KR20200056296A - Fabric substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR20200056296A
KR20200056296A KR1020190135190A KR20190135190A KR20200056296A KR 20200056296 A KR20200056296 A KR 20200056296A KR 1020190135190 A KR1020190135190 A KR 1020190135190A KR 20190135190 A KR20190135190 A KR 20190135190A KR 20200056296 A KR20200056296 A KR 20200056296A
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최승엽
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Abstract

The present invention relates to a fabric substrate for mounting a light emitting element and comprises: a fabric layer composed of at least one fabric; a stress buffer layer disposed on an upper part of the fabric layer to minimize an occurrence of physical strain and stress caused by the bending of the fabric layer; and a flattening layer disposed on an upper part of the stress buffer layer to provide a flat surface to enable operation of the light emitting element.

Description

직물 기판 및 그 제조방법{FABRIC SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}FABRIC SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 직물 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 표면 거칠기가 매우 낮고 계면 특성이 우수한 직물 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a fabric substrate and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a fabric substrate having a very low surface roughness and excellent interfacial properties, and a method for manufacturing the same.

차세대 디스플레이 기술로서 플렉서블 디스플레이(flexible display), 웨어러블 디스플레이(wearable display) 등 다양한 디스플레이에 대한 연구가 시도되고 있다. 그런데 플렉서블 디스플레이의 경우 폴리이미드(polyimide, PI) 필름, 폴리에스터(Polyester) 필름, 씬 글라스(thin glass), 유리섬유판(glass fiber sheet) 등 유연성을 가지는 기판을 이용하는 다양한 연구 결과가 보고되고 있으나, 웨어러블 디스플레이의 경우는 아직 초기 연구 단계로서 많은 연구 성과가 도출되고 있지 않는 실정이다.As a next-generation display technology, research on various displays such as a flexible display and a wearable display has been attempted. However, in the case of a flexible display, various research results using flexible substrates such as polyimide (PI) film, polyester film, thin glass, and glass fiber sheet have been reported. In the case of a wearable display, many research results have not been drawn as an initial research stage.

현재까지 보고되고 있는 웨어러블 디스플레이의 제조 방식으로는 광 섬유(optical fiber)나 EL(electroluminescent) 와이어를 직물에 추가하는 등의 방법으로 직물 자체가 발광하는 방식과, 직물의 상부에 폴리머(polymer)를 결착하여 평탄화한 직물 기판을 만든 후 그 상부에 발광소자를 형성하는 방식 등이 있다.As a method of manufacturing a wearable display that has been reported to date, a method in which the fabric itself emits light by adding an optical fiber or an electroluminescent (EL) wire to the fabric, and a polymer on the top of the fabric are used. There is a method of forming a flattened fabric substrate by binding and then forming a light emitting device thereon.

이 중 직물 기판을 이용한 웨어러블 디스플레이는 비용이 저렴하고, 제조 공정이 비교적 단순하다는 장점이 있다. 하지만, 기존의 직물 기판을 이용한 웨어러블 디스플레이는 직물의 전체 표면에 폴리머를 결착시켜 평탄화를 행하는 방식으로 구성되어, 휘어짐(flexible)은 가능하지만 물리적 변형(strain)과 스트레스(stress)가 크기 때문에 접히거나(foldable) 늘어나는(stretchable) 특성을 가지기 힘들다는 문제가 있다.Among them, a wearable display using a fabric substrate has advantages of low cost and relatively simple manufacturing process. However, the wearable display using the existing fabric substrate is constructed in such a way that the polymer is attached to the entire surface of the fabric to perform flattening, which is flexible, but may be folded or collapsed due to large physical strain and stress. There is a problem that it is difficult to have a (foldable) stretchable property.

또한, 기존의 직물 기판을 이용한 웨어러블 디스플레이는 발광소자를 직물 상에서 구동하기 위해 직물 위에 용액을 도포하는 방식을 사용하거나 혹은 열 압착을 통해 플라스틱 기판을 직물에 붙이는 방식을 사용하였다. 하지만, 전자의 방식은 직물의 거친 표면을 충분히 완화시키는 작업이 어려워 발광소자가 안정적으로 구동되지 못하는 단점이 있으며, 후자의 방식은 열에 의해 플라스틱과 직물에 변형이 초래되므로 재료 선정 측면에서 상당한 제약이 존재하는 단점이 있다.In addition, a wearable display using a conventional fabric substrate uses a method of applying a solution on the fabric to drive a light emitting device on the fabric, or a method of attaching a plastic substrate to the fabric through thermal compression. However, the former method has a disadvantage in that it is difficult to sufficiently relieve the rough surface of the fabric, so that the light emitting device cannot be stably driven, and the latter method has considerable limitations in terms of material selection since heat and plastic are deformed. There are disadvantages that exist.

본 발명은 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 또 다른 목적은 표면 거칠기가 매우 낮고 계면 특성이 우수한 직물 기판 및 그 제조방법을 제공함에 있다.The present invention aims to solve the above and other problems. Another object is to provide a fabric substrate having a very low surface roughness and excellent interfacial properties, and a method for manufacturing the same.

또 다른 목적은 직물에 열을 가하지 않아 열에 의한 변형으로부터 자유로우면서 직물의 유연성을 유지할 수 있는 직물 기판 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Another object is to provide a fabric substrate and a method of manufacturing the fabric substrate capable of maintaining flexibility of the fabric while free from heat deformation by not applying heat to the fabric.

또 다른 목적은 물리적 변형(strain) 및 내부 스트레스(stress)의 발생을 최소화할 수 있는 직물 기판 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Another object is to provide a fabric substrate and a method of manufacturing the same, which can minimize the occurrence of physical strain and internal stress.

또 다른 목적은 일정 압력 및/또는 온도 조건 하에서의 용액 공정을 기반으로 저 비용 및 대량 생산이 가능한 직물 기판 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Another object is to provide a fabric substrate and a method for manufacturing the low cost and mass production based on a solution process under a certain pressure and / or temperature condition.

또 다른 목적은 통기성, 신축성 및 유연성이 우수한 직물 기판 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Another object is to provide a fabric substrate having excellent breathability, stretchability and flexibility, and a method for manufacturing the same.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따르면, 적어도 하나의 직물로 구성되는 직물층; 상기 직물층의 상부에 배치되어, 상기 직물층이 휘어짐에 따라 야기되는 물리적 변형률(strain) 및 스트레스(stress)의 발생을 최소화하는 스트레스 버퍼층; 및 상기 스트레스 버퍼층의 상부에 배치되어, 발광소자의 동작이 가능하도록 평탄한 표면을 제공하는 평탄화층을 포함하는 직물 기판을 제공한다.According to an aspect of the present invention to achieve the above or other object, the fabric layer consisting of at least one fabric; A stress buffer layer disposed on the fabric layer to minimize the occurrence of physical strain and stress caused by the bending of the fabric layer; And a planarization layer disposed on the stress buffer layer to provide a flat surface to enable operation of the light emitting device.

좀 더 바람직하게는, 상기 스트레스 버퍼층은, 신축성 및 접착성을 갖는 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 스트레스 버퍼층은 500MPa 이하의 영률(Young’s modulus)을 갖는 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 스트레스 버퍼층은, 0.1㎛ 이상의 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 스트레스 버퍼층은, 실온에서 경화가 가능한 실리콘 계열의 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다. More preferably, the stress buffer layer is characterized in that it is formed of a material having elasticity and adhesion. In addition, the stress buffer layer is characterized in that it is formed of a material having a Young's modulus of 500 MPa or less. In addition, the stress buffer layer is characterized in that it is formed to have a thickness of 0.1㎛ or more. In addition, the stress buffer layer is characterized in that it is formed of a silicone-based material capable of curing at room temperature.

좀 더 바람직하게는, 상기 평탄화층은 수 나노미터(㎚) 이하의 표면 거칠기와 박막 형성에 적합한 계면 특성을 갖는 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 평탄화층은 0.1GPa 이상의 영률을 갖는 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 평탄화층은 30㎛ 이하의 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 평탄화층은 SU-8(광경화성 에폭시 수지), PEN(폴리에틸렌나프탈레이트), PI(폴리이미드), PET(폴리에틸렌 테레프타레이트), PVA(폴리비닐 알코올), 아크릴레이트, 폴리우레탄 및 폴리다이메틸실록산 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.More preferably, the planarization layer is characterized in that it is formed of a material having a surface roughness of several nanometers (nm) or less and interface properties suitable for thin film formation. In addition, the planarization layer is characterized in that it is formed of a material having a Young's modulus of 0.1 GPa or more. In addition, the planarization layer is characterized in that it is formed to have a thickness of 30㎛ or less. In addition, the planarization layer is SU-8 (photo-curable epoxy resin), PEN (polyethylene naphthalate), PI (polyimide), PET (polyethylene terephthalate), PVA (polyvinyl alcohol), acrylate, polyurethane and Characterized in that it comprises at least one of polydimethylsiloxane.

좀 더 바람직하게는, 상기 스트레스 버퍼층 및 평탄화층 중 적어도 하나는, UV 경화가 가능한 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 스트레스 버퍼층 및 평탄화층 중 적어도 하나는, 유사 직물 패턴에 대응하는 복수의 개구들을 구비하는 것을 특징으로 한다.More preferably, at least one of the stress buffer layer and the planarization layer is characterized in that it is formed of a material capable of UV curing. In addition, at least one of the stress buffer layer and the planarization layer is characterized by having a plurality of openings corresponding to the similar fabric pattern.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 지지기판 상에 희생층을 적층하고, 상기 희생층 상에 평탄화층을 적층하는 단계; 상기 평탄화층 상에 스트레스 버퍼층을 적층하고, 상기 스트레스 버퍼층 상에 직물층을 배치한 후 미리 결정된 압력을 상기 직물층 방향으로 인가하는 단계; 및 상기 지지 기판과 상기 평탄화층 사이에 배치된 희생층을 제거하여, 상기 평탄화층, 스트레스 버퍼층 및 직물층이 순차적으로 적층된 직물 기판을 생성하는 단계를 포함하는 직물 기판의 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the invention, laminating a sacrificial layer on a support substrate, and laminating a planarization layer on the sacrificial layer; Stacking a stress buffer layer on the planarization layer, placing a fabric layer on the stress buffer layer, and applying a predetermined pressure in the direction of the fabric layer; And removing the sacrificial layer disposed between the support substrate and the planarization layer to produce a fabric substrate in which the planarization layer, the stress buffer layer, and the fabric layer are sequentially stacked.

좀 더 바람직하게는, 상기 직물 기판의 제조방법은, 지지기판의 표면에 존재하는 오염 물질을 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 직물 기판의 제조방법은, 스트레스 버퍼층을 실온에서 일정 시간 동안 경화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.More preferably, the method of manufacturing the fabric substrate is characterized in that it further comprises the step of washing the contaminants present on the surface of the support substrate. In addition, the manufacturing method of the fabric substrate is characterized in that it further comprises the step of curing the stress buffer layer for a period of time at room temperature.

좀 더 바람직하게는, 상기 희생층을 적층하는 단계는, 미리 결정된 코팅 공정을 이용하여 희생층을 적층하고, 일정 온도의 열을 미리 결정된 시간 동안 인가하여 상기 희생층을 경화시키는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 평탄화층을 적층하는 단계는, 미리 결정된 코팅 공정을 이용하여 평탄화층을 적층하고, 일정 온도의 열을 미리 결정된 시간 동안 인가하거나 혹은 일정 파장의 자외선을 미리 결정된 시간 동안 조사하여 상기 평탄화층을 경화시키는 것을 특징으로 한다. More preferably, the step of laminating the sacrificial layer is characterized in that the sacrificial layer is laminated using a predetermined coating process, and heat is applied at a predetermined temperature for a predetermined time to cure the sacrificial layer. Further, in the step of laminating the planarization layer, the planarization layer is laminated using a predetermined coating process, and heat is applied at a predetermined temperature for a predetermined time or ultraviolet light of a predetermined wavelength is irradiated for a predetermined time to the planarization layer. It is characterized by curing.

좀 더 바람직하게는, 상기 직물 기판을 생성하는 단계는, 미리 결정된 용매를 인가하여 희생층을 제거하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 희생층은, 용매에 잘 녹는 가용성 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.More preferably, the step of generating the fabric substrate is characterized by removing a sacrificial layer by applying a predetermined solvent. Here, the sacrificial layer is characterized in that it is formed of a soluble material that is soluble in a solvent.

좀 더 바람직하게는, 상기 직물 기판의 제조방법은, 포토리소그래피 공정을 이용하여 지지기판과 희생층 사이에 유사 직물 패턴의 역상 패턴을 갖는 금속 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 직물 기판의 제조방법은, 지지기판의 하면 방향으로 자외선(UV)을 조사하여 평탄화층 및 스트레스 버퍼층의 일 부분을 경화시키는 단계와, 현상액을 이용하여 상기 평탄화층 및 스트레스 버퍼층에서 UV 경화가 일어나지 않은 부분들을 선택적으로 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.More preferably, the manufacturing method of the fabric substrate is characterized in that it further comprises the step of forming a metal pattern layer having an inverse pattern of a similar fabric pattern between the support substrate and the sacrificial layer using a photolithography process. . In addition, the manufacturing method of the fabric substrate, a step of curing a portion of the planarization layer and the stress buffer layer by irradiating ultraviolet (UV) in the direction of the lower surface of the support substrate, and UV curing in the planarization layer and the stress buffer layer using a developer It characterized in that it further comprises the step of selectively etching the parts that do not occur.

본 발명의 실시 예들에 따른 직물 기판 및 그 제조방법의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.When explaining the effect of the fabric substrate and its manufacturing method according to embodiments of the present invention are as follows.

본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 표면 거칠기가 매우 낮고 계면 특성이 우수하여 다양한 종류의 박막형 발광소자들의 형성 및 동작이 가능한 장점이 있다.According to at least one of the embodiments of the present invention, the surface roughness is very low and the interfacial properties are excellent, thereby forming and operating various types of thin film type light emitting devices.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 직물 기판 제조 공정 시 직물에 직접 열을 가하지 않아 열에 의한 변형으로부터 자유로워지므로 모든 직물에 적용이 가능한 장점이 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, since the fabric is not directly applied to the fabric during the manufacturing process of the substrate, it is free from deformation due to heat, and thus, it can be applied to all fabrics.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 직물과 유사한 유연성을 구비하므로 실제 의류와 같이 여러 방향의 구김이 가능하고, 일정 횟수 이상의 반복 굽힘에도 발광소자의 동작이 가능한 장점이 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, since it has flexibility similar to that of fabric, it is possible to fold in various directions like actual clothing, and it is possible to operate the light emitting device even after repeated bending over a certain number of times.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 직물과 유사한 기능성 및 통기성을 부여하므로 실제 의류와 같은 편안하고 시원한 착용감을 제공할 수 있는 장점이 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, since functionality and breathability similar to that of fabric are provided, there is an advantage of providing a comfortable and cool fit like real clothing.

다만, 본 발명의 실시 예들에 따른 직물 기판 및 그 제조방법이 달성할 수 있는 효과는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the effect that the fabric substrate and the method of manufacturing the same according to the embodiments of the present invention can be achieved are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned in the technical field to which the present invention pertains from the following description It will be clearly understood by those with ordinary knowledge.

도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 직물 기판의 사시도;
도 1b는 도 1a의 I-I 선을 따라 절단한 직물 기판의 단면도;
도 2는 기판의 종류와 직물 기판의 벤딩 시험 여부에 따른 발광소자의 전기광학적 특성을 나타내는 도면;
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일 실시 예에 따른 직물 기판의 제조방법을 설명하는 도면;
도 4a는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 직물 기판의 사시도;
도 4b는 도 4a의 I-I 선을 따라 절단한 직물 기판의 단면도;
도 5는 도 4a의 직물 기판을 구성하는 스트레스 버퍼층 및 평탄화층의 형상을 예시하는 도면;
도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 직물 기판의 제조방법을 설명하는 도면;
도 7a는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 직물 기판의 사시도;
도 7b는 도 7a의 I-I 선을 따라 절단한 직물 기판의 단면도;
도 8은 도 7a의 직물 기판을 구성하는 스트레스 버퍼층 및 평탄화층의 형상을 예시하는 도면;
도 9a 내지 도 9g는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 직물 기판의 제조방법을 설명하는 도면;
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전계발광 직물의 사시도.1A is a perspective view of a fabric substrate according to an embodiment of the present invention;
1B is a cross-sectional view of the fabric substrate cut along line II of FIG. 1A;
2 is a view showing the electro-optical characteristics of the light emitting device according to the type of substrate and whether or not the bending test of the fabric substrate;
3A to 3G are views for explaining a method of manufacturing a fabric substrate according to an embodiment of the present invention;
4A is a perspective view of a fabric substrate according to another embodiment of the present invention;
4B is a cross-sectional view of the fabric substrate cut along line II of FIG. 4A;
5 is a view illustrating the shapes of the stress buffer layer and the planarization layer constituting the fabric substrate of FIG. 4A;
6A to 6G are diagrams illustrating a method of manufacturing a fabric substrate according to another embodiment of the present invention;
7A is a perspective view of a fabric substrate according to another embodiment of the present invention;
7B is a cross-sectional view of the fabric substrate cut along line II of FIG. 7A;
8 is a view illustrating the shapes of the stress buffer layer and the planarization layer constituting the fabric substrate of FIG. 7A;
9A to 9G are views for explaining a method of manufacturing a fabric substrate according to another embodiment of the present invention;
10 is a perspective view of an electroluminescent fabric according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하, 본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments disclosed herein will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar elements will be given the same reference numbers regardless of the reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted. Hereinafter, in the description of the embodiment according to the present invention, each layer (membrane), region, pattern or structures of the substrate, each layer (membrane), region, pad or pattern "top / top (on)" or "below In case of being described as being formed under / under, "on / up" and "under / under" are "directly" or "indirectly" through another layer. "It includes everything that is formed. In addition, the criteria for the top / top or bottom / bottom of each layer will be described based on the drawings. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In addition, in describing the embodiments disclosed in this specification, detailed descriptions of related known technologies are omitted when it is determined that the gist of the embodiments disclosed in this specification may be obscured. In addition, the accompanying drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and the technical spirit disclosed in the specification is not limited by the accompanying drawings, and all modifications included in the spirit and technical scope of the present invention , It should be understood to include equivalents or substitutes.

본 발명은 표면 거칠기가 매우 낮고 계면 특성이 우수한 직물 기판 및 그 제조방법을 제안한다. 또한, 본 발명은 직물에 열을 가하지 않아 열에 의한 변형으로부터 자유로우면서 직물의 유연성을 유지할 수 있는 직물 기판 및 그 제조방법을 제안한다. 또한, 본 발명은 물리적 변형(strain) 및 내부 스트레스(stress)의 발생을 최소화할 수 있는 직물 기판 및 그 제조방법을 제안한다. 또한, 본 발명은 일정 압력 및 온도 조건 하에서의 용액 공정을 기반으로 저 비용 및 대량 생산이 가능한 직물 기판 및 그 제조방법을 제안한다. 또한, 본 발명은 통기성, 신축성 및 유연성이 우수한 직물 기판 및 그 제조방법을 제공함에 있다.The present invention proposes a fabric substrate having a very low surface roughness and excellent interfacial properties and a method for manufacturing the same. In addition, the present invention proposes a fabric substrate and a method for manufacturing the fabric substrate capable of maintaining the flexibility of the fabric while free from heat deformation by not applying heat to the fabric. In addition, the present invention proposes a fabric substrate and a method of manufacturing the same that can minimize the occurrence of physical strain and internal stress. In addition, the present invention proposes a fabric substrate capable of low cost and mass production based on a solution process under constant pressure and temperature conditions and a method for manufacturing the same. In addition, the present invention is to provide a fabric substrate having excellent breathability, stretchability and flexibility, and a method for manufacturing the same.

본 명세서에서 설명하는 '직물'의 사전적 의미는 경사(날실)와 위사(씨실)가 서로 아래위로 교차하여 짜인 소정 넓이의 평면체가 된 천을 일컫는다. 하지만, 본 명세서에서 정의하는 '직물'은 사전적 의미의 직물뿐만 아니라 합성 섬유, 재생 섬유, 천연 섬유, 면, 폴리에스테르, 가죽, 린넨 등과 같은 모든 종류의 천을 포함하는 개념이다.The dictionary meaning of 'fabric' described in this specification refers to a fabric that is a flat body of a predetermined width, in which warp (warp) and weft (weft) cross each other up and down. However, the term 'fabric' as defined herein is a concept that includes all kinds of fabrics such as synthetic fibers, recycled fibers, natural fibers, cotton, polyester, leather, linen, etc., as well as fabrics of dictionary meaning.

이하에서는, 본 발명의 다양한 실시 예들에 대하여, 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 직물 기판의 사시도이고, 도 1b는 도 1a의 I-I 선을 따라 절단한 직물 기판의 단면도이다.Figure 1a is a perspective view of a fabric substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 1b is a cross-sectional view of the fabric substrate cut along the line I-I of Figure 1a.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 직물 기판(100)은 직물층(110), 상기 직물층(110) 상의 스트레스 버퍼층(120), 상기 스트레스 버퍼층(120) 상의 평탄화층(130)을 포함할 수 있다.1A and 1B, the fabric substrate 100 according to an embodiment of the present invention includes a fabric layer 110, a stress buffer layer 120 on the fabric layer 110, and a flattening on the stress buffer layer 120. Layer 130 may be included.

직물층(110)은 스트레스 버퍼층(120) 및 평탄화층(130)의 하부에 배치되어, 상기 스트레스 버퍼층(120) 및 평탄화층(130)을 지지하는 역할을 수행할 수 있다.The fabric layer 110 is disposed under the stress buffer layer 120 and the planarization layer 130, and may serve to support the stress buffer layer 120 and the planarization layer 130.

직물층(110)은, 적어도 하나의 직물로 구성될 수 있다. 상기 직물층(110)은 예를 들어, 합성 섬유, 재생 섬유, 천연 섬유, 면, 폴리에스테르, 가죽, 린넨 등과 같은 모든 종류의 직물을 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 직물 기판(100)은, 제조 공정 시, 직물에 열을 가하지 않아 열에 의한 변형으로부터 자유롭기 때문에 모든 종류의 직물이 사용 가능하다.The fabric layer 110 may be made of at least one fabric. The fabric layer 110 may include, for example, all kinds of fabrics such as synthetic fibers, recycled fibers, natural fibers, cotton, polyester, leather, and linen. The fabric substrate 100 according to the present invention can be used in all kinds of fabrics because it does not apply heat to the fabric during the manufacturing process and is free from deformation by heat.

스트레스 버퍼층(또는 합착층, 120)은 직물층(110) 상에 배치될 수 있다. 이때, 상기 스트레스 버퍼층(120)은 스핀 코팅(spin coating), 바 코팅(bar coating), 딥 코팅(dip coating) 및 라미네이션(lamination) 중 적어도 하나의 방법을 통해 형성될 수 있다. The stress buffer layer (or adhesion layer 120) may be disposed on the fabric layer 110. At this time, the stress buffer layer 120 may be formed through at least one of spin coating, bar coating, dip coating, and lamination.

직물층(110) 상에 배치되는 스트레스 버퍼층(120)은 일정 압력 및/또는 온도 조건 하에서 일정 시간이 경과함에 따라 천천히 경화될 수 있다. 즉, 스트레스 버퍼층(120)은 점성이 높은 액체 상태의 물질이 대기 중의 수분을 통해 경화가 진행되어, 고무와 같이 매우 유연하고 신축성이 있는 고체 상태의 물질로 변경된다.The stress buffer layer 120 disposed on the fabric layer 110 may be cured slowly over a period of time under a certain pressure and / or temperature condition. That is, in the stress buffer layer 120, a highly viscous liquid material is cured through moisture in the atmosphere, and is changed into a very flexible and elastic solid material such as rubber.

스트레스 버퍼층(120)은 직물층(110)이 반복적으로 휘어짐(bending)에 따라 야기되는 물리적 변형률(strain) 및 내부 스트레스(stress)의 발생을 최소화하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 스트레스 버퍼층(120)은 직물층(110)과 평탄화층(130)을 단단히 접착시키는 역할을 수행할 수 있다. 이를 위해, 상기 스트레스 버퍼층(120)은 신축성 및 접착성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.The stress buffer layer 120 may serve to minimize the occurrence of physical strain and internal stress caused by repeatedly bending the fabric layer 110. In addition, the stress buffer layer 120 may serve to tightly bond the fabric layer 110 and the planarization layer 130. To this end, the stress buffer layer 120 may be formed of a material having elasticity and adhesiveness.

스트레스 버퍼층(120)은, 직물 기판(100)의 스트레스 발생을 최소화하고 직물 기판(100)의 유연성을 확보하기 위해, 500MPa 이하의 영률(Young’s modulus)을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 스트레스 버퍼층(120)은 변형률 1% 이상에서도 물리적 파괴가 일어나지 않는 신축성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 스트레스 버퍼층(120)은 직물층(110)에서 발생하는 변형률이 평탄화층(130)으로 전달되지 않도록 유연하고 신축성이 높은 재질로 형성될 수 있다.The stress buffer layer 120 may be formed of a material having a Young's modulus of 500 MPa or less in order to minimize stress generation of the fabric substrate 100 and secure flexibility of the fabric substrate 100. In addition, the stress buffer layer 120 may be formed of a material having elasticity that does not cause physical destruction even at a strain of 1% or more. In addition, the stress buffer layer 120 may be formed of a flexible and highly elastic material so that the strain generated in the fabric layer 110 is not transmitted to the planarization layer 130.

스트레스 버퍼층(120)은, 직물 기판 제조 시 직물에 직접 열을 가하지 않기 위해, 대기압 및/또는 실온(상온) 조건 하에서 경화가 가능한 재질로 형성될 수 있다. 이러한 스트레스 버퍼층(120)으로는 대표적으로 실리콘(Si) 계열의 물질이 사용될 수 있다. 일 예로, 스트레스 버퍼층(120)은 PDMS(polydimethylsiloxane) 계열의 실리콘 소재가 사용될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The stress buffer layer 120 may be formed of a material that can be cured under atmospheric pressure and / or room temperature (room temperature) conditions so as not to directly apply heat to the fabric during fabric substrate manufacturing. As the stress buffer layer 120, a silicon (Si) -based material may be typically used. For example, the stress buffer layer 120 may be a polydimethylsiloxane (PDMS) -based silicon material, but is not limited thereto.

스트레스 버퍼층(120)은, 직물 기판(100)의 변형률을 최소화하면서 충분한 접착 능력을 가질 수 있도록, 0.1㎛ 내지 100㎛, 좀 더 바람직하게는 1㎛ 내지 10㎛의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The stress buffer layer 120 may be formed to have a thickness of 0.1 μm to 100 μm, more preferably 1 μm to 10 μm, so as to have sufficient adhesion while minimizing strain of the fabric substrate 100.

평탄화층(130)은 스트레스 버퍼층(120) 상에 배치될 수 있다. 이때, 상기 평탄화층(130)은 스핀 코팅(spin coating), 바 코팅(bar coating), 딥 코팅(dip coating) 및 라미네이션(lamination) 중 적어도 하나의 방법을 통해 형성될 수 있다. The planarization layer 130 may be disposed on the stress buffer layer 120. At this time, the planarization layer 130 may be formed through at least one of spin coating, bar coating, dip coating, and lamination.

스트레스 버퍼층(120) 상에 배치되는 평탄화층(130)은 미리 결정된 온도의 열이 일정 시간 동안 인가됨에 따라 경화될 수 있다. 한편, 다른 실시 예로, 상기 평탄화층(130)은 미리 결정된 파장의 자외선(UV)이 일정 시간 동안 조사됨에 따라 경화될 수도 있다.The planarization layer 130 disposed on the stress buffer layer 120 may be cured as heat of a predetermined temperature is applied for a predetermined time. Meanwhile, in another embodiment, the planarization layer 130 may be cured as ultraviolet (UV) light having a predetermined wavelength is irradiated for a predetermined time.

통상, 직물을 구성하는 실은 보통 여러 가닥의 섬유로 이루어지게 되므로 그 표면이 거친 경우가 많다. 이에 따라, 대부분의 직물 상에 발광소자를 적층하기 위해서는 평탄화 작업이 필요하게 된다.Normally, the threads constituting the fabric are usually made of several strands of fibers, so the surface is often rough. Accordingly, a flattening operation is required to stack the light emitting devices on most of the fabrics.

평탄화층(130)은 직물 기판(100)의 평활도(smoothness)를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 즉, 평탄화층(130)은 박막 증착 공정을 통해 발광소자가 성장될 수 있는 평탄한 표면을 제공할 수 있다. 또한, 평탄화층(130)은 발광소자가 정상적으로 동작할 수 있는 평탄한 표면을 제공할 수 있다. 이를 위해, 상기 평탄화층(130)은 유리(glass)와 비슷한 수준인 수 나노미터(㎚) 이하의 표면 거칠기와 박막 형성에 적합한 계면 특성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.The planarization layer 130 may serve to improve the smoothness of the fabric substrate 100. That is, the planarization layer 130 may provide a flat surface on which the light emitting device can be grown through a thin film deposition process. In addition, the planarization layer 130 may provide a flat surface on which the light emitting device can operate normally. To this end, the planarization layer 130 may be formed of a material having a surface roughness of several nanometers (nm) or less, similar to that of glass, and interface properties suitable for thin film formation.

평탄화층(130)은, 표면에 실장되는 발광소자의 변형률을 최소화하기 위해, 0.1GPa 이상의 영률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 평탄화층(130)은 SU-8(광경화성 에폭시 수지), PEN(폴리에틸렌나프탈레이트), PI(폴리이미드), PET(폴리에틸렌 테레프타레이트), PVA(폴리비닐 알코올), 아크릴레이트, 폴리우레탄, 폴리다이메틸실록산 등과 같은 탄소 기반 중합체로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The planarization layer 130 may be formed of a material having a Young's modulus of 0.1 GPa or more in order to minimize the strain of the light emitting device mounted on the surface. For example, the planarization layer 130 is SU-8 (photo-curable epoxy resin), PEN (polyethylene naphthalate), PI (polyimide), PET (polyethylene terephthalate), PVA (polyvinyl alcohol), acrylate , May be formed of a carbon-based polymer such as polyurethane, polydimethylsiloxane, and the like, but is not limited thereto.

평탄화층(130)은, 스트레스 버퍼층(120) 상에 얇은 박막의 형성이 가능하도록, 50㎛ 이하의 두께, 좀 더 바람직하게는 30㎛ 이하의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The planarization layer 130 may be formed to have a thickness of 50 μm or less, more preferably 30 μm or less, so that a thin thin film can be formed on the stress buffer layer 120.

이와 같이, 직물층(110), 스트레스 버퍼층(120) 및 평탄화층(130)을 순차적으로 적층하여 형성된 직물 기판(100)의 상부에 하나 이상의 발광소자(미도시)를 실장하여 전계발광 직물을 구성할 수 있다.As such, one or more light emitting devices (not shown) are mounted on the fabric substrate 100 formed by sequentially stacking the fabric layer 110, the stress buffer layer 120, and the planarization layer 130 to constitute an electroluminescent fabric. can do.

도 2는 기판의 종류와 직물 기판의 벤딩 시험 여부에 따른 발광소자의 전기광학적 특성을 나타내는 도면이다.2 is a view showing the electro-optical characteristics of the light emitting device according to the type of the substrate and whether or not the bending test of the fabric substrate.

도 2를 참조하면, 유리 기판 상에 실장된 발광소자의 전기광학적 특성을 시뮬레이션한 그래프와, 직물 기판 상에 실장된 발광소자의 전기광학적 특성을 시뮬레이션한 그래프와, 발광소자가 실장된 직물 기판을 미리 결정된 곡률 반경으로 일정 횟수 이상 벤딩 실험을 거친 이후에 발광소자의 전기광학적 특성을 시뮬레이션한 그래프를 각각 도시한다.2, a graph simulating the electro-optical characteristics of a light emitting device mounted on a glass substrate, a graph simulating the electro-optical properties of a light emitting device mounted on a fabric substrate, and a fabric substrate on which a light emitting device is mounted. After a predetermined number of bending experiments with a predetermined radius of curvature, graphs simulating the electro-optical characteristics of the light emitting device are respectively shown.

본 시뮬레이션에서 측정한 발광소자의 전기광학적 특성은 전압의 변화에 따른 휘도(luminance), 전압의 변화에 따른 전류 밀도, 전류 밀도의 변화에 따른 전류 효율이다. 상기 전기광학적 특성의 비교를 통해, 발광소자의 성능을 확인할 수 있다.The electro-optical characteristics of the light emitting device measured in this simulation are the luminance according to the change in voltage, the current density according to the change in voltage, and the current efficiency according to the change in current density. Through the comparison of the electro-optical characteristics, the performance of the light emitting device can be confirmed.

도면에 도시된 바와 같이, 유리 기판 상에 실장된 발광소자의 전기광학적 특성과 직물 기판 상에 실장된 발광소자의 전기광학적 특성에 큰 차이가 없기 때문에, 본 발명에 따른 직물 기판은 유리 기판과 같이 발광소자를 안정적으로 동작시킬 수 있고, 발광소자의 성능을 유지할 수 있음을 확인할 수 있다. 또한, 직물 기판 상에 실장된 발광소자의 전기광학적 특성과 발광소자가 실장된 직물 기판에 대해 소정의 벤딩 실험을 거친 이후의 발광소자의 전기광학적 특성에 큰 차이가 없기 때문에, 본 발명에 따른 직물 기판을 일정한 곡률 반경으로 일정 횟수 이상 반복 굽힘을 수행하더라도, 직물 기판의 내구성이 강해 발광소자를 안정적으로 동작시킬 수 있으며, 발광소자의 성능을 유지할 수 있음을 확인할 수 있다.As shown in the figure, since there is no significant difference in the electro-optical properties of the light-emitting device mounted on the glass substrate and the electro-optical properties of the light-emitting device mounted on the fabric substrate, the fabric substrate according to the present invention is like a glass substrate. It can be seen that the light emitting device can be stably operated and the performance of the light emitting device can be maintained. In addition, since there is no significant difference in the electro-optical properties of the light-emitting device mounted on the fabric substrate and the electro-optical properties of the light-emitting device after a predetermined bending experiment on the fabric substrate on which the light-emitting device is mounted, the fabric according to the present invention It can be seen that even if the substrate is repeatedly bent over a predetermined number of times with a constant radius of curvature, the durability of the fabric substrate is strong and the light emitting device can be stably operated and the performance of the light emitting device can be maintained.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일 실시 예에 따른 직물 기판의 제조방법을 설명하는 도면이다.3A to 3G are views illustrating a method of manufacturing a fabric substrate according to an embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 미리 결정된 크기 및 두께를 갖는 지지 기판(310)을 마련할 수 있다. 이때, 상기 지지 기판(310)으로는 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판, 웨이퍼(wafer) 등과 같은 평평한 기판이 사용될 수 있다.Referring to FIG. 3A, a support substrate 310 having a predetermined size and thickness may be provided. At this time, a flat substrate such as a glass substrate, a quartz substrate, a plastic substrate, or a wafer may be used as the support substrate 310.

이후, 지지 기판(310)의 표면에 존재하는 오염 물질을 세척 용액으로 씻어 낼 수 있다. 상기 세척 용액으로는 정제수(DI water)가 사용될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.Thereafter, contaminants present on the surface of the support substrate 310 may be washed with a cleaning solution. DI water may be used as the washing solution, but is not limited thereto.

도 3b를 참조하면, 일정한 압력 및/또는 온도 조건 하에서, 스핀 코팅 공정을 이용하여 지지 기판(310) 상에 희생층(320)을 적층할 수 있다. 이후, 미리 결정된 온도의 열을 일정 시간 동안 인가하여 희생층(320)을 단단히 경화시킬 수 있다. 이때, 상기 희생층(320)은 지지 기판(310)의 상부에 0.01㎛ 이상의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3B, under a constant pressure and / or temperature condition, the sacrificial layer 320 may be stacked on the support substrate 310 using a spin coating process. Thereafter, the sacrificial layer 320 may be hardened by applying heat at a predetermined temperature for a predetermined time. In this case, the sacrificial layer 320 may be formed to have a thickness of 0.01 μm or more on the support substrate 310.

지지 기판(310) 상에 적층된 희생층(320)은 용매에 잘 녹는 가용성 재질로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 희생층(320)은 폴리비닐 알코올(polyvinyl acetate, PVA), 구리(Cu) 또는 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA) 등을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 희생층(320)이 폴리비닐 알코올로 형성된 경우, 해당 희생층을 용해하는 용매로는 정제수(DI water)가 사용될 수 있고, 상기 희생층(320)이 구리로 형성된 경우, 해당 희생층을 용해하는 용매로는 구리 에찬트(Cu etchant)가 사용될 수 있으며, 상기 희생층(320)이 PMMA로 형성된 경우, 해당 희생층을 용해하는 용매로는 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol, IPA)이 사용될 수 있다. 이하, 본 실시 예에서는, 폴리비닐 알코올을 이용하여 희생층을 형성하는 것을 예시하여 설명하도록 한다.The sacrificial layer 320 stacked on the support substrate 310 may be formed of a soluble material that is soluble in a solvent. For example, the sacrificial layer 320 may be formed using polyvinyl acetate (PVA), copper (Cu) or polymethyl methacrylate (PMMA). When the sacrificial layer 320 is formed of polyvinyl alcohol, purified water (DI water) may be used as a solvent for dissolving the sacrificial layer, and when the sacrificial layer 320 is formed of copper, the sacrificial layer is dissolved. A copper etchant may be used as the solvent to be used, and when the sacrificial layer 320 is formed of PMMA, isopropyl alcohol (IPA) may be used as a solvent for dissolving the sacrificial layer. . Hereinafter, in the present embodiment, a description will be given by exemplifying that a sacrificial layer is formed using polyvinyl alcohol.

도 3c를 참조하면, 일정한 압력 및/또는 온도 조건 하에서, 스핀 코팅 공정을 이용하여 희생층(320) 상에 평탄화층(330)을 적층할 수 있다. 이후, 미리 결정된 온도의 열을 일정 시간 동안 인가하거나 혹은 미리 결정된 파장의 자외선을 일정 시간 동안 조사하여 평탄화층(330)을 단단히 경화시킬 수 있다. 이때, 상기 평탄화층(330)은 희생층(320)의 상부에 30㎛ 이하의 두께를 갖도록 형성될 수 있다. Referring to FIG. 3C, under a constant pressure and / or temperature condition, the planarization layer 330 may be stacked on the sacrificial layer 320 using a spin coating process. Thereafter, the planarization layer 330 may be firmly cured by applying heat at a predetermined temperature for a predetermined time or irradiating ultraviolet light having a predetermined wavelength for a predetermined time. In this case, the planarization layer 330 may be formed to have a thickness of 30 μm or less on the sacrificial layer 320.

평탄화층(330)은 0.1GPa 이상의 영률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 평탄화층(330)은 SU-8(광경화성 에폭시 수지) 재질로 형성될 수 있다.The planarization layer 330 may be formed of a material having a Young's modulus of 0.1 GPa or more. For example, the planarization layer 330 may be formed of SU-8 (photo-curable epoxy resin) material.

도 3d 및 도 3e를 참조하면, 일정한 압력 및/또는 온도 조건 하에서, 스핀 코팅 공정을 이용하여 평탄화층(330) 상에 스트레스 버퍼층(340)을 적층할 수 있다.3D and 3E, under a constant pressure and / or temperature condition, a stress buffer layer 340 may be deposited on the planarization layer 330 using a spin coating process.

이후, 라미네이션(lamination) 공정을 이용하여 스트레스 버퍼층(340) 상에 직물층(또는 직물, 350)을 적층할 수 있다. 즉, 스트레스 버퍼층(340) 상에 직물층(350)을 배치한 후 상기 직물층(350) 방향으로 미리 결정된 압력을 일정 시간 동안 인가하게 된다. 이는 액체 상태의 스트레스 버퍼층(340)이 직물층(350)에 흡수되도록 하여 접착력을 증가시키기 위함이다. 이러한 상태에서, 스트레스 버퍼층(340)은 대기압 및/또는 실온(상온) 조건 하에서 일정 시간이 경과함에 따라 경화된다. 이에 따라, 상기 스트레스 버퍼층(340)은 평탄화층(330)과 직물층(350)을 단단히 결착(접착)시킬 수 있다.Thereafter, a fabric layer (or fabric, 350) may be stacked on the stress buffer layer 340 using a lamination process. That is, after placing the fabric layer 350 on the stress buffer layer 340, a predetermined pressure is applied to the fabric layer 350 for a predetermined time. This is to increase the adhesion by allowing the stress buffer layer 340 in the liquid state to be absorbed by the fabric layer 350. In this state, the stress buffer layer 340 is cured over a period of time under atmospheric pressure and / or room temperature (room temperature) conditions. Accordingly, the stress buffer layer 340 can firmly bond (adhesive) the planarization layer 330 and the fabric layer 350.

스트레스 버퍼층(340)은 평탄화층(330)의 상부에 0.1㎛ 이상, 좀 더 바람직하게는 1㎛ 내지 10㎛의 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 스트레스 버퍼층(340)은 500MPa 이하의 영률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 스트레스 버퍼층(340)은 PDMS 계열의 실리콘 재질로 형성될 수 있다.The stress buffer layer 340 may be formed to have a thickness of 0.1 μm or more, more preferably 1 μm to 10 μm, on the top of the planarization layer 330. In addition, the stress buffer layer 340 may be formed of a material having a Young's modulus of 500 MPa or less. For example, the stress buffer layer 340 may be formed of a PDMS-based silicon material.

해당 적층 공정의 경우, 직물층(350)의 하부에 위치하는 스트레스 버퍼층(340)이 실온에서 경화되기 때문에, 합성 섬유, 재생 섬유, 천연 섬유, 면, 폴리에스테르, 가죽, 린넨 등과 같은 모든 종류의 직물이 직물 기판에 사용 가능하다.In the case of the lamination process, since the stress buffer layer 340 located at the bottom of the fabric layer 350 is cured at room temperature, all kinds of synthetic fibers, recycled fibers, natural fibers, cotton, polyester, leather, linen, etc. Fabrics can be used for fabric substrates.

도 3e 및 도 3f를 참조하면, 지지 기판(310), 희생층(320), 평탄화층(330), 스트레스 버퍼층(340) 및 직물층(350)이 순차적으로 적층된 기판 구조물을 미리 결정된 용매에 침수시킬 수 있다. 이때, 상기 용매로는 정제수(DI water)가 사용될 수 있다. 3E and 3F, a substrate structure in which the support substrate 310, the sacrificial layer 320, the planarization layer 330, the stress buffer layer 340, and the fabric layer 350 are sequentially stacked is stacked in a predetermined solvent. It can be submerged. At this time, purified water (DI water) may be used as the solvent.

기판 구조물의 침수 시점으로부터 일정 시간(가령, 24시)이 경과하면, 지지 기판(310)과 평탄화층(330) 사이에 배치된 희생층(320)은 정제수(DI water)에 의해 점차 용해되어 사라지게 되고, 그에 따라 지지 기판(310)이 기판 구조물로부터 자연스럽게 분리하게 된다. 이후, 기판 구조물을 정제수에서 꺼낸 다음, 해당 기판 구조물을 대기압 및/또는 실온 조건 하에서 일정 시간 동안 건조하여 직물 기판을 제조하게 된다.When a predetermined time (eg, 24 hours) elapses from the time of immersion of the substrate structure, the sacrificial layer 320 disposed between the support substrate 310 and the planarization layer 330 gradually dissolves and disappears by purified water (DI water). As a result, the support substrate 310 is naturally separated from the substrate structure. Thereafter, the substrate structure is taken out from purified water, and then the substrate structure is dried under atmospheric pressure and / or room temperature for a period of time to produce a fabric substrate.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 직물 기판(100)은 표면 거칠기가 매우 낮고 계면 특성이 우수하여 다양한 종류의 박막형 발광소자들의 형성 및 동작이 가능한 장점이 있다. 또한, 상기 직물 기판(100)은 제조 공정 시 직물에 직접 열을 가하지 않아 열에 의한 변형으로부터 자유로워지므로 모든 직물에 적용이 가능한 장점이 있다.As described above, the fabric substrate 100 according to an embodiment of the present invention has the advantage of being capable of forming and operating various types of thin film-type light emitting devices due to very low surface roughness and excellent interfacial properties. In addition, the fabric substrate 100 is advantageous in that it can be applied to all fabrics because it is free from deformation due to heat by not directly applying heat to the fabric during the manufacturing process.

한편, 직물 기판(100)을 구성하는 스트레스 버퍼층 및 평탄화층은 물리적 변형률(strain) 및 기계적 스트레스(stress)의 발생을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 우수한 벤딩(bending) 성능과 구김 성능을 구현할 수 있지만, 실제 의류와 같은 착용감을 제공하지 못하는 측면이 있다. 따라서, 이하에서는 스트레스 버퍼층 및 평탄화층이 직물과 같은 신축성, 유연성 및 통기성을 가질 수 있도록, 해당 스트레스 버퍼층 및 평탄화층에 유사 직물 패턴(fabric-like pattern)을 구현하는 방안을 제안한다.On the other hand, the stress buffer layer and the planarization layer constituting the fabric substrate 100 can not only minimize the occurrence of physical strain and mechanical stress, but also provide excellent bending performance and wrinkle performance. There is a side that does not provide the same fit as actual clothing. Therefore, hereinafter, it is proposed to implement a fabric-like pattern in the stress buffer layer and the planarization layer so that the stress buffer layer and the planarization layer may have elasticity, flexibility, and breathability as fabrics.

도 4a는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 직물 기판의 사시도이고, 도 4b는 도 4a의 I-I 선을 따라 절단한 직물 기판의 단면도이다.Figure 4a is a perspective view of a fabric substrate according to another embodiment of the present invention, Figure 4b is a cross-sectional view of the fabric substrate cut along the line I-I of Figure 4a.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 직물 기판(400)은 직물층(410), 상기 직물층(410) 상의 스트레스 버퍼층(420), 상기 스트레스 버퍼층(420) 상의 평탄화층(430)을 포함할 수 있다.4A and 4B, the fabric substrate 400 according to another embodiment of the present invention includes a fabric layer 410, a stress buffer layer 420 on the fabric layer 410, and a planarization on the stress buffer layer 420. Layer 430 may be included.

도 4a에 도시된 직물층(410), 스트레스 버퍼층(420) 및 평탄화층(430)은 상술한 도 1a에 도시된 직물층(110), 스트레스 버퍼층(120) 및 평탄화층(130)과 동일 또는 유사하므로, 상기 직물층(410), 스트레스 버퍼층(420) 및 평탄화층(430)에 관한 자세한 설명은 생략하고, 그 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.The fabric layer 410, stress buffer layer 420, and planarization layer 430 shown in FIG. 4A are the same as the fabric layer 110, stress buffer layer 120, and planarization layer 130 shown in FIG. Since it is similar, detailed description of the fabric layer 410, the stress buffer layer 420, and the planarization layer 430 will be omitted, and the differences will be mainly described.

직물층(410)은 스트레스 버퍼층(420) 및 평탄화층(430)의 하부에 배치되어, 상기 스트레스 버퍼층(420) 및 평탄화층(430)을 견고하게 지지하는 역할을 수행할 수 있다.The fabric layer 410 is disposed under the stress buffer layer 420 and the planarization layer 430, and may serve to firmly support the stress buffer layer 420 and the planarization layer 430.

직물층(410)은, 적어도 하나의 직물로 구성될 수 있다. 상기 직물층(410)은 예를 들어, 합성 섬유, 재생 섬유, 천연 섬유, 면, 폴리에스테르, 가죽, 린넨 등과 같은 모든 종류의 직물을 포함할 수 있다.The fabric layer 410 may be made of at least one fabric. The fabric layer 410 may include, for example, all kinds of fabrics such as synthetic fibers, recycled fibers, natural fibers, cotton, polyester, leather, linen, and the like.

스트레스 버퍼층(420)은 직물층(410) 상에 배치될 수 있다. 이때, 상기 스트레스 버퍼층(420)은 스핀 코팅(spin coating), 바 코팅(bar coating), 딥 코팅(dip coating) 및 라미네이션(lamination) 중 적어도 하나의 방법을 통해 형성될 수 있다.The stress buffer layer 420 may be disposed on the fabric layer 410. At this time, the stress buffer layer 420 may be formed through at least one of spin coating, bar coating, dip coating, and lamination.

스트레스 버퍼층(420)은 미리 결정된 패턴에 따라 형성된 복수의 개구들(openings)을 구비할 수 있다. 일 예로, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 스트레스 버퍼층(420)은 유사 직물 패턴(fabric-like pattern)에 대응하는 복수의 개구들을 구비할 수 있다. 한편, 도면에 도시되고 있지 않지만, 다른 실시 예로, 상기 스트레스 버퍼층(420)은 원형 또는 다각형 형상을 갖는 복수의 개구들을 구비할 수도 있다.The stress buffer layer 420 may include a plurality of openings formed according to a predetermined pattern. For example, as shown in FIG. 5 (a), the stress buffer layer 420 may include a plurality of openings corresponding to a fabric-like pattern. On the other hand, although not shown in the drawing, in another embodiment, the stress buffer layer 420 may have a plurality of openings having a circular or polygonal shape.

스트레스 버퍼층(420)은 직물층(410)이 반복적으로 휘어짐(bending)에 따라 야기되는 물리적 변형률 및 내부 스트레스의 발생을 최소화하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 스트레스 버퍼층(420)은 직물층(410)과 평탄화층(430)을 단단히 접착시키는 역할을 수행할 수 있다. 이를 위해, 상기 스트레스 버퍼층(420)은 신축성 및 접착성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.The stress buffer layer 420 may serve to minimize the occurrence of physical strain and internal stress caused by the repeated bending of the fabric layer 410. In addition, the stress buffer layer 420 may serve to tightly bond the fabric layer 410 and the planarization layer 430. To this end, the stress buffer layer 420 may be formed of a material having elasticity and adhesiveness.

스트레스 버퍼층(420)은, 직물 기판(400)의 스트레스 발생을 최소화하고 직물 기판(400)의 유연성을 확보하기 위해, 500MPa 이하의 영률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 스트레스 버퍼층(420)은 직물층(410)에서 발생하는 변형률이 평탄화층(430)으로 전달되지 않도록 유연하고 신축성이 높은 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 스트레스 버퍼층(420)은 UV(Ultra-Violet) 경화가 가능한 재질로 형성될 수 있다. 이러한 스트레스 버퍼층(420)으로는 대표적으로 에폭시(epoxy) 또는 아크릴(acryl) 계열의 물질이 사용될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. The stress buffer layer 420 may be formed of a material having a Young's modulus of 500 MPa or less in order to minimize stress generation of the fabric substrate 400 and secure flexibility of the fabric substrate 400. In addition, the stress buffer layer 420 may be formed of a flexible and highly elastic material so that the strain generated in the fabric layer 410 is not transmitted to the planarization layer 430. In addition, the stress buffer layer 420 may be formed of a material capable of UV (Ultra-Violet) curing. As the stress buffer layer 420, an epoxy or acryl-based material may be typically used, but is not limited thereto.

스트레스 버퍼층(420)은, 직물 기판(400)의 변형률을 최소화하면서 충분한 접착 능력을 가질 수 있도록, 0.1㎛ 내지 100㎛, 좀 더 바람직하게는 1㎛ 내지 10㎛의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The stress buffer layer 420 may be formed to have a thickness of 0.1 μm to 100 μm, more preferably 1 μm to 10 μm, so as to have sufficient adhesion while minimizing strain of the fabric substrate 400.

평탄화층(430)은 스트레스 버퍼층(420) 상에 배치될 수 있다. 이때, 상기 평탄화층(430)은 스핀 코팅(spin coating), 바 코팅(bar coating), 딥 코팅(dip coating) 및 라미네이션(lamination) 중 적어도 하나의 방법을 통해 형성될 수 있다.The planarization layer 430 may be disposed on the stress buffer layer 420. At this time, the planarization layer 430 may be formed through at least one of spin coating, bar coating, dip coating, and lamination.

평탄화층(430)은 스트레스 버퍼층(420)과 동일한 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 즉, 평탄화층(430)은 미리 결정된 패턴에 따라 형성된 복수의 개구들(openings)을 구비할 수 있다. 일 예로, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화층(430)은 유사 직물 패턴(fabric-like pattern)에 대응하는 복수의 개구들을 구비할 수 있다. 이때, 상기 복수의 개구들은 스트레스 버퍼층(420)에 형성된 복수의 개구들의 위치에 대응하는 평탄화층(430)에 형성될 수 있다.The planarization layer 430 may be formed to have the same shape as the stress buffer layer 420. That is, the planarization layer 430 may include a plurality of openings formed according to a predetermined pattern. For example, as shown in FIG. 5B, the planarization layer 430 may include a plurality of openings corresponding to a fabric-like pattern. In this case, the plurality of openings may be formed in the planarization layer 430 corresponding to the positions of the plurality of openings formed in the stress buffer layer 420.

평탄화층(430)은 직물 기판(400)의 평활도(smoothness)를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 즉, 평탄화층(430)은 박막 증착 공정을 통해 발광소자가 성장될 수 있는 평탄한 표면을 제공할 수 있다. 또한, 평탄화층(430)은 발광소자가 정상적으로 동작할 수 있는 평탄한 표면을 제공할 수 있다. 이를 위해, 상기 평탄화층(430)은 유리와 비슷한 수준인 수 나노미터(㎚) 이하의 표면 거칠기와 박막 형성에 적합한 계면 특성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.The planarization layer 430 may serve to improve the smoothness of the fabric substrate 400. That is, the planarization layer 430 may provide a flat surface on which the light emitting device can be grown through a thin film deposition process. In addition, the planarization layer 430 may provide a flat surface on which the light emitting device can operate normally. To this end, the planarization layer 430 may be formed of a material having a surface roughness of a few nanometers (nm) or less, which is similar to that of glass, and interface characteristics suitable for thin film formation.

평탄화층(430)은, 표면에 실장되는 발광소자의 변형률을 최소화하기 위해, 0.1GPa 이상의 영률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 평탄화층(430)은 UV 경화가 가능한 재질로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 평탄화층(430)은 SU-8(광경화성 에폭시 수지), PEN(폴리에틸렌나프탈레이트), PI(폴리이미드), PET(폴리에틸렌 테레프타레이트), PVA(폴리비닐 알코올), 아크릴레이트, 폴리우레탄, 폴리다이메틸실록산 등과 같은 탄소 기반 중합체로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The planarization layer 430 may be formed of a material having a Young's modulus of 0.1 GPa or more in order to minimize the strain of the light emitting device mounted on the surface. In addition, the planarization layer 430 may be formed of a material capable of UV curing. For example, the planarization layer 430 is SU-8 (photo-curable epoxy resin), PEN (polyethylene naphthalate), PI (polyimide), PET (polyethylene terephthalate), PVA (polyvinyl alcohol), acrylate , May be formed of a carbon-based polymer such as polyurethane, polydimethylsiloxane, and the like, but is not limited thereto.

평탄화층(430)은, 스트레스 버퍼층(420) 상에 얇은 박막의 형성이 가능하도록, 50㎛ 이하의 두께, 좀 더 바람직하게는 30㎛ 이하의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The planarization layer 430 may be formed to have a thickness of 50 µm or less, more preferably 30 µm or less, so that a thin thin film can be formed on the stress buffer layer 420.

이와 같이, 직물층(410), 스트레스 버퍼층(420) 및 평탄화층(430)을 순차적으로 적층하여 형성된 직물 기판(400)의 상부에 하나 이상의 발광소자(미도시)를 실장하여 전계발광 직물을 구성할 수 있다.As such, one or more light emitting devices (not shown) are mounted on the fabric substrate 400 formed by sequentially stacking the fabric layer 410, the stress buffer layer 420, and the planarization layer 430 to construct an electroluminescent fabric. can do.

도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 직물 기판의 제조방법을 설명하는 도면이다.6A to 6G are diagrams illustrating a method of manufacturing a fabric substrate according to another embodiment of the present invention.

도 6a를 참조하면, 미리 결정된 크기 및 두께를 갖는 지지 기판(610)을 마련할 수 있다. 이때, 상기 지지 기판(610)으로는 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판, 웨이퍼 등과 같은 평평한 기판이 사용될 수 있다.Referring to FIG. 6A, a support substrate 610 having a predetermined size and thickness may be provided. At this time, a flat substrate such as a glass substrate, a quartz substrate, a plastic substrate, or a wafer may be used as the support substrate 610.

이후, 지지 기판(610)의 표면에 존재하는 오염 물질을 세척 용액으로 씻어 낼 수 있다. 상기 세척 용액으로는 정제수(DI water)가 사용될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.Thereafter, contaminants present on the surface of the support substrate 610 may be washed with a cleaning solution. DI water may be used as the washing solution, but is not limited thereto.

세척이 완료된 지지 기판(610)의 상면에 일정한 두께를 갖는 금속 박막(620)을 형성할 수 있다. 상기 금속 박막(620)의 재질로는 패터닝(patterning)이 가능한 금속으로서, 크롬(Cr), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 철(Fe), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 금(Au), 실리콘(Si), 아연(Zn) 및 이들의 합금이 사용될 수 있다.A metal thin film 620 having a constant thickness may be formed on the upper surface of the support substrate 610 after washing. The material of the metal thin film 620 is a patternable metal, chromium (Cr), manganese (Mn), aluminum (Al), iron (Fe), titanium (Ti), nickel (Ni), molybdenum (Mo), silver (Ag), gold (Au), silicon (Si), zinc (Zn) and alloys thereof can be used.

도 6b를 참조하면, 지지 기판(610) 상에 증착된 금속 박막(620)에 대해 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 수행하여 유사 직물 패턴의 역상 패턴(이하, 설명의 편의상, '유사 직물 역상 패턴'이라 칭함)을 갖는 금속 패턴층을 형성할 수 있다. 즉, 유사 직물 패턴을 갖는 마스크(Mask, 625)를 이용하여 금속 박막(620)에 대한 노광(exposure) 공정을 수행한 다음, 현상액을 이용하여 포토리지스터(Photo Resist, PR)에 해당하는 금속 박막(620)을 제거하는 현상(develop) 공정을 수행할 수 있다.Referring to Figure 6b, by performing a photolithography (Photolithography) process on the metal thin film 620 deposited on the support substrate 610 (hereinafter, for convenience of description, 'similar fabric reverse phase pattern') Metal pattern layer). That is, after performing an exposure process for the metal thin film 620 using a mask (Mask, 625) having a similar fabric pattern, the metal corresponding to the photoresist (Photo Resist, PR) using a developer A development process of removing the thin film 620 may be performed.

도 6c를 참조하면, 일정한 압력 및/또는 온도 조건 하에서, 스핀 코팅 공정을 이용하여 지지 기판(610) 및 금속 패턴층(620) 상에 희생층(630)을 적층할 수 있다. 이후, 미리 결정된 온도의 열을 일정 시간 동안 인가하여 희생층(630)을 단단히 경화시킬 수 있다. 이때, 상기 희생층(630)은 지지 기판(610) 및 금속 패턴층(620)의 상부에 0.01㎛ 이상의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6C, under a certain pressure and / or temperature condition, a sacrificial layer 630 may be deposited on the support substrate 610 and the metal pattern layer 620 using a spin coating process. Thereafter, the sacrificial layer 630 may be hardened by applying heat at a predetermined temperature for a predetermined time. At this time, the sacrificial layer 630 may be formed to have a thickness of 0.01 μm or more on the support substrate 610 and the metal pattern layer 620.

지지 기판(610) 및 금속 패턴층(620) 상에 적층된 희생층(630)은 용매에 잘 녹는 가용성 재질로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 희생층(630)은 폴리비닐 알코올(polyvinyl acetate, PVA), 구리(Cu) 또는 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA) 등을 사용하여 형성될 수 있다.The sacrificial layer 630 stacked on the support substrate 610 and the metal pattern layer 620 may be formed of a soluble material that is well soluble in a solvent. For example, the sacrificial layer 630 may be formed using polyvinyl alcohol (PVA), copper (Cu) or polymethyl methacrylate (PMMA).

이러한 희생층(630)의 생성이 완료되면, 일정한 압력 및/또는 온도 조건 하에서, 스핀 코팅 공정을 이용하여 희생층(630) 상에 평탄화층(640)을 적층할 수 있다. 그리고, 상기 평탄화층(640)에 대해 미리 결정된 온도(가령, 100도) 이하의 열을 일정 시간 동안 인가하는 소프트 베이킹(soft-baking) 공정을 수행할 수 있다.When the sacrificial layer 630 is generated, the planarization layer 640 may be stacked on the sacrificial layer 630 using a spin coating process under constant pressure and / or temperature conditions. In addition, a soft-baking process may be performed to apply heat below a predetermined temperature (eg, 100 degrees) to the planarization layer 640 for a predetermined time.

이후, 지지 기판(610)의 하면 방향으로 자외선(UV)을 일정 시간 동안 조사하는 1차 UV 경화 공정을 수행하여, 금속 패턴층(620)이 가리는 영역들을 제외한 나머지 영역들(즉, 자외선이 투과되는 영역들)에 대응하는 평탄화층(640)을 경화시킬 수 있다. 상기 1차 UV 경화 공정이 완료되면, 상기 평탄화층(640)에 대해 미리 결정된 온도(가령, 100도) 이상의 열을 일정 시간 동안 인가하는 하드 베이킹(hard-baking) 공정을 수행할 수 있다.Thereafter, by performing a first UV curing process for irradiating ultraviolet (UV) light in a direction of a lower surface of the support substrate 610 for a predetermined time, the remaining areas (that is, ultraviolet light is transmitted) except for the areas covered by the metal pattern layer 620. The planarization layer 640 corresponding to the regions to be cured) may be cured. When the primary UV curing process is completed, a hard-baking process of applying heat of a predetermined temperature (eg, 100 degrees) or more to the planarization layer 640 for a predetermined time may be performed.

평탄화층(640)은 0.1GPa 이상의 영률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 또한, 평탄화층(640)은 UV 경화가 가능한 재질로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 평탄화층(640)은 SU-8(광경화성 에폭시 수지) 재질로 형성될 수 있다.The planarization layer 640 may be formed of a material having a Young's modulus of 0.1 GPa or more. In addition, the planarization layer 640 may be formed of a material capable of UV curing. For example, the planarization layer 640 may be formed of SU-8 (photo-curable epoxy resin) material.

도 6d 및 도 6e를 참조하면, 일정한 압력 및/또는 온도 조건 하에서, 스핀 코팅 공정을 이용하여 평탄화층(640) 상에 스트레스 버퍼층(650)을 적층할 수 있다. 상기 스트레스 버퍼층(650)의 적층이 완료되면, 라미네이션(lamination) 공정을 이용하여 스트레스 버퍼층(650) 상에 직물층(또는 직물, 660)을 적층할 수 있다. 즉, 스트레스 버퍼층(650) 상에 직물층(660)을 배치한 후 상기 직물층(660) 방향으로 미리 결정된 압력을 일정 시간 동안 인가하게 된다. 이는 액체 상태의 스트레스 버퍼층(650)이 직물층(660)에 흡수되도록 하여 접착력을 증가시키기 위함이다.6D and 6E, the stress buffer layer 650 may be deposited on the planarization layer 640 using a spin coating process under constant pressure and / or temperature conditions. When the stacking of the stress buffer layer 650 is completed, a fabric layer (or fabric, 660) may be stacked on the stress buffer layer 650 using a lamination process. That is, after placing the fabric layer 660 on the stress buffer layer 650, a predetermined pressure is applied to the fabric layer 660 for a predetermined time. This is to increase the adhesion by allowing the stress buffer layer 650 in the liquid state to be absorbed by the fabric layer 660.

이후, 스트레스 버퍼층(650)에 대해 미리 결정된 온도(가령, 100도) 이하의 열을 일정 시간 동안 인가하는 소프트 베이킹(soft-baking) 공정을 수행할 수 있다. 이러한 소프트 베이킹 공정에 따라, 상기 스트레스 버퍼층(650)은 평탄화층(640)과 직물층(660)을 결착(접착)시킬 수 있다.Subsequently, a soft-baking process may be performed to apply heat below a predetermined temperature (eg, 100 degrees) to the stress buffer layer 650 for a predetermined period of time. According to this soft baking process, the stress buffer layer 650 may bond (adhesive) the planarization layer 640 and the fabric layer 660.

그 다음, 지지 기판(610)의 하면 방향으로 자외선(UV)을 일정 시간 동안 조사하는 2차 UV 경화 공정을 수행하여, 금속 패턴층(620)이 가리는 영역들을 제외한 나머지 영역들(즉, 자외선이 투과되는 영역들)에 대응하는 스트레스 버퍼층(650)을 경화시킬 수 있다. 상기 2차 UV 경화 공정이 완료되면, 상기 스트레스 버퍼층(650)에 대해 미리 결정된 온도(가령, 100도) 이상의 열을 일정 시간 동안 인가하는 하드 베이킹(hard-baking) 공정을 수행할 수 있다.Then, by performing a second UV curing process for irradiating ultraviolet (UV) light for a period of time in the direction of the lower surface of the support substrate 610, the remaining areas (that is, ultraviolet light) except for the areas covered by the metal pattern layer 620 The stress buffer layer 650 corresponding to the permeable regions) may be cured. When the second UV curing process is completed, a hard-baking process for applying heat of a predetermined temperature (eg, 100 degrees) or more to the stress buffer layer 650 for a predetermined time may be performed.

스트레스 버퍼층(650)은 500MPa 이하의 영률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 또한, 스트레스 버퍼층(650)은 UV 경화가 가능한 재질로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 스트레스 버퍼층(650)은 에폭시 또는 아크릴 계열의 재질로 형성될 수 있다.The stress buffer layer 650 may be formed of a material having a Young's modulus of 500 MPa or less. In addition, the stress buffer layer 650 may be formed of a material capable of UV curing. For example, the stress buffer layer 650 may be formed of an epoxy or acrylic material.

한편, 본 실시 예에서는, 두 번의 UV 경화 공정을 수행하는 것을 예시하고 있으나 반드시 이에 제한되지는 않으며, 한 번의 UV 경화 공정을 수행할 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다. 가령, 희생층(630) 상에 평탄화층(640)을 적층한 후 1차 소프트 베이킹 공정을 수행하고, 상기 평탄화층(640) 상에 스트레스 버퍼층(650) 및 직물층(660)을 순차적으로 적층한 후 2차 소프트 베이킹 공정을 수행할 수 있다. 그리고, 지지 기판(610)의 하면 방향으로 자외선(UV)을 일정 시간 동안 조사하는 UV 경화 공정을 수행한 다음, 상기 평탄화층(640) 및 스트레스 버퍼층(650)에 대해 미리 결정된 온도(가령, 100도) 이상의 열을 일정 시간 동안 인가하는 하드 베이킹(hard-baking) 공정을 수행할 수 있다.On the other hand, in this embodiment, it is illustrated that performing the two UV curing process, but is not limited thereto, and it will be apparent to those skilled in the art that one UV curing process can be performed. For example, after the planarization layer 640 is stacked on the sacrificial layer 630, a first soft baking process is performed, and the stress buffer layer 650 and the fabric layer 660 are sequentially stacked on the planarization layer 640. After that, a second soft baking process may be performed. Then, after performing a UV curing process for irradiating ultraviolet (UV) light in a direction of a lower surface of the support substrate 610 for a predetermined time, a predetermined temperature (eg, 100) for the planarization layer 640 and the stress buffer layer 650 A hard-baking process in which heat is applied for a predetermined period of time or more may be performed.

도 6f를 참조하면, 지지 기판(610), 금속 패턴층(620), 희생층(630), 평탄화층(640), 스트레스 버퍼층(650) 및 직물층(660)이 순차적으로 적층된 제1 기판 구조물을 미리 결정된 용매에 일정 시간 동안 침수시킬 수 있다. 이때, 상기 용매로는 정제수(DI water)가 사용될 수 있다. Referring to FIG. 6F, a first substrate in which a support substrate 610, a metal pattern layer 620, a sacrificial layer 630, a planarization layer 640, a stress buffer layer 650, and a fabric layer 660 are sequentially stacked The structure can be immersed in a predetermined solvent for a period of time. At this time, purified water (DI water) may be used as the solvent.

제1 기판 구조물의 침수 시점으로부터 일정 시간(가령, 24시)이 경과하면, 지지 기판(610) 및 금속 패턴층(620)과 평탄화층(640) 사이에 배치된 희생층(630)은 정제수(DI water)에 의해 점차 용해되어 사라지게 되고, 그에 따라 지지 기판(610) 및 금속 패턴층(620)이 제1 기판 구조물로부터 자연스럽게 분리하게 된다. 이후, 평탄화층(640), 스트레스 버퍼층(650) 및 직물층(660)으로 구성된 제2 기판 구조물을 정제수에서 꺼낸 다음, 해당 기판 구조물을 건조시킬 수 있다.When a predetermined time (eg, 24 hours) elapses from the time of immersion of the first substrate structure, the support substrate 610 and the sacrificial layer 630 disposed between the metal pattern layer 620 and the planarization layer 640 are purified water ( DI water) gradually dissolves and disappears, and thus the support substrate 610 and the metal pattern layer 620 are naturally separated from the first substrate structure. Thereafter, the second substrate structure composed of the planarization layer 640, the stress buffer layer 650, and the fabric layer 660 may be taken out from purified water and then the substrate structure may be dried.

도 6g를 참조하면, 평탄화층(640), 스트레스 버퍼층(650) 및 직물층(660)이 순차적으로 적층된 제2 기판 구조물을 미리 결정된 현상액에 일정 시간 동안 침수시킬 수 있다. 이때, 상기 현상액으로는 무기 및 유기 알칼리계 수용액에 이온계 또는 비이온계 계면활성제를 첨가한 조성물이 사용될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.Referring to FIG. 6G, the second substrate structure in which the planarization layer 640, the stress buffer layer 650, and the fabric layer 660 are sequentially stacked may be immersed in a predetermined developer for a predetermined time. At this time, as the developer, a composition in which an ionic or nonionic surfactant is added to an inorganic and organic alkali-based aqueous solution may be used, but is not limited thereto.

제2 기판 구조물의 침수 시점으로부터 일정 시간이 경과하면, 현상액은 평탄화층(640) 및 스트레스 버퍼층(650) 중에서 UV 경화가 일어나지 않은 부분들과 화학적으로 반영하여 해당 부분들을 선택적으로 식각하게 된다. 이에 따라, 직물 유사 패턴에 따른 복수의 개구들이 평탄화층(640) 및 스트레스 버퍼층(650)에 형성된다. 이후, 제2 기판 구조물을 현상액에서 꺼낸 다음, 해당 기판 구조물을 일정 조건 하에서 일정 시간 동안 건조하여 직물 기판을 제조하게 된다.When a certain period of time has elapsed from the time of immersion of the second substrate structure, the developer is selectively etched by chemically reflecting portions of the planarization layer 640 and the stress buffer layer 650 where UV curing has not occurred. Accordingly, a plurality of openings according to the fabric-like pattern are formed in the planarization layer 640 and the stress buffer layer 650. Thereafter, the second substrate structure is taken out of the developer, and then the corresponding substrate structure is dried under a certain condition for a period of time to produce a fabric substrate.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 직물 기판(400)은 직물과 유사한 유연성을 구비하므로 실제 의류와 같이 여러 방향의 구김이 가능하고, 일정 횟수 이상의 반복 굽힘에도 발광소자의 동작이 가능한 장점이 있다. 또한, 상기 직물 기판(400)은 직물과 유사한 기능성 및 통기성을 부여하므로 실제 의류와 같은 편안하고 시원한 착용감을 제공할 수 있는 장점이 있다.도 7a는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 직물 기판의 사시도이고, 도 7b는 도 7a의 I-I 선을 따라 절단한 직물 기판의 단면도이다.As described above, since the fabric substrate 400 according to another embodiment of the present invention has flexibility similar to that of the fabric, it is possible to wrinkle in various directions like actual clothing, and the operation of the light emitting element is repeated even after repeated bending over a certain number of times. There are possible advantages. In addition, the fabric substrate 400 has the advantage of providing a functional and breathable similar to the fabric, so that it can provide a comfortable and cool fit like real clothing. FIG. 7A shows the fabric substrate according to another embodiment of the present invention. 7B is a cross-sectional view of the fabric substrate cut along line II of FIG. 7A.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 직물 기판(700)은 직물층(710), 상기 직물층(710) 상의 스트레스 버퍼층(720), 상기 스트레스 버퍼층(720) 상의 평탄화층(730)을 포함할 수 있다.7A and 7B, the fabric substrate 700 according to another embodiment of the present invention includes a fabric layer 710, a stress buffer layer 720 on the fabric layer 710, and a stress buffer layer 720 on the fabric layer. A planarization layer 730 may be included.

도 7a에 도시된 직물층(710), 스트레스 버퍼층(720) 및 평탄화층(730)은 상술한 도 1a 및 도 4a에 도시된 직물층(110, 410), 스트레스 버퍼층(120, 420) 및 평탄화층(130, 430)과 동일 또는 유사하므로, 상기 직물층(710), 스트레스 버퍼층(720) 및 평탄화층(730)에 관한 자세한 설명은 생략하고, 그 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.The fabric layer 710, the stress buffer layer 720, and the planarization layer 730 illustrated in FIG. 7A are the fabric layers 110, 410, stress buffer layers 120, 420, and planarization illustrated in FIGS. 1A and 4A. Since the layers 130 and 430 are the same or similar, detailed descriptions of the fabric layer 710, the stress buffer layer 720, and the planarization layer 730 are omitted, and the differences will be mainly described.

직물층(710)은 스트레스 버퍼층(720) 및 평탄화층(730)의 하부에 배치되어, 상기 스트레스 버퍼층(720) 및 평탄화층(730)을 견고하게 지지하는 역할을 수행할 수 있다.The fabric layer 710 is disposed under the stress buffer layer 720 and the planarization layer 730, and may serve to firmly support the stress buffer layer 720 and the planarization layer 730.

스트레스 버퍼층(720)은 직물층(710) 상에 배치될 수 있다. 이때, 상기 스트레스 버퍼층(720)은 스핀 코팅(spin coating), 바 코팅(bar coating), 딥 코팅(dip coating) 및 라미네이션(lamination) 중 적어도 하나의 방법을 통해 형성될 수 있다.The stress buffer layer 720 may be disposed on the fabric layer 710. At this time, the stress buffer layer 720 may be formed through at least one of spin coating, bar coating, dip coating, and lamination.

스트레스 버퍼층(720)은, 도 4a에 도시된 스트레스 버퍼층(420)과 달리, 미리 결정된 패턴에 따라 형성된 복수의 개구들을 구비하지 않는다. 일 예로, 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 스트레스 버퍼층(720)은 얇은 박막 형상을 갖도록 형성될 수 있다.The stress buffer layer 720 does not include a plurality of openings formed according to a predetermined pattern, unlike the stress buffer layer 420 illustrated in FIG. 4A. As an example, as shown in FIG. 8 (a), the stress buffer layer 720 may be formed to have a thin thin film shape.

스트레스 버퍼층(720)은 직물층(710)이 반복적으로 휘어짐(bending)에 따라 야기되는 물리적 변형률 및 내부 스트레스의 발생을 최소화하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 스트레스 버퍼층(720)은 직물층(710)과 평탄화층(730)을 단단히 접착시키는 역할을 수행할 수 있다. 이를 위해, 상기 스트레스 버퍼층(720)은 신축성 및 접착성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.The stress buffer layer 720 may serve to minimize the occurrence of physical strain and internal stress caused by the repeated bending of the fabric layer 710. In addition, the stress buffer layer 720 may serve to tightly bond the fabric layer 710 and the planarization layer 730. To this end, the stress buffer layer 720 may be formed of a material having elasticity and adhesiveness.

스트레스 버퍼층(720)은 직물 기판 제조 공정 시 직물에 직접 열을 가하지 않기 위해, 대기압 및/또는 실온(상온) 조건 하에서 경화가 가능한 재질로 형성될 수 있다. 이러한 스트레스 버퍼층(720)으로는 대표적으로 실리콘(Si) 계열의 물질이 사용될 수 있다. 일 예로, 스트레스 버퍼층(720)은 PDMS(polydimethylsiloxane) 계열의 실리콘 소재가 사용될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The stress buffer layer 720 may be formed of a material capable of curing under atmospheric pressure and / or room temperature (room temperature) conditions so as not to directly heat the fabric during the fabric substrate manufacturing process. As the stress buffer layer 720, a silicon (Si) -based material may be typically used. For example, the stress buffer layer 720 may be a polydimethylsiloxane (PDMS) -based silicon material, but is not limited thereto.

평탄화층(730)은 스트레스 버퍼층(720) 상에 배치될 수 있다. 이때, 상기 평탄화층(730)은 스핀 코팅(spin coating), 바 코팅(bar coating), 딥 코팅(dip coating) 및 라미네이션(lamination) 중 적어도 하나의 방법을 통해 형성될 수 있다.The planarization layer 730 may be disposed on the stress buffer layer 720. At this time, the planarization layer 730 may be formed through at least one of spin coating, bar coating, dip coating, and lamination.

평탄화층(730)은 미리 결정된 패턴에 따라 형성된 복수의 개구들(openings)을 구비할 수 있다. 일 예로, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화층(730)은 유사 직물 패턴(fabric-like pattern)에 대응하는 복수의 개구들을 구비할 수 있다. 한편, 도면에 도시되고 있지 않지만, 다른 실시 예로, 상기 평탄화층(730)은 원형 또는 다각형 형상을 갖는 복수의 개구들을 구비할 수도 있다.The planarization layer 730 may include a plurality of openings formed according to a predetermined pattern. For example, as illustrated in FIG. 8B, the planarization layer 730 may include a plurality of openings corresponding to a fabric-like pattern. On the other hand, although not shown in the drawings, in another embodiment, the planarization layer 730 may have a plurality of openings having a circular or polygonal shape.

평탄화층(730)은 직물 기판(700)의 평활도(smoothness)를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 이를 위해, 상기 평탄화층(730)은 유리와 비슷한 수준인 수 나노미터(㎚) 이하의 표면 거칠기와 박막 형성에 적합한 계면 특성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.The planarization layer 730 may serve to improve the smoothness of the fabric substrate 700. To this end, the planarization layer 730 may be formed of a material having a surface roughness of a few nanometers (nm) or less, similar to glass, and interface properties suitable for thin film formation.

평탄화층(730)은, 표면에 실장되는 발광소자의 변형률을 최소화하기 위해, 0.1GPa 이상의 영률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 평탄화층(730)은 UV 경화가 가능한 재질로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 평탄화층(430)은 SU-8(광경화성 에폭시 수지), PEN(폴리에틸렌나프탈레이트), PI(폴리이미드), PET(폴리에틸렌 테레프타레이트), PVA(폴리비닐 알코올), 아크릴레이트, 폴리우레탄, 폴리다이메틸실록산 등과 같은 탄소 기반 중합체로 형성될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다.The planarization layer 730 may be formed of a material having a Young's modulus of 0.1 GPa or more in order to minimize the strain of the light emitting device mounted on the surface. In addition, the planarization layer 730 may be formed of a material capable of UV curing. For example, the planarization layer 430 is SU-8 (photo-curable epoxy resin), PEN (polyethylene naphthalate), PI (polyimide), PET (polyethylene terephthalate), PVA (polyvinyl alcohol), acrylate , May be formed of a carbon-based polymer such as polyurethane, polydimethylsiloxane, and the like, but is not limited thereto.

이와 같이, 직물층(710), 스트레스 버퍼층(720) 및 평탄화층(730)을 순차적으로 적층하여 형성된 직물 기판(700)의 상부에 하나 이상의 발광소자(미도시)를 실장하여 전계발광 직물을 구성할 수 있다.As such, one or more light emitting devices (not shown) are mounted on the fabric substrate 700 formed by sequentially stacking the fabric layer 710, the stress buffer layer 720, and the planarization layer 730 to construct an electroluminescent fabric. can do.

도 9a 내지 도 9g는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 직물 기판의 제조방법을 설명하는 도면이다.9A to 9G are views illustrating a method of manufacturing a fabric substrate according to another embodiment of the present invention.

도 9a 내지 도 9g에 도시된 직물 기판 제조방법은, 상술한 도 6a 내지 도 6g에 도시된 직물 기판 제조방법과 유사하므로, 그 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.The fabric substrate manufacturing method illustrated in FIGS. 9A to 9G is similar to the fabric substrate manufacturing method illustrated in FIGS. 6A to 6G described above, and the differences will be mainly described.

도 9a를 참조하면, 미리 결정된 크기 및 두께를 갖는 지지 기판(910)을 마련할 수 있다. 이후, 지지 기판(910)의 표면에 존재하는 오염 물질을 세척 용액으로 씻어 낼 수 있다.9A, a support substrate 910 having a predetermined size and thickness may be provided. Thereafter, contaminants present on the surface of the support substrate 910 may be washed with a cleaning solution.

세척이 완료된 지지 기판(910)의 상면에 일정한 두께를 갖는 금속 박막(920)을 형성할 수 있다. 상기 금속 박막(920)의 재질로는 패터닝(patterning)이 가능한 금속으로서, 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 철(Fe), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 망간(Mn), 은(Ag), 금(Au), 실리콘(Si), 아연(Zn) 및 이들의 합금이 사용될 수 있다.A metal thin film 920 having a constant thickness may be formed on the upper surface of the support substrate 910 after washing. The material of the metal thin film 920 is a patternable metal, chromium (Cr), aluminum (Al), iron (Fe), titanium (Ti), nickel (Ni), molybdenum (Mo), manganese (Mn), silver (Ag), gold (Au), silicon (Si), zinc (Zn) and alloys thereof can be used.

도 9b를 참조하면, 지지 기판(910) 상에 증착된 금속 박막(920)에 대해 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 수행하여 유사 직물 패턴의 역상 패턴(즉, 유사 직물 역상 패턴)을 갖는 금속 패턴층을 형성할 수 있다. 즉, 유사 직물 패턴을 갖는 마스크(Mask, 925)를 이용하여 금속 박막(920)에 대한 노광(exposure) 공정을 수행한 다음, 현상액을 이용하여 포토리지스터(PR)에 해당하는 금속 박막(920)을 제거하는 현상(develop) 공정을 수행할 수 있다.Referring to FIG. 9B, a metal pattern layer having an inverse pattern of a similar fabric pattern (ie, a similar fabric reverse phase pattern) is performed by performing a photolithography process on a metal thin film 920 deposited on the support substrate 910 Can form. That is, after performing an exposure process for the metal thin film 920 using a mask (Mask, 925) having a similar fabric pattern, a metal thin film 920 corresponding to the photoresistor (PR) using a developer ) Can be performed.

도 9c를 참조하면, 일정한 압력 및/또는 온도 조건 하에서, 스핀 코팅 공정을 이용하여 지지 기판(910) 및 금속 패턴층(920) 상에 희생층(930)을 적층할 수 있다. 이후, 미리 결정된 온도의 열을 일정 시간 동안 인가하여 희생층(930)을 단단히 경화시킬 수 있다.Referring to FIG. 9C, under a certain pressure and / or temperature condition, a sacrificial layer 930 may be deposited on the support substrate 910 and the metal pattern layer 920 using a spin coating process. Thereafter, the sacrificial layer 930 may be hardened by applying heat at a predetermined temperature for a predetermined time.

이러한 희생층(930)의 생성이 완료되면, 일정한 압력 및/또는 온도 조건 하에서, 스핀 코팅 공정을 이용하여 희생층(930) 상에 평탄화층(940)을 적층할 수 있다. 그리고, 상기 평탄화층(940)에 대해 미리 결정된 온도(가령, 100도) 이하의 열을 일정 시간 동안 인가하는 소프트 베이킹(soft-baking) 공정을 수행할 수 있다.When the sacrificial layer 930 is generated, the planarization layer 940 may be stacked on the sacrificial layer 930 using a spin coating process under constant pressure and / or temperature conditions. In addition, a soft-baking process may be performed to apply heat below a predetermined temperature (eg, 100 degrees) to the planarization layer 940 for a predetermined time.

이후, 지지 기판(910)의 하면 방향으로 자외선(UV)을 일정 시간 동안 조사하는 UV 경화 공정을 수행하여, 금속 패턴층(920)이 가리는 영역들을 제외한 나머지 영역들(즉, 자외선이 투과되는 영역들)에 대응하는 평탄화층(940)을 경화시킬 수 있다. 상기 UV 경화 공정이 완료되면, 상기 평탄화층(940)에 대해 미리 결정된 온도(가령, 100도) 이상의 열을 일정 시간 동안 인가하는 하드 베이킹(hard-baking) 공정을 수행할 수 있다.Thereafter, by performing a UV curing process for irradiating ultraviolet (UV) light in a direction of a lower surface of the support substrate 910 for a predetermined time, the remaining areas (that is, the area through which the ultraviolet light is transmitted) except for the areas covered by the metal pattern layer 920. The planarization layer 940 corresponding to (s) can be cured. When the UV curing process is completed, a hard-baking process of applying heat of a predetermined temperature (eg, 100 degrees) or more to the planarization layer 940 for a predetermined time may be performed.

도 9d 및 도 9e를 참조하면, 일정한 압력 및/또는 온도 조건 하에서, 스핀 코팅 공정을 이용하여 평탄화층(940) 상에 스트레스 버퍼층(950)을 적층할 수 있다. 9D and 9E, under a constant pressure and / or temperature condition, the stress buffer layer 950 may be deposited on the planarization layer 940 using a spin coating process.

이후, 라미네이션(lamination) 공정을 이용하여 스트레스 버퍼층(950) 상에 직물층(또는 직물, 960)을 적층할 수 있다. 즉, 스트레스 버퍼층(950) 상에 직물층(960)을 배치한 후 상기 직물층(960) 방향으로 미리 결정된 압력을 일정 시간 동안 인가하게 된다. 이는 액체 상태의 스트레스 버퍼층(950)이 직물층(960)에 흡수되도록 하여 접착력을 증가시키기 위함이다. 이러한 상태에서, 스트레스 버퍼층(950)은 대기압 및/또는 실온(상온) 조건 하에서 일정 시간이 경과함에 따라 천천히 경화된다. 이에 따라, 상기 스트레스 버퍼층(950)은 평탄화층(940)과 직물층(960)을 단단히 결착(접착)시킬 수 있다.Thereafter, a fabric layer (or fabric, 960) may be stacked on the stress buffer layer 950 using a lamination process. That is, after arranging the fabric layer 960 on the stress buffer layer 950, a predetermined pressure is applied to the fabric layer 960 for a predetermined time. This is to increase the adhesion by allowing the stress buffer layer 950 in the liquid state to be absorbed by the fabric layer 960. In this state, the stress buffer layer 950 is cured slowly over a period of time under atmospheric pressure and / or room temperature (room temperature) conditions. Accordingly, the stress buffer layer 950 can firmly bond (adhesive) the planarization layer 940 and the fabric layer 960.

해당 적층 공정의 경우, 직물층(960)의 하부에 위치하는 스트레스 버퍼층(950)이 실온에서 경화되기 때문에, 합성 섬유, 재생 섬유, 천연 섬유, 면, 폴리에스테르, 가죽, 린넨 등과 같은 모든 종류의 직물이 직물 기판에 사용 가능하다.In the case of the lamination process, since the stress buffer layer 950 positioned under the fabric layer 960 is cured at room temperature, all kinds of synthetic fibers, recycled fibers, natural fibers, cotton, polyester, leather, linen, etc. Fabrics can be used for fabric substrates.

도 9f를 참조하면, 지지 기판(910), 금속 패턴층(920), 희생층(930), 평탄화층(940), 스트레스 버퍼층(950) 및 직물층(960)이 순차적으로 적층된 제1 기판 구조물을 미리 결정된 용매(가령, 정제수)에 일정 시간 동안 침수시킬 수 있다.Referring to FIG. 9F, a first substrate in which the support substrate 910, the metal pattern layer 920, the sacrificial layer 930, the planarization layer 940, the stress buffer layer 950, and the fabric layer 960 are sequentially stacked The structure can be immersed in a predetermined solvent (eg, purified water) for a period of time.

제1 기판 구조물의 침수 시점으로부터 일정 시간(가령, 24시)이 경과하면, 지지 기판(910) 및 금속 패턴층(920)과 평탄화층(940) 사이에 배치된 희생층(930)은 정제수(DI water)에 의해 점차 용해되어 사라지게 되고, 그에 따라 지지 기판(910) 및 금속 패턴층(920)이 제1 기판 구조물로부터 자연스럽게 분리하게 된다. 이후, 평탄화층(940), 스트레스 버퍼층(950) 및 직물층(960)으로 구성된 제2 기판 구조물을 정제수에서 꺼낸 다음, 해당 기판 구조물을 건조시킬 수 있다.When a predetermined time (eg, 24 hours) elapses from the time of immersion of the first substrate structure, the sacrificial layer 930 disposed between the support substrate 910 and the metal pattern layer 920 and the planarization layer 940 is purified water ( DI water) gradually dissolves and disappears, and thus the support substrate 910 and the metal pattern layer 920 are naturally separated from the first substrate structure. Thereafter, the second substrate structure composed of the planarization layer 940, the stress buffer layer 950, and the fabric layer 960 may be taken out from purified water and then the substrate structure may be dried.

도 9g를 참조하면, 평탄화층(940), 스트레스 버퍼층(950) 및 직물층(960)이 순차적으로 적층된 제2 기판 구조물을 미리 결정된 현상액에 일정 시간 동안 침수시킬 수 있다.Referring to FIG. 9G, a second substrate structure in which the planarization layer 940, the stress buffer layer 950, and the fabric layer 960 are sequentially stacked may be immersed in a predetermined developer for a period of time.

제2 기판 구조물의 침수 시점으로부터 일정 시간이 경과하면, 현상액은 평탄화층(940) 및 스트레스 버퍼층(950) 중에서 UV 경화가 일어나지 않은 부분들과 화학적으로 반영하여 해당 부분들을 선택적으로 식각하게 된다. 이에 따라, 직물 유사 패턴에 따른 복수의 개구들이 평탄화층(940) 및 스트레스 버퍼층(950)에 형성된다. 이후, 제2 기판 구조물을 현상액에서 꺼낸 다음, 해당 기판 구조물을 일정 조건 하에서 일정 시간 동안 건조하여 직물 기판을 제조하게 된다.When a certain period of time has elapsed from the time of immersion of the second substrate structure, the developer is selectively etched by chemically reflecting portions of the planarization layer 940 and the stress buffer layer 950 that have not undergone UV curing. Accordingly, a plurality of openings according to the fabric-like pattern are formed in the planarization layer 940 and the stress buffer layer 950. Thereafter, the second substrate structure is taken out of the developer, and then the corresponding substrate structure is dried under a certain condition for a period of time to produce a fabric substrate.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 직물 기판(700)은 직물과 유사한 유연성을 구비하므로 실제 의류와 같이 여러 방향의 구김이 가능하고, 일정 횟수 이상의 반복 굽힘에도 발광소자의 동작이 가능한 장점이 있다.As described above, since the fabric substrate 700 according to another embodiment of the present invention has flexibility similar to that of the fabric, it is possible to wrinkle in various directions as in actual clothing, and the operation of the light emitting element even after repeated bending over a certain number of times This has the possible advantage.

도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전계발광 직물의 사시도이다.10 is a perspective view of an electroluminescent fabric according to an embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전계발광 직물(1000)은 직물 기판(1010), 상기 직물 기판(1010) 상의 발광소자(1020), 상기 발광소자(1020) 상의 봉지층(1030)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10, the electroluminescent fabric 1000 according to an embodiment of the present invention includes a fabric substrate 1010, a light emitting device 1020 on the fabric substrate 1010, and an encapsulation layer on the light emitting device 1020 ( 1030).

직물 기판(1010)은 발광소자(1020)의 하부에 배치되어, 상기 발광소자(1020)를 지지할 수 있다. 또한, 직물 기판(1010)은, 발광소자(1020)의 형성(즉, 성장) 및 동작이 가능하도록, 표면 거칠기가 매우 낮고 계면 특성이 우수한 기판을 제공할 수 있다.The fabric substrate 1010 may be disposed under the light emitting device 1020 to support the light emitting device 1020. In addition, the fabric substrate 1010 may provide a substrate having very low surface roughness and excellent interfacial properties so that the light emitting device 1020 can be formed (ie, grown) and operated.

직물 기판(1010)은, 직물층(1011)과 상기 직물층(1011) 상의 스트레스 버퍼층(1013)과 상기 스트레스 버퍼층(1013) 상의 평탄화층(1015)으로 구성될 수 있다. 여기서, 직물층(1011)은 스트레스 버퍼층(1013)의 하부에 배치되어, 상기 스트레스 버퍼층(1013) 및 평탄화층(1015)을 지지할 수 있다. 스트레스 버퍼층(1013)은 직물층(1011)과 평탄화층(1015) 사이에 배치되어, 상기 직물층(1011)과 평탄화층(1015)을 결착(접착)시키고, 직물층(1011)이 반복적으로 휘어짐에 따라 야기되는 변형률 및 스트레스의 발생을 최소화할 수 있다. 평탄화층(1015)은 스트레스 버퍼층(1013)의 상부에 배치되어, 직물 기판(1010)의 평활도(smoothness)를 향상시킬 수 있다.The fabric substrate 1010 may include a fabric layer 1011, a stress buffer layer 1013 on the fabric layer 1011, and a planarization layer 1015 on the stress buffer layer 1013. Here, the fabric layer 1011 may be disposed under the stress buffer layer 1013 to support the stress buffer layer 1013 and the planarization layer 1015. The stress buffer layer 1013 is disposed between the fabric layer 1011 and the planarization layer 1015, so that the fabric layer 1011 and the planarization layer 1015 are bound (adhered), and the fabric layer 1011 is repeatedly bent. Therefore, it is possible to minimize the occurrence of strain and stress caused. The planarization layer 1015 is disposed on the stress buffer layer 1013 to improve the smoothness of the fabric substrate 1010.

발광소자(1020)는 직물 기판(1020)의 상부에 형성되어, 미리 결정된 파장의 광을 방사할 수 있다. 상기 발광소자(1020)로는 LED(Light Emitting Diode) 소자, OLED(Organic Light Emitting Diode) 소자, PLED(Polymer Light Emitting Diode) 소자, 무기 EL 소자 등과 같은 다양한 종류의 박막형 발광소자들이 사용될 수 있으며 반드시 이에 제한되지는 않는다. 이 중 유기발광소자(OLED)는 수십 내지 수백 나노미터 두께의 전극과 유기물을 통해 전계 발광하는 차세대 디스플레이 소자로서, 동작 전압이 낮고 발광 효율이 높으며, 투명하고 휘어지는 특성을 구현하기 쉽다는 점에서 크게 주목 받고 있다. 따라서, 이하 본 실시 예에서는, 전계발광 직물(1000)의 발광소자(1020)로서 유기발광소자(OLED)가 사용되는 것을 예시하여 설명하도록 한다.The light emitting device 1020 is formed on the fabric substrate 1020 to emit light having a predetermined wavelength. As the light emitting device 1020, various types of thin film type light emitting devices such as an LED (Light Emitting Diode) device, an OLED (Organic Light Emitting Diode) device, a PLED (Polymer Light Emitting Diode) device, an inorganic EL device, etc. can be used. It is not limited. Among them, an organic light emitting device (OLED) is a next-generation display device that emits light through an electrode and an organic material having a thickness of several tens to hundreds of nanometers, and is large in that it has a low operating voltage, high luminous efficiency, and easy to implement transparent and warp characteristics. It is getting attention. Therefore, in the present embodiment, an organic light emitting device (OLED) is used as the light emitting device 1020 of the electroluminescent fabric 1000.

유기발광소자(1020)는, 예를 들어 상부발광(Top-emitting) 구조를 가지는 상부발광 유기발광소자로서, 전계발광 직물(1000)의 상부에 해당하는 봉지층(1030) 방향으로 광을 방출할 수 있다. 이 경우, 유기발광소자(1020)의 상부 전극을 얇게(예를 들어, 10nm 내지 50nm) 형성함으로써, 상기 상부 전극에 대응하는 봉지층(1030) 방향으로 빛이 방출되도록 할 수 있다.The organic light emitting device 1020 is, for example, an upper light emitting organic light emitting device having a top-emitting structure, and emits light in the direction of the encapsulation layer 1030 corresponding to the top of the electroluminescent fabric 1000. You can. In this case, by forming the upper electrode of the organic light emitting device 1020 thin (for example, 10 nm to 50 nm), light can be emitted in the direction of the encapsulation layer 1030 corresponding to the upper electrode.

한편, 다른 실시 예로, 유기발광소자(1020)는 하부 발광(Bottom-emitting) 구조를 가지는 하부발광 유기발광소자로서, 전계발광 직물(1000)의 하부에 해당하는 직물 기판(1010) 방향으로 광을 방출할 수 있다. 이 경우, 유기발광소자(1020)의 하부 전극을 얇게(10nm 내지 50nm) 형성함으로써, 상기 하부 전극에 대응하는 직물 기판(1010) 방향으로 빛이 방출되도록 할 수 있다.On the other hand, in another embodiment, the organic light emitting device 1020 is a bottom light emitting organic light emitting device having a bottom-emitting (Bottom-emitting) structure, the light in the direction of the fabric substrate 1010 corresponding to the lower portion of the electroluminescent fabric 1000 Can release. In this case, by forming the lower electrode of the organic light emitting device 1020 thin (10 nm to 50 nm), light can be emitted in the direction of the fabric substrate 1010 corresponding to the lower electrode.

유기발광소자(1020)는, 직물 기판(1010) 위에, 하부 전극인 양 전극층, 정공 주입층(HIL, hole injection layer), 정공 수송층(HTL, hole transfer layer), 발광층(EML, emission material layer), 전자 수송층(ETL, electron transfer layer), 전자 주입층(EIL, electron injection layer), 상부 전극인 음 전극층 및 캡핑층(Capping layer)의 순서로 형성된 역전되지 않은 구조물(Non-inverting structure)을 포함할 수 있다.The organic light emitting device 1020 includes, on the fabric substrate 1010, a positive electrode layer as a lower electrode, a hole injection layer (HIL), a hole transfer layer (HTL), and an emission material layer (EML) , Non-inverting structure formed in the order of electron transport layer (ETL, electron transfer layer), electron injection layer (EIL), negative electrode layer as upper electrode and capping layer can do.

한편, 다른 실시 예로, 상기 유기발광소자(1020)는 직물 기판(1010) 위에, 하부 전극인 음 전극층, 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(EFL), 발광층(EML), 정공 수송층(HFL), 정공 주입층(HIL), 상부 전극인 양 전극층 및 캡핑층의 순서로 형성된 역전된 구조물(Inverting structure)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층은 유기발광소자(1020)의 유기물 층을 구성할 수 있다. 상기 캡핑층은 상부 전극 위 및 아래에 각각 형성되는 유기층 및 무기층의 굴절률(refractive index, n) 값을 매칭하여 광 추출을 향상시키고 유기발광소자(1020)를 보호하는 유기물 층으로서 음 전극층 또는 양 전극층 위에 증착될 수 있다.On the other hand, in another embodiment, the organic light emitting device 1020, the fabric substrate 1010, the lower electrode as the negative electrode layer, electron injection layer (EIL), electron transport layer (EFL), light emitting layer (EML), hole transport layer (HFL) , An inverted structure formed in the order of a hole injection layer (HIL), a positive electrode layer as an upper electrode, and a capping layer. Here, the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may constitute an organic material layer of the organic light emitting device 1020. The capping layer is a negative electrode layer or a positive electrode layer as an organic material layer that improves light extraction and protects the organic light emitting device 1020 by matching the refractive index (n) values of the organic and inorganic layers formed above and below the upper electrode, respectively. It may be deposited on the electrode layer.

양 전극층(Anode) 또는 음 전극층(Cathode)은, 전도성 금속 재질인 은(Ag), 금(Au) 또는 알루미늄(Al) 등을 이용하여 열 증착 방법(thermal evaporation)에 의해 형성될 수 있다. 상기 양 전극층 또는 음 전극층의 두께는 10nm 내지 200nm일 수 있다. 상기 양 전극층 또는 음 전극층은, 은 나노선(Silver Nano wire), 단일 벽 탄소 나노튜브(SWCNT, Single walled carbon nanotube), 다층 벽 탄소 나노튜브(MWCNT, multi-wall carbon nanotube), 그래핀(graphene) 또는 폴리아닐린(polyaniline) 등과 같은 전도성 폴리머(polymer)를 포함할 수 있다.The positive electrode layer (Anode) or the negative electrode layer (Cathode) may be formed by a thermal evaporation method using silver (Ag), gold (Au), or aluminum (Al), which are conductive metal materials. The thickness of the positive electrode layer or the negative electrode layer may be 10 nm to 200 nm. The positive electrode layer or negative electrode layer is silver nanowire, single walled carbon nanotube (SWCNT), multi-wall carbon nanotube (MWCNT), graphene ) Or a conductive polymer such as polyaniline.

이러한 유기발광소자(1020)를 직물 기판(1010) 위에 구현하기 위해서, 표면의 거칠기가 예를 들어 수 내지 수십 나노미터가 될 필요가 있고, 또한 유기발광소자(1020)는 무기발광소자와 달리 수분(H2O) 또는 산소(O2)에 쉽게 소자가 오염되기 때문에 투습을 막기 위한 봉지가 필요하다.In order to implement such an organic light emitting device 1020 on the fabric substrate 1010, the surface roughness needs to be, for example, several to several tens of nanometers, and the organic light emitting device 1020 is different from inorganic light emitting devices. Since the device is easily contaminated with (H 2 O) or oxygen (O 2 ), a bag is needed to prevent moisture permeation.

봉지층(1030)은 유기발광소자(1020)의 상부에 배치되어, 상기 유기발광소자(1020)를 밀봉할 수 있다. 상기 봉지층(1030)은 산화알루미늄(Al2O3) 층, 산화마그네슘(MgO) 층, 산화알루미늄 층과 유기물 층이 교대로 적층된 다층박막 구조물, 또는 산화알루미늄 층과 산화마그네슘 층이 번갈아 가면서 적층된 다층박막 구조물일 수 있다. 상기 산화알루미늄 층과 유기물 층이 교대로 적층된 다층박막 구조물은, 유기발광소자(1020) 위에 산화알루미늄 층과 유기물 층이 순서대로 적층될 수 있다.The encapsulation layer 1030 may be disposed on the organic light emitting device 1020 to seal the organic light emitting device 1020. The encapsulation layer 1030 is an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) layer, a magnesium oxide (MgO) layer, a multilayer thin film structure in which an aluminum oxide layer and an organic material layer are alternately stacked, or an aluminum oxide layer and a magnesium oxide layer alternately It may be a stacked multilayer thin film structure. In the multilayer thin film structure in which the aluminum oxide layer and the organic material layer are alternately stacked, an aluminum oxide layer and an organic material layer may be sequentially stacked on the organic light emitting device 1020.

또한, 상기 봉지층(1030)은 다층박막봉지 층과 유기물 층이 번갈아 가면서 적층된 다층박막 구조물일 수도 있다. 여기서, 상기 다층박막봉지 층은, 산화알루미늄(Al2O3) 층, 산화마그네슘(MgO) 층, 산화아연(ZnO) 층, 이산화규소(SiO2) 층 및 이산화타이타늄(TiO2) 층 중 적어도 둘 이상이 교대로 번갈아 가며 적층되어 형성될 수 있다. Further, the encapsulation layer 1030 may be a multi-layered thin film structure in which a multi-layered thin film encapsulation layer and an organic material layer are alternately stacked. Here, the multilayer thin film encapsulation layer includes at least one of an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) layer, a magnesium oxide (MgO) layer, a zinc oxide (ZnO) layer, a silicon dioxide (SiO 2 ) layer, and a titanium dioxide (TiO 2 ) layer. Two or more may be alternately alternately stacked and formed.

유기물 층은, 예를 들어, 폴리비닐알코올, 아크릴레이트 또는 Bisphenol-F를 포함하는 자외선 경화 중합체(polymer)를 포함할 수 있다. 상기 유기물 층은 열 증착(thermal evaporation), 스핀 코팅, 바 코팅, 딥 코팅 등과 같은 다양한 방법으로 형성될 수 있다.The organic layer may include, for example, an ultraviolet curing polymer comprising polyvinyl alcohol, acrylate or Bisphenol-F. The organic material layer may be formed by various methods such as thermal evaporation, spin coating, bar coating, dip coating, and the like.

산화알루미늄 층 및 산화마그네슘 층은 ALD(Atomic Layer Deposition) 장비를 이용한 원자층 증착 방법 또는 CVD(chemical vapor deposition) 장비를 이용한 화학기상증착 방법에 의해 형성될 수 있다. 산화아연(ZnO) 층 및 이산화타이타늄(TiO2) 층은 ALD 장비를 이용한 원자층 증착 방법에 의해 형성될 수 있고, 이산화규소 층(SiO2)는 E-beam 증착기로 형성될 수 있다.The aluminum oxide layer and the magnesium oxide layer may be formed by an atomic layer deposition method using ALD (Atomic Layer Deposition) equipment or a chemical vapor deposition method using chemical vapor deposition (CVD) equipment. The zinc oxide (ZnO) layer and the titanium dioxide (TiO 2 ) layer may be formed by an atomic layer deposition method using ALD equipment, and the silicon dioxide layer (SiO 2 ) may be formed by an E-beam evaporator.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 전계발광 직물은 직물의 유연성을 유지하면서 계면 특성이 우수한 직물 기판을 구비함으로써, 착용감이 우수하고 사용자에게 이질감을 초래하지 않으며, 다양한 스마트 기기와의 연계로 무궁무진한 응용이 가능하다.As described above, the electroluminescent fabric according to the present invention is provided with a fabric substrate having excellent interfacial properties while maintaining the flexibility of the fabric, so that it is excellent in wearing comfort and does not cause heterogeneity to the user, and is endless in connection with various smart devices. One application is possible.

한편 이상에서는 본 발명의 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되지 않으며, 후술 되는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.On the other hand, the above has been described with respect to a specific embodiment of the present invention, of course, various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the described embodiments, and should be defined not only by the claims to be described later, but also by the claims and equivalents.

100/400/700: 직물 기판 110/410/710: 직물층
120/420/720: 스트레스 버퍼층 130/430/730: 평탄화층
1000: 전계발광 직물100/400/700: Fabric substrate 110/410/710: Fabric layer
120/420/720: stress buffer layer 130/430/730: planarization layer
1000: electroluminescent fabric

Claims (20)

적어도 하나의 직물로 구성되는 직물층;
상기 직물층의 상부에 배치되어, 상기 직물층이 휘어짐에 따라 야기되는 물리적 변형률(strain) 및 스트레스(stress)의 발생을 최소화하는 스트레스 버퍼층; 및
상기 스트레스 버퍼층의 상부에 배치되어, 발광소자의 동작이 가능하도록 평탄한 표면을 제공하는 평탄화층을 포함하는 직물 기판.A fabric layer composed of at least one fabric;
A stress buffer layer disposed on the fabric layer to minimize the occurrence of physical strain and stress caused by the bending of the fabric layer; And
A fabric substrate including a planarization layer disposed on the stress buffer layer to provide a flat surface to enable operation of the light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 스트레스 버퍼층은, 신축성 및 접착성을 갖는 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 직물 기판.According to claim 1,
The stress buffer layer, fabric substrate characterized in that it is formed of a material having elasticity and adhesion. 제1항에 있어서,
상기 스트레스 버퍼층은, 직물 기판의 유연성 확보를 위해, 500MPa 이하의 영률(Young’s modulus)을 갖는 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 직물 기판.According to claim 1,
The stress buffer layer, to ensure the flexibility of the fabric substrate, characterized in that the fabric substrate is formed of a material having a Young's modulus (Young's modulus) of 500MPa or less. 제1항에 있어서,
상기 스트레스 버퍼층은, 0.1㎛ 이상의 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징을 하는 직물 기판.According to claim 1,
The stress buffer layer, fabric substrate characterized in that it is formed to have a thickness of 0.1㎛ or more. 제1항에 있어서,
상기 스트레스 버퍼층은, 실온에서 경화가 가능한 실리콘 계열의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 직물 기판.According to claim 1,
The stress buffer layer, fabric substrate characterized in that it is formed of a silicon-based material that can be cured at room temperature. 제1항에 있어서,
상기 평탄화층은, 수 나노미터(㎚) 이하의 표면 거칠기와 박막 형성에 적합한 계면 특성을 갖는 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 직물 기판.According to claim 1,
The planarization layer is a fabric substrate, characterized in that it is formed of a material having a surface roughness of several nanometers (nm) or less and interface properties suitable for thin film formation. 제1항에 있어서,
상기 평탄화층은, 0.1GPa 이상의 영률을 갖는 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 직물 기판.According to claim 1,
The flattening layer is formed of a material having a Young's modulus of 0.1 GPa or more. 제1항에 있어서,
상기 평탄화층은, 30㎛ 이하의 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 직물 기판.According to claim 1,
The flattening layer is a fabric substrate, characterized in that formed to have a thickness of 30㎛ or less. 제1항에 있어서,
상기 평탄화층은, SU-8(광경화성 에폭시 수지), PEN(폴리에틸렌나프탈레이트), PI(폴리이미드), PET(폴리에틸렌 테레프타레이트), PVA(폴리비닐 알코올), 아크릴레이트, 폴리우레탄 및 폴리다이메틸실록산 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 직물 기판.According to claim 1,
The planarization layer is SU-8 (photo-curable epoxy resin), PEN (polyethylene naphthalate), PI (polyimide), PET (polyethylene terephthalate), PVA (polyvinyl alcohol), acrylate, polyurethane and poly A fabric substrate comprising at least one of dimethylsiloxane. 제1항에 있어서,
상기 스트레스 버퍼층 및 평탄화층 중 적어도 하나는, UV 경화가 가능한 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 직물 기판.According to claim 1,
At least one of the stress buffer layer and the planarization layer, fabric substrate characterized in that it is formed of a material capable of UV curing. 제1항에 있어서,
상기 스트레스 버퍼층 및 평탄화층 중 적어도 하나는, 유사 직물 패턴에 대응하는 복수의 개구들을 구비하는 것을 특징으로 하는 직물 기판.According to claim 1,
At least one of the stress buffer layer and the planarization layer, characterized in that it has a plurality of openings corresponding to the similar fabric pattern. 지지기판 상에 희생층을 적층하고, 상기 희생층 상에 평탄화층을 적층하는 단계;
상기 평탄화층 상에 스트레스 버퍼층을 적층하고, 상기 스트레스 버퍼층 상에 직물층을 배치한 후 미리 결정된 압력을 상기 직물층 방향으로 인가하는 단계; 및
상기 지지 기판과 상기 평탄화층 사이에 배치된 희생층을 제거하여, 상기 평탄화층, 스트레스 버퍼층 및 직물층이 순차적으로 적층된 직물 기판을 생성하는 단계를 포함하는 직물 기판의 제조방법.Depositing a sacrificial layer on the support substrate and depositing a planarization layer on the sacrificial layer;
Stacking a stress buffer layer on the planarization layer, placing a fabric layer on the stress buffer layer, and applying a predetermined pressure in the direction of the fabric layer; And
And removing the sacrificial layer disposed between the support substrate and the planarization layer to produce a fabric substrate in which the planarization layer, the stress buffer layer, and the fabric layer are sequentially stacked. 제12항에 있어서,
상기 지지기판의 표면에 존재하는 오염 물질을 세척하는 단계를 더 포함하는 직물 기판의 제조방법.The method of claim 12,
A method of manufacturing a textile substrate further comprising washing the contaminants present on the surface of the support substrate. 제12항에 있어서,
상기 희생층은, 용매에 잘 녹는 가용성 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 직물 기판의 제조방법.The method of claim 12,
The sacrificial layer is a method of manufacturing a fabric substrate, characterized in that formed of a soluble material that is soluble in a solvent. 제12항에 있어서, 상기 희생층을 적층하는 단계는,
미리 결정된 코딩 공정을 이용하여 상기 희생층을 적층하고, 일정 온도의 열을 미리 결정된 시간 동안 인가하여 상기 희생층을 경화시키는 것을 특징으로 하는 직물 기판의 제조방법.The method of claim 12, wherein the step of laminating the sacrificial layer,
A method of manufacturing a fabric substrate comprising laminating the sacrificial layer using a predetermined coding process and curing the sacrificial layer by applying heat at a predetermined temperature for a predetermined time. 제12항에 있어서, 상기 평탄화층을 적층하는 단계는,
미리 결정된 코팅 공정을 이용하여 상기 평탄화층을 적층하고, 일정 온도의 열을 미리 결정된 시간 동안 인가하거나 혹은 일정 파장의 자외선을 미리 결정된 시간 동안 조사하여 상기 평탄화층을 경화시키는 것을 특징으로 하는 직물 기판의 제조방법.The method of claim 12, wherein the step of laminating the planarization layer,
The flattening layer is laminated by using a predetermined coating process, and heat is applied at a predetermined temperature for a predetermined time or ultraviolet light of a predetermined wavelength is irradiated for a predetermined time to cure the flattening layer. Manufacturing method. 제12항에 있어서,
상기 스트레스 버퍼층을 실온에서 일정 시간 동안 경화시키는 단계를 더 포함하는 직물 기판의 제조방법.The method of claim 12,
The method of manufacturing a fabric substrate further comprising the step of curing the stress buffer layer at room temperature for a period of time. 제12항에 있어서, 상기 생성 단계는,
미리 결정된 용매를 인가하여 상기 희생층을 제거하는 것을 특징으로 하는 직물 기판의 제조방법.The method of claim 12, wherein the generating step,
Method of manufacturing a fabric substrate, characterized in that to remove the sacrificial layer by applying a predetermined solvent. 제12항에 있어서,
포토리소그래피 공정을 이용하여, 상기 지지기판과 상기 희생층 사이에 유사 직물 패턴의 역상 패턴을 갖는 금속 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함하는 직물 기판의 제조방법.The method of claim 12,
A method of manufacturing a fabric substrate further comprising forming a metal pattern layer having an inverse pattern of a similar fabric pattern between the support substrate and the sacrificial layer using a photolithography process. 제19항에 있어서,
상기 지지기판의 하면 방향으로 자외선(UV)을 조사하여 상기 평탄화층 및 스트레스 버퍼층의 일 부분을 경화시키는 단계; 및
현상액을 이용하여 상기 평탄화층 및 스트레스 버퍼층에서 UV 경화가 일어나지 않은 부분들을 선택적으로 식각하는 단계를 더 포함하는 직물 기판의 제조방법.The method of claim 19,
Curing a portion of the planarization layer and the stress buffer layer by irradiating ultraviolet (UV) light toward the bottom surface of the support substrate; And
A method of manufacturing a fabric substrate further comprising selectively etching portions of the planarization layer and the stress buffer layer that do not undergo UV curing using a developer.
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