KR20200086590A - Light emitting device and light emitting device package - Google Patents
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Abstract
Description
실시 예는 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device and a light emitting device package.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many advantages such as having a wide and easy to adjust band gap energy and can be used in various ways as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.
특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. Particularly, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using semiconductor group 3 or 2-6 compound semiconductor materials of semiconductors are red, green, and green due to the development of thin film growth technology and device materials. Various colors such as blue and ultraviolet light can be realized, and white light with high efficiency can be realized by using fluorescent materials or combining colors, and low power consumption, semi-permanent life, and fast response speed compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps It has the advantages of safety, environmental friendliness.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용할 수 있다.In addition, when a light-receiving device such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a semiconductor group III- or 2-6 compound semiconductor material of semiconductors, the development of device materials absorbs light in various wavelength regions to generate a photocurrent. By doing so, it is possible to use light in various wavelength ranges from gamma rays to radio wavelength ranges. In addition, it has the advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness, and easy adjustment of device materials, and thus can be easily used in power control or microwave circuits or communication modules.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device can replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp or an incandescent light bulb that replaces a cold cathode tube (CCFL) constituting a backlight of a transmission module of an optical communication means and a liquid crystal display (LCD) display device. Applications are expanding to white light emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, the application of the semiconductor device can be expanded to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
최근에는 대면적을 가지는 고출력의 발광소자에 대한 수요가 증가하고 있으며, 발광 면적이 큰 발광 소자의 경우, 고밀도의 전류가 인가되어야만 한다. 발광 소자에 고밀도의 전류가 인가될 경우 전류 집중 현상에 의해 발광 소자에서 발생하는 열이 증가하게 되어 발광 소자의 신뢰성에 저하되는 문제점이 생길 수 있다.In recent years, demand for a high-output light-emitting device having a large area is increasing, and in the case of a light-emitting device having a large light-emitting area, a high-density current must be applied. When a high-density current is applied to the light emitting device, heat generated in the light emitting device increases due to the current concentration phenomenon, which may cause a problem that the reliability of the light emitting device decreases.
도 1에 도시된 종래 기술의 발광 소자에 대해 살펴보면, 종래 기술의 발광 소자는 발광 구조물(1)과 상기 발광 구조물(1) 상에 배치되며 전기적으로 연결된 패드 전극(8)에 전원이 인가되어 상기 발광 구조물(1)에서 빛이 출사될 수 있다. 상기 기술한 바와 같이, 최근에는 대면적을 요구하는 발광 소자에 대한 수요가 증가하고 있어 종래 기술과 같은 구조를 가지는 대면적의 발광 소자에 전원이 인가될 경우 패드 전극(8)에 전류가 집중되어 전류 스프레딩 효과가 저하되는 문제점이 발생하였다.Looking at the light emitting device of the prior art shown in Figure 1, the light emitting device of the prior art is disposed on the light emitting structure (1) and the light emitting structure (1) is electrically connected to the
실시예는 전류 스프레딩을 향상 시키는 발광 소자를 제공할 수 있다.Embodiments may provide a light emitting device that improves current spreading.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광 소자를 제공할 수 있다. The embodiment can provide a light emitting device with improved reliability.
실시예에 따른 발광 소자는 기판; 상기 기판 상에 돌출부를 포함하는 본딩층; 상기 본딩층 상에 제1절연층; 상기 절연층 상에 배치되며 상기 본딩층과 전기적으로 연결되는 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 상에 활성층, 상기 활성층 상에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극; 상기 돌출부와 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 컨택부; 및 상기 컨택부와 상기 돌출부 사이에 배치되는 제1반사층을 포함하고, 상기 제1반사층은 상기 본딩층의 상면의 일부와 상기 돌출부 상면 및 측면에 배치될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a substrate; A bonding layer including a protrusion on the substrate; A first insulating layer on the bonding layer; A light emitting structure disposed on the insulating layer and including a second conductive semiconductor layer electrically connected to the bonding layer, an active layer on the second conductive semiconductor layer, and a first conductive semiconductor layer on the active layer; A second electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A contact portion disposed between the protrusion and the second conductive type semiconductor layer; And a first reflective layer disposed between the contact portion and the protrusion, and the first reflective layer may be disposed on a portion of the upper surface of the bonding layer and the upper and side surfaces of the protrusion.
실시예에 따른 발광 소자는 광 추출 효율이 향상 시킬 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, light extraction efficiency may be improved.
실시예에 따른 발광 소자는 전기적 특성이 개선될 수 있다.The electrical characteristics of the light emitting device according to the embodiment may be improved.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 소자의 평면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광 소자의 평면도를 나타낸 도면이다.
도 3은 실시예에 따른 발광 소자의 A-A'의 단면도이다.
도 4는 실시예에 따른 제2전극의 변형된 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 제2전극의 변형된 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 실시예에 따른 제2전극의 변형된 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 실시예에 따른 제2전극의 변형된 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 실시예에 따른 제2전극의 변형된 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 실시예에 따른 제2전극의 변형된 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 실시예에 따른 제2전극의 변형된 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 12는 실시예에 따른 조명 장치의 사시도이다.1 is a plan view of a light emitting device according to the prior art.
2 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view of A-A' of the light emitting device according to the embodiment.
4 is a view showing a modified example of the second electrode according to the embodiment.
5 is a view showing a modified example of the second electrode according to the embodiment.
6 is a view showing a modified example of the second electrode according to the embodiment.
7 is a view showing a modified example of the second electrode according to the embodiment.
8 is a view showing a modified example of the second electrode according to the embodiment.
9 is a view showing a modified example of the second electrode according to the embodiment.
10 is a view showing a modified example of the second electrode according to the embodiment.
11 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
12 is a perspective view of a lighting device according to an embodiment.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is "on/over" or "under" of the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case described as being formed in, "on/over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criteria for the top / top or bottom of each layer is described based on the drawings, but the embodiment is not limited thereto.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 실시예에 따른 발광 소자(300)는 기판(11), 본딩층(12), 복수의 돌출부(15), 제1전극(10), 제1절연층(30), 캡핑층(50), 제1반사층(40), 제2반사층(60), 컨택부(20), 패드 전극(810), 가지 전극(811), 제2전극(200), 제2절연층(70), 발광구조물(100), 제2도전형 반도체층(110), 활성층(120), 제1도전형 반도체층(130), 패시베이션층(90) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 1 and 2, the
실시예에 따른 발광 소자(300)는 제1전극(10) 및 제2전극(200)과 전기적으로 연결되며 제1도전형 반도체층(130), 활성층(120), 제2도전형 반도체층(110)이 구비된 발광구조물(100)을 포함할 수 있다. 상기 제1전극(10)과 상기 제2전극(200) 사이에 제1절연층(30)이 배치되어 상기 제1전극(10)과 상기 제2전극(200)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다. The
상기 제1전극(10)은 기판(11), 본딩층(12), 제1반사층(40)을 포함할 수 있다. 상기 제1전극(10)은 상기 발광 구조물(100)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1전극(10)은 상기 제2도전형 반도체층(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. The
상기 기판(11)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(11)은 Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, MoCu, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 기판(11)은 전도성 물질로 구현될 수 있다. 또한, 상기 기판(11)은 절연물질로 구현될 수도 있다.The
본딩층(12)은 상기 기판(11) 상에 배치될 수 있다. 상기 본딩층(12)은 상면 일부가 돌출되어 형성된 복수의 돌출부(15)를 포함할 수 있다. 상기 돌출부(15)는 상기 본딩층(12)의 상면보다 돌출될 수 있다. 상기 돌출부(15)는 상기 기판(11)에서 상기 본딩층(12) 방향으로 오목할 수 있다. 상기 본딩층(12)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 본딩층(12)의 너비는 70um 이상일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.The
상기 제1반사층(40)은 상기 본딩층(12)의 돌출부(15) 상에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1반사층(40)은 상기 본딩층(12)의 상면 일부에 배치될 수 있다. 제1반사층(40)은 상기 본딩층(12)의 상면 일부와 상기 돌출부(15) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1반사층(40)은 상기 돌출부(15) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1반사층(40)은 제1절연층(30)과 상기 본딩층(12) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1반사층(40)은 컨택부(20)와 돌출부(15) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1반사층(40)은 상기 돌출부(15)의 상면 및 상기 컨택부(20)의 하면과 접촉할 수 있다. 상기 제1반사층(40)은 상기 돌출부(15)의 측면을 둘러쌀 수 있다. 상기 제1반사층(40)은 상기 본딩층(12)의 상면 일부와 상기 돌출부(15)의 상면 및 측면에 배치될 수 있다. The first
상기 제1반사층(40)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1반사층(40)은 발광구조물(100) 아래에 배치되어 상기 발광구조물(100)에서 출사되는 광을 반사 시킬 수 있다. The first
발광 구조물(100)은 제1전극(10) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(100)은 제2도전형 반도체층(110), 활성층(120), 제1도전형 반도체층(130)을 포함할 수 있다. The
상기 제2도전형 반도체층(110)은 상기 제1전극(10) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(110)은 반도체 화합물, 예를 들면, 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(110)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(110)은 제2도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(110)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제 2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second
상기 제2도전형 반도체층(110)은 InxAlyGa1-x-yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 제2도전형 반도체층(110)은 AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. The second
활성층(120)은 상기 제2도전형 반도체층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 활성층(120)은 상기 제1도전형 반도체층(130)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2도전형 반도체층(110)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만날 수 있다. 상기 활성층(120)은 전자와 정공이 만나서 상기 활성층(120)의 형성물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드 갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출할 수 있다. 상기 활성층(120)은 자외선, 청색, 녹색 및 적색 중 적어도 하나의 파장을 발광할 수 있다. The
상기 활성층(120)은 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 활성층(120)는 화합물 반도체로 구성될 수 있다. 상기 활성층(120)는 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. The
상기 활성층(120)은 양자우물층과 양자장벽층을 포함할 수 있다. 상기 활성층(120)이 다중 양자 우물 구조로 구현된 경우, 양자우물층과 양자장벽층이 교대로 배치될 수 있다. 상기 양자우물층과 양자장벽층은 각각 InxAlyGa1-x-yP(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있거나, GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 양자우물층은 상기 양자장벽층보다 밴드갭이 낮은 물질로 형성될 수 있다.The
제1도전형 반도체층(130)은 상기 활성층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(130)은 반도체 화합물, 예를 들면 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(130)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(130)은 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1도전형 반도체층(130)이 n형 반도체층인 경우, n형 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The first
상기 제1도전형 반도체층(130)은 InxAlyGa1-x-yP(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 제1도전형 반도체층(130)은 AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first
상기 발광 구조물(100)은 제1도전형 반도체층(130) 및 제2도전형 반도체층(110) 중 적어도 하나의 상면 또는 하면에 다른 반도체층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 구조물(100)은 예를 들어, 복수의 반도체층의 적층 구조에 의해 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, 및 p-n-p 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
상기 발광구조물(100)의 상부 면에 광 추출 패턴(131)이 형성될 수 있다. 상기 발광구조물(100)의 상부 면에 러프니스(roughness)가 형성될 수 있다. 상기 발광구조물(100)의 상부 면에 요철 패턴이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(130)의 상부 면에 러프니스(roughness)가 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(130)의 상부 면에 광 추출 패턴(131)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(130)의 상부 면에 요철 패턴이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(100)에 형성된 광 추출 패턴은 하나의 예로서 PEC (Photo Electro Chemical) 식각 공정에 의하여 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 발광 구조물(100)의 상부면에 형성된 광 추출 패턴에 의해 발광 소자의 외부 광 추출 효과를 향상 시킬 수 있다.A
상기 발광구조물(100) 표면에 상기 패시베이션층(90)이 배치될 수 있다. 상기 패시베이션층(90)은 상기 발광구조물(100) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 상기 발광구조물(100) 표면에 배치된 상기 패시베이션층(90)은 연장되어 상기 제2전극(200)의 표면 일부에 배치될 수 있다. 상기 패시베이션층(90)은 상기 제2전극(200)의 상면 일부에 배치될 수 있다. 상기 패시베이션층(90)은 상기 제2전극과 상기 발광 구조물(100) 사이에 배치될 수 있다. 상기 패시베이션층(90)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The
제2전극(200)은 캡핑층(50), 제2반사층(60), 패드전극(810), 가지전극(811)을 포함할 수 있다. 상기 제2전극(200)은 발광구조물(100)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2전극(200)은 상기 제2도전형 반도체층(110)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 캡핑층(50)은 상기 제1절연층(30) 상에 배치될 수 있다. 상기 캡핑층(50)은 상기 발광 구조물(100) 아래에 배치될 수 있다. 상기 캡핑층(50)은 상기 제2반사층(60) 아래에 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물 아래에 배치되는 상기 캡핑층은 연장되어 패드 전극(810)의 하면과 접촉할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(110) 아래에 배치된 상기 캡핑층(50)은 연장되어 제2전극(200) 아래에 배치될 수 있다. 상기 캡핑층(50)은 상기 제2도전형 반도체층(110)과 상기 제2전극(200)을 전기적으로 단락시킬 수 있다.The
상기 제2반사층(60)은 상기 캡핑층(50) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2반사층(60)은 상기 발광구조물(100) 하에 배치될 수 있다. 상기 제2반사층(60)은 상기 제2도전형 반도체층(110) 하에 배치될 수 있다. 상기 제2반사층(60)은 상기 제2도전형 반도체층(110)의 하면 일부와 접촉할 수 있다. 상기 제2반사층(60)의 상면은 상기 제2도전형 반도체층(110)의 하면과 접촉할 수 있다. 상기 제2반사층(60)은 패시베이션층(90)과 접촉할 수 있다. The second
상기 제2반사층(60)은 상기 발광구조물(100) 아래에 배치되어 상기 활성층(120)에서 출사되는 광을 상기 발광구조물(100) 상부로 반사시켜 발광 소자의 광 추출 효율을 향상 시킬 수 있다.The second
상기 패드 전극(810)은 상기 제1전극(10) 상에 배치될 수 있다. 상기 패드 전극(810)은 상기 캡핑층(50) 상에 배치될 수 있다. 상기 패드 전극(810)은 상기 제2도전형 반도체층(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 가지 전극(811)은 상기 패드 전극(810)으로부터 연장되어 상기 발광구조물(100)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 상기 가지 전극(811)은 상기 발광구조물(100)의 마주보는 측면을 따라 배치될 수 있다. 상기 패드 전극(810)과 상기 가지 전극(811)은 일체로 형성될 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 상기 가지 전극(811)은 발광구조물(100)의 측면을 따라 배치되어 전류 스프레딩 효과를 향상 시킬 수 있다.The
제1절연층(30)은 상기 제1전극(10) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1절연층(30)은 상기 본딩층(12)의 돌출부(15) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1절연층(30)은 상기 본딩층(12)의 돌출부(15)를 감싸며 배치될 수 있다. 상기 제1절연층(30)은 상기 본딩층(12)의 상면과 접촉할 수 있다. 상기 제1절연층(30)은 상기 캡핑층(50)과 상기 본딩층(12) 사이에 배치될 수 있다. The first insulating
상기 제1절연층(30)은 상기 캡핑층(50)과 상기 본딩층(12) 사이에 배치되어 상기 본딩층(12)과 상기 캡핑층(50)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제1절연층(30)은 상기 제1반사층(40)과 상기 제1도전형 반도체층(130)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제1절연층(30)은 상기 제1전극(10)과 상기 제2전극(200)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다.The first insulating
상기 컨택부(20)는 상기 본딩층(12)의 돌출부(15) 상에 배치될 수 있다. 상기 컨택부(20)는 상기 돌출부(15) 상면에 배치될 수 있다. 상기 컨택부(20)는 상기 제1반사층(40) 상에 배치될 수 있다. 상기 컨택부(20)는 상기 돌출부(15)와 상기 제1도전형 반도체층(130) 사이에 배치될 수 있다. 상기 컨택부(20)의 측면은 상기 활성층(120)에 의해 둘러싸일 수 있다. 상기 컨택부(20)는 상기 돌출부(15) 상에 배치되어 상기 제1도전형 반도체층(130)과 접촉할 수 있다. The
상기 컨택부(20)와 상기 제1도전형 반도체층(130), 상기 활성층(120), 상기 제2도전형 반도체층(110) 사이에 상기 제1절연층(30)이 배치될 수 있다. 상기 컨택부(20)는 상기 제1전극(10)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 컨택부(20)는 상기 제1도전형 반도체층(130)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 컨택부(20)의 상면은 상기 활성층(120)의 상면보다 높게 배치될 수 있다. 상기 컨택부(85)는 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 컨택부(20)에 의해 상기 제1도전형 반도체층(130)과 상기 제1전극(10)이 발광 구조물(100) 내부에서 연결되어 전류 스프레딩 효과를 향상 시킬 수 있다.The first insulating
제2절연층(70)은 상기 발광 구조물(100) 내부에 배치될 수 있다. 상기 제2절연층(70)은 상기 컨택부(20)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2절연층(70)은 상기 컨택부(20)의 측면을 감싸며 배치되어 상기 활성층(120) 및 상기 제2도전형 반도체층(110)과 상기 컨택부(20)가 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다. The second insulating
실시예에 따른 발광소자(300)는 발광구조물(100) 내부에서 컨택부(20)에 의해 제1전극(10)과 제1도전형 반도체층(130)이 전기적으로 상기 제2전극(200)이 발광 구조물(100)의 측면 둘레를 감싸며 배치됨에 따라 연결되고 전류 스프레딩 효과를 향상 시킬 수 있다. 그리고, 상기 본딩층(12)의 돌출부(15) 상에 배치된 제1반사층(40)에 의해 상기 활성층(120)에서 발광된 빛이 반사되어 발광 소자의 광 추출 효율을 향상 시킬 수 있다. In the
다음으로, 도 3은 실시예에 따른 제2전극의 변형된 예를 나타낸 도면이다.Next, FIG. 3 is a view showing a modified example of the second electrode according to the embodiment.
도 3의 실시예에 따른 발광 소자에서는 도 1 및 도 2에 도시된 실시예에 따른 발광 소자에서 기설명한 내용을 채택할 수 있고, 하기에서는 상기 제2전극(200)의 변형된 예의 주된 특징에 대해서 기술하기로 한다.In the light emitting device according to the embodiment of FIG. 3, the contents described in the light emitting device according to the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 may be adopted, and in the following, the main features of the modified example of the
상기 제2전극(200)은 패드 전극(820) 및 가지 전극(821)을 포함할 수 있다. 상기 패드 전극(820)은 발광구조물(100)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 가지 전극(821)은 상기 패드 전극(820)으로부터 연장되어 발광구조물(100)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 상기 가지 전극(821)은 상기 패드 전극(820)이 배치된 발광구조물(100)의 측면에 수직한 측면을 따라 배치될 수 있다. 상기 발광구조물(100)의 네 측면 중 어느 한 측면에는 상기 가지 전극(821)이 배치되지 않을 수 있다. 상기 패드 전극(820)과 상기 가지 전극(821)은 일체로 형성될 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.The
다음으로, 도 4는 실시예에 따른 제2전극(200)의 변형된 예를 나타낸 도면이다.Next, FIG. 4 is a view showing a modified example of the
도 4의 실시예에 따른 발광 소자에서는 도 1 및 도 2에 도시된 실시예에 따른 발광 소자에서 기설명한 내용을 채택할 수 있고, 하기에서는 상기 제2전극(200)의 변형된 예의 주된 특징에 대해서 기술하기로 한다.In the light emitting device according to the embodiment of FIG. 4, the contents described in the light emitting device according to the embodiments shown in FIGS. 1 and 2 may be adopted, and in the following, the main features of the modified example of the
상기 제2전극(200)은 패드 전극(830)을 포함할 수 있다. 상기 패드 전극(830)은 상기 발광구조물(100)의 한 측면을 따라 배치될 수 있다. 상기 패드 전극(830)은 상기 발광 구조물(100)의 네 측면 중 적어도 한 측면을 따라 배치될 수 있다.The
다음으로, 도 5는 실시예에 따른 제2전극(200)의 변형된 예를 나타낸 도면이다.Next, FIG. 5 is a view showing a modified example of the
도 5의 실시예에 따른 발광 소자에서는 도 1 및 도 2에 도시된 실시예에 따른 발광 소자에서 기설명한 내용을 채택할 수 있고, 하기에서는 상기 제2전극(200)의 변형된 예의 주된 특징에 대해서 기술하기로 한다.In the light emitting device according to the embodiment of FIG. 5, the contents described in the light emitting device according to the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 may be adopted, and in the following, the main features of the modified example of the
상기 제2전극(200)은 상기 패드 전극(840)을 포함할 수 있다. 상기 패드 전극(840)은 상기 발광구조물(100)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 상기 제2전극(200)은 상기 발광구조물(100)의 모든 측면을 따라 배치될 수 있다. The
다음으로, 도 6은 실시예에 따른 제2전극(200)의 변형된 예를 나타낸 도면이다.Next, FIG. 6 is a view showing a modified example of the
도 6의 실시예에 따른 발광 소자에서는 도 1 및 도 2에 도시된 실시예에 따른 발광 소자에서 기설명한 내용을 채택할 수 있고, 하기에서는 상기 제2전극(200)의 변형된 예의 주된 특징에 대해서 기술하기로 한다.In the light emitting device according to the embodiment of FIG. 6, the contents described in the light emitting device according to the embodiments shown in FIGS. 1 and 2 may be adopted, and in the following, the main features of the modified example of the
상기 제2전극(200)은 패드 전극(810)을 포함할 수 있다. 상기 패드 전극(850)은 발광 구조물(100)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 상기 패드 전극(850)은 상기 발광 구조물(100)의 네 측면 중 적어도 두 측면을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 패드 전극(850)은 상기 발광 구조물(100)의 네 측면 중 마주보는 두 측면을 따라 배치될 수 있다 The
다음으로, 도 7은 실시예에 따른 제2전극(200)의 변형된 예를 나타낸 도면이다.Next, FIG. 7 is a view showing a modified example of the
도 7의의 실시예에 따른 발광 소자에서는 도 1 및 도 2에 도시된 실시예에 따른 발광 소자에서 기설명한 내용을 채택할 수 있고, 하기에서는 상기 제2전극(200)의 변형된 예의 주된 특징에 대해서 기술하기로 한다.In the light emitting device according to the embodiment of FIG. 7, the contents previously described in the light emitting device according to the embodiments shown in FIGS. 1 and 2 may be adopted, and in the following, the main characteristics of the modified example of the
상기 제2전극(200)은 패드 전극(860)을 포함할 수 있다. 상기 패드 전극(860)은 상기 발광구조물(100)의 모서리 영역에 배치될 수 있다. 상기 패드 전극(860)은 서로 이격되어 상기 발광 구조물(100)의 모서리 영역에 배치될 수 있다. The
다음으로, 도 8은 실시예에 따른 제2전극(200)의 변형된 예를 나타낸 도면이다.Next, FIG. 8 is a view showing a modified example of the
도 8의 실시예에 따른 발광 소자에서는 도 1 및 도 2에 도시된 실시예에 따른 발광 소자에서 기설명한 내용을 채택할 수 있고, 하기에서는 상기 제2전극(200)의 변형된 예의 주된 특징에 대해서 기술하기로 한다.In the light emitting device according to the embodiment of FIG. 8, the contents previously described in the light emitting device according to the embodiments shown in FIGS. 1 and 2 may be adopted, and in the following, the main features of the modified example of the
상기 제2전극(200)은 패드 전극(870)을 포함할 수 있다. 상기 패드 전극(870)은 상기 발광구조물(100)의 마주보는 두 측면을 따라 배치될 수 있다. 상기 패드 전극(870)의 너비는 상기 한 측면에서 다른 한 측면으로 갈수록 좁아질 수 있다. The
다음으로, 도 9는 실시예에 따른 제2전극(200)의 변형된 예를 나타낸 도면이다.Next, FIG. 9 is a view showing a modified example of the
도 9의 실시예에 따른 발광 소자에서는 도 1 및 도 2에 도시된 실시예에 따른 발광 소자에서 기설명한 내용을 채택할 수 있고, 하기에서는 상기 제2전극(200)의 변형된 예의 주된 특징에 대해서 기술하기로 한다.In the light emitting device according to the embodiment of FIG. 9, the contents described in the light emitting device according to the embodiments shown in FIGS. 1 and 2 may be adopted, and in the following, the main features of the modified example of the
상기 제2전극(200)은 패드 전극(880) 및 가지 전극(881)을 포함할 수 있다. 상기 패드 전극(880)은 상기 발광구조물(100)의 한 측면에 배치될 수 있다. 상기 가지 전극(881)은 상기 패드 전극(880)으로부터 연장되어 배치될 수 있다. 상기 가지 전극(881)의 너비는 상기 패드 전극(880)의 너비보다 작을 수 있다. 상기 가지 전극(881)은 상기 패드 전극(880)으로부터 연장되어 상기 패드 전극(880)이 배치된 측면과 마주보는 측면을 향해 배치될 수 있다. 상기 패드 전극(880)과 상기 가지 전극(881)은 일체로 형성될 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.The
다음으로, 도 10은 실시예에 따른 발광 소자(300)를 포함하는 발광 소자 패키지를 나타낸 단면도이다.Next, FIG. 10 is a sectional view showing a light emitting device package including the
도 10을 참조하여 설명하면, 발광 소자 패키지(1000)는 패키지 몸체(1100)와, 상기 패키지 몸체(1100) 상에 배치된 제1전극(1200) 및 제2전극(1300)과, 상기 패키지 몸체(1100) 상에 배치되어 상기 제1전극(1200) 및 제2전극(1300)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(300)와, 상기 발광 소자(300)를 포위하는 몰딩부재(1400)가 포함될 수 있다.Referring to FIG. 10, the light emitting device package 1000 includes a
상기 패키지 몸체(1100)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 패키지 몸체(1100)는 상기 발광 소자의 측면에 경사면이 형성될 수 있다.The
상기 제1전극(1200) 및 상기 제2전극(1300)은 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 상기 제1전극(1200) 및 상기 제2전극(1300)은 상기 발광 소자(300)에 전원을 제공하는 역할을 할 수 있다. 상기 제1전극(1200) 및 제2전극(1300)은 상기 발광 소자(300)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있다. 상기 제1전극(1200) 및 상기 제2전극(1300)은 상기 발광 소자(300)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The
상기 발광 소자(300)는 상기 패키지 몸체(1100) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(300)는 상기 제1전극(1200) 또는 제2전극(1300) 상에 배치될 수 있다.The
상기 발광 소자(300)는 상기 제1전극(1200) 및/또는 제2전극(1300)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 본 발명에 따른 실시예에서는 상기 발광 소자(300)와 상기 제1전극(1200)은 와이어를 통해 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
또한, 상기 몰딩부재(1400)는 상기 발광 소자(300)를 포위하여 상기 발광 소자(300)를 보호할 수 있다. 상기 몰딩부재(1400)에는 형광체가 포함될 수 있다. 상기 몰딩부재(1400)에 포함된 형광체는 상기 발광 소자(300)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.In addition, the
상술한 발광소자는 발광소자 패키지로 구성되어, 조명 시스템의 광원으로 사용될 수 있는데, 예를 들어 영상표시장치의 광원이나 조명 장치 등의 광원으로 사용될 수 있다.The above-described light emitting device is composed of a light emitting device package, and may be used as a light source of an illumination system, for example, it may be used as a light source of a video display device or a lighting device.
다음으로, 도 11은 실시예에 따른 조명 장치의 분해 사시도이다.Next, FIG. 11 is an exploded perspective view of the lighting device according to the embodiment.
도 11을 참조하여 설명하면, 실시예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, the lighting device according to the embodiment includes a
상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다. 상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. The
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. The
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다. 상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The
한편, 실시 예에 따른 발광소자 및 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device and the light emitting device package according to the embodiment may be applied to a light source device.
또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. Further, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like according to the industrial field.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.As an example of a light source device, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, and is disposed in front of the reflector and guides light emitted from the light emitting module forward A light guide plate, an optical sheet including prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, of the display panel It may include a color filter disposed in front. Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. Also, the display device does not include a color filter, and may have a structure in which light emitting elements emitting red, green, and blue light are disposed respectively.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, and reflected by the reflector It may include a lens that refracts light forward, and a shade that is reflected by a reflector to block or reflect a portion of light directed to the lens to form a light distribution pattern desired by the designer.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device, which is another example of the light source device, may include a cover, a light source module, a heat radiator, a power supply unit, an inner case, and a socket. Further, the light source device according to the embodiment may further include any one or more of the member and the holder. The light source module may include a light emitting device package according to an embodiment.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, and effects described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, and the like exemplified in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the embodiment.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments have been mainly described above, these are merely examples and do not limit the embodiments, and those who have ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong may not be exemplified in the above without departing from the essential characteristics of this embodiment. You will see that it is possible to modify and apply branches. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. In addition, differences related to such modifications and applications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments set in the appended claims.
11: 기판 12: 본딩층 15: 돌출부10: 제1전극
30: 제1절연층 40: 제1반사층 200: 제2전극 100: 발광구조물DESCRIPTION OF
30: first insulating layer 40: first reflective layer 200: second electrode 100: light emitting structure
Claims (9)
상기 기판 상에 돌출부를 포함하는 본딩층;
상기 본딩층 상에 제1절연층;
상기 제1절연층 상에 배치되며 상기 본딩층과 전기적으로 연결되는 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 상에 활성층, 상기 활성층 상에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극;
상기 돌출부와 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 컨택부; 및
상기 컨택부와 상기 돌출부 사이에 배치되는 제1반사층을 포함하고,
상기 제1반사층은 상기 본딩층의 상면의 일부와 상기 돌출부 상면 및 측면에 배치되는 발광 소자.Board;
A bonding layer including a protrusion on the substrate;
A first insulating layer on the bonding layer;
A light emitting structure disposed on the first insulating layer and including a second conductive semiconductor layer electrically connected to the bonding layer, an active layer on the second conductive semiconductor layer, and a first conductive semiconductor layer on the active layer ;
A second electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
A contact portion disposed between the protrusion and the second conductive type semiconductor layer; And
And a first reflective layer disposed between the contact portion and the protrusion,
The first reflective layer is a light emitting device that is disposed on a portion of the upper surface of the bonding layer and the upper and side surfaces of the protrusion.
상기 컨택부는 상기 활성층에 의해 둘러싸이는 발광 소자.According to claim 1,
The contact portion is a light-emitting element surrounded by the active layer.
상기 컨택부의 상면은 상기 활성층보다 높게 배치되는 발광 소자.According to claim 2,
The upper surface of the contact portion is disposed higher than the active layer.
상기 컨택부는 상기 돌출부 상에 배치되어 상기 제1도전형 반도체층과 접촉하는 발광 소자.According to claim 2,
The contact portion is disposed on the protrusion and the light-emitting element in contact with the first conductive semiconductor layer.
상기 제1반사층은 상기 돌출부의 상면 및 상기 컨택부의 하면과 접촉하는 발광 소자.According to claim 2,
The first reflective layer is a light emitting device that contacts the upper surface of the protrusion and the lower surface of the contact portion.
상기 제1반사층은 상기 돌출부의 측면을 둘러싸는 발광 소자.The method of claim 5,
The first reflective layer is a light emitting device surrounding the side of the protrusion.
상기 제1절연층은 상기 제2전극과 상기 본딩층을 전기적으로 절연시키는 발광 소자.According to claim 4,
The first insulating layer is a light emitting device that electrically insulates the second electrode and the bonding layer.
상기 제1절연층과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 제2반사층을 포함하는 발광 소자.The method of claim 7,
A light emitting device comprising a second reflective layer disposed between the first insulating layer and the light emitting structure.
상기 제1절연층 및 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 캡핑층을 포함하고,
상기 발광 구조물 아래에 배치되는 상기 캡핑층은 연장되어 상기 제2전극의 하면과 접촉하는 발광 소자.
The method of claim 8,
And a capping layer disposed between the first insulating layer and the light emitting structure,
The capping layer disposed under the light emitting structure extends to contact the bottom surface of the second electrode.
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