KR20200076095A - Organic light emitting display device - Google Patents

Organic light emitting display device Download PDF

Info

Publication number
KR20200076095A
KR20200076095A KR1020180164814A KR20180164814A KR20200076095A KR 20200076095 A KR20200076095 A KR 20200076095A KR 1020180164814 A KR1020180164814 A KR 1020180164814A KR 20180164814 A KR20180164814 A KR 20180164814A KR 20200076095 A KR20200076095 A KR 20200076095A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
organic light
display device
layer
display area
Prior art date
Application number
KR1020180164814A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김명오
김정기
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180164814A priority Critical patent/KR20200076095A/en
Publication of KR20200076095A publication Critical patent/KR20200076095A/en

Links

Images

Classifications

    • H01L27/3276—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H01L51/5221—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H01L2251/301—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

The present specification discloses an organic light emitting display device. The organic light emitting display device includes: a power line disposed outside a display area; and a connection electrode connecting the power line and an organic light emitting diode included in a pixel circuit of the display area, wherein the connection electrode is connected to the power line and has a first portion without an opening area, and a second portion disposed between the first portion and the organic light emitting diode and having the opening area. Therefore, it is easy to detect defects and handle the same.

Description

유기발광 표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 명세서는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.The present specification relates to an organic light emitting display device.

유기발광 표시장치는 유기발광 소자의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 장치이다. 유기발광 소자(유기발광 다이오드 등)는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 박막화가 가능하다는 장점이 있다. 일반적인 유기발광 표시장치는 기판에 화소 구동 회로와 유기발광 소자가 형성된 구조를 갖고, 유기발광 소자에서 방출된 빛이 기판 또는 배리어층을 통과하면서 화상을 표시하게 된다.The organic light emitting display device is a device that displays an image by controlling the amount of light emitted by the organic light emitting element. The organic light emitting device (organic light emitting diode, etc.) has the advantage that it can be thinned as a self light emitting device using a thin light emitting layer between electrodes. A typical organic light emitting display device has a structure in which a pixel driving circuit and an organic light emitting device are formed on a substrate, and light emitted from the organic light emitting device passes through the substrate or the barrier layer to display an image.

유기발광 표시장치는 별도의 광원장치 없이 구현되기 때문에, 액정 표시장치(LCD) 등 기존의 표시장치 보다 더 얇고 더 가볍게 제작될 수 있다. 때문에 유기발광 표시장치는 플렉서블(flexible), 벤더블(bendable), 폴더블(foldable) 표시장치로 구현되기에 용이하여 다양한 형태로 디자인될 수 있다.Since the organic light emitting display device is implemented without a separate light source device, it can be manufactured thinner and lighter than a conventional display device such as a liquid crystal display (LCD). Therefore, the organic light emitting display device is easy to be implemented as a flexible (flexible), bendable (foldable), foldable (foldable) display device can be designed in various forms.

유기발광 표시장치의 제조 공정은 여러 단계로 이루어지며, 필요에 따라 다수의 검사 공정을 진행하기도 한다. 그러나, 이러한 검사 공정이 비효울적으로 진행되면 생산성 하락은 물론이고 불량률도 높아지기 때문에, 불량 검출 능력과 대응 능력을 향상시키기 위한 여러 연구, 개발이 수행되고 있다.The manufacturing process of the organic light emitting display device is made up of several steps, and if necessary, may perform a number of inspection processes. However, if such an inspection process proceeds ineffectively, not only the productivity decreases but also the defect rate increases, various studies and developments have been conducted to improve the defect detection capability and the response capability.

본 명세서는 유기발광 표시장치의 외곽부 배선 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다. 이를 통하여 불량 검출 및 조치가 용이한 유기발광 표시장치를 제공하고자 한다. 본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.This specification aims to propose an outer wiring structure of an organic light emitting display device. Through this, it is intended to provide an organic light emitting display device that is easy to detect defects and take measures. The tasks in this specification are not limited to the above-mentioned tasks, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 명세서의 일 실시예에 따라 유기발광 표시장치가 제공된다. 상기 유기발광 표시장치는, 표시 영역의 외부에 배치된 전원 배선; 상기 전원 배선과 상기 표시 영역의 화소 회로에 포함된 유기발광 다이오드를 연결하는 연결 전극을 포함하고, 상기 연결 전극은 상기 전원 배선과 연결되며 개구 영역이 없는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 상기 유기발광 다이오드 사이에 있으며 개구 영역을 갖는 제2 부분을 포함할 수 있다. An organic light emitting display device is provided according to an exemplary embodiment of the present specification. The organic light emitting display device includes: a power wiring disposed outside the display area; And a connection electrode connecting the power wiring and the organic light emitting diode included in the pixel circuit of the display area, the connection electrode being connected to the power wiring and having no opening area and a first portion and the first portion and the organic It may include a second portion between the light emitting diodes and having an opening area.

상기 개구 영역은 상기 연결 전극 하부에 있는 구동 회로의 일부를 드러내도록 구비될 수 있다. 상기 개구 영역은 상기 구동 회로를 검사하기에 충분한 면적을 가질 수 있다. 상기 개구 영역의 최단 폭은 상기 제2 부분의 선 폭보다 10배 이상 길 수 있다. 상기 개구 영역은 상기 구동 회로에 포함된 박막 트랜지스터를 노출시킬 수 있다.The opening area may be provided to expose a part of the driving circuit under the connection electrode. The opening area may have an area sufficient to inspect the driving circuit. The shortest width of the opening area may be 10 times longer than the line width of the second portion. The opening area may expose a thin film transistor included in the driving circuit.

상기 구동 회로는, 상기 화소 회로에 게이트 제어 신호를 제공하는 게이트 구동 회로일 수 있다.The driving circuit may be a gate driving circuit that provides a gate control signal to the pixel circuit.

상기 연결 전극은, 상기 표시 영역의 화소 회로에 포함된 유기발광 다이오드의 애노드 전극과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 연결 전극은, 상기 전원 배선과 상기 유기발광 다이오드의 캐소드를 연결할 수 있다.The connection electrode may be formed of the same material as the anode electrode of the organic light emitting diode included in the pixel circuit of the display area. The connection electrode may connect the power wiring and the cathode of the organic light emitting diode.

상기 전원 배선은, 상기 유기발광 다이오드에 저전위 전원(VSS)을 전달하는 도선일 수 있다. 상기 전원 배선은, 상기 표시 영역의 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일한 물질로 형성될 수 있다.The power wiring may be a conducting wire that delivers a low potential power supply (V SS ) to the organic light emitting diode. The power wiring may be formed of the same material as the source electrode or the drain electrode of the thin film transistor TFT included in the pixel circuit of the display area.

타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 명세서의 실시예들은, 구동 회로부의 불량 검출 및 조치의 어려움이 개선된 표시장치를 제공할 수 있다. 이에 본 명세서의 실시예들은, 생산 효율 및 신뢰성이 증진된 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다. 본 명세서의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Embodiments of the present specification, it is possible to provide a display device in which the difficulty of detecting and correcting a defect in the driving circuit is improved. Accordingly, the embodiments of the present specification can provide an organic light emitting display device having improved production efficiency and reliability. The effects according to the embodiments of the present specification are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

도 1은 전자장치에 포함될 수 있는 예시적인 표시장치를 도시한다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시장치의 표시 영역 및 비표시 영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 외곽부 구조를 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 외곽부 구조를 나타낸 도면이다.1 illustrates an exemplary display device that may be included in an electronic device.
2 is a cross-sectional view schematically illustrating a display area and a non-display area of a display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
3 is an exemplary view showing an outer structure of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
4 is a diagram illustrating an outer structure of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present specification.

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present specification, and a method of achieving them will be apparent with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the present embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. 구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.Since the shapes, sizes, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present specification are exemplary, the present specification is not limited to the illustrated items. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification. In addition, in the description of the present invention, when it is determined that detailed descriptions of related known technologies may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, detailed descriptions thereof will be omitted. When'include','have','consist of', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless'~man' is used. When a component is expressed as a singular number, the plural number is included unless otherwise specified. In interpreting the components, it is interpreted as including the error range even if there is no explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. 소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. In the case of the description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as'~top','~upper','~bottom','~side', etc.,'right' Alternatively, one or more other parts may be located between the two parts unless'direct' is used. When an element or layer is referred to as being "on" another element or layer, it includes all cases in which another layer or another element is interposed immediately above or in between. When a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, the component may be directly connected to or connected to the other component, but different components between each component It should be understood that the "intervenes" may be, or each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another component. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.The size and thickness of each component shown in the drawings are illustrated for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the illustrated component. Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 전자장치에 포함될 수 있는 예시적인 표시장치를 도시한다.1 illustrates an exemplary display device that may be included in an electronic device.

도 1을 참조하면, 상기 표시장치(100)는 적어도 하나의 표시 영역(active area)을 포함하고, 상기 표시 영역에는 화소(pixel)들의 어레이(array)가 형성된다. 하나 이상의 비표시 영역(inactive area)이 상기 표시 영역의 주위에 배치될 수 있다. 즉, 상기 비표시 영역은, 표시 영역의 하나 이상의 측면에 인접할 수 있다. 도 1에서, 상기 비표시 영역은 사각형 형태의 표시 영역을 둘러싸고 있다. 그러나, 표시 영역의 형태 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역의 형태/배치는 도 1에 도시된 예에 한정되지 않는다. 상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역은, 상기 표시장치(100)를 탑재한 전자장치의 디자인에 적합한 형태일 수 있다. 상기 표시 영역의 예시적 형태는 오각형, 육각형, 원형, 타원형 등이다.Referring to FIG. 1, the display device 100 includes at least one active area, and an array of pixels is formed in the display area. One or more inactive areas may be disposed around the display area. That is, the non-display area may be adjacent to one or more side surfaces of the display area. In FIG. 1, the non-display area surrounds a rectangular display area. However, the shape of the display area and the shape/arrangement of the non-display area adjacent to the display area are not limited to the example shown in FIG. 1. The display area and the non-display area may be in a form suitable for the design of an electronic device on which the display device 100 is mounted. Exemplary shapes of the display area are pentagonal, hexagonal, circular, and oval.

상기 표시 영역 내의 각 화소는 화소 회로와 연관될 수 있다. 상기 화소 회로는, 백플레인(backplane) 상의 하나 이상의 스위칭 트랜지스터 및 하나 이상의 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다. 각 화소 회로는, 상기 비표시 영역에 위치한 게이트 구동 회로 및 데이터 구동 회로와 같은 하나 이상의 구동 회로와 통신하기 위해, 게이트 라인 및 데이터 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.Each pixel in the display area may be associated with a pixel circuit. The pixel circuit may include one or more switching transistors and one or more driving transistors on a backplane. Each pixel circuit may be electrically connected to a gate line and a data line to communicate with one or more driving circuits such as a gate driving circuit and a data driving circuit located in the non-display area.

상기 구동 회로는, 도 1에 도시된 것처럼, 상기 비표시 영역에 TFT(thin film transistor)로 구현될 수 있다. 이러한 구동 회로는 GIP(gate-in-panel)로 지칭될 수 있다. 또한, 데이터 구동 IC와 같은 몇몇 부품들은, 분리된 인쇄 회로 기판에 탑재되고, FPCB(flexible printed circuit board), COF(chip-on-film), TCP(tape-carrier-package) 등과 같은 회로 필름을 이용하여 상기 비표시 영역에 배치된 연결 인터페이스(패드, 범프, 핀 등)와 결합될 수 있다. 상기 비표시 영역은 상기 연결 인터페이스와 함께 구부러져서, 상기 인쇄 회로(COF, PCB 등)는 상기 표시장치(100)의 뒤편에 위치될 수 있다.The driving circuit may be implemented as a thin film transistor (TFT) in the non-display area, as shown in FIG. 1. Such a driving circuit may be referred to as a gate-in-panel (GIP). In addition, some components, such as data driving ICs, are mounted on separate printed circuit boards, and are used for circuit films such as flexible printed circuit board (FPCB), chip-on-film (COF), and tape-carrier-package (TCP). It can be combined with a connection interface (pad, bump, pin, etc.) disposed in the non-display area. The non-display area is bent along with the connection interface, so that the printed circuit (COF, PCB, etc.) may be located behind the display device 100.

상기 표시장치(100)는, 다양한 신호를 생성하거나 표시 영역내의 화소를 구동하기 위한, 다양한 부가 요소들을 더 포함할 수 있다. 상기 화소를 구동하기 위한 부가 요소는 인버터 회로, 멀티플렉서, 정전기 방전 회로(electro static discharge) 등일 수 있다. 상기 표시장치(100)는 화소 구동 이외의 기능과 연관된 부가 요소도 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 표시장치(100)는 터치 감지 기능, 사용자 인증 기능(예: 지문 인식), 멀티 레벨 압력 감지 기능, 촉각 피드백(tactile feedback) 기능 등을 제공하는 부가 요소들을 포함할 수 있다. 상기 언급된 부가 요소들은 상기 비표시 영역 및/또는 상기 연결 인터페이스와 연결된 외부 회로에 위치할 수 있다.The display device 100 may further include various additional elements for generating various signals or driving pixels in the display area. Additional elements for driving the pixel may be an inverter circuit, a multiplexer, an electro static discharge circuit, or the like. The display device 100 may also include additional elements related to functions other than pixel driving. For example, the display device 100 may include additional elements that provide a touch sensing function, a user authentication function (eg, fingerprint recognition), a multi-level pressure sensing function, a tactile feedback function, and the like. The above-mentioned additional elements may be located in the non-display area and/or an external circuit connected to the connection interface.

상기 표시장치(100)의 하나 이상의 모서리(edge)는 중앙 부분(central portion)에서 멀어지도록 구부러질 수도 있다. 상기 표시장치(100)의 하나 이상의 부분이 구부러질 수 있으므로, 상기 표시장치(100)는 실질적으로 평평한(flat) 부분 및 굴곡(bended) 부분으로 정의될 수 있다. 즉, 표시장치(100)의 일 부분(예: 패드(PAD)와 표시 영역 사이의 배선부)은 소정의 각도로 구부러지며, 이러한 부분은 굴곡 부분으로 지칭될 수 있다. 상기 굴곡 부분은, 소정의 굴곡 반지름으로 실제로 휘어지는 굴곡 구간(bended section)을 포함한다. 항상 그런 것은 아니지만, 표시장치(100)의 중앙부분은 실질적으로 평평하고, 모서리 부분은 굴곡 부분일수 있다. One or more edges of the display device 100 may be bent away from the central portion. Since one or more portions of the display device 100 may be bent, the display device 100 may be defined as a substantially flat portion and a bent portion. That is, a portion of the display device 100 (eg, a wiring portion between the pad PAD and the display area) is bent at a predetermined angle, and this portion may be referred to as a curved portion. The bent portion includes a bent section that is actually bent at a predetermined bend radius. Although not always, the central portion of the display device 100 may be substantially flat, and the corner portion may be a curved portion.

비표시 영역을 구부리면, 비표시 영역이 표시장치의 앞면에서는 안보이거나 최소로만 보이게 된다. 비표시 영역 중 표시장치의 앞면에서 보이는 일부는 베젤(bezel)로 가려질 수 있다. 상기 베젤은 독자적인 구조물, 또는 하우징이나 다른 적합한 요소로 형성될 수 있다. 비표시 영역 중 표시장치의 앞면에서 보이는 일부는 블랙 잉크(예: 카본 블랙으로 채워진 폴리머)와 같은 불투명한 마스크 층 아래에 숨겨질 수도 있다. 이러한 불투명한 마스크 층은 표시장치(100)에 포함된 다양한 층(터치센서층, 편광층, 덮개층 등) 상에 마련될 수 있다.When the non-display area is bent, the non-display area is invisible or minimally visible on the front surface of the display device. A part of the non-display area visible from the front surface of the display device may be covered with a bezel. The bezel can be formed of a unique structure, or a housing or other suitable element. Some of the non-display area visible from the front side of the display device may be hidden under an opaque mask layer such as black ink (eg, a polymer filled with carbon black). The opaque mask layer may be provided on various layers (touch sensor layer, polarization layer, cover layer, etc.) included in the display device 100.

굴곡 부분은, 굴곡축에 대한 굴곡각 θ및 굴곡 반지름 R을 갖고 중앙 부분으로부터 바깥쪽으로 구부러질 수 있다. 상기 각 굴곡 부분의 크기는 동일할 필요는 없다. 또한, 굴곡 축 둘레의 굴곡 각 θ및 상기 굴곡축으로부터의 곡률 반지름 R은 굴곡 부분마다 다를 수 있다.The bent portion has a bend angle θ and a bend radius R with respect to the bend axis and can be bent outward from the central portion. The size of each bent portion need not be the same. Also, the bending angle θ around the bending axis and the radius of curvature R from the bending axis may be different for each bending portion.

도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시장치의 표시 영역 및 비표시 영역을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a display area and a non-display area of a display device according to an exemplary embodiment of the present specification.

도시된 표시 영역(A/A) 및 비표시 영역(I/A)은, 도 1에서 서술된 표시 영역(A/A) 및 비표시 영역(I/A)의 적어도 일부에 적용될 수 있다. 이하에서는 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display)를 일 예로 하여 상기 표시장치를 설명한다.The illustrated display area A/A and the non-display area I/A may be applied to at least a part of the display area A/A and the non-display area I/A described in FIG. 1. Hereinafter, the display device will be described using an organic light emitting display as an example.

유기발광 표시장치의 경우, 상기 표시 영역(A/A)에는 베이스 층(101) 상에 박막트랜지스터(102, 104, 108), 유기발광 소자(112, 114, 116) 및 각종 기능 층(layer)들이 위치한다. 한편, 상기 비표시 영역에(I/A)는 베이스 층(101) 상에 각종 구동 회로(예: GIP), 전극, 배선, 기능성 구조물 등이 위치할 수 있다. In the case of an organic light emitting display device, the display area (A/A) includes a thin film transistor (102, 104, 108), an organic light emitting device (112, 114, 116) and various functional layers on the base layer (101). Are located. Meanwhile, in the non-display area (I/A), various driving circuits (eg, GIP), electrodes, wiring, and functional structures may be located on the base layer 101.

베이스 층(101)은 유기발광 표시장치(100)의 다양한 구성요소들을 지지한다. 베이스 층(101)은 투명한 절연 물질, 예를 들어 유리, 플라스틱 등과 같은 절연 물질로 형성될 수 있다. 기판(어레이 기판)은, 상기 베이스 층(101) 위에 형성된 소자 및 기능 층, 예를 들어 스위칭 TFT, 구동 TFT, 유기발광소자, 보호막 등을 포함하는 개념으로 지칭되기도 한다.The base layer 101 supports various components of the organic light emitting display device 100. The base layer 101 may be formed of a transparent insulating material, for example, an insulating material such as glass or plastic. The substrate (array substrate) is also referred to as a concept including an element and a functional layer formed on the base layer 101, for example, a switching TFT, a driving TFT, an organic light emitting device, and a protective film.

버퍼 층(130)이 베이스 층(101) 상에 위치할 수 있다. 상기 버퍼 층(buffer layer)은 베이스 층(101) 또는 하부의 층들에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)를 보호하기 위한 기능 층이다. 상기 버퍼 층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다. 상기 버퍼 층(130)은 멀티 버퍼(multi buffer) 및/또는 액티브 버퍼(active buffer)를 포함할 수 있다.The buffer layer 130 may be located on the base layer 101. The buffer layer is a functional layer for protecting a thin film transistor (TFT) from impurities such as alkali ions flowing out of the base layer 101 or lower layers. The buffer layer may be made of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or multiple layers thereof. The buffer layer 130 may include a multi buffer and/or an active buffer.

상기 베이스 층(101) 또는 버퍼 층 위에 박막트랜지스터가 놓인다. 박막트랜지스터는 반도체 층(active layer), 게이트 절연 층(gate insulator), 게이트 전극, 층간 절연 층((interlayer dielectric layer, ILD), 소스(source) 및 드레인(drain) 전극이 순차적으로 적층된 형태일 수 있다. 이와는 달리, 상기 박막트랜지스터는 도 2처럼 게이트 전극(104), 게이트 절연 층(105), 반도체 층(102), 소스 및 드레인 전극(108)이 순차적으로 배치된 형태일 수 있다. A thin film transistor is placed on the base layer 101 or the buffer layer. The thin film transistor is a type in which a semiconductor layer (active layer), a gate insulator, a gate electrode, an interlayer dielectric layer (ILD), a source and a drain electrode are sequentially stacked. Alternatively, the thin film transistor may have a shape in which the gate electrode 104, the gate insulating layer 105, the semiconductor layer 102, and the source and drain electrodes 108 are sequentially disposed as shown in FIG.

반도체 층(102)은 폴리 실리콘(p-Si)으로 만들어질 수 있으며, 이 경우 소정의 영역이 불순물로 도핑될 수도 있다. 또한, 반도체 층(102)은 아몰포스 실리콘(a-Si)으로 만들어질 수도 있고, 펜타센 등과 같은 다양한 유기 반도체 물질로 만들어질 수도 있다. 나아가 반도체 층(102)은 산화물(oxide)로 만들어질 수도 있다. The semiconductor layer 102 may be made of polysilicon (p-Si), in which case a predetermined region may be doped with impurities. Further, the semiconductor layer 102 may be made of amorphous silicon (a-Si), or may be made of various organic semiconductor materials such as pentacene. Furthermore, the semiconductor layer 102 may be made of oxide.

게이트 전극(104)은 다양한 도전성 물질, 예컨대, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 금(Au) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.The gate electrode 104 may be made of various conductive materials, such as magnesium (Mg), aluminum (Al), nickel (Ni), chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W), gold (Au), or alloys thereof. And the like.

게이트 절연 층(105), 층간 절연 층(ILD)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다. 게이트 절연 층(105)과 층간 절연 층의 선택적 제거로 소스 및 드레인 영역이 노출되는 컨택 홀(contact hole)이 형성될 수 있다.The gate insulating layer 105 and the interlayer insulating layer (ILD) may be formed of an insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), or may be formed of an insulating organic material. Selective removal of the gate insulating layer 105 and the interlayer insulating layer may form contact holes through which source and drain regions are exposed.

소스 및 드레인 전극(108)은 게이트 절연 층(105) 또는 층간 절연 층(ILD) 상에 전극용 물질로 단일층 또는 다층의 형상으로 형성된다. 필요에 따라 무기 절연 물질로 구성된 패시베이션층(109)이 상기 소스 및 드레인 전극(108)을 덮을 수도 있다.The source and drain electrodes 108 are formed on the gate insulating layer 105 or the interlayer insulating layer (ILD) in the form of a single layer or multiple layers of an electrode material. If necessary, a passivation layer 109 made of an inorganic insulating material may cover the source and drain electrodes 108.

평탄화 층(107)이 박막트랜지스터 상에 위치할 수 있다. 평탄화 층(107)은 박막트랜지스터를 보호하고 그 상부를 평탄화한다. 평탄화 층(107)은 다양한 형태로 구성될 수 있는데, BCB(Benzocyclobutene) 또는 아크릴(Acryl) 등과 같은 유기 절연막, 또는 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx)와 같은 무기 절연막으로 형성될 수도 있고, 단층으로 형성되거나 이중 혹은 다중 층으로 구성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.The planarization layer 107 may be located on the thin film transistor. The planarization layer 107 protects the thin film transistor and planarizes the top. The planarization layer 107 may be formed in various forms, such as an organic insulating film such as Benzocyclobutene (BCB) or acrylic (Acryl), or an inorganic insulating film such as a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOx). Various modifications are possible, such as being formed in a single layer or composed of double or multiple layers.

유기발광소자는 제1 전극(112), 유기발광 층(114), 제2 전극(116)이 순차적으로 배치된 형태일 수 있다. 즉, 유기발광소자는 평탄화 층(107) 상에 형성된 제1 전극(112), 제1 전극(112) 상에 위치한 유기발광 층(114) 및 유기발광 층(114) 상에 위치한 제2 전극(116)으로 구성될 수 있다.The organic light emitting device may have a shape in which the first electrode 112, the organic light emitting layer 114, and the second electrode 116 are sequentially arranged. That is, the organic light emitting device includes a first electrode 112 formed on the planarization layer 107, an organic light emitting layer 114 positioned on the first electrode 112, and a second electrode located on the organic light emitting layer 114 ( 116).

제1 전극(112)은 컨택 홀을 통해 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극(108)과 전기적으로 연결된다. 유기발광 표시장치(100)가 상부 발광(top emission) 방식인 경우, 이러한 제1 전극(112)은 반사율이 높은 불투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(112)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(112)은 유기발광 다이오드의 애노드(anode)일 수 있다.The first electrode 112 is electrically connected to the drain electrode 108 of the driving thin film transistor through the contact hole. When the organic light emitting diode display 100 is a top emission method, the first electrode 112 may be made of an opaque conductive material having high reflectance. For example, the first electrode 112 may be formed of silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), molybdenum (Mo), tungsten (W), chromium (Cr), or alloys thereof. . The first electrode 112 may be an anode of an organic light emitting diode.

뱅크(110)는 발광 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된다. 이에 따라, 뱅크(110)는 발광 영역과 대응되는 제1 전극(112)을 노출시키는 뱅크 홀을 가진다. 뱅크(110)는 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx)와 같은 무기 절연 물질 또는 BCB, 아크릴계 수지 또는 이미드계 수지와 같은 유기 절연물질로 만들어질 수 있다.The bank 110 is formed in regions other than the light emitting region. Accordingly, the bank 110 has a bank hole exposing the first electrode 112 corresponding to the emission region. The bank 110 may be made of an inorganic insulating material such as a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOx) or an organic insulating material such as BCB, acrylic resin, or imide resin.

유기발광 층(114)이 뱅크(110)에 의해 노출된 제1 전극(112) 상에 위치한다. 유기발광 층(114)은 발광층, 전자주입층, 전자수송층, 정공수송층, 정공주입층 등을 포함할 수 있다. 상기 유기발광 층은, 하나의 빛을 발광하는 단일 발광층 구조로 구성될 수도 있고, 복수 개의 발광층으로 구성되어 백색 광을 발광하는 구조로 구성될 수도 있다. The organic light emitting layer 114 is positioned on the first electrode 112 exposed by the bank 110. The organic light emitting layer 114 may include a light emitting layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and the like. The organic light emitting layer may be configured as a single light emitting layer structure that emits one light, or may be composed of a plurality of light emitting layers to emit white light.

제2 전극(116)이 유기발광층(114) 상에 위치한다. 유기발광 표시장치(100)가 상부 발광(top emission) 방식인 경우, 제2 전극(116)은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Induim Zinc Oxide; IZO) 등과 같은 투명한 도전 물질로 형성됨으로써 유기발광 층(114)에서 생성된 광을 제2 전극(116) 상부로 방출시킨다. 상기 제2 전극(116)은 유기발광 다이오드의 캐소드(cathode)일 수 있다.The second electrode 116 is positioned on the organic light emitting layer 114. When the organic light emitting diode display 100 is a top emission type, the second electrode 116 is a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). By being formed of a material, light generated in the organic light emitting layer 114 is emitted to the second electrode 116. The second electrode 116 may be a cathode of an organic light emitting diode.

봉지 층(120)이 제2 전극(116) 상에 위치한다. 상기 봉지 층(120)은, 발광 재료와 전극 재료의 산화를 방지하기 위하여, 외부로부터의 산소 및 수분 침투를 막는다. 유기발광소자가 수분이나 산소에 노출되면, 발광 영역이 축소되는 화소 수축(pixel shrinkage) 현상이 나타나거나, 발광 영역 내 흑점(dark spot)이 생길 수 있다. 상기 봉지 층(encapsulation layer)은 유리, 금속, 산화 알루미늄(AlOx) 또는 실리콘(Si) 계열 물질로 이루어진 무기막으로 구성되거나, 또는 유기막(122)과 무기막(121-1, 121-2)이 교대로 적층된 구조일 수도 있다. 이때, 무기막(121-1, 121-2)은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 하고, 유기막(122)은 무기막(121-1, 121-2)의 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 봉지 층을 여러 겹의 박막 층으로 형성하면, 단일 층일 경우에 비해 수분이나 산소의 이동 경로가 길고 복잡하게 되어 유기발광소자까지 수분/산소가 침투하는 것이 어려워진다.The encapsulation layer 120 is positioned on the second electrode 116. The encapsulation layer 120 prevents oxygen and moisture penetration from outside in order to prevent oxidation of the light emitting material and the electrode material. When the organic light emitting device is exposed to moisture or oxygen, a pixel shrinkage phenomenon in which the light emitting region is reduced may occur, or a dark spot in the light emitting region may occur. The encapsulation layer is made of an inorganic film made of a glass, metal, aluminum oxide (AlOx) or silicon (Si)-based material, or an organic film 122 and an inorganic film 121-1, 121-2 It may be a structure in which these layers are alternately stacked. At this time, the inorganic film (121-1, 121-2) serves to block the penetration of moisture or oxygen, the organic film 122 serves to planarize the surface of the inorganic film (121-1, 121-2) do. When the encapsulation layer is formed of a multi-layered thin film layer, the path of movement of moisture or oxygen is longer and more complicated than in the case of a single layer, making it difficult for moisture/oxygen to penetrate the organic light emitting device.

배리어 필름이 봉지 층(120) 상에 위치하여 베이스 층(101) 전체를 봉지할 수도 있다. 배리어 필름은 위상차 필름 또는 광등방성 필름일 수 있다. 이때 접착 층이 배리어 필름과 봉지 층(120) 사이에 위치할 수 있다. 접착 층은 봉지 층(120)과 배리어 필름을 접착시킨다. 접착 층은 열 경화형 또는 자연 경화형의 접착제일 수 있다. 예를 들어, 접착 층은 B-PSA(Barrier pressure sensitive adhesive)와 같은 물질로 구성될 수 있다. The barrier film may be positioned on the encapsulation layer 120 to encapsulate the entire base layer 101. The barrier film may be a retardation film or an optically isotropic film. At this time, an adhesive layer may be positioned between the barrier film and the encapsulation layer 120. The adhesive layer bonds the encapsulation layer 120 and the barrier film. The adhesive layer may be a heat-curable or self-curing adhesive. For example, the adhesive layer may be made of a material such as a barrier pressure sensitive adhesive (B-PSA).

비표시 영역(I/A)에는 화소 회로 및 발광 소자가 배치되지 않지만 베이스 층(101)과 유기/무기 기능 층들(130, 105, 107 120 등)은 존재할 수 있다. 또한 상기 비표시 영역(I/A)에는 표시 영역(A/A)의 구성에 사용된 물질들이 다른 용도로 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시 영역 TFT의 게이트 전극과 동일한 금속(104'), 또는 소스/드레인 전극과 동일한 금속(108', 108'')이 배선 또는 전극용으로 비표시 영역(I/A)에 배치될 수 있다. 더 나아가, 유기발광 다이오드의 일 전극(예: 애노드)과 동일한 금속(112')이 배선, 전극용으로 비표시 영역(I/A)에 배치될 수도 있다.The pixel circuit and the light emitting device are not disposed in the non-display area I/A, but the base layer 101 and the organic/inorganic functional layers 130, 105, 107 120, etc. may be present. In addition, materials used in the configuration of the display area A/A may be disposed in the non-display area I/A for other purposes. For example, the same metal 104' as the gate electrode of the display area TFT, or the same metal 108', 108'' as the source/drain electrode is disposed in the non-display area I/A for wiring or electrodes. Can be. Furthermore, the same metal 112 ′ as one electrode (eg, anode) of the organic light emitting diode may be disposed in the non-display area I/A for wiring and electrodes.

비표시 영역(I/A)의 베이스 층(101), 버퍼 층(130), 게이트 절연 층(105), 평탄화 층(107) 등은 표시 영역(A/A)에서 설명된 것과 같다. 댐(190)은 유기막(122)이 비표시 영역(I/A)에 너무 멀리 퍼지는 것을 제어하는 구조물이다. 비표시 영역(I/A)에 배치된 각종 회로와 전극/전선은 게이트 금속(104') 및/또는 소스/드레인 금속(108')으로 만들어질 수 있다. 이때, 게이트 금속(104')은 TFT의 게이트 전극과 동일한 물질로 동일 공정에서 형성되며, 소스/드레인 금속(108', 108'')은 TFT의 소스/드레인 전극과 동일한 물질로 동일 공정에서 형성된다. The base layer 101, the buffer layer 130, the gate insulating layer 105, and the planarization layer 107 of the non-display area I/A are the same as those described in the display area A/A. The dam 190 is a structure that controls the organic layer 122 from spreading too far in the non-display area I/A. Various circuits and electrodes/wires disposed in the non-display area I/A may be made of the gate metal 104' and/or the source/drain metal 108'. At this time, the gate metal 104' is formed in the same process with the same material as the gate electrode of the TFT, and the source/drain metals 108' and 108'' are formed in the same process with the same material as the source/drain electrodes of the TFT. do.

예를 들어, 소스/드레인 금속은 전원(예: 저전위 전원(VSS)) 배선(108')으로 사용될 수 있다. 이때, 상기 전원 배선(108')은 연결 전극(112')과 연결되고, 유기발광 다이오드의 캐소드(116)는 상기 저전위 전원 배선(108') 및 연결 전극(112')과의 연결을 통해 전원을 공급받을 수 있다. 상기 연결 전극(112')은 저전위 전원 배선(108')과 접촉하고, 평탄화 층(107)의 최외곽 측벽을 타고 연장되어 평탄화 층(107) 상부에서 캐소드(116)와 접촉할 수 있다. 상기 연결 전극(112')은 유기발광 다이오드의 애노드(112)와 동일한 물질로 동일한 공정에서 형성된 금속 층일 수 있다. 상기 연결 전극(108')은 게이트 구동 회로(GIP) 상부를 지나갈 수 있다. 상기 게이트 구동 회로(GIP)의 각종 소자들은 게이트 금속(104'), 소스/드레인 금속(108'')으로 구현될 수 있다. For example, source/drain metal may be used as the power source (eg, low potential power source (V SS )) wiring 108 ′. At this time, the power wiring 108' is connected to the connection electrode 112', and the cathode 116 of the organic light emitting diode is connected through the low potential power wiring 108' and the connection electrode 112'. Power can be supplied. The connection electrode 112 ′ may contact the low potential power wiring 108 ′ and extend along the outermost sidewall of the planarization layer 107 to contact the cathode 116 on the planarization layer 107. The connection electrode 112' may be a metal layer formed in the same process with the same material as the anode 112 of the organic light emitting diode. The connection electrode 108 ′ may pass over the gate driving circuit GIP. Various elements of the gate driving circuit GIP may be implemented with a gate metal 104' and a source/drain metal 108''.

도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 외곽부 구조를 나타낸 예시도이다.3 is an exemplary view showing an outer structure of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present specification.

도 3은 도 1의 A 영역을 확대한 도면으로, 연결 전극(112')과 게이트 구동 회로(GIP)만 도시되었으며, 기타 요소(저전위 전원 배선, 캐소드 전극, 게이트 신호 라인 등)은 생략되었다. 3 is an enlarged view of region A of FIG. 1, only the connection electrode 112' and the gate driving circuit (GIP) are shown, and other elements (low potential power wiring, cathode electrode, gate signal line, etc.) are omitted. .

저전위 전원 배선은 연결 인터페이스(예: PAD)로부터 표시 영역(A/A) 방향으로 연장된다. 상기 저전위 전원 배선은, 표시 영역(A/A)에 있는 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 또는 드레인 전극과 동일한 층상에 동일한 금속으로 형성된 것일 수 있다. 이때 상기 저전위 전원 배선은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 순으로 적층된 다층 구조를 갖는 금속(소위, Ti/Al/Ti)일 수 있다. The low potential power wiring extends from the connection interface (eg, PAD) in the direction of the display area (A/A). The low potential power wiring may be formed of the same metal on the same layer as the source or drain electrode of the thin film transistor TFT in the display area A/A. At this time, the low-potential power wiring may be a metal (so-called Ti/Al/Ti) having a multi-layer structure stacked in the order of titanium (Ti), aluminum (Al), and titanium (Ti).

상기 연결 전극(112')은 상기 저전위 전원 배선과 캐소드 전극(도 2의 116)을 연결한다. 상기 연결 전극(112')을 통해 유기발광 다이오드에 저전위 전원이 전달된다. 상기 연결 전극(112')은 유기발광 다이오드의 애노드 전극(도 2의 112)과 동일한 물질로 형성된 것일 수 있다.The connection electrode 112 ′ connects the low potential power wiring and the cathode electrode (116 in FIG. 2 ). Low potential power is transmitted to the organic light emitting diode through the connection electrode 112'. The connection electrode 112' may be formed of the same material as the anode electrode (112 of FIG. 2) of the organic light emitting diode.

상기 연결 전극(112')은 도 2에서 설명한 것 같이 게이트 구동 회로(GIP) 상부를 지나갈 수 있다. 본 명세서의 발명자들은 이러한 외곽부 도선 구조에서 몇 가지 취약점이 있음을 발견하였다. 그 중 하나는, 상기 연결 전극(112')의 하부에 있는 게이트 구동 회로(GIP)를 검사하기 어렵다는 점이다. The connection electrode 112 ′ may pass over the gate driving circuit GIP as described in FIG. 2. The inventors of this specification have found that there are some vulnerabilities in this outer conductor structure. One of them is that it is difficult to inspect the gate driving circuit GIP under the connection electrode 112'.

유기발광 표시장치의 제조 공정 중에 여러 검사를 하는데, 몇몇 불량 현상은 게이트 구동 회로(GIP)의 동작에 원인이 있을 수 있다. 이때에는 현상 분석과 원인 규명을 위해 게이트 구동 회로(GIP)를 검사해야 하는데, 그 상부가 연결 전극(112')으로 덮인 게이트 구동 회로(GIP)를 자세히 검사/분석하는 것은 사실상 불가능하다. 더 나아가, 게이트 구동 회로(GIP)에서 불량 부분을 발견하여도, 해당 부분을 수리(repair)하기는 더더욱 어렵다. 발명자들은 이와 같은 문제를 인식하고 상기 연결 전극(112')과 게이트 구동 회로(GIP)의 적절한 배치 구조를 고안하였다.Various tests are performed during the manufacturing process of the organic light emitting display device, and some defects may be caused by the operation of the gate driving circuit (GIP). At this time, the gate driving circuit (GIP) needs to be inspected for phenomenon analysis and investigation of the cause, and it is virtually impossible to inspect/analyze the gate driving circuit (GIP) whose upper part is covered with the connection electrode 112'. Furthermore, even if a defective portion is found in the gate driving circuit (GIP), it is more difficult to repair the portion. The inventors recognized this problem and devised an appropriate arrangement structure of the connection electrode 112' and the gate driving circuit (GIP).

도 4는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 외곽부 구조를 나타낸 도면이다. 4 is a diagram illustrating an outer structure of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present specification.

상기 유기발광 표시장치는, 표시 영역(A/A)의 외곽부에 개선된 배치 구조를 적용하였다. 도 4는 도 1의 A 영역을 확대한 도면으로, 설명의 편의를 위해 연결 전극(412'-1, 412'-2)과 게이트 구동 회로(GIP)만 도시되었고, 기타 요소들은 생략되었다. 도 2에 설명된 구조의 봉지 층(120)이 A 영역의 일부 또는 전부를 덮을 수 있다. In the organic light emitting display device, an improved arrangement structure is applied to an outer portion of the display area (A/A). 4 is an enlarged view of region A of FIG. 1, for convenience of description, only the connection electrodes 412'-1 and 412'-2 and the gate driving circuit GIP are illustrated, and other elements are omitted. The encapsulation layer 120 of the structure illustrated in FIG. 2 may cover part or all of the region A.

상기 유기발광 표시장치는, 표시 영역의 외부에 배치된 전원 배선; 상기 전원 배선과 상기 표시 영역의 화소 회로에 포함된 유기발광 다이오드를 연결하는 연결 전극(412'-1, 412'-2)을 포함할 수 있다. 이때 상기 연결 전극은, 상기 전원 배선과 연결되며 개구 영역이 없는 제1 부분(412'-1) 및 상기 제1 부분(412'-1)과 상기 유기발광 다이오드 사이에 있으며 개구 영역을 갖는 제2 부분(412'-2)을 포함한다.The organic light emitting display device includes: a power wiring disposed outside the display area; And connection electrodes 412'-1 and 412'-2 connecting the power wiring and the organic light emitting diode included in the pixel circuit of the display area. At this time, the connection electrode is connected to the power supply wire and has a first portion 412'-1 without an opening region and a second portion having an opening region between the first portion 412'-1 and the organic light emitting diode. Portion 412'-2.

상기 전원 배선은 연결 인터페이스(예: PAD)로부터 표시 영역 방향으로 연장된다. 상기 전원 배선은, 유기발광 다이오드에 저전위 전원(VSS)을 전달하는 도선일 수 있다. 이때 상기 전원 배선은, 표시 영역에 있는 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 또는 드레인 전극과 동일한 층상에 동일한 금속으로 형성된 것일 수 있다. 이 경우 상기 전원 배선은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 순으로 적층된 다층 구조를 갖는 금속(소위, Ti/Al/Ti)일 수 있다. The power wiring extends from the connection interface (eg, PAD) in the direction of the display area. The power supply wiring may be a conductive wire that delivers a low potential power supply (V SS ) to the organic light emitting diode. In this case, the power wiring may be formed of the same metal on the same layer as the source or drain electrode of the thin film transistor TFT in the display area. In this case, the power wiring may be a metal (so-called Ti/Al/Ti) having a multilayer structure stacked in the order of titanium (Ti), aluminum (Al), and titanium (Ti).

상기 연결 전극(412'-1, 412'-2)은 상기 전원 배선과 유기발광 다이오드의 캐소드 전극(도 2의 116)을 연결할 수 있다. 상기 연결 전극(412'-1, 412'-2)을 통해 유기발광 다이오드에 저전위 전원이 전달된다. 상기 연결 전극(112')은 표시 영역의 화소 회로에 포함된 유기발광 다이오드의 애노드 전극(도 2의 112)과 동일한 물질로 형성된 것일 수 있다.The connection electrodes 412'-1 and 412'-2 may connect the power wiring and the cathode electrode (116 of FIG. 2) of the organic light emitting diode. Low potential power is transmitted to the organic light emitting diode through the connection electrodes 412'-1 and 412'-2. The connection electrode 112 ′ may be formed of the same material as the anode electrode (112 of FIG. 2) of the organic light emitting diode included in the pixel circuit of the display area.

한편, 상기 연결 전극(412'-1, 412'-2)은 구동 회로의 상부에 위치할 수 있다. 이때 도 2에 예시한 것과 같이 상기 구동 회로의 상부는 절연 층(107)이 덮고, 상기 연결 전극(412'-1, 412'-2)은 절연 층(107)위에 위치할 수 있다. 또한 상기 연결 전극(412'-1, 412'-2)은 상기 절연 층(107) 위에서 유기발광 다이오드의 일 전극과 접속될 수 있다. Meanwhile, the connection electrodes 412'-1 and 412'-2 may be located on the upper portion of the driving circuit. In this case, as illustrated in FIG. 2, an upper portion of the driving circuit is covered with an insulating layer 107, and the connection electrodes 412 ′-1 and 412 ′-2 may be positioned on the insulating layer 107. Also, the connection electrodes 412'-1 and 412'-2 may be connected to one electrode of the organic light emitting diode on the insulating layer 107.

상기 연결 전극의 제1 부분(412'-1)은, 그 하부에 있는 층/구조물을 노출시키지 않지만, 제2 부분(412'-2)은 개구 영역(opening area)를 구비함으로써 그 하부에 있는 층/구조물을 노출시킬 수 있다. 즉, 상기 개구 영역은 상기 연결 전극의 하부에 있는 구동 회로(GIP)의 적어도 일부를 드러내도록 구비된다. 이렇게 개구 영역을 마련한 이유는, 그 하부의 회로를 용이하게 검사 및/또는 수리(repair)하기 위함이다. 도 3에서 상술하였듯이, 구동 회로(GIP)의 이상이 의심되면, 이물질의 유입이나 단락, 번트(burnt) 등이 있는지 확인해야 하는데, 도 4와 같이 개구 영역이 구비되면 이러한 확인 및 조치를 수월하게 행할 수 있다. The first portion 412'-1 of the connecting electrode does not expose the layer/structure underneath it, but the second portion 412'-2 has an opening area below it. Layers/structures can be exposed. That is, the opening area is provided to expose at least a portion of the driving circuit GIP under the connection electrode. The reason for providing the opening area is to easily inspect and/or repair the circuit underneath. As described above with reference to FIG. 3, when an abnormality of the driving circuit (GIP) is suspected, it is necessary to check whether there is an inflow of foreign substances, a short circuit, a burnt, etc. I can do it.

따라서, 상기 개구 영역은 상기 구동 회로(GIP)를 검사하기에 충분한 면적을 갖도록 구비된다. 일 예로, 상기 개구 영역의 최단 폭(도 4에서는 상하 폭)은 상기 제2 부분(412'-1)의 선 폭line width)보다 10배 이상 길게 구비될 수 있다. Therefore, the opening area is provided to have an area sufficient to inspect the driving circuit GIP. For example, the shortest width (upper and lower widths in FIG. 4) of the opening area may be 10 times longer than the line width of the second portion 412'-1.

상기 구동 회로(GIP)는, 상기 화소 회로에 게이트 제어 신호(또는 스캔 제어 신호)를 제공하는 게이트 구동 회로일 수 있으며, 다수의 박막 트랜지스터로 구현될 수 있다. 이에 상기 개구 영역은 상기 구동 회로에 포함된 박막 트랜지스터를 노출시키도록 설계될 수 있다., 즉, 다른 구성 요소들보다 검사/수선 빈도가 높은 박막 트랜지스터들이 최대한 많이 개구 영역의 아래에 놓이도록, 개구 영역의 배치, 면적 등이 설계될 수 있다. 또한 연결 전극과 구동 회로 사이에 불요한 커패시턴스가 발생할 수 있는데, 개구 영역이 충분히 있다면 이와 같은 불필요한 커패시턴스를 억제할 수 있다. 반면, 개구 영역이 너무 넓으면 연결 전극의 저항이 상승하므로, 이를 고려하여 적정한 면적의 개구 영역을 마련하는 것이 바람직하다. The driving circuit GIP may be a gate driving circuit that provides a gate control signal (or scan control signal) to the pixel circuit, and may be implemented as a plurality of thin film transistors. Accordingly, the opening area may be designed to expose the thin film transistor included in the driving circuit. That is, the opening is such that thin film transistors having a higher frequency of inspection/repair than other components are placed under the opening area as much as possible. The arrangement of areas, areas, etc. can be designed. In addition, unnecessary capacitance may occur between the connection electrode and the driving circuit. If the opening area is sufficient, such unnecessary capacitance can be suppressed. On the other hand, if the opening area is too wide, the resistance of the connecting electrode rises, so it is desirable to provide an opening area having an appropriate area in consideration of this.

상술한 연결 전극의 구조를 통해 구동 회로의 검사 및 수리가 수월해진다. 따라서, 본 명세서의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 불량 검출 및 대응 효율을 증진하여 제품 신뢰성 향상에 기여할 수 있다. Through the structure of the above-described connection electrode, inspection and repair of the driving circuit are facilitated. Therefore, the organic light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present specification may contribute to improving product reliability by improving defect detection and corresponding efficiency.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 그 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 당업자에 의해 기술적으로 다양하게 연동 및 구동될 수 있으며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시되거나 연관 관계로 함께 실시될 수도 있다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present specification have been described in detail with reference to the accompanying drawings, the present specification is not necessarily limited to these embodiments, and may be variously modified without departing from the technical spirit. Therefore, the embodiments disclosed in the present specification are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Each of the features of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, and may be technically interlocked and driven by a person skilled in the art, and each of the embodiments may be implemented independently of each other or together in an associative relationship. It may be practiced. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical spirits within the equivalent range should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

Claims (10)

표시 영역의 외부에 배치된 전원 배선;
상기 전원 배선과 상기 표시 영역의 화소 회로에 포함된 유기발광 다이오드를 연결하는 연결 전극;을 포함하고,
상기 연결 전극은 상기 전원 배선과 연결되며 개구 영역이 없는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 상기 유기발광 다이오드 사이에 있으며 개구 영역을 갖는 제2 부분을 포함하는, 유기발광 표시장치.Power wiring arranged outside the display area;
It includes; a connection electrode for connecting the power wiring and the organic light emitting diode included in the pixel circuit of the display area;
And the connection electrode comprises a first portion connected to the power supply wiring and having no opening region, and a second portion between the first portion and the organic light emitting diode and having an opening region. 제1 항에 있어서,
상기 개구 영역은 상기 연결 전극 하부에 있는 구동 회로의 일부를 드러내도록 구비된 유기발광 표시장치.According to claim 1,
The opening area is an organic light emitting display device provided to expose a part of the driving circuit under the connection electrode. 제2 항에 있어서,
상기 개구 영역은 상기 구동 회로를 검사하기에 충분한 면적을 갖는 유기발광 표시장치.According to claim 2,
The opening area has an area sufficient to inspect the driving circuit. 제3 항에 있어서,
상기 개구 영역의 최단 폭은 상기 제2 부분의 선 폭보다 10배 이상 긴 유기발광 표시장치.According to claim 3,
The shortest width of the opening area is at least 10 times longer than the line width of the organic light emitting display device. 제1 항에 있어서,
상기 개구 영역은 상기 구동 회로에 포함된 박막 트랜지스터를 노출시키는 유기발광 표시장치.According to claim 1,
The opening area exposes the thin film transistor included in the driving circuit. 제1 항에 있어서,
상기 구동 회로는, 상기 화소 회로에 게이트 제어 신호를 제공하는 게이트 구동 회로인 유기발광 표시장치.According to claim 1,
The driving circuit is an organic light emitting display device that is a gate driving circuit that provides a gate control signal to the pixel circuit. 제1 항에 있어서,
상기 연결 전극은, 상기 표시 영역의 화소 회로에 포함된 유기발광 다이오드의 애노드 전극과 동일한 물질로 형성된 유기발광 표시장치.According to claim 1,
The connection electrode is an organic light emitting display device formed of the same material as the anode electrode of the organic light emitting diode included in the pixel circuit of the display area. 제1 항에 있어서,
상기 전원 배선은, 상기 유기발광 다이오드에 저전위 전원(VSS)을 전달하는 도선인 유기발광 표시장치.According to claim 1,
The power wiring is an organic light emitting display device that is a conducting wire that delivers a low potential power supply (V SS ) to the organic light emitting diode. 제8 항에 있어서,
상기 전원 배선은, 상기 표시 영역의 화소 회로에 포함된 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 동일한 물질로 형성된 유기발광 표시장치.The method of claim 8,
The power wiring is an organic light emitting display device formed of the same material as a source electrode or a drain electrode of a thin film transistor (TFT) included in a pixel circuit of the display area. 제8 항에 있어서,
상기 연결 전극은, 상기 전원 배선과 상기 유기발광 다이오드의 캐소드를 연결하는 유기발광 표시장치.The method of claim 8,
The connection electrode is an organic light emitting display device that connects the power wiring and the cathode of the organic light emitting diode.
KR1020180164814A 2018-12-19 2018-12-19 Organic light emitting display device KR20200076095A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180164814A KR20200076095A (en) 2018-12-19 2018-12-19 Organic light emitting display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180164814A KR20200076095A (en) 2018-12-19 2018-12-19 Organic light emitting display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200076095A true KR20200076095A (en) 2020-06-29

Family

ID=71400888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180164814A KR20200076095A (en) 2018-12-19 2018-12-19 Organic light emitting display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20200076095A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200379595A1 (en) Display device
US9501165B2 (en) Organic light emitting diode display device with touch screen and method of fabricating the same
KR20190013172A (en) Organic light emitting display device
KR102664769B1 (en) Display device
KR102569727B1 (en) Display device
KR20220143624A (en) Display device
KR102650513B1 (en) Organic light emitting display device
CN112786648A (en) Display device
KR102533228B1 (en) Organic light emitting display device
KR102682193B1 (en) Array substrate and Display device including the same
CN113035908B (en) Organic light emitting display device
KR20200076095A (en) Organic light emitting display device
KR102538361B1 (en) Organic light emitting display device
KR20220094535A (en) Display apparatus
KR102610485B1 (en) Electroluminescent display device
KR20200072177A (en) A conductive layer and a display panel having the same
KR102637116B1 (en) Organic light emitting display device
KR102596934B1 (en) Organic light emitting display device
JP7086610B2 (en) Display device
KR102701863B1 (en) Display Device
KR20190013082A (en) Display device
KR102557410B1 (en) Organic light emitting display device
US20230200115A1 (en) Display device
KR20220091798A (en) Organic light emitting display device
KR20220082366A (en) Display apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application