KR20190138902A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

Abstract

The present invention provides an apparatus and a method for processing a substrate. The method of processing a substrate includes a liquid processing process of supplying a processing liquid from a nozzle to the substrate and performing liquid processing on the substrate, and a preliminary discharging process of discharging the processing liquid from the nozzle at a standby port before or after the liquid processing process. The preliminary discharging process includes a first discharging step of allowing the nozzle to discharge the processing liquid at a first position where a discharging end is immersed in a cleaning liquid filled in the standby port; and a second discharging step of discharging the processing liquid at a second position where the discharging end of the nozzle is out of the cleaning liquid. According to this, it is possible to suppress the discharge of fume generated from the processing liquid to the outside.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Apparatus and Method for treating substrate

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온 주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성된다. 각각의 공정은 시간이 지남에 따라 다양해지고 복잡해져 오염물 및 파티클이 생성된다. 이 때문에 각각의 공정들은 진행 전후단계에서 기판을 세정하는 세정 공정이 실시된다. In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on a substrate through various processes such as photographing, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition on the substrate. Each process varies and becomes complex over time, producing contaminants and particles. For this reason, each process is performed a cleaning process for cleaning the substrate before and after the progress.

일반적으로 세정 공정에는 강산 또는 강염기성의 성질을 가지는 케미칼을 기판으로 공급하는 액 처리 공정이 수행되고, 이러한 액 처리 공정이 수행되기 전후에 케미칼을 예비 토출하는 예비 토출 공정이 수행된다. 예비 토출 공정은 케미칼을 초기 토출 시 케미칼이 헌팅되는 것을 방지하고, 노즐 내에 잔류된 케미칼을 배출하기 위한 것으로, 액 처리 공정 전후에는 예비 토출 공정이 필수적으로 수행되어야 한다.In general, the cleaning process is a liquid treatment process for supplying a chemical having a strong acid or strong base property to the substrate, and a preliminary ejection process for pre-discharge the chemical before and after the liquid treatment process is performed. The preliminary ejection process is for preventing chemicals from being hunted at the time of initial ejection of the chemical and discharging the chemical remaining in the nozzle. A preliminary ejection process must be performed before and after the liquid treatment process.

이러한 예비 토출 공정은 액 처리 공정과 다른 공간에서 수행된다. 예컨대, 예비 토출 공정은 노즐이 대기되는 대기 공간에서 수행된다. 도 1은 대기 공간을 가지는 대기 포트를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 노즐(2)은 대기 공간에 케미칼을 예비 토출한다. 그러나 대기 포트(4)는 상부가 개방된 통 형상을 가지며, 케미칼은 토출되는 과정에서 다량의 퓸(Fume)을 발생시킨다. 이러한 퓸은 대기 포트(4) 및 이의 주변 장치를 오염시킬 뿐만 아니라, 노즐(2)을 함께 오염시킨다. 또한 대기 공간에서 발생된 퓸은 기판이 위치된 공간으로 침투되어 기판을 오염시킨다.This preliminary ejection process is performed in a different space from the liquid processing process. For example, the preliminary ejection process is performed in the waiting space where the nozzles are waiting. 1 is a cross-sectional view showing a standby port having a standby space. Referring to FIG. 1, the nozzle 2 preliminarily discharges chemicals into the air space. However, the standby port 4 has a cylindrical shape with an open top, and the chemical generates a large amount of fume in the process of being discharged. This fume not only contaminates the air port 4 and its peripherals, but also contaminates the nozzle 2 together. In addition, fumes generated in the air space penetrate into the space where the substrate is located to contaminate the substrate.

한국 공개 특허 2016-0081300Korean public patent 2016-0081300

본 발명은 케미칼이 토출되는 과정에서 발생된 퓸을 억제할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a device capable of suppressing the fume generated in the process of discharging the chemical.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for processing a substrate.

기판을 처리하는 방법은 노즐로부터 상기 기판으로 처리액을 공급하여 상기 기판을 액 처리하는 액 처리 공정 및 상기 액 처리 공정 전 또는 후에는 대기 포트에서 상기 노즐로부터 상기 처리액을 토출하는 예비 토출 공정을 수행하되, 상기 예비 토출 공정은 상기 노즐이 상기 대기 포트 내에 채워진 세정액 내에 토출단이 잠기는 제1위치에서 상기 처리액의 토출이 이루어지는 제1토출 단계 및 상기 노즐의 토출단이 상기 세정액을 벗어난 제2위치에서 상기 처리액의 토출이 이루어지는 제2토출 단계를 포함한다. A method of processing a substrate includes a liquid treatment process of supplying a processing liquid from a nozzle to the substrate and processing the substrate by liquid, and a preliminary ejection process of discharging the processing liquid from the nozzle at a standby port before or after the liquid processing process. In the preliminary ejection process, the preliminary ejection step includes a first ejection step of ejecting the processing liquid at a first position in which the ejection end is immersed in the cleaning liquid filled in the standby port and a second ejection end of the nozzle leaving the cleaning liquid And a second discharging step in which the processing liquid is discharged at the position.

상기 예비 토출 공정은 상기 제1토출 단계와 상기 제2토출 단계 사이에서, 상기 세정액의 수면과 상기 토출단 간의 상대 이동에 의해 상기 토출단이 상기 세정액으로부터 벗어나는 이동 단계를 더 포함하되, 상기 상대 이동의 속도는 표면 장력에 의해 상기 노즐의 외측면에 잔류하는 잔류물이 제거되는 속도일 수 있다. 상기 상대 이동은 상기 노즐의 승강 이동에 이해 이루어질 수 있다. The preliminary discharging step may further include a step of moving the discharge end from the cleaning liquid by the relative movement between the surface of the cleaning liquid and the discharge end between the first discharging step and the second discharging step. The rate of may be a rate at which the residue remaining on the outer surface of the nozzle is removed by the surface tension. The relative movement can be understood as the lifting movement of the nozzle.

선택적으로 상기 상대 이동은 상기 세정액의 배출에 의해 이루어질 수 있다. Optionally, the relative movement may be by discharge of the cleaning liquid.

상기 제1토출 단계에는 상기 처리액을 제1토출량으로 토출하고, 상기 제2토출 단계에는 상기 처리액을 제2토출량으로 토출하되, 상기 제1토출량은 상기 제2토출량보다 클 수 있다. In the first discharging step, the processing liquid may be discharged in a first discharging amount, and in the second discharging step, the processing liquid may be discharged in a second discharging amount, and the first discharging amount may be larger than the second discharging amount.

선택적으로 상기 제1토출 단계에는 상기 처리액을 제1시간동안 토출하고, 상기 제2토출 단계에는 상기 처리액을 제2시간동안 토출하되, 상기 제1시간은 상기 제2시간보다 긴 시간일 수 있다. Optionally, the processing liquid is discharged for a first time in the first discharging step, and the processing liquid is discharged for a second time in the second discharging step, wherein the first time may be longer than the second time. have.

상기 세정액은 이소프로필알코올(IPA), 염화수소(HCl) 수용액, 염화나트륨(NaCl) 수용액, 에탄올(ethanol), 또는 순수를 포함할 수 있다. The cleaning solution may include isopropyl alcohol (IPA), hydrogen chloride (HCl) aqueous solution, sodium chloride (NaCl) aqueous solution, ethanol, or pure water.

기판을 처리하는 장치는 상부가 개방되며, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 토출하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛, 상기 처리 용기의 외측에 위치되며, 상기 노즐이 대기되는 대기 공간을 가지는 대기 포트, 그리고 상기 액 공급 유닛 및 상기 대기 포트를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 대기 포트는 내부에 세정액이 채워지며, 상기 노즐을 수용 가능한 수용 공간이 형성되는 세정 바디를 포함하고, 상기 제어기는 상기 노즐의 토출단이 세정액 내에 잠기는 제1위치에서 상기 노즐로부터 처리액의 토출이 이루어지는 제1토출 단계와 상기 노즐의 토출단이 세정액을 벗어난 제2위치에서 상기 노즐로부터 처리액의 토출이 이루어지는 제2토출 단계를 수행하도록 상기 액 공급 유닛을 제어한다. The apparatus for processing a substrate has an open top, a processing container having a processing space therein, a substrate supporting unit for supporting a substrate in the processing space, and a nozzle for discharging the processing liquid onto the substrate supported by the substrate supporting unit. And a controller for controlling the liquid supply unit and the standby port, wherein the standby port is located outside the processing vessel, and has a standby space in which the nozzle is waited. And a cleaning body filled with an accommodating space for accommodating the nozzle, wherein the controller is configured to discharge the processing liquid from the nozzle at a first position in which the discharge end of the nozzle is immersed in the cleaning liquid; A second discharge through which the processing liquid is discharged from the nozzle at a second position where the discharge end of the nozzle is out of the cleaning liquid; Control the liquid supply unit to perform the step.

상기 제어기는 상기 제1토출 단계와 상기 제2토출 단계 사이에서, 세정액의 수면과 상기 토출단 간의 상대 이동에 의해 상기 토출단이 세정액으로부터 벗어나는 이동 단계를 더 수행하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하되, 상기 상대 이동의 속도는 표면 장력에 의해 상기 노즐의 외측면에 잔류하는 잔류물이 제거되는 속도일 수 있다. 상기 액 공급 유닛은 상기 노즐을 승하강 이동시키는 구동 부재를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 노즐을 승강 이동하여 상기 상대 이동이 이루어지도록 상기 구동 부재를 제어할 수 있다. The controller controls the liquid supply unit to further perform a moving step of discharging the discharging end from the washing liquid by the relative movement between the surface of the washing liquid and the discharging end between the first discharging step and the second discharging step, The speed of the relative movement may be a speed at which residue remaining on the outer surface of the nozzle is removed by surface tension. The liquid supply unit may further include a driving member for moving the nozzle up and down, and the controller may control the driving member to move up and down the nozzle to perform the relative movement.

선택적으로 상기 대기 포트는 상기 수용 공간에 연결되는 배출 라인 및 상기 배출 라인을 개폐하는 밸브를 더 포함하되, 상기 제어기는 세정액을 배출하여 상기 상대 이동이 이루어지도록 상기 밸브를 제어할 수 있다. Optionally, the standby port further includes a discharge line connected to the accommodation space and a valve for opening and closing the discharge line, wherein the controller may control the valve to discharge the cleaning liquid to perform the relative movement.

또한 상기 대기 포트는 상기 세정 바디를 승하강 이동시키는 리프트 부재를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 세정 바디를 하강 이동하여 상기 상대 이동이 이루어지도록 상기 리프트 부재를 제어할 수 있다, The standby port may further include a lift member configured to move the cleaning body up and down, and the controller may control the lift member to move the cleaning body downward to perform the relative movement.

상기 제어기는 상기 제1토출 단계에서 처리액을 제1토출량으로 토출하고, 상기 제2토출 단계에서 처리액이 제2토출량으로 토출되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하되, 상기 제1토출량은 상기 제2토출량보다 클 수 있다. The controller controls the liquid supply unit to discharge the processing liquid at a first discharge amount in the first discharge step, and to discharge the processing liquid at a second discharge amount in the second discharge step, wherein the first discharge amount is the second discharge amount. It may be larger than the discharge amount.

선택적으로 상기 제어기는 상기 제1토출 단계에서 처리액을 제1시간동안 토출하고, 상기 제2토출 단계에서 처리액이 제2시간동안 토출하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하되, 상기 제1시간은 상기 제2시간보다 긴 시간일 수 있다. Optionally, the controller controls the liquid supply unit to discharge the processing liquid for the first time in the first discharging step and to discharge the processing liquid for the second time in the second discharging step, wherein the first time is It may be a time longer than the second time.

본 발명의 실시예에 의하면, 노즐은 토출단이 세정액 내에 잠긴 위치에서 처리액을 토출한다. 이로 인해 처리액으로부터 발생되는 퓸이 외부로 배출되는 것을 억제할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the nozzle discharges the processing liquid at the position where the discharge end is immersed in the cleaning liquid. For this reason, it is possible to suppress the discharge of the fume generated from the treatment liquid to the outside.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 노즐의 토출단은 세정액의 수면과 상대 이동되되, 상대 이동의 속도는 표면 장력에 의해 노즐의 잔류되는 이물이 제거되는 속도이다. 이로 인해 노즐의 잔류 이물을 제거할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, the discharge end of the nozzle is moved relative to the surface of the cleaning liquid, the speed of the relative movement is the speed at which foreign matter remaining in the nozzle is removed by the surface tension. As a result, residual foreign matter in the nozzle can be removed.

또한 노즐의 토출단이 세정액을 벗어난 위치에서는 잠긴 위치보다 짧은 시간동안 처리액을 토출한다. 이로 인해 예비 토출 공정 중에 발생되는 퓸을 최소화할 수 있다.At the position where the discharge end of the nozzle is out of the cleaning liquid, the processing liquid is discharged for a shorter time than the locked position. As a result, it is possible to minimize the fume generated during the preliminary discharging process.

도 1은 일반적인 예비 토출 공정을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 대기 포트를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 대기 포트를 이용하여 예비 토출 공정을 수행하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 6 내지 도8은 도 5의 예비 토출 공정을 수행하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 9는 도 7의 이동 단계의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general preliminary ejection process.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view illustrating a standby port of FIG. 3.
FIG. 5 is a flowchart illustrating a process of performing a preliminary ejection process using the standby port of FIG. 4.
6 to 8 are views illustrating a process of performing the preliminary ejection process of FIG. 5.
9 is a cross-sectional view showing another embodiment of the moving step of FIG. 7.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape and the like of the components in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

본 발명은 도 2 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.The present invention will be described in detail an example of the present invention with reference to FIGS.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 2, the substrate processing facility 1 has an index module 10 and a process processing module 20, which has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12. When viewed from the top, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the processing module 20 are arranged is perpendicular to the first direction 12. The direction is called the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 18 in which the substrate W is accommodated is mounted in the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. A plurality of slots are provided in the third direction 16, and the substrates are positioned in the carrier so as to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 배치된다. 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 A X B(A와 B는 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 양측 각각에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed at both sides of the transfer chamber 240 along the second direction 14. Process chambers 260 may be provided to be symmetrical with respect to transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the length of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked on each other. That is, the process chambers 260 may be arranged in the arrangement of A X B (A and B are each one or more natural numbers) on both sides of the transfer chamber 240. Where A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12, and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on each side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 × 2 or 3 × 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease.

상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. 또한 공정 챔버들(260) 중 이송 챔버(240)의 일측에는 기판을 액 처리 공정을 수행하고, 타측에는 액 처리 공정이 수행된 기판을 건조 처리하는 공정을 수행할 수 있다. 건조 처리 공정은 초임계 처리 공정일 수 있다.Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and the other side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided in various arrangements as described above. In addition, one side of the transfer chamber 240 among the process chambers 260 may perform a liquid treatment process on the substrate, and the other side may perform a process of drying the substrate on which the liquid treatment process is performed. The drying treatment process may be a supercritical treatment process.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are spaced apart from each other along the third direction 16. In the buffer unit 220, a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 are opened.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 18 seated in the load port 120 and the buffer unit 220. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in parallel with the second direction 14 in the longitudinal direction thereof. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. Body 144b is coupled to base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and provided to move forward and backward with respect to the body 144b. The plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used when conveying the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 18, and others are used to transport the substrate W from the carrier 18 to the process processing module 20. It can be used when conveying. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from being attached to the substrate W after the process treatment while the index robot 144 loads and unloads the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220) 및 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. The transfer chamber 240 transports the substrate W between the buffer unit 220 and the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242.

아래에서는 공정 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 본 실시예에는 기판 처리 장치(300)이 기판에 대해 액 처리 공정을 수행하는 것을 일 예로 설명한다. 액 처리 공정은 기판을 세정 처리하는 공정을 포함한다. Hereinafter, the substrate processing apparatus 300 provided in the process chamber 260 will be described. In the present embodiment, an example in which the substrate processing apparatus 300 performs a liquid treatment process on a substrate will be described. The liquid treatment step includes a step of washing the substrate.

도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 액 공급 유닛(380), 대기 포트(400), 그리고 제어기(500)를 포함한다. 처리 용기(320)는 내부에 기판(W)을 처리하는 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(320)는 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.3 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 300 may include a processing container 320, a spin head 340, a lifting unit 360, a liquid supply unit 380, a standby port 400, and a controller 500. Include. The processing container 320 provides a processing space in which a process of processing the substrate W is performed. The processing container 320 is provided in a cup shape with an open top. The processing container 320 has an inner recovery container 322 and an outer recovery container 326. Each recovery container 322, 326 recovers different treatment liquids from among treatment liquids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340, and the outer recovery container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 322. The inner space 322a of the inner waste container 322 and the space 326a between the outer waste container 326 and the inner waste container 322 are respectively treated with the inner waste container 322 and the outer waste container 326. It functions as an inlet for inflow. Each recovery container 322, 326 is connected with recovery lines 322b, 326b extending vertically in the bottom direction thereof. Each recovery line 322b and 326b discharges the treatment liquid introduced through the respective recovery bins 322 and 326. The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

스핀 헤드(340)는 기판(W)을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛(340)으로 제공된다. 스핀 헤드(340)는 처리 용기(320)의 처리 공간에 배치된다. 스핀 헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is provided to the substrate support unit 340 that supports and rotates the substrate W. As shown in FIG. The spin head 340 is disposed in the processing space of the processing vessel 320. The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. Body 342 has a top surface that is provided generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by the motor 349 is fixedly coupled to the bottom of the body 342. The support pin 344 is provided in plurality. The support pins 344 are spaced apart at predetermined intervals from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 334 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combining with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate so that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pins 346 are disposed farther from the support pins 344 in the center of the body 342. The chuck pins 346 are provided to protrude upward from the body 342. The chuck pins 346 support the sides of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from the home position when the spin head 340 is rotated. The chuck pins 346 are provided to linearly move between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a position far from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded from the spin head 340, the chuck pins 346 are positioned at the standby position, and when the process is performed on the substrate W, the chuck pins 346 are positioned at the support position. In the support position, the chuck pins 346 are in contact with the side of the substrate (W).

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)와 스핀 헤드(340) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. The elevating unit 360 adjusts the relative height between the processing vessel 320 and the spin head 340. The lifting unit 360 linearly moves the processing container 320 in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 relative to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 320, and the moving shaft 364 that is moved in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The processing container 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes above the processing container 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or is lifted from the spin head 340. In addition, when the process is in progress, the height of the processing container 320 is adjusted to allow the processing liquid to flow into the predetermined recovery container 360 according to the type of processing liquid supplied to the substrate W.

상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.Unlike the above, the lifting unit 360 may move the spin head 340 in the vertical direction instead of the processing container 320.

액 공급 유닛(380)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(380)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 액을 공급한다. 액 공급 유닛(380)은 각각은 구동 부재(381) 및 노즐(399)을 포함한다. 구동 부재(381)는 노즐(399)을 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 또한 구동 부재(381)는 노즐(399)을 승하강 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐(399)이 처리 용기(320) 내에 위치된 기판 상에 처리액을 토출 가능한 위치이고, 대기 위치는 노즐(399)이 대기 포트에서 대기되는 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 노즐(399)이 기판의 중심으로 처리액을 공급할 수 있는 위치일 수 있다. 구동 부재(381)는 아암(382), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 아암(382)은 지지축(386)의 상단에 고정 결합된다. 아암(382)은 지지축(386)과 수직한 길이 방향을 가진다. The liquid supply unit 380 supplies the processing liquid onto the substrate W. The liquid supply unit 380 is provided in plurality, each of which supplies different kinds of liquids. The liquid supply unit 380 each includes a drive member 381 and a nozzle 399. The drive member 381 moves the nozzle 399 to the process position and the standby position. In addition, the drive member 381 moves the nozzle 399 up and down. Here, the process position is a position where the nozzle 399 can discharge the processing liquid on the substrate located in the processing container 320, and the standby position is defined as a position where the nozzle 399 is waited at the standby port. According to one example, the process position may be a position where the nozzle 399 can supply the treatment liquid to the center of the substrate. The drive member 381 has an arm 382, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 is located at one side of the processing vessel 320. The support shaft 386 has a longitudinal direction along the third direction 16, and a driver 388 is coupled to a lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. Arm 382 is fixedly coupled to the top of support shaft 386. The arm 382 has a longitudinal direction perpendicular to the support shaft 386.

노즐(399)은 처리액을 토출 가능하다. 노즐(399)은 아암(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(399)은 지지축(386)의 회전에 의해 아암(382)과 함께 이동된다. 예컨대, 처리액은 강산 또는 강염기 성질을 가지는 케미칼을 포함한다. 케미칼은 황산, 암모이나, 과산화수소, 또는 이들의 혼합액일 수 있다. 케미칼은 세정액에 수용 가능한 액으로 제공될 수 있다. The nozzle 399 can discharge the processing liquid. The nozzle 399 is provided at the bottom end of the arm 382. The nozzle 399 is moved with the arm 382 by the rotation of the support shaft 386. For example, the treatment liquid includes a chemical having strong acid or strong base properties. The chemical may be sulfuric acid, ammo, hydrogen peroxide, or a mixture thereof. The chemical may be provided in a liquid acceptable to the cleaning liquid.

이와 달리 기판 처리 장치는 린스액 및 건조 유체를 공급하는 액 공급 유닛(380)이 더 제공될 수 있다. 린스액은 순수이고, 건조 유체는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다.Alternatively, the substrate processing apparatus may further be provided with a liquid supply unit 380 for supplying a rinse liquid and a dry fluid. The rinse liquid is pure and the dry fluid may be isopropyl alcohol (IPA).

대기 포트(400)는 노즐(399)이 대기되는 공간을 제공한다. 대기 포트(400)는 처리 용기(320)의 외측에 위치된다. 대기 포트(400)는 세정 바디(410), 세정액 공급 라인(420), 배출 라인(430), 하우징(440), 그리고 배기 라인(450)을 포함한다. 세정 바디(410)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 세정 바디(410)는 내부에 세정액이 채워지는 수용 공간(412)을 가진다. 수용 공간(412)은 노즐(399)이 수용 가능한 공간으로 제공된다. 일 예에 의하면, 수용 공간(412)의 폭은 노즐(399)이 세정액에 잠기는 제1위치에서 세정액을 벗어나는 제2위치로 이동되는 중에, 노즐(399)의 외측과 세정 바디(410)의 내측 간의 사이 공간에 세정액이 잔류 가능한 폭으로 제공될 수 있다. 즉, 노즐(399)의 외측면과 세정 바디(410)의 내측면 간의 사이 공간은 매우 좁은 틈으로 제공될 수 있다.The standby port 400 provides a space in which the nozzle 399 is waiting. The standby port 400 is located outside of the processing vessel 320. The standby port 400 includes a cleaning body 410, a cleaning liquid supply line 420, a discharge line 430, a housing 440, and an exhaust line 450. The cleaning body 410 has a cylindrical shape with an open top. The cleaning body 410 has a receiving space 412 filled with the cleaning liquid therein. The accommodation space 412 is provided as a space in which the nozzle 399 can be accommodated. According to one example, the width of the receiving space 412 is moved outside the nozzle 399 and the inside of the cleaning body 410 while the nozzle 399 is moved from the first position in which the nozzle 399 is submerged in the cleaning liquid to the second position out of the cleaning liquid. The cleaning liquid may be provided in the space between the liver and the remaining liquid. That is, the space between the outer surface of the nozzle 399 and the inner surface of the cleaning body 410 may be provided in a very narrow gap.

세정액 공급 라인(420)은 수용 공간(412)에 세정액을 공급한다. 세정액 공급 라인(420)은 세정 바디(410)의 저면에 설치된다. 이에 따라 세정액은 수용 공간(412)에 오버 플로우 방식으로 채워지며, 세정액이 채워지는 과정에서 세정액의 비산을 최소화할 수 있다. 배출 라인(430)은 수용 공간(412)에 채워진 세정액을 배출한다. 배출 라인(430)은 세정액의 수면 수위를 조절한다. 예컨대 배출 라인(430)에는 이를 개폐하는 밸브(432)가 설치되며, 배출 라인(430)의 개폐에 의해 세정액의 수면 수위를 조절할 수 있다. 예컨대, 세정액은 순수이고, 케미칼은 친수성 성질을 가지는 액일 수 있다. 또한 세정액은 이소프로필 알코올(IPA), 염화수소(HCl) 수용액, 염화나트륨(NaCl) 수용액, 또는 에탄올(ethanol)을 포함할 수 있다.The cleaning liquid supply line 420 supplies the cleaning liquid to the accommodation space 412. The cleaning liquid supply line 420 is installed at the bottom of the cleaning body 410. Accordingly, the cleaning liquid is filled in the receiving space 412 in an overflow manner, and the scattering of the cleaning liquid can be minimized while the cleaning liquid is filled. The discharge line 430 discharges the cleaning liquid filled in the accommodation space 412. The discharge line 430 adjusts the water level of the cleaning liquid. For example, a valve 432 for opening and closing the discharge line 430 is installed, and the water level of the cleaning liquid may be adjusted by opening and closing the discharge line 430. For example, the cleaning liquid may be pure water, and the chemical may be a liquid having hydrophilic property. The cleaning solution may also include isopropyl alcohol (IPA), aqueous hydrogen chloride (HCl), aqueous sodium chloride (NaCl), or ethanol.

하우징(440)은 세정 바디(410)의 주변을 감싸는 통으로 제공된다. 하우징(440)의 상면은 개구(442)가 형성된다. 개구(442)는 세정 바디(410)의 개방 영역과 마주하는 위치에 제공된다. 이에 따라 노즐(399)은 개구(442)를 통과하여 수용 공간(412)에 수용될 수 있다. 개구(442)는 세정 바디(410)의 개방 영역과 동일한 폭을 가질 수 있다. 배기 라인(450)은 하우징(440)의 내부 분위기를 배기한다. 이에 따라 세정 바디(410)의 내부 및 세정 바디(410)의 주변에 발생된 퓸은 배기되며, 퓸이 하우징(440)의 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.The housing 440 is provided as a tub that wraps around the cleaning body 410. The upper surface of the housing 440 is formed with an opening 442. The opening 442 is provided at a position facing the open area of the cleaning body 410. Accordingly, the nozzle 399 may be received in the accommodation space 412 through the opening 442. The opening 442 may have the same width as the open area of the cleaning body 410. The exhaust line 450 exhausts the internal atmosphere of the housing 440. Accordingly, the fumes generated in the cleaning body 410 and around the cleaning body 410 may be exhausted, and the fume may be prevented from leaking out of the housing 440.

제어기(500)는 액 공급 유닛(380) 및 대기 포트(400)를 제어한다. 제어기(500)는 노즐(399)이 제1위치에서 제1시간동안 처리액을 토출하고, 제2위치에서 제2시간동안 처리액을 토출하도록 구동 부재(388)를 제어할 수 있다. 여기서 제1시간은 제2시간보다 긴 시간일 수 있다. 또한 제어기(500)는 제1위치에서 처리액을 제1토출량으로 토출하고, 제2위치에서 처리액을 제2토출량으로 토출하도록 액 공급 유닛(380)을 제어할 수 있다. 여기서 제1토출량은 제2토출량보다 큰 토출량일 수 있다. The controller 500 controls the liquid supply unit 380 and the standby port 400. The controller 500 may control the driving member 388 such that the nozzle 399 discharges the processing liquid for the first time from the first position and discharges the processing liquid for the second time from the second position. Here, the first time may be longer than the second time. In addition, the controller 500 may control the liquid supply unit 380 to discharge the processing liquid at the first position as the first discharge amount and to discharge the processing liquid at the second position as the second discharge amount. The first discharge amount may be a discharge amount larger than the second discharge amount.

또한 제어기(500)는 노즐(399)이 제1위치에서 제2위치로 이동되는 속도가 표면 장력에 의해 노즐(399)의 외측면에 잔류하는 잔류물을 제거하는 속도를 가지도록 구동 부재를 제어할 수 있다.The controller 500 also controls the drive member such that the speed at which the nozzle 399 moves from the first position to the second position has a speed of removing residues remaining on the outer surface of the nozzle 399 by surface tension. can do.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. 도 5는 도 3의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 공정을 수행하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다. 도 5를 참조하면, 기판(W)을 처리하는 방법은 액 처리 공정(S100) 및 예비 토출 공정(S200)을 포함한다. 액 처리 공정(S100)을 기판(W)을 액 처리하는 공정이고, 예비 토출 공정(S200)은 액 처리 공정(S100) 전후에 노즐(399)이 대기되는 위치에서 처리액을 예비 토출하는 공정이다. 액 처리 공정(S100)에는 노즐(399)이 공정 위치로 이동되어 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 일 예에 의하면, 액 처리 공정(S100)에는 기판(W) 상에 케미칼, 린스액, 그리고 건조 유체를 순착적으로 공급할 수 있다. Next, a process of processing the substrate W using the substrate processing apparatus described above will be described. FIG. 5 is a flowchart illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 3. Referring to FIG. 5, the method of treating the substrate W includes a liquid treatment step S100 and a preliminary discharge step S200. The liquid treatment step (S100) is a step of liquid-processing the substrate (W), and the preliminary discharge step (S200) is a step of preliminarily discharging the processing liquid at a position where the nozzle 399 is waiting before and after the liquid processing step (S100). . In the liquid treatment step S100, the nozzle 399 is moved to a process position to supply a treatment liquid onto the substrate W. FIG. According to an example, the chemical treatment, the rinse liquid, and the drying fluid may be sequentially supplied to the substrate W in the liquid treatment step S100.

예비 토출 공정(S200)은 제1토출 단계(S210), 이동 단계(S220), 그리고 제2토출 단계(S230)를 포함한다. 도 6 내지 도 8은 도 5의 예비 토출 공정(S200)을 수행하는 과정을 보여주는 도면들이다. 도 6 내지 도 8을 참조하면, 제1토출 단계(S210)에는 노즐(399)이 세정 바디(410)의 상부에서 수용 공간(412)에 수용되도록 하강 이동된다. 노즐(399)은 토출단이 수용 공간(412)에 채워진 세정액에 잠기도록 하강 이동된다. 노즐(399)은 토출단이 세정액에 잠기는 제1위치로 이동되면, 케미칼을 토출한다. 케미칼은 토출되는 과정에서 다량이 퓸이 발생되고, 퓸은 세정액에 수용된다. 노즐(399)은 케미칼을 제1시간동안 토출한다. 제1토출 단계(S210)가 완료되면, 이동 단계(S220)가 수행된다.The preliminary discharging process S200 includes a first discharging step S210, a moving step S220, and a second discharging step S230. 6 to 8 are views illustrating a process of performing the preliminary ejection process S200 of FIG. 5. 6 to 8, in the first discharging step S210, the nozzle 399 is moved downward so as to be accommodated in the accommodation space 412 at the top of the cleaning body 410. The nozzle 399 is moved downward so that the discharge end is immersed in the cleaning liquid filled in the accommodation space 412. The nozzle 399 discharges the chemical when the discharge end is moved to the first position immersed in the cleaning liquid. In the process of discharging the chemical, a large amount of fume is generated, and the fume is contained in the cleaning liquid. The nozzle 399 discharges the chemical for a first time. When the first discharging step S210 is completed, the moving step S220 is performed.

이동 단계(S220)에는 노즐(399)이 제1위치에서 토출단이 세정액을 벗어나는 제2위치로 이동된다. 노즐(399)은 세정액의 수면과 토출단 간에 상대 이동이 이루어지도록 승강 이동된다. 여기서 노즐(399)의 승강 이동은 세정액의 표면 장력에 의해 노즐(399)에 잔류되는 잔류물이 제거되는 속도로 정의한다. 이에 따라 노즐(399)과 수면 간의 상대 이동이 이루어지는 과정에서 노즐(399)에 잔류된 잔류물은 세정액의 표면 장력에 의해 제거된다. 노즐(399)이 제2위치로 이동되면, 제2토출 단계(S230)가 수행된다. 예비 토출 공정(S200)이 수행되는 과정에서 수용 공간(412)에는 세정액 공급 라인(420)을 통한 세정액의 공급과 배출 라인(430)을 통한 세정액의 배출이 동시에 이루어져 수용 공간(412) 내에 세정액의 수면 수위를 일정하게 조절할 수 있다.In the moving step S220, the nozzle 399 is moved from the first position to the second position where the discharge end leaves the cleaning liquid. The nozzle 399 is moved up and down to allow relative movement between the surface of the cleaning liquid and the discharge end. Here, the lifting movement of the nozzle 399 is defined as the speed at which the residue remaining in the nozzle 399 is removed by the surface tension of the cleaning liquid. As a result, residues remaining in the nozzle 399 during the relative movement between the nozzle 399 and the water surface are removed by the surface tension of the cleaning liquid. When the nozzle 399 is moved to the second position, the second discharging step S230 is performed. During the preliminary discharging process (S200), the storage space 412 is supplied with the cleaning liquid through the cleaning liquid supply line 420 and discharge of the cleaning liquid through the discharge line 430. You can adjust your water level constantly.

제2토출 단계(S230)에는 노즐(399)이 수용 공간(412)에 케미칼을 토출한다. 노즐(399)은 제2시간동안 케미칼을 토출한다. 예컨대, 제2시간은 제1시간보다 짧은 시간일 수 있다. 이는 제2토출 단계(S230)에서 노즐(399) 내에 잔류된 세정액 및 기포를 제거하기 위한 것이며, 케미칼을 토출하는 과정에서 발생된 퓸이 노즐(399)에 재부착되는 것을 최소화하기 위함이다. 수용 공간(412) 내에 소량의 퓸이 발생될지라도, 이러한 퓸은 하우징(440)에 연결된 배기 라인(450)을 통해 제거할 수 있다.In the second discharging step S230, the nozzle 399 discharges the chemical into the accommodation space 412. The nozzle 399 discharges the chemical for a second time. For example, the second time may be a time shorter than the first time. This is to remove the cleaning liquid and bubbles remaining in the nozzle 399 in the second discharging step (S230), and to minimize the re-attachment of the fume generated in the process of discharging the chemical to the nozzle (399). Although a small amount of fume is generated in the receiving space 412, this fume can be removed through the exhaust line 450 connected to the housing 440.

상술한 실시예에는 제1토출 단계(S210)에서 케미칼을 제1시간동안 토출하고, 제2토출 단계(S230)에서 케미칼을 제2시간동안 토출하는 것으로 설명하였다. 그러나 케미칼의 토출 시간과 관계없이, 제1토출 단계(S210)에는 케미칼을 제1토출량으로 토출하고, 제2토출 단계(S230)에는 케미칼을 제2토출량으로 토출할 수 있다. 여기서 제2토출량은 제1토출량보다 작은 양일 수 있다.In the above-described embodiment, the chemical is discharged for the first time in the first discharging step (S210), and the chemical is discharged for the second time in the second discharging step (S230). However, regardless of the discharge time of the chemical, it is possible to discharge the chemical in the first discharge step (S210) to the first discharge amount, and the second discharge step (S230) to discharge the chemical in the second discharge amount. Here, the second discharge amount may be an amount smaller than the first discharge amount.

또한 상술한 실시예에는 이동 단계(S220)에서 세정액의 수면과 토출단의 상대 이동이 노즐(399)의 승강 이동에 의해 이루어지는 것으로 설명하였다. 그러나 도 9와 같이, 노즐(399)의 높이는 고정되고, 배출 라인(430)에 의한 세정액의 배출에 의해 세정액의 수면 수위를 낮춰 그 상대 이동을 조절할 수 있다. 예컨대, 세정액 공급 라인(420)으로부터 세정액의 공급을 중지하고, 배출 라인(430)으로부터 세정액을 배출할 수 있다. 선택적으로 이동 단계(S220)에는 노즐(399)의 승강 이동과 세정액의 수면 수위 하강을 동시에 수행할 수 있다. In addition, in the above-described embodiment, the relative movement of the water surface and the discharge end of the cleaning liquid in the moving step S220 has been described as being caused by the lifting movement of the nozzle 399. However, as shown in FIG. 9, the height of the nozzle 399 is fixed, and the relative movement can be adjusted by lowering the water level of the cleaning liquid by discharging the cleaning liquid by the discharge line 430. For example, the supply of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply line 420 may be stopped, and the cleaning liquid may be discharged from the discharge line 430. Optionally, the moving step (S220) may simultaneously perform the lifting and lowering movement of the nozzle 399 and the water level of the cleaning liquid.

또한 대기 포트(400)는 하우징(440) 및 세정 바디(410)를 승하강시키는 리프트 부재를 더 포함할 수 있다. 이로 인해 이동 단계(S220)에는 하우징(440) 및 세정 바디(410)를 승하강시켜 노즐(399)의 토출단과 세정액의 수면을 서로 상대 이동시킬 수 있다.In addition, the standby port 400 may further include a lift member for raising and lowering the housing 440 and the cleaning body 410. Therefore, in the moving step S220, the housing 440 and the cleaning body 410 are moved up and down to relatively move the discharge end of the nozzle 399 and the surface of the cleaning liquid.

400: 대기 포트 410: 세정 바디
420: 세정액 공급 라인 430: 배출 라인
440: 하우징 450: 배기 라인
500: 제어기400: standby port 410: cleaning body
420: cleaning liquid supply line 430: discharge line
440: housing 450: exhaust line
500: controller

Claims (15)

기판을 처리하는 방법에 있어서,
노즐로부터 상기 기판으로 처리액을 공급하여 상기 기판을 액 처리하는 액 처리 공정과;
상기 액 처리 공정 전 또는 후에는 대기 포트에서 상기 노즐로부터 상기 처리액을 토출하는 예비 토출 공정을 수행하되,
상기 예비 토출 공정은,
상기 노즐이 상기 대기 포트 내에 채워진 세정액 내에 토출단이 잠기는 제1위치에서 상기 처리액의 토출이 이루어지는 제1토출 단계와;
상기 노즐의 토출단이 상기 세정액을 벗어난 제2위치에서 상기 처리액의 토출이 이루어지는 제2토출 단계를 포함하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
A liquid processing step of supplying a processing liquid from a nozzle to the substrate to liquid-process the substrate;
Before or after the liquid treatment process to perform a preliminary ejection process for discharging the treatment liquid from the nozzle in the standby port,
The preliminary discharging step,
A first discharging step of discharging the processing liquid at a first position in which the discharge end is locked in the cleaning liquid filled in the standby port by the nozzle;
And a second discharging step of discharging the processing liquid at a second position where the discharge end of the nozzle is out of the cleaning liquid. 제1항에 있어서,
상기 예비 토출 공정은,
상기 제1토출 단계와 상기 제2토출 단계 사이에서, 상기 세정액의 수면과 상기 토출단 간의 상대 이동에 의해 상기 토출단이 상기 세정액으로부터 벗어나는 이동 단계를 더 포함하되,
상기 상대 이동의 속도는 표면 장력에 의해 상기 노즐의 외측면에 잔류하는 잔류물이 제거되는 속도인 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The preliminary discharging step,
Between the first discharging step and the second discharging step, further comprising a moving step of discharging the discharge end from the cleaning liquid by the relative movement between the surface of the cleaning liquid and the discharge end,
And said rate of relative movement is a rate at which residue remaining on the outer surface of said nozzle is removed by surface tension. 제2항에 있어서,
상기 상대 이동은 상기 노즐의 승강 이동에 이해 이루어지는 기판 처리 방법.The method of claim 2,
The relative movement is understood by the lifting movement of the nozzle. 제2항에 있어서,
상기 상대 이동은 상기 세정액의 배출에 의해 이루어지는 기판 처리 방법.The method of claim 2,
The relative movement is performed by discharging the cleaning liquid. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1토출 단계에는 상기 처리액을 제1토출량으로 토출하고,
상기 제2토출 단계에는 상기 처리액을 제2토출량으로 토출하되,
상기 제1토출량은 상기 제2토출량보다 큰 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
In the first discharging step, the processing liquid is discharged at a first discharging amount,
In the second discharging step, the processing liquid is discharged at a second discharging amount,
And the first discharge amount is larger than the second discharge amount. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1토출 단계에는 상기 처리액을 제1시간동안 토출하고,
상기 제2토출 단계에는 상기 처리액을 제2시간동안 토출하되,
상기 제1시간은 상기 제2시간보다 긴 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
In the first discharging step, the processing liquid is discharged for a first time,
In the second discharging step, the processing liquid is discharged for a second time,
And the first time is longer than the second time. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세정액과 상기 처리액은 서로 수용되어 혼합 가능한 액으로 제공되는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
And said cleaning liquid and said processing liquid are provided as a liquid which is accommodated and mixed with each other. 제7항에 있어서,
이소프로필알코올(IPA), 염화수소(HCl) 수용액, 염화나트륨(NaCl) 수용액, 에탄올(ethanol), 또는 순수를 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 7, wherein
A substrate processing method comprising isopropyl alcohol (IPA), hydrogen chloride (HCl) aqueous solution, sodium chloride (NaCl) aqueous solution, ethanol, or pure water. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
상부가 개방되며, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 토출하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛과;
상기 처리 용기의 외측에 위치되며, 상기 노즐이 대기되는 대기 공간을 가지는 대기 포트와;
상기 액 공급 유닛 및 상기 대기 포트를 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 대기 포트는,
내부에 세정액이 채워지며, 상기 노즐을 수용 가능한 수용 공간이 형성되는 세정 바디를 포함하고,
상기 제어기는 상기 노즐의 토출단이 세정액 내에 잠기는 제1위치에서 상기 노즐로부터 처리액의 토출이 이루어지는 제1토출 단계와 상기 노즐의 토출단이 세정액을 벗어난 제2위치에서 상기 노즐로부터 처리액의 토출이 이루어지는 제2토출 단계를 수행하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A processing container having an upper portion and having a processing space therein;
A substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
A liquid supply unit having a nozzle for ejecting a processing liquid onto a substrate supported by the substrate support unit;
A standby port located outside the processing container and having a standby space in which the nozzle is waiting;
A controller for controlling the liquid supply unit and the standby port,
The standby port,
The cleaning liquid is filled therein, and includes a cleaning body is formed to accommodate the nozzle,
The controller discharges the processing liquid from the nozzle at a first discharge step in which the processing liquid is discharged from the nozzle at a first position where the discharge end of the nozzle is immersed in the cleaning liquid and at a second position where the discharge end of the nozzle is out of the cleaning liquid. And the liquid supply unit to perform the second discharging step. 제9항에 있어서,
상기 제어기는 상기 제1토출 단계와 상기 제2토출 단계 사이에서, 세정액의 수면과 상기 토출단 간의 상대 이동에 의해 상기 토출단이 세정액으로부터 벗어나는 이동 단계를 더 수행하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하되,
상기 상대 이동의 속도는 표면 장력에 의해 상기 노즐의 외측면에 잔류하는 잔류물이 제거되는 속도인 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The controller controls the liquid supply unit to further perform a moving step of discharging the discharge end from the cleaning liquid by the relative movement between the surface of the cleaning liquid and the discharge end between the first discharge step and the second discharge step,
And said rate of relative movement is a rate at which residue remaining on the outer surface of said nozzle is removed by surface tension. 제10항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 노즐을 승하강 이동시키는 구동 부재를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 노즐을 승강 이동하여 상기 상대 이동이 이루어지도록 상기 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
The liquid supply unit,
Further comprising a drive member for moving the nozzle up and down,
And the controller controls the drive member to move up and down the nozzle to perform the relative movement. 제10항에 있어서,
상기 대기 포트는,
상기 수용 공간에 연결되는 배출 라인과;
상기 배출 라인을 개폐하는 밸브를 더 포함하되,
상기 제어기는 세정액을 배출하여 상기 상대 이동이 이루어지도록 상기 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
The standby port,
A discharge line connected to the accommodation space;
Further comprising a valve for opening and closing the discharge line,
And the controller controls the valve to discharge the cleaning liquid to allow the relative movement. 제10항에 있어서,
상기 대기 포트는,
상기 세정 바디를 승하강 이동시키는 리프트 부재를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 세정 바디를 하강 이동하여 상기 상대 이동이 이루어지도록 상기 리프트 부재를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
The standby port,
Further comprising a lift member for moving the cleaning body up and down,
And the controller controls the lift member to move the cleaning body downward to perform the relative movement. 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어기는 상기 제1토출 단계에서 처리액을 제1토출량으로 토출하고, 상기 제2토출 단계에서 처리액이 제2토출량으로 토출되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하되,
상기 제1토출량은 상기 제2토출량보다 큰 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 9 to 13,
The controller controls the liquid supply unit to discharge the processing liquid at the first discharge amount in the first discharge step, and to discharge the processing liquid at the second discharge amount in the second discharge step,
And the first discharge amount is larger than the second discharge amount. 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어기는 상기 제1토출 단계에서 처리액을 제1시간동안 토출하고, 상기 제2토출 단계에서 처리액이 제2시간동안 토출하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하되,
상기 제1시간은 상기 제2시간보다 긴 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 9 to 13,
The controller controls the liquid supply unit to discharge the processing liquid for the first time in the first discharging step, and to discharge the processing liquid for the second time in the second discharging step,
And the first time is longer than the second time.

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