KR20200137309A - The digital x-ray detector and the digital x-ray detect apparatus including the same and the manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 베젤을 최소화하면서도 밀봉 특성을 향상시킬 수 있는 디지털 엑스레이 검출기와 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출 장치 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.The present invention relates to a digital x-ray detector capable of improving sealing characteristics while minimizing a bezel, a digital x-ray detection apparatus including the same, and a manufacturing method thereof.
엑스레이(X-ray)는 단파장이기 때문에 피사체를 쉽게 투과할 수 있다. 엑스레이의 투과량은 피사체 내부의 밀도에 따라 결정된다. 따라서 피사체를 투과한 엑스레이의 투과량을 검출함으로써 피사체의 내부 구조를 관측할 수 있다.Because X-rays have a short wavelength, they can easily penetrate the subject. The amount of X-ray transmission is determined according to the density inside the subject. Therefore, the internal structure of the subject can be observed by detecting the amount of X-rays transmitted through the subject.
의학용으로 사용되고 있는 엑스레이 검사방법 중 하나로 필름인화방식이 있다. 하지만 필름인화방식의 경우 필름 촬영 후 인화 과정을 거쳐야 결과물을 확인할 수 있기 때문에, 결과물을 확인하기까지 많은 시간이 소요된다. 특히 필름인화방식의 경우 인화된 필름의 보관 및 보존에 있어서 많은 어려움이 있다.One of the x-ray examination methods used for medical purposes is the film printing method. However, in the case of the film printing method, it takes a lot of time to check the result because the result can be confirmed only after the film is taken and the printing process is performed. In particular, in the case of the film printing method, there are many difficulties in storing and preserving the printed film.
이에 따라 최근에는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 이용한 디지털 엑스레이 검출기(Digital X-ray Detector; DXD)가 개발되어 의학용으로 많이 사용되고 있다.Accordingly, recently, a digital X-ray detector (DXD) using a thin film transistor has been developed and is widely used for medical purposes.
디지털 엑스레이 검출기는 피사체를 투과한 엑스레이의 투과량을 검출하여, 물체의 내부 상태를 디스플레이를 통해 외부로 표시하는 장치를 말한다. A digital X-ray detector refers to a device that detects the amount of X-rays transmitted through an object and displays an internal state of an object to the outside through a display.
따라서 디지털 엑스레이 검출기는 별도의 필름과 인화지를 사용하지 않고도 피사체의 내부 구조를 표시할 수 있고, 엑스레이 촬영 즉시 실시간으로 결과를 확인할 수 있는 장점이 있다.Therefore, the digital X-ray detector has the advantage of being able to display the internal structure of a subject without using a separate film and photo paper, and that the result can be checked in real time immediately after taking an X-ray.
예를 들어 유방 촬영술(Mammography)에 사용되는 디지털 엑스레이 검출 장치의 경우, 촬영을 하고자 하는 촬영 대상자의 신체 부분에 대한 촬영 해상도를 높이기 위하여 촬영 대상자의 신체와 접촉하는 디지털 엑스레이 검출기의 베젤(Bezel)이 최소화될 것이 요구되고 있다.For example, in the case of a digital X-ray detection device used for mammography, the bezel of a digital X-ray detector in contact with the body of the person to be photographed is to increase the resolution of the body part of the person to be photographed. It is required to be minimized.
하지만 일반적으로 디지털 엑스레이 검출기의 베젤이 줄어들수록 밀봉 접촉 면적도 감소하게 되어 밀봉 특성이 약화되는 문제점이 발생할 수 있다. 이러한 밀봉 특성의 약화는 최종적으로는 디지털 엑스레이 검출기의 신뢰성 특성을 열화시킬 수 있다.However, in general, as the bezel of the digital X-ray detector decreases, the sealing contact area also decreases, resulting in a problem that the sealing characteristics are weakened. This deterioration of the sealing characteristics may ultimately deteriorate the reliability characteristics of the digital X-ray detector.
이에 본 발명의 발명자들은 베젤을 최소화하면서도 밀봉 특성을 향상시킬 수 있는 디지털 엑스레이 검출기와 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출 장치 및 이의 제조 방법을 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present invention invented a digital X-ray detector capable of improving sealing characteristics while minimizing a bezel, a digital X-ray detection apparatus including the same, and a manufacturing method thereof.
본 발명의 목적은 촬영 대상자의 신체와 접촉하는 접촉부의 베젤을 최소화하면서도 밀봉 특성을 향상시킬 수 있는 디지털 엑스레이 검출기와 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a digital X-ray detector capable of improving sealing characteristics while minimizing a bezel of a contact portion in contact with a body of a subject, a digital X-ray detection apparatus including the same, and a manufacturing method thereof.
또한 본 발명의 목적은 수분 침투를 최소화하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 디지털 엑스레이 검출기와 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a digital X-ray detector capable of improving reliability by minimizing moisture penetration, a digital X-ray detection apparatus including the same, and a method of manufacturing the same.
또한 본 발명의 목적은 촬영 대상자의 신체와 접촉하는 접촉부의 촬영 해상도를 향상시킬 수 있는 디지털 엑스레이 검출기와 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a digital x-ray detector capable of improving the imaging resolution of a contact portion in contact with a body of a subject, a digital x-ray detection apparatus including the same, and a method of manufacturing the same.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects and advantages of the present invention that are not mentioned can be understood by the following description, and will be more clearly understood by examples of the present invention. In addition, it will be easily understood that the objects and advantages of the present invention can be realized by the means shown in the claims and combinations thereof.
본 발명의 일 실시예에 따른 베젤을 최소화하면서도 밀봉 특성을 향상시킬 수 있는 디지털 엑스레이 검출기 및 디지털 엑스레이 검출 장치가 제공된다.In accordance with an embodiment of the present invention, a digital x-ray detector and a digital x-ray detection device capable of improving sealing characteristics while minimizing a bezel are provided.
복수의 화소 영역을 포함하는 액티브(Active) 영역이 정의된 베이스 기판 상에 PIN 다이오드와 신틸레이터층이 형성되며, 밀봉층은 신틸레이터층을 덮는다. 이 경우 베이스 기판의 적어도 일 측면에는 하나 이상의 댐(Dam)부가 형성된다.A PIN diode and a scintillator layer are formed on a base substrate on which an active region including a plurality of pixel regions is defined, and the sealing layer covers the scintillator layer. In this case, one or more dam portions are formed on at least one side of the base substrate.
또한 상기와 같은 디지털 엑스레이 검출기는 디지털 엑스레이 검출기를 지지하는 지지부와 디지털 엑스레이 검출기와 일정 거리 이격되도록 위치하여 엑스레이를 조사하는 엑스레이 광원이 포함된 디지털 엑스레이 검출 장치에 사용된다. 이 경우 댐부가 있는 디지털 엑스레이 검출기의 측면이 촬영 대상자의 신체와 접하는 접촉면이 될 수 있다.In addition, the digital X-ray detector as described above is used in a digital X-ray detection apparatus including a support part supporting the digital X-ray detector and an X-ray light source that is positioned to be spaced apart from the digital X-ray detector by a predetermined distance to irradiate X-rays. In this case, the side of the digital X-ray detector with the dam part may be a contact surface in contact with the body of the person to be photographed.
본 발명의 일 실시예에 따른 베젤을 최소화하면서도 밀봉 특성을 향상시킬 수 있는 디지털 엑스레이 검출기의 제조 방법이 제공된다.According to an embodiment of the present invention, a method of manufacturing a digital x-ray detector capable of improving sealing characteristics while minimizing a bezel is provided.
복수의 화소 영역을 포함하는 액티브 영역이 정의된 베이스 기판 상에 PIN 다이오드를 형성하여 어레이 패널을 형성한다. 어레이 패널 상에 유기층과 신틸레이터층을 형성하고, 어레이 패널의 적어도 일 측면에 하나 이상의 댐(Dam)부를 형성한다. 그리고 신틸레이터층과 댐부가 형성된 어레이 패널의 측면을 덮도록 밀봉층을 형성한다.An array panel is formed by forming a PIN diode on a base substrate on which an active region including a plurality of pixel regions is defined. An organic layer and a scintillator layer are formed on the array panel, and at least one dam part is formed on at least one side of the array panel. In addition, a sealing layer is formed to cover the side surfaces of the array panel on which the scintillator layer and the dam portion are formed.
본 발명에 따르면 촬영 대상자의 신체와 접촉하는 어레이 패널의 접촉부 측면에 하나 이상의 댐(Dam)부를 형성함으로써 밀봉층과 어레이 패널과의 접촉 면적을 증가시켜, 베젤 영역이 최소화되더라도 밀봉 특성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the contact area between the sealing layer and the array panel is increased by forming one or more dams on the side of the contact portion of the array panel in contact with the body of the person to be photographed, thereby improving sealing characteristics even when the bezel area is minimized. have.
또한 본 발명에 따르면 촬영 대상자의 신체와 접촉하는 어레이 패널의 접촉부 측면에 형성된 하나 이상의 댐부가 수분 배리어(Barrier)로 작용할 수 있어, 수분 침투를 최소화함으로써 디지털 엑스레이 검출기의 신뢰성 특성의 열화를 최소화할 수 있다.In addition, according to the present invention, one or more dam portions formed on the side of the contact portion of the array panel in contact with the body of the subject to be photographed can act as a moisture barrier, thereby minimizing moisture penetration, thereby minimizing deterioration of the reliability characteristics of the digital X-ray detector. have.
또한 본 발명에 따르면 촬영 대상자의 신체와 접촉하는 접촉부의 신틸레이터층이 평편하게 일정한 높이를 갖도록 형성되어 촬영 유효 영역이 될 수 있는 바, 접촉부의 촬영 해상도가 향상될 수 있다.In addition, according to the present invention, since the scintillator layer of the contact portion in contact with the body of the photographing subject is formed to have a flat and constant height to become an effective photographing area, the photographing resolution of the contact portion can be improved.
상술한 효과와 더불어 본 발명의 구체적인 효과는 이하 발명을 실시하기 위한 구체적인 사항을 설명하면서 함께 기술한다.In addition to the above-described effects, specific effects of the present invention will be described together while describing specific details for carrying out the present invention.
도 1은 디지털 엑스레이 검출기를 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 개략적인 평면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기에서 댐부가 형성된 측면부의 일부 영역을 확대한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기에서 댐부가 형성된 측면 영역을 확대한 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 측면에 형성된 복수의 댐부를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 하나의 화소 영역에 대응되는 박막 트랜지스터와 PIN 다이오드를 확대한 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출 장치를 도시한 것이다.
도 8은 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 제조 방법에 대한 공정도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 신틸레이터층을 형성하는 방법 및 형성하는 공정에서 사용하는 증착 가이드용 가이드 지그의 일 실시예를 도시한 것이다.
도 10a 내지 도 10b는 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 신틸레이터층을 형성하는 공정에서 사용하는 증착 가이드용 가이드 지그의 다른 일 실시예를 도시한 것이다.
도 11은 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 댐부를 형성하는 방법을 도시한 것이다.
도 12a와 도 12b는 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 댐부를 형성하는 공정에서 사용하는 디스펜서의 실시예들을 도시한 것이다.1 is a block diagram schematically illustrating a digital X-ray detector.
2 is a schematic plan view of a digital X-ray detector according to the present invention.
3A to 3D are an enlarged view of a partial area of a side portion in which a dam portion is formed in the digital X-ray detector according to the present invention.
4 is an enlarged cross-sectional view of a side area in which a dam part is formed in the digital X-ray detector according to the present invention.
5 shows a plurality of dams formed on the side of the digital X-ray detector according to the present invention.
6 is an enlarged cross-sectional view of a thin film transistor and a PIN diode corresponding to one pixel area of the digital X-ray detector according to the present invention.
7 shows a digital X-ray detection apparatus according to the present invention.
8 is a flowchart of a method of manufacturing a digital X-ray detector according to the present invention.
9A to 9C illustrate a method of forming a scintillator layer of a digital X-ray detector and a guide jig for a deposition guide used in the forming process according to the present invention.
10A to 10B illustrate another embodiment of a guide jig for a deposition guide used in a process of forming a scintillator layer of a digital X-ray detector according to the present invention.
11 illustrates a method of forming a dam part of a digital X-ray detector according to the present invention.
12A and 12B show embodiments of a dispenser used in a process of forming a dam part of a digital X-ray detector according to the present invention.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.The above-described objects, features, and advantages will be described later in detail with reference to the accompanying drawings, and accordingly, one of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to easily implement the technical idea of the present invention. In describing the present invention, when it is determined that a detailed description of known technologies related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, a detailed description will be omitted. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to indicate the same or similar elements.
이하에서 구성요소의 "상부 (또는 하부)" 또는 구성요소의 "상 (또는 하)"에 임의의 구성이 배치된다는 것은, 임의의 구성이 상기 구성요소의 상면 (또는 하면)에 접하여 배치되는 것뿐만 아니라, 상기 구성요소와 상기 구성요소 상에 (또는 하에) 배치된 임의의 구성 사이에 다른 구성이 개재될 수 있음을 의미할 수 있다. Hereinafter, it means that an arbitrary component is disposed on the "top (or lower)" of the component or the "top (or lower)" of the component, the arbitrary component is arranged in contact with the top (or bottom) of the component. In addition, it may mean that other components may be interposed between the component and any component disposed on (or under) the component.
또한 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 상기 구성요소들은 서로 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있는 것으로 이해되어야 할 것이다. In addition, when a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, the components may be directly connected or connected to each other, but other components are "interposed" between each component. It is to be understood that "or, each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.
이하에서는, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기와 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출 장치 및 이의 제조 방법을 설명하도록 한다.Hereinafter, a digital X-ray detector, a digital X-ray detection apparatus including the same, and a manufacturing method thereof according to some embodiments of the present invention will be described.
도 1은 디지털 엑스레이 검출기를 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다. 디지털 엑스레이 검출기는 박막 트랜지스터 어레이(110), 게이트 구동부(120), 바이어스 공급부(130), 전원전압 공급부(140), 리드아웃 회로부(150) 및 타이밍 제어부(160)를 포함할 수 있다.1 is a block diagram schematically illustrating a digital X-ray detector. The digital X-ray detector may include a thin
박막 트랜지스터 어레이(110)는 일 방향으로 배열된 복수의 게이트 라인들(Gate Line, GL)과 게이트 라인들(GL)과 직교하도록 일 방향으로 배열된 복수의 데이터 라인들(Data Line, DL)에 의해 정의된 복수의 셀 영역을 포함할 수 있다. The thin
셀 영역들은 매트릭스 형태로 배열되고, 각각의 셀 영역은 광 감지 화소들(Pixel, P)이 형성된 화소 영역을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터 어레이(110)는 엑스레이 소스(X-ray Source)로부터 방출된 엑스레이를 감지하고, 감지된 엑스레이를 광전 변환하여 전기적인 검출 신호로 출력할 수 있다.The cell regions are arranged in a matrix form, and each cell region may include a pixel region in which the photo-sensing pixels Pixel and P are formed. The thin
각각의 광 감지 화소는 신틸레이터(Scintillator)에 의해 엑스레이로부터 변환된 가시광선 영역의 광을 전자 신호로 변환하여 출력하는 PIN 다이오드(PIN Diode)와, PIN 다이오드로부터 출력된 검출 신호를 리드아웃 회로부(150)에 전달하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)를 각각 포함할 수 있다. PIN 다이오드의 일측은 박막 트랜지스터와 연결되고 타측은 바이어스 라인(Bias Line, BL)에 연결될 수 있다.Each photo-sensing pixel has a PIN diode that converts light in the visible light region converted from X-ray by a scintillator to an electronic signal and outputs it, and a readout circuit unit ( 150) may include a thin film transistor (TFT), respectively. One side of the PIN diode may be connected to the thin film transistor and the other side may be connected to a bias line (BL).
박막 트랜지스터의 게이트 전극은 스캔 신호를 전달하는 게이트 라인(GL)에 연결되고, 소스/드레인 전극은 각각 PIN 다이오드와 PIN 다이오드로부터 출력된 검출 신호를 전달하는 데이터 라인(DL)에 연결될 수 있다. 바이어스 라인(BL)은 데이터 라인(DL)과 서로 평행하게 배열될 수 있다.A gate electrode of the thin film transistor may be connected to a gate line GL transmitting a scan signal, and a source/drain electrode may be connected to a PIN diode and a data line DL transmitting a detection signal output from the PIN diode, respectively. The bias lines BL may be arranged parallel to the data lines DL.
게이트 구동부(120)는 게이트 라인(GL)들을 통해 광 감지 화소들의 박막 트랜지스터에 게이트 신호들을 순차적으로 인가할 수 있다. 광 감지 화소들의 박막 트랜지스터들은 게이트 온 전압 레벨을 갖는 게이트 신호에 응답하여 턴-온(Turn-On) 될 수 있다.The
바이어스 공급부(130)는 바이어스 라인들(BL)을 통해 광 감지 화소들에 구동 전압을 인가할 수 있다. 바이어스 공급부(130)는 PIN 다이오드에 리버스 바이어스(Reverse Bias) 또는 포워드 바이어스(Forward Bias)를 선택적으로 인가할 수 있다.The
리드아웃 회로부(150)는 게이트 구동부의 게이트 신호에 응답하여 턴-온된 박막 트랜지스터로부터 전달되는 검출 신호를 리드아웃할 수 있다. 즉 PIN 다이오드로부터 출력된 검출 신호는 박막 트랜지스터와 데이터 라인(DL)을 통해 리드아웃 회로부(150)로 입력될 수 있다. The
리드아웃 회로부(150)는 오프셋 이미지를 리드아웃하는 오프셋 리드아웃 구간과, 엑스레이 노광 후의 검출 신호를 리드아웃하는 엑스레이 리드아웃 구간에 광 감지 화소들로부터 출력되는 검출신호를 리드아웃할 수 있다.The
리드아웃 회로부(150)는 신호 검출부 및 멀티플렉서 등을 포함할 수 있다. 신호 검출부에는 데이터 라인들(DL)과 일대일 대응하는 복수의 증폭 회로부를 포함하고, 각 증폭 회로부는 증폭기, 커패시터 및 리셋 소자 등이 포함될 수 있다.The
타이밍 제어부(160)는 개시신호 및 클럭신호 등을 생성하여 게이트 구동부(120)에 공급함으로써, 게이트 구동부(120)의 동작을 제어할 수 있다. 또한 타이밍 제어부(160)는 리드아웃 제어신호 및 리드아웃 클럭신호 등을 생성하여 리드아웃 회로부(150)에 공급함으로써, 리드아웃 회로부(150)의 동작을 제어할 수 있다.The
이하에서는 도 2 내지 도 6을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기에 대해서 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a digital X-ray detector according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 6.
본 발명의 일 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기는 복수의 화소 영역(P)을 포함하는 액티브(Active) 영역이 정의된 베이스 기판(210)을 포함한다.The digital X-ray detector according to an embodiment of the present invention includes a
베이스 기판(210)은 유리 재질의 유리 기판을 사용할 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.The
액티브 영역(210A)은 베이스 기판(210)의 중심부를 중심으로 사각 형상의 영역으로 형성될 수 있다.The
액티브 영역(210A) 이외의 영역은 논-액티브(Non-Active) 영역으로 정의될 수 있으며, 논-액티브 영역(210B)은 액티브 영역(210A)의 주변부를 둘러싸도록 위치할 수 있다.An area other than the
논-액티브 영역(210B)은 게이트 구동부 및 리드아웃 회로부와 각각 연결되는 패드 영역을 포함할 수 있다. 또한 논-액티브 영역(210B)은 베젤 영역을 포함할 수 있다.The
본 발명은 디지털 엑스레이 검출기의 베젤 영역을 최소화하기 위한 것이기 때문에, 구체적으로 촬영 대상자의 신체와 접촉하는 접촉부 영역의 베젤 영역이 최소화되는 경우 해당 영역의 논-액티브 영역(210B)의 면적도 최소화될 것이다. Since the present invention is for minimizing the bezel area of the digital X-ray detector, specifically, when the bezel area of the contact area in contact with the body of the subject is minimized, the area of the
또한 촬영 대상자의 신체와 접촉하는 접촉부 영역의 베젤이 없도록 구현되는 경우 해당 영역에는 논-액티브 영역(210B)이 없이 액티브 영역(210A)만이 형성되도록 구현될 수 있다.In addition, when the bezel of the contact area in contact with the body of the person to be photographed is implemented such that there is no bezel, only the
이에 따라 베이스 기판(210)의 적어도 하나의 측면 영역의 논-액티브 영역(210B)은 나머지 측면 영역의 면적보다 더 작을 수 있다.Accordingly, the
즉 베이스 기판(210)의 액티브 영역(210A)은 중심부를 기준으로 대칭 형태로 있는 것이 아니라, 베젤 영역이 최소화된 베이스 기판(210)의 측면 영역에는 액티브 영역(210A)이 더 넓게 형성되는 비대칭의 사각형상으로 형성될 수 있다.That is, the
액티브 영역(210A)의 베이스 기판(210) 상에는 각각의 화소 영역에 대응되는 복수의 박막 트랜지스터(220)와 PIN 다이오드(230)가 위치한다.A plurality of
도 6은 하나의 화소 영역에 대응되는 박막 트랜지스터(220)와 PIN 다이오드(230)의 배치 구조에 대한 것으로 인접한 화소 영역에도 동일하게 적용될 수 있다. 또한 도 6에 따른 박막 트랜지스터(220)와 PIN 다이오드(230)의 배치 구조는 일 실시예일뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.6 illustrates an arrangement structure of the
베이스 기판(210)에는 서로 직교하도록 교차하는 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인에 의해서 복수의 셀 영역이 정의된다. 각각의 셀 영역에는 화소가 대응됨으로써 복수의 화소 영역이 정의된다. 게이트 라인과 데이터 라인에 대응되는 영역은 화소 영역들 간의 경계 영역으로 정의될 수 있다.A plurality of cell regions are defined on the
베이스 기판(210) 상에는 제1 전극(225a), 제2 전극(225b), 게이트 전극(223a) 및 액티브층(221)을 포함하는 박막 트랜지스터(220)가 형성된다.A
제1 기판과 박막 트랜지스터(220) 사이에는 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 이 경우 버퍼층(미도시)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)의 무기물로 이루어질 수 있으며, 다층의 멀티 버퍼층으로 형성될 수도 있다.A buffer layer (not shown) may be formed between the first substrate and the
베이스 기판(210) 상에는 액티브층(221)이 형성된다. 액티브층(221)은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)와 같은 산화물 반도체 물질로 형성될 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니며, 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Polycrystalline Silicon: LTPS)이나 비정질 실리콘(a-Si)으로 형성될 수도 있다.An
액티브층(221)은 채널 영역(221c)과 채널 영역(221c)을 사이에 둔 도체화 영역들을 포함할 수 있다. 구체적으로 도체화 영역들은 제1 전극(225a)과 직접 접촉하여 연결되는 제1 도체화 영역(221a)과 제2 전극(225b)과 직접 접촉하여 연결되는 제2 도체화 영역(221b)으로 나뉠 수 있다.The
액티브층(221)의 도체화 영역들은 액티브층(221)의 양 끝단 영역이 도체화됨으로써 형성될 수 있으며, 도체화 처리 방법은 건식 식각에 의한 방법, 수소 플라즈마 처리, 헬륨 플라즈마 처리 등과 같은 다양한 방법들을 사용할 수 있다.Conducting regions of the
액티브층(221) 상에는 게이트 전극(223a)이 형성되고, 액티브층(221)과 게이트 전극(223a) 사이에는 게이트 절연층(222)이 형성되어, 액티브층(221)과 게이트 전극(223a)을 서로 절연시켜 줄 수 있다. A
즉 게이트 절연층(222)상에는 액티브층(221)의 채널 영역(221c)에 대응되도록 게이트 전극(223a)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(223a)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 이들의 합금일 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.That is, the
게이트 전극(223a)은 게이트 라인으로부터 연장되어 형성될 수 있으며, 게이트 라인과 게이트 전극(223a)이 일치되어 게이트 전극(223a)은 게이트 라인 내에 형성될 수도 있다. 이에 따라 게이트 라인과 게이트 전극(223a)은 동일층에 형성될 수 있다.The
무기물로 이루어진 게이트 절연층(222)은 게이트 전극(223a)에 대응되도록 형성되며, 효과적인 절연을 위하여 게이트 전극(223a)과 동일하거나 더 넓은 면적을 갖도록 형성될 수 있다.The
게이트 전극(223a)과 게이트 절연층(222)은 액티브층(221)의 중심부에 대응되도록 형성될 수 있다. 이에 따라 게이트 전극(223a)에 의해서 덮이지 않고 노출되는 액티브층(221)의 영역, 즉 채널 영역(221c) 이외의 액티브층(221)의 양 끝단은 제1 도체화 영역(221a)과 제2 도체화 영역(221b)이 될 수 있다.The
게이트 전극(223a) 상에는 무기물로 이루어진 층간 절연층(224)이 형성될 수 있으며, 층간 절연층(224) 상에는 제1 전극(225a)과 제2 전극(225b)이 형성될 수 있다.An interlayer insulating
제1 전극(225a)과 제2 전극(225b)은 게이트 전극(223a)을 사이에 둔 액티브층(221)의 양쪽에 각각 대응되도록 형성될 수 있다. 액티브층(221)과 제1 전극(225a) 및 제2 전극(225b)이 각각 겹쳐지는 영역에 대응하여, 층간 절연층(224)에는 제1 컨택홀(224a)과 제2 컨택홀(224b)이 각각 형성될 수 있다. The
구체적으로 액티브층(221)의 제1 도체화 영역에 대응되도록 제1 컨택홀(224a)이 형성되고, 제2 도체화 영역(221b)에 대응되도록 제2 컨택홀(224b)이 형성될 수 있다. 이에 따라 제1 전극(225a)은 제1 컨택홀(224a)을 통해 액티브층(221)의 제1 도체화 영역(221a)과 연결되며, 제2 전극(225b)은 제2 컨택홀(224b)을 통해 액티브층(221)의 제2 도체화 영역(221b)과 연결될 수 있다. In detail, a
이 경우 제1 도체화 영역(221a)은 드레인(Drain) 전극인 제1 전극(225a)과 연결되는 드레인(Drain) 영역이 되고, 제2 도체화 영역(221b)은 소스(Source) 전극인 제2 전극(225b)과 연결되는 소스(Source) 영역이 될 수 있다.In this case, the first
제1 전극(225a)과 제2 전극(225b)은 데이터 라인으로부터 연장되어 형성될 수 있으며, 데이터 라인과 동일한 층에 형성될 수 있다.The
데이터 라인은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.The data line may be made of one selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and copper (Cu), or an alloy thereof. However, it is not limited thereto.
박막 트랜지스터(220) 상에는 제1 보호층(226)이 베이스 기판(210) 전면을 덮도록 형성될 수 있다. 제1 보호층(226)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 보호층(226)은 하부의 박막 트랜지스터(220), 특히 액티브층(221)을 보호하는 역할을 할 수 있다.A first
제1 보호층(226) 상에는 PIN 다이오드(230)가 형성되어 하부의 박막 트랜지스터(220)와 연결된다. A
PIN 다이오드(230)는 박막 트랜지스터(220)와 연결되는 하부 전극(231), 하부 전극(231) 상에 있는 PIN 층(232) 및 PIN 층(232) 상에 있는 상부 전극(233)을 포함할 수 있다.The
하부 전극(231)은 PIN 다이오드(230)에 있어서 화소 전극의 역할을 할 수 있다. 하부 전극(231)은 PIN 다이오드(230)의 특성에 따라 몰리브덴(Mo)과 같은 불투명한 금속이나 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide)와 같은 투명한 산화물 중 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.The
하부 전극(231)은 제1 보호층(226)의 컨택홀인 제3 컨택홀(226h)을 통해 박막 트랜지스터(220)의 제2 전극(225b)과 접촉하도록 연결되어, 박막 트랜지스터(220)는 PIN 다이오드(230)와 연결될 수 있다.The
하부 전극(231) 상에는 신틸레이터(Scintillator)를 통해 엑스레이에서 변환된 가시광을 전기적인 신호로 변환하는 PIN 층(232)이 형성될 수 있다. PIN 층(232)은 N형의 불순물이 포함된 N(Negative)형 반도체층, 불순물이 포함되지 않은 I(Intrinsic)형 반도체층, P형의 불순물이 포함된 P(Positive)형 반도체층이 차례대로 적층되어 형성될 수 있다.A PIN layer 232 for converting visible light converted from X-rays into electrical signals through a scintillator may be formed on the
I형 반도체층은 N형 반도체층 및 P형 반도체층보다 상대적으로 두껍게 형성될 수 있다. PIN 층(232)은 엑스레이 소스로부터 방출된 엑스레이를 전기적인 신호로 변환할 수 있는 물질을 포함하도록 이루어지며, 예를 들어 a-Se, HgI2, CdTe, PbO, PbI2, BiI3, GaAs, Ge와 같은 물질들을 포함할 수 있다.The I-type semiconductor layer may be formed relatively thicker than the N-type semiconductor layer and the P-type semiconductor layer. The PIN layer 232 is made to include a material capable of converting X-rays emitted from an X-ray source into an electrical signal. For example, a-Se, HgI2, CdTe, PbO, PbI2, BiI3, GaAs, Ge Materials may be included.
PIN 층(232) 상에는 상부 전극(233)이 형성될 수 있다. 상부 전극(233)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide)와 같은 투명한 산화물 중 하나 이상의 물질로 이루어져 PIN 다이오드(230)의 필 팩터(Fill Factor)를 향상시킬 수 있다. An
PIN 다이오드(230) 상에는 제2 보호층(234)이 형성될 수 있다. 제2 보호층(234)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 보호층(234)은 PIN 다이오드(230)의 측면까지 모두 덮도록 형성되어 PIN 다이오드(230)의 측면을 수분이나 기타 이물질의 침투로부터 보호할 수 있다.A second
PIN 다이오드(230) 상의 제2 보호층(234) 상에는 바이어스 전극(243)이 형성될 수 있다. 바이어스 전극(243)은 제2 보호층(234)의 컨택홀인 제4 컨택홀(234h)을 통해서 PIN 다이오드(230)의 상부 전극(233)과 연결되어, PIN 다이오드(230)에 바이어스 전압을 인가해줄 수 있다.A
바이어스 전극(243)은 데이터 라인과 평행하게 배열된 바이어스 라인으로부터 분기되어 형성될 수 있다.The
바이어스 전극(243) 상에는 유기층(250)이 PIN 다이오드(230)를 덮도록 형성될 수 있다.An
구체적으로 유기층(250)은 복수의 화소 영역에 있는 복수의 PIN 다이오드(230)를 덮도록 형성되는 것으로, 액티브 영역(210A)을 덮도록 형성될 수 있다.Specifically, the
또한 유기층(250)은 액티브 영역(210A)을 포함하여 일부 논-액티브 영역(210B)까지 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우 패드 영역의 경우 게이트 구동부 및 리드아웃 회로부와의 연결이 되어야 하기 때문에 유기층(250)으로 덮이지 않고 외부로 노출될 수 있다. 따라서 유기층(250)은 패드 영역을 제외한 논-액티브 영역(210B)을 덮도록 형성될 수 있다.In addition, the
유기층(250)은 PAC(Photo Acrylic)과 같은 유기물로 이루어질 수 있다.The
유기층(250)은 일정 두께 이상으로 형성되어 평탄면을 제공하는 평탄화층으로써의 역할을 하고, PIN 다이오드(230) 상에 형성되는 신틸레이터층(260)이 유기층(250)을 기반으로 하여 복수의 주상 결정(Columnar Crystal)으로 잘 형성할 수 있도록 해주는 성장 기반층으로써의 역할도 할 수 있다.The
또한 유기층(250)은 누설 전류를 제어하는데 유리하며, 유기물로 형성될 수 있는 신틸레이터층(260)과의 접합력이 우수하기 때문에 신틸레이터층(260)의 박리를 더욱 용이하게 제어할 수 있는 장점이 있다.In addition, the
PIN 다이오드(230) 상에는 신틸레이터층(260)이 위치하며, PIN 다이오드(230) 상에 유기층(250)이 있는 경우에는 유기층(250) 상에 신틸레이터층(260)이 위치한다.The
신틸레이터층(260)은 복수의 주상 결정상들을 갖도록 수직 방향으로 성장되어, 복수의 신틸레이터 주상 결정들이 나란히 배열되는 형태로 형성될 수 있다. 신틸레이터는 요오드화 세슘(CsI) 또는 요오드화 탈륨(TlI)과 같은 물질로 이루어질 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.The
신틸레이터층(260)은 액티브 영역(210A)을 덮되, 패드 영역이 포함되는 논-액티브 영역(210B)의 경우 패드 영역을 덮지 않을 정도로까지 확장되어 형성될 수 있다. The
이 경우 신틸레이터층(260)은 유기층(250)을 완전히 덮지 않고 유기층(250)의 일부 영역이 외부로 노출되도록 액티브 영역(210A)과 유기층(250)의 사이까지 연장되도록 형성될 수 있다.In this case, the
이렇게 외부로 노출된 유기층(250)의 영역은 디지털 엑스레이 검출기를 밀봉하는 밀봉층(270)과 직접적으로 접촉을 할 수 있는데, 밀봉층(270)이 유기물로 이루어지는 경우 유기물들 간의 우수한 접합력으로 인하여 밀봉 특성이 더욱 향상될 수 있다.The area of the
또한 패드 영역이 포함되지 않는 논-액티브 영역(210B)은 신틸레이터층(260)이 논-액티브 영역(210B)을 모두 덮도록 형성될 수 있어, 패드 영역이 포함되는 논-액티브 영역(210B) 대비 신틸레이터층(260)이 더욱 확장되어 형성될 수 있다.In addition, the
신틸레이터층(260) 상에는 신틸레이터층(260)을 덮도록 밀봉층(270)이 형성될 수 있다.A
밀봉층(270)은 페럴린(Parylene)과 같은 유기물로 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
밀봉층(270)의 경우 신틸레이터층(260)을 포함한 액티브 영역(210A)을 덮되, 패드 영역이 포함되는 논-액티브 영역(210B)의 경우 패드 영역을 덮지 않을 정도로까지 연장되어 형성될 수 있다. In the case of the
이 경우 밀봉층(270)은 구체적으로 신틸레이터층(260)과 유기층(250)을 완전히 덮도록 형성되어, 패드 영역과 유기층(250)의 사이까지 형성될 수 있다.In this case, the
유기물로 이루어진 밀봉층(270)은 유기층(250)과 직접적으로 접촉하는 경우 접착력이 더욱 높아지기 때문에, 밀봉 특성이 향상될 수 있다.When the
패드 영역이 포함되지 않는 논-액티브 영역(210B)의 경우 밀봉층(270)이 논-액티브 영역(210B)을 모두 덮도록 형성될 수 있으며, 이 경우 베이스 기판(210)의 상부면뿐만 아니라 베이스 기판(210)의 측면까지도 모두 덮도록 형성될 수 있다.In the case of the
즉 이와 같이 패드 영역이 포함되지 않는 논-액티브 영역(210B)이 있는 베이스 기판(210)의 적어도 하나의 측면까지 밀봉층(270)이 덮도록 형성됨으로써, 밀봉층(270)과 베이스 기판(210)과의 접촉 면적이 증가함에 따라 밀봉 특성이 향상될 수 있다.That is, the
베이스 기판(210)의 적어도 일 측면에는 하나 이상의 댐(Dam)부가 형성된다. 이 경우 댐부(203)가 형성되는 베이스 기판(210)의 일 측면은 패드 영역이 포함되지 않는 측면일 수 있다. 따라서 밀봉층(270)은 댐부(203)가 있는 베이스 기판(210)의 측면까지 덮을 수 있다.One or more dams are formed on at least one side of the
도 4와 도 5를 참조하면 댐부(203)는 베이스 기판(210)의 높이 방향과 수직한 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 구체적으로 댐부(203)는 가로 방향의 폭이 세로 방향의 폭보다 더 넓은 긴 바(Bar) 형태로 형성될 수 있다. 이 경우 댐부(203)의 세로 방향은 베이스 기판(210)의 높이 방향과 일치한다.4 and 5, the
또한 댐부(203)는 베이스 기판(210)의 측면 일 끝단부로부터 타 끝단부까지 연장되도록 형성될 수 있다.In addition, the
댐부(203)는 복수로 형성될 수 있으며, 복수로 형성된 댐부(203)는 서로 이격되도록 배치될 수 있다.The
도 4에서와 같이 댐부(203)는 반구형 또는 반타원형의 형상을 가질 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.As shown in FIG. 4, the
댐부(203)의 높이(H1)은 댐부(203)의 세로방향 폭(W1)의 30% 이상이 되도록 형성하는 경우 댐부(203)의 전체 표면적을 극대화할 수 있어, 밀봉층(270)과의 접촉 면적이 증가함에 따라 밀봉 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.When the height (H 1 ) of the
예를 들어 각각의 댐부(203)의 높이(H1)은 13.5㎛ ~ 150㎛의 범위를 가질 수 있으며, 댐부(203)의 세로방향 폭(W1)은 45㎛ ~ 450㎛의 범위를 가질 수 있으며, 서로 인접한 댐부(203)들간의 이격 거리(W2)는 15㎛ ~ 150㎛의 범위를 가질 수 있다.For example, the height (H 1 ) of each
댐부(203) 형성 물질에 대한 일 실시예로 도 5의 A와 같이 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane: PDMS)을 사용할 수 있다.As an embodiment of the material for forming the
또한 댐부(203) 형성 물질에 대한 다른 일 실시예로 도 5의 B와 같이 폴리디메틸아크릴아미드(Polydimethylacrylamide: PDMA)층과 같은 흡수층(203b)으로 표면이 감싸진 나노 실리카(Nano Silica)들과 같은 나노파티클(203a)이 화학적 크로스링크(cross-link, 203c)에 의해서 PDMA가 얽힌 매트릭스에 함침된 물질을 사용할 수 있다.In addition, as another embodiment of the
이와 같이 본 발명의 경우 베이스 기판(210)의 적어도 일 측면에는 하나 이상의 댐부(203)가 형성되되, 게이트 구동부 및 리드아웃 회로부와 연결되는 패드 영역이 있는 베이스 기판(210)의 측면에는 댐부가 형성되지 않을 수 있다.As described above, in the case of the present invention, at least one
댐부(203)가 있는 베이스 기판(210)의 측면 방향에 있는 유기층(250)과 신틸레이터층(260)은 도 3a 내지 도 3d와 같은 다양한 실시예로 형성될 수 있다.The
도 3a 내지 도 3d는 댐부(203)가 있는 베이스 기판(210)의 측면 방향에 위치하는 유기층(250)과 신틸레이터층(260)의 배치 형태를 실시예에 따라 도시한 것으로, 베젤 영역이 최소화됨에 따라 신틸레이터층(260)이 최대한 확장되어 배치되는 다양한 실시예를 설명한다.3A to 3D show arrangement patterns of the
먼저 일 실시예로 도 3a와 같이 댐부(203)가 있는 베이스 기판(210)의 측면 방향에 있는 유기층(250)과 신틸레이터층(260)은 베이스 기판(210)의 끝단부와 일치할 수 있다.First, as an embodiment, as shown in FIG. 3A, the
이 경우 유기층(250)과 신틸레이터층(260)이 베이스 기판(210)의 끝단부까지 형성됨에 따라, 화소 영역을 포함하는 액티브 영역(210A)을 최대한 베이스 기판(210)의 끝단부에 가깝게 형성할 수 있다. 이에 따라 베젤 영역이 더욱 최소화될 수 있다.In this case, as the
다른 일 실시예로 도 3b와 같이 댐부(203)가 있는 베이스 기판(210)의 측면 방향에 있는 유기층(250)은 베이스 기판(210)의 끝단부와 일치하되, 신틸레이터층(260)은 유기층(250)의 일부를 외부로 노출시키도록 베이스 기판(210)의 끝단부와 일정 거리 이격되어 형성될 수 있다.In another embodiment, the
이 경우 외부로 노출된 유기층(250)이 유기물로 이루어지는 밀봉층(270)과의 접착력이 좋기 때문에 디지털 엑스레이 검출기의 밀봉 특성이 향상될 수 있다.In this case, since the
또한 다른 일 일시예로 도 3c 및 도 3d와 같이 댐부(203)가 있는 베이스 기판(210)의 측면 방향에 있는 유기층(250)과 신틸레이터층(260)이 베이스 기판(210)의 끝단부와 일치하지 않을 수 있다.In addition, as another example, as shown in FIGS. 3C and 3D, the
구체적으로 도 3c의 경우 댐부(203)가 있는 베이스 기판(210)의 측면 방향에 있는 유기층(250)과 신틸레이터층(260)이 베이스 기판(210)의 끝단부보다 일정 거리 이격되도록 형성될 수 있다. Specifically, in the case of FIG. 3C, the
이 경우 유기층(250)과 신틸레이터층(260)은 서로 일치하도록 형성될 수 있으며, 유기층(250)과 신틸레이터층(260)에 의해서 덮이지 않는 베이스 기판(210)의 일부 영역이 노출될 수 있다.In this case, the
이와 같이 외부로 노출된 베이스 기판(210)의 일부 영역에는 접착제가 별도로 형성되어 밀봉층(270)과의 접착력을 더욱 향상시킬 수 있다.In this way, an adhesive is separately formed on a portion of the
그리고 유기층(250)과 신틸레이터층(260)이 베이스 기판(210)의 끝단부와 일치하지 않고 더 안쪽에 형성됨으로써 베이스 기판(210)의 끝단부를 통해서 침투할 수 있는 수분으로부터의 영향력을 최소화할 수 있다.In addition, the
도 3d의 경우 댐부(203)가 있는 베이스 기판(210)의 측면 방향에 있는 유기층(250)과 신틸레이터층(260)이 베이스 기판(210)의 끝단부보다 일정 거리 이격되도록 형성될 수 있다.In the case of FIG. 3D, the
이 경우 신틸레이터층(260)은 유기층(250)의 일부 영역이 노출되도록 베이스 기판(210)의 더 안쪽으로 형성될 수 있다. 또한 유기층(250)과 신틸레이터층(260)에 의해서 덮이지 않는 베이스 기판(210)의 일부 영역도 노출될 수 있다.In this case, the
이와 같이 외부로 노출된 베이스 기판(210)의 일부 영역에는 접착제가 별도로 형성되어 밀봉층(270)과의 접착력을 더욱 향상시킬 수 있으며, 일부 영역이 노출된 유기층(250)은 밀봉층(270)과 직접 접촉할 수 있어 밀봉층(270)과의 접착력을 향상시킬 수 있는 바 더욱 더 향상된 밀봉 특성을 가질 수 있다.In this way, an adhesive may be separately formed on some areas of the
그리고 유기층(250)과 신틸레이터층(260)이 베이스 기판(210)의 끝단부와 일치하지 않고 더 안쪽에 형성됨으로써 베이스 기판(210)의 끝단부를 통해서 침투할 수 있는 수분으로부터의 영향력도 더욱 최소화할 수 있다.In addition, the
댐부(203)가 있는 베이스 기판(210)의 측면 방향에 있는 신틸레이터층(260)은 경사진 상부면을 갖는 것이 아니라 상부면이 평편하게 일정한 높이를 갖도록 형성될 수 있다.The
댐부(203)가 있는 베이스 기판(210)의 측면 방향은 베젤을 최소화하여 액티브 영역(210A)을 최대한 확장시키고자 하는 방향이기 때문에, 액티브 영역(210A)이 베이스 기판(210)의 끝단부에 가깝게 최대한 확장되는 만큼 상부에 위치하는 신틸레이터층(260)도 유효한 신틸레이터층으로 작동을 해야 한다.Since the lateral direction of the
이 경우 신틸레이터층(260)을 구성하는 신틸레이터 주상 결정들의 성장이 제대로 이루어지지 않아 의도하는 높이까지 신틸레이터 주상 결정들이 형성되지 않는 경우, 액티브 영역(210A)상에 신틸레이터층(260)이 있다고 하더라도 유효한 촬영 영역을 가질 수 없게 될 수 있다.In this case, when the scintillator columnar crystals constituting the
즉 디지털 엑스레이 검출기의 베젤을 최소화하기 위하여 액티브 영역(210A)이 확장되는 경우 그 상부에 위치하는 신틸레이터층(260)이 경사진 상부면을 갖는 것이 아니라 상부면이 평편하게 일정한 높이를 갖도록 형성됨으로써, 최소화된 베젤에서도 최대한의 유효한 촬영 영역을 가질 수 있도록 할 수 있다.That is, when the
따라서 도 3a 내지 도 3d에 따른 실시예에서와 같이 신틸레이터층(260)은 베이스 기판(210)의 끝단부와 일치하거나 매우 가깝게 형성됨에 따라 베젤을 최소화할 수 있다.Accordingly, as in the embodiment of FIGS. 3A to 3D, the
또한 댐부(203)가 있는 베이스 기판(210)의 측면 방향에 있는 신틸레이터층(260)을 구성하는 각각의 신틸레이터들이 일정한 높이를 갖도록 형성됨에 따라 최소화된 베젤 영역에서도 최대한의 유효한 촬영 영역을 가질 수 있다.In addition, as each of the scintillators constituting the
본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기(200)는 다음과 같이 작동한다.The
디지털 엑스레이 검출기(200)에 조사된 엑스레이는 신틸레이터층(260)에서 가시광선 영역의 광으로 변환된다. 가시광선 영역의 광은 PIN 다이오드(230)의 PIN 층(232)에서 전자 신호로 변환이 된다. X-rays irradiated to the
구체적으로는 PIN 층(232)에 가시광선 영역의 광이 조사되면 I형 반도체층이 P형 반도체층과 N형 반도체층에 의해 공핍(Depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 된다. 그리고 광에 의해 생성되는 정공과 전자가 전기장에 의해 드리프트(Drift)되어 각각 P형 반도체층과 N형 반도체층에서 수집된다. Specifically, when the PIN layer 232 is irradiated with visible light, the I-type semiconductor layer becomes depleted by the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer, and an electric field is generated therein. In addition, holes and electrons generated by light are drifted by an electric field and are collected in the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer, respectively.
PIN 다이오드(230)는 가시광선 영역의 광을 전자 신호로 변환하여 박막 트랜지스터(220)에 전달하게 된다. 이렇게 전달된 전자 신호는 박막 트랜지스터(220)와 연결된 데이터 라인을 거쳐서 영상 신호로 표시되게 된다.The
본 발명의 일 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출 장치(10)는 도 7에서와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기(200), 디지털 엑스레이 검출기(200)를 지지하는 지지부(300) 및 디지털 엑스레이 검출기(200)와 일정 거리 이격되도록 위치하여 엑스레이를 조사하는 엑스레이 광원(320)을 포함한다. 또한 디지털 엑스레이 검출 장치(10)는 각각의 구성들의 동작을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.The digital
도 7은 유방 촬영술(Mammography)용 디지털 엑스레이 검출 장치(10)를 일 실시예로 도시한 것으로, 촬영 대상자(330)의 신체는 디지털 엑스레이 검출기(200)의 일 측면과 접촉할 수 있다.7 illustrates a digital
유방 촬영술(Mammography)용 디지털 엑스레이 검출 장치(10)의 경우 디지털 엑스레이 검출기(200)의 일측면은 촬영 대상자(330)의 신체와 접촉하는 흉벽(Chest Wall)이 될 수 있다. In the case of the digital
따라서 흉벽에 대응되는 디지털 엑스레이 검출기(200)의 일측면 방향의 베젤은 최소화하여 최대한의 영상 촬영 영역이 확보될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.Therefore, it is desirable to minimize the bezel in the direction of one side of the
따라서 본 발명은 댐부(203)가 있는 디지털 엑스레이 검출기(200)의 측면이 촬영 대상자(330)의 신체와 접하는 접촉면, 즉 흉벽이 되도록 디지털 엑스레이 검출기(200)를 배치한다.Accordingly, in the present invention, the
앞서 설명한 바와 같이 댐부(203)가 있는 디지털 엑스레이 검출기(200)의 측면은 베젤이 최소화되고 신틸레이터층(260)이 일정한 높이를 갖는 바 측면으로부터 촬영 대상자(330)의 신체와 접촉하여 측정할 수 있는 촬영 유효 영역이 최대한 확보될 수 있다.As described above, the side of the
디지털 엑스레이 검출기(200)와 엑스레이 광원(320) 사이에는 촬영하고자 하는 촬영 대상자(330)의 신체 일부를 가압하는 가압부(310)가 지지대(300)와 연결되어 있을 수 있다. Between the
예를 들어 촬영하고자 하는 촬영 대상자(330)의 신체 일부가 일정 두께 이상을 갖는 경우 대부분의 엑스레이가 신체 내부에서 흡수되어 버리기 때문에 촬영 영상을 제대로 얻기 어려울 수 있다.For example, when a part of the body of the subject 330 to be photographed has a certain thickness or more, since most of the X-rays are absorbed inside the body, it may be difficult to properly obtain a photographed image.
따라서 촬영하고자 하는 촬영 대상자(330)의 신체 상태에 따라서 필요한 경우 가압부(310)를 수직 방향으로 이동시켜 촬영하고자 하는 촬영 대상자(330)의 신체 일부를 가압함으로써 더욱 선명한 촬영 영상을 얻을 수 있도록 할 수 있다.Therefore, according to the physical condition of the subject 330 to be photographed, if necessary, the
이와 같이 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기(200)와 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출 장치(10)는 다음과 같은 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, the
본 발명의 경우 디지털 엑스레이 검출기(200)의 하나 이상의 측면 방향으로 액티브 영역(210A)을 최대한 확장시키고 신틸레이터층(260)도 베이스 기판(210)의 끝단부에 최대한 가깝게 형성되어 적어도 일측면의 베젤이 최소화될 수 있어, 유방 촬영술(Mammography)과 같은 분야에 적용되더라도 높은 해상도의 촬영이 가능할 수 있다.In the case of the present invention, the
또한 베젤이 최소화됨에 따라 베이스 기판(210)의 상부면과 밀봉층(270)이 접하는 면적이 감소된다고 하더라도, 디지털 엑스레이 검출기(200)의 일 측면에 하나 이상의 댐부(203)를 형성함으로써, 측면의 접촉 면적을 증가시켜 베이스 기판(210)의 측면과 밀봉층(270)이 접하는 면적을 증가시킬 수 있어 밀봉 특성을 향상시킬 수 있다.In addition, even if the area in contact with the upper surface of the
또한 촬영 대상자(330)의 신체와 접촉하는 디지털 엑스레이 검출기(200)의 접촉부 측면에 수분 배리어(Barrier)로 작용할 수 있는 하나 이상의 댐부(203)를 형성함으로써, 밀봉층(270)과 베이스 기판(210)의 접촉 계면 사이로 침투할 수 있는 수분의 경로를 최대한 차단해줄 수 있다.In addition, by forming at least one
즉 밀봉층(270)과 베이스 기판(210)의 접촉 계면 사이에 볼록부 형태의 댐부(203)들이 형성되어 있기 때문에, 수분이 침투된다고 하더라도 신틸레이터층(260)까지 도달하기 전에, 복수의 댐부(203)들이 단계별로 수분 침투를 최소화하는 배리어막이 됨에 따라 수분 침투로 인한 디지털 엑스레이 검출기(200)의 신뢰성 특성의 열화를 최소화할 수 있다.That is, since the
특히 베젤의 최소화로 인하여 베이스 기판(210)의 끝단부에 신틸레이터층(260)이 가깝게 형성된다고 하더라도, 베젤이 최소화된 방향의 디지털 엑스레이 검출기(200)의 측면에 하나 이상의 댐부(203)가 형성되어 있어 밀봉 특성과 수분 침투가 최소화될 수 있는 바 디지털 엑스레이 검출기(200)의 신뢰성 특성의 열화를 최소화할 수 있는 것이다.In particular, even though the
또한 본 발명에 따르면 촬영 대상자(330)의 신체와 접촉하는 접촉부, 즉 흉벽 방향에 있는 신틸레이터층(260)이 평편하게 일정한 높이를 갖도록 형성되는 바 베젤이 최소화된 영역에서도 유효한 촬영 영역을 확보함으로써 접촉부의 촬영 해상도가 향상될 수 있다.In addition, according to the present invention, by securing an effective photographing area even in an area in which the bar bezel is minimized, the contact portion in contact with the body of the subject 330, that is, the
본 발명의 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 제조 방법은, i) 복수의 화소 영역을 포함하는 액티브 영역(210A)이 정의된 베이스 기판(210) 상에 PIN 다이오드(230)를 형성하여 어레이 패널(201)을 형성하는 단계, ii) 어레이 패널 상에 유기층(250)을 형성하는 단계, iii) 유기층(250) 상에 신틸레이터층(260)을 형성하는 단계, iv) 어레이 패널의 적어도 일 측면에 하나 이상의 댐부(203)를 형성하는 단계 및 v) 신틸레이터층(260)과 댐부(203)가 형성된 어레이 패널(201)의 측면을 덮도록 밀봉층(270)을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a digital X-ray detector according to an exemplary embodiment of the present invention includes: i) forming a
본 발명의 실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출기(200)의 제조 방법은 마스크 공정을 기준으로 도 8a 내지 도 8e를 참조하여 자세히 설명하도록 한다.A method of manufacturing the
이하에서 설명하는 각 층에 대한 패턴 형성 방법은 당업계에서 통상의 기술자가 실시하는 기술인, 증착(Deposition), 포토레지스트 도포(Photoresist Coating), 노광(Exposure), 현상(Develop), 식각(Etch), 포토레지스트 박리(Photoresist Strip)를 포함하는 포토리소그래피(Photoliyhography) 공정을 이용하는 바 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. The pattern formation method for each layer described below is a technique performed by a person skilled in the art, such as deposition (Deposition), photoresist coating (Photoresist Coating), exposure (Exposure), development (Develop), and etching (Etch). , Since a photolithography process including a photoresist strip is used, a detailed description thereof will be omitted.
예를 들어 증착의 경우 금속 재료일 경우에는 스퍼터링(Sputtering), 반도체나 절연막인 경우에는 플라즈마 화학증착(Plasma Enhanced Vapor Deposition; PECVD)과 같은 방법을 나누어서 사용할 수 있으며, 식각의 경우에도 재료에 따라 건식 식각 및 습식 식각을 선택하여 사용할 수 있는 것으로 당업계에서 통상의 기술자가 실시하는 기술을 적절히 적용한다.For example, in the case of deposition, sputtering in the case of a metallic material, and plasma enhanced vapor deposition (PECVD) in the case of a semiconductor or insulating film can be used separately.Even in the case of etching, dry type depending on the material can be used. Etching and wet etching can be selected and used, and a technique performed by a person skilled in the art is appropriately applied.
먼저 도 8a와 같이 복수의 화소 영역을 포함하는 액티브 영역(210A)이 정의된 베이스 기판(210) 상에 박막 트랜지스터(220)와 PIN 다이오드(230)를 형성하여 어레이 패널(201)을 형성한다. 박막 트랜지스터(220)와 PIN 다이오드(230)는 각각의 화소 영역에 대응되도록 복수로 형성될 수 있다.First, as shown in FIG. 8A, an
다음으로 도 8b와 같이 어레이 패널(201) 상에 유기층(250)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8B, an
유기층(250)은 유기물인 PAC(Photo Acrylic)을 스핀 코팅(Spin Coating) 방식으로 어레이 패널(201) 상에 형성할 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.The
유기층(250) 상에는 도 8c와 같이 신틸레이터층(260)을 형성한다.A
신틸레이터층(260)을 형성하는 경우 일 실시예로 도 9a 내지 도 9c에 도시된 바와 같은 증착 마스크용 가이드 지그(510)를 사용하여 형성할 수 있다.When the
구체적으로 도 9a 및 도 9b와 같이 어레이 패널(201)을 고정 지그(500)에 올려 놓은 후 어레이 패널(201)을 증착 마스크용 가이드 지그(510) 와 결합시켜 고정할 수 있다.Specifically, as shown in FIGS. 9A and 9B, the
고정 지그(500) 및 증착 마스크용 가이드 지그(510)에 의해서 고정된 어레이 패널(201) 상에 도 9c와 같이 증착 소스(520)로부터 발생되는 신틸레이터 물질을 진공 증착하는 방법으로 복수의 신틸레이터들이 주상 구조로 성장하여 신틸레이터층(260)이 형성되도록 할 수 있다.A plurality of scintillators by vacuum deposition of a scintillator material generated from the
신틸레이터 물질은 요오드화 세슘(CsI) 또는 요오드화 탈륨(TlI)을 사용할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The scintillator material may be cesium iodide (CsI) or thallium iodide (TlI), but is not limited thereto.
이 경우 증착 마스크용 가이드 지그(510)는 어레이 패널(201)의 상면 테두리부를 감싸되, 댐부(203)가 형성된 어레이 패널(201)의 상면 테두리부는 감싸지 않고 측면 일부만을 덮도록 구성될 수 있다.In this case, the
구체적으로 증착 마스크용 가이드 지그(510)는 어레이 패널(201)의 적어도 하나의 측면 및 상부면을 제외한 나머지 측면 및 상부면 테두리부까지 덮는 주 마스크부(511)를 포함할 수 있다.In more detail, the
일 실시예로 주 마스크부(511)는 도 9a 및 도 9b와 같이 어레이 패널(201)의 3개의 측면과 상부면 테두리부를 덮도록 형성된다. 이 경우 주 마스크부(511)로 덮인 어레이 패널(201)의 상부면 테두리부에 형성되는 신틸레이터층(260)은 진공 증착 방법의 특성상 쉐도우(Shadow) 효과로 인하여 단계적으로 경사가 지도록 형성될 수 있다.In an exemplary embodiment, the
이렇게 경사 영역을 갖는 신틸레이터층(260)의 부분은 유효한 촬영 영역이 되기 어렵기 때문에 경사 영역을 갖는 신틸레이터층(260)은 액티브 영역(210A) 외부에 위치하도록 주 마스크부(511)의 위치를 조절한다.Since the portion of the
주 마스크부(511)는 신틸레이터층(260)이 형성되지 않도록 하는 쉐도우 마스크(Shadow Mask) 역할을 할 수 있다. The
따라서 주 마스크부(511)로 덮인 어레이 패널(201)의 상부면 테두리부에는 게이트 구동부(120) 및 리드아웃 회로부(150)와 같이 신틸레이터층(260)으로 덮이지 않아도 되는 패드 영역이 대응될 수 있다.Therefore, a pad region that does not need to be covered by the
한편 주 마스크부(511)로 덮이지 않은 어레이 패널(201)의 일 측면에는 어레이 패널(201)의 측면을 지지하는 하나 이상의 측면 지지부(513)가 있을 수 있다. 측면 지지부(513)는 증착 마스크용 가이드 지그(510)의 주 마스크부(511)와 연결된 구성이며, 착탈식으로 결합이 될 수 있다.Meanwhile, on one side of the
측면 지지부(513)는 복수로 구비되어 어레이 패널(201)의 측면을 고정 및 지지하는 역할을 할 수 있다. A plurality of
특히 신틸레이터를 증착하는 경우 증착 온도가 200℃ 정도의 고온까지 상승하기 때문에 어레이 패널(201)의 베이스 기판(210)의 경우 뒤틀림 현상이 발생될 수도 있는 바, 측면을 고정해주는 측면 지지부(513)가 뒤틀림을 최소화해 줄 수 있다.In particular, in the case of depositing a scintillator, since the deposition temperature rises to a high temperature of about 200° C., distortion may occur in the case of the
이렇게 어레이 패널(201)의 일 측면 및 상부면에는 주 마스크부(511)로 덮이지 않고 측면만을 고정하는 측면 지지부(513)가 있는 증착 마스크용 가이드 지그(510)를 사용함으로써, 신틸레이터층(260)은 어레이 패널(201)의 테두리부까지 베젤 영역이 최소화되도록 형성될 수 있다.In this way, by using a
이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크용 가이드 지그(510)를 사용하는 경우 신틸레이터층(260)이 도 3a와 같은 배치 구조를 갖도록 형성할 수 있다.As described above, when the
특히 본 발명의 경우 주 마스크부(511)가 형성되지 않은 어레이 패널(201)의 상부면에는 주 마스크부(511)에 의한 쉐도우 효과가 발생되지 않기 때문에 일정한 높이의 평편한 신틸레이터층(260)을 형성할 수 있다.In particular, in the case of the present invention, a
이에 따라 본 발명의 경우 댐부(203)가 형성된 측면 방향의 신틸레이터층(260)은 베이스 기판(210)의 끝단부로 가더라도 신틸레이터층(260)이 경사지지 않고 평편하게 일정한 높이를 갖는 평편 영역을 포함할 수 있다.Accordingly, in the case of the present invention, the
증착 마스크용 가이드 지그(510)에 대한 다른 일 실시예로 도 10a 내지 도 10b에 도시된 바와 같은 증착 마스크용 가이드 지그(510)를 사용하여 형성할 수 있다.As another embodiment of the
도 10a와 도 10b에 따른 증착 마스크용 가이드 지그(510)는 도 9a와 도 9b에 따른 증착 마스크용 가이드 지그(510)와 비교하였을 때, 주 마스크부(511)로 덮이지 않은 어레이 패널(201)의 일 측면에 어레이 패널(201)의 측면을 지지하는 하나 이상의 측면 지지부(513) 대신에 일 측면과 상면 테두리부를 1mm 이하로 덮도록 형성되는 부 마스크부(515)를 구비한다는 점에서 차이점이 있다.The
즉 도 10a와 도 10b에 도시된 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 증착 마스크용 가이드 지그(510)는 부 마스크부(515)가 덮는 어레이 패널(201)의 상부면 영역이 주 마스크부(511)가 덮는 어레이 패널(201)의 상부면 영역보다 작도록 형성한다.That is, in the
이와 같이 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 증착 마스크용 가이드 지그(510)를 사용하는 경우 신틸레이터층(260)이 도 3b 내지 도 3d와 같이 어레이 패널(201)의 안쪽으로 배치되는 구조를 갖도록 형성할 수 있다.In this way, when the
하지만 부 마스크부(515)가 덮는 어레이 패널(201)의 상면 테두리부가 1mm 이하가 되기 때문에 쉐도우 효과가 발생되는 주 마스크(511) 대비 쉐도우 효과의 발생이 최소화될 수 있다.However, since the top edge portion of the
즉 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 증착 마스크용 가이드 지그(510)를 사용하는 경우에도 쉐도우 효과가 최소화 되기 때문에 일정한 높이의 평편한 신틸레이터층(260)을 최대한 확보할 수 있다.That is, even when the
다음으로 도 8d와 같이 어레이 패널(201)의 적어도 일 측면에 하나 이상의 댐부(203)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 8D, one or
신틸레이터층(260)을 증착하는 경우 증착 온도가 200℃ 정도의 높은 온도에서 이루어지기 때문에 댐부(203)가 미리 형성된 상태에서 신틸레이터층(260) 증착 공정을 진행하는 경우 댐부(203)에 손상이 가해질 수 있다.In the case of depositing the
따라서 댐부(203)의 손상을 최소화하기 위하여 댐부(203)를 형성하는 도 8d에 따른 공정은 신틸레이터층(260)을 형성하는 도 8c에 따른 공정보다 앞서서 진행될 수 있다.Accordingly, the process of forming the
이 경우 댐부(203)는 도 8c와 같은 신틸레이터층(260) 형성 단계에서 증착 마스크용 가이드 지그(510)의 주 마스크부(511)에 의해서 덮이지 않아 신틸레이터층(260)이 베이스 기판(210)의 끝단부에 가깝도록 형성됨으로써 베젤이 최소화된 어레이 패널(201)의 측면에 형성된다.In this case, the
댐부(203)는 도 11과 같이 어레이 패널(201)을 진공 정반(Vacuum Stage, 400)에 고정시킨 후에 베이스 기판(210)의 측면에 베이스 기판(210)의 높이 방향과 수직한 방향으로 복수의 팁(Tip)부(430)를 포함하는 디스펜서(Dispenser, 410)를 이동시킴으로써 형성할 수 있다.After fixing the
구체적으로 어레이 패널(201)은 진공 정반(400) 상에 올려 놓아 진공 흡착 방식으로 고정시킴으로써 어레이 패널(201)을 Z축 방향으로 고정하도록 조절할 수 있다.Specifically, the
도 12a는 디스펜서(410)의 구체적인 일 실시예로, 디스펜서(410)는 몸체부(420)와 몸체부(420)의 일 끝단에 형성된 복수의 팁부(430)를 포함한다.12A shows a specific embodiment of the
이 경우 팁부(430)는 형성하고자 하는 댐부(203)의 패턴과 대응되는 패턴을 가질 수 있으며, 디스펜서(410)를 X축 방향으로 조절하여 댐부(203)를 형성할 수 있다.In this case, the
복수의 팁부(430)는 베이스 기판(210)의 높이 방향과 평행한 방향으로 나란히 배열되도록 나열되어 몸체부(420)에 연결될 수 있다.The plurality of
팁부(430)는 속이 빈 중공으로 형성되고, 각각의 팁부(430)에는 댐부(203) 형성 물질을 공급하는 용액 공급부(421)가 연결되어 팁부(430)에 직접 댐부(203) 형성 물질이 공급될 수 있다.The
이에 따라 복수의 팁부(430)가 평행하게 나열된 디스펜서(410)는 각각의 팁부(430)가 형성하고자 하는 댐부(203)의 패턴에 대응되도록 팁부(430)의 끝단이 베이스 기판(210)의 측면에 접하게 위치시킨다.Accordingly, in the
그리고 디스펜서(410)를 어레이 패널(201), 즉 베이스 기판(210)의 높이 방향과 수직한 방향으로 이동시킴으로써, 팁부(430)를 통해서 토출되는 댐부(203) 형성 물질에 의해서 댐부(203)를 형성할 수 있다.And by moving the
이 경우 팁부(430)는 플렉서블(Flexible)한 재질로 형성되어 디스펜서(410)를 이동시킬 때 팁부(430)가 베이스 기판(210)의 측면을 스치듯이 이동할 수 있도록, X축 방향으로 조절하여 팁부(430)를 통해 토출되는 댐부(203) 형성 물질이 베이스 기판(210)에 잘 묻을 수 있도록 할 수 있다.In this case, the
또한 다른 실시예로 도 12b와 같이 디스펜서(410)는 몸체부(420)와 몸체부(420)의 일 끝단에 형성된 복수의 팁부(430)를 포함하되, 복수의 팁부(430) 사이에는 노즐(Nozzle)부(423)가 형성되고 각각의 노즐부(423)에는 댐부(203) 형성 물질을 공급하는 용액 공급부(421)가 연결되도록 할 수 있다.In another embodiment, as shown in FIG. 12B, the
이 경우 노즐부(423)를 통해서 토출되는 댐부(203) 형성 물질은 각각의 팁부(430)를 따라서 팁부(430) 끝단까지 흘러내려감으로써 베이스 기판(210)과 접촉하여 디스펜서(410)가 이동할 때 댐부(203) 형성 물질이 베이스 기판(210)의 측면에 잘 묻을 수 있도록 할 수 있다.In this case, when the material forming the
이외의 디스펜서(410)를 이용한 댐부(203)의 형성 방법은 도 12a에 따른 실시예와 동일하다.The method of forming the
댐부(203) 형성 물질은 실리콘(Si), 아크릴(Acrylic), 아크릴아미드(Acrylamide), 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane: PDMS), 폴리우레탄(Poly Urethane), 이소시아네이트(Isocyanate), 폴리아미드(Polyamide), 폴리이미드(Polyimide), 에틸렌프로필렌 고무(Ethylene Propylene Terpolymers: EPDM) 클로로설폰화 폴리에틸렌(Chlorosulphonated Polyethylene: CSM), 스티렌부타디엔 고무(Styrene Butadiene Rubber: SBR), 니트릴부타디엔 고무 (Nitrile Butadiene Rubber: NBR), 클로로프렌(Chloroprene Rubber: CR), 폴리부타디엔 고무(Polybutadiene Rubber: BR), 이소부틸렌이소프렌 고무(Isobutylene Isoprene Rubber: IIR)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.Materials for forming the
댐부(203) 형성 물질에 대한 일 실시예로 도 5의 A와 같이 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane: PDMS)을 사용할 수 있다. 구체적으로 용액 상태의 폴리디메틸실록산을 디스펜서(410)를 이용하여 베이스 기판(210)의 측면에 도포한 후에 100℃에서 1시간 동안 베이킹(Baking) 처리를 하는 열경화 방법을 통해 댐부(203)를 형성할 수 있다.As an embodiment of the material for forming the
또한 댐부(203) 형성 물질에 대한 다른 일 실시예로 도 5의 B와 같이 폴리디메틸아크릴아미드(Polydimethylacrylamide: PDMA)층과 같은 흡수층(203b)으로 표면이 감싸진 나노 실리카(Nano Silica)들과 같은 나노파티클(203a)이 화학적 크로스링크(cross-link, 203c)에 의해서 PDMA가 얽힌 매트릭스에 함침된 물질을 사용할 수 있다.In addition, as another embodiment of the
구체적으로 상기와 같은 나노 실리카 또는 디메톡시페닐아세토페논 (Dymethoxyphenylacetophenone: DMAP)와 같은 가교 역할을 할 수 있는 파티클과 경화제가 포함된 폴리디메틸아크릴아미드(Polydimethylacrylamide: PDMA)를 도포한 후 진공에서 24시간 상온 경화 또는 60℃에서 6시간 동안 경화를 하는 방법으로 댐부(203)를 형성할 수 있다. Specifically, after applying polydimethylacrylamide (PDMA) containing particles and a curing agent capable of crosslinking such as nano silica or dimethoxyphenylacetophenone (DMAP) as described above, at room temperature for 24 hours in a vacuum The
도 8d와 같이 댐부(203)가 형성된 어레이 패널(201) 상에는 신틸레이터층(260)과 어레이 패널(201)의 측면을 덮도록 밀봉층(270)을 형성한다.As shown in FIG. 8D, a
밀봉층(270)의 물질로는 페럴린을 사용할 수 있다. 구체적으로 페럴린 파우더를 가열해서 반응성 가스를 만든 후 반응성 가스가 신틸레이터층(260)과 베이스 기판(210)에 반응을 하여 필름화가 되도록 하는 화학 기상 증착(Chemical vapor deposition, CVD) 방법을 이용하여 밀봉층(270)을 형성할 수 있다.Ferruline may be used as the material of the
이 경우 밀봉층(270)은 댐부(203)가 형성된 어레이 패널(201)의 측면을 덮도록 형성되며, 댐부(203)가 형성되지 않은 어레이 패널(201)의 측면은 덮지 않도록 형성될 수 있다.In this case, the
댐부(203)가 형성된 어레이 패널(201)의 측면은 댐부(203)의 형성으로 인하여 밀봉층(270)과의 접촉 면적이 크게 증가함에 따라 밀봉 특성이 향상될 수 있다.A side surface of the
또한 밀봉층(270)이 댐부(203)가 형성된 어레이 패널(201)의 측면까지 덮도록 형성됨에 따라, 밀봉층(270)과 어레이 패널(201)의 경계가 댐부(203)가 형성된 어레이 패널(201)의 하부면 끝단에 형성되기 때문에 수분이 디지털 엑스레이 검출기(200) 내로 침투되는 경로가 매우 길어지게 되어 수분 침투를 최소화할 수 있다.In addition, as the
또한 밀봉층(270)과 어레이 패널(201)의 경계면으로 수분이 침투된다고 하더라도 댐부(203)가 형성된 어레이 패널(201)의 측면을 지나야 하는 바, 댐부(203)가 수분 배리어층으로써 역할을 하게 되어 수분 침투가 최소화될 수 있도록 할 수 있다.In addition, even if moisture penetrates into the interface between the
이상과 같이 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기는 복수의 화소 영역을 포함하는 액티브(Active) 영역이 정의된 베이스 기판, 액티브 영역의 베이스 기판 상에 있는 PIN 다이오드, PIN 다이오드 상에 있는 신틸레이터층 및 신틸레이터층을 덮는 밀봉층을 포함하고, 베이스 기판의 적어도 일 측면에는 하나 이상의 댐(Dam)부가 있다.As described above, the digital X-ray detector according to the present invention includes a base substrate on which an active region including a plurality of pixel regions is defined, a PIN diode on the base substrate of the active region, a scintillator layer on the PIN diode, and a scintillator. It includes a sealing layer covering the riser layer, and at least one side of the base substrate has one or more dams.
이 경우 댐부는 디지털 엑스레이 검출기의 높이 방향과 수직한 방향으로 배치될 수 있다.In this case, the dam portion may be disposed in a direction perpendicular to the height direction of the digital X-ray detector.
또한 댐부는 복수로 있고, 복수의 댐부는 서로 이격되어 있을 수 있다.In addition, there may be a plurality of dam portions, and the plurality of dam portions may be spaced apart from each other.
또한 댐부는 베이스 기판의 측면 일 끝단부로부터 타 끝단부까지 연장되어 있을 수 있다.In addition, the dam portion may extend from one end of the side surface of the base substrate to the other end.
또한 댐부는 실리콘(Si), 아크릴(Acrylic), 아크릴아미드(Acrylamide), 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane: PDMS), 폴리우레탄(Poly Urethane), 이소시아네이트(Isocyanate), 폴리아미드(Polyamide), 폴리이미드(Polyimide), 에틸렌프로필렌 고무(Ethylene Propylene Terpolymers: EPDM) 클로로설폰화 폴리에틸렌(Chlorosulphonated Polyethylene: CSM), 스티렌부타디엔 고무(Styrene Butadiene Rubber: SBR), 니트릴부타디엔 고무 (Nitrile Butadiene Rubber: NBR), 클로로프렌(Chloroprene Rubber: CR), 폴리부타디엔 고무(Polybutadiene Rubber: BR), 이소부틸렌이소프렌 고무(Isobutylene Isoprene Rubber: IIR)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.In addition, the dam part is silicone (Si), acrylic, acrylamide, polydimethylsiloxane (PDMS), polyurethane (Poly Urethane), isocyanate (Isocyanate), polyamide (Polyamide), polyimide (Polyimide). ), Ethylene Propylene Terpolymers (EPDM), Chlorosulphonated Polyethylene (CSM), Styrene Butadiene Rubber (SBR), Nitrile Butadiene Rubber (NBR), Chloroprene Rubber: CR), polybutadiene rubber (BR), and isobutylene isoprene rubber (IIR) may be made of one or more materials selected from the group consisting of.
이 경우 밀봉층은 댐부가 있는 베이스 기판의 측면까지 덮을 수 있다.In this case, the sealing layer may cover the side surface of the base substrate with the dam part.
액티브 영역의 주변부는 논-액티브(Non-Active) 영역으로 정의되고, 신틸레이터층은 논-액티브 영역의 적어도 일부분을 덮을 수 있다.The periphery of the active area is defined as a non-active area, and the scintillator layer may cover at least a portion of the non-active area.
PIN 다이오드와 신틸레이터층 사이에는 유기층이 있을 수 있다.There may be an organic layer between the PIN diode and the scintillator layer.
이 경우 댐부가 있는 베이스 기판의 측면 방향에 있는 유기층과 신틸레이터층은 베이스 기판의 끝단부와 일치할 수 있다.In this case, the organic layer and the scintillator layer in the lateral direction of the base substrate with the dam portion may coincide with the end portions of the base substrate.
또한 댐부가 있는 베이스 기판의 측면 방향에 있는 유기층은 베이스 기판의 끝단부와 일치하되, 댐부가 있는 베이스 기판의 측면 방향에 있는 신틸레이터층은 유기층의 일부를 외부로 노출시킬 수 있다.In addition, the organic layer in the lateral direction of the base substrate with the dam portion coincides with the end portion of the base substrate, and the scintillator layer in the lateral direction of the base substrate with the dam portion may expose a part of the organic layer to the outside.
또한 댐부가 있는 베이스 기판의 측면 방향에 있는 유기층과 신틸레이터층은 베이스 기판의 끝단부와 일치하지 않을 수 있다.In addition, the organic layer and the scintillator layer in the lateral direction of the base substrate with the dam portion may not coincide with the end portions of the base substrate.
또한 댐부가 있는 베이스 기판의 측면 방향에 있는 신틸레이터층은 높이가 일정할 수 있다.In addition, the scintillator layer in the lateral direction of the base substrate with the dam portion may have a constant height.
본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출 장치는 전술한 디지털 엑스레이 검출기, 디지털 엑스레이 검출기를 지지하는 지지부 및 디지털 엑스레이 검출기와 일정 거리 이격되도록 위치하여, 디지털 엑스레이 검출기에 엑스레이를 조사하는 엑스레이 광원을 포함한다.The digital X-ray detection apparatus according to the present invention includes the above-described digital X-ray detector, a support part supporting the digital X-ray detector, and an X-ray light source positioned so as to be spaced apart from the digital X-ray detector by a predetermined distance to irradiate X-rays to the digital X-ray detector.
이 경우 댐부가 있는 디지털 엑스레이 검출기의 측면이 촬영 대상자의 신체와 접하는 접촉면일 수 있다.In this case, the side surface of the digital X-ray detector with the dam part may be a contact surface in contact with the body of the person to be photographed.
본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출기의 제조 방법은 복수의 화소 영역을 포함하는 액티브 영역이 정의된 베이스 기판 상에 PIN 다이오드를 형성하여 어레이 패널을 형성하는 단계, 어레이 패널 상에 유기층을 형성하는 단계, 유기층 상에 신틸레이터층을 형성하는 단계, 어레이 패널의 적어도 일 측면에 하나 이상의 댐(Dam)부를 형성하는 단계 및 신틸레이터층과 댐부가 형성된 어레이 패널의 측면을 덮도록 밀봉층을 형성하는 단계를 포함한다.The method of manufacturing a digital X-ray detector according to the present invention includes forming an array panel by forming a PIN diode on a base substrate on which an active area including a plurality of pixel areas is defined, forming an organic layer on the array panel, and an organic layer. Forming a scintillator layer thereon, forming one or more dam portions on at least one side of the array panel, and forming a sealing layer to cover the side surfaces of the array panel on which the scintillator layer and the dam portion are formed do.
이 경우 댐부는 베이스 기판의 측면에 베이스 기판의 높이 방향과 수직한 방향으로 복수의 팁(Tip)부를 포함하는 디스펜서(Dispenser)를 이동시킴으로써 형성할 수 있다.In this case, the dam portion may be formed by moving a dispenser including a plurality of tip portions on a side surface of the base substrate in a direction perpendicular to the height direction of the base substrate.
또한 복수의 팁부는 상기 베이스 기판의 높이 방향과 평행한 방향으로 나열되어 있을 수 있다.In addition, the plurality of tip portions may be arranged in a direction parallel to the height direction of the base substrate.
또한 각각의 팁부에는 댐부 형성 물질이 공급될 수 있다.In addition, a dam part forming material may be supplied to each tip part.
또한 신틸레이터층은 어레이 패널을 증착 마스크용 가이드 지그(Jig)로 고정한 후 신틸레이터를 증착하는 방법으로 형성하고, 증착 마스크용 가이드 지그는 어레이 패널의 상면 테두리부를 감싸되, 댐부가 형성된 어레이 패널의 상면 테두리부는 감싸지 않고 측면 일부를 덮을 수 있다.In addition, the scintillator layer is formed by fixing the array panel with a guide jig for a deposition mask and then depositing a scintillator. The guide jig for the deposition mask surrounds the upper edge of the array panel, The upper edge portion may cover part of the side surface without wrapping.
또한 신틸레이터층은 어레이 패널을 증착 마스크용 가이드 지그(Jig)로 고정한 후 신틸레이터를 증착하는 방법으로 형성하고,In addition, the scintillator layer is formed by fixing the array panel with a guide jig for a deposition mask and then depositing a scintillator.
증착 마스크용 가이드 지그는 어레이 패널의 상면 테두리부를 감싸되, 댐부가 형성된 어레이 패널의 상면 테두리부는 1mm 이하로 감쌀 수 있다.The guide jig for the deposition mask may surround the upper edge of the array panel, and the upper edge of the array panel on which the dam part is formed may be wrapped to 1 mm or less.
이상과 같이 본 발명에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시 예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 실시 예를 설명하면서 본 발명의 구성에 따른 작용 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을 지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 함은 당연하다.As described above with reference to the drawings illustrated for the present invention, the present invention is not limited by the embodiments and drawings disclosed in the present specification, and various by a person skilled in the art within the scope of the technical idea It is obvious that transformation can be made. In addition, even if not explicitly described and described the effects of the configuration of the present invention while describing the embodiments of the present invention, it is natural that the predictable effects of the configuration should also be recognized.
10: 엑스레이 검출 장치
110: 박막 트랜지스터 어레이
120: 게이트 구동부
130: 바이어스 공급부
140: 전원전압 공급부
150: 리드아웃 회로부
160: 타이밍 제어부
200: 디지털 엑스레이 검출기
201: 어레이 패널
203: 댐부
203a: 나노파티클
203b: 흡수층
203c: 크로스링크
210A: 액티브 영역
210B: 논-액티브 영역
210: 베이스 기판
220: 박막 트랜지스터
221: 액티브층
221c: 채널 영역
221a: 제1 도체화 영역
221b: 제2 도체화 영역
222: 게이트 절연층
223a: 게이트 전극
224: 층간 절연층
224a: 제1 컨택홀
224b: 제2 컨택홀
225a: 제1 전극
225b: 제2 전극
226: 제1 보호층
226h: 제3 컨택홀
230: PIN 다이오드
231: 하부 전극
232: PIN 층
233: 상부 전극
234: 제2 보호층
234h: 제4 컨택홀
243: 바이어스 전극
250: 유기층
260: 신틸레이터층
270: 밀봉층
300: 지지부
310: 가압부
320: 엑스레이 광원
330: 촬영 대상자
400: 진공 정반
410: 디스펜서
420: 몸체부
421: 용액 공급부
423: 노즐부
430: 팁부
500: 고정 지그
510: 증착 마스크용 가이드 지그
511: 주 마스크부
513: 측면 지지부
515: 부 마스크부
520: 증착 소스10: x-ray detection device 110: thin film transistor array
120: gate driver 130: bias supply
140: power supply voltage supply unit 150: readout circuit unit
160: timing controller 200: digital X-ray detector
201: array panel 203: dam
203a:
203c: crosslink 210A: active area
210B: non-active area 210: base substrate
220: thin film transistor 221: active layer
221c:
221b: second conductive region 222: gate insulating layer
223a: gate electrode 224: interlayer insulating layer
224a:
225a:
226: first
230: PIN diode 231: lower electrode
232: PIN layer 233: upper electrode
234: second
243: bias electrode 250: organic layer
260: scintillator layer 270: sealing layer
300: support part 310: pressing part
320: x-ray light source 330: subject
400: vacuum platen 410: dispenser
420: body part 421: solution supply part
423: nozzle part 430: tip part
500: fixed jig 510: guide jig for deposition mask
511: main mask portion 513: side support portion
515: sub mask unit 520: deposition source
Claims (20)
상기 액티브 영역의 상기 베이스 기판 상에 있는 PIN 다이오드;
상기 PIN 다이오드 상에 있는 신틸레이터층; 및
상기 신틸레이터층을 덮는 밀봉층; 을 포함하고,
상기 베이스 기판의 적어도 일 측면에는 하나 이상의 댐(Dam)부가 있는 디지털 엑스레이 검출기.A base substrate in which an active region including a plurality of pixel regions is defined;
A PIN diode on the base substrate in the active area;
A scintillator layer on the PIN diode; And
A sealing layer covering the scintillator layer; Including,
A digital x-ray detector having at least one dam part on at least one side of the base substrate.
상기 댐부는 상기 디지털 엑스레이 검출기의 높이 방향과 수직한 방향으로 배치된 디지털 엑스레이 검출기.The method of claim 1,
The dam part is a digital x-ray detector disposed in a direction perpendicular to a height direction of the digital x-ray detector.
상기 댐부는 복수로 있고,
복수의 상기 댐부는 서로 이격되어 있는 디지털 엑스레이 검출기.The method of claim 2,
There are a plurality of dam parts,
A digital x-ray detector that is spaced apart from each other of the plurality of dam parts.
상기 댐부는 상기 베이스 기판의 측면 일 끝단부로부터 타 끝단부까지 연장되어 있는 디지털 엑스레이 검출기.The method of claim 2,
The dam part is a digital X-ray detector extending from one end of the side surface to the other end of the base substrate.
상기 댐부는 실리콘(Si), 아크릴(Acrylic), 아크릴아미드(Acrylamide), 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane: PDMS), 폴리우레탄(Poly Urethane), 이소시아네이트(Isocyanate), 폴리아미드(Polyamide), 폴리이미드(Polyimide), 에틸렌프로필렌 고무(Ethylene Propylene Terpolymers: EPDM) 클로로설폰화 폴리에틸렌(Chlorosulphonated Polyethylene: CSM), 스티렌부타디엔 고무(Styrene Butadiene Rubber: SBR), 니트릴부타디엔 고무 (Nitrile Butadiene Rubber: NBR), 클로로프렌(Chloroprene Rubber: CR), 폴리부타디엔 고무(Polybutadiene Rubber: BR), 이소부틸렌이소프렌 고무(Isobutylene Isoprene Rubber: IIR)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 이루어진 디지털 엑스레이 검출기.The method of claim 1,
The dam part is silicone (Si), acrylic, acrylamide, polydimethylsiloxane (PDMS), polyurethane (Poly Urethane), isocyanate (Isocyanate), polyamide (Polyamide), polyimide (Polyimide) ), Ethylene Propylene Terpolymers (EPDM), Chlorosulphonated Polyethylene (CSM), Styrene Butadiene Rubber (SBR), Nitrile Butadiene Rubber (NBR), Chloroprene Rubber: CR), polybutadiene rubber (BR), isobutylene isoprene rubber (Isobutylene Isoprene Rubber: IIR) digital X-ray detector consisting of one or more materials selected from the group consisting of.
상기 밀봉층은 상기 댐부가 있는 상기 베이스 기판의 측면까지 덮는 디지털 엑스레이 검출기.The method of claim 1,
The sealing layer is a digital X-ray detector covering the side of the base substrate with the dam part.
상기 액티브 영역의 주변부는 논-액티브(Non-Active) 영역으로 정의되고,
상기 신틸레이터층은 상기 논-액티브 영역의 적어도 일부분을 덮으며,
상기 댐부가 있는 상기 베이스 기판의 측면 방향 이외의 상기 논-액티브 영역은 게이트 구동부 및 리드아웃 회로부와 연결되는 패드 영역을 포함하는 디지털 엑스레이 검출기.The method of claim 1,
The periphery of the active area is defined as a non-active area,
The scintillator layer covers at least a portion of the non-active region,
The non-active area other than a side direction of the base substrate with the dam part includes a pad area connected to a gate driver and a readout circuit.
상기 PIN 다이오드와 상기 신틸레이터층 사이에는 유기층이 있는 디지털 엑스레이 검출기.The method of claim 7,
Digital X-ray detector having an organic layer between the PIN diode and the scintillator layer.
상기 댐부가 있는 상기 베이스 기판의 측면 방향에 있는 상기 유기층과 상기 신틸레이터층은 상기 베이스 기판의 끝단부와 일치하는 디지털 엑스레이 검출기.The method of claim 8,
The organic layer and the scintillator layer in the lateral direction of the base substrate with the dam part are coincident with an end of the base substrate.
상기 댐부가 있는 상기 베이스 기판의 측면 방향에 있는 상기 유기층은 상기 베이스 기판의 끝단부와 일치하되,
상기 댐부가 있는 상기 베이스 기판의 측면 방향에 있는 상기 신틸레이터층은 상기 유기층의 일부를 외부로 노출시키는 디지털 엑스레이 검출기.The method of claim 8,
The organic layer in the lateral direction of the base substrate with the dam part coincides with an end portion of the base substrate,
The scintillator layer in the lateral direction of the base substrate with the dam part exposes a part of the organic layer to the outside.
상기 댐부가 있는 베이스 기판의 측면 방향에 있는 상기 유기층과 상기 신틸레이터층은 상기 베이스 기판의 끝단부와 일치하지 않는 디지털 엑스레이 검출기.The method of claim 8,
The organic layer and the scintillator layer in the lateral direction of the base substrate with the dam part do not coincide with the ends of the base substrate.
상기 댐부가 있는 베이스 기판의 측면 방향에 있는 상기 신틸레이터층은 높이가 일정한 디지털 엑스레이 검출기.The method of claim 1,
The scintillator layer in a lateral direction of the base substrate having the dam part has a constant height.
상기 디지털 엑스레이 검출기를 지지하는 지지부; 및
상기 디지털 엑스레이 검출기와 일정 거리 이격되도록 위치하여, 상기 디지털 엑스레이 검출기에 엑스레이를 조사하는 엑스레이 광원; 을 포함하는 디지털 엑스레이 검출 장치.The digital X-ray detector according to any one of claims 1 to 12;
A support part supporting the digital X-ray detector; And
An x-ray light source positioned to be spaced apart from the digital x-ray detector by a predetermined distance to irradiate an x-ray onto the digital x-ray detector; Digital X-ray detection device comprising a.
상기 댐부가 있는 상기 디지털 엑스레이 검출기의 측면이 촬영 대상자의 신체와 접하는 접촉면이고,
상기 디지털 엑스레이 검출기와 상기 엑스레이 광원 사이에는 촬영 대상자의 신체를 가압하는 가압부가 있는 디지털 엑스레이 검출 장치.The method of claim 13,
A side surface of the digital x-ray detector with the dam part is a contact surface in contact with the body of the person to be photographed,
A digital x-ray detection device having a pressurizing unit between the digital x-ray detector and the x-ray light source for pressing the body of a person to be photographed.
상기 어레이 패널 상에 유기층을 형성하는 단계;
상기 유기층 상에 신틸레이터층을 형성하는 단계;
상기 어레이 패널의 적어도 일 측면에 하나 이상의 댐(Dam)부를 형성하는 단계; 및
상기 신틸레이터층과 상기 댐부가 형성된 상기 어레이 패널의 측면을 덮도록 밀봉층을 형성하는 단계; 를 포함하는 디지털 엑스레이 검출기의 제조 방법.Forming an array panel by forming a PIN diode on a base substrate in which an active region including a plurality of pixel regions is defined;
Forming an organic layer on the array panel;
Forming a scintillator layer on the organic layer;
Forming one or more dams on at least one side of the array panel; And
Forming a sealing layer to cover side surfaces of the array panel on which the scintillator layer and the dam part are formed; Method of manufacturing a digital X-ray detector comprising a.
상기 댐부는 상기 베이스 기판의 측면에 상기 베이스 기판의 높이 방향과 수직한 방향으로 복수의 팁(Tip)부를 포함하는 디스펜서(Dispenser)를 이동시킴으로써 형성하는 디지털 엑스레이 검출기의 제조 방법.The method of claim 15,
The dam part is formed by moving a dispenser including a plurality of tip parts in a direction perpendicular to a height direction of the base substrate on a side surface of the base substrate.
상기 복수의 팁부는 상기 베이스 기판의 높이 방향과 평행한 방향으로 나열되어 있는 디지털 엑스레이 검출기의 제조 방법.The method of claim 16,
The method of manufacturing a digital X-ray detector in which the plurality of tip portions are arranged in a direction parallel to a height direction of the base substrate.
각각의 상기 팁부에는 댐부 형성 물질이 공급되는 디지털 엑스레이 검출기의 제조 방법.The method of claim 16,
A method of manufacturing a digital X-ray detector in which a dam part forming material is supplied to each of the tip parts.
상기 신틸레이터층은 상기 어레이 패널을 증착 마스크용 가이드 지그(Jig)로 고정한 후 신틸레이터를 증착하는 방법으로 형성하고,
상기 증착 마스크용 가이드 지그는 상기 어레이 패널의 상면 테두리부를 감싸되, 상기 댐부가 형성된 상기 어레이 패널의 상면 테두리부는 감싸지 않고 측면 일부를 덮는 디지털 엑스레이 검출기의 제조 방법.The method of claim 15,
The scintillator layer is formed by a method of depositing a scintillator after fixing the array panel with a guide jig for a deposition mask,
The method of manufacturing a digital X-ray detector in which the guide jig for the deposition mask surrounds an upper edge of the array panel, and covers a part of the side surface without wrapping the upper edge of the array panel on which the dam portion is formed.
상기 신틸레이터층은 상기 어레이 패널을 증착 마스크용 가이드 지그(Jig)로 고정한 후 신틸레이터를 증착하는 방법으로 형성하고,
상기 증착 마스크용 가이드 지그는 상기 어레이 패널의 상면 테두리부를 감싸되, 상기 댐부가 형성된 상기 어레이 패널의 상면 테두리부는 1mm 이하로 감싸는 디지털 엑스레이 검출기의 제조 방법.The method of claim 15,
The scintillator layer is formed by a method of depositing a scintillator after fixing the array panel with a guide jig for a deposition mask,
The method of manufacturing a digital X-ray detector in which the guide jig for the deposition mask surrounds an upper edge of the array panel, and wraps the upper edge of the array panel on which the dam portion is formed to 1 mm or less.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |