KR20190013473A - Heat treatment apparatus, heat treatment method and storage medium - Google Patents

Heat treatment apparatus, heat treatment method and storage medium Download PDF

Info

Publication number
KR20190013473A
KR20190013473A KR1020180074519A KR20180074519A KR20190013473A KR 20190013473 A KR20190013473 A KR 20190013473A KR 1020180074519 A KR1020180074519 A KR 1020180074519A KR 20180074519 A KR20180074519 A KR 20180074519A KR 20190013473 A KR20190013473 A KR 20190013473A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat treatment
substrate
flow velocity
wafer
airflow
Prior art date
Application number
KR1020180074519A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102502024B1 (en
Inventor
다카유키 후쿠도메
야스오 모리
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20190013473A publication Critical patent/KR20190013473A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102502024B1 publication Critical patent/KR102502024B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

Provided are a heat treatment apparatus effective in improvement of uniformity of a film thickness in film formation and a heat treatment method thereof. According to the present invention, the heat treatment apparatus (20) comprises: a processing chamber (31) to receive a wafer (W) which is an object to be processed; a heat treatment unit (50) installed in the processing chamber (31) to support and heat the wafer (W), and having a plurality of heat treatment areas (51) arranged in at least the circumferential direction of the corresponding wafer (W); an air inlet (35) to introduce gas into the processing chamber (31); an air outlet (35) to discharge the gas from the processing chamber (31); a plurality of flow rate sensors (71) arranged in the circumferential direction of the wafer (W) supported in the heat treatment unit (50) to detect the flow rate of gas; and a control unit (100) to control the temperature of the plurality of heat treatment areas (51) based on a temperature distribution in accordance with the flow rate of gas detected by the plurality of flow rate sensors (71).

Description

열처리 장치, 열처리 방법 및 기억 매체{HEAT TREATMENT APPARATUS, HEAT TREATMENT METHOD AND STORAGE MEDIUM}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a heat treatment apparatus, a heat treatment method,

본 개시는 열처리 장치, 열처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.The present disclosure relates to a heat treatment apparatus, a heat treatment method, and a storage medium.

특허문헌 1에는, 처리 용기 내에 설치되어 기판을 적재하는 적재부와, 적재부에 적재된 기판을 가열하기 위한 가열부와, 기판의 외주를 따르도록 설치되고, 처리 용기 내에 급기하기 위하여 기판의 외주의 측방에 형성된 급기구와, 처리 용기 내로부터 배기하기 위하여 기판의 중앙부의 상방에 형성된 배기구를 구비하는 열처리 장치가 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses an image forming apparatus including a stacking portion provided in a processing container for stacking a substrate, a heating portion for heating the substrate stacked on the stacking portion, and a heating portion provided along the outer periphery of the substrate, And an exhaust port formed above the central portion of the substrate for exhausting from the inside of the processing container.

일본 특허 공개 제2016-115919호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2016-115919

본 개시는, 피막 형성에 있어서의 막 두께의 균일성 향상에 유효한 열처리 장치, 열처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present disclosure to provide a heat treatment apparatus, a heat treatment method and a storage medium which are effective for improving the uniformity of film thickness in film formation.

본 개시의 일 측면에 따른 열처리 장치는, 처리 대상인 기판을 수용하는 처리실과, 처리실 내에 설치되어 기판을 지지하고 가열 또는 냉각하는 열처리부이며, 당해 기판의 둘레 방향으로 배열되는 복수의 열처리 영역을 갖는 열처리부와, 처리실 내에 기체를 도입하는 급기구와, 처리실 내로부터 기체를 배출하는 배기구와, 열처리부에 지지되는 기판의 둘레 방향으로 배열되도록 배치되어 기류의 유속을 검출하는 복수의 유속 센서와, 복수의 유속 센서에 의하여 검출되는 기류의 유속에 따른 온도 분포로 복수의 열처리 영역의 온도를 조절하도록 열처리부를 제어하는 제어부를 구비한다.A heat treatment apparatus according to an aspect of the present disclosure includes a treatment chamber for containing a substrate to be treated, a heat treatment unit provided in the treatment chamber for supporting and heating or cooling the substrate, and having a plurality of heat treatment regions arranged in the circumferential direction of the substrate A plurality of flow velocity sensors arranged to be arranged in the circumferential direction of the substrate supported by the heat treatment section to detect the flow velocity of the airflow; And a control unit for controlling the heat treatment unit to adjust the temperatures of the plurality of heat treatment zones with a temperature distribution according to the flow rate of the airflow detected by the plurality of flow velocity sensors.

처리실 내에 있어서, 기류의 유속이 높은 개소와 낮은 개소에서는 열처리의 진행의 정도에 차이가 발생하고, 이것에 기인하여 열처리 후의 막 두께의 균일성이 저하되는 경우가 있다. 이 때문에 기류의 유속의 균일성 향상이 요망되지만, 기류 분포는 처리실 밖의 여러 조건의 영향도 받으므로 제어가 어렵다. 이에 비해 본 열처리 장치에서는 기류 분포의 제어 대신, 기류의 유속에 따른 온도 분포로 복수의 열처리 영역의 온도를 조절함으로써, 기류의 유속 분포에 기인하는 막 두께의 균일성 저하가 억제된다. 온도 분포는 기류의 유속 분포와 비교하여 용이하게 제어 가능하기 때문에, 기류의 유속에 따른 온도 분포로 복수의 열처리 영역의 온도를 조절하는 구성에 의하면, 기류의 유속 분포에 기인하는 막 두께의 균일성 저하를 용이하게 억제할 수 있다. 또한 복수의 유속 센서에 의하여 기류의 유속 분포를 실시간으로 검출하고 이에 따라 온도 분포를 조절할 수 있으므로, 외적 요인에 의하여 기류의 유속이 경시적으로 변화되는 경우에도 이에 즉응하여 온도 분포를 조절하여 유속의 변화의 영향을 억제할 수 있다. 또한 복수의 열처리 영역 및 복수의 유속 센서는 모두 기판의 둘레 방향으로 배열되도록 배치되어 있다. 이 배치는, 기판의 둘레 방향에 있어서의 유속 분포의 영향의 억제에 적합하다. 기류의 유속의 차이는, 기판의 둘레 방향에 있어서의 위치가 상이한 개소 간에 발생하기 쉬운 경향이 있다. 그래서, 기판의 둘레 방향에 있어서의 유속 분포의 영향의 억제에 적합한 구성에 의하면, 유속 분포의 영향을 보다 확실히 억제할 수 있다. 따라서 본 열처리 장치는, 피막 형성에 있어서의 막 두께의 균일성 향상에 유효하다.There is a difference in the degree of progress of the heat treatment in the portion where the flow rate of the airflow is high and in the portion where the flow rate of the airflow is high in the treatment chamber and the uniformity of the film thickness after the heat treatment may be lowered due to this. For this reason, it is desired to improve the uniformity of the flow velocity of the airflow, but the airflow distribution is difficult to control because it is also affected by various conditions outside the treatment chamber. In contrast to this, in the present heat treatment apparatus, the uniformity of the film thickness due to the flow velocity distribution of the airflow is suppressed by controlling the temperature of the plurality of heat treatment regions with the temperature distribution according to the flow rate of the airflow, instead of controlling the airflow distribution. Since the temperature distribution can be easily controlled in comparison with the flow velocity distribution of the airflow, according to the configuration in which the temperature of the plurality of heat treatment zones is controlled by the temperature distribution according to the airflow velocity, the uniformity of the film thickness The deterioration can be easily suppressed. In addition, since the flow rate of the airflow can be detected in real time by the plurality of flow sensors and the temperature distribution can be adjusted accordingly, even when the flow rate of the airflow varies with time due to external factors, The influence of the change can be suppressed. The plurality of heat treatment regions and the plurality of flow velocity sensors are arranged so as to be arranged in the circumferential direction of the substrate. This arrangement is suitable for suppressing the influence of the flow velocity distribution in the circumferential direction of the substrate. The difference in the flow velocity of the airflow tends to occur between positions where the positions in the circumferential direction of the substrate are different from each other. Thus, with a configuration suitable for suppressing the influence of the flow velocity distribution in the circumferential direction of the substrate, the influence of the flow velocity distribution can be more reliably suppressed. Therefore, this heat treatment apparatus is effective for improving the uniformity of the film thickness in the film formation.

처리 대상인 기판은 처리액이 도포된 기판이고, 제어부는, 복수의 유속 센서에 의하여 검출되는 기류의 유속과 온도 분포의 관계를 처리액의 종류에 따라 변화시키도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 기류의 유속 분포와 온도 분포의 관계를 처리액의 종류에 따라 적절히 설정함으로써, 기류의 유속 분포에 기인하는 막 두께의 균일성 저하를 보다 확실히 억제할 수 있다.The substrate to be treated may be a substrate coated with the treatment liquid and the control unit may be configured to change the relationship between the flow velocity of the airflow detected by the plurality of flow sensors and the temperature distribution depending on the kind of the treatment liquid. In this case, by appropriately setting the relationship between the flow velocity distribution of the airflow and the temperature distribution in accordance with the type of the treatment liquid, it is possible to more reliably suppress the lowering of the uniformity of the film thickness caused by the flow velocity distribution of the airflow.

기판의 둘레 방향에 있어서, 복수의 유속 센서는 복수의 열처리 영역에 각각 대응하도록 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 각 열처리 영역 상의 기류의 유속이 직접적으로 도출되므로, 복수의 열처리 영역의 온도 설정값을 용이하게 도출할 수 있다.In the circumferential direction of the substrate, the plurality of flow velocity sensors may be disposed so as to correspond to the plurality of heat treatment regions, respectively. In this case, since the flow velocity of the airflow on each heat treatment region is directly derived, the temperature set value of the plurality of heat treatment regions can be easily derived.

복수의 유속 센서는, 열처리부에 지지되는 기판보다도 외측에 설치되어 있어도 된다. 이 경우, 기판 상의 기류를 유속 센서에 의하여 흩뜨리지 않고 기류의 유속을 검출할 수 있다.The plurality of flow velocity sensors may be provided on the outer side of the substrate supported by the heat treatment section. In this case, the flow rate of the airflow can be detected without disturbing the airflow on the substrate by the flow rate sensor.

처리실의 내면은, 열처리부에 지지되는 기판의 표면에 대향하는 상면과, 당해 기판을 둘러싸는 둘레면을 포함해도 되며, 배기구는 상면의 중앙부에 설치되어 있어도 되고, 급기구는 둘레면을 따라 기판을 둘러싸도록 설치되어 있어도 된다. 이 경우, 기판의 둘레 방향에 있어서의 위치가 상이한 개소 간에 기류의 유속의 차이가 발생하기 쉬운 경향이 보다 현저해지므로, 복수의 열처리 영역 및 복수의 유속 센서가 기판의 둘레 방향으로 배열되는 배치가 보다 유효하게 작용한다.The inner surface of the treatment chamber may include an upper surface opposed to the surface of the substrate supported by the heat treatment portion and a peripheral surface surrounding the substrate. The exhaust port may be provided at the center of the upper surface. As shown in Fig. In this case, the tendency that the flow velocity of the airflow is likely to differ between the positions where the positions in the circumferential direction of the substrate are different becomes more conspicuous, so that the arrangement in which the plurality of heat treatment regions and the plurality of flow velocity sensors are arranged in the circumferential direction of the substrate More effectively.

본 개시의 다른 측면에 따른 열처리 방법은, 처리 대상인 기판을 처리실 내에 반입하는 것과, 처리실 내의 열처리부 상에 기판을 적재하는 것과, 기판의 둘레 방향으로 배열되는 복수 개소에 있어서의 기류의 유속에 따른 온도 분포로 기판을 가열 또는 냉각하도록 열처리부를 제어하는 것을 포함한다.According to another aspect of the present disclosure, there is provided a heat treatment method including: bringing a substrate to be treated into a process chamber; loading the substrate onto the heat treatment unit in the process chamber; And controlling the heat treatment section to heat or cool the substrate with a temperature distribution.

처리 대상인 기판은 처리액이 도포된 기판이고, 복수 개소에 있어서의 기류의 유속과 온도 분포의 관계를 처리액의 종류에 따라 변화시켜도 된다.The substrate to be treated is the substrate to which the treatment liquid has been applied, and the relationship between the flow rate of the airflow at a plurality of locations and the temperature distribution may be changed depending on the kind of the treatment liquid.

본 개시의 또다른 측면에 따른 기억 매체는, 상기 열처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이다.A storage medium according to still another aspect of the present disclosure is a computer readable storage medium storing a program for causing an apparatus to execute the above-described heat treatment method.

본 개시에 의하면, 피막 형성에 있어서의 막 두께의 균일성 향상에 유효한 열처리 장치, 열처리 방법 및 기억 매체를 제공할 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to provide a heat treatment apparatus, a heat treatment method, and a storage medium which are effective for improving uniformity of a film thickness in film formation.

도 1은 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시하는 사시도이다.
도 2는 도포·현상 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 3은 열처리 유닛의 개략 구성을 도시하는 모식도이다.
도 4는 열처리 영역 및 유속 센서의 배치를 예시하는 모식도이다.
도 5는 계수 데이터베이스의 기억 내용을 나타내는 테이블이다.
도 6은 제어부의 하드웨어 구성을 예시하는 블록도이다.
도 7은 열처리 수순을 도시하는 흐름도이다.
도 8은 열처리의 실행 중에 있어서의 웨이퍼의 상태를 도시하는 모식도이다.
도 9는 열처리 유닛의 변형예를 도시하는 모식도이다.
도 10은 열처리 유닛의 다른 변형예를 도시하는 모식도이다.
도 11은 열처리 유닛의 또다른 변형예를 도시하는 모식도이다.1 is a perspective view showing a schematic structure of a substrate processing system.
2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a coating and developing apparatus.
3 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the heat treatment unit.
4 is a schematic diagram illustrating the arrangement of the heat treatment region and the flow rate sensor.
5 is a table showing the contents stored in the coefficient database.
6 is a block diagram illustrating a hardware configuration of the control unit.
7 is a flow chart showing a heat treatment procedure.
8 is a schematic diagram showing the state of the wafer during execution of the heat treatment.
9 is a schematic diagram showing a modification of the heat treatment unit.
10 is a schematic diagram showing another modification of the heat treatment unit.
11 is a schematic diagram showing still another modification of the heat treatment unit.

〔기판 처리 시스템〕[Substrate processing system]

기판 처리 시스템(1)은, 기판에 대하여 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광, 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상인 기판은, 예를 들어 반도체의 웨이퍼 W이다. 감광성 피막은, 예를 들어 레지스트막이다. 기판 처리 시스템(1)은 도포·현상 장치(2)와 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는, 웨이퍼 W(기판) 상에 형성된 레지스트막(감광성 피막)의 노광 처리를 행한다. 구체적으로는 액침 노광 등의 방법에 의하여 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 도포·현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼 W(기판)의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다.The substrate processing system 1 is a system for forming a photosensitive film on a substrate, exposing the photosensitive film, and developing the photosensitive film. The substrate to be treated is, for example, a wafer W of a semiconductor. The photosensitive film is, for example, a resist film. The substrate processing system 1 includes a coating and developing apparatus 2 and an exposure apparatus 3. [ The exposure apparatus 3 performs exposure processing of a resist film (photosensitive film) formed on the wafer W (substrate). Specifically, an energy ray is irradiated to a part to be exposed of the resist film by a method such as immersion exposure. The coating and developing apparatus 2 performs a process of forming a resist film on the surface of the wafer W (substrate) before the exposure process by the exposure apparatus 3, and performs a developing process of the resist film after the exposure process.

〔기판 처리 장치〕[Substrate processing apparatus]

이하, 기판 처리 장치의 일례로서 도포·현상 장치(2)의 구성을 설명한다. 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 도포·현상 장치(2)는 캐리어 블록(4)과 처리 블록(5)과 인터페이스 블록(6)과 제어부(100)를 구비한다.Hereinafter, the configuration of the coating and developing apparatus 2 will be described as an example of the substrate processing apparatus. 1 and 2, the coating and developing apparatus 2 includes a carrier block 4, a processing block 5, an interface block 6, and a control unit 100. As shown in FIG.

캐리어 블록(4)은, 도포·현상 장치(2) 내로의 웨이퍼 W의 도입, 및 도포·현상 장치(2) 내로부터의 웨이퍼 W의 도출을 행한다. 예를 들어 캐리어 블록(4)은 웨이퍼 W용의 복수의 캐리어 C를 지지 가능하며, 전달 암 A1을 내장하고 있다. 캐리어 C는, 예를 들어 원형의 복수 매의 웨이퍼 W를 수용한다. 전달 암 A1은 캐리어 C로부터 웨이퍼 W를 취출하여 처리 블록(5)에 건네고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼 W를 수취하여 캐리어 C 내로 복귀시킨다.The carrier block 4 introduces the wafer W into the coating and developing apparatus 2 and draws the wafer W from the coating and developing apparatus 2. For example, the carrier block 4 can support a plurality of carriers C for the wafer W, and incorporates a transfer arm A1. The carrier C accommodates a plurality of circular wafers W, for example. The transfer arm A1 takes out the wafer W from the carrier C, transfers it to the processing block 5, receives the wafer W from the processing block 5, and returns it to the carrier C.

처리 블록(5)은 복수의 처리 모듈(11, 12, 13, 14)을 갖는다. 처리 모듈(11, 12, 13)은, 도포 유닛 U1과, 열처리 유닛 U2와, 이들 유닛으로 웨이퍼 W를 반송하는 반송 암 A3을 내장하고 있다.The processing block 5 has a plurality of processing modules 11, 12, 13, 14. The processing modules 11, 12, and 13 have a coating unit U1, a heat treatment unit U2, and a transport arm A3 that transports the wafer W to these units.

처리 모듈(11)은 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2에 의하여 웨이퍼 W의 표면 상에 하층 막을 형성한다. 처리 모듈(11)의 도포 유닛 U1은 하층 막 형성용의 처리액을 웨이퍼 W 상에 도포한다. 처리 모듈(11)의 열처리 유닛 U2는 하층 막의 형성에 수반하는 각종 열처리를 행한다.The processing module 11 forms a lower layer film on the surface of the wafer W by the application unit U1 and the heat treatment unit U2. The coating unit U1 of the treatment module 11 applies a treatment liquid for forming a lower layer film onto the wafer W. The heat treatment unit U2 of the treatment module 11 performs various heat treatments accompanying the formation of the lower layer film.

처리 모듈(12)은 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2에 의하여 하층 막 상에 레지스트막을 형성한다. 처리 모듈(12)의 도포 유닛 U1은 레지스트막 형성용의 처리액을 하층 막 상에 도포한다. 처리 모듈(12)의 열처리 유닛 U2는 레지스트막의 형성에 수반하는 각종 열처리를 행한다.The treatment module 12 forms a resist film on the lower layer film by the coating unit U1 and the heat treatment unit U2. The coating unit U1 of the treatment module 12 applies a treatment liquid for forming a resist film onto the lower layer film. The heat treatment unit U2 of the treatment module 12 performs various heat treatments accompanying the formation of the resist film.

처리 모듈(13)은 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2에 의하여 레지스트막 상에 상층 막을 형성한다. 처리 모듈(13)의 도포 유닛 U1은 상층 막 형성용의 액체를 레지스트막의 상에 도포한다. 처리 모듈(13)의 열처리 유닛 U2는 상층 막의 형성에 수반하는 각종 열처리를 행한다.The treatment module 13 forms an upper layer film on the resist film by the application unit U1 and the heat treatment unit U2. The coating unit U1 of the treatment module 13 applies the liquid for forming the upper layer film on the resist film. The heat treatment unit U2 of the treatment module 13 performs various heat treatments accompanying the formation of the upper layer film.

처리 모듈(14)은, 현상 유닛 U3과, 열처리 유닛 U4와, 이들 유닛으로 웨이퍼 W를 반송하는 반송 암 A3을 내장하고 있다.The processing module 14 includes a developing unit U3, a heat treatment unit U4, and a transport arm A3 for transporting the wafer W to these units.

처리 모듈(14)은 현상 유닛 U3 및 열처리 유닛 U4에 의하여 노광 후의 레지스트막 현상 처리를 행한다. 현상 유닛 U3은 노광 완료된 웨이퍼 W의 표면 상에 현상액을 도포한 후, 이를 린스액에 의하여 세정함으로써 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 열처리 유닛 U4은 현상 처리에 수반하는 각종 열처리를 행한다. 열처리의 구체예로서는 현상 처리 전의 가열 처리(PEB: Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB: Post Bake) 등을 들 수 있다.The processing module 14 performs the resist film developing process after exposure by the developing unit U3 and the heat processing unit U4. The developing unit U3 applies a developing solution on the surface of the exposed wafer W, and cleans the surface of the wafer W with a rinsing liquid, thereby developing the resist film. The heat treatment unit U4 performs various heat treatments accompanying development processing. Specific examples of the heat treatment include PEB (Post Exposure Bake) before development processing and PB (Post Bake) after development processing.

처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛 U10이 설치되어 있다. 선반 유닛 U10은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛 U10의 근방에는 승강 암 A7이 설치되어 있다. 승강 암 A7은 선반 유닛 U10의 셀끼리 사이에서 웨이퍼 W를 승강시킨다.On the side of the carrier block 4 in the processing block 5, a lathe unit U10 is provided. The shelf unit U10 is partitioned into a plurality of cells arranged in the vertical direction. A lift arm A7 is provided in the vicinity of the lathe unit U10. The elevating arm A7 lifts the wafer W between the cells of the lathe unit U10.

처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛 U11이 설치되어 있다. 선반 유닛 U11은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.On the side of the interface block 6 in the processing block 5, a shelf unit U11 is provided. The shelf unit U11 is partitioned into a plurality of cells arranged in the vertical direction.

인터페이스 블록(6)은 노광 장치(3)와의 사이에서 웨이퍼 W의 전달을 행한다. 예를 들어 인터페이스 블록(6)은 전달 암 A8을 내장하고 있으며, 노광 장치(3)에 접속된다. 전달 암 A8은, 선반 유닛 U11에 배치된 웨이퍼 W를 노광 장치(3)에 건네고, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼 W를 수취하여 선반 유닛 U11로 복귀시킨다.The interface block 6 transfers the wafer W to and from the exposure apparatus 3. For example, the interface block 6 incorporates a transfer arm A8 and is connected to the exposure apparatus 3. [ The transfer arm A8 transfers the wafer W placed on the lathe unit U11 to the exposure apparatus 3, receives the wafer W from the exposure apparatus 3, and returns the wafer W to the lathe unit U11.

제어부(100)는, 예를 들어 이하의 수순으로 도포·현상 처리를 실행하도록 도포·현상 장치(2)를 제어한다. 먼저 제어부(100)는, 캐리어 C 내의 웨이퍼 W를 선반 유닛 U10으로 반송하도록 전달 암 A1을 제어하고, 이 웨이퍼 W를 처리 모듈(11)용의 셀에 배치하도록 승강 암 A7을 제어한다.The control unit 100 controls the coating and developing apparatus 2 to execute coating and developing processing, for example, in the following procedure. First, the control unit 100 controls the transfer arm A1 to transfer the wafer W in the carrier C to the shelf unit U10, and controls the elevation arm A7 to arrange the wafer W in the cell for the processing module 11. [

다음으로 제어부(100)는, 선반 유닛 U10의 웨이퍼 W를 처리 모듈(11) 내의 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2로 반송하도록 반송 암 A3을 제어하고, 이 웨이퍼 W의 표면 상에 하층 막을 형성하도록 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2를 제어한다. 그 후 제어부(100)는, 하층 막이 형성된 웨이퍼 W를 선반 유닛 U10으로 복귀시키도록 반송 암 A3을 제어하고, 이 웨이퍼 W를 처리 모듈(12)용의 셀에 배치하도록 승강 암 A7을 제어한다.Next, the control unit 100 controls the conveying arm A3 to convey the wafer W of the lathe unit U10 to the coating unit U1 and the heat treatment unit U2 in the processing module 11, and applies the coating to form the lower layer film on the surface of the wafer W Unit U1 and the heat treatment unit U2. Thereafter, the control unit 100 controls the transfer arm A3 so as to return the wafer W on which the undercoat film has been formed to the lathe unit U10, and controls the lift arm A7 to arrange the wafer W in the cell for the processing module 12. [

다음으로 제어부(100)는, 선반 유닛 U10의 웨이퍼 W를 처리 모듈(12) 내의 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2로 반송하도록 반송 암 A3을 제어하고, 이 웨이퍼 W의 하층 막 상에 레지스트막을 형성하도록 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2를 제어한다. 그 후 제어부(100)는, 웨이퍼 W를 선반 유닛 U10으로 복귀시키도록 반송 암 A3을 제어하고, 이 웨이퍼 W를 처리 모듈(13)용의 셀에 배치하도록 승강 암 A7을 제어한다.Next, the control unit 100 controls the transfer arm A3 to transfer the wafer W of the lathe unit U10 to the coating unit U1 and the heat treatment unit U2 in the processing module 12, and forms a resist film on the lower layer film of the wafer W The coating unit U1 and the heat treatment unit U2. Thereafter, the control unit 100 controls the transfer arm A3 so as to return the wafer W to the lathe unit U10, and controls the elevating arm A7 so that the wafer W is placed in the cell for the processing module 13. [

다음으로 제어부(100)는, 선반 유닛 U10의 웨이퍼 W를 처리 모듈(13) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 암 A3을 제어하고, 이 웨이퍼 W의 레지스트막 상에 상층 막을 형성하도록 도포 유닛 U1 및 열처리 유닛 U2를 제어한다. 그 후 제어부(100)는, 웨이퍼 W를 선반 유닛 U11으로 반송하도록 반송 암 A3을 제어한다.Next, the control unit 100 controls the transfer arm A3 to transfer the wafer W of the lathe unit U10 to each unit in the processing module 13, and controls the coating unit U1 and the heat treatment And controls the unit U2. Thereafter, the control section 100 controls the transfer arm A3 to transfer the wafer W to the lathe unit U11.

다음으로 제어부(100)는, 선반 유닛 U11의 웨이퍼 W를 노광 장치(3)에 송출하도록 전달 암 A8을 제어한다. 그 후 제어부(100)는, 노광 처리가 실시된 웨이퍼 W를 노광 장치(3)로부터 수용하여, 선반 유닛 U11에 있어서의 처리 모듈(14)용의 셀에 배치하도록 전달 암 A8을 제어한다.Next, the control unit 100 controls the transfer arm A8 to send the wafer W of the lathe unit U11 to the exposure apparatus 3. [ Thereafter, the control section 100 controls the transfer arm A8 to accommodate the wafer W subjected to the exposure processing from the exposure apparatus 3 and to place the wafer W in the cell for the processing module 14 in the lathe unit U11.

다음으로 제어부(100)는, 선반 유닛 U11의 웨이퍼 W를 처리 모듈(14) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 암 A3을 제어하고, 이 웨이퍼 W의 레지스트막에 현상 처리를 실시하도록 현상 유닛 U3 및 열처리 유닛 U4를 제어한다. 그 후 제어부(100)는, 웨이퍼 W를 선반 유닛 U10으로 복귀시키도록 반송 암 A3을 제어하고, 이 웨이퍼 W를 캐리어 C 내로 복귀시키도록 승강 암 A7 및 전달 암 A1을 제어한다. 이상으로 도포·현상 처리가 완료된다.Next, the control unit 100 controls the transfer arm A3 to transfer the wafer W of the lathe unit U11 to each unit in the processing module 14, and controls the developing unit U3 and the heat treatment And controls the unit U4. Thereafter, the control section 100 controls the transfer arm A3 so as to return the wafer W to the lathe unit U10, and controls the ascending / descending arm A7 and the transfer arm A1 to return the wafer W into the carrier C. [ Thus, the coating and developing process is completed.

또한 기판 처리 장치의 구체적인 구성은 이상에 예시한 도포·현상 장치(2)의 구성에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치는, 열처리 유닛 U2와, 이를 제어 가능한 제어부(100)를 구비하고 있으면, 어떠한 것이어도 된다.The specific configuration of the substrate processing apparatus is not limited to the configuration of the coating and developing apparatus 2 exemplified above. The substrate processing apparatus may be any type as long as it includes a heat treatment unit U2 and a control unit 100 capable of controlling the same.

〔열처리 장치〕[Heat treatment apparatus]

계속해서, 열처리 장치의 일례로서, 도포·현상 장치(2)가 포함하는 열처리 장치(20)의 구성을 설명한다. 도 3에 도시한 바와 같이 열처리 장치(20)는, 처리 모듈(11)의 열처리 유닛 U2와, 제어부(100)를 구비한다. 열처리 장치(20)는, 상기 하층 막 형성용의 처리액이 도포된 웨이퍼 W에 열처리를 행하는 장치이다. 하층 막은, 예를 들어 스핀 온 카본(SOC)막 등의, 소위 하드 마스크다.Next, the configuration of the heat treatment apparatus 20 included in the coating and developing apparatus 2 will be described as an example of the heat treatment apparatus. As shown in Fig. 3, the heat treatment apparatus 20 includes a heat treatment unit U2 of the treatment module 11 and a control unit 100. [ The heat treatment apparatus 20 is a device for performing heat treatment on the wafer W coated with the treatment liquid for forming the lower layer film. The lower layer film is a so-called hard mask, such as a spin-on-carbon (SOC) film.

열처리 유닛 U2는 챔버(30)와 열처리부(50)와 기판 승강부(60)와 복수의 유속 센서(71)를 갖는다. 챔버(30)는, 처리 대상인 웨이퍼 W(하층 막 형성용의 처리액이 도포된 웨이퍼 W)를 수용하는 처리실(31)과, 처리실(31) 내에 기체를 도입하는 급기구(35)와, 처리실(31) 내로부터 기체를 배출하는 배기구(34)를 포함한다. 열처리부(50)는 처리실(31) 내에 설치되어 웨이퍼 W를 지지하고 가열한다. 기판 승강부(60)는 열처리부(50) 상에 있어서 웨이퍼 W를 승강시킨다. 복수의 유속 센서(71)는, 열처리부(50)에 의하여 지지되는 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되도록 배치되어, 처리실(31) 내를 통과하는 기류의 유속을 검출한다. 처리실(31) 밖으로부터 급기구(35)를 향하는 기류의 유속을 검출하는 것, 급기구(35)로부터 배기구(34)를 향하는 기류의 유속을 계측하는 것, 및 배기구(34)로부터 처리실(31) 밖을 향하는 기류의 유속을 검출하는 것은 모두, 처리실(31) 내를 통과하는 기류의 유속을 검출하는 것에 상당한다.The heat treatment unit U2 has a chamber 30, a heat treatment unit 50, a substrate lift portion 60, and a plurality of flow velocity sensors 71. The chamber 30 includes a processing chamber 31 for accommodating a wafer W to be processed (a wafer W to which a treatment liquid for forming a lower layer film is applied), a feed mechanism 35 for introducing a gas into the processing chamber 31, And an exhaust port (34) for exhausting the gas from the inside of the exhaust pipe (31). The heat treatment unit 50 is installed in the treatment chamber 31 to support and heat the wafer W. The substrate lift portion 60 lifts the wafer W on the heat treatment portion 50. The plurality of flow velocity sensors 71 are arranged so as to be arranged in the circumferential direction of the wafer W supported by the heat treatment section 50 and detect the flow velocity of the airflow passing through the processing chamber 31. The flow rate of the airflow from the air supply port 35 toward the air discharge port 34 is measured and the flow rate of the airflow from the air discharge port 34 to the processing chamber 31 Detecting the flow velocity of the air flow out of the processing chamber 31 corresponds to the detection of the flow velocity of the airflow passing through the processing chamber 31. [

처리실(31)의 내면은, 열처리부(50)에 지지되는 웨이퍼 W의 표면 Wa에 대향하는 상면(32)과, 당해 웨이퍼 W를 둘러싸는 둘레면(33)을 포함하고 있어도 되며, 배기구(34)는 상면(32)의 중앙부에 형성되어 있어도 되고, 급기구(35)는 둘레면(33)을 따라 웨이퍼 W를 둘러싸도록 형성되어 있어도 된다. 급기구(35)가 웨이퍼 W를 둘러싸도록 형성되는 것은, 하나의 급기구(35)가 웨이퍼 W의 중심 둘레로 180°를 넘는 범위로 확대되어 있는 경우를 포함하는 것 외에, 복수의 급기구(35)가 웨이퍼 W의 중심 둘레로 180°를 넘는 범위에 분포하고 있는 경우도 포함한다.The inner surface of the treatment chamber 31 may include an upper surface 32 opposed to the surface Wa of the wafer W supported by the heat treatment unit 50 and a peripheral surface 33 surrounding the wafer W, May be formed at the central portion of the upper surface 32 and the feed mechanism 35 may be formed to surround the wafer W along the circumferential surface 33. [ The feeding mechanism 35 is formed so as to surround the wafer W as well as a case in which one feeding mechanism 35 is extended to a range exceeding 180 degrees around the center of the wafer W, 35 are distributed in a range exceeding 180 degrees around the center of the wafer W. [

이하, 챔버(30), 열처리부(50), 기판 승강부(60) 및 유속 센서(71)의 구성을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the configurations of the chamber 30, the heat treatment unit 50, the substrate elevating unit 60, and the flow rate sensor 71 will be described in more detail.

챔버(30)는 베이스(41)와 상측 커버(42)와 링 셔터(43)와 개폐 구동부(44)와 기판 승강부(60)를 포함한다.The chamber 30 includes a base 41, an upper cover 42, a ring shutter 43, an opening / closing drive part 44, and a substrate elevating part 60.

베이스(41)는 챔버(30)의 저부를 이루며, 열처리부(50)를 지지한다.The base 41 forms the bottom of the chamber 30 and supports the heat treatment unit 50.

상측 커버(42)는 베이스(41)의 상방에 설치되어 있으며, 베이스(41)와의 사이에 처리실(31)을 구성한다. 상측 커버(42)의 하면은 처리실(31)의 상면(32)을 구성한다.The upper cover 42 is provided above the base 41 and constitutes a treatment chamber 31 between the upper cover 42 and the base 41. The lower surface of the upper cover 42 constitutes the upper surface 32 of the processing chamber 31.

상측 커버(42)의 중앙부에는 배기 유로(45)가 형성되어 있다. 배기 유로(45)의 하단부는 상면(32)의 중앙부에 개구되어 있다. 상면(32)의 중앙부에 있어서의 배기 유로(45)의 개구는 상술한 배기구(34)에 상당한다. 배기 유로(45)의 상단부는 챔버(30) 밖의 배기 덕트(47)에 접속되어 있다.An exhaust passage 45 is formed at the center of the upper cover 42. The lower end of the exhaust passage 45 is open at the center of the upper surface 32. The opening of the exhaust passage 45 at the center of the upper surface 32 corresponds to the exhaust port 34 described above. The upper end of the exhaust flow path 45 is connected to the exhaust duct 47 outside the chamber 30.

링 셔터(43)는, 베이스(41)와 상측 커버(42) 사이의 공간(즉, 처리실(31))을 둘러싸는 환형체이다. 링 셔터(43)는, 베이스(41)의 주연부와 상측 커버(42)의 주연부 사이를 폐쇄한 상태(이하, 「폐쇄 상태」라 함)와, 베이스(41)의 주연부와 상측 커버(42)의 주연부 사이를 개방한 상태(이하, 「개방 상태」라 함)를, 승강 동작에 의하여 전환하도록 구성되어 있다. 예를 들어 링 셔터(43)는 폐쇄 상태로부터 하강하여 개방 상태로 되도록 구성되어 있다. 링 셔터(43)의 내주면(중심측의 면)은 처리실(31)의 둘레면(33)을 구성한다.The ring shutter 43 is an annular body surrounding the space between the base 41 and the upper cover 42 (i.e., the process chamber 31). The ring shutter 43 has a structure in which the periphery of the base 41 and the periphery of the upper cover 42 are closed (hereinafter referred to as a closed state) (Hereinafter, referred to as " open state " For example, the ring shutter 43 is configured to fall from the closed state to the open state. The inner circumferential surface (surface on the center side) of the ring shutter 43 constitutes the circumferential surface 33 of the treatment chamber 31. [

링 셔터(43)에는 급기 유로(46)가 형성되어 있다. 급기 유로(46)는 링 셔터(43)의 내주면 및 외주면의 양쪽으로 개구되어 있다. 링 셔터(43)의 내주면에 있어서의 급기 유로(46)의 개구는 상술한 급기구(35)에 상당한다.The ring shutter 43 is provided with an air supply passage 46. The air supply flow path 46 is open to both the inner circumferential surface and the outer circumferential surface of the ring shutter 43. The opening of the air supply passage 46 on the inner peripheral surface of the ring shutter 43 corresponds to the air supply mechanism 35 described above.

개폐 구동부(44)는, 예를 들어 전동 모터 등을 동력원으로 하여 링 셔터(43)를 승강시킨다.The opening / closing drive unit 44 lifts the ring shutter 43 using, for example, an electric motor as a power source.

도 4에 도시한 바와 같이 열처리부(50)는, 수평 방향으로 배열되는 복수의 열처리 영역(51)을 갖는다. 복수의 열처리 영역(51)의 각각은, 예를 들어 전열선 등의 히터를 내장하고 있어, 열처리 영역(51)별 온도 조절이 가능하게 되어 있다.As shown in Fig. 4, the heat treatment section 50 has a plurality of heat treatment regions 51 arranged in the horizontal direction. Each of the plurality of heat treatment regions 51 has a built-in heater such as an electric heating line, for example, so that the temperature can be adjusted for each heat treatment region 51.

복수의 열처리 영역(51)은, 열처리부(50)가 지지하는 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되도록 배치되어 있다. 열처리부(50)는, 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되는 복수의 열처리 영역(51)에 대하여 웨이퍼 W의 직경 방향으로 배열되는 열처리 영역(51)을 추가로 가져도 된다. 예를 들어 복수의 열처리 영역(51)은, 열처리부(50)가 지지하는 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되어 웨이퍼 W의 이면 Wc에 대향하는 열처리 영역(51A, 51B, 51C, 51D)과, 이들에 둘러싸여 이면 Wc의 중앙부(중심을 포함하는 부분)에 대향하는 열처리 영역(51E)을 포함한다.The plurality of heat treatment regions 51 are arranged so as to be arranged in the circumferential direction of the wafer W supported by the heat treatment portion 50. The heat treatment section 50 may further include a heat treatment region 51 arranged in the radial direction of the wafer W with respect to the plurality of heat treatment regions 51 arranged in the circumferential direction of the wafer W. [ For example, the plurality of heat treatment regions 51 are arranged in the circumferential direction of the wafer W supported by the heat treatment unit 50 and are provided with heat treatment regions 51A, 51B, 51C and 51D opposed to the back surface Wc of the wafer W, And a heat treatment region 51E surrounded by a central portion (a portion including the center) of the back surface Wc.

도 3으로 되돌아와, 기판 승강부(60)는 승강부(61)와 승강 구동부(62)를 갖는다. 승강부(61)는, 상방으로 돌출되는 복수(예를 들어 3개)의 지지 핀(63)을 갖는다. 승강부(61)는 베이스(41) 및 열처리부(50)의 중앙부의 하방에 배치되어 있으며, 복수의 지지 핀(63)은 베이스(41) 및 열처리부(50)에 삽입되어 있다. 승강 구동부(62)는 전동 모터 등을 동력원으로 하여 승강부(61)를 승강시킨다. 승강부(61)의 승강에 따라 복수의 지지 핀(63)의 단부가 열처리부(50) 상에 출몰하여 열처리부(50) 상의 웨이퍼 W를 승강시킨다.Returning to Fig. 3, the substrate elevating portion 60 has a lift portion 61 and a lift driving portion 62. Fig. The elevating portion 61 has a plurality of (for example, three) support pins 63 projecting upward. The elevating portion 61 is disposed below the central portion of the base 41 and the heat treatment portion 50 and a plurality of support pins 63 are inserted into the base 41 and the heat treatment portion 50. The elevation drive unit 62 elevates and lifts the elevation unit 61 using an electric motor or the like as a power source. The end portions of the plurality of support pins 63 protrude / retreat on the heat treatment section 50 to move the wafer W on the heat treatment section 50 up and down.

복수의 유속 센서(71)는, 예를 들어 서미스터식의 풍속계이며, 처리실(31)을 통과하는 기류의 유속을 검출하도록 배치되어 있다. 복수의 유속 센서(71)는, 열처리부(50)에 지지되는 웨이퍼 W보다도 외측에 설치되어 있어도 된다. 예를 들어 유속 센서(71)는 링 셔터(43)의 외주측에 있어서의 급기 유로(46)의 개구부에 설치되어 있어(도 3 참조), 처리실(31) 밖으로부터 급기구(35)를 향하는 기류의 유속을 검출한다.The plurality of flow velocity sensors 71 are, for example, thermistor-type anemometers that are arranged to detect the flow velocity of the airflow passing through the processing chamber 31. The plurality of flow velocity sensors 71 may be provided on the outer side of the wafer W supported by the heat treatment section 50. The flow rate sensor 71 is provided at the opening of the air supply flow path 46 on the outer peripheral side of the ring shutter 43 And detects the flow rate of the airflow.

도 4에 도시한 바와 같이 복수의 유속 센서(71)는, 열처리부(50)에 지지되는 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되도록 배치되어 있다. 예를 들어 도 4에 도시한 바와 같이 복수의 유속 센서(71)는, 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되는 4개의 유속 센서(71A, 71B, 71C, 71D)를 포함한다. 웨이퍼 W의 둘레 방향에 있어서, 유속 센서(71A, 71B, 71C, 71D)는 열처리 영역(51A, 51B, 51C, 51D)에 각각 대응하도록 배치되어 있으며, 여기서의 「대응한다」는 것은, 웨이퍼 W의 둘레 방향에 있어서의 위치가 중복되어 있음을 의미한다.As shown in FIG. 4, the plurality of flow velocity sensors 71 are arranged so as to be arranged in the circumferential direction of the wafer W supported by the heat treatment section 50. For example, as shown in Fig. 4, the plurality of flow velocity sensors 71 include four flow velocity sensors 71A, 71B, 71C and 71D arranged in the circumferential direction of the wafer W. [ In the circumferential direction of the wafer W, the flow velocity sensors 71A, 71B, 71C and 71D are arranged so as to correspond to the heat treatment regions 51A, 51B, 51C and 51D, respectively. The positions in the circumferential direction of the guide grooves overlap.

도 3으로 되돌아와, 제어부(100)는, 복수의 유속 센서(71)에 의하여 검출되는 기류의 유속에 따른 온도 분포로 복수의 열처리 영역(51)의 온도를 조절하도록 열처리부(50)를 제어한다. 제어부(100)는, 복수의 유속 센서(71)에 의하여 검출되는 기류의 유속과 온도 분포의 관계를 처리액의 종류에 따라 변화시키도록 구성되어 있어도 된다.3, the control unit 100 controls the heat treatment unit 50 to adjust the temperature of the plurality of heat treatment zones 51 with a temperature distribution corresponding to the flow rate of the airflow detected by the plurality of flow sensors 71 do. The control unit 100 may be configured to change the relationship between the flow velocity of the airflow detected by the plurality of flow sensors 71 and the temperature distribution depending on the kind of the treatment liquid.

제어부(100)는 기능상의 구성(이하, 「기능 모듈」이라 함)으로서 계수 데이터베이스(112)와 계수 설정부(111)와 유속 정보 취득부(113)와 온도 분포 설정부(114)와 온도 제어부(115)와 승강 제어부(116)와 개폐 제어부(117)를 갖는다.The control unit 100 includes a coefficient database 112, a coefficient setting unit 111, a flow velocity information obtaining unit 113, a temperature distribution setting unit 114, An elevation control unit 116, and an opening / closing control unit 117. [

계수 데이터베이스(112)는, 복수의 유속 센서(71)에 의하여 검출되는 기류의 유속과, 복수의 열처리 영역(51)에 있어서의 온도 분포의 관계를 설정하기 위한 데이터를 처리액의 종류별로 기억하고 있다. 예를 들어 계수 데이터베이스(112)는 기류 감도 및 온도 감도를 처리액의 종류에 대응지어 기억하고 있다(도 5 참조). 기류 감도는, 형성 중인 하층 막의 표면을 통과하는 기류의 유속 상승에 따른 막 두께 변화량을 나타내는 수치이다. 온도 감도는, 형성 중인 하층 막의 온도 상승에 따른 막 두께 변화량을 나타내는 수치이다. 계수 데이터베이스(112)가 기억하는 데이터는 실험에 의하여 미리 작성되어 있다.The coefficient database 112 stores data for setting the relationship between the flow rate of the airflow detected by the plurality of flow velocity sensors 71 and the temperature distribution in the plurality of heat treatment regions 51 for each type of treatment liquid have. For example, the coefficient database 112 stores the airflow sensitivity and the temperature sensitivity in association with the type of the treatment liquid (refer to FIG. 5). The air flow sensitivity is a numerical value representing a film thickness change amount due to an increase in the flow rate of the airflow passing through the surface of the underlayer film being formed. The temperature sensitivity is a numerical value indicative of the amount of film thickness change due to the temperature rise of the underlayer film being formed. The data stored in the coefficient database 112 is prepared in advance by experiment.

계수 설정부(111)는, 복수의 유속 센서(71)에 의하여 검출되는 기류의 유속과, 복수의 열처리 영역(51)에 있어서의 온도 분포의 관계를 정하는 계수(이하, 「상관 계수」라 함)를 설정한다. 예를 들어 계수 설정부(111)는, 웨이퍼 W에 도포되는 처리액의 종류에 대응하는 기류 감도 및 온도 감도를 계수 데이터베이스(112)로부터 취득하여, 이들을 상기 상관 계수로 한다.The coefficient setting unit 111 sets a coefficient for determining the relationship between the flow velocity of the airflow detected by the plurality of flow velocity sensors 71 and the temperature distribution in the plurality of heat treatment regions 51 ). For example, the coefficient setting unit 111 acquires the airflow sensitivity and temperature sensitivity corresponding to the type of the processing liquid applied to the wafer W from the coefficient database 112, and sets them as the correlation coefficient.

유속 정보 취득부(113)는, 복수의 유속 센서(71)에 의하여 검출된 기류의 유속 정보를 취득한다.The flow velocity information acquisition section 113 acquires flow velocity information of the airflow detected by the plurality of flow velocity sensors 71. [

온도 분포 설정부(114)는, 유속 정보 취득부(113)에 의하여 취득된 기류의 유속 정보와 계수 설정부(111)에 의하여 설정된 상관 계수를 이용하여 복수의 열처리 영역(51)에 있어서의 온도 분포를 설정한다. 예를 들어 온도 분포 설정부(114)는 다음 식에 의하여 열처리 영역(51)별 온도 목표값을 설정한다.The temperature distribution setting section 114 sets the temperature distribution in the plurality of heat treatment regions 51 using the flow velocity information of the airflow obtained by the flow velocity information obtaining section 113 and the correlation coefficient set by the coefficient setting section 111 Set the distribution. For example, the temperature distribution setting unit 114 sets a temperature target value for each heat treatment region 51 by the following equation.

Tnew=Told-Δv×Sv/StTnew = Told -? V x Sv / St

Tnew: 새로운 온도 목표값Tnew: New temperature target value

Told: 하나 전의 온도 목표값Told: Temperature target value before one

Δv: 열처리 영역(51) 상에 있어서의 유속 변화량(증가 방향이 정방향)? V: the flow velocity change amount (the increasing direction is positive direction) on the heat treatment region 51,

Sv: 기류 감도Sv: airflow sensitivity

St: 온도 감도St: Temperature sensitivity

상술한 바와 같이 유속 센서(71A, 71B, 71C, 71D)는 열처리 영역(51A, 51B, 51C, 51D)에 각각 대응하도록 배치되어 있으므로, 열처리 영역(51A) 상의 유속으로서 유속 센서(71A)의 검출값을 이용하고, 열처리 영역(51B) 상의 유속으로서 유속 센서(71B)의 검출값을 이용하고, 열처리 영역(51C) 상의 유속으로서 유속 센서(71C)의 검출값을 이용하고, 열처리 영역(51D) 상의 유속으로서 유속 센서(71D)의 검출값을 이용하는 것이 가능하다. 또한 유속 변화량은, 과거의 검출값과의 차분에 의하여 구하는 것이 가능하다.Since the flow velocity sensors 71A, 71B, 71C and 71D are arranged so as to correspond to the heat treatment regions 51A, 51B, 51C and 51D as described above, the flow velocity sensors 71A The detected value of the flow velocity sensor 71B is used as the flow velocity on the heat treatment region 51B and the detected value of the flow velocity sensor 71C is used as the flow velocity on the heat treatment region 51C, It is possible to use the detected value of the flow velocity sensor 71D as the flow velocity on the fluid. Further, the flow rate change amount can be obtained by the difference from the past detection value.

온도 제어부(115)는, 온도 분포 설정부(114)에 의하여 설정된 온도 분포(열처리 영역(51)별 온도 목표값)로 복수의 열처리 영역(51)의 온도를 조절하도록 열처리부(50)를 제어한다.The temperature control unit 115 controls the heat treatment unit 50 to adjust the temperatures of the plurality of heat treatment zones 51 with the temperature distribution set by the temperature distribution setting unit 114 (temperature target value for each heat treatment zone 51) do.

승강 제어부(116)는, 열처리 유닛 U2 내로의 웨이퍼 W의 반입 및 열처리 유닛 U2 내로부터의 웨이퍼 W의 반출에 따라 승강부(61)를 승강시키도록 기판 승강부(60)를 제어한다.The elevation control unit 116 controls the substrate elevation unit 60 to raise and lower the elevation unit 61 in accordance with the carrying-in of the wafer W into the heat treatment unit U2 and the removal of the wafer W from within the heat treatment unit U2.

개폐 제어부(117)는, 열처리 유닛 U2 내로의 웨이퍼 W의 반입 및 열처리 유닛 U2 내로부터의 웨이퍼 W의 반출에 따라 링 셔터(43)를 승강시키도록 개폐 구동부(44)를 제어한다.The opening and closing control unit 117 controls the opening and closing drive unit 44 to raise and lower the ring shutter 43 in accordance with the carrying-in of the wafer W into the heat treatment unit U2 and the removal of the wafer W from within the heat treatment unit U2.

제어부(100)는 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의하여 구성된다. 예를 들어 제어부(100)는 도 6에 도시하는 회로(120)를 갖는다. 회로(120)는 하나 또는 복수의 프로세서(121)와 메모리(122)와 스토리지(123)와 입출력 포트(124)와 타이머(125)를 갖는다.The control unit 100 is configured by one or a plurality of control computers. For example, the control unit 100 has the circuit 120 shown in Fig. The circuit 120 has one or more processors 121, a memory 122, a storage 123, an input / output port 124, and a timer 125.

스토리지(123)는, 예를 들어 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의하여 판독 가능한 기억 매체를 갖는다. 기억 매체는, 후술하는 도포 처리 수순을 도포 유닛 U1에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체는 불휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의, 취출 가능한 매체여도 된다. 메모리(122)는 스토리지(123)의 기억 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(121)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기억한다. 프로세서(121)는 메모리(122)와 협동하여 상기 프로그램을 실행함으로써 상술한 각 기능 모듈을 구성한다. 입출력 포트(124)는 프로세서(121)로부터의 명령에 따라 유속 센서(71), 열처리부(50), 개폐 구동부(44) 및 기판 승강부(60)와의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다. 타이머(125)는, 예를 들어 일정 주기의 기준 펄스를 카운트함으로써 경과 시간을 계측한다.The storage 123 has a computer-readable storage medium such as a hard disk. The storage medium stores a program for causing the coating unit U1 to execute the coating processing procedure described later. The storage medium may be a removable medium such as a nonvolatile semiconductor memory, a magnetic disk, and an optical disk. The memory 122 temporarily stores the program loaded from the storage medium of the storage 123 and the calculation result by the processor 121. [ The processor 121 constitutes each of the functional modules described above by executing the program in cooperation with the memory 122. [ Output port 124 inputs and outputs electric signals between the flow rate sensor 71, the heat treatment section 50, the open / close drive section 44, and the substrate lift section 60 in accordance with an instruction from the processor 121. [ The timer 125 measures the elapsed time by counting, for example, reference pulses of a predetermined period.

또한 제어부(100)의 하드웨어 구성은, 반드시 프로그램에 의하여 각 기능 모듈을 구성하는 것에 한정되지는 않는다. 예를 들어 제어부(100)의 각 기능 모듈은 전용의 논리 회로 또는 이를 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의하여 구성되어 있어도 된다.Further, the hardware configuration of the control unit 100 is not limited to constituting each function module by a program. For example, each functional module of the control unit 100 may be constituted by a dedicated logic circuit or an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) integrated therewith.

〔열처리 수순〕[Heat treatment procedure]

계속해서, 열처리 방법의 일례로서, 제어부(100)가 열처리 유닛 U2를 제어함으로써 실행되는 열처리 수순을 설명한다. 이 열처리 수순은, 처리 대상인 웨이퍼 W를 처리실(31) 내에 반입하는 것과, 처리실(31) 내의 열처리부(50) 상에 웨이퍼 W를 적재하는 것과, 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되는 복수 개소에 있어서의 기류의 유속에 따른 온도 분포로 웨이퍼 W를 가열하도록 열처리부(50)를 제어하는 것을 포함한다. 복수 개소에 있어서의 기류의 유속과 온도 분포의 관계를 처리액의 종류에 따라 변화시켜도 된다.Next, as an example of the heat treatment method, a description will be given of the heat treatment procedure executed by the control unit 100 controlling the heat treatment unit U2. This heat treatment procedure includes the steps of bringing the wafer W to be treated into the process chamber 31, loading the wafer W onto the heat treatment section 50 in the process chamber 31, and placing the wafer W at a plurality of locations arranged in the circumferential direction of the wafer W And controlling the heat treatment section 50 to heat the wafer W with a temperature distribution according to the flow rate of the airflow of the wafer W. The relationship between the flow velocity of the airflow at a plurality of locations and the temperature distribution may be changed depending on the type of the treatment liquid.

이하, 제어부(100)에 의한 열처리 유닛 U2의 제어 수순의 구체예를 나타낸다. 또한 본 제어 수순의 개시 시점에 있어서, 링 셔터(43)는 폐쇄 상태로 되어 있는 것으로 한다. 또한 승강부(61)는 상승한 상태에 있고, 지지 핀(63)의 단부는 열처리부(50) 상에 돌출되어 있는 것으로 한다.Hereinafter, a specific example of the control procedure of the heat treatment unit U2 by the control unit 100 will be described. It is assumed that the ring shutter 43 is in a closed state at the start of this control procedure. It is also assumed that the elevating portion 61 is in an elevated state and the end portion of the supporting pin 63 protrudes on the heat processing portion 50. [

도 7에 도시한 바와 같이 제어부(100)는 먼저 스텝 S01을 실행한다. 스텝 S01에서는 계수 설정부(111)가 상기 상관 계수를 설정한다.As shown in Fig. 7, the control section 100 first executes step S01. In step S01, the coefficient setting unit 111 sets the correlation coefficient.

다음으로 제어부(100)는 스텝 S02를 실행한다. 스텝 S02에서는 개폐 제어부(117)가, 링 셔터(43)를 하강시켜 폐쇄 상태를 개방 상태로 전환하도록 개폐 구동부(44)를 제어한다.Next, the control section 100 executes step S02. In step S02, the opening / closing control section 117 controls the opening / closing drive section 44 to lower the ring shutter 43 to switch the closed state to the open state.

다음으로 제어부(100)는 스텝 S03을 실행한다. 스텝 S03에서는 반송 암 A3에 의한 웨이퍼 W의 반입의 완료를 개폐 제어부(117)가 대기한다.Next, the control section 100 executes step S03. In step S03, the open / close control unit 117 waits for completion of carrying the wafer W by the transfer arm A3.

반송 암 A3에 의한 웨이퍼 W의 반입이 완료되면(도 8의 (a) 참조), 제어부(100)는 스텝 S04를 실행한다. 스텝 S04에서는 개폐 제어부(117)가, 링 셔터(43)를 상승시켜 개방 상태를 폐쇄 상태로 전환하도록 개폐 구동부(44)를 제어한다(도 8의 (b) 참조).When the transfer of the wafer W by the transfer arm A3 is completed (see Fig. 8A), the control section 100 executes step S04. In step S04, the open / close control unit 117 controls the open / close drive unit 44 to raise the ring shutter 43 to switch the open state to the closed state (see FIG. 8 (b)).

다음으로 제어부(100)는 스텝 S05를 실행한다. 스텝 S05에서는 승강 제어부(116)가, 승강부(61)를 하강시켜 웨이퍼 W를 열처리부(50) 상에 적재하도록 기판 승강부(60)를 제어한다(도 8의 (c) 참조).Next, the control section 100 executes step S05. In step S05, the elevation control section 116 controls the substrate elevation section 60 to lower the elevation section 61 to load the wafer W on the heat treatment section 50 (see Fig. 8 (c)).

다음으로 제어부(100)는 스텝 S06을 실행한다. 스텝 S06에서는 유속 정보 취득부(113)가, 복수의 유속 센서(71)에 의하여 검출된 유속의 정보를 취득한다.Next, the control section 100 executes step S06. In step S06, the flow velocity information acquisition section 113 acquires information of the flow velocity detected by the plurality of flow velocity sensors 71. [

다음으로 제어부(100)는 스텝 S07을 실행한다. 스텝 S07에서는 온도 분포 설정부(114)가, 유속 정보 취득부(113)에 의하여 취득된 유속의 정보와 계수 설정부(111)에 의하여 설정된 상관 계수를 이용하여 복수의 열처리 영역(51)에 있어서의 온도 분포를 설정한다.Next, the control section 100 executes step S07. In step S07, the temperature distribution setting section 114 sets the temperature distribution in the plurality of heat treatment regions 51 using the information of the flow velocity acquired by the flow velocity information acquisition section 113 and the correlation coefficient set by the coefficient setting section 111 Is set.

다음으로 제어부(100)는 스텝 S08을 실행한다. 스텝 S08에서는 온도 제어부(115)가, 온도 분포 설정부(114)에 의하여 설정된 온도 분포로 복수의 열처리 영역(51)의 온도를 조절하도록 열처리부(50)를 제어한다.Next, the control section 100 executes step S08. In step S08, the temperature control unit 115 controls the heat treatment unit 50 to adjust the temperatures of the plurality of heat treatment areas 51 with the temperature distribution set by the temperature distribution setting unit 114. [

다음으로 제어부(100)는 스텝 S09를 실행한다. 스텝 S09에서는 소정 시간이 경과되었는지 여부를 온도 제어부(115)가 확인한다. 소정 시간은, 막 형성을 위하여 충분한 열처리를 실시할 수 있도록 미리 설정되어 있다.Next, the control section 100 executes step S09. In step S09, the temperature control unit 115 confirms whether or not a predetermined time has elapsed. The predetermined time is set in advance so that sufficient heat treatment can be performed for film formation.

스텝 S09에 있어서 소정 시간은 경과되지 않았다고 판정한 경우, 제어부(100)는 처리를 스텝 S06으로 복귀시킨다. 이후, 소정 시간이 경과되기까지는, 기류의 유속 검출과, 기류의 유속에 따른 온도 분포의 조절이 반복된다.If it is determined in step S09 that the predetermined time has not elapsed, the control section 100 returns the process to step S06. Thereafter, until the predetermined time elapses, the flow rate of the airflow is detected and the temperature distribution is adjusted in accordance with the flow rate of the airflow.

스텝 S09에 있어서 소정 시간이 경과되었다고 판정한 경우, 제어부(100)는 스텝 S10을 실행한다. 스텝 S10에서는 승강 제어부(116)가, 승강부(61)를 상승시켜 웨이퍼 W를 열처리부(50)로부터 부상시키도록 기판 승강부(60)를 제어한다.If it is determined in step S09 that the predetermined time has passed, the control section 100 executes step S10. In step S10, the elevation control section 116 controls the substrate elevation section 60 to raise the elevation section 61 to float the wafer W from the heat treatment section 50. [

다음으로 제어부(100)는 스텝 S11을 실행한다. 스텝 S11에서는 개폐 제어부(117)가, 링 셔터(43)를 하강시켜 폐쇄 상태를 개방 상태로 전환하도록 개폐 구동부(44)를 제어한다.Next, the control section 100 executes step S11. In step S11, the opening / closing control section 117 controls the opening / closing drive section 44 to lower the ring shutter 43 to switch the closed state to the open state.

다음으로 제어부(100)는 스텝 S12를 실행한다. 스텝 S12에서는 반송 암 A3에 의한 웨이퍼 W의 반출의 완료를 개폐 제어부(117)가 대기한다.Next, the control section 100 executes step S12. In step S12, the open / close control unit 117 waits for completion of carrying out of the wafer W by the transfer arm A3.

다음으로 제어부(100)는 스텝 S13을 실행한다. 스텝 S13에서는 개폐 제어부(117)가, 링 셔터(43)를 상승시켜 개방 상태를 폐쇄 상태로 전환하도록 개폐 구동부(44)를 제어한다. 이상으로 제어부(100)에 의한 열처리 유닛 U2의 제어 수순이 완료된다.Next, the control section 100 executes step S13. In step S13, the opening / closing control section 117 controls the opening / closing drive section 44 to raise the ring shutter 43 to switch the opened state to the closed state. Thus, the control procedure of the heat treatment unit U2 by the control unit 100 is completed.

〔본 실시 형태의 효과〕[Effect of this embodiment]

이상에 설명한 바와 같이 열처리 장치(20)는, 처리 대상인 웨이퍼 W를 수용하는 처리실(31)과, 처리실(31) 내에 설치되어 웨이퍼 W를 지지하고 가열하는 열처리부이며, 당해 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 적어도 배열되는 복수의 열처리 영역(51)을 갖는 열처리부(50)와, 처리실(31) 내에 기체를 도입하는 급기구(35)와, 처리실(31) 내로부터 기체를 배출하는 배기구(34)와, 열처리부(50)에 지지되는 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되어 기류의 유속을 검출하는 복수의 유속 센서(71)와, 복수의 유속 센서(71)에 의하여 검출되는 기류의 유속에 따른 온도 분포로 복수의 열처리 영역(51)의 온도를 조절하도록 열처리부(50)를 제어하는 제어부(100)를 구비한다.As described above, the heat treatment apparatus 20 includes a treatment chamber 31 for accommodating a wafer W to be treated, a heat treatment unit installed in the treatment chamber 31 for supporting and heating the wafer W, (35) for introducing gas into the processing chamber (31), an exhaust port (34) for exhausting the gas from the inside of the processing chamber (31), and a heat exchanger A plurality of flow velocity sensors 71 arranged in the circumferential direction of the wafer W supported by the heat treatment section 50 to detect the flow velocity of the airflow, And a control unit (100) for controlling the heat treatment unit (50) to adjust the temperature of the plurality of heat treatment areas (51).

처리실(31) 내에 있어서, 기류의 유속이 높은 개소와 낮은 개소에서는 열처리의 진행의 정도에 차이가 발생하고, 이것에 기인하여 열처리 후의 막 두께의 균일성이 저하되는 경우가 있다. 이 때문에 기류의 유속의 균일성 향상이 요망되지만, 기류 분포는 처리실(31) 밖의 여러 조건의 영향도 받으므로 제어가 어렵다. 이에 비해 열처리 장치(20)에서는 기류 분포의 제어 대신, 기류의 유속에 따른 온도 분포로 복수의 열처리 영역(51)의 온도를 조절함으로써, 기류의 유속 분포에 기인하는 막 두께의 균일성 저하가 억제된다. 온도 분포는 기류의 유속 분포와 비교하여 용이하게 제어 가능하기 때문에, 기류의 유속에 따른 온도 분포로 복수의 열처리 영역(51)의 온도를 조절하는 구성에 의하면, 기류의 유속 분포에 기인하는 막 두께의 균일성 저하를 용이하게 억제할 수 있다. 또한 복수의 유속 센서(71)에 의하여 기류의 유속 분포를 실시간으로 검출하고 이에 따라 온도 분포를 조절할 수 있으므로, 외적 요인에 의하여 기류의 유속이 경시적으로 변화되는 경우에도 이에 즉응하여 온도 분포를 조절하여 유속의 변화의 영향을 억제할 수 있다. 또한 복수의 열처리 영역(51) 및 복수의 유속 센서(71)는 모두 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되도록 배치되어 있다. 이 배치는, 웨이퍼 W의 둘레 방향에 있어서의 유속 분포의 영향의 억제에 적합하다. 기류의 유속의 차이는, 웨이퍼 W의 둘레 방향에 있어서의 위치가 상이한 개소 간에 발생하기 쉬운 경향이 있다. 그래서, 웨이퍼 W의 둘레 방향에 있어서의 유속 분포의 영향의 억제에 적합한 구성에 의하면, 유속 분포의 영향을 보다 확실히 억제할 수 있다. 따라서 열처리 장치(20)는, 피막 형성에 있어서의 막 두께의 균일성 향상에 유효하다.In the treatment chamber 31, there is a difference in the degree of the progress of the heat treatment in the portion where the flow rate of the airflow is high and the portion where the flow rate of the airflow is low, and the uniformity of the film thickness after the heat treatment may be lowered due to this. For this reason, it is desired to improve the uniformity of the flow velocity of the airflow, but the airflow distribution is also influenced by various conditions outside the treatment chamber 31, so that control is difficult. In contrast, in the heat treatment apparatus 20, the temperature of the plurality of heat treatment regions 51 is controlled by the temperature distribution according to the flow rate of the airflow instead of the airflow distribution control, thereby suppressing the uniformity deterioration of the film thickness caused by the airflow velocity distribution do. The temperature distribution can be easily controlled in comparison with the flow velocity distribution of the airflow. Therefore, according to the configuration in which the temperature of the plurality of heat treatment zones 51 is controlled by the temperature distribution according to the flow velocity of the airflow, Can be easily suppressed. In addition, since the flow velocity of the airflow can be detected in real time by the plurality of flow velocity sensors 71 and the temperature distribution can be adjusted accordingly, even when the flow velocity of the airflow is changed with time due to external factors, So that the influence of the change in the flow velocity can be suppressed. The plurality of heat treatment regions 51 and the plurality of flow velocity sensors 71 are arranged so as to be arranged in the circumferential direction of the wafer W. [ This arrangement is suitable for suppressing the influence of the flow velocity distribution in the circumferential direction of the wafer W. The difference in the flow rate of the airflow tends to occur between positions where the positions in the circumferential direction of the wafer W are different from each other. Therefore, with the configuration suitable for suppressing the influence of the flow velocity distribution in the circumferential direction of the wafer W, the influence of the flow velocity distribution can be more reliably suppressed. Therefore, the heat treatment apparatus 20 is effective for improving the uniformity of the film thickness in the film formation.

웨이퍼 W는 하층 막 형성용의 처리액이 도포된 웨이퍼 W이며, 제어부(100)는, 복수의 유속 센서(71)에 의하여 검출되는 기류의 유속과 온도 분포의 관계를 처리액의 종류에 따라 변화시키도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 기류의 유속 분포와 온도 분포의 관계를 처리액의 종류에 따라 적절히 설정함으로써, 기류의 유속 분포에 기인하는 막 두께의 균일성 저하를 보다 확실히 억제할 수 있다.The wafer W is a wafer W to which a treatment liquid for forming a lower layer film is applied. The control unit 100 changes the relationship between the flow velocity of the airflow detected by the plurality of flow velocity sensors 71 and the temperature distribution, . In this case, by appropriately setting the relationship between the flow velocity distribution of the airflow and the temperature distribution in accordance with the type of the treatment liquid, it is possible to more reliably suppress the lowering of the uniformity of the film thickness caused by the flow velocity distribution of the airflow.

웨이퍼 W의 둘레 방향에 있어서, 복수의 유속 센서(71)는 복수의 열처리 영역(51)에 각각 대응하도록 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 각 열처리 영역(51) 상의 기류의 유속이 직접적으로 검출되므로, 열처리 영역(51)의 온도 설정값을 용이하게 도출할 수 있다.In the circumferential direction of the wafer W, the plurality of flow velocity sensors 71 may be arranged to correspond to the plurality of heat treatment regions 51, respectively. In this case, since the flow velocity of the airflow on each heat treatment region 51 is directly detected, the temperature set value of the heat treatment region 51 can be easily derived.

복수의 유속 센서(71)는, 열처리부(50)에 지지되는 웨이퍼 W보다도 외측에 설치되어 있어도 된다. 이 경우, 웨이퍼 W 상의 기류를 유속 센서(71)에 의하여 흩뜨리지 않고 기류의 유속을 검출할 수 있다.The plurality of flow velocity sensors 71 may be provided on the outer side of the wafer W supported by the heat treatment section 50. In this case, the flow velocity of the airflow can be detected without disturbing the airflow on the wafer W by the flow velocity sensor 71. [

처리실(31)의 내면은, 열처리부(50)에 지지되는 웨이퍼 W의 표면 Wa에 대향하는 상면(32)과, 열처리부(50)에 지지된 웨이퍼 W를 둘러싸는 둘레면(33)을 포함해도 되며, 배기구(34)는 상면(32)의 중앙부에 형성되어 있어도 되고, 급기구(35)는 둘레면(33)을 따라 웨이퍼 W를 둘러싸도록 설치되어 있어도 된다. 이 경우, 웨이퍼 W의 둘레 방향에 있어서의 위치가 상이한 개소 간에 기류의 유속의 차이가 발생하기 쉬운 경향이 보다 현저해지므로, 복수의 열처리 영역(51) 및 복수의 유속 센서(71)가 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되는 배치가 보다 유효하게 작용한다.The inner surface of the processing chamber 31 includes an upper surface 32 opposed to the surface Wa of the wafer W supported by the heat treatment section 50 and a circumferential surface 33 surrounding the wafer W supported by the heat treatment section 50 The air outlet 34 may be formed at the central portion of the upper surface 32 and the air supply mechanism 35 may be provided so as to surround the wafer W along the circumferential surface 33. [ A plurality of heat treatment zones 51 and a plurality of flow velocity sensors 71 are provided on the surface of the wafer W. In this case, since the tendency that a difference in the flow velocity of the airflow is likely to occur between the positions where the positions in the circumferential direction of the wafer W are different becomes more conspicuous, The arrangement arranged in the circumferential direction of the base plate 1 serves more effectively.

이상, 실시 형태에 대하여 설명했지만 본 발명은 반드시 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.Although the embodiments have been described above, the present invention is not necessarily limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible without departing from the gist of the invention.

예를 들어 도 9에 도시한 바와 같이 유속 센서(71A, 71B, 71C, 71D)는, 링 셔터(43)의 내주측에 있어서의 급기 유로(46)의 개구부에 설치되어 있어도 된다. 이 경우, 유속 센서(71A, 71B, 71C, 71D)는, 급기구(35)로부터 배기구(34)를 향하는 기류의 유속을 검출한다.For example, as shown in Fig. 9, the flow rate sensors 71A, 71B, 71C and 71D may be provided in the openings of the air supply flow path 46 on the inner circumferential side of the ring shutter 43. [ In this case, the flow velocity sensors 71A, 71B, 71C and 71D detect the flow velocity of the airflow from the air supply mechanism 35 toward the air discharge port 34. [

또한 도 10에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되는 복수의 유속 센서(71)에 대하여 웨이퍼 W의 직경 방향으로 배열되는 유속 센서(71)를 추가로 가져도 된다. 이 경우, 웨이퍼 W의 둘레 방향에 있어서의 기류의 유속 분포에 추가하여, 웨이퍼 W의 직경 방향에 있어서의 유속 분포에도 대응한 온도 분포로 복수의 열처리 영역(51)의 온도를 조절하는 것이 가능하다. 웨이퍼 W의 직경 방향에 있어서의 유속 분포에 세밀하게 대응시키기 위하여, 웨이퍼 W의 직경 방향으로 배열되는 열처리 영역(51)의 수를 증가시켜도 된다. 일례로서, 도 11에 도시하는 열처리부(50)는 열처리 영역(51E)과 열처리 영역(51A, 51B, 51C, 51D) 사이에, 웨이퍼 W의 둘레 방향을 따라 배열되는 열처리 영역(51F, 51G, 51H, 51I)을 추가한 것이다.10, a plurality of flow velocity sensors 71 arranged in the circumferential direction of the wafer W may further include a flow velocity sensor 71 arranged in the radial direction of the wafer W. [ In this case, in addition to the flow velocity distribution of the airflow in the circumferential direction of the wafer W, it is possible to adjust the temperature of the plurality of heat treatment zones 51 with a temperature distribution corresponding to the flow velocity distribution in the radial direction of the wafer W . The number of the heat treatment regions 51 arranged in the radial direction of the wafer W may be increased in order to finely correspond to the flow velocity distribution in the radial direction of the wafer W. [ 11 is provided between the heat treatment region 51E and the heat treatment regions 51A, 51B, 51C and 51D and between the heat treatment regions 51F, 51G and 51D arranged along the circumferential direction of the wafer W. [ 51H, 51I).

급기구(35) 및 배기구(34)의 배치는 상술한 것에 한정되지 않는다. 예를 들어 처리실(31) 내를 수평 방향으로 횡단하는 기류를 발생시키도록 급기구(35) 및 배기구(34)의 양쪽이 둘레면(33)에 형성되어 있어도 된다.The arrangement of the air supply mechanism (35) and the exhaust port (34) is not limited to that described above. Both of the air supply mechanism 35 and the air discharge port 34 may be formed on the circumferential surface 33 so as to generate an air flow that horizontally traverses the processing chamber 31, for example.

스텝 S06 내지 S09에서 예시한 바와 같이, 기류의 유속 검출과, 기류의 유속에 따른 온도 분포의 조절을 반복하여 실행하는 것은 필수적이지는 않다. 처리실(31) 내의 기류가 경시적으로 안정되어 있는 경우에는, 사전 조건 설정에 있어서 기류의 유속을 측정하고, 이에 따라 복수의 열처리 영역(51)에 있어서의 온도 분포를 설정해 두어, 이후에는 동일한 온도 분포로 복수의 열처리 영역(51)의 온도를 조절하도록 열처리부(50)를 제어해도 된다. 이 경우, 조건 설정 후에 유속 센서(71)를 떼어내도 된다.As exemplified in steps S06 to S09, it is not necessary to repeatedly perform the detection of the flow rate of the airflow and the adjustment of the temperature distribution according to the flow rate of the airflow. In the case where the airflow in the treatment chamber 31 is stable over time, the flow rate of the airflow in the pre-condition setting is measured, and accordingly, the temperature distribution in the plurality of heat treatment regions 51 is set, The heat treatment section 50 may be controlled so as to adjust the temperature of the plurality of heat treatment regions 51 with a distribution. In this case, the flow rate sensor 71 may be detached after the condition setting.

상기 열처리 수순은 가열 처리뿐 아니라 냉각 처리에도 적용 가능하다. 즉, 열처리 영역(51)은 히터 대신 냉매관 등의 쿨러를 내장하고 있어도 된다.The heat treatment step can be applied not only to the heat treatment but also to the cooling treatment. That is, the heat treatment region 51 may contain a cooler such as a refrigerant tube instead of a heater.

상기 열처리 수순은, 하층 막 이외의 피막(예를 들어 레지스트막 등)을 형성하기 위한 열처리에도 적용 가능하다.The heat treatment process is also applicable to a heat treatment for forming a film other than the underlayer film (for example, a resist film or the like).

처리 대상인 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않으며, 예를 들어 유리 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 등이어도 된다.The substrate to be treated is not limited to a semiconductor wafer, and may be, for example, a glass substrate, a mask substrate, a flat panel display (FPD), or the like.

20: 열처리 장치
50: 열처리부
71, 71A, 71B, 71C, 71D: 유속 센서
31: 처리실
35: 급기구
34: 배기구
32: 상면
33: 둘레면
51, 51A, 51B, 51C, 51D, 51E, 51F, 51H, 51I: 열처리 영역
100: 제어부20: Heat treatment apparatus
50: Heat treatment unit
71, 71A, 71B, 71C, 71D:
31: Treatment room
35:
34: Exhaust
32: upper surface
33: circumference face
51, 51A, 51B, 51C, 51D, 51E, 51F, 51H, 51I:
100:

Claims (8)

처리 대상인 기판을 수용하는 처리실과,
상기 처리실 내에 있어서 상기 기판을 지지하고 가열 또는 냉각하는 열처리부이며, 당해 기판의 둘레 방향으로 배열되는 복수의 열처리 영역을 갖는 열처리부와,
상기 처리실 내에 기체를 도입하는 급기구와,
상기 처리실 내로부터 기체를 배출하는 배기구와,
상기 열처리부에 지지되는 상기 기판의 둘레 방향으로 배열되어 기류의 유속을 검출하는 복수의 유속 센서와,
상기 복수의 유속 센서에 의하여 검출되는 기류의 유속에 따른 온도 분포로 상기 복수의 열처리 영역의 온도를 조절하도록 상기 열처리부를 제어하는 제어부를 구비하는 열처리 장치.A processing chamber for accommodating a substrate to be processed,
A heat treatment section having a plurality of heat treatment regions arranged in a circumferential direction of the substrate, the heat treatment section being configured to support and heat or cool the substrate in the treatment chamber;
A supply mechanism for introducing a gas into the processing chamber,
An exhaust port for exhausting the gas from the inside of the treatment chamber,
A plurality of flow velocity sensors arranged in a circumferential direction of the substrate supported by the heat treatment section to detect a velocity of an airflow;
And a control unit for controlling the heat treatment unit to adjust the temperature of the plurality of heat treatment zones with a temperature distribution according to the flow rate of the airflow detected by the plurality of flow velocity sensors. 제1항에 있어서,
상기 처리 대상인 기판은 처리액이 도포된 기판이고,
상기 제어부는, 상기 복수의 유속 센서에 의하여 검출되는 기류의 유속과 상기 온도 분포의 관계를 상기 처리액의 종류에 따라 변화시키도록 구성되어 있는 열처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate to be treated is a substrate to which a treatment liquid is applied,
Wherein the control unit is configured to change the relationship between the flow velocity of the airflow detected by the plurality of flow velocity sensors and the temperature distribution according to the type of the treatment liquid. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판의 둘레 방향에 있어서, 상기 복수의 유속 센서는 상기 복수의 열처리 영역에 각각 대응하도록 배치되어 있는 열처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the plurality of flow velocity sensors are disposed so as to correspond to the plurality of heat treatment regions in the circumferential direction of the substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 복수의 유속 센서는, 상기 열처리부에 지지되는 상기 기판보다도 외측에 설치되어 있는 열처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the plurality of flow velocity sensors are provided outside the substrate supported by the heat treatment section. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 처리실의 내면은, 상기 열처리부에 지지되는 상기 기판의 표면에 대향하는 상면과, 당해 기판을 둘러싸는 둘레면을 포함하고,
상기 배기구는 상기 상면의 중앙부에 형성되어 있고,
상기 급기구는 상기 둘레면을 따라 상기 기판을 둘러싸도록 형성되어 있는 열처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein an inner surface of the processing chamber includes an upper surface opposed to a surface of the substrate supported by the heat treatment portion and a circumferential surface surrounding the substrate,
The exhaust port is formed at a central portion of the upper surface,
Wherein the feed mechanism is formed to surround the substrate along the circumferential surface. 처리 대상인 기판을 처리실 내에 반입하는 것과,
상기 처리실 내의 열처리부 상에 상기 기판을 적재하는 것과,
상기 기판의 둘레 방향으로 배열되는 복수 개소에 있어서의 기류의 유속에 따른 온도 분포로 상기 기판을 가열 또는 냉각하도록 상기 열처리부를 제어하는 것을 포함하는 열처리 방법.A step of bringing the substrate to be treated into the processing chamber,
Loading the substrate on the heat treatment section in the treatment chamber,
And controlling the heat treatment section to heat or cool the substrate with a temperature distribution corresponding to a flow rate of the airflow at a plurality of locations arranged in a circumferential direction of the substrate. 제6항에 있어서,
상기 처리 대상인 기판은 처리액이 도포된 기판이고,
상기 복수 개소에 있어서의 기류의 유속과 상기 온도 분포의 관계를 상기 처리액의 종류에 따라 변화시키는 열처리 방법.The method according to claim 6,
Wherein the substrate to be treated is a substrate to which a treatment liquid is applied,
Wherein the relationship between the flow velocity of the airflow at the plurality of locations and the temperature distribution is changed according to the kind of the treatment liquid. 제6항 또는 제7항에 기재된 열처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.A computer-readable storage medium storing a program for causing an apparatus to perform the heat treatment method according to claim 6 or 7.
KR1020180074519A 2017-07-27 2018-06-28 Heat treatment apparatus, heat treatment method and storage medium KR102502024B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-145702 2017-07-27
JP2017145702A JP6955928B2 (en) 2017-07-27 2017-07-27 Heat treatment equipment, heat treatment method and storage medium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190013473A true KR20190013473A (en) 2019-02-11
KR102502024B1 KR102502024B1 (en) 2023-02-21

Family

ID=65225954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180074519A KR102502024B1 (en) 2017-07-27 2018-06-28 Heat treatment apparatus, heat treatment method and storage medium

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6955928B2 (en)
KR (1) KR102502024B1 (en)
CN (1) CN109309033B (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110690134B (en) * 2019-09-12 2022-07-01 长江存储科技有限责任公司 Method and device for detecting gas leakage of multi-station deposition process and readable storage medium
CN113838767B (en) * 2020-06-08 2023-12-12 长鑫存储技术有限公司 Developing device and developing method
CN116313946B (en) * 2023-05-24 2023-10-17 长鑫存储技术有限公司 Temperature adjusting system and adjusting method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040081045A (en) * 2003-03-11 2004-09-20 소니 가부시끼 가이샤 Heat treatment apparatus and method of semiconductor wafer
KR20060103217A (en) * 2005-03-25 2006-09-28 동경 엘렉트론 주식회사 Heating apparatus, coating, developing apparatus and the heating method
US20080099463A1 (en) * 2006-09-29 2008-05-01 Tokyo Electron Limited Method and processing system for rapid hotplate cool down
KR20080080925A (en) * 2007-03-02 2008-09-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus
JP2016115919A (en) 2014-12-10 2016-06-23 東京エレクトロン株式会社 Thermal treatment apparatus, thermal treatment method and storage medium

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000286267A (en) * 1999-03-31 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd Heat treatment method
JP3910054B2 (en) * 2001-12-10 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment
JP2003243490A (en) * 2002-02-18 2003-08-29 Hitachi High-Technologies Corp Wafer treatment device and wafer stage, and wafer treatment method
JP4428175B2 (en) * 2004-09-14 2010-03-10 株式会社Ｓｕｍｃｏ Vapor phase epitaxial growth apparatus and semiconductor wafer manufacturing method
JP4179276B2 (en) * 2004-12-24 2008-11-12 セイコーエプソン株式会社 Solvent removal apparatus and solvent removal method
JP2006204997A (en) * 2005-01-26 2006-08-10 Seiko Epson Corp Substrate drying device, substrate processing system equipped with it, and manufacturing method of electro-optical apparatus, electro-optical apparatus and electronic component
JP2008166447A (en) * 2006-12-27 2008-07-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method and mechanism of wafer temperature control in cmp apparatus
JP2011077143A (en) * 2009-09-29 2011-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Heat treatment apparatus
JP5041009B2 (en) * 2010-01-14 2012-10-03 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment apparatus, heat treatment method and storage medium
JP4886876B2 (en) * 2010-05-31 2012-02-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2012178480A (en) * 2011-02-28 2012-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10217652B2 (en) * 2014-12-10 2019-02-26 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus, heat treatment method, and storage medium

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040081045A (en) * 2003-03-11 2004-09-20 소니 가부시끼 가이샤 Heat treatment apparatus and method of semiconductor wafer
KR20060103217A (en) * 2005-03-25 2006-09-28 동경 엘렉트론 주식회사 Heating apparatus, coating, developing apparatus and the heating method
US20080099463A1 (en) * 2006-09-29 2008-05-01 Tokyo Electron Limited Method and processing system for rapid hotplate cool down
KR20080080925A (en) * 2007-03-02 2008-09-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus
JP2016115919A (en) 2014-12-10 2016-06-23 東京エレクトロン株式会社 Thermal treatment apparatus, thermal treatment method and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
CN109309033B (en) 2024-03-26
JP6955928B2 (en) 2021-10-27
JP2019029450A (en) 2019-02-21
CN109309033A (en) 2019-02-05
KR102502024B1 (en) 2023-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100595082B1 (en) Resist processing method and evaluation method, processing apparatus, liquid processing method of resist processing system and resist film
US8748780B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable storage medium
KR20190013473A (en) Heat treatment apparatus, heat treatment method and storage medium
KR101207046B1 (en) Substrate processing method, computer readable storage medium, and substrate processing system
KR20090091667A (en) Substrate processing method, computer-readable storage medium, and substrate processing system
CN111554571B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5174098B2 (en) Heat treatment method, recording medium recording program for executing heat treatment method, and heat treatment apparatus
US20140030423A1 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium for liquid processing
KR101667434B1 (en) Heat treatment apparatus, heat treatment method and recording medium
JP2012038969A (en) Heat treatment method, recording medium storing program for executing heat treatment method, and heat treatment device
KR101018574B1 (en) Heat treatment device and heat treatment method and storage medium
US7525650B2 (en) Substrate processing apparatus for performing photolithography
US10340140B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7003260B2 (en) Substrate processing equipment, substrate processing method, and storage medium
KR20200042857A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
US20210387224A1 (en) Substrate processing apparatus, estimation method of substrate processing and recording medium
JP6937906B2 (en) Board processing equipment
KR20230034670A (en) Apparatus for treating substrate and method for measuring pressure using the same
KR20240013668A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium
KR20150078608A (en) Apparatus for treating substrate
JP2024014708A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and substrate processing program
KR20200120699A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
TW201931494A (en) Substrate treatment apparatus
US8420303B2 (en) Substrate processing method, computer-readable storage medium and substrate processing system

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant