KR20200017315A - X-ray inspection apparatus and X-ray inspection method - Google Patents

Abstract

Provided is an X-ray inspection apparatus capable of relieving the influence of scattered rays. The X-ray inspection apparatus includes: a stage (11) on which a subject (70) is loaded; an X-ray tube (12) irradiating X-rays to the subject (70); X-ray detectors (14, 15) receiving the X-rays having penetrated the subject (70); and scattered ray prevention grids (24, 25) including a panel for blocking X-rays. A control part (50) creates scattered ray data in accordance with the space state of scattered rays inputted into the X-ray detectors (14, 15) through the scattered ray prevention grids (24, 25). Moreover, the control part (50) places the scattered ray prevention grids (24, 25) on a position directly behind the X-ray detectors (14, 15) and creates detection data through the X-rays having penetrated the subject (70). Also, the control part (50) creates image data about the subject (70) by correcting the detection data in accordance with the scattered ray data.

Description

X선 검사 장치 및 X선 검사 방법{X-ray inspection apparatus and X-ray inspection method}X-ray inspection apparatus and X-ray inspection method

본 발명의 실시예들은 X선 검사 장치 및 X선 검사 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an X-ray inspection apparatus and an X-ray inspection method.

종래 X선 검사 장치는 다양한 분야에서 이용되고 있다. X선 검사 장치는 피검사물로, 예를 들면 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 칩의 구조를 검사하기 위해 사용된다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). X선 검사 장치는 반도체 칩을 투과한 X선을 검출기로 검출하고 피검사물의 X선 흡수량에 따라 반도체 칩의 단층 이미지와 3D 이미지 데이터를 생성하고, 반도체 칩의 구조를 검사한다.Conventional X-ray inspection apparatus is used in various fields. An X-ray inspection apparatus is used as an inspection object, for example, for inspecting the structure of a semiconductor chip formed on a semiconductor wafer (see Patent Document 1, for example). The X-ray inspection apparatus detects X-rays passing through the semiconductor chip with a detector, generates tomographic images and 3D image data of the semiconductor chip according to the X-ray absorption amount of the inspected object, and inspects the structure of the semiconductor chip.

특허문헌1; 일본특허공개번호 제2017-156328호 공보Patent Document 1; Japanese Patent Publication No. 2017-156328 그런데, 피검사물이나 검사 장치의 케이스 등으로 산란된 X선이 산란선으로 검출기에 입사하는 경우가 있다. 이러한 산란선은 피검사물의 검사 이미지에 대한 노이즈로 작용하여 이미지 데이터에서 화질 저하의 요인이 된다.By the way, X-rays scattered by an object to be inspected or a case of an inspection apparatus may enter the detector as scattered lines. Such scattered lines act as noise to the inspection image of the inspected object, which causes deterioration in image quality.

본 발명의 목적은 산란선의 영향을 저감할 수 있는 X선 검사 장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide an X-ray inspection apparatus that can reduce the influence of scattered rays.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 X선 검사 장치는, 대상물이 적재되는 스테이지, 상기 대상물에 X선을 조사하는 X선관, 상기 대상물을 투과한 X선이 입사하는 X선 검출기, 상기 X선을 차폐하는 판재를 포함한 격자 산란선 방지 그리드 및 상기 산란선 방지 그리드를 이용하여 상기 X선 검출기에 입사하는 산란 X선에 관한 산란선 데이터를 생성하고, 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기의 직전에서 회피한 위치에 배치하여 상기 대상물을 투과한 X선에 의해 검출 데이터를 생성하고, 상기 검출 데이터를 상기 산란선 데이터에 의해 보정하여 상기 대상물의 이미지 데이터를 생성하는 컨트롤부를 포함한다.X-ray inspection apparatus according to embodiments of the present invention for achieving the above object, the stage on which the object is loaded, the X-ray tube for irradiating the X-rays to the object, the X-ray detector that the X-rays transmitted through the object is incident Generating scattered line data on scattered X-rays incident on the X-ray detector using a grid scattered line preventing grid including the plate shielding the X-rays and the scattered line preventing grid, and generating the scattered line preventing grid A control unit arranged at a position avoided immediately before the X-ray detector to generate detection data by X-rays passing through the object, and correcting the detection data by the scattered ray data to generate image data of the object. do.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 컨트롤부는 상기 대상물이 없는 상태에서 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기 직전의 제1 위치에 배치하고, 상기 X선 검출기의 검출 데이터에 기초하고, 상기 X선 검출기의 검출면에서 있어서 상기 산란선 방지 그리드를 통과하여 X선이 조사되는 조사 영역과 상기 산란선 방지 그리드에 의해 차단되어 X선이 조사되지 않는 비조사 영역을 파악하고, 상기 검출 데이터에 포함된 상기 조사 영역의 데이터를 보간 처리하고 상기 검출 데이터에 포함된 상기 비조사 영역의 데이터를 산출할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the control unit is arranged in the absence of the object the scattering line prevention grid in a first position immediately before the X-ray detector, based on the detection data of the X-ray detector, the X In the detection surface of the ray detector, the irradiation area through which the X-rays are irradiated through the scattering ray prevention grid and the non-irradiation area where the X-rays are not irradiated by the scattering ray prevention grid are identified and included in the detection data. The data of the irradiated area may be interpolated and the data of the non-irradiated area included in the detection data may be calculated.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 컨트롤부는 상기 대상물이 없는 상태에서 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기 직전의 제1 위치에 배치하고, 상기 X선 검출기의 검출 데이터에 기초하고, 상기 X선 검출기의 검출면에서 있어서 상기 산란선 방지 그리드를 통과하여 X선이 조사되는 조사 영역과 상기 산란선 방지 그리드에 의해 차단되어 X선이 조사되지 않는 비조사 영역을 파악하고, 상기 검출 데이터에 포함된 상기 조사 영역의 데이터를 보간 처리하고 상기 검출 데이터에 포함된 상기 비조사 영역의 데이터를 산출할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the control unit is arranged in the absence of the object the scattering line prevention grid in a first position immediately before the X-ray detector, based on the detection data of the X-ray detector, the X In the detection surface of the ray detector, the irradiation area through which the X-rays are irradiated through the scattering ray prevention grid and the non-irradiation area where the X-rays are not irradiated by the scattering ray prevention grid are identified and included in the detection data. The data of the irradiated area may be interpolated and the data of the non-irradiated area included in the detection data may be calculated.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 컨트롤부는 테스트 샘플을 상기 대상물로, 상기 산란선 방지 그리드를 상기 제 1 위치에 배치했을 때의 상기X선 검출기에 의한 제1 검출 데이터 및 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기의 직전에서 회피 한 제2 위치에 배치했을 때의 상기 X선 검출기에 의한 제2 검출 데이터를 취득하고, 상기 제1 검출 데이터 및 상기 제2 검출 데이터를 비교하여 상기 산란선 데이터를 생성할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the control unit is the first detection data and the scattered line prevention grid by the X-ray detector when the test sample is the object, the scattering line prevention grid is arranged in the first position Acquires second detection data by the X-ray detector when is disposed at a second position avoided immediately before the X-ray detector, compares the first detection data and the second detection data, and scatters data Can be generated.

여기서, 상기 컨트롤부는 상기 테스트 샘플에 대해 피검사물보다 많은 상기 X선을 조사하여 상기 산란선 데이터를 생성할 수 있다.The control unit may generate the scattered data by irradiating more X-rays with respect to the test sample than the test sample.

또한, 상기 피검사물은 웨이퍼에 포함된 반도체 칩이며, 상기 테스트 샘플은 상기 웨이퍼에 포함된 상기 반도체 칩과 같은 구조를 갖는 테스트 칩에 해당할 수 있다.The test object may be a semiconductor chip included in a wafer, and the test sample may correspond to a test chip having the same structure as the semiconductor chip included in the wafer.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 X선 검출기는 격자 형태로 배열된 복수의 검출 소자를 갖고, 상기 산란선 방지 그리드를 구성하는 판재의 두께는 상기 검출 소자의 배열 피치보다 클 수 있다.In one embodiment of the present invention, the X-ray detector has a plurality of detection elements arranged in a grid form, the thickness of the plate constituting the scattering line prevention grid may be larger than the array pitch of the detection elements.

여기서, 상기 산란선 방지 격자의 격자 크기는 상기 검출 소자의 배열 피치보다 클 수 있다.Here, the grid size of the anti-scattering grating may be larger than the arrangement pitch of the detection element.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 컨트롤부는 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기의 검출면에서 이동시켜 상기 산란선 방지 그리드를 이동하여 취득한 복수의 데이터에 기초하여 상기 산란선 데이터를 생성할 수 있다.In example embodiments, the control unit may generate the scattered data based on a plurality of pieces of data acquired by moving the scattered line preventing grid on a detection surface of the X-ray detector to move the scattered line preventing grid. Can be.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 X선 검출기는 입사한 X선을 다른 파장의 빛으로 변환하고 그 빛을 전하로 변환하여 X선을 검출하는 간접 변환형 X선 검출기일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the X-ray detector may be an indirect conversion type X-ray detector that converts incident X-rays into light of different wavelengths and converts the light into electric charges to detect X-rays.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 X선 검출기는 입사하는 X선의 X선 광자를 카운트한 카운트 값을 출력하는 직접 변환형 X선 검출기이며, 복수의 검출칩을 가지며, 상기 복수의 검출칩은 인접하는 검출칩들 사이의 간극을 가지고 이차원 배열될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the X-ray detector is a direct conversion X-ray detector that outputs a count value counting the X-ray photons of the incident X-rays, has a plurality of detection chips, the plurality of detection chips It can be arranged two-dimensionally with a gap between adjacent detection chips.

여기서, 상기 산란선 방지 그리드는 제1 산란선 방지 그리드이며, 상기 제1 산란선 방지 그리드 및 상기 X선 검출기 사이에 배치된 제 2 산란선 방지 그리드를 더 포함하고, 상기 제2 산란선 방지 그리드는 상기 X선 검출기에 고정되고, 상기 제2 산란선 방지 그리드는 인접한 두 개의 상기 검출칩들 사이에 배치된 판재에 의한 격자 모양일 수 있다.The scattering line preventing grid is a first scattering line preventing grid, and further includes a second scattering line preventing grid disposed between the first scattering line preventing grid and the X-ray detector, and the second scattering line preventing grid. May be fixed to the X-ray detector, and the second scattering ray preventing grid may have a lattice shape by a plate disposed between two adjacent detection chips.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 피검사물의 이미지 데이터를 생성하는 X선 검사 장치의 X선 검사 방법에 있어서, 상기 X선 검사 장치는 대상물이 적재되는 스테이지, 상기 대상물에 X선을 조사하는 X선관, 상기 대상물을 투과한 X선을 검출하는 X선 검출기 및 상기 X선을 차폐하는 판재를 포함한 격자형 산란선 방지 그리드를 포함하고, In the X-ray inspection method of the X-ray inspection apparatus for generating the image data of the inspection object according to the embodiments of the present invention for achieving the above object, the X-ray inspection apparatus is a stage on which the object is loaded, X to the object An x-ray tube for irradiating rays, an x-ray detector for detecting x-rays passing through the object, and a lattice scattering line prevention grid including a plate shielding the x-rays,

상기 산란선 방지 그리드를 이용하여 상기 X선 검출기에 입사하는 산란 X선의 공간 상태에 따른 산란선 데이터를 생성하고, 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기의 직전에서 후퇴한 제2 위치에 배치함과 동시에 피검사물을 상기 대상물로 검출 데이터를 생성한다. 이어서, 상기 검출 데이터를 상기 산란선 데이터에 의해 보정하여 상기 대상물의 이미지 데이터를 생성한다.Scattering line data is generated according to a spatial state of scattering X-rays incident on the X-ray detector by using the scattering line preventing grid, and the scattering line preventing grid is disposed at a second position receding immediately before the X-ray detector. At the same time, detection data is generated from the object under test to the object. Subsequently, the detection data is corrected by the scattered line data to generate image data of the object.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 대상물이 없는 상태에서 상기 산란선 방지 그리드를 상기X선 검출기 직전의 제1 위치에 배치하고, 상기 X선 검출기의 검출 데이터에 따라 상기 X선 검출기의 검출면에서 상기 산란선 방지 그리드를 통과하여 X선이 조사되는 조사 영역과, 상기 산란선 방지 그리드에 의해 차단되어 X선이 조사되지 않는 비조사 영역을 파악하고, 상기 검출 데이터에 포함되는 상기 조사 영역의 데이터를 보간 처리하여 상기 검출 데이터에 포함되는 상기 비조사 영역의 데이터를 산출할 수 있다.In an embodiment of the present invention, in the absence of the object, the scattering ray prevention grid is disposed at a first position immediately before the X-ray detector, and the detection surface of the X-ray detector according to the detection data of the X-ray detector. The irradiated area is irradiated with X-rays passing through the scattering line prevention grid and the non-irradiated area blocked by the scattering line prevention grid and irradiated with X-rays, and the irradiation area included in the detection data The data of the non-irradiation area included in the detection data may be calculated by interpolating the data.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 대상물이 없는 상태에서 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기 직전의 제1 위치에 배치하고, 상기 X선 검출기의 검출 데이터에 따라 상기 X선 검출기의 검출면에서 상기 산란선 방지 그리드를 통과하여 X선이 조사되는 조사 영역과, 상기 산란선 방지 그리드에 의해 차단되어 X선이 조사되지 않는 비조사 영역을 파악하고, 상기 비조사 영역에 상기 X선 이 조사되도록 상기 산란선 방지 그리드를 이동시켜서 상기 산란선 데이터를 생성할 수 있다.In an embodiment of the present invention, in the absence of the object, the scattering ray preventing grid is disposed at a first position immediately before the X-ray detector, and the detection surface of the X-ray detector according to the detection data of the X-ray detector. Detects the irradiated area through which the X-rays are irradiated through the scattering ray prevention grid and the non-irradiated area where the X-rays are not irradiated by the scattering ray prevention grid, and irradiates the non-irradiated area with the X-rays The scattered line data may be generated by moving the scattered line prevention grid.

또한, 테스트 샘플을 상기 대상물로 하고, 상기 산란선 방지 그리드를 상기 제1 위치에 배치할 때의 상기 X선 검출기에 의한 제1 검출 데이터와 상기 산란선 방지 그리드를 상기 제 2 위치에 배치할 때의 상기 X선 검출기에 의한 제2 검출 데이터와 취득하고, 상기 제1 검출 데이터 및 상기 제2 검출 데이터를 비교하여 상기 산란선 데이터를 생성할 수 있다.Further, when the test sample is the object and the first detection data and the scattering ray prevention grid by the X-ray detector when the scattering ray preventing grid is disposed at the first position are arranged at the second position. And the second detection data obtained by the X-ray detector, and the first detection data and the second detection data can be compared to generate the scattered line data.

여기서, 상기 테스트 샘플에 대해 상기 피검사물보다 많은 상기 X선을 조사하여 상기 산란선 데이터를 생성할 수 있다.Here, the scattered data may be generated by irradiating the test sample with more X-rays than the test object.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 산란 X선의 영향을 감소시킬 수 있는 X선 검사 장치 및 X선 검사 방법을 제공 할 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, it is possible to provide an X-ray inspection apparatus and X-ray inspection method that can reduce the influence of scattering X-rays.

도 1은 제1 실시예의 X선 검사 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 X선 검출기 및 그리드의 설명도이다.
도 3은 X선 검출기 및 그리드의 일부 확대 단면도이다.
도 4는 X선 검출기 및 그리드의 일부 확대 평면도이다.
도 5는 대상물인 웨이퍼의 설명도이다.
도 6a는 제1 실시예의 처리를 나타내는 흐름도이다.
도 6b는 제1 실시예의 처리를 나타내는 흐름도이다.
도 7은 제2 실시예의 X선 검사 장치의 개략 구성도이다.
도 8은 X선 검출기 및 그리드의 설명도이다.
도 9a는 X선 검출기 및 그리드의 일부 확대 평면도이다.
도 9b는 X선 검출기 및 그리드의 일부 확대 평면도이다.
도 10a는 제2 실시예의 처리를 나타내는 흐름도이다.
도 10b는 제2 실시예의 처리를 나타내는 흐름도이다.
도 11은 제3 실시예의 X선 검사 장치의 개략 구성도이다.
도 12는 X선 검출기 및 제1 그리드의 설명도이다.
도 13a는 X선 검출기 및 제1 및 제2 그리드의 일부 확대 단면도이다.
도 13b는 X선 검출기 및 제1 및 제2 그리드의 일부 확대 평면도이다.1 is a schematic configuration diagram of an X-ray inspection apparatus of the first embodiment.
2 is an explanatory diagram of an X-ray detector and a grid.
3 is a partially enlarged cross-sectional view of an X-ray detector and a grid.
4 is a partially enlarged plan view of the X-ray detector and the grid.
5 is an explanatory diagram of a wafer as an object.
6A is a flowchart showing processing of the first embodiment.
6B is a flowchart showing processing of the first embodiment.
7 is a schematic configuration diagram of an X-ray inspection apparatus of a second embodiment.
8 is an explanatory diagram of an X-ray detector and a grid.
9A is a partially enlarged plan view of an X-ray detector and a grid.
9B is a partially enlarged plan view of the X-ray detector and the grid.
10A is a flowchart showing processing of the second embodiment.
10B is a flowchart showing processing of the second embodiment.
11 is a schematic configuration diagram of an X-ray inspection apparatus of a third embodiment.
12 is an explanatory diagram of an X-ray detector and a first grid.
13A is a partially enlarged cross-sectional view of the X-ray detector and the first and second grids.
13B is a partially enlarged plan view of the X-ray detector and the first and second grids.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Embodiments of the present invention are described in detail below with reference to the accompanying drawings. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below and may be embodied in various other forms. The following examples are provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, rather than to allow the invention to be fully completed.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In the embodiments of the present invention, when one element is described as being disposed or connected on another element, the element may be disposed or connected directly on the other element, with other elements interposed therebetween. It may be. Alternatively, if one element is described as being directly disposed or connected on another element, there may be no other element between them. Terms such as first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or parts, but the items are not limited by these terms. Will not.

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used in the embodiments of the present invention is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the present invention. Also, unless otherwise defined, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as would be understood by one of ordinary skill in the art having ordinary skill in the art. Such terms, such as those defined in conventional dictionaries, will be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the related art and description of the invention, and ideally or excessively intuitional unless otherwise specified. It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, such as changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be expected sufficiently. Accordingly, embodiments of the invention are not to be described as limited to the particular shapes of the areas described as the illustrations, but include variations in the shapes, and the elements described in the figures are entirely schematic and their shapes Is not intended to describe the precise shape of the elements nor is it intended to limit the scope of the invention.

(제1 실시예)(First embodiment)

이하, 제1 실시예를 설명한다.The first embodiment will be described below.

도 1은 X선 검사 장치(1)의 개략적인 구성도이다. 도 1에서 XYZ 직교 좌표계를 설정하고 그 좌표계를 사용하여 동작을 설명한다. 도 1은 X축, Y축, Z축의 각 축과 각 축을 중심으로 하는 회전 방향(축 방향, 원주 방향)을 화살표로 나타낸다. 또한 각 부재에 대해 이동 가능한 방향에 실선으로 나타낸다.1 is a schematic configuration diagram of an X-ray inspection apparatus 1. In FIG. 1, an XYZ rectangular coordinate system is set and an operation is described using the coordinate system. FIG. 1 shows each axis of the X-axis, Y-axis, and Z-axis and the rotational direction (axial direction, circumferential direction) around each axis with arrows. Moreover, it shows with a solid line in the direction which can move with respect to each member.

도 1에 나타낸 바와 같이, X선 검사 장치(1)는 조사 박스(“조사 BOX "로 표기) (10) 및 컨트롤부(50)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the X-ray inspection apparatus 1 includes an irradiation box (denoted as “irradiation BOX”) 10 and a control unit 50.

조사 박스(10)는 스테이지(11), X선관(12), 변위계(13), X선 검출기(14,15), 회전 스테이지(16), 지지암(17), 산란선 방지 그리드(24, 25) 및 차폐 유닛(20)을 포함한다.The irradiation box 10 includes the stage 11, the X-ray tube 12, the displacement meter 13, the X-ray detectors 14 and 15, the rotation stage 16, the support arm 17, the scattering line prevention grid 24, 25) and shielding unit 20.

컨트롤부(50)는 모터 제어부(51, 52, 53, 54), X선관 제어부(55), 변위 측정 부(56), 이미지 처리부(57) 및 제어부(58)를 포함한다.The control unit 50 includes a motor control unit 51, 52, 53, 54, an X-ray tube control unit 55, a displacement measuring unit 56, an image processing unit 57, and a control unit 58.

스테이지(11)는 피검사물(70)이 적재되는 적재면(11a)을 포함하고, 수평방향 (X축 방향 및 Y축 방향)으로 이동가능한 자재로서 XY 스테이지에 해당한다. 스테이지(11)는 액추에이터로 모터를 포함하는 스테이지 이동기구(미도시)를 포함하고, 상기 스테이지 이동기구에 의해 적재면(11a)에 평행한 수평 방향으로 이동한다. 컨트롤부(50)의 모터 제어부(51)는 스테이지(11)의 모터를 제어한다. 따라서 X선 검사 장치(1)는 적재면(11a)에 적재된 피검사물(70)을 소정의 검사 대상 위치로 유도한다.The stage 11 includes a mounting surface 11a on which the inspection object 70 is loaded, and corresponds to the XY stage as a material movable in the horizontal direction (X-axis direction and Y-axis direction). The stage 11 includes a stage moving mechanism (not shown) including a motor as an actuator, and moves in a horizontal direction parallel to the mounting surface 11a by the stage moving mechanism. The motor control unit 51 of the control unit 50 controls the motor of the stage 11. Therefore, the X-ray inspection apparatus 1 guides the inspection object 70 loaded on the loading surface 11a to a predetermined inspection target position.

피검사물(70)은 예를 들면, 스테이지(11)에 적재된 대상물 중 일부라고 할 수 있다. 대상물은 예를 들면 반도체 칩이 형성된 웨이퍼이다. 즉, 웨이퍼에 형성된 반도체 칩이 피검사물(70)에 해당할 수 있다. X선 검사 장치(1)는 이러한 피검사물(70)의 구조를 검사하기 위해 사용된다.The inspection object 70 may be, for example, a part of the object loaded on the stage 11. The object is, for example, a wafer on which a semiconductor chip is formed. That is, the semiconductor chip formed on the wafer may correspond to the inspected object 70. The X-ray inspection apparatus 1 is used to inspect the structure of such an inspection object 70.

스테이지(11)의 재료로는 X선에 대해 투과성을 갖는 것을 사용할 수 있다. 또한, 스테이지(11)는 상술한 수평 방향(X축 방향 및 Y축 방향)과 다른 Z축 방향 (적재면(11a)에 대한 수직 방향, 상하 방향)으로 이동 가능하여도 좋다. 또한 스테이지(11)는 Z축 회전(원주 방향)으로 회전 가능하여도 좋다.As the material of the stage 11, one having transparency to X-rays can be used. In addition, the stage 11 may be movable in the Z-axis direction (vertical direction with respect to the loading surface 11a, up-down direction) different from the above-mentioned horizontal direction (X-axis direction and Y-axis direction). In addition, the stage 11 may be rotatable in Z-axis rotation (circumferential direction).

X선관(12)은 스테이지(11)의 상방에 배치되어 있다. X선관(12)은 피검사물(70)에 X선을 조사한다. X선관(12)으로는 특별히 한정되는 것이 아니라, X선 검사에서 종래 사용되는 것을 사용할 수 있다. 컨트롤부(50)의 X선관 제어부 (55)는 X선관(12)에서 X선의 발생 및 정지를 제어한다.The X-ray tube 12 is disposed above the stage 11. The X-ray tube 12 irradiates X-rays to the inspection object 70. The X-ray tube 12 is not particularly limited, and those conventionally used in X-ray inspection can be used. The X-ray tube control unit 55 of the control unit 50 controls the generation and stop of the X-rays in the X-ray tube 12.

X선관(12)은 이동기구(18)에 연결된다. 이동기구(18)는 액추에이터로서 모터를 포함한다. X선관(12)은 이동기구(18)에 의해 Z축 방향으로 이동 가능하게 지지된다. 모터 제어부(53)는 이동기구(18)의 모터를 제어한다. 상기 모터 제어부(53) 및 이동기구(18)에 의해, X선관(12)의 Z축 방향의 위치가 변경된다.The X-ray tube 12 is connected to the moving mechanism 18. The moving mechanism 18 includes a motor as an actuator. The X-ray tube 12 is supported by the moving mechanism 18 so as to be movable in the Z-axis direction. The motor control unit 53 controls the motor of the moving mechanism 18. The position of the X-ray tube 12 in the Z-axis direction is changed by the motor control unit 53 and the moving mechanism 18.

변위계(13)는 피검사물(70)의 표면까지의 거리를 측정하기 위해 사용된다. 변위계(13)로서, 예를 들면 피검사물(70)까지의 거리를 비접촉으로 측정하는 레이저 변위계를 사용할 수 있다. 컨트롤부(50)의 변위 계측부(56)는 변위계(13)에 의해 피검사물(70)의 표면까지의 거리를 측정한다. 상기 변위계(13)에 의한 측정 결과에 기초하여, 모터 제어부(53)는 X선관(12) 및 차폐 유닛(20)과의 거리를 지정 거리로 한다. X선관(12)의 X축 방향의 위치는 배율에 따라 변경된다. 확대율은, X선 초점(발생 위치)에서 X선 검출기(14, 15)까지의 거리를 초점에서 피검사물(70)까지의 거리로 나눈 값으로 표시된다.The displacement meter 13 is used to measure the distance to the surface of the inspected object 70. As the displacement meter 13, for example, a laser displacement meter which measures the distance to the inspection object 70 in a non-contact manner can be used. The displacement measuring unit 56 of the control unit 50 measures the distance to the surface of the inspection object 70 by the displacement meter 13. Based on the measurement result by the said displacement meter 13, the motor control part 53 makes the distance with the X-ray tube 12 and the shielding unit 20 into a designated distance. The position of the X-ray tube 12 in the X-axis direction is changed depending on the magnification. The magnification is expressed as a value obtained by dividing the distance from the X-ray focus (occurrence position) to the X-ray detectors 14 and 15 by the distance from the focus to the inspection object 70.

X선 검출기(14)는 스테이지(11)를 사이에 두고 X선관(12)과 대향하는 위치에 배치되어 있다. 예를 들면, X선 검출기(14)는 스테이지(11)의 직하에 위치하는 회전 스테이지(16)의 면 상에 배치되어 있다. 상기 X선 검출기(14)는 그 검출면이 X선관(12)으로부터 조사되는 X선의 축 방향(Z축 방향)에 수직이 되도록 배치되어 있다.The X-ray detector 14 is disposed at a position facing the X-ray tube 12 with the stage 11 interposed therebetween. For example, the X-ray detector 14 is disposed on the surface of the rotating stage 16 located directly below the stage 11. The X-ray detector 14 is arranged such that its detection surface is perpendicular to the axial direction (Z-axis direction) of X-rays radiated from the X-ray tube 12.

X선 검출기(15)는 스테이지(11)를 사이에 두고 X선관(12)과 대향하는 위치의 주변에 배치되어 있다. 예를 들어, X선 검출기(15)는, 회전 스테이지(16)의 제1 단부(기단부)에 고정된 지지암(17)의 제2 단부(선단부)에 부착되어 있다. 또한 X선 검출기(15)는, 그 검출면이 X선관(12)으로부터 출사되는 X선의 축 방향(Z축 방향)에 대하여 경사지도록 배치되어 있다. 상술하면, X선 검출기(15)는, 피검사물(70)을 비스듬히 통과한 X선이 검출면에 수직으로 입사하도록 배치되어 있다.The X-ray detector 15 is disposed around the position facing the X-ray tube 12 with the stage 11 interposed therebetween. For example, the X-ray detector 15 is attached to the second end (tip) of the support arm 17 fixed to the first end (base end) of the rotary stage 16. Moreover, the X-ray detector 15 is arrange | positioned so that the detection surface may incline with respect to the axial direction (Z-axis direction) of the X-ray radiate | emitted from the X-ray tube 12. As shown in FIG. In detail, the X-ray detector 15 is arranged so that the X-rays passing through the inspection object 70 at an angle are incident perpendicularly to the detection surface.

회전 스테이지(16)는 Z축 회전(원주 방향)에 회전 가능하게 θ 스테이지에 해당한다. 회전 스테이지(16)는 액추에이터로서 모터를 포함하는 회전기구(미도시)를 포함한다. 컨트롤부(50)의 모터 제어부(54)는 회전기구의 모터를 제어하여 X선 검출기(14, 15)를 원주 방향으로 회전시킨다.The rotation stage 16 corresponds to the θ stage so as to be rotatable in the Z axis rotation (circumferential direction). The rotating stage 16 includes a rotating mechanism (not shown) that includes a motor as an actuator. The motor control unit 54 of the control unit 50 rotates the X-ray detectors 14 and 15 in the circumferential direction by controlling the motor of the rotating mechanism.

X선 검출기(14,15)는, 예를 들면 평판형 검출기(FPD: Flat Panel Detector)이다. 이 검출기로는 예를 들면, 간접 변환형 검출기와 직접 변환형 검출기를 사용할 수 있다. 간접 변환형 검출기는 X선을 신틸레이터 (scintillator; 섬광기)에서 다른 파장의 빛으로 변환하고 그 빛을 어레이 형태의 포토다이오드와 CCD(Charge-coupled Device)에서 전하로 변환하여 X선을 검출한다. 직접 변환형 검출기는 X선을 변환부 (예를 들면 비정질 셀레늄 (a-Se) 등의 반도체)에서 전하로 변환하여 X선을 검출한다.The X-ray detectors 14 and 15 are, for example, flat panel detectors (FPDs). As this detector, an indirect conversion detector and a direct conversion detector can be used, for example. An indirect conversion detector detects X-rays by converting X-rays into light of different wavelengths in a scintillator and converting the light into charges in an array-type photodiode and a charge-coupled device (CCD). . The direct conversion detector detects X-rays by converting X-rays into electric charges in a conversion unit (for example, a semiconductor such as amorphous selenium (a-Se)).

본 실시예의 X선 검사 장치(1)는 차폐 유닛(20)을 포함한다. 차폐 유닛(20)은 스테이지(11) 및 X선관(12) 사이에 배치되어 있다. 또한, 차폐 유닛 (20)은 생략될 수 도 있다.The X-ray inspection apparatus 1 of this embodiment includes a shielding unit 20. The shielding unit 20 is disposed between the stage 11 and the X-ray tube 12. In addition, the shield unit 20 may be omitted.

본 실시예의 차폐 유닛(20)은 필터(21)와 차폐판(22)을 포함한다.The shielding unit 20 of this embodiment includes a filter 21 and a shielding plate 22.

필터(21)는 X선에 포함된 소정의 파장 영역을 흡수(커팅)하는 것이다. X선은 연속적인 파장 영역을 포함한다. 긴 파장의 X선은 피검사물(70)의 특성 저하를 초래한다. 예를 들면, 반도체 메모리와 같은 반도체 칩은 X선 흡수하여 반도체 실리콘이 전하를 축적함으로써, 반도체 메모리의 내부에 형성된 트랜지스터의 문턱 전압을 변화시킬 수 있다. 따라서 본 실시예의 X선 검사 장치(1)는, 필터(21)가 피검사물(70)에 영향을 미칠 수 있는 파장 영역의 X선을 흡수함으로써, 피검사물(70)의 특성 열화를 억제하고 X선 검사를 할 수 있다.The filter 21 absorbs (cuts) a predetermined wavelength range included in the X-rays. X-rays comprise a continuous wavelength region. X-rays of long wavelengths cause deterioration of the inspected object 70. For example, a semiconductor chip such as a semiconductor memory absorbs X-rays and the semiconductor silicon accumulates electric charges, thereby changing the threshold voltage of the transistor formed inside the semiconductor memory. Accordingly, the X-ray inspection apparatus 1 of the present embodiment suppresses the deterioration of characteristics of the inspected object 70 by absorbing the X-rays in the wavelength region where the filter 21 may affect the inspected object 70. You can do a line test.

또한, 필터(21)는 여러 개의 필터 플레이트를 포함하는 것으로 할 수 있다. 서로 다른 파장의 X선을 흡수하는 필터판을 준비하고 선택한 하나 이상의 필터 플레이트에 X선을 투과시키는 것으로, 피검사물(70)에 조사하는 X선의 파장 영역을 변경할 수 있다.In addition, the filter 21 can be made to contain several filter plates. By preparing a filter plate that absorbs X-rays having different wavelengths and transmitting X-rays to one or more selected filter plates, the wavelength region of the X-rays irradiated to the inspection object 70 can be changed.

차폐판(22)은 대략 직사각형 평판 형상으로 형성되어 있다. 차폐판(22)의 재료로는 X선이 통과하기 어려운 금속 재료, 예를 들면 납(Pb) 등을 이용할 수 있다. 차폐판(22)은 복수의 개구부를 구비한다. 개구부는 원하는 위치에 설치된 X선을 통과시킨다. 상기 개구부를 통과한 X선은 피검사물(70)에 조사된다. X선은 피검사물(70)을 투과하여 X선 검출기(14, 15)에 입사한다. 모터 제어부(52)는 차폐판(22)의 개구부를 통과한 X선이 X선 검출기(14, 15)에 입사하도록 차폐판 (22)의 위치를 제어한다.The shielding plate 22 is formed in substantially rectangular flat plate shape. As the material of the shielding plate 22, a metal material, for example, lead (Pb) or the like, through which X-rays are difficult to pass, can be used. The shielding plate 22 has a plurality of openings. The opening passes through an X-ray installed at a desired position. X-rays passing through the opening are irradiated to the inspection object 70. The X-rays penetrate the inspection object 70 and enter the X-ray detectors 14 and 15. The motor control unit 52 controls the position of the shield plate 22 so that the X-rays passing through the opening of the shield plate 22 are incident on the X-ray detectors 14 and 15.

산란선 방지 그리드(24)는 X선 검출기(14)에 대응하여 설치된다. 산란선 방지 그리드(24)는 X선 검출기(14)로의 산란 X선이 입사되는 것을 방지하기 위해 설치된다. 산란선 방지 그리드(24)는 도시하지 않은 지지 부재에 의해 이동 가능하게 지지된다.The scattered ray prevention grid 24 is provided in correspondence with the X-ray detector 14. A scattering ray prevention grid 24 is provided to prevent scattering X-rays from entering the X-ray detector 14. The scattering line prevention grid 24 is movably supported by a supporting member (not shown).

산란선 방지 그리드(25)는 X선 검출기(15)에 대응하여 설치된다. 산란선 방지 그리드(25)는 X선 검출기(15)로 산란 X선이 입사되는 것을 방지하기 위해 설치된다. 산란선 방지 그리드(25)는 도시하지 않은 지지 부재에 의해 이동 가능하게 지지된다.The scattered ray prevention grid 25 is provided corresponding to the X-ray detector 15. A scattering ray prevention grid 25 is provided to prevent scattering X-rays from entering the X-ray detector 15. The scattering line prevention grid 25 is movably supported by the support member which is not shown in figure.

도 2와 같이 그리드 제어부(58)는 산란선 방지 그리드(25)를 X선 검출기(15) 직전의 제1 위치 및 X선 검출기(15)의 직전에서 후퇴한 제2 위치 사이에서 전환 배치한다. 도 2에서 실선은 제1 위치에 배치된 산란선 방지 그리드(25)를 나타내고, 점선은 제2 위치에 배치된 산란선 방지 그리드(25)를 나타낸다. 마찬가지로, 그리드 제어부(58)는, 도 1에 나타내는 산란선 방지 그리드(24)를 X선 검출기(14)의 직전의 제1 위치와 X선 검출기(14)의 직전에서 후퇴한 제2 위치 사이에서 전환 배치하도록 한다.As shown in FIG. 2, the grid control unit 58 switches the scattering ray prevention grid 25 between a first position immediately before the X-ray detector 15 and a second position that is retracted immediately before the X-ray detector 15. In FIG. 2, the solid line indicates the scatter line preventing grid 25 disposed at the first position, and the dotted line indicates the scatter line preventing grid 25 disposed at the second position. Similarly, the grid control unit 58 between the first position just before the X-ray detector 14 and the second position that retracts immediately before the X-ray detector 14 is shown in FIG. 1. Place the transition.

도 3 및 도 4는 산란선 방지 그리드(25)의 개략적인 구성을 나타낸다. 또한, 도 1에 나타내는 산란선 방지 그리드(24)는 도 3 및 도 4에 나타내는 산란선 방지 그리드(25)와 같은 구조이기 때문에 이에 대한 도면과 설명을 생략한다.3 and 4 show a schematic configuration of the scatter line preventing grid 25. In addition, since the scattered line prevention grid 24 shown in FIG. 1 has the same structure as the scattered line prevention grid 25 shown in FIG. 3 and FIG. 4, the figure and description thereof are abbreviate | omitted.

산란선 방지 그리드(25)는 판재(25a, 25b) 및 판재(25a, 25b)를 유지하는 유지 부재(25c, 25d)를 포함한다. 판재(25a, 25b)는 서로 직교하는 격자 모양의 산란선 방지 그리드를 구성한다. 판재(25a, 25b)는, 예를 들면, 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo)의 박판이다. 판재(25a, 25b)는 상하의 유지 부재(25d, 25c)에 의해 모양을 유지하고 있다. 유지 부재(25c, 25d)의 재료로는 높은 X선 투과율을 갖는 재료, 예를 들어 탄소를 사용할 수 있다. 판재(25a, 25b)의 두께는 예를 들면 100 μm 이며, 100 ~ 300 μm의 격자 피치로 배열되어 있다.The scattering line prevention grid 25 includes the plate members 25a and 25b and the holding members 25c and 25d holding the plate members 25a and 25b. The board members 25a and 25b constitute a grid-shaped scattering line prevention grid orthogonal to each other. The plate materials 25a and 25b are thin plates of tungsten (W) and molybdenum (Mo), for example. The board | plate materials 25a and 25b hold | maintain the shape by the upper and lower holding members 25d and 25c. As a material of the holding members 25c and 25d, a material having a high X-ray transmittance, for example, carbon may be used. The thickness of the board | plate materials 25a and 25b is 100 micrometers, for example, and is arrange | positioned at the grid pitch of 100-300 micrometers.

도 4에 도시된 바와 같이, X선 검출기(15)는 행렬 형태(매트릭스 형태)에 배열된 복수의 검출 소자(15a)를 포함한다. 검출 소자(15a)의 크기는 예를 들면, 100 μm × 100 μm 내지 200 μm × 200 μm 정도이다. 따라서, 각 검출 소자(15a)의 크기에 비해 산란선 방지 그리드(25)의 격자가 크고, X선 검출기(15)에 입사하는 모든 산란 X선을 제거 할 수 없다. 또한 산란선 방지 그리드(25) 자체가 X선 검출기(15)의 검출 소자(15a)에 대하여 X선의 입사를 차폐하는 장애물이 된다. 따라서 산란선 방지 그리드(25)를 X선 검출기(15)의 직전에 배치하는 것만으로는 고해상도의 데이터를 얻을 수 없다.As shown in Fig. 4, the X-ray detector 15 includes a plurality of detection elements 15a arranged in a matrix form (matrix form). The size of the detection element 15a is, for example, about 100 μm × 100 μm to 200 μm × 200 μm. Therefore, the lattice of the scattering-ray prevention grid 25 is large compared with the size of each detection element 15a, and all the scattering X-rays incident on the X-ray detector 15 cannot be removed. In addition, the scattering ray prevention grid 25 itself becomes an obstacle that shields the incident of X-rays with respect to the detection element 15a of the X-ray detector 15. Therefore, high-resolution data cannot be obtained only by disposing the scattering ray prevention grid 25 immediately before the X-ray detector 15.

따라서, 본 실시예에서는 산란선 방지 그리드(25)를 이용하여 X선 검출기(15)에 입사하는 산란 X선의 공간 구조를 파악하여, 피검사물(70)을 검출한 검출 데이터를 보정한다. 본 실시예의 컨트롤부(50)의 이미지 처리부(57)는 산란선 방지 그리드(25)를 이용하여 X선 검출기(15)에 입사하는 산란 X선의 산란선 데이터를 생성한다. 그리고, 컨트롤부(50) (이미지 처리부(57))는 피검사물(70)을 검출 한 검출 데이터를 산란선 데이터에 의해 보정하고 피검사물(70)의 이미지 데이터를 생성한다. 따라서 산란 X선의 영향을 줄이고 고해상도 이미지 데이터를 확보할 수 있을 것이다.Therefore, in this embodiment, the spatial structure of the scattering X-rays incident on the X-ray detector 15 is grasped using the scattering-ray prevention grid 25, and the detection data which detected the to-be-tested object 70 is correct | amended. The image processing unit 57 of the control unit 50 of the present embodiment generates scattered line data of scattered X-rays incident on the X-ray detector 15 using the scattered line prevention grid 25. Then, the control unit 50 (image processing unit 57) corrects the detection data for detecting the inspected object 70 with scattered line data and generates image data of the inspected object 70. Therefore, it is possible to reduce the influence of scattered X-rays and to obtain high resolution image data.

본 실시예의 X선 검사 장치(1)의 X선 검사 방법에 대하여, 도 6a 및 도 6b에 나타내는 흐름도를 참조하여 상세히 설명한다.The X-ray inspection method of the X-ray inspection apparatus 1 of the present embodiment will be described in detail with reference to flowcharts shown in FIGS. 6A and 6B.

먼저, 도 2에 실선으로 나타낸 바와 같이, 산란선 방지 그리드(25)를 X선 검출기(15)의 직전의 위치(제1 위치)에 배치한다(단계 101). 이후, 도 1에 나타내는 스테이지(11)에 대상물(샘플)이 없는지 확인한다(단계 102). 그리고 X선을 조사하여 X선 검출기(15)의 검출 데이터를 취득한다(단계 103). 상기 검출 데이터는 X선 검출기(15)에서 산란선 방지 그리드(25)를 통과한 X선이 조사되는 조사 영역과 산란선 방지 그리드 25에 의해 차폐되어 X선이 조사되지 않는 비조사 영역을 파악한다 (단계 104).First, as shown by the solid line in FIG. 2, the scattering ray prevention grid 25 is disposed at a position (first position) immediately before the X-ray detector 15 (step 101). Thereafter, it is checked whether there is an object (sample) in the stage 11 shown in FIG. 1 (step 102). X-rays are irradiated to obtain detection data of the X-ray detector 15 (step 103). The detection data identifies the irradiated area irradiated with X-rays passing through the scattered ray prevention grid 25 in the X-ray detector 15 and the non-irradiated area irradiated with the scattered ray prevention grid 25 and irradiated with X-rays. (Step 104).

이어서, 스테이지(11)에 테스트 샘플을 배치한다(단계 105). 테스트 샘플은 피검사물과 구조가 동일한 것이 바람직하다. 피검사물은, 예를 들면 반도체 칩이다. 도 5는 다이싱 되기 전 웨이퍼(71)를 나타낸다. 상기 웨이퍼(71)는 복수의 반도체 칩(71a) 및 복수의 테스트 칩(71b)을 포함한다. 테스트 칩(71b)은 반도체 칩(71a)과 함께 형성되는 칩이며, 반도체 칩(71a)과 같은 구조이다. 상기 테스트 칩(71b)은, 예를 들면 반도체 칩(71a)을 형성하는 공정에서 반도체 칩(71a)에 대한 검사 조건의 설정 등에 이용된다. 또한 테스트 칩(71b)으로는 예를 들면, 웨이퍼 (71) 상태에서 실시하는 시험에 의해 불량으로 판정된 반도체 칩을 사용할 수 있다. 상기 테스트 칩(71b)을 테스트 샘플로 X선이 조사되는 위치에 배치한다. 그리고 테스트 샘플에 X선을 조사하여 X선 검출기(15)의 검출 데이터(제1 검출 데이터)를 취득한다(단계 106).Next, a test sample is placed on the stage 11 (step 105). The test sample is preferably the same structure as the test object. The inspected object is a semiconductor chip, for example. 5 shows the wafer 71 before dicing. The wafer 71 includes a plurality of semiconductor chips 71a and a plurality of test chips 71b. The test chip 71b is a chip formed together with the semiconductor chip 71a and has the same structure as the semiconductor chip 71a. The test chip 71b is used, for example, in setting inspection conditions for the semiconductor chip 71a in the step of forming the semiconductor chip 71a. As the test chip 71b, for example, a semiconductor chip judged to be defective by a test performed in the wafer 71 state can be used. The test chip 71b is disposed at a position where X-rays are irradiated with a test sample. The test sample is irradiated with X-rays to obtain detection data (first detection data) of the X-ray detector 15 (step 106).

이어서, 산란선 방지 그리드(25)를 도 2에 점선으로 나타낸 바와 같이, X선 검출기(15)의 직전에서 후퇴한 위치(제2 위치)에 배치한다(단계 107). 그리고 테스트 샘플에 X선을 조사하여 X선 검출기(15)의 검출 데이터(제2 검출 데이터)를 취득한다(단계 108).Subsequently, as shown by the dotted line in FIG. 2, the scattered ray prevention grid 25 is disposed at a position (second position) which is retreated immediately before the X-ray detector 15 (step 107). The test sample is irradiated with X-rays to obtain detection data (second detection data) of the X-ray detector 15 (step 108).

제1 검출 데이터 및 제2 검출 데이터를 취득할 때에는, 피검사물로 반도체 칩(71a)을 검사할 때보다 많은 X선이 X선 검출기(15)에 입사하도록, 예를 들면 조사 시간(검사 시간)을 설정하여, 충분히 높은 통계량의 산란선 데이터를 취득하도록, 즉 충분히 많은 양의 X선을 X선 검출기(15)에 입사하도록 한다.When acquiring the first detection data and the second detection data, for example, irradiation time (inspection time) so that more X-rays are incident on the X-ray detector 15 than when the semiconductor chip 71a is inspected by the inspection object. Is set so as to acquire scattered line data of sufficiently high statistics, that is, a sufficient amount of X-rays are incident on the X-ray detector 15.

X선은, 물체를 투과할 수 있을 정도의 높은 에너지를 갖는다. 따라서 반도체 칩(71a)을 피검사물로 할 경우, X선은 반도체 칩(71)에 특성 저하 등과 같은 영향을 미친다. 따라서 반도체 칩(71a) 검사에서는 반도체 칩의 조사량을 줄일 필요가 있다. 한편, 테스트 칩(71b)은 검사 조건 설정 등에 이용되기 때문에 조사량을 억제할 필요가 없다. 이처럼 조사량을 억제할 필요가 없는 테스트 칩(71b)을 이용하여 충분한 양의 투과 X선을 X선 검출기(15)에 입사시킬 수 있다.X-rays have a high energy enough to penetrate an object. Therefore, when the semiconductor chip 71a is used as the object to be inspected, X-rays affect the semiconductor chip 71 such as deterioration in characteristics. Therefore, in the inspection of the semiconductor chip 71a, it is necessary to reduce the irradiation amount of the semiconductor chip. On the other hand, since the test chip 71b is used for setting inspection conditions and the like, it is not necessary to suppress the dose. Thus, a sufficient amount of transmitted X-rays can be incident on the X-ray detector 15 using the test chip 71b which does not need to suppress the dose.

이어서, 산란선 방지 그리드(25)를 배치할 때의 검출 데이터(제1 검출 데이터)와 산란선 방지 그리드(25)를 배치하지 않은 경우의 검출 데이터(제2 검출 데이터)를 비교하여 X선 검출기 (15)에 입사하는 산란 X선의 산란선 데이터를 생성한다 (단계 109).Subsequently, the detection data (first detection data) when arranging the scattering line prevention grid 25 is compared with the detection data (second detection data) when the scattering line prevention grid 25 is not arranged and the X-ray detector is compared. Scattered line data of scattered X-rays incident on (15) is generated (step 109).

제1 검출 데이터는 테스트 칩(71b)을 투과한 투과 X선을 포함하고 산란 X선의 영향이 적은 검출 데이터에 해당한다. 제2 검출 데이터는 테스트 칩(71b)을 투과한 투과 X선과 산란 X선을 포함하는 검출 데이터에 해당한다. 따라서, 제1 검출 데이터 및 제2 검출 데이터와 비교하여 산란 X선의 검출 데이터, 즉 산란선 데이터를 얻을 수 있다.The first detection data corresponds to the detection data including the transmission X-rays transmitted through the test chip 71b and having less influence of scattering X-rays. The second detection data corresponds to detection data including transmission X-rays and scattering X-rays transmitted through the test chip 71b. Therefore, detection data of scattered X-rays, that is, scattered line data, can be obtained in comparison with the first and second detection data.

또한, 산란선 방지 그리드(25)를 배치할 때 검출 데이터에 있어서, 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 산란선 방지 그리드(25)에 의해 덮여진 검출 소자(15a)에는 X선이 입사하지 않는다. 따라서 제1 검출 데이터에서는 비조사 영역에 관한 데이터가 누락된다. 산란 X선의 공간 주파수는 낮기 때문에 상기 누락된 데이터를 근방의 데이터, 즉 조사 영역의 데이터를 이용하여 보간하여 생성 할 수 있다. 보간 방법은 예를 들어, 선형 보간 스플라인 보간 등의 공지의 보간 방법을 사용할 수 있다. 이렇게 하여 X선 검출기(15)에 입사하는 산란 X선의 데이터 (산란선 데이터)가 얻어진다.In addition, in the detection data when arranging the scattering line prevention grid 25, X-rays do not enter the detection element 15a covered by the scattering line prevention grid 25 as shown in FIGS. 3 and 4. Do not. Therefore, the data regarding the non-irradiation area is omitted from the first detection data. Since the spatial frequency of the scattered X-rays is low, the missing data may be generated by interpolation using data in the vicinity, that is, data in the irradiation area. The interpolation method can use a well-known interpolation method, such as linear interpolation spline interpolation, for example. In this way, data (scattered line data) of scattered X-rays incident on the X-ray detector 15 is obtained.

이어서, 테스트 샘플을 분리하고(단계 110), 평가 샘플을 배치한다(단계 111). 본 실시예에 있어서, 평가 샘플은 도 5에 나타낸 반도체 칩(71a)이다. 그리고 반도체 칩(71a)에 X선을 조사하여 X선 검출기(15)의 검출 데이터를 취득한다(단계 112).The test sample is then separated (step 110) and the evaluation sample is placed (step 111). In this embodiment, the evaluation sample is the semiconductor chip 71a shown in FIG. X-rays are irradiated onto the semiconductor chip 71a to obtain detection data of the X-ray detector 15 (step 112).

이후, 취득한 반도체 칩(71a)에 관한 검출 데이터를 상기 산란선 데이터에 의해 보정함으로써, 반도체 칩(71a)에 관한 이미지 데이터를 생성한다(단계 113). 따라서, 산란 X선의 영향을 감소시킨 이미지 데이터가 얻어진다.Subsequently, image data relating to the semiconductor chip 71a is generated by correcting the acquired detection data regarding the semiconductor chip 71a by the scattered line data (step 113). Thus, image data in which the influence of scattered X-rays is reduced is obtained.

이어서, 모든 평가 샘플에 관한 이미지 데이터를 생성했는지 여부를 판정한다(단계 114). 본 실시예에 있어서, 도 5에 도시된 웨이퍼(71)에 포함된 검사 대상의 모든 반도체 칩(71a)에 대한 이미지 데이터를 생성 여부를 판정한다. 검사 대상의 모든 반도체 칩(71a)에 대한 처리를 완료하지 않은 경우 이전 단계 111로 이행하고 다음 평가 샘플인 반도체 칩(71a)을 배치한다. 이와 같이, 단계 111 내지 단계 113의 처리를 반복하여 검사 대상의 모든 반도체 칩(71a)에 관한 이미지 데이터를 생성하면 처리를 종료한다.Then, it is determined whether image data for all evaluation samples has been generated (step 114). In this embodiment, it is determined whether image data for all the semiconductor chips 71a to be inspected included in the wafer 71 shown in FIG. 5 is generated. If the processing for all the semiconductor chips 71a to be inspected has not been completed, the process proceeds to the previous step 111 and the semiconductor chip 71a serving as the next evaluation sample is placed. As described above, when the processing in steps 111 to 113 is repeated to generate image data for all the semiconductor chips 71a to be inspected, the processing ends.

도 5에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(71)는 여러 반도체 칩들(71a)이 형성되어 있다. 각 반도체 칩(71a)을 순차적으로 피검사물(70)로 배치하고 배치한 반도체 칩(71a)에 관한 검출 데이터를 상기 산란선 데이터에 의해 보정하여 산란 X선의 영향을 감소시킨 반도체 칩(71a)의 이미지 데이터를 생성한다. 이로써, 산란 X선의 영향을 줄일 수 있어 고화질의 화상 데이터가 얻어진다.As shown in FIG. 5, the wafer 71 is formed with various semiconductor chips 71a. The semiconductor chip 71a having the semiconductor chip 71a sequentially arranged as the inspection object 70 and correcting the detection data of the semiconductor chip 71a arranged by the scattering line data to reduce the influence of scattering X-rays Create image data. Thereby, the influence of scattering X-rays can be reduced and high quality image data is obtained.

이상 기술한 바와 같이, 본 실시예에 의하면, 이하의 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.

(1-1) X선 검사 장치는 피검사물(70)이 적재되는 스테이지(11), 피검사물(70)에 X선을 조사하는 X선관(12), 피검사물(70)을 투과한 X선이 입사하는 X선 검출기(14, 15) 및 X선을 차폐하는 판재를 포함한 격자 형상의 산란선 방지 그리드(24,25)를 포함한다. 컨트롤부(50)는 산란선 방지 그리드(24, 25)를 이용하여 X선 검출기(14, 15)에 입사하는 산란 X선의 공간 상태에 따른 산란선 데이터를 생성한다. 또한, 컨트롤부(50)는 산란선 방지 그리드(24, 25)를 X선 검출기(14, 15) 직전에서 후퇴한 위치에 배치하고 피검사물(70)을 투과한 X선에 의해 검출 데이터를 생성한다. 그리고, 컨트롤부(50)는 검출 데이터를 산란선 데이터에 따라 보정하여 피검사물(70)의 이미지 데이터를 생성한다. 이 구성은 산란 X선의 영향을 감소시켜 고화질 이미지 데이터를 얻을 수 있다.(1-1) The X-ray inspection apparatus includes a stage 11 on which an inspection object 70 is loaded, an X-ray tube 12 radiating X-rays to the inspection object 70, and an X-ray passing through the inspection object 70. The incident X-ray detectors 14 and 15 and grid-shaped scattered ray prevention grids 24 and 25 including a plate shielding the X-rays are included. The control unit 50 generates scattered line data according to the spatial state of the scattered X-rays incident on the X-ray detectors 14 and 15 using the scattered line preventing grids 24 and 25. In addition, the control unit 50 arranges the scattering ray preventing grids 24 and 25 at a position where the scattering ray preventing grids 24 and 25 are retreated immediately before the X-ray detectors 14 and 15, and generates detection data by X-rays transmitted through the inspected object 70. do. The controller 50 corrects the detection data according to the scattered line data to generate image data of the inspected object 70. This configuration can reduce the influence of scattering X-rays and obtain high quality image data.

(1-2) X선 검사 장치(1)는, 산란 X선에 의한 노이즈의 영향을 저감시킬 수 있기 때문에 고화질(고해상도) 이미지 데이터가 얻어진다. 따라서 동일한 화질(해상도)을 얻기 위해 조사하는 X선의 양을 줄일 수 있다.(1-2) Since the X-ray inspection apparatus 1 can reduce the influence of noise due to scattered X-rays, high-quality (high resolution) image data is obtained. Therefore, the amount of X-rays irradiated to obtain the same image quality (resolution) can be reduced.

(1-3) X선 검사 장치(1)는 X선 검출기(15)의 직전에 산란선 방지 그리드(25)를 배치하고, 대상물이 없는 상태에서 X선 검사 장치(1)에 의한 검사 데이터는 산란선 방지 그리드(25)에 의해 X선이 조사되는 조사 영역과 X선이 조사되지 않는 비조사 영역을 파악한다. 이로 인해 높은 위치 정밀도를 필요로 하지 않고, 산란선 방지 그리드(25)의 배치용 장비의 비용 절감을 가능하게 할 수 있다.(1-3) The X-ray inspection apparatus 1 arranges the scattering ray prevention grid 25 immediately before the X-ray detector 15, and the inspection data by the X-ray inspection apparatus 1 is in a state where there is no object. The scattering ray prevention grid 25 grasps the irradiation area to which X-rays are irradiated and the non-irradiation area to which X-rays are not irradiated. This makes it possible to reduce the cost of the equipment for arranging the scattered line prevention grid 25 without requiring high positional accuracy.

(제2 실시예)(2nd Example)

이하, 제2 실시예를 설명한다.The second embodiment will be described below.

또한, 상기 제2 실시예에서, 상기 제1 실시예와 같은 구성 부재에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 그 설명의 일부 또는 전부를 생략 할 수 있다.In addition, in the said 2nd Example, the same code | symbol is attached | subjected about the structural member similar to the said 1st Example, and part or all of the description can be abbreviate | omitted.

도 7과 같이 X선 검사 장치(1a)는 조사 박스(“조사 BOX "로 표기)(10) 및 컨트롤부(50a)를 포함한다.As shown in FIG. 7, the X-ray inspection apparatus 1a includes an irradiation box (denoted as “irradiation box”) 10 and a control unit 50a.

컨트롤부(50a)는, 모터 제어부(51, 52, 53, 54), X선관 제어부(55), 변위 측정부(56), 이미지 처리부(57) 및 그리드 제어부(58a)를 포함한다.The control part 50a contains the motor control part 51, 52, 53, 54, the X-ray tube control part 55, the displacement measuring part 56, the image processing part 57, and the grid control part 58a.

그리드 제어부(58a)는 산란선 방지 그리드(24, 25)를 X선 검출기(14, 15) 직전의 위치(제1 위치) 및 X선 검출기(14,15) 직전에서 회피한 위치(제2 위치)로 배치하도록 구성되어 있다. 또한, 본 실시예의 그리드 제어부(58a)는 X선 검출기(14, 15) 직전에서 산란선 방지 그리드(24,25)를 X선 검출기(14, 15)의 검출면과 평행하게 이동 가능하게 구성되어 있다.The grid control unit 58a is a position (first position) immediately before the X-ray detectors 14 and 15 and the position (second position) where the scattering ray prevention grids 24 and 25 are avoided just before the X-ray detectors 14 and 15. It is configured to arrange). In addition, the grid control part 58a of this embodiment is comprised so that the scattered-ray prevention grid 24 and 25 can be moved in parallel with the detection surface of the X-ray detectors 14 and 15 just before the X-ray detectors 14 and 15. have.

컨트롤부(50a)는, 그리드 제어부(58a)로 하여금 산란선 방지 그리드(24, 25)를 X선 검출기(14, 15) 직전에 이동시키고 검출 데이터를 검색한다. 그리고 이미지 처리부(57)에 의해 산란선 데이터를 산출한다. 이렇게 산출한 산란선 데이터를 이용하여 피검사물(70)을 검출한 검출 데이터를 보정한다. 따라서 산란 X선의 영향을 더 줄이고 고해상도 이미지 데이터를 얻는다.The control unit 50a causes the grid control unit 58a to move the scattered line prevention grids 24 and 25 immediately before the X-ray detectors 14 and 15 to retrieve the detection data. The scattering line data is calculated by the image processing unit 57. The scattering data obtained as described above is corrected to detect detection data for detecting the inspected object 70. Therefore, the effect of scattering X-rays is further reduced and high resolution image data is obtained.

본 제2 실시예에 따른 X선 검사 장치(1a)의 X선 검사 방법에 대하여 도 10a 및 도 10b의 순서도를 참조하여 상세히 설명한다.An X-ray inspection method of the X-ray inspection apparatus 1a according to the second embodiment will be described in detail with reference to the flowcharts of FIGS. 10A and 10B.

먼저, 도 8에 실선으로 나타낸 바와 같이, 산란선 방지 그리드(25)를 X선 검출기(15)의 직전의 위치(제1 위치)에 배치한다(단계 201). 다음으로, 도 7에 도시된 스테이지(11)에 물체가 없는지 확인한다(단계 202). 그리고 X선을 조사하여 X선 검출기(15)의 검출 데이터를 검색한다(단계 203). 상기 검출 데이터는 X선 검출기(15)에서 산란선 방지 그리드(25)를 통과한 X선이 조사되는 조사 영역과 산란선 방지 그리드(25)에 의해 차폐되어 X선이 조사되지 않는 비조사 영역을 파악한다(단계 204).First, as shown by the solid line in FIG. 8, the scattering ray prevention grid 25 is disposed at a position (first position) immediately before the X-ray detector 15 (step 201). Next, it is checked whether there is an object in the stage 11 shown in FIG. 7 (step 202). X-rays are irradiated to retrieve detection data of the X-ray detector 15 (step 203). The detection data is irradiated by the X-ray detector 15 through the scattered ray prevention grid 25 irradiated area and the non-irradiated area shielded by the scattered ray prevention grid 25 to irradiate X-rays (Step 204).

이후, 스테이지(11)에 테스트 샘플을 배치한다(단계 205). 테스트 샘플은 제1 실시예와 마찬가지로, 도 5에 도시된 웨이퍼(71)의 테스트 칩(71b)이다. 테스트 칩(71b)에 X선을 조사하여 X선 검출기(15)의 검출 데이터를 검색한다(단계 206).The test sample is then placed on stage 11 (step 205). The test sample is the test chip 71b of the wafer 71 shown in FIG. 5 as in the first embodiment. X-rays are irradiated to the test chip 71b to retrieve detection data of the X-ray detector 15 (step 206).

이후, 테스트 샘플을 분리하고(단계 207), 산란선 방지 그리드(25)를 이동시킨다(단계 208). 이 때, 도 9a 및 도 9b에 나타낸 바와 같이, 산란선 방지 그리드(25)를 X선 검출기(15)의 검출면과 평행하게 2차원 방향(도 9a 및 도 9b의 좌우 방향과 상하 방향)으로 이동시킨다. 이후, X선을 조사하여 X선 검출기(15)의 검출 데이터를 취득하고(단계 209), 상기 단계 204에서 파악한 비조사 영역에 X선이 조사되는 것을 확인한다(단계 210). 상기 산란선 방지 그리드(25)의 이동에 의해 X선 검출기(15)의 모든 검출 소자(15a)에 X선을 조사 할 수 있다.The test sample is then separated (step 207) and the scatter line prevention grid 25 is moved (step 208). At this time, as shown in FIGS. 9A and 9B, the scattering ray prevention grid 25 is parallel to the detection surface of the X-ray detector 15 in two-dimensional directions (left and right directions and up and down directions in FIGS. 9A and 9B). Move it. Thereafter, X-rays are irradiated to acquire detection data of the X-ray detector 15 (step 209), and it is confirmed that X-rays are irradiated to the non-irradiated area identified in step 204 (step 210). X-rays can be irradiated to all the detection elements 15a of the X-ray detector 15 by the movement of the scattered ray prevention grid 25.

이후, 테스트 샘플을 배치하고(단계 211), X선을 조사하여 X선 검출기(15)의 검출 데이터를 검색한다(단계 212). 그리고 이전 단계 206에서 취득한 검출 데이터와 단계 212에서 취득한 검출 데이터에 기초하여, 산란선 방지 그리드(25)를 검출기(15) 직전에 배치하고 테스트 샘플을 이용한 검출 데이터(제1 검출 데이터)를 산출한다(단계 213).Thereafter, a test sample is placed (step 211), and X-rays are irradiated to retrieve detection data of the X-ray detector 15 (step 212). Based on the detection data acquired in the previous step 206 and the detection data acquired in the step 212, the scattered line prevention grid 25 is disposed immediately before the detector 15, and the detection data (first detection data) using the test sample is calculated. (Step 213).

또한, X선 검출기(15)의 모든 검출 소자(15a)에 X선을 조사하도록 격자 형태의 산란선 방지 그리드(25)를 이차원 방향으로 이동시키고, 그 이동마다 검출 데이터를 취득한다. 이어서, 단계 208 내지 단계 212를 반복한다. 그리고, 단계 213에서 취득한 검출 데이터에 따라 제1 검출 데이터를 산출한다.Further, the grid-shaped scattering ray prevention grid 25 is moved in the two-dimensional direction so that all the detection elements 15a of the X-ray detector 15 are irradiated with X-rays, and the detection data is acquired for each movement. Subsequently, steps 208 to 212 are repeated. Then, the first detection data is calculated according to the detection data acquired in step 213.

다음으로, 산란선 방지 그리드(25)는, 도 8의 오른쪽에 점선으로 나타낸 바와 같이, X선 검출기(15)의 직전에서 회피한 위치(제2 위치)에 배치한다(단계 214). 그리고 테스트 샘플에 X선을 조사하여 X선 검출기(15)의 검출 데이터(제2 검출 데이터)를 취득한다 (단계 215).Next, as shown by the dotted line on the right side of FIG. 8, the scattered ray prevention grid 25 is disposed at a position (second position) avoided immediately before the X-ray detector 15 (step 214). The test sample is irradiated with X-rays to obtain detection data (second detection data) of the X-ray detector 15 (step 215).

이어서, 산란선 방지 그리드(25)를 배치할 때 검출 데이터(제1 검출 데이터) 및 산란선 방지 그리드(25)를 배치하지 않은 경우의 검출 데이터(제2 검출 데이터)와 비교하여 산란선 데이터를 생성한다 (단계 216).Subsequently, when the scattering line prevention grid 25 is disposed, the scattered line data is compared with the detection data (first detection data) and the detection data (second detection data) when the scattering line prevention grid 25 is not arranged. Create (step 216).

제1 검출 데이터는 테스트 칩(71b)을 투과한 투과 X선을 포함하고, 산란 X선의 영향이 적은 검출 데이터에 해당한다. 제2 검출 데이터는 테스트 칩(71b)을 투과한 투과 X선과 산란 X선을 포함하는 검출 데이터에 해당한다. 따라서, 제1 검출 데이터 및 제2 검출 데이터와 비교하여 산란 X선의 검출 데이터, 즉 산란선 데이터를 얻을 수 있다.The first detection data includes transmission X-rays transmitted through the test chip 71b and corresponds to detection data with little influence of scattering X-rays. The second detection data corresponds to detection data including transmission X-rays and scattering X-rays transmitted through the test chip 71b. Therefore, detection data of scattered X-rays, that is, scattered line data, can be obtained in comparison with the first and second detection data.

이후, 테스트 샘플을 분리(단계 217)하고, 평가 샘플을 배치한다(단계 218). 평가 샘플은 도 5에 나타낸 반도체 칩(71a)이다. 그리고 반도체 칩(71a)에 X선을 조사하여 X선 검출기(15)의 검출 데이터를 취득한다(단계 218).The test sample is then separated (step 217) and the evaluation sample is placed (step 218). The evaluation sample is the semiconductor chip 71a shown in FIG. X-rays are irradiated onto the semiconductor chip 71a to acquire detection data of the X-ray detector 15 (step 218).

이어서, 취득한 반도체 칩(71a)에 관한 검출 데이터를 상기 산란선 데이터에 의해 보정하여 반도체 칩(71a)의 이미지 데이터를 생성한다(단계 220). 따라서, 산란 X선의 영향을 감소시킨 이미지 데이터가 얻어진다.Subsequently, detection data relating to the acquired semiconductor chip 71a is corrected by the scattered line data to generate image data of the semiconductor chip 71a (step 220). Thus, image data in which the influence of scattered X-rays is reduced is obtained.

이후, 모든 평가 샘플 이미지 데이터를 생성했는지 여부를 판정한다(단계 221). 제1 실시예와 마찬가지로, 도 5에 도시 웨이퍼(71)에 포함된 검사 대상의 모든 반도체 칩(71a)에 대한 이미지 데이터를 생성 여부를 판정한다. 검사 대상의 모든 반도체 칩(71a)에 대한 처리를 완료하지 않은 경우 이전 단계 218로 이행하고 다음 평가 샘플인 반도체 칩(71a)을 배치한다. 이와 같이, 단계 218 내지 단계 220의 처리를 반복하여 검사 대상의 모든 반도체 칩(71a)에 관한 이미지 데이터를 생성하면 처리를 종료한다.It is then determined whether all evaluation sample image data have been generated (step 221). As in the first embodiment, it is determined whether image data for all the semiconductor chips 71a to be inspected included in the wafer 71 shown in FIG. 5 is generated. If the processing for all the semiconductor chips 71a to be inspected has not been completed, the process proceeds to the previous step 218 and the semiconductor chip 71a serving as the next evaluation sample is placed. As described above, when the processing of steps 218 to 220 is repeated to generate image data about all the semiconductor chips 71a to be inspected, the processing ends.

도 5에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(71)는 여러 반도체 칩(71a)이 형성되어 있다. 각 반도체 칩(71a)을 순차적으로 피검사물(70)로 배치하고 배치된 반도체 칩(71a)에 관한 검출 데이터를 상기 산란선 데이터에 의해 보정하여 산란 X선의 영향을 감소시킨 반도체 칩(71a)에 관한 이미지 데이터를 생성한다. 따라서, 산란 X선의 영향을 줄일 수 있어 고화질의 화상 데이터가 얻어진다.As shown in Fig. 5, the wafer 71 is formed with various semiconductor chips 71a. Each semiconductor chip 71a is sequentially arranged as an object to be inspected 70 and the detection data regarding the arranged semiconductor chip 71a is corrected by the scattering line data to reduce the influence of scattering X-rays on the semiconductor chip 71a. Create image data about. Therefore, the influence of scattering X-rays can be reduced, and high quality image data is obtained.

이상으로 기술한 바와 같이, 본 실시예에 의하면, 이하의 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

(2-1) 상기 제1 실시예와 마찬가지로 산란 X선의 영향을 감소시킨 고화질 이미지 데이터를 얻을 수 있다.(2-1) Similar to the first embodiment, it is possible to obtain high quality image data which reduces the influence of scattering X-rays.

(2-2) X선 검사 장치(1a)의 컨트롤부(50a)는 X선 검출기(15)에서 산란선 방지 그리드(25)를 통과한 X선이 조사되는 조사 영역과 산란선 방지 그리드(25)에 의해 차폐되어 X선이 조사되지 않는 비조사 영역을 파악한다. 그리고, 컨트롤부(50)는 파악한 조사 영역과 비조사 영역에 근거하여, 산란선 방지 그리드(25)를 X선 검출기(15)의 검출면과 평행하게 2차원 방향으로 이동시킨다. 상기 산란선 방지 그리드(25)의 이동에 의해 X선 검출기(15)의 모든 검출 소자(15a)에 X선을 조사시킬 수 있다. 따라서, 각 검출 소자(15a)에 입사한 산란 X선의 데이터를 얻을 수 있기 때문에 구조가 복잡한 피검사물(70)에 대응할 수 있다.(2-2) The control unit 50a of the X-ray inspection apparatus 1a includes an irradiation area and a scattering line prevention grid 25 to which X-rays passing through the scattering line prevention grid 25 are irradiated from the X-ray detector 15. Identify the non-irradiated area that is shielded by) and does not irradiate X-rays. Then, the control unit 50 moves the scattered ray prevention grid 25 in the two-dimensional direction in parallel with the detection surface of the X-ray detector 15 based on the identified irradiation area and non-irradiation area. X-rays can be irradiated to all the detection elements 15a of the X-ray detector 15 by the movement of the scattered ray prevention grid 25. Therefore, since the data of the scattered X-rays incident on the respective detection elements 15a can be obtained, it can correspond to the inspected object 70 having a complicated structure.

(3 실시예) (3 Examples)

다음 제3 실시예를 설명한다.Next, the third embodiment will be described.

또한, 제3 실시예에서, 상술한 실시예들과 같은 구성 부재에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 그 설명의 일부 또는 전부를 생략 할 수 있다.In addition, in the third embodiment, the same reference numerals are given to the same structural members as the above-described embodiments, and part or all of the description thereof may be omitted.

도 11과 같이 X선 검사 장치(1b)는 조사 박스(“조사 BOX "로 표기; 10b) 및 컨트롤부(50)를 포함한다.As shown in FIG. 11, the X-ray inspection apparatus 1b includes an irradiation box (denoted as “irradiation box” 10b) and a control unit 50.

조사 박스(10b)는, 스테이지(11) X선관(12), 변위계(13), X선 검출기(44, 45), 회전 스테이지(16), 지지암(17), 제1 산란선 방지 그리드로의 산란선 방지 그리드(24,25) 및 차폐 유닛(20)을 포함한다. 또한, 조사 박스(10b)는 제2 산란선 방지 그리드로의 산란선 방지 그리드(34, 35)를 포함한다.The irradiation box 10b is a stage 11 X-ray tube 12, a displacement meter 13, an X-ray detector 44, 45, a rotation stage 16, a support arm 17, and a first scattering line prevention grid. A scattering line prevention grid 24, 25 and a shielding unit 20. In addition, the irradiation box 10b includes scattering line preventing grids 34 and 35 to the second scattering line preventing grid.

X선 검출기(44, 45)는, 예를 들면 평판형 검출기(FPD: Flat Panel Detector)를 포함한다. 상기 검출기로는, 예를 들어 직접 변환형 검출기를 사용할 수 있다. 직접 변환형 검출기는 X선을 변환부에서 전하로 변환하여 X선을 검출한다. 상술하면, X선 검출기(44,45)는 포톤 카운팅 (Photon Counting) 방식의 직접 변환형 X선 검출기(광자 계수 검출기 ; Photon-Counting Detector(PCD)라고 한다)이다. 상기 X선 검출기(44, 45)는 X선을 전하로 변환하는 변환부와, 전하를 광자수로 출력하는 처리부를 포함한다. 처리부는 화소마다 수집된 전하를 전압 신호로 변환하고 변환된 전압 신호가 소정의 임계값 전압보다 큰 경우에 하나의 광자를 검출한 것을 나타내는 검출 신호를 생성하고, 검출 신호에 따라 광자수를 화소마다 계산하고 계산값(광자수)을 출력한다.The X-ray detectors 44 and 45 include, for example, a flat panel detector (FPD). As the detector, for example, a direct conversion detector can be used. The direct conversion detector detects X-rays by converting the X-rays into charges in the conversion unit. Specifically, the X-ray detectors 44 and 45 are photon counting direct conversion type X-ray detectors (called photon-counting detectors (PCDs)). The X-ray detectors 44 and 45 include a converting unit for converting X-rays to electric charges and a processing unit for outputting electric charges in photons. The processing unit converts the charge collected for each pixel into a voltage signal and generates a detection signal indicating that one photon is detected when the converted voltage signal is greater than a predetermined threshold voltage, and the number of photons per pixel according to the detection signal. Calculate and output the calculated value (photons).

도 13a 및 도 13b에 나타낸 바와 같이, X선 검출기(45)는 이차원 배열된 복수의 검출기(45a)로 구성되어 있다. 각 검출기(45a)에는 이차원 배열 된 복수의 검출기가 형성되어 있다.As shown in FIG. 13A and FIG. 13B, the X-ray detector 45 is comprised from the some detector 45a arranged two-dimensionally. Each detector 45a is provided with a plurality of detectors arranged in two dimensions.

광자 카운팅 방식의 X선 검출기에는, CdZnTe와 CdTe 등의 화합물 반도체가 사용되는 경우도 있다. 화합물 반도체는 큰 결정을 성장시키는 것은 어렵고, 일반적으로 작은 크기의 화합물 반도체로 이루어진 검출기(45a)를 이차원 배열하여 큰 검출면의 X선 검출기가 구성된다. 검출기(45a)의 크기(검출면에서 보여지는 크기)는 예를 들어 20 mm × 20 mm이다. 복수의 검출기(45a)는 인접한 검출기(45a) 사이에 간극(갭; 45b)으로 배열된다. 간극(45b)의 크기는, 예를 들면 100 μm이다.Compound semiconductors such as CdZnTe and CdTe may be used in the photon counting X-ray detector. It is difficult for a compound semiconductor to grow large crystals, and in general, an X-ray detector having a large detection surface is formed by two-dimensionally arranging a detector 45a made of a compound semiconductor of a small size. The size of the detector 45a (the size seen from the detection surface) is 20 mm x 20 mm, for example. The plurality of detectors 45a are arranged in a gap 45b between adjacent detectors 45a. The size of the gap 45b is, for example, 100 μm.

도 11에 나타낸 바와 같이, 산란선 방지 그리드(24, 25)는 X선 검출기(44, 45) 직전에 배치되어 있다. 산란선 방지 그리드(34, 35)는 산란선 방지 그리드(24, 25)와 X선 검출기(44, 45) 사이에 배치되어 있다. 산란선 방지 그리드(35)는 X선 검출기(44, 45)에 부착된 고정형 산란선 방지 그리드이다.As shown in FIG. 11, the scattered ray preventing grids 24 and 25 are disposed immediately before the X-ray detectors 44 and 45. Scattering line preventing grids 34 and 35 are disposed between the scattering line preventing grids 24 and 25 and the X-ray detectors 44 and 45. The scattered line preventing grid 35 is a fixed scattered line preventing grid attached to the X-ray detectors 44 and 45.

도 12에 나타낸 바와 같이, 산란선 방지 그리드(25)는 X선 검출기(45)의 직전의 위치(제1 위치) 및 X선 검출기(45)의 직전에서 후퇴한 위치(제2 위치) 사이로 전환 배치된다.As shown in FIG. 12, the scattered ray preventing grid 25 is switched between a position immediately before the X-ray detector 45 (first position) and a position retracted immediately before the X-ray detector 45 (second position). Is placed.

도 13a 및 도 13b에 나타낸 바와 같이, X선 검출기(45)를 구성하는 복수의 검출기(45a)는 소정의 간극(45b)으로 이차원 배열되어 있다. 산란선 방지 그리드(35)는 검출기(45a) 사이의 간극(45b)에 맞게 배치되어 있다. 따라서 산란선 방지 그리드(35)가 검출기(45a)를 덮지 않도록 하여, 검출기(45a)에 의해 X선 검출이 가능해진다. 또한 산란선 방지 그리드(35)는 각 검출기 45a에 산란 X선의 입사를 억제할 수 있다.As shown to FIG. 13A and FIG. 13B, the some detector 45a which comprises the X-ray detector 45 is two-dimensionally arranged by the predetermined clearance | interval 45b. The scattering line prevention grid 35 is arranged to fit the gap 45b between the detectors 45a. Therefore, X-ray detection is enabled by the detector 45a, so that the scattering-ray prevention grid 35 does not cover the detector 45a. In addition, the scattering ray prevention grid 35 can suppress incident of scattering X-rays to each detector 45a.

제3 실시예에 따른 X선 검사 장치(1b)에서 X선 검사에 대한 처리 및 산란 선 방지 그리드(25)의 이동 제어는 제1 실시예와 동일하다. 따라서, 제3 실시예의 X선 검사 장치(1b)는 제1 실시예의 X선 검사 장치(1)와 마찬가지로 산란 X선의 영향이 감소된 이미지 데이터가 얻어진다.In the X-ray inspection apparatus 1b according to the third embodiment, the processing for X-ray inspection and the movement control of the scattering ray prevention grid 25 are the same as in the first embodiment. Therefore, similarly to the X-ray inspection apparatus 1 of the first embodiment, the X-ray inspection apparatus 1b of the third embodiment obtains image data in which the influence of scattering X-rays is reduced.

산란선 방지 그리드(25)는 제1 실시예와 마찬가지로, X선 검출기(45)에 이동 가능하게 지지된 이동식 산란선 방지 그리드이다. 산란선 방지 그리드(25) 및 도 5 테스트 칩(71b)을 이용하여 산란 X선의 공간 구조에 따른 산란선 데이터를 얻을 수 있다. 이 산란선 데이터를 이용하여 도 5와 반도체 칩(71a)을 검사한 검사 데이터를 보정하여 정밀(고해상도) 이미지 데이터를 얻을 수 있다.As in the first embodiment, the scattered line preventing grid 25 is a movable scattered line preventing grid movably supported by the X-ray detector 45. Scattered line data according to the spatial structure of the scattered X-rays may be obtained using the scattered line preventing grid 25 and the test chip 71b of FIG. 5. Using this scattered line data, inspection data obtained by inspecting FIG. 5 and the semiconductor chip 71a can be corrected to obtain precise (high resolution) image data.

이상에서 기술한 바와 같이, 제3 실시예에 의하면, 이하의 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the third embodiment, the following effects can be obtained.

(3-1) 상기 제1 및 제2 실시예와 마찬가지로 산란 X선의 영향을 저감한 고화질 이미지 데이터를 얻을 수 있다.(3-1) Similar to the first and second embodiments, high quality image data obtained by reducing the influence of scattering X-rays can be obtained.

(3-2) 직접 변환형 X선 검출기는 간접 변환형 X선 검출기에 비해 높은 해상도이다. 따라서, 직접 변환형 X선 검출기(44, 45)를 이용함으로써 높은 정밀도로 피검사물(70)을 측정 할 수 있다. (3-2) The direct conversion type X-ray detector has a higher resolution than the indirect conversion type X-ray detector. Therefore, the inspection object 70 can be measured with high precision by using the direct conversion type X-ray detectors 44 and 45.

(3-3) X선 검출기(45)를 구성하는 복수의 검출기(45a)는 소정의 간극(45b)으로 이차원 배열되어 있다. 산란선 방지 그리드(35)는 검출기(45a) 사이의 간극(45b)에 맞게 배치되어 있다. 따라서 산란선 방지 그리드(35)가 검출기(45a)를 덮지 않음으로써, 검출기(45a)에 의해 X선 검출이 가능해진다. (3-3) The plurality of detectors 45a constituting the X-ray detector 45 are two-dimensionally arranged with a predetermined gap 45b. The scattering line prevention grid 35 is arranged to fit the gap 45b between the detectors 45a. Therefore, since the scattering ray prevention grid 35 does not cover the detector 45a, X-ray detection is enabled by the detector 45a.

(3-4) 산란선 방지 그리드(35)는 X선 검출기(45)에 고정되어 있기 때문에, 피검사물(70)의 검사를 실시하는 경우에도 X선 검출기(45)의 각 검출기 45a에 산란 X선 입사를 억제할 수 있다. (3-4) Since the scattering ray prevention grid 35 is fixed to the X-ray detector 45, scattering X is applied to each detector 45a of the X-ray detector 45 even when the inspection object 70 is inspected. Line incidence can be suppressed.

또한, 상기 각 실시예는 다음의 방식으로 실시하고있다.Incidentally, the above embodiments are implemented in the following manner.

제1 및 제2 실시예의 X선 검출기(14, 15 )는, 직접 변환형 검출기로도 좋다.The X-ray detectors 14 and 15 of the first and second embodiments may be direct conversion detectors.

제3 실시예에서는, 제2 실시예와 마찬가지로 산란선 방지 그리드(24,25)를 X선 검출기(44, 45)의 검출면과 평행하게 이차원 방향으로 이동시켜 산란선 데이터를 얻게 수 있다.In the third embodiment, similar to the second embodiment, scattered line data can be obtained by moving the scattered line prevention grids 24 and 25 in two-dimensional directions in parallel with the detection surfaces of the X-ray detectors 44 and 45.

상기 각 실시예에서, 피검사물을 반도체 칩(71a)으로, 테스트 샘플을 테스트 칩(71b)으로 이용했지만, 그 밖의 물건을 피검사물 및 테스트 샘플로도 좋다.In each of the above embodiments, the test object is used as the semiconductor chip 71a and the test sample is used as the test chip 71b. However, other objects may be used as the test object and the test sample.

상기 각 실시예에서는 피검사물과 테스트 샘플을 구비한 웨이퍼(71)를 대상물로 스테이지(11)에 배치했지만, 피검사물과 테스트 샘플을 각각 스테이지(11)에 재치하여도 좋다. 예를 들면, 피검사물과 테스트 샘플을 하나 이상의 반도체 칩을 포함하는 반도체 디바이스(반도체 패키지)로 할 수 있다.In each of the above embodiments, the wafer 71 having the test object and the test sample is placed on the stage 11 as an object, but the test object and the test sample may be placed on the stage 11, respectively. For example, the inspected object and the test sample can be a semiconductor device (semiconductor package) containing one or more semiconductor chips.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that.

1,1a, 1b ... X선 검사 장치, 11 ... 스테이지 12 ... X선관, 14,15 ... X선 검출기 44, 45 ... X선 검출기, 24,25 ... 산란선 방지 그리드 34 35 ... 산란선 방지 그리드, 70 ... 피검사물, 71 ... 웨이퍼(대상물), 71a ... 반도체 칩(피검사물), 71b ... 테스트 칩(테스트 샘플), 50,50a ... 컨트롤부1,1a, 1b ... X-ray inspection apparatus, 11 ... stage 12 ... X-ray tube, 14, 15 ... X-ray detector 44, 45 ... X-ray detector, 24, 25 ... Anti-scattered grid 34 35 ... anti-scattered grid, 70 ... inspected object, 71 ... wafer (object), 71a ... semiconductor chip (test object), 71b ... test chip (test sample ), 50,50a ... control part

Claims (17)

대상물이 적재되는 스테이지;
상기 대상물에 X선을 조사하는 X선관;
상기 대상물을 투과한 X선이 입사하는 X선 검출기;
상기 X선을 차폐하는 판재를 포함한 격자 산란선 방지 그리드; 및
상기 산란선 방지 그리드를 이용하여 상기 X선 검출기에 입사하는 산란 X선에 관한 산란선 데이터를 생성하고, 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기의 직전에서 회피한 위치에 배치하여 상기 대상물을 투과한 X선에 의해 검출 데이터를 생성하고, 상기 검출 데이터를 상기 산란선 데이터에 의해 보정하여 상기 대상물의 이미지 데이터를 생성하는 컨트롤부를 포함하는 X선 검사 장치.A stage on which an object is loaded;
An X-ray tube for irradiating the object with X-rays;
An X-ray detector to which X-rays passing through the object are incident;
A grid scattering line prevention grid including a plate shielding the X-rays; And
The scattered ray prevention grid is used to generate scattered ray data regarding scattered X-rays incident on the X-ray detector, and the scattered ray preventing grid is disposed at a position avoided immediately before the X-ray detector to transmit the object. And a control unit for generating detection data by one X-ray, and correcting the detection data by the scattered ray data to generate image data of the object. 제1항에 있어서, 상기 컨트롤부는 상기 대상물이 없는 상태에서 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기 직전의 제1 위치에 배치하고, 상기 X선 검출기의 검출 데이터에 기초하고, 상기 X선 검출기의 검출면에서 있어서 상기 산란선 방지 그리드를 통과하여 X선이 조사되는 조사 영역과 상기 산란선 방지 그리드에 의해 차단되어 X선이 조사되지 않는 비조사 영역을 파악하고, 상기 검출 데이터에 포함된 상기 조사 영역의 데이터를 보간 처리하고 상기 검출 데이터에 포함된 상기 비조사 영역의 데이터를 산출하는 것을 특징으로 하는 X선 검사 장치.The X-ray detector of claim 1, wherein the control unit arranges the scattering ray preventing grid at a first position immediately before the X-ray detector in the absence of the object, and based on the detection data of the X-ray detector, In the detection plane, the irradiation area through which the X-rays are irradiated through the scattering line prevention grid and the non-irradiation area which is blocked by the scattering line prevention grid and is not irradiated by X-rays are identified, and the irradiation included in the detection data. Interpolating the data of the area and calculating the data of the non-irradiation area included in the detection data. 제1항 또는 제2 항에 있어서, 상기 컨트롤부는 상기 대상물이 없는 상태에서 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기 직전의 제1 위치에 배치하고, 상기 X선 검출기의 검출 데이터에 기초하고, 상기 X선 검출기의 검출면에서 있어서 상기 산란선 방지 그리드를 통과하여 X선이 조사되는 조사 영역과 상기 산란선 방지 그리드에 의해 차단되어 X선이 조사되지 않는 비조사 영역을 파악하고, 상기 검출 데이터에 포함된 상기 조사 영역의 데이터를 보간 처리하고 상기 검출 데이터에 포함된 상기 비조사 영역의 데이터를 산출하는 것을 특징으로 하는 X선 검사 장치.The said control part arrange | positions the said scattered-ray prevention grid in the 1st position immediately before the said X-ray detector in the absence of the said object, The said control part is based on the detection data of the said X-ray detector, The said In the detection surface of the X-ray detector, the irradiation area through which the X-rays are irradiated through the scattering ray prevention grid and the non-irradiation area which is blocked by the scattering ray prevention grid and not irradiated with X-rays is identified. And interpolating the data of the irradiated area included therein and calculating data of the non-irradiated area contained in the detection data. 제1항에 있어서, 상기 컨트롤부는 테스트 샘플을 상기 대상물로, 상기 산란선 방지 그리드를 상기 제 1 위치에 배치했을 때의 상기X선 검출기에 의한 제1 검출 데이터 및 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기의 직전에서 회피 한 제2 위치에 배치했을 때의 상기 X선 검출기에 의한 제2 검출 데이터를 취득하고, 상기 제1 검출 데이터 및 상기 제2 검출 데이터를 비교하여 상기 산란선 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 X선 검사 장치.2. The X-ray detector of claim 1, wherein the control unit comprises the test sample as the object and the first detection data and the scattering line prevention grid by the X-ray detector when the scattering line preventing grid is disposed at the first position. Acquiring second detection data by the X-ray detector when disposed at a second position avoided immediately before the ray detector, and comparing the first detection data with the second detection data to generate the scattered line data; X-ray inspection apparatus, characterized in that. 제4항에 있어서, 상기 컨트롤부는 상기 테스트 샘플에 대해 피검사물보다 많은 상기 X선을 조사하여 상기 산란선 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 X선 검사 장치.The X-ray inspection apparatus of claim 4, wherein the control unit generates the scattered ray data by irradiating the X-ray with respect to the test sample more than the test object. 제5항에 있어서, 상기 피검사물은 웨이퍼에 포함된 반도체 칩이며, 상기 테스트 샘플은 상기 웨이퍼에 포함된 상기 반도체 칩과 같은 구조를 갖는 테스트 칩에 해당하는 것을 특징으로 하는 X선 검사 장치.The X-ray inspection apparatus according to claim 5, wherein the inspected object is a semiconductor chip included in a wafer, and the test sample corresponds to a test chip having the same structure as the semiconductor chip included in the wafer. 제1항에 있어서, 상기 X선 검출기는 격자 형태로 배열된 복수의 검출 소자를 갖고, 상기 산란선 방지 그리드를 구성하는 판재의 두께는 상기 검출 소자의 배열 피치보다 큰 것을 특징으로 하는 X선 검사 장치.The X-ray inspection according to claim 1, wherein the X-ray detector has a plurality of detection elements arranged in a lattice form, and the thickness of the plate constituting the scattering ray preventing grid is larger than the arrangement pitch of the detection elements. Device. 제7항에 있어서, 상기 산란선 방지 격자의 격자 크기는 상기 검출 소자의 배열 피치보다 큰 것을 특징으로 하는 X선 검사 장치.8. The X-ray inspection apparatus according to claim 7, wherein a lattice size of the scattering ray preventing grating is larger than an array pitch of the detection element. 제1항에 있어서, 상기 컨트롤부는 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기의 검출면에서 이동시켜 상기 산란선 방지 그리드를 이동하여 취득한 복수의 데이터에 기초하여 상기 산란선 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 X선 검사 장치.2. The scattering line data of claim 1, wherein the control unit generates the scattered line data based on a plurality of data acquired by moving the scattered line preventing grid on a detection surface of the X-ray detector to move the scattered line preventing grid. X-ray inspection apparatus. 제1항에 있어서, 상기 X선 검출기는 입사한 X선을 다른 파장의 빛으로 변환하고 그 빛을 전하로 변환하여 X선을 검출하는 간접 변환형 X선 검출기인 것을 특징으로 하는 X선 검사 장치.The X-ray inspection apparatus according to claim 1, wherein the X-ray detector is an indirect conversion type X-ray detector that converts incident X-rays into light having a different wavelength and converts the light into electric charges to detect X-rays. . 제1항에 있어서, 상기 X선 검출기는 입사하는 X선의 X선 광자를 카운트한 카운트 값을 출력하는 직접 변환형 X선 검출기이며, 복수의 검출칩을 가지며, 상기 복수의 검출칩은 인접하는 검출칩들 사이의 간극을 가지고 이차원 배열된 것을 특징으로 하는 X선 검사 장치.The X-ray detector according to claim 1, wherein the X-ray detector is a direct conversion X-ray detector that outputs a count value counting X-ray photons of incident X-rays, and has a plurality of detection chips, wherein the plurality of detection chips are adjacent detection. X-ray inspection apparatus characterized in that the two-dimensional arrangement with a gap between the chips. 제11항에 있어서, 상기 산란선 방지 그리드는 제1 산란선 방지 그리드이며, 상기 제1 산란선 방지 그리드 및 상기 X선 검출기 사이에 배치된 제 2 산란선 방지 그리드를 더 포함하고, 상기 제2 산란선 방지 그리드는 상기 X선 검출기에 고정되고, 상기 제2 산란선 방지 그리드는 인접한 두 개의 상기 검출칩들 사이에 배치된 판재에 의한 격자 모양인 것을 특징으로 하는 X선 검사 장치.12. The anti-scattering grid according to claim 11, wherein the anti-scattering grid is a first anti-scattering grid, and further comprises a second anti-scattering grid disposed between the first anti-scattering grid and the X-ray detector. The scattering line preventing grid is fixed to the X-ray detector, the second scattering line preventing grid is an X-ray inspection apparatus, characterized in that the grid shape of the plate material disposed between the two adjacent detection chips. 피검사물의 이미지 데이터를 생성하는 X선 검사 장치의 X선 검사 방법에 있어서,
상기 X선 검사 장치는 대상물이 적재되는 스테이지, 상기 대상물에 X선을 조사하는 X선관, 상기 대상물을 투과한 X선을 검출하는 X선 검출기 및 상기 X선을 차폐하는 판재를 포함한 격자형 산란선 방지 그리드를 포함하고,
상기 산란선 방지 그리드를 이용하여 상기 X선 검출기에 입사하는 산란 X선의 공간 상태에 따른 산란선 데이터를 생성하는 단계;
상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기의 직전에서 후퇴한 제2 위치에 배치함과 동시에 피검사물을 상기 대상물로 검출 데이터를 생성하는 단계; 및
상기 검출 데이터를 상기 산란선 데이터에 의해 보정하여 상기 대상물의 이미지 데이터를 생성하는 단계를 포함한 X선 검사 방법.In the X-ray inspection method of the X-ray inspection apparatus for generating the image data of the inspection object,
The X-ray inspection apparatus is a lattice type scattering line including a stage on which an object is loaded, an X-ray tube for irradiating X-rays to the object, an X-ray detector for detecting X-rays passing through the object, and a plate shielding the X-rays Includes an anti-grid,
Generating scattered line data according to a spatial state of scattered X-rays incident on the X-ray detector using the scattered line preventing grid;
Disposing the scattered ray preventing grid at a second position retracted immediately before the X-ray detector and simultaneously generating detection data as the target object; And
And generating image data of the object by correcting the detection data by the scattered data. 제13항에 있어서,
상기 대상물이 없는 상태에서 상기 산란선 방지 그리드를 상기X선 검출기 직전의 제1 위치에 배치하고, 상기 X선 검출기의 검출 데이터에 따라 상기 X선 검출기의 검출면에서 상기 산란선 방지 그리드를 통과하여 X선이 조사되는 조사 영역과, 상기 산란선 방지 그리드에 의해 차단되어 X선이 조사되지 않는 비조사 영역을 파악하고, 상기 검출 데이터에 포함되는 상기 조사 영역의 데이터를 보간 처리하여 상기 검출 데이터에 포함되는 상기 비조사 영역의 데이터를 산출하는 것을 특징으로 하는 X선 검사 방법.The method of claim 13,
In the absence of the object, the scattering ray preventing grid is disposed at a first position immediately before the X-ray detector, and passes through the scattering ray preventing grid on the detection surface of the X-ray detector according to the detection data of the X-ray detector. Identify the irradiated area to which X-rays are irradiated and the non-irradiated area to which X-rays are not blocked by the scattering ray prevention grid, and interpolate data of the irradiated area included in the detection data to the detected data. X-ray inspection method, characterized in that for calculating the data of the non-irradiation area included. 제13항에 있어서,
상기 대상물이 없는 상태에서 상기 산란선 방지 그리드를 상기 X선 검출기 직전의 제1 위치에 배치하고, 상기 X선 검출기의 검출 데이터에 따라 상기 X선 검출기의 검출면에서 상기 산란선 방지 그리드를 통과하여 X선이 조사되는 조사 영역과, 상기 산란선 방지 그리드에 의해 차단되어 X선이 조사되지 않는 비조사 영역을 파악하고, 상기 비조사 영역에 상기 X선 이 조사되도록 상기 산란선 방지 그리드를 이동시켜서 상기 산란 선 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 X선 검사 방법.The method of claim 13,
In the absence of the object, the scattering line preventing grid is disposed at a first position immediately before the X-ray detector, and passes through the scattering line preventing grid on the detection surface of the X-ray detector according to the detection data of the X-ray detector Identify the irradiated area to which X-rays are irradiated, and the non-irradiated area to which X-rays are irradiated by being blocked by the scattering ray preventing grid, and moving the scattering ray preventing grid to irradiate the X-rays to the non-irradiating area X-ray inspection method, characterized in that for generating the scattered line data. 제14항에 있어서, 테스트 샘플을 상기 대상물로 하고, 상기 산란선 방지 그리드를 상기 제1 위치에 배치할 때의 상기 X선 검출기에 의한 제1 검출 데이터와 상기 산란선 방지 그리드를 상기 제 2 위치에 배치할 때의 상기 X선 검출기에 의한 제2 검출 데이터와 취득하고, 상기 제1 검출 데이터 및 상기 제2 검출 데이터를 비교하여 상기 산란선 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 X선 검사 방법.The method according to claim 14, wherein the test sample is the object, and the first detection data and the scattering ray prevention grid by the X-ray detector when the scattering ray preventing grid is disposed at the first position are placed in the second position. And the second detection data obtained by the X-ray detector at the time of arranging and comparing the first detection data and the second detection data to generate the scattered ray data. 제16항에 있어서, 상기 테스트 샘플에 대해 상기 피검사물보다 많은 상기 X선을 조사하여 상기 산란선 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 X선 검사 방법.The X-ray examination method according to claim 16, wherein the scattered data is generated by irradiating the test sample with more X-rays than the test object.

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