KR20200099112A

KR20200099112A - Composition for reducing metal precusor in ald process, and method of producing metal thin film using the same

Info

Publication number: KR20200099112A
Application number: KR1020200017815A
Authority: KR
Inventors: 이원준; 김성윤; 로멜 히다야트; 김수현; 이민영; 김태현
Original assignee: 세종대학교산학협력단; 영남대학교 산학협력단
Priority date: 2019-02-13
Filing date: 2020-02-13
Publication date: 2020-08-21
Also published as: KR102597576B1; KR20220130055A

Abstract

The present invention relates to a reducing agent composition and a method for forming a metal thin film using the same, wherein the reducing agent composition includes diethylamino borane and reduces a metal precursor used in atomic layer deposition (ALD). Therefore, a metal thin film having high purity can be obtained by an ALD process.

Description

ALD 공정에서 금속 전구체 환원용 환원제 조성물 및 금속 박막의 형성 방법{COMPOSITION FOR REDUCING METAL PRECUSOR IN ALD PROCESS, AND METHOD OF PRODUCING METAL THIN FILM USING THE SAME}A reducing agent composition for reducing metal precursors and a method of forming a metal thin film in the ALD process {COMPOSITION FOR REDUCING METAL PRECUSOR IN ALD PROCESS, AND METHOD OF PRODUCING METAL THIN FILM USING THE SAME}

본원은, 원자층 증착 공정에서 사용되는 금속 전구체 환원을 위한 환원제 조성물, 및 상기 환원제 조성물을 이용한 금속 박막의 형성 방법에 관한 것이다.The present application relates to a reducing agent composition for reducing a metal precursor used in an atomic layer deposition process, and a method of forming a metal thin film using the reducing agent composition.

반도체 분야에서 텅스텐은 메모리 소자인 DRAM, NAND 플레시(flash)에서는 워드 라인(word line, gate), 비트 라인(bit line)으로도 사용되며, 로직 소자에서는 로컬 상호작용(local interconnect) 역할을 하는 MOL(middle of line)으로도 사용되고 있다.In the semiconductor field, tungsten is used as a memory device DRAM, a word line, gate, and bit line in a NAND flash, and a MOL serving as a local interconnect in a logic device. It is also used as (middle of line).

종래의 W 필링을 위한 기술은 금속 확산 방지막(barrier metal)인 Ti/TiN 박막 상에 WF₆ 및 SiH₄를 ALD 공정으로 핵 생성층을 만든 후, WF₆ 및 H₂를 CVD 공정으로 필링(filling)하는 단계로 구분된다. WF₆는 기체 상태의 전구체(precursor)로 사용할 수 있으며, SiH₄, Si₂H₆, B₂H₆ 등의 환원제(reducing agent)를 적용하면 고품질의 ALD W 박막을 얻을 수 있다.The conventional technique for W filling is to create a nucleation layer of WF ₆ and SiH ₄ on a Ti/TiN thin film, which is a barrier metal, by ALD process, and then fill WF ₆ and H ₂ by a CVD process. ). WF ₆ can be used as a gaseous precursor, and a high-quality ALD W thin film can be obtained by applying a reducing agent such as SiH ₄ , Si ₂ H ₆ , and B ₂ H ₆ .

WF₆ 기반의 기존 W ALD 공정은 전구체에 포함된 불소(F)와 반응 부산물인 HF는 하부의 옥사이드(oxide) 및 금속 박막에 손상을 주어 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 저하시킨다. 그 예로 3D NAND에서의 ONO 절연막 손상 (breakdown voltage 특성 저하)과 접촉 플러그(contact plug) 적용 시 Ti와의 반응에 의한 볼케이노 결함(volcano defect)의 형성, Si과의 반응에 의한 터널 결함(tunnel defect)의 형성이 있다.In the existing W ALD process based on WF _6, fluorine (F) contained in the precursor and HF, a reaction by-product, damage the oxide and the metal thin film underneath, thereby deteriorating the electrical properties and reliability of the device. For example, damage to the ONO insulating film in 3D NAND (deterioration of breakdown voltage characteristics), formation of volcano defects by reaction with Ti when applying a contact plug, and tunnel defects due to reaction with Si There is a formation of.

소자가 미세화됨에 따라 접촉(contact) 및 게이트(gate) 크기가 감소하고 있으나, 위와 같은 문제로 인하여 배리어 금속(barrier metal)의 두께는 감소하지 않아 W의 저항이 증가하고 갭 필링(gap filling)이 어려워지고 있다. 따라서 F가 없는(F-free) W 전구체를 도입하기 위한 연구가 지속적으로 진행되고 있다. 하지만 F가 없는(F-free) W 전구체는 기존 전구체 및 다른 리간드와는 상이한 구조를 가지고 있기 때문에 기존 환원제를 사용해서는 금속 W으로 쉽게 환원되지 않는 문제가 있다.As the device is miniaturized, the size of the contact and the gate is decreasing, but due to the above problem, the thickness of the barrier metal does not decrease, so that the resistance of W increases and the gap filling is reduced. It's getting harder. Therefore, research to introduce the F-free W precursor is continuously being conducted. However, since the F-free W precursor has a structure different from the existing precursors and other ligands, there is a problem that it is not easily reduced to metal W by using an existing reducing agent.

KRKR 10-2016-014044810-2016-0140448 AA

본원은, 원자층 증착 공정에서 사용되는 금속 전구체 환원을 위한 디에틸아미노 보란 (diethylamino borane, DEAB)을 포함하는 환원제 조성물, 및 상기 환원제 조성물을 이용한 금속 박막의 형성 방법을 제공하고자 한다.The present application is to provide a reducing agent composition including diethylamino borane (DEAB) for reducing a metal precursor used in an atomic layer deposition process, and a method of forming a metal thin film using the reducing agent composition.

그러나, 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved by the present application is not limited to the problem mentioned above, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본원의 제 1 측면은, 디에틸아미노 보란 (diethylamino borane, DEAB)을 포함하는, 환원제 조성물로서, 상기 디에틸아미노 보란은 금속 박막 형성을 위한 원자층 증착(ALD)에 사용되는 금속 전구체를 환원시키는 것인, 환원제 조성물을 제공한다.A first aspect of the present application is a reducing agent composition comprising diethylamino borane (DEAB), wherein the diethylamino borane reduces a metal precursor used in atomic layer deposition (ALD) for forming a metal thin film. It provides a reducing agent composition.

본원의 제 2 측면은, 기재 표면을 금속 전구체와 환원제에 순차적으로 노출시키는 것을 포함하는 증착 사이클을 1회 이상 포함하는, 원자층 증착에 의한 금속 박막의 형성 방법으로서, 상기 환원제는 디에틸아미노 보란 (diethylamino borane, DEAB)을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법을 제공한다.A second aspect of the present application is a method of forming a metal thin film by atomic layer deposition, including one or more deposition cycles comprising sequentially exposing a substrate surface to a metal precursor and a reducing agent, wherein the reducing agent is diethylamino borane It provides a method for forming a metal thin film, including (diethylamino borane, DEAB).

본원의 일 구현예에 의하면, 디에틸아미노 보란 (diethylamino borane, DEAB)을 포함하는 환원제 조성물 및 이를 이용한 금속 박막의 형성 방법을 제공할 수 있다. 본원의 일 구현예에 따른 환원제 조성물을 사용하여 F 원소를 포함하지 않는 금속 전구체의 리간드를 효과적으로 제거하여 상기 금속 전구체를 환원시킬 수 있고, 이에 따라 순도 높은 금속 박막을 ALD 공정에 의하여 형성할 수 있다.According to one embodiment of the present application, a reducing agent composition including diethylamino borane (DEAB) and a method of forming a metal thin film using the same can be provided. The metal precursor can be reduced by effectively removing the ligand of the metal precursor that does not contain the F element by using the reducing agent composition according to an embodiment of the present disclosure, and thus, a high purity metal thin film can be formed by the ALD process. .

도 1은, 본원의 일 실시예에 있어서, W₄H 금속 전구체와 다양한 환원제들과의 반응시 에너지 변화를 나타낸 그래프이다.
도 2는, 본원의 일 실시예에 있어서, W₄(CO)₃ 금속 전구체와 환원제의 반응시 에너지 변화를 나타낸 그래프이다.
도 3은, 본원의 일 실시예에 있어서, W₄Cp 금속 전구체와 환원제의 반응시 에너지 변화를 나타낸 그래프이다.
도 4는, 본원의 일 실시예에 있어서, W₄Bz 금속 전구체와 환원제의 반응시 에너지 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5는, 본원의 일 실시예에 있어서, W₄(COD) 금속 전구체와 환원제의 반응시 에너지 변화를 나타낸 그래프이다.
도 6은, 본원의 일 실시예에 있어서, W₄Cl₄ 금속 전구체와 환원제의 반응시 에너지 변화를 나타낸 그래프이다.
도 7은, 본원의 일 실시예에 있어서, 디에틸아미노 보란의 열중량분석 그래프이다.
도 8은, 본원의 일 구현예에 따른 리간드들의 에너지 변화를 나타낸 것이다.1 is a graph showing changes in energy during a reaction between a W ₄ H metal precursor and various reducing agents in an embodiment of the present application.
2 is a graph showing the energy change during the reaction of the W ₄ (CO) ₃ metal precursor and the reducing agent in an embodiment of the present application.
3 is a graph showing the energy change during the reaction of the W ₄ Cp metal precursor and the reducing agent in an embodiment of the present application.
4 is a graph showing the energy change during the reaction between the W ₄ Bz metal precursor and the reducing agent in an embodiment of the present application.
5 is a graph showing the energy change during the reaction of the W ₄ (COD) metal precursor and the reducing agent in an embodiment of the present application.
6 is a graph showing the energy change during the reaction of the W ₄ Cl ₄ metal precursor and the reducing agent in an embodiment of the present application.
7 is a graph of thermogravimetric analysis of diethylamino borane in an embodiment of the present application.
Figure 8 shows the energy change of the ligands according to an embodiment of the present application.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. Hereinafter, embodiments and examples of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present disclosure. However, the present application may be implemented in various different forms, and is not limited to the embodiments and examples described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and similar reference numerals are assigned to similar parts throughout the specification.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout the present specification, when a part is said to be "connected" with another part, this includes not only the case that it is "directly connected", but also the case that it is "electrically connected" with another element interposed therebetween. do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is said to be positioned "on" another member, this includes not only the case where the member is in contact with the other member, but also the case where another member exists between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the entire specification of the present application, when a certain part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. As used herein, the terms "about", "substantially" and the like are used at or close to the numerical value when manufacturing and material tolerances specific to the stated meaning are presented, and to aid understanding of the present application In order to prevent unreasonable use by unscrupulous infringers of the stated disclosures, either exact or absolute figures are used.

본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “~ 하는 단계” 또는 “~의 단계”는 “~를 위한 단계”를 의미하지 않는다.As used throughout the present specification, the term "step to" or "step of" does not mean "step for".

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합(들)"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout the present specification, the term "combination(s) thereof" included in the expression of the Makushi form means one or more mixtures or combinations selected from the group consisting of elements described in the expression of the Makushi form, It means to include at least one selected from the group consisting of the above components.

본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"의 기재는, "A 또는 B, 또는 A 및 B"를 의미한다. Throughout this specification, the description of “A and/or B” means “A or B, or A and B”.

본원 명세서 전체에서, "알킬기"는 탄소수 1 내지 6을 갖는 선형 또는 분지형 알킬기를 포함한다. 예를 들어, 상기 알킬기는 메틸, 에틸, 프로필(n-프로필), iso-프로필, n-부틸, t-부틸, iso-부틸, 펜틸, sec-펜틸, iso-펜틸, 헥실, iso-헥실, 또는 이들의 가능한 모든 이성질체를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Throughout this specification, “alkyl group” includes a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. For example, the alkyl group is methyl, ethyl, propyl (n-propyl), iso-propyl, n-butyl, t-butyl, iso-butyl, pentyl, sec-pentyl, iso-pentyl, hexyl, iso-hexyl, Or, it may include all possible isomers thereof, but is not limited thereto.

본원 명세서 전체에서, "알케닐기"는 탄소수 2 내지 6을 갖는 선형 또는 분지형 알케닐기를 포함한다. 예를 들어, 상기 알케닐기는 에테닐, 프로페닐, 알릴, 프로페닐, 부테닐, 4-메틸부테닐, 펜테닐, 헥세닐 등을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Throughout this specification, “alkenyl group” includes linear or branched alkenyl groups having 2 to 6 carbon atoms. For example, the alkenyl group may include ethenyl, propenyl, allyl, propenyl, butenyl, 4-methylbutenyl, pentenyl, hexenyl, and the like, but is not limited thereto.

본원 명세서 전체에서, "알키닐기"는 탄소수 2 내지 6을 갖는 선형 또는 분지형 알키닐기를 포함한다. 예를 들어, 상기 알키닐기는 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 2-부티닐, 3-부티닐, 3-펜티닐, 헥시닐, 3-헥시닐 등을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Throughout this specification, “alkynyl group” includes a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms. For example, the alkynyl group may include ethynyl, propynyl, butynyl, pentynyl, 2-butynyl, 3-butynyl, 3-pentynyl, hexynyl, 3-hexynyl, and the like, It is not limited thereto.

본원 명세서 전체에서, "탄소 고리기"는 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기를 포함한다. 예를 들어, 상기 탄소 고리기는 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기 또는 탄소수 3 내지 10의 사이클로알케닐기를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Throughout the present specification, "carbon ring group" includes a saturated or unsaturated carbon ring group having 3 to 10 carbon atoms. For example, the carbon ring group may include a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms or a cycloalkenyl group having 3 to 10 carbon atoms, but is not limited thereto.

본원 명세서 전체에서, "아릴기"는 탄소수 3 내지 10을 갖는 아릴기를 포함하며, 예를 들어, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 바이페닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기 등을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In the entire specification of the present application, the "aryl group" includes an aryl group having 3 to 10 carbon atoms, and may include, for example, a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a biphenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, and the like. However, it is not limited thereto.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본원이 이러한 구현예 및 실시예와 도면에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments and examples of the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present application is not limited to these embodiments and examples and drawings.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 전구체는 F 리간드를 함유하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In the exemplary embodiment of the present disclosure, the metal precursor may include a metal compound that does not contain an F ligand, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 전구체는 F 리간드를 함유하지 않는 액상 금속 화합물을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In the exemplary embodiment of the present disclosure, the metal precursor may include a liquid metal compound that does not contain an F ligand, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 F 리간드를 포함하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In the exemplary embodiment of the present disclosure, the metal precursor may include a metal compound containing W or Mo element and not including an F ligand, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 리간드로서 F 리간드를 포함하지 않으며 액상인 금속 화합물을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In the exemplary embodiment of the present disclosure, the metal precursor may include a W or Mo element, and may not include an F ligand as a ligand, but may include a liquid metal compound, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 하기의 리간드들 및 이들의 유도체들 중 한 개 이상의 리간드를 포함하며 F 리간드를 포함하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다:In one embodiment of the present application, the metal precursor may include a metal compound that includes the W or Mo element, includes at least one of the following ligands and derivatives thereof, and does not include an F ligand. , But not limited to:

-리간드: -PMe₃, -CO, -H, -Bz, -COD, -N^tBu, -Cl, -Br, -NO, -Cp, -hexyne, -DMBD, -(알릴)^tBu, -(아미딘)ⁱPr, -CpEt, -인데닐, -DAD;-Ligand: -PMe ₃ , -CO, -H, -Bz, -COD, -N ^t Bu, -Cl, -Br, -NO, -Cp, -hexyne, -DMBD, -(allyl) ^t Bu,- (Amidine) ⁱ Pr, -CpEt, -indenyl, -DAD;

여기에서, Bz는 벤젠고리, COD은 사이클로옥타디엔, ^tBu는 tert-부틸, Cp는 사이클로펜타디에닐기, DMBD는 디메텔부타디엔, DAD는 디아자디엔이고, 상기 금속에 포함되는 모든 리간드가 수소는 아님.Here, Bz is a benzene ring, COD is cyclooctadiene, ^t Bu is tert-butyl, Cp is a cyclopentadienyl group, DMBD is dimethelbutadiene, DAD is diazadiene, and all ligands included in the metal are hydrogen. Not.

상기 리간드 hexyne은 3-헥신 (3-hexyne)일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The ligand hexyne may be 3-hexyne, but is not limited thereto.

도 8은, 상기 리간드들의 에너지 변화를 나타낸 것이다.8 shows the energy change of the ligands.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 전구체는 하기 화학식들 중 하나로 표시되는 금속 화합물 또는 그의 유도체를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다:In one embodiment of the present application, the metal precursor may include a metal compound represented by one of the following formulas or a derivative thereof, but is not limited thereto:

[화학식 1][Formula 1]

MR¹ _m ;MR ¹ _m ;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, m은 5 또는 6이고, 상기 m 개의 R¹은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며 각각 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임.In the above formula, M is W or Mo, m is 5 or 6, the m of R ¹ may be the same or different from each other, and each independently H, Cl, Br, PMe ₃ , CO, C 1 to C 6 A linear or branched alkyl group, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, silyl, 3 to 10 carbon atoms It is a saturated or unsaturated carbon ring group, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof.

상기 화학식 1의 금속 전구체의 예로서 하기를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다:Examples of the metal precursor of Formula 1 may include the following, but are not limited thereto:

WH₅, WCl₅, WBr₅, W(PMe₃)₅, W(CO)₅, WH₆, WCl₆, WBr₆, W(PMe₃)₆, W(CO)₆, WMe₅, WEt₅, WⁱPr₅, W^tBu₅, WMe₆, WEt₆, WⁱPr₆, W^tBu₆, W(CO)(CH₃CH₂C≡CCH₂CH₃)₃;WH ₅ , WCl ₅ , WBr ₅ , W(PMe ₃ ) ₅ , W(CO) ₅ , WH ₆ , WCl ₆ , WBr ₆ , W(PMe ₃ ) ₆ , W(CO) ₆ , WMe ₅ , WEt ₅ , W ⁱ Pr ₅ , W ^t Bu ₅ , WMe ₆ , WEt ₆ , W ⁱ Pr ₆ , W ^t Bu ₆ , W(CO)(CH ₃ CH ₂ C≡CCH ₂ CH ₃ ) ₃ ;

MoH₅, MoCl₅, MoBr₅, Mo(PMe₃)₅, Mo(CO)₅, MoH₆, MoCl₆, MoBr₆, Mo(PMe₃)₆, Mo(CO)₆, MoMe₅, MoEt₅, MoⁱPr₅, Mo^tBu₅, MoMe₆, MoEt₆, MoⁱPr₆, Mo^tBu₆, Mo(CO)(CH₃CH₂C≡CCH₂CH₃)₃.MoH ₅ , MoCl ₅ , MoBr ₅ , Mo(PMe ₃ ) ₅ , Mo(CO) ₅ , MoH ₆ , MoCl ₆ , MoBr ₆ , Mo(PMe ₃ ) ₆ , Mo(CO) ₆ , MoMe ₅ , MoEt ₅ , Mo ⁱ Pr ₅ , Mo ^t Bu ₅ , MoMe ₆ , MoEt ₆ , Mo ⁱ Pr ₆ , Mo ^t Bu ₆ , Mo(CO)(CH ₃ CH ₂ C≡CCH ₂ CH ₃ ) ₃ .

[화학식 2][Formula 2]

M(R²Cp)(CO)₃R³ ;M(R ² Cp)(CO) ₃ R ³ ;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, 상기 R²는 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴기이고, 상기 R³은 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임.In the above formula, M is W or Mo, and R ² is H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and a carbon number of 2 to 6 linear or branched alkynyl group, or a linear or branched alkyl group amido or silyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R ³ is H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms , A linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, silyl, a saturated or unsaturated carbon ring having 3 to 10 carbon atoms It is a group, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof.

상기 화학식 2의 금속 전구체의 예로서 하기를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다:Examples of the metal precursor of Formula 2 may include the following, but are not limited thereto:

W(Cp)(CO)₃H, W(Cp)(CO)₃Cl, W(Cp)(CO)₃Br, W(Cp)(CO)₃PMe₃, W(Cp)(CO)₃Me, W(Cp)(CO)₃Et, W(Cp)(CO)₃ ⁱPr, W(Cp)(CO)₃ ^tBu, W(ClCp)(CO)₃H, W(ClCp)(CO)₃Cl, W(ClCp)(CO)₃Br, W(ClCp)(CO)₃PMe₃, W(ClCp)(CO)₃Me, W(ClCp)(CO)₃Et, W(ClCp)(CO)₃ ⁱPr, W(ClCp)(CO)₃ ^tBu, W(BrCp)(CO)₃H, W(BrCp)(CO)₃Cl, W(BrCp)(CO)₃Br, W(BrCp)(CO)₃PMe₃, W(BrCp)(CO)₃Me, W(BrCp)(CO)₃Et, W(BrCp)(CO)₃ ⁱPr, W(BrCp)(CO)₃ ^tBu, W(PMe₃Cp)(CO)₃H, W(PMe₃Cp)(CO)₃Cl, W(PMe₃Cp)(CO)₃Br, W(PMe₃Cp)(CO)₃PMe₃, W(PMe₃Cp)(CO)₃Me, W(PMe₃Cp)(CO)₃Et, W(PMe₃Cp)(CO)₃ ⁱPr, W(PMe₃Cp)(CO)₃ ^tBu, W(MeCp)(CO)₃H, W(MeCp)(CO)₃Cl, W(MeCp)(CO)₃Br, W(MeCp)(CO)₃PMe₃, W(MeCp)(CO)₃Me, W(MeCp)(CO)₃Et, W(MeCp)(CO)₃ ⁱPr, W(MeCp)(CO)₃ ^tBu, W(EtCp)(CO)₃H, W(EtCp)(CO)₃Cl, W(EtCp)(CO)₃Br, W(EtCp)(CO)₃PMe₃, W(EtCp)(CO)₃Me, W(EtCp)(CO)₃Et, W(EtCp)(CO)₃ ⁱPr, W(EtCp)(CO)₃ ^tBu, W(ⁱPrCp)(CO)₃H, W(ⁱPrCp)(CO)₃Cl, W(ⁱPrCp)(CO)₃Br, W(ⁱPrCp)(CO)₃PMe₃, W(ⁱPrCp)(CO)₃Me, W(ⁱPrCp)(CO)₃Et, W(ⁱPrCp)(CO)₃ ⁱPr, W(ⁱPrCp)(CO)₃ ^tBu, W(^tBuCp)(CO)₃H, W(^tBuCp)(CO)₃Cl, W(^tBuCp)(CO)₃Br, W(^tBuCp)(CO)₃PMe₃, W(^tBuCp)(CO)₃Me, W(^tBuCp)(CO)₃Et, W(^tBuCp)(CO)₃ ⁱPr, W(^tBuCp)(CO)₃ ^tBu;W(Cp)(CO) ₃ H, W(Cp)(CO) ₃ Cl, W(Cp)(CO) ₃ Br, W(Cp)(CO) ₃ PMe ₃ , W(Cp)(CO) ₃ Me , W(Cp)(CO) ₃ Et, W(Cp)(CO) ₃ ⁱ Pr, W(Cp)(CO) ₃ ^t Bu, W(ClCp)(CO) ₃ H, W(ClCp)(CO) ₃ Cl, W(ClCp)(CO) ₃ Br, W(ClCp)(CO) ₃ PMe ₃ , W(ClCp)(CO) ₃ Me, W(ClCp)(CO) ₃ Et, W(ClCp)(CO ) ₃ ⁱ Pr, W(ClCp)(CO) ₃ ^t Bu, W(BrCp)(CO) ₃ H, W(BrCp)(CO) ₃ Cl, W(BrCp)(CO) ₃ Br, W(BrCp) (CO) ₃ PMe ₃ , W(BrCp)(CO) ₃ Me, W(BrCp)(CO) ₃ Et, W(BrCp)(CO) ₃ ⁱ Pr, W(BrCp)(CO) ₃ ^t Bu, W (PMe ₃ Cp)(CO) ₃ H, W(PMe ₃ Cp)(CO) ₃ Cl, W(PMe ₃ Cp)(CO) ₃ Br, W(PMe ₃ Cp)(CO) ₃ PMe ₃ , W( PMe ₃ Cp)(CO) ₃ Me, W(PMe ₃ Cp)(CO) ₃ Et, W(PMe ₃ Cp)(CO) ₃ ⁱ Pr, W(PMe ₃ Cp)(CO) ₃ ^t Bu, W( MeCp)(CO) ₃ H, W(MeCp)(CO) ₃ Cl, W(MeCp)(CO) ₃ Br, W(MeCp)(CO) ₃ PMe ₃ , W(MeCp)(CO) ₃ Me, W (MeCp)(CO) ₃ Et, W(MeCp)(CO) ₃ ⁱ Pr, W(MeCp)(CO) ₃ ^t Bu, W(EtCp)(CO) ₃ H, W(EtCp)(CO) ₃ Cl , W(EtCp)(CO) ₃ Br, W(EtCp)(CO) ₃ PMe ₃ , W(EtCp)(CO) ₃ Me, W(EtCp)(CO) ₃ Et, W(EtCp)(CO) ₃ ⁱ Pr, W(EtCp)(CO) ₃ ^t Bu, W( ⁱ PrCp)(CO) ₃ H, W( ⁱ PrCp)(CO) ₃ Cl, W( ⁱ PrCp)(CO) ₃ Br, W( ⁱ PrCp)(CO) ₃ PMe ₃ , W( ⁱ PrCp)(CO) ₃ Me, W( ⁱ PrCp)(CO) ₃ Et, W( ⁱ PrCp)(CO) ₃ ⁱ Pr, W( ⁱ PrCp)(CO) ₃ ^t Bu, W ( ^t BuCp)(CO) ₃ H, W( ^t BuCp)(CO) ₃ Cl, W( ^t BuCp)(CO) ₃ Br, W( ^t BuCp)(CO) ₃ PMe ₃ , W( ^t BuCp)( CO) ₃ Me, W( ^t BuCp)(CO) ₃ Et, W( ^t BuCp)(CO) ₃ ⁱ Pr, W( ^t BuCp)(CO) ₃ ^t Bu;

Mo(Cp)(CO)₃H, Mo(Cp)(CO)₃Cl, Mo(Cp)(CO)₃Br, Mo(Cp)(CO)₃PMe₃, Mo(Cp)(CO)₃Me, Mo(Cp)(CO)₃Et, Mo(Cp)(CO)₃ ⁱPr, Mo(Cp)(CO)₃ ^tBu, Mo(ClCp)(CO)₃H, Mo(ClCp)(CO)₃Cl, Mo(ClCp)(CO)₃Br, Mo(ClCp)(CO)₃PMe₃, Mo(ClCp)(CO)₃Me, Mo(ClCp)(CO)₃Et, Mo(ClCp)(CO)₃ ⁱPr, Mo(ClCp)(CO)₃ ^tBu, Mo(BrCp)(CO)₃H, Mo(BrCp)(CO)₃Cl, Mo(BrCp)(CO)₃Br, Mo(BrCp)(CO)₃PMe₃, Mo(BrCp)(CO)₃Me, Mo(BrCp)(CO)₃Et, Mo(BrCp)(CO)₃ ⁱPr, Mo(BrCp)(CO)₃ ^tBu, Mo(PMe₃Cp)(CO)₃H, Mo(PMe₃Cp)(CO)₃Cl, Mo(PMe₃Cp)(CO)₃Br, Mo(PMe₃Cp)(CO)₃PMe₃, Mo(PMe₃Cp)(CO)₃Me, Mo(PMe₃Cp)(CO)₃Et, Mo(PMe₃Cp)(CO)₃ ⁱPr, Mo(PMe₃Cp)(CO)₃ ^tBu, Mo(MeCp)(CO)₃H, Mo(MeCp)(CO)₃Cl, Mo(MeCp)(CO)₃Br, Mo(MeCp)(CO)₃PMe₃, Mo(MeCp)(CO)₃Me, Mo(MeCp)(CO)₃Et, Mo(MeCp)(CO)₃ ⁱPr, Mo(MeCp)(CO)₃ ^tBu, Mo(EtCp)(CO)₃H, Mo(EtCp)(CO)₃Cl, Mo(EtCp)(CO)₃Br, Mo(EtCp)(CO)₃PMe₃, Mo(EtCp)(CO)₃Me, Mo(EtCp)(CO)₃Et, Mo(EtCp)(CO)₃ ⁱPr, Mo(EtCp)(CO)₃ ^tBu, Mo(ⁱPrCp)(CO)₃H, Mo(ⁱPrCp)(CO)₃Cl, Mo(ⁱPrCp)(CO)₃Br, Mo(ⁱPrCp)(CO)₃PMe₃, Mo(ⁱPrCp)(CO)₃Me, Mo(ⁱPrCp)(CO)₃Et, Mo(ⁱPrCp)(CO)₃ ⁱPr, Mo(ⁱPrCp)(CO)₃ ^tBu, Mo(^tBuCp)(CO)₃H, Mo(^tBuCp)(CO)₃Cl, Mo(^tBuCp)(CO)₃Br, Mo(^tBuCp)(CO)₃PMe₃, Mo(^tBuCp)(CO)₃Me, Mo(^tBuCp)(CO)₃Et, Mo(^tBuCp)(CO)₃ ⁱPr, Mo(^tBuCp)(CO)₃ ^tBu.Mo(Cp)(CO) ₃ H, Mo(Cp)(CO) ₃ Cl, Mo(Cp)(CO) ₃ Br, Mo(Cp)(CO) ₃ PMe ₃ , Mo(Cp)(CO) ₃ Me , Mo(Cp)(CO) ₃ Et, Mo(Cp)(CO) ₃ ⁱ Pr, Mo(Cp)(CO) ₃ ^t Bu, Mo(ClCp)(CO) ₃ H, Mo(ClCp)(CO) ₃ Cl, Mo(ClCp)(CO) ₃ Br, Mo(ClCp)(CO) ₃ PMe ₃ , Mo(ClCp)(CO) ₃ Me, Mo(ClCp)(CO) ₃ Et, Mo(ClCp)(CO ) ₃ ⁱ Pr, Mo(ClCp)(CO) ₃ ^t Bu, Mo(BrCp)(CO) ₃ H, Mo(BrCp)(CO) ₃ Cl, Mo(BrCp)(CO) ₃ Br, Mo(BrCp) (CO) ₃ PMe ₃ , Mo(BrCp)(CO) ₃ Me, Mo(BrCp)(CO) ₃ Et, Mo(BrCp)(CO) ₃ ⁱ Pr, Mo(BrCp)(CO) ₃ ^t Bu, Mo (PMe ₃ Cp)(CO) ₃ H, Mo(PMe ₃ Cp)(CO) ₃ Cl, Mo(PMe ₃ Cp)(CO) ₃ Br, Mo(PMe ₃ Cp)(CO) ₃ PMe ₃ , Mo( PMe ₃ Cp)(CO) ₃ Me, Mo(PMe ₃ Cp)(CO) ₃ Et, Mo(PMe ₃ Cp)(CO) ₃ ⁱ Pr, Mo(PMe ₃ Cp)(CO) ₃ ^t Bu, Mo( MeCp)(CO) ₃ H, Mo(MeCp)(CO) ₃ Cl, Mo(MeCp)(CO) ₃ Br, Mo(MeCp)(CO) ₃ PMe ₃ , Mo(MeCp)(CO) ₃ Me, Mo (MeCp)(CO) ₃ Et, Mo(MeCp)(CO) ₃ ⁱ Pr, Mo(MeCp)(CO) ₃ ^t Bu, Mo(EtCp)(CO) ₃ H, Mo(EtCp)(CO) ₃ Cl , Mo(EtCp)(CO) ₃ Br, Mo(EtCp)(CO) ₃ PMe ₃ , Mo(EtCp)(CO) ₃ Me, Mo(EtCp)(CO) ₃ Et, Mo(EtCp)(CO) ₃ ⁱ Pr, Mo(EtCp)(CO) ₃ ^t Bu, Mo( ⁱ PrCp)(CO) ₃ H, Mo( ⁱ PrC p)(CO) ₃ Cl, Mo( ⁱ PrCp)(CO) ₃ Br, Mo( ⁱ PrCp)(CO) ₃ PMe ₃ , Mo( ⁱ PrCp)(CO) ₃ Me, Mo( ⁱ PrCp)(CO) ₃ Et, Mo( ⁱ PrCp)(CO) ₃ ⁱ Pr, Mo( ⁱ PrCp)(CO) ₃ ^t Bu, Mo( ^t BuCp)(CO) ₃ H, Mo( ^t BuCp)(CO) ₃ Cl, Mo ( ^t BuCp)(CO) ₃ Br, Mo( ^t BuCp)(CO) ₃ PMe ₃ , Mo( ^t BuCp)(CO) ₃ Me, Mo( ^t BuCp)(CO) ₃ Et, Mo( ^t BuCp)( _{^{CO) 3 i Pr, Mo (}} t BuCp) (CO) 3 t Bu.

[화학식 3][Formula 3]

M(R⁴Cp)(R⁴'Cp)R⁵R⁶ ; ^{M (R 4 Cp) (R} 4 'Cp) R 5 R 6;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, 상기 R⁴ 및 R⁴'각각은 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기이고; 상기 R⁵ 및 R⁶ 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임.In the above formula, M is W or Mo, wherein R ⁴ and R ⁴ ' Each is independently H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, and 1 carbon number. It is a linear or branched alkyl groupamido of to 6 or a silyl group; Each of R ⁵ and R ⁶ is independently of each other H, Cl, Br, PMe ₃ , CO, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and having 2 to 6 carbon atoms. It is a linear or branched alkynyl group, a linear or branched alkyl groupamido having 1 to 6 carbon atoms, silyl, a saturated or unsaturated carbon ring group having 3 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof.

상기 화학식 3의 금속 전구체의 예로서 하기를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다:Examples of the metal precursor of Formula 3 may include the following, but are not limited thereto:

W(Cp)₂H₂, W(Cp)₂Cl₂, W(Cp)₂Br₂, W(Cp)₂(PMe₃)₂, W(Cp)₂(CO)₂, W(Cp)₂Me₂, W(Cp)₂Et₂, W(Cp)₂ ⁱPr₂, W(Cp)₂ ^tBu₂, W(Cp)₂MeEt, W(Cp)₂MeⁱPr, W(Cp)₂Me^tBu, W(Cp)₂EtⁱPr, W(Cp)₂Et^tBu, W(Cp)₂ ⁱPr^tBu, W(ClCp)₂H₂, W(ClCp)₂Cl₂, W(ClCp)₂Br₂, W(ClCp)₂(PMe₃)₂, W(ClCp)₂(CO)₂, W(ClCp)₂Me₂, W(ClCp)₂Et₂, W(ClCp)₂ ⁱPr₂, W(ClCp)₂ ^tBu₂, W(ClCp)₂MeEt, W(ClCp)₂MeⁱPr, W(ClCp)₂Me^tBu, W(ClCp)₂EtⁱPr, W(ClCp)₂Et^tBu, W(ClCp)₂ ⁱPr^tBu, W(BrCp)₂H₂, W(BrCp)₂Cl₂, W(BrCp)₂Br₂, W(BrCp)₂(PMe₃)₂, W(BrCp)₂(CO)₂, W(BrCp)₂Me₂, W(BrCp)₂Et₂, W(BrCp)₂ ⁱPr₂, W(BrCp)₂ ^tBu₂, W(BrCp)₂MeEt, W(BrCp)₂MeⁱPr, W(BrCp)₂Me^tBu, W(BrCp)₂EtⁱPr, W(BrCp)₂Et^tBu, W(BrCp)₂ ⁱPr^tBu, W(PMe₃Cp)₂H₂, W(PMe₃Cp)₂Cl₂, W(PMe₃Cp)₂Br₂, W(PMe₃Cp)₂(PMe₃)₂, W(PMe₃Cp)₂(CO)₂, W(PMe₃Cp)₂Me₂, W(PMe₃Cp)₂Et₂, W(PMe₃Cp)₂ ⁱPr₂, W(PMe₃Cp)₂ ^tBu₂, W(PMe₃Cp)₂MeEt, W(PMe₃Cp)₂MeⁱPr, W(PMe₃Cp)₂Me^tBu, W(PMe₃Cp)₂EtⁱPr, W(PMe₃Cp)₂Et^tBu, W(PMe₃Cp)₂ ⁱPr^tBu, W(MeCp)₂H₂, W(MeCp)₂Cl₂, W(MeCp)₂Br₂, W(MeCp)₂(PMe₃)₂, W(MeCp)₂(CO)₂, W(MeCp)₂Me₂, W(MeCp)₂Et₂, W(MeCp)₂ ⁱPr₂, W(MeCp)₂ ^tBu₂, W(MeCp)₂MeEt, W(MeCp)₂MeⁱPr, W(MeCp)₂Me^tBu, W(MeCp)₂EtⁱPr, W(MeCp)₂Et^tBu, W(MeCp)₂ ⁱPr^tBu, W(EtCp)₂H₂, W(EtCp)₂Cl₂, W(EtCp)₂Br₂, W(EtCp)₂(PMe₃)₂, W(EtCp)₂(CO)₂, W(EtCp)₂Me₂, W(EtCp)₂Et₂, W(EtCp)₂ ⁱPr₂, W(EtCp)₂ ^tBu₂, W(EtCp)₂MeEt, W(EtCp)₂MeⁱPr, W(EtCp)₂Me^tBu, W(EtCp)₂EtⁱPr, W(EtCp)₂Et^tBu, W(EtCp)₂ ⁱPr^tBu, W(ⁱPrCp)₂H₂, W(ⁱPrCp)₂Cl₂, W(ⁱPrCp)₂Br₂, W(ⁱPrCp)₂(PMe₃)₂, W(ⁱPrCp)₂(CO)₂, W(ⁱPrCp)₂Me₂, W(ⁱPrCp)₂Et₂, W(ⁱPrCp)₂ ⁱPr₂, W(ⁱPrCp)₂ ^tBu₂, W(ⁱPrCp)₂MeEt, W(ⁱPrCp)₂MeⁱPr, W(ⁱPrCp)₂Me^tBu, W(ⁱPrCp)₂EtⁱPr, W(ⁱPrCp)₂Et^tBu, W(ⁱPrCp)₂ ⁱPr^tBu, W(^tBuCp)₂H₂, W(^tBuCp)₂Cl₂, W(^tBuCp)₂Br₂, W(^tBuCp)₂(PMe₃)₂, W(^tBuCp)₂(CO)₂, W(^tBuCp)₂Me₂, W(^tBuCp)₂Et₂, W(^tBuCp)₂ ⁱPr₂, W(^tBuCp)₂ ^tBu₂, W(^tBuCp)₂MeEt, W(^tBuCp)₂MeⁱPr, W(^tBuCp)₂Me^tBu, W(^tBuCp)₂EtⁱPr, W(^tBuCp)₂Et^tBu, W(^tBuCp)₂ ⁱPr^tBu, W(ClCp)(BrCp)H₂, W(ClCp)(BrCp)Cl₂, W(ClCp)(BrCp)Br₂, W(ClCp)(BrCp)(PMe₃)₂, W(ClCp)(BrCp)(CO)₂, W(ClCp)(BrCp)Me₂, W(ClCp)(BrCp)Et₂, W(ClCp)(BrCp)ⁱPr₂, W(ClCp)(BrCp)^tBu₂, W(ClCp)(BrCp)MeEt, W(ClCp)(BrCp)MeⁱPr, W(ClCp)(BrCp)Me^tBu, W(ClCp)(BrCp)EtⁱPr, W(ClCp)(BrCp)Et^tBu, W(ClCp)(BrCp)ⁱPr^tBu, W(MeCp)(EtCp)H₂, W(MeCp)(EtCp)Cl₂, W(MeCp)(EtCp)Br₂, W(MeCp)(EtCp)(PMe₃)₂, W(MeCp)(EtCp)(CO)₂, W(MeCp)(EtCp)Me₂, W(MeCp)(EtCp)Et₂, W(MeCp)(EtCp)ⁱPr₂, W(MeCp)(EtCp)^tBu₂, W(MeCp)(EtCp)MeEt, W(MeCp)(EtCp)MeⁱPr, W(MeCp)(EtCp)Me^tBu, W(MeCp)(EtCp)EtⁱPr, W(MeCp)(EtCp)Et^tBu, W(MeCp)(EtCp)ⁱPr^tBu, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)H₂, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)Cl₂, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)Br₂, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)(PMe₃)₂, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)(CO)₂, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)Me₂, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)Et₂, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)ⁱPr₂, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)^tBu₂, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)MeEt, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)MeⁱPr, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)Me^tBu, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)EtⁱPr, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)Et^tBu, W(ⁱPrCp)(^tBuCp)ⁱPr^tBu;W(Cp) ₂ H ₂ , W(Cp) ₂ Cl ₂ , W(Cp) ₂ Br ₂ , W(Cp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , W(Cp) ₂ (CO) ₂ , W(Cp) ₂ Me ₂ , W(Cp) ₂ Et ₂ , W(Cp) ₂ ⁱ Pr ₂ , W(Cp) ₂ ^t Bu ₂ , W(Cp) ₂ MeEt, W(Cp) ₂ Me ⁱ Pr, W(Cp) ₂ Me ^t Bu, W(Cp) ₂ Et ⁱ Pr, W(Cp) ₂ Et ^t Bu, W(Cp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, W(ClCp) ₂ H ₂ , W(ClCp) ₂ Cl ₂ , W( ClCp) ₂ Br ₂ , W(ClCp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , W(ClCp) ₂ (CO) ₂ , W(ClCp) ₂ Me ₂ , W(ClCp) ₂ Et ₂ , W(ClCp) ₂ ⁱ Pr ₂ , W(ClCp) ₂ ^t Bu ₂ , W(ClCp) ₂ MeEt, W(ClCp) ₂ Me ⁱ Pr, W(ClCp) ₂ Me ^t Bu, W(ClCp) ₂ Et ⁱ Pr, W(ClCp) ₂ Et ^t Bu, W(ClCp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, W(BrCp) ₂ H ₂ , W(BrCp) ₂ Cl ₂ , W(BrCp) ₂ Br ₂ , W(BrCp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , W (BrCp) ₂ (CO) ₂ , W(BrCp) ₂ Me ₂ , W(BrCp) ₂ Et ₂ , W(BrCp) ₂ ⁱ Pr ₂ , W(BrCp) ₂ ^t Bu ₂ , W(BrCp) ₂ MeEt, W(BrCp) ₂ Me ⁱ Pr, W(BrCp) ₂ Me ^t Bu, W(BrCp) ₂ Et ⁱ Pr, W(BrCp) ₂ Et ^t Bu, W(BrCp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, W(PMe ₃ Cp) ₂ H ₂ , W(PMe ₃ Cp) ₂ Cl ₂ , W(PMe ₃ Cp) ₂ Br ₂ , W(PMe ₃ Cp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , W(PMe ₃ Cp) ₂ (CO) ₂ , W(PMe ₃ Cp) ₂ Me ₂ , W(PMe ₃ Cp) ₂ Et ₂ , W(PMe ₃ Cp) ₂ ⁱ Pr ₂ , W(PMe ₃ Cp) ₂ ^t Bu ₂ , W(PMe ₃ Cp) ₂ MeEt, W(PMe ₃ Cp) ₂ Me ⁱ Pr, W(PMe ₃ Cp) ₂ Me ^t Bu, W(PMe ₃ Cp) ₂ Et ⁱ Pr, W(PMe ₃ Cp) ₂ Et ^t Bu, W(PMe ₃ Cp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, W(MeCp) ₂ H ₂ , W(MeCp) ₂ Cl ₂ , W(MeCp) ₂ Br ₂ , W(MeCp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , W(MeCp) ₂ (CO) ₂ , W(MeCp) ₂ Me ₂ , W(MeCp) ₂ Et ₂ , W(MeCp) ₂ ⁱ Pr ₂ , W(MeCp) ₂ ^t Bu ₂ , W(MeCp) ₂ MeEt , W(MeCp) ₂ Me ⁱ Pr, W(MeCp) ₂ Me ^t Bu, W(MeCp) ₂ Et ⁱ Pr, W(MeCp) ₂ Et ^t Bu, W(MeCp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, W(EtCp ) ₂ H ₂ , W(EtCp) ₂ Cl ₂ , W(EtCp) ₂ Br ₂ , W(EtCp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , W(EtCp) ₂ (CO) ₂ , W(EtCp) ₂ Me ₂ , W(EtCp) ₂ Et ₂ , W(EtCp) ₂ ⁱ Pr ₂ , W(EtCp) ₂ ^t Bu ₂ , W(EtCp) ₂ MeEt, W(EtCp) ₂ Me ⁱ Pr, W(EtCp) ₂ Me ^t Bu , W(EtCp) ₂ Et ⁱ Pr, W(EtCp) ₂ Et ^t Bu, W(EtCp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, W( ⁱ PrCp) ₂ H ₂ , W( ⁱ PrCp) ₂ Cl ₂ , W( ⁱ PrCp) ₂ Br ₂ , W( ⁱ PrCp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , W( ⁱ PrCp) ₂ (CO) ₂ , W( ⁱ PrCp) ₂ Me ₂ , W( ⁱ PrCp) ₂ Et ₂ , W( ⁱ PrCp) ₂ ⁱ Pr ₂ , W( ⁱ PrCp) ₂ ^t Bu ₂ , W( ⁱ PrCp) ₂ MeEt, W( ⁱ PrCp) ₂ Me ⁱ Pr, W( ⁱ PrCp) ₂ Me ^t Bu, W( ⁱ PrCp) ₂ Et ⁱ Pr, W( ⁱ PrCp) ₂ Et ^t Bu, W( ⁱ PrCp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, W( ^t BuCp) ₂ H ₂ , W( ^t BuCp) ₂ Cl ₂ , W( ^t BuCp) ₂ Br ₂ , W( ^t BuCp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , W( ^t BuCp) ₂ (CO) ₂ , W( ^t BuCp) ₂ Me ₂ , W( ^t BuCp) ₂ Et ₂ , W( ^t BuCp) ₂ ⁱ Pr ₂ , W( ^t BuCp) ₂ ^t Bu ₂ , W( ^t BuCp) ₂ MeEt, W( ^t BuCp) ₂ Me ⁱ Pr, W( ^t BuCp) ₂ Me ^t Bu, W( ^t BuCp) ₂ Et ⁱ Pr, W( ^t BuCp) ₂ Et ^t Bu, W( ^t BuCp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, W(ClCp)(BrCp)H ₂ , W(ClCp)(BrCp)Cl ₂ , W(ClCp)(BrCp)Br ₂ , W(ClCp)(BrCp)(PMe ₃ ) ₂ , W(ClCp) (BrCp)(CO) ₂ , W(ClCp)(BrCp)Me ₂ , W(ClCp)(BrCp)Et ₂ , W(ClCp)(BrCp) ⁱ Pr ₂ , W(ClCp)(BrCp) ^t Bu ₂ , W(ClCp)(BrCp)MeEt, W(ClCp)(BrCp)Me ⁱ Pr, W(ClCp)(BrCp)Me ^t Bu, W(ClCp)(BrCp)Et ⁱ Pr, W(ClCp)(BrCp)Et ^t Bu, W(ClCp)(BrCp) ⁱ Pr ^t Bu, W(MeCp)(EtCp)H ₂ , W(MeCp)(EtCp)Cl ₂ , W(MeCp)(EtCp)Br ₂ , W(MeCp)( EtCp)(PMe ₃ ) ₂ , W(MeCp)(EtCp)(CO) ₂ , W(MeCp)(EtCp)Me ₂ , W(MeCp)(EtCp)Et ₂ , W(MeCp)(EtCp) ⁱ Pr ₂ , W(MeCp)(EtCp) ^t Bu ₂ , W(MeCp)(EtCp)MeEt, W(MeCp)(EtCp)Me ⁱ Pr, W(MeCp)(EtCp)Me ^t Bu, W(MeCp)(EtCp) Et ⁱ Pr, W(MeCp)(EtCp)Et ^t Bu, W(MeCp)(EtCp) ⁱ Pr ^t Bu, W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)H ₂ , W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)Cl ₂ , W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)Br ₂ , W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)(PMe ₃ ) ₂ , W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)(CO) ₂ , W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)Me ₂ , W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)Et ₂ , W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp) ⁱ Pr ₂ , W( ⁱ PrCp) ( ^t BuCp) ^t Bu ₂ , W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp) MeEt, W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp) Me ⁱ Pr, W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp) Me ^t Bu, W( ⁱ PrCp) ( ^t BuCp)Et ⁱ Pr, W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)Et ^t Bu, W( ⁱ PrCp)( ^t BuCp) ⁱ Pr ^t Bu;

Mo(Cp)₂H₂, Mo(Cp)₂Cl₂, Mo(Cp)₂Br₂, Mo(Cp)₂(PMe₃)₂, Mo(Cp)₂(CO)₂, Mo(Cp)₂Me₂, Mo(Cp)₂Et₂, Mo(Cp)₂ ⁱPr₂, Mo(Cp)₂ ^tBu₂, Mo(Cp)₂MeEt, Mo(Cp)₂MeⁱPr, Mo(Cp)₂Me^tBu, Mo(Cp)₂EtⁱPr, Mo(Cp)₂Et^tBu, Mo(Cp)₂ ⁱPr^tBu, Mo(ClCp)₂H₂, Mo(ClCp)₂Cl₂, Mo(ClCp)₂Br₂, Mo(ClCp)₂(PMe₃)₂, Mo(ClCp)₂(CO)₂, Mo(ClCp)₂Me₂, Mo(ClCp)₂Et₂, Mo(ClCp)₂ ⁱPr₂, Mo(ClCp)₂ ^tBu₂, Mo(ClCp)₂MeEt, Mo(ClCp)₂MeⁱPr, Mo(ClCp)₂Me^tBu, Mo(ClCp)₂EtⁱPr, Mo(ClCp)₂Et^tBu, Mo(ClCp)₂ ⁱPr^tBu, Mo(BrCp)₂H₂, Mo(BrCp)₂Cl₂, Mo(BrCp)₂Br₂, Mo(BrCp)₂(PMe₃)₂, Mo(BrCp)₂(CO)₂, Mo(BrCp)₂Me₂, Mo(BrCp)₂Et₂, Mo(BrCp)₂ ⁱPr₂, Mo(BrCp)₂ ^tBu₂, Mo(BrCp)₂MeEt, Mo(BrCp)₂MeⁱPr, Mo(BrCp)₂Me^tBu, Mo(BrCp)₂EtⁱPr, Mo(BrCp)₂Et^tBu, Mo(BrCp)₂ ⁱPr^tBu, Mo(PMe₃Cp)₂H₂, Mo(PMe₃Cp)₂Cl₂, Mo(PMe₃Cp)₂Br₂, Mo(PMe₃Cp)₂(PMe₃)₂, Mo(PMe₃Cp)₂(CO)₂, Mo(PMe₃Cp)₂Me₂, Mo(PMe₃Cp)₂Et₂, Mo(PMe₃Cp)₂ ⁱPr₂, Mo(PMe₃Cp)₂ ^tBu₂, Mo(PMe₃Cp)₂MeEt, Mo(PMe₃Cp)₂MeⁱPr, Mo(PMe₃Cp)₂Me^tBu, Mo(PMe₃Cp)₂EtⁱPr, Mo(PMe₃Cp)₂Et^tBu, Mo(PMe₃Cp)₂ ⁱPr^tBu, Mo(MeCp)₂H₂, Mo(MeCp)₂Cl₂, Mo(MeCp)₂Br₂, Mo(MeCp)₂(PMe₃)₂, Mo(MeCp)₂(CO)₂, Mo(MeCp)₂Me₂, Mo(MeCp)₂Et₂, Mo(MeCp)₂ ⁱPr₂, Mo(MeCp)₂ ^tBu₂, Mo(MeCp)₂MeEt, Mo(MeCp)₂MeⁱPr, Mo(MeCp)₂Me^tBu, Mo(MeCp)₂EtⁱPr, Mo(MeCp)₂Et^tBu, Mo(MeCp)₂ ⁱPr^tBu, Mo(EtCp)₂H₂, Mo(EtCp)₂Cl₂, Mo(EtCp)₂Br₂, Mo(EtCp)₂(PMe₃)₂, Mo(EtCp)₂(CO)₂, Mo(EtCp)₂Me₂, Mo(EtCp)₂Et₂, Mo(EtCp)₂ ⁱPr₂, Mo(EtCp)₂ ^tBu₂, Mo(EtCp)₂MeEt, Mo(EtCp)₂MeⁱPr, Mo(EtCp)₂Me^tBu, Mo(EtCp)₂EtⁱPr, Mo(EtCp)₂Et^tBu, Mo(EtCp)₂ ⁱPr^tBu, Mo(ⁱPrCp)₂H₂, Mo(ⁱPrCp)₂Cl₂, Mo(ⁱPrCp)₂Br₂, Mo(ⁱPrCp)₂(PMe₃)₂, Mo(ⁱPrCp)₂(CO)₂, Mo(ⁱPrCp)₂Me₂, Mo(ⁱPrCp)₂Et₂, Mo(ⁱPrCp)₂ ⁱPr₂, Mo(ⁱPrCp)₂ ^tBu₂, Mo(ⁱPrCp)₂MeEt, Mo(ⁱPrCp)₂MeⁱPr, Mo(ⁱPrCp)₂Me^tBu, Mo(ⁱPrCp)₂EtⁱPr, Mo(ⁱPrCp)₂Et^tBu, Mo(ⁱPrCp)₂ ⁱPr^tBu, Mo(^tBuCp)₂H₂, Mo(^tBuCp)₂Cl₂, Mo(^tBuCp)₂Br₂, Mo(^tBuCp)₂(PMe₃)₂, Mo(^tBuCp)₂(CO)₂, Mo(^tBuCp)₂Me₂, Mo(^tBuCp)₂Et₂, Mo(^tBuCp)₂ ⁱPr₂, Mo(^tBuCp)₂ ^tBu₂, Mo(^tBuCp)₂MeEt, Mo(^tBuCp)₂MeⁱPr, Mo(^tBuCp)₂Me^tBu, Mo(^tBuCp)₂EtⁱPr, Mo(^tBuCp)₂Et^tBu, Mo(^tBuCp)₂ ⁱPr^tBu, Mo(ClCp)(BrCp)H₂, Mo(ClCp)(BrCp)Cl₂, Mo(ClCp)(BrCp)Br₂, Mo(ClCp)(BrCp)(PMe₃)₂, Mo(ClCp)(BrCp)(CO)₂, Mo(ClCp)(BrCp)Me₂, Mo(ClCp)(BrCp)Et₂, Mo(ClCp)(BrCp)ⁱPr₂, Mo(ClCp)(BrCp)^tBu₂, Mo(ClCp)(BrCp)MeEt, Mo(ClCp)(BrCp)MeⁱPr, Mo(ClCp)(BrCp)Me^tBu, Mo(ClCp)(BrCp)EtⁱPr, Mo(ClCp)(BrCp)Et^tBu, Mo(ClCp)(BrCp)ⁱPr^tBu, Mo(MeCp)(EtCp)H₂, Mo(MeCp)(EtCp)Cl₂, Mo(MeCp)(EtCp)Br₂, Mo(MeCp)(EtCp)(PMe₃)₂, Mo(MeCp)(EtCp)(CO)₂, Mo(MeCp)(EtCp)Me₂, Mo(MeCp)(EtCp)Et₂, Mo(MeCp)(EtCp)ⁱPr₂, Mo(MeCp)(EtCp)^tBu₂, Mo(MeCp)(EtCp)MeEt, Mo(MeCp)(EtCp)MeⁱPr, Mo(MeCp)(EtCp)Me^tBu, Mo(MeCp)(EtCp)EtⁱPr, Mo(MeCp)(EtCp)Et^tBu, Mo(MeCp)(EtCp)ⁱPr^tBu, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)H₂, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)Cl₂, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)Br₂, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)(PMe₃)₂, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)(CO)₂, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)Me₂, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)Et₂, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)ⁱPr₂, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)^tBu₂, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)MeEt, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)MeⁱPr, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)Me^tBu, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)EtⁱPr, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)Et^tBu, Mo(ⁱPrCp)(^tBuCp)ⁱPr^tBu.Mo(Cp) ₂ H ₂ , Mo(Cp) ₂ Cl ₂ , Mo(Cp) ₂ Br ₂ , Mo(Cp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , Mo(Cp) ₂ (CO) ₂ , Mo(Cp) ₂ Me ₂ , Mo(Cp) ₂ Et ₂ , Mo(Cp) ₂ ⁱ Pr ₂ , Mo(Cp) ₂ ^t Bu ₂ , Mo(Cp) ₂ MeEt, Mo(Cp) ₂ Me ⁱ Pr, Mo(Cp) ₂ Me ^t Bu, Mo(Cp) ₂ Et ⁱ Pr, Mo(Cp) ₂ Et ^t Bu, Mo(Cp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, Mo(ClCp) ₂ H ₂ , Mo(ClCp) ₂ Cl ₂ , Mo( ClCp) ₂ Br ₂ , Mo(ClCp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , Mo(ClCp) ₂ (CO) ₂ , Mo(ClCp) ₂ Me ₂ , Mo(ClCp) ₂ Et ₂ , Mo(ClCp) ₂ ⁱ Pr ₂ , Mo(ClCp) ₂ ^t Bu ₂ , Mo(ClCp) ₂ MeEt, Mo(ClCp) ₂ Me ⁱ Pr, Mo(ClCp) ₂ Me ^t Bu, Mo(ClCp) ₂ Et ⁱ Pr, Mo(ClCp) ₂ Et ^t Bu, Mo(ClCp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, Mo(BrCp) ₂ H ₂ , Mo(BrCp) ₂ Cl ₂ , Mo(BrCp) ₂ Br ₂ , Mo(BrCp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , Mo (BrCp) ₂ (CO) ₂ , Mo(BrCp) ₂ Me ₂ , Mo(BrCp) ₂ Et ₂ , Mo(BrCp) ₂ ⁱ Pr ₂ , Mo(BrCp) ₂ ^t Bu ₂ , Mo(BrCp) ₂ MeEt, Mo(BrCp) ₂ Me ⁱ Pr, Mo(BrCp) ₂ Me ^t Bu, Mo(BrCp) ₂ Et ⁱ Pr, Mo(BrCp) ₂ Et ^t Bu, Mo(BrCp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, Mo(PMe ₃ Cp) ₂ H ₂ , Mo(PMe ₃ Cp) ₂ Cl ₂ , Mo(PMe ₃ Cp) ₂ Br ₂ , Mo(PMe ₃ Cp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , Mo(PMe ₃ Cp) ₂ (CO) ₂ , Mo(PMe ₃ Cp) ₂ Me ₂ , Mo(PMe ₃ Cp) ₂ Et ₂ , Mo(PMe ₃ Cp) ₂ ⁱ Pr ₂ , Mo(PMe ₃ Cp) ₂ ^t Bu ₂ , Mo(PMe ₃ Cp) ₂ MeEt, Mo(PMe ₃ Cp) ₂ Me ⁱ Pr, Mo(PMe ₃ Cp) ) ₂ Me ^t Bu, Mo(PMe ₃ Cp) ₂ Et ⁱ Pr, Mo(PMe ₃ Cp) ₂ Et ^t Bu, Mo(PMe ₃ Cp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, Mo(MeCp) ₂ H ₂ , Mo( MeCp) ₂ Cl ₂ , Mo(MeCp) ₂ Br ₂ , Mo(MeCp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , Mo(MeCp) ₂ (CO) ₂ , Mo(MeCp) ₂ Me ₂ , Mo(MeCp) ₂ Et ₂ , Mo(MeCp) ₂ ⁱ Pr ₂ , Mo(MeCp) ₂ ^t Bu ₂ , Mo(MeCp) ₂ MeEt, Mo(MeCp) ₂ Me ⁱ Pr, Mo(MeCp) ₂ Me ^t Bu, Mo(MeCp) ₂ Et ⁱ Pr, Mo(MeCp) ₂ Et ^t Bu, Mo(MeCp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, Mo(EtCp) ₂ H ₂ , Mo(EtCp) ₂ Cl ₂ , Mo(EtCp) ₂ Br ₂ , Mo(EtCp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , Mo(EtCp) ₂ (CO) ₂ , Mo(EtCp) ₂ Me ₂ , Mo(EtCp) ₂ Et ₂ , Mo(EtCp) ₂ ⁱ Pr ₂ , Mo(EtCp) ₂ ^t Bu ₂ , Mo(EtCp) ₂ MeEt, Mo(EtCp) ₂ Me ⁱ Pr, Mo(EtCp) ₂ Me ^t Bu, Mo(EtCp) ₂ Et ⁱ Pr, Mo(EtCp) ₂ Et ^t Bu, Mo(EtCp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, Mo( ⁱ PrCp) ₂ H ₂ , Mo( ⁱ PrCp) ₂ Cl ₂ , Mo( ⁱ PrCp) ₂ Br ₂ , Mo( ⁱ PrCp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , Mo( ⁱ PrCp) ₂ ( CO) ₂ , Mo( ⁱ PrCp) ₂ Me ₂ , Mo( ⁱ PrCp) ₂ Et ₂ , Mo( ⁱ PrCp) ₂ ⁱ Pr ₂ , Mo( ⁱ PrCp) ₂ ^t Bu ₂ , Mo( ⁱ PrCp) ₂ MeEt , Mo( ⁱ PrCp) ₂ Me ⁱ Pr, Mo( ⁱ PrCp) ₂ Me ^t Bu, Mo( ⁱ PrCp) ₂ Et ⁱ Pr, Mo( ⁱ PrCp) ₂ Et ^t Bu, Mo( ⁱ PrCp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, Mo( ^t BuCp) ₂ H ₂ , Mo( ^t BuCp) ₂ Cl ₂ , Mo( ^t BuCp) ₂ Br ₂ , Mo( ^t BuCp) ₂ (PMe ₃ ) ₂ , Mo( ^t BuCp) ₂ (CO) ₂ , Mo( ^t BuCp) ₂ Me ₂ , Mo( ^t BuCp) ₂ Et ₂ , Mo( ^t BuCp) ₂ ⁱ Pr ₂ , Mo( ^t BuCp) ₂ ^t Bu ₂ , Mo( ^t BuCp) ₂ MeEt, Mo( ^t BuCp) ₂ Me ⁱ Pr, Mo( ^t BuCp) ₂ Me ^t Bu, Mo( ^t BuCp) ₂ Et ⁱ Pr, Mo( ^t BuCp) ₂ Et ^t Bu, Mo( ^t BuCp) ₂ ⁱ Pr ^t Bu, Mo (ClCp)(BrCp)H ₂ , Mo(ClCp)(BrCp)Cl ₂ , Mo(ClCp)(BrCp)Br ₂ , Mo(ClCp)(BrCp)(PMe ₃ ) ₂ , Mo(ClCp)(BrCp)( CO) ₂ , Mo(ClCp)(BrCp)Me ₂ , Mo(ClCp)(BrCp)Et ₂ , Mo(ClCp)(BrCp) ⁱ Pr ₂ , Mo(ClCp)(BrCp) ^t Bu ₂ , Mo(ClCp) (BrCp)MeEt, Mo(ClCp)(BrCp)Me ⁱ Pr, Mo(ClCp)(BrCp)Me ^t Bu, Mo(ClCp)(BrCp)Et ⁱ Pr, Mo(ClCp)(BrCp)Et ^t Bu, Mo (ClCp)(BrCp) ⁱ Pr ^t Bu, Mo(MeCp)(EtCp)H ₂ , Mo(MeCp)(EtCp)Cl ₂ , Mo(MeCp)(EtCp)Br ₂ , Mo(MeCp)(EtCp)(PMe ₃ ) ₂ , Mo(MeCp)(EtCp)(CO) ₂ , Mo(MeCp)(EtCp)Me ₂ , Mo(MeCp)(EtCp)Et ₂ , Mo(MeCp)(EtCp) ⁱ Pr ₂ , Mo(MeCp )(EtCp) ^t Bu ₂ , Mo (MeCp)(EtCp)MeEt, Mo(MeCp)(EtCp)Me ⁱ Pr, Mo(MeCp)(EtCp)Me ^t Bu, Mo(MeCp)(EtCp)Et ⁱ Pr, Mo(MeCp)(EtCp)Et ^t Bu, Mo(MeCp)(EtCp) ⁱ Pr ^t Bu, Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)H ₂ , Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)Cl ₂ , Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)Br ₂ , Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)(PMe ₃ ) ₂ , Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)(CO) ₂ , Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)Me ₂ , Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp) Et ₂ , Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp) ⁱ Pr ₂ , Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp) ^t Bu ₂ , Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp) MeEt, Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)Me ⁱ Pr, Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp) Me ^t Bu, Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)Et ⁱ Pr, Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp)Et ^t Bu, Mo( ⁱ PrCp)( ^t BuCp ) ⁱ Pr ^t Bu.

[화학식 4][Formula 4]

M(R⁷Bz)(R⁸Bz) ;M(R ⁷ Bz)(R ⁸ Bz);

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, 상기 R⁷ 및 R⁸ 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기임.In the above formula, M is W or Mo, and each of R ⁷ and R ⁸ is independently of each other H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched carbon number of 2 to 6 It is a topographic alkenyl group, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkyl groupamido having 1 to 6 carbon atoms, or a silyl group.

상기 화학식 4의 금속 전구체의 예로서 하기를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다:Examples of the metal precursor of Formula 4 may include, but are not limited thereto:

W(Bz)₂, W(ClBz)₂, W(BrBz)₂, W(PMe₃Bz)₂, W(MeBz)₂, W(EtBz)₂, W(ⁱPrBz)₂, W(^tBuBz)₂, W(Bz)(ClBz), W(Bz)(BrBz), W(Bz)(PMe₃Bz), W(Bz)(MeBz), W(Bz)(EtBz), W(Bz)(ⁱPrBz), W(Bz)(^tBuBz), W(ClBz)(BrBz), W(ClBz)(PMe₃Bz), W(ClBz)(MeBz), W(ClBz)(EtBz), W(ClBz)(ⁱPrBz), W(ClBz)(^tBuBz), W(BrBz)(PMe₃Bz), W(BrBz)(MeBz), W(BrBz)(EtBz), W(BrBz)(ⁱPrBz), W(BrBz)(^tBuBz), W(PMe₃Bz)(MeBz), W(PMe₃Bz)(EtBz), W(PMe₃Bz)(ⁱPrBz), W(PMe₃Bz)(^tBuBz), W(MeBz)(EtBz), W(MeBz)(ⁱPrBz), W(MeBz)(^tBuBz), W(EtBz)(ⁱPrBz), W(EtBz)(^tBuBz), W(ⁱPrBz)(^tBuBz);W(Bz) ₂ , W(ClBz) ₂ , W(BrBz) ₂ , W(PMe ₃ Bz) ₂ , W(MeBz) ₂ , W(EtBz) ₂ , W( ⁱ PrBz) ₂ , W( ^t BuBz) ₂ , W(Bz)(ClBz), W(Bz)(BrBz), W(Bz)(PMe ₃ Bz), W(Bz)(MeBz), W(Bz)(EtBz), W(Bz)( ⁱ PrBz), W(Bz)( ^t BuBz), W(ClBz)(BrBz), W(ClBz)(PMe ₃ Bz), W(ClBz)(MeBz), W(ClBz)(EtBz), W(ClBz) ( ⁱ PrBz), W(ClBz)( ^t BuBz), W(BrBz)(PMe ₃ Bz), W(BrBz)(MeBz), W(BrBz)(EtBz), W(BrBz)( ⁱ PrBz), W (BrBz)( ^t BuBz), W(PMe ₃ Bz)(MeBz), W(PMe ₃ Bz)(EtBz), W(PMe ₃ Bz)( ⁱ PrBz), W(PMe ₃ Bz)( ^t BuBz), W(MeBz)(EtBz), W(MeBz)( ⁱ PrBz), W(MeBz)( ^t BuBz), W(EtBz)( ⁱ PrBz), W(EtBz)( ^t BuBz), W( ⁱ PrBz)( ^t BuBz);

Mo(Bz)₂, Mo(ClBz)₂, Mo(BrBz)₂, Mo(PMe₃Bz)₂, Mo(MeBz)₂, Mo(EtBz)₂, Mo(ⁱPrBz)₂, Mo(^tBuBz)₂, Mo(Bz)(ClBz), Mo(Bz)(BrBz), Mo(Bz)(PMe₃Bz), Mo(Bz)(MeBz), Mo(Bz)(EtBz), Mo(Bz)(ⁱPrBz), Mo(Bz)(^tBuBz), Mo(ClBz)(BrBz), Mo(ClBz)(PMe₃Bz), Mo(ClBz)(MeBz), Mo(ClBz)(EtBz), Mo(ClBz)(ⁱPrBz), Mo(ClBz)(^tBuBz), Mo(BrBz)(PMe₃Bz), Mo(BrBz)(MeBz), Mo(BrBz)(EtBz), Mo(BrBz)(ⁱPrBz), Mo(BrBz)(^tBuBz), Mo(PMe₃Bz)(MeBz), Mo(PMe₃Bz)(EtBz), Mo(PMe₃Bz)(ⁱPrBz), Mo(PMe₃Bz)(^tBuBz), Mo(MeBz)(EtBz), Mo(MeBz)(ⁱPrBz), Mo(MeBz)(^tBuBz), Mo(EtBz)(ⁱPrBz), Mo(EtBz)(^tBuBz), Mo(ⁱPrBz)(^tBuBz).Mo(Bz) ₂ , Mo(ClBz) ₂ , Mo(BrBz) ₂ , Mo(PMe ₃ Bz) ₂ , Mo(MeBz) ₂ , Mo(EtBz) ₂ , Mo( ⁱ PrBz) ₂ , Mo( ^t BuBz) ₂ , Mo(Bz)(ClBz), Mo(Bz)(BrBz), Mo(Bz)(PMe ₃ Bz), Mo(Bz)(MeBz), Mo(Bz)(EtBz), Mo(Bz)( ⁱ PrBz), Mo(Bz)( ^t BuBz), Mo(ClBz)(BrBz), Mo(ClBz)(PMe ₃ Bz), Mo(ClBz)(MeBz), Mo(ClBz)(EtBz), Mo(ClBz) ( ⁱ PrBz), Mo(ClBz)( ^t BuBz), Mo(BrBz)(PMe ₃ Bz), Mo(BrBz)(MeBz), Mo(BrBz)(EtBz), Mo(BrBz)( ⁱ PrBz), Mo (BrBz)( ^t BuBz), Mo(PMe ₃ Bz)(MeBz), Mo(PMe ₃ Bz)(EtBz), Mo(PMe ₃ Bz)( ⁱ PrBz), Mo(PMe ₃ Bz)( ^t BuBz), Mo(MeBz)(EtBz), Mo(MeBz)( ⁱ PrBz), Mo(MeBz)( ^t BuBz), Mo(EtBz)( ⁱ PrBz), Mo(EtBz)( ^t BuBz), Mo( ⁱ PrBz)( ^t BuBz).

[화학식 5][Formula 5]

M₄R¹⁰ _n ;M ₄ R ¹⁰ _n ;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, 상기 n은 1 내지 4의 정수이고, 상기 n개의 R¹⁰은 서로 동일하거나 상이하며 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6 의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임.In the above formula, M is W or Mo, wherein n is an integer of 1 to 4, the n R ¹⁰ are the same or different from each other and independently H, Cl, Br, PMe ₃ , CO, C 1 to 6 Linear or branched alkyl group, linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, silyl, 3 to 10 carbon atoms It is a saturated or unsaturated carbon ring group, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof.

상기 화학식 5의 금속 전구체의 예로서 하기를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다:Examples of the metal precursor of Formula 5 may include the following, but are not limited thereto:

W₄H, W₄H₂, W₄H₃, W₄H₄, W₄Cl, W₄Cl₂, W₄Cl₃, W₄Cl₄, W₄Br, W₄Br₂, W₄Br₃, W₄Br₄, W₄(PMe₃), W₄(PMe₃)₂, W₄(PMe₃)₃, W₄(PMe₃)₄, W₄(CO), W₄(CO)₂, W₄(CO)₃, W₄(CO)₄, W₄Me, W₄Me₂, W₄Me₃, W₄Me₄, W₄Et, W₄Et₂, W₄Et₃, W₄Et₄, W₄ ⁱPr, W₄ ⁱPr₂, W₄ ⁱPr₃, W₄ ⁱPr₄, W₄ ^tBu, W₄ ^tBu₂, W₄ ^tBu₃, W₄ ^tBu₄;W ₄ H, W ₄ H ₂ , W ₄ H ₃ , W ₄ H ₄ , W ₄ Cl, W ₄ Cl ₂ , W ₄ Cl ₃ , W ₄ Cl ₄ , W ₄ Br, W ₄ Br ₂ , W ₄ Br ₃ , W ₄ Br ₄ , W ₄ (PMe ₃ ), W ₄ (PMe ₃ ) ₂ , W ₄ (PMe ₃ ) ₃ , W ₄ (PMe ₃ ) ₄ , W ₄ (CO), W ₄ (CO) ₂ , W ₄ (CO) ₃ , W ₄ (CO) ₄ , W ₄ Me, W ₄ Me ₂ , W ₄ Me ₃ , W ₄ Me ₄ , W ₄ Et, W ₄ Et ₂ , W ₄ Et ₃ , W ₄ Et ₄ , W ₄ ⁱ Pr, W ₄ ⁱ Pr ₂ , W ₄ ⁱ Pr ₃ , W ₄ ⁱ Pr ₄ , W ₄ ^t Bu, W ₄ ^t Bu ₂ , W ₄ ^t Bu ₃ , W ₄ ^t Bu ₄ ;

Mo₄H, Mo₄H₂, Mo₄H₃, Mo₄H₄, Mo₄Cl, Mo₄Cl₂, Mo₄Cl₃, Mo₄Cl₄, Mo₄Br, Mo₄Br₂, Mo₄Br₃, Mo₄Br₄, Mo₄(PMe₃), Mo₄(PMe₃)₂, Mo₄(PMe₃)₃, Mo₄(PMe₃)₄, Mo₄(CO), Mo₄(CO)₂, Mo₄(CO)₃, Mo₄(CO)₄, Mo₄Me, Mo₄Me₂, Mo₄Me₃, Mo₄Me₄, Mo₄Et, Mo₄Et₂, Mo₄Et₃, Mo₄Et₄, Mo₄ ⁱPr, Mo₄ ⁱPr₂, Mo₄ ⁱPr₃, Mo₄ ⁱPr₄, Mo₄ ^tBu, Mo₄ ^tBu₂, Mo₄ ^tBu₃, Mo₄ ^tBu₄.Mo ₄ H, Mo ₄ H ₂ , Mo ₄ H ₃ , Mo ₄ H ₄ , Mo ₄ Cl, Mo ₄ Cl ₂ , Mo ₄ Cl ₃ , Mo ₄ Cl ₄ , Mo ₄ Br, Mo ₄ Br ₂ , Mo ₄ Br ₃ , Mo ₄ Br ₄ , Mo ₄ (PMe ₃ ), Mo ₄ (PMe ₃ ) ₂ , Mo ₄ (PMe ₃ ) ₃ , Mo ₄ (PMe ₃ ) ₄ , Mo ₄ (CO), Mo ₄ (CO) ₂ , Mo ₄ (CO) ₃ , Mo ₄ (CO) ₄ , Mo ₄ Me, Mo ₄ Me ₂ , Mo ₄ Me ₃ , Mo ₄ Me ₄ , Mo ₄ Et, Mo ₄ Et ₂ , Mo ₄ Et ₃ , Mo ₄ Et ₄ , Mo ₄ ⁱ Pr, Mo ₄ ⁱ Pr ₂ , Mo ₄ ⁱ Pr ₃ , Mo ₄ ⁱ Pr ₄ , Mo ₄ ^t Bu, Mo ₄ ^t Bu ₂ , Mo ₄ ^t Bu ₃ , Mo ₄ ^t Bu ₄ .

[화학식 6][Formula 6]

;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, 상기 R¹¹, R¹² 및 R¹³ 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기임.In the above formula, M is W or Mo, and each of R ¹¹ , R ¹² and R ¹³ is independently of each other H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and having 2 to 6 carbon atoms. It is a linear or branched alkenyl group, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkyl groupamido having 1 to 6 carbon atoms, or a silyl group.

[화학식 7][Formula 7]

M(ND)_x(R¹⁵DADR¹⁶)_yR¹⁴ _z ;M(ND) _x (R ¹⁵ DADR ¹⁶ ) _y R ¹⁴ _z ;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, 상기 각각의 ND는 중성 도너 리간드이고, 상기 각각의 DAD는 디아자디엔이고, 상기 각각의 R¹⁴는 음이온성 또는 2이온성 리간드이고, x는 0 내지 4, y는 1 내지 3, z는 0 내지 4, x+z는 1 이상이고, R¹⁵ 및 R¹⁶ 각각은 독립적으로 H, Cl, Br, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 하이드라지도, 알데하이드, 케토, 또는 실릴기임.In the above formula, M is W or Mo, each ND is a neutral donor ligand, each DAD is a diazadiene, each R ¹⁴ is an anionic or diionic ligand, and x is 0 to 4, y is 1 to 3, z is 0 to 4, x+z is 1 or more, and each of R ¹⁵ and R ¹⁶ is independently H, Cl, Br, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, 2 carbon atoms It is a linear or branched alkenyl group of to 6, a linear or branched alkynyl group of 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkyl group of 1 to 6 carbon atoms, hydrazido, aldehyde, keto, or silyl group.

예를 들어, 상기 중성 도너 리간드는 CO, 아세톤니트릴, 피리딘, 암모니아, 에틸렌디아민, 에틸렌디아민, 트리페닐포스핀, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함할 수 있다.For example, the neutral donor ligand may include one selected from the group consisting of CO, acetonitrile, pyridine, ammonia, ethylenediamine, ethylenediamine, triphenylphosphine, and combinations thereof.

예를 들어, 상기 음이온성 또는 2이온성 리간드는 시클로펜타디에닐 고리, 아미드, 알릴, 알킬, 아미디네이트, 아미데이트, 구아니디네이트, 알콕사이드, 아세틸라이드, 비닐, 베타-디케토네이트류, 베타-케티미네이트류, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함할 수 있다.For example, the anionic or diionic ligand is a cyclopentadienyl ring, amide, allyl, alkyl, amidinate, amidate, guanidine, alkoxide, acetylide, vinyl, beta-diketonate. , Beta-ketiminates, and may include those selected from the group consisting of combinations thereof.

[화학식 8][Formula 8]

;

[화학식 9][Formula 9]

;

[화학식 10][Formula 10]

; 및

; And

[화학식 11][Formula 11]

.

상기 화학식 8 내지 11에서, M은 W 또는 Mo임.In Formulas 8 to 11, M is W or Mo.

[화학식 12][Formula 12]

;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R¹⁷ 내지 R²⁵는 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임.In the above formula, M is W or Mo, and R ¹⁷ to R ²⁵ are each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted linear or branched, saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an isomer thereof.

상기 화학식 12의 화합물은 하기를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다:The compound of Formula 12 may include, but is not limited thereto:

,

,

;

,

;

,

,

.

,

.

상기 화학식 12의 화합물은 M이 W 또는 Mo인 하기 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다:The compound of Formula 12 may include the following compounds wherein M is W or Mo, but is not limited thereto:

M(CpCH₂CH₂NMe)(NMe₂)₂, M(CpCH₂CH₂NMe)(NMeEt)₂, M(CpCH₂CH₂NMe)(NEt₂)₂, M(CpCH₂CH₂NMe)(NMeⁱPr)₂, M(CpCH₂CH₂NMe)(NEtⁱPr)₂, M(CpCH₂CH₂NMe)(NⁱPr)₂, M(CpCH₂CH₂NMe)(NMeⁿPr)₂, M(CpCH₂CH₂NMe)(NEtⁿPr)₂, M(CpCH₂CH₂NMe)(NⁿPr)₂, M(CpCH₂CH₂NEt)(NMe₂)₂, M(CpCH₂CH₂NEt)(NMeEt)₂, M(CpCH₂CH₂NEt)(NEt₂)₂, M(CpCH₂CH₂NEt)(NMeⁱPr)₂, M(CpCH₂CH₂NEt)(NEtⁱPr)₂, M(CpCH₂CH₂NEt)(NⁱPr)₂, M(CpCH₂CH₂NEt)(NMeⁿPr)₂, M(CpCH₂CH₂NEt)(NEtⁿPr)₂, M(CpCH₂CH₂NEt)(NⁿPr)₂, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(NMe₂)₂, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(NMeEt)₂, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(NEt₂)₂, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(NMeⁱPr)₂, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(NEtⁱPr)₂, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(NⁱPr)₂, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(NMeⁿPr)₂, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(NEtⁿPr)₂, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(NⁿPr)₂, M(CpCH₂CH₂NⁿPr)(NMe₂)₂, M(CpCH₂CH₂NⁿPr)(NMeEt)₂, M(CpCH₂CH₂NⁿPr)(NEt₂)₂, M(CpCH₂CH₂NⁿPr)(NMeⁱPr)₂, M(CpCH₂CH₂NⁿPr)(NEtⁱPr)₂, M(CpCH₂CH₂NⁿPr)(NⁱPr)₂, M(CpCH₂CH₂NⁿPr)(NMeⁿPr)₂, M(CpCH₂CH₂NⁿPr)(NEtⁿPr)₂, 또는 M(CpCH₂CH₂NⁿPr)(NⁿPr)₂.M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)(NMe ₂ ) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)(NMeEt) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)(NEt ₂ ) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)( NMe ⁱ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)(NEt ⁱ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)(N ⁱ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)(NMe ⁿ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)(NEt ⁿ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)(N ⁿ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(NMe ₂ ) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(NMeEt) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(NEt ₂ ) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(NMe ⁱ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(NEt ⁱ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(N ⁱ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(NMe ⁿ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(NEt ⁿ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(N ⁿ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(NMe ₂ ) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(NMeEt) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(NEt ₂ ) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(NMe ⁱ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(NEt ⁱ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(N ⁱ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(NMe ⁿ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(NEt ⁿ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(N ⁿ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁿ Pr)(NMe ₂ ) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁿ Pr)(NMeEt) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁿ Pr)(NEt ₂ ) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁿ Pr)(NMe ⁱ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁿ Pr)(NEt ⁱ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁿ Pr)(N ⁱ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁿ Pr)(NMe ⁿ Pr) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁿ Pr)(NEt ⁿ Pr) ₂ , or M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁿ Pr)(N ⁿ Pr) ₂ .

[화학식 13][Formula 13]

M[Cp(CR^17'R^18')(CR^19'R^20')NR^21']R²⁶ ;M[Cp(CR ^17' R ^18' )(CR ^19' R ^20' )NR ^21' ]R ²⁶ ;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R^17' 내지 R^21'은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체이고, R²⁶은 CO, H, NO 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 2개 내지 4개의 리간드이거나 R²⁶은 1개 또는 2개의 =NR²⁷(imido) (R²⁷은 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임) 임. 예를 들어, 상기 R²⁶은 1개 또는 2개의 =NR²⁷; 또는, (CO)₂, (CO)₂H, (CO)₂H₂, (CO)₃, 또는 (CO)₃H일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In the above formula, M is W or Mo, and R ^17' to R ^21' are each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted linear or branched, saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or isomers thereof, and R ²⁶ is 2 to 4 selected from the group consisting of CO, H, NO, and combinations thereof. Is a ligand or R ²⁶ is one or two =NR ²⁷ (imido) (R ²⁷ is hydrogen; a substituted or unsubstituted linear or branched, saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or isomers thereof). For example, the R ²⁶ is 1 or 2 =NR ²⁷ ; Alternatively, it may be (CO) ₂ , (CO) ₂ H, (CO) ₂ H ₂ , (CO) ₃ , or (CO) ₃ H, but is not limited thereto.

상기 화학식 13의 화합물은 M이 W 또는 Mo인 하기 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다:The compound of Formula 13 may include the following compounds wherein M is W or Mo, but is not limited thereto:

M(CpCH₂CH₂NMe)(CO)₂, M(CpCH₂CH₂NMe)(CO)₂H, M(CpCH₂CH₂NMe)(CO)₂H₂, M(CpCH₂CH₂NMe)(CO)₃, M(CpCH₂CH₂NMe)(CO)₃H, M(CpCH₂CH₂NEt)(CO)₂, M(CpCH₂CH₂NEt)(CO)₂H, M(CpCH₂CH₂NEt)(CO)₂H₂, M(CpCH₂CH₂NEt)(CO)₃, M(CpCH₂CH₂NEt)(CO)₃H, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(CO)₂, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(CO)₂H, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(CO)₂H₂, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(CO)₃, M(CpCH₂CH₂NⁱPr)(CO)₃H.M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)(CO) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)(CO) ₂ H, M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)(CO) ₂ H ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NMe) (CO) ₃ , M(CpCH ₂ CH ₂ NMe)(CO) ₃ H, M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(CO) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(CO) ₂ H, M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(CO) ₂ H ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(CO) ₃ , M(CpCH ₂ CH ₂ NEt)(CO) ₃ H, M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(CO ) ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(CO) ₂ H, M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(CO) ₂ H ₂ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(CO) ₃ , M(CpCH ₂ CH ₂ N ⁱ Pr)(CO) ₃ H.

[화학식 14][Formula 14]

;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R²⁷ 내지 R³⁰은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R³¹은 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임.In the above formula, M is W or Mo, R ²⁷ to R ³⁰ are each independently H or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R ³¹ is a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

[화학식 15][Formula 15]

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R^27' 내지 R^30'은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체이고, R^31'은 NR³²R³³(R³² 및 R³³은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임), CO, H, NO, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 2개 내지 4개의 리간드임. 예를 들어, 상기 R^31'은 2개의 NR³²R³³이거나; 또는, (CO)₂, (CO)₂H, (CO)₂H₂, (CO)₃, 또는 (CO)₃H일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In the above formula, M is W or Mo, and R ^27' to R ^30' are each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted linear or branched, saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an isomer thereof, R ^31′ is NR ³² R ³³ (R ³² and R ³³ are each independently hydrogen; substituted or unsubstituted Is a linear or branched, saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or isomers thereof), CO, H, NO, and 2 to 4 ligands selected from the group consisting of combinations thereof. For example, R ^31' is two NR ³² R ³³ ; Alternatively, it may be (CO) ₂ , (CO) ₂ H, (CO) ₂ H ₂ , (CO) ₃ , or (CO) ₃ H, but is not limited thereto.

[화학식 16][Formula 16]

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R³⁴ 내지 R⁴²은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임.In the above formula, M is W or Mo, and R ³⁴ to R ⁴² are each independently H or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

[화학식 17] [Formula 17]

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R^34' 내지 R^38'은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R⁴³은 CO, H, NO, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 2개 내지 4개의 리간드이거나 R⁴³은 1개 또는 2개의 =NR⁴⁴(imido) (R⁴⁴은 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기)임. 예를 들어, 상기 R⁴³은 1개 또는 2개의 =NR⁴⁴; 또는, (CO)₂, (CO)₂H, (CO)₂H₂, (CO)₃, 또는 (CO)₃H일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In the above formula, M is W or Mo, R ^34' to R ^38' are each independently H or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R ⁴³ is CO, H, NO, and combinations thereof 2 to 4 ligands selected from the group consisting of, or R ⁴³ is 1 or 2 =NR ⁴⁴ (imido) (R ⁴⁴ is H or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms). For example, the R ⁴³ is 1 or 2 =NR ⁴⁴ ; Alternatively, it may be (CO) ₂ , (CO) ₂ H, (CO) ₂ H ₂ , (CO) ₃ , or (CO) ₃ H, but is not limited thereto.

[화학식 18][Formula 18]

;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R⁴⁵ 내지 R⁴⁸은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임.In the above formula, M is W or Mo, and R ⁴⁵ to R ⁴⁸ are each independently H or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

[화학식 19][Formula 19]

;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R⁴⁹ 내지 R⁵²는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임.In the above formula, M is W or Mo, and R ⁴⁹ to R ⁵² are each independently H or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

본원의 제 2 측면에 따른 금속 박막의 형성 방법은, 상기 본원의 제 1 측면에 따른 환원제 조성물에 대하여 기술된 내용을 모두 적용할 수 있으며, 중복되는 부분들에 대해서는 상세한 설명을 생략하였으나, 그 설명이 생략되었더라도 동일하게 적용될 수 있다.In the method of forming a metal thin film according to the second aspect of the present application, all the contents described for the reducing agent composition according to the first aspect of the present application may be applied, and detailed descriptions of overlapping parts have been omitted, but the description thereof Even if this is omitted, the same can be applied.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 증착 사이클은 하기 단계들을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다:In one embodiment of the present application, the deposition cycle may include the following steps, but is not limited thereto:

(a) 상기 금속 전구체의 펄스;(a) a pulse of the metal precursor;

(b) 불활성 기체를 이용한 퍼지;(b) purging with an inert gas;

(c) 상기 환원제의 펄스; 및(c) a pulse of the reducing agent; And

(d) 불활성 기체를 이용한 퍼지.(d) Purge with an inert gas.

- 리간드: -PMe₃, -CO, -H, -Bz, -COD, -N^tBu, -Cl, -Br, -NO, -Cp, -hexyne, -DMBD, -(알릴)^tBu, -(아미딘)ⁱPr, -CpEt, -인데닐, -DAD;-Ligand: -PMe ₃ , -CO, -H, -Bz, -COD, -N ^t Bu, -Cl, -Br, -NO, -Cp, -hexyne, -DMBD, -(allyl) ^t Bu,- (Amidine) ⁱ Pr, -CpEt, -indenyl, -DAD;

[화학식 1][Formula 1]

MR¹ _m ;MR ¹ _m ;

[화학식 2][Formula 2]

M(R²Cp)(CO)₃R³ ;M(R ² Cp)(CO) ₃ R ³ ;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, 상기 R²는 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴기이고, 상기 R³은 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6 의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임.In the above formula, M is W or Mo, and R ² is H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and a carbon number of 2 to 6 linear or branched alkynyl group, or a linear or branched alkyl group amido or silyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R ³ is H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms , A linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, silyl, saturated or unsaturated carbon ring having 3 to 10 carbon atoms It is a group, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof.

[화학식 3][Formula 3]

M(R⁴Cp)(R^4'Cp)R⁵R⁶ ; ^{M (R 4 Cp) (R} 4 'Cp) R 5 R 6;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, 상기 R⁴ 및 R⁴'각각은 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기이고; 상기 R⁵ 및 R⁶ 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임.In the above formula, M is W or Mo, wherein R ⁴ and R ⁴ ' Each is independently H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, and 1 carbon number. It is a linear or branched alkyl groupamido of to 6 or a silyl group; Each of R ⁵ and R ⁶ is independently of each other H, Cl, Br, PMe ₃ , CO, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and having 2 to 6 carbon atoms. A linear or branched alkynyl group, a linear or branched alkyl groupamido having 1 to 6 carbon atoms, silyl, a saturated or unsaturated carbon ring group having 3 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof.

[화학식 4][Formula 4]

M(R⁷Bz)(R⁸Bz) ;M(R ⁷ Bz)(R ⁸ Bz);

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, 상기 R⁷ 및 R⁸ 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6 의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기임.In the above formula, M is W or Mo, and each of R ⁷ and R ⁸ is independently H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched carbon number of 2 to 6 It is a topographic alkenyl group, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkyl groupamido having 1 to 6 carbon atoms, or a silyl group.

[화학식 5][Formula 5]

M₄R¹⁰ _n ;M ₄ R ¹⁰ _n ;

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, 상기 n은 1 내지 4의 정수이고, 상기 n개의 R¹⁰은 서로 동일하거나 상이하며 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임.In the above formula, M is W or Mo, wherein n is an integer of 1 to 4, the n R ¹⁰ are the same or different from each other and independently H, Cl, Br, PMe ₃ , CO, C 1 to 6 A linear or branched alkyl group, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, silyl, 3 to 10 carbon atoms It is a saturated or unsaturated carbon ring group, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof.

[화학식 6][Formula 6]

;

[화학식 7][Formula 7]

M(ND)_x(R¹⁵DADR¹⁶)_yR¹⁴ _z M(ND) _x (R ¹⁵ DADR ¹⁶ ) _y R ¹⁴ _z

상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, 상기 각각의 ND는 중성 도너 리간드이고, 상기 각각의 DAD는 디아자디엔이고, 상기 각각의 R¹⁴는 음이온성 또는 2이온성 리간드이고, x는 0 내지 4, y 는 1 내지 3, z는 0 내지 4, x+z는 1 이상이고, R¹⁵ 및 R¹⁶ 각각은 독립적으로 H, Cl, Br, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 하이드라지도, 알데하이드, 케토, 또는 실릴기임.In the above formula, M is W or Mo, each ND is a neutral donor ligand, each DAD is a diazadiene, each R ¹⁴ is an anionic or diionic ligand, and x is 0 to 4, y is 1 to 3, z is 0 to 4, x+z is 1 or more, and each of R ¹⁵ and R ¹⁶ is independently H, Cl, Br, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, 2 carbon atoms It is a linear or branched alkenyl group of to 6, a linear or branched alkynyl group of 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkyl group of 1 to 6 carbon atoms, hydrazido, aldehyde, keto, or silyl group.

예를 들어, 상기 음이온성 또는 2이온성 리간드는 시클로펜타디에닐 고리, 아미드, 알릴, 알킬, 아미디네이트, 아미데이트, 구아니디네이트, 알콕사이드, 아세틸라이드, 비닐, 베타-디케토네이트류, 베타-케티미네이트류, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함할 수 있다.For example, the anionic or diionic ligand is a cyclopentadienyl ring, amide, allyl, alkyl, amidinate, amidate, guanidine, alkoxide, acetylide, vinyl, beta-diketonate , Beta-ketiminates, and may include those selected from the group consisting of combinations thereof.

[화학식 8][Formula 8]

;

[화학식 9][Formula 9]

;

[화학식 10][Formula 10]

; 및

; And

[화학식 11][Formula 11]

;

[화학식 12][Formula 12]

;

상기 화학식 12에서, M은 W 또는 Mo이고, R¹⁷ 내지 R²⁰은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임.In Formula 12, M is W or Mo, and R ¹⁷ to R ²⁰ are each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted linear or branched, saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an isomer thereof.

,

,

;

,

;

,

,

.

,

.

[화학식 13][Formula 13]

[화학식 14][Formula 14]

;

[화학식 15][Formula 15]

[화학식 16][Formula 16]

[화학식 17] [Formula 17]

[화학식 18][Formula 18]

;

[화학식 19] [Formula 19]

;

이하, 실시예를 참조하여 본원을 좀더 자세히 설명하지만, 본원은 이에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present application will be described in more detail with reference to examples, but the present application is not limited thereto.

[실시예][Example]

실시예 1: WExample 1: W ₄₄ H 클러스터와의 반응Reaction with H cluster

W₄ 클러스터에 H를 결합시켜 제조된 W₄H 클러스터와 다양한 환원제들과의 반응을 전산모사 하였고, 그 결과를 도 1 및 하기 표 1에 나타내었다.W ₄ was Simulation The reaction with the W ₄ cluster H and a variety of reducing agent prepared by combining the H to cluster the results are shown in Figure 1 and Table 1 below.

- 흡착 에너지: DEAB > N₂H₄ > DMAB > MeCN > TBH > Si₃H₈ > Si₂H₆ > SiH₄ > TMA-Adsorption energy: DEAB> N ₂ H ₄ >DMAB>MeCN>TBH> Si ₃ H ₈ > Si ₂ H ₆ > SiH ₄ > TMA

- 반응 에너지: DEAB > DMAB > N₂H₄ > TBH > MeCN > Si₃H₈ > Si₂H₆ > SiH₄ > TMA-Reaction energy: DEAB>DMAB> N ₂ H ₄ >TBH>MeCN> Si ₃ H ₈ > Si ₂ H ₆ > SiH ₄ > TMA

- 화학흡착 에너지: DEAB > DMAB > N₂H₄ > TBH > MeCN > Si₃H₈ > Si₂H₆ > SiH₄ > TMA-Chemical adsorption energy: DEAB>DMAB> N ₂ H ₄ >TBH>MeCN> Si ₃ H ₈ > Si ₂ H ₆ > SiH ₄ > TMA

환원제reducing agent SiHSiH ₄₄ SiSi ₂₂ HH ₆₆ SiSi ₃₃ HH ₈₈ TBHTBH TMATMA DMABDMAB DEABDEAB NN ₂₂ HH ₄₄ MeCNMeCN 흡착 에너지Adsorption energy -0.01-0.01 -0.01-0.01 -0.01-0.01 -0.11-0.11 0.000.00 -0.25-0.25 -0.34-0.34 -0.28-0.28 -0.12-0.12 반응 에너지Reaction energy -0.10-0.10 -0.25-0.25 -0.26-0.26 -1.43-1.43 -0.09-0.09 -1.56-1.56 -1.63-1.63 -1.30-1.30 -1.13-1.13 화학흡착Chemical adsorption
에너지energy -0.11-0.11 -0.26-0.26 -0.27-0.27 -1.54-1.54 -0.08-0.08 -1.81-1.81 -1.97-1.97 -1.58-1.58 -1.25-1.25

환원제로서 DEAB가 흡착 에너지, 반응 에너지, 및 화학흡착 에너지 측면에서 우수한 것으로 나타났다.As a reducing agent, DEAB has been shown to be superior in terms of adsorption energy, reaction energy, and chemisorption energy.

실시예 2: WExample 2: W ₄₄ (CO)(CO) ₃₃ 클러스터와의 반응 Reaction with cluster

W₄ 클러스터에 CO를 결합시켜 제조된 W₄(CO)₃ 클러스터와 다양한 환원제들과의 반응을 전산모사 하였고, 그 결과를 도 2 및 하기 표 2에 나타내었다.W ₄ was Simulation a ₄ W (CO) ₃ clusters, the reaction with a variety of reducing agent prepared by combining the CO in the cluster, the results are shown in Figure 2 and Table 2 below.

- 흡착 에너지: DEAB > N₂H₄ > TMA > DMAB > MeCN > TBH > Si₃H₈ > Si₂H₆ > SiH₄ -Adsorption energy: DEAB> N ₂ H ₄ >TMA>DMAB>MeCN>TBH> Si ₃ H ₈ > Si ₂ H ₆ > SiH ₄

- 반응 에너지: DEAB > DMAB > TBH > N₂H₄ > Si₃H₈ > Si₂H₆ > MeCN > SiH₄ > TMA-Reaction energy: DEAB>DMAB>TBH> N ₂ H ₄ > Si ₃ H ₈ > Si ₂ H ₆ >MeCN> SiH ₄ > TMA

- 화학흡착 에너지: DEAB > DMAB > N₂H₄ > TBH > Si₃H₈ > Si₂H₆ > MeCN > SiH₄ > TMA-Chemical adsorption energy: DEAB>DMAB> N ₂ H ₄ >TBH> Si ₃ H ₈ > Si ₂ H ₆ >MeCN> SiH ₄ > TMA

환원제reducing agent SiHSiH ₄₄ SiSi ₂₂ HH ₆₆ SiSi ₃₃ HH ₈₈ TBHTBH TMATMA DMABDMAB DEABDEAB NN ₂₂ HH ₄₄ MeCNMeCN 흡착 에너지Adsorption energy -0.01-0.01 -0.03-0.03 -0.03-0.03 -0.09-0.09 -0.22-0.22 -0.19-0.19 -0.28-0.28 -0.28-0.28 -0.11-0.11 반응 에너지Reaction energy -1.19-1.19 -1.42-1.42 -1.49-1.49 -1.77-1.77 -1.04-1.04 -2.22-2.22 -2.22-2.22 -1.74-1.74 -1.31-1.31 화학흡착Chemical adsorption
에너지energy -1.20-1.20 -1.45-1.45 -1.52-1.52 -1.86-1.86 -1.26-1.26 -2.41-2.41 -2.49-2.49 -2.03-2.03 -1.42-1.42

실시예 3: WExample 3: W ₄₄ Cp 클러스터와의 반응 Reaction with Cp cluster

W₄ 클러스터에 사이클로펜타디에닐을 결합시켜 제조된 W₄Cp 클러스터와 다양한 환원제들과의 반응을 전산모사 하였고, 그 결과를 도 3 및 하기 표 3에 나타내었다.W ₄ was Simulation The reaction with the W ₄ Cp cluster with various reducing agents prepared by combining cyclopentadienyl the cluster, the results are shown in Figure 3 and Table 3 below.

- 흡착 에너지: N₂H₄ > DEAB > DMAB > MeCN > TBH > Si₂H₆ > SiH₄ > Si₃H₈ > TMA-Adsorption energy: N ₂ H ₄ >DEAB>DMAB>MeCN>TBH> Si ₂ H ₆ > SiH ₄ > Si ₃ H ₈ > TMA

- 반응 에너지: DEAB > DMAB > TBH > N₂H₄ > MeCN > Si₃H₈ > Si₂H₆ > SiH₄ > TMA-Reaction energy: DEAB>DMAB>TBH> N ₂ H ₄ >MeCN> Si ₃ H ₈ > Si ₂ H ₆ > SiH ₄ > TMA

환원제reducing agent SiHSiH ₄₄ SiSi ₂₂ HH ₆₆ SiSi ₃₃ HH ₈₈ TBHTBH TMATMA DMABDMAB DEABDEAB NN ₂₂ HH ₄₄ MeCNMeCN 흡착 에너지Adsorption energy -0.01-0.01 -0.03-0.03 -0.02-0.02 -0.07-0.07 0.000.00 -0.18-0.18 -0.22-0.22 -0.23-0.23 -0.08-0.08 반응 에너지Reaction energy 2.362.36 2.162.16 2.112.11 0.940.94 3.153.15 0.770.77 0.560.56 0.970.97 1.911.91 화학흡착Chemical adsorption
에너지energy 2.352.35 2.132.13 2.092.09 0.870.87 3.143.14 0.590.59 0.350.35 0.740.74 1.841.84

환원제로서 DEAB가 반응 에너지 및 화학흡착 에너지 측면에서 우수한 것으로 나타났다.As a reducing agent, DEAB was found to be superior in terms of reaction energy and chemosorption energy.

실시예 4: WExample 4: W ₄₄ Bz 클러스터와의 반응 Reaction with Bz cluster

W₄ 클러스터에 벤젠을 결합시켜 제조된 W₄Bz 클러스터와의 다양한 환원제들과의 반응을 전산모사 하였고, 그 결과를 도 4 및 하기 표 4에 나타내었다.The reaction with various reducing agents with the W ₄ Bz cluster prepared by binding benzene to the W ₄ cluster was simulated, and the results are shown in FIG. 4 and Table 4 below.

- 흡착 에너지: N₂H₄ > DEAB > DMAB > MeCN > TBH > Si₃H₈ > Si₂H₆ > SiH₄ > TMA-Adsorption energy: N ₂ H ₄ >DEAB>DMAB>MeCN>TBH> Si ₃ H ₈ > Si ₂ H ₆ > SiH ₄ > TMA

- 반응 에너지: DEAB > TBH > N₂H₄ > DMAB > MeCN > Si₃H₈ > Si₂H₆ > SiH₄ -Reaction energy: DEAB>TBH> N ₂ H ₄ >DMAB>MeCN> Si ₃ H ₈ > Si ₂ H ₆ > SiH ₄

- 화학흡착 에너지: DEAB > TBH > N₂H₄ > DMAB > MeCN > Si₃H₈ > Si₂H₆ > SiH₄ -Chemical adsorption energy: DEAB>TBH> N ₂ H ₄ >DMAB>MeCN> Si ₃ H ₈ > Si ₂ H ₆ > SiH ₄

환원제reducing agent SiHSiH ₄₄ SiSi ₂₂ HH ₆₆ SiSi ₃₃ HH ₈₈ TBHTBH TMATMA DMABDMAB DEABDEAB NN ₂₂ HH ₄₄ MeCNMeCN 흡착 에너지Adsorption energy -0.02-0.02 -0.03-0.03 -0.03-0.03 -0.01-0.01 0.010.01 -0.17-0.17 -0.25-0.25 -0.26-0.26 -0.07-0.07 반응 에너지Reaction energy 0.810.81 0.710.71 0.690.69 -0.73-0.73 -- -0.61-0.61 -0.83-0.83 -0.68-0.68 0.430.43 화학흡착Chemical adsorption
에너지energy 0.790.79 0.680.68 0.660.66 -0.77-0.77 -- -0.78-0.78 -1.08-1.08 -0.94-0.94 0.360.36

실시예 5: WExample 5: W ₄₄ (COD) 클러스터와의 반응 (COD) reaction with the cluster

W₄ 클러스터에 사이클로옥타디엔을 결합시켜 제조된 W₄(COD) 클러스터와 다양한 환원제들과의 반응을 전산모사 하였고, 그 결과를 도 5 및 하기 표 5에 나타내었다.W ₄ was Simulation The reaction with the W ₄ (COD) cluster and a variety of reducing agent prepared by combining the cluster-cyclooctadiene, the results are shown in Figure 5 and Table 5 below.

- 흡착 에너지: N₂H₄ > DEAB > DMAB > SiH₄ > Si₂H₆ > Si₃H₈ > TMA > MeCN > TBH-Adsorption energy: N ₂ H ₄ >DEAB>DMAB> SiH ₄ > Si ₂ H ₆ > Si ₃ H ₈ >TMA>MeCN> TBH

- 반응 에너지: DEAB > DMAB > N₂H₄ > TBH > MeCN > Si₃H₈ > Si₂H₆ > SiH₄ -Reaction energy: DEAB>DMAB> N ₂ H ₄ >TBH>MeCN> Si ₃ H ₈ > Si ₂ H ₆ > SiH ₄

- 화학흡착 에너지: DEAB > N₂H₄ > DMAB > TBH > MeCN > Si₃H₈ > Si₂H₆ > SiH₄ -Chemical adsorption energy: DEAB> N ₂ H ₄ >DMAB>TBH>MeCN> Si ₃ H ₈ > Si ₂ H ₆ > SiH ₄

환원제reducing agent SiHSiH ₄₄ SiSi ₂₂ HH ₆₆ SiSi ₃₃ HH ₈₈ TBHTBH TMATMA DMABDMAB DEABDEAB NN ₂₂ HH ₄₄ MeCNMeCN 흡착 에너지Adsorption energy -0.02-0.02 -0.02-0.02 -0.02-0.02 0.030.03 -0.01-0.01 -0.02-0.02 -0.10-0.10 -0.22-0.22 0.010.01 반응 에너지Reaction energy 1.431.43 1.271.27 1.031.03 0.620.62 -- -0.17-0.17 -0.56-0.56 -0.04-0.04 0.840.84 화학흡착Chemical adsorption
에너지energy 1.411.41 1.251.25 1.011.01 0.650.65 -- -0.20-0.20 -0.66-0.66 -0.26-0.26 0.850.85

실시예 6: WExample 6: W ₄₄ ClCl ₄₄ 클러스터와의 반응 Reaction with cluster

W₄ 클러스터에 Cl을 결합시켜 형성한 W₄Cl₄ 클러스터와 다양한 환원제들과의 반응을 전산모사 하였고, 그 결과를 도 6 및 하기 표 6에 나타내었다.W ₄ was computer simulation of the reaction and the han W ₄ Cl ₄ clusters with different reducing agent formed by combining a Cl to cluster the results it is shown in Figure 6 and Table 6 below.

환원제reducing agent 흡착 에너지Adsorption energy
EE _adsads (eV) (eV) 반응 에너지Reaction energy
ΔE (eV)ΔE (eV) 화학흡착 에너지Chemical adsorption energy
EE _chemchem (eV) (eV) SiHSiH ₄₄ -0.01-0.01 2.062.06 2.052.05 HH ₂₂ -0.07-0.07 2.102.10 2.032.03 SiSi ₂₂ HH ₆₆ -0.01-0.01 2.012.01 2.002.00 TIPASTIPAS 0.140.14 1.781.78 1.921.92 SiSi ₃₃ HH ₈₈ 0.000.00 1.881.88 1.891.89 MeCNMeCN 0.020.02 1.241.24 1.261.26 BTBASBTBAS 0.120.12 0.670.67 0.790.79 DIPASDIPAS 0.030.03 0.710.71 0.740.74 NHNH ₃₃ -0.14-0.14 0.840.84 0.700.70 DD ^tt BuABBuAB -0.09-0.09 0.060.06 -0.03-0.03 DIABDIAB -0.09-0.09 -0.08-0.08 -0.17-0.17 TEATEA 0.050.05 -0.22-0.22 -0.17-0.17 TMATMA 0.020.02 -0.24-0.24 -0.22-0.22 TBHTBH 0.040.04 -0.45-0.45 -0.41-0.41 NN ₂₂ HH ₄₄ -0.18-0.18 -0.36-0.36 -0.54-0.54 DMABDMAB -0.02-0.02 -0.62-0.62 -0.63-0.63 DEABDEAB -0.09-0.09 -0.68-0.68 -0.77-0.77 H-플라즈마H-plasma -0.14-0.14 -0.70-0.70 -0.85-0.85

환원제로서 DEAB가 반응 에너지, 및 화학흡착 에너지 측면에서 우수한 것으로 나타났다.As a reducing agent, DEAB was found to be superior in terms of reaction energy and chemisorption energy.

실시예 7: ALD W 공정Example 7: ALD W process

WCl₅ 전구체의 열적 안정성을 확인하기 위하여 전구체 공급 시간을 5분으로 고정하고, 기재 온도 200℃ 내지 300℃ 구간에서의 열적 안정성을 확인해 본 결과, 기판 온도 300℃까지 열 분해가 일어나지 않는 것을 확인하였다. 이에, 기재 온도 200℃ 내지 300℃ 구간에서 실험을 진행하였다. W 전구체를 환원시키기 위한 반응물(reactant; 환원제)로는 NH₃ 분자, H₂ 분자, H₂ 플라즈마, tri-에틸 알루미늄 (TEA), 디-메틸아민 보란 (DMAB), 디-에틸아민 보란 (DEAB) 등이 사용되었고, 여러가지 반응물과의 기본적인 반응성을 확인하고 W-ALD 공정 기술 가능성 평가를 진행하였다.In order to check the thermal stability of the WCl ₅ precursor, the precursor supply time was fixed at 5 minutes, and thermal stability was checked in the range of 200°C to 300°C at the substrate temperature. As a result, it was confirmed that thermal decomposition did not occur up to the substrate temperature of 300°C. . Thus, the experiment was conducted in the range of 200°C to 300°C at the base temperature. As a reactant (reducing agent) for reducing the W precursor, NH ₃ molecules, H ₂ molecules, H ₂ plasma, tri-ethyl aluminum (TEA), di-methylamine borane (DMAB), di-ethylamine borane (DEAB) And the like were used, and the basic reactivity with various reactants was confirmed and the possibility of the W-ALD process technology was evaluated.

W 막 증착을 위해 WCl₅ 금속 전구체 및 다양한 환원제들을 이용하여 열 ALD 공정을 수행한 결과를 하기 표 7에 나타내었고, W 막 증착 여부를 확인하였다. 환원제로서 디에틸아미노보란(DEAB)을 사용하였을 때 반응성이 가장 우수하였다.The results of performing a thermal ALD process using a WCl ₅ metal precursor and various reducing agents for the W film deposition are shown in Table 7 below, and whether the W film was deposited was confirmed. When diethylaminoborane (DEAB) was used as a reducing agent, the reactivity was the best.

하기 화학식 14로 표시되는 DEAB의 TGA 그래프를 도 7에 나타내었다:The TGA graph of DEAB represented by the following Formula 14 is shown in FIG. 7:

[화학식 14][Formula 14]

.

또한, 열 ALD 공정시 캐리어 가스로서 ^tBu-하이드라진 또는 NH₃를 사용하는 경우 WN_x 막을 증착할 수 있었고, W 막 증착을 위한 PEALD 공정시에는 H₂ 플라즈마를 사용하여 W 막을 증착할 수 있었다.In addition, in the case of using ^t Bu-hydrazine or NH ₃ as a carrier gas in the thermal ALD process, the WN _x film could be deposited, and in the PEALD process for the W film deposition, the W film could be deposited using H ₂ plasma.

디에틸아미노보란(DEAB)을 환원제로 사용하여 증착한 ALD W 막에 대해 X-선 회절(XRD; X-ray Diffraction) 분석을 수행한 결과, 입방(cubic) 구조의 W (210) 피크(peak)가 나타나는 것을 확인할 수 있었다. As a result of performing X-ray diffraction (XRD; X-ray Diffraction) analysis on the ALD W film deposited using diethylaminoborane (DEAB) as a reducing agent, the W (210) peak of a cubic structure ) Appeared.

반응물질/증착온도Reactant/deposition temperature 200℃200℃ 250℃250℃ 300℃300℃ 열 분해 (5분)Thermal decomposition (5 minutes) XX XX XX HH ₂₂ XX XX XX TEATEA XX XX OO TMATMA XX XX XX Tert-부틸하이드라진Tert-butylhydrazine OO OO OO DMABDMAB XX XX XX DEABDEAB OO OO OO NHNH ₃₃ OO OO OO HH ₂₂ 플라즈마 plasma OO OO OO

디에틸아미노보란(DEAB) 환원제의 효과를 액상 F-free 전구체인 (EtCp)W(CO)₃H에 대해서도 확인하였다. (EtCp)W(CO)₃H 전구체의 공급 시간을 5분으로 고정하고, 기판 온도 200~325℃ 구간에서 열적 안정성을 확인한 결과 325℃까지 열분해가 일어나지 않음을 확인하였다. 환원제로 디에틸아미노보란(DEAB)을 사용하여 증착한 결과 증착온도 275℃, 300℃, 325℃에서 비정질 박막이 증착됨이 확인되었다. 한편 환원제로 DMAB를 사용한 경우에는 325℃에서만 W 막이 증착되었으며 300℃ 이하의 저온에서는 증착이 이루어지지 않았다.The effect of the diethylaminoborane (DEAB) reducing agent was also confirmed for (EtCp)W(CO) ₃ H, a liquid F-free precursor. The supply time of the (EtCp)W(CO) ₃ H precursor was fixed at 5 minutes, and thermal stability was checked in the 200-325°C range of the substrate temperature, and it was confirmed that pyrolysis did not occur up to 325°C. As a result of deposition using diethylaminoborane (DEAB) as a reducing agent, it was confirmed that an amorphous thin film was deposited at deposition temperatures of 275°C, 300°C, and 325°C. On the other hand, when DMAB was used as a reducing agent, the W film was deposited only at 325°C, and the deposition was not performed at a low temperature below 300°C.

반응물질/증착온도Reactant/deposition temperature 275℃275℃ 300℃300℃ 325℃325℃ 열 분해 (5분)Thermal decomposition (5 minutes) XX XX XX DMABDMAB XX XX OO DEABDEAB OO OO OO

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수도 있다.The foregoing description of the present application is for illustrative purposes only, and those of ordinary skill in the art to which the present application pertains will be able to understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present application. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위, 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present application is indicated by the claims to be described later rather than the detailed description, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims, and equivalent concepts thereof should be interpreted as being included in the scope of the present application. .

Claims

디에틸아미노 보란 (diethylamino borane, DEAB)을 포함하는, 환원제 조성물로서,
상기 디에틸아미노 보란은 금속 박막 형성을 위한 원자층 증착(ALD)에 사용되는 금속 전구체를 환원시키는 것인,
환원제 조성물.
As a reducing agent composition comprising diethylamino borane (DEAB),
The diethylamino borane reduces a metal precursor used for atomic layer deposition (ALD) for forming a metal thin film,
Reducing agent composition.

제 1 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 F 리간드를 함유하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것인, 환원제 조성물.
The method of claim 1,
The metal precursor is a reducing agent composition containing a metal compound that does not contain an F ligand.

제 1 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 F 리간드를 함유하지 않는 액상 금속 화합물을 포함하는 것인, 환원제 조성물.
The method of claim 1,
The metal precursor comprises a liquid metal compound that does not contain an F ligand, reducing agent composition.

제 1 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 F 리간드를 포함하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것인, 환원제 조성물.
The method of claim 1,
The metal precursor comprises a metal compound containing W or Mo element and does not contain an F ligand, reducing agent composition.

제 1 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 리간드로서 F 리간드를 포함하지 않으며 액상인 금속 화합물을 포함하는 것인, 환원제 조성물.
The method of claim 1,
The metal precursor contains W or Mo element and does not contain an F ligand as a ligand, and contains a liquid metal compound.

제 1 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 하기의 리간드들 및 이들의 유도체들 중 한 개 이상의 리간드를 포함하며 F 리간드를 포함하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것인, 환원제 조성물:
-PMe₃, -CO, -H, -Bz, -COD, -N^tBu, -Cl, -Br, -NO, -Cp, -hexyne, -DMBD, -(알릴)^tBu, -(아미딘)ⁱPr, -CpEt, -인데닐, -DAD;
여기에서,
Bz는 벤젠고리, COD은 사이클로옥타디엔, ^tBu는 tert-부틸, Cp는 사이클로펜타디에닐기, DMBD는 디메텔부타디엔, DAD는 디아자디엔이고,
상기 금속에 포함되는 모든 리간드가 수소는 아님.
The method of claim 1,
The metal precursor includes a metal compound containing W or Mo element, at least one of the following ligands and derivatives thereof, and does not contain an F ligand, a reducing agent composition:
-PMe ₃ , -CO, -H, -Bz, -COD, -N ^t Bu, -Cl, -Br, -NO, -Cp, -hexyne, -DMBD, -(allyl) ^t Bu, -(amidine ) ⁱ Pr, -CpEt, -indenyl, -DAD;
From here,
Bz is a benzene ring, COD is cyclooctadiene, ^t Bu is tert-butyl, Cp is a cyclopentadienyl group, DMBD is dimethelbutadiene, DAD is diazadiene,
Not all ligands contained in the metal are hydrogen.

제 1 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 하기 화학식들 중 하나로 표시되는 금속 화합물 또는 그의 유도체를 포함하는 것인, 환원제 조성물:
[화학식 1]
MR¹ _m ;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
m은 5 또는 6이고,
상기 m 개의 R¹은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며 각각 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;
[화학식 2]
M(R²Cp)(CO)₃R³ ;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
상기 R²는 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴기이고,
상기 R³은 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;
[화학식 3]
M(R⁴Cp)(R^4'Cp)R⁵R⁶ ;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
상기 R⁴ 및 R⁴' 각각은 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기이고;
상기 R⁵ 및 R⁶ 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;
[화학식 4]
M(R⁷Bz) (R⁸Bz) ;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
상기 R⁷ 및 R⁸ 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기임;
[화학식 5]
W₄R¹⁰ _n ;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
상기 n은 1 내지 4의 정수이고,
상기 n개의 R¹⁰은 서로 동일하거나 상이하며 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6 의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;
[화학식 6]

;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
상기 R¹¹, R¹² 및 R¹³ 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기임;
[화학식 7]
M(ND)_x(R¹⁵DADR¹⁶)_yR¹⁴ _z ;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
상기 각각의 ND 는 중성 도너 리간드이고,
상기 각각의 DAD는 디아자디엔이고,
상기 각각의 R¹⁴는 음이온성 또는 2이온성 리간드이고,
x는 0 내지 4, y는 1 내지 3, z는 0 내지 4, x+z는 1 이상이고,
R¹⁵ 및 R¹⁶ 각각은 독립적으로 H, Cl, Br, 탄소수 1 내지 6 의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 하이드라지도, 알데하이드, 케토, 또는 실릴기임;
[화학식 8]

;
[화학식 9]

;
[화학식 10]

; 및
[화학식 11]

;
상기 화학식 8 내지 11에서, M은 W 또는 Mo임;
[화학식 12]

;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
R¹⁷ 내지 R²⁰은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 3의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임;
[화학식 13]
M[Cp(CR^17'R^18')(CR^19'R^20')NR^21']R²⁶ ;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
R^17' 내지 R^21'은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체이고, R²⁶은 CO, H, NO 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 2개 내지 4개의 리간드이거나 R²⁶은 1개 또는 2개의 =NR²⁷(imido)이고 (R²⁷은 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임) 임;
[화학식 14]

;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
R²⁷ 내지 R³⁰은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R³¹은 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임;
[화학식 15]

상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
R^27' 내지 R^30'은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체이고, R^31'은 NR³²R³³(R³² 및 R³³은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임), CO, H, NO, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 2개 내지 4개의 리간드임;
[화학식 16]

상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
R³⁴ 내지 R⁴²은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임;
[화학식 17]

상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
R^34' 내지 R^38'은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R⁴³은 CO, H, NO, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 2개 내지 4개의 리간드이거나 R⁴³은 1개 또는 2개의 =NR⁴⁴(imido) (R⁴⁴은 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기)임;
[화학식 18]

;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
R⁴⁵ 내지 R⁴⁸은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임;
[화학식 19]

;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
R⁴⁹ 내지 R⁵²는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임.
The method of claim 1,
The metal precursor is a reducing agent composition comprising a metal compound represented by one of the following formulas or a derivative thereof:
[Formula 1]
MR ¹ _m ;
In the above formula,
M is W or Mo,
m is 5 or 6,
The m of R ¹ may be the same or different from each other, and each independently H, Cl, Br, PMe ₃ , CO, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, A linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkyl groupamido having 1 to 6 carbon atoms, silyl, a saturated or unsaturated carbon ring group having 3 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof being;
[Formula 2]
M(R ² Cp)(CO) ₃ R ³ ;
In the above formula,
M is W or Mo,
R ² is H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, or 1 to 6 linear or branched alkyl amido, silyl group,
R ³ is H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, 1 It is a linear or branched alkyl groupamido of to 6, silyl, a saturated or unsaturated carbon ring group having 3 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof;
[Formula 3]
^{M (R 4 Cp) (R} 4 'Cp) R 5 R 6;
In the above formula,
M is W or Mo,
Each of R ⁴ and R ⁴ ′ is independently H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or A branched alkynyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a silyl group;
Each of R ⁵ and R ⁶ is independently of each other H, Cl, Br, PMe ₃ , CO, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and having 2 to 6 carbon atoms. A linear or branched alkynyl group, a linear or branched alkyl groupamido having 1 to 6 carbon atoms, silyl, a saturated or unsaturated carbon ring group having 3 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof;
[Formula 4]
M(R ⁷ Bz) (R ⁸ Bz);
In the above formula,
M is W or Mo,
Each of R ⁷ and R ⁸ is independently of each other H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or A branched alkynyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a silyl group;
[Formula 5]
W ₄ R ¹⁰ _n ;
In the above formula,
M is W or Mo,
N is an integer of 1 to 4,
The n of R ¹⁰ are the same or different from each other and are independently H, Cl, Br, PMe ₃ , CO, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and a carbon number of 2 to A linear or branched alkynyl group of 6, a linear or branched alkynyl group having 1 to 6 carbon atoms, silyl, a saturated or unsaturated carbon ring group having 3 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof;
[Formula 6]

;
In the above formula,
M is W or Mo,
Each of R ¹¹ , R ¹² and R ¹³ is independently H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and 2 to 6 carbon atoms. Is a linear or branched alkynyl group, a linear or branched alkyl groupamido having 1 to 6 carbon atoms, or a silyl group;
[Formula 7]
M(ND) _x (R ¹⁵ DADR ¹⁶ ) _y R ¹⁴ _z ;
In the above formula,
M is W or Mo,
Each of the NDs is a neutral donor ligand,
Each of the DAD is diazadiene,
Each R ¹⁴ is an anionic or diionic ligand,
x is 0 to 4, y is 1 to 3, z is 0 to 4, x+z is 1 or more,
Each of R ¹⁵ and R ¹⁶ is independently H, Cl, Br, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, A linear or branched alkylamido, hydrazido, aldehyde, keto, or silyl group having 1 to 6 carbon atoms;
[Formula 8]

;
[Formula 9]

;
[Formula 10]

; And
[Formula 11]

;
In Formulas 8 to 11, M is W or Mo;
[Formula 12]

;
In the above formula,
M is W or Mo,
R ¹⁷ to R ²⁰ are each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted linear or branched, saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or isomers thereof;
[Formula 13]
M[Cp(CR ^17' R ^18' )(CR ^19' R ^20' )NR ^21' ]R ²⁶ ;
In the above formula,
M is W or Mo,
R ^17' to R ^21' are each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted linear or branched, saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or isomers thereof, and R ²⁶ is 2 to 4 selected from the group consisting of CO, H, NO, and combinations thereof. Is a ligand or R ²⁶ is 1 or 2 =NR ²⁷ (imido) (R ²⁷ is hydrogen; is a substituted or unsubstituted linear or branched, saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or isomers thereof) ;
[Formula 14]

;
In the above formula,
M is W or Mo,
R ²⁷ to R ³⁰ are each independently H or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R ³¹ is a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;
[Formula 15]

In the above formula,
M is W or Mo,
R ^27' to R ^30' are each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted linear or branched, saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an isomer thereof, R ^31′ is NR ³² R ³³ (R ³² and R ³³ are each independently hydrogen; substituted or unsubstituted Is a linear or branched, saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or isomers thereof), CO, H, NO, and 2 to 4 ligands selected from the group consisting of combinations thereof;
[Formula 16]

In the above formula,
M is W or Mo,
R ³⁴ to R ⁴² are each independently H or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;
[Formula 17]

In the above formula,
M is W or Mo,
R ^34' to R ^38' are each independently H or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R ⁴³ is 2 to 4 selected from the group consisting of CO, H, NO, and combinations thereof. Is a ligand or R ⁴³ is 1 or 2 =NR ⁴⁴ (imido) (R ⁴⁴ is H or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms);
[Formula 18]

;
In the above formula,
M is W or Mo,
R ⁴⁵ to R ⁴⁸ are each independently H or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;
[Formula 19]

;
In the above formula,
M is W or Mo,
R ⁴⁹ to R ⁵² are each independently H or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

기재 표면을 금속 전구체와 환원제에 순차적으로 노출시키는 것을 포함하는 증착 사이클을 1회 이상 포함하는, 원자층 증착에 의한 금속 박막의 형성 방법으로서,
상기 환원제는 디에틸아미노 보란 (diethylamino borane, DEAB)을 포함하는 것인,
금속 박막의 형성 방법.
A method of forming a metal thin film by atomic layer deposition, comprising at least one deposition cycle comprising sequentially exposing a substrate surface to a metal precursor and a reducing agent,
Wherein the reducing agent includes diethylamino borane (DEAB),
Method of forming a metal thin film.

제 8 항에 있어서,
상기 증착 사이클은 하기 단계들을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법:
(a) 상기 금속 전구체의 펄스;
(b) 불활성 기체를 이용한 퍼지;
(c) 상기 환원제의 펄스; 및
(d) 불활성 기체를 이용한 퍼지.
The method of claim 8,
The deposition cycle is a method of forming a metal thin film comprising the following steps:
(a) a pulse of the metal precursor;
(b) purging with an inert gas;
(c) a pulse of the reducing agent; And
(d) Purge with an inert gas.

제 8 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 F 리간드를 함유하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법.
The method of claim 8,
The metal precursor is a method of forming a metal thin film containing a metal compound that does not contain an F ligand.

제 8 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 F 리간드를 함유하지 않는 액상 금속 화합물을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법.
The method of claim 8,
The metal precursor is a method of forming a metal thin film containing a liquid metal compound that does not contain an F ligand.

제 8 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 F 리간드를 포함하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법.
The method of claim 8,
The metal precursor comprises a metal compound containing W or Mo element and does not contain an F ligand, the method of forming a metal thin film.

제 8 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 리간드로서 F 리간드를 포함하지 않으며 액상인 금속 화합물을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법.
The method of claim 8,
The metal precursor contains W or Mo element and does not contain F ligand as a ligand, and contains a liquid metal compound.

제 8 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 하기의 리간드들 및 이들의 유도체들 중 한 개 이상의 리간드를 포함하며 F 리간드를 포함하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법:
-PMe₃, -CO, -H, -Bz, -COD, -N^tBu, -Cl, -Br, -NO, -Cp, -hexyne, -DMBD, -(알릴)^tBu, -(아미딘)ⁱPr, -CpEt, -인데닐, -DAD;
여기에서, Bz는 벤젠고리, COD은 사이클로옥타디엔, ^tBu는 tert-부틸, Cp는 사이클로펜타디에닐기, DMBD는 디메텔부타디엔, DAD는 디아자디엔이고,
상기 금속에 포함되는 모든 리간드가 수소는 아님.
The method of claim 8,
The metal precursor includes a metal compound containing W or Mo element, one or more of the following ligands and derivatives thereof, and does not contain an F ligand, a method of forming a metal thin film:
-PMe ₃ , -CO, -H, -Bz, -COD, -N ^t Bu, -Cl, -Br, -NO, -Cp, -hexyne, -DMBD, -(allyl) ^t Bu, -(amidine ) ⁱ Pr, -CpEt, -indenyl, -DAD;
Here, Bz is a benzene ring, COD is cyclooctadiene, ^t Bu is tert-butyl, Cp is a cyclopentadienyl group, DMBD is dimethelbutadiene, DAD is diazadiene,
Not all ligands contained in the metal are hydrogen.

제 8 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 하기 화학식들 중 하나로 표시되는 금속 화합물 또는 그의 유도체를 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법:
[화학식 1]
MR¹ _m ;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
m은 5 또는 6이고,
상기 m 개의 R¹은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며 각각 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;
[화학식 2]
M(R²Cp)(CO)₃R³ ;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
상기 R²는 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴기이고,
상기 R³은 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6 의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;
[화학식 3]
M(R⁴Cp)(R^4'Cp)R⁵R⁶ ;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
상기 R⁴ 및 R⁴' 각각은 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기이고;
상기 R⁵ 및 R⁶ 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;
[화학식 4]
M(R⁷Bz)(R⁸Bz) ;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
상기 R⁷ 및 R⁸ 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기임;
[화학식 5]
M₄R¹⁰ _n ;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
상기 n은 1 내지 4의 정수이고,
상기 n개의 R¹⁰은 서로 동일하거나 상이하며 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;
[화학식 6]

;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
상기 R¹¹, R¹² 및 R¹³ 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe₃, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기임;
[화학식 7]
M(ND)_x(R¹⁵DADR¹⁶)_yR¹⁴ _z
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
상기 각각의 ND는 중성 도너 리간드이고,
상기 각각의 DAD는 디아자디엔이고,
상기 각각의 R¹⁴는 음이온성 또는 2이온성 리간드이고,
x는 0 내지 4, y 는 1 내지 3, z는 0 내지 4, x+z는 1 이상이고,
R¹⁵ 및 R¹⁶ 각각은 독립적으로 H, Cl, Br, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 하이드라지도, 알데하이드, 케토, 또는 실릴기임;
[화학식 8]

;
[화학식 9]

;
[화학식 10]

; 및
[화학식 11]

;
상기 화학식 8 내지 11에서, M은 W 또는 Mo임;
[화학식 12]

;
상기 화학식에서,
M은 W 또는 Mo이고,
R⁴⁹ 내지 R⁵²는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임.The method of claim 8,
The metal precursor is a method of forming a metal thin film comprising a metal compound represented by one of the following formulas or a derivative thereof:
[Formula 1]
MR ¹ _m ;
In the above formula,
M is W or Mo,
m is 5 or 6,
The m of R ¹ may be the same or different from each other, and each independently H, Cl, Br, PMe ₃ , CO, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, A linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkyl groupamido having 1 to 6 carbon atoms, silyl, a saturated or unsaturated carbon ring group having 3 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof being;
[Formula 2]
M(R ² Cp)(CO) ₃ R ³ ;
In the above formula,
M is W or Mo,
R ² is H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, or 1 to 6 linear or branched alkyl amido, silyl group,
R ³ is H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, 1 It is a linear or branched alkyl groupamido of to 6, silyl, a saturated or unsaturated carbon ring group having 3 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof;
[Formula 3]
^{M (R 4 Cp) (R} 4 'Cp) R 5 R 6;
In the above formula,
M is W or Mo,
Each of R ⁴ and R ⁴ ′ is independently H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or A branched alkynyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a silyl group;
Each of R ⁵ and R ⁶ is independently of each other H, Cl, Br, PMe ₃ , CO, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and having 2 to 6 carbon atoms. A linear or branched alkynyl group, a linear or branched alkyl groupamido having 1 to 6 carbon atoms, silyl, a saturated or unsaturated carbon ring group having 3 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof;
[Formula 4]
M(R ⁷ Bz)(R ⁸ Bz);
In the above formula,
M is W or Mo,
Each of R ⁷ and R ⁸ is independently of each other H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or A branched alkynyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a silyl group;
[Formula 5]
M ₄ R ¹⁰ _n ;
In the above formula,
M is W or Mo,
N is an integer of 1 to 4,
The n of R ¹⁰ are the same or different from each other and are independently H, Cl, Br, PMe ₃ , CO, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and a carbon number of 2 to A linear or branched alkynyl group of 6, a linear or branched alkyl groupamido of 1 to 6 carbon atoms, silyl, a saturated or unsaturated carbon ring group having 3 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 3 to 10 carbon atoms or a derivative thereof;
[Formula 6]

;
In the above formula,
M is W or Mo,
Each of R ¹¹ , R ¹² and R ¹³ is independently H, Cl, Br, PMe ₃ , a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and 2 to 6 carbon atoms. Is a linear or branched alkynyl group, a linear or branched alkyl groupamido having 1 to 6 carbon atoms, or a silyl group;
[Formula 7]
M(ND) _x (R ¹⁵ DADR ¹⁶ ) _y R ¹⁴ _z
In the above formula,
M is W or Mo,
Each of the NDs is a neutral donor ligand,
Each of the DAD is diazadiene,
Each R ¹⁴ is an anionic or diionic ligand,
x is 0 to 4, y is 1 to 3, z is 0 to 4, x+z is 1 or more,
Each of R ¹⁵ and R ¹⁶ is independently H, Cl, Br, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, a linear or branched alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, A linear or branched alkylamido, hydrazido, aldehyde, keto, or silyl group having 1 to 6 carbon atoms;
[Formula 8]

;
[Formula 9]

;
[Formula 10]

; And
[Formula 11]

;
In Formulas 8 to 11, M is W or Mo;
[Formula 12]