KR20200061277A - Template for supporting mask and producing methoe thereof and producing method of mask integrated frame - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 마스크 지지 템플릿과 그의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 마스크의 변형없이 안정적으로 지지 및 이동이 가능하고, 마스크를 프레임과 일체를 이룰 시 마스크와 프레임의 밀착력을 향상시킬 수 있으며, 각 마스크 간의 얼라인(align)을 명확하게 할 수 있고, 마스크를 프레임에 용접할 때 안정적으로 접착될 수 있는 마스크 지지 템플릿과 그의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask support template, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a frame-integrated mask. More specifically, it is possible to stably support and move without deformation of the mask, and when the mask is integrated with the frame, the adhesion between the mask and the frame can be improved, and the alignment between each mask can be clarified. The present invention relates to a mask support template that can be stably adhered when a mask is welded to a frame, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a frame-integrated mask.
OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.As a technique for forming a pixel in an OLED manufacturing process, a FMM (Fine Metal Mask) method is mainly used in which a thin metal mask is closely adhered to a substrate to deposit an organic material at a desired location.
기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크를 스틱 형태, 플레이트 형태 등으로 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용한다. 마스크 하나에는 디스플레이 하나에 대응하는 셀이 여러개 구비될 수 있다. 또한, 대면적 OLED 제조를 위해서 여러 개의 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 고정시킬 수 있는데, 프레임에 고정하는 과정에서 각 마스크가 평평하게 되도록 인장을 하게 된다. 마스크의 전체 부분이 평평하게 되도록 인장력을 조절하는 것은 매우 어려운 작업이다. 특히, 각 셀들을 모두 평평하게 하면서, 크기가 수 내지 수십 ㎛에 불과한 마스크 패턴을 정렬하기 위해서는, 마스크의 각 측에 가하는 인장력을 미세하게 조절하면서, 정렬 상태를 실시간으로 확인하는 고도의 작업이 요구된다.In the conventional OLED manufacturing process, the mask is manufactured in a stick form, a plate form, etc., and then the mask is welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. In one mask, a plurality of cells corresponding to one display may be provided. In addition, for manufacturing a large area OLED, several masks can be fixed to the OLED pixel deposition frame. In the process of fixing to the frame, each mask is tensioned to be flat. Adjusting the tensile force so that the entire part of the mask is flat is a very difficult task. In particular, in order to align the mask patterns having a size of only a few to several tens of µm while flattening all the cells, a high-level operation to check the alignment state in real time while finely adjusting the tensile force applied to each side of the mask is required. do.
그럼에도 불구하고, 여러 개의 마스크를 하나의 프레임에 고정시키는 과정에서 마스크 상호간에, 그리고 마스크 셀들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 마스크를 프레임에 용접 고정하는 과정에서 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점, 용접 과정에서 용접 부분에 발생하는 주름, 번짐(burr) 등에 의해 마스크 셀의 정렬이 엇갈리게 되는 문제점 등이 있었다.Nevertheless, in the process of fixing several masks to one frame, there was a problem in that alignment between the masks and between the mask cells was not well. In addition, because the thickness of the mask film is too thin and large area in the process of welding and fixing the mask to the frame, the mask cell may be scratched or warped by a load, or wrinkles or burrs generated in the welded part in the welding process. There were problems such as misalignment.
초고화질의 OLED의 경우, 현재 QHD 화질은 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질은 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. 이렇듯 초고화질의 OLED의 화소 크기를 고려하여 각 셀들간의 정렬 오차를 수 ㎛ 정도로 감축시켜야 하며, 이를 벗어나는 오차는 제품의 실패로 이어지게 되므로 수율이 매우 낮아지게 될 수 있다. 그러므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술, 마스크를 프레임에 고정하는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.In the case of ultra-high-definition OLED, the current QHD image quality is 500~600 pixel per inch (PPI), and the pixel size reaches about 30~50㎛, and 4K UHD, 8K UHD high image quality is higher than ~860 PPI, ~1600 PPI, etc. It has the resolution of. As described above, the alignment error between each cell should be reduced to a few μm in consideration of the pixel size of the ultra-high quality OLED, and an error out of this may lead to product failure, so the yield may be very low. Therefore, there is a need to develop a technique that prevents deformation such as a mask being crushed or distorted, a technique for making alignment clear, and a technique for fixing a mask to a frame.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마스크를 변형없이 안정적으로 지지 및 이동이 가능한 마스크 지지 템플릿과 그의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, and its object is to provide a mask support template capable of stably supporting and moving a mask without deformation and a manufacturing method thereof.
또한, 본 발명은, 마스크를 제조할 때, 마스크 금속막과 절연부의 접착력을 개선하여 보다 명확한 마스크 패턴을 형성할 수 있는 마스크 지지 템플릿과 그의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a mask support template and a method of manufacturing the same, which can form a clearer mask pattern by improving the adhesion between the mask metal film and the insulating portion when manufacturing the mask.
또한, 본 발명은 마스크를 프레임에 접착할 때, 마스크와 프레임의 밀착력을 향상시킬 수 있는 마스크 지지 템플릿과 그의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a mask support template and a method of manufacturing the same, which can improve the adhesion between the mask and the frame when the mask is adhered to the frame.
또한, 본 발명은 마스크를 프레임에 용접 시 용접 비드가 충분히 생성되어 접착이 안정적으로 수행될 수 있는 마스크 지지 템플릿과 그의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a mask supporting template capable of stably performing adhesion by welding bead when the mask is welded to the frame, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing the frame-integrated mask.
또한, 본 발명은 마스크를 프레임에 접착한 후에 반복 사용이 가능한 마스크 지지 템플릿과 그의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a mask supporting template that can be repeatedly used after bonding the mask to the frame and a method for manufacturing the same.
또한, 본 발명은 마스크와 프레임이 일체형 구조를 이룰 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a frame-integrated mask in which the mask and the frame can form an integrated structure.
또한, 본 발명은 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고 정렬을 명확하게 할 수 있는 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a frame-integrated mask capable of preventing deformation such as a mask being struck or twisted and making alignment clear.
또한, 본 발명은 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킨 프레임 일체형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a frame-integrated mask in which the production time is significantly reduced and the yield is significantly increased.
본 발명의 상기의 목적은, OLED 화소 형성용 마스크를 지지하여 프레임에 대응시키는 템플릿(template)의 제조 방법으로서, (a) 마스크 금속막을 제공하는 단계; (b) 일면에 임시접착부가 형성된 템플릿 상에 마스크 금속막을 접착하는 단계; (c) 템플릿에 접착된 마스크 금속막의 마스크 셀부의 두께를 감축하는 단계; 및 (d) 마스크 셀부에 마스크 패턴을 형성하여 마스크를 제조하는 단계를 포함하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention is a method of manufacturing a template that supports a frame for forming an OLED pixel and corresponds to a frame, comprising: (a) providing a mask metal film; (b) bonding the mask metal film onto the template on which the temporary adhesive portion is formed; (c) reducing the thickness of the mask cell portion of the mask metal film adhered to the template; And (d) forming a mask pattern on the mask cell portion to produce a mask, and is achieved by a method of manufacturing a mask support template.
마스크 금속막은 압연(rolling) 공정을 이용하여 형성될 수 있다.The mask metal film may be formed using a rolling process.
임시접착부는 열을 가함에 따라 분리가 가능한 접착제 또는 접착 시트, UV 조사에 의해 분리가 가능한 접착제 또는 접착시트일 수 있다.The temporary adhesive portion may be an adhesive or adhesive sheet that can be separated by applying heat, or an adhesive or adhesive sheet that can be separated by UV irradiation.
임시접착부는 액체 왁스(liquid wax) 또는 열박리 테이프(thermal release tape)일 수 있다.The temporary adhesive can be a liquid wax or a thermal release tape.
액체 왁스는 85℃보다 낮은 온도에서 마스크 금속막과 템플릿을 고정 접착할 수 있다.The liquid wax can fix the mask metal film and the template at a temperature lower than 85°C.
(b) 단계에서, 액체 왁스를 85℃이상으로 가열하고 마스크 금속막을 템플릿에 접촉시킨 후, 마스크 금속막 및 템플릿을 롤러 사이에 통과시켜 접착을 수행할 수 있다.In step (b), after the liquid wax is heated to 85° C. or higher and the mask metal film is brought into contact with the template, adhesion can be performed by passing the mask metal film and the template between rollers.
(c) 단계는, (c1) 마스크 금속막의 마스크 셀부를 제외한 나머지 영역, 또는 마스크 금속막의 용접부 영역 상에 제1 절연부를 형성하는 단계; 및 (c2) 마스크 금속막의 마스크 셀부를 식각하여 두께를 감축하는 단계를 포함할 수 있다.The step (c) may include: (c1) forming a first insulating portion on the remaining regions excluding the mask cell portion of the mask metal film, or a weld region of the mask metal film; And (c2) etching the mask cell portion of the mask metal film to reduce the thickness.
두께가 감축된 마스크 셀부 상에 조도 감축 처리를 더 수행할 수 있다.A roughness reduction process may be further performed on the mask cell portion having a reduced thickness.
조도 감축 처리는 마스크 셀부 상에 터치 폴리싱(touch polishing)을 수행하는 처리일 수 있다.The roughness reduction process may be a process of performing touch polishing on the mask cell portion.
마스크 셀부와 더미의 두께 차이는 2㎛ 내지 25㎛이고, 마스크 셀부와 더미의 경계로부터 용접부의 모서리 단부까지의 임의의 직선이 수평선과 이루는 각도는 0.057° 내지 1.432°일 수 있다.The difference in thickness between the mask cell portion and the dummy is 2 μm to 25 μm, and an angle formed by an arbitrary straight line from the boundary between the mask cell portion and the dummy to the edge end of the weld portion may be 0.057° to 1.432°.
조도 감축 처리 후 마스크 셀부의 표면 조도(Ra)는 0.1㎛보다 작을(0 초과) 수 있다.The surface roughness Ra of the mask cell portion after the roughness reduction treatment may be less than 0.1 μm (greater than 0).
조도 감축 처리에서, 마스크 셀부 상에 광택층을 형성하는 처리를 더 수행할 수 있다.In the roughness reduction process, a process of forming a gloss layer on the mask cell portion can be further performed.
(b) 단계와 (c) 단계 사이에, 마스크 금속막의 전체 두께를 감축하는 단계를 더 수행할 수 있다.Between steps (b) and (c), a step of reducing the overall thickness of the mask metal film may be further performed.
CMP(Chemical Mechanical Polishing), 화학적 습식 식각(chemical wet etching), 건식 식각(dry etching) 중 어느 하나의 방법으로 마스크 금속막의 전체 두께를 감축하는 단계를 수행할 수 있다.Reducing the overall thickness of the mask metal layer may be performed by any one of CMP (Chemical Mechanical Polishing), chemical wet etching, and dry etching.
마스크는 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하고, 더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성될 수 있다.The mask includes a mask cell on which a plurality of mask patterns are formed, and a dummy around the mask cell, and a plurality of welds may be formed at intervals on at least a portion of the dummy.
더미 또는 용접부는 적어도 10㎛보다 두껍고, 마스크 셀은 더미 또는 용접부보다는 얇은 두께를 가질 수 있다.The dummy or weld may be at least thicker than 10 μm, and the mask cell may have a thickness thinner than that of the dummy or weld.
(d) 단계는, (d1) 마스크 셀부 상에 패턴화된 제2 절연부를 형성하는 단계; (d2) 제2 절연부 사이로 노출된 마스크 금속막의 부분을 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 (d3) 제2 절연부를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The step (d) may include: (d1) forming a patterned second insulating portion on the mask cell portion; (d2) forming a mask pattern by etching a portion of the mask metal layer exposed between the second insulating portions; And (d3) removing the second insulating portion.
(c) 단계와 (d) 단계 사이에, 마스크 금속막을 템플릿으로부터 분리하고, 일면에 임시접착부가 형성된 제2 템플릿 상에 마스크 금속막을 접착하는 단계를 더 포함할 수 있다.Between steps (c) and (d), the mask metal film may be separated from the template, and may further include a step of bonding the mask metal film on the second template on which a temporary adhesive portion is formed.
마스크 금속막과 제2 템플릿 상의 임시접착부 사이에 제3 절연부가 개재될 수 있다.A third insulating portion may be interposed between the mask metal film and the temporary adhesive portion on the second template.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, OLED 화소 형성용 마스크를 지지하여 프레임에 대응시키는 템플릿으로서, 템플릿; 및 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하며, 더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성되는 마스크를 포함하고, 마스크 셀은 더미 또는 용접부보다는 얇은 두께를 가지는, 마스크 지지 템플릿에 의해 달성된다.And, the above object of the present invention is a template for supporting a mask for forming an OLED pixel and corresponding to a frame, the template; And a mask cell on which a plurality of mask patterns are formed, and a dummy around the mask cell, and includes a mask formed by spacing a plurality of welds on at least a portion of the dummy, and the mask cell has a thinner thickness than the dummy or the weld. , Achieved by the mask support template.
마스크는 임시접착부를 개재하여 템플릿 상에 접착될 수 있다.The mask can be adhered to the template via a temporary adhesive.
마스크 금속막은 압연(rolling) 공정을 이용하여 형성될 수 있다.The mask metal film may be formed using a rolling process.
임시접착부는 열을 가함에 따라 분리가 가능한 접착제 또는 접착 시트, UV 조사에 의해 분리가 가능한 접착제 또는 접착시트일 수 있다.The temporary adhesive portion may be an adhesive or adhesive sheet that can be separated by applying heat, or an adhesive or adhesive sheet that can be separated by UV irradiation.
임시접착부는 액체 왁스(liquid wax) 또는 열박리 테이프(thermal release tape)일 수 있다.The temporary adhesive can be a liquid wax or a thermal release tape.
더미 또는 용접부는 적어도 10㎛보다 두껍고, 마스크 셀은 더미 또는 용접부의 두께보다는 얇은 범위에서 두께 차이가 2㎛ 내지 25㎛일 수 있다.The dummy or welded portion may be thicker than at least 10 μm, and the mask cell may have a thickness difference of 2 μm to 25 μm in a range thinner than the thickness of the dummy or welded part.
마스크 셀의 표면 조도(Ra)는 0.1㎛보다 작을(0 초과) 수 있다.The surface roughness (Ra) of the mask cell may be less than 0.1 μm (greater than 0).
마스크의 용접부에 대응하는 템플릿의 부분에 레이저 통과공이 형성될 수 있다.A laser through hole may be formed in a portion of the template corresponding to the weld portion of the mask.
템플릿은 웨이퍼, 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3), 붕규산유리(borosilicate glass), 지르코니아(zirconia) 중 어느 하나의 재질을 포함할 수 있다.The template may include any one of wafer, glass, silica, heat-resistant glass, quartz, alumina (Al 2 O 3 ), borosilicate glass, and zirconia. have.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 적어도 하나의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크의 제조 방법으로서, (a) 마스크 금속막을 제공하는 단계; (b) 일면에 임시접착부가 형성된 템플릿 상에 마스크 금속막을 접착하는 단계; (c) 템플릿에 접착된 마스크 금속막의 마스크 셀부의 두께를 감축하는 단계; (d) 마스크 셀부에 마스크 패턴을 형성하여 마스크를 제조하는 단계; (e) 적어도 하나의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임을 제공하는 단계; (f) 프레임 상에 템플릿을 로딩하여 마스크를 프레임의 마스크 셀 영역에 대응하는 단계; 및 (g) 마스크의 용접부에 레이저를 조사하여 마스크를 프레임에 접착하는 단계를 포함할 수 있다.And, the above object of the present invention is a method of manufacturing a frame-integrated mask in which at least one mask and a frame supporting the mask are integrally formed, comprising: (a) providing a mask metal film; (b) bonding the mask metal film onto the template on which the temporary adhesive portion is formed; (c) reducing the thickness of the mask cell portion of the mask metal film adhered to the template; (d) forming a mask pattern in a mask cell portion to produce a mask; (e) providing a frame having at least one mask cell region; (f) loading a template on the frame to correspond the mask to the mask cell area of the frame; And (g) attaching the mask to the frame by irradiating a laser to the welding portion of the mask.
레이저가 조사된 용접부의 부분에 용접 비드(bead)가 형성되고, 용접 비드는 마스크와 프레임이 일체로 연결되도록 매개할 수 있다.A welding bead is formed in a portion of the welded portion where the laser is irradiated, and the welding bead can be mediated so that the mask and the frame are integrally connected.
(g) 단계 이후, 임시접착부에 열 인가, 화학적 처리, 초음파 인가, UV 인가 중 적어도 어느 하나를 수행하여, 마스크와 템플릿을 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다. After step (g), the temporary adhesive may be further subjected to at least one of heat application, chemical treatment, ultrasonic application, and UV application to further include separating the mask from the template.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마스크를 변형없이 안정적으로 지지 및 이동이 가능한 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, it is possible to stably support and move the mask without deformation.
또한, 본 발명에 따르면, 마스크를 프레임에 용접 시 용접 비드가 충분히 생성되어 접착이 안정적으로 수행될 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, when the mask is welded to the frame, welding beads are sufficiently generated, so that adhesion can be stably performed.
또한, 본 발명에 따르면, 마스크를 제조할 때, 마스크 금속막과 절연부의 접착력을 개선하여 보다 명확한 마스크 패턴을 형성할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, when manufacturing the mask, there is an effect that can improve the adhesion of the mask metal film and the insulating portion to form a more clear mask pattern.
또한, 본 발명에 따르면, 마스크를 프레임에 접착할 때, 마스크와 프레임의 밀착력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, when the mask is adhered to the frame, there is an effect that can improve the adhesion between the mask and the frame.
또한, 본 발명에 따르면, 마스크를 프레임에 접착한 후에 반복 사용이 가능한 효과가 있다. In addition, according to the present invention, there is an effect that can be repeatedly used after the mask is adhered to the frame.
또한, 본 발명에 따르면, 마스크와 프레임이 일체형 구조를 이룰 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect that the mask and the frame can achieve an integral structure.
또한, 본 발명에 따르면, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고 정렬을 명확하게 할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect that can prevent deformation such as the mask is struck or twisted and the alignment can be clarified.
또한, 본 발명에 따르면, 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, there is an effect that can significantly reduce the manufacturing time, and significantly increase the yield.
도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 2는 종래의 마스크를 프레임에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 종래의 마스크를 인장하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 8은 종래의 고해상도 OLED 형성을 위한 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿 상에 마스크 금속막을 접착하고 마스크를 형성하여 마스크 지지 템플릿을 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 임시접착부를 나타내는 확대 단면 개략도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 일부를 확대한 단면 개략도이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 지지 템플릿을 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 지지 템플릿을 프레임 상에 로딩하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿을 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임에 접착한 후 마스크와 템플릿을 분리하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임에 접착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing a conventional OLED pixel deposition mask.
2 is a schematic view showing a process of bonding a conventional mask to a frame.
3 is a schematic diagram showing that an alignment error occurs between cells in the process of stretching a conventional mask.
4 is a front view and a side cross-sectional view showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
5 is a front view and a side cross-sectional view showing a frame according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a frame according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a frame according to another embodiment of the present invention.
8 is a schematic view showing a mask for forming a conventional high-resolution OLED.
9 is a schematic diagram showing a mask according to an embodiment of the present invention.
10 to 12 are schematic diagrams showing a process of manufacturing a mask support template by adhering a mask metal film on a template according to an embodiment of the present invention and forming a mask.
13 is an enlarged cross-sectional schematic view showing a temporary adhesive part according to an embodiment of the present invention.
14 is an enlarged cross-sectional schematic view of a part of a mask according to an embodiment of the present invention.
15 is a schematic view showing a process of manufacturing a mask support template according to another embodiment of the present invention.
16 is a schematic diagram showing a process of loading a mask support template on a frame according to an embodiment of the present invention.
17 is a schematic diagram showing a state in which a template is loaded on a frame according to an embodiment of the present invention to associate a mask with a cell region of the frame.
18 is a schematic view showing a process of separating a mask and a template after adhering a mask according to an embodiment of the present invention to a frame.
19 is a schematic diagram showing a state in which a mask according to an embodiment of the present invention is attached to a frame.
20 is a schematic diagram showing an OLED pixel deposition apparatus using an integrated frame mask according to an embodiment of the present invention.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.For a detailed description of the present invention, which will be described later, reference is made to the accompanying drawings that illustrate, by way of example, specific embodiments in which the invention may be practiced. These examples are described in detail enough to enable those skilled in the art to practice the present invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and properties described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in relation to one embodiment. In addition, it should be understood that the location or placement of individual components within each disclosed embodiment can be changed without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the following detailed description is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if appropriately described, is limited only by the appended claims, along with all ranges equivalent to those claimed. In the drawings, similar reference numerals refer to the same or similar functions across various aspects, and length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to enable those skilled in the art to easily implement the present invention.
도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크(10)를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing a conventional OLED
도 1을 참조하면, 종래의 마스크(10)는 스틱형(Stick-Type) 또는 판형(Plate-Type)으로 제조될 수 있다. 도 1의 (a)에 도시된 마스크(10)는 스틱형 마스크로서, 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 1의 (b)에 도시된 마스크(100)는 판형(Plate-Type) 마스크로서, 넓은 면적의 화소 형성 공정에서 사용될 수 있다.Referring to FIG. 1, the
마스크(10)의 바디(Body)[또는, 마스크 막(11)]에는 복수의 디스플레이 셀(C)이 구비된다. 하나의 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 셀(C)에는 디스플레이의 각 화소에 대응하도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 셀(C)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(P)이 나타난다. 일 예로, 셀(C)에는 70 X 140의 해상도를 가지도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 즉, 수많은 화소 패턴(P)들은 군집을 이루어 셀(C) 하나를 구성하며, 복수의 셀(C)들이 마스크(10)에 형성될 수 있다.The
도 2는 종래의 마스크(10)를 프레임(20)에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다. 도 3은 종래의 마스크(10)를 인장(F1~F2)하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다. 도 1의 (a)에 도시된 6개의 셀(C: C1~C6)을 구비하는 스틱 마스크(10)를 예로 들어 설명한다.2 is a schematic view showing a process of bonding the
도 2의 (a)를 참조하면, 먼저, 스틱 마스크(10)를 평평하게 펴야한다. 스틱 마스크(10)의 장축 방향으로 인장력(F1~F2)을 가하여 당김에 따라 스틱 마스크(10)가 펴지게 된다. 그 상태로 사각틀 형태의 프레임(20) 상에 스틱 마스크(10)를 로딩한다. 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들은 프레임(20)의 틀 내부 빈 영역 부분에 위치하게 된다. 프레임(20)은 하나의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수 있고, 복수의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수도 있다.Referring to (a) of FIG. 2, first, the
도 2의 (b)를 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절하면서 정렬을 시킨 후, 스틱 마스크(10) 측면의 일부를 용접(W)함에 따라 스틱 마스크(10)와 프레임(20)을 상호 연결한다. 도 2의 (c)는 상호 연결된 스틱 마스크(10)와 프레임의 측단면을 나타낸다.Referring to (b) of FIG. 2, after aligning while finely adjusting the tensile forces F1 to F2 applied to each side of the
도 3을 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절함에도 불구하고, 마스크 셀(C1~C3)들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 나타난다. 가령, 셀(C1~C3)들의 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상호 다르게 되거나, 패턴(P)들이 비뚤어지는 것이 그 예이다. 스틱 마스크(10)는 복수(일 예로, 6개)의 셀(C1~C6)을 포함하는 대면적이고, 수십 ㎛ 수준의 매우 얇은 두께를 가지기 때문에, 하중에 의해 쉽게 쳐지거나 뒤틀어지게 된다. 또한, 각 셀(C1~C6)들을 모두 평평하게 하도록 인장력(F1~F2)을 조절하면서, 각 셀(C1~C6)들간의 정렬 상태를 현미경을 통해 실시간으로 확인하는 것은 매우 어려운 작업이다.Referring to Figure 3, despite the fine adjustment of the tensile force (F1 ~ F2) applied to each side of the
따라서, 인장력(F1~F2)의 미세한 오차는 스틱 마스크(10) 각 셀(C1~C3)들이 늘어나거나, 펴지는 정도에 오차를 발생시킬 수 있고, 그에 따라 마스크 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상이해지게 되는 문제점을 발생시킨다. 물론, 완벽하게 오차가 0이 되도록 정렬하는 것은 어려운 것이지만, 크기가 수 내지 수십 ㎛인 마스크 패턴(P)이 초고화질 OLED의 화소 공정에 악영향을 미치지 않도록 하기 위해서는, 정렬 오차가 3㎛를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 이렇게 인접하는 셀 사이의 정렬 오차를 PPA(pixel position accuracy)라 지칭한다.Therefore, the fine error of the tensile force (F1 ~ F2) may cause an error in the degree of stretching or unfolding each of the cells (C1 ~ C3) of the
이에 더하여, 대략 6~20개 정도의 복수의 스틱 마스크(10)들을 프레임(20) 하나에 각각 연결하면서, 복수의 스틱 마스크(10)들간에, 그리고 스틱 마스크(10)의 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태를 명확히 하는 것도 매우 어려운 작업이고, 정렬에 따른 공정 시간이 증가할 수밖에 없게 되어 생산성을 감축시키는 중대한 이유가 된다.In addition, while connecting the plurality of stick masks 10 of approximately 6 to 20 to each of the
한편, 스틱 마스크(10)를 프레임(20)에 연결 고정시킨 후에는, 스틱 마스크(10)에 가해졌던 인장력(F1~F2)이 프레임(20)에 역으로 작용할 수 있다. 즉, 인장력(F1~F2)에 의해 팽팽히 늘어났던 스틱 마스크(10)가 프레임(20)에 연결된 후에 프레임(20)에 장력(tension)을 작용할 수 있다. 보통 이 장력이 크지 않아서 프레임(20)에 큰 영향을 미치지 않을 수 있으나, 프레임(20)의 크기가 소형화되고 강성이 낮아지는 경우에는 이러한 장력이 프레임(20)을 미세하게 변형시킬 수 있다. 그리하면 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태가 틀어지는 문제가 발생할 수 있다.On the other hand, after the
이에, 본 발명은 마스크(100)가 프레임(200)과 일체형 구조를 이룰 수 있게 하는 프레임(200) 및 프레임 일체형 마스크를 제안한다. 프레임(200)에 일체로 형성되는 마스크(100)는 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지되고, 프레임(200)에 명확히 정렬될 수 있다. 마스크(100)가 프레임(200)에 연결될 때 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않으므로, 마스크(100)가 프레임(200)에 연결된 후 프레임(200)이 변형될 정도의 장력을 가하지 않을 수 있다. 그리고, 마스크(100)를 프레임(200)에 일체로 연결하는 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 이점을 가진다.Accordingly, the present invention proposes a
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도[도 4의 (a)] 및 측단면도[도 4의 (b)]이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도[도 5의 (a)] 및 측단면도[도 5의 (b)]이다.4 is a front view showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention [Fig. 4 (a)] and a side cross-sectional view [Fig. 4 (b)], Figure 5 according to an embodiment of the present invention It is a front view (FIG. 5(a)) and a side sectional view (FIG. 5(b)) showing the frame.
도 4 및 도 5를 참조하면, 프레임 일체형 마스크는, 복수의 마스크(100) 및 하나의 프레임(200)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 복수의 마스크(100)들을 각각 하나씩 프레임(200)에 접착한 형태이다. 이하에서는, 설명의 편의상 사각 형태의 마스크(100)를 예로 들어 설명하나, 마스크(100)들은 프레임(200)에 접착되기 전에는 양측에 클램핑되는 돌출부를 구비한 스틱 마스크 형태일 수 있으며, 프레임(200)에 접착된 후에 돌출부가 제거될 수 있다.4 and 5, the frame-integrated mask may include a plurality of
각각의 마스크(100)에는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성되며, 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있다. 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응할 수 있다.A plurality of mask patterns P may be formed in each
프레임(200)은 복수의 마스크(100)를 접착시킬 수 있도록 형성된다. 프레임(200)은 최외곽 테두리를 포함해 제1 방향(예를 들어, 가로 방향), 제2 방향(예를 들어, 세로 방향)으로 형성되는 여러 모서리를 포함할 수 있다. 이러한 여러 모서리들은 프레임(200) 상에 마스크(100)가 접착될 구역을 구획할 수 있다.The
프레임(200)은 대략 사각 형상, 사각틀 형상의 테두리 프레임부(210)를 포함할 수 있다. 테두리 프레임부(210)의 내부는 중공 형태일 수 있다. 즉, 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함할 수 있다. 프레임(200)은 인바, 슈퍼인바, 알루미늄, 티타늄 등의 금속 재질로 구성될 수 있으며, 열변형을 고려하여 마스크와 동일한 열팽창계수를 가지는 인바, 슈퍼 인바, 니켈, 니켈-코발트 등의 재질로 구성되는 것이 바람직하고, 이 재질들은 프레임(200)의 구성요소인 테두리 프레임부(210), 마스크 셀 시트부(220)에 모두 적용될 수 있다.The
이에 더하여, 프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하며, 테두리 프레임부(210)에 연결되는 마스크 셀 시트부(220)를 포함할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)는 마스크(100)와 마찬가지로 압연으로 형성되거나, 전주도금과 같은 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 형성될 수도 있다. 또한, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트(sheet)에 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결할 수 있다. 또는, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 연결한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 마스크 셀 시트부(220)에 먼저 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결한 것을 주로 상정하여 설명한다.In addition to this, the
마스크 셀 시트부(220)는 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225) 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)는 동일한 시트에서 구획된 각 부분을 지칭하며, 이들은 상호간에 일체로 형성된다.The mask
테두리 시트부(221)가 실질적으로 테두리 프레임부(210)에 연결될 수 있다. 따라서, 테두리 시트부(221)는 테두리 프레임부(210)와 대응하는 대략 사각 형상, 사각틀 형상을 가질 수 있다.The
또한, 제1 그리드 시트부(223)는 제1 방향(가로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제1 그리드 시트부(223)를 포함하는 경우, 각각의 제1 그리드 시트부(223)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, the first
또한, 이에 더하여, 제2 그리드 시트부(225)가 제2 방향(세로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제2 그리드 시트부(225)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)와 제2 그리드 시트부(225)는 서로 수직 교차될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제2 그리드 시트부(225)를 포함하는 경우, 각각의 제2 그리드 시트부(225)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, in addition to this, the second
한편, 제1 그리드 시트부(223)들 간의 간격과, 제2 그리드 시트부(225)들 간의 간격은 마스크 셀(C)의 크기에 따라서 동일하거나 상이할 수 있다.Meanwhile, an interval between the first
제1 그리드 시트부(223) 및 제2 그리드 시트부(225)는 박막 형태의 얇은 두께를 가지지만, 길이 방향에 수직하는 단면의 형상은 직사각형, 평행사변형과 같은 사각형 형상, 삼각형 형상 등일 수 있고, 변, 모서리 부분이 일부 라운딩 될 수도 있다. 단면 형상은 레이저 스크라이빙, 에칭 등의 과정에서 조절 가능하다.The first
테두리 프레임부(210)의 두께는 마스크 셀 시트부(220)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 테두리 프레임부(210)는 프레임(200)의 전체 강성을 담당하기 때문에 수mm 내지 수cm의 두께로 형성될 수 있다.The thickness of the
마스크 셀 시트부(220)의 경우는, 실질적으로 두꺼운 시트를 제조하는 공정이 어렵고, 너무 두꺼우면 OLED 화소 증착 공정에서 유기물 소스(600)[도 20 참조]가 마스크(100)를 통과하는 경로를 막는 문제를 발생시킬 수 있다. 반대로, 두께가 너무 얇아지면 마스크(100)를 지지할 정도의 강성 확보가 어려울 수 있다. 이에 따라, 마스크 셀 시트부(220)는 테두리 프레임부(210)의 두께보다는 얇지만, 마스크(100)보다는 두꺼운 것이 바람직하다. 마스크 셀 시트부(220)의 두께는, 약 0.1mm 내지 1mm 정도로 형성될 수 있다. 그리고, 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 폭은 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있다.In the case of the mask
평면의 시트에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외하여, 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)이 제공될 수 있다. 다른 관점에서, 마스크 셀 영역(CR)이라 함은, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R)에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외한, 빈 영역을 의미할 수 있다.A plurality of mask cell regions CR: CR11 to CR56 may be provided, except for regions occupied by the
이 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)의 셀(C)이 대응됨에 따라, 실질적으로 마스크 패턴(P)을 통해 OLED의 화소가 증착되는 통로로 이용될 수 있게 된다. 전술하였듯이 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)을 구성하는 마스크 패턴(P)들이 형성될 수 있다. 또는, 하나의 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있으나, 마스크(100)의 명확한 정렬을 위해서는 대면적 마스크(100)를 지양할 필요가 있고, 하나의 셀(C)을 구비하는 소면적 마스크(100)가 바람직하다. 또는, 프레임(200)의 하나의 셀 영역(CR)에 복수의 셀(C)을 가지는 하나의 마스크(100)가 대응할 수도 있다. 이 경우, 명확한 정렬을 위해서는 2-3개 정도의 소수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)를 대응하는 것을 고려할 수 있다.As the cell C of the
프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하고, 각각의 마스크(100)는 각각 하나의 마스크 셀(C)이 마스크 셀 영역(CR)에 대응되도록 접착될 수 있다. 각각의 마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미[셀(C)을 제외한 마스크 막(110) 부분에 대응]를 포함할 수 있다. 더미는 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 마스크 셀(C)은 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고, 더미의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 접착될 수 있다. 이에 따라, 마스크(100)와 프레임(200)이 일체형 구조를 이룰 수 있게 된다.The
한편, 다른 실시예에 따르면, 프레임은 테두리 프레임부(210)에 마스크 셀 시트부(220)를 접착하여 제조하지 않고, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R) 부분에 테두리 프레임부(210)와 일체인 그리드 프레임[그리드 시트부(223, 225)에 대응]을 곧바로 형성한 프레임을 사용할 수도 있다. 이러한 형태의 프레임도 적어도 하나의 마스크 셀 영역(CR)을 포함하며, 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)를 대응시켜 프레임 일체형 마스크를 제조할 수 있게 된다.On the other hand, according to another embodiment, the frame is not manufactured by adhering the mask
이하에서는, 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정에 대해 설명한다.Hereinafter, a process of manufacturing the frame-integrated mask will be described.
먼저, 도 4 및 도 5에서 상술한 프레임(200)을 제공할 수 있다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임(200)의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.First, the
도 6의 (a)를 참조하면, 테두리 프레임부(210)를 제공한다. 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함한 사각 틀 형상일 수 있다.Referring to (a) of FIG. 6, a
다음으로, 도 6의 (b)를 참조하면, 마스크 셀 시트부(220)를 제조한다. 마스크 셀 시트부(220)는 압연, 전주도금 또는 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 평면의 시트를 제조한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분을 제거함에 따라 제조할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)가 존재할 수 있다.Next, referring to FIG. 6B, a mask
다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220)의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220)를 평평하게 편 상태로 테두리 시트부(221)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 6의 (b)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220)를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220)를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, the mask
다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220)의 테두리 시트부(221)를 용접(W)하여 접착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 접착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220)와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220)를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, when the mask
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다. 도 6의 실시예는 마스크 셀 영역(CR)을 구비한 마스크 셀 시트부(220)를 먼저 제조하고 테두리 프레임부(210)에 접착하였으나, 도 7의 실시예는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 접착한 후에, 마스크 셀 영역(CR) 부분을 형성한다.7 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a frame according to another embodiment of the present invention. In the embodiment of FIG. 6, the mask
먼저, 도 6의 (a)처럼, 중공 영역(R)을 포함한 테두리 프레임부(210)를 제공한다.First, as illustrated in (a) of FIG. 6, a
다음으로, 도 7의 (a)를 참조하면, 테두리 프레임부(210)에 평면의 시트[평면의 마스크 셀 시트부(220')]를 대응할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220')는 아직 마스크 셀 영역(CR)이 형성되지 않은 평면 상태이다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220')의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220')를 평평하게 편 상태로 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 7의 (a)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220')를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220')를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, referring to (a) of FIG. 7, a flat sheet (the flat mask
다음으로, 마스크 셀 시트부(220')를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220')의 테두리 부분을 용접(W)하여 접착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220')가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 접착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220') 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220')와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220')를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, when the mask cell sheet portion 220' corresponds to the
다음으로, 도 7의 (b)를 참조하면, 평면의 시트[평면의 마스크 셀 시트부(220')]에 마스크 셀 영역(CR)을 형성한다. 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분의 시트를 제거함에 따라 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 마스크 셀 영역(CR)을 형성하게 되면, 테두리 프레임부(210)와 용접(W)된 부분이 테두리 시트부(221)가 되고, 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)를 구비하는 마스크 셀 시트부(220)가 구성될 수 있다.Next, referring to FIG. 7B, a mask cell region CR is formed on a planar sheet (planar mask cell sheet portion 220'). The mask cell region CR may be formed by removing the sheet of the mask cell region CR portion through laser scribing, etching, or the like. In this specification, a description will be given of an example in which 6 x 5 mask cell regions CR: CR11 to CR56 are formed. When the mask cell region CR is formed, the
도 8은 종래의 고해상도 OLED 형성을 위한 마스크를 나타내는 개략도이다.8 is a schematic view showing a mask for forming a conventional high-resolution OLED.
고해상도의 OLED를 구현하기 위해 패턴의 크기가 줄어들고 있으며, 이를 위해 사용되는 마스크 금속막의 두께도 얇아질 필요가 있다. 도 8의 (a)와 같이, 고해상도의 OLED 화소(6)를 구현하려면, 마스크(10')에서 화소 간격 및 화소 크기 등을 줄여야 한다(PD -> PD'). 또한, 새도우 이펙트에 의한 OLED 화소(6)가 불균일하게 증착되는 것을 막기 위하여, 마스크(10')의 패턴을 경사지게 형성(14)할 필요가 있다. 하지만, 약 30~50 ㎛정도의 두께(T1)를 가져 두꺼운 마스크(10')에 패턴을 경사지게 형성(14)하는 과정에서, 미세한 화소 간격(PD') 및 화소 크기에 맞는 패터닝(13)을 하기 어렵기 때문에 가공 공정에서 수율이 나빠지는 원인이 된다. 다시 말해, 미세한 화소 간격(PD')을 가지고 경사지게 패턴을 형성(14)하기 위해서는 얇은 두께의 마스크(10')를 사용하여야 한다.In order to realize a high resolution OLED, the size of the pattern is decreasing, and the thickness of the mask metal film used for this needs to be reduced. 8(a), in order to implement a high-
특히, UHD 수준의 고해상도를 위해서는, 도 8의 (b)와 같이, 20㎛ 이하 정도의 두께(T2)를 가지는 얇은 마스크(10')를 사용하여야 미세한 패터닝을 할 수 있게 된다. 또한, UHD 이상의 초고해상도를 위해서는 10㎛ 정도의 두께(T2)를 가지는 얇은 마스크(10')의 사용을 고려할 수 있다.In particular, for high resolution of UHD level, as shown in FIG. 8(b), it is possible to perform fine patterning only by using a thin mask 10' having a thickness T2 of about 20 µm or less. In addition, for ultra-high resolution of UHD or higher, the use of a thin mask 10' having a thickness T2 of about 10 mu m may be considered.
하지만, 마스크(10')의 두께가 너무 얇아지면 마스크(10')를 프레임(200)에 용접할 때, 용접의 매개체가 되는 용접 비드가 충분히 생성되지 않는 문제점이 있다. 용접 비드가 불충분하게 생성되면 마스크(10')와 프레임(200)의 접착 강도가 낮아지거나 심지어 접착에 실패하는 경우도 발생한다.However, when the thickness of the mask 10' becomes too thin, when welding the mask 10' to the
따라서, 본 발명은 위와 같은 문제를 해결하기 위해 용접 비드가 충분히 생성될 수 있는 마스크(100)를 포함하는 마스크 지지 템플릿을 제안한다. 마스크(100)의 용접 타겟인 더미(DM) 또는 용접부(WP)의 부분은 마스크 패턴(P)이 형성되는 마스크 셀(C) 또는 마스크 셀부(CG)보다 두꺼울 수 있다. 그리하여 두꺼운 부분에서 충분한 양의 용접 비드의 생성을 제공하므로, 용접 강도, 접착 강도가 확보될 수 있게 된다. 이하에서 구체적으로 살펴본다.Accordingly, the present invention proposes a mask support template including a
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 나타내는 개략도이다.9 is a schematic diagram showing a
마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미(DM)를 포함할 수 있다. 압연 공정, 전주 도금 등으로 생성한 금속 시트로 마스크(100)를 제조할 수 있고, 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있음은 상술한 바 있다. 더미(DM)는 셀(C)을 제외한 마스크 막(110)[마스크 금속막(110)] 부분에 대응하고, 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 더미(DM)는 마스크(100)의 테두리에 대응하여 더미(DM)의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 접착될 수 있다.The
마스크(100)는 압연(rolling) 공정으로 생성한 금속 시트(sheet)를 사용할 수 있다. 마스크(100)는 열팽창계수가 약 1.0 X 10-6/℃인 인바(invar), 약 1.0 X 10-7/℃ 인 슈퍼 인바(super invar) 재질일 수 있다. 이 재질의 마스크(100)는 열팽창계수가 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용될 수 있다. 이 외에, 최근에 온도 변화값이 크지 않은 범위에서 화소 증착 공정을 수행하는 기술들이 개발되는 것을 고려하면, 마스크(100)는 이보다 열팽창계수가 약간 큰 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co) 등의 재질일 수도 있다.The
압연 공정으로 제조된 금속 시트는 제조 공정상 수십 내지 수백 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 이 정도로 비교적 두꺼운 금속 시트는, 후술할 마스크 패턴(P)을 미세하게 형성하기 위해, 더 얇게 만들어질 필요가 있다. 금속 시트에 CMP 등의 방법을 사용하여 두께를 약 50㎛ 이하로, 예를 들어, 20~50㎛ 정도로 얇게 만드는 공정을 더 수행할 수 있다.The metal sheet produced by the rolling process may have a thickness of tens to hundreds of μm in the manufacturing process. In order to form the mask pattern P, which will be described later, in a relatively thick metal sheet, it needs to be made thinner. By using a method such as CMP on the metal sheet, a process of making the thickness as thin as about 50 μm or less, for example, about 20 to 50 μm, may be further performed.
압연 공정으로 제조된 금속 시트를 사용하는 경우에는, 전주도금으로 형성한 도금막보다 두께면에서는 두꺼운 문제가 있지만, 열팽창계수(CTE)가 낮기 때문에 별도의 열처리 공정을 수행할 필요가 없으며, 내부식성이 강한 이점이 있다. In the case of using the metal sheet produced by the rolling process, there is a problem in that it is thicker in thickness than the plated film formed by electroforming, but since the thermal expansion coefficient (CTE) is low, there is no need to perform a separate heat treatment process, and corrosion resistance This has a strong advantage.
한편, 압연 공정으로 생성한 금속 시트를 사용하는 것이 바람직하나, 이에 제한되지는 않고, 전주 도금(electroforming)으로 생성한 금속 시트를 사용할 수도 있다. 이때, 열처리 공정을 더 수행하여 전주 도금 시트의 열팽창계수를 낮출 수 있다. 전주 도금의 음극체(cathode) 전극으로 사용되는 기재는 전도성 재질일 수 있다. 특히, 메탈의 경우 메탈 옥사이드, 다결정의 경우 개재물, 결정립계로 인해 음극체에 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금 금속 시트의 일부가 불균일하게 형성될 수 있으므로, 단결정 재질의 모판(또는, 음극체)을 사용할 수 있다. 특히, 단결정 실리콘 재질일 수 있고, Ti, Cu, Ag 등의 금속, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge 등의 반도체, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 등의 탄소계 재질, CH3NH3PbCl3, CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbI3, SrTiO3 등을 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조 등의 초전도체용 단결정 세라믹, 항공기 부품용 단결정 초내열합금 등이 사용될 수도 있다. 전도성을 가지도록 도핑이 일부, 전체에 수행될 수 있다. 단결정 재질의 경우는 결함이 없기 때문에, 전주 도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 균일한 금속 시트를 생성하고, 이를 통해 제조하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)는 OLED 화소의 화질 수준을 더욱 개선할 수 있다.On the other hand, it is preferable to use a metal sheet produced by a rolling process, but is not limited thereto, and a metal sheet produced by electroforming may be used. At this time, the thermal expansion coefficient of the electroplated sheet may be lowered by further performing a heat treatment process. The substrate used as a cathode electrode of electroplating may be a conductive material. Particularly, since a uniform electric field is not applied to the negative electrode body due to metal oxide in the case of metal, inclusions in the case of polycrystals, and grain boundaries, a part of the plated metal sheet may be formed non-uniformly. Can be used. In particular, it may be a single crystal silicon material, and metals such as Ti, Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, semiconductors, carbon such as graphite, graphene, etc. based material, CH 3 NH 3 PbCl 3, CH 3 NH 3 PbBr 3, CH 3 NH 3 PbI 3, page containing SrTiO 3, such as perovskite (perovskite) single crystal seconds for single-crystal ceramic, aircraft parts for superconductors such as architecture Heat-resistant alloys and the like may be used. Doping may be performed partially or entirely to have conductivity. In the case of a single crystal material, since there are no defects, a uniform metal sheet due to the formation of a uniform electric field on all surfaces during electroplating is produced, and the frame-integrated
압연, 전주도금, 그 밖의 막 형성 공정을 사용하여 제조된 금속 시트에 마스크 패턴(P)을 형성할 수 있다. 금속 시트 상에 포토리소그래피를 이용한 식각 공정을 적용하여 마스크 패턴(P)을 형성할 수 있다. 이 외에, 레이저 식각 공정 등의 패턴 형성 공정을 더 사용할 수 있다. 마스크 패턴(P)의 폭은 40㎛보다 작게 형성될 수 있다.A mask pattern P may be formed on a metal sheet manufactured by rolling, electroforming, or other film forming processes. A mask pattern P may be formed on the metal sheet by applying an etching process using photolithography. In addition to this, a pattern forming process such as a laser etching process can be further used. The width of the mask pattern P may be smaller than 40 μm.
마스크(100)는 용접부(WP)를 구비할 수 있다. 용접부(WP)는 레이저(L)의 조사에 의해 용접 비드(WB)를 형성할 수 있는 타겟 영역을 의미할 수 있다. 용접부(WP)는 마스크(100)의 테두리 또는 더미(DM) 부분에서 적어도 일부 영역에 해당할 수 있다. 용접부(WP)는 마스크(100)의 네개의 테두리 부분, 대향하는 두개의 테두리 부분 등에 위치할 수 있다. 이하에서는 복수의 용접부(WP)가 마스크(100)의 더미(DM) 영역에 일정한 간격을 가지고 배치되고, 용접부(WP)의 형태는 대략 원 형상인 것을 상정하여 설명하지만, 반드시 이에 제한되지는 않음을 밝혀둔다.The
본 발명의 마스크(100)에서 용접 타겟인 더미(DM) 또는 용접부(WP)의 부분은 마스크 패턴(P)이 형성되는 마스크 셀(C)보다 두꺼울 수 있다. 더미(DM) 또는 용접부(WP) 부분의 두께는 바랍직하게는 약 10㎛ 이상일 수 있고, 일 예로 약 10~30㎛일 수 있다. 그리고, 마스크 셀(C) 부분의 두께는 더미(DM) 또는 용접부(WP) 부분의 두께보다는 얇은 범위에서 약 5~18㎛일 수 있다.In the
프레임(200)이 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 구비하므로, 각각의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 대응하는 마스크 셀(C: C11~C56)을 가지는 마스크(100)도 복수개 구비할 수 있다.Since the
마스크(100)의 일면(101)은 OLED 화소 증착 공정에서 대상 기판(900)[도 20 참조]에 접촉할 면이기 때문에 평평한 것이 바람직하다. 그리고, 마스크(100)의 타면에서 더미(DM)의 면(102)과 마스크 셀(C)의 면(103)은 더미(DM)와 마스크 셀(C)의 두께 차이에 따른 단차 또는 라운딩이 형성될 수 있다. 마스크(100)의 일면(101)은 후술할 템플릿(50)의 일면과 대향하는 면이다.The one
이하에서는, 제조한 마스크 금속막(110)을 템플릿(50)에 지지시켜 마스크(100)를 제조하며, 마스크(100)가 지지된 템플릿(50)을 프레임(200) 상에 로딩하고 마스크(100)를 프레임(200)에 접착함에 따라 프레임 일체형 마스크를 제조하는 일련의 공정을 설명한다.Hereinafter, the
도 10 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿(50) 상에 마스크 금속막(110)을 접착하고 마스크(100)를 형성하여 마스크 지지 템플릿을 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.10 to 12 are schematic diagrams showing a process of manufacturing a mask support template by adhering a
먼저, 마스크 금속막(110)을 준비할 수 있다. 일 실시예로서, 압연 방식으로 마스크 금속막(110)을 준비할 수 있다.First, the
다음으로, 도 10의 (a)를 참조하면, 템플릿(template; 50)을 제공할 수 있다. 템플릿(50)은 마스크(100)가 일면 상에 부착되어 지지된 상태로 이동시킬 수 있는 매개체이다. 템플릿(50)의 일면은 평평한 마스크(100)를 지지하여 이동시킬 수 있도록 평평한 것이 바람직하다. 중심부(50a)는 마스크 금속막(110)의 마스크 셀(C)에 대응하고, 테두리부(50b)는 마스크 금속막(110)의 더미(DM)에 대응할 수 있다. 마스크 금속막(110)이 전체적으로 지지될 수 있도록 템플릿(50)의 크기는 마스크 금속막(110)보다 면적이 큰 평판 형상일 수 있다.Next, referring to (a) of FIG. 10, a
템플릿(50)은 마스크(100)를 프레임(200)에 정렬시키고 접착하는 과정에서 비전(vision) 등을 관측하기 용이하도록 투명한 재질인 것이 바람직하다. 또한, 투명한 재질인 경우 레이저가 관통할 수도 있다. 투명한 재질로서 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3), 붕규산유리(borosilicate glass), 지르코니아(zirconia) 등의 재질을 사용할 수 있다. 일 예로, 템플릿(50)은 붕규산유리 중 우수한 내열성, 화학적 내구성, 기계적 강도, 투명성 등을 가지는 BOROFLOAT® 33 재질을 사용할 수 있다. 또한, BOROFLOAT® 33은 열팽창계수가 약 3.3으로 인바 마스크 금속막(110)과 열팽창계수 차이가 적어 마스크 금속막(110)의 제어에 용이한 이점이 있다.The
한편, 템플릿(50)은 마스크 금속막(110)[또는, 마스크(100)]과의 계면 사이에서 에어갭(air gap)이 발생하지 않도록, 마스크 금속막(110)과 접촉하는 일면이 경면일 수 있다. 이를 고려하여, 템플릿(50)의 일면의 표면 조도(Ra)가 100nm 이하일 수 있다. 표면 조도(Ra)가 100nm 이하인 템플릿(50)을 구현하기 위해, 템플릿(50)은 웨이퍼(wafer)를 사용할 수 있다. 웨이퍼(wafer)는 표면 조도(Ra)가 약 10nm 정도이고, 시중의 제품이 많고 표면처리 공정들이 많이 알려져 있으므로, 템플릿(50)으로 사용할 수 있다. 템플릿(50)의 표면 조도(Ra)가 nm 스케일이기 때문에 에어갭이 없거나, 거의 없는 수준으로, 레이저 용접에 의한 용접 비드(WB)의 생성이 용이하여 마스크 패턴(P)의 정렬 오차에 영향을 주지 않을 수 있다.On the other hand, in the
템플릿(50)은 템플릿(50)의 상부에서 조사하는 레이저(L)가 마스크(100)의 용접부(WP; 용접을 수행할 영역)에까지 도달할 수 있도록, 템플릿(50)에는 레이저 통과공(51)이 형성될 수 있다. 레이저 통과공(51)은 용접부(WP)의 위치 및 개수에 대응하도록 템플릿(50)에 형성될 수 있다. 용접부(WP)는 마스크(100)의 테두리 또는 더미(DM) 부분에서 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 이에 대응하도록 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다. 일 예로, 용접부(WP)는 마스크(100)의 양측(좌측/우측) 더미(DM) 부분에 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 템플릿(50)의 양측(좌측/우측)에 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다.The
레이저 통과공(51)은 반드시 용접부(WP)의 위치 및 개수에 대응될 필요는 없다. 예를 들어, 레이저 통과공(51) 중 일부에 대해서만 레이저(L)를 조사하여 용접을 수행할 수도 있다. 또한, 용접부(WP)에 대응되지 않는 레이저 통과공(51) 중 일부는 마스크(100)와 템플릿(50)을 정렬할 때 얼라인 마크를 대신하여 사용할 수도 있다. 만약, 템플릿(50)의 재질이 레이저(L) 광에 투명하다면 레이저 통과공(51)을 형성하지 않을 수도 있다.The laser through-
템플릿(50)의 일면에는 임시접착부(55)가 형성될 수 있다. 임시접착부(55)는 마스크(100)가 프레임(200)에 접착되기 전까지 마스크(100)[또는, 마스크 금속막(110)]이 임시로 템플릿(50)의 일면에 접착되어 템플릿(50) 상에 지지되도록 할 수 있다.A
임시접착부(55)는 열을 가함에 따라 분리가 가능한 접착제 또는 접착 시트(thermal release type), UV 조사에 의해 분리가 가능한 접착제 또는 접착시트(UV release type)를 사용할 수 있다.The
일 예로, 임시접착부(55)는 액체 왁스(liquid wax)를 사용할 수 있다. 액체 왁스는 반도체 웨이퍼의 폴리싱 단계 등에서 이용되는 왁스와 동일한 것을 사용할 수 있고, 그 유형이 특별히 한정되지는 않는다. 액체 왁스는 주로 유지력에 관한 접착력, 내충격성 등을 제어하기 위한 수지 성분으로 아크릴, 비닐아세테이트, 나일론 및 다양한 폴리머와 같은 물질 및 용매를 포함할 수 있다. 일 예로, 임시접착부(55)는 수지 성분으로 아크릴로나이트릴 뷰타디엔 고무(ABR, Acrylonitrile butadiene rubber), 용매 성분으로 n-프로필알코올을 포함하는 SKYLIQUID ABR-4016을 사용할 수 있다. 액체 왁스는 스핀 코팅을 사용하여 임시접착부(55) 상에 형성할 수 있다.As an example, the
액체 왁스인 임시접착부(55)는 85℃~100℃보다 높은 온도에서는 점성이 낮아지고, 85℃보다 낮은 온도에서 점성이 커지고 고체처럼 일부 굳을 수 있어, 마스크 금속막(110)과 템플릿(50)을 고정 접착할 수 있다.The temporary
다음으로, 도 10의 (b)를 참조하면, 템플릿(50) 상에 마스크 금속막(110)을 접착할 수 있다. 액체 왁스를 85℃이상으로 가열하고 마스크 금속막(110)을 템플릿(50)에 접촉시킨 후, 마스크 금속막(110) 및 템플릿(50)을 롤러 사이에 통과시켜 접착을 수행할 수 있다.Next, referring to (b) of FIG. 10, the
일 실시예에 따르면, 템플릿(50)에 약 120℃, 60초 동안 베이킹(baking)을 수행하여 임시접착부(55)의 솔벤트를 기화시키고, 곧바로, 마스크 금속막 라미네이션(lamination) 공정을 진행할 수 있다. 라미네이션은 임시접착부(55)가 일면에 형성된 템플릿(50) 상에 마스크 금속막(110)을 로딩하고, 약 100℃의 상부 롤(roll)과 약 0℃의 하부 롤 사이에 통과시켜 수행할 수 있다. 그 결과로, 마스크 금속막(110)이 템플릿(50) 상에서 임시접착부(55)를 개재하여 접촉될 수 있다.According to an embodiment, the solvent of the temporary
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 임시접착부(55)를 나타내는 확대 단면 개략도이다. 또 다른 예로, 임시접착부(55)는 열박리 테이프(thermal release tape)를 사용할 수 있다. 열박리 테이프는 가운데에 PET 필름 등의 코어 필름(56)이 배치되고, 코어 필름(56)의 양면에 열박리가 가능한 점착층(thermal release adhesive; 57a, 57b)이 배치되며, 점착층(57a, 57b)의 외곽에 박리 필름/이형 필름(58a, 58b)이 배치된 형태일 수 있다. 여기서 코어 필름(56)의 양면에 배치되는 점착층(57a, 57b)은 상호 박리되는 온도가 상이할 수 있다.13 is an enlarged cross-sectional schematic view showing a temporary
일 실시예에 따르면, 박리 필름/이형 필름(58a, 58b)을 제거한 상태에서, 열박리 테이프의 하부면[제2 점착층(57b)]은 템플릿(50)에 접착되고, 열박리 테이프의 상부면[제1 점착층(57a)]은 마스크 금속막(110)에 접착될 수 있다. 제1 점착층(57a)과 제2 점착층(57b)은 상호 박리되는 온도가 상이하므로, 후술할 도 18에서 마스크(100)로부터 템플릿(50)을 분리할 때, 제1 점착층(57a)이 열박리 되는 열을 가함에 따라 마스크(100)는 템플릿(50) 및 임시접착부(55)로부터 분리가 가능해질 수 있다.According to one embodiment, in a state in which the release film/
한편, 압연 공정으로 제조된 금속 시트는 제조 공정상 수십 내지 수백 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 도 8에서 전술한 바와 같이, UHD 수준의 고해상도를 위해서는 20㎛ 이하 정도의 두께를 가지는 얇은 마스크 금속막(110)을 사용하여야 미세한 패터닝을 할 수 있고, UHD 이상의 초고해상도를 위해서는 10㎛ 정도의 두께를 가지는 얇은 마스크 금속막(110)을 사용하여야 한다. 하지만, 압연(rolling) 공정으로 생성한 마스크 금속막(110')은 약 25~500㎛ 정도의 두께를 가지므로, 두께가 더 얇게 해야할 필요가 있다.Meanwhile, the metal sheet produced by the rolling process may have a thickness of tens to hundreds of μm in the manufacturing process. As described above with reference to FIG. 8, a fine mask pattern can be used only by using a thin
따라서, 도 10의 (b')와 같이, 다른 실시예로서, 마스크 금속막(110')의 일면을 평탄화(PS)하는 공정을 더 수행할 수 있다. 여기서 평탄화(PS)는 마스크 금속막(110')의 일면(상면)을 경면화 하면서 동시에 마스크 금속막(110')의 상부를 일부 제거하여 두께를 얇게 감축시키는 것을 의미한다. 평탄화(PS)는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 방법으로 수행할 수 있고, 공지의 CMP 방법을 제한없이 사용할 수 있다. 또한, 화학적 습식 식각(chemical wet etching) 또는 건식 식각(dry etching) 방법으로 마스크 금속막(110')의 두께를 감축시킬 수 있다. 이 외에도 마스크 금속막(110')의 두께를 얇게 하는 평탄화가 가능한 공정을 제한없이 사용할 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 10B, as another embodiment, a process of flattening (PS) one surface of the mask metal layer 110' may be further performed. Here, the planarization (PS) means that one surface (upper surface) of the mask metal film 110' is mirrored, and at the same time, the upper portion of the mask metal film 110' is partially removed to reduce the thickness. Planarization (PS) may be performed by a chemical mechanical polishing (CMP) method, and a known CMP method may be used without limitation. In addition, the thickness of the
평탄화(PS)를 수행하는 과정에서, 일 예로 CMP 과정에서, 마스크 금속막(110') 상부면의 표면 조도(Ra)가 제어될 수 있다. 바람직하게는, 표면 조도가 더 감소하는 경면화가 진행될 수 있다. 또는, 다른 예로, 화학적 습식 식각 또는 건식 식각 과정을 진행하여 평탄화(PS)를 수행한 후, 이후에 별개의 CMP 공정 등의 폴리싱 공정을 더하여 표면 조도(Ra)를 감소시킬 수도 있다.In the process of performing the planarization (PS), for example, in the CMP process, the surface roughness R a of the upper surface of the
이처럼, 마스크 금속막(110')의 두께를 약 50㎛ 이하로 얇게 만들 수 있다. 이에 따라 마스크 금속막(110)의 두께는 약 20㎛ 내지 50㎛ 정도로 형성될 수 있다. 하지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.As such, the thickness of the
전주 도금 공정으로 생성한 마스크 금속막(110)의 경우, 압연 공정으로 생성한 마스크 금속막(110)보다 두께가 얇을 수 있다. 이에 따라, 두께를 감축하는 평탄화(PS) 공정을 생략할 수도 있으나, 도금 마스크 금속막(110)의 표면층의 조성, 결정구조/미세구조에 따라 에칭 특성이 다를 수 있으므로, 평탄화(PS)를 더 수행하여 표면 특성, 두께를 제어할 수도 있다.In the case of the
다음으로, 도 11의 (c)를 참조하면, 마스크 금속막(110)의 테두리 상에 제1 절연부(23)를 형성할 수 있다. 제1 절연부(23)는 도 9에서 상술한 마스크(100)의 더미(DM) 영역이 될 부분에 형성하는 것이 바람직하다. 다시 말해, 마스크 금속막(110)의 마스크 셀부(CG)를 제외한 나머지 영역 상에 제1 절연부(23)를 형성할 수 있다. 여기에서, 마스크 셀부(CG)는 마스크 패턴(P)이 형성되면 마스크 셀(C)이 될 수 있는 영역으로, 프레임(200)에 마련되는 마스크 셀 영역(CR)과는 구분되는 개념으로 이해될 수 있다. 또는, 제1 절연부(23)는 마스크 금속막(110)의 용접부(WP)에 대응하는 영역 상에 형성할 수도 있다. 제1 절연부(23)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트 재질로 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 11C, the first insulating
다음으로, 도 11의 (d)를 참조하면, 제1 절연부(23)가 형성된 부분을 제외한 마스크 금속막(110)의 노출된 부분[또는, 마스크 셀부(CG)]에 식각(EC)을 수행할 수 있다. 건식 식각, 습식 식각 등의 방법을 제한없이 사용할 수 있고, 식각 결과 마스크 금속막(110)의 노출된 부분[또는, 마스크 셀부(CG)]이 식각되어, 두께가 감축될 수 있다.Next, referring to (d) of FIG. 11, etching (EC) is performed on the exposed portion of the mask metal film 110 (or the mask cell portion CG) except for the portion where the first insulating
다음으로, 도 11의 (e)를 참조하면, 제1 절연부(23)를 제거할 수 있다. 마스크 셀부(CG)가 식각되어 두께가 감축됨에 따라, 더미(DM)의 면(102)[또는, 용접부(WP)의 면]과 마스크 셀부(CG)의 면(103)의 두께 차이에 따른 단차 또는 라운딩이 나타날 수 있다.Next, referring to (e) of FIG. 11, the first insulating
다음으로, 도 12의 (f)를 참조하면, 두께가 감축된 마스크 셀부(CG) 상에 조도 감축 처리(TP)를 더 수행할 수 있다. 조도 감축 처리(TP)는 마스크 셀부(CG) 상에 터치 폴리싱(touch polishing)을 수행하는 처리일 수 있다. 두께가 감축된 마스크 셀부(CG)의 표면은 식각으로 인해 미세한 요철들이 형성되어 형태로 조도(거칠기)가 높은 상태일 수 있다. 여기에, 터치 폴리싱(TP)을 수행하면, 마스크 셀부(CG)의 표면 조도(Ra)가 0.1㎛보다 작게되는 것이 바람직하다. 표면 조도(Rz) 기준으로는 1.0㎛보다 작을 수 있다.Next, referring to (f) of FIG. 12, a roughness reduction process (TP) may be further performed on a mask cell portion CG having a reduced thickness. The roughness reduction process TP may be a process of performing touch polishing on the mask cell part CG. The surface of the mask cell portion CG having a reduced thickness may have a high roughness (roughness) in the form of fine irregularities due to etching. Here, when performing the touch polishing (TP), it is preferable that the surface roughness (Ra) of the mask cell portion (CG) is smaller than 0.1 μm. Based on the surface roughness (Rz) may be less than 1.0㎛.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 일부를 확대한 단면 개략도이다. 도 14를 참조하여 도 12의 (f) 단계에서 터치 폴리싱(TP)이 가능한 이유를 설명한다.14 is an enlarged cross-sectional schematic view of a part of a mask according to an embodiment of the present invention. The reason why touch polishing (TP) is possible in step (f) of FIG. 12 will be described with reference to FIG. 14.
마스크 셀부(CG)는 마스크 금속막(110)의 중심에 위치하고 마스크 셀부(CG)의 외곽 부분이 더미(DM)일 수 있다. 더미(DM)에서 용접부(WP)가 위치하는 부분은 두께 T1으로 형성되고, 마스크 셀부(CG)는 두께가 감축되어 두께 T2로 형성될 수 있다. 마스크 셀부(CG)와 더미(DM) 또는 용접부(WP)와의 두께 차이는 (T1 - T2)의 값을 가질 수 있다. 그리고, 용접부(WP)의 폭이 W1, 용접부(WP)를 제외한 더미(DM) 부분의 폭이 W2라고 하면, W1과 W2의 경계에서는 도 11(d)의 식각(EC)에 따른 라운딩 된 부분이 나타난다. W2의 폭을 가지는 더미(DM) 부분과 마스크 셀부(CG)는 거의 평형하게 연결될 수 있다.The mask cell part CG is located at the center of the
여기에서, 마스크 셀부(CG)와 더미(DM)의 경계로부터 용접부(WP)의 모서리 단부까지의 임의의 직선이, 수평선과 이루는 각도(a1)을 계산하면, 각도(a1)은 약 0.057° 내지 1.432°정도이다. 일 예로, 용접부(WP)의 두께(T1)가 15㎛, 마스크 셀부(CG)의 두께(T2)가 13㎛일때 두께 차이는 최소이며, 용접부(WP)를 제외한 더미(DM) 부분의 폭(W2)이 2,000㎛일때, 각도(a1)은 [a1(°) = arctan(2/2000) = 0.057] 에 따라 가장 낮은 값이 도출된다. 그리고, 용접부(WP)의 두께(T1)가 30㎛, 마스크 셀부(CG)의 두께(T2)가 5㎛일때 두께 차이는 최대이며, 용접부(WP)를 제외한 더미(DM) 부분의 폭(W2)이 1,000㎛일때, 각도(a1)은 [a1(°) = arctan(25/1000) = 1.432] 에 따라 가장 큰 값이 도출된다.Here, when an angle a1 formed by an arbitrary straight line from the boundary between the mask cell portion CG and the dummy DM to the edge end of the welding portion WP is calculated with the horizontal line, the angle a1 is about 0.057° to It is about 1.432°. For example, when the thickness T1 of the welding portion WP is 15 µm and the thickness T2 of the mask cell portion CG is 13 µm, the difference in thickness is minimal, and the width of the dummy DM portion excluding the welding portion WP ( When W2) is 2,000 µm, the lowest value is derived according to [a1(°) = arctan(2/2000) = 0.057]. And, when the thickness T1 of the welding portion WP is 30 µm and the thickness T2 of the mask cell portion CG is 5 µm, the difference in thickness is maximum, and the width W2 of the dummy DM portion excluding the welding portion WP ) Is 1,000㎛, the angle a1 is the largest value is derived according to [a1(°) = arctan(25/1000) = 1.432].
각도(a1)가 약 0.057° 내지 1.432°정도 범위의 매우 작은 각도이기 때문에, 연성(softness)를 고려하면 용접부(WP)[또는, 더미(DM)와 마스크 셀부(CG) 사이에 단차가 있어도 완만하게 터치 폴리싱(TP)이 가능하다. 따라서, 터치 폴리싱(TP)으로 마스크 셀부(CG) 상의 조도가 감축됨에 따라, 보다 경면화된 마스크 셀부(CG) 상에서 제2 절연부(25)의 패턴화가 명확히 될 수 있다. 다시 말해, 제2 절연부(25)가 마스크 셀부(CG) 상에서 깔끔하게 형성될 수 있는 이점이 있다.Since the angle a1 is a very small angle in the range of about 0.057° to 1.432°, considering softness, even if there is a step between the welding part WP (or the dummy DM and the mask cell part CG), it is gentle. Touch polishing (TP) is possible. Accordingly, as the roughness on the mask cell portion CG is reduced by the touch polishing TP, the patterning of the second insulating
이에 더하여, 조도 감축 처리로서, 마스크 셀부(CG) 상에 광택층(미도시)을 형성하는 처리를 더 수행할 수 있다. 광택층을 형성하면, 미세 요철의 함몰된 부분에 광택제가 채워져 조도가 감축될 수 있다. 광택제는 과수불산 등을 포함할 수 있다. 마스크 셀부(CG) 상의 조도를 더욱 감축시킴에 따라, 더욱 더 경면화된 마스크 셀부(CG) 상에서 제2 절연부(25)의 패턴화가 명확히 될 수 있다.In addition, as a roughness reduction process, a process of forming a gloss layer (not shown) on the mask cell portion CG may be further performed. When the gloss layer is formed, a brightening agent may be filled in the recessed portion of the fine irregularities to reduce roughness. The brightener may include perhydrofluoric acid and the like. As the illuminance on the mask cell portion CG is further reduced, the patterning of the second insulating
다음으로, 도 12의 (g)를 참조하면, 마스크 금속막(110)의 마스크 셀부(CG) 상에 패턴화된 제2 절연부(25)를 형성할 수 있다. 제2 절연부(25)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트 재질로 형성될 수 있다.Next, referring to (g) of FIG. 12, a patterned second insulating
이어서, 마스크 금속막(110)[또는, 마스크 셀부(CG)]의 식각을 수행할 수 있다. 건식 식각, 습식 식각 등의 방법을 제한없이 사용할 수 있고, 식각 결과 절연부(25) 사이의 빈 공간(26)으로 노출된 마스크 금속막(110)의 부분이 식각될 수 있다. 마스크 금속막(110)의 식각된 부분은 마스크 패턴(P)을 구성하고, 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C)을 포함하는 마스크(100)가 제조될 수 있다.Subsequently, the mask metal layer 110 (or the mask cell portion CG) may be etched. Methods such as dry etching and wet etching may be used without limitation, and as a result of etching, a portion of the
다음으로, 도 12의 (h)를 참조하면, 제2 절연부(25)를 제거하여 마스크(100)를 지지하는 템플릿(50)의 제조를 완료할 수 있다.Next, referring to (h) of FIG. 12, the manufacturing of the
프레임(200)이 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 구비하므로, 각각의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 대응하는 마스크 셀(C: C11~C56)을 가지는 마스크(100)도 복수개 구비할 수 있다. 또한, 복수개의 마스크(100)의 각각을 지지하는 복수의 템플릿(50)을 구비할 수 있다.Since the
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 지지 템플릿을 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.15 is a schematic diagram showing a process of manufacturing a mask support template according to another embodiment of the present invention.
한편, 도 11의 (e) 단계 이후 곧바로 제2 절연부(25)를 형성하지 않고, 마스크 셀부(CG)의 두께가 감축된 마스크 금속막(110)을 템플릿(50)으로부터 분리할 수 있다. 분리한 마스크 금속막(110)을 별도의 제2 템플릿(60)에 로딩하여 마스크 지지 템플릿을 제조할 수도 있다.Meanwhile, after the step (e) of FIG. 11, the
도 15의 (a)를 참조하면, 도 11의 (e) 단계 이후, 임시접착부(55)에 열(ET), 초음파(US), UV(UV)를 인가하거나, 화학적 처리(CM)를 수행할 수 있다. 이에 따라, 임시접착부(55)의 점성, 접착력 등이 낮아질 수 있다.Referring to (a) of FIG. 15, after step (e) of FIG. 11, heat (ET), ultrasound (US), UV (UV) is applied to the
이어서, 도 15의 (b)를 참조하면, 마스크 금속막(110)을 템플릿(50)으로부터 분리할 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 15B, the
이어서, 도 15의 (c)를 참조하면, 일면에 임시접착부(65)가 형성된 제2 템플릿(60) 상에 마스크 금속막(110)을 접착할 수 있다. 제2 템플릿(60), 레이저 통과공(61), 임시접착부(65)는 템플릿(50), 레이저 통과공(51), 임시접착부(55)와 동일하므로 자세한 설명을 생략한다.Subsequently, referring to (c) of FIG. 15, the
제2 템플릿(60) 상에 마스크 금속막(110)을 접착하기 전에, 마스크 금속막(110)의 일면(101), 즉, 제2 템플릿(60)과 접촉할 면 상에 제3 절연부(27)를 형성할 수 있다. 제3 절연부(27)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트 재질로 형성될 수 있다.Before adhering the
이어서, 도 15의 (d)를 참조하면, 마스크 금속막(110)을 제2 템플릿(60) 상에 접착할 수 있다. 마스크 금속막(110)의 일면(101)에는 제3 절연부(27)가 형성되므로, 마스크 금속막(110)과 제2 템플릿(60) 사이에 제3 절연부(27)가 개재될 수 있다.Subsequently, referring to (d) of FIG. 15, the
도 15의 (d) 단계 이후, 도 12의 (f) 및 (g) 단계와 같이 마스크 패턴(P)을 형성하여 마스크(100)를 제조하는 단계를 수행할 수 있다. 마스크 패턴(P)을 형성하는 식각을 수행할 때, 식각액이 마스크 금속막(110)의 일면(일 예로, 상면)으로만 진입하여 절연부(25) 사이의 빈 공간(26)을 통하여 한쪽 방향을 기준으로만 식각하는 것이 유리할 수 있다. 양면에서 동시에 식각이 되면 원하는 마스크 패턴(P)의 형태를 구현하기 어려울 수 있다. 따라서, 마스크 금속막(110)의 타면(일 예로, 하면)에서의 식각을 방지하는 것이 매우 중요하게 취급된다. 도 15의 실시예에서는 마스크 금속막(110)의 하면에 제3 절연부(27)가 위치한다. 이에 따라, 식각액이 마스크 금속막(110)의 타면(후면)에 진입하는 것이 방지되고, 마스크 금속막(110)의 일면(상면)에서만 마스크 패턴(P)을 형성하는 식각 공정을 진행할 수 있는 이점이 있다.After the step (d) of FIG. 15, as shown in steps (f) and (g) of FIG. 12, a step of manufacturing the
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 지지 템플릿을 프레임 상에 로딩하는 과정을 나타내는 개략도이다.16 is a schematic diagram showing a process of loading a mask support template on a frame according to an embodiment of the present invention.
도 16을 참조하면, 템플릿(50)은 진공 척(90)에 의해 이송될 수 있다. 진공 척(90)으로 마스크(100)가 접착된 템플릿(50) 면의 반대 면을 흡착하여 이송할 수 있다. 진공 척(90)은 x, y, z, θ축으로 이동되는 이동 수단(미도시)에 연결될 수 있다. 또한, 진공 척(90)은 템플릿(50)을 흡착하여 플립(flip)할 수 있는 플립 수단(미도시)에 연결될 수 있다. 도 16의 (b)에 도시된 바와 같이, 진공 척(90)이 템플릿(50)을 흡착하여 플립한 후, 프레임(200) 상으로 템플릿(50)을 이송하는 과정에서도, 마스크(100)의 접착 상태 및 정렬 상태에는 영향이 없게 된다.Referring to FIG. 16, the
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿을 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다. 도 17에는 하나의 마스크(100)를 셀 영역(CR)에 대응/접착하는 것이 예시되나, 복수의 마스크(100)를 동시에 각각 모든 셀 영역(CR)에 대응시켜서 마스크(100)를 프레임(200)에 접착하는 과정을 수행할 수도 있다. 이 경우, 복수개의 마스크(100)의 각각을 지지하는 복수의 템플릿(50)을 구비할 수 있다.17 is a schematic diagram showing a state in which a template is loaded on a frame according to an embodiment of the present invention to associate a mask with a cell region of the frame. In FIG. 17, it is exemplified to correspond/adher one
다음으로, 도 17을 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 템플릿(50)을 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩하는 것으로 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수 있다. 템플릿(50)/진공 척(90)의 위치를 제어하면서, 현미경을 통해 마스크(100)가 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는지 살펴볼 수 있다. 템플릿(50)이 마스크(100)를 압착하므로, 마스크(100)와 프레임(200)은 긴밀히 맞닿을 수 있다.Next, referring to FIG. 17, the
한편, 하부 지지체(70)를 프레임(200) 하부에 더 배치할 수도 있다. 하부 지지체(70)는 프레임 테두리부(210)의 중공 영역(R) 내에 들어갈 정도의 크기를 가지고 평판 형상일 수 있다. 또한, 하부 지지체(70)의 상부면에는 마스크 셀 시트부(220)의 형상에 대응하는 소정의 지지홈(미도시)이 형성될 수도 있다. 이 경우 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 지지홈에 끼워지게 되어, 마스크 셀 시트부(220)가 더욱 잘 고정될 수 있다.Meanwhile, the
하부 지지체(70)는 마스크(100)가 접촉하는 마스크 셀 영역(CR)의 반대면을 압착할 수 있다. 즉, 하부 지지체(70)는 마스크 셀 시트부(220)를 상부 방향으로 지지하여 마스크(100)의 접착과정에서 마스크 셀 시트부(220)가 하부 방향으로 처지는 것을 방지할 수 있다. 이와 동시에, 하부 지지체(70)와 템플릿(50)이 상호 반대되는 방향으로 마스크(100)의 테두리 및 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]를 압착하게 되므로, 마스크(100)의 정렬 상태가 흐트러지지 않고 유지될 수 있게 된다.The
이처럼, 템플릿(50) 상에 마스크(100)를 부착하고, 템플릿(50)을 프레임(200) 상에 로딩하는 것만으로 마스크(100)를 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는 과정이 완료되므로, 이 과정에서 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않을 수 있다.As described above, the
이어서, 마스크(100)에 레이저(L)를 조사하여 레이저 용접에 의해 마스크(100)를 프레임(200)에 접착할 수 있다. 레이저 용접된 마스크의 용접부(WP) 부분에는 용접 비드(WB)가 생성되고, 용접 비드(WB)는 마스크(100)/프레임(200)과 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있다. 이때, 본 발명의 마스크(100)는 용접부(WP)[또는, 더미(DM)] 부분이 마스크 셀(C)보다 두껍게 형성되므로, 용접부(WP)로부터 충분한 용접 비드(WB)가 생성될 수 있다. 충분한 용접 비드(WB)는 마스크(100)와 프레임(200)이 보다 강하고 안정적으로 접착될 수 있도록 할 수 있다. 이에 따라, 프레임 일체형 마스크의 제조 수율이 향상될 수 있다.Subsequently, the
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)에 접착한 후 마스크(100)와 템플릿(50)을 분리하는 과정을 나타내는 개략도이다.18 is a schematic diagram showing a process of separating the
도 18을 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)에 접착한 후, 마스크(100)와 템플릿(50)을 분리(debonding)할 수 있다. 마스크(100)와 템플릿(50)의 분리는 임시접착부(55)에 열 인가(ET), 화학적 처리(CM), 초음파 인가(US), UV 인가(UV) 중 적어도 어느 하나를 통해 수행할 수 있다. 마스크(100)는 프레임(200)에 접착된 상태를 유지하므로, 템플릿(50)만을 들어올릴 수 있다. 일 예로, 85℃~100℃보다 높은 온도의 열을 인가(ET)하면 임시접착부(55)의 점성이 낮아지게 되고, 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다. 다른 예로, IPA, 아세톤, 에탄올 등의 화학 물질에 임시접착부(55)를 침지(CM)함으로서 임시접착부(55)를 용해, 제거 등의 방식으로 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다. 다른 예로, 초음파를 인가(US)하거나, UV를 인가(UV)하면 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다.Referring to FIG. 18, after the
더 설명하면, 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착을 매개하는 임시접착부(55)는 TBDB 접착소재(temporary bonding&debonding adhesive)이므로, 여러가지 분리(debonding) 방법을 사용할 수 있다.In more detail, since the temporary
일 예로, 화학적 처리(CM)에 따른 용매 디본딩(Solvent Debonding) 방법을 사용할 수 있다. 용매(solvent)의 침투에 의해 임시접착부(55)가 용해됨에 따라해 디본딩이 이루어질 수 있다. 이때, 마스크(100)에 패턴(P)이 형성되어 있으므로, 마스크 패턴(P) 및 마스크(100)와 템플릿(50)의 계면을 통해 용매가 침투될 수 있다. 용매 디본딩은 상온(room temperature)에서 디본딩이 가능하고 별도의 고안된 복잡한 디본딩 설비가 필요하지 않기 때문에 다른 디본딩 방법에 비해 상대적으로 경제적이라는 이점이 있다.As an example, a solvent debonding method according to chemical treatment (CM) may be used. Debonding may be performed as the temporary
다른 예로, 열 인가(ET)에 따른 열 디본딩(Heat Debonding) 방법을 사용할 수 있다. 고온의 열을 이용해 임시접착부(55)의 분해를 유도하고, 마스크(100)와 템플릿(50) 간의 접착력이 감소되면 상하 방향 또는 좌우 방향로 디본딩이 진행될 수 있다.As another example, a heat debonding method according to heat application (ET) may be used. Decomposition of the temporary
다른 예로, 열 인가(ET), UV 인가(UV) 등에 따른 박리 접착제 디본딩(Peelable Adhesive Debonding) 방법을 사용할 수 있다. 임시접착부(55)가 열박리 테이프인 경우에 박리 접착제 디본딩 방법으로 디본딩을 수행할 수 있으며, 이 방법은 열 디본딩 방법처럼 고온의 열처리 및 고가의 열처리 장비가 필요하지 않다는 점과 진행 프로세스가 상대적으로 단순한 이점이 있다.As another example, a peelable adhesive debonding method according to heat application (ET) or UV application (UV) may be used. When the temporary
다른 예로, 화학적 처리(CM), 초음파 인가(US), UV 인가(UV) 등에 따른 상온 디본딩(Room Temperature Debonding) 방법을 사용할 수 있다. 마스크(100) 또는 템플릿(50)의 일부(중심부)에 non-sticky 처리를 하면, 임시접착부(55)에 의해 테두리 부분만 접착이 될 수 있다. 그리고, 디본딩 시에는 테두리 부분에 용제가 침투하여 입시접착부(55)의 용해에 의해 디본딩이 이루어지게 된다. 이 방법은 본딩과 디본딩이 진행되는 동안 마스크(100), 템플릿(50)의 테두리 영역을 제외한 나머지 부분은 직접적인 손실이나 디본딩 시 접착소재 잔여물(residue)에 의한 결함 등이 발생하지 않는 이점이 있다. 또한 열 디본딩법과 달리 디본딩시 고온의 열처리 과정이 필요하지 않기 때문에 상대적으로 공정 비용을 감축할 수 있는 이점이 있다.As another example, a room temperature debonding method according to chemical treatment (CM), ultrasonic application (US), or UV application (UV) may be used. If a non-sticky treatment is performed on a part (center portion) of the
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)에 접착한 상태를 나타내는 개략도이다.19 is a schematic diagram showing a state in which the
도 19를 참조하면, 하나의 마스크(100)는 프레임(200)의 하나의 셀 영역(CR) 상에 접착될 수 있다Referring to FIG. 19, one
프레임(200)의 마스크 셀 시트부(220)는 얇은 두께를 가지기 때문에, 마스크(100)에 인장력이 가해진 채로 마스크 셀 시트부(220)에 접착이 되면, 마스크(100)에 잔존하는 인장력이 마스크 셀 시트부(220) 및 마스크 셀 영역(CR)에 작용하게 되어 이들을 변형시킬 수도 있다. 따라서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220)에 마스크(100)의 접착을 수행해야 한다. 본 발명은 템플릿(50) 상에 마스크(100)를 부착하고, 템플릿(50)을 프레임(200) 상에 로딩하는 것만으로 마스크(100)를 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는 과정이 완료되므로, 이 과정에서 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않을 수 있다. 그리하여, 마스크(100)에 가해진 인장력이 반대로 프레임(200)에 장력(tension)으로 작용하여 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]을 변형시키는 것을 방지할 수 있게 된다.Since the mask
종래의 도 1의 마스크(10)는 셀 6개(C1~C6)를 포함하므로 긴 길이를 가지는데 반해, 본 발명의 마스크(100)는 셀 1개(C)를 포함하여 짧은 길이를 가지므로 PPA(pixel position accuracy)가 틀어지는 정도가 작아질 수 있다. 예를 들어, 복수의 셀(C1~C6, ...)들을 포함하는 마스크(10)의 길이가 1m이고, 1m 전체에서 10㎛의 PPA 오차가 발생한다고 가정하면, 본 발명의 마스크(100)는 상대적인 길이의 감축[셀(C) 개수 감축에 대응]에 따라 위 오차 범위를 1/n 할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 마스크(100)의 길이가 100mm라면, 종래 마스크(10)의 1m에서 1/10로 감축된 길이를 가지므로, 100mm 길이의 전체에서 1㎛의 PPA 오차가 발생하게 되며, 정렬 오차가 현저히 감소하게 되는 효과가 있다.The
한편, 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고, 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응하여도 정렬 오차가 최소화되는 범위 내에서라면, 마스크(100)는 프레임(200)의 복수의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 또는, 복수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)가 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 이 경우에도, 정렬에 따른 공정 시간과 생산성을 고려하여, 마스크(100)는 가급적 적은 수의 셀(C)을 구비하는 것이 바람직하다.On the other hand, if the
본 발명의 경우는, 마스크(100)의 하나의 셀(C)을 대응시키고 정렬 상태를 확인하기만 하면 되므로, 복수의 셀(C: C1~C6)을 동시에 대응시키고 정렬 상태를 모두 확인하여야 하는 종래의 방법[도 2 참조]보다, 제조시간을 현저하게 감축시킬 수 있다.In the case of the present invention, since only one cell C of the
즉, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 6개의 마스크(100)에 포함되는 각각의 셀(C11~C16)을 각각 하나의 셀 영역(CR11~CR16)에 대응시키고 각각 정렬 상태를 확인하는 6번의 과정을 통해, 6개의 셀(C1~C6)을 동시에 대응시키고 6개 셀(C1~C6)의 정렬 상태를 동시에 모두 확인해야 하는 종래의 방법보다 훨씬 시간이 단축될 수 있다.That is, in the method for manufacturing a frame-integrated mask of the present invention, each cell C11 to C16 included in the six
또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 30개의 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 30개의 마스크(100)를 각각 대응시키고 정렬하는 30번의 과정에서의 제품 수득률이, 6개의 셀(C1~C6)을 각각 포함하는 5개의 마스크(10)[도 2의 (a) 참조]를 프레임(20)에 대응시키고 정렬하는 5번의 과정에서의 종래의 제품 수득률보다 훨씬 높게 나타날 수 있다. 한번에 6개씩의 셀(C)이 대응하는 영역에 6개의 셀(C1~C6)을 정렬하는 종래의 방법이 훨씬 번거롭고 어려운 작업이므로 제품 수율이 낮게 나타나는 것이다.In addition, in the method of manufacturing the frame-integrated mask of the present invention, the product yield in 30 steps of matching and aligning the 30
한편, 도 10의 (b) 단계에서 상술한 바와 같이, 라미네이션 공정으로 템플릿(50)에 마스크 금속막(110)을 접착할 때, 약 100℃의 온도가 마스크 금속막(110)에 가해질 수 있다. 이에 의해 마스크 금속막(110)에 일부 인장 장력이 걸린 상태로 템플릿(50)에 접착될 수 있다. 그 후, 마스크(100)가 프레임(200)에 접착되고, 템플릿(50)이 마스크(100)와 분리되면, 마스크(100)는 소정양 수축할 수 있다.Meanwhile, as described above in step (b) of FIG. 10, when the
각각의 마스크(100)들이 모두 대응되는 마스크 셀 영역(CR) 상에 접착된 후에 템플릿(50)과 마스크(100)들이 분리되면, 복수의 마스크(100)들이 상호 반대방향으로 수축되는 장력을 인가하기 때문에, 그 힘이 상쇄되어 마스크 셀 시트부(220)에는 변형이 일어나지 않게 된다. 예를 들어, CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)와 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100) 사이의 제1 그리드 시트부(223)는 CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 우측 방향으로 작용하는 장력과 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 좌측 방향으로 작용하는 장력이 상쇄될 수 있다. 그리하여, 장력에 의한 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에는 변형이 최소화되어 마스크(100)[또는, 마스크 패턴(P)]의 정렬 오차가 최소화 될 수 있는 이점이 있다.When the
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(100, 200)를 이용한 OLED 화소 증착 장치(1000)를 나타내는 개략도이다.20 is a schematic diagram illustrating an OLED
도 20을 참조하면, OLED 화소 증착 장치(1000)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 20, the OLED
마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)[또는, FMM]이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의해 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.Between the
증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 프레임 일체형 마스크(100, 200)에 형성된 패턴(P)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴(P)을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition
새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.In order to prevent uneven deposition of the
마스크(100)는 화소 증착 공정 온도보다 높은 제1 온도 상에서 프레임(200)에 접착 고정되므로, 화소 증착을 위한 공정 온도로 상승시킨다고 하더라도, 마스크 패턴(P)의 위치에는 영향이 거의 없게 되며, 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크(100) 사이의 PPA는 3㎛를 초과하지 않도록 유지될 수 있다.Since the
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.The present invention has been illustrated and described with reference to preferred embodiments, as described above, but is not limited to the above embodiments, and can be varied by those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the spirit of the present invention. Modifications and modifications are possible. Such modifications and variations are to be regarded as falling within the scope of the invention and appended claims.
23: 제1 절연부
25: 제2 절연부
27: 제3 절연부
50: 템플릿(template)
51: 레이저 통과공
55: 임시접착부
70: 하부 지지체
100: 마스크
110: 마스크 막, 마스크 금속막
200: 프레임
210: 테두리 프레임부
220: 마스크 셀 시트부
221: 테두리 시트부
223: 제1 그리드 시트부
225: 제2 그리드 시트부
1000: OLED 화소 증착 장치
C: 셀, 마스크 셀
CG: 마스크 셀부
CM: 화학적 처리
CR: 마스크 셀 영역
DM: 더미, 마스크 더미
EC: 마스크 셀부 두께 감축, 식각
ET: 열 인가
L: 레이저
P: 마스크 패턴
R: 테두리 프레임부의 중공 영역
TP: 터치 폴리싱(touch polishing)
US: 초음파 인가
UV: UV 인가
W: 용접
WB: 용접 비드
WP: 용접부23: first insulation
25: second insulation
27: third insulation
50: template
51: laser through hole
55: temporary adhesive
70: lower support
100: mask
110: mask film, mask metal film
200: frame
210: border frame
220: mask cell sheet portion
221: border sheet portion
223: first grid sheet portion
225: second grid sheet portion
1000: OLED pixel deposition device
C: cell, mask cell
CG: Mask cell part
CM: chemical treatment
CR: mask cell area
DM: Dummy, mask dummy
EC: mask cell thickness reduction, etching
ET: heat applied
L: laser
P: mask pattern
R: Hollow area of the border frame
TP: touch polishing
US: ultrasonic approval
UV: UV applied
W: Welding
WB: welding bead
WP: Weld
Claims (31)
(a) 마스크 금속막을 제공하는 단계;
(b) 일면에 임시접착부가 형성된 템플릿 상에 마스크 금속막을 접착하는 단계;
(c) 템플릿에 접착된 마스크 금속막의 마스크 셀부의 두께를 감축하는 단계; 및
(d) 마스크 셀부에 마스크 패턴을 형성하여 마스크를 제조하는 단계
를 포함하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.A method of manufacturing a template that supports an OLED pixel forming mask and corresponds to a frame,
(a) providing a mask metal film;
(b) bonding the mask metal film onto the template on which the temporary adhesive portion is formed;
(c) reducing the thickness of the mask cell portion of the mask metal film adhered to the template; And
(d) manufacturing a mask by forming a mask pattern on the mask cell part
A method of manufacturing a mask support template comprising a.
마스크 금속막은 압연(rolling) 공정을 이용하여 형성된, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.According to claim 1,
A method of manufacturing a mask support template, wherein the mask metal film is formed using a rolling process.
임시접착부는 열을 가함에 따라 분리가 가능한 접착제 또는 접착 시트, UV 조사에 의해 분리가 가능한 접착제 또는 접착시트인, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.According to claim 1,
The temporary adhesive portion is a method of manufacturing a mask support template, which is an adhesive or adhesive sheet that can be separated by heating, an adhesive or adhesive sheet that can be separated by UV irradiation.
임시접착부는 액체 왁스(liquid wax) 또는 열박리 테이프(thermal release tape)인, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.According to claim 3,
A method of manufacturing a mask support template, wherein the temporary adhesive is a liquid wax or a thermal release tape.
액체 왁스는 85℃보다 낮은 온도에서 마스크 금속막과 템플릿을 고정 접착하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.The method of claim 4,
A method of manufacturing a mask support template, wherein the liquid wax is fixed to the mask metal film and the template at a temperature lower than 85°C.
(b) 단계에서, 액체 왁스를 85℃이상으로 가열하고 마스크 금속막을 템플릿에 접촉시킨 후, 마스크 금속막 및 템플릿을 롤러 사이에 통과시켜 접착을 수행하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.The method of claim 5,
In the step (b), the liquid wax is heated to 85° C. or higher and the mask metal film is brought into contact with the template, and then the mask metal film and the template are passed between rollers to perform adhesion.
(c) 단계는,
(c1) 마스크 금속막의 마스크 셀부를 제외한 나머지 영역, 또는 마스크 금속막의 용접부 영역 상에 제1 절연부를 형성하는 단계; 및
(c2) 마스크 금속막의 마스크 셀부를 식각하여 두께를 감축하는 단계
를 포함하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.According to claim 1,
Step (c),
(c1) forming a first insulating portion on a region other than the mask cell portion of the mask metal film or a weld portion of the mask metal film; And
(c2) etching the mask cell portion of the mask metal film to reduce the thickness
A method of manufacturing a mask support template comprising a.
두께가 감축된 마스크 셀부 상에 조도 감축 처리를 더 수행하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.The method of claim 7,
A method of manufacturing a mask support template, further performing a roughness reduction process on a mask cell portion having a reduced thickness.
조도 감축 처리는 마스크 셀부 상에 터치 폴리싱(touch polishing)을 수행하는 처리인, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.The method of claim 8,
The roughness reduction process is a process of performing touch polishing on a mask cell portion, and a method of manufacturing a mask support template.
마스크 셀부와 더미의 두께 차이는 2㎛ 내지 25㎛이고,
마스크 셀부와 더미의 경계로부터 용접부의 모서리 단부까지의 임의의 직선이 수평선과 이루는 각도는 0.057° 내지 1.432°인, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.The method of claim 9,
The difference in thickness between the mask cell portion and the dummy is 2 μm to 25 μm,
A method of manufacturing a mask support template, wherein an angle formed by an arbitrary straight line from the boundary between the mask cell portion and the dummy to the edge end of the welded portion is 0.057° to 1.432°.
조도 감축 처리 후 마스크 셀부의 표면 조도(Ra)는 0.1㎛보다 작은(0 초과), 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.The method of claim 8,
The surface roughness (Ra) of the mask cell portion after the roughness reduction treatment is less than 0.1 µm (greater than 0), and the method for manufacturing the mask support template.
조도 감축 처리에서, 마스크 셀부 상에 광택층을 형성하는 처리를 더 수행하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.The method of claim 8,
In the roughness reduction process, a method of forming a gloss layer on the mask cell portion is further performed, wherein the method of manufacturing a mask support template is performed.
(b) 단계와 (c) 단계 사이에, 마스크 금속막의 전체 두께를 감축하는 단계를 더 수행하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.According to claim 1,
Between steps (b) and (c), further reducing the overall thickness of the mask metal film, the method of manufacturing a mask support template.
CMP(Chemical Mechanical Polishing), 화학적 습식 식각(chemical wet etching), 건식 식각(dry etching) 중 어느 하나의 방법으로 마스크 금속막의 전체 두께를 감축하는 단계를 수행하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.The method of claim 13,
A method of manufacturing a mask support template by performing a step of reducing the overall thickness of the mask metal film by any one of chemical mechanical polishing (CMP), chemical wet etching, and dry etching.
마스크는 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하고, 더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성되는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.According to claim 1,
The mask includes a mask cell on which a plurality of mask patterns are formed, and a dummy around the mask cell, and a plurality of welds are formed at intervals on at least a portion of the dummy, thereby manufacturing a mask support template.
더미 또는 용접부는 적어도 10㎛보다 두껍고, 마스크 셀은 더미 또는 용접부보다는 얇은 두께를 가지는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.The method of claim 15,
A method of manufacturing a mask support template, wherein the dummy or weld is thicker than at least 10 μm, and the mask cell has a thickness thinner than that of the dummy or weld.
(d) 단계는,
(d1) 마스크 셀부 상에 패턴화된 제2 절연부를 형성하는 단계;
(d2) 제2 절연부 사이로 노출된 마스크 금속막의 부분을 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및
(d3) 제2 절연부를 제거하는 단계
를 포함하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.According to claim 1,
Step (d),
(d1) forming a patterned second insulating portion on the mask cell portion;
(d2) forming a mask pattern by etching a portion of the mask metal layer exposed between the second insulating portions; And
(d3) removing the second insulation
A method of manufacturing a mask support template comprising a.
(c) 단계와 (d) 단계 사이에,
마스크 금속막을 템플릿으로부터 분리하고, 일면에 임시접착부가 형성된 제2 템플릿 상에 마스크 금속막을 접착하는 단계
를 더 포함하는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.According to claim 1,
Between steps (c) and (d),
Separating the mask metal film from the template, and adhering the mask metal film on the second template on which a temporary adhesive portion is formed.
Further comprising, a method of manufacturing a mask support template.
마스크 금속막과 제2 템플릿 상의 임시접착부 사이에 제3 절연부가 개재되는, 마스크 지지 템플릿의 제조 방법.The method of claim 18,
A method of manufacturing a mask support template, wherein a third insulating portion is interposed between the mask metal film and the temporary adhesive portion on the second template.
템플릿; 및
복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하며, 더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성되는 마스크
를 포함하고,
마스크 셀은 더미 또는 용접부보다는 얇은 두께를 가지는, 마스크 지지 템플릿.As a template that supports the OLED pixel forming mask and corresponds to the frame,
template; And
A mask including a mask cell on which a plurality of mask patterns are formed, and a dummy around the mask cell, wherein a plurality of welds are formed at intervals on at least a portion of the dummy
Including,
The mask cell has a thinner thickness than the dummy or weld, the mask support template.
마스크는 임시접착부를 개재하여 템플릿 상에 접착된, 마스크 지지 템플릿.The method of claim 20,
The mask support template is adhered onto the template via a temporary adhesive portion.
마스크 금속막은 압연(rolling) 공정을 이용하여 형성된, 마스크 지지 템플릿.The method of claim 20,
The mask metal film is formed using a rolling process, the mask support template.
임시접착부는 열을 가함에 따라 분리가 가능한 접착제 또는 접착 시트, UV 조사에 의해 분리가 가능한 접착제 또는 접착시트인, 마스크 지지 템플릿.The method of claim 21,
The temporary adhesive portion is a mask supporting template, which is an adhesive or adhesive sheet that can be separated by heating, and an adhesive or adhesive sheet that can be separated by UV irradiation.
임시접착부는 액체 왁스(liquid wax) 또는 열박리 테이프(thermal release tape)인, 마스크 지지 템플릿.The method of claim 23,
The temporary support is a liquid wax or a thermal release tape, the mask support template.
더미 또는 용접부는 적어도 10㎛보다 두껍고, 마스크 셀은 더미 또는 용접부의 두께보다는 얇은 범위에서 두께 차이가 2㎛ 내지 25㎛인, 마스크 지지 템플릿.The method of claim 20,
The dummy or weld is at least 10 µm thick, and the mask cell has a thickness difference of 2 µm to 25 µm in a range thinner than the thickness of the dummy or weld.
마스크 셀의 표면 조도(Ra)는0.1㎛보다 작은(0 초과), 마스크 지지 템플릿. The method of claim 20,
The surface roughness (Ra) of the mask cell is less than 0.1 μm (greater than 0), the mask support template.
마스크의 용접부에 대응하는 템플릿의 부분에 레이저 통과공이 형성되는, 마스크 지지 템플릿.The method of claim 20,
A mask support template in which a laser through hole is formed in a portion of the template corresponding to the weld portion of the mask.
템플릿은 웨이퍼, 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3), 붕규산유리(borosilicate glass), 지르코니아(zirconia) 중 어느 하나의 재질을 포함하는, 마스크 지지 템플릿.The method of claim 20,
The template includes any one of wafer, glass, silica, heat-resistant glass, quartz, alumina (Al 2 O 3 ), borosilicate glass, zirconia, Mask support template.
(a) 마스크 금속막을 제공하는 단계;
(b) 일면에 임시접착부가 형성된 템플릿 상에 마스크 금속막을 접착하는 단계;
(c) 템플릿에 접착된 마스크 금속막의 마스크 셀부의 두께를 감축하는 단계;
(d) 마스크 셀부에 마스크 패턴을 형성하여 마스크를 제조하는 단계;
(e) 적어도 하나의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임을 제공하는 단계;
(f) 프레임 상에 템플릿을 로딩하여 마스크를 프레임의 마스크 셀 영역에 대응하는 단계; 및
(g) 마스크의 용접부에 레이저를 조사하여 마스크를 프레임에 접착하는 단계
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.A method of manufacturing a frame-integrated mask in which at least one mask and a frame supporting the mask are integrally formed,
(a) providing a mask metal film;
(b) bonding the mask metal film onto the template on which the temporary adhesive portion is formed;
(c) reducing the thickness of the mask cell portion of the mask metal film adhered to the template;
(d) forming a mask pattern in a mask cell portion to produce a mask;
(e) providing a frame having at least one mask cell region;
(f) loading a template on the frame to correspond the mask to the mask cell area of the frame; And
(g) attaching the mask to the frame by irradiating a laser to the welding portion of the mask
A method of manufacturing a frame-integrated mask comprising a.
레이저가 조사된 용접부의 부분에 용접 비드(bead)가 형성되고, 용접 비드는 마스크와 프레임이 일체로 연결되도록 매개하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method of claim 29,
A method of manufacturing a frame-integrated mask, wherein a weld bead is formed in a portion of the welded portion where the laser is irradiated, and the weld bead mediates the mask and the frame to be integrally connected.
(g) 단계 이후, 임시접착부에 열 인가, 화학적 처리, 초음파 인가, UV 인가 중 적어도 어느 하나를 수행하여, 마스크와 템플릿을 분리하는 단계
를 더 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 제조 방법.The method of claim 29,
After step (g), performing at least one of heat application, chemical treatment, ultrasonic application, and UV application to the temporary adhesive portion to separate the mask and the template.
The method of manufacturing a frame-integrated mask further comprising a.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114300640A (en) * | 2020-10-07 | 2022-04-08 | 韩商则舒穆公司 | Mask manufacturing method and mask |
| KR20220046363A (en) * | 2020-10-07 | 2022-04-14 | (주)더숨 | Producing method of mask and mask |
| KR20220076999A (en) * | 2020-12-01 | 2022-06-08 | (주)더숨 | Producing system of mask intergrated frame and producing method thereof |
| KR102660655B1 (en) * | 2023-01-13 | 2024-04-26 | 주식회사 오럼머티리얼 | Mask-support assembly and producing method thereof |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| TWD215838S (en) | 2021-05-07 | 2021-12-01 | 景美科技股份有限公司 | Frame |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040084314A (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | Deposition mask for display device and Method for fabricating the same |
| JP2006152396A (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sony Corp | Method for manufacturing metal mask, mask of artwork master for electroforming and artwork master |
| KR20130043635A (en) * | 2010-07-09 | 2013-04-30 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | Pellicle and mask adhesive agent for use in same |
| KR20160071578A (en) * | 2014-12-11 | 2016-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Mask frame assembly, manufacturing method of the same and manufacturing method of organic light emitting display device there used |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200183547Y1 (en) * | 1997-12-24 | 2000-06-01 | 김영환 | Semiconductor die bonding apparatus |
| JP4985227B2 (en) * | 2007-08-24 | 2012-07-25 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask device, vapor deposition mask manufacturing method, vapor deposition mask device production method, and vapor deposition mask sheet-like member production method |
| KR102250047B1 (en) * | 2014-10-31 | 2021-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Mask frame assembly, manufacturing method of the same and manufacturing method of organic light emitting display device there used |
| CN113403574A (en) * | 2015-07-17 | 2021-09-17 | 凸版印刷株式会社 | Base material for metal mask and method for producing same, metal mask for vapor deposition and method for producing same |
| WO2017045122A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Applied Materials, Inc. | A shadow mask for organic light emitting diode manufacture |
| KR101786391B1 (en) * | 2016-10-06 | 2017-11-16 | 주식회사 포스코 | Alloy metal foil for deposition mask, deposition mask using the alloy metal foil and method for preparing them, and method for preparing organic electroluminescent device |
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-
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040084314A (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | Deposition mask for display device and Method for fabricating the same |
| JP2006152396A (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sony Corp | Method for manufacturing metal mask, mask of artwork master for electroforming and artwork master |
| KR20130043635A (en) * | 2010-07-09 | 2013-04-30 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | Pellicle and mask adhesive agent for use in same |
| KR20160071578A (en) * | 2014-12-11 | 2016-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Mask frame assembly, manufacturing method of the same and manufacturing method of organic light emitting display device there used |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114300640A (en) * | 2020-10-07 | 2022-04-08 | 韩商则舒穆公司 | Mask manufacturing method and mask |
| KR20220046362A (en) * | 2020-10-07 | 2022-04-14 | (주)더숨 | Producing method of mask and mask |
| KR20220046363A (en) * | 2020-10-07 | 2022-04-14 | (주)더숨 | Producing method of mask and mask |
| CN114300640B (en) * | 2020-10-07 | 2024-03-26 | 晓山公司 | Mask manufacturing method and mask |
| KR20220076999A (en) * | 2020-12-01 | 2022-06-08 | (주)더숨 | Producing system of mask intergrated frame and producing method thereof |
| KR102660655B1 (en) * | 2023-01-13 | 2024-04-26 | 주식회사 오럼머티리얼 | Mask-support assembly and producing method thereof |
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