KR20200068316A - Apparatus for measuring radon emanation rate of construction material - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an apparatus for measuring a radon emissivity of building materials, which includes: a hemisphere chamber formed in a hemisphere shape in a structure on which an insulating layer and a conductor layer are stacked and compressed on surfaces of the building materials; a conductive cone coil installed in an inner space of the hemisphere chamber in a structure spirally rolled up toward the center of the hemisphere chamber; a power supply part forming an electric field in the inner space of the hemisphere chamber by applying power between the conductor layer of the hemisphere chamber and the cone coil; and an electronic circuit part calculating the radon emissivity of the building materials by using pulses generated from the cone coil.

Description

건축자재의 라돈방출율 측정장치 {Apparatus for measuring radon emanation rate of construction material}Apparatus for measuring radon emanation rate of construction material}

건축자재의 라돈방출율을 측정하는 장치에 관한 것이다. It relates to a device for measuring the radon release rate of building materials.

라돈은 우라늄, 라듐 등을 비롯한 자연방사성 물질의 하나로서 실내 공기 등 생활 환경으로부터 일상적으로 노출됨으로써 폐암을 유발하는 등 거주자들의 건강을 위협하는 주요 발암물질이다. 세계보건기구(World Health Organization, WHO)와 미국 환경청(U.S. Environmental Protection Agency, USEPA)은 라돈을 흡연 다음으로 폐암을 유발하는 주요 원인물질로 규정하고 실내 공기 중의 라돈농도를 관리하도록 권고하고 있다. 라돈은 실외공기나 지하수 중에도 존재하지만 실내공기를 통한 노출(95% 가량)이 대부분을 차지하며, 라돈은 토양과 접하는 건축물의 틈을 통한 유입과 건축자재에 들어 있는 라듐 등으로부터 발생하여 실내공기를 통해 노출된다. Radon is one of the natural radioactive materials such as uranium and radium, and is a major carcinogen that threatens the health of residents, such as causing lung cancer by being routinely exposed from living environments such as indoor air. The World Health Organization (WHO) and the U.S. Environmental Protection Agency (USEPA) recommend that radon be the main cause of lung cancer after smoking and control radon levels in indoor air. Radon is also present in outdoor air or ground water, but exposure through indoor air (about 95%) accounts for the majority, and radon is generated from inflow through the gaps of buildings that come into contact with the soil and radium contained in building materials. Is exposed through.

라돈은 건축된 집의 토양과 암석으로부터 주로 형성되지만, 건축자재에서 발생되는 라돈 역시 실내 환경에서 라돈의 주된 잠재적 발생원의 하나로 알려져 있다. 특히, 고층아파트 실내공기 중 라돈농도의 증가가 건축자재에 의한 것으로 보도됨에 따라 건축자재의 라돈 방출과 이로 인한 건강 위해에 대한 사회적 관심이 증대되고 있다. 최근, 실내공기질(Indoor Air Quality, IAQ)의 중요성이 부각되면서 실내 공기질 개선을 위한 많은 방안들이 제안되고 적용되어지고 있다. 특히, 오염된 실내공기의 환기는 실내 공기질 개선에 있어 가장 선두적 위치에 서 있다는 것은 널리 알려져 있다. 또한, 라돈에 대한 저감방안으로는 토양 배기법이 가장 효율적 방법으로 라돈의 주 발생원으로 알려져 있는 토양 또는 암석으로부터 발생된 라돈이 실내 유입되기 전에 건물의 외부로 배출시킴으로 실내 라돈농도를 저감시키는 방법이 널리 이용되어지고 있다. Radon is mainly formed from the soil and rocks of a built house, but radon generated from construction materials is also known as one of the main potential sources of radon in indoor environments. In particular, as the increase in radon concentration in high-rise apartment indoor air is reported to be caused by building materials, social interest in the release of radon from building materials and the resulting health risks is increasing. Recently, as the importance of indoor air quality (IAQ) has been highlighted, many methods for improving indoor air quality have been proposed and applied. In particular, it is widely known that ventilation of contaminated indoor air is at the forefront of improving indoor air quality. In addition, as a method for reducing radon, the method of reducing indoor radon concentration by discharging radon generated from soil or rock, which is known as the main source of radon as the most efficient method, is discharged outside the building before it enters the room. It is widely used.

고층 아파트에서 높은 실내 라돈농도가 발생하였을 경우에 토양 배기법은 이 건물에 적용하기에 유명무실한 방법으로 이들 고농도의 고층 아파트에서는 토양보다는 건축자재에서 방출되는 라돈에 의한 실내 농도의 증가가 이루어진 것으로 알려져 있으며, 이 고농도의 라돈 저감에 적합한 방법으로는 환기에 의한 저감 방법이 권유되어지고 있다. 그러나, 최근 에너지 보존의 의식 고조로 인해 계획성 없는 환기량의 증가에 대한 대책이 활발하게 논의되고 있다. 고층 아파트에서 거주하는 인구가 점차적으로 증가함에 따라 고층 아파트의 건설 당시에 라돈방출율이 낮은 건축자재를 사용하거나 실내 벽면이나 바닥면의 건축자재를 라돈방출율이 낮은 건축자재로 교체하는 방안에 대한 관심이 증가하고 있다. When high indoor radon concentration occurs in high-rise apartments, the soil exhaust method is not known for its application to these buildings, and it is known that in these high-rise high-rise apartments, the indoor concentration increased by radon emitted from building materials rather than soil. As a method suitable for reducing this high concentration of radon, a method of reducing by ventilation is recommended. However, recently, measures to increase unplanned ventilation due to heightened awareness of energy conservation have been actively discussed. As the number of people living in high-rise apartments gradually increases, interest in how to use high-rise apartment building materials with low radon emission rate or to replace building materials on indoor walls or floors with low-radon release building materials Doing.

현재 알려진 라돈 검출기는 그 검출 방식에 따라 적분형, 연속형, 포집형으로 분류되며, 외부 전원의 필요 여부에 따라 외부전원이 필요하면 능동형(active), 필요치 않으면 수동형(passive)으로 분류된다. 능동형 검출기는 라돈의 단기간 연속 측정에 사용되며 관심 있는 장소에서의 라돈 농도의 시간에 따른 변화를 측정하는데 유용하다. 이에 반해, 수동형 검출기는 수주에서 수년에 이르는 라돈의 장기간 측정에 사용되며 일정기간 동안의 평균 라돈 농도를 얻어낼 수 있다. 능동형 검출기의 예로는 펄스형 전리함(pulsed ionization chamber), 섬광셀(scintillation cell), 실리콘 방식 등을 들 수 있고, 수동형 검출기의 예로는 알파비적검출기(alpha track detector), 차콜캐니스터(charcoal canister), 충전막전리함(electret ion chamber) 방식 등을 들 수 있다. Currently known radon detectors are classified into an integral type, a continuous type, and a collection type according to the detection method, and are classified into an active type when an external power source is required and a passive type if not required. Active detectors are used for short-term continuous measurements of radon and are useful for measuring the change over time of radon concentrations in places of interest. In contrast, passive detectors are used for long-term measurements of radon ranging from weeks to years and can obtain average radon concentrations over a period of time. Examples of the active detector include a pulsed ionization chamber, a scintillation cell, and a silicon method. Examples of the passive detector include an alpha track detector, a charcoal canister, and the like. And an electret ion chamber method.

일부 건축자재에 대해서는 평균 라돈방출율이 알려져 있으나 동일 소재의 건축자재라 하더라도 건축자재 별로 라돈방출율의 차이가 크고 오래된 건축물의 경우에 건축자재의 소재를 알 수 없는 경우가 빈번하다. 따라서, 건축물의 건설 현장이나 리모델링 현장에서 라돈 검출기를 들고 다니면서 건축자재 별로 라돈방출율을 측정할 필요가 있다. 그러나, 수동형 검출기는 라돈 측정에 매우 오랜 시간이 걸리는 단점이 있고, 능동형 검출기는 부피가 매우 커서 휴대가 불가능할 뿐만 아니라 매우 고가라는 단점이 있다. For some construction materials, the average radon release rate is known, but even in the case of construction materials of the same material, the difference in the radon release rate for each building material is large, and in the case of old buildings, the material of building materials is often unknown. Therefore, it is necessary to measure the emission rate of radon for each building material while carrying a radon detector at a construction site or a remodeling site of the building. However, the passive detector has a disadvantage in that it takes a very long time to measure radon, and the active detector has a disadvantage in that it is not only portable but also very expensive.

짧은 시간 내에 간편하게 건축자재의 라돈방출율을 측정할 수 있는 장치를 제공하는데 있다. 상기된 바와 같은 기술적 과제로 한정되지 않으며, 이하의 설명으로부터 또 다른 기술적 과제가 도출될 수도 있다.It is to provide a device that can easily measure the radon release rate of building materials in a short time. The technical problem is not limited to the above, and another technical problem may be derived from the following description.

본 발명에 따른 건축자재의 라돈방출율 측정장치는 절연층 및 도체층이 적층된 구조의 반구형으로 형성되어 건축자재의 표면에 압착되는 반구챔버; 상기 반구챔버의 중심을 향하여 나선형으로 말려져 올라가는 구조로 상기 반구챔버의 도체층과 상기 건축자재의 표면 사이의 공간에 설치되는 도전성의 원추코일; 상기 반구챔버의 도체층과 상기 원추코일 사이에 전원을 인가함으로써 상기 공간에 전기장을 형성하는 전원공급부; 및 상기 전기장에 의해 상기 원추코일에 발생된 펄스들을 이용하여 상기 건축자재의 라돈방출율을 산출하는 전자회로부를 포함한다.Radon emission rate measuring apparatus of a building material according to the present invention is formed in a hemispherical shape of a structure in which an insulating layer and a conductor layer are stacked, a hemisphere chamber pressed against the surface of the building material; A conductive conical coil installed in a space between the conductor layer of the hemisphere chamber and the surface of the building material in a structure that spirally rolls upward toward the center of the hemisphere chamber; A power supply unit forming an electric field in the space by applying power between the conductor layer of the hemisphere chamber and the conical coil; And an electronic circuit unit for calculating the radon emission rate of the building material using pulses generated in the conical coil by the electric field.

상기 공간 내에는 상기 건축자재의 표면으로부터 방출된 라돈이 붕괴되는 과정에서의 알파 입자들에 의해 다수의 이온쌍이 생성되고, 상기 공간 내의 각 이온쌍의 전자는 상기 전기장에 의해 상기 원추코일 측으로 흡인되어 수집되고, 상기 각 이온쌍의 양이온은 상기 도전층 측으로 흡인되어 수집되고, 상기 원추코일의 전자 수집과 상기 도전층의 양이온 수집에 의해 상기 원추코일에는 펄스들이 발생된다. In the space, a number of ion pairs are generated by alpha particles in the process of decay of radon emitted from the surface of the building material, and electrons of each ion pair in the space are sucked toward the cone coil by the electric field Collected, the cations of each ion pair are sucked and collected toward the conductive layer, and pulses are generated in the conical coil by electron collection of the cone coil and cation collection of the conductive layer.

상기 원추코일은 상기 도전층의 표면에 대해 상기 각 이온쌍의 전자와 양이온을 흡인할 수 있는 가장 넓은 간격을 유지하면서 상기 반구챔버의 중심을 향하여 나선형으로 말려져 올라가는 형태로 형성될 수 있다.The conical coil may be formed in a spirally rolled upward shape toward the center of the hemisphere chamber while maintaining the largest gap capable of sucking electrons and cations of each ion pair with respect to the surface of the conductive layer.

상기 전자회로부는 상기 원추코일에 발생된 펄스들을 증폭하는 증폭부; 상기 증폭된 펄스들의 개수를 상기 펄스들의 개수에 비례하는 크기의 전압으로 변환하는 펄스카운터; 및 상기 변환된 전압의 크기로부터 상기 건축자재의 라돈방출율을 산출하는 산출부를 포함할 수 있다. The electronic circuit unit amplifies amplifying the pulses generated in the conical coil; A pulse counter that converts the number of amplified pulses into a voltage having a magnitude proportional to the number of pulses; And it may include a calculation unit for calculating the radon release rate of the building material from the magnitude of the converted voltage.

상기 증폭부는 상기 원추코일에 발생된 펄스가 입력되는 순간에 로우로부터 하이로 전환되고 상기 펄스가 사라지는 순간에 하이가 로우로 전환되는 장방형 펄스를 포함하는 신호를 출력하고. 상기 펄스카운터는 상기 증폭부로부터 입력되는 신호가 하이일 때에 충전되는 커패시터; 및 상기 커패시터에 병렬 연결되어, 상기 커패시터에 충전된 전하량에 비례하는 크기의 전압이 걸리는 저항을 포함할 수 있다. The amplifying unit outputs a signal including a rectangular pulse that changes from low to high at the moment when the pulse generated in the conical coil is input, and changes from high to low at the moment the pulse disappears. The pulse counter includes a capacitor charged when the signal input from the amplifying unit is high; And a resistor connected in parallel to the capacitor and having a voltage of a magnitude proportional to the amount of charge charged in the capacitor.

상기 전자회로부는 상기 공간에 설치되어, 게이트가 상기 원추코일의 일단에 연결되고, 드레인이 상기 전자회로부의 구동 전원의 플러스 단자와 연결되고, 소스는 전자회로부의 구동 전원의 마이너스 단자와 연결됨으로써 상기 공간 내에서 상기 원추코일에 발생된 펄스들을 포함하는 신호를 증폭하는 JFET(Junction Field Effect Transistor)를 포함할 수 있다.The electronic circuit is installed in the space, a gate is connected to one end of the conical coil, a drain is connected to a positive terminal of the driving power of the electronic circuit, and a source is connected to a negative terminal of the driving power of the electronic circuit. It may include a Junction Field Effect Transistor (JFET) for amplifying a signal including pulses generated in the conical coil in space.

상기 반구챔버는 상기 도체층에 해당하는 내도체층, 상기 절연층, 및 외도체층이 적층된 구조의 반구형으로 형성되고, 상기 공간 내에서 상기 내도체층과 상기 외도체층 사이에 연결되어 상기 전자회로부로 저주파수 대역의 노이즈가 유입되는 것을 차단하는 커패시터를 더 포함할 수 있다.The hemisphere chamber is formed in a semi-spherical shape in which the inner conductor layer, the insulating layer, and the outer conductor layer corresponding to the conductor layer are stacked, and is connected between the inner conductor layer and the outer conductor layer in the space, and is a low frequency to the electronic circuit part. It may further include a capacitor to block the inflow of noise in the band.

반구챔버가 건축자재의 표면에 압착된 상태에서 반구챔버의 중심을 향하여 나선형으로 말려져 올라가는 구조의 원추코일에 발생된 펄스들을 이용하여 건축자재의 라돈방출율을 산출함으로써 사용자가 반구챔버를 건축자재의 표면에 압착시키는 동작만으로 건축자재의 라돈방출율을 수분 내에 즉시 얻을 수 있다. 특히, 원추코일에 발생된 펄스들을 증폭하고, 증폭된 펄스들의 개수를 펄스들의 개수에 비례하는 크기의 전압으로 변환하고, 그 전압의 크기로부터 건축자재의 라돈방출율을 산출함으로써 건축자재의 라돈방출율을 정확하게 측정할 수 있다. 상기된 바와 같은 효과로 한정되지 않으며, 이하의 설명으로부터 또 다른 효과가 도출될 수도 있다.When the hemisphere chamber is pressed against the surface of the building material, the radon release rate of the building material is calculated by using the pulses generated in the conical coil of the structure that spirals up toward the center of the hemisphere chamber to calculate the radon release rate of the building material. The radon release rate of building materials can be immediately obtained within minutes by pressing on the surface. In particular, by amplifying the pulses generated in the conical coil, converting the number of amplified pulses into a voltage of a size proportional to the number of pulses, and calculating the radon release rate of the building material by calculating the radon release rate of the building material from the magnitude of the voltage It can measure accurately. It is not limited to the effects as described above, and other effects may be derived from the following description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 라돈방출율 측정장치(1)의 외관도이다.
도 2는 도 1에 도시된 라돈방출율 측정장치(1)의 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 라돈방출율 측정장치(1)의 일부 절개도이다.
도 4는 도 3에 도시된 전자회로부(14)의 구성도이다.
도 5는 도 4에 도시된 증폭부(141)의 회로도이다.
도 6은 도 4에 도시된 펄스카운터(142)의 회로도이다.
1 is an external view of a radon emission rate measuring apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the radon release rate measuring device 1 shown in FIG. 1.
3 is a partially cut-away view of the radon release rate measuring device 1 shown in FIG. 1.
4 is a configuration diagram of the electronic circuit unit 14 shown in FIG. 3.
5 is a circuit diagram of the amplifier 141 shown in FIG. 4.
6 is a circuit diagram of the pulse counter 142 shown in FIG. 4.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 이하에서 설명되는 본 발명의 실시예는 건축자재의 표면에 압착된 상태로 건축자재의 라돈방출율을 짧은 시간 내에 측정할 수 있는 장치에 관한 것으로, 라돈을 방출하는 건축자재의 예로는 콘크리트, 석재, 석고보드 등을 들 수 있다. 이하에서는 이러한 장치를 간략하게 "라돈방출율 측정장치"로 호칭하기로 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. An embodiment of the present invention described below relates to a device capable of measuring a radon release rate of a building material in a short time while being compressed on a surface of a building material. Examples of building materials emitting radon include concrete, stone, And gypsum board. Hereinafter, such a device will be briefly referred to as a "radon release rate measuring device".

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 라돈방출율 측정장치(1)의 외관도이고, 도 2는 도 1에 도시된 라돈방출율 측정장치(1)의 단면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 라돈방출율 측정장치(1)의 일부 절개도이다. 도 1의 (a)는 건축자재(2)의 표면에 압착된 상태의 라돈방출율 측정장치(1)의 사시도이고, 도 1의 (b)는 건축물의 측벽을 이루고 있는 건축자재(2)에 압착된 상태의 라돈방출율 측정장치(1)의 측면도이다. 도 2에는 반구챔버(11)의 내부 공간에서의 이온화에 대한 이해를 돕기 위해 라돈방출율 측정장치(1)의 단면이 도시되어 있다. 도 3에는 반구챔버(11)의 내부에 존재하는 본 실시예의 구성이 노출되도록 반구챔버(11)의 일부가 절개된 상태로 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 라돈방출율 측정장치(1)는 반구챔버(11), 원추코일(12), 전원공급부(13), 전자회로부(14), 및 디스플레이부(15)로 구성된다. 이하에서 본 실시예를 설명하는 과정에서 상기된 주요 구성요소 외에 다른 구성요소가 등장할 수 있다.1 is an external view of a radon release rate measuring device 1 according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of a radon release rate measuring device 1 shown in FIG. 1, and FIG. 3 is shown in FIG. 1 It is a partial cutaway view of the radon release rate measuring device 1. Figure 1 (a) is a perspective view of the radon emission rate measuring device 1 in a compressed state on the surface of the building material 2, Figure 1 (b) is squeezed on the building material (2) constituting the side wall of the building It is a side view of the radon release rate measuring device 1 in a state. FIG. 2 is a cross-sectional view of the radon release rate measuring device 1 to help understand the ionization in the inner space of the hemisphere chamber 11. In FIG. 3, a part of the hemisphere chamber 11 is cut out so that the configuration of the present embodiment existing inside the hemisphere chamber 11 is exposed. Referring to FIG. 1, the radon emission rate measuring apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a hemisphere chamber 11, a conical coil 12, a power supply 13, an electronic circuit 14, and a display unit ( 15). In the following description, other components may appear in addition to the main components described above in the process of describing the present embodiment.

반구챔버(11)는 내도체층(111), 내절연층(112), 외도체층(113), 및 외절연층(114)이 적층된 구조의 반구형으로 형성되어 건축자재(2)의 표면에 압착된다. 내절연층(112)과 외절연층(114)은 견고한 합성수지 소재, 예를 들어 ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene), 엔지니어링 플라스틱 등으로 제조될 수 있고, 내도체층(111)과 외도체층(113)은 높은 도전율의 금속 소재, 예를 들어 알루미늄, 구리 등으로 제조될 수 있다. 여기에서, 내도체층(111)은 반구챔버(11) 내부의 전기장 형성시 캐소드의 역할을 하고, 외도체층(113)은 전자회로부(14)로 공급되는 전원의 그라운드로서의 역할을 한다. The hemisphere chamber 11 is formed in a semi-spherical structure in which the inner conductor layer 111, the inner insulating layer 112, the outer conductor layer 113, and the outer insulating layer 114 are stacked and pressed against the surface of the building material 2 do. The inner insulating layer 112 and the outer insulating layer 114 may be made of a solid synthetic resin material, for example, ABS (Acrylonitrile Butadiene Styrene), engineering plastic, etc., and the inner conductor layer 111 and the outer conductor layer 113 are high. It can be made of a conductive metal material, for example, aluminum, copper, or the like. Here, the inner conductor layer 111 serves as a cathode when forming an electric field inside the hemisphere chamber 11, and the outer conductor layer 113 serves as a ground for power supplied to the electronic circuit unit 14.

도 1-3에 도시된 바와 같이, 반구챔버(11)의 원형 둘레가 건축자재(2)의 표면에 압착됨에 따라 반구챔버(11)의 내도체층(111)과 건축자재(2)의 표면 사이에는 반구형의 내부 공간이 형성된다. 이하에서는 이러한 공간을 "반구챔버(11)의 내부 공간"으로 호칭하기로 한다. 반구챔버(11)의 외부 공기가 그 내부 공간으로 유입됨을 방지하기 위해 반구챔버(11)의 원형 둘레에는 고무 소재의 캡(115)이 씌워질 수 있다. 건축자재(2)로부터 방출된 라돈은 불활성 기체로서 긴 반감기를 가지고 있기 때문에 건축자재(2)의 표면 주변의 공기 중에 오랫동안 머물러 있게 된다. 반구챔버(11) 내부공간에는 건축자재(2)로부터 방출된 라돈이 존재하게 된다. 따라서, 반구챔버(11) 내부공간에 존재하는 라돈의 양으로부터 건축자재(2)의 라돈 방출율을 측정할 수 있다. 1-3, as the circular circumference of the hemisphere chamber 11 is compressed on the surface of the building material 2, between the inner conductor layer 111 of the hemisphere chamber 11 and the surface of the building material 2 In it, a hemispherical inner space is formed. Hereinafter, such a space will be referred to as "the inner space of the hemisphere chamber 11". In order to prevent the outside air of the hemisphere chamber 11 from flowing into the inner space, a cap 115 of a rubber material may be covered around the circle of the hemisphere chamber 11. Since the radon released from the building material 2 is an inert gas and has a long half-life, it stays in the air around the surface of the building material 2 for a long time. In the inner space of the hemisphere chamber 11, radon released from the building material 2 is present. Therefore, the radon release rate of the building material 2 can be measured from the amount of radon present in the inner space of the hemisphere chamber 11.

원추코일(12)은 반구챔버(11)의 중심을 향하여 나선형으로 말려져 올라가는 구조로 반구챔버(11)의 내부 공간에 설치된다. 원추코일(12)은 도전성의 금속 소재, 예를 들어 알루미늄, 구리 등으로 제조될 수 있다. 여기에서, 원추코일(12)은 반구챔버(11) 내부의 전기장 형성시 애노드의 역할을 한다. 원추코일(12)과 반구챔버(11)의 내도체층(111) 사이에 100V 이상의 고전압 전원이 인가되면 반구챔버(11)의 내부에는 아래에서 설명될 양이온과 음이온을 흡인할 수 있는 강도를 갖는 전기장이 형성될 수 있다. 이때, 전기장의 강도가 클수록 양이온과 음이온의 흡인 효율이 향상된다. 반구챔버(11) 내의 라돈은 붕괴되면서 알파 입자를 방출한다. 알파 입자는 그 에너지가 소멸되기 전까지 약 4 ~ 7cm의 아주 짧은 거리를 이동할 수 있다. 이에 따라, 원추코일(12)의 나선형 코일 부분의 높이는 7cm 이상이 바람직하다. The conical coil 12 is installed in the inner space of the hemisphere chamber 11 in a structure that is spirally rolled up toward the center of the hemisphere chamber 11. The conical coil 12 may be made of a conductive metal material, for example, aluminum or copper. Here, the conical coil 12 serves as an anode when forming an electric field inside the hemisphere chamber 11. When a high voltage power of 100 V or more is applied between the cone coil 12 and the inner conductor layer 111 of the hemisphere chamber 11, an electric field having a strength capable of sucking cations and anions to be described below inside the hemisphere chamber 11 It can be formed. At this time, the greater the strength of the electric field, the higher the suction efficiency of positive and negative ions. As the radon in the hemisphere chamber 11 collapses, it releases alpha particles. Alpha particles can travel very short distances of about 4 to 7 cm before their energy is dissipated. Accordingly, the height of the helical coil portion of the conical coil 12 is preferably 7 cm or more.

알파 입자는 약 4 ~ 7cm를 이동하면서 반구챔버(11) 내부의 공기를 이온화시키고, 이 과정에서 대략 십만 개의 이온쌍이 생성된다. 즉, 반구챔버(11)의 내부 공간 내에는 건축자재(2)의 표면으로부터 방출된 라돈이 붕괴되는 과정에서의 알파 입자들에 의해 다수의 이온쌍이 생성된다. 반구챔버(11)의 내도체층(111)과 원추코일(12) 사이에 걸린 고전압에 의해 형성된 전기장에 의해 반구챔버(11)의 내부 공간 내의 각 이온쌍의 전자는 애노드에 해당하는 원추코일(12) 측으로 흡인되어 수집되고, 각 이온쌍의 양이온은 캐소드에 해당하는 내도체층(111) 측으로 흡인되어 수집된다. 수 밀리세컨드 후에 각 이온쌍의 양이온은 전원공급부(13)로부터 출력된 고전압 전원으로부터의 전자와 결합된다. The alpha particles ionize the air inside the hemisphere chamber 11 while moving about 4 to 7 cm, and in the process, approximately 100,000 ion pairs are generated. That is, in the inner space of the hemisphere chamber 11, a plurality of ion pairs are generated by alpha particles in a process in which radon released from the surface of the building material 2 collapses. Electrons of each ion pair in the inner space of the hemisphere chamber 11 are conical coils 12 corresponding to the anode due to the electric field formed by the high voltage applied between the inner conductor layer 111 of the hemisphere chamber 11 and the cone coil 12 ) Is collected by being sucked toward the side, and cations of each ion pair are collected by being sucked toward the inner conductor layer 111 corresponding to the cathode. After a few milliseconds, the cations of each ion pair are combined with electrons from a high voltage power source output from the power supply 13.

그 결과, 원추코일(12)의 전자 수집과 반구챔버(11)의 양이온 수집에 의해 원추코일(12)의 일단과 전원공급부(13)의 배터리 사이에 존재하는 저항, 즉 도 2에 도시된 바와 같은 저항에는 펄스들이 매우 짧은 간격으로 발생된다. 원추코일(12)의 일단 측에 발생된 펄스들은 전자회로부(14)로 흘러 들어간다. 도 2를 참조하면, 원추코일(12)의 일단은 그 양단 중 전원공급부(13)의 출력 전원이 인가되는 말단이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 원추코일(12)의 일단은 반구챔버(11) 외부에 노출될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 원추코일(12)의 일단은 반구챔버(11) 내부에 위치하는 다른 소자와의 연결을 위해 반구챔버(11) 내부에 위치할 수도 있다. 원추코일(12)의 일단과 전원공급부(13)의 배터리 사이에 존재하는 저항이란 전원공급부(13)의 자체 저항일 수 있다. 반구챔버(11)의 내부에 존재하는 다수의 이온쌍의 전자와 양이온에 대한 흡인율이 높을수록 라돈방출율의 측정값의 정확도가 향상된다.As a result, the resistance existing between one end of the cone coil 12 and the battery of the power supply 13 by electron collection of the cone coil 12 and cation collection of the hemisphere chamber 11, that is, as shown in FIG. In the same resistance, pulses are generated at very short intervals. The pulses generated on one side of the conical coil 12 flow into the electronic circuit 14. Referring to FIG. 2, one end of the conical coil 12 is an end to which the output power of the power supply 13 is applied. As shown in FIG. 2, one end of the conical coil 12 may be exposed outside the hemisphere chamber 11. As shown in FIG. 3, one end of the cone coil 12 may be located inside the hemisphere chamber 11 for connection with other elements located inside the hemisphere chamber 11. The resistance existing between one end of the conical coil 12 and the battery of the power supply 13 may be a self-resistance of the power supply 13. The higher the suction rate for electrons and cations of a large number of ion pairs existing in the hemisphere chamber 11, the higher the accuracy of the measured value of the radon emission rate.

전원공급부(13)는 반구챔버(11)의 내도체층(111)과 원추코일(12) 사이에 100V 이상의 고전압 전원을 인가함으로써 반구챔버(11)의 내부 공간에 전기장을 형성하고, 전자회로부(14)에 5V의 구동 전원을 공급한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 사용자는 건물 내부를 돌아다니면서 건물 공사에 사용되거나 건물 곳곳에 설치된 건축자재(2)에 본 실시예에 따른 라돈방출율 측정장치를 갖다대는 동작만으로 건축자재(2)의 라돈방출율을 측정할 수 있고, 이러한 측정 결과를 이용하여 건물 내부의 라돈 농도 감소를 위한 계획을 수립할 수 있다. 아래에 자세히 설명된 바와 같이, 원추코일(12)에 발생된 펄스들을 이용하여 건축자재(2)의 라돈방출율을 산출하기 때문에 건축자재(2)의 표면에 반구챔버(11)가 압착된 상태로 전자회로부(14)가 구동된 시점부터 수분 내에 건축자재의 라돈방출율을 얻을 수 있다. The power supply unit 13 forms an electric field in the inner space of the hemisphere chamber 11 by applying a high voltage power of 100 V or more between the inner conductor layer 111 of the hemisphere chamber 11 and the cone coil 12, and the electronic circuit unit 14 ) To supply 5V of driving power. As shown in FIG. 1, the user moves the interior of the building while only putting the radon emission rate measuring device according to the present embodiment on the building material 2 used in the building construction or installed in various places of the building. Radon release rate can be measured, and the measurement result can be used to develop a plan for reducing radon concentration inside the building. As described in detail below, since the radon release rate of the building material 2 is calculated by using the pulses generated on the cone coil 12, the hemisphere chamber 11 is pressed on the surface of the building material 2 From the time the electronic circuit unit 14 is driven, the radon release rate of the building material can be obtained within minutes.

반구챔버(11)가 압착된 상태로 전자회로부(14)의 구동이 시작되면 디스플레이부(15)에 표시되는 숫자가 점차적으로 상승하게 된다. 그 후, 디스플레이부(15)에 표시되는 숫자의 상승이 멈추면서 아주 미세하게 상승 하강을 반복할 수 있는데, 이 때의 숫자가 나타내는 값이 건축자재(2)의 라돈방출율이 된다. 이와 같이, 본 실시예에 따른 라돈방출율 측정장치는 종래의 라돈 측정장치와는 달리 휴대용으로 구현되기 때문에 전기장 형성에 요구되는 고전압 전원을 공급할 수 있는 배터리를 내장하고 있어야 한다. 전원공급부(13)는 배터리와 전압컨버터로 구성된다. 배터리는 에너지 밀도가 높고 경량인 리튬 계열의 배터리가 바람직하다. 전원공급부(13)의 전압컨버터와 전자회로부(14)는 하나의 회로보드로 구현될 수 있다. 전원공급부(13)는 배터리를 충전하기 위한 충전회로를 더 포함할 수 있다. 도 1, 3에 도시된 충전코드(40)는 충전회로와 외부 전원을 연결하기 위한 전원코드이다.When the driving of the electronic circuit unit 14 is started while the hemisphere chamber 11 is compressed, the number displayed on the display unit 15 gradually increases. Thereafter, as the number displayed on the display unit 15 stops rising, the rising and falling can be repeated very finely, and the value indicated by the number at this time becomes the radon release rate of the building material 2. As described above, since the radon emission rate measuring apparatus according to the present embodiment is implemented in a portable manner unlike the conventional radon measuring apparatus, a battery capable of supplying a high voltage power required to form an electric field must be incorporated. The power supply 13 is composed of a battery and a voltage converter. The battery is preferably a lithium-based battery having a high energy density and a light weight. The voltage converter of the power supply unit 13 and the electronic circuit unit 14 may be implemented as one circuit board. The power supply unit 13 may further include a charging circuit for charging the battery. The charging cords 40 shown in FIGS. 1 and 3 are power cords for connecting the charging circuit and external power.

이러한 휴대용 구현의 한계로 인해, 반구챔버(11) 내부의 다수의 이온쌍의 전자와 양이온이 가급적 낮은 전압에 의해 형성된 전기장에 의해 원추코일(12)과 내도체층(111)으로 흡인되도록 함이 바람직하다. 이를 위해서는 캐소드에 해당하는 반구챔버(11)의 내도체층(111)의 전체 면에 대해 애노드가 낮은 전압에서도 이온쌍의 전자와 양이온을 흡입할 수 있는 간격으로 배치됨이 바람직하다. 이를 위해, 본 실시예의 애노드는 원추코일(12)의 형태로 구현된다. 한편, 건축자재(2)의 라돈방출율 측정의 정확도를 높이기 위해서는 반구챔버(11) 내부의 다수의 이온쌍 대부분이 반구챔버(11)의 내도체층(111)과 원추코일(12) 사이의 전기장에 의해 포획되도록 하여야 하는데, 이를 위해서는 반구챔버(11)의 내도체층(111)과 원추코일(12) 사이가 가급적 많이 벌어져 있어야 한다. 이 경우, 원추코일(12)의 사이즈가 지나치게 작게 되면 이온쌍의 전자를 흡인할 수 있는 애노드의 면적이 줄어들게 된다. 따라서, 원추코일(12)은 반구챔버(11)의 내도체층(111)의 표면에 대해 각 이온쌍의 전자와 양이온을 흡입할 수 있는 가장 넓은 간격을 유지하면서 반구챔버(11)의 중심을 향하여 나선형으로 촘촘하게 말려져 올라가는 형태로 형성됨이 바람직하다.Due to the limitation of such a portable implementation, it is preferable that electrons and cations of a plurality of ion pairs inside the hemisphere chamber 11 are sucked into the cone coil 12 and the inner conductor layer 111 by an electric field formed by a voltage as low as possible. Do. To this end, it is preferable that the anode is disposed at intervals capable of sucking electrons and cations of the ion pair even at a low voltage with respect to the entire surface of the inner conductor layer 111 of the hemisphere chamber 11 corresponding to the cathode. To this end, the anode of this embodiment is implemented in the form of a conical coil 12. On the other hand, in order to increase the accuracy of the radon release rate measurement of the building material 2, most of the plurality of ion pairs inside the hemisphere chamber 11 is applied to the electric field between the inner conductor layer 111 of the hemisphere chamber 11 and the cone coil 12. In order to be captured, the gap between the inner conductor layer 111 of the hemisphere chamber 11 and the cone coil 12 should be as much as possible. In this case, if the size of the cone coil 12 is too small, the area of the anode capable of sucking electrons of the ion pair is reduced. Therefore, the conical coil 12 is toward the center of the hemisphere chamber 11 while maintaining the largest gap capable of sucking electrons and cations of each ion pair with respect to the surface of the inner conductor layer 111 of the hemisphere chamber 11 It is preferably formed in a spirally rolled up shape.

도 4는 도 3에 도시된 전자회로부(14)의 구성도이다. 도 3에 도시된 전자회로부(14)는 반구챔버(11)의 내부 공간에 형성된 전기장에 의해 원추코일(12)의 일단 측에 발생된 펄스들을 이용하여 건축자재(2)의 라돈방출율을 산출한다. 커패시터(C1)는 반구챔버(11)의 내부 공간 내에서 반구챔버(11)의 내도체층(111)과 외도체층(113) 사이에 연결되어 전자회로부(14)로 저주파수 대역의 노이즈가 유입되는 것을 차단한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 전자회로부(14)는 그 입력 측이 OP 앰프(U1)의 입력으로 이루어져 있기 때문에 전자회로부(14)의 입력 임피던스는 매우 크다. 따라서, 전자회로부(14)는 전원공급부(13)로부터 출력되는 DC 전원에 포함된 저주파수 대역의 노이즈에 매우 취약하다. 도 3, 4에 도시된 바와 같이, 커패시터(C1)는 반구챔버(11) 내부의 전기장 형성시 캐소드의 역할을 하는 내도체층(111)과 전원 그라운드로서의 역할을 하는 외도체층(113) 사이에 연결되어 전자회로부(14)로 저주파수 대역의 노이즈가 유입되는 것을 차단한다. 4 is a configuration diagram of the electronic circuit unit 14 shown in FIG. 3. The electronic circuit part 14 shown in FIG. 3 calculates the radon emission rate of the building material 2 using pulses generated at one side of the cone coil 12 by the electric field formed in the inner space of the hemisphere chamber 11 . The capacitor C1 is connected between the inner conductor layer 111 and the outer conductor layer 113 of the hemisphere chamber 11 in the inner space of the hemisphere chamber 11, so that noise of a low frequency band is introduced into the electronic circuit 14 Cut off. As shown in FIG. 4, the input impedance of the electronic circuit unit 14 is very large because the input side of the electronic circuit unit 14 is composed of the input of the OP amplifier U1. Therefore, the electronic circuit unit 14 is very vulnerable to noise in the low frequency band included in the DC power output from the power supply unit 13. 3 and 4, the capacitor C1 is connected between the inner conductor layer 111 serving as a cathode when forming the electric field inside the hemisphere chamber 11 and the outer conductor layer 113 serving as a power ground. It blocks the inflow of noise in the low frequency band to the electronic circuit 14.

도 4를 참조하면, 전자회로부(14)는 증폭부(141), 펄스카운터(142), 및 산출부(143)로 구성된다. 전원공급부(13)로부터 출력되는 저전압 전원은 전자회로부(14)의 구동 전원으로서 전자회로부(14)에 공급된다. 증폭부(141)는 원추코일(12)의 일단 측에 발생된 펄스들을 증폭한다. 펄스카운터(142)는 증폭부(141)에 의해 증폭된 펄스들의 개수를 펄스들의 개수에 비례하는 크기의 전압으로 변환한다. 산출부(143)는 펄스카운터(142)에 의해 변환된 전압의 크기로부터 건축자재(2)의 라돈방출율을 산출한다. 상술한 바와 같이, 매우 짧은 간격의 펄스들이 전자회로부(14)로 입력되기 때문에 펄스들을 일일이 카운트할 경우에 고속의 디지털 카운터가 요구될 뿐만 아니라 펄스들이 뭉쳐서 발생할 경우에 오차가 클 수 있다. 본 실시예는 아래에 자세히 설명된 바와 같이, 펄스에 해당하는 전압이 전자회로부(14)에 입력될 때마다 커패시터를 충전하고 커패시터에 충전된 전하량이 나타내는 전압 크기를 출력하는 방식으로 펄스들의 개수를 카운트하기 때문에 간단한 전자회로를 이용하여 건축자재(2)의 라돈방출율을 정확하게 측정할 수 있다. Referring to FIG. 4, the electronic circuit unit 14 includes an amplification unit 141, a pulse counter 142, and a calculation unit 143. The low voltage power output from the power supply unit 13 is supplied to the electronic circuit unit 14 as a driving power supply of the electronic circuit unit 14. The amplifying unit 141 amplifies the pulses generated on one side of the cone coil 12. The pulse counter 142 converts the number of pulses amplified by the amplifying unit 141 into a voltage proportional to the number of pulses. The calculation unit 143 calculates the radon release rate of the building material 2 from the magnitude of the voltage converted by the pulse counter 142. As described above, since pulses with very short intervals are input to the electronic circuit unit 14, not only a high-speed digital counter is required when counting pulses individually, but errors may be large when pulses are aggregated. As described in detail below, this embodiment charges the capacitor whenever the voltage corresponding to the pulse is input to the electronic circuit 14 and outputs the voltage magnitude indicating the amount of charge charged in the capacitor, thereby counting the number of pulses. Since it counts, it is possible to accurately measure the radon release rate of the building material 2 using a simple electronic circuit.

도 5는 도 4에 도시된 증폭부(141)의 회로도이다. 증폭부(141)는 JFET(Junction Field Effect Transistor)(Q1), 두 개의 OP앰프(U1, U2), 일곱 개의 저항(R1~R7), 세 개의 커패시터(C2~C4), 및 하나의 다이오드(D1)로 구성된다. 본 실시예의 증폭부(141)에는 두 개의 OP앰프(U1, U2)가 내장되어 있는 IC(Integrated Circuit) 칩이 사용된다. 5 is a circuit diagram of the amplifier 141 shown in FIG. 4. The amplification unit 141 includes a JFET (Junction Field Effect Transistor) (Q1), two OP amplifiers (U1, U2), seven resistors (R1 to R7), three capacitors (C2 to C4), and one diode ( D1). In the amplifying unit 141 of this embodiment, an IC (Integrated Circuit) chip in which two OP amplifiers U1 and U2 are embedded is used.

JFET(Q1)은 반구챔버(11)의 내부 공간에 설치되어, 게이트가 원추코일(12)의 일단에 연결되고, 드레인이 저항(R1)을 경유하여 전자회로부(14)의 구동 전원의 플러스 단자와 연결되고, 소스는 전자회로부(14)의 구동 전원의 마이너스 단자와 연결됨으로써 반구챔버(11)의 내부 공간 내에서 원추코일(12)의 일단으로부터 입력된 펄스들을 포함하는 신호를 증폭한다. 저항(R1)의 값과 전자회로부(14)의 구동 전원의 전압 크기에 따라 JFET(Q1)의 증폭율이 결정된다. 본 실시예에 따르면, JFET(Q1)는 다른 증폭용 소자들과는 달리 반구챔버(11)의 내부 공간에 설치됨으로써 반구챔버(11)의 외부에 존재하는 노이즈의 영향을 받지 않고 JFET(Q1)의 게이트 측에 입력된 펄스 신호를 증폭할 수 있다. JFET (Q1) is installed in the inner space of the hemisphere chamber 11, the gate is connected to one end of the conical coil 12, the drain via the resistor (R1) the positive terminal of the driving power of the electronic circuit unit 14 And the source is connected to the negative terminal of the driving power of the electronic circuit unit 14 to amplify a signal including pulses input from one end of the cone coil 12 in the inner space of the hemisphere chamber 11. The amplification factor of the JFET Q1 is determined according to the value of the resistor R1 and the voltage level of the driving power supply of the electronic circuit unit 14. According to this embodiment, unlike the other amplification elements, the JFET Q1 is installed in the inner space of the hemisphere chamber 11 so that the gate of the JFET Q1 is not affected by noise existing outside the hemisphere chamber 11. The pulse signal input to the side can be amplified.

OP앰프(operational amplifier, U1)는 반전 입력단(-)이 JFET(Q1)의 드레인과 커패시터(C2)를 경유하여 연결된다. OP앰프(U1)의 반전 입력단(-)과 출력단 사이에는 서로 병렬로 연결된 저항(R4)과 저항(R5)이 연결된다. 저항(R4)과 저항(R5)은 원하는 저항값을 병렬 연결된 것으로서 하나의 저항으로 구현될 수도 있다. 이와 같은 OP앰프(U1)와 주변소자들의 연결에 의해 OP앰프(U1)는 일종의 미분기로서 동작함에 따라 저주파수 대역의 노이즈를 차단하고 고주파수 대역의 펄스 신호를 증폭한다. 라돈 붕괴에 기인하여 발생된 펄스들의 발생 간격이 매우 짧기 때문에 JFET(Q1)로부터 OP앰프(U1)의 반전 입력단(-)으로 입력되는 신호들 중 고주파수 대역의 펄스 신호가 라돈 붕괴에 기인하여 발생된 펄스들을 포함하는 신호라고 할 수 있다. In the operational amplifier (U1), the inverting input terminal (-) is connected via the drain of the JFET (Q1) and the capacitor (C2). A resistor R4 and a resistor R5 connected in parallel with each other are connected between the inverting input terminal (-) and the output terminal of the OP amplifier U1. The resistor R4 and the resistor R5 may be implemented as a single resistor as a desired resistance value connected in parallel. Due to the connection of the OP amplifier U1 and peripheral elements, the OP amplifier U1 operates as a differentiator to block noise in a low frequency band and amplifies a pulse signal in a high frequency band. Since the interval between the pulses generated due to the radon collapse is very short, a pulse signal in a high frequency band among signals input from the JFET (Q1) to the inverting input terminal (-) of the OP amplifier (U1) is generated due to the radon collapse. It can be said to be a signal including pulses.

전자회로부(14)의 구동 전원의 플러스 단자와 플러스 단자 사이에는 저항(R2)과 저항(R3)이 연결되어 있고, 저항(R2)과 저항(R3) 사이의 연결 노드는 OP앰프(U1)의 비반전 입력단(+)과 연결된다. 이에 따라, OP앰프(U1)의 비반전 입력단(+)에는 저항(R2)과 저항(R3) 각각의 값에 따라 조정된 크기의 전압이 입력된다. 도 5에 도시된 바와 같이, OP앰프(U1)의 비반전 입력단(+)에 입력된 직류 전압의 일직선 파형이 그 반전 입력단(-)에 펄스가 입력될 때마다 움푹 들어가게 되는 형태의 신호가 OP앰프(U1)의 출력단으로부터 출력된다. 커패시터(C3)는 전자회로부(14)의 구동 전원의 플러스 단자와 마이너스 단자 사이에 연결되어 저주파수 대역의 노이즈를 제거한다.A resistor R2 and a resistor R3 are connected between the positive terminal and the positive terminal of the driving power supply of the electronic circuit unit 14, and a connection node between the resistor R2 and the resistor R3 is the OP amplifier U1. It is connected to the non-inverting input terminal (+). Accordingly, a voltage of a magnitude adjusted according to each value of the resistor R2 and the resistor R3 is input to the non-inverting input terminal (+) of the OP amplifier U1. As shown in FIG. 5, a signal in a form in which a straight waveform of a DC voltage input to the non-inverting input terminal (+) of the OP amplifier U1 is pitted whenever a pulse is input to the inverting input terminal (-) is OP It is output from the output terminal of the amplifier U1. The capacitor C3 is connected between the positive terminal and the negative terminal of the driving power of the electronic circuit unit 14 to remove noise in the low frequency band.

OP앰프(U2)의 비반전 입력단(+)은 다이오드(D1)를 경유하여 OP앰프(U1)의 출력단과 연결됨과 동시에 저항(R6)을 경유하여 전자회로부(14)의 구동 전원의 플러스 단자와 연결된다. 다이오드(D1)는 OP앰프(U2)의 비반전 입력단(+)으로부터 OP앰프(U1)의 출력단으로의 방향으로만 전류가 흐르도록 하고, 그 역방향으로는 전류가 흐르지 못하게 하는 역할을 한다. 이에 따라, OP앰프(U1)의 반전 입력단(-)에 펄스가 입력될 때마다 전원공급부(13)로부터의 전류는 저항(R6)을 경유하여 OP앰프(U1)의 출력단으로 흐르게 되어 OP앰프(U2)의 비반전 입력단(+)에는 입력 전압이 없거나 미소 전압이 입력된다. OP앰프(U1)의 반전 입력단(-)에 펄스가 입력되지 않은 구간에서는 전원공급부(13)로부터의 전류는 저항(R6)을 경유하여 OP앰프(U1)의 반전 입력단(-)으로 흘러 들러감에 따라 OP앰프(U2)의 비반전 입력단(+)에는 저항(R6)의 값에 따라 결정되는 일정 크기의 전압이 입력된다. The non-inverting input terminal (+) of the OP amplifier (U2) is connected to the output terminal of the OP amplifier (U1) via a diode (D1), and at the same time as a positive terminal of the driving power supply of the electronic circuit (14) via a resistor (R6). Connected. The diode D1 allows current to flow only in the direction from the non-inverting input terminal (+) of the OP amplifier U2 to the output terminal of the OP amplifier U1, and prevents current from flowing in the reverse direction. Accordingly, whenever a pulse is input to the inverting input terminal (-) of the OP amplifier U1, the current from the power supply unit 13 flows through the resistor R6 to the output terminal of the OP amplifier U1, thereby causing the OP amplifier ( There is no input voltage or a micro voltage is input to the non-inverting input terminal (+) of U2). In the section in which no pulse is input to the inverting input terminal (-) of the OP amplifier U1, the current from the power supply unit 13 flows through the resistor R6 to the inverting input terminal (-) of the OP amplifier U1. Accordingly, a voltage having a predetermined size determined according to the value of the resistor R6 is input to the non-inverting input terminal (+) of the OP amplifier U2.

OP앰프(U2)의 반전 입력단(-)은 저항(R7)을 경유하여 OP앰프(U1)의 출력단과 연결됨과 동시에 커패시터(C4)를 경유하여 전자회로부(14)의 구동 전원의 마이너스 단자와 연결된다. 이에 따라, OP앰프(U2)의 반전 입력단(-)에는 OP앰프(U1)의 출력단의 신호가 저항(R7)을 경유하여 입력된다. OP앰프(U1)의 반전 입력단(-)에 펄스가 입력될 때마다 그 펄스 형태로 움푹 패인 형태의 신호가 OP앰프(U1)로부터 출력됨에 따라 OP앰프(U1)의 반전 입력단(-)에 펄스가 입력될 때마다 OP앰프(U2)의 비반전 입력단(+)에는 입력 전압이 없거나 미소 전압이 입력됨과 동시에 반전 입력단(-)에는 저항(R6)과 저항(R7)의 값에 따라 결정되는 일정 크기의 전압이 입력된다. The inverting input terminal (-) of the OP amplifier U2 is connected to the output terminal of the OP amplifier U1 via a resistor R7 and at the same time connected to the negative terminal of the driving power of the electronic circuit unit 14 via a capacitor C4. do. Accordingly, the signal of the output terminal of the OP amplifier U1 is input to the inverting input terminal (-) of the OP amplifier U2 via the resistor R7. Whenever a pulse is input to the inverting input terminal (-) of the OP amplifier U1, a pulsed signal in the form of the pulse is output from the OP amplifier U1, and thus pulsed to the inverting input terminal (-) of the OP amplifier U1. Each time is input, there is no input voltage or a small voltage is input to the non-inverting input terminal (+) of the OP amplifier (U2), and at the same time, it is determined by the values of the resistors R6 and R7 at the inverting input terminal (-). The voltage of the magnitude is input.

OP앰프(U1)의 반전 입력단(-)에 펄스가 입력되지 않는 구간에서는 OP앰프(U1)로부터 일정 전압의 신호가 출력됨에 따라 OP앰프(U2)의 비반전 입력단(+)에는 일정 전압이 입력됨과 동시에 반전 입력단(-)에도 OP앰프(U2)의 비반전 입력단(+)의 입력 전압의 크기와 동일 또는 유사한 크기의 일정 전압이 입력되도록 설계된다. 결과적으로, OP앰프(U1)의 반전 입력단(-)에 어느 하나의 펄스가 입력되는 순간에 로우로부터 하이로 전환되고 그 펄스가 사라지는 순간에 하이가 로우로 전환되는 장방형 펄스를 포함하는 신호가 OP앰프(U2)로부터 출력된다.In a section in which no pulse is input to the inverting input terminal (-) of the OP amplifier U1, a constant voltage is input to the non-inverting input terminal (+) of the OP amplifier U2 as a signal of a constant voltage is output from the OP amplifier U1. At the same time, the inverting input terminal (-) is designed such that a constant voltage of the same or similar size to the input voltage of the non-inverting input terminal (+) of the OP amplifier U2 is input. As a result, a signal including a rectangular pulse that changes from low to high at the moment when any one pulse is input to the inverting input terminal (-) of the OP amplifier U1 and goes high to low at the moment the pulse disappears is OP It is output from the amplifier U2.

도 6은 도 4에 도시된 펄스카운터(142)의 회로도이다. 도 4에 도시된 펄스카운터(142)는 두 개의 커패시터(C5, C6), 두 개의 다이오드(D2, D3), 두 개의 저항(R8, R9), 및 스위치(S1)로 구성된다. 커패시터(C5)는 증폭부(141)의 출력단과 다이오드(D2) 사이에 연결되고, 다이오드(D2)는 전자회로부(14)의 구동 전원의 마이너스 단자로부터 커패시터(C5)의 타단으로의 방향으로만 전류가 흐르게 하고, 그 역방향으로는 전류가 흐르지 못하게 하는 역할을 한다. 증폭부(141)로부터 입력되는 신호가 로우일 때에 커패시터(C5)는 그것에 충전된 전하를 다이오드(D2)를 통하여 방전한다. 저항(R8)은 증폭부(141)의 출력단과 전자회로부(14)의 구동 전원의 플러스 단자 사이에 연결되고, 다이오드(D3)는 다이오드(D2)와 커패시터(C6) 사이에 연결되고, 커패시터(C6)는 다이오드(D3)와 전자회로부(14)의 구동 전원의 마이너스 단자 사이에 연결된다. 증폭부(141)로부터 입력되는 신호가 하이일 때에 저항(R8)에 걸린 전압에 의한 전류가 커패시터(C5)와 다이오드(D3)를 통하여 커패시터(C6)로 유입되어 커패시터(C6)가 충전된다. 6 is a circuit diagram of the pulse counter 142 shown in FIG. 4. The pulse counter 142 shown in FIG. 4 is composed of two capacitors C5 and C6, two diodes D2 and D3, two resistors R8 and R9, and a switch S1. The capacitor C5 is connected between the output terminal of the amplifying unit 141 and the diode D2, and the diode D2 is only in the direction from the negative terminal of the driving power of the electronic circuit unit 14 to the other terminal of the capacitor C5. It plays a role of making the current flow and preventing the current from flowing in the opposite direction. When the signal input from the amplifying unit 141 is low, the capacitor C5 discharges the charge charged therein through the diode D2. The resistor R8 is connected between the output terminal of the amplification unit 141 and the positive terminal of the driving power supply of the electronic circuit unit 14, the diode D3 is connected between the diode D2 and the capacitor C6, and the capacitor ( C6) is connected between the diode D3 and the negative terminal of the driving power supply of the electronic circuit part 14. When the signal input from the amplification unit 141 is high, the current due to the voltage applied to the resistor R8 flows into the capacitor C6 through the capacitor C5 and the diode D3 to charge the capacitor C6.

즉, 커패시터(C6)는 증폭부(141)로부터 입력되는 신호의 펄스 레이트에 해당하는 레이트로 충전된다. 저항(R9) 양단은 커패시터(C6) 양단에 병렬 연결되어, 저항(R9)의 양단에는 커패시터(C6)에 충전된 전하량에 비례하는 크기의 전압이 걸리게 된다. 따라서, 저항(R9)의 양단에 걸리는 전압은 증폭부(141)로부터 입력되는 신호의 펄스 레이트에 따라 변동된다. 여기에서, 펄스 레이트는 1초 동안에 발생하는 펄스의 개수이다. 반구챔버(11)의 내부에는 건축자재(2)의 라돈방출율에 비례하여 그 만큼의 많은 알파 입자들이 존재함에 따라 건축자재(2)의 라돈방출율에 비례하여 증폭부(141)로부터 입력되는 신호의 펄스 레이트가 결정된다. 결과적으로, 저항(R9)의 양단에 걸리는 전압의 크기는 건축자재(2)의 라돈방출율에 비례하게 된다. That is, the capacitor C6 is charged at a rate corresponding to the pulse rate of the signal input from the amplifier 141. Both ends of the resistor R9 are connected in parallel to both ends of the capacitor C6, so that both ends of the resistor R9 have a voltage proportional to the amount of charge charged in the capacitor C6. Therefore, the voltage across both ends of the resistor R9 varies depending on the pulse rate of the signal input from the amplifier 141. Here, the pulse rate is the number of pulses occurring in one second. In the interior of the hemisphere chamber 11, as many alpha particles as there are in proportion to the radon emission rate of the building material 2, there are many alpha particles in proportion to the radon emission rate of the building material 2, so that the signal input from the amplifying unit 141 The pulse rate is determined. As a result, the magnitude of the voltage across both ends of the resistor R9 is proportional to the radon release rate of the building material 2.

스위치(S1)가 온되면 커패시터(C6)의 양단이 전자회로부(14)의 구동 전원의 마이너스 단자에 연결됨에 따라 커패시터(C6)가 방전된다. 건축자재(2)의 표면에 반구챔버(11)를 압착시킬 때에 스위치(S1)가 순간적으로 온된 후에 오프되면 커패시터(C6)에 충전된 전하량은 오로지 건축자재(2)로부터 방출된 라돈의 양에 의해 결정되므로 커패시터(C6)에 충전된 전하량은 건축자재(2)의 라돈방출율에 비례하게 된다.When the switch S1 is turned on, the capacitor C6 is discharged as both ends of the capacitor C6 are connected to the negative terminal of the driving power of the electronic circuit unit 14. When the hemisphere chamber 11 is pressed on the surface of the building material 2, when the switch S1 is turned on immediately and then off, the amount of charge charged in the capacitor C6 is only dependent on the amount of radon released from the building material 2 It is determined by the amount of charge charged in the capacitor (C6) is proportional to the radon release rate of the building material (2).

산출부(143)는 저항(R9)의 양단에 걸리는 전압의 크기로부터 건축자재(2)의 라돈방출율을 산출한다. 건축자재(2)의 라돈방출율이 저항(R9)의 양단에 걸리는 전압의 크기에 선형적으로 비례하는 경우, 산출부(143)는 저항(R9)의 양단에 걸리는 전압의 크기에 어떤 상수의 값을 곱함으로써 건축자재(2)의 라돈방출율을 산출할 수 있다. 건축자재(2)의 라돈방출율이 저항(R9)의 양단에 걸리는 전압의 크기에 비선형적으로 비례하는 경우, 산출부(143)는 저항(R9)의 양단에 걸리는 전압의 크기와 건축자재(2)의 라돈방출율의 비례 관계를 나타내는 그래프 또는 테이블에 저항(R9)의 양단에 걸리는 전압의 크기를 매핑함으로써 건축자재(2)의 라돈방출율을 산출할 수 있다. 이러한 산출부(143)는 기존 고가의 라돈방출율 측정장비의 측정값과 저항(R9)의 양단에 걸리는 전압의 크기를 조사함으로써 그 조사 결과를 기반으로 설계될 수 있다. The calculation unit 143 calculates the radon release rate of the building material 2 from the magnitude of the voltage across both ends of the resistor R9. When the radon release rate of the building material 2 is linearly proportional to the magnitude of the voltage across both ends of the resistor R9, the calculator 143 has a constant value for the magnitude of the voltage across both ends of the resistor R9 By multiplying by, the radon release rate of the building material 2 can be calculated. When the radon release rate of the building material 2 is non-linearly proportional to the magnitude of the voltage across both ends of the resistor R9, the calculator 143 calculates the magnitude of the voltage across both ends of the resistor R9 and the building material 2 ) Radon emission rate of the building material 2 can be calculated by mapping the magnitude of the voltage across both ends of the resistor R9 on a graph or table showing the proportional relationship of the radon emission rate of ). The calculation unit 143 may be designed based on the result of the investigation by examining the measured value of the existing expensive radon emission rate measuring equipment and the voltage across both ends of the resistor R9.

산출부(143)는 FPGA(Field Programmable Gate Array)로 구현될 수도 있고, 마이크로프로세서, 메모리 등의 조합으로 구현될 수도 있다. 디스플레이부(15)는 산출부(143)에 의해 산출된 라돈방출율을 표시한다. 디스플레이부(15)는 7 세그먼트 발광다이오드 조합으로 구현될 수도 있고, LCD(Liquid Crystal Display)로 구현될 수도 있다. The calculation unit 143 may be implemented with a field programmable gate array (FPGA), or may be implemented with a combination of a microprocessor and memory. The display unit 15 displays the radon release rate calculated by the calculation unit 143. The display unit 15 may be implemented with a 7-segment light-emitting diode combination, or may be implemented with a liquid crystal display (LCD).

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far, the present invention has been focused on the preferred embodiments. Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention may be implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in terms of explanation, not limitation. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the equivalent range should be interpreted as being included in the present invention.

1 ... 라돈방출율 측정장치
11 ... 반구챔버
12 ... 원추코일
13 ... 전원공급부
14 ... 전자회로부
141 ... 증폭부
142 ... 펄스카운터
143 ... 산출부
15 ... 디스플레이부
2 ... 건축자재
1 ... radon release rate measuring device
11 ... hemisphere chamber
12 ... conical coil
13 ... Power supply
14 ... electronic circuit
141 ... amplification part
142 ... pulse counter
143 ... calculation unit
15 ... display
2 ... Construction materials

Claims (6)

건축자재의 라돈방출율 측정장치에 있어서,
절연층 및 도체층이 적층된 구조의 반구형으로 형성되어 건축자재의 표면에 압착되는 반구챔버;
상기 반구챔버의 중심을 향하여 나선형으로 말려져 올라가는 구조로 상기 반구챔버의 도체층과 상기 건축자재의 표면 사이의 공간에 설치되는 도전성의 원추코일;
상기 반구챔버의 도체층과 상기 원추코일 사이에 전원을 인가함으로써 상기 공간에 전기장을 형성하는 전원공급부; 및
상기 전기장에 의해 상기 원추코일에 발생된 펄스들을 이용하여 상기 건축자재의 라돈방출율을 산출하는 전자회로부를 포함하고,
상기 공간 내에는 상기 건축자재의 표면으로부터 방출된 라돈이 붕괴되는 과정에서의 알파 입자들에 의해 다수의 이온쌍이 생성되고,
상기 공간 내의 각 이온쌍의 전자는 상기 전기장에 의해 상기 원추코일 측으로 흡인되어 수집되고, 상기 각 이온쌍의 양이온은 상기 도전층 측으로 흡인되어 수집되고,
상기 원추코일의 전자 수집과 상기 도전층의 양이온 수집에 의해 상기 원추코일에는 펄스들이 발생되는 것을 특징으로 하는 라돈방출율 측정장치.
In the radon release rate measurement device for building materials,
A hemispherical chamber formed in a hemispherical structure in which an insulating layer and a conductor layer are stacked to be compressed on the surface of a building material;
A conductive conical coil installed in a space between the conductor layer of the hemispherical chamber and the surface of the building material in a structure that spirally rolls upward toward the center of the hemispherical chamber;
A power supply unit forming an electric field in the space by applying power between the conductor layer of the hemisphere chamber and the conical coil; And
And an electronic circuit unit for calculating the radon emission rate of the building material using pulses generated in the conical coil by the electric field.
In the space, a large number of ion pairs are generated by alpha particles in the process of decay of radon released from the surface of the building material,
Electrons of each ion pair in the space are collected by being sucked toward the conical coil side by the electric field, and cations of each ion pair are collected by being sucked toward the conductive layer,
The radon emission rate measuring apparatus, characterized in that pulses are generated in the cone coil by electron collection of the cone coil and cation collection of the conductive layer.
제 1 항에 있어서,
상기 원추코일은 상기 도전층의 표면에 대해 상기 각 이온쌍의 전자와 양이온을 흡인할 수 있는 가장 넓은 간격을 유지하면서 상기 반구챔버의 중심을 향하여 나선형으로 말려져 올라가는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 라돈방출율 측정장치.
According to claim 1,
The conical coil is formed in a spirally rolled upward shape toward the center of the hemisphere chamber while maintaining the largest gap capable of sucking electrons and cations of each ion pair with respect to the surface of the conductive layer. Radon release rate measuring device.
제 1 항에 있어서,
상기 전자회로부는
상기 원추코일에 발생된 펄스들을 증폭하는 증폭부;
상기 증폭된 펄스들의 개수를 상기 펄스들의 개수에 비례하는 크기의 전압으로 변환하는 펄스카운터; 및
상기 변환된 전압의 크기로부터 상기 건축자재의 라돈방출율을 산출하는 산출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 라돈방출율 측정장치.
According to claim 1,
The electronic circuit part
An amplifying unit for amplifying the pulses generated in the conical coil;
A pulse counter that converts the number of amplified pulses into a voltage having a magnitude proportional to the number of pulses; And
Radon emission rate measuring apparatus comprising a calculation unit for calculating the radon emission rate of the building material from the magnitude of the converted voltage.
제 3 항에 있어서,
상기 증폭부는 상기 원추코일에 발생된 펄스가 입력되는 순간에 로우로부터 하이로 전환되고 상기 펄스가 사라지는 순간에 하이가 로우로 전환되는 장방형 펄스를 포함하는 신호를 출력하고.
상기 펄스카운터는
상기 증폭부로부터 입력되는 신호가 하이일 때에 충전되는 커패시터; 및
상기 커패시터에 병렬 연결되어, 상기 커패시터에 충전된 전하량에 비례하는 크기의 전압이 걸리는 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 라돈방출율 측정장치.
The method of claim 3,
The amplifying unit outputs a signal including a rectangular pulse that changes from low to high at the moment when the pulse generated in the conical coil is input, and changes from high to low at the moment when the pulse disappears.
The pulse counter is
A capacitor charged when the signal input from the amplifying unit is high; And
Radon discharge rate measurement device, characterized in that it is connected in parallel to the capacitor, a resistor that takes a voltage of a magnitude proportional to the amount of charge charged in the capacitor.
제 3 항에 있어서,
상기 전자회로부는
상기 공간에 설치되어, 게이트가 상기 원추코일의 일단에 연결되고, 드레인이 상기 전자회로부의 구동 전원의 플러스 단자와 연결되고, 소스는 전자회로부의 구동 전원의 마이너스 단자와 연결됨으로써 상기 공간 내에서 상기 원추코일에 발생된 펄스들을 포함하는 신호를 증폭하는 JFET(Junction Field Effect Transistor)를 포함하는 것을 특징으로 하는 라돈방출율 측정장치.
The method of claim 3,
The electronic circuit part
It is installed in the space, the gate is connected to one end of the conical coil, the drain is connected to the positive terminal of the driving power supply of the electronic circuit part, and the source is connected to the negative terminal of the driving power supply of the electronic circuit part, thereby allowing the Radon emission rate measuring apparatus comprising a JFET (Junction Field Effect Transistor) for amplifying the signal containing the pulses generated in the cone coil.
제 1 항에 있어서,
상기 반구챔버는 상기 도체층에 해당하는 내도체층, 상기 절연층, 및 외도체층이 적층된 구조의 반구형으로 형성되고,
상기 공간 내에서 상기 내도체층과 상기 외도체층 사이에 연결되어 상기 전자회로부로 저주파수 대역의 노이즈가 유입되는 것을 차단하는 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 라돈방출율 측정장치.
According to claim 1,
The hemisphere chamber is formed in a hemispherical structure in which an inner conductor layer, the insulating layer, and an outer conductor layer corresponding to the conductor layer are stacked,
And a capacitor connected between the inner conductor layer and the outer conductor layer in the space to block low frequency band noise from flowing into the electronic circuit unit.
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