KR20210016787A - Pellicle frame, Pellicle including the same, Manufacturing method for the same, Exposure apparatus including the Pellicle and Manufacturing apparatus for the Pellicle - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 펠리클 프레임, 이를 포함하는 펠리클, 펠리클 프레임의 제조방법, 펠리클을 포함하는 노광장치 및 펠리클의 제조장치에 관한 것이다. 실시예의 펠리클과 노광장치는 초극자외선(EUV, Extreme Ultra Violet) 노광공정에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The embodiment relates to a pellicle frame, a pellicle including the same, a method for manufacturing a pellicle frame, an exposure apparatus including a pellicle, and an apparatus for manufacturing a pellicle. The pellicle and the exposure apparatus according to the embodiment may be applied to an Extreme Ultra Violet (EUV) exposure process, but are not limited thereto.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이 등의 제조에 있어서, 반도체 웨이퍼 또는 액정용 기판에 패터닝을 하는 경우에 포토리소그래피(photolithography) 공정이 사용된다.In manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display, a photolithography process is used when patterning is performed on a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate.
포토리소그래피에서는 패터닝의 원판으로서 레티클 또는 포토 마스크가 사용되며, 레티클 상의 패턴이 반도체 웨이퍼 또는 액정용 기판에 전사된다. 그런데 레티클에 파티클이 부착되면 이 파티클로 인해 빛이 흡수되거나 반사되기 때문에 전사된 패턴이 손상되어 반도체 소자나 액정 디스플레이 등의 품질이나 수율의 저하를 초래하는 문제가 발생한다.In photolithography, a reticle or photo mask is used as the original plate for patterning, and the pattern on the reticle is transferred to a semiconductor wafer or a substrate for liquid crystal. However, when particles are attached to the reticle, light is absorbed or reflected by the particles, and the transferred pattern is damaged, resulting in a problem of deteriorating the quality or yield of semiconductor devices or liquid crystal displays.
보통 포토리소그래피 공정은 클린룸에서 행해지지만, 이 클린룸 내에도 파티클이 존재하므로 레티클 표면에 파티클이 부착되는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 행해지고 있다.Usually, the photolithography process is performed in a clean room, but since particles also exist in this clean room, a method of attaching a pellicle to prevent particles from adhering to the reticle surface has been performed.
이 경우 파티클은 레티클 표면에 직접 부착되지 않고 펠리클 위에 부착되므로, 리소그래피시에는 초점이 마스크 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 파티클은 초점이 맞지 않아 반도체 웨이퍼나 액정용 기판에 전사되지 않는 이점이 있다.In this case, since the particles are not directly attached to the reticle surface, but on the pellicle, since the focus is aligned on the mask pattern during lithography, there is an advantage that the particles on the pellicle are out of focus and are not transferred to the semiconductor wafer or the liquid crystal substrate.
한편, 반도체 노광장치의 해상도(resolution)는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 소스 광원의 파장도 점점 더 짧아지고 있다.On the other hand, the resolution of the semiconductor exposure apparatus is increasing, and the wavelength of the source light source is becoming shorter and shorter in order to realize the resolution.
예를 들어, UV(Ultra Violet)광원은 G선(436nm), I선(365nm), KrF 엑시머 레이저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm) 등이 사용되었으나, 최근 10nm 미만의 패터닝 공정의 수요에 따라 초극자외선(EUV, 13.5㎚)이 사용이 요구되고 있다.For example, the UV (Ultra Violet) light source used G-line (436nm), I-line (365nm), KrF excimer laser (248nm), ArF excimer laser (193nm), etc., but recently, the demand for patterning processes of less than 10nm Accordingly, it is required to use ultra-ultraviolet (EUV, 13.5 nm).
즉 최근에는 반도체 소자 및 액정 디스플레이는 점점 고집적화, 미세화되고 있다. 예를 들어, 종래 32nm 정도의 미세 패턴을 포토레지스트 막에 형성하는 기술에서는 ArF 엑시머레이저(193nm)를 이용하여 포토레지스트 막을 노광하는 액침 노광 기술이나 다중 노광 등의 엑시머레이저를 사용한 개량 기술에 의해 대응 가능하다.That is, in recent years, semiconductor devices and liquid crystal displays are increasingly highly integrated and miniaturized. For example, in the conventional technology of forming a fine pattern of about 32 nm on the photoresist film, it is responded by using an ArF excimer laser (193 nm) to expose the photoresist film, or by an improved technology using an excimer laser such as multiple exposure. It is possible.
그러나, 차세대 반도체 소자나 액정 디스플레이에는 더욱 미세화한 패턴 형성이 요구되고 있어, 종래의 펠리클 및 노광 기술로는 이러한 미세한 패턴을 형성하는 것이 곤란해지고 있다. 이에 최근에는 보다 미세한 패턴을 형성하기 위한 방법으로서, 13.5nm를 주파장으로 하는 EUV광을 사용한 EUV 노광 기술이 주목받고 있다.However, the formation of finer patterns is required for next-generation semiconductor devices and liquid crystal displays, and it is becoming difficult to form such fine patterns with conventional pellicle and exposure techniques. Accordingly, in recent years, as a method for forming a finer pattern, an EUV exposure technology using EUV light having a dominant wavelength of 13.5 nm is attracting attention.
이러한 EUV를 이용한 노광기술을 구현하기 위해서는 새로운 광원, 포토레지스트, 레티클, 펠리클 등의 개발이 불가결하다.In order to implement such exposure technology using EUV, it is indispensable to develop new light sources, photoresists, reticles, and pellicles.
한편, 펠리클은 광원이 투과되는 펠리클 멤브레인과 펠리클 멤브레인의 지지 기능을 하는 펠리클 프레임을 포함한다. 종래 펠리클 기술개발은 광원 투과도 등의 관점에서 펠리클 멤브레인에 대한 연구가 있으나, EUV를 이용한 노광기술을 고려한 펠리클 프레임에 대한 연구가 미진한 상황이다.Meanwhile, the pellicle includes a pellicle membrane through which a light source is transmitted and a pellicle frame that supports the pellicle membrane. Conventional pellicle technology development has been conducted on a pellicle membrane in terms of light source transmittance, but research on a pellicle frame considering exposure technology using EUV is insufficient.
종래기술에 의하면, 펠리클 프레임과 펠리클 프레임이 장작되는 마스크 기판의 물질이 다름에 따라 열적특성의 차이에 의한 PID(Pellicle Induced Distortion) 문제를 발생시킨다.According to the prior art, the pellicle frame and the material of the mask substrate on which the pellicle frame is mounted are different, thereby causing a problem of PID (Pellicle Induced Distortion) due to a difference in thermal characteristics.
구체적으로 반도체 소자나 액정 디스플레이의 미세화가 진행됨에 따라서, 수율을 좌우하는 펠리클에 대해서는 펠리클을 포토 마스크에 부착했을 때에 열팽창 계수의 차이에 따른 응력이 발생하며, 그 응력으로 인해 포토마스크가 변형되는 PID 이슈가 있는데, 그 결과로서 형성되는 패턴의 위치 정밀도가 어긋나므로 미세 패턴을 형성하기 어려워지는 것이 큰 문제가 되고 있다.Specifically, as semiconductor devices or liquid crystal displays are miniaturized, the pellicle, which influences the yield, generates stress due to the difference in the coefficient of thermal expansion when the pellicle is attached to the photomask, and the photomask is deformed due to the stress. There is an issue, and as a result, it becomes difficult to form a fine pattern because the positional accuracy of the pattern to be formed is misaligned.
특히 EUV는 파장이 짧기 때문에 에너지가 매우 높으며, 투과율이 낮기 때문에 상당량의 에너지가 펠리클과 마스크 기판에 흡수되어 펠리클과 마스크 기판이 가열될 수 있다. 따라서 펠리클과 마스크 기판의 재질이 서로 다를 경우에는 리소그래피 공정에서 발생하는 열에 의한 열팽창 차이에 의한 PID 이슈는 더욱 중요해지고 있으나, 이에 대한 적절한 해결방안이 제시되지 못하는 상황이다.In particular, because EUV has a short wavelength, energy is very high, and because of its low transmittance, a significant amount of energy is absorbed by the pellicle and the mask substrate, so that the pellicle and the mask substrate can be heated. Therefore, when the material of the pellicle and the mask substrate are different from each other, the PID issue due to the difference in thermal expansion caused by heat generated in the lithography process is becoming more important, but an appropriate solution for this is not presented.
또한 EUV가 적용되는 리소그래피의 경우, 패턴이 미세하여 열팽창 차이에 의한 PID 이슈로 인한 패턴 결함은 더욱 중요한 문제가 되고 있다.In addition, in the case of lithography to which EUV is applied, pattern defects due to PID issues due to differences in thermal expansion become more important problems due to fine patterns.
실시예의 기술적 과제는 초극자외선(EUV)을 이용한 노광 기술에 적합한 펠리클 프레임, 이를 포함하는 펠리클, 펠리클 프레임의 제조방법, 펠리클을 포함하는 노광장치 및 펠리클의 제조장치를 제공하고자 함이다.The technical task of the embodiment is to provide a pellicle frame suitable for exposure technology using ultra-ultraviolet (EUV), a pellicle including the same, a method of manufacturing a pellicle frame, an exposure apparatus including a pellicle, and a pellicle manufacturing apparatus.
예를 들어, 실시예의 기술적 과제는 PID(Pellicle Induced Distortion) 문제를 해결할 수 있는 펠리클 프레임, 이를 포함하는 펠리클, 펠리클 프레임의 제조방법, 펠리클을 포함하는 노광장치 및 펠리클의 제조장치를 제공하고자 함이다.For example, the technical problem of the embodiment is to provide a pellicle frame capable of solving the problem of PID (Pellicle Induced Distortion), a pellicle including the same, a method for manufacturing a pellicle frame, an exposure apparatus including a pellicle, and an apparatus for manufacturing a pellicle. .
실시예의 기술적 과제는 본 항목에 기재된 것에 한정되지 않고, 발명의 설명을 통해 파악되는 것을 포함한다.The technical problems of the embodiments are not limited to those described in this item, but include those identified through the description of the invention.
실시예에 따른 펠리클 프레임은 노광공정에 이용되는 펠리클의 펠리클 프레임에 있어서, 상기 펠리클 프레임 재료의 흡광 계수(extinction coefficient)가 13.5nm의 광원에서 0.02000 미만일 수 있다.In the pellicle frame according to the embodiment, in a pellicle frame of a pellicle used in an exposure process, an extinction coefficient of the pellicle frame material may be less than 0.02000 in a light source of 13.5 nm.
상기 펠리클 프레임 재료의 흡광 계수(extinction coefficient)는 13.5nm의 광원에서 0.00183 내지 0.01709일 수 있다.The extinction coefficient of the pellicle frame material may be 0.00183 to 0.01709 in a light source of 13.5 nm.
상기 펠리클 프레임 재료의 흡광 계수(extinction coefficient)가 13.5nm의 광원에서 Si의 흡광 계수의 10배 이하일 수 있다.The extinction coefficient of the pellicle frame material may be 10 times or less of the extinction coefficient of Si in the 13.5 nm light source.
상기 펠리클 프레임의 재료는 흡광 계수(extinction coefficient)가 13.5nm에서 광원에서 0.00183 내지 0.01830일 수 있다.The material of the pellicle frame may have an extinction coefficient of 0.00183 to 0.01830 in the light source at 13.5 nm.
상기 펠리클 프레임의 재료는 Zr, Mo, Nb, Si, Si3N4, SiC, 그래핀(Graphene), 보론카바이드(B4C), Ru, Ti, Ba 또는 이들의 혼합물 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The material of the pellicle frame may include any one of Zr, Mo, Nb, Si, Si 3 N 4 , SiC, graphene, boron carbide (B4C), Ru, Ti, Ba, or a mixture thereof. .
상기 펠리클 프레임의 재료는 Al2O3를 포함할 수 있다.The material of the pellicle frame may include Al 2 O 3 .
상기 펠리클 프레임은 3D 프린팅에 의해 일체로 형성될 수 있다.The pellicle frame may be integrally formed by 3D printing.
상기 펠리클 프레임의 상부와 하부에서의 수평 폭이 서로 다를 수 있다.Horizontal widths at the top and bottom of the pellicle frame may be different from each other.
상기 펠리클 프레임은 상기 펠리클 멤브레인과 접하는 하부의 제1 수평 폭이 소정의 마스크 기판과 접하는 상부의 제2 수평 폭에 비해 작을 수 있다.The pellicle frame may have a lower first horizontal width in contact with the pellicle membrane than a second horizontal width at an upper part in contact with a predetermined mask substrate.
상기 펠리클 프레임의 내측벽은 수직하며, 외측벽은 경사질 수 있다.The inner wall of the pellicle frame is vertical, and the outer wall may be inclined.
상기 펠리클 프레임은 상기 펠리클 멤브레인과 접하는 하부의 제1 수평 폭은 소정의 마스크 기판과 접하는 상부의 제2 수평 폭에 비해 클 수 있다.In the pellicle frame, a first horizontal width of a lower portion in contact with the pellicle membrane may be larger than a second horizontal width of an upper portion in contact with a predetermined mask substrate.
상기 펠리클 프레임의 내부는 비어 있을 수 있다.The inside of the pellicle frame may be empty.
또한 실시예에 따른 펠리클은, 상기 어느 하나의 펠리클 프레임 및 상기 펠리클 프레임 상에 배치되는 펠리클 멤브레인을 포함할 수 있다.In addition, the pellicle according to the embodiment may include any one of the pellicle frames and a pellicle membrane disposed on the pellicle frame.
또한 실시예에 따른 펠리클 프레임의 제조방법은, 노광공정에 이용되는 펠리클의 펠리클 프레임의 제조방법에 있어서, 상기 펠리클 프레임은, Zr, Mo, Nb, Si, Si3N4, SiC, 그래핀(Graphene), 보론카바이드(B4C), Ru, Ti, Ba 또는 이들의 혼합물 중 어느 하나를 포함하여 3D 프린팅을 통해 제조될 수 있다.In addition, the manufacturing method of the pellicle frame according to the embodiment is in the manufacturing method of the pellicle frame of the pellicle used in the exposure process, the pellicle frame is Zr, Mo, Nb, Si, Si 3 N 4 , SiC, graphene ( Graphene), boron carbide (B4C), Ru, Ti, Ba, or a mixture thereof may be prepared through 3D printing.
상기 펠리클 프레임은, 한 레이어씩(layer by layer) Closed loop로 3차원 표면의 피드백을 통한 시뮬레이션(simulation)하여 CAD 설계도면대로 프린팅되는지 판단할 수 있다.The pellicle frame may be determined whether to be printed as a CAD design drawing by performing a simulation through a three-dimensional surface feedback in a layer by layer closed loop.
상기 3D 프린팅으로 제조된 펠리클 프레임은 레이저(laser) 소결 또는 열적 소결의 소결단계를 더 포함할 수 있다.The pellicle frame manufactured by the 3D printing may further include a sintering step of laser sintering or thermal sintering.
또한 노광장치는, 노광 광원; 상기 노광 광원이 조사되는 레티클; 및 상기 레티클 상에 배치되는 상기 펠리클;을 포함할 수 있다.Further, the exposure apparatus includes: an exposure light source; A reticle to which the exposure light source is irradiated; And the pellicle disposed on the reticle.
상기 노광 광원은 상기 레티클의 하측에서 주입되어 반사되며, 상기 레티클의 마스크 기판은 소정의 다층 박막 거울(multi-layer mirror)을 포함하여 상기 노광 광원을 반사시킬 수 있다.The exposure light source may be injected and reflected from a lower side of the reticle, and the mask substrate of the reticle may reflect the exposure light source by including a predetermined multi-layer mirror.
상기 펠리클 프레임은 상기 레티클의 마스크 기판에 상에 접착제 없이 직접 형성될 수 있다.The pellicle frame may be formed directly on the mask substrate of the reticle without an adhesive.
또한 실시예에 따른 펠리클의 제조장치는, 스테이지와, 상기 스테이지 상의 기판 상에 나노 드랍이 가능한 나노 노즐을 포함하고, 상기 나노 노즐은 복수의 사이즈를 구비하는 복수의 나노 노즐을 포함하고, 상기 나노 노즐은 Zr, Mo, Nb, Si, Si3N4, SiC, 그래핀(Graphene), 보론카바이드(B4C), Ru, Ti, Ba 또는 이들의 혼합물 중 어느 하나를 포함하여 3D 프린팅을 통해 펠리클을 제조할 수 있다.In addition, the apparatus for manufacturing a pellicle according to the embodiment includes a stage and a nano-nozzle capable of nano-dropping on a substrate on the stage, and the nano-nozzle includes a plurality of nano-nozzles having a plurality of sizes, and the nano- The nozzle includes any one of Zr, Mo, Nb, Si, Si 3 N 4 , SiC, graphene, boron carbide (B4C), Ru, Ti, Ba, or a mixture thereof, to make the pellicle through 3D printing. Can be manufactured.
상기 나노 노즐은 상기 복수의 사이즈의 나노 노즐에 대한 인공지능 혼합 제어가 가능할 수 있다.The nano-nozzle may enable artificial intelligence mixing control for the nano-nozzles of the plurality of sizes.
실시예는 상기 기판 상에 나노 드랍된 펠리클 물질을 IR 히터와 UV로 열처리 진행할 수 있다.In an embodiment, the nano-dropped pellicle material on the substrate may be heat-treated with an IR heater and UV.
상기 펠리클은, 한 레이어씩(layer by layer) Closed loop로 3차원 표면의 피드백을 통한 시뮬레이션(simulation)하여 CAD 설계도면대로 프린팅되는지 판단하여 형성될 수 있다.The pellicle may be formed by determining whether to be printed according to the CAD design drawing by simulating through a feedback of a three-dimensional surface in a layer by layer closed loop.
실시예에 의하면, 초극자외선(EUV)을 이용한 노광 기술에 적합한 일체화된 프레임과 멤브레인을 포함하는 펠리클 프레임, 이를 포함하는 펠리클, 펠리클 프레임의 제조방법, 펠리클을 포함하는 노광장치 및 펠리클의 제조장치를 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다.According to an embodiment, a pellicle frame including an integrated frame and a membrane suitable for exposure technology using ultra-ultraviolet (EUV), a pellicle including the same, a method of manufacturing a pellicle frame, an exposure apparatus including a pellicle, and a pellicle manufacturing apparatus are provided. There are technical effects that can be provided.
실시예에 의하면 펠리클 멤브레인과 펠리클 프레임의 물질이 다름에 따라 열적특성의 차이에 의해 발생되는 PID(Pellicle Induced Distortion) 문제를 해결할 수 있는 기술적 효과가 있다.According to the embodiment, there is a technical effect capable of solving the problem of PID (Pellicle Induced Distortion) caused by a difference in thermal characteristics as the material of the pellicle membrane and the pellicle frame are different.
예를 들어, 실시예에 의하면, 펠리클 프레임의 재료를 마스크 기판의 재료인 석영(Quartz)과 열 팽창 계수가 비슷하거나 같은 재료를 이용할 수 있다. 이를 통해 PID을 최소화하여 마스크(mask)와 마스크 사용에 따른 Overlay(정반합)을 최소화할 수 있다.For example, according to the embodiment, the material of the pellicle frame may be a material having a coefficient of thermal expansion similar to or similar to that of quartz, which is a material of the mask substrate. Through this, the PID can be minimized to minimize the mask and the overlap due to the use of the mask.
실시예의 기술적 효과는 본 항목에 기재된 것에 한정되지 않고, 발명의 설명을 통해 파악되는 것을 포함한다.The technical effects of the embodiments are not limited to those described in this item, and include those identified through the description of the invention.
도 1은 실시예에 따른 펠리클이 레티클 상에 배치된 예시도.
도 2a는 실시예에 따른 펠리클의 사시도.
도 2b는 도 2a에 도시된 실시예에 따른 펠리클의 단면도.
도 3은 실시예에 따른 펠리클의 제2 실시예.
도 4는 실시예에 따른 펠리클의 제3 실시예.
도 5a 내지 도 5h는 실시예에 따른 펠리클의 제조장치 또는 제조방법에 대한 설명도.
도 6a 내지 도 6c는 실시예에 따른 펠리클의 제조장치에 대한 설명도.1 is an exemplary view in which a pellicle according to an embodiment is disposed on a reticle.
2A is a perspective view of a pellicle according to an embodiment.
Figure 2b is a cross-sectional view of the pellicle according to the embodiment shown in Figure 2a.
3 is a second embodiment of the pellicle according to the embodiment.
4 is a third embodiment of the pellicle according to the embodiment.
5A to 5H are explanatory views of an apparatus or method for manufacturing a pellicle according to an embodiment.
6A to 6C are explanatory views of an apparatus for manufacturing a pellicle according to an embodiment.
이하 상기의 과제를 해결하기 위한 구체적으로 실현할 수 있는 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments that can be specifically realized for solving the above problems will be described with reference to the accompanying drawings.
실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment, in the case of being described as being formed in "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) (on or under) is Both elements are in direct contact with each other or one or more other elements are formed indirectly between the two elements. In addition, when expressed as "on or under", the meaning of not only an upward direction but also a downward direction based on one element may be included.
(실시예)(Example)
도 1은 실시예에 따른 펠리클(100)이 레티클(Reticle)(10) 상에 배치된 예시도이다. 레티클(10)은 마스크 기판(11)과 마스크 패턴(12)을 포함할 수 있고, 펠리클(100)은 펠리클 프레임(110)과 펠리클 멤브레인(120)을 포함할 수 있다.1 is an exemplary view in which a
실시예가 적용되는 13.5nm의 파장의 초극자외선(EUV) 노광장치는 광원이 레티클(10)을 투과하는 것이 아닌 반사형일 수 있다. 예를 들어, 실시예가 적용되는 EUV 노광장치에서는 도 1을 기준으로 노광광원(미도시)이 레티클(10)의 하측에서 주입되어 반사될 수 있으며, 마스크 기판(11)에 소정의 다층 박막 거울(multi-layer mirror)이 구비될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The ultra-extreme ultraviolet (EUV) exposure apparatus having a wavelength of 13.5 nm to which the embodiment is applied may be of a reflective type in which the light source does not transmit through the
실시예에 따른 EUV 노광장치에서 광원인 EUV는 LPP(Laser-Produced Plasma) 소스(Source)에 의해 발생될 수 있다. 예를 들어, 초당 수만 번씩 떨어지는 주석(Tin)에 CO2 레이저를 쏘면 플라즈마가 발생하면서 EUV가 발생될 수 있다.In the EUV exposure apparatus according to the embodiment, EUV as a light source may be generated by a laser-produced plasma (LPP) source. For example, if a CO 2 laser is shot on tin that falls tens of thousands of times per second, plasma is generated and EUV may be generated.
도 1을 참조하면, 레티클(10)은 소정의 마스크 기판(11) 상에 마스크 패턴(12)이 패터닝될 수 있다. 상기 레티클(10)은 크롬이나 산화철 등으로 소정의 마스크 패턴(12)이 그려진 투광성 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 1, in the
실시예에서 레티클(10)은 여러 번 반복적으로 위치를 바꿀 수 있도록 만든 포토 마스크(photo mask)일 수 있으며, 설계 도면 대비 4 내지 10배 정도 크기로 패턴이 그려진 석영 유리기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 레티클(10) 상의 마스크 패턴(12)은 4:1, 5:1, 10:1의 비율로 축소되어 소정의 반도체 기판(wafer)에 전사될 수 있다.In the embodiment, the
상기 마스크 패턴(12)은 반도체 소자 등의 회로구조의 각 층에서의 소정의 회로 패턴에 대응될 수 있다. 상기 마스크 패턴(12)은 전자회로설계자동화(EDA) S/W 도구에 의해 생성된 회로 이미지가 블랭크 마스크(blank mask) 위에 형상화시키는 작업에 의해 생성될 수 있다. The
실시예에서 상기 마스크 기판(11)은 투광도가 높은 석영 유리(quartz glass) 기판일 수 있으며, 용융 실리카(Fused-silica) 유리판일 수 있다.In the embodiment, the
다음으로 도 2a는 실시예에 따른 펠리클(100)의 사시도이며, 도 2b는 도 2a에 도시된 실시예에 따른 펠리클(100)의 A1-A1' 선을 따른 단면도이다.Next, FIG. 2A is a perspective view of the
실시예에서 펠리클(100)은 펠리클 프레임(110)과 펠리클 멤브레인(120)을 포함할 수 있다. 실시예의 펠리클 멤브레인(120)은 파티클(P)이 마스크 패턴(12)에 접촉되는 것을 방지할 수 있다.In an embodiment, the
실시예가 적용되는 13.5nm의 파장을 갖는 EUV은 대부분의 물질에서 다량 흡수되므로 패터닝 공정에 사용되는 광학시스템에서 EUV의 경로에 놓이게 되는 물질은 극히 한정되고, 매우 얇은 두께를 갖는 물질이 요구된다.Since EUV having a wavelength of 13.5 nm to which the embodiment is applied is absorbed in a large amount in most materials, a material that is placed in the path of EUV in an optical system used in a patterning process is extremely limited, and a material having a very thin thickness is required.
이에 따라 실시예에서 EUV용 펠리클 멤브레인(120) 재료로서 Si, Ru, Zr, Mo, 흑연 함유 박막, 에어로겔(aerogel) 등의 물질이 채용될 수 있다.Accordingly, materials such as Si, Ru, Zr, Mo, graphite-containing thin film, and aerogel may be used as the material for the
상기 펠리클 멤브레인(120)의 두께는 100㎚ 이하일 수 있으며, 13.5㎚의 초극자외선(EUV)에 대한 투과율이 70% 이상일 수 있다. 상기 펠리클 멤브레인(120)의 두께가 50 nm 이하일 수 있으며, 초극자외선(EUV)에 대한 투과율이 80% 이상일 수 있다. 또한 상기 펠리클 멤브레인(120)은 초극자외선(EUV)에 대한 투과율이 90% 이상일 수 있다.The thickness of the
또한 상기 펠리클 멤브레인(120)은 효율적인 패터닝을 위해 센티미터 스케일로 프리-스탠딩 (free-standing) 될 수 있다. In addition, the
예를 들어, 상기 펠리클 멤브레인(120)은 5 mm 이상의 일측 변 또는 지름을 갖는 사각형 또는 원형 펠리클 프레임(110)에 지지되어 프리-스탠딩될 수 있다.For example, the
실시예에서 상기 펠리클 멤브레인(120)은 상기 펠리클 프레임(110)에 소정의 멤브레인 접착제(미도시)에 의해 접착될 수 있다. 상기 멤브레인 접착제는 불소계 접착제, 아크릴계 접착제, 실리콘계 접착제 등일 수 있다.In an embodiment, the
또한 상기 펠리클 프레임(110)은 상기 마스크 기판(11)에 마스크 접착제(미도시)에 의해 접착될 수 있다. 상기 마스크 접착제는 겔상의 점착제층, 불소계 접착제, 아크릴계 접착제, 실리콘계 접착제 등일 수 있다.In addition, the
예를 들어, 상기 겔상의 점착제층의 재질로서는 실리콘 점착제, 우레탄계 점착제, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제 등일 수 있다. 예를 들어, EUV광을 사용하는 경우 내광성 등이 우수한 실리콘 점착제를 사용할 수 있다. For example, the material of the gel-like adhesive layer may be a silicone adhesive, a urethane-based adhesive, a rubber-based adhesive, or an acrylic adhesive. For example, when EUV light is used, a silicone adhesive having excellent light resistance and the like can be used.
한편, 실시예에서는 펠리클 프레임(110)은 상기 마스크 기판(11)에 별도의 접착제 없이 형성될 수도 있다. 예를 들어, 이후 설명되는 바와 같이 펠레클 프레임(110)이 3D 프린팅에 의해 마스크 기판(11) 상에 직접 형성될 수 있다. Meanwhile, in an embodiment, the
또한 실시예에서 펠리클 프레임(110)의 내면에는 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제 등의 점착성 물질을 도포하여 부유 이물의 포착이나 고정을 할 수 있다.In addition, in the embodiment, an adhesive material such as an acrylic adhesive or a silicone adhesive may be applied to the inner surface of the
또한, 실시예에서 펠리클 프레임(110)에는 내부의 기압 조정을 위해서 통기구(미도시)를 설치하고, 그 외측에 이물의 침입을 방지하기 위해서 다공질 박막으로 이루어지는 필터(미도시)를 부착할 수 있다. In addition, in the embodiment, the
한편, 최근 반도체 소자나 액정 디스플레이의 미세화가 진행됨에 따라서 펠리클을 레티클에 부착했을 때에 펠리클의 응력으로 레티클이 변형되는 결과로서 마스크 패턴의 위치 정밀도가 어긋나는 PID(Pellicle Induced Distortion) 문제가 대두되고 있다. 특히 실시예가 적용되는 10nm 이하의 초 미세화 패턴 기술에서는 PID 이슈가 매우 중요한 기술적 문제이다.On the other hand, as semiconductor devices or liquid crystal displays have recently progressed, the problem of PID (Pellicle Induced Distortion) in which the positional accuracy of the mask pattern deviates as a result of deformation of the reticle due to the stress of the pellicle when the pellicle is attached to the reticle has emerged. In particular, in the ultra-fine pattern technology of 10 nm or less to which the embodiment is applied, the PID issue is a very important technical problem.
실시예에 따른 펠리클(100)은 초극자외선(EUV)을 광원으로 사용하는 EUV 노광장비에 적용될 수 있다. EUV 노광장비는 DUV(심자외선, Deep Ultra Violet) 노광장비보다 더욱 미세한 집적회로를 구현할 수 있다. EUV파장은 DUV 대비 짧은 13.5nm이며, 파장이 짧으면 빛의 회절현상이 줄어든다. 따라서 EUV 노광장비는 보다 미세한 집적회로를 반도체용 웨이퍼 위에 패터닝할 수 있다. 예를 들어, EUV 노광장비는 비메모리 반도체의 선단공정(7nm 이하) 또는 DRAM 공정에 적용될 수 있다.The
실시예는 EUV 노광장비 뿐만 아니라 DUV 노광장비에도 적용될 수 있다.The embodiment can be applied not only to EUV exposure equipment but also to DUV exposure equipment.
한편, 노광장비의 해상력(Resolution)은 k1*λ/NA로 표현될 수 있다. DRAM 집적회로의 조밀도는 공정상수(k1) 및 파장(λ: wavelength)에 비례하고, 렌즈 수차(NA, Numerical Aperture)에 반비례한다. 렌즈 수차(NA)는 렌즈가 잡아낼 수 있는 최대의 회절각을 의미한다.Meanwhile, the resolution of the exposure equipment may be expressed as k1*λ/NA. The density of a DRAM integrated circuit is proportional to the process constant (k1) and wavelength (λ), and is inversely proportional to the lens aberration (NA, Numerical Aperture). Lens aberration (NA) refers to the maximum diffraction angle that a lens can capture.
한편, 셀과 셀의 간격을 더욱 촘촘하게 만들려면 위 해상력 공식에서 파장(wavelength)의 값을 줄이거나 NA(Numerical Aperture)의 값을 늘리면 된다.On the other hand, in order to make the cell-to-cell spacing tighter, the value of the wavelength in the above resolution formula can be reduced or the value of the NA (Numerical Aperture) can be increased.
EUV 노광장비 도입 이전 단계에 해당되는 DUV 노광장비에서는 분모의 구경을 키우기 위해 렌즈를 물에 담그는 액침(Immersion) 기법을 통해 36~38nm의 선폭까지 구현 가능하다.In the DUV exposure equipment, which is the stage prior to the introduction of the EUV exposure equipment, it is possible to implement a line width of 36 to 38 nm through the immersion technique in which the lens is immersed in water to increase the aperture of the denominator.
한편, EUV 노광장비에서는 분자에 해당되는 빛의 파장이 193nm에서13.5nm로 급격하게 축소되어 해상력이 세밀해져서 더욱 촘촘하게 전자회로가 설계가 가능하다.On the other hand, in EUV exposure equipment, the wavelength of light corresponding to the molecule is rapidly reduced from 193nm to 13.5nm, resulting in finer resolution, enabling more compact electronic circuit design.
그런데, 실시예가 적용되는 EUV 노광장비에서 빛의 파장이 193nm에서 3.5nm로 급격하게 축소되고, 이에 따라 10nm 이하의 초 미세화 패턴 기술 구현이 가능함에 따라 PID 문제는 더욱 중요한 기술적 문제로 대두되고 있다.However, in the EUV exposure equipment to which the embodiment is applied, the wavelength of light is rapidly reduced from 193 nm to 3.5 nm, and accordingly, the PID problem has emerged as a more important technical problem as it is possible to implement ultra-fine pattern technology of 10 nm or less.
구체적으로 종래기술에서 펠리클 프레임(110)과 레티클(10)의 마스크 기판(11) 사이의 열팽창 계수 차이가 있다. Specifically, there is a difference in coefficient of thermal expansion between the
예를 들어, 종래 기술에서 펠리클 프레임은 알루미늄(Al)을 가공하여 프레임 형상을 만들고 아노다이징(anodizing)한 알루미나(Al2O3)를 주성분으로 하며, 노광 광원의 반사를 최소화하기 위해 망간, 크롬, 카본 등의 착색제로 흑색으로 착색하여 흑색 알루미나를 주로 사용하고 있다.For example, in the prior art, the pellicle frame is made of aluminum (Al) to form a frame shape, and has anodized alumina (Al 2 O 3 ) as a main component, and manganese, chromium, and Black alumina is mainly used by coloring black with a colorant such as carbon.
실시예가 적용되는 10nm 이하의 초 미세화 패턴 기술에서 이러한 흑색 알루미나 재질의 펠리클 프레임과 석영 유리 기판의 열팽창 계수의 차이에 따른 PID 이슈가 매우 중요한 기술적 문제이다.In the ultra-fine pattern technology of 10 nm or less to which the embodiment is applied, the PID issue due to the difference in the thermal expansion coefficient between the pellicle frame made of black alumina and the quartz glass substrate is a very important technical problem.
종래 펠리클 기술개발은 광원 투과도 등의 관점에서 펠리클 멤브레인에 대한 연구가 있으나, EUV를 이용한 노광기술을 고려한 펠리클 프레임에 대한 연구가 미진한 상황이다.Conventional pellicle technology development has been conducted on a pellicle membrane in terms of light source transmittance, but research on a pellicle frame considering exposure technology using EUV is insufficient.
이에 따라 종래기술에 의하면, 펠리클 프레임과 펠리클 프레임이 장착되는 마스크 기판의 물질이 다름에 따라, 또는 펠리클 멤브레인과 펠리클 프레임의 물질이 다름에 따라 열적특성의 차이에 의한 PID(Pellicle Induced Distortion) 문제를 발생시킨다.Accordingly, according to the prior art, the problem of PID (Pellicle Induced Distortion) due to the difference in thermal characteristics is solved according to the material of the pellicle frame and the mask substrate on which the pellicle frame is mounted, or the material of the pellicle membrane and the pellicle frame. Occurs.
특히 에너지가 매우 높으나 투과율이 낮은 EUV의 상당량의 에너지가 펠리클 멤브레인과 펠리클 프레임에 흡수되어 리소그래피 공정에서 발생하는 열에 의한 열팽창 차이에 의한 PID 이슈는 더욱 중요해지고 있으나, 이에 대한 적절한 해결방안이 제시되지 못하는 상황이다. 또한 EUV가 적용되는 리소그래피의 경우, 패턴이 미세하여 열팽창 차이에 의한 PID 이슈로 인한 패턴 결함은 더욱 중요한 문제가 되고 있다.In particular, a significant amount of energy from EUV, which has a very high energy but low transmittance, is absorbed by the pellicle membrane and the pellicle frame, and the PID issue due to the difference in thermal expansion due to heat generated in the lithography process is becoming more important, but an appropriate solution to this It is a situation. In addition, in the case of lithography to which EUV is applied, pattern defects due to PID issues due to differences in thermal expansion become more important problems due to fine patterns.
한편, 종래기술에서는 펠리클 멤브레인의 재질을 개선하는 등으로 PID를 저감하는 시도가 있었으나, 펠리클 멤브레인의 재질과 펠리클 프레임의 재질은 다름에 따라 EUV가 적용되는 노광장치에서 PID(Pellicle Induced Defect) 문제가 제대로 해결되지 못하는 실정이다.On the other hand, in the prior art, attempts have been made to reduce PID by improving the material of the pellicle membrane, but the material of the pellicle membrane and the material of the pellicle frame are different, causing a PID (Pellicle Induced Defect) problem in the exposure apparatus to which EUV is applied. The situation cannot be solved properly.
또한 종래기술에서 반도체 기판의 대구경화 됨에 따라 레티클의 사이즈도 대구경화되어 펠리클도 대구경화가 요구되고 있다. 그런데, 펠리클이 대구경화 됨에 따라 펠리클의 수명이 급격히 단축되고 있다. 특히 알루미나 재질의 펠리클 프레임의 경우 취성(brittleness)으로 인해 약 10,000 웨이퍼 공정이 해당되는 약 3일 정도면 펠리클의 뒤틀림 발생하여 펠리클을 폐기해야 하는 실정이다.In addition, as the semiconductor substrate becomes larger in the prior art, the size of the reticle is also larger, so that the pellicle is also required to have a larger diameter. However, as the pellicle becomes larger, the life of the pellicle is rapidly shortened. In particular, in the case of a pellicle frame made of alumina, due to brittleness, the pellicle is distorted in about 3 days, which corresponds to the 10,000 wafer process, and the pellicle must be discarded.
또한 종래기술에서 알루미나 재질의 펠리클 프레임의 경우 기계적 가공에 의해 제조됨에 따라 평탄도(flatness) 확보가 어렵고, 부식방지성능이 낮으며, 변색(discolor)이 발생할 수 있으며, 연마단계에서 돌출(extrusion)이 발생하는 문제도 있다.In addition, in the case of a pellicle frame made of alumina in the prior art, as it is manufactured by mechanical processing, it is difficult to secure flatness, has low corrosion prevention performance, and may cause discoloration, and protrusion in the polishing step. There is also a problem with this occurring.
종래기술에서는 이러한 알루미나 재질의 펠리클 프레임의 기술적 문제에 대해 적절한 대안을 제시하지 못하는 실정이다.In the prior art, a suitable alternative to the technical problem of such a pellicle frame made of alumina cannot be provided.
이에 실시예의 기술적 과제는 초극자외선(EUV)을 이용한 노광 기술에 적합한 펠리클 프레임, 이를 포함하는 펠리클, 펠리클 프레임의 제조방법, 펠리클을 포함하는 노광장치 및 펠리클의 제조장치를 제공하고자 함이다.Accordingly, the technical task of the embodiment is to provide a pellicle frame suitable for exposure technology using ultra-ultraviolet (EUV), a pellicle including the same, a method of manufacturing a pellicle frame, an exposure apparatus including a pellicle, and a pellicle manufacturing apparatus.
앞서 기술한 바와 같이, 실시예가 적용되는 13.5nm의 파장의 초극자외선(EUV) 노광장치는 광원이 레티클(10)을 투과하는 것이 아닌 반사형일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.As described above, the ultra-extreme ultraviolet (EUV) exposure apparatus having a wavelength of 13.5 nm to which the embodiment is applied may be a reflective type in which the light source does not pass through the
예를 들어, 실시예의 EUV 노광장치에서는 소정의 광원이 레티클(10)의 하측에서 주입되어 반사될 수 있으며, 이때 마스크 기판(11)에 소정의 다층 박막 거울(multi-layer mirror)이 구비될 수 있다.For example, in the EUV exposure apparatus of the embodiment, a predetermined light source may be injected and reflected from the lower side of the
한편, 실시예가 적용되는 13.5nm의 파장의 EUV 노광장치가 반사형인 경우 광원 출력(Source power)이 더 높아지게 되어 펠리클에 의한 PID 이슈는 더욱 중요해진다. 특히 실시예가 적용되는 13.5nm의 파장의 EUV 노광장치는 진공에서 진행되는데, 이에 따라 노광 공정에서 발생한 열이 외부로 방열될 수 없으므로 PID 이슈는 더욱 극명하게 된다.On the other hand, when the EUV exposure apparatus having a wavelength of 13.5 nm to which the embodiment is applied is a reflective type, the source power becomes higher, and the PID issue caused by the pellicle becomes more important. In particular, the EUV exposure apparatus having a wavelength of 13.5 nm to which the embodiment is applied proceeds in a vacuum, and accordingly, heat generated in the exposure process cannot be radiated to the outside, so the PID issue becomes more pronounced.
또한 높아진 광원 출력에 따라 종래 기술의 알루미나 재질의 펠리클은 더욱 취약하여 수명이 단축되고, PID(Pellicle Induced Defect) 문제는 노광공정에서 치명적이 될 수 있다.In addition, according to the increased light source output, a pellicle made of alumina material of the prior art is more fragile, so that its lifespan is shortened, and a Pellicle Induced Defect (PID) problem may be fatal in the exposure process.
구체적으로 13.5nm의 파장인 EUV는 기체를 포함한 대부분의 물질에 흡수되는 독특한 성질을 갖고 있으며, 자연계의 대부분의 물질에 흡수되는 EUV의 성질은 노광 장비의 설계 변경이 필요하다. Specifically, EUV, which has a wavelength of 13.5 nm, has a unique property that is absorbed by most materials including gas, and the property of EUV that is absorbed by most materials in nature requires a design change of exposure equipment.
우선 노광 장비 내부는 진공 상태를 유지할 수 있으며, EUV는 공기에도 흡수되기 때문이다. 또한 기존 투과형 렌즈 역시 흡수 문제로 사용하기 어렵다.First of all, it is possible to maintain a vacuum state inside the exposure equipment, and EUV is also absorbed in the air. In addition, conventional transmissive lenses are also difficult to use due to absorption problems.
반면, EUV 장비는 마스크의 상을 축소 투영하기 위해 Mo과 Si을 여러 층으로 쌓은 다층 박막 거울(multi-layer mirror)로 EUV 광원을 반사시키는 방식을 채용할 수 있다.On the other hand, EUV equipment can adopt a method of reflecting the EUV light source with a multi-layer mirror stacked in several layers of Mo and Si in order to reduce the image of the mask.
한편, Mo-Si 다층박막 거울의 최대 반사효율은 약 70% 수준이어서 EUV 광원이 실제 웨이퍼 위로 도포된 감광제에 도달했을 때는 많은 양의 광원 손실이 발생하며, 이 같은 광원 손실은 노광 공정 시간의 지연을 야기시키고 있다.On the other hand, the maximum reflection efficiency of the Mo-Si multilayer thin film mirror is about 70%, so when the EUV light source reaches the photoresist applied on the actual wafer, a large amount of light source loss occurs, and this loss of light causes a delay in the exposure process time. Is causing.
나아가 종래 흑색 알루미나 재질의 펠리클 프레임은 광원을 흡수하므로 광원 손실을 더욱 유발시키는 문제가 있다.Furthermore, the pellicle frame made of a conventional black alumina material absorbs a light source, so there is a problem of further inducing light source loss.
실시예에 의하면, 펠리클 프레임(110)의 재료를 마스크 기판(11)의 재료인 석영(Quartz)과 열 팽창 계수가 비슷하거나 같은 재료를 이용할 수 있다. 이를 통해 PID을 최소화하여 마스크(mask)와 마스크 사용에 따른 Overlay(정반합)을 최소화할 수 있다.According to the embodiment, the material of the
실시예에서 펠리클 프레임(110)의 재료는 Zr, Mo, Nb, Si, Si3N4, SiC, Graphene, 보론카바이드(B4C), Ru, Ti, Ba 또는 이들의 혼합물일 수 있다.In the embodiment, the material of the
도 2b는 도 2a에 도시된 실시예에 따른 펠리클의 A1-A1'선을 따른 단면도이다.2B is a cross-sectional view taken along line A1-A1' of the pellicle according to the embodiment shown in FIG. 2A.
아래 표 1은 EUV(13.5nm)가 적용되는 노광 공정에서의 실시예의 펠리클 프레임(110)의 재료와 비교 재료(Al2O3)의 굴절률과 흡광 계수(extinction coefficient)이다. Table 1 below shows the refractive index and extinction coefficient of the material of the
흡광계수는 빛이 소정 두께의 물질에 직각으로 입사하도록 하여 광 산란을 만들지 않는 물질의 빛의 흡수(Absorption)하는 정도를 나타내는 계수이다. 빛의 흡수(Absorption)는 빛과 같은 파동이 매질 내를 지날 때 에너지 일부가 열 에너지 등으로 변환되는 현상으로 비 가역적인 열역학적 과정이며, 빛 에너지가 감소되며 온도가 올라가게 된다.The extinction coefficient is a coefficient representing the degree of absorption of light of a material that does not produce light scattering by allowing light to enter a material having a predetermined thickness at a right angle. Absorption of light is a phenomenon in which a part of energy is converted into thermal energy when a wave such as light passes through a medium. It is an irreversible thermodynamic process. Light energy decreases and temperature increases.
이에 따라 물질에 따라 흡광 계수(extinction coefficient)가 클수록 열 에너지 발생이 많아지게 되어 열팽창 정도가 커지게 된다.Accordingly, depending on the material, the greater the extinction coefficient, the greater the generation of thermal energy and the greater the degree of thermal expansion.
표 1을 참조하면, 실시예에서 펠리클 프레임(110)의 재료는 Zr, Mo, Nb, Si, Si3N4, SiC, Graphene, 보론카바이드(B4C), Ru, Ti, Ba 또는 이들의 혼합물일 수 있다.Referring to Table 1, the material of the
실시예가 DUV 노광장비에도 적용되는 경우 펠리클 프레임(110)의 재료는 Al2O3가 적용될 수도 있다.When the embodiment is also applied to the DUV exposure equipment, the material of the
실시예에 의하면, 펠리클 프레임(110)의 재료를 마스크 기판(11)의 재료인 석영(Quartz)과 열 팽창 계수가 비슷하거나 같은 재료를 이용할 수 있다. 이를 통해 PID을 최소화하여 마스크(mask)와 마스크 사용에 따른 Overlay(정반합)을 최소화할 수 있다.According to the embodiment, the material of the
예를 들어, 펠리클 프레임(110)의 재료는 흡광 계수(extinction coefficient)가 13.5nm에서 0.02000 미만일 수 있다. 예를 들어, 펠리클 프레임(110)의 재료는 흡광 계수(extinction coefficient)가 13.5nm에서 0.00183 내지 0.01709 일 수 있다.For example, the material of the
예를 들어, 펠리클 프레임(110)의 재료는 흡광 계수(extinction coefficient)가 13.5nm에서 Si의 흡광 계수의 10배 이하일 수 있다. 예를 들어, 펠리클 프레임(110) 재료는 흡광 계수(extinction coefficient)가 13.5nm에서 0.00183 내지 0.01830일 수 있다. 예를 들어, 펠리클 프레임(110)의 재료는 흡광 계수(extinction coefficient)가 13.5nm에서 0.00183 내지 0.01709 일 수 있다.For example, the material of the
실시예에 의하면, 펠리클 프레임(110)의 재료를 마스크 기판(11)의 재료인 석영(Quartz)과 열 팽창 계수가 비슷하거나 같은 재료를 이용함으로써 PID을 최소화하여 마스크(mask)와 마스크 사용에 따른 Overlay(정반합)을 최소화할 수 있다.According to the embodiment, the material of the
이를 통해 실시예에 의하면, 초극자외선(EUV)을 이용한 노광 기술에 적합한 일체화된 프레임과 멤브레인을 포함하는 펠리클, 그 제조방법 및 펠리클을 포함하는 노광장치를 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다.Through this, according to the embodiment, there is a technical effect of providing a pellicle including an integrated frame and a membrane suitable for exposure technology using ultra-ultraviolet (EUV), a manufacturing method thereof, and an exposure apparatus including the pellicle.
또한 실시예에서는 펠리클 프레임(110)은 상기 마스크 기판(11)에 별도의 접착제 없이 형성될 수도 있다. 예를 들어, 이후 설명되는 바와 같이 펠레클 프레임(110)이 3D 프린팅에 의해 마스크 기판(11) 상에 직접 형성될 수 있다.In addition, in an embodiment, the
이에 따라 실시예에 의하면, 펠리클 프레임(110)이 마스크 기판(11) 상에 형성됨에 따라 별도의 접착제가 필요하지 않으므로 아웃개싱 문제를 근원적으로 해결할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.Accordingly, according to the embodiment, since a separate adhesive is not required as the
또한 실시예의 펠리클 멤브레인(120)의 두께는 100㎚ 이하일 수 있으며, 13.5㎚의 초극자외선(EUV)에 대한 투과율이 70% 이상일 수 있다. 상기 펠리클 멤브레인(120)의 두께가 50 nm 이하일 수 있으며, EUV에 대한 투과율이 80% 이상일 수 있다. 또한 상기 펠리클 멤브레인(120)은 EUV에 대한 투과율이 90% 이상일 수 있다.In addition, the thickness of the
다음으로 도 3은 실시예에 따른 펠리클의 제2 실시예이다.Next, Figure 3 is a second embodiment of the pellicle according to the embodiment.
도 3을 참조하면, 제2 실시예에 따른 펠리클(100B1)에서 제2 펠리클 프레임(110b1)의 상부와 하부에서의 수평 폭이 서로 다를 수 있다.Referring to FIG. 3, in the pellicle 100B1 according to the second embodiment, horizontal widths at the top and the bottom of the second pellicle frame 110b1 may be different from each other.
예를 들어, 제2 펠리클 프레임(110b1)은 펠리클 멤브레인(120)과 접하는 하부의 제1 수평 폭은 마스크 기판(11)과 접하는 상부의 제2 수평 폭에 비해 작을 수 있다.For example, the first horizontal width of the lower portion of the second pellicle frame 110b1 in contact with the
실시예에 의하면, 제2 펠리클 프레임(110b1)의 재료를 마스크 기판(11)의 재료인 석영(Quartz)과 열 팽창 계수가 비슷하거나 같은 재료를 이용할 수 있다. 이를 통해 PID을 최소화하여 마스크(mask)와 마스크 사용에 따른 Overlay(정반합)을 최소화할 수 있다.According to the embodiment, the material of the second pellicle frame 110b1 may be a material having a thermal expansion coefficient similar to or equal to that of quartz, which is a material of the
나아가 실시예에서 마스크 기판(11)과 접하는 제2 펠리클 프레임(110b1)의 제2 수평 폭을 펠리클 멤브레인(120)과 접하는 제1 수평 폭에 비해 크게 형성함으로써 페리클의 열적 팽창에 의한 스트레스가 마스크 기판(11)에 분산되도록 함으로써 PID 이슈를 최소화할 수 있는 기술적 효과가 있다.Further, in the embodiment, the second horizontal width of the second pellicle frame 110b1 in contact with the
또한 수직 단면도를 기준으로 제2 펠리클 프레임(110b1)의 내측벽은 수직하며, 외측벽은 경사질 수 있다. 이를 통해 내측에 광투광 영역을 확보하면서 마스크 기판(11)과 제2 펠리클 프레임(110b1)의 접촉면적을 넓게 확보할 수 있다.In addition, the inner wall of the second pellicle frame 110b1 is vertical based on the vertical cross-sectional view, and the outer wall may be inclined. Through this, while securing a light-transmitting area inside, it is possible to secure a wide contact area between the
다음으로 도 4는 실시예에 따른 펠리클의 제3 실시예이다. Next, Figure 4 is a third embodiment of the pellicle according to the embodiment.
도 4를 참조하면, 제3 실시예에 따른 펠리클(100C1)에서 제3 펠리클 프레임(110c1)의 상부와 하부에서의 수평 폭이 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제3 펠리클 프레임(110c1)은 펠리클 멤브레인(120)과 접하는 하부의 제1 수평 폭은 마스크 기판(11)과 접하는 상부의 제2 수평 폭에 비해 작을 수 있다.Referring to FIG. 4, in the pellicle 100C1 according to the third embodiment, horizontal widths at the upper and lower portions of the third pellicle frame 110c1 may be different from each other. For example, the first horizontal width of the lower portion of the third pellicle frame 110c1 in contact with the
또한 제3 펠리클 프레임(110c1)의 내부는 비어일 수 있다. 또한 제3 펠리클 프레임(110c1)의 내측, 외측 벽은 기공(미도시)이 구비될 수 있다.In addition, the inside of the third pellicle frame 110c1 may be a via. Also, the inner and outer walls of the third pellicle frame 110c1 may have pores (not shown).
실시예에 의하면, 펠리클 프레임의 재료를 마스크 기판(11)의 재료인 석영(Quartz)과 열 팽창 계수가 비슷하거나 같은 재료를 이용할 수 있다. 이를 통해 PID을 최소화하여 마스크(mask)와 마스크 사용에 따른 Overlay(정반합)을 최소화할 수 있다.According to the embodiment, the material of the pellicle frame may be a material having a coefficient of thermal expansion similar to or equal to that of quartz, which is a material of the
나아가 실시예에서 제3 펠리클 프레임(110c1)의 내부는 비어일 수 있도록 함으로써 제3 펠리클 프레임(110c1)의 열적 에너지를 제3 펠리클 프레임(110c1) 빈 공간에 흡수하고, 기공을 통해 외부로 배출시킴으로써 페리클 프레임의 열적 팽창에 의한 스트레스나 에너지를 분산되도록 함으로써 PID 이슈를 최소화할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.Further, in the embodiment, the interior of the third pellicle frame 110c1 is made to be empty, so that the thermal energy of the third pellicle frame 110c1 is absorbed into the empty space of the third pellicle frame 110c1 and discharged to the outside through the pores. There is a special technical effect that can minimize PID issues by dispersing stress or energy due to thermal expansion of the pellicle frame.
다음으로 도 5a 내지 도 5h는 실시예에 따른 펠리클의 제조장치 또는 제조방법에 대한 설명도이며, 도 6a 내지 도 6c는 실시예에 따른 펠리클의 제조장치에 대한 설명도이다.Next, FIGS. 5A to 5H are diagrams illustrating an apparatus or method for manufacturing a pellicle according to an exemplary embodiment, and FIGS. 6A to 6C are explanatory diagrams illustrating an apparatus for manufacturing a pellicle according to an exemplary embodiment.
실시예에서 펠리클은 Hyper vision process control에 의한 3D printing으로 제조될 수 있다. In an embodiment, the pellicle may be manufactured by 3D printing by Hyper vision process control.
구체적으로 3D printing시 Optical Heterodyning 3D inspection을 이용하여 한 레이어씩(layer by layer) Closed loop로 3차원 표면의 피드백을 통한 시뮬레이션(simulation)하여 CAD 설계도면대로 printing 되는지 확인할 수 있다.Specifically, during 3D printing, it is possible to check whether the printing is done according to the CAD design drawing by simulating through the feedback of the 3D surface in a layer by layer closed loop using Optical Heterodyning 3D inspection.
우선 도 5a는 실시예에 따른 펠리클의 3D 제조장치의 개념도이다.First, FIG. 5A is a conceptual diagram of a 3D manufacturing apparatus for a pellicle according to an embodiment.
실시예에 따른 펠리클의 3D 제조장치는 샘플 영역(SA)에 회전 가능한 구조광(Structure light)를 발생하는 광원 장치(light source apparatus)(210)에 의해 구조광이 조사될 수 있다. 이때 구조광이 조사된 샘플 영역(SA)을 소정의 센서(220)에 의해 감지하여 컴퓨터 등의 제어부(230)에서 제조공정을 판단 및 제어할 수 있다.In the 3D manufacturing apparatus of a pellicle according to the embodiment, structured light may be irradiated by a
실시예에서 EUV용 펠리클 프레임(110)은 Zr, Mo, Nb, Si, Si3N4, SiC, Graphene, 보론카바이드(B4C), Ru, Ti, Ba 또는 이들의 혼합물을 3D printing을 이용하여 제조될 수 있다.In the embodiment, the
잠시 도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 실시예에 따른 펠리클의 3D 제조장치는 나노 잉크 젯(nano ink jet) 장비를 구비할 수 있으며, 나노 잉크 젯은 나노 노즐(nano nozzle)(310)을 구비할 수 있다. Referring to FIGS. 6A to 6C for a moment, the 3D manufacturing apparatus of the pellicle according to the embodiment may include a nano ink jet equipment, and the nano ink jet includes a
실시예에서 나노 노즐(310)은 펠리클 프레임 재료인 Zr, Mo, Nb, Si, Si3N4, SiC, Graphene, 보론카바이드(B4C), Ru, Ti, Ba 또는 이들의 혼합물을 소정의 스테이지(150) 상의 기판(160) 상에 nano drop으로 떨어 트릴 수 있다.In the embodiment, the nano-
실시예에서 펠리클 프레임 재료에 아크릴 혼합물을 포함함으로써 막질의 품질을 향상시킬 수 있다. In the embodiment, the quality of the film may be improved by including the acrylic mixture in the pellicle frame material.
실시예에서 3D 프린터 스테이지(stage)(150)는 정밀 플로팅 스테이지(floating stage)을 이용할 수 있으며, 초정밀도(ultra-high accuracy), 낮은 파티클(low particles) 및 디펙트 없는 막질(defect free film)을 프린팅할 수 있다.In the embodiment, the
실시예는 나노 잉크 젯(nano ink jet)으로 분사되는 물질을 3D 측정으로 피드백(feedback)을 통한 공정제어하여 실시간으로 프린터 헤드(printer-head)을 관찰하고 동시에 실시간 교정(calibration)하여 공정의 수율을 보장할 수 있다.In the embodiment, a process control through a feedback (feedback) of a material sprayed by a nano ink jet is performed by 3D measurement to observe a printer-head in real time, and at the same time, a real-time calibration is performed. Can be guaranteed.
도 6b를 참조하면, 나노 노즐(310)은 복수의 사이즈의 nano drop이 가능한 복수의 사이즈의 나노 노즐을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 나노 노즐(310)은 제1 내지 제9 나노 노즐(310a, 310b, 310c, 310d, 310e, 310f, 310g, 310h, 310i)등을 포함할 수 있고, 이들 노즐에 대한 인공지능 혼합(Mixing) 제어가 가능할 수 있다.Referring to FIG. 6B, the
실시예에서는 인공지능 혼합 제어는 프로그램을 통해 펠리클의 균일도(uniformity)를 확보하고 뮤라(mura) 없는 막을 얻기 위해 나노 노즐 사이즈와 위치를 변경하여 최대한의 균질성과 균일성을 확보할 수 있다. In the embodiment, the artificial intelligence mixing control can secure maximum homogeneity and uniformity by changing the size and position of the nano-nozzle in order to secure the uniformity of the pellicle through the program and obtain a mura-free film.
예를 들어, 펠리클 프레임(110) 형성공정에서의 나노 드랍의 사이즈를 달리 제어할 수 있다. For example, the size of the nanodrops in the process of forming the
실시예에 의하면 인공지능 혼합 제어로 막질의 균일성과 높은 품질(higher quality), 높은 막 균일도(higher film uniformity)를 만들어 낼 수 있는 효과가 있다.According to the embodiment, there is an effect of producing film quality uniformity, higher quality, and higher film uniformity by artificial intelligence mixing control.
다음으로 도 6c를 참조하면, 기판(160) 상에 나노 드랍된 펠리클 프레임(110) 물질을 IR 히터(330)와 UV(320)로 처리하여 표면 상태를 플랫(flat)하고 부드럽게 만들며 동시에 표면장력(surface tension)을 조절할 수 있다.Next, referring to FIG. 6C, the material of the
또한 기판(160) 상에 나노 드랍된 펠리클 프레임(110) 물질은 UV(320)로 경화되는 과정에서 투광성을 확보할 수 있다. In addition, the material of the
다음으로 도 5b는 임의의 각도들에서 투사된 광원의 복합 이미지 중에서 Reference 이미지이며, 도 5c는 사각형 샘플 영역(SA)을 포함한 이미지이다.Next, FIG. 5B is a reference image among composite images of light sources projected at arbitrary angles, and FIG. 5C is an image including a rectangular sample area SA.
다음으로 도 5d는 많은 회전에 있어서 단일 픽셀 트레이스(Single Pixel Trace)에 대한 시간(time)에 따른 Sample과 Reference의 상변화(Phase difference) Amplitude 데이터이다.Next, FIG. 5D shows the phase difference amplitude data of a sample and a reference according to time for a single pixel trace in many rotations.
다음으로 도 5e와 도 5f는 각각 실시예에서의 Optical Heterodyning 3D inspection의 분광학(spectroscopy)으로서 Green Object in field of view이며, Stacked Images이다. Next, FIGS. 5E and 5F are Green Objects in Field of View as spectroscopy of Optical Heterodyning 3D inspection in the embodiment, and are Stacked Images.
다음으로 도 5g를 참조하면, 다양한 파장에서 Single Pixel trace는 Green에서만 response를 나타내고 있다. 다음으로 도 5g은 상대적 상(Relative Phase)과 파장 정보(wavelength information)의 합성 이미지(synthetic image), 합성 시그널(mixed signal)이다. Next, referring to FIG. 5G, a single pixel trace at various wavelengths shows a response only in Green. Next, FIG. 5G is a synthetic image and a mixed signal of a relative phase and wavelength information.
이를 통해, 실시예에서 펠리클 프레임은 3D printing시 Optical Heterodyning 3D inspection을 이용하여 한 레이어씩(layer by layer) Closed loop로 3차원 표면의 피드백을 통한 시뮬레이션(simulation)하여 CAD 설계도면대로 printing 되는지 확인할 수 있다.Through this, in the embodiment, the pellicle frame is simulated through the feedback of the 3D surface in a layer by layer closed loop using Optical Heterodyning 3D inspection during 3D printing, so that it can be checked whether it is printed according to the CAD design drawing. have.
이를 통해 실시예에서 펠리클 프레임은 Hyper vision process control에 의한 3D printing으로 제조될 수 있다. Through this, the pellicle frame in the embodiment can be manufactured by 3D printing by Hyper vision process control.
또한 실시예에 의하면 나노 드랍(Nano Drop)되는 물질은 에러보정 알고리즘(error compensation algorithm)으로 제어하여 막질을 최대한 균일 하게 도포 되도록 할 수 있다.In addition, according to the embodiment, the material to be nano-dropped may be controlled by an error compensation algorithm to ensure that the film quality is applied as uniformly as possible.
또한 실시예는 나노 잉크 젯(nano ink jet)으로 분사되는 물질을 3D 측정으로 피드백(feedback)을 통한 공정제어하여 초신속(Ultra-fast)으로 프린터 헤드(printer-head)을 관찰하고 동시에 실시간 교정(calibration)하여 공정의 수율을 보장할 수 있다.In addition, the embodiment controls the process through feedback through a 3D measurement of a material sprayed with a nano ink jet to observe the printer-head at ultra-fast and simultaneously calibrate it in real time. (Calibration) can guarantee the yield of the process.
다음으로 3D 프린팅으로 만든 펠리클 프레임(110)을 고온을 이용하여 소결(sintering)할 수 있다. 이때 소결의 조건은 물질에 따라 다르며 소결시 재료의 안정화를 위해 특정 분위기 가스(ambient gas)를 넣어준다. 실시예에서 펠리클의 소결은 레이저(laser) 소결 또는 고온, 예를 들어 1400℃ 내외에서 열적 소결을 진행할 수 있다.Next, the
실시예에 의하면, 초극자외선(EUV)을 이용한 노광 기술에 적합한 펠리클 프레임, 이를 포함하는 펠리클, 펠리클 프레임의 제조방법, 펠리클을 포함하는 노광장치 및 펠리클의 제조장치를 제공할 수 있는 기술적 효과가 있다.According to the embodiment, there is a technical effect that can provide a pellicle frame suitable for exposure technology using ultra-ultraviolet (EUV), a pellicle including the same, a method for manufacturing a pellicle frame, an exposure apparatus including a pellicle, and a pellicle manufacturing apparatus. .
또한 실시예에 의하면 마스크 기판과 펠리클 프레임의 물질이 다름에 따라 열적특성의 차이에 의해 발생되는 PID(Pellicle Induced Distortion) 문제를 해결할 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, according to the embodiment, there is a technical effect of solving the problem of PID (Pellicle Induced Distortion) caused by a difference in thermal characteristics as the material of the mask substrate and the pellicle frame are different.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the embodiments above are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments have been described above, these are only examples and are not intended to limit the embodiments, and those of ordinary skill in the field to which the embodiments belong are not departing from the essential characteristics of the embodiments. It will be seen that branch transformation and application are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set in the appended claims.
Claims (20)
상기 펠리클 프레임은 3D 프린팅에 의해 형성되며,
상기 펠리클 프레임 재료의 흡광 계수(extinction coefficient)가 13.5nm의 광원에서 0.02000 미만인 펠리클 프레임.In the pellicle frame of the pellicle used in the exposure process,
The pellicle frame is formed by 3D printing,
A pellicle frame having an extinction coefficient of the pellicle frame material of less than 0.02000 in a light source of 13.5 nm.
상기 펠리클 프레임 재료의 흡광 계수(extinction coefficient)는 13.5nm의 광원에서 0.00183 내지 0.01709인 펠리클 프레임.The method of claim 1,
The extinction coefficient of the pellicle frame material is 0.00183 to 0.01709 in a light source of 13.5 nm.
상기 펠리클 프레임 재료의 흡광 계수(extinction coefficient)가 13.5nm의 광원에서 Si의 흡광 계수의 10배 이하인 펠리클 프레임.The method of claim 1,
A pellicle frame in which an extinction coefficient of the pellicle frame material is 10 times or less than that of Si in a light source of 13.5 nm.
상기 펠리클 프레임의 재료는
Zr, Mo, Nb, Si, Si3N4, SiC, 그래핀(Graphene), 보론카바이드(B4C), Ru, Ti, Ba 또는 이들의 혼합물 중 어느 하나를 포함하는 펠리클 프레임.The method of claim 1,
The material of the pellicle frame is
Zr, Mo, Nb, Si, Si 3 N 4 , SiC, graphene (Graphene), boron carbide (B4C), Ru, Ti, Ba or a pellicle frame comprising any one of a mixture thereof.
상기 펠리클 프레임의 재료는
Al2O3를 포함하는 펠리클 프레임.The method of claim 1,
The material of the pellicle frame is
A pellicle frame containing Al 2 O 3 .
상부와 하부에서의 수평 폭이 서로 다른 펠리클 프레임.The method of claim 1,
Pellicle frames with different horizontal widths at the top and bottom.
상기 펠리클 프레임은
펠리클 멤브레인과 접하는 하부의 제1 수평 폭이 소정의 마스크 기판과 접하는 상부의 제2 수평 폭에 비해 작은 펠리클 프레임.The method of claim 6,
The pellicle frame
A pellicle frame in which a lower first horizontal width in contact with the pellicle membrane is smaller than a second horizontal width in an upper part in contact with a predetermined mask substrate.
상기 펠리클 프레임의 내측벽은 수직하며, 외측벽은 경사진 펠리클 프레임.The method of claim 6,
The inner wall of the pellicle frame is vertical, the outer wall is inclined pellicle frame.
상기 펠리클 프레임은
펠리클 멤브레인과 접하는 하부의 제1 수평 폭은 소정의 마스크 기판과 접하는 상부의 제2 수평 폭에 비해 큰 펠리클 프레임.The method of claim 6,
The pellicle frame
A pellicle frame having a lower first horizontal width in contact with the pellicle membrane than a second horizontal width at the upper part in contact with a predetermined mask substrate.
상기 펠리클 프레임의 내부는 비어 있는 펠리클 프레임.The method of claim 6,
The inside of the pellicle frame is an empty pellicle frame.
상기 펠리클 프레임 상에 배치되는 펠리클 멤브레인;을 포함하는 펠리클.The pellicle frame of any one of claims 1 to 10; And
A pellicle comprising; a pellicle membrane disposed on the pellicle frame.
상기 펠리클 프레임은,
Zr, Mo, Nb, Si, Si3N4, SiC, 그래핀(Graphene), 보론카바이드(B4C), Ru, Ti, Ba 또는 이들의 혼합물 중 어느 하나를 포함하여 3D 프린팅을 통해 제조되는 펠리클 프레임의 제조방법.In the manufacturing method of the pellicle frame of the pellicle used in the exposure process,
The pellicle frame,
A pellicle frame manufactured through 3D printing including any one of Zr, Mo, Nb, Si, Si 3 N 4 , SiC, graphene, boron carbide (B4C), Ru, Ti, Ba, or a mixture thereof Method of manufacturing.
상기 펠리클 프레임은,
한 레이어씩(layer by layer) Closed loop로 3차원 표면의 피드백을 통한 시뮬레이션(simulation)하여 CAD 설계도면대로 프린팅되는지 판단하는 펠리클 프레임의 제조방법.The method of claim 12,
The pellicle frame,
A method of manufacturing a pellicle frame that determines whether to print according to the CAD design drawing by simulating through the feedback of a three-dimensional surface with a layer by layer closed loop.
상기 3D 프린팅으로 제조된 펠리클 프레임은 레이저(laser) 소결 또는 열적 소결의 소결단계를 더 포함하는 펠리클 프레임의 제조방법.The method of claim 13,
The pellicle frame manufactured by 3D printing further comprises a sintering step of laser sintering or thermal sintering.
상기 노광 광원이 조사되는 레티클; 및
상기 레티클 상에 배치되는 제11항의 펠리클;을 포함하는 노광장치.Exposure light source;
A reticle to which the exposure light source is irradiated; And
An exposure apparatus comprising: the pellicle of claim 11 disposed on the reticle.
상기 노광 광원은 상기 레티클의 하측에서 주입되어 반사되며,
상기 레티클의 마스크 기판은 소정의 다층 박막 거울(multi-layer mirror)을 포함하여 상기 노광 광원을 반사시키는 노광장치.The method of claim 15,
The exposure light source is injected and reflected from the lower side of the reticle,
An exposure apparatus for reflecting the exposure light source including a predetermined multi-layer mirror on the mask substrate of the reticle.
상기 스테이지 상의 기판 상에 나노 드랍이 가능한 나노 노즐;을 포함하고,
상기 나노 노즐은,
복수의 사이즈를 구비하는 복수의 나노 노즐을 포함하고,
상기 나노 노즐은,
Zr, Mo, Nb, Si, Si3N4, SiC, 그래핀(Graphene), 보론카바이드(B4C), Ru, Ti, Ba 또는 이들의 혼합물 중 어느 하나를 포함하여 3D 프린팅을 통해 펠리클 프레임을 제조하는 펠리클의 제조장치.stage;
Including; a nano nozzle capable of nano-dropping on the substrate on the stage,
The nano nozzle,
Including a plurality of nano nozzles having a plurality of sizes,
The nano nozzle,
Zr, Mo, Nb, Si, Si 3 N 4 , SiC, graphene, boron carbide (B4C), Ru, Ti, Ba, or any one of these mixtures, including 3D printing to manufacture a pellicle frame A device for manufacturing a pellicle.
상기 나노 노즐은
상기 복수의 사이즈의 나노 노즐에 대한 인공지능 혼합 제어가 가능한 펠리클의 제조장치.The method of claim 17,
The nano nozzle is
An apparatus for manufacturing a pellicle capable of artificial intelligence mixing control for the plurality of sizes of nano nozzles.
상기 기판 상에 나노 드랍된 펠리클 프레임 물질을 IR 히터와 UV로 열처리 진행하는 펠리클의 제조장치.The method of claim 17,
An apparatus for manufacturing a pellicle for heat-treating the nano-dropped pellicle frame material on the substrate with an IR heater and UV.
상기 펠리클 프레임은,
한 레이어씩(layer by layer) Closed loop로 3차원 표면의 피드백을 통한 시뮬레이션(simulation)하여 CAD 설계도면대로 프린팅되는지 판단하여 형성되는 펠리클의 제조장치.The method of claim 17,
The pellicle frame,
A device for manufacturing pellicles that is formed by determining whether to print according to the CAD design drawing by simulating through the feedback of the three-dimensional surface with a layer by layer closed loop.
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