KR20190031390A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20190031390A
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박민욱
박상일
손지원
심준보
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 복수의 화소 영역을 가지는 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 기판의 각 화소 영역 상에 배치되는 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터 상에서 상기 각 화소 영역에 배치되는 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층; 상기 박막트랜지스터 상에서 상기 화소 영역들의 경계와 상기 비표시 영역에 배치되며, 적어도 두개의 컬러 필터의 적층 구조로 구성되는 차광 패턴; 상기 컬러 필터층과 상기 차광 패턴 상에 배치되는 보호층; 상기 보호층 상에서 상기 각 화소 영역 상에 배치되며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극; 및 상기 보호층 상에서 상기 표시 영역 중 상기 비표시 영역과 인접한 테두리 영역을 제외한 내측 영역에 배치되는 복수의 메인 컬럼 스페이서를 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치 중 액정 표시 장치는 가장 널리 사용되는 평판 표시 장치 중 하나로서, 액정 표시 장치는 서로 대향하는 두 개의 기판들 상에 형성된 전극(화소 전극 및 공통 전극)에 전압을 인가하여 그 사이에 개재된 액정층의 액정 분자들의 배열을 제어함으로써 투과되는 빛의 양을 조정하는 표시 장치이다.
이러한 액정 표시 장치는 기판들을 포함하는 액정 패널이 자체적으로 발광하지 못하는 비발광성 소자로 구성되므로, 액정 패널에 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛을 필요로 한다.
한편, 액정 패널은 2개의 기판들 사이에 배치되는 컬럼 스페이서에 의해 액정이 채워진 셀 갭을 유지하게 한다. 컬럼 스페이서는 두 개의 기판 중 어느 하나에 스페이서 재료를 도포하고 패터닝함으로써 형성될 수 있다.
한편, 컬럼 스페이서가 형성되기 전 기판에 형성된 하부막에서 액정 패널의 표시 영역과 비표시 영역 간 단차가 발생될 수 있다. 이 경우, 비표시 영역과 인접한 표시 영역의 테두리 영역에 위치하는 스페이서와, 표시 영역의 내측 영역에 위치하는 스페이서 간의 단차가 발생될 수 있다.
이러한 스페이서들 간의 단차는 두 개의 기판 사이의 셀 갭을 표시 영역의 테두리 영역과 내측 영역에서 불균일하게 할 수 있다. 이에 따라, 액정이 표시 영역의 테두리 영역과 내측 영역에서 충진되는 정도가 달라, 표시 영역의 테두리 영역이 상대적으로 밝게 보이는 테두리 얼룩이 발생될 수 있다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 테두리 얼룩을 줄여 표시 품질을 향상시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소 영역을 가지는 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 기판의 각 화소 영역 상에 배치되는 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터 상에서 상기 각 화소 영역에 배치되는 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층; 상기 박막트랜지스터 상에서 상기 화소 영역들의 경계와 상기 비표시 영역에 배치되며, 적어도 두개의 컬러 필터의 적층 구조로 구성되는 차광 패턴; 상기 컬러 필터층과 상기 차광 패턴 상에 배치되는 보호층; 상기 보호층 상에서 상기 각 화소 영역 상에 배치되며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극; 및 상기 보호층 상에서 상기 표시 영역 중 상기 비표시 영역과 인접한 테두리 영역을 제외한 내측 영역에 배치되는 복수의 메인 컬럼 스페이서를 포함한다.
상기 테두리 영역은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역의 경계를 따라 형성되며, 0.1 mm 내지 3mm의 폭을 가질 수 있다.
상기 복수의 메인 컬럼 스페이서는 상기 박막트랜지스터와 중첩하는 영역에 위치할 수 있다.
상기 테두리 영역에 배치되는 상기 차광 패턴의 두께는 상기 표시 영역에서 상기 비표시 영역으로 갈수록 두꺼워질 수 있다.
또한, 상기 표시 장치는 상기 보호층 상에 배치되며 상기 메인 컬럼 스페이서보다 작은 두께를 가지는 복수의 서브 컬럼 스페이서를 더 포함할 수 있으며, 상기 복수의 서브 컬럼 스페이서는 상기 테두리 영역과 상기 내측 영역에 배치될 수 있고, 상기 복수의 서브 컬럼 스페이서는 상기 박막트랜지스터와 중첩하는 영역에 위치할 수 있다.
상기 메인 컬럼 스페이서의 두께와 상기 서브 컬럼 스페이서의 두께 차이는 0.3um 이상일 수 있고, 상기 복수의 서브 컬럼 스페이서의 배치 밀도는 상기 복수의 메인 컬럼 스페이서의 배치 밀도 이하일 수 있다.
상기 테두리 영역에 위치하는 적어도 하나의 서브 컬럼 스페이서는 상기 비표시 영역으로 연장되는 형태를 가질 수 있다.
상기 테두리 영역에 위치하는 상기 서브 컬럼 스페이서의 최상면이 상기 내측 영역에 위치하는 상기 서브 컬럼 스페이서의 최상면보다 높고 상기 메인 컬럼 스페이서의 최상면보다 낮을 수 있다.
상기 적어도 하나의 서브 컬럼 스페이서는 인접한 두개의 화소 영역의 두개의 박막트랜지스터 모두와 중첩되게 배치될 수 있다.
상기 테두리 영역에 위치하는 최외곽 화소 영역에 위치하는 서브 컬럼 스페이서는 상기 비표시 영역에 배치되는 배선들과 인접할 수 있다.
상기 적어도 두개의 컬러 필터의 적층 구조는 적색 컬러 필터와, 청색 컬러 필터의 적층 구조로 이루어질 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또다른 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는
복수의 화소 영역을 가지는 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 기판의 각 화소 영역 상에 배치되는 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터 상에서 상기 각 화소 영역에 배치되는 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층; 상기 박막트랜지스터 상에서 상기 화소 영역들의 경계와 상기 비표시 영역에 배치되며, 적어도 두개의 컬러 필터의 적층 구조로 구성되는 차광 패턴; 상기 컬러 필터층과 상기 차광 패턴 상에 배치되는 보호층; 상기 보호층 상에서 상기 각 화소 영역 상에 배치되며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극; 및 상기 보호층 상에서 상기 표시 영역 중 상기 비표시 영역과 인접한 테두리 영역과, 상기 표시 영역 중 상기 테두리 영역을 제외한 내측 영역에 배치되는 복수의 메인 컬럼 스페이서를 포함하며, 상기 테두리 영역에 위치하는 상기 메인 컬럼 스페이서의 최상면과 상기 내측 영역에 위치하는 상기 메인 컬럼 스페이서의 최상면이 동일 평면상에 있다.
상기 테두리 영역은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역의 경계를 따라 형성되며, 0.1 mm 내지 3mm의 폭을 가질 수 있다.
상기 테두리 영역에 배치되는 상기 차광 패턴의 두께는 상기 표시 영역에서 상기 비표시 영역으로 갈수록 두꺼워질 수 있다.
상기 적어도 두개의 컬러 필터의 적층 구조는 적색 컬러 필터와, 청색 컬러 필터의 적층 구조로 이루어질 수 있다.
상기 청색 컬러 필터는 상기 테두리 영역에서 상기 메인 컬럼 스페이서와 중첩하는 영역에 위치하는 홈을 가질 수 있다.
상기 적색 컬러 필터는 상기 테두리 영역에서 상기 메인 컬럼 스페이서와 중첩하는 영역에 위치하는 홈을 가질 수 있다.
상기 복수의 메인 컬럼 스페이서는 상기 박막트랜지스터와 중첩하는 영역에 위치할 수 있다.
또한, 상기 표시 장치는 상기 보호층 상에 배치되며 상기 메인 컬럼 스페이서보다 작은 두께를 가지는 복수의 서브 컬럼 스페이서를 더 포함할 수 있으며, 상기 복수의 서브 컬럼 스페이서는 상기 테두리 영역과 상기 내측 영역에 배치될 수 있고, 상기 복수의 서브 컬럼 스페이서는 상기 박막트랜지스터와 중첩하는 영역에 위치할 수 있다.
상기 메인 컬럼 스페이서의 두께와 상기 서브 컬럼 스페이서의 두께 차이는 0.3um 이상일 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 테두리 얼룩을 줄여 표시 품질을 향상시킬 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 2의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.
도 5은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치 중 도 1의 A 부분과 대응되는 부분의 평면도이다.
도 6은 도 5의 III-III'를 따라 절단한 단면도이다.
도 7 및 도 8은 도 5의 서브 컬럼 스페이서의 다양한 실시예를 나타내는 평면도들이다.
도 9는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 표시 장치 중 도 1의 A 부분과 대응되는 부분의 평면도이다.
도 10은 도 9의 IV-IV'를 따라 절단한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 표시 장치 중 도 9의 IV-IV'를 따라 절단한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 표시 장치 중 도 9의 IV-IV'를 따라 절단한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다른 형태로 구현될 수도 있다. 즉, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 제1 표시 패널(100)과 제2 표시 패널(200)을 포함할 수 있다. 이하에서 표시 장치(10)는 액정 표시 장치인 경우로 예로 들어 설명하기로 한다.
제1 표시 패널(100)은 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 화상을 구현하는 영역이며, 비표시 영역(NDA)은 화상을 구현하지 않는 영역이다. 표시 영역(DA)은 비표시 영역(NDA)과 인접한 테두리 영역(EA)과, 테두리 영역(EA) 이외의 내측 영역(IA)을 포함할 수 있다. 테두리 영역(EA)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)의 경계를 따라 배치될 수 있다.
제2 표시 패널(200)은 제1 표시 패널(100)과 대향하며, 제1 표시 패널(100)과 같이 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함한다.
서로 대향하는 제1 표시 패널(100)과 제2 표시 패널(200)은 실링 부재(300)를 통해 합착될 수 있다. 실링 부재(300)에 의해 합착된 제1 표시 패널(100)과 제2 표시 패널(200) 사이에는 액정층(도 3의 400)이 배치될 수 있다.
제1 표시 패널(100)은 액정층(도 3의 400)의 액정 분자들을 구동하기 위한 스위칭 소자, 예컨대 박막트랜지스터들과, 화소 전극이 형성된 패널일 수 있다.
제1 표시 패널(100)의 표시 영역(DA) 중 화소 영역(PA)에는 게이트 배선(110), 데이터 배선(140), 및 게이트 배선(110) 및 데이터 배선(140)과 연결된 화소 소자(PX)가 위치한다.
제1 표시 패널(100)의 비표시 영역(NDA)에는 게이트 구동부(800), 데이터 구동부(900) 및 실링 부재(300)가 위치할 수 있다.
게이트 구동부(800)는 게이트 배선(110)에 게이트 신호를 제공하는 부분이다. 몇몇 실시예에서 게이트 구동부(800)는 비표시 영역(NDA)에 일체로 형성되는 아모퍼스 실리콘 게이트(ASG: Amorphous Silicon Gate) 방식으로 구현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 게이트 구동부(800)가 ASG 방식으로 구현되는 경우, 게이트 구동부가 형성된 영역에 복수의 배선들(도 6의 115, 145)이 패턴닝되어 배치된다.
데이터 구동부(900)는 데이터 배선(140)에 데이터 전압을 제공하는 부분이다. 몇몇 실시예에서 데이터 구동부(900)는 COG(Chip On Glass)구조로 이루어질 수 있다. 또는 몇몇 다른 실시예에서, 데이터 구동부(900)는 TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip On Film)의 구조로 이루어질 수도 있다.
게이트 배선(110)은 제1 방향(D1)을 따라 연장되며 복수개 구비된다. 게이트 배선(110)은 비표시 영역(NDA)에 위치하는 게이트 구동부(800)에 연결되며 게이트 구동부(800)로부터 게이트 신호를 제공받는다.
데이터 배선(140)은 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)을 따라 연장되며 복수개 구비된다. 데이터 배선(140)은 게이트 배선(110)과 절연된다. 데이터 배선(140)은 비표시 영역(NDA)에 위치하는 데이터 구동부(900)에 연결되며 데이터 구동부(900)로부터 데이터 전압을 제공받는다.
화소 영역(PA)은 표시 영역(DA)에 복수개 배치되며, 각 화소 영역(PA)은 적색의 광을 방출하는 적색 화소 영역(R), 녹색의 광을 방출하는 녹색 화소 영역(G) 및 청색의 광을 방출하는 청색 화소 영역(B) 중 어느 하나일 수 있다. 각 화소 영역(PA)에 배치되는 화소 소자(PX)는 게이트 배선(110) 및 데이터 배선(140)과 연결된다.
실링 부재(300)는 제1 표시 패널(100)의 비표시 영역(NDA)에 위치한다. 도시하진 않았지만, 실링 부재(300)의 외측에 전압선 등이 배치될 수 있다.
제2 표시 패널(200)은 공통 전극이 형성된 패널일 수 있다. 상기 공통 전극은 제2 표시 패널(200)의 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)에 전면적으로 위치할 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 표시 장치(10)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
도 2는 도 1의 A 부분을 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2의 I-I'를 따라 절단한 단면도이고, 도 4는 도 2의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(10)는 앞서 언급한 바와 같이 제1 표시 패널(100), 제1 표시 패널(100)과 대향하는 제2 표시 패널(200), 제1 표시 패널(100)과 제2 표시 패널(200)을 결합하는 실링부재(도 1의 300), 제1 표시 패널(100)과 제2 표시 패널(200) 사이에 위치하는 액정층(400)을 포함한다.
먼저, 제1 표시 패널(100)은 제1 기판(101), 게이트 배선(110), 게이트 절연층(120), 반도체층(130), 데이터 배선(140), 패시베이션층(152), 컬러 필터층(160), 보호층(170), 화소 전극(180)(또는 제1 전극이라 함), 메인 컬럼 스페이서(192) 및 서브 컬럼 스페이서(194)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 표시 패널(100)은 차광 패턴(LBP1)을 포함할 수 있다.
제1 기판(101)은 도 2의 설명에서 상술한 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소 영역(PA)을 포함할 수 있다. 화소 영역(PA)은 한 화소를 구동하기 위한 화소 소자(PX)가 배치되는 영역일 수 있다. 화소 영역(PA)은 투과 영역(TA) 및 차광 영역(BA)을 포함할 수 있다. 화소 영역(PA) 중 투과 영역(TA) 상에는 후술할 화소 전극(180)이 위치할 수 있으며, 차광 영역(BA) 상에는 후술할 스위칭 소자가 위치할 수 있다. 상기 스위칭 소자는, 예시적으로 박막트랜지스터(TFT)일 수 있다.
제1 기판(101)은 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다.
게이트 배선(110)은 제1 기판(101)의 차광 영역(BA) 상에 배치되며, 게이트 신호를 전달한다. 게이트 배선(110)은 제1 방향(D1)으로 연장되는 게이트 라인(112)과, 게이트 라인(112)으로부터 제1 방향(D1)과 다른 방향으로 돌출되는 게이트 전극(114)을 포함한다. 게이트 전극(114)은 후술하는 반도체층(130), 소스 전극(142) 및 드레인 전극(143)과 박막트랜지스터(TFT)를 구성한다.
게이트 배선(110)은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등으로 이루어질 수 있다.
또한, 게이트 배선(110)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(미도시)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 게이트 배선(110)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(low resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어질 수 있다.
이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 및 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)과의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 상부막, 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막 및 티타늄 하부막과 구리 상부막을 들 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트 배선(110)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 만들어질 수 있다.
게이트 절연층(120)은 제1 기판(101) 상에 게이트 배선(110)을 덮도록 배치될 수 있다. 게이트 절연층(120)은 제1 기판(101)의 표시 영역(DA)뿐만 아니라 비표시 영역(NDA) 상에도 위치할 수 있다. 게이트 절연층(120)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 또한, 게이트 절연층(120)은 산화 알루미늄, 산화 티타늄, 산화 탄탈륨 또는 산화 지르코늄을 더 포함할 수 있다.
반도체층(130)은 게이트 절연층(120) 상에 배치되며, 박막트랜지스터(TFT)의 채널을 형성한다. 반도체층(130)은 적어도 게이트 전극(114)과 중첩되게 배치될 수 있다. 반도체층(130)은 비정질 실리콘(amorphous Silicon)으로 이루어지거나 또는 갈륨(Ga), 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn) 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하는 산화물 반도체(oxide semiconductor)로 이루어 질 수 있다.
데이터 배선(140)은 반도체층(130) 상에 배치될 수 있다. 데이터 배선(140)은 데이터 라인(141), 소스 전극(142) 및 드레인 전극(143)을 포함할 수 있다.
데이터 라인(141)은 게이트 라인(112)의 연장 방향인 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장되게 배치된다. 소스 전극(142)은 데이터 라인(141)으로부터 분기되어 게이트 전극(114)과 중첩하는 반도체층(130) 상으로 연장되게 배치된다. 드레인 전극(143)은 소스 전극(142)과 이격되고, 게이트 전극(114) 또는 박막트랜지스터(TFT)의 채널 영역을 중심으로 소스 전극(142)과 대향하여 배치된 반도체층(130) 상에 배치된다. 드레인 전극(143)은 반도체층(130) 상에서 화소 전극(180)의 일부와 중첩할 수 있도록 연장될 수 있다.
패시베이션층(152)은 게이트 절연층(120), 반도체층(130), 소스 전극(142) 및 드레인 전극(143) 상에 배치될 수 있다. 패시베이션층(152)은 제1 기판(101)의 표시 영역(DA)뿐만 아니라 비표시 영역(NDA) 상에도 위치할 수 있다. 패시베이션층(152)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 무기 절연물질을 포함할 수 있다. 패시베이션층(152)은 박막트랜지스터(TFT)를 보호하고, 후술할 컬러 필터층(160)에 포함된 물질이 반도체층(130)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
컬러 필터층(160)은 패시베이션층(152) 위에 배치될 수 있다. 컬러 필터층(160)은 화소 영역(PA)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 컬러 필터층(160)은 차광 영역(BA)과는 중첩하지 않거나, 가장자리 일부분만이 중첩할 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 컬러 필터층(160)은 컨택홀(CH)과 중첩하지 않을 수 있다. 컬러 필터층(160)은 컬러 물질을 포함하는 감광성 유기물질로 이루어질 수 있으며, 각 화소 영역(PA)에 배치되는 적색 컬러 필터(161), 녹색 컬러 필터(162), 및 청색 컬러 필터(163)를 포함하여 구성될 수 있다.
적색 컬러 필터(161), 녹색 컬러 필터(162), 및 청색 컬러 필터(163) 각각은 백라이트 유닛(미도시)으로부터 제공되는 광을 필터링하여 각 화소 영역(PA)에 에 적색, 녹색, 청색의 광을 제공할 수 있다.
한편, 제1 기판(101) 상에서 화소 영역들(PA)의 경계와, 비표시 영역(NDA)에 적색 컬러 필터(161), 녹색 컬러 필터(162), 및 청색 컬러 필터(163) 중 적어도 두 개의 컬러 필터의 적층 구조로 구성되는 차광 패턴(LBP1)이 배치될 수 있다. 예시적으로, 차광 패턴(LBP1)은 차광 영역(BA)과 중첩하도록 배치될 수 있으며, 투과 영역(TA)과는 중첩하지 않도록 배치될 수 있다. 차광 패턴(LBP1)은 박막트랜지스터(TFT), 컨택홀(CH) 및 화소 전극(180) 중 차광 영역(BA)과 중첩하는 부분을 커버할 수 있다. 차광 패턴(LBP1)은 게이트 배선(110) 및 데이터 배선(140)과 더 중첩할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 차광 패턴(LBP1)은 제1 방향(D1)을 따라 연장된 형태로 이루어질 수 있다. 이러한 차광 패턴(LBP1)은 불필요한 광을 차단하는 역할을 하여, 기존의 블랙 물질로 이루어진 블랙 매트릭스를 생략시킬 수 있다.
차광 패턴(LBP1)은 예시적으로, 적색 컬러 필터(161)와 청색 컬러 필터(163)의 적층 구조로 구성될 수 있다. 적색 컬러 필터(161)와 청색 컬러 필터(163)의 적층 구조로 구성되는 차광 패턴(LBP1)은 표시 영역(DA)의 최외곽에서 비표시 영역(NDA)의 일정 영역, 예를 들어 게이트 구동부(800)까지 큰 폭을 가지고 별도의 패터닝 없이 연속적인 형태로 형성되어, 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에서 보다 비표시 영역(NDA)에서 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
이 경우, 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)에 배치되는 차광 패턴(LBP1)의 두께는 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에서 비표시 영역(NDA)으로 갈수록 두꺼워지는 형태를 가질 수 있다. 예시적으로, 테두리 영역(EA)에서 차광 패턴(LBP1)의 일 지점의 두께와 내측 영역(IA)에서 차광 패턴(LBP1)의 일 지점의 두께의 차이가 0.1um 이상일 수 있다.
표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)에 배치되는 차광 패턴(LBP1)의 적색 컬러 필터(161)와 청색 컬러 필터(163) 중 적어도 어느 하나의 두께는 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에서 비표시 영역(NDA)으로 갈수록 두꺼워지는 형태를 가질 수 있다. 이는 적색 컬러 필터(161)와 청색 컬러 필터(163)의 형성시 적색 컬러 필터 물질과 청색 컬러 필터 물질의 일부가 비표시 영역(NDA)에서 표시 영역(DA)으로 흘러 내려감에 따른 것이다.
이에 따라, 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA) 사이에서 적색 컬러 필터(161)와 청색 컬러 필터(163) 중 적어도 하나에 단차가 발생될 수 있다. 예를 들어, 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)에 위치하는 청색 컬러 필터(163)와 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에 위치하는 청색 컬러 필터(163)의 최고점이 상이할 수 있다.
보호층(170)은 컬러 필터층(160)과 차광 패턴(LBP1) 상에 배치될 수 있다. 보호층(170)은 제1 기판(101)의 표시 영역(DA)뿐만 아니라 비표시 영역(NDA) 상에도 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 보호층(170)은 감광성 유기물질로 이루어질 수 있다.
보호층(170)은 차광 패턴(LBP1)과 같이 비표시 영역(NDA)에서 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에서 보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 또한, 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)에 배치되는 보호층(170)의 두께는 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에서 비표시 영역(NDA)으로 갈수록 두꺼워지는 형태를 가질 수 있다.
화소 전극(180)은 보호층(170) 상에 배치될 수 있다. 화소 전극(180)은 화소 영역(PA) 중 투과 영역(TA)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 화소 전극(180)의 일부분은 차광 영역(BA)과 중첩하도록 연장되어 컨택홀(CH)을 통해 드레인 전극(143)과 물리적 전기적으로 연결된다.
화소 전극(180)은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어 화소 전극(180)은 인듐 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 아연 산화물 등의 금속 산화물을 포함할 수 있다.
메인 컬럼 스페이서(192)는 보호층(170) 상에서 표시 영역(DA) 상에 복수개로 배치될 수 있다. 예시적으로, 메인 컬럼 스페이서(192)는 화소 영역들(PA) 경계에서 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하는 영역에 배치될 수 있다. 이러한 메인 컬럼 스페이서(192)는 제1 두께(t1)를 가지며, 제1 기판(101)과 제2 기판(201) 사이의 셀 갭을 유지시키는 역할을 한다. 메인 컬럼 스페이서(192)는 평면상 원 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
서브 컬럼 스페이서(194)는 보호층(170) 상에서 표시 영역(DA) 상에 복수개로 배치될 수 있다. 예시적으로, 서브 컬럼 스페이서(194)는 화소 영역들(PA) 경계에서 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하는 영역에 배치될 수 있다. 이러한 서브 컬럼 스페이서(194)는 제1 두께(t1) 보다 작은 제2 두께(t2)를 가지며, 표시 장치(10)에 외부 압력이 가해질 때 제1 기판(101)과 제2 기판(201) 사이의 셀 갭을 유지하여 메인 컬럼 스페이서(192)를 보조하는 역할을 한다. 서브 컬럼 스페이서(194)는 평면상 원 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 서브 컬럼 스페이서(194)의 개수는 메인 컬럼 스페이서(192)의 개수 이하일 수 있다.
메인 컬럼 스페이서(192)와 서브 컬럼 스페이서(194)는 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 메인 컬럼 스페이서(192)와 서브 컬럼 스페이서(194)는 아크릴계 유기물 또는 감광성 유기물을 패터닝하여 형성될 수 있다. 메인 컬럼 스페이서(192)와 서브 컬럼 스페이서(194)에 대한 상세한 설명은 후술한다.
한편, 도시되진 않았지만, 메인 컬럼 스페이서(192), 서브 컬럼 스페이서(194) 및 화소 전극(180) 상에 배향막이 더 배치될 수 있다. 또한, 제1 기판(101)의 하면 상에 하부 편광판(미도시)이 배치될 수 있다.
제2 표시 패널(200)은 제2 기판(201) 및 공통 전극(210)(또는 제2 전극이라 함)을 포함할 수 있다.
제2 기판(201)은 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다.
공통 전극(210)은 제1 표시 패널(100)을 향하는 일면에 배치될 수 있다. 공통 전극(210)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO) 등의 투명 도전체로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 공통 전극(210)은 제2 기판(201)의 전면에 걸쳐 전체적으로 형성될 수 있다. 공통 전극(210)에는 공통 전압이 인가되어 화소 전극(180)과 함께 전계를 형성할 수 있다. 한편, 도시되진 않았지만, 공통 전극(210) 상에 배향막이 더 배치될 수 있다. 또한, 제2 기판(201)의 상면 상에 상부 편광판(미도시)이 배치될 수 있다.
실링 부재(도 1의 300)는 제1 표시 패널(100)과 제2 표시 패널(200)을 결합한다. 실링 부재(도 1의 300)는 제1 표시 패널(100)의 비표시 영역(NDA)과 중첩하는 부분에 위치할 수 있다.
액정층(400)은 유전율 이방성을 가지는 복수의 액정 분자들을 포함할 수 있다. 제1 표시 패널(100)과 제2 표시 패널(200) 사이에 전계가 인가되면 상기 액정 분자들이 제1 표시 패널(100)과 제2 표시 패널(200) 사이에서 특정 방향으로 회전함으로써 광을 투과시키거나 차단할 수 있다.
이하, 메인 컬럼 스페이서(192)와 서브 컬럼 스페이서(194)에 대해 구체적으로 설명한다.
메인 컬럼 스페이서(192)는 도 4에 도시된 바와 같이 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)을 제외한 내측 영역(IA) 내에 배치된다.
이는 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)에 메인 컬럼 스페이서를 배치시키면, 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에 비해 테두리 영역(EA)에서 두꺼운 두께를 가지는 차광 패턴(LBP1)에 의해 테두리 영역(EA)에 위치하는 메인 컬럼 스페이서의 최상면이 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에 위치하는 메인 컬럼 스페이서(192)의 최상면보다 높을 수 있기 때문이다. 즉, 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA) 사이에서 메인 컬럼 스페이서들의 단차가 발생될 수 있다.
이 경우, 제1 기판(101)과 제2 기판(201) 사이의 셀 갭이 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA)에서 불균일해질 수 있으며, 제1 기판(101)과 제2 기판(102)의 합착시 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA)에서 눌림량이 달라질 수 있다. 이에 따라 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA)에서 액정의 충진 정도가 달라져, 예를 들어 표시 영역의 테두리 영역이 상대적으로 밝게 보이는 테두리 얼룩이 발생될 수 있다.
한편, 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)은 표시 영역(DA)의 최외곽으로부터 내측으로 소정의 폭을 가지는 영역이며 전술한 바와 같이 차광 패턴(LPB1)의 두께가 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에서 비표시 영역(NDA)으로 갈수록 두꺼워지는 영역이다. 이러한 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)의 폭(도 1의 W)은 약 0.1mm 내지 약 3mm일 수 있다.
서브 컬럼 스페이서(194)는 메인 컬럼 스페이서(192)와 동일한 공정에서 형성되는 것으로, 용이한 공정 수행을 위해 메인 컬럼 스페이서(192)와 같이 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)을 제외한 내측 영역(IA) 내에 배치될 수 있다.
상기와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에 비해 테두리 영역(EA)에서 두꺼운 두께를 가지는 차광 패턴(LBP1) 상에 메인 컬럼 스페이서(192)를 배치시키지 않아, 기존에 표시 영역의 내측 영역과 테두리 영역 모두에 배치되는 메인 컬럼 스페이서들 간의 단차로 인해 표시 영역의 내측 영역과 테두리 영역에서 셀 갭이 불균일해지는 것을 줄일 수 있다.
이에 따라, 액정이 표시 영역의 테두리 영역과 내측 영역에서 충진되는 정도가 달라, 표시 영역의 테두리 영역이 상대적으로 밝게 보이는 테두리 얼룩이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.
따라서, 표시 장치의 표시 품질이 향상될 수 있다.
도 5은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치 중 도 1의 A 부분과 대응되는 부분의 평면도이고, 도 6은 도 5의 III-III'를 따라 절단한 단면도이고, 도 7 및 도 8은 도 5의 서브 컬럼 스페이서의 다양한 실시예를 나타내는 평면도들이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(20)는 도 1 내지 도 4의 표시 장치(10)와 비교하여 서브 컬럼 스페이서(194a)가 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)뿐 아니라 테두리 영역(EA)에도 배치되는 점만 다르다.
위와 같은 배치는 메인 컬럼 스페이서(192)의 두께와 서브 컬럼 스페이서(194a)의 두께의 차이가 0.3um 이상인 경우 가능하다. 이는 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에 비해 테두리 영역(EA)에서 두꺼운 두께를 가지는 차광 패턴(LBP1) 상에 배치시키는 서브 컬럼 스페이서(194a)의 최상면이 메인 컬럼 스페이서(192)의 최상면보다 낮기 때문이다. 여기서, 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)에 배치되는 서브 컬럼 스페이서(194a)의 최상면은 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에 배치되는 서브 컬럼 스페이서(194a)의 최상면보다 높을 수 있다.
상기와 같은 구조에 의해, 테두리 영역(EA)에 위치하는 서브 컬럼 스페이서(194a)가 내측 영역(IA)에 위치하는 메인 컬럼 스페이서(192)보다 상부 방향으로 돌출되지 않아, 제1 기판(101)과 제2 기판(201) 사이의 셀 갭이 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA)에서 달라지는 것이 발생되지 않을 수 있다.
한편, 서브 컬럼 스페이서(194a)는 서브 컬럼 스페이서(194a)의 배치 밀도가 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에만 배치되는 메인 컬럼 스페이서(192)의 배치 밀도 이하가 되도록 배치된다. 이 경우, 제1 기판(101)과 제2 기판(201)의 합착시 눌림량이 증가되어, 액정의 퍼짐률이 향상될 수 있다. 이에 따라, 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA) 모두에 액정의 충진률이 향상되어 액정의 충진률 차이에 의해 테두리 영역(EA)이 상대적으로 밝게 보이는 테두리 얼룩이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.
도 5 및 도 6에서는 서브 컬럼 스페이서(194b)가 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)에 배치되는 것이 예시되었으나, 도 7에 도시된 바와 같이 적어도 하나의 서브 컬럼 스페이서(194b_1)가 표시 영역(DA)의 테두리 영역(도 1의 EA)에서 비표시 영역(NDA)으로 연장된 형태를 가질 수 있다. 도 7에서, 서브 컬럼 스페이서(194b_1)는 평면상 사각 형상인 것으로 예시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 도 7에서 표시 영역(DA)의 테두리 영역(도 1의 EA)에서 비표시 영역(NDA)으로 연장된 형태를 가지는 서브 컬럼 스페이서(194_b)가 제1 표시 패널(도 1의 100) 중 데이터 구동부(900)가 위치하는 측부와 반대되는 측부(외부 신호를 전달하는 회로 기판이 실장되는 측부)에 위치하는 것이 예시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 도 8에 도시된 바와 같이 적어도 하나의 서브 컬럼 스페이서(194b_2)가 인접한 두개의 화소 영역의 두개의 박막트랜지스터(TFT) 모두와 중첩되게 배치될 수 있다. 도 8에서, 서브 컬럼 스페이서(194b_2)가 평면상 사각 형상인 것으로 예시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 도 8에서 테두리 영역(도 1의 EA)에 위치하는 최외곽 화소 영역(PA)에 위치하는 적어도 하나의 서브 컬럼 스페이서(194b_2)는 비표시 영역(NDA)에 배치되는 배선들(예를 들어, 제1 표시 패널(도 1의 100) 중 게이트 구동부(800)가 형성된 영역에 패터닝되어 형성된 복수의 배선들(도 6의 115, 145))과 인접할 수 있다.
도 9는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 표시 장치 중 도 1의 A 부분과 대응되는 부분의 평면도이고, 도 10은 도 9의 IV-IV'를 따라 절단한 단면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 표시 장치(30)는 도 1 내지 도 4의 표시 장치(10)와 비교하여 메인 컬럼 스페이서(192b)가 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)뿐 아니라 테두리 영역(EA)에 배치되는 점이 다르다.
위와 같은 배치는 차광 패턴(LBP2)의 청색 컬러 필터(163a)가 메인 컬럼 스페이서(192b)와 중첩하는 영역에 홈(gr1)을 가짐에 따른 것이다. 청색 컬러 필터(163a)의 홈(gr1)은 메인 컬럼 스페이서(192b)와 중첩되는 차광 패턴(LBP2)의 두께를 낮춰, 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)에 배치되는 메인 컬럼 스페이서(192b)의 최상면과 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에 배치되는 메인 컬럼 스페이서(192b)의 최상면이 동일 평면상에 있게 할 수 있다. 청색 컬러 필터(163a)의 홈(gr1)은 청색 컬러 필터(163a)를 형성하기 위한 포토리소그래피 공정에서 노광량을 조절하여 형성될 수 있다.
상기와 같은 구조에 의해, 제1 기판(101)과 제2 기판(201) 사이의 셀 갭이 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA)에서 균일할 수 있다. 이에 따라, 액정이 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA)에서 충진되는 정도가 달라, 표시 영역의 테두리 영역이 상대적으로 밝게 보이는 테두리 얼룩이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.
도 11은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 표시 장치 중 도 9의 IV-IV'를 따라 절단한 단면도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 표시 장치(40)는 도 9 및 도 10의 표시 장치(30)와 비교하여 차광 패턴(LBP3)의 적색 컬러 필터(161a)가 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)에 배치되는 메인 컬럼 스페이서(192b)와 중첩하는 영역에 홈(gr2)을 가지는 점이 다르다.
적색 컬러 필터(161a)의 홈(gr2)은 메인 컬럼 스페이서(192b)와 중첩되는 차광 패턴(LBP3)의 두께를 낮춰, 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)에 배치되는 메인 컬럼 스페이서(192b)의 최상면과 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에 배치되는 메인 컬럼 스페이서(192b)의 최상면이 동일 평면상에 있게 할 수 있다. 적색 컬러 필터(161a)의 홈(gr2)은 적색 컬러 필터(161a)를 형성하기 위한 포토리소그래피 공정에서 노광량을 조절하여 형성될 수 있다.
상기와 같은 구조에 의해, 제1 기판(101)과 제2 기판(201) 사이의 셀 갭이 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA)에서 균일할 수 있다. 이에 따라, 액정이 표시 영역(DA) 의 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA)에서 충진되는 정도가 달라, 표시 영역의 테두리 영역이 상대적으로 밝게 보이는 테두리 얼룩이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.
도 12는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 표시 장치 중 도 9의 IV-IV'를 따라 절단한 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 표시 장치(50)는 도 9 및 도 10의 표시 장치(30)와 비교하여 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA)에 비해 테두리 영역(EA)에서 두꺼운 두께를 가지는 차광 패턴(LBP1) 상에 메인 컬럼 스페이서(192c)를 배치시키는 점이 다르다.
이러한 배치는 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA) 영역에 메인 컬럼 스페이서(192c)의 최상면이 표시 영역(DA)의 내측 영역(IA) 영역에 배치되는 메인 컬럼 스페이서(192b)의 최상면과 동일 평면 상에 있도록, 메인 컬럼 스페이서(192c)와 메인 컬럼 스페이서(192b)를 형성하기 위한 포토리소그래피 공정에서 노광량을 조절함에 따라 가능하다.
상기와 같은 구조에 의해, 제1 기판(101)과 제2 기판(201) 사이의 셀 갭이 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA)에서 균일할 수 있다. 이에 따라, 액정이 표시 영역(DA)의 테두리 영역(EA)과 내측 영역(IA)에서 충진되는 정도가 달라, 표시 영역의 테두리 영역이 상대적으로 밝게 보이는 테두리 얼룩이 발생되는 것이 줄어들 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 표시 장치 100: 제1 표시 패널
101: 제1 기판 110: 게이트 배선
120: 게이트 절연층 130: 반도체층
140: 데이터 배선 150: 패시베이션층
160: 컬러 필터층 170: 보호층
180: 화소 전극 192: 메인 컬럼 스페이서
194: 서브 컬럼 스페이서 200: 제2 표시 패널
201: 제2 기판 210: 공통 전극
300: 실링 부재 400: 액정층
LBP1, LBP2, LBP3: 차광 패턴

Claims (20)

  1. 복수의 화소 영역을 가지는 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판의 각 화소 영역 상에 배치되는 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터 상에서 상기 각 화소 영역에 배치되는 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층;
    상기 박막트랜지스터 상에서 상기 화소 영역들의 경계와 상기 비표시 영역에 배치되며, 적어도 두개의 컬러 필터의 적층 구조로 구성되는 차광 패턴;
    상기 컬러 필터층과 상기 차광 패턴 상에 배치되는 보호층;
    상기 보호층 상에서 상기 각 화소 영역 상에 배치되며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극; 및
    상기 보호층 상에서 상기 표시 영역 중 상기 비표시 영역과 인접한 테두리 영역을 제외한 내측 영역에 배치되는 복수의 메인 컬럼 스페이서를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 테두리 영역은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역의 경계를 따라 형성되며, 0.1 mm 내지 3mm의 폭을 가지는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 메인 컬럼 스페이서는 상기 박막트랜지스터와 중첩하는 영역에 위치하는 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 테두리 영역에 배치되는 상기 차광 패턴의 두께는 상기 표시 영역에서 상기 비표시 영역으로 갈수록 두꺼워지는 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 보호층 상에 배치되며, 상기 메인 컬럼 스페이서보다 작은 두께를 가지는 복수의 서브 컬럼 스페이서를 더 포함하며,
    상기 복수의 서브 컬럼 스페이서는 상기 테두리 영역과 상기 내측 영역에 배치되고,
    상기 복수의 서브 컬럼 스페이서는 상기 박막트랜지스터와 중첩하는 영역에 위치하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 메인 컬럼 스페이서의 두께와 상기 서브 컬럼 스페이서의 두께 차이는 0.3um 이상이고,
    상기 복수의 서브 컬럼 스페이서의 배치 밀도는 상기 복수의 메인 컬럼 스페이서의 배치 밀도 이하인 표시 장치.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 테두리 영역에 위치하는 적어도 하나의 서브 컬럼 스페이서는 상기 비표시 영역으로 연장되는 형태를 가지는 표시 장치.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 테두리 영역에 위치하는 상기 서브 컬럼 스페이서의 최상면이 상기 내측 영역에 위치하는 상기 서브 컬럼 스페이서의 최상면보다 높고 상기 메인 컬럼 스페이서의 최상면보다 낮은 표시 장치.
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 서브 컬럼 스페이서는 인접한 두개의 화소 영역의 두개의 박막트랜지스터 모두와 중첩되게 배치되는 표시 장치.
  10. 제5 항에 있어서,
    상기 테두리 영역에 위치하는 최외곽 화소 영역에 위치하는 서브 컬럼 스페이서는 상기 비표시 영역에 배치되는 배선들과 인접하는표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 적어도 두개의 컬러 필터의 적층 구조는 적색 컬러 필터와, 청색 컬러 필터의 적층 구조로 이루어지는 표시 장치.
  12. 복수의 화소 영역을 가지는 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판의 각 화소 영역 상에 배치되는 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터 상에서 상기 각 화소 영역에 배치되는 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층;
    상기 박막트랜지스터 상에서 상기 화소 영역들의 경계와 상기 비표시 영역에 배치되며, 적어도 두개의 컬러 필터의 적층 구조로 구성되는 차광 패턴;
    상기 컬러 필터층과 상기 차광 패턴 상에 배치되는 보호층;
    상기 보호층 상에서 상기 각 화소 영역 상에 배치되며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극; 및
    상기 보호층 상에서 상기 표시 영역 중 상기 비표시 영역과 인접한 테두리 영역과, 상기 표시 영역 중 상기 테두리 영역을 제외한 내측 영역에 배치되는 복수의 메인 컬럼 스페이서를 포함하며,
    상기 테두리 영역에 위치하는 상기 메인 컬럼 스페이서의 최상면과 상기 내측 영역에 위치하는 상기 메인 컬럼 스페이서의 최상면이 동일 평면상에 있는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 테두리 영역은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역의 경계를 따라 형성되며, 0.1 mm 내지 3mm의 폭을 가지는 표시 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 테두리 영역에 배치되는 상기 차광 패턴의 두께는 상기 표시 영역에서 상기 비표시 영역으로 갈수록 두꺼워지는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 적어도 두개의 컬러 필터의 적층 구조는 적색 컬러 필터와, 청색 컬러 필터의 적층 구조로 이루어지는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 청색 컬러 필터는 상기 테두리 영역에서 상기 메인 컬럼 스페이서와 중첩하는 영역에 위치하는 홈을 가지는 표시 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 적색 컬러 필터는 상기 테두리 영역에서 상기 메인 컬럼 스페이서와 중첩하는 영역에 위치하는 홈을 가지는 표시 장치.
  18. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 메인 컬럼 스페이서는 상기 박막트랜지스터와 중첩하는 영역에 위치하는 표시 장치.
  19. 제12 항에 있어서,
    상기 보호층 상에 배치되며, 상기 메인 컬럼 스페이서보다 작은 두께를 가지는 복수의 서브 컬럼 스페이서를 더 포함하며,
    상기 복수의 서브 컬럼 스페이서는 상기 테두리 영역과 상기 내측 영역에 배치되고,
    상기 복수의 서브 컬럼 스페이서는 상기 박막트랜지스터와 중첩하는 영역에 위치하는 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 메인 컬럼 스페이서의 두께와 상기 서브 컬럼 스페이서의 두께 차이는 0.3um 이상인 표시 장치.
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