KR20200037977A - 터치 센서 및 이의 제조 방법 - Google Patents

터치 센서 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR20200037977A
KR20200037977A KR1020180117458A KR20180117458A KR20200037977A KR 20200037977 A KR20200037977 A KR 20200037977A KR 1020180117458 A KR1020180117458 A KR 1020180117458A KR 20180117458 A KR20180117458 A KR 20180117458A KR 20200037977 A KR20200037977 A KR 20200037977A
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권혜림
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예들의 터치 센서는 분리층, 분리층 상에 형성된 제1 보호층, 및 제1 보호층 상에 배치되며 센싱 전극들을 포함하는 전극층을 포함한다. 제1 보호층의 탄성률 및 두께는 소정의 관계식을 만족할 수 있다. 제1 보호층의 향상된 탄성 특성을 통해 고온 본딩 공정에서의 패드의 손상을 방지할 수 있다.

Description

터치 센서 및 이의 제조 방법{TOUCH SENSOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
본 발명은 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 도전 패턴 및 절연층을 포함하는 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
터치스크린 패널은 화상 표시 장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다. 터치스크린 패널은 화상 표시 장치의 전면(front face)에 배치되어 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다. 이에 따라, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 전송될 수 있다.
터치스크린 패널은 터치센서 기재, 상기 터치센서 기재 상에 배열되는 터치 센싱 전극들을 포함할 수 있다. 또한, 상기 터치 센싱 전극들을 구동 집적회로(IC) 칩과 연결시키기 위해 연성 인쇄 회로 기판(Flexible Printed Circuit Board, 이하 FPCB)과 같은 회로 부재가 상기 터치 스크린 패널과 결합될 수 있다.
상기 FPCB를 상기 터치 센싱 전극들과 연결시키기 위해 상기 터치센서 기재 상에 배치된 본딩 패드 위에서 상기 FPCB의 가열 압착 공정이 수행될 수 있다. 이 경우, 고온에서 수행되는 상기 가열 압착 공정에 의해 상기 터치 센서 기재가 변형될 수 있으며, 이 경우 상기 본딩 패드의 크랙이 야기되며 접합 불량이 발생할 수 있다.
또한, 최근, 플렉시블 특성을 갖는 박형의 스마트 폰과 같은 화상 표시 장치에 적용되기 위해 터치 스크린 패널의 두께 역시 감소될 필요가 있으며, 이에 따라 상기 터치 센서 기재의 바람직한 특성 구현이 더욱 용이하지 않다.
예를 들면, 한국공개특허 제2014-0092366호에서와 같이 다양한 화상 표시 장치에 터치 센서가 결합된 터치 스크린 패널이 개발되고 있으나, 상술한 충분한 회로 연결 신뢰성 및 기계적 안정성의 확보 방안을 제공하지 못하고 있다.
한국 공개특허 제2014-0092366호
본 발명의 일 과제는 향상된 기계적, 전기적 신뢰성을 갖는 터치 센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 과제는 향상된 기계적, 전기적 신뢰성을 갖는 터치 센서의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 과제는 상기 터치 센서를 포함하는 윈도우 적층체 또는 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.
1. 분리층; 상기 분리층 상에 형성된 제1 보호층; 및 상기 제1 보호층 상에 배치되며 센싱 전극들을 포함하는 전극층을 포함하며, 상기 제1 보호층은 하기의 식 1을 만족하는, 터치 센서:
[식 1]
5.2×103 MPa*㎛2≤TD2≤5.2×104 MPa*㎛2
(식 1 중, T는 상기 제1 보호층의 25℃에서의 탄성률(MPa)을 나타내며, D는 상기 제1 보호층의 두께(㎛)를 나타냄).
2. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 하기 식 2로 정의되는 탄성률 변화율은 15% 이하인, 터치 센서:
[식 2]
탄성률 변화율(%)={(25℃ 탄성률-140℃ 탄성률)/(25℃ 탄성률)}×100.
3. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 25℃에서의 탄성률은 1000 내지 2500 MPa인, 터치 센서.
4. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 두께는 0.5 내지 10㎛인, 터치 센서.
5. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 인장 강도는 30 내지 60 N/mm2인, 터치 센서.
6. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층은 하기 식 3을 만족하는, 터치 센서:
[식 3]
5 N/mm2*㎛≤I/D ≤25 N/mm2*㎛
(식 3 중, I는 상기 제1 보호층의 인장 강도(N/mm2)를 나타내며, D는 상기 보호층의 두께(㎛)를 나타냄).
7. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 유리 전이 온도는 150 내지 210℃인, 터치 센서.
8. 위 1에 있어서, 상기 전극층 상에 형성된 제2 보호층을 더 포함하며, 상기 제2 보호층은 상기 식 1을 만족하는, 터치 센서.
9. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층은 경화성 수지 조성물로부터 형성된, 터치 센서.
10. 캐리어 기판 상에 분리층을 형성하는 단계; 상기 분리층 상에 하기 식 1을 만족하는 제1 보호층을 형성하는 단계; 상기 제1 보호층 상에 센싱 전극들을 포함하는 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 분리층으로부터 상기 캐리어 기판을 박리하는 단계를 포함하는, 터치 센서의 제조 방법:
[식 1]
5.2×103 MPa*㎛2≤TD2≤5.2×104 MPa*㎛2
(식 1 중, T는 상기 제1 보호층의 25℃에서의 탄성률(MPa)을 나타내며, D는 상기 제1 보호층의 두께(㎛)를 나타냄).
11. 위 10에 있어서, 상기 전극층을 형성하는 단계는 상기 센싱 전극들과 전기적으로 연결된 트레이스들, 및 상기 트레이스들의 말단들에 연결된 패드들을 형성하는 것을 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.
12. 위 11에 있어서, 상기 패드들과 연성회로기판(FPCB)을 가열 압착하는 단계를 더 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.
13. 위 12에 있어서, 상기 제1 보호층의 하기 식 2로 정의되는 탄성률 변화율은 15% 이하인, 터치 센서의 제조 방법.
[식 2]
탄성률 변화율(%)={(25℃ 탄성률-140℃ 탄성률)/(25℃ 탄성률)}×100.
14. 윈도우 기판; 및 위 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는, 윈도우 적층체.
15. 위 14에 있어서, 상기 윈도우 기판 및 상기 터치 센서 사이에 배치되는 광학층을 더 포함하는, 윈도우 적층체.
16. 디스플레이 패널; 및 상기 디스플레이 패널 상에 적층되며 위 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.
17. 청구항 16에 있어서, 상기 디스플레이 패널 및 상기 터치 센서를 서로 접합하는 점접착층을 더 포함하는, 화상 표시 장치.
본 발명의 실시예들에 따르면, 터치 센서의 전극들을 덮는 보호층이 형성되며, 상기 보호층은 고온에서 탄성률 변화가 억제되며 향상된 인장강도를 가져 연성 인쇄회로기판(FPCB)의 가열 압착 공정 시 상기 전극들 또는 패드들을 충분히 보호할 수 있다. 따라서, 상기 가열 압착 공정에 의한 패드의 크랙, 박리, 접합 불량 등을 억제할 수 있다
일부 실시예들에 있어서, 상기 보호층은 아래에는 분리층이 형성될 수 있으며, 상기 분리층이 상기 보호층과 함께 실질적으로 기재로서 제공될 수 있다. 따라서, 별도의 기판 또는 기재가 생략되어 박형의 터치 센서가 구현될 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 전극 층의 구조를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3 내지 도 6은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다,
도 7은 예시적인 실시예들에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
본 발명의 실시예들은 분리층, 보호층 및 전극층을 포함하며, 상기 보호층의 기계적 특성에 의해 전극층의 신뢰성이 향상될 수 있는 터치 센서 및 이의 제조 방법을 제공한다. 또한, 상기 터치 센서를 포함하는 윈도우 적층체 또는 화상 표시 장치가 제공된다.
이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예들을 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 터치 센서는 분리층(100)의 상면으로부터 순차적으로 적층된 제1 보호층(110), 전극 층(120) 및 제2 보호층(130)을 포함할 수 있다.
분리층(100)은 고분자 유기막을 포함할 수 있으며, 비제한적인 예로서 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스티렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자 등의 고분자 재질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 조합되어 사용할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 분리층(100)은 글래스 기판과 같은 캐리어 기판(50)(도 3 참조) 상에 형성되며, 상기 터치 센서 형성 후, 상기 캐리어 기판으로부터의 박리 공정을 촉진하기 위해 형성될 수 있다.
제1 보호층(110)은 분리층(100)의 상면 상에 형성될 수 있다. 제1 보호층(110)은 전극층(120) 형성을 위한 지지층으로 제공되며, 전극 층(120)에 포함된 전극 패턴들에 대한 보호층으로 기능할 수 있다.
제1 보호층(110)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제1 보호층(110)이 무기 절연 물질을 포함하는 경우 예를 들면 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다.
제1 보호층(110)이 유기 절연 물질을 포함하는 경우 예를 들면, 경화성 수지 조성물을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 경화성 수지 조성물은 경화성 수지 및 용제를 포함할 수 있다.
상기 경화성 수지는 예를 들면, 에폭시계 수지 환상 올레핀계 중합체(COP), 스타이렌계 수지, 염화비닐계 수지, 아크릴계 수지, 폴리페닐렌에터르 수지, 폴리아릴렌설파이드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스터 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리에터설폰 수지, 폴리설폰 수지, 폴리이미드 수지, 고무, 엘라스토머 등을 포함할 수 있다.
상기 용제는 알코올계(메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 프로필렌글리콜 메톡시 알코올 등), 케톤계(메틸에틸케톤, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디에틸케톤, 디프로필케톤 등), 아세테이트계(메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 프로필렌글리콜 메톡시 아세테이트 등), 셀로솔브계(메틸 셀로솔브, 에틸 셀로솔브, 프로필 셀로솔브 등), 탄화수소계(노말 헥산, 노말 헵탄, 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등) 등의 용매들이 사용될 수 있으며, 이들은 단독으로 혹은 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
상기 경화성 수지 조성물은 경화제를 더 포함할 수 있다. 상기 경화제는 예를 들면, 아미노기, 카복실기, 하이드록실기, 에폭시기, 아이소사이아네이트기 등과 같이 상기 경화성 수지와 가교 반응을 할 수 있는 화합물을 포함할 수 있다.
상기 경화성 수지 조성물은 무기 입자(예를 들면, 실리케이트, 지르코니아, 알루미나, 티타니아 등), 증감제, 계면 활성제, 소포제 등과 같은 첨가제들을 더 포함할 수도 있다.
전극층(120)은 터치 센싱을 위한 센싱 전극들, 트레이스들 및 패드들과 같은 전극 패턴들을 포함할 수 있다. 전극층(120)의 구성 및/또는 구조에 대해서는 도 2를 참조로 보다 상세히 설명한다.
제2 보호층(130)은 제1 보호층(110)과 함께 전극층(120)에 포함된 상기 전극 패턴들을 피복 또는 패시베이션할 수 있다. 제2 보호층(130)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 보호층(130)은 제1 보호층(110)과 실질적으로 동일하거나 유사한 절연 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 보호층(110)은 하기의 식 1로 표시되는 탄성률(예를 들면, 인장 탄성률)(T: MPa) 및 두께(D: ㎛)의 관계를 만족할 수 있다.
[식 1]
5.2×103 MPa*㎛2≤TD2≤5.2×104 MPa*㎛2
상기 식 1 범위 내에서 제1 보호층(110)의 고온에서의 탄성률 변화가 억제되어 고온 혹은 가열 공정에서 제1 보호층(110)이 전극층(130)의 상기 전극 패턴들에 대한 기재로서 실질적으로 제공되며, 바람직한 탄성 특성을 유지할 수 있다.
제1 보호층(110)의 TD2 값이 약 5.2×103 MPa*㎛2 미만인 경우 고온 공정에서 쉽게 손상 또는 변형되어 예를 들면, 연성 인쇄회로기판(FPCB)의 접합 공정 시 패드 및 제1 보호층(120)이 손상 되거나 파손될 수 있다.
제1 보호층(110)의 TD2 값이 약 5.2×104 MPa*㎛2을 초과하는 경우, 오히려 제1 보호층(110)을 통한 탄성 제공이 약화되어 FPCB의 가압 시 충격이 확산 또는 흡수되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 가압에 의한 패드의 크랙, 파손이 초래될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(110)의 탄성률은 25℃에서의 탄성률은 약 1000 내지 2500 MPa 범위일 수 있다. 제1 보호층(110)의 두께는 약 0.5 내지 10㎛일 수 있다. 상기 탄성률 및 두께의 범위 내에서, 상기 범위 내에서 가압 공정에서의 충격을 흡수하면서 전극 패턴에 대한 적절한 지지 강성을 보다 효과적으로 유지할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 보호층(110)의 25℃에서의 탄성률 대비 140℃에서의 탄성률의 변화율은 약 15% 이하이며, 바람직하게는 약 10%이하 수 있다. 상기 탄성률 변화율은 하기 식 2로 정의될 수 있다.
[식 2]
탄성률 변화율(%)={(25℃ 탄성률-140℃ 탄성률)/(25℃ 탄성률)}×100
이에 따라, 고온, 가열 공정에서도 제1 보호층(110)의 탄성 특성이 유지되어 상기 전극 패턴이 보다 안정적으로 지지 및 보호될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(110)의 유리 전이 온도(Tg)는 약 150℃ 이상일 수 있다. 이 경우, 상술한 고온에서의 탄성률 변화 억제 효과가 보다 용이하게 확보될 수 있다. 바람직하게는, 제1 보호층(110)의 유리 전이 온도(Tg)는 약 150 내지 210℃ 범위일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(110)의 인장 강도는 약 30 내지 60 N/mm2 범위일 수 있다. 상기 범위 내에서 가압 공정에서의 내성 및 지지력이 확보될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(110)은 하기의 식 2로 표시되는 인장강도(I: N/mm2) 및 두께(D: ㎛)의 관계를 만족할 수 있다.
[식 3]
5 N/mm2*㎛≤I/D ≤25 N/mm2*㎛
상기 식 3으로 나타난 I/D를 범위를 만족하는 경우 고온 가열 공정에서도 탄성율의 변화가 억제되면서 제1 보호층(110)을 통한 공정 안정성이 더욱 향상될 수 있다
예시적인 실시예들에 따르면, 제2 보호층(130) 역시 상술한 제1 보호층(110)과 실질적으로 동일하거나 유사한 탄성률, 두께 및 인장 강도 수치 및 특성을 만족할 수 있다. 이 경우, 전극층(120)의 상부 및 하부에서 향상된 패시베이션 효과가 제공됨에 따라 전극층(120)에 포함된 전극 패턴들이 전체적으로 크랙, 박리와 같은 기계적 손상으로부터 보호될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 분리층(100)의 저면 및 제2 보호층(130)의 상면 상에는 각각 제1 보호 필름(150) 및 제2 보호 필름(155)이 형성될 수 있다. 제1 및 제2 보호 필름들(150)은 예를 들면, 이형 필름을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 보호 필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등과 같은 수지 재질을 포함할 수 있다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 전극 층의 구조를 설명하기 위한 평면도이다. 예를 들면, 도 2는 상호 정전 용량(Mutual Capacitance) 타입의 터치 센서의 전극 층 구조를 도시하고 있다.
도 2를 참조하면, 상기 터치 센서는 예를 들면, 제1 보호층(110) 상에 배치된 센싱 전극들(210, 230), 트레이스들(217, 237) 및 패드들(250)을 포함할 수 있다.
센싱 전극들(210, 230)은 제1 센싱 전극들(210) 및 제2 센싱 전극들(230)을 포함할 수 있다.
제1 센싱 전극들(210)은 예를 들면, 열 방향 또는 Y축 방향을 따라 배열될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 센싱 전극들(210)은 각각 섬(island) 타입의 단위 전극들로 물리적으로 이격될 수 있다. 이 경우, 상기 열 방향으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(210)은 브릿지 전극(215)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
이에 따라, 복수의 제1 센싱 전극들(210)에 의해 상기 열 방향으로 연장하는 제1 센싱 전극 열이 형성될 수 있다. 또한, 복수의 상기 제1 센싱 전극 열들이 행 방향(또는 X축 방향)을 따라 배열될 수 있다.
제2 센싱 전극들(230)은 예를 들면, 행 방향(예를 들면, X 방향)을 따라 배열될 수 있다. 이에 따라, 제2 센싱 전극들(230)에 의해 상기 행 방향으로 연장하는 제2 센싱 전극 행이 형성될 수 있다. 또한, 복수의 상기 제2 센싱 전극 행들이 상기 열 방향을 따라 배열될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 방향으로 이웃하는 제2 센싱 전극들(230)은 연결부(235)에 의해 서로 물리적 또는 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 연결부(235)는 제2 센싱 전극들(230)과 동일 레벨에서 일체로 형성되며, 제2 센싱 전극들(230)과 실질적으로 단일 부재로서 제공될 수 있다.
예를 들면, 연결부(235)를 적어도 부분적으로 덮는 절연층 (도시되지 않음)이 형성되고, 상기 절연층 상에 브릿지 전극(215)이 형성되어 이웃하는 제1 센싱 전극들(210)이 제2 센싱 전극들(230)과 절연이 유지되면서 브릿지 전극(215)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 센싱 전극들(210)이 연결부에 의해 상기 제1 방향을 따라 일체로 연결되며, 제2 센싱 전극들(230)이 브릿지 전극을 통해 서로 전기적으로 연결될 수도 있다.
센싱 전극들(210, 230) 및/또는 브릿지 전극(215)은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 주석(Sn) 또는 이들의 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC))을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
센싱 전극들(210, 230) 및/또는 브릿지 전극(215)은 예를 들면, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO) 등과 같은 투명 도전성 산화물을 포함할 수도 있다.
예를 들면, 제1 보호층(110)의 중앙 영역에 활성 영역(A)이 정의되며, 센싱 전극들(210, 230)은 활성 영역(A) 상에 정의될 수 있다. 활성 영역(A)은 사용자의 터치가 감지되는 실질적인 센싱 영역일 수 있다.
활성 영역(A)의 주변 영역은 트레이스 영역으로 제공될 수 있다. 상기 트레이스 영역은 예를 들면, 화상 표시 장치의 베젤부와 중첩될 수 있다. 트레이스들(217, 237)은 제1 트레이스들(217) 및 제2 트레이스들(237)을 포함할 수 있다.
예를 들면, 제1 트레이스들(217)은 상기 제1 센싱 전극 열들 각각으로부터 분기되어 연장될 수 있다. 제2 트레이스들(237)은 상기 제2 센싱 전극 행들 각각으로부터 분기되어 연장될 수 있다.
트레이스들(217, 237)은 제1 보호층(110)의 일단부를 향해 연장되며, 본딩 영역(B)에서 집합될 수 있다. 본딩 영역(B) 내에서 트레이스들(217, 237) 각각은 패드들(250)과 연결될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 패드(250)는 각 트레이스(217, 237)의 말단부와 일체로 연결된 단자부일 수 있다.
본딩 영역(B)은 패드들(250)을 통해 센싱 전극들(210, 230)과 구동 집적회로(IC)를 전기적으로 연결시키기 위한 접합 영역으로 제공될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, FPCB과 같은 회로 연결 구조물이 본딩 영역(B)에서 패드(250)와 접합될 수 있다.
이에 따라, 상기 터치 센서에 입력되는 물리적 터치 정보가 제1 센싱 전극(210) 및 제2 센싱 전극(230)을 통해 정전 용량 차이에 의한 전기적 신호로 변환되며, 상기 전기적 신호가 패드(250)를 통해 예를 들면, 상기 구동 IC에 전달되어 터치 센싱이 구현될 수 있다.
상술한 바와 같이, FPCB는 본딩 영역(B)을 통해 패드(250)와 접합될 수 있다. 예를 들면, 이방성 도전 필름(ACF)와 같은 중개 구조를 패드(250) 및 FPCB 사이에 삽입한 후 고온 압착 공정을 수행할 수 있다. 이 경우, 압력에 의해 패드(250)가 손상될 수 있으며, 실질적으로 기재층으로 제공되는 제1 보호층(110)이 함께 손상 변형될 수 있다.
그러나, 상술한 바와 같이 제1 보호층(110)은 고온에서의 탄성률 변화가 억제되도록, 탄성률, 두께 및/또는 인장 강도 특성을 가지므로 향상된 충격 흡수 및 고온 신뢰성을 제공할 수 있다. 따라서, 패드(250)의 크랙, 박리 등과 같은 손상을 감소 또는 방지하여 터치 센싱 신뢰성, 감도를 증진할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 도 1을 참조로 설명한 바와 같이, 전극층(120) 상에는 제2 보호층(130)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 FPCB와의 본딩 공정 수행을 위해 제2 보호층(130)의 일부분을 제거하여 패드들(250)을 노출시킬 수 있다. 상기 FPCB는 제2 보호층(130)의 상면과 부분적으로 중첩되면서 가압 공정이 수행될 수 있다.
이 경우, 제2 보호층(130) 역시 제1 보호층(110)과 실질적으로 동일하거나 유사한 탄성, 두께 및/또는 인장강도 특성을 가지므로 향상된 충격 흡수 및 고온 안정성을 통해 패드들(250)을 보호할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 전극층(120)에 포함된 센싱 전극들은 각각 독립된 센싱 도메인으로 제공되어 자기 정전용량(Self Capacitance) 방식으로 구동될 수 있다. 이 경우, 각 센싱 전극으로부터 트레이스가 연장되어 각각 패드와 연결될 수 있다.
도 3 내지 도 6은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 1 및 도 2를 참조로 설명한 재질에 대한 상세한 설명은 생략된다.
도 3을 참조하면, 캐리어 기판(50) 상에 순차적으로 분리층(100) 및 제1 보호층(110)을 형성할 수 있다.
캐리어 기판(50)으로서 예를 들면, 유리 기판을 사용할 수 있다. 분리층(100)은 상술한 고분자 물질을 사용하여 슬릿 코팅, 나이프 코팅, 스핀 코팅, 캐스팅, 마이크로 그라비아 코팅, 그라비아 코팅, 바 코팅, 롤 코팅, 와이어 바 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄, 오프셋 인쇄, 잉크젯 코팅, 디스펜서 인쇄, 노즐 코팅, 모세관 코팅 등과 같은 코팅 및/또는 프린팅 공정을 통해 형성될 수 있다.
제1 보호층(110)은 상술한 경화성 수지 조성물을 분리층(100) 상에 도포한 후, 예를 들면 베이킹 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 경화성 수지 조성물에 포함된 경화성 수지 및 가교제의 종류 및 함량, 베이킹 온도 및 시간 등의 조절을 통해 제1 보호층(110) 탄성률 및 인장 강도가 조절될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 보호층(110)은 상술한 TD2 값 범위를 만족하도록 형성될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(110)은 실리콘 산화물 등과 같은 무기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 보호층(110)은 화학 기상 증착(CVD), 진공 증착 등과 같은 증착 공정을 통해 형성될 수도 있다.
도 4를 참조하면, 제1 보호층(110) 상에 전극층(120)을 형성하고, 전극층(120) 상에 제2 보호층(130)을 형성할 수 있다.
예를 들면, 제1 보호층(110) 상에 금속 및/또는 투명 도전성 산화물을 포함하는 도전막을 형성할 수 있다. 상기 도전막은 예를 들면, 스퍼터링 공정과 같은 물리 기상 증착 공정, 화학 기상 증착, 플라즈마 증착, 열 증착법, 열 산화, 양극 산화, 클러스터 이온빔 증착 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
이 후, 상기 도전막을 식각하여 도 2에 도시된 바와 같이 센싱 전극들(210, 230), 트레이스들(217, 237) 및 패드들(250)을 포함하는 전극층(120)을 형성할 수 있다.
제2 보호층(130)은 예를 들면, 제1 보호층(110)과 실질적으로 동일하거나 유사한 유사한 재질 및 공정을 통해 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 보호층(130) 역시 상술한 TD2 값을 만족하도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 보호층(130)은 FPCB 접합 공정을 위해 패드들(250)은 노출되도록 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 제2 보호층(130) 상에 제2 보호필름(155)을 형성하고, 캐리어 기판(50)을 분리층(100)으로부터 박리시킬 수 있다.
이에 따라, 분리층(100) 및 제1 보호층(120)의 적층 구조가 실질적으로 전극층(120) 또는 터치 센서의 기재로서 제공되며, 별도의 기판은 생략될 수 있다. 따라서, 실질적으로 무기재(substrate-less) 타입의 박형 터치 센서 또는 필름 터치 센서가 제공될 수 있다.
도 6을 참조하면, 분리층(100)의 저면 상에 제1 보호 필름(150)을 부착시킬 수 있다.
제1 및 제2 보호 필름(150, 155)은 이형 필름으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 상기 터치 센서를 화상 표시 장치에 적용 시 제1 및 제2 보호 필름(150, 155)은 제거될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제2 보호 필름(155) 제거 후 제2 보호층(130) 상에 패드들(250)과 FPCB를 서로 접합하기 위한 본딩 공정이 더 수행될 수 있다. 상기 본딩 공정 시, 제1 및 제2 보호층들(110, 130)의 향상된 탄성 특성에 의해 패드들(250)의 크랙, 박리와 같은 기계적 손상이 억제될 수 있다.
도 7은 예시적인 실시예들에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 7을 참조하면, 윈도우 적층체(350)는 상술한 터치 센서(300) 및 윈도우 기판(330)을 포함할 수 있다.
윈도우 기판(330)은 예를 들면 하드 코팅 필름을 포함하며, 일 실시예에 있어서, 윈도우 기판(330)의 일면의 주변부 상에 차광 패턴(335)이 형성될 수 있다. 차광 패턴(335)은 예를 들면 컬러 인쇄 패턴을 포함할 수 있으며, 단층 또는 복층 구조를 가질 수 있다. 차광 패턴(335)에 의해 화상 표시 장치의 베젤 영역 혹은 비표시 영역이 정의될 수 있다.
예를 들면, 차광 패턴(335)에 의해 정의되는 상기 베젤 영역에는 터치 센서(300)에 포함된 트레이스들 및 패드들이 배치되며, 제1 및 제2 보호층들(110, 130)에 의해 보호 및 지지될 수 있다.
윈도우 적층체(350)는 광학층(310)을 더 포함할 수 있다. 광학층(310)은 화상 표시 장치에 포함되는 다양한 광학 필름 또는 광학 구조물을 포함할 수 있으며, 일부 실시예들에 있어서 코팅형 편광자 또는 편광판을 포함할 수 있다. 상기 코팅형 편광자는 중합성 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함하는 액정 코팅층을 포함할 수 있다. 이 경우, 광학층(310)은 상기 액정 코팅층에 배향성을 부여하기 위한 배향막을 더 포함할 수 있다
예를 들면, 상기 편광판은 폴리비닐알코올계 편광자 및 상기 폴리비닐알코올계 편광자의 적어도 일면에 부착된 보호필름을 포함할 수 있다.
광학층(310)은 윈도우 기판(330)의 상기 일면과 직접 접합되거나, 제2 점접착층(320)을 통해 부착될 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 광학층 (310)은 제1 점접착층(325)을 통해 터치 센서(300)와 결합될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(330), 광학층(310) 및 터치 센서 모듈(300) 순으로 배치될 수 있다. 이 경우, 터치 센서 모듈(300)의 센싱 전극들이 편광자 또는 편광판을 포함하는 광학층(310) 아래에 배치되므로 전극 시인 현상을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치는 디스플레이 패널(460) 및 디스플레이 패널(460) 상에 적층된 윈도우 적층체(350)을 포함할 수 있다.
디스플레이 패널(460)은 패널 기판(400) 상에 배치된 화소 전극(410), 화소 정의막(420), 표시층(430), 대향 전극(440) 및 인캡슐레이션 층(450)을 포함할 수 있다.
패널 기판(400)은 글래스 혹은 유연성 수지 물질을 포함할 수 있으며, 상기 유연성 수지 물질을 포함하는 경우 상기 화상 표시 장치는 플렉시블 디스플레이로 제공될 수 있다.
패널 기판(400) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소 회로가 형성되며, 상기 화소 회로를 덮는 절연막이 형성될 수 있다. 화소 전극(410)은 상기 절연막 상에서 예를 들면 TFT의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
화소 정의막(420)은 상기 절연막 상에 형성되어 화소 전극(410)을 노출시켜 화소 영역을 정의할 수 있다. 화소 전극(410) 상에는 표시층(430)이 형성되며, 표시 층(430)은 예를 들면, 액정 표시(LCD) 장치의 액정층 또는 유기 발광 다이오드(OLED) 장치의 유기 발광층을 포함할 수 있다.
화소 정의막(420) 및 표시층(430) 상에는 대향 전극(440)이 배치될 수 있다. 대향 전극(440)은 예를 들면, 화상 표시 장치의 공통 전극 또는 캐소드(cathode)로 제공될 수 있다. 대향 전극(440) 상에 디스플레이 패널(460) 보호를 위한 인캡슐레이션 층(450)이 적층될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 디스플레이 패널(460) 및 윈도우 적층체(350)는 점접착층(360)을 통해 결합될 수도 있다. 예를 들면, 점접착층(360)의 두께는 제1 및 제2 점접착층(320, 325) 각각의 두께보다 클 수 있으며, -20 내지 80℃에서의 점탄성이 약 0.2MPa 이하일 수 있다. 이 경우, 디스플레이 패널(460)로부터의 노이즈를 차페할 수 있고, 굴곡 시에 계면 응력을 완화하여 윈도우 적층체(350)의 손상을 억제할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 점탄성은 약 0.01 내지 0.15MPa일 수 있다.
이하, 구체적인 실험예들을 통해, 본 발명의 터치 센서 적층체의 특성에 대해 보다 상세히 설명한다. 하기의 실험예에 포함된 실시예들은 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예 및 비교예
두께 700㎛의 소다 라임 글래스(Soda lime Glass)를 캐리어 기판으로 사용하고, 상기 캐리어 기판 상에 멜라민계 수지, 신나메이트계 수지, 프로필렌글리콜 모노메틸에터아세테이트를 포함하는 분리층 조성물을 도포하여 100~130℃에서 2분간 프리베이크하고, 150~180℃에서 5분간 포스트베이크 처리하여 분리층(두께: 300nm)을 형성하였다.
상기 분리층 상에 에폭시 수지 30중량부, COP 수지 20중량부, 경화제로서 EPHE-3150CE(Dicel사 제조) 1 중량부, 용매로 디에티렌 글리콜 메틸에틸 에테르를 잔량으로 포함하는 경화성 수지 조성물을 도포하였다. 이후, 도포된 막에 대해 컨벡션 오븐으로 110℃로 2분간 프리베이크하였다. 이후, 230℃로 30분간 포스트 베이크를 진행하여 3㎛ 두께의 보호층을 형성하였다.
상기 보호층의 25℃ 및 140℃의 인장 탄성률을 각각 측정하여 140℃에서의 탄성률 변화율을 계산하였다. 구체적으로, 인장 탄성률은 Shimazdu사의 AG-X장비를 사용하여 ASTM D638의 방법에 준하여 측정하였다. 보호층의 인장 강도는 Shimazdu사의 AG-X장비를 사용하여 ASTM D638의 방법에 준하여 측정하였다.
이후, 상기 보호층 상에 ITO를 상온 25℃ 조건에서 45nm 두께로 증착한 후, ITO층을 230℃에서 30분 동안 어닐링하여 본딩 패드를 형성하여 실시예 1에 따른 터치 센서 샘플을 제조하였다.
실시예 2
보호층의 두께를 2㎛로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 통해 터치 센서 샘플을 제조하였다.
실시예 3
경화성 수지 조성물 중 에폭시 수지 20중량부, COP수지 20 중량부를 사용하고, 보호층의 두께를 6㎛로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 통해 터치 센서 샘플을 제조하였다.
비교예 1
경화성 수지로서 에폭시 수지 20중량부, COP 수지 20중량부를 사용하고 보호층의 두께를 1㎛로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 통해 터치 센서 샘플을 제조하였다.
비교예 2
경화성 수지로서 에폭시 수지 25중량부, COP 수지 10중량부를 사용하고 보호층의 두께를 2㎛로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 통해 터치 센서 샘플을 제조하였다.
비교예 3
경화성 수지로서 에폭시 수지 20중량부, COP 수지 20중량부를 사용하고 보호층의 두께를 2㎛로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 통해 터치 센서 샘플을 제조하였다.
비교예 4
경화성 수지로서 에폭시 수지 25중량부, COP 수지 10중량부를 사용하고 보호층의 두께를 9㎛로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 통해 터치 센서 샘플을 제조하였다.
본딩 패드 크랙 평가
실시예 및 비교예들의 터치 센서 샘플의 본딩 패드 상에 FPCB를 이용하여 140℃에서 1MPa의 압력으로 10초간 가압 공정을 수행하였다. 가압 공정 이후, 본딩 패드 상에 크랙이 미관찰되는 경우 "○", 크랙이 관찰되는 경우 "×"로 평가하였다.
평가 결과는 표 1에 기재하였다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
보호층
두께(D: ㎛)		 3 2 6 1 2 2 9
보호층
탄성률
(T: MPa)		 25oC 1452 1452 1100 1100 1220 1100 1220
140oC 1363 1363 1020 26 520 26 520
탄성률 변화율(%) 6.1 6.1 7.2 97.6 57.4 97.6 57.4
TD2(MPa*㎛2) 1.3×104 5.8×103 3.9×104 1.1×103 4.8×103 4.4×103 9.8×104
보호층 인장강도
(I: N/mm2)		 50 40 45 90 10 150 50
I/D(N/mm2*㎛) 16.6 20 7.5 90 5 75 5.5
보호층 Tg(oC) 201 201 178 130 75 70 125
크랙 발생 ○ ○ ○ × × × ×
표 1을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 TD2 수치를 만족하는 보호층이 형성된 실시예들의 경우, 탄성률 변화율이 10% 미만으로 억제되며, 고온 본딩 공정에서도 패드 크랙이 실질적으로 발생하지 않았다.
100: 분리층 110: 제1 보호층
120: 전극층 130: 제2 보호층
150: 제1 보호 필름 155: 제2 보호 필름
210: 제1 센싱 전극 215: 브릿지 전극
217: 제1 트레이스 230: 제2 센싱 전극
237: 제2 트레이스 250: 패드

Claims (17)

  1. 분리층;
    상기 분리층 상에 형성된 제1 보호층; 및
    상기 제1 보호층 상에 배치되며 센싱 전극들을 포함하는 전극층을 포함하며, 상기 제1 보호층은 하기의 식 1을 만족하는, 터치 센서:
    [식 1]
    5.2×103 MPa*㎛2≤TD2≤5.2×104 MPa*㎛2
    (식 1 중, T는 상기 제1 보호층의 25℃에서의 탄성률(MPa)을 나타내며, D는 상기 제1 보호층의 두께(㎛)를 나타냄).
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 하기 식 2로 정의되는 탄성률 변화율은 15% 이하인, 터치 센서:
    [식 2]
    탄성률 변화율(%)={(25℃ 탄성률-140℃ 탄성률)/(25℃ 탄성률)}×100.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 25℃에서의 탄성률은 1000 내지 2500 MPa인, 터치 센서.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 두께는 0.5 내지 10㎛인, 터치 센서.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 인장 강도는 30 내지 60 N/mm2인, 터치 센서.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층은 하기 식 3을 만족하는, 터치 센서:
    [식 3]
    5 N/mm2*㎛≤I/D ≤25 N/mm2*㎛
    (식 3 중, I는 상기 제1 보호층의 인장 강도(N/mm2)를 나타내며, D는 상기 보호층의 두께(㎛)를 나타냄).
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 유리 전이 온도는 150 내지 210℃인, 터치 센서.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 전극층 상에 형성된 제2 보호층을 더 포함하며, 상기 제2 보호층은 상기 식 1을 만족하는, 터치 센서.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층은 경화성 수지 조성물로부터 형성된, 터치 센서.
  10. 캐리어 기판 상에 분리층을 형성하는 단계;
    상기 분리층 상에 하기 식 1을 만족하는 제1 보호층을 형성하는 단계;
    상기 제1 보호층 상에 센싱 전극들을 포함하는 전극층을 형성하는 단계; 및
    상기 분리층으로부터 상기 캐리어 기판을 박리하는 단계를 포함하는, 터치 센서의 제조 방법:
    [식 1]
    5.2×103 MPa*㎛2≤TD2≤5.2×104 MPa*㎛2
    (식 1 중, T는 상기 제1 보호층의 25℃에서의 탄성률(MPa)을 나타내며, D는 상기 제1 보호층의 두께(㎛)를 나타냄).
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 전극층을 형성하는 단계는 상기 센싱 전극들과 전기적으로 연결된 트레이스들, 및 상기 트레이스들의 말단들에 연결된 패드들을 형성하는 것을 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 패드들과 연성회로기판(FPCB)을 가열 압착하는 단계를 더 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 제1 보호층의 하기 식 2로 정의되는 탄성률 변화율은 15% 이하인, 터치 센서의 제조 방법.
    [식 2]
    탄성률 변화율(%)={(25℃ 탄성률-140℃ 탄성률)/(25℃ 탄성률)}×100.
  14. 윈도우 기판; 및
    청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는, 윈도우 적층체.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 윈도우 기판 및 상기 터치 센서 사이에 배치되는 광학층을 더 포함하는, 윈도우 적층체.
  16. 디스플레이 패널; 및
    상기 디스플레이 패널 상에 적층되며 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 디스플레이 패널 및 상기 터치 센서를 서로 접합하는 점접착층을 더 포함하는, 화상 표시 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20140092366A (ko) 2011-10-25 2014-07-23 유니-픽셀 디스플레이스, 인코포레이티드 편광판 저항막 방식 터치 스크린

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140092366A (ko) 2011-10-25 2014-07-23 유니-픽셀 디스플레이스, 인코포레이티드 편광판 저항막 방식 터치 스크린

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