KR20190026709A - Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a production method of a product, wherein the exposure apparatus is advantageous on regarding focusing accuracy and throughput. The exposure method for exposing a plurality of exposure areas on a substrate comprises the steps of: obtaining first reference information indicating the reference height of the substrate; measuring the height of a part of the plurality of exposure areas; obtaining temporary height information indicating the temporary height of the substrate based on a measurement result in the measuring step; and exposing the one exposure area after moving the substrate based on second reference information and a difference between the first reference information and the temporary height information, wherein the second reference information indicates the reference height of one of the plurality of exposure areas.

Description

노광 장치, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법{EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a method of manufacturing an article,

본 발명은, 노광 장치, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a method of manufacturing an article.

반도체 디바이스 등을 제조할 때에, 원판(레티클 등)에 형성된 패턴을, 투영 광학계를 거쳐 기판(표면에 레지스트층이 형성된 웨이퍼 등)에 전사하는 투영 노광 장치가 사용된다. 일반적인 방식의 투영 노광 장치는, 스텝 앤 리피트 방식의 축소 투영 노광 장치(스테퍼)나 스텝 앤 스캐너 방식의 주사형 투영 노광 장치(스캐너)를 포함한다. 예를 들면, 스테퍼는, 원판 패턴을 축소하고, 축소한 패턴을 기판상의 복수의 노광 영역(숏 영역)에 각각 투영한다. 그렇지만, 기판이 경사져 있거나, 기판의 두께가 똑같지 않거나 하면, 숏 영역의 Z축방향(투영 광학계의 광축방향)의 위치(높이)와 노광 초점간의 편차(디포커스)가 생긴다. 디포커싱에 기인하는 노광 불량을 막기 위해서는, 숏 영역마다 포커스 구동을 행할 필요가 있지만, 포커스 구동에 요하는 기간이 길어지면 스루풋이 저하해버린다.A projection exposure apparatus for transferring a pattern formed on an original plate (reticle or the like) to a substrate (a wafer on which a resist layer is formed, etc.) via a projection optical system is used. A typical projection exposure apparatus includes a step-and-repeat type reduction projection exposure apparatus (stepper) or a step-and-scan type scanning projection exposure apparatus (scanner). For example, the stepper reduces the original pattern and projects the reduced pattern onto a plurality of exposure areas (shot areas) on the substrate, respectively. However, when the substrate is inclined or the thickness of the substrate is not the same, a deviation (defocus) occurs between the position (height) in the Z axis direction of the shot area (the optical axis direction of the projection optical system) and the exposure focus. In order to prevent exposure defects caused by defocusing, it is necessary to perform focus driving for each shot area. However, if the period required for the focus driving is long, the throughput is reduced.

따라서, 일본 특허공개 2001-93813호 공보에는, 포커스 구동의 기간을 단축하는 노광 방법이 개시되어 있다. 일본 특허공개 2001-93813호 공보의 노광 방법에서, 샘플 숏 영역의 얼라인먼트 마크를 계측할 때에 숏 영역의 높이도 계측하고, 노광 숏 영역간의 Ｘ-Y이동과 동시에, 계측된 값에 근거해서 얼라인먼트 조정과 동시에 기판의 높이를 조정한다. 또한, 일본 특개평 8-227854호 공보에는, 글로벌 레벨링(ｌｅｖｅｌｉｎｇ)과 칩 레벨링을 따로 따로 행하고, 다음 숏 영역의 칩 레벨링 전에 이전 숏 영역의 레벨링 보정량에 따라서 기판의 높이를 조정해서 글로벌 레벨링 후의 자세로 되돌아가는 노광 방법을 개시하고 있다. 일본 특허공개 2014-99562호 공보에는, 제2 기판의 복수의 숏 영역의 각각에 대한 포커스 조정의 보정값을 산출하는 노광 방법을 개시하고 있다. 일본 특허공개 2014-99562호 공보에 있어서, 포커스 조정의 보정값은, 제1 기판의 복수의 숏 영역의 각각에서 계측된 높이의 계측 값과, 제1 및 제2 기판의 소정(단일)의 숏 영역에서 계측된 높이 계측 값의 차분을 사용하여, 산출된다.Therefore, Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2001-93813 discloses an exposure method for shortening the period of focus drive. In the exposure method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-93813, the height of the shot area is measured at the time of measuring the alignment mark of the sample shot area, and simultaneously with the X-Y movement between the exposure shot areas, And the height of the substrate is adjusted at the same time. Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-227854 discloses a technique in which global leveling and chip leveling are separately performed and the height of the substrate is adjusted in accordance with the leveling correction amount of the previous shot area before chip leveling of the next shot area, To the exposure apparatus. Japanese Patent Laying-Open No. 2014-99562 discloses an exposure method for calculating a correction value of focus adjustment for each of a plurality of shot areas of a second substrate. Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2014-99562 discloses that the correction value of the focus adjustment is a value obtained by measuring the height measured in each of the plurality of shot areas of the first substrate and the measured value of the height of the predetermined Using the difference of the height measurement values measured in the area.

그렇지만, 일본 특허공개 2001-93813호 공보의 노광 방법에서는, 각 숏 영역의 정확한 높이를 계측하려고 하면, 얼라인먼트 공정에 있어서의 샘플 숏 영역수를 증가시킬 필요가 있어, 계측 기간이 길어져서 스루풋이 저하한다. 또한, 일본 특개평 8-227854호 공보에서, 기판면의 요철이 증가하면, 숏 영역마다 글로벌 레벨링 후의 자세에 되돌아가기 위한 구동량이 증가하고, 스루풋이 저하될 가능성이 있다. 한편, 일본 특허공개 2014-99562호 공보의 노광 방법에서는, 제1 기판과 제2 기판의 소정의 숏 영역에 있어서의 높이 계측 값간의 차분을 사용해서 보정값을 산출하기 때문에, 기판면의 요철이나 경사로 인해 보정오차가 커져버릴 수도 있다.However, in the exposure method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-93813, it is necessary to increase the number of sample shot areas in the alignment step when the accurate height of each shot area is measured, so that the measurement period becomes longer, do. Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-227854, when the unevenness of the substrate surface increases, there is a possibility that the drive amount for returning to the attitude after global leveling increases for each shot area, and the throughput may be lowered. On the other hand, in the exposure method of JP-A-2014-99562, since the correction value is calculated by using the difference between the height measurement values of the first and second substrates in the predetermined shot area, The correction error may become large due to inclination.

본 발명은, 예를 들면, 포커싱 정밀도 및 스루풋에 관해서는 유리한 노광 장치를 제공한다.The present invention provides an advantageous exposure apparatus for focusing accuracy and throughput, for example.

본 발명은, 기판상의 복수의 노광 영역을 노광하는 노광 방법으로서, 대상 기판보다 먼저 노광된 기판에 대해 기준 높이를 나타내는 제1 높이 정보를 취득하는 단계; 상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 일부의 노광 영역의 높이를 계측하는 단계; 상기 계측 단계에서의 계측 결과에 근거하여, 상기 대상 기판의 높이를 나타내는 제2 높이 정보를 취득하는 단계; 상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 1개의 노광 영역의 높이를, 상기 1개의 노광 영역에 대해 기준 높이를 나타내는 제3 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여 산출하는 단계; 및 상기 산출 단계에서 산출된 상기 1개의 노광 영역의 높이에 근거하여, 상기 대상 기판을 이동시킨 후에, 상기 대상 기판상의 상기 1개의 노광 영역을 노광하는 단계를 포함한다.The present invention provides an exposure method for exposing a plurality of exposure areas on a substrate, comprising: acquiring first height information indicating a reference height with respect to a substrate exposed earlier than a target substrate; Measuring a height of a portion of the plurality of exposure regions on the target substrate; Acquiring second height information indicating a height of the target substrate based on a measurement result in the measuring step; Calculating a height of one of the plurality of exposure areas on the target substrate based on the third height information indicating the reference height with respect to the one exposure area, the first height information, and the second height information ; And exposing the one exposure region on the target substrate after moving the target substrate based on the height of the one exposure region calculated in the calculating step.

본 발명의 또 다른 특징들은, (첨부도면을 참조하여) 이하의 실시예들의 설명으로부터 명백해질 것이다.Further features of the present invention will become apparent from the following description of embodiments (with reference to the accompanying drawings).

본 발명의 노광 방법은, 다수의 숏 영역에 순차로 포커스 구동을 행하는 장치에 있어서, 포커싱 정밀도를 저하시키지 않고 포커스 구동을 단축하고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.The exposure method of the present invention can shorten the focus drive and improve the throughput without decreasing the focusing accuracy in an apparatus that sequentially performs focus drive on a plurality of shot areas.

또한, 본 발명은 포커싱 정밀도 및 스루풋에 관해서 유리한 노광 장치를 제공할 수 있다.Further, the present invention can provide an exposure apparatus which is advantageous in terms of focusing accuracy and throughput.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 축소 투영 노광 장치의 구성을 도시한 개략도다.
도 2는, 노광 위치 계측점의 배치를 도시한 도면이다.
도 3은, 콘솔부의 각종 설정 화면을 도시한 도면이다.
도 4는, 처리 공정 전체의 시퀀스를 나타내는 흐름도다.
도 5는, 노광 단계의 흐름을 나타내는 흐름도다.
도 6은, 기억부가 기억하는 내용을 도시한 도면이다.
도 7은, 도 6의 기억 내용의 상세를 도시한 도면이다.
도 8은, 얼라인먼트 계측에 있어서의 샘플 숏 영역의 일례를 도시한 도면이다.
도 9는, 근사면 정보의 차분을 산출하는 공정의 흐름을 나타내는 흐름도다.
도 10은, 예측 노광 위치 산출 공정의 흐름을 나타내는 흐름도다.
도 11은, 기준 노광 위치와 실제의 노광 위치를 비교하는 그래프다.
도 12는, 예측 노광 위치와 실제의 노광 위치를 비교하는 그래프다.
도 13은, 로트(lot) 선두의 기판의 노광 순번을 도시한 도면이다.
도 14는, 도 13의 숏 영역S2와 계측점간의 배치 관계를 도시한 도면이다.
도 15는, 로트의 제2 이후의 기판의 노광 순번을 도시한 도면이다.1 is a schematic view showing a configuration of a reduced projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing the arrangement of exposure position measurement points.
3 is a diagram showing various setting screens of the console unit.
Fig. 4 is a flowchart showing a sequence of the entire process.
5 is a flow chart showing the flow of the exposure step.
6 is a diagram showing contents stored in the storage unit.
Fig. 7 is a diagram showing details of the storage contents in Fig.
8 is a diagram showing an example of a sample shot area in alignment measurement.
Fig. 9 is a flowchart showing the flow of a process of calculating a difference of approximate plane information.
10 is a flowchart showing the flow of the predictive exposure position calculating step.
11 is a graph comparing the reference exposure position with the actual exposure position.
12 is a graph comparing the predicted exposure position with the actual exposure position.
13 is a diagram showing the exposure sequence of the substrate at the head of the lot.
14 is a diagram showing the arrangement relationship between the shot area S2 and the measurement points in Fig.
Fig. 15 is a diagram showing the exposure sequence of the second and subsequent substrates of the lot. Fig.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 도면들을 참조하여 설명한다. 본 발명은, 다수의 숏 영역에 순차로 포커스 구동을 행하는 장치, 순차노광을 행하는 장치 등(주사형 투영 노광 장치, 위치결정 장치 등)에 적용가능하고, 이하, 축소 투영 노광 장치(스테퍼)의 예를 사용해서 설명한다.Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. The present invention can be applied to an apparatus for sequentially performing focus driving on a plurality of shot areas, an apparatus for performing sequential exposure (a scanning projection exposure apparatus, a positioning apparatus, and the like) An example is given below.

도 1은, 본 실시예에 따른 축소 투영 노광 장치의 구성을 도시한 개략도다. 축소 투영 노광 장치는, 축소 투영 렌즈계(1)와, 조명 광학계와, 검출 광학계와, 기판 스테이지(3)를 구비한다. 축소 투영 렌즈계(1)는, (도시되지 않은) 레티클의 회로 패턴을 축소해서 투영하고, 그 초점면에 회로 패턴상을 형성한다. 축소 투영 렌즈계(1)의 광축ＡＸ는, 도 1의 Z축방향(기판 2의 면에 수직한 방향)에 평행하다.1 is a schematic view showing a configuration of a reduced projection exposure apparatus according to the present embodiment. The reduction projection exposure apparatus includes a reduction projection lens system 1, an illumination optical system, a detection optical system, and a substrate stage 3. [ The reduction projection lens system 1 reduces the circuit pattern of a reticle (not shown) and projects it, and forms a circuit pattern image on the focal plane. The optical axis AX of the reduction projection lens system 1 is parallel to the Z-axis direction in Fig. 1 (direction perpendicular to the plane of the substrate 2).

조명 광학계는, 조명용 광원(4)과, 조명용 렌즈(5)와, 마스크(6)와, 결상 렌즈(7)와, 절곡 미러(8)를 구비한다. 조명용 광원(4)은, 예를 들면, 발광 다이오드나 반도체 레이저다. 마스크(6)는, 복수개의 핀홀을 가진다. 조명용 광원(4)으로부터 사출된 광은, 조명용 렌즈(5)를 경과해서 평행한 광속이 되고, 마스크(6)를 경과해서 복수개의 광속이 된다. 그 광이 결상 렌즈(7)를 경과해서 절곡 미러(8)에 입사하고, 절곡 미러(8)로 방향을 전환하고 나서, 기판(2)의 표면에 입사한다. 이때, 기판(2)위(기판상)에는 마스크(6)가 가지는 복수개의 핀홀의 상이 형성된다.The illumination optical system includes an illumination light source 4, an illumination lens 5, a mask 6, an imaging lens 7, and a bending mirror 8. The illumination light source 4 is, for example, a light emitting diode or a semiconductor laser. The mask 6 has a plurality of pinholes. Light emitted from the illumination light source 4 becomes a parallel light flux after passing through the illumination lens 5 and becomes a plurality of light flux after passing through the mask 6. [ The light enters the bending mirror 8 after passing through the image forming lens 7 and changes its direction to the bending mirror 8 and then enters the surface of the substrate 2. [ At this time, an image of a plurality of pinholes of the mask 6 is formed on the substrate 2 (on the substrate).

검출 광학계(계측부)는, 절곡 미러(9)와, 검출 렌즈(10)와, 위치 검출 소자(11)를 구비한다. 도 2는, 기판(2)위의 노광 영역(100)에 있어서의 노광 위치 계측점의 배치를 도시한 도면이다. 마스크(6)가 가지는 복수개의 핀홀을, 5개로 1조의 핀홀이라고 하면, 핀홀을 통과하는 광속은, 노광 영역(100)의 중앙부를 포함하는 5개의 위치의 계측점 21∼25를 조사하고, 각각의 위치에서 반사된다. 그 중앙부의 계측점(21)은, 그 밖의 계측점으로부터 X축방향으로의 스팬X와 Y축방향으로의 스팬Y의 거리에서 일 위치에 배치된다. 반사한 광속의 방향이 절곡 미러(9)에 의해 변화된 후, 검출 렌즈(10)를 통하여, 전하결합소자(ＣＣＤ)등의 소자를 2차원적으로 배치한 위치 검출 소자(11) 위에 입사한다. 즉, 마스크(6), 기판(2) 및 위치 검출 소자(11)는, 서로 광학적으로 공역 위치에 있다. 또한, 광학배치상 곤란할 경우에는, 복수의 위치 검출 소자(11)를 각 핀홀에 대응해서 배치해도 좋다. 위치 검출 소자(11)는, 수광면에 있어서, 복수개의 핀홀을 통해 복수의 광속의 입사 위치를 독립적으로 검지하여도 좋다. 축소 투영 렌즈계(1)에 대한 기판(2)의 광축ＡＸ방향의 위치 및 기울기는, 위치 검출 소자(11) 위에 있어서의 복수의 광속의 입사 위치간의 편차로서 검출될 수 있다.The detection optical system (measurement section) includes a bending mirror 9, a detection lens 10, and a position detection element 11. [ 2 is a diagram showing the arrangement of the exposure position measurement points in the exposure area 100 on the substrate 2. As shown in Fig. If the number of the pinholes of the mask 6 is five and the number of the pinholes is five, the light passing through the pinhole is irradiated to the measurement points 21 to 25 at five positions including the central portion of the exposure region 100, Position. The measurement point 21 at the center portion is disposed at a position at a distance of span X in the X-axis direction and span Y in the Y-axis direction from other measurement points. After the direction of the reflected light beam is changed by the bending mirror 9, the light is made incident on the position detecting element 11 in which elements such as a charge coupled device (CCD) are two-dimensionally arranged via the detection lens 10. That is, the mask 6, the substrate 2, and the position detecting element 11 are optically in a conjugate position with respect to each other. Further, in the case of difficulty in optical arrangement, a plurality of position detecting elements 11 may be arranged corresponding to each pinhole. The position detecting element 11 may independently detect the incident positions of the plurality of light beams through the plurality of pinholes on the light receiving surface. The position and inclination of the substrate 2 with respect to the reduction projection lens system 1 in the direction of the optical axis AX can be detected as a deviation between the incident positions of the plurality of light beams on the position detection element 11. [

기판 스테이지(3)는, 기판(2)을 흡착 유지하고, X축방향, Y축방향, Z축방향 및 이들 축을 중심으로 하는 회전 방향(Ｑｘ, Ｑｙ 및 Ｑｚ)으로 이동 가능하다. 여기에서, 기판(2)의 면에 따른(예를 들면, 평행한) 면을 ＸＹ평면이라고 하고, 그 ＸＹ평면에 수직한 방향(광축ＡＸ방향)을 Z축방향이라고 한다. 기판 스테이지(3)(기판2)의 높이는, Z축방향의 위치 좌표를 가리킨다. 또한, 그 회전 방향Ｑｘ, Ｑｙ 및 Ｑｚ의 크기(ｒａｄ)는, 기판 스테이지(3)의 기울기의 정도를 가리킨다. 기판 스테이지(3)의 이동은, 스테이지 구동부(12)에 의해 행해지고, 기판 스테이지(3)의 이동에 따라 기판(2)의 위치 및 기울기를 조정할 수 있다. 여기에서, 기판(2)은, 표면에 감광 재료가 도포된 피처리 기판이며, 다수개의 노광 영역(숏 영역)이 배열되어 있다.The substrate stage 3 is capable of moving in the X-axis direction, the Y-axis direction, the Z-axis direction, and the rotational directions (Qx, Qy, and Qz) around these axes by sucking and holding the substrate 2. Here, a plane (for example, parallel) along the plane of the substrate 2 is referred to as an XY plane, and a direction perpendicular to the XY plane (optical axis AX direction) is referred to as a Z axis direction. The height of the substrate stage 3 (substrate 2) indicates position coordinates in the Z-axis direction. The magnitude (rad) of the rotational directions Qx, Qy, and Qz indicates the degree of inclination of the substrate stage 3. The movement of the substrate stage 3 is performed by the stage driving section 12 and the position and tilt of the substrate 2 can be adjusted in accordance with the movement of the substrate stage 3. [ Here, the substrate 2 is a target substrate coated with a photosensitive material on its surface, and a plurality of exposure regions (shot regions) are arranged.

검출 광학계에 의해 검출된 기판(2)의 Z축방향의 위치, X축 및 Y축에 대한 기울기는, 위치 검출 소자(11)로부터의 출력 신호(계측결과)로서 면 위치 검출부(14)를 거쳐 제어부(13)에 입력된다. 제어부(작성부)(13)는, 입력된 신호(계측 값)에 근거하여, 소정의 지령 신호(구동 지령)를 작성하고 그 소정의 지령 신호(구동 지령)를 스테이지 구동부(12)에 보낸다. 스테이지 구동부(12)는, 수신된 지령 신호에 응답하고, 기판 스테이지(3)를 서보 구동해서 기판(2)의 높이 및 기울기를 조정한다. 기판(2)의 X축/Y축방향의 위치 및 Z축에 대한 기울기는, 기판 스테이지(3) 위에 설치된 기준 미러(15)와 레이저 간섭계(17)를 사용해서 계측된다. 마찬가지로, 스테이지 구동부(12)는, 기판(2)의 ＸＹ평면상의 위치 및 기울기를 조정한다.The position in the Z-axis direction of the substrate 2 detected by the detection optical system and the slope with respect to the X-axis and the Y-axis are detected by the surface position detection unit 14 as an output signal (measurement result) And is input to the control unit 13. The control unit (creating unit) 13 creates a predetermined command signal (driving command) based on the input signal (measured value) and sends the predetermined command signal (driving command) to the stage driving unit 12. The stage driving unit 12 adjusts the height and tilt of the substrate 2 by servo-driving the substrate stage 3 in response to the received command signal. The position of the substrate 2 in the X-axis / Y-axis direction and the tilt with respect to the Z-axis are measured using the reference mirror 15 provided on the substrate stage 3 and the laser interferometer 17. Similarly, the stage driving unit 12 adjusts the position and tilt of the substrate 2 on the XY plane.

기억부(18)는, 기판의 위치와 노광 위치를 기억한다. 또한, 이후에 기억된다고 한 모든 값을, 기억부(18) 또는 대체 장치에 기억되는 것으로 한다. 콘솔부(19)는, 파라미터 설정을 행한다. 또한, 본 실시예에 따른 축소 투영 노광 장치가 콘솔부(19)에 나타내는 것 같은 유저 인터페이스를 구비하지 않은 경우에는, 제어부(13)는, 각 파라미터를 고정 값으로서 실행할 수 있다. 또한, 본 실시예는, 후술하는 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기억한 기억 매체를 노광 장치에 공급하고, 컴퓨터(또는 중앙처리장치(ＣＰＵ)나 주 처리장치(ＭＰＵ))가 기억 매체에 기억된 그 프로그램 코드를 판독해 실행함으로써 달성된다.The storage section 18 stores the position of the substrate and the exposure position. It is also assumed that all the values that are stored subsequently are stored in the storage unit 18 or the replacement apparatus. The console unit 19 performs parameter setting. When the reduced projection exposure apparatus according to the present embodiment does not have a user interface as shown in the console unit 19, the control unit 13 can execute each parameter as a fixed value. In the present embodiment, a storage medium storing program codes of software for realizing a function to be described later is supplied to an exposure apparatus, and a computer (or a central processing unit (CPU) or a main processing unit (MPU) And reading and executing the stored program code.

도 3은, 콘솔부(19)에 있어서의 각종 설정 화면을 도시한 도면이다. 파라미터91은, 기판의 높이에 관한 값의 산출 방법을 결정하기 위한 파라미터다. 파라미터92는, 제2 이후의 기판의 처리의 즈음에 기준이 되는 정보와, 기준 노광 위치의 산출 방법을, 결정하기 위한 파라미터다. 역치 93 및 94(소정의 역치)는, 예측 노광 위치(예측의 위치를 나타내는 예측 위치)에의 구동을 실행할 것인가 아닌가를 판단하기 위한 기준이 되는 기판의 높이와 기울기의 역치다. 역치 95 및 96은, 예측 노광 위치에 있어서의 포커스 계측 값의 Z축방향의 위치 및 기울기의 오차의 허용 범위를 결정하는 역치다. 상기 예측 노광 위치는, 상기 노광 대상의 기판의 높이 방향의 예측 위치를 나타낸다.Fig. 3 is a view showing various setting screens in the console unit 19. Fig. The parameter 91 is a parameter for determining a method of calculating a value concerning the height of the substrate. The parameter 92 is a parameter for determining information as a reference at the time of the processing of the second and subsequent substrates and a method of calculating the reference exposure position. The threshold values 93 and 94 (predetermined threshold values) are the inverse of the height and slope of the substrate, which is a criterion for judging whether or not to drive to the predicted exposure position (predicted position indicating the predicted position). The threshold values 95 and 96 are inverse values that determine the position in the Z axis direction of the focus measurement value at the predicted exposure position and the allowable range of the error of the tilt. The predicted exposure position indicates a predicted position in the height direction of the substrate to be exposed.

도 4는, 본 실시예에 따른 축소 투영 노광 장치를 통해 기판의 복수의 숏 영역을 순차로 노광하는 처리 공정 전체의 시퀀스를 나타내는 흐름도다. 먼저, 로트의 선두의 기판(기판 처리 매수가 1이다)을 처리 대상으로 삼을 경우의 시퀀스에 대해서 설명한다. 또한, 로트내에서의 기판의 두께의 변화는 최대로 20μｍ정도이며, (반도체 제조 장비 재료 협회(ＳＥＭＩ)규격) 기판의 두께간의 차분이 20μｍ이하이면, 그 기판이 동일한 로트에 속한다고 간주된다. 하기의 시퀀스는 로트마다 행한다고 상정하고 있다. 예를 들면, 동일한 패턴은 동일한 로트에 속하는 기판에 형성되고, 각종 공정(열처리, 에칭 등)은 노광 후 동일한 조건에서 행해진다. 우선, (도시되지 않은) 기판 반입 장치에 의해 기판(2)을 기판 스테이지(3)에 반입한다(S101). S102에서는, 기판 처리 매수가 1보다 큰 것인가 아닌가가 판단된다. 그 기판이 로트의 선두의 기판이기 때문에, 크지 않다고 판단되어, S104의 처리에 진행된다. S104에서는, 각 샘플 숏 영역에 있어서 얼라인먼트 계측과 함께 기판(2)의 높이 및 기울기를 계측하고, 각 계측 값을 바탕으로 제어부(13)가 기판(2)의 높이에 관한 값(근사면 정보)을 산출하고, 산출 결과를 기억부(18)에 기억한다. 샘플 숏 영역으로서, 상기 기판(2)의 숏 영역 모두의 총수미만의 수의 복수의 숏 영역이 선택된다. 상기 근사면 정보는, 상기 샘플 숏 영역이외의 높이 위치를 보완하기 위한 산출을 각 샘플 숏 영역의 상기 높이 방향의 위치에 근거하여 행함으로써 얻어진 상기 기판(2)의 각 영역의 높이를 가리키는 정보다. 즉, 상기 근사면 정보는, 높이의 분포를 가리키는 정보다.Fig. 4 is a flowchart showing a sequence of a whole processing process for sequentially exposing a plurality of shot areas of a substrate through a reduced projection exposure apparatus according to the present embodiment. First, a sequence when a substrate (the number of substrates to be processed) of a lot at the head of the lot is to be processed will be described. Further, the variation of the thickness of the substrate in the lot is at most about 20 mu m, and if the difference between the thicknesses of the substrates is not more than 20 mu m (SEMI standards), the substrate is considered to belong to the same lot. It is assumed that the following sequence is performed for each lot. For example, the same pattern is formed on a substrate belonging to the same lot, and various processes (heat treatment, etching, etc.) are performed under the same conditions after exposure. First, the substrate 2 is brought into the substrate stage 3 by the substrate carrying apparatus (not shown) (S101). In S102, it is determined whether or not the number of processed substrates is greater than 1. It is determined that the substrate is not large because it is the substrate at the head of the lot, and the process proceeds to S104. In S104, the height and inclination of the substrate 2 are measured together with the alignment measurement in each sample shot area, and based on the measured values, the control unit 13 calculates a value (approximate plane information) about the height of the substrate 2, And stores the calculation result in the storage unit 18. [ As a sample shot area, a plurality of shot areas having a total number less than the total number of shot areas of the substrate 2 are selected. The approximate plane information is information indicating the height of each area of the substrate 2 obtained by performing calculation based on the position in the height direction of each sample shot area to compensate for height positions other than the sample shot area . That is, the approximate information is information indicating the distribution of the height.

도 6은, 기억부(18)에 기억된 각 기판의 근사면 정보나 숏 영역의 노광 위치 등을 격납하는 테이블이다. 동일 로트내의, 제1, 2, 3, ... , 제n의 기판(Ｗａｆｅｒ1∼ＷａｆｅｒＮ)에 대응하는 테이블은, 각각 참조부호 60, 61, 62 및 63으로 나타내어진다. 도 7은, 예를 들면, 테이블(60)에 격납된 데이터를 도시한 도면이다.6 is a table for storing the approximate surface information of each substrate stored in the storage unit 18, the exposure position of the shot area, and the like. The tables corresponding to the first, second, third, ..., nth substrates (Wafer1 to WaferN) in the same lot are denoted by reference numerals 60, 61, 62 and 63, respectively. 7 is a diagram showing data stored in the table 60, for example.

도 8은, 얼라인먼트 계측시 샘플 숏 영역의 일례를 도시하는 평면도다. 이 예에서는, 복수의 노광 영역 중 일부의 노광 영역인 S6, S9, S24 및 S27의 숏 영역이, 얼라인먼트 계측에 있어서의 샘플 숏 영역(샘플 영역)이다. 샘플 숏 영역의 개수나 위치는 적절하게 설정될 수 있다. 이 경우, 도 6의 테이블(60)에는, S6, S9, S24 및 S27이 Ｓａｍｐｌｅ Ｓｈｏｔ(70)으로서 기억되고, 각 샘플 숏 영역에 있어서의 계측 값(복수의 노광 영역 중 일부의 노광 영역의 높이)으로부터 산출된 기판의 높이(근사면 정보)가 Ｗａｆｅｒ Ｈｉｇｈｔ(71)로서 기억된다.Fig. 8 is a plan view showing an example of a sample shot area in alignment measurement. Fig. In this example, the shot areas of S6, S9, S24, and S27, which are the exposure areas of a part of the plurality of exposure areas, are sample shot areas (sample areas) in the alignment measurement. The number or position of the sample shot area can be set appropriately. In this case, S6, S9, S24, and S27 are stored as Sample Shot 70 in the table 60 of Fig. 6, and the measured values in each sample shot area (the height of a part of the exposure areas (Approximate surface information) of the substrate calculated as the wafer height 71 is stored.

기판의 높이의 산출 방법으로서는, 예를 들면, 최소제곱평면을 사용하는 방법이 있다. 기판의 표면을 z=ａｘ+ｂｙ+c의 식으로 표현하면, 그 최소제곱평면은, 최소 제곱법으로부터 구한 ａ, b 및 c를 상기 평면의 방정식에 대입할 수 있는 평면이다. 근사면 정보로서의 기판의 높이는, 상기 식의 우변의 ｃ로 나타내어지고, 그 기판의 기울기는, 상기 식의 ａ 및 b로 나타내어진다. 이것들은, 도 6에 나타낸 각 기판에 대응하는 테이블에 격납된다. 또한, 이들은, 최소제곱평면에 상관없이 평균값을 구하여서 산출되어도 좋다. 산출 방법은, 콘솔부(19)의 파라미터(91)에 따라 선택될 수 있다.As a method of calculating the height of the substrate, for example, there is a method of using a least squared plane. If the surface of the substrate is represented by the equation z = ax + by + c, the least squares plane is a plane on which a, b, and c obtained from the least squares method can be substituted into the equation of the plane. The height of the substrate as approximate plane information is represented by c on the right side of the above equation, and the slope of the substrate is represented by a and b in the above equation. These are stored in a table corresponding to each substrate shown in Fig. Further, these may be calculated by obtaining an average value regardless of the least-squared plane. The calculation method can be selected in accordance with the parameter 91 of the console unit 19. [

이하, 최소 제곱법에 따른 ａ, b 및 c의 산출 방법을 설명한다. 샘플 숏 영역수를 n, 계측된 각 샘플 숏 영역의 좌표를 (ｘｉ, ｙｉ, ｚｉ)이라고 하면, 상기 식에 의해 구해진 각 샘플 숏 영역의 높이와 계측된 각 샘플 숏 영역의 높이간의 차분ｒｉ는 다음식으로 나타낼 수 있다.Hereinafter, a calculation method of a, b and c according to the least squares method will be described. Assuming that the number of sample shot areas is n and the coordinates of each measured sample shot area is (xi, yi, zi), the difference ri between the height of each sample shot area obtained by the above formula and the height of each measured sample shot area is It can be expressed as the following.

ｒｉ=ａｘｉ+ｂｙｉ+c-ｚｉri = axi + byi + c-zi

ｒｉ의 제곱의 합의 평균V는 다음과 같이 나타낸다.The average V of the sum of the squares of ri is given by:

V=(1/n)Σ(ｒｉ2)V = (1 / n) Σ (ri 2)

=(1/n)Σ(ａｘｉ+ｂｙｉ+c-ｚｉ)2 = (1 / n)? (Axi + byi + c-zi) 2

이 Ｖ가 최소가 되는 ａ, b 및 c를 구하기 때문에, a, b 및 c에 대해서 편미분해서 0이 되는 극치를 구한다. 편미분의 결과는 아래와 같다.Since the values of a, b, and c at which V becomes minimum are obtained, an extreme value that is a partial differentiation and becomes 0 for a, b, and c is found. The results of partial derivatives are as follows.

(δV/δa)=(2/n)Σ(ａｘｉ+ｂｙｉ+c-ｚｉ)ｘｉ(? V /? a) = (2 / n)? (axi + byi + c-zi) xi

=(2/n)(aΣ(ｘｉ)2+bΣｘｉｙｉ+cΣｘｉ-Σｘｉｚｉ)= (2 / n) (a? (Xi) 2 + b? Xiyi + c? Xi-? Xizi)

=0= 0

(δV/δb)=(2/n)Σ(ａｘｉ+ｂｙｉ+c-ｚｉ)ｙｉ(? V /? b) = (2 / n)? (axi + byi + c-zi) yi

=(2/n)(aΣｘｉｙｉ+bΣ(ｙｉ)2+cΣｙｉ-Σｙｉｚｉ)= (2 / n) (aΣxiyi + bΣ (yi) 2 + cΣyi-Σyizi)

=0= 0

(δV/δc)=(2/n)Σ(ａｘｉ+ｂｙｉ+c-ｚｉ)(? V /? c) = (2 / n)? (axi + byi + c-zi)

=(2/n)(aΣｘｉ+bΣｙｉ+ｎｃ-Σｚｉ)= (2 / n) (aΣxi + bΣyi + nc-Σzi)

=0= 0

여기에서, 상기 연립방정식을 풀기 위해서 다음과 같이 각 항을 치환한다.Here, in order to solve the simultaneous equations, each term is substituted as follows.

(1/n)Σ(ｘｉ)2=X=A(1 / n)? (Xi) 2 = X = A

(1/n)Σ(ｙｉ)2=Y=B(1 / n)? (Yi) 2 = Y = B

(1/n)Σｘｉｙｉ=Z=C(1 / n)? Xiyi = Z = C

(1/n)Σｘｉ=x=D(1 / n)? Xi = x = D

(1/n)Σｙｉ=y=E(1 / n)? Yi = y = E

(1/n)Σｘｉｚｉ=α=F(1 / n)? Xizi =? = F

(1/n)Σｙｉｚｉ=β=G(1 / n) Σyizi = β = G

(1/n)Σｚｉ=γ=H(1 / n)? Z =? = H

이에 따라, 상기 연립방정식을 다음의 행렬식으로 치환한다.Accordingly, the simultaneous equations are replaced with the following determinant.

Figure pat00001
Figure pat00001

이 행렬식을 풀면, a, b 및 c는 다음식과 같이 구해진다.When solving this determinant, a, b, and c are obtained as follows.

a=(ＶｙＦ+ＶｚＧ+ＵｙＨ)/Ia = (VyF + VzG + UyH) / I

b=(ＶｚＦ+ＶｘＧ+ＵｘＨ)/Ib = (VzF + VxG + UxH) / I

c=(ＵｙＦ+ＵｘＧ+ＵｚＨ)/Ic = (UyF + UxG + UzH) / I

여기서, 각 식의 우변은 다음의 치환을 사용한다.Here, the right side of each equation uses the following substitution.

Ｖｘ=X-x2=A-D2 Vx = Xx 2 = AD 2

Ｖｙ=Y-y2=B-E2 Vy = Yy 2 = BE 2

Ｖｚ=ｘｙ-Z=ＤＥ-CVz = xy-Z = DE-C

Ｕｘ=ｘＺ-ｙＸ=ＤＣ-ＥＡUx = xZ-yX = DC-EA

Ｕｙ=ｙＺ-ｘＹ=ＥＣ-ＤＢUy = yZ-xY = EC-DB

Ｕｚ=ＸＹ-Z2=ＡＢ-C2 Uz = XY-Z 2 = AB-C 2

I=ＶｘＶｙ-Ｖｚ2 I = VxVy-Vz 2

S104에서 제1 기판의 근사면 정보(기판의 기준 높이를 나타내는 제1기준정보)를 기억부(18)에 기억시킨 후, 노광 공정(노광 시퀀스)이 실행된다(S107). 도 5는, S107의 노광 공정의 흐름을 나타내는 흐름도다. 우선, S201에서는, 기판 처리 매수가 1보다 큰 것인가 아닌가가 판단된다. 그 기판이 로트의 선두의 기판이기 때문에, 크지 않다고 판단되어, 단계 S211의 처리에 진행된다. S211에서는, 기판(2)을 ＸＹ평면의 노광 위치까지 이동시킨다. 도 8에 도시된 예에서, 얼라인먼트 계측의 최종 숏 영역S27로부터 숏 영역S1에 이동시킨다. 다음에, S212에서 포커스 계측을 행한다. 숏 영역S1의 Z축방향의 위치나 기울기가 계측된다. S213에서는, 계측 값에 근거하여 포커싱 구동을 행한다. S214에서 노광을 실행함과 동시에, 노광 위치를 기억부(18)에 기억한다. 여기에서, 노광 위치란, 도 7의 참조부호 72에 나타낸 각 노광 영역(숏 영역)의 노광시의 기판 스테이지(3)(기판2)의 위치 좌표이며, 구체적으로는 (ＸS1, ＹS1, ＺS1, ＱｘS1, ＱｙS1, ＱｚS1)등이다. 또한, 노광장치는, 예측 구동위치로 기판을 이동시킨 후와 노광 대상인 숏 영역(1개의 노광 영역)을 노광하기 전에 1개의 숏 영역의 포커스를 계측해서 얻어진 포커스 얼라인먼트 오차를 반영하여도 된다. 다음에, S208에서 모든 노광 영역의 처리가 완료한 것인가 아닌가를 판단한다. 그 처리가 완료하지 않았다고 판단했을 경우에는 처리가 S201에 되돌아가고, 노광 공정을 재실행한다. 도 8에 나타낸 예에서는, 숏 영역S1으로부터 숏 영역S2에 이동하고, 숏 영역S2에 대한 노광 공정을 실행한다. 한편, 모든 노광 영역의 처리가 완료했다고 판단했을 경우에는, 도 4의 S108의 처리에 진행된다.After storing the approximate surface information (first reference information indicating the reference height of the substrate) of the first substrate in the storage unit 18 in S104, the exposure process (exposure sequence) is executed (S107). 5 is a flowchart showing the flow of the exposure process in S107. First, in S201, it is determined whether or not the number of processed substrates is greater than 1. It is determined that the substrate is not large because the substrate is the substrate at the head of the lot, and the process proceeds to step S211. In S211, the substrate 2 is moved to the exposure position in the XY plane. In the example shown in Fig. 8, the shot area S1 is moved from the final shot area S27 of the alignment measurement to the shot area S1. Next, focus measurement is performed in S212. The position and inclination of the shot area S1 in the Z-axis direction are measured. In S213, the focusing drive is performed based on the measured value. The exposure is performed in S214 and the exposure position is stored in the storage unit 18. [ Here, the exposure position is, the position coordinates of the substrate stage 3 (substrate 2) at the time of exposure of each exposure area (shot area) indicated by reference numeral 72 in FIG. 7, specifically, (X S1, Y S1, Z S1 , Qx S1 , Qy S1 , Qz S1 ). Further, the exposure apparatus may reflect the focus alignment error obtained by moving the substrate to the predicted drive position and measuring the focus of one shot area before exposing the shot area (one exposure area) to be exposed. Next, in S208, it is judged whether or not the processing of all the exposure areas is completed. If it is determined that the process has not been completed, the process returns to S201 to execute the exposure process again. In the example shown in Fig. 8, the shot area S1 is moved from the shot area S1 to the shot area S2, and the exposure process for the shot area S2 is performed. On the other hand, if it is determined that the processing of all the exposure areas has been completed, the process proceeds to step S108 of FIG.

S108에서는, (도시되지 않은) 기판 반출 장치에, 기판 스테이지(3)로부터 기판(2)을 반출시킨다. S109에서 모든 로트가 완료한 것인가 아닌가를 판단하고, 모든 로트가 완료했다고 판단했을 경우에는, 처리 공정 전체를 종료한다. 한편, 모든 로트가 완료하지 않았다고 판단했을 경우에는, S101로부터 상기 공정을 반복한다.In S108, the substrate 2 is taken out from the substrate stage 3 to a substrate transfer device (not shown). In step S109, it is determined whether or not all lots have been completed. If it is determined that all lots have been completed, the entire process is terminated. On the other hand, when it is judged that not all the lots have been completed, the above process is repeated from S101.

이상의 공정에서 기억된 정보, 즉, 제1 기판의 근사면 정보 및 각 숏 영역의 노광 위치는, 제2 이후의 기판(제2 기판)을 노광 대상의 기판이라고 할 경우에 사용한다. 그 노광 위치는, 적어도 높이 방향의 위치를 포함한다. 또한, 기판의 근사면 정보 및 각 숏 영역의 노광 위치를 기억부(18)에 미리 기억시켜 둘 경우, 이상의 공정을 행하지 않고, 제1 기판으로부터 하기에서 나타낸 제2 기판을 처리 대상으로 삼는 시퀀스를 실행해도 좋다.The information stored in the above process, that is, the approximate information of the first substrate and the exposure position of each shot area are used when the second and subsequent substrates (second substrates) are to be exposed. The exposure position includes at least a position in the height direction. In the case where the approximate surface information of the substrate and the exposure position of each shot area are previously stored in the storage unit 18, a sequence of processing the second substrate, which will be described later, from the first substrate, You can do it.

다음에, 로트의 제2 기판(기판 처리 매수가 2이다)을 처리 대상으로 삼을 경우의 시퀀스에 대해서 설명한다. 우선, (도시되지 않은) 기판 반입 장치는, 기판 스테이지(3)에 다음 처리 대상인 기판(2)을 반입한다(S101). 다음에, S102에서는, 기판 처리 매수가 1보다 큰 것인가 아닌가가 판단된다. 기판이 로트의 제2 기판이기 때문에, 크다고 판단되어, 단계 S103의 처리에 진행된다. S103에서는, 제2 기판의 근사면 정보(기판의 임시 높이를 나타내는 임시 높이 정보)를 제1 기판의 근사면 정보와 비교하고, 근사면 정보(기판의 높이)의 (제1기준정보와 임시 높이 정보간의) 차분을 산출한다. 또한, 해당 근사면 정보간의 차분은, 제1 기판의 두께와 제2 기판의 두께간의 차분의 분포를 나타내는 정보이기도 하다. 도 9에 있어서, 이 공정의 상세를 설명한다. 우선, S104와 같이, 제2 기판의 각 샘플 숏 영역에 있어서 얼라인먼트 계측과 병행하여 기판의 높이를 계측하고, 각 계측 값에 근거하여 기판의 높이에 관한 값(근사면 정보)을 산출하고, 산출 결과를 기억부(18)에 기억한다(S301). 다음에, 제어부(13)가 기억부(18)에 기억된 제1 기판의 근사면 정보 및 제2 기판의 근사면 정보를 취득한다(S304). 제어부(13)는, 제1 기판의 근사면 정보와 제2 기판의 근사면 정보를 비교해서 근사면 정보의 차분을 산출한다(S305). 또한, 동일한 로트의 제3 이후의 기판을 처리할 경우는, S304에 앞서, 비교 기준이 되는 근사면 정보(기준값)의 산출 방법을 결정한다(S302). 또한, 결정된 산출 방법에 근거해서 산출된 근사면 정보(기준값)를 기억부(18)에 기억한다(S303).Next, the sequence when the second substrate of the lot (the number of substrates processed is 2) is to be treated will be described. First, the substrate carrying apparatus (not shown) loads the substrate 2, which is the next object to be processed, on the substrate stage 3 (S101). Next, in S102, it is judged whether or not the number of processed substrates is larger than 1. Since the substrate is the second substrate of the lot, it is determined that the substrate is large and the process proceeds to step S103. In S103, the approximate information of the second substrate (the temporary height information indicating the temporary height of the substrate) is compared with the approximate information of the first substrate, and the approximate information of the approximate information of the first substrate (the height of the substrate) Information) difference. The difference between the approximate plane information is also information indicating the distribution of the difference between the thickness of the first substrate and the thickness of the second substrate. In Fig. 9, the details of this step will be described. First, as in S104, the height of the substrate is measured in parallel with the alignment measurement in each sample shot area of the second substrate, and a value (approximate plane information) concerning the height of the substrate is calculated based on each measured value, The result is stored in the storage unit 18 (S301). Next, the control unit 13 acquires the approximate plane information of the first substrate and the approximate plane information of the second substrate stored in the storage unit 18 (S304). The control unit 13 compares the approximate surface information of the first substrate with the approximate surface information of the second substrate to calculate the difference between the approximate surface information (S305). When processing the third and subsequent substrates of the same lot, a calculation method of approximate surface information (reference value) serving as a comparison reference is determined prior to step S304 (S302). Further, the approximate plane information (reference value) calculated based on the determined calculation method is stored in the storage unit 18 (S303).

S302의 산출 방법의 결정은, 콘솔부(19)의 파라미터(92)의 입력 내용에 따라 행해진다. 산출 방법으로서는, 예를 들면, 동일한 로트의 처리가 완료한 복수의 기판의 근사면 정보(높이)의 평균값 또는 중간값을 사용하거나, 동일한 로트에 있어서 1매전에 처리가 완료한 기판의 근사면 정보를 사용하거나 하는 방법이 생각된다. 또한, 처리된 기판의 근사면 정보는, S301이나 S104에서 산출하고, 기억부(18)에 기억한 값이다.The determination of the calculation method of S302 is made according to the input contents of the parameter 92 of the console unit 19. [ As the calculation method, for example, an average value or an intermediate value of the approximate plane information (height) of a plurality of substrates processed in the same lot may be used, or approximate plane information of the substrate processed in one lot in the same lot Or the like is used. The approximated surface information of the processed substrate is a value calculated in S301 or S104 and stored in the storage unit 18. [

S103에서 산출된 근사면 정보간의 차분은, S105에서, 콘솔부(19)에 입력된 역치 93(높이) 및 역치 94(기울기)와 비교된다. 즉, 제1 기판의 근사면 정보와 제2 기판의 근사면 정보간의 차분이 허용 범위내인가 아닌가를 판단한다. 판단 결과에 근거하여, 예측 노광 위치에의 구동을 중지하는 것을 나타내는 플래그(이하, 간단히 "중지 플래그"라고 한다.)의 ＯＮ/ＯＦＦ가 결정된다. 그 차분이 역치를 초과한다(허용 범위외다)고 판단되었을 경우에는, 기억부(18)에 기억된 기판(2)의 노광 위치를 사용할 수 없다고 판단하고, S106에서 중지 플래그를 ＯＮ으로 한다.The difference between the approximate plane information calculated in S103 is compared with the threshold value 93 (height) and the threshold value 94 (slope) input to the console unit 19 in S105. That is, it is determined whether the difference between the approximate information of the first substrate and the approximate information of the second substrate is within the permissible range. ON / OFF of a flag indicating that driving to the predicted exposure position is stopped (hereinafter, simply referred to as "stop flag") is determined based on the determination result. When it is determined that the difference exceeds the threshold value (out of tolerance), it is determined that the exposure position of the substrate 2 stored in the storage unit 18 can not be used, and the stop flag is turned ON in S106.

S105에서 상기 차분이 역치를 초과하지 않는다(허용 범위내다)고 판단되었을 경우는, S106에 계속되어서 S107에서 도 5에 나타낸 노광 시퀀스가 실행된다. S105에서 상기 차분이 역치미만이라고 판단되었을 경우는, S105에 계속되어서 S107에서 도 5에 나타낸 노광 시퀀스가 실행된다. 우선, S201에서 기판 처리 매수가 1보다 큰가 아닌가를 판단한다. 여기에서는, 로트의 제2 기판을 처리하기 때문에, 1보다 크다고 판단되어, 처리가 S202에 이행한다. S202에서는, 중지 플래그가 ＯＦＦ인가 아닌가가 판단된다. 중지 플래그가 ＯＮ이라고 판단되었을 경우에는, 로트의 제1 기판을 노광할 경우와 동등한 시퀀스를 실행한다. 한편, 중지 플래그가 ＯＦＦ라고 판단했을 경우에는, 처리가 S203에 이행한다.If it is determined in S105 that the difference does not exceed the tolerance (within the permissible range), the exposure sequence shown in Fig. 5 is executed in S107 following S106. When it is determined in S105 that the difference is less than the threshold value, the exposure sequence shown in Fig. 5 is executed in S107 following S105. First, it is determined in S201 whether or not the number of processed substrates is greater than 1. Here, since the second substrate of the lot is processed, it is determined that it is larger than 1, and the process proceeds to S202. In S202, it is judged whether or not the stop flag is OFF. When it is determined that the stop flag is ON, a sequence equivalent to the case of exposing the first substrate of the lot is executed. On the other hand, if it is determined that the stop flag is OFF, the process proceeds to S203.

S203에서는, S214에서 기억부(18)에 기억한 제1 기판의 숏 영역의 노광 위치 및 S103에서 구한 근사면 정보간의 차분에 근거하여, 제2 기판의 숏 영역의 예측 노광 위치를 산출한다. 도 10에 있어서, 이 공정의 상세를 설명한다. 제2 기판의 퍼스트 숏 영역(예를 들면, 도 8에서 나타낸 숏 영역S1)을 노광할 경우를 생각한다. S401에서는, S214에서 기억부(18)에 보존된 제1 기판의 숏 영역S1의 노광 위치를 판독한다. S404에서는, 판독한 제1 기판의 숏 영역S1의 노광 위치를 기준 노광 위치(복수의 노광 영역 중 1개의 노광 영역의 기준 높이를 나타내는 제2기준정보)로 하고 해당 기준 노광 위치로부터 S103에서 구한 근사면 정보간의 차분을 빼서 예측 노광 위치를 산출한다.In S203, the predicted exposure position of the shot area of the second substrate is calculated based on the difference between the exposure position of the shot area of the first substrate stored in the storage unit 18 and the approximate surface information obtained in S103. In Fig. 10, the details of this step will be described. And a first shot region (for example, a shot region S1 shown in Fig. 8) of the second substrate is exposed. In step S401, the exposure position of the shot area S1 of the first substrate stored in the storage unit 18 is read in step S214. In step S404, the exposure position of the shot area S1 of the readout first substrate is set as a reference exposure position (second reference information indicating the reference height of one exposure area among a plurality of exposure areas) And the predicted exposure position is calculated by subtracting the difference between the surface information.

제3 기판부터, 다음의 S402 및 S403의 공정이 필요하다. S402에서는, 기준 노광 위치(기준값)의 산출 방법을 결정한다. S403에서는, 그 결정된 산출 방법에 근거하여, S401에서 기억부(18)로부터 취득한 노광 위치부터 기준 노광 위치(기준값)를 산출한다. 여기에서, 판독하는 노광 위치는, S214에서 기억된 제1 기판의 노광 위치뿐만 아니라, S207과 S210에서 기억된 제2 이후의 기판의 노광 위치도 포함된다. 또한, S402의 산출 방법의 결정은, S302와 같이 콘솔부(19)의 파라미터(92)의 입력 내용에 따라 행해진다. 여기에서, S302에서 평균 또는 중간값을 사용할 경우, S402에서 선택된 산출 방법은 같은 것이 바람직하다.From the third substrate, the following steps S402 and S403 are required. In S402, a calculation method of the reference exposure position (reference value) is determined. In step S403, based on the determined calculation method, the reference exposure position (reference value) is calculated from the exposure position acquired from the storage unit 18 in step S401. Here, the exposure position to be read includes not only the exposure position of the first substrate stored in S214, but also the exposure position of the second and subsequent substrates stored in S207 and S210. The determination of the calculation method of S402 is made in accordance with the input contents of the parameter 92 of the console unit 19 as in S302. Here, when an average or an intermediate value is used in S302, the calculation method selected in S402 is preferably the same.

도 11은, 기준 노광 위치(점선)와, S103에서 구한 차분을 고려하지 않았을 경우, 즉, 예측 노광 위치에의 구동을 행하지 않았을 경우의 실제의 노광 위치(실선)를 비교하는 그래프다. 도 11에 있어서, 종축은 노광 위치의 Z축 좌표를 나타내고, 횡축은 노광 영역(숏 영역)의 번호를 나타내고 있다. 도 11로부터, 기준 노광 위치와 실제의 노광 위치간에 오차가 있는 것을 알 수 있다.11 is a graph comparing actual exposure positions (solid lines) when the reference exposure position (dotted line) and the difference obtained in S103 are not considered, that is, when the drive to the predicted exposure position is not performed. In Fig. 11, the vertical axis indicates the Z axis coordinate of the exposure position, and the horizontal axis indicates the number of the exposure area (shot area). It can be seen from Fig. 11 that there is an error between the reference exposure position and the actual exposure position.

도 12는, S103에서 구한 차분Ｚｄｉｆｆ를 고려했을 경우, 즉 예측 노광 위치에의 구동을 위해 S404에서 산출한 예측 노광 위치(점선)와 실제의 노광 위치(실선)를 비교하는 그래프다. 도 12로부터, 그 오차가 작은 것을 알 수 있다. 즉, 포커싱 정밀도가 향상한다.12 is a graph for comparing the predicted exposure position (dotted line) calculated in S404 with the actual exposure position (solid line) in consideration of the difference Zdiff obtained in S103, that is, for driving to the predicted exposure position. 12, it can be seen that the error is small. That is, the focusing accuracy is improved.

S204에서는, 기판 스테이지(3)(기판2)를 S203에서 산출된 예측 노광 위치에 이동시킨다. 예측 노광 위치는, X, Y, Z, Ｑｘ, Ｑｙ, Ｑｚ의 6자유도에 대해서 얻어진다. 따라서, 기판(2)에 대해서, ＸＹ평면(기판(2)의 표면에 따르는 평면방향, 일부의 노광 영역의 높이 방향과 교차하는 평면방향)에서의 이동, Z축방향으로의 이동 및 각 축의 회전 방향으로의 이동을 동시에 실행할 수 있다. S205에서는, 포커스 계측을 실행한다. 포커스 계측 값과, 콘솔부(19)의 역치 95(Z축방향의 역치), 96(기울기의 역치)에 입력된 각 값과를 비교하고, 비교 결과에 근거하여, S207 및 S209의 어느쪽으로 이행할지를 판단한다(S206). 그 포커스 계측 값이 역치이내라고 판단되었을 경우에, S207에서 노광 처리를 실행함과 동시에, 노광 위치를 기억부(18)에 기억한다. 한편, 그 포커스 계측 값이 역치를 초과한다고 판단했을 경우에는, S209에서 포커싱 구동을 행하고, S210에서 노광 처리를 실행함과 동시에, 노광 위치를 기억부(18)에 기억한다. 또한, S207 또는 S210에서 기억된 값은, S214와 같은 위치 좌표이며, 노광시에 포커스 계측을 해서 얻어진 포커스 오차를 반영시킨 값이어도 된다. 최후에, S208에 있어서, 모든 노광 영역의 처리가 완료했는지를 판단한다. 모든 노광 영역의 처리가 완료하지 않았다고 판단되었을 경우에는, 처리가 S201에 되돌아가고, 노광 공정을 재실행한다. 도 8에 나타낸 예에서는, 숏 영역S1부터 숏 영역S2에 이동하고, 숏 영역S2에 대한 노광 공정을 실행한다. 한편, 모든 노광 영역의 처리가 완료했다고 판단했을 경우에는, 도 4의 S108의 처리로 진행한다. 또한, S108이후의 공정은, 상술한 대로다.In S204, the substrate stage 3 (substrate 2) is moved to the predicted exposure position calculated in S203. The predicted exposure position is obtained for six degrees of freedom of X, Y, Z, Qx, Qy, and Qz. Therefore, with respect to the substrate 2, movement in the XY plane (plane direction along the surface of the substrate 2, plane direction intersecting the height direction of a part of the exposure area), movement in the Z axis direction, and rotation Direction can be simultaneously executed. In S205, focus measurement is performed. The focus measurement value is compared with each value input to the threshold value 95 (threshold value in the Z-axis direction) and 96 (threshold value of the gradient) of the console unit 19 and the transition to S207 and S209 (S206). When it is determined that the focus measurement value is within the threshold value, the exposure processing is executed in S207 and the exposure position is stored in the storage section 18. [ On the other hand, when it is determined that the focus measurement value exceeds the threshold value, the focusing drive is performed in S209, the exposure process is performed in S210, and the exposure position is stored in the storage section 18. [ The value stored in S207 or S210 may be a position coordinate as shown in S214, and may be a value reflecting the focus error obtained by performing focus measurement at the time of exposure. Finally, in S208, it is determined whether or not the processing of all the exposure areas has been completed. If it is determined that the processing of all the exposure areas has not been completed, the process returns to S201 to execute the exposure process again. In the example shown in Fig. 8, the shot area S1 moves from the shot area S1 to the shot area S2, and the exposure process for the shot area S2 is performed. On the other hand, if it is determined that the processing of all the exposure areas has been completed, the process proceeds to step S108 of Fig. The steps after S108 are as described above.

다음에, 기판의 숏 영역을 노광하는 순번에 대해서 설명한다. 도 13은, 로트의 제1 기판의 노광 순번을 도시한 도면이다. 로트의 선두의 기판에 있어서는, 도 13의 숏 영역S1, S2, ...의 순서대로 노광을 행한다. 도 14에 도시한 바와 같이, 배열 방향의 끝에 위치하는 숏 영역S2에 있어서, 5개의 계측점(도 2의 참조부호 21∼25) 중 2개의 계측점에서만 계측할 수 있다. 그 때문에, 소정의 방향의 기울기를 계측할 수 없다. 그러므로, 3개 이상의 계측점에서 높이를 계측 가능, 즉 기울기 계측이 가능한 숏 영역S1을 먼저 노광하고, 노광시에 얻어진 계측 값을 사용해서 포커스 구동을 해서 숏 영역S2을 노광하고 나서, 숏 영역S3, S4의 순서로 노광을 행한다.Next, the order of exposing the shot area of the substrate will be described. 13 is a diagram showing the exposure sequence of the first substrate of the lot. In the substrate at the head of the lot, exposure is performed in the order of the shot areas S1, S2, ... in Fig. As shown in Fig. 14, in the shot area S2 located at the end of the arrangement direction, only two of the five measurement points (21 to 25 in Fig. 2) can be measured. Therefore, the tilt in the predetermined direction can not be measured. Therefore, the shot area S1 capable of measuring the height at three or more measurement points, that is, the tilt measurement is first exposed, the shot area S2 is exposed by performing focus drive using the measurement value obtained at the time of exposure, The exposure is performed in the order of S4.

도 15는, 로트의 제2 이후의 기판의 노광 순번을 도시한 도면이다. 상기 제2 이후의 기판에 있어서는, 도 15의 숏 영역S1, S2, ...의 순서로 노광을 행한다. 도 15에 있어서, 배열 방향의 끝에 위치된 숏 영역으로부터 순번으로 노광을 행하는 것으로, 도 13의 노광 순번보다 더 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 상술한 대로 예측 노광 위치를 산출해서 보정구동에 사용하기 때문에, 스루풋과 포커스 정밀도의 양쪽을 만족시킬 수 있다.Fig. 15 is a diagram showing the exposure sequence of the second and subsequent substrates of the lot. Fig. In the second and subsequent substrates, exposure is performed in the order of the shot areas S1, S2, ... in Fig. In FIG. 15, by performing exposure sequentially from the shot areas positioned at the end of the arrangement direction, it is possible to improve the throughput more than the exposure sequence number in FIG. Further, since the predictive exposure position is calculated and used for the correction drive as described above, both of the throughput and the focus accuracy can be satisfied.

(물품 제조 방법)(Article manufacturing method)

본 발명의 실시예에 따른 물품 제조 방법은, 반도체 소자 등과 같은 마이크로 소자나, 마이크로구조를 갖는 구성요소 등과 같은 물품을 제조할 때 바람직하다. 그 물품 제조법은, 상술한 노광장치를 사용하여 피사체의 잠상 패턴을 형성하는 단계(예를 들면, 노광 처리); 및 그 잠상 패턴을 이전의 단계에서 형성한 상기 피사체를 현상하는 단계를 포함하여도 된다. 또한, 상기 물품 제조법은, 그 밖의 공지의 단계들(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함하여도 된다. 본 실시예의 소자 제조 방법은, 종래의 소자 제조 방법과 비교하여, 소자의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 이점이 있다.The method of manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is preferable when manufacturing an article such as a micro element such as a semiconductor element or a component having a micro structure. The article manufacturing method includes the steps of forming a latent image pattern of an object using the above-described exposure apparatus (for example, exposure processing); And developing the latent image pattern formed on the subject in a previous step. The article manufacturing method may also include other known steps (oxidation, deposition, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The device manufacturing method of the present embodiment is advantageous in at least one of device performance, quality, productivity, and production cost as compared with the conventional device manufacturing method.

본 발명을 실시예들을 참조하여 기재하였지만, 본 발명은 상기 개시된 실시예들에 한정되지 않는다는 것을 알 것이다. 아래의 청구항의 범위는, 모든 변형예와, 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 폭 넓게 해석해야 한다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The scope of the following claims is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass all modifications and equivalent structures and functions.

본 출원은, 여기서 전체적으로 참고로 포함된, 2015년 4월 15일에 출원된 일본국 특허출원번호 2015-083484와, 2016년 3월 30일에 출원된 일본국 특허출원번호 2016-067408의 이점을 청구한다.This application claims the benefit of Japanese Patent Application No. 2015-083484, filed April 15, 2015, and Japanese Patent Application No. 2016-067408, filed March 30, 2016, both of which are incorporated herein by reference in their entirety. I claim.

1:축소 투영 렌즈계 2:기판 3:기판 스테이지 4:조명용 광원 5:조명용 렌즈 6:마스크 7:결상 렌즈 8:절곡 미러 9:절곡 미러 10:검출 렌즈 11:위치 검출 소자 21~25:계측점 100: 노광 영역 1: a zoom lens system 2: a substrate 3: a substrate stage 4: an illumination light source 5: an illumination lens 6: a mask 7: an image forming lens 8: a bending mirror 9: a bending mirror 10: a detection lens 11: : Exposure area

Claims (23)

기판상의 복수의 노광 영역을 노광하는 노광 방법으로서,
대상 기판보다 먼저 노광된 기판에 대해 기준 높이를 나타내는 제1 높이 정보를 취득하는 단계;
상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 일부의 노광 영역의 높이를 계측하는 단계;
상기 계측 단계에서의 계측 결과에 근거하여, 상기 대상 기판의 높이를 나타내는 제2 높이 정보를 취득하는 단계;
상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 1개의 노광 영역의 높이를, 상기 1개의 노광 영역에 대해 기준 높이를 나타내는 제3 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여 산출하는 단계; 및
상기 산출 단계에서 산출된 상기 1개의 노광 영역의 높이에 근거하여, 상기 대상 기판을 이동시킨 후에, 상기 대상 기판상의 상기 1개의 노광 영역을 노광하는 단계를 포함하는, 노광 방법.
An exposure method for exposing a plurality of exposure areas on a substrate,
Acquiring first height information indicating a reference height with respect to a substrate exposed earlier than a target substrate;
Measuring a height of a portion of the plurality of exposure regions on the target substrate;
Acquiring second height information indicating a height of the target substrate based on a measurement result in the measuring step;
Calculating a height of one of the plurality of exposure areas on the target substrate based on the third height information indicating the reference height with respect to the one exposure area, the first height information, and the second height information ; And
And exposing the one exposure area on the target substrate after moving the target substrate based on the height of the one exposure area calculated in the calculating step.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 높이 정보와 상기 제2 높이 정보간의 차분이 허용 범위내인가 아닌가를 판단하는 단계를 포함하고,
상기 산출 단계는, 상기 차분이 상기 허용 범위내일 경우 행해지는, 노광 방법.
The method according to claim 1,
And determining whether a difference between the first height information and the second height information is within an allowable range,
Wherein the calculating step is performed when the difference is within the allowable range.
제 1 항에 있어서,
상기 계측 단계는, 일부의 노광 영역의 높이 방향과 교차하는 평면방향의 위치의 계측과 병행하여 행해지는, 노광 방법.
The method according to claim 1,
Wherein said measuring step is performed in parallel with measurement of a position in a plane direction crossing a height direction of a part of the exposure area.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 높이 정보는, 상기 대상 기판보다 먼저 노출된 상기 복수의 기판의 높이들의 평균값 또는 중간값을 사용해서 산출된 정보인, 노광 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first height information is information calculated using an average value or an intermediate value of heights of the plurality of substrates exposed before the target substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 제3 높이 정보는, 상기 대상 기판상의 상기 1개의 노광 영역에 대응하는 위치에서 상기 대상 기판보다 먼저 노광된 상기 기판상의 1개의 노광 영역의 높이에 근거하여 산출된 정보인, 노광 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the third height information is information calculated based on a height of one exposure area on the substrate exposed before the target substrate at a position corresponding to the one exposure area on the target substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 제3 높이 정보는, 복수의 기판 중 상기 대상 기판상의 1개의 노광 영역에 대응하는 위치에서 상기 대상 기판보다 먼저 노광된 각 기판의 1개의 노광 영역의 높이를 나타내는, 복수의 값의 평균값이나 그 복수의 값 중 하나를 사용하여 산출되는, 노광 방법.
The method according to claim 1,
The third height information may be an average value of a plurality of values indicating a height of one exposure area of each substrate exposed prior to the target substrate at a position corresponding to one exposure area on the target substrate among the plurality of substrates, Wherein the exposure dose is calculated using one of a plurality of values.
제 4 항에 있어서,
상기 복수의 기판은 동일한 로트에 포함되는, 노광 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the plurality of substrates are included in the same lot.
제 7 항에 있어서,
상기 로트의 제1 기판에 있어서 소정의 배열 방향의 끝에 위치된 노광 영역의 3개 이상의 계측점에서 높이를 계측할 수 없을 경우, 상기 끝의 상기 노광 영역과 다르고 3개 이상의 계측점에서 높이를 계측 가능한 노광 영역은, 먼저 노광되며, 상기 끝에 위치된 상기 노광 영역이 상기 로트의 제2 기판에서 먼저 노광되도록 노광 순번을 결정하는, 노광 방법.
8. The method of claim 7,
Wherein when the height can not be measured at three or more measurement points of the exposure region positioned at the end of the predetermined arrangement direction of the first substrate of the lot, exposure can be performed at three or more measurement points different from the exposure region at the end Region is exposed first, and the exposure sequence located at the end is firstly exposed in the second substrate of the lot.
제 1 항에 있어서,
상기 노광 단계는,
상기 산출 단계에서 산출된 상기 1개의 노광 영역의 상기 높이로 상기 대상 기판을 이동시킨 후에 상기 1개의 노광 영역의 높이를 계측하는 단계; 및
상기 1개의 노광 영역을 노광하기 전에 상기 1개의 노광 영역의 높이를 계측하는 단계의 계측 결과에 근거하여 다시 상기 기판을 이동시킬 것인가 아닌가를 판단하는 단계를 포함하는, 노광 방법.
The method according to claim 1,
The step of exposing,
Measuring a height of the one exposure area after moving the target substrate to the height of the one exposure area calculated in the calculating step; And
And determining whether to move the substrate again based on the measurement result of the step of measuring the height of the one exposure area before exposing the one exposure area.
기판상의 복수의 노광 영역을 노광하는 노광 방법으로서,
제1기판상의 복수의 노광 영역 중 적어도 일부의 노광 영역의 높이 정보에 근거하여, 상기 제1기판과 다른 제2기판보다 먼저 노광된, 상기 제1기판의 제1 높이 정보를 취득하는 단계;
상기 제2기판상의 복수의 노광 영역 중 적어도 일부의 노광 영역의 높이 정보에 근거하여, 상기 제2기판의 제2 높이 정보를 취득하는 단계;
제1노광 영역의 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여, 상기 제1기판상의 상기 복수의 노광 영역 중 상기 제1노광 영역에 대응하는 위치에서, 상기 제2기판상의 상기 복수의 노광 영역 중, 제2노광 영역의 예측 높이를 산출하는 단계; 및
상기 산출 단계에서 산출한 상기 예측 높이로 상기 제2기판을 이동시킨 후에, 상기 제2노광 영역을 노광하는 단계를 포함하는, 노광 방법.An exposure method for exposing a plurality of exposure areas on a substrate,
Acquiring first height information of the first substrate exposed prior to the second substrate different from the first substrate, based on height information of at least a part of a plurality of exposure areas on the first substrate;
Acquiring second height information of the second substrate based on height information of at least a part of the exposure areas on the second substrate;
A second height information of the first substrate, a height information of the first exposure area, the first height information, and the second height information on the second substrate, at a position corresponding to the first exposure area among the plurality of exposure areas on the first substrate, Calculating a predicted height of the second exposure area, out of the plurality of exposure areas; And
And exposing the second exposure region after moving the second substrate to the predicted height calculated in the calculating step. 제 1 항에 있어서,
상기 1개의 노광 영역의 상기 높이는, 상기 산출 단계에서의 상기 제1 높이 정보와 상기 제2 높이 정보간의 차분과, 상기 제3 높이 정보에 근거하여, 산출되는, 노광 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the height of the one exposure area is calculated based on a difference between the first height information and the second height information in the calculating step and the third height information.
제 10 항에 있어서,
상기 예측 높이는, 상기 산출 단계에서의 상기 제1 높이 정보와 상기 제2 높이 정보간의 차분과, 상기 제1노광 영역의 상기 높이 정보에 근거하여, 산출되는, 노광 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the predicted height is calculated based on a difference between the first height information and the second height information in the calculating step and the height information of the first exposure area.
제 10 항에 있어서,
상기 제1 높이 정보와 상기 제2 높이 정보간의 차분이 허용 범위내인가 아닌가를 판단하는 단계를 포함하고,
상기 산출 단계는, 상기 차분이 상기 허용 범위내일 경우 행해지는, 노광 방법.
11. The method of claim 10,
And determining whether a difference between the first height information and the second height information is within an allowable range,
Wherein the calculating step is performed when the difference is within the allowable range.
제 10 항에 있어서,
상기 제1기판과 상기 제2기판은, 동일한 로트에 포함되는, 노광 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the first substrate and the second substrate are included in the same lot.
제 10 항에 있어서,
상기 노광 단계는,
상기 제2기판을 상기 예측 높이로 이동시킨 후에 상기 제2노광 영역의 높이를 계측하는 단계; 및
상기 제2노광 영역을 노광하기 전에 상기 계측 단계의 계측 결과에 근거하여 다시 상기 제2기판을 이동시킬 것인가 아닌가를 판단하는 단계를 포함하는, 노광 방법.
11. The method of claim 10,
The step of exposing,
Measuring a height of the second exposure region after moving the second substrate to the predicted height; And
And determining whether to move the second substrate again based on a measurement result of the measurement step before exposing the second exposure area.
기판상의 복수의 노광 영역을 노광하는 노광 장치로서,
상기 기판을 유지 및 이동시키는 스테이지;
상기 스테이지를 구동하는 구동부;
상기 구동부의 구동 지령을 생성하는 생성부; 및
대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 일부 노광 영역의 높이를 계측하는 계측부를 구비하고,
상기 생성부는,
상기 대상 기판보다 먼저 노광된 기판에 대해 기준 높이를 나타내는 제1 높이 정보와, 상기 계측부에 의한 계측 결과에 근거하여 상기 대상 기판의 높이를 나타내는 제2 높이 정보를 취득하는 단계와,
상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 1개의 노광 영역의 높이를, 상기 1개의 노광 영역에 대해 기준 높이를 나타내는 제3 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여 산출하는 단계와,
상기 1개의 노광 영역의 상기 산출된 높이에 근거하여 상기 구동부의 구동 지령을 생성하는 단계를 실행하고,
상기 1개의 노광 영역은, 상기 구동부가 상기 생성부에 의해 생성된 상기 구동 지령에 근거하여 상기 기판을 이동시킨 후에 노광되는, 노광장치.
An exposure apparatus for exposing a plurality of exposure regions on a substrate,
A stage for holding and moving the substrate;
A driving unit for driving the stage;
A generator for generating a driving command for driving the driving unit; And
And a measuring unit for measuring a height of a part of the plurality of exposure areas on the target substrate,
Wherein the generation unit comprises:
Acquiring first height information indicating a reference height with respect to a substrate exposed earlier than the target substrate and second height information indicating a height of the target substrate based on a measurement result obtained by the measuring unit;
Calculating a height of one of the plurality of exposure areas on the target substrate based on the third height information indicating the reference height with respect to the one exposure area, the first height information, and the second height information Wow,
A step of generating a driving instruction of the driving unit based on the calculated height of the one exposure area,
Wherein the one exposure area is exposed after the drive unit moves the substrate based on the drive command generated by the generation unit.
제 16 항에 있어서,
상기 제 1 높이 정보는, 상기 대상 기판보다 먼저 노광된 복수의 기판의 평균값 또는 중간값을 사용해서 산출된 정보인, 노광장치.
17. The method of claim 16,
Wherein the first height information is information calculated using an average value or an intermediate value of a plurality of substrates exposed earlier than the target substrate.
물품의 제조방법으로서,
기판상의 복수의 노광 영역을 순차 노광하는 노광 장치를 사용해서 기판을 노광하는 단계; 및
상기 노광 단계에서 노광된 상기 기판을 현상하는 단계를 포함하고,
상기 노광 장치는,
상기 기판을 유지 및 이동시키는 스테이지;
상기 스테이지를 구동하는 구동부;
상기 구동부의 구동 지령을 생성하는 생성부; 및
상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 일부의 노광 영역의 높이를 계측하는 계측부를 구비하고,
상기 생성부는,
상기 대상 기판보다 먼저 노광된 기판에 대해 기준 높이를 나타내는 제1 높이 정보와, 상기 계측부에 의한 계측 결과에 근거하여 상기 대상 기판의 높이를 나타내는 제2 높이 정보를 취득하는 단계와,
상기 대상 기판상의 복수의 노광 영역 중 1개의 노광 영역의 높이를, 상기 1개의 노광 영역에 대해 기준 높이를 나타내는 제3 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여 산출하는 단계와,
상기 1개의 노광 영역의 상기 산출된 높이에 근거하여 상기 구동부의 구동 지령을 생성하는 단계를 실행하고,
상기 1개의 노광 영역은, 상기 구동부가 상기 생성부에 의해 생성된 상기 구동 지령에 근거하여 상기 기판을 이동시킨 후에 노광되는, 물품의 제조방법.
A method of manufacturing an article,
Exposing a substrate using an exposure apparatus that sequentially exposes a plurality of exposure regions on a substrate; And
And developing the exposed substrate in the exposure step,
The exposure apparatus includes:
A stage for holding and moving the substrate;
A driving unit for driving the stage;
A generator for generating a driving command for driving the driving unit; And
And a measuring unit for measuring a height of a part of the exposure areas on the target substrate,
Wherein the generation unit comprises:
Acquiring first height information indicating a reference height with respect to a substrate exposed earlier than the target substrate and second height information indicating a height of the target substrate based on a measurement result obtained by the measuring unit;
Calculating a height of one of the plurality of exposure areas on the target substrate based on the third height information indicating the reference height with respect to the one exposure area, the first height information, and the second height information Wow,
A step of generating a driving instruction of the driving unit based on the calculated height of the one exposure area,
Wherein the one exposure area is exposed after the driving unit moves the substrate based on the driving command generated by the generating unit.
제 18 항에 있어서,
상기 제1 높이 정보는, 상기 대상 기판보다 먼저 노광된 복수의 기판의 평균값 또는 중간값을 사용해서 산출된 정보인, 물품 제조방법,
19. The method of claim 18,
Wherein the first height information is information calculated using an average value or an intermediate value of a plurality of substrates exposed earlier than the target substrate,
기판상의 복수의 노광 영역을 노광하는 노광 장치로서,
상기 기판을 유지 및 이동시키는 스테이지;
상기 스테이지를 구동하는 구동부; 및
상기 구동부의 구동 지령을 생성하는 생성부를 구비하고,
상기 생성부는,
제1 기판상의 복수의 노광 영역 중 적어도 일부의 노광 영역의 높이 정보에 근거하여, 상기 제1 기판과 다른 제2 기판보다 먼저 노광된, 상기 제1 기판의 제1 높이 정보를 취득하고, 상기 제2 기판상의 복수의 노광 영역 중 적어도 일부의 노광 영역의 높이 정보에 근거하여, 상기 제2 기판의 제2 높이 정보를 취득하는 단계와,
제1 노광 영역의 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여, 상기 제1 기판상의 상기 복수의 노광 영역 중 상기 제1 노광 영역에 대응하는 위치에서, 상기 제2 기판상의 상기 복수의 노광 영역 중, 제2 노광 영역의 예측 높이를 산출하는 단계와,
상기 제2 노광 영역의 상기 산출된 예측 높이에 근거하여 상기 구동부의 구동 지령을 생성하는 단계를 실행하고,
상기 제2 노광 영역은, 상기 구동부가 상기 생성부에 의해 생성된 상기 구동 지령에 근거하여 상기 제2 기판을 이동시킨 후에 노광되는, 노광장치.
An exposure apparatus for exposing a plurality of exposure regions on a substrate,
A stage for holding and moving the substrate;
A driving unit for driving the stage; And
And a generator for generating a drive command of the drive unit,
Wherein the generation unit comprises:
Acquiring first height information of the first substrate exposed prior to the second substrate different from the first substrate based on height information of at least a part of the exposure areas on the first substrate, Acquiring second height information of the second substrate based on height information of at least a part of a plurality of exposure areas on the substrate;
A second height information of the first substrate, a height information of the first exposure area, the first height information, and the second height information on the second substrate, at a position corresponding to the first exposure area among the plurality of exposure areas on the first substrate, Calculating a predicted height of the second exposure area from among the plurality of exposure areas,
And driving the driving unit based on the calculated predicted height of the second exposure area Executing a step of generating a command,
Wherein the second exposure area is exposed after the second substrate is moved based on the drive command generated by the generation unit.
제 20 항에 있어서,
상기 예측 높이는, 상기 제1 노광 영역의 높이 정보와, 상기 산출 단계에서의 상기 제1 높이 정보와 상기 제2 높이 정보의 차분에 근거하여 산출되는, 노광장치.
21. The method of claim 20,
Wherein the predicted height is calculated based on height information of the first exposure area and a difference between the first height information and the second height information in the calculating step.
물품의 제조방법으로서,
기판상의 복수의 노광 영역을 순차 노광하는 노광 장치를 사용해서 기판을 노광하는 단계; 및
상기 노광 단계에서 노광된 상기 기판을 현상하는 단계를 포함하고,
상기 노광 장치는,
상기 기판을 유지 및 이동시키는 스테이지;
상기 스테이지를 구동하는 구동부; 및
상기 구동부의 구동 지령을 생성하는 생성부를 구비하고,
상기 생성부는,
제1 기판상의 복수의 노광 영역 중 적어도 일부의 노광 영역의 높이 정보에 근거하여, 상기 제1 기판과 다른 제2 기판보다 먼저 노광된, 상기 제1 기판의 제1 높이 정보와, 상기 제2 기판상의 복수의 노광 영역 중 적어도 일부의 노광 영역의 높이 정보에 근거하여, 상기 제2 기판의 제2 높이 정보를 취득하는 단계와,
제1 노광 영역의 높이 정보, 상기 제1 높이 정보 및 상기 제2 높이 정보에 근거하여, 상기 제1 기판상의 상기 복수의 노광 영역 중 상기 제1 노광 영역에 대응하는 위치에서, 상기 제2 기판상의 상기 복수의 노광 영역 중, 제2 노광 영역의 예측 높이를 산출하는 단계와,
상기 제2 노광 영역의 상기 산출된 예측 높이에 근거하여, 상기 구동부의 구동 지령을 생성하는 단계를 실행하고,
상기 제2 노광 영역은, 상기 구동부가 상기 생성부에 의해 생성된 상기 구동 지령에 근거하여 상기 기판을 이동시킨 후에 노광되는, 물품의 제조방법.
A method of manufacturing an article,
Exposing a substrate using an exposure apparatus that sequentially exposes a plurality of exposure regions on a substrate; And
And developing the exposed substrate in the exposure step,
The exposure apparatus includes:
A stage for holding and moving the substrate;
A driving unit for driving the stage; And
And a generator for generating a drive command of the drive unit,
Wherein the generation unit comprises:
The first height information of the first substrate exposed prior to the second substrate different from the first substrate and the second height information of the first substrate exposed on the basis of height information of at least a part of the exposure areas on the first substrate, Acquiring second height information of the second substrate based on height information of at least a part of the exposure areas of the plurality of exposure areas on the substrate,
A second height information of the first substrate, a height information of the first exposure area, the first height information, and the second height information on the second substrate, at a position corresponding to the first exposure area among the plurality of exposure areas on the first substrate, Calculating a predicted height of the second exposure area from among the plurality of exposure areas,
A step of generating a driving instruction of the driving unit based on the calculated predicted height of the second exposure area,
Wherein the second exposure region is exposed after the drive unit moves the substrate based on the drive command generated by the generation unit.
제 22 항에 있어서,
상기 예측 높이는, 상기 제1 노광 영역의 높이 정보와, 상기 산출 단계에서의 상기 제1 높이 정보와 상기 제2 높이 정보 사이의 차분에 근거하여 산출되는, 물품의 제조방법.
23. The method of claim 22,
Wherein the predicted height is calculated based on height information of the first exposure area and a difference between the first height information and the second height information in the calculating step.
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