KR20200012743A - Probe socket device for micro LED inspection and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

Various embodiments of the present invention relate to a probe socket device for micro LED inspection and to a manufacturing method thereof. One embodiment of the present invention provides the probe socket device for micro LED inspection, which comprises: a probe socket formed of an adhesive layer and conductive particles arranged anchored to the adhesive layer; and a probe substrate formed of a dielectric layer and an electrode pattern formed on the dielectric layer and electrically connected to the conductive particles. Disclosed is the probe socket device for micro LED inspection, in which the conductive particles of the probe socket are electrically connected to a pad of a micro LED formed on a wafer to perform a test process.

Description

마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법{Probe socket device for micro LED inspection and manufacturing method thereof}Probe socket device for micro LED inspection and manufacturing method

본 발명의 다양한 실시예는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.Various embodiments of the present invention relate to a probe socket device for inspecting a micro LED and a method of manufacturing the same.

반도체 소자는 제조된 이후에 제품의 신뢰성을 확인하기 위하여 프로브 소켓 디바이스를 통하여 각종 검사를 실시하게 된다. 예컨대, 반도체 소자의 모든 입출력 단자를 프로브 소켓 디바이스와 연결하여 정상적인 동작 및 단선 여부를 검사하는 전기적 특성 테스트와, 반도체 소자의 전원 입력 단자 등 몇몇 입출력 단자들을 프로브 소켓 디바이스와 연결하여 정상 동작 조건보다 높은 온도, 전압 및 전류 등으로 스트레스를 인가하여 반도체 소자의 수명 및 결함 발생 여부를 체크하는 번인 테스트(Burn-In Test) 등이 있다.After the semiconductor device is manufactured, various tests are performed through the probe socket device to confirm the reliability of the product. For example, an electrical property test that checks the normal operation and disconnection by connecting all the input / output terminals of the semiconductor device with the probe socket device, and connects several input / output terminals such as the power input terminal of the semiconductor device with the probe socket device to provide higher than normal operating conditions. There is a burn-in test that checks the lifespan and defects of semiconductor devices by applying stress with temperature, voltage, and current.

한편, 이러한 검사를 위한 프로브 소켓 디바이스는 전도성 미세 패터닝이 가능한 공정을 일반적으로 이용하여 제조하고 있으며 포토리소그라피 공정을 대표적인 예로 들수 있다.On the other hand, the probe socket device for such inspection is generally manufactured using a process capable of conducting fine patterning, and a photolithography process may be a representative example.

그러나 포토 리소그라피 공정 기술은 도포-노광-식각 등의 공정이 반복적으로 이루짐으로써, 매우 복잡하고 공정비용이 매우 높은 단점이 있다. 또한, 잉크젯, 그라비아, 디스펜서, EHD(Electrohydrodynamic) 젯팅 등의 인쇄 공정을 이용 할 수 있으나 잉크 및 페이스트 사용으로 공정이 비교적 까다로우며 공정 환경에 대한 제약 사항이 매우 많은 단점이 있다.However, the photolithography process technology has a disadvantage in that the process of coating, exposure, etching, etc. is repeatedly performed, which is very complicated and the process cost is very high. In addition, printing processes such as inkjet, gravure, dispenser, and EHD (Electrohydrodynamic) jetting may be used, but the process is relatively difficult by using ink and paste, and there are many disadvantages in the process environment.

이러한 발명의 배경이 되는 기술에 개시된 상술한 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해도를 향상시키기 위한 것뿐이며, 따라서 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수도 있다.The above-described information disclosed in the background technology of the present invention is only for improving the understanding of the background of the present invention, and thus may include information that does not constitute the prior art.

본 발명의 다양한 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다. 일례로, 본 발명의 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 새로운 도전성 미세 패터닝 공정 기술을 이용하여 제조 방법이 매우 간단하고 제조 원가를 절감할 수 있는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.The problem to be solved according to various embodiments of the present invention is to provide a probe socket device for micro LED inspection and a method of manufacturing the same. As an example, the problem to be solved according to an embodiment of the present invention is to provide a probe socket device for micro LED inspection and its manufacturing method which is very simple and can reduce the manufacturing cost by using a new conductive fine patterning process technology It is.

본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스는 접착층과, 접착층에 앵커링되어 배열된 도전성 입자로 이루어진 프로브 소켓; 접착층에 접착된 유전층과, 유전층에 형성되고 도전성 입자에 전기적으로 접속된 전극패턴으로 이루어진 프로브 기판을 포함할 수 있고, 상기 프로브 소켓의 도전성 입자가 웨이퍼에 형성된 마이크로 LED의 패드에 전기적으로 접속되어 테스트 공정을 수행할 수 있다.A probe socket device for inspecting a micro LED according to various embodiments of the present disclosure may include a probe socket comprising an adhesive layer and conductive particles anchored to the adhesive layer; And a probe substrate formed of a dielectric layer bonded to the adhesive layer and an electrode pattern formed on the dielectric layer and electrically connected to the conductive particles, wherein the conductive particles of the probe socket are electrically connected to the pad of the micro LED formed on the wafer and tested. The process can be carried out.

도전성 입자는 유전체 코어와, 유전체 코어를 둘러싸는 제1도전성 도금층과, 제1도전성 도금층을 둘러싸는 제2도전성 도금층을 포함할 수 있다.The conductive particles may include a dielectric core, a first conductive plating layer surrounding the dielectric core, and a second conductive plating layer surrounding the first conductive plating layer.

유전체 코어는 플라스틱 또는 세라믹 옥사이드를 포함할 수 있고, 제1도전성 도금층은 니켈 또는 구리 도금층을 포함할 수 있으며, 제2도전성 도금층은 골드 또는 실버 도금층을 포함할 수 있다.The dielectric core may include plastic or ceramic oxide, the first conductive plating layer may include a nickel or copper plating layer, and the second conductive plating layer may include a gold or silver plating layer.

유전체 코어의 평균 직경은 10nm 내지 50㎛일 수 있고, 제1도전성 도금층의 평균 두께는 1nm 내지 10㎛일 수 있으며, 제2도전성 도금층의 평균 두께는 1nm 내지 10㎛일 수 있다.The average diameter of the dielectric core may be 10 nm to 50 μm, the average thickness of the first conductive plating layer may be 1 nm to 10 μm, and the average thickness of the second conductive plating layer may be 1 nm to 10 μm.

도전성 입자는 골드 입자를 포함할 수 있다.The conductive particles may comprise gold particles.

접착층은 에폭시 수지를 포함할 수 있다.The adhesive layer may comprise an epoxy resin.

본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법은 절연 필름 상에 PDMS(polydimethylsiloane)를 코팅하고, PDMS 상에 세라믹 입자 단일층을 형성하며, 점착제 필름에 포토마스크를 이용하여, UV(Ultra Violet) 광을 조사하여 도전성 입자가 부착할 영역의 점착력을 높인 전사 필름을 제조하고, 세라믹 입자 단일층 상에 전사 필름을 부착한 후 탈착하여 PDMS 상에서 특정 영역의 세라믹 입자를 제거하며, 세라믹 입자가 제거된 영역에 도전성 입자를 부착하여 특정 영역에 도전성 입자 단일층을 형성한 몰드 제조 단계; 절연 필름 상에 포토마스크를 이용하여 도전성 입자 단일층의 패턴과 동일 간격으로 전극패턴을 형성한 프로브 기판 제조 단계; 및 프로브 기판 상에 접착층을 코팅하고, 접착층 상에 몰드를 부착하여 도전성 입자가 접착층을 관통하여 전극패턴에 전사되도록 한 후, 몰드를 제거하는 프로브 소켓 제조 단계를 포함할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, a method of manufacturing a probe socket device for micro LED inspection may include coating a polydimethylsiloane (PDMS) on an insulating film, forming a single layer of ceramic particles on the PDMS, and using a photomask on the pressure-sensitive adhesive film. , UV (Ultra Violet) light is irradiated to prepare a transfer film to increase the adhesive strength of the area to which the conductive particles are attached, attach the transfer film on a single layer of ceramic particles, and then desorption to remove the ceramic particles of a specific area on the PDMS A mold manufacturing step of attaching conductive particles to a region from which ceramic particles are removed to form a conductive particle single layer in a specific region; Probe substrate manufacturing step of forming an electrode pattern at the same interval as the pattern of a single layer of conductive particles using a photomask on the insulating film; And a probe socket manufacturing step of coating the adhesive layer on the probe substrate and attaching the mold on the adhesive layer to allow the conductive particles to pass through the adhesive layer to be transferred to the electrode pattern, and then remove the mold.

세라믹 입자는 SiO2를 포함할 수 있다.The ceramic particles may comprise SiO 2.

도전성 입자는 골드 입자를 포함할 수 있다.The conductive particles may comprise gold particles.

세라믹 입자의 직경보다 도전성 입자의 직경이 클 수 있다.The diameter of electroconductive particle may be larger than the diameter of ceramic particle.

접착층은 에폭시 수지를 포함할 수 있다.The adhesive layer may comprise an epoxy resin.

접착층의 두께는 도전성 입자의 직경보다 작을 수 있다.The thickness of the adhesive layer may be smaller than the diameter of the conductive particles.

프로브 기판 상에 몰드가 부착될 때 접착층이 액상이 되도록 50℃ 내지 150℃의 온도 분위기가 제공될 수 있다.A temperature atmosphere of 50 ° C. to 150 ° C. may be provided so that the adhesive layer becomes liquid when the mold is attached onto the probe substrate.

몰드 제거 후, 접착층이 경화되도록 0℃ 내지 250℃의 온도 분위기가 제공될 수 있다.After removing the mold, a temperature atmosphere of 0 ° C to 250 ° C may be provided to cure the adhesive layer.

본 발명의 다양한 실시예는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다. 일례로, 본 발명의 실시예는 새로운 도전성 미세 패터닝 공정 기술을 이용하여 제조 방법이 매우 간단하고 제조 원가를 절감할 수 있는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다.Various embodiments of the present invention provide a probe socket device for inspecting a micro LED and a method of manufacturing the same. As an example, embodiments of the present invention provide a micro-LED inspection probe socket device and a method of manufacturing the manufacturing method is very simple and can reduce the manufacturing cost by using a novel conductive fine patterning process technology.

특히, 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법은 도전성 입자 단일층으로 도전성 입자 소모를 상대적 절감할 수 있고, 도전성 입자 단일층에 의한 접촉 저항의 최소화를 통하여 안정적인 물성을 확보할 수 있으며, 수백 나노의 정밀도를 갖는 미세 패턴닝이 가능하여 전자 제품용 파인 피치(Fine pitch) 용도에 적합하며, 대면적화가 용이하여 디스플레이 응용 등에 적합하고, 도전성 입자의 패턴화가 용이하여 새로운 디자인에 대한 대응력이 우수하며, 도전성 입자의 코어 특성 조절에 따라 프로브 소켓 제품의 특성 변경이 용이(경질 <-> 연질)하다.In particular, the micro LED inspection probe socket device and its manufacturing method according to an embodiment of the present invention can reduce the consumption of conductive particles to a single layer of conductive particles, and stable physical properties through the minimization of contact resistance by the conductive particle single layer It is possible to secure the fine patterning with the precision of hundreds of nanometers, so it is suitable for the fine pitch application for electronic products, the large area is easy to be suitable for the display application, and the patterning of the conductive particles is easy. Excellent response to the new design, and easy to change the properties of the probe socket product (hard <-> soft) by adjusting the core properties of the conductive particles.

도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 소자 단위 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 개념을 도시한 개략도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 웨이퍼 단위 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 개념을 각각 도시한 개략도이다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스에 이용된 도전성 입자의 구조, 장기 내열성 테스트 결과 및 경질/연질 코어를 각각 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조를 위한 입자 배열 단일층 제조/전사 기술을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조를 위한 골드 패턴 몰드를 도시한 평면 사진이다.
도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조를 위한 골드 패턴 몰드의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조를 위한 프로브 기판을 도시한 평면 사진이다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 9는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스를 도시한 사진이다.1 is a schematic diagram illustrating a concept of a probe socket device for device-specific micro LED inspection according to various embodiments of the present disclosure.
2A and 2B are schematic diagrams each illustrating a concept of a probe socket device for inspecting a wafer-based micro LED according to various embodiments of the present disclosure.
3A, 3B, and 3C are views illustrating structures of conductive particles, long-term heat resistance test results, and hard / soft cores, respectively, used in a probe socket device for inspecting a micro LED according to various embodiments of the present disclosure.
4 illustrates a particle array monolayer fabrication / transfer technique for the fabrication of micro LED inspection probe socket devices in accordance with various embodiments of the present invention.
FIG. 5 is a planar photograph illustrating a gold pattern mold for manufacturing a micro LED inspection probe socket device according to various embodiments of the present disclosure; FIG.
6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a gold pattern mold for manufacturing a micro LED inspection probe socket device according to various embodiments of the present disclosure.
7 is a planar photograph illustrating a probe substrate for fabricating a probe socket device for inspecting a micro LED according to various embodiments of the present disclosure.
8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a micro LED inspection probe socket device according to various embodiments of the present disclosure.
9 is a photograph illustrating a probe socket device for inspecting a micro LED according to various embodiments of the present disclosure.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples can be modified in many different forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to an Example. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.In addition, in the following drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated for convenience and clarity of description, the same reference numerals in the drawings refer to the same elements. As used herein, the term “and / or” may include any one and all combinations of one or more of the listed items. In addition, the term "connected" in this specification means not only the case where the A member and the B member are directly connected, but also the case where the A member and the B member are indirectly connected by interposing the C member between the A member and the B member. do.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함할 수 있다(comprise, include)" 및/또는 "포함하는(comprising, including)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a", "an" and "the" may include the plural forms as well, unless the context clearly indicates otherwise. Also, as used herein, “comprise, include” and / or “comprising, including” refer to shapes, numbers, steps, operations, members, elements, and / or these mentioned. It is intended to specify the presence of a group and not to exclude the presence or addition of one or more other shapes, numbers, operations, members, elements and / or groups.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various members, parts, regions, layers, and / or parts, these members, parts, regions, layers, and / or parts are defined by these terms. It is self-evident that. These terms are only used to distinguish one member, part, region, layer or portion from another region, layer or portion. Accordingly, the first member, part, region, layer or portion, which will be described below, may refer to the second member, component, region, layer or portion without departing from the teachings of the present invention.

"하부(beneath)", "아래(below)", "낮은(lower)", "상부(above)", "위(upper)"와 같은 공간에 관련된 용어가 도면에 도시된 한 요소 또는 특징과 다른 요소 또는 특징의 용이한 이해를 위해 이용될 수 있다. 이러한 공간에 관련된 용어는 본 발명의 다양한 공정 상태 또는 사용 상태에 따라 본 발명의 용이한 이해를 위한 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 예를 들어, 도면의 요소 또는 특징이 뒤집어지면, "하부" 또는 "아래"로 설명된 요소 또는 특징은 "상부" 또는 "위에"로 된다. 따라서, "하부"는 "상부" 또는 "아래"를 포괄하는 개념이다.Terms relating to spaces such as "beneath", "below", "lower", "above", and "upper" are associated with one element or feature shown in the figures. It can be used for easy understanding of other elements or features. Terms related to this space are for easy understanding of the present invention according to various process conditions or use conditions of the present invention, and are not intended to limit the present invention. For example, if an element or feature in the figures is inverted, the element or feature described as "bottom" or "bottom" will be "top" or "top". Thus, "bottom" is a concept encompassing "top" or "bottom".

도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 소자 단위 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 개념을 도시한 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating a concept of a probe socket device 100 for device-specific micro LED inspection according to various embodiments of the present disclosure.

도 1에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)는 프로브 소켓(110)(또는 테스트 소켓) 및 프로브 기판(120)(또는 테스트 보드)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the probe socket device 100 for micro LED inspection may include a probe socket 110 (or a test socket) and a probe substrate 120 (or a test board).

프로브 소켓(110)은 접착층(111)과, 접착층(111)에 앵커링되어 배열된 도전성 입자(112)를 포함할 수 있다. 접착층(111)은, 일례로, 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 도전성 입자(112)는 복수의 입자를 접착층(111)에 문질러서 압력을 가하는 입자 정렬법으로 형성될 수 있다. 또한, 도전성 입자(112)는 접착층(111)에 직접 앵커링/접촉하는 입자 정렬법으로 형성될 수 있다. 또한, 도전성 입자(112)는 접착층(111)에 단층으로 코팅되는 입자 정렬법으로 형성될 수 있다. 또한, 도전성 입자(112)는 접착층(111)을 관통하여 형성될 수 있다. 더욱이, 도전성 입자(112)는 다수가 한층 및/또는 한 그룹을 이룰 수 있다. 여기서, 접착층(111)의 두께에 비해 도전성 입자(112)의 평균 직경이 더 클 수 있다. 도전성 입자(112)는 평균 직경이 대략 10nm 내지 50㎛일 수 있다. 또한, 도전성 입자(112)는 구형 또는 타원형의 형상을 가질 수 있다. 더욱이, 도전성 입자(112)는 전하성 물질 및/또는 비전하성 물질을 포함할 수 있다. 또한, 도전성 입자(112)는 다른 성질을 갖는 물질들이 혼합된 것일 수 있다.The probe socket 110 may include an adhesive layer 111 and conductive particles 112 anchored to the adhesive layer 111. The adhesive layer 111 may include, for example, an epoxy resin. The conductive particles 112 may be formed by a particle sorting method in which a plurality of particles are rubbed onto the adhesive layer 111 to apply pressure. In addition, the conductive particles 112 may be formed by a particle alignment method of directly anchoring / contacting the adhesive layer 111. In addition, the conductive particles 112 may be formed by a particle alignment method coated on the adhesive layer 111 in a single layer. In addition, the conductive particles 112 may be formed through the adhesive layer 111. In addition, the conductive particles 112 may comprise a plurality of layers and / or a group. Here, the average diameter of the conductive particles 112 may be larger than the thickness of the adhesive layer 111. The conductive particles 112 may have an average diameter of about 10 nm to about 50 μm. In addition, the conductive particles 112 may have a spherical or elliptical shape. In addition, the conductive particles 112 may include a conductive material and / or a non-chargeable material. In addition, the conductive particles 112 may be a mixture of materials having different properties.

일례로, 이와 같이 접착층(111)에 일렬로 입자를 배열하는 기술은 소위 입자배열단일층 제조/전사기술(PAT:Particle Array Transfer coating)을 포함하거나 이로 지칭될 수 있다.As an example, the technique of arranging particles in a row on the adhesive layer 111 may include or refer to a so-called particle array transfer coating (PAT).

입자배열단일층 제조/전사기술은 점착성의 유기 실리콘 패드에 배열하고자 하는 미세 입자를 도포-수세하여 단일층을 배열하고, 패턴이 형성되어 있는 필름에 단순 접촉식 전사 공정을 통하여 매우 간단하게 입자 단일층 패턴을 형성할 수 있는 공정을 의미할 수 있다. 이는 아래에서 다시 설명하기로 한다.Particle arrangement single layer manufacturing / transfer technology arranges single layers by applying and washing fine particles to be arranged on a sticky organic silicon pad, and by using a simple contact transfer process on a patterned film, It may mean a process capable of forming a layer pattern. This will be described again below.

이러한 입자배열단일층 제조/전사기술은 유기 솔벤트 및 레진을 사용하지 않는 공정으로 친환경적이고, 공정중 입자의 투입량 및 온/습도의 영향이 거의 없기 때문에 공정 환경에 제약이 없으며, 금속, 세라믹, 폴리머 등 파티클 소재에 대한 제한이 없고, 단일층 전사를 목적으로 하는 기재의 표면 특성에 대한 제약이 없으며, 적용 대상에 대한 크기/면적 확장성이 우수하고, 입자크기에 따라 미세 패턴 구현이 자유롭다.This single layer arrangement / transfer technology is environmentally friendly and does not use organic solvents or resins, and there is no restriction on the process environment because there is little effect of particle input and temperature / humidity. There is no restriction on the particle material, etc., there is no restriction on the surface properties of the substrate for the purpose of single layer transfer, excellent size / area expandability for the application target, free implementation of the fine pattern according to the particle size.

계속해서, 프로브 기판(120)은 유전층(121)과 유전층(121) 상에 형성되고 도전성 입자(112)에 전기적으로 접속된 전극패턴(122)을 포함할 수 있다.Subsequently, the probe substrate 120 may include a dielectric layer 121 and an electrode pattern 122 formed on the dielectric layer 121 and electrically connected to the conductive particles 112.

이와 같이 하여, 프로브 소켓 디바이스(100)는 프로브 소켓(110)의 도전성 입자(112)가 마이크로 LED 소자(130)의 패드(131)에 전기적으로 접속되어 테스트 공정을 수행하도록 한다.In this way, the probe socket device 100 allows the conductive particles 112 of the probe socket 110 to be electrically connected to the pads 131 of the micro LED device 130 to perform a test process.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 웨이퍼 단위 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 개념을 각각 도시한 개략도이다.2A and 2B are schematic diagrams respectively illustrating the concept of a probe socket device 100 for inspecting a wafer-based micro LED according to various embodiments of the present disclosure.

도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 프로브 소켓 디바이스(100)는 대략 평평한 접착층(111)에 다수의 도전성 입자(112)가 앵커링/배열된 프로브 소켓(110)과, 유전층(121)에 다수의 전극패턴(122)이 형성된/배열된 프로브 기판(120)을 포함할 수 있다. 또한, 프로브 소켓(110)과 프로브 기판(120)은 상호간 라미네이팅됨으로써, 하나의 구성 요소로 일체화될 수 있다. 이때, 접착층(111)이 유전층(121)에 기계적으로 접속되고, 또한 도전성 입자(112)가 전극패턴(122)에 기계적/전기적으로 접속될 수 있다.As shown in FIGS. 2A and 2B, the probe socket device 100 includes a probe socket 110 anchored / arranged with a plurality of conductive particles 112 in an approximately flat adhesive layer 111, and a plurality of dielectric layers 121. The electrode pattern 122 may include the formed / arranged probe substrate 120. In addition, the probe socket 110 and the probe substrate 120 may be laminated with each other to be integrated into one component. In this case, the adhesive layer 111 may be mechanically connected to the dielectric layer 121, and the conductive particles 112 may be mechanically / electrically connected to the electrode pattern 122.

여기서, 검사 대상인 웨이퍼에는 다수의 마이크로 LED 소자(130)가 배열/형성될 수 있으며, 각각의 마이크로 LED 소자(130)는 캐소드 패드(131) 및 애노드 패드(131)를 포함할 수 있다.Here, a plurality of micro LED elements 130 may be arranged / formed on the wafer to be inspected, and each micro LED element 130 may include a cathode pad 131 and an anode pad 131.

이와 같이 하여, 프로브 소켓 디바이스(100)에 구비된 도전성 입자(112)가 웨이퍼에 구비된 LED 소자(130)의 패드(131)에 전기적으로 접속될 수 있다. 따라서, 프로브 기판(120)을 통하여 전원을 공급하게 되면, 전원은 도전성 입자(112)를 통하여 LED 소자(130)의 패드(131)에 공급된다. In this way, the conductive particles 112 provided in the probe socket device 100 can be electrically connected to the pad 131 of the LED element 130 provided in the wafer. Therefore, when power is supplied through the probe substrate 120, the power is supplied to the pad 131 of the LED element 130 through the conductive particles 112.

이에 따라, LED 소자(130)는 소정 색상으로 발광하게 되고, 하부에 구비된 별도의 비전 시스템을 통하여 웨이퍼 중에서 굿 다이(good die)와 배드 다이(bad die)를 구별하게 된다. 일례로, 비전 시스템을 통하여 웨이퍼에서 굿 다이와 배드 다이에 대한 좌표가 생성되고, 해당 웨이퍼와 해당 좌표가 함께 다이 픽앤플레이스 장비에 제공됨으로써, 다이 픽앤플레이스 장비는 배드 다이를 제외하고 굿 다이만을 픽업하여 디스플레이 패널에 플레이스하게 된다.Accordingly, the LED device 130 emits light with a predetermined color, and distinguishes a good die and a bad die from a wafer through a separate vision system provided below. For example, a vision system generates coordinates for a good die and a bad die on a wafer, and the wafer and the coordinates are provided to the die pick and place equipment together so that the die pick and place equipment picks up only the good die except the bad die. Place on the display panel.

도 3a, 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)에 이용된 도전성 입자(112)의 구조, 장기 내열성 테스트 결과 및 경질/연질 코어를 각각 도시한 도면이다.3A, 3B, and 3C illustrate the structure of the conductive particles 112 used in the micro LED inspection probe socket device 100, the long-term heat resistance test results, and the hard / soft core, respectively, according to various embodiments of the present disclosure. One drawing.

도 3a에 도시된 바와 같이, 도전성 입자(112)는 유전체 코어(112a)와, 이를 둘러싸는 제1도전성 도금층(112b)과, 이를 둘러싸는 제2도전성 도금층(112c)을 포함하여 대략 구형으로 형성될 수 있다. 여기서 제1도전성 도금층(112b)은 유전체 코어(112a)와 제2도전성 도금층(112c)을 상호간 접속시킬 수 있다. 또한, 유전체 코어(112a)의 평균 직경은 대략 10nm 내지 50㎛일 수 있고, 제1도전성 도금층(112b)의 평균 두께는 대략 1nm 내지 10㎛일 수 있으며, 제2도전성 도금층(112c)의 평균 두께 역시 대략 1nm 내지 10㎛일 수 있다.As shown in FIG. 3A, the conductive particles 112 are formed into a substantially spherical shape including a dielectric core 112a, a first conductive plating layer 112b surrounding the dielectric core 112a, and a second conductive plating layer 112c surrounding the conductive core 112. Can be. Here, the first conductive plating layer 112b may connect the dielectric core 112a and the second conductive plating layer 112c to each other. In addition, the average diameter of the dielectric core 112a may be about 10 nm to 50 μm, the average thickness of the first conductive plating layer 112 b may be about 1 nm to 10 μm, and the average thickness of the second conductive plating layer 112 c. It may also be approximately 1 nm to 10 μm.

일부 예들에서, 유전체 코어(112a)는 플라스틱 또는 세라믹 옥사이드를 포함하거나 이로 지칭될 수 있다. 또한, 제1도전성 도금층(112b)은 니켈 또는 구리 도금층을 포함하거나 이로 지칭될 수 있고, 제2도전성 도금층(112c)은 골드를 포함하거나 이로 지칭될 수 있다. 일부 예들에서, 도전성 입자(112)는 골드 입자를 포함할 수도 있다.In some examples, dielectric core 112a may include or be referred to as plastic or ceramic oxide. In addition, the first conductive plating layer 112b may include or be referred to as a nickel or copper plating layer, and the second conductive plating layer 112c may include or be referred to as gold. In some examples, conductive particles 112 may include gold particles.

도 3b에 도시된 바와 같이, 도전성 입자(112)의 장기 테스트 결과, 1000시간/150℃ 및 2000시간/150℃에서 평균 직경 및 10% 부하의 값에 직경 변화가 크지 않음을 볼 수 있다.  As shown in FIG. 3B, as a result of the long-term test of the conductive particles 112, it can be seen that the diameter change is not large in the values of the average diameter and the 10% load at 1000 hours / 150 ° C and 2000 hours / 150 ° C.

또한, 도 3c에 도시된 바와 같이, 경질 코어를 사용할 경우 수직력에 대하여 변형이 크지 않은 반면, 연질 코어를 사용할 경우 수직력에 대하여 변형이 큼을 볼 수 있다. 일부 예들에서, 연질 코어를 사용할 경우 원래 높이(100%)에 대하여 대략 20% 내지 50%의 높이를 가지만큼 변형될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 3C, the deformation is not large with respect to the vertical force when the hard core is used, while the deformation with respect to the vertical force is large when the soft core is used. In some examples, the soft core may be deformed to have a height of approximately 20% to 50% relative to the original height (100%).

도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조를 위한 입자 배열 단일층 제조/전사 기술을 도시한 도면이다.4 is a view illustrating a particle array monolayer manufacturing / transfer technology for manufacturing a micro LED inspection probe socket device 100 according to various embodiments of the present disclosure.

도 4에 도시된 바와 같이, 다양한 패턴 사이즈, 입자 재료, 입자 사이즈 및 입자 배열 이미지가 가능함을 볼 수 있으며, 이에 따라 이를 이용하여 프로브 소켓 디바이스(100)를 구현할 수 있음을 알 수 있다.As shown in FIG. 4, it can be seen that various pattern sizes, particle materials, particle sizes, and particle array images are possible, and thus, the probe socket device 100 can be implemented using them.

도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조를 위한 골드 패턴 몰드를 도시한 평면 사진이다.5 is a planar photograph illustrating a gold pattern mold for manufacturing a micro LED inspection probe socket device 100 according to various embodiments of the present disclosure.

도 5에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조를 위해 우선 도전성 입자가 배열된 몰드(310)를 제조해야 한다. 일부 예들에서, 대략 20 ㎛의 크기를 갖는 골드 입자 패턴 필름을 형성하기 위해, 도 5에 도시된 몰드(310)를 제조한다. 여기서, 도 5의 골드 패턴 몰드(310)는 다수의 요홈(311)(세라믹 입자가 없는 영역으로서, 세라믹 입자가 없는 영역에 골드 입자가 형성됨)을 도시하고 있다. 몰드를 제조하는 방법은 도 6을 참조하여 설명한다.As shown in FIG. 5, in order to manufacture the probe socket device 100 for micro LED inspection, first, a mold 310 having conductive particles arranged therein should be manufactured. In some examples, the mold 310 shown in FIG. 5 is manufactured to form a gold particle pattern film having a size of approximately 20 μm. Here, the gold pattern mold 310 of FIG. 5 illustrates a plurality of grooves 311 (regions without ceramic particles, in which gold particles are formed in regions without ceramic particles). The method of manufacturing the mold will be described with reference to FIG. 6.

도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조를 위한 골드 패턴 몰드의 제조 방법을 도시한 순서도이다.6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a gold pattern mold for manufacturing a micro LED inspection probe socket device 100 according to various embodiments of the present disclosure.

도 6에 도시된 바와 같이, 골드 패턴 몰드의 제조 방법은 PET(Polyethylene terephthalate) 필름 기재 상에 PDMS(polydimethylsiloane)를 코팅하는 단계와, PDMS 코팅된 기재 상에 대략 5 ㎛의 직경을 갖는 SiO2 입자를 이용하여 SiO2 입자 단일층이 코팅된 필름을 제조하는 단계와, 점착제 필름에 포토마스크를 이용하여, UV(Ultra Violet) 광을 조사하여 골드 입자가 부착할 영역의 점착력을 높인 전사 필름을 제조하는 단계와, SiO2 입자가 코팅된 기재 상에 전사 필름을 부착-탈착 공정을 수행하여 기재 상에서 특정 영역의 SiO2 입자를 제거하는 단계와, 몰드 필름에 대략 20 ㎛의 직경을 갖는 골드 입자를 코팅하여 특정 영역에 골드 입자 단일층이 부착된 몰드를 제조하는 단계를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 6, the method of manufacturing a gold pattern mold includes coating polydimethylsiloane (PDMS) on a polyethylene terephthalate (PET) film substrate, and SiO 2 particles having a diameter of about 5 μm on a PDMS coated substrate. Preparing a film coated with a single layer of SiO 2 particles using the photomask, and irradiating UV (Ultra Violet) light to the pressure-sensitive adhesive film to produce a transfer film having enhanced adhesion in a region to which gold particles are attached. And removing the SiO 2 particles in a specific region on the substrate by performing an attach-desorption process on the substrate coated with SiO 2 particles, and coating the gold particles having a diameter of about 20 μm on the mold film. The method may include preparing a mold to which a single layer of gold particles is attached.

여기서, 기재 상에서 특정 영역의 SiO2 입자를 제거하는 단계에서는 다수의 SiO2 입자가 제거되어 요홈이 구비된다. 이러한 요홈의 내측에는 접착력이 있는 PDMS의 표면이 외부로 노출될 수 있다. 한편, PDMS 이외에도 폴리에틸렌(polyethylene, PE) 또는 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride, PVC)가 이용될 수 있다.Here, in the step of removing the SiO 2 particles of a specific region on the substrate, a plurality of SiO 2 particles are removed to provide grooves. Inside the groove, the surface of the adhesive PDMS may be exposed to the outside. Meanwhile, in addition to PDMS, polyethylene (PE) or polyvinyl chloride (PVC) may be used.

도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조를 위한 프로브 기판을 도시한 평면 사진이다.7 is a planar photograph illustrating a probe substrate for manufacturing a micro LED inspection probe socket device 100 according to various embodiments of the present disclosure.

도 7에 도시된 바와 같이, 골드 입자의 패턴과 동일한 간격으로 유전층(121) 상에 전극패턴(122)을 포토마스크를 이용하여 형성함으로써 프로브 기판(120)을 제조한다. 사진에서는 비록 전극패턴이 직선 형태로 도시되어 있으나, 이는 절곡된 형태도 가능하다.As illustrated in FIG. 7, the probe substrate 120 is manufactured by forming the electrode pattern 122 on the dielectric layer 121 using a photomask at the same interval as the pattern of the gold particles. Although the electrode pattern is shown in the form of a straight line in the photograph, this may be a bent form.

도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조 방법을 도시한 순서도이다.8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a probe socket device 100 for inspecting a micro LED according to various embodiments of the present disclosure.

도 8에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)의 제조 방법은 상술한 프로브 기판(120)에 에폭시 수지(B-stage)와 같은 접착제(111)를 코팅하는 단계와, 접착제(111)로 코팅된 프로브 기판(120) 상에 골드 패턴 몰드(310)를, 예를 들면, 50℃ 내지 150℃ 정도의 온도로 가압 부착하여 도전성 입자(112)를 프로브 기판(120)에 전사하는 단계와, 골드 패턴 몰드(310)를 제거한 후 도전성 입자(112)의 안정적 부착을 위해 최종 프로브 소켓 디바이스(100)를 대략 0℃ 내지 250℃의 온도로 경화하는 단계를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 8, the method of manufacturing the probe socket device 100 for inspecting the micro LED may include coating an adhesive 111 such as an epoxy resin (B-stage) on the probe substrate 120 described above, and Transferring the conductive particles 112 to the probe substrate 120 by pressing the gold pattern mold 310 on the probe substrate 120 coated with the (111), for example, at a temperature of about 50 ℃ to 150 ℃. And curing the final probe socket device 100 to a temperature of approximately 0 ° C. to 250 ° C. for removing the gold pattern mold 310 and then stably attaching the conductive particles 112.

여기서, 대략 50℃ 내지 150℃ 정도의 온도가 제공됨으로써 B-stage의 접착층(111)은 액상으로 변화되고, 이에 따라 도전성 입자(112)가 접착층(111)을 용이하게 관통하여 전극패턴(122)에 접속된다. 또한, 대략 0℃ 내지 250℃ 정도의 온도가 제공됨으로써 B-stage의 접착층(111)이 고상으로 경화된다. 여기서, 대략 0℃ 내지 30℃의 온도를 제공할 경우, 접착제(111)가 경화하는데 수일이 소요될 수 있다.Here, the temperature of about 50 ℃ to 150 ℃ is provided by the adhesive layer 111 of the B-stage is changed to the liquid phase, so that the conductive particles 112 easily penetrate the adhesive layer 111 to the electrode pattern 122 Is connected to. In addition, the adhesive layer 111 of the B-stage is cured into a solid phase by providing a temperature of about 0 ° C to 250 ° C. Here, when providing a temperature of approximately 0 ℃ to 30 ℃, it may take a few days for the adhesive 111 to cure.

도 9는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)를 도시한 사진이다.9 is a photograph illustrating a probe socket device 100 for inspecting a micro LED according to various embodiments of the present disclosure.

도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스(100)는 대략 직선 형태의 전극패턴(122) 위에 도전성 입자(112)(골드 입자)가 잘 배치되어 있음을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 9, in the micro LED inspection probe socket device 100 according to various embodiments of the present disclosure, conductive particles 112 (gold particles) are well disposed on an electrode pattern 122 having a substantially straight shape. It can be confirmed.

이와 같이 하여, 본 발명의 다양한 실시예는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법은 새로운 도전성 미세 패터닝 공정 기술을 이용하여 제조 방법이 매우 간단하고 제조 원가를 절감할 수 있는 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다.As such, various embodiments of the present invention provide a micro LED inspection probe socket device and a method of manufacturing the same using a new conductive fine patterning process technology. A socket device and a method of manufacturing the same are provided.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스 및 그 제조 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for implementing the micro LED inspection probe socket device and its manufacturing method according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, it is claimed in the claims As will be apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention, the technical spirit of the present invention will be described to the extent that various modifications can be made.

100; 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스
110; 프로브 소켓 111; 접착층
112; 도전성 입자 112a; 유전체 코어
112b; 제1도전성 도금층 112c; 제2도전성 도금층
120; 프로브 기판 121; 유전층
122; 전극패턴 130; 마이크로 LED 소자
131; 패드100; Probe Socket Device for Micro LED Inspection
110; Probe socket 111; Adhesive layer
112; Electroconductive particle 112a; Dielectric core
112b; A first conductive plating layer 112c; Second conductive plating layer
120; Probe substrate 121; Dielectric layer
122; An electrode pattern 130; Micro LED element
131; pad

Claims (14)

접착층과, 접착층에 앵커링되어 배열된 도전성 입자로 이루어진 프로브 소켓;
접착층에 접착된 유전층과, 유전층에 형성되고 도전성 입자에 전기적으로 접속된 전극패턴으로 이루어진 프로브 기판을 포함하고,
상기 프로브 소켓의 도전성 입자가 웨이퍼에 형성된 마이크로 LED의 패드에 전기적으로 접속되어 테스트 공정을 수행하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스.A probe socket comprising an adhesive layer and conductive particles anchored to the adhesive layer;
A probe substrate comprising a dielectric layer bonded to the adhesive layer and an electrode pattern formed on the dielectric layer and electrically connected to the conductive particles,
A probe socket device for micro LED inspection, wherein the conductive particles of the probe socket are electrically connected to a pad of a micro LED formed on a wafer to perform a test process. 제1항에 있어서,
도전성 입자는 유전체 코어와, 유전체 코어를 둘러싸는 제1도전성 도금층과, 제1도전성 도금층을 둘러싸는 제2도전성 도금층을 포함하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스.The method of claim 1,
The conductive particles comprise a dielectric core, a first conductive plating layer surrounding the dielectric core, and a second conductive plating layer surrounding the first conductive plating layer. 제2항에 있어서,
유전체 코어는 플라스틱 또는 세라믹 옥사이드를 포함하고, 제1도전성 도금층은 니켈 또는 구리 도금층을 포함하며, 제2도전성 도금층은 골드 또는 실버 도금층을 포함하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스.The method of claim 2,
The dielectric core comprises a plastic or ceramic oxide, the first conductive plating layer comprises a nickel or copper plating layer, and the second conductive plating layer comprises a gold or silver plating layer. 제2항에 있어서,
유전체 코어의 평균 직경은 10nm 내지 50㎛이고, 제1도전성 도금층의 평균 두께는 1nm 내지 10㎛이며, 제2도전성 도금층의 평균 두께는 1nm 내지 10㎛인, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스.The method of claim 2,
A probe socket device for micro LED inspection, wherein the average diameter of the dielectric core is 10 nm to 50 μm, the average thickness of the first conductive plating layer is 1 nm to 10 μm, and the average thickness of the second conductive plating layer is 1 nm to 10 μm. 제1항에 있어서,
도전성 입자는 골드 입자를 포함하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스.The method of claim 1,
A probe socket device for micro LED inspection, wherein the conductive particles comprise gold particles. 제1항에 있어서,
접착층은 에폭시 수지를 포함하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스.The method of claim 1,
A probe socket device for micro LED inspection, wherein the adhesive layer comprises an epoxy resin. 절연 필름 상에 PDMS(polydimethylsiloane)를 코팅하고, PDMS 상에 세라믹 입자 단일층을 형성하며, 점착제 필름에 포토마스크를 이용하여, UV(Ultra Violet) 광을 조사하여 도전성 입자가 부착할 영역의 점착력을 높인 전사 필름을 제조하고, 세라믹 입자 단일층 상에 전사 필름을 부착한 후 탈착하여 PDMS 상에서 특정 영역의 세라믹 입자를 제거하며, 세라믹 입자가 제거된 영역에 도전성 입자를 부착하여 특정 영역에 도전성 입자 단일층을 형성한 몰드 제조 단계;
절연 필름 상에 포토마스크를 이용하여 도전성 입자 단일층의 패턴과 동일 간격으로 전극패턴을 형성한 프로브 기판 제조 단계; 및
프로브 기판 상에 접착층을 코팅하고, 접착층 상에 몰드를 부착하여 도전성 입자가 접착층을 관통하여 전극패턴에 전사되도록 한 후, 몰드를 제거하는 프로브 소켓 제조 단계를 포함하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.Coating PDMS (polydimethylsiloane) on the insulating film, forming a single layer of ceramic particles on the PDMS, using a photomask to the pressure-sensitive adhesive film to irradiate UV (Ultra Violet) light to the adhesion of the area to which the conductive particles will adhere The transfer film was prepared, and the transfer film was attached onto a single layer of ceramic particles, followed by desorption to remove ceramic particles from a specific region on the PDMS, and attaching the conductive particles to the region from which the ceramic particles were removed. A mold manufacturing step of forming a layer;
Probe substrate manufacturing step of forming an electrode pattern at the same interval as the pattern of a single layer of conductive particles using a photomask on the insulating film; And
A probe socket device for micro LED inspection, comprising: a probe socket manufacturing step of coating an adhesive layer on a probe substrate, attaching a mold on the adhesive layer to allow conductive particles to pass through the adhesive layer, and to be transferred to an electrode pattern, and then removing the mold. Method of preparation. 제7항에 있어서,
세라믹 입자는 SiO2를 포함하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.The method of claim 7, wherein
The method for producing a probe socket device for micro LED inspection, wherein the ceramic particles comprise SiO 2. 제7항에 있어서,
도전성 입자는 골드 입자를 포함하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.The method of claim 7, wherein
The electroconductive particle contains gold particle, The manufacturing method of the probe socket device for micro LED inspection. 제7항에 있어서,
세라믹 입자의 직경보다 도전성 입자의 직경이 큰, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.The method of claim 7, wherein
The manufacturing method of the probe socket device for micro LED inspection whose diameter of electroconductive particle is larger than the diameter of a ceramic particle. 제7항에 있어서,
접착층은 에폭시 수지를 포함하는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.The method of claim 7, wherein
A method for producing a probe socket device for micro LED inspection, wherein the adhesive layer comprises an epoxy resin. 제7항에 있어서,
접착층의 두께는 도전성 입자의 직경보다 작은, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.The method of claim 7, wherein
The thickness of a contact bonding layer is smaller than the diameter of electroconductive particle, The manufacturing method of the probe socket device for micro LED inspection. 제7항에 있어서,
프로브 기판 상에 몰드가 부착될 때 접착층이 액상이 되도록 50℃ 내지 150℃의 온도 분위기가 제공되는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.The method of claim 7, wherein
A temperature atmosphere of 50 ° C. to 150 ° C. is provided so that the adhesive layer becomes liquid when the mold is attached onto the probe substrate. 제7항에 있어서,
몰드 제거 후, 접착층이 경화되도록 0℃ 내지 250℃의 온도 분위기가 제공되는, 마이크로 LED 검사용 프로브 소켓 디바이스의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein
A method of manufacturing a probe socket device for micro LED inspection, wherein a temperature atmosphere of 0 ° C. to 250 ° C. is provided after the mold is removed to cure the adhesive layer.
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