KR20200078128A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 기판을 지지하며 중앙에 중공이 형성된 스핀척을 포함하는 지지유닛; 상기 스핀척의 중공에 삽입되는 지지축, 상기 지지축의 상단에 구비되어 상기 기판의 저면에 세정액을 분사하는 복수의 백노즐을 포함하는 백노즐유닛; 상기 지지유닛 및 상기 백노즐유닛을 제어하는 제어유닛;을 포함하고, 상기 제어유닛은 상기 백노즐유닛의 적어도 하나의 백노즐로부터 DIW를 분사하여 백노즐유닛에 잔존하는 약액을 DIW로 치환하도록 제어하는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판의 저면을 세정하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서 웨이퍼와 같은 기판 상에 다층의 박막을 형성한다. 박막 형성에는 에칭이나 세정 처리와 같은 기판 처리 공정이 필수적으로 수행된다.
세정액을 이용한 기판 처리 공정에서, 기판의 저면에 증착된 박막 등은 후속 공정에서 이물질로 작용한다. 따라서, 불필요한 박막 등과 같은 이물질을 제거하기 위한 목적으로 기판의 저면에도 세정액을 분사하는 공정을 진행한다. 즉, 기판의 저면에 백노즐을 배치하고, 백노즐은 기판의 회전 시 세정액을 분사하여 기판 저면의 잔류물을 제거한다.
예를 들면, 포토레지스트 도포 공정에서는 기판을 스핀척에 안착하고 일정량의 포토레지스트를 기판에 도포한 후, 포토레지스트가 기판에 고르게 퍼질 수 있도록 스핀척을 소정 속도로 회전시켜 포토레지스트를 코팅한다. 이때 포토레지스트는 회전하는 기판의 원심력에 의해 기판의 외경 방향으로 유동하게 된다. 이 과정 중에 포토레지스트의 일부가 흘러 넘쳐 기판의 이면에 묻게 되는 현상이 발생할 수 있다.
기판의 이면에 묻은 파티클 등의 오염물질은 후속 공정 예컨대, 노광 공정 시 정밀한 패턴 형성을 방해하여 공정 불량을 일으키는 원인이 될 수 있다.
이를 방지하기 위해 포토레지스트 도포 공정 시 또는 그 이후에 기판의 이면에 약액을 분사함으로써 포토레지스트 잔류물을 제거하게 된다. 이때 약액을 분사하는 백노즐은 스핀척의 중앙에 고정되어 기판의 하측에 위치하게 된다. 즉, 백노즐은 고정된 상태에서 기판만 회전하면서 약액을 분사하게 된다.
이 경우, 스핀척과 백노즐 간의 틈이나 백노즐들 사이에 약액이 잔류할 수 있으며, 잔류된 약액은 이후에 공정 진행하는 기판을 오염시킬 수 있다.
따라서, DIW를 이용하여 잔존하는 약액을 세정할 필요가 있다. 기존에는 백노즐의 상측에서 백노즐 측으로 DIW를 토출하여 약액을 세정하였으나, 이 경우 스핀척과 백노즐 간의 틈이나 백노즐들 사이에 잔존하던 약액이 백노즐을 통해 유입되어 역오염의 문제를 초래할 수 있다.
한국공개특허 10-2010-0060094
본 발명은 기판의 저면 세정 시 약액을 안정적으로 세정할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 기판을 지지하며 중앙에 중공이 형성된 스핀척을 포함하는 지지유닛; 스핀척의 중공에 삽입되는 지지축, 지지축의 상단에 구비되어 기판의 저면에 세정액을 분사하는 복수의 백노즐을 포함하는 백노즐유닛; 지지유닛 및 백노즐유닛을 제어하는 제어유닛;을 포함하고, 제어유닛은 백노즐유닛의 적어도 하나의 백노즐로부터 DIW를 분사하여 백노즐유닛에 잔존하는 약액을 DIW로 치환하도록 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 백노즐유닛은 백노즐로 세정액을 공급하는 백노즐 연결라인을 포함하며, 백노즐 연결라인에는 세정액의 유량을 조절하는 슬로우 리크 밸브가 구비될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 백노즐유닛은 기판 저면에 건조 가스를 분사하는 가스 분사노즐을 더 포함할 수 있다. 가스 분사노즐은 지지축의 상단 중앙에 배치되고, 백노즐들은 가스 분사노즐을 중심으로 그 외측에 배치될 수 있다. 가스 분사노즐의 높이는 백노즐들의 높이보다 높게 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 백노즐유닛은 지지축의 상단에 결합되어 세정액을 외측으로 유도하는 스커트를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 백노즐유닛의 백노즐로부터 DIW가 슬로우 리크 되도록 함으로써 기판 저면의 세정을 위해 분사되었던 약액이 백노즐유닛에 잔류 시, 약액이 백노즐로 역유입되지 않고 DIW에 의해 안정적으로 제거될 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이다. 따라서, 본 발명은 이러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석될 필요는 없다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 지지유닛과 백노즐유닛을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 백노즐유닛의 세정 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 본 발명의 본질과 관계없는 부분은 그에 대한 상세한 설명을 생략할 수 있으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여할 수 있다.
또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 여기서 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것으로서 본 발명을 한정하도록 의도되지 않으며, 본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 개념으로 해석될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 시스템을 보여주는 평면도이다.
도 1을 참고하면, 기판 처리 시스템은 인덱스모듈(10) 및 공정모듈(20)을 포함한다.
여기서, 기판은 실리콘 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다.
인덱스모듈(10)은 외부로부터 기판을 반송 받아 공정모듈(20)로 기판을 반송한다. 인덱스모듈(10)은 로드챔버(11)와 이송프레임(12)을 포함한다.
로드챔버(11)에는 기판이 수용되는 캐리어(11a)가 구비된다. 캐리어(11a)로는 전면 개방 일체형 포드(FOUP: Front Opening Unified Pod)가 사용될 수 있다. 캐리어(11a)는 오버헤드 트랜스퍼(OHT: Overhead Transfer)에 의해 외부로부터 로드챔버(11)로 반입되거나 로드챔버(11)로부터 외부로 반출될 수 있다.
이송프레임(12)은 로드챔버(11)에 놓인 캐리어(11a)와 공정모듈(20) 간에 기판을 반송한다. 이송프레임(12)은 인덱스로봇(12a)과 인덱스레일(12b)을 포함한다. 인덱스로봇(12a)은 인덱스레일(12b) 상에서 이동하며 기판을 반송할 수 있다. 예를 들어, 인덱스로봇(12a)은 기판을 캐리어(11a)로부터 인출하여 후술하는 버퍼슬롯에 놓을 수 있다.
공정모듈(20)은 버퍼챔버(21), 이송챔버(22), 공정챔버(23)를 포함한다.
버퍼챔버(21)는 인덱스모듈(10)과 공정모듈(20) 간에 반송되는 기판이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼챔버(21)에는 기판이 놓이는 버퍼슬롯(21a)이 제공될 수 있다. 버퍼슬롯(21a)은 복수 제공될 수 있으며, 이에 따라 기판 역시 복수가 버퍼챔버(21)에 유입될 수 있다.
이송챔버(22)는 그 주변에 배치된 버퍼챔버(21), 공정챔버(23) 간에 기판을 반송한다. 이송챔버(22)는 이송로봇(22a)과 이송레일(22b)을 포함한다. 이송로봇(22a)은 이송레일(22b) 상에서 이동하며 기판을 반송할 수 있다. 즉, 이송챔버(22)의 이송로봇(22a)은 버퍼슬롯(21a)에 놓인 기판을 인출하여 이를 공정챔버(23)로 반송할 수 있다.
공정챔버(23)는 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 공정챔버(23)는 일측에 기판이 출입하기 위한 출입구를 구비하고, 출입구는 도어에 의해 개폐될 수 있다. 공정챔버(23)는 출입구가 제공된 일측면이 이송챔버(22)를 향하도록 배치될 수 있다.
공정챔버(23)는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하도록 그 내부에 기판 처리 장치가 구비된다. 예컨대, 공정챔버(23)는 포토레지스트 도포, 현상, 세정, 열처리 등의 공정을 수행할 수 있다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 2 내지 도 4를 참고하면, 기판 처리 장치는 지지유닛(100), 세정액 분사유닛(200), 건조가스 분사유닛(300), 백노즐유닛(400), 회수유닛(500), 제어유닛(600)을 포함한다.
지지유닛(100)은 기판을 지지하며, 지지된 기판을 회전시킬 수 있다. 지지유닛(100)은 스핀척(110), 회전축(120), 제1구동부(130)를 포함할 수 있다.
스핀척(110)은 원형의 평판 형태로 형성될 수 있다. 스핀척(110)의 상면에는 지지핀(111)과 척핀(112)이 구비된다. 지지핀(111)은 기판의 저면을 지지한다. 척핀(112)은 기판이 정위치를 이탈하는 것을 방지하도록 기판의 측면을 지지한다.
회전축(120)은 스핀척(110)의 하측에 연결된다. 회전축(120)은 제1구동부(130)로부터 회전력을 전달받아 스핀척(110)을 회전시킨다. 이에 따라 스핀척(110)에 안착된 기판이 회전할 수 있다.
세정액 분사유닛(200)은 기판의 상면에 세정액을 분사한다. 세정액은 소정 공정을 위한 약액(Chemical), 약액을 린스하기 위한 DIW(DI water), DIW를 건조하기 위한 건조액 중 적어도 하나일 수 있다. 세정액 분사유닛(200)은 세정액노즐(210), 노즐암(220), 제1승강축(230), 제2구동부(240)를 포함한다.
세정액노즐(210)은 스핀척(110)에 안착된 기판에 세정액을 분사한다. 세정액노즐(210)은 공정 진행 시 기판의 상측 중앙 부분에 위치될 수 있다. 세정액노즐(210)은 노즐암(220)의 일단 저면에 마련된다. 노즐암(220)은 승강 또는 회전 가능한 제1승강축(230)에 결합된다. 제2구동부(240)는 제1승강축(230)을 승강 또는 회전시켜 세정액노즐(210)의 위치를 조절할 수 있다.
건조가스 분사유닛(300)은 세정액이 도포된 기판에 건조가스를 분사한다. 건조가스로는 질소가스(N2)가 사용될 수 있다. 건조가스 분사유닛(300)은 스핀척(110)의 일측 상부에 고정된 상태로 건조가스를 분사하는 고정형 분사유닛(310)과, 대기 위치에서 스핀척(110)의 중앙 상부로 이동하여 건조가스를 분사하는 이동형 분사유닛(320)을 포함할 수 있다.
백노즐유닛(400)은 기판의 저면을 세정하기 위한 것으로, 지지축(410), 백노즐(420), 가스노즐(430), 스커트(440)를 포함한다.
지지축(410)은 스핀척(110)의 중공에 삽입된다. 지지축(410)은 스핀척(110)과 분리되어 제공되며, 스핀척(110)의 회전 시 지지축(410)은 회전하지 않도록 구성된다.
백노즐(420)은 복수 구비되어 기판의 저면에 세정액을 분사한다. 세정액은 약액 또는 DIW일 수 있다. 예를 들면, 복수의 백노즐 중 적어도 하나는 DIW를 분사하고, 나머지 백노즐들은 약액을 분사하도록 구성될 수 있다. 또는, 백노즐들 모두 약액과 DIW를 선택적으로 분사하도록 구성될 수 있다. 복수의 백노즐(420)은 각각 백노즐 연결라인(421)과 연결될 수 있으며, 백노즐 연결라인(421)은 지지축(410)의 내부에 구비될 수 있다.
백노즐 연결라인(421)에는 슬로우 리크 밸브(Slow leak valve, 421a)가 구비될 수 있다. 슬로우 리크 밸브(421a)는 세정액 특히, DIW의 유량을 조절한다. 또한, 백노즐 연결라인(421)에는 슬로우 리크 동작 시 세정액의 유량을 감지하는 유량센서(도시 생략)가 구비될 수 있다.
가스노즐(430)은 기판의 저면에 건조가스를 분사한다. 건조 가스는 세정액 분사 후 기판의 저면에 잔류하는 세정액을 건조시킨다. 건조 가스는 질소가스(N2)일 수 있다.
가스노즐(430)은 지지축(410)의 상단 중앙에 배치될 수 있다. 즉, 가스노즐(430)을 중심으로 그 외측에 복수의 백노즐(420)이 배치될 수 있다. 가스노즐(430)의 높이는 백노즐(420)들의 높이보다 높게 배치될 수 있다. 이에 따라, 백노즐(420)들로부터 분사된 약액들이 가스노즐(430)로 유입되는 것이 방지될 수 있다.
스커트(440)는 지지축(410)의 상단에 고정 결합되며, 백노즐(420) 및 가스노즐(430)을 보호할 수 있도록 그 외측을 감싸도록 구비된다. 스커트(440)는 그 외경 측으로 갈수록 하향 경사지게 형성됨으로써, 공정 진행 시 백노즐유닛(400) 상에 존재하는 세정액이 외측으로 흘러내리도록 유도할 수 있다.
회수유닛(500)은 기판에 공급된 세정액을 회수한다. 세정액 분사유닛(200)에 의해 기판에 세정액이 공급되면, 지지유닛(100)은 기판을 회전시켜 기판의 전 영역에 세정액이 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 공정 진행 시 기판이 회전하면 그 원심력에 의해 기판에 공급된 세정액이 기판의 외측으로 비산한다. 기판의 외측으로 비산된 세정액은 회수유닛(500)에 의해 회수될 수 있다. 회수유닛(500)은 회수컵(510), 제2승강축(520), 제3구동부(530)를 포함한다.
회수컵(510)은 스핀척(110)의 둘레에 상측이 개방된 원통형으로 형성될 수 있다. 회수컵(510)은 직경이 상이한 복수가 중첩 구성될 수 있다. 예를 들면, 회수컵은 안쪽으로부터 제1회수컵(511), 제2회수컵(512), 제3회수컵(513)으로 구성될 수 있다. 각각의 회수컵(511)(512)(513)은 공정에 사용된 세정액 중 서로 다른 세정액을 회수할 수 있다.
복수의 회수컵(511)(512)(513)은 그 높이가 상이하도록 다단으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 회수컵(511)(512)(513) 중 스핀척(110)으로부터 먼 거리에 있는 회수컵일수록 그 높이가 높게 배치될 수 있다. 즉, 제1회수컵(511)의 높이가 가장 낮고, 제3회수컵(513)의 높이가 가장 높게 배치될 수 있다.
각각의 회수컵(511)(512)(513)의 상부에는 경사부가 형성될 수 있다. 경사부는 회수컵의 내측 방향 즉, 스핀척(110) 방향으로 상향 경사지게 형성된다. 경사부는 기판으로부터 비산되는 세정액이 회수컵의 개방된 상측으로 배출되는 것을 방지할 수 있다.
각각의 회수컵(511)(512)(513)에는 그 하측 방향으로 회수라인(511a)(512a)(513a)이 연결된다. 각각의 회수라인(511a)(512a)(513a)은 각각의 회수컵(511)(512)(513)을 통해 유입된 세정액을 회수한다. 회수된 세정액은 재사용 시스템을 통해 재사용될 수 있다.
제2승강축(520)은 제3구동부(530)로부터 동력을 전달받아 회수컵을 상하로 이동시킨다. 각각의 회수컵들은 개별적으로 승강 및 하강할 수 있다. 회수컵이 상하로 이동됨에 따라 지지유닛(100)에 대한 회수컵의 상대 높이가 변경된다.
제3구동부(530)는 제2승강축(520)에 상승 또는 하강을 위한 구동력을 제공한다. 즉, 제3구동부(530)는 제2승강축(520)을 통해 회수컵(510)을 승강시켜 공정에 필요한 높이로 조절할 수 있다. 예를 들면, 기판이 지지유닛(100)에 놓이거나, 지지유닛(100)으로부터 들어올려질 때 지지유닛(100)이 회수컵(510)의 높이보다 상향 돌출되도록 회수컵(510)은 하강될 수 있다.
또한, 공정 진행 시에는 기판에 공급된 세정액의 종류에 따라 세정액이 기설정된 회수컵으로 유입될 수 있도록 회수컵(510)의 높이가 조절될 수 있다. 예를 들면, 제1세정액으로 기판을 처리하고 있는 동안에 제1회수컵(511)은 기판의 높이에 대응되도록 위치될 수 있다. 이후, 제2세정액으로 기판을 처리할 때에는 제1회수컵(511)은 하강하고 제2회수컵(512)이 기판의 높이에 대응되도록 위치될 수 있다. 또한, 제3세정액으로 기판을 처리할 때에는 제2회수컵(512)은 하강하고 제3회수컵(513)이 기판의 높이에 대응되도록 위치될 수 있다.
한편, 각각의 회수컵(511)(512)(513)은 개별적으로 승강할 수도 있으나, 일 실시예에 의한 회수컵들은 그 높이가 상이하게 배치되어 있으므로 공정 진행 시 기판의 높이에 대응되도록 회수컵들 전체가 승강할 수도 있다. 또한, 일 실시예에서는 회수컵을 상하 방향으로 승강시켰으나, 스핀척(110)이 상하로 승강하여 기판의 높이를 회수컵들에 대응되도록 구성할 수도 있다.
제어유닛(600)은 지지유닛(100), 세정액 분사유닛(200), 건조가스 분사유닛(300), 백노즐유닛(400) 및 회수유닛(500)을 제어한다. 즉, 제어유닛(600)은 스핀척(110)의 회전속도, 세정액노즐(210)의 작동, 백노즐유닛(400)의 작동, 회수컵(510)의 승강 등을 제어할 수 있다.
제어유닛(600)은 스핀척(110)이 제1속도로 회전하면서 세정액이 공급된 이후에, 스핀척(110)을 제1속도와 상이한 제2속도로 회전시킬 수 있다. 또한, 제어유닛(600)은 스핀척(110)이 제2속도로 회전하는 동안에는 스핀척(110)에 세정액의 공급이 중단되도록 할 수 있다.
제어유닛(600)은 세정액 분사유닛(200)이 스핀척(110)의 상면에 직접 세정액을 공급하도록 제어할 수 있다.
제어유닛(600)은 백노즐유닛(400)이 스핀척(110)의 저면에 세정액을 공급하도록 제어할 수 있다. 또한, 제어유닛(600)은 백노즐유닛(400)의 적어도 하나의 백노즐에서 제공되는 DIW를 슬로우 리크 동작하도록 제어할 수 있다.
제어유닛(600)은 회수유닛(500)을 제어한다. 공정에 따라 회수컵(510)의 높이를 상하 방향으로 조절할 수 있다. 즉, 스핀척(110) 상면의 높이에 대해 회수컵의 상대적인 높이를 조절하거나, 스핀척(110)의 상면으로부터 비산되는 세정액의 경로를 고려하여 회수컵의 높이를 조절할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 과정을 순차적으로 도시한 도면이다.
기판의 저면은 백노즐유닛(400)의 백노즐(420)로부터 분사되는 약액에 의해 세정될 수 있다. 기판의 저면 세정 후 약액(C)은 도 5의 (a)와 같이, 스커트(440)와 스핀척(110) 사이 또는 백노즐(420)들 사이에 스며들 수 있다. 이와 같이 잔류하는 약액(C)은 후속 기판의 공정 진행 시 기판의 저면으로 토출되어 공정 불량을 초래할 수 있다.
따라서, 도 5의 (b)와 같이, 백노즐(420)들 중 적어도 하나로부터 DIW가 슬로우 리크 동작한다. 즉, 슬로우 리크 밸브에 의해 설정된 유량만큼 DIW가 슬로우 리크 구현되고, 스커트(440)와 스핀척(110) 사이 또는 백노즐(420)들 사이에 잔존하는 약액은 DIW로 치환될 수 있다. 슬로우 리크 동작 시 DIW의 설정 유량은 백노즐(420)로부터 소량 토출되어 백노즐(420)을 타고 흘러내릴 정도의 유량일 수 있다. 예를 들면, 슬로우 리크 동작 시 DIW의 설정 유량은 20㏄/min~40㏄/min일 수 있다.
그 후, 도 5의 (c)와 같이, 건조가스 분사유닛(300)이 백노즐유닛(400)의 상측에 위치되어 건조가스를 분사하고, 건조가스는 DIW를 건조하게 된다. 건조가스 분사유닛(300)은 백노즐유닛(400)을 포함하는 소정 영역을 이동하면서 스캔 방식으로 건조할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예에서는, 백노즐유닛(400)의 백노즐(420)로부터 DIW를 슬로우 리크 동작되도록 함으로써 기판 저면의 세정을 위해 분사되었던 약액의 잔류 시, 약액이 백노즐(420)로 역유입되지 않고 DIW에 의해 안정적으로 제거될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100; 지지유닛 110; 스핀척
111; 지지핀 112; 척핀
120; 회전축 130; 제1구동부
200; 세정액 분사유닛 210; 세정액노즐
220; 노즐암 230; 제1승강축
240; 제2구동부
300; 건조가스 분사유닛
400; 백노즐유닛 410; 지지축
420; 백노즐 421; 백노즐 연결라인
421a; 슬로우 리크 밸브 430; 가스노즐
440; 스커트
500; 회수유닛 510; 회수컵
511; 제1회수컵 511a; 제1회수라인
512; 제2회수컵 512a; 제2회수라인
513; 제3회수컵 513a; 제3회수라인
520; 제2승강축 530; 제3구동부
600; 제어유닛

Claims (9)

  1. 기판을 지지하며 중앙에 중공이 형성된 스핀척을 포함하는 지지유닛;
    상기 스핀척의 중공에 삽입되는 지지축, 상기 지지축의 상단에 구비되어 상기 기판의 저면에 약액 또는 DIW를 분사하는 복수의 백노즐을 포함하는 백노즐유닛;
    상기 지지유닛 및 상기 백노즐유닛을 제어하는 제어유닛;을 포함하고,
    상기 제어유닛은 상기 백노즐유닛의 적어도 하나의 백노즐로부터 DIW를 분사하여 백노즐유닛에 잔존하는 약액을 DIW로 치환하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 백노즐유닛은 상기 백노즐로 세정액을 공급하는 백노즐 연결라인을 포함하며, 상기 백노즐 연결라인에는 세정액의 유량을 조절하는 슬로우 리크 밸브가 구비되는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 백노즐유닛은 상기 기판 저면에 건조가스를 분사하는 가스노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 가스 분사노즐은 상기 지지축의 상단 중앙에 배치되고, 상기 백노즐들은 상기 가스노즐을 중심으로 그 외측에 배치되는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 가스노즐의 높이는 백노즐들의 높이보다 높게 배치되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 백노즐유닛은 상기 지지축의 상단에 결합되어 세정액을 외측으로 유도하는 스커트를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 기판 저면에 약액을 분사하여 기판을 세정하는 단계;
    백노즐유닛 중 적어도 하나의 백노즐로부터 DIW를 분사하여 백노즐유닛에 잔존하는 약액을 DIW로 치환하는 단계;
    를 포함하는 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    치환된 DIW에 건조가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    백노즐유닛에 잔존하는 약액을 DIW로 치환하는 단계에서, DIW의 유량은 20㏄/min~40㏄/min인 기판 처리 방법.
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