KR20190079064A - 분리형 유체분사장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시 예에 따른 분리형 유체 분사장치는 제1유체를 공급하는 제1유체공급부, 제2유체를 공급하는 제2유체공급부, 제3유체를 공급하는 제3유체공급부, 및 상기 제1유체 및 상기 제2유체가 혼합된 제1혼합유체가 상부로 유입되고, 상기 제1혼합유체와 측부로 유입된 상기 제3유체를 혼합하여 제2혼합유체를 생성하고, 상기 제2혼합유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 노즐부를 포함한다.
Description
본 발명은 제1류체 및 제2류체를 혼합하고, 혼합된 제1혼합유체를 제3류체와 혼합하여 제2혼합유체를 생성하는 분리형 유체분사장치에 관한 것이다.
플라즈마는 같은 수의 양이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자 및 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 집적 회로 장치, 액정 디스플레이 및 태양전지 등과 같은 장치를 제조하기 위한 여러 반도체 제조 공정 예를 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning) 및 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.
반도체 디바이스 제조공정에서는 웨이퍼에 패턴을 형성한 후 세정하는 세정 공정이 반복된다. 웨이퍼를 세정하는 이유는 포토레지스트막이나 폴리머막 등의 유기물이나 파티클 등을 제거하는 것이다.
기판의 세정공정은 웨이퍼를 회전시키는 상태에서 알칼리성 세정액과 산성 세정액의 조합이나 그 밖의 약품을 기판 세정면, 상면에 분사하여 세정하게 된다.
한편, '특허문헌1'의 다상유체 분사장치는 스팀공급유닛, 압축건조공기공급유닛 및 순수공급유닛을 구비하여, 분사유닛 내부로 다상유체를 공급하는 실시예로 구성될 수 있다. 상기의 유닛으로부터 공급된 스팀, 압축건조공기 및 순수는 분사유닛 내부에서 혼합될 수 있다.
이러한 '특허문헌1'은 각 유체가 분사유닛 내부에서 혼합되어 세정 효율이 약화되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 목적은 제1유체 및 제2유체를 혼합하고, 혼합된 제1혼합유체에 제3유체를 혼합하여 세정 효율이 향상된 분리형 유체분사장치를 제공하는 데 있다.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1유체를 공급하는 제1유체공급부, 제2유체를 공급하는 제2유체공급부, 제3유체를 공급하는 제3유체공급부, 및 상기 제1유체 및 상기 제2유체가 혼합된 제1혼합유체가 상부로 유입되고, 상기 제1혼합유체와 측부로 유입된 상기 제3유체를 혼합하여 제2혼합유체를 생성하고, 상기 제2혼합유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 노즐부를 포함한다.
실시 예에 있어서, 상기 제1유체공급부는 청정공기(CDA, clean dry air) 및 스팀발생기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 제2유체공급부는 오존발생기 및 플라즈마발생기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 플라즈마 발생기는 축전결합 플라즈마(CCP:Capacitively Coupled Plasma), 유도결합 플라즈마(ICP:Inductively Coupled Plasma), 변형결합 플라즈마 (TCP:Transformer Coupled Plasma) 및 하이브리드 플라즈마(Hybrid Plasma) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 제3유체공급부는 탈이온수(DIW, deionized water) 및 초순수(UPW, ultrapure water) 중 적어도 하나를 포함하는 상기 제3유체를 공급할 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 노즐부는 선 형태로 혼합유체를 분사하는 하나 이상의 선형 분사노즐을 포함할 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 노즐부는 점 형태로 혼합유체를 분사하는 하나 이상의 스팟형 분사노즐을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 분리형 유체 분사장치의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 이동형 기판 세정장치는 고정된 기판이 이송수단에 의해 이송되어 장치의 크기가 감소될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 분리형 유체분사장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 분리형 유체 분사장치를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 따른 분리형 유체 분사장치에서 제2유체공급부의 구체적인 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2에 따른 분리형 유체 분사장치에서 제2유체공급부의 구체적인 예를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 2에 따른 분리형 유체 분사장치에서 제2유체공급부의 구체적인 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 분리형 유체 분사장치에서 노즐부의 예들을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 분리형 유체 분사장치를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 따른 분리형 유체 분사장치에서 제2유체공급부의 구체적인 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2에 따른 분리형 유체 분사장치에서 제2유체공급부의 구체적인 예를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 2에 따른 분리형 유체 분사장치에서 제2유체공급부의 구체적인 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 분리형 유체 분사장치에서 노즐부의 예들을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 분리형 유체분사장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 분리형 유체분사장치(100)는 제1유체공급부(110), 제2유체공급부(120), 제3유체공급부(130), 노즐부(140) 및 기판(150)을 포함할 수 있다.
제1유체공급부(110)는 제1유체를 공급하고, 제2유체공급부(120)는 제2유체를 공급하고, 제3유체공급부(130)는 제3유체를 공급할 수 있다.
제1유체공급부(110)의 제1유체는 건조공기(CDA, clean dry air) 및 스팀발생기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 제2유체공급부(120)는 오존발생기 및 플라즈마 발생기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제3유체공급부(130)의 제3유체는 탈이온수(DIW, deionized water) 및 초순수(UPW, ultrapure water) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
여기서, 유체는 액체 및 기체로 이루어진, 정해진 형태가 없이 흐르는 상태의 물질 총칭으로서, 총 유체는 노즐부(140) 내부에 위치하는 스팀, 순수, 오존수 및 세정기체의 총합을 지칭할 수 있다. 노즐부(140) 내부의 총 유체는 노즐부(140) 내부로부터 부피가 증가하기 전과 동일한 시간비율로 배출되기 위하여, 분사구를 통하여 더욱 증가된 속도로 세정하고자 하는 기판(150)에 분사될 수 있다.
제1유체 및 제2유체는 혼합되어 제1혼합유체로 형성될 수 있고, 제1혼합유체는 노즐부(140) 측부로 유입되는 제3유체와 혼합되어 제2혼합유체를 생성할 수 있다.
제2혼합유체는 노즐부(140) 내부에서 생성되어 세정하고자 하는 기판(150)에 분사할 수 있다.
노즐부(140)는 선 형태로 혼합유체를 분사하는 하나 이상의 선형 분사노즐 및 점 형태로 혼합유체를 분사하는 하나 이상의 스팟형 분사노즐 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
기판(150)은 대면적 기판이 사용될 수 있고, 글라스(Glass) 기판, 반도체 웨이퍼 및 포토마스크 중 하나를 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 분리형 유체 분사장치를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 분리형 유체분사장치(200)는 제1유체공급부(210), 제2유체공급부(220), 제3유체공급부(230), 노즐부(240) 및 기판(250)을 포함할 수 있다.
제2유체공급부(220)는 플라즈마 발생기(221) 또는 오존(O3) 발생기를 통하여 오존을 발생시킬 수 있다.
도 2에서 제2유체공급부(220)는 플라즈마 발생기(221)를 이용한 예를 나타내고, 제2유체공급부(220)는 플라즈마 발생기(221), 임피던스 정합기(222) 및 전원공급부(223)를 포함할 수 있다.
플라즈마 발생기(221)는 안테나를 이용한 유도결합 플라즈마(ICP:Inductively Coupled Plasma), 용량 결합 전극을 이용한 축전결합 플라즈마(CCP:Capacitively Coupled Plasma)나 유도 결합과 용량 결합이 혼합된 하이브리드 플라즈마(Hybrid Plasma) 및 변형결합 플라즈마 (TCP:Transformer Coupled Plasma) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
임피던스 정합기(222)는 전원공급부(223)에 연결되어, 전기적으로 접속되는 플라즈마 발생기(221)에 최대전력을 공급할 수 있다. 이와 같은 최대전력을 통하여 플라즈마 발생기(221)는 최적의 플라즈마를 내부에 발생시킬 수 있다.
전원공급부(223)는 전원 케이블 또는 별도의 전원 접속을 통하여 플라즈마 발생기(221)에 전원을 공급할 수 있다. 여기서, 전원은 10㎑ ~ 30㎒의 고주파(Radio Frequency) 전력을 포함할 수 있고, 이에 한정되지 않고 직류(DC) 전력도 포함할 수 있다.
도 2의 제1유체공급부(210), 제3유체공급부(230), 노즐부(240) 및 기판(250)에 대한 설명은 앞서 설명한 도 1의 제1유체공급부(110), 제3유체공급부(130), 노즐부(140) 및 기판(150)과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 3은 도 2에 따른 분리형 유체 분사장치에서 제2유체공급부의 구체적인 예를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 분리형 유체분사장치(300)는 제1유체공급부(310), 제2유체공급부(320), 제3유체공급부(330), 노즐부(340) 및 기판(350)을 포함할 수 있다.
여기에서, 제2유체공급부(320)는 플라즈마 발생기(321), 임피던스 정합기(322) 및 전원공급부(323)를 포함할 수 있다. 또한, 도 3의 플라즈마 발생기(321)는 용량 결합 전극을 이용한 축전결합 플라즈마(CCP:Capacitively Coupled Plasma) 발생기의 실시예를 나타낸다.
플라즈마 발생기(321)는 플라즈마 챔버(324), 제1전극(326), 제2전극(327), 배출구(328), 및 유입구(329)를 포함할 수 있다.
플라즈마 챔버(324)는 기체(325)를 공급받는 유입구(329) 및 플라즈마를 배출(방출)하는 배출구(328)를 포함할 수 있다. 유입구(329) 및 배출구(328)는 플라즈마 챔버(324)의 상부 및 하부를 포함한 전체 영역 중 어느 한 부분에 형성될 수 있고, 일 예로 도 4에 도시된 플라즈마 챔버(324)의 상부 및 하부에 형성될 수도 있다.
플라즈마 챔버(324)은 세라믹, 사파이어 및 석영을 포함하는 절연체 소재 중 적어도 하나 이상 또는 그들의 조합으로 형성될 수 있고, 산화 알루미늄(Al203) 및 질화 알루미늄(AlN) 중 적어도 하나 이상으로 형성될 수도 있다. 바람직하게는 가스에 부식성이 강한 세라믹 재질의 관 형태로 형성될 수 있다.
플라즈마 챔버(324)는 유입구(329)로 제공되는 기체(325)를 서로 이격된 제1전극(326) 및 제2전극(327)의 사이에 유입시켜 내부에서 플라즈마를 생성할 수 있다.
여기에서, 유입구(329)로 유입되는 기체(325)는 삼불화질소(NF3), 육불화황(SF6), 아르곤(Ar) 및 헬륨(He) 중 적어도 하나 이상의 가스를 플라즈마 챔버(324) 내부로 공급할 수 있다.
배출구(328)는 플라즈마 챔버(324)의 내부에서 생성된 플라즈마를 외부로 배출할 수 있고, 배출구(328)의 형태는 토치, 노즐 및 관의 형상 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
제1전극(326)은 임피던스 정합기(322) 및 전원공급부(323)에 연결되어 플라즈마 챔버(324) 내부의 측면에 형성될 수 있다.
또한, 제2전극(327)은 접지와 연결되어 플라즈마 챔버(324) 내부의 다른 측면에 형성될 수 있고, 제1전극(326)에 이격된 형태로 형성될 수도 있다.
제1전극(326) 및 제2전극(327)의 위치는 서로 변경될 수 있고, 제1전극(326) 및 제2전극(327) 사이는 플라즈마를 띄워 오존을 발생시킬 수 있는 간격만큼 이격되어 형성될 수 있다.
제1전극(326) 및 제2전극(327)이 구동되면, 플라즈마 챔버(421) 내부에서 용량 결합된 플라즈마가 형성될 수 있다. 용량 결합된 플라즈마를 형성하기 위한 구조는 도면에 도시된 실시 예 이외에도 다양한 변형이 가능할 수 있다.
도 3의 제1유체공급부(310), 임피던스 정합기(322), 전원공급부(323), 제3유체공급부(330), 노즐부(340) 및 기판(350)에 대한 설명은 앞서 설명한 도 1의 제1유체공급부(110), 제3유체공급부(130), 노즐부(140) 및 기판(150)과 도 2의 임피던스 정합기(222), 전원공급부(223)와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 4는 도 2에 따른 분리형 유체 분사장치에서 제2유체공급부의 구체적인 예를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 분리형 유체분사장치(400)는 제1유체공급부(410), 제2유체공급부(420), 제3유체공급부(430), 노즐부(440) 및 기판(450)을 포함할 수 있다.
여기에서, 제2유체공급부(420)는 플라즈마 발생기(421), 임피던스 정합기(422) 및 전원공급부(423)를 포함할 수 있다. 또한, 도 4의 플라즈마 발생기(421)는 와이어를 이용하여 결합된 유도결합 플라즈마(ICP:Inductively Coupled Plasma) 발생기의 실시예를 나타낸다.
플라즈마 발생기(421)는 플라즈마 챔버(424), 와이어(426), 배출구(428), 및 유입구(429)를 포함할 수 있다.
플라즈마 챔버(424), 배출구(428), 유입구(429) 및 유입구(429)에 유입되는 기체(425)에 대한 설명은 도 3의 플라즈마 챔버(324), 배출구(328), 유입구(329) 및 유입구(329)에 유입되는 기체(325)와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
그러나, ICP 구조의 플라즈마 발생기(421)에서 플라즈마 챔버(424)는 유입구(429)로 제공되는 기체(325)를 플라즈마 챔버(424)의 둘레에 감겨진 와이어(426)를 통하여 내부에 플라즈마를 생성할 수 있다는 차이점을 가지고 있다.
와이어(426)는 플라즈마 챔버(424)의 외면에 감긴 형태로 배열될 수 있다.
와이어(426)는 에나멜 및 절연튜브 중 적어도 하나 이상으로 외측을 둘러싸는 절연전선으로 형성될 수 있고, 외부와 전기적으로 연결되는 비절연전선으로 형성될 수도 있다.
와이어(426)의 종류는 복수의 구리선으로 구성된 연선과 하나의 구리선으로 구성된 단선 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 와이어(426)는 구리(Cu; Copper), 알루미늄(Al; Aluminum), 스테인리스(Stainless steel) 및 니켈(Ni; Nickel) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.
와이어(426) 사이의 간격은 아무리 가까워도 서로 접촉되지 않도록 형성될 수 있다. 와이어(426) 사이의 간격이 감소하고, 권선되는 수가 증가할수록 플라즈마 챔버(310) 내부의 플라즈마 밀도는 증가할 수 있다.
와이어(426)가 구동되면, 플라즈마 챔버(421) 내부 공간에 전기장이 유도됨으로써 플라즈마 챔버(421) 내부에서 유도 결합된 플라즈마가 형성될 수 있다. 유도 결합된 플라즈마를 형성하기 위한 구조는 도면에 도시된 실시 예 이외에도 다양한 변형이 가능할 수 있다.
도 4의 제1유체공급부(410), 임피던스 정합기(422), 전원공급부(423), 제3유체공급부(430), 노즐부(440) 및 기판(450)에 대한 설명은 앞서 설명한 도 1의 제1유체공급부(110), 제3유체공급부(130), 노즐부(140) 및 기판(150)과 도 2의 임피던스 정합기(222), 전원공급부(223)와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 5는 도 2에 따른 분리형 유체 분사장치에서 제2유체공급부의 구체적인 예를 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 분리형 유체분사장치(500)는 제1유체공급부(510), 제2유체공급부(520), 제3유체공급부(530), 노즐부(540) 및 기판(550)을 포함할 수 있다.
여기에서, 제2유체공급부(520)는 플라즈마 발생기(521), 임피던스 정합기(522) 및 전원공급부(523)를 포함할 수 있다. 또한, 도 4의 플라즈마 발생기(421)는 변형결합 플라즈마 (TCP:Transformer Coupled Plasma) 발생기의 실시예를 나타낸다.
플라즈마 발생기(521)는 플라즈마 챔버(524), 페라이트 코어(526), 유도 코일(527), 배출구(528), 및 유입구(529)를 포함할 수 있다.
플라즈마 챔버(524), 배출구(528), 유입구(529) 및 유입구(529)에 유입되는 기체(525)에 대한 설명은 도 3의 플라즈마 챔버(324), 배출구(328), 유입구(329) 및 유입구(329)에 유입되는 기체(325)와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
그러나, TCP 구조의 플라즈마 발생기(521)에서 플라즈마 챔버(524)는 유입구(429)로 제공되는 기체(325)를 플라즈마 챔버(424)의 둘레에 감겨진 와이어(426)를 통하여 내부에 플라즈마를 생성할 수 있다는 차이점을 가지고 있다.
페라이트 코어(526)는 플라즈마 챔버(524) 양단을 둘러싸는 형태로 설치될 수 있다. 여기서, 플라즈마 챔버(524)에는 유도 코일(527)이 권선된다. 본 발명에서는 하나의 유도 코일(442)이 플라즈마 챔버(524)에 연결되도록 권선되는 실시예를 도시하였다. 플라즈마 챔버(524)에는 각각 하나 이상의 유도 코일(527)이 권선될 수 있다. 유도 코일(527)은 임피던스 정합기(522)를 통하여 전원 공급원(523)에 연결된다.
플라즈마 챔버(524)에 권선된 유도 코일(527)을 이용하여 플라즈마 초기 점화를 수행할 수 있다. 전원 공급원(523)으로부터 임피던스 정합기(522)를 통해 무선 주파수를 유도 코일(527)로 제공할 수 있다.
유도 코일(527)이 구동되면, 플라즈마 챔버(521) 방전 채널내로 전기장이 유도됨으로써 플라즈마 챔버(521) 내부에서 유도 결합된 플라즈마가 형성될 수 있다. 그러므로 별도의 점화장치를 구비하지 않고, 유도 코일(442)을 이용하여 플라즈마 초기 점화를 수행할 수 있다.
유도 결합된 플라즈마를 형성하기 위한 구조는 도면에 도시된 실시 예 이외에도 다양한 변형이 가능할 수 있다.
도 5의 제1유체공급부(510), 임피던스 정합기(522), 전원공급부(523), 제3유체공급부(530), 노즐부(540) 및 기판(450)에 대한 설명은 앞서 설명한 도 1의 제1유체공급부(110), 제3유체공급부(130), 노즐부(140) 및 기판(150)과 도 2의 임피던스 정합기(222), 전원공급부(223)와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 분리형 유체 분사장치에서 노즐부의 구체적인 예들을 나타내는 도면이다.
구체적으로, 도 6의 (a)는 스팟형 분사노즐을 통하여 기판을 세정하는 도면을 나타내고, 도 6의 (b)는 선형 분사노즐을 통하여 기판을 세정하는 도면을 나타낸다.
도 6의 (a)는 스팟형 분사노즐(640a) 및 원형 기판(웨이퍼)(650a)을 포함하고, 도 6의 (b)는 선형 분사노즐(640b) 및 대면적 기판(650b)을 포함할 수 있다.
스팟형 분사노즐(640a)은 점의 형태로 세정 물질을 분사할 수 있다. 복수개의 스팟형 분사노즐의 간격은 자유로울 수 있다. 구체적으로, 복수개의 스팟형 분사노즐은 균일한 간격으로 설치될 수 있고, 어느 한 곳에 밀집되어 설치될 수도 있다.
따라서, 스팟형 분사노즐(640a)을 구비하는 노즐부는 세정 물질의 양을 조절하여 원형 기판(650a)의 어느 한 부분을 집중적으로 세정할 수 있고, 원형 기판(650a)의 전체를 세정할 수도 있다. 또한, 스팟형 분사노즐(640a)은 좌우로 360° 회전하여 원형 기판(650a)의 원하는 영역에 위치할 수 있다.
스팟형 분사노즐(640a)은 원형, 사각형 및 삼각형 등의 다각기둥 형상 또는 기판에 인접하는 방향으로 좁아지는 뿔 형상을 포함할 수 있다. 또한, 스팟형 분사노즐(640a)은 적어도 하나 이상의 분사구를 구비할 수 있다. 분사구는 기판과 0°를 초과하는 각도로 형성될 수 있다.
선형 분사노즐(640b)은 직사각형 및 타원형 등의 기둥 형상 또는 기판에 인접하는 방향으로 좁아지는 뿔 형상을 포함할 수 있다. 또한, 선형 분사노즐(640b)은 적어도 하나 이상의 분사구를 구비할 수 있다. 분사구는 선의 형태 및 다각형의 형태로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 선형 분사노즐(640b)의 분사구는 I, D 및 E 등의 형태로 변형되어 형성될 수 있고, 둘 이상의 형태를 조합하여 형성될 수도 있다. 이와 같은, 분사구는 기판과 0°를 초과하는 각도로 형성될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 기판(650a, 650b)은 도 6에 도시된 원형 기판(650a) 및 대면적 기판(650b) 등을 포함하는 여러 다각형의 형태로 변형될 수 있다.
결국, 본 발명에 따른 분리형 유체 분사장치는 제1유체 및 제2유체를 혼합한 제1혼합유체에 제3유체를 혼합하여 세정 효율이 향상될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.
Claims (7)
- 제1유체를 공급하는 제1유체공급부;
제2유체를 공급하는 제2유체공급부;
제3유체를 공급하는 제3유체공급부; 및
상기 제1유체 및 상기 제2유체가 혼합된 제1혼합유체가 상부로 유입되고, 상기 제1혼합유체와 측부로 유입된 상기 제3유체를 혼합하여 제2혼합유체를 생성하고, 상기 제2혼합유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 노즐부를 포함하는 분리형 유체 분사장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제1유체공급부는,
청정공기(CDA, clean dry air) 및 스팀발생기 중 적어도 하나를 포함하는 분리형 유체 분사장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제2유체공급부는,
오존발생기 및 플라즈마발생기 중 적어도 하나를 포함하는 분리형 유체 분사장치.
- 제3항에 있어서,
상기 플라즈마 발생기는,
축전결합 플라즈마(CCP:Capacitively Coupled Plasma), 유도결합 플라즈마(ICP:Inductively Coupled Plasma), 변형결합 플라즈마 (TCP:Transformer Coupled Plasma) 및 하이브리드 플라즈마(Hybrid Plasma) 중 어느 하나를 포함하는 분리형 유체 분사장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제3유체공급부는,
탈이온수(DIW, deionized water) 및 초순수(UPW, ultrapure water) 중 적어도 하나를 포함하는 상기 제3유체를 공급하는 분리형 유체 분사장치.
- 제1항에 있어서,
상기 노즐부는,
선 형태로 혼합유체를 분사하는 하나 이상의 선형 분사노즐을 포함하는 분리형 유체 분사장치.
- 제1항에 있어서,
상기 노즐부는,
점 형태로 혼합유체를 분사하는 하나 이상의 스팟형 분사노즐을 포함하는 분리형 유체 분사장치.
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