KR20200028832A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
KR20200028832A
KR20200028832A KR1020190097682A KR20190097682A KR20200028832A KR 20200028832 A KR20200028832 A KR 20200028832A KR 1020190097682 A KR1020190097682 A KR 1020190097682A KR 20190097682 A KR20190097682 A KR 20190097682A KR 20200028832 A KR20200028832 A KR 20200028832A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
gate
exhaust
exhaust passage
Prior art date
Application number
KR1020190097682A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102289615B1 (en
Inventor
히데키 모리
마사아키 후루야
노부오 고바야시
Original Assignee
시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 filed Critical 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Publication of KR20200028832A publication Critical patent/KR20200028832A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102289615B1 publication Critical patent/KR102289615B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

An objective of the present invention is to efficiently collect mist, and suppress base creation by acid and alkali mist in an exhaust path and a processing chamber even if an acidic processing solution and an alkaline processing solution in particular are used to allow substrate processing by various processing solutions in the same processing chamber. According to embodiments of the present invention, a substrate processing apparatus (11) processes a substrate (W) by sequentially supplying a plurality of types of processing solutions to the substrate (W), and comprises: a processing chamber (13) in which processing of the substrate (W) is performed; a rotary table (15) which retains the substrate (W) in the processing chamber (13), and is rotated and driven; a processing solution supply unit (51, 52) which is retained on the rotary table (15), and supplies a processing solution to the substrate (W) in a rotating state; a plurality of exhaust paths (22a, 22b, 22c, 22d) having openable gates to discharge mist of the processing solution from the processing chamber (13) to the outside; and a gate opening/closing switching means (lifting cylinders (48a, 48b, 48c, 48d) and a control unit (70)) to switch opening and closing of the gates (45a, 45b, 45c, 45d) in accordance with the rotating direction of the substrate (W).

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing device and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은, 회전하는 기판에 처리액을 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing substrate processing by supplying a processing liquid to a rotating substrate.

유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판에 회로 패턴을 형성하는 과정에서, 현상액, 에칭액, 박리액, 세정액 등의 각종 처리액이 기판 상에 공급된다. 이러한 기판 처리를 행한 각종 처리액을 재이용이나 분별 폐기를 위해 분리 회수하는 스핀 처리 장치가 개시되어 있다(특허문헌 1).In the process of forming a circuit pattern on a substrate such as a glass substrate or a semiconductor wafer, various processing solutions such as a developer, an etching solution, a peeling solution, and a cleaning solution are supplied onto the substrate. A spin processing apparatus for separating and recovering various treatment liquids subjected to such substrate treatment for reuse or fractional disposal (Patent Document 1) is disclosed.

[특허문헌 1] 일본 특허 제3948963호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent No. 3948963

특허문헌 1에 기재된 스핀 처리 장치는, 기판에 부착되는 파티클 수를 최소한으로 하기 위해, 처리실 내에서 발생한 미스트(mist)를 흡인함으로써 처리실 밖으로 배출하도록 하고 있다.In order to minimize the number of particles adhering to the substrate, the spin processing apparatus described in Patent Literature 1 sucks mist generated in the processing chamber and discharges it out of the processing chamber.

그런데, 스핀 처리 장치에 있어서는, 처리 중에 발생한 미스트를 효율적으로 처리실 밖으로 배출하는 것이 요구된다. 또한, 상기한 각종 처리액에, 산성 에칭액, 알칼리성 세정액 등이 포함되어 있으면, 처리실 내나 배기로에 있어서 산과 알칼리에 의한 반응으로 염(salt)이 생성되어, 처리실 내의 청정도의 악화나 배출관에의 부착에 따른 배출 저하를 초래할 우려가 있다. 산성 처리액에 의한 처리와 알칼리성 처리액에 의한 처리에서 각각 처리 장치를 별개로 하면 염의 생성을 회피하는 것은 가능하지만, 장치 면적이나 경비 등이 증대하여, 생산성이 악화되게 된다.However, in the spin processing apparatus, it is required to efficiently discharge mist generated during processing out of the processing chamber. In addition, when the above-mentioned various treatment liquids contain an acidic etchant, an alkaline cleaning liquid, etc., salts are generated by reaction with acids and alkalis in the treatment chamber or in the exhaust path, deteriorating cleanliness in the treatment chamber or adhering to the discharge pipe. There is a risk of causing a reduction in emissions. In the treatment with the acidic treatment liquid and the treatment with the alkaline treatment liquid, it is possible to avoid salt formation when the treatment apparatus is separately set, but the device area, cost, and the like increase, and productivity deteriorates.

본 발명은, 미스트의 회수를 효율적으로 행하는 것 그리고 특히 산성 처리액과 알칼리성 처리액을 이용하는 경우에도, 배기로나 처리실 내에서의 산 및 알칼리의 미스트에 의한 염의 생성을 억제하여, 동일 처리실 내에서의 각종 처리액에 의한 기판 처리가 가능해지는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 제공을 목적으로 한다.The present invention suppresses the formation of salts due to mists of acids and alkalis in the exhaust passages or the treatment chamber, and also in the same treatment chamber, even when efficiently recovering the mist and particularly when using an acid treatment liquid and an alkaline treatment liquid. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that enable substrate processing with various processing liquids.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 복수 종의 처리액을 순차 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 기판의 처리가 행해지는 처리실과, 상기 처리실의 내부에서 상기 기판을 유지하고 회전 구동되는 회전 테이블과, 상기 회전 테이블에 유지되고 회전 상태인 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 처리액의 미스트를, 상기 처리실로부터 외부로 유출시키는 개폐 가능한 게이트가 형성된 복수의 배기로와, 상기 기판의 회전 방향에 따라 상기 게이트의 개폐를 전환하는 게이트 개폐 전환 수단을 포함하는 구성이다.In order to solve the above problems, the substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate processing apparatus for sequentially processing a substrate by sequentially supplying a plurality of kinds of processing liquids to the substrate, and a processing chamber in which the substrate is processed, and an interior of the processing chamber In the rotating table for holding and rotating the substrate, the processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate held and rotated on the rotating table, and opening and closing to discharge the mist of the processing liquid from the processing chamber to the outside It is a configuration that includes a plurality of exhaust passages where possible gates are formed and gate opening / closing switching means for switching opening / closing of the gate according to the rotation direction of the substrate.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 기판에 복수 종의 처리액을 순차 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 상기 처리실 내로부터 제1 처리액의 미스트를 외부로 배기하는 제1 배기로의 게이트를 개방하고, 회전 테이블에 배치된 상기 기판을 제1 방향으로 회전시키고 상기 제1 처리액을 공급하는 제1 공정과, 상기 제1 처리액의 공급을 정지하고 상기 회전 테이블에 배치된 상기 기판의 제1 방향의 회전을 정지시킨 후에, 상기 회전 테이블에 배치된 상기 기판을 상기 제1 방향과 반대 방향의 제2 방향으로 회전시키는 제2 공정과, 상기 제1 배기로의 게이트를 폐쇄하고, 상기 처리실 내로부터 제2 처리액의 미스트를 외부로 배기하는 제2 배기로의 게이트를 개방하고, 상기 회전 테이블에 배치된 상기 기판에 제2 처리액을 공급하는 제3 공정을 포함하는 구성이다.Further, the substrate processing method according to the present invention is a substrate processing method for sequentially processing a substrate by sequentially supplying a plurality of kinds of processing liquids to the substrate, wherein the first exhaust path exhausts the mist of the first processing liquid from the inside of the processing chamber to the outside. A first process of opening the gate of the substrate, rotating the substrate disposed on the rotating table in a first direction, and supplying the first processing liquid; and stopping the supply of the first processing liquid and placing the substrate on the rotating table. After stopping the rotation of the substrate in the first direction, a second step of rotating the substrate disposed on the rotation table in a second direction opposite to the first direction, and closing the gate of the first exhaust passage, A third step of opening a gate of a second exhaust path for exhausting the mist of the second processing liquid from the inside of the processing chamber to the outside, and supplying a second processing liquid to the substrate disposed on the rotary table. It is a configuration to include.

본 발명에 따르면, 미스트의 회수를 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 산성 처리액에 의한 처리와 알칼리성 처리액에 의한 처리를 행하는 경우여도, 동일 처리실 내에서의 처리를 가능하게 한다.According to the present invention, it is possible to efficiently recover mist. Further, even in the case of treatment with an acidic treatment liquid and treatment with an alkaline treatment liquid, treatment in the same treatment chamber is enabled.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 사시도.
도 2는 도 1의 A-A 단면도.
도 3은 도 1의 B-B 단면도.
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 내부를 나타낸 개략 사시도.
도 5는 기판 처리의 절차를 나타낸 흐름도.
도 6은 기판 처리 공정 중의 일 공정을 나타낸 개략 사시도.
도 7은 기판 처리 공정 중의 일 공정을 나타낸 개략 사시도.
도 8은 기판 처리 공정 중의 일 공정을 나타낸 개략 사시도.
도 9는 기판의 회전에 의해 발생하는 선회 기류의 방향과 배기로의 게이트와의 배치 관계를 나타낸 평면 모식도.
도 10은 도 9와 반대 방향으로 회전하는 기판에 의해 발생하는 선회 기류의 방향과 배기로의 게이트와의 배치 관계를 나타낸 평면 모식도.1 is a schematic perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1;
3 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 1.
4 is a schematic perspective view showing the interior of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart showing the procedure of substrate processing.
6 is a schematic perspective view showing one step in the substrate processing step.
7 is a schematic perspective view showing one step in the substrate processing step.
8 is a schematic perspective view showing one step in the substrate processing step.
Fig. 9 is a schematic plan view showing the arrangement relationship between the direction of the swirling air flow generated by the rotation of the substrate and the gate of the exhaust passage.
10 is a schematic plan view showing the arrangement relationship between the direction of the swirling air flow generated by the substrate rotating in the opposite direction from FIG. 9 and the gate of the exhaust passage.

이하, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서 도면을 이용하여 설명한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리 장치(11)의 기본적인 구조가, 도 1 내지 도 4에 도시된다.The basic structure of the substrate processing apparatus 11 according to the embodiment of the present invention is shown in Figs.

도 1에 있어서, 기판 처리 장치(11)는, 사각기둥 형상의 가대(架臺)(12)(이점쇄선으로 나타냄)와, 가대(12) 위에 설치한 프레임체(도시하지 않음)의 내측에 배치된 사각기둥 형상의 처리실(13)을 구비하고 있다.In Fig. 1, the substrate processing apparatus 11 is provided inside a frame (not shown) provided on a trellis 12 (represented by a double-dotted chain line) and a truncated columnar shape. It is equipped with the processing chamber 13 of the square pillar shape arrange | positioned.

처리실(13) 내부의 중심부에는, 처리실(13) 내로 반입된 기판(W)을 유지하고 회전시키는 회전 테이블(15)과, 회전 테이블(15) 주위에 위치하는, 상부를 개구부로 하는 환형의 컵체(17)가 설치되어 있다. 처리실(13)은 4개의 측면을 갖는다. 도시예에서는, 4개의 측면이, 투명성을 갖는 부재라고 기재되어 있다. 대향하는 한 쌍의 측면(16a, 16b)(도 3 참조)의 한쪽 측면(16a)에는, 처리실(13)로 기판(W)을 출납하기 위해, 개폐 가능 게이트(gate)를 구비한 출입구(18)가 형성되어 있다. 이 출입구(18)가 형성된 측면(16a)의 양측에 위치하는 측면(19a, 19b)(도 2 참조)에는, 처리실(13)의 하부로부터 상부를 향해 배기하는 배기로가 각각 2개씩 설치되어 있다. 구체적으로는, 측면(19a) 측에는 배기로(22a, 22b)가, 측면(19b) 측에는 배기로(22c, 22d)가 설치되어 있다. 배기로(22a∼22d)는, 그 상부에 위치하는 배기 덕트(25a, 25b, 25c, 25d)에 각각 접속하여 연통하고 있다. 배기 덕트(25a∼25d)는 그 상단을 향해 횡단면이 축소되는 형상이며, 상단에서 원통 형상의 관체(27a, 27b, 27c, 27d)에 접속하여 연통하고 있다. 관체(27a∼27d) 앞에는, 각각 처리실(13)로부터의 배기를 행하는 배기 팬(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 또한, 출입구(18)의 게이트의 개폐 기구(도시하지 않음)는, 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 게이트의 개폐 구동을 제어부(70)에 기억된 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여 제어한다.In the central portion inside the processing chamber 13, a rotating table 15 for holding and rotating the substrate W carried into the processing chamber 13 and an annular cup body positioned around the rotating table 15 and having an upper portion as an opening (17) is installed. The processing chamber 13 has four sides. In the example of illustration, four side surfaces are described as a member having transparency. On one side 16a of the pair of opposing side surfaces 16a, 16b (see Fig. 3), an entrance 18 having an openable gate is provided for putting the substrate W in and out of the processing chamber 13 ) Is formed. On the side surfaces 19a and 19b (see Fig. 2) located on both sides of the side surface 16a on which the doorway 18 is formed, two exhaust passages for exhausting from the lower part of the processing chamber 13 toward the upper part are provided, respectively. . Specifically, the exhaust passages 22a and 22b are provided on the side 19a side, and the exhaust passages 22c and 22d are provided on the side 19b side. The exhaust passages 22a to 22d are respectively connected to and communicate with the exhaust ducts 25a, 25b, 25c, and 25d located above them. The exhaust ducts 25a to 25d have a shape in which a cross section is reduced toward the upper end thereof, and are connected to and communicate with cylindrical tubular bodies 27a, 27b, 27c, and 27d at the upper end. In front of the pipes 27a to 27d, exhaust fans (not shown) for exhausting air from the processing chamber 13 are provided, respectively. Further, a gate opening / closing mechanism (not shown) of the doorway 18 is electrically connected to the control unit 70, and based on the substrate processing information and various programs stored in the control unit 70, the gate opening / closing driving is performed. Control.

처리실(13)의 천장부에는, 기판 처리 장치(11)가 배치되는 클린룸 내에 공급되는 청정 공기를 더 청정화하여 처리실(13) 내에 공급하는 팬 필터 유닛(31)이 설치되어 있다. 이 팬 필터 유닛(31)을 통해 처리실(13) 내에 다운플로우 공급된 청정 공기는, 후술하는 바와 같이 기판(W)에 공급된 처리액에 의해 발생한 미스트와 함께, 상기 배기 팬에 의해 배기로(22)(22a∼22d), 배기 덕트(25)(25a∼25d) 및 관체(27)(27a∼27d)를 통해 외부로 배출된다. 팬 필터 유닛(31)으로부터는 항상, 처리실(13) 내로 청정 공기가 공급되고, 배기 팬도 항상 가동하고 있다.On the ceiling portion of the processing chamber 13, a fan filter unit 31 is provided to further purify the clean air supplied into the clean room in which the substrate processing apparatus 11 is disposed and supply it into the processing chamber 13. The clean air supplied downflow into the processing chamber 13 through the fan filter unit 31, together with the mist generated by the processing liquid supplied to the substrate W as described later, is exhausted by the exhaust fan ( 22) (22a to 22d), exhaust ducts 25 (25a to 25d) and pipes 27 (27a to 27d) are discharged to the outside. Clean air is always supplied into the processing chamber 13 from the fan filter unit 31, and the exhaust fan is always running.

처리실(13)의 바닥면(14)에는 개구부(33)가 형성되고(도 2 참조), 이 개구부(33)의 바로 아래에 회전 테이블(15)을 회전시키는 구동 모터(35)가 설치되어 있다. 구동 모터(35)는 개구부(33)를 관통하는 회전축(36)을 갖는다(도 2 참조). 구동 모터(35)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되고, 그 구동을 제어부(70)에 기억된 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여 제어한다.An opening 33 is formed in the bottom surface 14 of the processing chamber 13 (see Fig. 2), and a drive motor 35 for rotating the rotary table 15 is provided directly under the opening 33. . The drive motor 35 has a rotating shaft 36 passing through the opening 33 (see Fig. 2). The drive motor 35 is electrically connected to the control unit 70 and controls the drive based on the substrate processing information stored in the control unit 70 and various programs.

컵체(17)는, 환형의 수직벽과, 이 수직벽의 상단으로부터 직경 방향을 향해 상승하도록 경사지는 환형의 경사벽을 갖는 상부 컵체(17a)와, 상부 컵체(17a)보다도 하부에서 직경 방향 기판(W) 측에 위치하고, 환형의 수직벽과, 이 수직벽의 상단으로부터 직경 방향을 향해 상승하도록 경사지는 환형의 경사벽을 갖는 하부 컵체(17b)를 구비하고 있다. 상부 컵체(17a)에는, 상부 컵체(17a)를 승강시키는, 도시하지 않은 실린더로부터 신장되는 로드(38a)가 접속되어 있고, 마찬가지로 하부 컵체(17b)에는, 하부 컵체(17b)를 승강시키는, 도시하지 않은 실린더로부터 신장되는 로드(38b)가 접속되어 있다. 상부 컵체(17a), 하부 컵체(17b)를 승강시킴으로써, 기판(W)의 반입, 처리액의 분리 회수, 기판(W)의 반출이 가능해지고 있다. 기판(W)에 공급된 처리액은 컵체(17a, 17b)에 의해 분리되고, 컵체(17a, 17b)의 하부에 설치한 배액로(도시하지 않음)로 유입되어 회수 또는 폐기된다. 상부 컵체(17a)의 측면은, 처리실(13)을 상하로 구획하는 가운데 칸막이부(24)의 개구에 끼워넣어져 있다. 또한, 로드(38a, 38b)를 상하 이동시키는 도시하지 않은 신축 실린더는, 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동을 제어부(70)에 기억된 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여 제어한다.The cup body 17 has an annular vertical wall, an upper cup body 17a having an annular inclined wall inclined to rise in the radial direction from the top of the vertical wall, and a radial direction substrate lower than the upper cup body 17a. It is provided with the lower cup body 17b located on the (W) side and having an annular vertical wall and an annular inclined wall inclined to rise in the radial direction from the upper end of the vertical wall. A rod 38a extending from a cylinder (not shown) for raising and lowering the upper cup body 17a is connected to the upper cup body 17a, and the lower cup body 17b is similarly lifted and lowered to the lower cup body 17b. A rod 38b extending from an unused cylinder is connected. By raising and lowering the upper cup body 17a and the lower cup body 17b, it is possible to carry in the substrate W, separate the number of times of separation of the processing liquid, and take out the substrate W. The processing liquid supplied to the substrate W is separated by the cup bodies 17a and 17b, and introduced into a drainage path (not shown) provided below the cup bodies 17a and 17b to be collected or discarded. The side surface of the upper cup body 17a is inserted into the opening of the partition portion 24 while the processing chamber 13 is divided up and down. In addition, an unillustrated expansion and contraction cylinder for moving the rods 38a and 38b up and down is electrically connected to the control unit 70, and its driving is controlled based on substrate processing information and various programs stored in the control unit 70. do.

처리실(13)의 측면(19a) 측에는, 측면(19a)과 정해진 간격을 둔 위치에 측면(19a)과 평행한 내벽(20a)이 설치되고, 또한 측면(19a)과 내벽(20a)으로 형성된 공간을 이등분하도록 상하 방향으로 연장되는 칸막이벽(21a)이 설치되어, 측면(19a) 측에 배기로(22a, 22b)가 형성된다. 마찬가지로, 처리실(13)의 측면(19b)에는, 측면(19b)과 정해진 간격을 둔 위치에 측면(19b)과 평행한 내벽(20b)이 설치되고, 또한 측면(19b)과 내벽(20b)으로 형성된 공간을 이등분하도록 상하 방향으로 연장되는 칸막이벽(21b)이 설치되어, 측면(19b) 측에 배기로(22c, 22d)가 형성된다.On the side 19a side of the processing chamber 13, an inner wall 20a parallel to the side 19a is installed at a predetermined spaced distance from the side 19a, and a space formed by the side 19a and the inner wall 20a The partition walls 21a extending in the vertical direction are bisected so that the exhaust passages 22a and 22b are formed on the side surfaces 19a. Likewise, on the side surface 19b of the processing chamber 13, an inner wall 20b parallel to the side surface 19b is provided at a spaced distance from the side surface 19b, and also on the side surface 19b and the inner wall 20b. A partition wall 21b extending in the vertical direction is provided to bisect the formed space, and exhaust passages 22c and 22d are formed on the side surface 19b.

배기로(22a∼22d)는, 각각 내벽(20a, 20b)의 하부에 사각 형상의 개구부(41a, 41b, 41c, 41d)(도 1, 도 9 참조)가 형성되고, 이 개구부(41a∼41d)마다, 개구부(41a∼41d)의 개폐를 행하는 게이트부(43a, 43b, 43c, 43d)가 설치되어 있다. 게이트부(43a, 43b, 43c, 43d)는, 사각 형상의 차폐판(gate)(45a, 45b, 45c, 45d)과, 차폐판(45a∼45d)에 고착된, 상하 방향을 축 방향으로 하는 막대형의 지지축(46a, 46b, 46c, 46d)과, 차폐판(45a∼45d)을 상하로 승강시키기 위해, 지지축(46a∼46d)에 접속된 승강 실린더(로드)(48a, 48b, 48c, 48d)를 갖는다. 즉, 배기로(22a∼22d)마다 대응하여, 차폐판(45a∼45d)이 설치되어 있게 된다. 게이트부(43a∼43d)에 의한 개구부(41a∼41d)의 개구 범위(개구량)는, 제어부(70)에 의해, 기판(W)의 회전 속도(회전수)에 따라 배기에 최적이 되는 범위로 제어할 수 있다. 기판(W)의 회전 속도(회전수)가 빨라지면 미스트를 포함하는 기체의 선회 속도도 그것에 따라 빨라지고, 반대로 기판(W)의 회전 속도가 느려지면 기체의 선회 속도도 느려지기 때문에, 처리실(13) 내의 파티클의 발생을 억제한 효율이 좋은 배기가 되도록, 개구부(41a∼41d)의 개구 범위를 차폐판(45a∼45d)의 승강 위치의 조정에 의해 제어한다. 기체의 선회 속도에 대하여 개구부(41a∼41d)의 개구 범위가 너무 크면, 배기로(22a∼22d) 내의 기체의 유속이 느려져서 충분한 배기를 할 수 없어, 처리실(13) 내에 파티클이 발생하기 쉬워진다. 한편, 기체의 선회 속도에 대하여 개구부(41a∼41d)의 개구 범위가 너무 작으면, 배기로(22a∼22d) 내의 기체의 유속이 빨라져서, 기체 중의 미스트가 액적 형상이 되어 처리실(13) 내나 배기로(22a∼22d) 내에 부착되어 버린다. 특히, 처리실(13) 내에 처리액이 부착되면 다른 처리액에 의한 기판 처리에 의해 처리실(13) 내에서 염이 생성될 우려도 있다. 그 때문에, 기판(W)의 회전 속도(회전수)에 알맞은 개구 범위가 되도록 차폐판(45a∼45d)의 승강 위치를 조정하도록 제어한다. 예컨대, 기판(W)의 회전 속도마다, 혹은 기판(W)의 회전 속도 이외에, 기판(W)의 회전 방향도 가미하여 차폐판(45a∼45d)의 알맞은 개구 범위를 미리 실험 등에 의해 구하여 제어부(70)의 기억부에 기억시켜 둔다. 제어부(70)는, 설정된 기판(W)의 회전 속도나 회전 방향에 따른, 차폐판(45a∼45d)의 개구 범위를 기억부로부터 호출하고, 그 개구 범위가 되도록 차폐판(45a∼45d)의 각 승강 위치를 조정하도록 하여도 좋다. 또한, 승강 실린더(48a∼48d)는, 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동을 제어부(70)에 기억된 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여 제어한다. 승강 실린더(48a∼48d)와 제어부(70)로 게이트 개폐 전환 수단을 구성한다.Exhaust passages 22a to 22d have square openings 41a, 41b, 41c, and 41d (see Figs. 1 and 9) formed below the inner walls 20a and 20b, respectively, and these openings 41a to 41d ), Gate parts 43a, 43b, 43c, and 43d for opening and closing the openings 41a to 41d are provided. The gate portions 43a, 43b, 43c, and 43d are fixed to the square shield plates 45a, 45b, 45c, and 45d, and the shield plates 45a to 45d, in the vertical direction. Lifting cylinders (rods) 48a, 48b connected to the support shafts 46a-46d to elevate the rod-like support shafts 46a, 46b, 46c, 46d and the shield plates 45a-45d up and down. 48c, 48d). That is, the shielding plates 45a to 45d are provided for each of the exhaust passages 22a to 22d. The opening range (opening amount) of the openings 41a to 41d by the gate portions 43a to 43d is a range that is optimal for exhaust gas by the control unit 70 according to the rotational speed (number of revolutions) of the substrate W Can be controlled by. When the rotational speed (number of revolutions) of the substrate W increases, the rotational speed of the gas containing mist also increases accordingly, and, conversely, when the rotational speed of the substrate W decreases, the rotational speed of the gas also decreases. ), The opening range of the openings 41a to 41d is controlled by adjusting the lifting positions of the shielding plates 45a to 45d so as to achieve high-efficiency exhaust with suppressed generation of particles in). When the opening range of the openings 41a to 41d is too large with respect to the rotational speed of the gas, the flow velocity of the gas in the exhaust passages 22a to 22d is slowed, so that sufficient exhaust cannot be made, and particles are easily generated in the processing chamber 13 . On the other hand, if the opening range of the openings 41a to 41d is too small with respect to the turning speed of the gas, the flow velocity of the gas in the exhaust passages 22a to 22d becomes faster, and the mist in the gas becomes a droplet shape, and the exhaust or exhaust of the processing chamber 13 It is attached to the furnaces 22a to 22d. In particular, when the processing liquid is attached to the processing chamber 13, salt may be generated in the processing chamber 13 by substrate treatment with another processing liquid. For this reason, it is controlled to adjust the lifting positions of the shielding plates 45a to 45d so as to have an opening range suitable for the rotational speed (number of revolutions) of the substrate W. For example, in addition to the rotational speed of the substrate W or the rotational speed of the substrate W in addition to the rotational speed of the substrate W, the appropriate opening ranges of the shielding plates 45a to 45d are determined in advance through experiments, etc. 70). The control unit 70 recalls the opening range of the shielding plates 45a to 45d according to the rotational speed and rotational direction of the set substrate W from the storage unit, and the shielding plates 45a to 45d are set to be the opening range. You may adjust each elevation position. Further, the lifting cylinders 48a to 48d are electrically connected to the control unit 70, and control their driving based on the substrate processing information stored in the control unit 70 and various programs. The gate opening / closing switching means is constituted by the lifting cylinders 48a to 48d and the control unit 70.

기판(W)을 사이에 두고 대각선 상에 위치하는, 한 쌍의 배기로(22a, 22c)는 제1 배기로를 구성하고, 동일하게 기판을 사이에 두고 대각선 상에 위치하는, 한 쌍의 배기로(22b, 22d)는 제2 배기로를 구성한다(도 9, 도 10 참조). 상세한 내용은 후술하지만, 본 실시형태에서는, 기판(W)에 공급하는 처리액을 바꾸면, 회전 테이블(15)의 회전 방향을 바꾸기 때문에, 배기(미스트의 회수)를 효율적으로 행하기 위해, 기판(W)의 회전 방향에 따라 배기로(22a∼22d)를 선택한다. 예컨대, 평면에서 보아, 기판(W)을 반시계 방향으로 회전시킨 상태에서, 제1 처리액인 산성 처리액(예컨대 에칭액)을 기판(W)에 공급할 때에는, 제2 배기로(22b, 22d)에 대응하여 설치되는 게이트부(43b, 43d)의 차폐판(45b, 45d)을 폐쇄하고, 제1 배기로(22a, 22c)에 대응하여 설치되는 게이트부(43a, 43c)의 차폐판(45a, 45c)을 상승시켜 개방된 개구부(41a, 41c)로부터 배기한다. 또한, 평면에서 보아, 기판(W)을 시계 방향으로 회전시킨 상태에서, 알칼리성 처리액(예컨대 세정액)인 제2 처리액을 기판(W)에 공급할 때에는, 차폐판(45a, 45c)을 폐쇄하고, 차폐판(45b, 45d)을 상승시켜 개구부(41b, 41d)로부터 배기한다.A pair of exhaust paths 22a, 22c, which are located on the diagonal line with the substrate W therebetween, constitute a first exhaust path, and a pair of exhaust lines, which are located on the diagonal line with the substrate therebetween, The furnaces 22b and 22d constitute a second exhaust passage (see FIGS. 9 and 10). Although the details will be described later, in the present embodiment, when the processing liquid supplied to the substrate W is changed, the rotation direction of the rotation table 15 is changed, and therefore, the substrate ( The exhaust passages 22a to 22d are selected according to the rotational direction of W). For example, when the substrate W is supplied with an acidic treatment liquid (for example, an etchant) that is the first treatment liquid in a state where the substrate W is rotated counterclockwise in plan view, the second exhaust passages 22b and 22d The shielding plates 45b and 45d of the gate portions 43b and 43d installed correspondingly are closed, and the shielding plates 45a of the gate portions 43a and 43c installed corresponding to the first exhaust passages 22a and 22c are closed. , 45c) to exhaust the openings 41a and 41c. Further, when the substrate W is supplied with the second treatment liquid, which is an alkaline treatment liquid (for example, a cleaning liquid) in a state where the substrate W is rotated clockwise in plan view, the shielding plates 45a and 45c are closed. , The shielding plates 45b and 45d are raised to exhaust air from the openings 41b and 41d.

도 4에 도시된 바와 같이, 처리실(13) 내에는, 회전 테이블(15)에 유지되어 회전되는 기판(W)에 처리액을 공급하는 제1 노즐 아암부(51) 및 제2 노즐 아암부(52)가 설치되어 있다(도 1에서는 도시 생략함). 제1 노즐 아암부(51)는, 상하 방향을 회동축으로 하여 수평면 상에서 회동하는 원통 형상의 회동축체(53)와, 회동축체(53)의 측면에 일단이 접속되고 타단을 향해 수평 방향으로 연장되는 아암부(55)와, 회동축체(53)와 아암부(55)의 내부를 관통하여 설치되고 아암부(55)의 타단으로부터 선단이 돌출되어 있는 노즐(56a, 56b)을 갖는다. 회동축체(53)의 회동에 의해 노즐(56a, 56b)은, 기판(W)의 중심부와 기판(W)으로부터 떨어진 대기 위치를 회동할 수 있다. 노즐(56a, 56b)은 처리액을 공급하는 처리액 공급 탱크(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 예컨대, 노즐(56a)로부터는 제1 처리액인 산성 처리액(에칭액 등)이 기판(W)에 공급되고, 노즐(56b)로부터는 순수가 기판(W)에 공급된다.As shown in Fig. 4, in the processing chamber 13, the first nozzle arm portion 51 and the second nozzle arm portion (which supply the processing liquid to the substrate W which is held and rotated on the rotating table 15) 52) is provided (not shown in FIG. 1). The first nozzle arm portion 51 has a cylindrical rotating shaft 53 that rotates on a horizontal plane with the rotating shaft as the rotating shaft, and one end connected to the side surfaces of the rotating shaft 53, and horizontally directed toward the other end. It has an arm portion (55) extending to, and is provided through the inside of the pivot shaft (53) and the arm portion (55) and has nozzles (56a, 56b) protruding from the other end of the arm portion (55). . By the rotation of the rotating shaft 53, the nozzles 56a and 56b can rotate the center of the substrate W and the standby position away from the substrate W. The nozzles 56a and 56b are connected to a processing liquid supply tank (not shown) for supplying the processing liquid. For example, an acidic treatment liquid (etching liquid, etc.), which is the first treatment liquid, is supplied to the substrate W from the nozzle 56a, and pure water is supplied to the substrate W from the nozzle 56b.

제2 노즐 아암부(52)도 제1 노즐 아암부(51)와 동일한 구조이며, 회동축체(57), 아암부(58) 및 노즐(60a, 60b)을 갖는다. 회동축체(57)의 회동에 의해 노즐(60a, 60b)은, 기판(W)의 중심부와 기판(W)으로부터 떨어진 대기 위치를 회동할 수 있다. 예컨대, 노즐(60a)로부터는 제2 처리액인 알칼리성 처리액(알칼리 세정액: APM(암모니아와 과산화수소수의 혼합액))이 기판(W)에 공급되고, 노즐(60b)로부터는 순수가 기판(W)에 공급된다. 제1 노즐 아암부(51), 제2 노즐 아암부(52)는, 각각 기판(W)에 대한 처리액 공급부를 구성한다. 제1 노즐 아암부(51)의 회동축체(53)는, 측면(16a)과 측면(19a)이 교차하는 코너 부근에, 제2 노즐 아암부(52)의 회동축체(57)는, 측면(16a)과 측면(19b)이 교차하는 코너 부근에 설치되어 있다. 또한, 노즐(56a, 56b) 및 노즐(60a, 60b)로부터의 처리액의 공급, 대기 위치와 기판(W)의 중심부 위치와의 왕복 이동은, 제어부(70)에 기억된 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여 제어된다.The second nozzle arm portion 52 also has the same structure as the first nozzle arm portion 51, and has a pivot shaft 57, an arm portion 58, and nozzles 60a and 60b. By the rotation of the rotation shaft 57, the nozzles 60a and 60b can rotate the center of the substrate W and the standby position away from the substrate W. For example, from the nozzle 60a, a second treatment liquid, an alkaline treatment liquid (alkaline cleaning liquid: APM (a mixture of ammonia and hydrogen peroxide water)) is supplied to the substrate W, and from the nozzle 60b, pure water is supplied to the substrate W ). The first nozzle arm portion 51 and the second nozzle arm portion 52 constitute a processing liquid supply portion to the substrate W, respectively. The rotation shaft body 53 of the first nozzle arm portion 51 is near a corner where the side surfaces 16a and the side surfaces 19a intersect, and the rotation shaft body 57 of the second nozzle arm portion 52 is, It is provided in the vicinity of the corner where the side surface 16a and the side surface 19b intersect. In addition, the supply of the processing liquid from the nozzles 56a, 56b and the nozzles 60a, 60b, and the reciprocating movement between the standby position and the central position of the substrate W, include substrate processing information and various information stored in the control unit 70. It is controlled based on the program.

다음에, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(11)를 이용한 기판(W)의 처리 절차에 대해서, 도 5 내지 도 10을 참조하여 이하에 설명한다. 제어부(70)는, 기억된 기판 처리 정보 및 각종 프로그램에 기초하여 기판 처리 장치(11)에 의한 기판(W)의 처리를 제어한다(도 5 참조).Next, a processing procedure of the substrate W using the substrate processing apparatus 11 according to the present embodiment will be described below with reference to FIGS. 5 to 10. The control unit 70 controls the processing of the substrate W by the substrate processing apparatus 11 based on the stored substrate processing information and various programs (see FIG. 5).

기판 처리 장치(11)의 처리실(13)에 설치한 출입구(18)를 개방하고, 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해 반송된 기판(W)을 처리실(13) 내로 반입하여, 회전 테이블(15)에 배치한다(도 5의 S11). 그 후, 회전 테이블(15) 상에 설치한 복수 개의 지지핀(도시하지 않음)을 편심 회전시켜 기판(W)을 유지한다. 기판(W)이 반입된 시점에서는, 제2 배기로인 배기로(22b, 22d)에 대응하는 차폐판(45b, 45d)은 폐쇄되고, 제1 배기로인 배기로(22a, 22c)에 대응하는 차폐판(45a, 45c)이 개방되어 있다. 처리실(13) 내의 분위기는, 배기 팬(도시하지 않음)에 의해 배기로(22a) 및 배기로(22c), 배기 덕트(25a, 25c), 그리고 관체(27a, 27c)를 통해 외부로 흡인, 배기되고 있다(도 6 참조). 기판(W)의 반입 후, 기판(W)의 출입구(18)가 폐쇄된다.The door 18 installed in the processing chamber 13 of the substrate processing apparatus 11 is opened, and the substrate W conveyed by the transport robot (not shown) is carried into the processing chamber 13, and the rotary table 15 ) (S11 in FIG. 5). Thereafter, the plurality of support pins (not shown) provided on the rotating table 15 is eccentrically rotated to hold the substrate W. At the time when the substrate W is carried in, the shielding plates 45b and 45d corresponding to the exhaust paths 22b and 22d which are the second exhaust paths are closed and correspond to the exhaust paths 22a and 22c which are the first exhaust paths. The shielding plates 45a and 45c are opened. The atmosphere in the processing chamber 13 is sucked out through the exhaust passage 22a, the exhaust passage 22c, the exhaust ducts 25a, 25c, and the tube bodies 27a, 27c by an exhaust fan (not shown), It is exhausted (see Fig. 6). After carrying in the substrate W, the entrance 18 of the substrate W is closed.

다음에, 도 6에 도시된 바와 같이 회전 테이블(15)의 회전에 의해, 평면에서 보아, 기판(W)을 제1 방향인 반시계 방향으로 스핀 회전(좌측 방향의 회전)시킨다(S12). 회전수는, 예컨대 500회전/분으로 한다. 제1 노즐 아암부(51)의 회동축부(53)를 회동시켜, 노즐(56a, 56b)을 대기 위치로부터 기판(W)의 중심 위치까지 이동시킨다(도 6 참조). 노즐(56a)로부터는, 기판(W)의 회전 중심 부근을 향해, 제1 처리액인 산성 에칭액(예컨대, 인산 용액)의 공급이 시작된다(S13). 기판(W)의 중심 부근에 공급된 에칭액은, 회전하는 기판(W)의 원심력에 의해 주위로 확산되어 균등한 에칭 처리가 행해진다. 에칭액의 공급 시간은, 예컨대 30초 정도이다.Next, as shown in Fig. 6, by rotating the rotating table 15, the substrate W is spin-rotated (rotated in the left direction) counterclockwise in the first direction (S12). The number of revolutions is, for example, 500 revolutions / minute. The rotation shaft portion 53 of the first nozzle arm portion 51 is rotated to move the nozzles 56a, 56b from the standby position to the center position of the substrate W (see FIG. 6). From the nozzle 56a, supply of an acidic etching solution (for example, a phosphoric acid solution), which is the first processing solution, is started toward the vicinity of the rotational center of the substrate W (S13). The etching solution supplied to the vicinity of the center of the substrate W is diffused around by the centrifugal force of the rotating substrate W, and uniform etching is performed. The supply time of the etching solution is, for example, about 30 seconds.

기판(W)의 반시계 방향의 회전에 의해, 처리실(13)의 바닥면(14)과 가운데 칸막이부(24)로 구획되는 공간에서는, 반시계 방향의 선회류가 발생하고, 산성 처리액의 미스트를 포함하는 기체는, 배기 팬(도시하지 않음)에 의한 흡인에 의해 도 6에 도시된 바와 같이 차폐판(45a, 45c)이 개방된 개구부(41a, 41c)로부터 침입하여, 배기로(22a, 22c)를 통해, 배기 덕트(25a, 25c), 또한 관체(27a, 27c)를 경유하여 외부로 배출된다(파선 화살표로 나타냄). 기판(W)의 반시계 방향의 회전 시에는, 도 9의 모식도에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 회전에 따라 기판(W)의 주위에는 반시계 방향의 선회류(산성 처리액의 미스트를 포함하는 기체)가 발생한다. 이 때, 기판(W)을 사이에 두고 대각선 상의 위치에 있는 배기로(22a, 22c)의 개구부(41a, 41c)는, 선회류에 대향하는 위치에 있어, 효율적으로 산성 처리액의 미스트 등을 도입할 수 있다. 선회류에 대향하는 위치가 되는 개구부(41a, 41c)에 대응하여 설치되는 게이트부(43a, 43c)의 차폐판(45a, 45c)을 개방함으로써, 산성 에칭액의 미스트를 포함하는 기체의 선회류를 배기로(22a, 22c)로부터 효율적으로 배기할 수 있다. 또한, 배기로(22b, 22d)의 개구부(41b, 41d)는, 후술하는 바와 같이 알칼리성 처리액에 의한 미스트를 포함하는 기체의 배출에 사용하기 때문에, 산성 처리액을 포함하는 미스트의 침입을 막기 위해, 차폐판(45b, 45d)을 폐쇄한 상태로 한다.In the space partitioned by the bottom surface 14 of the processing chamber 13 and the center partition portion 24 by the counterclockwise rotation of the substrate W, a counterclockwise swirl flow occurs, and the acid treatment liquid The gas containing mist enters from the openings 41a and 41c in which the shielding plates 45a and 45c are opened as shown in FIG. 6 by suction by an exhaust fan (not shown), and the exhaust passage 22a , 22c), it is discharged to the outside via the exhaust ducts 25a, 25c, and also the pipe bodies 27a, 27c (indicated by broken arrows). When the substrate W is rotated in the counterclockwise direction, as shown in the schematic diagram of FIG. 9, the rotation of the substrate W is rotated counterclockwise around the substrate W (mist of the acid treatment liquid) Gas containing). At this time, the openings 41a, 41c of the exhaust passages 22a, 22c located at diagonal positions with the substrate W interposed therebetween are located at positions opposite to the swirling flow, thereby efficiently misting the acid treatment liquid, etc. It can be introduced. By opening the shielding plates 45a, 45c of the gate portions 43a, 43c provided corresponding to the openings 41a, 41c which are positions facing the swirling flow, the swirling flow of the gas containing the mist of the acidic etchant is reduced. The exhaust passages 22a and 22c can be efficiently exhausted. In addition, since the openings 41b and 41d of the exhaust passages 22b and 22d are used for discharging the gas containing the mist by the alkaline treatment liquid as described later, the intrusion of the mist containing the acidic treatment liquid is prevented. For this reason, the shielding plates 45b and 45d are kept closed.

다음에, 노즐(56a)로부터의 상기 산성 에칭액의 공급이 정지됨과 동시에, 혹은 정지 직전에, 노즐(56b)로부터는, 기판(W)의 회전 중심 부근을 향해 순수의 공급이 시작된다(S14). 이 순수의 공급 시간은, 예컨대 수초 정도이다. 노즐(56b)로부터 기판(W)의 중심 부근에 순수를 공급 중, 회동축체(53)에 의해 노즐부(56b)를 기판(W)의 직경 방향으로 근소한 거리로 이동시킨다. 이것은, 이후에 기판(W)의 중심으로 이동해 오는 제2 노즐 아암부(52)의 노즐(60a, 60b)과의 접촉, 간섭을 방지하기 위한 동작이다. 그리고, 제2 노즐 아암부(52)의 회동축체(57)를 회동시켜, 노즐(60a, 60b)을 대기 위치로부터 기판(W)의 중심 위치까지 이동시킨다(도 7 참조).Next, at the same time as the supply of the acidic etchant from the nozzle 56a is stopped, or just before the stop, supply of pure water is started from the nozzle 56b toward the vicinity of the rotational center of the substrate W (S14). . The supply time of this pure water is about several seconds, for example. While pure water is being supplied from the nozzle 56b to the vicinity of the center of the substrate W, the nozzle portion 56b is moved by a rotating shaft 53 at a small distance in the radial direction of the substrate W. This is an operation for preventing contact and interference with the nozzles 60a and 60b of the second nozzle arm portion 52 that is later moved to the center of the substrate W. Then, the rotation shaft 57 of the second nozzle arm portion 52 is rotated to move the nozzles 60a and 60b from the standby position to the center position of the substrate W (see FIG. 7).

노즐(56b)로부터의 순수 공급 중에, 기판(W)의 회전을 정지시키고, 그 후, 기판(W)을 제2 방향인, 평면에서 보아, 시계 방향(우측 방향)으로 역회전(예컨대 500회전/분)시켜, 처리실(13) 내의 배기 전환을 시작하게 한다(S15). 배기 전환은, 기판의 상기 역회전의 개시에 따라, 산성 처리액의 미스트를 포함하는 기체를 배기하는 개구부(41a, 41c)에 대응하는 차폐판(45a, 45c)을 폐쇄하기 시작하고, 개구부(41b, 41d)에 대응하는 차폐판(45b, 45d)을 개방하기 시작한다. 이것은 산성 처리액의 미스트를 포함하는 기체를 배기하는 배기로(22a, 22c)에 각각 대응하는 개구부(41a, 41c)를 순식간에 폐쇄하고, 제2 처리액인 알칼리성 처리액의 미스트를 포함하는 기체를 배기하는 배기로(22b, 22d)에 각각 대응하는 개구부(41b, 41d)를 순식간에 개방하면, 처리실(13) 내부의 기류를 어지럽힐 우려가 있기 때문에, 이 현상의 발생을 방지하기 위해, 서서히 배기로(22a, 22b)의 개구부(41a, 41c)를 폐쇄하는 동시에, 배기로(22c, 22d)의 개구부(41b, 41d)를 서서히 개방하도록 한다. 이러한 배기 전환을 행할 때에, 일시적으로 배기로(22a, 22c) 및 배기로(22b, 22d)에 의한 양 배기가 되는 경우가 있다. 단, 배기 전환을 기판(W)에 대한 산성 처리액의 공급을 정지한 후에 행하는 것이면, 산성 처리액의 공급 정지 후의 시간을 충분히 취하고 나서 배기 전환을 행함으로써, 혹은, 본 실시형태와 같이, 산성 처리액의 공급과, 계속해서 실시되는 알칼리성 처리액의 공급 사이에 순수 공급을 행함으로써, 배기로(22a∼22d)의 내부에서 산과 알칼리에 의한 반응을 억제할 수 있다. 또한, 난기류 등을 고려할 필요가 없는 경우는, 배기 전환시, 전환하는 개구부를 순식간에 폐쇄하거나 혹은 순식간에 개방하도록 하여도 좋고, 염 등의 생성을 고려할 필요가 없는 처리액끼리의 경우에는, 하나의 처리액에 의한 처리의 종료 후에 순수의 공급을 행하지 않도록 하는 것도 가능하다.During the pure water supply from the nozzle 56b, the rotation of the substrate W is stopped, and thereafter, the substrate W is rotated counterclockwise (for example, 500 rotations) in the clockwise direction (right direction) when viewed from the plane, which is the second direction. / Min) to start switching of the exhaust in the processing chamber 13 (S15). The exhaust switching starts closing the shielding plates 45a, 45c corresponding to the openings 41a, 41c for exhausting the gas containing the mist of the acidic treatment liquid, upon the start of the reverse rotation of the substrate, and the opening ( The shield plates 45b and 45d corresponding to 41b and 41d) begin to open. This instantly closes the openings 41a and 41c respectively corresponding to the exhaust passages 22a and 22c for exhausting the gas containing the mist of the acidic treatment liquid, and the gas containing the mist of the alkaline treatment liquid as the second treatment liquid. If the openings 41b and 41d corresponding to the exhaust passages 22b and 22d respectively for quickly discharging are instantaneously opened, there is a concern that the airflow inside the processing chamber 13 may be disturbed. The openings 41a and 41c of the exhaust passages 22a and 22b are gradually closed, and the openings 41b and 41d of the exhaust passages 22c and 22d are gradually opened. When performing such an exhaust switching, there may be cases in which both the exhaust passages 22a and 22c and the exhaust passages 22b and 22d are temporarily exhausted. However, if the exhaust conversion is performed after the supply of the acidic treatment liquid to the substrate W is stopped, the exhaust conversion is performed after sufficiently taking the time after the supply of the acidic treatment liquid is stopped, or as in the present embodiment, the acidity By supplying pure water between the supply of the processing liquid and the subsequent supply of the alkaline processing liquid, the reaction by acid and alkali in the exhaust passages 22a to 22d can be suppressed. In addition, when it is not necessary to consider turbulence, etc., when the exhaust is switched, the opening to be switched may be closed or opened in an instant, or in the case of treatment liquids that do not need to consider the formation of salts, etc. It is also possible to prevent supply of pure water after the completion of the treatment with the treatment liquid.

도 7에 도시된 상태로부터, 차폐판(45a, 45c)에 의해 개구부(41a, 41c)가 완전히 폐쇄되고, 차폐판(45b, 45d)의 개구 범위가 제어부(70)에서 설정된 양에 도달한 것, 그리고 기판(W)의 회전 속도가, 예컨대 500회전/분에 도달한 것이 제어부에서 확인되면, 제1 노즐 아암부(51)의 노즐(56b)로부터의 순수의 공급은 정지된다. 이 순수의 공급 정지와 동시에, 제2 노즐 아암부(52)의 노즐(60a)로부터는, 기판(W)의 회전 중심 부근을 향해 제2 처리액인 알칼리성 처리액(알칼리 세정액: APM(암모니아와 과산화수소수의 혼합액))의 공급이 시작되고, 린스 처리가 시작된다(S16). 노즐(56b)로부터의 순수의 공급을 정지하면, 제1 노즐 아암부(51)의 회동축부(53)를 회동시켜 노즐(56a, 56b)을 기판(W) 상의 위치로부터 대기 위치로 이동시킨다. 제2 노즐 아암부(52)의 노즐(60a)로부터 알칼리성 처리액이 정해진 시간(예컨대, 30초간), 시계 방향(우회전)으로 회전 중인 기판(W)의 중앙부 부근에 공급한다.From the state shown in FIG. 7, the openings 41a and 41c are completely closed by the shielding plates 45a and 45c, and the opening range of the shielding plates 45b and 45d has reached the amount set by the control unit 70 And, when it is confirmed by the control unit that the rotational speed of the substrate W has reached 500 rotations / minute, for example, the supply of pure water from the nozzle 56b of the first nozzle arm unit 51 is stopped. At the same time as the supply of this pure water is stopped, from the nozzle 60a of the second nozzle arm portion 52 toward the vicinity of the center of rotation of the substrate W, an alkaline treatment liquid (alkaline cleaning liquid: APM (ammonia and The supply of a mixture of hydrogen peroxide)) is started, and a rinse treatment is started (S16). When the supply of pure water from the nozzle 56b is stopped, the rotation shaft portion 53 of the first nozzle arm portion 51 is rotated to move the nozzles 56a, 56b from a position on the substrate W to a standby position. The alkaline treatment liquid is supplied from the nozzle 60a of the second nozzle arm portion 52 to the vicinity of the central portion of the substrate W being rotated in a clockwise direction (right rotation) for a predetermined time (for example, for 30 seconds).

상기 알칼리성 처리액의 공급 중에는, 도 8에 도시된 바와 같이, 배기로(22a, 22c)의 개구부(41a, 41c)는 각각 차폐판(45a, 45c)에 의해 폐쇄된 상태에 있고, 배기로(22b, 22d)의 개구부(41b, 41d)에 설치되는 차폐판(45b, 45d)은 개방된 상태에 있다. 따라서, 기판(W)의 시계 방향의 회전에 의해, 처리실(13)의 바닥면(14)과 가운데 칸막이부(24)로 구획되는 공간에서는, 시계 방향의 선회류가 발생하고, 도 8에 도시된 바와 같이, 알칼리성 처리액의 미스트를 포함하는 기체는(파선 화살표로 나타냄), 배기 팬(도시하지 않음)에 의한 흡인에 의해 차폐판(45b, 45d)이 개방된 개구부(41b, 41d)로부터 침입하여, 배기로(22b, 22d)를 통해, 배기 덕트(25b, 25d), 또한 관체(27b, 27d)를 경유하여 외부로 배출되게 된다. 기판(W)의 시계 방향의 회전 시에는, 도 10에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 회전에 따라 기판(W)의 주위에는 시계 방향의 선회류(알칼리성 처리액의 미스트를 포함하는 기체)가 발생한다. 이때, 기판(W)을 사이에 두고 대각선 상의 위치에 있는 배기로(22b, 22d)의 개구부(41b, 41d)는, 선회류에 대향하는 위치에 있어, 효율적으로 알칼리성 처리액의 미스트 등을 도입할 수 있다. 선회류에 대향하는 위치의 개구부(41b, 41d)에 대응하여 설치되는 게이트부(43b, 43d)의 차폐판(45b, 45d)을 개방함으로써 알칼리성 처리액의 미스트를 포함하는 기체의 선회류를 배기로(22b, 22d)로부터 효율적으로 배기할 수 있다. 또한, 배기로(22a, 22c)의 개구부(41a, 41c)는, 알칼리성 처리액의 미스트를 포함하는 기체의 침입을 막기 위해, 차폐판(45a, 45c)을 폐쇄한 상태로 한다.During the supply of the alkaline treatment liquid, as shown in FIG. 8, the openings 41a, 41c of the exhaust passages 22a, 22c are closed by shield plates 45a, 45c, respectively, and the exhaust passage ( The shielding plates 45b and 45d provided in the openings 41b and 41d of 22b and 22d are in an open state. Therefore, clockwise rotation of the substrate W causes clockwise rotational flow in the space partitioned by the bottom surface 14 and the center partition portion 24 of the processing chamber 13, and is illustrated in FIG. 8. As shown, the gas containing the mist of the alkaline treatment liquid (indicated by the broken arrow) is opened from the openings 41b and 41d where the shielding plates 45b and 45d are opened by suction by an exhaust fan (not shown). Invading, through the exhaust passages 22b and 22d, it is discharged to the outside via the exhaust ducts 25b and 25d and the pipes 27b and 27d. When the substrate W is rotated in the clockwise direction, as shown in FIG. 10, a rotational flow in the clockwise direction around the substrate W according to the rotation of the substrate W (a gas containing a mist of an alkaline treatment liquid) ) Occurs. At this time, the openings 41b and 41d of the exhaust passages 22b and 22d in diagonal positions with the substrate W therebetween are located at positions opposite to the swirling flow, effectively introducing mist, etc. of the alkaline treatment liquid. can do. Exhaust the swirling flow of gas containing the mist of the alkaline treatment liquid by opening the shielding plates 45b and 45d of the gate portions 43b and 43d provided corresponding to the openings 41b and 41d at positions facing the swirling flow. It can be efficiently exhausted from the furnaces 22b and 22d. In addition, the openings 41a and 41c of the exhaust passages 22a and 22c are closed with the shielding plates 45a and 45c in order to prevent intrusion of gas containing mist of the alkaline treatment liquid.

상기 알칼리성 처리액의 공급을 정지함과 동시에, 혹은 정지 직전에, 제2 노즐 아암부(52)의 노즐(60b)로부터는, 기판(W)의 회전 중심을 향해, 순수의 공급이 시작된다. 이 순수의 공급 시간은, 예컨대 10∼20초간이다. 상기 정해진 시간의 경과 후, 노즐(60b)에 의한 순수의 공급을 정지한다. 순수의 공급을 정지한 후, 제2 노즐 아암부(52)의 회동축체(57)를 회동시켜, 노즐(60a, 60b)을 기판(W) 상의 위치로부터 대기 위치로 이동시킨다.At the same time as or when the supply of the alkaline treatment liquid is stopped, immediately before the stop, supply of pure water is started from the nozzle 60b of the second nozzle arm portion 52 toward the center of rotation of the substrate W. The supply time of this pure water is, for example, 10 to 20 seconds. After the predetermined time has elapsed, the supply of pure water by the nozzle 60b is stopped. After the supply of pure water is stopped, the rotation shaft 57 of the second nozzle arm portion 52 is rotated to move the nozzles 60a, 60b from a position on the substrate W to a standby position.

그 후, 기판(W)의 회전 방향은 그 상태에서, 회전 속도를 상승시켜(예컨대, 1500회전/분), 기판(W)의 표면 상에 존재하는 순수를 털고, 기판(W)의 건조 처리를 정해진 시간 행한다(S17). 건조 처리를 완료한 후, 시계 방향으로 회전하고 있던 기판(W)의 역회전을 정지시키고, 배기 전환을 행한다(S18). 배기 전환은, 기판(W)의 상기 역회전(시계 방향)의 정지 후, 알칼리성 처리액의 미스트를 포함하는 기체를 배기하는 개구부(41b, 41d)에 대응하는 차폐판(45b, 45d)을 폐쇄하기 시작하고, 산성 처리액의 미스트를 포함하는 기체를 배기하는 개구부(41a, 41c)에 대응하는 차폐판(45a, 45c)을 개방하기 시작한다. 상기 개폐에 의한 배기 전환을 순식간에 행하면 처리실(13) 내부의 기류를 어지럽힐 우려가 있기 때문에, 이 현상의 발생을 방지하기 위해, 차폐판(45a∼45d)의 개폐에 의한 배기 전환은 서서히 행하는 것으로 한다. 이 배기 전환에 의해, 본 실시형태에 있어서의 기판 처리의 초기 상태(기판(W)의 반입시)인, 배기로(22a, 22c)에 의한 산성 기체의 배기 상태로 하는 것이다.Thereafter, the rotational direction of the substrate W is increased in this state (for example, 1500 rotations / minute), and the pure water present on the surface of the substrate W is shaken off, and the substrate W is dried. Is performed for a predetermined time (S17). After the drying process is completed, the reverse rotation of the substrate W that is rotating clockwise is stopped, and the exhaust is switched (S18). The exhaust switchover closes the shielding plates 45b and 45d corresponding to the openings 41b and 41d for exhausting the gas containing the mist of the alkaline treatment liquid after stopping the reverse rotation (clockwise) of the substrate W Then, the shield plates 45a and 45c corresponding to the openings 41a and 41c for exhausting the gas containing the mist of the acidic treatment liquid begin to be opened. Since the air flow inside the processing chamber 13 may be disturbed if the switching of the exhaust by the opening and closing is instantaneous, in order to prevent the occurrence of this phenomenon, the exhaust switching by the opening and closing of the shield plates 45a to 45d is gradually performed. It is assumed. By this exhaust switching, the acid gas is exhausted by the exhaust passages 22a and 22c, which is the initial state of the substrate processing in the present embodiment (when the substrate W is brought in).

배기 전환이 완료된 후, 기판(W)을 유지하는 회전 테이블(15)의 지지핀(도시하지 않음)을 편심 회전시켜 기판(W)의 유지를 해제한다. 그 후, 기판(W)의 출입구(18)를 개방하고, 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해 기판(W)이 처리실(13)로부터 반출된다(S19). 기판(W)을 반출한 후, 다음 처리 대상의 기판(W)의 유무를 확인하고(S20), 다음 처리 기판이 없을 때에는 기판 처리를 종료한다(S20의 NO). 다음 처리 기판이 있을 때에는(S20의 YES) 반송 로봇에 의해 반송된 미처리의 기판(W)을, 출입구(18)를 개방하여 처리실(13) 내로 반입하고, 회전 테이블(15)에 유지시켜, 전술한 처리액에 의한 기판 처리를 반복하여 행한다.After exhaust switching is completed, the support pin (not shown) of the rotating table 15 holding the substrate W is eccentrically rotated to release the holding of the substrate W. Thereafter, the doorway 18 of the substrate W is opened, and the substrate W is taken out of the processing chamber 13 by a transfer robot (not shown) (S19). After carrying out the substrate W, it is checked whether or not the next processing target substrate W is present (S20), and when there is no next processing substrate, the substrate processing is terminated (NO in S20). When the next processing substrate is present (YES in S20), the unprocessed substrate W conveyed by the transport robot is opened and the entrance 18 is brought into the processing chamber 13 and held in a rotating table 15, thereby Substrate treatment with one treatment liquid is repeated.

전술한 본 실시형태에 따르면, 기판(W)의 처리실(13) 내로의 반입 시부터, 기판(W)의 반시계 방향으로의 스핀 회전 시에 있어서의 산성 처리액(에칭액)의 공급, 순수의 공급, 그리고 스핀 회전의 정지까지(S11∼S15(S18∼S20 포함함))는, 배기로(22a, 22c)(제1 배기로)의 개구부(41a, 41c)에 대응하는 차폐판(45a, 45c)을 개방한다. 그리고, 배기 팬(도시하지 않음)에 의해 산성 처리액에 의한 미스트를 포함하는 기체를 개구부(41a, 41c)를 경유하여 흡인하고, 배기로(22a, 22c)로부터 배기 덕트(25a, 25c) 및 관체(27a, 27c)를 통해 외부로 배출한다. 이때 배기로(22b, 22d)의 개구부(41b, 41d)는 차폐판(45b, 45d)에 의해 폐쇄되어 있다.According to the present embodiment described above, the supply of the acidic treatment liquid (etching liquid) at the time of spin rotation in the counterclockwise direction of the substrate W from the time when it is brought into the processing chamber 13 of the substrate W, the pure water Until supply and stop of spin rotation (S11 to S15 (including S18 to S20)), shield plates 45a corresponding to the openings 41a and 41c of the exhaust passages 22a and 22c (first exhaust passage) 45c). Then, the gas containing the mist by the acid treatment liquid is sucked through the openings 41a and 41c by an exhaust fan (not shown), and the exhaust ducts 25a and 25c are discharged from the exhaust passages 22a and 22c. It is discharged to the outside through the pipe bodies 27a and 27c. At this time, the openings 41b and 41d of the exhaust passages 22b and 22d are closed by the shielding plates 45b and 45d.

한편, 스핀 회전의 정지로부터 역회전(시계 방향의 회전)이 시작되면 배기 전환이 행해지고, 알칼리 처리액의 공급, 순수 공급, 스핀 건조, 역회전의 정지까지는(S15∼S18), 배기로(22b, 22d)(제2 배기로)의 개구부(41b, 41d)에 대응하는 차폐판(45b, 45d)을 개방한다. 그리고, 배기 팬(도시하지 않음)에 의해 알칼리성 처리액에 의한 미스트를 포함하는 기체를 개구부(41b, 41d)를 경유하여 흡인하고, 배기로(22b, 22d)로부터 배기 덕트(25b, 25d) 및 관체(27b, 27d)를 통해 외부로 배출한다. 이때 배기로(22a, 22c)의 개구부(41a, 41c)는 차폐판(45a, 45c)에 의해 폐쇄되어 있다.On the other hand, when reverse rotation (clockwise rotation) is started from the stop of spin rotation, exhaust switching is performed, and until supply of alkali treatment liquid, pure water supply, spin drying, and stop of reverse rotation (S15 to S18), the exhaust passage 22b , The shielding plates 45b and 45d corresponding to the openings 41b and 41d of the 22d) (second exhaust path) are opened. Then, a gas containing mist by an alkaline treatment liquid is sucked through the openings 41b and 41d by an exhaust fan (not shown), and exhaust ducts 25b and 25d from the exhaust passages 22b and 22d and It is discharged to the outside through the pipe bodies 27b and 27d. At this time, the openings 41a and 41c of the exhaust passages 22a and 22c are closed by the shielding plates 45a and 45c.

기판(W)을 회전시켰을 때에는, 기판(W)의 주위에, 기판(W)의 회전 방향을 따른 선회류가 생긴다. 본 실시형태에서는, 도 9, 도 10을 이용하여 설명한 바와 같이, 기판(W)의 회전에 의해 생기는 선회류의 방향에 따라, 선회류에 대향하는 차폐판(45a, 45c, 혹은 45b, 45d)을 개방하도록 하였기 때문에, 처리액으로부터 발생한 미스트의 회수를 효율적으로 행할 수 있다.When the substrate W is rotated, a swirling flow along the rotational direction of the substrate W is generated around the substrate W. In this embodiment, as described with reference to Figs. 9 and 10, the shielding plates 45a, 45c, or 45b, 45d facing the swirling flow according to the direction of the swirling flow caused by the rotation of the substrate W Since it is made to open, it is possible to efficiently recover mist generated from the treatment liquid.

또한 본 실시형태에서는, 산성 처리액을 공급할 때와, 알칼리성 처리액을 공급할 때로, 배기로(22a∼22d)의 사용을 구분하고 있기 때문에, 산성 처리액에 의한 미스트를 포함하는 기체와, 알칼리성 처리액에 의한 미스트를 포함하는 기체가 동일 배기로(22a∼22d)로부터 배기되는 것이 방지되기 때문에, 배기로(22a∼22d), 배기 덕트(25a∼25d) 및 관체(27a∼27d)의 내부에서 산과 알칼리의 반응에 의한 염의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 처리실(13)의 내부에서도, 산성 처리액을 공급할 때에는, 알칼리성 처리액의 미스트 배기에 이용하는 배기로(22b, 22d)의 개구부(41b, 41d)를 폐쇄하고 있고, 알칼리성 처리액을 공급할 때에는, 산성 처리액의 미스트 배기에 이용하는 배기로(22a, 22c)의 개구부(41a, 41c)를 폐쇄하고 있기 때문에, 처리실(13)의 내부에서의 산과 알칼리의 반응에 의한 염의 발생을 억제할 수 있고, 기판(W)의 파티클 부착을 억제할 수 있다.Further, in the present embodiment, since the use of the exhaust passages 22a to 22d is divided between supplying the acid treatment liquid and supplying the alkaline treatment liquid, the gas containing the mist by the acid treatment liquid and the alkaline treatment Since the gas containing mist by the liquid is prevented from being exhausted from the same exhaust passages 22a to 22d, inside the exhaust passages 22a to 22d, the exhaust ducts 25a to 25d and the tube bodies 27a to 27d It is possible to suppress the occurrence of salts by the reaction of acid and alkali. In addition, even when the acid treatment liquid is supplied inside the processing chamber 13, the openings 41b and 41d of the exhaust passages 22b and 22d used for mist exhaust of the alkaline treatment liquid are closed, and when the alkaline treatment liquid is supplied Since the openings 41a and 41c of the exhaust passages 22a and 22c used for mist exhaust of the acid treatment liquid are closed, the generation of salts by reaction of acid and alkali inside the processing chamber 13 can be suppressed. , The adhesion of particles to the substrate W can be suppressed.

전술한 본 실시형태에 있어서, 차폐판(45a∼45d)은, 승강 실린더(48a∼48d)에 의해 상하 방향으로 승강되도록 구성하였지만, 각 차폐판(45a∼45d)을 수평 방향으로 슬라이드시킴으로써 개구부(41a∼41d)의 개폐를 행하여도 좋다.In the present embodiment described above, the shielding plates 45a to 45d are configured to elevate in the vertical direction by the elevating cylinders 48a to 48d, but the openings (by sliding each shielding plate 45a to 45d in the horizontal direction) 41a to 41d) may be opened and closed.

실시형태에서는, 산성 처리액과 알칼리성 처리액을 이용하는 예를 설명하였다. 그러나, 본 발명의 적용에 있어서, 처리액의 종류는, 기판(W)에 대하여 요구되는 처리에 따라 적절하게 선택되면 좋고, 특별히 한정되는 것은 아니다.In the embodiment, an example using an acidic treatment liquid and an alkaline treatment liquid has been described. However, in the application of the present invention, the type of the processing liquid may be appropriately selected depending on the processing required for the substrate W, and is not particularly limited.

이상, 본 발명의 실시형태 및 각부(各部)의 변형례를 설명하였지만, 이 실시형태나 각부의 변형례는, 일례로서 제시한 것으로서, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 전술한 이들 신규한 실시형태는, 그 밖의 여러 가지 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 더불어, 특허청구범위에 기재된 발명에 포함된다.The embodiments of the present invention and modifications of each part have been described above, but the embodiments and modifications of each part are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments described above can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention and are included in the invention described in the claims.

11 : 기판 처리 장치 13 : 처리실
14 : 바닥면 15 : 회전 테이블
16a, 16b : 측면(처리실) 17 : 컵체
17a : 상부 컵체 17b : 하부 컵체
18 : 출입구 19a, 19b : 측면
20a, 20b : 내벽 21a, 21b : 칸막이벽
22a, 22b, 22c, 22d : 배기로 24 : 가운데 칸막이부
25a, 25b, 25c, 25d : 배기 덕트 27a, 27b, 27c, 27d : 관체
35 : 구동 모터 41a, 41b, 41c, 41d : 개구부
43a, 43b, 43c, 43d : 게이트부 45a, 45b, 45c, 45d : 차폐판
46a, 46b, 46c, 46d : 지지축 48a, 48b, 48c, 48d : 승강 실린더
51 : 제1 노즐 아암부 52 : 제2 노즐 아암부
56a, 56b : 노즐 60a, 60b : 노즐
70 : 제어부11: substrate processing apparatus 13: processing chamber
14: bottom surface 15: rotating table
16a, 16b: side (processing chamber) 17: cup body
17a: upper cup body 17b: lower cup body
18: entrance 19a, 19b: side
20a, 20b: inner wall 21a, 21b: partition wall
22a, 22b, 22c, 22d: exhaust passage 24: center partition
25a, 25b, 25c, 25d: exhaust ducts 27a, 27b, 27c, 27d: tubular
35: drive motor 41a, 41b, 41c, 41d: opening
43a, 43b, 43c, 43d: gate portion 45a, 45b, 45c, 45d: shielding plate
46a, 46b, 46c, 46d: support shaft 48a, 48b, 48c, 48d: lifting cylinder
51: first nozzle arm portion 52: second nozzle arm portion
56a, 56b: nozzle 60a, 60b: nozzle
70: control unit

Claims (9)

기판에 복수 종의 처리액을 순차 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
상기 기판의 처리가 행해지는 처리실과,
상기 처리실 내부에서 상기 기판을 유지하고 회전 구동되는 회전 테이블과,
상기 회전 테이블에 유지되고 회전 상태인 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
상기 처리액의 미스트를, 상기 처리실로부터 외부로 유출시키는 개폐 가능한 게이트가 형성된 복수의 배기로와,
상기 기판의 회전 방향에 따라 상기 게이트의 개폐를 전환하는 게이트 개폐 전환 수단
을 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing a substrate by sequentially supplying a plurality of types of processing liquid to the substrate,
A processing chamber in which the substrate is processed;
A rotation table for holding and rotating the substrate inside the processing chamber;
A processing liquid supply unit which supplies a processing liquid to the substrate that is held and rotated on the rotating table;
A plurality of exhaust passages formed with gates that can be opened and closed to discharge the mist of the processing liquid from the processing chamber to the outside;
Gate opening and closing switching means for switching the opening and closing of the gate according to the rotation direction of the substrate
Substrate processing apparatus comprising a. 제1항에 있어서, 상기 개폐 가능한 게이트가 형성된 복수의 배기로는, 제1 배기로와 제2 배기로를 포함하고,
상기 게이트 개폐 전환 수단은, 상기 기판이 제1 방향으로 회전하는 제1 상태 하에서는, 상기 제1 상태 하에서 발생하는 선회 기류에 대향하는 위치에 있는, 상기 제1 배기로의 게이트를 개방하고, 상기 제2 배기로의 게이트를 폐쇄하고, 상기 기판이 상기 제1 방향과 역방향이 되는 상기 기판의 제2 방향으로 회전하는 제2 상태 하에서는, 상기 제2 상태 하에서 발생하는 선회 기류에 대향하는 위치에 있는, 상기 제2 배기로의 게이트를 개방하고, 상기 제1 배기로의 게이트를 폐쇄하는 것인 기판 처리 장치.The method of claim 1, wherein the plurality of exhaust passages in which the openable gate is formed includes a first exhaust passage and a second exhaust passage,
The gate opening / closing switching means opens a gate to the first exhaust passage in a position opposite to the swirling air flow generated under the first state under the first state in which the substrate rotates in the first direction, and the first 2 Under the second state in which the gate of the exhaust passage is closed and the substrate rotates in the second direction of the substrate opposite to the first direction, it is in a position opposite to the swirling air flow occurring under the second state, A substrate processing apparatus that opens a gate of the second exhaust passage and closes a gate of the first exhaust passage. 제2항에 있어서, 상기 제1 배기로 및 상기 제2 배기로는, 각각 상기 기판을 사이에 둔 대각선 상에 한 쌍으로 배치되어 있는 것인 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the first exhaust passage and the second exhaust passage are arranged in pairs on a diagonal line between the substrates, respectively. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 게이트 개폐 전환 수단은, 상기 기판의 회전 속도에 따라 상기 제1 배기로 및 상기 제2 배기로의 게이트의 개구부의 개구 범위를 제어하는 것인 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 2 or 3, wherein the gate opening / closing switching means controls an opening range of openings of the gates of the first exhaust passage and the second exhaust passage according to the rotational speed of the substrate. . 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 게이트 개폐 전환 수단은, 제1 방향의 회전이 정지된 후, 제2 방향의 회전의 개시 전에 제1 배기로의 게이트를 폐쇄하고, 제2 배기로의 게이트를 개방하는 것인 기판 처리 장치.The gate opening / closing switching means according to claim 2 or 3, wherein after the rotation in the first direction is stopped, the gate to the first exhaust path is closed before the start of the rotation in the second direction, and the second exhaust path is changed. A substrate processing apparatus that opens a gate. 기판에 복수 종의 처리액을 순차 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
상기 처리실 내로부터 제1 처리액의 미스트를 외부로 배기하는 제1 배기로의 게이트를 개방하고, 회전 테이블에 배치된 상기 기판을 제1 방향으로 회전시키고 상기 제1 처리액을 공급하는 제1 공정과,
상기 제1 처리액의 공급을 정지하고 상기 회전 테이블에 배치된 상기 기판의 제1 방향의 회전을 정지시킨 후에, 상기 회전 테이블에 배치된 상기 기판을 상기 제1 방향과 반대 방향의 제2 방향으로 회전시키는 제2 공정과,
상기 제1 배기로의 게이트를 폐쇄하고, 상기 처리실 내로부터 제2 처리액의 미스트를 외부로 배기하는 제2 배기로의 게이트를 개방하고, 상기 회전 테이블에 배치된 상기 기판에 제2 처리액을 공급하는 제3 공정
을 포함하는 기판 처리 방법.As a substrate processing method for processing a substrate by sequentially supplying a plurality of kinds of processing liquid to the substrate,
A first process of opening a gate of a first exhaust path for exhausting the mist of the first processing liquid from the inside of the processing chamber to the outside, rotating the substrate disposed on the rotation table in a first direction, and supplying the first processing liquid and,
After the supply of the first processing liquid is stopped and the rotation of the substrate disposed on the rotation table is stopped in the first direction, the substrate disposed on the rotation table is moved in a second direction opposite to the first direction. A second step of rotating,
The gate of the first exhaust path is closed, the gate of the second exhaust path that exhausts the mist of the second processing liquid from inside the processing chamber is opened, and the second processing liquid is applied to the substrate disposed on the rotation table. Third process to supply
Substrate processing method comprising a. 제6항에 있어서, 상기 제1 배기로 및 상기 제2 배기로는, 각각 상기 기판을 사이에 둔 대각선 상에 한 쌍으로 배치되고, 상기 제1 배기로의 게이트는, 상기 기판이 상기 제1 방향으로 회전할 때에 발생하는 선회 기류에 대향하는 위치에 있고, 상기 제2 배기로의 게이트는, 상기 기판이 상기 제2 방향으로 회전할 때에 발생하는 선회 기류에 대향하는 위치에 있는 것인 기판 처리 방법.The first exhaust passage and the second exhaust passage are respectively arranged in pairs on a diagonal line between the substrates, and the gate of the first exhaust passage is such that the substrate is the first Substrate processing wherein the gate to the second exhaust passage is at a position opposite to the swirling airflow generated when rotating in the direction, and the gate to the second exhaust passage is at a position opposite to the swirling airflow generated when the substrate rotates in the second direction. Way. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 제1 배기로의 게이트의 개구 범위는, 상기 기판의 상기 제1 방향으로 회전하는 회전 속도에 따라 변동하고, 상기 제2 배기로의 게이트의 개구 범위는, 상기 기판의 상기 제2 방향으로 회전하는 회전 속도에 따라 변동하는 것인 기판 처리 방법.The opening range of the gate of the first exhaust passage fluctuates according to the rotational speed of the substrate rotating in the first direction, and the opening range of the gate of the second exhaust passage is set forth in claim 6. , The substrate processing method that fluctuates according to a rotational speed rotating in the second direction of the substrate. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 기판의 상기 제1 방향의 회전을 정지시킨 후, 상기 제2 방향의 회전을 시작하게 하기 전에, 상기 제1 배기로의 게이트를 폐쇄하고, 상기 제2 배기로의 게이트를 개방하는 것인 기판 처리 방법.The gate of the first exhaust passage is closed, and the second, according to claim 6 or 7, after stopping the rotation of the substrate in the first direction and before starting the rotation in the second direction. The substrate processing method of opening a gate of an exhaust path.
KR1020190097682A 2018-09-07 2019-08-09 Substrate processing apparatus and substrate processing method KR102289615B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018167612A JP7027284B2 (en) 2018-09-07 2018-09-07 Board processing equipment and board processing method
JPJP-P-2018-167612 2018-09-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200028832A true KR20200028832A (en) 2020-03-17
KR102289615B1 KR102289615B1 (en) 2021-08-17

Family

ID=69745907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190097682A KR102289615B1 (en) 2018-09-07 2019-08-09 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7027284B2 (en)
KR (1) KR102289615B1 (en)
CN (1) CN110890292B (en)
TW (1) TWI751432B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200067780A (en) 2020-05-25 2020-06-12 김수철 Autofolding airsign

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7502157B2 (en) 2020-02-26 2024-06-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate Processing Equipment
JP2023005095A (en) * 2021-06-28 2023-01-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method
CN113725128B (en) * 2021-11-01 2022-03-04 天霖(张家港)电子科技有限公司 Semiconductor soaking device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3948963B2 (en) 2002-01-21 2007-07-25 芝浦メカトロニクス株式会社 Spin processing equipment
KR20090024520A (en) * 2007-09-04 2009-03-09 주식회사 유진테크 Exhausting unit and exhausting method, substrate processing unit including the exhausting unit
KR20110042014A (en) * 2009-10-16 2011-04-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
KR20140111593A (en) * 2013-03-11 2014-09-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3672444B2 (en) 1998-09-29 2005-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP2005032869A (en) 2003-07-09 2005-02-03 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd Substrate treatment equipment
JP5425745B2 (en) 2010-10-29 2014-02-26 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium on which a computer program for executing the liquid processing method is recorded
JP2013207265A (en) 2012-03-29 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
JP6005604B2 (en) * 2012-09-13 2016-10-12 東京エレクトロン株式会社 Development processing equipment
JP5833046B2 (en) * 2013-03-12 2015-12-16 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing apparatus and air flow abnormality detection method
JP2014197592A (en) 2013-03-29 2014-10-16 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processor
JP6268469B2 (en) * 2013-12-18 2018-01-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus, control method for substrate processing apparatus, and recording medium
JP6287750B2 (en) * 2013-12-27 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing equipment
JP6473357B2 (en) * 2015-03-18 2019-02-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3948963B2 (en) 2002-01-21 2007-07-25 芝浦メカトロニクス株式会社 Spin processing equipment
KR20090024520A (en) * 2007-09-04 2009-03-09 주식회사 유진테크 Exhausting unit and exhausting method, substrate processing unit including the exhausting unit
KR20110042014A (en) * 2009-10-16 2011-04-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
KR20140111593A (en) * 2013-03-11 2014-09-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200067780A (en) 2020-05-25 2020-06-12 김수철 Autofolding airsign

Also Published As

Publication number Publication date
CN110890292B (en) 2023-11-17
CN110890292A (en) 2020-03-17
TW202015150A (en) 2020-04-16
TWI751432B (en) 2022-01-01
JP2020043158A (en) 2020-03-19
KR102289615B1 (en) 2021-08-17
JP7027284B2 (en) 2022-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20200028832A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI244131B (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
US8864937B2 (en) Substrate treatment apparatus
KR101059680B1 (en) Substrate processing apparatus
TWI681452B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TWI652754B (en) Substrate processing device
JP5188217B2 (en) Substrate processing equipment
TWI661467B (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR20120083841A (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
TWI634608B (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP2009135396A (en) Substrate treating apparatus and method for processing substrate
TWI607487B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TWI753789B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20100046800A (en) Single type substrate treating apparatus and method of exhausting in the apparatus
JP2010226043A (en) Substrate processing apparatus
JP5031684B2 (en) Substrate processing equipment
JP5318010B2 (en) Substrate processing equipment
KR102223972B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2006202983A (en) Substrate processing device and cleaning method in processing chamber
JP2002057137A (en) Wafer washing device and water treatment device
JP5080885B2 (en) Substrate processing apparatus and processing chamber cleaning method
JP3619667B2 (en) Substrate processing equipment
JP2002043272A (en) Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
JP2003282521A (en) Substrate treatment and substrate treatment method
JP7002605B2 (en) Board processing equipment and board processing method

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant