KR20190015115A - 레이저 가공 장치 - Google Patents

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KR20190015115A
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laser
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wafer
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마사토시 나유키
게이지 노마루
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명의 과제는, 간이한 구성으로 레이저 광선을 분할 예정 라인의 폭 방향으로 흔들고 흔들림 속도를 고속화시키는 것이다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인을 따라서 레이저 가공하는 레이저 가공 장치(1)가, 레이저 광선을 출사하는 레이저 발진기(41)와, 레이저 발진기로부터 출사된 레이저광을 반사하는 폴리곤 미러(42)와, 폴리곤 미러에서 반사한 레이저 광선을 웨이퍼에 집광 조사하는 fθ 렌즈(44)를 포함한다. 폴리곤 미러의 각 반사면(43)이, 회전축(45)의 축 방향에 평행한 각도를 0도로 했을 때의 각도 0도의 0도 반사면(43a)과, 0도에서 플러스 방향으로 각도를 기울인 플러스 반사면(43b-43d)과, 0도에서 마이너스 방향으로 각도를 기울인 마이너스 반사면(43e-43g)으로 형성되고, 분할 예정 라인의 폭 내에서 가공 이송 방향에 직교하는 방향과 가공 이송 방향으로 레이저 광선을 요동시킨다.

Description

레이저 가공 장치{LASER MACHINING APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라서 레이저 가공하는 레이저 가공 장치에 관한 것이다.
웨이퍼의 표면에는 격자형으로 복수의 분할 예정 라인이 형성되어 있고, 분할 예정 라인으로 구획된 영역에는 IC, LSI 등의 각종 디바이스가 형성되어 있다. 종래 레이저 가공 장치로서, 웨이퍼에 대하여 레이저 광선을 분할 예정 라인을 따라서 조사하여 어블레이션 가공하는 것이 알려져 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). 어블레이션 가공에서는, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선이 분할 예정 라인을 따라서 조사되고, 레이저 광선의 조사 부위가 부분적으로 제거됨으로써 분할 예정 라인을 따르는 홈이 형성된다.
특허문헌 1: 일본 특허공개 평10-305420호 공보
그런데, 분할 예정 라인의 라인 폭은 웨이퍼의 종류에 따라 다르고, 라인 폭이 넓은 웨이퍼를 레이저 가공할 때는, 레이저 광선을 분할 예정 라인의 폭 방향으로 흔들 필요가 있다. 일반적으로는 한 쌍의 갈바노 스캐너와 fθ 렌즈를 이용함으로써 레이저 광선을 분할 예정 라인의 폭 방향으로 흔들어 홈 폭을 자유롭게 가변시킬 수 있다. 그러나, 한 쌍의 갈바노 스캐너의 미러의 각도를 고속으로 가변시켜 레이저 광선을 폭 방향으로 흔들 필요가 있기 때문에, 장치 구성이 복잡하게 된다고 하는 문제가 있었다. 또한, 레이저 광선을 흔드는 속도에 한층 더 고속화가 요구되고 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은, 간이한 구성으로 레이저 광선을 분할 예정 라인의 폭 방향으로 흔들 수 있고 흔들림 속도를 고속화시킬 수 있는 레이저 가공 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼를, 상기 분할 예정 라인을 따라서 레이저 광선을 집광 조사시켜 레이저 가공하는 레이저 가공 장치로서, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 이 척 테이블이 유지하는 웨이퍼의 상기 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼에 대하여 흡수성 파장의 레이저 광선을 집광 조사시켜 가공 홈을 형성하는 레이저 가공 유닛과, 상기 척 테이블과 상기 레이저 가공 유닛을 상대적으로 가공 이송하는 가공 이송 유닛을 구비하고, 이 레이저 가공 유닛은, 레이저 광선을 출사하는 레이저 발진기와, 회전축으로 회전하는 복수의 반사면을 갖는 폴리곤 미러와, 이 폴리곤 미러의 상기 반사면에서 반사한 레이저 광선을 입사하여 웨이퍼에 집광 조사시키는 fθ 렌즈를 포함하고, 상기 폴리곤 미러의 상기 반사면은, 상기 회전축의 축 방향에 대하여 평행한 방향을 0도로 하는 0도 반사면과, 이 0도로부터 플러스 방향으로 각도를 기울인 플러스 반사면과, 상기 0도로부터 마이너스 방향으로 각도를 기울인 마이너스 반사면을 구비하고, 상기 분할 예정 라인의 폭 내에서 가공 이송 방향에 대하여 직교하는 방향과 가공 이송 방향으로 레이저 광선을 요동시키는 레이저 가공 장치가 제공된다.
이 구성에 의하면, 폴리곤 미러에 레이저 광선이 조사됨으로써, 폴리곤 미러의 0도 반사면, 플러스 반사면, 마이너스 반사면에서 레이저 광선이 반사된다. 이때, 폴리곤 미러의 회전에 따른 0도 반사면, 플러스 반사면, 마이너스 반사면의 전환 및 폴리곤 미러의 회전에 따른 각 반사면에서의 레이저 광선에 대한 반사각의 변화에 의해서, 분할 예정 라인의 폭 내에서 가공 이송 방향에 대하여 직교하는 방향 및 가공 이송 방향으로 레이저 광선이 흔들리게 된다. 또한, 폴리곤 미러의 회전 속도에 의해서 레이저 광선의 흔들림 속도를 결정할 수 있다. 이와 같이, 간이한 구성으로 레이저 광선을 흔들 수 있고 레이저 광선의 흔들림 속도를 고속화시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 폴리곤 미러에 0도 반사면, 플러스 반사면, 마이너스 반사면을 형성함으로써, 간이한 구성에 의해서 분할 예정 라인의 폭 내에서 가공 이송 방향에 대하여 직교하는 방향과 가공 이송 방향으로 레이저 광선을 흔들 수 있다.
도 1은 본 실시형태의 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2a 및 도 2b는 비교예의 레이저 가공의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 실시형태의 레이저 광학계의 모식도이다.
도 4는 본 실시형태의 폴리곤 미러의 사시도이다.
도 5a~도 5e는 본 실시형태의 레이저 가공의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 6a~도 6c는 본 실시형태의 레이저 광선의 흔들림 폭 조정의 일례를 도시하는 모식도이다.
이하 첨부 도면을 참조하여 레이저 가공 장치에 관해서 설명한다. 도 1은 레이저 가공 장치의 사시도이다. 도 2는 비교예의 레이저 가공의 일례를 도시한 도면이다. 여기서, 레이저 가공 장치는 본 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법을 실시할 수 있는 구성이면 되며, 도 1에 도시하는 구성에 한정되지 않는다.
도 1에 도시한 것과 같이, 레이저 가공 장치(1)는, 레이저 광선을 조사하는 레이저 가공 유닛(40)과 웨이퍼(W)를 유지한 척 테이블(20)을 상대 이동시켜 웨이퍼(W)를 레이저 가공하도록 구성되어 있다. 웨이퍼(W)의 표면에는, 복수의 분할 예정 라인(L)이 격자형으로 배열되고, 분할 예정 라인(L)에 의해서 구획된 각 영역에 복수의 디바이스가 형성되어 있다. 웨이퍼(W)에는 보호 테이프(T)의 중앙 부분이 점착되고, 보호 테이프(T)의 외주 부분에는 환형 프레임(F)이 점착되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)는, 반도체 기판에 반도체 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼라도 좋고, 무기 재료 기판에 광 디바이스가 형성된 광 디바이스 웨이퍼라도 좋다.
레이저 가공 장치(1)의 베이스(10) 상에는, 레이저 가공 유닛(40)에 대하여 척 테이블(20)을 X축 방향 및 Y축 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 유닛(30)이 마련되어 있다. 가공 이송 유닛(30)은, 베이스(10) 상에 배치된 X축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(31)과, 한 쌍의 가이드 레일(31)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 X축 테이블(32)을 갖고 있다. 또한, 가공 이송 유닛(30)은, X축 테이블(32)의 상면에 배치되어 Y축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(33)과, 한 쌍의 가이드 레일(33)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 Y축 테이블(34)을 갖고 있다.
X축 테이블(32) 및 Y축 테이블(34)의 배면 측에는 각각 도시하지 않는 너트부가 형성되어 있고, 이들 너트부에 볼나사(35, 37)가 나사 결합되어 있다. 그리고, 볼나사(35, 37)의 일단부에 연결된 구동 모터(36, 38)가 회전 구동됨으로써, 척 테이블(20)이 가이드 레일(31, 33)을 따라서 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동된다. 또한, Y축 테이블(34) 상에는 웨이퍼(W)를 유지하는 척 테이블(20)이 마련되어 있다. 척 테이블(20)의 상면에는 유지면(21)이 형성되고, 척 테이블(20)의 주위에는 웨이퍼(W) 주위의 환형 프레임(F)을 협지 고정하는 클램프부(22)가 마련되어 있다.
척 테이블(20) 후방의 수직벽부(11)에는 아암부(12)가 돌출 설치되어 있고, 아암부(12)의 선단에는 척 테이블(20) 상의 웨이퍼(W)를 어블레이션 가공하는 레이저 가공 유닛(40)이 마련되어 있다. 레이저 가공 유닛(40)은, 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인(L)을 따라서 흡수성 파장의 레이저 광선을 집중 조사시켜 가공 홈을 형성한다. 여기서, 어블레이션이란, 레이저 광선의 조사 강도가 소정의 가공 임계치 이상으로 되면, 고체 표면에서 전자가 열적, 광과학적 및 역학적 에너지로 변환되고, 그 결과, 중성 원자, 분자, 양음의 이온, 라디칼, 클러스터, 전자, 빛이 폭발적으로 방출되어, 고체 표면이 에칭되는 현상을 말한다.
또한, 레이저 가공 장치(1)에는 장치 각 부를 통괄 제어하는 제어 유닛(50)이 마련되어 있다. 제어 유닛(50)은 각종 처리를 실행하는 프로세서나 메모리 등에 의해 구성된다. 메모리는 용도에 따라서 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등의 하나 또는 복수의 기억 매체로 구성된다. 메모리에는, 장치 각 부를 제어하는 제어 프로그램 외에, 레이저 가공 조건 등이 기억되어 있다. 레이저 가공 장치(1)에서는, 레이저 가공 유닛(40)에 대하여 척 테이블(20)이 가공 이송 방향으로 이동됨으로써, 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인(L)을 따라서 어블레이션 가공이 실시된다.
그런데, 도 2a의 비교예에 도시한 것과 같이, Low-k막(51)을 가진 웨이퍼(W)에서는, 메카니컬 다이싱에서는 막 박리가 생기기 쉽기 때문에, 어블레이션 가공과 메카니컬 다이싱을 조합하여 분할된다. 이 경우, 지면(紙面)에 대하여 수직인 방향으로 가공 이송이 실시되어 분할 예정 라인(L)(도 1 참조)을 따라서 Low-k막(51)이 제거된다. 가공 이송이 반복됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 소정 폭의 가공 홈(59)이 어블레이션 가공에 의해서 형성된다. 이에 따라, Low-k막(51)을 제거한 가공 홈(59)을 통해 웨이퍼(W)의 표면이 외부로 노출된다.
이 경우, 도 2b에 도시한 것과 같이, 어블레이션 가공에서는, 절삭 블레이드(55)가 Low-k막(51)에 접촉하지 않도록 절삭 블레이드(55)의 블레이드 폭보다도 넓게 분할 예정 라인(L)(도 1 참조)에 가공 홈(59)을 형성할 필요가 있다. 그러나, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향으로 넓게 가공 홈(59)을 형성하기 위해서는, 분할 예정 라인(L)을 따라서 몇 번이나 왕복하여 가공 이송을 반복해야만 한다. 또한, Low-k막(51)을 가진 웨이퍼(W)에 상관없이, 분할 예정 라인(L)에 비교적 넓은 가공 홈(57)을 어블레이션 가공으로 형성하는 경우에도 가공 이송을 반복하지 않으면 안 되어, 가공 시간이 길어진다고 하는 문제가 있다.
그래서, 본 실시형태에서는, 폴리곤 미러(42)(도 4 참조)의 반사면을 회전축의 축 방향에 대하여 평행한 반사면뿐만 아니라, 다양한 기울기를 가진 반사면으로 구성하도록 하고 있다. 이에 따라, 폴리곤 미러(42)가 회전함으로써, 분할 예정 라인(L)의 폭 내에서 가공 이송 방향에 대하여 직교하는 방향과 가공 이송 방향으로 레이저 광선을 요동하는 것이 가능하게 되고 있다. 분할 예정 라인(L)의 폭 방향으로 레이저 광선이 요동되면서 어블레이션 가공이 실시되기 때문에, 분할 예정 라인(L)을 따라서 가공 이송을 반복할 필요가 없어, 웨이퍼(W)에 대한 가공 시간을 단축하는 것이 가능하게 되고 있다.
이하 도 3 및 도 4를 참조하여 레이저 광학계에 관해서 설명한다. 도 3은 본 실시형태의 레이저 광학계의 모식도이다. 도 4는 본 실시형태의 폴리곤 미러의 사시도이다. 또한, 도 4는 폴리곤 미러의 일례를 도시하고 있으며, 폴리곤 미러는 0도 반사면, 마이너스 반사면, 플러스 반사면을 포함하는 다각형으로 형성되어 있으면 된다.
도 3에 도시한 것과 같이, 레이저 가공 유닛(40)에 수용된 레이저 광학계는, 레이저 발진기(41)로부터 출사된 레이저 광선을 폴리곤 미러(42)의 복수의 반사면(43)으로 반사시키고, fθ 렌즈(44)로 웨이퍼(W)에 집광 조사시키고 있다. 레이저 발진기(41)는, 웨이퍼(W)에 대하여 흡수성 파장의 레이저 광선을 폴리곤 미러(42)로 향해서 출사한다. 폴리곤 미러(42)는, 가공 이송 방향에 대하여 회전축(45)을 직교시키고 있고, 외주면에 마련한 복수의 반사면(43)에 의해서 fθ 렌즈(44)로 향해서 레이저 광선을 반사하고 있다. 폴리곤 미러(42)가 회전함으로써, 레이저 광선이 가공 이송 방향으로 흔들리고 있다.
또한, 폴리곤 미러(42)의 각 반사면(43)은, 회전축(45)의 축 방향에 대하여 다양한 기울기를 갖고 있고, 이 각 반사면(43)의 기울기에 의해서 레이저 광선이 가공 이송 방향에 직교하는 방향으로 흔들리고 있다. fθ 렌즈(44)는, 폴리곤 미러(42)의 각 반사면(43)에서 반사한 레이저 광선이 입사되어, 웨이퍼(W)에 대하여 수직으로 레이저 광선을 집광 조사한다. 이와 같이, 폴리곤 미러(42)로 레이저 광선의 fθ 렌즈(44)에 대한 입사 위치를 가변시켜, fθ 렌즈(44)에 의한 레이저 광선의 집광 스폿을 분할 예정 라인(L)(도 5 참조)의 폭 내에서 이동시킨다.
도 4에 도시한 것과 같이, 폴리곤 미러(42)의 각 반사면(43)은, 회전축(45)의 축 방향에 대하여 평행한 방향을 0도로 했을 때에, 0도를 기준으로 플러스 방향 및 마이너스 방향으로 기울어지고 있다. 즉, 각 반사면(43)은, 회전축(45)의 축 방향에 대하여 평행한 0도 반사면(43a), 0도에서 플러스 방향으로 각도를 기울인 플러스 반사면(43b-43d), 0도에서 마이너스 방향으로 각도를 기울인 마이너스 반사면(43e-43g)으로 구성되어 있다. 플러스 반사면(43b-43d)은 0도에서 플러스 방향으로 3 단계로 각도가 바뀌고 있고, 마이너스 반사면(43e-43g)은 0도에서 마이너스 방향으로 3 단계로 각도가 바뀌고 있다.
0도 반사면(43a)에서 레이저 광선이 반사되면, 분할 예정 라인(L)(도 5 참조)의 폭 방향의 중심에 레이저 광선이 조사된다. 플러스 반사면(43b-43d)에서 레이저 광선이 반사되면, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향의 일단 측으로 레이저 광선이 흔들린다. 마이너스 반사면(43e-43g)에서 레이저 광선이 반사되면, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향의 타단 측으로 레이저 광선이 흔들린다. 이와 같이, 폴리곤 미러(42)가 회전하여 회전축(45)에 대한 반사면(43)의 기울기가 전환됨으로써, 폴리곤 미러(42)에 반사된 레이저 광선이 분할 예정 라인(L)의 폭 방향으로 반복하여 움직이게 된다.
또한, 폴리곤 미러(42)의 회전에 의해서, 회전축(45)의 축 방향에서 봤을 때의 레이저 광선에 대한 각 반사면(43)의 반사각(φ)이 가변된다(도 5b 참조). 즉, 폴리곤 미러(42)의 회전에 의해서 각 반사면(43)의 레이저 광선의 반사각이 연속적으로 가변됨으로써, 폴리곤 미러(42)에 반사된 레이저 광선이 분할 예정 라인(L)의 길이 방향으로 움직이게 된다. 이와 같이, 반사면(43)의 회전축(45)의 축 방향에 대한 기울기와 폴리곤 미러(42)의 회전에 의한 반사면(43)의 반사각의 변화에 의해서, 분할 예정 라인(L)의 내측에서 폭 방향과 길이 방향으로 레이저 광선의 집광 스폿이 움직이게 되어 있다.
이때, 폴리곤 미러(42)의 회전 속도가 높아지면, 레이저 광선에 대한 폴리곤 미러(42)의 반사면(43)의 전환이 빨라지고 레이저 광선에 대한 각 반사면(43)의 반사각의 변화가 빨라진다. 이에 따라, 폴리곤 미러(42)의 회전 속도의 증가에 동반하여, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향 및 길이 방향에서의 레이저 광선의 흔들림 속도가 고속화된다. 따라서, 폴리곤 미러(42)의 회전 속도로 흔들림 속도를 조절할 수 있으므로, 갈바노 스캐너 등을 사용하는 구성과 비교하여 장치 구성을 간략화할 수 있고 레이저 광선의 흔들림 속도를 고속화시킬 수 있게 되어 있다.
이어서, 도 5 및 도 6을 참조하여 레이저 가공에 관해서 설명한다. 도 5는 본 실시형태의 레이저 가공의 일례를 도시한 도면이다. 도 6은 본 실시형태의 레이저 광선의 흔들림 폭 조정의 일례를 도시한 도면이다. 또한, 도 5 및 도 6의 분할 예정 라인 상의 화살표는, 가공 홈 형성 시의 레이저 광선의 조사 스폿의 이동 궤적을 나타내고 있다. 또한, 설명의 편의상, 분할 예정 라인 상에는 가공 홈 형성 시의 화살표만을 나타내고, 가공 홈에 관해서는 기재를 생략하고 있다.
도 5a에 도시한 것과 같이, 레이저 가공이 시작되면, 폴리곤 미러(42)가 회전되고 폴리곤 미러(42)의 반사면(43)으로 향해서 레이저 광선이 조사된다. 레이저 광선이 폴리곤 미러(42)의 마이너스 반사면(43g)에서 반사되면, 회전축(45)(도 4 참조)의 축 방향에 대한 마이너스 방향의 기울기에 의해서 레이저 광선이 fθ 렌즈(44)의 도시 우측 부근으로 입사된다. 레이저 광선은 fθ 렌즈(44)를 투과하여 웨이퍼(W)(도 5b 참조)의 분할 예정 라인(L)의 폭 방향의 우단 측으로 집광 조사되어, 도 5a에 도시한 것과 같이, 분할 예정 라인(L) 상의 우단 측의 화살표(Ag)를 따라서 어블레이션 가공되어 가공 홈이 형성된다.
이때, 도 5b에 도시한 것과 같이, 폴리곤 미러(42)가 회전함으로써, 폴리곤 미러(42)를 측방에서 봤을 때 마이너스 반사면(43g)의 반사각(φ)이 변화하고 있다. 레이저 광선이 작은 반사각(φ)으로 마이너스 반사면(43g)에 반사되면, 레이저 광선이 fθ 렌즈(44)의 앞쪽으로 입사되고, 레이저 광선이 큰 반사각(φ)으로 마이너스 반사면(43g)에 반사되면, 레이저 광선이 fθ 렌즈(44)의 안쪽으로 입사된다. fθ 렌즈(44)에 대한 레이저 광선의 입사 위치가 흔들림으로써, 분할 예정 라인(L)의 길이 방향에서 집광 스폿이 앞뒤로 흔들려 어블레이션 가공된다.
도 5c에 도시한 것과 같이, 폴리곤 미러(42)가 더욱 회전하여 마이너스 반사면(43f)에서 레이저 광선이 반사됨으로써, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향의 우측에서 2번째 화살표(Af)를 따라서 가공 홈이 형성된다. 마찬가지로, 마이너스 반사면(43e)에서 레이저 광선이 반사됨으로써, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향의 우측에서 3번째 화살표(Ae)를 따라서 가공 홈이 형성된다. 이때, 웨이퍼(W)가 가공 이송되고 있기 때문에, 분할 예정 라인(L)의 길이 방향으로 약간 틀어지면서 가공 홈이 폭 방향으로 나란하게 형성되고 있다. 그리고, 0도 반사면(43a)에서 레이저 광선이 반사됨으로써, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향 중심의 화살표(Aa)를 따라서 가공 홈이 형성된다.
도 5d에 도시한 것과 같이, 폴리곤 미러(42)가 더욱 회전하여 플러스 반사면(43b)에서 레이저 광선이 반사됨으로써, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향의 좌측에서 3번째 화살표(Ab)를 따라서 가공 홈이 형성된다. 마찬가지로, 플러스 반사면(43c)에서 레이저 광선이 반사됨으로써, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향의 좌측에서 2번째 화살표(Ac)를 따라서 가공 홈이 형성된다. 그리고, 플러스 반사면(43d)에서 레이저 광선이 반사됨으로써, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향의 좌단 측의 화살표(Ad)를 따라서 가공 홈이 형성된다. 분할 예정 라인(L)의 폭 내의 화살표(A)에 나타내는 것과 같이, 폴리곤 미러(42)의 반사면(43)의 수만큼 가공 홈이 비스듬하게 나란히 형성된다.
도 5e에 도시한 것과 같이, 폴리곤 미러(42)가 더욱 회전하면, 다시 마이너스 반사면(43g)에서 레이저 광선이 반사되어, 분할 예정 라인(L)의 우단 측에 2번째 열의 화살표(Ag)를 따라서 가공 홈이 형성된다. 이 동작이 반복됨으로써, 화살표에 나타내는 것과 같이, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향으로 복수의 가공 홈이 나란하게 형성되고, 분할 예정 라인(L)의 길이 방향으로 가공 홈의 열(列)이 소정의 간격으로 형성된다. 이와 같이, 회전축(45)(도 4 참조)에 대한 반사면(43)의 기울기가 다른 폴리곤 미러(42)로 레이저 광선을 반사시킴으로써, 레이저 광선의 집광 스폿을 가공 이송 방향 및 가공 이송 방향에 대한 직교 방향으로 움직일 수 있게 된다.
또한, 도 6a에 도시한 것과 같이, 분할 예정 라인(L) 상의 폭 방향으로는, 화살표(A)로 나타내는 복수의 가공 홈이 소정 피치(P)로 나란하게 형성되어 있다. 또한, 분할 예정 라인(L) 상의 길이 방향으로는, 화살표(A)로 나타내는 가공 홈의 열이 소정의 간격(D)을 두고서 형성되어 있다. 레이저 가공의 가공 품질을 향상시키기 위해서는, 분할 예정 라인(L)에 가공 홈이 간극없이 형성되도록 화살표(A)의 소정 피치(P) 및 소정 간격(D)을 좁히는 것이 바람직하다. 이 경우, 폴리곤 미러(42)의 반사면(43)(도 4 참조)의 수를 늘려, 회전축(45)의 축 방향에 대한 반사면(43)의 기울기를 보다 미세하게 바꿈으로써 소정 피치(P)를 좁게 할 수 있다.
구체적으로는, 본 실시형태에서는, 회전축(45)에 평행한 반사면(43) 외에, 플러스 방향에서 각도가 다른 3개의 반사면(43), 마이너스 방향에서 각도가 다른 3개의 반사면(43)의 계 7개의 반사면(43)으로, 7 단계로 가변한 반사면(43)의 기울기로 레이저 광선을 반사하고 있다(도 5 참조). 이 때문에, 폴리곤 미러(42)의 반사면(43)을 8개 이상으로 늘려 8 단계 이상으로 가변한 반사면(43)의 기울기로 레이저 광선을 반사하도록 한다. 이에 따라, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향으로 늘어선 복수의 가공 홈의 소정 피치(P)를 좁힐 수 있어, 분할 예정 라인(L)의 폭 방향으로 보다 많은 가공 홈을 형성할 수 있다.
또한, 척 테이블(20)의 이동 속도, 즉 웨이퍼(W)(도 1 참조)의 가공 이송 속도를 늦춤으로써, 분할 예정 라인(L)의 길이 방향에서 가공 홈의 소정 간격(D)을 좁힐 수 있다. 또한, 폴리곤 미러(42)(도 4 참조)의 회전 속도를 빠르게 함에 의해서도, 분할 예정 라인(L)의 길이 방향에서 가공 홈의 소정 간격(D)을 좁힐 수 있다. 이와 같이, 웨이퍼(W)의 가공 이송 속도에 대하여 폴리곤 미러(42)의 회전 속도를 상대적으로 높임으로써, 분할 예정 라인(L)의 길이 방향에서 레이저 광선이 조사되는 횟수를 늘려 분할 예정 라인(L)의 길이 방향으로 보다 많은 가공 홈을 형성할 수 있다.
더욱이, 도 6c에 도시한 것과 같이, 폴리곤 미러(42)와 fθ 렌즈(44)의 거리를 크게 잡음으로써, 분할 예정 라인(L)의 길이 방향에서 가공 홈의 소정 간격(D)을 좁힐 수 있다. 도 6b에 도시한 것과 같이, 폴리곤 미러(42)와 fθ 렌즈(44)의 거리가 가까우면, 레이저 광선의 분할 예정 라인(L)의 길이 방향의 흔들림의 양이 작아진다. 한편, 도 6c에 도시한 것과 같이, 폴리곤 미러(42)와 fθ 렌즈(44)의 거리가 멀면, 레이저 광선의 분할 예정 라인(L)의 길이 방향의 흔들림의 양이 커진다. 이와 같이, 레이저 광선의 분할 예정 라인(L)의 길이 방향의 흔들림의 양을 크게 하여, 가공 홈의 소정 간격(D)을 좁힐 수 있다.
이상과 같이 본 실시형태의 레이저 가공 장치(1)에 의하면, 폴리곤 미러(42)에 레이저 광선이 조사됨으로써, 폴리곤 미러(42)의 0도 반사면(43a), 플러스 반사면(43b-43d), 마이너스 반사면(43e-43g)에서 레이저 광선이 반사된다. 이때, 폴리곤 미러(42)의 회전에 따른 0도 반사면(43a), 플러스 반사면(43b-43d), 마이너스 반사면(43e-43g)의 전환에 의해서, 분할 예정 라인(L)의 폭 내에서 가공 이송 방향에 대하여 직교하는 방향으로 레이저 광선이 흔들리게 된다. 또한, 폴리곤 미러(42)의 회전에 따른 각 반사면(43)에서의 레이저 광선에 대한 반사각의 변화에 의해서, 가공 이송 방향으로 레이저 광선이 흔들리게 된다. 또한, 폴리곤 미러(42)의 회전 속도에 의해서, 레이저 광선의 흔들림 속도를 결정할 수 있다. 이와 같이, 간이한 구성으로 레이저 광선을 흔들 수 있고 레이저 광선의 흔들림 속도를 고속화시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 레이저 가공 유닛(40)에 수용된 레이저 광학계가 레이저 발진기(41), 폴리곤 미러(42), fθ 렌즈(44)로 구성되었지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 레이저 광학계는, 분할 예정 라인의 폭 내에서 가공 이송 방향에 대하여 직교하는 방향 및 가공 이송 방향으로 레이저 광선을 요동시키도록 구성되어 있으면 된다.
또한, 본 실시형태에서는 폴리곤 미러(42)의 반사면(43)이 회전축(45)의 축 방향에 대한 기울기 크기의 순으로 회전 방향으로 나란하게 형성되어 있지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 폴리곤 미러의 반사면은, 회전축의 축 방향에 대하여 다양한 각도로 기울어 형성되어 있으면 되며, 예컨대 플러스 반사면과 마이너스 반사면이 교대로 형성되어도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는 폴리곤 미러(42)의 회전축(45)이 분할 예정 라인(L)에 대하여 직교하는 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 폴리곤 미러의 회전축이 분할 예정 라인에 교차하는 방향이라도 좋고, 폴리곤 미러의 회전축이 분할 예정 라인에 평행한 방향이라도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는 레이저 가공에 의해서 웨이퍼(W)에 가공 홈이 형성되는 구성으로 했지만, 가공 홈은 웨이퍼(W)를 두께 방향에서 완전히 분단한 홈에 한하지 않고, 웨이퍼(W)를 두께 방향으로 부분적으로 절입한 홈이라도 좋다. 즉, 가공 홈이란 풀 컷트로 형성된 홈뿐만 아니라, 하프 컷트로 형성된 홈을 포함하고 있다.
또한, 본 실시형태에서는 웨이퍼(W)로서 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼를 예시하여 설명했지만, 웨이퍼는 분할 예정 라인이 형성된 CSP 기판 등의 패키지 기판이라도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는 가공 이송 유닛(30)으로서 볼나사식의 이동 기구를 예시하여 설명했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 가공 이송 유닛은 척 테이블과 레이저 가공 유닛을 상대적으로 가공 이송할 수 있으면 되며, 예컨대 리니어 모터식의 이동 기구나 랙 앤드 피니언식의 이동 기구로 구성되어도 좋다.
또한, 본 실시형태 및 변형예를 설명했지만, 본 발명의 다른 실시형태로서, 상기 실시형태 및 변형예를 전체적 또는 부분적으로 조합한 것이라도 좋다.
또한, 본 발명의 실시형태 및 변형예는 상기한 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 기술적 사상의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경, 치환, 변형되어도 좋다. 나아가서는, 기술의 진보 또는 파생하는 다른 기술에 의해서 본 발명의 기술적 사상을 다른 방법으로 실현할 수 있으면, 그 방법을 이용하여 실시되어도 좋다. 따라서, 청구범위는 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에 포함될 수 있는 모든 실시형태를 커버하고 있다.
또한, 본 실시형태에서는 본 발명을 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼를 어블레이션 가공하는 레이저 가공 장치에 적용하는 구성에 관해서 설명했지만, 레이저 광선을 흔들면서 가공하는 다른 가공 장치에 적용할 수 있다.
이상 설명한 것과 같이, 본 발명은, 간이한 구성으로 레이저 광선을 분할 예정 라인의 폭 방향으로 흔들 수 있고 흔들림 속도를 고속화시킬 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히 Low-k막을 가진 웨이퍼를 레이저 가공하는 레이저 가공 장치에 유용하다.
1: 레이저 가공 장치 20: 척 테이블
21: 유지면 30: 가공 이송 유닛
40: 레이저 가공 유닛 41: 레이저 발진기
42: 폴리곤 미러 43: 반사면
43a: 0도 반사면 43b-43d: 플러스 반사면
43e-43g: 마이너스 반사면 44: fθ 렌즈
45: 회전축 D: 소정 간격
L: 분할 예정 라인 W: 웨이퍼

Claims (1)

  1. 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼를, 상기 분할 예정 라인을 따라서 레이저 광선을 집광 조사시켜 레이저 가공하는 레이저 가공 장치로서,
    웨이퍼를 유지하는 척 테이블과,
    상기 척 테이블이 유지하는 웨이퍼의 상기 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼에 대하여 흡수성 파장의 레이저 광선을 집광 조사시켜 가공 홈을 형성하는 레이저 가공 유닛과,
    상기 척 테이블과 상기 레이저 가공 유닛을 상대적으로 가공 이송하는 가공 이송 유닛
    을 구비하고,
    상기 레이저 가공 유닛은, 레이저 광선을 출사하는 레이저 발진기와,
    회전축으로 회전하는 복수의 반사면을 갖는 폴리곤 미러와,
    상기 폴리곤 미러의 상기 반사면에서 반사한 레이저 광선을 입사하여 웨이퍼에 집광 조사시키는 fθ 렌즈를 포함하고,
    상기 폴리곤 미러의 상기 반사면은, 상기 회전축의 축 방향에 대하여 평행한 방향을 0도로 하는 0도 반사면과, 상기 0도에서 플러스 방향으로 각도를 기울인 플러스 반사면과, 상기 0도에서 마이너스 방향으로 각도를 기울인 마이너스 반사면을 구비하고,
    상기 분할 예정 라인의 폭 내에서 가공 이송 방향에 대하여 직교하는 방향과 가공 이송 방향으로 레이저 광선을 요동시키는 것인 레이저 가공 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210133917A (ko) * 2019-03-29 2021-11-08 가부시기가이샤 디스코 기판 처리 방법
KR20210158165A (ko) * 2020-06-23 2021-12-30 한국기계연구원 폴리곤 스캐너를 포함하는 레이저 가공 장치

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7285067B2 (ja) * 2018-10-30 2023-06-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US11897056B2 (en) * 2018-10-30 2024-02-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing device and laser processing method
USD917585S1 (en) * 2018-10-31 2021-04-27 Hamamatsu Photonics K.K. Wafer processing machine for producing semiconductors
JP1630148S (ko) * 2018-10-31 2019-04-22
JP1629892S (ko) * 2018-10-31 2019-04-22
JP1633756S (ko) * 2018-10-31 2019-06-10
JP1643723S (ko) * 2018-10-31 2019-10-21
JP1629891S (ko) * 2018-10-31 2019-04-22
US11724401B2 (en) * 2019-11-13 2023-08-15 Nvidia Corporation Grasp determination for an object in clutter
USD961639S1 (en) * 2020-02-11 2022-08-23 Autonics Corporation Laser processing machine
WO2021181766A1 (ja) * 2020-03-11 2021-09-16 日東電工株式会社 複合材の分断方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
US6800859B1 (en) * 1998-12-28 2004-10-05 Hitachi, Ltd. Method and equipment for detecting pattern defect
JP2001083452A (ja) * 1999-09-17 2001-03-30 Hitachi Ltd レーザビームの走査方法およびその装置
EP1910013A2 (en) * 2005-07-13 2008-04-16 Picodeon Ltd OY Radiation arrangement
JP2013527120A (ja) * 2010-06-03 2013-06-27 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク 重ね合わせスキャン要素を用いた単一スキャンラインスキャン結晶化
TW201332691A (zh) * 2012-02-09 2013-08-16 Shuz Tung Machinery Ind Co Ltd 變動聚焦之雷射切割方法及裝置
JP2016068149A (ja) * 2014-10-02 2016-05-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
KR102309213B1 (ko) * 2015-03-06 2021-10-05 인텔 코포레이션 레이저 빔 조향용 음향 광학 편향기 및 거울
JP6434360B2 (ja) * 2015-04-27 2018-12-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210133917A (ko) * 2019-03-29 2021-11-08 가부시기가이샤 디스코 기판 처리 방법
KR20210158165A (ko) * 2020-06-23 2021-12-30 한국기계연구원 폴리곤 스캐너를 포함하는 레이저 가공 장치

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