KR20190033672A - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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심재박
성효성
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. According to one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes: a chamber having a processing space therein; a support unit supporting a substrate in the processing space; a gas supply unit supplying process gas used for processing the substrate into the processing space; a plasma source exciting the process gas supplied in the processing space to generate plasma; heaters heating the support unit for different areas of the substrate; a heater power source supply unit for applying heating power sources to the heaters; a plurality of heater cables transmitting the heating power sources to the heaters; and an impedance adjusting unit connected to the plurality of heater cables and adjusting impedance of the plurality of heater cables to control a processing rate for each area of the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다. 이 중 건식식각을 위해 플라스마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라스마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라스마 상태로 여기 시킨다. 플라스마는 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라스마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.In order to manufacture a semiconductor device, a substrate is subjected to various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning to form a desired pattern on the substrate. Among them, the wet etching and the dry etching are used for removing the selected heating region from the film formed on the substrate. Among them, an etching apparatus using a plasma is used for dry etching. Generally, in order to form a plasma, an electromagnetic field is formed in an inner space of a chamber, and an electromagnetic field excites a process gas provided in the chamber into a plasma state. Plasma is an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and so on. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields. The semiconductor device fabrication process employs a plasma to perform the etching process. The etching process is performed by colliding the ion particles contained in the plasma with the substrate.

본 발명은 기판의 영역 별로 식각율 등의 처리율을 균일하게 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of uniformly controlling the throughput such as the etching rate for each region of the substrate.

또한, 본 발명은 기판을 지지하는 지지 유닛을 가열하는 히터로 발열 전원을 인가하기 위한 히터케이블의 임피던스를 조절하여 기판의 처리 영역 별로 처리율을 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of controlling the throughput for each processing region of a substrate by adjusting the impedance of a heater cable for applying a heating power to a heater for heating a supporting unit for supporting the substrate .

본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간 내에 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 처리 공간 내로 상기 기판을 처리하는데 사용되는 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 상기 처리 공간 내에 공급된 상기 공정 가스를 여기하여 플라스마를 생성하는 플라스마 소스; 상기 기판의 상이한 영역 별로 상기 지지 유닛을 가열시키는 히터들; 상기 히터들에 발열 전원들을 인가하기 위한 히터 전원 공급부; 상기 발열 전원들을 상기 히터들로 전달하는 복수의 히터케이블; 및 상기 복수의 히터케이블에 연결되고, 상기 복수의 히터케이블의 임피던스를 조절하여 상기 기판의 영역 별로 처리율을 제어하는 임피던스 조절부를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a chamber having a processing space therein; A support unit for supporting the substrate in the processing space; A gas supply unit for supplying a process gas used for processing the substrate into the processing space; A plasma source for exciting the process gas supplied in the process space to generate a plasma; Heaters for heating the support unit for different regions of the substrate; A heater power supply unit for applying heat generating powers to the heaters; A plurality of heater cables for transmitting the heating power sources to the heaters; And an impedance adjusting unit connected to the plurality of heater cables and controlling an impedance of the plurality of heater cables to control a throughput for each area of the substrate.

상기 임피던스 조절부는 상기 복수의 히터케이블과 접지 사이에 각각 연결되는 가변 커패시터들을 포함할 수 있다.The impedance adjusting unit may include variable capacitors connected between the plurality of heater cables and the ground.

상기 히터들은 상기 지지 유닛의 반경 방향을 따라 동심을 이루어 배치되고, 상기 임피던스 조절부는 상기 기판의 반경 방향으로 처리율이 균일해지도록 상기 복수의 히터케이블의 임피던스를 조절할 수 있다.The heaters are concentrically arranged along a radial direction of the support unit, and the impedance control unit adjusts the impedance of the plurality of heater cables so that the throughput becomes uniform in the radial direction of the substrate.

상기 히터들은 상기 지지 유닛의 둘레 방향을 따라 배치되고, 상기 임피던스 조절부는 상기 기판의 둘레 방향으로 처리율이 균일해지도록 상기 복수의 히터케이블의 임피던스를 조절할 수 있다.The heaters are arranged along the circumferential direction of the support unit, and the impedance control unit can adjust the impedance of the plurality of heater cables so that the throughput is uniform in the circumferential direction of the substrate.

상기 기판 처리 장치는 상기 발열 전원들을 상기 복수의 히터케이블로 통과시키고 상기 히터 전원 공급부로 고주파가 유입되는 것을 차단하는 필터부를 더 포함하고, 상기 복수의 히터케이블은 상기 필터부와 상기 히터들 간에 연결될 수 있다.The substrate processing apparatus further includes a filter unit that passes the heating power sources through the plurality of heater cables and blocks the introduction of high frequency waves into the heater power supply unit, and the plurality of heater cables are connected between the filter unit and the heaters .

상기 임피던스 조절부는 상기 기판의 영역들 중 처리율이 낮은 영역에 대응되는 히터케이블의 임피던스를 감소시키고, 상기 기판의 영역들 중 처리율이 높은 영역에 대응되는 히터케이블의 임피던스를 증가시킬 수 있다.The impedance control unit may decrease the impedance of the heater cable corresponding to the region having a low throughput among the regions of the substrate and increase the impedance of the heater cable corresponding to the region having a high throughput among the regions of the substrate.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 챔버 내부의 지지 유닛 상에 기판을 지지하고, 복수의 히터케이블을 통해 상기 기판의 영역 별로 상기 지지 유닛을 가열하는 히터들로 발열 전원을 인가하는 단계; 상기 챔버 내부의 처리 공간에 공정 가스를 공급하고, 상기 처리 공간에 공급된 상기 공정 가스를 여기하여 플라스마를 생성하여 상기 기판을 처리하는 단계; 및 상기 기판의 영역별 처리율에 따라, 임피던스 조절부에 의해 상기 복수의 히터케이블의 임피던스를 조절하여 상기 기판의 영역 별로 처리율을 제어하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: heating a substrate on a support unit inside a chamber, and applying heat power to heaters for heating the support unit for each region of the substrate through a plurality of heater cables; Supplying a process gas into a process space inside the chamber and exciting the process gas supplied to the process space to generate a plasma to process the substrate; And controlling an impedance of the plurality of heater cables by an impedance adjusting unit according to a throughput rate of each of the substrates to thereby control a throughput rate for each area of the substrate.

상기 기판의 영역 별로 처리율을 제어하는 단계는 상기 기판의 반경 방향 및 둘레 방향으로 처리율이 균일해지도록 상기 복수의 히터케이블의 임피던스를 조절할 수 있다.The step of controlling the throughput of each of the regions of the substrate may adjust the impedance of the plurality of heater cables so that the throughput is uniform in the radial direction and the circumferential direction of the substrate.

상기 기판의 영역 별로 처리율을 제어하는 단계는 상기 기판의 영역들 중 처리율이 낮은 영역에 대응되는 히터케이블의 임피던스를 감소시키고, 상기 기판의 영역들 중 처리율이 높은 영역에 대응되는 히터케이블의 임피던스를 증가시킬 수 있다.Wherein the step of controlling the throughput of each of the regions of the substrate includes reducing the impedance of the heater cable corresponding to the region having the low throughput among the regions of the substrate and controlling the impedance of the heater cable corresponding to the region having the high throughput among the regions of the substrate .

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 영역 별로 식각율 등의 처리율을 균일하게 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공된다.According to the embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of uniformly controlling the throughput such as the etching rate for each region of the substrate.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 지지하는 지지 유닛을 가열하는 히터로 발열 전원을 인가하기 위한 히터케이블의 임피던스를 조절하여 기판의 처리 영역 별로 처리율을 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus capable of controlling a throughput for each processing region of a substrate by adjusting impedance of a heater cable for applying a heating power to a heater for heating a supporting unit for supporting the substrate, A processing method is provided.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 히터들과 임피던스 조절부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 히터들과 임피던스 조절부를 보여주는 평면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view schematically illustrating heaters and an impedance adjusting unit of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
3 is a plan view showing the heaters and the impedance adjusting unit of the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

이하에서 유도결합형 플라스마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 방식으로 플라스마를 생성하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 용량결합형 플라스마(CCP: Conductively Coupled Plasma) 방식 또는 리모트 플라스마 방식 등 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.Hereinafter, a substrate processing apparatus for etching a substrate by generating a plasma by an inductively coupled plasma (ICP) method will be described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to various types of apparatuses that process substrates using a plasma, such as a capacitively coupled plasma (CCP) method or a remote plasma method.

또한 본 발명의 실시예에서는 지지 유닛으로 정전척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다. In the embodiment of the present invention, an electrostatic chuck is described as an example of a supporting unit. However, the present invention is not limited to this, and the support unit can support the substrate by mechanical clamping or support the substrate by vacuum.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라스마 소스(400) 및 배기 유닛(500)을 포함한다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 processes a substrate W using a plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. [ The substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, and an exhaust unit 500.

챔버(100)는 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가진다. 챔버(100)는 하우징(110), 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다. The chamber 100 has a processing space for processing the substrate therein. The chamber 100 includes a housing 110, a cover 120, and a liner 130.

하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징(110)의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.The housing 110 has a space in which an upper surface is opened. The inner space of the housing 110 is provided to the processing space where the substrate processing process is performed. The housing 110 is made of a metal material. The housing 110 may be made of aluminum. The housing 110 may be grounded. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the housing 110. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151. The reaction by-products generated in the process and the gas staying in the inner space of the housing 110 can be discharged to the outside through the exhaust line 151. The inside of the housing 110 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.The cover 120 covers the open upper surface of the housing 110. The cover 120 is provided in a plate shape to seal the inner space of the housing 110. The cover 120 may include a dielectric substance window.

라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 예를 들면, 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 반응 부산물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.The liner 130 is provided inside the housing 110. The liner 130 has an inner space with open top and bottom surfaces. The liner 130 may be provided in a cylindrical shape. The liner 130 may have a radius corresponding to the inner surface of the housing 110. The liner 130 is provided along the inner surface of the housing 110. At the upper end of the liner 130, a support ring 131 is formed. The support ring 131 is provided in the form of a ring and projects outwardly of the liner 130 along the periphery of the liner 130. The support ring 131 rests on the top of the housing 110 and supports the liner 130. The liner 130 may be provided in the same material as the housing 110. The liner 130 may be made of aluminum. The liner 130 protects the inside surface of the housing 110. For example, in the process of exciting the process gas, an arc discharge may be generated inside the chamber 100. Arc discharge damages peripheral devices. The liner 130 protects the inner surface of the housing 110 to prevent the inner surface of the housing 110 from being damaged by the arc discharge. In addition, reaction byproducts generated during the substrate processing process are prevented from being deposited on the inner wall of the housing 110. The liner 130 is less expensive than the housing 110 and is easier to replace. Thus, if the liner 130 is damaged by an arc discharge, the operator can replace the new liner 130.

지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에서 기판을 지지한다. 예를 들면, 지지 유닛(200)은 하우징(110)의 내부에 배치된다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전척 방식으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전척 방식으로 제공된 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The support unit 200 supports the substrate within the processing space inside the chamber 100. For example, the support unit 200 is disposed inside the housing 110. The support unit 200 supports the substrate W. [ The support unit 200 may be provided in an electrostatic chucking manner for attracting the substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the support unit 200 may support the substrate W in various manners, such as mechanical clamping. Hereinafter, the support unit 200 provided in an electrostatic chucking manner will be described.

지지 유닛(200)은 지지판(220), 정전 전극(223), 유로 형성판(230), 포커스 링(240), 절연 플레이트(250) 및 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다.The support unit 200 includes a support plate 220, an electrostatic electrode 223, a flow path forming plate 230, a focus ring 240, an insulating plate 250, and a lower cover 270. The support unit 200 may be provided to be spaced apart from the bottom surface of the housing 110 inside the chamber 100.

지지판(220)은 지지 유닛(200)의 상단부에 위치한다. 지지판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 지지판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 지지판(220)에는 기판(W)의 저면으로 열 전달 가스가 공급되는 통로로 이용되는 제1 공급 유로(221)가 형성된다.The support plate 220 is located at the upper end of the support unit 200. The support plate 220 is provided as a disk-shaped dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the support plate 220. The support plate 220 is formed with a first supply passage 221 used as a passage through which heat transfer gas is supplied to the bottom surface of the substrate W.

정전 전극(223)은 지지판(220) 내에 매설된다. 정전 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 정전 전극(223)에 인가된 전류에 의해 정전 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 지지판(220)에 흡착된다.The electrostatic electrode 223 is buried in the support plate 220. The electrostatic electrode 223 is electrically connected to the first lower power source 223a. An electrostatic force is applied between the electrostatic electrode 223 and the substrate W by the current applied to the electrostatic electrode 223 and the substrate W is attracted to the support plate 220 by the electrostatic force.

유로 형성판(230)은 지지판(220)의 하부에 위치된다. 지지판(220)의 저면과 유로 형성판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 유로 형성판(230)에는 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 유로 형성판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.The flow path forming plate 230 is positioned below the support plate 220. The bottom surface of the support plate 220 and the upper surface of the flow path plate 230 can be adhered by an adhesive agent 236. [ A first circulation channel 231, a second circulation channel 232, and a second supply channel 233 are formed in the flow path plate 230. The first circulation passage 231 is provided as a passage through which the heat transfer gas circulates. The second circulation flow passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second supply passage 233 connects the first circulation passage 231 with the first supply passage 221. The first circulation passage 231 is provided as a passage through which the heat transfer gas circulates. The first circulation flow path 231 may be formed in a spiral shape inside the flow path forming plate 230. Alternatively, the first circulation flow path 231 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the first circulation flow paths 231 can communicate with each other. The first circulation flow paths 231 are formed at the same height.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 기판(W)과 지지판(220) 간에 열 교환을 돕는 매개체 역할을 한다. 따라서 기판(W)은 전체적으로 온도가 균일하게 된다.The first circulation channel 231 is connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 231b. The heat transfer medium is stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium includes an inert gas. The heat transfer medium may include helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation channel 231 through the supply line 231b and is supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply channel 233 and the first supply channel 221 in sequence. The helium gas serves as a medium for assisting heat exchange between the substrate W and the support plate 220. Therefore, the temperature of the substrate W becomes uniform throughout.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 유로 형성판(230)을 냉각한다. 유로 형성판(230)은 냉각되면서 지지판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다. 상술한 바와 같은 이유로, 일반적으로, 포커스 링(240)의 하부는 상부에 비해 낮은 온도로 제공된다.The second circulation channel 232 is connected to the cooling fluid storage 232a through the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid is stored in the cooling fluid storage part 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage portion 232a. The cooler 232b cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation channel 232 through the cooling fluid supply line 232c is circulated along the second circulation channel 232 to cool the flow path formation plate 230. The flow path forming plate 230 is cooled and the support plate 220 and the substrate W are cooled together to maintain the substrate W at a predetermined temperature. For the reasons described above, generally, the lower portion of the focus ring 240 is provided at a lower temperature than the upper portion.

포커스 링(240)은 지지 유닛(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 지지판(220)을 둘러싸도록 제공된다. 예를 들면, 포커스 링(240)은 지지판(220)의 둘레를 따라 배치되어 기판(W)의 외측 영역을 지지한다.The focus ring 240 is disposed in the edge area of the support unit 200. The focus ring 240 has a ring shape and is provided so as to surround the support plate 220. For example, the focus ring 240 is disposed along the periphery of the support plate 220 to support the outer region of the substrate W.

절연 플레이트(250)는 유로 형성판(230)의 하부에 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 유로 형성판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다. 하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격 되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 전달받아 지지판으로 안착시키는 리프트 핀 등이 위치할 수 있다.The insulating plate 250 is positioned below the flow path plate 230. The insulating plate 250 is provided as an insulating material and electrically isolates the flow path plate 230 from the lower cover 270. The lower cover 270 is located at the lower end of the support unit 200. The lower cover 270 is spaced upwardly from the bottom surface of the housing 110. The lower cover 270 has a space in which an upper surface is opened. The upper surface of the lower cover 270 is covered with an insulating plate 250. The outer radius of the cross section of the lower cover 270 may be provided with a length equal to the outer radius of the insulating plate 250. [ A lift pin or the like may be positioned in the inner space of the lower cover 270 to allow the substrate W to be conveyed to be received from an external conveying member to be received as a supporting plate.

하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다.The lower cover 270 has a connecting member 273. The connecting member 273 connects the outer side surface of the lower cover 270 and the inner side wall of the housing 110. A plurality of connecting members 273 may be provided on the outer surface of the lower cover 270 at regular intervals. The connecting member 273 supports the support unit 200 inside the chamber 100. Further, the connecting member 273 is connected to the inner wall of the housing 110, so that the lower cover 270 is electrically grounded.

제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c) 등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.A first power supply line 223c connected to the first lower power supply 223a, a heat transfer medium supply line 231b connected to the heat transfer medium storage 231a and a cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid storage 232a And the like extend into the lower cover 270 through the inner space of the connecting member 273.

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부의 처리 공간에 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)이 공급하는 가스는 기판의 처리에 사용되는 공정 가스를 포함한다. 또한, 가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내측을 세정하는데 사용되는 세정 가스를 공급할 수 있다.The gas supply unit 300 supplies gas to the processing space inside the chamber 100. The gas supplied by the gas supply unit 300 includes a process gas used for processing the substrate. Further, the gas supply unit 300 can supply the cleaning gas used for cleaning the inside of the chamber 100.

가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 가스의 유량을 조절한다.The gas supply unit 300 includes a gas supply nozzle 310, a gas supply line 320, and a gas storage unit 330. The gas supply nozzle 310 is installed at the center of the cover 120. A jetting port is formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 310. The injection port is located under the cover 120 and supplies gas into the chamber 100. The gas supply line 320 connects the gas supply nozzle 310 and the gas storage unit 330. The gas supply line 320 supplies the gas stored in the gas storage part 330 to the gas supply nozzle 310. A valve 321 is installed in the gas supply line 320. The valve 321 opens and closes the gas supply line 320 and regulates the flow rate of the gas supplied through the gas supply line 320.

플라스마 소스(400)는 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에 공급된 가스로부터 플라스마를 생성한다. 플라스마 소스(400)는 챔버(100)의 처리 공간의 외부에 제공된다. 일 실시예에 따르면, 플라스마 소스(400)로는 유도결합형 플라스마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라스마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라스마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라스마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라스마 전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 플라스마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라스마 상태로 여기 된다.The plasma source 400 generates a plasma from the gas supplied into the processing space inside the chamber 100. The plasma source 400 is provided outside the processing space of the chamber 100. According to one embodiment, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used as the plasma source 400. The plasma source 400 includes an antenna chamber 410, an antenna 420, and a plasma power source 430. The antenna chamber 410 is provided in a cylindrical shape with its bottom opened. The antenna chamber 410 is provided with a space therein. The antenna chamber 410 is provided so as to have a diameter corresponding to the chamber 100. The lower end of the antenna chamber 410 is detachably attached to the cover 120. The antenna 420 is disposed inside the antenna chamber 410. The antenna 420 is provided with a plurality of turns of helical coil, and is connected to the plasma power source 430. The antenna 420 receives power from the plasma power supply 430. The plasma power source 430 may be located outside the chamber 100. The powered antenna 420 may form an electromagnetic field in the processing space of the chamber 100. The process gas is excited into a plasma state by an electromagnetic field.

배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함한다. 배기판(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배기판(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.The exhaust unit 500 is positioned between the inner wall of the housing 110 and the support unit 200. The exhaust unit 500 includes an exhaust plate 510 having a through-hole 511 formed therein. The exhaust plate 510 is provided in an annular ring shape. A plurality of through holes 511 are formed in the exhaust plate 510. The process gas provided in the housing 110 passes through the through holes 511 of the exhaust plate 510 and is exhausted to the exhaust hole 102. The flow of the process gas can be controlled according to the shape of the exhaust plate 510 and the shape of the through holes 511. [

지지판(220) 내에는 히터들(225)이 매설된다. 히터들(225)은 정전 전극(223)의 하부에 위치한다. 히터들(225)은 기판(W)의 상이한 영역 별로 지지 유닛(200)을 가열하기 위하여 지지판(220) 내의 상이한 영역에 제공될 수 있다.In the support plate 220, heaters 225 are embedded. The heaters 225 are located below the electrostatic electrode 223. The heaters 225 may be provided in different areas within the support plate 220 to heat the support unit 200 for different areas of the substrate W. [

히터 전원 공급부(229)는 히터들(225)에 발열 전원들을 인가하기 위해 제공된다. 필터부(228)는 히터 전원 공급부(229)에 의해 공급되는 발열 전원들에서 고주파를 차단한다. 일 실시예로, 플라스마 소스(400)에 의해 13.56MHz 고주파 전원이 인가되어 플라스마가 생성되는 경우, 필터부(228)는 예를 들어 60Hz 교류(AC) 전원인 발열 전원들을 히터 케이블들(226a~d)로 통과시키고, 히터 전원 공급부(229)로 13.56MHz RF가 유입되는 것을 차단하도록 설계될 수 있다. 필터부(228)는 커패시터, 인덕터 등의 소자들(228a~d)로 제공될 수 있다.The heater power supply unit 229 is provided for applying the heating power supplies to the heaters 225. [ The filter unit 228 cuts off the high frequency from the heating power supplies supplied by the heater power supply unit 229. In one embodiment, when a 13.56 MHz high frequency power is applied by the plasma source 400 to generate a plasma, the filter unit 228 supplies the heating power sources, for example, a 60 Hz AC power source to the heater cables 226a- d and to block the introduction of 13.56 MHz RF into the heater power supply 229. [ The filter portion 228 may be provided with elements 228a-d such as capacitors, inductors, and the like.

복수의 히터케이블(226a~d)은 필터부(228)와 히터들(225) 간에 연결되고, 히터 전원 공급부(229)로부터 인가된 발열 전원들을 히터들(225)로 전달한다. 히터케이블들(226a~d)은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장될 수 있다. 히터들(225)은 히터케이블(226a~d)과 전기적으로 연결되며, 히터케이블(226a~d)로부터 인가되는 발열 전원(전류)에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터들(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다.A plurality of heater cables 226a to 226d are connected between the filter unit 228 and the heaters 225 and deliver the heat generating power applied from the heater power supply unit 229 to the heaters 225. [ The heater cables 226a-d may extend into the lower cover 270 through the inner space of the connecting member 273. [ The heaters 225 are electrically connected to the heater cables 226a to 226d and generate heat by resisting a heat generating power source (current) applied from the heater cables 226a to 226d. The generated heat is transferred to the substrate W through the support plate 220. The substrate W is held at a predetermined temperature by the heat generated in the heaters 225.

임피던스 조절부(227)는 복수의 히터케이블(226a~d)에 연결되고, 복수의 히터케이블(226a~d)의 임피던스를 조절하여 기판(W)의 영역 별로 처리율(예를 들어, 식각율)을 제어한다. 일 실시예에 있어서, 임피던스 조절부(227)는 복수의 히터케이블(226a~d)과 접지(ground) 사이에 각각 연결되는 가변 커패시터들(C1~C4)을 포함할 수 있다.The impedance adjusting unit 227 is connected to the plurality of heater cables 226a to 226d and adjusts impedances of the plurality of heater cables 226a to 226d to adjust the throughput (e.g., etching rate) . In one embodiment, the impedance adjuster 227 may include variable capacitors C1-C4 connected between a plurality of heater cables 226a-d and a ground, respectively.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 히터들과 임피던스 조절부를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 히터들(225)은 지지 유닛(200)을 구성하는 지지판(220)의 반경 방향을 따라 동심을 이루어 배치될 수 있다. 히터들(225)은 중심부 히터(225a)와, 최외곽 히터(225d), 그리고 중심부 히터(225a)와 최외곽 히터(225d) 사이의 적어도 하나의 중간부 히터(225b~c)를 포함할 수 있다. 도시된 예에서, 히터들(225)은 4개의 히터(225a~d)가 동심 구조로 배치되어 있으나, 히터들(225)의 개수, 형상 및 배열 구조는 이에 제한되지 않고 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 히터들(225)은 나선 형상의 코일 형상으로 제공될 수 있으며, 원형 뿐 아니라, 사각 코일 등의 형상으로 제공될 수도 있다.FIG. 2 is a plan view schematically illustrating heaters and an impedance adjusting unit of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 and 2, the heaters 225 may be concentrically disposed along the radial direction of the support plate 220 constituting the support unit 200. The heaters 225 may include a central heater 225a, an outermost heater 225d and at least one intermediate heater 225b-c between the central heater 225a and the outermost heater 225d. have. In the illustrated example, the heaters 225 are arranged in a concentric structure with four heaters 225a to d, but the number, shape, and arrangement of the heaters 225 are not limited thereto and can be variously modified . For example, the heaters 225 may be provided in a helical coil shape, and may be provided in a shape such as a square coil as well as a circular shape.

도 1 및 도 2의 실시예에서, 임피던스 조절부(227)는 기판(W)의 반경 방향으로 처리율이 균일해지도록 복수의 히터케이블(226a~d)의 임피던스를 조절할 수 있다. 기판(W)의 영역 별 처리율을 측정하는 방식은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 기판(W)의 영역 별 처리율은 영상 센서에 의해 기판(W) 처리면에 대해 획득된 영상을 처리하여 식각 깊이 등을 측정하거나, IEP(Interferometry End Point detection) 모듈들에 의해 식각 깊이를 기판의 영역 별로 국부적으로 측정하거나, 발광 분광 분석(Optical Emission Spectrometer)에 의해 플라스마 밀도 분포를 측정하여 기판의 영역별 식각 깊이를 예측하는 방식 등이 고려될 수 있으나, 이러한 방식으로 제한되는 것은 아니다. 기판(W)의 영역 별 처리율은 히터들(225)의 배열 구조를 고려하여 산출될 수 있다. 예를 들어, 히터들(225)이 동심 구조로 배열되어 있는 경우, 기판(W)의 반경 방향에 따른 영역 별 처리율이 산출될 수 있다.1 and 2, the impedance adjusting portion 227 can adjust the impedance of the plurality of heater cables 226a to 226d so that the throughput in the radial direction of the substrate W becomes uniform. A method of measuring the throughput of each region of the substrate W is not particularly limited. For example, the throughput of the substrate W may be measured by measuring the etch depth or the like by processing an image obtained with respect to the substrate W processed surface by an image sensor, or by etching the etched depth by an IEP (Interferometry End Point detection) A method of locally measuring the depth by region of the substrate or a method of measuring the plasma density distribution by optical emission spectrometry to estimate the etching depth of each region of the substrate may be considered. no. The throughput of each region of the substrate W can be calculated in consideration of the arrangement structure of the heaters 225. [ For example, when the heaters 225 are arranged in a concentric structure, the throughput per region along the radial direction of the substrate W can be calculated.

임피던스 조절부(227)는 기판(W)의 영역들 중 처리율이 낮은 영역에 대응되는 히터케이블의 임피던스를 감소시키고, 기판(W)의 영역들 중 처리율이 높은 영역에 대응되는 히터케이블의 임피던스를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 기판(W)의 반경 방향 영역들 중 식각율이 다른 영역보다 낮은 영역은 임피던스 조절부(227)에 의해 감소된 임피던스에 의해 식각율이 증가되고, 반대로 기판(W)의 영역들 중 식각율이 다른 영역보다 높은 영역은 임피던스 조절부(227)에 의해 증가된 임피던스에 의해 식각율이 감소될 수 있다. 이에 따라, 기판(W)의 전면에 걸쳐서 식각율을 균일하게 제어할 수 있다. 기판(W)의 최외곽 영역은 중심부에 비해 균일한 식각 특성을 나타내지 않는 경우가 있으나, 본 실시예에 의하면, 기판(W)의 최외곽 영역에 대한 히터케이블의 임피던스 조절을 통해 기판(W)의 최외곽 영역의 식각율을 효과적으로 제어할 수 있다. 또한, 히터케이블은 정전척과 같은 지지 유닛(200)에 근접하여 연결되기 때문에 아주 작은 전기적인 변화에도 임피던스에 영향을 미칠 수 있으므로, 효율적으로 기판(W)의 처리율을 제어할 수 있다. 도 2의 예에 의하며, 기판(W)의 식각율이 반경 방향으로 일정하게 제어될 수 있다.The impedance adjusting unit 227 reduces the impedance of the heater cable corresponding to the region with low throughput among the regions of the substrate W and reduces the impedance of the heater cable corresponding to the region having high throughput among the regions of the substrate W . For example, in a region of the substrate W in which the etching rate is lower than the other regions, the etching rate is increased by the impedance adjusted by the impedance adjusting portion 227, and conversely, The etching rate can be reduced due to the impedance increased by the impedance adjusting unit 227 in the region where the etching rate is higher than the other regions. As a result, the etching rate can be uniformly controlled over the entire surface of the substrate W. The outermost region of the substrate W does not exhibit a uniform etching characteristic as compared with the center portion of the substrate W. However, according to the present embodiment, the substrate W may be etched by adjusting the impedance of the heater cable with respect to the outermost region of the substrate W, It is possible to effectively control the etching rate of the outermost region. Further, since the heater cable is connected to the support unit 200 such as the electrostatic chuck, it can affect the impedance even with a very small electrical change, so that the throughput of the substrate W can be controlled efficiently. According to the example of Fig. 2, the etching rate of the substrate W can be controlled to be constant in the radial direction.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 히터들과 임피던스 조절부를 보여주는 평면도이다. 도 3을 참조하면, 히터들(225)은 지지 유닛(200)을 구성하는 지지판(220)의 둘레 방향을 따라 배치될 수 있다. 히터들(225)은 시계 방향 또는 반시계 방향을 따라 배열되는 서브 히터들(225e~h)을 포함할 수 있다. 임피던스 조절부(227)는 서브 히터들(225e~h)과 접지 사이에 병렬 연결되는 가변 커패시터들(C5 ~ C8)로 구성될 수 있으며, 가변 커패시터들(C5 ~ C8)을 제어하여 기판의 둘레 방향으로 처리율(예를 들어, 식각율)이 균일해지도록 복수의 히터케이블(226e~h)의 임피던스를 조절할 수 있다. 도시된 예에서, 히터들(225)은 4개의 서브 히터들(225e~h)로 구성되나, 히터들(225)의 개수, 형상 및 배열 구조는 이에 제한되지 않고 다양하게 변형될 수 있다.3 is a plan view showing the heaters and the impedance adjusting unit of the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the heaters 225 may be disposed along the circumferential direction of the support plate 220 constituting the support unit 200. The heaters 225 may include sub-heaters 225e-h arranged in a clockwise or counterclockwise direction. The impedance adjuster 227 may be composed of variable capacitors C5 to C8 that are connected in parallel between the sub heaters 225e to 225e and ground and may control the variable capacitors C5 to C8, The impedance of the plurality of heater cables 226e-h can be adjusted so that the throughput (e. G., Etching rate) is uniform in the direction of the heater cable 226e-h. In the illustrated example, the heaters 225 consist of four sub heaters 225e to 225h, but the number, shape, and arrangement of the heaters 225 are not limited thereto and may be variously modified.

도 1 및 도 2의 실시예에서, 임피던스 조절부(227)는 기판의 둘레 방향으로 처리율이 균일해지도록 복수의 히터케이블(226e~h)의 임피던스를 조절할 수 있다. 임피던스 조절부(227)는 예를 들어, 기판의 반경 방향에 따른 영역 별 처리율을 산출하여, 기판의 처리율이 낮은 영역에 대응되는 가변 커패시터의 임피던스는 감소시키고, 기판의 처리율이 높은 영역에 대응되는 가변 커패시터의 임피던스는 증가시켜, 기판의 반경 방향으로 처리율을 균일하게 제어할 수 있다.In the embodiment of Figs. 1 and 2, the impedance adjusting section 227 can adjust the impedance of the plurality of heater cables 226e-h so that the throughput is uniform in the circumferential direction of the substrate. For example, the impedance adjusting unit 227 may calculate the throughput for each region in the radial direction of the substrate, reduce the impedance of the variable capacitor corresponding to the region where the throughput of the substrate is low, The impedance of the variable capacitor is increased, and the throughput can be uniformly controlled in the radial direction of the substrate.

또한, 기판의 둘레 방향으로 배열되는 서브 히터들(225e~h)을 기판의 반경 방향으로 동심 배치하고, 임피던스 조절부(227)에 의해 히터케이블들에 병렬 연결되는 가변 커패시터의 임피던스를 제어하여, 기판의 둘레 방향 및 반경 방향으로 처리율을 균일하게 제어하는 것도 가능하다. 또한, 히터들을 그리드 등의 형태로 배열하여 히터들로 발열 전원을 공급하는 히터케이블들에 대한 임피던스를 조절하여 기판의 처리율을 제어하는 것도 가능하다.The sub heaters 225e to 225h arranged in the circumferential direction of the substrate are concentrically disposed in the radial direction of the substrate and the impedance of the variable capacitors connected in parallel to the heater cables is controlled by the impedance adjusting unit 227, It is also possible to uniformly control the throughput in the circumferential direction and the radial direction of the substrate. It is also possible to control the throughput of the substrate by arranging the heaters in the form of a grid or the like and adjusting the impedance of the heater cables to supply the heating power to the heaters.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

100: 챔버 110: 하우징
120: 커버 130: 라이너
200: 지지 유닛 225: 히터들
226a~h: 히터케이블 227: 임피던스 조절부
228: 필터부 229: 히터 전원 공급부
400: 플라스마 소스 C1~C8 : 가변 커패시터 100: chamber 110: housing
120: Cover 130: Liner
200: support unit 225: heaters
226a to h: heater cable 227: impedance adjusting section
228: Filter part 229: Heater power supply part
400: Plasma sources C1 to C8: variable capacitors

Claims (10)

내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 처리 공간 내에 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 처리 공간 내로 상기 기판을 처리하는데 사용되는 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;
상기 처리 공간 내에 공급된 상기 공정 가스를 여기하여 플라스마를 생성하는 플라스마 소스;
상기 기판의 상이한 영역 별로 상기 지지 유닛을 가열시키는 히터들;
상기 히터들에 발열 전원들을 인가하기 위한 히터 전원 공급부;
상기 발열 전원들을 상기 히터들로 전달하는 복수의 히터케이블; 및
상기 복수의 히터케이블에 연결되고, 상기 복수의 히터케이블의 임피던스를 조절하여 상기 기판의 영역 별로 처리율을 제어하는 임피던스 조절부를 포함하는 기판 처리 장치.A chamber having a processing space therein;
A support unit for supporting the substrate in the processing space;
A gas supply unit for supplying a process gas used for processing the substrate into the processing space;
A plasma source for exciting the process gas supplied in the process space to generate a plasma;
Heaters for heating the support unit for different regions of the substrate;
A heater power supply unit for applying heat generating powers to the heaters;
A plurality of heater cables for transmitting the heating power sources to the heaters; And
And an impedance adjusting unit connected to the plurality of heater cables and controlling an impedance of the plurality of heater cables to control the throughput of each of the regions of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 임피던스 조절부는 상기 복수의 히터케이블과 접지 사이에 각각 연결되는 가변 커패시터들을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the impedance adjusting unit includes variable capacitors connected between the plurality of heater cables and ground. 제 1 항에 있어서,
상기 히터들은 상기 지지 유닛의 반경 방향을 따라 동심을 이루어 배치되고,
상기 임피던스 조절부는 상기 기판의 반경 방향으로 처리율이 균일해지도록 상기 복수의 히터케이블의 임피던스를 조절하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The heaters are arranged concentrically along the radial direction of the support unit,
Wherein the impedance adjusting unit adjusts impedances of the plurality of heater cables so that the throughput becomes uniform in the radial direction of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 히터들은 상기 지지 유닛의 둘레 방향을 따라 배치되고,
상기 임피던스 조절부는 상기 기판의 둘레 방향으로 처리율이 균일해지도록 상기 복수의 히터케이블의 임피던스를 조절하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the heaters are disposed along the circumferential direction of the support unit,
Wherein the impedance adjusting unit adjusts the impedances of the plurality of heater cables so that the throughput is uniform in the circumferential direction of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 발열 전원들을 상기 복수의 히터케이블로 통과시키고 상기 히터 전원 공급부로 고주파가 유입되는 것을 차단하는 필터부를 더 포함하고, 상기 복수의 히터케이블은 상기 필터부와 상기 히터들 간에 연결되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising: a filter unit passing the heating power sources through the plurality of heater cables and blocking a high frequency from flowing into the heater power supply unit, wherein the plurality of heater cables are connected between the filter unit and the heaters. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 임피던스 조절부는 상기 기판의 영역들 중 처리율이 낮은 영역에 대응되는 히터케이블의 임피던스를 감소시키고, 상기 기판의 영역들 중 처리율이 높은 영역에 대응되는 히터케이블의 임피던스를 증가시키는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the impedance adjuster reduces an impedance of a heater cable corresponding to a region having a low throughput among regions of the substrate and increases an impedance of a heater cable corresponding to a region having a high throughput among regions of the substrate. 챔버 내부의 지지 유닛 상에 기판을 지지하고, 복수의 히터케이블을 통해 상기 기판의 영역 별로 상기 지지 유닛을 가열하는 히터들로 발열 전원을 인가하는 단계;
상기 챔버 내부의 처리 공간에 공정 가스를 공급하고, 상기 처리 공간에 공급된 상기 공정 가스를 여기하여 플라스마를 생성하여 상기 기판을 처리하는 단계; 및
상기 기판의 영역별 처리율에 따라, 임피던스 조절부에 의해 상기 복수의 히터케이블의 임피던스를 조절하여 상기 기판의 영역 별로 처리율을 제어하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.Supporting a substrate on a support unit inside the chamber and applying heating power to heaters for heating the support unit for each region of the substrate through a plurality of heater cables;
Supplying a process gas into a process space inside the chamber and exciting the process gas supplied to the process space to generate a plasma to process the substrate; And
And controlling the impedance of the plurality of heater cables by an impedance adjusting unit according to the throughput of each of the substrates to control the throughput of each of the areas of the substrate. 제 7 항에 있어서,
상기 임피던스 조절부는 상기 복수의 히터케이블과 접지 사이에 각각 연결되는 가변 커패시터들을 포함하는 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the impedance adjuster comprises variable capacitors connected between the plurality of heater cables and ground. 제 7 항에 있어서,
상기 기판의 영역 별로 처리율을 제어하는 단계는 상기 기판의 반경 방향 및 둘레 방향으로 처리율이 균일해지도록 상기 복수의 히터케이블의 임피던스를 조절하는 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
Wherein controlling the throughput for each region of the substrate adjusts the impedance of the plurality of heater cables such that the throughput is uniform in the radial and circumferential directions of the substrate. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 영역 별로 처리율을 제어하는 단계는 상기 기판의 영역들 중 처리율이 낮은 영역에 대응되는 히터케이블의 임피던스를 감소시키고, 상기 기판의 영역들 중 처리율이 높은 영역에 대응되는 히터케이블의 임피던스를 증가시키는 기판 처리 방법.10. The method according to any one of claims 7 to 9,
Wherein the step of controlling the throughput of each of the regions of the substrate includes the step of decreasing the impedance of the heater cable corresponding to the region having the low throughput among the regions of the substrate and controlling the impedance of the heater cable corresponding to the region having the high throughput among the regions of the substrate Wherein the substrate processing method further comprises:
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