KR20200135513A - Vacuum processing apparatus and method for processing substrates - Google Patents

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조셉 씨. 올슨
피터 에프. 쿠런치
동-길 임
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치가 설명된다. 진공 프로세싱 장치는, 진공 챔버; 진공 챔버에 인접해 있고 진공 챔버에 동작가능하게 커플링된 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들 ― 기판의 표면은, 상이한 프로세싱 스테이션들에서 기판이 처리될 때, 상이한 배향들을 갖고, 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 프로세싱 스테이션은, 기판을 처리하기 위한, 종방향 축을 갖는 선형 소스를 포함함 ―; 및 기판 지지부를 포함한다. 기판 지지부는, 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 및 프로세싱 스테이션의 전방으로 축을 중심으로 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 지지 바디를 이동시키도록 구성된 액추에이터를 포함한다.A vacuum processing apparatus for processing a substrate is described. The vacuum processing apparatus includes: a vacuum chamber; At least two processing stations adjacent to the vacuum chamber and operably coupled to the vacuum chamber-the surface of the substrate has different orientations when the substrate is processed in different processing stations, and at least one of the processing stations The processing station comprises a linear source having a longitudinal axis for processing the substrate; And a substrate support. The substrate support includes: a support body for holding a substrate; And an actuator configured to move the support body from a non-vertical position to a non-horizontal position about an axis in front of the processing station.

Description

기판을 프로세싱하는 진공 프로세싱 장치 및 방법Vacuum processing apparatus and method for processing substrates

[0001] 실시예들은 진공 프로세싱을 위한 기판 지지부에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 특히, 기판을 프로세싱하기 위한, 지지 바디, 및 지지 바디에 부착된 건식 접착제를 갖는 지지부; 진공 챔버, 진공 챔버 내의 기판 지지부, 및 프로세싱 스테이션을 포함하는 진공 프로세싱 장치; 및 기판 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 추가로, 로드 챔버(load chamber), 진공 이송 챔버, 및 진공 프로세싱 장치를 포함하는 기판 프로세싱 시스템에 관한 것이다.[0001] Embodiments relate to a substrate support for vacuum processing. Embodiments of the present disclosure include, in particular, a support body for processing a substrate, and a support having a dry adhesive attached to the support body; A vacuum processing apparatus including a vacuum chamber, a substrate support within the vacuum chamber, and a processing station; And a substrate processing system. Embodiments of the present disclosure further relate to a substrate processing system comprising a load chamber, a vacuum transfer chamber, and a vacuum processing apparatus.

[0002] 기판 상의 층 증착을 위한 다양한 기법들, 예컨대, 열 증발, CVD(chemical vapor deposition), 및 PVD(physical vapor deposition), 이를테면 스퍼터 증착이 알려져 있다. 스퍼터 증착 프로세스는 기판 상에 재료 층, 예컨대 절연성 재료의 층을 증착하기 위해 사용될 수 있다. 이는 타겟(target)으로부터의 재료를 기판 상으로 추출(eject)하는 것을 수반한다. 기판 상에 증착될 타겟 재료는, 타겟의 표면으로부터 타겟 재료의 원자들을 축출하기 위해, 플라즈마 구역에서 생성된 이온들에 의해 충격을 받는다. 축출된 원자들은 기판 상에 재료 층을 형성할 수 있다. 반응성 스퍼터 증착 프로세스에서, 축출된 원자들은, 기판 상에 타겟 재료의 옥사이드, 나이트라이드, 또는 옥시나이트라이드를 형성하기 위해, 플라즈마 구역에서 가스, 예컨대 질소 또는 산소와 반응할 수 있다.[0002] Various techniques for layer deposition on a substrate, such as thermal evaporation, chemical vapor deposition (CVD), and physical vapor deposition (PVD), such as sputter deposition are known. The sputter deposition process can be used to deposit a layer of material, such as a layer of insulating material, on a substrate. This entails ejecting material from the target onto the substrate. The target material to be deposited on the substrate is bombarded by ions created in the plasma region to expel atoms of the target material from the surface of the target. The ejected atoms can form a material layer on the substrate. In a reactive sputter deposition process, the ejected atoms can react with a gas such as nitrogen or oxygen in a plasma zone to form an oxide, nitride, or oxynitride of the target material on the substrate.

[0003] 코팅된 재료는 여러 애플리케이션들에서 그리고 여러 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 코팅된 재료는, 이를테면 반도체 디바이스들을 생성하기 위해, 마이크로일렉트로닉스(microelectronics) 분야에서 사용될 수 있다. 또한, 디스플레이들을 위한 기판들이 물리 기상 증착 프로세스를 사용하여 코팅될 수 있다. 추가적인 애플리케이션들은 절연 패널들, OLED(organic light emitting diode) 패널들, TFT(thin film transistor)들을 갖는 기판들, 컬러 필터들 등을 포함한다.[0003] The coated material can be used in many applications and in many fields of technology. For example, the coated material can be used in the field of microelectronics, such as to create semiconductor devices. Also, substrates for displays can be coated using a physical vapor deposition process. Additional applications include insulating panels, organic light emitting diode (OLED) panels, substrates with thin film transistors (TFTs), color filters, and the like.

[0004] 더 복잡하고 더 얇은 코팅들을 갖는 더 큰 기판들을 향하는 추세는 더 큰 프로세스 모듈들을 초래한다. 직렬로 연결된 수직 프로세스 모듈들은 풋프린트(footprint), 리던던시(redundancy), 및 비용 문제들로 인해 몇몇 단점들을 갖는다. 수직 프로세스 포지션에서, 유리는, 유리 에지 및/또는 후면 상의 코팅을 방지하고, 유리 처리 영역으로부터 프로세스 룸을 밀봉하기 위해, 마스크와 정렬된다. 클램프들은 프로세스 동안 기판의 에지들 상에서 기판을 홀딩(hold)한다. 이는, 유리 마스크 정렬들(섀도잉 효과(shadowing effect)) 및 클램프들 상의 측면 증착으로 인해, 입자들 및 균일성에 대한 문제들을 초래한다.[0004] The trend towards larger substrates with more complex and thinner coatings results in larger process modules. Vertical process modules connected in series have several drawbacks due to footprint, redundancy, and cost issues. In the vertical process position, the glass is aligned with the mask to prevent coating on the glass edges and/or back surfaces, and to seal the process room from the glass treatment area. The clamps hold the substrate on the edges of the substrate during the process. This leads to problems with particles and uniformity, due to glass mask alignments (shadowing effect) and lateral deposition on the clamps.

[0005] 전술된 바를 고려할 때, 본 기술 분야에서의 문제들의 적어도 일부 양상들을 개선하는, 기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(holding arrangement)들, 기판을 홀딩 및 프로세싱하기 위한 프로세스 시스템들 및 방법들을 제공할 필요가 있다.[0005] In view of the foregoing, providing holding arrangements for holding a substrate, process systems and methods for holding and processing a substrate, improving at least some aspects of problems in the art. Needs to be.

[0006] 상기된 바를 고려할 때, 독립 청구항들에 따른, 기판 프로세싱을 위한 기판 지지부, 진공 프로세싱 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 방법, 및 기판 프로세싱 시스템이 제공된다. 본 개시내용의 추가적인 양상들, 이점들, 및 특징들은 상세한 설명 및 첨부 도면들로부터 명백하다.[0006] In view of the above, a substrate support for processing a substrate, a vacuum processing apparatus, a method for processing a substrate, and a substrate processing system are provided according to the independent claims. Additional aspects, advantages, and features of the present disclosure are apparent from the detailed description and accompanying drawings.

[0007] 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치가 제공된다. 진공 프로세싱 장치는, 진공 챔버; 진공 챔버에 인접해 있고 진공 챔버에 동작가능하게 커플링된 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들 ― 기판의 표면은, 상이한 프로세싱 스테이션들에서 기판이 처리될 때, 상이한 배향(orientation)들을 갖고, 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 프로세싱 스테이션은, 기판을 처리하기 위한, 종방향 축을 갖는 선형 소스를 포함함 ―; 및 기판 지지부를 포함한다. 기판 지지부는, 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 및 프로세싱 스테이션의 전방으로 축을 중심으로 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 지지 바디를 이동시키도록 구성된 액추에이터를 포함한다.[0007] A vacuum processing apparatus for processing a substrate is provided. The vacuum processing apparatus includes: a vacuum chamber; At least two processing stations adjacent to the vacuum chamber and operably coupled to the vacuum chamber-the surface of the substrate has different orientations when the substrate is processed in different processing stations, among the processing stations The at least one processing station comprises a linear source having a longitudinal axis for processing a substrate; And a substrate support. The substrate support includes: a support body for holding a substrate; And an actuator configured to move the support body from a non-vertical position to a non-horizontal position about an axis in front of the processing station.

[0008] 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치가 제공된다. 진공 프로세싱 장치는, 진공 이송 챔버; 진공 이송 챔버에 커플링된 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들 ― 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 프로세싱 스테이션은, 기판을 처리하기 위한, 종방향 축을 갖는 선형 소스를 포함함 ―; 및 기판 지지부를 포함한다. 기판 지지부는, 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 및 진공 이송 챔버에서의 수평 배향으로부터 적어도 하나의 프로세싱 스테이션에서의 수직 배향으로 일정 각도만큼 지지 바디를 이동시키기 위한 액추에이터를 포함한다.[0008] A vacuum processing apparatus for processing a substrate is provided. The vacuum processing apparatus includes: a vacuum transfer chamber; At least two processing stations coupled to the vacuum transfer chamber, at least one of the processing stations comprising a linear source having a longitudinal axis for processing a substrate; And a substrate support. The substrate support includes: a support body for holding a substrate; And an actuator for moving the support body by an angle from a horizontal orientation in the vacuum transfer chamber to a vertical orientation in the at least one processing station.

[0009] 기판을 프로세싱하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 진공 챔버에서 지지부 상에 기판을 제공하는 단계; 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 지지부에 의해 기판을 이동시키는 단계; 선형 소스로 기판의 표면을 처리하는 단계; 및 선형 소스에 평행하게 기판을 이동시키는 단계를 포함한다.[0009] A method for processing a substrate is provided. The method includes providing a substrate on a support in a vacuum chamber; Moving the substrate by the support from a non-vertical position to a non-horizontal position; Treating the surface of the substrate with a linear source; And moving the substrate parallel to the linear source.

[0010] 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 실시예들과 관련되고 아래의 도면들에서 설명된다.
도 1은, 기판을 홀딩하고, 예컨대 기판을 일정 각도만큼 이동시킴으로써, 프로세싱 영역 내로 기판을 이동시키는 기판 지지부의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 2는 기판 지지부의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 3은 기판 지지부의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 4는 예시적인 기판 지지부의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 5는 추가적인 예시적인 기판 지지부의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 6은 추가적인 예시적인 기판 지지부의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 7은 실시예들에 따른, 진공 프로세싱 챔버에서 증착 소스의 전방에 있는 예시적인 기판 지지부 상의 기판의 측면도를 도시한다.
도 8은 실시예들에 따른 예시적인 기판 지지부 상의 기판의 측면도를 도시한다.
도 9는 실시예들에 따른, 진공 챔버 및 인접 진공 프로세싱 챔버의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 10은 육각형 형상 이송 챔버를 포함하는 예시적인 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 11은 실시예들에 따른, 육각형 형상 이송 챔버를 포함하는 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 12는 실시예들에 따른, 육각형 형상 이송 챔버를 포함하는 추가적인 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 13은 실시예들에 따른, 선형 소스를 포함하는 진공 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 14는 실시예들에 따른, 회전가능 원통형 타겟을 포함하는 진공 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 15는 실시예들에 따른, 기판을 프로세싱하는 방법의 개략적인 흐름도를 도시한다.[0010] In such a way that the features listed above may be understood in detail, the more detailed description briefly summarized above may be made with reference to embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments and are described in the following drawings.
1 shows a schematic side view of a substrate support that holds the substrate and moves the substrate into the processing region, for example by moving the substrate by a certain angle.
2 shows a schematic side view of a substrate support.
3 shows a schematic side view of a substrate support.
4 shows a schematic plan view of an exemplary substrate support.
5 shows a schematic plan view of an additional exemplary substrate support.
6 shows a schematic plan view of an additional exemplary substrate support.
7 shows a side view of a substrate on an exemplary substrate support in front of a deposition source in a vacuum processing chamber, according to embodiments.
8 shows a side view of a substrate on an exemplary substrate support according to embodiments.
9 shows a schematic side view of a vacuum chamber and an adjacent vacuum processing chamber, according to embodiments.
10 shows a schematic plan view of an exemplary substrate processing system including a hexagonal shape transfer chamber.
11 shows a schematic plan view of a substrate processing system including a hexagonal shape transfer chamber, according to embodiments.
12 shows a schematic plan view of an additional substrate processing system including a hexagonal shape transfer chamber, according to embodiments.
13 shows a schematic cross-sectional view of a vacuum processing chamber including a linear source, according to embodiments.
14 shows a schematic cross-sectional view of a vacuum processing chamber including a rotatable cylindrical target, according to embodiments.
15 shows a schematic flow diagram of a method of processing a substrate, according to embodiments.

[0011] 이제, 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이고, 그 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들이 도면들에 예시된다. 도면들의 아래의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 또는 유사한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 설명으로서 제공되고, 제한으로 의도되지 않는다. 게다가, 일 실시예의 부분으로서 예시 또는 설명되는 특징들은 더 추가적인 실시예를 생성하기 위해 다른 실시예들과 함께 또는 다른 실시예들에 대해 사용될 수 있다. 본 설명이 그러한 변형들 및 변화들을 포함하는 것으로 의도된다. 달리 특정되지 않는 한, 일 실시예에서의 부분 또는 양상의 설명은 다른 실시예에서의 대응하는 부분 또는 양상에 마찬가지로 적용된다.[0011] Reference will now be made in detail to various embodiments, and one or more examples of the various embodiments are illustrated in the drawings. Within the following description of the drawings, the same reference numbers refer to the same or similar components. In general, only the differences for the individual embodiments are described. Each example is provided as an explanation and is not intended to be limiting. In addition, features illustrated or described as part of an embodiment may be used in conjunction with or against other embodiments to create further additional embodiments. It is intended that this description include such modifications and variations. Unless otherwise specified, the description of a portion or aspect in one embodiment applies likewise to the corresponding portion or aspect in another embodiment.

[0012] 도 1은 축(160)을 중심으로 일정 각도만큼 이동되는 예시적인 기판 지지부(100)의 개략적인 측면도를 도시한다. 지지 바디(110)는 기판을 지지하기 위한 제1 표면(125)을 갖는다. 기판은 하나 이상의 클램프들에 의해 고정될 수 있고, 그리고/또는 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 표면(125) 상에 건식 접착제(120)가 제공될 수 있다. 기판(101)의 후면 표면(115)은, 예컨대 클램프들 또는 건식 접착제(120)에 의해, 제1 표면에 부착 또는 커플링된다. 기판(101)의 전면 표면(113)은 프로세싱될 표면, 특히, 재료 층이 상부에 증착될 표면이다. 지지 바디(110)의 이동은 지지 바디(110)에 배열된 조인트(140)를 중심으로 하는 회전에 의해 설명될 수 있으며, 여기서, 조인트(140)는 회전 축(160)을 형성한다. 지지 바디(110)의 이동은 또한, 폴딩 업(folding up) 또는 플랩 업(flap up) 이동으로서 이해될 수 있다. 파선 윤곽들(111)은 지지 바디가 일정 각도만큼 회전하여(around) 이동된 것을 도시한다. 본원에서 설명되는 모든 실시예들에서, 건식 접착제 대신에, 프로세스 동안 기판의 에지들 상에서 기판을 홀딩하기 위해 클램프들이 대안적으로 선택될 수 있다.1 shows a schematic side view of an exemplary substrate support 100 that is moved by an angle about an axis 160. The support body 110 has a first surface 125 for supporting a substrate. The substrate may be secured by one or more clamps and/or a dry adhesive 120 may be provided on the first surface 125 as shown in FIG. 1. The back surface 115 of the substrate 101 is attached or coupled to the first surface, for example by means of clamps or dry adhesive 120. The front surface 113 of the substrate 101 is the surface to be processed, in particular the surface on which a material layer will be deposited. The movement of the support body 110 may be described by rotation about the joint 140 arranged on the support body 110, where the joint 140 forms a rotation axis 160. The movement of the support body 110 can also be understood as a folding up or flap up movement. The broken line contours 111 show that the support body is moved around by a certain angle. In all embodiments described herein, instead of a dry adhesive, clamps may alternatively be selected to hold the substrate on the edges of the substrate during the process.

[0013] 파선 윤곽들(111)에 의해 도시된 바와 같이, 기판(101)은, 예컨대 축(160)을 중심으로 하는 회전에 의해, 각도(165)만큼 프로세싱 영역(170) 내로 이동된다. 프로세싱 영역 내로의 일정 각도만큼의 기판의 이동은 실질적인 각 변위로서 설명될 수 있다. 실시예들에서, 일정 각도만큼의 기판의 이동은 또한, 병진 운동의 부분을 가질 수 있으며, 여기서, 회전 축이, 특히 프로세싱 영역을 향해 변위된다. 도 1을 참조하면, 지지 바디(110)는 프로세싱 영역(170)을 향해 회전 축(160)을 중심으로 각도(165)만큼 그리고 수평 방향(180)과 정렬된 병진 이동에 의해 이동될 수 있다. 일정 각도만큼 기판을 이동시키도록 구성된 지지 바디는, 지지 바디에 부착되어 있는 기판 표면의 배향을 변화시키기 위해, 적어도 축을 중심으로, 예컨대 조인트를 중심으로 회전 또는 스윙(swing)하도록 구성된 회전가능 탑재 지지 바디로서 이해될 수 있다. 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 지지 바디(110)의 이동 또는 시프팅(shifting)이 소스에 대하여, 즉 기판의 처리 동안 추가로 제공된다. 예컨대, 도 1에서, 이동 또는 시프팅은 도 1의 화면(picture plane)에 수직으로 제공될 수 있다.As shown by the dashed contours 111, the substrate 101 is moved into the processing region 170 by an angle 165, for example by rotation about the axis 160. Movement of the substrate by an angle into the processing area can be described as a substantial angular displacement. In embodiments, the movement of the substrate by an angle may also have a portion of the translational motion, where the axis of rotation is displaced, in particular towards the processing area. Referring to FIG. 1, the support body 110 may be moved toward the processing region 170 by an angle 165 about a rotation axis 160 and a translational movement aligned with the horizontal direction 180. The support body configured to move the substrate by a certain angle is a rotatable mounting support configured to rotate or swing at least about an axis, such as about a joint, to change the orientation of the substrate surface attached to the support body. It can be understood as a body. According to some embodiments of the present disclosure, movement or shifting of the support body 110 is additionally provided with respect to the source, ie during processing of the substrate. For example, in FIG. 1, movement or shifting may be provided perpendicular to the picture plane of FIG. 1.

[0014] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 지지 바디는 기판을 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 이동시키도록 구성된다. 비-수직 포지션은, 특히 기판 배향을 지칭할 때, 수평 방향 또는 배향으로부터의 +/-20° 이하, 예컨대 +/-10° 미만의 편차를 허용하는 것으로 이해될 수 있다. 마찬가지로, 비-수평 포지션은 수직 방향 또는 배향으로부터의 +/-20° 이하, 예컨대 +/-10° 미만의 편차를 허용하는 것으로 이해될 수 있다. 기판 지지부의 수직 포지션으로부터의 편차는, 예컨대 기판 프로세싱 동안, 특히 층 증착 프로세스 동안, 더 안정적인 기판 포지션을 발생시킬 수 있다. 게다가, 특히 프로세싱 영역 내로 기판을 이동시키기 전에, 기판의 운송 및/또는 정렬을 용이하게 하기 위해, 기판의 수평 포지션의 편차를 갖는 것이 유익할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판 포지션들은 또한, 기판 배향들로 지칭될 수 있다.[0014] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the support body is configured to move the substrate from a non-vertical position to a non-horizontal position. A non-vertical position, particularly when referring to substrate orientation, can be understood to allow for a deviation of less than +/-20° from the horizontal direction or orientation, such as less than +/-10°. Likewise, a non-horizontal position can be understood to allow a deviation of less than +/-20° from the vertical direction or orientation, such as less than +/-10°. Deviation from the vertical position of the substrate support can result in a more stable substrate position, such as during substrate processing, especially during the layer deposition process. In addition, it may be beneficial to have a deviation in the horizontal position of the substrate to facilitate transport and/or alignment of the substrate, particularly prior to moving the substrate into the processing area. According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, substrate positions may also be referred to as substrate orientations.

[0015] 본 개시내용에서, 기판 프로세싱을 위한 기판 지지부가 제공된다. 기판 지지부는 지지 바디, 기판을 위한 홀딩 어레인지먼트를 포함하며, 지지 바디는 프로세싱 영역 내로 일정 각도만큼 기판을 이동시키도록 구성된다. 기판의 표면은, 상이한 프로세싱 스테이션들에서 기판이 처리될 때, 상이한 배향들을 가지며, 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나는, 기판을 처리하기 위한, 길이방향 축을 갖는 선형 소스를 포함한다.[0015] In the present disclosure, a substrate support for processing a substrate is provided. The substrate support includes a support body and a holding arrangement for the substrate, and the support body is configured to move the substrate by an angle into the processing region. The surface of the substrate has different orientations when the substrate is processed at different processing stations, and at least one of the processing stations includes a linear source with a longitudinal axis for processing the substrate.

[0016] 실시예들에 따르면, 기판 지지부는 본원에서 설명되는 바와 같은 기판, 특히 대면적 기판을 홀딩하도록 구성된 지지부로서 이해되어야 한다. 전형적으로, 기판 지지부, 캐리어, 및 지지부라는 용어들은 동의어로 사용된다. 본원에서 설명되는 바와 같은 기판 지지부에 의해 홀딩 또는 지지되는 기판은 전면 표면 및 후면 표면을 포함하며, 여기서, 전면 표면은 프로세싱되는 기판의 표면이고, 예컨대, 전면 표면은 재료 층이 상부에 증착될 표면이다. 전형적으로, 기판 지지부는, 특히 기판 지지부의 건식 접착제 또는 하나 이상의 클램프들에 의해, 기판의 후면 표면이 캐리어에 부착될 수 있도록 구성된다. 상이한 실시예들에 따르면, 지지 바디는 플레이트를 포함할 수 있거나, 또는 프레임-형상 구조를 포함할 수 있다. 프레임-형상의 구조는 기판, 예컨대 직사각형 기판을 기판의 둘레에서 지지하도록 구성된다.According to embodiments, a substrate support is to be understood as a support configured to hold a substrate as described herein, in particular a large area substrate. Typically, the terms substrate support, carrier, and support are used synonymously. A substrate held or supported by a substrate support as described herein includes a front surface and a back surface, where the front surface is the surface of the substrate being processed, e.g., the front surface is the surface on which the material layer is to be deposited. to be. Typically, the substrate support is configured such that the back surface of the substrate can be attached to the carrier, in particular by means of dry adhesive or one or more clamps of the substrate support. According to different embodiments, the support body may comprise a plate, or may comprise a frame-shaped structure. The frame-shaped structure is configured to support a substrate, such as a rectangular substrate, around the substrate.

[0017] 본원에서 사용되는 바와 같은 기판이라는 용어는 비가요성 기판, 예컨대, 유리 플레이트, 금속 플레이트, 웨이퍼, 투명 결정의 슬라이스(slice)들, 유리 기판, 또는 세라믹 플레이트일 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않고, 기판이라는 용어는 또한, 가요성 기판들, 이를테면 웹 또는 포일, 예컨대 금속 포일 또는 플라스틱 포일을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은, 유리, 이를테면 소다-석회 유리 또는 보로실리케이트 유리, 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료, 운모(mica), 또는 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판의 주 표면에 수직인 방향의 기판의 두께는, 0.7 mm, 0.5 mm, 또는 0.3 mm와 같이, 0.1 mm 내지 1.8 mm의 범위 내에 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판의 두께는 50 μm 이상일 수 있다. 기판의 두께는 또한, 900 μm 이하일 수 있다.[0017] The term substrate as used herein may be a non-flexible substrate, such as a glass plate, a metal plate, a wafer, slices of transparent crystals, a glass substrate, or a ceramic plate. However, the present disclosure is not limited thereto, and the term substrate may also include flexible substrates, such as web or foil, such as metal foil or plastic foil. According to embodiments that can be combined with any of the other embodiments described herein, the substrate can be made of any material suitable for material deposition. For example, the substrate may be glass, such as soda-lime glass or borosilicate glass, metal, polymer, ceramic, compound materials, carbon fiber material, mica, or any other material that can be coated by a deposition process or It can be made of a material selected from the group consisting of combinations of materials. For example, the thickness of the substrate in a direction perpendicular to the main surface of the substrate may be in the range of 0.1 mm to 1.8 mm, such as 0.7 mm, 0.5 mm, or 0.3 mm. In some embodiments, the thickness of the substrate may be 50 μm or more. The thickness of the substrate may also be 900 μm or less.

[0018] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판은 대면적 기판일 수 있다. 대면적 기판은 0.5 m2 이상의 표면적을 가질 수 있다. 전형적으로, 대면적 기판은 디스플레이 제조를 위해 사용될 수 있고, 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 예컨대, 본원에서 설명되는 바와 같은 기판들은 LCD(Liquid Crystal Display), OLED(organic light-emitting diode) 등을 위해 사용되는 기판들을 포함할 것이다. 예컨대, 대면적 기판은 1 m2 이상의 면적을 갖는 주 표면을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 대면적 기판은 0.37 m x 0.47 m에 대응하는 GEN 2, 약 0.67 m2 기판들(0.73 m x 0.92 m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2 기판들(1.1 m x 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 또는 그 초과일 수 있다. 대면적 기판은 추가로, 약 4.29 m2 기판들(1.95 m x 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2 기판들(2.2 m x 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7 m2 기판들(2.85 m x 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. 한층 더 큰 세대들, 이를테면 GEN 11 및 GEN 12 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다.[0018] According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the substrate may be a large area substrate. The large-area substrate may have a surface area of 0.5 m 2 or more. Typically, large area substrates can be used for display manufacturing and can be glass or plastic substrates. For example, substrates as described herein will include substrates used for liquid crystal displays (LCDs), organic light-emitting diodes (OLEDs), and the like. For example, a large-area substrate may have a major surface having an area of 1 m 2 or more. In some embodiments, the large area substrate is GEN 2 corresponding to 0.37 mx 0.47 m, GEN 4.5 corresponding to about 0.67 m 2 substrates (0.73 mx 0.92 m), about 1.4 m 2 substrates (1.1 mx 1.3 m) It may be GEN 5, or more, corresponding to. Large-area substrates may further include GEN 7.5 corresponding to about 4.29 m 2 substrates (1.95 mx 2.2 m), GEN 8.5 corresponding to about 5.7 m 2 substrates (2.2 mx 2.5 m), or even about 8.7 m 2 It may be GEN 10 corresponding to the substrates (2.85 mx 3.05 m). Even larger generations, such as GEN 11 and GEN 12 and corresponding substrate areas, can be similarly implemented.

[0019] 실시예들에 따르면, 지지 바디는 기판을 홀딩하도록 구성된 어레인지먼트로서 이해될 수 있다. 예컨대, 지지 바디는 견고한 바디, 이를테면 프레임 또는 플레이트일 수 있다. 특히, 지지 바디는 기판의 표면, 이를테면 기판의 후면 표면을 지지하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 지지부는, 예컨대 프레임-형상 구조에 의해, 기판의 둘레 또는 에지 구역을 지지할 수 있다.According to embodiments, a support body can be understood as an arrangement configured to hold a substrate. For example, the support body can be a rigid body, such as a frame or plate. In particular, the support body may be configured to support a surface of a substrate, such as a rear surface of the substrate. For example, the support can support the perimeter or edge region of the substrate, for example by means of a frame-shaped structure.

[0020] 본 개시내용에서, 홀딩 어레인지먼트는 선택적으로, 본원에서 설명되는 기판을 부착하기 위한 접착력을 제공하도록 구성된 건식 접착제를 포함할 수 있다. 특히, 건식 접착제는, 본원에서 설명되는 바와 같은 기판이 건식 접착제를 통해 지지 바디에 의해 홀딩될 수 있도록, 지지 바디 상에 제공될 수 있거나, 또는 지지 바디에 부착될 수 있다. 더 구체적으로, 건식 접착제는 본원에서 설명되는 바와 같은 건식 접착 재료를 포함할 수 있다. 건식 접착 재료는 반 데르 발스 힘(van der Waals force)에 의해 접착력을 제공하도록 구성될 수 있다. 건식 접착제는 기판 표면과 기판 지지부 사이, 특히, 기판 표면과 기판 지지 표면 사이의 연결을 형성하도록 구성된다. 기판과 건식 접착제 사이의 연결부는 방활 처리(slip-resistant) 또는 미끄럼 방지(nonskid) 등이 되어 있을 수 있다. 유리하게, 기판과 건식 접착제 사이의 연결은, 예컨대 기판 프로세싱 후에, 특히 증착 프로세스 후에, 잔류물 없이 연결해제될 수 있다.[0020] In the present disclosure, the holding arrangement may optionally include a dry adhesive configured to provide adhesion for attaching a substrate described herein. In particular, a dry adhesive may be provided on or attached to the support body such that a substrate as described herein can be held by the support body via the dry adhesive. More specifically, the dry adhesive may comprise a dry adhesive material as described herein. The dry adhesive material may be configured to provide adhesion by van der Waals force. The dry adhesive is configured to form a connection between the substrate surface and the substrate support, in particular between the substrate surface and the substrate support surface. The connection between the substrate and the dry adhesive may be slip-resistant or nonskid. Advantageously, the connection between the substrate and the dry adhesive can be disconnected without residue, for example after processing the substrate, in particular after the deposition process.

[0021] 본 개시내용에서, 홀딩 어레인지먼트에는 하나 이상의 클램프들, 특히 복수의 클램프들, 예컨대 4개 이상의 클램프들이 제공될 수 있다. 대면적 기판의 경우, 기판의 각각의 측에 2개 이상의 클램프들이 제공될 수 있다. 클램프는 슬릿으로서 제공될 수 있으며, 여기서, 기판은 기판의 약간의 이동을 갖는 것이 허용될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 클램프는, 지지 바디에 대하여 기판을 고정시키기 위해, 스프링 클램프 엘리먼트 또는 레버 클램프 엘리먼트로서 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판 부분의 포지션을 고정시키는 클램프들과 기판 부분의 포지션의 이동을 가능하게 하는 클램프들의 조합이 제공될 수 있다. 예컨대, 그러한 조합에 의해, 정의된 기판 포지션과 조합된 열 팽창이 제공될 수 있다.[0021] In the present disclosure, the holding arrangement may be provided with one or more clamps, in particular a plurality of clamps, such as four or more clamps. In the case of a large area substrate, two or more clamps may be provided on each side of the substrate. The clamp can be provided as a slit, where the substrate can be allowed to have some movement of the substrate. Additionally or alternatively, the clamp may be provided as a spring clamp element or a lever clamp element to fix the substrate relative to the support body. According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, a combination of clamps to fix the position of the substrate portion and clamps to enable movement of the position of the substrate portion may be provided. For example, by such a combination, thermal expansion in combination with a defined substrate position can be provided.

[0022] 도 2를 예시적으로 참조하고, 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착제(120)는 기판(101)의 후면 표면(115)에 부착되어, 기판(101)을 홀딩하기 위한 접착력을 제공할 수 있다. 전형적으로, 기판의 후면 표면(115)은 프로세싱되지 않을 것이다. 건식 접착제(120)는 기판(101)의 후면 표면(115)을 하나의 단부와 부착하기 위한 필라멘트(filament)들(121), 특히 복수의 필라멘트들(121)을 포함할 수 있다. 필라멘트라는 용어는 접착 구조라는 용어와 동의어로 사용될 수 있다.Referring to FIG. 2 by way of example, according to embodiments that may be combined with any other embodiments described herein, the dry adhesive 120 is applied to the rear surface 115 of the substrate 101. Attached, it can provide an adhesive force for holding the substrate 101. Typically, the back surface 115 of the substrate will not be processed. The dry adhesive 120 may include filaments 121, particularly a plurality of filaments 121, for attaching the rear surface 115 of the substrate 101 to one end. The term filament can be used synonymously with the term adhesive structure.

[0023] 특히, 복수의 필라멘트들(121) 중 각각의 필라멘트는 지지 바디(110)의 제1 표면(125)으로부터 멀어지는 방향으로, 예컨대, 지지 바디(110)의 제1 표면(125)에 수직으로 연장될 수 있다. 따라서, 복수의 필라멘트들(121) 중 각각의 필라멘트는, 예컨대, 본원에서 설명되는 바와 같은 기판(101)의 부착을 위한 제2 단부를 가질 수 있다. 특히, 복수의 필라멘트들(121) 중 각각의 필라멘트의 제2 단부는 기판(101)에 부착가능하도록 구성될 수 있다. 구체적으로, 각각의 필라멘트의 제2 단부는, 본원에서 설명되는 바와 같이, 반 데르 발스 힘들에 의해 기판(101)에 접착되도록 구성될 수 있다.[0023] In particular, each filament of the plurality of filaments 121 is in a direction away from the first surface 125 of the support body 110, for example, perpendicular to the first surface 125 of the support body 110 Can be extended to Thus, each of the plurality of filaments 121 may have a second end for attachment of the substrate 101 as described herein, for example. In particular, the second end of each filament among the plurality of filaments 121 may be configured to be attachable to the substrate 101. Specifically, the second end of each filament may be configured to adhere to the substrate 101 by Van der Waals forces, as described herein.

[0024] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 필라멘트들은 나노튜브들 또는 탄소 나노튜브들을 포함할 수 있거나, 또는 나노튜브들 또는 탄소 나노튜브들일 수 있다. 복수의 필라멘트들 각각은 실질적인 종형 부재(longitudinal member)일 수 있다. 구체적으로, 복수의 필라멘트들 각각은 나머지 2개의 치수들보다 더 긴 하나의 치수를 가질 수 있다. 특히, 필라멘트들의 가장 긴 치수는 필라멘트의 길이일 수 있다. 즉, 필라멘트들은 길이 방향을 따라 신장(elongate)될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 복수의 필라멘트들은 폴리머 재료, 특히 합성 폴리머 재료로 제조될 수 있거나, 또는 이를 포함할 수 있다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the filaments may include nanotubes or carbon nanotubes, or may be nanotubes or carbon nanotubes. Each of the plurality of filaments may be a substantially longitudinal member. Specifically, each of the plurality of filaments may have one dimension longer than the other two dimensions. In particular, the longest dimension of the filaments may be the length of the filaments. That is, the filaments may be elongated along the length direction. Additionally or alternatively, the plurality of filaments may be made of, or comprise a polymeric material, in particular a synthetic polymeric material.

[0025] 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 합성 강모(synthetic setae) 재료일 수 있다. 건식 접착제, 구체적으로는 합성 강모 재료의 접착 능력들은 게코(gecko) 발의 접착 특성들과 관련될 수 있다. 게코 발들의 접착 능력은 게코의 발들 상의 다수의 헤어-타입(hair-type) 연장부들(강모로 지칭됨)에 의해 제공된다. 본원에서, 합성 강모 재료라는 용어는, 게코 발의 자연 접착 능력을 모방하고 게코 발과 유사한 접착 능력들을 포함하는 합성 재료로서 이해될 수 있다는 것을 유의한다. 더욱이, 합성 강모 재료라는 용어는 합성 게코 강모 재료라는 용어 또는 게코 테이프 재료라는 용어와 동의어로 사용될 수 있다. 예컨대, 게코 접착 재료를 갖는 지지 바디는 G-척으로 또한 지칭될 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않으며, 기판을 홀딩하는 데 적합한 다른 건식 접착 재료들이 사용될 수 있다.[0025] According to embodiments, the dry adhesive may be a synthetic bristle (synthetic setae) material. The adhesion abilities of a dry adhesive, specifically a synthetic bristle material, can be related to the adhesion properties of a gecko foot. The adhesion ability of the gecko feet is provided by a number of hair-type extensions (referred to as bristles) on the gecko's feet. It is noted herein that the term synthetic bristle material may be understood as a synthetic material that mimics the natural adhesion ability of a gecko paw and includes adhesion abilities similar to that of a gecko paw. Moreover, the term synthetic bristle material may be used synonymously with the term synthetic gecko bristle material or gecko tape material. For example, a support body with a gecko adhesive material may also be referred to as a G-chuck. However, the present disclosure is not limited thereto, and other dry adhesive materials suitable for holding the substrate may be used.

[0026] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착 재료, 예컨대 합성 강모 재료는 무기물일 수 있다. 본원에서 설명되는 일부 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 실질적으로 100% 무기물일 수 있다.According to embodiments that may be combined with any other embodiments described herein, the dry adhesive material, such as a synthetic bristle material, may be inorganic. In accordance with some embodiments described herein, the dry adhesive may be substantially 100% inorganic.

[0027] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 게코 접착제일 수 있다. 예컨대, 게코 접착제는 게코 테이프 또는 게코 엘리먼트일 수 있다.[0027] According to embodiments that may be combined with any other embodiments described herein, the dry adhesive may be a gecko adhesive. For example, the gecko adhesive may be a gecko tape or a gecko element.

[0028] 본 개시내용에서, 게코 접착제는, 예컨대 수직 표면들과 같은 표면들에 접착되기 위해 게코 발들의 능력을 모방하는 접착제로서 이해될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 건식 접착제는, 건식 접착제와 기판의 표면 사이의 반 데르 발스 힘들로 인해, 기판에 접착되도록 구성될 수 있다. 실시예들에 따르면, 접착제에 의해 제공되는 접착력은 본원에서 설명되는 바와 같은 기판을 홀딩하기 위해 제공될 수 있다. 특히, 건식 접착제는 약 3 N/cm2 또는 약 4 N/cm2 또는 약 5 N/cm2 또는 그 초과의 접착력을 제공하도록 구성될 수 있다.In the present disclosure, a gecko adhesive can be understood as an adhesive that mimics the ability of gecko feet to adhere to surfaces such as vertical surfaces, for example. In particular, dry adhesives as described herein may be configured to adhere to a substrate due to Van der Waals forces between the dry adhesive and the surface of the substrate. According to embodiments, the adhesion provided by the adhesive may be provided to hold a substrate as described herein. In particular, the dry adhesive may be configured to provide an adhesion of about 3 N/cm 2 or about 4 N/cm 2 or about 5 N/cm 2 or more.

[0029] 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 적어도 하나의 건식 접착 엘리먼트, 특히 복수의 건식 접착 엘리먼트들을 포함한다. 실시예들에 따른 개략적인 단면도를 도시하는 도 3을 예시적으로 참조하면, 건식 접착제(120)는 기판 지지부(100)의 표면(125) 상에 배열된 건식 접착 엘리먼트들(420)을 포함할 수 있다. 건식 접착 엘리먼트들(420)은, 후면 표면(115)에 부착될 때, 기판을 홀딩하기 위한 부착 영역(440)을 형성한다. 더 많은, 특히 복수의 건식 접착 엘리먼트들(420)을 제공하는 것은 건식 접착 엘리먼트들(420) 사이에 갭들(450)을 형성할 수 있으며, 여기서, 다른 지원 엘리먼트들(미도시)이 지지 바디 상에 배열될 수 있다. 예컨대, 지원 엘리먼트들은, 예컨대 가열 또는 냉각에 의해, 프로세싱 동안 기판을 지원하기 위한 가스 및/또는 액체들을 위한 도관들을 포함할 수 있다. 게다가, 지지 바디(110)로부터 기판(101)을 분리하기 위한 지원 엘리먼트들이 갭들(450) 내에 제공될 수 있으며, 여기서, 지원 엘리먼트들은 분리 프로세스를 가능하게 하거나 또는 용이하게 한다.[0029] According to embodiments, the dry adhesive comprises at least one dry adhesive element, in particular a plurality of dry adhesive elements. Referring illustratively to FIG. 3 showing a schematic cross-sectional view according to embodiments, the dry adhesive 120 may include dry adhesive elements 420 arranged on the surface 125 of the substrate support 100. I can. The dry adhesive elements 420, when attached to the rear surface 115, form an attachment region 440 for holding the substrate. Providing more, in particular a plurality of dry adhesive elements 420 can form gaps 450 between the dry adhesive elements 420, where other support elements (not shown) are on the support body. Can be arranged on. For example, the support elements may include conduits for gases and/or liquids to support the substrate during processing, such as by heating or cooling. In addition, support elements for separating the substrate 101 from the support body 110 may be provided in the gaps 450, where the support elements facilitate or facilitate the separation process.

[0030] 일부 실시예들에 따르면, 건식 접착 엘리먼트들은 다양한 패턴들로 지지 바디 상에 배열될 수 있다. 지지 바디(110)의 표면(125) 상에 배열된 건식 접착 엘리먼트들(420)의 패턴의 평면도를 도시하는 도 4를 참조하면, 건식 접착 엘리먼트들(420)은 정사각형 형상을 갖고, 표면 상에 주기적으로 배열된다. 건식 접착 엘리먼트들(420) 사이에 갭들(450)이 형성되며, 여기서, 기판 지지부(100) 상의 에지들 상의 갭들은 접착 엘리먼트들이 없는 에지 구역들(해칭(hatched) 영역들 또는 구역들(475)에 의해 표현됨)을 형성한다. 에지 구역들(475)은 부착 영역들(440) 내의 건식 접착 엘리먼트들(420) 상의 기판의 부착 프로세스를 용이하게 할 수 있거나 또는 가능하게 할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 건식 접착 엘리먼트들(420) 중 적어도 일부는 기판 지지부 상에 회전가능하게 탑재될 수 있다. 예컨대, 회전, 특히 기판 표면에 수직인 축을 갖는 회전은 접착 엘리먼트로부터의 기판의 릴리즈(release)를 용이하게 할 수 있다. 도 5에서, 지지 바디 상에 배열된 건식 접착 엘리먼트들의 패턴의 추가적인 예의 평면도가 도시된다. 접착 엘리먼트들은 스트립-형 부착 영역들(445)을 형성하며, 여기서, 부착 영역들(445)은 서로 평행하게 정렬된다. 게다가, 도 6을 참조하면, 부착 영역들(445)은 링-구조 형상으로 형성될 수 있다. 부착 영역들(445)은 지지 바디의 에지 구역들에 평행하게 배열된다.According to some embodiments, dry adhesive elements may be arranged on the support body in various patterns. Referring to FIG. 4 showing a plan view of a pattern of dry adhesive elements 420 arranged on the surface 125 of the support body 110, the dry adhesive elements 420 have a square shape, and It is arranged periodically. Gaps 450 are formed between the dry adhesive elements 420, where the gaps on the edges on the substrate support 100 are edge regions without adhesive elements (hatched regions or regions 475 ). (Expressed by). Edge regions 475 may facilitate or may facilitate the process of attaching a substrate onto dry adhesive elements 420 in attach regions 440. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, at least some of the dry adhesive elements 420 may be rotatably mounted on a substrate support. For example, rotation, in particular rotation with an axis perpendicular to the surface of the substrate, can facilitate the release of the substrate from the adhesive element. In Fig. 5 a plan view of a further example of a pattern of dry adhesive elements arranged on a support body is shown. The adhesive elements form strip-shaped attachment regions 445 where the attachment regions 445 are aligned parallel to each other. In addition, referring to FIG. 6, the attachment regions 445 may be formed in a ring-structure shape. The attachment regions 445 are arranged parallel to the edge regions of the support body.

[0031] 실시예들에 따르면, 기판이 지지 바디 상에 배열되기 전에, 기판은 지지 바디와 정렬될 수 있다. 정렬은 예컨대 운송 프레임에 의해 수행될 수 있으며, 여기서, 운송 프레임은 수평 포지션에 있는 기판을 기판 지지부 위로 운송한다. 기판을 기판 지지 바디 상에 정렬 또는 센터링(centered) 방식으로 부착하기 위해 핀 어레이가 제공될 수 있다. 기판은 또한, 기판이 기판 지지부 상에 놓이고 클램프들 또는 건식 접착제에 의해 부착되기 전에, 간단한 푸셔(pusher)들에 의해 정렬될 수 있다.[0031] According to embodiments, before the substrate is arranged on the support body, the substrate may be aligned with the support body. Alignment can be carried out for example by means of a transport frame, where the transport frame transports the substrate in a horizontal position onto the substrate support. An array of pins may be provided for attaching the substrate to the substrate support body in an aligned or centered manner. The substrate can also be aligned by simple pushers before the substrate is placed on the substrate support and attached by means of clamps or dry adhesive.

[0032] 정렬 후에, 기판은, 예컨대 수평 배향으로, 지지 바디(110) 상에 부착될 수 있다. 후속하여, 지지 바디는 수직 방향으로 포지셔닝될 수 있다. 배향의 변화 시 중력들로 인해, 기판은 처지게 될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 게코 구조들은 프로세싱 후의 게코 구조들로부터의 기판의 용이한 릴리즈와 처짐 감소의 조합을 가능하게 하기 위해 제공될 수 있다. 이전에 언급된 바와 같이, 설명된 접착제-기반 솔루션은 클램프들을 이용하는 솔루션을 수반할 수 있거나, 또는 클램프들을 이용하는 솔루션으로 완전히 대체될 수 있다. 예컨대, 기판을 비-수평 배향, 예컨대 수직 배향으로 포지셔닝한 후에, 기판의 하부 측에 제공되는 클램프들에 의해 기판이 지지될 수 있다.After alignment, the substrate may be attached on the support body 110, for example in a horizontal orientation. Subsequently, the support body can be positioned in the vertical direction. Due to the gravitational forces when the orientation changes, the substrate may sag. According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, gecko structures are provided to enable a combination of easy release and sag reduction of the substrate from the gecko structures after processing. Can be. As previously mentioned, the described adhesive-based solution may involve a solution using clamps, or may be completely replaced by a solution using clamps. For example, after positioning the substrate in a non-horizontal orientation, such as a vertical orientation, the substrate may be supported by clamps provided on the lower side of the substrate.

[0033] 예컨대, 게코 구조의 단면은 세장형(elongated) 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 세장형 단면은 메이저(major) 및 마이너(minor) 연장부 또는 축을 갖는 타원형 형상으로 이루어질 수 있다. 추가로, 세장형 단면은 메이저 및 마이너 대각선을 갖는 사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 더욱이, 세장형 단면은 메이저 및 마이너 측면 길이를 갖는 직사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 이러한 콘텍스트에서, 메이저 및 마이너라는 용어들은 길이의 치수와 관련된다. 예컨대, 메이저는 마이너 길이보다 더 긴 길이와 관련된다. 따라서, 단면의 더 긴 길이를 갖는 배향은 처짐을 방지하기 위해 안정성을 제공한다. 게코 구조로부터의 기판의 릴리즈는 상이한 방향으로의 이동에 의해 제공될 수 있다. 예컨대, 상이한 방향은 단면의 더 짧은 길이의 배향에 평행할 수 있거나 또는 본질적으로 평행할 수 있다.For example, the cross section of the gecko structure may have an elongated shape. For example, the elongated cross section may be formed in an oval shape having a major and minor extension or an axis. Additionally, the elongated cross section may be formed in a rectangular shape having a major and minor diagonal. Moreover, the elongate cross-section may be formed in a rectangular shape with major and minor side lengths. In this context, the terms major and minor refer to the dimension of length. For example, the major relates to a length that is longer than the minor length. Thus, orientation with a longer length of the cross section provides stability to prevent sagging. Release of the substrate from the gecko structure can be provided by movement in different directions. For example, the different directions can be parallel or essentially parallel to the orientation of the shorter length of the cross section.

[0034] 실시예들에 따르면, 기판을 홀딩하기 위한 건식 접착 엘리먼트가 제공될 수 있다. 건식 접착 엘리먼트는 기판을 향하도록 구성된 표면을 포함하며, 건식 접착 엘리먼트의 표면은 복수의 접착 구조들을 포함한다. 복수의 접착 구조들은 표면으로부터 돌출된 제1 접착 구조를 포함하며, 여기서, 제1 접착 구조는 표면에 평행한 이방성 가요성(anisotropic flexibility)을 갖는다. 예컨대, 복수의 접착 구조들은 표면에 평행한 이방성 가요성을 가질 수 있다.[0034] According to embodiments, a dry adhesive element for holding a substrate may be provided. The dry adhesive element includes a surface configured to face a substrate, and the surface of the dry adhesive element includes a plurality of adhesive structures. The plurality of adhesive structures includes a first adhesive structure protruding from a surface, wherein the first adhesive structure has anisotropic flexibility parallel to the surface. For example, the plurality of adhesive structures may have anisotropic flexibility parallel to the surface.

[0035] 기판을 홀딩하기 위한 건식 접착 엘리먼트가 제공될 수 있다. 건식 접착 엘리먼트는 기판을 향하도록 구성된 표면, 및 표면 위에 제공되고 복수의 접착 구조들을 포함하는 건식 접착제를 포함한다. 복수의 접착 구조들은 표면으로부터 돌출된 제1 접착 구조, 및 표면으로부터 돌출된 제2 접착 구조를 포함한다. 제1 접착 구조는, 주어진 방향으로 휘어질 때, 동일한 힘으로 동일한 방향으로 휘어질 때의 제2 접착 구조와 비교하여 상이하게 휘어진다.[0035] A dry adhesive element for holding a substrate may be provided. The dry adhesive element includes a surface configured to face a substrate, and a dry adhesive provided over the surface and comprising a plurality of adhesive structures. The plurality of bonding structures includes a first bonding structure protruding from the surface, and a second bonding structure protruding from the surface. When the first adhesive structure is bent in a given direction, it bends differently compared to the second adhesive structure when it is bent in the same direction with the same force.

[0036] 따라서, 유익하게, 본 개시내용에서, 본원에서 설명되는 바와 같은, 클램프들 또는 건식 접착 엘리먼트를 사용하여 기판을 홀딩하기 위한 방법은, 건식 접착 엘리먼트에 대한 기판의 탑재 방향과 무관하게, 기판의 처짐을 실질적으로 방지한다.[0036] Thus, advantageously, in the present disclosure, a method for holding a substrate using clamps or a dry adhesive element as described herein, regardless of the mounting direction of the substrate relative to the dry adhesive element, Substantially prevents sagging of the substrate.

[0037] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 기판의 후면 표면의 적어도 75%에 대응하는 총 부착 영역을 갖도록 구성될 수 있다. 총 부착 영역이라는 용어는 모든 부착 영역들의 합으로서 이해될 수 있다. 특히, 건식 접착제는 기판의 후면 표면의 적어도 80%, 더 구체적으로는 기판의 후면 표면의 적어도 90%에 대응하는 총 부착 영역을 갖도록 구성될 수 있다.[0037] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the dry adhesive may be configured to have a total attachment area corresponding to at least 75% of the back surface of the substrate. The term total attachment area can be understood as the sum of all attachment areas. In particular, the dry adhesive may be configured to have a total attachment area corresponding to at least 80% of the back surface of the substrate, more specifically at least 90% of the back surface of the substrate.

[0038] 도 7은 증착 소스(801)의 범위 내의 프로세싱 영역(170)에서 기판(101)을 홀딩하는 기판 지지부(100)의 개략적인 측면도를 도시한다. 증착 소스는 기판(101)의 전면 표면(113)에 재료(807)를 증착하기 위한 회전형 타겟(805)(또는 평면형 타겟)을 포함할 수 있다. 기판(101)은, 클램프들 또는 건식 접착제에 의해, 예컨대 게코 테이프 재료에 의해, 본원에서 설명되는 바와 같이, 비-수평 포지션에서 홀딩된다. 더 추가적인 실시예들에 따르면, 기판은 또한, 정전 척, 즉, 정전 홀딩력들을 제공하는 지지부에 의해 지지될 수 있다.7 shows a schematic side view of a substrate support 100 holding a substrate 101 in a processing region 170 within the range of a deposition source 801. The deposition source may include a rotating target 805 (or planar target) for depositing material 807 on the front surface 113 of the substrate 101. The substrate 101 is held in a non-horizontal position, as described herein, by clamps or dry adhesive, such as by a gecko tape material. According to further further embodiments, the substrate may also be supported by an electrostatic chuck, ie a support providing electrostatic holding forces.

[0039] 실시예들에 따르면, 기판의 전방에 마스크가 배열되며, 여기서, 마스크는 기판의 에지 영역을 덮는다. 예컨대, 마스크는 에지 배제 마스크 또는 섀도우 마스크 등일 수 있다. 에지 배제 마스크는, 기판의 코팅 및/또는 프로세싱 동안 기판의 하나 이상의 에지 구역들 상에 재료가 증착되지 않도록, 기판의 하나 이상의 에지 구역들을 마스킹하도록 구성된 마스크이다.According to embodiments, a mask is arranged in front of the substrate, wherein the mask covers an edge region of the substrate. For example, the mask may be an edge exclusion mask or a shadow mask. An edge exclusion mask is a mask configured to mask one or more edge regions of the substrate such that no material is deposited on the one or more edge regions of the substrate during coating and/or processing of the substrate.

[0040] 실시예들에 따르면, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(101)의 전면 표면(113) 상에 또는 기판(101)의 전면 표면(113)에 마스크(132)가 배열된다. 마스크(132)는 기판(101)의 전방에서, 즉, 기판(101)과 증착 소스(801) 사이에서 기판(101)으로부터 가까운 거리(135) 내에 배열될 수 있다.According to embodiments, as shown in FIG. 7, the mask 132 is arranged on the front surface 113 of the substrate 101 or on the front surface 113 of the substrate 101. The mask 132 may be arranged in front of the substrate 101, that is, within a close distance 135 from the substrate 101 between the substrate 101 and the deposition source 801.

[0041] 마스크(132)와 기판의 에지 영역들 사이의 거리(135)는 2 mm 미만, 구체적으로는 1.5 mm 미만, 또는 더 구체적으로는 1 mm 미만일 수 있다. 마스크(132)는 기판(101)의 전면 표면(113)의 에지 영역들(127)을 덮을 수 있다. 다른 예로서, 마스크는, 섀도잉 효과들을 감소시키기 위해, 마스크(132)의 적어도 일부가 전면 표면(113)과 접촉하게 되도록, 전면 표면(113)의 전방에 배열될 수 있다. 직접 접촉이라는 용어는, 마스크(132)가, 특히 에지 영역들(127) 상에서, 기판에 닿거나 또는 기판과 접촉하거나 또는 기판에 접하는 것(여기서, 거리(135)는 실질적으로 제로(zero)일 수 있음)으로 이해될 수 있다.[0041] The distance 135 between the mask 132 and the edge regions of the substrate may be less than 2 mm, specifically less than 1.5 mm, or more specifically less than 1 mm. The mask 132 may cover the edge regions 127 of the front surface 113 of the substrate 101. As another example, the mask may be arranged in front of the front surface 113 such that at least a portion of the mask 132 comes into contact with the front surface 113 to reduce shadowing effects. The term direct contact refers to the fact that the mask 132 touches or touches or touches the substrate, especially on the edge regions 127, where the distance 135 is substantially zero. Can be understood).

[0042] 위에서 설명된 바와 같이, 에지 배제부, 에지 배제 마스크, 또는 마스크는 기판(예컨대, 유리)과 프로세싱 스테이션(예컨대, 증착 소스) 사이에 위치될 수 있다. 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 유리-마스크-거리는 건식 접착 어레인지먼트에 의해 감소될 수 있다. 유리-마스크-거리는 가능한 한 짧게 될 수 있는데, 이는 유리 에지가 직선형(straight)이고, 클램프가 에지 배제, 즉 마스킹을 방해하지 않을 것이기 때문이다.[0042] As described above, an edge exclusion, edge exclusion mask, or mask may be located between a substrate (eg, glass) and a processing station (eg, a deposition source). According to the embodiments described herein, which can be combined with other embodiments, the glass-mask-distance can be reduced by a dry adhesive arrangement. The glass-mask-distance can be made as short as possible, since the glass edge is straight and the clamp will not interfere with edge exclusion, i.e. masking.

[0043] 실시예들에 따르면, 지지 바디(110)에 의해 지지된 기판(101)은 프로세싱 영역 내의 마스크(132)를 바로 향해 일정 각도만큼 이동될 수 있다. 마스크(132)는 마스크 어레인지먼트를 용이하게 하기 위해 프로세싱 영역에서 정지 방식으로 고정될 수 있다. 대안적으로, 지지 바디는, 예컨대 회전 후에, 마스크를 향해 병진 이동될 수 있다.According to embodiments, the substrate 101 supported by the support body 110 may be moved by a predetermined angle toward the mask 132 in the processing region. The mask 132 may be fixed in a stationary manner in the processing area to facilitate mask arrangement. Alternatively, the support body can be translated towards the mask, for example after rotation.

[0044] 실시예들에 따르면, 진공 챔버, 진공 챔버 내의 기판 지지부, 및 프로세싱 스테이션을 포함하는 진공 프로세싱 장치가 제공된다. 기판 지지부는 지지 바디, 지지 바디에 있는 홀딩 어레인지먼트, 및 프로세싱 스테이션의 전방으로 그리고 프로세싱 스테이션으로부터 멀어지는 방향으로 축을 중심으로 지지 바디를 이동시키는 액추에이터를 포함한다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 진공이라는 용어는, 예컨대 10 mbar 미만의 진공 압력을 갖는 기술적 진공의 의미로 이해될 수 있다. 전형적으로, 본원에서 설명되는 바와 같은 진공 챔버 내의 압력은 10-5 mbar 내지 약 10-8 mbar, 더 전형적으로는 10-5 mbar 내지 10-7 mbar, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 10-6 mbar 내지 약 10-7 mbar일 수 있다.According to embodiments, a vacuum processing apparatus is provided including a vacuum chamber, a substrate support within the vacuum chamber, and a processing station. The substrate support includes a support body, a holding arrangement in the support body, and an actuator that moves the support body about an axis in a direction forward of the processing station and away from the processing station. As used herein, the term vacuum can be understood to mean a technical vacuum with a vacuum pressure of less than 10 mbar, for example. Typically, the pressure in the vacuum chamber as described herein is from 10 -5 mbar to about 10 -8 mbar, more typically from 10 -5 mbar to 10 -7 mbar, and even more typically about 10 -6 mbar. To about 10 -7 mbar.

[0045] 프로세싱 스테이션은 적어도 하나의 프로세싱 디바이스를 포함하는 프로세싱 모듈 또는 프로세싱 챔버, 특히, 진공 분위기를 갖는 챔버로서 이해될 수 있다. 프로세싱 디바이스는, 특히, 진공 분위기 내의 프로세싱 디바이스의 프로세싱 영역 내에서, 프로세싱 디바이스 근처에 또는 가까이 놓인 기판에 영향을 미치는 디바이스로서 이해될 수 있다. 프로세싱 디바이스들은 기판의 표면 상에 재료를 증착하기 위한 디바이스들, 이를테면, 화학 기상 증착, 물리 기상 증착과 같은 코팅 프로세스들을 위해 구성된 디바이스들을 포함할 수 있거나, 또는 프로세싱 디바이스들은 기판을 에칭하기 위한 디바이스들을 포함할 수 있다. 증착은 스퍼터링 디바이스들에 의해 제공될 수 있다. 프로세싱 디바이스들은 또한, 열 처리, 냉각, 복사, 이온 처리, 또는 플라즈마 처리 프로세스들을 수행하기 위한 디바이스들로서 이해될 수 있다. 전형적으로, 프로세싱 디바이스와 프로세싱되는 기판의 표면 사이의 거리는 대략 300 mm 이하일 수 있고, 특히, 거리는 240 mm 내지 260 mm일 수 있다.[0045] A processing station may be understood as a processing module or processing chamber, in particular a chamber having a vacuum atmosphere, comprising at least one processing device. A processing device can be understood as a device that affects a substrate placed near or near the processing device, in particular within a processing region of the processing device in a vacuum atmosphere. The processing devices may include devices for depositing material on the surface of a substrate, such as devices configured for coating processes such as chemical vapor deposition, physical vapor deposition, or processing devices for etching the substrate. Can include. Deposition can be provided by sputtering devices. Processing devices may also be understood as devices for performing thermal treatment, cooling, radiation, ion treatment, or plasma treatment processes. Typically, the distance between the processing device and the surface of the substrate being processed may be approximately 300 mm or less, and in particular, the distance may be between 240 mm and 260 mm.

[0046] 본 개시내용에서, 축을 중심으로 지지 바디를 이동시키기 위한 액추에이터는 프로세싱 스테이션의 전방으로 축을 중심으로 지지 바디를 이동시키도록 구성된 연장가능 실린더, 예컨대, 유압, 공압, 기계, 또는 전기 구동식 실린더로서 이해될 수 있다. 액추에이터는 또한, 랙과 피니언(rack and pinion) 시스템을 갖는 선형 액추에이터로서 이해될 수 있다. 축, 특히 회전 축은 피벗(pivot), 스위블(swivel), 스윙, 또는 회전 조인트로서 구성될 수 있다. 축은, 예컨대 모터 및 기어를 갖는 액추에이터를 포함할 수 있다. 축은 직접적으로 구동될 수 있다. 모터 및/또는 기어가 제공될 수 있다. 액추에이터는 자체-구동식일 수 있거나 또는 회전가능 탑재 로드(rotatable mounted rod)일 수 있다. 액추에이터는 지지 바디 및/또는 축에 고정될 수 있다.[0046] In the present disclosure, an actuator for moving the support body about an axis is an extendable cylinder configured to move the support body about the axis in front of the processing station, such as hydraulic, pneumatic, mechanical, or electrically driven. It can be understood as a cylinder. The actuator can also be understood as a linear actuator with a rack and pinion system. The shaft, in particular the axis of rotation, can be configured as a pivot, swivel, swing, or rotary joint. The shaft may comprise, for example, an actuator with a motor and a gear. The shaft can be driven directly. A motor and/or gear may be provided. The actuator may be self-driving or may be a rotatable mounted rod. The actuator may be fixed to the support body and/or shaft.

[0047] 도 15를 예시적으로 참조하면, 기판을 프로세싱하기 위한 방법(400)의 실시예들이 제공된다. 방법(400)은, 블록(401)에서, 장치를 제공하는 단계; 블록(402)에서, 진공 챔버에서 지지부 상에 기판을 제공하는 단계; 블록(403)에서, 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 지지부에 의해 기판을 이동시키고, 프로세싱 챔버로 지지부를 이동시키는 단계; 블록(404)에서, 선형 소스로부터의 빔(beam)에 의해 기판의 표면을 처리하는 단계; 블록(405)에서, 선형 소스를 따라 평행하게 기판을 시프팅하는 단계를 포함한다.[0047] Referring illustratively to FIG. 15, embodiments of a method 400 for processing a substrate are provided. Method 400 includes, at block 401, providing an apparatus; In block 402, providing a substrate on a support in a vacuum chamber; At block 403, moving the substrate by the support from a non-vertical position to a non-horizontal position, and moving the support to the processing chamber; At block 404, processing the surface of the substrate with a beam from a linear source; At block 405, it includes shifting the substrate in parallel along the linear source.

[0048] 도 8을 참조하면, 진공 챔버 내의 기판 지지부(100)의 개략적인 실시예의 예가 도시된다. 지지 바디(110)의 하부 표면(114) 상에 포지셔닝 실린더(150) 및 조인트(140)가 제공된다. 지지 바디(110)는 포지셔닝 실린더(150)가 연장에 의해 지지 바디(110)를 미는 것에 의해 이동된다. 지지 바디(110)는 조인트(140)에 탑재된다. 포지셔닝 실린더(150)가 연장될 때, 지지 바디(110)는 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 이동한다. 지지 바디의 이동은 조인트(140)를 중심으로 하는 플립(flip)-이동, 스윙 이동 등으로서 설명될 수 있고, 회전 축(160)을 형성할 수 있다. 기판(101), 특히, 기판(101)의 전면 표면(113)은 증착 소스(801)에 의해 비-수평 포지션에서 프로세싱될 수 있다. 기판(101)을 프로세싱한 후에, 포지셔닝 실린더(150)는 리트랙트(retract)되며, 여기서, 지지 바디(110)는 증착 소스의 프로세싱 영역으로부터 벗어나 시작 포지션으로 이동된다. 시작 포지션은 비-수직 포지션에 있는 기판의 포지션으로서 이해될 수 있으며, 여기서, 기판은 프로세싱되지 않는다.[0048] Referring to FIG. 8, an example of a schematic embodiment of a substrate support 100 in a vacuum chamber is shown. A positioning cylinder 150 and joint 140 are provided on the lower surface 114 of the support body 110. The support body 110 is moved by the positioning cylinder 150 pushing the support body 110 by extension. The support body 110 is mounted on the joint 140. When the positioning cylinder 150 is extended, the support body 110 moves from a non-vertical position to a non-horizontal position. The movement of the support body may be described as a flip-movement, a swing movement, etc. centered on the joint 140, and may form a rotation axis 160. The substrate 101, in particular the front surface 113 of the substrate 101, may be processed by the deposition source 801 in a non-horizontal position. After processing the substrate 101, the positioning cylinder 150 is retracted, where the support body 110 is moved out of the processing region of the deposition source to a starting position. The starting position can be understood as the position of the substrate in a non-vertical position, where the substrate is not processed.

[0049] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 지지 바디(110)는 지지 바디(110)의 하부 표면(114)에 제공된 지지 베이스(145)를 포함할 수 있다. 지지 베이스(145)는 플로어(floor), 예컨대, 진공 챔버의 플로어 상에 이동가능하게 또는 변위가능하게 배열될 수 있다. 지지 바디(110)의 지지 베이스(145)에는, 예컨대, 지지 바디(110)로 하여금, 프로세싱 구역으로부터 멀어지게 또는 프로세싱 구역을 향해, 특히, 프로세싱 스테이션으로부터 멀어지게 또는 프로세싱 스테이션을 향해, 측방향으로 이동할 수 있게 하기 위해 플로어 상에서 슬라이딩하는 롤러들 또는 러너(runner)들 등이 제공될 수 있다. 지지 바디의 측방향 이동은, 본원에서 설명되는 바와 같은 일정 각도만큼의 지지 바디의 이동에 부가적으로 수행될 수 있다.[0049] According to embodiments that may be combined with any other embodiments described herein, the support body 110 includes a support base 145 provided on the lower surface 114 of the support body 110 can do. The support base 145 may be arranged movably or displaceable on a floor, eg, a floor of a vacuum chamber. The support base 145 of the support body 110, for example, allows the support body 110 to be moved away from the processing region or toward the processing region, in particular, away from the processing station or toward the processing station, laterally. Rollers or runners or the like may be provided which slide on the floor to enable movement. Lateral movement of the support body may be performed in addition to the movement of the support body by a certain angle as described herein.

[0050] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 장치는 진공 챔버와 프로세싱 스테이션을 서로 연결함으로써 형성될 수 있다. 진공 챔버와 프로세싱 스테이션의 내부들은 동일한 진공 분위기를 갖는 하나의 결합된 내부로 형성될 수 있다.[0050] According to embodiments that may be combined with any other embodiments described herein, a vacuum processing apparatus may be formed by connecting a vacuum chamber and a processing station to each other. The interiors of the vacuum chamber and the processing station can be formed into one combined interior with the same vacuum atmosphere.

[0051] 도 9는 진공 챔버(570) 및 프로세싱 스테이션(555)을 포함하는 예시적인 진공 프로세싱 장치(550)를 도시한다. 진공 챔버(570)에는 스탠드들(525)이 제공될 수 있다. 진공 챔버는 프로세싱 스테이션(555)을 포함할 수 있거나 또는 프로세싱 스테이션(555)에 연결될 수 있다. 프로세싱 스테이션(555)에는 지지 필러(pillar)들(545)이 제공될 수 있다.9 shows an exemplary vacuum processing apparatus 550 including a vacuum chamber 570 and a processing station 555. Stands 525 may be provided in the vacuum chamber 570. The vacuum chamber may include a processing station 555 or may be connected to a processing station 555. The processing station 555 may be provided with support pillars 545.

[0052] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 도 10에 예시된 바와 같이, 기판 프로세싱 시스템(600)은 진공 이송 챔버(610)를 포함할 수 있으며, 여기서, 하나 초과, 특히 복수의 진공 프로세싱 장치들(550A, 550B, 550C)이 진공 이송 챔버(610)에 인접하게 배열된다. 기판(101)은, 예컨대 로드 챔버(510)를 통해, 진공 이송 챔버(610)로 이송된다. 진공 이송 챔버(610)는 기판(101)을 제1 진공 챔버(570A)로 이동시킬 수 있다. 기판 프로세싱 시스템은 기판들의 저장 등과 같은 특정 부가적인 기능들을 수행하기 위해 진공 이송 챔버(610) 상에 배열된 지원 챔버를 포함할 수 있다.[0052] According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, as illustrated in FIG. 10, the substrate processing system 600 may include a vacuum transfer chamber 610, wherein , More than one, in particular a plurality of vacuum processing devices 550A, 550B, 550C are arranged adjacent to the vacuum transfer chamber 610. The substrate 101 is transferred to the vacuum transfer chamber 610 through, for example, the load chamber 510. The vacuum transfer chamber 610 may move the substrate 101 to the first vacuum chamber 570A. The substrate processing system may include a support chamber arranged on the vacuum transfer chamber 610 to perform certain additional functions, such as storage of substrates, and the like.

[0053] 기판(101)은 제1 진공 챔버(570A)에서 기판 지지부(100)의 건식 접착제 또는 클램프들에 의해 지지 바디(110) 상에 배열 또는 부착될 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같이, 기판 지지부(100)는 프로세싱 스테이션(555A)의 프로세싱 영역에서 마스크(미도시)의 전방으로 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 일정 각도만큼 기판(101)을 이동시킨다. 프로세싱 스테이션(555A)의 프로세싱 영역에서의 기판(101)의 프로세싱 후에, 기판은 프로세싱 영역으로부터 비-수직 포지션으로 진공 챔버(570A) 내로 이동된다. 기판(101)은 진공 챔버(570A)로부터 진공 이송 챔버(610)로 다시 이동된다. 진공 챔버(570A)로부터 기판(101)을 획득한 후에, 진공 이송 챔버(610)는 추가적인 프로세싱 스테이션들(555B, 555C, 555D)을 각각 포함하는 추가적인 진공 프로세싱 장치(550B 또는 550C 또는 550D)로 기판(101)을 이동시킬 수 있다.The substrate 101 may be arranged or attached on the support body 110 by dry adhesives or clamps of the substrate support portion 100 in the first vacuum chamber 570A. As described herein, the substrate support 100 moves the substrate 101 by a certain angle from a non-vertical position to a non-horizontal position in the front of the mask (not shown) in the processing area of the processing station 555A. . After processing of the substrate 101 in the processing region of the processing station 555A, the substrate is moved into the vacuum chamber 570A from the processing region to a non-vertical position. The substrate 101 is moved back from the vacuum chamber 570A to the vacuum transfer chamber 610. After acquiring the substrate 101 from the vacuum chamber 570A, the vacuum transfer chamber 610 is used to transfer the substrate to an additional vacuum processing device 550B or 550C or 550D, each comprising additional processing stations 555B, 555C, 555D. (101) can be moved.

[0054] 실시예들에 따르면, 진공 챔버(570A)로부터 추가적인 진공 챔버(570B, 570C, 570D)로의 기판(101)의 이동은 기판(101)의 측방향 이동으로서 이해될 수 있으며, 여기서, 기판(101)은 비-수직 포지션에 있는 상태로 이동된다. 진공 이송 챔버(610)는, 예컨대, 기판(101)을 프로세스 챔버로 이동시키기 전에 기판(101)의 정렬을 가능하게 하기 위해, 기판(101)을 회전시키도록 구성될 수 있다. 기판(101)은, 진공 이송 챔버(610)에 의해, 결정되지 않은 시퀀스로, 진공 이송 챔버(610) 상에 배열된 임의의 다른 진공 챔버(570A, 570B, 570C)로 이동될 수 있다.According to embodiments, the movement of the substrate 101 from the vacuum chamber 570A to the additional vacuum chambers 570B, 570C, 570D can be understood as a lateral movement of the substrate 101, where the substrate (101) is moved to the non-vertical position. The vacuum transfer chamber 610 may be configured to rotate the substrate 101, for example, to enable alignment of the substrate 101 prior to moving the substrate 101 into the process chamber. The substrate 101 can be moved by the vacuum transfer chamber 610 to any other vacuum chambers 570A, 570B, 570C arranged on the vacuum transfer chamber 610 in an undecided sequence.

[0055] 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템이 제공될 수 있다. 프로세싱 시스템은 로드 모듈, 이송 챔버, 및 진공 프로세싱 장치를 포함한다. 프로세싱 시스템은 하나 초과의 로드 모듈, 이송 챔버, 또는 진공 프로세싱 장치를 포함할 수 있다.[0055] According to embodiments, a processing system may be provided. The processing system includes a load module, a transfer chamber, and a vacuum processing device. The processing system may include more than one load module, transfer chamber, or vacuum processing device.

[0056] 로드 모듈은 기판을 받아들일 수 있거나 또는 기판을 수용할 수 있는 모듈로서 이해될 수 있다. 로드 모듈은 기판을 수용하도록 구성된 개구를 하나의 면에 갖는 챔버일 수 있다. 로드 모듈은 기판을 로드 모듈로 운송하도록 구성된 운송 디바이스에 연결될 수 있다. 예컨대, 로드 모듈은 낮은 압력을 갖는 챔버, 특히, 진공 압력을 갖는 챔버로 기판을 이송하기 위한 에어 록(air lock)으로서 이해될 수 있다. 실시예들에 따르면, 로드 모듈은 진공 이송 챔버에 연결된다.[0056] A load module may be understood as a module capable of receiving a substrate or capable of receiving a substrate. The load module may be a chamber having an opening configured to receive a substrate on one side. The load module can be connected to a transport device configured to transport the substrate to the load module. For example, a load module can be understood as an air lock for transferring a substrate to a chamber having a low pressure, in particular a chamber having a vacuum pressure. According to embodiments, the load module is connected to the vacuum transfer chamber.

[0057] 진공 이송 챔버는, 다른 기판 프로세싱 모듈들, 챔버들, 또는 디바이스들에 연결된, 진공 압력을 갖는 챔버로서 이해될 수 있다. 진공 이송 챔버는 추가적인 기판 프로세싱을 위해 진공 이송 챔버에 연결된 다른 모듈들 또는 디바이스들로 기판을 이동시키도록 구성될 수 있다.[0057] A vacuum transfer chamber can be understood as a chamber with vacuum pressure, connected to other substrate processing modules, chambers, or devices. The vacuum transfer chamber may be configured to transfer the substrate to other modules or devices connected to the vacuum transfer chamber for further substrate processing.

[0058] 실시예들에 따르면, 하나 초과의 진공 프로세싱 장치가 진공 이송 챔버에, 특히, 진공 이송 챔버의 외측 벽에 배열된다. 진공 이송 챔버는 진공 프로세싱 장치들 사이의 운송 경로 구성을 형성할 수 있다.[0058] According to embodiments, more than one vacuum processing device is arranged in the vacuum transfer chamber, in particular on the outer wall of the vacuum transfer chamber. The vacuum transfer chamber can form a transport path configuration between vacuum processing devices.

[0059] 진공 이송 챔버는 운송 경로 구성으로서 이해될 수 있으며, 여기서, 프로세스 장치들과 같은 여러 개의 기판 프로세싱 모듈들이 운송 경로 구성의 측면 영역들에 배열된다. 각각의 기판 프로세싱 모듈 또는 기판 프로세싱 시스템은, 예컨대 개구 또는 에어-록에 의해, 운송 경로 구성에 연결될 수 있다.[0059] A vacuum transfer chamber can be understood as a transport path configuration, where several substrate processing modules, such as process devices, are arranged in the side regions of the transport path configuration. Each substrate processing module or substrate processing system can be connected to the transport path configuration, for example by means of an opening or air-lock.

[0060] 실시예들에 따르면, 기판 프로세싱 시스템은 서로 나란히 배열된 하나 초과의 기판 프로세스 장치를 포함할 수 있다. 제1 프로세스 장치에서, 본원에서 설명되는 바와 같이, 액추에이터는 축을 중심으로 프로세싱 스테이션의 프로세싱 영역 내로 기판 지지 바디를 이동시킨다. 추가적인 프로세싱을 위해, 기판은 추가적인 프로세싱 장치들로 이동될 수 있으며, 여기서, 기판은 비-수직 포지션으로 하나의 프로세스 장치로부터 다른 프로세스 장치로 이동된다.[0060] According to embodiments, a substrate processing system may include more than one substrate processing apparatus arranged side by side with each other. In the first process apparatus, as described herein, the actuator moves the substrate support body about an axis into the processing area of the processing station. For further processing, the substrate can be moved to additional processing devices, where the substrate is moved from one process device to another in a non-vertical position.

[0061] 실시예들에 따르면, 진공 이송 챔버는 다각형-형상 또는 원형 설계를 가질 수 있다. 다각형-설계는, 예컨대, 삼각형-형상, 정사각형-형상, 오각형-형상, 육각형-형상 설계, 또는 더 많은 코너들을 갖는 다각형을 포함할 수 있다. 진공 프로세스 챔버는 진공 이송 챔버의 다각형-형상 설계들의 하나의 에지 또는 더 많은 에지들 또는 각각의 에지 상에 배열될 수 있다. 하나 초과의 진공 프로세스 챔버가 제공될 때, 진공 이송 챔버는 진공 프로세스 챔버들의 중간에 또는 중앙에 배열될 수 있다. 진공 이송 챔버의 중앙 또는 중간에서의 진공 이송 챔버의 어레인지먼트는 기판 프로세싱 시스템의 클러스터-형 설계를 가능하게 한다. 하나 초과의 진공 프로세스 챔버가 진공 이송 챔버 상에 배열될 수 있으며, 여기서, 각각의 챔버는 진공 이송 챔버의 중심점으로부터 동일한 거리를 갖는다. 다각형-형상 설계 진공 이송 챔버의 하나 이상의 에지들에 기판들을 위한 저장 모듈들 또는 임의의 다른 기판 지원 모듈들을 배열하는 것이 추가로 가능하다.[0061] According to embodiments, the vacuum transfer chamber may have a polygon-shaped or circular design. Polygon-designs may include, for example, triangular-shaped, square-shaped, pentagonal-shaped, hexagonal-shaped designs, or polygons with more corners. The vacuum process chamber can be arranged on one edge or more edges or on each edge of the polygon-shaped designs of the vacuum transfer chamber. When more than one vacuum process chamber is provided, the vacuum transfer chamber may be arranged in the middle or center of the vacuum process chambers. The arrangement of the vacuum transfer chamber in the center or in the middle of the vacuum transfer chamber enables a cluster-like design of the substrate processing system. More than one vacuum process chamber may be arranged on the vacuum transfer chamber, where each chamber has an equal distance from the center point of the vacuum transfer chamber. It is further possible to arrange storage modules for substrates or any other substrate support modules at one or more edges of the polygon-shaped design vacuum transfer chamber.

[0062] 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 2개 이상의 클러스터-형 기판 프로세싱 시스템들을 연결하고, 2개 이상의 기판 프로세싱 시스템들 사이의 기판 운송 및 추가적인 기판 프로세싱을 가능하게 하는 것이 가능하다.[0062] According to embodiments, it is possible to connect two or more cluster-type substrate processing systems as described herein, and to enable substrate transport and additional substrate processing between the two or more substrate processing systems. .

[0063] 실시예들에 따르면, 진공 이송 챔버는 기판 지지부에 부착되어 있는 기판을 진공 프로세싱 장치로 이송하도록 구성된다. 부착되어 있는 기판은, 진공 운송 챔버 내에서 운송되는 동안, 기판 지지부 상에 건식 접착제에 의해 부착된 상태로 유지된 그리고/또는 건식 접착제에 의해 홀딩된 기판으로서 이해될 수 있다. 기판 지지부의 이동은 수평 방향으로의 변위로서 이해될 수 있다. 변위는 롤러들 등을 갖는 가이딩 시스템에 의해 수행될 수 있다. 기판을 지지 바디에 부착된 상태로 유지하는 것은, 기판이 진공 프로세스 챔버에 진입하고 그리고/또는 프로세싱 후에 다시 진공 이송 챔버에 진입할 때, 지지 바디의 건식 접착제 또는 클램프들을 이용한 기판의 추가적인 부착 및 분리 동작들이 방지될 수 있는 이점을 갖는다. 기판을 지지 바디에 부착된 상태로 유지하는 것은 또한, 기판 프로세싱 프로세스를 가속시킬 수 있다.[0063] According to embodiments, the vacuum transfer chamber is configured to transfer a substrate attached to the substrate support to a vacuum processing apparatus. A substrate to which it is attached may be understood as a substrate held by a dry adhesive and/or held affixed to the substrate support by a dry adhesive while being transported in a vacuum transport chamber. The movement of the substrate support can be understood as a displacement in the horizontal direction. The displacement can be carried out by a guiding system with rollers or the like. Keeping the substrate attached to the support body means that when the substrate enters the vacuum process chamber and/or re-enters the vacuum transfer chamber after processing, the additional attachment and detachment of the substrate using the dry adhesive or clamps of the support body. It has the advantage that operations can be prevented. Keeping the substrate attached to the support body can also accelerate the substrate processing process.

[0064] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 도 11에 대하여 예시적으로 설명되는 바와 같은 기판 프로세싱 시스템(600)이 제공되며, 여기서, 진공 프로세싱 장치들(550A, 550B, 550C) 중 적어도 하나는 선형 소스(130)를 갖는 프로세싱 스테이션, 예컨대 증착 챔버(556)를 포함한다.According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a substrate processing system 600 as exemplarily described with respect to FIG. 11 is provided, wherein vacuum processing apparatuses ( At least one of 550A, 550B, 550C includes a processing station with a linear source 130, such as a deposition chamber 556.

[0065] 그러한 선형 소스(130)는 선형 주입 소스, 이를테면 수직 선형 주입 소스, 또는 수직 증착 소스일 수 있다. "선형"이라는 용어는 선형 소스(130)가 입자들 또는 이온들의 방출 영역(예컨대, 실질적으로 또는 적어도 대략적으로 직사각형 영역)을 정의하는 메이저 치수와 마이너 치수를 갖는다는 의미로 이해될 수 있으며, 여기서, 마이너 치수는 메이저 치수보다 더 작다. 예컨대, 마이너 치수는 메이저 치수의 10% 미만, 구체적으로는 5% 미만, 그리고 더 구체적으로는 1% 미만일 수 있다. 메이저 치수는 실질적으로 수직으로 연장될 수 있다. 다시 말하면, 적어도 하나의 선형 소스(130)는 수직 선형 소스일 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 선형 소스(130)에 의해 제공되는 입자들 또는 이온들의 빔 폭, 예컨대 방출 영역은 1 mm 내지 300 mm의 범위, 구체적으로는 10 mm 내지 100 mm의 범위, 그리고 더 구체적으로는 50 mm 미만일 수 있다. 빔 폭은 적어도 하나의 선형 소스의 선형 연장부에 수직으로 정의될 수 있다.Such a linear source 130 may be a linear implant source, such as a vertical linear implant source, or a vertical deposition source. The term "linear" can be understood to mean that the linear source 130 has a major dimension and a minor dimension defining an emission region of particles or ions (e.g., a substantially or at least approximately rectangular region), where , The minor dimension is smaller than the major dimension. For example, the minor dimension can be less than 10%, specifically less than 5%, and more specifically less than 1% of the major dimension. The major dimension can extend substantially vertically. In other words, at least one linear source 130 may be a vertical linear source. According to some embodiments, the beam width of particles or ions provided by at least one linear source 130, e.g., the emission area is in the range of 1 mm to 300 mm, specifically in the range of 10 mm to 100 mm And more specifically, it may be less than 50 mm. The beam width may be defined perpendicular to the linear extension of the at least one linear source.

[0066] 일부 구현들에서, 선형 소스는, 입자들 및/또는 방출 영역을 제공하도록 구성된, 예컨대 메이저 치수의 수직 라인을 따라 배열된 하나 이상의 방출구들 또는 입자 소스들(예컨대, 이온 소스들)을 가질 수 있다. 예로서, 하나의 연속적인 방출구 또는 입자 소스가 제공될 수 있다. 다른 예들에서, 복수의 방출구들 또는 입자 소스들이 라인을 따라 배열될 수 있다. 예컨대, 선형 소스는 라인을 따라 서로 나란히 가깝게 정렬된 다수의 포인트 소스들로 구성될 수 있다.[0066] In some implementations, the linear source comprises one or more outlets or particle sources (eg, ion sources) configured to provide particles and/or an emission region, such as arranged along a vertical line of a major dimension. Can have. As an example, a single continuous outlet or source of particles may be provided. In other examples, multiple outlets or particle sources may be arranged along a line. For example, a linear source may consist of a number of point sources arranged close to each other along a line.

[0067] 일반적으로, 실시예들에서, 선형 소스(130)는 전처리, 기판의 표면에 대한 세정 프로세스, 기판 내로의 또는 기판 상에 이전에 증착된 층 내로의 이온 주입, 또는 기판 상의 층의 증착을 위해 구성될 수 있다.[0067] In general, in embodiments, the linear source 130 is a pre-treatment, a cleaning process for the surface of the substrate, ion implantation into or into a layer previously deposited on the substrate, or deposition of a layer on the substrate. Can be configured for.

[0068] 실시예들에서, 선형 소스(130)는, 예컨대 TiO의 제거를 포함할 수 있는, 기판의 세정 또는 전처리를 위해 구성된다.In embodiments, the linear source 130 is configured for cleaning or pretreatment of the substrate, which may include, for example, removal of TiO.

[0069] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 도 13에 도시된 바와 같이, 선형 소스(130)는 에너제틱(energetic) 입자들(예컨대, 이온들 또는 전기적 중성 입자들)의 빔(134)을 방출하도록 구성될 수 있다. 선형 소스(130)는 이온들 또는 전기적 중성 원자들을 제공하도록 구성될 수 있다. 이온들은, 예컨대, 질소 이온들, 산소 이온들, 수소 이온들, 인듐 이온들, 및 갈륨 이온들을 포함하는 그룹으로부터 선택될 수 있다. 마찬가지로, 전기적 중성 원자들은, 예컨대, 질소 원자들, 산소 원자들, 수소 원자들, 인듐 원자들, 및 갈륨 원자들을 포함하는 그룹으로부터 선택될 수 있다. 이온들과 같은 입자들은, 입자들이 내부에 주입된 재료의 하나 이상의 재료 특성들을 변화시키기 위해, 기판(10), 기판의 표면(11), 또는 기판(10) 상의 제1 재료 층 내로 주입된다.[0069] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, as shown in FIG. 13, the linear source 130 may contain energetic particles (eg, ions or Electrically neutral particles). Linear source 130 may be configured to provide ions or electrically neutral atoms. The ions may be selected from the group comprising nitrogen ions, oxygen ions, hydrogen ions, indium ions, and gallium ions, for example. Likewise, the electrically neutral atoms can be selected from the group comprising nitrogen atoms, oxygen atoms, hydrogen atoms, indium atoms, and gallium atoms, for example. Particles, such as ions, are implanted into the substrate 10, the surface 11 of the substrate, or a first layer of material on the substrate 10 to change one or more material properties of the material into which the particles are implanted.

[0070] 선형 소스는 이온들을 생성하도록 구성된 이온 소스, 및 이온 소스에 의해 제공되는 이온들을 가속시키도록 구성된 가속기를 포함할 수 있다. 이온 소스는 ICP(inductively coupled plasma)를 제공하도록 구성될 수 있다. 예로서, 이온 소스는 RF(radiofrequency) 전력 공급부와 같은 전력 공급부에 전기적으로 연결된 코일을 포함할 수 있다. 코일에 전류가 인가될 수 있고, 이온 소스 내부의 프로세스 가스의 여기에 의해 플라즈마가 생성될 수 있다. 추가적인 구현들에서, 이온 소스는 플레이트를 사용하여 CCP(charged coupled plasma)를 제공하도록 구성될 수 있다.The linear source can include an ion source configured to generate ions, and an accelerator configured to accelerate ions provided by the ion source. The ion source can be configured to provide an inductively coupled plasma (ICP). As an example, the ion source may include a coil electrically connected to a power supply such as a radiofrequency (RF) power supply. Current may be applied to the coil, and plasma may be generated by excitation of the process gas inside the ion source. In further implementations, the ion source can be configured to provide a charged coupled plasma (CCP) using a plate.

[0071] 일부 실시예들에 따르면, 선형 소스(130)는 기판(10) 또는 제1 재료 층 내로의 이온 소스에 의해 생성되는 이온들의 주입을 위해 구성될 수 있다. 다른 실시예들에서, 선형 소스는, 기판 또는 제1 재료 층 내로의 전기적 중성 입자들의 주입을 위해, 예컨대 이온들의 가속 후에, 생성된 이온들을 전기적으로 중성화시키도록 구성된다. 예로서, 선형 소스는 가속된 이온들을 전기적으로 중성화시키기 위한 중성화 디바이스를 더 포함한다. 특히, 재료는 가속될 수 있도록 이온화될 수 있으며, 여기서, PFG(plasma flood gun)가 "이온" 빔을 중성화시키기 위해 이온 소스와 기판 사이에 제공될 수 있다.In accordance with some embodiments, the linear source 130 may be configured for implantation of ions generated by the ion source into the substrate 10 or the first material layer. In other embodiments, the linear source is configured to electrically neutralize the generated ions for implantation of electrically neutral particles into the substrate or first material layer, such as after acceleration of the ions. By way of example, the linear source further includes a neutralizing device for electrically neutralizing the accelerated ions. In particular, the material may be ionized to be accelerated, where a plasma flood gun (PFG) may be provided between the ion source and the substrate to neutralize the "ion" beam.

[0072] 가속기는, 고체, 이를테면 기판(10) 또는 제1 재료 층 상으로의 이온들 또는 중성화된 입자들의 충돌을 위해, 이온 소스에 의해 제공되는 이온들을 미리 결정된 에너지로 가속시키도록 구성된다. 예로서, 선형 소스, 그리고 특히 가속기는, 기판(10) 또는 제1 재료 층 상으로의 충돌을 위해, 입자들 및/또는 이온들에 적어도 1 keV, 구체적으로는 적어도 10 keV, 그리고 더 구체적으로는 적어도 100 keV의 에너지를 제공하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 선형 소스, 그리고 특히 가속기는 입자들 및/또는 이온들에 1 내지 1000 keV, 구체적으로는 1 내지 500 keV, 그리고 더 구체적으로는 3 내지 300 keV의 범위의 에너지를 제공하도록 구성될 수 있다.The accelerator is configured to accelerate the ions provided by the ion source to a predetermined energy for collision of ions or neutralized particles onto a solid, such as the substrate 10 or the first material layer. By way of example, a linear source, and in particular an accelerator, may be applied to particles and/or ions at least 1 keV, specifically at least 10 keV, and more specifically for impingement onto the substrate 10 or the first material layer. May be configured to provide at least 100 keV of energy. In some embodiments, a linear source, and in particular an accelerator, is to provide the particles and/or ions with energy in the range of 1 to 1000 keV, specifically 1 to 500 keV, and more specifically 3 to 300 keV. Can be configured.

[0073] 일부 구현들에서, 가속기는 하나 이상의 렌즈들을 포함한다. 하나 이상의 렌즈들은 정전 렌즈들, 자기 렌즈들, 및 전자기 렌즈들로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 하나 이상의 렌즈들은 기판/제1 재료 층을 향해 이온들을 가속시키는 것과 기판/제1 재료 층 상에 이온 빔을 포커싱(focusing)하는 것 중 적어도 하나를 위해 구성될 수 있다. 선택적으로, 이온들은, 기판 또는 제1 재료 층 내로의 전기적 중성 입자들의 주입을 위해, 가속 및 선택적인 포커싱 후에 중성화될 수 있다.[0073] In some implementations, the accelerator includes one or more lenses. The one or more lenses may be selected from the group consisting of electrostatic lenses, magnetic lenses, and electromagnetic lenses. The one or more lenses may be configured for at least one of accelerating ions towards the substrate/first material layer and focusing the ion beam on the substrate/first material layer. Optionally, the ions may be neutralized after acceleration and selective focusing, for implantation of electrically neutral particles into the substrate or first material layer.

[0074] 일반적으로, 도 13에 개략적으로 도시된 바와 같이, 기판에 평행한 치수에서의 증착 챔버(556)의 폭은 수평 방향으로의 기판(10)의 폭보다 상당히 더 넓을 수 있다. 이는 또한 도 11 및 도 12에 도시된다. 도 11에서, 증착 챔버가 L-형상 진공 프로세싱 장치(550D)를 생성하도록 인접한 추가적인 진공 챔버(570D)에 대하여 포지셔닝된다. 선형 소스 및 넓은 폭을 갖는 증착 챔버가 다른 구성들, 예컨대, 선형 소스들을 갖는 2개 이상의 그러한 증착 챔버들을 갖는 장치에서 또한 이용될 수 있다는 것이 이해된다. 도 13에서와 같은 증착 챔버의 연장된 폭은, 프로세스 동안 기판 표면의 임의의 섹션이 선형 소스의 빔(134)에 의해 영향을 받을 수 있게 하면서, 선형 소스(130)를 따라 기판(10)을 이동시킬 수 있게 한다.In general, as schematically shown in FIG. 13, the width of the deposition chamber 556 in dimensions parallel to the substrate may be significantly wider than the width of the substrate 10 in the horizontal direction. This is also shown in FIGS. 11 and 12. In FIG. 11, the deposition chamber is positioned relative to an adjacent additional vacuum chamber 570D to create an L-shaped vacuum processing apparatus 550D. It is understood that a linear source and a deposition chamber with a wide width may also be used in other configurations, such as an apparatus having two or more such deposition chambers with linear sources. The extended width of the deposition chamber, such as in FIG. 13, allows any section of the substrate surface to be affected by the beam 134 of the linear source during the process, while the substrate 10 along the linear source 130 To be able to move.

[0075] 도 11의 진공 프로세싱 장치(550D)의 L-형상에 대한 상이한 셋업을 나타내는 실시예가 도 12에 도시되며, 여기서, 증착 챔버(556)는 인접한 추가적인 진공 챔버(570D)와 함께 T-형상을 생성하도록 제공된다. 일반적으로, 기판은 다수의 방식들로 선형 소스를 따라 이동될 수 있다. 예컨대, 스핀들(spindle)은 축(이 축을 중심으로 지지부가 선회(turn)함)에 제공될 수 있다. 그렇게 함으로써, 기판은, 기판이 L-형상 또는 T-형상 섹션의 전체 폭을 통과할 수 있도록, 스핀들을 활성화시킴으로써 이동될 수 있다.[0075] An embodiment showing a different setup for the L-shape of the vacuum processing apparatus 550D of FIG. 11 is shown in FIG. 12, wherein the deposition chamber 556 is a T-shape with an adjacent additional vacuum chamber 570D. Is provided to generate. In general, the substrate can be moved along a linear source in a number of ways. For example, a spindle may be provided on a shaft (the support turns around this axis). By doing so, the substrate can be moved by activating the spindle so that the substrate can pass through the entire width of the L-shaped or T-shaped section.

[0076] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판은 선형 소스의 종방향 축에 수직인 방향에 대하여 선형 소스의 동작 동안 이동될 수 있다. 예컨대, 선형 소스가 스위치 온될 수 있고, 기판을 프로세싱하기 위해 기판이 앞뒤로(back and forth) 이동될 수 있다. L-형상 챔버에서, 기판은 선형 소스를 지나서, 즉, 기판의 하나의 단부로부터 기판의 대향 단부로 한 번 또는 여러 번 이동될 수 있다. T-형상 챔버의 경우, 기판은 기판의 대략 중앙으로부터 선형 소스를 지나서 기판의 하나의 단부로 그리고 다시 대략 중앙으로 한 번 또는 여러 번 이동될 수 있다. 그 후, 기판은 기판의 대략 중앙으로부터 선형 소스를 지나서 기판의 대향 단부로 그리고 다시 대략 중앙으로 한 번 또는 여러 번 이동될 수 있다. 완전히 T-형상이 아니고 완전히 L-형상이 아닌, 즉, 하나의 측이 대향 측에 비해 더 긴 돌출부를 갖는 챔버 형상들에 대해 이동들이 유사하게 제공될 수 있다.[0076] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the substrate may be moved during operation of the linear source with respect to a direction perpendicular to the longitudinal axis of the linear source. For example, a linear source can be switched on and the substrate can be moved back and forth to process the substrate. In the L-shaped chamber, the substrate can be moved once or several times past the linear source, ie from one end of the substrate to the opposite end of the substrate. In the case of a T-shaped chamber, the substrate can be moved once or several times from approximately the center of the substrate past the linear source to one end of the substrate and back to approximately the center. The substrate can then be moved once or several times from approximately the center of the substrate past the linear source to the opposite end of the substrate and back to approximately the center. Movements can similarly be provided for chamber shapes that are not completely T-shaped and not completely L-shaped, ie one side has a longer protrusion compared to the opposite side.

[0077] 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같은 실시예들에서, 전형적으로, 이송 챔버에 제공되는 캐리어를 제외하고, 기판(10)을 위한 캐리어가 필요하지 않다. 예컨대 도 7 및 도 8에 대하여 이전에 설명된 바와 같이, 기판은, 증착 챔버(556)에서의 프로세싱 전에, 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션, 전형적으로는 실질적인 수직 포지션으로 이동("플립")된다.In embodiments as shown in FIGS. 11 and 12, typically, no carrier is required for the substrate 10, except for the carrier provided in the transfer chamber. As previously described for example with respect to FIGS. 7 and 8, the substrate is moved from a non-vertical position to a non-horizontal position, typically a substantially vertical position ("flip") prior to processing in the deposition chamber 556. )do.

[0078] 도 14에서, 선형 소스(130)는 PLD(pulsed laser deposition) 소스로서 구성된다. PLD(pulsed laser deposition)에서, 증착될 재료의 타겟을 타격(strike)하기 위해, 예컨대 진공 챔버 내부에서, 고-출력(high-powered) 펄스형 레이저 빔이 포커싱된다. 타겟으로부터 재료가 어블레이팅(ablate) 또는 기화되고, 결과적인 플라즈마 플룸(plume)이 기판 상에 박막으로서 증착된다.[0078] In FIG. 14, the linear source 130 is configured as a pulsed laser deposition (PLD) source. In pulsed laser deposition (PLD), a high-powered pulsed laser beam is focused, eg inside a vacuum chamber, to strike a target of the material to be deposited. Material is ablated or vaporized from the target, and the resulting plasma plume is deposited as a thin film on the substrate.

[0079] 일부 실시예들에 따른 증착 소스는 PLD(pulsed laser deposition) 소스일 수 있다. PLD 소스의 경우, 일부 실시예들에 따르면, 기판, 또는 기판(10) 상의 제1 재료 층이 타겟 상으로 지향되는 펄스형 레이저 빔을 사용하여 프로세싱된다. 기판은 운송 경로를 따라 프로세싱 구역을 통해 이동된다. 펄스형 레이저 증착 소스는 레이저(131)를 포함한다. 실시예들에서, 레이저는 엑시머(Excimer) 레이저일 수 있다. 레이저 빔은 타겟 상으로 지향된다. 타겟은 정지되어 있을 수 있거나, 또는 선택적으로, 타겟 재료를 포함하는 회전 실린더를 포함할 수 있다. 레이저는 표면 영역을 갖는 정지 타겟 상으로 지향 또는 스캐닝되거나, 또는 레이저는 또한, 정지 타겟의 표면 영역의 적어도 일부를 점진적으로(incrementally) 스캐닝하기 위해 동적으로 그리고 연속적으로 편향될 수 있다.The deposition source according to some embodiments may be a pulsed laser deposition (PLD) source. In the case of a PLD source, according to some embodiments, the substrate, or the first layer of material on the substrate 10 is processed using a pulsed laser beam directed onto a target. The substrate is moved through the processing zone along the transport path. The pulsed laser deposition source includes a laser 131. In embodiments, the laser may be an excimer laser. The laser beam is directed onto the target. The target may be stationary or, alternatively, may comprise a rotating cylinder comprising the target material. The laser may be directed or scanned onto a stationary target having a surface area, or the laser may also be dynamically and continuously deflected to scan at least a portion of the surface area of the stationary target incrementally.

[0080] 펄스형 플라즈마 증착 소스는 운송 경로 상에 제공되는 기판에 대하여 프로세싱 구역에 제공될 수 있다. 예컨대, 대면적을 갖는 기판이 기판보다 훨씬 더 작은 입자 빔을 갖는 PLD 소스로 처리될 때, 펄스형 플라즈마 증착 소스가 이동되면서, 펄스형 플라즈마 증착 소스에 의해 입자들이 또한 제공될 수 있다.[0080] A pulsed plasma deposition source may be provided in the processing zone for a substrate provided on the transport path. For example, when a substrate having a large area is treated with a PLD source having a particle beam much smaller than the substrate, while the pulsed plasma deposition source is moved, particles can also be provided by the pulsed plasma deposition source.

[0081] 일반적으로, 기판 또는 제1 재료 층이 PLD 소스로부터의 입자들로 조사되는 동안, 기판은 운송 경로를 따라 이동하고 있을 수 있거나 또는 운송 경로 상에서 정지되어 있을 수 있다.In general, while the substrate or first layer of material is irradiated with particles from the PLD source, the substrate may be moving along the transport path or may be stationary on the transport path.

[0082] 일 실시예에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치가 제공된다. 진공 프로세싱 장치는, 진공 챔버; 진공 챔버 내의 기판 지지부; 및 진공 챔버에 인접해 있고 진공 챔버에 동작가능하게 커플링된 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들을 포함하며, 여기서, 기판의 표면은, 상이한 프로세싱 스테이션들에서 기판이 처리될 때, 상이한 배향들을 갖는다. 기판 지지부는, 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 및 프로세싱 스테이션의 전방으로 축을 중심으로 지지 바디를 이동시키도록 구성된 액추에이터를 포함하며, 여기서, 지지 바디에 의해 홀딩된 기판은, 상기 축을 중심으로 하는 이동에 의해, 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 그리고 그 반대로 이동가능하다. 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나는, 기판을 처리하기 위한, 종방향 축을 갖는 선형 소스를 포함한다.According to an embodiment, a vacuum processing apparatus for processing a substrate is provided. The vacuum processing apparatus includes: a vacuum chamber; A substrate support in the vacuum chamber; And at least two processing stations adjacent the vacuum chamber and operably coupled to the vacuum chamber, wherein the surface of the substrate has different orientations when the substrate is processed in different processing stations. The substrate support includes: a support body for holding a substrate; And an actuator configured to move the support body about an axis in front of the processing station, wherein the substrate held by the support body is moved from a non-vertical position to a non-horizontal position by movement about the axis. And vice versa. At least one of the processing stations includes a linear source having a longitudinal axis for processing a substrate.

[0083] 특히, 진공 프로세싱 장치는, 기판이 선형 소스의 종방향 축에 수직인 방향에 대하여 선형 소스의 동작 동안 시프팅되도록 구성될 수 있으며, 여기서, 선형 소스로부터의 빔은, 시프트가 전체 표면의 연속적인 처리를 발생시키도록, 스트라이프(stripe) 또는 세장형 사각형(elongated square)의 형상을 갖는 표면의 부분을 조사하도록 구성된다. 더 부가적인 또는 대안적인 변형들에 따르면, 프로세싱 스테이션은, 시프팅 프로세스 동안 전체 기판 표면의 커버리지(coverage)를 가능하게 하기 위해, 기판의 폭의 적어도 2배만큼 큰 적어도 하나의 내측 치수를 갖는다. 더 추가로, 부가적으로 또는 대안적으로, 진공 프로세싱 장치는 로드 모듈을 포함할 수 있다.In particular, the vacuum processing apparatus may be configured such that the substrate is shifted during operation of the linear source with respect to a direction perpendicular to the longitudinal axis of the linear source, wherein the beam from the linear source is It is configured to irradiate a portion of the surface having the shape of a stripe or elongated square, so as to cause a continuous treatment of. According to further additional or alternative variations, the processing station has at least one inner dimension that is as large as at least twice the width of the substrate, to enable coverage of the entire substrate surface during the shifting process. Further, additionally or alternatively, the vacuum processing apparatus may comprise a load module.

[0084] 기판 프로세싱 시스템이 제공될 수 있고, 그리고 선택적으로, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합하여 제공될 수 있으며, 여기서, 하나 초과의 진공 프로세싱 장치가, 선택적으로는 진공 이송 챔버를 프로세싱 장치들의 중심으로 하여, 진공 이송 챔버에 배열된다. 진공 이송 챔버는 다각형 또는 원형 형상을 가질 수 있다.[0084] A substrate processing system may be provided, and optionally, may be provided in combination with other embodiments described herein, wherein more than one vacuum processing apparatus optionally processes a vacuum transfer chamber. As the center of the devices, they are arranged in a vacuum transfer chamber. The vacuum transfer chamber may have a polygonal or circular shape.

[0085] 일부 실시예들에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 방법이 제공된다. 방법은 선택적으로, 본원에서 설명되는 실시예들 중 임의의 실시예에 따른 장치를 제공하는 단계를 포함한다. 방법은, 진공 챔버에서 지지부 상에 기판을 제공하는 단계; 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 지지부에 의해 기판을 이동시키고, 프로세싱 챔버로 지지부를 이동시키는 단계; 선형 소스로부터의 빔에 의해 기판의 표면을 처리하는 단계; 및 선형 소스를 따라 평행하게 기판을 시프팅하는 단계를 포함한다.[0085] According to some embodiments, a method for processing a substrate is provided. The method optionally includes providing an apparatus according to any of the embodiments described herein. The method includes providing a substrate on a support in a vacuum chamber; Moving the substrate by the support from a non-vertical position to a non-horizontal position and moving the support to the processing chamber; Treating the surface of the substrate with a beam from a linear source; And shifting the substrate in parallel along the linear source.

[0086] 부가적으로 또는 대안적으로 제공될 수 있는 하나 이상의 변형들에 따르면, 처리하는 단계는, 전처리; 세정; 주입; 및 재료의 층의 증착 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 추가로, 기판은 프로세싱 챔버들 중 적어도 2개에서 처리될 수 있고, 그리고 제1 프로세싱 스테이션에서의 제1 처리로부터 제2 프로세싱 스테이션에서의 제2 처리로 지지부를 통해 이송되며, 특히, 기판은, 프로세스에서, 제1 프로세싱 챔버에서의 비-수평 포지션으로부터, 이송 챔버에서의 비-수직 포지션으로, 제2 프로세싱 챔버에서의 비-수평 포지션으로, 기판의 배향을 변경한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 선형 소스는 회전가능 타겟을 포함할 수 있고, 기판 상의 증착을 위한 재료를 어블레이팅하기 위해, 펄스형 레이저 빔이 그 회전가능 타겟에 걸쳐 래스터라이징(rasterize)된다.[0086] According to one or more variations that may additionally or alternatively be provided, the processing may include pretreatment; washing; Injection; And deposition of a layer of material. Additionally, the substrate may be processed in at least two of the processing chambers, and transferred through the support from a first processing in a first processing station to a second processing in a second processing station, in particular, the substrate, In the process, the orientation of the substrate is changed from a non-horizontal position in the first processing chamber, to a non-vertical position in the transfer chamber, and to a non-horizontal position in the second processing chamber. According to further embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the linear source may comprise a rotatable target, and in order to ablate the material for deposition on the substrate, a pulsed laser beam is It is rasterized across its rotatable target.

[0087] 본 개시내용은, 기판의 전면 또는 측면 표면들에 영향을 미치는 다른 홀딩 어레인지먼트들을 필요로 하지 않으면서, 후면 표면 상에서 기판을 홀딩하기 위한 기판 지지부를 제공하는 것을 포함하는 여러 이점들을 갖는다. 본원에서 설명되는 기판 지지부는, 측면 증착 또는 다른 홀딩 어레인지먼트들이 유리 에지 주위에 도달함 없이, 비-수평 포지션에서 기판 프로세싱을 가능하게 한다. 본원에서 설명되는 건식 접착 구조들로 인해 처짐이 방지될 수 있다. 본원에서 설명되는 진공 프로세싱 시스템의 실시예들은 비-수직 기판 프로세싱, 및 작은 풋프린트를 갖는 공간-절약 설계를 가능하게 한다.[0087] The present disclosure has several advantages, including providing a substrate support for holding a substrate on a rear surface, without requiring other holding arrangements that affect the front or side surfaces of the substrate. The substrate support described herein enables substrate processing in a non-horizontal position without lateral deposition or other holding arrangements reaching around the glass edge. Sagging can be prevented due to the dry adhesive structures described herein. Embodiments of the vacuum processing system described herein enable non-vertical substrate processing, and a space-saving design with a small footprint.

[0088] 전술한 바가 일부 실시예들에 관한 것이지만, 다른 및 추가적인 실시예들이 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.[0088] While the foregoing relates to some embodiments, other and additional embodiments may be devised without departing from the basic scope, the scope being determined by the following claims.

Claims (16)

기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치로서,
진공 챔버;
상기 진공 챔버에 인접해 있고 상기 진공 챔버에 동작가능하게 커플링된 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들 ― 기판의 표면은, 상이한 프로세싱 스테이션들에서 상기 기판이 처리될 때, 상이한 배향(orientation)들을 갖고, 상기 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 프로세싱 스테이션은, 상기 기판을 처리하기 위한, 종방향 축을 갖는 선형 소스를 포함함 ―; 및
기판 지지부
를 포함하며,
상기 기판 지지부는,
기판을 홀딩하기 위한 지지 바디(support body); 및
상기 프로세싱 스테이션의 전방으로 축을 중심으로 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 상기 지지 바디를 이동시키도록 구성된 액추에이터
를 포함하는,
기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.A vacuum processing apparatus for processing a substrate, comprising:
Vacuum chamber;
At least two processing stations adjacent the vacuum chamber and operably coupled to the vacuum chamber-the surface of the substrate has different orientations when the substrate is processed in different processing stations, the At least one of the processing stations comprises a linear source having a longitudinal axis for processing the substrate; And
Substrate support
Including,
The substrate support,
A support body for holding a substrate; And
An actuator configured to move the support body from a non-vertical position to a non-horizontal position about an axis in front of the processing station
Containing,
Vacuum processing apparatus for processing a substrate. 제1 항에 있어서,
상기 기판 지지부는 상기 진공 챔버에 제공되는,
기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.The method of claim 1,
The substrate support is provided in the vacuum chamber,
Vacuum processing apparatus for processing a substrate. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 선형 소스의 종방향 축에 수직인 방향에 대하여 상기 선형 소스의 동작 동안 상기 기판을 이동시키도록 구성되는,
기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.The method according to claim 1 or 2,
Configured to move the substrate during operation of the linear source with respect to a direction perpendicular to the longitudinal axis of the linear source,
Vacuum processing apparatus for processing a substrate. 제3 항에 있어서,
상기 선형 소스는, 스트라이프(stripe) 또는 세장형 사각형(elongated square)의 형상을 갖는, 상기 표면의 부분을 조사(irradiate)하도록 구성되며,
상기 이동은 상기 기판의 전체 표면의 연속적인 처리를 발생시키는,
기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.The method of claim 3,
The linear source is configured to irradiate a portion of the surface, having the shape of a stripe or elongated square,
The movement results in a continuous treatment of the entire surface of the substrate,
Vacuum processing apparatus for processing a substrate. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세싱 스테이션은, 특히, 상기 이동 동안 전체 기판 표면의 커버리지(coverage)를 가능하게 하기 위해, 상기 기판의 폭의 적어도 2배인 적어도 하나의 내측 치수를 갖는,
기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The at least one processing station has at least one inner dimension that is at least twice the width of the substrate, in particular to enable coverage of the entire substrate surface during the movement,
Vacuum processing apparatus for processing a substrate. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 진공 챔버에 커플링된 로드 모듈(load module)을 더 포함하는,
기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
Further comprising a load module coupled to the vacuum chamber,
Vacuum processing apparatus for processing a substrate. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 진공 챔버는 진공 이송 챔버이며,
상기 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들은, 선택적으로 상기 진공 이송 챔버를 프로세싱 장치들의 중심으로 하여, 상기 진공 이송 챔버에 배열되는,
기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.The method according to any one of claims 1 to 6,
The vacuum chamber is a vacuum transfer chamber,
The at least two processing stations are arranged in the vacuum transfer chamber, optionally with the vacuum transfer chamber as the center of processing devices,
Vacuum processing apparatus for processing a substrate. 제7 항에 있어서,
상기 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들은, 상기 진공 이송 챔버를 진공 프로세싱 장치들의 중심으로 하여, 상기 진공 이송 챔버에 배열되는,
기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.The method of claim 7,
The at least two processing stations are arranged in the vacuum transfer chamber, with the vacuum transfer chamber as the center of the vacuum processing devices,
Vacuum processing apparatus for processing a substrate. 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 진공 이송 챔버는 다각형 형상 또는 원형 형상을 갖는,
기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.The method according to any one of claims 1 to 8,
The vacuum transfer chamber has a polygonal shape or a circular shape,
Vacuum processing apparatus for processing a substrate. 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치로서,
진공 이송 챔버;
상기 진공 이송 챔버에 커플링된 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들 ― 상기 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 프로세싱 스테이션은, 상기 기판을 처리하기 위한, 종방향 축을 갖는 선형 소스를 포함함 ―; 및
기판 지지부
를 포함하며,
상기 기판 지지부는,
기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 및
상기 진공 이송 챔버에서의 수평 배향으로부터 상기 적어도 하나의 프로세싱 스테이션에서의 수직 배향으로 일정 각도만큼 상기 지지 바디를 이동시키기 위한 액추에이터
를 포함하는,
기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.A vacuum processing apparatus for processing a substrate, comprising:
Vacuum transfer chamber;
At least two processing stations coupled to the vacuum transfer chamber, wherein at least one of the processing stations comprises a linear source having a longitudinal axis for processing the substrate; And
Substrate support
Including,
The substrate support,
A support body for holding a substrate; And
Actuator for moving the support body by an angle from a horizontal orientation in the vacuum transfer chamber to a vertical orientation in the at least one processing station
Containing,
Vacuum processing apparatus for processing a substrate. 기판을 프로세싱하기 위한 방법으로서,
진공 챔버에서 지지부 상에 기판을 제공하는 단계;
비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 지지부에 의해 상기 기판을 이동시키는 단계;
선형 소스로 상기 기판의 표면을 처리하는 단계; 및
상기 선형 소스에 평행하게 상기 기판을 이동시키는 단계
를 포함하는,
기판을 프로세싱하기 위한 방법.As a method for processing a substrate,
Providing a substrate on a support in a vacuum chamber;
Moving the substrate by a support from a non-vertical position to a non-horizontal position;
Treating the surface of the substrate with a linear source; And
Moving the substrate parallel to the linear source
Containing,
A method for processing a substrate. 제11 항에 있어서,
상기 기판을 이동시키는 단계는,
프로세싱 스테이션을 향해 상기 지지부를 이동시키는 단계를 더 포함하는,
기판을 프로세싱하기 위한 방법.The method of claim 11,
The step of moving the substrate,
Further comprising moving the support towards a processing station,
A method for processing a substrate. 제11 항 또는 제12 항에 있어서,
상기 처리하는 단계는, 전처리, 세정, 주입, 및 재료의 층의 증착 중 적어도 하나를 포함하는,
기판을 프로세싱하기 위한 방법.The method of claim 11 or 12,
The treating step comprises at least one of pretreatment, cleaning, implantation, and deposition of a layer of material,
A method for processing a substrate. 제11 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들에서 처리되고, 그리고 제1 프로세싱 스테이션에서의 제1 처리로부터 제2 프로세싱 스테이션에서의 제2 처리로 상기 지지부를 통해 이송되는,
기판을 프로세싱하기 위한 방법.The method according to any one of claims 11 to 13,
The substrate is processed in at least two processing stations and transferred through the support from a first processing in a first processing station to a second processing in a second processing station,
A method for processing a substrate. 제14 항에 있어서,
상기 기판은, 프로세스에서, 제1 프로세싱 챔버에서의 비-수평 포지션으로부터, 이송 챔버에서의 비-수직 포지션으로, 제2 프로세싱 챔버에서의 비-수평 포지션으로, 기판 배향을 변경하는,
기판을 프로세싱하기 위한 방법.The method of claim 14,
The substrate, in a process, changes the substrate orientation from a non-horizontal position in a first processing chamber, to a non-vertical position in a transfer chamber, to a non-horizontal position in a second processing chamber
A method for processing a substrate. 제11 항 내지 제15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 상의 증착을 위한 재료를 어블레이팅(ablate)하기 위해, 상기 선형 소스의 회전가능 타겟에 걸쳐 펄스형 레이저 빔을 스캐닝하는 단계를 더 포함하는,
기판을 프로세싱하기 위한 방법.The method according to any one of claims 11 to 15,
Further comprising scanning a pulsed laser beam across a rotatable target of the linear source to ablate a material for deposition on the substrate,
A method for processing a substrate.
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