KR20190053520A - Organic light emitting display device - Google Patents

Organic light emitting display device Download PDF

Info

Publication number
KR20190053520A
KR20190053520A KR1020170149491A KR20170149491A KR20190053520A KR 20190053520 A KR20190053520 A KR 20190053520A KR 1020170149491 A KR1020170149491 A KR 1020170149491A KR 20170149491 A KR20170149491 A KR 20170149491A KR 20190053520 A KR20190053520 A KR 20190053520A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
switching tft
tft
scan signal
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020170149491A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102328441B1 (en
Inventor
김기태
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170149491A priority Critical patent/KR102328441B1/en
Publication of KR20190053520A publication Critical patent/KR20190053520A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102328441B1 publication Critical patent/KR102328441B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H01L27/3262—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2230/00—Details of flat display driving waveforms
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0247—Flicker reduction other than flicker reduction circuits used for single beam cathode-ray tubes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

The present invention relates to an organic light emitting display device (OLED) and, more specifically, to an OLED capable of minimizing brightness difference. According to the present invention, the OLED comprises: a display panel including a plurality of pixels connected to gate and data lines; a gate driver outputting first and second scan signals and (n-1)^th and n^th light emitting control signals to the gate line; and a data driver outputting data or reference voltage to the data line. A pixel circuit disposed in the pixels comprises: a driving thin film transistor (TFT) controlling a current flowing in an organic light emitting device based on the voltage applied to gate and source electrodes; a first switching TFT applying the data and reference voltages to the source electrode of the driving TFT based on the second scan signal; a second switching TFT applying the voltage of a drain electrode of the driving TFT to the gate electrode of the driving TFT based on the first and second scan signals; a third switching TFT applying a high potential voltage to the drain electrode of the driving TFT based on the n^th light emitting control signal; a fourth switching TFT applying the voltage of the source electrode of the driving TFT to the organic light emitting device based on the (n-1)^th light emitting control signal; and a fifth switching TFT applying an initialization voltage to the organic light emitting device based on the first scan signal.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light-

유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 휘도 편차를 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법에 관한 것이다.And more particularly, to an organic light emitting display device and a method of driving the same that can minimize a luminance deviation.

최근 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 표시 장치(Display Device)가 개발되고 있다.Recently, as the information age has come to the age of information, a display field for visually expressing electrical information signals has been rapidly developed. In response to this, various display devices having excellent performance in thinning, light weighting, Is being developed.

이와 같은 표시 장치의 구체적인 예로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display device: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED) 등을 들 수 있다.Specific examples of such a display device include a liquid crystal display device (LCD), a field emission display device (FED), and an organic light emitting display device (OLED) have.

유기 발광 표시 장치를 구성하는 다수의 화소들 각각은 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층으로 구성된 유기 발광 소자와, 유기 발광 소자를 독립적으로 구동하는 화소 회로를 구비한다. 화소 회로는 스위칭 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 TFT라고 함), 구동 TFT 및 커패시터를 포함한다. 여기서, 스위칭 TFT는 스캔 펄스에 응답하여 데이터 전압을 커패시터에 충전하고, 구동 TFT는 커패시터에 충전된 데이터 전압에 따라 유기 발광 소자로 공급되는 전류량을 제어하여 유기 발광 소자의 발광량을 조절한다.Each of the plurality of pixels constituting the organic light emitting display includes an organic light emitting element composed of an organic light emitting layer between the anode and the cathode and a pixel circuit for independently driving the organic light emitting element. The pixel circuit includes a switching thin film transistor (hereinafter referred to as TFT), a driving TFT, and a capacitor. Here, the switching TFT charges the data voltage in the capacitor in response to the scan pulse, and the driving TFT controls the amount of current supplied to the organic light emitting element according to the data voltage charged in the capacitor to control the amount of light emitted from the organic light emitting element.

유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 다방면에서 차세대 표시 장치로서 연구되고 있다. 또한, 유기 발광 소자는 면 발광 구조를 가지므로, 플렉서블(flexible)한 형태의 구현에 용이하다.The organic light emitting display device is a self-emission type display device, unlike a liquid crystal display device, a separate light source is not required, and thus it can be manufactured in a light and thin shape. In addition, the organic light emitting display device is not only advantageous in terms of power consumption by low voltage driving, but also has excellent hue, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and has been studied as a next generation display device in various fields. Further, since the organic light emitting element has a surface light emitting structure, it is easy to realize a flexible form.

상기의 장점을 가지는 유기 발광 표시 장치는 공정 편차 등의 이유로 화소 마다 구동 TFT의 문턱 전압(Vth) 및 이동도(mobility)와 같은 특성 차이가 발생하고, 전압 강하가 발생하여 유기 발광 소자를 구동하는 전류량이 달라짐으로써 화소들 간에 휘도 편차가 발생하게 된다. In the organic light emitting diode display having the above advantages, a characteristic difference such as a threshold voltage (Vth) and mobility of a driving TFT is generated for each pixel due to a process variation or the like, and a voltage drop occurs to drive the organic light emitting diode A luminance deviation occurs between the pixels due to the variation of the current amount.

구체적으로, 화소에 배치되는 스위칭 TFT에 인가되는 스캔 신호가 게이트 하이 전압에서 게이트 로우 전압으로 폴링될 경우, 스위칭 TFT에 연결된 구동 TFT의 게이트노드 와 소스 전극 사이의 전압 또한 폴링되어, 구동 TFT에 의해 구동되는 유기 발광 소자가 타겟 휘도를 출력하지 못하는 킥백(kick-back)현상이 발생하게 된다. 이로 인해, 화소들 간에 휘도 편차가 발생하게 된다.Specifically, when the scan signal applied to the switching TFT disposed in the pixel is polled from the gate high voltage to the gate low voltage, the voltage between the gate node and the source electrode of the driving TFT connected to the switching TFT is also polled, A kick-back phenomenon occurs in which the driven organic light emitting device fails to output the target luminance. This causes a luminance deviation between the pixels.

이에 따라, 휘도 편차로 인해 화면에 의도치 않았던 얼룩이나 무늬가 발생되는 문제점이 있다.Accordingly, there is a problem that unevenness or pattern that was not intended on the screen due to the luminance deviation occurs.

본 발명의 발명자들은 유기 발광 표시 장치에 구비되는 스위칭 TFT에 더블 게이트를 적용함으로써, 킥백 현상으로 인한 휘도 편차가 개선될 수 있음을 인식하였다. 이에, 본 발명자들은 킥백 현상에 따른 휘도 편차를 개선할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 발명하였다.The inventors of the present invention have recognized that by applying a double gate to a switching TFT provided in an organic light emitting display, a luminance deviation due to a kickback phenomenon can be improved. Accordingly, the inventors of the present invention invented an organic light emitting display device capable of improving luminance deviation due to a kickback phenomenon.

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 휘도 편차를 최소화 할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display capable of minimizing a luminance deviation.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 라인 및 데이터 라인에 연결되는 복수의 화소를 구비하는 표시패널, 게이트 라인에 제1 스캔 신호, 제2 스캔 신호, 제n-1 발광 제어 신호 및 제n 발광 제어 신호를 출력하는 게이트 구동부 및 데이터 라인에 데이터 전압 또는 기준 전압을 출력하는 데이터 구동부를 포함하고, 복수의 화소에 배치되는 화소 회로는 게이트 전극 및 소스 전극에 인가된 전압에 기초하여, 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 TFT, 제2 스캔 신호에 기초하여, 데이터 전압 및 기준 전압을 구동 TFT의 소스 전극에 인가하는 제1 스위칭 TFT, 제1 스캔 신호 및 제2 스캔 신호에 기초하여, 구동 TFT의 드레인 전극의 전압을 구동 TFT의 게이트 전극에 인가하는 제2 스위칭 TFT, 제n 발광 제어 신호에 기초하여, 고전위 전압을 구동 TFT의 드레인 전극에 인가하는 제3 스위칭 TFT, 제n-1 발광 제어 신호에 기초하여, 구동 TFT의 소스 전극의 전압을 유기 발광 소자에 인가하는 제4 스위칭 TFT 및 제1 스캔 신호에 기초하여, 초기화 전압을 유기 발광 소자에 인가하는 제5 스위칭 TFT을 포함함으로써, 휘도 편차를 최소화 할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an OLED display device including a display panel including a plurality of pixels connected to a gate line and a data line, And a data driver for outputting a data voltage or a reference voltage to the data line, wherein the pixel circuit arranged in the plurality of pixels includes the gate electrode and the nth light emission control signal, A first switching TFT for applying a data voltage and a reference voltage to a source electrode of the driving TFT based on a second scanning signal; A second switching TFT for applying the voltage of the drain electrode of the driving TFT to the gate electrode of the driving TFT based on the first scanning signal and the second scanning signal, A third switching TFT for applying a high potential voltage to the drain electrode of the driving TFT based on the light emission control signal, and a third switching TFT for applying a voltage of the source electrode of the driving TFT to the organic light emitting element, 4 switching TFT and a fifth switching TFT for applying an initialization voltage to the organic light emitting element based on the first scan signal, the luminance deviation can be minimized.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 게이트 라인 및 데이터 라인에 연결되는 복수의 화소를 구비하는 표시패널, 게이트 라인에 제1 스캔 신호, 제2 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 출력하는 게이트 구동부 및 데이터 라인에 데이터 전압 또는 기준 전압을 출력하는 데이터 구동부를 포함하고, 복수의 화소에 배치되는 화소 회로는 게이트 전극 및 소스 전극에 인가된 전압에 기초하여, 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 TFT, 제1 스캔 신호 및 제2 스캔 신호에 기초하여, 데이터 전압 및 기준 전압을 구동 TFT의 게이트 전극에 인가하는 제1 스위칭 TFT, 제2 스캔 신호에 기초하여, 초기화 전압을 구동 TFT의 소스 전극에 인가하는 제2 스위칭 TFT 및 발광 제어 신호에 기초하여, 고전위 전압을 구동 TFT의 드레인 전극에 인가하는 제3 스위칭 TFT을 포함함으로써, 휘도 편차를 최소화 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided an OLED display including a display panel including a plurality of pixels connected to a gate line and a data line, A gate driver for outputting a scan signal and a light emission control signal, and a data driver for outputting a data voltage or a reference voltage to the data line, wherein the pixel circuits arranged in the plurality of pixels are driven based on a voltage applied to the gate electrode and the source electrode A first switching TFT for applying a data voltage and a reference voltage to the gate electrode of the driving TFT on the basis of the first scanning signal and the second scanning signal, a driving TFT for controlling a current flowing through the organic light emitting element, Based on the second switching TFT for applying the initialization voltage to the source electrode of the driving TFT and the light emission control signal, based on the high potential voltage By including a third switch TFT to be applied to the drain electrode of the driving TFT, it is possible to minimize the brightness deviation.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 스위칭 TFT에 더블 게이트(double gate) 구조를 적용하고 이에 인가되는 제1 스캔 신호 및 제2 스캔 신호를 순차적으로 폴링시킴으로써, 스위칭 TFT를 단계적으로 턴오프시켜 스위칭 TFT에 흐르는 온 전류를 단계적으로 감소시킬 수 있다. 이로 인해, 구동 TFT 게이트 전극의 전압 강하되는 킥백(kick-back)현상이 완화된다. 이에, 킥백 현상에 의한 휘도 편차를 최소화함으로써, 화면에 의도치 않았던 얼룩이나 무늬가 발생되는 문제점을 해결할 수 있다.A double gate structure is applied to the switching TFT of the OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention and the first and second scan signals applied thereto are sequentially polled so that the switching TFT is turned on stepwise The ON current flowing through the switching TFT can be reduced stepwise. This alleviates the kick-back phenomenon in which the voltage of the driving TFT gate electrode drops. Accordingly, it is possible to solve the problem that unevenness or pattern that was not intended on the screen is generated by minimizing the luminance deviation due to the kickback phenomenon.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 저속 구동 모드에 의한 게이트 신호를 나타내는 파형도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 구비된 6T1C 화소 회로를 나타내는 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 스위칭 TFT를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 회로에 입력되는 신호를 나타내는 파형도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 구비된 4T2C 화소 회로를 나타내는 회로도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 회로에 입력되는 신호를 나타내는 파형도이다.FIG. 1 is a schematic block diagram for explaining an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
2 is a waveform diagram illustrating a gate signal according to a low-speed driving mode of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram illustrating a 6T1C pixel circuit included in an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a switching TFT of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is a waveform diagram illustrating a signal input to a pixel circuit of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a circuit diagram showing a 4T2C pixel circuit included in an OLED display according to another embodiment of the present invention.
7 is a waveform diagram illustrating signals input to a pixel circuit of an OLED display according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. An element or layer is referred to as being another element or layer " on ", including both intervening layers or other elements directly on or in between.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

본 발명에서 TFT는 P 타입 또는 N 타입으로 구성될 수 있으며, 이하의 실시예에서는 설명의 편의를 위해 TFT를 N 타입으로 구성하여 설명한다. 또한, 펄스 형태의 신호를 설명함에 있어서, 게이트 하이 전압 상태를 "하이 상태"로 정의하고, 게이트 로우 전압 상태를 "로우 상태"로 정의한다.In the present invention, the TFT may be configured as a P type or an N type. In the following embodiments, for convenience of description, the TFT is formed as an N type. Further, in describing the pulse-shaped signal, the gate high voltage state is defined as " high state ", and the gate low voltage state is defined as " low state.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.FIG. 1 is a schematic block diagram for explaining an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)에 연결된 복수의 화소(P)를 포함하는 표시 패널(110), 게이트 라인(GL) 각각에 게이트 신호를 공급하는 게이트 드라이버(130), 데이터 라인(DL) 각각에 데이터 신호를 공급하는 데이터 드라이버(140) 및 게이트 드라이버(130)와 데이터 드라이버(140)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(120)를 포함한다.1, an organic light emitting diode display 100 includes a display panel 110 including a plurality of pixels P connected to a gate line GL and a data line DL, A data driver 140 for supplying a data signal to each of the data lines DL and a timing controller 120 for controlling the gate driver 130 and the data driver 140 .

타이밍 컨트롤러(120)는 외부로부터 입력되는 영상 데이터(RGB)를 표시 패널(110)의 크기 및 해상도에 적합하게 처리하여, 데이터 드라이버(140)에 공급한다. 그리고, 타이밍 컨트롤러(120)는 외부로부터 입력되는 동기 신호(SYNC)들, 예를 들어, 도트 클럭신호(DCLK), 데이터 인에이블 신호(DE), 수평 동기신호(Hsync), 수직 동기신호(Vsync)를 이용해 다수의 게이트 및 데이터 제어신호(GCS, DCS)를 생성한다. 생성된 다수의 게이트 및 데이터 제어신호(GCS, DCS)를 게이트 드라이버(130) 및 데이터 드라이버(140)에 각각 공급함으로써, 게이트 드라이버(130) 및 데이터 드라이버(140)를 제어한다.The timing controller 120 processes image data (RGB) input from the outside in accordance with the size and the resolution of the display panel 110 and supplies the data to the data driver 140. The timing controller 120 receives the synchronization signals SYNC input from the outside, for example, a dot clock signal DCLK, a data enable signal DE, a horizontal synchronization signal Hsync, a vertical synchronization signal Vsync ) To generate a plurality of gate and data control signals (GCS, DCS). And controls the gate driver 130 and the data driver 140 by supplying the generated gate and data control signals GCS and DCS to the gate driver 130 and the data driver 140, respectively.

게이트 드라이버(130)는 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급된 게이트 제어 신호(GCS)에 따라 게이트 라인(GL)에 게이트 신호를 공급한다. 여기서, 게이트 신호는 복수의 스캔 신호(SCAN) 및 복수의 발광 제어 신호(EM)를 포함한다. 도 1에서는 게이트 드라이버(130)가 표시 패널(110)의 일 측에 이격되어 배치된 것으로 도시되었으나, 게이트 드라이버(130)의 수와 배치 위치는 이에 제한되지 않는다. 즉, 게이트 드라이버(130)는 GIP(Gate In Panel) 방식으로 표시 패널(110)의 일측 또는 양측에 배치될 수도 있다.The gate driver 130 supplies a gate signal to the gate line GL in accordance with the gate control signal GCS supplied from the timing controller 120. [ Here, the gate signal includes a plurality of scan signals SCAN and a plurality of emission control signals EM. In FIG. 1, the gate driver 130 is shown as being disposed on one side of the display panel 110, but the number and arrangement of the gate drivers 130 are not limited thereto. That is, the gate driver 130 may be disposed on one side or both sides of the display panel 110 in a GIP (Gate In Panel) manner.

데이터 드라이버(140)는 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급된 데이터 제어 신호(DCS)에 따라 영상 데이터(RGB)를 데이터 전압(Vdata)으로 변환하고, 변환된 데이터 전압(Vdata)을 데이터 라인(DL)을 통해 화소(P)에 공급한다. The data driver 140 converts the image data RGB to a data voltage Vdata according to the data control signal DCS supplied from the timing controller 120 and supplies the converted data voltage Vdata to the data line DL. To the pixel P.

표시 패널(110)에서 복수의 게이트 라인(GL) 및 복수의 데이터 라인(DL)이 서로 교차되고, 복수의 화소(P) 각각은 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)에 연결된다.A plurality of gate lines GL and a plurality of data lines DL are intersected with each other in the display panel 110 and each of the plurality of pixels P is connected to a gate line GL and a data line DL.

여기서, 하나의 화소(P)는 게이트 라인(GL)을 통해 게이트 드라이버(130)로부터 게이트 신호를 공급받고, 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 드라이버(140)로부터 데이터 신호를 공급받으며, 전원 공급 라인을 통해 다양한 전원을 공급받는다.Here, one pixel P receives a gate signal from the gate driver 130 through the gate line GL, receives a data signal from the data driver 140 through the data line DL, To provide various power sources.

구체적으로, 하나의 화소(P)는 게이트 라인(GL)을 통해 복수의 스캔 신호(SCAN) 및 복수의 발광 제어 신호(EM)를 수신하고, 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)을 수신하며, 전원 공급 라인을 통해 고전위 전압(VDD), 저전위 전압(VSS) 및 초기화 전압(Vinit)을 수신한다.More specifically, one pixel P receives a plurality of scan signals SCAN and a plurality of emission control signals EM through a gate line GL, and receives data voltages Vdata and Vdata through the data lines DL, Receives the reference voltage Vref, and receives the high potential voltage VDD, the low potential voltage VSS, and the initialization voltage Vinit through the power supply line.

또한, 화소(P) 각각은 유기 발광 소자(OD) 및 유기 발광 소자(OD)의 구동을 제어하는 화소 회로를 포함한다. 여기서, 유기 발광 소자(OD)는 애노드, 캐소드, 및 애노드와 캐소드 사이의 유기 발광층으로 이루어진다. 화소 회로는 스위칭 TFT, 구동 TFT 및 커패시터를 포함한다. 구체적으로, 화소 회로에서 구동 TFT는 커패시터에 충전된 데이터 전압(Vdata)에 따라 유기 발광 소자(OD)에 공급되는 전류량을 제어하여 유기 발광 소자(OD)의 발광량을 조절하고, 스위칭 TFT는 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 스캔 신호(SCAN1, SCAN2)를 수신하여 데이터 전압(Vdata)을 커패시터에 충전한다.Each of the pixels P includes a pixel circuit for controlling driving of the organic light emitting diode OD and the organic light emitting diode OD. Here, the organic light emitting diode OD comprises an anode, a cathode, and an organic light emitting layer between the anode and the cathode. The pixel circuit includes a switching TFT, a driving TFT, and a capacitor. Specifically, in the pixel circuit, the driving TFT controls the amount of light to be supplied to the organic light emitting diode OD according to the data voltage (Vdata) charged in the capacitor to control the amount of light emitted from the organic light emitting diode OD, And receives the scan signals SCAN1 and SCAN2 supplied through the data line GL to charge the data voltage Vdata to the capacitor.

이와 같이 유기 발광 표시 장치(100)는 화소 회로에 구동 TFT 및 스위칭 TFT를 포함하고, 구동 TFT 및 스위칭 TFT 각각을 구성하는 액티브층은 서로 다른 물질로 구성될 수 있다. 이와 같이 하나의 화소 회로에서 구동 TFT 및 스위칭 TFT 각각이 서로 다른 특성을 갖는 TFT로 이루어져, 유기 발광 표시 장치(100)는 멀티 타입의 TFT를 포함할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode display 100 includes the driving TFT and the switching TFT in the pixel circuit, and the active layer constituting each of the driving TFT and the switching TFT may be composed of different materials. As described above, in one pixel circuit, each of the driving TFT and the switching TFT is made of a TFT having different characteristics, and the organic light emitting display 100 may include a multi-type TFT.

구체적으로, 멀티 타입의 TFT를 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)에서는 다결정 반도체 물질을 액티브층으로 하는 TFT로서 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; 이하, LTPS라고 함)을 이용한 LTPS TFT가 사용된다. 폴리 실리콘 물질은 이동도가 높아 (100㎠/Vs 이상), 에너지 소비전력이 낮고 신뢰성이 우수하므로, 표시 소자용 TFT들을 구동하는 구동 소자용 게이트 드라이버(130) 및/또는 멀티플렉서(MUX)에 적용할 수 있다. 또는 유기 발광 표시 장치(100)에서 화소(P) 내 구동 TFT로 적용하는 것이 좋다. Specifically, in the organic light emitting diode display 100 including a multi-type TFT, an LTPS TFT using low temperature poly-silicon (hereinafter referred to as LTPS) is used as a TFT having a polycrystalline semiconductor material as an active layer do. Since the polysilicon material has high mobility (100 cm 2 / Vs or more), low energy consumption power and excellent reliability, the polysilicon material is applied to the gate driver 130 and / or the multiplexer (MUX) for driving the display element TFTs can do. Or the driving TFT in the pixel P in the organic light emitting diode display 100 is preferable.

또한, 멀티 타입의 TFT를 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)에서는 산화물 반도체 물질을 액티브층으로 하는 산화물 반도체 TFT가 사용된다. 산화물 반도체 물질은 오프-전류(Off-Current)가 낮으므로, 턴 온(turn On) 시간이 짧고 턴 오프(turn Off) 시간을 길게 유지하는 스위칭 TFT에 적합하다. In the organic light emitting diode display 100 including a multi-type TFT, an oxide semiconductor TFT using an oxide semiconductor material as an active layer is used. Since the oxide semiconductor material has a low off-current, it is suitable for a switching TFT having a short turn-on time and a long turn-off time.

특히, 본 발명의 실시예에 따른 멀티 타입의 TFT를 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)는 스위칭 TFT가 산화물 반도체 TFT로 이루어지고 구동 TFT는 LTPS TFT로 이루어진 화소 회로를 포함한다. 다만, 본 발명의 유기 발광 표시 장치(100)에서 스위칭 TFT는 산화물 반도체 TFT, 구동 TFT는 LTPS TFT로 한정되지 않으며, 멀티 타입의 TFT가 다양하게 구성될 수 있다. 또한, 본 발명의 유기 발광 표시 장치(100)에서 화소 회로는 멀티 타입의 TFT를 포함하지 않고 하나의 종류로 이루어진 TFT를 포함할 수도 있다.In particular, the organic light emitting diode display 100 including the multi-type TFT according to the embodiment of the present invention includes a pixel circuit in which the switching TFT is made of an oxide semiconductor TFT and the driving TFT is made of an LTPS TFT. However, in the organic light emitting diode display device 100 of the present invention, the switching TFT is not limited to the oxide semiconductor TFT and the driving TFT is not limited to the LTPS TFT, and the multi-type TFT may be variously configured. In the organic light emitting diode display device 100 of the present invention, the pixel circuit may include a single type of TFT instead of a multi-type TFT.

유기 발광 표시 장치(100)는 구동 주파수를 가변하면서 구동될 수 있다. 구체적으로, 유기 발광 표시 장치(100)에서 타이밍 컨트롤러(120)는 리프레시 레이트(refresh rate) 조절 신호를 통해 프레임 레이트(frame rate)를 조절하여 유기 발광 표시 장치(100)가 구동되는 방식을 조절할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 표시 장치(100)는 기준 리프레시 레이트보다 높거나 낮은 리프레시 레이트로 구동될 수 있다. 특히, 기준 리프레시 레이트보다 낮게 유기 발광 표시 장치(100)를 구동하는 것을 '저속 구동'('저 리프레시 레이트(low refresh rate) 구동'이라고도 함)이라고하며, 기준 리프레시 레이트보다 높게 유기 발광 표시 장치(100)를 구동하는 것을 '고속 구동'이라한다. The OLED display 100 may be driven while varying the driving frequency. In more detail, the timing controller 120 of the OLED display 100 adjusts a frame rate through a refresh rate control signal to adjust the driving method of the OLED display 100 have. For example, the organic light emitting display 100 can be driven at a refresh rate higher or lower than the reference refresh rate. In particular, driving the organic light emitting display 100 to a level lower than the reference refresh rate is referred to as 'low speed driving' (also referred to as 'low refresh rate driving'), 100) is referred to as " high-speed driving ".

여기서, 저속 구동이란, 기준 리프레시 레이트인 60Hz보다 낮은 리프레시 레이트로 구동하는 것을 의미하며, 이는 1초 동안 60개의 프레임(frame)보다 적은 개수의 프레임을 출력하도록 유기 발광 표시 장치(100)를 구동하는 것을 의미한다. 즉, 리프레시 레이트가 60Hz인 경우에는 1초 동안 60 프레임 수만큼 구동되며, 60Hz보다 낮은 리프레시 레이트로 구동되는 것을 저속 구동이라 한다. 예를 들어, 저속 구동은 리프레시 레이트가 1Hz일 수 있으며, 1Hz 저속 구동은 1초 동안 1 프레임만을 출력할 수 있다.Here, the low-speed driving means driving at a refresh rate lower than the reference refresh rate of 60 Hz, which drives the organic light emitting display 100 to output fewer than 60 frames for one second . That is, when the refresh rate is 60 Hz, it is driven by 60 frames for one second, and driving at a refresh rate lower than 60 Hz is called low-speed driving. For example, a low-speed drive may have a refresh rate of 1 Hz, and a 1 Hz low-speed drive may output only one frame per second.

이하, 도 2를 참조하여, 유기 발광 표시 장치에서 저속 구동에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, low-speed driving in the organic light emitting display will be described in detail with reference to FIG.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 저속 구동 모드에 의한 게이트 신호를 나타내는 파형도이다.2 is a waveform diagram illustrating a gate signal according to a low-speed driving mode of an OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 소비전력을 저감하기 위해 저속 구동 모드는 단위 시간 동안 수평 홀딩 구간(Ph)을 길게 제어하고, 리프레시 구간(Pr)을 짧게 제어할 수 있다. Referring to FIG. 2, in order to reduce the power consumption of the OLED display device, the low-speed driving mode can control the horizontal holding period Ph to be long and the refresh period Pr to be short for a unit time.

여기서, 수평 홀딩 구간(Ph)이란, 유기 발광 소자(OD)들 각각에 연결된 데이터 라인(DL)들을 통해 데이터 전압(Vdata)은 공급되지 않고 기준 전압(Vref)이 인가되더라도 유기 발광 소자(OD)들이 발광하는 기간이다. 리프레시 구간(Pr)은 수평 홀딩 구간(Ph) 동안 유기 발광 소자(OD)가 발광할 수 있도록 유기 발광 소자(OD)에 초기화 전압(Vinit)을 인가하는 초기화 기간, 유기 발광 소자(OD)의 구동 TFT의 문턱 전압(Vth)을 샘플링 또는 센싱하는 샘플링 기간 및 유기 발광 소자(OD)에 연결된 커패시터에 데이터 전압(Vdata)을 저장하는 프로그래밍 기간을 포함한다. Here, the horizontal holding period Ph is a period in which the data voltage Vdata is not supplied through the data lines DL connected to the organic light emitting diodes OD and the organic light emitting diode OD is applied even if the reference voltage Vref is applied. Emitting period. The refresh period Pr is an initialization period for applying an initialization voltage Vinit to the organic light emitting diode OD so that the organic light emitting diode OD can emit light during the horizontal holding period Ph, A sampling period for sampling or sensing the threshold voltage Vth of the TFT and a programming period for storing the data voltage Vdata in the capacitor connected to the organic light emitting diode OD.

예를 들어, 저속 구동 모드에서 1초 시간 중 리프레시 구간(Pr)을 16.6밀리초(이하, msec) 동안 유지하고, 수평 홀딩 구간(Ph)을 983.4msec 동안 유지할 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 저속 구동 모드에서 리프레시 구간(Pr)은 복수의 프레임에 해당하는 기간 일 수 있다.For example, in the low-speed driving mode, the refresh period Pr during one second can be maintained for 16.6 milliseconds (msec), and the horizontal holding period Ph can be maintained for 983.4 msec. However, the present invention is not limited to this, and the refresh period Pr in the low-speed drive mode may be a period corresponding to a plurality of frames.

도 2를 참조하면, 게이트 신호는 리프레시 구간(Pr) 동안 게이트 라인(GL) 각각에 순차적으로 시프트 되어 화소(P)에 공급된다. 구체적으로, 게이트 신호는 제1 게이트 라인(GL1)부터 제n 게이트 라인(GLn)까지 리프레시 구간(Pr) 동안 순차적으로 시프트 되어 공급된다. 여기서, n은 유기 발광 표시 장치에서의 전체 게이트 라인의 개수를 의미한다. Referring to FIG. 2, the gate signal is sequentially shifted to each of the gate lines GL during the refresh period Pr to be supplied to the pixel P. Specifically, the gate signal is sequentially shifted and supplied from the first gate line GL1 to the nth gate line GLn during the refresh period Pr. Here, n denotes the total number of gate lines in the OLED display.

이에 따라, 리프레시 구간(Pr)에서 샘플링하고 프로그래밍한 데이터 전압(Vdata)에 의해 수평 홀딩 구간(Ph) 동안 유기 발광 소자(OD)는 발광한다. Accordingly, the organic light emitting diode OD emits light during the horizontal holding period Ph by the data voltage Vdata sampled and programmed in the refresh period Pr.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 6T1C의 화소 회로를 포함할 경우, 리프레시 구간에서의 화소 회로의 동작 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the pixel circuit in the refresh interval in the case where the organic light emitting diode display according to the embodiment of the present invention includes the pixel circuit of 6T1C will be described in detail.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 구비된 6T1C 화소 회로를 나타내는 회로도이다. 3 is a circuit diagram illustrating a 6T1C pixel circuit included in an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 화소 회로는 구동 TFT(DT), 5개의 스위칭 TFT(T1, T2, T3, T4, T5) 및 1개의 커패시터(Cst)를 포함한다.Referring to Fig. 3, the pixel circuit includes a driving TFT DT, five switching TFTs T1, T2, T3, T4, and T5, and one capacitor Cst.

구동 TFT(DT)는 커패시터(Cst)의 일 전극에 연결된 게이트 전극, 제2 스위칭 TFT(T2) 및 제3 스위칭 TFT(T3)와 전기적으로 연결된 드레인 전극 및 제1 스위칭 TFT(T1) 및 제4 스위칭 TFT(T4)와 전기적으로 연결된 소스 전극을 포함한다. The driving TFT DT includes a gate electrode connected to one electrode of the capacitor Cst, a drain electrode electrically connected to the second switching TFT T2 and the third switching TFT T3, and a first switching TFT Tl and a fourth switching TFT Tl, And a source electrode electrically connected to the switching TFT T4.

구체적으로, 구동 TFT(DT)의 게이트 전극은 제2 스위칭 TFT(T2) 및 제3 스위칭 TFT(T3)가 턴 온되는 경우 고전위 전압(VDD)을 저장한다. 제2 스위칭 TFT(T2)가 턴 온된 상태에서 데이터 전압(Vdata)이 공급되면 다이오드 커넥션(diode-connetion) 방식에 의해 데이터 전압(Vdata)이 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 기입된다. 구동 TFT(DT)는 제n 및 제n-1 발광 제어 신호(EM[n-1], EM[n])에 의해 유기 발광 소자(OD)로 구동 전류를 공급하여 전류량에 따라 유기 발광 소자(OD)의 휘도를 제어한다. Specifically, the gate electrode of the driving TFT DT stores the high potential voltage VDD when the second switching TFT T2 and the third switching TFT T3 are turned on. When the data voltage Vdata is supplied while the second switching TFT T2 is turned on, the data voltage Vdata is written to the gate electrode of the driving TFT DT by a diode-connecition method. The driving TFT DT supplies the driving current to the organic light emitting diode OD by the nth and (n-1) th emission control signals EM [n-1] and EM [n] OD).

제1 스위칭 TFT(T1)는 제2 스캔 신호(SCAN2) 라인에 연결된 게이트 전극, 데이터 라인에 연결된 드레인 전극 및 구동 TFT(DT)의 소스 전극에 연결된 소스 전극을 포함한다. The first switching TFT Tl includes a gate electrode connected to the second scan signal SCAN2, a drain electrode connected to the data line, and a source electrode connected to the source electrode of the driving TFT DT.

이에, 제1 스위칭 TFT(T1)는 제2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 턴 온되거나 턴 오프된다. 즉, 제1 스위칭 TFT(T1)의 게이트 전극으로 제2 스캔 신호(SCAN2)가 하이 상태로 공급되면, 제1 스위칭 TFT(T1)의 드레인 전극으로부터 데이터 전압(Vdata)이 구동 TFT(DT)의 소스 전극에 연결되는 제3 노드(N3)로 공급된다. Thus, the first switching TFT Tl is turned on or off by the second scan signal SCAN2. That is, when the second scan signal SCAN2 is supplied in a high state to the gate electrode of the first switching TFT Tl, the data voltage Vdata from the drain electrode of the first switching TFT Tl And is supplied to a third node N3 connected to the source electrode.

제2 스위칭 TFT(T2)는 제1 스캔 신호(SCAN1) 라인에 연결된 제1 게이트 전극(220, 도 4 참조), 제2 스캔 신호(SCAN1) 라인에 연결된 제2 게이트 전극(260, 도 4 참조), 구동 TFT(DT)의 드레인 전극 및 제3 스위칭 TFT(T3)의 소스 전극에 연결된 드레인 전극 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극과 연결된 소스 전극을 포함한다. 즉, 제2 스위칭 TFT(T2)는 제1 게이트 전극(220) 및 제2 게이트 전극(260)을 구비하는 더블 게이트(double gate) 구조이다. 제2 스위칭 TFT(T2)에 대한 자세한 구조는 도 4를 참조하여 후술한다.The second switching TFT T2 includes a first gate electrode 220 (see FIG. 4) connected to a first scan signal (SCAN1) line, a second gate electrode 260 (see FIG. 4) connected to a second scan signal SCAN1 line A drain electrode connected to the source electrode of the third switching TFT T3, and a source electrode connected to the gate electrode of the driving TFT DT. In other words, the second switching TFT T2 is a double gate structure having the first gate electrode 220 and the second gate electrode 260. The detailed structure of the second switching TFT T2 will be described later with reference to FIG.

이에, 제2 스위칭 TFT(T2)는 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 턴 온될 수 있다. 즉, 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)가 하이 상태인 경우, 제2 스위칭 TFT(T2)는 턴 온된다. 이에, 제2 스위칭 TFT(T2)는 구동 TFT(DT)의 드레인 전극에 연결되는 제1 노드(N1)에서의 전압을 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 연결되는 제2 노드(N2)의 전압으로 전달한다.  Thus, the second switching TFT T2 may be turned on by the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2. That is, when the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are in a high state, the second switching TFT T2 is turned on. The second switching TFT T2 is connected to the drain electrode of the driving TFT DT by applying a voltage at the first node N1 to the voltage of the second node N2 connected to the gate electrode of the driving TFT DT .

이에 따라, 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)가 하이 상태인 경우, 제2 스위칭 TFT(T2)는 제1 노드(N1)의 고전위 전압(VDD) 또는 구동 TFT(DT)의 샘플링된 전압을 제2 노드(N2)에 공급하여, 유기 발광 소자(OD)에 기입된 데이터 전압(Vdata)을 초기화 시키거나, 데이터 전압(Vdata)을 기입하고 구동 TFT(DT)의 문턱 전압을 샘플링한다.Accordingly, when the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are in a high state, the second switching TFT T2 is turned off when the high potential VDD of the first node N1 or the high potential of the driving TFT DT ) To the second node N2 to initialize the data voltage Vdata written in the organic light emitting diode OD or to write the data voltage Vdata to the threshold of the driving TFT DT The voltage is sampled.

제3 스위칭 TFT(T3)는 제n 발광 제어 신호(EM[n]) 라인에 연결된 게이트 전극, 고전위 전압(VDD) 라인에 연결된 드레인 전극 및 구동 TFT(DT)의 드레인 전극과 연결된 소스 전극을 포함한다. 이에, 제3 스위칭 TFT(T3)는 제n 발광 제어 신호(EM[n])에 의해 턴 온될 수 있다. 즉, 제n 발광 제어 신호(EM[n])가 하이 상태인 경우, 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 온되고, 소스 전극으로부터 고전위 전압(VDD)을 구동 TFT(DT)의 드레인 전극에 연결되는 제1 노드(N1)에 공급한다. The third switching TFT T3 includes a gate electrode connected to the nth emission control signal EM [n] line, a drain electrode connected to the high potential voltage (VDD) line, and a source electrode connected to the drain electrode of the driving TFT DT . Thus, the third switching TFT T3 can be turned on by the nth emission control signal EM [n]. In other words, when the nth emission control signal EM [n] is in the high state, the third switching TFT T3 is turned on and the high potential voltage VDD is applied from the source electrode to the drain electrode of the driving TFT DT To the first node N1 to be connected.

이에 따라, 발광 제어 신호가 하이 상태인 경우, 제3 스위칭 TFT(T3)는 고전위 전압(VDD)을 구동 TFT(DT)의 드레인 전극에 공급한다. 이에, 제3 스위칭 TFT(T3)는 구동 TFT(DT)가 데이터 전압(Vdata)에 의해 유기 발광 소자(OD)의 전류량을 조절한다.Thus, when the emission control signal is in the high state, the third switching TFT T3 supplies the high potential voltage VDD to the drain electrode of the driving TFT DT. Thus, the third switching TFT T3 controls the amount of current of the organic light emitting element OD by the driving TFT DT by the data voltage Vdata.

제4 스위칭 TFT(T4)는 제n-1 발광 제어 신호(EM[n-1]) 라인에 연결된 게이트 전극, 구동 TFT(DT)의 소스 전극에 연결된 드레인 전극 및 유기 발광 소자(OD)에 전기적으로 연결된 소스 전극을 포함한다. 이에, 제4 스위칭 TFT(T4)는 제n-1 발광 제어 신호(EM[n-1])에 의해 턴 온될 수 있다. 즉, 제n-1 발광 제어 신호(EM[n-1])가 하이 상태인 경우, 제4 스위칭 TFT(T4)는 턴 온되어, 구동 TFT(DT)의 소스 전극에 연결되는 제3 노드(N3)과 제4 스위칭 TFT(T4)의 소스 전극에 연결되는 제4 노드(N4)가 연결된다.The fourth switching TFT T4 is electrically connected to the gate electrode connected to the n-1th emission control signal EM [n-1] line, the drain electrode connected to the source electrode of the driving TFT DT, And a source electrode connected to the source electrode. Thus, the fourth switching TFT T4 can be turned on by the (n-1) -th emission control signal EM [n-1]. That is, when the (n-1) -th emission control signal EM [n-1] is in the high state, the fourth switching TFT T4 is turned on and the third node connected to the source electrode of the driving TFT DT N3 and a fourth node N4 connected to the source electrode of the fourth switching TFT T4.

이에 따라, 제n-1 발광 제어 신호(EM[n-1])에 의해 제4 스위칭 TFT(T4)가 턴 온되면, 제3 노드(N3)의 전압이 제4 노드(N4)로 공급된다. 제4 스위칭 TFT(T4), 구동 TFT(DT) 및 제3 스위칭 TFT(T3)가 턴 온된 경우에는 고전위 전압(VDD)이 구동 TFT(DT)에 공급되고, 유기 발광 소자(OD)에 구동 전류가 공급되어 유기 발광 소자(OD)가 발광한다.Thereby, when the fourth switching TFT T4 is turned on by the (n-1) -th emission control signal EM [n-1], the voltage of the third node N3 is supplied to the fourth node N4 . When the fourth switching TFT T4, the driving TFT DT and the third switching TFT T3 are turned on, the high-potential voltage VDD is supplied to the driving TFT DT, Current is supplied and the organic light emitting diode OD emits light.

제5 스위칭 TFT(T5)는 제1 스캔 신호(SCAN1) 라인에 연결된 게이트 전극, 초기화 전압(Vinit) 라인에 연결된 드레인 전극 및 유기 발광 소자(OD)의 애노드인 제4 노드(N4)에 연결된 소스 전극을 포함한다. 이에, 제5 스위칭 TFT(T5)는 제1 스캔 신호(SCAN1)에 의해 턴 온될 수 있다. 즉, 제1 스캔 신호(SCAN1)가 하이 상태인 경우, 제5 스위칭 TFT(T5)는 턴 온되어, 초기화 전압(Vinit)을 제4 노드(N4)에 공급한다.The fifth switching TFT T5 includes a gate electrode connected to the first scan signal SCAN1, a drain electrode connected to the initialization voltage Vinit, and a source connected to the fourth node N4, which is the anode of the organic light emitting diode OD. Electrode. Thus, the fifth switching TFT T5 may be turned on by the first scan signal SCAN1. That is, when the first scan signal SCAN1 is in the high state, the fifth switching TFT T5 is turned on and supplies the initializing voltage Vinit to the fourth node N4.

이에 따라, 제1 스캔 신호(SCAN1)에 의해 제5 스위칭 TFT(T5)가 턴 온되면, 제4 노드(N4)에 초기화 전압(Vinit)이 공급되어, 유기 발광 소자(OD)에 기입되었던 데이터 전압(Vdata)이 초기화된다. Accordingly, when the fifth switching TFT T5 is turned on by the first scan signal SCAN1, the initialization voltage Vinit is supplied to the fourth node N4, and the data written into the organic light emitting diode OD The voltage Vdata is initialized.

커패시터(Cst)는 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 인가되는 전압을 저장하는 저장 커패시터(Cst)일 수 있다. 여기서, 커패시터(Cst)는 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 연결되는 제2 노드(N2) 및 유기 발광 소자(OD)의 애노드와 전기적으로 연결된 제4 노드(N4) 사이에 배치된다. 즉, 커패시터(Cst)는 제2 노드(N2) 및 제4 노드(N4)와 전기적으로 연결되어 구동 TFT(DT)의 게이트 전극의 전압과 유기 발광 소자(OD)의 애노드에 공급되는 전압의 차이를 저장한다.The capacitor Cst may be a storage capacitor Cst that stores the voltage applied to the gate electrode of the driving TFT DT. Here, the capacitor Cst is disposed between the second node N2 connected to the gate electrode of the driving TFT DT and the fourth node N4 electrically connected to the anode of the organic light emitting diode OD. That is, the capacitor Cst is electrically connected to the second node N2 and the fourth node N4 so that the difference between the voltage of the gate electrode of the driving TFT DT and the voltage supplied to the anode of the organic light emitting diode OD / RTI >

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제2 스위칭 TFT를 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a second switching TFT of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 제2 스위칭 TFT(T2) 제1 게이트 전극(220), 제2 게이트 전극(260), 액티브층(240), 소스 전극(281) 및 드레인 전극(282)을 포함하는 더블 게이트(double gate) 구조의 트랜지스터이다. 4, the second switching TFT T2 includes a first gate electrode 220, a second gate electrode 260, an active layer 240, a source electrode 281, and a drain electrode 282, And is a transistor having a double gate structure.

제1 게이트 전극(220)은 제1 스캔 신호(SCAN1)에 따라, 제1 게이트 전극(220) 상에 배치되는 액티브층(240)의 백 채널(B-CN)을 제어할 수 있다.The first gate electrode 220 may control the back channel (B-CN) of the active layer 240 disposed on the first gate electrode 220 according to the first scan signal SCAN1.

구체적으로, 제1 게이트 전극(220)은 기판(210) 상에 배치되고, 제1 게이트 전극(220) 및 기판(210)을 덮도록 제1 게이트 절연층(230)이 배치될 수 있다. 여기서, 기판(210)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판 등과 같은 투명 기 판을 포함할 수 있다. 제1 게이트 전극(220)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)과 같은 알루미늄 합금의 단일층이나, 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 합금 위에 알루미늄 합금이 적층된 다중층으로 구성될 수 있다. 제1 게이트 절연층(230)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층일 수 있다.Specifically, the first gate electrode 220 may be disposed on the substrate 210, and the first gate insulating layer 230 may be disposed to cover the first gate electrode 220 and the substrate 210. Here, the substrate 210 may include a transparent substrate such as a glass substrate, a quartz substrate, or a transparent plastic substrate. The first gate electrode 220 may be formed of a single layer of an aluminum alloy such as aluminum (Al) or aluminum-neodymium (Al-Nd) or a multilayer of an aluminum alloy on a chromium (Cr) or molybdenum . The first gate insulating layer 230 may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a double layer thereof.

액티브층(240)에는 제1 게이트 전극(220)에 의해 제어되는 백 채널(B-CN) 및 제2 게이트 전극(260)에 의해 제어되는 프론트 채널(F-CN)이 형성될 수 있으며, 이를 통해 온 전류(Ion)가 흐르게 된다.A back channel (B-CN) controlled by the first gate electrode 220 and a front channel (F-CN) controlled by the second gate electrode 260 may be formed in the active layer 240, And the current Ion flowing through the transistor Q1 flows.

구체적으로, 액티브층(240)이 제1 게이트 절연층(230) 상에 제1 게이트 전극(220)에 중첩되도록 배치될 수 있다. 제2 스위칭 TFT(T2)의 액티브층(240)은 전술한 바와 같이, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)와 같은 산화물 반도체 물질로 구성된다.In particular, the active layer 240 may be disposed over the first gate electrode 220 on the first gate insulating layer 230. The active layer 240 of the second switching TFT T2 is made of an oxide semiconductor material such as IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), as described above.

제2 게이트 전극(260)은 제2 스캔 신호(SCAN2)에 따라, 제2 게이트 전극(260) 하부에 배치되는 액티브층(240)의 프론트 채널(F-CN)을 제어할 수 있다.The second gate electrode 260 may control the front channel F-CN of the active layer 240 disposed under the second gate electrode 260 according to the second scan signal SCAN2.

구체적으로, 제2 게이트 전극(260)은 제2 게이트 절연층(250) 상에, 액티브층(240)과 중첩되도록 배치될 수 있다. 여기서, 제2 게이트 전극(260)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)과 같은 알루미늄 합금의 단일층이나, 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 합금 위에 알루미늄 합금이 적층된 다중층으로 구성될 수 있다. 제2 게이트 절연층은 절연층은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층일 수 있다.Specifically, the second gate electrode 260 may be disposed on the second gate insulating layer 250 so as to overlap with the active layer 240. The second gate electrode 260 may be formed of a single layer of an aluminum alloy such as aluminum or aluminum-neodymium (Al-Nd) or a multi-layered structure of an aluminum alloy on a chromium (Cr) or molybdenum . The insulating layer of the second gate insulating layer may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a double layer thereof.

제2 게이트 전극(260), 액티브층(240) 및 제1 게이트 절연층(230) 상에는 층간 절연층(270)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(270)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 알루미늄 산화물(AlOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 아연 산화물(ZnOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.An interlayer insulating layer 270 may be disposed on the second gate electrode 260, the active layer 240, and the first gate insulating layer 230. The interlayer insulating layer 270 may be formed of a material such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy), silicon oxycarbide (SiOxCy), silicon carbonitride (SiCxNy), aluminum (Al), magnesium (ZnO), hafnium (Hf), zirconium (Zr), titanium (Ti), tantalum (Ta), aluminum oxide (AlOx), titanium oxide (TiOx), tantalum oxide (TaOx), magnesium oxide (ZnOx), hafnium oxide (HfOx), zirconium oxide (ZrOx), titanium oxide (TiOx), and the like. These may be used alone or in combination with each other.

층간 절연층(270) 상에는 소스 전극(281) 및 드레인 전극(282)이 콘택홀을 통해 액티브층(240)에 연결되도록 배치될 수 있다. 소스 전극(281) 및 드레인 전극(282)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴텅스텐(MoW), 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd), 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 구리(Cu), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 알루미늄 합금(Al alloy), 및 구리 합금(Cu alloy) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.A source electrode 281 and a drain electrode 282 may be disposed on the interlayer insulating layer 270 to be connected to the active layer 240 through the contact hole. The source electrode 281 and the drain electrode 282 may be formed of one selected from the group consisting of molybdenum (Mo), chromium (Cr), tungsten (W), molybdenum tungsten (MoW), aluminum (Al), aluminum-neodymium ), Titanium nitride (TiN), copper (Cu), molybdenum alloy (Mo alloy), aluminum alloy (Al alloy), and copper alloy (Cu alloy).

이렇게, 더블 게이트(double gate) 구조의 제2 스위칭 TFT(T2)는 제1 게이트 전극(220)에 인가되는 제1 스캔 신호(SCAN1)에 따라 백 채널(B-CN)을 제어하고, 제2 게이트 전극(260)에 인가되는 제2 스캔 신호(SCAN2)에 따라 프론트 채널(F-CN)을 제어함으로써, 제2 스위칭 TFT(T2)의 액티브층(240)에 흐르는 온 전류(Ion)를 단계적으로 제어할 수 있다.In this way, the second switching TFT T2 having a double gate structure controls the back channel (B-CN) according to the first scan signal SCAN1 applied to the first gate electrode 220, The on current Ion flowing in the active layer 240 of the second switching TFT T 2 is controlled stepwise by controlling the front channel F-CN in accordance with the second scan signal SCAN 2 applied to the gate electrode 260. .

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 회로에 입력되는 신호를 나타내는 파형도이다. 설명의 편의를 위해 도 3을 참조하여 후술한다.5 is a waveform diagram illustrating a signal input to a pixel circuit of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention. Will be described later with reference to Fig. 3 for convenience of explanation.

도 5를 참조하면, 초기화 구간(p1), 샘플링 및 프로그래밍 구간(p2), 전압 수평 홀딩 구간(p3), 연결 구간(p4) 및 발광 구간(p5)을 거쳐 1 수평 라인에 배치된 화소 각각에 데이터 전압(Vdata)이 기입되고, 화소 각각이 발광한다. 초기화 구간(p1), 샘플링 및 프로그래밍 구간(p2), 전압 수평 홀딩 구간(p3), 연결 구간(p4) 및 발광 구간(p5) 각각의 시간은 실시예에 따라 다양하게 변화할 수 있다. 예를 들어, 초기화 구간(p1), 샘플링 및 프로그래밍 구간(p2), 전압 수평 홀딩 구간(p3) 및 연결 구간(p4)이 일 수평 기간에 포함될 수 있다.Referring to FIG. 5, in each of the pixels arranged in one horizontal line through the initialization period p1, the sampling and programming interval p2, the voltage horizontal holding interval p3, the connection interval p4 and the light emission interval p5, The data voltage Vdata is written, and each pixel emits light. The time of each of the initialization period p1, the sampling and programming interval p2, the voltage horizontal holding interval p3, the connection interval p4 and the light emitting interval p5 may be variously changed according to the embodiment. For example, the initialization period p1, the sampling and programming period p2, the voltage horizontal holding period p3, and the connection period p4 may be included in one horizontal period.

먼저, 초기화 구간(p1)이 시작되는 순간 제1 스캔 신호(SCAN1)가 하이 상태로 라이징 되고, 제2 스캔 신호(SCAN2)는 로우 상태를 유지한다. 이와 동시에 제n-1 발광 제어 신호(EM[n-1])는 로우 상태로 폴링되고, 제n 발광 제어 신호(EM[n])는 하이 상태로 유지된다. 이에, 초기화 구간(p1) 동안 제2 스위칭 TFT(T2), 제3 스위칭 TFT(T3) 및 제5 스위칭 TFT(T5)는 턴 온되고, 제1 스위칭 TFT(T1) 및 제4 스위칭 TFT(T4)는 턴 오프된다. First, at the start of the initialization period p1, the first scan signal SCAN1 is raised to a high state and the second scan signal SCAN2 is maintained at a low state. At the same time, the (n-1) -th emission control signal EM [n-1] is polled to the low state and the nth emission control signal EM [n] is maintained in the high state. The second switching TFT T2, the third switching TFT T3 and the fifth switching TFT T5 are turned on during the initialization period p1 and the first switching TFT T1 and the fourth switching TFT T4 Is turned off.

구체적으로, 하이 상태의 제1 스캔 신호(SCAN1)로 인해 제2 스위칭 TFT(T2)의 액티브층(240)에 백 채널(B-CN)이 형성되어, 제2 스위칭 TFT(T2)에는 제1 레벨(I1)의 온 전류(Ion)가 흐르게 된다.Specifically, a back channel (B-CN) is formed in the active layer 240 of the second switching TFT (T2) due to the first scan signal SCAN1 in the high state, and the first switching TFT The on current Ion of the level I 1 flows.

이에 따라, 제5 스위칭 TFT(T5)를 통해 초기화 전압(Vinit)이 제4 노드(N4)에 공급되고, 제3 스위칭 TFT(T3)를 통해 제1 노드(N1)에 인가된 고전위 전압(VDD)이 제2 스위칭 TFT(T2)를 통해 제2 노드(N2)로 공급된다. 즉, 구동 TFT(DT)의 소스 전극에 연결되는 제4 노드(N4)에 초기화 전압(Vinit)이 공급됨에 따라, 유기 발광 소자(OD)에 기입된 데이터 전압(Vdata)이 초기화되고, 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에는 고전위 전압(VDD)이 공급된다. Thus, the initializing voltage Vinit is supplied to the fourth node N4 through the fifth switching TFT T5, and the high-potential voltage (Vout) applied to the first node N1 through the third switching TFT T3 VDD are supplied to the second node N2 through the second switching TFT T2. That is, the initialization voltage Vinit is supplied to the fourth node N4 connected to the source electrode of the driving TFT DT, so that the data voltage Vdata written in the organic light emitting element OD is initialized, (VDD) is supplied to the gate electrode of the transistor DT.

샘플링 및 프로그래밍 구간(p2) 동안, 제1 스캔 신호(SCAN1)는 하이 상태로 유지되고, 제2 스캔 신호(SCAN2)는 하이 상태로 라이징된다. 샘플링 및 프로그래밍 구간(p2) 동안 제n-1 발광 제어 신호(EM[n-1])는 로우 상태로 유지되고, 제n 발광 제어 신호(EM[n])는 로우 상태로 폴링된다. 이에, 샘플링 및 프로그래밍 구간(p2) 동안 제1 스위칭 TFT(T1), 제2 스위칭 TFT(T2) 및 제5 스위칭 TFT(T5)는 턴 온되고, 제3 스위칭 TFT(T3) 및 제4 스위칭 TFT(T4)는 턴 오프된다. During the sampling and programming period p2, the first scan signal SCAN1 is maintained in the high state and the second scan signal SCAN2 is raised in the high state. The n-th emission control signal EM [n-1] is held in the low state and the nth emission control signal EM [n] is polled in the low state during the sampling and programming period p2. Thus, during the sampling and programming period p2, the first switching TFT (T1), the second switching TFT (T2) and the fifth switching TFT (T5) are turned on, and the third switching TFT (T3) (T4) is turned off.

구체적으로, 하이 상태의 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)로 인해 제2 스위칭 TFT(T2)의 액티브층(240)에 프론트 채널(F-CN) 및 백 채널(B-CN)이 형성되어, 제2 스위칭 TFT(T2)에는 제1 레벨(I1)보다 하이 레벨인 제2 레벨(I2)의 온 전류가 흐르게 된다.The front channel F-CN and the back channel B-2 are connected to the active layer 240 of the second switching TFT T2 due to the high-level first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2. And a second level (I 2 ) of on-current that is at a higher level than the first level I 1 flows through the second switching TFT T 2.

이에 따라, 제1 스위칭 TFT(T1)를 통해 데이터 전압(Vdata)이 제3 노드(N3)로 공급된다. 또한, 제2 스위칭 TFT(T2)가 턴 온됨에 따라, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극에 연결되는 제1 노드(N1) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 연결되는 제2 노드(N2)가 연결됨으로써, 다이오드 커넥션(diode-connection) 방식에 의해 구동 TFT(DT)의 Vgs는 구동 TFT(DT)의 Vth로 샘플링된다. 또한, 제5 스위칭 TFT(T5)가 턴 온됨에 따라, 제4 노드(N4)에 초기화 전압(Vinit)이 공급되고, 커패시터에는 Vdata+Vth-Vinit이 저장된다. 이에, 샘플링 기간(t2) 동안 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전압은 Vdata+Vth이고, 제3 노드(N3)의 전압은 Vdata이며, 제4 노드(N4)의 전압은 초기화 전압(Vinit)이다. Accordingly, the data voltage (Vdata) is supplied to the third node (N3) through the first switching TFT (T1). As the second switching TFT T2 is turned on, the first node N1 connected to the drain electrode of the driving TFT DT and the second node N2 connected to the gate electrode of the driving TFT DT, The Vgs of the driving TFT DT is sampled at the Vth of the driving TFT DT by a diode-connection method. Further, as the fifth switching TFT T5 is turned on, the initializing voltage Vinit is supplied to the fourth node N4, and Vdata + Vth-Vinit is stored in the capacitor. Therefore, during the sampling period t2, the voltages of the first node N1 and the second node N2 are Vdata + Vth, the voltage of the third node N3 is Vdata, and the voltage of the fourth node N4 is Is the initialization voltage (Vinit).

전압 수평 홀딩 구간(p3)이 시작되는 순간 제1 스캔 신호(SCAN1)와 제2 스캔 신호(SCAN2)는 순차적으로 로우 상태로 폴링된다. 즉, 전압 수평 홀딩 구간(p3)이 시작되는 순간, 제1 스캔 신호(SCAN1)이 폴링되어 로우 상태로 된 직후, 제2 스캔 신호(SCAN2)는 폴링하여 로우 상태로 되고, 제n-1 발광 제어 신호(EM[n-1]) 및 제n 발광 제어 신호(EM[n])는 로우 상태를 유지한다. 이에, 전압 수평 홀딩 구간(p3)이 시작되는 제1 스위칭 TFT(T1), 제3 스위칭 TFT(T3), 제4 스위칭 TFT(T4) 및 제5 스위칭 TFT(T5)는 턴 오프되고, 제2 스위칭 TFT(T2)는 단계적으로 턴오프된다.The first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are sequentially polled to a low state at the moment when the voltage horizontal holding period p3 is started. That is, the second scan signal SCAN2 is polled to be in a low state immediately after the first scan signal SCAN1 is polled to be a low state at the beginning of the voltage horizontal holding period p3, The control signal EM [n-1] and the nth emission control signal EM [n] maintain a low state. Thus, the first switching TFT T1, the third switching TFT T3, the fourth switching TFT T4, and the fifth switching TFT T5 at which the voltage horizontal holding period p3 starts are turned off, The switching TFT T2 is turned off stepwise.

구체적으로, 하이 상태의 제2 스캔 신호(SCAN2)로 인해 제2 스위칭 TFT(T2)의 액티브층(240)에 프론트 채널(F-CN)이 형성되어, 제2 스위칭 TFT(T2)에는 제1 레벨(I1)의 온 전류(Ion)가 흐르게 된다. 이후, 제2 스캔 신호(SCAN2)가 로우 상태로 폴링될 경우, 제2 스위칭 TFT(T2)의 액티브층(240)에 어떠한 채널도 형성되지 않아, 제2 스위칭 TFT(T2)은 오프-전류(I0)가 흐르게 되어 단계적으로 턴오프된다.Specifically, the front channel F-CN is formed in the active layer 240 of the second switching TFT T2 due to the second scan signal SCAN2 in the high state, and the first switching TFT T2 is supplied with the first The on current Ion of the level I 1 flows. Thereafter, when the second scan signal SCAN2 is polled to a low state, no channel is formed in the active layer 240 of the second switching TFT T2, and the second switching TFT T2 is turned off I 0 ) flows and is turned off stepwise.

이에 따라, 샘플링 및 프로그래밍 구간(p2)에서 샘플링되거나 기입된 제1 노드(N1), 제2 노드(N2), 제3 노드(N3) 및 제4 노드(N4) 각각은 플로팅되고, 각 노드의 전압은 그대로 유지된다. Accordingly, the first node N1, the second node N2, the third node N3, and the fourth node N4 sampled or written in the sampling and programming period p2 are floated, The voltage remains unchanged.

특히, 유기 발광 표시 장치에서 화소의 제2 스위칭 TFT(T2)는 산화물 반도체 TFT로 이루어지는 경우, 이와 같은 화소 회로는 저속 구동에 유리하다. 구체적으로, 산화물 반도체 TFT로 이루어진 스위칭 TFT는 오프-전류가 매우 적으므로, 전압 수평 홀딩 구간(p3) 동안 제1 노드(N1), 제2 노드(N2), 제3 노드(N3) 및 제4 노드(N4) 각각의 전압을 수평 홀딩하는데 유리하다. 즉, 산화물 반도체 TFT로 이루어진 스위칭 TFT에서는 전압 수평 홀딩 구간(p3) 동안 오프-전류가 매우 적어 제1 노드(N1), 제2 노드(N2), 제3 노드(N3) 및 제4 노드(N4) 각각의 전압이 감소되지 않고 수평 홀딩될 수 있다. 이에 따라, 화소의 제2 스위칭 TFT(T2)는 산화물 반도체 TFT로 이루어지고 화소의 구동 TFT(DT)는 LTPS TFT로 이루어지는 경우, 저속 구동에서도 오프-전류가 적으므로 전압 수평 홀딩 구간(p3) 동안 각 노드의 전압이 거의 감소하지 않고 수평 홀딩될 수 있다. Particularly, in the case where the second switching TFT (T2) of the pixel in the organic light emitting diode display is composed of an oxide semiconductor TFT, such a pixel circuit is advantageous for low speed driving. Specifically, since the switching TFT formed of the oxide semiconductor TFT has a very small off-current, the first node N1, the second node N2, the third node N3, and the fourth node N3 during the voltage horizontal holding period p3. It is advantageous to horizontally hold the voltage of each of the nodes N4. That is, in the switching TFT composed of the oxide semiconductor TFT, since the off-current is very small during the voltage holding period p3, the first node N1, the second node N2, the third node N3, and the fourth node N4 ) Can be held horizontally without reducing each voltage. Accordingly, when the second switching TFT T2 of the pixel is made of the oxide semiconductor TFT and the driving TFT DT of the pixel is made of the LTPS TFT, since the off-current is small even in the low-speed driving, The voltage of each node can be held horizontally with almost no reduction.

그리고 스캔 신호(SCAN1, SCAN2)의 폴링 시점과 관련하여, 전압 수평 홀딩 구간(p3)이 시작되는 순간, 제1 스캔 신호(SCAN1)이 폴링되어 로우 상태로 된 직후, 제2 스캔 신호(SCAN2)는 폴링하여 로우 상태로 되는 것뿐만 아니라, 제2 스캔 신호(SCAN2)이 폴링되어 로우 상태로 된 직후, 제1 스캔 신호(SCAN1)는 폴링되어 로우 상태로 되는 것도 가능하다.The second scan signal SCAN2 is generated immediately after the first scan signal SCAN1 is polled and becomes a low state at the moment when the voltage horizontal holding period p3 is started with respect to the polling time of the scan signals SCAN1 and SCAN2, The first scan signal SCAN1 may be polled to be in a low state immediately after the second scan signal SCAN2 is polled to a low state as well as polled to be in a low state.

이렇게, 제1 스캔 신호(SCAN1)와 제2 스캔 신호(SCAN2)는 순차적으로 로우 상태로 폴링되면, 제2 스위칭 TFT(T2)는 되어 단계적으로 턴오프된다. 다만, 제1 스캔 신호(SCAN1)와 제2 스캔 신호(SCAN2)의 폴링되는 순서는 더블 게이트 (double gate)구조의 제2 스위칭 TFT(T2)의 제1 게이트 전극(220) 및 제2 게이트 전극(260)과 액티브층(240)의 배치 관계에 의한 채널 형성 기여도에 의해서 정해지는 것이다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 채널 형성 기여도는 제2 게이트 전극(260)보다 제1 게이트 전극(220)이 더 크므로, 제1 스캔 신호(SCAN1)이 폴링되어 로우 상태로 된 직후, 제2 스캔 신호(SCAN2)는 폴링하여 로우 상태로 된다.Thus, when the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are sequentially polled to the low state, the second switching TFT T2 is turned off step by step. The order in which the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are polled is that the first gate electrode 220 of the second switching TFT T2 having a double gate structure, Is determined by the channel forming contribution due to the arrangement relationship between the active layer 260 and the active layer 240. Therefore, since the first gate electrode 220 is larger than the second gate electrode 260 in the channel formation contribution of the organic light emitting display according to the embodiment of the present invention, the first scan signal SCAN1 is polled, The second scan signal SCAN2 is polled to be in a low state.

연결 구간(p4) 동안, 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)는 로우 상태로 유지된다. 그리고, 연결 구간(p4)이 시작되는 순간 제n-1 발광 제어 신호(EM[n-1])가 라이징되어 하이 상태로 되고, 제n 발광 제어 신호(EM[n])는 로우 상태로 유지된다. 이에, 연결 구간(p4) 동안 제4 스위칭 TFT(T4)만 턴 온되고, 제1 스위칭 TFT(T1), 제2 스위칭 TFT(T2), 제3 스위칭 TFT(T3) 및 제5 스위칭 TFT(T5)는 모두 턴 오프된다. 이에 따라, 제4 스위칭 TFT(T4)가 턴 온되어 제3 노드(N3)와 제4 노드(N4)가 연결되고, 제3 노드(N3)에 수평 홀딩된 Vdata가 제4 노드(N4)에 공급된다. During the connection period p4, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are held in a low state. Then, the n-th emission control signal EM [n-1] is raised to a high state and the nth emission control signal EM [n] is maintained in a low state as soon as the connection section p4 starts. do. Thus, during the connection period p4, only the fourth switching TFT T4 is turned on and the first switching TFT T1, the second switching TFT T2, the third switching TFT T3, and the fifth switching TFT T5 ) Are all turned off. Accordingly, the fourth switching TFT T4 is turned on to connect the third node N3 and the fourth node N4, and the Vdata horizontally held in the third node N3 is connected to the fourth node N4 .

발광 구간(p5) 동안, 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)는 로우 상태로 유지된다. 발광 구간(p5)이 시작되는 순간 제n 발광 제어 신호(EM[n])는 라이징되어 발광 구간(p5) 동안 하이 상태를 유지한다. 또한, 제n-1 발광 제어 신호(EM[n-1])도 하이 상태를 유지한다. 이에, 발광 구간(p5) 동안 제1 스위칭 TFT(T1), 제2 스위칭 TFT(T2) 및 제5 스위칭 TFT(T5)는 턴 오프되고, 제3 스위칭 TFT(T3) 및 제4 스위칭 TFT(T4)는 턴 온된다. 또한, 연결 구간(p4)까지 제2 노드(N2)에 저장되어 있던 Vdata+Vth에 의해 구동 TFT(DT)도 턴 온되어 고전위 전압(VDD) 라인으로부터 유기 발광 소자(OD)까지 구동 전류가 흐를 수 있는 경로가 형성된다. 즉, 발광 구간(p5) 동안 턴 온된 구동 TFT(DT), 제3 스위칭 TFT(T3) 및 제4 스위칭 TFT(T4)를 통해 유기 발광 소자(OD)로 Ioled가 흐른다. 또한, 발광 구간(p5)에서 구동 TFT(DT)의 Vgs는 Vdata를 포함하는 전압으로 표현되고, 구동 TFT(DT)의 Vth가 보상되므로, 구동 TFT(DT)의 Vdata의 크기에 의해 Ioled의 크기도 조절되고, Ioled에 의해 유기 발광 소자(OD)가 발광하여 휘도가 상승하게 된다. During the light emission period p5, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are held in a low state. The nth emission control signal EM [n] is raised and maintained in the high state during the light emission period p5 at the start of the emission period p5. Further, the (n-1) -th emission control signal EM [n-1] also maintains a high state. Thus, during the light emitting period p5, the first switching TFT T1, the second switching TFT T2 and the fifth switching TFT T5 are turned off, and the third switching TFT T3 and the fourth switching TFT T4 ) Is turned on. The driving TFT DT is also turned on by Vdata + Vth stored in the second node N2 until the connection period p4 so that the driving current from the high voltage VDD line to the organic light emitting diode OD A flow path is formed. That is, Ioled flows to the organic light emitting diode OD through the driving TFT DT, the third switching TFT T3, and the fourth switching TFT T4 turned on during the light emitting period p5. The Vgs of the drive TFT DT is represented by a voltage including Vdata and the Vth of the drive TFT DT is compensated in the light emission period p5 so that the magnitude of the Ioled And the organic light emitting diode OD emits light by the Ioled to increase the brightness.

전술한 바와 같이, 전압 수평 홀딩 구간(p3)에서, 제1 스캔 신호(SCAN1)와 제2 스캔 신호(SCAN2)는 순차적으로 로우 상태로 폴링된다. 즉, 전압 수평 홀딩 구간(p3)이 시작되는 순간, 제1 스캔 신호(SCAN1)이 폴링되어 로우 상태로 된 직후, 제2 스캔 신호(SCAN2)는 폴링하여 로우 상태로 된다.As described above, in the voltage horizontal holding period p3, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are sequentially polled to a low state. That is, the second scan signal SCAN2 is polled to be in a low state immediately after the first scan signal SCAN1 is polled and becomes a low state at the moment when the voltage horizontal holding period p3 starts.

전압 수평 홀딩 구간(p3)에서 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)가 폴링될 때, 제2 스위칭 TFT(T2)의 온 전류(Ion)의 급격한 감소로 인한 킥백(kick-back) 현상으로 인해, 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 연결되는 제2 노드(N2)의 전압 또한 폴링되게 된다.When the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are polled in the voltage horizontal holding period p3, the kick-back due to the abrupt decrease in the on current Ion of the second switching TFT T2, back, the voltage at the second node N2 connected to the gate electrode of the driving TFT DT is also polled.

이에, 전압 수평 홀딩 구간(p3)에서 제2 스위칭 TFT(T2)에 더블 게이트(double gate) 구조를 적용하고 이에 인가되는 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)를 순차적으로 폴링시킴으로써, 제2 스위칭 TFT(T2)를 단계적으로 턴오프시켜 제2 스위칭 TFT(T2)에 흐르는 온 전류(Ion)를 단계적으로 감소시킬 수 있다. 이로 인해, 구동 TFT(DT) 게이트 전극의 전압 강하되는 킥백(kick-back)현상이 완화된다. Accordingly, in the voltage horizontal holding period p3, a double gate structure is applied to the second switching TFT T2, and the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 applied thereto are sequentially polled The second switching TFT T2 can be turned off step by step to gradually reduce the on current Ion flowing in the second switching TFT T2. This alleviates the kick-back phenomenon in which the voltage of the gate electrode of the driving TFT DT is lowered.

따라서, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 전압의 변동을 최소화하고, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 전압에 의해 결정되는 유기 발광 소자(OD)의 구동 전류의 변화를 최소화할 수 있어, 유기 발광 소자(OD)휘도 편차를 회소화 할 수 있다.Therefore, the variation of the gate-source voltage of the driving TFT DT can be minimized, and the variation of the driving current of the organic light-emitting element OD determined by the gate-source voltage of the driving TFT DT can be minimized, The luminance deviation of the light emitting device (OD) can be reduced.

이렇게, 스캔 신호의 게이트 하이 전압을 설정하여, 킥백 현상에 의한 휘도 편차를 최소화하여, 화면에 의도치 않았던 얼룩이나 무늬가 발생되는 문제점을 해결할 수 있다.Thus, it is possible to solve the problem of setting the gate high voltage of the scan signal so as to minimize the luminance deviation due to the kickback phenomenon, and to thereby generate unintentional spots or patterns on the screen.

이하에서는 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 구비된 4T2C 화소 회로를 나타내는 회로도이다. 6 is a circuit diagram showing a 4T2C pixel circuit included in an OLED display according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 화소 회로는 구동 TFT(DT), 3개의 스위칭 TFT(T1, T2, T3) 및 2개의 커패시터(C1, C2)를 포함한다. Referring to Fig. 6, the pixel circuit includes a driving TFT DT, three switching TFTs T1, T2 and T3 and two capacitors C1 and C2.

구동 TFT(DT)는 제1 스위칭 TFT(T1)와 연결된 제1 노드(N1)에 연결된 게이트 전극, 제2 스위칭 TFT(T2)와 연결된 제2 노드(N2)에 연결된 소스 전극 및 제3 스위칭 TFT(T3)와 연결된 제3 노드(N3)에 연결된 드레인 전극을 포함한다. The driving TFT DT includes a gate electrode connected to the first node N1 connected to the first switching TFT T1, a source electrode connected to the second node N2 connected to the second switching TFT T2, And a drain electrode connected to a third node N3 connected to the third node T3.

구체적으로, 구동 TFT(DT)의 게이트 전극은 데이터 전압(Vdata), 기준 전압(Vref)을 공급하는 데이터 라인에 전기적으로 연결된다. 이에, 구동 TFT(DT)의 게이트 전극은 제1 스위칭 TFT(T1)의 소스 전극에 연결되어 데이터 전압(Vdata) 및 기준 전압(Vref)을 공급 받는다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극은 고전위 전압(VDD) 라인에 전기적으로 연결된다. 이에, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극은 제3 스위칭 TFT(T3)의 소스 전극에 연결되어 고전위 전압(VDD)을 공급 받는다. 구동 TFT(DT)의 소스 전극은 유기 발광 소자(OD)와 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 구동 TFT(DT)의 소스 전극은 유기 발광 소자(OD)의 애노드와 연결되고, 제2 스위칭 TFT(T2)의 소스 전극과 연결된다. Specifically, the gate electrode of the driving TFT DT is electrically connected to the data line supplying the data voltage Vdata and the reference voltage Vref. The gate electrode of the driving TFT DT is connected to the source electrode of the first switching TFT Tl to receive the data voltage Vdata and the reference voltage Vref. The drain electrode of the driving TFT DT is electrically connected to the high potential voltage (VDD) line. Thus, the drain electrode of the driving TFT DT is connected to the source electrode of the third switching TFT T3 and is supplied with the high-potential voltage VDD. The source electrode of the driving TFT DT is electrically connected to the organic light emitting diode OD. Specifically, the source electrode of the driving TFT DT is connected to the anode of the organic light emitting element OD, and is connected to the source electrode of the second switching TFT T2.

이에 따라, 발광 제어 신호(EM)에 의해 제3 스위칭 TFT(T3)가 턴 온되고 구동 TFT(DT)도 턴 온 되면, 구동 TFT(DT)는 게이트 전극 및 소스 전극에 인가된 전압에 기초하여 유기 발광 소자(OD)에 흐르는 전류의 크기를 제어하여, 유기 발광 소자(OD)의 휘도를 제어한다.Thus, when the third switching TFT T3 is turned on by the emission control signal EM and the driving TFT DT is also turned on, the driving TFT DT is turned on based on the voltage applied to the gate electrode and the source electrode The brightness of the organic light emitting diode OD is controlled by controlling the magnitude of the current flowing through the organic light emitting diode OD.

제1 스위칭 TFT(T1)는 제1 스캔 신호(SCAN1) 라인에 연결된 제1 게이트 전극(320), 제2 스캔 신호(SCAN1) 라인에 연결된 제2 게이트 전극(360), 데이터 라인에 연결된 드레인 전극 및 구동 TFT(DT)와 연결된 제1 노드(N1)에 연결된 소스 전극을 포함한다. 즉, 즉, 제2 스위칭 TFT(T2)는 제1 게이트 전극(320) 및 제2 게이트 전극(360)을 구비하는 더블 게이트(double gate) 구조이다.The first switching TFT T1 includes a first gate electrode 320 connected to the first scan signal SCAN1 line, a second gate electrode 360 connected to the second scan signal line SCAN1, And a source electrode connected to the first node N1 connected to the driving TFT DT. That is, the second switching TFT T2 is a double gate structure including the first gate electrode 320 and the second gate electrode 360. [

구체적으로, 이에, 제1 스위칭 TFT(T1)는 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 턴 온될 수 있다. 즉, 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)가 하이 상태인 경우, 제1 스위칭 TFT(T1)는 턴 온된다. 제1 스위칭 TFT(T1)의 드레인 전극은 데이터 라인에 연결되어 데이터 전압(Vdata) 및 기준 전압(Vref)을 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 전달한다. Specifically, the first switching TFT Tl can be turned on by the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2. That is, when the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are in a high state, the first switching TFT T1 is turned on. The drain electrode of the first switching TFT (T1) is connected to the data line to transfer the data voltage (Vdata) and the reference voltage (Vref) to the gate electrode of the driving TFT (DT).

이에 따라, 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)가 하이 상태인 경우, 제1 스위칭 TFT(T1)는 턴 온되어 데이터 전압(Vdata), 기준 전압(Vref)을 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 공급한다. Accordingly, when the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are in the high state, the first switching TFT T1 is turned on to supply the data voltage Vdata and the reference voltage Vref to the driving TFTs DT).

그리고 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제2 스위칭 TFT의 경우, 제1 게이트 전극(320)에 인가되는 제1 스캔 신호(SCAN1)에 따라 백 채널(B-CN)을 제어하고, 제2 게이트 전극(360)에 인가되는 제2 스캔 신호(SCAN2)에 따라 프론트 채널(F-CN)을 제어한다.Referring to FIG. 4, in the case of the second switching TFT of the organic light emitting diode display according to the embodiment of the present invention, a back channel (B) is formed according to the first scan signal SCAN1 applied to the first gate electrode 320, And controls the front channel F-CN according to the second scan signal SCAN2 applied to the second gate electrode 360. [

그러나, 본 발명의 다른 실시예에 다른 유기 발광 표시 장치의 제1 스위칭 TFT의 경우, 제1 게이트 전극(320)에 인가되는 제2 스캔 신호(SCAN2)에 따라 백 채널(B-CN)을 제어하고, 제2 게이트 전극(360)에 인가되는 제1 스캔 신호(SCAN1)에 따라 프론트 채널(F-CN)을 제어함으로써, 제1 스위칭 TFT(T1)의 액티브층(340)에 흐르는 온 전류(Ion)를 단계적으로 제어할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예와 다른 실시예에 제1 게이트 전극(320) 및 제2 게이트 전극(360)에 인가되는 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)는 서로 교차될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.However, in the case of the first switching TFT of the OLED display according to another embodiment of the present invention, the back channel (B-CN) is controlled in accordance with the second scan signal SCAN2 applied to the first gate electrode 320 And controls the front channel F-CN in accordance with the first scan signal SCAN1 applied to the second gate electrode 360 so that the ON current flowing through the active layer 340 of the first switching TFT T1 Ion) can be controlled step by step. That is, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2, which are applied to the first gate electrode 320 and the second gate electrode 360 according to an embodiment of the present invention, . However, the present invention is not limited thereto.

제2 스위칭 TFT(T2)는 제2 스캔 신호(SCAN2) 라인에 연결된 게이트 전극, 초기화 전압(Vinit) 라인에 연결된 드레인 전극 및 구동 TFT(DT)의 소스 전극과 연결된 소스 전극을 포함한다. 구체적으로, 제2 스위칭 TFT(T2)의 게이트 전극은 제2 스캔 신호(SCAN2)가 하이 상태인 경우 제2 스위칭 TFT(T2)가 턴 온 된다. 제2 스위칭 TFT(T2)는 초기화 전압(Vinit)을 제2 노드(N2)에 공급한다. 제2 스위칭 TFT(T2)의 소스 전극은 구동 TFT(DT)의 소스 전극 및 유기 발광 소자(OD)의 애노드와 연결된 제2 노드(N2)에 직접 연결된다.The second switching TFT T2 includes a gate electrode connected to the second scan signal SCAN2 line, a drain electrode connected to the initialization voltage Vinit line, and a source electrode connected to the source electrode of the driving TFT DT. Specifically, when the second scan signal SCAN2 is in the high state, the gate electrode of the second switching TFT T2 turns on the second switching TFT T2. The second switching TFT T2 supplies the initializing voltage Vinit to the second node N2. The source electrode of the second switching TFT T2 is directly connected to the source electrode of the driving TFT DT and the second node N2 connected to the anode of the organic light emitting diode OD.

이에 따라, 제2 스캔 신호(SCAN2)가 하이 상태인 경우, 제2 스위칭 TFT(T2)는 턴 온되어 초기화 전압(Vinit)을 제2 노드(N2)에 공급하여, 유기 발광 소자(OD)에 기입된 데이터 전압(Vdata)을 초기화 시킨다.Accordingly, when the second scan signal SCAN2 is in the high state, the second switching TFT T2 is turned on to supply the initialization voltage Vinit to the second node N2, Thereby initializing the written data voltage Vdata.

제3 스위칭 TFT(T3)는 발광 제어 신호(EM) 라인에 연결된 게이트 전극, 고전위 전압(VDD) 라인에 연결된 드레인 전극 및 구동 TFT(DT)의 드레인 전극과 연결된 소스 전극을 포함한다. 구체적으로, 제3 스위칭 TFT(T3)의 게이트 전극은 발광 제어 신호(EM) 라인에 연결되어, 발광 제어 신호(EM)가 하이 상태인 경우 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 온 된다. 제3 스위칭 TFT(T3)의 드레인 전극은 고전위 전압(VDD) 라인에 직접 연결된다. The third switching TFT T3 includes a gate electrode connected to the emission control signal EM line, a drain electrode connected to the high potential voltage (VDD) line, and a source electrode connected to the drain electrode of the driving TFT DT. Specifically, the gate electrode of the third switching TFT T3 is connected to the emission control signal EM, and when the emission control signal EM is in the high state, the third switching TFT T3 is turned on. The drain electrode of the third switching TFT T3 is directly connected to the high potential voltage (VDD) line.

이에 따라, 발광 제어 신호(EM)가 하이 상태인 경우, 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 온되어 고전위 전압(VDD)을 구동 TFT(DT)의 드레인 전극에 공급하여, 구동 TFT(DT)가 데이터 전압(Vdata)에 의해 유기 발광 소자(OD)의 전류량을 조절한다.The third switching TFT T3 is turned on to supply the high potential voltage VDD to the drain electrode of the driving TFT DT so that the driving TFT DT is turned on, Adjusts the amount of current of the organic light emitting diode OD by the data voltage Vdata.

2개의 커패시터는 구동 TFT(DT)의 게이트 전극 또는 소스 전극에 인가되는 전압을 저장하는 저장 커패시터일 수 있다. 또한, 2개의 커패시터는 구동 TFT(DT)의 소스 전극에서 직렬로 연결된다.The two capacitors may be a storage capacitor for storing a voltage applied to the gate electrode or the source electrode of the driving TFT DT. Further, the two capacitors are connected in series at the source electrode of the driving TFT DT.

구체적으로, 제1 커패시터(C1)는 구동 TFT(DT)의 게이트 전극인 제1 노드(N1) 및 구동 TFT(DT)의 소스 전극인 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결된다. 이에, 제1 커패시터(C1)는 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)에 인가되는 전압의 차이만큼 전압을 저장한다. 제2 커패시터(C2)는 구동 TFT(DT)의 소스 전극인 제2 노드(N2) 및 고전위 전압(VDD) 라인과 전기적으로 연결된다. 또한, 제2 커패시터(C2)는 제2 노드(N2)에서 제1 커패시터(C1)와 직렬로 연결된다. 이에, 제2 커패시터(C2)는 제1 커패시터(C1)와 함께 전압 분배에 의한 전압을 저장한다.Specifically, the first capacitor C1 is electrically connected to the first node N1 which is the gate electrode of the drive TFT DT and the second node N2 which is the source electrode of the drive TFT DT. The first capacitor C1 stores a voltage corresponding to the difference between the voltages applied to the first node N1 and the second node N2. The second capacitor C2 is electrically connected to the second node N2, which is the source electrode of the driving TFT DT, and the high potential voltage (VDD) line. Also, the second capacitor C2 is connected in series with the first capacitor C1 at the second node N2. Thus, the second capacitor C2 stores the voltage by the voltage division together with the first capacitor C1.

예를 들어, 제1 커패시터(C1)는 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전압 차이로 구동 TFT(DT)의 문턱 전압을 저장하여 샘플링한다. 또한, 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 경우, 제1 커패시터(C1)는 제2 커패시터(C2)와의 전압 분배에 의해 결정되는 전압을 저장하여 프로그래밍한다. 즉, 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)는 소스 팔로워(source-follower) 방식으로 구동 TFT(DT)의 문턱 전압을 샘플링한다. 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전위가 변하는 경우, 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)는 전압 분배를 통해 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전위를 각각 저장한다. For example, the first capacitor C1 stores and samples the threshold voltage of the driving TFT DT with a voltage difference between the first node N1 and the second node N2. Further, when the data voltage Vdata is applied, the first capacitor C1 stores and programs the voltage determined by the voltage division with the second capacitor C2. That is, the first capacitor C1 and the second capacitor C2 sample the threshold voltage of the driving TFT DT in a source-follower manner. The first capacitor C1 and the second capacitor C2 are connected to the first node N1 and the second node N2 through a voltage distribution when the potentials of the first node N1 and the second node N2 change, Respectively.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 회로에 입력되는 신호를 나타내는 파형도이다. 설명의 편의를 위해 도 6을 참조하여 후술한다.7 is a waveform diagram illustrating signals input to a pixel circuit of an OLED display according to another embodiment of the present invention. Will be described later with reference to Fig. 6 for convenience of explanation.

도 7를 참조하면, 초기화 구간(p1), 샘플링 구간(p2), 프로그래밍 구간(p3) 및 발광 구간(p4)거쳐 1 수평 라인에 배치된 화소 각각에 데이터 전압(Vdata)이 기입되고, 화소 각각이 발광한다. 도 7에서는 초기화 구간(p1), 샘플링 구간(p2), 프로그래밍 구간(p3) 및 발광 구간(p4) 각각이 동일한 시간 동안 유지되는 것으로 도시되었으나, 초기화 구간(p1), 샘플링 구간(p2), 프로그래밍 구간(p3) 및 발광 구간(p4) 각각의 시간은 실시예에 따라 다양하게 변화할 수 있다. 예를 들어, 초기화 구간(p1), 샘플링 구간(p2) 및 프로그래밍 구간(p3)이 일 수평 기간에 포함될 수 있다.7, a data voltage Vdata is written to each of the pixels arranged in one horizontal line through the initialization period p1, the sampling period p2, the programming period p3 and the light emission period p4, . Although the initialization interval p1, the sampling interval p2, the programming interval p3 and the light emitting interval p4 are shown as being maintained for the same time in FIG. 7, the initialization interval p1, the sampling interval p2, The periods p3 and p4 may vary in various ways depending on the embodiment. For example, the initialization period p1, the sampling period p2, and the programming period p3 may be included in one horizontal period.

먼저, 초기화 구간(p1)이 시작되는 순간 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)가 라이징되어 하이 상태로 된다. 이와 동시에 발광 제어 신호(EM)는 폴링되어 로우 상태로 된다. 이에, 초기화 구간(p1) 동안 제1 스위칭 TFT(T1) 및 제2 스위칭 TFT(T2)는 턴 온되고, 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 오프된다.First, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are rising and go high as soon as the initialization period p1 starts. Simultaneously, the emission control signal EM is polled to a low state. Thus, during the initialization period p1, the first switching TFT (T1) and the second switching TFT (T2) are turned on and the third switching TFT (T3) is turned off.

구체적으로, 하이 상태의 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)로 인해 제1 스위칭 TFT(T1)의 액티브층(340)에 프론트 채널(F-CN) 및 백 채널(B-CN)이 형성되어, 제1 스위칭 TFT(T1)에는 제2 레벨(I2)의 온 전류가 흐르게 된다.The front channel F-CN and the back channel B-2 are connected to the active layer 340 of the first switching TFT T 1 due to the first scan signal SCAN 1 and the second scan signal SCAN 2 in a high state, CN are formed, and a second-level (I 2 ) on-state current flows through the first switching TFT T 1.

이에 따라, 제1 스위칭 TFT(T1)에 의해 데이터 라인으로부터 기준 전압(Vref)이 제1 노드(N1)에 공급된다. 또한, 제2 스위칭 TFT(T2)에 의해 초기화 전압(Vinit) 라인으로부터 초기화 전압(Vinit)이 제2 노드(N2)에 공급된다. 즉, 구동 TFT(DT)의 소스 전극인 제2 노드(N2)에 초기화 전압(Vinit)이 공급됨에 따라, 유기 발광 소자(OD)에 기입된 데이터 전압(Vdata)이 초기화된다. Thus, the reference voltage Vref is supplied from the data line to the first node N1 by the first switching TFT (T1). Further, the initializing voltage Vinit is supplied from the initializing voltage (Vinit) line to the second node N2 by the second switching TFT T2. That is, the initialization voltage Vinit is supplied to the second node N2, which is the source electrode of the driving TFT DT, so that the data voltage Vdata written in the organic light emitting element OD is initialized.

샘플링 구간(p2) 동안, 제1 스캔 신호(SCAN1)는 하이 상태로 유지되고, 제2 스캔 신호(SCAN2)는 로우 상태를 유지한다. 샘플링 구간(p2)이 시작되는 순간 발광 제어 신호(EM)는 라이징되어 샘플링 구간(p2) 동안 하이 상태를 유지한다. 이에, 샘플링 구간(p2) 동안 제1 스위칭 TFT(T1) 및 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 온되고, 제2 스위칭 TFT(T2)는 턴 오프된다. During the sampling period p2, the first scan signal SCAN1 is held in a high state and the second scan signal SCAN2 is held in a low state. The emission control signal EM rises as soon as the sampling period p2 starts and maintains the high state during the sampling period p2. Thus, the first switching TFT (T1) and the third switching TFT (T3) are turned on and the second switching TFT (T2) is turned off during the sampling period (p2).

구체적으로, 하이 상태의 제1 스캔 신호(SCAN1)로 인해 제1 스위칭 TFT(T1)의 액티브층(340)에 프론트 채널(F-CN)이 형성되어, 제1 스위칭 TFT(T1)에는 제2 레벨(I2)보다 로우 레벨인 제1 레벨(I1)의 온 전류(Ion)가 흐르게 된다.Specifically, the front channel F-CN is formed in the active layer 340 of the first switching TFT T 1 by the first scan signal SCAN 1 in the high state, and the first switching TFT T 1 is provided with the second scan signal the on-current (Ion) of a first level (I 1) the low level than the level (I 2) flows.

이에 따라, 턴 온된 제1 스위칭 TFT(T1)를 통해 기준 전압(Vref)이 제1 노드(N1)로 공급되고, 턴 온된 제3 스위칭 TFT(T3)를 통해 고전위 전압(VDD)이 구동 TFT(DT)의 드레인 전극으로 공급된다. 즉, 샘플링 구간(p2) 동안 제1 노드(N1)의 전압은 기준 전압(Vref)으로 유지되고, 제2 노드(N2)의 전압은 구동 TFT(DT)의 드레인-소스 간 전류(이하, Ids라고 함)에 의해 상승한다. 여기서, 소스 팔로워(source-follower) 방식에 의해 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(이하, Vgs라 함)은 구동 TFT(DT)의 문턱 전압으로 샘플링된다. 이와 같이 샘플링된 구동 TFT(DT)의 문턱 전압은 제1 커패시터(C1)에 저장된다. 이에, 샘플링 기간(t2) 동안 제1 노드(N1)의 전압은 기준 전압(Vref)이고, 제2 노드(N2)의 전압은 Vref-Vth이다.Accordingly, the reference voltage Vref is supplied to the first node N1 through the turned-on first switching TFT Tl and the high-potential voltage VDD is supplied to the driving TFT Tl through the third switching TFT T3, Is supplied to the drain electrode of the transistor DT. That is, the voltage of the first node N1 is maintained at the reference voltage Vref during the sampling period p2, and the voltage of the second node N2 is maintained at the drain-source current of the driver TFT DT Quot;). Here, the gate-source voltage (hereinafter referred to as Vgs) of the driving TFT DT is sampled at the threshold voltage of the driving TFT DT by the source-follower method. The threshold voltage of the driver TFT DT thus sampled is stored in the first capacitor C1. Thus, during the sampling period t2, the voltage of the first node N1 is the reference voltage Vref and the voltage of the second node N2 is Vref-Vth.

프로그래밍 구간(p3) 동안 제1 스캔 신호(SCAN1)는 하이 상태로 유지되고, 제2 스캔 신호(SCAN2)는 로우 상태를 유지한다. 프로그래밍 구간(p3)이 시작되는 순간 발광 제어 신호(EM)는 폴링되어 프로그래밍 구간(p3) 동안 로우 상태를 유지한다. 이에, 프로그래밍 구간(p3) 동안 제1 스위칭 TFT(T1)만 턴 온되고, 제2 스위칭 TFT(T2) 및 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 오프된다. During the programming period p3, the first scan signal SCAN1 is maintained in a high state and the second scan signal SCAN2 is maintained in a low state. The emission control signal EM is polled at the moment when the programming period p3 is started and held low during the programming period p3. Thus, during the programming period p3, only the first switching TFT (T1) is turned on, and the second switching TFT (T2) and the third switching TFT (T3) are turned off.

샘플링 구간(p2)과 동일하게, 하이 상태의 제1 스캔 신호(SCAN1)로 인해 제1 스위칭 TFT(T1)의 액티브층(340)에 프론트 채널(F-CN)이 형성되어, 제1 스위칭 TFT(T1)에는 제2 레벨(I2)보다 로우 레벨인 제1 레벨(I1)의 온 전류(Ion)가 흐르게 된다.The front channel F-CN is formed in the active layer 340 of the first switching TFT T1 due to the first scan signal SCAN1 in the high state, as in the sampling period p2, (Ion) of the first level (I 1 ) which is lower in level than the second level (I 2 ) flows in the first transistor (T 1 ).

이에 따라, 턴 온된 제1 스위칭 TFT(T1)를 통해 데이터 전압(Vdata)이 제1 노드(N1)로 공급되고, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극 및 소스 전극은 플로팅 된다. Thus, the data voltage Vdata is supplied to the first node N1 through the turned-on first switching TFT T1, and the drain electrode and the source electrode of the driving TFT DT are floated.

프로그래밍 구간(p3) 동안 제1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)이 공급됨으로써, 제1 노드(N1)의 전압 변화량은 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2) 사이에서 전압 분배되고, 제2 노드(N2)의 전압은 전압 분배된 전압값으로 결정된다. 구체적으로, 제1 노드(N1)의 전압 변화량은 Vdata-Vref이고, 직렬로 연결된 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2) 사이의 전압 분배로 인해, 프로그래밍 구간(p3) 동안 제2 노드(N2)에서의 전압 변화량은 C1/(C1+C2)*(Vdata-Vref)이다. 즉, 제2 노드(N2)의 전압은 샘플링 구간(p2)에서 결정된 Vref-Vth에 프로그래밍 구간(p3) 동안 제2 노드(N2)에서의 전압 변화량인 C1/(C1+C2)*(Vdata-Vref)을 더한 값이 된다. 다시 말해, 프로그래밍 구간(p3)에서 제2 노드(N2)의 전압은 (Vref-Vth)+C1/(C1+C2)*(Vdata-Vref)이고, 구동 TFT(DT)의 Vgs는 (1- C1/(C1+C2))*(Vdata-Vref)+Vth로 프로그래밍된다. The data voltage Vdata is supplied to the first node N1 during the programming period p3 so that the voltage variation of the first node N1 is voltage-divided between the first capacitor C1 and the second capacitor C2 , The voltage of the second node N2 is determined as the voltage-divided voltage value. Specifically, the voltage change amount of the first node N1 is Vdata-Vref, and due to the voltage distribution between the first capacitor C1 and the second capacitor C2 connected in series, during the programming period p3, The amount of change in voltage at the node N2 is C1 / (C1 + C2) * (Vdata-Vref). That is, the voltage of the second node N2 is changed from Vref-Vth determined in the sampling period p2 to C1 / (C1 + C2) * (Vdata-Vth) which is the voltage variation amount in the second node N2 during the programming period p3, Vref). In other words, the voltage of the second node N2 in the programming period p3 is (Vref-Vth) + C1 / (C1 + C2) * (Vdata-Vref), and Vgs of the driving TFT DT is C1 / (C1 + C2)) * (Vdata-Vref) + Vth.

제2 스캔 신호(SCAN2)가 로우 상태로 유지되는 동안, 제1 스캔 신호(SCAN1)가 로우 상태로 폴링될 경우, 제1 스위칭 TFT(T1)의 액티브층(340)에 어떠한 채널도 형성되지 않아, 제2 스위칭 TFT(T2)은 오프-전류(I0)가 흐르게 되어 단계적으로 턴오프된다.When the first scan signal SCAN1 is polled to a low state while the second scan signal SCAN2 is maintained in the low state, no channel is formed in the active layer 340 of the first switching TFT T1 , The second switching TFT T2 is turned off step by step with the off-current I 0 flowing.

발광 구간(p4) 동안, 제1 스캔 신호(SCAN1)는 로우 상태로 되고, 제2 스캔 신호(SCAN2)도 로우 상태를 유지한다. 발광 구간(p4)이 시작되는 순간 발광 제어 신호(EM)는 라이징되어 발광 구간(p4) 동안 하이 상태를 유지한다. 이에, 발광 구간(p4) 동안 제1 스위칭 TFT(T1) 및 제2 스위칭 TFT(T2)는 턴 오프되고, 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 온된다. 이에 따라, 턴 온된 제3 스위칭 TFT(T3)를 통해 고전위 전압(VDD)이 구동 TFT(DT)의 드레인 전극으로 공급되고, Vds>Vgs>Vth가 되어 구동 TFT(DT)를 통해 유기 발광 소자(OD)로 전류가 흐른다. 구체적으로, 발광 구간(p4) 동안 구동 TFT(DT)의 Vgs에 의해 유기 발광 소자(OD)에 흐르는 전류(Ioled)가 조절되고, Ioled에 의해 유기 발광 소자(OD)가 발광하여 휘도가 상승하게 된다. 이와 같이 발광 구간(p4) 동안 유기 발광 소자(OD)에 흐르는 전류(Ioled)는 다음 [수학식 1]과 같다. During the light emission period p4, the first scan signal SCAN1 is brought into a low state and the second scan signal SCAN2 is held in a low state. The emission control signal EM rises and maintains the high level during the light emission period p4 at the start of the light emission period p4. Thus, during the light emission period p4, the first switching TFT T1 and the second switching TFT T2 are turned off, and the third switching TFT T3 is turned on. Accordingly, the high-potential voltage VDD is supplied to the drain electrode of the driving TFT DT through the turned-on third switching TFT T3, Vds> Vgs> Vth, (OD). Specifically, the current Ioled flowing through the organic light emitting element OD is controlled by the Vgs of the driving TFT DT during the light emitting period p4, and the organic light emitting element OD emits light by the Ioled to increase the luminance do. The current Ioled flowing through the organic light emitting diode OD during the light emission period p4 is expressed by the following equation (1).

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서, k는 화소 회로의 다양한 요인이 반영된 비례 상수이고, C'= C1/(C1+C2)이다. [수학식 1]을 검토해보면, [수학식 1]에서 Vth가 소거되어, 유기 발광 소자(OD)에 흐르는 전류(Ioled)는 구동 TFT(DT)의 문턱 전압의 영향을 받지 않는다. Here, k is a proportional constant reflecting various factors of the pixel circuit, and C '= C1 / (C1 + C2). Considering the expression (1), Vth is canceled in the expression (1), and the current Ioled flowing through the organic light emitting element OD is not affected by the threshold voltage of the driving TFT DT.

전술한 바와 같이, 제1 스캔 신호(SCAN1)와 제2 스캔 신호(SCAN2)는 순차적으로 로우 상태로 폴링된다. 즉, 초기화 구간(p1)이 끝나는 시점에, 제2 스캔 신호(SCAN2)이 폴링되어 로우 상태로 된 후 프로그래밍 구간(p3)이 끝나는 시점에, 제1 스캔 신호(SCAN1)는 폴링하여 로우 상태로 된다.As described above, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are sequentially polled to a low state. That is, at the end of the initialization period p1, when the second scan signal SCAN2 is polled and becomes the low state, the first scan signal SCAN1 is polled to the low state at the end of the programming period p3 do.

제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)가 폴링될 때, 제2 스위칭 TFT(T2)의 온 전류(Ion)의 급격한 감소로 인한 킥백(kick-back) 현상으로 인해, 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 연결되는 제2 노드(N2)의 전압 또한 폴링되게 된다.Due to a kick-back phenomenon due to a sharp decrease in the on current Ion of the second switching TFT T2 when the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are polled, The voltage of the second node N2 connected to the gate electrode of the transistor DT is also polled.

이에, 제1 스위칭 TFT(T1)에 더블 게이트(double gate) 구조를 적용함으로써, 제1 스위칭 TFT(T1)를 단계적으로 턴오프시켜 제1 스위칭 TFT(T1)에 흐르는 온 전류(Ion)를 단계적으로 감소시킬 수 있다. 이로 인해, 구동 TFT(DT) 게이트 전극의 전압 강하되는 킥백(kick-back)현상이 완화된다. Thus, by applying a double gate structure to the first switching TFT Tl, the first switching TFT Tl is turned off step by step so that the on current Ion flowing in the first switching TFT Tl is gradually . This alleviates the kick-back phenomenon in which the voltage of the gate electrode of the driving TFT DT is lowered.

따라서, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 전압의 변동을 최소화하고, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 전압에 의해 결정되는 유기 발광 소자(OD)의 구동 전류의 변화를 최소화할 수 있어, 유기 발광 소자(OD)휘도 편차를 회소화 할 수 있다.Therefore, the variation of the gate-source voltage of the driving TFT DT can be minimized, and the variation of the driving current of the organic light-emitting element OD determined by the gate-source voltage of the driving TFT DT can be minimized, The luminance deviation of the light emitting device (OD) can be reduced.

이렇게, 스캔 신호의 게이트 하이 전압을 설정하여, 킥백 현상에 의한 휘도 편차를 최소화하여, 화면에 의도치 않았던 얼룩이나 무늬가 발생되는 문제점을 해결할 수 있다.Thus, it is possible to solve the problem of setting the gate high voltage of the scan signal so as to minimize the luminance deviation due to the kickback phenomenon, and to thereby generate unintentional spots or patterns on the screen.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 게이트 라인 및 데이터 라인에 연결되는 복수의 화소를 구비하는 표시패널, 게이트 라인에 제1 스캔 신호, 제2 스캔 신호, 제n-1 발광 제어 신호 및 제n 발광 제어 신호를 출력하는 게이트 구동부 및 데이터 라인에 데이터 전압 또는 기준 전압을 출력하는 데이터 구동부를 포함하고, 복수의 화소에 배치되는 화소 회로는 게이트 전극 및 소스 전극에 인가된 전압에 기초하여, 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 TFT, 제2 스캔 신호에 기초하여, 데이터 전압 및 기준 전압을 구동 TFT의 소스 전극에 인가하는 제1 스위칭 TFT, 제1 스캔 신호 및 제2 스캔 신호에 기초하여, 구동 TFT의 드레인 전극의 전압을 구동 TFT의 게이트 전극에 인가하는 제2 스위칭 TFT, 제n 발광 제어 신호에 기초하여, 고전위 전압을 구동 TFT의 드레인 전극에 인가하는 제3 스위칭 TFT, 제n-1 발광 제어 신호에 기초하여, 구동 TFT의 소스 전극의 전압을 유기 발광 소자에 인가하는 제4 스위칭 TFT 및 제1 스캔 신호에 기초하여, 초기화 전압을 유기 발광 소자에 인가하는 제5 스위칭 TFT을 포함함으로써, 휘도 편차를 최소화 할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an OLED display device including a display panel including a plurality of pixels connected to a gate line and a data line, And a data driver for outputting a data voltage or a reference voltage to the data line, wherein the pixel circuit arranged in the plurality of pixels includes the gate electrode and the nth light emission control signal, A first switching TFT for applying a data voltage and a reference voltage to a source electrode of the driving TFT based on a second scanning signal; A second switching TFT for applying the voltage of the drain electrode of the driving TFT to the gate electrode of the driving TFT based on the first scanning signal and the second scanning signal, A third switching TFT for applying a high potential voltage to the drain electrode of the driving TFT based on the light emission control signal, and a third switching TFT for applying a voltage of the source electrode of the driving TFT to the organic light emitting element, 4 switching TFT and a fifth switching TFT for applying an initialization voltage to the organic light emitting element based on the first scan signal, the luminance deviation can be minimized.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 스캔 신호와 제2 스캔 신호는 순차적으로 로우 상태로 폴링된다.According to another aspect of the present invention, the first scan signal and the second scan signal are sequentially polled to a low state.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 스캔 신호가 로우 상태로 폴링된 후, 제2 스캔 신호가 로우 상태로 폴링된다.According to another aspect of the present invention, after the first scan signal is polled to a low state, the second scan signal is polled to a low state.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 스캔 신호가 로우 상태로 폴링된 후, 제n-1 발광 제어 신호가 하이 상태로 라이징된다.According to still another aspect of the present invention, after the second scan signal is polled to a low state, the (n-1) -th emission control signal is raised to a high state.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 스위칭 TFT는 제1 스캔 신호가 인가되는 제1 게이트 전극 및 제2 스캔 신호가 인가되는 제2 게이트 전극을 포함한다.According to another aspect of the present invention, the second switching TFT includes a first gate electrode to which a first scan signal is applied and a second gate electrode to which a second scan signal is applied.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 게이트 전극은 제2 스위칭 TFT의 액티브층 하부에 배치되고, 제2 게이트 전극은 제2 스위칭 TFT의 액티브층 상부에 배치된다.According to another aspect of the present invention, the first gate electrode is disposed under the active layer of the second switching TFT, and the second gate electrode is disposed over the active layer of the second switching TFT.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 게이트 라인 및 데이터 라인에 연결되는 복수의 화소를 구비하는 표시패널, 게이트 라인에 제1 스캔 신호, 제2 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 출력하는 게이트 구동부 및 데이터 라인에 데이터 전압 또는 기준 전압을 출력하는 데이터 구동부를 포함하고, 복수의 화소에 배치되는 화소 회로는 게이트 전극 및 소스 전극에 인가된 전압에 기초하여, 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 TFT, 제1 스캔 신호 및 제2 스캔 신호에 기초하여, 데이터 전압 및 기준 전압을 구동 TFT의 게이트 전극에 인가하는 제1 스위칭 TFT, 제2 스캔 신호에 기초하여, 초기화 전압을 구동 TFT의 소스 전극에 인가하는 제2 스위칭 TFT 및 발광 제어 신호에 기초하여, 고전위 전압을 구동 TFT의 드레인 전극에 인가하는 제3 스위칭 TFT을 포함함으로써, 휘도 편차를 최소화 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided an OLED display including a display panel including a plurality of pixels connected to a gate line and a data line, A gate driver for outputting a scan signal and a light emission control signal, and a data driver for outputting a data voltage or a reference voltage to the data line, wherein the pixel circuits arranged in the plurality of pixels are driven based on a voltage applied to the gate electrode and the source electrode A first switching TFT for applying a data voltage and a reference voltage to the gate electrode of the driving TFT on the basis of the first scanning signal and the second scanning signal, a driving TFT for controlling a current flowing through the organic light emitting element, Based on the second switching TFT for applying the initialization voltage to the source electrode of the driving TFT and the light emission control signal, based on the high potential voltage By including a third switch TFT to be applied to the drain electrode of the driving TFT, it is possible to minimize the brightness deviation.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 스캔 신호와 제2 스캔 신호는 순차적으로 로우 상태로 폴링된다.According to another aspect of the present invention, the first scan signal and the second scan signal are sequentially polled to a low state.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 스캔 신호가 로우 상태로 폴링된 후, 제1 스캔 신호가 로우 상태로 폴링된다.According to another aspect of the present invention, after the second scan signal is polled to a low state, the first scan signal is polled to a low state.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 스위칭 TFT는 제2 스캔 신호가 인가되는 제1 게이트 전극 및 제1 스캔 신호가 인가되는 제2 게이트 전극을 포함한다.According to another aspect of the present invention, the first switching TFT includes a first gate electrode to which a second scan signal is applied and a second gate electrode to which a first scan signal is applied.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 게이트 전극은 제1 스위칭 TFT의 액티브층 하부에 배치되고, 제2 게이트 전극은 제1 스위칭 TFT의 액티브층 상부에 배치된다.According to another aspect of the present invention, the first gate electrode is disposed under the active layer of the first switching TFT, and the second gate electrode is disposed over the active layer of the first switching TFT.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 유기 발광 표시 장치
110: 표시 패널
120: 타이밍 컨트롤러
130: 게이트 드라이버
140: 데이터 드라이버
Vdata: 데이터 전압
Vref: 기준 전압
SCAN1: 제1 스캔 신호
SCAN2: 제2 스캔 신호
제1 게이트 전극: 120, 220
제2 게이트 전극: 160, 260
액티브층: 140, 240100: organic light emitting display
110: Display panel
120: Timing controller
130: gate driver
140: Data driver
Vdata: data voltage
Vref: Reference voltage
SCAN1: first scan signal
SCAN2: Second scan signal
The first gate electrodes 120 and 220
Second gate electrodes: 160, 260
Active layer: 140, 240

Claims (11)

게이트 라인 및 데이터 라인에 연결되는 복수의 화소를 구비하는 표시패널;
상기 게이트 라인에 제1 스캔 신호, 제2 스캔 신호, 제n-1 발광 제어 신호 및 제n 발광 제어 신호를 출력하는 게이트 구동부 및
상기 데이터 라인에 데이터 전압 또는 기준 전압을 출력하는 데이터 구동부를 포함하고,
상기 복수의 화소에 배치되는 화소 회로는,
게이트 전극 및 소스 전극에 인가된 전압에 기초하여, 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 TFT;
상기 제2 스캔 신호에 기초하여, 상기 데이터 전압 및 상기 기준 전압을 상기 구동 TFT의 소스 전극에 인가하는 제1 스위칭 TFT;
상기 제1 스캔 신호 및 상기 제2 스캔 신호에 기초하여, 상기 구동 TFT의 드레인 전극의 전압을 상기 구동 TFT의 게이트 전극에 인가하는 제2 스위칭 TFT;
상기 제n 발광 제어 신호에 기초하여, 고전위 전압을 상기 구동 TFT의 드레인 전극에 인가하는 제3 스위칭 TFT;
상기 제n-1 발광 제어 신호에 기초하여, 상기 구동 TFT의 소스 전극의 전압을 상기 유기 발광 소자에 인가하는 제4 스위칭 TFT 및
상기 제1 스캔 신호에 기초하여, 초기화 전압을 상기 유기 발광 소자에 인가하는 제5 스위칭 TFT을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.A display panel having a plurality of pixels connected to a gate line and a data line;
A gate driver for outputting a first scan signal, a second scan signal, an (n-1) emission control signal, and an (n) emission control signal to the gate line,
And a data driver for outputting a data voltage or a reference voltage to the data line,
Wherein the pixel circuit arranged in the plurality of pixels includes:
A driving TFT for controlling a current flowing to the organic light emitting element based on a voltage applied to the gate electrode and the source electrode;
A first switching TFT for applying the data voltage and the reference voltage to a source electrode of the driving TFT based on the second scan signal;
A second switching TFT for applying a voltage of a drain electrode of the driving TFT to a gate electrode of the driving TFT based on the first scanning signal and the second scanning signal;
A third switching TFT for applying a high potential voltage to the drain electrode of the driving TFT based on the nth emission control signal;
A fourth switching TFT for applying a voltage of a source electrode of the driving TFT to the organic light emitting element based on the (n-1) -th emission control signal, and
And a fifth switching TFT for applying an initialization voltage to the organic light emitting element based on the first scan signal. 제1 항에 있어서,
상기 제1 스캔 신호와 상기 제2 스캔 신호는 순차적으로 로우 상태로 폴링되는, 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first scan signal and the second scan signal are sequentially polled in a low state. 제1 항에 있어서,
상기 제1 스캔 신호가 로우 상태로 폴링된 후, 상기 제2 스캔 신호가 로우 상태로 폴링되는, 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
And the second scan signal is polled to a low state after the first scan signal is polled to a low state. 제1 항에 있어서,
상기 제2 스캔 신호가 로우 상태로 폴링된 후, 상기 제n-1 발광 제어 신호가 하이 상태로 라이징되는, 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
And the (n-1) th emission control signal is raised to a high state after the second scan signal is polled to a low state. 제1 항에 있어서,
상기 제2 스위칭 TFT는,
상기 제1 스캔 신호가 인가되는 제1 게이트 전극 및 상기 제2 스캔 신호가 인가되는 제2 게이트 전극을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
The second switching TFT includes:
A first gate electrode to which the first scan signal is applied, and a second gate electrode to which the second scan signal is applied. 제5 항에 있어서,
상기 제1 게이트 전극은 상기 제2 스위칭 TFT의 액티브층 하부에 배치되고,
상기 제2 게이트 전극은 상기 상기 제2 스위칭 TFT의 상기 액티브층 상부에 배치되는, 유기 발광 표시 장치.6. The method of claim 5,
The first gate electrode is disposed under the active layer of the second switching TFT,
And the second gate electrode is disposed above the active layer of the second switching TFT. 게이트 라인 및 데이터 라인에 연결되는 복수의 화소를 구비하는 표시패널;
상기 게이트 라인에 제1 스캔 신호, 제2 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 출력하는 게이트 구동부 및
상기 데이터 라인에 데이터 전압 또는 기준 전압을 출력하는 데이터 구동부를 포함하고,
상기 복수의 화소에 배치되는 화소 회로는,
게이트 전극 및 소스 전극에 인가된 전압에 기초하여, 유기 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하는 구동 TFT;
상기 제1 스캔 신호 및 상기 제2 스캔 신호에 기초하여, 상기 데이터 전압 및 상기 기준 전압을 상기 구동 TFT의 게이트 전극에 인가하는 제1 스위칭 TFT;
상기 제2 스캔 신호에 기초하여, 초기화 전압을 상기 구동 TFT의 소스 전극에 인가하는 제2 스위칭 TFT 및
상기 발광 제어 신호에 기초하여, 고전위 전압을 상기 구동 TFT의 드레인 전극에 인가하는 제3 스위칭 TFT을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.A display panel having a plurality of pixels connected to a gate line and a data line;
A gate driver for outputting a first scan signal, a second scan signal, and a light emission control signal to the gate line;
And a data driver for outputting a data voltage or a reference voltage to the data line,
Wherein the pixel circuit arranged in the plurality of pixels includes:
A driving TFT for controlling a current flowing to the organic light emitting element based on a voltage applied to the gate electrode and the source electrode;
A first switching TFT for applying the data voltage and the reference voltage to a gate electrode of the driving TFT based on the first scan signal and the second scan signal;
A second switching TFT for applying an initializing voltage to the source electrode of the driving TFT based on the second scanning signal,
And a third switching TFT for applying a high potential voltage to the drain electrode of the driving TFT based on the light emission control signal. 제7 항에 있어서,
상기 제1 스캔 신호와 상기 제2 스캔 신호는 순차적으로 로우 상태로 폴링되는, 유기 발광 표시 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the first scan signal and the second scan signal are sequentially polled in a low state. 제7 항에 있어서,
상기 제2 스캔 신호가 로우 상태로 폴링된 후, 상기 제1 스캔 신호가 로우 상태로 폴링되는, 유기 발광 표시 장치.8. The method of claim 7,
And the first scan signal is polled to a low state after the second scan signal is polled to a low state. 제7 항에 있어서,
상기 제1 스위칭 TFT는,
상기 제2 스캔 신호가 인가되는 제1 게이트 전극 및 상기 제1 스캔 신호가 인가되는 제2 게이트 전극을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.8. The method of claim 7,
The first switching TFT includes:
A first gate electrode to which the second scan signal is applied, and a second gate electrode to which the first scan signal is applied. 제10 항에 있어서,
상기 제1 게이트 전극은 상기 제1 스위칭 TFT의 액티브층 하부에 배치되고,
상기 제2 게이트 전극은 상기 상기 제1 스위칭 TFT의 상기 액티브층 상부에 배치되는, 유기 발광 표시 장치.
11. The method of claim 10,
The first gate electrode is disposed under the active layer of the first switching TFT,
And the second gate electrode is disposed above the active layer of the first switching TFT.
KR1020170149491A 2017-11-10 2017-11-10 Organic light emitting display device KR102328441B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170149491A KR102328441B1 (en) 2017-11-10 2017-11-10 Organic light emitting display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170149491A KR102328441B1 (en) 2017-11-10 2017-11-10 Organic light emitting display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190053520A true KR20190053520A (en) 2019-05-20
KR102328441B1 KR102328441B1 (en) 2021-11-17

Family

ID=66678651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170149491A KR102328441B1 (en) 2017-11-10 2017-11-10 Organic light emitting display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102328441B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210017277A (en) * 2019-08-07 2021-02-17 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110069397A (en) * 2009-12-17 2011-06-23 삼성모바일디스플레이주식회사 Pixel circuit, and organic light emitting display and method for controlling a brightness thereof
KR20140080728A (en) * 2012-12-14 2014-07-01 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device and driving method the same
KR20150146117A (en) * 2014-06-20 2015-12-31 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting diode Display
KR20170074618A (en) * 2015-12-22 2017-06-30 엘지디스플레이 주식회사 Sub-pixel of organic light emitting display device and organic light emitting display device including the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110069397A (en) * 2009-12-17 2011-06-23 삼성모바일디스플레이주식회사 Pixel circuit, and organic light emitting display and method for controlling a brightness thereof
KR20140080728A (en) * 2012-12-14 2014-07-01 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device and driving method the same
KR20150146117A (en) * 2014-06-20 2015-12-31 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting diode Display
KR20170074618A (en) * 2015-12-22 2017-06-30 엘지디스플레이 주식회사 Sub-pixel of organic light emitting display device and organic light emitting display device including the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210017277A (en) * 2019-08-07 2021-02-17 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102328441B1 (en) 2021-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107564476B (en) Organic light emitting display device
CN107564466B (en) Organic light emitting display device
CN107424563B (en) Organic light emitting diode display device
KR102091485B1 (en) Organic light emitting display device and method for driving thereof
CN107564475B (en) Organic light emitting display device
KR102074718B1 (en) Orglanic light emitting display device
US9159265B2 (en) Pixel, display device including the same, and driving method thereof
KR102555155B1 (en) Organic light emitting display device and driving method of the same
WO2019023962A1 (en) Pixel ciruit, active matrix organic light emitting diode display panel, display apparatus, and method of compensating threshold voltage of driving transistor
KR20160018892A (en) Pixel circuit and organic light emitting display device having the same
JP2008176287A (en) Light-emitting display device
JP2006106786A (en) Current drive circuit and display device using same, and pixel circuit
KR20160007862A (en) Organic light emitting diode display device
KR20150074657A (en) Organic light emitting display device
KR102578840B1 (en) Organic Light Emitting Display
CN108010485B (en) Organic light emitting diode display device and method of driving the same
CN107564477A (en) Oled
KR102414444B1 (en) Organic light emitting display device and driving method of the same
KR20110122410A (en) Organic light emitting diode display and driving method thereof
KR102298851B1 (en) Organic Light Emitting Display
KR102457500B1 (en) Organic light emitting display device and driving method of the same
KR102431625B1 (en) Organic light emitting display device and driving method of the same
KR20160074772A (en) Organic light emitting display device and method for driving thereof
KR102470085B1 (en) Organic light emitting display device
KR102328441B1 (en) Organic light emitting display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant