KR20190061781A - Semiconductor package array - Google Patents

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Abstract

A semiconductor device package array according to the present invention comprises: a substrate; a plurality of semiconductor device packages which is disposed on the substrate, and includes a semiconductor device, a transmissive member disposed while surrounding the semiconductor device and a reflective member disposed on a side surface of the transmissive member, wherein the semiconductor device includes a semiconductor structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, and a first electrode and a second electrode disposed on a lower surface of the semiconductor structure; and a lens disposed on the substrate while surrounding the semiconductor device package. The lens has a shape in which its lower surface and/or upper surface is convex or concave in a uniaxial direction based on a single axis defined by a straight line passing through the center of the semiconductor device. The semiconductor device package is disposed on the substrate with a distance therebetween, and the spacing distance is 1 mm or more and 200 mm or less. According to the present invention, color uniformity and reliability of the semiconductor device package array can be improved.

Description

반도체소자패키지 어레이 {Semiconductor package array}Semiconductor package array < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 반도체소자패키지어레이 및 반도체소자패키지어레이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device package array and a method of manufacturing a semiconductor device package array.

GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP, InP 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점이 있기 때문에 발광소자, 수광소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용되고 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP and InP have many merits such as wide and easy bandgap energy, And various diodes.

특히 반도체의 3-5족 또는 2-6족 등의 화합물 반도체 물질을 이용한 발광다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조절함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안정성, 환경 친화성의 장점을 가진다.Particularly, light emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using compound semiconductor materials such as Group 3-5 or 2-6 of semiconductors have been developed with thin film growth technology and device materials, , Blue, and ultraviolet rays. By using fluorescent materials or controlling the color, it is possible to realize white light with high efficiency. Also, it has lower power consumption, semi-permanent life time, quick response Speed, stability, and environmental friendliness.

뿐만 아니라, 광 검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안정성, 환경친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가지므로 전력 제어 또는 초고조파 회로나 통신용 모듈에서 용이하게 이용할 수 있다.In addition, when a light-receiving element such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a semiconductor material of Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor, development of a device material absorbs light of various wavelength regions to generate a photocurrent Thereby absorbing light of various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wave range, and thus can use light of various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wave range. It also has the advantages of fast response speed, stability, environmental friendliness and easy control of device materials, so it can be easily used in power control or ultra-harmonic circuits or communication modules.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold cathcode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas 나 화재를 감지하는 센서, 의료용 기기 등 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체소자는 고주파 응용회로나 기타 전력제어장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Accordingly, the semiconductor device can be replaced with a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathodic fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, White light emitting diode (LED) lighting devices, automotive headlights and traffic lights, sensors for detecting gas and fire, and medical devices. In addition, semiconductor devices can be applied to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

최근에는, 표면실장소자형의 반도체소자가 기판에 실장되는 경우, 목표로 하는 지향각을 확보하고, 제조수율을 개선시키기 위한 구조에 대해 다양한 개발이 이루어지고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, various developments have been made on a structure for securing a target orientation angle and improving a manufacturing yield when a semiconductor device of a surface seal type is mounted on a substrate.

본 발명은 색 균일도를 향상시킨 반도체소자 어레이를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a semiconductor element array with improved color uniformity.

본 발명은 배열공차가 발생되는 것을 방지하여, 신뢰성을 개선시킨 반도체소자 어레이를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a semiconductor element array in which an arrangement tolerance is prevented from being generated, and reliability is improved.

본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이는 기판; 상기 기판 상에 배치되며, A semiconductor device package array according to the present invention comprises: a substrate; A substrate disposed on the substrate,

제1도전형반도체층, 제2도전형반도체층 및 제1도전형반도체층과 제2도전형반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체구조물 및 상기 반도체구조물 하면에 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 반도체소자, 상기 반도체소자를 둘러싸며 배치되는 투광부재 및 투광부재의 측면에 배치되는 반사부재를 포함하는 복수개의 반도체소자패키지; 및 상기 반도체소자패키지를 감싸며 기판 상에 배치되는 렌즈; 를 포함하고, 상기 렌즈는 반도체소자의 중심을 지난 직선으로 정의 되는 일축을 기준으로 일축방향으로 하면 및/또는 상면이 볼록하거나 오목한 형상을 포함하고,A semiconductor structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; and a first electrode and a second electrode, A plurality of semiconductor element packages including a semiconductor element including two electrodes, a translucent member disposed to surround the semiconductor element, and a reflective member disposed on a side surface of the translucent member; And a lens surrounding the semiconductor device package and disposed on the substrate; Wherein the lens has a convex or concave shape in a lower surface and / or an upper surface in a uniaxial direction with respect to a uniaxial axis defined by a straight line passing the center of the semiconductor element,

상기 반도체소자패키지는 이격 거리를 갖고 기판 상에 배치되며, 상기 이격거리는 1mm 이상 내지 200mm 이하일 수 있다.The semiconductor device package has a spacing distance and is disposed on a substrate, and the spacing distance may be 1 mm or more to 200 mm or less.

상기 반도체소자패키지의 중심은 렌즈의 중심과 수직으로 중첩될 수 있다.The center of the semiconductor device package may be vertically overlapped with the center of the lens.

상기 렌즈의 중심부터 외측면까지의 수평방향 최대거리는, 10mm 이상 내지 20mm 이하일 수 있다.The maximum distance in the horizontal direction from the center to the outer side of the lens may be 10 mm or more to 20 mm or less.

상기 렌즈의 중심에서 인접하는 렌즈의 중심까지의 수평방향 거리는 렌즈의 최대 수평방향 폭 이상 내지 200mm 이하일 수 있다.The horizontal distance from the center of the lens to the center of the adjacent lens may be greater than the maximum horizontal width of the lens to 200 mm or less.

상기 렌즈의 외측면과 인접하는 다른 렌즈의 외측면 사이의 수평방향 거리는The horizontal distance between the outer surface of the lens and the outer surface of the adjacent other lens is

1mm 이상 내지 상기 반도체소자패키지의 최대 이격거리와 렌즈의 최대수평방향 폭의 차 이하일 수 있다.And may be equal to or less than the difference between the maximum separation distance of the semiconductor device package and the maximum horizontal width of the lens.

상기 렌즈의 하면에서 최고점까지의 두께는, 6mm 이상 내지 12mm 이하일 수 있다.The thickness from the lower surface to the highest point of the lens may be 6 mm or more and 12 mm or less.

상기 렌즈의 단면 형상은 원형, 타원형, 다각형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The cross-sectional shape of the lens may include at least one of a circular shape, an elliptical shape, and a polygonal shape.

상기 반도체소자패키지는 투광부재의 서로 마주보는 측면 2면에 배치되는 반사부재를 포함할 수 있다.The semiconductor device package may include a reflective member disposed on two opposite side surfaces of the translucent member.

상기 반도체소자패키지는 상기 반도체구조물 일면에 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극 및 제2전극은 반사부재 일면과 동일 평면상에 배치될 수 있다.The semiconductor device package may include a first electrode and a second electrode disposed on one surface of the semiconductor structure, and the first electrode and the second electrode may be disposed on the same plane as one surface of the reflective member.

상기 투광부재는 파장변환물질을 포함할 수 있다.The translucent member may include a wavelength conversion material.

상기 파장변환물질은 형광체일 수 있다.The wavelength converting material may be a phosphor.

본 발명을 통해 반도체소자패키지 어레이의 색 균일도를 향상시킬 수 있다.The color uniformity of the semiconductor device package array can be improved through the present invention.

본 발명을 통해, 배열공차가 발생되는 것을 방지하여 반도체소자패키지(160)의 신뢰성을 개선시킬 수 있다.Through the present invention, the reliability of the semiconductor device package 160 can be improved by preventing the occurrence of the array tolerance.

한편, 본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It should be understood, however, that the effects obtained by the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned may be clearly understood by those skilled in the art to which the present invention belongs It will be possible.

도 1은 반도체소자패키지 어레이의 사시도이다.
도 2는 반도체소자패키지 어레이의 분해사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체소자패키지의 단면을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체소자의 단면을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 렌즈 및 반도체소자패키지를 자세히 설명하기 위한 도민이다.
도 6은 본 발명에 따른 렌즈의 다른 예를 도시한 것이다.
도 7은 본 발명에 따른 렌즈의 다른 예의 단면을 도시한 것이다.
도 8은 본 발명에 따른 렌즈의 다른 예를 도시한 것이다.
도 9는 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이의 제조방법을 도시한 것이다.1 is a perspective view of a semiconductor device package array.
2 is an exploded perspective view of a semiconductor device package array.
3 is a cross-sectional view of a semiconductor device package according to the present invention.
4 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to the present invention.
5 is an explanatory view for explaining a lens and a semiconductor device package according to the present invention in detail.
6 shows another example of the lens according to the present invention.
Fig. 7 shows a cross section of another example of the lens according to the present invention.
8 shows another example of the lens according to the present invention.
9 illustrates a method of manufacturing a semiconductor device package array according to the present invention.

본 발명의 전술한 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 이하의 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The above-described objects, technical features and effect of the present invention will be more clearly understood from the following detailed description.

본 발명의 설명에 있어서, 이하 사용되는 제1, 제2 등과 같은 용어는 동일 또는 상응하는 구성 요소들을 구별하기 위한 식별 기호에 불과하며, 동일 또는 상응하는 구성요소들이 제1, 제2등의 용어에 의하여 한정되는 것은 아니다.In the description of the present invention, terms such as first, second, etc. used below are merely reference numerals for distinguishing the same or corresponding components, and the same or corresponding components are used in the terms of first, But is not limited thereto.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. “포함한다” 또는 “가진다” 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다. The singular forms "a", "an" and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. The word " comprises " or " having ", as used herein, is intended to designate the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, parts, or combinations thereof in which one or more other features, , An operation, an element, a part, or a combination thereof can be added.

이하 사용되는 “포함한다(Comprises)” 및/또는 “포함하는(comprising)”은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.As used hereinafter, the terms " comprising " and / or " comprising " are used interchangeably with a component, step, operation and / Do not exclude the addition.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a semiconductor device package array according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이에 대해 설명한다.A semiconductor device package array according to the present invention will be described with reference to Figs. 1 and 2. Fig.

도 1은 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이를 도시한 것이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이의 분해사시도이다.FIG. 1 shows a semiconductor device package array according to the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view of a semiconductor device package array according to the present invention.

본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이는 반도체소자패키지(160), 기판(100) 및 렌즈(180)를 포함할 수 있다.A semiconductor device package array according to the present invention may include a semiconductor device package 160, a substrate 100, and a lens 180.

상기 반도체소자패키지(160)는 복수개로 구성되며 기판(100) 상에 배치될 수 있다.The semiconductor device package 160 may include a plurality of semiconductor device packages 160 and may be disposed on the substrate 100.

상기 복수개의 반도체소자패키지(160)는 직렬 연결될 수 있다.The plurality of semiconductor device packages 160 may be connected in series.

상기 반도체소자패키지(160)는 각각 서로 다른 색상을 갖는 적어도 두 개 이상의 반도체소자패키지(160)가 서로 교대로 배치될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.At least two or more semiconductor device packages 160 having different colors may be alternately arranged in the semiconductor device package 160, but the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 단일 색상을 갖는 복수개의 반도체소자패키지(160)가 기판(100)에 배치될 수 있다.For example, a plurality of semiconductor device packages 160 having a single color may be disposed on the substrate 100.

또한, 반도체소자(130)의 사이즈에 따라 그룹을 이루어 기판(100)에 배치될 수 있다.Further, they may be arranged in the substrate 100 in groups according to the size of the semiconductor devices 130.

상기 반도체소자패키지(160)는 CSP(chip scale package)를 예를 들어 설명하나 이에 한정하지는 않는다.The semiconductor device package 160 may be, but not limited to, a CSP (chip scale package).

상기 반도체소자패키지(160)는 패키지 형태가 아닌 다른 형태로 제공될 수 있다.The semiconductor device package 160 may be provided in a form other than a package.

즉, 기판(100) 상에 반도체소자(130)가 직접 배치될 수 있다.That is, the semiconductor element 130 may be directly disposed on the substrate 100.

상기 반도체소자(130)는 플립칩(flipchip)일 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The semiconductor device 130 may be a flip chip, but is not limited thereto.

상기 반도체소자패키지(160) 및 반도체소자(130)에 대해서는 도 3내지 도 4를 참조하여 후술한다.The semiconductor device package 160 and the semiconductor device 130 will be described later with reference to FIG. 3 to FIG.

기판(100)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질을 포함할 수 있다.The substrate 100 may include a material that reflects light efficiently.

기판(100)의 표면은 빛이 효율적으로 반사되는 색상, 예를 들어 백색, 은색 등으로 구성될 수 있다.The surface of the substrate 100 may be composed of a color that efficiently reflects light, for example, white, silver, or the like.

기판(100)은 인쇄회로기판(printed circuit board), 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board) 또는 MCPCB(Metal Core PCB)일 수 있다. The substrate 100 may be a printed circuit board, a flexible printed circuit board, or a metal core PCB (MCPCB).

상기 인쇄회로기판인 경우, 단면 PCB(Printed circuit Board), 양면 PCB(Printed circuit Board) 또는 복수층으로 이루어진 PCB(Printed Circuit Board) 등을 사용할 수 있다.In the case of the printed circuit board, a printed circuit board (PCB), a printed circuit board (PCB), or a printed circuit board (PCB) having a plurality of layers may be used.

본 발명에서는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)인 것을 예시로 설명하나, 이에 한정하지는 않는다.In the present invention, a printed circuit board is used as an example, but the present invention is not limited thereto.

도시하지 않았으나, 상기 기판(100)은 베이스층, 코팅층, 절연층 및 동박층을 포함할 수 있다.Although not shown, the substrate 100 may include a base layer, a coating layer, an insulating layer, and a copper foil layer.

베이스층은 FR4 재질일 수 있으며, 이외에 다른 절연재질이 적용될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The base layer may be FR4 material, but other insulating materials may be applied, but are not limited thereto.

베이스층은 철을 포함할 수 있으며, 철을 포함하는 합금의 형태일 수 있다.The base layer may comprise iron and may be in the form of an alloy comprising iron.

코팅층은 베이스층과 적어도 일면이 접하도록 배치될 수 있다. The coating layer may be arranged to contact at least one surface with the base layer.

예를 들어, 코팅층은 상기 베이스층의 상면 또는 하면에 접하도록 배치될 수 있다.For example, the coating layer may be arranged to be in contact with the upper or lower surface of the base layer.

상기 코팅층은 베이스층이 직접 외부에 노출되는 것을 방지하고, 베이스층에 비해 반응성이 큰 금속을 포함함으로써, 베이스층이 부식되는 것을 방지할 수 있다.The coating layer prevents the base layer from being directly exposed to the outside, and includes a metal having a higher reactivity than the base layer, thereby preventing the base layer from being corroded.

코팅층은 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 및 아연(Zn) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 상기의 물질이 혼합된 형태일 수 있다.The coating layer may include at least one of aluminum (Al), silicon (Si), and zinc (Zn), and the above materials may be mixed.

또한, 코팅층은 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.Further, the coating layer may be formed in multiple layers, but is not limited thereto.

코팅층은 연전도율이 높은 물질로 구성되어, 기판(100)의 방열효과를 향상시킬 수 있다.The coating layer is made of a material having a high degree of thermal conductivity, and the heat radiation effect of the substrate 100 can be improved.

보호층은 베이스층의 일측면과 접하도록 배치될 수 있다. The protective layer may be disposed in contact with one side of the base layer.

보호층은 산화막으로 구성될 수 있고, 상기 산화막은 베이스층을 구성하는 물질이 외부의 산소에 의해 산화되는 것을 방지할 수 있다.The protective layer may be composed of an oxide film, and the oxide film can prevent the material constituting the base layer from being oxidized by the external oxygen.

절연층은 베이스층 상에 배치될 수 있다.The insulating layer may be disposed on the base layer.

졀연층은 판 형상을 포함할 수 있다.The superficial layer may include a plate shape.

절연층은 절연 물질인 고분자 수지로 구성될 수 있다. 예를 들어, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 멜라민 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 불소 수지 등으로 구성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.The insulating layer may be composed of a polymer resin which is an insulating material. For example, epoxy resin, phenol resin, acrylic resin, polycarbonate resin, polyester resin, melamine resin, silicone resin, polyimide resin, fluorine resin and the like, but is not limited thereto.

절연층은 PSR 잉크 및 절연성 필름 중 어느 하나로 구성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.The insulating layer may be formed of any one of PSR ink and insulating film, but is not limited thereto.

또한, 절연층은 반도체소자(130)에서 방출되는 광을 반사시키는 고 반사물질을 포함할 수 있다.In addition, the insulating layer may include a highly reflective material that reflects light emitted from the semiconductor device 130.

동박층은 절연층 상에 배치될 수 있다.The copper foil layer may be disposed on the insulating layer.

동박층은 전도성 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어 구리로 구성될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The copper foil layer may be composed of a conductive material. But is not limited to, for example, copper.

기판(100)이 양면 기판인 경우, 기판(100)의 배면에 동박층이 배치될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.When the substrate 100 is a double-sided substrate, the copper foil layer may be disposed on the back surface of the substrate 100, but the present invention is not limited thereto.

렌즈(180)는 반도체소자패키지(160)를 감싸며 기판(100) 상에 배치될 수 있다.The lens 180 may be disposed on the substrate 100 to surround the semiconductor device package 160.

렌즈(180)는 반도체소자패키지(160)에서 방출되는 광의 지향각을 제1방향으로 넓히며, 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 지향각을 좁힐 수 있다.The lens 180 can narrow the directivity angle of the light emitted from the semiconductor device package 160 in the first direction and in the second direction orthogonal to the first direction.

렌즈(180)는 타원형, 원형, 다각형 등 다양한 단면 형상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The lens 180 may include, but is not limited to, various cross-sectional shapes such as elliptical, circular, and polygonal.

렌즈(180)는 구현하고자 하는 지향각 및 색 균일도에 따라, 구조 및 단면 형상이 정해질 수 있다.The structure of the lens 180 and the cross-sectional shape thereof can be determined according to the orientation angle and color uniformity to be implemented.

본 발명에 따른 렌즈(180)는 단면 형상이 원형인 것을 예로 들어 설명하나 이에 한정하지는 않는다.The lens 180 according to the present invention will be described by way of example, but the present invention is not limited thereto.

렌즈(180)는 제1방향으로 제1폭 및 제1방향과 수직하는 제2방향으로 제2폭을 포함할 수 있다.The lens 180 may include a first width in a first direction and a second width in a second direction perpendicular to the first direction.

상기 제1폭과 제2폭은 서로 같거나, 다를 수 있다.The first width and the second width may be equal to or different from each other.

렌즈(180)는 기판(100)에 반도체소자패키지(160)가 배치된 후 몰딩(molding)에 의해 배치될 수 있다.The lens 180 may be disposed by molding after the semiconductor device package 160 is disposed on the substrate 100.

렌즈(180)는 반도체소자패키지(160)가 기판(100)에 배치되는 경우, 형광체(미도시) 및 광학산재(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The lens 180 may include at least one of a phosphor (not shown) and an optical illusory (not shown) when the semiconductor device package 160 is disposed on the substrate 100.

렌즈는 투광성 재료로 구성될 수 있다. 예를 들어, 렌즈는 석영, 폴리카보네이트, 실리콘 수지 등으로 이루어질 수 있다.The lens can be made of a translucent material. For example, the lens may be made of quartz, polycarbonate, silicone resin or the like.

상기 렌즈에 대해서는 도 5를 참조하여 후술한다.The lens will be described later with reference to Fig.

도 3를 참조하여, 본 발명에 따른 반도체소자패키지(160)에 대해 설명한다.Referring to FIG. 3, a semiconductor device package 160 according to the present invention will be described.

반도체소자패키지(160)는 반도체소자(130), 투광부재 및 반사부재를 포함할 수 있다.The semiconductor device package 160 may include a semiconductor element 130, a translucent member, and a reflective member.

상기 반도체소자패키지(160)는 CSP(Chip Scale Package) 일 수 있다.The semiconductor device package 160 may be a chip scale package (CSP).

도 4를 참조하여, 먼저 본 발명에 따른 반도체소자(130)에 대해 설명한다.Referring to FIG. 4, the semiconductor device 130 according to the present invention will be described first.

반도체소자는 발광소자, 수광소자 등 각종 전자소자를 포함할 수 있으며, 상기 발광소자는 UV 발광소자 또는 청색발광소자일 수 있다. 상기 발광소자는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드갭에 의해 결정되고, 자외선 대역부터 가시광 대역의 파장 범위 내에서 발광할 수 있다.The semiconductor device may include various electronic devices such as a light emitting device and a light receiving device, and the light emitting device may be a UV light emitting device or a blue light emitting device. The light emitting device emits light by recombination of electrons and holes. The wavelength of the light is determined by an energy band gap inherent to the material, and can emit light within a wavelength range from the ultraviolet band to the visible band.

본 발명에 따른 반도체소자는 플립칩(flip chip)발광소자일 수 있다..The semiconductor device according to the present invention may be a flip chip light emitting device.

상기 플립칩(flip chip) 발광소자는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립칩 발광소자일 수 있다.The flip chip light emitting device may be a transmissive flip chip light emitting device in which light is emitted in six directions.

본 발명에 따른 반도체소자(130)는 지지부(134), 반도체구조물(133), 제1전극(137) 및 제2전극(138)을 포함할 수 있다.The semiconductor device 130 according to the present invention may include a support 134, a semiconductor structure 133, a first electrode 137, and a second electrode 138.

상기 지지부(134)는 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. The support portion 134 may be selected from the group consisting of a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge.

상기 반도체구조물(133)은 제1도전형반도체층(133a), 제2도전형 반도체층(133c), 제1도전형반도체층(133a)과 제2도전형반도체층(133c) 사이에 배치된 활성층(133b)을 포함할 수 있다.The semiconductor structure 133 includes a first conductive semiconductor layer 133a, a second conductive semiconductor layer 133c, a first conductive semiconductor layer 133a and a second conductive semiconductor layer 133c disposed between the first conductive semiconductor layer 133a and the second conductive semiconductor layer 133c And an active layer 133b.

상기 반도체구조물(133)은 화합물반도체로 제공될 수 있다. 상기 반도체구조물(133)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반도체구조물(133)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.The semiconductor structure 133 may be provided as a compound semiconductor. The semiconductor structure 133 may be provided, for example, as a Group 2-VI-6 or Group-3-Group compound semiconductor. For example, the semiconductor structure 133 may include at least two elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), arsenic (As) .

상기 반도체구조물(133)은 제1도전형반도체층(133a), 활성층(133b), 제2 도전형반도체층(133c)을 포함할 수 있다.The semiconductor structure 133 may include a first conductive semiconductor layer 133a, an active layer 133b, and a second conductive semiconductor layer 133c.

상기 제1 및 제2도전형반도체층(133a, 133c)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. The first and second conductivity type semiconductor layers 133a and 133c may be formed of at least one of Group III-V or Group II-VI compound semiconductors. The first and second conductivity type semiconductor layers may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + As shown in FIG.

예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(133a,133c)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. For example, the first and second conductivity type semiconductor layers 133a and 133c may be at least one selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, . ≪ / RTI >

상기 제1 도전형 반도체층(133a)은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. The first conductive semiconductor layer 133a may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se or Te.

상기 제2 도전형 반도체층(133c)은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The second conductive semiconductor layer 133c may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba.

상기 활성층(133b)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. The active layer 133b may be formed of a compound semiconductor.

상기 활성층(133b)은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. The active layer 133b may be formed of at least one of Group III-V-Vs or Group V-VIs compound semiconductors.

상기 활성층(133b)이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(133b)은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. In the case where the active layer 133b is implemented as a multi-well structure, the active layer 133b may include a plurality of alternately arranged well layers and a plurality of barrier layers, and may include In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1).

예컨대, 상기 활성층(133b)은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the active layer 133b may include at least one of InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaAs, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, And at least one selected from the group.

본 발명에 따른 반도체소자(130)는 제1전극(137) 및 제2전극(138)을 포함할 수 있다.        The semiconductor device 130 according to the present invention may include a first electrode 137 and a second electrode 138.

상기 제1전극(137) 및 제2전극(138)은 상기 반도체구조물(133)의 일면에 배치될 수 있다.The first electrode 137 and the second electrode 138 may be disposed on one side of the semiconductor structure 133.

상기 일면은 반도체구조물(133)이 외부에서 전류를 주입 받기위해 반도체구조물(133)이 부착되거나 배치되는 면일 수 있다.The one surface may be a surface to which the semiconductor structure 133 is attached or disposed so that the semiconductor structure 133 receives current from the outside.

상기 제1전극(137) 및 제2전극(138)은 서로 이격된 거리에 배치될 수 있다.The first electrode 137 and the second electrode 138 may be spaced apart from each other.

상기 제1전극(137) 및 제2전극(138)을 통해 반도체소자(130)로 전류가 흐를 수 있다.A current can flow through the semiconductor device 130 through the first electrode 137 and the second electrode 138. [

상기 제1 전극(137)은 제1 패드전극(131)과 제1 가지전극(135)을 포함할 수 있다. The first electrode 137 may include a first pad electrode 131 and a first branched electrode 135.

상기 제1 전극(137)은 상기 제2도전형반도체층(133c)에 전기적으로 연결될 수 있다. The first electrode 137 may be electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 133c.

상기 제2 전극(138)은 제2 패드전극(132)과 제2 가지전극(136)을 포함할 수 있다. The second electrode 138 may include a second pad electrode 132 and a second branched electrode 136.

상기 제2 전극(138)은 상기 제1도전형반도체층(133a)에 전기적으로 연결될 수 있다. The second electrode 138 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 133a.

상기 제1 가지전극(135)과 상기 제2 가지전극(136)에 의하여 상기 제1 패드전극(131)과 상기 제2 패드전극(132)을 통하여 공급되는 전원이 상기 반도체구조물(123) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.The power supplied through the first pad electrode 131 and the second pad electrode 132 by the first branched electrode 135 and the second branched electrode 136 is applied to the entire semiconductor structure 123 It can be spread and provided.

상기 제1 전극(137)과 상기 제2 전극(138)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(137)과 상기 제2 전극(138)은 오믹 전극일 수 있다. The first electrode 137 and the second electrode 138 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. For example, the first electrode 137 and the second electrode 138 may be ohmic electrodes.

또한, 상기 제1 전극(137)과 상기 제2 전극(138)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first electrode 137 and the second electrode 138 may be formed of one selected from the group consisting of ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, , At least one of Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf or an alloy of two or more of them.

한편, 상기 반도체구조물(133)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 반도체구조물(133)의 상면에 제공될 수 있다. The semiconductor structure 133 may further include a protection layer. The protective layer may be provided on the upper surface of the semiconductor structure 133.

또한, 상기 보호층은 상기 반도체구조물(133)의 측면에 제공될 수도 있다. Further, the protective layer may be provided on the side surface of the semiconductor structure 133. [

상기 보호층은 상기 제1 패드전극(131)과 상기 제2 패드전극(132)이 노출되도록 제공될 수 있다. The protective layer may be provided to expose the first pad electrode 131 and the second pad electrode 132.

또한, 상기 보호층은 상기 지지부(134)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.In addition, the protective layer may be selectively provided on the periphery and the bottom surface of the support portion 134.

예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.By way of example, the protective layer may be provided as an insulating material. For example, the protective layer can be made of Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y And at least one material selected from the group consisting of:

본 발명에 따른 반도체소자(130)는, 상기 활성층(133b)에서 생성된 빛이 반도체소자(130)의 6면 방향으로 발광될 수 있다. In the semiconductor device 130 according to the present invention, the light generated in the active layer 133b may be emitted in six directions of the semiconductor device 130.

상기 활성층(133b)에서 생성된 빛이 반도체소자(130)의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.The light generated in the active layer 133b may be emitted in six directions through four sides of the upper surface and the lower surface of the semiconductor element 130.

다시 도 3를 참조하면, 투광부재(140)는 상기 반도체소자(130)를 둘러싸며 배치될 수 있다.Referring again to FIG. 3, the translucent member 140 may be disposed surrounding the semiconductor device 130.

상기 투광부재(140)는 반도체소자(130)의 상면 및 측면 4면에 배치될 수 있다.The translucent member 140 may be disposed on the top and side surfaces of the semiconductor device 130.

투광부재(140)의 측면은 반도체소자(130)의 측면과 평행하게 배치될 수 있다.The side surface of the translucent member 140 may be disposed parallel to the side surface of the semiconductor element 130. [

상기 투광부재(140)의 측면이 반도체소자(130)의 측면과 평행하게 배치됨에 따라, 반도체소자(130) 측면에서 방출되는 광이 투광부재(140)를 통해 투과하여, 효율적으로 측면 광이 반사될 수 있다.The side surface of the translucent member 140 is disposed in parallel to the side surface of the semiconductor element 130 so that the light emitted from the side surface of the semiconductor element 130 is transmitted through the translucent member 140, .

투광부재(140)는 반도체소자(130)의 굴절률과 다른 굴절률을 포함할 수 있다.The translucent member 140 may include a refractive index different from the refractive index of the semiconductor element 130.

상기 투광부재(140)의 굴절률은 상기 반도체소자(130)의 굴절률 이하의 굴절률을 가짐으로써, 상기 반도체소자패키지(160)에서 외부로 방출되는 광의 추출효율을 향상시킬 수 있다.Since the refractive index of the translucent member 140 has a refractive index equal to or lower than the refractive index of the semiconductor device 130, extraction efficiency of light emitted to the outside from the semiconductor device package 160 can be improved.

상기 투광부재(140)는 파장변환물질을 포함한 수지로 구성될 수 있다.The translucent member 140 may be formed of a resin including a wavelength conversion material.

투광부재(140)는 반도체소자에서 투광부재(140)로 입사된 광이 외부로 방출되는 경우에 외부로 방출되는 광의 파장을 변환할 수 있다.The translucent member 140 can convert the wavelength of light emitted to the outside when the light incident on the translucent member 140 is emitted to the outside from the semiconductor device.

상기 수지는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The resin may include at least one of epoxy resin, silicone resin, polyimide resin, urea resin, and acrylic resin, but is not limited thereto.

상기 파장변환물질은 형광체일 수 있다.The wavelength converting material may be a phosphor.

상기 파장변환물질은 황화물계, 산화물계 또는 질화물계 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다. The wavelength converting material may include, but not limited to, at least one of a sulfide-based, an oxide-based, or a nitride-based compound.

상기 형광체는 사용자가 원하는 색을 구현하기 위해 다양하게 선택될 수 있다.The phosphor may be variously selected to realize a color desired by the user.

예를 들어, 반도체소자(130)가 자외선 파장대의 광을 방출하는 경우 형광체는 녹색 형광체, 청색 형광체 및 적색 형광체가 선정될 수 있다. For example, when the semiconductor element 130 emits light in the ultraviolet wavelength range, the green phosphor, the blue phosphor, and the red phosphor may be selected as the phosphor.

반도체소자(130)가 청색 파장 대의 광을 방출하는 경우 형광체는 황색 형광체 또는 적색형광체 및 녹색형광체의 조합 또는 황색형광체, 적색형광체 및 녹색형광체의 조합이 선정될 수 있다.When the semiconductor element 130 emits light of a blue wavelength band, a combination of a yellow phosphor, a red phosphor and a green phosphor or a combination of a yellow phosphor, a red phosphor and a green phosphor may be selected.

도시하지 않았으나, 투광부재(140) 상면에 파장변환층이 배치될 수 있다.Although not shown, the wavelength conversion layer may be disposed on the upper surface of the translucent member 140.

파장변환층은 반사부재(150) 측면과 접하며 배치될 수 있다.The wavelength conversion layer may be disposed in contact with the side surface of the reflective member 150.

투광부재(140) 상면에 파장변환층이 배치되는 경우, 상기 투광부재(140)는 파장변환물질을 포함하지 않는다. When the wavelength conversion layer is disposed on the upper surface of the translucent member 140, the translucent member 140 does not include a wavelength conversion material.

파장변환층은 반도체소자(130)에서 파장변환층으로 입사된 광이 외부로 방출될 때, 외부로 방출되는 광의 파장을 변환할 수 있다. 파장변환물질이 집적된 파장변환층을 배치함으로써, 반도체소자패키지(160)의 광변환율을 개선할 수 있다.The wavelength conversion layer can convert the wavelength of the light emitted to the outside when the light incident on the wavelength conversion layer is emitted to the outside in the semiconductor device 130. By arranging the wavelength conversion layer in which the wavelength conversion material is integrated, the light conversion efficiency of the semiconductor device package 160 can be improved.

상기 파장변환층은 파장변환물질을 포함한 고분자 수지로 구성될 수 있다.The wavelength conversion layer may be formed of a polymer resin including a wavelength conversion material.

상기 고분자 수지는 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The polymer resin may include at least one of a transparent epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, a urea resin, and an acrylic resin, but is not limited thereto.

상기 파장변환물질은 형광체일 수 있다.The wavelength converting material may be a phosphor.

상기 파장변환물질은 황화물계, 산화물계 또는 질화물계 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다. The wavelength converting material may include, but not limited to, at least one of a sulfide-based, an oxide-based, or a nitride-based compound.

상기 형광체는 사용자가 원하는 색을 구현하기 위해 다양하게 선택될 수 있다.The phosphor may be variously selected to realize a color desired by the user.

예를 들어, 반도체소자(130)가 자외선 파장대의 광을 방출하는 경우 형광체는 녹색 형광체, 청색 형광체 및 적색 형광체가 선정될 수 있다. For example, when the semiconductor element 130 emits light in the ultraviolet wavelength range, the green phosphor, the blue phosphor, and the red phosphor may be selected as the phosphor.

반도체소자(130)가 청색 파장 대의 광을 방출하는 경우 형광체는 황색 형광체 또는 적색형광체 및 녹색형광체의 조합 또는 황색형광체, 적색형광체 및 녹색형광체의 조합이 선정될 수 있다.When the semiconductor element 130 emits light of a blue wavelength band, a combination of a yellow phosphor, a red phosphor and a green phosphor or a combination of a yellow phosphor, a red phosphor and a green phosphor may be selected.

반사부재(150)는 투광부재(140) 측면에 배치될 수 있다.The reflective member 150 may be disposed on the side of the translucent member 140.

반사부재(150)는 반도체소자(130)의 측면 광을 반사하며, 반사된 광은 다시 반도체소자(130)로 유입되거나, 반도체소자패키지(160)의 일면으로 출사될 수 있다.The reflective member 150 reflects the side light of the semiconductor element 130 and the reflected light may enter the semiconductor element 130 again or may be emitted to one side of the semiconductor element package 160.

반사부재(150)의 일면은 반도체소자(130)가 포함하는 제1전극(137) 및 제2전극(138)의 일면과 동일 평면상에 배치될 수 있다.One surface of the reflective member 150 may be disposed on the same plane as one surface of the first electrode 137 and the second electrode 138 included in the semiconductor device 130.

상기 반사부재(150)는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The reflective member 150 may include at least one of an epoxy resin, a polyimide resin, a urea resin, and an acrylic resin, but is not limited thereto.

상기 반사부재(150)는 반사물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어 상기 반사물질은 TiO2 또는 SiO2일 수 있다.The reflective member 150 may comprise a reflective material, for example the reflective material may be TiO2 or SiO2.

상기 반사부재(150)는 상기 반사부재(150)의 일면에 대하여 곡률을 가질 수 있다.The reflective member 150 may have a curvature with respect to one surface of the reflective member 150.

상기 곡률을 통해, 반도체소자(130)의 측면에서 방출된 광이 반사되어 광 추출효율이 증가할 수 있다.Through the curvature, the light emitted from the side surface of the semiconductor element 130 may be reflected to increase the light extraction efficiency.

상기 반사부재(150)는 투광부재(140)의 측면에 수평방향으로 서로 마주보도록 배치되며 적어도 투광부재(140)의 두 측면 이상에 배치될 수 있다.The reflective member 150 may be disposed on the side surface of the translucent member 140 so as to face each other in the horizontal direction and may be disposed on at least two sides of the translucent member 140.

상기 반사부재(150)는 원하는 지향각을 얻기 위해 투광부재(140)의 마주보는 측면 2면에 배치되거나, 측면 4면에 모두 배치될 수 있다.The reflective member 150 may be disposed on two opposite side surfaces of the translucent member 140 to obtain a desired directivity angle, or may be disposed on all four side surfaces.

도 5를 참조하여, 렌즈(180) 및 반도체소자패키지(160)에 대해 설명한다.Referring to Fig. 5, the lens 180 and the semiconductor device package 160 will be described.

도 5는 렌즈(180) 및 반도체소자패키지(160)의 관계를 설명하기 위해, 도 1의 일부분을 도시한 것이다.5 illustrates a portion of FIG. 1 to illustrate the relationship between the lens 180 and the semiconductor device package 160. FIG.

반도체소자패키지(160)는 복수개로 구성되며, 기판(100) 상에 배치될 수 있다.The semiconductor device package 160 is composed of a plurality of semiconductor devices and may be disposed on the substrate 100.

복수개의 반도체소자패키지(160)는 일정한 이격 거리(L)를 갖고, 기판(100)에 배치될 수 있다.The plurality of semiconductor device packages 160 may be disposed on the substrate 100 with a predetermined distance L.

상기 이격 거리(L)는 1mm 이상 내지 200mm 이하일 수 있다.The spacing distance L may be equal to or greater than 1 mm and equal to or less than 200 mm.

상기 이격 거리(L)가 1mm 이상인 경우, 렌즈(180)가 배치되는 공간을 확보하여, 반도체소자패키지의 광속특성을 확보할 수 있다.When the separation distance L is 1 mm or more, a space in which the lens 180 is disposed can be ensured, and the luminous flux characteristic of the semiconductor device package can be ensured.

상기 이격 거리(L)가 200mm 이하인 경우, 반도체소자패키지 어레이의 광 균일도를 개선시켜, 광속특성을 확보할 수 있다.When the spacing distance L is 200 mm or less, the light uniformity of the semiconductor device package array can be improved and the luminous flux characteristics can be ensured.

렌즈(180)는 반도체소자패키지(160)를 감싸며 기판(100) 상에 배치될 수 있다.The lens 180 may be disposed on the substrate 100 to surround the semiconductor device package 160.

렌즈(180) 중심과 반도체소자패키지(160)의 중심은 수직으로 중첩되며 배치될 수 있다.The center of the lens 180 and the center of the semiconductor device package 160 may be vertically overlapped with each other.

렌즈(180)는 하나 또는 복수 개로 구성될 수 있으며, 반도체소자패키지(160) 상에 배치될 수 있다.The lens 180 may be composed of one or a plurality of lenses and may be disposed on the semiconductor device package 160.

렌즈(180)는 하면이 원형 형상을 포함하는 것을 예시로 들어 설명하나 이에 한정하지는 않는다.The lens 180 includes a circular bottom surface, but is not limited thereto.

렌즈(180)의 수직방향 단면은 반원 형상을 포함할 수 있다.The vertical cross section of the lens 180 may include a semicircular shape.

상기 반원 형상은 반도체소자(130)의 중심을 지난 직선으로 정의되는 일축을 기준으로, 일축 방향으로 볼록한 반원 형상을 포함할 수 있다.The semicircular shape may include a semi-circular shape convex in the uniaxial direction on the basis of one axis defined by a straight line passing through the center of the semiconductor element 130.

상기 일축은 반도체소자패키지(160) 또는 렌즈(180)의 중심과 일치할 수 있다.The one axis may coincide with the center of the semiconductor device package 160 or the lens 180.

또한, 상기 렌즈(180)는 수평방향으로 서로 마주보는 두 개 이상의 반사부재(150) 중심에서, 상기 수평방향에 대하여 수직인 방향으로 오목한 상면을 포함할 수 있다.The lens 180 may include an upper surface concave in a direction perpendicular to the horizontal direction at the center of two or more reflective members 150 facing each other in the horizontal direction.

복수개의 렌즈(180)는 이격거리(d)를 갖고 배치될 수 있다.The plurality of lenses 180 may be disposed with a distance d.

렌즈(180) 중심과 인접하는 다른 렌즈(180) 중심 사이의 수평방향 거리(d)를 제1거리(d)라고 했을 때,When the horizontal distance d between the center of the lens 180 and the center of the other lens 180 adjacent thereto is referred to as a first distance d,

상기 제1거리(d)는 렌즈(180)의 최대 수평방향 폭(I) 이상 내지 200mm 이하일 수 있다.The first distance d may be not less than the maximum horizontal width I of the lens 180 and not more than 200 mm.

상기 제1거리(d)가 렌즈(180)의 최대 수평방향 폭(I) 이상인 경우, 렌즈(180)가 배치되는 공간을 확보하여, 반도체소자패키지 어레이의 광 특성을 확보할 수 있다.When the first distance d is equal to or greater than the maximum horizontal width I of the lens 180, a space in which the lens 180 is disposed can be ensured and optical characteristics of the semiconductor device package array can be ensured.

상기 제1거리(d)가 200mm 이하인 경우, 반도체소자패키지 어레이의 색 균일도를 개선시켜, 광속특성을 확보할 수 있다.When the first distance d is 200 mm or less, the color uniformity of the semiconductor device package array can be improved and the luminous flux characteristic can be ensured.

상기 제1거리(d)는 상기 반도체소자패키지의 이격 거리(L)와 동일할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The first distance d may be equal to the separation distance L of the semiconductor device package, but is not limited thereto.

상기 렌즈(180)의 외측면 및 인접하는 다른 렌즈(180)의 외측면사이의 수평방향 거리(W)는 1mm 이상 내지 반도체소자패키지(160)의 최대 이격거리와 렌즈(180)의 최대 수평방향 폭의 차(L-I) 이하일 수 있다.The horizontal distance W between the outer surface of the lens 180 and the outer surface of the adjacent other lens 180 is greater than or equal to 1 mm to the maximum distance of the semiconductor device package 160, Width difference (LI).

상기 렌즈(180)의 외측면 및 인접하는 다른 렌즈(180)의 외측면사이의 수평방향 거리(W)가 1mm 이상인 경우, 반도체소자패키지(160)의 지향각을 조절하여, 반도체소자패키지 어레이의 광 효율특성을 확보할 수 있다.When the horizontal distance W between the outer surface of the lens 180 and the outer surface of the adjacent lens 180 is 1 mm or more, the directivity angle of the semiconductor device package 160 is adjusted, The optical efficiency characteristics can be secured.

상기 렌즈(180)의 외측면 및 인접하는 다른 렌즈(180)의 외측면사이의 수평방향 거리(W)가 반도체소자패키지(160)의 최대 이격거리와 렌즈(180)의 최대 수평방향 폭의 차 (L-I)이하인 경우, 반도체소자패키지 어레이의 제조수율을 확보할 수 있다.The horizontal distance W between the outer surface of the lens 180 and the outer surface of the adjacent other lens 180 is smaller than the difference between the maximum separation distance of the semiconductor device package 160 and the maximum horizontal width of the lens 180 (LI) or less, the production yield of the semiconductor device package array can be secured.

상기 렌즈(180)의 중심에서 외측면까지의 수평방향 폭(r)은 10mm 이상 내지 20mm이하일 수 있다.The horizontal width r from the center of the lens 180 to the outer side surface may be 10 mm or more to 20 mm or less.

렌즈(180)의 중심에서 외측면까지의 수평방향 폭(r)이 10mm 이상인 경우, 반도체소자패키지(160)의 지향각을 조절할 수 있어, 반도체소자패키지 어레이의 광학특성을 확보할 수 있다.When the horizontal width r from the center to the outer side of the lens 180 is 10 mm or more, the directivity angle of the semiconductor device package 160 can be adjusted and the optical characteristics of the semiconductor device package array can be ensured.

렌즈(180)의 중심에서 외측면까지의 수평방향 폭(r)이 20mm 이하인 경우, 반도체소자패키지 어레이의 제조수율을 확보할 수 있다.When the horizontal direction width r from the center of the lens 180 to the outer side surface is 20 mm or less, the yield of manufacturing the semiconductor device package array can be secured.

렌즈(180)의 하면에서부터 최고점까지의 두께(h)는 6mm 이상 내지 12mm 이하일 수 있다.The thickness h from the lower surface to the highest point of the lens 180 may be 6 mm or more and 12 mm or less.

상기 렌즈(180)의 하면에서부터 최고점까지의 두께(h)가 6mm 이상인 경우, 반도체소자패키지(160)로부터 입사된 광이 충분히 반사되기 때문에, 반도체소자패키지 어레이의 광학특성을 확보할 수 있다.When the thickness h from the lower surface to the highest point of the lens 180 is 6 mm or more, the light incident from the semiconductor device package 160 is sufficiently reflected, so that the optical characteristics of the semiconductor device package array can be secured.

상기 렌즈(180)의 하면에서부터 최고점까지의 두께(h)가 12mm 이하인 경우, 반도체소자패키지 어레이의 두께가 일정두께 이하로 구성되기 때문에, 반도체소자패키지 어레이의 공정수율을 확보할 수 있다.When the thickness h from the lower surface to the highest point of the lens 180 is 12 mm or less, the thickness of the semiconductor element package array is made to be equal to or less than a certain thickness, so that the process yield of the semiconductor element package array can be secured.

목표로 하는 지향각을 구현하기 위하여, 반도체소자패키지어레이가 포함하는 반도체소자패키지(160)의 구조, 렌즈(180)의 형상, 두께 및 렌즈(180) 사이의 간격이 정해질 수 있다.The structure of the semiconductor device package 160 included in the semiconductor device package array, the shape of the lens 180, the thickness, and the distance between the lenses 180 can be determined in order to realize the target orientation angle.

예를 들어, 구현하고자 하는 지향각이 130도 이상 내지 135도 일 때, 렌즈(180)의 형상은 원형으로 정해질 수 있다. For example, when the directivity angle to be implemented is 130 degrees to 135 degrees, the shape of the lens 180 can be determined to be circular.

렌즈(180)의 중심에서 외측면까지의 최대 수평방향 폭(r)은 10mm 이상 내지 20mm 이하일 수 있다.The maximum horizontal width r from the center of the lens 180 to the outer side surface may be 10 mm or more to 20 mm or less.

또한, 반도체소자패키지(160)에서 입사되는 광이 렌즈(180)에서 충분히 확산되기 위해, 렌즈(180)의 하면에서 최고점까지의 거리(h)는 6mm 이상 내지 12mm 이하일 수 있다.The distance h from the lower surface to the highest point of the lens 180 may be 6 mm or more to 12 mm or less so that the light incident from the semiconductor device package 160 is sufficiently diffused by the lens 180.

또한, 상기 지향각 및 광 균일도를 확보하기 위해 반도체소자패키지(160)는 투광부재(140)의 마주보는 측면 2면에 반사부재(150)가 배치되는 구조일 수 있다.In order to secure the directivity angle and the light uniformity, the semiconductor device package 160 may have a structure in which the reflective member 150 is disposed on two opposite side surfaces of the translucent member 140.

도 6 내지 도8을 참조하여, 렌즈(180)의 다른 예를 설명한다.6 to 8, another example of the lens 180 will be described.

도 6은 렌즈(180)의 다른 예에 따른 사시도이고, 도 7은 도 6을 A-A'방향으로 절단한 단면을 도시한 것이다.FIG. 6 is a perspective view of another example of the lens 180, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG.

렌즈(180)는 반도체소자패키지(160) 상에 배치되어, 광원으로부터 입사되는 광의 경로를 변경시킬 수 있다.The lens 180 may be disposed on the semiconductor device package 160 to change the path of light incident from the light source.

렌즈(180)는 반도체소자패키지(160)에서 방출되는 광의 지향각을 제1방향으로 넓히며, 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 지향각을 좁힐 수 있다. The lens 180 can narrow the directivity angle of the light emitted from the semiconductor device package 160 in the first direction and in the second direction orthogonal to the first direction.

또한, 렌즈(180)는 비등방성 렌즈일 수 있다.Further, the lens 180 may be an anisotropic lens.

상기 렌즈(180)는 상기 반도체소자패키지(160)로부터 방출되는 빛의 전반사(total reflection)을 유도하여, 광을 측방으로 보내도록 광 출사면이 포물선 형태를 포함하는 비구면 형태일 수 있다.The lens 180 may be an aspherical shape in which the light emitting surface includes a parabolic shape so as to guide total reflection of light emitted from the semiconductor device package 160 and to transmit light laterally.

상기 비등방성 렌즈는 반도체소자패키지(160)로부터 방출되는 빛이 수직축을 기준으로 수평방향으로 방사상 퍼지는 등방성 배광 분포가 아니라, 어느 일 축 방향으로 집중되어 멀리까지 퍼지도록 하는 비등방성 배광 분포를 이루도록 하는 렌즈일 수 있다.The anisotropic lens is not an isotropic light distribution distribution in which the light emitted from the semiconductor device package 160 radially spreads in the horizontal direction with respect to the vertical axis but forms an anisotropic light distribution distribution such that it is concentrated in one axis direction and spreads far Lt; / RTI >

상기 반도체소자패키지(160)에 비등방성 배광구조를 가지는 렌즈(180)를 적용하여, 광원으로부터 방출되는 빛을 최대한 평행하게 전반사시켜, 멀리까지 빛을 퍼지게 할 수 있다.By applying the lens 180 having an anisotropic light distribution structure to the semiconductor device package 160, the light emitted from the light source can be totally reflected in parallel as much as possible, and the light can be spread far away.

이를 통해, 광원의 개수(반도체소자의 개수)가 줄더라도, 반도체소자패키지 어레이의 광 효율과 조도 균일도가 동일하게 유지될 수 있다.Thus, even if the number of light sources (the number of semiconductor elements) is reduced, the light efficiency and luminance uniformity of the semiconductor device package array can be kept the same.

도 6 내지 도 7를 참조하면, 렌즈(180)의 단면은 다각형 형상을 포함할 수 있다.6 to 7, the cross section of the lens 180 may include a polygonal shape.

복수개의 렌즈(180)가 복수개의 반도체소자패키지(160)를 각각 둘러싸며 기판(100)에 배치될 수 있다.A plurality of lenses 180 may surround the plurality of semiconductor device packages 160 and be disposed on the substrate 100.

렌즈(180)의 상면은 렌즈(180) 상면 중심에서 내부방향으로 오목한 형상을 포함할 수 있다.The upper surface of the lens 180 may include a concave shape inwardly from the center of the upper surface of the lens 180.

상기 오목한 형상은 렌즈(180) 내부로 갈수록 점차 좁아질 수 있다.The concave shape may gradually become narrower toward the inside of the lens 180.

즉, 상기 오목한 형상은 렌즈(180)의 하부방향으로 점차 좁아질 수 있다.That is, the concave shape can be gradually narrowed downward of the lens 180.

렌즈(180)의 상면은 일축을 중심으로 상면에서 내부방향으로 오목한 형상을 포함한다.The upper surface of the lens 180 includes a concave shape in the inward direction from the upper surface with one axis being the center.

렌즈(180)의 상면은 렌즈(180)의 상부방향으로 돌출된 볼록한 형상을 포함할 수 있다. The upper surface of the lens 180 may include a convex shape protruding upward in the lens 180.

상기 렌즈(180)의 상면은 수평방향으로 서로 마주보는 두 개 이상의 반사부재(150) 중심에서 상기 수평방향에 대하여 수직방향으로 오목할 수 있다.The upper surface of the lens 180 may be concave in a direction perpendicular to the horizontal direction at the center of the two or more reflective members 150 facing each other in the horizontal direction.

상기 렌즈(180)의 상면이 포함하는 오목한 형상의 높이는 렌즈(180)의 하면이 포함하는 오목한 형상의 높이보다 더 높을 수 있다.The height of the concave shape included in the upper surface of the lens 180 may be higher than the height of the concave shape included in the lower surface of the lens 180.

렌즈(180)의 하면은 렌즈(180)의 하면의 중심에서 내부방향으로 오목한 형상을 포함할 수 있다.The lower surface of the lens 180 may include a concave shape inward from the center of the lower surface of the lens 180.

상기 오목한 형상은 렌즈(180) 내부로 갈수록 점차 좁아질 수 있다.The concave shape may gradually become narrower toward the inside of the lens 180.

즉, 상기 오목한 형상은 렌즈(180)의 상부방향으로 점차 좁아질 수 있다.That is, the concave shape can be gradually narrowed toward the upper side of the lens 180.

상기 렌즈(180)의 하면으로, 반도체소자패키지(160)로부터 출사된 광이 입사될 수 있다.Light emitted from the semiconductor device package 160 may be incident on the lower surface of the lens 180.

상기 오목한 형상은 반도체소자(130)의 중심을 지난 직선으로 정의되는 일축을 기준으로 일축 방향으로 오목한 형상을 포함할 수 있다.The concave shape may include a concave shape to the uniaxial direction based on the uniaxial that define the center of the semiconductor element 130 to the last line.

상기 일축은 반도체소자패키지(160) 또는 렌즈(180)의 중심과 일치할 수 있다.The one axis may coincide with the center of the semiconductor device package 160 or the lens 180.

상기 렌즈(180)의 상면이 포함하는 오목한 형상의 높이는 렌즈(180)의 하면이 포함하는 오목한 형상의 높이보다 더 높을 수 있다.The height of the concave shape included in the upper surface of the lens 180 may be higher than the height of the concave shape included in the lower surface of the lens 180.

렌즈(180)의 외측면은 광을 굴절시킬 수 있다.The outer surface of the lens 180 may refract light.

렌즈(180)의 외측면은 렌즈(180)의 하부면을 기준으로 수직방향으로 배치된다.The outer surface of the lens 180 is arranged in the vertical direction with respect to the lower surface of the lens 180.

상기 렌즈(180)의 외측면은 일축과 평행하여, 평평한 면 타입으로 이루어질 수 있다.The outer surface of the lens 180 may be parallel to the uniaxial axis and may be a flat surface type.

예를 들어, 렌즈(180)의 외측면은 렌즈(180)의 외측방향으로 돌출된 볼록 타입으로 이루어질 수 있다.For example, the outer surface of the lens 180 may be of a convex type protruding outwardly of the lens 180.

또한, 렌즈(180)의 외측면은 복수의 경사면을 포함할 수 있다.In addition, the outer surface of the lens 180 may include a plurality of inclined surfaces.

상기 렌즈(180)의 상면 및 하면에 형성되는 오목한 형상은 각각 서로 다른 곡률을 포함할 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.The concave shapes formed on the upper and lower surfaces of the lens 180 may include different curvatures, but are not limited thereto.

렌즈(180)는 다양한 곡률을 갖는 구조를 구성될 수 있으며, 구현하고자 하는 지향각의 각도에 따라 그 구조 및 곡률이 상이할 수 있다.The lens 180 may have a structure having various curvatures and may have different structures and curvatures depending on the angle of the orientation angle to be implemented.

도시하지 않았으나, 렌즈(180)의 하부에는 지지대를 포함할 수 있다.Although not shown, the lens 180 may include a support in the lower portion thereof.

지지대는 렌즈(180)를 반도체소자패키지(160) 상에 고정할 때, 지지하는 기능을 수행할 수 있다.The support may function to support the lens 180 when the lens 180 is fixed on the semiconductor device package 160.

도 8은 렌즈(180)의 또 다른 예를 도시한 것이다.Fig. 8 shows another example of the lens 180. Fig.

도 8을 참조하면, 렌즈(180)는 단일의 막대(bar) 형상으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 8, the lens 180 may be configured in a single bar shape.

상기 렌즈(180)는 일체형일 수 있으며, 동시에 복수개의 반도체소자패키지(160)를 감싸며 배치될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The lens 180 may be integrally formed, and may be disposed to surround a plurality of semiconductor device packages 160 at the same time, but the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 상기 단일 막대(bar)형상으로 구성되는 렌즈(180)의 중심에 하나의 반도체소자패키지(160) 상에 배치될 수 있다.For example, it may be disposed on one semiconductor device package 160 at the center of the lens 180 configured in the shape of a single bar.

렌즈(180)는 제1방향으로 제1폭을 포함하고, 제1방향과 수직하는 제2방향으로 제2폭을 포함할 수 있다.The lens 180 may include a first width in a first direction and a second width in a second direction perpendicular to the first direction.

상기 제1폭과 제2폭은 서로 다른 폭을 가질 수 있다.The first width and the second width may have different widths.

상기 제1폭은 제2폭에 대비하여 더 작을 수 있다.The first width may be smaller than the second width.

상기 렌즈(180)의 제2폭은 일측 가장자리 측에 배치되는 반도체소자패키지(160)부터 타측 가장자리 측에 배치되는 반도체소자(130)를 전부 수용하는 길이로 연장될 수 있다.The second width of the lens 180 may be extended to a length that accommodates all of the semiconductor devices 130 disposed on the other edge side from the semiconductor device package 160 disposed on one edge side.

상기 렌즈(180)의 중심부를 지나는 직선과 직교하는 방향의 수직면에 의해 절개되는 렌즈(180)의 종단면 형상은 도 7과 동일하다.The vertical cross-sectional shape of the lens 180 cut by the vertical plane perpendicular to the straight line passing through the center portion of the lens 180 is the same as that of FIG.

렌즈(180)의 상면은 중심점을 기준으로 원주방향으로 동일한 곡률의 비구면을 형성하는 렌즈(180)와 다른 형상을 포함할 수 있다.The upper surface of the lens 180 may include a different shape from the lens 180 that forms an aspherical surface having the same curvature in the circumferential direction with respect to the center point.

렌즈(180)의 상면으로부터 함몰되는 중심부는 연속된 직선 형태로 연장되고, 상기 중심부의 어느 지점에서 상기 중심부의 연장방향에 직교하는 수직면에 의하여 절개되는 종단면 형상이 상기 중심부의 모든 지점에서 동일한 구조를 갖는다.The central portion recessed from the upper surface of the lens 180 extends in a continuous straight line shape and a longitudinal sectional shape cut by a vertical plane orthogonal to the extending direction of the central portion at any point of the center portion has the same structure at all points of the center portion .

도 9를 참조하여, 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이의 제조방법에 대해 설명한다.A method of manufacturing a semiconductor device package array according to the present invention will be described with reference to FIG.

도 9는 본 발명의 목적을 달성함에 있어, 바람직한 예일 뿐이며, 필요에 따라 일부 단계가 추가되거나 삭제될 수 있음은 물론이다.FIG. 9 is only a preferred example in achieving the object of the present invention, and it goes without saying that some steps may be added or deleted as needed.

본 발명의 반도체소자패키지 어레이의 제조방법을 설명하는 데 있어서, 도 1 내지 도 8를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 구성에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.In the description of the method of manufacturing the semiconductor device package array of the present invention, the detailed description will be omitted for the elements overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 8. FIG.

도 9(a)를 참조하면, 복수개의 반도체소자(130)는 공정기판(10)에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 9A, a plurality of semiconductor elements 130 may be disposed on the process substrate 10.

상기 공정기판(10)은 반도체소자패키지(160)를 제공하기 위한 기판일 수 있다.The process substrate 10 may be a substrate for providing the semiconductor device package 160.

상기 복수개의 반도체소자(130)는 일정한 간격을 가지며 배치될 수 있다.The plurality of semiconductor devices 130 may be disposed at regular intervals.

상기 복수개의 반도체소자(130)는 투광부재(140) 및 반사부재(150)가 반도체소자(130) 상에 배치되는 간격 및 절단공정이 진행되는 공정의 간격이 모두 고려된 간격을 가지며 배치될 수 있다.The plurality of semiconductor elements 130 may be disposed with an interval in which the spacing of the translucent member 140 and the reflective member 150 on the semiconductor element 130 and the interval of the process in which the cutting process is performed are all considered have.

도 9(b)를 참조하면, 투광부재(140)는 배열된 반도체소자(130) 상에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 9 (b), the translucent member 140 may be disposed on the arrayed semiconductor element 130.

상기 투광부재(140)는 반도체소자(130)의 상면 및 측면을 둘러싸며 배치될 수 있다.The translucent member 140 may surround the upper surface and the side surface of the semiconductor device 130.

상기 투광부재(140)는 파장변환물질을 포함하는 수지로 구성될 수 있다.The translucent member 140 may be formed of a resin including a wavelength conversion material.

상기 수지는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The resin may include at least one of epoxy resin, silicone resin, polyimide resin, urea resin, and acrylic resin, but is not limited thereto.

상기 파장변환물질은 형광체일 수 있다.The wavelength converting material may be a phosphor.

상기 파장변환물질은 황화물계, 산화물계 또는 질화물계 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다. The wavelength converting material may include, but not limited to, at least one of a sulfide-based, an oxide-based, or a nitride-based compound.

상기 형광체는 사용자가 원하는 색을 구현하기 위해 다양하게 선택될 수 있다The phosphor may be variously selected to realize a color desired by the user

예를 들어, 반도체소자(130)가 자외선 파장대의 광을 방출하는 경우 형광체는 녹색 형광체, 청색 형광체 및 적색 형광체가 선정될 수 있다. For example, when the semiconductor element 130 emits light in the ultraviolet wavelength range, the green phosphor, the blue phosphor, and the red phosphor may be selected as the phosphor.

반도체소자(130)가 청색 파장 대의 광을 방출하는 경우 형광체는 황색 형광체 또는 적색형광체 및 녹색형광체의 조합 또는 황색형광체, 적색형광체 및 녹색형광체의 조합이 선정될 수 있다.When the semiconductor element 130 emits light of a blue wavelength band, a combination of a yellow phosphor, a red phosphor and a green phosphor or a combination of a yellow phosphor, a red phosphor and a green phosphor may be selected.

상기 투광부재(140)는 디스펜서(dispenser)로 주입될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The translucent member 140 may be injected into a dispenser, but the present invention is not limited thereto.

도 9(c)를 참조하면, 투광부재(140)가 배치된 반도체소자(130)에 제1절단공정이 진행될 수 있다.Referring to FIG. 9 (c), the first cutting process may be performed on the semiconductor element 130 on which the translucent member 140 is disposed.

투광부재(140)가 배치된 반도체소자(130) 배열이 제1간격(a)으로 절단되는 제1절단공정이 진행될 수 있다.The first cutting process in which the arrangement of the semiconductor elements 130 in which the translucent member 140 is disposed is cut at the first interval a can be performed.

상기 제2절단공정은 제1방향 및 제2방향으로 진행될 수 있다.The second cutting process may proceed in a first direction and a second direction.

상기 제2방향은 제1방향과 직교하는 방향이다.The second direction is a direction orthogonal to the first direction.

상기 제1방향은 반사부재(150)가 배치되는 방향이고, 제2방향은 반사부재(150)가 배치되는 방향과 수직인 방향일 수 있다.The first direction may be a direction in which the reflective member 150 is disposed, and the second direction may be perpendicular to the direction in which the reflective member 150 is disposed.

상기 제1간격(a)은 제1방향으로 이격된 거리를 가지며, 반도체소자(130)들의 측면과 측면사이에 배치될 수 있다.The first spacing a has a distance in the first direction and may be disposed between a side surface and a side surface of the semiconductor devices 130.

제1간격(a)은 제2방향으로 연장되어 배치될 수 있다.The first spacing (a) may be arranged extending in the second direction.

도 9(c)-2에 도시된 바와 같이, 상기 제1절단공정은 제1방향으로만 진행될 수 있다.As shown in FIG. 9 (c) -2, the first cutting process can be performed only in the first direction.

상기 제1절단공정은 블레이드(Blade)를 통해 진행될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.The first cutting process may be performed through a blade, but is not limited thereto.

상기 블레이드 폭은 상기 제1간격(a)과 동일할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The blade width may be the same as the first gap (a), but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 블레이드 폭은 400um일 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.For example, the blade width may be 400 um, but is not limited thereto.

도 9(d)를 참조하면, 제1절단공정이 진행된 반도체소자(130)에 반사부재(150)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 9D, the reflective member 150 may be disposed on the semiconductor device 130 on which the first cutting process has been performed.

상기 제1절단공정이 진행된 영역에 반사부재(150)가 배치될 수 있다.The reflective member 150 may be disposed in a region where the first cutting process is performed.

상기 반사부재(150)가 투광부재(140)의 마주보는 측면 2면에 배치되는 반도체소자패키지(160)를 예를 들어 설명하나, 이에 한정하지는 않는다.The semiconductor device package 160 in which the reflective member 150 is disposed on two opposite side surfaces of the translucent member 140 will be described as an example, but the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 반도체소자(130) 4면에 반사부재(150)가 배치될 수 있다.For example, the reflective member 150 may be disposed on four sides of the semiconductor element 130.

상기 반사부재(150)는 디스펜서(Dispenser)로 주입될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.The reflective member 150 may be injected into a dispenser, but is not limited thereto.

도 9(e)를 참조하면, 상기 제1전극(137) 및 제2전극(138)의 일면과 반사부재(150)의 일면이 동일 평면 상에 배치되도록, 상기 제1전극(137) 및 제2전극(138) 상에 배치된 반사부재(150)를 제거할 수 있다.9 (e), the first electrode 137 and the second electrode 138 are formed so that one surface of the first electrode 137 and one surface of the reflective member 150 are disposed on the same plane, The reflective member 150 disposed on the two-electrode 138 can be removed.

예를 들어, 에칭공정을 통해 제1전극(137) 및 제2전극(138) 상면에 배치된 반사부재(150)를 제거할 수 있다. For example, the first electrode 137 and the reflective member 150 disposed on the upper surface of the second electrode 138 may be removed through an etching process.

도 9(f)를 참조하면, 반사부재(150)가 배치된 반도체소자(130)에 대해 제2절단공정이 진행될 수 있다.Referring to FIG. 9 (f), the second cutting process may be performed on the semiconductor element 130 in which the reflective member 150 is disposed.

상기 제2절단공정은 제1방향 및 제2방향으로 진행될 수 있다.The second cutting process may proceed in a first direction and a second direction.

상기 제2방향은 제1방향과 직교하는 방향이다.The second direction is a direction orthogonal to the first direction.

상기 제1방향은 반사부재(150)가 배치되는 방향이고, 제2방향은 반사부재(150)가 배치되는 방향과 수직인 방향일 수 있다.The first direction may be a direction in which the reflective member 150 is disposed, and the second direction may be perpendicular to the direction in which the reflective member 150 is disposed.

도 9(f)-2에 도시된 바와 같이, 상기 절단공정은 격자무늬로 일정한 간격(b)을 가지며 수행될 수 있다.As shown in Fig. 9 (f) -2, the cutting process can be performed with a constant interval b in a lattice pattern.

상기 간격을 제2간격(b)이라고 했을 때, 상기 제1방향 및 제2방향으로 이격된 거리를 가지며, 반도체소자(130)들의 측면과 측면 사이에 배치될 수 있다.And the distance is spaced apart in the first direction and the second direction when the interval is referred to as a second spacing b, and may be disposed between the side surface and the side surface of the semiconductor devices 130. [

상기 제1간격(a)은 제2간격(b) 대비 2배 이상 내지 2.5배 이하일 수 있다.The first spacing (a) may be at least 2 times to 2.5 times the second spacing (b).

상기 제1간격(a)이 제2간격(b) 대비 2배 이상인 경우, 반도체소자(130) 측면에 반사부재(150)가 배치되는 공간을 확보하여, 반도체소자패키지(160)의 광속특성을 확보할 수 있다.A space in which the reflective member 150 is disposed on the side of the semiconductor device 130 is ensured so that the luminous flux characteristic of the semiconductor device package 160 is reduced .

상기 제1간격(a)이 제2간격(b) 대비 2.5 배 이하인 경우, 반도체소자패키지(160)의 공정 수율을 확보할 수 있다.If the first spacing a is 2.5 times or less than the second spacing b, the process yield of the semiconductor device package 160 can be secured.

상기 제2절단공정은 블레이드(Blade)를 통해 진행될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.The second cutting process may be performed through a blade, but is not limited thereto.

상기 제2절단공정을 수행하는 블레이드(Blade) 폭은 제1절단공정을 수행하는 블레이드(Blade) 폭 보다 작은 폭을 포함할 수 있다.The blade width for performing the second cutting process may include a width smaller than a blade width for performing the first cutting process.

상기 제2절단공정을 수행하는 블레이드(Blade) 폭은 상기 제2간격(b)과 동일할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다. The blade width for performing the second cutting process may be the same as the second gap b, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 블레이드(blade) 폭은 200um 일 수 있다.For example, the blade width may be 200 um.

상기 절단공정을 통해, 반도체소자패키지(160)를 완성할 수 있다.Through the cutting process, the semiconductor device package 160 can be completed.

도 9(g)에 도시된 바와 같이, 완성된 반도체소자패키지(160)는 기판(100)에 배치될 수 있다.As shown in FIG. 9 (g), the completed semiconductor device package 160 may be disposed on the substrate 100.

렌즈(180)가 반도체소자패키지(160) 상에 배치되는 것을 고려하여, 상기 반도체소자패키지(160)는 일정한 간격을 가지고, 기판(100)에 배치될 수 있다.Considering that the lens 180 is disposed on the semiconductor device package 160, the semiconductor device package 160 may be disposed on the substrate 100 with a predetermined gap.

도 9(h)에 도시된 바와 같이, 렌즈(180)가 상기 반도체소자패키지(160)를 둘러싸며, 기판(100)에 배치되면 반도체소자패키지 어레이가 제공될 수 있다.As shown in FIG. 9 (h), when a lens 180 surrounds the semiconductor device package 160 and is disposed on the substrate 100, a semiconductor device package array may be provided.

도 9를 참조하여 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이 제조방법에 의하면, 반도체소자패키지(160)를 재배열하는 공정을 진행하지 않으므로, 반도체소자패키지 어레이의 배열공차가 발생되는 것을 방지할 수 있다.As described with reference to FIG. 9, according to the method of manufacturing a semiconductor device package array according to the present invention, since the process of rearranging the semiconductor device package 160 is not performed, the arrangement tolerance of the semiconductor device package array is prevented can do.

이상과 같이 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 기술적 사상과 필수적 특징을 유지한 채로 다른 형태로도 실시될 수 있음을 인지할 수 있을 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is evident that many alternatives, modifications and variations will be apparent to those skilled in the art. .

본 발명의 범위는 특허청구범위에 의하여 규정되어질 것이지만, 특허청구범위 기재사항으로부터 직접적으로 도출되는 구성은 물론 그 외 등가인 구성으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태 또한 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the scope of the present invention will be defined by the appended claims, it is to be understood that any alterations or modifications derived from the claims, as well as other equivalents, .

100 : 기판
130 : 반도체소자
140 : 투광부재
150 : 반사부재
160 : 반도체소자패키지
180 : 렌즈100: substrate
130: Semiconductor device
140:
150: reflective member
160: Semiconductor device package
180: lens

Claims (12)

기판;
상기 기판 상에 배치되는 복수개의 반도체소자패키지; 및
상기 복수개의 반도체소자패키지 상에 각각 배치되는 복수개의 렌즈;를 포함하고,
상기 복수개의 반도체소자패키지는,
제1도전형반도체층, 제2도전형반도체층 및 제1도전형반도체층과 제2도전형반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체구조물 및 상기 반도체구조물 하면에 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 반도체소자,
상기 반도체소자를 둘러싸며 배치되는 투광부재 및
투광부재의 측면에 배치되며, 수평방향으로 서로 마주보도록 배치되는 적어도 두 개 이상의 반사부재;를 포함하고,
상기 렌즈는 서로 마주보는 두 개 이상의 반사부재 중심에서, 상기 수평 방향에 대하여 수직인 방향으로 오목한 상면을 더 포함하고,
복수개의 렌즈의 중심 간에 수평간의 거리는 렌즈의 최대 수평방향 폭 이상 내지 200mm 이하인 반도체소자패키지 어레이.Board;
A plurality of semiconductor device packages disposed on the substrate; And
And a plurality of lenses respectively disposed on the plurality of semiconductor device packages,
The plurality of semiconductor device packages comprising:
A semiconductor structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; and a first electrode and a second electrode, A semiconductor element including two electrodes,
A translucent member disposed to surround the semiconductor element and
And at least two reflective members disposed on side surfaces of the translucent member and arranged to face each other in the horizontal direction,
Wherein the lens further comprises a concave upper surface in a direction perpendicular to the horizontal direction at two or more reflecting member centers facing each other,
Wherein the distance between the centers of the plurality of lenses is not less than the maximum horizontal width of the lens and not more than 200 mm. 제1항에 있어서,
상기 반도체소자패키지의 중심은 렌즈의 중심과 수직으로 중첩되는 반도체소자패키지 어레이.The method according to claim 1,
Wherein the center of the semiconductor element package is vertically overlapped with the center of the lens. 제2항에 있어서,
상기 복수개의 반도체소자패키지는 서로 마주보는 두 개 이상의 반사부재의 중심에서 수평방향으로 이격 거리를 갖고 기판상에 배치되며,
상기 이격거리는 1mm 이상 내지 200mm 이하인 반도체소자패키지 어레이.3. The method of claim 2,
Wherein the plurality of semiconductor device packages are disposed on a substrate with a horizontal distance from a center of two or more reflective members facing each other,
Wherein the spacing distance is not less than 1 mm and not more than 200 mm. 제1항에 있어서,
상기 렌즈의 중심부터 외측면까지의 수평방향 최대거리는,
10mm 이상 내지 20mm 이하인 반도체소자패키지 어레이.The method according to claim 1,
The maximum distance in the horizontal direction from the center to the outer side of the lens,
A semiconductor device package array having a length of 10 mm or more and 20 mm or less. 제1항에 있어서,
상기 렌즈의 외측면과 인접하는 다른 렌즈의 외측면 사이의 수평방향 거리는
1mm 이상 내지 상기 반도체소자패키지의 최대 이격거리와 렌즈의 최대수평방향 폭의 차 이하인 반도체소자패키지 어레이.The method according to claim 1,
The horizontal distance between the outer surface of the lens and the outer surface of the adjacent other lens is
Wherein the distance between the semiconductor element package and the semiconductor element package is equal to or smaller than a difference between a maximum separation distance of the semiconductor element package and a maximum horizontal width of the lens. 제1항에 있어서,
상기 렌즈의 하면에서 최고점까지의 두께는,
6mm 이상 내지 12mm 이하인 반도체소자패키지 어레이.The method according to claim 1,
The thickness from the lower surface to the highest point of the lens,
6 to 12 mm. 제1항에 있어서,
상기 렌즈의 단면 형상은 원형, 타원형, 다각형 형상 중 적어도 하나를 포함하는 반도체소자패키지 어레이.The method according to claim 1,
Wherein the cross-sectional shape of the lens includes at least one of a circular shape, an elliptical shape, and a polygonal shape. 제1항에 있어서,
상기 반도체소자패키지는 투광부재의 서로 마주보는 측면 2면에 배치되는 반사부재를 포함하는 반도체소자패키지 어레이.The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor device package comprises a reflective member disposed on two opposite side surfaces of the translucent member facing each other. 제1항에 있어서,
상기 반도체소자패키지는 상기 반도체구조물 일면에 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하고,
상기 제1전극 및 제2전극은 반사부재가 배치된 일면과 동일 평면상에 배치되는 반도체소자패키지 어레이.The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor device package includes a first electrode and a second electrode disposed on one surface of the semiconductor structure,
Wherein the first electrode and the second electrode are disposed on the same plane as one surface on which the reflective member is disposed. 제1항에 있어서,
상기 투광부재의 측면은 반도체소자의 측면과 평행하며 배치되는 반도체소자패키지 어레이.
The method according to claim 1,
And the side surface of the translucent member is disposed in parallel with the side surface of the semiconductor element.
제1항에 있어서,
상기 투광부재는 파장변환물질을 포함하는 반도체소자패키지 어레이.The method according to claim 1,
Wherein the translucent member comprises a wavelength converting material. 제11항에 있어서,
상기 파장변환물질은 형광체인 반도체소자패키지 어레이.
12. The method of claim 11,
Wherein the wavelength conversion material is a phosphor.
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