KR20190071970A

KR20190071970A - 표시 장치

Info

Publication number: KR20190071970A
Application number: KR1020170172940A
Authority: KR
Inventors: 박헌광; 김진환; 박종찬
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2017-12-15
Filing date: 2017-12-15
Publication date: 2019-06-25
Also published as: KR102559510B1

Abstract

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 벤딩 영역 및 벤딩 영역의 양측으로부터 연장된 비벤딩 영역을 포함하는 기판, 비벤딩 영역에 배치된 복수의 무기층 및 벤딩 영역에서 복수의 무기층 사이 공간을 충진하는 유기층을 포함한다. 따라서, 기판의 벤딩 영역과 비벤딩 영역간의 단차가 저감될 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 벤딩 영역에서 배선이 단선되거나 서로 이웃하는 배선이 쇼트(short)되는 문제를 개선할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.

컴퓨터의 모니터나 TV, 핸드폰 등에 사용되는 표시 장치에는 스스로 광을 발광하는 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED)등과 별도의 광원을 필요로 하는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)등이 있다.

표시 장치는 컴퓨터의 모니터 및 TV 뿐만 아니라 개인 휴대 기기까지 그 적용 범위가 다양해지고 있으며, 넓은 표시 면적을 가지면서도 감소된 부피 및 무게를 갖는 표시 장치에 대한 연구가 진행되고 있다.

또한, 최근에는 플렉서블(flexible) 소재인 플라스틱 등과 같이 유연성 있는 기판에 표시부, 배선 등을 형성하여, 종이처럼 휘어져도 화상 표시가 가능하게 제조되는 표시 장치가 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.

이러한 표시 장치의 기판 상에는 수분 또는 불순물의 침투를 최소화하도록 복수의 무기층이 배치된다. 다만, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등 무기 물질로 이루어진 복수의 무기층은 금속에 비해 연성이 떨어지고, 벤딩(bending) 영역이 벤딩될 때, 크랙(crack)되기 쉽다. 본 발명의 발명자들은, 기판이 벤딩될 때, 벤딩 영역에 배치된 복수의 무기층에서 크랙이 발생할 수 있고, 복수의 무기층의 크랙은 복수의 무기층에 접하도록 배치된 배선에 전파되어 배선이 손상될 수 있음을 인식하였다.

이에, 본 발명의 발명자들은 벤딩 영역에서 복수의 무기층을 제거하여 벤딩 영역에서 무기층이 크랙되는 것을 방지하고, 벤딩 영역에 배치된 배선이 손상되는 것을 줄일 수 있다. 다만, 본 발명의 발명자들은 복수의 무기층이 제거된 영역과, 복수의 무기층이 배치된 영역에서의 단차가 발생하고, 이러한 단차로 인해 배선이 단선될 수도 있음을 인식하였다.

또한, 본 발명의 발명자들은 복수의 무기층을 제거하는 과정에서 기판의 표면이 고르지 않게 될 수 있음을 인식하였다. 즉, 기판 상에 복수의 무기층이 배치된 상태에서 복수의 무기층을 식각하는 방식으로 복수의 무기층을 제거하는 경우, 복수의 무기층이 제거된 기판 표면이 요철 구조를 가질 수 있다. 이에, 요철 구조를 갖는 기판 표면에 바로 배선을 형성하는 경우, 기판의 표면을 따라 도전층도 불균일하게 증착될 수 있고, 도전층을 식각하여 배선을 형성할 때도 도전층의 잔막이 기판 표면에 남아 배선 간의 쇼트 등이 발생할 수 있다.

이에, 본 발명의 발명자들은 복수의 무기층이 벤딩 영역에서 제거됨에 따라 발생하는 단차를 저감할 수 있고, 복수의 무기층이 제거된 기판의 표면을 평탄화할 수 있는 새로운 구조의 표시 장치를 발명하였다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 벤딩 영역과 비벤딩 영역간의 단차를 저감할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 복수의 무기층이 제거된 기판의 벤딩 영역을 평탄화할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 벤딩 영역 및 벤딩 영역의 양측으로부터 연장된 비벤딩 영역을 포함하는 기판, 비벤딩 영역에 배치된 복수의 무기층 및 벤딩 영역에서 복수의 무기층 사이 공간을 충진하는 유기층을 포함한다. 따라서, 기판의 벤딩 영역과 비벤딩 영역간의 단차가 저감될 수 있다.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 비벤딩 영역 및 비벤딩 영역 사이의 벤딩 영역을 포함하는 기판, 비벤딩 영역에 배치된 복수의 무기층 및 벤딩 영역에 배치되어, 벤딩 영역에서 기판의 상부를 평탄화하는 제1 평탄화층을 포함한다. 따라서, 복수의 무기층이 배치되지 않은 기판의 벤딩 영역에 제1 평탄화층을 배치하여 벤딩 영역에서 기판의 상부를 평탄화할 수 있다.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 발명은 기판의 벤딩 영역과 비벤딩 영역간의 단차를 최소화할 수 있다.

본 발명은 벤딩 영역에서 기판의 표면을 평탄화하여, 배선의 형성 과정 중 배선의 잔막을 최소화하고, 쇼트 불량을 개선할 수 있다.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II'에 따른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 도 5의 표시 장치의 평면도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.

또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(100)의 다양한 구성 요소 중 기판(110), 서브 화소(SP), 데이터 배선(DL), 제1 링크 배선(141) 및 패드(PD)만을 도시하였다.

기판(110)은 표시 장치(100)의 여러 구성 요소들을 지지하기 위한 기판(110)이다. 기판(110)은 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 폴리이미드(PI) 등과 같은 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다.

도 1을 참조하면 기판(110)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함한다.

표시 영역(AA)은 복수의 서브 화소(SP)가 배치되어 영상이 표시되는 영역이다. 표시 영역(AA)에는 영상을 표시하기 위한 발광 영역을 포함하는 서브 화소(SP)와 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 회로가 배치될 수 있다.

복수의 서브 화소(SP)는 표시 영역(AA)을 구성하는 최소 단위로, 복수의 서브 화소(SP) 각각은 발광 영역을 포함한다. 이때, 복수의 서브 화소(SP) 각각에는 발광 영역에서 발광을 하기 위한 표시 소자가 배치될 수 있다. 표시 소자는 표시 장치(100)의 종류에 따라 다양할 수 있다. 예를 들어, 표시 소자는 액정 표시 소자, 유기 발광 소자(130) 등일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)가 유기 발광 표시 장치인 것으로 가정하여 설명하기로 한다.

비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로 표시 영역(AA)에 배치된 서브 화소(SP) 및 구동 회로를 구동하기 위한 다양한 구동 회로, 배선 등이 배치되는 영역이다. 비표시 영역(NA)에는 게이트 드라이버 IC, 데이터 드라이버 IC와 같은 다양한 구동 IC 등이 배치될 수 있다.

도 1을 참조하면, 비표시 영역(NA)은 제1 비표시 영역(NA1), 벤딩 영역(BA), 제2 비표시 영역(NA2) 및 패드 영역(PA)을 포함한다.

패드 영역(PA)은 기판(110)에서 최외측에 배치된 영역으로 복수의 패드(PD)가 배치된다. 복수의 패드(PD)는 데이터 드라이버 IC와 같은 구동 IC와 전기적으로 연결되어 복수의 제1 링크 배선(141)으로 데이터 전압 등을 전달할 수 있다.

제2 비표시 영역(NA2)은 패드 영역(PA)으로부터 연장된 영역이다. 제2 비표시 영역(NA2)에는 패드 영역(PA)의 복수의 패드(PD)와 전기적으로 연결된 제1 링크 배선(141)이 배치될 수 있다.

벤딩 영역(BA)은 제2 비표시 영역(NA2)으로부터 연장된 영역이다. 벤딩 영역(BA)은 최종 제품 상에서 벤딩되는 영역이다. 한편, 비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로 표시 장치(100)의 상면에서 시인될 필요가 없으며, 기판(110)의 비표시 영역(NA)의 일부, 예를 들어 제2 비표시 영역(NA2) 및 패드 영역(PA)이 표시 장치(100)의 하면에 배치되도록 벤딩 영역(BA)을 벤딩할 수 있다.

구체적으로, 패드 영역(PA) 및 제2 비표시 영역(NA2)은 기판(110)이 벤딩될 때, 패드 영역(PA) 및 제2 비표시 영역(NA2)은 표시 영역(AA)에 대응하도록 배치될 수 있다. 즉, 기판(110)이 벤딩될 때, 패드 영역(PA) 및 제2 비표시 영역(NA2)은 표시 영역(AA) 하부에서, 표시 영역(AA)에 중첩하도록 배치될 수 있다.

제1 비표시 영역(NA1)은 벤딩 영역(BA)에서 연장된 영역으로, 표시 영역(AA)과 연결된다. 제1 비표시 영역(NA1)에는 패드 영역(PA)의 복수의 패드(PD)와 전기적으로 연결된 제1 링크 배선(141)이 배치될 수 있다.

기판(110) 상에 복수의 제1 링크 배선(141) 및 복수의 데이터 배선(DL)이 배치된다.

데이터 배선(DL)은 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 서브 화소(SP)에 데이터 전압을 전달하기 위한 배선이다. 복수의 데이터 배선(DL)은 복수의 제1 링크 배선(141)으로부터 데이터 전압을 전달받아 복수의 서브 화소(SP)로 데이터 전압을 전달한다.

복수의 제1 링크 배선(141)은 비표시 영역(NA)에 배치된 데이터 드라이버 IC로부터의 데이터 전압을 표시 영역(AA)에 데이터 배선(DL)으로 전달하기 위한 배선이다. 복수의 제1 링크 배선(141)은 데이터 드라이버 IC와 전기적으로 연결된 복수의 패드(PD) 각각과 복수의 데이터 배선(DL)을 연결한다. 이에, 복수의 제1 링크 배선(141)은 데이터 드라이버 IC로부터 데이터 전압을 복수의 데이터 배선(DL)으로 전달할 수 있다.

도 1에서는 복수의 제1 링크 배선(141)이 복수의 데이터 배선(DL)에만 연결되어, 복수의 데이터 배선(DL)에 데이터 드라이버 IC로부터 데이터 전압을 전달하는 것으로 설명하였으나, 복수의 제1 링크 배선(141)은 다른 신호를 전달할 수도 있다. 또한, 복수의 제1 링크 배선(141)은 데이터 배선(DL) 외에도 다양한 신호 배선과 연결될 수 있다. 여기서, 신호 배선은, 예를 들어, 게이트 배선, 고전위 전압 배선, 저전위 전압 배선, 레퍼런스 전압 배선 등 일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.

복수의 데이터 배선(DL) 및 복수의 제1 링크 배선(141)은 도전성 물질로 형성되고, 특히, 벤딩 영역(BA)을 지나는 제1 링크 배선(141)은 기판(110)의 벤딩 시 크랙 발생을 최소화하기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다.

구체적으로, 복수의 데이터 배선(DL) 및 복수의 제1 링크 배선(141)은 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)와 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 단층 또는 복층으로 구성될 수 있다. 다만 이에 제한되지 않고, 박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(122)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 복수의 데이터 배선(DL) 및 복수의 제1 링크 배선(141)은 몰리브덴 (Mo), 알루미늄 (Al), 크롬 (Cr), 금 (Au), 티타늄 (Ti), 니켈 (Ni), 네오디뮴 (Nd) 및 구리 (Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금의 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

한편, 벤딩 영역(BA)이 벤딩됨에 따라 벤딩 영역(BA)에 배치된 제1 링크 배선(141)의 일부분에 집중되는 응력으로 인한 크랙이 발생할 수 있다. 이에, 제1 링크 배선(141)은 크랙을 최소화하기 위해 특정 형상의 패턴을 포함할 수 있다. 예를 들어, 벤딩 영역(BA)에 배치된 제1 링크 배선(141)의 일부분은 다이아몬드 형상, 마름모 형상, 지그재그 형상, 원형 형상 중 적어도 하나의 형상을 갖는 도전 패턴이 반복적으로 배치될 수 있다. 제1 링크 배선(141)의 일부분은 상술한 형상 외에도 제1 링크 배선(141)에 집중된 응력 및 크랙을 최소화하기 위한 다른 형상일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.

복수의 제1 링크 배선(141)의 단부에 복수의 패드(PD)가 각각 연결된다. 복수의 패드(PD)는 데이터 드라이버 IC와 같은 구동 IC와 전기적으로 연결되어 복수의 제1 링크 배선(141)으로 데이터 전압 등을 전달할 수 있다.

한편, 기판(110)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)으로 정의될 수도 있고, 벤딩 영역(BA) 및 비벤딩 영역(NBA)으로도 정의될 수 있다. 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)은 영상의 표시 여부에 따라 정의되고, 벤딩 영역(BA) 및 비벤딩 영역(NBA)은 기판(110)의 벤딩 여부에 따라 정의될 수 있다.

벤딩 영역(BA)은 비표시 영역(NA)의 벤딩 영역(BA)과 동일한 영역으로, 벤딩 영역(BA)에서 기판(110)의 벤딩이 가능할 수 있다.

비벤딩 영역(NBA)은 벤딩되지 않고, 기판(110)이 평탄하게 유지되는 영역으로, 비벤딩 영역(NBA)은 벤딩 영역(BA)의 양측으로부터 연장될 수 있다. 비벤딩 영역(NBA)은 표시 영역(AA), 제1 비표시 영역(NA1), 제2 비표시 영역(NA2) 및 패드 영역(PA)을 포함한다.

이하에서는 도 2를 참조하여 벤딩 영역(BA) 및 비벤딩 영역(NBA)에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다.

도 2는 도 1의 II-II'에 따른 단면도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 멀티 버퍼층(111), 액티브 버퍼층(112), 게이트 절연층(113), 층간 절연층(114), 패시베이션층(115), 제1 평탄화층(116), 제2 평탄화층(117), 뱅크(118), 박막 트랜지스터(120) 및 유기 발광 소자(130)를 포함한다.

비벤딩 영역에서, 기판(110) 상에 멀티 버퍼층(111)이 배치된다. 멀티 버퍼층(111)은 기판(110)의 하부에서 침투한 수분 및/또는 산소가 확산되는 것을 지연시킬 수 있다. 멀티 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx)이 교대로 적층되어 이루어질 수 있다.

기판(110)의 비벤딩 영역(NBA)에서, 멀티 버퍼층(111) 상에 액티브 버퍼층(112)이 배치된다. 액티브 버퍼층(112)은 박막 트랜지스터(120)의 액티브층(121)을 보호하며, 기판(110)의 하부로부터의 결함을 차단할 수 있다. 또한, 박막 트랜지스터(120)의 종류에 따라 박막 트랜지스터(120)와 버퍼층 사이에 광 차단층 등과 같은 추가적인 금속층이 배치되는 경우, 액티브 버퍼층(112)은 추가적인 금속층과 박막 트랜지스터(120)의 액티브층을 절연시킬 수도 있다. 액티브 버퍼층(112)은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx)이 교대로 적층되어 이루어질 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 실리콘 산화물(SiOx)을 다중층으로 형성한 후 실리콘 질화물(SiNx)이 적층될 수도 있다.

액티브 버퍼층(112) 상에 박막 트랜지스터(120)가 배치된다. 이때, 박막 트랜지스터(120)는 유기 발광 소자(130)와 전기적으로 연결되어, 유기 발광 소자(130)를 구동시키는 구동 박막 트랜지스터일 수 있다. 박막 트랜지스터(120)는 액티브층(121), 게이트 전극(122), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서 박막 트랜지스터(120)는 액티브층(121), 액티브층(121) 상에 게이트 전극(122), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 배치된 구조로, 게이트 전극(122)이 상부에 배치된 탑 게이트(Top Gate) 구조의 박막 트랜지스터이다.

액티브 버퍼층(112) 상에 액티브층(121)이 배치된다. 액티브층(121)은 예를 들어, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 산화물 반도체 또는 유기물 반도체 등으로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.

기판(110)의 비벤딩 영역(NBA)에서, 액티브층(121) 상에 게이트 절연층(113)이 배치된다. 게이트 절연층(113)은 게이트 전극(122)과 액티브층(121)을 절연시키기 위한 층으로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(113)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

게이트 절연층(113) 상에 게이트 전극(122)이 배치된다. 게이트 전극(122)은 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 몰리브덴 (Mo), 알루미늄 (Al), 크롬 (Cr), 금 (Au), 티타늄 (Ti), 니켈 (Ni), 네오디뮴 (Nd) 및 구리 (Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금의 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

기판(110)의 비벤딩 영역(NBA)에서, 게이트 전극(122) 상에 층간 절연층(114)이 배치된다. 층간 절연층(114)은 게이트 절연층(113)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 층간 절연층(114)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

층간 절연층(114) 상에 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 배치된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 각각은 층간 절연층(114) 및 게이트 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통해 액티브층(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 몰리브덴 (Mo), 알루미늄 (Al), 크롬 (Cr), 금 (Au), 티타늄 (Ti), 니켈 (Ni), 네오디뮴 (Nd) 및 구리 (Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금의 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

소스 전극(123)은 복수의 데이터 배선(DL) 중 어느 하나의 데이터 배선(DL)과 전기적으로 연결된다. 그리고 소스 전극(123)은 데이터 배선(DL)으로부터 인가된 데이터 전압을 액티브층(121) 및 드레인 전극(124)으로 전달할 수 있다.

드레인 전극(124)은 유기 발광 소자(130)의 애노드(131)와 전기적으로 연결된다. 드레인 전극(124)은 소스 전극(123) 및 액티브층(121)으로부터 전달된 데이터 전압을 유기 발광 소자(130)로 전달할 수 있다.

도 2에서는 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)이 데이터 배선(DL)과 연결되고 드레인 전극(124)이 유기 발광 소자(130)의 애노드(131)과 연결되는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고, 드레인 전극(124)이 데이터 배선(DL)과 연결되고 소스 전극(123)이 유기 발광 소자(130)의 애노드(131)과 연결되는 것으로 정의될 수도 있다.

기판(110)의 비벤딩 영역(NBA)에서, 박막 트랜지스터(120) 상에 패시베이션층(115)이 배치된다. 패시베이션층(115)은 패시베이션층(115) 하부의 구성을 보호하기 위한 절연층이다. 패시베이션층(115)은 게이트 절연층(113)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 패시베이션층(115)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

한편, 벤딩 영역(BA)에서, 기판(110) 상에 제1 평탄화층(116)이 배치된다. 제1 평탄화층(116)은 벤딩 영역(BA)에서 기판(110) 상부를 평탄화할 수 있다. 제1 평탄화층(116)은 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있고, 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 평탄화층(116)은 아크릴(acryl)계 유기 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

한편, 패시베이션층(115) 상에서, 기판(110)의 벤딩 영역(BA) 및 비벤딩 영역(NBA)의 일부 영역에 제2 평탄화층(117)이 배치된다. 제2 평탄화층(117)은 박막 트랜지스터(120)가 형성된 기판(110) 상부를 평탄화할 수 있다. 제2 평탄화층(117)은 제1 평탄화층(116)과 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 제2 평탄화층(117)은 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있고, 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 평탄화층(117)은 아크릴(acryl)계 유기 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

한편, 제2 평탄화층(117) 상에 유기 발광 소자(130)가 배치된다. 유기 발광 소자(130)는 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극(124)과 전기적으로 연결되어, 구동 전류를 공급받아 발광할 수 있다. 유기 발광 소자(130)는 애노드(131), 유기 발광층(132) 및 캐소드(133)를 포함한다.

제2 평탄화층(117) 상에 애노드(131)가 배치된다. 애노드(131)는 유기 발광 소자(130)의 유기 발광층(132)으로 정공을 공급할 수 있고, 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 애노드(131)는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

다만, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)가 탑 에미션(Top Emission) 방식인 경우, 유기 발광층(132)으로부터 발광된 광이 애노드(131)에 반사되어 상부 방향, 즉 캐소드(133) 측을 향할 수 있도록, 애노드(131)의 하부에 반사 효율이 우수한 금속 물질이 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 애노드(131)의 하부에 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 물질로 이루어진 반사층이 추가될 수 있다.

반대로, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)가 바텀 에미션(Bottom Emission)인 경우, 애노드(131)는 투명 도전성 물질로만 구성될 수 있다.

애노드(131) 상에 뱅크(118)가 배치된다. 뱅크(118)는 애노드(131)의 엣지를 덮도록 배치되고, 복수의 서브 화소(SP) 각각을 구분할 수 있다. 뱅크(118)는 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 뱅크(118)는 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene: BCB)계 수지로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

한편, 상술한 바와 같이, 멀티 버퍼층(111), 액티브 버퍼층(112), 게이트 절연층(113), 층간 절연층(114) 및 패시베이션층(115)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기 물질로 이루어지므로, 무기층으로도 지칭될 수 있다. 따라서, 기판(110)의 비벤딩 영역(NBA), 즉 평탄한 상태를 유지하는 기판(110)의 일부 영역에는 무기 물질로 이루어진 복수의 무기층, 예를 들어, 멀티 버퍼층(111), 액티브 버퍼층(112), 게이트 절연층(113), 층간 절연층(114) 및 패시베이션층(115)이 배치된다. 다만, 기판(110)의 벤딩 영역(BA)에는 복수의 무기층이 배치되지 않는다.

아울러, 제1 평탄화층(116) 및 제2 평탄화층(117)은 아크릴(acryl)계 유기 물질 등의 유기 물질로 이루어지므로, 유기층으로 지칭될 수 있다. 따라서, 기판(110)의 벤딩 영역(BA) 에는 유기 물질로 이루어진 유기층, 즉, 제1 평탄화층(116)이 배치된다. 그리고 유기 물질로 이루어진 또 다른 유기층인 제2 평탄화층(117)은 벤딩 영역(BA)만이 아니라 비벤딩 영역(NBA)에까지 더 배치될 수 있다.

한편, 유기층인 제1 평탄화층(116)의 엣지는 복수의 무기층 상에 배치된다. 구체적으로, 벤딩 영역(BA)에서, 복수의 무기층 사이의 공간을 충진하는 제1 평탄화층(116)은 벤딩 영역(BA)의 양측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 제1 평탄화층(116)은 벤딩 영역(BA)의 일측으로 연장된 제1 비표시 영역(NA1)의 복수의 무기층의 엣지 및 벤딩 영역(BA)의 타측으로 연장된 제2 비표시 영역(NA2)의 복수의 무기층의 엣지를 각각 덮도록 배치될 수 있다.

한편, 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)은 데이터 배선(DL)과 전기적으로 연결되고, 데이터 배선(DL)은 소스 전극(123)과 동일 층에 배치된다. 구체적으로, 데이터 배선(DL)은 비벤딩 영역(NBA)이자 표시 영역(AA)에서 층간 절연층(114) 상에 배치된다.

한편, 제1 링크 배선(141)은 데이터 배선(DL)과 전기적으로 연결된다. 그리고, 제1 링크 배선(141)은 비벤딩 영역(NBA) 및 벤딩 영역(BA) 둘 다에 배치된다. 구체적으로, 제1 링크 배선(141)은 표시 영역(AA)으로부터 연장된 제1 비표시 영역(NA1)에서 층간 절연층(114) 상에 배치된다. 제1 링크 배선(141)은 제1 비표시 영역(NA1)으로부터 연장된 벤딩 영역(BA)에서 제1 평탄화층(116) 상에 배치된다. 그리고 제1 링크 배선(141)은 벤딩 영역(BA)으로부터 연장된 제2 비표시 영역(NA2)에서 층간 절연층(114) 상에 배치된다.

종래의 표시 장치에서는 기판의 벤딩 영역에서 복수의 무기층을 제거하고, 기판의 상면에 바로 제1 링크 배선을 배치한다. 구체적으로, 기판이 벤딩되는 벤딩 영역에서, 무기 물질로 이루어진 복수의 무기층, 예를 들어 멀티 버퍼층, 액티브 버퍼층, 게이트 절연층, 층간 절연층, 패시베이션층 등이 배치되는 경우, 무기층은 경도가 높고, 연성이 좋지 않아 크랙되기 쉽다. 이에, 벤딩 영역에서 복수의 무기층을 제거하고 기판의 상면 및 복수의 무기층 상면을 따라 제1 링크 배선을 배치할 수 있다. 다만, 복수의 무기층이 배치된 비벤딩 영역과 복수의 무기층이 배치되지 않은 벤딩 영역 간의 단차가 발생하여, 단차로 인한 제1 링크 배선의 단선이 발생할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 복수의 무기층이 제거된 기판(110)의 벤딩 영역(BA)에 유기층을 배치하여, 벤딩 영역(BA)과 비벤딩 영역(NBA)에서 단차를 최소화할 수 있다. 구체적으로, 복수의 무기층 사이의 공간을 충진하도록 유기층, 즉 제1 평탄화층(116)을 더 배치할 수 있다. 이때, 유기 물질로 이루어진 제1 평탄화층(116)은 무기 물질로 이루어진 복수의 무기층보다 경도가 낮고, 벤딩 영역(BA)에 배치되더라도, 기판(110)이 벤딩 될 때 응력을 흡수하여 크랙 발생이 최소화될 수 있다.

아울러, 제1 평탄화층(116)은 복수의 무기층과 유사한 두께를 가지도록 벤딩 영역(BA)에 배치되어, 벤딩 영역(BA)과 비벤딩 영역(NBA)에서의 단차가 저감된다. 따라서, 제1 평탄화층(116) 및 복수의 무기층을 따라 배치된 제1 링크 배선(141)은 급격한 단차로 인한 단선 등의 문제가 발생하기 어렵다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 벤딩 영역(BA)에서는 제1 평탄화층(116)을 배치하고, 비벤딩 영역(NBA)에서는 복수의 무기층을 배치하여, 벤딩 영역(BA)과 비벤딩 영역(NBA)간의 단차를 최소화하여 제1 링크 배선(141)의 단선을 최소화할 수 있다. 또한, 벤딩 영역(BA)에서는 경도가 높은 복수의 무기층 대신 경도가 낮은 제1 평탄화층(116)을 배치하여, 기판(110)의 벤딩에 따른 제1 평탄화층(116)의 크랙을 저감할 수 있다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 3의 표시 장치(300)는 도 1의 표시 장치(100)와 비교하여, 기판(310)만이 상이하고 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략하기로 한다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(300)의 벤딩 영역(BA)에서의 기판(310)의 상면은 비평탄할 수 있다. 구체적으로, 벤딩 영역(BA)에서 기판(310)의 상면은 매끈하지 않고, 불규칙한 요철 구조가 배치된다. 반면, 비벤딩 영역(NBA)에서 기판(310)의 상면은 평탄할 수 있다.

기판(310) 상면의 요철 구조는 복수의 무기층을 제거하는 과정에서 형성될 수 있다. 구체적으로, 기판(310) 상면 전체에 멀티 버퍼층(111), 액티브 버퍼층(112), 게이트 절연층(113) 및 층간 절연층(114)을 포함하는 복수의 무기층이 배치된다. 이어서, 기판(310)의 벤딩으로 인한 복수의 무기층의 크랙을 미연에 방지하기 위해, 기판(310) 상면 전체에 배치된 복수의 무기층 중 벤딩 영역(BA)에 중첩하는 복수의 무기층만을 제거한다. 만약, 복수의 무기층을 제거하지 않는 경우, 벤딩 영역(BA)에서 복수의 무기층에 크랙이 발생할 수 있고, 복수의 무기층의 크랙은 복수의 무기층에 접하도록 배치된 배선에 전파되어 배선이 손상될 수 있다. 따라서, 벤딩 영역(BA)에 중첩하는 복수의 무기층을 제거할 수 있다. 그리고 복수의 무기층을 제거하는 과정에서 기판(310)의 상면이 손상을 입어, 기판(310)의 상면이 매끈하지 않고, 요철 구조가 배치될 수 있다.

이러한 기판(310)의 상면에 도전층을 증착하는 경우, 도전층이 불균일하게 증착될 수 있다. 또한, 불균일하게 증착된 도전층을 식각하여 배선을 형성할 때도 도전층의 잔막이 기판(310) 표면에 남아 배선 간의 쇼트 등이 발생할 수 있다.

한편, 벤딩 영역(BA)에서 기판(310) 상에 제1 평탄화층(116)이 배치된다. 제1 평탄화층(116)은 벤딩 영역(BA)에서 기판(310)의 상면을 평탄화할 수 있다. 따라서, 벤딩 영역(BA)에서 기판(310)의 상면에 제1 평탄화층(116)이 배치되어, 기판(310) 상면을 평탄화할 수 있다. 아울러, 기판(310)의 제1 평탄화층(116) 상에서는 도전층이 균일하게 증착될 수 있고, 도전층을 식각할 때도 도전층의 잔막이 최소화될 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(300)는 비평탄한 기판(310) 상에 제1 평탄화층(116)을 배치하여 기판(310)을 평탄하게 할 수 있다. 구체적으로, 복수의 무기층은 기판(310)의 벤딩으로 인해 크랙될 수 있고, 이러한 크랙은 복수의 무기층 상의 다른 구성으로 전파될 수 있다. 따라서, 복수의 무기층의 크랙을 최소화하기 위해 기판(310)의 벤딩 영역(BA)에서 복수의 무기층을 제거할 수 있다. 이때, 벤딩 영역(BA)에서 기판(310)의 상면도 복수의 무기층 제거 공정의 영향으로, 매끈하지 않고, 요철 구조 등이 형성되어 비평탄할 수 있다. 이러한 기판(310)의 상면에 바로 배선을 형성하는 경우, 도전층이 불균일하게 증착되고, 도전층의 식각 시 도전층의 잔막이 남아 배선간의 쇼트 등의 문제가 발생할 수 있다. 이때, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(300)는, 벤딩 영역(BA)에서 기판(310)의 상면에 제1 평탄화층(116)을 배치하여 벤딩 영역(BA)에서 기판(310)의 상면을 평탄하게 할 수 있다. 따라서, 복수의 무기층 및 제1 평탄화층(116) 상에서 배선을 형성하는 경우, 도전층이 균일하게 증착되고, 도전층의 식각 시 도전층의 잔막이 최소화되어 배선 간의 쇼트 등의 문제가 저감될 수 있다.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 4의 표시 장치(400)는 도 1의 표시 장치(100)와 비교하여, 제1 평탄화층(416)만이 상이하고 다른 구성은 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략하기로 한다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 표시 장치(400)에서, 벤딩 영역(BA)의 제1 평탄화층(416)은 제1 비표시 영역(NA1) 및 제2 비표시 영역(NA2)에까지 연장되어, 복수의 무기층의 엣지와 복수의 무기층의 일부 영역에 중첩하도록 연장된다.

구체적으로, 벤딩 영역(BA)에 배치된 제1 평탄화층(416)은 벤딩 영역(BA)의 일측으로 연장된 제1 비표시 영역(NA1)에까지 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 평탄화층(416)은 제1 비표시 영역(NA1)의 층간 절연층(114)의 상면을 덮도록 더 연장될 수 있다. 제1 평탄화층(416)은 제1 비표시 영역(NA1)의 엣지와 적어도 엣지 부근의 영역까지 덮도록 더 배치될 수 있다. 따라서, 제1 평탄화층(416)은 벤딩 영역(BA)에서 기판(110)의 상면에 배치되고, 제1 비표시 영역(NA1)에서 복수의 무기층 상면의 적어도 일부 영역을 덮도록 배치될 수 있다.

또한, 벤딩 영역(BA)에 배치된 제1 평탄화층(416)은 벤딩 영역(BA)의 타측으로 연장된 제2 비표시 영역(NA2)에까지 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 평탄화층(416)은 제2 비표시 영역(NA2)의 층간 절연층(114)의 상면을 덮도록 더 연장될 수 있다. 제1 평탄화층(416)은 제2 비표시 영역(NA2)의 엣지와 적어도 엣지 부근의 영역까지 덮도록 더 배치될 수 있다. 따라서, 제1 평탄화층(416)은 벤딩 영역(BA)에서 기판(110)의 상면에 배치되고, 제2 비표시 영역(NA2)에서 복수의 무기층 상면의 적어도 일부 영역을 덮도록 배치될 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는 벤딩 영역(BA)에 배치된 제1 평탄화층(416)이 벤딩 영역(BA) 양측의 제1 비표시 영역(NA1) 및 제2 비표시 영역(NA2)을 덮도록 벤딩 영역(BA)의 양측으로 연장될 수 있다. 제1 평탄화층(416)은 유기 물질로 이루어진다. 유기 물질의 흐름성이 우수할수록 기판(110)의 상부가 더 평탄하게 될 수 있으나, 유기 물질의 도포 영역을 제어하는 것이 어렵다. 그러므로, 제1 평탄화층(416)이 복수의 무기층의 엣지를 덮도록 도포하는 경우, 제1 평탄화층(416)이 복수의 무기층의 엣지를 덮지 못하고 다른 방향으로 쉽게 흘러가버리게 된다. 이에, 제1 평탄화층(416)의 도포 영역을 더 확장하게 되면, 제1 평탄화층(416)이 안정적으로 복수의 무기층의 엣지를 덮도록 배치될 수 있다. 그리고 제1 평탄화층(416)이 복수의 무기층의 엣지 부근에만 배치되는 경우, 제1 평탄화층(416)의 도포 시 제어를 위한 마진 영역이 필요하나, 제1 평탄화층(416)의 배치 영역을 확장하는 경우 이러한 마진 영역을 설계할 필요가 없다. 또한, 제1 평탄화층(416)의 도포 영역이 확장되면, 복수의 무기층 상면을 덮는 제1 평탄화층(416)의 일부 영역의 두께를 안정적으로 제어할 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는 제1 평탄화층(416)의 배치 영역을 확장하여, 흐름성이 우수한 제1 평탄화층(416)이 안정적으로 복수의 무기층의 엣지를 덮도록 배치될 수 있다.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 6은 도 5의 표시 장치의 평면도이다. 도 5 및 도 6의 표시 장치(500)는 도 4의 표시 장치(400)와 비교하여, 제2 링크 배선(542)만이 추가되고 다른 구성은 실질적으로 동일하므로 중복 설명을 생략하기로 한다.

도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 비표시 영역(NA1)에 제2 링크 배선(542)이 더 배치된다. 구체적으로, 제2 링크 배선(542)은 게이트 절연층(113)과 층간 절연층(114) 사이에 배치된다. 제2 링크 배선(542)은 제1 링크 배선(141)과 데이터 배선(DL)에 각각 전기적으로 연결되어 데이터 전압을 전달할 수 있다.

제2 링크 배선(542)은 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(122)과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 링크 배선(542)은 몰리브덴 (Mo), 알루미늄 (Al), 크롬 (Cr), 금 (Au), 티타늄 (Ti), 니켈 (Ni), 네오디뮴 (Nd) 및 구리 (Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금의 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

먼저, 제2 링크 배선(542)은 제1 링크 배선(141)과 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 제1 비표시 영역(NA1)에서 층간 절연층(114) 및 제1 평탄화층(516)에 각각 컨택홀이 형성되어 제2 링크 배선(542)의 일단이 노출되도록 할 수 있다. 그리고 제2 링크 배선(542)의 일단에 제1 링크 배선(141)의 일단이 접하도록 배치되어, 제1 링크 배선(141)과 제2 링크 배선(542)이 전기적으로 연결될 수 있다.

제2 링크 배선(542)은 데이터 배선(DL)과 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 층간 절연층(114)에 컨택홀이 형성되어 제2 링크 배선(542)의 타단이 노출되도록 할 수 있다. 그리고 제2 링크 배선(542)의 타단에 데이터 배선(DL)의 일단이 접하도록 배치되어, 제2 링크 배선(542)과 데이터 배선(DL)이 전기적으로 연결될 수 있다.

한편, 제1 링크 배선(141)의 일단은 제1 평탄화층(516)의 엣지보다 벤딩 영역(BA)에 가깝도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 평탄화층(516)은 벤딩 영역(BA)에서 제1 비표시 영역(NA1) 및 제2 비표시 영역(NA2)의 적어도 일부 영역까지 덮도록 배치된다. 이때, 제1 링크 배선(141)을 제1 평탄화층(516)의 외측에까지 형성하는 경우, 제1 평탄화층(516)의 상면과 층간 절연층(114) 간의 단차로 인해, 제1 평탄화층(516)의 엣지 하부에서 노광이 잘 되지 않을 수도 있고, 제1 링크 배선(141)의 형성 시 잔막이 발생할 수도 있다.

이에, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 제1 평탄화층(516) 내에 제1 링크 배선(141)의 일단을 배치하고, 제1 링크 배선(141)을 제1 평탄화층(516) 하부의 제2 링크 배선(542)과 연결하여 표시 영역(AA)의 데이터 배선(DL)으로 데이터 전압을 전달할 수 있다. 그리고 제2 링크 배선(542)은 평탄한 게이트 절연층(113) 상에 형성되므로, 제2 링크 배선(542)을 형성할 시, 도전층의 잔막 등이 최소화되어 데이터 전압을 전달하기에 안정적일 수 있다. 따라서, 제1 평탄화층(516)의 형성 이후의 공정 시 발생할 수 있는 제1 링크 배선(141)의 잔막 등으로 인한 문제, 예를 들어 배선 간의 쇼트 등의 문제를 미연에 방지하고자, 제1 링크 배선(141)을 확장하여 배치하지 않을 수 있다. 대신 제1 링크 배선(141)을 안정적으로 형성할 수 있는 영역인 제1 평탄화층(516) 상에서만 배치되도록 형성하고, 제1 평탄화층(516)이 배치되지 않은 영역에서는 서로 다른 층에 배치된 제2 링크 배선(542)에 제1 링크 배선(141)을 연결하여 데이터 전압을 전달할 수 있다.

한편, 기판(110)의 표시 영역(AA)에는 게이트 배선, 데이터 배선(DL), 고전위 전압 배선, 저전위 전압 배선, 레퍼런스 전압 배선 등 수 많은 배선이 배치되고, 비표시 영역(NA)에는 이러한 배선에 각각 연결되어 구동 IC로부터 게이트 전압, 데이터 전압, 고전위 전압, 저전위 전압, 레퍼런스 전압 등을 전달해주는 링크 배선이 배치된다. 다만, 이러한 배선들을 하나의 층에 배치하는 경우, 배선을 배치하기 위한 공간이 부족하고, 특히 영상이 표시되지 않는 비표시 영역(NA)의 크기 또한 커질 수 있다. 표시 장치(500)의 경우, 넓은 표시 영역(AA)을 가지면서도 비표시 영역(NA)을 줄여 감소된 부피 및 무게를 갖는 표시 장치(500)를 구현할 수 있도록 연구가 진행되고 있다.

이에, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 데이터 배선(DL)으로 데이터 전압을 전달해주는 제1 링크 배선(141) 및 제2 링크 배선(542)을 서로 다른 층에 배치하여 비표시 영역(NA)의 크기를 줄일 수 있다. 구체적으로, 제2 링크 배선(542) 없이 제1 링크 배선(141)을 동일한 층에서만 일정 간격으로 배치하는 경우보다 제1 링크 배선(141)을 여러 층에서 나누어 배치하는 경우에서 비표시 영역(NA)을 줄일 수 있다. 제1 링크 배선(141)으로 전달되는 데이터 전압을 다른 층에 배치된 제2 링크 배선(542)으로 전달하면, 제1 링크 배선(141)이 배치되지 않는 제1 비표시 영역(NA1)에서, 예를 들어, 제2 링크 배선(542) 상의 제1 평탄화층(516) 상에 또 다른 신호를 전달하는 링크 배선을 더 배치할 수 있다. 따라서, 제1 평탄화층(516)의 배치 여부와 상관 없이, 제1 링크 배선(141) 및 제2 링크 배선(542)의 설계를 자유롭게 변경하여 비표시 영역(NA)의 크기를 줄일 수 있고, 배선들이 서로 다른 층에 배치되어, 절연 물질로 절연되므로, 배선간의 쇼트가 최소화될 수 있다.

본 발명의 다양한 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 벤딩 영역 및 벤딩 영역의 양측으로부터 연장된 비벤딩 영역을 포함하는 기판, 비벤딩 영역에 배치된 복수의 무기층 및 벤딩 영역에서 복수의 무기층 사이 공간을 충진하는 유기층을 포함한다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 유기층 상에 배치된 제1 링크 배선을 더 포함하고, 유기층의 엣지는 복수의 무기층 상에 배치될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 무기층 사이에 배치된 제2 링크 배선을 더 포함하고, 제1 링크 배선과 제2 링크 배선은 복수의 무기층 중 적어도 일부의 무기층의 컨택홀 및 유기층의 컨택홀을 통해 접할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 링크 배선의 단부는 유기층의 엣지보다 벤딩 영역에 가까울 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 비벤딩 영역에 배치되고, 제2 링크 배선과 연결된 신호 배선을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 비벤딩 영역은, 벤딩 영역의 일측으로부터 연장된 제1 비표시 영역 및 벤딩 영역의 타측으로부터 연장된 제2 비표시 영역을 포함하고, 유기층의 양측 엣지는 각각 제1 비표시 영역 및 제2 비표시 영역에 배치될 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기판 상에서 비벤딩 영역에 배치된 복수의 박막 트랜지스터 및 복수의 박막 트랜지스터를 덮도록 배치된 평탄화층을 더 포함하고, 유기층과 평탄화층은 동일한 물질로 이루어질 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 무기층은 멀티 버퍼층, 액티브 버퍼층, 게이트 절연층, 층간 절연층 및 패시베이션층 중 적어도 하나일 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 기판의 표면은 비평탄할 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 비벤딩 영역 및 비벤딩 영역 사이의 벤딩 영역을 포함하는 기판, 비벤딩 영역에 배치된 복수의 무기층 및 벤딩 영역에 배치되어, 벤딩 영역에서 기판의 상부를 평탄화하는 제1 평탄화층을 포함한다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 평탄화층에 배치된 제1 링크 배선을 더 포함하고, 제1 평탄화층은 복수의 무기층의 엣지를 덮을 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 무기층 상에 배치된 제2 링크 배선, 기판 상에 배치된 복수의 박막 트랜지스터, 복수의 박막 트랜지스터를 덮는 제2 평탄화층을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 링크 배선과 제2 링크 배선은 제1 평탄화층의 엣지와 복수의 무기층의 엣지 사이에서 컨택하고, 제1 평탄화층은 제1 링크 배선과 제2 링크 배선이 컨택하는 영역에서 개구될 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100, 300, 400, 500 : 표시 장치
110, 310 : 기판
111 : 멀티 버퍼층
112 : 액티브 버퍼층
113 : 게이트 절연층
114 : 층간 절연층
115 : 패시베이션층
116, 416, 516 : 제1 평탄화층
117 : 제2 평탄화층
118 : 뱅크
120 : 박막 트랜지스터
121 : 액티브층
122 : 게이트 전극
123 : 소스 전극
124 : 드레인 전극
130 : 유기 발광 소자
131 : 애노드
132 : 유기 발광층
133 : 캐소드
141 : 제1 링크 배선
542 : 제2 링크 배선
SP : 서브 화소
DL : 데이터 배선
PD : 패드
AA : 표시 영역
NA : 비표시 영역
NA1 : 제1 비표시 영역
NA2 : 제2 비표시 영역
PA : 패드 영역
BA : 벤딩 영역
NBA : 비벤딩 영역

Claims

벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역의 양측으로부터 연장된 비벤딩 영역을 포함하는 기판;
상기 비벤딩 영역에 배치된 복수의 무기층; 및
상기 벤딩 영역에서 상기 복수의 무기층 사이 공간을 충진하는 유기층을 포함하는, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 유기층 상에 배치된 제1 링크 배선을 더 포함하고,
상기 유기층의 엣지는 상기 복수의 무기층 상에 배치된, 표시 장치.
제2항에 있어서,
상기 복수의 무기층 사이에 배치된 제2 링크 배선을 더 포함하고,
상기 제1 링크 배선과 상기 제2 링크 배선은 상기 복수의 무기층 중 적어도 일부의 상기 무기층의 컨택홀 및 상기 유기층의 컨택홀을 통해 접하는, 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 제1 링크 배선의 단부는 상기 유기층의 엣지보다 상기 벤딩 영역에 가까운, 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 비벤딩 영역에 배치되고, 상기 제2 링크 배선과 연결된 신호 배선을 더 포함하는, 표시 장치.
제2항에 있어서,
상기 비벤딩 영역은,
상기 벤딩 영역의 일측으로부터 연장된 제1 비표시 영역; 및
상기 벤딩 영역의 타측으로부터 연장된 제2 비표시 영역을 포함하고,
상기 유기층의 양측 엣지는 각각 상기 제1 비표시 영역 및 상기 제2 비표시 영역에 배치된, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 기판 상에서 상기 비벤딩 영역에 배치된 복수의 박막 트랜지스터; 및
상기 복수의 박막 트랜지스터를 덮도록 배치된 평탄화층을 더 포함하고,
상기 유기층과 상기 평탄화층은 동일한 물질로 이루어진, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 무기층은 멀티 버퍼층, 액티브 버퍼층, 게이트 절연층, 층간 절연층 및 패시베이션층 중 적어도 하나인, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 기판의 표면은 비평탄한, 표시 장치.
비벤딩 영역 및 상기 비벤딩 영역 사이의 벤딩 영역을 포함하는 기판;
상기 비벤딩 영역에 배치된 복수의 무기층; 및
상기 벤딩 영역에 배치되어, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상부를 평탄화하는 제1 평탄화층을 포함하는, 표시 장치.
제10항에 있어서,
상기 제1 평탄화층에 배치된 제1 링크 배선을 더 포함하고,
상기 제1 평탄화층은 상기 복수의 무기층의 엣지를 덮는, 표시 장치.
제11항에 있어서,
상기 복수의 무기층 상에 배치된 제2 링크 배선;
상기 기판 상에 배치된 복수의 박막 트랜지스터;
상기 복수의 박막 트랜지스터를 덮는 제2 평탄화층을 더 포함하는, 표시 장치.
제12항에 있어서,
상기 제1 링크 배선과 상기 제2 링크 배선은 상기 제1 평탄화층의 엣지와 상기 복수의 무기층의 엣지 사이에서 컨택하고,
상기 제1 평탄화층은 상기 제1 링크 배선과 상기 제2 링크 배선이 컨택하는 영역에서 개구된, 표시 장치.