KR20190076154A - 유기발광다이오드 표시장치 - Google Patents

유기발광다이오드 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190076154A
KR20190076154A KR1020170177723A KR20170177723A KR20190076154A KR 20190076154 A KR20190076154 A KR 20190076154A KR 1020170177723 A KR1020170177723 A KR 1020170177723A KR 20170177723 A KR20170177723 A KR 20170177723A KR 20190076154 A KR20190076154 A KR 20190076154A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrodes
light emitting
emitting diode
disposed
Prior art date
Application number
KR1020170177723A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102478540B1 (ko
Inventor
신동채
박제훈
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170177723A priority Critical patent/KR102478540B1/ko
Publication of KR20190076154A publication Critical patent/KR20190076154A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102478540B1 publication Critical patent/KR102478540B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H01L27/323—
    • H01L27/3262—
    • H01L51/5203—
    • H01L51/5237—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs

Abstract

유기발광다이오드 표시장치는, 감지방식이 서로 상이한 이종(異種)의 센서들을 포함하는 센서층이 봉지막층 상에 배치된다. 상기 센서층은, 제1 감지부와 제1 감지부의 외곽에 배치된 제2 감지부를 포함하며, 제1 감지부의 센서들은 제2 감지부의 센서들과 감지방식이 서로 상이하다.

Description

유기발광다이오드 표시장치{ORGANIC EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}
발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
터치 스크린 패널(Touch Screen Panel)은, LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), OLED(Organic Light Emitting Diode), 그리고 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) 등과 같은 다양한 유형의 표시 장치에 적용되는 입력 장치(Input device)로서, 손가락 또는 터치 펜 등과 같은 외부 오브젝트가, 상기 터치 패널에 접근 또는 접촉할 때 발생하는 터치 신호를 검출하는 장치이다.
외장형(Add-on type) 터치 스크린 패널은, 터치 센서들을 포함하는 터치 필름을 표시패널과 커버 글라스의 사이에 개재시킨 것이다. 외장형 터치 스크린 패널이 구비된 표시장치는, 표시패널과 커버 글라스의 사이에 개재된 터치 필름에 의해, 두께가 두꺼워지는 문제가 있다.
또한, 외장형 구조의 터치 스크린 패널은, 터치 센서 이외의 추가적인 센서의 부가 시에 새롭게 터치 필름의 개발이 필요한 단점이 있으며, 또한, 새롭게 개발된 터치 필름이, 표시패널과 커버 글라스의 사이에 추가적으로 개재되는 구조로, 외장형 터치 스크린 패널이 구비된 표시장치의 두께를 두껍게 하는 단점이 있다.
발명은, 외장형 터치 스크린 패널이 구비된 표시장치에 비해, 박막화가 가능한 유기발광다이오드 표시장치를 제공하고자 한다.
발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 것으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
유기발광다이오드 표시장치는, 제1 감지부와 상기 제1 감지부의 외곽에 배치된 제2 감지부를 포함하는 센서층이 봉지막층 상에 배치된다. 제1 감지부를 구성하는 센서들과 제2 감지부를 구성하는 센서들은 감지방식(sensing mode)이 서로 상이하다.
상기 유기발광다이오드 표시장치는, 상기 터치 센서와 상기 포토 센서를 포함하는 센서층, 트랜지스터 어레이를 포함하는 회로기판층, 상기 센서층과 상기 회로기판층의 사이에 배치된 봉지막층, 및 상기 봉지막층과 상기 회로기판층의 사이에 배치된 발광소자층을 포함한다. 상기 센서층은 상기 봉지층 상에 배치된다. 상기 센서층은 상기 봉지층 상에 직접 배치될 수 있다.
상기 제1 감지부는, 터치 센서를 포함할 수 있고, 상기 제2 감지부는 포토 센서를 포함할 수 있다.
상기 터치 센서는, 제1 전극들, 상기 제1 전극들과 교차하는 제2 전극들, 및 상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들 중 어느 하나의 전극들을 전기적으로 연결하는 연결패턴을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들은, 상기 봉지층 상에 배치된다.
상기 포토 센서는, 게이트 전극, 소오스 및 드레인 전극, 및 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극은, 상기 봉지층 상에 배치될 수 있고, 상기 소오스 및 드레인 전극은, 상기 게이트 전극 상에 배치될 수 있으며, 상기 반도체층은, 상기 봉지층과 상기 소오스 및 드레인 전극의 사이에 배치될 수 있다. 상기 반도체층의 일부 영역은, 상기 소오스 및 드레인 전극과 접촉될 수 있다.
상기 게이트 전극은, 상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들과 동일한 소재로 구성될 수 있다. 상기 소오스 및 드레인 전극은, 상기 연결패턴과 동일한 소재로 구성될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
발명은, 외장형 터치 스크린 패널이 구비된 표시장치에 비해, 박막화가 가능한 유기발광다이오드 표시장치를 제공할 수 있다.
발명의 유기발광다이오드 표시장치는, 감지방식이 서로 다른 이종(異種)의 센서들이 봉지막층 상에 배치된 내장형 구조의 터치 스크린 패널을 구비하므로, 외장형 구조의 터치 스크린 패널과 달리, 추가적인 터치 필름의 개발이 요구되지 않으며, 그로 인한 불필요한 개발비용의 소모를 방지할 수 있다.
또한, 발명의 유기발광다이오드 표시장치는, 감지방식이 서로 다른 이종(異種)의 센서들이 봉지막층 상에 배치된 내장형 구조의 터치 스크린 패널을 구비하므로, 외장형 구조의 터치 스크린 패널과 달리, 터치 필름의 부가로 인한 두께의 증가가 방지될 수 있다.
발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 유기발광다이오드 표시장치의 모식적인 평면도이다.
도 2는 유기발광다이오드 표시장치의 모식적인 단면도이다.
도 3은 터치 센서를 구성하는 제1 전극과 제2 전극의 형상과 배치를 모식적으로 도시한다.
도 4는 포토 센서의 모식적인 센싱 회로도이다.
발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되는 실시형태들과 실험예들을 참조하면 명확해질 것이다. 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 기술의 사상을 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 그 기술의 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니됨을 유의해야 한다.
또한, 발명은 이하에서 개시되는 내용에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하에서 개시되는 내용은 발명의 개시가 완전하도록 하며, 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이고, 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 기술의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략할 수 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것으로, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 제1 구성요소는 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
명세서 전체에서, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 각 구성요소는 단수일 수도 있고 복수일 수도 있다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함하는(including)", "가진(having)" 이라고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
명세서 전체에서, "A 및/또는 B" 라고 할 때, 이는 특별한 반대되는 기재가 없는 한, A, B 또는 A 및 B 를 의미하며, "C 내지 D" 라고 할 때, 이는 특별한 반대되는 기재가 없는 한, C 이상이고 D 이하인 것을 의미한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참고하여, 발명에 대해 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 유기발광다이오드 표시장치(100)의 모식적인 평면도이다.
도 1 을 참조하면, 유기발광다이오드 표시장치(100)는 각 화소가 매트릭스 형태로 배열된 표시영역(DA)과 표시영역(DA)의 주변에 배치된 비표시영역 (NDA)을 포함하며, 표시영역(DA)은 유기발광다이오드 표시장치(100)에서 생성된 이미지 또는 정보를 시청자가 시인할 수 있는 영역이며, 비표시영역(NDA)은, 유기발광다이오드 표시장치(100)에서 생성된 이미지 또는 정보를 시청자가 시인할 수 없는 영역으로, 일반적으로 베젤 영역으로 불리기도 한다. 유기발광다이오드 표시장치(100)는 복수 개의 화소를 포함하며, 각 화소 별로 구동회로(미도시)를 포함하는 회로기판층(미도시), 발광소자층(미도시), 봉지막층(미도시), 및 센서층(미도시)이 배치된다.
도 2는 유기발광다이오드 표시장치(100)의 모식적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 센서층(SL)은 봉지막층(EC) 상에 배치된다. 봉지막층(EC)은 센서층(SL)과 회로기판층(PC)의 사이에 배치된다. 발광소자층(OLED)은, 봉지막층(EC)과 회로기판층(PC)의 사이에 배치된다. 센서층(SL)은, 표시영역(DA)과 중첩되게 배치된 제1 감지부(1S)와, 비표시영역(NDA)과 중첩되게 배치된 제2 감지부(2S)를 포함한다. 제2 감지부(2S)는 제1 감지부(1S)의 외곽에 배치되는 영역이다. 제1 감지부(1S)를 구성하는 센서들과 제2 감지부(2S)를 구성하는 센서들은 감지방식(sensing mode)이 상이할 수 있다.
예를 들어, 제1 감지부(1S)는, 터치 센서(TS)들로 구성될 수 있다. 이 때, 제1 감지부(1S)는, 다수의 정전 용량 센서들을 통해 터치 압력을 감지하는 정전 용량 방식으로 동작할 수 있으며, 상호 정전 용량(Mutual Capacitance)을 가진 다수의 터치 센서(TS)들을 포함한다. 상호 정전 용량은 교차하는 전극들(TX, RX) 사이에서 형성될 수 있다.
도 3은 터치 센서(TS)를 구성하는 제1 전극들(TX1 ~ TX5)과 제2 전극들(RX1 ~ RX5)의 형상과 배치를 모식적으로 도시한다. 도 3에서는, 제1 전극들(TX1 ~ TX5)과 제2 전극들(RX1 ~ RX5) 각각이 마름모 형태의 평면을 가진 것으로 예시되었으나, 제1 전극들(TX1 ~ TX5)과 제2 전극들(RX1 ~ RX5) 각각의 형상이 이것 만으로 한정되지 않는다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 전극부(131)는 복수의 마름모 패턴이 제1 방향(예를 들어, 도면 상 세로 방향)으로 연결된 복수의 제1 전극들(TX1 ~ TX5)을 포함할 수 있다. 제2 전극부(151)는 복수의 마름모 패턴이 제1 방향과 직교하는 제2 방향(예를 들어, 도면 상 가로 방향)으로 연결된 복수의 제2 전극들(RX1 ~ RX5)을 포함할 수 있다. 유기발광다이오드 표시장치(100)에서, 제1 전극들(TX1 ~ TX5)과 제2 전극들(RX1 ~ RX5)은 터치 전극으로 기능할 수 있다.
제1 방향으로 연결된 제1 전극들(TX1 ~ TX5) 각각은, 전기적으로 연결된다. 한편, 제1 방향으로 연결된 제1 전극들(TX1 ~ TX5) 각각은, 제2 방향으로 이웃하는 제1 전극들(TX1 ~ TX5)과 전기적으로 절연된다. 또한, 제2 방향으로 연결된 제2 전극들(RX1 ~ RX5) 각각은, 연결패턴(도 2의 BR)을 통해 전기적으로 연결된다. 한편, 제2 방향으로 연결된 제2 전극들(RX1 ~ RX5) 각각은, 제1 방향으로 이웃하는 제2 전극들(RX1 ~ RX5)과 전기적으로 절연된다.
제1 방향으로 이웃하는 제2 전극들(RX1 ~ RX5)은 연결패턴(BR)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 연결패턴(BR)은 제1 전극들(TX1 ~ TX5)과 제2 전극들(RX1 ~ RX5) 간의 쇼트(short)를 방지하면서 제2 전극들(RX1 ~ RX5)을 전기적으로 연결하는 기능을 할 수 있다. 도 3에서는, 연결패턴(BR)이 복수의 제2 전극들(RX1 ~ RX5)에 구비된 것으로 예시되었으나 이에 한정되지 않으며, 복수의 제1 전극들(TX1 ~ TX5)에 구비될 수도 있다.
연결패턴(BR)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 전도성 물질 또는 금속 재질로 이루어질 수 있다. 상대적으로 좁은 폭을 가지는 연결패턴(BR)의 재질을 전도성이 높은 금속재질로 하는 경우, 소정 요건의 광 투과율을 만족시키면서도 전기 전도성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
제1 방향으로 연결된 제1 전극들(TX1 ~ TX5)은, Tx 구동부(미도시)에 연결된 Tx 배선(미도시)에 연결될 수 있다. 제2 방향으로 연결된 제2 전극들(RX1 ~ RX5)은 Rx 구동부(미도시)에 연결된 Rx 배선(미도시)에 연결될 수 있다. Tx 배선(미도시)은 터치 센서(도 2의 TS)들 각각에 센서 구동신호를 인가하여 터치 센서(도 2의 TS)들에 전하를 공급하는 구동 신호 배선이다. Rx 배선(미도시)은 터치 센서(도 2의 TS)들에 연결되어, 터치 센서(도 2의 TS)들의 전하를 터치 센싱 회로(미도시)로 공급하는 센서 배선이다.
상호 용량 센싱 방법은, Tx 배선(미도시)을 통해 Tx 전극(도 2의 TX)에 구동 신호를 인가하여 터치 센서(도 2의 TS)에 전하를 공급하고, 센서 구동신호에 동기하여 Rx 배선(미도시)을 통해 상호 용량 센서의 정전용량 변화를 센싱하는 것으로, 제1 감지부(도 2의 1S)는, 상호 용량 센싱 방법을 통해, 터치 압력을 감지할 수 있다. 터치 센싱 회로(미도시)는, 터치 전후, 터치 센서(도 2의 TS)의 정전 용량 변화량을 센싱하여 도전성 물질(예를 들어, 손가락)의 터치 여부와 그 위치를 판단한다. 즉, 상호 용량에 도전성 물질이 가까이 접근하면 상호 용량의 전하량이 감소되어 터치 입력, 제스쳐 등이 감지될 수 있다.
예를 들어, 제2 감지부(도 2의 2S)는, 포토 센서들로 구성될 수 있으며, 포토 센서의 예로는, 포토 박막 트랜지스터(Photo TFT)를 들 수 있다. 이 때, 제2 감지부(도 2의 2S)는, 포토 박막 트랜지스터(Photo TFT)에서 센싱된 광량에 따라 리드 아웃 집적회로(미도시)에서 검출되는 신호가 달라지게 됨으로써, 지문, 문서, 이미지 스캔, 터치 입력 등의 이미지를 센싱할 수 있다.
도 4는 포토 센서의 모식적인 센싱 회로도이다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 포토 박막 트랜지스터(Photo TFT)의 소오스 전극(도 2의 S)에 제1 구동전압이 인가됨과 동시에 포토 박막 트랜지스터(Photo TFT)의 게이트 전극(도 2의 GE)으로 제2 구동전압이 인가되고 포토 박막 트랜지스터(Photo TFT)의 반도체층(도 2의 ACT)에 소정의 광이 센싱되면, 그 센싱된 광량에 따라 포토 박막 트랜지스터(Photo TFT)의 소오스 전극(도 2의 S)에서 채널을 경유하여 드레인 전극(도 2의 D)으로 흐르는 광 전류가 발생된다. 이러한 광 전류는 포토 박막 트랜지스터(Photo TFT)의 드레인 전극(도 2의 D)에서 스토리지 커패시터(Cst)의 스토리지 전극으로 흐르게 되고, 이에 따라 스토리지 커패시터(Cst)에 광 전류에 의한 전하가 충전된다. 이후, 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된 전하는 박막 트랜지스터(READ) 및 리드 아웃 라인을 경유하여 리드아웃 집적회로(Read Out IC: ROIC)에서 읽혀지게 된다.
예를 들어, 도 2를 참조할 때, 제1 감지부(1S)가 터치 센서(TS)들로 구성되고, 제2 감지부(2S)가 포토 센서들로 구성된 경우, 유기발광다이오드 표시장치(100)는, 터치 센서(TS)들을 활용하여 사용자의 터치 여부를 감지할 수 있고, 사용자의 터치가 발생한 경우, 포토 센서들을 활용하여 터치 좌표를 검출할 수 있으며, 사용자의 터치가 발생되지 않은 경우, 포토 센서들을 활용하여 유기발광다이오드 표시장치(100)에 대한 조도 분포를 검출할 수 있다.
도 2를 참조하면, 제1 감지부(1S)에 대응되는 봉지막층(EC)의 일부 영역 상에는, 터치 센서(TS)가 배치될 수 있다. 구체적으로, 봉지막층(EC) 상에는 제1 감지부(1S)에 대응되는 Tx 배선들(TXL) 및 Rx 배선들(RLX)이 상호 이격된 형태로 배열될 수 있고, Tx 배선들(TXL) 및 Rx 배선들(RXL) 상에는, 각각 제1 전극들(TX)과 제2 전극들(RX)이 배치될 수 있다. 도시된 바와 같이, 봉지막층(EC) 상에는, Tx 배선들(TXL) 및 Rx 배선들(RXL)이 직접 배치될 수 있고, Tx 배선들(TXL) 및 Rx 배선들(RXL) 상에는, 각각 제1 전극들(TX)과 제2 전극들(RX)이 직접 배치될 수 있다. 제2 전극들(RX)은 연결패턴(BR)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, Tx 배선들(TXL) 및 Rx 배선들(RXL)은, 투명 도전 물질로 이루어질 수 있으며, 투명 도전 물질의 예로는, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 들 수 있다. 예를 들어, 제1 전극들(TX) 및 제2 전극들(RX)은, Al, AlNd, Ag, Mo, MoTi, Cu, Cr 등으로 이루어질 수 있다.
Tx 배선들(TXL), Rx 배선들(RXL), 제1 전극들(TX) 및 제2 전극들(RX) 각각은, 이들 사이에 개재된 패시베이션층(PAS)에 의해 서로 전기적으로 절연되며, 패시베이션층(PAS)은 제1 전극들(TX) 및 제2 전극들(RX) 상에서 소정의 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 연결패턴(BR)과 중첩되는 패시베이션층(PAS)의 일부 영역에서는, 제1 전극들(TX) 및 제2 전극들(RX)과 연결패턴(BR)의 사이에 소정의 두께를 가진 패시베이션층(PAS)이 배치될 수 있다.
패시베이션층(PAS)은 제2 전극들(RX)과 중첩되는 영역에 콘택홀들(TH)을 구비할 수 있으며, 콘택홀들(TH)을 통해 제2 전극들(RX)이 연결패턴(BR)과 연결될 수 있다. 패시베이션층(PAS)과 연결패턴(BR)의 상에는 캡핑층(CAP)이 더 배치될 수 있다. 다시 말하면, 캡핑층(CAP)은 터치 센서(TS)의 상부를 덮을 수 있다. 캡핑층(CAP)과 패시베이션층(PAS)은, 각각, 규소 산화물, 규소 질화물 등으로 이루어질 수 있다.
한편, 제2 감지부(2S)와 대응되는 봉지막층(EC)의 일부 영역 상에는, 포토 박막 트랜지스터(Photo TFT)가 배치될 수 있다. 구체적으로, 봉지막층(EC) 상에는, 게이트 전극(GE)이 배치될 수 있다. 도시된 바와 같이, 게이트 전극(GE)은, 봉지막층(EC) 상에 직접 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)은, 예를 들어, 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등의 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등의 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등의 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등의 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등으로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(GE) 상에는 반도체층(ACT)이 배치될 수 있으며, 게이트 전극(GE)과 반도체층(ACT)의 사이에는, 게이트 절연층(GI)이 개재될 수 있다.
게이트 절연층(GI)은, 예를 들어, 규소 산화물, 규소 질화물 등으로 이루어질 수 있다. 반도체층(ACT)은, 예를 들어, 비정질 실리콘 또는 유기 재료로 이루어질 수 있으며, 채널영역(미도시), 소오스 영역(미도시) 및 드레인 영역(미도시)을 포함할 수 있다. 소오스 영역(미도시)과 드레인 영역(미도시)은, 각각, 채널영역(미도시)의 양단에 배치되며, 소오스 전극 및 드레인 전극(S, D)과 각각 연결될 수 있다.
반도체층(ACT) 상에는 소오스 전극과 드레인 전극(S, D) 각각을 소오스 영역(미도시) 및 드레인 영역(미도시)에 연결하기 위한, 관통홀들(TH)이 구비된 보호층(PL)이 배치될 수 있으며, 관통홀들(TH)을 통해 소오스 전극(S)과 드레인 전극(D) 각각은, 소오스 영역(미도시) 및 드레인 영역(미도시)에 연결될 수 있다.
보호층(PL)은, 규소 산화물, 규소 질화물 등으로 이루어질 수 있다. 소오스 전극 및 드레인 전극(S, D)의 상에는, 캡핑층(CAP)이 더 배치될 수 있다. 캡핑층(CAP)은, 포토 박막 트랜지스터(Photo TFT)의 상부를 덮을 수 있다. 캡핑층(CAP)은, 규소 산화물, 규소 질화물 등으로 이루어질 수 있다.
제1 전극들(TX), 제2 전극들(RX) 및 게이트 전극(GE)은, 단일 공정(one-step process) 내에서 동시에 형성될 수 있으며, 이 때, 제1 전극들(TX), 제2 전극들(RX) 및 게이트 전극(GE)은, 동일 소재로 이루어질 수 있다.
또한, 연결패턴(BR)과, 소오스 전극 및 드레인 전극(S, D)은, 단일 공정으로 동시에 형성될 수 있으며, 이 때, 연결패턴(BR)과, 소오스 전극 및 드레인 전극(S, D)은, 동일 소재로 이루어질 수 있다.
경우에 따라서는, 패시베이션층(PAS)은 하부 패시베이션층(L-PAS)과 상부 패시베이션층(H-PAS)으로 구분될 수도 있다. 이 때, 하부 패시베이션층(L-PAS) 및 게이트 절연층(GI)은 동일 공정 내에서 동시에 형성될 수 있으며, 동일 소재로 구성될 수 있다. 또한, 이 때, 상부 패시베이션층(H-PAS) 및 보호층(PL)은 동일 공정 내에서 동시에 형성될 수 있으며, 동일 소재로 구성될 수 있다.
봉지막층(EC)은 센서층(SL)과 회로기판층(PC)의 사이에 배치된다. 봉지막층(EC)은, 외부의 수분 또는 공기가 발광소자로 침투하는 것을 방지하고, 외부의 충격으로부터 발광소자를 보호하는 기능을 할 수 있다. 봉지막층(EC)은 유기물층(미도시)과 무기물층(미도시)이 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 봉지층의 두께는, 대략 10 ㎛ 내지 1000 ㎛ 일 수 있다. 유기물층(미도시)은, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 실록산계 수지, 우레탄계 수지 및 폴리카보네이트 수지 등을 포함하여 구성될 수 있다. 유기물층의 두께는 대략 1 ㎛ 내지 100 ㎛ 일 수 있다. 무기물층(미도시)은 실리콘산화막(SiOx), 실리콘질화막(SiNx), 실리콘질산화막(SiOxNy) 등을 포함하여 구성될 수 있다. 무기물층의 두께는 대략 0.01 ㎛ 내지 5 ㎛ 일 수 있다.
발광소자층(OLED)은, 봉지막층(EC)과 회로기판층(PC)의 사이에 배치된다. 발광소자층(OLED)은, 화소전극(미도시), 대향전극(미도시), 발광층(미도시)을 포함하여 구성될 수 있다. 화소전극(미도시)과 대향전극(미도시)은 각각 애노드와 캐소드 중 어느 하나로 기능할 수 있다.
대향전극(미도시)의 방향으로 화상을 구현하는 전면 발광형 구조의 경우, 대향전극(미도시)은 광투과형 전극으로 구성될 수 있고, 화소전극(미도시)은 반사형 전극으로 구성될 수 있다. 대향전극(미도시)은, 예를 들어, ITO, IZO, ZnO 등의 광투과성 금속 산화물로 이루어진 층을 포함하여 구성될 수 있다. 화소전극(미도시)은, 예를 들어, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 등의 금속으로 이루어진 층을 포함하여 구성될 수 있다. 화소전극(미도시)의 방향으로 화상을 구현하는 배면 발광형 구조의 경우, 화소전극(미도시)은 광투과형 전극으로 구성될 수 있고, 대향전극(미도시)은 반사형 전극으로 구성될 수 있다.
화소전극(미도시)과 대향전극(미도시)의 사이에는, 발광층(미도시)이 개재된다. 화소전극(미도시)과 대향전극(미도시) 중 어느 하나와 발광층(미도시)의 사이에는, 선택적으로, 정공주입층(미도시), 정공수송층(미도시), 전자수송층(미도시), 정자주입층(미도시)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 전면 발광형 구조의 유기발광다이오드 표시장치(100)에서는, 캐소드로 기능하는 대향전극(미도시)과 발광층의 사이에 전자주입층(미도시) 및 전자수송층(미도시)이 배치될 수 있으며, 애노드로 기능하는 화소전극(미도시)과 발광층(미도시)의 사이에 정공주입층(미도시) 및 정공수송층(미도시)이 배치될 수 있다.
회로기판층(PC)은, 투명기판(미도시) 상에 배치된 구동회로(미도시)를 포함한다. 투명기판(미도시)은, 일반적으로 사용되는 유리 기판, 투명 고분자 수지 기판 등일 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 구동회로(미도시)는, 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 커패시터를 포함한다.
각 화소에는, 데이터 신호를 전달하기 위한 스위칭 박막 트랜지스터와, 데이터 신호에 따라 발광소자를 구동시키기 위한 구동 박막 트랜지스터와, 데이터 전압을 유지시키기 위한 하나의 커패시터가 포함된다. 스위칭 박막 트랜지스터는 스캔 라인과 데이터 라인에 연결되며, 스캔 펄스에 응답하여 데이터 전압을 커패시터에 충전한다. 구동 박막 트랜지스터는, 전원 라인과 커패시터에 연결되며, 커패시터에 충전된 데이터 전압에 따라 발광소자로 공급되는 전류량을 제어하여 발광소자의 발광량을 조절한다.
한편, 유기발광다이오드 표시장치(100)는 패드부(PAD)에 라우팅 배선(RL)을 포함하여 구성될 수 있으며, 라우팅 배선(RL)은 패드부(PAD)에 배치된 터치 구동부(미도시)로 연결될 수 있다. 터치 구동부(미도시)는 Tx 구동부(미도시), Rx 구동부(미도시) 및 터치 콘트롤러(미도시)를 포함할 수 있다.
기존의 외장형 구조의 터치 스크린 패널은, 표시패널과 커버 글라스의 사이에 터치 필름이 개재되는 구조로, 이것이 적용된 표시장치의 두께를 두껍게 하는 문제가 있다. 더욱이, 터치 센서와 함께 추가적인 센서가 필요한 경우, 추가적인 센서가 구비된 새로운 센싱 필름이 기존의 터치 필름과 함께 표시패널과 커버 글라스의 사이에 개재되어야 하며, 새로운 센싱 필름의 부가는, 표시장치의 두께를 더욱 두껍게 할 수 있다. 또한, 새로운 센싱 필름의 부가로 인한, 추가 공정이 발생할 수 있어서, 이로 인한 추가 비용이 발생될 수 있다.
발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는, 봉지막층 상에 감지방식이 서로 다른 이종의 센서들이 구비된 센서층을 형성함으로써, 표시패널 내에 터치 스크린 패널이 내장된 구조를 구현하여, 터치 필름 또는, 추가적인 센싱 필름이 적용된 경우, 터치 필름과 함께 개재되는 추가적인 센싱 필름을 표시패널과 커버 글라스의 사이에서 제거할 수 있으므로, 기존의 외장형 구조의 터치 스크린 패널이 적용된 표시장치에 비해, 얇은 두께를 구현할 수 있는 장점이 있다.
발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는, 기존의 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정의 변경 없이 그대로 활용할 수 있으므로, 터치 필름 또는, 추가적인 센싱 필름이 적용된 경우, 터치 필름 및 추가적인 센싱 필름을 표시패널과 커버 글라스의 사이에 개재시키는 공정을 제거할 수 있고, 봉지막층 상에 감지방식이 서로 다른 이종의 센서들이 구비된 센서층을 형성하기 위한 추가적인 공정이 필요치 않으므로, 기존의 외장형 구조의 터치 스크린 패널이 적용된 표시장치와 달리, 새로운 센싱 필름의 부가로 인한, 추가 공정의 도입에 의한 추가 비용이 발생하지 않는 장점이 있다.
또한, 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는, 터치 센서 이외의 추가 센서의 도입을 위한 새로운 센싱 필름의 개발을 필요로 하지 않으므로, 기존의 외장형 구조의 터치 스크린 패널이 적용된 표시장치에 비해, 추가적인 센싱 필름의 개발에 소모되는 비용을 절감할 수 있어서, 상대적으로 우수한 가격 경쟁력을 확보할 수 있는 장점이 있다.
또한, 기존의 외장형 구조의 터치 스크린 패널이 적용된 표시장치는, 표시패널의 상부 기판 상에 터치 센서가 형성되거나, 터치 센서 및 추가 센서가 형성되어, 이들 각각을 표시패널의 하부 기판의 센서 구동부와 연결하기 위한 공정을 필요로 하는 반면에, 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는, 이종의 센서들과 이에 연결되는 센서 구동부가 하부 기판에 형성되므로, 기존의 경우와 달리 이종의 센서들과 센서 구동부를 연결하는 공정을 필요로 하지 않는다. 따라서, 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는, 기존의 외장형 구조의 터치 스크린 패널이 적용된 표시장치에 비해, 공수를 절감할 수 있어서, 상대적으로 우수한 가격 경쟁력을 확보할 수 있는 장점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 설명하였으나, 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 각 실시예에 개시된 내용들을 조합하여 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 유기발광다이오드 표시장치
SL: 센서층
EC: 봉지막층
OLED: 발광소자층
PC: 회로기판
1S: 제1 감지부, 2S: 제2 감지부
TX: 제1 전극, RX: 제2 전극
BR: 연결패턴
GE: 게이트 전극
ACT: 반도체층
S: 소오스 전극
D: 드레인 전극
TH: 콘택홀
PAS: 패시베이션층

Claims (6)

  1. 감지방식(sensing mode)이 서로 다른 제1 감지부 및 제2 감지부를 포함하며, 상기 제2 감지부는 상기 제1 감지부의 외곽에 배치된 센서층;
    구동회로를 포함하는 회로기판층;
    상기 센서층과 상기 회로기판층의 사이에 배치된 봉지막층; 및
    상기 봉지막층과 상기 회로기판층의 사이에 배치된 발광소자층; 을 포함하는,
    유기발광다이오드 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 센서층은, 상기 봉지막층 상에 직접 배치된,
    유기발광다이오드 표시장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 감지부는 터치 센서를 포함하며,
    상기 제2 감지부는, 포토 센서를 포함하는,
    유기발광다이오드 표시장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 터치 센서는,
    상기 봉지막층 상에서 배치된 제1 전극들,
    상기 제1 전극들과 교차하며 상기 봉지막층 상에 배치된 제2 전극들, 및
    상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들 중 어느 하나의 전극들을 전기적으로 연결하는 연결패턴을 포함하는,
    유기발광다이오드 표시장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 포토 센서는,
    상기 봉지막층 상에 배치되며, 상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들과 동일한 재료로 구성된 게이트 전극,
    상기 게이트 전극 상에 배치된 소오스 및 드레인 전극, 및
    상기 게이트 전극과 상기 소오스 및 드레인 전극의 사이에 배치되고, 상기 소오스 및 드레인 전극과 접촉된 반도체층,
    을 포함하는, 유기발광다이오드 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 소오스 및 드레인 전극은, 상기 연결패턴과 동일한 재료로 구성된,
    유기발광다이오드 표시장치.
KR1020170177723A 2017-12-22 2017-12-22 유기발광다이오드 표시장치 KR102478540B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170177723A KR102478540B1 (ko) 2017-12-22 2017-12-22 유기발광다이오드 표시장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170177723A KR102478540B1 (ko) 2017-12-22 2017-12-22 유기발광다이오드 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190076154A true KR20190076154A (ko) 2019-07-02
KR102478540B1 KR102478540B1 (ko) 2022-12-15

Family

ID=67258411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170177723A KR102478540B1 (ko) 2017-12-22 2017-12-22 유기발광다이오드 표시장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102478540B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11295675B2 (en) 2020-04-29 2022-04-05 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of compensating pixel deterioration thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090084708A (ko) * 2008-01-31 2009-08-05 소니 가부시끼가이샤 광센서 소자, 촬상 장치, 전자 기기, 및 메모리 소자
KR20150107139A (ko) * 2014-03-13 2015-09-23 엘지이노텍 주식회사 터치 윈도우 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20170047639A (ko) * 2015-10-23 2017-05-08 엘지이노텍 주식회사 터치 윈도우

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090084708A (ko) * 2008-01-31 2009-08-05 소니 가부시끼가이샤 광센서 소자, 촬상 장치, 전자 기기, 및 메모리 소자
KR20150107139A (ko) * 2014-03-13 2015-09-23 엘지이노텍 주식회사 터치 윈도우 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20170047639A (ko) * 2015-10-23 2017-05-08 엘지이노텍 주식회사 터치 윈도우

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11295675B2 (en) 2020-04-29 2022-04-05 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of compensating pixel deterioration thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR102478540B1 (ko) 2022-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10175843B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) display including touch sensor
KR102269919B1 (ko) 터치 센서를 포함하는 표시 장치
KR102103500B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US9483135B2 (en) Organic light emitting display integrated with touch screen panel
KR102192035B1 (ko) 접촉 감지 센서를 포함하는 플렉서블 표시 장치
KR102168132B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102296733B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102281109B1 (ko) 표시 장치
US9619091B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
EP3493038B1 (en) Touch panel and display device including the same
KR102189313B1 (ko) 표시 장치
KR20150053540A (ko) 유기 발광 표시 장치
US20200089350A1 (en) Touch sensing unit and display device including the same
US9939973B2 (en) Display device including a touch sensor
US11640212B2 (en) Control component, display screen, and control device
US10386977B2 (en) Display device including sensor capacitor and light emitting device that contact same face of insulating layer
KR20160087981A (ko) 표시 장치
CN113823662A (zh) 显示设备
KR100943441B1 (ko) 터치 입력장치
KR20200141017A (ko) 접촉 감지 센서를 포함하는 플렉서블 표시 장치
US20140375597A1 (en) Thin film transistor array substrate and display apparatus including same
KR20180131010A (ko) 표시 장치
KR102478540B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
US20230315224A1 (en) Display devce including a touch electrode

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant