KR20200034597A - Processing method of a wafer - Google Patents

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미노루 스즈키
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

If a wafer having a die attach layer stacked on a back surface is divided, street reduction and processing time reduction are achieved and the die attach layer is also efficiently divided. The present invention includes: a step of interposing a mask (J1) having an opening along an estimated division line (S) to perform plasma etching on a wafer (W) and dividing the wafer (W) to form chips (C); a step of stacking a die attach layer (T2) on a back surface of the wafer (Wb) to interpose the die attach layer (T2) to attach the wafer (W) to an expand sheet (T1) before and after performing the wafer dividing step; a solvent supplying step of providing solvent for deteriorating the die attach layer (T2) between the chips (C) adjacent to a wafer surface (Wa) side after performing the wafer dividing step and the sheet attaching step and deteriorating the die attach layer (T2) exposed between the chips (C); and a step of extending the expand sheet (T1) to break the die attach layer (T2) along an etching groove (M) after performing the solvent supplying step.

Description

웨이퍼의 가공 방법{PROCESSING METHOD OF A WAFER}Wafer processing method {PROCESSING METHOD OF A WAFER}

본 발명은, 이면에 다이 어태치층을 적층한 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for processing a wafer in which a die attach layer is laminated on the back surface.

표면에 스트리트 (분할 예정 라인) 로서 설정되는 폭을 축소하여 (스트리트 리덕션하여) 웨이퍼마다의 칩의 수를 늘리기 위해, 및 가공 시간을 단축하기 위해, 플라즈마 에칭을 이용하여 피가공물인 웨이퍼를 분할하는 이른바 플라즈마 다이싱 (예를 들어, 특허문헌 1 참조) 이 종래부터 이용되고 있다.In order to increase the number of chips per wafer by reducing the width set as a street (line to be divided) on the surface (by street reduction), and to shorten the processing time, plasma etching is used to divide the wafer to be processed. So-called plasma dicing (for example, see Patent Document 1) has been conventionally used.

또, 반도체 웨이퍼를 분할하여 형성된 반도체 칩을 실장 기판에 실장하기 위해, 미리 반도체 웨이퍼의 이면에 DAF (Die Attach Film) 로 불리는 다이 본드용의 접착 필름을 첩착 (貼着) 해 두고, 분할 후의 칩의 이면의 접착 필름을 개재하여 칩을 실장 기판에 접착하는 기술이 있다 (예를 들어, 특허문헌 2 참조). 이 기술은, 웨이퍼의 분할 전에 웨이퍼에 DAF 를 첩착하기 때문에, 일괄로 칩의 이면에 DAF 를 배치 형성할 수 있어 효율이 좋다.Further, in order to mount a semiconductor chip formed by dividing a semiconductor wafer on a mounting substrate, an adhesive film for die bond called DAF (Die Attach Film) is previously attached to the back surface of the semiconductor wafer, and the chip after division There is a technique of adhering a chip to a mounting substrate via an adhesive film on the back side of (for example, see Patent Document 2). Since this technique attaches DAF to the wafer before dividing the wafer, DAF can be batch-formed on the back of the chip in a batch, and efficiency is high.

일본 공개특허공보 2016-207737호Japanese Patent Application Publication No. 2016-207737 일본 공개특허공보 2000-182995호Japanese Patent Application Publication No. 2000-182995 일본 특허공보 4090492호Japanese Patent Publication 4090492 일본 공개특허공보 2010-206136호Japanese Patent Application Publication No. 2010-206136

플라즈마 에칭에 있어서는, 웨이퍼의 수직인 딥 디깅을 고속이면서 또한 원하는 애스펙트비로 실현하기에 적합한 이른바 보슈법 (예를 들어, 특허문헌 3 참조) 이 널리 채용되고 있지만, 보슈법에서 사용되는 에칭 가스로는 DAF 가 에칭되기 어렵거나 또는 되지 않는다는 문제가 있다.In plasma etching, a so-called Bosch method (see, for example, Patent Document 3) suitable for realizing a high-speed and desired aspect ratio of vertical digging of a wafer is widely adopted, but DAF is used as an etching gas used in the Bosch method. There is a problem that is difficult or not to be etched.

또, DAF 를 익스팬드로 파단하는 장치 (예를 들어, 특허문헌 4 참조) 가 제안되어 있지만, 칩 사이즈가 예를 들어 수 밀리 이하로 작아지면, 익스팬드로는 분할이 어렵다는 문제가 있다.Moreover, although an apparatus for breaking the DAF into an expand (for example, see Patent Document 4) has been proposed, if the chip size becomes small, for example, several millimeters or less, there is a problem that it is difficult to divide into an expand.

DAF 를 레이저 가공 장치로 분단하는 것도 생각되지만, 칩 사이즈가 작은 웨이퍼에서는 레이저 가공해야 할 라인이 많고 가공 시간이 걸려 효율이 나쁘다는 문제가 있다.Although it is conceivable to divide the DAF with a laser processing device, there is a problem in that a wafer having a small chip size has many lines to be laser processed and processing time is poor.

따라서, 이면에 다이 어태치층 (DAF) 을 적층한 웨이퍼를 분할하는 경우에는, 스트리트 리덕션과 가공 시간의 단축을 달성함과 함께 다이 어태치층을 효율적으로 분단할 수 있도록 한다는 과제가 있다.Therefore, in the case of dividing a wafer in which a die attach layer (DAF) is stacked on the back surface, there is a problem that the die attach layer can be efficiently divided while achieving reduction in street reduction and processing time.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 교차하는 복수의 분할 예정 라인이 표면에 설정된 웨이퍼의 가공 방법으로서, 그 분할 예정 라인을 따른 개구를 가진 마스크를 개재하여 웨이퍼에 플라즈마 에칭을 실시하고, 그 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할하여 복수의 칩을 형성하는 웨이퍼 분할 스텝과, 그 웨이퍼 분할 스텝을 실시하기 전 또는 후에, 웨이퍼의 이면에 다이 어태치층을 적층하고, 그 다이 어태치층을 개재하여 웨이퍼를 익스팬드 시트에 첩착하는 시트 첩착 스텝과, 그 웨이퍼 분할 스텝과 그 시트 첩착 스텝을 실시한 후, 그 다이 어태치층을 열화시키는 용제를 웨이퍼의 그 표면측으로부터 인접하는 칩 사이에 공급하고, 인접하는 칩 사이에 노출된 그 다이 어태치층을 열화시키는 용제 공급 스텝과, 그 용제 공급 스텝을 실시한 후, 그 익스팬드 시트를 확장하여 에칭 홈을 따라 그 다이 어태치층을 파단하는 파단 스텝을 구비한 가공 방법이다.The present invention for solving the above problems is a method of processing a wafer in which a plurality of lines to be divided are set on a surface, plasma etching is performed on the wafer through a mask having an opening along the lines to be divided, and the division is performed. A wafer dividing step of dividing a wafer along a predetermined line to form a plurality of chips, and before or after the wafer dividing step is performed, a die attach layer is laminated on the back surface of the wafer, and the wafer is interposed through the die attach layer. After performing the sheet laminating step to be adhered to the expanded sheet, the wafer dividing step and the sheet laminating step, a solvent for degrading the die attach layer is supplied from the surface side of the wafer to adjacent chips, and adjacent After performing the solvent supply step which deteriorates the die attach layer exposed between chips, and the solvent supply step, the By extending the suspend sheet along the etching groove is a machining method having a breaking step of breaking the die attaching chicheung.

상기 시트 첩착 스텝은 상기 웨이퍼 분할 스텝을 실시하기 전에 실시되고, 그 웨이퍼 분할 스텝에서는, 웨이퍼의 표면에 상기 마스크를 형성하고, 웨이퍼의 그 표면측으로부터 플라즈마 에칭을 실시하면 바람직하다.The sheet laminating step is performed before the wafer dividing step, and in the wafer dividing step, it is preferable to form the mask on the surface of the wafer and perform plasma etching from the surface side of the wafer.

상기 웨이퍼 분할 스텝에서는, 웨이퍼의 이면에 상기 마스크를 형성하고, 웨이퍼의 그 이면측으로부터 플라즈마 에칭을 실시하고, 그 웨이퍼 분할 스텝을 실시한 후, 그 마스크를 제거하는 마스크 제거 스텝을 구비하고, 상기 시트 첩착 스텝은, 그 마스크 제거 스텝을 실시한 후에 실시하면 바람직하다.In the wafer dividing step, the mask is formed on the back surface of the wafer, plasma etching is performed from the back surface side of the wafer, and after the wafer dividing step is performed, a mask removal step for removing the mask is provided, and the sheet is provided. It is preferable to perform the sticking step after performing the mask removal step.

상기 웨이퍼의 표면에 형성한 마스크는 수용성 수지로 이루어지고, 상기 파단 스텝을 실시한 후, 웨이퍼를 세정하여 그 마스크와 상기 용제를 제거하는 세정 스텝을 추가로 구비하면 바람직하다.The mask formed on the surface of the wafer is made of a water-soluble resin, and after performing the rupture step, it is preferable if the wafer is further provided with a cleaning step to remove the mask and the solvent.

본 발명에 관련된 웨이퍼의 가공 방법은, 분할 예정 라인을 따른 개구를 가진 마스크를 개재하여 웨이퍼에 플라즈마 에칭을 실시하고, 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할하여 복수의 칩을 형성하는 웨이퍼 분할 스텝과, 웨이퍼 분할 스텝을 실시하기 전 또는 후에, 웨이퍼의 이면에 다이 어태치층을 적층하고, 다이 어태치층을 개재하여 웨이퍼를 익스팬드 시트에 첩착하는 시트 첩착 스텝과, 웨이퍼 분할 스텝과 시트 첩착 스텝을 실시한 후, 다이 어태치층을 열화시키는 용제를 웨이퍼의 표면측으로부터 인접하는 칩 사이에 공급하고, 인접하는 칩 사이에 노출된 다이 어태치층을 열화시키는 용제 공급 스텝과, 용제 공급 스텝을 실시한 후, 익스팬드 시트를 확장하여 에칭 홈을 따라 열화된 다이 어태치층을 파단하는 파단 스텝을 구비하고 있음으로써, 스트리트 리덕션과 가공 시간의 단축을 달성함과 함께 다이 어태치층을 효율적으로 파단할 수 있다.A wafer processing method according to the present invention includes a wafer dividing step of performing plasma etching on a wafer through a mask having an opening along a division scheduled line, and dividing the wafer along a division scheduled line to form a plurality of chips, Before or after performing the wafer dividing step, a die attach layer is laminated on the back surface of the wafer, and a sheet laminating step for attaching the wafer to the expanded sheet via the die attach layer, and a wafer dividing step and sheet laminating step are performed. Thereafter, a solvent supply step for supplying a solvent for deteriorating the die attach layer between adjacent chips from the surface side of the wafer, and a solvent supply step for deteriorating the die attach layer exposed between adjacent chips, and a solvent supply step, is followed by expansion. It is equipped with a breaking step to break the die attach layer deteriorated along the etching groove by expanding the sheet. Can be efficiently breaking the die attaching chicheung with also achieve a speed reduction of the street and the processing time.

도 1 은, 웨이퍼의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 다이 어태치층이 이면에 적층되며, 또한, 익스팬드 시트에 첩착된 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.
도 3 은, 수용성 수지막을 웨이퍼의 표면에 형성하고 있는 상태를 설명하는 단면도이다.
도 4 는, 레이저 빔 조사에 의해 웨이퍼의 표면에 마스크를 형성하고 있는 상태를 설명하는 사시도이다.
도 5 는, 분할 예정 라인을 따른 개구를 가진 마스크를 개재하여 표면측으로부터 웨이퍼에 플라즈마 에칭을 실시하고, 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할하여 복수의 칩을 형성하고 있는 상태를 설명하는 단면도이다.
도 6 은, 플라즈마 에칭이 실시된 웨이퍼를 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 7 은, 용제를 웨이퍼의 표면측으로부터 인접하는 칩 사이에 공급하고, 인접하는 칩 사이에 노출된 다이 어태치층을 열화시키고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 8 은, 익스팬드 장치에 웨이퍼가 세트된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 9 는, 익스팬드 시트를 확장하여 에칭 홈을 따라 열화된 다이 어태치층을 파단하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 10 은, 웨이퍼를 세정하여 웨이퍼의 표면에 형성된 마스크와 칩의 측면 등에 부착되어 있는 용제를 제거하고 있는 상태를 설명하는 단면도이다.
도 11 은, 웨이퍼의 이면에 수용성 수지막을 형성하고 있는 상태를 설명하는 단면도이다.
도 12 는, 레이저 빔 조사에 의해 웨이퍼의 이면에 마스크를 형성하고 있는 상태를 설명하는 사시도이다.
도 13 은, 분할 예정 라인을 따른 개구를 가진 마스크를 개재하여 이면측으로부터 웨이퍼에 플라즈마 에칭을 실시하고, 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할하여 복수의 칩을 형성하고 있는 상태를 설명하는 단면도이다.
도 14 는, 웨이퍼의 이면에 형성된 마스크를 제거하고 있는 상태를 설명하는 단면도이다.
도 15 는, 이면으로부터 마스크가 제거된 웨이퍼의 이면에 다이 어태치층을 적층하고, 다이 어태치층을 개재하여 웨이퍼를 익스팬드 시트에 첩착한 상태를 설명하는 사시도이다.
도 16 은, 용제를 웨이퍼의 표면측으로부터 인접하는 칩 사이에 공급하고, 인접하는 칩 사이에 노출된 다이 어태치층을 열화시키고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 17 은, 익스팬드 시트를 확장하여 에칭 홈을 따라 열화된 다이 어태치층을 파단하고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view showing an example of a wafer.
2 is a perspective view showing a wafer on which a die attach layer is stacked on the back surface, and is adhered to an expand sheet.
3 is a cross-sectional view illustrating a state in which a water-soluble resin film is formed on the surface of the wafer.
4 is a perspective view illustrating a state in which a mask is formed on the surface of the wafer by laser beam irradiation.
5 is a cross-sectional view illustrating a state in which plasma etching is performed on the wafer from the surface side through a mask having an opening along the line to be divided, and a plurality of chips are formed by dividing the wafer along the line to be divided.
6 is an enlarged cross-sectional view of a wafer subjected to plasma etching.
7 is a cross-sectional view showing a state in which a solvent is supplied between adjacent chips from the surface side of the wafer and the die attach layer exposed between the adjacent chips is deteriorated.
8 is a cross-sectional view showing a state where a wafer is set in the expand apparatus.
9 is a cross-sectional view showing a state in which a die attach layer deteriorated along an etching groove is broken by expanding the expanded sheet.
10 is a cross-sectional view for explaining a state in which a solvent formed on a surface of a wafer and a solvent attached to a side surface of the chip are removed by cleaning the wafer.
11 is a cross-sectional view illustrating a state in which a water-soluble resin film is formed on the back surface of the wafer.
12 is a perspective view illustrating a state in which a mask is formed on the back surface of the wafer by laser beam irradiation.
13 is a cross-sectional view illustrating a state in which plasma etching is performed on the wafer from the back side via a mask having an opening along the division scheduled line, and a plurality of chips are formed by dividing the wafer along the division scheduled line.
14 is a cross-sectional view illustrating a state in which the mask formed on the back surface of the wafer is removed.
15 is a perspective view illustrating a state in which a die attach layer is stacked on the back surface of a wafer from which the mask has been removed from the back surface, and the wafer is stuck to the expand sheet through the die attach layer.
16 is a cross-sectional view showing a state in which a solvent is supplied between adjacent chips from the surface side of the wafer, and the die attach layer exposed between the adjacent chips is deteriorated.
17 is a cross-sectional view showing a state in which a die attach layer deteriorated along an etching groove is broken by expanding the expanded sheet.

(실시형태 1)(Embodiment 1)

이하에, 본 발명에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (실시형태 1 의 가공 방법으로 한다) 을 실시하여, 도 1 에 나타내는 웨이퍼 (W) 를 디바이스 (D) 를 구비하는 칩으로 분할하는 경우의, 가공 방법의 각 스텝에 대해 설명한다.The processing method in the case of dividing the wafer W shown in FIG. 1 into chips provided with a device D by carrying out the wafer processing method (hereinafter referred to as the processing method of Embodiment 1) according to the present invention. Each step of is explained.

웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 실리콘을 모재로 하는 외형이 원형인 반도체 웨이퍼로, 그 표면 (Wa) 은, 직교차하는 복수의 분할 예정 라인 (S) 으로 격자상으로 구획되어 있고, 격자상으로 구획된 각 영역에는 IC 등의 디바이스 (D) 가 각각 형성되어 있다. 또, 예를 들어, 분할 예정 라인 (S) 상에는, 금속으로 이루어지는 회로층과 회로 사이를 절연하는 절연층 (예를 들어, low-k 막) 으로 구성된 디바이스층 (D1) 이 적층되어 있다.The wafer W is, for example, a semiconductor wafer having a circular outer shape based on silicon, and its surface Wa is partitioned into a grid by a plurality of orthogonal crossing scheduled lines S, and a grid A device D such as an IC is formed in each region divided into phases. Further, on the division scheduled line S, for example, a device layer D1 composed of a circuit layer made of metal and an insulating layer (for example, a low-k film) that insulates the circuits is stacked.

또한, 웨이퍼 (W) 는 실리콘 이외에 갈륨비소, 사파이어, 질화갈륨 또는 실리콘 카바이드 등으로 구성되어 있어도 된다.Further, the wafer W may be made of gallium arsenide, sapphire, gallium nitride, silicon carbide or the like in addition to silicon.

(1) 시트 첩착 스텝(1) Seating step

본 실시형태 1 의 웨이퍼의 가공 방법에 있어서는, 먼저, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 다이 어태치층을 적층하고, 다이 어태치층을 개재하여 웨이퍼 (W) 를 익스팬드 시트에 첩착한다.In the method of processing the wafer of the first embodiment, first, a die attach layer is laminated on the back surface Wb of the wafer W, and the wafer W is adhered to the expand sheet through the die attach layer.

도 2 에 나타내는 익스팬드 시트 (T1) 는, 예를 들어, 웨이퍼 (W) 보다 대 직경의 원형의 시트로, 예를 들어 폴리올레핀계 수지 등으로 이루어지는 기재와, 기재 상의 점착력이 있는 풀층으로 이루어진다. 익스팬드 시트 (T1) 의 풀층 상에는, 미리, 원형의 다이 어태치층 (T2) (DAF (T2)) 이 첩착되어 일체로 되어 있다. 다이 어태치층 (T2) 은, 도시하는 예에 있어서는 웨이퍼 (W) 보다 대직경으로 되어 있지만, 웨이퍼 (W) 와 동일 직경의 것이어도 된다.The expanded sheet T1 shown in FIG. 2 is, for example, a circular sheet having a larger diameter than the wafer W, and includes, for example, a base material made of a polyolefin-based resin or the like, and a full adhesive layer on the base material. On the full layer of the expanded sheet T1, a circular die attach layer T2 (DAF (T2)) is previously adhered and integrally formed. The die attach layer T2 has a larger diameter than the wafer W in the illustrated example, but may be of the same diameter as the wafer W.

예를 들어, 도시되지 않은 첩부 테이블 상에 재치 (載置) 된 웨이퍼 (W) 의 중심과 도 2 에 나타내는 환상 프레임 (F) 의 개구의 중심이 대략 합치하도록, 웨이퍼 (W) 에 대해 환상 프레임 (F) 이 위치된다. 그리고, 첩부 테이블 상에서 프레스 롤러 등에 의해 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 다이 어태치층 (T2) 이 가압되어 첩착되고, 이면 (Wb) 에 적층된다. 동시에, 익스팬드 시트 (T1) 의 풀층의 외주부를 환상 프레임 (F) 에도 첩착함으로써, 웨이퍼 (W) 는, 익스팬드 시트 (T1) 를 개재하여 환상 프레임 (F) 에 지지되고, 환상 프레임 (F) 에 의한 핸들링이 가능한 상태가 된다.For example, the annular frame with respect to the wafer W is such that the center of the wafer W placed on the attachment table (not shown) and the center of the opening of the annular frame F shown in FIG. 2 approximately coincide. (F) is located. Then, the die attach layer T2 is pressed and adhered to the back surface Wb of the wafer W by a press roller or the like on the pasting table, and is laminated on the back surface Wb. At the same time, the wafer W is supported by the annular frame F via the expanded sheet T1 by attaching the outer peripheral portion of the full layer of the expanded sheet T1 to the annular frame F, and the annular frame F ).

또한, 단체 (單體) 의 다이 어태치층 (T2) 을 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 첩착한 후, 이어서, 익스팬드 시트 (T1) 에 다이 어태치층 (T2) 이 적층된 웨이퍼 (W) 를 첩착해도 된다. 또, 테이프 롤로부터 인출된 장척 (長尺) 상의 익스팬드 시트 (T1) 와 다이 어태치층 (T2) 으로 이루어지는 테이프가 환상 프레임 (F) 과 웨이퍼 (W) 에 첩착된 후, 커터로 그 테이프가 환상 프레임 (F) 에 맞추어 원형으로 절단되는 것으로 해도 된다.In addition, after the single die attach layer T2 is adhered to the back surface Wb of the wafer W, then the wafer W in which the die attach layer T2 is laminated on the expanded sheet T1 ). In addition, after the tape composed of the extended sheet T1 and the die attach layer T2 pulled out from the tape roll was adhered to the annular frame F and the wafer W, the tape was cut with a cutter. It may be cut into a circular shape in accordance with the annular frame F.

예를 들어, 환상 프레임 (F) 및 익스팬드 시트 (T1) 는, 이후의 웨이퍼 분할 스텝에서 사용되는 에칭 가스 (예를 들어, SF6 가스나 C4F8 가스) 에 대한 내성을 구비하고 있으면 바람직하다. 즉, 예를 들어, 환상 프레임 (F) 은 SUS 로 형성되어 있고, 익스팬드 시트 (T1) 는 폴리올레핀 등으로 형성되어 있으면 바람직하다.For example, if the annular frame F and the expanded sheet T1 have resistance to the etching gas (for example, SF 6 gas or C 4 F 8 gas) used in the subsequent wafer dividing step, desirable. That is, for example, the annular frame F is formed of SUS, and the expanded sheet T1 is preferably formed of polyolefin or the like.

(2-1) 웨이퍼 분할 스텝에 있어서의 수용성 수지의 웨이퍼에 대한 도포(2-1) Application of water-soluble resin to wafer in wafer dividing step

환상 프레임 (F) 에 의한 핸들링이 가능해진 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 도 3 에 나타내는 스핀 코터 (4) 에 반송된다. 스핀 코터 (4) 는, 예를 들어, 웨이퍼 (W) 를 유지하는 유지 테이블 (40) 과, 유지 테이블 (40) 을 회전시키는 회전 수단 (42) 과, 상단측에 원형의 개구를 구비하고 유지 테이블 (40) 을 수용하는 바닥이 있는 원통상의 케이싱 (44) 을 구비하고 있다.The wafer W capable of handling by the annular frame F is conveyed to the spin coater 4 shown in FIG. 3, for example. The spin coater 4 is provided with, for example, a holding table 40 for holding the wafer W, rotating means 42 for rotating the holding table 40, and a circular opening on the upper side. It has a bottomed cylindrical casing 44 for receiving the table 40.

유지 테이블 (40) 은, 예를 들어 원 형상이며, 포러스 부재 등으로 이루어지고 도시되지 않은 흡인원에 연통되는 유지면 (40a) 을 구비하고 있다. 유지 테이블 (40) 의 주위에는, 환상 프레임 (F) 을 고정시키는 고정 클램프 (401) 가 둘레 방향으로 균등하게 배치 형성되어 있다. 고정 클램프 (401) 는, 유지 테이블 (40) 의 회전에 의한 원심력에 의해 진자가 이동함으로써 환상 프레임 (F) 을 고정시키는 것이어도 되고, 메커니컬 클램프여도 된다. 유지 테이블 (40) 은, 웨이퍼 (W) 가 재치될 때에는 상승하여 반입·반출 높이에 위치되고, 또, 흡인 유지한 웨이퍼 (W) 에 액상의 수용성 수지가 도포될 때에는, 케이싱 (44) 내에 있어서의 도포 높이까지 하강한다. 유지 테이블 (40) 은, 하방에 배치 형성된 회전 수단 (42) 에 의해 Z 축 방향의 축심 둘레로 회전 가능하다.The holding table 40 has, for example, a circular shape, and is provided with a holding surface 40a made of a porous member or the like and communicating with a suction source (not shown). A fixed clamp 401 for fixing the annular frame F is arranged around the holding table 40 evenly in the circumferential direction. The fixed clamp 401 may fix the annular frame F by moving the pendulum by centrifugal force by rotation of the holding table 40, or may be a mechanical clamp. The holding table 40 rises when the wafer W is placed and is positioned at the carrying-in / out height, and when the liquid-soluble water-soluble resin is applied to the suctioned wafer W, in the casing 44 Descent to the height of the application. The holding table 40 is rotatable around the axial center in the Z-axis direction by means of the rotating means 42 disposed below.

케이싱 (44) 은, 유지 테이블 (40) 을 둘러싸는 외측벽 (440) 과, 외측벽 (440) 의 하부에 연접하고 중앙에 회전 수단 (42) 의 회전축이 삽입 통과되는 개구를 갖는 바닥판 (441) 과, 바닥판 (441) 의 개구의 내주 가장자리로부터 세워 형성되는 내측벽 (442) 으로 구성되어 있다. 유지 테이블 (40) 의 하면과 내측벽 (442) 의 상단면 사이에는, 회전 수단 (42) 의 회전축에 삽입되어 끼워넣어지고 그 회전축과 바닥판 (441) 의 개구의 간극으로의 이물질의 혼입을 방지하는 커버 부재 (444) 가 배치 형성되어 있다.The casing 44 is a bottom plate 441 having an outer wall 440 surrounding the holding table 40 and an opening connected to a lower portion of the outer wall 440 and through which a rotary shaft of the rotating means 42 is inserted. And an inner wall 442 formed erected from the inner circumferential edge of the opening of the bottom plate 441. Between the lower surface of the holding table 40 and the upper surface of the inner wall 442, it is inserted into and inserted into the rotating shaft of the rotating means 42 and mixing of foreign matter into the gap between the rotating shaft and the opening of the bottom plate 441 is inserted. The cover member 444 which prevents is arrange | positioned.

케이싱 (44) 내에는, 유지면 (40a) 에서 흡인 유지된 웨이퍼 (W) 에 수용성 수지를 적하하는 노즐 (45) 이 배치 형성되어 있다. 노즐 (45) 은, 바닥판 (441) 으로부터 세워 형성되어 있고, 측면에서 보아 대략 L 자상의 외형을 구비하고, 회전 구동원 (453) 에 의해 Z 축 방향의 축심 둘레로 선회 가능하다. 노즐 (45) 의 선단 부분에 형성된 공급구 (450) 는, 유지 테이블 (40) 의 유지면 (40a) 을 향해 개구되어 있다.In the casing 44, a nozzle 45 for dropping a water-soluble resin onto a wafer W held by suction on the holding surface 40a is disposed. The nozzle 45 is formed erected from the bottom plate 441, has a substantially L-shaped outer shape when viewed from the side, and is rotatable around an axial center in the Z axis direction by a rotation drive source 453. The supply port 450 formed in the tip portion of the nozzle 45 is opened toward the holding surface 40a of the holding table 40.

노즐 (45) 은, 수용성 수지 (예를 들어, 폴리비닐피롤리돈 또는 폴리비닐알코올 등) 를 비축한 수용성 수지 공급원 (47) 에 배관 (47a) 및 도시되지 않은 로터리 조인트를 개재하여 연통되어 있다. 또한, 노즐 (45) 에는 수용성 수지 공급원 (47) 대신에 비수용성 수지 공급원이 연통되어 있어도 되고, 비수용성 수지 공급원에는 예를 들어 레지스트액이 비축되어 있어도 된다.The nozzle 45 is in communication with a water-soluble resin supply source 47 storing water-soluble resin (eg, polyvinylpyrrolidone or polyvinyl alcohol) via a pipe 47a and a rotary joint (not shown). . Moreover, the water-insoluble resin supply source may be communicated with the nozzle 45 instead of the water-soluble resin supply source 47, and, for example, a resist liquid may be stored in the water-insoluble resin supply source.

웨이퍼 (W) 가, 익스팬드 시트 (T1) 측을 아래로 하여 유지 테이블 (40) 에 의해 흡인 유지되고, 또, 각 고정 클램프 (401) 에 의해 환상 프레임 (F) 이 고정된다. 이어서, 웨이퍼 (W) 를 유지한 유지 테이블 (40) 이 케이싱 (44) 내의 도포 높이 위치까지 하강한다. 또, 노즐 (45) 이 선회하고, 공급구 (450) 가 웨이퍼 (W) 의 중앙 상방에 위치된다.The wafer W is sucked and held by the holding table 40 with the expanded sheet T1 side down, and the annular frame F is fixed by each fixing clamp 401. Subsequently, the holding table 40 holding the wafer W is lowered to the application height position in the casing 44. In addition, the nozzle 45 rotates, and the supply port 450 is positioned above the center of the wafer W.

이어서, 수용성 수지 공급원 (47) 이 수용성 수지를 노즐 (45) 에 공급하고, 공급구 (450) 로부터 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에 소정량의 수용성 수지가 적하된다. 그리고, 유지 테이블 (40) 이 회전함으로써, 적하된 수용성 수지가 표면 (Wa) 의 중심측으로부터 외주측으로 흘러 전체 면에 골고루 퍼져, 거의 균일한 두께의 수용성 수지막 (J) 이 형성된다. 그 후, 회전을 계속하여 수용성 수지막 (J) 을 회전 건조시킨다. 또한, 수용성 수지막 (J) 의 건조는, 유지 테이블 (40) 의 상방에 위치시킨 히터나 크세논 플래시 램프를 사용한 가열에 의해 실시되어도 된다.Subsequently, the water-soluble resin supply source 47 supplies the water-soluble resin to the nozzle 45, and a predetermined amount of the water-soluble resin is dropped from the supply port 450 onto the surface Wa of the wafer W. Then, by rotating the holding table 40, the dropped water-soluble resin flows from the center side of the surface Wa to the outer circumferential side and spreads evenly over the entire surface, thereby forming a water-soluble resin film J of almost uniform thickness. Thereafter, the rotation is continued, and the water-soluble resin film J is dried by rotation. In addition, drying of the water-soluble resin film J may be performed by heating using a heater or a xenon flash lamp positioned above the holding table 40.

(2-2) 웨이퍼 분할 스텝에 있어서의 마스크의 형성(2-2) Formation of mask in wafer dividing step

표면 (Wa) 에 수용성 수지막 (J) 이 형성된 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 도 4 에 나타내는 레이저 가공 장치 (6) 에 반송된다. 레이저 가공 장치 (6) 는, 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지하는 척 테이블 (60) 과, 웨이퍼 (W) 의 수용성 수지막 (J) 에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 수단 (61) 을 적어도 구비하고 있다.The wafer W on which the water-soluble resin film J is formed on the surface Wa is conveyed to the laser processing apparatus 6 shown in FIG. 4, for example. The laser processing apparatus 6 is a laser beam irradiation means that irradiates a chuck table 60 for holding and holding the wafer W, and a laser beam of a wavelength having absorbency to the water-soluble resin film J of the wafer W (61) is provided.

웨이퍼 (W) 를 유지하는 척 테이블 (60) 은, 포러스 부재 등으로 구성되고 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지하는 원형의 평탄한 유지면 (상면) 을 구비하고 있고, 유지면에는, 도시되지 않은 흡인원이 연통되어 있다. 척 테이블 (60) 은, 연직 방향 (Z 축 방향) 의 축심 둘레로 회전 가능함과 함께, 도시되지 않은 이동 수단에 의해 X 축 방향 및 Y 축 방향으로 왕복 이동 가능하게 되어 있다.The chuck table 60 for holding the wafer W is composed of a porous member or the like and has a circular flat holding surface (upper surface) for holding and holding the wafer W, and a suction source (not shown) is provided on the holding surface. This is in communication. The chuck table 60 is rotatable around an axial center in the vertical direction (Z-axis direction), and is capable of reciprocating in the X-axis direction and the Y-axis direction by moving means not shown.

레이저 빔 조사 수단 (61) 은, 예를 들어, 척 테이블 (60) 의 상방에 있어서 수평하게 Y 축 방향으로 연장되는 원기둥상의 하우징 (610) 을 구비하고 있고, 하우징 (610) 밖에는 YAG 등의 레이저 빔 발진기 (611) 가 배치 형성되어 있다.The laser beam irradiation means 61 has, for example, a cylindrical housing 610 extending horizontally in the Y-axis direction above the chuck table 60, and outside the housing 610, a laser such as YAG The beam oscillator 611 is arranged.

하우징 (610) 의 선단부에는, 내부에 집광 렌즈 (612a) 를 구비하는 레이저 헤드 (612) 가 배치 형성되어 있다. 레이저 빔 조사 수단 (61) 은, 레이저 빔 발진기 (611) 로부터 발진된 레이저 빔을, 하우징 (610) 및 레이저 헤드 (612) 의 내부에 구비한 도시되지 않은 미러로 반사시켜 집광 렌즈 (612a) 에 입광시킴으로써, -Z 방향을 향하는 레이저 빔을 척 테이블 (60) 에서 유지된 웨이퍼 (W) 에 정확하게 집광하여 조사할 수 있다. 또한, 레이저 헤드 (612) 에 의해 집광되는 레이저 빔의 집광점 위치는, 도시되지 않은 집광점 위치 조정 수단에 의해 Z 축 방향으로 조정 가능하다.At the distal end of the housing 610, a laser head 612 having a condenser lens 612a therein is disposed. The laser beam irradiating means 61 reflects the laser beam oscillated from the laser beam oscillator 611 to a condenser lens 612a by reflecting it into a mirror (not shown) provided inside the housing 610 and the laser head 612. By incident light, the laser beam directed in the -Z direction can be accurately collected and irradiated onto the wafer W held by the chuck table 60. In addition, the position of the light-converging point of the laser beam condensed by the laser head 612 can be adjusted in the Z-axis direction by a light-converging point position adjusting means (not shown).

레이저 헤드 (612) 의 근방 (예를 들어, 하우징 (610) 의 외측면) 에는, 웨이퍼 (W) 의 분할 예정 라인 (S) 을 검출하는 얼라인먼트 수단 (64) 이 배치 형성되어 있다. 얼라인먼트 수단 (64) 은, 촬상광 조사 수단과, 웨이퍼 (W) 로부터의 반사광을 파악하는 광학계 및 수광량에 대응한 전기 신호를 출력하는 촬상 소자 등으로 구성된 카메라 (640) 를 구비하고 있고, 카메라 (640) 에 의해 취득한 화상에 기초하여, 패턴 매칭 등의 화상 처리에 의해 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 의 분할 예정 라인 (S) 을 검출할 수 있다.In the vicinity of the laser head 612 (for example, the outer surface of the housing 610), alignment means 64 for detecting the division scheduled line S of the wafer W is arranged. The alignment means 64 is provided with a camera 640 composed of an imaging light irradiation means, an optical system that grasps reflected light from the wafer W, and an imaging element that outputs an electric signal corresponding to the amount of light received, and the like. Based on the image acquired by 640, the division scheduled line S of the surface Wa of the wafer W can be detected by image processing such as pattern matching.

먼저, 웨이퍼 (W) 가, 익스팬드 시트 (T1) 측을 아래로 하여 척 테이블 (60) 의 유지면 상에서 흡인 유지된다. 그리고, 레이저 빔을 웨이퍼 (W) 에 조사하기 위한 기준이 되는 분할 예정 라인 (S) 의 위치가 얼라인먼트 수단 (64) 에 의해 검출된다.First, the wafer W is sucked and held on the holding surface of the chuck table 60 with the expanded sheet T1 side down. Then, the position of the division scheduled line S as a reference for irradiating the laser beam to the wafer W is detected by the alignment means 64.

분할 예정 라인 (S) 의 위치가 검출되는 것에 수반하여, 척 테이블 (60) 이 Y 축 방향으로 이동하고, 분할 예정 라인 (S) 과 레이저 헤드 (612) 의 위치 맞춤이 이루어진다. 이어서, 집광 렌즈 (612a) 에 의해 집광되는 레이저 빔의 집광점 위치가 수용성 수지막 (J) 의 높이 위치에 맞춰진다. 그리고, 레이저 빔 발진기 (611) 가 수용성 수지막 (J) 에 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 발진하고, 레이저 빔을 수용성 수지막 (J) 에 집광하여 조사한다. 또, 웨이퍼 (W) 가 왕 (往) 방향인 -X 방향으로 소정의 가공 이송 속도로 이송되고, 레이저 빔이 분할 예정 라인 (S) 을 따라 수용성 수지막 (J) 에 조사되어 감으로써, 분할 예정 라인 (S) 을 따라 수용성 수지막 (J) 이 용융되어 제거된다.As the position of the division scheduled line S is detected, the chuck table 60 moves in the Y-axis direction, and the alignment of the division scheduled line S and the laser head 612 is made. Subsequently, the position of the light-converging point of the laser beam condensed by the light-converging lens 612a is set to the height position of the water-soluble resin film J. Then, the laser beam oscillator 611 oscillates a laser beam having a water absorbent wavelength in the water-soluble resin film J, and the laser beam is focused on the water-soluble resin film J for irradiation. Further, the wafer W is transferred at a predetermined processing feed rate in the -X direction, which is the direction of the king, and the laser beam is irradiated onto the water-soluble resin film J along the line to be divided S, thereby dividing. The water-soluble resin film J is melted and removed along the predetermined line S.

분할 예정 라인 (S) 을 따라 레이저 빔을 다 조사하는 소정의 위치까지 웨이퍼 (W) 가 -X 방향으로 진행되면, 레이저 빔의 조사를 정지함과 함께 척 테이블 (60) 이 Y 축 방향으로 이동되고, -X 방향에서의 가공 이송에 있어서 기준이 되었던 분할 예정 라인 (S) 근처의 분할 예정 라인 (S) 과 레이저 헤드 (612) 의 Y 축 방향에서의 위치 맞춤이 이루어진다. 웨이퍼 (W) 가 복 (復) 방향인 +X 방향으로 가공 이송되고, 레이저 빔 조사에 의해 수용성 수지막 (J) 이 분할 예정 라인 (S) 을 따라 제거된다. 순차 동일한 레이저 빔 조사를 X 축 방향으로 연장되는 전체 분할 예정 라인 (S) 을 따라 실시한 후, 척 테이블 (60) 을 90 도 회전시키고 나서 동일한 레이저 빔 조사를 실시하면, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 의 분할 예정 라인 (S) 에 대응하는 영역 이외의 영역에 도 5 에 나타내는 마스크 (J1) 가 형성된 상태가 된다.When the wafer W proceeds in the -X direction to a predetermined position to irradiate the laser beam along the division scheduled line S, the irradiation of the laser beam is stopped and the chuck table 60 moves in the Y-axis direction. Then, the alignment in the Y-axis direction of the division scheduled line S and the laser head 612 near the division scheduled line S that became the reference in the machining feed in the -X direction is made. The wafer W is processed and conveyed in the + X direction in the bi-directional direction, and the water-soluble resin film J is removed along the line S to be divided by laser beam irradiation. After sequentially performing the same laser beam irradiation along the entire division scheduled line S extending in the X-axis direction, rotating the chuck table 60 by 90 degrees, and then performing the same laser beam irradiation, the surface of the wafer W ( The mask J1 shown in FIG. 5 is formed in a region other than the region corresponding to the division scheduled line S of Wa).

또한, 레이저 빔의 집광점 위치를 예를 들어 분할 예정 라인 (S) 상의 디바이스층 (D1) 의 높이 위치에 맞추어, 레이저 빔 발진기 (611) 로부터 디바이스층 (D1) 에 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 발진시켜, 레이저 빔을 디바이스층 (D1) 에 집광하여 조사함으로써, 마스크 (J1) 를 형성함과 함께 디바이스층 (D1) 을 분할 예정 라인 (S) 상으로부터 제거해도 된다.Further, a laser beam having a wavelength that absorbs from the laser beam oscillator 611 to the device layer D1 by aligning the position of the condensing point of the laser beam with, for example, the height position of the device layer D1 on the line S to be divided. By oscillating and condensing and irradiating a laser beam onto the device layer D1, the mask J1 may be formed and the device layer D1 may be removed from the division scheduled line S.

또, 분할 예정 라인 (S) 을 따른 개구를 가진 마스크 (J1) 의 형성은 본 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 일반적으로는, 도 1 에 나타내는 웨이퍼 (W) 의 디바이스 (D) 를 형성할 때에, 디바이스 (D) 가 형성된 표면 (Wa) 측의 전역에는, 오염이나 불순물 등의 진입으로부터 디바이스 (D) 를 보호하는 패시베이션막 (이산화규소막 등) 이 플라즈마 CVD 법 등으로 적층되지만, 디바이스 (D) 의 최표층이 되는 패시베이션막을 분할 예정 라인 (S) 에 대응한 영역을 빼 두도록 미리 형성하여, 디바이스 (D) 를 개개로 보호하는 그 패시베이션막을 플라즈마 에칭용의 마스크로 해도 된다.Note that the formation of the mask J1 having an opening along the division scheduled line S is not limited to this embodiment. Generally, when forming the device D of the wafer W shown in Fig. 1, the device D is protected from the ingress of contamination, impurities, and the like across the entire surface Wa side where the device D is formed. The passivation film (silicon dioxide film or the like) to be laminated is deposited by plasma CVD or the like, but the passivation film serving as the outermost layer of the device D is previously formed so as to subtract the area corresponding to the line S to be divided, and the device D The passivation film, which protects the individual, may be used as a mask for plasma etching.

(2-3) 웨이퍼 분할 스텝에 있어서의 플라즈마 에칭(2-3) Plasma etching in wafer division step

마스크 (J1) 가 형성된 웨이퍼 (W) 는, 도 5 에 나타내는 플라즈마 에칭 장치 (9) 에 반송된다. 플라즈마 에칭 장치 (9) 는, 웨이퍼 (W) 를 유지하는 유지 수단 (90) 과, 가스를 분출하는 가스 분출 헤드 (91) 와, 유지 수단 (90) 및 가스 분출 헤드 (91) 를 내부에 수용한 챔버 (92) 를 구비하고 있다. 또한, 플라즈마 에칭 장치는, 유전 코일에 플라즈마 발생용의 고주파 전력을 인가하고, 유전코일에 형성된 자장과의 상호 작용에 의해 에칭 가스를 플라즈마화하는 유도 결합형 플라즈마 방식의 에칭 장치여도 된다.The wafer W on which the mask J1 is formed is conveyed to the plasma etching apparatus 9 shown in FIG. 5. The plasma etching apparatus 9 accommodates the holding means 90 for holding the wafer W, the gas blowing head 91 for blowing gas, the holding means 90 and the gas blowing head 91 therein One chamber 92 is provided. Further, the plasma etching apparatus may be an inductively coupled plasma type etching apparatus that applies high-frequency power for generating plasma to the dielectric coil and plasmaizes the etching gas by interaction with a magnetic field formed in the dielectric coil.

예를 들어, 유지 수단 (90) 은, 정전 척이고, 세라믹 등의 유전체로 형성되어 있고, 지지 부재 (900) 에 의해 하방으로부터 지지되어 있다. 유지 수단 (90) 의 내부에는, 전압의 인가에 의해 전하를 발생시키는 원판상의 전극 (901) 이 유지 수단 (90) 의 유지면 (90a) 과 평행하게 배치 형성되어 있고, 전극 (901) 은 정합기 (94a) 및 바이어스 고주파 전원 (95a) 에 접속되어 있다.For example, the holding means 90 is an electrostatic chuck, is made of a dielectric material such as ceramic, and is supported from below by the support member 900. Inside the holding means 90, a disk-shaped electrode 901 for generating electric charge by application of a voltage is disposed in parallel with the holding surface 90a of the holding means 90, and the electrodes 901 are matched. It is connected to the device 94a and the bias high frequency power supply 95a.

예를 들어, 유지 수단 (90) 의 내부에는, 도시되지 않은 통수로가 형성되어 있고, 그 통수로를 순환하는 냉각수에 의해 유지 수단 (90) 이 내부부터 소정 온도로 냉각된다. 또, 유지면 (90a) 과 유지면 (90a) 에서 유지된 웨이퍼 (W) 사이에는, 냉각수에 의한 웨이퍼 (W) 의 흡열 효율을 향상시키기 위해, He 가스 등의 열 전달 가스가 소정의 압력으로 흐르도록 되어 있다.For example, a passage (not shown) is formed inside the holding means 90, and the holding means 90 is cooled to a predetermined temperature from the inside by cooling water circulating through the passage. Further, between the holding surface 90a and the wafer W held on the holding surface 90a, a heat transfer gas such as He gas is used at a predetermined pressure to improve the heat absorption efficiency of the wafer W by cooling water. It is supposed to flow.

또한, 예를 들어, 유지 수단 (90) 은, 도시한 예의 단극형의 정전 척으로 한정되는 것은 아니고, 쌍극형의 정전 척이어도 된다.Further, for example, the holding means 90 is not limited to the unipolar electrostatic chuck of the illustrated example, and may be a bipolar electrostatic chuck.

챔버 (92) 의 상부에 베어링 (919) 을 개재하여 자유롭게 승강할 수 있게 배치 형성된 가스 분출 헤드 (91) 의 내부에는, 가스 확산 공간 (910) 이 형성되어 있고, 가스 확산 공간 (910) 의 상부에는 가스 도입구 (911) 가 연통되고, 가스 확산 공간 (910) 의 하부에는 가스 토출구 (912) 가 복수 연통되어 있다. 각 가스 토출구 (912) 의 하단은 유지 수단 (90) 의 유지면 (90a) 을 향해 개구되어 있다.A gas diffusion space 910 is formed inside the gas blowing head 91 formed to be freely lifted through the bearing 919 on the upper part of the chamber 92, and the upper part of the gas diffusion space 910 is formed. The gas inlet 911 communicates with, and a plurality of gas outlets 912 communicate with the gas diffusion space 910. The lower end of each gas discharge port 912 is opened toward the holding surface 90a of the holding means 90.

가스 도입구 (911) 에 접속된 가스 공급부 (93) 에는, 예를 들어 SF6, CF4, C2F6, C4F8 등의 불소계 가스가 비축되어 있다.A fluorine-based gas such as SF 6 , CF 4 , C 2 F 6 or C 4 F 8 is stored in the gas supply portion 93 connected to the gas introduction port 911.

가스 분출 헤드 (91) 에는, 정합기 (94) 를 개재하여 고주파 전원 (95) 이 접속되어 있다. 고주파 전원 (95) 으로부터 정합기 (94) 를 개재하여 가스 분출 헤드 (91) 에 고주파 전력을 공급함으로써, 가스 토출구 (912) 로부터 토출된 에칭 가스를 플라즈마화할 수 있다.A high-frequency power source 95 is connected to the gas blowing head 91 via a matcher 94. By supplying high frequency electric power to the gas ejection head 91 via the matcher 94 from the high frequency power supply 95, the etching gas discharged from the gas discharge port 912 can be plasmad.

플라즈마 에칭 장치 (9) 는, 도시되지 않은 제어부를 구비하고 있고, 그 제어부에 의해 가스의 토출량이나 시간, 고주파 전력 등의 조건이 제어된다.The plasma etching apparatus 9 includes a control unit (not shown), and conditions such as gas discharge amount, time, and high-frequency power are controlled by the control unit.

챔버 (92) 의 바닥에는 배기구 (96) 가 형성되어 있고, 이 배기구 (96) 에는 배기 장치 (97) 가 접속되어 있다. 배기 장치 (97) 를 작동시킴으로써, 챔버 (92) 내부를 감압하여 진공 분위기로 할 수 있다. 또, 챔버 (92) 의 측부에는, 반입출구 (920) 와, 이 반입출구 (920) 를 개폐하는 게이트 밸브 (921) 가 형성되어 있다.An exhaust port 96 is formed at the bottom of the chamber 92, and an exhaust device 97 is connected to the exhaust port 96. By operating the exhaust device 97, it is possible to reduce the pressure inside the chamber 92 to a vacuum atmosphere. In addition, on the side of the chamber 92, a carry-in and outlet 920 and a gate valve 921 that opens and closes the carry-in and outlet 920 are formed.

챔버 (92) 의 내부에는, 플라즈마 에칭 중의 환상 프레임 (F) 의 가열을 방지하기 위한 프레임 가열 방지 가드 (98) 가 배치 형성되어 있다. 프레임 가열 방지 가드 (98) 는, 예를 들어, 에칭 가스에 대한 내성을 구비하는 SUS 등을 환상의 평판상으로 형성한 것으로, 챔버 (92) 의 내측벽에 직경 방향 내측으로 연장되도록 배치 형성되어 있다.A frame heating prevention guard 98 for preventing heating of the annular frame F during plasma etching is disposed inside the chamber 92. The frame heating prevention guard 98 is formed of, for example, an SUS or the like having resistance to etching gas in an annular flat shape, and is arranged to extend radially inward on the inner wall of the chamber 92 have.

분할 예정 라인 (S) 을 따라 웨이퍼 (W) 를 분할하기 위한 에칭 홈의 형성은, 예를 들어, SF6 가스에 의한 플라즈마 에칭과 C4F8 가스에 의한 홈 측벽 등에 대한 보호막 퇴적 (디포지션) 을 교대로 반복하는 보슈법에 의해 실시하면 바람직하다. 또한, SF6 가스 단체에 의한 플라즈마 에칭으로 웨이퍼 (W) 를 분할해도 된다.The formation of an etching groove for dividing the wafer W along the division scheduled line S includes, for example, plasma etching by SF 6 gas and deposition of a protective film on the groove sidewall by C 4 F 8 gas (deposition) ) Is preferably carried out by the Bosch method which alternately repeats. Further, the wafer W may be divided by plasma etching using a single SF 6 gas.

먼저, 반입출구 (920) 로부터 웨이퍼 (W) 를 챔버 (92) 내에 반입하고, 마스크 (J1) 측을 상측을 향하게 하여 웨이퍼 (W) 를 유지 수단 (90) 의 유지면 (90a) 상에 재치한다. 그리고, 게이트 밸브 (921) 를 닫고, 배기 장치 (97) 에 의해 챔버 (92) 내를 진공 분위기가 되도록 감압한다. 웨이퍼 (W) 를 지지하는 환상 프레임 (F) 의 상방은, 프레임 가열 방지 가드 (98) 로 덮인다.First, the wafer W is carried into the chamber 92 from the carrying in / out port 920, and the wafer W is placed on the holding surface 90a of the holding means 90 with the mask J1 side facing upward. do. Then, the gate valve 921 is closed, and the pressure in the chamber 92 is reduced to a vacuum atmosphere by the exhaust device 97. The upper portion of the annular frame F supporting the wafer W is covered with a frame heating prevention guard 98.

가스 분출 헤드 (91) 를 소정 높이 위치까지 하강시켜, 가스 공급부 (93) 로부터 SF6 가스를 가스 확산 공간 (910) 에 공급하고, 가스 토출구 (912) 로부터 하방으로 분출시킨다. 또, 고주파 전원 (95) 으로부터 가스 분출 헤드 (91) 에 고주파 전력을 인가하여, 가스 분출 헤드 (91) 와 유지 수단 (90) 사이에 고주파 전계를 발생시켜, SF6 가스를 플라즈마화시킨다. 이것에 병행하여, 전극 (901) 에 바이어스 고주파 전원 (95a) 으로부터 전압을 인가하여, 유지 수단 (90) 의 유지면 (90a) 과 웨이퍼 (W) 사이에 유전 분극 현상을 발생시켜, 전하의 분극에 의해 생기는 정전 흡착력에 의해 웨이퍼 (W) 를 유지면 (90a) 상에서 익스팬드 시트 (T1) 를 개재하여 흡착 유지한다.The gas ejection head 91 is lowered to a predetermined height position, and SF 6 gas is supplied from the gas supply unit 93 to the gas diffusion space 910 and ejected downward from the gas outlet 912. In addition, high-frequency electric power is applied to the gas blowing head 91 from the high-frequency power source 95 to generate a high-frequency electric field between the gas blowing head 91 and the holding means 90 to plasmatize SF 6 gas. In parallel to this, a voltage is applied from the bias high frequency power supply 95a to the electrode 901 to generate a dielectric polarization phenomenon between the holding surface 90a of the holding means 90 and the wafer W, thereby polarizing the charge. The wafer W is adsorbed and held on the holding surface 90a via the expanded sheet T1 by the electrostatic adsorption force generated by the wafer W.

플라즈마화된 SF6 가스는, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 의 마스크 (J1) 가 형성되어 있는 영역은 거의 에칭하지 않고, 웨이퍼 (W) 의 분할 예정 라인 (S) 에 대응하는 영역을 등방성 에칭해 간다. 플라즈마화된 SF6 가스에 의한 환상 프레임 (F) 에 대한 열 영향은, 환상 프레임 (F) 의 상방을 덮는 프레임 가열 방지 가드 (98) 에 의해 억제된다.The plasmad SF 6 gas is isotropic in the region corresponding to the line S to be divided of the wafer W, with almost no etching in the region where the mask J1 of the surface Wa of the wafer W is formed. I etch it. The heat effect on the annular frame F by the plasmad SF 6 gas is suppressed by the frame heating prevention guard 98 covering the upper portion of the annular frame F.

다음으로, 가스 공급부 (93) 로부터 C4F8 가스를 가스 확산 공간 (910) 에 공급하고, 가스 토출구 (912) 로부터 하방으로 분출시킨다. 고주파 전원 (95) 으로부터 가스 분출 헤드 (91) 에 고주파 전력을 인가하고, 또한, 전극 (901) 에 바이어스 고주파 전원 (95a) 으로부터 고주파 전력을 인가하여, C4F8 가스를 플라즈마화시키고, 플라즈마화된 SF6 가스에 의한 등방성 에칭에 의해 형성된 에칭 홈의 측벽과 바닥에 보호막 (플루오로카본막) 을 퇴적시킨다.Next, the C 4 F 8 gas is supplied from the gas supply unit 93 to the gas diffusion space 910 and is blown downward from the gas discharge port 912. High frequency power is applied from the high frequency power supply 95 to the gas ejection head 91, and high frequency power is also applied from the bias high frequency power supply 95a to the electrode 901 to make the C 4 F 8 gas plasma and plasma. A protective film (fluorocarbon film) is deposited on the sidewalls and the bottom of the etching grooves formed by isotropic etching with the SF 6 gas.

다시, SF6 가스를 챔버 (92) 내에 공급하고 플라즈마화시켜, 에칭 홈의 바닥의 보호막만을 제거하는 이방성 에칭을 실시하고, 이어서, 에칭 홈의 바닥에 노출된 웨이퍼 (W) 의 등방성 에칭을 다시 실시한다. 상기 등방성 에칭과 보호막 퇴적과 이방성 에칭을 1 사이클로 하고, 예를 들어 수십 사이클 실시하여, 웨이퍼 (W) 의 수직인 딥 디깅을 고속이면서 또한 원하는 애스펙트비로 실현하여, 도 6 에 나타내는 분할 예정 라인 (S) 을 따른 격자상의 에칭 홈 (M) 을 웨이퍼 (W) 에 형성해 간다.Again, SF 6 gas is supplied into the chamber 92 and plasmad to perform anisotropic etching to remove only the protective film at the bottom of the etching groove, followed by isotropic etching of the wafer W exposed at the bottom of the etching groove again Conduct. The isotropic etching, the protective film deposition and the anisotropic etching are performed in one cycle, for example, several tens of cycles are performed, and the vertical deep digging of the wafer W is realized at a high speed and a desired aspect ratio, and the division scheduled line shown in FIG. 6 (S A lattice-shaped etching groove M along) is formed on the wafer W.

불소계의 에칭 가스는, 다이 어태치층 (T2) 을 에칭하지 않는다. 그 때문에, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 에칭 홈 (M) 의 바닥에 다이 어태치층 (T2) 이 노출될 때까지 마스크 (J1) 를 개재하여 웨이퍼 (W) 에 대한 플라즈마 에칭을 실시한 후, 플라즈마 에칭을 종료시킨다. 즉, 도 5 에 나타내는 챔버 (92) 내에 대한 에칭 가스 등의 도입 및 가스 분출 헤드 (91) 에 대한 고주파 전력의 공급을 정지하고, 또, 챔버 (92) 내의 에칭 가스를 배기구 (96) 로부터 배기 장치 (97) 에 배기하여, 챔버 (92) 내부에 에칭 가스가 존재하지 않는 상태로 한다. 그 결과, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 분할 예정 라인 (S) 을 따른 에칭 홈 (M) (풀 컷 홈) 이 웨이퍼 (W) 에 형성되고, 분할 예정 라인 (S) 을 따라 웨이퍼 (W) 가 복수의 칩 (C) 으로 분할된 상태가 된다.The fluorine-based etching gas does not etch the die attach layer T2. Therefore, as shown in FIG. 6, plasma etching is performed on the wafer W through the mask J1 until the die attach layer T2 is exposed at the bottom of the etching groove M, and then plasma etching is performed. Terminates. That is, introduction of etching gas or the like into the chamber 92 shown in FIG. 5 and supply of high-frequency power to the gas ejection head 91 are stopped, and the etching gas in the chamber 92 is exhausted from the exhaust port 96 By exhausting the device 97, an etching gas does not exist inside the chamber 92. As a result, as shown in Fig. 6, an etching groove M (full cut groove) along the division scheduled line S is formed in the wafer W, and the wafer W is moved along the division scheduled line S. The state is divided into a plurality of chips (C).

또한, 마스크 (J1) 가 수용성 수지로 이루어지는 것이 아닌 경우 (예를 들어, 레지스트막인 경우) 에는, 예를 들어, 후술하는 (4) 용제 공급 스텝을 실시한 후에, 플라즈마 에칭 장치 (9) 에 의한 애싱 등에 의해 마스크 (J1) 를 칩 (C) 으로부터 제거해도 된다.In addition, when the mask J1 is not made of a water-soluble resin (for example, a resist film), for example, after performing the solvent supply step (4) described later, the plasma etching apparatus 9 performs The mask J1 may be removed from the chip C by ashing or the like.

또한, 앞서 설명한 (1) 시트 첩착 스텝은, 본 웨이퍼 분할 스텝을 실시한 후에 실시해도 되지만, 본 실시형태와 같이 웨이퍼 분할 스텝을 실시하기 전에 실시함으로써, 웨이퍼 분할 스텝에 있어서의 웨이퍼 (W) 의 핸들링이 용이해진다.Note that the above-described (1) sheet laminating step may be performed after the present wafer dividing step, but is performed before the wafer dividing step is performed as in the present embodiment, thereby handling the wafer W in the wafer dividing step. This becomes easy.

(4) 용제 공급 스텝(4) Solvent supply step

웨이퍼 분할 스텝을 실시한 후, 다이 어태치층 (T2) 을 열화시키는 용제를 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 측으로부터 인접하는 칩 (C) 사이에 공급하고, 인접하는 칩 (C) 사이에 노출된 다이 어태치층 (T2) 을 열화시킨다.After performing the wafer dividing step, a solvent for deteriorating the die attach layer T2 is supplied from the surface Wa side of the wafer W between adjacent chips C, and exposed between the adjacent chips C The die attach layer T2 is deteriorated.

칩 (C) 으로 분할된 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 도 7 에 나타내는 유지 테이블 (20) 에 반송된다. 웨이퍼 (W) 가 표면 (Wa) 을 상측을 향하게 한 상태에서, 유지 테이블 (20) 의 원 형상의 재치면 (20a) (예를 들어, 포러스 부재 등으로 이루어지는 흡인 유지면) 에 재치되고 흡인 유지된다. 또한, 재치면 (20a) 에서 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지하지 않아도 된다.The wafer W divided into chips C is conveyed to the holding table 20 shown in FIG. 7, for example. The wafer W is placed on the circular mounting surface 20a (for example, a suction holding surface made of a porous member or the like) of the holding table 20 in a state where the surface Wa is faced upward and held by suction do. Moreover, it is not necessary to hold and hold the wafer W on the mounting surface 20a.

도 7 에 나타내는 바와 같이, 유지 테이블 (20) 의 상방에는, 용제 공급 노즐 (21) 이 배치 형성되어 있고, 예를 들어, 용제 공급 노즐 (21) 과 유지 테이블 (20) 은 상대적으로 Y 축 방향 및 X 축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 용제 공급 노즐 (21) 은, 용제를 비축하는 용제 공급원 (22) 에 연통되어 있다. 용제 공급 노즐 (21) 은, 유지 테이블 (20) 의 재치면 (20a) 을 향하는 공급구 (21a) 를 그 선단에 가지고 있다.As shown in FIG. 7, the solvent supply nozzle 21 is arrange | positioned above the holding table 20, for example, the solvent supply nozzle 21 and the holding table 20 are relatively Y-axis direction. And movable in the X-axis direction. The solvent supply nozzle 21 communicates with the solvent supply source 22 for storing the solvent. The solvent supply nozzle 21 has a supply port 21a toward the mounting surface 20a of the holding table 20 at its tip.

용제 공급 노즐 (21) 로부터 웨이퍼 (W) 에 적층된 다이 어태치층 (T2) 에 공급되는 용제란, 다이 어태치층 (T2) 을 열화시키는 용제이다. 또한, 열화란, 다이 어태치층 (T2) 의 팽윤이나 용해, 및 다이 어태치층 (T2) 에 있어서의 크랙의 발생 등을 포함한다. 그리고, 용제로서, 예를 들어, 마스크 (J1), 디바이스 (D), 및 익스팬드 시트 (T1) 를 손상시키지 않고, 다이 어태치층 (T2) 을 열화시키는 용제가 선정된다.The solvent supplied from the solvent supply nozzle 21 to the die attach layer T2 stacked on the wafer W is a solvent that degrades the die attach layer T2. In addition, deterioration includes swelling or dissolving of the die attach layer T2, and the occurrence of cracks in the die attach layer T2. And, as the solvent, for example, a solvent that degrades the die attach layer T2 is selected without damaging the mask J1, the device D, and the expanded sheet T1.

다이 어태치층 (T2) 은, 일반적으로 열 경화성 수지 (에폭시 수지) 와 열 가소성 수지 (아크릴 수지) 를 주된 구성으로 하고 있다. 그리고, 아크릴 수지는 알코올 (메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 또는 아밀알코올 등), 아세톤, 또는 이소프로필에테르 등에 의해 팽윤이나 크랙 등이 발생한다. 또, 에폭시 수지는, 알코올 (메탄올, 에탄올, 또는 이소프로필알코올 등) 이나 아세톤 등에 의해 팽윤이나 크랙 등이 발생한다. 따라서, 선정되는 다이 어태치층 (T2) 을 열화시키는 용제는, 각 유기 용제 단체나 각 유기 용제를 혼합시킨 것 (예를 들어, 니혼 알코올 판매 주식회사 제조의 솔믹스) 이다. 또한, 선정되는 용제는 상기 예에 한정되는 것은 아니다.The die attach layer (T2) is generally composed of a thermosetting resin (epoxy resin) and a thermoplastic resin (acrylic resin). In addition, swelling or cracking occurs in the acrylic resin by alcohol (methanol, ethanol, isopropyl alcohol, amyl alcohol, etc.), acetone, or isopropyl ether. In addition, swelling or cracking occurs in the epoxy resin with alcohol (methanol, ethanol, isopropyl alcohol, etc.), acetone, or the like. Therefore, the solvent for deteriorating the selected die attach layer (T2) is a mixture of each organic solvent alone or each organic solvent (for example, Solmix manufactured by Nippon Alcohol Sales Co., Ltd.). In addition, the solvent selected is not limited to the said example.

예를 들어, 용제 공급 스텝에 있어서는, 용제를 다이 어태치층 (T2) 에 분사하기 위한 기준이 되는 분할 예정 라인 (S) 을 따라 형성된 에칭 홈 (M) 의 위치가, 도시되지 않은 얼라인먼트 수단에 의해 검출된다. 도시되지 않은 얼라인먼트 수단은, 웨이퍼 (W) 의 에칭 홈 (M) 이 찍힌 촬상 화상에 기초하여, 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실시하여, 웨이퍼 (W) 의 에칭 홈 (M) 의 좌표 위치를 검출한다.For example, in the solvent supply step, the position of the etching groove M formed along the division scheduled line S as a reference for injecting the solvent into the die attach layer T2 is caused by alignment means not shown. Is detected. The alignment means (not shown) detects the coordinate position of the etching groove M of the wafer W by performing image processing such as pattern matching based on the captured image of the etching groove M of the wafer W. do.

에칭 홈 (M) 이 검출되는 것에 수반하여, 용제 공급 노즐 (21) 과 유지 테이블 (20) 이 상대적으로 Y 축 방향으로 이동하고, 웨이퍼 (W) 의 에칭 홈 (M) 과 용제 공급 노즐 (21) 의 위치 맞춤이 이루어진다. 그리고, 용제 공급 노즐 (21) 의 공급구 (21a) 로부터 하방을 향해 공급 (스프레이상으로 분사 또는 액적상으로 적하) 된 용제가, 에칭 홈 (M) 을 따라 인접하는 칩 (C) 사이에 노출된 다이 어태치층 (T2) 에 공급된다. 그 결과, 도 7 에 나타내는 2 점 쇄선으로 둘러싼 영역이 열화된다. 또, 웨이퍼 (W) 를 유지하는 유지 테이블 (20) 이 -X 방향 (지면 (紙面) 안쪽) 으로 이동한다.As the etching groove M is detected, the solvent supply nozzle 21 and the holding table 20 move relatively in the Y-axis direction, and the etching groove M of the wafer W and the solvent supply nozzle 21 ) Is aligned. Then, the solvent supplied from the supply port 21a of the solvent supply nozzle 21 toward the bottom (sprayed or sprayed or dropped in droplets) is exposed between the adjacent chips C along the etching groove M. It is supplied to the die attach layer (T2). As a result, the area enclosed by the two-dot chain line shown in Fig. 7 deteriorates. Moreover, the holding table 20 holding the wafer W moves in the -X direction (inside the paper).

순차 동일한 용제의 공급을 X 축 방향으로 연장되는 모든 에칭 홈 (M) 을 따라 인접하는 칩 (C) 사이에 노출된 다이 어태치층 (T2) 에 실시한 후, 추가로, 유지 테이블 (20) 을 90 도 회전시키고 나서 동일한 용제의 공급을 실시하여, 용제 공급 스텝을 종료한다. 또한, 용제의 공급을 실시한 후, 다이 어태치층 (T2) 이 충분히 열화될 때까지 시간을 두고 나서 (예를 들어 1 분), 후술하는 파단 스텝으로 진행되면 바람직하다.After sequentially supplying the same solvent to the die attach layer T2 exposed between adjacent chips C along all the etching grooves M extending in the X-axis direction, the holding table 20 is further 90 After rotating also, the same solvent is supplied, and the solvent supply step is ended. In addition, after supplying the solvent, it is preferable if the die attach layer T2 is allowed to deteriorate sufficiently (for example, 1 minute) and then proceeds to a fracture step described later.

이와 같이, 에칭 홈 (M) 을 따라 인접하는 칩 (C) 사이에 노출된 다이 어태치층 (T2) 에 용제를 공급하면, 용제의 공급량을 억제할 수 있으므로 바람직하다.As described above, it is preferable to supply the solvent to the die attach layer T2 exposed between the adjacent chips C along the etching groove M because the amount of the solvent supplied can be suppressed.

또한, 용제의 공급 방법에 대해서는, 상기의 형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도시되지 않은 얼라인먼트 수단에 의한 에칭 홈 (M) 의 위치의 검출을 실시하지 않고, 즉, 용제 공급 노즐 (21) 로부터의 분사 방향을 특별히 정하지 않고 용제를 칩 (C) 사이에 노출된 다이 어태치층 (T2) 에 공급해도 된다.Moreover, about the method of supplying a solvent, it is not limited to the said form. For example, the detection of the position of the etching groove M by the alignment means (not shown) is not carried out, that is, the injection direction from the solvent supply nozzle 21 is not specifically determined, and the solvent is exposed between the chips C. It may be supplied to the die attach layer (T2).

또는, 용제 공급 노즐 (21) 의 공급구 (21a) 를 웨이퍼 (W) 의 중앙 상방에 위치시킨다. 이어서, 공급구 (21a) 로부터 용제를 적하하면서, 유지 테이블 (20) 을 회전시킴으로써, 적하된 용제가 표면 (Wa) 의 중심측으로부터 외주측으로 흘러 전체 면에 골고루 퍼져, 각 칩 (C) 사이에 노출된 다이 어태치층 (T2) 에 공급되는 것으로 해도 된다.Alternatively, the supply port 21a of the solvent supply nozzle 21 is positioned above the center of the wafer W. Subsequently, by dropping the solvent from the supply port 21a while rotating the holding table 20, the dropped solvent flows from the center side of the surface Wa to the outer circumferential side and spreads evenly over the entire surface, between the chips C It may be supplied to the exposed die attach layer T2.

각 칩 (C) 사이에 노출된 다이 어태치층 (T2) 에 대한 용제의 공급은, 작업자의 수작업 (스프레이 분사 등) 에 의해 실시되어도 된다.The supply of the solvent to the die attach layer T2 exposed between the chips C may be performed by an operator's manual work (spray spraying, etc.).

(5) 파단 스텝(5) Breaking step

첩착되어 있는 다이 어태치층 (T2) 의 인접하는 칩 (C) 사이에 노출된 영역이 열화된 웨이퍼 (W) 는, 도 8 에 나타내는 익스팬드 장치 (5) 에 반송된다. 익스팬드 장치 (5) 는, 예를 들어, 익스팬드 시트 (T1) 의 직경보다 대직경의 환상 테이블 (50) 을 구비하고 있고, 환상 테이블 (50) 의 개구 (50c) 의 직경은 익스팬드 시트 (T1) 의 직경보다 작게 형성되어 있다. 환상 테이블 (50) 의 외주부에는, 4 개 (도시된 예에 있어서는, 2 개만 도시) 의 고정 클램프 (52) 가 균등하게 배치 형성되어 있다. 고정 클램프 (52) 는, 스프링 등에 의해 회전축 (52c) 을 축으로 회동 (回動) 가능하고, 환상 테이블 (50) 의 환상의 유지면 (50a) 과 고정 클램프 (52) 의 하면 사이에 환상 프레임 (F) 을 끼워 넣는다. 환상 테이블 (50) 은, 예를 들어, 에어 실린더 등으로 이루어지는 환상 테이블 승강 수단 (55) 에 의해 상하동 가능하게 되어 있다.The wafer W in which a region exposed between adjacent chips C of the attached die attach layer T2 is deteriorated is conveyed to the expander 5 shown in FIG. 8. The expander 5 includes, for example, an annular table 50 having a larger diameter than the diameter of the expandable sheet T1, and the diameter of the opening 50c of the annular table 50 is an expandable sheet. It is formed smaller than the diameter of (T1). On the outer circumference of the annular table 50, four (in the example shown, only two are shown) fixed clamps 52 are arranged evenly. The fixed clamp 52 is rotatable about an axis of rotation 52c by a spring or the like, and an annular frame between the annular holding surface 50a of the annular table 50 and the lower surface of the fixed clamp 52 Insert (F). The annular table 50 is movable up and down by an annular table elevating means 55 made of, for example, an air cylinder or the like.

또한, 상기 용제 공급 스텝은, 본 익스팬드 장치 (5) 내에서 실시되어도 된다.In addition, the said solvent supply step may be performed in this expand apparatus 5.

환상 테이블 (50) 의 개구 (50c) 내에는, 원통상의 확장 드럼 (53) 이 높이 위치를 고정시켜 배치 형성되어 있고, 환상 테이블 (50) 의 중심과 확장 드럼 (53) 의 중심은 대략 합치하고 있다. 확장 드럼 (53) 의 외경은, 예를 들어, 다이 어태치층 (T2) 의 직경보다 대직경으로 되어 있다.In the opening 50c of the annular table 50, a cylindrical expansion drum 53 is arranged to fix the height position, and the center of the annular table 50 and the center of the expansion drum 53 are approximately coincident. Doing. The outer diameter of the expansion drum 53 is, for example, a larger diameter than the diameter of the die attach layer T2.

먼저, 기준 높이 위치에 위치된 환상 테이블 (50) 의 유지면 (50a) 에, 환상 프레임 (F) 이 재치된다. 이어서, 환상 프레임 (F) 이 고정 클램프 (52) 와 환상 테이블 (50) 의 유지면 (50a) 사이에 협지 (挾持) 고정된다. 이 상태에 있어서는, 환상 테이블 (50) 의 유지면 (50a) 과 확장 드럼 (53) 의 환상의 상단면은 동일한 높이 위치에 있고, 확장 드럼 (53) 의 상단면이, 익스팬드 시트 (T1) 의 환상 프레임 (F) 의 내주 가장자리와 다이 어태치층 (T2) 의 외주 가장자리 사이의 영역에, 익스팬드 시트 (T1) 의 하면측으로부터 맞닿는다.First, the annular frame F is placed on the holding surface 50a of the annular table 50 positioned at the reference height position. Subsequently, the annular frame F is clamped between the fixed clamp 52 and the holding surface 50a of the annular table 50. In this state, the holding surface 50a of the annular table 50 and the annular upper end surface of the expansion drum 53 are at the same height position, and the upper end surface of the expansion drum 53 has an expanded seat T1. The area between the inner circumferential edge of the annular frame F and the outer circumferential edge of the die attach layer T2 abuts from the lower surface side of the expand sheet T1.

도 9 에 나타내는 바와 같이, 환상 테이블 승강 수단 (55) 이, 환상 테이블 (50) 을 -Z 방향으로 하강시킴으로써, 환상 테이블 (50) 의 유지면 (50a) 을 확장 드럼 (53) 의 상단면보다 하방의 테이프 확장 위치에 위치시킨다. 그 결과, 익스팬드 시트 (T1) 는, 확장 드럼 (53) 의 상단면에 의해 밀어 올려져 직경 방향 외측을 향해 방사상으로 익스팬드된다. 그리고, 외력 (확장력) 이 익스팬드 시트 (T1) 를 개재하여 다이 어태치층 (T2) 의 에칭 홈 (M) 에 대응하는 영역에 집중적으로 가해져, 각 칩 (C) 사이에 노출된 열화된 다이 어태치층 (T2) 이 에칭 홈 (M) 을 따라 분단되어, 디바이스 (D) 를 구비하는 각 칩 (C) 이 개개로 다이 어태치층 (T2) 을 구비한 상태가 된다.As shown in Fig. 9, the annular table lifting means 55 lowers the annular table 50 in the -Z direction, so that the holding surface 50a of the annular table 50 is lower than the upper surface of the expansion drum 53. Position of the tape in the extended position. As a result, the expanded sheet T1 is pushed up by the upper surface of the expanding drum 53 and radially expanded toward the outside in the radial direction. Then, the external force (extension force) is intensively applied to the region corresponding to the etching groove M of the die attach layer T2 via the expand sheet T1, and the deteriorated die attach exposed between each chip C The tooth layer T2 is divided along the etching groove M, and each chip C provided with the device D is individually provided with the die attach layer T2.

또한, 환상 테이블 (50) 을 하강시키는 것이 아니라, 환상 테이블 (50) 을 고정시키고 확장 드럼 (53) 을 상승시킴으로써, 익스팬드 시트 (T1) 를 확장시키는 것으로 해도 된다. 또, 용제가 칩 (C) 사이에 노출된 다이 어태치층 (T2) 상에 남아 있는 상태에서 파단 스텝은 실시하면 바람직하다.In addition, the expandable sheet T1 may be extended by fixing the annular table 50 and raising the expansion drum 53 rather than lowering the annular table 50. Moreover, it is preferable to perform a rupture step in the state in which the solvent remains on the die attach layer T2 exposed between the chips C.

예를 들어, 익스팬드 시트 (T1) 의 확장에 의해 다이 어태치층 (T2) 을 파단한 후, 칩 (C) 사이의 간격을 유지시키기 위해, 익스팬드 시트 (T1) 에 가해지고 있는 텐션을 해제하여, 익스팬드 시트 (T1) 의 환상 프레임 (F) 의 내주 가장자리와 다이 어태치층 (T2) 의 외주 가장자리 사이의 느슨함이 발생한 영역을, 그 영역 상방에서 주회 (周回) 하는 히터 등으로부터 열을 가하여 열 수축시켜도 된다.For example, after the die attach layer T2 is broken by the expansion of the expanded sheet T1, the tension applied to the expanded sheet T1 is released to maintain the gap between the chips C. By doing so, heat is generated from a heater or the like that circumvents an area where a slack occurs between the inner peripheral edge of the annular frame F of the expanded sheet T1 and the outer peripheral edge of the die attach layer T2. You may apply heat shrink.

(6) 세정 스텝(6) Cleaning step

다이 어태치층 (T2) 이 파단된 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 도 10 에 나타내는 스핀 코터 (4) 에 반송되고, 세정에 의해 마스크 (J1) 와 용제 공급 스텝에 있어서 웨이퍼 (W) 에 부착된 용제가 제거된다. 또한, 웨이퍼 (W) 는, 스핀 코터 (4) 와는 다른 세정 장치에 의해 세정되어도 된다.The wafer W in which the die attach layer T2 is broken is conveyed to, for example, the spin coater 4 shown in FIG. 10, and then washed to the wafer W in the mask J1 and the solvent supply step by washing. The attached solvent is removed. Further, the wafer W may be cleaned by a cleaning device different from the spin coater 4.

스핀 코터 (4) 는, 유지면 (40a) 에서 흡인 유지된 웨이퍼 (W) 에 세정수를 분사하는 세정 노즐 (46) 을 구비하고 있다. 세정 노즐 (46) 은, 예를 들어, 바닥판 (441) 으로부터 세워 형성되어 있고, 측면에서 보아 대략 L 자상의 외형을 구비한다. 세정 노즐 (46) 은, 회전 구동원 (461) 에 의해 Z 축 방향의 축심 둘레로 선회할 수 있고, 세정 노즐 (46) 의 선단 부분에 형성된 분사구 (460) 를 유지면 (40a) 상방에 위치시키는 것이 가능하다. 세정 노즐 (46) 은, 세정수를 비축한 세정수 공급원 (48) 에 연통되어 있다.The spin coater 4 is provided with a cleaning nozzle 46 that sprays cleaning water onto the wafer W that has been sucked and held on the holding surface 40a. The cleaning nozzle 46 is formed erected from the bottom plate 441, for example, and has a substantially L-shaped appearance when viewed from the side. The cleaning nozzle 46 can be rotated around the axial center in the Z-axis direction by the rotational drive source 461, and the injection hole 460 formed at the tip portion of the cleaning nozzle 46 is positioned above the holding surface 40a. It is possible. The washing nozzle 46 communicates with the washing water supply source 48 in which the washing water is stored.

웨이퍼 (W) 가, 익스팬드 시트 (T1) 를 아래로 하여 유지 테이블 (40) 의 유지면 (40a) 에 재치되고 흡인 유지된다. 또, 각 고정 클램프 (401) 에 의해 환상 프레임 (F) 이 고정된다. 다음으로, 유지 테이블 (40) 상의 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 의 중심부에 세정 노즐 (46) 로부터 세정수가 분사됨과 함께, 유지 테이블 (40) 이 소정의 회전 속도로 회전한다. 이로써, 각 칩 (C) 상의 마스크 (J1) 가 세정수에 의해 용해되고, 유지 테이블 (40) 의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해 세정수와 함께 표면 (Wa) 상을 외주 방향을 향해 흘러 가 칩 (C) 으로부터 제거된다. 또, 칩 (C) 의 측면 등에 부착되어 있는 용제도 동시에 세정·제거된다.The wafer W is placed on the holding surface 40a of the holding table 40 with the expanded sheet T1 facing down and held by suction. Moreover, the annular frame F is fixed by each fixing clamp 401. Next, the washing water is sprayed from the cleaning nozzle 46 to the center of the surface Wa of the wafer W on the holding table 40, and the holding table 40 rotates at a predetermined rotational speed. As a result, the mask J1 on each chip C is dissolved by the washing water, and the centrifugal force generated by the rotation of the holding table 40 causes the washing water to flow along the surface Wa toward the outer circumferential direction. It is removed from the chip (C). Moreover, the solvent adhering to the side surface of the chip C is also washed and removed at the same time.

또한, 유지 테이블 (40) 을 회전시키면서, 세정수를 분사하는 세정 노즐 (46) 을 유지 테이블 (40) 상에서 수평 방향으로 왕복 이동시킴으로써, 마스크 (J1) 및 용제를 제거해도 된다.Further, the mask J1 and the solvent may be removed by reciprocating the cleaning nozzle 46 that sprays the washing water in the horizontal direction on the holding table 40 while rotating the holding table 40.

상기와 같이 본 발명에 관련된 웨이퍼의 가공 방법은, 분할 예정 라인 (S) 을 따른 개구를 가진 마스크 (J1) 를 개재하여 웨이퍼 (W) 에 플라즈마 에칭을 실시하고, 분할 예정 라인 (S) 을 따라 웨이퍼 (W) 를 분할하여 복수의 칩 (C) 을 형성하는 웨이퍼 분할 스텝과, 웨이퍼 분할 스텝을 실시하기 전에, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 다이 어태치층 (T2) 을 적층하고, 다이 어태치층 (T2) 을 개재하여 웨이퍼 (W) 를 익스팬드 시트 (T1) 에 첩착하는 시트 첩착 스텝과, 웨이퍼 분할 스텝과 시트 첩착 스텝을 실시한 후, 다이 어태치층 (T2) 을 열화시키는 용제를 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 측으로부터 인접하는 칩 (C) 사이에 공급하고, 인접하는 칩 (C) 사이에 노출된 다이 어태치층 (T2) 을 열화시키는 용제 공급 스텝과, 용제 공급 스텝을 실시한 후, 익스팬드 시트 (T1) 를 확장하여 에칭 홈 (M) 을 따라 다이 어태치층 (T2) 을 파단하는 파단 스텝을 구비하고 있음으로써, 스트리트 리덕션과 가공 시간의 단축을 달성함과 함께 다이 어태치층 (T2) 을 효율적으로 파단할 수 있다.As described above, the wafer processing method according to the present invention performs plasma etching on the wafer W via the mask J1 having an opening along the division scheduled line S, and along the division scheduled line S The wafer attaching step of dividing the wafer W to form a plurality of chips C and the die attach layer T2 are stacked on the back surface Wb of the wafer W before the wafer dividing step is performed, and the die A solvent for deteriorating the die attach layer T2 after performing a sheet laminating step for attaching the wafer W to the expanded sheet T1 via the attach layer T2, and a wafer dividing step and sheet laminating step. A solvent supply step and a solvent supply step for supplying between the adjacent chips C from the surface Wa side of the wafer W and deteriorating the die attach layer T2 exposed between the adjacent chips C are provided. After performing, expand the expandable seat (T1) Ching home can effectively fracture the die attaching chicheung (T2) with a box provided and that as to achieve a reduction in street reduction and processing time the breaking step of breaking the die attaching chicheung (T2) according to (M).

본 실시형태 1 의 웨이퍼의 가공 방법과 같이, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에 형성한 마스크 (J1) 는 수용성 수지로 이루어지고, 파단 스텝을 실시한 후, 웨이퍼 (W) 를 세정하여 마스크 (J1) 와 용제를 제거하는 세정 스텝을 추가로 구비함으로써, 파단 스텝에 있어서의 다이 어태치층 (T2) 의 파단이 다이 어태치층 (T2) 상에 잔존하는 용제에 의해 확실하게 실시된다.As in the wafer processing method of the first embodiment, the mask J1 formed on the surface Wa of the wafer W is made of a water-soluble resin, and after performing a rupture step, the wafer W is washed and the mask ( By further comprising J1) and a cleaning step for removing the solvent, the fracture of the die attach layer T2 in the fracture step is reliably performed by the solvent remaining on the die attach layer T2.

(실시형태 2)(Embodiment 2)

이하에, 본 발명에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (실시형태 2 의 가공 방법으로 한다) 을 실시하여, 도 1 에 나타내는 웨이퍼 (W) 를 디바이스 (D) 를 구비하는 칩으로 분할하는 경우의, 가공 방법의 각 스텝에 대해 설명한다.The processing method in the case of dividing the wafer W shown in Fig. 1 into chips provided with a device D by carrying out the wafer processing method (hereinafter referred to as the processing method of Embodiment 2) according to the present invention. Each step of is explained.

(1-1) 웨이퍼 분할 스텝에 있어서의 수용성 수지의 웨이퍼에 대한 도포(1-1) Application of water-soluble resin to wafer in wafer dividing step

본 실시형태 2 의 웨이퍼의 가공 방법에 있어서는, 먼저, 도 1 에 나타내는 웨이퍼 (W) 가, 도 11 에 나타내는 스핀 코터 (4) 에 반송된다. 또한, 스핀 코터 (4) 에 반송되기 전에, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에는, 도시되지 않은 보호 테이프가 첩착된다. 그리고, 웨이퍼 (W) 가, 보호 테이프가 첩착된 표면 (Wa) 측을 아래로 하여 유지 테이블 (40) 에 의해 흡인 유지되고, 웨이퍼 (W) 를 유지한 유지 테이블 (40) 이, 케이싱 (44) 내의 도포 높이 위치까지 하강한다. 또, 노즐 (45) 의 공급구 (450) 가 웨이퍼 (W) 의 중앙 상방에 위치된다.In the method of processing the wafer of the second embodiment, first, the wafer W shown in FIG. 1 is conveyed to the spin coater 4 shown in FIG. 11. In addition, before being conveyed to the spin coater 4, a protective tape (not shown) is attached to the surface Wa of the wafer W. Then, the wafer W is held and suctioned by the holding table 40 with the protective tape attached to the surface Wa side downward, and the holding table 40 holding the wafer W is casing 44 ). Moreover, the supply port 450 of the nozzle 45 is located above the center of the wafer W.

이어서, 수용성 수지 공급원 (47) 이 수용성 수지를 노즐 (45) 에 공급하고, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 소정량의 수용성 수지가 적하된다. 그리고, 유지 테이블 (40) 이 회전함으로써, 적하된 수용성 수지가 이면 (Wb) 전체 면에 골고루 퍼져, 거의 균일한 두께의 수용성 수지막 (J2) 이 형성된다. 그 후, 회전을 계속하여 수용성 수지막 (J2) 을 회전 건조시킨다. 또한, 수용성 수지막 (J2) 의 건조는, 히터 등에 의한 가열에 의해 실시되어도 된다. 또, 수용성 수지막 (J2) 대신에 레지스트막을 형성해도 된다.Subsequently, the water-soluble resin supply source 47 supplies the water-soluble resin to the nozzle 45, and a predetermined amount of the water-soluble resin is dropped onto the back surface Wb of the wafer W. Then, by rotating the holding table 40, the dropped water-soluble resin spreads evenly over the entire surface of the back surface Wb, thereby forming a water-soluble resin film J2 having a substantially uniform thickness. Thereafter, the rotation is continued, and the water-soluble resin film J2 is dried by rotation. In addition, drying of the water-soluble resin film J2 may be performed by heating with a heater or the like. Moreover, you may form a resist film instead of the water-soluble resin film (J2).

(1-2) 웨이퍼 분할 스텝에 있어서의 마스크의 형성(1-2) Formation of mask in wafer dividing step

이어서, 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치 (6) 에 반송된다. 그리고, 웨이퍼 (W) 가, 표면 (Wa) 측을 아래로 하여 척 테이블 (60) 의 유지면 상에서 흡인 유지된다. 레이저 빔을 웨이퍼 (W) 에 조사하기 위한 기준이 되는 분할 예정 라인 (S) 의 위치가, 예를 들어 적외광을 사용한 이면 (Wb) 으로부터의 웨이퍼 (W) 의 촬상 등이 실시됨으로써 얼라인먼트 수단 (64) 에 의해 검출된다. 척 테이블 (60) 이 Y 축 방향으로 이동하고, 분할 예정 라인 (S) 과 레이저 헤드 (612) 의 위치 맞춤이 이루어진다.Next, the wafer W is conveyed to the laser processing apparatus 6, for example, as shown in FIG. Then, the wafer W is held by suction on the holding surface of the chuck table 60 with the surface Wa side facing down. Alignment means (because the position of the division scheduled line S, which serves as a reference for irradiating the laser beam to the wafer W, is performed by, for example, imaging of the wafer W from the back surface Wb using infrared light or the like. 64). The chuck table 60 moves in the Y-axis direction, and alignment of the line S to be divided and the laser head 612 is made.

이어서, 집광 렌즈 (612a) 에 의해 집광되는 레이저 빔의 집광점 위치가 수용성 수지막 (J2) 의 높이 위치에 맞춰진다. 그리고, 레이저 빔 조사 수단 (61) 이 수용성 수지막 (J2) 에 흡수성을 갖는 레이저 빔을 수용성 수지막 (J2) 에 집광하여 조사한다. 또, 웨이퍼 (W) 가 왕방향인 -X 방향으로 소정의 가공 이송 속도로 이송되고, 레이저 빔에 의해 분할 예정 라인 (S) 을 따라 수용성 수지막 (J2) 이 용융·제거된다.Next, the position of the light-converging point of the laser beam condensed by the light-converging lens 612a is set to the height position of the water-soluble resin film J2. Then, the laser beam irradiating means 61 condenses and irradiates the water-soluble resin film J2 with a laser beam having absorbency on the water-soluble resin film J2. Further, the wafer W is transferred at a predetermined processing feed rate in the -X direction, which is the royal direction, and the water-soluble resin film J2 is melted and removed along the line S to be divided by the laser beam.

레이저 빔 조사를 X 축 방향으로 연장되는 전체 분할 예정 라인 (S) 을 따라 실시한 후, 척 테이블 (60) 을 90 도 회전시키고 나서 동일한 레이저 빔 조사를 실시하면, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 분할 예정 라인 (S) 에 대응하는 영역 이외의 영역에 도 13 에 나타내는 마스크 (J3) 가 형성된 상태가 된다.After performing the laser beam irradiation along the entire division scheduled line S extending in the X-axis direction, and rotating the chuck table 60 by 90 degrees, and then performing the same laser beam irradiation, the back surface Wb of the wafer W The mask J3 shown in FIG. 13 is formed in a region other than the region corresponding to the division scheduled line S of.

(1-3) 웨이퍼 분할 스텝에 있어서의 플라즈마 에칭(1-3) Plasma etching in wafer division step

마스크 (J3) 가 형성된 웨이퍼 (W) 는, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 플라즈마 에칭 장치 (9) 에 반송된다. 먼저, 마스크 (J3) 측을 상측을 향하게 하여 웨이퍼 (W) 를 유지 수단 (90) 의 유지면 (90a) 상에 재치하고 나서, 게이트 밸브 (921) 를 닫고, 배기 장치 (97) 에 의해 챔버 (92) 내를 진공 분위기로 한다. 가스 분출 헤드 (91) 를 소정 높이 위치까지 하강시키고, 가스 공급부 (93) 로부터 SF6 가스를 가스 확산 공간 (910) 에 공급하여, 가스 토출구 (912) 로부터 하방으로 분출시킨다. 또, 고주파 전원 (95) 으로부터 가스 분출 헤드 (91) 에 고주파 전력을 인가하여, SF6 가스를 플라즈마화시킨다. 이것에 병행하여, 전극 (901) 에 바이어스 고주파 전원 (95a) 으로부터 전압을 인가하여, 전하의 분극에 의해 생기는 정전 흡착력에 의해 웨이퍼 (W) 를 유지면 (90a) 상에서 흡착 유지한다.The wafer W on which the mask J3 is formed is conveyed to the plasma etching apparatus 9 as shown in FIG. 13. First, the wafer W is placed on the holding surface 90a of the holding means 90 with the mask J3 side facing upward, and then the gate valve 921 is closed, and the exhaust device 97 chambers it. (92) The inside is made into a vacuum atmosphere. The gas ejection head 91 is lowered to a predetermined height position, and SF 6 gas is supplied from the gas supply unit 93 to the gas diffusion space 910 to eject downward from the gas outlet 912. In addition, high-frequency electric power is applied from the high-frequency power source 95 to the gas ejection head 91 to make the SF 6 gas plasma. In parallel to this, a voltage is applied to the electrode 901 from the bias high-frequency power supply 95a, and the wafer W is adsorbed and held on the holding surface 90a by the electrostatic adsorption force generated by polarization of charges.

그리고, SF6 가스에 의한 플라즈마 에칭과 C4F8 가스에 의한 홈 측벽 등에 대한 보호막 퇴적 (디포지션) 을 교대로 반복하는 보슈법에 의해, 도 14 에 나타내는 분할 예정 라인 (S) 을 따른 격자상의 에칭 홈 (M1) 을 이면 (Wb) 측으로부터 웨이퍼 (W) 에 형성해 간다. 그 결과, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 분할 예정 라인 (S) 을 따른 에칭 홈 (M1) (풀 컷 홈) 이 웨이퍼 (W) 에 형성되고, 웨이퍼 (W) 가 복수의 칩 (C2) 으로 분할된 상태가 된다. 그 후, 도 13 에 나타내는 챔버 (92) 내에 대한 에칭 가스 등의 도입 및 가스 분출 헤드 (91) 에 대한 고주파 전력의 공급을 정지하고, 또, 챔버 (92) 내의 에칭 가스를 배기구 (96) 로부터 배기 장치 (97) 에 배기하여, 챔버 (92) 내부에 에칭 가스가 존재하지 않는 상태로 한다.Then, the lattice along the division scheduled line S shown in Fig. 14 by the Bosch method alternately repeating the plasma etching with SF 6 gas and the deposition (deposition) of the protective film on the groove side wall or the like with C 4 F 8 gas The etching groove M1 of the phase is formed on the wafer W from the back surface Wb side. As a result, as shown in FIG. 14, an etching groove M1 (full cut groove) along the division scheduled line S is formed on the wafer W, and the wafer W is divided into a plurality of chips C2. Becomes a state. Thereafter, the introduction of etching gas or the like into the chamber 92 shown in FIG. 13 and the supply of high-frequency electric power to the gas ejection head 91 are stopped, and the etching gas in the chamber 92 is discharged from the exhaust port 96. The exhaust device 97 exhausts the gas so that the etching gas does not exist inside the chamber 92.

(2) 마스크 제거 스텝(2) Mask removal step

칩 (C2) 으로 분할된 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 도 14 에 나타내는 스핀 코터 (4) 에 반송되고, 표면 (Wa) 을 아래로 하여 유지 테이블 (40) 의 유지면 (40a) 에 재치되고 흡인 유지된다. 다음으로, 유지 테이블 (40) 상의 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 중심부에 세정 노즐 (46) 로부터 세정수가 분사됨과 함께, 유지 테이블 (40) 이 소정의 회전 속도로 회전한다. 이로써, 각 칩 (C2) 상의 마스크 (J3) 가 세정수에 의해 용해되고, 칩 (C2) 으로부터 제거된다.The wafer W divided into chips C2 is conveyed to the spin coater 4 shown in FIG. 14, for example, and is placed on the holding surface 40a of the holding table 40 with the surface Wa facing down. Be tacted and kept aspiring. Next, the washing water is sprayed from the cleaning nozzle 46 to the center of the back surface Wb of the wafer W on the holding table 40, and the holding table 40 rotates at a predetermined rotational speed. Thereby, the mask J3 on each chip C2 is dissolved with washing water and removed from the chip C2.

(3) 시트 첩착 스텝(3) Seating step

마스크 (J3) 가 제거된 웨이퍼 (W) 에 대해, 도 15 에 나타내는 바와 같이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 다이 어태치층 (T2) 이 적층되고, 다이 어태치층 (T2) 을 개재하여 웨이퍼 (W) 가 익스팬드 시트 (T1) 에 첩착된다. 즉, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에는, 도시되지 않은 보호 테이프가 첩착되어 있기 때문에, 그 보호 테이프로부터 칩 (C2) 으로 분할된 웨이퍼 (W) 의 익스팬드 시트 (T1) 상의 다이 어태치층 (T2) 에 대한 전사·첩착이 이루어져, 웨이퍼 (W) 는, 익스팬드 시트 (T1) 를 개재하여 환상 프레임 (F) 에 지지되고, 환상 프레임 (F) 에 의한 핸들링이 가능한 상태가 된다.With respect to the wafer W from which the mask J3 has been removed, as shown in FIG. 15, the die attach layer T2 is laminated on the back surface Wb of the wafer W, and the wafer is interposed through the die attach layer T2. (W) is affixed to the expand seat T1. That is, since a protective tape (not shown) is attached to the surface Wa of the wafer W, the die attach layer on the expanded sheet T1 of the wafer W divided into chips C2 from the protective tape The transfer and adhesion to (T2) is performed, and the wafer W is supported by the annular frame F via the expand sheet T1, and is handled by the annular frame F.

실시형태 2 의 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 웨이퍼 분할 스텝에서는, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 마스크 (J3) 를 형성하고, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 측으로부터 플라즈마 에칭을 실시하고, 웨이퍼 분할 스텝을 실시한 후, 마스크 (J3) 를 제거하는 마스크 제거 스텝을 구비하고, 시트 첩착 스텝은, 마스크 제거 스텝을 실시한 후에 실시함으로써, 플라즈마 에칭시의 디바이스 (D) 에 대한 영향이 매우 작아져, 디바이스 (D) 가 에칭되어 버린다는 사태를 확실하게 방지하는 것이 가능해진다.In the wafer processing method of the second embodiment, in the wafer dividing step, a mask J3 is formed on the back surface Wb of the wafer W, and plasma etching is performed from the back surface Wb side of the wafer W. After the wafer dividing step, the mask removing step for removing the mask J3 is provided, and the sheet attaching step is performed after the mask removing step is performed, so that the effect on the device D during plasma etching is very small. It becomes possible to reliably prevent the situation that the device D is etched.

(4) 용제 공급 스텝(4) Solvent supply step

시트 첩착 스텝을 실시한 후, 도 16 에 나타내는 바와 같이, 다이 어태치층 (T2) 을 열화시키는 용제를 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 측으로부터 인접하는 칩 (C) 사이에 공급하고, 인접하는 칩 (C) 사이에 노출된 다이 어태치층 (T2) 을 열화시킨다. 또한, 용제 공급 스텝은, 실시형태 1 의 경우와 동일하게 실시된다.After performing the sheet laminating step, as shown in FIG. 16, a solvent for deteriorating the die attach layer T2 is supplied from the surface Wa side of the wafer W between adjacent chips C, and adjacent chips The die attach layer T2 exposed between (C) is deteriorated. Note that the solvent supply step is performed in the same manner as in the first embodiment.

(5) 파단 스텝(5) Breaking step

첩착되어 있는 다이 어태치층 (T2) 의 인접하는 칩 (C) 사이에 노출된 영역이 열화된 웨이퍼 (W) 는, 도 17 에 나타내는 익스팬드 장치 (5) 에 반송되고, 실시형태 1 의 경우와 마찬가지로, 익스팬드 시트 (T1) 를 확장하여 에칭 홈 (M1) 을 따라 다이 어태치층 (T2) 이 파단된다. 이와 같이, 실시형태 2 의 웨이퍼의 가공 방법에 있어서도, 스트리트 리덕션과 가공 시간의 단축을 달성함과 함께 다이 어태치층 (T2) 을 효율적으로 파단할 수 있다.The wafer W in which the exposed area between the adjacent chips C of the attached die attach layer T2 is deteriorated is conveyed to the expander 5 shown in Fig. 17, and in the case of the first embodiment. Similarly, the die attach layer T2 is broken along the etching groove M1 by expanding the expanded sheet T1. In this way, also in the wafer processing method of the second embodiment, the die attach layer T2 can be efficiently broken while achieving reduction in the distance and the processing time.

본 발명에 관련된 웨이퍼의 가공 방법은 상기 서술한 실시형태 1, 2 에 한정되지 않고, 그 기술적 사상의 범위 내에 있어서 여러 가지 상이한 형태로 실시되어도 되는 것은 말할 필요도 없다. 또, 첨부 도면에 도시되어 있는 각 장치의 구성에 대해서도, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘할 수 있는 범위 내에서 적절히 변경 가능하다.It is needless to say that the method for processing a wafer according to the present invention is not limited to the above-described Embodiments 1 and 2, and may be implemented in various different forms within the scope of the technical idea. In addition, the configuration of each device shown in the accompanying drawings is not limited to this, and can be appropriately changed within a range that can exert the effects of the present invention.

W : 웨이퍼
D : 디바이스
S : 분할 예정 라인
T1 : 익스팬드 시트
T2 : 다이 어태치층
F : 환상 프레임
4 : 스핀 코터
40 : 유지 테이블
42 : 회전 수단
44 : 케이싱
45 : 노즐
47 : 수용성 수지 공급원
46 : 세정 노즐
48 : 세정수 공급원
6 : 레이저 가공 장치
60 : 척 테이블
61 : 레이저 빔 조사 수단
J1 : 마스크
9 : 플라즈마 에칭 장치
90 : 유지 수단
91 : 가스 분출 헤드
92 : 챔버
96 : 배기구
97 : 배기 장치
98 : 프레임 가열 방지 가드
M : 에칭 홈
20 : 유지 테이블
21 : 용제 공급 노즐
5 : 익스팬드 장치
50 : 환상 테이블
52 : 고정 클램프
53 : 확장 드럼W: Wafer
D: Device
S: Line to be divided
T1: Expanded seat
T2: die attach layer
F: Illusion frame
4: Spin coater
40: maintenance table
42: rotating means
44: casing
45: nozzle
47: water-soluble resin source
46: cleaning nozzle
48: source of washing water
6: laser processing device
60: chuck table
61: laser beam irradiation means
J1: Mask
9: Plasma etching device
90: retaining means
91: gas blowing head
92: chamber
96: exhaust
97: exhaust system
98: frame heating protection guard
M: etching groove
20: maintenance table
21: solvent supply nozzle
5: Expand device
50: fantasy table
52: fixed clamp
53: expansion drum

Claims (4)

교차하는 복수의 분할 예정 라인이 표면에 설정된 웨이퍼의 가공 방법으로서,
그 분할 예정 라인을 따른 개구를 가진 마스크를 개재하여 웨이퍼에 플라즈마 에칭을 실시하고, 그 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할하여 복수의 칩을 형성하는 웨이퍼 분할 스텝과,
그 웨이퍼 분할 스텝을 실시하기 전 또는 후에, 웨이퍼의 이면에 다이 어태치층을 적층하고, 그 다이 어태치층을 개재하여 웨이퍼를 익스팬드 시트에 첩착하는 시트 첩착 스텝과,
그 웨이퍼 분할 스텝과 그 시트 첩착 스텝을 실시한 후, 그 다이 어태치층을 열화시키는 용제를 웨이퍼의 그 표면측으로부터 인접하는 칩 사이에 공급하고, 인접하는 칩 사이에 노출된 그 다이 어태치층을 열화시키는 용제 공급 스텝과,
그 용제 공급 스텝을 실시한 후, 그 익스팬드 시트를 확장하여 에칭 홈을 따라 그 다이 어태치층을 파단하는 파단 스텝을 구비한, 가공 방법.A method for processing a wafer in which a plurality of lines to be divided are set on a surface,
A wafer dividing step of performing plasma etching on the wafer via a mask having an opening along the division scheduled line, and dividing the wafer along the division scheduled line to form a plurality of chips;
Before or after performing the wafer dividing step, a sheet attaching step of laminating a die attach layer on the back surface of the wafer, and attaching the wafer to the expanded sheet via the die attach layer,
After performing the wafer dividing step and the sheet attaching step, a solvent for deteriorating the die attach layer is supplied from the surface side of the wafer to adjacent chips, and the die attach layer exposed between adjacent chips is deteriorated. A solvent supply step,
After performing the solvent supplying step, the processing method is provided with a breaking step of expanding the expanded sheet and breaking the die attach layer along the etching groove. 제 1 항에 있어서,
상기 시트 첩착 스텝은 상기 웨이퍼 분할 스텝을 실시하기 전에 실시되고,
그 웨이퍼 분할 스텝에서는, 웨이퍼의 표면에 상기 마스크를 형성하고, 웨이퍼의 그 표면측으로부터 플라즈마 에칭을 실시하는, 가공 방법.According to claim 1,
The sheet laminating step is performed before the wafer dividing step,
In the wafer dividing step, the mask is formed on the surface of the wafer, and plasma etching is performed from the surface side of the wafer. 제 1 항에 있어서,
상기 웨이퍼 분할 스텝에서는, 웨이퍼의 이면에 상기 마스크를 형성하고, 웨이퍼의 그 이면측으로부터 플라즈마 에칭을 실시하고,
그 웨이퍼 분할 스텝을 실시한 후, 그 마스크를 제거하는 마스크 제거 스텝을 구비하고,
상기 시트 첩착 스텝은, 그 마스크 제거 스텝을 실시한 후에 실시하는, 가공 방법.According to claim 1,
In the wafer dividing step, the mask is formed on the back surface of the wafer, and plasma etching is performed from the back surface side of the wafer.
After performing the wafer dividing step, a mask removing step for removing the mask is provided,
The said sheet sticking step is performed after performing the mask removal step. 제 2 항에 있어서,
상기 마스크는 수용성 수지로 이루어지고,
상기 파단 스텝을 실시한 후, 웨이퍼를 세정하여 그 마스크와 상기 용제를 제거하는 세정 스텝을 추가로 구비한, 가공 방법.According to claim 2,
The mask is made of water-soluble resin,
After performing the said breaking step, the processing method further provided with the washing step which washes a wafer and removes the mask and the said solvent.
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