KR20190125076A - 플렉시블 엘이디 조명 장치 - Google Patents
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Abstract
플렉시블 엘이디 시트를 포함하는 플렉시블 엘이디 조명 장치가 개시된다. 상기 플렉시블 엘이디 시트는, 플렉시블 기판(flexible substrate); 상기 플렉시블 기판의 상면에 2차원적으로 배열된 다수개의 엘이디 칩들; 및 상기 플렉시블 기판 상에 형성되어 상기 엘이디 칩들의 점유 영역 외의 나머지 영역을 덮는 투광수지부를 포함하며, 상기 투광수지부는 상기 엘이디 칩들의 측면들과 접해 있는 입광면들과, 상기 입광면들을 통해 들어온 광을 외부로 방출하는 출광면을 포함하며, 상기 엘이디 칩들의 측면에서 나와 상기 출광면을 통해 방출되는 광량을 증가시키도록, 상기 출광면은 적어도 일부 구간에 오목면이 형성된다.
Description
본 발명은 플렉시블 엘이디 조명 장치에 관한 것으로서, 특히, 소정의 곡률을 갖는 곡면으로 형성될 수 있는 플렉시블 엘이디 조명 장치에 관한 것이다.
면 조명 장치가 알려져 있다. 면 조명 장치는 다수의 엘이디를 광원으로 하여 점 광원 형태가 아닌 면 광원 형태로 광을 발하는 조명 장치이다. 이러한 면 조명 장치는 다수의 엘이디가 배치되는 위치에 따라 직하형 면 조명 장치와 에지형 면 조명 장치로 구분된다. 직하형 면 조명 장치는 광 확산판 직하에 넓게 그리고 2차원적으로 다수개의 엘이디들이 배치되어 이루어지며, 그 다수개의 엘이디들은 강성 인쇄회로기판 상에 실장된다. 또한, 에지형 면 조명 장치는 강성을 갖는 도광판을 포함하되, 도광판의 모서리를 따라 엘이디 바가 배치되어 이루어진다. 엘이디 바는 강성의 바형 인쇄회로기판과 그 인쇄로기판 상에 일열로 어레이된 엘이디들을 포함한다. 그러나, 위 두 타입의 면 조명 장치는 모두 플랫한 면에만 적용될 수 있는 문제점이 있다. 이에 따라 곡면에 적용할 수 있는 면 조명 장치에 대한 요구가 있었다. 그 중 하나가 유연성을 갖는 도광판을 제공하는 것이데, 이는, 도광판이 갖는 큰 두께로 인해 면 조명 장치의 두께를 줄이는데 있어 큰 한계가 있고, 또한, 목표로 하는 곡률의 곡면을 얻기 어려우며, 곡률을 자유자재로 변경하는 것이 실질적으로 불가능하다. 또한, 이 기술은 작은 곡률의 곡면 구현시에도 도트 무라(dot mura)가 발생하는 문제점이 있다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 소정의 곡률을 갖는 곡면으로 형성될 수 있는 플렉시블 엘이디 조명 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 도광판이 없어 전체 두께가 크게 감소되고, 자유자재로 다양한 곡률을 갖는 곡면으로 형성될 수 있으며, 소정 곡률을 갖는 곡면으로 형성될 때에도, 균일한 면광을 발할 수 있는 플렉시블 엘이디 조명 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일측면에 따른 플렉시블 엘이디 장치는 플렉시블 엘이디 시트를 포함하고, 상기 플렉시블 엘이디 시트는, 플렉시블 기판(flexible substrate); 상기 플렉시블 기판의 상면에 2차원적으로 배열된 다수개의 엘이디 칩들; 및 상기 플렉시블 기판 상에 형성되어 상기 엘이디 칩들의 점유 영역 외의 나머지 영역을 덮는 투광수지부를 포함하며, 상기 투광수지부는 상기 엘이디 칩들의 측면들과 접해 있는 입광면들과, 상기 입광면들을 통해 들어온 광을 외부로 방출하는 출광면을 포함하며, 상기 엘이디 칩들의 측면에서 나와 상기 출광면을 통해 방출되는 광량을 증가시도록, 상기 출광면은 적어도 일부 구간에 오목면이 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 오목면은 서로 이웃하는 엘이디 칩들 사이에서 상기 입광면들의 상부를 연결한다.
일 실시예에 따라, 상기 입광면들 각각은 상기 기판의 표면으로부터 상기 엘이디 칩들 각각의 측면 상단까지 이어진다.
일 실시예에 따라, 상기 오목면의 중앙에 최저점이 위치한다.
일 실시예에 따라, 상기 최저점의 높이는 상기 입광면 상단 높이의 50% 이하인 것이 바람직하다.
일 실시예에 따라, 상기 엘이디 칩들 각각은 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하며, 상기 최저점은 상기 활성층보다 낮게 위치한다.
일 실시예에 따라, 상기 엘이디 칩들 각각은 서로 다른 전기 극성을 갖는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 기판은 상기 제1 전극 및 제2 전극에 대응되는 제1 패드 및 제2 패드를 상면에 포함하며, 상기 제1 전극과 상기 제1 패드 사이에는 제1 솔더가 형성되고, 상기 제2 전극과 상기 제2 패드 사이에는 제2 솔더가 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 기판의 상면 영역 중 상기 제1 패드와 상기 제2 패드의 점유 영역 외 나머지 영역에 반사면이 제공된다.
일 실시예에 따라, 상기 투광수지부에는 나노은이 첨가된다.
일 실시예에 따라, 상기 투광수지부는 상기 제1 패드 또는 상기 제2 패드 주변에 집중적으로 분포된 나노은을 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 투광수지부는 입자 형태로 분포된 확산제를 포함한다.
일 실시에에 따라, 상기 확산제는 TiO2 또는 SiO2일 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 투광수지부는 상기 기판의 상면에 도포된 액상 또는 겔상의 투광성 수지가 굳어져 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 오목면은 상기 기판의 상면에 도포된 액상 또는 겔상의 투광성 수지가 상기 엘이디 칩들의 측면을 따라 상승한 후 굳어져서 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 플렉시블 엘이디 조명 장치는 상기 플렉시블 엘이디 시트의 상측에 위치하는 광 확산 필름을 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 플렉시블 엘이디 조명 장치는 상기 플렉시블 엘이디 시트와 상기 광 확산 필름사이에 위치하는 형광 부재를 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 형광 부재는 상기 플렉시블 엘이디 시트와 상기 광 확산 필름 사이에 배치되는 형광 필름일 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 형광 부재는 상기 엘이디 칩 각각의 측면들과 상면을 덮는 형광체층일 수 있다.
본 발명에 다른 플렉시블 엘이디 조명 장치는 매우 작은 두께를 가지며, 자유자재로 다양한 곡률을 갖는 곡면으로 형성될 수 있으며, 소정 곡률을 갖는 곡면으로 형성될 때에도, 균일한 면광을 발할 수 있다. 본 발명에 따른 플렉시블 엘이디 조명 장치는 기존 면광원 중 하나로 이용도어 왔던 OLED 조명의 광량 및 신뢰성 문제와 가격 문제를 해결한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 엘이디 조명 장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 엘이디 조명 장치의 일부를 확대하여 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉시블 엘이디 조명 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 플렉시블 엘이디 시트의 다양한 예들을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 플렉시블 엘이디 시트에 구비되는 엘이디 칩들이 배열 상태를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 엘이디 조명 장치의 일부를 확대하여 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉시블 엘이디 조명 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 플렉시블 엘이디 시트의 다양한 예들을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 플렉시블 엘이디 시트에 구비되는 엘이디 칩들이 배열 상태를 예시적으로 보여주는 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 여러 가지 실시예들을 설명한다. 첨부되는 도면들 및 이를 참조하여 설명되는 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자로 하여금 본 발명에 관한 이해를 돕기 위한 의도로 간략화되고 예시된 것임에 유의하여야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 엘이디 조명 장치를 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 엘이디 조명 장치의 일부를 확대하여 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예 따른 플렉시블 엘이디 조명 장치는 플렉시블 엘이디 시트(10)를 포함한다. 추가적으로, 플렉시블 엘이디 조명 장치는 상기 플렉시블 엘이디 시트(10)의 상측에 위치하는 광확산 필름(30)과, 상기 광확산 필름(30)과 상기 플렉시블 엘이디 시트(10) 사이에 배치되는 형광필름(20)을 더 포함할 수 있다.
상기 플렉시블 엘이디 시트(10)는 자유자재로 곡률 변경이 가능한 플렉시블 기판(flexible substrate; 11)과, 2차원 배열로 상기 플렉시블 기판(11)의 상면에 실장된 다수의 엘이디 칩(12)들과, 상기 플렉시블 기판(12)의 상면에 형성된 투광수지부(13)를 포함한다. 상기 플렉시블 기판(11)과 상기 투광수지부(31)가 유연성을 가지고 있고, 상기 플렉시블 기판(11)과 상기 투광수지부(13)의 곡률 변경이 가능하도록 상기 엘이디 칩(12)들의 이격 거리가 확보되므로, 상기 플렉시블 엘이디 시트(10) 또한 자유 자재로 곡률 변경이 가능하다.
상기 플렉시블 기판(11)에 실장되는 엘이디 칩(12)의 크기 및 피치(pitch)에 따라 플렉시블 기판(11)의 층수 및 두께가 달라질 수 있다. 예컨대, 수십 내지 수백 마이크로미터 폭을 갖는 마이크로 엘이디 칩(12), 더 바람직하게는, 100㎛×300㎛ 크기의 마이크로 엘이디 칩(12)이 적용되는 경우, 대략 0.8mm 피치 간격으로 엘이디 칩(12)들이 어레이되는 경우, 대략 0.15mm 두께의 단일층 플렉시블 기판(11)이 이용될 수 있고, 대략 0.6~0.8mm 피치 간격으로 엘이디 칩(12)들이 어레이되는 경우, 2층 적층 구조로 0.30mm 두께를 갖는 플렉시블 기판(11)이 이용될 수 있으며, 대략 0.4~0.6mm 피치 간격으로 엘이디 칩(12)들이 어레이되는 경우, 3층 적층 구조로 대략 0.45mm 두께를 갖는 플렉시블 기판(11)이 이용될 수 있다. 피치를 줄임으로써 균일한 면광을 얻을 수 있지만, 플렉시블 기판(11)의 적층수와 두께가 증가하여, 곡률을 자유자재로 변경하는 것이 어려워진다. 따라서, 플렉시블 기판(11)의 적층수는 1~3층, 가장 바람직하게는 1층인 것이 바람직하다. 여기에서, 용어 "층"은 도전성 패턴이 형성되는 절연층을 의미하며, 층의 개수는 그 절연층의 개수를 의미한다. 또한, 엘이디 칩들간 피치에 따라 이하 설명되는 오목면(131)의 최저점 높이를 다르게 하여 광 균일도를 조정할 수 있다. 가장 바람직하게는 피치의 5% 이내로 최저점 높이가 정해진다. 예컨대, 1mm 피치의 경우, 최저점 높이는 0.05mm이하로 적용되는 것이 좋다.
상기 다수의 엘이디 칩(12)들은, 수십 내지 수백 마이크로미터 폭을 갖는 마이크 엘이디 칩들로서, 상기 플렉시블 기판(11) 상에 행렬 배열로 실장된다. 또한, 상기 엘이디 칩(12)들 각각은, 투광성을 갖는 사파이어 기판(121)과, 상기 사파이어 기판(121)의 하부면에 형성된 형성된 버퍼층(122)과, 상기 버퍼층(122)의 하부면에 형성된 제1 도전형 반도체층(123)과 상기 제1 도전형 반도체층(123)의 하부면에 형성된 활성층(124)과, 상기 활성층(124)의 하부면에 형성된 제2 도전형 반도체층(125)을 포함한다. 하측의 제2 도전형 반도체층(125)과 그보다 높게 위치한 상측의 제1 도전형 반도체층(123) 사이에 활성층(124)이 개재되어 있다. 이때, 상기 활성층(124)은 전자와 정공의 결합에 의해 광을 발생시키는 층이다.
제2 도전형 반도체층(125)의 하부면은 아래를 향해 노출되어 있고, 상기 제2 도전형 반도체층(125)과 상기 활성층(124)의 일부가 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층(123)의 하부면 일부도 아래를 향해 노출될 수 있다. 상기 제1 도전형 도체층의(123)의 노출 하부면에 제1 전극(126)이 형성되어 아래로 연장되고 제2 도전형 반도체층(125) 하부면에는 상기 제1 전극(126)과 다른 극성을 갖는 제2 전극(127)이 형성된다. 상기 제1 및 제2 전극(126, 127)은 반사 전극인 것이 바람직하다.
상기 플렉시블 기판(11)은 상기 제1 전극(126)에 대응하는 제1 전극패드(111)와 상기 제2 전극(127)에 대응하는 제2 전극패드(112)를 상면에 포함한다. 상기 엘이디 칩(10)들 각각은 상기 제1 전극(126)과 상기 제1 전극패드(111) 사이에 형성되는 제1 솔더(17)와 상기 제2 전극(127)과 상기 제2 전극패드(112) 사이에 형성되는 제2 솔더(18)에 의해 상기 플렉시블 기판(11) 상에 플립칩 방식으로 실장된다. 따라서, 본딩와이어의 생략이 가능하며, 본딩와이어의 생략으로 인해, 그리고, 전극들이 엘이디 칩(12)의 하부면 안쪽에 숨겨짐으로 인해, 상기 플렉시블 기판(11)의 상면에는 상기 엘이디 칩(11)들의 점유 영역 외 모든 영역에 걸쳐 반사필름(19)이 형성될 수 있다.
한편, 상기 투광수지부(13)는, 실리콘 수지와 같은 높은 유연성을 갖는 수지 재료로 이루어진 것으로서, 상기 플렉시블 기판(11) 상에 형성되어, 상기 엘이디 칩(12)들의 점유 영역 외의 상기 플렉시블 기판(11) 상의 나머지 영역을 전체적으로 덮는다.
이때, 상기 투광수지부(13)는 상기 엘이디 칩(12)들의 측면들과 접해 있는 입광면들과, 상기 입광면들을 통해 들어온 광을 외부로 방출하는 출광면을 포함한다. 본 실시예에서, 상기 입광면들 각각은 상기 플렉시블 기판(11)의 표면으로부터 상기 엘이디 칩(12)들 각각의 측면 상단까지 이어져 있고, 상기 엘이디 칩(12)들의 측면에서 나와 상기 입광면들을 통해 상기 투광수지부(13) 내로 들어온 후 상기 출광면을 통해 상기 투광수지부(13) 밖으로 방출되는 광량을 증가시키도록, 상기 출광면은 적어도 일부 구간에 대략 포물선 형태를 갖도록 형성된 오목면(131)을 포함한다. 상기 오목면(131)은 서로 이웃하는 엘이디 칩(12)들 사이에서 상기 입광면들의 상부를 연결하도록 형성된다. 그리고, 상기 오목면(131)의 중앙에 최저점이 위치한다.
상기 투광수지부(13)는 광도파로의 기능을 하면서도 상기 엘이디 칩(12)들의 상단 높이 이하의 높이에 형성되므로, 조명 장치의 전체 두께를 증가시키지 않을 수 있다. 또한 상기 엘이디 칩(12)들의 측면을 통해서 대략 수평에 가깝게 나온 광들이 상기 출광면을 통해 투광수지부(13)의 외부로 잘 방출될 수 있도록, 상기 출광면은 중앙의 최저점을 향해 점진적으로 낮아지는 오목면(131)들을 포함한다. 오목면(131) 좌측의 엘이디 칩(12)의 측면을 통해 대략 수평으로 나온 광은 입광면을 통해 투광수지부(13) 내로 들어와 오목면(131) 좌측부를 통해 외부로 쉽게 방출되고, 오목면(131) 우측의 엘이디 칩(12)의 측면을 통해 대략 수평으로 나온 광은 입광면을 통해 투광수지부(13) 내로 들어와 오목면(131) 우측부를 통해 외부로 쉽게 방출된다. 이때, 상기 오목면(131)의 중앙 최저점은 상기 활성층(124)보다 낮게 위치하는 것이 바람직하며, 이를 통해, 더 많은 양의 광이 상기 오목면(131)을 통해 더 잘 외부로 방출될 수 있다. 투광수지부 외측으로 방출되는 광이 내측으로 다시 들어오는 것은 오목면의 구조나 투광수지부에 추가로 들어가는 재료에 의해 적절히 제한할 수 있다.
상기 투광수지부(13)는 상기 엘이디 칩(12)들이 미리 실장되어 있는 플렉시블 기판(11)의 상면에 도포된 액상 또는 겔상의 투광성 수지가 굳어져 형성되는 것이다. 이때, 상기 오목면(131)은 액상 또는 겔상의 수지가 표면 장력에 의해 상기 엘이디 칩(12)들 각각의 측면들과 접하는 영역에서 상기 엘이디 칩(12)들 각각의 측면을 따라 그 높이가 상승하여 형성된 것이다. 즉, 엘이디 칩(12)들 각각의 측면과 가까이 있을수록 그 높이가 크며, 이에 따라, 이웃하는 엘이디 칩(12)들 사이의 중간, 중앙 영역에서 그 높이가 가장 낮고 엘이디 칩(12)들과 가까워질수록 높이가 증가하는 포물선 단면 형태의 오목면(131)이 형성된다.
또한, 상기 투광수지부(13)는 예컨대 실리콘 수지와 같이 유연성과 투광 성을 모두 갖는 수지 재료를 기본으로 하여 그 수지 재료 내에 확산제가 입자 형태로 균일하게 혼합되어 분포된 재료에 의해 형성된다. 상기 확산제로는 TiO2, SiO2, 또는 이들의 혼합물이 선택되어 이용되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 투광수지부(13)는 다수의 나노은을 포함하며, 이 다수의 나노은은 투광수지부(13)를 형성하기 위해 상기 플렉시블 기판(11) 상에 도포된 겔상 또는 액상의 수지 재료 내에 포함된다. 이 다수의 나노은은 대략 150℃의 온도와 압력을 가하면 Cu를 포함하는 제1 전극패드(111)와 제2 전극패드(112)로 이동하여 클러스터(16)를 형성하며, 이 나노은에 의한 클러스터(16)가 제1 전극패드(111) 및 제2 전극패드(112)와 제1 솔더(17) 및 제2 솔더(18) 간의 결합을 보강하고 크랙(crack)을 억제한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉시블 엘이디 조명 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 플렉시블 엘이디 조명 장치는 앞선 실시예와 마찬가지로 플렉시블 엘이디 시트(10)를 포함한다. 또한, 플렉시블 엘이디 조명 장치는 상기 플렉시블 엘이디 시트(10)의 상측에 위치하는 광확산 필름(30)을 포함한다. 플렉시블 엘이디 시트(10)는, 앞선 실시예와 마찬가지로, 자유자재로 곡률 변경이 가능한 플렉시블 기판(11)과, 2차원 배열로 상기 플렉시블 기판(11)의 상면에 실장된 다수의 엘이디 칩(12)들을 포함한다. 앞선 실시예의 형광필름(20; 도 2 참조)이 생략되는 대신, 상기 엘이디 칩(12) 각각의 상면 및 측면을 덮는 형광체층(20')이 형성된다.
앞선 실시예와 본 실시예 모두 엘이디 칩(12)으로 청색 파장의 광을 발하는 청색 엘이디 칩, 더 바람직하게는, 질화갈륨계 청색 엘이디 칩을 이용한다. 앞선 실시예의 형광필름과 본 실시예의 형광체층은 청색 엘이디 칩에서 나온 청색 파장의 광과 혼합될 때 백색광을 만들어낼 수 있는 파장의 광을 만들어내는 형광체를 포함하는 것이 바람직하다.
플렉시블 엘이디 시트(10)의 투광수지부(13)는 다양한 형태로 형성될 수 있는데, 투과수지부(13)의 형태의 다양한 예가 도 5에 도시되어 있다.
도 4의 (a)는 투광수지부(13)의 오목면(131) 최저점이 엘이디 칩(12)의 높이의 1/2 보다 높은 위치에 있는 것의 한 예이고, 도 4의 (b)는 투광수지부(13)의 오목면(131)의 최저점이 엘이디 칩(12) 높이의 1/2 보다 낮은 위치에 있는 것의 한 예이고, 도 4의 (c)는 투광수지부(13)의 오목면(131)의 최저점이 플렉시블 기판(11)의 표면과 실질적으로 접해 있는 것의 한 예이고, 도 4의 (d)는 오목면(131) 상단에서 오목면(131)의 최저점까지 경사진 직선 형태로 이어진 것의 한 예이다.
도 5는 플렉시블 엘이디 시트에 구비되는 엘이디 칩들이 배열 상태를 예시적으로 보여주는 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 플렉시블 엘이디 시트(10)는 다수의 엘이디 칩(12)들 포함하며, 이 다수의 엘이디 칩(12)들을 플렉시블 기판 상에 2차원적으로, 더 나아가서는 행렬 배열로 실장된다. 플렉시블 엘이디 시트(10) 상측에는 형광 필름(20)과 광 확산 필름(30)이 배치될 수 있다. 형광 필름(20) 대신에 엘이디 칩(12)들 각각의 측면들과 상면을 덮는 형광체층이 이용될 수 있다.
10............................플렉시블 엘이디 시트
11............................플렉시블 기판
12............................엘이디 칩
13............................투광수지부
131...........................오목면
11............................플렉시블 기판
12............................엘이디 칩
13............................투광수지부
131...........................오목면
Claims (18)
- 플렉시블 엘이디 시트를 포함하는 플렉시블 엘이디 조명 장치로서,
상기 플렉시블 엘이디 시트는,
플렉시블 기판(flexible substrate);
상기 플렉시블 기판의 상면에 2차원적으로 배열된 다수개의 엘이디 칩들; 및
상기 플렉시블 기판 상에 형성되어 상기 엘이디 칩들의 점유 영역 외의 나머지 영역을 덮는 투광수지부를 포함하며,
상기 투광수지부는 상기 엘이디 칩들의 측면들과 접해 있는 입광면들과, 상기 입광면들을 통해 들어온 광을 외부로 방출하는 출광면을 포함하며, 상기 엘이디 칩들의 측면에서 나와 상기 출광면을 통해 방출되는 광량을 증가시키도록, 상기 출광면은 적어도 일부 구간에 오목면이 형성된 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치. - 청구항 1에 있어서, 상기 오목면은 서로 이웃하는 엘이디 칩들 사이에서 상기 입광면들의 상부를 연결하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 입광면들 각각은 상기 기판의 표면으로부터 상기 엘이디 칩들 각각의 측면 상단까지 이어진 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 오목면의 중앙에 최저점이 위치하는 것을 특징으로 하는 엘이디 조명 장치.
- 청구항 4에 있어서, 상기 최저점의 높이는 상기 입광면 상단 높이의 50% 이하인 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 4에 있어서, 상기 엘이디 칩들 각각은 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하며, 상기 최저점은 상기 활성층보다 낮게 위치하는 것을 특징을 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 엘이디 칩들 각각은 서로 다른 전기 극성을 갖는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 기판은 상기 제1 전극 및 제2 전극에 대응되는 제1 패드 및 제2 패드를 상면에 포함하며, 상기 제1 전극과 상기 제1 패드 사이에는 제1 솔더가 형성되고, 상기 제2 전극과 상기 제2 패드 사이에는 제2 솔더가 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 7에 있어서, 상기 기판의 상면 영역 중 상기 제1 패드와 상기 제2 패드의 점유 영역 외 나머지 영역에 반사면이 제공되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 투광수지부에는 나노은이 첨가된 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 7에 있어서, 상기 투광수지부는 상기 제1 패드 또는 상기 제2 패드 주변에 집중적으로 분포된 나노은을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 투광수지부는 입자 형태로 분포된 확산제를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 확산제는 TiO2 또는 SiO2인 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 투광수지부는 상기 기판의 상면에 도포된 액상 또는 겔상의 투광성 수지가 굳어져 형성된 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 13에 있어서, 상기 오목면은 상기 기판의 상면에 도포된 액상 또는 겔상의 투광성 수지가 상기 엘이디 칩들의 측면을 따라 상승한 후 굳어져서 형성된 것임을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 플렉시블 엘이디 시트의 상측에 위치하는 광 확산 필름을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 플렉시블 엘이디 시트와 상기 광 확산 필름사이에 위치하는 형광 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 16에 있어서, 상기 형광 부재는 상기 플렉시블 엘이디 시트와 상기 광 확산 필름 사이에 배치되는 형광 필름인 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
- 청구항 16에 있어서, 상기 형광 부재는 상기 엘이디 칩 각각의 측면들과 상면을 덮는 형광체층인 것을 특징으로 하는 플렉시블 엘이디 조명 장치.
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