KR20190048234A - Rf 전력의 임피던스 매칭 방법 - Google Patents

Rf 전력의 임피던스 매칭 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 RF 전력의 임피던스 매칭 방법은, 가변 주파수 RF 전원을 임피던스 매칭 네트워크를 통하여 부하에 RF 전력을 제공하는 단계; 상기 가변 주파수 RF 전원의 구동 주파수를 스윕하면서 반사 전력을 측정하는 단계; 상기 반사 잔력이 최소가 되는 최소 반사파 구동 주파수를 추출하는 단계; 상기 최소 반사파 구동 주파수를 중심으로 입사 전력과 반사 전력의 비율인 반사율을 구동 주파수와 상기 최소 반사파 구동 주파수의 차이에 대하여 2차 함수로 피팅하여, 상기 부하의 실저항과 상기 부하의캐페시턴스 성분을 추출하는 단계; 상기 부하의 실저항, 상기 부하의캐페시턴스 성분, 및 상기 부하의 이미 결정된 인덕턴스 성분을 이용하여 목표 구동 주파수에서 임피던스 매칭 네트워크를 구성하는 제1 가변 리액턴스 소자의 제1 캐페시턴스의 값과 제2 가변 리액턴스 소자의 제2 캐페시턴스의 값을 계산하는 단계; 및 상기 제1 가변 리액턴스 소자의 제1 캐페시턴스의 산출 값으로 상기 제1 가변 리액턴스 소자를 조절하고 상기 제2 가변 리액턴스 소자의 제2 캐페시턴스의 산출 값으로 상기 제2 가변 리액턴스 소자를 조절하고, 상기 가변 주파수 RF 전원의 구동 주파수를 상기 목표 구동 주파수로 변경하는 단계를 포함한다.

Description

RF 전력의 임피던스 매칭 방법{Impedance Matching Method of RF Power}
본 발명은 RF 전원과 임피던스 매칭 네트워크에 관한 것으로, 더 구체적으로 시변 부하인 플라즈마의 임피던스 매칭 방법에 관한 것이다.
종래의 기술은 RF 임피던스 매칭 네크워크 내부에 RF 센서를 가지고 RF 반사계수에 해당하는 값을 얻어, 상기 RF 임피던스 매칭 네크워크 내부에 구현된 계산 알고리즘을 통해서 RF 임피던스 매칭 네크워크의 가변 소자들을 구동하여 임피던스 매칭을 수행한다.
종래의 임피던스 매칭 네트워크는 시변 부하인 플라즈마의 점화와 유지 단계에서 임피던스 매칭을 수행한다. 종래의 임피던스 매칭 네트워크는 RF 전력를 시간적으로 균일하게 공급하는데 중점을 두고 있다. 사이클 시간이 수 십초로 긴 경우에 플라즈마 점화 단계의 시간은 1초 미만이고, 유지 시간은 수 십초 이므로 유지 시간 동안에 반사계수를 일정값 이하로 유지하는 것이 관건이었다. 또한 구동 주파수가 고정되어 있으므로, 고정된 구동 주파수에서 정확하게 반사계수를 측정하는 RF 센서 기술이 중요하다.
한편, 가변 주파수 매칭을 수행할 경우에는 RF 센서의 값이 틀어질 가능성이 있다. 또한 점화 단계에서 빠른 시간에 정확한 변수 변화를 통한 안정적인 점화 알고리즘이 중요하다. 가변 주파수 매칭을 수행할 경우에는 임피던스 매칭 네트워크의 소자의 리액턴스 값에 대해 정밀한 측정이 요구되지 않는다. 따라서 부하인 플라즈마의 특성 변화에 대한 이력관리가 어렵다.
본 발명의 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 부하의 특성 변화를 모니터링하면서 임피던스 매칭을 동시에 수행할 수 있는 임피던스 매칭 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 RF 전력의 임피던스 매칭 방법은, 가변 주파수 RF 전원을 임피던스 매칭 네트워크를 통하여 부하에 RF 전력을 제공하는 단계; 상기 가변 주파수 RF 전원의 구동 주파수를 스윕하면서 반사 전력을 측정하는 단계; 상기 반사 잔력이 최소가 되는 최소 반사파 구동 주파수를 추출하는 단계; 상기 최소 반사파 구동 주파수를 중심으로 입사 전력과 반사 전력의 비율인 반사율을 구동 주파수와 상기 최소 반사파 구동 주파수의 차이에 대하여 2차 함수로 피팅하여, 상기 부하의 실저항과 상기 부하의캐페시턴스 성분을 추출하는 단계; 상기 부하의 실저항, 상기 부하의캐페시턴스 성분, 및 상기 부하의 이미 결정된 인덕턴스 성분을 이용하여 목표 구동 주파수에서 임피던스 매칭 네트워크를 구성하는 제1 가변 리액턴스 소자의 제1 캐페시턴스의 값과 제2 가변 리액턴스 소자의 제2 캐페시턴스의 값을 계산하는 단계; 및 상기 제1 가변 리액턴스 소자의 제1 캐페시턴스의 산출 값으로 상기 제1 가변 리액턴스 소자를 조절하고 상기 제2 가변 리액턴스 소자의 제2 캐페시턴스의 산출 값으로 상기 제2 가변 리액턴스 소자를 조절하고, 상기 가변 주파수 RF 전원의 구동 주파수를 상기 목표 구동 주파수로 변경하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 가변 리액턴스 소자의 제1 캐페시턴스의 산출 값으로 상기 제1 가변 리액턴스 소자를 조절하고 상기 제2 가변 리액턴스 소자의 제2 캐페시턴스의 산출 값으로 상기 제2 가변 리액턴스 소자를 조절하고, 상기 가변 주파수 RF 전원의 구동 주파수를 상기 목표 구동 주파수로 변경하는 단계는, 상기 가변 주파수 RF 전원이 제거된 상태에서 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 부하는 축전결합 플라즈마를 생성하고, 주기적으로 축전 결합 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법은, 부하의 실저항 성분과 상기 부하의캐페시턴스 성분을 추출하므로, 부하의 특성 변화를 모니터링할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 네트워크를 나타내는 회로도이다.
도 2는 도 1의 임피던스 매칭 네트워크의 직렬 가변 소자와 부하를 하나의 요소로 표시한 회로도이다.
도 3은 도 2의 회로를 어드미턴스(Admittance)로 표시한 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법을 설명하는 타이밍도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법은 주파수 변조를 통하여 빠른 매칭을 달성할 수 있다. 반사율은 구동 주파수와 최소 반사 구동 주파수의 차이의 2차 함수로 피팅된다. 이에 따라, 부하의 실저항 성분과 캐페시턴스 성분이 추출된다. 부하의 임피던스를 추출한 경우, 임피던스 매칭 네트워크의 가변 리액턴스는 목표 구동 주파수에서 해석식을 통하여 산출된다. 이에 따라, 플라즈마 프로세스에 직접 연관되는 부하의 실저항 성분과 캐페시턴스 성분은 플라즈마 장비의 이력관리에 사용할 수 있다.
본 발명은 주파수 변조와 파워 반사율을 측정하여, 임피던스 매칭 네트워크의 가변 리액턴스를 조절하고, 구동 주파수를 목표 구동 주파수로 설정하는 것에 관한 것이다. 주파수를 변조하여 파워 반사율이 최소가 되는 최소 반사 구동 주파수를 찾을 수 있고, 이때, 최소 반사 구동 주파수를 기준으로 파워 반사율은 구동 주파수 차이의 2차함수(포물선)로 피팅된다. 이 피팅 함수의 계수를 이용하여, 부하의 실저항과 부하의 캐페시턴스 성분을 추출한다. 부하의 임피던스가 완전히 알려진 경우, 해석식을 통하여 목표 구동 주파수에서, 임피던스 매칭 네트워크를 구성하는 가변 리액턴스 소자의 리액턴스들을 결정한다. 이에 따라, 가변 리액턴스 소자의 리액턴스들을 조절하면, 목표 구동 주파수에서 임피던스 매칭이 완료된다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술 되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 따라서, 동일한 참조 부호 또는 유사한 참조 부호들은 해당 도면에서 언급 또는 설명되지 않았더라도, 다른 도면을 참조하여 설명될 수 있다. 또한, 참조 부호가 표시되지 않았더라도, 다른 도면들을 참조하여 설명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 네트워크를 나타내는 회로도이다.
도 1을 참조하면, 가변 주파수 RF 전원(110)은 임피던스 매칭 네트워크를 통하여 부하(130)에 RF 전력을 공급한다. 임피던스 매칭 네트워크(120) 및 상기 가변 주파수 RF 전원(110)은 구동 주파수(f)와 가변 리액턴스 소자들(122,124)를 가변하여 임피던스 매칭을 수행한다. 상기 가변 주파수 RF 전원(110)은 반사파 또는 반사전력을 측정한다.
상기 가변 주파수 RF 전원(110)에 병렬 연결된 제1 가변 리액턴스 소자(122)의 임피던스는 a1(f)로 표시된다. 부하(130)에 직렬연결된 제2 가변 리액턴스 소자(124)의 임피던스는 ia2(f)로 표시된다. 또한, 부하의 임피던스는 r(f)+ ic(f)로 표시된다. r(f)는 구동 주파수(f)에서 부하의 실저항이고, c(f)는 구동 주파수(f)에서 부하의 리액턴스이다.
처리부(140)는 상기 가변 주파수 RF 전원(110)에서 주파수에 따른 반사율 또는 반사전력을 수신하고, 목표 구동 주파수(fT)에서 임피던스 매칭 네트워크를 구성하는 제1 가변 리액턴스 소자의 제1 캐페시턴스의 값(C1_cal)과 제2 가변 리액턴스 소자의 제2 캐페시턴스의 값(C2_cal)을 제1 가변 리액턴스 소자 및 제2 가변 리액턴스 소자에 각각 제공한다. 상기 제1 가변 리액턴스 소자는 제1 캐페시턴스의 값(C1_cal)으로 변경하고, 상기 제2 가변 리액턴스 소자는 제2 캐페시턴스의 값(C2_cal)으로 변경한다.
도 2는 도 1의 임피던스 매칭 네트워크의 직렬 가변 소자와 부하를 하나의 요소로 표시한 회로도이다.
도 2를 참조하면, 제1 가변 리액턴스 소자(122)의 임피던스는 a1(f)이고, 제2 가변 리액턴스 소자와 부하의 전체 임피던스(230)는 r(f)+ib(f)로 표시된다. b= a2+c이다.
도 3은 도 2의 회로를 어드미턴스(Admittance)로 표시한 회로도이다.
도 3을 참조하면, A=1/a이고, G= r/(r2+b2), B= b/(r2+b2)이다.
반사 계수(Γ)는 다음과 같이 주어진다.
[수학식1]
Figure pat00001
여기서, Z는 가변 주파수 RF 전원(110)의 출력단에서 부하를 바라본 총 임피던스이다. Z0는 전송선의 특성 임피던스이다. 통상적으로, Z0는 50 오옴이다. z는 특성 임피던스(Z0)로 규격화된 총 임피던스이다. g는 규격화된 총 어드미턴스이다.
반사율(|Γ|2)은 다음과 같이 주어진다.
[수학식2]
Figure pat00002
임피던스 매칭을 수행하기 위하여, 시변 부하(130)에 대하여 제1 가변 리액턴스 소자(122)의 제1 리액턴스(a1)와 제2 가변 리액턴스 소자(124)의 제2 리액턴스(a2)와 구동 주파수(f)를 반사전력이 최소화되도록 조절한다. 또한, 구동 주파수는 이미 설정된 목표 구동 주파수(fT)에 근접하게 제어한다.
즉, 임피던스 매칭의 최종 목표는 반사 전력 또는 반사율을 최소화시키는 것이다. 구체적으로, 목표 구동 주파수(fT)에서 G(fT)=1 이고, 목표 구동 주파수(fT)에서 A(fT)는 B(fT) 일치하면, 반사 전력은 최소화된다. 즉, 이러한 조건은 다음과 같이 표시된다.
[수학식3]
Figure pat00003
반사파 또는 반사율이 최소가 되는 최소 반사파 구동 주파수(f0)에서 부하(130)의 실저항(r(f0))과 부하(130)의 리액턴스(c(f0))를 추출하고, 목표 구동 주파수(fT)에서 더 나은 매칭을 위한 제1 가변 리액턴스 소자의 제1 리액턴스(a1)과 제2 가변 리액턴스 소자의 제2 리액턴스(a2)를 추출한다.
구체적으로, 부하의 실저항(r)이 1보다 충분히 작은 조건(r<<1)인 경우, G와 B는 다음과 같이 표시된다. 통상적으로, 부하(130)가 플라즈마인 경우, 실저항은 1 오옴 미만이다. 실저항이 1옴 이하이므로 r로 표시되는 정규화 실저항은 0.02 미만이 된다(r < 0.02 << 1 )
[수학식4]
Figure pat00004
또한, 임피던스 매칭이 거의 된 조건에서, (1+G)2 >> (A-B)2 조건을 만족하므로, 반사율(|Γ|2)은 다음과 같이 표시된다.
[수학식5]
Figure pat00005
A=B인 조건을 만족하는 경우, 현재 구동 주파수(f0)에서 로컬 최소값은 다음과 같이 표시된다.
[수학식6]
Figure pat00006
최소 반사파 구동 주파수(f0) 주위에서 테일러 전개(Taylor Expansion)를 수행하면, 다음과 같이 표시된다.
[수학식7]
Figure pat00007
여기서, Δf, m, 그리고 K는 다음과 같이 정의된다.
[수학식8]
Figure pat00008
mΔf <<1 인 경우, G(f)=G0= 상수로 근사하면, 다음과 같이 표시된다.
[수학식9]
Figure pat00009
따라서, 반사율(|Γ|2)은 f=f0에서 최소를 가지는 Δf 의 이차함수이다.
제1 가변 리액턴스 소자(122)가 고정된 제1 인턱턴스(L1)를 가지는 제1 인덕터와 제1 캐페시턴스(C1)를 가지는 제1 가변 축전기를 포함할 수 있다. 제2 가변 리액턴스 소자(124)가 고정된 제2 인덕턴스(L2)를 가지는 제2 인덕터와 제2 캐페시턴스(C2)를 가지는 제2 가변 축전기를 포함할 수 있다. 또한, 부하(130)의 리액턴스는 인턱턴스 성분(Lf)과 캐패시터스 성분(Cr)을 포함할 수 있다. 부하(130)의 인턱턴스 성분(Lf)은 전력 공급 라인에서 기인할 수 있다. 또한, 부하(130)의 캐패시터스 성분(Cr)은 축전 결합 플라즈마 전극의 쉬스에 기인할 수 있다. 상기 부하(130)의 인턱턴스 성분(Lf)은 고정된 값으로 측정 또는 계산에 의하여 결정될 수 있다. 이 경우, 임피던스의 리액턴스 성분(a,b)은 다음과 같이 표시될 수 있다. 여기서, ω는 구동 각주파수이다.
[수학식10]
Figure pat00010
Figure pat00011
구동 주파수(f)에 대한 임피던스의 리액턴스 성분(a,b)의 미분은 다음과 같이 주어진다.
[수학식11]
Figure pat00012
Figure pat00013
따라서, 반사율(|Γ|2)은 다음과 같이 표시된다.
[수학식12]
Figure pat00014
여기서, x, Q, M은 다음과 같이 정의된다.
[수학식13]
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
즉, 반사율(|Γ|2)을 x(=(f-f0)/f0)대해서 피팅(fitting)하여 Q 값을 얻을 수 있다. 최소 반사파 구동 주파수(f0)에서 a0 = b0 조건에서 부하(130)의 캐패시터스 성분(Cr)을 얻을 수 있다. 또한, Q 값에서 부하(130)의 실저항(r)을 얻을 수 있다.
즉, 상기 부하(130)의 실저항(r)이 추출되고, 상기 부하(130)의캐페시턴스 성분(Cr)이 추출된 경우, 상기 부하(130)의 임피던스는 결정된다. 즉, 부하(130)의 인턱턴스 성분(Lf)은 이미 측정되거나 계산에 의하여 주어진다.
부하(130)의 임피던스가 결정된 경우, 목표 구동 주파수(fT)에서 임피던스 매칭 네트워크 회로의 제1 가변 리액턴스(C1)와 제2 가변 리액턴스(C2)는 해답이 존재하는 해석적 문제이다. 해석 해는 “Microwave Engineering”, David M. Pozar, 페이지 282에 개시되어 있다.
따라서, 결정된 제1 가변 리액턴스(C1_cal)를 가지도록 제1 가변 리액턴스 소자는 조절되고, 결정된 제2 가변 리액턴스(C2_cal)를 가지도록 제2 가변 리액턴스 소자는 조절된다. 이에 따라, 목표 구동 주파수(fT)에서 임피던스 매칭이 완료된다.
한편, 부하는 시변 부하이므로, 일정한 주기를 가지고 반복적으로 위의 동작을 반복할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법을 설명하는 타이밍도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, RF 전력의 임피던스 매칭 방법은, 가변 주파수 RF 전원(110)을 임피던스 매칭 네트워크(120)를 통하여 부하에 RF 전력을 제공하는 단계(S10); 상기 가변 주파수 RF 전원(110)의 구동 주파수를 스윕하면서 반사 전력을 측정하는 단계(S11); 상기 반사 전력이 최소가 되는 최소 반사파 구동 주파수를 추출하는 단계(S12); 상기 최소 반사파 구동 주파수를 중심으로 입사 전력과 반사 전력의 비율인 반사율을 구동 주파수와 상기 최소 반사파 구동 주파수의 차이에 대하여 2차 함수로 피팅하여, 상기 부하(130)의 실저항과 상기 부하(130)의캐페시턴스 성분을 추출하는 단계(S13); 상기 부하(130)의 실저항, 상기 부하(130)의캐페시턴스 성분, 및 상기 부하(130)의 이미 결정된 인덕턴스 성분을 이용하여 목표 구동 주파수에서 임피던스 매칭 네트워크(120)를 구성하는 제1 가변 리액턴스 소자(122)의 제1 캐페시턴스의 값과 제2 가변 리액턴스 소자(124)의 제2 캐페시턴스의 값을 계산하는 단계(S14); 및 상기 제1 가변 리액턴스 소자(122)의 제1 캐페시턴스의 산출 값(C1_cal)으로 상기 제1 가변 리액턴스 소자(122)를 조절하고 상기 제2 가변 리액턴스 소자(122)의 제2 캐페시턴스의 산출 값(C2_cal)으로 상기 제2 가변 리액턴스 소자(124)를 조절하고, 상기 가변 주파수 RF 전원(110)의 구동 주파수를 상기 목표 구동 주파수(fT)로 변경하는 단계(S15)를 포함한다.
상기 제1 가변 리액턴스 소자(122)의 제1 캐페시턴스의 산출 값(C1_cal)으로 상기 제1 가변 리액턴스 소자를 조절하고 상기 제2 가변 리액턴스 소자의 제2 캐페시턴스의 산출 값(C2_cal)으로 상기 제2 가변 리액턴스 소자(124)를 조절하고, 상기 가변 주파수 RF 전원(110)의 구동 주파수를 상기 목표 구동 주파수(fT)로 변경하는 단계는, 상기 가변 주파수 RF 전원(110)이 제거된 상태에서 수행된다.
상기 부하(130)는 축전결합 플라즈마를 생성하고, 주기적으로 축전 결합 플라즈마를 발생시킨다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
110: 가변주파수 RF 전원
120: 임피던스 매칭 네트워크
122: 제1 가변 리액턴스 소자
124: 제2 가변 리액턴스 소자
130: 플라즈마 부하

Claims (3)

  1. 가변 주파수 RF 전원을 임피던스 매칭 네트워크를 통하여 부하에 RF 전력을 제공하는 단계;
    상기 가변 주파수 RF 전원의 구동 주파수를 스윕하면서 반사전력을 측정하는 단계;
    상기 반사전력이 최소가 되는 최소 반사파 구동 주파수를 추출하는 단계;
    상기 최소 반사파 구동 주파수를 중심으로 입사 전력과 반사 전력의 비율인 반사율을 구동 주파수와 상기 최소 반사파 구동 주파수의 차이에 대하여 2차 함수로 피팅하여, 상기 부하의 실저항과 상기 부하의 캐페시턴스 성분을 추출하는 단계;
    상기 부하의 실저항, 상기 부하의 캐페시턴스 성분, 및 상기 부하의 이미 결정된 인덕턴스 성분을 이용하여 목표 구동 주파수에서 임피던스 매칭 네트워크를 구성하는 제1 가변 리액턴스 소자의 제1 캐페시턴스의 값과 제2 가변 리액턴스 소자의 제2 캐페시턴스의 값을 계산하는 단계; 및
    상기 제1 가변 리액턴스 소자의 제1 캐페시턴스의 산출 값으로 상기 제1 가변 리액턴스 소자를 조절하고 상기 제2 가변 리액턴스 소자의 제2 캐페시턴스의 산출 값으로 상기 제2 가변 리액턴스 소자를 조절하고, 상기 가변 주파수 RF 전원의 구동 주파수를 상기 목표 구동 주파수로 변경하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 전력의 임피던스 매칭 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 가변 리액턴스 소자의 제1 캐페시턴스의 산출 값으로 상기 제1 가변 리액턴스 소자를 조절하고 상기 제2 가변 리액턴스 소자의 제2 캐페시턴스의 산출 값으로 상기 제2 가변 리액턴스 소자를 조절하고, 상기 가변 주파수 RF 전원의 구동 주파수를 상기 목표 구동 주파수로 변경하는 단계는, 상기 가변 주파수 RF 전원이 제거된 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 RF 전력의 임피던스 매칭 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 부하는 축전결합 플라즈마를 생성하고, 주기적으로 축전 결합 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 RF 전력의 임피던스 매칭 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2020238426A1 (zh) * 2019-05-30 2020-12-03 北京北方华创微电子装备有限公司 应用于等离子体***的方法及相关等离子体***
WO2022093753A1 (en) * 2020-10-29 2022-05-05 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods combining match networks and frequency tuning
WO2023243539A1 (ja) * 2022-06-16 2023-12-21 東京エレクトロン株式会社 高周波電源、プラズマ処理装置、及び整合方法

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