KR20190097749A - Lapping Plate Groove Digging Device of Wafer Lapping Apparatus - Google Patents
Lapping Plate Groove Digging Device of Wafer Lapping Apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190097749A KR20190097749A KR1020180017566A KR20180017566A KR20190097749A KR 20190097749 A KR20190097749 A KR 20190097749A KR 1020180017566 A KR1020180017566 A KR 1020180017566A KR 20180017566 A KR20180017566 A KR 20180017566A KR 20190097749 A KR20190097749 A KR 20190097749A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- unit
- surface plate
- main body
- sludge
- wafer
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 가공 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wafer processing apparatus, and more particularly, to a surface plate trenching apparatus of a wafer wrapping apparatus.
실리콘 웨이퍼의 제조 공정은, 단결정 잉곳(Ingot)을 만들기 위한 단결정 성장(Growing) 공정과, 단결정 잉곳을 슬라이싱(Slicing)하여 얇은 원판 모양의 웨이퍼를 얻는 슬라이싱(Slicing) 공정과, 슬라이싱 공정에 의해 얻어진 웨이퍼의 깨짐, 일그러짐을 방지하기 위해 그 외주부를 가공하는 외주 그라인딩(Edge Grinding) 공정과, 웨이퍼에 잔존하는 기계적 가공에 의한 손상(Damage)을 제거하여 평탄도를 개선하는 랩핑(Lapping) 공정과, 웨이퍼를 경면화하는 연마(Polishing) 공정과, 연마된 웨이퍼에 부착된 연마제나 이물질을 제거하는 세정(Cleaning) 공정으로 이루어진다.The silicon wafer manufacturing process is obtained by a single crystal growing process for making a single crystal ingot, a slicing process in which a single crystal ingot is sliced to obtain a thin disk-shaped wafer, and a slicing process. An edge grinding process for processing the outer periphery of the wafer to prevent cracking and distortion of the wafer; a lapping process for improving flatness by removing damage caused by mechanical processing remaining on the wafer; It consists of a polishing process of mirroring a wafer and a cleaning process of removing an abrasive or foreign matter adhering to the polished wafer.
여기서 랩핑 공정은 화학적 연마제인 슬러리(Slurry)를 연마면 상에 공급하면서 웨이퍼를 연마면에 접촉시킨 후 기계적인 마찰을 수행하도록 이루어진다. 랩핑 공정은 웨이퍼 랩핑 장치를 통해 수행된다.The lapping process is performed by contacting the wafer with the polishing surface while supplying a slurry, which is a chemical abrasive, on the polishing surface, and then performing mechanical friction. The lapping process is performed via a wafer lapping apparatus.
도 1은 일반적인 웨이퍼 랩핑 장치의 부분 절개 사시도이다.1 is a partially cutaway perspective view of a typical wafer wrapping apparatus.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 랩핑 장치(5)는 상정반(10)과 하정반(20) 사이에 웨이퍼 캐리어(50, Wafer Cariier)를 배치하고, 웨이퍼 캐리어(50)에 웨이퍼(W)를 장착한다. 웨이퍼 캐리어(50)는 상정반(10)과 하정반(20)의 중심 영역인 회전축 상에 배치되는 선 기어(30)와 원주의 내측 방향에 형성된 인터널 기어(40)에 맞물려 있다.Referring to FIG. 1, in the wafer wrapping
웨이퍼 랩핑 장치(5)는 연마용 입자와 분산제, 희석제 등이 혼합된 슬러리(Slurry)를 공급하면서 상정반(10) 또는 하정반(20)을 회전시키게 된다. 이에 따라 웨이퍼 캐리어(50)가 상정반(10)과 하정반(20) 사이에서 회전하면서 슬러리에 포함된 연마용 입자에 의해 웨이퍼(W)의 표면은 연마된다.The
여기서 상정반(10)과 하정반(20)의 표면에는 슬러리가 웨이퍼(W) 표면에 원활하게 공급되면서 외부로 배출되기 위한 격자형의 홈(G, Groove)이 형성되어 있다.Here, the surface of the
한편, 랩핑 공정이 반복적으로 수행되면서 웨이퍼 랩핑 장치(5) 내부에는 슬러리와 웨이퍼로부터 떨어져 나온 불순물 등이 혼합된 슬러지(Sludge)가 발생하게 되는데, 특히 슬러지가 정반(10, 20)의 격자홈(G)에 고착되면 랩핑 공정의 효율을 떨어트리게 된다.Meanwhile, as the lapping process is repeatedly performed, sludge in which the slurry and impurities separated from the wafer are mixed is generated in the
따라서 웨이퍼 랩핑 장치(5)는 일정 횟수동안 랩핑 공정을 수행한 후에는 정반(20)의 홈(G) 내부에 채워진 슬러지(S)를 제거하는 홈파기(Groove Digging) 작업을 수행한다.Therefore, after performing the lapping process for a predetermined number of times, the
도 2는 종래의 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 작업을 보여주는 도면이다.2 is a view showing a surface plate grooving operation of a conventional wafer lapping apparatus.
도 2를 참조하면, 정반 홈파기 작업은 웨이퍼 랩핑 장치(5)로부터 상정반(10) 또는 하정반(20){이하, 정반(20)}을 분리하고, 정반(20)의 격자홈(G)을 따라서 쇠톱(5)을 왕복 운동함으로써 톱날(6)에 의해 격자홈(G) 내부에 채워진 슬러지(S)를 제거하는 방식으로 이루어지고 있다.Referring to FIG. 2, the surface plate grooving operation separates the
그런데 종래의 정반 홈파기 작업은 작업자가 쇠톱(5)을 직접 다루는 방식으로 이루어지 때문에 작업 속도가 매우 느릴 뿐만 아니라 작업자의 숙련도와 힘의 크기에 따라 홈파기 결과에 차이가 발생하게 된다.By the way, the conventional surface plate grooving operation is not only because the operation speed is very slow because the worker handles the
또한, 종래의 정반 홈파기 작업은 톱날(6)에 의해 격자홈(G)의 모서리가 날카로워(Sharp) 지거나 깨지게 되는 등 정반(20)에 손상을 주어 랩핑 공정 후 웨이퍼(W)의 손상으로 이어질 수 있다.In addition, the conventional surface plate grooving operation damages the
따라서 본 발명은 작업자가 달라지더라도 정반의 격자홈 내부에 채워진 슬러지를 신속하고 균일하게 제거할 수 있는 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치를 제공하고자 한다.Therefore, the present invention is to provide a surface lapping device of the wafer lapping apparatus that can quickly and uniformly remove the sludge filled in the grid groove of the surface even if the operator changes.
또한, 본 발명은 정반의 격자홈의 모서리가 날카로워지거나 깨지는 등 손상되지 않으면서 안정적으로 슬러지를 제거할 수 있는 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치를 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide a surface lapping device of the wafer lapping apparatus that can remove the sludge stably without damaging the edge of the grid groove of the surface plate, such as sharp or broken.
본 발명은 정반의 상부에 배치되는 본체부; 상기 본체부에 장착되며, 정반의 격자홈에 삽입되어 슬러지를 제거하는 슬러지 제거부; 상기 슬러지 제거부를 선형으로 이동시키는 이동부; 상기 정반의 외주를 따라 배치되는 레일부; 및 상기 레일부를 따라 이동하며 상기 슬러지 제거부의 위치를 다른 격자홈으로 변화시키는 위치변환부;를 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치를 제공한다.The present invention is the main body portion disposed on the upper plate; A sludge removal unit mounted on the main body and inserted into a grid groove of a surface plate to remove sludge; A moving unit for linearly moving the sludge removing unit; A rail unit disposed along an outer circumference of the surface plate; And a position converting unit moving along the rail and changing the position of the sludge removing unit to another lattice groove.
상기 본체부는 상기 정반의 중심에서 외주 영역을 따라 형성된 격자홈의 길이 방향을 따라 배치될 수 있다.The main body may be disposed along the longitudinal direction of the grating groove formed along the outer circumferential region at the center of the surface plate.
상기 슬러지 제거부는 톱날 또는 와이어를 포함할 수 있다.The sludge removal unit may include a saw blade or a wire.
상기 슬러지 제거부는 폐루프 형상을 가지며, 상기 이동부에 의해 회전가능하게 장착될 수 있다.The sludge removal part has a closed loop shape and may be rotatably mounted by the moving part.
상기 이동부는 상기 본체부에 구비되는 모터; 및 상기 모터의 구동력을 전달하여 상기 슬러지 제거부를 이동시키는 이송 롤러를 포함할 수 있다.The moving unit includes a motor provided in the main body; And it may include a transfer roller for transmitting the drive force of the motor to move the sludge removal unit.
상기 모터는 상기 슬러지 제거부가 회전 또는 왕복 운동가능하도록 정역 회전 가능하게 동작할 수 있다.The motor may be operated in forward and reverse rotation such that the sludge removal unit is rotatable or reciprocating.
상기 레일부는 상기 정반의 외주를 감싸도록 일정 길이를 갖는 호(arc) 형상을 가지며, 상기 정반에 외주 영역에 대해 이동가능하게 배치될 수 있다.The rail portion may have an arc shape having a predetermined length to surround the outer circumference of the surface plate, and may be disposed on the surface plate so as to be movable with respect to the outer circumferential region.
상기 위치변환부는 상기 본체부를 승하강 또는 선형 이동시키도록 상기 레일부 및 상기 본체부에 결합될 수 있다.The position converting part may be coupled to the rail part and the main body part to move the main body part up or down or linearly.
상기 위치변환부는 일측이 상기 본체부에 연결되고, 타측이 상기 레일부에 승하강가능하게 설치될 수 있다.One side of the position conversion unit may be connected to the main body, and the other side may be installed to move up and down the rail unit.
상기 위치변환부는 상기 레일부에 대해 회전가능하게 설치될 수 있다.The position conversion unit may be rotatably installed with respect to the rail unit.
상기 슬러지 제거부는 한 쌍으로 이루어지며, 인접한 격자홈들의 이격거리 만큼 이격되게 배치될 수 있다.The sludge removing unit is formed in a pair, and may be disposed to be spaced apart by a distance of adjacent lattice grooves.
상기 슬러지 제거부는 톱날을 포함하며, 상기 톱날의 적어도 어느 한 측면에 배치되는 측면 돌기를 더 포함할 수 있다.The sludge removal unit may include a saw blade, and may further include side protrusions disposed on at least one side of the saw blade.
상기 측면 돌기는 한 쌍으로 이루어지며, 상기 톱날의 양 측면에 길게 배치될 수 있다.The side protrusions are formed in a pair and may be disposed to be long on both side surfaces of the saw blade.
상기 측면 돌기는 숯돌을 포함할 수 있다.The side protrusion may include a charcoal stone.
상기 정반 홈파기 장치는 상기 슬러지 제거부에 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 더 포함할 수 있다.The surface plate trenching device may further include a cleaning solution supply unit supplying a cleaning solution to the sludge removing unit.
상기 정반 홈파기 장치는 상기 세정액 공급부에 초음파를 제공하는 초음파 발생부를 더 포함할 수 있다.The surface plate trenching device may further include an ultrasonic wave generator configured to provide ultrasonic waves to the cleaning liquid supply unit.
한편, 본 발명은 정반의 상부에 배치되는 본체부; 상기 본체부에 장착되며, 정반의 격자홈들에 각각 삽입되는 한 쌍의 톱날을 갖는 톱부; 상기 톱부를 상기 정반의 중심에서 외주 영역을 따라 형성된 격자홈의 길이 방향을 따라 선형으로 이동시키는 이동부; 상기 정반의 외주를 따라 배치되는 레일부; 상기 레일부를 따라 이동하며 상기 톱부의 위치를 다른 격자홈으로 변화시키는 위치변환부; 상기 톱부에 세정액을 공급하는 세정액 공급부; 및 상기 세정액 공급부에 초음파를 제공하는 초음파 발생부를 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치를 제공한다.On the other hand, the present invention is the main body portion disposed on the upper plate; A saw portion mounted to the main body portion and having a pair of saw blades respectively inserted into the grid grooves of the surface plate; A moving unit for linearly moving the saw portion along the longitudinal direction of the grating groove formed along the outer circumferential region at the center of the surface plate; A rail unit disposed along an outer circumference of the surface plate; A position conversion unit moving along the rail unit and changing the position of the saw unit to another lattice groove; A cleaning liquid supply unit supplying a cleaning liquid to the top portion; And an ultrasonic generator configured to provide ultrasonic waves to the cleaning liquid supply unit.
상기 톱부는 상기 톱날의 양 측면에 한 쌍으로 이루어지며 상기 톱날의 양 측면에 길게 배치되는 한 쌍의 측면 돌기를 포함할 수 있다.The saw portion may include a pair of side protrusions formed in a pair on both side surfaces of the saw blade and disposed long on both sides of the saw blade.
한편, 본 발명은 정반의 상부에 배치되는 본체부; 상기 본체부에 장착되며, 정반의 격자홈에 삽입되는 와이어를 갖는 와이어부; 상기 와이어부를 상기 정반의 중심에서 외주 영역을 따라 형성된 격자홈의 길이 방향을 따라 선형으로 이동시키는 이동부; 상기 정반의 외주를 따라 배치되는 레일부; 상기 레일부를 따라 이동하며 상기 와이어부의 위치를 다른 격자홈으로 변화시키는 위치변환부; 상기 와이어부에 세정액을 공급하는 세정액 공급부; 및 상기 세정액 공급부에 초음파를 제공하는 초음파 발생부를 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치를 제공한다.On the other hand, the present invention is the main body portion disposed on the upper plate; A wire part mounted to the main body part and having a wire inserted into a grid groove of a surface plate; A moving part for linearly moving the wire part along a longitudinal direction of a grating groove formed along an outer circumferential area at the center of the surface plate; A rail unit disposed along an outer circumference of the surface plate; A position converting unit moving along the rail unit and changing the position of the wire unit to another lattice groove; A cleaning liquid supply unit supplying a cleaning liquid to the wire part; And an ultrasonic generator configured to provide ultrasonic waves to the cleaning liquid supply unit.
상기 와이어는 폐루프 형상을 가지며, 상기 격자홈들에 이격되어 삽입되도록 상기 와이어부는 복수개로 이루어질 수 있다.The wire may have a closed loop shape, and the wire part may be formed in plural to be spaced apart from the grid grooves.
본 발명의 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치에 따르면, 자동화된 장치를 이용함으로써 작업자가 달라지더라도 정반의 격자홈 내부에 채워진 슬러지를 신속하고 균일하게 제거할 수 있다.According to the surface plate grooving device of the wafer lapping apparatus of the present invention, by using an automated device, sludge filled in the grid grooves of the surface plate can be removed quickly and uniformly even if the operator changes.
또한, 본 발명의 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치에 따르면, 띠톱과 측면 돌기 또는 와이어를 포함하는 슬러지 제거부를 통해 고착화된 슬러지를 더욱 잘 제거할 수 있으며 정반의 격자홈의 모서리가 날카로워지거나 깨지지 않도록 홈파기를 수행할 수 있다.In addition, according to the surface gutter device of the wafer lapping apparatus of the present invention, the sludge removal unit including the band saw and the side protrusions or the wires can be more easily removed and the edges of the grid grooves of the surface plate are not sharpened or broken. Grooving can be performed.
도 1은 일반적인 랩핑 장치의 부분 절개 사시도이다.
도 2는 종래의 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 작업을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치에 대한 측면도이다.
도 4는 도 3의 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 3의 슬러지 제거부의 다른 실시 형태를 보여주는 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치에 대한 측면도이다.
도 7은 도 6의 슬러지 제거부의 또다른 실시 형태를 보여주는 측단면도이다.
도 8은 종래의 정반 홈파기 작업에 따른 정반의 측단면을 보여준다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치에 대한 측면도이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치에 대한 측면도이다.1 is a partial cutaway perspective view of a general lapping apparatus.
2 is a view showing a surface plate grooving operation of a conventional wafer lapping apparatus.
3 is a side view of a surface plate trenching device of the wafer wrapping device according to the first embodiment of the present invention.
4 is a schematic plan view of FIG. 3.
FIG. 5 is a side cross-sectional view showing another embodiment of the sludge removing unit of FIG. 3. FIG.
6 is a side view of a surface plate gutter device of the wafer wrapping device according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a side cross-sectional view showing another embodiment of the sludge removing unit of FIG. 6. FIG.
Figure 8 shows a side cross-sectional view of the surface plate according to the conventional surface plate grooving operation.
Fig. 9 is a side view of the surface plate trenching device of the wafer wrapping device according to the second embodiment of the present invention.
10 is a side view of a surface plate gutter device of the wafer wrapping device according to the third embodiment of the present invention.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, the embodiments will be apparent from the accompanying drawings and the description of the embodiments. In the description of an embodiment, each layer (region), region, pattern, or structure is "on" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad, or pattern. In the case where it is described as being formed at, "up" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criteria for up / down or down / down each layer will be described with reference to the drawings.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명한다.In the drawings, sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. Like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, exemplary embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치에 대한 측면도이고, 도 4는 도 3의 개략적인 평면도이며, 도 5는 도 3의 슬러지 제거부의 다른 실시 형태를 보여주는 측단면도이다.FIG. 3 is a side view of the surface plate trenching device of the wafer wrapping apparatus according to the first embodiment of the present invention, FIG. 4 is a schematic plan view of FIG. 3, and FIG. 5 is another embodiment of the sludge removing unit of FIG. 3. It is a side sectional view showing.
도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 정반 홈파기 장치(1)는 본체부(100), 슬러지 제거부(200), 레일부(400), 위치변환부(500)를 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIGS. 3 to 5, the surface
여기서 홈파기 대상의 정반(20)은 웨이퍼 랩핑 장치(5)로부터 분리된 격자홈(G)이 형성된 상정반(10) 또는 격자홈(G)이 형성된 하정반(20)일 수 있으며, 설명의 편의상 정반(20)이라고 통칭하기로 한다.Here, the
본체부(100)는 정반 홈파기 장치(1)의 메인 프레임을 이루며, 정반(20)의 상부에 배치될 수 있다. 예를 들어 본체부(100)는 길이방향으로 길게 이루어지는 수평부재와, 수평부재의 양측 가장자리로부터 수직으로 연장된 세로부재들을 포함할 수 있다.The
본체부(100)는 슬러지 제거부(200)를 지지하면서 정반(20)의 상부에 배치될 수 있는 형태라면 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어 본체부(100)는 도 4에 도시된 바와 같이 정반(20)의 중심에서 외주 영역을 따라 형성된 격자홈(G)의 길이 방향을 따라 길게 배치될 수 있다.The
슬러지 제거부(200)는 정반(20)의 격자홈(G)에 고착된 슬러지(S)를 제거하는 역할을 하며, 톱날 또는 와이어를 포함하여 구성될 수 있다. 본 실시예에서 슬러지 제거부(200)는 정반(20)의 격자홈(G)에 삽입되는 적어도 하나의 톱날(210)을 가질 수 있다. 슬러지 제거부(200)가 톱날(210)을 구비함에 따라 슬러지 제거부(200)는 톱부로도 불릴 수 있다. 톱날(210)은 정반(20)의 격자홈(G)을 따라서 이동하면서 격자홈(G) 내부에 채워진 슬러지(S)를 제거할 수 있다. 슬러지 제거부(200)는 본체부(100)에 장착될 수 있다.The
예를 들어 슬러지 제거부(200)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 하나의 격자홈(G)에 톱날(210)이 삽입되도록 본체부(100)에 하나가 설치될 수 있다. 또한, 슬러지 제거부(200)는 도 5에 도시된 바와 같이 한 쌍으로 이루어지며, 인접한 격자홈(G)들의 이격거리 만큼 이격되게 배치되면서 2개의 격자홈(G)에 톱날(210)이 각각 삽입되면서 홈파기 작업을 동시에 수행할 수 있다. 물론, 슬러지 제거부(200)는 필요에 따라 2개 이상의 개수를 갖도록 변형 실시될 수 있다.For example, one
슬러지 제거부(200)는 띠톱 형상을 가질 수 있다. 즉, 슬러지 제거부(200)는 종래의 큰 톱에 비해서 작은 띠톱 형상을 가짐으로서 보다 정밀하게 슬러지(S)를 제거할 수 있으며, 정반(20)의 격자홈(G) 모서리 영역의 손상을 줄일 수 있다.The
예를 들어 슬러지 제거부(200)는 아래에 톱날(210)이 형성된 폐루프(Close loop) 형상을 가질 수 있다. 즉, 슬러지 제거부(200)는 타원형을 가질 수 있다.For example, the
상술한 슬러지 제거부(200)는 이동부(300)에 의해 본체부(100)에서 선형으로 이동하면서 격자홈(G)에 삽입된 톱날(210)로 슬러지(S)를 제거할 수 있다. 즉, 슬러지 제거부(200)는 왕복 운동하거나 회전 운동하면서 격자홈(G)의 길이방향을 따라 선형 이동할 수 있다.The
이동부(300)는 슬러지 제거부(200)를 선형으로 이동시키도록(즉, 자동으로 홈파기 작업을 수행하도록) 동작할 수 있다. 이동부(300)는 슬러지 제거부(200)가 왕복 운동 또는 회전 운동할 수 있다면 다양한 형태로 실시될 수 있다.The moving
예를 들어 이동부(300)는 본체부(100)에 구비되는 모터(310)와, 모터(310)의 구동력을 전달하여 슬러지 제거부(200)를 이동시키는 이송 롤러(320)를 포함할 수 있다.For example, the moving
이송 롤러(320)는 모터(310)와 연결되면서 슬러지 제거부(200)의 적어도 일 영역이 회전하도록 동작할 수 있다. 도 3에는 한 쌍의 이송 롤러(320)가 내측에서 슬러지 제거부(200)를 상부 가장자리를 지지하는 것을 도시하였으나 이송 롤러(320)는 모터(310)의 구동력을 전달하여 슬러지 제거부(200)를 왕복 또는 회전 운동시키는 일련의 구성을 포함하는 구동전달 수단을 지칭하는 용어로 사용될 수 있다.The conveying
모터(310)는 슬러지 제거부(200)가 회전 또는 왕복 운동가능하도록 정역 회전 가능하게 동작할 수 있다. 예를 들어 모터(310)는 일정 시간동안 정회전과 역회전을 반복하도록 동작할 수 있다. 이때, 슬러지 제거부(200)는 일정 길이 만큼 도 4에 도시된 바와 같이 Y축 방향으로 전진하거나 후진하는 왕복 운동을 통해 슬러지(S)를 제거할 수 있다.The
또 다른 예로서 모터(310)는 일정시간 동안 정회전만 반복할 수 있다. 이때, 슬러지 제거부(200)는 폐루프 형상을 갖는 띠톱 형태로서, 이송 롤러(320)에 의해 한 방향으로 회전하면서 슬러지(S)를 제거할 수 있다.As another example, the
레일부(400)는 정반(20)의 외주를 따라 본체부(100)의 하부 영역에 배치될 수 있다. 레일부(400)는 정반(20)의 외주 일부 영역을 감싸는 형상을 가지며, 본체부(100)가 이동할 수 있는 이동 경로를 형성할 수 있다. 즉, 레일부(400)는 정반(20)의 외주를 감싸도록 일정 길이를 갖는 호(arc) 형상을 가지며, 정반(20)에 외주 영역에 대해 이동가능하게 배치될 수 있다.The
예를 들어 레일부(400)는 정반(20)의 외주에 접하거나 인접한 위치에서 본체부(100)를 안정적으로 지지할 수 있는 하중을 가질 수 있다. 따라서 본체부(100)는 레일부(400)의 길이에 해당하는 격자홈(G)의 영역을 움직이면서 홈파기 작업을 수행할 수 있다. 홈파기 작업이 완료되면 레일부(400)는 정반(20)의 나머지 외주 영역으로 이동하면서 위치할 수 있다. 물론 레일부(400)는 정반(20)의 외주 영역 전체를 감싸는 도우넛(Donut) 형상을 가지며 정반(20)의 외주에 접하거나 인접하게 설치될 수도 있다.For example, the
위치변환부(500)는 본체부(100)를 승하강 또는 선형 이동시키도록 레일부(400) 및 본체부(100)에 결합될 수 있다. 예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이 위치변환부(500)는 일측이 본체부(100)의 하부 영역과 연결되고, 타측이 레일부(400)에 설치될 수 있다.The
또한, 자세히 도시하지는 않았지만 위치변환부(500)는 레일부(400)의 수직방향을 따라 이동하면서 본체부(100)를 승하강시킬 수 있다. 이에 따라 슬러지 제거부(200)는 격자홈(G)에 삽입되거나 격자홈(G)으로부터 분리될 수 있다.In addition, although not shown in detail, the
또한, 위치변환부(500)는 레일부(400)의 길이 방향을 따라 이동하며 도 4에 도시된 바와 같이 적어도 하나의 슬러지 제거부(200)의 위치를 다른 격자홈(G)으로 변화시킬 수 있다. 즉, 위치변환부(500)는 레일부(400)에 대해서 회전하면서 본체부(100)를 X축에 나란한 방향이나 Y축에 나란한 방향으로 위치시킬 수 있다.In addition, the
이에 따라 위치변환부(500)는 본체부(100)와 슬러지 제거부(200)를 격자홈(G)의 X축 방향과 Y축 방향으로 위치를 변화시키면서 정반(20) 전체의 격자홈(G)들에 대한 홈파기 작업을 수행할 수 있도록 한다.Accordingly, the
이와 같은 구성을 포함하는 본 실시예에 따른 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치(1)에 따르면, 자동화된 정반 홈파기 장치(1)를 이용함으로써 작업자가 달라지더라도 정반(20)의 격자홈(G) 내부에 채워진 슬러지(S)를 신속하고 균일하게 제거할 수 있다.According to the surface
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치에 대한 측면도이고, 도 7은 도 6의 슬러지 제거부의 또다른 실시 형태를 보여주는 측단면도이며, 도 8은 종래의 정반 홈파기 작업에 따른 정반의 측단면을 보여준다.FIG. 6 is a side view of the surface roughening device of the wafer wrapping apparatus according to the second embodiment of the present invention, FIG. 7 is a side cross-sectional view showing another embodiment of the sludge removing unit of FIG. 6, and FIG. It shows the side cross-section of the surface plate according to the surface groove work.
본 실시예에서는 중복된 설명을 피하기 위해서 전술한 실시예와 다른 부분을 위주로 설명하기로 한다.In the present embodiment, in order to avoid overlapping description, different parts from the above-described embodiment will be mainly described.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 슬러지 제거부(200)는 톱날(210)의 적어도 어느 한 측면에 배치되는 측면 돌기(220)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어 도 7에 도시된 바와 같이 측면 돌기(220)는 한 쌍으로 이루어지며, 도 6에 도시된 바와 같이 톱날(210)의 양 측면에 길게 배치될 수 있다. 예를 들어 측면 돌기(220)는 숯돌을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 6 and FIG. 7, the
측면 돌기(220)는 톱날(210)의 측면에 대해 돌출되도록 결합되며, 톱날(210)의 외측으로 갈수록 단면적이 점차적으로 작아지는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어 측면 돌기(220)는 상면과 하면이 호(arc) 형상을 가질 수 있다. 측면 돌기(220)의 형상은 예시일 뿐 다양한 형상으로 변형 실시될 수 있다.The
측면 돌기(220)는 슬러지 제거부(200)가 정반(20)의 격자홈(G)에 삽입되어 톱날(210)이 슬러지(S)를 제거할 경우, 톱날(210)과 함께 격자홈(G)에 삽입되면서 격자홈(G)의 모서리(20) 영역에 고착화된 슬러지(S)를 안정적이고 빠르게 제거할 수 있다.The
도 8에 도시된 바와 같이 종래처럼 정반(20)의 홈파기 작업을 수행하면서, 정반(20)의 격자홈(G)을 이루는 모서리(22) 영역에 고착화된 슬러지(S)는 톱날(6)에 의해서도 잘 제거되지 않을 수 있다. 또한, 설령 고착화된 슬러지(S)가 톱날(6)에 의해 정반(20)으로부터 제거되더라도 톱날(6)과의 강한 충격력에 의해 슬러지(S)와 모서리(22) 영역이 깨져서 떨어져 나가거나 날카롭게 변화하는 등 정반(20)이 손상되는 문제가 발생할 수 있다.As shown in FIG. 8, the sludge S fixed on the
그러나 본 실시예처럼 슬러지 제거부(200)의 측면 돌기(220)가 격자홈(G)에 톱날(210)과 함께 삽입되어 선형 이동하면, 특히 격자홈(G)의 모서리(22) 영역에 고착화된 슬러지(S)를 인접한 측면 돌기(220)가 접촉하면서 빠르고 안정적으로 제거할 수 있다.However, when the
또한, 격자홈(G)의 모서리(22) 영역에 고착화된 슬러지(S)를 인접한 측면 돌기(220)가 약한 충격력에 의해서 제거할 수 있기 때문에 홈파기 작업시 슬러지(S)와 격자홈(G)의 모서리(22) 영역이 함께 떨어지면서 모서리(22) 영역이 날카로워지거나 깨지는 등 홈파기 작업시 정반(20)의 손상을 방지할 수 있다.In addition, since the sludge S fixed on the
이와 같이 본 실시예의 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치(1a)에 따르면, 띠톱과 측면 돌기(220)를 포함하는 슬러지 제거부(200)를 통해 고착화된 슬러지(S)가 쉽게 제거될 뿐만 아니라 정반(20)의 격자홈(G)에 대한 손상을 방지할 수 있다.As described above, according to the surface
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치에 대한 측면도이다. 본 실시예에서는 중복된 설명을 피하기 위해서 전술한 실시예들과 다른 부분을 위주로 설명하기로 한다.Fig. 9 is a side view of the surface plate trenching device of the wafer wrapping device according to the second embodiment of the present invention. In the present embodiment, in order to avoid overlapping description will be described with a focus on the parts different from the above embodiments.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 정반 홈파기 장치(1b)는 세정액 공급부(600)와 초음파 발생부(700)를 더 구비한다.As shown in FIG. 9, the surface
세정액 공급부(600)는 슬러지 제거부(200)에 세정액(W)을 공급하여 홈파기 작업동안 슬러지(S)가 제거된 정반(20)의 격자홈(G) 영역을 세정하거나 고착화된 슬러지(S)를 격자홈(G)으로부터 더욱 잘 분리하도록 할 수 있다. 예를 들어 세정액(W)은 초순수, 화학 약품 등일 수 있으며, 그 밖의 다양한 세정액(W)이 사용될 수 있다. 세정액 공급부(600)에 의해 도 9에 확대 도시된 바와 같이 톱날(210)에는 세정액(W)이 포함되면서 홈파기 작업을 수행할 수 있다.The cleaning
초음파 발생부(600)는 초음파를 발생시켜 세정액 공급부(600)에 초음파를 제공할 수 있다. 따라서 세정액(W)은 초음파가 포함된 초음파 세정액(W)으로 기능할 수 있다. 초음파 세정액(W)은 초음파 세정 방식으로 슬러지(S)를 격자홈(G)으로부터 더욱 잘 분리하도록 할 수 있으며 격자홈(G)의 세척 효율을 더욱 증대시킬 수 있다.The
이와 같이 본 실시예의 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치(1b)에 따르면, 초음파 세정액(W)을 통해 정반(20)의 격자홈(G) 내부에 채워진 고착화된 슬러지(S)를 더욱 신속하고 빠르게 제거할 수 있다.As described above, according to the surface
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치에 대한 측면도이다. 본 실시예에서는 중복된 설명을 피하기 위해서 전술한 실시예들과 다른 부분을 위주로 설명하기로 한다.10 is a side view of a surface plate gutter device of the wafer wrapping device according to the third embodiment of the present invention. In the present embodiment, in order to avoid overlapping description will be described with a focus on the parts different from the above embodiments.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 정반 홈파기 장치(1b)는 슬러지 제거부(200c)가 전술한 실시예들과 달리 톱날이 아닌 와이어(wire)를 포함하는 점에서 차이가 있다. 그러므로 본 실시예에서 슬러지 제거부(200c)는 와이어부로 불릴 수 있다.As shown in FIG. 10, the surface
슬러지 제거부(200c)는 전술한 실시예들의 톱날(210)에 비해서 굵기가 얇은 와이어로 이루어질 수 있다.The
슬러지 제거부(200c)는 회전 또는 왕복 운동하면서 정반(20)의 격자홈(G)을 따라서 와이어가 이동하면서 격자홈(G) 내부에 채워진 슬러지(S)를 제거할 수 있다. 또한, 와이어는 폐루프 형상을 가지며, 격자홈(G)들에 이격되어 삽입되도록 슬러리 제거부(200c), 즉 와이어부는 복수개로 이루어질 수 있다.The
이와 같이 본 실시예의 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치(1c)에 따르면, 톱날에 비해 굵기가 얇은 와이어를 포함하므로 정반(20)의 격자홈(G) 내부에 채워진 슬러지(S)를 더욱 미세하고 정밀한 부분까지 효율적으로 제거할 수 있다.As described above, according to the surface
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.
1, 1a, 1b, 1c : 정반 홈파기 장치
20 : 정반
G : 격자홈
S : 슬러지
W : 세정액
100 : 본체부
200, 200c : 슬러지 제거부
210 : 톱날
220 : 측면 돌기
300 : 이동부
310 : 모터
320 : 이송 롤러
400 : 레일부
500 : 위치변환부
600 : 세정액 공급부
700 : 초음파 발생부1, 1a, 1b, 1c: surface plate slotting device 20: surface plate
G: Grid groove S: Sludge
W: cleaning liquid 100: main body
200, 200c: sludge removal unit 210: saw blade
220: side projection 300: moving part
310: motor 320: feed roller
400: rail portion 500: position conversion portion
600: cleaning liquid supply unit 700: ultrasonic wave generation unit
Claims (20)
상기 본체부에 장착되며, 정반의 격자홈에 삽입되어 슬러지를 제거하는 슬러지 제거부;
상기 슬러지 제거부를 선형으로 이동시키는 이동부;
상기 정반의 외주를 따라 배치되는 레일부; 및
상기 레일부를 따라 이동하며 상기 슬러지 제거부의 위치를 다른 격자홈으로 변화시키는 위치변환부;를 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.A main body portion disposed above the surface plate;
A sludge removal unit mounted on the main body and inserted into a grid groove of a surface plate to remove sludge;
A moving unit for linearly moving the sludge removing unit;
A rail unit disposed along an outer circumference of the surface plate; And
And a position converting unit moving along the rail and changing the position of the sludge removing unit to another lattice groove.
상기 본체부는 상기 정반의 중심에서 외주 영역을 따라 형성된 격자홈의 길이 방향을 따라 배치되는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 1,
And the main body portion is disposed along the longitudinal direction of the lattice groove formed along the outer circumferential region at the center of the surface plate.
상기 슬러지 제거부는 톱날 또는 와이어를 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 1,
The sludge removing unit includes a saw blade or a wire, surface plate gutter device of the wafer wrapping device.
상기 슬러지 제거부는 폐루프 형상을 가지며, 상기 이동부에 의해 회전가능하게 장착되는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 3,
And the sludge removing portion has a closed loop shape and is rotatably mounted by the moving portion.
상기 이동부는
상기 본체부에 구비되는 모터; 및
상기 모터의 구동력을 전달하여 상기 슬러지 제거부를 이동시키는 이송 롤러를 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 4, wherein
The moving part
A motor provided in the main body; And
And a conveying roller for transmitting a driving force of the motor to move the sludge removing unit.
상기 모터는 상기 슬러지 제거부가 회전 또는 왕복 운동가능하도록 정역 회전 가능하게 동작하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 5,
And the motor operates in reverse rotation such that the sludge removal unit is rotatable or reciprocating.
상기 레일부는 상기 정반의 외주를 감싸도록 일정 길이를 갖는 호(arc) 형상을 가지며, 상기 정반에 외주 영역에 대해 이동가능하게 배치되는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 1,
And the rail portion has an arc shape having a predetermined length so as to surround the outer circumference of the surface plate, and is disposed on the surface plate so as to be movable relative to the outer circumferential region.
상기 위치변환부는 상기 본체부를 승하강 또는 선형 이동시키도록 상기 레일부 및 상기 본체부에 결합되는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 7, wherein
And the position converting portion is coupled to the rail portion and the main body portion to move the main body portion up or down or linearly.
상기 위치변환부는 일측이 상기 본체부에 연결되고, 타측이 상기 레일부에 승하강가능하게 설치되는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 8,
The position converting unit is one side is connected to the main body portion, the other side is installed in the rail unit to move up and down, the surface lapping apparatus of the wafer wrapping apparatus.
상기 위치변환부는 상기 레일부에 대해 회전가능하게 설치되는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 9,
And the position converting portion is rotatably installed with respect to the rail portion.
상기 슬러지 제거부는 한 쌍으로 이루어지며, 인접한 격자홈들의 이격거리 만큼 이격되게 배치되는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method according to any one of claims 1 to 10,
The sludge removing unit is a pair, and the surface lapping apparatus of the wafer lapping apparatus is arranged spaced apart by the distance of the adjacent grating grooves.
상기 슬러지 제거부는 톱날을 포함하며, 상기 톱날의 적어도 어느 한 측면에 배치되는 측면 돌기를 더 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 11,
The sludge removing unit includes a saw blade, and further comprising a side protrusion disposed on at least one side of the saw blade.
상기 측면 돌기는 한 쌍으로 이루어지며, 상기 톱날의 양 측면에 길게 배치되는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 12,
The side surface protrusions are formed in pairs, and are arranged on both sides of the saw blade, the surface roughening device of the wafer wrapping device.
상기 측면 돌기는 숯돌을 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 13,
The side surface projections of the surface lapping apparatus of the wafer wrapping device, comprising a charcoal stone.
상기 정반 홈파기 장치는 상기 슬러지 제거부에 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 더 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 14,
The surface plate trenching device of the wafer wrapping device further comprises a cleaning solution supply unit for supplying a cleaning solution to the sludge removal unit.
상기 정반 홈파기 장치는 상기 세정액 공급부에 초음파를 제공하는 초음파 발생부를 더 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 15,
The surface plate trenching device further includes an ultrasonic wave generation unit configured to provide ultrasonic waves to the cleaning liquid supply unit.
상기 본체부에 장착되며, 정반의 격자홈들에 각각 삽입되는 한 쌍의 톱날을 갖는 톱부;
상기 톱부를 상기 정반의 중심에서 외주 영역을 따라 형성된 격자홈의 길이 방향을 따라 선형으로 이동시키는 이동부;
상기 정반의 외주를 따라 배치되는 레일부;
상기 레일부를 따라 이동하며 상기 톱부의 위치를 다른 격자홈으로 변화시키는 위치변환부;
상기 톱부에 세정액을 공급하는 세정액 공급부; 및
상기 세정액 공급부에 초음파를 제공하는 초음파 발생부를 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.A main body portion disposed above the surface plate;
A saw portion mounted to the main body portion and having a pair of saw blades respectively inserted into the grid grooves of the surface plate;
A moving unit for linearly moving the saw portion along the longitudinal direction of the grating groove formed along the outer circumferential region at the center of the surface plate;
A rail unit disposed along an outer circumference of the surface plate;
A position conversion unit moving along the rail unit and changing the position of the saw unit to another lattice groove;
A cleaning liquid supply unit supplying a cleaning liquid to the top portion; And
And a surface roughening device of the wafer wrapping apparatus, comprising an ultrasonic wave generator for providing ultrasonic waves to the cleaning liquid supply unit.
상기 톱부는 상기 톱날의 양 측면에 한 쌍으로 이루어지며 상기 톱날의 양 측면에 길게 배치되는 한 쌍의 측면 돌기를 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 17,
The saw portion includes a pair of side protrusions formed on both sides of the saw blade and long on both sides of the saw blade, the surface lapping apparatus of the wafer wrapping device.
상기 본체부에 장착되며, 정반의 격자홈에 삽입되는 와이어를 갖는 와이어부;
상기 와이어부를 상기 정반의 중심에서 외주 영역을 따라 형성된 격자홈의 길이 방향을 따라 선형으로 이동시키는 이동부;
상기 정반의 외주를 따라 배치되는 레일부;
상기 레일부를 따라 이동하며 상기 와이어부의 위치를 다른 격자홈으로 변화시키는 위치변환부;
상기 와이어부에 세정액을 공급하는 세정액 공급부; 및
상기 세정액 공급부에 초음파를 제공하는 초음파 발생부를 포함하는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.A main body portion disposed above the surface plate;
A wire part mounted to the main body part and having a wire inserted into a grid groove of a surface plate;
A moving part for linearly moving the wire part along a longitudinal direction of a grating groove formed along an outer circumferential area at the center of the surface plate;
A rail unit disposed along an outer circumference of the surface plate;
A position converting unit moving along the rail unit and changing the position of the wire unit to another lattice groove;
A cleaning liquid supply unit supplying a cleaning liquid to the wire part; And
And a surface roughening device of the wafer wrapping apparatus, comprising an ultrasonic wave generator for providing ultrasonic waves to the cleaning liquid supply unit.
상기 와이어는 폐루프 형상을 가지며, 상기 격자홈들에 이격되어 삽입되도록 상기 와이어부는 복수개로 이루어지는, 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치.The method of claim 19,
And the wire has a closed loop shape, and the wire part includes a plurality of wire parts to be inserted to be spaced apart from the lattice grooves.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180017566A KR102070705B1 (en) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | Lapping Plate Groove Digging Device of Wafer Lapping Apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180017566A KR102070705B1 (en) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | Lapping Plate Groove Digging Device of Wafer Lapping Apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190097749A true KR20190097749A (en) | 2019-08-21 |
KR102070705B1 KR102070705B1 (en) | 2020-01-29 |
Family
ID=67808216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180017566A KR102070705B1 (en) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | Lapping Plate Groove Digging Device of Wafer Lapping Apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102070705B1 (en) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000280160A (en) * | 1999-01-29 | 2000-10-10 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Workpiece cutting device, and workpiece cutting method |
JP2002011630A (en) * | 2000-06-26 | 2002-01-15 | Toho Engineering Kk | Striating machine, machining tool and cutting method for pad for semiconductor chemical mechanical polishing |
KR20100048830A (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-11 | 아라카 인코포레이티드 | Method and device for the injection of cmp slurry |
JP2011031386A (en) * | 2009-07-10 | 2011-02-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | Electro-deposition fixed abrasive grain wire and crystal slicing method using the same |
JP2014054719A (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Toho Engineering Kk | Polishing pad reproduction processing apparatus |
KR20140046465A (en) * | 2011-08-18 | 2014-04-18 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼스 쏘시에떼 퍼 아찌오니 | Methods and systems for removing contamination from a wire of a saw |
JP2016022564A (en) * | 2014-07-23 | 2016-02-08 | 東邦エンジニアリング株式会社 | Groove formation device and groove formation method of abrasive pad |
-
2018
- 2018-02-13 KR KR1020180017566A patent/KR102070705B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000280160A (en) * | 1999-01-29 | 2000-10-10 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Workpiece cutting device, and workpiece cutting method |
JP2002011630A (en) * | 2000-06-26 | 2002-01-15 | Toho Engineering Kk | Striating machine, machining tool and cutting method for pad for semiconductor chemical mechanical polishing |
KR20100048830A (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-11 | 아라카 인코포레이티드 | Method and device for the injection of cmp slurry |
JP2011031386A (en) * | 2009-07-10 | 2011-02-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | Electro-deposition fixed abrasive grain wire and crystal slicing method using the same |
KR20140046465A (en) * | 2011-08-18 | 2014-04-18 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼스 쏘시에떼 퍼 아찌오니 | Methods and systems for removing contamination from a wire of a saw |
JP2014054719A (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Toho Engineering Kk | Polishing pad reproduction processing apparatus |
JP2016022564A (en) * | 2014-07-23 | 2016-02-08 | 東邦エンジニアリング株式会社 | Groove formation device and groove formation method of abrasive pad |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102070705B1 (en) | 2020-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10870176B2 (en) | SiC wafer producing method | |
US10981250B2 (en) | Wafer producing apparatus | |
CN107305864B (en) | Method for processing SiC wafer | |
US10112256B2 (en) | SiC wafer producing method | |
US10714353B2 (en) | Planarization method | |
US20190030651A1 (en) | Wafer producing method and wafer producing apparatus | |
KR20180119481A (en) | METHOD FOR PRODUCING SiC WAFER | |
JP2007152906A (en) | Method and device for cutting base plate | |
KR20220014815A (en) | METHOD FOR MANUFACTURING Si SUBSTRATE | |
JP2011031386A (en) | Electro-deposition fixed abrasive grain wire and crystal slicing method using the same | |
JP2005093882A (en) | Method for polishing wafer | |
KR20210145780A (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
KR102070705B1 (en) | Lapping Plate Groove Digging Device of Wafer Lapping Apparatus | |
JP2020027872A (en) | Processing method for optical device wafer | |
KR101040811B1 (en) | A compressor of polishing pad | |
JP2004006997A (en) | Manufacturing method of silicon wafer | |
KR100826590B1 (en) | Apparatus for chemical mechanical polishing | |
JP2015126022A (en) | Processing method | |
JP7429080B1 (en) | Semiconductor crystal wafer manufacturing equipment and manufacturing method | |
KR101151000B1 (en) | Apparatus for polishing wafer | |
US11901231B2 (en) | Separation method of wafer | |
JP2011031387A (en) | Crystal slicing method | |
JP7271085B2 (en) | Wafer cutting device and method | |
KR101292224B1 (en) | Apparatus and method for dressing pad for polishing wafer | |
JP7398852B1 (en) | Semiconductor crystal wafer manufacturing equipment and manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |