KR20190092277A - Method for self-assemble fabrication of single and multilaryer mos2 based field-effect transistors - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이황화 몰리브덴 나노 시트를 이용한 다양한 자기조립 채널 형성 및 정렬된 자기조립 채널을 가지는 전계 효과 트랜지스터 제작 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for self-assembly of single- and multi-layered molybdenum disulfide nanosheet-based field effect transistors, and more particularly, field effect transistors having various self-assembled channel formation and aligned self-assembled channels using molybdenum disulfide nanosheets. It is about a manufacturing method.
나노 물질을 기반으로 한 전계 효과 트랜지스터(FET) 센서는 고감도 및 대규모 회로의 상업적 평면 공정과의 호환성으로 인해 다양한 타겟 분석물을 검출하기 위해 널리 연구되어 왔다. 또한, 노동 집약적이며 시간이 많이 걸리고 고비용이라는 전통적인 센서의 단점을 극복할 수 있었다.Field effect transistor (FET) sensors based on nanomaterials have been widely studied for detecting a variety of target analytes due to their high sensitivity and compatibility with commercial planar processes in large circuits. It was also able to overcome the disadvantages of traditional sensors that are labor intensive, time consuming and expensive.
최근에 전자, 광전자 및 기계적 특성이 뛰어난 그래핀이나 전이금속 디켈코게나이드와 같은 2차원(2D) 나노 물질에 대한 관심이 증가하고 있고 이러한 2차원(2D) 나노 물질 기반의 전계 효과 트랜지스터 제조방법에 대한 관심이 집중되고 있다. 대표적으로 이황화 몰리브덴을 활용한 연구가 활발하게 진행되고 있는데 이는 그래핀과 달리 제어된 밴드갭 (1.23-2.65 eV)과 열적 안정성을 가진 이황화 몰리브덴의 특성으로 인해 바이오 센서, 커패시터, 메모리, 배터리 전극, 촉매 및 액추에이터 등 광범위하게 적용가능하기 때문이다. Recently, interest in two-dimensional (2D) nanomaterials, such as graphene or transition metal dekelcogenide, which have excellent electronic, optoelectronic and mechanical properties, has been increasing. Attention is focused. Representatively, researches using molybdenum disulfide have been actively conducted. Unlike graphene, biosensors, capacitors, memory, battery electrodes, biosensors, etc., due to the characteristics of controlled bandgap (1.23-2.65 eV) and thermally stable molybdenum disulfide, It is because it is widely applicable, such as a catalyst and an actuator.
이에 따라, 이황화 몰리브덴 나노시트를 활용한 전계 효과 트랜지스터 제조 방법에 대한 연구가 진행된 바가 있으나, 기존 이황화 몰리브덴 나노시트의 합성 방법은 위치를 제어하기 위한 추가적인 패터닝 공정을 필요로 하기 때문에 이 과정에서 이황화 몰리브덴은 다른 추가 화학 물질에 다시 노출되어 오염되는 문제점이 있었다. 또한, 상기 화학 물질의 처리는 이황화 물리브덴과 생체 분자 사이의 거리를 증가시킴으로써 응용 센서의 감도를 감소시키고, 결함을 증가시킴으로써 신뢰도를 감소시키는 문제점이 있다.Accordingly, research has been conducted on a method for fabricating field effect transistors using molybdenum disulfide nanosheets, but since the conventional method for synthesizing molybdenum disulfide nanosheets requires an additional patterning process to control position, molybdenum disulfide in this process Has had the problem of being re-exposed to other additional chemicals and contaminated. In addition, the treatment of the chemicals has the problem of decreasing the sensitivity of the applied sensor by increasing the distance between the physicosulfide disulfide and the biomolecule, and reducing the reliability by increasing the defects.
본 발명의 실시예들은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 제안된 것으로서, 추가적인 패터닝 또는 추가적인 화학 공정과 같은 어떠한 식각 공정도 필요로 하지 않는 자기조립 공정을 통하여 다양한 폭을 가지는 이황화 몰리브덴 채널을 제작하고 공정 과정에서 재료 손실을 최소화할 수 있는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법을 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention have been proposed to solve the above problems, and fabricate and process molybdenum disulfide channels having various widths through a self-assembly process that does not require any etching process such as additional patterning or additional chemical process. To provide a self-assembly method for field effect transistors based on single and multi-layered molybdenum disulfide nanosheets to minimize material loss in the process.
본 발명의 일 실시예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법은 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액을 제조하는 단계; 기재 표면 상에 친수성 채널과 소수성 채널을 포함하는 패턴을 형성하는 단계; 상기 친수성 채널에 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 단계; 및 상기 기재 표면 상에 리프트 오프 공정 기반의 금속전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a hydrophilic molybdenum disulfide flake suspension; Forming a pattern comprising hydrophilic and hydrophobic channels on the substrate surface; Forming molybdenum disulfide nanosheets in said hydrophilic channel; And forming a lift-off process based metal electrode on the substrate surface.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법의 상기 현탁액을 제조하는 단계는 이황화 몰리브덴 플레이크를 용매에 용해하여 혼합용액을 제조하는 단계; 상기 혼합용액에 탈 이온수를 첨가하여 기 설정된 시간 동안 초음파 처리하는 단계; 상기 초음파 처리된 혼합용액에 머캅토벤조산(MPB)을 첨가하여 기설정된시간 동안 초음파 처리하는 단계; 상기 초음파 처리된 혼합용액을 원심분리하는 단계; 및 상기 원심분리된 혼합용액의 상층액을 탈 이온수에 분산시켜 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액을 제조 단계를 포함한다.In addition, the step of preparing the suspension of the self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention comprises the steps of dissolving molybdenum disulfide flakes in a solvent to prepare a mixed solution; Adding deionized water to the mixed solution and sonicating for a predetermined time; Adding a capcaptobenzoic acid (MPB) to the sonicated mixed solution and sonicating for a predetermined time; Centrifuging the sonicated mixed solution; And dispersing the supernatant of the centrifuged mixed solution in deionized water to produce the hydrophilic molybdenum disulfide flake suspension.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법의 상기 용매는 헥산 내 n-부틸리튬 용액을 포함할 수 있다.In addition, the solvent of the self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention may include a solution of n-butyllithium in hexane.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법의 상기 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크는 친수성 작용기인 카르복시(-COOH)기를 포함한다.In addition, the hydrophilic molybdenum disulfide flake of the self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention includes a carboxy (-COOH) group which is a hydrophilic functional group.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법의 상기 패턴을 형성하는 단계는 기재 표면 상에 감광 고분자 화합물을 패턴화하는 단계; 상기 기재를 트리클로로옥타데실실란(OTS)과 헥산을 혼합한 용액에 기 설정된 시간 동안 침지시키는 단계; 상기 트리클로로옥타데실실란(OTS)이 상기 기재 표면 상에 자기조립단층을 이루어 상기 소수성 채널을 형성하는 단계; 및 상기 감광 고분자 화합물을 아세톤으로 제거하여 상기 친수성 채널을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, forming the pattern of the self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: patterning a photosensitive polymer compound on the surface of the substrate; Immersing the substrate in a solution of trichlorooctadecylsilane (OTS) and hexane for a predetermined time; The trichlorooctadecylsilane (OTS) forming a self-assembled monolayer on the surface of the substrate to form the hydrophobic channel; And removing the photosensitive polymer compound with acetone to form the hydrophilic channel.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법의 상기 상기 기재 표면 상에 친수성 채널은 수산(-OH)기를 포함한다.In addition, the hydrophilic channel on the surface of the substrate of the self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention comprises a hydroxyl group (-OH).
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법의 상기 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 단계는 상기 기재를 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액에 침지시키는 단계; 상기 침지된 기재를 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액으로부터 기 설정된 속도로 잡아 당기는 단계; 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크가 상기 친수성 채널에 흡착되어 상기 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 단계; 및 상기 당겨진 기재 표면 상에 디클로로 벤젠과 탈 이온수를 교대로 도포하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the step of forming the molybdenum disulfide nanosheet of the self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention is to immerse the substrate in the hydrophilic molybdenum disulfide flake suspension step; Pulling the immersed substrate from the hydrophilic molybdenum disulfide flake suspension at a predetermined rate; Adsorbing said hydrophilic molybdenum disulfide flakes to said hydrophilic channel to form said molybdenum disulfide nanosheet; And alternately applying dichloro benzene and deionized water on the surface of the pulled substrate.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법의 상기 이황화 몰리브덴 나노시트는 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 기반 자기조립단층으로 이루어진다.In addition, the molybdenum disulfide nanosheets of the self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention comprises the hydrophilic molybdenum disulfide flakes based self-assembled monolayer.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법은 상기 친수성 채널의 크기에 따라 상기 이황화 몰리브덴 나노시트의 폭이 조절되도록 이루어질 수 있다.In addition, the self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention may be made so that the width of the molybdenum disulfide nanosheets is adjusted according to the size of the hydrophilic channel.
본 발명의 실시예들에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법은 이황화 몰리브덴 나노시트를 친수성 채널에 형성할 수 있어 간단한 공정으로 다양한 폭을 가지는 채널을 형성할 수 있다.The self-assembly method of the field effect transistor based on the single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to the embodiments of the present invention can form the molybdenum disulfide nanosheets in the hydrophilic channel to form channels having various widths in a simple process. have.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법은 이황화 몰리브덴 나노시트 표면이 다른 화학 공정 상에서 노출되지 않아 결함 및 오염을 방지할 수 있다.In addition, the self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to the embodiments of the present invention may prevent defects and contamination because the surface of the molybdenum disulfide nanosheet is not exposed to other chemical processes.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법은 전극을 이용해 이황화 몰리브덴 전계 효과 트랜지스터를 제작할 때, 대량 생산 및 다양한 응용 등 2차원(2D) 물질을 상용화할 수 있는 효과적인 접근법을 제공할 수 있다.In addition, the self-assembly method of the field effect transistor based on the single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to the embodiments of the present invention, when manufacturing the molybdenum disulfide field effect transistor using an electrode, such as mass production and various applications ) Can provide an effective approach to commercialize the material.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기재 표면 상에 친수성 채널과 소수성 채널을 패턴화하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 친수성 채널에 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 방법을 개략적으로 표현한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 이황화 몰리브덴 나노시트의 자기조립 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 이황화 몰리브덴 나노시트의 형상을나타내는 SEM 이미지이다.1 is a flowchart illustrating a method for self-assembly of a field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method for preparing a hydrophilic molybdenum disulfide flake suspension according to an embodiment of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a method of patterning a hydrophilic channel and a hydrophobic channel on a surface of a substrate according to an embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a method of forming molybdenum disulfide nanosheets in a hydrophilic channel according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a method of a field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention.
6 is a view for explaining a method of self-assembly molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is an SEM image showing the shape of the molybdenum disulfide nanosheet according to an embodiment of the present invention. FIG.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
아울러 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기재 표면 상에 친수성 채널과 소수성 채널을 패턴화하는 방법을 설명하기 위한 순서도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 친수성 채널에 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.1 is a flowchart illustrating a self-assembly method of a field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a hydrophilic molybdenum disulfide flake according to an embodiment of the present invention 3 is a flowchart illustrating a suspension manufacturing method, FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of patterning a hydrophilic channel and a hydrophobic channel on a substrate surface according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an embodiment of the present invention. It is a flowchart for explaining the method of forming the molybdenum disulfide nanosheet in the hydrophilic channel according to the example.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법은 아래와 같다.1 to 4, a self-assembly method of a field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets is as follows.
1. 친수성 이황화 몰리브덴 플레이트 현탁액 제조(S100)1. Preparation of Hydrophilic Molybdenum Disulfide Plate Suspension (S100)
이황화 몰리브덴 플레이크는 이황화 몰리브덴 광석에서 기계적 박리를 통해 획득할 수 있다. Molybdenum disulfide flakes can be obtained through mechanical exfoliation in molybdenum disulfide ores.
상기 이황화 몰리브덴 플레이크를 친수성 처리하여 플레이크 표면 상에 친수성을 부여할 수 있다. 상기 친수성 처리는 산청 처리 또는 염기성 처리등일 수 있으며, 상기 이황화 몰리브덴 플레이크에 친수성 작용기인 카르복시(-COOH)기를 부여한다.The molybdenum disulfide flakes may be hydrophilized to impart hydrophilicity on the flake surface. The hydrophilic treatment may be an acid blue treatment or a basic treatment, and imparts a carboxy (-COOH) group which is a hydrophilic functional group to the molybdenum disulfide flake.
상기 이황화 몰리브덴 플레이크의 친수성 처리방법은 다음과 같다. 먼저, 이황화 몰리브덴 플레이크를 헥산 내 n-부틸리튬 용매와 혼합하여 혼합용액을 제조한다(S110). 여기서, 상기 혼합용액을 상온에서 질소분위기로 48시간 동안 반응시킬 수 있다. The hydrophilic treatment method of the molybdenum disulfide flake is as follows. First, molybdenum disulfide flakes are mixed with an n-butyllithium solvent in hexane to prepare a mixed solution (S110). Here, the mixed solution may be reacted for 48 hours in a nitrogen atmosphere at room temperature.
반응이 종결된 후, 24시간 동안 섭씨 60도에서 상기 혼합용액을 건조시키고 탈 이온수를 첨가하여 2시간 동안 초음파 처리한다(S120). 이 후, 초음파 처리된 혼합용액에 소량의 머캅토벤조산(4-mercaptobenzoic acid, 이하 MPB)을 추가로 첨가하고 2시간 동안 초음파 처리한다(S130). After the reaction is terminated, the mixed solution is dried at 60 degrees Celsius for 24 hours and sonicated for 2 hours by adding deionized water (S120). Thereafter, a small amount of mercaptobenzoic acid (4-mercaptobenzoic acid, MPB) is further added to the sonicated mixed solution and sonicated for 2 hours (S130).
그런 후, 원심분리 공정을 수행하여 초음파 처리된 혼합용액의 큰 입자를 제거한다(S140). 마지막으로, 원심분리 공정에서 분리된 상층액을 탈 이온수에 재분산시킨다(S150).Then, by performing a centrifugal separation process to remove large particles of the mixed solution sonicated (S140). Finally, the supernatant separated in the centrifugation process is redispersed in deionized water (S150).
기계적 박리에 의해 획득된 상기 이황화 몰리브덴 플레이크는 단원자층이 반데르발스 힘에 의하여 겹겹이 쌓인 형태로 이루어지는데, 상기 S110 단계에서, 혼합된 헥산 내 n-부틸리튬 용매의 리튬 원자가 상기 이황화 몰리브덴 플레이크를 이루고 있는 단원자층 사이로 삽입된다. The molybdenum disulfide flake obtained by mechanical peeling is made of a layer in which monoatomic layers are stacked by van der Waals forces, in step S110, the lithium atom of the n-butyllithium solvent in the mixed hexane forms the molybdenum disulfide flake It is inserted between the monoatomic layers.
이후, 상기 S120 단계인 초음파 처리 단계에서, 상기 삽입된 리튬 원자에 의하여 상기 이황화 몰리브덴 플레이크를 이루는 각각의 단원자층이 박리되게 된다. 따라서, 상기 S120 단계가 진행됨에 따라, 상기 이황화 몰리브덴 플레이크의 두께는 나노사이즈까지 감소한다.Subsequently, in the sonication step of step S120, the monoatomic layers constituting the molybdenum disulfide flakes are separated by the inserted lithium atoms. Therefore, as the step S120 proceeds, the thickness of the molybdenum disulfide flake is reduced to nanosize.
상기 S130 단계에서, 상기 머캅토벤조산(MPB)은 벤젠고리 양단에 카르복시기(-COOH)와 싸이올(-SH)기가 결합되어 있는 구조이며, 몰리브덴과 황으로 구성된 상기 이황화 몰리브덴 플레이크를 이루는 단원자층에 손상이 발생하게 된다. 즉, 상기 S130 단계가 진행됨에 따라, 상기 단원자층에서 일부 황 원자가 떨어져 나가 원자결함이 발생하게 된다.In the step S130, the mercaptobenzoic acid (MPB) is a structure in which a carboxyl group (-COOH) and a thiol (-SH) group is bonded to both ends of the benzene ring, in the monoatomic layer forming the molybdenum disulfide flake composed of molybdenum and sulfur. Damage will occur. That is, as the step S130 proceeds, some sulfur atoms are separated from the monoatomic layer to generate atomic defects.
또한, 상기 원자결함으로 인해 생성되는 공공에 상기 머캅토벤조산(MPB)의 싸이올(-SH)기가 결합하게 된다.In addition, the thiol (-SH) group of the mercaptobenzoic acid (MPB) is bonded to the vacancy generated by the atomic defect.
이에 따라, 머캅토벤조산(MPB)을 이용하여 친수성 작용기인 카르복시(-COOH)기가 부여된 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액을 제조할 수 있다.Thereby, the mercaptobenzoic acid (MPB) can be used to prepare a molybdenum disulfide flake suspension imparted with a carboxy (-COOH) group as a hydrophilic functional group.
2. 기재 표면 상에 친수성 채널과 소수성 채널을 포함하는 패턴 형성(S200)2. Pattern formation including a hydrophilic channel and a hydrophobic channel on the substrate surface (S200)
기재 표면에 상기 친수성 채널과 소수성 채널을 포함하는 패턴을 형성하기 위해, 상기 기재은 친수성 기재일 수 있으며, 구체적으로 실리콘 웨이퍼 기판을 사용하는 것이 바람직하다. In order to form a pattern including the hydrophilic channel and the hydrophobic channel on the surface of the substrate, the substrate may be a hydrophilic substrate, specifically, it is preferable to use a silicon wafer substrate.
또한, 상기 기재 표면 상에 포토 레지스트층을 형성할 수 있으며, 상기 포토 레지스트층은 포토 리소 그라피법을 사용하여 패터닝될 수 있다. 상기 리소 그라피법은 전자빔 또는 자외선 등을 사용할 수 있으며, 구체적으로 상기 포토 레지스트층 상에 전자빔 또는 자외선을 조사할 수 있다. In addition, a photoresist layer may be formed on the surface of the substrate, and the photoresist layer may be patterned using photolithography. The lithography method may use an electron beam or ultraviolet rays, and specifically, may radiate an electron beam or ultraviolet rays onto the photoresist layer.
또한, 상기 패터닝된 전자빔 또는 자외선이 조사된 포토 레지스트층을 현상(develop)하여 상기 기재 표면 상에 포토 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 이때 상기 현상을 수행하여 형성된 포토 레지스트 패턴들 사이에는 상기 기재 표면의 일부가 노출될 수 있으며, 상기 포토 레지스트는 포토 감광 고분자 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the photoresist layer irradiated with the patterned electron beam or ultraviolet rays may be developed to form a photoresist pattern on the surface of the substrate. In this case, a portion of the surface of the substrate may be exposed between the photoresist patterns formed by performing the development, and the photoresist may use a photosensitive polymer compound.
먼저, 실리콘 웨이퍼 위에 감광 고분자 화합물을 형성한다. 그리고 나서 자외선 조사를 이용한 포토 리소그래피법을 이용하여 상기 감광 고분자 화합물을 패터닝한다(S210). First, a photosensitive polymer compound is formed on a silicon wafer. Then, the photosensitive polymer compound is patterned by photolithography using ultraviolet irradiation (S210).
이 때, 상기 실리콘 웨이퍼에서 감광 고분자 화합물이 덮고 있는 표면이 친수성 채널이 형성되는 위치이며, 그 외 표면은 소수성 채널이 형성된다. 여기서, 상기 그 외 표면은 현상을 수행하여 상기 실리콘 웨이퍼의 표면이 노출된다. At this time, the surface covered with the photosensitive polymer compound in the silicon wafer is the position where the hydrophilic channel is formed, the other surface is a hydrophobic channel is formed. Here, the other surface is developed to expose the surface of the silicon wafer.
그런 후, 트리클로로옥타데실실란(OTS)와 헥산을 혼합한 수용액에 상기 패턴화된 기재를 침지시킨다(S220). 여기서, 침지된 실리콘 웨이퍼 표면에는 트리클로로옥타데실실란(OTS) 기반 자기조립단층이 형성된다(S230). Then, the patterned substrate is immersed in an aqueous solution of trichlorooctadecylsilane (OTS) and hexane (S220). Here, trichlorooctadecsilane (OTS) based self-assembled monolayer is formed on the immersed silicon wafer surface (S230).
이 후, 상기 감광 고분자 화합물을 아세톤으로 제거하며 친수성 채널을 형성한다(S240). 상기 감광 고분자 화합물이 제거되어 노출된 상기 실리콘 웨이퍼 표면은 친수성 작용기인 수산(-OH)기를 포함하고 있어 친수성을 가질 수 있다. Thereafter, the photosensitive polymer compound is removed with acetone to form a hydrophilic channel (S240). The surface of the silicon wafer exposed by removing the photosensitive polymer compound may have hydrophilicity because it includes a hydroxyl (—OH) group, which is a hydrophilic functional group.
3. 친수성 채널에 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성(S300)3. Forming molybdenum disulfide nanosheets on hydrophilic channels (S300)
친수성 채널에 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 방법은 주사기 펌프, 교반기로 구성된 당김 시스템을 사용하여 수행되었다. 먼저, 상기 친수성 채널과 소수성 채널이 패턴화된 실리콘 웨이퍼를 준비한다.The method of forming molybdenum disulfide nanosheets in a hydrophilic channel was performed using a pulling system consisting of a syringe pump and a stirrer. First, a silicon wafer in which the hydrophilic channel and the hydrophobic channel are patterned is prepared.
상기 친수성 채널은 실리콘 웨이퍼 표면이 노출된 부분으로 친수성 작용기인 수산(-OH)기가 부여되어 있다. The hydrophilic channel is exposed to the surface of the silicon wafer and is provided with a hydroxyl group (-OH), which is a hydrophilic functional group.
또한, 상기 소수성 채널은 실리콘 웨이퍼 표면에 트리클로로옥타데실실란(OTS) 기반 자기조립단층이 형성되어 있어 소수성을 나타낸다.In addition, the hydrophobic channel exhibits hydrophobicity because a trichlorooctadecsilane (OTS) based self-assembled monolayer is formed on a silicon wafer surface.
먼저, 상기 친수성 채널과 소수성 채널이 패턴화된 실리콘 웨이퍼를 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액에 침지시킨다(S310). First, the silicon wafer patterned with the hydrophilic channel and the hydrophobic channel is immersed in a hydrophilic molybdenum disulfide flake suspension (S310).
그런 후, 상기 친수성 이황화 몰리브덴 현탁액으로부터 상기 채널이 형성된 실리콘 웨이퍼를 기 설정된 속도로 수직으로 잡아 당긴다(S320). 이 때, 상기 기 설정된 속도는 0.5 ~ 1.5 mm/분인 것이 바람직하다. Thereafter, the silicon wafer on which the channel is formed is pulled vertically from the hydrophilic molybdenum disulfide suspension at a predetermined speed (S320). At this time, the predetermined speed is preferably 0.5 ~ 1.5 mm / min.
상기 현탁액에 분산되어 있던 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크는 상기 실리콘 웨이퍼의 친수성 채널에 흡착되어 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성한다(S330). Hydrophilic molybdenum disulfide flakes dispersed in the suspension are adsorbed onto the hydrophilic channel of the silicon wafer to form molybdenum disulfide nanosheets (S330).
여기서, 상기 이황화 몰리브덴 나노시트는 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 기반 자기조립단층으로 이루어진다. Here, the molybdenum disulfide nanosheet is composed of the hydrophilic molybdenum disulfide flakes based self-assembled monolayer.
예컨대, 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크의 친수성 작용기인 카르복시(-COOH)기는 상기 실리콘 웨이퍼 기재의 상기 친수성 채널의 친수성 작용기인 수산(-OH)기와 함께 수소 결합을 형성할 수 있다.For example, the carboxy group (-COOH), which is a hydrophilic functional group of the hydrophilic molybdenum disulfide flake, may form a hydrogen bond together with a hydroxyl group (-OH) which is a hydrophilic functional group of the hydrophilic channel based on the silicon wafer.
따라서, 카르복시(-COOH)기를 갖는 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크가 상기 친수성 채널 상에 선택적으로 흡착하여 자기조립단층을 형성한다. Thus, the hydrophilic molybdenum disulfide flake having a carboxy (-COOH) group is selectively adsorbed onto the hydrophilic channel to form a self-assembled monolayer.
이 후, 상기 실리콘 웨이퍼가 외부로 잡아 당겨지면 디클로로 벤젠과 탈 이온수를 교대로 도포하여 세정한다(S340). 이 때, 약하게 흡착된 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크가 제거된다.After that, when the silicon wafer is pulled out, dichloro benzene and deionized water are alternately applied and cleaned (S340). At this time, the weakly adsorbed hydrophilic molybdenum disulfide flake is removed.
4. 기재 표면 상에 금속전극을 형성(S300)4. Forming a metal electrode on the surface of the substrate (S300)
이황화 몰리브덴 나토시트가 형성된 실리콘 웨이퍼 기재 표면 상에 포토리소그라피법을 이용하여 전극패턴을 형성할 수 있다. 상기 전극패턴은 금속성 재료를 포함할 수 있으며 크롬, 금 등의 금속을 증착할 수 있으나, 상기 금속은 이에 제한되거나 한정되지않고, 전극으로 활용될 수 있는 다양한 물질이 이용될 수 있다.An electrode pattern can be formed on the surface of the silicon wafer substrate on which the molybdenum disulfide natto sheet is formed by the photolithography method. The electrode pattern may include a metallic material and may deposit a metal such as chromium or gold. However, the metal is not limited thereto, and various materials may be used as the electrode.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 방법을 개략적으로 표현한 도면이다.FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a method of a field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention.
도 5에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼 표면 상에 트리클로로옥타데실실란(OTS) 기반 자기조립단층을 형성하여 친수성 채널과 소수성 채널을 패턴화한다. 여기서, 상기 트리클로로옥타데실실란(OTS) 기반 자기조립단층은 소수성의 성질을 가지고 있으며, 노출된 상기 실리콘 웨이퍼 표면은 친수성의 성질을 가지고 있다. As shown in FIG. 5, trichlorooctadecsilane (OTS) based self-assembled monolayers are formed on silicon wafer surfaces to pattern hydrophilic and hydrophobic channels. Here, the trichlorooctadecsilane (OTS) based self-assembled monolayer has a hydrophobic property, and the exposed silicon wafer surface has a hydrophilic property.
이후, 주사기 펌프, 교반기로 구성된 당김 시스템을 이용하여 노출된 상기 실리콘 웨이퍼 표면의 수산(-OH)기와 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크의 카르복시(-COOH)기 사이의 인력으로 상기 친수성 채널에 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 기반 자가조립단층을 이루어 선택적으로 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성한다. 그런 후, 상기 실리콘 웨이퍼 표면 상에 크롬과 금을 증착하여 리프트 오프 공정으로 금속전극을 형성한다. The hydrophilic molybdenum disulfide flakes based on the hydrophilic channel were then attracted by the attraction between the hydroxyl (-OH) groups of the silicon wafer surface and the carboxy (-COOH) groups of the hydrophilic molybdenum disulfide flakes exposed using a pulling system consisting of a syringe pump and a stirrer. Self-assembled monolayers are optionally formed to form molybdenum disulfide nanosheets. Then, chromium and gold are deposited on the silicon wafer surface to form a metal electrode by a lift-off process.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 이황화 몰리브덴 나노시트의 자기조립 방법을 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining a method of self-assembly molybdenum disulfide nanosheets according to an embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 상기 친수성 채널과 소수성 채널이 패턴화된 실리콘 웨이퍼 표면 상에 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크가 자기조립단층을 형성할 수 있다. 상기 자기조립단층은 주어진 기질의 표면에 자발적으로 입혀진 규칙적으로 잘 정렬된 유기 분자막을 뜻하며 상기 친수성 채널에만 형성된다. Referring to FIG. 6, a hydrophilic molybdenum disulfide flake may form a self-assembled monolayer on a surface of the silicon wafer on which the hydrophilic channel and the hydrophobic channel are patterned. The self-assembled monolayer refers to regularly ordered organic molecular membranes spontaneously coated on the surface of a given substrate and are formed only in the hydrophilic channel.
상기 자기조립단층은 기질의 표면과 막을 이루게 되는 분자들 사이의 직접적인 화학 결합이 있는 경우가 많아서 매우 튼튼한 막을 만들 수 있다. 또한, 기질의 모양이나 크기에 영향을 받지 않아 복잡한 모양의 기질 위에서도 제조가 가능하며 대면적화에도 용이하다. The self-assembled monolayer often has a direct chemical bond between the molecules forming the film and the surface of the substrate, making a very strong film. In addition, since it is not affected by the shape or size of the substrate, it is possible to manufacture even on a substrate having a complex shape, and is easy to large area.
상기 자기조립단층으로 이루어진 이황화 몰리브덴 나노시트는 주사기 펌프, 교반기로 구성된 당김 시스템을 사용해서 증착될 수 있다. 구체적으로, 친수성 이황화 몰리브덴 프레이크 현탁액에 상기 친수성 채널과 소수성 채널이 패턴화된 실리콘 웨이퍼를 침지시키고 일정한 인발속도로 상기 실리콘 웨이퍼를 잡아 당긴다. The molybdenum disulfide nanosheet consisting of the self-assembled monolayer can be deposited using a pulling system consisting of a syringe pump and a stirrer. Specifically, the hydrophilic molybdenum disulfide flake suspension is immersed in the silicon wafer patterned with the hydrophilic channel and the hydrophobic channel, and the silicon wafer is pulled at a constant drawing speed.
이에 따라, 부가적인 공정 없이 하나의 단일 당김 시스템에서 상기 실리콘 웨이퍼 표면 상의 친수성 채널에만 상기 이황화 몰리브덴 나노시트가 형성된다. Thus, the molybdenum disulfide nanosheets are formed only in the hydrophilic channel on the silicon wafer surface in one single pulling system without additional processing.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 이황화 몰리브덴 나노시트의 형상을나타내는 SEM 이미지이다. FIG. 7 is an SEM image showing the shape of the molybdenum disulfide nanosheet according to an embodiment of the present invention. FIG.
도 7을 참조하면, 실리콘 웨이퍼 표면 상의 친수성 채널에는 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크가 흡착되어 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성한 모습을 볼 수 있다. Referring to FIG. 7, hydrophilic molybdenum disulfide flakes are adsorbed on a hydrophilic channel on a silicon wafer surface to form molybdenum disulfide nanosheets.
즉, 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크의 친수성 작용기인 카르복시(-COOH)기와 상기 친수성 채널의 친수성 작용기인 수산(-OH)기 사이에 정전기적 인력에 의하여 상기 이황화 몰리브덴 나노시트가 형성될 수 있다.That is, the molybdenum disulfide nanosheets may be formed by an electrostatic attraction between a carboxyl group (-COOH), which is a hydrophilic functional group of the hydrophilic molybdenum disulfide flake, and a hydroxyl group (-OH), which is a hydrophilic functional group of the hydrophilic channel.
상기 정전기적 인력은 반데르발스(van der waals) 인력이다.The electrostatic attraction is van der waals attraction.
또한, 패턴화된 실리콘 웨이퍼를 준비하는 과정에서 친수성 채널의 크기를 조절하여 상기 이황화 몰리브덴 나노시트의 폭을 조절할 수 있다. 이에 따라, 상기 이황화 몰리브덴 나노시트의 폭을 5 내지 20㎛ 로 조절할 수 있으며, 상기 이황화 몰리브덴 나노시트 사이의 간격을 수십 ㎛에서 수백 ㎛까지 조절할 수 있다.In addition, the width of the molybdenum disulfide nanosheets may be controlled by adjusting the size of the hydrophilic channel in preparing the patterned silicon wafer. Accordingly, the width of the molybdenum disulfide nanosheets can be adjusted to 5 to 20㎛, the interval between the molybdenum disulfide nanosheets can be adjusted from several tens of ㎛ to several hundred ㎛.
이상 본 발명의 실시예에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법을 구체적인 실시 형태로서 설명하였으나, 이는 예시에 불과한 것으로서, 본 발명은 이에 한정되지 않는 것이며, 본 명세서에 개시된 기초 사상에 따르는 최광의 범위를 갖는 것으로 해석되어야 한다. 당업자는 개시된 실시형태들을 조합, 치환하여 적시되지 않은 형상의 패턴을 실시할 수 있으나, 이 역시 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 것이다. 이외에도 당업자는 본 명세서에 기초하여 개시된 실시형태를 용이하게 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 권리범위에 속함은 명백하다.The self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets according to the embodiment of the present invention has been described as a specific embodiment, but this is only an example, and the present invention is not limited thereto. It should be construed as having the broadest scope in accordance with the basic idea disclosed in. One skilled in the art can combine and substitute the disclosed embodiments to implement a pattern of a shape that is not indicated, but this is also within the scope of the present invention. In addition, those skilled in the art can easily change or modify the disclosed embodiments based on the present specification, it is apparent that such changes or modifications belong to the scope of the present invention.
Claims (9)
기재 표면 상에 친수성 채널과 소수성 채널을 포함하는 패턴을 형성하는 단계;
상기 친수성 채널에 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 단계; 및
상기 기재 표면 상에 리프트 오프 공정 기반의 금속전극을 형성하는 단계;
를 포함하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법.
Preparing a hydrophilic molybdenum disulfide flake suspension;
Forming a pattern comprising hydrophilic and hydrophobic channels on the substrate surface;
Forming molybdenum disulfide nanosheets in said hydrophilic channel; And
Forming a lift off process based metal electrode on the substrate surface;
Method for self-assembly of single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets-based field effect transistor comprising a.
상기 현탁액을 제조하는 단계는:
이황화 몰리브덴 플레이크를 용매에 용해하여 혼합용액을 제조하는 단계;
상기 혼합용액에 탈 이온수를 첨가하여 기 설정된 시간 동안 초음파 처리하는 단계;
상기 초음파 처리된 혼합용액에 머캅토벤조산(MPB)을 첨가하여 기설정된시간 동안 초음파 처리하는 단계;
상기 초음파 처리된 혼합용액을 원심분리하는 단계; 및
상기 원심분리된 혼합용액의 상층액을 탈 이온수에 분산시켜 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액을 제조 단계;
를 포함하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법.
According to claim 1,
The step of preparing the suspension is:
Dissolving molybdenum disulfide flakes in a solvent to prepare a mixed solution;
Adding deionized water to the mixed solution and sonicating for a predetermined time;
Adding a capcaptobenzoic acid (MPB) to the sonicated mixed solution and sonicating for a predetermined time;
Centrifuging the sonicated mixed solution; And
Preparing a hydrophilic molybdenum disulfide flake suspension by dispersing the supernatant of the centrifuged mixed solution in deionized water;
Method for self-assembly of single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets-based field effect transistor comprising a.
상기 용매는 헥산 내 n-부틸리튬 용액인 것을 특징으로 하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법.
The method of claim 1,
The solvent is a self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets, characterized in that the solution of n- butyllithium in hexane.
상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크는 친수성 작용기인 카르복시(-COOH)기를 가지는 것을 특징으로 하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법.
The method of claim 1,
The hydrophilic molybdenum disulfide flake has a carboxy (-COOH) group is a hydrophilic functional group, characterized in that the self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets.
상기 패턴을 형성하는 단계는:
기재 표면 상에 감광 고분자 화합물을 패턴화하는 단계;
상기 기재를 트리클로로옥타데실실란(OTS)과 헥산을 혼합한 용액에 기 설정된 시간 동안 침지시키는 단계;
상기 트리클로로옥타데실실란(OTS)이 상기 기재 표면 상에 자기조립단층을 이루어 상기 소수성 채널을 형성하는 단계; 및
상기 감광 고분자 화합물을 아세톤으로 제거하여 상기 친수성 채널을 형성하는 단계;
를 포함하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법.
The method of claim 1,
Forming the pattern is:
Patterning the photosensitive polymer compound on the substrate surface;
Immersing the substrate in a solution of trichlorooctadecylsilane (OTS) and hexane for a predetermined time;
The trichlorooctadecylsilane (OTS) forming a self-assembled monolayer on the surface of the substrate to form the hydrophobic channel; And
Removing the photosensitive polymer compound with acetone to form the hydrophilic channel;
Method for self-assembly of single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets-based field effect transistor comprising a.
상기 기재 표면 상에 친수성 채널은 수산(-OH)기를 가지는 것을 특징으로 하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법.
The method of claim 4, wherein
A method for self-assembly of a field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets, characterized in that the hydrophilic channel on the substrate surface has a hydroxyl (-OH) group.
상기 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 단계는:
상기 기재를 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액에 침지시키는 단계;
상기 침지된 기재를 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액으로부터 기 설정된 속도로 잡아 당기는 단계;
상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크가 상기 친수성 채널에 흡착되어 상기 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 단계; 및
상기 당겨진 기재 표면 상에 디클로로 벤젠과 탈 이온수를 교대로 도포하는 단계;
를 포함하는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법.
The method of claim 1,
Forming the molybdenum disulfide nanosheets is:
Immersing the substrate in the hydrophilic molybdenum disulfide flake suspension;
Pulling the immersed substrate from the hydrophilic molybdenum disulfide flake suspension at a predetermined rate;
Adsorbing said hydrophilic molybdenum disulfide flakes to said hydrophilic channel to form said molybdenum disulfide nanosheet; And
Alternately applying dichloro benzene and deionized water onto the drawn substrate surface;
Method for self-assembly of single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets-based field effect transistor comprising a.
상기 이황화 몰리브덴 나노시트는 상기 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 기반 자기조립단층으로 이루어지는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법.
The method of claim 6,
The self-assembly method of the field effect transistor based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets comprising the hydrophilic molybdenum disulfide flake-based self-assembled monolayer.
상기 친수성 채널의 크기에 따라 상기 이황화 몰리브덴 나노시트의 폭이 조절되도록 이루어지는 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법.The method of claim 6,
A method for self-assembly of field effect transistors based on single and multilayer molybdenum disulfide nanosheets, wherein the width of the molybdenum disulfide nanosheet is controlled according to the size of the hydrophilic channel.
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|---|---|---|---|---|
| KR20210077422A (en) * | 2019-12-17 | 2021-06-25 | 서울대학교산학협력단 | Vacancy defect control apparatus of transition metal dichalcogenides |
| KR102290930B1 (en) * | 2020-03-11 | 2021-08-17 | 전남대학교산학협력단 | Method of preparing inorganic hydrogel nanocomposites capable of self-healing |
| KR20220045726A (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 연세대학교 산학협력단 | Layered compounds and nanosheets containing Zinc and Sulfur, and electrical devices using the same |
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| KR20060003332A (en) * | 2003-03-21 | 2006-01-10 | 더 유니버시티 오브 노쓰 캐롤라이나 엣 채플 힐 | Methods and apparatus for patterned deposition of nanostructure-containing materials by self-assembly and related articles |
| KR20110111174A (en) * | 2010-04-02 | 2011-10-10 | 주식회사 오이티 | Method for transfering colloidal particle layer |
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2019
- 2019-01-21 KR KR1020190007758A patent/KR102179291B1/en active IP Right Grant
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