KR20200013740A - Ultra-Sensitive Humidity-Sensing Films manufacturing method by Aerosol Deposition - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing an ultra-sensitive humidity-sensing film by an aerosol deposition (AD) process, which guarantees higher sensitivity and excellent balanced performance. According to the present invention, the method for manufacturing an ultra-sensitive humidity-sensing film by an AD process comprises the steps of: (a) forming a plurality of Pt electrodes; (b) depositing a BaTiO_3 film on a glass substrate using a room temperature AD process; and (c) preparing a humidity sensor with a double layer hygroscopic film having different void fractional volumes (VFVs).

Description

에어로졸 증착 공정에 의한 초 민감도 습도 감지 필름 제조 방법{Ultra-Sensitive Humidity-Sensing Films manufacturing method by Aerosol Deposition}Ultra-Sensitive Humidity-Sensing Films manufacturing method by Aerosol Deposition}

본 발명은 에어로졸 증착(AD, Aerosol Deposition) 공정에 의한 습도 센서 제조 공정에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에어로졸 증착 공정에 의한 초 민감도 습도 감지 필름(Ultra-Sensitive Humidity-Sensing Films) 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a humidity sensor manufacturing process by an aerosol deposition (AD, Aerosol Deposition) process, and more particularly to a method for manufacturing ultra-sensitive humidity sensing film (Ultra-Sensitive Humidity-Sensing Films) by the aerosol deposition process. .

습도 센서는 다양한 구조로 제작되며, 기본적으로 습기에 의해 물성이 변하는 박막과 전극으로 구성되고, 습기에 노출되는 정도에 따라 박막의 전기적 특성이 변하게 되는데 이 원리를 이용한 습도 센서가 주로 사용되고 있다.The humidity sensor is manufactured in various structures, and basically consists of a thin film and an electrode whose properties change due to moisture, and the electrical properties of the thin film change according to the degree of exposure to moisture. A humidity sensor using this principle is mainly used.

감습막으로써 폴리이미드(polyimide) 등의 폴리머(polymer) 박막이 사용되는 경우가 있으며, 이는 최근 기존의 박막을 대체하기 위한 재료로 사용되고 있다. 다만, 폴리머 박막은 그 자체로 전기적 특성을 얻기 어려우므로, 또 다른 박막 위에 폴리머 박막을 형성하고 폴리머 박막의 변형에 의해 아랫 부분의 박막의 형상이 변화하게 되어 전기적 특성이 변화하는 현상을 사용하고 있다.As a moisture-sensitive film, a polymer thin film such as polyimide may be used, which has recently been used as a material for replacing a conventional thin film. However, since the polymer thin film is difficult to obtain electrical characteristics by itself, a phenomenon is formed in which the polymer thin film is formed on another thin film and the shape of the lower portion of the thin film is changed by the deformation of the polymer thin film. .

이와 관련된 선행기술1로써, 특허 등록번호 10-1109560에서는 다공성 습도센서 및 그 제조방법이 공개되어 있다. 다공성 습도센서는 흡습성 합성수지를 이용하여 형성되며, 내부에 미세한 직경을 갖는 복수개의 기공이 분포되어 있는 센서층을 포함하며, 센서층의 격벽을 통과하여 기공 내부로 흡수되는 수분의 양의 변화에 따라 가시되는 색깔이 변화한다.As a related art 1, Patent No. 10-1109560 discloses a porous humidity sensor and a method of manufacturing the same. The porous humidity sensor is formed using a hygroscopic synthetic resin, and includes a sensor layer in which a plurality of pores having a small diameter are distributed therein, and changes in the amount of moisture absorbed into the pores through a partition wall of the sensor layer. The visible color changes.

이와 관련된 선행기술2로써, 특허 등록번호 10-0965835에서는 수분 감지층으로 고분자 소재를 이용한 습도센서가 공개되어 있으며, 하부전극과 상부전극 사이에 표면적이 증대된 고분자 소재의 수분 감지층을 포함하는 용량형 고분자 습도센서를 제공한다. As a related art 2, Patent No. 10-0965835 discloses a humidity sensor using a polymer material as a moisture sensing layer, and a capacity including a moisture sensing layer of a polymer material having an increased surface area between a lower electrode and an upper electrode. Provides a high polymer humidity sensor.

용량형 고분자 습도센서는 하부 전극층; 상기 하부 전극층 상에 표면적 증대를 위하여 식각된 표면을 갖는 고분자 소재의 수분 감지층; 및 상기 수분 감지층상에 형성된 상부 전극층을 포함한다.Capacitive polymer humidity sensor includes a lower electrode layer; A moisture sensing layer of a polymer material having an etched surface for increasing a surface area on the lower electrode layer; And an upper electrode layer formed on the moisture sensing layer.

용량형 고분자 습도센서의 제조방법은 기판상에 하부 전극층을 형성하는 단계; 상기 하부 전극층상에 수분 감지층을 형성하는 단계; 상기 수분 감지층상에 상부 전극층을 형성하고 패터닝하는 단계; 및 상기 상부 전극층을 마스크로 이용하여 상기 수분 감지층을 식각하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a capacitive polymer humidity sensor includes forming a lower electrode layer on a substrate; Forming a moisture sensing layer on the lower electrode layer; Forming and patterning an upper electrode layer on the moisture sensing layer; And etching the moisture sensing layer using the upper electrode layer as a mask.

이와 관련된 선행기술3로써, 특허 등록번호 10-13223540000에서는 습도 센서, 습도 센싱 방법 및 이를 위한 트랜지스터가 공개되어 있으며, 습도 센서는 기판에 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인, 상기 채널 영역 상부에 형성된 절연층, 및 상기 절연층상에 형성된 게이트를 포함하는 트랜지스터; 상기 게이트에 전하를 충전하는 하는 충전기; 및 상기 게이트에 전하를 충전한 후 소정 시간 동안 상기 트랜지스터의 드레인 전류의 변화량을 측정하는 측정기를 포함한다.As a related art 3, Patent Registration No. 10-13223540000 discloses a humidity sensor, a humidity sensing method, and a transistor therefor. The humidity sensor includes a source and a drain spaced apart from each other with a channel region interposed therebetween, and the channel. A transistor including an insulating layer formed over the region, and a gate formed over the insulating layer; A charger that charges the gate; And a meter for measuring the amount of change in the drain current of the transistor for a predetermined time after charging the gate.

산업 공정, 환경 제어, 농업 생산 및 기타 공정은 정확하고 신뢰할 수 있는 습도 모니터링이 필요하므로 습도 센서(humidity sensors)를 사용한다. 습도 센서는 전기 신호를 생성하여 주변 습도에 반응하며 우수한 선형성(good linearity), 높은 감도(high sensitivity), 낮은 히스테리시스(low hysteresis), 빠른 응답(fast response) 및 장기적인 작동 안정성(long-term operational stability)을 제공한다Industrial processes, environmental controls, agricultural production and other processes require humidity sensors because they require accurate and reliable humidity monitoring. Humidity sensors generate electrical signals that respond to ambient humidity and provide good linearity, high sensitivity, low hysteresis, fast response, and long-term operational stability. Provide

또한, 에어로졸 증착(AD, Aerosol Deposition)은 23℃ 실온 작동과 고효율 필름 성장의 장점을 보여주는 새로운 세라믹 필름 제조 기술이다. 이러한 공정상의 장점에도 불구하고, AD 공정을 사용하여 고용량 세라믹 습도 감지 필름(humidity-sensing films)을 제작하고 평가한 연구가 전무하며, 기존 에어로졸 증착(AD) 공정은 습도 감지 필름(humidity-sensing films)을 제작하는데 사용되지 않았다.In addition, aerosol deposition (AD) is a new ceramic film manufacturing technology that demonstrates the advantages of 23 ° C room temperature operation and high efficiency film growth. Despite these process advantages, few studies have been conducted on fabricating and evaluating high-capacity ceramic humidity-sensing films using the AD process, and conventional aerosol deposition (AD) processes require humidity-sensing films. ) Was not used to produce

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상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 에어로졸 증착(AD, Aerosol Deposition) 공정에 의한 초 민감도 습도 감지 필름(Ultra-Sensitive Humidity-Sensing Films) 제조 방법을 제공한다. An object of the present invention for solving the above problems is to provide a method for manufacturing ultra-sensitive humidity sensing film (Ultra-Sensitive Humidity-Sensing Films) by the aerosol deposition (AD, Aerosol Deposition) process.

본 발명의 목적을 달성하기 위해, 에어로졸 증착에 의한 초 민감도 습도 감지 필름 제조 방법은 (a) 유리 기판 상에 형성된 Pt 인터디지털 커패시터(Pt interdigital capacitor)로 된 다수의 Pt 전극(Pt Elecctrode)을 형성하는 단계; (b) 실온 에어로졸 증착(AD) 공정을 사용하여 상기 Pt 인터디지털 캐패시터로 된 다수의 Pt 전극이 형성되어 있는 상기 유리 기판에 BaTiO3 막을 증착하는 단계; 및 (c) 그 위에 하부 층(dense layer, 고밀도 층)과, 상기 하부 층 위에 형성된 밀집된 상부 층(sparse layer, 저밀도 층)으로 구성된 상이한 공극률(void fractional volumes, VFVs)을 갖는 이중층 흡습성 막(Bilayer hygroscopic film)이 형성된 습도 센서를 구비하는 단계를 포함하며, In order to achieve the object of the present invention, a method for manufacturing a super sensitive humidity sensing film by aerosol deposition (a) forms a plurality of Pt electrodes (Pt Elecctrode) of Pt interdigital capacitor formed on the glass substrate. Making; (b) depositing a BaTiO 3 film on the glass substrate on which a plurality of Pt electrodes of the Pt interdigital capacitor are formed using a room temperature aerosol deposition (AD) process; And (c) a bilayer hygroscopic film (Bilayer) having different void fractional volumes (VFVs) composed of a dense layer (density layer) thereon and a dense sparse layer (low density layer) formed on the bottom layer. hygroscopic film) is formed having a humidity sensor,

상기 단계 (b)에서, BaTiO3 에어로졸 증착(AD)시에 BaTiO3 에어로졸을 가속시켜 챔버 내에서 더 높은 가스 유속 및 입자 충돌 속도(particle impact velocity)를 달성하도록 헬륨(He)을 캐리어 가스로 사용하고, In step (b), helium (He) is used as a carrier gas to accelerate BaTiO 3 aerosol during BaTiO 3 aerosol deposition (AD) to achieve higher gas flow rate and particle impact velocity in the chamber. and,

상기 습도 센서는 내부 모세관 다공성 구조(internal capillary porous structure)를 이루며, 커패시턴스의 변화량에 의해 습도 변화를 측정하며, The humidity sensor forms an internal capillary porous structure, and measures the humidity change by the amount of change in capacitance.

상기 커패시턴스는 상기 Pt 인터디지털 커패시터에서 생성된 박막 커패시턴스 Cfilm, 기판 커패시턴스(substrate capacitance) Csub 및 측정 라인 손실(measurement line loss) Closs 를 포함하며, Cmeas = Csub + Cfilm + Closs에 의해 계산되고, The capacitance includes a thin film capacitance C film , a substrate capacitance C sub and a measurement line loss C loss generated in the Pt interdigital capacitor, C meas = C sub + C film + C loss Is calculated by

습도 센서의 성능을 나타내는 감도(S, Sensitivity)는

Figure pat00001
에 의해 계산되며, △C는 커패시턴스의 변화량, △RH는 상대 습도의 변화량이며, The sensitivity (S, Sensitivity) that indicates the performance of the humidity sensor
Figure pat00001
ΔC is the change in capacitance, ΔRH is the change in relative humidity,

유전율(permittivity)이 증가하는 경우, 전계(electric filed)가 전극면으로부터 더 강하게 유도될 때, 층들은 직렬로 결합된 것으로 가정하고, Dirichlet 경계 조건이 층 인터페이스(layer interface)에서 적용되며, 20% 및 90% RH에서 상기 이중층 흡승성 막의 커패시턴스는 (13), (14)와 같이 계산될 수 있으며, When the permittivity increases, the layers are assumed to be coupled in series when the electric filed is induced more strongly from the electrode plane, and the Dirichlet boundary condition is applied at the layer interface, 20% And at 90% RH, the capacitance of the bilayer water absorbing film can be calculated as (13), (14),

Figure pat00002
(13)
Figure pat00002
(13)

Figure pat00003
(14)
Figure pat00003
(14)

여기서, 이중층 흡습성 막의 하부 층과 상부 층의 상대 유전율(ε1, ε2) 일때, εm은 BaTiO3(moisture-impregnated BaTiO3)의 흡습성 막의 혼합 유전 상수(mixed dielectric constant), Where ε m is the mixed dielectric constant of the hygroscopic film of moisture-impregnated BaTiO 3 (BaTiO 3 ), when the relative permittivity (ε1, ε2) of the lower and upper layers of the bilayer hygroscopic film is

CRH는 내부 및 외부 유닛 커패시턴스(interior and exterior unit capacitances), L은 전극 핑거(electrode fingers)의 길이,

Figure pat00004
는 금속화 비율(metallization ratio) η와 높이-폭 비(height-to-width ratio) r에 의해 결정되는 내부 및 외부 IDC 유닛(internal and external IDC units)의 셀 상수(cell constant)이며, η은 금속화 비율(metallization ratio),
Figure pat00005
은 높이-폭 비(height-to-width ratio) 이며, C RH is the interior and exterior unit capacitances, L is the length of the electrode fingers,
Figure pat00004
Is the cell constant of the internal and external IDC units, determined by the metallization ratio η and the height-to-width ratio r. Metallization ratio,
Figure pat00005
Is the height-to-width ratio,

상기 이중층 흡습성 막은 0.5 ㎛ 두께의 하부 층 및 상부 층(bottom and top layers)을 갖는 이중층 구조를 가지며, 에어로졸 증착(AD)에 의해 형성된 막(film)은 전이-밀도 단면 구조(transitional-density cross-section structure)를 특징으로 하기 때문에 각 하부 층과 상부 층의 상대 유전율(ε1, ε2)은 다르며, Hashin-Shtrikman 경계를 사용하여 BaTiO3의 함량을 기반으로 추정할 수 있으며, 연결된 결정입자(grain fraction) 비율 % 및 상부 및 하부 한계(top and bottom limits)에 따라 위의 유전율은, 즉 상부층 유전 상수 εTop는 식 11에 의해 계산되고, 하부 층 유전 상수 εBottom는 식(12)에 의해 계산되며, The bilayer hygroscopic film has a double layer structure having a bottom layer and top layers of 0.5 μm thickness, and the film formed by aerosol deposition (AD) has a transitional-density cross- structure. section structure), the relative permittivity (ε1, ε2) of each lower layer and the upper layer is different, and can be estimated based on the content of BaTiO 3 using the Hashin-Shtrikman boundary, and connected grain fraction ), According to the percentage% and the top and bottom limits, the upper permittivity, i.e., the upper layer dielectric constant ε Top is calculated by Equation 11, and the lower layer dielectric constant ε Bottom is calculated by Equation (12): ,

Figure pat00006
(11)
Figure pat00006
(11)

Figure pat00007
(12)
Figure pat00007
(12)

여기서, εTop는 상부층 유전 상수, εBottom는 하부 층 유전 상수, εBTO는 AD 준비된 흡습성 막(film)의 유전 상수(dielectric constant), εAIR는 공기중의 유전상수, VBTO는 AD 준비된 흡습성 막(film)의 부피분율, VAIR는 공기의 부피분율이며, Where ε Top is the top layer dielectric constant, ε Bottom is the bottom layer dielectric constant, ε BTO is the dielectric constant of the AD prepared hygroscopic film, ε AIR is the dielectric constant in the air, and V BTO is AD hygroscopic The volume fraction of the film, V AIR is the volume fraction of air,

상기 습도 센서의 커패시턴스 변화는 20-90% RH 범위에서 습도 챔버에서 측정되었으며, 500℃에서 후열처리 된 칩에 대해 최고 감도(the best sensitivity, 461.02)를 가지며, 20-90% RH 범위에서 balance = 0.55를 가진 성능(balanced performance)을 갖는 것을 특징으로 한다. The capacitance change of the humidity sensor was measured in a humidity chamber in the 20-90% RH range, has the best sensitivity (461.02) for the post-heated chip at 500 ° C, and a balance = in the 20-90% RH range. It is characterized by having a balanced performance with 0.55.

상기 단계 (b)에서, 상기 에어로졸 증착은 에어로졸화된 BaTiO3 분말을 증착 원료로 사용한다. In step (b), the aerosol deposition uses aerosolized BaTiO 3 powder as deposition material.

상기 단계(c)에서, 상기 이중층 흡습성 막은 0.5-㎛ 두께의 하부 층 및 상부 층(bottom and top layers)을 갖는 이중층 구조를 갖는다. In step (c), the bilayer hygroscopic film has a bilayer structure having a bottom layer and a top layer of 0.5-μm thickness.

상기 단계(c)에서, 상기 이중층 흡습성 막은 상이한 공극률(void fractional volumes, VFVs)을 갖는 층(layer)을 갖는 상기 하부 층과 상기 상부 층으로 구성되며, 상기 하부 층(dense layer, 고밀도 층)은 상기 상부 층(sparse layer, 저밀도 층)보다 기공이 매우 적은 치밀한 내부 구조를 갖는다.In the step (c), the bilayer hygroscopic film consists of the lower layer and the upper layer having a layer having different void fractional volumes (VFVs), and the lower layer (dense layer) It has a dense internal structure with very few pores than the sparse layer.

상기 단계 (b)에서, BaTiO3 에어로졸 증착(AD)시에 BaTiO3 에어로졸(BaTiO3 aerosol)을 가속시켜 챔버 내에서 더 높은 가스 유속 및 입자 충돌 속도(particle impact velocity)를 달성하도록 헬륨(He)을 캐리어 가스로 사용한다. In said step (b), helium (He) to accelerate the BaTiO 3 aerosol (BaTiO 3 aerosol) at the time of BaTiO 3 aerosol deposition (AD) to achieve a higher gas flow rate and particle collision speed in the chamber (particle impact velocity) Is used as the carrier gas.

상기 챔버의 챔버 가스 유량(chamber gas flow rate)은 1-7 Torr의 내부 압력을 유지하기 위해 7-8 L/min으로 수준으로 공급되고, BaTiO3 입자는 1 ㎛의 최종 증착 두께(final deposition thickness)을 달성하기 위해 선택된 다른 공정 파라미터들(노즐 오리피스(nozzle orifice)의 크기, 노즐 대 기판 거리 및 작동 시간, 표 S1)를 사용하여 1-2m/min의 스캐닝 속도로 상기 유리 기판 상에 증착된다. The chamber gas flow rate of the chamber is supplied at a level of 7-8 L / min to maintain an internal pressure of 1-7 Torr, and BaTiO 3 particles have a final deposition thickness of 1 μm. Is deposited on the glass substrate at a scanning speed of 1-2 m / min using other process parameters (nozzle orifice size, nozzle to substrate distance and operating time, table S1) selected to achieve .

상기 습도 센서는 습도 센싱 성능을 100℃, 200℃,.. 600℃의 온도에서 후열처리(post-annealing)를 하며, 상기 후열처리 공정은 결정 구조 왜곡을 완화하고, 결정화를 촉진하며, 원하는 모세관 미세 구조(capillary microstructure)를 생성하게 된다. 후열처리 조건으로서 상기 각 샘플들은 전기로 (electric furnace)에서 목표 후열처리 온도까지 분당 5도의 속도(5℃/min)로 승온 및 하온 하며, 상기 목표온도에서 2시간 동안 유지하며 대기 분위기에서 시행한다.The humidity sensor post-annealing the humidity sensing performance at temperatures of 100 ° C., 200 ° C., and 600 ° C., the post heat treatment process mitigates crystal structure distortion, promotes crystallization, and desired capillary tube. It will create a capillary microstructure. As a post-heating condition, each of the samples is heated and lowered at a rate of 5 degrees per minute (5 ° C./min) from the electric furnace to the target post-heating temperature, and is maintained at the target temperature for 2 hours and carried out in an atmospheric atmosphere. .

상기 습도 센서의 커패시턴스 변동을 측정하기 위해 인덕턴스-커패시턴스-저항(LCR) 미터를 사용했으며, 주파수는 100 Hz로 설정되었으며, 인가된 전압과 온도는 각각 1 V와 23℃로 고정되었으며, 습도 센서는 20-90% RH의 습도 챔버에서 테스트되었으며, 습도 센서 성능을 나타내는 대표적인 파라미터 인 감도(Sensitivity)는

Figure pat00008
에 의해 계산되며, S는 감도(Sensitivity), △C는 커패시턴스의 변화량, △RH는 상대 습도의 변화량 이며, An inductance-capacitance-resistance (LCR) meter was used to measure the capacitance variation of the humidity sensor, the frequency was set to 100 Hz, and the applied voltage and temperature were fixed at 1 V and 23 ° C., respectively. Tested in a humidity chamber of 20-90% RH, Sensitivity, a representative parameter for humidity sensor performance,
Figure pat00008
Where S is the sensitivity, ΔC is the change in capacitance, ΔRH is the change in relative humidity,

습도 센서의 센서 응답(커패시턴스 변화)은 20-90% RH 범위에서 습도 챔버에서 측정되었으며, 2시간 동안 500℃에서 고온 후열처리 어닐링 된 칩에 대해 최고 감도(the best sensitivity, 461.02)를 가지며, 20-90% RH 범위에서 낮은 RH 및 높은 RH에서 균형 잡힌 성능(balanced performance)을 갖는다. The sensor response (capacitance change) of the humidity sensor was measured in a humidity chamber in the 20-90% RH range and had the best sensitivity (461.02) for a hot post-annealed chip at 500 ° C for 2 hours, 20 Balanced performance at low and high RH in the -90% RH range.

상기 이중층 흡습성 막은 0.5-㎛ 두께의 하부 층 및 상부 층(bottom and top layers)을 갖는 이중층 구조를 가지며, 에어로졸 증착(AD)에 의해 형성된 막(film)은 전이-밀도 단면 구조(transitional-density cross-section structure)를 특징으로 하기 때문에 각 하부 층과 상부 층의 상대 유전율(ε1, ε2)은 다르며, Hashin-Shtrikman 경계를 사용하여 BaTiO3의 함량을 기반으로 추정할 수 있으며, 연결된 결정입자 비율(grain fraction)(%) 및 상부 및 하부 한계(top and bottom limits)에 따라 위의 유전율은, 즉 상부층 유전 상수 εTop는 식 11에 의해 계산되고, 하부 층 유전 상수 εBottom는 식(12)에 의해 계산되며, The bilayer hygroscopic film has a double layer structure having a bottom layer and a top layer with a thickness of 0.5-μm, and a film formed by aerosol deposition (AD) has a transitional-density cross structure. -section structure), the relative permittivity (ε1, ε2) of each of the lower and upper layers is different and can be estimated based on the content of BaTiO 3 using the Hashin-Shtrikman boundary, Depending on the grain fraction (%) and the top and bottom limits, the above permittivity is calculated, that is, the top layer dielectric constant ε Top is calculated by Equation 11, and the bottom layer dielectric constant ε Bottom is given by Equation (12). Is calculated by

Figure pat00009
(11)
Figure pat00009
(11)

Figure pat00010
(12)
Figure pat00010
(12)

여기서, εTop는 상부층 유전 상수, εBottom는 하부 층 유전 상수, εBTO는 AD 준비된 흡습성 막(film)의 유전 상수(dielectric constant), εAIR는 공기중의 유전상수, VBTO는 AD 준비된 흡습성 막(film)의 부피분율(volume fraction), VAIR는 공기의 부피분율이며, Where ε Top is the top layer dielectric constant, ε Bottom is the bottom layer dielectric constant, ε BTO is the dielectric constant of the AD prepared hygroscopic film, ε AIR is the dielectric constant in the air, and V BTO is AD hygroscopic The volume fraction of the film, V AIR is the volume fraction of air,

90% 및 20% RH에서 수분 함침된 BaTiO3(water-impregnated BaTiO3)의 각 층의 상대 유전율(relative permittivities)은

Figure pat00011
- 식 7을 사용하여 계산될 수 있으며. 하나의 층에서 다음 층으로 갈 때 관찰된 유전율 감소(permittivity reduction)는 병렬-타입 구성(parallel-type configuration) 및 Neumann 경계 조건(Neumann boundary conditions)에서 cascading 된 이러한 층들과 함께 전계 효과 장벽(electric field barrier)으로 동작하도록 그들의 인터페이스로 가정했으며, Water impregnated BaTiO 3 eseo 90% and 20% RH (water-impregnated BaTiO 3) Relative dielectric constant (relative permittivities) of the layers of the
Figure pat00011
Can be calculated using equation 7. Permittivity reduction observed when going from one layer to the next is the electrical field with these layers cascaded in parallel-type configuration and Neumann boundary conditions. assumed to be their interface to act as a barrier,

유전율(permittivity)이 증가하는 경우, 전계(electric filed)가 전극면으로부터 더 강하게 유도될 때, 층들은 직렬로 결합된 것으로 가정하고, Dirichlet 경계 조건이 층 인터페이스(layer interface)에서 적용되며, 20% 및 90% RH에서 이중층 흡승성 막(bilayer film)의 커패시턴스는 (13), (14)와 같이 계산될 수 있으며, When the permittivity increases, the layers are assumed to be coupled in series when the electric filed is induced more strongly from the electrode plane, and the Dirichlet boundary condition is applied at the layer interface, 20% And the capacitance of the bilayer film at 90% RH can be calculated as (13), (14),

Figure pat00012
(13)
Figure pat00012
(13)

Figure pat00013
(14)
Figure pat00013
(14)

여기서, 이중층 흡습성 막의 하부 층과 상부 층의 상대 유전율(ε1, ε2) 일때, εm은 BaTiO3(moisture-impregnated BaTiO3)의 흡습성 막의 혼합 유전 상수(mixed dielectric constant), Where ε m is the mixed dielectric constant of the hygroscopic film of moisture-impregnated BaTiO 3 (BaTiO 3 ), when the relative permittivity (ε1, ε2) of the lower and upper layers of the bilayer hygroscopic film is

CRH는 내부 및 외부 유닛 커패시턴스(interior and exterior unit capacitances), L은 전극 핑거(electrode fingers)의 길이,

Figure pat00014
는 금속화 비율(metallization ratio) η와 높이-폭 비(height-to-width ratio) r에 의해 결정되는 내부 및 외부 IDC 유닛(internal and external IDC units)의 셀 상수(cell constant)이며, η은 금속화 비율(metallization ratio),
Figure pat00015
은 높이-폭 비(height-to-width ratio) 이다. C RH is the interior and exterior unit capacitances, L is the length of the electrode fingers,
Figure pat00014
Is the cell constant of the internal and external IDC units, determined by the metallization ratio η and the height-to-width ratio r. Metallization ratio,
Figure pat00015
Is the height-to-width ratio.

에어로졸 증착(AD, Aerosol Deposition) 공정에 의한 초 민감도 습도 감지 필름 제조 방법을 제시하였다. 에어로졸 증착(AD) 공정은 23℃ 실온 작동과 고효율 필름 성장의 장점을 보여주는 새로운 세라믹 필름 제조 기술이다. 이러한 장점에도 불구하고, 기존 에어로졸 증착(AD) 공정은 습도 감지 필름(humidity-sensing films)을 제작하는데 사용되지 않았다. 본 발명은, 23℃ 실온 에어로졸 증착(AD)을 사용하여 Pt 인터 디지털 캐패시터(Pt interdigital capacitor)를 사용하여 유리 기판에 BaTiO3 막을 증착하고, 습도 센싱 성능을 100℃, 200℃,.. 600 ℃의 온도에서 후열처리(post-annealing)에 의해 추가 최적화를 통해 평가했다. 센서 응답(즉, 커패시턴스 변화, capacitance variations)은 20-90 % RHs(relative humidities)를 위한 습도 챔버(humidity chamber)에서 측정되었다. 500 ℃에서 어닐링 된 칩에 대해 최고 감도(the best sensitivity, 461.02)와, 20-90% RH에서 관찰된 낮은 RH 및 높은 RH에서 균형 잡힌 성능(balanced performance)이 관찰되었다. 다른 BaTiO3 기반의 습도 센서와 비교할 때, 위의 칩은 준비를 위한 열 에너지가 덜 필요했지만 20-90 % RH에서 2배 이상의 높은 감도(higher sensitivity)와 뛰어난 균형 잡힌 성능이 측정됐다. A method of manufacturing a super sensitive humidity sensing film by an aerosol deposition (AD) process has been proposed. The aerosol deposition (AD) process is a new ceramic film manufacturing technology that demonstrates the advantages of 23 ° C room temperature operation and high efficiency film growth. Despite these advantages, existing aerosol deposition (AD) processes have not been used to fabricate humidity-sensing films. The present invention uses a Pt interdigital capacitor to deposit a BaTiO 3 film on a glass substrate using a Pt interdigital capacitor using 23 ° C room temperature aerosol deposition (AD), and a humidity sensing performance of 100 ° C, 200 ° C, 600 ° C. It was evaluated through further optimization by post-annealing at the temperature of. Sensor response (ie capacitance variations) was measured in a humidity chamber for 20-90% relative humidity (RHs). The best sensitivity (461.02) and balanced performance at low and high RH observed at 20-90% RH were observed for the chip annealed at 500 ° C. Compared to other BaTiO 3 -based humidity sensors, the chip needed less thermal energy to prepare, but at 20-90% RH, more than two times higher sensitivity and excellent balanced performance were measured.

단면 투과 전자 현미경 이미징(Cross-sectional transmission electron microscopy imaging)은 준비된 필름이 특정 모세관 구조(capillary structure)에 의해 촉진되는 수분 흡수 및 탈착(moisture absorption and desorption)과 함께 전이 가변 밀도 구조(transitional variable-density structure)를 특징으로 하는 것으로 나타났다. 추가적으로, AD공정으로 제작된 BaTiO3 막에 의한 습도 감지 메커니즘을 설명하기 위해 이중층 모델(bilayer model)을 개발했다.Cross-sectional transmission electron microscopy imaging is a transitional variable-density with moisture absorption and desorption in which the prepared film is promoted by a specific capillary structure. structure). In addition, a bilayer model was developed to explain the humidity sensing mechanism by the BaTiO 3 film fabricated in the AD process.

도 1은 (a) AD에 의한 습도 감지 필름(humidity-sensing films)의 합성, (b) 증착 필름(as-deposited films)의 후열처리 및 (c) 습도 감지 실험의 도식적 표현이다.
도 2는 (a) XRD 패턴, (b) 증착된 BaTiO3 막의 AFM 이미지 (2mm × 2mm) 및 (200) 결정면에서의 반사에 해당하는 영역의 확장, 그리고 200℃, 400℃, 및 600 ℃ (대응 샘플은 RT, 200PA, 400PA 및 600PA로 표시됨). (a)와 (b)의 일점 쇄선은 벌크 BaTiO3의 (200) 피크의 위치를 나타낸다.
도 3은 (a) 증착 및 후열처리 된 칩의 단면 SEM 이미지, (b) 500 PA 막의 TEM 이미지는 하부, 중앙 및 상부 층의 상이한 밀도를 나타낸다.
도 4는 실온(RT)과 600℃ 사이에서 어닐링 된 증착된 막의 (a) AFM 및 푸리에 필터 변환 특성(Fourier filter transform characterization), (b) 표면 파라미터들(RMS, H, L 및 H/L) 및 해당 변형 패턴들의 통계를 보인 도면이다.
도 5는 습도 측정 : (a) RH 변화에 따른 캐패시턴스 변화 (b) 낮은 RH 범위에서의(20-60% RH) 감도 (L-sensitivity) 및 높은 RH 범위에서의(60-90% RH) 감도 (H-sensitivity)와 전 범위에서의 (20-90% RH)에서의 감도, 그리고 L-sensitivity와 H-sensitivity의 밸런스(L/H-balance)를 나타내는 도면이다.
도 6은 (a) AD 공정으로 제작된 습도 감지 막(AD-fabricated humidity sensing film)의 구조적 특성과, (b) 해당 습도 감지 메커니즘(humidity sensing mechanism)을 나타낸 도면이다.
도 7은 (a) 단일층(monolayer) 및 (b) 이중층 흡습성 막(bilayer hygroscopic films)의 모델; (c) BaTiO3 함량에 따른 BaTiO3 흡습성 막의 Hashin-Shtrikman 경계들(Hashin-Shtrikman bounds)과 (d) Neumann과 Dirichlet 경계 조건을 사용하여 얻어진 FV2/FV1 비율에 따른 감도 의존성(dependence of sensitivity)을 보인 도면이다.
1 is a schematic representation of (a) synthesis of humidity-sensing films by AD, (b) post-heating of as-deposited films, and (c) humidity sensing experiments.
FIG. 2 shows (a) an XRD pattern, (b) an AFM image (2 mm × 2 mm) of the deposited BaTiO 3 film, and an extension of the area corresponding to reflection in the (200) crystal plane, and 200 ° C., 400 ° C., and 600 ° C. ( Corresponding samples are indicated as RT, 200PA, 400PA and 600PA). a one-dot-dash line in (a) and (b) shows the position of the bulk of BaTiO 3 (200) peak.
FIG. 3 shows (a) cross-sectional SEM images of the deposited and post-heat treated chips, and (b) TEM images of 500 PA films showing different densities of the bottom, center and top layers.
4 shows (a) AFM and Fourier filter transform characterization of the deposited film annealed between room temperature (RT) and 600 ° C., (b) surface parameters (RMS, H, L and H / L). And a view showing statistics of the deformation patterns.
Figure 5 shows humidity measurement: (a) capacitance change with RH change; (b) sensitivity at low RH range (20-60% RH) and sensitivity at high RH range (60-90% RH). Figures show (H-sensitivity), sensitivity at (20-90% RH) over the full range, and L / H-balance between L-sensitivity and H-sensitivity.
FIG. 6 is a diagram illustrating the structural characteristics of (a) an AD-fabricated humidity sensing film manufactured by the AD process, and (b) a corresponding humidity sensing mechanism.
7 is a model of (a) a monolayer and (b) a bilayer hygroscopic films; (c) The dependence of sensitivity according to the FV2 / FV1 ratio obtained using Hashin-Shtrikman bounds and (d) Neumann and Dirichlet boundary conditions of BaTiO 3 hygroscopic membrane according to BaTiO 3 content The figure shown.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 발명의 구성 및 동작을 상세하게 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail the configuration and operation of the invention.

에어로졸 증착(AD, Aerosol Deposition) 공정은 23℃ 실온 작동과 고효율 필름 성장의 장점을 보여주는 새로운 세라믹 필름 제조 기술이다. 이러한 장점에도 불구하고 에어로졸 증착(AD) 공정은 습도 감지 필름(humidity-sensing films)을 제작하는데 사용되지 않았다. 본 발명은, 실온 에어로졸 증착(AD)을 사용하여 Pt 인터디지털 캐패시터(Pt interdigital capacitor)(Pt Electrode)를 사용하여 유리 기판(Glass Substrate)에 BaTiO3 막을 증착하고, 습도 센싱 성능을 100℃, 200℃,.. 600 ℃의 온도에서 후열처리(post-annealing) 공정에 의한 추가 최적화를 통해 평가했다. 센서 응답(즉, 커패시턴스 변화, capacitance variations)은 20-90% RH의 상대 습도(RHs, relative humidities)를 위한 습도 챔버(humidity chamber)에서 측정되었다. 500℃에서 어닐링 된 칩에 대해 최고 감도(the best sensitivity, 461.02)와, 관찰된 낮은 RH 및 높은 RH에서 균형 잡힌 성능(balanced performance)이 관찰되었다. 다른 BaTiO3 기반의 습도 센서와 비교할 때, 위의 칩은 샘플 준비를 위한 열 에너지가 덜 필요했지만 20-90% RH에서 2배 이상의 높은 감도(higher sensitivity)와 뛰어난 밸런스를 가진 성능이 측정됐다. 단면 투과 전자 현미경 이미징(Cross-sectional transmission electron microscopy imaging)은 준비된 필름이 특정 모세관 구조(capillary structure)에 의해 촉진되는 수분 흡수 및 탈착(moisture absorption and desorption)과 함께 전이 가변-밀도 구조(transitional variable-density structure)를 특징으로 한다. 결론적으로, 준비된 BaTiO3 막에 의한 습도 감지 메커니즘을 설명하기 위해 이중층 모델(bilayer model)을 개발했다.The Aerosol Deposition (AD) process is a new ceramic film manufacturing technology that demonstrates the advantages of 23 ° C room temperature operation and high efficiency film growth. Despite these advantages, aerosol deposition (AD) processes have not been used to fabricate humidity-sensing films. According to the present invention, a BaTiO 3 film is deposited on a glass substrate using a Pt interdigital capacitor (Pt Electrode) using room temperature aerosol deposition (AD), and the humidity sensing performance is 100 ° C. and 200 ° C. Evaluation was made through further optimization by a post-annealing process at a temperature of 600 ° C. Sensor response (ie capacitance variations) was measured in a humidity chamber for relative humidity (RHs) of 20-90% RH. The best sensitivity (461.02) and balanced performance at the low and high RH observed were observed for the chip annealed at 500 ° C. Compared to other BaTiO 3 -based humidity sensors, the chip required less thermal energy for sample preparation, but at 20-90% RH more than twice the sensitivity and excellent balance were measured. Cross-sectional transmission electron microscopy imaging is a transitional variable-density technique with moisture absorption and desorption in which the prepared film is promoted by a specific capillary structure. density structure). In conclusion, a bilayer model was developed to explain the humidity sensing mechanism by the prepared BaTiO 3 membrane.

산업 공정, 환경 제어, 농업 생산 및 기타 공정은 정확하고 신뢰할 수 있는 습도 모니터링이 필요하므로 습도 센서(humidity sensors)를 사용한다. 습도 센서는 전기 신호를 생성하여 주변 습도에 반응하며 우수한 선형성(good linearity), 높은 감도(high sensitivity), 낮은 히스테리시스(low hysteresis), 빠른 응답(fast response) 및 장기적인 작동 안정성(long-term operational stability)을 제공한다[1-6].Industrial processes, environmental controls, agricultural production and other processes require humidity sensors because they require accurate and reliable humidity monitoring. Humidity sensors generate electrical signals that respond to ambient humidity and provide good linearity, high sensitivity, low hysteresis, fast response, and long-term operational stability. ) [1-6].

습도 감지 필름(Humidity-sensing films)은 주변 습도 변화에 대한 응답으로 유전율(permittivity) 및 전도성(conductivity)를 잘 재현 가능하고 규칙적으로 변화시키는 습도 센서의 핵심 구성 요소이다. 특히, 유전율(permittivity)의 변화는 커패시턴스(capacitance)에 영향을 주는 반면에, 전도성 변화(conductivity changes)는 저항성(resistance)에 영향을 준다[1,2]. 상기 파라미터들은 내부 다공성 구조(internal porous structure) 및 흡습성 재료(hygroscopic material)의 친수성 표면 형태(hydrophilic surface morphology)와 같은 요인에 의해 결정된다[2]. 그러나, 습기에 민감한 필름(moisture-sensitive films)은 주변 환경과 직접 접촉하여 극한의 온도와 습도를 겪고 화학 물질 및 복잡한 가스 혼합물에 노출된다. 따라서, 좋은 습도 감지 성능 외에도 예상되는 감지 재료의 특성은 높은 기계적 강도(mechanical strength)와 화학적 저항성(chemical resistance)을 지녀야 하므로 세라믹 필름(ceramic films)이 유기 폴리머(organic polymer)보다 우수하다[3].Humidity-sensing films are a key component of humidity sensors that change their permittivity and conductivity well in response to changes in ambient humidity. In particular, changes in permittivity affect capacitance, while conductivity changes affect resistance [1, 2]. The parameters are determined by factors such as the internal porous structure and the hydrophilic surface morphology of hygroscopic materials [2]. However, moisture-sensitive films are in direct contact with the surrounding environment, subject to extreme temperatures and humidity and exposed to chemicals and complex gas mixtures. Therefore, in addition to good humidity sensing performance, ceramic films are superior to organic polymers because the expected sensing material properties must have high mechanical strength and chemical resistance [3]. .

수화(hydration)에 대한 세라믹 표면(ceramic surfaces)의 감수성(susceptibility)은 물 분해(water dissociation) 및 양성자화(陽性子화, protonation)를 촉진시키는 폴리머(polymers, 중합체) 재료의 경우보다 더 두드러진다[4]. ABO3-페로브스카이트형 결정구조를 가지는 BaTiO3 (ABO3-perovskite-type BaTiO3)을 포함하는 다공성 세라믹(Porous ceramics) 또는 나노 결정질 물질(nanocrystalline materials)은 A-사이트 알칼리 토류 원소(A-site alkaline earth elements)(예, Ba)의 습도에 대한 잘 알려진 감도(sensitivity) 때문에 습도 감지 물질로 광범위하게 연구되어 왔다.Susceptibility of ceramic surfaces to hydration is more pronounced than for polymer materials that promote water dissociation and protonation [ 4]. ABO 3 - having a perovskite type crystal structure, BaTiO 3 (ABO 3 -perovskite-type BaTiO 3) a porous ceramic (Porous ceramics) or nanocrystalline materials (nanocrystalline materials), including the A- site alkaline earth elements (A- Due to the well-known sensitivity to humidity of site alkaline earth elements (eg Ba), it has been extensively studied as a humidity sensing material.

또한, Ti 이온들(Ti ions)의 혼입은 페라이트의 전기 전도도(electrical conductivity) 및 유전 손실(dielectric loss)을 감소시키는 것으로 알려져 있으며, 이는 습도 센싱에 매우 중요하다. 넓은 범위의 습도 센서를 구현하려면 감지 물질이 낮은 상대 습도(relative humidities, RH)와 높은 상대 습도(RH)에서 균형 잡힌 감도를 나타내야 한다. 그러나, 세라믹 재료(ceramic materials)는 일반적으로 불균일 내부 구멍 분포(non-uniform inner pore distribution) 및 단일 이온 감지(singular ionic sensing)(Grotthuss) 메커니즘에 의해 낮은 RH에서 낮은 감도(sensitivity)를 보인다[1]. 위의 문제는 이온 및 전자 전하 캐리어(ionic and electronic charge carriers)를 모두 사용하거나 모세관 상태(capillary state)를 제공하기 위해 내부 기공 분포(internal pore distribution)를 조정함으로써 완화될 수 있다.In addition, the incorporation of Ti ions is known to reduce the electrical conductivity and dielectric loss of ferrite, which is very important for humidity sensing. To implement a wide range of humidity sensors, the sensing material must exhibit balanced sensitivity at low relative humidity (RH) and high relative humidity (RH). However, ceramic materials generally exhibit low sensitivity at low RH due to non-uniform inner pore distribution and single ionic sensing (Grotthuss) mechanisms [1]. ]. The above problem can be alleviated by using both ionic and electronic charge carriers or by adjusting the internal pore distribution to provide a capillary state.

He 등은 전기 방사(electrospinning) 및 소성(calcination)의 조합을 사용하여 나노 섬유성 BaTiO3(synthesized nanofibrous BaTiO3)을 합성하는 반면에, He and the like, whereas the synthesis of nano-fibrous BaTiO 3 (synthesized nanofibrous BaTiO 3) using a combination of electrospinning (electrospinning) and firing (calcination),

준비된 많은 양의 세라믹 습도 감지 필름(ceramic humidity-sensing films)은 예를들면, Tripathy[10] 등은 균일한 다공성 습도 감지 재료(uniformly porous humidity-sensing material, CaMgFe1.33Ti3O12)를 계단식 고상 소결법(stepwise solid-state sintering)으로 제조하였다[11]. A large amount of prepared ceramic humidity-sensing films are, for example, Tripathy [10], etc., which cascade solid uniformly porous humidity-sensing material (CaMgFe 1.33 Ti 3 O 12 ). It was prepared by stepwise solid-state sintering [11].

또한, 졸-겔(sol-gel)[12], 스테아린산 겔(stearic acid gel)[13], 및 습식 화학적 방법(wet chemical methods)[14]과 같은 다른 종래의 필름 제조 기술로도 시험되었다. 그러나, 이러한 액상 방법(solution-phase methods)은 막 재결정(film recrystallization)을 촉진시키기 위해 고온 어닐링(high-temperature annealing) 및 소결(sintering)을 필요로 하므로, (1) 상당한 열 비용, (2) 복잡하고 시간 소모적인 조작, 및 (3) 필요한 원료 용액(raw material solutions)의 유통 기한이 제한된다.It has also been tested with other conventional film making techniques such as sol-gel [12], stearic acid gel [13], and wet chemical methods [14]. However, these solution-phase methods require high-temperature annealing and sintering to promote film recrystallization, thus (1) significant thermal cost, (2) Complicated and time-consuming operations, and (3) shelf life of the required raw material solutions are limited.

위의 문제들은 100-600 m/s의 속도와 실온(RT)에서 세라믹 입자의 직접 증착하는 기술인 에어로졸 증착(aerosol deposition, AD) 공정 기술을 사용함으로써 해결될 수 있다. 이 AD 공정은 압전 소자(piezoelectric devices), 친수성 물질(hydrophilic materials), 광학 소자(optical devices), 고유전율 커패시터(high-K capacitors), 임플란트 치과용 브라켓(implanted dental brackets) 등의 제조에 이미 활용되어 왔지만[22], 그 응용에 있어서 기능성 습도 감지 재료의 합성 및 특성은 아직 테스트되지 않았다. 충격 고화(固化) 효과(impact consolidation effects)가 직접적인 세라믹 입자-기판 결합(ceramic particle-substrate binding)을 가능하게 하기 때문에 고온 및 액상 공정(high-temperature and solution-phase processing)을 배제할 수 있어 증착 공정(deposition process)의 에너지 효율을 향상시키고 세라믹 박막(ceramic films)을 유연 기판(flexible substrates) 상에 제조할 수 있다. 또한, 비용 효과, 운영 단순성 및 효율적인 박막 성장(film growth)(1-5 μm/min)의 이점들과 함께 결합된 원료 물질(starting materials)의 긴 보관 수명은 AD 공정에 의한 감습막의 산업적인 대량 생산을 가능케 할 것이며. 원료 물질의 입자 크기(paricle size), 가스 유속(gas flow rate) 및 스캔 횟수(scan time)를 제어함으로써 원하는 막의 표면 및 내부 미세구조의 제작이 가능하다.The above problems can be solved by using aerosol deposition (AD) process technology, a technique for direct deposition of ceramic particles at room temperature (RT) and speeds of 100-600 m / s. This AD process is already used in the manufacture of piezoelectric devices, hydrophilic materials, optical devices, high-K capacitors, and implanted dental brackets. Although it has been [22], the synthesis and properties of functional humidity sensing materials in their applications have not yet been tested. Impact consolidation effects allow direct ceramic particle-substrate binding, eliminating high-temperature and solution-phase processing It is possible to improve the energy efficiency of the deposition process and to manufacture ceramic films on flexible substrates. In addition, the long shelf life of the starting materials combined with the benefits of cost effectiveness, operational simplicity and efficient film growth (1-5 μm / min) has led to the industrial mass production of moisture sensitive membranes by the AD process. Will enable production. By controlling the particle size, gas flow rate and scan time of the raw material, it is possible to fabricate the desired surface and internal microstructure of the membrane.

본 연구는 원료로써 BaTiO3 분말(powder)을 사용하여 습도 감지 필름(humidity-sensing films)을 에어로졸 증착(AD) 공정에 의해 제조할 수 있는 가능성을 조사하였다. 그들의 감지 성능을 더욱 향상시키기 위해, 증착된 박막(film)은 다른 온도에서 후열처리되고, 그 결정입자 성장 상태(grain growth state), 결정 격자(crystal lattice), 내부 미세 구조(internal microstructure) 및 표면 형상(surface morphology)은 상이한 처리 온도에서 모델 형태의 표면 형상 변화(surface morphology variation)에 대해 상세히 특성화되었다. 또한, 우리는 횡단면 구조(cross-sectional structure)를 기반으로 센서의 감도(sensitivity of sensors)를 예측하기 위한 물리적 모델을 구축했다. 따라서, 본 연구는 초-고감도 습도 감지 필름(ultra-sensitive humidity-sensing films)을 제조하기 위한 AD 공정의 가능성에 대한 최초의 증거를 제공한다.This study investigated the possibility of producing a humidity-sensing film by aerosol deposition (AD) process using BaTiO 3 powder as a raw material. To further improve their sensing performance, the deposited films are post-heated at different temperatures and their grain growth state, crystal lattice, internal microstructure and surface Surface morphology was characterized in detail for surface morphology variation of the model shape at different processing temperatures. In addition, we built a physical model to predict the sensitivity of sensors based on the cross-sectional structure. Thus, this study provides the first evidence of the possibility of an AD process for producing ultra-sensitive humidity-sensing films.

도 1은 (a) AD에 의한 습도 감지 필름(humidity-sensing films)의 합성, (b) 증착 필름(as-deposited films)의 후열처리(post-annealing) 및 (c) 습도 감지 실험의 도식적 표현이다. 1 is a schematic representation of (a) synthesis of humidity-sensing films by AD, (b) post-annealing of as-deposited films, and (c) humidity sensing experiments. to be.

2. 실험 2. Experiment

2.1 에어로졸 증착(AD) 및 후열처리에 의한 습도 센서 제조2.1 Manufacturing Humidity Sensors by Aerosol Deposition (AD) and Post-Heat Treatment

에어로졸 증착(AD)은 기판(도 1a)에서 가속 입자(accelerated particles)(고속 캐리어 가스 흐름(high-speed carrier gas flow)에 의해 운반됨)의 충격 부하 고형화(shock-loading solidification, SLS)에 기반 실온 공정(room-temperature process)이다. 여기서, BaTiO3 에어로졸(BaTiO3 aerosol)을 가속시켜 챔버 내에 더 높은 가스 유속 및 입자 충돌 속도(particle impact velocity)를 달성하는데 헬륨이 사용되었다. 챔버 가스 유량(chamber gas flow rate)은 1-7 Torr의 내부 압력에 의해 7-8 L/min으로 유지되었다. BaTiO3 입자는 1 ㎛의 최종 증착 두께(final deposition thickness)을 달성하기 위해 선택된 다른 공정 파라미터들(예: 노즐 오리피스(nozzle orifice)의 크기, 노즐 대 기판 거리 및 작동 시간, 표 S1)를 사용하여 1-2m/min의 스캐닝 속도(scanning speed)로 유리 기판(glass substrate) 상에 증착되었다. Aerosol deposition (AD) is based on shock-loading solidification (SLS) of accelerated particles (carried by high-speed carrier gas flow) on a substrate (FIG. 1A) Room-temperature process. Here, the helium was used to accelerate the BaTiO 3 aerosol (BaTiO 3 aerosol) achieve a higher gas flow rate and particle collision speed in the chamber (particle impact velocity). Chamber gas flow rate was maintained at 7-8 L / min by an internal pressure of 1-7 Torr. BaTiO 3 particles can be prepared using other process parameters selected to achieve a final deposition thickness of 1 μm, such as the size of the nozzle orifice, nozzle to substrate distance and operating time, Table S1. It was deposited on a glass substrate at a scanning speed of 1-2 m / min.

가속화 된 BaTiO3 입자는 일반적으로 기판 상에 연속적인 충격(consecutive impact) 및 단편화(fragmentation)를 겪었으며, 이는 결정 격자 왜곡(crystal lattice distortion), 내부 응력 축적(internal stress accumulation) 및 결정립 크기 감소(grain size reduction)를 야기하였다. 포스트 어닐링은 결정 구조 왜곡을 완화하고, 결정화를 촉진하며, 원하는 모세관 미세 구조(capillary microstructure)를 생성하는 효과적인 방법으로 알려져 있다[13,23,24,25]. 그러므로, 100℃, 200℃, 600℃ (100PA, 200PA, ..., 600PA samples)의 5℃/min의 속도로 증가 및 감소되는 도가니 온도(furnace temperature)와 함께 증착된 필름을 공기 중에서 2 시간 동안 포스트 어닐링하였다(도 1b).Accelerated BaTiO 3 particles generally suffered from continuous impact and fragmentation on the substrate, which resulted in crystal lattice distortion, internal stress accumulation and grain size reduction ( grain size reduction). Post annealing is known to be an effective way to mitigate crystal structure distortions, promote crystallization, and create the desired capillary microstructures [13, 23, 24, 25]. Therefore, a film deposited in air for 2 hours with a crucible temperature increasing and decreasing at a rate of 5 ° C./min of 100 ° C., 200 ° C. and 600 ° C. (100 PA, 200 PA, ..., 600PA samples) Post annealed (FIG. 1B).

2.2 결정성(Crystallinity), 미세 구조(Microstructure) 및 표면 형태학 특성(Surface Morphology Characterization)2.2 Crystallinity, Microstructure, and Surface Morphology Characterization

준비된 박막(films)의 결정 구조(crystal structure)는 CuKα1 방사선조사(λ = 1.54060 Å) 그리고 40.0 keV/30.0mA의 전압/전류를 사용하는 X-선 회절(X-ray diffraction, XRD)(ATX-G, Rigaku Co., Japan)에 의해 특성을 측정하였다. 스캐닝은 2°/min의 속도로 2θ = 20-70°를 위해 수행되었다. 평균 결정자 크기(average crystallite size)는 Scherrer 방정식을 사용하여 추정되었다:The crystal structure of the prepared films was X-ray diffraction (XRD) (ATX) using CuK α1 irradiation (λ = 1.54060 Hz) and voltage / current of 40.0 keV / 30.0 mA. -G, Rigaku Co., Japan) was measured. Scanning was performed for 2θ = 20-70 ° at a speed of 2 ° / min. Average crystallite size was estimated using the Scherrer equation:

Figure pat00016
(15)
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여기서, D는 결정자 크기(crystallite size), k는 상수 0.9, β는 반가폭(full width of half maxium, FWHM), θ는 브래그 각(Bragg angle)이다. 비접촉 모드(non-contact mode)에서 원자 현미경(AFM)(Xe150, PSIA, USA) 이미징은 AFM 평면도(AFM top-view) 및 2D 푸리에 필터 변환 전력 스펙트럼(2D Fourier filter transform power spectra)으로써 3D로 XEI 소프트웨어(Park Systems Corp.)에 의해 분석된 얻어진 데이터로 샘플의 표면 형상을 특성화하기 위해 사용되었다. 또한, 단면 미세 구조(cross-sectional microstructure)는 주사 전자 현미경(SEM)(S-4800, Hitachi, UK) 이미징을 통해 그 특징을 추출했다. 내부 공극(inner voids)과 결정입자(grains)의 분포는 투과 전자 현미경(transmission electron microscopy, TEM)(JEM-2100F, JEOL, USA) 이미징의 결과에 기초하여 평가되었다.Where D is the crystallite size, k is the constant 0.9, β is the full width of half maxium (FWHM), and θ is the Bragg angle. AFM (Xe150, PSIA, USA) imaging in non-contact mode XEI in 3D with AFM top-view and 2D Fourier filter transform power spectra The obtained data analyzed by software (Park Systems Corp.) was used to characterize the surface shape of the sample. In addition, cross-sectional microstructures were characterized by scanning electron microscopy (SEM) (S-4800, Hitachi, UK) imaging. The distribution of inner voids and grains was evaluated based on the results of transmission electron microscopy (TEM) (JEM-2100F, JEOL, USA) imaging.

2.3 습도 감지 2.3 Humidity Detection

커패시턴스 변동을 측정하기 위해 인덕턴스-커패시턴스-저항(LCR) 미터 (HIOKI IM 3536)를 사용했다(도 1c). 주파수는 100 Hz로 설정되었으며, 이는 재료 커패시턴스를 평가하는데 최적 인 것으로 알려져 있다. 인가된 전압과 온도는 각각 1V와 23℃로 고정되었다. 습도 센서는 20-90% RH의 습도 챔버(humidity chamber)에서 테스트되었다. 습도 센서 성능을 나타내는 대표적인 파라미터 인 감도(Sensitivity)는 다음과 같이 계산된다.An inductance-capacitance-resistance (LCR) meter (HIOKI IM 3536) was used to measure capacitance variation (FIG. 1C). The frequency was set at 100 Hz, which is known to be optimal for evaluating material capacitance. The applied voltage and temperature were fixed at 1V and 23 ° C, respectively. The humidity sensor was tested in a humidity chamber of 20-90% RH. Sensitivity, a representative parameter representing humidity sensor performance, is calculated as follows.

Figure pat00017
(16)
Figure pat00017
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S는 감도(Sensitivity), △C는 커패시턴스의 변화량, △RH는 상대 습도의 변화량이다. S is sensitivity, DELTA C is the change in capacitance, and DELTA RH is the change in relative humidity.

감도(sensitivity)의 통계적 평가는 해당 습도 감지 기능(humidity detection capabilities)을 검사하기 위해 낮은 습도(20-60% RH)와 높은 습도(60-90% RH)에서 개별적으로 수행되었으며, 동시에 본 연구에서 개발된 접근법이 일반적으로 낮은 상대 습도(RH) 영역에서 좋지 않은 감도 성능을 보이는 세라믹 습도 센서의 성능을 향상시킬 수 있는지를 평가하였다. Statistical evaluation of sensitivity was performed separately at low humidity (20-60% RH) and high humidity (60-90% RH) to examine the corresponding humidity detection capabilities. We evaluated whether the developed approach can improve the performance of ceramic humidity sensors, which generally exhibit poor sensitivity in the low relative humidity (RH) region.

상기 통계를 기반으로, 저-고 RH(low and high RH)에서의 감지 성능의 균형을 표현하기 위해 우리는 H 감도(H-sensitivity)에 대한 L 감도(L-sensitivity)의 비율을 계산하였으며(L-sensitivity/H-sensitivity), 더 높은 값은 더 나은 성능을 나타낸다. 추가적으로, 특정 AD 준비 박막(AD-prepared film)의 감지 메커니즘을 연구하기 위해 습도 감지 모델(humidity sensing model)을 개발하였다.Based on the statistics, to calculate the balance of sensing performance at low and high RH, we calculated the ratio of L-sensitivity to H-sensitivity ( L-sensitivity / H-sensitivity), higher values indicate better performance. In addition, a humidity sensing model was developed to study the detection mechanism of specific AD-prepared films.

3. 결과3. Results

3.1 BaTiO3 박막의 결정성(Crystallinity of BaTiO3 Films)3.1 determination of the BaTiO 3 thin film (Crystallinity of BaTiO 3 Films)

AD 박막 성장(AD film growth) 동안에, BaTiO3 입자는 SLS의 효과(즉, 기판 또는 전구체 BaTiO3 층에 대한 충격)에 기인 한 첫 번째 단계로 2-단계 단편화(two-step fragmentation)을 겪었고[18], 두 번째 것은 햄머링 효과(hammering effect)에 기인한 반면에 후속적으로 증착된 고속 입자들의 양을 나타낸다. 위의 이중 단편화는 결정립 크기가 현저하게 감소되었을 뿐만 아니라 결정 격자 왜곡(crystal lattice distortion) 및 잔류 응력 축적(residual stress accumulation)을 유도하여 결정 구조 특성에 상당한 영향을 준다. During AD film growth, BaTiO 3 particles underwent two-step fragmentation as the first step due to the effect of SLS (ie impact on substrate or precursor BaTiO 3 layer) [ 18], the second is due to the hammering effect while indicating the amount of fast particles deposited subsequently. The above double fragmentation not only significantly reduced the grain size but also induces crystal lattice distortion and residual stress accumulation, which has a significant influence on the crystal structure properties.

도 2는 (a) XRD 패턴, (b) 증착된 BaTiO3 막의 AFM 이미지 (2mm × 2mm) 및 (200) 평면에서의 반사에 해당하는 영역의 확장, 그리고 200℃, 400℃, 및 600 ℃ (대응 샘플은 RT, 200PA, 400PA 및 600PA로 표시됨). (a)와 (b)의 일점 쇄선은 벌크 BaTiO3의 (200) 피크의 위치를 나타낸다. (a) XRD 패턴, (b) 증착된 BaTiO3 막의 AFM 이미지(2mm × 2mm) 및 (200) 평면에서의 반사에 해당하는 영역의 확장, 그리고 200℃, 400℃, 및 600℃ (대응 샘플은 RT, 200PA, 400PA 및 600PA로 표시됨). (a)와 (b)의 일점 쇄선은 벌크 BaTiO3의 (200) 피크의 위치를 나타낸다.FIG. 2 shows (a) an XRD pattern, (b) an extension of the area corresponding to AFM image (2 mm × 2 mm) and (200) plane reflection of the deposited BaTiO 3 film, and 200 ° C., 400 ° C., and 600 ° C. ( Corresponding samples are indicated as RT, 200PA, 400PA and 600PA). a one-dot-dash line in (a) and (b) shows the position of the bulk of BaTiO 3 (200) peak. (a) an XRD pattern, (b) an AFM image (2 mm × 2 mm) of the deposited BaTiO 3 film and an extension of the area corresponding to reflection in the (200) plane, and 200 ° C., 400 ° C., and 600 ° C. RT, 200PA, 400PA and 600PA). a one-dot-dash line in (a) and (b) shows the position of the bulk of BaTiO 3 (200) peak.

도 2a는 증착된 BaTiO3 막의 XRD 패턴을 보여 주며, 입방형 페로브스카이트 구조(cubic perovskite structure)를 나타낸다. 2θ ≒ 5.37°에서 회절 피크(diffractions peaks)의 확대는 (200) 결정면으로부터의 반사(reflections)에 해당한다. 도 2b는 높은 어닐링 온도(high annealing temperatures)에서 큐빅-정방 결정상 변화(cubic-to-tetragonal phase change)의 발생을 나타낸다. 증착된 막의 결정자 크기는 17.4 nm로 계산되었으며, 이는 벌크 BaTiO3와 비교하여 0.69° 피크 시프트와 함께 결정 격자 왜곡(crystal lattice distortions) 및 잔류 응력(residual stress)의 존재를 보여 주었다.FIG. 2A shows the XRD pattern of the deposited BaTiO 3 film, showing the cubic perovskite structure. The magnification of diffraction peaks at 2θ ≒ 5.37 ° corresponds to reflections from the (200) crystal plane. 2B shows the occurrence of cubic-to-tetragonal phase changes at high annealing temperatures. The crystallite size of the deposited film was calculated to be 17.4 nm, which showed the presence of crystal lattice distortions and residual stresses with a 0.69 ° peak shift compared to bulk BaTiO 3 .

BaTiO3 피크의 높이는 200-400℃(200PA - 400PA)의 범위에서 포스트 어닐링 온도가 증가함에 따라 완화된 피크 시프트 및 결정자 크기 증가와 함께 증가하는데, 이는 증가된 강유전성(ferroelectricity) 및 도메인 벽 기여(domain wall contributions)에 응답하여 유전체 유전율(dielectric permittivity)의 증가에 의한 것이다[29]. 제조된 습도 센서의 RH가 다른 RH에서 커패시턴스 변화는 BaTiO3 막과 응축수(condensed water)와 결합된 유전율(permittivity)의 변화에 기인하기 때문에, 유전율 증가는 유리한 요소로 보였다. 600℃에서 처리 한 600PA 막의 피크는 표준 BaTiO3 정방 정계 페로브스카이트 상(standard BaTiO3 tetragonal perovskite phase)과 잘 일치하여 고온 어닐링이 결정 구조의 점진적인 회복을 유도했다. 동반된 2 ㎛ × 2 ㎛ AFM 이미지는 고속 입자의 충돌(impact of high-speed particles)로 야기된 결정입자 응집(grain agglomeration)에 의해 설명된 증착된 막의 AFM 이미지에서 명확한 입자가 없기 때문에 표면상에서 결정입자 성장의 발생(occurrence of grain growth)만을 확인할 수 있다(도 2c). 대조적으로, 200PA 필름에서 명확한 결정입자(grain)가 보이기 시작하였으며 400PA 및 600PA 막에서 더 크고 명확한 결정입자들이 확인되었다.The height of the BaTiO 3 peak increases with moderate peak shift and crystallite size increase with increasing post annealing temperature in the range of 200-400 ° C. (200 PA-400 PA), which results in increased ferroelectricity and domain wall contributions. This is due to an increase in dielectric permittivity in response to wall contributions [29]. Since the change in capacitance at the RH of the manufactured humidity sensor is different due to the change in permittivity combined with the BaTiO 3 film and condensed water, the increase in permittivity seemed to be an advantageous factor. 600PA film peak treated at 600 ℃ has lead to a gradual recovery of standard BaTiO 3 perovskite tetragonal phase (tetragonal standard BaTiO 3 perovskite phase) is in good agreement with the high-temperature annealing to determine structure. The accompanying 2 μm × 2 μm AFM image is crystallized on the surface because there are no apparent particles in the AFM image of the deposited film described by grain agglomeration caused by the impact of high-speed particles. Only the occurrence of particle growth (occurrence of grain growth) can be confirmed (Fig. 2c). In contrast, clear grains began to appear in the 200PA film and larger and clearer grains were identified in the 400PA and 600PA films.

추가적으로, 증가된 어닐링 온도에서 내부 결정입자 내부(inside grains)에서 표면 메조 크랙(surface meso-cracks)의 증가된 양이 관찰되었으며, 이는 수증기의 흡착을 돕는 것으로 생각되었다. 2 시간 일정 온도 어닐링 외에도 5℃/min으로 가열 및 냉각하는 경우 어느 정도의 추가적인 영향을 줄 것이므로 전체적인 열 효과는 예상보다 클 것으로 판단된다.  In addition, increased amounts of surface meso-cracks were observed inside the internal grains at increased annealing temperatures, which were thought to aid in the adsorption of water vapor. In addition to the two-hour constant temperature annealing, heating and cooling at 5 ° C./min will have some additional effects, so the overall thermal effect is greater than expected.

3.2. BaTiO3 박막의 횡단면 미세 구조(Cross-Sectional Microstructure of BaTiO3 Films) 3.2. Cross-sectional microstructure of a BaTiO 3 thin film (Cross-Sectional Microstructure of BaTiO 3 Films)

증착된 필름의 측면 SEM 이미지(도 3a)는 200℃에서 후열처리 후 명백한 응집을 나타내는 결정입자 크기(grain size) 및 틈새 수(number of crevices)가 증가하여 작은 입자 및 눈에 보이는 균열을 특징으로 하는 조밀하게 적층된 균일한 구조를 나타냈다. 400℃로부터 600℃로 온도가 상승하면, 결정입자 성장과 응집(grain growth and agglomeration)이 더 진행되어 틈새들(crevices)이 줄어든다.The side SEM image of the deposited film (FIG. 3A) is characterized by small grains and visible cracks due to an increase in grain size and number of crevices which exhibits apparent aggregation after post-heat treatment at 200 ° C. It showed a uniformly stacked uniform structure. As the temperature rises from 400 ° C. to 600 ° C., grain growth and agglomeration proceed further and crevices are reduced.

에어로졸 증착(AD) 동안에, 운동 에너지는 열 에너지로 변환되어 SLS와 햄머링 효과(hammering effect)를 일으키고 결정입자/기판 결합(grain/substrate bonding)의 에너지의 추가 변형을 유도한다. 첫 번째 증착된 (바닥) 필름 층이 겪는 보다 현저한 햄머링 효과에 의해, 이는 상부 층보다 더 조밀하게 적층되었으며, 단면 밀도(cross-sectional density)는 전이 상태(transitional state)로 분포된다(도 3b). 또한, 다량의 공극들(voids)이 상부 층에 존재하고, 하부 층을 향하는 방향으로 점차적으로 감소한다. 상기 언급된 바와 같이, 이중 단편화(double fragmentation)는 잔류 응력 축적(residual stress accumulation) 및 하부 층의 결정 구조 왜곡(crystal structure distortion)을 초래하여 전체적인 유전 용량(overall dielectric capacity)에 심각한 영향을 주었다. 더욱이, 상부 층에 의해 감소된 햄머링 효과는 표면 결함의 존재와 함께, 누설 전류(leakage current)가 초래할 수 있는 느슨한 입자 간 결합을 초래하였다. During aerosol deposition (AD), the kinetic energy is converted into thermal energy, causing a hammering effect with the SLS and inducing a further deformation of the energy of grain / substrate bonding. Due to the more pronounced hammering effect experienced by the first deposited (bottom) film layer, it is more densely stacked than the top layer, and the cross-sectional density is distributed in the transitional state (FIG. 3B). ). Also, a large amount of voids are present in the upper layer and gradually decrease in the direction towards the lower layer. As mentioned above, double fragmentation resulted in residual stress accumulation and crystal structure distortion of the underlying layer, severely affecting the overall dielectric capacity. Moreover, the hammering effect reduced by the top layer, combined with the presence of surface defects, resulted in loose interparticle bonding that leakage current could lead to.

게다가 큰 공극들(large voids)의 존재는 검출 가능한 습도 한계(detectable humidity limit)가 기공 반경(pore radius)이 감소함에 따라 감소하기 때문에 낮은 RH에서 감지에 악영향을 주는 것으로 생각된다[1].In addition, the presence of large voids is thought to adversely affect detection at low RH since the detectable humidity limit decreases with decreasing pore radius [1].

도 3은 (a) 증착 및 후열처리 된 칩의 단면 SEM 이미지, (b) 500 PA 막의 TEM 이미지는 하부, 중앙 및 상부 층의 상이한 밀도를 나타낸다.FIG. 3 shows (a) cross-sectional SEM images of the deposited and post-heat treated chips, and (b) TEM images of 500 PA films showing different densities of the bottom, center and top layers.

후열처리(post annealing)에 의해 제조된 막(film)의 유전체 및 습기 흡수 특성(dielectric and humidity absorption properties)이 향상되어 불균일한 상태에서 균일한 상태로 고체-위상 변형(solid-phase transformation)이 유도되었다. 요구되는 가열 시간 및 온도는 불균일 한 내부 구조는 이 반응을 완결시키기 위해 장거리를 필요로 하는 초기 필름 구조에 의해 결정되며, 과도한 어닐링은 습도 감지 성능을 악화시킬 수 있다. 최하층을 고려하면, 열처리(thermal treatment)는 결정 성장(crystal growth)을 촉진시키고 내부 응력(inner stress)/결정 구조 왜곡(crystal structure distortion)을 완화시켜 결정 특성 최적화를 가져온다. 동시에, 상기 열처리는 상단 층에서 결정입자 팽창(grain expansion)을 유도하여 결정입자 간 결합(grain-to-grain bonding)을 향상시켰고, 이는 결과적으로 모공 크기(pore size)를 감소시켜 최소 RH 검출 한계를 연장시키는 모세관 구조(capillary structure)를 제공하였다.Dielectric and humidity absorption properties of films produced by post annealing have been improved to induce solid-phase transformation from non-uniform to uniform. It became. The heating time and temperature required is determined by the uneven internal structure of the initial film structure, which requires a long distance to complete this reaction, and excessive annealing can worsen the humidity sensing performance. Considering the lowest layer, thermal treatment promotes crystal growth and mitigates internal stress / crystal structure distortion resulting in optimizing crystal properties. At the same time, the heat treatment induced grain expansion in the top layer to improve grain-to-grain bonding, which in turn reduced the pore size resulting in a minimum RH detection limit. To provide a capillary structure.

3.3. 표면 형상 조정(Surface Morphology Adjustment) 3.3. Surface Morphology Adjustment

실온(RT, room temperature, 23℃)과 300℃ 사이에서 어닐링 된 막(film)의 AFM 이미징(도 4a)은 열처리 시에 RMS 거칠기(Root Mean Square roughness)가 80.5nm로부터 49.8 nm로 감소하면서 전체 표면 결함을 점진적으로 복구되는 결과를 나타냈다. 그러나, 400℃에서의 어닐링은 표면 형태의 열화를 가져오고, RMS 거칠기는 60.2 nm로 증가시켰으며 500℃에서의 어닐링은 최적화 된 평탄도(RMS 거칠기 = 45.4 nm)를 나타냈다. 최종적으로, 열화된 표면 평탄도가 600℃에서 관찰되었다(RMS 거칠기 = 57.5nm). 23℃ 실온(RT)과 300℃ 사이의 온도에서 일정한 거칠기 변화에 의해 이 범위의 열처리는 초기 조정 단계로 정의되었으며, 다른 경우 400℃, 500℃ 및 600℃는 불규칙한 패턴 변화가 관찰되었다.AFM imaging of a film annealed between room temperature (RT, room temperature, 23 ° C.) and 300 ° C. (FIG. 4A) was performed while the root mean square roughness decreased from 80.5 nm to 49.8 nm during thermal treatment. The results show that the surface defects are gradually recovered. However, annealing at 400 ° C. resulted in surface morphology deterioration, RMS roughness increased to 60.2 nm and annealing at 500 ° C. showed optimized flatness (RMS roughness = 45.4 nm). Finally, degraded surface flatness was observed at 600 ° C. (RMS roughness = 57.5 nm). The heat treatment in this range was defined as an initial adjustment step by a constant roughness change at temperatures between 23 ° C. room temperature (RT) and 300 ° C., in other cases irregular pattern changes were observed at 400 ° C., 500 ° C. and 600 ° C.

PSD(Power Spectral Density)는 표면 거칠기(surface roughness)를 나타내는데 사용되는 파라미터 중 하나이며, 각 주파수 구성 요소가 표면의 전체 거칠기에 어떻게 기여하는지에 대한 정보가 포함되어 RMS 거칠기(RMS roughness)와 같은 다른 파라미터 보다 유리하다. 큰 저주파 전력(L)은 전체적인 고도 변화(overall altitude variations)를 의미하는 반면에, 고주파 전력(H)은 많은 양의 물질-물질 전환(matter-to-matter transition)을 의미한다. 이 경우, H의 값은 습도 감지에 중요한 것으로 알려진 많은 양의 결정입자들(grains) 및 틈새들(crevices)을 갖는 표면을 나타낸다. 따라서, H/L 비율(H/L ratio)은 새로운 파라미터로 사용했다. 높은 값은 입자 및 틈이 많고 큰 응집체들(agglomerates) 및 표면 결함들(surface defects)이 적으므로, 효율적인 습도 감지에 유리한 특성이 된다.Power Spectral Density (PSD) is one of the parameters used to represent surface roughness, and includes information about how each frequency component contributes to the overall roughness of the surface, such as RMS roughness. Advantageous over parameters. Large low frequency power (L) means overall altitude variations, while high frequency power (H) means a large amount of matter-to-matter transition. In this case, the value of H represents a surface with a large amount of grains and crevices known to be important for humidity sensing. Therefore, H / L ratio was used as a new parameter. High values are advantageous for efficient humidity sensing because they have a lot of particles and crevices and small agglomerates and surface defects.

도 4는 실온(RT)과 600℃ 사이에서 온도에 따라 어닐링 된 증착된 막의 (a) AFM 및 푸리에 필터 변환 특성(Fourier filter transform characterization), (b) 표면 파라미터들(RMS, H, L 및 H/L) 및 해당 변형 패턴들의 통계를 보인 도면이다. 4 shows (a) AFM and Fourier filter transform characterization, (b) surface parameters (RMS, H, L and H) of the deposited film annealed with temperature between room temperature (RT) and 600 ° C. / L) and the statistics of the deformation patterns.

다른 어닐링 온도에서 얻어진 표면 패턴들(surface patterns)은 5 개의 상이한 상태로 더 분류되었다(도 4b). 따라서, 23℃ 실온(RT)으로부터 200℃로 갈수록 H는 0.75로부터 1.00으로 증가하였으며, 반면에 L은 1.0로부터 0.16으로 감소하여 H/L이 0.05로부터 0.43으로 증가하는데 이는 각각 상태 1, 2 및 3에 해당한다. 온도가 더 증가함에 따라, 상태 4 및 5에 대응하는 표면 형태(surface morphologies)가 관찰되었다. 그러나, PSD 파라미터의 변화는 여기에도 일관성 없는 규칙이 나타나며, 이는 또한 불명확한 변화로 간주될 수 있다. 특히, 500PA 막은 높은 H 및 가장 낮은 L(상태 5)을 나타내기 때문에 가장 높은 H/L 값을 나타냈다. 그러나 300PA, 400PA 및 600PA 막(상태 4)의 경우 H 및 L 값 모두가 높았다.Surface patterns obtained at different annealing temperatures were further classified into five different states (FIG. 4B). Thus, from 23 ° C. room temperature (RT) to 200 ° C., H increased from 0.75 to 1.00, while L decreased from 1.0 to 0.16, increasing H / L from 0.05 to 0.43, respectively, states 1, 2, and 3 Corresponds to As the temperature increased further, surface morphologies corresponding to states 4 and 5 were observed. However, changes in the PSD parameter appear here as inconsistent rules, which can also be regarded as unclear changes. In particular, the 500PA membrane exhibited the highest H / L values because it exhibited the highest H and the lowest L (state 5). However, both H and L values were high for the 300PA, 400PA and 600PA membranes (state 4).

유리 기판의 높은 경도는 불균일한 결정입자 크기(non-uniform grain size)와 분포(distribution)로 상이한 밀도(heterogeneous density) 및 표면 결함을 야기하는 초기 박막을 형성하는 충격을 받은 BaTiO3의 심각한 단편화(fragmentation)를 초래했다. 연속적으로 증착된 고속 BaTiO3 입자들(BaTiO3 particles)은 이전에 증착된 BaTiO3 박막에 햄머링 효과를 나타나고, 더욱 치밀화를 일으켰으며, 동시에 완전히 분열되지 않은 영역에 에칭 효과(etching effect)를 발휘했다[31]. 에칭/치밀화 균형은 전구체 밀도 분포 및 고속 BaTiO3 입자의 운동 에너지를 포함한다. 따라서, 햄머링 효과(hammering effect)는 고밀도 영역의 고밀도화를 유도하며, 반면에 분화구 결함들(crater defects)을 갖는 것을 특징으로 하는 완전히 단편화되지 않은 영역(not fully fragmented areas)은 에칭 및 치밀화되고, 이는 증착된 막의 높은 RMS 거칠기(80.5 nm)를 설명한다.The high hardness of the glass substrate results in severe fragmentation of the impacted BaTiO 3 , which forms an initial thin film that results in heterogeneous density and surface defects due to non-uniform grain size and distribution. fragmentation). Exert in a continuously deposited at a high speed BaTiO 3 particles (BaTiO 3 particles) were caused before the BaTiO appears and the hammer ring effect to the third thin film, more dense deposition, the etching effect (etching effect) in non-completely split at the same time areas [31]. The etch / densification balance includes precursor density distribution and kinetic energy of fast BaTiO 3 particles. Thus, the hammering effect leads to densification of high density areas, while not fully fragmented areas characterized by having crater defects are etched and densified, This accounts for the high RMS roughness (80.5 nm) of the deposited film.

후열처리(post annealing)로 유도된 표면 형태 변화(surface morphology variation)는 내부 고체 상태 반응(internal solid-state reactions) 및 위에서 언급한 표면 결정입자들의 성장(growth of surface grains)에 의해 야기되었다. 초기 조정 단계(RT ~ 300 ℃)에서 어닐링의 주요 효과는 개별 입자의 팽창과 필름 내부의 틈새 수축에 해당된다. 상기 팽창은 심각한 결함을 보수하고, 명확한 표면 결정입자들(surface grains) 및 중간 균열들(meso-cracks)의 양을 증가시키며, 즉 더 우수한 평탄도(better flatness) 및 더 높은 H/L 값들(higher H/L values)을 가져온다. 그러나, 상기 수리 후에, 어닐링 온도의 추가 증가는 주 공정을 결정입자 팽창(grain expansion)으로부터 상호 압출(mutual extrusion)로 이동시켰다. 불균일 한 막 구조(non-uniform film structure)에 의해 내부 입자의 연속 압출(continuous extrusion)은 표면 거칠기(400PA)를 증가시켰으며, 추가의 온도/가열 시간이 증가하여 추가의 입자 팽창 및 결함 충전(500PA) 또는 열화(600PA)를 일으켰으며, 이는 불명확 변형은 가열-유도된 결정입자 팽창(heating-induced grain expansion)이 막 구조(film structure)의 비 균일성(non-uniformity)에 기인하기 때문이다.Surface morphology variation induced by post annealing was caused by internal solid-state reactions and growth of surface grains mentioned above. In the initial adjustment stage (RT to 300 ° C), the main effect of annealing corresponds to the expansion of the individual particles and the crevice shrinkage inside the film. The expansion repairs serious defects and increases the amount of clear surface grains and meso-cracks, i.e. better better flatness and higher H / L values ( higher H / L values). However, after the repair, further increase in the annealing temperature shifted the main process from grain expansion to mutual extrusion. The continuous extrusion of the internal particles by the non-uniform film structure increased the surface roughness (400 PA), and the additional temperature / heating time increased, resulting in additional particle expansion and defect filling ( 500PA) or deterioration (600PA), since the unclear deformation is due to the heat-induced grain expansion due to the non-uniformity of the film structure. .

3.4. 습도 감지 특성3.4. Humidity Sensing Characteristics

도 5는 습도 측정 : (a) RH 변화에 따른 캐패시턴스 변화 (b) 60% RH 보다 낮은 RH 범위에서의(20-60% RH) 감도 (L-sensitivity) 및 높은 RH 범위에서의(60-90% RH) H-감도(H-sensitivity)와 전 범위(20-90% RH)에서의 감도, 그리고 L-sensitivity와 H-sensitivity의 밸런스(L/H-balance)를 나타내는 도면이다.5 shows humidity measurement: (a) change in capacitance with RH change (b) L-sensitivity in RH range lower than 60% RH (20-60% RH) and in high RH range (60-90). % RH) A diagram showing H-sensitivity, sensitivity in the full range (20-90% RH), and the balance between L-sensitivity and H-sensitivity (L / H-balance).

도 5a는 RH = 20-90% RH의 범위에서 상대습도(RH)에 따라 선형적으로 증가하는 습도 센서의 커패시턴스의 변화를 보여 주며, 해당 감도 통계는 도 5b에 요약되어 있다. 20% RH에서 모든 센서는 ~ 30 pF의 커패시턴스가 측정됐으며, 60% RH 보다 높은 RH에서 관찰된 독특한 전이 패턴으로 커패시턴스가 증가했다. 200 ℃ 이하에서 어닐링 된 습도 센서는 높은 RH (60-90% RH)에서 커패시턴스가 증가하며, 반면에 낮은 RH 수준(20-60% RH)에서는 습도 변화를 감지하지 못했고, 높은 어닐링 온도에 대해 커패시턴스 변화가 더 크게 나타났다. 높은 RH 영역에서 센서 감도가 전반적인 감도(20-90% RH)를 지배하고 불량한 L/H 밸런스가 나타났다. 특히 300PA 센서는 저 RH 검출 능력(L-감도 = 1.40)과 향상된 H-감도(21.13)를 모두 나타내고 더 나은 감도 밸런스(L/H 밸런스 = 0.07)를 감지했다. FIG. 5A shows the change in capacitance of the humidity sensor that increases linearly with relative humidity (RH) in the range of RH = 20-90% RH, the sensitivity statistics of which are summarized in FIG. 5B. At 20% RH, all sensors measured capacitances of ~ 30 pF, and the capacitance increased with a unique transition pattern observed at RH above 60% RH. Humidity sensors annealed below 200 ° C increase capacitance at high RH (60-90% RH), whereas they do not detect humidity changes at low RH levels (20-60% RH), and capacitance for high annealing temperatures. The change was greater. In the high RH region the sensor sensitivity dominates the overall sensitivity (20-90% RH) and a poor L / H balance was seen. In particular, the 300PA sensor exhibited both low RH detection capability (L-sensitivity = 1.40) and improved H-sensitivity (21.13) and detected a better sensitivity balance (L / H balance = 0.07).

400PA 칩의 커패시턴스는 300PA와는 달리 pico-로부터 nano-farads까지 다양했다. 또한, 이전 센서는 최적화 된 L- 감도가 5.94 인 것으로 나타났으나 개선된 H-감도는 391.7만큼 중요하지 않았다. 최고의 결과는 500PA 칩에서 관찰되었으며, 감도(sensitivity)는 461.02이고 밸런스(balance)는 0.55이다. 600PA 칩은 감도가 106.77로 400PA (171.04)보다 낮았다. 그러나, 600PA 센서는 400PA 칩(5.94 및 0.02)의 각 파라미터에 비해 우수한 L- 감도(14.59) 및 밸런스(0.06)을 달성했다.The capacitance of the 400PA chip varied from pico- to nano-farads, unlike the 300PA. In addition, the previous sensor showed an optimized L-sensitivity of 5.94, but the improved H-sensitivity was not as important as 391.7. The best results were observed on a 500PA chip with a sensitivity of 461.02 and a balance of 0.55. The 600PA chip had a sensitivity of 106.77, which is lower than 400PA (171.04). However, the 600PA sensor achieved excellent L-sensitivity (14.59) and balance (0.06) compared to the respective parameters of the 400PA chips (5.94 and 0.02).

3.5 습도 감지 메카니즘3.5 Humidity Sensing Mechanism

도 6은 (a) AD 공정으로 제작된 습도 감지 막(AD-fabricated humidity sensing film)의 구조적 특성과, (b) 해당 습도 감지 메커니즘(humidity sensing mechanism)을 나타낸 도면이다. FIG. 6 is a diagram illustrating the structural characteristics of (a) an AD-fabricated humidity sensing film manufactured by the AD process, and (b) a corresponding humidity sensing mechanism.

도 6a는 증착된 BaTiO3 막의 이중층 구조를 도시하며, 최하층은 조밀하고 더 작은 결정입자(smaller grains) 및 축소된 다공성(minimized porosity)을 특징으로 하며, 반면에 최상층은 거친 구조를 가지고 큰 결정 입자를 함유한다. 에어로졸 증착(AD) 공정에 의해 제조된 BaTiO3 막은 전자 및 양성자 전도(electronic and protonic conduction)를 나타내는 RH 변화를 감지할 수 있으며, 이 변화의 조합은 감지 층(sensing layer)의 유전 상수(dielectric constant)에 영향을 주므로 규칙적인 커패시턴스 변화(regular capacitance variation)를 유도한다. 도 6b에서 볼 수 있듯이, Ba2+와 Ti4+는 응축수(condensed water)의 OH-와 결합할 수 있지만 O2-는 H+와 결합하여 첫 번째 수중 층(first aquatic layer)을 형성할 수 있으며, 이는 함께 흡수되어 물의 화학 흡수에 해당한다. 결과적으로, 물리적인 물 흡수(physical water absorption)에 의해 두 번째 수중 층이 형성되었다. 상기 두 층 내의 양성자들(protons)은 이동성(mobile)이 아니며, 즉 전하 전이(charge transport)에 이용할 수 없었다. 그러나, Grotthuss 메커니즘에 따르면, 연속 수분 응축(continuous moisture condensation)은 수소 결합(hydrogen bonding)을 통해 물 분자들(water molecules) 간에 양성자 전달(proton transfer)을 방해하지 않는다. 따라서, 높은 RH에서 양성자 전도성이 일반적으로 발생하여 왜 측정된 커패시턴스 변화가 지수 패턴을 나타내는지를 설명한다. 반대로, 낮은 상대 습도 영역에서 전자를 내주는 효과(donate effect)에 의한 전자 전도가 지배적이다[9]. 따라서, BaTiO3 입자 표면의 수분 흡착(adsorption of moisture)은 전위 장벽(potential barrier) 및 활성 에너지(active energy)를 낮추어 축적된 전자들(accumulated electrons)을 방출하고 전도성(conductance)을 위해 사용 가능하게 했다. 전자들의 방출을 유도하기 위해 H2O 분자로 대체 될 표면 O2- 이온은 또한 기증 효과(donate effect)에 기여한다.FIG. 6A shows the bilayer structure of the deposited BaTiO 3 film, with the bottom layer characterized by dense and smaller grains and minimized porosity, while the top layer has a coarse structure and large crystal grains. It contains. BaTiO 3 films made by an aerosol deposition (AD) process can detect RH changes indicative of electronic and protonic conduction, a combination of which is the dielectric constant of the sensing layer. ) Induces regular capacitance variation. As can be seen in FIG. 6B, Ba 2+ and Ti 4+ can combine with OH − in condensed water, while O 2- can combine with H + to form a first aquatic layer. Which is absorbed together to correspond to the chemical absorption of water. As a result, a second underwater layer was formed by physical water absorption. Protons in the two layers are not mobile, i.e., not available for charge transport. However, according to the Grotthuss mechanism, continuous moisture condensation does not interfere with proton transfer between water molecules through hydrogen bonding. Thus, proton conductivity generally occurs at high RH, explaining why the measured capacitance change exhibits an exponential pattern. In contrast, the conduction of electrons by the donate effect in the region of low relative humidity is dominant [9]. Thus, the adsorption of moisture on the surface of BaTiO 3 particles lowers the potential barrier and active energy, releasing accumulated electrons and making them available for conductance. did. Surface O 2 -ions, which will be replaced with H 2 O molecules to induce the release of electrons, also contribute to the donate effect.

전자 참여(electron participation)를 촉진하는 것 외에도, 낮은 RH(low RH)에서 감지 성능을 향상시키는 다른 방법은 감지 막(sensing film)의 내부 구조를 보다 더 작은 기공(smaller pores)을 포함하는 모세관 상태(capillary state)로 조정한다. 본 연구의 경우, 고온 후열처리(high-temperature post-annealing)은 결정입자 성장(grain growth)을 촉진하며, 결정입자 간 균열 수축(intergranular crevice shrinkage)을 일으키고, 습도 감도(humidity sensitivity) 및 낮은 RH 감지(low RH sensing)를 향상시킨다. 500PA에서 관찰된 최고의 감도 및 검출 밸런스는 이상적인 모세관 다공성 구조(ideal capillary porous structure), 향상된 BaTiO3 유전 특성 및 높은 H/L을 가능하게 하는 우수한 표면 친수성(surface hydrophilicity) 때문인 것으로 나타났다. 그러나, 과도한 어닐링은 600PA의 경우 감도를 감소시켰는데, 이는 표면 형태의 악화와 기공 제한(pore restriction)에 의한 수분 흡수(moisture absorption)를 방해하기 때문이다.In addition to facilitating electron participation, other methods of improving sensing performance at low RH include capillary states that contain smaller pores of the inner structure of the sensing film. Adjust to the capillary state. For this study, high-temperature post-annealing promotes grain growth, causes intergranular crevice shrinkage, humidity sensitivity and low RH. Improves low RH sensing The highest sensitivity and detection balance observed at 500PA was shown to be due to the ideal capillary porous structure, improved BaTiO 3 dielectric properties and good surface hydrophilicity to enable high H / L. However, excessive annealing reduced the sensitivity in case of 600PA, because it hindered moisture absorption due to surface deterioration and pore restriction.

이전 연구에 따르면, 습도 센서의 감도(sensitivity)는 구성 재료 특성, 내부 미세 구조 및 표면 친수성(surface hydrophilicity)에 의해 결정된다. 여기서, 감도(sensitivity)는 열 처리(thermal treatment)를 통해 내부 미세 구조의 규칙적인 변화를 유도하지만 300℃를 초과하는 표면 형태 변화를 일으키는 열처리 온도(RT ~ 500℃)와 양의 상관 관계가 있었다. 습도 감지 능력의 향상은 표면 형태와 열처리에 의해 유도된 내부 구조 조정의 시너지 효과에 기인한다. 최고 성능의 500PA 센서는 정밀하지 않은 표면 변화 범위에 있고, 반복적인 산업 생산에 적합하지 않을 수 있다. 그러나, 원하는 표면 거칠기(surface roughness)(높은 H/L)는 상기 센서의 포스트-에칭(post-etching)에 의해 실현될 수 있다[19,33]According to previous studies, the sensitivity of a humidity sensor is determined by the constituent material properties, internal microstructure and surface hydrophilicity. Here, the sensitivity was positively correlated with the heat treatment temperature (RT to 500 ° C), which induces a regular change in the internal microstructure through thermal treatment but causes a change in surface morphology above 300 ° C. . The improvement in humidity sensing capability is due to the synergistic effect of surface morphology and internal restructuring induced by heat treatment. The highest performing 500PA sensor is in the inaccurate range of surface changes and may not be suitable for repetitive industrial production. However, the desired surface roughness (high H / L) can be realized by post-etching the sensor [19, 33].

3.6. 습도 감지(Humidity Sensing)의 모델링3.6. Modeling of Humidity Sensing

특정 단면 미세 구조에 비추어, 증가된 단면 밀도(cross-sectional density)는 수증기(water vapor)가 깊어지는 막 층(deeper-lying film layer)으로 침투하는 것을 방지할 것으로 기대된다. 이러한 조건에서 수분 응축(moisture condensation)은 주로 상부 층에서 일어나야 하며, 이는 막(film)의 상대 유전율(relative permittivity)이 깊이에 의존하고 RH와 함께 변화해야 함을 의미한다.In light of certain cross-sectional microstructures, increased cross-sectional density is expected to prevent water vapor from penetrating into the deeper-lying film layer. Under these conditions moisture condensation must occur mainly in the upper layer, which means that the relative permittivity of the film must depend on depth and change with RH.

수분 흡수(moisture absorption)/탈착(desorption)에 영향을 주는 것 외에도, 단면 전이 밀도(cross-sectional transitional density)는 균일한 구조에 대해 다른 습도 감도(humidity sensitivities)를 나타내야 한다. 전이 밀도 구조( transitional density structure)는 계층화 된 구조와 거의 동일한 것으로 볼 수 있다. 이것과 500PA 막의 TEM 이미지를 기반으로 서로 다른 적층 구조의 두 모델을 만들었다(도 7). 따라서, 상기 모델은 동일한 두께 및 공극 부피/분포(void volume/distribution)를 사용하였다.In addition to affecting moisture absorption / desorption, cross-sectional transitional density should exhibit different humidity sensitivities for uniform structures. The transitional density structure can be seen as almost the same as the layered structure. Based on this and the TEM image of the 500PA membrane, two models of different laminated structures were made (FIG. 7). Thus, the model used the same thickness and void volume / distribution.

그러나, 이중층 모델은 상이한 공극률(void fractional volumes, VFVs)을 갖는 층(layer)을 이루며, 하부 층(dense layer, 고밀도 층)은 상부 층(sparse layer, 저밀도 층)보다 더 작은 결정입자 접촉들을 갖는다.However, the bilayer model constitutes a layer with different void fractional volumes (VFVs), and the lower layer (density layer) has smaller grain contact than the upper layer (sparse layer). .

3.6.1. Case 1: 단일층 흡습성 막(Monolayer hygroscopic film) 3.6.1. Case 1: Monolayer hygroscopic film

전체 박막(film)의 VFV는 32.84%로 계산되었고, 아래에 나타낸 바와 같이 다른 RH에서 계산된 물의 분량 부피(fractional volumes content of water)가 포함되어 있다[34].The VFV of the entire film was calculated to be 32.84% and included the fractional volumes content of water calculated at other RHs as shown below [34].

Figure pat00018
(1)
Figure pat00018
(One)

여기서,

Figure pat00019
은 실온(이 경우 32.84%)에서 최대 분량 부피(maximum fractional volume), δ(t)는 흡착 계수(adsorption coefficient)의 온도 의존성, θ(t)는 물의 유전 상수 εH20의 온도 의존성을 나타내고, (2)와 같이 정의된다[35].here,
Figure pat00019
Is the maximum fractional volume at room temperature (32.84% in this case), δ (t) is the temperature dependence of the adsorption coefficient, θ (t) is the temperature dependence of the dielectric constant ε H20 of water, 2) [35].

Figure pat00020
(2)
Figure pat00020
(2)

여기서, T는 절대온도이다. 측정이 실온에서 실행된 후, 최대 분량 부피

Figure pat00021
과 물의 유전 상수 εH20는 (3)과 같이 계산될 수 있다. Where T is the absolute temperature. Maximum volume after measurement is run at room temperature
Figure pat00021
The dielectric constant ε H20 of and water can be calculated as (3).

Figure pat00022
(3)
Figure pat00022
(3)

BaTiO3-기반 흡습성 막(BaTiO3-based hygroscopic film)의 혼합 유전상수 εm는 (4)와 같이 표현될 수 있다[36].BaTiO 3 - mixing the dielectric constant ε m of the base absorbent membrane (BaTiO 3 -based hygroscopic film) may be expressed as: (4) [36].

Figure pat00023
(4)
Figure pat00023
(4)

여기서, εm는 BaTiO3-기반 흡습성 막(BaTiO3-based hygroscopic film)의 혼합 유전상수, εBTO는 AD 준비된 흡습성 막(film)의 유전 상수(dielectric constant), εH20는 물의 유전 상수,

Figure pat00024
은 최대 분량 부피이다. Here, ε m is BaTiO 3 - based absorbent layer (BaTiO 3 -based hygroscopic film) mixing the dielectric constant, ε BTO AD is the dielectric constant of the finished hygroscopic film (film) (dielectric constant), ε the dielectric constant of water is H20,
Figure pat00024
Is the maximum volume.

습도 측정 결과, 매우 낮은 RH에서 커패시턴스가 크게 변하지 않았음을 알 수 있었고, 20% RH(Cmeas = 28.8 pF)에서 Cmeas 측정된 값을 사용하여 건조한 상태의 커패시턴스를 계산했다. 도 7a에서 보인 바와 같이, 인터디지털 커패시터(IDC, interdigital capacitor)에서 생성된 박막 커패시턴스 Cfilm, 기판 커패시턴스(substrate capacitance) Csub 및 18.0 pF의 측정 라인 손실(measurement line loss) Closs을 갖는다.As a result of humidity measurement, it was found that the capacitance did not change significantly at very low RH, and dry capacitance was calculated using the C meas measured value at 20% RH (C meas = 28.8 pF). As shown in FIG. 7A, a thin film capacitance C film , a substrate capacitance C sub generated in an interdigital capacitor (IDC), and a measurement line loss C loss of 18.0 pF are obtained.

Cmeas = Csub + Cfilm + Closs (5)C meas = C sub + C film + C loss (5)

Csub은 감지 막(sensing film)이 없을 때 (즉, 상기 막이 무한히 두꺼운 공기층으로 대체될 때 얻어진 값에 대응하는) IDC에 의해 발생된 기판 커패시턴스(substrate capacitance)이다. 따라서, 이 파라미터는 유전 상수(dielectric constant)(εsub = 4.6), 유전 손실(dielectric loss) (0.006), 두께 (1 ㎛) 및 IDC 기하 구조와 같은 주변 증기(ambient vapor) 및 기판 파라미터(substrate parameters)의 유전 상수(dielectric constant)에 의해 결정된다. Advanced Design System 2016.01 (ADS; 그림 S1)을 사용한 시뮬레이션은 100 Hz 주파수에서 Csub = 2.85 pF를 제공하여 Cfilm을 7.95 pF로 계산되었다. 등가 회로에 기초하여, Csub, Cfilm 및 해당 유전 상수(dielectric constants) 사이의 관계는 (6)과 같이 표현된다. C sub is the substrate capacitance generated by IDC when there is no sensing film (ie, corresponding to the value obtained when the film is replaced by an infinitely thicker air layer). Therefore, this parameter is based on the dielectric constant (ε sub = 4.6), dielectric loss (0.006), thickness (1 μm) and ambient vapor and substrate parameters such as IDC geometry. determined by the dielectric constant of the parameters. Simulations using Advanced Design System 2016.01 (ADS; Figure S1) provided a C sub = 2.85 pF at 100 Hz frequency, yielding a C film of 7.95 pF. Based on the equivalent circuit, the relationship between C sub , C film and corresponding dielectric constants is expressed as (6).

Figure pat00025
(6)
Figure pat00025
(6)

500PA 막(500PA film)의 유전 상수 εBTO가 측정된 IDC가 12.83으로써 계산되도록 하고, 다른 RH에서 수분 함침된 BaTiO3(moisture-impregnated BaTiO3)의 흡습성 막의 혼합 유전 상수(mixed dielectric constant) εm은 (7)과 같이 표현된다. The dielectric constant ε BTO of the 500PA film is calculated to be calculated as 12.83, and the mixed dielectric constant ε m of the hygroscopic film of moisture-impregnated BaTiO 3 (MoTi) 3 impregnated at different RH. Is expressed as (7).

Figure pat00026
(7)
Figure pat00026
(7)

내부 및 외부 유닛 커패시턴스(interior and exterior unit capacitances) CRH는 (8)과 같이 계산된다[33]. Interior and exterior unit capacitances C RH are calculated as (8) [33].

Figure pat00027
(8)
Figure pat00027
(8)

여기서, L은 전극 핑거(electrode fingers)의 길이,

Figure pat00028
는 금속화 비율(metallization ratio) η과 높이-폭 비(height-to-width ratio) r에 의해 결정되는 내부 및 외부 IDC 유닛(internal and external IDC units)의 셀 상수(cell constant)이다. 차례로, 위의 변수들은 (9), (10)과 같이 표현된다. Where L is the length of the electrode fingers,
Figure pat00028
Is the cell constant of the internal and external IDC units, determined by the metallization ratio η and the height-to-width ratio r. In turn, the above variables are expressed as (9), (10).

Figure pat00029
(9)
Figure pat00029
(9)

Figure pat00030
(10)
Figure pat00030
10

여기서, η은 금속화 비율(metallization ratio), w는 폭(width), h 높이, g는 무게, r은 높이-폭 비(height-to-width ratio)이다. Where eta is metallization ratio, w is width, h height, g is weight, and r is height-to-width ratio.

상기 모델에 기초하여, 감도(sensitivity)는 2.2로 계산되었다.Based on the model, the sensitivity was calculated to be 2.2.

도 7은 (a) 단일층(monolayer) 및 (b) 이중층 흡습성 막(bilayer hygroscopic films)의 모델; (c) BaTiO3 함량에 따른 BaTiO3 흡습성 막의 Hashin-Shtrikman 경계들(Hashin-Shtrikman bounds)과 (d) Neumann과 Dirichlet 경계 조건을 사용하여 얻어진 FV2/FV1 비율에 따른 감도 의존성(dependence of sensitivity)을 보인 도면이다.7 is a model of (a) a monolayer and (b) a bilayer hygroscopic films; (c) The dependence of sensitivity according to the FV2 / FV1 ratio obtained using Hashin-Shtrikman bounds and (d) Neumann and Dirichlet boundary conditions of BaTiO 3 hygroscopic membrane according to BaTiO 3 content The figure shown.

3.6.2. Case 2: 이중층 흡습성 막(Bilayer hygroscopic film) 3.6.2. Case 2: Bilayer hygroscopic film

이 모델에서 흡습성 막(film)은 0.5 ㎛ 두께의 하부 층 및 상부 층(bottom and top layers)을 갖는 이중층 구조로 근사되었다. AD 제작된 막은 전이-밀도 단면 구조(transitional-density cross-section structure)를 특징으로 하기 때문에 각 하부 층과 상부 층의 상대 유전율(ε1, ε2)은 다를 것으로 예상되며, Hashin-Shtrikman 경계를 사용하여 BaTiO3의 분량을 기반으로 추정할 수 있다[38]. 연결된 결정입자 비율(grain fraction)(%) 및 상부 및 하부 한계(top and bottom limits)에 따라 위의 유전율은 식 11 및 12를 사용하여 계산되었고, 도 7c에 도시하였다.In this model, the hygroscopic film was approximated in a bilayer structure with bottom and top layers of 0.5 μm thickness. Since AD-made membranes are characterized by a transitional-density cross-section structure, the relative permittivity (ε1, ε2) of each of the lower and upper layers is expected to be different, using the Hashin-Shtrikman boundary. It can be estimated based on the amount of BaTiO 3 [38]. The above permittivity was calculated using Equations 11 and 12 according to the grain fraction (%) linked and the top and bottom limits, shown in FIG. 7C.

상부층 유전 상수 εTop는 식 11에 의해 계산되고, 하부 층 유전 상수 εBottom는 식(12)에 의해 계산된다. The top layer dielectric constant ε Top is calculated by equation (11), and the bottom layer dielectric constant ε Bottom is calculated by equation (12).

Figure pat00031
(11)
Figure pat00031
(11)

Figure pat00032
(12)
Figure pat00032
(12)

여기서, εTop는 상부층 유전 상수, εBottom는 하부 층 유전 상수, εBTO는 AD 준비된 흡습성 막(film)의 유전 상수(dielectric constant), εAIR는 공기중의 유전상수이다. VBTO는 AD 준비된 흡습성 막(film)의 부피분율, VAIR는 공기의 부피분율이다.Here, ε Top is the top layer dielectric constant, ε Bottom is the bottom layer dielectric constant, ε BTO is the dielectric constant of the hygroscopic film prepared AD, ε AIR is the dielectric constant in the air. V BTO is the volume fraction of the AD prepared hygroscopic film, and V AIR is the volume fraction of air.

그러므로, 90% 및 20% RH에서 수분 함침된 BaTiO3(water-impregnated BaTiO3)의 각 층의 상대 유전율(relative permittivities)은 식 7을 사용하여 계산될 수 있다. 하나의 층에서 다음 층으로 갈 때 관찰된 유전율 감소(permittivity reduction)는 병렬 유형 구성(parallel-type configuration) 및 Neumann 경계 조건(Neumann boundary conditions)에서 cascading 된 이러한 층들과 함께 전계 효과 장벽(electric field barrier)으로 동작하도록 그들의 인터페이스로 가정했다. Therefore, the relative permittivities of each layer of water-impregnated BaTiO 3 (water-impregnated BaTiO 3 ) water-impregnated at 90% and 20% RH can be calculated using Equation 7. Permittivity reduction observed when going from one layer to the next is the electric field barrier with these layers cascaded in parallel-type configuration and Neumann boundary conditions. Assumed to be their interface.

유전율(permittivity)이 증가하는 경우, 전계(electric filed)가 전극면으로부터 더 강하게 유도될 때, 층들은 직렬로 결합된 것으로 가정하고, Dirichlet 경계 조건이 층 인터페이스(layer interface)에서 적용된다[39,40]. 따라서, 20 % RH 및 90 % RH에서 이중층 흡습성 막(bilayer film)의 커패시턴스는 (13), (14)와 같이 계산될 수 있다. When the permittivity is increased, the layers are assumed to be coupled in series when the electric filed is induced more strongly from the electrode plane, and Dirichlet boundary conditions are applied at the layer interface [39, 40]. Thus, the capacitance of a bilayer film at 20% RH and 90% RH can be calculated as (13), (14).

Figure pat00033
(13)
Figure pat00033
(13)

Figure pat00034
(14)
Figure pat00034
(14)

여기서, 이중층 흡습성 막의 하부 층과 상부 층의 상대 유전율(ε1, ε2) 일때, εm은 BaTiO3(moisture-impregnated BaTiO3)의 흡습성 막의 혼합 유전 상수(mixed dielectric constant), Where ε m is the mixed dielectric constant of the hygroscopic film of moisture-impregnated BaTiO 3 (BaTiO 3 ), when the relative permittivity (ε1, ε2) of the lower and upper layers of the bilayer hygroscopic film is

CRH는 내부 및 외부 유닛 커패시턴스(interior and exterior unit capacitances), L은 전극 핑거(electrode fingers)의 길이,

Figure pat00035
는 금속화 비율(metallization ratio) η과 높이-폭 비(height-to-width ratio) r에 의해 결정되는 내부 및 외부 IDC 유닛(internal and external IDC units)의 셀 상수(cell constant)이다. η은 금속화 비율(metallization ratio),
Figure pat00036
은 높이-폭 비(height-to-width ratio)이다. C RH is the interior and exterior unit capacitances, L is the length of the electrode fingers,
Figure pat00035
Is the cell constant of the internal and external IDC units, determined by the metallization ratio η and the height-to-width ratio r. η is the metallization ratio,
Figure pat00036
Is the height-to-width ratio.

하부 계층의 VFV(void fractional volumes, 공극률)를 FV1로, 상부 계층의 VFV를 FV2로 표시하여, FV2/FV1 = 1-14 (도 7d)에 대한 감도의 변화(change of sensitivity)를 시뮬레이션하였다. 결과적으로, 감도(S)는 1-8.4의 범위에서 FV2/FV1이 증가함에 따라 증가하여 고정된 두께 및 전체 VFV에 기초하여 보다 큰 FV2/FV1 비율이 향상된 감도를 의미한다. 그러나, FV2/FV1이 8.4 이상으로 증가함에 따라, 시뮬레이션 된 감도(simulated sensitivity)는 감소했다. 혼합된 유전율 변화(mixed permittivity changes)를 통해 RH 변화(RH variation)를 잘 감지하도록 작은 FV1(small FV1)을 갖는 하부층(bottom layer)의 무능력에 기인했다. 단층 구조에 해당하는 FV2/FV1 = 1의 경우, 감도는 측정된 상대 유전율(relative permittivity)을 기준으로 이전에 계산된 감도 2.2에 가까운 0.80으로 계산되었다. 위의 결과는 Hashin-Shtrikman 경계 이론(Hashin-Shtrikman bounds theory)이 BaTiO3 박막의 상대 유전율(relative permittivity)을 평가하는데 적합하다는 것을 입증했다. VFV (void fractional volumes) of the lower layer was expressed as FV1 and VFV of the upper layer was expressed as FV2 to simulate a change of sensitivity for FV2 / FV1 = 1-14 (FIG. 7D). As a result, the sensitivity S increases with increasing FV2 / FV1 in the range of 1-8.4, meaning that the larger FV2 / FV1 ratio is improved based on the fixed thickness and the overall VFV. However, as FV2 / FV1 increased above 8.4, the simulated sensitivity decreased. It was due to the inability of the bottom layer with small FV1 to better detect RH variation through mixed permittivity changes. For FV2 / FV1 = 1, which corresponds to the monolayer structure, the sensitivity was calculated as 0.80, which is close to the previously calculated sensitivity of 2.2 based on the relative permittivity measured. The above results demonstrate that the Hashin-Shtrikman bounds theory is suitable for evaluating the relative permittivity of BaTiO 3 thin films.

게다가, Matlab R2015b를 이용한 2차원 이미지 처리로 500PA TEM 이미지를 FV2/FV1 비율이 2.84 인 6.17 및 58.40% (도 7b)로 하단 및 상단 레이어 VFV를 계산할 수 있었다. 측정된 461.02의 감도는 572.96의 시뮬레이션 값과 오히려 가깝다. 이는 개발된 모델이 실험 결과를 잘 재현할 수 있음을 보여준다.In addition, two-dimensional image processing with Matlab R2015b enabled the 500PA TEM image to calculate the bottom and top layer VFV at 6.17 and 58.40% (FIG. 7b) with an FV2 / FV1 ratio of 2.84. The measured sensitivity of 461.02 is rather close to the simulation value of 572.96. This shows that the developed model can reproduce the experimental results well.

상기 모델에 따르면, 고정 흡습 막 두께(fixed hygroscopic film thickness)가 1 ㎛이고 VFV 상수가 높을수록 단면 밀도 변화(cross-sectional density variation)의 진폭이 커지면, 균일한 구조의 막(film)이 특정 범위의 습도에 더 민감해진다. AD 공정에 의해 유도된 햄머링 효과(AD-induced hammering effects)에 의한 특정 전이 밀도 구조(transitional-density structure)는 상기 물리적 모델을 실현할 수 있으며, 이는 고감도 습도 감지 필름(high sensitivity humidity sensitive film)을 제조하는 우수한 방법으로 입증되었다. 위의 모델은 감도(sensitivity) 향상을 위한 전이 구조의 장점을 검증하고, 내부 밀도 분포 변화의 영향을 예측했지만 여전히 예측 정확도에 영향을 주는 몇 가지 제한 사항을 나타냈다. According to the model, the fixed hygroscopic film thickness is 1 μm and the higher the VFV constant, the larger the amplitude of the cross-sectional density variation is, the uniform film is in a specific range. More sensitive to humidity. The specific transition-density structure due to the AD-induced hammering effects induced by the AD process can realize the physical model, which results in a high sensitivity humidity sensitive film. Proven as an excellent method of manufacturing. The above model validates the advantages of transition structures for improving sensitivity and predicts the effect of changes in internal density distribution, but still presents some limitations that affect prediction accuracy.

첫째, 선택된 TEM 이미지(TEM image)가 대표적이었지만 여전히 전체 막(film)의 기공 분포(pore distribution)를 정확하게 반영할 수 없었다. First, the selected TEM image was representative but still could not accurately reflect the pore distribution of the entire film.

둘째, 밀도-전이 형 막(density-transitional type film)은 모델링 정확도에 영향을 미칠 수 있는 이중층 구조에 의해 모델링되었다. Second, the density-transitional type film was modeled by a bilayer structure that could affect modeling accuracy.

셋째, 습도 감지 중에 수증기의 모세관 응축(capillary condensation)은 메조 포러스 크기(mesoporous size)에서만 일어난다[41]. 극도로 크거나 작은 FV 비율은 습도에 대한 열악한 감도를 초래한다. 이 확률은 현재 모델에서 고려되지 않았다. 이러한 한계를 고려할 때, 개발된 모델에 의해 제공된 예측은 신중하게 다루어져야 한다.Third, capillary condensation of water vapor during humidity sensing occurs only at mesoporous size [41]. Extremely large or small FV ratios result in poor sensitivity to humidity. This probability is not considered in the current model. Given these limitations, the predictions provided by the developed model must be handled with care.

Figure pat00037
Figure pat00037

본 발명의 에어로졸 증착에 의한 초 민감도 습도 감지 필름 제조 방법은 (a) 유리 기판 상에 형성된 Pt 인터디지털 커패시터(Pt interdigital capacitor)로 된 다수의 Pt 전극(Pt Elecctrode)을 형성하는 단계; (b) 실온 에어로졸 증착(AD)을 사용하여 상기 Pt 인터디지털 캐패시터로 된 다수의 Pt 전극이 형성되어 있는 상기 유리 기판에 BaTiO3 막을 증착하는 단계; 및 (c) 그 위에 하부 층(dense layer, 고밀도 층)과, 상기 하부 층 위에 형성된 상부 층(sparse layer, 저밀도 층)으로 구성된 상이한 공극률(void fractional volumes, VFVs)을 갖는 이중층 흡습성 막(Bilayer hygroscopic film)이 형성된 습도 센서를 구비하는 단계를 포함하며,The method of manufacturing a super sensitive humidity sensing film by aerosol deposition of the present invention comprises the steps of: (a) forming a plurality of Pt electrodes (Pt Elecctrode) of Pt interdigital capacitors formed on a glass substrate; (b) depositing a BaTiO 3 film on the glass substrate on which a plurality of Pt electrodes of the Pt interdigital capacitor are formed using room temperature aerosol deposition (AD); And (c) Bilayer hygroscopic with different void fractional volumes (VFVs) composed of a dense layer (density layer) thereon and a top layer (low density layer) formed on the bottom layer. and a humidity sensor having a film) formed thereon,

상기 단계 (b)에서, BaTiO3 에어로졸 증착(AD)시에 BaTiO3 에어로졸을 가속시켜 챔버 내에서 더 높은 가스 유속 및 입자 충돌 속도(particle impact velocity)를 달성하도록 헬륨(He)을 캐리어 가스로 사용하고, In step (b), helium (He) is used as a carrier gas to accelerate BaTiO 3 aerosol during BaTiO 3 aerosol deposition (AD) to achieve higher gas flow rate and particle impact velocity in the chamber. and,

상기 습도 센서는 내부 모세관 다공성 구조(internal capillary porous structure)를 가지며, 커패시턴스의 변화량에 의해 습도를 측정하며, The humidity sensor has an internal capillary porous structure, the humidity is measured by the amount of change in capacitance,

상기 커패시턴스는 Pt 인터디지털 커패시터(IDC, interdigital capacitor)에서 생성된 박막 커패시턴스 Cfilm, 기판 커패시턴스(substrate capacitance) Csub 및 측정 라인 손실(measurement line loss) Closs 를 포함하며, Cmeas = Csub + Cfilm + Closs에 의해 계산되고, The capacitance includes a thin film capacitance C film generated from a Pt interdigital capacitor (IDC), a substrate capacitance C sub, and a measurement line loss C loss , where C meas = C sub + Calculated by C film + C loss ,

습도 센서의 성능을 나타내는 감도(S, Sensitivity)는

Figure pat00038
에 의해 계산되며, △C는 커패시턴스의 변화량, △RH는 상대 습도의 변화량 이며,The sensitivity (S, Sensitivity) that indicates the performance of the humidity sensor
Figure pat00038
ΔC is the amount of change in capacitance, ΔRH is the amount of change in relative humidity,

상기 이중층 흡습성 막은 0.5 ㎛ 두께의 하부 층 및 상부 층(bottom and top layers)을 갖는 이중층 구조를 가지며, 에어로졸 증착(AD)에 의해 형성된 막(film)은 전이-밀도 단면 구조(transitional-density cross-section structure)를 특징으로 하기 때문에 각 하부 층과 상부 층의 상대 유전율(ε1, ε2)은 다르며, Hashin-Shtrikman 경계를 사용하여 BaTiO3의 함량을 기반으로 추정할 수 있으며, 연결된 결정입자(grain fraction) 비율 % 및 상부 및 하부 한계(top and bottom limits)에 따라 위의 유전율은, 즉 상부층 유전 상수 εTop는 식 11에 의해 계산되고, 하부 층 유전 상수 εBottom는 식(12)에 의해 계산되며, The bilayer hygroscopic film has a double layer structure having a bottom layer and top layers of 0.5 μm thickness, and the film formed by aerosol deposition (AD) has a transitional-density cross- structure. section structure), the relative permittivity (ε1, ε2) of each lower layer and the upper layer is different, and can be estimated based on the content of BaTiO 3 using the Hashin-Shtrikman boundary, and connected grain fraction ), According to the percentage% and the top and bottom limits, the upper permittivity, i.e., the upper layer dielectric constant ε Top is calculated by Equation 11, and the lower layer dielectric constant ε Bottom is calculated by Equation (12): ,

Figure pat00039
(11)
Figure pat00039
(11)

Figure pat00040
(12)
Figure pat00040
(12)

여기서, εTop는 상부층 유전 상수, εBottom는 하부 층 유전 상수, εBTO는 AD 준비된 흡습성 막(film)의 유전 상수(dielectric constant), εAIR는 공기중의 유전상수, VBTO는 AD 준비된 흡습성 막(film)의 부피분율, VAIR는 공기의 부피분율이며, Where ε Top is the top layer dielectric constant, ε Bottom is the bottom layer dielectric constant, ε BTO is the dielectric constant of the AD prepared hygroscopic film, ε AIR is the dielectric constant in the air, and V BTO is AD hygroscopic The volume fraction of the film, V AIR is the volume fraction of air,

습도 센서의 센서 응답(커패시턴스 변화)은 20-90% RH 범위에서 습도 챔버에서 측정되었으며, 2시간 동안 500℃에서 고온 후열처리 된 어닐링 된 칩에 대해 최고 감도(the best sensitivity, 461.02)를 가지며, 20-90% RH 범위에서 낮은 RH 및 높은 RH에서 균형 잡힌 성능(balanced performance)을 갖는 것을 특징으로 한다. The sensor response (capacitance change) of the humidity sensor was measured in a humidity chamber in the range of 20-90% RH, and has the best sensitivity (461.02) for annealed chips subjected to high temperature post-heat treatment at 500 ° C for 2 hours, Characterized by balanced performance at low and high RH in the 20-90% RH range.

상기 단계 (b)에서, 상기 에어로졸 증착은 BaTiO3 에어로졸 증착(AD)공정을 사용한다. In step (b), the aerosol deposition uses a BaTiO 3 aerosol deposition (AD) process.

상기 단계(c)에서, 상기 이중층 흡습성 막은 0.5-㎛ 두께의 하부 층 및 상부 층(bottom and top layers)을 갖는 이중층 구조를 갖는다. In step (c), the bilayer hygroscopic film has a bilayer structure having a bottom layer and a top layer of 0.5-μm thickness.

*상기 단계(c)에서, 상기 이중층 흡습성 막은 상이한 공극률(void fractional volumes, VFVs)을 갖는 층(layer)을 갖는 상기 하부 층(dense layer, 고밀도 층)과 상기 상부 층(sparse layer, 저밀도 층)으로 구성되며, 상기 하부 층(dense layer, 고밀도 층)은 상기 상부 층(sparse layer, 저밀도 층)보다 더 작은 입자 접촉을 갖는다. In step (c), the bilayer hygroscopic film comprises the dense layer and the lower layer having a layer having different void fractional volumes (VFVs). The dense layer has a smaller particle contact than the sparse layer.

상기 단계 (b)에서, BaTiO3 에어로졸 증착(AD)공정 시 BaTiO3 에어로졸(BaTiO3 aerosol)을 가속시켜 챔버 내에서 더 높은 가스 유속 및 입자 충돌 속도(particle impact velocity)를 달성하도록 헬륨을 사용한다. Uses the helium to attain in the above step (b), BaTiO 3 aerosol deposition (AD) process when BaTiO 3 aerosol (BaTiO 3 aerosol) accelerated by a higher gas flow rate and particle impact velocity (particle impact velocity) in the chamber to .

상기 챔버의 챔버 가스 유량(chamber gas flow rate)은 1-7 Torr의 내부 압력을 유지하기 위해 7-8 L/min의 유량이 사용되고, BaTiO3 입자는 1 ㎛의 최종 증착 두께(final deposition thickness)을 달성하기 위해 선택된 다른 공정 파라미터들(노즐 오리피스(nozzle orifice)의 크기, 노즐 대 기판 거리 및 작동 시간, 표 S1)를 사용하여 1-2 m/min의 스캐닝 속도로 유리 기판 상에 증착된다. The chamber gas flow rate of the chamber is 7-8 L / min flow rate to maintain the internal pressure of 1-7 Torr, BaTiO 3 particles have a final deposition thickness of 1 ㎛ It is deposited on a glass substrate at a scanning speed of 1-2 m / min using other process parameters selected (size of nozzle orifice, nozzle to substrate distance and operating time, table S1) to achieve

상기 습도 센서는 습도 센싱 성능을 100℃, 200℃,.. 600℃의 온도에서 후열처리(post-annealing)에 하며, 상기 포스트 어닐링은 결정 구조 왜곡을 완화하고, 결정화를 촉진하며, 원하는 모세관 미세 구조(capillary microstructure)를 생성하며, 100℃, 200℃, 600℃ (100PA, 200PA, ..., 600PA samples)의 5 ℃/min의 속도로 증가 및 감소되는 전기로(electric furnace)와 함께 증착된 흡습성 막을 대기 중에서 2 시간 동안 고온 후열처리한다. The humidity sensor performs post-annealing at a temperature of 100 ° C., 200 ° C., and 600 ° C., and the post annealing mitigates crystal structure distortion, promotes crystallization, and desired capillary fines. Creates a capillary microstructure and deposits with an electric furnace that increases and decreases at 5 ° C / min at 100 ° C, 200 ° C, and 600 ° C (100PA, 200PA, ..., 600PA samples) The hygroscopic membrane is subjected to a high temperature post-heat treatment for 2 hours in the atmosphere.

상기 커패시턴스는 인터디지털 커패시터(IDC, interdigital capacitor)에서 생성된 박막 커패시턴스 Cfilm, 기판 커패시턴스(substrate capacitance) Csub 및 측정 라인 손실(measurement line loss) Closs 를 포함하며, Cmeas = Csub + Cfilm + Closs에 의해 계산된다. The capacitance includes a thin film capacitance C film generated from an interdigital capacitor (IDC), a substrate capacitance C sub, and a measurement line loss C loss , where C meas = C sub + C Calculated by film + C loss .

상기 습도 센서의 커패시턴스 변동을 측정하기 위해 인덕턴스-커패시턴스-저항(LCR) 미터를 사용했으며, 주파수는 100 Hz로 설정되었으며, 인가된 전압과 온도는 각각 1 V와 23℃로 고정되었으며, 습도 센서는 20-90% RH의 습도 챔버에서 테스트되었으며, 습도 센서 성능을 나타내는 대표적인 파라미터 인 감도(Sensitivity)는

Figure pat00041
에 의해 계산되며, S는 감도(Sensitivity), △C는 커패시턴스의 변화량, △RH는 상대 습도의 변화량 이다. An inductance-capacitance-resistance (LCR) meter was used to measure the capacitance variation of the humidity sensor, the frequency was set to 100 Hz, and the applied voltage and temperature were fixed at 1 V and 23 ° C., respectively. Tested in a humidity chamber of 20-90% RH, Sensitivity, a representative parameter for humidity sensor performance,
Figure pat00041
Where S is the sensitivity, ΔC is the change in capacitance, and ΔRH is the change in relative humidity.

상기 습도 센서의 커패시턴스 변화는 20-90% RH 범위에서 습도 챔버에서 측정되었으며, 500℃에서 어닐링 된 칩에 대해 최고 감도(the best sensitivity, 461.02)와, 20-90% RH 범위에서 낮은 RH 및 높은 RH에서 밸런스(balance= 0.55)를 가진 성능(balanced performance)이 관찰되었다. The capacitance change of the humidity sensor was measured in a humidity chamber in the 20-90% RH range, the best sensitivity (461.02) for the chip annealed at 500 ° C, low RH and high in the 20-90% RH range. Balanced performance was observed at RH.

본 연구의 경우, 고온 후열처리(high-temperature post-annealing)은 결정입자 성장(grain growth)을 촉진하며, 결정입자 간 균열 수축(intergranular crevice shrinkage)을 일으키고, 습도 감도(humidity sensitivity) 및 낮은 RH 감지(low RH sensing)를 향상시킨다. 500PA에서 관찰된 최고의 감도 및 검출 밸런스는 이상적인 모세관 다공성 구조(ideal capillary porous structure), 향상된 BaTiO3 유전 특성 및 높은 H/L을 가능하게 하는 우수한 표면 친수성(surface hydrophilicity) 때문인 것으로 나타났다. 그러나, 과도한 어닐링은 600PA의 경우 감도를 감소시켰는데, 이는 표면 형태의 악화와 기공 제한(pore restriction)에 의한 수분 흡수(moisture absorption)를 방해하기 때문이다.For this study, high-temperature post-annealing promotes grain growth, causes intergranular crevice shrinkage, humidity sensitivity and low RH. Improves low RH sensing The highest sensitivity and detection balance observed at 500PA was shown to be due to the ideal capillary porous structure, improved BaTiO 3 dielectric properties and good surface hydrophilicity to enable high H / L. However, excessive annealing reduced the sensitivity in case of 600PA, because it hindered moisture absorption due to surface deterioration and pore restriction.

4. 결론 4. Conclusion

본 연구는 에어로졸 증착(AD) 공정에 의한 새로운 초 민감도 습도 감지 필름(humidity-sensing films) 제작에 대한 첫 걸음을 보여 주었으며, 다른 BaTiO3 기반 센서와 비교하여 우수한 감도(sensitivity) 및 L/H balance를 나타내는 습도 센서를 준비할 수 있었다. He 등의 연구자에 의해 고전압에서 나노 섬유 필름(nanofibrous film)을 제조하고, 이를 800℃에서 2 시간 건조 및 2 시간 동안 가열하였다(표 1). 특히 500℃ 이상의 온도에서 2 단계 어닐링을 필요로 하는 다른 연구들도 있다. 본 실험의 경우, 후열처리(post-annealing)은 결정입자 성장(grain growth) 및 필름 재결정화(film recrystallization)를 향상시켜, 내부 및 표면 미세 구조를 변화시킨다. 특정 조건 하에서, 어닐링 된 막(film)은 습기 감지 성능에 영향을 미치는 중요한 요소 인 원하는 내부 모세관 다공성 구조(internal capillary porous structure) 및 높은 H/L 표면 형태(high-H/L surface morphology)를 갖는 것을 특징으로 한다. 상기 비교는 AD 제조된 흡습성 필름이 실온 작동, 고효율 필름 성장, 조작 단순성 및 사용된 원료의 긴 저장 수명의 추가 장점을 갖는 AD 방법 자체로 우수한 성능을 달성할 수 있음을 입증하였으며, 이는 대량 생산에 적합하다. 게다가, 어닐링되지 않은 AD 준비 필름(non-annealed AD-prepared film)은 낮은 RH(low RH)에서 습도를 감지하지 못했지만, 여전히 높은 RH 검출(high RH detection)에서 작동하는 플렉시블 재료(flexible materials) 또는 3D 전자 통합 시스템(3D electronic integrated systems)과 같은 열적으로 불안정한 특정 기판에 세라믹 습도 감지 필름(ceramic humidity-sensing films)을 제작할 수 있었다.This study demonstrates the first step in the fabrication of new ultra-sensitivity humidity-sensing films by the aerosol deposition (AD) process, and provides superior sensitivity and L / H balance compared to other BaTiO 3 based sensors. Humidity sensor indicating could be prepared. A nanofiber film was prepared at high voltage by a researcher of He et al., Which was dried at 800 ° C. for 2 hours and heated for 2 hours (Table 1). Other studies require two-stage annealing, especially at temperatures above 500 ° C. For this experiment, post-annealing improves grain growth and film recrystallization, altering internal and surface microstructures. Under certain conditions, the annealed film has the desired internal capillary porous structure and high-H / L surface morphology, which are important factors affecting moisture sensing performance. It is characterized by. The comparison demonstrated that the hygroscopic films made of AD can achieve good performance with the AD method itself, which has the added advantage of room temperature operation, high efficiency film growth, simplicity of operation and long shelf life of the raw materials used. Suitable. In addition, non-annealed AD-prepared films did not detect humidity at low RH, but still have flexible materials that operate at high RH detection or Ceramic humidity-sensing films could be fabricated on certain thermally unstable substrates such as 3D electronic integrated systems.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자가 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, the present invention has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, but the present invention is within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the appended claims by those skilled in the art. It will be understood that various modifications or variations may be made.

AD: 에어로졸 증착(Aerosol Deposition)
RH: 상대 습도(relative humidities)
S: 감도(Sensitivity)
△C: 커패시턴스의 변화량
△RH: 상대 습도의 변화량
AD: Aerosol Deposition
RH: relative humidity
S: Sensitivity
ΔC: amount of change in capacitance
ΔRH: amount of change in relative humidity

Claims (8)

(a) 유리 기판 상에 형성된 Pt 인터디지털 커패시터(Pt interdigital capacitor)로 된 다수의 Pt 전극(Pt Elecctrode)을 형성하는 단계;
(b) 실온 에어로졸 증착(AD) 공정을 사용하여 상기 Pt 인터디지털 캐패시터로 된 다수의 Pt 전극이 형성되어 있는 상기 유리 기판에 BaTiO3 막을 증착하는 단계; 및
(c) 그 위에 하부 층(dense layer, 고밀도 층)과, 상기 하부 층 위에 형성된 밀집된 상부 층(sparse layer, 저밀도 층)으로 구성된 상이한 공극률(void fractional volumes, VFVs)을 갖는 이중층 흡습성 막이 형성된 습도 센서를 구비하는 단계를 포함하며,
상기 단계 (b)에서, BaTiO3 에어로졸 증착(AD)시에 BaTiO3 에어로졸을 가속시켜 챔버 내에서 더 높은 가스 유속 및 입자 충돌 속도를 달성하도록 헬륨(He)을 캐리어 가스로 사용하고,
상기 습도 센서는 내부 모세관 다공성 구조(internal capillary porous structure)를 이루며, 커패시턴스의 변화량에 의해 습도를 측정하며,
상기 커패시턴스는 상기 Pt 인터디지털 커패시터에서 생성된 박막 커패시턴스 Cfilm, 기판 커패시턴스 Csub 및 측정 라인 손실 Closs 를 포함하며, Cmeas = Csub + Cfilm + Closs에 의해 계산되고, 습도 센서의 성능을 나타내는 감도(S, Sensitivity)는
Figure pat00042
에 의해 계산되며, △C는 커패시턴스의 변화량, △RH는 상대 습도의 변화량 이며,
유전율(permittivity)이 증가하는 경우, 전계(electric filed)가 전극면으로부터 더 강하게 유도될 때, 층들은 직렬로 결합된 것으로 가정하고, Dirichlet 경계 조건이 층 인터페이스(layer interface)에서 적용되며, 20% 및 90% RH에서 상기 이중층 흡습성 막의 커패시턴스는 (13), (14)와 같이 계산될 수 있으며,
Figure pat00043
(13)
Figure pat00044
(14)
여기서, 이중층 흡습성 막의 하부 층과 상부 층의 상대 유전율(ε1, ε2) 일때, εm은 BaTiO3(moisture-impregnated BaTiO3)의 흡습성 막의 혼합 유전 상수(mixed dielectric constant),
CRH는 내부 및 외부 유닛 커패시턴스(interior and exterior unit capacitances), L은 전극 핑거(electrode fingers)의 길이,
Figure pat00045
는 금속화 비율(metallization ratio) η와 높이-폭 비(height-to-width ratio) r에 의해 결정되는 내부 및 외부 IDC 유닛(internal and external IDC units)의 셀 상수(cell constant)이며, η은 금속화 비율(metallization ratio),
Figure pat00046
은 높이-폭 비(height-to-width ratio) 이며,
상기 이중층 흡습성 막은 0.5 ㎛ 두께의 하부 층 및 상부 층(bottom and top layers)을 갖는 이중층 구조를 가지며, 에어로졸 증착(AD)에 의해 형성된 막(film)은 전이-밀도 단면 구조(transitional-density cross-section structure)를 특징으로 하기 때문에 각 하부 층과 상부 층의 상대 유전율(ε1, ε2)은 다르며, Hashin-Shtrikman 경계를 사용하여 BaTiO3의 함량을 기반으로 추정할 수 있으며, 연결된 결정입자(grain fraction) 비율 % 및 상부 및 하부 한계(top and bottom limits)에 따라 위의 유전율은, 즉 상부층 유전 상수 εTop는 식 11에 의해 계산되고, 하부 층 유전 상수 εBottom는 식(12)에 의해 계산되며,
Figure pat00047
(11)
Figure pat00048
(12)
여기서, εTop는 상부층 유전 상수, εBottom는 하부 층 유전 상수, εBTO는 AD 준비된 흡습성 막(film)의 유전 상수(dielectric constant), εAIR는 공기중의 유전상수, VBTO는 AD 준비된 흡습성 막(film)의 부피분율, VAIR는 공기의 부피분율이며,
상기 습도 센서의 커패시턴스 변화는 20-90% RH 범위에서 습도 챔버에서 측정되었으며, 500℃에서 후열처리 된 칩에 대해 최고 감도(the best sensitivity, 461.02)를 가지며, 20-90% RH 범위에서 밸런스(balance= 0.55)를 가진 성능(balanced performance)을 갖는 것을 특징으로 하는 에어로졸 증착 공정에 의한 초 민감도 습도 감지 필름 제조 방법.
(a) forming a plurality of Pt electrodes (Pt Elecctrode) of Pt interdigital capacitors formed on a glass substrate;
(b) depositing a BaTiO 3 film on the glass substrate on which a plurality of Pt electrodes of the Pt interdigital capacitor are formed using a room temperature aerosol deposition (AD) process; And
(c) Humidity sensor with a double layer hygroscopic film having different void fractional volumes (VFVs) composed of a dense layer (density layer) thereon and a dense sparse layer (low density layer) formed on the lower layer. Comprising the steps of:
In step (b), helium (He) is used as a carrier gas to accelerate BaTiO 3 aerosol during BaTiO 3 aerosol deposition (AD) to achieve higher gas flow rates and particle collision rates in the chamber,
The humidity sensor forms an internal capillary porous structure, and measures humidity by an amount of change in capacitance.
The capacitance includes a thin film capacitance C film , a substrate capacitance C sub and a measurement line loss C loss generated in the Pt interdigital capacitor, and is calculated by C meas = C sub + C film + C loss , and the performance of the humidity sensor. Sensitivity is
Figure pat00042
ΔC is the amount of change in capacitance, ΔRH is the amount of change in relative humidity,
When the permittivity increases, the layers are assumed to be coupled in series when the electric filed is induced more strongly from the electrode plane, and the Dirichlet boundary condition is applied at the layer interface, 20% And at 90% RH, the capacitance of the bilayer hygroscopic membrane can be calculated as (13), (14),
Figure pat00043
(13)
Figure pat00044
(14)
Where ε m is the mixed dielectric constant of the hygroscopic film of moisture-impregnated BaTiO 3 (BaTiO 3 ), when the relative permittivity (ε1, ε2) of the lower and upper layers of the bilayer hygroscopic film is
C RH is the interior and exterior unit capacitances, L is the length of the electrode fingers,
Figure pat00045
Is the cell constant of the internal and external IDC units, determined by the metallization ratio η and the height-to-width ratio r. Metallization ratio,
Figure pat00046
Is the height-to-width ratio,
The bilayer hygroscopic film has a double layer structure having a bottom layer and top layers of 0.5 μm thickness, and the film formed by aerosol deposition (AD) has a transitional-density cross- structure. section structure), the relative permittivity (ε1, ε2) of each lower layer and the upper layer is different, and can be estimated based on the content of BaTiO 3 using the Hashin-Shtrikman boundary, and connected grain fraction ), Depending on the percentage% and the top and bottom limits, the upper permittivity, i.e., the upper layer dielectric constant ε Top is calculated by Equation 11, and the lower layer dielectric constant ε Bottom is calculated by Equation (12): ,
Figure pat00047
(11)
Figure pat00048
(12)
Where ε Top is the top layer dielectric constant, ε Bottom is the bottom layer dielectric constant, ε BTO is the dielectric constant of the AD prepared hygroscopic film, ε AIR is the dielectric constant in the air, and V BTO is the hygroscopic AD prepared. The volume fraction of the film, V AIR is the volume fraction of air,
The capacitance change of the humidity sensor was measured in a humidity chamber in the 20-90% RH range, has the best sensitivity (461.02) for the post-heated chip at 500 ° C, and a balance in the 20-90% RH range. Method for producing a super-sensitive humidity sensing film by the aerosol deposition process characterized in that it has a balanced performance (balance = 0.55).
제1항에 있어서,
상기 단계 (b)에서, 상기 에어로졸 증착 공정은 BaTiO3 에어로졸 증착(AD)을 사용하는, 에어로졸 증착 공정에 의한 초 민감도 습도 감지 필름 제조 방법.
The method of claim 1,
In the step (b), the aerosol deposition process using BaTiO 3 aerosol deposition (AD), super sensitive humidity sensing film manufacturing method by an aerosol deposition process.
제1항에 있어서,
상기 단계(c)에서, 상기 이중층 흡습성 막은 0.5 ㎛ 두께의 하부 층 및 상부 층(bottom and top layers)을 갖는 이중층 구조를 갖는, 에어로졸 증착 공정에 의한 초 민감도 습도 감지 필름 제조 방법.
The method of claim 1,
In the step (c), the bilayer hygroscopic film has a double layer structure having a bottom layer and a top layer (0.5 μm thick), an ultra-sensitive humidity sensing film manufacturing method by an aerosol deposition process.
제1항에 있어서,
상기 단계(c)에서, 상기 하부 층(dense layer, 고밀도 층)은 상기 상부 층(sparse layer, 저밀도 층)보다 더 작은 입자 접촉을 갖는, 에어로졸 증착 공정에 의한 초 민감도 습도 감지 필름 제조 방법.
The method of claim 1,
In the step (c), the lower layer (dense layer) has a smaller particle contact than the sparse layer (low density layer), the method of manufacturing a super-sensitive humidity sensing film by an aerosol deposition process.
제1항에 있어서,
상기 챔버의 챔버 가스 유량(chamber gas flow rate)은 1-7 Torr의 내부 압력을 유지하기 의해 7-8 L/min의 유량이 사용되고, BaTiO3 입자는 1 ㎛의 최종 증착 두께(final deposition thickness)을 달성하기 위해 선택된 다른 공정 파라미터들(nozzle orifice의 크기, 노즐 대 기판 거리 및 작동 시간, 표 S1)를 사용하여 1-2 m/min의 스캐닝 속도로 상기 유리 기판 상에 증착되는, 에어로졸 증착 공정에 의한 초 민감도 습도 감지 필름 제조 방법.
The method of claim 1,
The chamber gas flow rate of the chamber is 7-8 L / min flow rate by maintaining an internal pressure of 1-7 Torr, and BaTiO 3 particles have a final deposition thickness of 1 μm. An aerosol deposition process deposited on the glass substrate at a scanning speed of 1-2 m / min using different process parameters selected (size of nozzle orifice, nozzle to substrate distance and operating time, table S1) to achieve Ultra-sensitivity humidity sensing film production method by.
제1항에 있어서,
상기 습도 센서는 습도 센싱 성능을 100℃, 200℃,.. 600℃의 온도에서 후열처리(post-annealing)를 하며, 상기 후열처리 공정은 결정 구조 왜곡을 완화하고, 결정화를 촉진하며, 원하는 모세관 미세 구조(capillary microstructure)를 생성하며, 100℃, 200℃, 600℃ (100PA, 200PA, ..., 600PA samples)의 5℃/min의 속도로 증가 및 감소되는 조건으로 전기로를 사용하여 대기 중에서 2 시간 동안 고온 후열처리하는, 에어로졸 증착 공정에 의한 초 민감도 습도 감지 필름 제조 방법.
The method of claim 1,
The humidity sensor post-annealing the humidity sensing performance at temperatures of 100 ° C., 200 ° C., and 600 ° C., the post heat treatment process mitigates crystal structure distortion, promotes crystallization, and desired capillary tube. Create a capillary microstructure, in the air using an electric furnace under conditions that increase and decrease at a rate of 5 ° C./min at 100 ° C., 200 ° C., and 600 ° C. (100PA, 200PA, ..., 600PA samples). A method for producing a super sensitive humidity sensing film by an aerosol deposition process, which is subjected to a high temperature post heat treatment for 2 hours.
제1항에 있어서,
상기 습도 센서의 커패시턴스 변동을 측정하기 위해 인덕턴스-커패시턴스-저항(LCR) 미터를 사용했으며, 주파수는 100 Hz로 설정되었으며, 인가된 전압과 온도는 각각 1 V와 23℃로 고정되었으며, 상기 습도 센서는 20-90% RH의 습도 챔버에서 테스트 된, 에어로졸 증착 공정에 의한 초 민감도 습도 감지 필름 제조 방법.
The method of claim 1,
An inductance-capacitance-resistance (LCR) meter was used to measure the capacitance variation of the humidity sensor, the frequency was set to 100 Hz, and the applied voltage and temperature were fixed at 1 V and 23 ° C., respectively. The super sensitive humidity sensing film manufacturing method by the aerosol deposition process, which has been tested in a humidity chamber of 20-90% RH.
제1항에 있어서,
90% 및 20% RH에서 수분 함침된 BaTiO3(water-impregnated BaTiO3)의 각 층의 상대 유전율(relative permittivities)은
Figure pat00049
- 식 7을 사용하여 계산될 수 있으며, 하나의 층에서 다음 층으로 갈 때 관찰된 유전율 감소(permittivity reduction)는 병렬-타입 구성(parallel-type configuration) 및 Neumann 경계 조건(Neumann boundary conditions)에서 cascading 된 이러한 층들과 함께 전계 효과 장벽(electric field barrier)으로 동작하도록 그들의 인터페이스로 가정하는, 에어로졸 증착 공정에 의한 초 민감도 습도 감지 필름 제조 방법.
The method of claim 1,
Water impregnated BaTiO 3 eseo 90% and 20% RH (water-impregnated BaTiO 3) Relative dielectric constant (relative permittivities) of the layers of the
Figure pat00049
Can be calculated using Equation 7, and the observed reduction in permittivity from one layer to the next is cascading in parallel-type configuration and Neumann boundary conditions. A method of manufacturing a super sensitive humidity sensing film by an aerosol deposition process, which assumes their interface to act as an electric field barrier with these layers.
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