KR20190050957A - A photoresist stripper composition restraining galvanic corrosion - Google Patents

A photoresist stripper composition restraining galvanic corrosion Download PDF

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Abstract

The present invention relates to a photoresist stripping liquor composition having an effect of suppressing a galvanic phenomenon, which is excellent in the ability to remove photoresist residues by dry/wet etching in pattern formation when producing a thin film transistor (TFT) during a production process of a flat panel display substrate, and does not cause corrosion in a metal wiring by a double laminate or a triple laminate of aluminum, copper, tungsten, molybdenum, titanium, niobium, and alloy metal wiring comprising the same, which may cause the galvanic phenomenon due to the stripping liquor upon removal of the photoresist.

Description

갈바닉 부식을 억제하는 포토레지스트 박리액 조성물{A PHOTORESIST STRIPPER COMPOSITION RESTRAINING GALVANIC CORROSION}[0001] PHOTORESIST STRIPPER COMPOSITION RESTRAINING GALVANIC CORROSION [0002]

본 발명은 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 공정 중 TFT(Thin film transistor) 제조 시 패턴 형성에 있어서 건식/습식 식각에 의한 포토레지스트의 잔사 제거 능력이 우수하고, 포토레지스트 제거 시 박리액에 의한 갈바닉 현상이 발생할 수 있는 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 니오비윰 및 이를 포함하는 합금 금속 배선이 2중 또는 3중 적층으로 이루어진 금속 배선에 부식을 발생시키지 않는, 갈바닉 현상의 억제 효과를 가지는 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.Disclosure of Invention Technical Problem [10] The present invention provides a method of manufacturing a flat panel display substrate, which is excellent in removing photoresist residue by dry / A photoresist having an effect of inhibiting the galvanic phenomenon which does not cause corrosion in a metal wiring made of aluminum, copper, tungsten, molybdenum, titanium, niobium and alloy metal wiring comprising the same, To a release liquid composition.

최근 플랫 패널 디스플레이의 고해상도 구현 요구가 증가함에 따라, 단위면적 당의 화소수를 증가시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 이러한 추세에 따라 배선 폭의 감소가 요구되고 있으며, 그에 대응하기 위해서 건식 식각 공정이 도입되는 등 공정 조건도 갈수록 가혹해지고 있다. 또한, 평판 표시 장치의 대형화로 인해 배선에서의 신호 속도 증가도 요구되고 있으며, 그에 따라 알루미늄에 비해 비저항이 낮은 구리가 배선 재료로 실용화되고 있다. 이에 발맞추어 레지스트 제거 공정인 박리공정에 사용되는 박리액에 대한 요구 성능도 높아지고 있다. 구체적으로 건식 식각공정 이후에 발생하는 식각 잔사에 대한 제거력 및 금속배선에 대한 부식 억제력 등에 대하여 상당한 수준의 박리 특성이 요구되고 있다. 특히 알루미늄뿐만 아니라 구리에 대한 부식억제력도 요구되고 있으며, 가격 경쟁력 확보를 위해, 기판의 처리 매수 증대와 같은 경제성도 요구되고 있다. 또한, 최근 배선이 금속 단일막 또는 합금 단일막으로 이루어질 수도 있으나, 각 금속 또는 합금의 단점을 보완하고 원하는 물성을 얻기 위하여 다중막으로 형성하는 경우가 많다. Cu의 경우, 유리와 밀착력이 낮고 상부막이나 하부막으로의 확산이 심하여 확산 방지막으로서 다른 금속막이 필요하다. 이러한 이유로 포토레지스트에 2중막 또는 3중막이 선호되고 있으며, 2중막 또는 3중막에 대하여 우수한 식각특성을 나타내는 박리액의 개발이 필요한 실정이다. Recently, as the demand for high-resolution implementation of flat panel displays increases, efforts to increase the number of pixels per unit area have continued. In accordance with this trend, reduction of the wiring width is required, and in order to cope with this, the dry etching process has been introduced, and the process conditions have become increasingly severe. In addition, due to the enlargement of the flat panel display device, an increase in the signal speed in the wiring is also required, and copper having a lower resistivity than aluminum is now being used as a wiring material. Accordingly, the required performance of the stripping solution used in the stripping process, which is a resist stripping process, is increasing. Specifically, a considerable level of exfoliation characteristics is required for the removal power against etch residue generated after the dry etching process and the corrosion inhibiting ability against metal wiring. In particular, corrosion resistance to copper as well as aluminum is required, and in order to secure price competitiveness, economic efficiency such as increase in the number of processed substrates is also required. In recent years, the wiring may be composed of a single metal film or a single alloy film. However, in many cases, the wiring is formed of multiple films in order to compensate for the disadvantages of each metal or alloy and obtain desired physical properties. In the case of Cu, adhesion to glass is low and diffusion to the upper film and the lower film is severe, and another metal film is required as the diffusion preventing film. For this reason, a double layer or a triple layer is preferred for the photoresist, and it is necessary to develop a release layer exhibiting excellent etching characteristics for a double layer or a triple layer.

상기와 같은 업계의 요구에 응하여, 새로운 기술이 공개되고 있다. 예컨대, 대한민국 등록 특허 제1008373호에는 박리 효과가 우수하면서, 포토레지스트 하부막으로서 Cu막/Mo막 사용시 하부막의 부식이 없는 포토레지스트 스트리퍼 조성물에 대하여 개시되어 있으나, 이는 알칸올 아민 적용시 Cu/Mo합금 부식이 발생하고, 탈이온수 혼입시 갈바닉 현상이 발생 하는 문제가 남아있으며, 더욱이 상기 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 3중막에 적용시 갈바닉 현상이 극대화되어 3중막 식각에 적용이 불가능하다.In response to the needs of such industries, new technologies are being published. For example, Korean Patent No. 1008373 discloses a photoresist stripper composition which is excellent in peeling effect and which does not cause corrosion of a lower film when a Cu film / Mo film is used as a photoresist lower film. However, in the case of alkanolamine application, Cu / Mo Alloy corrosion occurs and galvanic phenomenon occurs when the deionized water is mixed. Further, when the photoresist stripper composition is applied to a triple-layered film, the galvanic phenomenon is maximized and thus it is impossible to apply it to a triple-layered film etching.

KR 10-1008373 B1KR 10-1008373 B1

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 공정 중 건식/습식 식각에 의한 레지스트의 잔사 제거 능력이 우수하고, 포토레지스트 제거 시 박리액에 의한 갈바닉 현상이 발생할 수 있는 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 니오비윰 및 이를 포함하는 합금 금속 배선이 2중 또는 3중 적층으로 이루어진 금속배선에 부식을 발생시키지 않는 포토레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a flat panel display substrate which is excellent in the ability to remove residues of a resist by dry etching / wet etching during a manufacturing process of a flat panel display substrate, It is an object of the present invention to provide a photoresist stripping liquid composition which does not cause corrosion in metal wiring made of aluminum, copper, tungsten, molybdenum, titanium, niobium, and alloy metal wiring comprising the same.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 (a) 화학식 1을 포함하는 갈바닉 부식 억제제 및 화학식 2로 표시되는 갈바닉 부식 억제제 중 어느 하나 이상, (b) 화학식 3으로 표시되는 아민 화합물 및 (c) 수용성 유기 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물을 제공한다.(B) an amine compound represented by the formula (3); and (c) at least one of a water-soluble organic solvent and a water-soluble organic solvent. A photoresist stripper solution composition for stripping Cu / Mo-X (X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is Ti, Nb or W) .

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서, n은 8 내지 100이며, R1은 수소, 알킬기, 알킬렌기, 알릴기, 알릴렌기, 아미노알킬기, 기능성을 갖는 알킬기, 기능성을 갖는 알킬렌기, 기능성을 갖는 아릴기 또는 기능성을 갖는 아릴렌기의 유도체이고,Wherein n is from 8 to 100, and R 1 is hydrogen, an alkyl group, an alkylene group, an allyl group, an allylene group, an aminoalkyl group, an alkyl group having a functionality, an alkylene group having a functionality, Lt; / RTI > is a derivative of an arylene group,

[화학식 2](2)

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 2에서, R2는 탄소수 3 이상의 알킬기, 알케닐기 또는 히드록시알킬기이고,In Formula 2, R 2 is an alkyl group, an alkenyl group, or a hydroxyalkyl group having 3 or more carbon atoms,

[화학식 3](3)

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 3에서, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 아미노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기, 페닐기, 또는 벤질기이며, R4 및 R5는 환을 형성할 수 있다.R 3 , R 4 and R 5 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a hydroxy group having 1 to 10 carbon atoms An alkyl group, a carboxyl group, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with a hydroxyl group, an amino group substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, or a benzyl group, and R 4 and R 5 form a ring .

또한, 본 발명은 상기 포토레지스트 박리액 조성물을 사용하여 Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 방법을 제공한다.The present invention also provides a photoresist stripper composition comprising a flat panel including Cu / Mo-X (X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is Ti, Nb or W) And a step of cleaning the display substrate.

본 발명에 따른 포토레지스트 박리액 조성물은 건식/습식 식각에 의한 포토레지스트의 잔사 제거 능력이 우수하고, 포토레지스트 제거 시 박리액에 의한 갈바닉 현상이 발생할 수 있는 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 니오비윰 및 이를 포함하는 합금 금속배선이 2중 또는 3중 적층으로 이루어진 금속배선에 갈바닉 현상에 의한 부식 방지 효과가 우수하며, 유기계 및 수계에서 모두 손상을 입히지 않으며 우수한 세정 능력을 가진다.The photoresist stripper liquid composition according to the present invention is excellent in the ability to remove photoresist residues by dry / wet etching, and can be used for removing aluminum, copper, tungsten, molybdenum, titanium, The niobium and the metal alloy wiring including the niobium wire are excellent in the corrosion prevention effect by the galvanic effect on the metal wiring made of the double or triple laminate, and are not damaged in the organic system and the water system, and have excellent cleaning ability.

또한 본 발명의 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물을 사용하는 경우, 플랫 패널 디스플레이 장치의 불량률을 감소시켜 전체적인 제조 공정에 소요되는 비용을 절감할 수 있다. In addition, when the resist stripping liquid composition for panel display of the present invention is used, the defective rate of the flat panel display device can be reduced, thereby reducing the cost of the entire manufacturing process.

도 1은 실시예 4의 포토레지스트 박리액 조성물에 50℃에서 30분 동안 침적시킨 Cu/Mo-Nb 기판의 금속배선의 단면 이미지를 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 관찰한 결과이다.
도 2는 비교예 4의 포토레지스트 박리액 조성물에 50℃에서 30분 동안 침적시킨 Cu/Mo-Nb 기판의 금속배선의 단면 이미지를 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 관찰한 결과이다.1 is a cross-sectional image of a metal wiring of a Cu / Mo-Nb substrate immersed in a photoresist stripper composition of Example 4 at 50 DEG C for 30 minutes using a scanning electron microscope (SEM, Hitachi S-4700) Results.
2 is a sectional view of a metal wiring of a Cu / Mo-Nb substrate immersed in a photoresist stripper composition of Comparative Example 4 at 50 ° C for 30 minutes using a scanning electron microscope (SEM, Hitachi S-4700) Results.

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명은 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 니오비윰 및 이를 포함하는 합금 금속배선이 2중 또는 3중 적층으로 이루어진 금속배선에 부식을 발생시키지 않으면서, 갈바닉 현상의 억제 효과를 가지는 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는The present invention relates to a method and apparatus for preventing galvanic phenomenon from occurring in a metal wiring made of aluminum, copper, tungsten, molybdenum, titanium, niobium and alloy metal wiring comprising the same, The present invention relates to a resist stripping liquid composition, and more particularly,

(a) 화학식 1을 포함하는 갈바닉 부식 억제제 및 화학식 2로 표시되는 갈바닉 부식 억제제 중 어느 하나 이상;(a) at least one of a galvanic corrosion inhibitor comprising the formula (1) and a galvanic corrosion inhibitor represented by the formula (2);

(b) 화학식 3으로 표시되는 아민 화합물; 및(b) an amine compound represented by the formula (3); And

(c) 수용성 유기 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.(X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is a film of Ti, Nb or W) To a resist stripping liquid composition.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 1에서, n은 8 내지 100이며, R1은 수소, 알킬기, 알킬렌기, 알릴기, 알릴렌기, 아미노알킬기, 기능성을 갖는 알킬기, 기능성을 갖는 알킬렌기, 기능성을 갖는 아릴기 또는 기능성을 갖는 아릴렌기의 유도체이고,Wherein n is from 8 to 100, and R 1 is hydrogen, an alkyl group, an alkylene group, an allyl group, an allylene group, an aminoalkyl group, an alkyl group having a functionality, an alkylene group having a functionality, Lt; / RTI > is a derivative of an arylene group,

상기 알킬기, 알킬렌기, 알릴기, 알릴렌기 또는 아미노알킬기는 탄소수가 1 내지 10, 더욱 바람직하게는 1 내지 5일 수 있고,The alkyl group, alkylene group, allyl group, allylene group or aminoalkyl group may have 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms,

상기 기능성을 갖는 알킬기, 기능성을 갖는 알킬렌기, 기능성을 갖는 아릴기 또는 기능성을 갖는 아릴렌기는 알킬기, 알킬렌기, 아릴기 또는 아릴렌기의 탄소 중 1개 이상이 N으로 치환된 것일 수 있고,The alkyl group having functionality, the functionalized alkylene group, the functionalized aryl group or the functionalized arylene group may be one in which at least one carbon atom of the alkyl group, alkylene group, aryl group or arylene group is substituted with N,

[화학식 2](2)

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 2에서, R2는 탄소수 3 이상의 알킬기, 알케닐기 또는 히드록시알킬기이고,In Formula 2, R 2 is an alkyl group, an alkenyl group, or a hydroxyalkyl group having 3 or more carbon atoms,

상기 탄소수 3 이상의 알킬기는 탄소수 3 내지 15의 알킬기일 수 있고, 더욱 바람직하게는 4 내지 8일 수 있고,The alkyl group having 3 or more carbon atoms may be an alkyl group having 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 8,

[화학식 3](3)

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식 3에서, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 아미노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기, 페닐기, 또는 벤질기이며, R4 및 R5는 환을 형성할 수 있다. R 3 , R 4 and R 5 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a hydroxy group having 1 to 10 carbon atoms An alkyl group, a carboxyl group, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with a hydroxyl group, an amino group substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, or a benzyl group, and R 4 and R 5 form a ring .

또한, 본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 (d) 부식방지제를 추가로 더 포함할 수 있다.In addition, the photoresist stripper composition of the present invention may further comprise (d) a corrosion inhibitor.

또한, 본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 (e) 탈이온수를 추가로 더 포함할 수 있다.In addition, the photoresist stripper composition of the present invention may further include (e) deionized water.

상기 포토레지스트 박리액 조성물은 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 니오비윰 및 이를 포함하는 합금 금속배선이 2중 또는 3중 적층으로 이루어진 금속 배선(Mo/Al, Cu/Ti, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막 중 하나 이상)에 우수한 박리력을 갖는다. 동시에 특히, 본 발명은 Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)의 2중 또는 3중막 박리시, 갈바닉 현상의 억제효과를 갖는 점에 특징이 있다.The photoresist stripper solution composition may be a metal wiring (Mo / Al, Cu / Ti, Cu / Mo, Al, Cu, -X (X is at least one of Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is at least one of Ti, Nb or W) films. At the same time, in particular, the present invention relates to the suppression of galvanic phenomena when Cu / Mo-X (X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is Ti, Nb or W) It is characterized by its effect.

이하, 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, each component will be described in detail.

(a) 화학식 1을 포함하는 갈바닉 부식 억제제 및 화학식 2로 표시되는 갈바닉 부식 억제제 중 어느 하나 이상(a) a galvanic corrosion inhibitor comprising the formula (1) and a galvanic corrosion inhibitor represented by the formula (2)

본 발명에 사용되는 (a) 갈바닉 현상 부식 억제제로는 하기 (a) 화학식 1을 포함하는 갈바닉 부식 억제제 및 화학식 2로 표시되는 갈바닉 부식 억제제 중 어느 하나 이상인 것으로, 이들은 단독으로 또는 2종을 혼용하여 사용할 수 있다. (A) The galvanic corrosion inhibitor used in the present invention is any one or more of the following (a) a galvanic corrosion inhibitor comprising the formula (1) and the galvanic corrosion inhibitor represented by the formula (2) Can be used.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식 1에서 n은 8 내지 100이며, R1은 수소, 알킬기, 알킬렌기, 알릴기, 알릴렌기, 아미노알킬기, 기능성을 갖는 알킬기, 기능성을 갖는 알킬렌기, 기능성을 갖는 아릴기 또는 기능성을 갖는 아릴렌기의 유도체이고,Wherein n is from 8 to 100, and R 1 is selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group, an alkylene group, an allyl group, an allylene group, an aminoalkyl group, an alkyl group having a functional group, an alkylene group having a functional group, A derivative of an arylene group,

상기 알킬기, 알킬렌기, 알릴기, 알릴렌기 또는 아미노알킬기는 탄소수가 1 내지 10, 더욱 바람직하게는 1 내지 5일 수 있고,The alkyl group, alkylene group, allyl group, allylene group or aminoalkyl group may have 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms,

상기 기능성을 갖는 알킬기, 기능성을 갖는 알킬렌기, 기능성을 갖는 아릴기 또는 기능성을 갖는 아릴렌기는 알킬기, 알킬렌기, 아릴기 또는 아릴렌기의 탄소 중 1개 이상이 N으로 치환된 것일 수 있고,The alkyl group having functionality, the functionalized alkylene group, the functionalized aryl group or the functionalized arylene group may be one in which at least one carbon atom of the alkyl group, alkylene group, aryl group or arylene group is substituted with N,

[화학식 2](2)

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 2에서, R2는 탄소수 3 이상의 알킬기, 알케닐기 또는 히드록시알킬기이고,In Formula 2, R 2 is an alkyl group, an alkenyl group, or a hydroxyalkyl group having 3 or more carbon atoms,

상기 탄소수 3 이상의 알킬기는 탄소수 3 내지 15의 알킬기일 수 있고, 더욱 바람직하게는 4 내지 8일 수 있다.The alkyl group having 3 or more carbon atoms may be an alkyl group having 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms.

상기 화학식 1을 포함하는 갈바닉 현상 부식 억제제는 다면체 실세스퀴옥산으로, 랜덤(random)형, 사다리형, 케이지(cage)형 및 부분적 케이지(partial cage)형 중 하나 이상의 구조를 가질 수 있으며, 그 구조는 특별히 제한되지 않는다. The galvanic corrosion inhibitor of Formula 1 is a polyhedral silsesquioxane having at least one of a random type, a ladder type, a cage type, and a partial cage type, The structure is not particularly limited.

상기 화학식 2로 표시되는 갈바닉 현상 부식 억제제는 유기 인산류의 종류로 바람직하게는 프로필포스포닉산, 뷰틸포스포닉산, t-뷰틸포스포닉산, 펜틸포스포닉산, 헥실포스포닉산, 헵틸포스포닉산, 옥틸포스포닉산, n-도데실포스포닉산 등을 들을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The galvanic corrosion inhibitor represented by Formula 2 is preferably a phosphoric acid type organic phosphorous acid such as propylphosphonic acid, butylphosphonic acid, t-butylphosphonic acid, pentylphosphonic acid, hexylphosphonic acid, Acetic acid, nitric acid, octylphosphonic acid, and n-dodecylphosphonic acid. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 갈바닉 현상 부식 억제제는 포토레지스트 박리 중 발생할 수 있는 2종 이상의 적층 금속배선에서의 갈바닉 현상에 의한 부식을 방지하는 능력이 우수하며 특히 구리 금속층과 몰리브덴 합금 금속층과의 적층 구조에서 부식 억제력이 뛰어나다. The galvanic corrosion inhibitor is excellent in the ability to prevent corrosion due to galvanic phenomena in two or more kinds of laminated metal wiring that may occur during photoresist peeling, and particularly has excellent corrosion inhibiting ability in a laminated structure of a copper metal layer and a molybdenum alloy metal layer.

상기 (a) 갈바닉 현상 부식 억제제는 조성물 총 중량에 대해 0.01 중량% 내지 5 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 0.05 중량% 내지 3 중량%가 보다 바람직하다. 상기 (a) 갈바닉 현상 부식 억제제의 함량이 0.01 중량% 미만이면 박리 혹은 탈이온수에 의한 린스 공정에서 갈바닉 현상에 의한 알루미늄, 몰리브덴, 텅스텐, 티타늄, 니오비윰 및 이를 포함하는 금속배선에 부식이 발생 할 수 있으며, 5 중량%를 초과할 경우 부식 방지제 함량 증가에 따른 부식 방지 효과의 향상을 얻을 수 없으므로 경제적으로 옳지 않다.The (a) galvanic corrosion inhibitor is preferably contained in an amount of 0.01 to 5% by weight, more preferably 0.05 to 3% by weight based on the total weight of the composition. If the content of the (a) galvanic corrosion inhibitor is less than 0.01% by weight, corrosion may occur in the aluminum, molybdenum, tungsten, titanium, niobium and metal wiring due to the galvanic phenomenon in the rinsing process by peeling or deionized water If it exceeds 5% by weight, it is not economically correct because the corrosion inhibition effect can not be improved due to the increase of the content of the corrosion inhibitor.

(b) 화학식 3으로 표시되는 아민 화합물 (b) an amine compound represented by the general formula (3)

본 발명에 포함되는 (b) 아민 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 것이 바람직하다. The amine compound (b) included in the present invention is preferably represented by the following formula (3).

[화학식 3](3)

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 3에서 R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 아미노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기, 페닐기, 또는 벤질기이며, R4 및 R5는 환을 형성할 수 있다.Wherein R 3 , R 4 and R 5 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 10 carbon atoms , A carboxyl group, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with a hydroxy group, an amino group substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, or a benzyl group, R 4 and R 5 may form a ring have.

상기 화학식 3으로 표시되는 (b) 아민 화합물은 바람직하게는 적어도 하나 이상의 수산화기를 갖는 아민류로서, 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디메틸히드록실아민, 디에틸히드록실아민, 디부틸히드록실아민, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(3-히드록시프로필)모폴린 등의 아민류를 들을 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다. The amine compound (b) represented by the general formula (3) is preferably an amine having at least one hydroxyl group, such as choline, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monopropanolamine, 2-aminoethanol, 2- Aminoethyl) ethanol, 2- (methylamino) ethanol, N-methyldiethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, Amino-1-propanol, 4-amino-1-butanol, dibutanolamine, (methoxymethyl) diethanolamine, (hydroxyethyloxy (Methoxymethyl) aminoethanol, methyl (butoxymethyl) aminoethanol, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, dimethylhydroxylamine, di Ethylhydroxylamine, dibutylhydroxylamine, 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, 1- (2-hydroxyethyl Amines such as methylpiperazine, N- (2-hydroxyethyl) morpholine and N- (3-hydroxypropyl) morpholine may be used. These may be used singly or in combination of two or more .

상기 (b) 화학식 3으로 표시되는 아민 화합물은 건식 또는 습식 식각, 애싱(ashing) 또는 이온 주입 공정(ion implant processing) 등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 포토레지스트(resist)의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자 내 또는 분자 간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 하여 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 포토레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel)덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판 상부에 부착된 포토레지스트가 쉽게 제거될 수 있게 한다.The amine compound represented by the above formula (b) (3) may be used in a polymer matrix of a photoresist modified or crosslinked under various process conditions such as dry or wet etching, ashing, or ion implant processing And breaks the bonds existing in the molecule or between the molecules, thereby forming vacancies in the structurally fragile portions in the resists remaining on the substrate, thereby deforming the photoresist into an amorphous polymer gel lump state, Allowing the attached photoresist to be easily removed.

(b) 화학식 3으로 표시되는 아민 화합물은 조성물 총 중량에 대해 1 내지 40 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. (b) 아민 화합물은 조성물 총 중량에 대해 보다 바람직하게는 1 내지 20 중량%, 가장 바람직하게는 3 내지 15 중량% 포함된다. (b) the amine compound represented by the general formula (3) is preferably contained in an amount of 1 to 40% by weight based on the total weight of the composition. (b) The amine compound is more preferably contained in an amount of 1 to 20% by weight, and most preferably 3 to 15% by weight based on the total weight of the composition.

본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물이 상기와 같은 함량으로 포함되는 경우에 포토레지스트 박리 효과의 미흡 문제나 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 니오비윰 및 이를 포함하는 금속 배선에 갈바닉 효과에 의한 부식 속도의 급격한 증가의 문제 없이 바람직한 박리특성을 나타낸다.In the case where the photoresist stripper solution composition of the present invention is contained in the same amount as described above, the photoresist stripping effect is insufficient and problems such as aluminum, copper, tungsten, molybdenum, titanium, niobium, Exhibit favorable peeling properties without the problem of a rapid increase in corrosion rate.

(c) 수용성 유기용매(c) a water-soluble organic solvent

본 발명에 사용되는 (c) 수용성 유기용매의 구체적인 예로는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트등의 에테르 화합물; 퍼푸릴 알코올, 테트라하이드로퍼푸릴 알코올, 디아세톤 알코올, 에틸렌 글리콜, 글리세린 등의 알코올류; Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈등의 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란 등의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이트 등의 카보네이트 화합물; 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 디메틸락타아미드 등의 아미드화합물을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the water-soluble organic solvent (c) used in the present invention include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol Monoethyl ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, polyethylene glycol Ether compounds such as monomethyl ether, polyethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate; Alcohols such as perfluoro alcohol, tetrahydroperfuryl alcohol, diacetone alcohol, ethylene glycol and glycerin; Pyrrolidone compounds such as N-methyl pyrrolidone (NMP) and N-ethyl pyrrolidone; Imidazolidinone compounds such as 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and 1,3-dipropyl-2-imidazolidinone; lactone compounds such as? -butyrolactone; Sulfoxide compounds such as dimethylsulfoxide (DMSO) and sulfolane; Phosphate compounds such as triethyl phosphate, tributyl phosphate and the like; Carbonate compounds such as dimethyl carbonate, ethylene carbonate and the like; N, N-dimethylacetamide, N- (2-hydroxyethyl) acetamide, 3-methoxypyridine, N, N-dimethylformamide, Amide compounds such as N, N-dimethylpropionamide, 3- (2-ethylhexyloxy) -N, N-dimethylpropionamide, 3-butoxy-N, N-dimethylpropionamide and dimethyl lactamide These can be used alone or in admixture of two or more.

(c) 수용성 유기용매는 상기 (b) 아민 화합물에 의해 겔화된 포토레지스트 고분자를 용해시키는 역할을 하며, 또한 포토레지스트 박리 이후 탈이온수의 린스 과정에서 물에 의한 박리액의 제거를 수월하게 하여 박리액 및 용해된 포토레지스트의 재흡착/재부착을 최소화 한다.(c) the water-soluble organic solvent serves to dissolve the photoresist polymer gelled by the amine compound (b), and also facilitates the removal of the peeling liquid by water in rinsing the deionized water after peeling off the photoresist, Minimizing re-adsorption / re-adhesion of the liquid and dissolved photoresist.

(c) 수용성 유기용매는 조성물 총 중량에 대해 30 내지 95 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기와 같은 함량 범위로 포함되는 경우에 식각 등에 의해 변질되거나 가교된 포토레지스트 고분자의 제거 성능의 발현에도 유리하며 동시에 처리매수 증가 효과에 유리하다. 상기 수용성 극성 용매의 함량이 30 중량% 미만이면 포토레지스트 용해도가 저하되어 처리 매수가 감소되며 탈이온수로 린스 공정 시에 완전한 이물 제거 효과를 얻을 수 없다. 또한 수용성 극성 용매의 함량이 95 중량 %를 초과하면 상대적으로 염기성 화합물 함량이 너무 감소되어 가교되거나 변질된 포토레지스트의 제거성이 감소된다.(c) the water-soluble organic solvent is preferably contained in an amount of 30 to 95% by weight based on the total weight of the composition. When it is contained in the above-mentioned content range, it is advantageous to exhibit the removal performance of photoresist polymer degraded or crosslinked by etching or the like, and at the same time, it is advantageous in the effect of increasing the number of treatments. If the content of the water-soluble polar solvent is less than 30% by weight, the solubility of the photoresist is lowered and the number of treatments is decreased, and a complete foreign matter removing effect can not be obtained during rinsing with deionized water. Also, when the content of the water-soluble polar solvent exceeds 95% by weight, the content of the basic compound is excessively decreased, and the removability of the crosslinked or deteriorated photoresist is reduced.

(d) 부식방지제(d) Corrosion inhibitor

본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 (d) 부식 방지제를 추가로 더 포함 할 수 있다. 상기 (d) 부식 방지제는 벤조트리아졸, 메틸갈레이트, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소 벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’- [[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올과 같은 아졸계화합물을 들을 수 있으며, 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. The photoresist stripper composition of the present invention may further comprise (d) a corrosion inhibitor. The corrosion inhibitor (d) may be selected from the group consisting of benzotriazole, methyl gallate, tolytriazole, methyltolytriazole, 2,2 '- [[[benzotriazole] methyl] imino] - [[ethyl-1-hydrogen benzotriazol-1-yl] methyl] imino] Dihydrobenzotriazol-1-yl] methyl] imino] bisethanol, 2,2 '- [[[methyl- - [[methyl-1-hydrogen-benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bismethylamine, 2,2 '- [[[ -1-hydrogen] -benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bis-ethanol, which may be used alone or in admixture of two or more.

상기 (d) 부식 방지제는 알루미늄을 포함하는 금속배선 및/또는 구리를 포함하는 금속배선의 부식 방지능력이 뛰어나며 특히 구리 및 이를 포함하는 금속에 대한 부식 방지력이 매우 뛰어나다. 상기 (d) 부식 방지제는 조성물 총 중량에 대해 0.01 중량% 내지 5 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 (d) 부식 방지제의 함량이 0.01 중량% 미만이면 박리 혹은 탈이온수에 의한 린스 공정에서 구리 또는 이를 포함하는 금속배선에 부식이 발생 할 수 있으며, 5 중량%를 초과할 경우 부식 방지제 함량 증가에 따른 부식 방지 효과의 향상을 얻을 수 없으므로 경제적으로 옳지 않다.The corrosion inhibitor (d) is excellent in the corrosion inhibiting ability of the metal wiring including aluminum and / or the metal wiring including copper, and particularly has excellent anticorrosive power against copper and metal containing it. The corrosion inhibitor (d) is preferably contained in an amount of 0.01 to 5% by weight based on the total weight of the composition. If the content of the anticorrosion agent (d) is less than 0.01% by weight, corrosion may occur in the copper or the metal wiring including the copper or rhenium in the rinsing process by peeling or deionized water. When the corrosion inhibitor is added in an amount exceeding 5% It is not economically correct because the improvement of the corrosion prevention effect can not be obtained.

(e) 탈이온수(e) deionized water

본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 추가로 (e)탈이온수를 더 포함할 수 있다. (e) 탈이온수는 상기 (b) 아민 화합물을 활성화를 향상시켜 포토레지스트 박리 속도를 증가시키며, 상기 (c) 수용성 유기 용매에 혼합되어 탈이온수에 의한 린스 공정 시 기판상에 잔존하는 유기 오염물 및 포토레지스트 박리액을 빠르고 완전하게 제거시킬 수 있다.The photoresist stripper composition of the present invention may further comprise (e) deionized water. (e) deionized water increases the rate of peeling of the photoresist by enhancing the activation of the amine compound (b), and (c) the organic contaminants remaining on the substrate during rinsing with deionized water mixed with the water- The photoresist stripping solution can be quickly and completely removed.

상기 (e) 탈이온수가 포함되는 경우에는 조성물 총 중량에 대해 3 중량% 내지 50 중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 3 중량% 미만이면 탈이온수를 포함하지 않는 조성물과 비교하여 건식/습식 식각 공정에 의해 가교되거나 변질된 포토레지스트의 제거력 향상 효과를 얻을 수 없고, 50 중량%를 초과하면 포토레지스트의 용해용량을 감소시켜 처리 매수를 감소시키며, 박리액에 기판을 장시간 침적시키는 경우 금속 배선의 부식을 유발시킬 수 있다.When the (e) deionized water is included, it preferably contains 3% by weight to 50% by weight based on the total weight of the composition. If the amount is less than 3% by weight, the effect of improving the removal performance of the crosslinked or deteriorated photoresist can not be obtained by the dry / wet etching process as compared with the composition containing no deionized water. When the amount exceeds 50% by weight, To reduce the number of treatments, and if the substrate is immersed in the peeling liquid for a long time, corrosion of the metal wiring can be caused.

본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물을 사용하여 포토레지스트를 제거하는 방법으로는 침지법이 일반적이지만 기타의 방법, 예를 들면 분무법에 의한 방법을 사용할 수도 있다. 본 발명에 의한 조성물로 처리한 후의 세정제로는 알코올과 같은 유기용제를 사용할 필요가 없고 물로 세정하는 것만으로도 충분하다.As the method of removing the photoresist using the photoresist stripper composition of the present invention, a dipping method is generally used, but other methods such as a spraying method may also be used. As the cleaning agent after treatment with the composition according to the present invention, it is not necessary to use an organic solvent such as alcohol, and it is sufficient to wash with water.

본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 반도체 또는 전자제품, 특히 플랫 패널 디스플레이용 포토레지스트의 제거 공정에서 유용하게 사용될 수 있다.The resist stripping liquid composition of the present invention can be usefully used in a process for removing semiconductor or electronic products, particularly, a photoresist for a flat panel display.

또한, 본 발명은 상기 기재된 포토레지스트 박리액 조성물을 사용하여 Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 포함하는, 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 방법을 제공한다.The present invention also relates to a photoresist stripper composition comprising a photoresist stripper composition as described above, which comprises a Cu / Mo-X (X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is a Ti, Nb or W) A method of manufacturing a flat panel display substrate comprising the step of cleaning a flat panel display substrate.

이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the following examples are intended to further illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples can be appropriately modified and changed by those skilled in the art within the scope of the present invention.

실시예Example

실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 5: 레지스트 박리액 조성물의 제조Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 5: Preparation of resist stripper composition

하기 표 1에 기재된 성분을 해당 조성비로 혼합하여 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 5의 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.The components shown in the following Table 1 were mixed at the composition ratios to prepare resist stripper compositions of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 5.

구분division (a) 갈바닉 현상 부식 억제제(a) Galvanic corrosion inhibitor (b) 아민 화합물(b) an amine compound (c) 수용성 유기용매(c) a water-soluble organic solvent (d) 부식 방지제(d) Corrosion inhibitor (e) 탈이온수(e) deionized water [중량%][weight%] [중량%][weight%] [중량%][weight%] [중량%][weight%] [중량%][weight%] 실시예1Example 1 SQOSQO 1One MDEAMDEA 1010 NMPNMP 8989 -- -- -- 실시예2Example 2 OPAOPA 1One AEEAEE 99 NMPNMP 6060 -- -- -- DEHADEHA 1One BDGBDG 2929 실시예3Example 3 SQOSQO 1One MEAMEA 99 NMPNMP 6060 BTABTA 1One DEHADEHA 1One MDGMDG 2828 실시예4Example 4 OPAOPA 1One AEEAEE 99 NMFNMF 4040 BTABTA 1One 3030 DEHADEHA 1One BDGBDG 1818 실시예5Example 5 BPABPA 1One MEAMEA 1010 NMPNMP 8989 BTABTA 1One 실시예6Example 6 BPABPA 1One MEAMEA 1010 NMPNMP 4040 BTABTA 1One 3030 MDGMDG 1818 비교예1Comparative Example 1 -- -- MEAMEA 1010 NMPNMP 5050 -- -- -- MDGMDG 4040 비교예2Comparative Example 2 -- -- MEAMEA 1010 NMPNMP 6060 BTABTA 1One -- BDGBDG 2929 비교예3Comparative Example 3 -- -- AEEAEE 1010 NMPNMP 4040 MGMG 1One 3030 BDGBDG 1919 비교예4Comparative Example 4 -- -- MEAMEA 1010 NMPNMP 4040 BTABTA 1One 2020 BDGBDG 2828 MGMG 1One 비교예5Comparative Example 5 -- -- -- -- NMFNMF 5050 -- -- 3030 MDGMDG 2020

주) SQO: (3-(2-아미노에틸)아미노프로필)메틸메톡시터미네이티드 실세스퀴옥산OPA: 옥틸포스포닉산Note) SQO: (3- (2-aminoethyl) aminopropyl) methyl methoxytriminated silsesquioxane OPA: octylphosphonic acid

BPA: 뷰틸포스포닉산BPA: butylphosphonic acid

MEA: 모노에탄올아민MEA: Monoethanolamine

AEE: 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올AEE: 2- (2-aminoethylamino) -1-ethanol

MDEA: N-메틸디에탄올아민MDEA: N-methyldiethanolamine

DEHA: 디에틸히드록실아민DEHA: Diethylhydroxylamine

NMP: N-메틸피롤리돈NMP: N-methylpyrrolidone

BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르BDG: diethylene glycol monobutyl ether

MDG: 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르MDG: diethylene glycol monomethyl ether

NMF: N-메틸포름아미드NMF: N-methylformamide

BTA: 벤조트리아졸BTA: benzotriazole

MG: 메틸갈레이트MG: methyl gallate

<실험예 1> 박리액의 박리력 평가EXPERIMENTAL EXAMPLE 1 Evaluation of Peelability of Peeling Solution

실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 5의 포토레지스트 박리용 조성물의 박리 효과를 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판 상에 포토레지스트(DWG-520: 동우화인켐社)를 일정한 두께(2㎛)로 도포 후 170℃에서 10분 동안 경화를 실시하였다. 상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 5의 포토레지스트 박리용 조성물을 제조하여 50℃로 온도를 일정하게 유지시킨 후, 포토레지스트가 도포된 3cm X 3cm 크기의 유리 기판을 침적하여 박리력을 평가 하였으며 이후 기판상에 잔류하는 박리액의 제거를 위해서 순수로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. 상기와 같은 방법으로 시간별 평가를 실시하여 포토레지스트가 완벽히 제거되는 시간을 측정하였다. Photoresist (DWG-520, manufactured by Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd.) was applied onto a glass substrate in accordance with a conventional method in order to confirm the peeling effect of the photoresist peeling composition of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 5 Mu m) and cured at 170 DEG C for 10 minutes. The photoresist peeling compositions of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 5 were prepared and kept at a constant temperature of 50 캜 and then immersed in a 3 cm x 3 cm glass substrate coated with a photoresist to remove the peeling force The substrate was cleaned with pure water for one minute to remove the remnant of the remnant on the substrate, and the substrate was completely dried with nitrogen to remove the pure water remaining on the substrate after cleaning. The time was evaluated by the same method as described above to measure the time for completely removing the photoresist.

상기 기판의 경화된 포토레지스트의 제거 성능은 육안으로 관찰하여 제거되는 시간을 하기 표 2에 나타냈다. The removal performance of the cured photoresist of the substrate is shown in Table 2 below with the naked eye being observed and removed.

<실험예 2> 박리액 금속 배선 방식력 평가 (갈바닉 현상에 의한 부식 방지력 평가)&Lt; Experimental Example 2 > Evaluation of corrosion resistance of galvanic phenomenon of metal wringing force of stripping liquid

실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 5의 포토레지스트 박리액 조성물의 금속 배선에 대한 부식 방지능력을 평가하기 위해서 통상적인 방법에 따라 유리 기판상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 Mo/Al, Cu/Ti, Cu/Mo-Ti, Cu/Mo-Nb 및 Mo-Nb/Cu/Mo-Nb 층을 형성시킨 이후, 포토레지스트를 이용하여 패턴을 형성시킨 이후, 습식 식각 및 건식 식각 방식에 의해 금속막을 에칭한 기판을 각각 준비하였다. Mo/Al, Cu/Ti, Cu/Mo-Ti, Cu/Mo-Nb 및 Mo-Nb/Cu/Mo-Nb 배선이 노출된 기판을 사용하였으며 박리액 조성물을 50℃로 온도를 일정하게 유지시키고 상기 기판을 30분간 침적시킨 후, 세정 및 건조를 거쳐 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 2 및 도 1 내지 2에 나타냈으며, 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 보통은 △, 불량은 ×, 갈바닉 현상에 의한 부식은 갈바닉으로 표시 하였다. In order to evaluate the corrosion inhibiting ability of the photoresist stripper liquid compositions of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 5 according to a conventional method, a thin film sputtering method was used to deposit Mo / Al, Cu / After the formation of the Ti, Cu / Mo-Ti, Cu / Mo-Nb and Mo-Nb / Cu / Mo- Nb layers, a pattern is formed using a photoresist and then wet etching and dry etching And etched substrates were prepared. The substrate having exposed Mo / Al, Cu / Ti, Cu / Mo-Ti, Cu / Mo-Nb and Mo-Nb / Cu / Mo- Nb interconnection was used and the stripper composition was maintained at a constant temperature The substrate was immersed for 30 minutes, washed, dried, and evaluated using a scanning electron microscope (SEM, Hitachi S-4700). The results are shown in the following Table 2 and Figs. 1 and 2, and the results are shown in a very good way as?, Good as?, Usually as?, Bad as x, and galvanic corrosion as galvanic.


구분
division
박리시간
Peeling time 방식력Revolution Mo/AlMo / Al Cu/TiCu / Ti Cu/Mo-TiCu / Mo-Ti Cu/Mo-NbCu / Mo-Nb Mo-Nb/Cu/Mo-NbMo-Nb / Cu / Mo-Nb 실시예1Example 1 70 sec70 sec ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예2Example 2 60 sec60 sec ◎◎ ○○ ○○ ◎◎ ○○ 실시예3Example 3 60 sec60 sec ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예4Example 4 60 sec60 sec ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예5Example 5 60 sec60 sec ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 실시예6Example 6 60 sec60 sec ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ ◎◎ 비교예1Comparative Example 1 60 sec60 sec XX XX XX 갈바닉Galvanic 갈바닉Galvanic 비교예2Comparative Example 2 60 sec60 sec XX ◎◎ ◎◎ 갈바닉Galvanic 갈바닉Galvanic 비교예3Comparative Example 3 60 sec60 sec ◎◎ XX XX 갈바닉Galvanic 갈바닉Galvanic 비교예4Comparative Example 4 60 sec60 sec ◎◎ ◎◎ ◎◎ 갈바닉Galvanic 갈바닉Galvanic 비교예5Comparative Example 5 제거안됨Not removed ◎◎ ○○ ○○ 갈바닉Galvanic 갈바닉Galvanic

상기 표 2에 나타난 바와 같이, 실시예의 포토레지스트 박리액을 사용하였을 경우, 비교예의 포토레지스트 박리액 조성물을 사용했을 때와 비교하여 Mo/Al 또는 Cu/Ti 층을 포함하는 합금 금속 배선뿐 아니라, Cu/Mo-Ti, Cu/Mo-Nb 및 Mo-Nb/Cu/Mo-Nb 층을 포함하는 합금 금속 배선에서 역시 갈바닉 현상에 의한 부식이 나타나지 않으며, 박리 시간도 비슷하거나 더 빠른 것으로 나타났다.또한, 도 1에 나타난 바와 같이, 실시예 4의 포토레지스트 박리액 조성물을 이용한 경우, Cu/Mo-Nb 기판의 금속배선의 단면 이미지를 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 관찰하였을 때, 갈바닉 현상에 의한 부식이 일어나지 않음을 알 수 있었다. 이에 반해, 도 2에 나타난 바와 같이, 비교예 4에 따른 포토레지스트 박리액 조성물을 이용한 경우, Cu/Mo-Nb 기판의 금속배선의 단면 이미지를 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 관찰한 것으로 갈바닉 현상에 의한 부식이 일어남을 알 수 있다.As shown in Table 2, when the photoresist stripping solution of the example was used, not only the alloy metal wiring including the Mo / Al or Cu / Ti layer as compared with the case of using the photoresist stripping solution composition of the comparative example, It was also found that the alloy metal interconnects including Cu / Mo-Ti, Cu / Mo-Nb and Mo-Nb / Cu / Mo-Nb layers did not show any corrosion due to galvanic phenomena, 1, the cross-sectional image of the metal wiring of the Cu / Mo-Nb substrate was observed using a scanning electron microscope (SEM, Hitachi S-4700) when the photoresist stripper composition of Example 4 was used , It was found that the corrosion due to the galvanic phenomenon did not occur. On the other hand, as shown in FIG. 2, when the photoresist stripper solution composition according to Comparative Example 4 was used, the cross-sectional image of the metal wiring of the Cu / Mo-Nb substrate was observed using a scanning electron microscope (SEM, Hitach S-4700) And the corrosion caused by the galvanic phenomenon occurs.

위 실험결과로부터 본원의 조성물은 Cu/Mo-Ti, Cu/Mo-Nb 및 Mo-Nb/Cu/Mo-Nb의 2중막 및 3중막에 대해서 갈바닉 현상에 의한 부식 없이 우수한 식각특성을 나타냄을 확인할 수 있었다. From the above experimental results, it can be seen that the composition of the present invention exhibits excellent etching properties without the corrosion due to galvanic phenomena on the double and triple films of Cu / Mo-Ti, Cu / Mo-Nb and Mo-Nb / Cu / Mo- I could.

Claims (12)

(a) 화학식 1을 포함하는 갈바닉 부식 억제제 및 화학식 2로 표시되는 갈바닉 부식 억제제 중 어느 하나 이상;
(b) 화학식 3으로 표시되는 아민 화합물; 및
(c) 수용성 유기 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00010

상기 화학식 1에서, n은 8 내지 100이며, R1은 수소, 알킬기, 알킬렌기, 알릴기, 알릴렌기, 아미노알킬기, 기능성을 갖는 알킬기, 기능성을 갖는 알킬렌기, 기능성을 갖는 아릴기 또는 기능성을 갖는 아릴렌기의 유도체이고,
[화학식 2]
Figure pat00011

상기 화학식 2에서, R2는 탄소수 3 이상의 알킬기, 알케닐기 또는 히드록시알킬기이고,
[화학식 3]
Figure pat00012

상기 화학식 3에서, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 아미노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기, 페닐기, 또는 벤질기이며, R4 및 R5는 환을 형성할 수 있다.(a) at least one of a galvanic corrosion inhibitor comprising the formula (1) and a galvanic corrosion inhibitor represented by the formula (2);
(b) an amine compound represented by the formula (3); And
(X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is a film of Ti, Nb or W) Resist stripper liquid composition:
[Chemical Formula 1]
Figure pat00010

Wherein n is from 8 to 100, and R 1 is hydrogen, an alkyl group, an alkylene group, an allyl group, an allylene group, an aminoalkyl group, an alkyl group having a functionality, an alkylene group having a functionality, Lt; / RTI &gt; is a derivative of an arylene group,
(2)
Figure pat00011

In Formula 2, R 2 is an alkyl group, an alkenyl group, or a hydroxyalkyl group having 3 or more carbon atoms,
(3)
Figure pat00012

R 3 , R 4 and R 5 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a hydroxy group having 1 to 10 carbon atoms An alkyl group, a carboxyl group, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with a hydroxyl group, an amino group substituted or unsubstituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, or a benzyl group, and R 4 and R 5 form a ring . 청구항 1에 있어서, 상기 포토레지스트 박리액 조성물은 (d) 부식방지제를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물.The photoresist stripper composition of claim 1, wherein the photoresist stripper composition further comprises Cu / Mo-X (X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is a Ti, Nb or W) film. 청구항 1에 있어서, 상기 포토레지스트 박리액 조성물은 (e) 탈이온수를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물.The photoresist stripper composition according to claim 1, wherein the photoresist stripper composition further comprises (e) deionized water. The Cu / Mo-X (X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / (Y is a Ti, Nb or W) film. 청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여
(a) 화학식 1을 포함하는 갈바닉 부식 억제제 및 화학식 2로 표시되는 갈바닉 부식 억제제 중 어느 하나 이상 0.01 내지 5 중량%;
(b) 화학식 3으로 표시되는 아민 화합물 1 내지 40 중량%;
(c) 수용성 유기용매 30 내지 95 중량%; 및
잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물.The composition according to claim 1,
(a) 0.01 to 5% by weight of at least one of a galvanic corrosion inhibitor comprising the formula (1) and a galvanic corrosion inhibitor represented by the formula (2);
(b) 1 to 40% by weight of an amine compound represented by the general formula (3);
(c) 30 to 95% by weight of a water-soluble organic solvent; And
(X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is a film of Ti, Nb or W) Composition. 청구항 2에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여 상기 (d) 부식방지제 0.01 내지 5 중량%를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물.The composition according to claim 2, further comprising 0.01 to 5% by weight of the corrosion inhibitor (d) relative to the total weight of the composition. The composition of Cu / Mo-X wherein X is Nb or W and Mo-Y / Cu / -Y (Y is a Ti, Nb or W) film. 청구항 3에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여 상기 (e) 탈이온수 3 내지 50 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물.4. A composition according to claim 3, characterized in that it contains 3 to 50% by weight of (e) deionized water, based on the total weight of the composition, Cu / Mo-X wherein X is Nb or W and Mo- Y (Y is a Ti, Nb or W) film. 청구항 1에 있어서, 상기 (a) 화학식 1을 포함하는 갈바닉 현상 부식 억제제는 다면체 실세스퀴옥산으로, 랜덤(random)형, 사다리형, 케이지(cage)형 및 부분적 케이지(partial cage)형 중 하나 이상의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물.The galvanic corrosion inhibitor according to claim 1, wherein the galvanic corrosion inhibitor is selected from the group consisting of random, ladder, cage, and partial cage. Mo or Y and Y is a Ti, Nb or W film, characterized in that Cu / Mo-X (X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is a Ti, Nb or W) film. 청구항 1에 있어서, 상기 (a) 화학식2로 표시되는 갈바닉 현상 부식 억제제는 프로필포스포닉산, 뷰틸포스포닉산, t-뷰틸포스포닉산, 펜틸포스포닉산, 헥실포스포닉산, 헵틸포스포닉산, 옥틸포스포닉산 및 n-도데실포스포닉산으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물.[2] The method of claim 1, wherein the galvanic corrosion inhibitor represented by Formula (2) is at least one selected from the group consisting of propylphosphonic acid, butylphosphonic acid, t-butylphosphonic acid, pentylphosphonic acid, hexylphosphonic acid, (X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (where X is at least one element selected from the group consisting of Cu, Mo, and Mo) And Y is a Ti, Nb or W) film. 청구항 1에 있어서, 상기 (b) 화학식 3으로 표시되는 아민 화합물은 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디메틸히드록실아민, 디에틸히드록실아민, 디부틸히드록실아민, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(2-히드록시에틸)모폴린 및 N-(3-히드록시프로필)모폴린으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물.The amine compound according to claim 1, wherein the amine compound represented by formula (3) is at least one selected from the group consisting of choline, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monopropanolamine, 2- aminoethanol, 2- (ethylamino) Methylaminoethanol, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylaminoethanol, 2- (2-aminoethylamino) -1- Amino-1-propanol, 4-amino-1-butanol, dibutanolamine, (methoxymethyl) diethanolamine, (hydroxyethyloxymethyl) diethylamine, methyl (Methoxymethyl) aminoethane, methyl (methoxymethyl) aminoethanol, methyl (butoxymethyl) aminoethanol, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, dimethylhydroxylamine, diethylhydroxylamine, dibutyl 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, 1- (2-hydroxyethyl) methylpiperazine, N- (2-hydroxyethyl) morpholine, and N (X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (wherein X is at least one element selected from the group consisting of Cu, And Y is a Ti, Nb or W) film. 청구항 1에 있어서, 상기 (c) 수용성 유기용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트를 포함하는 에테르 화합물; 퍼푸릴 알코올, 테트라하이드로퍼푸릴 알코올, 디아세톤 알코올, 에틸렌 글리콜 및 글리세린의 알코올류; Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP) 및 Ｎ-에틸 피롤리돈을 포함하는 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논 및 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논을 포함하는 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤을 포함하는 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO) 및 술폴란을 포함하는 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트 및 트리부틸포스페이트를 포함하는 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트 및 에틸렌카보네이트를 포함하는 카보네이트 화합물; 및 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 및 디메틸락타아미드를 포함하는 아미드화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물.The method of claim 1, wherein the water-soluble organic solvent (c) is selected from the group consisting of ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl Ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, polyethylene glycol monomethyl Ether compounds including ether, polyethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate; Alcohols such as perfluoro alcohol, tetrahydroperfuryl alcohol, diacetone alcohol, ethylene glycol and glycerin; Pyrrolidone compounds including N-methyl pyrrolidone (NMP) and N-ethyl pyrrolidone; Imidazolidinone compounds including 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and 1,3-dipropyl-2-imidazolidinone; lactone compounds including? -butyrolactone; Sulfoxide compounds including dimethyl sulfoxide (DMSO) and sulfolane; Phosphate compounds including triethyl phosphate and tributyl phosphate; Carbonate compounds including dimethyl carbonate and ethylene carbonate; And N, N-dimethylacetamide, N- (2-hydroxyethyl) acetamide, N, N-dimethylacetamide, Amide compounds including 3-butoxy-N, N-dimethylpropionamide, 3- (2-ethylhexyloxy) -N, N- dimethylpropionamide, 3- (X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is Ti, Nb or W), which is a mixture of at least one selected from the group consisting of Cu / Mo- A photoresist stripper composition for stripping a film. 청구항 2에 있어서, 상기 (d) 부식방지제는 벤조트리아졸, 메틸갈레이트, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2'-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2'-[[[에틸-1수소 벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2'- [[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민 및 2,2'-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는, Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물.[3] The method of claim 2, wherein the corrosion inhibitor (d) is at least one selected from the group consisting of benzotriazole, methyl gallate, tolythriazole, methyltolytriazole, 2,2 '- [[[benzotriazole] methyl] imino] , [2,2 '- [[[ethyl-1-hydrogen-benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bis- Methyl] imino] bisethanol, 2,2 '- [[[methyl-1 -hydroxy-benzotriazol- Yl] methyl] imino] biscarboxylic acid and 2,2 '- [[[methyl hydrogen-benzotriazol- (Wherein X is at least one element selected from the group consisting of Nb &lt; RTI ID = 0.0 &gt; Or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is a Ti, Nb or W) film. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항의 포토레지스트 박리액 조성물을 사용하여 Cu/Mo-X (X는 Nb 또는 W) 및 Mo-Y/Cu/Mo-Y (Y는 Ti, Nb 또는 W)막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 방법.
(X is Nb or W) and Mo-Y / Cu / Mo-Y (Y is a Ti, Nb or W) film using the photoresist stripper composition according to any one of claims 1 to 11 And removing the photoresist stripper liquid composition for cleaning the flat panel display substrate.
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