KR20190032807A - Organic light emitting display device and method for controlling luminance of the organic light emitting display device - Google Patents

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Abstract

Embodiments of the present invention relate to an organic light emitting display device capable of sensing the temperature of an organic light emitting display panel and a method for controlling luminance thereof. The organic light emitting display device comprises: a display panel in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed and a plurality of sub pixels defined by the data lines and the gate lines are arranged; a sensing unit measuring a sensing voltage from the display panel and outputting sensing data for at least one sub pixel among the sub pixels; and a controller determining a temperature change of the display panel by receiving sensing data and controlling luminance of the display panel according to the temperature change.

Description

유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING LUMINANCE OF THE ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting display, and more particularly, to an organic light emitting display and a method of controlling the brightness of the organic light emitting display.

본 발명은 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display and a luminance control method thereof.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마 표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.2. Description of the Related Art [0002] As an information-oriented society develops, there have been various demands for a display device for displaying images. Recently, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP) And various display devices such as an organic light emitting display (OLED) device are used.

최근 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 명암비(Contrast Ration), 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다.Recently, an organic light emitting diode (OLED) display device that has been well known in the art has an advantage of high response speed, contrast ratio, luminous efficiency, brightness and viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED)

이러한 유기발광표시장치의 유기발광표시패널에는 배치되는 각 서브픽셀은, 기본적으로, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 게이트 노드에 데이터전압을 전달해주는 스위칭 트랜지스터, 한 프레임 시간 동안 일정 전압을 유지해주는 역할을 하는 캐패시터를 포함하여 구성될 수 있다.Each of the sub-pixels arranged in the organic light emitting display panel of the organic light emitting display device is basically composed of a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a switching transistor for transmitting the data voltage to the gate node of the driving transistor, And a capacitor that serves to maintain the capacitor.

이러한 유기발광표시장치는, 데이터 구동부에서 출력되는 데이터 전압을 기준으로 결정된 구동 트랜지스터의 구동 전류로 유기발광다이오드의 밝기를 조절하여, 영상을 표현한다.In such an organic light emitting display, the brightness of the organic light emitting diode is adjusted by the driving current of the driving transistor determined based on the data voltage output from the data driver, thereby displaying an image.

이러한 유기발광표시패널은 구동 시간, 데이터 전압의 전압 레벨, 구동 트랜지스터의 특성치와 같은 다양한 조건에 의해, 패널 전체 영역 또는 일부 영역의 온도가 높아 질 수 있다.In such an organic light emitting display panel, the temperature of the entire panel or a part of the panel may be increased by various conditions such as a driving time, a voltage level of the data voltage, and a characteristic value of the driving transistor.

한편, 유기발광표시패널 상의 각 서브픽셀 내 유기발광다이오드는 고온에서 특성이 변화할 수 있다. 이러한 유기발광다이오드의 특성 변화는 유기발광표시패널의 화면 이상 현상을 초래하거나 영역별 온도차에 의해 서브픽셀 간의 휘도 편차를 유발시켜 유기발광표시패널의 휘도 불균일을 발생시킬 수 있다.On the other hand, the organic light emitting diodes in each sub-pixel on the organic light emitting display panel may change in characteristics at high temperatures. Such a change in the characteristics of the organic light emitting diode may cause a screen abnormal phenomenon of the organic light emitting display panel or cause a luminance deviation between subpixels due to a temperature difference in each region, thereby causing uneven brightness of the organic light emitting display panel.

본 발명의 실시예들의 목적은, 유기발광표시패널의 온도를 센싱할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공하는 데 있다.It is an object of embodiments of the present invention to provide an organic light emitting display capable of sensing the temperature of an organic light emitting display panel and a method of controlling the brightness thereof.

본 발명의 실시예들의 다른 목적은, 유기발광표시패널의 온도를 센싱하여, 유기발광표시패널의 휘도를 제어함으로써, 유기발광다이오드의 특성 변화를 억제할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공하는 데 있다.It is another object of embodiments of the present invention to provide an organic light emitting display capable of suppressing a change in characteristics of an organic light emitting diode by sensing the temperature of the organic light emitting display panel and controlling the brightness of the organic light emitting display panel, .

본 발명의 실시예들의 다른 목적은, 별도의 온도 센서를 구비하지 않고, 유기발광표시패널의 온도를 픽셀 또는 서브픽셀 레벨에서 센싱하여, 유기발광표시패널의 온도를 전체 또는 영역별로 조절할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공하는 데 있다.It is another object of embodiments of the present invention to provide an organic light emitting display in which the temperature of the organic light emitting display panel is sensed at a pixel or a subpixel level without a separate temperature sensor, Emitting display device and a luminance control method thereof.

본 발명의 실시예들의 다른 목적은, 온도에 의한 유기발광표시패널의 열화 및 잔상 발생을 억제하여, 화질 및 수명을 개선할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공하는 데 있다.It is another object of embodiments of the present invention to provide an organic light emitting display device and a method of controlling the brightness of the organic light emitting display device capable of suppressing the deterioration of an organic light emitting display panel due to temperature and occurrence of afterimage to improve image quality and service life.

일측면에서, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치는 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 상기 다수의 데이터 라인과 상기 다수의 게이트 라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 배열되며, 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드와, 데이터 전압이 인가되는 제1 노드, 상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 연결되는 제2 노드 및 구동 전압이 인가되는 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터가 배치된 표시패널을 포함할 수 있다.In one aspect, an organic light emitting display according to embodiments of the present invention includes a plurality of data lines and a plurality of gate lines, and a plurality of data lines and a plurality of sub-pixels defined by the plurality of gate lines, A driving transistor having an organic light emitting diode, a first node to which a data voltage is applied, a second node to be connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node to which a driving voltage is applied, And a display panel in which a storage capacitor connected between a first node and a second node of the driving transistor is disposed.

유기 발광 표시장치는 상기 각 서브픽셀에 대한 센싱 구동 기간 동안 상기 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압에 대응하는 센싱값을 출력하는 센싱부를 포함할 수 있다. The OLED display may include a sensing unit sensing a voltage of the first electrode of the organic light emitting diode during a sensing drive period for each subpixel and outputting a sensing value corresponding to the sensed voltage.

유기 발광 표시장치는 다수의 서브픽셀 각각에 대한 상기 센싱값에 근거하여 상기 표시패널의 전체 영역 또는 일부 영역에 대한 휘도를 제어하는 컨트롤러를 포함할 수 있다.The organic light emitting display may include a controller for controlling the brightness of the entire or a part of the display panel based on the sensing value for each of the plurality of subpixels.

여기서 상기 센싱값은 상기 유기발광다이오드 및 상기 구동 트랜지스터 각각을 통해 흐르는 전류량의 비율이 온도 변화에 따라 변화됨으로써 가변될 수 있다.Here, the sensing value may be varied by changing the ratio of the amount of current flowing through each of the organic light emitting diode and the driving transistor according to a temperature change.

컨트롤러는 표시패널의 온도 변화가 클수록 변화량이 증가된 상기 센싱값과 기설정된 초기 센싱값을 비교하여, 상기 표시패널의 온도 변화에 대응하는 변화값을 획득할 수 있다.The controller may compare the sensed value of which the amount of change is increased as the temperature change of the display panel increases, and a predetermined initial sensing value to obtain a change value corresponding to the temperature change of the display panel.

각 서브픽셀은 상기 다수의 데이터 라인 중 대응하는 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드 사이에 전기적으로 연결되며, 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드로 데이터 전압을 공급하는 제1 트랜지스터, 및 상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 기준 전압 라인 사이에 전기적으로 연결되는 제2 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.Each subpixel being electrically connected between a corresponding one of the plurality of data lines and a first node of the driving transistor and supplying a data voltage to a first node of the driving transistor, And a second transistor electrically connected between the first electrode of the diode and the reference voltage line.

센싱부는 센싱된 상기 전압에 대응하는 상기 센싱값을 출력하는 아날로그 디지털 컨버터, 상기 기준 전압 라인으로 기설정된 기준 전압을 공급하는 초기화 스위치, 및 상기 기준 전압 라인을 상기 아날로그 디저털 컨버터와 전기적으로 연결하는 샘플링 스위치를 더 포함할 수 있다.The sensing unit may include an analog-to-digital converter for outputting the sensing value corresponding to the sensed voltage, an initialization switch for supplying a predetermined reference voltage to the reference voltage line, and an initialization switch for electrically connecting the reference voltage line to the analog- And may further include a sampling switch.

유기발광다이오드의 제1 전극의 전압은 온도에 따라 가변되는 상기 구동 트랜지스터의 저항값과 상기 유기발광다이오드의 저항값의 저항 비에 대응할 수 있다.The voltage of the first electrode of the organic light emitting diode may correspond to a resistance ratio of the resistance value of the driving transistor and the resistance value of the organic light emitting diode that varies depending on the temperature.

컨트롤러는 상기 다수의 서브픽셀 중 기설정된 개수 이상의 서브 픽셀의 상기 센싱값과 기설정된 초기센싱값 사이의 차이가 미리 지정된 기준 변화값 이상이면, 상기 표시패널 전체의 휘도가 낮아지도록, 휘도를 제어할 수 있다.The controller controls the luminance so that the luminance of the entire display panel is lower if the difference between the sensing value of the predetermined number of subpixels and the predetermined initial sensing value is equal to or greater than a predetermined reference change value .

컨트롤러는 상기 다수의 서브픽셀 중 기설정된 개수 이상의 서브 픽셀의 상기 센싱값과 기설정된 초기센싱값 사이의 차이가 미리 지정된 기준 변화값 이상이면, 상기 표시패널에서 상기 기준 변화값 이상인 서브픽셀을 포함하는 영역의 휘도가 낮아지도록, 휘도를 제어할 수 있다.The controller may include a subpixel in the display panel that is greater than or equal to the reference change value if the difference between the sensed value of the predetermined number of subpixels and the predetermined initial sensing value is greater than or equal to a predetermined reference change value, The luminance can be controlled so that the luminance of the region is lowered.

컨트롤러는 상기 표시패널의 구동초기의 온-센싱 프로세스 시에, 상기 센싱부가 상기 제1 전극의 전압을 센싱하는 타이밍을 가변하면서 획득한 상기 센싱값의 평균값 또는 분포를 기반으로, 상기 온-센싱 프로세스 이후, 실시간-센싱 프로세스 시에 상기 센싱부가 상기 제1 전극의 전압을 센싱하는 타이밍을 지정하는 온도 샘플링 타이밍을 설정하여 저장하고, 설정된 상기 온도 샘플링 타이밍에서의 상기 센싱값을 상기 초기 센싱값으로 저장할 수 있다.The controller may control the on-sensing process based on an average value or a distribution of the sensing values obtained by varying the timing of sensing the voltage of the first electrode during an on- Thereafter, the sensing unit sets and stores a temperature sampling timing for designating a timing at which the sensing unit senses the voltage of the first electrode during the real-time sensing process, and stores the sensed value at the set temperature sampling timing as the initial sensing value .

컨트롤러는 상기 유기발광표시장치가 파워 오프된 이후 기지정된 시간 이내에 파워 온 된 경우, 온-센싱 프로세스 시에 상기 온도 샘플링 타이밍을 다시 설정하지 않고, 상기 파워 오프 이전 저장된 온도 샘플링 타이밍 및 초기 센싱값을 유지할 수 있다.The controller does not reset the temperature sampling timing at the time of the on-sensing process when the OLED display is powered on within a predetermined time after the OLED display is powered off, and does not reset the temperature sampling timing and the initial sensing value stored before the power- .

센싱부는 상기 컨트롤러의 제어에 따라 상기 다수의 서브픽셀 중에서 기지정된 일부 색상에 대응하는 서브픽셀의 센싱 전압을 측정하여, 상기 센싱값을 출력할 수 있다.The sensing unit may measure the sensing voltage of a subpixel corresponding to a predetermined color among the plurality of subpixels under the control of the controller to output the sensed value.

다른 측면에서, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 휘도제어방법은 각 서브픽셀에 대한 센싱 구동 기간 동안 상기 유기발광다이오드의 제1 전극에서의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압에 대응하는 센싱값을 획득하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of controlling a luminance of an organic light emitting display, comprising: sensing a voltage at a first electrode of the organic light emitting diode during a sensing driving period for each subpixel; To obtain a sensing value.

유기발광표시장치의 휘도제어방법은 다수의 서브픽셀 각각에 대한 상기 센싱값에 근거하여 상기 표시패널의 전체 영역 또는 일부 영역에 대한 휘도를 제어하는 단계를 포함할 수 있다.The method of controlling the brightness of the organic light emitting display may include controlling the brightness of the whole or a part of the display panel based on the sensing value of each of the plurality of subpixels.

센싱값을 획득하는 단계는 구동 트랜지스터의 제1 노드 및 유기발광다이오드의 제1 전극을 데이터 전압 및 기준 전압으로 각각 초기화하는 단계, 유기발광다이오드의 제1 전극을 유기발광다이오드의 문턱 전압에 대응하는 레벨로 하강시키는 안정화 단계, 구동 트랜지스터의 제1 노드에 데이터 전압을 인가하여, 턴-온되는 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압을 변화시키는 트래킹 단계, 및 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압을 센싱하는 샘플링 단계를 포함할 수 있다.The step of acquiring a sensing value may include initializing a first node of the driving transistor and a first electrode of the organic light emitting diode to a data voltage and a reference voltage, respectively, the first electrode of the organic light emitting diode, A tracking step of applying a data voltage to the first node of the driving transistor to change a voltage of the first electrode of the organic light emitting diode to be turned on, and a step of changing a voltage of the first electrode of the organic light emitting diode And a sampling step of sensing the input signal.

또다른 측면에서, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치는 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 상기 다수의 데이터 라인과 상기 다수의 게이트 라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 배열되며, 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드와, 데이터 전압이 인가되는 제1 노드, 상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 연결되는 제2 노드 및 구동 전압이 인가되는 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터가 배치된 표시패널, 및 상기 표시패널의 온도 변화에 따라 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드로 인가되는 상기 데이터 전압을 조절하여 상기 표시패널의 전체 영역 또는 일부 영역에 대한 휘도를 제어하되, 온도가 일정 수준 이상으로 상승하면 휘도 저감 제어를 수행하는 컨트롤러를 포함할 수 있다.In another aspect, an OLED display according to embodiments of the present invention includes a plurality of data lines and a plurality of gate lines, a plurality of data lines and a plurality of sub- A driving transistor having a first node to which a data voltage is applied, a second node to be connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node to which a driving voltage is applied; A display panel in which a storage capacitor connected between a first node and a second node of the driving transistor is disposed; and a data driver that controls the data voltage applied to the first node of the driving transistor according to a temperature change of the display panel, When the temperature rises to a certain level or more, the luminance reducing agent It can include a controller to perform.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 의하면, 유기발광표시패널의 각 픽셀의 온도를 센싱할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공할 수 있다. According to embodiments of the present invention as described above, it is possible to provide an OLED display capable of sensing the temperature of each pixel of an organic light emitting display panel and a method of controlling the brightness of the OLED display.

또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 유기발광표시패널의 온도를 센싱하여, 유기발광표시패널의 휘도를 제어함으로써, 유기발광다이오드의 특성 변화를 억제할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공할 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, an organic light emitting display device capable of suppressing a change in characteristics of an organic light emitting diode by sensing the temperature of the organic light emitting display panel and controlling the brightness of the organic light emitting display panel, Method can be provided.

또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 별도의 온도 센서를 구비하지 않고, 유기발광표시패널의 온도를 픽셀 또는 서브픽셀 레벨에서 센싱하여, 유기발광표시패널의 온도를 전체 또는 영역별로 조절할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the temperature of the organic light emitting display panel can be controlled at the pixel or sub-pixel level, An organic light emitting display device and a luminance control method thereof can be provided.

또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 영상데이터에 무관하게 온도에 의한 유기발광표시패널의 열화 및 잔상 발생을 억제하여, 화질 및 수명을 개선할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공할 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, an organic light emitting display device and a brightness control method thereof, which can suppress deterioration and afterimage of the organic light emitting display panel due to temperature regardless of image data, .

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조 및 서브픽셀의 온도를 센싱하기 위한 구조의 예시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀에 대한 온도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 타이밍을 나타낸 다이어그램이다.
도 8은 온도 센싱 구동 방식에서 온도 샘플링 타이밍을 설정하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 온도를 제어하기 위한 휘도제어방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 휘도제어방법을 나타낸다.1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting diode display 100 according to embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating an exemplary structure of a sub-pixel structure and a structure for sensing a temperature of a sub-pixel of the OLED display 100 according to embodiments of the present invention. Referring to FIG.
3 is a view for explaining a threshold voltage sensing driving method for the driving transistor DRT of the OLED display 100 according to the embodiments of the present invention.
4 is a view for explaining a mobility sensing driving method for the driving transistor DRT of the OLED display 100 according to the embodiments of the present invention.
5 and 6 are views for explaining a temperature sensing driving method for a subpixel of the organic light emitting diode display 100 according to the embodiments of the present invention.
7 is a diagram showing sensing timing of the OLED display 100 according to the embodiments of the present invention.
8 is a diagram for explaining a method of setting the temperature sampling timing in the temperature sensing driving method.
9 and 10 are views for explaining a brightness control method for controlling temperature according to embodiments of the present invention.
11 illustrates a method of controlling the brightness of an OLED display according to embodiments of the present invention.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting diode display 100 according to embodiments of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되고, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 배열된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다. Referring to FIG. 1, an OLED display 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL, a plurality of data lines DL, An OLED display panel 110 in which a plurality of sub pixels (SP) defined by a plurality of gate lines GL are arranged, a data driver 120 driving a plurality of data lines DL, A gate driver 130 for driving the plurality of gate lines GL and a controller 140 for controlling the data driver 120 and the gate driver 130.

컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다.The controller 140 supplies various control signals to the data driver 120 and the gate driver 130 to control the data driver 120 and the gate driver 130.

이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, switches the input image data input from the outside according to the data signal format used by the data driver 120, and outputs the converted image data , And controls the data driving at a suitable time according to the scan.

이러한 컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행하는 제어장치일 수 있다. 본 발명에서는 컨트롤러(140)가 서브픽셀의 온도를 판별하고 제어하는 온도 제어 프로세스를 수행하는 온도 제어부를 포함할 수 있다. 또한 컨트롤러(140)는 서브픽셀 간의 특성치 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부를 포함할 수 있다. The controller 140 may be a timing controller used in a conventional display technology or a control device including a timing controller to perform other control functions. In the present invention, the controller 140 may include a temperature controller for performing a temperature control process for determining and controlling the temperature of the subpixel. In addition, the controller 140 may include a compensation unit that performs a compensation process to compensate for a characteristic value deviation between the subpixels.

이러한 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)와 별도의 부품으로 구현될 수도 있고, 데이터 드라이버(120)와 함께 집적회로로 구현될 수 있다. The controller 140 may be implemented as a separate component from the data driver 120, or may be implemented as an integrated circuit together with the data driver 120.

데이터 드라이버(120)는, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(120)는 '소스 드라이버'라고도 한다. The data driver 120 drives the plurality of data lines DL by supplying data voltages to the plurality of data lines DL. Here, the data driver 120 is also referred to as a 'source driver'.

이러한 데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The data driver 120 may drive a plurality of data lines including at least one source driver integrated circuit (SDIC).

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 쉬프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, and the like.

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may further include an analog to digital converter (ADC), as the case may be.

게이트 드라이버(130)는, 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(130)는 '스캔 드라이버'라고도 한다. The gate driver 130 sequentially supplies the scan signals to the plurality of gate lines GL to sequentially drive the plurality of gate lines GL. Here, the gate driver 130 is also referred to as a " scan driver ".

이러한 게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.The gate driver 130 may include at least one gate driver integrated circuit (GDIC).

각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 쉬프트 레지스터(Shift Register), 레벨 쉬프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. Each gate driver IC (GDIC) may include a shift register, a level shifter, and the like.

게이트 드라이버(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 순차적으로 공급한다. The gate driver 130 sequentially supplies a scan signal of an On voltage or an Off voltage to the plurality of gate lines GL under the control of the controller 140.

데이터 드라이버(120)는, 게이트 드라이버(130)에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 공급한다. When a specific gate line is opened by the gate driver 130, the data driver 120 converts the image data received from the controller 140 into an analog data voltage and supplies the data voltage to a plurality of data lines DL.

데이터 드라이버(120)는, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 일측(예: 상측 또는 하측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the data driver 120 may be located only on one side (for example, on the upper side or the lower side) of the organic light emitting display panel 110, and in some cases, depending on the driving method, And may be located on both sides (e.g., upper and lower sides) of the display panel 110.

게이트 드라이버(130)는, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the gate driver 130 may be located only on one side (e.g., the left side or the right side) of the organic light emitting display panel 110, and depending on the driving method, the panel design method, And may be located on both sides (e.g., left and right sides) of the light emitting display panel 110.

전술한 컨트롤러(140)는, 입력 영상데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. The controller 140 described above is capable of outputting various kinds of signals including the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, the input data enable signal (DE), and the clock signal (CLK) Timing signals from the outside (e.g., the host system).

컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다. The controller 140 receives a timing signal such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, an input DE signal, and a clock signal to control the data driver 120 and the gate driver 130, And generates various control signals and outputs them to the data driver 120 and the gate driver 130.

예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the gate driver 130, the controller 140 generates a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), a gate output enable signal GOE Gate Output Enable), and the like.

여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the gate driver 130. The gate shift clock GSC is a clock signal commonly input to one or more gate driver integrated circuits, and controls the shift timing of the scan signal (gate pulse). The gate output enable signal GOE specifies the timing information of one or more gate driver ICs.

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In order to control the data driver 120, the controller 140 may further include a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), a source output enable signal (SOE) And outputs various data control signals (DCS: Data Control Signals).

여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다. Here, the source start pulse SSP controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the data driver 120. The source sampling clock SSC is a clock signal for controlling sampling timing of data in each of the source driver integrated circuits. The source output enable signal SOE controls the output timing of the data driver 120.

유기발광표시패널(110)에 배열된 각 서브픽셀(SP)은 자발광 소자인 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성되어 있다. Each subpixel SP arranged in the organic light emitting display panel 110 includes an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor for driving the organic light emitting diode (OLED) And the like.

각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The types and the number of the circuit elements constituting each subpixel SP can be variously determined depending on the providing function, the design method, and the like.

도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조 및 서브픽셀의 온도를 센싱하기 위한 구조의 예시도이다.FIG. 2 is a diagram illustrating an exemplary structure of a sub-pixel structure and a structure for sensing a temperature of a sub-pixel of the OLED display 100 according to embodiments of the present invention. Referring to FIG.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀(SP)은, 기본적으로 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 제1 노드(N1)로 데이터 전압을 전달해주기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 센싱 기능을 제공하기 위한 제2 트랜지스터(T2) 및 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(Cst: Storage Capacitor)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 2, in the organic light emitting diode display 100 according to the embodiments of the present invention, each sub pixel SP basically includes an organic light emitting diode (OLED) and an organic light emitting diode (OLED) A first transistor T1 for transmitting a data voltage to a first node N1 corresponding to a gate node of a driving transistor DRT and a second transistor T1 for supplying a data voltage to a first node N1 corresponding to a gate node of the driving transistor DRT, A transistor T2 and a storage capacitor Cst for holding a data voltage corresponding to a video signal voltage or a voltage corresponding thereto for one frame time.

유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다. The organic light emitting diode OLED may include a first electrode (e.g., an anode electrode or a cathode electrode), an organic layer, and a second electrode (e.g., a cathode electrode or an anode electrode).

유기발광다이오드(OLED)의 제2전극에는 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다.A base voltage EVSS may be applied to the second electrode of the organic light emitting diode OLED.

구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode OLED by supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED.

구동 트랜지스터(DRT)는 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3노드(N3)를 갖는다. The driving transistor DRT has a first node N1, a second node N2, and a third node N3.

구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 게이트 노드에 해당하는 노드로서, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. The first node N1 of the driving transistor DRT is a node corresponding to a gate node and may be electrically connected to a source node or a drain node of the first transistor T1.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED and may be a source node or a drain node.

구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동 전압(EVDD)이 인가되는 노드로서, 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. The third node N3 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a driving voltage line DVL that supplies a driving voltage EVDD as a node to which the driving voltage EVDD is applied, Node or source node.

구동 트랜지스터(DRT)와 제1 트랜지스터(T1)는, 도 2의 예시와 같이 n 타입으로 구현될 수도 있고, p 타입으로도 구현될 수도 있다. The driving transistor DRT and the first transistor T1 may be implemented as an n-type or a p-type as illustrated in FIG.

제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 라인을 통해 스캔 신호(SCAN)를 게이트 노드로 인가 받아 제어될 수 있다. The first transistor T1 is electrically connected between the data line DL and the first node N1 of the driving transistor DRT and receives the scan signal SCAN through the gate line have.

이러한 제1 트랜지스터(T1)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어 데이터 라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 전달해줄 수 있다. The first transistor T1 may be turned on by the scan signal SCAN to transfer the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the first node N1 of the driving transistor DRT .

스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The storage capacitor Cst may be electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.

이러한 스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다. The storage capacitor Cst is not a parasitic capacitor (for example, Cgs or Cgd) which is an internal capacitor existing between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT, And is an external capacitor intentionally designed outside the driving transistor DRT.

제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준 전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 기준 전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드로 스캔 신호의 일종인 센싱 신호(SENSE)를 인가 받아 제어될 수 있다. The second transistor T2 is electrically connected between a second node N2 of the driving transistor DRT and a reference voltage line RVL for supplying a reference voltage Vref, And may be controlled by receiving a sensing signal SENSE, which is a kind of a scan signal.

제2 트랜지스터(T2)는 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상태를 효과적으로 제어해줄 수 있다. The second transistor T2 can effectively control the voltage state of the second node N2 of the driving transistor DRT in the subpixel SP.

제2 트랜지스터(T2)는 센싱 신호(SENSE)에 의해 턴-온 되어 기준 전압 라인(RVL)을 통해 공급되는 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 인가해준다. The second transistor T2 is turned on by the sensing signal SENSE to apply a reference voltage Vref supplied through the reference voltage line RVL to the second node N2 of the driving transistor DRT.

또한, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 대한 전압 센싱 경로 중 하나로 활용될 수 있다. Also, the second transistor T2 may be utilized as one of the voltage sensing paths for the second node N2 of the driving transistor DRT.

한편, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는, 서로 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. Meanwhile, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be separate gate signals. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be respectively applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through different gate lines.

경우에 따라서는, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호일 수도 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 라인을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다.In some cases, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be the same gate signal. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be commonly applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through the same gate line.

한편 서브픽셀(210)의 온도를 센싱 및 제어하기 위한 구성요소들을 살펴보면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀의 온도를 감지하기 위하여 전압 센싱을 통해 센싱값을 생성하여 출력하는 센싱부(220)와, 센싱값을 이용하여 각 서브픽셀에 대한 온도 또는 온도 변화를 판별하고, 이를 토대로, 서브픽셀에 대한 휘도를 가변함으로써, 표시패널 온도를 제어하는 온도 제어 프로세스를 수행하는 온도 제어부(230) 및 센싱값을 저장하는 메모리부(240) 등을 포함할 수 있다.The OLED display 100 according to embodiments of the present invention may sense the temperature of the subpixel 210 by sensing the temperature of the subpixel 210 by voltage sensing And a temperature control process for controlling the display panel temperature by determining the temperature or temperature change for each subpixel using the sensed value and varying the brightness for the subpixel based on the temperature or temperature change, And a memory unit 240 for storing a sensing value.

센싱부(220)는 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 포함하여 구현될 수 있다. 센싱부(220)에서 출력되는 센싱값은, 일 예로, LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 데이터 포맷으로 되어 있을 수 있다. The sensing unit 220 may include at least one analog-to-digital converter (ADC). The sensing value output from the sensing unit 220 may be, for example, a Low Voltage Differential Signaling (LVDS) data format.

각 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)는 데이터 드라이버(120)에 포함된 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 외부에 포함될 수도 있다.Each analog-to-digital converter (ADC) may be contained within each source driver integrated circuit (SDIC) included in the data driver 120 and, in some cases, may be external to the source driver integrated circuit . ≪ / RTI >

온도 제어부(230)(또는 제어 보상부)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 컨트롤러(140)의 외부에 구비될 수도 있다. 온도 제어부(230)는 온도 제어 프로세서라고도 할 수 있다.The temperature control unit 230 (or the control compensation unit) may be included in the controller 140, and in some cases, may be provided outside the controller 140. The temperature control unit 230 may be referred to as a temperature control processor.

메모리부(240)는 센싱부로부터 센싱값을 인가받아 저장한다. 일예로 메모리부(240)는 표시패널이 오프 상태에서 온 상태로 변화하는 구동 초기에 획득되는 초기 센싱값을 저장하도록 구성될 수 있다.The memory unit 240 receives the sensing value from the sensing unit and stores the sensing value. For example, the memory unit 240 may be configured to store an initial sensing value obtained at the beginning of the driving in which the display panel changes from the off state to the on state.

그러나 메모리부(240)가 저장하는 데이터는 이에 한정되지 않는다. 일예로 메모리부(240)는 초기 센싱값을 획득하기 위해 샘플링 스위치(SAM)를 턴-온 시키는 타이밍을 온도 샘플링 타이밍 정보로서 저장할 수 있다. However, the data stored in the memory unit 240 is not limited thereto. For example, the memory unit 240 may store the timing at which the sampling switch SAM is turned on to obtain the initial sensing value as the temperature sampling timing information.

여기서 온도 샘플링 타이밍 정보는 표시패널이 오프 상태에서 온 상태로 변화하는 구동 초기 이후, 유기발광표시패널이 구동되는 동안 실시간 센싱값을 획득하기 위해 이용되는 정보이다.Here, the temperature sampling timing information is information used for obtaining a real time sensing value during driving of the organic light emitting display panel after the initial stage of driving in which the display panel changes from the off state to the on state.

한편, 제2 트랜지스터(T2)와 센싱부(220)는 서브픽셀의 온도 제어뿐만 아니라 서브픽셀 간의 특성치 편차를 보상을 수행하기 위해서 이용될 수도 있다.Meanwhile, the second transistor T2 and the sensing unit 220 may be used not only to control the temperature of the subpixel but also to compensate for the characteristic value deviation between the subpixels.

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 경우, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다. The organic light emitting display 100 according to the embodiments of the present invention can be applied to the organic light emitting diode OLED and the driving transistor DRT as the driving time of each sub- Degradation can proceed.

이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치가 변할 수 있다. 여기서, 회로 소자의 고유 특성치는, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 등을 포함할 수 있다. Accordingly, inherent characteristic values of the circuit elements such as the organic light emitting diode (OLED) and the driving transistor (DRT) can be changed. Here, the intrinsic property value of the circuit element may include a threshold voltage of the organic light emitting diode OLED, a threshold voltage of the driving transistor DRT, a mobility of the driving transistor DRT, and the like.

회로 소자의 특성치 변화는 해당 서브픽셀의 휘도 변화를 야기할 수 있다. 따라서, 회로 소자의 특성치 변화는 서브픽셀의 휘도 변화와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. A change in the characteristic value of the circuit element may cause a change in luminance of the corresponding subpixel. Therefore, the change in the characteristic value of the circuit element can be used in the same concept as the change in luminance of the subpixel.

또한, 회로 소자 간의 특성치 변화의 정도는 각 회로 소자의 열화 정도의 차이에 따라 서로 다를 수 있다. In addition, the degree of change in the characteristic value between the circuit elements may be different depending on the degree of deterioration of each circuit element.

이러한 회로 소자 간의 특성치 변화 정도의 차이는, 회로 소자 간 특성치 편차가 발생시켜, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 야기할 수 있다. 따라서, 회로 소자 간의 특성치 편차는 서브픽셀 간의 휘도 편차와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. Such a difference in degree of characteristic value change between circuit elements may cause a deviation in characteristic value between circuit elements, resulting in luminance deviation between subpixels. Therefore, the characteristic value deviation between the circuit elements can be used in the same concept as the luminance deviation between the subpixels.

회로 소자의 특성치 변화(서브픽셀의 휘도 변화)와 회로 소자 간 특성치 편차(서브픽셀 간 휘도 편차)는, 서브픽셀의 휘도 표현력에 대한 정확도를 떨어뜨리거나 화면 이상 현상을 발생시키는 등의 문제를 발생시킬 수 있다. Variations in the characteristic values of the circuit elements (luminance variation of the subpixels) and characteristic deviations between the circuit elements (luminance deviation between the subpixels) cause problems such as degradation of the accuracy of luminance expressions of subpixels or occurrence of screen anomalies .

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀에 대한 온도와 특성치를 센싱하는 센싱 기능과, 센싱 결과를 이용하여 서브픽셀의 온도를 제어하고 특성치를 보상해주는 보상 기능을 제공할 수 있다.The organic light emitting diode display 100 according to embodiments of the present invention includes a sensing function for sensing the temperature and the characteristic value of the subpixel, a compensation function for controlling the temperature of the subpixel using the sensing result, and compensating the characteristic value can do.

도시하지 않았으나, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100) 는 서브픽셀 간의 특성치 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부를 더 포함할 수 있다.Although not shown, the OLED display 100 according to the embodiments of the present invention may further include a compensator that performs a compensation process to compensate for a characteristic value deviation between subpixels.

보상부가 더 포함되는 경우, 온도 제어부(230)는 보상부와 통합되어 수행하는 제어 보상부로 구성될 수 있다. 즉 도 2에 도시된 온도 제어부(230)는 온도 제어와 서브픽셀 간의 특성치 편차 보상을 모두 수행하는 제어 보상부로 대체될 수 있다.When the compensation unit is further included, the temperature control unit 230 may be configured as a control compensation unit that is performed in conjunction with the compensation unit. That is, the temperature controller 230 shown in FIG. 2 may be replaced with a control compensator that performs both temperature control and feature value deviation compensation between subpixels.

본 명세서에서, 서브픽셀에 대한 온도를 센싱한다는 것은, 서브픽셀 내 회로소자(구동 트랜지스터(DRT), 제2 트랜지스터(T2), 유기발광다이오드(OLED))의 온도에 따른 특성 변화를 센싱한다는 것을 의미할 수 있다. 특히 표시패널(110)의 구동 초기 온도에서의 특성을 기준으로 상대적인 특성 변화를 센싱한다는 것을 의미할 수 있다.In this specification, sensing the temperature for a subpixel means that it senses a change in the characteristics of the circuit elements (the driving transistor DRT, the second transistor T2, and the organic light emitting diode OLED) It can mean. In particular, it may mean sensing a change in a relative characteristic based on a characteristic at a driving initial temperature of the display panel 110. [

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 기준 전압 라인(RVL)에 기준 전압(Vref)이 인가되는 여부를 제어해주는 초기화 스위치(SPRE)와, 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(220) 간의 연결 여부를 제어해주는 샘플링 스위치(SAM)를 포함할 수 있다. 2, the OLED display 100 according to the exemplary embodiment of the present invention includes an initialization switch SPRE for controlling whether a reference voltage Vref is applied to a reference voltage line RVL, And a sampling switch (SAM) for controlling connection between the voltage line (RVL) and the sensing unit (220).

초기화 스위치(SPRE)는, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 원하는 회로 소자의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되도록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 인가 상태를 제어하기 위한 스위치이다. The initialization switch SPRE is connected to the second node N2 of the driving transistor DRT so that the second node N2 of the driving transistor DRT in the sub-pixel SP becomes a voltage state reflecting the characteristic value of the desired circuit element. To the voltage application state.

초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 되면, 기준 전압(Vref)이 기준전압 라인(RVL)으로 공급되어 턴-온 되어 있는 제2 트랜지스터(T2)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)로 인가될 수 있다. When the initialization switch SPRE is turned on, the reference voltage Vref is supplied to the reference voltage line RVL and is supplied to the second node N2 of the driving transistor DRT through the second transistor T2, ). ≪ / RTI >

샘플링 스위치(SAM)는, 턴-온 되어, 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(220)를 전기적으로 연결해준다. The sampling switch SAM is turned on to electrically connect the reference voltage line RVL and the sensing unit 220.

샘플링 스위치(SAM)는, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 원하는 회로 소자의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되었을 때, 턴-온 되도록, 온-오프 타이밍이 제어된다.The sampling switch SAM is turned on so that the second node N2 of the driving transistor DRT in the subpixel SP turns on when the voltage state reflects the characteristic value of the desired circuit element Respectively.

일예로 본 발명에서 샘플링 스위치(SAM)는 온도 센싱 구동 시에 메모리부(240)에 저장된 온도 샘플링 타이밍 정보에 따라 온-오프 타이밍이 제어될 수 있다.For example, in the present invention, the on-off timing of the sampling switch (SAM) can be controlled according to the temperature sampling timing information stored in the memory unit 240 during the temperature sensing operation.

샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되면, 센싱부(220)는 연결된 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 수 있다. When the sampling switch SAM is turned on, the sensing unit 220 may sense the voltage of the connected reference voltage line RVL.

센싱부(220)가 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 때, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있는 경우, 센싱부(220)에 의해 센싱되는 전압은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압에 해당할 수 있다.When the sensing unit 220 senses the voltage of the reference voltage line RVL and the second transistor T2 is turned on, a voltage sensed by the sensing unit 220 is applied to the gate of the driving transistor DRT. And may correspond to the voltage of the second node N2.

기준 전압 라인(RVL) 상에 라인 캐패시터가 존재한다면, 센싱부(220)에 의해 센싱되는 전압은, 기준 전압 라인(RVL) 상의 라인 캐패시터에 충전된 전압일 수도 있다. 여기서, 기준 전압 라인(RVL)은 센싱 라인이라고도 한다. If a line capacitor is present on the reference voltage line RVL, the voltage sensed by the sensing unit 220 may be a voltage charged in the line capacitor on the reference voltage line RVL. Here, the reference voltage line RVL is also referred to as a sensing line.

일 예로, 센싱부(220)에 의해 센싱되는 전압은, 온도에 따라 가변되는 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)와 유기발광다이오드(OLED) 사이의 저항비를 센싱하기 위한 전압 값일 수도 있다.For example, the voltage sensed by the sensing unit 220 may be a voltage value for sensing the resistance ratio between the driving transistor DRT and the organic light emitting diode OLED of the subpixel that varies depending on the temperature.

또한, 센싱부(220)에 의해 센싱되는 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 편차(ΔVth)을 포함하는 전압 값(Vdata-Vth 또는 Vdata-ΔVth, 여기서, Vdata는 센싱 구동용 데이터 전압임)이거나, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압 값일 수도 있다.The voltage sensed by the sensing unit 220 is a voltage value Vdata-Vth or Vdata-? Vth, which includes a threshold voltage Vth or a threshold voltage deviation? Vth of the driving transistor DRT, Sensing data), or a voltage value for sensing the mobility of the driving transistor DRT.

한편, 기준전압 라인(RVL)은, 일 예로, 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있고, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다.  On the other hand, the reference voltage lines RVL may be arranged one for each sub-pixel column, or one for each of two or more sub-pixel columns.

예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 기준전압 라인(RVL)은 4개의 서브픽셀 열(적색 서브픽셀 열, 흰색 서브픽셀 열, 녹색 서브픽셀 열, 청색 서브픽셀 열)을 포함하는 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다.For example, when one pixel is composed of four subpixels (red subpixel, white subpixel, green subpixel, and blue subpixel), the reference voltage line RVL is divided into four subpixel columns , A white subpixel column, a green subpixel column, and a blue subpixel column).

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 온도 제어와 서브픽셀 간의 특성치 편차 보상을 모두 수행할 수 있도록 구성될 수 있다.The OLED display 100 according to the embodiments of the present invention can be configured to perform both temperature control and characteristic value deviation compensation between subpixels.

아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동, 이동도 센싱 구동 및 서브픽셀의 온도 센싱 구동에 대하여 간략하게 설명한다.In the following, the threshold voltage sensing drive, the mobility sensing drive and the temperature sensing drive of the subpixel for the drive transistor DRT will be briefly described.

도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining a threshold voltage sensing driving method for the driving transistor DRT of the OLED display 100 according to the embodiments of the present invention.

구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동은 초기화 단계, 트래킹 단계 및 샘플링 단계를 포함하는 센싱 프로세스로 진행될 수 있다. The threshold voltage sensing drive for the driving transistor DRT may proceed to a sensing process including an initialization step, a tracking step and a sampling step.

초기화 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화 시키는 단계이다. The initializing step is a step of initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.

이러한 초기화 단계에서는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 된다. In this initialization step, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on, and the initialization switch SPRE is turned on.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은, 문턱전압 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)으로 초기화된다(V1=Vdata, V2=Vref).Thus, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are initialized to the threshold voltage sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref (V1 = Vdata, V2 = Vref).

이때, 저전위전압(EVSS)은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압차이가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 낮은 전압이 되도록 하는 전압일 수 있다. 또는 문턱전압 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref) 중 적어도 하나가 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압차이가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 낮은 전압이 되도록 하는 전압일 수 있다.At this time, the low potential EVSS may be a voltage that causes a voltage difference between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED to be lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED. Or at least one of the data voltage Vdata and the reference voltage Vref for driving the threshold voltage sensing is a voltage that is lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED in the voltage difference between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED Lt; / RTI >

즉 유기발광다이오드의 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압차이가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 보다 낮기 때문에 유기발광다이오드(OLED)는 발광하지 않는다.That is, since the voltage difference between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode is lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED, the organic light emitting diode OLED does not emit light.

따라서 문턱전압 센싱 구동 시에는 도 3에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(OLED)의 특성이 반영되지 않는다.Therefore, the characteristic of the organic light emitting diode (OLED) is not reflected at the threshold voltage sensing operation as shown in FIG.

트래킹 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 문턱전압 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태가 될 때까지 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 단계이다. The tracking step is performed until the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT is turned on until the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes a threshold voltage or a voltage state reflecting the change, .

즉, 트래킹 단계는, 문턱전압 또는 그 변화를 반영할 수 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 트래킹하는 단계이다. That is, the tracking step is a step of tracking the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT which can reflect the threshold voltage or the change.

이러한 트래킹 단계에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 또는 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅(Floating) 된다. In this tracking step, the initialization switch SPRE is turned off or the second transistor T2 is turned off, and the second node N2 of the driving transistor DRT is floated.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승한다. As a result, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT rises.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 상승이 이루어지다가 상승 폭이 서서히 줄어들어 포화하게 된다. The voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT rises and the rising width gradually decreases and becomes saturated.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 포화된 전압은 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이 또는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압 편차(ΔVth)의 차이에 해당할 수 있다. The saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT may correspond to the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth or the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage deviation Vth .

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 포화되면, 샘플링 단계가 진행될 수 있다. When the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes saturated, the sampling step can proceed.

샘플링 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 그 변화를 반영하는 전압을 측정하는 단계로서, 센싱부(220)가 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 센싱하는 단계이다. The sampling step is a step of measuring a threshold voltage of the driving transistor DRT or a voltage reflecting the variation thereof so that the sensing unit 220 senses the voltage of the reference voltage line RVL, And sensing the voltage of the node N2.

이러한 샘플링 단계에서, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(220)는 기준 전압 라인(RVL)과 연결되어, 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다. In this sampling step, the sampling switch SAM is turned on so that the sensing unit 220 is connected to the reference voltage line RVL and supplies the voltage of the reference voltage line RVL, that is, And senses the voltage V2 of the second node N2.

센싱부(220)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth) 또는 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압 편차(ΔVth)을 뺀 전압(Vdata-ΔVth)일 수 있다. 여기서, Vth는 포지티브 문턱전압 또는 네거티브 문턱전압일 수 있다.The voltage Vsen sensed by the sensing unit 220 is a voltage Vdata-Vth obtained by subtracting the threshold voltage Vth from the data voltage Vdata or a voltage Vdata-Vth obtained by subtracting the threshold voltage deviation Vth from the data voltage Vdata Vdata -? Vth). Here, Vth may be a positive threshold voltage or a negative threshold voltage.

도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a view for explaining a mobility sensing driving method for the driving transistor DRT of the OLED display 100 according to the embodiments of the present invention.

구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동은 초기화 단계, 트래킹 단계 및 샘플링 단계를 포함하는 센싱 프로세스로 진행될 수 있다.The mobility sensing drive for the driving transistor DRT may proceed to a sensing process including an initialization step, a tracking step and a sampling step.

초기화 단계는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화 시키는 단계이다. The initializing step is a step of initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.

이러한 초기화 단계에서는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 된다.In this initialization step, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on, and the initialization switch SPRE is turned on.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은 이동도 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)으로 초기화된다(V1=Vdata, V2=Vref).Accordingly, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are initialized to the mobility sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref, respectively (V1 = Vdata, V2 = Vref).

문턱 전압 센싱 구동 시와 마찬가지로, 이동도 센싱 구동시에도 저전위전압(EVSS), 이동도 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref) 중 적어도 하나는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압차이가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 낮은 전압이 되도록 하는 전압일 수 있다.At least one of the low voltage EVSS, the data voltage Vdata for driving the mobility sensing, and the reference voltage Vref is applied to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED at the same time as the threshold voltage sensing driving, And the voltage difference between the cathode electrode and the cathode electrode may be lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED.

따라서 이동도 센싱 구동 시에도 도 4에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(OLED)는 발광하지 않으므로, 유기발광다이오드(OLED)의 특성이 반영되지 않는다.Therefore, as shown in FIG. 4, the organic light emitting diode OLED does not emit light during the sensing of the mobility, and thus the characteristics of the organic light emitting diode OLED are not reflected.

트래킹 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 이동도 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태가 될 때까지 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 단계이다. The tracking step is performed until the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT reaches the voltage V2 until the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes the voltage state reflecting the mobility or the change thereof. .

즉, 트래킹 단계는, 이동도 또는 그 변화를 반영할 수 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 트래킹하는 단계이다.That is, the tracking step is a step of tracking the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT which can reflect the mobility or the change.

이러한 트래킹 단계에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프되거나 또는 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅 된다. 이때, 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)도 함께 플로팅 될 수 있다. In this tracking step, the initialization switch SPRE is turned off or the second transistor T2 is turned off so that the second node N2 of the driving transistor DRT is floated. At this time, the first transistor T1 is turned off, and the first node N1 of the driving transistor DRT can also be floated together.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승하기 시작한다. As a result, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT starts to rise.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(즉, 이동도)에 따라 달라진다. The rising speed of the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT depends on the current capability (i.e., mobility) of the driving transistor DRT.

전류 능력(이동도)이 큰 구동 트랜지스터(DRT)일 수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 더욱 가파르게 상승한다. The voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT increases more sharply as the driving transistor DRT having a higher current capability (mobility) is.

트래킹 단계가 일정 시간(Δt) 동안 진행된 이후, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 미리 정해진 일정 시간(Δt) 동안 상승한 이후, 샘플링 단계가 진행될 수 있다. The sampling step may proceed after the tracking step has progressed for a predetermined time period DELTA t, that is, after the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT has risen for a predetermined constant time DELTA t.

트래킹 단계 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는, 일정 시간(Δt) 동안의 전압 변화량(ΔV)에 해당한다. During the tracking step, the rising speed of the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT corresponds to the voltage variation? V for a predetermined time? T.

샘플링 단계에서는, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(220)와 기준 전압 라인(RVL)이 전기적으로 연결된다. In the sampling step, the sampling switch SAM is turned on, and the sensing unit 220 and the reference voltage line RVL are electrically connected.

이에 따라, 센싱부(220)는 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다. Accordingly, the sensing unit 220 senses the voltage of the reference voltage line RVL, that is, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT.

센싱부(220)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은, 초기화 전압(Vref)에서 일정 시간(Δt) 동안 전압 변화량(ΔV)만큼 상승된 전압으로서, 이동도에 대응되는 전압이다. The voltage Vsen sensed by the sensing unit 220 is a voltage corresponding to the mobility, which is a voltage increased by the voltage change amount? V for a predetermined time? T from the initialization voltage Vref.

도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀에 대한 온도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.5 and 6 are views for explaining a temperature sensing driving method for a subpixel of the organic light emitting diode display 100 according to the embodiments of the present invention.

서브픽셀에 대한 온도 센싱 구동은 초기화 단계(S1), 안정화 단계(S2), 트래킹 단계(S3) 및 샘플링 단계(S4)를 포함하는 온도 센싱 프로세스로 진행될 수 있다.The temperature sensing drive for the subpixel may proceed to a temperature sensing process including an initialization step S1, a stabilization step S2, a tracking step S3 and a sampling step S4.

초기화 단계(S1)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화시키는 단계이다. The initializing step S1 is a step of initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.

이러한 초기화 단계(S1)에서는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)에 응답하여, 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 된다.In this initialization step S1, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on in response to the scan signal SCAN and the sense signal SENSE, and the initialization switch SPRE is turned- Is turned on.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)으로 초기화된다(V1=Vdata, V2=Vref). 즉 스토리지 캐패시터(Cst)에 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref) 사이의 전압차에 대응하는 전압이 저장될 수 있다.Accordingly, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are initialized to the sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref, respectively (V1 = Vdata, V2 = Vref) . That is, the voltage corresponding to the voltage difference between the sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref may be stored in the storage capacitor Cst.

다만, 문턱 전압 센싱 구동이나 이동도 센싱 구동 시와 달리 온도 센싱 구동 시에는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압차이가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 높은 전압이 되도록 저전위전압(EVSS), 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata) 및 기준 전압(Vref) 중 적어도 하나가 조절될 수 있다.However, unlike the threshold voltage sensing driving or the mobility sensing driving, the voltage difference between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED is higher than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED during the temperature sensing operation. At least one of the potential voltage EVSS, the sensing driving data voltage Vdata, and the reference voltage Vref may be adjusted.

일예로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압 센싱 구동이나 이동도 센싱 구동 시, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)은 유기발광다이오드(OLED)가 턴온되지 않도록 4V로 인가되는 반면, 온도 센싱 구동 시 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)은 유기발광다이오드(OLED)가 턴-온되도록 6V로 인가될 수 있다.For example, when the threshold voltage sensing driving or the mobility sensing driving of the driving transistor DRT is driven, the sensing driving data voltage Vdata is applied at 4 V so that the organic light emitting diode OLED is not turned on, The data voltage Vdata may be applied at 6V so that the organic light emitting diode OLED is turned on.

따라서 도 5에 도시된 온도 센싱 구동 시에는, 도 3 및 도 4에서와 달리 유기발광다이오드(OLED)가 회로에 반영된다.Therefore, in the temperature sensing operation shown in FIG. 5, the organic light emitting diode (OLED) is reflected in the circuit, unlike in FIG. 3 and FIG.

그러나 초기화 단계에서는 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2))은 기준 전압(Vref) 레벨로 초기화되므로, 기준 전압(Vref)의 전압 레벨에 따라 유기발광다이오드(OLED)는 턴 온되지 않을 수 있다.However, in the initialization step, since the first electrode (the second node N2 of the driving transistor DRT) is initialized to the reference voltage Vref level, the organic light emitting diode OLED is turned on according to the voltage level of the reference voltage Vref The light emitting diode OLED may not be turned on.

안정화 단계(S2)는, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2))의 전압이 유기발광다이오드(OLED)의 문턱값에 대응하는전압 상태가 되도록, 2차 초기화 시키는 단계이다.In the stabilization step S2, the organic light emitting diode OLED is turned on so that the voltage of the first electrode (the second node N2 of the driving transistor DRT) becomes a voltage state corresponding to the threshold value of the organic light emitting diode OLED , And a secondary initialization step.

안정화 단계(S2)에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프되고, 제1 트랜지스터(T1)와 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 된다.In the stabilization step S2, the initialization switch SPRE is turned off, and the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned off.

이에 초기화 단계(S1)에서 스토리지 캐패시터(Cst)에 저장된 전압에 의해, 안정화 단계(S2)에서 구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급한다. 이에 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압차이가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 높은 전압 상태가 되어, 유기발광다이오드(OLED)가 턴 온된다. 그리고 안정화 단계(S2)에서 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극의 전압은 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 레벨까지 하강한다.The driving transistor DRT supplies the driving current to the organic light emitting diode OLED in the stabilization step S2 by the voltage stored in the storage capacitor Cst in the initialization step S1. Accordingly, the voltage difference between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED becomes higher than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED, and the organic light emitting diode OLED is turned on. In the stabilization step S2, the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode OLED is lowered to the threshold voltage level of the organic light emitting diode OLED.

유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 레벨까지 하강한 이후, 트래킹 단계(S3)가 진행될 수 있다.After falling to the threshold voltage level of the organic light emitting diode (OLED), the tracking step S3 may proceed.

트래킹 단계(S3)에서는 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 다시 턴-온 되는 반면, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 상태를 유지한다.In the tracking step S3, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on again while the initialization switch SPRE is maintained in the turn-off state.

제1 트랜지스터(T1)가 턴-온되어 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)가 인가됨에 따라, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극으로 구동 전류를 공급한다. 따라서 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극의 전압(V2)이 상승하고, 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 구동되어 발광한다.As the first transistor T1 is turned on and the sensing driving data voltage Vdata is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT, the organic light emitting diode OLED is driven to the first electrode Current is supplied. Therefore, the voltage (V2) of the first electrode of the organic light emitting diode (OLED) rises and the organic light emitting diode (OLED) is driven by the driving current to emit light.

이때 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극의 전압(V2)의 상승 속도는 구동 트랜지스터(DRT)와 유기발광다이오드(OLED)의 온도 특성에 따라 달라진다.At this time, the rising speed of the voltage V2 of the first electrode of the organic light emitting diode OLED varies depending on the temperature characteristics of the driving transistor DRT and the organic light emitting diode OLED.

구동 트랜지스터(DRT)와 유기발광다이오드(OLED)는 온도에 따라 전송하는 전류량이 서로 상이하게 가변될 수 있다. 즉 구동 트랜지스터(DRT)와 유기발광다이오드(OLED)는 온도에 따라 저항값이 가변되는 저항 소자로서 해석될 수 있다.The driving transistor DRT and the organic light emitting diode OLED can be varied in amount of current to be transmitted according to the temperature. That is, the driving transistor DRT and the organic light emitting diode OLED can be interpreted as resistance elements whose resistance values vary with temperature.

따라서 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)이 동일한 전압 레벨로 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드로 인가되어도, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는 현재 온도에서 구동 트랜지스터(DRT)와 유기발광다이오드(OLED)의 저항값의 저항 비에 대응하여 달라진다.Therefore, even if the sensing driving data voltage Vdata is applied to the first node of the driving transistor DRT at the same voltage level, the rising speed of the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes the current temperature The resistance value of the driving transistor DRT and the resistance value of the organic light emitting diode OLED.

센싱되는 서브픽셀의 온도가 높을수록, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극의 전압(V2)은 더욱 가파르게 상승한다. The higher the temperature of the sub-pixel to be sensed, the more rapidly the voltage V2 of the first electrode of the organic light emitting diode OLED rises.

트래킹 단계(S3)가 미리 정해진 일정 시간(Δt) 동안 진행된 이후, 즉, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극의 전압(V2)이 일정 시간(Δt)동안 상승한 이후, 샘플링 단계(S4)가 진행될 수 있다. After the tracking step S3 has progressed for a predetermined time period DELTA t, that is, after the voltage V2 of the first electrode has risen for a predetermined time period DELTA t, the sampling step S4 Can proceed.

트래킹 단계(S3) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는, 일정 시간(Δt) 동안의 전압 변화량(ΔV)에 해당한다. During the tracking step S3, the rising speed of the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT corresponds to the voltage variation amount? V for a predetermined time? T.

샘플링 단계(S4)에서는, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(220)와 기준 전압 라인(RVL)이 전기적으로 연결된다.In the sampling step S4, the sampling switch SAM is turned on, and the sensing unit 220 and the reference voltage line RVL are electrically connected.

이에 따라, 센싱부(220)는 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극의 전압(V2)을 센싱한다. Accordingly, the sensing unit 220 senses the voltage of the reference voltage line RVL, that is, the voltage V2 of the first electrode of the organic light emitting diode OLED.

센싱부(220)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은, 초기화 전압(Vref)에서 일정 시간(Δt) 동안 전압 변화량(ΔV)만큼 상승된 전압으로서, 서브픽셀의 온도에 대응되는 전압이다.The voltage Vsen sensed by the sensing unit 220 is a voltage corresponding to the temperature of the subpixel raised by the voltage change amount? V for a predetermined time? T in the initialization voltage Vref.

도 3 내지 도 6을 참조하여 전술한 바와 같은 온도 센싱 구동, 문턱전압 센싱 구동 또는 이동도 센싱 구동에 따라 센싱부(220)는 온도 센싱, 문턱전압 센싱 또는 이동도 센싱을 위해 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 디지털 값(센싱 값)을 포함하는 센싱값을 생성하여 출력한다. According to the temperature sensing drive, the threshold voltage sensing drive, or the movement degree sensing drive as described above with reference to FIGS. 3 to 6, the sensing unit 220 may sense the sensed voltage Vsen ) To a digital value, and generates and outputs a sensing value including the converted digital value (sensing value).

도 6에서는 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)가 동일한 게이트 신호로 가정하였다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 라인을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다.In FIG. 6, it is assumed that the scan signal SCAN and the sense signal SENSE are the same gate signal. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be commonly applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through the same gate line.

그러나 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는, 서로 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다.However, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be separate gate signals. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be respectively applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through different gate lines.

한편 센싱부(220)에서 출력된 센싱값은 온도 제어부(230) 또는 보상부로 제공될 수 있다. 경우에 따라서 센싱값은 메모리부(240)를 통해 온도 제어부(230) 또는 보상부로 제공될 수도 있다. Meanwhile, the sensing value output from the sensing unit 220 may be provided to the temperature controller 230 or the compensator. In some cases, the sensing value may be provided to the temperature control unit 230 or the compensation unit through the memory unit 240.

온도 제어부(230)는 센싱부(220)에서 제공된 센싱값을 토대로 해당 서브픽셀의 온도 또는 온도 변화를 파악하고, 온도 제어 프로세스를 수행할 수 있다.The temperature controller 230 can sense the temperature or temperature change of the corresponding subpixel based on the sensing value provided by the sensing unit 220, and perform the temperature control process.

여기서, 서브픽셀의 온도 변화는 이전 센싱값을 기준으로 현재 센싱값이 변화된 것을 의미하거나, 초기 센싱값을 기준으로 현재 센싱값이 변화된 것을 의미할 수도 있다.Here, the temperature change of the subpixel means that the current sensing value is changed based on the previous sensing value, or it may mean that the current sensing value is changed based on the initial sensing value.

여기서 초기 센싱값은 유기발광표시장치 제조 시에 설정되어 저장된 초기 설정값일 수 있으며, 유기발광표시장치 구동 초기에 설정되어 저장된 구동 초기 설정값일 수도 있다. Here, the initial sensing value may be an initial setting value set and stored at the time of manufacturing the organic light emitting display, or may be a driving initial setting value set and stored at the initial stage of driving the organic light emitting display.

온도 제어 프로세스는 유기발광표시패널의 온도를 낮추기 위한, 휘도 제어값을 설정하고, 설정된 휘도 제어값을 메모리부(240)에 저장하거나, 휘도 제어값으로 해당 영상데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The temperature control process sets a luminance control value for lowering the temperature of the organic light emitting display panel, stores the set luminance control value in the memory unit 240, or changes the corresponding image data Data to a luminance control value .

온도 제어부(230)는 온도 제어 프로세스를 통해 영상데이터(Data)를 변경하여, 변경된 데이터를 데이터 드라이버(120) 내 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 공급해줄 수 있다. The temperature control unit 230 may change the image data Data through the temperature control process and supply the changed data to the corresponding source driver integrated circuit (SDIC) in the data driver 120.

이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 온도 제어부(230)에서 변경된 영상데이터를 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter)를 통해 데이터 전압으로 변환하여 해당 서브픽셀로 공급해줌으로써, 서브픽셀의 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되는 빛의 휘도를 낮추게 되고, 결과적으로 해당 서브픽셀의 온도가 하강하게 된다.Accordingly, the source driver integrated circuit (SDIC) converts the image data changed by the temperature controller 230 into a data voltage through a digital to analog converter (DAC) and supplies the data voltage to the corresponding subpixel, The luminance of the light emitted from the organic light emitting diode OLED of the organic light emitting diode OLED is lowered, and as a result, the temperature of the corresponding sub pixel is lowered.

따라서 온도에 의한 유기발광다이오드(OLED)의 특성 변화를 억제할 수 있으며, 유기발광표시장치(100)의 화질 및 수명을 개선할 수 있다.Therefore, it is possible to suppress a change in the characteristics of the organic light emitting diode (OLED) due to temperature and improve the image quality and lifetime of the OLED display 100.

여기서 기준전압 라인(RVL)이 서브픽셀 열마다 1개씩 배치된 경우, 센싱부(220)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 구동되는 게이트 라인(GL) 상의 다수개의 픽셀 각각에서 특정 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다.In this case, when one reference voltage line RVL is arranged for each subpixel column, the sensing unit 220 applies a driving signal to each of the plurality of pixels on the gate line GL driven by the scan signal SCAN, And senses the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT.

예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 센싱부(220)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 구동되는 게이트 라인(GL) 상에서 지정된 순서에 따라 다수개의 적색 서브 픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 기준전압 라인(RVL)을 통해 인가받아 센싱할 수 있다. 그리고 이후 순차적으로 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 기준전압 라인(RVL)을 통해 인가받아 센싱할 수 있다.For example, when one pixel is composed of four subpixels (a red subpixel, a white subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel), the sensing unit 220 may include a gate line The voltage V2 of the second node N2 of the driving transistors DRT of the plurality of red subpixels may be received and sensed through the reference voltage line RVL in the order specified on the reference voltage line GL. Then, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT of the white subpixel, the green subpixel, and the blue subpixel may be sequentially applied through the reference voltage line RVL.

그러나 기준전압 라인(RVL)이 각 픽셀을 구성하는 서브픽셀의 개수에 대응하여 서브픽셀 열마다 4개씩 배치되어 있다면, 센싱부(220)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 구동되는 게이트 라인(GL)의 모든 서브픽셀에 대한 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 한번에 센싱할 수 있다.However, if four reference voltage lines RVL are arranged for each subpixel column corresponding to the number of subpixels constituting each pixel, the sensing unit 220 may sense the gate line GL driven by the scan signal SCAN, It is possible to sense the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT for all the subpixels of the driving transistor DRT at a time.

즉 센싱부(220)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 구동되는 하나의 게이트 라인(GL)에 대해 1개의 픽셀을 구성하는 서브픽셀의 개수와 대응하는 기준전압 라인(RVL)의 개수에 따라 하나의 게이트 라인(GL)에 대해 다수 횟수 센싱을 수행할 수 있다. 따라서 센싱부(220)로부터 센싱값을 인가받아 휘도 제어값을 설정하는 온도 제어부(230) 또한 하나의 게이트 라인(GL)에 대해 다수 휘도 제어값을 연산할 수 있다. In other words, the sensing unit 220 may sense one gate line GL driven by the scan signal SCAN according to the number of subpixels constituting one pixel and the number of corresponding reference voltage lines RVL. A plurality of times of sensing can be performed on the gate line GL. Accordingly, the temperature controller 230, which receives the sensing value from the sensing unit 220 and sets the brightness control value, can also calculate a plurality of brightness control values for one gate line GL.

또한 센싱부(220)는 컨트롤러(140)의 제어에 따라 일부 라인만을 온도 센싱할 수도 있다. 일예로 센싱부(220)는 특정 색상의 서브픽셀만을 온도 센싱할 수도 있다.Also, the sensing unit 220 may sense temperature of only some of the lines under the control of the controller 140. For example, the sensing unit 220 may sense temperature of only sub-pixels of a specific color.

예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 센싱부(220)는 2개의 색상에 대한 서브픽셀(예를 들면, 적색 서브픽셀과 청색 서브픽셀)에 대해서만 온도 센싱을 수행하여 온도 센싱 시간을 줄일 수 있다.For example, when one pixel is composed of four subpixels (red subpixel, white subpixel, green subpixel, and blue subpixel), the sensing unit 220 outputs subpixels for two colors , Red subpixels and blue subpixels), the temperature sensing time can be reduced.

여기서 2개의 색상에 대한 서브픽셀에 대해서 온도 센싱을 수행하는 것은, 단일 색상에 대한 서브픽셀만을 온도 센싱하는 경우 발생할 수 있는 오류를 방지하기 위해서이다. 이때 고온에 취약한 색상에 대한 서브픽셀(예를 들면, 적색 서브픽셀과 청색 서브픽셀)에 대해 온도 센싱을 수행할 수 있다. 그러나 다른 색상에 대한 서브픽셀에 대해 온도 센싱을 수행할 수도 있다.Here, temperature sensing is performed on the subpixels of two colors in order to prevent an error that may occur when only the subpixels for a single color are temperature-sensed. At this time, temperature sensing can be performed on subpixels (for example, red subpixels and blue subpixels) for a color susceptible to high temperatures. However, it is also possible to perform temperature sensing for subpixels for different colors.

도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 타이밍을 나타낸 다이어그램이다. 7 is a diagram showing sensing timing of the OLED display 100 according to the embodiments of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 파워 온 신호(Power On Signal)가 발생하면, 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀의 온도 및 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수 있다. 이러한 센싱 프로세스를 "온-센싱 프로세스(On-Sensing Process) "라고 한다. 7, when the power-on signal is generated, the organic light emitting display 100 according to the exemplary embodiment of the present invention displays the temperature of each subpixel disposed on the display panel 110, The characteristic value of the driving transistor DRT can be sensed. This sensing process is referred to as an " on-sensing process ".

또한, 파워 오프 신호(Power Off Signal)가 발생하면, 전원 차단 등의 오프 시퀀스(Off-Sequence)가 진행되기 이전에, 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀의 온도 및 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수도 있다. 이러한 센싱 프로세스를 "오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process) "라고 한다.When a power off signal is generated, the temperature of each subpixel disposed in the display panel 110 and the driving current of the driving transistor in the subpixel are controlled before the off- (DRT). This sensing process is referred to as an " off-sensing process ".

또한, 파워 온 신호가 발생한 이후 파워 오프 신호가 발생되기 전까지, 디스플레이 구동 중에서 블랭크(Blank) 시간 마다 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀의 온도 및 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수도 있다. 이러한 센싱 프로세스를 "실시간 센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)" 라고 한다.In addition, the temperature of each sub-pixel arranged in the display panel 110 and the characteristic value of the driving transistor DRT in the sub-pixel during the blank time in the display drive It can also sense. This sensing process is referred to as a " real-time sensing process ".

이러한 실시간 센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)은, 수직 동기 신호(Vsync)를 기준으로 액티브 시간(Active Time) 사이의 블랭크 시간(Blank Time) 마다 진행될 수 있다. This real-time sensing process may be performed for each blank time between active times based on the vertical synchronization signal Vsync.

서브픽셀의 온도 센싱 및 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 짧은 시간만이 필요하기 때문에, 파워 온 신호가 발생한 이후에 디스플레이 구동이 시작하기 이전에 진행될 수도 있고, 파워 오프 신호가 발생한 이후에 디스플레이 구동이 되지 않을 때 수행될 수 있다. Since the temperature sensing of the sub-pixel and the mobility sensing of the driving transistor DRT are required only for a short time, they may be performed before the display drive starts after the power-on signal is generated, It can be performed when it can not be driven.

또한 서브픽셀의 온도 센싱 및 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 디스플레이 구동 중에도 짧은 블랭크 시간을 활용하여 실시간으로 진행될 수 있다. Also, the temperature sensing of the subpixel and the mobility sensing of the driving transistor DRT can be performed in real time using a short blank time during the display driving.

즉, 서브픽셀의 온도 센싱 및 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 파워 온 신호가 발생하여 디스플레이 구동이 시작하기 이전에 온-센싱 프로세스(On-Sensing Process)로 진행될 수도 있고, 파워 오프 신호가 발생하여 디스플레이 구동이 진행되지 않는 구간 동안 오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process)로 진행될 수도 있으며, 디스플레이 구동 중에 짧은 블랭크 시간 마다 실시간-센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)로 진행될 수 있다.That is, the temperature sensing of the sub-pixel and the mobility sensing of the driving transistor DRT may proceed to an on-sensing process before the display drive starts due to the power-on signal being generated, Off-sensing process during a period during which the display drive does not proceed and may proceed to a real-time sensing process during a short blank time during the display drive.

실시간-센싱 프로세스 중 서브픽셀의 온도 센싱 및 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 블랭크 시간 마다 교대로 진행될 수도 있으며, 미리 지정된 순차에 따라 진행될 수도 있다.During the real-time sensing process, the temperature sensing of the sub-pixel and the mobility sensing of the driving transistor (DRT) may be alternately performed for each blank time, or may proceed according to a predetermined sequence.

이에 비해, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱(Vth Sensing)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 긴 전압 포화 시간(Vsat)이 필요하기 때문에, 서브픽셀의 온도 센싱이나 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱에 비해, 상대적으로 오랜 시간이 걸린다. In contrast, the threshold voltage sensing (Vth Sensing) of the driving transistor DRT requires the long voltage saturation time Vsat of the second node N2 of the driving transistor DRT, It takes a relatively long time compared to the mobility sensing of the transistor DRT.

이러한 점을 고려하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱은, 사용자 시청에 방해가 되지 않는 타이밍을 활용하여 이루어져야만 한다. In consideration of this point, the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT must be performed utilizing a timing that does not interfere with user viewing.

따라서, 일반적으로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱은 사용자 입력 등에 따라 파워 오프 신호(Power Off Signal)가 발생한 이후, 디스플레이 구동이 되지 않는 동안, 즉, 사용자가 시청 의사가 없는 상황에서 진행될 수 있다.Therefore, in general, the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT can be performed while the display is not driven, that is, in a state where the user does not intend to watch, after a power off signal occurs according to user input or the like .

그러나 경우에 따라 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱도 온-센싱 프로세스(On-Sensing Process) 또는 실시간-센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)로 진행될 수도 있다.However, as occasion demands, the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT may also proceed to an on-sensing process or a real-time sensing process.

도 8은 온도 센싱 구동 방식에서 온도 샘플링 타이밍을 설정하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.8 is a diagram for explaining a method of setting the temperature sampling timing in the temperature sensing driving method.

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 도 5에서 설명한 바와 같이, 트래킹 단계(S3)가 미리 정해진 일정 시간(Δt) 동안 진행된 이후, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되도록 구성될 수 있다. 여기서 일정 시간(Δt)을 온도 샘플링 타이밍이라 할 수 있다.The organic light emitting diode display 100 according to the embodiment of the present invention may be configured such that the sampling switch SAM is turned on after the tracking step S3 has progressed for a predetermined period of time t, Lt; / RTI > Here, the predetermined time DELTA t can be referred to as a temperature sampling timing.

이 경우, 센싱부(220)에서 센싱하는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 해당 서브 픽셀에 초기 설정온도 대비 온도 변화에 대응하는 센싱값을 출력할 수 있다. 여기서 초기 설정온도는 유기발광표시장치(100)의 제조시 설정 온도일 수 있다.In this case, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT, which is sensed by the sensing unit 220, may output a sensing value corresponding to a temperature change relative to the initial set temperature in the subpixel. The initial set temperature may be a set temperature during manufacture of the OLED display 100.

그러나 경우에 따라서, 유기발광표시장치(100)의 구동 초기 온도에 대비한 유기발광표시장치(100)의 상대 온도 변화를 분석하는 것이 더욱 필요할 수 있다.In some cases, however, it may be further necessary to analyze the relative temperature change of the OLED display 100 with respect to the initial driving temperature of the OLED display 100.

특히 유기발광표시장치(100)는 구동되는 동안, 대부분의 경우 온도가 상승하게 되므로, 온도 상승을 정확히 감지하는 것이 중요하다.In particular, since the temperature of the organic light emitting display 100 is raised during most of the driving, it is important to accurately detect the temperature rise.

따라서, 온도 센싱 구동 시에 획득되는 센싱값이 가능한 고온을 정확하게 반영할 수 있도록 온도 샘플링 타이밍을 설정하는 것이 필요하다.Therefore, it is necessary to set the temperature sampling timing so that the sensing value obtained during the temperature sensing operation can accurately reflect the possible high temperature.

도 8은 온도 센싱 구동 시, 센싱 시간에 따른 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 변화를 나타낸 그래프이다. 온도 센싱을 위해, 센싱부(220)는 센싱된 센싱전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환된다. 8 is a graph showing the voltage change of the second node N2 of the driving transistor DRT according to the sensing time during temperature sensing driving. For temperature sensing, the sensing unit 220 converts the sensed sensing voltage Vsen into a digital value.

일예로 센싱부(220)는 m [V]에 대응되는 디지털 값(0)에서 M [V]에 대응되는 디지털 값(1023)까지의 아날로그 디지털 변환 범위(ADC Range)를 가질 수 있다.For example, the sensing unit 220 may have an analog-to-digital conversion range (ADC Range) from a digital value (0) corresponding to m [V] to a digital value 1023 corresponding to M [V].

표시패널(110)에서 모든 서브픽셀에 대한 온도 센싱값은 어떠한 분포(500)를 갖는다. 이 분포(500)는 표시패널(110)에서 모든 서브픽셀에서의 온도에 대한 분포와 대응될 수 있다.The temperature sensing values for all the subpixels in the display panel 110 have some distribution 500. This distribution 500 may correspond to the distribution of temperature in all the subpixels in the display panel 110.

이에 온도 제어부(230)는 유기발광표시장치(100)의 구동 초기에 획득되는 센싱값인 초기 센싱값에 대한 평균값 또는 분포가 미리 지정된 기준 범위(Ref_Range)에 포함되도록 온도 샘플링 타이밍을 설정할 수 있다.The temperature controller 230 may set the temperature sampling timing so that the average value or the distribution of the initial sensing value, which is the sensing value obtained at the initial stage of driving the organic light emitting diode display device 100, is included in the predetermined reference range Ref_Range.

일예로 온도 제어부(230)는 온-센싱 프로세스(On-Sensing Process) 시에, 다수 횟수로 온도 센싱 구동을 수행하여 할 수 있다. 그리고 온도 제어부(230)는 다수 횟수의 온도 센싱 구동 시에, 트래킹 단계(S3)가 진행된 이후 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온되는 타이밍을 가변하면서, 다수의 서브 픽셀에 대한 센싱값을 획득할 수 있다.For example, the temperature controller 230 may perform a temperature sensing drive a plurality of times during an on-sensing process. The temperature control unit 230 obtains a sensing value for a plurality of subpixels while varying the timing at which the sampling switch SAM is turned on after the tracking step S3 proceeds during a number of temperature sensing driving .

온도 제어부(230)는 획득된 다수의 센싱값의 평균값을 계산하고, 계산된 센싱값의 평균값이 미리 지정된 기준 범위(Ref_Range)에 포함되는 온도 샘플링 타이밍을 판별할 수 있다.The temperature controller 230 may calculate an average value of the obtained plurality of sensing values and determine a temperature sampling timing at which the average value of the calculated sensing values is included in a predetermined reference range Ref_Range.

그리고 온도 제어부(230)는 센싱값의 평균값이 기준 범위(Ref_Range)에 포함되는 온도 샘플링 타이밍이 판별되면, 판별된 온도 샘플링 타이밍을 센싱값과 함께 메모리(240)에 저장할 수 있다.When the temperature sampling timing at which the average value of the sensing values is included in the reference range Ref_Range is determined, the temperature control unit 230 may store the determined temperature sampling timing in the memory 240 together with the sensing value.

다른 예로 온도 제어부(230)는 획득된 다수의 센싱값에서 기설정된 비율(예를 들면 90%) 이상의 센싱값이 기준 범위(Ref_Range)에 포함되는 온도 샘플링 타이밍을 판별하여 저장할 수도 있다.As another example, the temperature controller 230 may determine and store a temperature sampling timing at which a sensing value of a predetermined ratio (for example, 90%) or more is included in the reference range Ref_Range.

이때 온도 제어부(230)는 기준 범위(Ref_Range)를 센싱부(220)의 아날로그 디지털 변환 범위(ADC Range)에서 유기발광표시장치(100)의 온도 상승을 정확히 감지할 수 있도록 설정할 수 있다.At this time, the temperature controller 230 can set the reference range Ref_Range to accurately detect the temperature rise of the organic light emitting display 100 in the ADC range of the sensing unit 220.

일예로 온도 제어부(230)는 아날로그 디지털 변환 범위(ADC Range)가 디지털 값(0)에서 디지털 값(1023)까지인 경우, 기준 범위(Ref_Range)를 디지털 값(100)에서 디지털값(150)의 범위로 설정할 수 있다. 즉 온도 상승으로 인해, 센싱값의 상승 마진이 충분하도록 기준 범위(Ref_Range)를 설정할 수 있다.For example, when the ADC Range is from a digital value (0) to a digital value (1023), the temperature controller (230) sets the reference range (Ref_Range) from the digital value (100) Range. That is, the reference range Ref_Range can be set so that the rising margin of the sensing value is sufficient due to the temperature rise.

또한 메모리(240)에는 센싱값의 평균값인 평균 센싱값이 저장될 수도 있다.In addition, the memory 240 may store an average sensing value, which is an average value of the sensing values.

이는 유기발광표시장치(100)에서 온-센싱 프로세스가 수행되는 구동 초기에는 표시패널(110)의 영역별 온도차가 크지 않을 것으로 가정하여, 평균 센싱값이 모든 센싱값의 대표값으로 판단할 수 있기 때문이다.This is because it is assumed that the temperature difference of each display panel 110 is not large at the initial stage of the driving in which the on-sensing process is performed in the OLED display 100, and the average sensing value can be determined as a representative value of all the sensing values Because.

이후, 온도 제어부(230)는 실시간-센싱 프로세스 시에, 트래킹 단계(S3) 이후 설정된 온도 샘플링 타이밍에 샘플링 스위치(SAM)를 턴-온 시킨다. 즉 온도 제어부(230)는 센싱부(220)가 온도 센싱할 때, 유기발광표시장치(100)의 구동 초기에 대비하여 시간에 의한 오차가 발생하지 않도록 한다.Thereafter, the temperature control unit 230 turns on the sampling switch SAM at the temperature sampling timing set after the tracking step S3 in the real-time sensing process. That is, the temperature controller 230 prevents the time-dependent error from occurring in preparation for driving the organic light emitting display 100 when the sensing unit 220 senses temperature.

그리고 온도 제어부(230)는 실시간-센싱 프로세스 시에 수신되는 센싱값을 초기 센싱값(또는 평균 센싱값)과 비교하여, 변화값을 계산할 수 있다.The temperature controller 230 compares the sensing value received during the real-time sensing process with an initial sensing value (or an average sensing value), and calculates a change value.

즉 온도 제어부(230)는 유기발광표시장치(100)의 구동 초기의 온도를 기준으로, 구동중인 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀의 온도 변화를 판별할 수 있다.That is, the temperature controller 230 can determine the temperature change of the sub-pixel of the organic light emitting display device 100 during driving based on the initial temperature of the organic light emitting display device 100.

한편, 유기발광표시장치(100)는 파워 오프된 이후, 짧은 시간 내에 파워 온한 경우에는 구동 초기 온도 센싱을 진행하지 않을 수 있다.On the other hand, when the organic light emitting display 100 is powered on within a short time after the power is turned off, the driving initial temperature sensing may not proceed.

상기한 바와 같이, 온 센싱 프로세스 시에 수행되는 구동 초기 온도 센싱은 온도 샘플링 타이밍을 설정하고, 초기 센싱값을 획득하기 위해서이다. 그러나 유기발광표시장치(100)는 파워 오프된 이후, 짧은 시간 내에 파워 온한 경우에 표시패널(110)의 다수의 서브픽셀은 이전 구동에 의한 열이 충분히 식지 않은 상태이다. 따라서 다수의 서브픽셀 사이의 온도 편차가 크게 발생할 수 있으며, 신뢰성 있는 온도 샘플링 타이밍을 획득하기 어렵다.As described above, the driving initial temperature sensing performed during the on-sensing process is for setting the temperature sampling timing and obtaining the initial sensing value. However, when the organic light emitting display 100 is powered on within a short time after the power is turned off, the plurality of sub pixels of the display panel 110 are not sufficiently cooled by the previous driving. Therefore, a large temperature deviation between a plurality of subpixels can occur, and it is difficult to obtain a reliable temperature sampling timing.

따라서 유기발광표시장치(100)는 파워 오프된 이후, 짧은 시간 내에 파워 온한 경우에, 온도 제어부(330) 이전 저장된 온도 샘플링 타이밍과 초기 센싱값을 이용하여 온도 센싱 구동이 수행되도록 제어할 수 있다.Therefore, when the organic light emitting diode display 100 is powered on within a short time after the power is turned off, the OLED display 100 may control the temperature sensing operation to be performed using the stored temperature sampling timing and the initial sensing value before the temperature controller 330.

도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 온도를 제어하기 위한 휘도제어방식을 설명하기 위한 도면이다.9 and 10 are views for explaining a brightness control method for controlling temperature according to embodiments of the present invention.

상기한 바와 같이, 온도 제어부(230)는 센싱값을 수신하여 표시패널(110)의 다수의 서브픽셀에 대한 온도 또는 온도 변화를 판별할 수 있다. 여기서 온도 변화는 미리 설정된 초기 센싱값에 대한 센싱값의 변화값으로 판별될 수도 있으며, 구동 초기 센싱값에 대한 센싱값의 변화값으로 판별될 수도 있다.As described above, the temperature controller 230 receives the sensing value and can determine a temperature or a temperature change of a plurality of subpixels of the display panel 110. Here, the temperature change may be determined as a change value of a sensing value with respect to a preset initial sensing value, or may be determined as a change value of a sensing value with respect to a driving initial sensing value.

도 9를 참조하면, 온도 제어부(230)는 변화값이 기설정된 기준 변화값 이상인지 판별하고, 변화값이 기준 변화값 이상이면, 유기발광표시패널의 온도를 낮추기 위한, 휘도 제어값을 설정할 수 있다.Referring to FIG. 9, the temperature controller 230 determines whether the change value is equal to or greater than a predetermined reference change value. If the change value is greater than or equal to the reference change value, the brightness control value for lowering the temperature of the OLED display panel have.

그리고 휘도 제어값으로 해당 영상데이터(Data)를 변경하는 처리를 수행하여, 데이터를 데이터 드라이버(120) 내 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 공급함으로써, 표시패널에서 방출되는 빛의 휘도를 낮출 수 있다. 이에 표시패널의 온도가 하강하게 된다.The brightness of the light emitted from the display panel is lowered by supplying data to the corresponding source driver integrated circuit (SDIC) in the data driver 120 by performing the process of changing the corresponding image data Data with the luminance control value have. As a result, the temperature of the display panel is lowered.

이때 온도 제어부(230)는 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 변화값이 기설정된 기준 변화값 이상인 영역(HTA)을 판별하고, 해당 영역(HTA)을 휘도 저감 영역(LRA)으로 설정할 수 있다. 그리고 휘도 저감 영역(LRA)에 대해서 휘도 제어값을 설정하여 휘도 저감 영역(LRA)의 휘도만을 감소 시킬 수도 있다. 또한 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 온도 제어부(230)는 변화값이 기설정된 기준 온도변화값 이상인 영역(HTA)이 표시패널의 일부 영역인 경우에도 표시패널 전체 영역을 휘도 저감 영역(LRA)로 설정할 수 있다. 그리고 휘도 저감 영역(LRA)에 대해 휘도 제어값을 설정하여 패널 전체 영역의 휘도를 감소시킬 수도 있다.At this time, as shown in FIG. 10A, the temperature controller 230 determines an area HTA whose change value is equal to or greater than a predetermined reference change value and sets the corresponding area HTA as a luminance reduction area LRA . It is also possible to reduce the luminance of the luminance reduction area LRA by setting the luminance control value for the luminance reduction area LRA. 10B, even when the region HTA in which the change value is equal to or greater than the predetermined reference temperature change value is a partial region of the display panel, the entire region of the display panel is divided into the luminance reduction region (LRA). The luminance control value may be set for the luminance reduction area LRA to reduce the luminance of the entire area of the panel.

온도 제어부(230)가 표시패널(110)의 일부 영역에 대해서만 휘도 제어값을 설정하여, 해당 영역의 휘도만을 감소시키는 경우, 사용자가 표출되는 영상의 변화를 인지할 수 있다. 그에 비해 표시패널(110) 전체 영역에 대해 휘도를 감소시키는 경우, 상대적으로 사용자는 영상의 변화를 인지하지 못하게 된다.When the temperature control unit 230 sets the luminance control value only for a partial area of the display panel 110 and reduces only the luminance of the corresponding area, the user can perceive the change of the displayed image. In contrast, when the luminance is reduced with respect to the entire area of the display panel 110, the user can not perceive the change of the image relatively.

따라서 온도 제어부(230)는 일부 영역의 변화값이 기준 변화값 이상인 경우에도 표시패널(110) 전체 영역에 대해 휘도가 감소되도록 제어할 수 있다.Therefore, the temperature controller 230 can control the luminance of the entire display panel 110 to be reduced even when the change value of the certain area is equal to or greater than the reference change value.

또한 온도 제어부(230)는 표시패널(110)의 휘도가 점차적으로 감소하도록 하여, 사용자가 휘도 변화를 더욱 인지하기 어렵게 할 수도 있다.In addition, the temperature controller 230 may gradually decrease the brightness of the display panel 110, thereby making it difficult for the user to perceive the brightness change more.

도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 휘도제어방법을 나타낸다.11 illustrates a method of controlling the brightness of an OLED display according to embodiments of the present invention.

도 11을 참조하면, 유기발광표시장치(100)가 전원이 공급되어 파워 온된다(S810). 파워온 된 유기발광표시장치(100)는 온-센싱 프로세스를 수행하며, 이때 초기 온도 센싱을 수행할지 여부를 판별할 수 있다(S815). 이때 컨트롤러(140)의 온도 제어부(230)는 제조시에 설정된 초기 센싱값과 온도 샘플링 타이밍을 이용할지, 구동 초기의 센싱값과 온도 샘플링 타이밍을 이용할지 여부에 따라 초기 온도 센싱을 수행할지 여부를 판별할 수 있다. 또한 온도 제어부(230)는 이전 파워 오프된 이후, 파워 온 될 때까지의 시간에 따라 초기 온도 센싱을 수행할지 여부를 판별할 수 있다.Referring to FIG. 11, the OLED display 100 is powered on and powered on (S810). The power-on organic light emitting display 100 performs an on-sensing process, and may determine whether to perform initial temperature sensing (S815). At this time, the temperature controller 230 of the controller 140 determines whether to perform the initial temperature sensing according to whether the initial sensing value and the temperature sampling timing set at the time of manufacturing, the sensing value at the initial stage of driving and the temperature sampling timing are used Can be distinguished. Also, the temperature controller 230 can determine whether to perform the initial temperature sensing according to the time until power-on after the previous power-off.

만일 초기 온도 센싱을 수행하는 것으로 판별되면, 온도 제어부(230)는 온-센싱 프로세스 시에 온도 센싱 구동을 수행하여, 초기 센싱값 및 온도 샘플링 타이밍 정보 획득할 수 있다(S820). 여기서 온도 제어부(230)는 다수 횟수로 온도 센싱 구동을 수행할 수 있다. 온도 제어부(230)는 초기 센싱값의 평균값 또는 기설정된 비율(예를 들면 90%) 이상의 센싱값이 기준 범위(Ref_Range)에 포함되는 온도 샘플링 타이밍을 획득할 수 있다. 그리고 온도 제어부(230)는 획득된 온도 샘플링 타이밍에서의 센싱값을 초기 센싱값으로 획득할 수 있다.If it is determined that the initial temperature sensing is performed, the temperature controller 230 may perform a temperature sensing operation during the on-sensing process to obtain the initial sensing value and the temperature sampling timing information (S820). Here, the temperature controller 230 may perform temperature sensing driving a plurality of times. The temperature controller 230 may obtain the temperature sampling timing at which the average value of the initial sensing value or a sensing value of a predetermined ratio (e.g., 90%) is included in the reference range Ref_Range. The temperature controller 230 may obtain the sensing value at the obtained temperature sampling timing as an initial sensing value.

그러나 초기 온도 센싱을 수행하는 것으로 판별되면, 온도 제어부(230)는 메모리(240)에 미리 저장된 초기 센싱값 및 온도 샘플링 타이밍 정보를 수신하여 이후, 온도 센싱 구동 시에 적용한다(S825).However, if it is determined that the initial temperature sensing is to be performed, the temperature controller 230 receives the initial sensing value and the temperature sampling timing information stored in advance in the memory 240, and then applies the temperature sensing timing in operation S825.

여기서 초기 센싱값 및 온도 샘플링 타이밍 정보는 제조시에 설정된 초기 센싱값과 온도 샘플링 타이밍 정보 일수 있다. 또는 이전 온-센싱 프로세스 시에 획득된 구동 초기의 센싱값과 온도 샘플링 타이밍 정보일 수 있다.Herein, the initial sensing value and the temperature sampling timing information may be the initial sensing value and the temperature sampling timing information set at the time of manufacture. Or may be the initial sensing value and temperature sampling timing information obtained during the previous on-sensing process.

그리고 온도 제어부(230)는 실시간-센싱 프로세스 시에 획득된 온도 샘플링 타이밍 정보를 이용하여 센싱값을 획득한다(S830).The temperature controller 230 obtains the sensing value using the temperature sampling timing information obtained in the real-time sensing process (S830).

그리고 초기 센싱값과 실시간-센싱 프로세스 시에 획득된 센싱값을 비교하여 변화값을 계산한다(S835). 여기서 변화값은 초기 센싱값과 실시간 센싱값 사이의 차로서 계산될 수 있다.Then, the initial sensing value is compared with the sensing value obtained in the real-time sensing process to calculate a change value (S835). Here, the change value may be calculated as a difference between the initial sensing value and the real-time sensing value.

온도 제어부(230)는 계산된 변화값이 기설정된 기준 변화값 이상이지 판별한다(S840). 변화값이 기준 변화값 이상이면, 온도 제어부(230)는 휘도 저감 영역(LRA)과 휘도 제어값을 설정하여 표시 패널의 휘도를 감소시킨다(S845). 이때 온도 제어부(230)는 변화값이 기준 변화값 이상인 것으로 판별된 서브픽셀이 포함된 영역을 휘도 저감 영역(LRA)으로 설정하여 휘도를 감소 시킬 수 있다. 또한 온도 제어부(230)는 표시 패널의 전체를 휘도 저감 영역(LRA)으로 설정하여 휘도를 감소 시킬 수도 있다.The temperature controller 230 determines whether the calculated change value is equal to or greater than a preset reference change value (S840). If the change value is greater than or equal to the reference change value, the temperature controller 230 sets the brightness reduction area LRA and the brightness control value to reduce the brightness of the display panel (S845). At this time, the temperature controller 230 may set the region including the subpixel determined to be equal to or larger than the reference change value to the brightness reduction region LRA, thereby reducing the brightness. Also, the temperature controller 230 may reduce the luminance by setting the entire display panel to the luminance reduction area (LRA).

그리고 또한 온도 제어부(230)는 휘도를 점차적으로 감소시켜, 사용자가 휘도 변화를 인지하지 못하도록 할 수도 있다.Also, the temperature controller 230 may gradually decrease the brightness so that the user can not recognize the brightness change.

그리고 컨트롤러(140)는 유기발광표시장치(100)가 파워 오프되는지 판별한다(S850).Then, the controller 140 determines whether the OLED display 100 is powered off (S850).

만일 파워 오프되는 것으로 판별되면, 온도 제어부(230)는 초기 센싱값과 온도 샘플링 타이밍 정보를 이후 파워 온 시에 사용할 수 있도록 저장한다. 이때 초기 센싱값과 온도 샘플링 타이밍 정보는 비휘발성 메모리에 저장될 수 있다.If it is determined that the power is turned off, the temperature controller 230 stores the initial sensing value and the temperature sampling timing information so that the initial sensing value and the temperature sampling timing information can be used at the time of power on. At this time, the initial sensing value and the temperature sampling timing information can be stored in the nonvolatile memory.

결과적으로 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법은, 유기발광표시패널의 각 픽셀의 온도를 센싱할 수 있다. As a result, the OLED display according to embodiments of the present invention and the brightness control method thereof can sense the temperature of each pixel of the OLED display panel.

또한, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법은, 유기발광표시패널의 온도를 센싱하여, 유기발광표시패널의 휘도를 제어함으로써, 유기발광다이오드의 특성 변화를 억제할 수 있다.In addition, the OLED display and the brightness control method thereof according to the embodiments of the present invention can control the brightness of the OLED display panel by sensing the temperature of the OLED display panel, thereby suppressing changes in the characteristics of the OLED .

또한, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법은, 별도의 온도 센서를 구비하지 않고, 유기발광표시패널의 온도를 픽셀 또는 서브픽셀 레벨에서 센싱하여, 유기발광표시패널의 온도를 전체 또는 영역별로 조절할 수 있다.The OLED display according to embodiments of the present invention and the method of controlling the brightness of the OLED display according to the present invention may be configured such that the temperature of the OLED display panel is sensed at a pixel or sub- Can be adjusted in whole or in area.

또한, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법은, 영상데이터에 무관하게 온도에 의한 유기발광표시패널의 열화 및 잔상 발생을 억제하여, 화질 및 수명을 개선할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공할 수 있다.In addition, the OLED display according to embodiments of the present invention and the brightness control method thereof can suppress deterioration and afterimage of the OLED display panel due to temperature regardless of image data, thereby improving image quality and lifetime An organic light emitting display device and a luminance control method thereof can be provided.

즉 유기발광표시장치에서 표출되는 영상이 정지 영상인 경우나 동영상인 경우, 고휘도 영상이거나 저휘도 영상인지에 무관하게 온도에 따라 유기발광표시패널의 열화 및 잔상 발생을 억제할 수 있다.That is, deterioration and afterimage of the organic light emitting display panel can be suppressed depending on the temperature irrespective of whether the image displayed on the organic light emitting display device is a still image, a moving image, a high luminance image, or a low luminance image.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. , Separation, substitution, and alteration of the invention will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 유기발광표시장치 210: 서브픽셀
110: 유기발광표시패널 220: 센싱부
120: 데이터 드라이버 230: 온도제어부
130: 게이트 드라이버 240: 메모리부
140: 타이밍 컨트롤러100: organic light emitting diode display 210:
110: organic light emitting display panel 220: sensing part
120: Data driver 230: Temperature controller
130: Gate driver 240: Memory part
140: Timing controller

Claims (17)

다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 상기 다수의 데이터 라인과 상기 다수의 게이트 라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 배열되며, 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드와, 데이터 전압이 인가되는 제1 노드, 상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 연결되는 제2 노드 및 구동 전압이 인가되는 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터가 배치된 표시패널;
상기 각 서브픽셀에 대한 센싱 구동 기간 동안 상기 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압에 대응하는 센싱값을 출력하는 센싱부; 및
상기 다수의 서브픽셀 각각에 대한 상기 센싱값에 근거하여 상기 표시패널의 전체 영역 또는 일부 영역에 대한 휘도를 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
상기 센싱값은,
상기 유기발광다이오드 및 상기 구동 트랜지스터 각각을 통해 흐르는 전류량의 비율이 온도 변화에 따라 변화됨으로써 가변 되는 유기발광표시장치.A plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged, a plurality of data lines and a plurality of subpixels defined by the plurality of gate lines are arranged, and each subpixel has an organic light emitting diode and a data voltage A driving transistor having a first node, a second node connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node to which a driving voltage is applied, and a storage capacitor connected between the first node and the second node of the driving transistor A display panel;
A sensing unit sensing a voltage of the first electrode of the organic light emitting diode during a sensing drive period for each subpixel and outputting a sensing value corresponding to the sensed voltage; And
And a controller for controlling the brightness of the entire or a part of the display panel based on the sensing value for each of the plurality of subpixels,
The sensing value may be,
Wherein a ratio of an amount of current flowing through each of the organic light emitting diode and the driving transistor is varied according to a temperature change. 제1항에 있어서,
상기 컨트롤러는
상기 표시패널의 온도 변화가 클수록 변화량이 증가된 상기 센싱값과 기설정된 초기 센싱값을 비교하여, 상기 표시패널의 온도 변화에 대응하는 변화값을 획득하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
The controller
And compares the sensed value of which the amount of change is increased as the temperature change of the display panel increases, and a predetermined initial sensing value to obtain a change value corresponding to a temperature change of the display panel. 제2항에 있어서,
상기 각 서브픽셀은
상기 다수의 데이터 라인 중 대응하는 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드 사이에 전기적으로 연결되며, 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드로 데이터 전압을 공급하는 제1 트랜지스터; 및
상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 기준 전압 라인 사이에 전기적으로 연결되는 제2 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 센싱부는
센싱된 상기 전압에 대응하는 상기 센싱값을 출력하는 아날로그 디지털 컨버터;
상기 기준 전압 라인으로 기설정된 기준 전압을 공급하는 초기화 스위치; 및
상기 기준 전압 라인을 상기 아날로그 디저털 컨버터와 전기적으로 연결하는 샘플링 스위치를 더 포함하는 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
Each of the sub-
A first transistor electrically connected between a corresponding one of the plurality of data lines and a first node of the driving transistor and supplying a data voltage to a first node of the driving transistor; And
Further comprising a second transistor electrically connected between a first electrode of the organic light emitting diode and a reference voltage line,
The sensing unit
An analog digital converter for outputting the sensing value corresponding to the sensed voltage;
An initialization switch for supplying a predetermined reference voltage to the reference voltage line; And
And a sampling switch for electrically connecting the reference voltage line to the analog-to-digital converter. 제2항에 있어서,
상기 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압은
온도에 따라 가변되는 상기 구동 트랜지스터의 저항값과 상기 유기발광다이오드의 저항값의 저항 비에 대응하는 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
The voltage of the first electrode of the organic light emitting diode is
Wherein the resistance value of the driving transistor varies depending on the temperature and the resistance ratio of the resistance value of the organic light emitting diode. 제2항에 있어서,
상기 컨트롤러는
상기 다수의 서브픽셀 중 기설정된 개수 이상의 서브 픽셀의 상기 센싱값과 기설정된 초기센싱값 사이의 차이가 미리 지정된 기준 변화값 이상이면, 상기 표시패널 전체의 휘도가 낮아지도록, 휘도를 제어하는 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
The controller
An organic electroluminescence (EL) device for controlling brightness so that the brightness of the entire display panel is lowered when a difference between the sensed value of the predetermined number of subpixels and a preset initial sensing value is equal to or greater than a predetermined reference change value, Display device. 제2항에 있어서,
상기 컨트롤러는
상기 다수의 서브픽셀 중 기설정된 개수 이상의 서브 픽셀의 상기 센싱값과 기설정된 초기센싱값 사이의 차이가 미리 지정된 기준 변화값 이상이면, 상기 표시패널에서 상기 기준 변화값 이상인 서브픽셀을 포함하는 영역의 휘도가 낮아지도록, 휘도를 제어하는 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
The controller
Wherein when the difference between the sensing value and a predetermined initial sensing value of a predetermined number of subpixels among the plurality of subpixels is equal to or greater than a predetermined reference change value, And the luminance is controlled so that the luminance is lowered. 제2항에 있어서,
상기 컨트롤러는
상기 표시패널의 구동초기의 온-센싱 프로세스 시에, 상기 센싱부가 상기 제1 전극의 전압을 센싱하는 타이밍을 가변하면서 획득한 상기 센싱값의 평균값 또는 분포를 기반으로, 상기 온-센싱 프로세스 이후, 실시간-센싱 프로세스 시에 상기 센싱부가 상기 제1 전극의 전압을 센싱하는 타이밍을 지정하는 온도 샘플링 타이밍을 설정하여 저장하고,
설정된 상기 온도 샘플링 타이밍에서의 상기 센싱값을 상기 초기 센싱값으로 저장하는 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
The controller
Sensing process, the sensing unit may vary the timing of sensing the voltage of the first electrode based on the average value or the distribution of the sensing values obtained during the on- The sensing unit sets and stores a temperature sampling timing for designating a timing at which the sensing unit senses the voltage of the first electrode during a real-time sensing process,
And stores the sensing value at the set temperature sampling timing as the initial sensing value. 제6항에 있어서,
상기 컨트롤러는
상기 유기발광표시장치가 파워 오프된 이후 기지정된 시간 이내에 파워 온 된 경우,
온-센싱 프로세스 시에 상기 온도 샘플링 타이밍을 다시 설정하지 않고, 상기 파워 오프 이전 저장된 온도 샘플링 타이밍 및 초기 센싱값을 유지하는 유기발광표시장치.The method according to claim 6,
The controller
When the OLED display is powered on within a predetermined time after power-off,
Wherein the temperature sampling timing and the initial sensing value stored before power-off are maintained without resetting the temperature sampling timing in the on-sensing process. 제1항에 있어서,
상기 센싱부는
상기 컨트롤러의 제어에 따라 상기 다수의 서브픽셀 중에서 기지정된 일부 색상에 대응하는 서브픽셀의 센싱 전압을 측정하여, 상기 센싱값을 출력하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
The sensing unit
And a sensing voltage of a subpixel corresponding to a predefined color among the plurality of subpixels under the control of the controller to output the sensed value. 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 상기 다수의 데이터 라인 및 상기 다수의 게이트 라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 배열되며, 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드와, 데이터 전압이 인가되는 제1 노드, 상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 연결되는 제2 노드 및 구동 전압이 인가되는 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터가 배치된 표시패널을 포함하는 유기발광표시장치의 휘도제어방법에 있어서,
상기 각 서브픽셀에 대한 센싱 구동 기간 동안 상기 유기발광다이오드의 제1 전극에서의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압에 대응하는 센싱값을 획득하는 단계; 및
상기 다수의 서브픽셀 각각에 대한 상기 센싱값에 근거하여 상기 표시패널의 전체 영역 또는 일부 영역에 대한 휘도를 제어하는 단계를 포함하고,
상기 센싱값은,
상기 유기발광다이오드 및 상기 구동 트랜지스터 각각을 통해 흐르는 전류량의 비율이 온도 변화에 따라 변화됨으로써 가변 되는 유기발광표시장치의 휘도제어방법.A plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged, a plurality of data lines and a plurality of subpixels defined by the plurality of gate lines are arranged, and each subpixel is provided with an organic light emitting diode and a data voltage A driving transistor having a first node, a second node connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node to which a driving voltage is applied, and a storage capacitor connected between the first node and the second node of the driving transistor A method of controlling brightness of an organic light emitting display device including a display panel,
Sensing a voltage at a first electrode of the organic light emitting diode during a sensing drive period for each subpixel and obtaining a sensing value corresponding to the sensed voltage; And
Controlling the brightness of the entire or a part of the display panel based on the sensing value for each of the plurality of subpixels,
The sensing value may be,
Wherein a ratio of an amount of current flowing through each of the organic light emitting diode and the driving transistor is varied in accordance with a temperature change, thereby varying the brightness of the OLED display. 제10항에 있어서,
상기 센싱값을 획득하는 단계는
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드 및 상기 유기발광다이오드의 제1 전극을 데이터 전압 및 기준 전압으로 각각 초기화하는 단계;
상기 유기발광다이오드의 제1 전극을 상기 유기발광다이오드의 문턱 전압에 대응하는 레벨로 하강시키는 안정화 단계;
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드에 상기 데이터 전압을 인가하여, 턴-온되는 상기 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압을 변화시키는 트래킹 단계; 및
상기 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압을 센싱하는 샘플링 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 휘도제어방법.11. The method of claim 10,
The step of obtaining the sensing value
Initializing a first node of the driving transistor and a first electrode of the organic light emitting diode to a data voltage and a reference voltage, respectively;
A stabilization step of lowering the first electrode of the organic light emitting diode to a level corresponding to a threshold voltage of the organic light emitting diode;
A tracking step of applying the data voltage to a first node of the driving transistor to change a voltage of a first electrode of the organic light emitting diode to be turned on; And
And a sampling step of sensing a voltage of the first electrode of the organic light emitting diode. 제10항에 있어서,
상기 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압은
온도에 따라 변화되는 상기 구동 트랜지스터의 저항값과 상기 유기발광다이오드의 저항값의 저항 비에 대응하는 유기발광표시장치의 휘도제어방법.11. The method of claim 10,
The voltage of the first electrode of the organic light emitting diode is
And a resistance ratio of the resistance value of the driving transistor and the resistance value of the organic light emitting diode varying with temperature. 제10항에 있어서,
상기 휘도를 제어하는 단계는
상기 표시패널의 온도 변화가 클수록 변화량이 증가하는 상기 센싱값과 기설정된 초기 센싱값을 비교하여, 상기 표시패널의 온도 변화에 대응하는 변화값을 획득하는 단계; 및
상기 변화값에 따라 상기 표시패널의 휘도가 낮아지도록 제어하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 휘도제어방법.11. The method of claim 10,
The step of controlling the brightness
Comparing the sensed value of which the amount of change increases as the temperature change of the display panel increases, and a predetermined initial sensing value to obtain a change value corresponding to the temperature change of the display panel; And
And controlling the brightness of the display panel to be lower according to the change value. 제13항에 있어서,
상기 휘도가 낮아지도록 제어하는 단계는
상기 다수의 서브픽셀 중 기설정된 개수 이상의 서브 픽셀의 상기 센싱값과 기설정된 초기센싱값 사이의 차이가 미리 지정된 기준 변화값 이상이면, 상기 표시패널 전체의 휘도가 낮아지도록, 휘도를 제어하는 유기발광표시장치의 휘도제어방법.14. The method of claim 13,
The step of controlling the brightness to be lowered
An organic electroluminescence (EL) device for controlling brightness so that the brightness of the entire display panel is lowered when a difference between the sensed value of the predetermined number of subpixels and a preset initial sensing value is equal to or greater than a predetermined reference change value, A method of controlling luminance of a display device. 제13항에 있어서,
상기 휘도가 낮아지도록 제어하는 단계는
상기 다수의 서브픽셀 중 기설정된 개수 이상의 서브 픽셀의 상기 센싱값과 기설정된 초기센싱값 사이의 차이가 미리 지정된 기준 변화값 이상이면, 상기 표시패널에서 상기 기준 변화값 이상인 서브픽셀을 포함하는 영역의 휘도가 낮아지도록, 휘도를 제어하는 유기발광표시장치의 휘도제어방법.14. The method of claim 13,
The step of controlling the brightness to be lowered
Wherein when the difference between the sensing value and a predetermined initial sensing value of a predetermined number of subpixels among the plurality of subpixels is equal to or greater than a predetermined reference change value, Wherein the luminance is controlled so that the luminance is lowered. 제13항에 있어서,
상기 유기발광표시장치의 휘도제어방법은
상기 표시패널의 구동 초기의 온-센싱 프로세스 시에, 상기 초기 센싱값을 획득하기 위한 초기 설정단계; 를 더 포함하고,
상기 초기 설정단계는
상기 온-센싱 프로세스 시에, 상기 제1 전극의 전압을 센싱하는 타이밍을 가변하면서 상기 센싱값을 획득하는 단계;
획득된 상기 센싱값의 평균값 또는 분포를 기반으로, 상기 온-센싱 프로세스 이후, 실시간-센싱 프로세스 시에 상기 제1 전극의 전압을 센싱하는 타이밍을 지정하는 온도 샘플링 타이밍을 설정 및 저장하는 단계; 및
설정된 상기 온도 샘플링 타이밍에서의 상기 센싱값을 상기 초기 센싱값으로 저장하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 휘도제어방법. 14. The method of claim 13,
The brightness control method of the OLED display device
An initial setting step of acquiring the initial sensing value during an initial on-sensing process of driving the display panel; Further comprising:
The initialization step
Obtaining the sensing value while varying the timing of sensing the voltage of the first electrode during the on-sensing process;
Setting and storing a temperature sampling timing that specifies a timing for sensing the voltage of the first electrode in the real-time sensing process after the on-sensing process, based on the average value or distribution of the sensing value obtained; And
And storing the sensed value at the set temperature sampling timing as the initial sensed value. 유기발광표시장치에 있어서,
다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 상기 다수의 데이터 라인과 상기 다수의 게이트 라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 배열되며, 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드와, 데이터 전압이 인가되는 제1 노드, 상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 연결되는 제2 노드 및 구동 전압이 인가되는 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터가 배치된 표시패널; 및
상기 표시패널의 온도 변화에 따라 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드로 인가되는 상기 데이터 전압을 조절하여 상기 표시패널의 전체 영역 또는 일부 영역에 대한 휘도를 제어하되, 온도가 일정 수준 이상으로 상승하면 휘도 저감 제어를 수행하는 컨트롤러를 포함하는 유기발광표시장치.In the organic light emitting display,
A plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged, a plurality of data lines and a plurality of subpixels defined by the plurality of gate lines are arranged, and each subpixel has an organic light emitting diode and a data voltage A driving transistor having a first node, a second node connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node to which a driving voltage is applied, and a storage capacitor connected between the first node and the second node of the driving transistor A display panel; And
The data voltage applied to the first node of the driving transistor is controlled according to a temperature change of the display panel to control the brightness of the entire or a part of the display panel. When the temperature rises above a predetermined level, And a controller for controlling the organic light emitting display.
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