KR20190082333A - 챔버 내 히터 및 웨이퍼 회전 메커니즘을 위한 프로세스 키트 설계 - Google Patents

챔버 내 히터 및 웨이퍼 회전 메커니즘을 위한 프로세스 키트 설계 Download PDF

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KR20190082333A
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무한나드 무스타파
하미드 타바솔리
스티븐 브이. 산소니
쳉-셩 차이
비카쉬 반티아
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 개시내용의 실시예들은 챔버 내 히터 및 기판 회전 메커니즘에 사용하기 위한 프로세스 키트들에 관한 것이다. 본 개시내용과 일치하는 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트는, 최상부 레지 및 최상부 레지로부터 하향 연장하는 스커트를 포함하는 상부 에지 링, 상부 에지 링을 적어도 부분적으로 지지하고 상부 에지 링을 기판 지지 히터 페디스털과 정렬시키는 하부 에지 링, 기판 지지 히터 페디스털이 하강된 비처리 포지션에 있을 때 상부 에지 링을 지지하는, 프로세스 챔버의 바닥에 배치된 바닥판, 및 기판 지지 히터 페디스털이 상승된 처리 포지션에 있을 때 상부 에지 링과 결합하는 쉐도우 링을 포함할 수 있다.

Description

챔버 내 히터 및 웨이퍼 회전 메커니즘을 위한 프로세스 키트 설계
[0001] 본 개시내용은 일반적으로 증착 균일성을 개선하기 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다. 특히, 본 개시내용의 실시예들은 챔버 내(in-chamber) 히터 및 기판 회전 메커니즘을 위한 프로세스 키트(process kit) 설계에 관한 것이다.
[0002] 원자 층 증착 및 화학 기상 증착 모두의 많은 증착 챔버들에서는, 회전식 페디스털(pedestal)/히터들이 불균일성을 개선하는 데 사용된다. 대부분의 경우들에, 불균일성은 챔버 본체 및 주변 컴포넌트들로부터의 불균일한 화학 물질 전달, 흐름 분포, 챔버 피처들 및 온도 불균일성으로부터 발생한다. 회전식 페디스털의 사용은 이러한 변형들의 국소적 효과를 분산시키고 불균일성을 개선할 수 있다.
[0003] 그러나 일부 경우들에, 불균일성은 특히 기판(웨이퍼)이 히터 상에 놓이거나 히터에 접촉할 때, 페디스털 또는 히터 자체가 원인이 될 수 있다. 국소적인 불균일한 온도 분포의 영향은 증착의 균일성에 상당한 영향을 미칠 수 있다. 이러한 불균일한 온도 분포는 히터 엘리먼트 레이아웃, 리프트 핀 홀들과 같은 국소 피처들, 불균일한 복사 열 손실, 불균일한 접촉 표면 또는 갭, 또는 다른 이유들로부터 발생할 수 있다.
[0004] 따라서 기판에 대한 페디스털/히터 접촉으로부터 발생하는 국소적인 불균일한 온도 분포를 없애거나 감소시키기 위한 장치 및 방법들이 당해 기술분야에 필요하다.
[0005] 본 개시내용의 실시예들은 챔버 내 히터 및 기판 회전 메커니즘에 사용하기 위한 프로세스 키트들에 관한 것이다. 본 개시내용과 일치하는 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트는, 최상부 레지(ledge) 및 최상부 레지로부터 하향 연장하는 스커트를 포함하는 상부 에지 링, 상부 에지 링을 적어도 부분적으로 지지하고 상부 에지 링을 기판 지지 히터 페디스털과 정렬시키는 하부 에지 링, 기판 지지 히터 페디스털이 하강된 비처리 포지션(lowered non-processing position)에 있을 때 상부 에지 링을 지지하는, 프로세스 챔버의 바닥에 배치된 바닥판, 및 기판 지지 히터 페디스털이 상승된 처리 포지션에 있을 때 상부 에지 링과 결합하는 쉐도우 링을 포함할 수 있다.
[0006] 일부 실시예들에서, 프로세스 키트는, 최상부 레지 및 최상부 레지로부터 하향 연장하는 스커트를 포함하는 상부 에지 링 ― 상부 에지 링의 최상부 레지는 기판 지지 히터 페디스털의 지지 표면에 대한 기판의 재포지셔닝을 가능하게 하기 위해 기판을 기판 지지 히터 페디스털의 지지 표면에 대해 이격된 관계로 지지하도록 구성되며, 스커트는 기판 지지 히터 페디스털로부터의 열 손실을 방지하도록 기판 지지 히터 페디스털의 외측 에지들을 커버함 ―, 및 상부 에지 링을 적어도 부분적으로 지지하고 상부 에지 링을 기판 지지 히터 페디스털과 정렬시키는 하부 에지 링을 포함한다.
[0007] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털 및 프로세스 키트는, 처리 중에 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 갖는 주 기판 지지부 ― 기판 지지 히터 페디스털은 액추에이터에 연결된 샤프트를 포함하며, 액추에이터는 기판 지지 히터 페디스털을 샤프트의 축을 중심으로 회전하게 그리고 수직으로 이동시킴 ―, 및 프로세스 키트를 포함하며, 프로세스 키트는, 최상부 레지 및 최상부 레지로부터 하향 연장하는 스커트를 포함하는 상부 에지 링 ― 상부 에지 링의 최상부 레지는 기판 지지 히터 페디스털의 지지 표면에 대한 기판의 재포지셔닝을 가능하게 하기 위해 기판을 기판 지지 히터 페디스털의 지지 표면에 대해 이격된 관계로 지지하도록 구성됨 ―, 및 상부 에지 링을 적어도 부분적으로 지지하고 상부 에지 링을 기판 지지 히터 페디스털과 정렬시키는 하부 에지 링을 포함한다.
[0008] 본 발명의 다른 그리고 추가 실시예들이 아래에 설명된다.
[0009] 위에서 간략하게 요약되고 아래에서 보다 상세하게 논의되는 본 발명의 실시예들은 첨부된 도면들에 도시된 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조로 이해될 수 있다. 그러나 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 처리 챔버의 측단면도를 도시한다.
[0011] 도 2는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 처리 챔버의 부분 측단면도를 도시한다.
[0012] 도 3a는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 상부 에지 링의 저면도를 도시한다.
[0013] 도 3b는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 상부 에지 링의 측단면도를 도시한다.
[0014] 도 4a는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 하부 에지 링의 평면도를 도시한다.
[0015] 도 4b는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 정렬 원뿔 컷아웃(alignment cone cutout)의 측단면도를 도시한다.
[0016] 도 4c는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 하부 에지 링의 저면도를 도시한다.
[0017] 도 5는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 바닥판 링의 평면도를 도시한다.
[0018] 도 6a는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 쉐도우 링의 저면도를 도시한다.
[0019] 도 6b는 쉐도우 링의 측단면도를 도시한다.
[0020] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 가리키는 데, 가능한 경우, 동일한 참조 부호들이 사용되었다. 도면들은 실측대로 그려진 것이 아니며, 명확하게 하기 위해 단순화될 수 있다. 한 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있다는 것이 고려된다.
[0021] 본 개시내용의 실시예들은 챔버 내 히터 및 기판 회전 메커니즘에 사용하기 위한 프로세스 키트들에 관한 것이다. 본 개시내용과 일치하는 일부 실시예들에서, 히터 페디스털이 하강되는 동안 기판은 상부 에지 링을 사용하여 히터 페디스털 기판 지지부로부터 분리될 것이다. 일부 실시예들에서, 상부 에지 링의 스커트는 바닥판 상에 유지될 것이며, 기판은 상부 에지 링의 레지 상에 놓일 것이다. 분리된 히터 페디스털을 기판에 대해 회전시킨 후에, 히터 페디스털은 처리 포지션으로 상승되어 기판을 다시 척킹할 수 있다. 이 프로세스 키트는 또한 기판 및 히터 페디스털 결합 단계(stage) 동안 상부 에지 링과 정렬될 수 있는 하부 에지 링을 포함한다. 프로세스 키트는 상부 에지 링 스커트와의 최소 접촉을 보장하는, 상부 에지 링의 베이스 지지부로서 작용할 바닥판을 더 포함할 수 있다. 바닥판은 또한 챔버 본체 및 펌핑 라이너(pumping liner)에 대해 바닥판을 중심에 위치시키기 위한 중심 맞춤 피처들을 제공할 것이다. 프로세스 키트는, 상부 에지 링과 결합되어 히터 페디스털의 처리 포지션에서 정렬 핀들과 정렬될 수 있는 쉐도우 링을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 쉐도우 링은 펌핑 라이너에 대해 쉐도우 링을 중심에 위치시키기 위한 정렬 탭(tab)들을 또한 갖는다. 본 명세서에서 설명되는 본 개시내용과 일치하는 본 발명의 프로세스 키트들은 챔버에서 기판에 대한 히터 페디스털의 회전을 가능하게 하도록 기판에 대한 히터 페디스털의 분리를 유리하게 가능하게 하여, 기판에 대한 페디스털/히터 접촉으로부터 발생하는 국소적인 불균일한 온도 분포를 없애거나 감소시킨다.
[0022] 도 1은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 프로세스 챔버(100)의 측단면도를 도시한다. 프로세스 챔버(100)는 측벽(103), 바닥(105) 및 리드 어셈블리(106)를 갖는 챔버 본체(104)를 포함하며, 챔버 본체(104)는 프로세스 용적(108)을 둘러싼다. 기판 지지 시스템(102)은 프로세스 용적(108) 내에 적어도 부분적으로 배치되고, 챔버 본체(104)에 형성된 포트(112)를 통해 프로세스 용적(108)으로 이송된 기판(110)을 지지할 수 있다. 상부 에지 링(116), 하부 에지 링(180), 바닥판(169) 및/또는 쉐도우 링(182) 중 적어도 하나를 포함하는 처리 용적(108)에 프로세스 키트가 포함된다.
[0023] 기판 지지 시스템(102)은 페디스털(114) 및 열 엘리먼트(120)와 같은 주 기판 지지부(113)를 포함한다. 또한, 프로세스 키트의 부분들은 상부 에지 링(116) 및 하부 에지 링(180)과 같은 보조 기판 지지부(115)를 포함한다. 보조 기판 지지부(115)는 주 기판 지지부(113) 위에 기판(110)을 간헐적으로 지지하는 데 사용될 수 있다. 페디스털(114)은 처리 중에 기판(110)의 주 표면과 접촉하도록(또는 근접하도록) 적응되는 지지 표면(118)을 포함한다. 따라서 페디스털(114)은 프로세스 챔버(100) 내의 기판(110)을 위한 주 지지 구조물로서 작용한다.
[0024] 페디스털(114)은 처리 중에 기판(110)의 온도를 제어하기 위한 열 엘리먼트(120)를 포함할 수 있다. 열 엘리먼트(120)는 예를 들어, 페디스털(114)의 최상부에 또는 페디스털 내에 포지셔닝된 히터 또는 냉각기일 수 있다. 히터 또는 냉각기는 페디스털(114)의 최상부에 결합되는 별도의 컴포넌트일 수 있거나 페디스털(114)의 통합 부품일 수 있다. 일부 실시예들에서, 열 엘리먼트(120)는 (도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이) 페디스털 본체 내에 내장된다. 하나 이상의 실시예에서, 내장된 열 엘리먼트(120)는 기판(110)에 의해 흡수되는 열 에너지를 페디스털(114) 본체에 인가하는 데 이용되는 가열 또는 냉각 엘리먼트 또는 채널일 수 있다. 하나 이상의 전극들, 센서들 및/또는 진공 포트들과 같은 다른 엘리먼트들이 페디스털(114) 상에 배치되거나 그 안에 내장될 수 있다. 기판(110)의 온도는 (도시되지 않은) 하나 이상의 센서들에 의해 모니터링될 수 있다. 내장된 열 엘리먼트(120)는 페디스털(114) 본체의 서로 다른 영역들의 온도가 개별적으로 가열 또는 냉각될 수 있도록 구역 제어될 수 있다. 그러나 페디스털(114)의 불완전성들 및/또는 기판(110)의 불균일성들과 같은 정상 참작이 가능한 요인들로 인해, 내장된 열 엘리먼트(120)는 전체 지지 표면(118) 및/또는 기판(110)에 걸쳐 균일하게 열 에너지를 인가하는 것이 가능하지 않을 수 있다. 이러한 정상 참작이 가능한 요인들은 기판(110)에 걸쳐 불균일한 온도 분포를 생성할 수 있으며, 이는 기판의 불균일한 처리를 야기할 수 있다.
[0025] 페디스털(114)은 (z 축에서의) 수직 이동, (축(A)을 중심으로 한) 회전 이동 중 하나 이상을 제공하는 그리고 (축(A)에 대한) 각도 이동을 또한 제공할 수 있는 액추에이터(126)에 샤프트(121)를 통해 결합될 수 있다. 액추에이터(126)에 의해 수직 이동이 제공되어 기판(110)이 상부 에지 링(116)과 지지 표면(118) 사이에서 이송될 수 있게 할 수 있다. 샤프트(121)는 개구(127)를 통해 처리 챔버(100)의 바닥(105)을 통과한다. 개구(127)를 둘러싸며 샤프트(121)의 일부에 연결되는 벨로우(bellow)들(154)에 의해, 격리된 처리 환경이 유지될 수 있다.
[0026] 도 1에 도시된 바와 같이, 처리 포지션에서, 상부 에지 링(116)은 페디스털(114)에 근접하게 될 것이고, 기판(110)의 하부면이 페디스털(114)에 의해 지지되도록 페디스털(114)을 가둘(즉, 둘러쌀) 수 있다. 처리 포지션에서, 상부 에지 링(116)은 페디스털(114) 및/또는 열 엘리먼트(120)와 접촉할 수 있다. 열 엘리먼트(120)가 별도의 컴포넌트인 도시된 실시예에서, 상부 에지 링(116)은 열 엘리먼트(120)의 원주 둘레에 형성된 주변 숄더(122)에 의해 지지되는 것으로 도시된다. 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 이것이 단지 하나의 가능한 구성을 나타낼 뿐이고 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다고 이해할 것이다. 일부 실시예들에서, 페디스털(114)은 내부에 내장된 열 엘리먼트(120)를 가지며, 상부 에지 링(116)은 페디스털(114)의 원주 둘레에 형성된 주변 숄더(122) 상에 지지될 수 있다.
[0027] 상부 에지 링(116)은 처리 중에 임시 기판 지지부로서 기능할 수 있다. 상부 에지 링(116)은 (도 2에 도시된 바와 같이) 필요에 따라 페디스털(114)의 지지 표면(118)과 이격된 관계로 기판(110)을 지지하는 데 이용될 수 있으며, 이는 페디스털(114)의 지지 표면(118)에 대한 기판(110)의 재포지셔닝을 가능하게 할 수 있다. 상부 에지 링(116)은 로봇 블레이드(109)가 프로세스 용적(108) 내외로의 로봇 기판 이송을 가능하게 하도록 크기가 정해져 내부에 형성된 리세스들 또는 슬롯들을 포함할 수 있다.
[0028] 상부 에지 링(116)의 세부사항들은 도 3a - 도 3b와 관련하여 아래에서 설명된다. 구체적으로, 도 3a는 상부 에지 링(116)의 저면도를 도시하고, 도 3b는 상부 에지 링(116)의 측단면도를 도시하며, 상부 에지 링(116)은 중앙 개구(314)를 갖는 환형 본체(322)를 포함한다. 상부 에지 링(116)은 바닥면(306) 및 최상부 표면(312)을 갖는 최상부 레지(305)를 포함한다. 상부 에지 링(116)은 상부 레지 아래에 매달려 있으며 내측 표면(310)을 갖는 하부 스커트(308)를 더 포함한다. 하부 스커트(308)는 히터로부터의 열 손실을 방지하기 위해 에지에서 히터(114/120)를 커버한다. 일부 실시예들에서, 하부 스커트(308)의 높이는 약 1 인치 내지 약 3 인치일 수 있다. 일부 실시예들에서, 상부 에지 링(116)은 약 12 인치 내지 약 15 인치의 내부 직경(316) 및 약 12.5 인치 내지 약 15.5 인치의 외부 직경(318)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 최상부 레지 중앙 개구의 내부 직경(320)은 약 10.5 인치 내지 약 13.5 인치이다.
[0029] 도 3a - 도 3b에 도시된 바와 같이, 상부 에지 링(116)은 하나 이상의 피처들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 상부 에지 링(116)은 최상부 레지의 내부 직경(320)에 하나 이상의 최상부 피처들(324)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 최상부 피처(324)는, 기판과 상부 에지 링(116) 사이에 약 15 mils 내지 약 25 mils(예컨대, 20 mils 갭 ±5 mils)의 갭이 유지되어 히터 에지 가스 퍼징을 가능하게 하고 측면들에서의 화학 증착을 방지하도록 환형의 각진 에지일 수 있다.
[0030] 일부 실시예들에서, 상부 에지 링(116)은 하나 이상의 정렬 홀들(302)을 포함한다. 정렬 홀들(302)은 챔버 내 히터 회전 동안 상부 에지 링(116)과 하부 에지 링(180)의 정렬을 가능하게 한다. 일부 실시예들에서, 등간격으로(예컨대, 120도) 이격된 3개의 정렬 홀들(302)이 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 정렬 홀들(302)은 형상이 타원형일 수 있다. 일부 실시예들에서, 정렬 홀들(302)은 챔퍼된(chamfered) 개구를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 정렬 홀들(302)은 약 0.1 인치 내지 약 0.5 인치의 개구를 가질 수 있다.
[0031] 일부 실시예들에서, 상부 에지 링(116)은 최상부 레지(305)의 하부면(306)으로부터 하향 연장하는 하나 이상의 정렬 탭들(304)을 포함한다. 정렬 탭들(304)은 히터가 처리 포지션으로 이동할 때 상부 에지 링(116)과 쉐도우 링(182)의 정렬을 가능하게 한다. 일부 실시예들에서, 등간격으로(예컨대, 120도) 이격된 3개의 정렬 탭들(304)이 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 정렬 탭들(304)은 최상부 레지(305)의 하부면(306)으로부터 약 0.1 인치 내지 약 0.2 인치만큼 하향 연장할 수 있다.
[0032] 하부 에지 링(180)은 상부 에지 링(116) 아래에 배치되며, 무엇보다도 상부 에지 링(116)의 정렬 및 지지를 가능하게 한다. 하부 에지 링(180)의 세부사항들은 도 4a - 도 4c와 관련하여 아래에서 설명된다. 구체적으로, 도 4a는 하부 에지 링(180)의 평면도를 도시하고, 도 4b는 정렬 원뿔 컷아웃(404)의 측단면도를 도시하며, 도 4c는 하부 에지 링(180)의 저면도를 도시한다. 하부 에지 링(180)은 중앙 개구(414) 및 내측 표면(410)을 갖는 환형 본체(402)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 하부 에지 링(180)은 약 11 인치 내지 약 14 인치의 내부 직경(422) 및 약 12 인치 내지 약 15 인치의 외부 직경(420)을 갖는다.
[0033] 도 4a - 도 4c에 도시된 바와 같이, 하부 에지 링(180)은 하나 이상의 피처들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 하부 에지 링(180)은 하부 에지 링(180)의 최상부 표면 상에 배치된 복수의 원추 컷아웃들(404)을 포함한다. 복수의 원뿔 컷아웃들(404)은 하위 퍼지 링을 갖는 쉐도우 링(182)이, 위에 배치될 아니면 처리 중에 기판 노치를 커버할, 쉐도우 링(182)의 기판 노치 커버와 정렬될 수 있게 한다. 일부 실시예들에서, 등간격으로(예컨대, 30도) 이격된 12개의 원뿔 컷아웃들(404)이 있을 수 있다. 도 4b는 원뿔 컷아웃(404)의 측단면도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 각각의 원뿔 컷아웃(404)은 약 0.1 내지 약 0.15 인치의 깊이일 수 있다.
[0034] 일부 실시예들에서, 하부 에지 링(180)은 하부 에지 링(180)의 외부 둘레/직경을 따라 형성된 복수의 각진 컷아웃들(406)을 포함한다. 복수의 각진 컷아웃들(406)은 챔버 내 히터 회전 동안 하부 에지 링(180)과 상부 에지 링(116)의 정렬을 가능하게 한다. 일부 실시예들에서, 등간격으로(예컨대, 30도) 이격된 12개의 각진 컷아웃들(406)이 있을 수 있다.
[0035] 일부 실시예들에서, 하부 에지 링(180)은 하부 에지 링(180)의 바닥면 상에 형성된 복수의 바닥 정렬 탭들(412)을 포함한다. 복수의 바닥 정렬 탭들(412)은 하부 에지 링(180)과 히터 페디스털(114/120)의 정렬을 가능하게 한다. 일부 실시예들에서, 등간격으로(예컨대, 120도) 이격된 3개의 바닥 정렬 탭들(412)이 있을 수 있다.
[0036] 도 2를 참조하면, 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른 장치를 사용하는 예시적인 프로세스 키트가 도시된다. 기판(110)을 로딩 또는 언로딩할 때, 기판(110)은 한 세트의 리프트 핀들(152)에 의해 지지된다. 도 1에는 2개의 리프트 핀들(152)이 도시되어 있지만, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 일반적으로 기판(110)을 지지할 3개 이상의 리프트 핀들(152)이 있다고 이해할 것이다.
[0037] 기판(110)은 프로세스 챔버(100)의 측벽(103)에 있는 포트(112)를 통해 로봇(109)에 의해 프로세스 용적(108)으로 옮겨진다. 포트(112)는 예를 들어, 슬릿 밸브일 수 있다. 한 세트의 리프트 핀들(152)이 도 2에 도시된 로딩/언로딩 포지션으로 상승되고, 기판(110)이 리프트 핀들(152) 상에 포지셔닝된다. 리프트 핀들(152)은 열 엘리먼트(120) 및 페디스털(114)의 본체의 개구들을 통과할 수 있다. 리프트 핀들(152)은 사용 중이 아닐 때, 처리 중에 방해가 되지 않도록 하강될 수 있다. 리프트 핀들(152)은 리프트 핀 어셈블리(156)가 샤프트(121)와 함께 회전하고 페디스털(114)의 개구들과 계속 정렬되도록 샤프트(121)에 연결되는 리프트 핀 어셈블리(156)의 일부일 수 있다.
[0038] 도 1에 도시된 바와 같이, 리프트 핀들(152)이 하강되는데, 이는 기판(110)을 상부 에지 링(116)으로 하강시킨다. 상부 에지 링(116)은 도 3b에 도시된 바와 같이, 기판(110)의 외주 에지를 지지하기 위한 내부 립(161)을 갖는다. 상부 에지 링(116)은 일반적으로 링의 내부 직경에 의해 한정된 중앙 개구(314)를 갖는 형상의 링이다. 내부 립(161)은 상부 에지 링(116)의 내부 직경에 형성된다.
[0039] 일부 실시예들의 페디스털(114)은 페디스털(114)의 외주 에지 둘레의 주변 숄더(122)를 포함한다. 일부 실시예들의 주변 숄더(122)는 작은 틈을 갖고 상부 에지 링(116)의 외부 직경(318) 내에 맞춰지도록 크기가 정해진다. 예를 들어, 그 틈은 약 5㎜, 4㎜, 3㎜, 2㎜, 1㎜ 또는 0.5㎜보다 작거나 같을 수 있다.
[0040] 일부 실시예들에서, 상부 에지 링(116)의 립(161)은 주 기판 지지부(113)의 지지 표면(118)과 동일한 또는 그보다 낮은 레벨(또는 높이)에서 페디스털(114)의 주변 숄더(122) 상에 놓이도록 크기가 정해진다. 립(161)과 지지 표면(118) 사이의 높이들의 차이는 예를 들어, 약 1㎜ 내지 약 10㎜, 또는 예를 들어, 약 0.04 인치 내지 약 0.40 인치일 수 있다.
[0041] 상부 에지 링(116)은 하강된 포지션에 있을 때 상부 에지 링(116)을 지지하기 위한 발(foot)(165)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 발(165)과 립(161) 사이에 상부 에지 링(116)의 본체를 포함하는 발(165)은 페디스털이 분리 포지션에 있을 때 에지 링을 페디스털(114) 위에 지지하도록 크기가 정해진다. 하나 이상의 실시예들에서, 프로세스 챔버(100) 내에 위치된 바닥판(169)이 있다. 바닥판(169)은 상부 에지 링(116)의 하향 이동을 중단시키기 위해 에지 링(116)의 발(165)과 접촉하도록 배치되고 크기가 정해질 수 있다. 바닥판(169)의 크기는 상부 에지 링(116)의 립(161)이 조정될 수 있는 가장 낮은 높이를 변경하도록 조정될 수 있다.
[0042] 바닥판(169)은 예를 들어, 프로세스 챔버의 컴포넌트들, 에지 링의 크기 및 가장 낮은 높이의 립의 포지션에 따라 임의의 적절한 위치에 포지셔닝될 수 있다. 일부 실시예들에서, 바닥판(169)은 프로세스 챔버(100)의 바닥(105)에 인접하게 포지셔닝된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는 페디스털(114) 또는 상부 에지 링(116) 쪽으로 복사 에너지를 반사시키기 위한 반사기를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 바닥판(169)은 반사기와 동일한 컴포넌트이다.
[0043] 바닥판(169)의 세부사항들은 바닥판(169)의 평면도를 도시하는 도 5와 관련하여 설명된다. 바닥판(169)은 중앙 개구(514)를 갖는 환형 본체(501)를 포함한다. 바닥판(169)은 바닥 레지(512)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 바닥판(169)은 약 12.0 인치 내지 약 15.0 인치의 내부 직경(520) 및 약 12.5 인치 내지 약 15.5 인치의 외부 직경(522)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 바닥 레지(512) 중앙 개구의 내부 직경(524)은 약 10.5 인치 내지 약 13.5 인치이다.
[0044] 일부 실시예들에서, 바닥판(169)은 도 5에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 피처들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 바닥판(169)은 바닥판(169)의 외부 직경의 둘레를 따라 돌출된 하나 이상의 중심 맞춤 탭들(504)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 등간격으로(예컨대, 120도) 이격된 3개의 중심 맞춤 탭들(504)이 있을 수 있다. 중심 맞춤 탭들(504)은 챔버 본체에 대한 바닥판의 정렬/중심 맞춤을 가능하게 한다. 복수의 중심 맞춤 탭들 각각의 최상부 표면은 랜딩 패드(516)로서 기능할 수 있다. 랜딩 패드들(516)은 상부 에지 링(116)으로부터의 최소 열 손실을 갖고 기판 분리 동안 상부 에지 링(116)과 접촉하고 이를 지지하는 데 사용된다. 따라서 랜딩 패드들(516)은 접촉시 상부 에지 링(116)으로부터의 열 손실을 최소화하는 재료 또는 코팅으로 형성될 수 있다.
[0045] 일부 실시예들에서, 바닥판(169)은 바닥판(169)의 외부 둘레/직경을 따라 형성된 각진 컷아웃들(406)과 유사한 복수의 각진 컷아웃들(502)을 포함한다. 복수의 각진 컷아웃들(502)은 틈을 제공하고 챔버 내 히터 회전 동안 챔버의 최상부 섹션과 바닥 섹션 사이의 신속한 압력 균등화를 가능하게 한다. 일부 실시예들에서, 등간격으로(예컨대, 30도) 이격된 12개의 각진 컷아웃들(502)이 있을 수 있다.
[0046] 일부 실시예들에서는, 예를 들어 펌핑 라이너와 바닥판을 정렬하기 위해 바닥판(169)의 외부 둘레/직경을 따라 하나 이상의 정렬 탭들(506)이 형성될 수 있다.
[0047] 앞서 언급한 쉐도우 링(182)은 도 6a 및 도 6b와 관련하여 상세히 설명된다. 구체적으로, 도 6a는 쉐도우 링(182)의 저면도를 도시한다. 쉐도우 링(182)은 하부면(608) 및 중앙 개구(614)를 갖는 환형 본체(610)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 쉐도우 링(182)은 약 10 인치 내지 약 13 인치의 내부 직경(632) 및 약 12.5 인치 내지 약 15.5 인치의 외부 직경(630)을 갖는다.
[0048] 도 3a - 도 3b에 도시된 바와 같이, 쉐도우 링(182)은 하나 이상의 피처들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 쉐도우 링(182)은 환형 본체(610)의 내부 직경(632)에 하나 이상의 최상부 피처들(620)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 최상부 피처(620)는 환형의 각진 에지(618)일 수 있다.
[0049] 일부 실시예들에서, 쉐도우 링(182)은 하부면(608)으로부터 하향 연장하는 하나 이상의 정렬 핀들(602)을 포함한다. 정렬 핀들(602)은 히터 페디스털(114)을 기판 처리 포지션으로 이동시킬 때 쉐도우 링(182)과 상부 에지 링(116)의 정렬을 가능하게 한다. 일부 실시예들에서, 등간격으로(예컨대, 120도) 이격된 3개의 정렬 핀들(602)이 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 정렬 핀들(602)은 하부면(608)으로부터 약 0.1 인치 내지 약 0.5 인치만큼 하향 연장할 수 있다.
[0050] 일부 실시예들에서, 쉐도우 링(182)은 하부면(608)으로부터 하향 연장하는 하나 이상의 정렬 탭들(604)을 포함한다. 정렬 탭들(604)은 예를 들어, 쉐도우 링(182)으로부터의 히터 페디스털(114)의 분리 중에 쉐도우 링(182)과 펌핑 라이너의 정렬을 가능하게 한다. 일부 실시예들에서, 등간격으로(예컨대, 120도) 이격된 3개의 정렬 탭들(304)이 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 정렬 탭들(604)은 하부면(608)으로부터 약 0.1 인치 내지 약 0.3 인치만큼 하향 연장할 수 있다.
[0051] 일부 실시예들에서, 쉐도우 링(182)은 내부 직경(632) 에지로부터 내측으로 연장하는 하나 이상의 노치 커버 피처들(606)을 포함한다. 노치 커버(606)는 노치 개구를 통한 히터 페디스털(114) 상의 증착을 방지하도록 처리 중에 기판 노치를 커버한다.
[0052] 도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 본 개시내용과 일치하는 실시예들에서, 지지 표면(118)이 기판(110)의 바닥면과 접촉하여 지지 표면(118)과 기판(110)을 열적으로 결합하도록 주 기판 지지부(113)가 상승된다. 주 기판 지지부(113)의 상승 중에, 에지 링의 립(161)이 페디스털(114)의 주변 숄더(122)와 접촉한다. 상부 에지 링(116)은 주변 숄더(122)를 통한 페디스털(114)과의 접촉 및 상호 작용에 의해 수직 방향(z 축)으로 이동 가능하다. 일부 실시예들에서, 상부 에지 링(116)은 페디스털(114)과의 상호 작용을 통해서만 수직 방향(z 축)으로 이동 가능하다. 달리 말하면, 일부 실시예들에서, 상부 에지 링(116)은 독립적인 상승 메커니즘 또는 액추에이터를 갖지 않는다.
[0053] 주 기판 지지부(113)는 상부 에지 링(116)의 발(165)이 바닥판(169)과의 접촉을 중단하기에 충분히 높게 상승된다. 상부 에지 링(116)의 립은 기판(110)이 지지 표면(118)과 실질적으로 완전히 접촉하도록 기판(110)에 인접하게 주변 숄더(122) 내에 포지셔닝될 수 있다. 상부 에지 링(116)의 립(161)은 작은 갭이 있도록 지지 표면(118)보다 약간 더 낮을 수 있다. 갭은 프로세스 균일성에 거의 또는 전혀 영향을 미치지 않도록 최소화될 수 있다.
[0054] 리프트 핀들(152)이 하강될 때만 기판(110)과 접촉하는 상부 에지 링(116)에 기판이 로딩되는 프로세스가 설명되었다. 그러나 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 이것이 단지 하나의 가능한 방법을 나타낼 뿐이고 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다고 이해할 것이다. 일부 실시예들에서, 기판이 상부 에지 링(116)의 립(161)과 동시에 또는 그 이전에 지지 표면(118)과 접촉하도록 주 기판 지지부(113)가 상승되거나 리프트 핀들(152)이 하강된다.
[0055] 기판은 결합 포지션에 있는 동안 처리될 수 있다. 프로세스 챔버(100)는 무엇보다도, 증착 챔버, 에칭 챔버, 이온 주입 챔버, 플라즈마 처리 챔버 또는 열 처리 챔버일 수 있다. 도 1에 도시된 실시예에서, 프로세스 챔버는 증착 챔버이고 샤워헤드 어셈블리(128)를 포함한다. 프로세스 용적(108)은 그 내부의 압력을 제어하기 위해 진공 시스템(130)과 선택적으로 유체 연통할 수 있다. 샤워헤드 어셈블리(128)는 기판(110) 상에 재료를 증착하기 위해 프로세스 가스들을 프로세스 용적(108)에 제공하도록 프로세스 가스 소스(132)에 결합될 수 있다. 샤워헤드 어셈블리(128)는 또한 샤워헤드 어셈블리(128)의 온도를 제어하기 위한 온도 제어 엘리먼트(134)를 포함할 수 있다. 온도 제어 엘리먼트(134)는 냉각제 소스(136)와 유체 연통하는 유체 채널일 수 있다.
[0056] (기판(110)의 온도를 모니터링함으로써 결정될 수 있는) 기판(110)의 표면 상에 존재할 수 있는 열적 불균일성에 대처하기 위해, 기판(110)은 지지 표면(118)에 대해 재포지셔닝될 수 있다. 기판(110)의 표면 상에 존재하는 열점 또는 냉점은 페디스털 본체의 지지 표면(118) 내 또는 위의 열점 또는 냉점을 나타낸다.
[0057] 기판(110)이 어떤 미리 결정된 정도로 처리된 후, 주 기판 지지부(113)가 하강되어 기판(110)으로부터 지지 표면(118)을 분리한다. 분리는 상부 에지 링(116)을 프로세스 챔버(100)에서 하강시켜 발(165)이 바닥판(169)과 접촉하게 한다. 상부 에지 링(116)은 발(165)이 바닥판(169) 위에 놓이면 하향 방향으로 움직이는 것을 중단한다. 상부 에지 링(116)이 정지되면, 페디스털(114)(및 지지 표면(118))의 추가 하향 이동은 기판(110)이 상부 에지 링(116)에 의해 지지되게 하고 지지 표면(118)으로부터 분리되게 한다. 지지 표면(118)이 더 하강되면, 지지 표면(118)과 기판(110) 사이에 갭이 생성된다. 일부 실시예들에서, 상부 에지 링(116)은 주 기판 지지부(113)의 이동과 함께 이동 가능하고 독립적으로는 이동 가능하지 않다.
[0058] 주 기판 지지부(113)는 분리되면, 미리 결정된 양만큼 액추에이터(126)로 회전된다. 회전 후에, 분리된 기판(110)과 지지 표면(118)은 재결합되어, 주 기판 지지부(113)를 기판(110) 및 지지 표면(118)이 접촉하고 있는 포지션으로 상향 이동시킨다. 이러한 결합/프로세스/분리/회전 사이클은 프로세스가 완료될 때까지 반복된다.
[0059] 주 기판 지지부(113)의 각각의 회전은 총량의 1/n만큼이며, 여기서 n은 회전도 또는 증착 시간의 미소량 중 하나 이상이다. 예를 들어, n이 4중인 회전도라면, 주 기판 지지부(113)는 축(A)을 중심으로 90° 회전될 것이다. 회전도는 결합/처리/분리에 대한 반복들의 횟수를 기초로 360°의 완전한 원과 동일하도록 개개의 단계들에서 발생하는 회전량이다. 12회의 결합/분리 반복들이 있다면, 주 기판 지지부(113)의 각각의 회전은 360°의 1/12 또는 30°가 될 것이다.
[0060] 일부 실시예들에서, n은 프로세스에 대한 미리 결정된 증착 시간에 기초한다. 예를 들어, 10분의 프로세스가 10회의 결합/분리 반복을 갖는다면, 주 기판 지지부(113)의 각각의 회전은 36°가 될 것이므로, 프로세스의 끝에 360°의 완전한 원이 만들어진다.
[0061] 일부 실시예들에서, 결합/처리/분리/회전 반복은 총 Xn회 발생하며, 여기서 n은 회전도 또는 증착 시간의 미소량 중 하나 이상이고, X는 양의 정수이다. 예를 들어, 각각의 반복 동안 주 기판 지지부(113)가 90° 회전된다면; n은 360°/90° 또는 4가 되어 완전한 원을 만들 것이다. X가 1보다 더 크도록 완전한 원이 1회보다 더 많이 만들어질 수 있다. 예를 들어, 주 기판 지지부(113)가 각각의 반복 동안 90° 회전되고 총 8회의 반복들이 있다면, n은 360°/90° = 4이고 N은 2가 될 것이며; 이는 주 기판 지지부(113)의 2회의 완전한 회전들이 발생함을 의미한다.
[0062] 다른 실시예에서, 페디스털(114)은 (도 1에 도시된 바와 같이) 하나 이상의 전극들(125)을 포함할 수 있는 정전 척 및 페디스털(114)일 수 있다. 예를 들어, 페디스털(114)은 하나 이상의 전극들(125)에 전력을 제공하는 전압 소스일 수 있는 전력 엘리먼트(140A)에 결합될 수 있다. 전압 소스는 무선 주파수(RF: radio frequency) 제어기 또는 직류(DC: direct current) 제어기일 수 있다. 다른 예에서, 페디스털(114)은 전도성 재료로 제조될 수 있고, 샤워헤드 어셈블리(128)에 의해 분배되는, 전력 엘리먼트(140B)로부터의 RF 전력에 대한 접지 경로로서 기능할 수 있다. 따라서 프로세스 챔버(100)는 RF 또는 DC 플라즈마들을 이용하여 증착 또는 에칭 프로세스를 수행할 수 있다. 이러한 타입의 플라즈마들은 완전히 동심이거나 대칭이 아닐 수 있기 때문에, RF 또는 DC 열점들(즉, 전자기 열점들)이 기판(110) 상에 존재할 수 있다. 이러한 전자기 열점들은 기판(110)의 표면에 대한 불균일한 증착 또는 불균일한 에칭률을 생성할 수 있다.
[0063] 전술한 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명의 다른 실시예들 및 추가 실시예들이 안출될 수 있다.

Claims (15)

  1. 프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털(pedestal)에 사용하기 위한 프로세스 키트(process kit)로서,
    최상부 레지(ledge) 및 상기 최상부 레지로부터 하향 연장하는 스커트를 포함하는 상부 에지 링;
    상기 상부 에지 링을 적어도 부분적으로 지지하고 상기 상부 에지 링을 상기 기판 지지 히터 페디스털과 정렬시키는 하부 에지 링;
    상기 기판 지지 히터 페디스털이 하강된 비처리 포지션(lowered non-processing position)에 있을 때 상기 상부 에지 링을 지지하는, 상기 프로세스 챔버의 바닥에 배치된 바닥판; 및
    상기 기판 지지 히터 페디스털이 상승된 처리 포지션에 있을 때 상기 상부 에지 링과 결합하는 쉐도우 링을 포함하는,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 상부 에지 링은 상기 기판 지지 히터 페디스털을 둘러싸는,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 상부 에지 링의 최상부 레지는 상기 기판 지지 히터 페디스털의 지지 표면에 대한 상기 기판의 재포지셔닝을 가능하게 하기 위해 상기 기판을 상기 기판 지지 히터 페디스털의 지지 표면에 대해 이격된 관계로 지지하도록 구성되는,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 스커트는 상기 기판 지지 히터 페디스털로부터의 열 손실을 방지하도록 상기 기판 지지 히터 페디스털의 외측 에지들을 커버하는,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 스커트의 높이는 약 1 인치 내지 약 3 인치인,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 상부 에지 링의 스커트는 약 12 인치 내지 약 15 인치의 내부 직경 및 약 12.5 인치 내지 약 15.5 인치의 외부 직경을 가지며,
    최상부 레지 중앙 개구의 내부 직경은 약 10.5 인치 내지 약 13.5 인치인,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 상부 에지 링의 최상부 레지는 상기 기판의 외주 에지를 지지하기 위한 내부 립을 포함하는,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 상부 에지 링은 상기 최상부 레지의 내부 직경에 하나 이상의 최상부 피처들을 포함하고,
    상기 최상부 피처는, 상기 기판과 상기 상부 에지 링 사이에 약 15 mils 내지 약 25 mils의 갭이 유지되어 히터 에지 가스 퍼징을 가능하게 하도록 환형의 각진 에지인,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 상부 에지 링은 챔버 내(in-chamber) 히터 회전 동안 상기 상부 에지 링과 상기 하부 에지 링의 정렬을 가능하게 하기 위한 하나 이상의 정렬 홀들을 포함하고,
    상기 상부 에지 링은 기판 지지 히터 페디스털이 처리 포지션으로 이동할 때 상기 상부 에지 링과 상기 쉐도우 링의 정렬을 가능하게 하도록 상기 최상부 레지의 하부면으로부터 하향 연장하는 하나 이상의 정렬 탭들을 포함하는,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  10. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 에지 링은, 중앙 개구 및 내측 표면을 갖는 환형 본체를 포함하고,
    상기 하부 에지 링은 약 11 인치 내지 약 14 인치의 내부 직경 및 약 12 인치 내지 약 15 인치의 외부 직경을 갖는,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  11. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 에지 링은 상기 쉐도우 링의 정렬을 가능하게 하도록 상기 하부 에지 링의 최상부 표면 상에 배치된 복수의 원뿔 컷아웃(cut out)들을 포함하고,
    상기 복수의 원뿔 컷아웃들은 등간격으로 이격되는,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  12. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 에지 링은 상기 스커트의 바닥에 발(foot)을 포함하고,
    상기 바닥판은 상기 기판 지지 히터 페디스털이 하강된 비처리 포지션에 있을 때 상기 상부 에지 링의 하향 이동을 중단하도록 상기 상부 에지 링의 발과 접촉하는,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  13. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 바닥판은 프로세스 챔버 본체에 대한 상기 바닥판의 중심 맞춤을 가능하게 하도록 상기 바닥판의 외부 직경의 둘레를 따라 돌출된 하나 이상의 중심 맞춤 탭들을 포함하는,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털에 사용하기 위한 프로세스 키트.
  14. 프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털 및 프로세스 키트로서,
    처리 중에 상기 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 갖는 주 기판 지지부 ― 상기 기판 지지 히터 페디스털은 액추에이터에 연결된 샤프트를 포함하며, 상기 액추에이터는 상기 기판 지지 히터 페디스털을 상기 샤프트의 축을 중심으로 회전하게 그리고 수직으로 이동시킴 ―; 및
    프로세스 키트를 포함하며,
    상기 프로세스 키트는,
    최상부 레지 및 상기 최상부 레지로부터 하향 연장하는 스커트를 포함하는 상부 에지 링 ― 상기 상부 에지 링의 최상부 레지는 상기 기판 지지 히터 페디스털의 지지 표면에 대한 상기 기판의 재포지셔닝을 가능하게 하기 위해 상기 기판을 상기 기판 지지 히터 페디스털의 지지 표면에 대해 이격된 관계로 지지하도록 구성됨 ―; 및
    상기 상부 에지 링을 적어도 부분적으로 지지하고 상기 상부 에지 링을 상기 기판 지지 히터 페디스털과 정렬시키는 하부 에지 링을 포함하는,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털 및 프로세스 키트.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 프로세스 키트는,
    상기 기판 지지 히터 페디스털이 하강된 비처리 포지션에 있을 때 상기 상부 에지 링을 지지하는, 상기 프로세스 챔버의 바닥에 배치된 바닥판; 및
    상기 기판 지지 히터 페디스털이 상승된 처리 포지션에 있을 때 상기 상부 에지 링과 결합하는 쉐도우 링을 더 포함하는,
    프로세스 챔버에서 기판을 지지하기 위한 회전 가능한 기판 지지 히터 페디스털 및 프로세스 키트.
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