에 따른 피치 간격 조정값이 동일할 수 있다. 또한, y방향을 따른 제1_y피치 간격이 제2_y피치 간격의
Figure pat00047
,
Figure pat00048
배가 될 경우 이에 따른 피치 간격 조정값이 동일할 수 있다.According to the present invention, the first_x pitch interval along the x direction on the device substrate is equal to the second_x pitch interval.
Figure pat00044
,
Figure pat00045
And
Figure pat00046
When it is doubled, the pitch interval adjustment value accordingly may be the same. In addition, the 1st_y pitch interval along the y direction is the 2nd_y pitch interval
Figure pat00047
,
Figure pat00048
When it is doubled, the pitch interval adjustment value accordingly may be the same.

본 발명은 이처럼

Figure pat00049
이 복수개 존재하고,
Figure pat00050
가 복수개 존재할 경우, 동일한 피치 간격 조정값을 가지더라도 N, Q값에 따라 마이크로 소자 컷인 전사 단계의 수행 횟수가 달라질 수 있다. The present invention is thus
Figure pat00049
There are a plurality of these,
Figure pat00050
When a plurality of is present, the number of times the micro device cut-in transfer step is performed may vary according to the N and Q values even if they have the same pitch interval adjustment value.

예를 들어, 제1_x피치 간격이 제2_x피치 간격의

Figure pat00051
배가 될 경우에는 마이크로 소자 컷인 전사 단계의 수행 횟수를 산출하는 (N-1)의 조건에 의해 타겟 기판(100)의 x방향으로 적어도 1회의 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 반면에, 제1_x피치 간격이 제2_x피치 간격의
Figure pat00052
배가 될 경우에는 적어도 3회, 제1_x피치 간격이 제2_x피치 간격의
Figure pat00053
배가 될 경우에는 적어도 7회의 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 따라서, N값 중에서 최소 값을 기준으로
Figure pat00054
을 결정하는 것이 보다 효율적으로 마이크로 소자 디스플레이 제조 공정을 수행하는 방법일 수 있다.For example, the 1st_x pitch interval is the 2nd_x pitch interval
Figure pat00051
When the number is doubled, at least one micro-element cut-in transfer step may be performed in the x direction of the target substrate 100 under the condition (N-1) for calculating the number of times the micro-element cut-in transfer step is performed. On the other hand, the 1st_x pitch interval is the 2nd_x pitch interval
Figure pat00052
If doubled, at least 3 times, the 1st_x pitch interval is the 2nd_x pitch interval
Figure pat00053
In the case of double, at least seven micro-element cut-in transfer steps may be performed. Therefore, based on the minimum value among N values
Figure pat00054
It may be a method of more efficiently performing a micro device display manufacturing process.

또한, 제1_y피치 간격이 제2_y피치 간격의

Figure pat00055
배가 되는 경우에는 (Q-1)의 조건에 의해 타겟 기판(100)의 y방향으로 적어도 2회의 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 반면에, 제1_y피치 간격이 제2_y피치 간격의
Figure pat00056
배가 되는 경우에는 적어도 5회의 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 따라서, Q값 중에서 최소값을 기준으로
Figure pat00057
를 결정하여 보다 효율적으로 마이크로 소자 디스플레이를 제조할 수 있다.In addition, the 1st_y pitch interval is the 2nd_y pitch interval
Figure pat00055
When the number is doubled, the micro-element cut-in transfer step may be performed at least two times in the y direction of the target substrate 100 under the condition of (Q-1). On the other hand, the 1st_y pitch interval is the 2nd_y pitch interval
Figure pat00056
In the case of multiplication, at least 5 micro-element cut-in transfer steps may be performed. Therefore, based on the minimum value among the Q values
Figure pat00057
It is possible to more efficiently manufacture a micro device display by determining.

ⅱ)제1기판에서 제2기판으로 전사하면서 제1기판에서의 동종의 마이크로 LED간의 피치 간격을 열 및 행방향으로 소수배 변경하는 방법Ii) A method of changing the pitch spacing between the micro LEDs of the same kind on the first substrate to a decimal number in the column and row directions while transferring from the first substrate to the second substrate

본 발명은 소자 기판(MLP)에서 타겟 기판(100)으로 전사하면서, 소자 기판(MLP)상의 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격을 열 및 행방향으로 소수배 변경할 수 있다. 이 경우, 전사헤드(1)는 소자 기판(MLP)의 x, y방향으로 각각 M배, P배의 거리에 위치하는 동종의 마이크로 LED(ML)만을 흡착하여 타겟 기판(100)으로 전사하는 마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 마이크로 소자 정수배 전사 단계를 수행한 다음 흡착한 마이크로 LED(ML)를 타겟 기판(100)상에 이전에 전사된 마이크로 LED(ML)사이에 위치하도록 전사하는 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다.In the present invention, while transferring from the device substrate MLP to the target substrate 100, the pitch spacing between the micro LEDs ML of the same kind on the device substrate MLP can be changed several times in the column and row directions. In this case, the transfer head 1 adsorbs only micro LEDs (ML) of the same type located at M times and P times distances in the x and y directions of the element substrate MLP and transfers them to the target substrate 100. After performing the device integer multiple transfer step and the micro device integer multiple transfer step, a cut-in transfer step of transferring the adsorbed micro LEDs (ML) to be positioned between the micro LEDs (ML) previously transferred on the target substrate 100 is performed. I can.

구체적으로, 본 발명은 소자 기판(MLP)상에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제1_y피치 간격으로 배열된 마이크로 소자를 타겟 기판에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 배열되도록 전사하되, 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00058
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00059
배(여기서, P는 1이상의 정수 중 어느 하나이고, Q는 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 할 수있다.Specifically, the present invention arranges microelements arranged at first _x pitch intervals along the x direction along the x direction and at first _y pitch intervals along the y direction on the device substrate MLP at second _x pitch intervals along the x direction on the target substrate. Is transferred so that it is arranged at 2_y pitch intervals along the y direction, but the 2nd_x pitch interval is greater than the 1_x pitch interval
Figure pat00058
Times (where M is any one of an integer greater than or equal to 1, and N is any one of an integer greater than or equal to 2), and the second_y pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00059
It can be multiplied (here, P is any one of an integer greater than 1, and Q is any one of an integer greater than 2).

하나의 예로서, M, P는 3이고, N, Q는 2일 수 있다.As an example, M and P may be 3, and N and Q may be 2.

이 경우, 본 발명은 소자 기판(MLP)상에서 제1_x피치 간격의 M배 피치 간격에 위치하는 마이크로 소자들 및 제1_y피치 간격의 P배 피치 간격에 위치하는 마이크로 소자들만을 한꺼번에 타겟 기판(MLP)로 전사하는 마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 소자 기판(MLP)상에서 제1_x피치 간격의 M배 피치 간격에 위치하는 마이크로 소자들 및 제1_y피치 간격의 P배 피치 간격에 위치하는 마이크로 소자들만을 타겟 기판(100)상으로 전사하되, 타겟 기판(100)상에 이전에 전사된 마이크로 소자들 사이에 위치하도록 전사하는 컷인 전사 단계를 포함하여, 타겟 기판(100)에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치 간격이 소자 기판(MLP)에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치 간격의 소수배가 되도록 할 수 있다.In this case, in the present invention, only the microelements positioned at M times pitch intervals of the first_x pitch intervals and the microelements positioned at P times pitch intervals of the first_y pitch intervals on the element substrate MLP at one time are the target substrate MLP. The microelement integer multiple transfer step of transferring to and from the element substrate MLP, only microelements positioned at M times pitch intervals of the first_x pitch interval and microelements positioned at P times pitch intervals of the first_y pitch intervals on the target substrate ( 100), but including a cut-in transfer step of transferring so as to be positioned between the microelements previously transferred on the target substrate 100, the pitch spacing between the microelements of the same kind in the target substrate 100 It can be made to be a decimal multiple of the pitch interval between microelements of the same kind on the substrate MLP.

전사헤드(1)는 마이크로 소자 정수배 전사 단계를 한 번 수행하고, 컷인 전사 단계는 ((N×Q)-1)회 수행할 수 있다. 하나의 예로서, N, Q는 2이므로 컷인 전사 단계는 3회 수행될 수 있다. The transfer head 1 may perform the micro-element multiple transfer step once, and the cut-in transfer step may be performed ((N×Q)-1) times. As an example, since N and Q are 2, the cut-in transfer step may be performed three times.

이로 인해 타겟 기판(100)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격이 소자 기판(MLP)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격의 소수배가 될 수 있게 된다.Accordingly, the pitch spacing between the micro LEDs ML of the same type in the target substrate 100 may be a decimal multiple of the pitch spacing between the micro LEDs ML of the same type in the device substrate MLP.

이 경우, N이 M보다 클 경우에는 타겟 기판(100)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격이 소자 기판(MLP)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격의 소수배로 축소될 수 있다. 여기서, M, N은 각각 P, Q로 대체될 수 있다.In this case, when N is greater than M, the pitch spacing between the micro LEDs (ML) of the same kind in the target substrate 100 will be reduced to a fraction of the pitch spacing between micro LEDs (ML) of the same kind in the device substrate (MLP). I can. Here, M and N may be replaced by P and Q, respectively.

한편, N이 M보다 작을 경우에는 타겟 기판(100)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격이 소자 기판(MLP)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격의 소수배로 확장될 수 있다. 여기서, M, N은 각각 P, Q로 대체될 수 있다.On the other hand, when N is less than M, the pitch spacing between the micro LEDs (ML) of the same kind in the target substrate 100 may be extended to a few times the pitch spacing between the micro LEDs (ML) of the same kind in the device substrate (MLP). have. Here, M and N may be replaced by P and Q, respectively.

위에서는 하나의 예로서, M은 3이고, N은 2인 것으로 M이 N보다 큰 경우를 설명하였다. 다시 말해, N이 M보다 작은 경우를 설명하였다. 따라서, 타겟 기판(100)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격은 소수배 확장될 수 있다. As an example above, the case where M is greater than N is described as M is 3 and N is 2. In other words, the case where N is smaller than M has been described. Accordingly, the pitch spacing between the micro LEDs (ML) of the same kind in the target substrate 100 may be expanded several times.

소자 기판(MLP)에서 타겟 기판(100)으로 전사하면서 소자 기판(MLP)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격을 소수배로 변경할 경우, 피치 간격 조정값에 따른 전사 횟수를 산출하여 보다 효율적으로 전사 과정을 수행할 수 있다. 이로 인해 마이크로 소자 디스플레이 제조의 효율적인 공정이 가능할 수 있다.When transferring from the device substrate (MLP) to the target substrate 100 and changing the pitch interval between the micro LEDs (ML) of the same kind on the device substrate (MLP) by a decimal number, the number of transfers according to the pitch gap adjustment value is calculated to be more efficient. You can perform the transcription process. This may enable an efficient process of manufacturing a micro device display.

도 5 내지 도 7을 참조하여 구체적으로 설명한다.It will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 7.

도 5 내지 도 7은 피치 간격 조정값에 따른 마이크로 LED 전사 과정을 개략적으로 도시한 도이다. 이하에서 언급되는 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격의 배수는 피치 간격의 배수에 따른 전사 횟수를 설명하기 위한 하나의 예시이다.5 to 7 are diagrams schematically illustrating a micro LED transfer process according to a pitch interval adjustment value. The multiples of the 1st_x pitch interval and the 1st_y pitch interval mentioned below are an example for explaining the number of transfers according to the multiple of the pitch interval.

도 5은 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00060
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00061
배가 되는 경우를 도시한 도이다. 이 경우, 다시 도 4의 표를 참조하면 x, y방향의 피치 간격 조정값은 '3.5'이다. 도 5(a)에는 동종의 마이크로 LED(ML)가 구비되는 소자 기판(MLP)이 도시된다. 하나의 예로서 마이크로 LED(ML)는 제1마이크로 LED(ML1)일 수 있고, 소자 기판(MLP)는 제1소자 기판(MLP1)일 수 있다.5 shows that the pitch interval in the x direction in the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval.
Figure pat00060
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00061
It is a diagram showing the case of double. In this case, referring to the table of FIG. 4 again, the pitch interval adjustment value in the x and y directions is '3.5'. 5(a) shows a device substrate MLP provided with the same type of micro LEDs ML. As an example, the micro LED ML may be a first micro LED ML1, and the device substrate MLP may be a first device substrate MLP1.

도 5(b)는 전사헤드(1)에 의해 타겟 기판(100)으로 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 도시한 도이다. 제1마이크로 LED(ML1)는 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격보다 7배가 되도록 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다.5(b) is a diagram showing the first micro LED ML1 transferred to the target substrate 100 by the transfer head 1. The first micro LED ML1 may be transferred to the target substrate 100 so as to be 7 times the first_x pitch interval and the first_y pitch interval.

이와 같은 과정은 타겟 기판(100)상에 한번 수행되는 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계로서, 제1마이크로 LED(ML1)를 정수배로 전사하는 제1회차 전사과정일 수 있다. This process may be a first micro device integer multiple transfer step performed once on the target substrate 100, and may be a first transfer process of transferring the first micro LED ML1 by an integer multiple.

그런 다음, 도 5(c)에 도시된 바와 같이, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 경우, (N×Q)-1의 조건에 의해 총 수행 횟수가 산출될 수 있고, 타겟 기판(100)의 x방향으로의 최소 수행 횟수는 (N-1)의 조건, 타겟 기판(100)의 y방향으로의 최소 수행 횟수는 (Q-1)의 조건에 의해 산출될 수 있다.Then, as shown in FIG. 5(c), a first micro device cut-in transfer step may be performed. In the case of the first micro device cut-in transfer step, the total number of executions may be calculated under the condition of (N×Q)-1, and the minimum number of executions in the x direction of the target substrate 100 is (N-1). The condition, the minimum number of times the target substrate 100 is performed in the y direction may be calculated by the condition of (Q-1).

위와 같이 타겟 기판(100)에서의 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00062
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00063
가 되는 배열의 경우, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 총 3회 수행될 수 있다. 또한, 타겟 기판(100)의 x방향으로의 최소 수행 횟수는 1회, y방향으로의 최소 수행 횟수는 1회일 수 있다.As above, the pitch interval in the target substrate 100 is greater than the 1_x pitch interval.
Figure pat00062
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00063
In the case of an arrangement to be, the first micro device cut-in transfer step may be performed a total of three times. Also, the minimum number of times the target substrate 100 is performed in the x direction may be one time, and the minimum number of times the target substrate 100 is performed in the y direction may be one time.

도 5(c)는 제2회차 전사 과정이면서 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 도시한 도이다. 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 x방향의 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 산출하는 'N-1'의 조건에 의해 x방향으로 최소 1회 수행될 수 있다.5(c) is a diagram illustrating a second transfer process and a first micro device cut-in transfer process. The first micro device cut-in transfer step may be performed at least once in the x direction under the condition of'N-1' to calculate the micro device cut-in transfer step in the x direction.

그런 다음, 도 5(d)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)상에 제3회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정이 수행될 수 있다. 이는 제2회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계일 수 있다. 이 경우, y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 도 5(d)에 도시된 바와 같은 타겟 기판(100)의 y방향의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 제2회차 'Q-1'의 조건에 의해 y방향으로 최소 1회 수행될 수 있다.Then, as shown in FIG. 5(d), the third first micro LED (ML1) transfer process may be performed on the target substrate 100. This may be the second cut-in transfer step of the first micro device. In this case, the first micro device cut-in transfer step may be performed in the y direction. The first micro device cut-in transfer step of the target substrate 100 in the y direction as shown in FIG. 5(d) may be performed at least once in the y direction under the condition of the second round'Q-1'.

그런 다음, 도 5(e)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)에 제4회차 전사 과정이 수행될 수 있다. 이와 같은 과정은 '(N×Q)-1-(N-1)-(Q-1)'의 조건에 의해 x, y방향으로의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 최소 수행 횟수를 제외한 x, y방향 중 적어도 어느 한 방향으로의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 수행 과정일 수 있다.Then, as shown in FIG. 5(e), a fourth transfer process may be performed on the target substrate 100. This process is performed under the conditions of'(N×Q)-1-(N-1)-(Q-1)', except for the minimum number of times the transfer step of the first micro device cut-in in the x and y directions is performed. It may be a process of performing a transfer step of cutting in the first micro device in at least one of the y directions.

이와 같은 과정을 수행함으로써, 타겟 기판(100)에서 동종의 마이크로 LED(ML)간의 열 및 행방향의 피치 간격을 소수배 변경할 수 있다. 또한, 피치 간격 조정값에 따른 전사 횟수를 산출하여 보다 효율적으로 전사 공정을 수행할 수 있다.By performing such a process, the pitch spacing in the column and row directions between the micro LEDs (ML) of the same kind in the target substrate 100 can be changed a few times. In addition, the transfer process can be more efficiently performed by calculating the number of transfers according to the pitch interval adjustment value.

위에서는 타겟 기판(100)의 x, y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 1회씩 수행된 다음 나머지 회차의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 것으로 설명하였지만, 타겟 기판(100)에서 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 x, y방향은 어느 한 방향에 한정되지 않는다. 구체적으로, 위와 같이 x방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행된 다음 y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있고, y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행된 다음 x방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되어도 무방하다.In the above, it has been described that the first micro device cut-in transfer step is performed once in the x and y directions of the target substrate 100 and then the first micro device cut-in transfer step of the remaining rounds is performed. The x and y directions in which the one micro device cut-in transfer step is performed are not limited to any one direction. Specifically, the transfer step of cutting-in of the first micro device in the x direction as above may be performed, and then the transfer step of cutting-in of the first micro device in the y direction may be performed, and the transfer step of cutting-in of the first micro device in the y direction is performed, and then x The transfer step may be performed by cutting the first micro device in the direction.

도 6는 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00064
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00065
배가 되는 경우를 도시한 도이다. 이 경우, 도 4의 표를 참조하면, x, y방향의 피치 간격 조정값은 '3.33'이다.6 shows that the x-direction pitch interval in the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval.
Figure pat00064
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00065
It is a diagram showing the case of double. In this case, referring to the table of FIG. 4, the pitch interval adjustment value in the x and y directions is '3.33'.

도 6(a)에는 제1마이크로 LED(ML1)가 구비되는 제1소자 기판(MLP1)이 도시된다. 전사헤드(1)는 제1소자 기판(MLP1)에서 x, y방향으로 피치 간격의 10배수의 거리를 갖는 제1마이크로 LED(ML1)만을 선택적으로 흡착할 수 있다. 6(a) shows a first device substrate MLP1 on which a first micro LED ML1 is provided. The transfer head 1 may selectively adsorb only the first micro LED ML1 having a distance of 10 times the pitch interval in the x and y directions from the first device substrate MLP1.

그런 다음 도 6(b)에 도시된 바와 같이, 제1마이크로 LED(ML1)가 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격보다 10배가 되도록 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다.Then, as shown in FIG. 6(b), the first micro LED ML1 may be transferred to the target substrate 100 so as to be 10 times the 1_x pitch interval and the 1_y pitch interval.

이와 같은 과정은 타겟 기판(100)에 제1마이크로 LED(ML1)를 한번 전사하는 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 수행되는 과정일 수 있다.Such a process may be a process performed in the first micro device integer multiple transfer step of transferring the first micro LED ML1 to the target substrate 100 once.

그런 다음 타겟 기판(100)의 x, y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 타겟 기판(100)에서 수행되는 복수회의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 수행되는 방향인 x, y방향의 순서가 어느 하나의 방향에 한정되지 않는다. 이하에서는 하나의 예로서 x방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행된 다음 y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 것으로 설명한다.Then, the first micro device cut-in transfer step in the x and y directions of the target substrate 100 may be performed. The plurality of first micro device cut-in transfer steps performed on the target substrate 100 are not limited to any one direction in the order of the x and y directions. Hereinafter, as an example, a first micro device cut-in transfer step is performed in the x direction and then a first micro device cut-in transfer step is performed in the y direction.

도 6(c)에 도시된

Figure pat00066
내지
Figure pat00067
의 숫자는 전사 회차를 의미하고, 숫자의 위치는 전사 회차에 따른 제1마이크로 LED(ML1)의 전사 위치를 의미한다. 이 경우, 도 6(c)에는 전사 회차에 따른 제1마이크로 LED(ML1)의 최초 전사 위치가 개략적으로 도시된다.Shown in Figure 6(c)
Figure pat00066
To
Figure pat00067
The number of indicates the transfer turn, and the position of the number indicates the transfer position of the first micro LED (ML1) according to the transfer turn. In this case, FIG. 6(c) schematically shows the initial transfer position of the first micro LED ML1 according to the transfer cycle.

도 6(c)에 도시된

Figure pat00068
은 제1회차 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)의 전사 위치를 의미한다. 따라서, 도 6(c)에 도시된
Figure pat00069
의 위치와 도 6(b)에 도시된 제1마이크로 LED(ML1)의 위치는 동일한 위치일 수 있다.Shown in Figure 6(c)
Figure pat00068
Denotes the transfer position of the first micro LED ML1 transferred during the first transfer process. Thus, shown in Fig. 6(c)
Figure pat00069
The location of and the location of the first micro LED ML1 shown in FIG. 6(b) may be the same location.

그런 다음 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)사이에 전사되어 배치될 수 있다. 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정은 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계일 수 있다. 따라서, 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)의 x방향으로 제1회차 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다.Then, the first micro LED (ML1) transferred by the transfer process of the second first micro LED (ML1) is transferred between the first micro LED (ML1) transferred during the transfer process of the first micro LED (ML1). It can be transferred and placed. The second first micro LED (ML1) transfer process may be a first first micro device cut-in transfer process. Therefore, as shown in FIG. 6(c), the first micro device cut-in transfer step between the first micro LEDs ML1 transferred in the first transfer process in the x direction of the target substrate 100 is performed. Can be done.

제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 경우, (N×Q)-1의 조건에 의해 제1마이크로 LED 전사 과정 내에서 총 수행 횟수가 산출될 수 있고, 타겟 기판(100)의 x방향으로의 최소 수행 횟수는 (N-1)의 조건, 타겟 기판(100)의 y방향으로의 최소 수행 횟수는 (Q-1)의 조건에 의해 산출될 수 있다.In the case of the first micro device cut-in transfer step, the total number of executions can be calculated within the first micro LED transfer process under the condition of (N×Q)-1, and the minimum execution in the x direction of the target substrate 100 The number of times may be calculated by the condition of (N-1), and the minimum number of times of performing the target substrate 100 in the y direction may be calculated by the condition of (Q-1).

위와 같이 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00070
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00071
배가 되는 배열의 경우, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 총 8회 수행될 수 있다. 또한, 타겟 기판(100)의 x방향으로의 최소 수행 횟수는 2회, y방향으로의 최소 수행 횟수는 2회일 수 있다.As above, the x-direction pitch interval in the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval.
Figure pat00070
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00071
In the case of the doubled arrangement, the first micro device cut-in transfer step may be performed a total of eight times. In addition, the minimum number of times the target substrate 100 is performed in the x direction may be 2 times, and the minimum number of times in the y direction may be 2 times.

그러므로 앞서 설명한 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 x방향으로의 최소 수행 횟수인 2회 중 제1회차에 해당할 수 있다.Therefore, the first micro device cut-in transfer step described above may correspond to the first of two times, which is the minimum number of times in the x direction.

그런 다음 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 제3회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사되어 배치될 수 있다. Then, as shown in FIG. 6(c), the first micro LED (ML1) transferred by the third first micro LED (ML1) transfer process is transferred to the second first micro LED (ML1) transfer process. It may be transferred and disposed between the first micro LED (ML1) transferred by the first micro LED (ML1) and the first micro LED (ML1) transferred by the transfer process of the first round of the first micro LED (ML1).

제3회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정은 제2회차 제1마이크로 LED 소자 컷인 전사 단계일 수 있다. 따라서, 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)의 x방향으로 제2회차 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 제2회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. The third first micro LED (ML1) transfer process may be a second first micro LED device cut-in transfer process. Accordingly, as shown in FIG. 6(c), between the first micro LED (ML1) and the first micro LED (ML1) transferred in the second transfer process in the x direction of the target substrate 100 The second first micro device cut-in transfer step may be performed.

제2회차 제1마이크로 소자 축소 단계는 타겟 기판(100)의 x방향으로의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 최소 수행 횟수인 2회 중 제2회차에 해당할 수 있다.The second step of reducing the first micro device may correspond to the second of two times, which is the minimum number of times the first micro device cut-in transfer step of the target substrate 100 in the x direction is performed.

그런 다음, 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)의 y방향으로 제4회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사된 타겟 기판(100)의 y방향의 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사되어 배치될 수 있다. 이는 타겟 기판(100)의 y방향으로의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 최소 수행 횟수인 2회 중 제1회차에 해당하는 과정일 수 있다.Then, as shown in FIG. 6(c), the first micro LED (ML1) transferred in the y direction of the target substrate 100 in the process of transferring the fourth first micro LED (ML1) is the first micro LED (ML1). The 1 micro LED ML1 may be transferred and disposed between the first micro LEDs ML1 in the y direction of the target substrate 100 transferred during the transfer process. This may be a process corresponding to the first of two times, which is the minimum number of times the first micro device cut-in transfer step in the y direction of the target substrate 100 is performed.

그런 다음 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 제5회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 제4회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사되어 배치될 수 있다. 이는 타겟 기판(100)의 y방향으로의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 최소 수행 횟수인 2회 중 제2회차에 해당하는 과정일 수 있다.Then, as shown in FIG. 6(c), the first micro LED (ML1) transferred by the 5th first micro LED (ML1) transfer process is transferred to the 4th first micro LED (ML1) transfer process. It may be transferred and disposed between the first micro LED (ML1) transferred by the first micro LED (ML1) and the first micro LED (ML1) transferred by the transfer process of the first round of the first micro LED (ML1). This may be a process corresponding to the second of two times, which is the minimum number of times the transfer step of the first micro device cut-in in the y direction of the target substrate 100 is performed.

그런 다음 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 제6회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 타겟 기판(100)의 x방향으로 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 제4회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 이격되게 전사되어 배치될 수 있다. 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사되는 제1마이크로 LED(ML1)는 제1_x 및 제1_y피치 간격보다 10배의 피치 간격으로 전사될 수 있다. 따라서, 제6회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)는 제4회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사되어 배치된 형태일 수 있다.Then, as shown in FIG. 6(c), the first micro LED ML1 transferred in the x direction of the target substrate 100 by the 6th first micro LED ML1 transfer process is The 1 micro LED (ML1) may be transferred and disposed to be spaced apart from the first micro LED (ML1) transferred by the transfer process. The first micro LED (ML1) transferred during the transfer process of the first micro LED (ML1) may be transferred at a pitch interval 10 times greater than the 1_x and 1_y pitch intervals. Therefore, the first micro LED (ML1) transferred by the 6th first micro LED (ML1) transfer process is between the first micro LED (ML1) transferred during the 4th first micro LED (ML1) transfer process. It may be transferred and arranged.

또한, 제6회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)는 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 동일한 열에 전사되어 배치된 형태일 수 있다.In addition, the first micro LED (ML1) transferred by the 6th transfer process is a form that is transferred and arranged in the same column as the first micro LED (ML1) transferred during the transfer process of the 2nd first micro LED (ML1). I can.

그런 다음 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 제7회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 타겟 기판(100)의 x방향으로 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 제6회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 이격되게 전사되어 배치될 수 있다. 구체적으로, 제7회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)는 제6회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 제4회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)사이에 전사되어 배치된 형태일 수 있다.Then, as shown in FIG. 6(c), the first micro LED ML1 transferred in the x direction of the target substrate 100 by the 7th first micro LED ML1 transfer process is The 1 micro LED (ML1) may be transferred and disposed to be spaced apart from the first micro LED (ML1) transferred by the transfer process. Specifically, the first micro LED (ML1) transferred by the 7th first micro LED (ML1) transfer process is applied to the first micro LED (ML1) transferred by the 6th transfer process and the fourth transfer process. The first micro LEDs ML1 may be transferred and disposed between the first micro LEDs ML1.

그런 다음 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 제8회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정 및 제9회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 각각 배치될 수 있다. Then, as shown in Fig. 6(c), the first micro LED (ML1) transferred by the 8th first micro LED (ML1) transfer process and the 9th first micro LED (ML1) transfer process is Each can be placed.

제8회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)는 제5회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 이격되게 배치될 수 있고, 제5회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)사이에 배치되는 형태일 수 있다.The first micro LED (ML1) transferred by the 8th first micro LED (ML1) transfer process may be disposed to be spaced apart from the first micro LED (ML1) transferred by the fifth transfer process, and the fifth It may be a form disposed between the first micro LEDs ML1 transferred by the repetitive transfer process.

제9회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)는 제8회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 이격되게 배치되고, 제8회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 배치되는 형태일 수 있다.The first micro LED (ML1) transferred by the 9th first micro LED (ML1) transfer process is arranged to be spaced apart from the first micro LED (ML1) transferred by the 8th transfer process, and the 8th transfer It may be a form disposed between the first micro LEDs ML1 transferred by the process.

이처럼 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00072
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00073
배가 되는 배열을 형성하기 위해서는 총 9회의 전사 과정이 수행될 수 있다. 9회의 전사 과정 중 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 (N×Q)-1의 조건에 의해 산출될 수 있다. 또한, (N-1), (Q-1)의 조건에 의해 타겟 기판(100)의 x, y방향으로의 최소 제1마이크로 소자 피치 축소 수행 횟수를 산출할 수 있다.In this way, the x-direction pitch interval in the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval
Figure pat00072
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00073
In order to form a doubled arrangement, a total of 9 transfer processes can be performed. The first micro device cut-in transfer step of the 9 transfer processes may be calculated under the condition of (N×Q)-1. In addition, it is possible to calculate the minimum number of times the first micro device pitch reduction in the x and y directions of the target substrate 100 is performed under the conditions (N-1) and (Q-1).

도 7은 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00074
배가 되고, y방향 피치 간격지 제1_y피치 간격보다
Figure pat00075
배가 되는 경우를 도시한 도이다. 이 경우, 도 4의 표를 참조하면 x, y방향의 피치 간격 조정값은 '3.2'이다.7 shows that the pitch interval in the x direction in the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval.
Figure pat00074
Doubled, and the y-direction pitch spacing is greater than the first_y pitch spacing
Figure pat00075
It is a diagram showing the case of double. In this case, referring to the table of FIG. 4, the pitch interval adjustment value in the x and y directions is '3.2'.

도 7(a)에는 제1마이크로 LED(ML1)가 구비되는 제1마이크로 LED(ML1) 기판이 도시된다. 전사헤드(1)는 제1소자 기판(MLP1)에서 x, y방향으로 16배수의 거리를 갖는 제1마이크로 LED(ML1)만을 선택적으로 흡착할 수 있다.7(a) shows a first micro LED (ML1) substrate on which a first micro LED (ML1) is provided. The transfer head 1 may selectively adsorb only the first micro LED ML1 having a distance of 16 times the distance from the first device substrate MLP1 in the x and y directions.

그런 다음 도 7(b)에 도시된 바와 같이, 흡착한 제1마이크로 LED(ML1)를 타겟 기판(100)으로 전사할 수 있다. 이와 같은 제1회차 제1마이크로 LED(ML1)를 전사 과정은 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계일 수 있다.Then, as shown in FIG. 7B, the adsorbed first micro LED ML1 may be transferred to the target substrate 100. The transfer process of the first micro LED ML1 as described above may be an integer multiple transfer process of the first micro device.

그런 다음, 도 7(c)에 도시된 바와 같이, 제2회차 내지 제25회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 타겟 기판(100)에 제1마이크로 LED(ML1)가 전사되어 배치될 수 있다.Then, as shown in Fig. 7(c), the first micro LED (ML1) is transferred to and disposed on the target substrate 100 by the second to 25th first micro LED (ML1) transfer process. I can.

제2회차 내지 제25회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정은 타겟 기판(100)에 제1마이크로 LED 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 과정일 수 있다.The second to 25th first micro LED (ML1) transfer process may be a process in which a first micro LED element cut-in transfer step is performed on the target substrate 100.

도 7(c)에 도시된 제2회차 내지 제25회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정은 하나의 예로서 도시된 회차에 따른 전사 위치이므로, 타겟 기판(100)의 x, y방향으로의 수행 순서가 이에 한정되지 않는다.The second to 25th first micro LED (ML1) transfer process shown in FIG. 7(c) is a transfer position according to the rotation shown as an example, and thus the target substrate 100 is moved in the x, y directions. The execution order is not limited thereto.

제2회차 내지 제25회차의 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정은 도 5 및 도 6를 참조하는 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정과 동일한 과정으로 수행될 수 있다. 다만, 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격 및 y방향 피치 간격의 배수가 다르고 이에 따른 피치 간격 조정값이 다를 수 있다. The second to 25th first micro LED (ML1) transfer process may be performed in the same manner as the first micro LED (ML1) transfer process with reference to FIGS. 5 and 6. However, multiples of the x-direction pitch interval and the y-direction pitch interval in the target substrate 100 may be different, and a pitch interval adjustment value may be different accordingly.

도 7를 참조하면, 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00076
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00077
배가 되는 배열에서 제1마이크로 LED(ML1)는 총 25회의 전사 과정이 수행되어 타겟 기판(100)에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 7, the pitch interval in the x direction in the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval.
Figure pat00076
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00077
In the doubled arrangement, the first micro LED ML1 may be transferred to the target substrate 100 by performing a total of 25 transfer processes.

도 5 내지 도 7을 참조하여 설명한 바와 같이, 타겟 기판(100)의 동종의 마이크로 LED(ML)는 x, y방향으로의 피치 간격 조정값이 동일할 수 있고, 이와는 다르게 x, y방향으로의 피치 간격 조정값이 다를 수 있다.As described with reference to FIGS. 5 to 7, the same type of micro LED (ML) of the target substrate 100 may have the same pitch interval adjustment value in the x and y directions. The pitch interval adjustment value may be different.

도 8는 타겟 기판(100)의 x, y방향으로의 피치 간격 조정값이 다를 경우의 마이크로 LED의 전사 과정을 개략적으로 도시한 도이다.8 is a diagram schematically illustrating a transfer process of a micro LED when the pitch interval adjustment values in the x and y directions of the target substrate 100 are different.

도 8에는 하나의 예로서, 타겟 기판(100)에서의 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00078
배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00079
배가 되는 배열을 형성하기 위한 전사 과정이 개략적으로 도시된다.As an example in FIG. 8, the second_x pitch interval in the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval.
Figure pat00078
Times, and the 2nd_y pitch interval is greater than the 1_y pitch interval
Figure pat00079
The transfer process to form a doubled arrangement is schematically shown.

도 8(a)에는 제1마이크로 LED(ML1)가 구비되는 제1소자 기판(MLP1)이 도시된다. 8(a) shows a first device substrate MLP1 on which a first micro LED ML1 is provided.

그런 다음 도 8(b)에 도시된 바와 같이, 전사헤드(1)에 의해 제1마이크로 LED(ML1)가 제1_x피치 간격의 14배, 제1_y피치 간격의 7배가 되도록 타겟 기판(100)으로 전사되어 배치될 수 있다. 이와 같은 과정은 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정일 수 있다. 또한, 이는 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계일 수 있다.Then, as shown in Fig. 8(b), the first micro LED (ML1) is transferred to the target substrate 100 so that the first micro LED (ML1) becomes 14 times the 1_x pitch interval and 7 times the 1_y pitch interval. Can be transferred and placed. This process may be a transfer process of the first micro LED (ML1) of the first round. Also, this may be an integer multiple transfer step of the first micro device.

그런 다음 도 8(c)에 도시된 바와 같이, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 경우, (N×Q)-1의 조건에 의해 총 수행 횟수가 산출될 수 있고, 타겟 기판(100)의 x방향으로의 최소 수행 횟수는 (N-1)의 조건, 타겟 기판(100)의 y방향으로의 최소 수행 횟수는 (Q-1)의 조건에 의해 산출될 수 있다.Then, as shown in FIG. 8(c), the first micro device cut-in transfer step may be performed. In the case of the first micro device cut-in transfer step, the total number of executions may be calculated under the condition of (N×Q)-1, and the minimum number of executions in the x direction of the target substrate 100 is (N-1). The condition, the minimum number of times the target substrate 100 is performed in the y direction may be calculated by the condition of (Q-1).

위와 같이 타겟 기판(100)에서의 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00080
배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00081
배가 되는 배열의 경우, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 총 5회 수행될 수 있다. 이 경우, 타겟 기판(100)의 x방향으로의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 최소 수행 횟수는 2회, y방향으로의 최소 수행 횟수는 1회일 수 있다.As above, the second_x pitch spacing in the target substrate 100 is greater than the first_x pitch spacing.
Figure pat00080
Times, and the 2nd_y pitch interval is greater than the 1_y pitch interval
Figure pat00081
In the case of the doubled arrangement, the first micro device cut-in transfer step may be performed a total of 5 times. In this case, the minimum number of times the transfer step of the first micro device cut-in in the x direction of the target substrate 100 is performed may be 2 times and the minimum number of times in the y direction may be 1 time.

그런 다음 타겟 기판(100)의 x방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 이 경우, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 타겟 기판(100)의 x, y방향은 이에 한정되지 않는다. 이하에서는 하나의 예로서, 타겟 기판(100)의 x방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행된 다음 y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 순서로 설명한다.Then, a transfer step of cutting in the first micro device in the x direction of the target substrate 100 may be performed. In this case, the x and y directions of the target substrate 100 in which the first micro device cut-in transfer step is performed are not limited thereto. Hereinafter, as an example, a first micro device cut-in transfer step is performed in the x direction of the target substrate 100 and then the first micro device cut-in transfer step is performed in the y direction.

도 8(c)는 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정이면서 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에 의해 전사된 마이크로 LED(ML)가 전사된 상태를 도시한 도이다.FIG. 8(c) is a diagram illustrating a state in which the micro LEDs ML transferred by the first micro device cut-in transfer step are transferred while the second micro LEDs ML1 are transferred.

도 8(c)에 도시된 바와 같이, 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 제1마이크로 LED(ML1)는 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사될 수 있다. 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정은 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계이므로 도 8(c)는 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행된 상태를 도시한 도이다.As shown in Fig. 8(c), the first micro LED (ML1) is transferred in the first micro LED (ML1) transfer process by the second first micro LED (ML1) transfer process. It can be transferred between the micro LEDs (ML1). Since the second first micro LED (ML1) transfer process is the first first micro device cut-in transfer step, FIG. 8(c) is a diagram showing a state in which the first first micro device cut-in transfer step is performed.

그런 다음 도 8(d)에 도시된 바와 같이, 제3회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 제1마이크로 LED(ML1)는 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사될 수 있다.Then, as shown in Fig. 8(d), the first micro LED (ML1) is transferred by the second micro LED (ML1) transfer process by the third first micro LED (ML1) transfer process. It may be transferred between the first micro LED (ML1) and the first micro LED (ML1) transferred by the transfer process of the first micro LED (ML1).

그런 다음 도 8(e)에 도시된 바와 같이, 제4회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정이 수행될 수 있다. 제4회차 전사 과정에 의해 제1마이크로 LED(ML1)는 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 타겟 기판(100)의 y방향으로 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사될 수 있다. 이와 같은 과정은 타겟 기판(100)의 y방향으로의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 최소 수행 횟수인 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 수행되는 과정일 수 있다.Then, as shown in FIG. 8 (e), the fourth first micro LED (ML1) transfer process may be performed. The first micro LED (ML1) is transferred between the first micro LEDs (ML1) in the y direction of the target substrate 100 transferred by the first micro LED (ML1) transfer process by the fourth transfer process. Can be. Such a process may be a process performed in the first micro device cut-in transfer step, which is the minimum number of times the first micro device cut-in transfer step in the y direction of the target substrate 100 is performed.

그런 다음 도 8(f)에 도시된 바와 같이, 제5회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정이 수행될 수 있다. 제5회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)는 타겟 기판(100)의 x방향으로 수행되되, 제2회차 전사 과정에 의해 타겟 기판(100)의 x방향으로 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이이면서 제4회차 전사 과정에 의해 타겟 기판(100)의 y방향으로 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사될 수 있다. 이는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 타겟 기판(100)의 x, y방향으로 최소 수행 횟수만큼 수행된 다음 나머지 수행 횟수의 회차에서 수행되는 과정일 수 있다.Then, as shown in FIG. 8(f), the fifth micro LED (ML1) transfer process may be performed. The first micro LED (ML1) transferred by the fifth transfer process is performed in the x direction of the target substrate 100, but the first micro LED transferred in the x direction of the target substrate 100 by the second transfer process It may be transferred between the LEDs ML1 and between the first micro LEDs ML1 transferred in the y direction of the target substrate 100 by the fourth transfer process. This may be a process in which the first micro device cut-in transfer step is performed in the x- and y-directions of the target substrate 100 as many times as the minimum number of executions, and then performed in the remaining number of executions.

그런 다음 도 8(g)에 도시된 바와 같이, 제6회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정이 수행될 수 있다. 제6회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)는 타겟 기판(100)의 x방향으로 수행되되, 제3회차 전사 과정에 의해 타겟 기판(100)의 x방향으로 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이이면서 제5회차 전사 과정에 의해 타겟 기판(100)의 y방향으로 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사될 수 있다. 이는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 타겟 기판(100)의 x, y방향으로 최소 수행 횟수만큼 수행된 다음 나머지 수행 횟수의 회차에서 수행되는 과정일 수 있다.Then, as shown in FIG. 8(g), the 6th first micro LED (ML1) transfer process may be performed. The first micro LED (ML1) transferred by the sixth transfer process is performed in the x direction of the target substrate 100, but the first micro LED transferred in the x direction of the target substrate 100 by the third transfer process. It may be transferred between the LEDs ML1 and between the first micro LEDs ML1 transferred in the y direction of the target substrate 100 by the fifth transfer process. This may be a process in which the first micro device cut-in transfer step is performed in the x- and y-directions of the target substrate 100 as many times as the minimum number of executions, and then performed in the remaining number of executions.

이처럼 본 발명은 타겟 기판(100)에서의 x, y방향의 피치 간격 조정값이 서로 다른 경우라도 타겟 기판(100)의 x, y방향 각각의 동일한 피치 간격 조정값이면서 적은 전사 횟수로 타겟 기판(100)에서 동종의 마이크로 LED(ML)간의 열 및 행방향 피치 간격을 소수배 변경할 수 있도록 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격의 배수를 결정할 수 있다.As described above, the present invention provides the same pitch interval adjustment value in the x and y directions of the target substrate 100 and the target substrate ( In 100), a multiple of the 1_x pitch interval and the 1_y pitch interval may be determined so that the column and row pitch intervals between the micro LEDs ML of the same kind may be changed by a decimal number.

ⅲ)제2기판에서 화소 배열을 이루면서 제1기판에서의 동종의 마이크로 LED간의 피치 간격을 소수배로 변경하는 방법Iii) A method of changing the pitch interval between micro LEDs of the same kind on the first substrate to a decimal number while forming a pixel arrangement on the second substrate

본 발명은 타겟 기판(100)에서 화소 배열을 이루면서 소자 기판(MLP)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격을 소수배 변경할 수 있다.According to the present invention, the pitch interval between the micro LEDs ML of the same kind in the device substrate MLP can be changed a few times while forming the pixel arrangement on the target substrate 100.

도 9는 본 발명에 따라 타겟 기판(100)에 화소 배열을 형성하는 과정을 개략적으로 도시한 도이다. 9 is a diagram schematically illustrating a process of forming a pixel array on the target substrate 100 according to the present invention.

도 9(a) 내지 (c)는 본 발명에 따른 마이크로 소자 디스플레이에서 화소 배열을 구현하기 위한 마이크로 LED(ML)를 구비하는 소자 기판(MLP)을 도시한 도이다. 도 9(a)는 제1마이크로 LED(ML1)를 구비하는 제1소자 기판(MLP1)을 도시한 도이고, 도 9(b)는 제2마이크로 LED(ML2)를 구비하는 제2소자 기판(MLP2)을 도시한 도이다. 도 9(c)는 제3마이크로 LED(ML3)를 구비하는 제3소자 기판(MLP3)을 도시한 도이다.9A to 9C are diagrams showing a device substrate MLP including a micro LED ML for implementing a pixel arrangement in a micro device display according to the present invention. 9(a) is a diagram showing a first device substrate MLP1 having a first micro LED ML1, and FIG. 9(b) is a second device substrate having a second micro LED ML2 ( MLP2) is a diagram showing. 9(c) is a diagram showing a third device substrate MLP3 including a third micro LED ML3.

상기한 제1 내지 제3소자 기판(MLP3)의 제1 내지 제3마이크로 LED(ML3)는 전사헤드(1)에 의해 소자 기판(MLP)에서 타겟 기판(100)으로 전사되어 마이크로 소자 디스플레이상의 화소 배열을 구현할 수 있다. 이 경우, 타겟 기판(100)에 전사되는 마이크로 LED(ML)는 소자 기판(MLP)에서의 마이크로 LED(ML)의 x, y방향의 피치 간격의 4배수 이상의 피치 간격으로 전사될 수 있다.The first to third micro LEDs ML3 of the first to third device substrates MLP3 are transferred from the device substrate MLP to the target substrate 100 by the transfer head 1 to provide pixels on the micro device display. Arrays can be implemented. In this case, the micro LEDs ML transferred to the target substrate 100 may be transferred at a pitch interval equal to or greater than 4 times the pitch interval in the x and y directions of the micro LEDs ML in the device substrate MLP.

도 9(d)는 본 발명에 따른 마이크로 소자 디스플레이를 구성하는 타겟 기판(100)상의 단위 모듈(M)을 확대하여 도시한 도이다. 도 9(d)에 도시된 바와 같이, 전사헤드(1)에 의해 타겟 기판(100)으로 전사된 제1 내지 제3마이크로 LED(ML3)는 마이크로 소자 디스플레이상에서 화소 배열을 구현할 수 있다.9(d) is an enlarged view showing the unit module M on the target substrate 100 constituting the micro device display according to the present invention. As shown in FIG. 9(d), the first to third micro LEDs ML3 transferred to the target substrate 100 by the transfer head 1 may implement a pixel arrangement on the micro device display.

도 9(a) 내지 (c)에서 'P(1)_x'는 소자 기판상의 x방향에 따른 마이크로 LED(ML)간의 제1_x피치 간격을 의미하고, 'P(1)_y'는 소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)상의 y방향에 따른 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)간의 제1_y피치 간격을 의미한다. 이 경우, 소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)의 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 x, y방향의 피치 간격은 동일할 수 있다.9(a) to (c),'P(1)_x' denotes the first_x pitch interval between micro LEDs (ML) along the x direction on the element substrate, and'P(1)_y' denotes the element substrate ( It refers to the 1st_y pitch interval between the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 along the y direction on the MLP1, MLP2, and MLP3). In this case, the pitch intervals in the x and y directions of the micro LEDs ML1, ML2 and ML3 of the device substrates MLP1, MLP2, and MLP3 may be the same.

한편, 도 9(d)에 도시된 'P(2)_x'는 타겟 기판(100)상의 x방향에 따른 마이크로 LED(ML)간의 제2_x피치 간격을 의미하고, 'P(2)_y'는 타겟 기판(100)상의 y방향에 따른 마이크로 LED(ML)간의 제2_y피치 간격을 의미한다. Meanwhile,'P(2)_x' shown in FIG. 9(d) means the second_x pitch interval between the micro LEDs (ML) along the x direction on the target substrate 100, and'P(2)_y' is It refers to the second_y pitch interval between the micro LEDs (ML) along the y direction on the target substrate 100.

전사헤드(1)에 의해 소자 기판(MLP)에서 타겟 기판(100)으로 전사되는 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)는 소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)에서의 피치 간격보다 큰 피치 간격으로 전사되되, 4배수 이상의 피치 간격으로 전사될 수 있다. The micro LEDs (ML1, ML2, ML3) transferred from the device substrate (MLP) to the target substrate 100 by the transfer head 1 are transferred at a larger pitch interval than that of the device substrates (MLP1, MLP2, MLP3). However, it can be transferred at a pitch interval of 4 times or more.

따라서, 도 9(d)에 도시된 제2_x피치 간격(P(2)_x) 및 제2_y피치 간격(P(2)_y)은 도 9(a) 내지 (c) 에 도시된 제1_x피치 간격(P(1)_x) 및 제1_y피치 간격(P(1)_y)의 4배수 이상의 피치 간격일 수 있다.Accordingly, the second_x pitch interval (P(2)_x) and the second_y pitch interval (P(2)_y) shown in FIG. 9(d) are the first_x pitch intervals shown in FIGS. 9(a) to (c). It may be a pitch interval equal to or greater than 4 times the (P(1)_x) and the first_y pitch interval (P(1)_y).

하나의 예로서, 전사헤드(1)가 제1마이크로 LED(ML1), 제2마이크로 LED(ML2) 및 제3마이크로 LED(ML3)를 순차적으로 타겟 기판(100)으로 전사할 수 있다. 이 경우, 각각의 마이크로 LED(ML)는 소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)에서의 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격의 4배수의 거리로 전사될 수 있다. As an example, the transfer head 1 may sequentially transfer the first micro LED (ML1), the second micro LED (ML2), and the third micro LED (ML3) to the target substrate 100. In this case, each of the micro LEDs ML may be transferred at a distance of 4 times the 1_x pitch interval and the 1_y pitch interval in the device substrates MLP1, MLP2, and MLP3.

도 9를 참조하여 설명하면, 먼저 도 9(a)에 도시된 바와 같은 제1소자 기판(MLP1)의 제1마이크로 LED(ML1)가 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다. 도 9(d)에 도시된 제1마이크로 LED(ML1)는 이와 같은 과정으로 전사된 제1마이크로 LED(ML1)일 수 있다.Referring to FIG. 9, first, the first micro LED ML1 of the first device substrate MLP1 as illustrated in FIG. 9A may be transferred to the target substrate 100. The first micro LED ML1 shown in FIG. 9(d) may be the first micro LED ML1 transferred through this process.

그런 다음, 도 9(b)에 도시된 바와 같은 제2소자 기판(MLP2)의 제2마이크로 LED(ML2)가 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다. 이 경우, 타겟 기판(100)에 이미 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 제1마이크로 LED(ML1)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼 도면상 오른쪽으로 전사헤드(1)를 위치시켜 제2마이크로 LED(ML2)를 타겟 기판(100)상으로 일괄 전사하는 과정이 수행될 수 있다. Then, the second micro LED ML2 of the second device substrate MLP2 as shown in FIG. 9B may be transferred to the target substrate 100. In this case, based on the first micro LED (ML1) already transferred to the target substrate 100, the transfer head is to the right of the drawing by the pitch interval (P(ML)_x) in the x direction of the first micro LED (ML1). A process of collectively transferring the second micro LED (ML2) onto the target substrate 100 by positioning 1) may be performed.

제2마이크로 LED(ML2)는 제1마이크로 LED(ML1)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼 전사헤드(1)를 위치시켜 전사되므로 도 9(d)의 제1, 2마이크로 LED(ML1, ML2)사이에 도시된 'a'는 제1, 2마이크로 LED(ML1, ML2)간의 피치 간격을 의미할 수 있다. 다시 말해, 'a'는 제1마이크로 LED(ML1)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)을 의미한다.The second micro LED (ML2) is transferred by positioning the transfer head 1 as much as the pitch interval (P(ML)_x) in the x direction of the first micro LED (ML1), so the first and second micro LEDs of Fig. 9(d) 'A' shown between the LEDs ML1 and ML2 may mean a pitch interval between the first and second micro LEDs ML1 and ML2. In other words,'a' means a pitch interval P(ML)_x in the x direction of the first micro LED ML1.

그런 다음 도 9(c)에 도시된 바와 같은 제3소자 기판(MLP3)의 제3마이크로 LED(ML3)가 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다. 이 경우, 타겟 기판(100)에 이미 전사된 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 제2마이크로 LED(ML2)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼 도면상 오른쪽으로 전사헤드(1)를 위치시켜 제3마이크로 LED(ML3)를 타겟 기판(100)상으로 일괄 전사하는 과정이 수행될 수 있다.Then, the third micro LED ML3 of the third device substrate MLP3 as shown in FIG. 9C may be transferred to the target substrate 100. In this case, based on the second micro LED (ML2) already transferred to the target substrate 100, the transfer head is to the right in the drawing by the pitch interval (P(ML)_x) in the x direction of the second micro LED (ML2). A process of collectively transferring the third micro LED (ML3) onto the target substrate 100 by positioning 1) may be performed.

제3마이크로 LED(ML3)는 제2마이크로 LED(ML2)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼 전사헤드(1)를 위치시켜 전사될 수 있다. 따라서, 도 9(d)의 제2, 3마이크로 LED(ML2, ML3) 사이에 도시된 'b'는 제2, 3마이크로 LED(ML2, ML3)간의 피치 간격을 의미할 수 있다. 다시 말해 'b'는 제2마이크로 LED(ML2)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)을 의미하고, 제1마이크로 LED(ML1)의 x방향 피치 간격(P(ML)_x)인 'a'와 동일한 피치 간격일 수 있다.The third micro LED (ML3) may be transferred by positioning the transfer head 1 by the pitch interval P(ML)_x in the x direction of the second micro LED (ML2). Therefore,'b' shown between the second and third micro LEDs ML2 and ML3 of FIG. 9(d) may mean a pitch interval between the second and third micro LEDs ML2 and ML3. In other words,'b' means the pitch interval (P(ML)_x) in the x direction of the second micro LED (ML2), and the pitch interval (P(ML)_x) in the x direction of the first micro LED (ML1) It may be the same pitch interval as'a'.

제1마이크로 LED(ML1) 내지 제3마이크로 LED(ML3)가 타겟 기판(100)상으로 전사되면서 타겟 기판(100)상에 제1마이크로 LED(ML1), 제2마이크로 LED(ML2) 및 제3마이크로 LED(ML3)로 구성되는 단위 화소(F)가 형성될 수 있다. As the first micro LED (ML1) to the third micro LED (ML3) are transferred onto the target substrate 100, the first micro LED (ML1), the second micro LED (ML2), and the third micro LED (ML2) are transferred onto the target substrate 100. A unit pixel F composed of micro LEDs ML3 may be formed.

이 경우, 도 9(d)에 도시된 'c'는 마지막 순서로 전사된 제3마이크로 LED(ML3)와 첫번째 순서로 전사된 제1마이크로 LED(ML1)간의 피치 간격을 의미한다.In this case,'c' shown in FIG. 9(d) denotes a pitch interval between the third micro LED ML3 transferred in the last order and the first micro LED ML1 transferred in the first order.

위와 같은 과정에 의해 도 9(d)에 도시된 바와 같이 소자 기판(MLP)에서의 피치 간격보다 큰 피치 간격으로 마이크로 LED(ML)가 배치된 마이크로 소자 디스플레이가 제조될 수 있게 된다.By the above process, as shown in FIG. 9(d), a micro device display in which the micro LEDs ML are disposed at a pitch interval greater than that of the device substrate MLP can be manufactured.

도 9에 도시된 소자 기판(MLP) 및 타겟 기판(100)에서의 피치 간격(예를 들어, 제1_x피치 간격(P(1)_x), 제1_y피치 간격(P(1)_y), 제2_x피치 간격(P(2)_x) 및 제2_y피치 간격P(2)_y)은 예시적으로 도시된 피치 간격이므로 특정 피치 간격을 의미하지 않는다.Pitch intervals in the device substrate MLP and the target substrate 100 shown in FIG. 9 (e.g., a first_x pitch interval (P(1)_x), a first_y pitch interval (P(1)_y)), The 2_x pitch interval (P(2)_x) and the second_y pitch interval P(2)_y) are exemplarily illustrated pitch intervals and do not mean a specific pitch interval.

이하, 도 10 내지 도 14는 본 발명에 따른 디스플레이 기판을 이루는 단위 모듈의 다양한 실시 예를 도시한 도이다. 이를 참조하여 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법에서 ⅲ)제2기판에서 화소배열을 이루면서 제1기판에서의 동종의 마이크로 LED간의 피치 간격을 소수배로 확장하는 방법에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, FIGS. 10 to 14 are diagrams illustrating various embodiments of a unit module constituting a display substrate according to the present invention. With reference to this, in the method of manufacturing a micro device display, iii) a method of extending the pitch interval between micro LEDs of the same kind on the first substrate by a decimal number while forming the pixel arrangement on the second substrate will be described in detail.

본 발명은 제1소자 기판(MLP1)상에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제1_y피치 간격으로 배열된 제1마이크로 소자를 타겟 기판(100)에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 배열되도록 전사하되, 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00082
배(여기서, M은 7이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00083
배(여기서, P는 7이상의 정수 중 어느 하나이고, Q는 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 할 수 있다.In the present invention, the first micro-elements arranged at first_x pitch intervals along the x direction on the first element substrate MLP1 and arranged at the first_y pitch intervals along the y direction are transferred from the target substrate 100 to the second_x direction along the x direction. Transfers are arranged at pitch intervals and arranged at 2_y pitch intervals along the y direction, but the 2nd_x pitch intervals are greater than the 1st_x pitch intervals.
Figure pat00082
Times (where M is any one of an integer greater than 7 and N is any one of an integer greater than 2), and the second_y pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00083
It can be a multiple (here, P is any one of an integer of 7 or more, and Q is any of an integer of 2 or more).

제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격은 동일한 배수로 확장되어 제2_x피치 간격 및 제2_y피치 간격이 될 수 있고, 서로 다른 배수로 확장되어 제2_x피치 간격 및 제2_y피치 간격이 될 수 있다.The 1st_x pitch interval and the 1st_y pitch interval may be expanded by the same multiple to become the 2nd_x pitch interval and the 2_y pitch interval, and may be expanded by different multiples to become the 2nd_x pitch interval and the 2_y pitch interval.

먼저, 도 10 및 도 11를 참조하여 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격이 동일한 배수로 확장되어 제2_x피치 간격 및 제2_y피치 간격이 되는 실시 예에 대해 설명한다.First, an embodiment in which the 1st_x pitch interval and the 1_y pitch interval are expanded by the same multiple to become the 2nd_x pitch interval and the 2_y pitch interval will be described with reference to FIGS. 10 and 11.

도 10는 제1소자 기판 내지 제3소자 기판에 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격으로 배열된 제1마이크로 LED 내지 제3마이크로 LED를 타겟 기판에 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격의 4.5배의 거리로 전사하는 과정을 개략적으로 도시한 도이다. 이 경우, M=9, N=2이고, P=9, Q=2이며, 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 각각의 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격이 동일한 배수(예를 들어, 4.5배수)로 확장되어 화소 배열을 이루는 마이크로 소자 디스플레이가 제작될 수 있다.FIG. 10 shows a first micro LED to a third micro LED arranged at a 1 _ x pitch interval and a 1 _ y pitch interval on a first device substrate to a third device substrate on a target substrate by 4.5 times the 1 _ x pitch interval and the 1 _ y pitch interval It is a diagram schematically showing the process of transferring to the distance of. In this case, M=9, N=2, P=9, Q=2, and the first_x pitch intervals and 1_y pitch intervals of each of the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 are the same multiple (e.g., 4.5 times) to form a pixel array can be manufactured a micro device display.

전사헤드(1)는 제1소자 기판(MLP1) 내지 제3소자 기판(MLP3)의 제1마이크로 LED(ML1) 내지 제3마이크로 LED(ML3) 각각을 타겟 기판(100)에 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격의 9배의 거리로 전사할 수 있는 구조로 구비될 수 있다. The transfer head 1 includes a first micro LED (ML1) to a third micro LED (ML3) of the first device substrate MLP1 to the third device substrate MLP3, respectively, to the target substrate 100 with a first_x pitch interval and It may be provided in a structure capable of transferring at a distance of 9 times the first_y pitch interval.

도 10(a) 내지 (c)에는 순서대로 제1마이크로 LED(ML1) 내지 제3마이크로 LED(ML3)를 구비하는 제1소자 기판(MLP1) 내지 제3소자 기판(MLP3)이 도시된다.10(a) to (c) illustrate a first device substrate MLP1 to a third device substrate MLP3 including first micro LEDs ML1 to third micro LEDs ML3 in order.

제1마이크로 LED(ML1) 내지 제3마이크로 LED(ML3)가 타겟 기판(100)으로 전사되는 순서는 한정되지 않으나, 이하에서는 하나의 예로서 전사헤드(1)가 제1마이크로 LED(ML1), 제2마이크로 LED(ML2) 및 제3마이크로 LED(ML3)를 순서대로 타겟 기판(100)으로 전사하는 것으로 설명한다.The order in which the first micro LED (ML1) to the third micro LED (ML3) are transferred to the target substrate 100 is not limited, but hereinafter, as an example, the transfer head 1 is the first micro LED (ML1), It will be described that the second micro LED (ML2) and the third micro LED (ML3) are transferred to the target substrate 100 in order.

먼저, 전사헤드(1)가 제1소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계가 수행될 수 있다. First, the transfer head 1 is the first microelements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and the pitch interval P times the first_y pitch interval along the y direction. A first micro device multiple transfer step of adsorbing the first micro devices located in the matrix form and then transferring them to the target substrate 100 may be performed.

구체적으로, 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서는 전사헤드(1)가 도 10(a)에 도시된 제1소자 기판(MLP1)의 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 9배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 9배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)들을 매트릭스 형태로 흡착할 수 있다.Specifically, in the step of transferring an integer multiple of the first micro device, the transfer head 1 is located at a pitch interval of 9 times the first_x pitch interval along the x direction of the first device substrate MLP1 shown in FIG. 10(a). The first micro LEDs ML1 and the first micro LEDs ML1 positioned at a pitch interval of 9 times the first_y pitch interval along the y direction may be adsorbed in a matrix form.

그런 다음 도 10(d)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)의 제1, 10행 및 제1, 10열에 흡착한 제1마이크로 LED(ML1)를 전사할 수 있다. 이 경우, 타겟 기판(100)에서 화소 배열을 이루면서 동종의 마이크로 LED(구체적으로, ML1)간의 피치 간격을 소수배 확장하기 위한 제1회차 전사 과정일 수 있다. 이러한 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계는 제1소자 기판(MLP1)의 제1마이크로 LED(ML1)의 피치 간격을 타겟 기판(100)에서 소수배 확장하여 전사하기 위해 1회만 수행되는 전사과정일 수 있다.Then, as shown in FIG. 10(d), the first micro LED ML1 adsorbed to the first and ten rows and the first and ten columns of the target substrate 100 may be transferred. In this case, it may be a first transfer process for extending the pitch interval between micro LEDs of the same kind (specifically, ML1) by a few times while forming a pixel arrangement on the target substrate 100. The first micro device multiple transfer step may be a transfer process performed only once to transfer by extending the pitch interval of the first micro LED ML1 of the first device substrate MLP1 by a decimal number from the target substrate 100. .

그런 다음 전사헤드(1)는 제2소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계를 수행할 수 있다. Then, the transfer head 1 includes second microelements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and a pitch interval P times of the first_y pitch interval along the y direction. A second micro device integer multiple transfer step of adsorbing the second micro devices located in the matrix form and then transferring them to the target substrate 100 may be performed.

구체적으로, 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계에서는 전사헤드(1)가 제2소자 기판(MLP2)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 9배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 LED(ML2)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 9배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 LED(ML2)들을 매트릭스 형태로 흡착할 수 있다.Specifically, in the second micro device multiple transfer step, the transfer head 1 is the second micro LEDs ML2 positioned at a pitch interval of 9 times the first_x pitch interval along the x direction on the second device substrate MLP2. And second micro LEDs ML2 positioned at a pitch interval of 9 times the first_y pitch interval along the y direction in a matrix form.

그런 다음 도 10(d)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)의 제1, 10행 및 제1, 10열에 이미 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 제1마이크로 LED(ML1)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼 도면상 오른쪽으로 전사헤드(1)를 위치시켜 제2마이크로 LED(ML2)를 타겟 기판(100)상으로 일괄 전사하는 과정이 수행될 수 있다. 이 경우, 타겟 기판(100)에서 화소 배열을 이루면서 동종의 마이크로 LED(구체적으로, ML2)간의 피치 간격을 소수배 확장하기 위한 제2회차 전사 과정일 수 있다. 이러한 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계는 제2소자 기판(MLP2)의 제2마이크로 LED(ML2)의 피치 간격을 타겟 기판(100)에서 소수배 확장하여 전사하기 위해 1회만 수행되는 전사과정일 수 있다.Then, as shown in FIG. 10(d), the first micro LED (ML1) based on the first micro LED (ML1) already transferred to the first and ten rows and the first and ten columns of the target substrate 100 A process of collectively transferring the second micro LED (ML2) onto the target substrate 100 may be performed by placing the transfer head 1 to the right on the drawing by the pitch interval P(ML)_x in the x direction of . In this case, it may be a second transfer process for forming a pixel arrangement on the target substrate 100 and extending the pitch interval between the micro LEDs of the same kind (specifically, ML2) by a few orders of magnitude. The first micro device multiple transfer step may be a transfer process performed only once to transfer by extending the pitch interval of the second micro LED (ML2) of the second device substrate (MLP2) by a few times from the target substrate (100). .

그런 다음 전사헤드(1)가 제3소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계가 수행될 수 있다.Then, the transfer head 1 is positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction on the third device substrate, and the pitch interval P times P times the first_y pitch interval along the y direction. A third micro device integer multiple transfer step of adsorbing the third micro devices located in the matrix form and then transferring them to the target substrate 100 may be performed.

구체적으로 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계에서는 전사헤드(1)가 제3소자 기판(MLP3)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 9배의 피치 간격에 위치하는 제마이크로 LED(ML)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 9배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 LED(ML3)들을 흡착할 수 있다.Specifically, in the step of transferring an integral multiple of the third micro device, the transfer head 1 includes the micro LEDs (ML) and y micro LEDs (ML) positioned at a pitch interval of 9 times the first_x pitch interval along the x direction on the third device substrate MLP3. The third micro LEDs ML3 positioned at a pitch interval of 9 times the first_y pitch interval along the direction may be adsorbed.

그런 다음 타겟 기판(100)에 이미 전사된 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 제2마이크로 LED(ML2)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼 도면상 오른쪽으로 전사헤드(1)를 위치시켜 제3마이크로 LED(ML3)를 타겟 기판(100)상으로 일괄 전사하는 과정이 수행될 수 있다. 이 경우, 타겟 기판(100)에서 화소 배열을 이루면서 동종의 마이크로 LED(구체적으로, ML3)간의 피치 간격을 소수배 확장하기 위한 제3회차 전사 과정일 수 있다. 이러한 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계는 제3소자 기판(MLP3)의 제3마이크로 LED(ML3)의 피치 간격을 타겟 기판(100)에서 소수배 확장하여 전사하기 위해 1회만 수행되는 전사과정일 수 있다.Then, based on the second micro LED (ML2) already transferred to the target substrate 100, the transfer head (1) to the right of the drawing by the pitch interval (P(ML)_x) in the x direction of the second micro LED (ML2). ) May be placed to collectively transfer the third micro LED (ML3) onto the target substrate 100. In this case, it may be a third transfer process for forming a pixel arrangement on the target substrate 100 and extending the pitch interval between the micro LEDs of the same kind (specifically, ML3) by a few times. The first micro device multiple transfer step may be a transfer process performed only once to transfer by extending the pitch interval of the third micro LED ML3 of the third device substrate MLP3 by a decimal number from the target substrate 100. .

그런 다음 전사헤드(1)가 제1소자 기판(MLP1)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 소자 사이에 전사하는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다. Then, the transfer head 1 moves the first microelements located at a pitch interval of M times the 1_x pitch interval along the x direction in the x direction and P times the 1_y pitch interval along the y direction. A first micro-element cut-in transfer step of adsorbing the first micro-elements positioned at a pitch interval of, in a matrix form, and transferring between the first micro-elements on the target substrate 100 previously transferred, may be performed.

구체적으로, 전사헤드(1)가 제1소자 기판(MLP1)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 9배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 9배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 제1회차 전사 과정에서 전사된 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사하는 과정이 수행될 수 있다. 이는 타겟 기판(100)에서 화소 배열을 이루면서 동종의 마이크로 LED(구체적으로 ML1)간의 피치 간격을 소수배 확장하기 위한 제4회차 전사 과정일 수 있다. 마이크로 소자 컷인 전사 단계에 의해 제1회차 전사 과정에서 타겟 기판(100)에 M배(구체적으로 9배)의 피치 간격에 위치하도록 전사된 제1마이크로 LED(ML1)간의 피치 간격이 소수배(구체적으로 4.5배)확장될 수 있게 된다.Specifically, the transfer head 1 includes first microelements positioned at a pitch interval of 9 times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and 9 first_y pitch intervals along the y direction. A process of adsorbing the first micro-elements positioned at the double pitch interval in a matrix form and then transferring between the first micro LEDs ML1 on the target substrate 100 transferred in the first transfer process may be performed. This may be a fourth transfer process for forming a pixel arrangement on the target substrate 100 and extending the pitch interval between micro-LEDs of the same kind (specifically, ML1) by a few orders of magnitude. The pitch spacing between the first micro LEDs (ML1) transferred to the target substrate 100 at a pitch spacing of M times (specifically 9 times) in the first transfer process by the micro device cut-in transfer step is a few times (specifically 4.5 times) can be expanded.

제1마이크로 소자 컷인 전사 단계 및 후술할 제2, 3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행하는 전사헤드(1)는 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 마이크로 소자 컷인 전사 단계 수행시 N의 값을 토대로 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 전사 위치에 대한 좌표를 입력받아 그 위치에 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 전사할 수 있다.The transfer head 1 performing the first micro device cut-in transfer step and the second and third micro device cut-in transfer steps to be described later is the value of N when performing the micro device cut-in transfer step of each of the micro LEDs (ML1, ML2, ML3). Based on this, the coordinates for the transfer position of each micro LED (ML1, ML2, ML3) can be input and the micro LEDs (ML1, ML2, ML3) can be transferred to that location.

그런 다음 전사헤드(1)가 제2소자 기판(MLP1)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 타겟 기판(100)상의 제2마이크로 소자 사이에 전사하는 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다. Then, the transfer head 1 is placed in the second device substrate MLP1 along the x direction with the second microelements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval and P times the first_y pitch interval along the y direction. A second micro-element cut-in transfer step of adsorbing the second micro-elements positioned at a pitch interval of, in a matrix form, and transferring between the second micro-elements on the previously transferred target substrate 100 may be performed.

구체적으로, 전사헤드(1)가 제2소자 기판(MLP2)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 9배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 9배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 제2회차 전사 과정에서 전사된 타겟 기판(100)상의 제2마이크로 LED(ML2) 사이에 전사하는 과정이 수행될 수 있다. 이는 타겟 기판(100)에서 화소 배열을 이루면서 동종의 마이크로 LED(구체적으로 ML2)간의 피치 간격을 소수배 확장하기 위한 제5회차 전사 과정일 수 있다. 마이크로 소자 컷인 전사 단계에 의해 제2회차 전사 과정에서 타겟 기판(100)에 M배(구체적으로 9배)의 피치 간격에 위치하도록 전사된 제2마이크로 LED(ML2)간의 피치 간격이 소수배(구체적으로 4.5배)확장될 수 있게 된다.Specifically, the transfer head 1 includes second micro-elements positioned at a pitch interval of 9 times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and 9 first_y pitch intervals along the y direction. A process of adsorbing the second micro-elements positioned at the double pitch interval in a matrix form and then transferring between the transferred second micro LEDs ML2 on the target substrate 100 in the second transfer process may be performed. This may be a fifth transfer process for forming a pixel arrangement on the target substrate 100 and extending the pitch interval between micro LEDs of the same kind (specifically, ML2) by a few orders of magnitude. The pitch spacing between the second micro LEDs (ML2) transferred to the target substrate 100 at a pitch spacing of M times (specifically 9 times) in the second transfer process by the micro device cut-in transfer step is a few times (specifically 4.5 times) can be expanded.

그런 다음 전사헤드(1)가 제3소자 기판(MLP3)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 타겟 기판(100)상의 제3마이크로 소자 사이에 전사하는 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다. Then, the transfer head 1 is placed in the third device substrate MLP3 along the x direction with the third microelements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval and P times the first_y pitch interval along the y direction. A third micro-element cut-in transfer step of adsorbing the third micro-elements positioned at a pitch interval of in a matrix form and then transferring between the third micro-elements on the previously transferred target substrate 100 may be performed.

구체적으로, 전사헤드(1)가 제3소자 기판(MLP3)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 9배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 9배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 제3회차 전사 과정에서 전사된 타겟 기판(100)상의 제3마이크로 LED(ML3) 사이에 전사하는 과정이 수행될 수 있다. 이는 타겟 기판(100)에서 화소 배열을 이루면서 동종의 마이크로 LED(구체적으로 ML3)간의 피치 간격을 소수배 확장하기 위한 제6회차 전사 과정일 수 있다. 마이크로 소자 컷인 전사 단계에 의해 제3회차 전사 과정에서 타겟 기판(100)에 M배(구체적으로 9배)의 피치 간격에 위치하도록 전사된 제3마이크로 LED(ML1)간의 피치 간격이 소수배(구체적으로 4.5배)확장될 수 있게 된다.Specifically, the transfer head 1 includes third micro-elements positioned at a pitch interval of 9 times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and 9 first_y pitch intervals along the y direction. A process of adsorbing the third micro-elements positioned at the double pitch interval in a matrix form and then transferring between the third micro LEDs ML3 on the target substrate 100 transferred in the third transfer process may be performed. This may be a sixth transfer process for forming a pixel arrangement on the target substrate 100 and extending the pitch interval between the micro LEDs of the same kind (specifically, ML3) by a few orders of magnitude. The pitch spacing between the third micro LEDs (ML1) transferred to the target substrate 100 to be located at a pitch spacing of M times (specifically 9 times) in the third transfer process by the micro device cut-in transfer step is a few times (specifically 4.5 times) can be expanded.

그 결과 도 10(e)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)상에 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)가 소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)에서의 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격보다 4.5배수로 확장된 제2_x피치 간격 및 제2_y피치 간격으로 배치된 형태가 구현될 수 있게 된다.As a result, as shown in FIG. 10(e), each of the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 on the target substrate 100 has a first_x pitch interval and a first_y of the device substrates MLP1, MLP2, and MLP3. It is possible to implement a form arranged at a 2_x pitch interval and a 2_y pitch interval extended by 4.5 times the pitch interval.

각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)가 소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)에서의 피치 간격보다 확장된 피치 간격으로 전사된 타겟 기판(100)에는 복수개의 단위 화소(F)가 형성될 수 있다. 다시 말해, 타겟 기판(100)에는 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격이 소수배 확장되어 배치되면서 복수개의 단위 화소(F)가 형성될 수 있다.A plurality of unit pixels F may be formed on the target substrate 100 in which each of the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 is transferred at a pitch interval that is greater than that of the device substrates MLP1, MLP2, and MLP3. have. In other words, a plurality of unit pixels F may be formed on the target substrate 100 while the pitch spacing between the micro LEDs ML of the same kind is expanded by a few times.

타겟 기판(100)상의 단위 화소(F)간에는 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)가 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격보다 4.5배수의 거리로 확장된 피치 간격으로 타겟 기판(100)으로 전사되면서 형성된 피치 간격이 형성될 수 있다. Between the unit pixels (F) on the target substrate 100, each of the micro LEDs (ML1, ML2, ML3) is connected to the target substrate 100 at a pitch interval that is extended by a distance of 4.5 times the first_x pitch interval and the first_y pitch interval. A pitch gap formed while being transferred may be formed.

단위 화소(F)를 구성하는 제1마이크로 LED(ML1) 내지 제3마이크로 LED(ML3)는 마이크로 LED(ML)의 x방향 피치 간격(P(ML)_x)만큼의 피치 간격을 가질 수 있다. 이는 어느 하나의 마이크로 LED(예를 들어, 제1마이크로 LED(ML1))의 정수배 전사 단계를 수행한 다음 먼저 전사된 마이크로 LED(예를 들어, 제1마이크로 LED(ML1))를 기준으로 마이크로 LED(예를 들어, 제1마이크로 LED(ML1))의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼 전사헤드(1)를 이동시켜 다음 마이크로 LED(예를 들어, 제2마이크로 LED(ML2))를 전사하는 과정을 수행함으로써 구현되는 피치 간격일 수 있다. 단위 화소(F)를 구성하는 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)간의 피치 간격은 예시적으로 도시하여 설명한 것이므로 이에 한정되지 않고, 전사헤드(1)의 이동 위치에 따라 피치 간격이 달라질 수 있다.The first micro LED (ML1) to the third micro LED (ML3) constituting the unit pixel F may have a pitch interval equal to the pitch interval P(ML)_x in the x direction of the micro LED ML. This is a micro LED based on the transferred micro LED (e.g., the first micro LED (ML1)) after performing an integer multiple transfer step of any one micro LED (eg, the first micro LED (ML1)). (For example, by moving the transfer head 1 by the pitch interval (P(ML)_x) in the x direction of the first micro LED (ML1)), the next micro LED (for example, the second micro LED (ML2) ) May be a pitch interval implemented by performing a transfer process. The pitch interval between the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 constituting the unit pixel F is illustratively illustrated and described, and thus is not limited thereto, and the pitch interval may vary according to the moving position of the transfer head 1.

단위 화소(F)간의 피치 간격은 타겟 기판(100)에 형성되는 제2_x피치 간격 및 제2_y피치 간격을 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격보다 몇 배수 확장하는지에 따라 달라질 수 있다.The pitch interval between the unit pixels F may vary depending on how many times the 2_x pitch interval and the 2_y pitch interval formed on the target substrate 100 are extended from the 1_x pitch interval and the 1_y pitch interval.

도 11는 제1소자 기판 내지 제3소자 기판에 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격으로 배열된 제1마이크로 LED 내지 제3마이크로 LED를 타겟 기판에 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격의 3.5배의 거리로 전사하는 과정을 개략적으로 도시한 도이다. 이 경우, M=7, N=2이고, P=7, Q=2이며 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격이 동일한 배수(예를 들어, 3.5배수)로 확장된 화소 배열을 갖는 마이크로 소자 디스플레이가 제작될 수 있다.FIG. 11 is a first to third device substrate with first to third micro LEDs arranged at 1_x pitch intervals and 1_y pitch intervals on a target substrate by 3.5 times the 1_x pitch interval and the 1_y pitch interval It is a diagram schematically showing the process of transferring to the distance of. In this case, M=7, N=2, P=7, Q=2, and the 1st_x pitch interval and 1_y pitch interval of the micro LEDs (ML1, ML2, ML3) are the same multiple (e.g., 3.5 times) A micro device display having a pixel array extended to may be manufactured.

전사헤드(1)는 제1소자 기판(MLP1) 내지 제3소자 기판(MLP3)의 제1마이크로 LED(ML1) 내지 제3마이크로 LED(ML3)를 타겟 기판(100)에 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격의 7배수의 거리로 전사할 수 있는 구조로 구비될 수 있다. The transfer head 1 includes a first micro LED (ML1) to a third micro LED (ML3) of the first device substrate MLP1 to the third device substrate MLP3 to the target substrate 100 with a first_x pitch interval and a first It may be provided in a structure capable of transferring at a distance of 7 times the 1_y pitch interval.

도 11(a) 내지 (c)에는 순서대로 제1마이크로 LED(ML1) 내지 제3마이크로 LED(ML3)를 구비하는 제1소자 기판(MLP1) 내지 제3소자 기판(MLP3)이 도시된다.11(a) to (c) show first to third device substrates MLP1 to MLP3 including first micro LEDs ML1 to third micro LEDs ML3 in order.

전사헤드(1)는 도 11(a)에 도시된 제1소자 기판(MLP1)의 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)들을 매트릭스 형태로 흡착할 수 있다. The transfer head 1 includes first micro LEDs ML1 and y-direction positioned at a pitch interval of 7 times the first_x pitch interval along the x direction of the first device substrate MLP1 shown in FIG. 11(a). According to the following, the first micro LEDs ML1 positioned at a pitch interval of 7 times the first_y pitch interval may be adsorbed in a matrix form.

그런 다음 전사헤드(1)는 흡착한 제1마이크로 LED(ML1)들을 타겟 기판(100)으로 전사할 수 있다. 구체적으로, 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 전사헤드(1)는 도 11(d)에 도시된 바와 같이 타겟 기판(100)의 제1, 8, 15행 및 제1, 8, 15열에 흡착한 제1마이크로 LED(ML1)를 전사할 수 있다. 이 경우, 타겟 기판(100)에서 화소 배열을 이루면서 동종의 마이크로 LED(구체적으로, ML1)간의 피치 간격을 소수배 확장하기 위한 제1회차 전사 과정일 수 있다. 이러한 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계는 제1소자 기판(MLP1)의 제1마이크로 LED(ML1)의 피치 간격을 타겟 기판(100)에서 소수배 확장하여 전사하기 위해 1회만 수행되는 전사과정일 수 있다.Then, the transfer head 1 may transfer the adsorbed first micro LEDs ML1 to the target substrate 100. Specifically, in the step of transferring an integer multiple of the first micro device, the transfer head 1 adsorbed to the first, 8, and 15 rows and the first, 8, and 15 columns of the target substrate 100 as shown in FIG. 11(d). The first micro LED (ML1) can be transferred. In this case, it may be a first transfer process for extending the pitch interval between micro LEDs of the same kind (specifically, ML1) by a few times while forming a pixel arrangement on the target substrate 100. The first micro device multiple transfer step may be a transfer process performed only once to transfer by extending the pitch interval of the first micro LED ML1 of the first device substrate MLP1 by a decimal number from the target substrate 100. .

그런 다음 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계가 각각 제2회차, 제3회차 전사 과정으로 수행될 수 있다. 제2, 3마이크로 소자 정수배 전사 단계는 도 10을 참조하여 설명한 제2, 3회차 전사 과정과 동일한 과정으로 수행될 수 있다. 다만, 각각의 소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)에서 제1_x, 제1_y피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 흡착하여 각각의 마이크로 소자 정수배 전사 단계를 수행할 수 있다.Then, the second micro device integer multiple transfer step and the third micro device integer multiple transfer step may be performed as a second and a third transfer process, respectively. The second and third micro device integer multiple transfer steps may be performed in the same process as the second and third transfer processes described with reference to FIG. 10. However, by adsorbing the micro LEDs (ML1, ML2, ML3) located at a pitch interval of 7 times the 1_x, 1_y pitch intervals from each of the device substrates (MLP1, MLP2, MLP3), each micro device integer multiple transfer step is performed. Can be done.

그런 다음, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계 내지 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다. 이 경우, 전사헤드(1)는 N,Q의 값을 토대로 각각의 마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 전사하는 위치 좌표를 수신받을 수 있다.Then, a first micro device cut-in transfer step to a third micro device cut-in transfer step may be performed. In this case, the transfer head 1 may receive position coordinates for transferring the respective micro LEDs ML1, ML2, and ML3 in each micro-element cut-in transfer step based on the values of N and Q.

제1마이크로 소자 컷인 단계 내지 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계는 N, Q의 값을 토대로 (N-1) 및 (Q-1)의 조건에 따라 타겟 기판(100)의 x, y방향으로 각각 적어도 1회 수행될 수 있고, ((N×Q)-1)의 조건에 따라 총 3회 수행될 수 있다.In the first micro device cut-in step to the third micro device cut-in transfer step, at least in the x and y directions of the target substrate 100 according to the conditions (N-1) and (Q-1) based on the values of N and Q. It can be performed once, and a total of 3 times can be performed according to the conditions of ((N×Q)-1).

그 결과 도 11(e)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)상에 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)가 소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)에서의 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격보다 3.5배의 피치 간격으로 위치하며 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격이 소수배 확장되어 형성된 마이크로 소자 디스플레이가 제작될 수 있다.As a result, as shown in FIG. 11(e), each of the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 on the target substrate 100 has a first_x pitch interval and a first_y of the device substrates MLP1, MLP2, and MLP3. It is positioned at a pitch spacing of 3.5 times the pitch spacing, and the pitch spacing between micro LEDs (ML) of the same kind is expanded a few times, and a micro device display can be manufactured.

위에서는 하나의 예로서 제2_x피치 간격 및 제2_y피치 간격이 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격보다 4.5배(이 경우,M=9, N=2, P=9, Q=2) 또는 3.5배(이 경우, M=7, N=2, P=7, Q=2)가 되는 것으로 설명하였지만, 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격에서의 배수는 이에 한정되지 않는다.As an example above, the 2nd_x pitch interval and the 2nd_y pitch interval are 4.5 times the 1st_x pitch intervals and 1_y pitch intervals (in this case, M=9, N=2, P=9, Q=2) or 3.5 It has been described that the multiples (in this case, M=7, N=2, P=7, Q=2), but the multiples of the first_x pitch interval and the first_y pitch interval are not limited thereto.

위와 같이 본 발명은 본 발명은 마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 마이크로 소자 정수배 전사 단계 이후 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행함으로써 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격을 소수배 확장시킬 수 있고, 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격 중 적어도 어느 하나를 소수배 확장시킬 수도 있다.As described above, the present invention can extend the 1_x pitch interval and the 1_y pitch interval by a decimal number by performing the micro device cut-in transfer step after the micro device integer multiple transfer step and the micro device integer multiple transfer step, and the 1 _ x pitch interval and At least one of the first_yth pitch intervals may be extended by a decimal number.

도 12은 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00084
배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 5배가 되는 실시 예를 도시한 도이다. 이 경우, M=7, N=2이고, P=5, Q=1이고, 각각의 소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)에서의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 제1_x피치 간격은 타겟 기판(100)에서 소수배로 확장되고, 제1_y피치 간격은 타겟 기판(100)에서 정수배로 확장될 수 있다.12 shows that the second_x pitch interval is greater than the first_x pitch interval
Figure pat00084
It is a diagram showing an embodiment in which the second_y pitch interval is increased by 5 times than the first_y pitch interval. In this case, M=7, N=2, P=5, Q=1, and the 1_x pitch interval of the micro LEDs (ML1, ML2, ML3) in each device substrate (MLP1, MLP2, MLP3) is the target The substrate 100 may be expanded by a decimal number, and the first_y pitch interval may be expanded by an integer multiple on the target substrate 100.

마이크로 소자 디스플레이상에 동종의 마이크로 LED(ML)의 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00085
배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 5배가 되는 배열을 형성하여 화소 배열을 구현하기 위해서 본 발명은 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계, 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계, 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계, 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계, 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다.The second_x pitch spacing of the same type of micro LED (ML) on the micro device display is greater than the first_x pitch spacing.
Figure pat00085
In order to implement the pixel arrangement by forming an array in which the 2nd_y pitch interval is 5 times the 1st_y pitch interval, the present invention provides an integer multiple transfer step for a first micro device, a cut-in transfer step for the first micro device, and an integer multiple for the second micro device. The transfer step, the second micro device cut-in transfer step, the third micro device multiple transfer step, and the third micro device cut-in transfer step may be performed.

본 발명은 전사헤드(1)가 제1소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 타겟 기판으로 전사하는 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 전사헤드(1)가 제1소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 소자 사이에 전사하는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행함으로써 제1마이크로 소자의 x, y방향의 피치 간격을 확장할 수 있다.In the present invention, the transfer head 1 includes first microelements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and a pitch P times P times of the first_y pitch interval along the y direction. An integer multiple transfer step in which the first microelements positioned at the intervals are adsorbed in a matrix form and then transferred to the target substrate, and the transfer head 1 is M times the first x pitch interval along the x direction from the first element substrate. The first micro-elements positioned at the pitch interval of and along the y-direction and the first micro elements positioned at a pitch interval of P times the pitch of the first_y pitch in the y direction are adsorbed in a matrix form, and then transferred to the target substrate 100 By performing the first micro-element cut-in transfer step of transferring between the first micro-elements on the image, the pitch interval in the x and y directions of the first micro-element can be extended.

따라서, M=7, N=2, P=5, Q=1일 경우, 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서는, 전사헤드(1)가 제1소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 5배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 과정이 수행될 수 있다. 이 경우, 도 12에 도시된 P'(2)_x는 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 제1마이크로 LED(ML1)가 제1소자 기판(MLP1)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격으로 타겟 기판(100)으로 전사됨으로써 형성된 정수배 피치 간격일 수 있다.Therefore, in the case of M=7, N=2, P=5, and Q=1, in the first micro device multiple transfer step, the transfer head 1 is 7 of the first x pitch interval along the x direction from the first device substrate. The process of adsorbing the first microelements positioned at the double pitch interval and the first microelements positioned at a pitch interval of 5 times the pitch of the first_y pitch along the y direction in a matrix form and then transferring them to the target substrate 100 This can be done. In this case, P'(2)_x shown in FIG. 12 is 7 times the first micro LED (ML1) from the first device substrate (MLP1) along the x direction in the step of transferring an integer multiple of the first micro device (MLP1). It may be an integer multiple pitch interval formed by being transferred to the target substrate 100 at a pitch interval of.

그런 다음 전사헤드(1)가 제1소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 5배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 소자 사이에 전사하는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 이 경우, 도 12에 도시된 P(2)_x는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 제1소자 기판(MLP1)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 5배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)들을 전사함으로써 형성된 타겟 기판(100)에서의 제1마이크로 LED(ML1)의 제2_x피치 간격을 의미한다.Then, the transfer head 1 includes first microelements positioned at a pitch interval of 7 times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and a pitch interval 5 times the first_y pitch interval along the y direction. A first micro device cut-in transfer step of adsorbing the first micro devices positioned in the matrix form and then transferring between the first micro devices on the target substrate 100 previously transferred may be performed. In this case, P(2)_x shown in FIG. 12 is x in the first device substrate MLP1 between the first micro LEDs ML1 transferred in the first micro device integer multiple transfer step in the first micro device cut-in transfer step. The first micro LEDs (ML1) located at a pitch interval of 7 times the first_x pitch interval along the direction and the first micro LEDs (ML1) located at a pitch interval of 5 times the first_y pitch interval along the y direction. It means the 2nd_x pitch interval of the 1st micro LED (ML1) in the target substrate 100 formed by transferring.

따라서, 도 12에 도시된 제1마이크로 LED(ML1) 중 정수배 피치 간격(P'(2)_x)으로 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)는 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)일 수 있고, 제2_x피치 간격(P(2)_x)으로 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)일 수 있다.Accordingly, among the first micro LEDs ML1 shown in FIG. 12, the first micro LED ML1 positioned at an integer multiple pitch interval P'(2)_x is the first micro LED ML1 transferred in the integer multiple transfer step of the first micro device. The LED ML1 may be, and the first micro LED ML1 positioned at the 2 _x pitch interval P(2)_x may be the first micro LED ML1 transferred in the first micro device cut-in transfer step. .

제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 전사헤드(1)는 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00086
배가 되도록 제1마이크로 LED(ML1)를 전사하기 위해, 제1_x피치 간격에 대한 배수의 N의 값을 토대로 전사 위치에 대한 좌표를 입력받아 입력받은 위치에서 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다.In the first micro-element cut-in transfer step, the transfer head 1 has a second_x pitch interval greater than the first_x pitch interval.
Figure pat00086
In order to transfer the first micro LED (ML1) to be doubled, the first micro element cut-in transfer step can be performed at the received position by receiving coordinates for the transfer position based on the value of N of the multiple of the first_x pitch interval. have.

제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 ((N×Q)-1)회 수행될 수 있다.The first micro device cut-in transfer step may be performed ((N×Q)-1) times.

도 12에 도시된 바와 같이, 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00087
배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 5배가 될 경우, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 ((2×1)-1)회 수행될 수 있다. As shown in Fig. 12, the second_x pitch interval is greater than the first_x pitch interval
Figure pat00087
When the number is doubled and the second_y pitch interval is 5 times the first_y pitch interval, the first micro device cut-in transfer step may be performed ((2×1)-1) times.

타겟 기판(100)상의 제1마이크로 LED(ML1)의 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00088
배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 5배가 되도록 하는 실시 예의 경우, 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 LED(ML1)의 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다 소수배 확장되고, 제1마이크로 LED(ML1)의 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 정수배 확장되는 배열일 수 있다.The second_x pitch interval of the first micro LED (ML1) on the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval
Figure pat00088
In the case of an embodiment in which the second_y pitch interval is 5 times that of the first_y pitch interval, the second_x pitch interval of the first micro LED ML1 on the target substrate 100 is expanded several times than the first_x pitch interval, It may be an arrangement in which the second_y pitch interval of the first micro LED ML1 is extended an integer multiple than the first_y pitch interval.

이와는 다르게, 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 LED(ML1)의 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다 5배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다

Figure pat00089
배가 되도록 하는 실시 예의 경우와 같이, 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 LED(ML1)의 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다 정수배 확장되고, 제1마이크로 LED(ML1)의 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 소수배 확장되는 배열을 형성하는 경우에는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 타겟 기판(100)의 y방향으로만 수행될 수 있다.In contrast, the second_x pitch interval of the first micro LED (ML1) on the target substrate 100 is 5 times the first_x pitch interval, and the second_y pitch interval is greater than the first_y pitch interval.
Figure pat00089
As in the case of the multiplying embodiment, the second_x pitch interval of the first micro LED (ML1) on the target substrate 100 is extended an integral multiple of the first_x pitch interval, and the second_y pitch interval of the first micro LED (ML1) is In the case of forming an array extending a few times greater than the first_y pitch interval, the first micro device cut-in transfer step may be performed only in the y direction of the target substrate 100.

이와는 다르게, 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 LED(ML1)의 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다 소수배 확장되고, 제1마이크로 LED(ML1)의 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 소수배 확장될 경우에는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 x, y방향으로 수행될 수 있다. 이 경우, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 ((N×Q)-1)회 수행하는 조건에 의해 타겟 기판(100)의 x, y방향으로 수행되는 횟수가 정해질 수 있다.On the contrary, the second_x pitch interval of the first micro LED ML1 on the target substrate 100 is extended a few times greater than the first_x pitch interval, and the second_y pitch interval of the first micro LED ML1 is greater than the first_y pitch interval. When the number is expanded, the first micro device cut-in transfer step may be performed in the x and y directions. In this case, the number of times the target substrate 100 is performed in the x and y directions may be determined according to the condition of performing the first micro device cut-in transfer step ((N×Q)-1) times.

다시 도 12을 참조하여 설명하면, 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 LED(ML1)의 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00090
배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 5배가 되도록 하는 실시 예의 경우에는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 타겟 기판(100)의 x방향으로만 수행될 수 있다. 결과적으로, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 타겟 기판(100)의 x방향으로 1회 수행될 수 있다. Referring to FIG. 12 again, the second_x pitch interval of the first micro LED ML1 on the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval.
Figure pat00090
In the case of an exemplary embodiment in which the second_y pitch interval is multiplied and the second_y pitch interval is 5 times that of the first_y pitch interval, the first micro element cut-in transfer step may be performed only in the x direction of the target substrate 100. As a result, the first micro device cut-in transfer step may be performed once in the x direction of the target substrate 100.

이처럼 본 발명은 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계를 수행한 다음 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 ((N×Q)-1)회를 수행함으로써, 타겟 기판(100)상의 마이크로 LED의 x, y방향 중 적어도 어느 일방향의 피치 간격을 소자 기판에서의 피치 간격에 소수배 확장할 수 있게 된다.As described above, the present invention performs the first micro-element integer multiple transfer step and then the first micro-element cut-in transfer step ((N×Q)-1) times, so that the x, y directions of the micro LED on the target substrate 100 are performed. The pitch spacing in at least one of the directions can be expanded a few times to that of the device substrate.

다시 말해, 본 발명은 마이크로 LED(ML)의 x, y방향 중 적어도 어느 일방향의 피치 간격을 소수배 확장하기 위하여 마이크로 소자 정수배 전사 단계를 먼저 수행한 다음 이전에 전사된 마이크로 LED(ML) 사이에 x, y방향을 따라 일정한 배수로 흡착한 마이크로 LED(ML)를 전사하는 과정을 수행할 수 있다. In other words, the present invention first performs a micro device integer multiple transfer step in order to extend the pitch interval in at least one of the x and y directions of the micro LED (ML) by a decimal number, and then between the previously transferred micro LEDs (ML). A process of transferring the micro LEDs (ML) adsorbed in a constant multiple along the x and y directions can be performed.

본 발명은 마이크로 소자 정수배 전사 단계를 통해 타겟 기판(100)상으로 마이크로 소자의 피치 간격이 정수배 확장되도록 전사한 다음 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다. 그 결과 타겟 기판(100)에서의 동종의 마이크로 소자의 x, y방향 중 적어도 어느 일 방향의 피치 간격이 소수배 확장되도록 구현할 수 있게 된다. 이를 통해 본 발명은 대면적 디스플레이 화소 배열에 적합한 화소 배열을 갖는 마이크로 소자 디스플레이를 효과적으로 제작할 수 있게 된다.In the present invention, the micro-elements may be transferred onto the target substrate 100 so that the pitch spacing of the micro-elements is extended by an integer-fold through the micro-elements multiple transfer step, and then the micro-element cut-in transfer step may be performed. As a result, it is possible to implement such that the pitch spacing in at least one of the x and y directions of the same type of micro-elements in the target substrate 100 is expanded a few times. Through this, the present invention can effectively manufacture a micro device display having a pixel arrangement suitable for a large area display pixel arrangement.

본 발명은 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행한 바와 같이 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계, 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계, 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다.The present invention relates to a second micro device integer multiple transfer step, a second micro device cut-in transfer step, a third micro device integer multiple transfer step, and a third micro device as performing the first micro device integer multiple transfer step and the first micro device cut-in transfer step. The device cut-in transfer step can be performed.

구체적으로 설명하면, 전사헤드(1)가 제2소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계를 수행할 수 있다.Specifically, the transfer head 1 includes second microelements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and P times the first_y pitch interval along the y direction. A second micro device integer multiple transfer step of adsorbing the second micro devices positioned at a pitch interval of, in a matrix form, and then transferring them to the target substrate 100 may be performed.

그런 다음 전사헤드(1)가 제2소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 타겟 기판(100)상의 제2마이크로 소자 사이에 전사하는 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다.Then, the transfer head 1 is the second micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and the pitch interval P times P times the first_y pitch interval along the y direction. A second micro-element cut-in transfer step of adsorbing the second micro-elements positioned in the matrix form and then transferring between the second micro-elements on the previously transferred target substrate 100 may be performed.

제2마이크로 소자의 x, y방향의 피치 간격은 위와 같은 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계에 의해 소수배로 확장될 수 있게 된다.The pitch spacing in the x- and y-directions of the second micro device can be expanded to a decimal number by the above-described second micro device integer multiple transfer step and the second micro device cut-in transfer step.

하나의 예로서, 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 전사헤드(1)가 제2소자 기판(MLP2)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 5배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 LED(ML2)들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 과정이 수행될 수 있다.As an example, in the second micro-element multiple transfer step, the transfer head 1 is positioned at a pitch interval of 7 times the first_x pitch interval along the x direction in the second element substrate MLP2, and A process of adsorbing the second micro LEDs ML2 positioned at a pitch interval of 5 times the first_y pitch interval along the y direction in a matrix form and then transferring them to the target substrate 100 may be performed.

이 경우, 전사헤드(1)는 제2소자 기판(MLP2)에서 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 LED(ML2) 및 제1_y피치 간격의 5배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 LED(ML2)를 흡착한 다음 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 타겟 기판(100)에 이미 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 제1마이크로 LED(ML1)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼 도면상 오른쪽으로 위치하여 제2마이크로 LED(ML2)를 타겟 기판(100)상으로 일괄 전사하는 과정을 수행할 수 있다.In this case, the transfer head 1 is located in the second micro LED (ML2) positioned at a pitch spacing of 7 times the first_x pitch spacing on the second device substrate MLP2 and a pitch spacing of 5 times the first_y pitch spacing After adsorbing the second micro LED (ML2), the x-direction of the first micro LED (ML1) based on the first micro LED (ML1) already transferred to the target substrate 100 in the step of transferring the first micro device multiple times. A process of collectively transferring the second micro LEDs ML2 onto the target substrate 100 may be performed by being positioned to the right of the drawing by the pitch interval P(ML)_x.

그런 다음, 전사헤드(1)가 제2소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 5배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 타겟 기판상의 제2마이크로 소자 사이에 전사하는 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다.Then, the transfer head 1 is positioned at a pitch interval of 7 times the first_x pitch interval along the x direction on the second device substrate, and a pitch 5 times the first_y pitch interval along the y direction. A second micro-element cut-in transfer step of adsorbing the second micro-elements positioned at the intervals in a matrix form and then transferring between the second micro-elements on the previously transferred target substrate may be performed.

제2마이크로 소자 컷인 전사 단계는 ((N×Q)-1)회 수행될 수 있다. 위와 같이 하나의 예로서 N=2, Q=1일 경우, 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계는 1회 수행될 수 있다.The second micro device cut-in transfer step may be performed ((N×Q)-1) times. As an example as above, when N=2 and Q=1, the second micro device cut-in transfer step may be performed once.

제2마이크로 소자 컷인 전사 단계에 의해 전사된 제2마이크로 LED(ML2)는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)에 위치할 수 있다.The second micro LED (ML2) transferred by the second micro device cut-in transfer step is the x-direction pitch interval (P(ML)_x) of the first micro LED (ML1) transferred by the first micro device cut-in transfer step Can be located in

그런 다음 전사헤드(1)가 제3소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 전사헤드(1)가 제3소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 소자들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 타겟 기판(100)상의 제3마이크로 소자 사이에 전사하는 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다. 이와 같은 단계에 의해 제3마이크로 소자의 x, y방향 피치 간격이 소수배 확장될 수 있다.Then, the transfer head 1 is positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction on the third device substrate, and the pitch interval P times P times the first_y pitch interval along the y direction. The third micro device integer multiple transfer step of adsorbing the third micro devices located in the matrix form and then transferring them to the target substrate 100, and the transfer head 1 at the first_x pitch interval in the x direction from the third device substrate. The third microelements positioned at M times the pitch interval and the third micro elements positioned at P times the pitch distance P times the first_y pitch along the y direction are adsorbed in a matrix form, and then the previously transferred target substrate ( A third micro device cut-in transfer step of transferring between the third micro devices on 100) may be performed. By such a step, the pitch interval in the x- and y-directions of the third micro-element may be expanded several times.

구체적으로, 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 전사헤드(1)는 제3소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 LED(ML3) 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 5배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 LED(ML3)를 매트릭스 형태로 흡착하여 타겟 기판(100)으로 전사할 수 있다.Specifically, in the step of transferring an integer multiple of the third micro device, the transfer head 1 controls the third micro LED (ML3) and the y direction located at a pitch interval of 7 times the first_x pitch interval along the x direction on the third device substrate. Accordingly, the third micro LEDs ML3 positioned at a pitch interval of 5 times the first_y pitch interval may be adsorbed in a matrix form and transferred to the target substrate 100.

그런 다음, 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 전사헤드(1)는 제3소자 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 LED(ML3) 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 5배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 LED(ML3)를 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 타겟 기판(100)상의 제3마이크로 LED(ML3) 사이에 흡착한 제3마이크로 LED(ML3)를 전사할 수 있다.Then, in the third micro-element cut-in transfer step, the transfer head 1 sets the third micro LED (ML3) and y-direction located at a pitch interval of 7 times the first_x pitch interval along the x direction on the third device substrate. Accordingly, the third micro LED (ML3) positioned at a pitch interval of 5 times the first_y pitch interval is adsorbed in a matrix form, and then adsorbed between the third micro LEDs (ML3) on the previously transferred target substrate 100. The third micro LED (ML3) can be transferred.

제3마이크로 소자 컷인 전사 단계는 ((N×Q)-1)회 수행될 수 있다. 위와 같이 하나의 예로서 N=2, Q=1일 경우, 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계는 1회 수행될 수 있다.The third micro device cut-in transfer step may be performed ((N×Q)-1) times. As an example as above, when N=2 and Q=1, the third micro device cut-in transfer step may be performed once.

제3마이크로 소자 컷인 전사 단계에 의해 전사된 제3마이크로 LED(ML3)는 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계에 의해 전사된 제2마이크로 LED(ML2)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)에 위치할 수 있다.The third micro LED (ML3) transferred by the third micro device cut-in transfer step is the x-direction pitch interval (P(ML)_x) of the second micro LED (ML2) transferred by the second micro device cut-in transfer step Can be located in

본 발명은 위와 같이 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계, 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계, 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행함으로써 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계, 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계에 의해 형성된 단위 화소(F)의 사이에 컷인 단위 화소(F')를 형성할 수 있게 된다. 여기서 컷인 단위 화소(F')는 타겟 기판(100)의 x, y방향 중 적어도 어느 한 방향으로 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격이 소수배로 확장되어 위치하는 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)로 구성되는 단위 화소를 의미한다.In the present invention, by performing the first micro device cut-in transfer step, the second micro device cut-in transfer step, and the third micro device cut-in transfer step as above, the first micro device multiple transfer step, the second micro device multiple transfer step and the third micro device A cut-in unit pixel F'can be formed between the unit pixels F formed by the device integer multiple transfer step. Here, the cut-in unit pixel F'is a micro LED (ML1, ML2, ML3) in which the pitch interval between the micro LEDs (ML) of the same type is expanded by a decimal number in at least one of the x and y directions of the target substrate 100 It means a unit pixel composed of ).

컷인 단위 화소(F')의 형성 위치의 경우, 제2_x피치 간격 및 제2_y피치 간격이 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격보다 소수배로 확장되는 것에 따라 타겟 기판(100)에서의 x, y방향이 정해질 수 있다. 한편, 컷인 단위 화소(F')는 타겟 기판(100)상의 x방향 및/또는 y방향으로 형성될 수도 있다.In the case of the formation position of the cut-in unit pixel F', the x- and y-directions in the target substrate 100 as the 2 _x pitch intervals and the 2 _y pitch intervals are expanded to a fraction of the 1 _x pitch intervals and the 1 _y pitch intervals. This can be determined. Meanwhile, the cut-in unit pixel F'may be formed in the x direction and/or the y direction on the target substrate 100.

하나의 예로서 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 LED(ML1)의 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00091
배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 5배가 되도록 하는 실시 예의 경우에는 타겟 기판(100)의 x방향으로만 컷인 단위 화소(F')가 형성될 수 있다.As an example, the second_x pitch spacing of the first micro LED ML1 on the target substrate 100 is greater than the first_x pitch spacing.
Figure pat00091
In the case of an embodiment in which the second_y pitch interval is increased to be 5 times that of the first_y pitch interval, a unit pixel F'that is cut in only the x direction of the target substrate 100 may be formed.

위에서는 각각의 마이크로 소자 정수배 전사 단계와 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 연속적으로 수행하는 것으로 설명하였지만, 마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 마이크로 소자 정수배 전사 단계의 수행 순서는 이에 한정되지 않는다.In the above, it has been described that each micro device integer multiple transfer step and the micro device cut-in transfer step are successively performed, but the order of performing the micro device integer multiple transfer step and the micro device multiple transfer step is not limited thereto.

구체적으로, 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계, 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계를 순차적으로 수행하고 난 후에 제1마이크로 LED 소자 컷인 전사 단계, 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계 및 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행하여도 무방하다.Specifically, after sequentially performing the first micro device integer multiple transfer step, the second micro device integer multiple transfer step, and the third micro device integer multiple transfer step, the first micro LED device cut-in transfer step, the second micro device cut-in transfer step, and The third micro device cut-in transfer step may be performed.

도 13은 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00092
배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 7배가 되는 실시 예를 도시한 도이다. 이 경우, M=7, N=3이고, P=7, Q=1이고, 각각의 소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)에서의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 제1_x피치 간격은 타겟 기판(100)에서 소수배로 확장되고, 제1_y피치 간격은 타겟 기판(100)에서 정수배로 확장될 수 있다.13 shows that the second_x pitch interval is greater than the first_x pitch interval
Figure pat00092
It is a diagram showing an embodiment in which the second_y pitch interval is 7 times larger than the first_y pitch interval. In this case, M=7, N=3, P=7, Q=1, and the 1_x pitch interval of the micro LEDs (ML1, ML2, ML3) in each device substrate (MLP1, MLP2, MLP3) is the target The substrate 100 may be expanded by a decimal number, and the first_y pitch interval may be expanded by an integer multiple on the target substrate 100.

도 13을 참조하는 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00093
배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 7배가 되는 실시 예는 도 12을 참조하는 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다
Figure pat00094
배가 되고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 5배가 되는 실시 예와 컷인 단위 화소(F')가 형성되는 타겟 기판(100)상의 방향은 동일하나 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계, 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계 및 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행하는 횟수가 다를 수 있다. 따라서, 컷인 단위 화소(F')의 형성 개수가 달라질 수 있다.The second_x pitch interval referring to FIG. 13 is greater than the first_x pitch interval
Figure pat00093
In an embodiment in which the second_y pitch interval is 7 times larger than the first_y pitch interval, the second_x pitch interval referring to FIG. 12 is greater than the 1_x pitch interval.
Figure pat00094
The first micro element cut-in transfer step, the second micro device cut-in transfer step, is the same as the embodiment in which the second_y pitch interval is 5 times the first_y pitch interval and the direction on the target substrate 100 in which the cut-in unit pixel F'is formed is the same. The number of times the device cut-in transfer step and the third micro device cut-in transfer step are performed may be different. Accordingly, the number of cut-in unit pixels F'may vary.

제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서는, 전사헤드(1)가 제1소자 기판(MLP1) 기판에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 과정이 수행될 수 있다. In the first micro device integer multiple transfer step, the transfer head 1 includes first micro LEDs (ML1) positioned at a pitch interval of 7 times the first _x pitch interval in the x direction on the first device substrate (MLP1) substrate, and A process of adsorbing the first micro LEDs ML1 positioned at a pitch interval of 7 times the first_y pitch interval along the y direction in a matrix form and then transferring them to the target substrate 100 may be performed.

그런 다음, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 이 경우, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 ((N×Q)-1)회 수행되는 조건에 의해 ((3×1)-1)회 수행될 수 있다. 다시 말해, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 2회 수행될 수 있다. 이 경우, 타겟 기판(100)에서 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다 소수배 확장되고, 제2_y피치 간격은 제1_y피치 간격보다 정수배 확장되므로, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 타겟 기판(100)의 x방향으로만 수행될 수 있다.Then, a first micro device cut-in transfer step may be performed. In this case, the first micro device cut-in transfer step may be performed ((3×1)-1) times under the condition of performing ((N×Q)-1) times. In other words, the first micro device cut-in transfer step may be performed twice. In this case, in the target substrate 100, the second_x pitch interval is extended a few times greater than the first_x pitch interval, and the second_y pitch interval is extended an integer multiple than the first_y pitch interval, so that the first micro element cut-in transfer step is performed on the target substrate 100 ) Can be performed only in the x direction.

제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 제1회차 수행할 경우, 전사헤드(1)가 제1소자 기판(MLP1)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 전사된 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사하는 과정이 수행될 수 있다. When the first micro device cut-in transfer step is performed the first time, the transfer head 1 is a first micro LED located at a pitch interval of 7 times the first x pitch interval along the x direction in the first device substrate MLP1. (ML1) and the first micro LEDs (ML1) positioned at a pitch interval of 7 times the first_y pitch interval along the y direction in a matrix form, and then the target substrate transferred in the first micro device integer multiple transfer step ( A process of transferring between the first micro LEDs ML1 on 100) may be performed.

이 경우 전사헤드(1)는 N의 값을 토대로 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계 수행시 제1마이크로 LED(ML1)의 전사 위치에 대한 좌표를 입력 받아 그 위치에 제1마이크로 LED(ML1)를 전사할 수 있다.In this case, the transfer head 1 receives the coordinates for the transfer position of the first micro LED (ML1) when performing the first micro device cut-in transfer step based on the value of N, and receives the first micro LED (ML1) at that position. ) Can be transferred.

그런 다음, 제2회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행할 수 있다. 전사헤드(1)는 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 제1소자 기판(MLP1)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제1마이크로 LED(ML1)들을 매트릭스 형태로 흡착하는 과정을 수행한 것과 동일하게 제1마이크로 LED(ML1)를 흡착할 수 있다.Then, a second cut-in transfer step of the first micro device may be performed. The transfer head 1 includes first micro LEDs ML1 positioned at a pitch interval 7 times the first x pitch interval along the x direction on the first device substrate MLP1 in the first micro device cut-in transfer step. And the first micro LEDs ML1 positioned at a pitch interval of 7 times the first_y pitch interval along the y direction in a matrix form, and the first micro LED ML1 may be adsorbed. .

이 경우, 전사헤드(1)는 N의 값을 토대로 제2회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 타겟 기판(100)상의 제1마이크로 LED(ML1) 전사 위치에 대한 좌표를 입력받을 수 있다. 전사헤드(1)는 입력받은 위치 좌표를 토대로 제2회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에 따른 제1마이크로 LED(ML1)를 타겟 기판(100)으로 전사할 수 있다.In this case, the transfer head 1 may receive coordinates for the transfer position of the first micro LED (ML1) on the target substrate 100 in the second cut-in transfer step of the first micro device based on the value of N. The transfer head 1 may transfer the first micro LED ML1 to the target substrate 100 according to the second cut-in transfer step of the first micro device based on the received position coordinates.

제2회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에서는 제1마이크로 LED(ML1)가 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 전사된 타겟 기판상의 제1마이크로 LED(ML1) 및 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사되는 과정이 수행될 수 있다.In the second first micro device cut-in transfer step, the first micro LED (ML1) is transferred to the first micro LED (ML1) on the target substrate transferred in the first first micro device cut-in transfer step and the first micro device multiple transfer step A process of transferring between the first micro LEDs ML1 transferred from may be performed.

그런 다음 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계가 수행될 수 있다. 전사헤드(1)는 제2소자 기판(MLP2)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 LED(ML2)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 LED(ML2)들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사할 수 있다. 이 경우, 전사헤드(1)는 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 타겟 기판(100)에 이미 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 제1마이크로 LED(ML1)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼 도면상 오른쪽으로 위치하여 제2마이크로 LED(ML2)를 타겟 기판(100)상으로 일괄 전사하는 과정을 수행할 수 있다.Then, a second micro device integer multiple transfer step may be performed. The transfer head 1 includes second micro LEDs ML2 positioned at a pitch interval of 7 times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and 7 of the first_y pitch intervals along the y direction. The second micro LEDs ML2 positioned at the pitch interval of the ship may be adsorbed in a matrix form and then transferred to the target substrate 100. In this case, the transfer head 1 has a pitch interval in the x direction of the first micro LED (ML1) based on the first micro LED (ML1) already transferred to the target substrate 100 in the step of transferring an integer multiple of the first micro device ( It is possible to perform a process of collectively transferring the second micro LED (ML2) onto the target substrate 100 by being positioned to the right of the drawing by P(ML)_x).

그런 다음 제1회차 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다.Then, the first second micro device cut-in transfer step may be performed.

이 경우, 전사헤드(1)는 제2소자 기판(MLP2)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 LED(ML2)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 4배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 LED(ML2)들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 제1마이크로 LED(ML1)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼 도면상 오른쪽으로 위치하여 제2마이크로 LED(ML2)를 타겟 기판(100)상으로 일괄 전사하는 과정을 수행할 수 있다.In this case, the transfer head 1 includes second micro LEDs (ML2) positioned at a pitch interval of 7 times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and a first _y pitch along the y direction on the second device substrate MLP2. The first micro LED (ML1) transferred in the first micro device cut-in transfer step after adsorbing the second micro LEDs (ML2) positioned at a pitch interval of 4 times the interval in a matrix form A process of collectively transferring the second micro LEDs ML2 onto the target substrate 100 may be performed by being positioned to the right in the drawing by the pitch interval P(ML)_x in the x direction of the LEDs ML1.

제1회차 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계에서는 제2마이크로 LED(ML2)가 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 전사된 제2마이크로 LED(ML2) 사이에 전사되는 과정이 수행될 수 있다.In the first second micro device cut-in transfer step, a process in which the second micro LED ML2 is transferred between the second micro LEDs ML2 transferred in the second micro device integer multiple transfer step may be performed.

제1회차 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 전사헤드(1)는 N의 값을 토대로 제2마이크로 LED(ML2)의 전사 위치에 대한 좌표를 입력받아 그 위치에 제2마이크로 LED(ML2)를 전사할 수 있다.In the first cut-in transfer step of the second micro device, the transfer head 1 receives the coordinates for the transfer position of the second micro LED (ML2) based on the value of N, and transfers the second micro LED (ML2) to the position. can do.

그런 다음, 제2회차 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 전사헤드(1)는 제2소자 기판(MLP2)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 LED(ML2)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제2마이크로 LED(ML2)들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 제2회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 제1마이크로 LED(ML1)의 x방향 피치 간격(P(ML)_x)만큼 도면상 오른쪽으로 위치하여 제2마이크로 LED(ML2)를 타겟 기판(100)상으로 일괄 전사하는 과정을 수행할 수 있다.Then, the second second micro device cut-in transfer step may be performed. The transfer head 1 includes second micro LEDs ML2 positioned at a pitch interval of 7 times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and 7 of the first_y pitch intervals along the y direction. After adsorbing the second micro LEDs (ML2) located at the pitch interval of the ship in a matrix form, the first micro LED (ML1) is based on the first micro LED (ML1) transferred in the second cut-in transfer step of the second micro device. A process of collectively transferring the second micro LED (ML2) onto the target substrate 100 may be performed by being positioned to the right on the drawing by the x-direction pitch interval (P(ML)_x) of ).

전사헤드(1)는 N의 값을 토대로 제2회차 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계에 따른 제2마이크로 LED(ML2)의 전사 위치에 대한 좌표를 입력받아 그 위치에 제2마이크로 LED(ML2)를 전사할 수 있다.Based on the value of N, the transfer head 1 receives the coordinates for the transfer position of the second micro LED ML2 according to the second cut-in transfer step of the second micro device and inserts the second micro LED ML2 at the position. Can be transcribed.

제2회차 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 제2마이크로 LED(ML2)는 제1회차 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 전사된 제2마이크로 LED(ML2)와 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 전사된 제2마이크로 LED(ML2) 사이에 전사될 수 있다.In the second micro-element cut-in transfer step, the second micro LED (ML2) is transferred to the second micro-LED (ML2) transferred in the first second micro-element cut-in transfer step and the second micro-element multiplex transferred in the transfer step. It may be transferred between the second micro LEDs ML2.

그런 다음, 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다.Then, a third micro device multiple transfer step and a third micro device cut-in transfer step may be performed.

제3마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 전사헤드(1)는 제3소자 기판(MLP3)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 LED(ML3)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 LED(ML3)들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 타겟 기판(100)으로 전사하는 과정을 수행할 수 있다. 이 경우, 전사헤드(1)는 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 전사된 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 제2마이크로 LED(ML2)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼 도면상 오른쪽으로 위치하여 제2마이크로 LED(ML2)를 타겟 기판(100)으로 일괄 전사하는 과정을 수행할 수 있다.In the step of transferring an integer multiple of the third micro device, the transfer head 1 includes the third micro LEDs (ML3) and the y-direction located at a pitch interval of 7 times the first_x pitch interval along the x direction on the third device substrate (MLP3). According to this, a process of adsorbing the third micro LEDs ML3 positioned at a pitch interval of 7 times the first_y pitch interval in a matrix form and then transferring them to the target substrate 100 may be performed. In this case, the transfer head 1 is based on the second micro LED (ML2) transferred in the integer multiple transfer step of the second micro device as much as the pitch interval (P(ML)_x) in the x direction of the second micro LED (ML2). It is located to the right in the drawing, and a process of collectively transferring the second micro LED (ML2) to the target substrate 100 may be performed.

그런 다음, 제1회차 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 제1회차 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계에서는, 전사헤드(1)가 제3소자 기판(MLP3)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 LED(ML3)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 LED(ML3)들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 제1회차 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 전사된 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 제2마이크로 LED(ML2)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼 도면상 오른쪽으로 위치하여 제3마이크로 LED(ML3)를 전사하는 과정이 수행될 수 있다.Then, the first third micro device cut-in transfer step may be performed. In the first third micro device cut-in transfer step, the transfer head 1 is a third micro LED (ML3) positioned at a pitch spacing of 7 times the first_x pitch spacing along the x direction in the third device substrate MLP3. After adsorbing the third micro LEDs (ML3) located at a pitch interval of 7 times the first_y pitch interval along the field and y directions in a matrix form, the second micro transferred in the first cut-in transfer step of the second micro element A process of transferring the third micro LED ML3 may be performed by being positioned to the right on the drawing by the pitch distance P(ML)_x in the x direction of the second micro LED ML2 based on the LED ML2. .

이 경우, 전사헤드(1)는 N값을 토대로 제1회차 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계에 따른 제3마이크로 LED(ML3)의 전사 위치 좌표를 입력받아 그 위치에 제3마이크로 LED(ML3)를 전사할 수 있다.In this case, the transfer head 1 receives the transfer position coordinates of the third micro LED (ML3) according to the first third micro device cut-in transfer step based on the N value and inserts the third micro LED (ML3) at the position. Can be transcribed.

그런 다음, 제2회차 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 이 경우, 전사헤드(1)는 제3소자 기판(MLP3)에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 LED(ML3)들 및 y방향을 따라 제1_y피치 간격의 7배의 피치 간격에 위치하는 제3마이크로 LED(ML3)들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 제2회차 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 전사된 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 제2마이크로 LED(ML2)의 x방향 피치 간격(P(ML)_x)만큼 도면상 오른쪽으로 위치하여 제3마이크로 LED(ML3)를 타겟 기판(100)상으로 일괄 전사할 수 있다.Then, the second third micro device cut-in transfer step may be performed. In this case, the transfer head 1 includes third micro LEDs (ML3) positioned at a pitch interval of 7 times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and a first_y pitch along the y direction. After adsorbing the third micro LEDs (ML3) located at 7 times the pitch interval in a matrix form, the second micro LED (ML2) transferred in the second micro device cut-in transfer step The third micro LED (ML3) can be collectively transferred onto the target substrate 100 by being positioned to the right on the drawing by the x-direction pitch interval (P(ML)_x) of the LEDs ML2.

전사헤드(1)는 N의 값을 토대로 제2회차 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계에 따른 제3마이크로 LED(ML3)의 전사 위치 좌표를 입력받아 그 위치에 제3마이크로 LED(ML3)를 전사할 수 있다.The transfer head 1 receives the transfer position coordinates of the third micro LED (ML3) according to the second third micro element cut-in transfer step based on the value of N, and transfers the third micro LED (ML3) to the position. I can.

제2회차 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 제3마이크로 LED(ML3)는 제1회차 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계에서 전사된 제3마이크로 LED(ML3)와 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 전사된 제3마이크로 LED(ML3) 사이에 전사될 수 있다.In the second third micro device cut-in transfer step, the third micro LED (ML3) is transferred in the third micro device cut-in transfer step and the third micro LED (ML3) transferred in the first third micro device cut-in transfer step. It may be transferred between the third micro LEDs ML3.

그 결과 도 13에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계를 통해 타겟 기판(100)상에 정수배로 전사된 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)로 구성된 단위 화소(F) 사이에 마이크로 소자 컷인 전사 단계에 의해 전사된 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)로 구성된 컷인 단위 화소(F')가 위치할 수 있게 된다. As a result, as shown in FIG. 13, between unit pixels F composed of micro LEDs (ML1, ML2, ML3) transferred in integer multiples onto the target substrate 100 through the first to third micro device integer multiple transfer steps. The cut-in unit pixel F'composed of the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 transferred by the micro-element cut-in transfer step can be positioned.

이로 인해 마이크로 소자 디스플레이는 컷인 단위 화소(F')를 포함하는 단위 화소(F)들이 타겟 기판(100)의 x방향으로 소수배의 피치 간격을 갖는 화소 배열을 가질 수 있게 된다.Accordingly, in the micro device display, the unit pixels F including the cut-in unit pixels F'may have a pixel array having a pitch interval of a few times in the x direction of the target substrate 100.

위에서는 마이크로 소자 정수배 전사 단계를 수행한 다음 2회에 걸친 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 연속적으로 수행하였지만, 수행 순서는 이에 한정되지 않는다. 구체적으로, 각각의 마이크로 소자 정수배 전사 단계를 먼저 수행한 다음, 회차수에 따른 각각의 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 순서대로 수행할 수 있다. 예를 들어, 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계, 제1회차 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계 및 제1회차 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행한 다음, 제2회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계 내지 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행하여도 무방하다.In the above, the micro device integer multiple transfer step was performed and then the micro device cut-in transfer step was successively performed two times, but the order of execution is not limited thereto. Specifically, each micro-element multiple transfer step may be performed first, and then each micro-device cut-in transfer step according to the number of times may be sequentially performed. For example, after performing the first cut-in transfer step of the first micro device, the first cut-in transfer step of the second micro device, and the cut-in transfer step of the third micro device of the first time, the second cut-in transfer of the first micro device It is also possible to perform the step to the third micro-element cut-in transfer step.

도 12 및 도 13을 참조하는 실시 예에서는 컷인 단위 화소(F')가 타겟 기판(100)상의 x방향으로 형성되는 경우에 대해서만 설명하였지만, 컷인 단위 화소(F')의 타겟 기판(100)상의 형성 방향(구체적으로 x, y방향)은 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다 몇 배수가 되는지, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다 몇 배수가 되는지에 따라 정해질 수 있다. In the exemplary embodiment with reference to FIGS. 12 and 13, only the case where the cut-in unit pixel F'is formed in the x direction on the target substrate 100 has been described, but the cut-in unit pixel F'on the target substrate 100 is described. The formation direction (specifically, in the x and y directions) may be determined according to a number of multiples of the 2_x pitch intervals than the 1_x pitch intervals and the number of multiples of the 2_y pitch intervals than the 1_y pitch intervals.

예를 들어, 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00095
배가 되고,
Figure pat00096
이
Figure pat00097
일 경우, M=7이고, N=2일 수 있다. 또한, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00098
배가 되고,
Figure pat00099
가 5일 경우, P=5, Q=1일 수 있다. 이 경우, 컷인 단위 화소(F')가 형성되는 마이크로 소자 컷인 전사 단계는 ((N×Q)-1)회 수행되는 조건에 따라 타겟 기판(100)상의 x방향으로만 1회 수행될 수 있다. 이로 인해 타겟 기판(100)의 x방향으로 컷인 단위 화소(F')가 형성될 수 있다.For example, the 2nd_x pitch interval is greater than the 1st_x pitch interval
Figure pat00095
Doubled,
Figure pat00096
this
Figure pat00097
In the case of, M=7 and N=2. In addition, the second_y pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00098
Doubled,
Figure pat00099
When is 5, it may be P=5 and Q=1. In this case, the micro device cut-in transfer step in which the cut-in unit pixel F'is formed may be performed once only in the x direction on the target substrate 100 according to the condition that ((N×Q)-1) is performed. . Accordingly, a unit pixel F'cut in the x direction of the target substrate 100 may be formed.

이와는 다르게, 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00100
배가 되고,
Figure pat00101
이 5일 경우, M=5이고, N=1일 수 있다. 또한, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00102
배가 되고,
Figure pat00103
가
Figure pat00104
일 경우, P=5, Q=2일 수 있다. 이 경우, 컷인 단위 화소(F')가 형성되는 마이크로 소자 컷인 전사 단계는 ((N×Q)-1)회 수행되는 조건에 따라 타겟 기판(100)상의 y방향으로만 1회 수행될 수 있다. 이로 인해 타겟 기판(100)의 y방향으로 컷인 단위 화소(F')가 형성될 수 있다.Unlike this, the 2nd_x pitch interval is greater than the 1_x pitch interval
Figure pat00100
Doubled,
Figure pat00101
In the case of 5, M=5 and N=1. In addition, the second_y pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00102
Doubled,
Figure pat00103
end
Figure pat00104
In the case of, P=5 and Q=2. In this case, the micro device cut-in transfer step in which the cut-in unit pixel F'is formed may be performed once only in the y direction on the target substrate 100 according to the condition that ((N×Q)-1) is performed. . Accordingly, a unit pixel F'cut in the y direction of the target substrate 100 may be formed.

이와는 다르게, 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00105
배가 되고,
Figure pat00106
이 소수배이고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00107
배가 되고,
Figure pat00108
가 소수배일 수 있다. 이 경우, 컷인 단위 화소(F')는 N, Q값에 의해 마이크로 소자 컷인 전사 단계의 ((N×Q)-1)회 수행되는 조건에 따라 산출되는 횟수로 마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되어 타겟 기판(100)상의 x, y방향으로 컷인 단위 화소(F')가 형성될 수 있다.Unlike this, the 2nd_x pitch interval is greater than the 1_x pitch interval
Figure pat00105
Doubled,
Figure pat00106
Is a decimal multiple, and the 2nd_y pitch interval is greater than the 1_yth pitch interval
Figure pat00107
Doubled,
Figure pat00108
May be a prime multiple. In this case, for the cut-in unit pixel F', the micro-element cut-in transfer step is performed at the number of times calculated according to the conditions performed ((N×Q)-1) times of the micro-element cut-in transfer step by N and Q values. A unit pixel F'cut in the x and y directions on the target substrate 100 may be formed.

타겟 기판(100)에서 화소 배열을 이루면서 동종의 마이크로 LED(ML)간의 소수배 확장된 피치 간격으로 위치하는 배열을 제공해야할 경우, 본 발명은 피치 간격 조정값에 따른 전사 횟수를 산출하여 보다 효율적으로 마이크로 소자 디스플레이를 제조할 수 있다. 다시 말해, 타겟 기판(100)에서 동종의 마이크로 LED(ML)간의 x방향 및 y방향 피치 간격이 각각 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격보다 소수배 확장될 경우, 피치 간격 조정값에 따른 전사 횟수를 산출하여 효율적인 마이크로 소자 디스플레이 제조 공정을 수행할 수 있다. When it is necessary to provide an array that is positioned at a pitch interval that is several times extended between the micro LEDs (ML) of the same kind while forming a pixel array on the target substrate 100, the present invention calculates the number of transfers according to the pitch interval adjustment value to be more efficient. Micro device displays can be manufactured. In other words, when the x-direction and y-direction pitch intervals between the micro LEDs (ML) of the same kind in the target substrate 100 are extended a few times greater than the 1st_x pitch interval and the 1_y pitch interval, respectively, the number of transfers according to the pitch interval adjustment value It is possible to perform an efficient micro device display manufacturing process by calculating.

본 발명은 타겟 기판(100)상에 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격이 소수배 확장되어 단위 화소(F)를 이루는 배열을 구현하기 위해 몇 회의 전사 과정을 수행해야 하는지 검토해볼 수 있다.In the present invention, it is possible to examine how many transfer processes need to be performed in order to implement an arrangement in which a unit pixel F is formed by extending the pitch interval between the micro LEDs ML of the same type on the target substrate 100 by a few times.

도 14은 소자 기판(MLP)에서의 x, y방향의 마이크로 LED의 피치 간격의 3배수의 거리로 마이크로 LED를 타겟 기판으로 전사하는 과정을 개략적으로 도시한 도이다. 이 경우 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)가 마이크로 소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)에서의 피치 간격에 3배수의 거리를 갖고 전사헤드(1)에 의해 흡착되어 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다.14 is a diagram schematically illustrating a process of transferring a micro LED to a target substrate at a distance of three times the pitch interval of the micro LEDs in the x and y directions in the device substrate MLP. In this case, each of the micro LEDs (ML1, ML2, ML3) is adsorbed by the transfer head 1 to the target substrate 100 with a distance of three times the pitch interval of the micro device substrates MLP1, MLP2, MLP3. Can be transferred.

단위 화소(F)는 제1마이크로 LED(ML1) 내지 제3마이크로 LED(ML3)으로 구성되므로, 위와 같은 배열의 단위 화소(F)를 형성하기 위해서는 타겟 기판(100)상에 총 3회의 전사 과정이 수행될 수 있다.Since the unit pixel (F) is composed of the first micro LED (ML1) to the third micro LED (ML3), in order to form the unit pixel (F) of the above arrangement, a total of 3 transfers are performed on the target substrate 100. This can be done.

도 14(a)에는 제1마이크로 LED(ML1)가 구비된 제1소자 기판(MLP1)이 도시된다. 도 14의 도면에서는 생략되었지만, 제2, 3마이크로 LED(ML2, ML3)가 구비된 제2, 3소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)도 도 14(a)에 도시된 제1소자 기판(MLP1, MLP2, MLP3)과 같이 구비될 수 있다.14(a) shows a first device substrate MLP1 provided with a first micro LED ML1. Although omitted in the drawing of FIG. 14, the second and third device substrates MLP1, MLP2, and MLP3 provided with the second and third micro LEDs ML2 and ML3 are also shown in FIG. 14A. , MLP2, MLP3) may be provided.

이와 같은 제1마이크로 LED(ML1)는 전사헤드(1)에 의해 x, y방향으로 피치 간격의 3배수 거리에 해당되는 것만이 흡착되어 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다. 도 14(b)는 타겟 기판(100)에 제1마이크로 LED(ML1)가 전사된 형태일 수 있다.The first micro LED ML1 as described above is adsorbed by the transfer head 1 in the x- and y-directions for a distance three times the pitch interval, and can be transferred to the target substrate 100. 14(b) may be a form in which the first micro LED ML1 is transferred to the target substrate 100.

그런 다음 타겟 기판(100)에서 단위 화소(F)를 구현하기 위해, 제2, 3마이크로 LED(ML2, ML3)가 순서대로 전사될 수 있다. 이 경우, 제2, 3마이크로 LED(ML2, ML3)는 각각 제1마이크로 LED(ML1)와 동일한 피치 간격(예를 들어, x, y방향으로 3배수 거리)에 해당하는 것만이 전사헤드(1)에 흡착되어 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다.Then, in order to implement the unit pixel F on the target substrate 100, the second and third micro LEDs ML2 and ML3 may be sequentially transferred. In this case, only the second and third micro LEDs (ML2, ML3) corresponding to the same pitch interval (e.g., three times the distance in the x and y directions) as the first micro LED (ML1) is the transfer head 1 ) May be adsorbed and transferred to the target substrate 100.

각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)가 x, y방향으로 3배수 피치 간격의 거리에 위치하는 것만이 타겟 기판(100)으로 전사될 경우, 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 타겟 기판(100)으로 1회씩 전사하는 과정만이 수행될 수 있다. 다시 말해, 마이크로 LED(ML)가 x, y방향으로 정수배의 거리로 전사되되, 4배 미만의 거리로 전사되므로 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행하여 피치 간격을 조정할 필요 없이 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)마다 1회씩 전사하는 과정만이 수행될 수 있다.When each micro LED (ML1, ML2, ML3) is transferred to the target substrate 100 only at a distance of 3 times the pitch interval in the x and y directions, each micro LED (ML1, ML2, ML3) is Only the process of transferring once to the target substrate 100 may be performed. In other words, since the micro LED (ML) is transferred in an integer multiple of the distance in the x and y directions, but is transferred to a distance of less than 4 times, the first micro device integer multiple transfer step and the first micro device cut-in transfer step are performed to reduce the pitch interval. Without the need for adjustment, only the transfer process can be performed once for each micro LED (ML1, ML2, ML3).

따라서, 제1마이크로 LED(ML1)를 전사하는 1회의 3배가 제1마이크로 LED(ML1) 내지 제3마이크로 LED(ML3)를 타겟 기판(100)으로 전사하는 총 횟수일 수 있다. 다시 말해, 타겟 기판(100)에서 동종의 마이크로 LED(ML)간의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다 3배가 되고, 동종의 마이크로 LED(ML)간의 y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다 3배될 경우, 총 3회의 전사 과정을 통해 타겟 기판(100)에서 화소 배열을 구현할 수 있다.Accordingly, three times the transfer of the first micro LED (ML1) may be the total number of transfers of the first micro LED (ML1) to the third micro LED (ML3) to the target substrate 100. In other words, the x-direction pitch interval between the micro LEDs (ML) of the same kind in the target substrate 100 is three times the first_x pitch interval, and the y-direction pitch interval between the micro LEDs (ML) of the same kind is 3 times the first_y pitch interval. In this case, the pixel arrangement can be implemented on the target substrate 100 through a total of three transfer processes.

본 발명에 따른 하나의 예로서, 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00109
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00110
배가 되는 경우, 다시 도 4의 표를 참조하면 x, y방향의 피치 간격 조정값은 '3.5'이다. 이와 같은 예의 쉬운 설명을 위해 동일한 피치 간격 조정값을 갖는 도 5을 다시 참조하여 설명한다.As an example according to the present invention, the x-direction pitch interval in the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval
Figure pat00109
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00110
In the case of double, referring to the table of FIG. 4 again, the pitch interval adjustment value in the x and y directions is '3.5'. For easy explanation of such an example, it will be described again with reference to FIG. 5 having the same pitch interval adjustment value.

도 5(a)에는 제1마이크로 LED(ML1)가 구비되는 제1소자 기판(MLP1)이 도시된다. 도 5의 도면에는 생략되었지만, 제2, 3마이크로 LED(ML2, 3ML)가 구비되는 제2, 3소자 기판(MLP2, MLP3)은 도 5(a)에 도시된 바와 같은 제1소자 기판(MLP1)의 x, y방향으로 동일한 피치 간격을 갖도록 제2, 3마이크로 LED(ML2, ML3)가 구비될 수 있다.5(a) shows a first device substrate MLP1 on which a first micro LED ML1 is provided. Although omitted in the drawing of FIG. 5, the second and third device substrates MLP2 and MLP3 provided with the second and third micro LEDs ML2 and 3ML are the first device substrate MLP1 as shown in FIG. 5A. ), the second and third micro LEDs ML2 and ML3 may be provided to have the same pitch interval in the x and y directions.

도 5(b)는 전사헤드(1)에 의해 타겟 기판(100)으로 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 도시한 도이다. 제1마이크로 LED(ML1)는 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격보다 7배가 되도록 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다.5(b) is a diagram showing the first micro LED ML1 transferred to the target substrate 100 by the transfer head 1. The first micro LED ML1 may be transferred to the target substrate 100 so as to be 7 times the first_x pitch interval and the first_y pitch interval.

이와 같은 과정은 전술한 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 수행되는 과정과 동일할 수 있다. 또한, 타겟 기판(100)상에 화소 배열을 구현하기 위한 제1회차 전사과정일 수 있다.This process may be the same as the process performed in the above-described step of transferring an integer multiple of the first micro device. Also, it may be a first transfer process for implementing a pixel arrangement on the target substrate 100.

그런 다음, 도 5(c)에 도시된 바와 같이, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 경우, (N×Q)-1의 조건에 의해 총 수행 횟수가 산출될 수 있고, 타겟 기판(100)의 x방향으로의 최소 수행 횟수는 (N-1)의 조건, 타겟 기판(100)의 y방향으로의 최소 수행 횟수는 (Q-1)의 조건에 의해 산출될 수 있다.Then, as shown in FIG. 5(c), a first micro device cut-in transfer step may be performed. In the case of the first micro device cut-in transfer step, the total number of executions may be calculated under the condition of (N×Q)-1, and the minimum number of executions in the x direction of the target substrate 100 is (N-1). The condition, the minimum number of times the target substrate 100 is performed in the y direction may be calculated by the condition of (Q-1).

위와 같이 타겟 기판(100)에서의 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00111
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00112
가 되는 배열의 경우, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 총 3회 수행될 수 있다. 또한, 타겟 기판(100)의 x방향으로의 최소 수행 횟수는 1회, y방향으로의 최소 수행 횟수는 1회일 수 있다.As above, the pitch interval in the target substrate 100 is greater than the 1_x pitch interval.
Figure pat00111
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00112
In the case of an arrangement to be, the first micro device cut-in transfer step may be performed a total of three times. Also, the minimum number of times the target substrate 100 is performed in the x direction may be one time, and the minimum number of times the target substrate 100 is performed in the y direction may be one time.

도 5(c)는 제2회차 전사 과정이면서 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 도시한 도이다. 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 x방향의 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 산출하는 'N-1'의 조건에 의해 x방향으로 최소 1회 수행될 수 있다.5(c) is a diagram illustrating a second transfer process and a first micro device cut-in transfer process. The first micro device cut-in transfer step may be performed at least once in the x direction under the condition of'N-1' to calculate the micro device cut-in transfer step in the x direction.

그런 다음, 도 5(d)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)상에 화소 배열을 구현하기 위한 제3회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정이 수행될 수 있다. 이는 제2회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계일 수 있다.이 경우, y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 도 5(d)에 도시된 바와 같은 타겟 기판(100)의 y방향의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 제2회차 'Q-1'의 조건에 의해 y방향으로 최소 1회 수행될 수 있다.Then, as shown in FIG. 5(d), a third first micro LED (ML1) transfer process for implementing a pixel arrangement on the target substrate 100 may be performed. This may be the second first micro device cut-in transfer step. In this case, the first micro device cut-in transfer step may be performed in the y direction. The first micro device cut-in transfer step of the target substrate 100 in the y direction as shown in FIG. 5(d) may be performed at least once in the y direction under the condition of the second round'Q-1'.

그런 다음, 도 5(e)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)에 제4회차 전사 과정이 수행될 수 있다. 이와 같은 과정은 '(N×Q)-1-(N-1)-(Q-1)'의 조건에 의해 x, y방향으로의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 최소 수행 횟수를 제외한 x, y방향 중 적어도 어느 한 방향으로의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 수행 과정일 수 있다. Then, as shown in FIG. 5(e), a fourth transfer process may be performed on the target substrate 100. This process is performed under the conditions of'(N×Q)-1-(N-1)-(Q-1)', except for the minimum number of times the transfer step of the first micro device cut-in in the x and y directions is performed. It may be a process of performing a transfer step of cutting in the first micro device in at least one of the y directions.

위에서는 타겟 기판(100)의 x, y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 1회씩 수행된 다음 나머지 회차의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 것으로 설명하였지만, 타겟 기판(100)에서 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 x, y방향은 어느 한 방향에 한정되지 않는다. 구체적으로, 위와 같이 x방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행된 다음 y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있고, y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행된 다음 x방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되어도 무방하다.In the above, it has been described that the first micro device cut-in transfer step is performed once in the x and y directions of the target substrate 100 and then the first micro device cut-in transfer step of the remaining rounds is performed. The x and y directions in which the one micro device cut-in transfer step is performed are not limited to any one direction. Specifically, the transfer step of cutting-in of the first micro device in the x direction as above may be performed, and then the transfer step of cutting-in of the first micro device in the y direction may be performed, and the transfer step of cutting-in of the first micro device in the y direction is performed, and then x The transfer step may be performed by cutting the first micro device in the direction.

위와 같이 타겟 기판(100)에서의 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00113
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00114
가 되는 배열에서 제1마이크로 LED(ML1)는 총 4회에 걸쳐 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다.As above, the pitch interval in the target substrate 100 is greater than the 1_x pitch interval.
Figure pat00113
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00114
The first micro LED ML1 may be transferred to the target substrate 100 over a total of 4 times.

타겟 기판(100)에서 단위 화소(F)를 구성하는 제2, 3마이크로 LED(ML2, ML3)는 제1마이크로 LED(ML1)의 전사 과정과 동일한 과정으로 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다. 이 경우, 각각의 마이크로 LED(예를 들어, ML2, ML3)는 먼저 전사된 마이크로 LED(예를 들어, ML1)와 소자 기판(MLP)의 마이크로 LED(ML)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼의 피치 간격을 갖고 전사될 수 있다. 이로 인해 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)로 구성되는 단위 화소(F)는 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 x방향 피치 간격이 P(ML)_x일 수 있다. 단위 화소(F)를 구성하는 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 피치 간격은 하나의 예이므로 전사헤드(1)의 이동 위치에 따라 달라질 수 있다.The second and third micro LEDs ML2 and ML3 constituting the unit pixel F in the target substrate 100 may be transferred to the target substrate 100 in the same process as the transfer process of the first micro LED ML1. . In this case, each of the micro LEDs (eg, ML2, ML3) has a pitch spacing in the x direction of the micro LED (eg, ML1) and the micro LED (ML) of the device substrate (MLP) in the x direction (P( It can be transferred with a pitch interval of ML)_x). Accordingly, the unit pixel F composed of the first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3 may have a pitch interval in the x direction of each of the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 in the x direction P(ML)_x. . The pitch interval of each of the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 constituting the unit pixel F is an example, and thus may vary according to the moving position of the transfer head 1.

따라서, 제1마이크로 LED(ML1)의 총 전사 횟수의 3배는 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00115
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00116
가 되는 배열을 형성하기 위한 타겟 기판(100)의 전체 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 총 전사 횟수일 수 있다. 이 경우, 전체 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 총 전사 횟수는 제1마이크로 LED(ML1)의 총 전사 횟수(4회)×3으로 12회일 수 있다.Therefore, three times the total number of transfers of the first micro LED (ML1) is the x-direction pitch interval in the target substrate 100 than the first_x pitch interval
Figure pat00115
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00116
It may be the total number of transfers of all micro LEDs ML1, ML2, and ML3 of the target substrate 100 for forming an array of In this case, the total number of transfers of all the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 may be 12 times as the total number of transfers of the first micro LEDs ML1 (4 times)×3.

이와는 다른 하나의 예로서, 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00117
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00118
배가 되는 경우 도 4의 표를 참조하면, x, y방향의 피치 간격 조정값은 '3.33'이다. 이 경우, 동일한 피치 조정값을 갖는 도 6를 다시 참조하여 설명한다.As another example, the x-direction pitch interval in the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval.
Figure pat00117
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00118
When doubled, referring to the table of FIG. 4, the pitch interval adjustment value in the x and y directions is '3.33'. In this case, it will be described again with reference to FIG. 6 having the same pitch adjustment value.

도 6(a)에는 제1마이크로 LED(ML1)가 구비되는 제1소자 기판(MLP1)이 도시된다. 전사헤드(1)는 제1소자 기판(MLP1)에서 x, y방향으로 피치 간격의 10배수의 거리를 갖는 제1마이크로 LED(ML1)만을 선택적으로 흡착할 수 있다. 6(a) shows a first device substrate MLP1 on which a first micro LED ML1 is provided. The transfer head 1 may selectively adsorb only the first micro LED ML1 having a distance of 10 times the pitch interval in the x and y directions from the first device substrate MLP1.

그런 다음 도 6(b)에 도시된 바와 같이, 제1마이크로 LED(ML1)가 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격보다 10배가 되도록 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다.Then, as shown in FIG. 6(b), the first micro LED ML1 may be transferred to the target substrate 100 so as to be 10 times the 1_x pitch interval and the 1_y pitch interval.

이와 같은 과정은 타겟 기판(100)에 화소 배열을 구현하기 위한 제1회차 전사 과정이면서 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계에서 수행되는 과정일 수 있다.Such a process may be a first transfer process for implementing a pixel arrangement on the target substrate 100 and a process performed in the first micro device multiple transfer process.

그런 다음 타겟 기판(100)의 x, y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. 타겟 기판(100)에서 수행되는 복수회의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 수행되는 방향인 x, y방향의 순서가 어느 하나의 방향에 한정되지 않는다. 이하에서는 하나의 예로서 x방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행된 다음 y방향으로 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행되는 것으로 설명한다.Then, the first micro device cut-in transfer step in the x and y directions of the target substrate 100 may be performed. The plurality of first micro device cut-in transfer steps performed on the target substrate 100 are not limited to any one direction in the order of the x and y directions. Hereinafter, as an example, a first micro device cut-in transfer step is performed in the x direction and then a first micro device cut-in transfer step is performed in the y direction.

도 6(c)에 도시된

Figure pat00119
내지
Figure pat00120
의 숫자는 전사 회차를 의미하고, 숫자의 위치는 전사 회차에 따른 제11마이크로 LED(ML1)의 전사 위치를 의미한다. 이 경우, 도 6(c)에는 전사 회차에 따른 제1마이크로 LED(ML1)의 최초 전사 위치가 개략적으로 도시된다.Shown in Figure 6(c)
Figure pat00119
To
Figure pat00120
The number of indicates the transfer rotation, and the position of the number indicates the transfer position of the 11th micro LED (ML1) according to the transfer rotation. In this case, FIG. 6(c) schematically shows the initial transfer position of the first micro LED ML1 according to the transfer cycle.

도 6(c)에 도시된

Figure pat00121
은 제1회차 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)의 전사 위치를 의미한다. 따라서, 도 6(c)에 도시된
Figure pat00122
의 위치와 도 6(b)에 도시된 제1마이크로 LED(ML1)의 위치는 동일한 위치일 수 있다.Shown in Figure 6(c)
Figure pat00121
Denotes the transfer position of the first micro LED ML1 transferred during the first transfer process. Thus, shown in Fig. 6(c)
Figure pat00122
The location of and the location of the first micro LED ML1 shown in FIG. 6(b) may be the same location.

그런 다음 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)사이에 전사되어 배치될 수 있다. 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정은 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계일 수 있다. 따라서, 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)의 x방향으로 제1회차 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다.Then, the first micro LED (ML1) transferred by the transfer process of the second first micro LED (ML1) is transferred between the first micro LED (ML1) transferred during the transfer process of the first micro LED (ML1). It can be transferred and placed. The second first micro LED (ML1) transfer process may be a first first micro device cut-in transfer process. Therefore, as shown in FIG. 6(c), the first micro device cut-in transfer step between the first micro LEDs ML1 transferred in the first transfer process in the x direction of the target substrate 100 is performed. Can be done.

제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 경우, (N×Q)-1의 조건에 의해 제1마이크로 LED 전사 과정 내에서 총 수행 횟수가 산출될 수 있고, 타겟 기판(100)의 x방향으로의 최소 수행 횟수는 (N-1)의 조건, 타겟 기판(100)의 y방향으로의 최소 수행 횟수는 (Q-1)의 조건에 의해 산출될 수 있다.In the case of the first micro device cut-in transfer step, the total number of executions can be calculated within the first micro LED transfer process under the condition of (N×Q)-1, and the minimum execution in the x direction of the target substrate 100 The number of times may be calculated by the condition of (N-1), and the minimum number of times of performing the target substrate 100 in the y direction may be calculated by the condition of (Q-1).

위와 같이 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00123
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00124
배가 되는 배열의 경우, 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 총 8회 수행될 수 있다. 또한, 타겟 기판(100)의 x방향으로의 최소 수행 횟수는 2회, y방향으로의 최소 수행 횟수는 2회일 수 있다.As above, the x-direction pitch interval in the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval.
Figure pat00123
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00124
In the case of the doubled arrangement, the first micro device cut-in transfer step may be performed a total of eight times. In addition, the minimum number of times the target substrate 100 is performed in the x direction may be 2 times, and the minimum number of times in the y direction may be 2 times.

그러므로 앞서 설명한 제1회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 x방향으로의 최소 수행 횟수인 2회 중 제1회차에 해당할 수 있다.Therefore, the first micro device cut-in transfer step described above may correspond to the first of two times, which is the minimum number of times in the x direction.

그런 다음 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 제3회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사되어 배치될 수 있다. Then, as shown in FIG. 6(c), the first micro LED (ML1) transferred by the third first micro LED (ML1) transfer process is transferred to the second first micro LED (ML1) transfer process. It may be transferred and disposed between the first micro LED (ML1) transferred by the first micro LED (ML1) and the first micro LED (ML1) transferred by the transfer process of the first round of the first micro LED (ML1).

제3회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정은 제2회차 제1마이크로 LED 소자 컷인 전사 단계일 수 있다. 따라서, 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)의 x방향으로 제2회차 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 제2회차 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계가 수행될 수 있다. The third first micro LED (ML1) transfer process may be a second first micro LED device cut-in transfer process. Accordingly, as shown in FIG. 6(c), between the first micro LED (ML1) and the first micro LED (ML1) transferred in the second transfer process in the x direction of the target substrate 100 The second first micro device cut-in transfer step may be performed.

제2회차 제1마이크로 소자 축소 단계는 타겟 기판(100)의 x방향으로의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 최소 수행 횟수인 2회 중 제2회차에 해당할 수 있다.The second step of reducing the first micro device may correspond to the second of two times, which is the minimum number of times the first micro device cut-in transfer step of the target substrate 100 in the x direction is performed.

그런 다음, 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 타겟 기판(100)의 y방향으로 제4회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사된 타겟 기판(100)의 y방향의 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사되어 배치될 수 있다. 이는 타겟 기판(100)의 y방향으로의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 최소 수행 횟수인 2회 중 제1회차에 해당하는 과정일 수 있다.Then, as shown in FIG. 6(c), the first micro LED (ML1) transferred in the y direction of the target substrate 100 in the process of transferring the fourth first micro LED (ML1) is the first micro LED (ML1). The 1 micro LED ML1 may be transferred and disposed between the first micro LEDs ML1 in the y direction of the target substrate 100 transferred during the transfer process. This may be a process corresponding to the first of two times, which is the minimum number of times the first micro device cut-in transfer step in the y direction of the target substrate 100 is performed.

그런 다음 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 제5회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 제4회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 제1회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사되어 배치될 수 있다. 이는 타겟 기판(100)의 y방향으로의 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 최소 수행 횟수인 2회 중 제2회차에 해당하는 과정일 수 있다.Then, as shown in FIG. 6(c), the first micro LED (ML1) transferred by the 5th first micro LED (ML1) transfer process is transferred to the 4th first micro LED (ML1) transfer process. It may be transferred and disposed between the first micro LED (ML1) transferred by the first micro LED (ML1) and the first micro LED (ML1) transferred by the transfer process of the first round of the first micro LED (ML1). This may be a process corresponding to the second of two times, which is the minimum number of times the transfer step of the first micro device cut-in in the y direction of the target substrate 100 is performed.

그런 다음 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 제6회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 타겟 기판(100)의 x방향으로 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 제4회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 이격되게 전사되어 배치될 수 있다. 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사되는 제1마이크로 LED(ML1)는 제1_x 및 제1_y피치 간격보다 10배의 피치 간격으로 전사될 수 있다. 따라서, 제6회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)는 제4회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 전사되어 배치된 형태일 수 있다. Then, as shown in FIG. 6(c), the first micro LED ML1 transferred in the x direction of the target substrate 100 by the 6th first micro LED ML1 transfer process is The 1 micro LED (ML1) may be transferred and disposed to be spaced apart from the first micro LED (ML1) transferred by the transfer process. The first micro LED (ML1) transferred during the transfer process of the first micro LED (ML1) may be transferred at a pitch interval 10 times greater than the 1_x and 1_y pitch intervals. Therefore, the first micro LED (ML1) transferred by the 6th first micro LED (ML1) transfer process is between the first micro LED (ML1) transferred during the 4th first micro LED (ML1) transfer process. It may be transferred and arranged.

또한, 제6회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)는 제2회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에서 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 동일한 열에 전사되어 배치된 형태일 수 있다.In addition, the first micro LED (ML1) transferred by the 6th transfer process is a form that is transferred and arranged in the same column as the first micro LED (ML1) transferred during the transfer process of the 2nd first micro LED (ML1). I can.

그런 다음 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 제7회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 타겟 기판(100)의 x방향으로 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 제6회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 이격되게 전사되어 배치될 수 있다. 구체적으로, 제7회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)는 제6회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 제4회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)사이에 전사되어 배치된 형태일 수 있다.Then, as shown in FIG. 6(c), the first micro LED ML1 transferred in the x direction of the target substrate 100 by the 7th first micro LED ML1 transfer process is The 1 micro LED (ML1) may be transferred and disposed to be spaced apart from the first micro LED (ML1) transferred by the transfer process. Specifically, the first micro LED (ML1) transferred by the 7th first micro LED (ML1) transfer process is applied to the first micro LED (ML1) transferred by the 6th transfer process and the fourth transfer process. The first micro LEDs ML1 may be transferred and disposed between the first micro LEDs ML1.

그런 다음 도 6(c)에 도시된 바와 같이, 제8회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정 및 제9회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)가 각각 배치될 수 있다. Then, as shown in Fig. 6(c), the first micro LED (ML1) transferred by the 8th first micro LED (ML1) transfer process and the 9th first micro LED (ML1) transfer process is Each can be placed.

제8회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)는 제5회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 이격되게 배치될 수 있고, 제5회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)사이에 배치되는 형태일 수 있다.The first micro LED (ML1) transferred by the 8th first micro LED (ML1) transfer process may be disposed to be spaced apart from the first micro LED (ML1) transferred by the fifth transfer process, and the fifth It may be a form disposed between the first micro LEDs ML1 transferred by the repetitive transfer process.

제9회차 제1마이크로 LED(ML1) 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)는 제8회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1)와 이격되게 배치되고, 제8회차 전사 과정에 의해 전사된 제1마이크로 LED(ML1) 사이에 배치되는 형태일 수 있다.The first micro LED (ML1) transferred by the 9th first micro LED (ML1) transfer process is arranged to be spaced apart from the first micro LED (ML1) transferred by the 8th transfer process, and the 8th transfer It may be a form disposed between the first micro LEDs ML1 transferred by the process.

이처럼 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00125
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00126
배가 되는 배열을 형성하기 위해서는 총 9회의 전사 과정이 수행될 수 있다. 9회의 전사 과정 중 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계는 (N×Q)-1의 조건에 의해 산출될 수 있다. 또한, (N-1), (Q-1)의 조건에 의해 타겟 기판(100)의 x, y방향으로의 최소 제1마이크로 소자 피치 축소 수행 횟수를 산출할 수 있다.In this way, the x-direction pitch interval in the target substrate 100 is greater than the first_x pitch interval
Figure pat00125
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00126
In order to form a doubled arrangement, a total of 9 transfer processes can be performed. The first micro device cut-in transfer step of the 9 transfer processes may be calculated under the condition of (N×Q)-1. In addition, it is possible to calculate the minimum number of times the first micro device pitch reduction in the x and y directions of the target substrate 100 is performed under the conditions (N-1) and (Q-1).

타겟 기판(100)에서 단위 화소(F)를 구성하는 제2, 3마이크로 LED(ML2, ML3)는 제1마이크로 LED(ML1)의 전사 과정과 동일한 과정으로 타겟 기판(100)으로 전사될 수 있다. 이 경우, 각각의 마이크로 LED(예를 들어, ML2, ML3)는 먼저 전사된 마이크로 LED(예를 들어, ML1)와 소자 기판(MLP)의 마이크로 LED(ML)의 x방향의 피치 간격(P(ML)_x)만큼의 피치 간격으로 전사될 수 있다. 이로 인해 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)로 구성되는 단위 화소(F)는 각각의 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 x방향 피치 간격이 P(ML)_x일 수 있다.The second and third micro LEDs ML2 and ML3 constituting the unit pixel F in the target substrate 100 may be transferred to the target substrate 100 in the same process as the transfer process of the first micro LED ML1. . In this case, each of the micro LEDs (eg, ML2, ML3) has a pitch spacing in the x direction of the micro LED (eg, ML1) and the micro LED (ML) of the device substrate (MLP) in the x direction (P( It may be transferred at a pitch interval of ML)_x). Accordingly, the unit pixel F composed of the first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3 may have a pitch interval in the x direction of each of the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 in the x direction P(ML)_x. .

따라서, 제1마이크로 LED(ML1)의 총 전사 횟수의 3배는 타겟 기판(100)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00127
배가 되고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00128
배가 되는 배열을 형성하기 위한 타겟 기판(100)의 전체 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 총 전사 횟수일 수 있다. 이 경우, 전체 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 총 전사 횟수는 제1마이크로 LED(ML1)의 총 전사 횟수(9회)×3으로 27회일 수 있다.Therefore, three times the total number of transfers of the first micro LED (ML1) is the x-direction pitch interval in the target substrate 100 than the first_x pitch interval
Figure pat00127
Times, and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00128
It may be the total number of transfers of all micro LEDs ML1, ML2, and ML3 of the target substrate 100 to form a doubled array. In this case, the total number of transfers of all the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 may be 27 times as the total number of transfers of the first micro LEDs ML1 (9 times)×3.

도 14, 도 5 및 도 6를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격의 배수에 따라 타겟 기판(100)으로 전체 마이크로 LED(ML)를 전사하는 총 전사 횟수는 다를 수 있다. 이 경우, 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격의 배수는 다르지만 이에 따른 총 전사 횟수를 산출하는 조건에 의해 산출된 전사 횟수에서 규칙성을 살펴볼 수 있다.As described with reference to FIGS. 14, 5, and 6, the total number of transfers of the entire micro LED (ML) to the target substrate 100 may be different depending on a multiple of the first_x pitch interval and the first_y pitch interval. . In this case, the multiples of the first_x pitch interval and the first_y pitch interval are different, but regularity can be observed in the number of transfers calculated by the condition for calculating the total number of transfers accordingly.

본 발명은 이러한 조건의 규칙성에 따라 동일한 피치 간격 조정값이 복수개 존재할 경우, 보다 효율적으로 마이크로 LED 전사 과정을 수행할 수 있는 M, N, P, 및 Q값을 결정하여 마이크로 소자 디스플레이 제조 공정을 수행할 수 있다.The present invention performs the micro device display manufacturing process by determining the M, N, P, and Q values that can perform the micro LED transfer process more efficiently when there are a plurality of the same pitch interval adjustment values according to the regularity of these conditions. can do.

도 15를 참조하여 구체적으로 설명한다.It will be described in detail with reference to FIG. 15.

도 15는 피치 간격 조정값에 따른 마이크로 LED의 전사 횟수를 수식화한 표를 도시한 도이다.15 is a diagram showing a table in which the number of transfers of the micro LEDs according to the pitch interval adjustment value is formulated.

도 15에 도시된 바와 같이, 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격의 배수에 따른 피치 간격 조정값에 따라 타겟 기판(100)의 전체 마이크로 LED(ML)의 총 전사 횟수는 다를 수 있다.As shown in FIG. 15, the total number of transfers of the total micro LEDs ML of the target substrate 100 may be different according to a pitch interval adjustment value according to a multiple of the first_x pitch interval and the first_y pitch interval.

피치 간격 조정값이 3배일 경우, 타겟 기판(100)으로 전체 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 전사하는 총 전사 횟수는 3회일 수 있다. 피치 간격 조정값이 3배일 경우의 마이크로 LED(ML)의 총 전사 횟수를 산출하기 위한 자세한 설명은 도 14을 참조하기로 하고 생략한다.When the pitch interval adjustment value is 3 times, the total number of transfers of the entire micro LEDs ML1, ML2, and ML3 to the target substrate 100 may be 3 times. A detailed description for calculating the total number of transfers of the micro LED (ML) when the pitch interval adjustment value is three times will be described with reference to FIG. 14 and will be omitted.

또한, 도 5을 참조하여 설명한 바와 같이 피치 간격 조정값이

Figure pat00129
배일 경우, 타겟 기판(100)으로 전체 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 전사하는 총 전사 횟수는 12회일 수 있다.In addition, as described with reference to FIG. 5, the pitch interval adjustment value is
Figure pat00129
In the case of double, the total number of transfers for transferring the entire micro LEDs ML1, ML2, and ML3 to the target substrate 100 may be 12 times.

또한, 도 6를 참조하여 설명한 바와 같이, 피치 간격 조정값이

Figure pat00130
배일 경우, 타겟 기판(100)으로 전체 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 전사하는 총 전사 횟수는 27회일 수 있다. In addition, as described with reference to FIG. 6, the pitch interval adjustment value is
Figure pat00130
In the case of double, the total number of transfers for transferring the entire micro LEDs ML1, ML2, and ML3 to the target substrate 100 may be 27 times.

위와 같은 피치 간격 조정값에 따라 타겟 기판(100)으로 전체 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 전사하는 총 전사 횟수에 대한 수열의 규칙성을 살펴보면, 각각의 총 전사 횟수는 y의 제곱수의 3배라는 규칙이 존재할 수 있다. 여기서 y의 값은 피치 간격 조정값에서 소수점 자리를 산출하는 값으로, N값과 동일한 값일 수 있다.Looking at the regularity of the sequence with respect to the total number of transfers of the entire micro LEDs (ML1, ML2, ML3) to the target substrate 100 according to the above pitch interval adjustment value, the total number of transfers is 3 of the square of y. There may be rules of ships. Here, the value of y is a value for calculating the decimal place from the pitch interval adjustment value, and may be the same value as the N value.

본 발명은 이와 같은 규칙성에 의해 피치 간격 조정값에 따른 총 전사 횟수를 산출할 수 있다. 이로 인해 동일한 피치 간격 조정값이더라도 y의 제곱수의 3배의 조건에 따른 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 총 전사 횟수를 산출할 수 있다. 이로 인해 타겟 기판(100)에서 화소 배열을 이루면서 동종의 마이크로 LED간이 소수배 확장된 피치 간격으로 위치하는 배열을 형성할 경우, 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 총 전사 횟수가 적은 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격의 배수를 결정하여 마이크로 소자 디스플레이 제조 공정을 보다 효율적으로 수행할 수 있다.The present invention can calculate the total number of transfers according to the pitch interval adjustment value by such regularity. Accordingly, even with the same pitch interval adjustment value, the total number of transfers of the micro LEDs ML1, ML2, and ML3 can be calculated according to the condition of three times the square number of y. Accordingly, when forming a pixel array on the target substrate 100 and forming an array in which the same type of micro LEDs are located at a pitch interval that is several orders of magnitude wider, the total number of transfers of the micro LEDs (ML1, ML2, ML3) is small. By determining the interval and the multiple of the first_y pitch interval, the micro device display manufacturing process may be more efficiently performed.

다만, y의 제곱수의 3배의 조건에 따른 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 총 전사 횟수는 제1_x피치 간격의

Figure pat00131
배, 제1_y피치 간격의
Figure pat00132
배에서 N과 Q의 값이 동일한 경우에 적용될 수 있다.However, the total number of transfers of the micro LEDs (ML1, ML2, ML3) according to the condition of 3 times the number of squares of y is the 1st_x pitch interval.
Figure pat00131
Times of the 1st_y pitch interval
Figure pat00132
This can be applied when the values of N and Q are the same in the ship.

N과 Q의 값이 동일하지 않은 경우에는 (N×Q)의 조건에 의해 타겟 기판(100)의 제1마이크로 LED(ML1)의 총 전사 횟수를 산출할 수 있다. 따라서, (N×Q)의 조건의 3배를 할 경우, 전체 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 총 전사 횟수를 산출할 수 있다. If the values of N and Q are not the same, the total number of transfers of the first micro LED ML1 of the target substrate 100 may be calculated under the condition of (N×Q). Therefore, when three times the condition of (N×Q), the total number of transfers of all micro LEDs ML1, ML2, and ML3 can be calculated.

이와 같은 조건은 타겟 기판(100)으로 제1마이크로 LED(ML1)를 전사하는 과정 중 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계가 수행되는 횟수인 1회와 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계의 총 횟수를 산출하는 조건인 (N×Q)-1을 더하여 도출되는 조건이다.Such a condition is the number of times the first micro device integer multiple transfer step is performed during the process of transferring the first micro LED (ML1) to the target substrate 100 and the total number of the first micro device cut-in transfer step is calculated. It is a condition derived by adding the condition (N×Q)-1.

N과 Q의 값이 동일하지 않고, 타겟 기판(100)의 x, y방향으로의 피치 간격 조정값이 소수배일 경우, 본 발명은 1회의 마이크로 LED 정수배 전사 단계를 수행한 다음 복수회의 마이크로 LED 컷인 전사 단계를 수행함으로써 타겟 기판(100)에서의 마이크로 LED의 피치 간격을 조정할 수 있다. 따라서, 타겟 기판(100)으로 마이크로 LED(ML)를 전사하는 과정 중 마이크로 LED 정수배 전사 단계가 수행되는 횟수인 1회와 마이크로 소자 컷인 전사 단계의 총 횟수를 산출하는 조건인 (N×Q)-1을 더하여 도출되는 조건인 (N×Q)가 N과 Q의 값이 동일하지 않을 경우의 타겟 기판(100)의 제1마이크로 LED(ML1)의 총 전사 횟수를 산출하는 조건이 될 수 있다. If the values of N and Q are not the same, and the pitch interval adjustment value in the x and y directions of the target substrate 100 is a decimal number, the present invention performs one micro LED integer multiple transfer step and then multiple times micro LED cut-in. By performing the transfer step, it is possible to adjust the pitch interval of the micro LEDs on the target substrate 100. Therefore, in the process of transferring the micro LEDs (ML) to the target substrate 100, (N×Q), which is a condition for calculating the number of times the micro LED integer multiple transfer step is performed and the total number of micro device cut-in transfer steps The condition (N×Q) derived by adding 1 may be a condition for calculating the total number of transfers of the first micro LED ML1 of the target substrate 100 when the values of N and Q are not the same.

(N×Q)의 조건을 토대로 (N×Q)의 3배는 전체 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 총 전사 횟수를 산출하는 조건이 될 수 있다. Based on the condition of (N×Q), three times (N×Q) can be a condition for calculating the total number of transfers of all micro LEDs (ML1, ML2, ML3).

N과 Q의 값이 동일하지 않은 경우는 타겟 기판(100)의 x, y방향으로의 피치 간격 조정값이 다른 경우일 수 있다. 다시 말해, 제1_x피치 간격 및 제1_y피치 간격이 서로 다른 배수로 확장되어 제2_x피치 간격 및 제2_y피치 간격이 되는 경우일 수 있다.If the values of N and Q are not the same, it may be a case that the pitch interval adjustment values of the target substrate 100 in the x and y directions are different. In other words, it may be a case in which the 1st_x pitch interval and the 1_y pitch interval are extended by different multiples to become the 2nd_x pitch interval and the 2_y pitch interval.

타겟 기판(100)에서 화소 배열을 이루면서 소자 기판(MLP)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격을 소수배 확장하기 위해서, 본 발명은 마이크로 LED(ML)가 구비되는 소자 기판(MLP) 및 소자 기판(MLP)의 마이크로 LED(ML)가 전사되는 스케일링 기판(SP)이 구비되어 수행될 수 있다. In order to increase the pitch interval between the micro LEDs (ML) of the same kind in the device substrate (MLP) while forming a pixel arrangement on the target substrate 100, the present invention is a device substrate (MLP) provided with a micro LED (ML). And a scaling substrate SP to which the micro LEDs ML of the device substrate MLP are transferred may be provided and performed.

도 16는 마이크로 LED가 구비되는 소자 기판 및 소자 기판의 마이크로 LED가 전사되는 스케일링 기판을 도시한 도이다.16 is a diagram illustrating an element substrate on which a micro LED is provided and a scaling substrate onto which the micro LEDs of the element substrate are transferred.

본 발명은 소자 기판(MLP)에서의 동종의 마이크로 LED(ML)를 타겟 기판(100)으로 전사하기 전에 스케일링 기판(SP)에서 타겟 기판(100)에서의 동종의 마이크로 LED(ML) 배열의 피치 간격에 대응되는 피치 간격으로 위치하도록 마이크로 LED(ML) 배열을 형성한 다음, 타겟 기판(100)으로 일괄적으로 전사할 수 있다.The present invention relates to the pitch of the same type of micro LEDs (ML) in the target substrate 100 from the scaling substrate SP before transferring the same type of micro LEDs (ML) from the device substrate (MLP) to the target substrate 100 After forming an array of micro LEDs (ML) so as to be positioned at a pitch interval corresponding to the interval, it may be collectively transferred to the target substrate 100.

다시 말해, 본 발명은 소자 기판(MLP)상에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제1_y피치 간격으로 배열된 마이크로 소자를 스케일링 기판(SP)에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 배열되고, y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 배열되도록 하고 스케일링 기판(SP)상의 마이크로 소자를 타겟 기판(100)으로 전사하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법에 있어서, 스케일링 기판(SP)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다

Figure pat00133
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00134
배(여기서, P는 1이상의 정수 중 어느 하나이고, Q는 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 할 수 있다.In other words, according to the present invention, micro-elements arranged at 1_x pitch intervals along the x direction on the device substrate MLP and 1_y pitch intervals along the y direction are arranged at 2_x pitches along the x direction on the scaling substrate SP. In a method for manufacturing a micro device display, which is arranged at intervals, arranged at a second_y pitch interval along a y direction, and transfers the micro devices on the scaling substrate SP to the target substrate 100, the x in the scaling substrate SP Directional pitch spacing is greater than 1_x pitch spacing
Figure pat00133
Times (here, M is any one of an integer greater than or equal to 1, and N is any one of an integer greater than or equal to 2), and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00134
It can be a multiple (here, P is any one of an integer of 1 or more, and Q is any of an integer of 2 or more).

하나의 예로서, 타겟 기판(100)에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 규정되고, y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 규정된 마이크로 소자의 배열을 기준으로, 소자 기판(MLP)상에서 x방향을 따른 제1_x피치 간격이 제2_x피치 간격의

Figure pat00135
배가 되고, y방향을 따른 제1_y피치 간격이 제2_y피치 간격의
Figure pat00136
배가 되는 마이크로 소자 배열이 제공될 경우, 소자 기판(MLP)상의 마이크로 LED(ML)는 스케일링 기판(SP)에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다
Figure pat00137
배가 되도록 하고, y방향의 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00138
배가 되도록 전사될 수 있다.As an example, based on the array of micro-elements defined in the target substrate 100 at a second_x pitch interval along the x direction and a second_y pitch interval along the y direction, the x direction on the element substrate MLP The 1st_x pitch interval along the 2nd_x pitch interval
Figure pat00135
Is doubled, and the first_y pitch interval along the y direction is equal to the second_y pitch interval
Figure pat00136
When an array of microelements that are doubled is provided, the micro LEDs ML on the element substrate MLP have an x-direction pitch interval in the scaling substrate SP than the first_x pitch interval.
Figure pat00137
And the pitch interval in the y direction is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00138
Can be transferred to double.

이 경우,

Figure pat00139
이 복수개 존재할 경우, N값 중에서 최소값을 기준으로
Figure pat00140
을 결정할 수 있다. 또한,
Figure pat00141
이 복수개 존재할 경우, Q값 중에서 최소값을 기준으로
Figure pat00142
를 결정할 수 있다.in this case,
Figure pat00139
If there are multiple of these, based on the minimum value among N values
Figure pat00140
Can be determined. Also,
Figure pat00141
If there are multiple of these, based on the minimum value among the Q values
Figure pat00142
Can be determined.

이로 인해 본 발명은 전사헤드(1)를 이용하여 스케일링 기판(SP)에서 마이크로 소자 정수배 전사 단계를 수행한 다음 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 효율적으로 수행하여 스케일링 기판(SP)에 배치된 마이크로 LED(ML) 전체를 흡착한 후 타겟 기판(100)으로 일괄적으로 전사할 수 있다.For this reason, the present invention performs a micro-element multiple transfer step on the scaling substrate SP using the transfer head 1, and then efficiently performs the micro-element cut-in transfer step, thereby performing the micro LED (ML) disposed on the scaling substrate SP. ) After adsorbing the whole, it can be transferred to the target substrate 100 at once.

다시 말해, 본 발명은 마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행하며 소자 기판(MLP)의 마이크로 LED(ML)를 타겟 기판(100)으로 직접 전사할 수도 있지만, 스케일링 기판(SP)을 구비하여 타겟 기판(100)의 마이크로 LED(ML) 배열의 피치 간격과 대응되는 피치 간격을 갖는 마이크로 LED(ML) 배열을 형성한 다음 마이크로 LED(ML) 전체를 흡착하여 타겟 기판(100)으로 일괄적으로 전사할 수도 있다. 그 결과 보다 효율적으로 타겟 기판(100)상의 화소 배열을 형성할 수 있게 된다.In other words, in the present invention, the micro-device multiplex transfer step and the micro-device cut-in transfer step are performed, and the micro LED (ML) of the device substrate (MLP) may be directly transferred to the target substrate 100, but the scaling substrate (SP) is A micro LED (ML) array having a pitch interval corresponding to the pitch interval of the micro LED (ML) array of the target substrate 100 is formed, and then the entire micro LED (ML) is adsorbed to the target substrate 100. You can also be transcribed as an enemy. As a result, it is possible to more efficiently form a pixel array on the target substrate 100.

본 발명의 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법은 동종의 마이크로 LED(ML)간의 피치 간격이 소수배로 변경(축소 및 확장)되도록 마이크로 LED(ML)를 전사할 수 있다. 이를 통해 대면적 디스플레이에 적합한 화소 배열을 효율적으로 구현할 수 있다. 본 발명은 마이크로 소자 정수배 전사 단계 및 마이크로 소자 컷인 전사 단계를 수행함으로써 대면적 디스플레이에 적합한 화소 배열을 구현할 수 있게 된다. In the method of manufacturing a micro device display of the present invention, the micro LEDs (ML) may be transferred so that the pitch spacing between the micro LEDs (ML) of the same kind is changed (reduced and expanded) by a decimal number. Through this, it is possible to efficiently implement a pixel arrangement suitable for a large-area display. According to the present invention, a pixel arrangement suitable for a large-area display can be implemented by performing the micro-element multiplex transfer step and the micro-element cut-in transfer step.

또한, 본 발명은 피치 간격 조정값에 따른 마이크로 LED의 총 전사 횟수를 산출할 수 있다. 이로 인해 동일한 피치 간격 조정값이 존재할 경우, 보다 효율적으로 전사 과정을 수행할 수 있는 피치 간격의 배수를 결정할 수 있게 된다.In addition, the present invention can calculate the total number of transfers of the micro LED according to the pitch interval adjustment value. For this reason, when the same pitch interval adjustment value exists, it is possible to determine a multiple of the pitch interval capable of performing the transfer process more efficiently.

또한, 본 발명은 피치 간격이 규정된 마이크로 LED 화소 배열과 대응되는 마이크로 LED 화소 배열을 형성하기 위하여 소자 기판(MLP)상의 마이크로 LED(ML)의 피치 간격을 조정할 경우, 전사 횟수를 최소한으로 수행할 수 있는 피치 간격의 배수를 결정하여 공정을 수행할 수 있다.In addition, in the present invention, when the pitch spacing of the micro LEDs (ML) on the device substrate (MLP) is adjusted to form a micro LED pixel array corresponding to the micro LED pixel array with a defined pitch spacing, the number of transfers can be minimized. The process can be performed by determining a multiple of the possible pitch interval.

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although it has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will variously modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. Or it can be implemented by modification.

MLP: 소자 기판 ML: 마이크로 LED
M: 단위 모듈 F: 단위 화소
F': 컷인 단위 화소 SP: 스케일링 기판
100: 타겟 기판MLP: Device substrate ML: Micro LED
M: Unit module F: Unit pixel
F': cut-in unit pixel SP: scaling substrate
100: target substrate

Claims (22)

소자 기판 상에 일정한 피치간격으로 배치된 마이크로 소자들 중에서 상기 피치 간격의 정수배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들만을 타겟 기판으로 전사하는 마이크로 소자 정수배 전사 단계; 및
상기 소자 기판상의 상기 마이크로 소자들을 타겟 기판상으로 전사하되, 상기 타겟 기판상에서 이전에 전사된 마이크로 소자들 사이에 전사하는 컷인 전사 단계를 포함하여,
상기 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격이 상기 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격에 소수배가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조방법.
A microelement integer multiple transfer step of transferring only the microelements positioned at an integer multiple pitch interval of the pitch interval from among the microelements arranged at a constant pitch interval on the element substrate to a target substrate; And
Including a cut-in transfer step of transferring the micro-elements on the device substrate onto a target substrate, and transferring between the micro-elements previously transferred on the target substrate,
A method of manufacturing a micro device display, characterized in that the pitch spacing between micro devices of the same kind on the target substrate is a multiple of the pitch spacing between micro devices of the same kind on the device substrate.
 제1항에 있어서,
상기 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격이 상기 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격에
Figure pat00143
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되며,
상기 마이크로 소자 정수배 전사 단계는 한 번 수행되고,
상기 컷인 전사 단계는 (N-1)회 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조방법.
The method of claim 1,
The pitch interval between microelements of the same kind on the target substrate is equal to the pitch interval between microelements of the same kind on the element substrate
Figure pat00143
It becomes a multiple (here, M is any one of an integer of 1 or more, and N is any of an integer of 2 or more),
The micro device integer multiple transfer step is performed once,
The method of manufacturing a micro device display, wherein the cut-in transfer step is performed (N-1) times.
 제1항에 있어서,
상기 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격이 상기 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격에
Figure pat00144
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되며,
상기 M은 상기 N보다 큰 수인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조방법.
The method of claim 1,
The pitch interval between microelements of the same kind on the target substrate is equal to the pitch interval between microelements of the same kind on the element substrate
Figure pat00144
It becomes a multiple (here, M is any one of an integer of 1 or more, and N is any of an integer of 2 or more),
The method of manufacturing a micro device display, characterized in that M is a number greater than N.
 제1항에 있어서,
상기 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격이 상기 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격에
Figure pat00145
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되며,
상기 M은 상기 N보다 작은 수인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조방법.
The method of claim 1,
The pitch interval between microelements of the same kind on the target substrate is equal to the pitch interval between microelements of the same kind on the element substrate
Figure pat00145
It becomes a multiple (here, M is any one of an integer of 1 or more, and N is any of an integer of 2 or more),
The method of manufacturing a micro device display, characterized in that M is a number smaller than N.
 소자 기판상에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제1_y피치간격으로 배열된 마이크로 소자를 타겟 기판에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 배열되도록 전사하되, 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다
Figure pat00146
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00147
배(여기서, P는 1이상의 정수 중 어느 하나이고, Q는 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조방법.
On the device substrate, micro-elements arranged at 1_x pitch intervals along the x direction and 1_y pitch intervals along the y direction are arranged at 2_x pitch intervals along the x direction on the target substrate, and 2_y pitch intervals along the y direction But the 2nd_x pitch spacing is more than the 1st_x pitch spacing.
Figure pat00146
Times (where M is any one of an integer greater than or equal to 1, and N is any one of an integer greater than or equal to 2), and the second_y pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00147
A method of manufacturing a micro-device display, characterized in that the number is multiplied (wherein P is any one of an integer greater than or equal to 1, and Q is any one of an integer greater than or equal to 2).
 제5항에 있어서,
상기 소자 기판상에서 제1_x피치간격의 M배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들 및 상기 제1_y피치간격의 P배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들만을 한꺼번에 타겟기판으로 전사하는 마이크로 소자 정수배 전사 단계; 및
상기 소자 기판상에서 제1_x피치간격의 M배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들 및 상기 제1_y피치간격의 P배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들만을 타겟 기판상으로 전사하되, 상기 타겟 기판상에 이전에 전사된 상기 마이크로 소자들 사이에 위치하도록 전사하는 컷인 전사 단계를 포함하여,
상기 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격이 상기 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격에 소수배가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조방법.
The method of claim 5,
Microelement integer multiple transfer step of transferring only the microelements positioned at a pitch interval M times the pitch interval of the first_x pitch interval and the microelements positioned at a pitch interval P times the pitch interval P times the first_y pitch interval on the device substrate to a target substrate at once ; And
On the device substrate, only the micro-elements positioned at M times pitch intervals of the first_x pitch interval and the micro elements positioned at P times pitch intervals of the first_y pitch spacing are transferred onto the target substrate, Including a cut-in transfer step of transferring to be positioned between the micro-elements previously transferred to,
A method of manufacturing a micro device display, characterized in that the pitch spacing between micro devices of the same kind on the target substrate is a multiple of the pitch spacing between micro devices of the same kind on the device substrate.
 제6항에 있어서,
상기 마이크로 소자 정수배 전사 단계는 한 번 수행되고,
상기 컷인 전사단계는 ((N×Q)-1)회 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조방법.
The method of claim 6,
The micro device integer multiple transfer step is performed once,
The cut-in transfer step is a micro device display manufacturing method, characterized in that the ((N × Q) -1) is performed.
 제5항에 있어서,
상기 소자 기판상에서 제1_x피치간격의 M배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들의 열만을 한꺼번에 임시기판으로 전사하는 제1회차 마이크로 소자 정수배 전사 단계; 및
상기 소자 기판상에서 제1_x피치간격의 M배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들의 열만을 한꺼번에 임시 기판상으로 전사하되, 상기 임시 기판상에 이전에 전사된 상기 마이크로 소자들의 열 사이에 위치하도록 전사하는 제1회차 컷인 전사 단계;
상기 임시 기판상에서 제1_y피치간격의 P배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들의 행만을 한꺼번에 타겟 기판으로 전사하는 제2회차 마이크로 소자 정수배 전사 단계; 및
상기 타겟 기판상에서 제1_y피치간격의 P배 피치간격에 위치하는 상기 마이크로 소자들의 행만을 타겟 기판 상으로 전사하되, 상기 타겟 기판상에 이전에 전사된 상기 마이크로 소자들의 행 사이에 위치하도록 전사하는 제2회차 컷인 전사 단계;를 포함하여
상기 타겟 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격이 상기 소자 기판에서의 동종의 마이크로 소자간의 피치간격에 소수배가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조방법.
The method of claim 5,
A first micro-element multiple transfer step of transferring only the rows of the micro-elements located at M times the pitch interval of the first_x pitch interval on the device substrate to a temporary substrate at one time; And
Transferring only the rows of the micro-elements located at M times the pitch interval of the first_x pitch interval on the device substrate onto a temporary substrate at a time, but transferring them to be located between the rows of the micro-elements previously transferred onto the temporary substrate. A first cut-in transfer step;
A second microelement integer multiple transfer step of transferring only the rows of the microelements located on the temporary substrate at a P-fold pitch interval of a first_y pitch interval to a target substrate at once; And
Transferring only the rows of the micro-elements located on the target substrate at a P-fold pitch interval of the first_y pitch interval onto the target substrate, and transferring the micro-elements to be located between the rows of the micro-elements previously transferred onto the target substrate. Including the second cut-in transfer step;
A method of manufacturing a micro device display, characterized in that the pitch spacing between micro devices of the same kind on the target substrate is a multiple of the pitch spacing between micro devices of the same kind on the device substrate.
 제1소자 기판상에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제1_y피치간격으로 배열된 제1마이크로 소자를 타겟 기판에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 배열되도록 전사하되, 제2_x피치 간격이 제1_x피치 간격보다
Figure pat00148
배(여기서, M은 7이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하고, 제2_y피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00149
배(여기서, P는 7이상의 정수 중 어느 하나이고, Q는 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
On the first device substrate, first micro-elements are arranged at first _x pitch intervals along the x direction and 1 _y pitch intervals along the y direction are arranged at second _x pitch intervals along the x direction on the target substrate and follow the y direction. Transfer so that it is arranged at 2_y pitch intervals, but the 2nd_x pitch interval is greater than the 1st_x pitch interval
Figure pat00148
Times (where M is any one of an integer greater than 7 and N is any one of an integer greater than 2), and the second_y pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00149
A method of manufacturing a micro device display, characterized in that the number is multiple (wherein P is any one of an integer of 7 or more, and Q is any of an integer of 2 or more).
 제9항에 있어서,
전사헤드가 상기 제1소자 기판에서 x방향을 따라 상기 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 상기 제1마이크로 소자들 및 y방향을 따라 상기 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 상기 제1마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 상기 타겟 기판으로 전사하는 제1마이크로 소자 정수배 전사 단계; 및
상기 전사헤드가 상기 제1소자 기판에서 x방향을 따라 상기 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 상기 제1마이크로 소자들 및 y방향을 따라 상기 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 상기 제1마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 상기 타겟 기판 상의 상기 제1마이크로 소자 사이에 전사하는 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 포함하여 상기 제1마이크로 소자의 x, y방향의 피치간격을 확장하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
The method of claim 9,
The transfer head is positioned at a pitch interval of P times of the first _y pitch interval along the y direction and the first microelements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the first device substrate. A first micro-element multiple transfer step of adsorbing the positioned first micro-elements in a matrix form and then transferring them to the target substrate; And
The transfer head is the first micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and a pitch interval P times P times the first_y pitch interval along the y direction Including a first micro-element cut-in transfer step of adsorbing the first micro-elements positioned in a matrix form and then transferring between the first micro-elements on the target substrate previously transferred. , Micro device display manufacturing method, characterized in that extending the pitch interval in the y direction.
 제10항에 있어서,
상기 제1마이크로 소자 컷인 전사 단계를 ((N×Q)-1)회 수행하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
The method of claim 10,
A method of manufacturing a micro device display, characterized in that the first micro device cut-in transfer step is performed ((N×Q)-1) times.
 제10항에 있어서,
상기 전사헤드가 상기 제2소자 기판에서 x방향을 따라 상기 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 상기 제2마이크로 소자들 및 y방향을 따라 상기 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 상기 제2마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 상기 타겟 기판으로 전사하는 제2마이크로 소자 정수배 전사 단계; 및
상기 전사헤드가 상기 제2소자 기판에서 x방향을 따라 상기 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 상기 제2마이크로 소자들 및 y방향을 따라 상기 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 상기 제2마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 상기 타겟 기판 상의 상기 제2마이크로 소자 사이에 전사하는 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계를 포함하여 상기 제2마이크로 소자의 x, y방향의 피치간격을 확장하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
The method of claim 10,
The transfer head is the second micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and a pitch interval P times the first_y pitch interval along the y direction A second micro-element multiple transfer step of adsorbing the second micro-elements positioned in the matrix form and then transferring them to the target substrate; And
The transfer head is the second micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and a pitch interval P times the first_y pitch interval along the y direction Including a second micro-element cut-in transfer step of adsorbing the second micro-elements positioned in a matrix form and then transferring between the second micro-elements on the target substrate previously transferred, the x of the second micro-elements , Micro device display manufacturing method, characterized in that extending the pitch interval in the y direction.
 제12항에 있어서,
상기 제2마이크로 소자 컷인 전사 단계를 ((N×Q)- 1)회 수행하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
The method of claim 12,
The method of manufacturing a micro device display, characterized in that the second micro device cut-in transfer step is performed ((N×Q)-1) times.
 제12항에 있어서,
전사헤드가 상기 제3소자 기판에서 x방향을 따라 상기 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 상기 제3마이크로 소자들 및 y방향을 따라 상기 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 상기 제3마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음 상기 타겟 기판으로 전사하는 제3마이크로 소자 정수배 전사 단계; 및
상기 전사헤드가 상기 제3소자 기판에서 x방향을 따라 상기 제1_x피치 간격의 M배의 피치 간격에 위치하는 상기 제3마이크로 소자들 및 y방향을 따라 상기 제1_y피치 간격의 P배의 피치 간격에 위치하는 상기 제3마이크로 소자들을 매트릭스 형태로 흡착한 다음, 이전에 전사된 상기 타겟 기판상의 상기 제3마이크로 소자 사이에 전사하는 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 포함하여 상기 제3마이크로 소자의 x, y방향의 피치간격을 확장하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
The method of claim 12,
The transfer head is at a pitch interval of P times the pitch of the first_y pitch along the y direction and the third micro-elements positioned at a pitch interval of M times the pitch of the first_x pitch along the x direction on the third device substrate. A third micro device multiple transfer step of adsorbing the located third micro devices in a matrix form and transferring them to the target substrate; And
The transfer head is the third micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first_x pitch interval along the x direction in the x direction and a pitch interval P times the first_y pitch interval along the y direction Including a third micro device cut-in transfer step of adsorbing the third micro devices located at in a matrix form and then transferring between the third micro devices on the target substrate previously transferred, the x of the third micro device. , Micro device display manufacturing method, characterized in that extending the pitch interval in the y direction.
 제14항에 있어서,
상기 제3마이크로 소자 컷인 전사 단계를 ((N×Q)-1)회 수행하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
The method of claim 14,
A method of manufacturing a micro device display, characterized in that the third micro device cut-in transfer step is performed ((N×Q)-1) times.
 소자 기판 상에서 일방향을 따라 제1피치 간격으로 복수개로 배열된 제1마이크로 소자를 타켓 기판에서 일방향을 따라 제2피치 간격으로 전사하되 제2피치 간격이 제1피치 간격보다
Figure pat00150
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
A plurality of first microelements arranged in a first pitch interval along one direction on the device substrate are transferred from the target substrate to a second pitch interval along one direction, but the second pitch interval is greater than the first pitch interval.
Figure pat00150
A method of manufacturing a micro device display, characterized in that the number is multiplied (here, M is any one of 1 or more integers, and N is any one of 2 or more integers).
 제16항에 있어서,
전사헤드가 상기 소자 기판에서 일방향을 따라 상기 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 상기 제1마이크로 소자를 흡착한 다음 상기 타겟 기판으로 전사하는 정수배 전사 단계; 및
상기 전사헤드가 상기 소자 기판에서 일방향을 따라 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 상기 제1마이크로 소자를 흡착한 다음 이전에 전사된 상기 타겟 기판상의 상기 제1마이크로 소자 사이에 전사하는 컷인 전사 단계를 포함하되, 상기 컷인 전사 단계를 (N-1)회 수행하여 제1마이크로 소자의 일방향 피치간격을 확장하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
The method of claim 16,
An integer multiple transfer step in which the transfer head adsorbs the first micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first pitch in one direction from the element substrate and then transfers them to the target substrate; And
The transfer head adsorbs the first micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first pitch interval along one direction in the element substrate, and then transfers between the first micro-elements on the target substrate previously transferred. A method of manufacturing a micro device display comprising a cut-in transfer step, wherein the cut-in transfer step is performed (N-1) times to extend a pitch interval in one direction of the first micro device.
 제16항에 있어서,
전사헤드가 상기 소자 기판에서 일방향을 따라 상기 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 상기 제1마이크로 소자를 기준으로 일방향의 수직방향에 위치하는 상기 제1마이크로 소자 열을 흡착한 다음 상기 타겟 기판으로 전사하는 정수배 전사 단계; 및
상기 전사헤드가 상기 소자 기판에서 일방향을 따라 상기 제1피치 간격의 M배의 피치 간격으로 위치하는 상기 제1마이크로 소자를 기준으로 일방향의 수직방향에 위치하는 상기 제1마이크로 소자 열을 흡착한 다음 이전에 전사된 상기 타겟 기판상의 상기 제1마이크로 소자 사이에 전사하는 컷인 전사 단계를 포함하되, 상기 컷인 전사 단계를 (N-1)회 수행하여 상기 제1마이크로 소자의 일방향 피치간격을 확장하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
The method of claim 16,
The transfer head adsorbs the row of the first micro-elements positioned in a vertical direction in one direction with respect to the first micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first pitch in one direction on the element substrate. An integer multiple transfer step of transferring to a target substrate; And
The transfer head adsorbs the row of the first micro-elements positioned in a vertical direction in one direction with respect to the first micro-elements positioned at a pitch interval of M times the first pitch in one direction on the element substrate, Including a cut-in transfer step of transferring between the first micro-elements on the target substrate previously transferred, wherein the cut-in transfer step is performed (N-1) times to extend the pitch interval in one direction of the first micro-elements. Micro device display manufacturing method, characterized in that.
 타겟 기판에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 규정되고 y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 규정된 마이크로 소자의 배열을 기준으로, 소자 기판상에서 x방향을 따른 제1_x피치 간격이 제2_x피치 간격의
Figure pat00151
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되고, y방향을 따른 제1_y피치 간격이 제2_y 피치 간격의
Figure pat00152
배(여기서, P는 1이상의 정수 중 어느 하나이고, Q는 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되는 마이크로 소자 배열을 제공하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
Based on the arrangement of micro-elements defined in the x-direction at 2_x pitch intervals in the target substrate and 2 _y-pitch intervals along the y direction, the first_x pitch intervals along the x direction on the element substrate are equal to the second_x pitch intervals.
Figure pat00151
Times (where M is any one of an integer greater than or equal to 1, and N is any one of an integer greater than or equal to 2), and the first_y pitch interval along the y direction is the second_y pitch interval
Figure pat00152
A method of manufacturing a micro device display, characterized in that it provides a micro device array that is a multiple (where P is any one of an integer greater than or equal to 1, and Q is any one of an integer greater than or equal to 2).
 소자 기판상에서 x방향을 따라 제1_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제1_y피치간격으로 배열된 마이크로 소자를 스케일링 기판에서 x방향을 따라 제2_x피치 간격으로 배열되고 y방향을 따라 제2_y피치 간격으로 배열되도록 하고 상기 스케일링 기판상의 마이크로 소자를 타겟 기판으로 전사하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법에 있어서,
상기 스케일링 기판에서의 x방향 피치 간격이 제1_x피치 간격보다
Figure pat00153
배(여기서, M은 1이상의 정수 중 어느 하나이고, N은 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하고, y방향 피치 간격이 제1_y피치 간격보다
Figure pat00154
배(여기서, P는 1이상의 정수 중 어느 하나이고, Q는 2이상의 정수 중 어느 하나임)가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
On the device substrate, micro-elements arranged at 1_x pitch intervals along the x direction and 1_y pitch intervals along the y direction are arranged at 2_x pitch intervals along the x direction on the scaling substrate and 2_y pitch intervals along the y direction In a method of manufacturing a micro device display to be arranged in a manner and transferring the micro devices on the scaling substrate to a target substrate,
The x-direction pitch interval in the scaling substrate is greater than the first_x pitch interval
Figure pat00153
Times (here, M is any one of an integer greater than or equal to 1, and N is any one of an integer greater than or equal to 2), and the y-direction pitch interval is greater than the first_y pitch interval
Figure pat00154
A method of manufacturing a micro device display, characterized in that the number is multiplied (here, P is any one of an integer greater than or equal to 1, and Q is any one of an integer greater than or equal to 2).
 제19항 또는 제20항에 있어서,
상기
Figure pat00155
이 복수 개 존재할 경우 상기 N값 중에서 최소값을 기준으로 상기
Figure pat00156
을 결정하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.
The method of claim 19 or 20,
remind
Figure pat00155
If there are more than one, based on the minimum value among the N values, the
Figure pat00156
Micro device display manufacturing method, characterized in that to determine the.
 제19항 또는 제20항에 있어서,
상기
Figure pat00157
가 복수 개 존재할 경우 상기 P값 중에서 최소값을 기준으로 상기
Figure pat00158
를 결정하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 디스플레이 제조 방법.The method of claim 19 or 20,
remind
Figure pat00157
If there are a plurality of P values, the
Figure pat00158
Micro device display manufacturing method, characterized in that to determine the.
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