KR20210011971A

KR20210011971A - 무선 통신을 위한 장치 및 방법

Info

Publication number: KR20210011971A
Application number: KR1020207036481A
Authority: KR
Inventors: 필순 초이; 디미트리 안토니아디스; 천 쳬 분; 유진 에이. 피츠제랄드
Original assignee: 난양 테크놀러지컬 유니버시티; 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지
Priority date: 2018-05-18
Filing date: 2019-05-10
Publication date: 2021-02-02
Also published as: US20210250057A1; US11303316B2; EP3794734A1; JP2021523646A; WO2019221670A1; EP3794734A4; KR102444728B1; JP7178427B2

Abstract

무선 통신을 위한 장치 및 방법, 그리고 그 장치를 제조하는 방법. 장치는 2개 이상의 트랜시버 어레이 그룹들을 포함하고, 각각의 트랜시버 어레이 그룹은 하나 이상의 라디오 주파수(RF) 회로들 및 하나 이상의 RF 프론트 엔드(RF FE) 회로들을 포함하고; 여기서 트랜시버 어레이 그룹들은 상이한 주파수들에서 동작하도록 구성되고; 여기서 트랜시버 어레이 그룹들은 하나의 대응하는 디지털 기저대역 프로세서에 연결되도록 구성되고; 여기서 트랜시버 어레이 그룹들은 cm 파장 이상에서 동작하도록 구성되는 적어도 하나의 제1 트랜시버 어레이 그룹을 포함한다. 바람직하게는, 트랜시버 어레이 그룹들은 mm 파장에서 동작하도록 구성되는 적어도 하나의 제2 트랜시버 어레이 그룹을 포함한다.

Description

무선 통신을 위한 장치 및 방법

본 발명은 광범위하게는 무선 통신을 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 다수의 캐리어들 및 안테나들에 대한 집적 무선 트랜시버에 관한 것이다.

명세서 전반에 걸친 선행 기술의 임의의 언급 및/또는 논의는 이 선행 기술이 잘 알려져 있거나 또는 그 분야에서 통상적인 일반 지식의 일부를 형성한다는 인정으로서 어떤 식으로든 간주되어서는 안 된다.

차세대 모바일 네트워크, 즉, 5G는 방대한 규모의 사물 인터넷(Internet-of-Things)(IoT) 디바이스들 및 다양한 디바이스들, 센서들, 및 애플리케이션들의 도전적인 연결 요건들을 핸들링할 필요가 있을 것이다. 그것은 1ms 미만의 레이턴시(latency)로 자율 자동차들 및 고정밀 미션-크리티컬(mission-critical) 산업 디바이스들에 대한 높은 신뢰성과 가용성을 실시간으로 또한 제공할 것이다. 더욱이, 4G 롱 텀 에볼루션(long term evolution)(LTE)으로부터의 혁신으로서, 5G는 최대 20Gbps의 다운로드 속도들을 제공할 것이다. 5G 뉴 라디오(new radio)(NR)는 상기의 새로운 라디오 액세스 기술에 대한 수요를 해결하는 진정한 5G 기본 기술이다. 5G는 세계의 가장 도전적이고 원거리인 지역들에서 진정한 유비쿼터스 네트워크를 또한 제공하여, 매우 다양한 속도 및 데이터 볼륨 요건들을 갖는 수십억 개의 사물 인터넷(IoT) 디바이스들을 연결할 것이다.

그러나, 특히 모바일 디바이스에서 5G NR을 실현하는 것은 매우 도전적인 일인데, 이는 그것이 극히 높은 데이터 레이트들 및 강건성(robustness)을 위해 캐리어 집성(carrier aggregation)(CA), 다중 입력 다중 출력(multiple input multiple output)(MIMO), 및 mm-Wave와 같은 많은 신흥 기술들과 함께 구현될 필요가 있기 때문이다. 예를 들어, 5G는 끊임없는 사용자 경험을 위해 상기의 신흥 기술들과 함께 6GHz 미만 및 mm-Wave 주파수들 양측 모두를 사용할 것인데, 이는 넓은 면적 및 전력 소비를 야기하는 다수의 라디오 주파수(radio frequency)(RF) 채널들을 요구한다. 따라서, 5G NR의 높은 레벨의 집적이 스마트폰 또는 사용자 장비(user equipment)(UE) 상에서 그것을 실현하는 데 중요하다.

캐리어 집성(CA), 매시브(massive) 다중 입력 다중 출력(MIMO), 및 높은 레벨의 직교 진폭 변조(quadrature amplitude modulation)(QAM)와 같은 혁신들의 조합이 구현되는 5G NR에 의해 최대 20Gbps의 속도들이 달성될 것이다. 도 1은 상이한 대역폭 및 캐리어 주파수들을 가진 3개의 캐리어 컴포넌트(carrier component)(CC)들, 즉, CC₁/f₁, CC₂/f₂ 및 CC₃/f₃의 CA의 개념을 도시한다. 그것은 직교 주파수 분할 멀티플렉싱(orthogonal frequency division multiplexing)(OFDM) 통신에 기초하기 때문에, 각각의 CC는 데이터 송신 시에 데이터 레이트 요건 및 주파수 가용성에 따라, 상이한 서브캐리어(예를 들어, 100, 101, 102) 이격을 갖는 그의 OFDM 신호의 상이한 수의 서브캐리어들을 수용할 수 있다. 도 1의 CC₃이 mm-Wave 주파수 범위에 있다고 가정하면, 그것은 mm-Wave 주파수들의 많은 주파수 리소스들 및 안테나 빔포밍(antenna beam forming)을 사용한 공간 멀티플렉싱 기법으로 인해 더 넓은 대역폭을 점유할 수 있다.

이용가능한 캐리어 주파수 및 대역폭 리소스들은 실제 통신 환경에서 동적으로 변경된다. 그러한 동적 조건들에서 캐리어 집성을 지원하려면, 채널 가용성이 유지되는 동안 하나 또는 다수의 사용자들을 위한 높은 데이터 레이트들 및 강건성으로, 디지털 기저대역 프로세서로부터의 다수의 데이터 스트림들을 전달하기 위해 무선 송신 및 수신의 각각의 순간에 상이한 주파수 대역들(예를 들어, 1GHz 미만, 2.4GHz ISM, 및/또는 mm-Wave)에서의 상이한 수의 RF 트랜시버들이 동시에 활성화되어야 한다.

US20160248451A1은 밀리미터 파 무선 통신들을 위한 트랜시버 아키텍처를 설명한다. 트랜시버 아키텍처는, 상이한 주파수 범위들에서 통신하도록 구성되는 2개의 트랜시버 칩 모듈들을 포함한다. 제1 트랜시버 칩 모듈은 기저대역 서브-모듈, 제1 라디오 주파수 프론트 엔드(radio frequency front end)(RF FE) 컴포넌트 및 연관된 안테나 어레이를 포함한다. 제2 트랜시버 칩 모듈은 제2 RF FE 컴포넌트 및 연관된 안테나 어레이를 포함한다. 제2 트랜시버 칩 모듈은 제1 트랜시버 칩 모듈과 분리되어 있고 제1 트랜시버 칩 모듈의 기저대역 서브-모듈에 전기적으로 커플링된다.

그러나, US20160248451A1에 설명된 트랜시버 아키텍처에서는, 다수의 트랜시버 칩 모듈들이 요구되고 단지 밀리미터 파 주파수 범위들에서만 동작한다. 또한, 인쇄 회로 보드 기술을 사용함에 있어서, US20160248451A1에 설명된 트랜시버 아키텍처의 듀얼 칩 구현은 면적 및 전력 효율적인 설계를 제공하지 못한다.

본 발명의 실시예들은 상기의 문제들 중 적어도 하나를 해결하고자 한다.

본 발명의 제1 양태에 따르면, 2개 이상의 트랜시버 어레이 그룹들을 포함하는, 무선 통신을 위한 장치가 제공되고, 각각의 트랜시버 어레이 그룹은 하나 이상의 라디오 주파수(RF) 회로들 및 하나 이상의 RF 프론트 엔드(RF FE) 회로들을 포함하고; 여기서 트랜시버 어레이 그룹들은 상이한 주파수들에서 동작하도록 구성되고; 여기서 트랜시버 어레이 그룹들은 하나의 대응하는 디지털 기저대역 프로세서에 연결되도록 구성되고; 여기서 트랜시버 어레이 그룹들은 cm 파장 이상에서 동작하도록 구성되는 적어도 하나의 제1 트랜시버 어레이 그룹을 포함한다. 바람직하게는, 트랜시버 어레이 그룹들은 mm 파장에서 동작하도록 구성되는 적어도 하나의 제2 트랜시버 어레이 그룹을 포함한다.

본 발명의 제2 양태에 따르면, 무선 통신을 위한 방법이 제공되고, 이 방법은, 상이한 주파수들에서 2개 이상의 트랜시버 어레이 그룹들을 동작시키는 단계 - 각각의 트랜시버 어레이 그룹은 하나 이상의 라디오 주파수(RF) 회로들 및 하나 이상의 RF 프론트 엔드(RF FE) 회로들을 포함하고 하나의 대응하는 디지털 기저대역 프로세서에 연결되도록 구성됨 -; 및 cm 파장 이상에서 트랜시버 어레이 그룹들 중 적어도 하나의 제1 트랜시버 어레이 그룹을 동작시키는 단계를 포함한다.

본 발명의 제3 양태에 따르면, 제1 양태의 장치를 제조하는 방법이 제공되고, 이 방법은, 단일 다이 상에 CMOS 및 III-V 반도체 디바이스들 양측 모두를 제조하는 단계를 포함한다.

본 발명의 실시예들은 단지 예로서 그리고 도면들과 관련하여 다음의 기재된 설명으로부터 본 기술분야의 통상의 기술자에게 더 잘 이해되고 쉽게 명백해질 것이다:
도 1은 캐리어 집성(CA): 상이한 RF 주파수들에서의 다수의 캐리어 컴포넌트(CC)들의 송신을 예시하는 그래프를 도시한다.
도 2는 예시적인 실시예에 따른, 캐리어 집성(CA)을 위한 다수의 RF 트랜시버 어레이 그룹들을 갖는 라디오를 예시하는 블록 다이어그램을 도시한다.
도 3의 (a)는 도 2의 라디오의 종래의 RF 프론트 엔드(RF FE)를 갖는 RF 채널을 예시하는 무선 송신기 및 수신기 블록을 예시하는 블록 다이어그램을 도시한다.
도 3의 (b)는 도 2의 라디오의 빔포밍 또는 매시브 MIMO를 위한 진폭 및 위상 제어 블록들을 갖는 RF 채널을 예시하는 무선 송신기 및 수신기 블록을 예시하는 블록 다이어그램을 도시한다.
도 4는 예시적인 실시예에 따른, 다수의 RF 트랜시버 어레이 그룹들을 갖는 라디오를 예시하는 블록 다이어그램을 도시한다.
도 5의 (a) 내지 (d)는 예시적인 실시예들에 따른, (a) 단일 위상 고정 루프(phase-locked loop)(PLL), (b) 다수의 PLL들, (c) 다수의 사용자들을 위한 단일 PLL, (d) 다수의 사용자들을 위한 다수의 PLL들에 의한 다수의 캐리어 주파수들의 생성을 예시하는 블록 다이어그램들을 도시한다.
도 6의 (a) 내지 (d)는 예시적인 실시예에 따른, 다수의 RF 트랜시버 어레이 그룹들을 갖는 라디오의 모놀리식으로(monolithically) 집적된 III-V(예를 들어, GaN, GaAs, 또는 InGaAs) 및 Si CMOS 제조의 개략적인 단면도들을 도시한다.
도 7은 예시적인 실시예에 따른, 다수의 RF 트랜시버 그룹들을 갖는 단일 칩 집적 라디오를 예시하는 블록 다이어그램을 도시한다.
도 8은 예시적인 실시예에 따른, 무선 통신을 위한 장치를 예시하는 블록 다이어그램을 도시한다.
도 9는 예시적인 실시예에 따른, 무선 통신을 위한 방법을 예시하는 흐름도를 도시한다.

본 발명의 실시예들은 면적 및 전력을 실질적으로 감소시키기 위해 III-V 및 Si 모놀리식 집적 프로세스를 활용함으로써, 5G 모바일 및 고정식 무선 통신을 위해 캐리어 집성(CA), 다중 입력 및 다중 출력(MIMO), 및 빔포밍을 가능하게 하는 고도로 집적된 다수의 무선 트랜시버들의 RF 아키텍처를 제공할 수 있다. 집적된 무선 트랜시버들은, 송신기들과 수신기들 양측 모두뿐만 아니라, RF 프론트 엔드 회로들, 예컨대 저잡음 증폭기(low noise amplifier)(LNA)들, 전력 증폭기(power amplifier)(PA)들, RF 스위치들, 및 다양한 RF 및 위상 어레이 안테나들과 인터페이싱하는 위상 시프터들을 포함할 수 있는데, 이들은 또한 기존 4G 통신 회로들과 함께 구현되어 단일 웨이퍼 상의 집적 레벨을 추가로 증가시킬 수 있다.

예시적인 실시예들에 따른 고도로 집적된 다수의 무선 트랜시버들의 RF 아키텍처는 유리하게는 III-V 및 CMOS 디바이스들 및 회로들 양측 모두를 단일 웨이퍼 상에 퇴적시키는 제조 프로세스를 사용하여 실현되어, 기지국과 모바일 디바이스 양측 모두에 대해 소형 폼 팩터(form factor) 및 낮은 전력 소비를 제공할 수 있다.

더 구체적으로는, 본 발명의 예시적인 실시예들은, 기존 제조 프로세스들을 사용하여 단일 다이 또는 웨이퍼 상에 집적될 수 있는, mm-Wave 및 cm-Wave 캐리어 집성/MIMO 양측 모두를 위한 트랜시버 어레이 그룹들의 구조체를 제공한다. 도 7을 참조하여 하기에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 예시적인 실시예에서 대응하는 디지털 기저대역 프로세서(703)에 대한 단일 칩 라디오(702) 상의 CMOS/III-V 경계(700)는 바람직하게는 트랜시버 그룹들(704, 706, 708)의 구조체뿐만 아니라 트랜시버 어레이 그룹들(704, 706, 708)의 동작 주파수에 의해 결정된다. 도 7에 도시된 예시적인 실시예에서, 예를 들어 1GHz 이하에서 동작하는 RF1(예를 들어, 710) 및 Front-End1(예를 들어, 712) 회로들 모두가 단지 CMOS만을 사용하여 설계될 수 있다. 도 3의 (a)를 참조하여 하기에 설명되는 타입-1 RF 트랜시버 구조체와 함께, 예를 들어 5GHz에서 동작하는 RF2(예를 들어, 714) 및 Front-End2(예를 들어, 716) 회로들은 CMOS와 III-V 양측 모두를 사용하여 설계될 수 있다. 도 7에 도시된 예시적인 실시예에서, RF2(예를 들어, 714) 회로들 모두가 단지 CMOS만을 사용하여 구현될 수 있는 한편, Front-End2(예를 들어, 716) 회로들 모두가 III-V와 CMOS 양측 모두를 사용하여 구현될 수 있다. 도 3의 (b)를 참조하여 하기에 설명되는 타입-2 RF 트랜시버 구조체와 함께 28GHz 이상에서 동작하는 RF3(예를 들어, 718) 및 Front-End3(예를 들어, 720) 회로들은 또한 CMOS와 III-V 양측 모두를 사용하여 설계될 수 있다. 그러나, 도 7에 도시된 예시적인 실시예에서, RF3 회로들(예를 들어, 718) 중 일부는 고주파 성능 및/또는 회로 토폴로지에 따라 III-V와 CMOS 양측 모두를 사용하여 구현될 수 있다. Front-End3(예를 들어, 720) 회로들 모두가 또한 III-V와 CMOS 양측 모두를 사용하여 구현될 수 있다. 전반적으로, 전체 칩(702) 설계의 III-V 부분은 예시적인 실시예에 따라 설계의 CMOS 부분의 표면 아래 약 0 내지 1㎛에 위치되고, CMOS 및 III-V 부분들은 단일 반도체 다이 또는 웨이퍼 상의 CMOS/III-V 경계(700)를 가로지르는 금속 라인들을 통해 함께 연결된다.

배경기술 섹션에서 언급된 바와 같이, 20Gbps의 모바일 속도들의 경우, 5G NR은 각각의 캐리어 주파수에서 적절한 통신 방식으로 이용가능한 주파수 슬롯들 및 대역폭을 완전히 활용하는 CA를 사용할 것이다. 도 2는 상이한 무선 송신 기법들이 상이한 주파수들에서 동시에 동작하는 캐리어 집성(CA)을 위한 하나 이상의 트랜시버들 각각(즉, TRX1, TRX2, TRX3)의 다수의 RF 트랜시버 어레이 그룹들(200, 202, 204)을 갖는 라디오(201)의 예시적인 실시예를 도시한다.

구체적으로는, 도 2는 3개의 상이한 캐리어 주파수들 f₁, f₂, 및 f₃을 사용하여 CA를 지원하는 집적된 다수의 RF 트랜시버 어레이 그룹들(200, 202, 204)을 갖는 라디오(201)의 예시적인 실시예를 묘사한다. 이 실시예에서, f₁은 1GHz 미만이고, f2는 비허가된 5GHz이며, f3은 5G mm-Wave에 대해 할당되는 28GHz이다. f1에서, 전통적인 단일 라디오(TRX1) 송신이 약간 큰 사이즈의 안테나(ANT1)에 사용되는 한편, MIMO가 f₂에서 다수의 RF 트랜시버들(TRX2) 및 안테나들(ANT2)에 사용되어 비허가된 5GHz 주파수 대역에서의 채널 용량을 최대화한다. f₃에서는, mm-Wave 신호들의 더 짧은 파장으로 인해, 위상 어레이 안테나들(ANT3)이 RF 트랜시버(TRX3)에 부가적으로 위상 및 진폭 제어 블록들(예를 들어, 212, 214) 각각을 이용하여 더 작은 면적에서 구현될 수 있다.

도 2의 트랜시버들(TRX1, TRX2, TRX3)의 더 상세한 블록 다이어그램들이 이들의 안테나 구성에 따라 도 3의 (a) 또는 (b)에 도시되어 있다. 각각의 RF 채널은 RF 회로(300a, 301a), 및 RF 프론트 엔드(RF FE) 회로(예를 들어, 300b, 301b)를 포함하는 것으로서 묘사되어 있다. 각각의 RF 채널에는, 본 기술분야의 통상의 기술자에 의해 인식되는 바와 같이, 주파수 변환 블록들(예를 들어, 302, 303)(즉, 업-믹서들 및 다운-믹서들), 증폭기들(예를 들어, 304 내지 307), 필터들(예를 들어, 308, 310), 스위치들(예를 들어, 312, 314), 디지털-아날로그 변환기(digital-to-analog converter)들(예를 들어, 316, 318) 및 아날로그-디지털 변환기(analog-to-digital converter)들(예를 들어, 320, 322), 및 주파수 생성 블록(예를 들어, 324, 326)(즉, PLL)이 있다. 도 3의 (a)에는 종래의 타입-1 RF 프론트 엔드(FE)(301a)를 갖는 RF 채널이 도시되어 있다. 위상 어레이 안테나들 또는 매시브 MIMO 기법을 사용하는 경우에, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 아날로그 빔포밍을 위해, 진폭 및 위상 제어(328) 기능성이 각각의 타입-2 RF FE 회로(예를 들어, 301b)에 부가된다. 디지털 빔포밍 기법이 상이한 실시예들에서 채택되는 경우, 진폭 및/또는 위상 제어(328) 기능성은 그러한 실시예들에서 고성능 및 고전력 소비 디지털-아날로그 변환기들(예를 들어, 316, 318) 및 아날로그-디지털 변환기들(예를 들어, 320, 322)을 사용하여, 디지털 기저대역 프로세서에서 구현될 수 있다.

본 발명의 실시예들에서, 캐리어 집성을 지원하고 도 3의 (a)에 도시된 타입-1 트랜시버들과 도 3의 (b)에 도시된 타입-2 트랜시버들 양측 모두를 포함하는 단일 기저대역 프로세서에 대응하는 다수의 RF 어레이 그룹들이 라디오에 제공된다.

도 4는, 예시적인 실시예로서, 2개의 RF 트랜시버 어레이 그룹들(400, 401)을 묘시하고, 여기서 타입-1 및 타입-2 트랜시버들 양측 모두는, 2개의 상이한 캐리어 주파수들에서 캐리어 집성 기능을 실행하는 것이 가능한 단일 디지털 기저대역 프로세서(403)에 대응하는 라디오(402)를 구축한다. 상이한 주파수 대역들에서의 더 많은 어레이 그룹들이 상이한 실시예들에서 함께 집적될 수 있고, 적절한 안테나 구성들을 갖는 각각의 RF 어레이 그룹(예를 들어, 400)에서의 임의의 수의 RF 채널들(예를 들어, RF 1 회로(404) 및 타입-1 RF FE 회로(406))이 디지털 기저대역 프로세서(403)로부터의 제어 신호들(408)을 통해 동시에 활성화되고 자동으로 구성될 수 있고, 여기서 제어 신호들(408)은 무선 채널 조건들 및 가용성에 관한 연산에 기초하여 생성된다. 도 4에 도시된 예시적인 실시예에서 ANT2를 갖는 타입-2 RF 트랜시버 어레이 그룹(401)은 또한 단일 또는 다수의 사용자들을 위한 매시브 MIMO 및/또는 빔포밍을 위해 사용될 수 있다. 도 4에 도시된 예시적인 실시예에서, 하나의 RF2 회로(예를 들어, 410)가 하나 이상의 타입-2 RF FE의 회로들(예를 들어, 412, 414) 및 안테나들(ANT2)(예를 들어, 416, 418)에 연결가능할 수도 있고, 여기서 도 3의 (b)를 참조하여 상술된 진폭 및 위상 제어 회로부(328)는 전력 증폭기(PA), 저잡음 증폭기(LNA), 및/또는 안테나 스위치와 집적될(또는 이들에 내장될) 수 있다.

예시적인 실시예에서, 단일 사용자에 대해 활성화된 RF 채널들에 대한 상이한 캐리어 주파수들이 바람직하게는 단일 기저대역 프로세서(403)로부터의 다수의 데이터 스트림들(예를 들어, 419, 420)을 동시에 송신 및 수신하도록 동기화된다. 따라서, 도 4의 f₁ 및 f₂(또는 더 많은 캐리어 주파수들)는 바람직하게는, 도 5의 (a)에 묘사된 바와 같이, 주파수 분할(502) 및/또는 체배(multiplication)(504) 기능 블록들을 갖는 단일 주파수 합성기 또는 위상 고정 루프(PLL)(500)로부터 생성된다. 다른 예시적인 실시예들에서, 상이한 주파수 대역들에 대한 다수의 PLL들(506, 508)이 송신기 또는 수신기 중 어느 하나 또는 양측 모두에서 도 5의 (b)에 도시된 단일 기준 클록 소스(510) 및 위상 동기화 블록(512)을 사용하여 동기화될 수 있다. 도 5의 (c) 및 (d)는 다중-사용자 경우들에 대한 예들, 구체적으로는 도 5의 (c)에서는 다수의 사용자들을 위한 단일 PLL(514), 그리고 도 5의 (d)에서는 다수의 사용자들을 위한 다수의 PLL들(516, 518)을 도시한다.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따라 다수의 RF 트랜시버 어레이 그룹들을 갖는 라디오를 구현함에 있어서, 설계자들은 특히 모바일 디바이스에서 2개의 도전과제들 - 폼 팩터 및 전력 소비 - 에 직면할 수 있다.

일부 예시적인 실시예들에서, 고유 제조 프로세스, 즉, LEES(Low Energy Electronics Systems) 프로세스 [1-6]이 활용되고, 여기서 CMOS 및 III-V 반도체 디바이스들이 도 6에 도시된 바와 같이 단일 다이 상에서 제조될 수 있다. 이것은 유리하게는, 금속 층들을 통해 인터페이싱되는, 종래의 CMOS 디바이스들/회로들 아래에서 성장되는 가장 적합한 III-V 디바이스들/회로들 [7]의 사용을 가능하게 한다. 그러한 단일 다이 집적은 유리하게는 스마트폰 구현의 빠듯한 전력 예산 내에서 그리고 소형 폼 팩터에서 5G 사양들에 의해 요구되는 우수한 성능을 제공할 수 있다.

LEES 프로세스의 세부사항들에 대해, 예시적인 실시예들에 따라 단일 웨이퍼/칩 상에서 RF 트랜시버 어레이 그룹들을 갖는 라디오를 제조하는 데 적용될 수 있는, 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 연관된 제조 기법들 및 조건들을 갖는 다양한 예시적인 프로세스 단계들에 대한 [1-6]에 대해 참조가 이루어진다. 예시적인 실시예들에 따른 RF 트랜시버 어레이 그룹들을 갖는 라디오의 제조를 위한 LEES 제조 프로세스의 하나의 비제한적인 예가 도 6을 참조하여 하기에 설명될 것이다.

더 구체적으로는, 도 6의 (a) 내지 (d)는 예시적인 실시예에 따라 사용되는 모놀리식으로 집적된 III-V(예를 들어, GaN 고 전자 이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor)(HEMT)) 및 Si CMOS 프로세스의 개략적인 단면도들을 도시한다. 도 6의 (a)는 제조된 Si 디바이스들(602)을 갖는 실리콘-온-절연체(silicon-on-insulator)(SOI) 웨이퍼(600)를 도시한다. 본 기술분야의 통상의 기술자에 의해 인식되는 바와 같이, Si 디바이스들은 웨이퍼(600)를 프론트 엔드 CMOS 프로세스 내에 삽입함으로써 형성될 수도 있다. 제조된 Si 디바이스들(602)을 갖는 부분적으로 프로세싱된 웨이퍼(600)의 제거에 뒤이어, 이 예시적인 실시예에서 부분적으로 프로세싱된 웨이퍼(600) 상에 산화물 층(604)이 형성된다. 그 후에, 웨이퍼(600)가 뒤집히고 핸들 웨이퍼(도시되지 않음)에 일시적으로 부착되며, Si CMOS/GaN-온-Si(GaN-on-Si) 웨이퍼(608)가, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 2-단계 본딩 기술에 의해 실현된다. 이 예시적인 실시예에서, 2-단계 본딩 기술은, 예를 들어 섭씨 450도 이상인 상승된 온도들에서 웨이퍼 본딩함으로써, 부분적으로 프로세싱된 웨이퍼(600)에 핸들 웨이퍼를 먼저 부착시키는 것을 수반한다. 웨이퍼(600)의 벌크 Si(606)의 제거에 뒤이어, 예를 들어 GaN HEMT 디바이스들이 후속하여 형성되는 온도 이상인 상승된 온도들에서 웨이퍼 본딩함으로써, 남아있는 뒤집힌 부분적으로 프로세싱된 웨이퍼(600*)가 GaN-온-Si 웨이퍼(610)에 부착되어, Si CMOS/GaN-온-Si 웨이퍼(608)를 형성한다.

도 6의 (c)에 도시된 바와 같이, GaN 윈도우(들)(611)가 그 후에 개방되어 비-실리콘 디바이스 층(들)(613)을 노출시키고, 예를 들어 CMOS 영역과 III-V 영역 사이에 거리를 둠으로써 그리고 DC 바이어스로 n-웰을 형성함으로써, 디바이스 격리부(device isolation)(612, 614)가 형성된다. 접촉을 이루기 위한 비-실리콘 디바이스들 및 플러그들 또는 비아들이 윈도우(들)(611)에 형성되고 Si CMOS/GaN-온-Si 웨이퍼(608)가 백 엔드(back end) CMOS 프로세싱을 위해 CMOS 프로세스 내에 재삽입된다. 도 6의 (d)는 CMOS 백 엔드 프로세싱으로부터의 제거 후 모놀리식으로 집적된 GaN HEMT 디바이스들(616) 및 제조된 HEMT 디바이스들(616)과 Si CMOS 디바이스들(602)의 최종 금속 상호연결부(예를 들어, 618 내지 621)의 개략적인 단면도를 도시한다.

도 7은 LEES 프로세스에 의한, 타입-1 RF 트랜시버들(즉, RF 1 회로들(예를 들어, 710) 및 타입-1 RF FE 회로들(예를 들어, 712))과 타입-2 RF 트랜시버들(예를 들어, RF 2 회로들(예를 들어, 714) 및 타입-2 RF FE 회로들(예를 들어, 716)) 양측 모두를 갖는 RF 트랜시버 어레이 그룹들(704, 706, 708)을 포함하는 단일 칩 라디오(702)의 다른 예시적인 실시예를 묘사하고, 여기서 저주파 블록들이 CMOS 프로세스 기술을 사용하여 구현될 수 있는 한편, PA, LNA, 안테나 스위치, 및 진폭/위상 제어 회로부를 포함하는 고주파 및 고전력 블록들이 단일 칩(702) 설계를 위해 단일 웨이퍼 상에서 III-V 기술을 사용하여 구현될 수 있다. 도 7의 디지털 기저대역 프로세서(703)로부터의 데이터 스트림 1, 2, 및 3이 2명 이상의 사용자들(즉, 다중-사용자)에 대해 독립적으로 사용될 수 있고, 이 경우 생성된 캐리어 주파수들 f₁, f₂, 및 f₃이 또한 독립적일 수 있다. 그러나, 데이터 스트림들 모두가 데이터 레이트들 및/또는 강건성을 개선시키기 위해 단일 사용자에 대해 사용되는 경우, 생성된 캐리어 주파수들 모두가 도 5를 참조하여 상술된 바와 같이 동기화되어야 한다.

유리하게는, 예를 들어 도 6을 참조하여 상술된 LEES 프로세스를 사용하여 제조된, RF 트랜시버 어레이 그룹들(704, 706, 708)을 갖는 예시적인 실시예에 따른 단일 칩 집적 라디오(702)가, 하나 이상의 사용자들을 위한 다수의 안테나 구성들을 이용하여 매시브 MIMO, 빔포밍, 및 캐리어 집성을 지원할 수 있다.

도 7에 도시된 예시적인 실시예에서, 밀리미터 파(예를 들어, 트랜시버 어레이 그룹(708)의 경우 28 또는 60GHz), 센티미터 파(예를 들어, 트랜시버 어레이 그룹(706)의 경우 2.4 또는 5GHz), 및 트랜시버 어레이 그룹(704)의 경우 1GHz 미만을 포함하는 임의의 주파수 범위들에서 동작하는 다수의 트랜시버 어레이 그룹들이 유리하게 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 저주파 범위들(예를 들어, 6GHz 미만)에서 동작하는 하나의 어레이 그룹, 예를 들어 트랜시버 어레이 그룹들(702 및 704)을 형성하는 하나 이상의 단순한 타입-1 RF 트랜시버들은, 단일 통신 장치에서, 바람직하게는 단일 칩 장치에서, 밀리미터 파 주파수 범위들에서 동작하는 다른 어레이 그룹, 예를 들어 트랜시버 어레이 그룹(708)을 형성하는 하나 이상의 타입-2 RF 트랜시버들과 집적될 수 있다.

RF 트랜시버 어레이 그룹들(704, 706, 708) - 즉, 밀리미터 파 주파수 범위들에서 동작하는 것들을 포함함 - 에서, 본 발명의 예시적인 실시예들은 RF 회로들과 RF 프론트 엔드 회로들(타입-1 또는 타입-2 중 어느 하나) 사이에서 더 유연한 구성을 지원할 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 실시예에서, 하나의 RF3 회로(예를 들어, 718)는 아날로그 빔포밍을 위해 다수의 Front-End3 회로들(예를 들어, 720, 721)에 선택적으로 연결될 수 있고, 각각의 RF2 회로(예를 들어, 714)는 디지털 빔포밍 또는 매시브 MIMO를 위해 하나 또는 다수의 Front-End2 회로들(예를 들어, 716, 717)에 선택적으로 연결될 수 있다.

도 8은 예시적인 실시예에 따른, 무선 통신을 위한 장치(800)를 예시하는 블록 다이어그램을 도시한다. 장치는 2개 이상의 트랜시버 어레이 그룹들(802, 804)을 포함하고, 각각의 트랜시버 어레이 그룹(802, 804)은 하나 이상의 라디오 주파수(RF) 회로들(806, 807) 및 하나 이상의 RF 프론트 엔드(RF FE) 회로들(808, 809)을 포함하고, 여기서 트랜시버 어레이 그룹들(802, 804)은 상이한 주파수들에서 동작하도록 구성되고; 여기서 트랜시버 어레이 그룹들(802, 804)은 하나의 대응하는 디지털 기저대역 프로세서(810)에 연결되도록 구성되고; 여기서 트랜시버 어레이 그룹들(802, 804)은, cm 파장 이상에서 동작하도록 구성되는 적어도 하나의 제1 트랜시버 어레이 그룹(802)을 포함한다.

트랜시버 어레이 그룹들(802, 804)은, mm 파장에서 동작하도록 구성되는 적어도 하나의 제2 트랜시버 어레이 그룹(804)을 포함할 수도 있다.

트랜시버 어레이 그룹들(802, 804)은 하나의 트랜시버 어레이 그룹(802)의 각각의 RF 회로(예를 들어, 806)를 동일한 트랜시버 어레이 그룹(802)의 RF FE 회로들 중 하나 이상(예를 들어, 808)에 선택적으로 커플링하는 것을 가능하게 하도록 구성될 수도 있다.

RF FE 회로들 중 하나 이상(예를 들어, 808)은 위상 및 진폭 제어 블록들을 포함할 수도 있다.

트랜시버 어레이 그룹들(802, 804) 중 하나 이상은 다중 입력 다중 출력(MIMO) 또는 매시브 MIMO를 지원하도록 구성될 수도 있다.

트랜시버 어레이 그룹들(802, 804) 중 하나 이상은 아날로그 빔포밍, 디지털 빔포밍, 또는 하이브리드 아날로그/디지털 빔포밍을 지원하도록 구성될 수도 있다.

트랜시버 어레이 그룹들(802, 804) 중 하나 이상은 캐리어 집성을 지원하도록 구성될 수도 있다.

트랜시버 어레이 그룹들(802, 804)은 단일 칩 상에서 구현될 수도 있다. 단일 칩은 상보성 금속 산화물 반도체(complementary metal-oxide-semiconductor)(CMOS) 및 III-V 반도체 디바이스들 양측 모두를 포함할 수도 있다.

장치(800)는 대응하는 디지털 기저대역 프로세서(810)를 더 포함할 수도 있다.

도 9는 예시적인 실시예에 따른, 무선 통신을 위한 방법을 예시하는 흐름도(900)를 도시한다. 단계 902에서, 2개 이상의 트랜시버 어레이 그룹들이 상이한 주파수들에서 동작되고, 각각의 트랜시버 어레이 그룹은 하나 이상의 라디오 주파수(RF) 회로들 및 하나 이상의 RF 프론트 엔드(RF FE) 회로들을 포함하고 하나의 대응하는 디지털 기저대역 프로세서에 연결되도록 구성된다. 단계 904에서, 트랜시버 어레이 그룹들 중 적어도 하나의 제1 트랜시버 어레이 그룹이 cm 파장 이상에서 동작된다.

이 방법은, mm 파장에서 트랜시버 어레이 그룹들 중 적어도 하나의 제2 트랜시버 어레이 그룹을 동작시키는 단계를 포함할 수도 있다.

이 방법은, 하나의 트랜시버 어레이 그룹의 각각의 RF 회로를 동일한 트랜시버 어레이 그룹의 RF FE 회로들 중 하나 이상에 선택적으로 커플링하는 단계를 포함할 수도 있다.

이 방법은, RF FE 회로들 중 하나 이상에서의 위상 및 진폭 제어를 포함할 수도 있다.

이 방법은, 트랜시버 어레이 그룹들 중 하나 이상을 사용하여 다중 입력 다중 출력(MIMO) 또는 매시브 MIMO를 지원하는 단계를 포함할 수도 있다.

이 방법은, 트랜시버 어레이 그룹들 중 하나 이상을 사용하여 아날로그 빔포밍, 디지털 빔포밍, 또는 하이브리드 아날로그/디지털 빔포밍을 지원하는 단계를 포함할 수도 있다.

이 방법은, 트랜시버 어레이 그룹들 중 하나 이상을 사용하여 캐리어 집성을 수행하는 단계를 포함할 수도 있다.

이 방법은, 단일 칩 상에서 트랜시버 어레이를 구현하는 단계를 포함할 수도 있다. 단일 칩은 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 및 III-V 반도체 디바이스들 양측 모두를 포함할 수도 있다.

일 실시예에서, 도 8을 참조하여 상술된 장치를 제조하는 방법이 제공되고, 이 방법은, 단일 다이 상에 CMOS 및 III-V 반도체 디바이스들 양측 모두를 제조하는 단계를 포함한다.

이 방법은, 저 에너지 전자 시스템들(low energy electronics systems)(LEES) 프로세싱을 사용하는 단계를 포함할 수도 있다.

예시적인 실시예들의 산업적 적용예들은 다음의 것을 포함한다:

1. 4G, 5G, 및 차세대 스마트폰들 및 기지국들에 대한 무선 트랜시버들

2. 넓은 주파수 범위들에서 캐리어 집성을 지원하는 무선 통신 디바이스들

일부 예시적인 실시예들에서, LEES CMOS+III-V 반도체 프로세스를 사용하는 이들 다수의 RF 트랜시버 어레이 그룹들의 면적 및 전력 효율적인 단일 칩 집적이 유리하게 제공된다. 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 단일 웨이퍼 상의 다수의 RF 채널들 및 RF 프론트 엔드들의 높은 레벨의 집적은 유리하게는, 본 명세서에서 설명되는 바와 같이, 더 유연한 구성들을 제공할 수 있다.

본 명세서에 개시된 다양한 기능들 또는 프로세스들은 거동, 레지스터 전송, 로직 컴포넌트, 트랜지스터, 레이아웃 지오메트리들, 및/또는 다른 특성들의 관점에서 다양한 컴퓨터 판독가능 매체들에 포함되는 데이터 및/또는 명령어들로서 설명될 수도 있다. 그러한 포맷팅된 데이터 및/또는 명령어들이 포함될 수도 있는 컴퓨터 판독가능 매체들은, 그러한 포맷팅된 데이터 및/또는 명령어들을 무선, 광학, 또는 유선 시그널링 매체들 또는 이들의 임의의 조합을 통해 전송하는 데 사용될 수도 있는 반송파들 및 다양한 형태들의 비휘발성 저장 매체들(예를 들어, 광학, 자기 또는 반도체 저장 매체들)을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 반송파들에 의한 그러한 포맷팅된 데이터 및/또는 명령어들의 전송들의 예들은, 하나 이상의 데이터 전송 프로토콜들(예를 들어, HTTP, FTP, SMTP 등)을 통한 인터넷 및/또는 다른 컴퓨터 네트워크들을 통한 전송들(업로드들, 다운로드들, 이메일 등)을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 하나 이상의 컴퓨터 판독가능 매체들을 통해 컴퓨터 시스템 내에 수신될 때, 설명된 시스템 하의 컴포넌트들 및/또는 프로세스들의 그러한 데이터 및/또는 명령어 기반 표현들은 하나 이상의 다른 컴퓨터 프로그램들의 실행과 함께 컴퓨터 시스템 내의 프로세싱 엔티티(예를 들어, 하나 이상의 프로세서들)에 의해 프로세싱될 수도 있다.

본 명세서에서 설명되는 시스템들 및 방법들의 양태들은 프로그래밍가능 로직 디바이스(programmable logic device)(PLD)들, 예컨대 필드 프로그래밍가능 게이트 어레이(field programmable gate array)(FPGA)들, 프로그래밍가능 어레이 로직(programmable array logic)(PAL) 디바이스들, 전기적 프로그래밍가능 로직 및 메모리 디바이스들 및 표준 셀 기반 디바이스들뿐만 아니라, 주문형 집적 회로(application specific integrated circuit)(ASIC)들을 포함하는 다양한 회로부 중 임의의 것 내에 프로그래밍되는 기능성으로서 구현될 수도 있다. 시스템의 양태들을 구현하는 일부 다른 가능성들은: 메모리(예컨대, 전자적 소거가능 프로그래밍가능 판독 전용 메모리(electronically erasable programmable read only memory)(EEPROM))를 갖는 마이크로제어기들, 내장형 마이크로프로세서들, 펌웨어, 소프트웨어 등을 포함한다. 게다가, 시스템의 양태들은 소프트웨어 기반 회로 에뮬레이션, 이산 로직(순차 및 조합), 커스텀 디바이스들, 퍼지(뉴럴) 로직, 양자 디바이스들, 및 상기의 디바이스 타입들 중 임의의 것의 하이브리드들을 갖는 마이크로프로세서들에 포함될 수도 있다. 물론 기본 디바이스 기술들은 다양한 컴포넌트 타입들, 예를 들어, 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS)와 같은 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(metal-oxide semiconductor field-effect transistor)(MOSFET) 기술들, 이미터 커플링 로직(emitter-coupled logic)(ECL)과 같은 바이폴라 기술들, 폴리머 기술들(예를 들어, 실리콘 공액 폴리머 및 금속 공액 폴리머 금속 구조체들), 혼합 아날로그 및 디지털 등에 제공될 수도 있다.

시스템들 및 방법들의 예시된 실시예들의 상기의 설명은 시스템들 및 방법들을 개시된 정밀한 형태들로 제한하거나 또는 총망라하는 것으로 의도되지 않는다. 시스템들 컴포넌트들 및 방법들의 특정 실시예들 및 이들에 대한 예들이 예시 목적들을 위해 본 명세서에서 설명되지만, 관련 기술분야의 통상의 기술자가 인식하는 바와 같이 시스템들, 컴포넌트들 및 방법들의 범주 내에서 다양한 등가의 수정들이 가능하다. 본 명세서에서 제공되는 시스템들 및 방법들의 교시들은 상술된 시스템들 및 방법들에 대해서뿐만 아니라, 다른 프로세싱 시스템들 및 방법들에 적용될 수 있다.

상술된 다양한 실시예들의 요소들 및 동작들이 조합되어 추가의 실시예들을 제공할 수 있다. 상기의 상세한 설명에 비추어 시스템들 및 방법들에 대해 이들 그리고 다른 변경들이 이루어질 수 있다.

일반적으로, 다음의 청구범위에서, 사용되는 용어들은 시스템들 및 방법들을 명세서 및 청구범위에 개시된 특정 실시예들로 제한하는 것으로 해석되어서는 안 되고, 청구범위 하에서 동작하는 모든 프로세싱 시스템들을 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 이에 따라, 시스템들 및 방법들은 본 개시내용에 의해 제한되지 않고, 그 대신에 시스템들 및 방법들의 범주가 청구범위에 의해 전적으로 결정되어야 한다.

문맥상 달리 명백히 요구되지 않는 한, 상세한 설명 및 청구범위 전반에 걸쳐, "포함하다(comprise)", "포함하는(comprising)", 및 이와 유사한 것의 단어들은, 배타적인 또는 총망라한 의미와는 대조적으로, 포괄적인 의미로; 즉, "포함하지만, 이에 제한되지 않는(including, but not limited to)"의 의미로 해석되어야 한다. 단수 또는 복수를 사용하는 단어들은 또한 각각 복수 또는 단수를 포함한다. 부가적으로, "본 명세서에(herein)", "본 명세서 아래에(hereunder)", "상기에(above)", "하기에(below)"라는 단어들, 및 유사한 의미의 단어들은, 본 출원의 임의의 특정 부분들이 아니라 본 출원 전체를 지칭한다. 2개 이상의 아이템들의 리스트와 관련하여 "또는(or)"이라는 단어가 사용될 때, 그 단어가 다음의 단어의 해석들: 리스트 내의 아이템들 중 임의의 것, 리스트 내의 아이템들 전부, 및 리스트 내의 아이템들의 임의의 조합을 모두 커버한다.

Claims

무선 통신을 위한 장치로서,
2개 이상의 트랜시버 어레이 그룹들
을 포함하고, 각각의 트랜시버 어레이 그룹은 하나 이상의 라디오 주파수(radio frequency)(RF) 회로들 및 하나 이상의 RF 프론트 엔드(RF front end)(RF FE) 회로들을 포함하고;
상기 트랜시버 어레이 그룹들은 상이한 주파수들에서 동작하도록 구성되고;
상기 트랜시버 어레이 그룹들은 하나의 대응하는 디지털 기저대역 프로세서에 연결되도록 구성되고;
상기 트랜시버 어레이 그룹들은 cm 파장 이상에서 동작하도록 구성되는 적어도 하나의 제1 트랜시버 어레이 그룹을 포함하는, 장치.
제1항에 있어서,
상기 트랜시버 어레이 그룹들은 mm 파장에서 동작하도록 구성되는 적어도 하나의 제2 트랜시버 어레이 그룹을 포함하는, 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 트랜시버 어레이 그룹들은 하나의 트랜시버 어레이 그룹의 각각의 RF 회로를 동일한 트랜시버 어레이 그룹의 RF FE 회로들 중 하나 이상에 선택적으로 커플링하는 것을 가능하게 하도록 구성되는, 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 RF FE 회로들 중 하나 이상은 위상 및 진폭 제어 블록들을 포함하는, 장치.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 트랜시버 어레이 그룹들 중 하나 이상은 다중 입력 다중 출력(multiple-input-multiple-output)(MIMO) 또는 매시브(massive) MIMO를 지원하도록 구성되는, 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 트랜시버 어레이 그룹들 중 하나 이상은 아날로그 빔포밍, 디지털 빔포밍, 또는 하이브리드 아날로그/디지털 빔포밍을 지원하도록 구성되는, 장치.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 트랜시버 어레이 그룹들 중 하나 이상은 캐리어 집성(carrier aggregation)을 지원하도록 구성되는, 장치.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 트랜시버 어레이 그룹들은 단일 칩 상에서 구현되는, 장치.
제8항에 있어서,
상기 단일 칩은 상보성 금속 산화물 반도체(complementary metal-oxide-semiconductor)(CMOS) 및 III-V 반도체 디바이스들 양측 모두를 포함하는, 장치.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대응하는 디지털 기저대역 프로세서를 더 포함하는, 장치.
무선 통신을 위한 방법으로서,
상이한 주파수들에서 2개 이상의 트랜시버 어레이 그룹들을 동작시키는 단계 - 각각의 트랜시버 어레이 그룹은 하나 이상의 라디오 주파수(RF) 회로들 및 하나 이상의 RF 프론트 엔드(RF FE) 회로들을 포함하고, 하나의 대응하는 디지털 기저대역 프로세서에 연결되도록 구성됨 -; 및
cm 파장 이상에서 상기 트랜시버 어레이 그룹들 중 적어도 하나의 제1 트랜시버 어레이 그룹을 동작시키는 단계
를 포함하는, 방법.
제11항에 있어서,
mm 파장에서 상기 트랜시버 어레이 그룹들 중 적어도 하나의 제2 트랜시버 어레이 그룹을 동작시키는 단계를 포함하는, 방법.
제11항 또는 제12항에 있어서,
하나의 트랜시버 어레이 그룹의 각각의 RF 회로를 동일한 트랜시버 어레이 그룹의 RF FE 회로들 중 하나 이상에 선택적으로 커플링하는 단계를 포함하는, 방법.
제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 RF FE 회로들 중 하나 이상에서의 위상 및 진폭 제어를 포함하는, 방법.
제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 트랜시버 어레이 그룹들 중 하나 이상을 사용하여 다중 입력 다중 출력(MIMO) 또는 매시브 MIMO를 지원하는 단계를 포함하는, 방법.
제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 트랜시버 어레이 그룹들 중 하나 이상을 사용하여 아날로그 빔포밍, 디지털 빔포밍, 또는 하이브리드 아날로그/디지털 빔포밍을 지원하는 단계를 포함하는, 방법.
제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 트랜시버 어레이 그룹들 중 하나 이상을 사용하여 캐리어 집성을 수행하는 단계를 포함하는, 방법.
제11항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
단일 칩 상에서 상기 트랜시버 어레이를 구현하는 단계를 포함하는, 방법.
제18항에 있어서,
상기 단일 칩은 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 및 III-V 반도체 디바이스들 양측 모두를 포함하는, 방법.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 장치를 제조하는 방법으로서,
단일 다이 상에 CMOS 및 III-V 반도체 디바이스들 양측 모두를 제조하는 단계를 포함하는, 방법.
제20항에 있어서,
저 에너지 전자 시스템들(low energy electronics systems)(LEES) 프로세싱을 사용하는 단계를 포함하는, 방법.