KR20190085766A - Pressure control valve apparatus equipped with power switch in gas chamber for semiconductor manufacturing process - Google Patents

Pressure control valve apparatus equipped with power switch in gas chamber for semiconductor manufacturing process Download PDF

Info

Publication number
KR20190085766A
KR20190085766A KR1020180004016A KR20180004016A KR20190085766A KR 20190085766 A KR20190085766 A KR 20190085766A KR 1020180004016 A KR1020180004016 A KR 1020180004016A KR 20180004016 A KR20180004016 A KR 20180004016A KR 20190085766 A KR20190085766 A KR 20190085766A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power
pressure gauge
control valve
relay
pressure
Prior art date
Application number
KR1020180004016A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102025838B1 (en
Inventor
유근재
Original Assignee
(주)유시스템
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)유시스템 filed Critical (주)유시스템
Priority to KR1020180004016A priority Critical patent/KR102025838B1/en
Publication of KR20190085766A publication Critical patent/KR20190085766A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102025838B1 publication Critical patent/KR102025838B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01K—ANIMAL HUSBANDRY; AVICULTURE; APICULTURE; PISCICULTURE; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
    • A01K5/00—Feeding devices for stock or game ; Feeding wagons; Feeding stacks
    • A01K5/01—Feed troughs; Feed pails
    • A01K5/0114—Pet food dispensers; Pet food trays
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D16/00—Control of fluid pressure
    • G05D16/20—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Biodiversity & Conservation Biology (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Animal Husbandry (AREA)
  • Birds (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Gas-Insulated Switchgears (AREA)

Abstract

The present invention relates to a pressure control valve apparatus of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, equipped with a power switch. The pressure control valve apparatus equipped with a power switch is a pressure control valve apparatus of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, comprising a front panel, a controller, and a flapper or a butterfly valve. The pressure control valve apparatus comprises: a power input connector configured to receive a main power source for supplying power to the pressure control valve apparatus and two pressure gauge power sources for supplying power to a pressure gauge sensing the pressure of the gas chamber, and outputting two main power sources and a first pressure gauge power source and a second pressure gauge power source; a main switch installed on the front panel and configured to turn on/off a first main power source of the two main power sources output from the power input connector; a main power relay configured to turn on/off a second main power source output from the power input connector depending on an on/off state of the main switch and have the second main power source turned on/off and output be supplied as a power source of the pressure control valve device; a first pressure gauge power relay configured to have the first pressure gauge power source output from the power connector be turned on/off depending on the on/off state of the main switch, and the first pressure gauge power source turned on/off be supplied as a first power source of the pressure gauge; and a second pressure gauge power replay configured to have the second pressure gauge power source output from the power connector be turned on/off depending on the on/off state of the main switch, and the second pressure gauge power source turned on/off be supplied as a second power source of the pressure gauge.

Description

전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치{Pressure control valve apparatus equipped with power switch in gas chamber for semiconductor manufacturing process}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a pressure control valve apparatus for a gas chamber for a semiconductor manufacturing process,

본 발명은 압력 제어 밸브에 관한 것으로서, 특히 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치 중에 전원스위치가 설치됨으로써 압력 제어 밸브 장치의 안전과 운용을 개선하는, 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure control valve and, more particularly, to a pressure control valve device for a semiconductor manufacturing process, in which a power switch is installed in a pressure chamber of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, To a pressure control valve device in a gas chamber.

반도체 제조 공정용 가스 챔버 장비의 설치는 장비 교체 수준의 설치가 될 수도 있다. 장비를 설치할 때는 시스템의 각부의 개별 정상 동작 여부를 우선 점검하며 문제가 없을 경우는 장치들을 연결해 가면서 동작을 시켜준다. 일반적인 장비 적용 설치 방법은 장비를 설치한 후 전원을 연결하여 장비를 동작시킨다. The installation of the gas chamber equipment for the semiconductor manufacturing process may be the installation of equipment replacement level. When installing the equipment, first check whether each part of the system is normal or not. If there is no problem, connect the devices and operate it. General equipment installation method is to connect the power source after the equipment is installed and operate the equipment.

종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는 전원연결부, 즉 전원을 연결한 커넥터를 삽입 혹은 해체를 통하여 연결을 해주게 된다. 이 경우 전원 연결 부분 커넥터의 결선이 잘못될 경우에는 압력 제어 밸브 장치에 직접 전원이 인가되어 1차 및 2차 사고가 동시 다발적으로 발생할 수 있다.Conventionally, the pressure control valve device of the gas chamber for the semiconductor manufacturing process is connected through a power connection part, that is, a connector connected to a power source through insertion or disassembly. In this case, if the connection of the power connector is incorrect, direct power to the pressure control valve device may occur, which may cause simultaneous primary and secondary accidents.

1차 사고 및 2차 사고가 동시에 발생하므로 시스템이 안전 및 보호 규격을 맞춘 경우에는 시스템 전원 및 브레이커들이 동작하여 자동적으로 절체 된다. 그러나 1차 적인 결선 문제에 의하여 발생을 하였는지 2차적으로 압력 제어 밸브 장치의 문제에 인한 것인지는 알 수 없다. When the system meets the safety and protection standards, the system power and breakers operate and are automatically switched. However, it is not known whether it is caused by the primary connection problem or the secondary pressure control valve device problem.

또한 반도체 제조 공정용 가스 챔버 장비를 설치할 때는 모든 커넥터의 체결 또한 실행을 하므로 장비 설치 시부터 전원 커넥터는 완벽한 체결이 되어서 비상시에는 커넥터를 압력 제어 밸브 장치로부터 해체할 수 없으며 이 경우 시스템의 주 전원 전체를 절체할 수 밖에 없다.In addition, when installing the gas chamber equipment for the semiconductor manufacturing process, all the connectors are tightened. Therefore, the power connector is completely tightened from the installation of the equipment, so that the emergency connector can not be disassembled from the pressure control valve device. It is inevitable to switch.

또한 장비 운영 시에도 위와 같은 사항이 발생하게 되며 장비의 이상 동작 시 문제가 발생할 경우에는 시스템 전원을 절체 시켜야 하는 동일한 경우가 발생 하게 된다. In addition, when the equipment is operated, the above-mentioned matters occur. In the case of a trouble in the abnormal operation of the equipment, the same case that the power of the system is changed must be occurred.

이상에서 종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치들은 전원 스위치를 장착하지 않고 있으므로 설치 및 설치 테스트 운영상에 많은 불편이 있고 사고가 발생될 때는 큰 문제가 발생할 소지가 있다. As described above, the conventional pressure control valve devices of the gas chamber for the semiconductor manufacturing process are not equipped with the power switch, so there are many inconveniences in the operation of the installation and installation test, and a serious problem may occur when an accident occurs.

일반적으로 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브들의 전원스위치, 전원 연결 구성 및 방법은 다음과 같이 이루어진다. 도 1은 종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 전원 연결을 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 종래의 압력 제어 밸브 장치에 전원 스위치 자체가 장착되어 있지 않다. 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 전원 커넥터에 전원케이블을 연결하고 외부에서 전원을 인가하면 압력제어 밸브 장치에는 자동적으로 전원이 인가되어 압력 제어 밸브 장치가 동작을 시작하게 되는 방식이다.In general, the power switch and power connection configuration and method of the pressure control valves of the gas chamber for the semiconductor manufacturing process are as follows. 1 is a view showing power connection of a pressure control valve device of a gas chamber for a conventional semiconductor manufacturing process. Referring to FIG. 1, the conventional pressure control valve device is not equipped with the power switch itself. When the power supply cable is connected to the power supply connector of the pressure control valve device of the gas chamber for the semiconductor manufacturing process and the power is externally applied, the pressure control valve device is automatically supplied with power and the pressure control valve device starts operating.

반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 종속 장치들의 연결 또한 이에 부가 하여 종래의 압력 제어 밸브 장치에 부착 될 수 있는 2차 종속 장치들의 전원 연결 방식은 다음과 같다. 도 2는 종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 종속 장치에 전원을 공급하는 방식을 나타내고 있다. The connection of the subordinate devices of the pressure control valve device of the gas chamber for the semiconductor manufacturing process, as well as the power connection method of the secondary subordinate devices which can be attached to the conventional pressure control valve device, are as follows. 2 shows a method of supplying power to a slave device of a pressure control valve device of a gas chamber for a conventional semiconductor manufacturing process.

도 2에 도시된 종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 종속 장치의 전원 공급에서 볼 수 있는 바와 같이, 압력 제어 밸브 장치의 종속 장치인 센서(200)은 전원 공급 장치에 연결된 전원 연결 DB-9 커넥터에 체결됨과 동시에 무조건 센서(200)로 연결되게 되어 있다. 이러한 전원 스위치 미장착 장치들은 위에서 열거한 많은 문제점들을 보여 주고 있다.As can be seen in the power supply of the slave of the pressure control valve device of the gas chamber for the conventional semiconductor manufacturing process shown in Fig. 2, the sensor 200, which is a slave of the pressure control valve device, Is connected to the connection DB-9 connector and is unconditionally connected to the sensor 200 at the same time. These power switch unattached devices show many problems as listed above.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술한 전원스위치가 없는 압력제어 밸브 장치의 불편함을 해결하기 위해 창출된 것으로서, 압력 제어 밸브 장치의 안전과 운용을 개선하기 위해, 전원 스위치를 장착한 압력 제어 밸브 장치를 개발하여 반도체 장비 및 일반 장비의 표준 규격인 MIL-STD-454을 압력 제어 밸브 장치에 적용할 수 있는, 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치를 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to solve the inconvenience of the pressure control valve device without the power switch described above. In order to improve the safety and operation of the pressure control valve device, a pressure control valve The present invention provides a pressure control valve device for a gas chamber for a semiconductor manufacturing process equipped with a power switch capable of developing a device and applying MIL-STD-454, which is a standard of semiconductor equipment and general equipment, to a pressure control valve device .

상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는, 전면판넬, 제어장치 및 상기 제어장치에 의해 구동되는 플래퍼 또는 버퍼플라이 밸브로 이루어지는, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브 장치에 있어서, 상기 압력제어 밸브 장치의 전원 공급을 위한 메인 전원과 상기 가스 챔버의 압력을 감지하는 압력계의 전원 공급을 위한 두 개의 압력계전원을 받아들여, 두 개의 메인전원과 제1압력계전원 및 제2압력계전원을 출력하는 전원 입력 커넥터; 상기 전면판넬에 설치되며, 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 두 개의 메인 전원 중 제1메인 전원을 온/오프 하는 메인 스위치; 상기 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제2 메인 전원을 온/오프하고, 상기 온/오프 되어 출력되는 상기 제2 메인 전원이 상기 압력제어 밸브 장치의 전원으로 공급되게 하는 메인전원 릴레이; 상기 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제1압력계전원이 온/오프되고, 상기 온/오프 되어 출력되는 제1압력계전원이 상기 압력계의 제1전원으로 공급되게 하는 제1 압력계전원 릴레이; 및 상기 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 커넥터에서 출력되는 제2압력계전원이 온/오프되고, 상기 온/오프 되어 출력되는 제2압력계전원이 상기 압력계의 제2전원으로 공급되게 하는 제2 압력계전원 릴레이를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a pressure control valve device for a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, the pressure control valve device including a front panel, a control device, and a flapper or a buffer fly valve driven by the control device. A pressure control valve device for a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, comprising: a main power source for supplying power to the pressure control valve device; two pressure gauge power sources for supplying power to a pressure gauge for sensing a pressure of the gas chamber; A power input connector for outputting the main power supply, the first pressure gauge power supply, and the second pressure gauge power supply; A main switch installed on the front panel for turning on / off a first main power among two main power sources output from the power input connector; The second main power is turned on / off according to the on / off state of the main switch, and the second main power outputted from the on / off is supplied to the power source of the pressure control valve device Main power relay; A first pressure gauge power supply output from the power input connector is turned on / off according to an on / off state of the main switch, and a first pressure gauge power supply to be supplied to the first power source 1 Pressure gauge power relay; And a second pressure gauge that is turned on / off according to an on / off state of the main switch, and a second pressure gauge power source that is turned on / 2 Pressure gauge includes power relay.

본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는, 상기 제1압력계전원 릴레이 및 제2압력계전원 릴레이로부터 출력되는 제1압력계전원 및 제2압력계전원을 받아들여 상기 압력계의 전원으로 출력하는 압력계 전원 연결 커넥터를 더 포함한다. 상기 메인스위치는 상기 메인스위치가 온(ON) 인지 오프(OFF)인지를 나타내는 전원 지시등; 및 상기 메인스위치를 덮어 보호하는 메인 스위치 커버를 구비하는 것을 특징으로 한다.The pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process equipped with the power switch according to the present invention receives the first pressure gauge power source and the second pressure gauge power outputted from the first pressure gauge power source relay and the second pressure gauge power source relay And a pressure gauge power connection connector for outputting power to the pressure gauge. The main switch may include a power indicator indicating whether the main switch is ON or OFF; And a main switch cover covering and protecting the main switch.

본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는, 상기 메인 스위치의 단락이나 개폐 시에 발생하는 아크(arc)로 인한 스위치 접점의 고장이나 오손을 방지하는 스위치보호부를 더 포함한다.A pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, to which a power switch according to the present invention is attached, includes a switch for preventing a breakdown or contamination of a switch contact due to an arc occurring at the time of short- And a protection unit.

본 발명에 의한 전원스위치가 장착된 압력 제어 밸브 장치는, 상기 메인 스위치의 출력 전원을 받아들여, 상기 제1전원 릴레이 및 상기 제2전원 릴레이로 출력하며, 릴레이 코일의 단락이나 개폐 시에 발생하는 역전압을 감소시키거나 지연회로를 통해 바이패스(bypass) 되게 하는 릴레이 보호부를 더 포함한다.The pressure control valve device equipped with the power switch according to the present invention receives the output power of the main switch and outputs the output power to the first power relay and the second power relay and is generated when a relay coil is short- And further includes a relay protection section for reducing the reverse voltage or bypassing the reverse voltage through a delay circuit.

본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는, 상기 메인전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력제어밸브 장치에 과전류가 유입되는 것을 방지하는 제1전류제한부; 상기 메인전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력제어장치에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮추는 제1과전압 보호부; 및 상기 메인전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking)하여 압력제어 밸브 장치의 손상을 막는 제1역전압보호부 중 적어도 하나를 더 포함한다.A pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, equipped with a power switch according to the present invention, is provided with an input terminal or an output terminal of the main power relay, A current limiting unit; A first overvoltage protection unit located at an input or output terminal of the main power relay and blocking a voltage greater than a reference value when a voltage applied to the pressure control unit is higher than a reference value and lowering the reference voltage to a reference voltage when a voltage higher than a reference value is generated; And at least one of a first reverse voltage protection unit which is located at an input or an output terminal of the main power relay and blocks a reverse voltage when the polarity of the power supply is reversed and a reverse voltage is applied to prevent damage to the pressure control valve unit One more.

본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는, 상기 제1압력계 전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 과전류가 유입되는 것을 막는 압력계 제2전류제한부; 상기 제1압력계 전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮추는 제2과전압 보호부; 및 상기 제1전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking) 하여 상기 압력계의 손상을 막는 제2역전압 보호부 중 적어도 하나를 더 포함한다.A pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, equipped with a power switch according to the present invention, includes a pressure gauge second current detecting unit which is located at an input end or an output end of the first pressure gauge power relay and which prevents an overcurrent from flowing into the pressure gauge, Limitations; A second overvoltage protection unit located at an input or an output terminal of the first pressure gauge power relay and blocking a voltage exceeding a reference value when a voltage applied to the pressure gauge is higher than a reference value and lowering the reference voltage when a voltage higher than a reference value is generated; And at least one of a second reverse voltage protection unit which is located at an input or output terminal of the first power relay and blocks a reverse voltage when the polarity of the power supply is reversed and a reverse voltage is applied, .

본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치는, 상기 제2압력계 전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 과전류가 유입되는 것을 막는 압력계 제3전류제한부; 상기 제2압력계 전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮추는 제3과전압 보호부; 및 상기 제2전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking) 하여 상기 압력계의 손상을 막는 제3역전압 보호부 중 적어도 하나를 더 포함한다.The pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process, equipped with the power switch according to the present invention, is disposed at the input or output terminal of the second pressure gauge power supply relay, and the pressure gauge third current Limitations; A third overvoltage protection unit located at an input or output terminal of the second pressure gauge power relay and blocking a voltage higher than a reference value when the voltage applied to the pressure gauge is higher than a reference value and lowering the reference voltage when a voltage higher than a reference value is generated; And at least one third reverse voltage protection unit that is located at an input or output terminal of the second power relay and blocks a reverse voltage when the polarity of the power supply is reversed and a reverse voltage is applied to prevent damage to the pressure gauge, .

본 발명에 따른 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치에 의하면, 압력 제어 밸브 장치의 안전과 운용을 개선할 수 있다. 또한 전원 스위치를 장착한 압력 제어 밸브 장치를 개발함으로써 반도체 장비 및 일반 장비의 표준 규격인 MIL-STD-454을 압력 제어 밸브 장치에 적용할 수 있다.The pressure control valve device of the gas chamber for a semiconductor manufacturing process equipped with the power switch according to the present invention can improve safety and operation of the pressure control valve device. In addition, by developing a pressure control valve device equipped with a power switch, MIL-STD-454, a standard specification for semiconductor equipment and general equipment, can be applied to pressure control valve devices.

도 1은 종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 전원 연결을 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치의 종속 장치에 전원을 공급하는 방식을 나타내고 있다.
도 3은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브장치의 일실시예에 대한 사시도를 나타낸 사진이다.
도 4는 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브장치의 전면 판넬의 평면도를 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로 구성에 대한 일실시예를 블록도로 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어밸브 장치의 전면판넬에 설치될 수 있는 전원스위치의 일예로서 토글 스위치를 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어밸브 장치의 전면판넬에 설치될 수 있는 전원스위치의 다른 예로서 푸시 버튼 스위치를 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어밸브 장치의 전면판넬에 설치될 수 있는 전원스위치 투명커버의 일예를 나타낸 것이다.1 is a view showing power connection of a pressure control valve device of a gas chamber for a conventional semiconductor manufacturing process.
2 shows a method of supplying power to a slave device of a pressure control valve device of a gas chamber for a conventional semiconductor manufacturing process.
3 is a photograph showing a perspective view of an embodiment of a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process equipped with a power switch according to the present invention.
4 is a plan view of a front panel of a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, in which a power switch according to the present invention is mounted.
FIG. 5 is a block diagram of an embodiment of a power switch circuit of a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, in which a power switch according to the present invention is mounted.
6 shows a toggle switch as an example of a power switch that can be installed on a front panel of a pressure control valve apparatus of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, to which a power switch according to the present invention is attached.
7 shows a push button switch as another example of a power switch that can be installed on a front panel of a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process equipped with a power switch according to the present invention.
8 shows an example of a power switch transparent cover that can be installed on a front panel of a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, to which a power switch according to the present invention is attached.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely preferred embodiments of the present invention and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention and therefore various equivalents And variations are possible.

도 3은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브장치의 일실시예에 대한 사시도를 나타낸 사진이다. 본 발명에 의한 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브장치의 일실시예는 전면판넬(310), 제어장치(320) 및 플래퍼(330)를 포함하여 이루어진다. 전면판넬(310)에는 전원스위치(메인스위치, 300)가 포함되어 있다. 플래퍼(330) 대신 버퍼플라이 밸브가 사용될 수 있다.3 is a photograph showing a perspective view of an embodiment of a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process equipped with a power switch according to the present invention. One embodiment of the pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process according to the present invention comprises a front panel 310, a control device 320 and a flapper 330. A power switch (main switch) 300 is included in the front panel 310. A buffer fly valve may be used instead of the flapper 330.

도 4는 전면판넬(310)의 평면도를 나타낸 것이다. 전면판넬(400)에는 전원지시등(410), 전원스위치 명판(420), 전원스위치(메인스위치, 430) 및 전원스위치 투명커버(440)를 포함하여 이루어진다. 전원스위치(430)는 전원을 온/오프(ON/OFF) 한다. 도 6은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어밸브 장치의 전면판넬에 설치될 수 있는 전원스위치(430)의 일 예로서 토글 스위치를 나타낸 것이다. 상기 토글스위치는 보호커버(610), 토글스위칭부(620) 및 개폐 지시등(630)을 포함한다.4 is a plan view of the front panel 310. FIG. The front panel 400 includes a power indicator 410, a power switch name plate 420, a power switch (main switch) 430, and a power switch transparent cover 440. The power switch 430 turns the power on / off (ON / OFF). 6 shows a toggle switch as an example of a power switch 430 that can be installed on a front panel of a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, to which a power switch according to the present invention is attached. The toggle switch includes a protective cover 610, a toggle switching unit 620, and an opening / closing indicator lamp 630.

도 7은 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어밸브 장치의 전면판넬에 설치될 수 있는 전원스위치(430)의 다른 예로서 푸시 버튼 스위치를 나타낸 것이다. 상기 푸시 버튼 스위치는 누름 조명등이 내장될 수 있는 푸시버튼 스위칭부(710) 및 안전보호부(720)를 포함한다. 7 shows a push button switch as another example of the power switch 430 that can be installed on the front panel of the pressure control valve device of the gas chamber for semiconductor manufacturing process, to which the power switch according to the present invention is attached. The push button switch includes a push button switching unit 710 and a safety protection unit 720 in which a push light can be incorporated.

전원스위치 명판(420)은 전원 스위치(410) 임을 알려 주고, 전원지시등(410)은 전원스위치(430)가 켜져 있는지 꺼져 있는지를 지시등으로 표시한다. The power switch name plate 420 indicates the power switch 410 and the power indicator 410 indicates whether the power switch 430 is on or off.

전원스위치 투명커버(440)는 압력제어밸브 장치를 작동시키는 사용자가 전원스위치(430) 조작을 부주의하게 잘못 조작하는 것을 방지하는 커버이다. 도 8은 본 발명에 의한 압력제어밸브 장치의 전면판넬에 설치될 수 있는 전원스위치 투명커버(440)의 일예를 나타낸 것이다. 전원스위치 투명커버(440)는 안전 및 보호 커버(810) 및 잠금장치(820)를 포함한다.The power switch transparent cover 440 is a cover that prevents a user operating the pressure control valve device from inadvertently mis-operating the power switch 430. 8 shows an example of a power switch transparent cover 440 that can be installed on the front panel of the pressure control valve apparatus according to the present invention. The power switch transparent cover 440 includes a safety and protective cover 810 and a locking device 820.

도 5는 본 발명에 의한 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로 구성에 대한 일실시예를 블록도로 나타낸 것이다. 본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 전원입력커넥터(500), 메인스위치(510), 메인전원릴레이(525), 제1압력계전원 릴레이(545) 및 제2압력계전원 릴레이(565)를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 압력계 전원연결 커넥터(505)를 더 포함할 수 있다. 본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 스위치보호부(515)를 더 포함할 수 있다. 또한 본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 릴레이 보호부(520)를 더 포함할 수 있다. FIG. 5 is a block diagram of an embodiment of a power switch circuit of a pressure control valve device of a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, in which a power switch according to the present invention is mounted. The power switch circuit 50 of the pressure control valve apparatus according to the present invention includes a power input connector 500, a main switch 510, a main power relay 525, a first pressure gauge power supply relay 545, (565). The power switch circuit 50 of the pressure control valve device according to the present invention may further include a pressure gauge power connection connector 505. The power supply switch circuit 50 of the pressure control valve apparatus according to the present invention may further include a switch protection unit 515. [ The power switch circuit 50 of the pressure control valve apparatus according to the present invention may further include a relay protection unit 520.

또한 본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 메인전원 릴레이(525)의 입력단 또는 출력단에 제1전류제한부(530), 제1과전압보호부(535) 및 제1역전압 보호부(540) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.The power switch circuit 50 of the pressure control valve apparatus according to the present invention includes a first current limiting unit 530, a first overvoltage protection unit 535, and a first reverse voltage protection unit 530 at the input or output terminal of the main power supply relay 525, And a protection unit 540. [0050]

본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 제1압력계 전원 릴레이(545)의 입력단 또는 출력단에 제2전류제한부(550), 제2과전압보호부(555) 및 제2역전압 보호부(560) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.The power switch circuit 50 of the pressure control valve apparatus according to the present invention includes a second current limiting unit 550, a second overvoltage protection unit 555, and a second overvoltage protection unit 555 at the input or output terminal of the first pressure gauge power supply relay 545, And a voltage protection unit 560.

본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 제2압력계 전원 릴레이(565)의 입력단 또는 출력단에 제3전류제한부(570), 제3과전압보호부(575) 및 제3역전압 보호부(570) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.The power switch circuit 50 of the pressure control valve apparatus according to the present invention includes a third current limiter 570, a third overvoltage protection unit 575, and a third current limiter 575 at the input or output terminal of the second pressure gauge power supply relay 565, And a voltage protection unit 570.

본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원스위치 회로(50)는 압력제어 밸브 장치의 전원을 공급함과 동시에 압력제어 밸브 장치에서 챔버 압력을 센싱하는 압력계에 전원을 공급한다. 전원스위치 회로의 메인 스위치(510)는 직접 전원을 차단/연결 시키는 것이 아니라 전원 단의 보호를 위하여 부가적으로 릴레이(525, 545, 565)를 거쳐서 전원을 차단/연결 한다. 여러 가지 방식으로 스위치를 이용하여 전원 연결 차단을 할 수 있지만, 장비 전원의 보호 등 여러가지 문제점을 고려하여 2 스텝(step) 방식을 적용하여 전원스위치 회로의 메인 스위치(510)가 릴레이(525, 545, 565)를 개폐하여 공급되는 전원들을 차단/연결 할 수 있도록 구성할 수 있다.The power switch circuit 50 of the pressure control valve device according to the present invention supplies power to the pressure control valve device and simultaneously supplies power to the pressure gauge that senses the chamber pressure in the pressure control valve device. The main switch 510 of the power switch circuit directly disconnects / connects the power via the relays 525, 545, and 565 in order to protect the power terminal, not directly disconnect / connect the power. The main switch 510 of the power switch circuit is connected to the relays 525 and 545 by applying a two step method in consideration of various problems such as protection of the power supply of the apparatus, And 565 may be opened / closed to cut off / connect the supplied power.

전원 입력 커넥터(500)는 상기 압력제어 밸브 장치의 전원 공급을 위한 메인 전원(52)과 상기 가스 챔버의 압력을 감지하는 압력계의 전원 공급을 위한 두 개의 압력계전원(54, 56)을 받아들여, 두 개의 메인전원(502, 504)과 제1압력계전원(506) 및 제2압력계전원(508)을 출력한다. 예를 들어, 본 발명에서는 압력제어 밸브 장치 전원은 산업용 장치의 제어 및 동작 전원으로, 통상적으로 +24VDV를 사용할 수 있다. 그리고 압력계에 공급되는 두 개의 압력계 전원(54, 56)은 아날로그 압력계의 경우에는 +15 VDC 와 -15 VDC의 양방향 전원을 사용하여 안날로그 신호를 처리한다.The power input connector 500 receives a main power supply 52 for supplying power to the pressure control valve device and two pressure gauge power supplies 54 and 56 for supplying power to a pressure gauge for sensing the pressure of the gas chamber, And outputs two main power sources 502 and 504, a first pressure gauge power source 506, and a second pressure gauge power source 508. [ For example, in the present invention, the pressure control valve device power supply can be used as a control and operating power source for industrial devices, typically +24 VDV. The two pressure gauge supplies (54, 56) supplied to the pressure gauge handle analog log signals using a bidirectional power source of +15 VDC and -15 VDC for the analog pressure gauge.

메인 스위치(510)는 전면판넬(310, 400)에 설치되며, 전원입력 커넥터(500)에서 출력되는 두 개의 메인 전원 중 제1메인 전원(504)을 온/오프 한다. 메인스위치(510)는 메인스위치가 온(ON) 인지 오프(OFF)인지를 나타내는 전원 지시등(미도시) 및 상기 메인스위치를 덮어 보호하는 메인 스위치 커버(미도시)를 구비한다.The main switch 510 is installed on the front panels 310 and 400 and turns on and off the first main power source 504 among two main power sources output from the power input connector 500. The main switch 510 includes a power indicator lamp (not shown) indicating whether the main switch is ON or OFF and a main switch cover (not shown) covering and protecting the main switch.

메인전원 릴레이(525)는 메인 스위치(510)의 온/오프 상태에 따라 전원입력 커넥터(500)에서 출력되는 제2 메인 전원(502)을 온/오프하고, 상기 온/오프 되어 출력되는 상기 제2 메인 전원(527)이 상기 압력제어 밸브 장치의 전원으로 공급되게 한다.The main power supply relay 525 turns on / off the second main power source 502 output from the power input connector 500 according to the on / off state of the main switch 510, 2 main power source 527 to be supplied to the power source of the pressure control valve device.

제1 압력계전원 릴레이(545)는 메인 스위치(510)의 온/오프 상태에 따라 전원입력 커넥터(500)에서 출력되는 제1압력계전원(506)이 온/오프되고, 상기 온/오프 되어 출력되는 제1압력계전원(547)이 상기 압력계의 제1전원으로 공급되게 한다.The first pressure gauge power supply relay 545 turns on / off the first pressure gauge power source 506 output from the power input connector 500 according to the on / off state of the main switch 510, The first pressure gauge power source 547 is supplied to the first power source of the pressure gauge.

제2 압력계전원 릴레이(565)는 메인 스위치(510)의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 커넥터에서 출력되는 제2압력계전원(508)이 온/오프되고, 상기 온/오프 되어 출력되는 제2압력계전원(567)이 상기 압력계의 제2전원으로 공급되게 한다.The second pressure gauge power supply relay 565 turns on / off the second pressure gauge power source 508 output from the power connector according to the on / off state of the main switch 510, And the power source 567 is supplied to the second power source of the pressure gauge.

압력계 전원 연결 커넥터(505)는 제1압력계전원 릴레이(545) 및 제2압력계 전원 릴레이(565)로부터 출력되는 제1압력계전원(547) 및 제2압력계전원(567)을 받아들여 상기 압력계의 전원으로 출력한다. The pressure gauge power connector 505 receives the first pressure gauge power source 547 and the second pressure gauge power source 567 output from the first pressure gauge power source relay 545 and the second pressure gauge power source relay 565, .

스위치보호부(515)는 메인 스위치(510)의 단락이나 개폐 시에 발생하는 아크(arc)로 인한 스위치 접점의 고장이나 오손을 방지한다.The switch protection unit 515 prevents malfunction or contamination of the switch contact due to an arc generated when the main switch 510 is short-circuited or opened or closed.

릴레이 보호부(520)는 메인 스위치(510)의 출력 전원을 받아들여, 제1전원 릴레이(545) 및 제2전원 릴레이(565)로 출력하며, 릴레이 코일의 단락이나 개폐 시에 발생하는 역전압을 감소시키거나 지연회로를 통해 전원부로 바이패스(bypass) 되게 한다. The relay protection unit 520 receives the output power of the main switch 510 and outputs the output power to the first power supply relay 545 and the second power supply relay 565. The relay protection unit 520 generates a reverse voltage To be bypassed to the power supply via a delay circuit.

제1전류제한부(530)는 메인전원 릴레이(525)의 입력단에 위치하며, 상기 압력제어밸브 장치에 과전류가 유입되는 것을 방지한다. 제1전류제한부(530)로 퓨즈가 사용될 수 있으며, 응답 속도에 따라 급속 용단(Fast Blow), 저속 용단 (Slow Blow), 지연용단(Time Lag Blow) 퓨즈 등의 종류가 있으며, 일회용과 여러 번 사용할 수 있는 Resettable Fuse가 있다. 제1전류제한부(530)는 메인전원 릴레이(525)의 출력단에 위치할 수도 있다.The first current limiter 530 is located at the input of the main power supply relay 525 and prevents an overcurrent from flowing into the pressure control valve device. A fuse may be used as the first current limiting unit 530. Depending on the response speed, there are types such as Fast Blow, Slow Blow, and Time Lag Blow fuses. There is a Resettable Fuse that can be used once. The first current limiter 530 may be located at the output of the main power supply relay 525.

제1과전압 보호부(535)는 메인전원 릴레이(525)의 입력단에 위치하며, 상기 압력제어밸브 장치에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮춘다. 제1과전압 보호부(535)는 메인전원 릴레이(525)의 출력단에 위치할 수도 있다.The first overvoltage protection unit 535 is located at the input terminal of the main power supply relay 525. When the voltage applied to the pressure control valve unit is higher than the reference value, . The first overvoltage protection unit 535 may be located at the output terminal of the main power supply relay 525.

제1역전압보호부(540)는 메인전원 릴레이(525)의 입력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking)하여 압력제어 밸브 장치의 손상을 막는다. 제1역전압 보호부(540)는 메인전원 릴레이(525)의 출력단에 위치할 수도 있다.The first reverse voltage protection unit 540 is located at the input terminal of the main power supply relay 525 and when the reverse polarity is applied to the reverse polarity of the power supply, Stop. The first reverse voltage protection unit 540 may be located at the output terminal of the main power supply relay 525.

제2전류제한부(550)는 제1압력계 전원 릴레이(545)의 입력단에 위치하며, 상기 압력계에 과전류가 유입되는 것을 막는다.The second current limiting unit 550 is located at the input terminal of the first pressure gauge power supply relay 545 and prevents an overcurrent from flowing into the pressure gauge.

제2과전압 보호부(555)는 제1압력계 전원 릴레이(545)의 입력단에 위치하며, 상기 압력제어장치에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮춘다. The second overvoltage protection unit 555 is located at the input terminal of the first pressure gauge power supply relay 545. When the voltage applied to the pressure control unit is higher than the reference value, Voltage.

제1역전압보호부(540)는 제1압력계 전원 릴레이(545)의 입력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking)하여 압력제어 밸브 장치의 손상을 막는다. The first reverse voltage protection unit 540 is located at the input terminal of the first pressure gauge power supply relay 545 and blocks the reverse voltage when the polarity of the power supply is reversed and the reverse voltage is applied, Prevent damage.

제2전류제한부(550), 제2과전압 보호부(555) 및 제2역전압 보호부(560)는 재1압력계 전원 릴레이(545)의 출력단에 위치할 수도 있다.The second current limiting unit 550, the second overvoltage protection unit 555 and the second reverse voltage protection unit 560 may be located at the output terminal of the first pressure gauge power supply relay 545.

제3전류제한부(570)는 제2압력계 전원 릴레이(565)의 입력단에 위치하며, 상기 압력계에 과전류가 유입되는 것을 막는다.The third current limiter 570 is located at the input terminal of the second pressure gauge power supply relay 565 and prevents an overcurrent from flowing into the pressure gauge.

제3과전압 보호부(575)는 제2압력계 전원 릴레이(565)의 입력단에 위치하며, 상기 압력제어장치에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮춘다. The third overvoltage protection unit 575 is located at the input terminal of the second pressure gauge power supply relay 565. When the voltage applied to the pressure control unit is higher than the reference value, Voltage.

제3역전압보호부(580)는 제2압력계 전원 릴레이(565)의 입력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking)하여 압력제어 밸브 장치의 손상을 막는다. The third reverse voltage protection unit 580 is located at the input terminal of the second pressure gauge power supply relay 565. When the polarity of the power supply is reversed and the reverse voltage is applied, the reverse voltage is blocked, Prevent damage.

제3전류제한부(570), 제3과전압 보호부(575) 및 제3역전압 보호부(580)는 제2압력계 전원 릴레이(565)의 출력단에 위치할 수도 있다.The third current limiting unit 570, the third overvoltage protection unit 575 and the third reverse voltage protection unit 580 may be located at the output terminal of the second pressure gauge power supply relay 565.

한편, 압력계(585)의 압력계전원 커넥터(590)는 압력제어 밸브 장치로부터 압력계(585)에 전원을 공급하기 위한 연결 커넥터이다.On the other hand, the pressure gauge power connector 590 of the pressure gauge 585 is a connection connector for supplying power to the pressure gauge 585 from the pressure control valve device.

본 발명에 따른 반도체 장비 내에 설치되는 압력 제어 밸브 장치는 MIL-STD-454 규격 및 일반 산업용 규격에 맞추어 장착 가능하며, 압력 제어 밸브 장치에 전원 스위치 회로를 장착함으로써 제어장치를 안전하고 신뢰성 있게 운영할 수 있다.The pressure control valve device installed in the semiconductor device according to the present invention can be installed in accordance with the MIL-STD-454 standard and the general industry standard, and the control device can be safely and reliably operated by installing the power switch circuit in the pressure control valve device .

본 발명에 의한 압력제어 밸브장치의 전원 스위치 회로는 장비의 전체 혹은 일부 부품의 설치, 교환을 위해 장착될 수 있다. 이는 MIL-STD-454 규격에 의해 정의되어 있는 규정으로 장비의 전체 혹은 일부 부품의 설치, 교환을 위해 장착될 수 있다. 또한, 장착되는 전원 스위치 회로는 전기 전원의 인터페이스에 적용되는 규정과 요구 사항을 만족시킬 수 있다.The power switch circuit of the pressure control valve apparatus according to the present invention can be mounted for installation or replacement of all or part of the equipment. This is a provision defined by the MIL-STD-454 standard and may be fitted for the installation or replacement of all or part of the equipment. In addition, the mounted power switch circuit can satisfy the requirements and requirements applied to the interface of the electric power source.

압력제어 밸브장치의 메인전원 스위치 회로가 설치되어 있는 경우는 MIL-STD-454 규격을 만족시키기 위해서는 명확하게 전원 스위치임을 표시하여야 하며, 장비 전체의 전원 절체를 해 주어야 하는데, 본 발명은 MIL-STD-454 규격을 만족시킬 수 있다.When the main power switch circuit of the pressure control valve device is installed, it must be clearly indicated that it is a power switch in order to satisfy the MIL-STD-454 standard. -454 standard can be satisfied.

압력제어 밸브장치 전원 스위치 회로의 메인스위치 입력 측과 전원 라인의 연결부는 우연한 물리적인 접촉에 의한 물리적인 보호를 해 주어야 한다. 이 또한 MIL-STD-454 규격에 정의되어 있는 내용이다. 또한 반도체 장비의 설치 및 운영 규격이다. 본 발명은 MIL-STD-454 규격 및 반도체 장비의 설치 및 운영 규격을 만족시킬 수 있다.Pressure control valve device Power switch The main switch input side of the circuit and the connection of the power line should be physically protected by accidental physical contact. This is also defined in the MIL-STD-454 standard. It is also the standard for installation and operation of semiconductor equipment. The present invention can satisfy the MIL-STD-454 standard and the installation and operation standard of semiconductor equipment.

본 발명에서는 압력제어 밸브장치의 우연한 물리적인 접촉에 의한 전원 스위치 회로의 메인스위치 단락을 보호하기 위한 여러 가지 방안을 구현할 수 있다. 첫째, 전원스위치 회로의 메인스위치를 덮개를 통해 보호할 수 있다. 전원 스위치 회로의 메인 스위치가 우연한 접촉으로 단락/개폐가 될 경우에는 실행중인 반도체 공정 중에 막대한 피해가 발생을 할 우려가 있다. 물론 시스템 모니터링으로 추가적인 피해는 방지할 수 있으나 큰 문제가 될 수 있다. 반도체 공정 장비의 전원 단락/개폐 스위치의 경우는 덮개를 통하여 보호를 해주는 것이 일반적으로 요구되는 기본 규격이다. 본 발명에서는 투명한 덮개를 통하여 메인 스위치를 볼 수 있으며 메인 스위치를 개폐시킬 경우에는 덮개를 완전히 젖힌 상태에서 작업자의 손가락으로 스위치를 동작시킬 수 있도록 메인 스위치 커버를 제공한다. In the present invention, various measures for protecting the main switch short circuit of the power supply switch circuit due to accidental physical contact of the pressure control valve device can be implemented. First, the main switch of the power switch circuit can be protected by the cover. When the main switch of the power switch circuit is short-circuited / opened / closed by an accidental contact, there is a possibility of causing a great damage in the semiconductor process being executed. Of course, system monitoring can prevent additional damage, but can be a big problem. In the case of power short-circuiting / opening / closing switches of semiconductor process equipment, it is a basic standard that generally requires protection through cover. In the present invention, the main switch can be seen through the transparent lid. When the main switch is opened or closed, the main switch cover is provided so that the operator can operate the switch with the finger of the operator in a completely tilted state.

본 발명에서 제공하는 메인 스위치 덮개는 원형 혹은 사각형 형태를 가지며 몸체와 열 수 있는 뚜껑을 가지고 있다. 덮개는 개폐를 시킬 경우 몸체에서 힌지로 지지되어 개폐된다. The main switch cover provided in the present invention has a circular or rectangular shape and has a body and a lid that can be opened. When the cover is opened and closed, it is supported by a hinge in the body and opened and closed.

본 발명에서는 메인 스위치에 투명 커버를 채택함으로써 즉, 커버는 투명한 뚜껑을 가지고 있으므로 사용자가 스위치의 온/오프 상태 등을 판단하는데 많은 도움을 준다.In the present invention, by adopting a transparent cover for the main switch, that is, the cover has a transparent lid, it helps the user to judge the on / off state of the switch and the like.

본 발명에서 제공하는 메인 스위치 커버는 도 8에 도시된 바와 같이 닫힐 경우에는 반 고정 방식으로 잠금이 되며 커버를 열 경우에는 힘을 가볍게 주어서 잠금을 풀고 열 수 있다.As shown in FIG. 8, the main switch cover provided in the present invention is locked in a semi-fixed manner when the cover is closed, and can be unlocked and opened by lightly applying a force when the cover is opened.

본 발명에서 압력제어 밸브 장치의 전면 판넬에 설치되는 전원 스위치 회로의 메인 스위치 위치는 장비의 운영을 담당하지 않는 작업자들에 의한 우연한 접촉이 발생하지 않는 위치에 설치되고 스위치 종류를 선택하여야 한다. 전원 스위치 회로의 메인스위치는 장비 조작을 할 수 있는 조작부에 위치하여 작업 중 쉽게 조작 및 감시할 수 있는 위치에 설치할 수 있다. 그리고 전원 스위치 회로의 메인 스위치는 조명/비조명 푸시 버튼 스위치, 로커 스위치, 로터리 스위치 및 토글 스위치 등을 사용을 할 수 있다. 푸시 버튼 스위치는 스위치 자체에 보호 덮개를 가질 수 있으며 토글 스위치는 젖힐 수 있는 보호 덮개를 가질 수 있다. In the present invention, the main switch position of the power switch circuit installed on the front panel of the pressure control valve device is set at a position where accidental contact by workers not responsible for the operation of the equipment does not occur and the switch type should be selected. The main switch of the power switch circuit can be installed in a position where it can be easily operated and monitored during operation by being located on the operation section which can operate the equipment. The main switch of the power switch circuit can be a light / non-light push button switch, a rocker switch, a rotary switch and a toggle switch. The pushbutton switch can have a protective cover on the switch itself, and the toggle switch can have a protective cover that can be tilted.

본 발명에서 사용되는 메인 스위치가 비 조명 스위치일 경우에는 별도의 지시등을 가질 수 있다. 지시등은 전원 스위치의 동작에 따라서 동작되는 등이며 이는 램프 혹은 LED 등의 표시 장치를 사용할 수 있다. 푸시 버튼 스위치는 일체형 램프 버튼을 가질 수 있다.When the main switch used in the present invention is a non-lighting switch, it may have a separate indicator lamp. The indication lamp is operated according to the operation of the power switch, and it is possible to use a display device such as a lamp or an LED. The pushbutton switch may have an integrated lamp button.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications and variations will be apparent to those skilled in the art. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

100 : 전원커넥터 200 : 센서
300 : 전원 스위치 310 : 전면 판넬
320 : 제어장치 330 : 플래퍼
400 : 전면판넬 410 : 전원지시등
420 : 전원 스위치 명판 430 : 전원 스위치
440 : 전원 스위치 투명커버 50 : 전원스위치 회로
500 : 전원입력커넥터 502 : 제2메인전원
504 : 제1메인전원 505 : 압력계 전원연결 커넥터
506 : 제1압력계전원 508 : 제2압력계 전원
510 : 메인 스위치 515 : 스위치 보호부
520 : 릴레이 보호부 525 : 메인전원 릴레이
530 : 제1전류제한부 535 : 제1과전압 보호부
540 : 제1역전압 보호부 545 : 제1압력계 전원릴레이
550 : 제2전류제한부 555 : 제2과전압 보호부
560 : 제2역전압 보호부 565 : 제2압력계 전원릴레이
570 : 제3전류제한부 575 : 제3과전압 보호부
580 : 제3역전압 보호부 585 : 압력계
585 : 압력계 전원 커넥터100: Power connector 200: Sensor
300: power switch 310: front panel
320: control device 330: flapper
400: front panel 410: power indicator
420: Power switch name plate 430: Power switch
440: Power switch transparent cover 50: Power switch circuit
500: Power input connector 502: Second main power
504: first main power source 505: pressure gauge power connection connector
506: first pressure gauge power source 508: second pressure gauge power source
510: main switch 515: switch protection portion
520: Relay protector 525: Main power relay
530: first current limiting unit 535: first overvoltage protection unit
540: first reverse voltage protection unit 545: first pressure gauge power supply relay
550: second current limiting section 555: second overvoltage protection section
560: second reverse voltage protection unit 565: second pressure gauge power supply relay
570: third current limiting section 575: third overvoltage protection section
580: third reverse voltage protection unit 585: pressure gauge
585: Pressure gauge power connector

Claims (8)

전면판넬, 제어장치 및 상기 제어장치에 의해 구동되는 플래퍼 또는 버퍼플라이 밸브로 이루어지는, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력제어 밸브 장치에 있어서,
상기 압력제어 밸브 장치의 전원 공급을 위한 메인 전원과 상기 가스 챔버의 압력을 감지하는 압력계의 전원 공급을 위한 두 개의 압력계전원을 받아들여, 두 개의 메인전원과 제1압력계전원 및 제2압력계전원을 출력하는 전원 입력 커넥터;
상기 전면판넬에 설치되며, 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 두 개의 메인 전원 중 제1메인 전원을 온/오프 하는 메인 스위치;
상기 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제2 메인 전원을 온/오프하고, 상기 온/오프 되어 출력되는 상기 제2 메인 전원이 상기 압력제어 밸브 장치의 전원으로 공급되게 하는 메인전원 릴레이;
상기 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 입력 커넥터에서 출력되는 제1압력계전원이 온/오프되고, 상기 온/오프 되어 출력되는 제1압력계전원이 상기 압력계의 제1전원으로 공급되게 하는 제1 압력계전원 릴레이; 및
상기 메인 스위치의 온/오프 상태에 따라 상기 전원 커넥터에서 출력되는 제2압력계전원이 온/오프되고, 상기 온/오프 되어 출력되는 제2압력계전원이 상기 압력계의 제2전원으로 공급되게 하는 제2 압력계전원 릴레이를 포함하는, 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.A pressure control valve apparatus for a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, comprising a front panel, a control device, and a flapper or buffer fly valve driven by the control device,
A first pressure gauge power source, a second pressure gauge power source, and a second pressure gauge power source, wherein the main power source for supplying power to the pressure control valve device and the pressure gauge for powering a pressure gauge for sensing the pressure of the gas chamber are received, Power input connector to output;
A main switch installed on the front panel for turning on / off a first main power among two main power sources output from the power input connector;
The second main power is turned on / off according to the on / off state of the main switch, and the second main power outputted from the on / off is supplied to the power source of the pressure control valve device Main power relay;
A first pressure gauge power supply output from the power input connector is turned on / off according to an on / off state of the main switch, and a first pressure gauge power supply to be supplied to the first power source 1 Pressure gauge power relay; And
A second pressure gauge power source that is turned on / off according to an on / off state of the main switch is turned on / off and a second pressure gauge power source that is turned on / off is supplied to a second power source of the pressure gauge, A pressure control valve device in a gas chamber for a semiconductor manufacturing process, comprising a power switch, comprising a pressure gauge power relay. 제1항에 있어서,
상기 제1압력계전원 릴레이 및 제2압력계전원 릴레이로부터 출력되는 제1압력계전원 및 제2압력계전원을 받아들여 상기 압력계의 전원으로 출력하는 압력계 전원 연결 커넥터를 더 포함하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.The method according to claim 1,
A pressure gauge power supply connector for receiving a first pressure gauge power source and a second pressure gauge power source output from the first pressure gauge power source relay and the second pressure gauge power source relay and outputting the power to the power source of the pressure gauge, Pressure control valve arrangement in a process gas chamber. 제1항에 있어서, 상기 메인스위치는
상기 메인스위치가 온(ON) 인지 오프(OFF)인지를 나타내는 전원 지시등; 및
상기 메인스위치를 덮어 보호하는 메인 스위치 커버를 구비하는 것을 특징으로 하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.2. The apparatus of claim 1, wherein the main switch
A power indicator for indicating whether the main switch is ON or OFF; And
And a main switch cover for covering and protecting the main switch. The pressure control valve device for a gas chamber for a semiconductor manufacturing process according to claim 1, 제1항에 있어서,
상기 메인 스위치의 단락이나 개폐 시에 발생하는 아크(arc)로 인한 스위치 접점의 고장이나 오손을 방지하는 스위치보호부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a switch protector for preventing failure or contamination of the switch contact due to an arc generated when the main switch is short-circuited or opened and closed. Control valve device. 제1항에 있어서,
상기 메인 스위치의 출력 전원을 받아들여, 상기 제1전원 릴레이 및 상기 제2전원 릴레이로 출력하며, 릴레이 코일의 단락이나 개폐 시에 발생하는 역전압을 감소시키거나 지연회로를 통해 바이패스(bypass) 되게 하는 릴레이 보호부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.The method according to claim 1,
And a control circuit for receiving the output power of the main switch and outputting the output power to the first power supply relay and the second power supply relay to reduce a reverse voltage generated when a relay coil is short- And a relay protection unit that is connected to the pressure control valve unit, and further includes a relay protection unit that controls the pressure in the gas chamber. 제1항에 있어서,
상기 메인전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력제어밸브 장치에 과전류가 유입되는 것을 방지하는 제1전류제한부;
상기 메인전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력제어밸브장치에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮추는 제1과전압 보호부; 및
상기 메인전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking)하여 압력제어 밸브 장치의 손상을 막는 제1역전압보호부 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.The method according to claim 1,
A first current limiting unit located at an input or output terminal of the main power relay and preventing an overcurrent from flowing into the pressure control valve unit;
A first overvoltage protection unit located at an input or output terminal of the main power relay and blocking a voltage exceeding a reference value when a voltage applied to the pressure control valve unit is higher than a reference value and lowering a reference voltage when a voltage higher than a reference value is generated; And
At least one of the first reverse voltage protection units located at the input or output terminal of the main power relay and blocking the reverse voltage when the polarity of the power supply is reversed and reverse voltage is applied to prevent the damage of the pressure control valve unit Further comprising a power switch connected to the pressure control valve device. 제1항에 있어서,
상기 제1압력계 전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 과전류가 유입되는 것을 막는 압력계 제2전류제한부;
상기 제1압력계 전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮추는 제2과전압 보호부; 및
상기 제1전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking) 하여 상기 압력계의 손상을 막는 제2역전압 보호부 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.The method according to claim 1,
A pressure gauge second current limiting unit located at an input end or an output end of the first pressure gauge power relay and preventing an overcurrent from flowing into the pressure gauge;
A second overvoltage protection unit located at an input or an output terminal of the first pressure gauge power relay and blocking a voltage exceeding a reference value when a voltage applied to the pressure gauge is higher than a reference value and lowering the reference voltage when a voltage higher than a reference value is generated; And
At least one of the second reverse voltage protection units located at the input or output terminal of the first power relay and blocking the reverse voltage when the polarity of the power supply is reversed and reverse voltage is applied to prevent damage to the pressure gauge, Further comprising a power switch, characterized in that the pressure control valve device further comprises a pressure sensor. 제1항에 있어서,
상기 제2압력계 전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 과전류가 유입되는 것을 막는 압력계 제3전류제한부;
상기 제2압력계 전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 상기 압력계에 인가되는 전압이 기준치 보다 높은 경우 기준치 이상의 전압을 막아주고, 기준치 이상의 전압이 발생하면 기준전압으로 낮추는 제3과전압 보호부; 및
상기 제2전원 릴레이의 입력단 또는 출력단에 위치하며, 전원의 극성이 반대로 연결되어 역전압이 인가될 경우 역전압을 블로킹(blocking) 하여 상기 압력계의 손상을 막는 제3역전압 보호부 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전원스위치가 장착된, 반도체 제조 공정용 가스 챔버의 압력 제어 밸브 장치.
The method according to claim 1,
A pressure gauge third current limiting unit located at an input end or an output end of the second pressure gauge power relay and preventing an overcurrent from flowing into the pressure gauge;
A third overvoltage protection unit located at an input or output terminal of the second pressure gauge power relay and blocking a voltage higher than a reference value when the voltage applied to the pressure gauge is higher than a reference value and lowering the reference voltage when a voltage higher than a reference value is generated; And
At least one of the third reverse voltage protection units located at the input or output terminal of the second power supply relay and blocking the reverse voltage when the polarity of the power supply is reversed and the reverse voltage is applied to prevent damage to the pressure gauge, Further comprising a power switch, characterized in that the pressure control valve device further comprises a pressure sensor.
KR1020180004016A 2018-01-11 2018-01-11 Pressure control valve apparatus equipped with power switch in gas chamber for semiconductor manufacturing process KR102025838B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180004016A KR102025838B1 (en) 2018-01-11 2018-01-11 Pressure control valve apparatus equipped with power switch in gas chamber for semiconductor manufacturing process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180004016A KR102025838B1 (en) 2018-01-11 2018-01-11 Pressure control valve apparatus equipped with power switch in gas chamber for semiconductor manufacturing process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190085766A true KR20190085766A (en) 2019-07-19
KR102025838B1 KR102025838B1 (en) 2019-09-25

Family

ID=67511806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180004016A KR102025838B1 (en) 2018-01-11 2018-01-11 Pressure control valve apparatus equipped with power switch in gas chamber for semiconductor manufacturing process

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102025838B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101185032B1 (en) * 2011-08-16 2012-09-21 김상호 Nonstop gas supply control apparatus for semiconductor manufacturing equitments and control method of the same
KR101483770B1 (en) * 2014-03-27 2015-01-16 (주)제이에스티앤랩 Control system for boiler safety valve
KR20170058040A (en) * 2015-11-18 2017-05-26 주식회사 엘지화학 Battery management system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101185032B1 (en) * 2011-08-16 2012-09-21 김상호 Nonstop gas supply control apparatus for semiconductor manufacturing equitments and control method of the same
KR101483770B1 (en) * 2014-03-27 2015-01-16 (주)제이에스티앤랩 Control system for boiler safety valve
KR20170058040A (en) * 2015-11-18 2017-05-26 주식회사 엘지화학 Battery management system

Also Published As

Publication number Publication date
KR102025838B1 (en) 2019-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7889474B2 (en) Manually-controlled arc flash energy reduction system and method for circuit breaker trip units
JP4384174B2 (en) Safety switching device and method for fail-safe stop of electric load
US8284531B2 (en) Voltage protection arrangement for an electronic device
US20100142103A1 (en) Compact Secondary Substation Comprising A Fault Protection System, A Method For Fault Protection In A Compact Secondary Substation, And A Control Unit For Performing The Method
KR20210108999A (en) Hazardous location compliant circuit protection devices, systems, and methods with enhanced safety intelligence
EP1105958B1 (en) A monitor circuit for a current limiting device
KR101719677B1 (en) Power distributor, control board and distribution board having function of cut-off and recovery by stages against earthquake and optimal operation
US10224706B2 (en) Fuse box for mitigating arc faults and current surges
KR101101981B1 (en) Circuit breaker for surge protective device
KR20190085766A (en) Pressure control valve apparatus equipped with power switch in gas chamber for semiconductor manufacturing process
EP0310280B1 (en) Electrical safety barriers
JP2020036527A (en) Dc overvoltage monitoring and protection device, and direct current dc electrical system interconnection
KR100709329B1 (en) Power supply having an auto-recover device for marine
KR100802380B1 (en) Apparatus for controlling satellite battery
KR100712672B1 (en) Self-returnable electronic leakage circuit breaker having integrated double switch
KR20000015748A (en) Digital motor control center unit using contact-pointless device
KR102051909B1 (en) Apparatus for preventing malfunction of transformer and method thereof
JP2006296102A (en) Earth-leakage interruption device
KR100960495B1 (en) Digital Protective Relay
KR200348727Y1 (en) automatic restoring machine for electric power
KR100369716B1 (en) Auto recovering no fuse breaker
TWI811020B (en) An automatic locking module with an electric operation for circuit breaker to prevent accidental operation
JPH08186923A (en) Contact protecting apparatus and contact malfunction diagnostic apparatus for load driver
KR200325492Y1 (en) Circuit breaker of transformer
KR200377582Y1 (en) A Control Circuit Apparatus for Circuit Braker or LBS

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right