KR20210020243A

KR20210020243A - Light-emitting film and light-emitting element

Info

Publication number: KR20210020243A
Application number: KR1020190099238A
Authority: KR
Inventors: 이철희; 김연신; 이진규
Original assignee: 주식회사 엘지화학
Priority date: 2019-08-14
Filing date: 2019-08-14
Publication date: 2021-02-24

Abstract

The present specification relates to a light emitting film and a light emitting element including the same. The light emitting film of the present specification has advantages of excellent luminous efficiency, luminance, and color reproducibility. The light emitting film includes first and second light emission nanoparticles.

Description

발광 필름 및 발광 소자{Light-emitting film and light-emitting element}Light-emitting film and light-emitting element TECHNICAL FIELD

본 출원은 발광 필름 및 발광 소자에 관한 것이다. The present application relates to a light emitting film and a light emitting device.

전계 발광할 수 있는 양자점을 갖는 발광층을 적용하는 양자점 전계 발광(Quantum Dot-Electroluminescence, QD-EL) 소자에 대한 기술이 주목받고 있다. 그러나, 상기 발광층이 필름 형태로 존재하는 경우, 그 필름 내에 포함되어 있는 양자점들이 서로 인접하게 되고, 그 인접하는 양자점들의 상호 작용에 의하여 발생하는 ?칭(quenching) 현상 때문에, 발광층의 발광 효율이 저하되는 문제가 있다. 따라서, 양자점들을 소정 거리 이격시켜서 발광층의 발광 효율의 저하를 방지할 필요성이 대두되고 있다. A technology for a quantum dot-electroluminescence (QD-EL) device to which an emission layer having quantum dots capable of electroluminescence is applied is attracting attention. However, when the light-emitting layer exists in the form of a film, quantum dots included in the film are adjacent to each other, and because of a quenching phenomenon caused by the interaction of the adjacent quantum dots, the luminous efficiency of the light-emitting layer is lowered. There is a problem. Accordingly, there is a need to prevent a decrease in luminous efficiency of a light emitting layer by separating the quantum dots a predetermined distance.

이에, 양자점의 발광 특성을 조절, 예를 들어 보다 높은 에너지의 광을 흡수하고 방출하는 양자점을 적용하여 그 발광 효율을 향상시키고자 한 시도가 있었다. 그렇지만, 이러한 경우에도 그 발광 소자의 휘도 혹은 색재현율이 충분히 확보되지 못하는 문제가 여전히 존재하였다. Accordingly, there has been an attempt to improve the luminous efficiency of the quantum dots by adjusting the luminescence characteristics of the quantum dots, for example, applying quantum dots that absorb and emit light of higher energy. However, even in this case, there is still a problem in that the luminance or color gamut of the light emitting device is not sufficiently secured.

본 출원은 발광 효율을 증대시킬 수 있고, 색재현율과 휘도 또한 우수한 발광 필름 및 이를 적용한 발광 소자를 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다. One object of the present application is to provide a light-emitting film that can increase luminous efficiency, and has excellent color reproduction and luminance, and a light-emitting device using the same.

본 출원은 발광 필름에 관한 것이다. 본 출원에서, 용어 “발광 필름”은 광을 낼 수 있도록 형성된 필름을 의미할 수 있다. 예를 들면, 상기 발광 필름은, 소정 파장의 광을 흡수하여 상기 흡수한 광과 동일하거나 다른 파장의 광을 방출할 수 있도록 형성된 필름이거나, 소정 세기의 전기장 등의 인가로 발광할 수 있는 필름일 수 있다.The present application relates to a light emitting film. In the present application, the term “light-emitting film” may mean a film formed to emit light. For example, the light-emitting film is a film formed to absorb light of a predetermined wavelength and emit light of the same or different wavelength than the absorbed light, or a film capable of emitting light by application of an electric field of a predetermined intensity, etc. I can.

발광 필름은 발광층을 포함할 수 있다. 발광층은, 발광 나노입자를 포함한다. The light emitting film may include a light emitting layer. The light emitting layer contains light emitting nanoparticles.

본 출원에서, 용어 “발광 나노입자”는 발광할 수 있는 나노입자를 의미할 수 있다. 예를 들면, 상기 발광 나노입자는, 소정 파장의 광을 흡수하여 상기 흡수한 광과 동일하거나 다른 파장의 광을 방출할 수 있도록 형성된 나노입자를 의미할 수 있다. 본 출원에서 용어 나노입자는 나노 스케일의 디멘젼(dimension)을 가지는 입자로서, 예를 들면, 평균 입경이 약 100 nm 이하, 90 nm 이하, 80 nm 이하, 70 nm 이하, 60 nm 이하, 50 nm 이하, 40 nm 이하, 30 nm 이하, 20 nm 이하 또는 약 15 nm 이하인 입자를 의미할 수 있다. 나노입자의 형태는 특별히 제한되지 않으며, 구상이거나, 타원체, 다각형 또는 무정형 등을 포함할 수 있다.In the present application, the term “light-emitting nanoparticles” may mean nanoparticles capable of emitting light. For example, the light-emitting nanoparticles may refer to nanoparticles formed to absorb light of a predetermined wavelength and emit light of the same or different wavelength as the absorbed light. In the present application, the term nanoparticle is a particle having a nano-scale dimension, for example, an average particle diameter of about 100 nm or less, 90 nm or less, 80 nm or less, 70 nm or less, 60 nm or less, 50 nm or less , 40 nm or less, 30 nm or less, 20 nm or less, or about 15 nm or less may mean particles. The shape of the nanoparticles is not particularly limited, and may include spherical, ellipsoid, polygonal, or amorphous.

본 명세서에서는 편의상 나노입자로 호칭하나, 상기 나노 구조물은, 입자 형태일 수도 있고, 예를 들면, 나노와이어, 나노로드, 나노튜브, 분기된 나노구조, 나노테트라포드(nanotetrapods), 트라이포드(tripods) 또는 바이포드(bipods) 등의 형태일 수 있으며, 이러한 형태도 본 출원에서 규정하는 나노입자에 포함될 수 있다. 본 출원에서 용어 나노 구조물에는 약 500 nm 미만, 약 200 nm 미만, 약 100 nm 미만, 약 50 nm 미만, 약 20 nm 미만 또는 약 10 nm 미만의 치수를 가지는 적어도 하나의 영역 또는 특성 치수를 가지는 유사한 구조들을 포함할 수 있다. 일반적으로, 영역 또는 특성 치수들은 그 구조의 가장 작은 축을 따라서 존재할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In the present specification, it is referred to as a nanoparticle for convenience, but the nanostructure may be in the form of particles, for example, nanowires, nanorods, nanotubes, branched nanostructures, nanotetrapods, tripods Alternatively, they may be in the form of bipods, and the like, and these forms may also be included in the nanoparticles defined in the present application. In the present application, the term nanostructure includes at least one region having a dimension of less than about 500 nm, less than about 200 nm, less than about 100 nm, less than about 50 nm, less than about 20 nm, or less than about 10 nm or similar May contain structures. In general, the area or characteristic dimensions may exist along the smallest axis of the structure, but are not limited thereto.

발광층은 적어도 다른 기능을 나타내는 2종의 발광 나노입자를 적어도 포함한다. 본 출원에서는, 편의상 2종의 발광 나노입자를 각각 제 1 발광 나노입자와 제 2 발광 나노입자로 구별하여 기재하지만, 상기 중에서 어느 하나가 다른 하나에 우선하는 것은 아니다. 본 출원에서는, 이와 같이 적어도 2종의 발광 나노입자를 적어도 포함하고, 그 기능, 예를 들어 흡광 파장과 발광 파장이 특정 관계를 충족하도록 설정함으로 해서, 적어도 하나의 발광 나노입자 간의 ?칭에 의한 발광 효율의 저감을 방지할 수 있다. The light-emitting layer includes at least two kinds of light-emitting nanoparticles exhibiting at least different functions. In the present application, for convenience, two types of light-emitting nanoparticles are separately described as a first light-emitting nanoparticle and a second light-emitting nanoparticle, but one of the above does not take precedence over the other. In the present application, at least two kinds of light-emitting nanoparticles are included as described above, and the functions thereof, for example, the absorption wavelength and the emission wavelength are set to satisfy a specific relationship, so that at least one light-emitting nanoparticle is equated to each other. It is possible to prevent a decrease in luminous efficiency.

상기 발광 나노입자는 적어도 전계 발광할 수 있는 나노입자일 수 있다. 본 출원에서, 용어 “전계 발광(electroluminescence)”은 광학적 밴드갭(optical bandgap)을 가지는 양자점 등의 물질에 전자를 주입하거나, 전기장을 인가하였을 때 그 물질에서 광을 방출하는 현상을 의미한다. The light-emitting nanoparticles may be nanoparticles capable of at least electroluminescence. In the present application, the term “electroluminescence” refers to a phenomenon in which electrons are injected into a material such as a quantum dot having an optical bandgap, or light is emitted from the material when an electric field is applied.

발광층에 포함되는 2종의 발광 나노입자 중 적어도 하나의 발광 나노입자는 다른 발광 나노입자에서 전계 발광된 광의 적어도 일부를 흡광하여 광 발광할 수 있다. 이하에서는 편의 상, 다른 발광 나노입자에서 전계 발광한 광의 일부를 흡광하여 광 발광하는 나노입자를, 제 2 발광 나노입자, 그 발광입자에 전계 발광한 광을 전달하는 발광입자를 제 1 발광 나노입자로 지칭하며 설명한다. 제 2 발광 나노입자가 흡광하는 광량의 비율은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 제 1 발광 나노입자가 전계 발광한 광의 광량을 기준으로 대략 10 % 이상, 20 % 이상, 30 % 이상, 또는 40 % 이상일 수 있고, 99 % 이하, 95 % 이하, 90 % 이하, 또는 90 % 이하일 수 있다. At least one of the two types of light-emitting nanoparticles included in the light-emitting layer may absorb at least a part of light emitted from the other light-emitting nanoparticles to emit light. Hereinafter, for convenience, nanoparticles that emit light by absorbing a part of light emitted from electroluminescence from other luminescent nanoparticles, second luminescent nanoparticles, and luminescent particles that transmit electroluminescent light to the luminescent particles are referred to as first luminescent nanoparticles. It is referred to as and described. The ratio of the amount of light absorbed by the second luminescent nanoparticles is not particularly limited, and for example, about 10% or more, 20% or more, 30% or more, or 40 based on the amount of light emitted by the first luminescent nanoparticles electroluminescence. % Or more, and may be 99% or less, 95% or less, 90% or less, or 90% or less.

본 출원에서, 용어 “광 발광(photoluminescence)”은 외부의 광에 의하여 여기(excite)된 광자(photon)가 안정화되면서 밴드갭의 에너지에 상당하는 광을 방출하는 현상을 의미한다. In the present application, the term “photoluminescence” refers to a phenomenon in which a photon excited by external light is stabilized and light corresponding to the energy of the band gap is emitted.

일 예시에서, 발광층 내에서 상기 제 1 및 제 2 발광 나노입자 각각은 복수 개 존재할 수 있다. In one example, a plurality of each of the first and second light-emitting nanoparticles may exist in the light-emitting layer.

일 예시에서, 상기 제 1 및 제 2 발광 나노입자가 후술하는 특정 발광 파장 및 흡광 파장 간의 관계를 충족하기 위해서는, 상기 제 1 및 제 2 발광 나노입자의 크기, 예를 들어, 평균 크기의 비율이 적절히 조절될 수도 있다. 예를 들면, 상기 제 1 발광 나노입자의 평균 크기(R1)와 제 2 발광 나노입자의 평균 크기(R2)의 비율(R1/R2)은 0.1 내지 2의 범위 내에 있을 수 있다. 상기 비율은, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 다른 예시에서, 0.3 이상, 0.5 이상 또는 0.7 이상일 수 있고, 1.8 이하, 1.6 이하, 1.4 이하, 1.2 이하 또는 1.1 이하일 수 있다. In one example, in order for the first and second luminescent nanoparticles to satisfy a relationship between a specific emission wavelength and an absorption wavelength described below, the size of the first and second luminescent nanoparticles, for example, the ratio of the average size It can also be adjusted accordingly. For example, a ratio (R1/R2) of the average size (R1) of the first light-emitting nanoparticles and the average size (R2) of the second light-emitting nanoparticles may be in the range of 0.1 to 2. The ratio is not particularly limited, but in other examples, it may be 0.3 or more, 0.5 or more, or 0.7 or more, and may be 1.8 or less, 1.6 or less, 1.4 or less, 1.2 or less, or 1.1 or less.

일 예시에서, 제 1 발광 나노입자는 제 2 발광 나노입자에 의하여 이격된 상태로 상기 발광층 내에 존재할 수 있다. 예를 들면, 상기 발광층은 상기 제 1 발광 나노입자에 의하여 형성된 임의의 공간 내에 상기 제 2 발광 나노입자가 분산된 형태를 나타낼 수도 있다. In one example, the first light-emitting nanoparticles may exist in the light-emitting layer in a state spaced apart by the second light-emitting nanoparticles. For example, the light-emitting layer may have a form in which the second light-emitting nanoparticles are dispersed in an arbitrary space formed by the first light-emitting nanoparticles.

전술한 것과 같이, 제 1 및 제 2 발광 나노입자는 적어도 전계 발광할 수 있고, 특히 제 2 발광 나노입자는 제 1 발광 입자에서 전계 발광된 광의 적어도 일부를 흡광하여 광 발광할 수 있다. 따라서, 제 1 발광 나노입자는 적어도 전계 발광할 수 있고, 제 2 발광 나노입자는 전계 발광뿐만 아니라 제 1 발광 나노입자에 의한 광에 의해서 광 발광할 수도 있다. 즉, 발광층은 적어도 전계 발광에 의하여 발광할 수 있고, 상기한 것처럼, 서로 다른 기능을 나타내는 2종의 발광 나노입자를 포함하기 때문에, 발광 효율이 향상될 수 있고, 나아가 휘도와 색재현율 또한 우수할 수 있다. 발광 효율의 향상의 관점에서, 제 2 나노입자에서 전계 발광된 광은 제 1 나노입자에 흡광되지 않는 것이 보다 적절할 수 있다. As described above, the first and second light-emitting nanoparticles may emit light at least, and in particular, the second light-emitting nanoparticles may absorb at least a portion of light emitted from the first light-emitting particles to emit light. Accordingly, the first light-emitting nanoparticles may emit at least electroluminescence, and the second light-emitting nanoparticles may emit light by light from the first light-emitting nanoparticles as well as electroluminescence. That is, since the light-emitting layer can emit light by at least electroluminescence, and includes two kinds of light-emitting nanoparticles exhibiting different functions as described above, luminous efficiency can be improved, and further, luminance and color reproducibility can be excellent. I can. From the viewpoint of improving the luminous efficiency, it may be more appropriate that the light emitted by the second nanoparticles is not absorbed by the first nanoparticles.

상기 제 1 나노입자와 제 2 나노입자가 전술한 발광 기능을 나타내기 위해서, 각 발광 나노입자의 흡광 파장과 발광 파장이 적절히 조절될 수 있다. In order for the first nanoparticle and the second nanoparticle to exhibit the above-described light-emitting function, the absorption wavelength and the emission wavelength of each light-emitting nanoparticle may be appropriately adjusted.

일 예시에서, 제 1 발광 나노입자의 발광 파장은 제 2 나노입자의 흡광 파장의 범위 내에 있을 수 있다. 즉, 제 1 발광 나노입자에서 방출된 광이 제 2 나노입자에 흡수될 수 있도록 상기 제 1 및 제 2 나노입자가 설계될 수 있다. 또한, 제 1 발광 나노입자의 발광 파장의 범위 내에 최대 발광 파장이 존재할 수 있기에, 일 예시에서는, 제 1 발광 나노입자의 최대 발광 파장은 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장의 범위 내에 있을 수 있다. In one example, the light emission wavelength of the first light-emitting nanoparticle may be within a range of the absorption wavelength of the second nanoparticle. That is, the first and second nanoparticles may be designed so that light emitted from the first light-emitting nanoparticles can be absorbed by the second nanoparticles. In addition, since the maximum emission wavelength may exist within the range of the emission wavelength of the first emission nanoparticle, in one example, the maximum emission wavelength of the first emission nanoparticle may be within the range of the absorption wavelength of the second emission nanoparticle.

본 출원에서, 어떤 대상의 “발광 파장”은 그 대상이 방출하는 광의 파장 범위를, “흡광 파장”은 그 대상이 흡수하는 광의 파장 범위를 의미할 수 있다. 또한, 최대 발광 파장은 그 대상이 방출하는 광의 세기가 최대가 되는 발광 파장을 의미할 수 있고, 이는 파장에 대한 광의 intensity의 곡선을 도시하여 산출할 수 있다. 상기 파장의 측정 장비로는 당업계에서 공지된 장비를 적용할 수 있으나, 예를 들어, 발광 파장은 공지의 광발광 분광계(photoluminescence spectrometer)로, 흡광 파장은 공지의 자외선-가시광 분광계(UV-Vis spectrometer)로 측정할 수 있다. In the present application, “light emission wavelength” of a target may refer to a wavelength range of light emitted by the target, and “absorption wavelength” may refer to a wavelength range of light absorbed by the target. In addition, the maximum emission wavelength may mean an emission wavelength at which the intensity of light emitted by the target is maximum, and this may be calculated by showing a curve of the intensity of light with respect to the wavelength. Equipment known in the art may be used as the measuring equipment for the wavelength, but for example, the emission wavelength is a known photoluminescence spectrometer, and the absorption wavelength is a known ultraviolet-visible light spectrometer (UV-Vis spectrometer).

일 예시에서, 제 2 발광 나노입자에서 전계 발광된 광은 제 1 발광 나노입자에서 흡광되지 않거나, 흡광되더라도 그 흡광량이 경미한 것이 바람직할 수 있다. 따라서, 제 2 발광 나노입자의 발광 파장은 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장에 속하지 않거나, 제 2 발광 나노입자의 발광 파장 범위와 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장의 범위가 일부 중첩되더라도 그 중첩 정도가 경미할 수 있다. 또한, 제 2 발광 나노입자의 발광 파장의 범위 내에 그 최대 발광 파장이 존재할 수도 있기에, 적어도 제 2 발광 나노입자의 최대 발광 파장은 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장보다 클 수도 있다. In one example, it may be preferable that the light emitted from the second light-emitting nanoparticles is not absorbed by the first light-emitting nanoparticles, or that the amount of light absorbed by the first light-emitting nanoparticles is slight. Therefore, even if the emission wavelength of the second luminescent nanoparticle does not belong to the absorption wavelength of the first luminescent nanoparticle, or the range of the emission wavelength range of the second luminescent nanoparticle and the absorption wavelength of the first luminescent nanoparticle partially overlap, the degree of overlapping May be minor. In addition, since the maximum emission wavelength may exist within the range of the emission wavelength of the second emission nanoparticle, at least the maximum emission wavelength of the second emission nanoparticle may be greater than the absorption wavelength of the first emission nanoparticle.

또한, 발광층에서 방출된 빛의 색재현율을 적절히 확보하는 관점에서는, 제 1 발광 나노입자와 제 2 발광 나노입자 각각의 발광 파장의 차이가 적절히 조절될 수도 있다. 예를 들면, 제 1 발광 나노입자의 최대 발광 파장(λ1)과 제 2 발광 나노입자의 최대 발광 파장(λ2)의 차이(λ2-λ1)의 절대값은 50 nm 이하일 수 있다. 상기 값(λ2-λ1의 절대값)은, 다른 예시에서, 45 nm 이하, 40 nm 이하, 35 nm 이하, 30 nm 이하, 25 nm 이하, 20 nm 이하 또는 15 이하일 수 있고, 1 nm 이상, 5 nm 이상, 7 nm 이상 또는 9 nm 이상일 수 있다. In addition, from the viewpoint of properly securing the color reproducibility of light emitted from the emission layer, the difference in emission wavelengths of the first and second luminescent nanoparticles may be appropriately adjusted. For example, an absolute value of a difference (λ2-λ1) between the maximum emission wavelength λ1 of the first luminescent nanoparticle and the maximum luminescence wavelength λ2 of the second luminescent nanoparticle may be 50 nm or less. The value (absolute value of λ2-λ1), in another example, may be 45 nm or less, 40 nm or less, 35 nm or less, 30 nm or less, 25 nm or less, 20 nm or less, or 15 or less, and 1 nm or more, 5 nm or more, 7 nm or more, or 9 nm or more.

상기에서, 제 1 및 제 2 발광 나노입자의 발광 파장 또는 흡광 파장 등의 범위는 발광층에서 발광시키고자 하는 광의 색상에 따라서 결정될 수 있다. In the above, the range of the emission wavelength or absorption wavelength of the first and second emission nanoparticles may be determined according to the color of light to be emitted from the emission layer.

예를 들어, 발광층에서 발광시키고자 하는 광이 소위 청색 광일 경우, 제 1 발광 나노입자의 발광 파장 및/또는 제 2 발광 나노입자의 발광 파장이 청색 광의 파장일 수 있다. 이 때, 제 1 발광 나노입자의 최대 발광 파장은 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장의 범위 내에 속하기 때문에, 적어도 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장은 490 nm 이하일 수 있다. 상기 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장은 다른 예시에서, 480 nm 이하, 470 nm 이하, 460 nm 이하, 450 nm 이하, 440 nm 이하 또는 430 nm 이하일 수 있고, 그 하한은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 300 nm 이상, 310 nm 이상, 320 nm 이상, 330 nm 이상, 340 nm 이상, 350 nm 이상 또는 360 nm 이상일 수 있다. 또한, 상기 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장이 적어도 제 2 발광 나노입자의 발광 파장보다 작을 수록 발광 효율 확보 측면에서 유리할 수 있고, 통상 흡광 파장은 발광 파장 이하일 수 있기에, 상기한 차이(λ2-λ1)를 고려하였을 때, 상기 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장은 예를 들어, 450 nm 이하일 수 있다. 상기 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장은, 다른 예시에서, 440 nm 이하, 430 nm 이하, 420 nm 이하, 410 nm 이하, 400 nm 이하, 390 nm 이하일 수 있고, 200 nm 이상, 250 nm 이상, 260 nm 이상, 270 nm 이상, 280 nm 이상, 290 nm 이상, 300 nm 이상, 310 nm 이상 또는 320 nm 이상일 수 있다. For example, when light to be emitted from the emission layer is so-called blue light, the emission wavelength of the first emission nanoparticle and/or the emission wavelength of the second emission nanoparticle may be a wavelength of blue light. In this case, since the maximum emission wavelength of the first light-emitting nanoparticles falls within the range of the absorption wavelength of the second light-emitting nanoparticles, at least the absorption wavelength of the second light-emitting nanoparticles may be 490 nm or less. The absorption wavelength of the second light-emitting nanoparticles may be 480 nm or less, 470 nm or less, 460 nm or less, 450 nm or less, 440 nm or less, or 430 nm or less, and the lower limit thereof is not particularly limited, but for example For example, it may be 300 nm or more, 310 nm or more, 320 nm or more, 330 nm or more, 340 nm or more, 350 nm or more, or 360 nm or more. In addition, as the absorption wavelength of the first luminescent nanoparticle is at least smaller than the luminescence wavelength of the second luminescent nanoparticle, it may be advantageous in terms of securing luminous efficiency, and since the absorption wavelength may be less than or equal to the luminescence wavelength, the difference (λ2-λ1) Considering ), the absorption wavelength of the first light-emitting nanoparticles may be, for example, 450 nm or less. The absorption wavelength of the first light emitting nanoparticles may be 440 nm or less, 430 nm or less, 420 nm or less, 410 nm or less, 400 nm or less, 390 nm or less, and 200 nm or more, 250 nm or more, 260 nm or more, 270 nm or more, 280 nm or more, 290 nm or more, 300 nm or more, 310 nm or more, or 320 nm or more.

다른 예시에서, 발광층에서 발광시키고자 하는 광이 소위 녹색 광일 경우, 제 1 발광 나노입자의 발광 파장 및/또는 제 2 발광 나노입자의 발광 파장이 녹색 광의 파장일 수 있다. 이 때, 제 1 발광 나노입자의 최대 발광 파장은 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장의 범위 내에 속하기 때문에, 적어도 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장은 490 nm 초과 580 nm 이하일 수 있다. 상기 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장은 다른 예시에서, 500 nm 이상, 510 nm 이상, 520 nm 이상, 530 nm 이상, 540 nm 이상 또는 550 nm 이상일 수 있고, 575 nm 이하, 570 nm 이하, 565 nm 이하 또는 560 nm 이하일 수 있다. 또한, 상기 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장이 적어도 제 2 발광 나노입자의 발광 파장보다 작을 수록 발광 효율 확보 측면에서 유리할 수 있고, 통상 흡광 파장은 발광 파장 이하일 수 있기에, 상기한 차이(λ2-λ1)를 고려하였을 때, 상기 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장은 예를 들어, 450 nm 초과 540 nm 이하의 범위 내에 있을 수 있다. 상기 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장은, 다른 예시에서, 460 nm 이상, 470 nm 이상, 480 nm 이상, 490 nm 이상 또는 500 nm 이상일 수 있고, 530 nm 이하, 520 nm 이하 또는 510 nm 이하일 수 있다.In another example, when light to be emitted from the emission layer is so-called green light, the emission wavelength of the first emission nanoparticle and/or the emission wavelength of the second emission nanoparticle may be a wavelength of green light. At this time, since the maximum emission wavelength of the first light-emitting nanoparticles falls within the range of the absorption wavelength of the second light-emitting nanoparticles, the absorption wavelength of at least the second light-emitting nanoparticles may be more than 490 nm and 580 nm or less. In another example, the absorption wavelength of the second light emitting nanoparticles may be 500 nm or more, 510 nm or more, 520 nm or more, 530 nm or more, 540 nm or more, or 550 nm or more, and 575 nm or less, 570 nm or less, 565 nm It may be less than or equal to 560 nm. In addition, as the absorption wavelength of the first luminescent nanoparticle is at least smaller than the luminescence wavelength of the second luminescent nanoparticle, it may be advantageous in terms of securing luminous efficiency, and since the absorption wavelength may be less than or equal to the luminescence wavelength, the difference (λ2-λ1) In consideration of ), the absorption wavelength of the first light-emitting nanoparticles may be in a range of, for example, greater than 450 nm and less than or equal to 540 nm. The absorption wavelength of the first light emitting nanoparticle may be 460 nm or more, 470 nm or more, 480 nm or more, 490 nm or more, or 500 nm or more, and 530 nm or less, 520 nm or less, or 510 nm or less, in another example. .

또 다른 예시에서, 발광층에서 발광시키고자 하는 광이 소위 적색 광일 경우, 제 1 발광 나노입자의 발광 파장 및/또는 제 2 발광 나노입자의 발광 파장이 적색 광의 파장일 수 있다. 이 때, 제 1 발광 나노입자의 최대 발광 파장은 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장의 범위 내에 속하기 때문에, 적어도 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장은 580 nm 초과 780 nm 이하일 수 있다. 상기 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장은 다른 예시에서, 585 nm 이상, 590 nm 이상 또는 595 nm 이상일 수 있고, 770 nm 이하, 760 nm 이하 또는 750 nm 이하일 수 있다. 또한, 상기 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장이 적어도 제 2 발광 나노입자의 발광 파장보다 작을 수록 발광 효율 확보 측면에서 유리할 수 있고, 통상 흡광 파장은 발광 파장 이하일 수 있기에, 상기한 차이(λ2-λ1)를 고려하였을 때, 상기 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장은 예를 들어, 540 nm 초과 750 nm 이하의 범위 내에 있을 수 있다. 상기 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장은, 다른 예시에서, 550 nm 이상, 555 nm 이상, 560 nm 이상, 565 nm 이상, 570 nm 이상, 575 nm 이상 또는 580 nm 이상일 수 있고, 740 nm 이하, 730 nm 이하, 720 nm 이하, 710 nm 이하 또는 700 nm 이하일 수 있다.In another example, when light to be emitted from the emission layer is so-called red light, the emission wavelength of the first emission nanoparticle and/or the emission wavelength of the second emission nanoparticle may be a wavelength of red light. At this time, since the maximum emission wavelength of the first light-emitting nanoparticles falls within the range of the absorption wavelength of the second light-emitting nanoparticles, the absorption wavelength of at least the second light-emitting nanoparticles may be more than 580 nm and not more than 780 nm. In another example, the absorption wavelength of the second light emitting nanoparticles may be 585 nm or more, 590 nm or more, or 595 nm or more, and may be 770 nm or less, 760 nm or less, or 750 nm or less. In addition, as the absorption wavelength of the first luminescent nanoparticle is at least smaller than the luminescence wavelength of the second luminescent nanoparticle, it may be advantageous in terms of securing luminous efficiency, and since the absorption wavelength may be less than or equal to the luminescence wavelength, the difference (λ2-λ1) In consideration of ), the absorption wavelength of the first light-emitting nanoparticles may be, for example, in a range of more than 540 nm and less than 750 nm. The absorption wavelength of the first light emitting nanoparticles may be 550 nm or more, 555 nm or more, 560 nm or more, 565 nm or more, 570 nm or more, 575 nm or more, or 580 nm or more, and 740 nm or less, 730 nm or less, 720 nm or less, 710 nm or less, or 700 nm or less.

전술한 발광 나노입자의 흡광 파장, 발광 파장 등의 광학적 물성은, 예를 들면, 발광 나노입자 자체에 대해서 측정한 결과값일 수도 있고, 그 발광 나노입자 단독만을 적용한 발광 필름에 대해서 측정한 결과값일 수도 있으며, 혹은 그 발광 나노입자 단독만을 적용한 코팅용 조성물에 대해서 측정한 결과값일 수도 있다. Optical properties such as the absorption wavelength and emission wavelength of the above-described light-emitting nanoparticles may be, for example, a result of measuring the light-emitting nanoparticle itself, or a result of measuring a light-emitting film to which only the light-emitting nanoparticles are applied. Alternatively, it may be a measurement result of the coating composition to which only the luminescent nanoparticles are applied.

전술한 파장 특성을 나타내는 나노입자의 대표적인 예로는, 소위 양자점(Quantum Dot)으로 호칭되는 나노 구조물이 예시될 수 있다. 본 출원의 발광 필름의 기능은, 후술하는 나노입자 중, 전술한 파장 특성을 가지는 나노입자의 종류와 크기를 적절히 선택하거나 조절함으로 해서 구현될 수 있다. As a typical example of the nanoparticles exhibiting the above-described wavelength characteristics, a nanostructure called a quantum dot may be exemplified. The function of the light-emitting film of the present application may be implemented by appropriately selecting or adjusting the type and size of the nanoparticles having the above-described wavelength characteristics among the nanoparticles described later.

상기 나노 구조물은, 예를 들면, 실질적으로 결정질이거나, 실질적으로 단결정질, 다결정질 또는 비정질이거나, 상기의 조합일 수 있다.The nanostructure may be, for example, substantially crystalline, substantially monocrystalline, polycrystalline, or amorphous, or a combination of the above.

발광 나노입자로 사용될 수 있는 양자점은 공지된 임의의 방식으로 제조할 수 있다. 본 출원의 양자점 또는 다른 나노입자들은 임의의 적합한 재료, 예를 들면, 무기 재료로서, 무기 전도 또는 반전도 재료를 사용하여 형성될 수 있다. 적합한 반도체 재료로는 II-VI족, III-V족, IV-VI족 및 IV족 반도체들이 예시될 수 있다. 구체적으로는, Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C(다이아몬드 포함), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si₃N₄, Ge₃N₄, Al₂O₃, (Al, Ga, In)₂ (S, Se, Te)₃, Al₂CO 및 2개 이상의 상기 반도체들의 적합한 조합들이 예시될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.Quantum dots that can be used as luminescent nanoparticles can be prepared in any known manner. The quantum dots or other nanoparticles of the present application may be formed using any suitable material, for example an inorganic material, an inorganic conductive or semiconducting material. Examples of suitable semiconductor materials include II-VI, III-V, IV-VI and IV semiconductors. Specifically, Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C (including diamonds), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si ₃ N ₄ , Ge ₃ N ₄ , Al ₂ O ₃ , (Al, Ga, In) ₂ (S, Se, Te) ₃ , Al ₂ CO and suitable combinations of two or more of the above semiconductors may be exemplified, but are not limited thereto.

하나의 예시에서 반도체 나노결정 또는 다른 나노구조는 p-형 도펀트 또는 n-형 도펀트 등과 같은 도펀트를 포함할 수도 있다. 본 출원에서 사용될 수 있는 나노입자는 또한 II-VI 또는 III-V 반도체들을 포함할 수 있다. II-VI 또는 III-V 반도체 나노결정들 및 나노구조들의 예로는, Zn, Cd 및 Hg 등과 같은 주기율표 II족 원소와 S, Se, Te, Po 등과 같은 주기표 VI족 원소와의 임의의 조합; 및 B, Al, Ga, In, 및 Tl 등과 같은 III족 원소와 N, P, As, Sb 및 Bi 등과 같은 V족 원소와의 임의의 조합이 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예시에서 적합한 무기 나노구조들은 금속 나노구조들을 포함하고, 적합한 금속으로는 Ru, Pd, Pt, Ni, W, Ta, Co, Mo, Ir, Re, Rh, Hf, Nb, Au, Ag, Ti, Sn, Zn, Fe 또는 FePt 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. In one example, the semiconductor nanocrystal or other nanostructure may include a dopant such as a p-type dopant or an n-type dopant. Nanoparticles that may be used in the present application may also include II-VI or III-V semiconductors. Examples of II-VI or III-V semiconductor nanocrystals and nanostructures include any combination of a group II element of the periodic table such as Zn, Cd, and Hg and a group VI element of the periodic table such as S, Se, Te, Po, and the like; And any combination of a group III element such as B, Al, Ga, In, and Tl and a group V element such as N, P, As, Sb, and Bi, but is not limited thereto. In another example, suitable inorganic nanostructures include metal nanostructures, and suitable metals include Ru, Pd, Pt, Ni, W, Ta, Co, Mo, Ir, Re, Rh, Hf, Nb, Au, Ag, Ti , Sn, Zn, Fe, or FePt may be exemplified, but is not limited thereto.

발광 나노입자, 예를 들면, 양자점은 코어-쉘 구조(core-shell structure)를 가질 수 있다. 코어-쉘 구조의 발광 나노입자를 형성할 수 있는 예시적인 재료에는 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C (다이아몬드 포함), P, Co, Au, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si₃N₄, Ge₃N₄, Al₂O₃, (Al, Ga, In)₂ (S, Se, Te)₃, Al₂CO 및 2개 이상의 이런 재료들의 임의의 조합들이 포함되지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 출원에서 적용 가능한 예시적인 코어-쉘 발광 나노입자(코어/셀)에는 CdSe/ZnS, InP/ZnS, PbSe/PbS, CdSe/CdS, CdTe/CdS 또는 CdTe/ZnS 등이 포함되지만, 이에 제한되는 것은 아니다.Light-emitting nanoparticles, for example, quantum dots may have a core-shell structure. Exemplary materials capable of forming a core-shell structured light emitting nanoparticles include Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C (including diamonds), P, Co, Au, BN, BP, BAs, AlN, AlP. , AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn , CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si ₃ N ₄ , Ge ₃ N ₄ , Al ₂ O ₃ , (Al, Ga, In) ₂ (S, Se, Te) ₃ , Al ₂ CO and any combination of two or more such materials are included, but are not limited thereto. no. Exemplary core-shell light-emitting nanoparticles (core/cell) applicable in the present application include, but are limited to, CdSe/ZnS, InP/ZnS, PbSe/PbS, CdSe/CdS, CdTe/CdS or CdTe/ZnS, etc. It is not.

발광 나노입자의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않고, 목적하는 광 방출 특성을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다.The specific type of the light emitting nanoparticles is not particularly limited, and may be appropriately selected in consideration of desired light emission characteristics.

하나의 예시에서 양자점과 같은 발광 나노입자는, 하나 이상의 리간드 또는 배리어에 의해 둘러싸여 있을 수 있다. 상기 리간드 또는 배리어는, 양자점과 같은 발광 나노입자의 안정성을 향상시키고, 고온, 고강도, 외부 가스 또는 수분 등을 포함하는 유해한 외부 조건들로부터 발광 나노입자를 보호하는 것에 유리할 수 있다. In one example, light-emitting nanoparticles such as quantum dots may be surrounded by one or more ligands or barriers. The ligand or the barrier may be advantageous in improving the stability of light-emitting nanoparticles such as quantum dots, and protecting the light-emitting nanoparticles from harmful external conditions including high temperature, high strength, external gas or moisture.

하나의 예시에서 양자점과 같은 발광 나노입자는, 그 표면과 공액, 협동, 연관 또는 부착된 리간드를 포함할 수 있다. 양자점과 같은 발광 나노입자의 표면에 적합한 특성을 나타낼 수 있게 하는 리간드와 그 형성 방법은 공지이며, 이와 같은 방식은 본 출원에서 제한 없이 적용될 수 있다. In one example, a light emitting nanoparticle such as a quantum dot may include a ligand conjugated, cooperated, associated or attached to the surface thereof. Ligands capable of exhibiting properties suitable for the surface of light-emitting nanoparticles such as quantum dots and a method for forming the same are known, and such a method can be applied without limitation in the present application.

일 예시에서 상기 리간드는, 아민기를 갖는 분자(oleylamine, triethylamine, hexylamine, naphtylamine 등) 혹은 고분자, 카복실기를 갖는 분자(oleic acid 등) 혹은 고분자, 티올기를 갖는 분자(butanethiol, hexanethiol, dodecanethiol 등) 혹은 고분자, 피리딘기를 갖는 분자(pyridine 등) 혹은 고분자, 포스핀기를 갖는 분자(triphenylphosphine 등), 산화포스핀기를 갖는 분자(trioctylphosphine oxide 등), 카보닐기를 갖는 분자(alkyl ketone 등), 벤젠고리를 갖는 분자(benzene, styrene 등) 혹은 고분자, 히드록시기를 갖는 분자(butanol, hexanol 등) 혹은 고분자 등에 의해 형성될 수 있다.In one example, the ligand is a molecule having an amine group (oleylamine, triethylamine, hexylamine, naphtylamine, etc.) or a polymer, a molecule having a carboxyl group (oleic acid, etc.) or a polymer, a molecule having a thiol group (butanethiol, hexanethiol, dodecanethiol, etc.) or a polymer , A molecule having a pyridine group (such as pyridine) or a polymer, a molecule having a phosphine group (such as triphenylphosphine), a molecule having an oxidized phosphine group (such as trioctylphosphine oxide), a molecule having a carbonyl group (such as alkyl ketone), a molecule having a benzene ring It can be formed by (benzene, styrene, etc.), a polymer, a molecule having a hydroxy group (butanol, hexanol, etc.), or a polymer.

전술한 것처럼, 발광층은 각각 복수개 존재하는 제 1 발광 나노입자와 제 2 발광 나노입자를 포함할 수 있고, 제 1 발광 나노입자의 평균 크기가 제 2 발광 나노입자의 평균 크기 이하일 수 있기에, 제 2 발광 나노입자는 상기 제 1 발광 나노입자가 형성한 임의의 영역 내에 이격되어 분산된 형태로 존재할 수 있다. 여기에서, 나노입자의 평균 크기는, 복수개 존재하는 나노입자에서, 각 나노입자의 장축, 단축 또는 평균 길이의 평균을 의미할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. As described above, the light-emitting layer may include a plurality of first and second light-emitting nanoparticles, respectively, and the average size of the first light-emitting nanoparticles may be less than or equal to the average size of the second light-emitting nanoparticles. The luminescent nanoparticles may exist in a form spaced apart and dispersed within an arbitrary region formed by the first luminescent nanoparticles. Here, the average size of the nanoparticles may mean the average of the long axis, the short axis, or the average length of each nanoparticle in a plurality of nanoparticles, but is not limited thereto.

또한, 전술한 발광 나노입자의 흡광 파장, 발광 파장 등의 광학적 물성은 특히 발광 나노입자의 크기에 따라서 결정될 수 있다. 구체적으로, 상기 발광 나노입자가 양자점인 경우, 양자점은 그 크기(바람직하게는 코어의 크기)에 따라서 다른 밴드갭(band gap)을 가지고, 이에 따라서 발광 또는 흡광 파장 등이 달라지게 되며, 예를 들면 양자점의 크기가 증가할 수록 이의 발광 파장 또한 증가하게 된다. 그런데, 양자점의 특성을 가지기 위한 입자 크기에 제한이 있어서, 양자점의 발광 특성이 저하될 수도 있기 때문에, 양자점을 구성하는 성분의 종류 또한 전술한 종류의 성분 범위 내에서 적절히 선택해서 목적하는 광학적 특성을 확보할 필요가 있다. In addition, optical properties, such as absorption wavelength and emission wavelength, of the above-described light-emitting nanoparticles may be particularly determined according to the size of the light-emitting nanoparticles. Specifically, when the luminescent nanoparticles are quantum dots, the quantum dots have different band gaps depending on their size (preferably the size of the core), and accordingly, the emission or absorption wavelength, etc. For example, as the size of a quantum dot increases, its emission wavelength also increases. However, since there is a limitation on the particle size for having the characteristics of the quantum dots, the luminescence characteristics of the quantum dots may be deteriorated. Therefore, the type of components constituting the quantum dots are also appropriately selected within the range of the above-described types of the desired optical properties. It needs to be secured.

일 예시에서, 제 2 발광 나노입자의 평균 크기는 예를 들어, 5 nm 내지 20 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 또한, 상기 제 1 발광 나노입자의 평균 크기는 전술한 비율(R1/R2)을 충족하면 특별히 제한되지 않으며, 상기 비율을 만족하면서, 1 nm 내지 20 nm의 범위 내에 있을 수 있다. In one example, the average size of the second light-emitting nanoparticles may be in the range of 5 nm to 20 nm, for example. In addition, the average size of the first light emitting nanoparticles is not particularly limited as long as the ratio (R1/R2) is satisfied, and may be in the range of 1 nm to 20 nm while satisfying the above ratio.

일 예시에서, 상기 제 1 및 제 2 발광 나노입자가 양자점이고, 그 양자점이 코어-쉘 형태의 구조를 가지는 경우, 전술한 제 1 및 제 2 나노입자의 파장 관계를 충족하도록 설계하기 위해서는, 코어와 쉘을 구성하는 성분의 종류, 및 각각의 크기가 적절히 조절될 수도 있다. 특히 각 양자점의 발광 파장은, 그 코어의 크기에 따라서 적절히 조절될 수 있다. In one example, when the first and second light-emitting nanoparticles are quantum dots and the quantum dots have a core-shell structure, in order to design to satisfy the wavelength relationship between the first and second nanoparticles, the core The types of components constituting the and shell, and the size of each may be appropriately adjusted. In particular, the emission wavelength of each quantum dot can be appropriately adjusted according to the size of the core.

일 예시에서, 상기 제 1 및 제 2 발광 나노입자가 코어-쉘 형태의 양자점(이 경우, 제 1 발광 나노입자를 제 1 양자점, 제 2 발광 나노입자를 제 2 양자점으로도 호칭할 수 있다)인 경우, 제 1 양자점의 코어의 크기는 5 nm 내지 15 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 이 때 상기 제 1 양자점의 쉘의 크기는 전술한 제 1 발광 나노입자의 평균 크기를 충족할 수 있도록 적절히 조절될 수 있다. 상기 제 1 양자점의 코어의 크기는, 다른 예시에서, 6 nm 이상, 6.5 nm 이상, 7 nm 이상, 7.5 nm 이상 또는 8 nm 이상일 수 있고, 14.5 nm 이하, 14 nm 이하, 13.5 nm 이하, 13 nm 이하, 12.5 nm 이하, 12 nm 이하, 11.5 nm 이하, 11 nm 이하, 10.5 nm 이하, 10 nm 이하, 9.5 nm 이하, 9 nm 이하 또는 8.5 nm 이하일 수 있다. 또한, 상기 제 2 양자점의 코어의 크기는 특별히 제한되지 않지만, 대체로 제 1 양자점의 코어의 크기 이상일 수도 있고, 예를 들면, 5 nm 내지 20 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 상기 제 2 양자점의 쉘의 크기는, 전술한 제 1 발광 나노입자와의 평균 크기 비율과, 해당 입자의 크기를 충족할 수 있도록 적절히 조절될 수 있다. 상기 제 2 양자점의 코어의 크기는 다른 예시에서, 5.5 nm 이상, 6 nm 이상, 6.5 nm 이상, 7 nm 이상, 7.5 nm 이상, 8 nm 이상, 8.5 nm 이상, 9 nm 이상, 9.5 nm 이상, 10 nm 이상, 10.5 nm 이상 또는 11 nm 이상일 수 있고, 19 nm 이하, 18 nm 이하, 17 nm 이하, 16 nm 이하, 15 nm 이하, 14 nm 이하, 13 nm 이하, 12 nm 이하 또는 11.5 nm 이하일 수 있다. 상기에서, 양자점의 크기는, 양자점의 단면이 원형 또는 타원형 등인 구형 양자점인 경우 그 양자점의 지름을 의미할 수 있고, 양자점이 다각형 혹은 무정형의 형상을 가지는 경우에는 그 최장축 길이, 최단축 길이, 또는 평균 길이를 의미할 수도 있다. In one example, the first and second luminescent nanoparticles are core-shell quantum dots (in this case, the first luminescent nanoparticles may be referred to as the first quantum dots, and the second luminescent nanoparticles may be referred to as the second quantum dots) In the case of, the size of the core of the first quantum dot may be in the range of 5 nm to 15 nm. In this case, the size of the shell of the first quantum dot may be appropriately adjusted to meet the average size of the first light emitting nanoparticles described above. The size of the core of the first quantum dot, in another example, may be 6 nm or more, 6.5 nm or more, 7 nm or more, 7.5 nm or more, or 8 nm or more, and 14.5 nm or less, 14 nm or less, 13.5 nm or less, 13 nm It may be 12.5 nm or less, 12 nm or less, 11.5 nm or less, 11 nm or less, 10.5 nm or less, 10 nm or less, 9.5 nm or less, 9 nm or less, or 8.5 nm or less. In addition, the size of the core of the second quantum dot is not particularly limited, but may be generally larger than the size of the core of the first quantum dot, and may be, for example, in the range of 5 nm to 20 nm. The size of the shell of the second quantum dot may be appropriately adjusted to satisfy the average size ratio of the first light-emitting nanoparticles and the size of the particles described above. In other examples, the size of the core of the second quantum dot is 5.5 nm or more, 6 nm or more, 6.5 nm or more, 7 nm or more, 7.5 nm or more, 8 nm or more, 8.5 nm or more, 9 nm or more, 9.5 nm or more, 10 nm or more, 10.5 nm or more, or 11 nm or more, and may be 19 nm or less, 18 nm or less, 17 nm or less, 16 nm or less, 15 nm or less, 14 nm or less, 13 nm or less, 12 nm or less, or 11.5 nm or less . In the above, the size of the quantum dot may mean the diameter of the quantum dot when the cross section of the quantum dot is a spherical quantum dot having a circular or elliptical shape, and when the quantum dot has a polygonal or amorphous shape, the longest axis length, the shortest axis length, Or it may mean an average length.

또한, 전술한 것처럼, 발광층 내에서는 제 1 발광 나노입자가 형성한 영역에 복수의 제 2 발광 나노입자가 분산된 상태로 존재할 수 있다. 따라서, 복수의 제 2 발광 나노입자는 상기 발광층 내에서 이격된 상태로 존재할 수 있다. 상기 제 2 발광 나노입자의 평균 이격 거리는 1 nm 내지 100 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 상기에서, 평균 이격 거리는, 복수개 존재하는 입자 중 어느 하나의 입자와 이와 가장 인접한 입자 간의 거리의 평균을 의미할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. In addition, as described above, in the light emitting layer, a plurality of second light emitting nanoparticles may be dispersed in a region formed by the first light emitting nanoparticles. Accordingly, the plurality of second light-emitting nanoparticles may exist in a state spaced apart in the light-emitting layer. The average separation distance of the second light-emitting nanoparticles may be in the range of 1 nm to 100 nm. In the above, the average separation distance may mean an average of a distance between any one particle among a plurality of particles and a particle closest thereto, but is not limited thereto.

상기 발광층 내에서, 상기 발광 나노입자의 비율 또한 특별히 제한되지는 않는다. 예를 들어, 상기 발광층 내에서 제 1 발광 나노입자와 제 2 발광 나노입자의 함량은 각각 1 중량% 이상일 수 있다. 상기 함량은, 다른 예시에서, 5 중량% 이상, 10 중량% 이상, 15 중량% 이상, 20 중량% 이상, 25 중량% 이상 또는 30 중량% 이상일 수 있고, 99 중량% 이하, 95 중량% 이하, 90 중량% 이하, 85 중량% 이하, 80 중량% 이하, 75 중량% 이하 또는 70 중량% 이하일 수 있다. In the light-emitting layer, the ratio of the light-emitting nanoparticles is also not particularly limited. For example, the content of the first light-emitting nanoparticles and the second light-emitting nanoparticles in the light-emitting layer may be 1% by weight or more. The content, in another example, may be 5% by weight or more, 10% by weight or more, 15% by weight or more, 20% by weight or more, 25% by weight or more, or 30% by weight or more, 99% by weight or less, 95% by weight or less, It may be 90% by weight or less, 85% by weight or less, 80% by weight or less, 75% by weight or less, or 70% by weight or less.

또한, 상기 제 1 발광 나노입자의 중량(P1)과 제 2 발광 나노입자의 중량(P2)의 비율(P2/P1)은 0.01 내지 99의 범위 내일 수 있다. 상기 비율은, 다른 예시에서, 0.05 이상, 0.1 이상, 0.15 이상, 0.2 이상, 0.25 이상 또는 0.3 이상일 수 있고, 95 이하, 90 이하, 80 이하, 70 이하, 60 이하, 50 이하, 40 이하, 30 이하, 20 이하, 10 이하, 5 이하, 4 이하 또는 3 이하일 수 있다.In addition, a ratio (P2/P1) of the weight (P1) of the first light-emitting nanoparticles and the weight (P2) of the second light-emitting nanoparticles may be in the range of 0.01 to 99. The ratio, in another example, may be 0.05 or more, 0.1 or more, 0.15 or more, 0.2 or more, 0.25 or more, or 0.3 or more, and 95 or less, 90 or less, 80 or less, 70 or less, 60 or less, 50 or less, 40 or less, 30 It may be less than, 20 or less, 10 or less, 5 or less, 4 or less, or 3 or less.

상기 발광 필름은 코팅 등의 용액 공정을 통해 제조될 수 있다. 구체적으로, 발광층은, 상기 제 1 발광 나노입자와 제 2 발광 나노입자, 그리고 특정 용매를 포함하는 코팅용 조성물을 코팅하여 제조될 수 있다. 구체적으로, 발광 필름은 상기 코팅용 조성물을 발광 소자의 기판으로 적용될 수 있는 기재 상에 코팅(예를 들면, 스핀 코팅)한 다음, 코팅된 조성물에 열을 적당량 인가하여 코팅용 조성물 내의 용매를 건조시키는 방식으로 제조될 수 있다.The light-emitting film may be manufactured through a solution process such as coating. Specifically, the light-emitting layer may be prepared by coating a coating composition including the first light-emitting nanoparticles, the second light-emitting nanoparticles, and a specific solvent. Specifically, the light-emitting film is coated with the coating composition on a substrate that can be applied as a substrate of a light-emitting device (for example, spin coating), and then an appropriate amount of heat is applied to the coated composition to dry the solvent in the coating composition. It can be manufactured in a way that makes.

상기에서 적용되는 용매로는, 발광 나노입자가 코팅되는 층의 표면을 손상시키지 않거나, 그 표면을 용해시키지 않을 수 있는 비극성 용매, 예를 들어, 유전 상수(dielectric constant)가 25 ℃의 온도에서 1 내지 3의 범위 내에 있는 공지의 유기 용매 등을 적용할 수 있다. As a solvent to be applied above, a non-polar solvent that may not damage or dissolve the surface of the layer coated with the luminescent nanoparticles, for example, a dielectric constant of 1 at a temperature of 25 °C. Known organic solvents and the like within the range of 3 can be applied.

본 출원의 발광 필름은 전술한 특성의 제 1 발광 나노입자와 제 2 발광 나노입자를 포함하는 발광층을 가지도록 해서, 발광 효율이 우수할 뿐만 아니라, 우수한 휘도와 색 재현율 또한 가질 수 있어서, 전계 발광 소자로 적용에 특히 적합한 이점이 있다.The light emitting film of the present application has a light emitting layer including the first light emitting nanoparticles and the second light emitting nanoparticles having the above-described characteristics, so that not only excellent luminous efficiency, but also excellent luminance and color reproducibility can be obtained, so that electroluminescence It has the advantage of being particularly suitable for application as a device.

일 예시에서, 발광 필름은 휘도(Luminance)가 70 cd/m² 이상일 수 있다. 상기 휘도는 다른 예시에서, 70.5 cd/m² 이상, 71 cd/m² 이상 또는 71.5 cd/m² 이상일 수 있고, 그 상한은 높으면 높을 수록 좋기 때문에 특별히 제한되지는 않지만, 예를 들면, 100 cd/m² 이하, 95 cd/m² 이하 또는 90 cd/m² 이하일 수 있다. 상기 휘도의 측정 방법은 실시예에서 언급한 방식에 따른다. In one example, the light emitting film may have a luminance of 70 cd/m ^{2 or} more. In another example, the luminance may be 70.5 cd/m ² or more, 71 cd/m ² or more, or 71.5 cd/m ^{2 or} more, and the upper limit is not particularly limited because the higher the better, but, for example, 100 cd /m ² or less, 95 cd/m ² or less, or 90 cd/m ² or less. The method of measuring the luminance follows the method mentioned in Examples.

일 예시에서, 발광 필름의 최대 발광 파장의 반치폭(Full width at half maximum, FWHM)은 30 nm 이하일 수 있다. 상기 반치폭은 다른 예시에서, 29 nm 이하, 28 nm 이하, 27 nm 이하, 26 nm 이하, 25 nm 이하, 24 nm 이하 또는 23 nm 이하일 수 있고, 그 하한은 특별히 제한되지 않지만 예를 들면, 5 nm 이상, 10 nm 이상, 15 nm 이상 또는 17 nm 이상일 수 있다. 상기 발광 파장의 반치폭은, 상기 발광 필름에서 방출되는 광의 세기가 가장 클 때, 그 최대값의 절반이 되는 파장의 범위를 의미할 수 있고, 그 측정 방식은 후술하는 실시예에 기재된 방식에 따른다.In one example, the full width at half maximum (FWHM) of the light emitting film may be 30 nm or less. In another example, the half width may be 29 nm or less, 28 nm or less, 27 nm or less, 26 nm or less, 25 nm or less, 24 nm or less, or 23 nm or less, and the lower limit thereof is not particularly limited, but, for example, 5 nm It may be at least 10 nm, at least 15 nm, or at least 17 nm. The half width of the emission wavelength may mean a range of a wavelength that becomes half of the maximum value when the intensity of light emitted from the light emitting film is the greatest, and the measurement method follows the method described in Examples to be described later.

또한, 본 출원의 발광 필름은 전술한 것처럼 그 반치폭이 상대적으로 좁기 때문에, 우수한 색재현율을 구현할 수 있다. 상기 발광 필름의 색재현율은, 예를 들어, 90 % 이상일 수 있고, 그 상한은 약 100 %, 99 % 이하 또는 98 % 이하일 수 있다. 색재현율의 평가 방법 또한 후술하는 실시예에 기재된 방식에 따른다.In addition, since the light emitting film of the present application has a relatively narrow half-width as described above, excellent color gamut can be implemented. The color reproduction rate of the light-emitting film may be, for example, 90% or more, and its upper limit may be about 100%, 99% or less, or 98% or less. The method of evaluating the color gamut also follows the method described in Examples to be described later.

전술한 휘도, 최대 발광 파장에서의 반치폭, 색재현율 등의 광학적 물성은, 발광층 단독에 대해서 측정한 결과일 수도 있고, 기재 필름 등의 필름 상에 형성된 발광층을 가지는 발광 필름 자체에 대해서 측정한 결과일 수도 있다. Optical properties such as the above-described luminance, half width at the maximum emission wavelength, and color gamut may be measured for the light-emitting layer alone, or for the light-emitting film itself having a light-emitting layer formed on a film such as a base film. May be.

본 출원의 발광 필름은 전술한 발광층 외에도 기타 발광 필름에 적용될 수 있는 공지의 차단막, 배리어 필름, 반사층, 광학 이방성층 등의 광학적 요소를 추가로 포함할 수 있다.In addition to the above-described light-emitting layer, the light-emitting film of the present application may further include optical elements such as a known blocking film, a barrier film, a reflective layer, and an optically anisotropic layer that can be applied to other light-emitting films.

본 출원은 또한, 발광 소자에 관한 것이다. 상기 발광 소자는 전술한 발광 필름을 적어도 포함한다. 구체적으로, 상기 발광 소자는, 기판, 상기 기판의 제 1 표면에 순차로 제공되는 제 1 전극층; 상기 발광 필름 및 제 2 전극층을 포함한다. The present application also relates to a light emitting device. The light emitting device includes at least the light emitting film described above. Specifically, the light emitting device may include: a substrate, a first electrode layer sequentially provided on the first surface of the substrate; And the light emitting film and the second electrode layer.

상기 기판으로는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 플라스틱 기판을 포함하는 발광 소자는 롤러블(rollable), 플렉서블(flexible) 또는 벤더블(bendable) 발광 소자의 구현에 유리할 수 있다.A plastic substrate may be used as the substrate. A light emitting device including a plastic substrate may be advantageous in implementing a rollable, flexible, or bendable light emitting device.

상기 플라스틱 기판은 폴리머를 포함할 수 있다. 상기 폴리머로는 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르설파이드, 폴리설폰 또는 아크릴 폴리머 등을 예시할 수 있다. 하나의 예시에서, 공정온도 측면에서, 상기 플라스틱 기판은 고온 내구성이 우수한 폴리이미드를 포함할 수 있다.The plastic substrate may include a polymer. Examples of the polymer include polyimide, polyamic acid, polyethylene naphthalate, polyether ether ketone, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone, or acrylic polymer. In one example, in terms of process temperature, the plastic substrate may include polyimide having excellent high temperature durability.

상기 기판으로는 투광성 기판을 사용할 수 있다. 투광성 기판은 예를 들어 가시광 영역의 광에 대한 투과율이 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상 또는 80%일 수 있다.As the substrate, a light-transmitting substrate may be used. The translucent substrate may have a transmittance of 50% or more, 60% or more, 70% or more, or 80% of light in the visible light region, for example.

상기 제 1 전극층 및 제 2 전극층 중 하나는 애노드(anode)이고 다른 하나는 캐소드(cathode)일 수 있다. 애노드는 정공(hole)이 주입되는 전극으로 일 함수(work function)가 높은 도전 물질로 만들어질 수 있으며 캐소드는 전자가 주입되는 전극으로 일 함수가 낮은 도전 물질로 만들어질 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 제 1 전극층은 애노드이고, 제 2 전극층은 캐소드일 수 있다. 하나의 예시에서 상기 애노드는 투명 전극일 수 있고, 상기 캐소드는 반사 전극일 수 있다. 상기 애노드는 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO, IZO, AZO, GZO, ATO 또는 SnO₂ 등을 포함할 수 있다. 상기 캐소드는 금속, 예를 들어, Ag, Au, Al 등을 포함할 수 있다.One of the first electrode layer and the second electrode layer may be an anode, and the other may be a cathode. The anode is an electrode into which holes are injected and may be made of a conductive material having a high work function, and the cathode is an electrode into which electrons are injected and may be made of a conductive material having a low work function. In one example, the first electrode layer may be an anode, and the second electrode layer may be a cathode. In one example, the anode may be a transparent electrode, and the cathode may be a reflective electrode. The anode may include a transparent metal oxide, for example, ITO, IZO, AZO, GZO, ATO or SnO ₂ . The cathode may include a metal such as Ag, Au, Al, or the like.

소위 하부 발광형 소자(bottom emitting device)로 호칭되는 구조에서는, 제 1 전극층이 투명 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 반사 전극층으로 형성될 수 있다. 또한, 소위 상부 발광형 소자(top emitting device)로 호칭되는 구조에서는 제 1 전극층이 반사 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 투명 전극층으로 형성되기도 한다. 상기 전극층에 의해서 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 상기 발광 필름에서 재결합(recombination)되어 광이 생성될 수 있다. 광은 하부 발광형 소자에서는 기판 측으로 상부 발광형 소자에서는 제 2 전극층 측으로 방출될 수 있다.In a structure called a bottom emitting device, the first electrode layer may be formed as a transparent electrode layer, and the second electrode layer may be formed as a reflective electrode layer. In addition, in a structure called a top emitting device, the first electrode layer is formed as a reflective electrode layer, and the second electrode layer is formed as a transparent electrode layer. Electrons and holes injected by the electrode layer may be recombined in the light emitting film to generate light. The light may be emitted toward the substrate in the bottom emission type device and toward the second electrode layer in the top emission type device.

상기 발광층은 적색, 녹색 및 청색 광 중 적어도 하나의 광을 발광할 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 발광 소자는 3 원색의 발광필름이 각각 다른 색을 내면서 하나의 픽셀(점, 화소)을 구성하는 방식(RGB 방식)으로 구동되거나 또는 상기 3 원색의 발광 필름을 적층하여 백색을 발광하도록 하여 하나의 픽셀을 구성한 뒤 상기 백색 발광 필름의 전면에 컬러필터층을 배치함으로써 다양한 색상을 구현하는 방식(WOLED 방식)으로 구동될 수 있다.The emission layer may emit at least one of red, green, and blue light. In one example, the light-emitting device is driven by a method (RGB method) in which light-emitting films of three primary colors each emit different colors to form one pixel (dot, pixel), or white light-emitting films of the three primary colors are stacked. After configuring one pixel to emit light, a color filter layer is disposed on the front surface of the white light emitting film, thereby implementing various colors (WOLED method).

상기 발광 소자는 제 1 전극층과 발광 필름 사이 및 제 2 전극층과 발광 필름 사이에 부대층을 더 포함할 수 있다. 부대층은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 정공 전달층(hole transporting layer), 정공 주입층(hole injecting layer), 전자 주입층(electron injecting layer) 및 전자 전달층(electron transporting layer)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light-emitting device may further include an auxiliary layer between the first electrode layer and the light-emitting film and between the second electrode layer and the light-emitting film. The auxiliary layer may include a hole transporting layer, a hole injecting layer, an electron injecting layer, and an electron transporting layer for balancing electrons and holes. However, it is not limited thereto.

상기 발광 소자는 봉지 기판을 더 포함할 수 있다. 상기 봉지 기판은 제 2 전극층 상부에 존재할 수 있다. 상기 봉지 기판은 유리, 금속 및/또는 고분자로 만들어질 수 있으며, 제 1 전극층, 발광 필름 및 제 2 전극층을 봉지하여 외부로부터 수분 및/또는 산소가 유입되는 것을 방지할 수 있다. The light emitting device may further include an encapsulation substrate. The encapsulation substrate may be present on the second electrode layer. The encapsulation substrate may be made of glass, metal, and/or polymer, and the first electrode layer, the light emitting film, and the second electrode layer may be encapsulated to prevent moisture and/or oxygen from flowing from the outside.

본 출원의 발광 필름은 발광 효율이 우수한 이점이 있다.The light emitting film of the present application has an advantage of excellent luminous efficiency.

본 출원의 발광 필름은 또한, 휘도와 색재현율도 우수한 이점이 있다. The light-emitting film of the present application also has an advantage of excellent brightness and color gamut.

도 1은 제조예의 발광 나노입자의 흡광 파장과 발광 파장을 도시한 것이다.
도 2는 실시예와 비교예에서의 발광 필름에서 발광된 광의 파장과 정규화된 광의 세기를 도시한 것이다.1 shows the absorption wavelength and emission wavelength of the light-emitting nanoparticles of Preparation Example.
2 shows wavelengths of light emitted from light-emitting films in Examples and Comparative Examples and normalized light intensity.

이하 실시예를 통하여 본 출원을 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다. The present application will be described in detail through the following examples, but the scope of the present application is not limited by the following examples.

1. 흡광 파장 및 발광 파장의 측정1. Measurement of absorption wavelength and emission wavelength

제조예의 양자점을 공지의 비극성 용매에 배합하여, 샘플을 제조하였다. 상기 샘플에 대하여, UV-Vis spectrometer (SHIMADZU, UV-2600) 장비를 이용하여 그 장비의 매뉴얼에 따라서 제조예의 양자점의 300 nm 내지 600 nm의 파장 범위에서의 흡광 파장을 측정하였다. A sample was prepared by blending the quantum dots of Preparation Example in a known non-polar solvent. For the sample, using a UV-Vis spectrometer (SHIMADZU, UV-2600) equipment was used to measure the absorption wavelength in the wavelength range of 300 nm to 600 nm of the quantum dot of the preparation example according to the manual of the equipment.

또한, 상기 샘플에 대해서, Photoluminescence spectrometer (SINCO, FS-2) 장비를 이용하여 그 장비의 매뉴얼에 따라서 제조예의 양자점의 발광 파장을 측정하였다. 발광 파장의 측정은, 구체적으로 여기(excitation) 파장을 360 nm으로 설정하고, 300 nm 내지 550 nm의 파장 범위에서의 발광 파장을 측정하였다.In addition, for the sample, a photoluminescence spectrometer (SINCO, FS-2) was used to measure the emission wavelength of the quantum dots of the preparation example according to the manual of the equipment. In the measurement of the emission wavelength, specifically, the excitation wavelength was set to 360 nm, and the emission wavelength in the wavelength range of 300 nm to 550 nm was measured.

상기에서, 흡광 파장과 발광 파장은 모두 상온(25 ℃)에서 측정된 값이다. In the above, both the absorption wavelength and the emission wavelength are values measured at room temperature (25°C).

2. 발광 필름의 성능 평가2. Evaluation of the performance of the luminescent film

외부 양자 효율은, 발광 필름에 인가된 전자의 양 대비, 발광 필름에서 발광하는 광의 광자의 양의 비율을 나타내는 물리량을 의미한다. 실시예 및 비교예의 발광 필름의 최대 외부 양자 효율(Maximum External Quantum Efficiency, EQEmax), 휘도 및 색재현율은, IVL(Current-Voltage-Luminance) 측정기(영풍, CMCIVL system)를 이용하여 제조사의 매뉴얼에 따라 측정하였다. The external quantum efficiency refers to a physical quantity representing the ratio of the amount of photons of light emitted from the light-emitting film to the amount of electrons applied to the light-emitting film. The maximum external quantum efficiency (EQEmax), luminance, and color gamut of the light emitting films of Examples and Comparative Examples were determined by using an IVL (Current-Voltage-Luminance) measuring instrument (Youngpoong, CMCIVL system) according to the manufacturer's manual. Measured.

제조예 1 - 제 1 양자점(제 1 발광 나노입자, QD1)의 제조Preparation Example 1-Preparation of the first quantum dot (first luminescent nanoparticle, QD1)

총 크기가 대략 12.5 nm 인 코어-쉘(코어:ZnSe, 쉘: ZnS) 형태의 양자점을 공지의 방식으로 합성하였다. 합성된 양자점의 코어의 크기는 대략 8.5 nm 정도였다. A core-shell (core: ZnSe, shell: ZnS) type quantum dot having a total size of approximately 12.5 nm was synthesized in a known manner. The size of the core of the synthesized quantum dots was about 8.5 nm.

제조예 2 - 제 2 양자점(제 2 발광 나노입자, QD2)의 제조Preparation Example 2-Preparation of a second quantum dot (second luminescent nanoparticle, QD2)

총 크기가 대략 14.5 nm 인 코어-쉘(코어:ZnSe, 쉘: ZnS) 형태의 양자점을 공지의 방식으로 합성하였다. 합성된 양자점의 코어의 크기는 대략 11.5 nm 정도였다. A core-shell (core: ZnSe, shell: ZnS) type quantum dot having a total size of approximately 14.5 nm was synthesized in a known manner. The size of the core of the synthesized quantum dots was about 11.5 nm.

제조예 1 및 2의 양자점의, 파장에 대한 흡광 파장과 발광 파장의 관계를 도 1에 도시하였다. 도 1에서, 점차 감소하는 형태의 곡선이 흡광도 스펙트럼, 특정 파장에서 최대값을 가지는 형태의 곡선이 발광 스펙트럼이다. The relationship between the absorption wavelength and the emission wavelength with respect to the wavelength of the quantum dots of Preparation Examples 1 and 2 is shown in FIG. In FIG. 1, a curve having a gradually decreasing shape is an absorbance spectrum, and a curve having a maximum value at a specific wavelength is an emission spectrum.

도 1에서, 제 1 양자점의 최대 발광 파장은 대략 436 nm로서, 제 2 양자점의 흡광 파장의 범위 내에 포함되고, 제 2 양자점의 최대 발광 파장은 대략 445 nm로서, 제 1 양자점의 흡광 파장보다 대체로 큰 것을 알 수 있다(제 2 양자점의 발광 파장과 제 1 양자점의 흡광 파장이 일부 중첩되는 영역은 있으나, 그 영향은 전체적 발광 효율을 고려하였을 때 고려되지 않을 정도로 경미하다). 따라서, 제 1 양자점이 방출한 광은 제 2 양자점에서 흡수될 수 있고, 역으로 제 2 양자점이 방출한 광은 제 1 양자점에서 흡수되지 않는 점을 확인할 수 있다. In FIG. 1, the maximum emission wavelength of the first quantum dot is about 436 nm, which is included within the range of the absorption wavelength of the second quantum dot, and the maximum emission wavelength of the second quantum dot is about 445 nm, which is substantially greater than the absorption wavelength of the first quantum dot. It can be seen that it is large (there is a region in which the emission wavelength of the second quantum dot and the absorption wavelength of the first quantum dot partially overlap, but the effect is so minor that the overall luminous efficiency is not considered). Accordingly, it can be confirmed that light emitted by the first quantum dot can be absorbed by the second quantum dot, and conversely, light emitted by the second quantum dot is not absorbed by the first quantum dot.

실시예 1 - 발광 필름의 제조Example 1-Preparation of luminescent film

제 1 양자점, 제 2 양자점, 및 공지의 비극성 용매를 20:40:40(제 1 양자점:제 2 양자점: 용매)의 중량 비율로 배합하여 발광층 형성용 조성물을 제조하였다.A composition for forming a light emitting layer was prepared by mixing the first quantum dot, the second quantum dot, and a known non-polar solvent in a weight ratio of 20:40:40 (first quantum dot: second quantum dot: solvent).

상기 조성물을 공지의 정공 전달층 상에 스핀 코팅하고, 열을 인가하여 용매를 건조시켜서 발광 필름을 제조하였다. The composition was spin-coated on a known hole transport layer, and heat was applied to dry the solvent to prepare a light emitting film.

실시예 2 - 발광 필름의 제조Example 2-Preparation of luminescent film

제 1 양자점, 제 2 양자점, 및 공지의 비극성 용매를 30:30:40(제 1 양자점:제 2 양자점: 용매)의 중량 비율로 배합하여 발광층 형성용 조성물을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 필름을 제조하였다.Example 1, except that a composition for forming a light emitting layer was prepared by mixing the first quantum dot, the second quantum dot, and a known non-polar solvent at a weight ratio of 30:30:40 (first quantum dot: second quantum dot: solvent) A light emitting film was prepared in the same manner as described above.

실시예 3 - 발광 필름의 제조Example 3-Preparation of luminescent film

제 1 양자점, 제 2 양자점, 및 공지의 비극성 용매를 40:20:40(제 1 양자점:제 2 양자점: 용매)의 중량 비율로 배합하여 발광층 형성용 조성물을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 필름을 제조하였다.Example 1, except that a composition for forming a light emitting layer was prepared by mixing the first quantum dot, the second quantum dot, and a known non-polar solvent in a weight ratio of 40:20:40 (first quantum dot: second quantum dot: solvent) A light emitting film was prepared in the same manner as described above.

비교예 1 - 발광 필름의 제조Comparative Example 1-Preparation of luminescent film

제 2 양자점, 및 공지의 비극성 용매를 60:40(제 2 양자점:제 2 양자점: 용매)의 중량 비율로 배합하여 발광층 형성용 조성물을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 필름을 제조하였다. A light-emitting film in the same manner as in Example 1, except that a composition for forming a light-emitting layer was prepared by mixing a second quantum dot and a known non-polar solvent in a weight ratio of 60:40 (second quantum dot: second quantum dot: solvent). Was prepared.

비교예 2 - 발광 필름의 제조Comparative Example 2-Preparation of luminescent film

제 1 양자점, 및 공지의 비극성 용매를 60:40(제 1 양자점:제 2 양자점: 용매)의 중량 비율로 배합하여 발광층 형성용 조성물을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 발광 필름을 제조하였다.A light-emitting film in the same manner as in Example 1, except that a composition for forming a light-emitting layer was prepared by mixing the first quantum dot and a known non-polar solvent at a weight ratio of 60:40 (first quantum dot: second quantum dot: solvent). Was prepared.

실시예 및 비교예에서 제조한 발광 필름에 10 J[mA/cm²]의 전류 밀도가 되도록 전압을 인가하여 그 전계 발광 특성을 확인하였고, 파장에 따른 그 정규화된 발광 강도를 도 2에, 최대 외부 양자 효율(EQEmax), 휘도(L), 색재현율 및 발광 파장의 반치폭(FWHM)을 표 1에 나타내었다. A voltage was applied to the light-emitting films prepared in Examples and Comparative Examples to have ^{a current density of 10 J [mA/cm 2} ], and the electroluminescence characteristics were confirmed, and the normalized light emission intensity according to the wavelength is shown in FIG. Table 1 shows the external quantum efficiency (EQEmax), luminance (L), color reproducibility, and half width of the emission wavelength (FWHM).

배합비Mixing ratio 전계발광비Electroluminescence ratio 전계발광(10J)Electroluminescence (10J) QD1QD1 QD2QD2 QD1QD1 QD2QD2 EQEmax
(%)EQEmax
(%) L
(cd/m²)L
(cd/m ² ) 색재현율
(%)Color gamut
(%) FWHM
(nm)FWHM
(nm) 비교예 1Comparative Example 1 00 1One 00 1One 1.411.41 55.855.8 92.7292.72 23.223.2 실시예 1Example 1 0.330.33 0.670.67 0.457(1.37)0.457 (1.37) 0.735
(1.10)0.735
(1.10) 2.612.61 71.571.5 90.9790.97 22.722.7 실시예 2Example 2 0.50.5 0.50.5 0.647(1.29)0.647 (1.29) 0.574
(1.15)0.574
(1.15) 3.063.06 76.576.5 90.6190.61 20.220.2 실시예 3Example 3 0.670.67 0.330.33 0.794(1.19)0.794 (1.19) 0.380
(1.14)0.380
(1.14) 3.323.32 77.377.3 90.3690.36 18.418.4 비교예 2Comparative Example 2 1One 00 1One 00 3.493.49 68.568.5 89.9389.93 16.316.3 배합비: 중량부
QD1: 제조예 1의 제 1 양자점
QD2: 제조예 2의 제 2 양자점
전계발광비에서 괄호안의 수치는 해당 QD의 전계발광비/배합비임Mixing ratio: parts by weight
QD1: The first quantum dot of Preparation Example 1
QD2: Second quantum dot of Preparation Example 2
The values in parentheses in the electroluminescence ratio are the electroluminescence ratio/mixing ratio of the corresponding QD.

도 2 및 표 1을 통해서, 제 2 양자점을 단독으로 적용하는 비교예 1(QD 2 only)의 발광 필름 대비 실시예 1 내지 3(각각, QD1:QD2 (1:2), QD1:QD2 (1:1) 및 QD1:QD2 (2:1))의 발광 필름은 제 1 양자점의 함량이 증가할수록 발광 효율이 높아지는 점을 확인할 수 있다. 또한, 제 1 양자점을 단독으로 적용하는 비교예 2의 발광 필름은 실시예의 발광 필름 대비 발광 효율은 우수하지만, 휘도가 충분하지 못함을 확인할 수 있다. 2 and Table 1, compared to the light emitting film of Comparative Example 1 (QD 2 only) applying the second quantum dot alone, Examples 1 to 3 (respectively, QD1:QD2 (1:2), QD1:QD2 (1) :1) and QD1:QD2 (2:1)), as the content of the first quantum dot increases, the luminous efficiency increases. In addition, it can be seen that the light-emitting film of Comparative Example 2, in which the first quantum dot is applied alone, has excellent luminous efficiency compared to the light-emitting film of Example, but has insufficient luminance.

또한, 비교예 1의 발광 필름에서 제 2 양자점 단독에 의해서 전계 발광된 광량 또는 비교예 2(QD 1 only)의 발광 필름에서 제 1 양자점 단독에 의해서 전계 발광된 광량 대비 실시예 1 내지 3에서 각 양자점이 발광 필름의 전계 발광된 광량을 전계 발광비로 규정하여 기입하였다. 실시예 1 내지 3의 발광 필름에서 각 양자점이 전계 발광에 기여한 정도는 그 배합비보다 큰 것을 확인할 수 있다. 예를 들어, 실시예 1의 제 1 양자점의 사용량은 전체 양자점 총량을 기준으로 약 33 중량%이지만, 이에 의하여 발광하는 정도는 제 1 양자점이 단독으로 적용되는 비교예 2의 발광 필름을 기준으로, 약 45.7 %이므로, 발광 필름에서 제 1 양자점이 그 발광에 기여하는 비율은 제 1 양자점의 배합 비율로부터 예상되는 33 % 대비 약 1.37 배 향상된 수치인 점을 알 수 있다. 이는, 제 1 양자점에서 전계 발광한 광의 전부가 아닌 일부가 제 2 양자점에 의해서 흡수되어 제 1 양자점과 제 2 양자점이 모두 전계 발광하는 것에서 기인하는 것으로 추측된다. In addition, in the light emitting film of Comparative Example 1, compared to the amount of light electroluminescence by the second quantum dot alone in the light emitting film of Comparative Example 2 (QD 1 only) compared to the amount of light emitted by the first quantum dot alone in Examples 1 to 3 The quantum dots were written by specifying the amount of electroluminescent light of the light emitting film as the electroluminescence ratio. In the light emitting films of Examples 1 to 3, it can be seen that the degree to which each quantum dot contributes to electroluminescence is greater than the blending ratio. For example, the amount of use of the first quantum dot in Example 1 is about 33% by weight based on the total amount of the quantum dots, but the degree of light emission by this is based on the light emitting film of Comparative Example 2 in which the first quantum dot is applied alone, Since it is about 45.7%, it can be seen that the ratio of the first quantum dots to light emission in the light emitting film is about 1.37 times higher than that of 33% expected from the mixing ratio of the first quantum dots. This is presumed to be due to the fact that some, but not all, of the light emitted from the first quantum dot is absorbed by the second quantum dot, so that both the first quantum dot and the second quantum dot emit light.

또한, 실시예 1 내지 3의 발광 필름은 최대 외부 양자 효율이 각 양자점을 단독으로 적용한 비교예 1 및 2의 발광 필름 각각의 최대 외부 양자 효율 사이의 값을 가지는데 반해, 그 휘도가 높은 점을 알 수 있다. 또한, 실시예 1 내지 3의 발광 필름은 적절한 반치폭을 가지는 광을 발광하기 때문에, 색재현율 또한 대체로 우수하다.In addition, the light-emitting films of Examples 1 to 3 have a value between the maximum external quantum efficiency of each of the light-emitting films of Comparative Examples 1 and 2 in which each quantum dot is applied alone, whereas the luminance is high. Able to know. Further, since the light-emitting films of Examples 1 to 3 emit light having an appropriate half width, the color reproducibility is also generally excellent.

따라서, 본 출원의 발광 필름은 발광 효율을 우수하게 유지할 수 있으면서 동시에 우수한 휘도와 색재현율 또한 확보할 수 있음을 알 수 있다.Accordingly, it can be seen that the light-emitting film of the present application can maintain excellent luminous efficiency while also securing excellent luminance and color reproducibility.

Claims

각각 전계 발광할 수 있는 제 1 발광 나노입자와 제 2 발광 나노입자를 포함하고, 제 2 발광 나노입자는 제 1 발광 나노입자에서 전계 발광된 광의 적어도 일부를 흡광하여 광 발광할 수 있는 발광층을 가지는 발광 필름. Each includes a first luminescent nanoparticle and a second luminescent nanoparticle capable of electroluminescence, and the second luminescent nanoparticle has a light-emitting layer capable of photoluminescence by absorbing at least a portion of light emitted from the first luminescent nanoparticle. Luminous film.

제 1 항에 있어서, 제 1 발광 나노입자의 최대 발광 파장은 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장의 범위 내에 있고, 제 2 발광 나노입자의 최대 발광 파장은 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장 보다 큰 발광 필름.The method of claim 1, wherein the maximum emission wavelength of the first luminescent nanoparticle is within the range of the absorption wavelength of the second luminescent nanoparticle, and the maximum emission wavelength of the second luminescent nanoparticle is greater than the absorption wavelength of the first luminescent nanoparticle. film.

제 2 항에 있어서, 제 1 발광 나노입자의 최대 발광 파장(λ1)과 제 2 발광 나노입자의 최대 발광 파장(λ2)의 차이(λ2-λ1)의 절대값은 50 nm 이하인 발광 필름.The light emitting film according to claim 2, wherein the absolute value of the difference (λ2-λ1) between the maximum emission wavelength (λ1) of the first light emitting nanoparticles and the maximum emission wavelength (λ2) of the second light emitting nanoparticles is 50 nm or less.

제 2 항에 있어서, 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장은 490 nm 이하인 발광 필름. The light-emitting film according to claim 2, wherein the absorption wavelength of the second light-emitting nanoparticles is 490 nm or less.

제 4 항에 있어서, 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장은 450 nm 이하인 발광 필름. The light emitting film according to claim 4, wherein the absorption wavelength of the first light emitting nanoparticles is 450 nm or less.

제 2 항에 있어서, 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장은 490 nm 초과 580 nm 이하의 범위 내에 있는 발광 필름.The light-emitting film according to claim 2, wherein the absorption wavelength of the second light-emitting nanoparticles is in a range of more than 490 nm and not more than 580 nm.

제 6 항에 있어서, 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장은 450 nm 초과 540 nm 이하의 범위 내에 있는 발광 필름.The light-emitting film according to claim 6, wherein the absorption wavelength of the first light-emitting nanoparticles is in a range of more than 450 nm and not more than 540 nm.

제 2 항에 있어서, 제 2 발광 나노입자의 흡광 파장은 580 nm 초과 780 nm 이하의 범위 내에 있는 발광 필름. The light-emitting film according to claim 2, wherein the absorption wavelength of the second light-emitting nanoparticles is in a range of more than 580 nm and not more than 780 nm.

제 8 항에 있어서, 제 1 발광 나노입자의 흡광 파장은 540 초과 750 nm 이하의 범위 내에 있는 발광 필름. The light-emitting film of claim 8, wherein the absorption wavelength of the first light-emitting nanoparticles is in a range of more than 540 and not more than 750 nm.

제 1 항에 있어서, 복수의 제 1 발광 나노입자와 제 2 발광 나노입자를 포함하는 발광 필름. The light-emitting film of claim 1, comprising a plurality of first light-emitting nanoparticles and second light-emitting nanoparticles.

제 10 항에 있어서, 제 1 발광 나노입자의 평균 크기(R1)와 제 2 발광 나노입자의 평균 크기(R2)의 비율(R1/R2)은 0.1 내지 2의 범위 내에 있는 발광 필름. The light emitting film of claim 10, wherein a ratio (R1/R2) of the average size (R1) of the first light emitting nanoparticles and the average size (R2) of the second light emitting nanoparticles is in the range of 0.1 to 2.

제 11 항에 있어서, 제 2 발광 나노입자의 평균 크기는 5 nm 내지 20 nm의 범위 내에 있는 발광 필름. The light emitting film of claim 11, wherein the average size of the second light emitting nanoparticles is in the range of 5 nm to 20 nm.

제 10 항에 있어서, 제 2 발광 나노입자 간의 평균 이격 거리는 1 nm 내지 100 nm의 범위 내에 있는 발광 필름. The light emitting film of claim 10, wherein the average separation distance between the second light emitting nanoparticles is in the range of 1 nm to 100 nm.

제 1 항에 있어서, 발광층은 제 2 발광 나노입자를 1 중량% 이상 포함하는 발광 필름.The light emitting film of claim 1, wherein the light emitting layer contains at least 1% by weight of the second light emitting nanoparticles.

제 14 항에 있어서, 제 2 발광 나노입자의 중량(P2)과 제 1 발광 나노입자의 중량(P1)의 비율(P2/P1)은 0.01 내지 99의 범위 내에 있는 발광 필름. The light emitting film according to claim 14, wherein a ratio (P2/P1) of the weight of the second light emitting nanoparticles (P2) and the weight of the first light emitting nanoparticles (P1) is in the range of 0.01 to 99.

제 1 항에 있어서, 제 1 발광 나노입자 및 제 2 발광 나노입자 각각은 양자점인 발광 필름. The light emitting film of claim 1, wherein each of the first light emitting nanoparticles and the second light emitting nanoparticles is a quantum dot.

제 1 항에 있어서, 휘도가 70 cd/m² 이상인 발광 필름.The light-emitting film according to claim 1, wherein the luminance is 70 cd/m ^{2 or more.}

제 1 항에 있어서, 색 재현율이 90 % 이상인 발광 필름.The light-emitting film according to claim 1, wherein the color reproducibility is 90% or more.

제 1 항에 있어서, 발광 파장의 반치폭이 30 nm 이하인 발광 필름. The light emitting film according to claim 1, wherein the half width of the light emission wavelength is 30 nm or less.

기판, 상기 기판의 제 1 표면에 순차로 제공되는 제 1 전극층; 제 1 항의 발광 필름 및 제 2 전극층을 포함하는 발광 소자. A substrate, a first electrode layer sequentially provided on the first surface of the substrate; A light-emitting device comprising the light-emitting film of claim 1 and a second electrode layer.