KR20200060444A - 희토류 영구 자석 재료 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 희토류 영구 자석 재료 및 이의 제조 방법을 공개하였고, 상기 방법은 소결 처리 단계, 확산 열처리 단계 및 템퍼링(tempering) 처리 단계를 포함하되, 소결 처리 단계에서는, NdFeB 자성 분말층의 표면 상에 확산용 복합 분말을 배치하고 방전 플라즈마 소결 처리를 수행하여 표면에 확산층이 경화된 NdFeB 자석을 수득한다. 상기 확산용 복합 분말의 성분비 식은 H100-x-yMxQy이고, 여기에서 H는 Dy, Tb, Ho 및 Gd의 금속 분말, 불화물 분말 또는 산화물 분말 중 하나 이상이고, M은 Nd, Pr 또는 NdPr 금속 분말이고, Q는 Cu, Al, Zn 및 Sn 금속 분말 중 하나 이상이고; x 및 y는 각각 상기 확산용 복합 분말에서 M 성분 및 Q 성분의 원자 백분율이고, x는 0 내지 20이고, y는 0 내지 40이다. 본 발명의 방법은 효율이 높고, 확산 효과가 좋아, 중희토류 용량을 절감 시킨다.

Description

희토류 영구 자석 재료 및 이의 제조 방법
본 발명은 희토류 영구 자석 재료의 기술 분야에 속하며, 더욱 상세하게는 희토류 영구 자석 재료 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 프레스, 플라즈마 소결 및 입계 확산 집적 기술을 채택하며, 비교적 적은 양의 중희토류를 이용하여 자석 성능을 현저하게 향상시키고 중희토류를 고품질로 사용한다.
소결 NdFeB 희토류 영구 자석은 현재까지 자성이 가장 강한 영구 자석 재료이며 전자, 전기 설비, 계측 및 의료 등과 같은 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며, 오늘날 세계에서 가장 빠르게 성장하는 영구 자석 재료로 최고의 시장 전망을 가지고 있다. 하이브리드차가 빠르게 발전하면서 작동 온도가 200℃ 이상인 고온 영구 자석이 필요하므로 NdFeB 자석의 고온 자기 특성에 대한 요구가 높아졌다.
일반 NdFeB 자석의 보자력은 고온에서 크게 떨어지므로 사용 요건을 충족시킬 수 없다. 현재, NdFeB 자석에서 도핑 Dy 또는 Tb 원소를 사용하면 자석의 보자력을 증가시켜 자석의 고온 자기 특성을 향상시킬 수 있다. 연구 결과에 따르면 NdFeB에서 Dy는 우선적으로 4f 사이트를 차지하고 각 Nd는 Dy에 의해 치환되어 Dy2Fe14B를 형성하므로 그 보자력이 크게 향상될 수 있으며, Dy는 자성 물질의 미세 구조에도 영향을 미쳐 결정립의 성장을 억제할 수 있는 것으로 나타났는데, 이는 보자력을 향상시키는 또 다른 이유이다. 그러나 보자력은 Dy 함량 증가에 따라 선형으로 증가하지 않으며, Dy 함량이 비교적 낮으면 보자력이 빠르게 증가했다가 그 증가가 다시 느려진다. 이는 일부 Dy가 입계 중간상에 용해되어 주상(main phase)에 완전히 진입하지 못했기 때문이다. 현재, 모합금 제련 시 Dy 금속을 직접 첨가하는 방법이 주로 사용되는데, NdFeB 소결 자석 Hcj를 향상시키는 종래의 효과적인 방법은 Dy, Tb와 같은 중희토류 원소로 자석의 주상 Nd2Fe14B 중의 Nd를 대체하여 (Nd, Dy)2Fe14B, (Nd, Dy)2Fe14B의 이방성이 Nd2Fe14B보다 강하게 형성하는 것이다. 따라서 자석의 Hcj가 현저하게 개선되나 이러한 중희토류 원소는 자원이 부족하고 가격이 비싸며, Nd와 철의 자기 모멘트는 평행하게 배열되나 Dy와 철은 역평행하게 배열되므로, 자석의 잔류 자기 Br 및 최대 자기 에너지적(BH) max가 모두 저하될 수 있다. 소결 NdFeB 자석은 성형성이 좋지 않아 반드시 후가공을 거쳐야만 적합한 치수 정밀도에 이를 수 있다. 그러나 재료 자체의 취성이 높기 때문에 후처리 과정에서 원료 손실이 40% 내지 50%에 달해 희토류 자원의 낭비를 초래하는 동시에 기계 가공도 원료의 제조비용을 증가시킨다. 결합 NdFeB 자석은 기본적으로 등방성이고 자기 특성이 낮아 자성에 대한 요건이 비교적 높은 분야에 사용할 수 없다.
최근 많은 연구 기관에서 희토류 원소를 자석 표면으로부터 매트릭스 내부로 확산시키는 다양한 공정을 보고했다. 이러한 공정은 침투된 희토류 원소가 입계 및 주상 결정립 표면 영역을 따라 최적화되어 분포될 수 있게 하여, 보자력을 향상시킬 뿐만 아니라 귀중한 희토류의 사용량을 절감하고 잔류 자기 및 자기 에너지적이 현저하게 저하되지 않도록 한다. 그러나 대량 생산에서 증착 또는 스퍼터링 방법의 적용은 효율이 비교적 낮으며, 증착 과정에서 대량의 희토류 금속이 가열로 챔버 내로 흩어져 중희토류 금속의 불필요한 낭비를 초래한다. 표면에 단일 희토류 산화물 또는 불화물을 도포하여 가열 및 확산시키는 것은 보자력 향상이 제한되는 문제가 있다.
따라서, 보자력이 현저하게 향상되고 생산 효율이 높으며 처리 비용이 낮고 생산 원가 경쟁력이 높은 희토류 영구 자석 재료가 필요하다.
본 발명의 목적은 종래 기술의 단점을 보완하는 희토류 영구 자석 재료 및 이의 제조 방법을 제공하는 데에 있다. 상기 방법은 프레스, 플라즈마 소결 및 입계 확산 기술을 채택하며, 비교적 적은 양의 중희토류를 이용하여 자석 성능을 현저하게 향상시키고 중희토류를 고품질로 사용한다.
본 발명의 방법은 NdFeB 매트릭스 표면 및 내부에 희토류 원소를 정렬시킬 뿐만 아니라 자석의 보자력을 향상시키는 동시에 잔류 자기가 기본적으로 현저하게 저하되지 않는다. 본 발명에서는 SPS 열간 프레스 과정을 통해 중희토류 원소가 풍부한 화합물 및 순금속 분말을 자석 표면에 부착하고, 후속 열처리를 통해 입계 확산을 구현하여 자석의 보자력 특성을 향상시킨다. 본 발명에서 사용되는 중희토류 원소를 함유한 분말은 Dy/Tb/Ho/Gd/Nd/Pr의 불화물 또는 산화물이고, 순금속 분말은 Al/Cu/Ga/Zn/Sn 등 중의 하나 이상이다.
상기 목적을 구현하기 위해, 본 발명은 하기 기술적 해결책을 채택한다.
희토류 영구 자석 재료의 제조 방법은 소결 처리 단계, 확산 열처리 단계 및 템퍼링(tempering) 처리 단계를 포함하되,
상기 소결 처리 단계에서는, NdFeB 자성 분말층의 표면 상에 확산용 복합 분말을 배치하고 방전 플라즈마 소결 처리를 수행하여 표면에 확산층이 경화된 NdFeB 자석을 수득한다. 상기 확산용 복합 분말의 성분비 식은 H100-x-yMxQy이고, 여기에서 H는 Dy, Tb, Ho 및 Gd의 금속 분말 중 하나 이상이거나, H는 Dy, Tb, Ho 및 Gd 불화물 분말 또는 산화물 분말 중 하나 이상이고, M은 Nd, Pr 또는 NdPr 금속 분말이고, Q는 Cu, Al, Zn 및 Sn 금속 분말 중 하나 이상이고; x 및 y는 각각 상기 확산용 복합 분말에서 M 성분 및 Q 성분의 원자 백분율이고, x는 0 내지 20(예를 들어 1, 3, 5, 7, 9, 11, 13, 15, 17, 19)이고, y는 0 내지 40(예를 들어 1, 5, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 39)이다.
상기 확산 열처리 단계에서는, 상기 표면에 확산층이 경화된 NdFeB 자석에 대하여 확산 열처리를 수행하고, 냉각하여 확산된 NdFeB 자석을 수득한다.
상기 템퍼링(tempering) 처리 단계에서는, 상기 확산된 NdFeB 자석에 대하여 템퍼링 처리를 수행하여 상기 희토류 영구 자석 재료를 수득한다.
본 발명의 희토류 영구 자석 재료의 제조 방법은 중희토류 원소를 주로 입계 또는 입계와 주상의 전이 영역 내에 분포시켜 보자력이 동일한 자석을 제조한다. 본 발명의 방법은 NdFeB 자석 분말과 중희토류 분말을 직접 혼합하는 방식에 비해 중희토류 원소 용량이 적고 잔류 자기가 기본적으로 변하지 않는다.
상기 제조 방법 중 바람직한 실시 양태에 있어서, 상기 x 및 y는 동시에 0이 아니며; 더욱 바람직하게는 상기 x의 값 범위는 2 내지 15(예를 들어 3, 4, 6, 8, 10, 12, 14)이고, 상기 y의 값 범위는 4 내지 25(예를 들어 5, 7, 9, 11, 13, 15, 17, 19, 21, 23, 24)이다.
상기 제조 방법 중 바람직한 실시 양태에 있어서, 상기 확산용 복합 분말의 성분비 식은 (TbF3)95Nd2Al3, (DyF3)95Nd1Al4, (TbF3)95Cu5이다.
상기 제조 방법 중 바람직한 실시 양태에 있어서, 상기 확산용 복합 분말의 입도는 -150메쉬이다. 분말 입도가 너무 작으면 제조 공정의 비용이 증가하고 응집하기 쉽지 않아 성형에 유익하지 않으며, 너무 크면 후속 소결 및 확산 과정의 효과가 떨어진다.
상기 제조 방법 중 바람직한 실시 양태에 있어서, 상기 확산용 복합 분말의 제조는 무산소 환경에서 H, M 및 Q의 3가지 성분의 분말을 균일하게 혼합한 다음, 150메쉬 체질을 거쳐 사하산물을 취하여 확산용 복합 분말을 수득하는 단계를 포함하며; 여기에서 상기 무산소 환경은 바람직하게는 질소 환경이고; 상기 H 성분의 분말 입도는 -150메쉬이고, 상기 M 성분의 분말 입도는 -150메쉬이고, 상기 Q 성분의 분말 입도는 -150메쉬이다.
상기 제조 방법 중 바람직한 실시 양태에 있어서, 상기 NdFeB 자성 분말은 제트 밀(jet mill)에 의해 제조된다.
상기 제조 방법 중 바람직한 실시 양태에 있어서, 상기 NdFeB 자성 분말층 표면 상에 배치된 확산용 복합 분말의 두께는 5μm 내지 30μm(예를 들어 6μm, 8μm, 10μm, 12μm, 15μm, 18μm, 21μm, 23μm, 25μm, 27μm, 29μm)이고; 보다 바람직하게는 상기 확산용 복합 분말이 배치되는 표면과 상기 NdFeB 자성 분말의 배향은 수직이다.
상기 제조 방법 중 바람직한 실시 양태에 있어서, 상기 방전 플라즈마 소결 처리의 조건은, 진공도가 10-3Pa 이상(예를 들어 10-3Pa, 8×10-4Pa, 5×10-4Pa, 1×10-4Pa, 9×10-5Pa, 5×10-5Pa)이고, 압력은 20Mpa 내지 60Mpa(22Mpa, 25Mpa, 30Mpa, 35Mpa, 40Mpa, 45Mpa, 50Mpa, 55Mpa, 59Mpa), 온도는 700℃ 내지 900℃(예를 들어, 710℃, 750℃, 800℃, 820℃, 850℃, 880℃)이고; 더 바람직하게는, 상기 방전 플라즈마 소결 처리의 보온 보압 시간은 0분 내지 15분(예를 들어, 1분, 3분, 5분, 7분, 9분, 11분, 13분)이다. 방전 플라즈마 소결 후 성분비 식이 H100-x-yMxQy인 복합 분말을 경화시켜 NdFeB 자성 분말에 형성된 NdFeB 자석 표면 상에 부착하여 확산층을 형성한다. 본 발명의 SPS 처리는 예비 성형의 목적을 달성하여, 소결 NdFeB 자석의 분말 및 표면의 복합 분말이 압력 및 온도의 작용 하에서 단순한 물리적 접촉에서 긴밀한 화학 결합으로 변경되도록 함으로써, 후속 소결 및 확산 과정에 유익하며, 플라즈마 소결 온도가 너무 낮으면 분말 간 결합이 느슨해져 후속 과정에서 가장자리가 떨어지는 등의 문제가 발생할 수 있다. 압력이 너무 높으면 성능이 저하될 수 있다.
상기 제조 방법 중 바람직한 실시 양태에 있어서, 상기 NdFeB 자성 분말층의 배향 방향은 1mm 내지 12mm의 두께로 제어된다.
상기 제조 방법 중 바람직한 실시 양태에 있어서, 상기 확산 열처리의 조건은, 진공도가 10-3Pa 이상(예를 들어 10-3Pa, 8×10-4Pa, 5×10-4Pa, 1×10-4Pa, 9×10-5Pa, 5×10-5Pa)이고, 온도는 700℃ 내지 950℃ (예를 들어 710℃, 750℃, 800℃, 820℃, 850℃, 880℃, 900℃, 920℃, 940℃)이고, 보온 시간은 2시간 내지 30시간(예를 들어, 3시간, 5시간, 8시간, 12시간, 15시간, 20시간, 25시간, 28시간)이고; 더욱 바람직하게는, 상기 확산 열처리는 진공 열처리로에서 수행된다. 보온 온도가 너무 낮으면 확산 처리 효과가 현저하지 않으며; 보온 온도가 너무 높으면 입자가 비정상적으로 성장하여 자기 특성이 저하된다. 보온 시간의 선택은 자석 두께와 관련이 있으며, 두꺼운 것은 처리 시간이 더 길어질 수 있다. 온도와 시간이 매칭되면 우수한 처리 효과를 얻을 뿐만 아니라 에너지를 효과적으로 사용하는 데 도움이 된다.
상기 제조 방법 중 바람직한 실시 양태에 있어서, 상기 냉각은 처리로에서 50℃ 이하(예를 들어 48℃, 45℃, 40℃, 35℃, 30℃)로 냉각하는 것을 지칭한다.
상기 제조 방법 중 바람직한 실시 양태에 있어서, 상기 템퍼링 처리의 온도는 420℃ 내지 640℃(예를 들어 430℃, 450℃, 480℃, 520℃, 550℃, 590℃, 620℃, 630℃)이고, 보온 시간은 2시간 내지 10시간(예를 들어 3시간, 5시간, 8시간, 9시간)이다. 상기 템퍼링 시스템 하에서 중희토류 원소가 풍부한 입계상의 형성 및 유지에 유익하며, 상기 바람직한 온도 범위를 초과하는 제품은 성능이 약간 저하될 수 있다.
상기 방법 중 바람직한 방법은 임의로 조합하여 사용할 수 있다.
상기 방법에 의해 제조된 희토류 영구 자석 재료를 사용한다.
종합하면, 본 발명의 방법은 프레스, 플라즈마 소결 및 입계 확산 기술을 결합하여 사용하며, 비교적 적은 양의 중희토류를 사용하여 자석 성능을 현저하게 향상시키고 중희토류를 고품질로 사용한다. 이는 소결 NdFeB 자석 표면에 결합력이 비교적 우수한 희토류를 풍부하게 함유한 화합물과 순금속 분말로 형성된 혼합 분말 경화층(확산층이라고도 함)을 형성한 다음, 전체 자석을 700℃ 내지 950℃의 온도까지 가열하여 2시간 내지 30시간 보온하고, 그 중의 중희토류 원소, 희토류 원소 및 순금속 원소가 고온에서 입계를 통해 자석 내부로 확산되도록 한 후, 420℃ 내지 640℃에서 2시간 내지 10시간 동안 템퍼링 처리하며, 최종적으로 NdFeB 자석의 자기 특성을 향상시킨다. 상기 방법을 통해 소결 NdFeB 자석의 보자력을 4000 Oe 내지 16300 Oe까지 향상시키고 잔류 자기는 1% 내지 2% 낮추며 동일 성능 자석으로 중희토류 사용량을 35% 줄일 수 있다.
본 발명의 장점은 SPS 기술과 침투 기술의 통합 방법을 통해 NdFeB 매트릭스와 희토류 원소가 풍부하게 함유된 화합물 및 순금속 분말이 함께 잘 결합하며, 고온 처리 후 분말층 내의 희토류 화합물과 순금속 분말이 자석 내부에서 주상과 네오디뮴이 풍부한 상 경계 영역으로 확산되어 농축되고, 이러한 처리를 통해 NdFeB 자석의 보자력이 현저하게 향상된다. 본 발명은 희토류 영구 자석 재료 NdFeB의 성능을 개선하기 위한 새로운 길을 개척하였다. 본 발명을 채택해 자석 성능을 개선한 경우, 한편으로는 효율이 높고 중희토류 원소와 매트릭스 자석의 고상 결합이 확산되는 데에 더 유리하며, 다른 한편으로는 중희토류의 사용량이 크게 감소하여 제품의 원가가 낮아지며 제품의 가격대비 성능이 더욱 우수해진다. 프레스 SPS 기술을 채택하여 소결 및 침투를 하나로 집적화한 후에는 완제품 수율이 향상되며(기존의 침투 기술과 비교할 때, 본 발명의 프레스 성형 후에 직접 확산 및 침투하는 기술은 큰 자석을 전단 가공할 필요가 없어 전단 가공에 따른 제품 불량 및 손실이 줄어들고, 전체 과정에서 자연 환경과의 접촉이 없어 제품의 산화 손실을 최대한 제한할 수 있음), 보자력이 크게 개선되고 생산 효율이 높아지며 처리 비용이 낮아 생산 비용의 경쟁력이 현저하게 높아진다.
도 1은 실시예 1에서 제조된 자석의 종합 자기 특성의 그래프이다.
이하에서는 실시예와 함께 본 발명을 더욱 상세하게 설명하나, 본 발명의 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 것으로 본 발명을 제한하지 않는다.
하기 실시예에 사용된 NdFeB 자성 분말은 제트 밀에 의해 제조된 것으로 시판되는 제품일 수 있으며, 통상적인 방법으로 직접 제조할 수도 있다.
본 발명에 사용되는 SPS 기술은 직류 펄스 전류 통전 소결을 이용한 가압 소결 방법이다. 그 기본 원리는 전극에 직류 펄스 전류를 내보내 순간적으로 생성되는 방전 플라즈마를 통해 소결체 내부의 각 입자가 균일한 자체 줄 열(Joule heat)을 발생하도록 만들고 입자 표면을 활성화시켜 가압과 동시에 소결을 구현하는 것이다. 상기 SPS 기술을 본 발명에 응용하면 다음 특성을 갖게 된다. (l) 소결 온도가 낮으며 일반적으로 700℃ 내지 900℃이다. (2) 소결 보온 시간이 짧으며 3분 내지 15분 정도만 필요하다. (3) 미세하고 균일한 조직을 수득할 수 있다. (4) 고밀도 재료를 수득할 수 있다.
실시예 1
(1) 분말 성분비 식 (TbF3)95Nd2Al3(식에서 아래 첨자는 해당 원소의 원자 백분율임)에 따라 복합 분말을 배치하며, TbF3 분말(입도: -150메쉬), 금속 Nd 분말(입도: -150메쉬), 금속 Al 분말(입도: -150메쉬)를 칭량하고, 상기 분말을 균일하게 혼합하며, 150메쉬 체질을 수행하여 사하산물을 복합 분말로 사용하고, 여기에서 분말 혼합 및 체질 과정은 질소 환경 하에서 수행한다.
(2) 제트 밀에 의해 제조된 NdFeB 상업용 자성 분말(성분 배합비: Nd9.2Pr3Dy1.2Tb0.6Fe80B6, 여기에서 아래 첨자는 해당 성분의 원자 백분율임)을 경합금 다이 내에 넣고, 동시에 배향과 수직인 표면층에 20μm 두께의 단계 (1)에서 배치한 복합 분말을 놓고, 방전 플라즈마 소결 기술을 사용하여 진공도 10-3pa, 압력 30Mpa, 온도 750℃의 조건에서 열간 프레스 소결을 수행하여 표면 경화 및 (TbF3)95Nd2Al3 분말 경화층이 부착된 NdFeB 자석을 수득하며, 여기에서 배향 방향은 6mm 두께이다.
(3) 단계 (2)에서 수득한 표면에서 한 층의 균일한 분말 경화층을 갖는 NdFeB 자석을 진공 열처리로 내에 거치하고, 진공도 10-3Pa 및 온도 800℃의 조건에서 6시간 동안 보온하여 확산 열처리를 수행하며; 처리로와 함께 50℃ 이하로 냉각시킨다.
(4) 단계 (3)에서 수득한 자석을 다시 510℃에서 4시간 동안 템퍼링 처리하여, 성능이 개선된 자석, 즉 본 발명의 희토류 영구 자석 재료를 수득한다.
본 실시예의 방법에 따라 성능이 향상된 자석을 제조할 때 비교예 1을 설치하며, 상기 비교예 1의 제조 방법은 구체적으로 다음과 같다. 즉, 종래의 분말 야금 기술(상세한 제조 기술은 주서우쩡(周壽增) 등이 집필하여 2012년 야금공학출판사에서 출판한 《소결 NdFeB 희토류 자석 재료와 기술》 중 7 내지 11장 내용 참조)을 채택하여 실시예 1과 동일한 성분 배합으로 제련, 분말 제조, 프레스, 소결을 수행하며, 그 자석의 성능은 표 1에서 도시하는 바와 같다.
도 1은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 자석 성능 테스트의 BH 그래프이다. 상기 도면으로부터 본 실시예의 단계 (2), (3), (4)의 기술적 처리를 거친 소결 NdFeB의 보자력은 25070 Oe에서 41330 Oe까지 향상되어 16260 Oe 증가하였고 잔류 자기는 약간 낮아진 것을 알 수 있는데, 즉 13010Gs에서 12790Gs로 낮아져 220Gs 감소하였다. 처리 후 소결 NdFeB의 보자력 종합 자기 성능 Hcj+BH(max)은 80.66에 도달하였다.
실시예 2
(1) 분말 비율 식 (DyF3)95Nd1Al4(식에서 아래 첨자는 해당 원소의 원자 백분율임)에 따라 복합 분말을 배치한다. DyF3 분말 -150메쉬; 금속 Nd 분말 -150메쉬; 금속 Al 분말 -150메쉬를 칭량하고; 상기 분말을 균일하게 혼합하며 150메쉬 체질을 수행하고, 분말 혼합 및 체질 과정은 질소 환경 하에서 수행한다.
(2) 제트 밀에 의해 제조된 NdFeB 상업용 자성 분말(성분 배합비: Nd10.8Pr3Tb0.4Fe79.8B6, 여기에서 아래 첨자는 해당 성분의 원자 백분율임)을 경합금 다이 내에 넣고, 동시에 배향 수직 방향의 표면층에 25μm 두께의 단계 (1)의 상기 분말을 놓고, 방전 플라즈마 소결 기술을 사용하여 진공도 10-3pa, 압력 30Mpa, 온도 750℃의 조건에서 열간 프레스를 수행하여 표면 경화 및 (DyF3)95Nd1A14 분말 경화층이 부착된 NdFeB 자석을 수득하며, 여기에서 배향 방향은 7mm 두께이다.
(3) 단계 (2)에서 수득한 표면에서 한 층의 균일한 분말 경화층을 갖는 자석을 진공 열처리로 내에 거치하고, 진공도 10-3Pa 및 온도 800℃의 조건에서 6시간 동안 보온하며, 처리로와 함께 50℃ 이하로 냉각시킨다.
(4) 단계 (3)에서 수득한 자석을 510℃에서 4시간 동안 템퍼링 처리하여, 성능이 개선된 자석을 수득한다.
본 실시예의 방법에 따라 성능이 향상된 자석을 제조할 때 비교예 2를 설치하며, 상기 비교예 2의 제조 방법은 구체적으로 다음과 같다. 즉, 종래의 분말 야금 기술(상세한 제조 기술은 주서우쩡 등이 집필하여 2012년 야금공학출판사에서 출판한 《소결 NdFeB 희토류 자석 재료와 기술》 중 7 내지 11장 내용 참조)을 채택하여 실시예 2와 동일한 성분 배합으로 제련, 분말 제조, 프레스, 소결을 수행하며, 그 자석의 성능은 표 1에서 도시하는 바와 같다.
본 실시예에서 제조된 희토류 영구 자석 재료의 보자력은 7700 Oe 증가하고 잔류 자기는 약간 낮아져 185Gs 감소하였다. 실시예 2 및 비교예 2의 자석 성능 테스트 결과는 표 1에서 도시하는 바와 같다.
실시예 3
(1) 분말 비율 식 (TbF3)95Cu5(식에서 아래 첨자는 해당 원소의 원자 백분율임)에 따라 복합 분말을 배치한다. TbF3 분말 -150메쉬; 금속 Cu 분말 -150메쉬를 칭량하고, 상기 분말을 균일하게 혼합하며 150메쉬 체질을 수행하고, 분말 혼합 및 체질 과정은 질소 환경 하에서 수행한다.
(2) 제트 밀에 의해 제조된 NdFeB 상업용 자성 분말(성분 배합비: Nd11.9Pr3Dy0.1Fe79B6, 여기에서 아래 첨자는 해당 성분의 원자 백분율임)을 경합금 다이 내에 넣고, 동시에 배향 수직 방향의 표면층에 30μm 두께의 단계 (1)의 상기 분말을 놓고, 방전 플라즈마 소결 기술을 사용하여 진공도 10-3pa, 압력 50Mpa, 온도 780℃의 조건에서 열간 프레스를 수행하여 표면 경화 및 (TbF3)95Cu5 분말 경화층이 부착된 NdFeB 자석을 수득하며; 여기에서 배향 방향은 12mm 두께이다.
(3) 단계 (2)에서 수득한 표면에서 한 층의 균일한 분말 경화층을 갖는 자석을 진공 열처리로 내에 거치하고, 진공도 10-3Pa 및 온도 850℃의 조건에서 6시간 동안 보온하며; 처리로와 함께 50℃ 이하로 냉각시킨다.
(4) 단계 (3)에서 수득한 자석을 다시 510℃에서 4시간 동안 템퍼링 처리하여, 성능이 개선된 자석을 수득한다.
본 실시예의 방법에 따라 성능이 향상된 자석을 제조할 때 비교예 3을 설치하며, 상기 비교예 3의 제조 방법은 구체적으로 다음과 같다. 즉, 종래의 분말 야금 기술(상세한 제조 기술은 주서우쩡 등이 집필하여 2012년 야금공학출판사에서 출판한 《소결 NdFeB 희토류 자석 재료와 기술》 중 7 내지 11장 내용 참조)을 채택하여 실시예 3과 동일한 성분 배합으로 제련, 분말 제조, 프레스, 소결을 수행하며, 그 자석의 성능은 표 1에서 도시하는 바와 같다.
본 실시예에서 제조된 희토류 영구 자석 재료의 보자력은 14000 Oe 증가하고 잔류 자기는 약간 낮아져 190Gs 감소하였다. 실시예 3 및 비교예 3의 자석 성능 테스트 결과는 표 1에서 도시하는 바와 같다.
실시예 4
(1) 분말 비율 식 (HoF3)97Pr1Cu2(식에서 아래 첨자는 해당 원소의 원자 백분율임)에 따라 복합 분말을 배치한다. HoF3 분말 -150메쉬; 금속 Pr 분말 -150메쉬; 금속 Cu 분말 -150메쉬를 칭량하고, 상기 분말을 균일하게 혼합하며 150메쉬 체질을 수행하고, 분말 혼합 및 체질 과정은 질소 환경 하에서 수행한다.
(2) 제트 밀에 의해 제조된 NdFeB 상업용 자성 분말(성분 배합비: Nd11.8Pr3Dy0.1Fe79B6.1, 여기에서 아래 첨자는 해당 성분의 원자 백분율임)을 경합금 다이 내에 넣고, 동시에 배향 수직 방향의 표면층에 20μm 두께의 단계 (1)의 상기 분말을 놓고, 방전 플라즈마 소결 기술을 사용하여 진공도 10-3pa, 압력 20Mpa, 온도 750℃의 조건에서 열간 프레스를 수행하여 표면 경화 및 (HoF3)97Pr1Cu2 분말 경화층이 부착된 NdFeB 자석을 수득하며, 여기에서 배향 방향은 3mm 두께이다.
(3) 단계 (2)에서 수득한 표면에서 한 층의 균일한 분말 경화층을 갖는 자석을 진공 열처리로 내에 거치하고, 진공도 10-3Pa 미만 및 온도 800℃의 조건에서 6시간 동안 보온하며; 처리로와 함께 50℃ 이하로 냉각시킨다.
(4) 단계 (3)에서 수득한 자석을 다시 510℃에서 4시간 동안 템퍼링 처리하여, 성능이 개선된 자석을 수득한다.
본 실시예의 방법에 따라 성능이 향상된 자석을 제조할 때 비교예 4를 설치하며, 상기 비교예 4의 제조 방법은 구체적으로 다음과 같다. 즉, 종래의 분말 야금 기술(상세한 제조 기술은 주서우쩡 등이 집필하여 2012년 야금공학출판사에서 출판한 《소결 NdFeB 희토류 자석 재료와 기술》 중 7 내지 11장 내용 참조)을 채택하여 실시예 4와 동일한 성분 배합으로 제련, 분말 제조, 프레스, 소결을 수행하며, 그 자석의 성능은 표 1에서 도시하는 바와 같다. 본 실시예에서 제조된 희토류 영구 자석 재료의 보자력은 4500 Oe 증가하고 잔류 자기는 약간 낮아져 215Gs 감소하였다. 실시예 4 및 비교예 4의 자석 성능 테스트 결과는 표 1에서 도시하는 바와 같다.
실시예 5
(1) 분말 비율 식 ((DyTb)F3)96Cu1Al3(식에서 아래 첨자는 해당 원소의 원자 백분율임)에 따라 복합 분말을 배치한다. (DyTb)F3 분말 -150메쉬; 금속 Cu 분말 -150메쉬; 금속 Al 분말 -150메쉬를 칭량하고, 상기 분말을 균일하게 혼합하며 150메쉬 체질을 수행하고, 분말 혼합 및 체질 과정은 질소 환경 하에서 수행한다.
(2) 제트 밀에 의해 제조된 NdFeB 상업용 자성 분말(성분 배합비: Nd14.6Tb0.3Fe79B6.1, 여기에서 아래 첨자는 해당 성분의 원자 백분율임)을 경합금 다이 내에 넣고, 동시에 배향 수직 방향의 표면층에 30μm 두께의 단계 (1)의 상기 분말을 놓고, 방전 플라즈마 소결 기술을 사용하여 진공도 10-3pa, 압력 20Mpa, 온도 750℃의 조건에서 열간 프레스를 수행하여 표면 경화 및 ((DyTb)F3)96Cu1Al3 분말 경화층이 부착된 NdFeB 자석을 수득하며; 여기에서 배향 방향은 8mm 두께이다.
(3) 단계 (2)에서 수득한 표면에서 한 층의 균일한 분말 경화층을 갖는 자석을 진공 열처리로 내에 거치하고, 진공도 10-3Pa 및 온도 800℃의 조건에서 6시간 동안 보온하며; 처리로와 함께 50℃ 이하로 냉각시킨다.
(4) 단계 (3)에서 수득한 자석을 다시 510℃에서 4시간 동안 템퍼링 처리하여, 성능이 개선된 자석을 수득한다.
본 실시예의 방법에 따라 성능이 향상된 자석을 제조할 때 비교예 5를 설치하며, 상기 비교예 5의 제조 방법은 구체적으로 다음과 같다. 즉, 종래의 분말 야금 기술(상세한 제조 기술은 주서우쩡 등이 집필하여 2012년 야금공학출판사에서 출판한 《소결 NdFeB 희토류 자석 재료와 기술》 중 7 내지 11장 내용 참조)을 채택하여 실시예 5와 동일한 성분 배합으로 제련, 분말 제조, 프레스, 소결을 수행하며, 그 자석의 성능은 표 1에서 도시하는 바와 같다.
본 실시예에서 제조된 희토류 영구 자석 재료의 보자력은 12000 Oe 증가하고 잔류 자기는 약간 낮아져 188Gs 감소하였다. 실시예 5 및 비교예 5의 자석 성능 테스트 결과는 표 1에서 도시하는 바와 같다.
실시예 6
(1) 분말 비율 식 (GdF3)98Cu2(식에서 아래 첨자는 해당 원소의 원자 백분율임)에 따라 복합 분말을 배치한다. GdF3 분말 -150메쉬; 금속 Cu 분말 -150메쉬를 칭량하고, 상기 분말을 균일하게 혼합하며 150메쉬 체질을 수행하고, 분말 혼합 및 체질 과정은 질소 환경 하에서 수행한다.
(2) 제트 밀에 의해 제조된 NdFeB 상업용 자성 분말(성분 배합비: Nd11.5Pr3Dy0.3Fe79.2B6, 여기에서 아래 첨자는 해당 성분의 원자 백분율임)을 경합금 다이 내에 넣고, 동시에 배향 수직 방향의 표면층에 20μm 두께의 단계 (1)의 상기 분말을 놓고, 방전 플라즈마 소결 기술을 사용하여 진공도 10-3pa, 압력 20Mpa, 온도 750℃의 조건에서 열간 프레스를 수행하여 표면 경화 및 (GdF3)98Cu2 분말 경화층이 부착된 NdFeB 자석을 수득하며; 여기에서 배향 방향은 4mm 두께이다.
(3) 단계 (2)에서 수득한 표면에서 한 층의 균일한 분말 경화층을 갖는 자석을 진공 열처리로 내에 거치하고, 진공도 10-3Pa 미만 및 온도 800℃의 조건에서 6시간 동안 보온하며; 처리로와 함께 50℃ 이하로 냉각시킨다.
(4) 단계 (3)에서 수득한 자석을 다시 510℃에서 4시간 동안 템퍼링 처리하여, 성능이 개선된 자석을 수득한다.
본 실시예의 방법에 따라 성능이 향상된 자석을 제조할 때 비교예 6을 설치하며, 상기 비교예 6의 제조 방법은 구체적으로 다음과 같다. 즉, 종래의 분말 야금 기술(상세한 제조 기술은 주서우쩡 등이 집필하여 2012년 야금공학출판사에서 출판한 《소결 NdFeB 희토류 자석 재료와 기술》 중 7 내지 11장 내용 참조)을 채택하여 실시예 6과 동일한 성분 배합으로 제련, 분말 제조, 프레스, 소결을 수행하며, 그 자석의 성능은 표 1에서 도시하는 바와 같다.
본 실시예에서 제조된 희토류 영구 자석 재료의 보자력은 4600 Oe 증가하고 잔류 자기는 약간 낮아져 218Gs 감소하였다. 실시예 6 및 비교예 6의 자석 성능 테스트 결과는 표 1에서 도시하는 바와 같다.
실시예 7
(1) 분말 비율 식 (TbO3)94Nd1Al5(식에서 아래 첨자는 해당 원소의 원자 백분율임)에 따라 복합 분말을 배치한다. TbO3 분말 -150메쉬; 금속 Nd 분말 -150메쉬; 금속 Al 분말 -150메쉬를 칭량하고, 상기 분말을 균일하게 혼합하며 150메쉬 체질을 수행하고, 분말 혼합 및 체질 과정은 질소 환경 하에서 수행해야 한다.
(2) 제트 밀에 의해 제조된 NdFeB 상업용 자성 분말(성분 배합비: Nd10.7Pr3Tb0.5Fe80B5.8, 여기에서 아래 첨자는 해당 성분의 원자 백분율임)을 경합금 다이 내에 넣고, 동시에 배향 수직 방향의 표면층에 30μm 두께의 단계 (1)의 상기 분말을 놓고, 방전 플라즈마 소결 기술을 사용하여 진공도 10-3pa, 압력 50Mpa, 온도 780℃의 조건에서 열간 프레스를 수행하여 표면 경화 및 (TbO3)94Nd1Al5 분말 경화층이 부착된 NdFeB 자석을 수득하며; 여기에서 배향 방향은 12mm 두께이다.
(3) 단계 (2)에서 수득한 표면에서 한 층의 균일한 분말 경화층을 갖는 자석을 진공 열처리로 내에 거치하고, 진공도 10-3Pa 및 온도 800℃의 조건에서 6시간 동안 보온하며; 처리로와 함께 50℃ 이하로 냉각시킨다.
(4) 단계 (3)에서 수득한 자석을 다시 510℃에서 4시간 동안 템퍼링 처리하여, 성능이 개선된 자석을 수득한다.
본 실시예의 방법에 따라 성능이 향상된 자석을 제조할 때 비교예 7을 설치하며, 상기 비교예 7의 제조 방법은 구체적으로 다음과 같다. 즉, 종래의 분말 야금 기술(상세한 제조 기술은 주서우쩡 등이 집필하여 2012년 야금공학출판사에서 출판한 《소결 NdFeB 희토류 자석 재료와 기술》 중 7 내지 11장 내용 참조)을 채택하여 실시예 7과 동일한 성분 배합으로 제련, 분말 제조, 프레스, 소결을 수행하며, 그 자석의 성능은 표 1에서 도시하는 바와 같다.
본 실시예에서 제조된 희토류 영구 자석 재료의 보자력은 9000 Oe 증가하고 잔류 자기는 약간 낮아져 195Gs 감소하였다. 실시예 7 및 비교예 7의 자석 성능 테스트 결과는 표 1에서 도시하는 바와 같다.
실시예 8
(1) 분말 비율 식 (DyO3)97(PrNd)2Al1(식에서 아래 첨자는 해당 원소의 원자 백분율임)에 따라 복합 분말을 배치한다. DyO3 분말 -150메쉬; 금속 PrNd 분말(Pr과 Nd의 질량비는 1:4) -150메쉬; 금속 Al 분말 -150메쉬를 칭량하고, 상기 분말을 균일하게 혼합하며 150메쉬 체질을 수행하고, 분말 혼합 및 체질 과정은 질소 환경 하에서 수행한다.
(2) 제트 밀에 의해 제조된 NdFeB 상업용 자성 분말(성분 배합비: Nd12.2Pr3.1Fe78.6B6.1, 여기에서 아래 첨자는 해당 성분의 원자 백분율임)을 경합금 다이 내에 넣고, 동시에 배향 수직 방향의 표면층에 23μm 두께의 단계 (1)의 상기 분말을 놓고, 방전 플라즈마 소결 기술을 사용하여 진공도 10-3pa, 압력 40Mpa, 온도 760℃의 조건에서 열간 프레스를 수행하여 표면 경화 및 (DyO3)97(PrNd)2Al1 분말 경화층이 부착된 NdFeB 자석을 수득하며; 여기에서 배향 방향은 6.5mm 두께이다.
(3) 단계 (2)에서 수득한 표면에서 한 층의 균일한 분말 경화층을 갖는 자석을 진공 열처리로 내에 거치하고, 진공도 10-3Pa 미만 및 온도 800℃의 조건에서 6시간 동안 보온하며; 처리로와 함께 50℃ 이하로 냉각시킨다.
(4) 단계 (3)에서 수득한 자석을 다시 510℃에서 4시간 동안 템퍼링 처리하여, 성능이 개선된 자석을 수득한다.
본 실시예의 방법에 따라 성능이 향상된 자석을 제조할 때 비교예 8을 설치하며, 상기 비교예 8의 제조 방법은 구체적으로 다음과 같다. 즉, 종래의 분말 야금 기술(상세한 제조 기술은 주서우쩡 등이 집필하여 2012년 야금공학출판사에서 출판한 《소결 NdFeB 희토류 자석 재료와 기술》 중 7 내지 11장 내용 참조)을 채택하여 실시예 8과 동일한 성분 배합으로 제련, 분말 제조, 프레스, 소결을 수행하며, 그 자석의 성능은 표 1에서 도시하는 바와 같다.
본 실시예에서 제조된 희토류 영구 자석 재료의 보자력은 7700 Oe 증가하고 잔류 자기는 약간 낮아져 197Gs 감소하였다. 실시예 8 및 비교예 8의 자석 성능 테스트 결과는 표 1에서 도시하는 바와 같다.
실시예 9
(1) 분말 비율 식 (TbF3)46(DyO3)48Nd2ZnSnCu2(식에서 아래 첨자는 해당 원소의 원자 백분율임)에 따라 복합 분말을 배치한다. TbF3과 DyO3 분말 150메쉬; 금속 Nd 분말 150메쉬; 금속 Zn, Sn, Cu 분말 150메쉬를 칭량하고, 상기 분말을 균일하게 혼합하며 150메쉬 체질을 수행하고, 분말 혼합 및 체질 과정은 질소 환경 하에서 수행한다.
(2) 제트 밀에 의해 제조된 NdFeB 상업용 자성 분말(성분 배합비: Nd11.5Tb1.6Fe80.9B6, 여기에서 아래 첨자는 해당 성분의 원자 백분율임)을 경합금 다이 내에 넣고, 동시에 배향 수직 방향의 표면층에 23μm 두께의 단계 (1)의 상기 분말을 놓고, 방전 플라즈마 소결 기술을 사용하여 진공도 10-3pa, 압력 40Mpa, 온도 760℃의 조건에서 열간 프레스를 수행하여 표면 경화 및 (TbF3)46(DyO3)48Nd2ZnSnCu2 분말 경화층이 부착된 NdFeB 자석을 수득하며; 여기에서 배향 방향은 6.5mm 두께이다.
(3) 단계 (2)에서 수득한 표면에서 한 층의 균일한 분말 경화층을 갖는 자석을 진공 열처리로 내에 거치하고, 진공도 10-3Pa 미만 및 온도 800℃의 조건에서 6시간 동안 보온하며; 처리로와 함께 50℃ 이하로 냉각시킨다.
(4) 단계 (3)에서 수득한 자석을 다시 510℃에서 4시간 동안 템퍼링 처리하여, 성능이 개선된 자석을 수득한다.
본 실시예의 방법에 따라 성능이 향상된 자석을 제조할 때 비교예 9를 설치하며, 상기 비교예 9의 제조 방법은 구체적으로 다음과 같다. 즉, 종래의 분말 야금 기술(상세한 제조 기술은 주서우쩡 등이 집필하여 2012년 야금공학출판사에서 출판한 《소결 NdFeB 희토류 자석 재료와 기술》 중 7 내지 11장 내용 참조)을 채택하여 실시예 9와 동일한 성분 배합으로 제련, 분말 제조, 프레스, 소결을 수행하며, 그 자석의 성능은 표 1에서 도시하는 바와 같다.
본 실시예에서 제조된 희토류 영구 자석 재료의 보자력은 9100 Oe 증가하고 잔류 자기는 약간 낮아져 190Gs 감소하였다. 실시예 9 및 비교예 9의 자석 성능 테스트 결과는 표 1에서 도시하는 바와 같다.
표 1 실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 9 자석 성능 테스트 결과
Figure pct00001
실시예 10 내지 13
실시예 10 내지 13은 복합 분말의 배치 두께가 실시예 2의 두께와 상이한 것을 제외하고는, 다른 공정 파라미터는 모두 실시예 2와 동일하다. 여기에서 실시예 10의 복합 분말층 두께는 약 12μm이고, 실시예 11의 복합 분말층 두께는 약 20μm이고, 실시예 12의 복합 분말층의 두께는 약 5μm이고, 실시예 13의 복합 분말층의 두께는 약 30μm이다. 실시예 10 내지 13과 실시예 2의 자석 성능 테스트 결과는 표 2에서 도시하는 바와 같다.
실시예 14 내지 15
실시예 14 내지 15는 단계 (3)의 진공 열처리에서의 보온 온도와 보온 시간이 실시예 2와 다른 것을 제외하고는, 다른 공정 파라미터는 모두 실시예 2와 동일하다. 여기에서 실시예 14의 진공 열처리 조건은 950℃에서 보온 4시간이고, 실시예 15의 진공 열처리 조건은 700℃에서 보온 30시간이다. 실시예 14 내지 15와 실시예 2의 자석 성능 테스트 결과는 표 2에서 도시하는 바와 같다.
실시예 16 내지 17
실시예 16 내지 17은 단계 (4)의 템퍼링 처리 온도와 시간이 실시예 2와 다른 것을 제외하고는, 다른 공정 파라미터는 실시예 2와 동일하다. 여기에서 실시예 16의 템퍼링 처리 조건은 420℃에서 템퍼링 처리 10시간이고, 실시예 17의 템퍼링 처리 조건은 640℃에서 템퍼링 처리 2시간이다. 실시예 16 내지 17과 실시예 2의 자석 성능 테스트 결과는 표 2에서 도시하는 바와 같다.
표 2 실시예 10 내지 17과 실시예 2의 자석 성능 테스트 결과
Figure pct00002
실시예 18 내지 23
실시예 18 내지 23은 사용된 복합 분말 성분이 실시예 2와 다른 것을 제외하고는, 다른 공정 파라미터는 모두 실시예 2와 동일하다. 구체적인 복합 분말 성분 및 실시예 18 내지 23와 실시예 2의 자석 성능 테스트 결과는 표 3에서 도시하는 바와 같다.
표 3 실시예 18 내지 23과 실시예 2의 자석 성능 테스트 결과
Figure pct00003
실시예 24 내지 26
실시예 24 내지 26은 실시예 1 내지 3에서 사용된 복합 분말을 소결 NdFeB 분말에 직접 첨가하여 혼합한 후 SPS 열간 프레스를 채택하고, 이어서 소결 및 에이징을 수행하며, SPS 열간 프레스, 소결 및 에이징의 공정 파라미터는 서로 대응하는 실시예와 동일하다. 실시예 24 내지 26, 실시예 1 내지 3과 비교예 1 내지 3의 테스트 결과는 표 4에서 도시하는 바와 같다.
표 4 실시예 1 내지 3, 실시예 24 내지 26 및 비교예 1 내지 3의 자석 자기 특성 테스트 결과
Figure pct00004
상기 실시예는 명확한 설명을 위한 예시일 뿐이며, 구현 방식을 제한하지 않는다. 본 발명이 속한 기술분야의 당업자는 상기 설명을 기반으로 기타 다른 형태의 변경 또는 수정을 진행할 수 있다. 여기에서 모든 실시방식을 나열할 수도, 나열할 필요도 없다. 본 명세서로부터 도출된 명백한 변경 또는 수정은 모두 본 발명의 보호범위 내에 속한다.

Claims (10)

  1. 희토류 영구 자석 재료의 제조 방법에 있어서,
    소결 처리 단계, 확산 열처리 단계 및 템퍼링(tempering) 처리 단계를 포함하되,
    상기 소결 처리 단계에서는, NdFeB 자성 분말층의 표면 상에 확산용 복합 분말을 배치하고 방전 플라즈마 소결 처리를 수행하여 표면에 확산층이 경화된 NdFeB 자석을 수득하고, 상기 확산용 복합 분말의 성분비 식은 H100-x-yMxQy이고, 여기에서, H는 Dy, Tb, Ho 및 Gd의 금속 분말 중 하나 이상이거나, H는 Dy, Tb, Ho 및 Gd 불화물 분말 또는 산화물 분말 중 하나 이상이고, M은 Nd, Pr 또는 NdPr 금속 분말이고, Q는 Cu, Al, Zn 및 Sn 금속 분말 중 하나 이상이고; x 및 y는 각각 상기 확산용 복합 분말에서 M 성분 및 Q 성분의 원자 백분율이고, x는 0 내지 20이고, y는 0 내지 40이고;
    상기 확산 열처리 단계에서는, 상기 표면에 확산층이 경화된 NdFeB 자석에 대하여 확산 열처리를 수행하고, 냉각하여 확산된 NdFeB 자석을 수득하고;
    상기 템퍼링(tempering) 처리 단계에서는, 상기 확산된 NdFeB 자석에 대하여 템퍼링 처리를 수행하여 상기 희토류 영구 자석 재료를 수득하는 것을 특징으로 하는 희토류 영구 자석 재료의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 x 및 y는 동시에 0이 아니며; 바람직하게는, 상기 x의 값 범위는 2 내지 15이고, 상기 y의 값 범위는 4 내지 25이고; 보다 바람직하게는, 상기 확산용 복합 분말의 성분비 식은 (TbF3)95Nd2Al3, (DyF3)95Nd1A14, (TbF3)95Cu5인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 확산용 복합 분말의 입도는 150메쉬이고; 바람직하게는, 상기 확산용 복합 분말의 제조에는 무산소 환경에서 H, M 및 Q의 3가지 성분의 분말을 균일하게 혼합한 다음, 150메쉬 체질 후 사하산물을 취하여 확산용 복합 분말을 수득하는 단계가 포함되고; 상기 무산소 환경은 바람직하게는 질소 환경이고; 상기 H 성분의 분말 입도는 -150메쉬이고, 상기 M 성분의 분말 입도는 -150메쉬이고, 상기 Q 성분의 분말 입도는 -150메쉬인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 NdFeB 자성 분말층 표면 상에 배치된 확산용 복합 분말의 두께는 5μm 내지 30μm이고; 바람직하게는 상기 확산용 복합 분말이 배치되는 표면과 상기 NdFeB 자성 분말의 배향은 수직인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방전 플라즈마 소결 처리의 조건은, 진공도가 10-3Pa 이상이고, 압력이 20Mpa 내지 60Mpa이고, 온도가 700℃ 내지 900℃이고; 바람직하게는 상기 방전 플라즈마 소결 처리의 보온 보압 시간은 0분 내지 15분인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 NdFeB 자성 분말층의 배향 방향은 1mm 내지 12mm의 두께로 제어되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 확산 열처리의 조건은, 진공도가 10-3Pa 이상이고, 온도는 700℃ 내지 950℃이고, 보온 시간은 2시간 내지 30시간이고; 바람직하게는, 상기 확산 열처리는 진공 열처리로에서 수행되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각은 처리로에서 50℃ 이하로 냉각하는 것을 지칭하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 템퍼링 처리의 온도는 420℃ 내지 640℃이고, 보온 시간은 2시간 내지 10시간인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 방법을 채용여 제조된 희토류 영구 자석 재료.
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